JP2003337063A - 光干渉型ａｅセンサおよびａｅセンサユニットおよびａｅ計測システム - Google Patents
光干渉型ａｅセンサおよびａｅセンサユニットおよびａｅ計測システムInfo
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- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H9/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by using radiation-sensitive means, e.g. optical means
- G01H9/004—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by using radiation-sensitive means, e.g. optical means using fibre optic sensors
- G01H9/006—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by using radiation-sensitive means, e.g. optical means using fibre optic sensors the vibrations causing a variation in the relative position of the end of a fibre and another element
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- Micromachines (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＥセンサのサイズを超小型にし、ＡＥ信
号の検出は電磁ノイズの影響を受けないようにして、小
型から大型物体までのＡＥ解析のＡＥ計測システムを提
供する。 【解決手段】 ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical
System）技術を用いて作った小型形状からなる光干渉
型マイクロセンサを用い、光ファイバと光学部品による
ＡＥセンサユニットにより光信号処理でＡＥ計測システ
ムを構成した。計測光源の波長の選択により被測定物体
とＡＥ計測部本体との距離を長く離せるようにした。
号の検出は電磁ノイズの影響を受けないようにして、小
型から大型物体までのＡＥ解析のＡＥ計測システムを提
供する。 【解決手段】 ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical
System）技術を用いて作った小型形状からなる光干渉
型マイクロセンサを用い、光ファイバと光学部品による
ＡＥセンサユニットにより光信号処理でＡＥ計測システ
ムを構成した。計測光源の波長の選択により被測定物体
とＡＥ計測部本体との距離を長く離せるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＡＥ（Acoustic Emi
ssion）計測システムに関し、ＡＥセンサユニットおよ
びＡＥセンサに関する。
ssion）計測システムに関し、ＡＥセンサユニットおよ
びＡＥセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】固体の物体中で急激な変位が発生すると
弾性波を発生し、ＡＥ波として伝播する。このＡＥ波を
ＡＥセンサにより検出して解析することにより固体材料
の異状診断を行うのがＡＥ技術である。図１２に従来例
であるＡＥ計測システムの構成図を示す。この構成は、
ＡＥセンサ１１１、電気信号線１１２、ＡＥ検出信号を
増幅する前置増幅器１１３、および計測部本体１１０を
基本としている。計測部の構成は、シグナルコンデショ
ナ１１４、信号処理部１１５、および表示部１１６など
を基本としている。ＡＥ信号は微弱で広い周波数帯を持
つのでこれらを忠実に検出するＡＥセンサが必要であ
る。従来のＡＥ計測システムではＡＥセンサ１１１に圧
電効果を利用する圧電素子が主として使われている。こ
れは静電容量型センサやレーザ光学型センサと比べて小
型、高感度で取り扱い易い等の特徴のためである。従来
の圧電型ＡＥセンサの主体部は主にＰＺＴなどの強誘電
体の焼結体（セラミックス）材料で製作される。この構
造のセンサは、所望の測定周波数特性を実現するために
圧電材が厚く、また高感度にするため面積を大きくする
必要があり、サイズを小さくするのは限界があった。こ
のため複雑な形状や小型の被測定物体で計測できない、
などの欠点があった。また、このセンサはハイインピー
ダンスであるため電気的雑音の影響を受けやすいので、
センサのすぐ近くに前置増幅器を接続する必要があり、
計測系を複雑にしていた。また、複数の圧電型ＡＥセン
サではループ電流等の雑音対策に悩まされることが多か
った。このため、微弱な電気信号を取り扱う従来のＡＥ
センサでは信号線の距離に制約があり、通常は１０数ｍ
以内で計測システムを構築する必要があり、被測定物体
の大きさに制限があった。
弾性波を発生し、ＡＥ波として伝播する。このＡＥ波を
ＡＥセンサにより検出して解析することにより固体材料
の異状診断を行うのがＡＥ技術である。図１２に従来例
であるＡＥ計測システムの構成図を示す。この構成は、
ＡＥセンサ１１１、電気信号線１１２、ＡＥ検出信号を
増幅する前置増幅器１１３、および計測部本体１１０を
基本としている。計測部の構成は、シグナルコンデショ
ナ１１４、信号処理部１１５、および表示部１１６など
を基本としている。ＡＥ信号は微弱で広い周波数帯を持
つのでこれらを忠実に検出するＡＥセンサが必要であ
る。従来のＡＥ計測システムではＡＥセンサ１１１に圧
電効果を利用する圧電素子が主として使われている。こ
れは静電容量型センサやレーザ光学型センサと比べて小
型、高感度で取り扱い易い等の特徴のためである。従来
の圧電型ＡＥセンサの主体部は主にＰＺＴなどの強誘電
体の焼結体（セラミックス）材料で製作される。この構
造のセンサは、所望の測定周波数特性を実現するために
圧電材が厚く、また高感度にするため面積を大きくする
必要があり、サイズを小さくするのは限界があった。こ
のため複雑な形状や小型の被測定物体で計測できない、
などの欠点があった。また、このセンサはハイインピー
ダンスであるため電気的雑音の影響を受けやすいので、
センサのすぐ近くに前置増幅器を接続する必要があり、
計測系を複雑にしていた。また、複数の圧電型ＡＥセン
サではループ電流等の雑音対策に悩まされることが多か
った。このため、微弱な電気信号を取り扱う従来のＡＥ
センサでは信号線の距離に制約があり、通常は１０数ｍ
以内で計測システムを構築する必要があり、被測定物体
の大きさに制限があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来のＡＥ計
測システムにおいて欠点であったいくつかの項目を解決
し、新しいＡＥ計測システムを提供するものである。本
発明が解決しようとする課題は、（１）ＡＥセンサのサ
イズを超小型にする、（２）ＡＥ信号検出には電磁ノイ
ズの影響を受けないようにする、（３）信号の長距離伝
送を可能にして、超大型物体の計測を可能にする、
（４）ＡＥセンサに起因するスプリアスな共振をなくし
て、共振型、非共振型のいずれの型も実現できるように
する、（５）高温、高湿、爆発性ある悪環境下での計測
を可能にする、（６）長期間にわたって信頼性の高い計
測システムを構築する。（７）ＡＥセンサとこれを用い
た計測システムをどちらも安価に提供する、ことであ
る。
測システムにおいて欠点であったいくつかの項目を解決
し、新しいＡＥ計測システムを提供するものである。本
発明が解決しようとする課題は、（１）ＡＥセンサのサ
イズを超小型にする、（２）ＡＥ信号検出には電磁ノイ
ズの影響を受けないようにする、（３）信号の長距離伝
送を可能にして、超大型物体の計測を可能にする、
（４）ＡＥセンサに起因するスプリアスな共振をなくし
て、共振型、非共振型のいずれの型も実現できるように
する、（５）高温、高湿、爆発性ある悪環境下での計測
を可能にする、（６）長期間にわたって信頼性の高い計
測システムを構築する。（７）ＡＥセンサとこれを用い
た計測システムをどちらも安価に提供する、ことであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記、課題に対して本発
明がなされた。本発明の基本とすることは、ＡＥ計測シ
ステムにおけるＡＥセンサおよびＡＥセンサユニットに
おいて従来の電気信号処理の方式に変えて、本発明では
光信号処理によりシステムを構成することである。この
ために用いるＡＥセンサはＭＥＭＳ（Micro Electro
Mechanical System）で作った小型形状からなる光干渉
型マイクロセンサを用いること、およびこれを用いて構
築するＡＥセンサユニットは、光源と光信号処理部と光
信号を電気信号に変換する検出器を主体に有して構成さ
れることを特徴としている。このため本発明のＡＥセン
サと光信号処理部は光ファイバで結合しているので、被
測定物体とＡＥ計測部本体との距離は長く離せることを
特徴とする。
明がなされた。本発明の基本とすることは、ＡＥ計測シ
ステムにおけるＡＥセンサおよびＡＥセンサユニットに
おいて従来の電気信号処理の方式に変えて、本発明では
光信号処理によりシステムを構成することである。この
ために用いるＡＥセンサはＭＥＭＳ（Micro Electro
Mechanical System）で作った小型形状からなる光干渉
型マイクロセンサを用いること、およびこれを用いて構
築するＡＥセンサユニットは、光源と光信号処理部と光
信号を電気信号に変換する検出器を主体に有して構成さ
れることを特徴としている。このため本発明のＡＥセン
サと光信号処理部は光ファイバで結合しているので、被
測定物体とＡＥ計測部本体との距離は長く離せることを
特徴とする。
【０００５】本発明のＡＥ計測システムにおいて、計測
に用いる光の波長帯は、１．３μｍ帯および１．５５μ
ｍ帯のいずれかあるいはこの多重光を用いて、高性能
で、しかも安価なＡＥ計測システムを提供する。
に用いる光の波長帯は、１．３μｍ帯および１．５５μ
ｍ帯のいずれかあるいはこの多重光を用いて、高性能
で、しかも安価なＡＥ計測システムを提供する。
【０００６】本発明のＡＥ計測システムに用いるＡＥセ
ンサは、センサの周波数特性を制御するためにセンサの
光を検出する錘部と対向する面部のギャップを変えるよ
う、少なくとも錘部と対向する面部のどちらかに機械的
な加工による制御機能部を具備したことを特徴とする光
干渉ＡＥセンサを提供する。
ンサは、センサの周波数特性を制御するためにセンサの
光を検出する錘部と対向する面部のギャップを変えるよ
う、少なくとも錘部と対向する面部のどちらかに機械的
な加工による制御機能部を具備したことを特徴とする光
干渉ＡＥセンサを提供する。
【０００７】本発明のＡＥ計測システムに用いるＡＥセ
ンサは、センサの光を検出する錘の面の動きを電気的に
制御するごとく、センサ部に制御機能部を具備したこと
を特徴とする光干渉型マイクロセンサを提供する。
ンサは、センサの光を検出する錘の面の動きを電気的に
制御するごとく、センサ部に制御機能部を具備したこと
を特徴とする光干渉型マイクロセンサを提供する。
【０００８】本発明のＡＥ計測システムに用いるＡＥセ
ンサユニットは、光干渉型マイクロセンサと光部品を用
いて構築し、計測光の光源として波長可変レーザを用い
たことを特徴とするＡＥセンサユニットを提供する。
ンサユニットは、光干渉型マイクロセンサと光部品を用
いて構築し、計測光の光源として波長可変レーザを用い
たことを特徴とするＡＥセンサユニットを提供する。
【０００９】本発明のＡＥ計測システムに用いるＡＥセ
ンサユニットは、光干渉型マイクロセンサと光部品を用
いて構築し、計測光の光源として広帯域発光素子を用い
たことを特徴とするＡＥセンサユニットを提供する。
ンサユニットは、光干渉型マイクロセンサと光部品を用
いて構築し、計測光の光源として広帯域発光素子を用い
たことを特徴とするＡＥセンサユニットを提供する。
【００１０】本発明のＡＥ計測システムに用いるＡＥセ
ンサユニットは、複数個の光干渉型マイクロセンサと少
なくとも１個の広帯域発光素子を計測光の光源に用い
て、複数のセンサから波長の異なる光のＡＥ信号を検出
するために波長可変フィルタと光検出器のセットを複数
個用いて構成したことを特徴とするＡＥセンサユニット
を提供する。
ンサユニットは、複数個の光干渉型マイクロセンサと少
なくとも１個の広帯域発光素子を計測光の光源に用い
て、複数のセンサから波長の異なる光のＡＥ信号を検出
するために波長可変フィルタと光検出器のセットを複数
個用いて構成したことを特徴とするＡＥセンサユニット
を提供する。
【００１１】本発明のＡＥ計測システムに用いるＡＥセ
ンサユニットは、複数個の測定個所からＡＥ信号を計測
するシステムにおいて、複数個の光干渉型マイクロセン
サと少なくとも１個の広帯域発光素子を計測光の光源に
用いて、複数のセンサから波長の異なる光のＡＥ信号を
検出するためにファイバブラッググレーテングと光検出
器のセットを複数個用いて構成したことを特徴とするＡ
Ｅセンサユニットを提供する。また、計測するシステム
において、複数個の光干渉型マイクロセンサと計測光の
光源に少なくとも１個の広帯域発光素子を用いるＡＥセ
ンサユニットにおいて、複数のセンサからＡＥ信号を検
出する構成であることを特徴とするＡＥセンサユニット
を提供する。
ンサユニットは、複数個の測定個所からＡＥ信号を計測
するシステムにおいて、複数個の光干渉型マイクロセン
サと少なくとも１個の広帯域発光素子を計測光の光源に
用いて、複数のセンサから波長の異なる光のＡＥ信号を
検出するためにファイバブラッググレーテングと光検出
器のセットを複数個用いて構成したことを特徴とするＡ
Ｅセンサユニットを提供する。また、計測するシステム
において、複数個の光干渉型マイクロセンサと計測光の
光源に少なくとも１個の広帯域発光素子を用いるＡＥセ
ンサユニットにおいて、複数のセンサからＡＥ信号を検
出する構成であることを特徴とするＡＥセンサユニット
を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の１実施例に
よるＡＥ計測システムの構成図を図１に示す。この構成
は、光干渉型マイクロセンサ１、光ファイバ２、ＡＥ信
号処理部３、および計測部本体１０を基本としている。
ＡＥ信号処理部３の構成は光源、光検出器および光サー
キュレータなどの光部品を用いることを基本としてい
る。また、計測部本体１０の構成は、シグナルコンデシ
ョナ１４、信号処理部１５、および表示部１６などを基
本としている。ＡＥ計測システムは被測定物体９を診断
する要求に応じてＡＥセンサ１を１個から複数個（Ｎ
個）、用いた構成でＡＥ波の計測・解析がなされる。
よるＡＥ計測システムの構成図を図１に示す。この構成
は、光干渉型マイクロセンサ１、光ファイバ２、ＡＥ信
号処理部３、および計測部本体１０を基本としている。
ＡＥ信号処理部３の構成は光源、光検出器および光サー
キュレータなどの光部品を用いることを基本としてい
る。また、計測部本体１０の構成は、シグナルコンデシ
ョナ１４、信号処理部１５、および表示部１６などを基
本としている。ＡＥ計測システムは被測定物体９を診断
する要求に応じてＡＥセンサ１を１個から複数個（Ｎ
個）、用いた構成でＡＥ波の計測・解析がなされる。
【００１３】この実施例に用いる光干渉型マイクロセン
サ２０の一例を図２に示す。これはＳｉおよびガラス基
板ウエーハを用いてＭＥＭＳの技術によって超小型構造
の素子が大量に製作されることが特徴である。光干渉型
マイクロセンサ２０は、Ｓｉ構造体２１にそれぞれガラ
スＡ２２およびガラスＢ２３を接合した構造に、ガラス
Ｂ２３の貫通孔２４に光ファイバ２５の一端を挿入して
固定部材２７でこれを固定した構造で構成されている。
光ファイバ２５の先端はハーフミラー２６を形成してい
る。Ｓｉ構造体２１はＳｉの錘２１ａとこの錘２１ａを
保持するＳｉの板バネ２１ｂ、および錘２１ａの表面に
形成されたミラー２１ｃを基本として構成されている。
この光干渉型マイクロセンサ２０に使われるＳｉの錘２
１ａは、０．５−５ｍｍ直径の大きさであり、Ｓｉの板
バネのバネ定数はきわめて微弱である。Ｓｉ構造体とガ
ラス基板は陽極接合で接合し、ファイバの固定部材はポ
リイミド系接着剤で固定した光干渉型センサは約４００
℃までの高温で使えることが特徴である。
サ２０の一例を図２に示す。これはＳｉおよびガラス基
板ウエーハを用いてＭＥＭＳの技術によって超小型構造
の素子が大量に製作されることが特徴である。光干渉型
マイクロセンサ２０は、Ｓｉ構造体２１にそれぞれガラ
スＡ２２およびガラスＢ２３を接合した構造に、ガラス
Ｂ２３の貫通孔２４に光ファイバ２５の一端を挿入して
固定部材２７でこれを固定した構造で構成されている。
光ファイバ２５の先端はハーフミラー２６を形成してい
る。Ｓｉ構造体２１はＳｉの錘２１ａとこの錘２１ａを
保持するＳｉの板バネ２１ｂ、および錘２１ａの表面に
形成されたミラー２１ｃを基本として構成されている。
この光干渉型マイクロセンサ２０に使われるＳｉの錘２
１ａは、０．５−５ｍｍ直径の大きさであり、Ｓｉの板
バネのバネ定数はきわめて微弱である。Ｓｉ構造体とガ
ラス基板は陽極接合で接合し、ファイバの固定部材はポ
リイミド系接着剤で固定した光干渉型センサは約４００
℃までの高温で使えることが特徴である。
【００１４】光干渉型マイクロセンサ２０が振動すると
Ｓｉの錘２１ａが振動して光ファイバの反射光の光強度
に変化が生じる領域がある。この光干渉型マイクロセン
サ２０の動作原理を図３で説明する。光干渉型マイクロ
センサ２０を上下に振動させる振幅に対して光ファイバ
の反射光の強度は干渉によって図３のような変化をす
る。光の波長を変えても同じ様な変化がみられることは
自明である。この素子が静止している時に図中の動作点
になるように、光の波長と素子細部の寸法を設計し、製
作した素子は測定範囲の振動振幅内で振幅に比例した光
出力がえられる変位センサであり、これを微弱なＡＥ波
を発生するＡＥ計測に用いたことを本発明の特徴とす
る。このセンサはセンサ部に電気配線が使われていない
ので、爆発性の高い測定環境には万全である。
Ｓｉの錘２１ａが振動して光ファイバの反射光の光強度
に変化が生じる領域がある。この光干渉型マイクロセン
サ２０の動作原理を図３で説明する。光干渉型マイクロ
センサ２０を上下に振動させる振幅に対して光ファイバ
の反射光の強度は干渉によって図３のような変化をす
る。光の波長を変えても同じ様な変化がみられることは
自明である。この素子が静止している時に図中の動作点
になるように、光の波長と素子細部の寸法を設計し、製
作した素子は測定範囲の振動振幅内で振幅に比例した光
出力がえられる変位センサであり、これを微弱なＡＥ波
を発生するＡＥ計測に用いたことを本発明の特徴とす
る。このセンサはセンサ部に電気配線が使われていない
ので、爆発性の高い測定環境には万全である。
【００１５】本発明のＡＥ計測システムの構成によって
得た、ＡＥ信号データの実験結果の一例を図４に示す。
これはＡＥ信号の時間経過に対する信号強度の関係を示
したもので、図中には同時に計測した従来の圧電センサ
によるデータを本発明のデータと対比してあり、ほぼ同
感度で同形状の波形がえられていることがわかる。これ
により本発明によるＡＥ計測システムが従来のシステム
に代替できることが明らかである。
得た、ＡＥ信号データの実験結果の一例を図４に示す。
これはＡＥ信号の時間経過に対する信号強度の関係を示
したもので、図中には同時に計測した従来の圧電センサ
によるデータを本発明のデータと対比してあり、ほぼ同
感度で同形状の波形がえられていることがわかる。これ
により本発明によるＡＥ計測システムが従来のシステム
に代替できることが明らかである。
【００１６】本発明によるＡＥ計測システムは、以下の
ような高付加価値や特徴があることがわかった。 （１） 従来のＡＥセンサより寸法が約１桁以下なの
で、センサ全体の寸法に起因するスプリアスな共振はＡ
Ｅ計測帯より十分高い周波数になる。このため周波数特
性が単純である。 （２） 共振型、非共振型いずれのタイプのセンサも実
現できる。 （３） 小型のため、計測におけるセッテングが容易で
ある。 （４） 小型のため、表面波に対する面積効果がない。 （５） 光による信号伝送を行うため、従来にように前
置増幅器をセンサ近傍に設置する必要がなく、センサの
ケーブルは１ｋｍ程度まで延長することができる。この
ため超大型の測定物体を一括して同時刻で計測ができる
ようになる。 （６） 光による検出ならびに信号伝送を行うため、電
磁的な雑音がない。 （７） 光による検出ならびに信号伝送を行うため、本
システムは防爆特性を有している。このため発火性雰囲
気で計測が可能になり、新分野を開拓できる。 （８） 本発明のセンサ構造からして、高温、高湿の環
境で計測が可能になり、計測の新分野を開拓できる。 （９） ＭＥＭＳ技術により特性の揃ったセンサ素子を
大量に製作するので、センサ素子や計測システムを安価
に提供できる。
ような高付加価値や特徴があることがわかった。 （１） 従来のＡＥセンサより寸法が約１桁以下なの
で、センサ全体の寸法に起因するスプリアスな共振はＡ
Ｅ計測帯より十分高い周波数になる。このため周波数特
性が単純である。 （２） 共振型、非共振型いずれのタイプのセンサも実
現できる。 （３） 小型のため、計測におけるセッテングが容易で
ある。 （４） 小型のため、表面波に対する面積効果がない。 （５） 光による信号伝送を行うため、従来にように前
置増幅器をセンサ近傍に設置する必要がなく、センサの
ケーブルは１ｋｍ程度まで延長することができる。この
ため超大型の測定物体を一括して同時刻で計測ができる
ようになる。 （６） 光による検出ならびに信号伝送を行うため、電
磁的な雑音がない。 （７） 光による検出ならびに信号伝送を行うため、本
システムは防爆特性を有している。このため発火性雰囲
気で計測が可能になり、新分野を開拓できる。 （８） 本発明のセンサ構造からして、高温、高湿の環
境で計測が可能になり、計測の新分野を開拓できる。 （９） ＭＥＭＳ技術により特性の揃ったセンサ素子を
大量に製作するので、センサ素子や計測システムを安価
に提供できる。
【００１７】（実施例２）本発明である、光干渉型マイ
クロセンサの別の実施例を図５と図６に示す。これは基
本的には実施例１で述べた、図２の素子構造と同じであ
るが、図５で異なる部分は、ガラスＢ５２に凹部（また
は凸部）の形状パターン５２ａを設けたことである。図
６で異なる部分は、Ｓｉ構造体１２１の錘１２１ａに凸
部（または凹部）の形状パターン１２１ｄを設けたこと
である。これらの目的は素子の周波数特性を所望な形
（一例として広帯域化）にするため、センサ部の形状で
ギャップを調節し錘のダンピング特性を制御し、スクイ
ズド・フィルム効果（ダンパー効果）を任意に設計する
ことである。従来の圧電型ＡＥセンサでは圧電素子にバ
ッキング材を取り付けてこれを制御していたが、微妙に
周波数特性を調整することが難しい問題があったが、本
発明の素子では微細加工の技術によって特性の揃ったセ
ンサ素子を一括して精度よく製作できる特徴がある。
クロセンサの別の実施例を図５と図６に示す。これは基
本的には実施例１で述べた、図２の素子構造と同じであ
るが、図５で異なる部分は、ガラスＢ５２に凹部（また
は凸部）の形状パターン５２ａを設けたことである。図
６で異なる部分は、Ｓｉ構造体１２１の錘１２１ａに凸
部（または凹部）の形状パターン１２１ｄを設けたこと
である。これらの目的は素子の周波数特性を所望な形
（一例として広帯域化）にするため、センサ部の形状で
ギャップを調節し錘のダンピング特性を制御し、スクイ
ズド・フィルム効果（ダンパー効果）を任意に設計する
ことである。従来の圧電型ＡＥセンサでは圧電素子にバ
ッキング材を取り付けてこれを制御していたが、微妙に
周波数特性を調整することが難しい問題があったが、本
発明の素子では微細加工の技術によって特性の揃ったセ
ンサ素子を一括して精度よく製作できる特徴がある。
【００１８】（実施例３）本発明である、光干渉型マイ
クロセンサの他の実施例を図７に示す。これは基本的に
は実施例１で述べた、図２の素子構造に類似している
が、異なる部分は、ガラスＡ６２に電極板６２ｂと制御
電極端子６２ｃを設け、Ｓｉ構造体６１には別の制御電
極端子６１ｄを設け、両方の制御電極に導線を通じて電
源ユニット６９から電圧を供給するようにしたことであ
る。直流電圧の印加によってＳｉの錘６１ａが静電力で
ガラスＡ側に引き寄せられて、図３で述べた原理図か
ら、このセンサの動作点を調整することが可能になる。
クロセンサの他の実施例を図７に示す。これは基本的に
は実施例１で述べた、図２の素子構造に類似している
が、異なる部分は、ガラスＡ６２に電極板６２ｂと制御
電極端子６２ｃを設け、Ｓｉ構造体６１には別の制御電
極端子６１ｄを設け、両方の制御電極に導線を通じて電
源ユニット６９から電圧を供給するようにしたことであ
る。直流電圧の印加によってＳｉの錘６１ａが静電力で
ガラスＡ側に引き寄せられて、図３で述べた原理図か
ら、このセンサの動作点を調整することが可能になる。
【００１９】この光干渉型マイクロセンサ６０は、光フ
ァイバの反射強度をフィードバックして、例えば、光の
波長に応じて動作点を設定する機能、あるいは素子や光
源が温度変化により動作点がドリフトする量を補正する
機能、の制御機構が構築できる大きな特徴がある。この
実施例ではガラスＡ６２側に電極板６２ｂ制御電極端子
６２ｃを設けた例を述べたが、ガラスＢ６３側にも電極
板があって、センサの錘の位置を正・負どちらにもずら
せることが可能になることを付言する。また、図７の構
造断面図では、錘の可動部空間が気密封止されていない
表示だが、電極導入部をわかりやすくしただけのことで
ある。なお、ガラスＡ６２にフィードスルー付きガラス
基板を用いると、気密封止と電極取り出しが単純になる
ことを付言する。
ァイバの反射強度をフィードバックして、例えば、光の
波長に応じて動作点を設定する機能、あるいは素子や光
源が温度変化により動作点がドリフトする量を補正する
機能、の制御機構が構築できる大きな特徴がある。この
実施例ではガラスＡ６２側に電極板６２ｂ制御電極端子
６２ｃを設けた例を述べたが、ガラスＢ６３側にも電極
板があって、センサの錘の位置を正・負どちらにもずら
せることが可能になることを付言する。また、図７の構
造断面図では、錘の可動部空間が気密封止されていない
表示だが、電極導入部をわかりやすくしただけのことで
ある。なお、ガラスＡ６２にフィードスルー付きガラス
基板を用いると、気密封止と電極取り出しが単純になる
ことを付言する。
【００２０】（実施例４）本発明である、光干渉型マイ
クロセンサを用いてＡＥ計測システムを構築する実施例
に付き、ＡＥセンサユニットを構成する一実施例を図８
に示す。このＡＥセンサユニットは被測定物体７９に取
り付けた光干渉型マイクロセンサ７１と、光ファイバ７
２と、光サーキュレータ７４と、波長可変レーザ７５と
光検出器７６とで構成されたものである。１．５５μｍ
帯の波長可変レーザ７５を用いて波長を可変して図３の
ような動作点を調整できることが本発明の特徴である。
クロセンサを用いてＡＥ計測システムを構築する実施例
に付き、ＡＥセンサユニットを構成する一実施例を図８
に示す。このＡＥセンサユニットは被測定物体７９に取
り付けた光干渉型マイクロセンサ７１と、光ファイバ７
２と、光サーキュレータ７４と、波長可変レーザ７５と
光検出器７６とで構成されたものである。１．５５μｍ
帯の波長可変レーザ７５を用いて波長を可変して図３の
ような動作点を調整できることが本発明の特徴である。
【００２１】本発明のＡＥ計測システムでは、光源の波
長は用途に応じて使い分けられるが、本発明では光源と
して１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の波長領域とシ
ングルモードファイバを用いることを特徴とする。これ
によって、以下のような大きな効果がある。 （１） 光多重・大容量光ファイバ通信の幹線を構築し
ている光部品を利用するので品揃いが豊富で、安い。 （２） ファイバや部品の光損失が小さいので、センサ
のケーブル（光ファイバ）は１ｋｍ程度まで延長するこ
とができる。 （３） 小型で高付加価値のＡＥ計測システムを安く
構築できる。
長は用途に応じて使い分けられるが、本発明では光源と
して１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の波長領域とシ
ングルモードファイバを用いることを特徴とする。これ
によって、以下のような大きな効果がある。 （１） 光多重・大容量光ファイバ通信の幹線を構築し
ている光部品を利用するので品揃いが豊富で、安い。 （２） ファイバや部品の光損失が小さいので、センサ
のケーブル（光ファイバ）は１ｋｍ程度まで延長するこ
とができる。 （３） 小型で高付加価値のＡＥ計測システムを安く
構築できる。
【００２２】（実施例５）本発明である、光干渉型マイ
クロセンサを複数個用いてＡＥ計測システムを構築する
実施例に付き、ＡＥセンサユニットを構成する別の実施
例を図９に示す。このＡＥセンサユニットは被測定物体
８９に取り付けた複数個の光干渉型マイクロセンサ８１
と、光ファイバ８２と、光結合器８３と、光サーキュレ
ータ８４と、広帯域発光素子８５と、波長可変フィルタ
８７と光検出器８６とで構成されたものである。１．５
５μｍ帯でブロードに光をだす広帯域発光素子８５を用
いて、ファイバ８２を通して複数個の光干渉型マイクロ
センサ８１に入射する。これに対応して、複数個の光干
渉型マイクロセンサ８１は個々に異なった波長でセンサ
動作点となるよう調整をした素子をセットする。反射光
は、上記、複数個の光干渉型マイクロセンサ８１の動作
波長に対応した波長可変フィルタ８７を配列する。こう
することにより、少ない部品点数で、多点観測のシステ
ムを構築できる特徴がある。なお、各波長に対応するセ
ンサ素子を作るのには、図７で述べた、制御機構付き素
子を用いて、電圧印加により動作点を調整してもよい。
本発明で光源として１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯
の波長領域を用いることは実施例５と同じ理由である。
クロセンサを複数個用いてＡＥ計測システムを構築する
実施例に付き、ＡＥセンサユニットを構成する別の実施
例を図９に示す。このＡＥセンサユニットは被測定物体
８９に取り付けた複数個の光干渉型マイクロセンサ８１
と、光ファイバ８２と、光結合器８３と、光サーキュレ
ータ８４と、広帯域発光素子８５と、波長可変フィルタ
８７と光検出器８６とで構成されたものである。１．５
５μｍ帯でブロードに光をだす広帯域発光素子８５を用
いて、ファイバ８２を通して複数個の光干渉型マイクロ
センサ８１に入射する。これに対応して、複数個の光干
渉型マイクロセンサ８１は個々に異なった波長でセンサ
動作点となるよう調整をした素子をセットする。反射光
は、上記、複数個の光干渉型マイクロセンサ８１の動作
波長に対応した波長可変フィルタ８７を配列する。こう
することにより、少ない部品点数で、多点観測のシステ
ムを構築できる特徴がある。なお、各波長に対応するセ
ンサ素子を作るのには、図７で述べた、制御機構付き素
子を用いて、電圧印加により動作点を調整してもよい。
本発明で光源として１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯
の波長領域を用いることは実施例５と同じ理由である。
【００２３】（実施例６）本発明である、光干渉型マイ
クロセンサを複数個用いてＡＥ計測システムを構築する
実施例に付き、ＡＥセンサユニットを構成する別の実施
例を図１０に示す。これは被測定物体９９に取り付けた
複数個の光干渉型マイクロセンサ９１と、光ファイバ９
２と、光結合器９３と、光サーキュレータ９４と、広帯
域発光素子９５と、ファイバブラッググレーテング（Ｆ
ＢＧ）９８と光検出器９６とで構成されたものである。
１．５５μｍ帯の広帯域発光素子９５を用いて、ファイ
バ９２を通して複数個の光干渉型マイクロセンサ９１に
入射する。これに対応して、複数個の光干渉型マイクロ
センサ９１は個々に異なった波長で動作点となるよう調
整をしたセンサ素子をセットする。ファイバ内の反射光
は、上記、複数個の光干渉型マイクロセンサ９１の動作
波長に対応したＦＢＧ９８を配列して、分波して検出す
る。ＦＢＧ９８は選択的に決められた波長だけを反射す
る光学素子であり、この波長の光強度を検出器９６で検
出する。本発明では、少ない部品点数で、多点観測のシ
ステムを構築できる特徴がある。なお、各波長に対応す
るセンサ素子を作るのには、図７で述べた、制御機構付
き素子を用いて、電圧印加により調整してもよい。本発
明で光源として１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の波
長領域を用いることは実施例５と同じ理由である。
クロセンサを複数個用いてＡＥ計測システムを構築する
実施例に付き、ＡＥセンサユニットを構成する別の実施
例を図１０に示す。これは被測定物体９９に取り付けた
複数個の光干渉型マイクロセンサ９１と、光ファイバ９
２と、光結合器９３と、光サーキュレータ９４と、広帯
域発光素子９５と、ファイバブラッググレーテング（Ｆ
ＢＧ）９８と光検出器９６とで構成されたものである。
１．５５μｍ帯の広帯域発光素子９５を用いて、ファイ
バ９２を通して複数個の光干渉型マイクロセンサ９１に
入射する。これに対応して、複数個の光干渉型マイクロ
センサ９１は個々に異なった波長で動作点となるよう調
整をしたセンサ素子をセットする。ファイバ内の反射光
は、上記、複数個の光干渉型マイクロセンサ９１の動作
波長に対応したＦＢＧ９８を配列して、分波して検出す
る。ＦＢＧ９８は選択的に決められた波長だけを反射す
る光学素子であり、この波長の光強度を検出器９６で検
出する。本発明では、少ない部品点数で、多点観測のシ
ステムを構築できる特徴がある。なお、各波長に対応す
るセンサ素子を作るのには、図７で述べた、制御機構付
き素子を用いて、電圧印加により調整してもよい。本発
明で光源として１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の波
長領域を用いることは実施例５と同じ理由である。
【００２４】（実施例７）本発明である、光干渉型マイ
クロセンサを複数個用いてＡＥ計測システムを構築する
実施例に付き、ＡＥセンサユニットを構成する別の実施
例を図１１に示す。これは被測定物体１０９に取り付け
た複数個の光干渉型マイクロセンサ１０１と、光ファイ
バ１０２と、光結合器１０３と、光サーキュレータ１０
４と、広帯域発光素子１０５と、ファイバグレーテング
ＦＢＧ１０８と光検出器１０６とで構成されたものであ
る。光干渉型マイクロセンサ１０１は図６で述べた制御
機構付き素子である。このユニットの動作説明は実施例
６と同じである。本発明では光出力を光検出器１０６で
検出して、この信号に比例した量を電圧として光干渉型
マイクロセンサ１０１にフィードバックする構成が特徴
である。干渉波長の温度ドリフトや検出器のドリフトを
ローパスフィルタ１３０を通して直流成分をフィードバ
ックし、ドリフトを補償することができるのでシステム
の測定精度を高精度に維持できる特徴がある。本発明で
光源として１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の波長領
域を用いることは実施例５と同じ理由である。
クロセンサを複数個用いてＡＥ計測システムを構築する
実施例に付き、ＡＥセンサユニットを構成する別の実施
例を図１１に示す。これは被測定物体１０９に取り付け
た複数個の光干渉型マイクロセンサ１０１と、光ファイ
バ１０２と、光結合器１０３と、光サーキュレータ１０
４と、広帯域発光素子１０５と、ファイバグレーテング
ＦＢＧ１０８と光検出器１０６とで構成されたものであ
る。光干渉型マイクロセンサ１０１は図６で述べた制御
機構付き素子である。このユニットの動作説明は実施例
６と同じである。本発明では光出力を光検出器１０６で
検出して、この信号に比例した量を電圧として光干渉型
マイクロセンサ１０１にフィードバックする構成が特徴
である。干渉波長の温度ドリフトや検出器のドリフトを
ローパスフィルタ１３０を通して直流成分をフィードバ
ックし、ドリフトを補償することができるのでシステム
の測定精度を高精度に維持できる特徴がある。本発明で
光源として１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の波長領
域を用いることは実施例５と同じ理由である。
【００２５】本発明の波長帯のシステム系では光ファイ
バ線路が１ｋｍはなれても計測が可能である特徴を有す
る。従来のＡＥ計測では不可能であった大型物体（高層
ビル、船舶や航空機などの建造物や地殻など）の計測が
できるようになり、新技術の発展と新しい市場の開拓に
寄与できる見通がある。
バ線路が１ｋｍはなれても計測が可能である特徴を有す
る。従来のＡＥ計測では不可能であった大型物体（高層
ビル、船舶や航空機などの建造物や地殻など）の計測が
できるようになり、新技術の発展と新しい市場の開拓に
寄与できる見通がある。
【００２６】以上、実施例１から７までの例で、本発明
の測定システム、ＡＥセンサおよびＡＥセンサユニット
を説明したが、本発明の趣旨からして述べられたものだ
けに限定されるものではない。高温用ＡＥセンサは構成
する材料、部材を高温用（例えばＳｉＣなど）に選定
し、ＡＥセンサユニットは光ファイバ関連の部品の改良
による高性能、低コスト化などで、さらなる高付加価値
の組み合わせを実現できることは言うまでもない。
の測定システム、ＡＥセンサおよびＡＥセンサユニット
を説明したが、本発明の趣旨からして述べられたものだ
けに限定されるものではない。高温用ＡＥセンサは構成
する材料、部材を高温用（例えばＳｉＣなど）に選定
し、ＡＥセンサユニットは光ファイバ関連の部品の改良
による高性能、低コスト化などで、さらなる高付加価値
の組み合わせを実現できることは言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】本発明による光干渉型マイクロセンサを
用いたＡＥ計測システムによれば、従来のＡＥセンサよ
り寸法が約１桁以下なので、（１）センサ全体の寸法に
起因するスプリアスな共振はＡＥ計測帯より十分高い周
波数になり、このため周波数特性が単純である、（２）
共振型、非共振型いずれのタイプのセンサも実現でき
る、（３）計測におけるセッテングが容易である、
（４）表面波に対する面積効果がなく、埋め込みが可能
である。また、光による信号伝送と信号処理を行うた
め、（５）従来のように前置増幅器をセンサ近傍に設置
する必要がなく、電磁雑音も気にならない、（６）セン
サのケーブルは１ｋｍ程度まで延長することができ、
（７）超大型の測定物体を一括して計測ができ、（８）
爆発性環境での計測が可能になり、新分野を開拓でき
る、特徴を有する。本発明のセンサ構造からして、
（９）高温、高湿の環境で計測が可能になり、計測の新
分野を開拓でき、（１０）ＭＥＭＳ技術により特性の揃
ったセンサ素子を大量に製作するので、センサ素子や計
測システムを安価に提供できる、特徴を有する。本発明
のＡＥ計測システムは１個の光源で複数個のセンサ計測
を構築できるので安価なものを提供できる特徴がある。
本発明の光干渉型マイクロセンサにより、ダンパー効果
の機能を容易に付加することができ、外部電圧の印加で
センサの動作点を調整でき、フィードバック機構の付加
により、高精度で安定度の高い計測システムを提供でき
る特徴がある。
用いたＡＥ計測システムによれば、従来のＡＥセンサよ
り寸法が約１桁以下なので、（１）センサ全体の寸法に
起因するスプリアスな共振はＡＥ計測帯より十分高い周
波数になり、このため周波数特性が単純である、（２）
共振型、非共振型いずれのタイプのセンサも実現でき
る、（３）計測におけるセッテングが容易である、
（４）表面波に対する面積効果がなく、埋め込みが可能
である。また、光による信号伝送と信号処理を行うた
め、（５）従来のように前置増幅器をセンサ近傍に設置
する必要がなく、電磁雑音も気にならない、（６）セン
サのケーブルは１ｋｍ程度まで延長することができ、
（７）超大型の測定物体を一括して計測ができ、（８）
爆発性環境での計測が可能になり、新分野を開拓でき
る、特徴を有する。本発明のセンサ構造からして、
（９）高温、高湿の環境で計測が可能になり、計測の新
分野を開拓でき、（１０）ＭＥＭＳ技術により特性の揃
ったセンサ素子を大量に製作するので、センサ素子や計
測システムを安価に提供できる、特徴を有する。本発明
のＡＥ計測システムは１個の光源で複数個のセンサ計測
を構築できるので安価なものを提供できる特徴がある。
本発明の光干渉型マイクロセンサにより、ダンパー効果
の機能を容易に付加することができ、外部電圧の印加で
センサの動作点を調整でき、フィードバック機構の付加
により、高精度で安定度の高い計測システムを提供でき
る特徴がある。
【図１】 実施例１による本発明のＡＥ計測システム構
成図。
成図。
【図２】 実施例１による本発明のＡＥ計測システムに
用いる光干渉型マイクロセンサの構造側面図。
用いる光干渉型マイクロセンサの構造側面図。
【図３】 本発明のＡＥ計測システムに用いる光干渉型
マイクロセンサの動作原理図。
マイクロセンサの動作原理図。
【図４】 本発明のＡＥ計測システムによるＡＥ信号の
計測データ例。
計測データ例。
【図５】 実施例２による本発明のＡＥ計測システムに
用いる光干渉型マイクロセンサの構造側面図。
用いる光干渉型マイクロセンサの構造側面図。
【図６】 実施例２による本発明のＡＥ計測システムに
用いる光干渉型マイクロセンサの構造側面図。
用いる光干渉型マイクロセンサの構造側面図。
【図７】 実施例３による本発明のＡＥ計測システムに
用いる制御機能付き光干渉型ＡＥセンサの構造側面図。
用いる制御機能付き光干渉型ＡＥセンサの構造側面図。
【図８】 実施例４による本発明のＡＥ計測システムに
用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
【図９】 実施例５による本発明のＡＥ計測システムに
用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
【図１０】 実施例６による本発明のＡＥ計測システム
に用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
に用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
【図１１】 実施例７による本発明のＡＥ計測システム
に用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
に用いる光干渉型マイクロセンサユニットの構成図。
【図１２】 従来法によるＡＥ計測システム構成図。
１，２０，５０，６０，７１，８１，９１，１０１：光
干渉型マイクロセンサ ２，２５，５５，６５，７２，８２，９２，１０２：光
ファイバ ３：ＡＥ信号処理部 ４，１１４：シグナナルコンデショナ ５，１１５：信号処理部 ５，１１６：表示部 １０，１１０：ＡＥ計測部本体 ９，６９，７９，８９，９９，１０９，１１９：被測定
物体 ２１，５１，６１：Ｓｉ構造体 ２１ａ，５１ａ，６１ａ：錘 ２１ｂ，５１ｂ，６１ｂ：板円バネ ２１ｃ，５１ｃ，６１ｃ：ミラー ２６，５６，６５：ハーフミラー ８３，９３，１０３：光結合器 ７４，８４，９４，１０４：光サーキュレータ ７５：波長可変レーザ ８５，９５，１０５：広帯域発光素子 ７６，８６，９６，１０６：光検出器 ８７：波長可変フィルタ ９８：ファイバブラッググレーテング（ＦＢＧ）
干渉型マイクロセンサ ２，２５，５５，６５，７２，８２，９２，１０２：光
ファイバ ３：ＡＥ信号処理部 ４，１１４：シグナナルコンデショナ ５，１１５：信号処理部 ５，１１６：表示部 １０，１１０：ＡＥ計測部本体 ９，６９，７９，８９，９９，１０９，１１９：被測定
物体 ２１，５１，６１：Ｓｉ構造体 ２１ａ，５１ａ，６１ａ：錘 ２１ｂ，５１ｂ，６１ｂ：板円バネ ２１ｃ，５１ｃ，６１ｃ：ミラー ２６，５６，６５：ハーフミラー ８３，９３，１０３：光結合器 ７４，８４，９４，１０４：光サーキュレータ ７５：波長可変レーザ ８５，９５，１０５：広帯域発光素子 ７６，８６，９６，１０６：光検出器 ８７：波長可変フィルタ ９８：ファイバブラッググレーテング（ＦＢＧ）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G047 BA05 BC07 CA04 EA04 EA08
EA11 EA12 EA15 EA19 EA21
GD01 GF25
2G064 AB02 BA07 BC06 BC32
Claims (9)
- 【請求項１】 ＡＥ計測システムにおいて、ＡＥセンサ
に光干渉型マイクロセンサを用いてＡＥセンサユニット
を構成して、光により計測するシステムを構築したこと
を特徴とするＡＥ計測システム。 - 【請求項２】 請求項１記載のＡＥ計測システムにおい
て、光干渉型マイクロセンサはマイクロ・エレクトロ・
メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）による製造技術を主
に用いて作られたセンサであることを特徴とするＡＥ計
測システム。 - 【請求項３】 請求項１、２記載のＡＥ計測システムに
おいて、計測に用いる光の波長帯は、１．３μｍ帯およ
び１．５５μｍ帯のいずれかあるいはこの多重光によ
り、計測システムを構築したことを特徴とするＡＥ計測
システム。 - 【請求項４】 請求項１−３記載のＡＥ計測システムに
おいて、光干渉型マイクロセンサは、センサの周波数特
性を制御するためにセンサの光を検出する錘部と対向す
る面部のギャップを変えるよう、少なくとも錘部と対向
する面部のどちらかに機械的な加工による制御機能部を
具備したことを特徴とするＡＥセンサ。 - 【請求項５】 請求項１−４記載のＡＥ計測システムに
おいて、光干渉型マイクロセンサは、センサの光を検出
する錘の面部の動きを電気的に制御するごとく、センサ
部に制御機能部を具備したことを特徴とするＡＥセン
サ。 - 【請求項６】 請求項１−５記載のＡＥ計測システムに
おいて、光干渉型マイクロセンサと光部品を用いて構築
するＡＥセンサユニットは、計測光の光源として波長可
変レーザを用いたことを特徴とするＡＥセンサユニッ
ト。 - 【請求項７】 請求項１−５記載のＡＥ計測システムに
おいて、光干渉型マイクロセンサと光部品を用いて構築
するＡＥセンサユニットは、計測光の光源として広帯域
発光素子を用いたことを特徴とするＡＥセンサユニッ
ト。 - 【請求項８】 請求項１−５と７記載のＡＥ計測システ
ムにおいて、複数個の測定個所からＡＥ信号を計測する
システムにおいて、複数個の光干渉型マイクロセンサと
少なくとも１個の広帯域発光素子を計測光の光源に用い
て、複数のセンサから波長の異なる光のＡＥ信号を検出
するために波長可変フィルタと光検出器のセットを複数
個用いて構成したことを特徴とするＡＥセンサユニッ
ト。 - 【請求項９】 請求項１−５と７記載のＡＥ計測システ
ムにおいて、複数個の測定個所からＡＥ信号を計測する
システムにおいて、複数個の光干渉型マイクロセンサと
少なくとも１個の広帯域発光素子を計測光の光源に用い
て、複数のセンサから波長の異なる光のＡＥ信号を検出
するためにファイバブラッググレーテングと光検出器の
セットを複数個用いて構成したことを特徴とするＡＥセ
ンサユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143913A JP2003337063A (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 光干渉型ａｅセンサおよびａｅセンサユニットおよびａｅ計測システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143913A JP2003337063A (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 光干渉型ａｅセンサおよびａｅセンサユニットおよびａｅ計測システム |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003337063A true JP2003337063A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=29703722
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002143913A Pending JP2003337063A (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 光干渉型ａｅセンサおよびａｅセンサユニットおよびａｅ計測システム |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003337063A (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2008032587A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Meidensha Corp | 干渉型光ファイバーを用いたａｅセンサ及びこのａｅセンサによる部分放電計測装置 |
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-
2002
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