JP2003334798A - Submerged operating microactuator and light switch - Google Patents

Submerged operating microactuator and light switch

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JP2003334798A
JP2003334798A JP2002253250A JP2002253250A JP2003334798A JP 2003334798 A JP2003334798 A JP 2003334798A JP 2002253250 A JP2002253250 A JP 2002253250A JP 2002253250 A JP2002253250 A JP 2002253250A JP 2003334798 A JP2003334798 A JP 2003334798A
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JP
Japan
Prior art keywords
microactuator
movable
fixed
liquid
fixed part
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002253250A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Akagawa
圭一 赤川
Toru Ishizuya
徹 石津谷
Junji Suzuki
純児 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2002253250A priority Critical patent/JP2003334798A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To speed up operation. <P>SOLUTION: When supplying a voltage between a fixed electrode 25 and a movable electrode 17, the under surface of a connecting part 16 having the movable electrode 17 contacts with the upper surface of an insulating film 46 formed on the fixed electrode 25 by an electrostatic force. When this state is changed to a state of not supplying the voltage between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the connecting part 16 separates from the upper surface of the insulating film 48. At this time, since a groove 43 is formed on the upper surface of the insulating film 46, the groove 43 becomes a guide passage for introducing peripheral liquid between the under surface of the connecting part 16 and the upper surface of the insulating film 46 for contacting with the under surface so that the peripheral liquid smoothly enters between the surfaces. Thus, the connecting part 16 separates from the insulating film 46 in a short time. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液中作動マイクロ
アクチュエータ及びこれを用いた光スイッチに関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an in-liquid actuated microactuator and an optical switch using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】マイクロマシニング技術の進展に伴い、
種々の分野においてマイクロアクチュエータの重要性が
高まっている。マイクロアクチュエータが用いられてい
る分野の一例として、例えば、光通信などに利用され光
路を切り替える光スイッチを挙げることができる。この
ような光スイッチの一例として、特開2001−142
008号公報に開示された光スイッチを挙げることがで
きる。
2. Description of the Related Art With the progress of micromachining technology,
The importance of microactuators is increasing in various fields. An example of a field in which the microactuator is used is an optical switch used for optical communication or the like and switching an optical path. As an example of such an optical switch, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-142
The optical switch disclosed in Japanese Patent Publication No. 008 can be mentioned.

【0003】マイクロアクチュエータは、固定部と、固
定部に対して移動可能とされた可動部とを備えている
が、可動部が液体中に配置されるタイプのマイクロアク
チュエータ(液中作動マイクロアクチュエータ)もあ
る。例えば、特開2001−142008号公報の図8
には、可動部を屈折率調整液中に配置する例が開示され
ている。
The microactuator includes a fixed part and a movable part which is movable with respect to the fixed part, and the movable part is arranged in a liquid (a liquid-actuated microactuator). There is also. For example, FIG. 8 of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-142008.
Discloses an example in which a movable part is arranged in a refractive index adjusting liquid.

【0004】ここで、特開2001−142008号公
報の図8に開示された光スイッチについて説明する。こ
の光スイッチは、マトリクス状に光導波路が形成される
とともにその交差点にミラーが進出し得る溝が形成され
た光導波路基板と、マイクロアクチュエータ及びミラー
が形成されたアクチュエータ基板と、を備えている。ミ
ラーがマイクロアクチュエータにより駆動され、ミラー
が光導波路基板の前記溝内に進出した時に光がそのミラ
ーで反射される一方、ミラーが前記溝から退出した時に
光が直進することにより、光路が切り替えられる。ミラ
ーが前記溝から退出した場合、光導波路内の光は、一旦
前記溝内に入って光導波路外に出る。光が導波路外に出
るときに、反射による損失を減らす為に光導波路と同じ
屈折率の液体(屈折率調整液)で溝が満たされている。
このため、マイクロアクチュエータは液中で作動する。
Here, the optical switch disclosed in FIG. 8 of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-142008 will be described. This optical switch is provided with an optical waveguide substrate in which optical waveguides are formed in a matrix and grooves in which mirrors can advance are formed at intersections thereof, and an actuator substrate in which microactuators and mirrors are formed. The mirror is driven by a microactuator, and when the mirror advances into the groove of the optical waveguide substrate, the light is reflected by the mirror, while when the mirror exits the groove, the light travels straight to switch the optical path. . When the mirror exits the groove, the light in the optical waveguide once enters the groove and exits the optical waveguide. When the light goes out of the waveguide, the groove is filled with a liquid having the same refractive index as the optical waveguide (refractive index adjusting liquid) in order to reduce the loss due to reflection.
Therefore, the microactuator operates in the liquid.

【0005】そして、特開2001−142008号公
報の図8に開示された光スイッチで採用されているマイ
クロアクチュエータでは、可動部として、アクチュエー
タ基板に一端側が固定された板状部が用いられている。
板状部の先端側にミラーが固定されている。この板状部
は、駆動力が与えられていない場合には、基板と反対側
に反って湾曲しており、駆動力が与えられると、板状部
の基板側の面全体がべったりと基板上の面に当接する。
駆動力が与えられなくなると、板状部のバネ力(内部応
力)によって基板と反対側に反って湾曲した状態に戻
る。
In the microactuator used in the optical switch disclosed in FIG. 8 of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-142008, a plate-shaped portion whose one end side is fixed to the actuator substrate is used as the movable portion. .
A mirror is fixed to the tip side of the plate portion. When no driving force is applied, this plate-shaped portion is curved so as to warp toward the side opposite to the substrate, and when the driving force is applied, the entire surface of the plate-shaped portion on the substrate side becomes sticky on the substrate. Abut the surface of.
When the driving force is no longer applied, the plate-shaped portion returns to the curved state by bending toward the side opposite to the substrate due to the spring force (internal stress).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明者の研究の結
果、前述した従来の液中作動マイクロアクチュエータで
は、動作が非常に遅くなることが判明した。すなわち、
前記板状部の基板側の面全体が基板上の面に当接した状
態から、板状部のバネ力によって基板と反対側に反って
湾曲した状態に戻る際に、非常に時間がかかることが判
明した。
As a result of research conducted by the present inventor, it has been found that the above-described conventional submersible microactuator operates very slowly. That is,
It takes a very long time to return from the state in which the entire surface of the plate-shaped portion on the substrate side is in contact with the surface on the substrate to the state in which the plate-shaped portion is warped to the side opposite to the substrate and curved by the spring force of the plate-shaped portion. There was found.

【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、動作を高速化することができる液中作動マイ
クロアクチュエータ及びこれを用いた光スイッチを提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an in-liquid actuating microactuator capable of speeding up the operation and an optical switch using the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者の更なる研究の
結果、従来の液中作動マイクロアクチュエータの動作が
遅くなる原因は、液体の粘度が空気の粘度に比べて非常
に大きいため、前記板状部の基板側の面全体が基板上の
面に当接した状態から、板状部のバネ力によって基板と
反対側に反って湾曲した状態に戻る際に、互いに接触し
ていた前記板状部の基板側の面と基板の面との間に液体
が入り込むのに時間がかかるためであることが、判明し
た。
As a result of further research by the present inventor, the cause of the slow operation of the conventional microactuator operating in liquid is that the viscosity of liquid is much larger than that of air. The plates that are in contact with each other when the entire surface of the plate-shaped portion on the substrate side is in contact with the surface on the substrate, and when the plate-shaped portion returns to the curved state on the side opposite to the substrate by the spring force of the plate-shaped portion. It was found that it takes time for the liquid to enter between the substrate-side surface of the plate-like portion and the substrate surface.

【0009】本発明はこのような本発明者の原因究明の
結果なされたものであり、本発明の第1の態様による液
中作動マイクロアクチュエータは、固定部と、液体中に
配置される可動部とを備え、前記可動部が、前記固定部
に当接する第1の位置及び前記固定部から離れた第2の
位置に位置し得る液中作動マイクロアクチュエータであ
って、前記可動部が前記第1の位置から前記第2の位置
へ移動する際に互いに離れようとする前記可動部及び前
記固定部の接触面間に周囲の液体を導く案内路を形成す
るための案内路形成構造を有するものである。
The present invention has been made as a result of the investigation of the cause by the present inventor, and the submerged actuating microactuator according to the first aspect of the present invention includes a fixed portion and a movable portion arranged in the liquid. A submersible microactuator capable of being positioned at a first position abutting the fixed part and at a second position distant from the fixed part, wherein the movable part is the first position. And a guide path forming structure for forming a guide path for guiding the surrounding liquid between the contact surfaces of the movable part and the fixed part which tend to separate from each other when moving from the position to the second position. is there.

【0010】本発明の第2の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、前記第1の態様において、前記案
内路形成構造は、前記可動部における前記固定部との対
向領域及び前記固定部における前記可動部との対向領域
のうちの少なくとも一方の対向領域に形成された1本以
上の溝を含むものである。
The submerged actuation microactuator according to a second aspect of the present invention is the microactuator in the first aspect, wherein the guide path forming structure is a region facing the fixed part in the movable part and the movable part in the fixed part. One or more grooves formed in at least one of the facing regions of the section.

【0011】本発明の第3の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、前記第1の態様において、前記案
内路形成構造は、前記可動部における前記固定部との対
向領域及び前記固定部における前記可動部との対向領域
のうちの少なくとも一方に形成された1つ以上の突起を
含むものである。
A submerged actuated microactuator according to a third aspect of the present invention is the microactuator according to the first aspect, wherein the guide path forming structure is a region of the movable part facing the fixed part and the movable part of the fixed part. One or more protrusions formed in at least one of the regions facing the section.

【0012】本発明の第4の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、前記第1の態様において、前記案
内路形成構造は、前記可動部に形成された1つ以上の貫
通孔を含むものである。
In a submerged actuated microactuator according to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect, the guide path forming structure includes at least one through hole formed in the movable portion.

【0013】本発明の第5の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、固定部と、液体中に配置される可
動部とを備え、前記可動部が、前記固定部に当接する第
1の位置及び前記固定部から離れた第2の位置に位置し
得る液中作動マイクロアクチュエータであって、前記可
動部が前記第1の位置に位置したときに、前記可動部に
おける前記固定部との対向領域のうちの一部のみが前記
固定部に接触するように、構成されたものである。
A submerged actuated microactuator according to a fifth aspect of the present invention comprises a fixed portion and a movable portion arranged in the liquid, wherein the movable portion has a first position in which the movable portion contacts the fixed portion and A submerged actuation microactuator that can be located at a second position away from the fixed part, wherein when the movable part is located at the first position, the movable part has a region facing the fixed part. It is configured such that only a part of them contacts the fixing portion.

【0014】本発明の第6の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、固定部と、液体中に配置される可
動部とを備え、前記可動部が、前記固定部に当接する第
1の位置及び前記固定部から離れた第2の位置に位置し
得る液中作動マイクロアクチュエータであって、前記可
動部が前記第1の位置に位置したときに、前記可動部と
前記固定部とが1つ以上の箇所で点状又は線状に接触す
るものである。
The submerged actuated microactuator according to the sixth aspect of the present invention comprises a fixed part and a movable part arranged in the liquid, wherein the movable part is in a first position where it abuts on the fixed part, and An in-liquid actuating microactuator that can be located at a second position distant from the fixed part, wherein at least one of the movable part and the fixed part is present when the movable part is located at the first position. The point is a point-like or linear contact.

【0015】本発明の第7の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、固定部と、液体中に配置される可
動部とを備え、前記可動部が、前記固定部に当接する第
1の位置及び前記固定部から離れた第2の位置に位置し
得る液中作動マイクロアクチュエータであって、前記可
動部は、力を受けない状態で前記固定部側へ反りかつバ
ネ性を持つ湾曲部を有し、前記可動部が前記第2の位置
から前記第1の位置に移動するときに、湾曲部の先端部
分が最初に前記固定部に当接するものである。
A submerged actuated microactuator according to a seventh aspect of the present invention comprises a fixed part and a movable part arranged in the liquid, wherein the movable part contacts the fixed part at a first position and An in-liquid actuated microactuator that can be located at a second position away from the fixed part, wherein the movable part has a curved part that is warped toward the fixed part and has a spring property when not receiving a force. When the movable portion moves from the second position to the first position, the tip portion of the bending portion first comes into contact with the fixed portion.

【0016】本発明の第8の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、前記第1乃至第7のいずれかの態
様において、前記可動部が薄膜で構成されたものであ
る。
An in-liquid actuating microactuator according to an eighth aspect of the present invention is the microactuator in any one of the first to seventh aspects, wherein the movable portion is made of a thin film.

【0017】本発明の第9の態様による液中作動マイク
ロアクチュエータは、前記第1乃至第8のいずれかの態
様において、前記可動部は片持ち梁を構成するものであ
る。
A submerged actuation microactuator according to a ninth aspect of the present invention is the microactuator in any one of the first to eighth aspects, wherein the movable portion constitutes a cantilever.

【0018】本発明の第10の態様による液中作動マイ
クロアクチュエータは、前記第9の態様において、前記
可動部の固定端が、前記固定部から立ち上がる立ち上が
り部を持つ脚部を介して前記固定部に対して固定された
ものである。
A submerged actuated microactuator according to a tenth aspect of the present invention is the microactuator according to the ninth aspect, wherein the fixed end of the movable portion is provided with a leg portion having a rising portion rising from the fixed portion. It is fixed against.

【0019】本発明の第11の態様による光スイッチ
は、前記第1乃至第10のいずれかの態様による液中作
動マイクロアクチュエータと、前記可動部に設けられた
ミラーと、を備えたものである。
An optical switch according to an eleventh aspect of the present invention includes the submerged actuating microactuator according to any one of the first to tenth aspects, and a mirror provided on the movable portion. .

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液中作動マイ
クロアクチュエータ及び光スイッチについて、図面を参
照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An in-liquid actuated microactuator and an optical switch according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】[第1の実施の形態][First Embodiment]

【0022】図1(a)は、本発明の第1の実施の形態
による液中作動マイクロアクチュエータ1及びこれによ
り駆動されるミラー2を模式的に示す概略平面図であ
る。説明の便宜上、図1(a)に示すように、互いに直
交するX軸及びY軸を定義する(後述する図8(a)、
図14、図17についても同様である。)。また、X軸
方向のうち矢印の向きを+X方向、その反対の向きを−
X方向と呼ぶ。XY平面は基板の面と平行となってい
る。図1(b)は、基板11に設けられた固定電極25
を模式的に示す概略平面図である。図1(b)には、平
面視での位置関係を明らかにするため、接続部16及び
梁部14,15の外形の一部も想像線で示している。
FIG. 1A is a schematic plan view schematically showing a submersible microactuator 1 and a mirror 2 driven by the microactuator 1 according to the first embodiment of the present invention. For convenience of explanation, as shown in FIG. 1A, an X axis and a Y axis which are orthogonal to each other are defined (see FIG. 8A described later,
The same applies to FIGS. 14 and 17. ). In the X-axis direction, the arrow direction is + X direction and the opposite direction is-.
Call it the X direction. The XY plane is parallel to the surface of the substrate. FIG. 1B shows a fixed electrode 25 provided on the substrate 11.
It is a schematic plan view which shows typically. In FIG. 1B, a part of the outer shape of the connection portion 16 and the beam portions 14 and 15 is also shown by an imaginary line in order to clarify the positional relationship in a plan view.

【0023】図2及び図3は、それぞれ図1(a)中の
X1−X2線に沿った断面を模式的に示す図である。図
4及び図5は、それぞれ図1(a)中のY1−Y2線に
沿った断面を模式的に示す図である。図2及び図4は駆
動信号が供給されていない状態、図3及び図5は駆動信
号が供給されている状態を示している。
FIGS. 2 and 3 are each a schematic view of a cross section taken along line X1-X2 in FIG. 1 (a). FIG. 4 and FIG. 5 are each a diagram schematically showing a cross section taken along line Y1-Y2 in FIG. 2 and 4 show a state in which the drive signal is not supplied, and FIGS. 3 and 5 show a state in which the drive signal is supplied.

【0024】本実施の形態によるマイクロアクチュエー
タ1は、シリコン基板等の基板11と、脚部12,13
と、主としてX軸方向に延びた2本の帯板状の梁部1
4,15と、梁部14,15の先端(自由端、+X方向
の端部)に設けられそれらの間を機械的に接続する平面
視で長方形状の接続部16と、可動電極17と、固定電
極25と、を備えている。
The microactuator 1 according to this embodiment has a substrate 11 such as a silicon substrate and leg portions 12 and 13.
And two strip-shaped beam portions 1 mainly extending in the X-axis direction
4, 15 and the connecting portions 16 provided at the tips (free ends, ends in the + X direction) of the beam portions 14 and 15 and having a rectangular shape in plan view for mechanically connecting them, the movable electrode 17, And a fixed electrode 25.

【0025】梁部14,15はそれぞれ、下側のSiN
膜21と上側のAl膜22とが積層された2層の薄膜で
構成されている。梁部14,15の材料や層数はこれに
限定されるものではなく、例えば、SiN膜21に代え
て他の絶縁膜を用いてもよいし、Al膜22に代えて他
の導電膜を用いてもよい。また、梁部14,15は、図
2及び図4に示すように、駆動信号が供給されていない
状態において、上方(基板11と反対側)に反ってい
る。
The beam portions 14 and 15 are respectively made of SiN on the lower side.
The film 21 and the upper Al film 22 are laminated to form a two-layer thin film. The material and the number of layers of the beam portions 14 and 15 are not limited to this, and for example, another insulating film may be used instead of the SiN film 21, or another conductive film may be used instead of the Al film 22. You may use. In addition, as shown in FIGS. 2 and 4, the beam portions 14 and 15 are warped upward (on the side opposite to the substrate 11) in the state where the drive signal is not supplied.

【0026】接続部16は、梁部14,15を構成する
SiN膜21及びAl膜22がそのまま連続して延びる
ことによって構成されている。接続部16のほぼ全体に
渡るAl膜22の長方形状領域が、可動電極17となっ
ている。また、接続部16には、被駆動体としてのA
u、Ni又はその他の金属からなるミラー2が設けられ
ている。図面には示していないが、必要に応じて、ミラ
ー2とAl膜22との間には絶縁膜が形成される。
The connecting portion 16 is formed by the SiN film 21 and the Al film 22 forming the beam portions 14 and 15 extending continuously as they are. The rectangular region of the Al film 22 over almost the entire connection portion 16 serves as the movable electrode 17. Further, the connecting portion 16 has an A as a driven body.
A mirror 2 made of u, Ni or another metal is provided. Although not shown in the drawing, an insulating film is formed between the mirror 2 and the Al film 22 as needed.

【0027】図1乃至図3に示すように、梁部14,1
5の−X方向の端部(固定端)は、基板11上のシリコ
ン酸化膜等の絶縁膜23上に形成されたAl膜からなる
配線パターン24(図1では省略)を介して基板11か
ら立ち上がる立ち上がり部を持つ脚部12,13をそれ
ぞれ介して、基板11に機械的に接続されている。本実
施の形態では、脚部12,13は、梁部14,15を構
成するSiN膜21及びAl膜22がそのまま連続して
延びることによって構成されている。Al膜22は、可
動電極17を配線パターン24に電気的に接続する配線
としても兼用され、脚部12,13においてSiN膜2
1に形成された開口を介して配線パターン24にそれぞ
れ電気的に接続されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the beam portions 14, 1
The end portion (fixed end) in the −X direction of 5 is separated from the substrate 11 via a wiring pattern 24 (not shown in FIG. 1) made of an Al film formed on an insulating film 23 such as a silicon oxide film on the substrate 11. It is mechanically connected to the substrate 11 via legs 12 and 13 each having a rising portion that rises. In the present embodiment, the leg portions 12 and 13 are formed by the SiN film 21 and the Al film 22 forming the beam portions 14 and 15 extending continuously as they are. The Al film 22 is also used as a wiring that electrically connects the movable electrode 17 to the wiring pattern 24, and the SiN film 2 is formed on the leg portions 12 and 13.
The wiring patterns 24 are electrically connected to each other through the openings formed in 1.

【0028】以上の説明からわかるように、本実施の形
態では、梁部14,15及び接続部16が、全体とし
て、可動部としての片持ち梁を構成している。また、本
実施の形態では、基板11、絶縁膜23、後述する固定
電極25及び絶縁膜26が、固定部を構成している。本
実施の形態では、2本の梁部14,15を用いることに
より機械的に安定した支持が可能となっているが、梁部
の数は1本でもよいし、3本以上でもよい。また、本実
施の形態では、図1(a)に示すように、梁部14,1
5の途中がY軸方向に折れ曲がったような形状を有して
おり、図7に示すように、複数のマイクロアクチュエー
タ1を基板11上に2次元状に配置する場合、その配置
密度を高めることがようになっている。もっとも、本発
明では、基板11上に搭載するマイクロアクチュエータ
1の数は1つ以上の任意の数でよい。図7は、複数のマ
イクロアクチュエータ1の配置例を模式的に示す概略平
面図である。なお、本発明では、可動部は必ずしも片持
ち梁に限定されるものではなく、例えば、両持ち構造等
を採用することができる。
As can be seen from the above description, in the present embodiment, the beam portions 14 and 15 and the connecting portion 16 constitute a cantilever beam as a movable portion as a whole. Further, in the present embodiment, the substrate 11, the insulating film 23, the fixed electrode 25 and the insulating film 26, which will be described later, form a fixed portion. In the present embodiment, mechanically stable support is possible by using the two beam portions 14 and 15, but the number of beam portions may be one or three or more. In addition, in this embodiment, as shown in FIG.
When the plurality of microactuators 1 are arranged two-dimensionally on the substrate 11 as shown in FIG. 7, the arrangement density of the microactuators 5 should be increased. It is like this. However, in the present invention, the number of microactuators 1 mounted on the substrate 11 may be an arbitrary number of 1 or more. FIG. 7 is a schematic plan view schematically showing an arrangement example of the plurality of microactuators 1. In addition, in the present invention, the movable portion is not necessarily limited to the cantilever beam, and for example, a double-supported structure or the like can be adopted.

【0029】図1乃至図5に示すように、基板11上の
絶縁膜23上には、可動電極17と対向する長方形状領
域に、Al膜からなる固定電極25が形成されている。
固定電極25は、絶縁膜23上にも及ぶPSG膜等の絶
縁膜26で覆われている。なお、図面には示していない
が、固定電極25を構成するAl膜は配線パターンとし
ても延びており、前記配線パターン24と共に利用する
ことによって、固定電極25と可動部17との間に電圧
を、駆動信号として印加できるようになっている。この
電圧を印加すると、固定電極25と可動電極17との間
に静電力(駆動力)が作用し、梁部14,15のバネ力
(内部応力)に抗して図3及び図5に示す状態となる。
一方、この電圧を印加しないと、固定電極25と可動電
極17との間に静電力(駆動力)が作用しなくなり、梁
部14,15のバネ力(内部応力)によって、図2及び
図4に示す状態に戻る。基板11には、外部からの制御
信号に応じてこの駆動信号を生成する駆動回路を搭載し
ておいてもよい。
As shown in FIGS. 1 to 5, on the insulating film 23 on the substrate 11, a fixed electrode 25 made of an Al film is formed in a rectangular region facing the movable electrode 17.
The fixed electrode 25 is covered with an insulating film 26 such as a PSG film that extends over the insulating film 23. Although not shown in the drawing, the Al film forming the fixed electrode 25 also extends as a wiring pattern, and when used together with the wiring pattern 24, a voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable portion 17. , Can be applied as a drive signal. When this voltage is applied, an electrostatic force (driving force) acts between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, which resists the spring force (internal stress) of the beam portions 14 and 15 and is shown in FIGS. It becomes a state.
On the other hand, if this voltage is not applied, the electrostatic force (driving force) does not act between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, and the spring force (internal stress) of the beam portions 14 and 15 causes the electrostatic force (driving force) to occur. Return to the state shown in. A drive circuit that generates this drive signal in response to a control signal from the outside may be mounted on the substrate 11.

【0030】このように、本実施の形態では、駆動信号
によって生ずる静電力によって駆動される。もっとも、
本発明では、磁気力やローレンツ力など他の駆動力や任
意の2種類以上を複合した駆動力により駆動されるよう
に構成することもできる。
As described above, in this embodiment, the driving is performed by the electrostatic force generated by the driving signal. However,
The present invention may be configured to be driven by another driving force such as a magnetic force or a Lorentz force, or a driving force that is a combination of any two or more kinds.

【0031】本実施の形態では、固定電極25と可動電
極17との間に静電力が作用して可動部が図3に示す位
置(第1の位置)に位置したときに、可動部における固
定部との対向領域のうちの一部のみが固定部に接触する
ように、構成されている。具体的には、本実施の形態で
は、立ち上がり部を持つ脚部12,13が採用されてい
ること、及び、固定電極25及び可動電極17が前述し
たように梁部14,15の先端側の位置に配置されてい
ることから、図3及び5に示すように、固定電極25と
可動電極17との間に静電力が作用したときに、可動部
と固定部とが互いに当接する領域は、可動電極17に相
対するSiN膜21の下面の長方形状領域(接続部16
の下面のほぼ全領域)と固定電極25に相対する絶縁膜
26の上面の長方形状領域に限定され、前述した従来の
マイクロアクチュエータと異なり、梁部14,15の下
面がべったりと固定部に接触するようなことがない。
In this embodiment, when the movable portion is located at the position (first position) shown in FIG. 3 due to the electrostatic force acting between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the movable portion is fixed. It is configured such that only a part of the area facing the portion contacts the fixing portion. Specifically, in the present embodiment, the leg portions 12 and 13 having the rising portions are adopted, and the fixed electrode 25 and the movable electrode 17 are provided on the tip side of the beam portions 14 and 15 as described above. Since it is arranged at the position, as shown in FIGS. 3 and 5, when the electrostatic force acts between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the region where the movable portion and the fixed portion contact each other is: A rectangular area (connecting portion 16) on the lower surface of the SiN film 21 facing the movable electrode 17.
(Almost the entire area of the lower surface of the above) and the rectangular area of the upper surface of the insulating film 26 facing the fixed electrode 25, and unlike the conventional microactuator described above, the lower surfaces of the beam portions 14 and 15 are in contact with the fixed portion without sticking. There is nothing to do.

【0032】次に、本実施の形態によるマイクロアクチ
ュエータ1の製造方法の一例について、図6を参照して
説明する。図6は、この製造方法の各工程をそれぞれ模
式的に示す概略断面図であり、図2に対応している。
Next, an example of a method of manufacturing the microactuator 1 according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic sectional view schematically showing each step of this manufacturing method, and corresponds to FIG.

【0033】まず、シリコン基板11の上面に熱酸化に
よってシリコン酸化膜23を成膜し、その上にAl膜を
蒸着又はスパッタ法等によりデポした後に、フォトリソ
エッチング法により、そのAl膜を固定電極25、配線
パターン24及びその他の配線パターンの形状にパター
ニングする(図6(a))。次いで、この状態の基板上
に、常圧CVD法等によってPSG膜26を形成する
(図6(b))。
First, a silicon oxide film 23 is formed on the upper surface of the silicon substrate 11 by thermal oxidation, an Al film is deposited thereon by vapor deposition or sputtering, and then the Al film is fixed by a photolithographic etching method. 25, the wiring pattern 24 and other wiring patterns are patterned (FIG. 6A). Then, the PSG film 26 is formed on the substrate in this state by the atmospheric pressure CVD method or the like (FIG. 6B).

【0034】次に、PSG膜26に脚部12,13のコ
ンタクト部に応じた開口を形成した後に、基板の全面に
犠牲層となるレジスト30を塗布し、このレジスト30
に、脚部12,13のコンタクト部に応じた開口30a
をフォトリソエッチング法により形成する(図6
(c))。
Next, after forming openings corresponding to the contact portions of the leg portions 12 and 13 in the PSG film 26, a sacrificial layer resist 30 is applied to the entire surface of the substrate, and the resist 30 is applied.
And an opening 30a corresponding to the contact portion of the legs 12 and 13.
Are formed by a photolithographic etching method (FIG. 6).
(C)).

【0035】その後、脚部12,13、梁部14,15
及び接続部16となるべきSiN膜21をプラズマCV
D法等により形成した後、フォトリソエッチング法によ
りパターニングし、それらの形状とする。このとき、脚
部12,13におけるコンタクト部には開口を形成して
おく。次いで、脚部12,13、梁部14,15及び接
続部16となるべきAl膜22を蒸着又はスパッタ法等
によりデポした後に、フォトリソエッチング法によりパ
ターニングし、それらの形状にする(図6(d))。
After that, the leg portions 12 and 13 and the beam portions 14 and 15
And the SiN film 21 to be the connection portion 16 is subjected to plasma CV.
After being formed by the D method or the like, patterning is performed by the photolithographic etching method to obtain those shapes. At this time, openings are formed in the contact portions of the leg portions 12 and 13. Next, after depositing the Al film 22 to become the leg portions 12 and 13, the beam portions 14 and 15 and the connection portion 16 by vapor deposition or sputtering, patterning is performed by photolithography etching to form them (FIG. 6 ( d)).

【0036】次に、図6(d)に示す状態の基板の全面
に犠牲層となるレジスト31を厚塗りする(図6
(e))。ここで、レジスト31を露光、現像してミラ
ー2が成長される領域をレジスト31に形成した後、電
解メッキによりミラー2となるべきAu、Ni又はその
他の金属を成長させる。最後に、レジスト30,31を
プラズマアッシング法等により除去する。これにより、
本実施の形態によるマイクロアクチュエータ1が完成す
る。
Next, a resist 31 serving as a sacrifice layer is thickly applied over the entire surface of the substrate in the state shown in FIG. 6D (FIG. 6).
(E)). Here, after exposing and developing the resist 31, a region where the mirror 2 is to be grown is formed in the resist 31, and then Au, Ni or another metal to be the mirror 2 is grown by electrolytic plating. Finally, the resists 30 and 31 are removed by the plasma ashing method or the like. This allows
The microactuator 1 according to this embodiment is completed.

【0037】なお、前述したように膜21及び膜22の
成膜は、レジスト30,31を除去した際に前記梁部1
4,15が成膜時のストレスによって上方に反るような
条件で、行う。
As described above, the film 21 and the film 22 are formed by removing the resists 30 and 31 from the beam portion 1.
It is performed under the condition that the films 4 and 15 warp upward due to the stress during the film formation.

【0038】本実施の形態によるマイクロアクチュエー
タ1の使用に際して、例えば後述する第7の実施の形態
のように、基板11の上側の空間が屈折率調整液等の液
体で満たされ、可動部が液体中に配置される。
When the microactuator 1 according to the present embodiment is used, the space above the substrate 11 is filled with a liquid such as a refractive index adjusting liquid, and the movable portion is liquid, as in a seventh embodiment to be described later. It is placed inside.

【0039】本実施の形態によれば、前述したように、
固定電極25と可動電極17との間に電圧を印加する
と、両者の間の静電力により可動部が固定部に当接して
図3及び図5に示すように接続部16が基板11側の位
置に位置する。この状態から、固定電極25と可動電極
17との間に電圧を印加しない状態にすると、梁部1
4,15の内部応力によって、可動部が固定部から離れ
て図2及び図4に示すように基板11から遠ざかった位
置に接続部16が位置する。図3及び図5に示す位置か
ら図2及び図4に示す位置に可動部が移動しようとする
とき、周囲の液体は可動部と基板11との空間に入り込
もうとする。
According to this embodiment, as described above,
When a voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the movable portion comes into contact with the fixed portion due to the electrostatic force between the two, and the connecting portion 16 is positioned on the substrate 11 side as shown in FIGS. 3 and 5. Located in. From this state, when no voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the beam portion 1
Due to the internal stress of 4 and 15, the movable portion is separated from the fixed portion, and the connecting portion 16 is located at a position away from the substrate 11 as shown in FIGS. 2 and 4. When the movable part is about to move from the position shown in FIGS. 3 and 5 to the position shown in FIGS. 2 and 4, the surrounding liquid tries to enter the space between the movable part and the substrate 11.

【0040】本実施の形態では、前述したように、固定
電極25と可動電極17との間に静電力が作用している
図3及び図5に示す状態において、可動部と固定部とが
互いに当接する領域は、可動電極17に相対するSiN
膜21の下面の長方形状領域(接続部16の下面のほぼ
全領域)と固定電極25に相対する絶縁膜26の上面の
長方形状領域に限定され、前述した従来のマイクロアク
チュエータと異なり、梁部14,15の下面がべったり
と固定部に接触するようなことがない。このため、図3
及び図5に示す位置から図2及び図4に示す位置に可動
部が移動しようとするとき、周囲の液体の、可動部と基
板11との空間への入り込みが、従来のマイクロアクチ
ュエータに比べてスムーズに行われる。したがって、本
実施の形態によれば、図3及び図5に示す状態から図2
及び図4に示す状態への移行がより短時間に行われ、動
作の高速化を図ることができる。
In the present embodiment, as described above, in the state shown in FIGS. 3 and 5 in which the electrostatic force is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the movable portion and the fixed portion are separated from each other. The contact area is SiN facing the movable electrode 17.
The rectangular area of the lower surface of the film 21 (almost the entire area of the lower surface of the connection portion 16) and the rectangular area of the upper surface of the insulating film 26 facing the fixed electrode 25 are limited, and unlike the above-described conventional microactuator, the beam portion is provided. The bottom surfaces of 14 and 15 do not come into contact with the fixed parts. Therefore, in FIG.
When the movable part is about to move from the position shown in FIG. 5 to the position shown in FIGS. 2 and 4, the surrounding liquid is more likely to enter the space between the movable part and the substrate 11 than the conventional microactuator. It is done smoothly. Therefore, according to the present embodiment, from the state shown in FIG. 3 and FIG.
Also, the transition to the state shown in FIG. 4 is performed in a shorter time, and the operation speed can be increased.

【0041】[第2の実施の形態][Second Embodiment]

【0042】図8(a)は、本発明の第2の実施の形態
による液中作動マイクロアクチュエータ41及びこれに
より駆動されるミラー2を模式的に示す概略平面図であ
る。図8(b)は、基板11に設置された固定電極25
及びスペーサ膜42を模式的に示す概略平面図である。
図8(b)には、平面視での位置関係を明らかにするた
め、接続部16及び梁部14,15の外形の一部も想像
線で示している。図9及び図10は、それぞれ図8
(a)中のX3−X4線に沿った断面を模式的に示す図
である。図11及び図12は、それぞれ図8(a)中の
Y3−Y4線に沿った断面を模式的に示す図である。図
9及び図11は駆動信号が供給されていない状態、図1
0及び図12は駆動信号が供給されている状態を示して
いる。
FIG. 8A is a schematic plan view schematically showing the submerged actuated microactuator 41 and the mirror 2 driven by the microactuator 41 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8B shows the fixed electrode 25 installed on the substrate 11.
FIG. 6 is a schematic plan view schematically showing a spacer film 42.
In FIG. 8B, a part of the outer shape of the connecting portion 16 and the beam portions 14 and 15 is also shown by an imaginary line in order to clarify the positional relationship in a plan view. 9 and 10 are respectively shown in FIG.
It is a figure which shows typically the cross section along the X3-X4 line in (a). 11 and 12 are each a diagram schematically showing a cross section taken along line Y3-Y4 in FIG. 9 and 11 show a state in which the drive signal is not supplied, FIG.
0 and FIG. 12 show a state in which the drive signal is supplied.

【0043】これらの図において、図1乃至図5中の要
素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重
複する説明は省略する。
In these figures, the same or corresponding elements as those in FIGS. 1 to 5 are designated by the same reference numerals, and their duplicated description will be omitted.

【0044】前記第1の実施の形態では、固定電極25
と可動電極17との間に静電力が作用している状態(図
3及び図5参照)において、可動電極17に相対するS
iN膜21の下面の長方形状領域(接続部16の下面の
ほぼ全領域)と、固定電極25に相対する絶縁膜26の
上面の長方形状領域とが接触しており、図4及び図5に
示す状態に戻ろうとする際にこの接触面間に周囲の液体
を導く案内路を形成するための案内路形成構造は、備え
ていなかった。
In the first embodiment, the fixed electrode 25
In the state where the electrostatic force is applied between the movable electrode 17 and the movable electrode 17 (see FIGS. 3 and 5), S that faces the movable electrode 17
The rectangular area on the lower surface of the iN film 21 (substantially the entire area of the lower surface of the connecting portion 16) and the rectangular area on the upper surface of the insulating film 26 facing the fixed electrode 25 are in contact with each other. A guide passage forming structure for forming a guide passage for guiding the surrounding liquid between the contact surfaces when returning to the state shown is not provided.

【0045】本実施の形態は、このような案内路形成構
造として、図11及び図12に示すように、接続部16
の下面の領域と対向する絶縁膜46上の領域に、複数の
溝43を形成することにより、更なる動作の高速化を図
ったものである。
In this embodiment, as such a guide path forming structure, as shown in FIGS. 11 and 12, the connecting portion 16 is formed.
By forming a plurality of grooves 43 in the region on the insulating film 46 facing the region of the lower surface of the above, the operation speed is further increased.

【0046】本実施の形態では、図9乃至図12に示す
ように、図2乃至図5に示す絶縁膜26に代えて絶縁膜
46が形成され、固定電極25の下方にスペーサ膜42
が形成されている。絶縁膜46は、図面には示していな
いが、同一材料からなる2層膜で構成されている。スペ
ーサ膜42は、絶縁膜23上に形成され、絶縁膜23上
にも及ぶ絶縁膜46の下層で覆われている。本実施の形
態では、固定電極25は、絶縁膜46の下層上に形成さ
れ、絶縁膜46の上層で覆われている。絶縁膜46の上
層は、絶縁膜46の下層上にも及んでいる。
In this embodiment, as shown in FIGS. 9 to 12, an insulating film 46 is formed instead of the insulating film 26 shown in FIGS. 2 to 5, and the spacer film 42 is formed below the fixed electrode 25.
Are formed. Although not shown in the drawing, the insulating film 46 is composed of a two-layer film made of the same material. The spacer film 42 is formed on the insulating film 23 and is covered with a lower layer of the insulating film 46 which extends over the insulating film 23. In the present embodiment, the fixed electrode 25 is formed on the lower layer of the insulating film 46 and is covered with the upper layer of the insulating film 46. The upper layer of the insulating film 46 extends to the lower layer of the insulating film 46.

【0047】本実施の形態では、固定電極25は、図8
(b)に示すように、長方形状に対して切欠部25a〜
25dを形成した形状を有している。切欠部25a,2
5bは当該長方形状の+X側から−X方向に延び、切欠
部25c,25dは切欠部25a,25bとそれぞれ対
向するように−X側から+X方向に延びている。切欠部
を当該長方形状の+X側から−X側にかけて形成する
と、電気的に接続できない領域が生じてしまうので、切
欠部25a,25c間及び切欠部25b,25d間に
は、それぞれ斜めの領域が残されている。図8(b)に
示すように、スペーサ膜42の形状は固定電極25の形
状とほぼ同一で、その大きさは固定電極25より若干大
きくなっている。接続部16の下面の領域と対向する絶
縁膜46上の領域に形成された溝43の平面視での形状
は、固定電極25の切欠部25a〜25dの形状を転写
したものとなり、溝43の深さは、図11及び図12に
示すように、固定電極25とスペーサ膜42の膜厚の合
計にほぼ相当している。
In this embodiment, the fixed electrode 25 has a structure shown in FIG.
As shown in (b), notches 25a to 25
25d is formed. Notches 25a, 2
5b extends in the -X direction from the + X side of the rectangular shape, and the cutouts 25c and 25d extend in the + X direction from the -X side so as to face the cutouts 25a and 25b, respectively. When the notch is formed from the + X side to the −X side of the rectangular shape, a region that cannot be electrically connected is generated. Therefore, diagonal regions are formed between the notches 25a and 25c and between the notches 25b and 25d. It is left. As shown in FIG. 8B, the shape of the spacer film 42 is almost the same as the shape of the fixed electrode 25, and the size thereof is slightly larger than that of the fixed electrode 25. The shape of the groove 43 formed in the area on the insulating film 46 facing the area of the lower surface of the connection portion 16 in plan view is a copy of the shape of the cutout portions 25 a to 25 d of the fixed electrode 25. As shown in FIGS. 11 and 12, the depth is substantially equivalent to the total film thickness of the fixed electrode 25 and the spacer film 42.

【0048】また、本実施の形態では、図8(a)に示
すように、可動電極17にも、切欠部17a〜17dが
形成されている。これは、基板11を所定電位に保った
場合に不要な静電力が作用しないようにするためである
が、可動電極17に切欠部を形成せずに長方形状のまま
としてもよい。
Further, in this embodiment, as shown in FIG. 8A, the movable electrode 17 is also formed with notches 17a to 17d. This is to prevent unnecessary electrostatic force from acting when the substrate 11 is kept at a predetermined potential, but the movable electrode 17 may be left in a rectangular shape without forming a notch.

【0049】ここで、本実施の形態によるマイクロアク
チュエータ41の製造方法の一例について、図13を参
照して説明する。図13は、この製造方法の各工程をそ
れぞれ模式的に示す概略断面図であり、図9に対応して
いる。
Here, an example of a method of manufacturing the microactuator 41 according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a schematic sectional view schematically showing each step of this manufacturing method, and corresponds to FIG. 9.

【0050】まず、シリコン基板11の上面に熱酸化に
よってシリコン酸化膜23を成膜し、その上にAl膜を
蒸着又はスパッタ法等によりデポした後に、フォトリソ
エッチング法により、そのAl膜をスペーサ膜42及び
配線パターン24の形状にパターニングする(図13
(a))。
First, a silicon oxide film 23 is formed on the upper surface of the silicon substrate 11 by thermal oxidation, an Al film is deposited thereon by vapor deposition or sputtering, and then the Al film is formed by a photolithographic etching method as a spacer film. 42 and the wiring pattern 24 are patterned (see FIG. 13).
(A)).

【0051】次いで、図13(a)に示す状態の基板上
に、常圧CVD法等によって絶縁膜46の下層となるP
SG膜を形成する。次に、このPSG膜上にAl膜を蒸
着又はスパッタ法等によりデポした後に、フォトリソエ
ッチング法により、そのAl膜を固定電極25及び固定
電極25に対する配線パターン(図示せず)の形状にパ
ターニングする。その後、常圧CVD法等によって絶縁
膜46の上層となるPSG膜を形成する(図13
(b))。
Next, on the substrate in the state shown in FIG. 13A, P which will be the lower layer of the insulating film 46 is formed by the atmospheric pressure CVD method or the like.
An SG film is formed. Next, after depositing an Al film on the PSG film by vapor deposition or sputtering, the Al film is patterned into a fixed electrode 25 and a wiring pattern (not shown) for the fixed electrode 25 by photolithographic etching. . Then, a PSG film to be an upper layer of the insulating film 46 is formed by the atmospheric pressure CVD method or the like (FIG. 13).
(B)).

【0052】次に、絶縁膜(2層のPSG膜)46に脚
部12,13のコンタクト部に応じた開口を形成した後
に、基板の全面に犠牲層となるレジスト30を塗布し、
このレジスト30に、脚部12,13のコンタクト部に
応じた開口30aをフォトリソエッチング法により形成
する(図13(c))。
Next, after forming openings corresponding to the contact portions of the leg portions 12 and 13 in the insulating film (two-layer PSG film) 46, a resist 30 serving as a sacrificial layer is applied on the entire surface of the substrate,
Openings 30a corresponding to the contact portions of the leg portions 12 and 13 are formed in the resist 30 by a photolithographic etching method (FIG. 13C).

【0053】その後、脚部12,13、梁部14,15
及び接続部16となるべきSiN膜21をプラズマCV
D法等により形成した後、フォトリソエッチング法によ
りパターニングし、それらの形状とする。このとき、脚
部12,13におけるコンタクト部には開口を形成して
おく。次いで、脚部12,13、梁部14,15及び接
続部16となるべきAl膜22を蒸着又はスパッタ法等
によりデポした後に、フォトリソエッチング法によりパ
ターニングし、それらの形状にする(図13(d))。
After that, the leg portions 12 and 13 and the beam portions 14 and 15
And the SiN film 21 to be the connection portion 16 is subjected to plasma CV.
After being formed by the D method or the like, patterning is performed by the photolithographic etching method to obtain those shapes. At this time, openings are formed in the contact portions of the leg portions 12 and 13. Next, after depositing the Al film 22 to become the leg portions 12 and 13, the beam portions 14 and 15, and the connection portion 16 by vapor deposition or sputtering, patterning is performed by photolithography etching to form them (FIG. d)).

【0054】次に、図13(d)に示す状態の基板の全
面に犠牲層となるレジスト31を厚塗りする(図13
(e))。ここで、レジスト31を露光、現像してミラ
ー2が成長される領域をレジスト31に形成した後、電
解メッキによりミラー2となるべきAu、Ni又はその
他の金属を成長させる。最後に、レジスト30,31を
プラズマアッシング法等により除去する。これにより、
本実施の形態によるマイクロアクチュエータ41が完成
する。
Next, a resist 31 serving as a sacrifice layer is thickly applied over the entire surface of the substrate in the state shown in FIG. 13D (FIG. 13).
(E)). Here, after exposing and developing the resist 31, a region where the mirror 2 is to be grown is formed in the resist 31, and then Au, Ni or another metal to be the mirror 2 is grown by electrolytic plating. Finally, the resists 30 and 31 are removed by the plasma ashing method or the like. This allows
The microactuator 41 according to this embodiment is completed.

【0055】なお、前述したように膜21及び膜22の
成膜は、レジスト30,31を除去した際に前記梁部1
4,15が成膜時のストレスによって上方に反るような
条件で、行う。
As described above, the film 21 and the film 22 are formed when the resists 30 and 31 are removed.
It is performed under the condition that the films 4 and 15 warp upward due to the stress during the film formation.

【0056】本実施の形態によれば、固定電極25と可
動電極17との間に電圧を印加すると、両者の間の静電
力により、図10及び図12に示すように、接続部16
の下面が固定電極25に相対する絶縁膜46の上面(そ
の形状は、固定電極25の前述した形状を転写したもの
となる。)に接触する。この状態から、固定電極25と
可動電極17との間に電圧を印加しない状態にすると、
梁部14,15の内部応力によって、図9及び図11に
示す状態へ戻っていき、接続部16の下面が、接触して
いた絶縁膜46の上面から離れていく。このとき、前述
した溝43が、接続部16の下面とこれが接触していた
絶縁膜46の上面との間に周囲の液体を導く案内路とな
り、その間に周囲の液体がスムーズに入り込んでいく。
According to the present embodiment, when a voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, an electrostatic force between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17 causes the connecting portion 16 to move as shown in FIGS.
The lower surface of the above contacts the upper surface of the insulating film 46 facing the fixed electrode 25 (the shape thereof is a transfer of the above-described shape of the fixed electrode 25). From this state, when no voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17,
Due to the internal stress of the beam portions 14 and 15, the state returns to the state shown in FIGS. 9 and 11, and the lower surface of the connection portion 16 separates from the upper surface of the insulating film 46 that was in contact therewith. At this time, the groove 43 described above serves as a guide path for guiding the surrounding liquid between the lower surface of the connecting portion 16 and the upper surface of the insulating film 46 with which the connecting portion 16 is in contact, and the surrounding liquid smoothly enters between them.

【0057】したがって、本実施の形態によれば、前記
第1の実施の形態に比べて、図10及び図12に示す状
態から図9及び図11に示す状態への移行が格段に短い
時間で行われ、より一層動作の高速化を図ることができ
る。
Therefore, according to the present embodiment, the transition from the state shown in FIGS. 10 and 12 to the state shown in FIGS. 9 and 11 is much shorter than that in the first embodiment. Therefore, the operation speed can be further increased.

【0058】なお、溝43の延びる方向を、本実施の形
態のようにX軸方向(梁部14,15の延びる方向)に
設定すると、接続部16の絶縁膜46の上面からの引き
離しがより短時間となり、好ましい。もっとも、溝43
の方向はこの方向に限定されるものではない。また、溝
43の本数等も限定されるものではない。本実施の形態
では、前述したように、固定電極25の切欠部25a,
25c間の領域及び切欠部25b,25d間の領域を斜
めにしており、この形状が溝43の形状に転写されるこ
とから、それらの間の領域をY軸方向に延びるようにす
る場合に比べて、液体の入り込みがよりスムーズとなっ
て、接続部16の絶縁膜46の上面からの引き離しがよ
り短時間となり、好ましい。
When the extending direction of the groove 43 is set to the X-axis direction (the extending direction of the beam portions 14 and 15) as in the present embodiment, the connection portion 16 is more separated from the upper surface of the insulating film 46. It is a short time, which is preferable. However, the groove 43
The direction of is not limited to this direction. Further, the number of grooves 43 and the like are not limited. In the present embodiment, as described above, the cutout portions 25a of the fixed electrode 25,
The region between 25c and the region between the cutouts 25b and 25d are slanted, and since this shape is transferred to the shape of the groove 43, compared with the case where the region between them is extended in the Y-axis direction. Accordingly, the liquid can be more smoothly introduced, and the connection portion 16 can be separated from the upper surface of the insulating film 46 in a shorter time, which is preferable.

【0059】また、本実施の形態では、スペーサ膜42
を形成することによって、スペーサ膜42の膜厚の分だ
け溝43の深さを深くしている。このように溝43の深
さを深くすると、液体をよりスムーズに導くことがで
き、好ましい。本実施の形態は、スペーサ膜42を1層
だけ挿入した例であるが、例えば、固定電極25と絶縁
膜23との間にスペーサ膜を2層以上挿入すれば、溝4
3の深さをより深くすることができる。もっとも、スペ
ーサ膜42は必ずしも形成する必要はない。この場合、
例えば、前述した第1の実施の形態の製造工程と基本的
に同じ製造工程をを採用し、固定電極25のパターニン
グの際に、図8(b)に示す形状にパターニングすれば
よい。
Further, in this embodiment, the spacer film 42 is used.
Is formed, the depth of the groove 43 is increased by the film thickness of the spacer film 42. When the depth of the groove 43 is increased in this way, the liquid can be guided more smoothly, which is preferable. Although the present embodiment is an example in which only one layer of the spacer film 42 is inserted, for example, if two or more spacer films are inserted between the fixed electrode 25 and the insulating film 23, the groove 4 can be formed.
The depth of 3 can be made deeper. However, the spacer film 42 does not necessarily have to be formed. in this case,
For example, the manufacturing process basically the same as the manufacturing process of the first embodiment described above may be adopted, and the patterning of the fixed electrode 25 may be performed in the shape shown in FIG. 8B.

【0060】なお、本実施の形態では、溝43が固定部
側に形成されていたが、可動部側(すなわち、接続部1
6の下面)に溝を形成してもよい。この場合も、本実施
の形態と同様の効果が得られる。
Although the groove 43 is formed on the fixed portion side in this embodiment, it is on the movable portion side (that is, the connecting portion 1).
You may form a groove | channel in the lower surface (6). Also in this case, the same effect as this embodiment can be obtained.

【0061】ところで、前記第1の実施の形態において
も、液中での液の抵抗は電極の面積に比例して大きくな
るため、電極面積を小さくすれば液の抵抗を減らして高
速な動作が可能になる。しかし、電極面積を減らすと、
固定電極25と可動電極17を梁部14,15の内部応
力に打ち勝ってクランプする為に必要な印加電圧は、電
極の面積に反比例するため、高い電圧が必要となる。印
加電圧を高くするためには耐圧を高くする必要があり、
また駆動回路も大型になると言う問題も発生する。これ
に対して、本実施の形態では、電極面積はあまり小さく
せずにすむため、印加電圧の上昇といった問題が起こら
ずにすむ。この点は、後述する各実施の形態についても
同様である。
By the way, also in the first embodiment, the resistance of the liquid in the liquid increases in proportion to the area of the electrode. Therefore, if the electrode area is reduced, the resistance of the liquid is reduced and high-speed operation is possible. It will be possible. However, if the electrode area is reduced,
The applied voltage required to overcome the internal stress of the beam portions 14 and 15 and clamp the fixed electrode 25 and the movable electrode 17 is inversely proportional to the area of the electrode, and thus requires a high voltage. To increase the applied voltage, it is necessary to increase the breakdown voltage,
There is also a problem that the drive circuit becomes large. On the other hand, in the present embodiment, since the electrode area does not have to be made so small, the problem of increase in applied voltage does not occur. This point is the same for each embodiment described later.

【0062】[第3の実施の形態][Third Embodiment]

【0063】図14は、本発明の第3の実施の形態によ
る液中作動マイクロアクチュエータ51及びこれにより
駆動されるミラー2を模式的に示す概略平面図である。
図15及び図16は、それぞれ図14中のX5−X6線
に沿った断面を模式的に示す図である。図15は駆動信
号が供給されていない状態、図16は駆動信号が供給さ
れている状態を示している。これらの図において、図1
乃至図5中の要素と同一又は対応する要素には同一符号
を付し、その重複する説明は省略する。
FIG. 14 is a schematic plan view schematically showing a submersible microactuator 51 and a mirror 2 driven by the microactuator 51 according to a third embodiment of the present invention.
15 and 16 are schematic views each showing a cross section taken along line X5-X6 in FIG. FIG. 15 shows a state where the drive signal is not supplied, and FIG. 16 shows a state where the drive signal is supplied. In these figures, FIG.
Elements that are the same as or correspond to the elements in FIG. 5 are assigned the same reference numerals, and duplicate descriptions thereof are omitted.

【0064】本実施の形態が前記第1の実施の形態と異
なる所は、接続部16の先端に、力を受けない状態で下
方(基板11側)へ反りかつバネ性を持つ湾曲部52が
設けられている点のみである。
The present embodiment is different from the first embodiment in that the tip of the connecting portion 16 is provided with a bending portion 52 which is bent downward (to the side of the substrate 11) in a state where no force is applied and which has a spring property. It is only the point provided.

【0065】湾曲部52は、平面視で接続部16の先端
から+X方向に帯状に延びた形状を有し、下側のAl膜
53と上側のSiN膜とが積層された2層の薄膜で構成
され、図15に示すように、力を受けない状態で下方へ
湾曲している。湾曲部52を構成する上側のSiN膜
は、接続部16のSiN膜21がそのまま連続して延び
たものとなっている。固定電極25と可動電極17との
間に電圧が印加されることにより、可動部が基板11か
ら離れた図15に示す位置から基板11側の図16に示
す位置に移動するときに、湾曲部52の先端部分が最初
に固定部(本実施の形態では、絶縁膜26)に当接する
ようになっている。本実施の形態では、湾曲部52の先
端部分が最初に固定部が当接した後、湾曲部52が湾曲
の度合いが少なくなるように撓み、これにより湾曲部5
2で発生するバネ力によって、図16に示すように接続
部16の下面と絶縁膜26の上面との間に隙間があいた
状態で、可動部は停止するようになっている。この状態
では、可動部は、湾曲部52の先端部分でのみ、図16
中の紙面に垂直な方向に延びる線状に接触している。
The curved portion 52 has a shape extending in a strip shape in the + X direction from the tip of the connecting portion 16 in a plan view, and is a two-layer thin film in which a lower Al film 53 and an upper SiN film are laminated. As shown in FIG. 15, it is configured to bend downward without being subjected to a force. The upper SiN film forming the curved portion 52 is formed by continuously extending the SiN film 21 of the connection portion 16 as it is. When a voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the curved portion moves when the movable portion moves from the position shown in FIG. 15 apart from the substrate 11 to the position shown in FIG. 16 on the substrate 11 side. The tip portion of 52 is first brought into contact with the fixing portion (the insulating film 26 in the present embodiment). In the present embodiment, after the tip portion of the bending portion 52 first comes into contact with the fixing portion, the bending portion 52 bends so as to reduce the degree of bending, whereby the bending portion 5
Due to the spring force generated in step 2, the movable part is stopped in a state where there is a gap between the lower surface of the connecting portion 16 and the upper surface of the insulating film 26 as shown in FIG. In this state, the movable portion is provided only at the tip portion of the bending portion 52.
The lines are in contact with each other and extend in a direction perpendicular to the paper surface.

【0066】本実施の形態によるマイクロアクチュエー
タ51は、例えば、図6に示す製造方法の一部を次のよ
うに変形した製造方法により製造することができる。す
なわち、図6(c)に示す工程の後に、湾曲部52のA
l膜53となるべきAl膜を蒸着又はスパッタ法等によ
りデポした後に、フォトリソエッチング法によりパター
ニングし、Al膜53の形状にする。次に、図6(d)
以降の工程を行えばよい。ただし、SiN膜21のパタ
ーニングの際には、湾曲部53の部分を残しておく。
The microactuator 51 according to this embodiment can be manufactured by a manufacturing method in which a part of the manufacturing method shown in FIG. 6 is modified as follows. That is, after the step shown in FIG.
After the Al film to be the I film 53 is deposited by vapor deposition or sputtering, the Al film 53 is patterned by photolithography. Next, FIG. 6 (d)
The subsequent steps may be performed. However, when the SiN film 21 is patterned, the curved portion 53 is left.

【0067】本実施の形態によれば、図16に示すよう
に、静電力により可動電極17が固定電極25に引きつ
けられた状態で、接続部16の下面と絶縁膜26の上面
との間に隙間があいている。図16に示す状態から固定
電極25と可動電極17との間に電圧を印加しない状態
にしたときに、可動部が基板11から離れていき図15
に示す状態に戻る際に、前記隙間が周囲の液体の通り路
となり、接続部16の下面と絶縁膜26の上面との間に
周囲の液体がスムーズに入り込んでいく。なお、湾曲部
53の先端部が絶縁膜26上に線状に接触するのみで、
湾曲部53全体がべったりと絶縁膜26の上面に接触す
るものではないため、その下にも液体がスムーズに入り
込んでいく。
According to the present embodiment, as shown in FIG. 16, between the lower surface of the connecting portion 16 and the upper surface of the insulating film 26, the movable electrode 17 is attracted to the fixed electrode 25 by electrostatic force. There is a gap. When the voltage is not applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17 from the state shown in FIG. 16, the movable portion moves away from the substrate 11 and the state shown in FIG.
When returning to the state shown in (4), the gap serves as a passage for the surrounding liquid, and the surrounding liquid smoothly enters between the lower surface of the connecting portion 16 and the upper surface of the insulating film 26. The tip of the curved portion 53 only linearly contacts the insulating film 26,
Since the entire curved portion 53 is not in contact with the upper surface of the insulating film 26, the liquid smoothly enters under the curved portion 53.

【0068】また、図16に示す状態において固定電極
25と可動電極17との間に電圧を印加しない状態にす
ると、その当初は、梁部14,15のバネ力のみならず
湾曲部53のバネ力によっても可動部が上方へ移動され
ることになる。したがって、前記第1の実施の形態に比
べて、大きな力で可動部が基板11から離れていく。
When no voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17 in the state shown in FIG. 16, at the beginning, not only the spring force of the beam portions 14 and 15 but also the spring force of the bending portion 53. The force also moves the movable part upward. Therefore, as compared with the first embodiment, the movable portion is separated from the substrate 11 by a large force.

【0069】このように、本実施の形態によれば、液体
がスムーズに入り込んで行くこと及び可動部が大きな力
で基板11から離れていくことの両方の効果が相俟っ
て、前記第1の実施の形態に比べて、図16に示す状態
から図15に示す状態への移行が格段に短い時間で行わ
れ、より一層動作の高速化を図ることができる。
As described above, according to the present embodiment, the effect that both the liquid smoothly enters and the movable portion moves away from the substrate 11 with a large force are combined, and the first Compared with the embodiment described above, the transition from the state shown in FIG. 16 to the state shown in FIG. 15 is performed in a significantly shorter time, and the operation speed can be further increased.

【0070】ところで、固定電極25と可動電極17と
の間に作用する力をかなり大きく設定した場合には、湾
曲部53のバネ力に抗して、前記第1の実施の形態と同
様に接続部16の下面が絶縁膜26の上面に接触してし
まう。この場合には、前述したような液体の入り込みに
関しては前記第1の実施の形態と同様であるが、湾曲部
53のバネ力の分だけ大きな力で可動部が基板11から
離れていくので、やはり、前記第1の実施の形態に比べ
て、図16に示す状態から図15に示す状態への移行が
格段に短い時間で行われ、より一層動作の高速化を図る
ことができる。
By the way, when the force acting between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17 is set to a considerably large value, the spring force of the bending portion 53 is resisted and the connection is made in the same manner as in the first embodiment. The lower surface of the portion 16 comes into contact with the upper surface of the insulating film 26. In this case, the liquid entry as described above is the same as that in the first embodiment, but the movable part is separated from the substrate 11 by a large force corresponding to the spring force of the bending part 53. After all, as compared with the first embodiment, the transition from the state shown in FIG. 16 to the state shown in FIG. 15 is performed in a remarkably short time, and the operation speed can be further increased.

【0071】なお、複数のマイクロアクチュエータ51
を基板11上に2次元状に配置する場合、湾曲部53に
起因して配置ピッチを広げるような必要がなく、図7の
場合と同様の高い配置密度を確保することができる。
A plurality of microactuators 51
When the substrates are arranged two-dimensionally on the substrate 11, it is not necessary to widen the arrangement pitch due to the curved portion 53, and the same high arrangement density as in the case of FIG. 7 can be secured.

【0072】[第4の実施の形態][Fourth Embodiment]

【0073】図17は、本発明の第4の実施の形態によ
る液中作動マイクロアクチュエータ61及びこれにより
駆動されるミラー2を模式的に示す概略平面図である。
図17において、図14乃至図16中の要素と同一又は
対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は
省略する。
FIG. 17 is a schematic plan view schematically showing an in-liquid actuating microactuator 61 and a mirror 2 driven by the same according to a fourth embodiment of the present invention.
In FIG. 17, elements that are the same as or correspond to the elements in FIGS. 14 to 16 are assigned the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof are omitted.

【0074】本実施の形態が前記第3の実施の形態と異
なる所は、湾曲部52が除去され、湾曲部52に対応す
る2つの湾曲部52a,52bが接続部16の両側に配
置されている点のみである。湾曲部52aは、下側のA
l膜53aと上側のSiN膜とが積層された2層の薄膜
で構成され、基端側から先端側にかけて基板11側に湾
曲している。同様に、湾曲部52bも、下側のAl膜5
3bと上側のSiN膜とが積層された2層の薄膜で構成
され、基端側から先端側にかけて基板11側に湾曲して
いる。湾曲部52a,52bの上側のSiN膜は、接続
部16のSiN膜21がそのまま連続して延びたものと
なっている。
The present embodiment is different from the third embodiment in that the curved portion 52 is removed and two curved portions 52a and 52b corresponding to the curved portion 52 are arranged on both sides of the connecting portion 16. It is only the point. The curved portion 52a has a lower A
The I film 53a and the upper SiN film are laminated to form a two-layer thin film, and are curved toward the substrate 11 from the base end side to the tip end side. Similarly, the curved portion 52b also includes the lower Al film 5
3b and an upper SiN film are laminated to form a two-layer thin film, which is curved toward the substrate 11 from the base end side to the tip end side. The SiN film on the upper side of the curved portions 52a and 52b is formed by continuously extending the SiN film 21 of the connecting portion 16.

【0075】本実施の形態によっても、前記第3の実施
の形態と同様の利点が得られる。
Also according to this embodiment, the same advantages as those of the third embodiment can be obtained.

【0076】[第5の実施の形態][Fifth Embodiment]

【0077】図18及び図19は、本発明の第5の実施
の形態による液中作動マイクロアクチュエータ71及び
これにより駆動されるミラー2を模式的に示す概略断面
図であり、図4及び図5にそれぞれ対応している。図1
8は駆動信号が供給されていない状態、図19は駆動信
号が供給されている状態を示している。図20は、突起
72及び固定電極25のみを見た概略平面図である。こ
れらの図において、図1乃至図5中の要素と同一又は対
応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省
略する。
18 and 19 are schematic sectional views schematically showing a submerged actuated microactuator 71 and a mirror 2 driven by the microactuator 71 according to a fifth embodiment of the present invention, and FIGS. It corresponds to each. Figure 1
8 shows a state in which the drive signal is not supplied, and FIG. 19 shows a state in which the drive signal is supplied. FIG. 20 is a schematic plan view showing only the protrusion 72 and the fixed electrode 25. In these figures, the same or corresponding elements as those in FIGS. 1 to 5 are designated by the same reference numerals, and the duplicated description thereof will be omitted.

【0078】本実施の形態が前記第1の実施の形態と異
なる所は、前記第2の実施の形態に関連して説明した案
内路形成構造として、接続部16の下面に対向する絶縁
膜26の上面に、突起72が形成されている点のみであ
る。本実施の形態では、4つの突起72が接続部16の
四隅付近に対応する位置に配置されているが、その数や
位置はこれに限定されるものではない。
The difference of this embodiment from the first embodiment is that the insulating film 26 facing the lower surface of the connecting portion 16 is provided as the guide path forming structure described in connection with the second embodiment. The point is that the projection 72 is formed on the upper surface of the. In the present embodiment, the four protrusions 72 are arranged at the positions corresponding to the vicinity of the four corners of the connecting portion 16, but the number and position thereof are not limited to this.

【0079】本実施の形態によるマイクロアクチュエー
タ71は、例えば、図6に示す製造方法の一部を次のよ
うに変形した製造方法により製造することができる。す
なわち、図6(b)に示す工程の後に、突起72となる
べきSiN膜をプラズマCVD法等により形成した後、
フォトリソエッチング法によりパターニングし、突起7
2の形状とする。次に、図6(c)以降の工程を行えば
よい。
The microactuator 71 according to this embodiment can be manufactured by a manufacturing method in which a part of the manufacturing method shown in FIG. 6 is modified as follows. That is, after the step shown in FIG. 6B, a SiN film to be the protrusion 72 is formed by plasma CVD or the like,
The projections 7 are patterned by the photolithography etching method.
The shape is 2. Next, the steps after FIG. 6C may be performed.

【0080】本実施の形態によれば、固定電極25と可
動電極17との間に電圧を印加すると、両者の間の静電
力により、図19に示すように、接続部16の下面が突
起72の上面に接触し、接続部16の下面と絶縁膜26
の上面との間に隙間があく。したがって、可動部は固定
部に対して点状に接触することになる。この状態から、
固定電極25と可動電極17との間に電圧を印加しない
状態にすると、梁部14,15の内部応力によって、図
18に示す状態へ戻っていき、接続部16の下面が、基
板11側から離れていく。このとき、前記隙間が周囲の
液体の通り路となり、接続部16の下面と絶縁膜26の
上面との間に周囲の液体がスムーズに入り込んでいくと
ともに、突起72と接続部16の下面との接触面間にも
液体がスムーズに入り込んでいく。
According to this embodiment, when a voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the lower surface of the connecting portion 16 is projected by the projection 72 due to the electrostatic force between the two. Contacting the upper surface of the insulating film 26 and the lower surface of the connecting portion 16
There is a gap between it and the top surface of. Therefore, the movable portion comes into point contact with the fixed portion. From this state,
When the voltage is not applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, the internal stress of the beam portions 14 and 15 returns the state to that shown in FIG. 18, and the lower surface of the connection portion 16 from the substrate 11 side. Come away. At this time, the gap serves as a passage for the surrounding liquid, the surrounding liquid smoothly enters between the lower surface of the connecting portion 16 and the upper surface of the insulating film 26, and the protrusion 72 and the lower surface of the connecting portion 16 are separated from each other. Liquid smoothly enters between the contact surfaces.

【0081】したがって、本実施の形態によれば、前記
第1の実施の形態に比べて、図19に示す状態から図1
8に示す状態への移行が格段に短い時間で行われ、より
一層動作の高速化を図ることができる。
Therefore, according to the present embodiment, as compared with the first embodiment, the state shown in FIG.
The transition to the state shown in 8 is performed in a remarkably short time, and the operation speed can be further increased.

【0082】なお、本実施の形態では、突起72が固定
部側に形成されていたが、可動部側(すなわち、接続部
16の下面)に突起を形成してもよい。この場合も、本
実施の形態と同様の効果が得られる。
Although the projection 72 is formed on the fixed portion side in the present embodiment, the projection may be formed on the movable portion side (that is, the lower surface of the connecting portion 16). Also in this case, the same effect as this embodiment can be obtained.

【0083】[第6の実施の形態][Sixth Embodiment]

【0084】図21は、本発明の第6の実施の形態によ
る液中作動マイクロアクチュエータ81及びこれにより
駆動されるミラー2を模式的に示す概略平面図である。
図22及び図23は、それぞれ図21中のY5−Y6線
に沿った断面を模式的に示す図である。図22は駆動信
号が供給されていない状態、図23は駆動信号が供給さ
れている状態を示している。これらの図において、図1
乃至図5中の要素と同一又は対応する要素には同一符号
を付し、その重複する説明は省略する。
FIG. 21 is a schematic plan view schematically showing an in-liquid actuating microactuator 81 and a mirror 2 driven by the same according to the sixth embodiment of the present invention.
22 and 23 are each a diagram schematically showing a cross section taken along line Y5-Y6 in FIG. 22 shows a state in which the drive signal is not supplied, and FIG. 23 shows a state in which the drive signal is supplied. In these figures, FIG.
Elements that are the same as or correspond to the elements in FIG. 5 are assigned the same reference numerals, and duplicate descriptions thereof are omitted.

【0085】本実施の形態が前記第1の実施の形態と異
なる所は、前記第2の実施の形態に関連して説明した案
内路形成構造として、接続部16に貫通孔82が形成さ
れている点のみである。貫通孔82の数や位置は図示の
例に限定されるものではない。
The difference of this embodiment from the first embodiment is that the through hole 82 is formed in the connecting portion 16 as the guide path forming structure described in relation to the second embodiment. It is only the point. The number and position of the through holes 82 are not limited to the illustrated example.

【0086】本実施の形態によるマイクロアクチュエー
タ81は、例えば、図6に示す製造方法の一部を次のよ
うに変形した製造方法により製造することができる。す
なわち、図6(d)に示す工程において、SiN膜21
のパターニングの際に貫通孔82に相当する開口を形成
し、Al膜22のパターニングの際に貫通孔82に相当
する開口を形成すればよい。
The microactuator 81 according to this embodiment can be manufactured by a manufacturing method in which a part of the manufacturing method shown in FIG. 6 is modified as follows. That is, in the step shown in FIG. 6D, the SiN film 21
The opening corresponding to the through hole 82 may be formed during the patterning of the above, and the opening corresponding to the through hole 82 may be formed during the patterning of the Al film 22.

【0087】本実施の形態によれば、固定電極25と可
動電極17との間に電圧を印加すると、両者の間の静電
力により、図23に示すように、接続部16の下面が絶
縁膜26の上面に接触する。この状態から、固定電極2
5と可動電極17との間に電圧を印加しない状態にする
と、梁部14,15の内部応力によって、図22に示す
状態へ戻っていき、接続部16の下面が、接触していた
絶縁膜26の上面から離れていく。このとき、前述した
貫通孔82が、接続部16の下面とこれが接触していた
絶縁膜26の上面との間に周囲の液体を導く案内路とな
り、その間に周囲の液体がスムーズに入り込んでいく。
According to the present embodiment, when a voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17, an electrostatic force between the two causes the lower surface of the connecting portion 16 to be an insulating film, as shown in FIG. Contact the upper surface of 26. From this state, the fixed electrode 2
When no voltage is applied between the movable electrode 17 and the movable electrode 17, the internal stress of the beam portions 14 and 15 returns to the state shown in FIG. 22, and the lower surface of the connection portion 16 is in contact with the insulating film. Away from the top surface of 26. At this time, the above-described through hole 82 serves as a guide path for guiding the surrounding liquid between the lower surface of the connecting portion 16 and the upper surface of the insulating film 26 which is in contact therewith, and the surrounding liquid smoothly enters between them. .

【0088】したがって、本実施の形態によれば、前記
第1の実施の形態に比べて、図23に示す状態から図2
2に示す状態への移行が格段に短い時間で行われ、より
一層動作の高速化を図ることができる。
Therefore, according to the present embodiment, as compared with the first embodiment, the state shown in FIG.
The transition to the state shown in 2 is performed in a remarkably short time, and the operation speed can be further increased.

【0089】[第7の実施の形態][Seventh Embodiment]

【0090】図24及び図25は、それぞれ本発明の第
7の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断
面図である。図24は駆動信号が供給されていない状
態、図25は駆動信号が供給されている状態を示してい
る。なお、図24及び図25において、マイクロアクチ
ュエータ1の構造は大幅に簡略化して示している。図2
6は、図24及び図25中の光導波路基板90を模式的
に示す概略斜視図である。
24 and 25 are schematic cross-sectional views each schematically showing an optical switch according to the seventh embodiment of the present invention. FIG. 24 shows a state where the drive signal is not supplied, and FIG. 25 shows a state where the drive signal is supplied. 24 and 25, the structure of the microactuator 1 is greatly simplified. Figure 2
6 is a schematic perspective view schematically showing the optical waveguide substrate 90 in FIGS. 24 and 25.

【0091】本実施の形態による光スイッチは、前記第
1の実施の形態による図1乃至図5に示す液中作動マイ
クロアクチュエータ1及びこれに搭載されたミラー2
と、光導波路基板90とを備えている。
The optical switch according to the present embodiment includes a submerged actuating microactuator 1 shown in FIGS. 1 to 5 according to the first embodiment and a mirror 2 mounted thereon.
And an optical waveguide substrate 90.

【0092】本実施の形態では、光導波路基板90は、
図26に示すように、切り替えるべき光を伝搬する4本
の光導波路91〜94を有している。光導波路基板90
は中央部に例えば幅数十μm程度の溝96を有し、溝9
6の側面に光導波路91〜94の端面91a,92a,
93b,94bが露出されている。端面91aと端面9
2aとの間隔、及び、端面93bと端面94bとの間隔
は、図24及び図25に示すように、ミラー2の反射面
で覆うことのできる間隔に設計されている。
In the present embodiment, the optical waveguide substrate 90 is
As shown in FIG. 26, it has four optical waveguides 91 to 94 that propagate the light to be switched. Optical waveguide substrate 90
Has a groove 96 having a width of, for example, about several tens of μm at the center,
6, the end faces 91a, 92a of the optical waveguides 91 to 94,
93b and 94b are exposed. End face 91a and end face 9
As shown in FIGS. 24 and 25, the distance between the mirror 2 and the end surface 93b and the distance between the end surface 93b and the end surface 94b are designed to be covered by the reflecting surface of the mirror 2.

【0093】図24及び図25に示すように、光導波路
基板90が、マイクロアクチュエータ1の基板11上に
設置され、導波路基板90と基板11との間の空間及び
これに連通する溝96内の空間内に、屈折率調整液10
2が封入されている。なお、基板11と光導波路基板9
0とは、ミラー2が溝96内に挿入できるように位置合
わせされている。
As shown in FIGS. 24 and 25, the optical waveguide substrate 90 is installed on the substrate 11 of the microactuator 1, and the space between the waveguide substrate 90 and the substrate 11 and the groove 96 communicating with the space are provided. In the space of the
2 is enclosed. The substrate 11 and the optical waveguide substrate 9
The zero is aligned so that the mirror 2 can be inserted into the groove 96.

【0094】マイクロアクチュエータ1の固定電極25
と可動電極17(図24及び図25では図示せず)との
間に電圧を印加している状態では、図25に示すよう
に、ミラー2が光導波路93,94の端面93b,94
bより下側に位置する。よって、例えば、光導波路93
の端面93aから光を入射した場合、光導波路93を伝
搬した光は、端面93bから出射され、そのまま対向す
る光導波路92の端面92aに入射し、光導波路92を
伝搬して端面92bから出射される。また、例えば、光
導波路91の端面91bから光を入射した場合、光導波
路91を伝搬した光は、端面91aから出射され、その
まま対向する光導波路94の端面94bに入射し、光導
波路94を伝搬して端面94aから出射される。
Fixed electrode 25 of microactuator 1
In a state in which a voltage is applied between the movable electrode 17 and the movable electrode 17 (not shown in FIGS. 24 and 25), as shown in FIG. 25, the mirror 2 causes the end faces 93b, 94 of the optical waveguides 93, 94.
It is located below b. Therefore, for example, the optical waveguide 93
When the light is incident from the end face 93a of the optical waveguide 93, the light propagating through the optical waveguide 93 is emitted from the end face 93b, is incident on the end face 92a of the optical waveguide 92 which is opposite to the light, propagates through the optical waveguide 92 and is emitted from the end face 92b. It Further, for example, when light is incident from the end face 91b of the optical waveguide 91, the light propagating through the optical waveguide 91 is emitted from the end face 91a, enters the end face 94b of the optical waveguide 94 which is opposite to the light, and propagates through the optical waveguide 94. Then, the light is emitted from the end surface 94a.

【0095】一方、マイクロアクチュエータ1の固定電
極25と可動電極17との間に電圧を印加していない状
態では、図24に示すように、ミラー2が光導波路9
3,94の端面93b,94bを覆うように位置する。
よって、例えば、光導波路93の端面93aから光を入
射した場合、光導波路93を伝搬した光は、端面93b
から出射され、ミラー2で反射されて、光導波路94の
端面94bに入射し、光導波路94を伝搬して端面94
aから出射される。また、例えば、光導波路91の端面
91bから光を入射した場合、光導波路91を伝搬した
光は、端面91aから出射され、ミラー2で反射され
て、光導波路92の端面92aに入射し、光導波路92
を伝搬して端面92bから出射される。
On the other hand, when no voltage is applied between the fixed electrode 25 and the movable electrode 17 of the microactuator 1, as shown in FIG.
It is located so as to cover the end surfaces 93b, 94b of the 3, 94.
Therefore, for example, when light is incident from the end surface 93a of the optical waveguide 93, the light propagating through the optical waveguide 93 is converted into the end surface 93b.
From the optical waveguide 94, is reflected by the mirror 2, enters the end surface 94 b of the optical waveguide 94, propagates through the optical waveguide 94,
It is emitted from a. In addition, for example, when light is incident from the end face 91b of the optical waveguide 91, the light propagating in the optical waveguide 91 is emitted from the end face 91a, reflected by the mirror 2, and then incident on the end face 92a of the optical waveguide 92 to guide light. Waveguide 92
And is emitted from the end face 92b.

【0096】本実施の形態によれば、前記第1の実施の
形態によるマイクロアクチュエータ1が用いられている
ので、前述した光路切替動作の高速化を図ることができ
る。
According to the present embodiment, since the microactuator 1 according to the first embodiment is used, it is possible to speed up the above-mentioned optical path switching operation.

【0097】本実施の形態において、マイクロアクチュ
エータ1を、前記第2乃至第6の実施の形態によるマイ
クロアクチュエータ41,51,61,71,81のい
ずれのマイクロアクチュエータに置き換えてもよい。そ
の場合には、より一層光路切替動作の高速化を図ること
ができる。
In the present embodiment, the microactuator 1 may be replaced with any of the microactuators 41, 51, 61, 71, 81 according to the second to sixth embodiments. In that case, it is possible to further speed up the optical path switching operation.

【0098】本実施の形態は、光導波路基板90におけ
る光導波路の交差点が一つであり、これに応じて、ミラ
ー2が1つでマイクロアクチュエータが1つの場合の例
であった。しかしながら、例えば、光導波路基板90に
おいて光導波路を2次元マトリクス状に形成することに
より、光導波路の交差点を2次元マトリクス状に配置
し、これに応じて、基板11上に複数のマイクロアクチ
ュエータを2次元状に配置し、光導波路の各交差点に位
置するミラー2を個々のマイクロアクチュエータで駆動
するように構成してもよい。
The present embodiment is an example in which the optical waveguide substrate 90 has one intersection of optical waveguides, and accordingly, there is one mirror 2 and one microactuator. However, for example, by forming the optical waveguides in a two-dimensional matrix on the optical waveguide substrate 90, the intersections of the optical waveguides are arranged in a two-dimensional matrix, and a plurality of microactuators are arranged on the substrate 11 accordingly. The mirrors 2 arranged in a dimensional manner and located at each intersection of the optical waveguides may be driven by individual microactuators.

【0099】以上、本発明の各実施の形態とその変形例
について説明したが、本発明はこれらの実施の形態や変
形例に限定されるものではない。例えば、本発明による
液中マイクロアクチュエータは、光スイッチ以外の種々
の用途にも用いることができる。
Although the respective embodiments of the present invention and the modifications thereof have been described above, the present invention is not limited to these embodiments and modifications. For example, the submerged microactuator according to the present invention can be used in various applications other than optical switches.

【0100】[0100]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
動作を高速化することができる液中作動マイクロアクチ
ュエータを提供することができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide an in-liquid actuated microactuator capable of speeding up the operation.

【0101】また、本発明によれば、光路切替動作を高
速化することができる光スイッチを提供することができ
る。
Further, according to the present invention, it is possible to provide an optical switch capable of speeding up the optical path switching operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)は本発明の第1の実施の形態による
液中作動マイクロアクチュエータ及びこれにより駆動さ
れるミラーを模式的に示す概略平面図、図1(b)は基
板に設けられた固定電極を模式的に示す概略平面図であ
る。
FIG. 1 (a) is a schematic plan view schematically showing a submersible microactuator and a mirror driven by the microactuator according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is provided on a substrate. It is a schematic plan view which shows typically the fixed electrode thus obtained.

【図2】駆動信号が供給されていない状態における図1
(a)中のX1−X2線に沿った断面を模式的に示す図
である。
FIG. 2 FIG. 1 in a state in which a drive signal is not supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the X1-X2 line in (a).

【図3】駆動信号が供給されている状態における図1
(a)中のX1−X2線に沿った断面を模式的に示す図
である。
FIG. 3 is a diagram in which a drive signal is being supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the X1-X2 line in (a).

【図4】駆動信号が供給されていない状態における図1
(a)中のY1−Y2線に沿った断面を模式的に示す図
である。
FIG. 4 FIG. 1 in a state in which a drive signal is not supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the Y1-Y2 line in (a).

【図5】駆動信号が供給されている状態における図1
(a)中のY1−Y2線に沿った断面を模式的に示す図
である。
FIG. 5 FIG. 1 in a state where a drive signal is supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the Y1-Y2 line in (a).

【図6】図1乃至図5に示すマイクロアクチュエータの
製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図で
ある。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view schematically showing each step of the method for manufacturing the microactuator shown in FIGS.

【図7】複数のマイクロアクチュエータの配置例を模式
的に示す概略平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view schematically showing an arrangement example of a plurality of microactuators.

【図8】図8(a)は本発明の第2の実施の形態による
液中作動マイクロアクチュエータ及びこれにより駆動さ
れるミラーを模式的に示す概略平面図、図8(b)は基
板に設けられた固定電極及びスペーサ膜を模式的に示す
概略平面図である。
FIG. 8 (a) is a schematic plan view schematically showing an in-liquid actuated microactuator and a mirror driven by the same according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8 (b) is provided on a substrate. It is a schematic plan view which shows typically the fixed electrode and spacer film which were obtained.

【図9】駆動信号が供給されていない状態における図8
(a)中のX3−X4線に沿った断面を模式的に示す図
である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which a drive signal is not supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the X3-X4 line in (a).

【図10】駆動信号が供給されている状態における図8
(a)中のX3−X4線に沿った断面を模式的に示す図
である。
FIG. 10 FIG. 8 in a state where a drive signal is supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the X3-X4 line in (a).

【図11】駆動信号が供給されていない状態における図
8(a)中のY3−Y4線に沿った断面を模式的に示す
図である。
FIG. 11 is a diagram schematically showing a cross section taken along line Y3-Y4 in FIG. 8A in a state where a drive signal is not supplied.

【図12】駆動信号が供給されている状態における図8
(a)中のY3−Y4線に沿った断面を模式的に示す図
である。
FIG. 12 FIG. 8 in a state where a drive signal is supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the Y3-Y4 line in (a).

【図13】図8乃至図12に示すマイクロアクチュエー
タの製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面
図である。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view schematically showing each step of the method for manufacturing the microactuator shown in FIGS. 8 to 12.

【図14】本発明の第3の実施の形態による液中作動マ
イクロアクチュエータ及びこれにより駆動されるミラー
を模式的に示す概略平面図である。
FIG. 14 is a schematic plan view schematically showing an in-liquid actuated microactuator and a mirror driven by the same according to a third embodiment of the present invention.

【図15】駆動信号が供給されていない状態における図
14中のX5−X6線に沿った断面を模式的に示す図で
ある。
FIG. 15 is a diagram schematically showing a cross section taken along line X5-X6 in FIG. 14 in a state where a drive signal is not supplied.

【図16】駆動信号が供給されている状態における図1
4中のX5−X6線に沿った断面を模式的に示す図であ
る。
FIG. 16 FIG. 1 in a state where a drive signal is supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the X5-X6 line in FIG.

【図17】本発明の第4の実施の形態による液中作動マ
イクロアクチュエータ及びこれにより駆動されるミラー
を模式的に示す概略平面図である。
FIG. 17 is a schematic plan view schematically showing an in-liquid actuated microactuator and a mirror driven by the same according to a fourth embodiment of the present invention.

【図18】駆動信号が供給されていない状態における、
本発明の第5の実施の形態による液中作動マイクロアク
チュエータ及びこれにより駆動されるミラーを模式的に
示す概略断面図である。
FIG. 18 shows a state in which a drive signal is not supplied,
It is a schematic sectional drawing which shows typically the submerged actuation microactuator and the mirror driven by this by the 5th Embodiment of this invention.

【図19】駆動信号が供給されている状態における、本
発明の第5の実施の形態による液中作動マイクロアクチ
ュエータ及びこれにより駆動されるミラーを模式的に示
す概略断面図である。
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view schematically showing an in-liquid actuated microactuator and a mirror driven by the same according to a fifth embodiment of the present invention in a state where a drive signal is supplied.

【図20】図18及び図19中の突起及び固定電極のみ
を見た平面図である。
FIG. 20 is a plan view showing only the protrusion and the fixed electrode in FIGS. 18 and 19;

【図21】本発明の第6の実施の形態による液中作動マ
イクロアクチュエータ及びこれにより駆動されるミラー
を模式的に示す概略平面図である。
FIG. 21 is a schematic plan view schematically showing an in-liquid actuated microactuator and a mirror driven by the same according to a sixth embodiment of the present invention.

【図22】駆動信号が供給されていない状態における図
21中のY5−Y6線に沿った断面を模式的に示す図で
ある。
22 is a diagram schematically showing a cross section taken along line Y5-Y6 in FIG. 21 in a state where a drive signal is not supplied.

【図23】駆動信号が供給されている状態における図2
1中のY5−Y6線に沿った断面を模式的に示す図であ
る。
FIG. 23 is a diagram showing a state in which a drive signal is supplied.
It is a figure which shows typically the cross section along the Y5-Y6 line in 1.

【図24】駆動信号が供給されていない状態における、
本発明の第7の実施の形態による光スイッチを模式的に
示す概略断面図である。
FIG. 24 is a view showing a state in which a drive signal is not supplied,
It is a schematic sectional drawing which shows typically the optical switch by the 7th Embodiment of this invention.

【図25】駆動信号が供給されている状態における、本
発明の第7の実施の形態による光スイッチを模式的に示
す概略断面図である。
FIG. 25 is a schematic sectional view schematically showing an optical switch according to a seventh embodiment of the present invention in a state where a drive signal is supplied.

【図26】図24及び図25中の光導波路基板を模式的
に示す概略斜視図である。
FIG. 26 is a schematic perspective view schematically showing the optical waveguide substrate in FIGS. 24 and 25.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,41,51,61,71,81 液中作動マイクロ
アクチュエータ 2 ミラー 11 基板 12,13 脚部 14,15 梁部 16 接続部 17 可動電極 25 固定電極 42 スペーサ膜 43 溝 52,52a,52b 湾曲部 72 突起 82 貫通孔 90 光導波路基板 91〜94 光導波路 96 溝 102 屈折率調整液
1, 41, 51, 61, 71, 81 Submersible microactuator 2 Mirror 11 Substrate 12, 13 Leg part 14, 15 Beam part 16 Connection part 17 Movable electrode 25 Fixed electrode 42 Spacer film 43 Groove 52, 52a, 52b Curved Part 72 Protrusion 82 Through hole 90 Optical waveguide substrate 91 to 94 Optical waveguide 96 Groove 102 Refractive index adjusting liquid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 純児 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン本社内 Fターム(参考) 2H041 AA11 AB13 AB14 AC06 AZ05 AZ08    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Junji Suzuki             Marunouchi 3 2-3 No. 3 shares, Chiyoda-ku, Tokyo             Ceremony company Nikon headquarters F-term (reference) 2H041 AA11 AB13 AB14 AC06 AZ05                       AZ08

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 固定部と、液体中に配置される可動部と
を備え、前記可動部が、前記固定部に当接する第1の位
置及び前記固定部から離れた第2の位置に位置し得る液
中作動マイクロアクチュエータであって、 前記可動部が前記第1の位置から前記第2の位置へ移動
する際に互いに離れようとする前記可動部及び前記固定
部の接触面間に周囲の液体を導く案内路を形成するため
の案内路形成構造を有することを特徴とする液中作動マ
イクロアクチュエータ。
1. A fixed part and a movable part arranged in the liquid, wherein the movable part is located at a first position in contact with the fixed part and at a second position separated from the fixed part. An in-liquid actuating microactuator to be obtained, wherein a liquid surrounding the space between the contact surfaces of the movable part and the fixed part, which move away from each other when the movable part moves from the first position to the second position. An in-liquid actuating microactuator having a guide path forming structure for forming a guide path for guiding a liquid.
【請求項2】 前記案内路形成構造は、前記可動部にお
ける前記固定部との対向領域及び前記固定部における前
記可動部との対向領域のうちの少なくとも一方の対向領
域に形成された1本以上の溝を含む、ことを特徴とする
請求項1記載の液中作動マイクロアクチュエータ。
2. The guide path forming structure is one or more formed in at least one of a facing area of the movable portion facing the fixed portion and a facing area of the fixed portion facing the movable portion. The submersible microactuator according to claim 1, further comprising a groove.
【請求項3】 前記案内路形成構造は、前記可動部にお
ける前記固定部との対向領域及び前記固定部における前
記可動部との対向領域のうちの少なくとも一方に形成さ
れた1つ以上の突起を含む、ことを特徴とする請求項1
記載の液中作動マイクロアクチュエータ。
3. The guide path forming structure includes one or more protrusions formed in at least one of a region of the movable portion facing the fixed portion and a region of the fixed portion facing the movable portion. 1. Including
The submersible microactuator described.
【請求項4】 前記案内路形成構造は、前記可動部に形
成された1つ以上の貫通孔を含むことを特徴とする請求
項1記載の液中作動マイクロアクチュエータ。
4. The submersible microactuator according to claim 1, wherein the guide path forming structure includes one or more through holes formed in the movable portion.
【請求項5】 固定部と、液体中に配置される可動部と
を備え、前記可動部が、前記固定部に当接する第1の位
置及び前記固定部から離れた第2の位置に位置し得る液
中作動マイクロアクチュエータであって、 前記可動部が前記第1の位置に位置したときに、前記可
動部における前記固定部との対向領域のうちの一部のみ
が前記固定部に接触するように、構成されたことを特徴
とする液中作動マイクロアクチュエータ。
5. A fixed part and a movable part disposed in the liquid, wherein the movable part is located at a first position in contact with the fixed part and a second position separated from the fixed part. An in-liquid actuating microactuator to be obtained, wherein when the movable part is located at the first position, only a part of a region of the movable part facing the fixed part contacts the fixed part. And a submerged actuated microactuator.
【請求項6】 固定部と、液体中に配置される可動部と
を備え、前記可動部が、前記固定部に当接する第1の位
置及び前記固定部から離れた第2の位置に位置し得る液
中作動マイクロアクチュエータであって、 前記可動部が前記第1の位置に位置したときに、前記可
動部と前記固定部とが1つ以上の箇所で点状又は線状に
接触することを特徴とする液中作動マイクロアクチュエ
ータ。
6. A fixed part and a movable part arranged in the liquid, wherein the movable part is located at a first position in contact with the fixed part and at a second position separated from the fixed part. A liquid actuated microactuator to be obtained, wherein when the movable part is located at the first position, the movable part and the fixed part are in point-like or linear contact at one or more points. Characterized in-liquid actuated microactuator.
【請求項7】 固定部と、液体中に配置される可動部と
を備え、前記可動部が、前記固定部に当接する第1の位
置及び前記固定部から離れた第2の位置に位置し得る液
中作動マイクロアクチュエータであって、 前記可動部は、力を受けない状態で前記固定部側へ反り
かつバネ性を持つ湾曲部を有し、 前記可動部が前記第2の位置から前記第1の位置に移動
するときに、湾曲部の先端部分が最初に前記固定部に当
接することを特徴とすることを特徴とする液中作動マイ
クロアクチュエータ。
7. A fixed part and a movable part arranged in the liquid, wherein the movable part is located at a first position in contact with the fixed part and at a second position separated from the fixed part. An in-liquid actuating microactuator to be obtained, wherein the movable part has a curved part that is warped toward the fixed part side and has a spring property when not receiving a force, and the movable part moves from the second position to the first position. The submerged actuated microactuator, wherein the distal end portion of the bending portion first comes into contact with the fixed portion when moving to the position 1.
【請求項8】 前記可動部が薄膜で構成されたことを特
徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の液中作動マ
イクロアクチュエータ。
8. The submerged actuated microactuator according to claim 1, wherein the movable portion is made of a thin film.
【請求項9】 前記可動部は片持ち梁を構成することを
特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の液中作動
マイクロアクチュエータ。
9. The submersible microactuator according to claim 1, wherein the movable portion forms a cantilever.
【請求項10】 前記可動部の固定端が、前記固定部か
ら立ち上がる立ち上がり部を持つ脚部を介して前記固定
部に対して固定されたことを特徴とする請求項9記載の
液中作動マイクロアクチュエータ。
10. The in-liquid actuation micro according to claim 9, wherein the fixed end of the movable portion is fixed to the fixed portion via a leg portion having a rising portion rising from the fixed portion. Actuator.
【請求項11】 請求項1乃至10のいずれかに記載の
液中作動マイクロアクチュエータと、前記可動部に設け
られたミラーと、を備えたことを特徴とする光スイッ
チ。
11. An optical switch comprising the submerged actuation microactuator according to claim 1 and a mirror provided on the movable portion.
JP2002253250A 2002-03-11 2002-08-30 Submerged operating microactuator and light switch Pending JP2003334798A (en)

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