JP2003323745A - Manufacturing method of optical information recording medium - Google Patents

Manufacturing method of optical information recording medium

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JP2003323745A
JP2003323745A JP2003148945A JP2003148945A JP2003323745A JP 2003323745 A JP2003323745 A JP 2003323745A JP 2003148945 A JP2003148945 A JP 2003148945A JP 2003148945 A JP2003148945 A JP 2003148945A JP 2003323745 A JP2003323745 A JP 2003323745A
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JP
Japan
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layer
reflective layer
recording medium
recording
optical information
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Application number
JP2003148945A
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Japanese (ja)
Inventor
Michikazu Horie
通和 堀江
Masae Kubo
正枝 久保
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a magneto-optical recording medium that uses its heat history maintaining constant its heat radiation from its reflection layer, and an optical information recording medium that can stabilize its recording mark formation on a phase change recording medium and is highly stabilized in production. <P>SOLUTION: This manufacturing method is a method to manufacture an optical recording medium which has at least a recording layer and a reflection layer on its base, and is featured in that the reflection layer is made by sputtering while adjusting its thickness to maintain the sheet resistance constant. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、安価で信頼性に優
れた書き換え可能な光学的情報記録用媒体及びその製造
方法に関する。特に、凹凸ピットにおける位相差によっ
て生じる反射率変化により再生信号やプッシュルプル信
号を検出する、コンパクトディスク及び高密度化された
コンパクトディスクあるいはディジタル・ビデオ・ディ
スクドライブによって再生可能な互換性を有する相変化
型光学的情報記録用媒体及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rewritable optical information recording medium which is inexpensive and has excellent reliability, and a method for manufacturing the same. In particular, a compatible phase that can be reproduced by a compact disc and a compacted disc or a digital video disc drive that detects a reproduction signal or a push-pull signal by a reflectance change caused by a phase difference in the uneven pits. The present invention relates to a variable optical information recording medium and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報量の増大に伴い高密度でかつ
高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒体が求
められているが、光磁気型及び相変化型光ディスクはま
さにこうした用途に応えるものとして期待されている。
いずれの場合も集束された光ビームを記録層に照射し、
キュリー点近傍、もしくは融点・結晶化温度近傍に加熱
することで、光学的に識別可能な可逆的物理変化を生じ
せしめる。どちらも、記録層のみならず、それに接して
あるいは誘電体保護層を介して、金属反射層を設けて放
熱層として利用し、記録層における熱履歴や記録マーク
周辺の熱分布を制御する。金属反射層は、また、その名
の通り記録層、保護層、反射層からなる多層構成全体と
して光学的干渉効果をもたらし、所望の光学的に識別可
能な状態を作り出すことにも貢献している。
2. Description of the Related Art In recent years, a recording medium capable of recording and reproducing a large amount of data at high density and at high speed has been demanded as the amount of information increases, and magneto-optical type and phase change type optical discs are suitable for such applications. Expected as a response.
In each case, the focused light beam is applied to the recording layer,
By heating near the Curie point or near the melting point and crystallization temperature, an optically identifiable reversible physical change is caused. In both cases, a metal reflection layer is provided not only in the recording layer but also in contact with it or through the dielectric protective layer and used as a heat dissipation layer to control the heat history in the recording layer and the heat distribution around the recording mark. The metal reflective layer, as its name implies, brings about an optical interference effect as a whole multilayer structure including a recording layer, a protective layer, and a reflective layer, and also contributes to create a desired optically distinguishable state. .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記のように光学的情
報記録用媒体において重要な役割をはたす反射層である
が、一方で、その機能を十分に発揮させるためには50
〜300nmもの厚みを必要とする。従って、光学的情
報記録用媒体の材料コストのうち、反射層材料が大きな
部分を占める。
As described above, the reflective layer plays an important role in the optical information recording medium, but on the other hand, in order to fully exhibit its function, 50 is required.
A thickness of ~ 300 nm is required. Therefore, the reflective layer material occupies a large portion of the material cost of the optical information recording medium.

【0004】従来、反射層としては、AlにTa、T
i、Crを1〜5原子%程度添加したAlTa合金、A
lTi合金、AlCr合金などが用いられてきた。Al
Ti、AlTa、及びAlCrは高耐食性という利点を
有するものの、Ta、Ti、CrはAlに固溶しにくい
ため均一に混合することが困難であったため一度に大量
生産できず、スパッタリングターゲットの大きさ程度
(せいぜい10kg程度)の単位でしか鋳造できない。
このために、ターゲットが非常に高価なものとなり反射
層のコスト増の原因となっていた。しかし一方、従来通
常用いられている大量生産された安価なAl系合金には
光学的情報記録用媒体の反射層としては有害な元素が多
量に含まれ又は有用な元素の含有量が十分でなかったた
め、これを反射層用ターゲットとして用いることは考え
られていなかった。本発明の目的は、高耐食性、高反射
率、高熱伝導率を維持しつつ、量産性、鋳造性にすぐれ
たAl合金ターゲットを母材とした、コストパフォーマ
ンスに優れたAl合金反射層とそれを用いた光学的情報
記録用媒体を提供することにある。
Conventionally, as a reflection layer, Ta or T was added to Al.
i, an AlTa alloy with Cr added in an amount of about 1 to 5 atomic%, A
1Ti alloys, AlCr alloys, etc. have been used. Al
Although Ti, AlTa, and AlCr have the advantage of high corrosion resistance, Ta, Ti, and Cr cannot be mass-produced at one time because it is difficult to mix Ta, Ti, and Cr in solid solution in Al uniformly, and the size of the sputtering target is large. It can be cast only in units of about 10 kg (at most).
For this reason, the target becomes very expensive, which causes an increase in cost of the reflective layer. On the other hand, however, the mass-produced and inexpensive Al-based alloys that have been conventionally used contain a large amount of harmful elements or are not sufficient in the content of useful elements for the reflective layer of the optical information recording medium. Therefore, it has not been considered to use it as a target for the reflective layer. An object of the present invention is to maintain high corrosion resistance, high reflectance, high thermal conductivity, mass productivity, and an Al alloy target having excellent castability as a base material, and an Al alloy reflective layer excellent in cost performance and the same. It is to provide a used optical information recording medium.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に少なくとも記録層と反射層とを有する光学的情報記録
用媒体を量産する製造方法であって、該反射層がスパッ
タリングによって形成され、該スパッタリングの際に、
該反射層の面積抵抗率をほぼ一定に保つように該反射層
の膜厚を調整することを特徴とする光学的情報記録用媒
体の製造方法に存する。
The gist of the present invention is a manufacturing method for mass-producing an optical information recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the reflective layer is formed by sputtering. During the sputtering,
A method of manufacturing an optical information recording medium is characterized in that the film thickness of the reflective layer is adjusted so that the area resistivity of the reflective layer is kept substantially constant.

【0006】また、本発明の別の要旨は、反射層の面積
抵抗率の変動幅が±10%以内となるように該反射層の
膜厚を調整する上記光学的情報記録媒体の製造方法に存
する。
Another subject matter of the present invention is a method for manufacturing an optical information recording medium as described above, wherein the thickness of the reflective layer is adjusted so that the variation range of the sheet resistivity of the reflective layer is within ± 10%. Exist.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明につき詳細に説明す
る。本発明者らは、高耐食性、高反射率、高熱伝導率を
維持しつつ、量産性、鋳造性にすぐれたAl合金ターゲ
ットを母材とした、コストパフォーマンスに優れたAl
合金反射層について種々の検討を行った。ところで、一
般に、工業的に用いられるAl合金などの各種合金につ
いてはJIS規格、EAA(European Alm
inum Association)規格などで添加
物、不純物元素量が規定されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below. The present inventors have used Al alloy targets, which are excellent in mass productivity and castability, as a base material while maintaining high corrosion resistance, high reflectance, and high thermal conductivity, and have excellent cost performance.
Various studies were conducted on the alloy reflective layer. By the way, generally, for various alloys such as Al alloys used industrially, JIS standard, EAA (European Alm
The amounts of additives and impurity elements are regulated by the inum Association standard and the like.

【0008】しかし、これら規格で定められるAlT
i、AlTa、AlCrなどのAl合金は、他に含まれ
る元素の種類と量のバランスが悪いため必ずしも耐食性
が十分とはいえず、光学的情報記録用媒体の反射層とし
て使用できるものではなかった。また、我々の検討の結
果、これら合金をターゲットとしてスパッタリング成膜
した膜は、スパッタ直後には原子レベルで均一に膜中に
分散しているが、これは非平衡状態であって、経時的に
平衡状態に移行してAl3Ti、Al3Ta、Al Cr
等を析出して熱伝導率が変化してしまうことが分かっ
た。
However, AlT defined by these standards
Al alloys such as i, AlTa, AlCr
Corrosion resistance is not necessarily due to poor balance between the type and amount of elements
Cannot be said to be sufficient, and as a reflection layer of an optical information recording medium.
Was not usable. Also, the conclusion of our examination
As a result, sputtering film formation using these alloys as targets
Immediately after sputtering, the formed film is uniformly distributed in the film at the atomic level.
It is dispersed, but it is in a non-equilibrium state and
Transition to equilibrium state3Ti, Al3Ta, Al 7Cr
It was found that the thermal conductivity changes due to the precipitation of
It was

【0009】また、バルクの展伸材用Al合金に関して
は、従来、99.9%以上の高純度Alが高耐食性を有
するとされていたが、薄膜化した場合にはかえって耐食
性が悪化する傾向が認められた。本発明者らの検討によ
れば、成膜後、室温放置して数週間以内に、結晶粒界の
応力集中によると思われる微細な剥離欠陥が発生した。
成膜条件にもよるが、耐ヒロック性が不十分であると考
えられる。検討の結果、Al合金の耐ヒロック性は添加
元素濃度に比例して改善されることが分かった。
Regarding bulk Al alloys for wrought materials, it has been conventionally said that 99.9% or more of high-purity Al has high corrosion resistance, but when the film is thinned, the corrosion resistance tends to deteriorate rather. Was recognized. According to the study by the present inventors, after the film formation, within a few weeks of being left at room temperature, fine peeling defects which are considered to be due to stress concentration at crystal grain boundaries occurred.
Although it depends on the film forming conditions, it is considered that the hillock resistance is insufficient. As a result of the study, it was found that the hillock resistance of the Al alloy was improved in proportion to the concentration of the additive element.

【0010】しかし一方、添加元素濃度を上げると一般
に体積抵抗率は増加し、熱伝導率が低下するため光学的
情報記録用媒体の反射層としては好ましくないことも分
かった。このため、耐久性、体積抵抗率、成膜速度など
の全てのバランスを考慮して添加元素の選択と添加量の
最適化を行う必要がある。従って、上記JIS規格、E
AA規格等で一般的に決められる添加物、不純物元素量
の規定だけでは光学的情報記録用媒体の反射層としてす
ぐれたAl合金は得られない。そこで本発明者らは上述
の、反射層に必須な様々な特性のバランスを考慮し、さ
らに、安価で大型かつ大量鋳造が可能となるように、添
加元素とその量の選択を行い、本発明に至った。
On the other hand, however, it has been found that increasing the concentration of the additive element generally increases the volume resistivity and lowers the thermal conductivity, which is not preferable as the reflective layer of the optical information recording medium. Therefore, it is necessary to select the additive element and optimize the additive amount in consideration of all balances such as durability, volume resistivity and film forming rate. Therefore, the above JIS standard, E
An Al alloy which is excellent as a reflective layer of an optical information recording medium cannot be obtained only by defining the amounts of additives and impurity elements generally determined by the AA standard and the like. Therefore, the present inventors have considered the balance of various characteristics essential for the reflective layer described above, and further selected the additive element and its amount so that large-scale casting can be performed at low cost, Came to.

【0011】すなわち、Alとの固溶性に優れたMgを
添加したAl−Mgを主成分とし更に光学的情報記録用
媒体の反射層に適した組成、つまりMgを0.5〜2重
量%含有し、Mnを2重量%以下、Siを2重量%以
下、Tiを0.2重量%以下それぞれ含有し、かつF
e、Cu、Zn、Crがそれぞれ0.3重量%以下に規
制され、残部がAl及び不可避的不純物よりなるアルミ
ニウム合金ターゲットを用い、これをスパッタリングし
て反射層を形成する。
That is, a composition suitable for a reflection layer of an optical information recording medium, that is, containing 0.5 to 2% by weight of Mg, containing Al-Mg containing Mg, which has excellent solid solubility with Al, as a main component. Containing 2% by weight or less of Mn, 2% by weight or less of Si, 0.2% by weight or less of Ti, and F
An aluminum alloy target in which each of e, Cu, Zn, and Cr is regulated to 0.3% by weight or less, and the balance is Al and inevitable impurities is used, and this is sputtered to form a reflective layer.

【0012】以下、合金ターゲットの組成について説明
する。まず、Mgは0.5以上2重量%以下となる様添
加する。Mgは、Alへの固溶度が大きいので経時的な
析出の心配もなく均一に鋳造できるという利点を有す
る。またAl合金反射層の耐食性を向上させる。Siは
2重量%以下となる様添加する。Siは、Alスパッタ
膜の結晶粒系を微細化して結晶粒界での応力集中による
微細剥離欠陥を抑止するのに効果がある。また、Siは
本発明組成範囲においては、Alに固溶するため反射層
にとって重要である熱伝導率への影響は少ない。
The composition of the alloy target will be described below. First, Mg is added in an amount of 0.5 to 2% by weight. Since Mg has a high solid solubility in Al, it has an advantage that it can be uniformly cast without fear of precipitation over time. It also improves the corrosion resistance of the Al alloy reflective layer. Si is added in an amount of 2% by weight or less. Si is effective in refining the crystal grain system of the Al sputtered film and suppressing fine peeling defects due to stress concentration at the crystal grain boundaries. Further, since Si dissolves in Al in the composition range of the present invention, it has little influence on the thermal conductivity which is important for the reflective layer.

【0013】このように、Mg自体はAlへの固溶度が
大きいし、Siはたとえ析出しても熱伝導率への影響は
少ないので、TaやTiに比べて、析出による経時変化
の問題がないし、均一に鋳造できるという利点を有す
る。しかし、Mg、Si量が多すぎると、Alに対する
固溶度の低い、Mg2 Siが析出して経時的に熱伝導率
が変化することがある。従って、耐腐食性、耐剥離性を
維持し、経時的な析出を防止するためには、好ましく
は、Mg添加量を0.5以上1.2重量%以下、Si添
加量を0.3以上1.3重量%以下とする。
As described above, Mg itself has a large solid solubility in Al, and even if Si is deposited, it has little influence on the thermal conductivity. There is no advantage, and it has the advantage that it can be cast uniformly. However, if the amounts of Mg and Si are too large, Mg 2 Si, which has a low solid solubility in Al, may precipitate and the thermal conductivity may change over time. Therefore, in order to maintain corrosion resistance and peeling resistance and prevent precipitation over time, it is preferable that the Mg addition amount is 0.5 or more and 1.2 wt% or less and the Si addition amount is 0.3 or more. It should be 1.3% by weight or less.

【0014】なお、JIS規格やEAA規格で規定され
たAl合金には、経時安定性や加工性を増すためにM
g、Siが添加されているので、これら元素が本発明の
ターゲットに混入することが考えられるが、本発明にお
いてはこれら元素及びさらに積極的に添加した元素を含
めて全体としてMg、Siの添加量を最適なものとす
る。
In addition, in order to increase the stability and workability over time, the Al alloy specified by JIS standard or EAA standard has M
Since g and Si are added, it is conceivable that these elements are mixed in the target of the present invention. However, in the present invention, addition of Mg and Si as a whole including these elements and elements that are positively added is added. Optimize the amount.

【0015】Mnは2重量%以下となる様添加する。M
nは、2重量%の添加範囲ではSiやMgより熱伝導率
を低下させる効果が大きく、特に光磁気記録媒体で比較
的低熱伝導率の反射層を必要とする場合に有用である。
また、有害元素であるが完全除去が非常に困難な不純物
Feに対して、Al6 MnがFeを固溶して、FeAl
3の析出を防止し、もって、Feに由来する耐食性の低
下を防止するのに効果がある。しかし、Mn自体が多す
ぎると反射層中に経時的にAl6 Mnが析出して熱伝導
率の経時的変化をもたらすので好ましくない。これらの
観点からMn量を上記のように2重量%以下とする。
Mn is added so as to be 2% by weight or less. M
In the addition range of 2% by weight, n has a larger effect of lowering the thermal conductivity than Si and Mg, and is particularly useful when a reflective layer having a relatively low thermal conductivity is required in a magneto-optical recording medium.
Also, with respect to the impurity Fe, which is a harmful element but is very difficult to completely remove, Al 6 Mn forms a solid solution with Fe,
It is effective in preventing the precipitation of 3 and thus preventing the corrosion resistance from decreasing due to Fe. However, too much Mn itself is not preferable because Al 6 Mn precipitates in the reflective layer over time and causes a change in thermal conductivity over time. From these viewpoints, the amount of Mn is set to 2% by weight or less as described above.

【0016】Tiは0.2重量%以下となる様添加す
る。Tiは微量でも析出しやすく電気伝導度を著しく低
下させるので、特に高熱伝導率を必要とする相変化媒体
の反射層には好ましくないが、TaやCrと異なり、
0.2%重量以下の少量添加では、薄膜のみならずバル
クのスパッタリングターゲットにおける結晶粒系を小さ
くし、結晶方位によりスパッタ効率が異なることから来
るスパッタリングレートの変動を防ぐという有用な効果
がある。一方、0.2重量%を越えた添加は、熱伝導率
を低下させるとともに、従来のAlTi合金で問題であ
ったAl3 Tiの析出によりTiがミクロレベルで均一
に固溶したバルクの鋳造が困難となり、ターゲットコス
トを上昇させるので好ましくない。
Ti is added in an amount of 0.2% by weight or less. Since Ti is liable to be precipitated even in a small amount and the electric conductivity is remarkably lowered, it is not preferable especially for the reflection layer of the phase change medium requiring high thermal conductivity, but unlike Ta or Cr,
Addition of a small amount of 0.2% by weight or less has a useful effect of reducing the crystal grain size not only in the thin film but also in the bulk sputtering target and preventing the fluctuation of the sputtering rate due to the difference in the sputtering efficiency depending on the crystal orientation. On the other hand, addition of more than 0.2% by weight lowers the thermal conductivity and causes the casting of a bulk in which Ti is uniformly solid-dissolved at a micro level due to the precipitation of Al 3 Ti, which was a problem in conventional AlTi alloys. This is difficult and increases the target cost, which is not preferable.

【0017】さて、JIS規格、EAA規格で規定され
るAl合金には、100kg〜1 トン単位で鋳造する際
に用いる容器成分、あるいは、リサイクルAlから混じ
る不純物として、Fe、Cu、Znがほぼ不可避的に混
入する。これら不純物は反射層の耐食性を著しく低下さ
せるため、合金ターゲット中に各々0.3重量%以下と
する必要がある。すなわち、これら不純物はAl展伸材
の機械的強度や加工性改善に用いられるので、Al合金
ターゲットに混入する率が高いが、光学的情報記録用媒
体の反射層としては適さないのである。
Now, in Al alloys defined by JIS and EAA standards, Fe, Cu and Zn are almost inevitable as impurities mixed in container components used in casting in units of 100 kg to 1 ton or recycled Al. Mixed in. Since these impurities significantly reduce the corrosion resistance of the reflective layer, it is necessary that the content of each of them in the alloy target be 0.3% by weight or less. That is, since these impurities are used for improving the mechanical strength and workability of the Al wrought material, they are highly mixed in the Al alloy target, but are not suitable as the reflective layer of the optical information recording medium.

【0018】Crもまた展伸材用Al合金をリサイクル
した場合に混入しうる不純物であり、0.3重量%以下
とする必要がある。Cr自体はTa、Tiと同様Alへ
の固溶度が低く、析出によりAl合金の物性が変化して
しまうからである。また、均一に混合するのも難しいた
めターゲットの量産を難しくする。従って、これら耐食
性及び析出性の観点から有害な不純物元素は各々0.3
重量%以下に抑制する必要がある。
Cr is also an impurity that can be mixed in when the wrought aluminum alloy is recycled, and must be 0.3% by weight or less. This is because Cr itself has a low solid solubility in Al like Ta and Ti, and the physical properties of the Al alloy change due to precipitation. In addition, it is difficult to mix them uniformly, which makes mass production of targets difficult. Therefore, from the viewpoints of these corrosion resistance and precipitation, the harmful impurity elements are 0.3
It is necessary to suppress the content to less than or equal to weight%.

【0019】さらにまた、Fe、Cu、Zn及びCr以
外の不純物、特にターゲット製造段階で混入しうる不純
物は、反射層の耐食性を劣化させたり、熱伝導率を変動
させて記録感度等に影響を及ぼす傾向があるので、M
g、Si、Mn、Ti、Fe、Cu、Zn、Crを除く
残部Alの不純物量は0.2重量%以下に抑えるのが好
ましい。このため、Alのリサイクル原料として高純度
のものを用いるのが好ましく、99.8重量%以上の高
純度のAlを利用することが望ましい。
Furthermore, impurities other than Fe, Cu, Zn, and Cr, especially impurities that can be mixed in during the target manufacturing stage, deteriorate the corrosion resistance of the reflective layer or change the thermal conductivity to affect the recording sensitivity and the like. M tends to affect
It is preferable to suppress the amount of impurities in the balance Al other than g, Si, Mn, Ti, Fe, Cu, Zn, and Cr to 0.2% by weight or less. Therefore, it is preferable to use a high-purity Al recycling material, and it is desirable to use 99.8% by weight or more of high-purity Al.

【0020】これらの不純物元素は一般的に、得られた
スパッタ膜の結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を増
加させて熱伝導率を低下させてしまうと考えられる。特
に相変化媒体では、非晶質マーク形成の際に十分な冷却
速度を得るために、高熱伝導度の反射層材料が好ましい
ため、特に上記組成を用いるのが好ましい。なお、本発
明の反射層はスパッタリング法で形成されるが、ターゲ
ットそのものの不純物量もさることながら、スパッタリ
ング中に反射層に取り込まれる水分や酸素など、ターゲ
ットに含まれる元素以外の不純物元素量も重要である。
従って、ターゲットに含まれる元素以外の不純物元素量
を、反射層としてのAl合金薄膜において2原子%未満
とすることが望ましい。ただし、スパッタリングガスと
して用いられるAr、Xe、Neなど成膜中に不可避的
に取り込まれる希ガスはこの限りではない。
It is considered that these impurity elements generally reduce the crystal grain size of the obtained sputtered film, increase the electron scattering at the grain boundaries, and reduce the thermal conductivity. Particularly in the case of a phase change medium, a reflective layer material having high thermal conductivity is preferable in order to obtain a sufficient cooling rate at the time of forming an amorphous mark. Therefore, it is particularly preferable to use the above composition. Although the reflective layer of the present invention is formed by a sputtering method, not only the amount of impurities in the target itself but also the amount of impurity elements other than the elements contained in the target, such as water and oxygen taken into the reflective layer during sputtering. is important.
Therefore, it is desirable that the amount of the impurity element other than the element contained in the target be less than 2 atomic% in the Al alloy thin film as the reflective layer. However, the rare gas such as Ar, Xe, and Ne used as the sputtering gas which is inevitably taken in during the film formation is not limited to this.

【0021】このためには、スパッタリング時のプロセ
スチャンバの到達真空度は1×10 -3Pa未満とするこ
とが望ましい。また、成膜レートを1nm/秒以上、よ
り好ましくは5nm/秒以上とすれば付加的な不純物混
入を極力防ぐことができ望ましい。膜中の不純物組成あ
るいは結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲットの製
法やスパッタガス(Ar、Ne、Xe等)にも依存す
る。スパッタガスとしてArを用いる場合はArガス圧
0.1〜10Paとするのが好ましい。
To this end, the process during sputtering is
The ultimate vacuum of the chamber is 1 x 10 -3Should be less than Pa
And is desirable. In addition, the film formation rate should be 1 nm / sec or more.
More preferably 5 nm / sec or more, an additional impurity mixture
It is desirable because it can be prevented as much as possible. The composition of impurities in the film
The crystallinity depends on the alloy target used for sputtering.
Method and sputtering gas (Ar, Ne, Xe, etc.)
It Ar gas pressure when Ar is used as the sputtering gas
It is preferably 0.1 to 10 Pa.

【0022】本発明においては、スパッタリングレート
を安定化させ異常放電を防止する目的で、鋳造された上
記組成のAl合金をさらに鍛造して緻密にしたのち、所
定形状に加工して合金ターゲットとして用いるのが望ま
しい。鍛造とは、上記組成に調整され鋳造されたAl合
金を、最終的なターゲット形状に近い容器中に入れ、4
00〜500℃に加熱して加工性を増した状態で加圧圧
縮することにより、鋳造合金中のミクロな空孔等を除去
する工程である。
In the present invention, for the purpose of stabilizing the sputtering rate and preventing abnormal discharge, the cast Al alloy having the above composition is further forged to be densified, and then processed into a predetermined shape to be used as an alloy target. Is desirable. Forging is the process of placing the cast Al alloy adjusted to the above composition into a container close to the final target shape.
This is a step of removing micropores and the like in the cast alloy by heating and compressing the material in a state where the workability is increased by heating it to 00 to 500 ° C.

【0023】なお、光ディスクの反射層としてはいくつ
かの特定組成が開示されているが(例えば、特開平3−
1338、特開平1−169571、特開平1−208
744、特開平2−128332、特開平4−2381
25、特開平8−241536等)、いずれも本願発明
のごとく高耐食性、高熱伝導率と大量生産のしやすさを
兼ね備えた反射層材料という本願の目的も、また本願発
明の特定の添加元素と組成範囲の組み合わせも示唆する
ものではない。
Some specific compositions have been disclosed for the reflective layer of the optical disk (see, for example, JP-A-3-
1338, JP-A-1-169571, JP-A-1-208
744, JP-A-2-128332, and JP-A-4-2381.
No. 25, JP-A-8-241536, etc.), the object of the present application is to provide a reflective layer material having high corrosion resistance, high thermal conductivity and ease of mass production as in the present invention, and a specific additive element of the present invention. It does not suggest a combination of composition ranges.

【0024】また、本願発明においては合金ターゲット
製造時に実際に混入しやすい特定元素が光学的情報記録
用媒体の反射層として有害であることを明らかにし、そ
の量を特定値以下に抑えることで光学的情報記録用媒体
の経時安定性を改善しているが、この点についても本願
で初めて明らかにされたものである。次に、本発明に好
ましく用いられる相変化型光記録媒体の構造及び記録方
法について説明する。
Further, in the present invention, it has been clarified that the specific element which is easily mixed in the manufacture of the alloy target is harmful as the reflective layer of the optical information recording medium, and the amount thereof is controlled to be equal to or less than the specific value. The temporal stability of the statistical information recording medium is improved, and this point was also clarified for the first time in the present application. Next, the structure and recording method of the phase change type optical recording medium preferably used in the present invention will be described.

【0025】本発明においては、基板上に少なくとも記
録層と反射層を設けるが、記録層の上下は保護層で被覆
されていることが望ましい。さらに望ましい層構成の一
例として、図1に示すように、基板1/第1保護層2/
記録層3/第2保護層4/反射層5の構成を有し、その
上に保護コート層6を設ける。これは透明である基板1
を介して記録再生用の集束光ビームを記録層に照射する
場合に適している。
In the present invention, at least the recording layer and the reflective layer are provided on the substrate, but it is desirable that the upper and lower sides of the recording layer are covered with protective layers. As an example of a more desirable layer structure, as shown in FIG. 1, substrate 1 / first protective layer 2 /
It has a structure of recording layer 3 / second protective layer 4 / reflection layer 5, and a protective coat layer 6 is provided thereon. This is a transparent substrate 1
It is suitable for irradiating the recording layer with a focused light beam for recording and reproduction via the.

【0026】第1保護層2、第2保護層4の材料として
はいずれも誘電体が好ましく、保護コート層6は通常紫
外線もしくは熱硬化性の樹脂である。記録層3、保護層
2、4、反射層5はスパッタリング法などによって形成
される。記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必
要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャン
バー内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが
各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。図1に示す構
成の光学的情報記録用媒体の基板には、ポリカーボネー
ト、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるい
は透明ガラスを用いることができる。なかでも、ポリカ
ーボネート樹脂はCDにおいて最も広く用いられている
実績もあり、安価でもあるので最も好ましい。
A dielectric is preferably used as the material for the first protective layer 2 and the second protective layer 4, and the protective coat layer 6 is usually an ultraviolet or thermosetting resin. The recording layer 3, the protective layers 2 and 4, and the reflective layer 5 are formed by a sputtering method or the like. It is desirable to form a film by an in-line apparatus in which the target for recording layer, the target for protective layer, and the target for reflective layer material, if necessary, are installed in the same vacuum chamber in order to prevent oxidation and contamination between the layers. A transparent resin such as polycarbonate, acrylic, or polyolefin, or transparent glass can be used for the substrate of the optical information recording medium having the configuration shown in FIG. Among them, the polycarbonate resin is the most preferable because it has a track record of being most widely used in CD and is inexpensive.

【0027】本発明の媒体の記録層3は光磁気型もしく
は相変化型の記録層が用いられるが、本発明は特に相変
化型光学的情報記録用媒体に適用すると著しい効果が得
られる。なぜなら、相変化型媒体は、記録層を加熱し冷
却する熱履歴の違いによって、相異なる2以上の結晶状
態の間で可逆的変化を生じさせることで情報の記録消去
を行うため、反射層の放熱効果を正確にコントロールす
ることがとりわけ重要となるからである。なお、上記結
晶状態には非晶質状態、及び非晶質と結晶の混合状態を
含む。
The recording layer 3 of the medium of the present invention is a magneto-optical type or phase change type recording layer, and the present invention is particularly effective when applied to a phase change type optical information recording medium. This is because the phase-change type medium records and erases information by causing reversible change between two or more different crystalline states due to the difference in heat history of heating and cooling the recording layer, and thus the recording layer of the reflective layer This is because it is particularly important to accurately control the heat radiation effect. The crystalline state includes an amorphous state and a mixed state of amorphous and crystalline.

【0028】また、光磁気型記録層に比べて相変化型記
録層は透過率が大きいため、記録層を透過した記録光/
再生光が反射層で反射されて生じる多重干渉効果が促進
されるので、相変化媒体の反射層は高い反射率を安定的
に有する必要がある。本発明で用いる相変化型記録層
は、特に限定されないが、結晶・非晶質いずれの状態も
安定でかつ両状態間の高速の相転移が可能であるものが
望ましい。例えば、Sb70Te30共晶点近傍のSbTe
合金を主成分とする、MSbTe合金(ここでMはI
n、Ga、Zn、Ge、Sn、Si、Cu、Au、A
g、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S、Se、T
a、Nb、Vのうちの少なくとも1種)からなる薄膜で
ある。より好ましくは、M(SbTe1−z
1−w 合金(ただし、0<w≦0.2、0.6≦z≦
0.9、M=In、Ga、Zn、Ge、Sn、Si、C
u、Au、Ag、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、
S、Se、Ta、Nb、Vのうちの少なくとも1種)か
らなる薄膜である。なお、Sb70Te30共晶点近傍のS
bTe合金を主成分とする場合、Sb70Te30共晶点組
成を基本としてSb/Te比により線速依存性が左右さ
れる。
Further, since the phase change type recording layer has a higher transmittance than the magneto-optical type recording layer, the recording light transmitted through the recording layer
The reflective layer of the phase change medium needs to have a high reflectance stably because the multiple interference effect caused by the reproduction light being reflected by the reflective layer is promoted. The phase change recording layer used in the present invention is not particularly limited, but it is desirable that it is stable in both crystalline and amorphous states and capable of high-speed phase transition between both states. For example, SbTe near the Sb 70 Te 30 eutectic point
MSbTe alloy containing alloy as a main component (where M is I
n, Ga, Zn, Ge, Sn, Si, Cu, Au, A
g, Pd, Pt, Pb, Cr, Co, O, S, Se, T
It is a thin film composed of at least one of a, Nb, and V). More preferably, M w (Sb z Te 1-z )
1-w alloy (however, 0 <w ≦ 0.2, 0.6 ≦ z ≦
0.9, M = In, Ga, Zn, Ge, Sn, Si, C
u, Au, Ag, Pd, Pt, Pb, Cr, Co, O,
It is a thin film composed of at least one of S, Se, Ta, Nb, and V). In addition, S near Sb 70 Te 30 eutectic point
When a bTe alloy is the main component, the linear velocity dependence depends on the Sb / Te ratio based on the Sb 70 Te 30 eutectic point composition.

【0029】上記SbTe合金にIn、Ga及びGe、
Sn、Si、Pbを添加することは、結晶化温度を上昇
させて経時安定性を高める効果がある。また、In、G
aはスムースな非晶質マークと結晶領域との境界を形成
しマーク端検出におけるノイズを小さくできるので、マ
ーク長記録に適している。また、Ag、Zn、Cu、A
u、Ag、Pd、PtCr、Coはそれ自身もしくはそ
れらとSbもしくはTeとの化合物が高融点であるた
め、微細な分散したクラスターとして析出して結晶核と
なり、高速結晶化に寄与する。しかし、多すぎるとかえ
って非晶質マークの安定性を損なう。
In, Ga and Ge are added to the above SbTe alloy,
The addition of Sn, Si, and Pb has the effect of increasing the crystallization temperature and increasing the stability over time. Also, In, G
a is suitable for mark length recording because it forms a smooth boundary between an amorphous mark and a crystal region and can reduce noise in mark edge detection. In addition, Ag, Zn, Cu, A
Since u, Ag, Pd, PtCr, and Co themselves or a compound of them and Sb or Te have a high melting point, they precipitate as fine dispersed clusters to form crystal nuclei, which contributes to high-speed crystallization. However, if the amount is too large, the stability of the amorphous mark is deteriorated.

【0030】O、S、SeはTeと同族であり、Teの
鎖状ネットワークに入り込んで、Sb70Te30共晶合金
の結晶化温度、屈折率、粘度を微調整するのに利用でき
る。しかし、いずれの添加元素も20原子%を超えると
偏析・相分離を生じやすくなる。特に、繰り返しオーバ
ーライトにより偏析を生じ易く安定な記録ができなくな
るため、添加元素の総量は20原子%以下とする。さら
に、繰り返しオーバーライト耐久性の観点からはいずれ
の原子も単独では10原子%以下とすることが望まし
い。特にO、S、N、Seは5原子%を超えて混合する
と結晶化速度が遅くなりすぎる傾向があるので、5原子
%以下とすることがより好ましい。
O, S, and Se are homologous to Te, and can be used to finely adjust the crystallization temperature, refractive index, and viscosity of the Sb 70 Te 30 eutectic alloy by penetrating into the chain network of Te. However, if any additive element exceeds 20 atomic%, segregation and phase separation are likely to occur. In particular, since the segregation is likely to occur due to repeated overwriting and stable recording cannot be performed, the total amount of the additive elements is set to 20 atomic% or less. Further, from the viewpoint of repeated overwrite durability, it is desirable that each atom is 10 atom% or less by itself. In particular, if O, S, N, and Se are mixed in excess of 5 atom%, the crystallization rate tends to be too slow, so that it is more preferably 5 atom% or less.

【0031】記録層3の両側には第1保護層2及び第2
保護層4を設ける。記録層が相変化型記録層である場
合、一般に、保護層は記録時の高温による基板や記録層
の変形を防止する目的があるが、そのほかにも様々な機
能を有する。図1の第2保護層4は、記録層と反射層の
間の相互拡散防止、放熱などの熱伝導コントロールの機
能を有する。また、特に相変化媒体では記録層の溶融に
よる流出、変形防止機能もある。
A first protective layer 2 and a second protective layer 2 are formed on both sides of the recording layer 3.
A protective layer 4 is provided. When the recording layer is a phase change recording layer, the protective layer generally has the purpose of preventing deformation of the substrate and the recording layer due to high temperature during recording, but has various other functions. The second protective layer 4 of FIG. 1 has a function of controlling heat conduction such as mutual diffusion prevention between the recording layer and the reflective layer and heat dissipation. Further, especially in a phase change medium, it also has a function of preventing the recording layer from flowing out and deforming due to melting.

【0032】また、図1の構造の光記録媒体2枚を、記
録層面を内側として接着剤で貼り合せて両面記録媒体と
してもよい。保護層2及び4の材料は、屈折率、熱伝導
率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決
定する。一般的には透明性が高く高融点である金属や半
導体の酸化物、硫化物、窒化物やCa、Mg、Li等の
フッ化物を用いることができる。これらの酸化物、硫化
物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる
必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御した
り、混合して用いることも有効である。
Two optical recording media having the structure shown in FIG. 1 may be bonded to each other with an adhesive with the recording layer surface inside to form a double-sided recording medium. The materials of the protective layers 2 and 4 are determined in consideration of the refractive index, thermal conductivity, chemical stability, mechanical strength, adhesiveness and the like. In general, metal or semiconductor oxides, sulfides, nitrides, and fluorides such as Ca, Mg, and Li having high transparency and high melting point can be used. These oxides, sulfides, nitrides, and fluorides do not necessarily have to have a stoichiometric composition, and it is also effective to control the composition or mix them for controlling the refractive index and the like.

【0033】特に、書換型の相変化型記録媒体であれ
ば、繰返し記録特性を考慮すると誘電体混合物を用いる
のが好ましい。より具体的には、ZnSや希土類硫化物
と酸化物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物の混合物が挙
げられる。第2保護層は上述のように、記録層からの放
熱をさせると同時に、熱伝導を遅くして記録層の結晶化
を促すという熱伝導をコントロールする機能を有する。
従って第2保護層4の材料としては熱伝導がある程度低
い方が望ましい。具体的にはZnS、ZnO、TaS2
もしくは希土類硫化物を単独もしくは混合物として20
mol%以上90mol%以下含み、さらに、融点もし
くは分解温度が1000℃以上の耐熱性化合物を含む複
合誘電体が望ましい。
Particularly, in the case of a rewritable phase change recording medium, it is preferable to use a dielectric mixture in consideration of the repetitive recording characteristics. More specifically, a mixture of ZnS or a rare earth sulfide and a heat resistant compound such as an oxide, a nitride, or a carbide can be used. As described above, the second protective layer has a function of controlling heat conduction by radiating heat from the recording layer and, at the same time, slowing heat conduction to promote crystallization of the recording layer.
Therefore, it is desirable that the material of the second protective layer 4 has a certain degree of low thermal conductivity. Specifically, ZnS, ZnO, TaS 2
Alternatively, rare earth sulfides may be used alone or as a mixture.
It is desirable to use a composite dielectric containing not less than mol% and not more than 90 mol% and further containing a heat resistant compound having a melting point or a decomposition temperature of 1000 ° C. or more.

【0034】より具体的にはLa、Ce、Nd、Y等の
希土類の硫化物を50mol%以上90mol%以下含
む複合誘電体が望ましい。あるいは、ZnS、ZnOも
しくは希土類硫化物の組成の範囲を70〜90mol%
とすることが望ましい。これらと混合されるべき融点も
しくは分解点が1000℃以上の耐熱化合物材料として
は、Mg、Ca、Sr、Y、La、Ce、Ho、Er、
Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、A
l、Si、Ge、Pb等の酸化物、窒化物、炭化物やC
a、Mg、Li等のフッ化物を用いることができる。特
にZnOと混合されるべき材料としては、Y、La、C
e、Nd等希土類の硫化物あるいは硫化物と酸化物の混
合物が望ましい。
More specifically, a composite dielectric containing a rare earth sulfide such as La, Ce, Nd or Y in an amount of 50 mol% to 90 mol% is desirable. Alternatively, the composition range of ZnS, ZnO or rare earth sulfide is 70 to 90 mol%.
Is desirable. Examples of the heat-resistant compound material having a melting point or decomposition point of 1000 ° C. or more to be mixed with these include Mg, Ca, Sr, Y, La, Ce, Ho, Er,
Yb, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Zn, A
l, Si, Ge, Pb and other oxides, nitrides, carbides and C
Fluorides such as a, Mg and Li can be used. In particular, materials that should be mixed with ZnO include Y, La, and C.
A rare earth sulfide such as e or Nd or a mixture of a sulfide and an oxide is preferable.

【0035】ただし、SiO2 、Ta25、Al
23、AlN、SiN等を主成分とする薄膜は、それ自
身の熱伝導率が高すぎるため好ましくない。保護層2、
4の膜密度はバルク状態の80%以上であることが機械
的強度の面から望ましい。混合物誘電体薄膜を用いる場
合にはバルク密度として下式の理論密度を用いる。
However, SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al
A thin film containing 2 O 3 , AlN, SiN or the like as a main component is not preferable because its own thermal conductivity is too high. Protective layer 2,
The film density of No. 4 is preferably 80% or more of the bulk state from the viewpoint of mechanical strength. When the mixture dielectric thin film is used, the theoretical density of the following formula is used as the bulk density.

【0036】[0036]

【数1】ρ=Σm ρ (1) m :各成分iのモル濃度 ρ :単独のバルク密度## EQU1 ## ρ = Σm i ρ i (1) m i : Molar concentration of each component i ρ i : Single bulk density

【0037】繰り返しオーバーライト時の熱ダメージに
よる基板変形を抑制するためには、第1保護層はある程
度の膜厚が必要である。膜厚が70nm未満になると、
繰り返しオーバーライト耐久性が急激に悪化する。特
に、繰返し回数が数百回未満の初期に急激にジッタが増
加する。本発明者等の原子間力顕微鏡(AFM)による
観察によれば、この初期劣化は基板表面が2〜3nm程
度へこむ変形によるものである。
The first protective layer needs to have a certain thickness in order to suppress the deformation of the substrate due to heat damage during repeated overwriting. When the film thickness is less than 70 nm,
Repeated overwrite durability rapidly deteriorates. In particular, the jitter abruptly increases at the initial stage when the number of repetitions is less than several hundreds. According to the observation by the present inventors by an atomic force microscope (AFM), this initial deterioration is due to the deformation of the substrate surface indented by about 2 to 3 nm.

【0038】基板変形を抑制するためには、記録層の発
熱を伝えないために熱絶縁効果があり、かつ機械的に変
形を押さえ込むような保護層膜厚が必要である。この種
の媒体に必要とされる最低1000回の耐久性を達成す
るためには、第1保護層の膜厚が60nm以上が好まし
く、より好ましくは80nm以上である。さて、媒体の
反射率の第1保護層膜厚依存性に着目すると、通常、反
射率は膜厚に対して極大と極小とのあいだで周期的な変
化を示す。第1保護層の屈折率を2.0〜2.3程度と
すると、波長780nmに対しては60〜80nmで反
射率極小となり、0nm及び150nm程度で極大とな
る。従って、150nmより厚くすることは光学的には
あまり意味がない。むしろ、膜厚が厚くなると溝底部及
びランド部に比べて溝壁の保護層膜厚が薄くなることで
繰返し記録特性が悪くなるという、いわゆる溝カバレッ
ジの問題などが発生しやすくなる。また、波長が短くな
るほどこの反射率変化の周期は短くなるので、780n
mより短波長においても150nmより厚くしても意味
がないのは同様である。
In order to suppress the deformation of the substrate, it is necessary to have a protective layer film thickness that has a heat insulating effect in order not to transmit heat of the recording layer and mechanically suppresses the deformation. In order to achieve the durability of at least 1000 times required for this type of medium, the thickness of the first protective layer is preferably 60 nm or more, more preferably 80 nm or more. Now, focusing on the dependency of the reflectance of the medium on the film thickness of the first protective layer, the reflectance usually shows a periodic change between the maximum and the minimum with respect to the film thickness. When the refractive index of the first protective layer is about 2.0 to 2.3, the reflectance becomes minimum at 60 to 80 nm and becomes maximum at about 0 nm and 150 nm for a wavelength of 780 nm. Therefore, making it thicker than 150 nm does not make much sense optically. On the contrary, when the film thickness becomes thicker, the protective layer film thickness at the groove wall becomes thinner than that at the groove bottom portion and the land portion, so that the repetitive recording characteristics deteriorate, so-called groove coverage problem easily occurs. Also, as the wavelength becomes shorter, the cycle of this reflectance change becomes shorter.
Similarly, even if the wavelength is shorter than m, it is meaningless to make it thicker than 150 nm.

【0039】また、第2保護層4が15nmより薄いと
記録層溶融時の変形等によって破壊されやすく、また反
射層への放熱効果が大きすぎて記録に要するパワーが不
必要に大きくなってしまう。従って膜厚は15nm以上
が好ましい。反射層への放熱効果を妨げないためには6
0nm以下とするのが好ましい。特に相変化媒体では、
膜厚が厚くなると、第2保護層内部での記録層側の温度
が高く反射層側の温度が低いという温度勾配がさらに急
になり、保護層自体に熱膨張による変形が生じやすくな
る。
If the thickness of the second protective layer 4 is less than 15 nm, the recording layer is apt to be damaged by deformation when the recording layer is melted, and the heat radiation effect to the reflective layer is too large, resulting in an unnecessarily large recording power. . Therefore, the film thickness is preferably 15 nm or more. 6 in order not to disturb the heat radiation effect to the reflective layer
It is preferably 0 nm or less. Especially in phase change media,
As the film thickness increases, the temperature gradient inside the second protective layer, where the temperature on the recording layer side is high and the temperature on the reflective layer side is low, becomes steeper, and the protective layer itself is more likely to be deformed due to thermal expansion.

【0040】本発明の媒体の記録層3は光磁気型もしく
は相変化型の記録層であり、その厚みは10nmから3
0nmの範囲が好ましい。記録層3の厚みが10nmよ
り薄いと十分な信号強度、コントラストが得られにく
い。特に相変化型記録層では厚みが薄すぎると短時間で
の記録消去が困難となりやすいため10nm以上とす
る。結晶加速度を速くするためには、好ましくは15n
m以上とする。
The recording layer 3 of the medium of the present invention is a magneto-optical type or phase change type recording layer and has a thickness of 10 nm to 3 nm.
The range of 0 nm is preferred. If the thickness of the recording layer 3 is less than 10 nm, it is difficult to obtain sufficient signal intensity and contrast. In particular, if the thickness of the phase change recording layer is too thin, it tends to be difficult to erase the record in a short time, so the thickness is set to 10 nm or more. In order to increase the crystal acceleration, preferably 15n
m or more.

【0041】一方、膜厚が30nmを超すとやはり光学
的なコントラストが得にくくなり、また熱容量が大きく
なるために記録感度が悪くなる。特に相変化型記録層で
は、相変化に伴う記録層の体積変化は記録層が厚くなる
ほど大きくなり繰返しオーバーライト時に保護層及び基
板表面等に微視的な変形が蓄積されノイズの上昇につな
がりやすい。第2保護層膜厚が30nm以上と厚い場合
には、記録層厚みは30nmが限度であり、それより厚
いと繰り返しオーバーライトによる劣化が著しくなる。
より好ましくは25nm以下とする。
On the other hand, if the film thickness exceeds 30 nm, it becomes difficult to obtain optical contrast and the heat capacity becomes large, resulting in poor recording sensitivity. In particular, in the phase-change recording layer, the volume change of the recording layer due to the phase change becomes larger as the recording layer becomes thicker, and microscopic deformation is accumulated in the protective layer and the substrate surface during repeated overwriting, which easily leads to an increase in noise. . When the thickness of the second protective layer is as thick as 30 nm or more, the recording layer thickness is limited to 30 nm, and if it is thicker than that, deterioration due to repetitive overwriting becomes significant.
It is more preferably 25 nm or less.

【0042】記録層3及び保護層2、4の厚みは、上記
機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、反射層への
適度な熱拡散、多層構成に伴う干渉効果、すなわちレー
ザー光の吸収効率が良く、記録信号の振幅、すなわち記
録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように
選ぶ。相変化型記録媒体に用いる場合、反射層5は記録
層からの放熱を促すために高熱伝導率であることが望ま
しい。この場合、熱伝導率として重要なのはバルク状態
の値ではなく、あくまで実際に第2保護層上に形成され
た薄膜状態での熱伝導率である。薄膜の熱伝導率はバル
ク状態の熱伝導率と大きく異なり、一般には小さい。特
に膜厚が40nm未満の薄膜では成長初期の島状構造の
影響で熱伝導率が1桁以上小さくなる場合がある。さら
に、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なり、これ
が同じ組成でも熱伝導率が異なる要因になる。
The thicknesses of the recording layer 3 and the protective layers 2 and 4 are, in addition to the above-mentioned limitations in terms of mechanical strength and reliability, appropriate heat diffusion to the reflective layer and interference effects due to the multilayer structure, that is, laser. It is selected so that the light absorption efficiency is good and the amplitude of the recording signal, that is, the contrast between the recorded state and the unrecorded state is large. When used in a phase change recording medium, the reflective layer 5 preferably has a high thermal conductivity in order to promote heat dissipation from the recording layer. In this case, what is important as the thermal conductivity is not the value in the bulk state but the thermal conductivity in the thin film state actually formed on the second protective layer. The thermal conductivity of the thin film differs greatly from the thermal conductivity of the bulk state and is generally low. In particular, in the case of a thin film having a film thickness of less than 40 nm, the thermal conductivity may decrease by one digit or more due to the influence of the island structure at the initial stage of growth. Furthermore, the crystallinity and the amount of impurities differ depending on the film forming conditions, which causes the difference in thermal conductivity even with the same composition.

【0043】反射層の熱伝導率は直接測定することも可
能であるが、本発明においては、良好な特性を示す高熱
伝導率の反射層5を規定するために熱伝導の良否を電気
抵抗を利用して見積もる。金属膜のように電子が熱もし
くは電気伝導を主として司る材料においては熱伝導率と
電気伝導率は良好な比例関係があるためである。薄膜の
電気抵抗はその膜厚や測定領域の面積で規格化された抵
抗率値で表すことができる。体積抵抗率と面積抵抗率は
通常の4探針法で測定でき、JIS K7194によっ
て規定されている。この方法によれば、薄膜の熱伝導率
そのものを実測するよりもはるかに簡便かつ再現性の良
いデータが得られる。
Although it is possible to directly measure the thermal conductivity of the reflective layer, in the present invention, in order to define the reflective layer 5 having a high thermal conductivity and exhibiting good characteristics, the quality of the thermal conductivity is determined by the electrical resistance. Use and estimate. This is because the thermal conductivity and the electrical conductivity have a good proportional relationship in a material such as a metal film in which electrons mainly control heat or electrical conductivity. The electrical resistance of a thin film can be represented by a resistivity value standardized by the film thickness and the area of the measurement region. The volume resistivity and the area resistivity can be measured by a normal four-point probe method, and are defined by JIS K7194. According to this method, much simpler and more reproducible data can be obtained as compared with actual measurement of the thermal conductivity of the thin film.

【0044】本発明において好ましい反射層は体積抵抗
率でいうと20nΩ・m以上150nΩ・m以下、より
好ましくは20nΩ・m以上100nΩ・m以下であ
る。体積抵抗率150nΩ・mより体積抵抗率が大きい
場合でも、たとえば300nmより厚膜とすれば面積抵
抗率を下げることはできるが、本発明者らの検討によれ
ば、このような高体積抵抗率材料で面積抵抗率のみ下げ
ても、十分な放熱効果は得られなかった。すなわち、膜
厚200nm以下で面積抵抗率0.2以上0.9Ω/ □
未満となるような、低体積抵抗率の材料が好ましい。
In the present invention, the reflection layer preferably has a volume resistivity of 20 nΩ · m or more and 150 nΩ · m or less, more preferably 20 nΩ · m or more and 100 nΩ · m or less. Even if the volume resistivity is higher than 150 nΩ · m, the sheet resistivity can be lowered by making the film thicker than 300 nm, for example. However, according to the study by the present inventors, such a high volume resistivity is obtained. A sufficient heat dissipation effect was not obtained even if the sheet resistance alone was lowered with the material. That is, with a film thickness of 200 nm or less, a sheet resistivity of 0.2 or more and 0.9Ω / □
A material having a low volume resistivity, which is less than, is preferable.

【0045】これは、厚膜では単位面積当たりの熱容量
が増大してしまうため、反射層自体の放熱がかえって遅
くなってしまうからと考えられる。また、このような厚
膜では成膜に時間がかかり、材料費も増えるため製造コ
ストの観点から好ましくない。なお、体積抵抗率20n
Ω・m未満の材料は薄膜状態では実質的に得にくい。反
射層5を成膜する際には、上記反射層の面積抵抗値がほ
ぼ一定、例えば変動幅±10%以内となるように反射層
の膜厚を調整するのが好ましい。面積抵抗値の変化は記
録感度の変化につながりやすい。
It is considered that this is because the heat capacity per unit area of the thick film increases, so that the heat dissipation of the reflective layer itself becomes rather slow. Further, such a thick film is not preferable from the viewpoint of manufacturing cost because it takes time to form the film and the material cost increases. The volume resistivity is 20n
A material of less than Ω · m is practically difficult to obtain in a thin film state. When the reflective layer 5 is formed, it is preferable to adjust the film thickness of the reflective layer so that the area resistance value of the reflective layer is substantially constant, for example, within a fluctuation range of ± 10%. Changes in sheet resistance easily lead to changes in recording sensitivity.

【0046】合金ターゲットには個々に微妙な組成変動
があったり、ターゲット使用の進行に伴い組成変動が生
じたりすることがあり、Al合金反射層の熱物性(特に
熱伝導率)が変化することがあるが、上述のように電気
抵抗値を測定し面積抵抗率を一定に保つように膜厚の微
調整を行えば、反射層の放熱効果を一定に保って、熱履
歴を利用した光磁気記録媒体や、相変化記録媒体の記録
マーク形成過程を一定することができ、量産時における
再現性を良くすることができる。
The alloy target may have a slight compositional variation or compositional variation with the progress of use of the target, and the thermophysical properties (particularly the thermal conductivity) of the Al alloy reflective layer may change. However, if you measure the electrical resistance and finely adjust the film thickness to keep the area resistivity constant as described above, you can keep the heat dissipation effect of the reflective layer constant and use magneto-optical The recording mark formation process of the recording medium or the phase change recording medium can be made constant, and the reproducibility during mass production can be improved.

【0047】反射層5の膜厚は、好ましくは40nm以
上300nm以下とする。40nm未満では島状構造が
残って熱伝導率が大きくなったり反射率が低下しやす
い。300nmより厚いとそれ自体の熱容量が大きくな
って記録感度低下や放熱効果の低下がある。本発明者ら
の検討によれば、図1の層構成において30〜60nm
と厚く設けた第2保護層4に極めて高熱伝導率の反射層
5を組み合わせることにより、従来の急冷構造よりも記
録感度および線速依存性を改善できるという効果をも得
られる。
The thickness of the reflective layer 5 is preferably 40 nm or more and 300 nm or less. If the thickness is less than 40 nm, the island-like structure remains, and the thermal conductivity tends to increase and the reflectance tends to decrease. If it is thicker than 300 nm, the heat capacity of itself becomes large, resulting in deterioration of recording sensitivity and heat dissipation effect. According to the study by the present inventors, the layer structure of FIG.
By combining the thick second protective layer 4 with the reflective layer 5 having an extremely high thermal conductivity, it is possible to obtain an effect that the recording sensitivity and the linear velocity dependence can be improved as compared with the conventional quenching structure.

【0048】本発明においてはこのような反射層5とし
て、低コストのAlMnSiMgTi合金ターゲットを
スパッタリングして設けた反射層を用いることによっ
て、高熱伝導率と耐食性を損ねることなくコスト削減を
実現できる。また、望ましい層構成の他の一例として、
図2に示すように、基板1’/反射層5’/第2保護層
4’/記録層3’/第1保護層2’の順に積層する。こ
れは第1保護層2’側から集束光ビームを入射する場合
であり、NAが0.7以上で記録層と対物レンズの距離
を縮める必要が高い場合に特に有用である。この構成で
は、基板は透明である必要はなく、むしろ平坦性や剛性
を高めるためにガラスやアルミニウム合金を用いること
が好ましい場合がある。
In the present invention, by using a reflective layer formed by sputtering a low-cost AlMnSiMgTi alloy target as the reflective layer 5 as described above, cost reduction can be realized without impairing high thermal conductivity and corrosion resistance. In addition, as another example of a desirable layer configuration,
As shown in FIG. 2, the substrate 1 ′ / reflection layer 5 ′ / second protective layer 4 ′ / recording layer 3 ′ / first protective layer 2 ′ are laminated in this order. This is a case where the focused light beam is incident from the first protective layer 2 ′ side, and is particularly useful when the NA is 0.7 or more and it is necessary to shorten the distance between the recording layer and the objective lens. In this configuration, the substrate need not be transparent, but rather it may be preferable to use glass or aluminum alloys to enhance flatness and rigidity.

【0049】本層構成において、記録層3’、第1保護
層2’、第2保護層4’、反射層5’の各層の機能、材
料、組成、膜厚等は基本的には図1に示す構成の場合と
同じである。ただし、図2の第2保護層4’は図1の第
2保護層4と同様に記録層と反射層の間の相互拡散防
止、反射層への放熱、及び記録層の流動・変形防止の機
能を有し、第1保護層2’は記録層の変形防止に加え
て、記録層と空気との直接接触防止(酸化汚染等の防
止)、光ピックアップとの接触からの保護といった機能
がある。
In this layer structure, the functions, materials, compositions, film thicknesses, etc. of the recording layer 3 ', the first protective layer 2', the second protective layer 4'and the reflective layer 5'are basically the same as in FIG. This is the same as the case of the configuration shown in. However, the second protective layer 4 ′ of FIG. 2 is similar to the second protective layer 4 of FIG. 1 in that it prevents mutual diffusion between the recording layer and the reflective layer, radiates heat to the reflective layer, and prevents flow and deformation of the recording layer. The first protective layer 2 ′ has a function of preventing deformation of the recording layer, direct contact of the recording layer with air (prevention of oxidative contamination, etc.), and protection from contact with an optical pickup. .

【0050】図2の第1保護層2’の外側にはより硬質
の誘電体や非晶質カーボン保護層を設けたり、紫外線あ
るいは熱硬化性樹脂層を設けることが望ましい。あるい
は、厚さ0.05〜0.6mm程度の透明な薄板を貼
り、この薄板を介して集束光ビームを入射することも可
能である。また、図2の構造の光記録媒体2枚を、記録
層面を外側として接着剤で貼り合せて両面記録媒体とし
てもよい。あるいは、基板1’の両面に射出成形によっ
てトラッキング用の溝を形成し、両面にスパッタ法によ
って多層膜2’、3’、4’、5’を形成して両面媒体
としても良い。
It is desirable to provide a harder dielectric or amorphous carbon protective layer or an ultraviolet ray or thermosetting resin layer outside the first protective layer 2'in FIG. Alternatively, it is also possible to attach a transparent thin plate having a thickness of about 0.05 to 0.6 mm and allow the focused light beam to enter through this thin plate. Alternatively, two optical recording media having the structure shown in FIG. 2 may be bonded to each other with an adhesive with the recording layer surface facing outward to form a double-sided recording medium. Alternatively, a tracking groove may be formed on both sides of the substrate 1'by injection molding, and the multilayer films 2 ', 3', 4 ', 5'may be formed on both sides by a sputtering method to form a double-sided medium.

【0051】[0051]

【実施例】以下、実施例を示すが、本発明はその要旨を
超えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
以下の実施例では、基板は射出成形で作成した。各層組
成は蛍光X線分析、原子吸光分析、X線励起光電子分光
法等を組み合わせて確認した。保護層の膜密度は基板上
に数百nm程度に厚くつけた時の重量変化から求めた。
膜厚は蛍光X線強度を触針計で測定した膜厚で校正して
用いた。
EXAMPLES Examples will be shown below, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded.
In the examples below, the substrates were made by injection molding. The composition of each layer was confirmed by combining fluorescent X-ray analysis, atomic absorption analysis, X-ray excitation photoelectron spectroscopy and the like. The film density of the protective layer was obtained from the weight change when the film was applied thickly on the substrate to a thickness of several hundred nm.
The film thickness was used by calibrating the fluorescent X-ray intensity with the film thickness measured by a stylus meter.

【0052】反射層の面積抵抗率は4探針法抵抗計(Lo
resta FP 、(商品名)三菱油化(現ダイアインスツル
メント)社製)で測定した。抵抗測定は、絶縁物である
ガラスもしくはポリカーボネート樹脂基板上に成膜した
反射層、あるいは、図1の4層構成(紫外線硬化樹脂保
護コート前)成膜後、最上層となる反射層で測定した。
第2保護層が誘電体薄膜で絶縁物であるため、面積抵抗
率測定に影響はない。また、実質的に無限大の面積とみ
なせる、直径120mmのディスク基板形状のまま測定
している。得られた抵抗値Rを元に以下の式で、面積抵
抗率ρ及び体積抵抗率ρを計算した
The sheet resistivity of the reflective layer is measured by a four-probe method resistance meter (Lo
resta FP, (trade name) manufactured by Mitsubishi Yuka (currently Dia Instruments). The resistance was measured on a reflective layer formed on an insulating glass or polycarbonate resin substrate, or on the uppermost reflective layer after the four-layer structure (before UV-curing resin protective coat) of FIG. 1 was formed. .
Since the second protective layer is a dielectric thin film and is an insulator, it does not affect the measurement of the sheet resistivity. In addition, the disk substrate shape having a diameter of 120 mm, which can be regarded as a substantially infinite area, is measured. Based on the obtained resistance value R, the area resistivity ρ S and the volume resistivity ρ V were calculated by the following formulas.

【0053】[0053]

【数2】ρ =F・R (2) ρ =ρ・t (3)(2) ρ S = F · R (2) ρ V = ρ S · t (3)

【0054】ここで、tは膜厚、Fは測定する薄膜領域
の形状で決まる補正係数であり、4.3〜4.5の値を
とる。ここでは4.4とした。本実施例においては、書
き換え型CD(CD−Rewritable, CD−R
W)媒体に本発明を適用した。射出成形された直径12
0mmのポリカーボネート樹脂基板には、オレンジブッ
ク・パート3・バージョン2.0(CD−RWの規格
書)に準拠するよう、ATIP信号を付加された幅約
0.45μm、深さ約35nm、トラックピッチ1.6
μmの螺旋状の溝が形成されている。作成したディスク
の反射率、変調度等は上記規格書に準拠している。
Here, t is a film thickness, F is a correction coefficient determined by the shape of the thin film region to be measured, and takes a value of 4.3 to 4.5. Here, it is set to 4.4. In this embodiment, a rewritable CD (CD-Rewritable, CD-R) is used.
W) The present invention was applied to a medium. Injection molded diameter 12
On a 0 mm polycarbonate resin substrate, an ATIP signal was added to conform to Orange Book Part 3 Version 2.0 (CD-RW standard), width of about 0.45 μm, depth of about 35 nm, track pitch. 1.6
A μm spiral groove is formed. The reflectance and the degree of modulation of the created disc are in conformity with the above standards.

【0055】記録にはPhilips社製のCD−RW
評価機EMT3を用い、上記CD−RW規格書に記載さ
れたパルス分割方法を用いた。図3にそのパルス分割方
法(パルスストラテジー)を示す。図3において、Pw
は記録層を溶融させ急冷によって非晶質マークを形成す
るための記録パワー、Peは非晶質マークを再結晶化に
よって消去するための消去パワーであり、バイアスパワ
ーPbは再生光Prとほぼ同じとした。特に断りの無い
限り、Pe/Pw=0.5で一定であり、Pwは12〜
13mWである。
For recording, a CD-RW made by Philips
The pulse division method described in the above CD-RW standard was used by using the evaluation machine EMT3. FIG. 3 shows the pulse division method (pulse strategy). In FIG. 3, Pw
Is a recording power for melting the recording layer to form an amorphous mark by rapid cooling, Pe is an erasing power for erasing the amorphous mark by recrystallization, and the bias power Pb is almost the same as the reproducing light Pr. And Unless otherwise specified, Pe / Pw = 0.5 is constant and Pw is 12 to
It is 13 mW.

【0056】記録時の線速はCDの2倍速(2.4m/
s)で、クロック周期は115ナノ秒である。再生評価
にはパルステック製DDU1000テスターを用い、デ
ィスク全面にEFM変調信号を記録した。光ヘッドの波
長は約780nm、NAは約0.5であり、再生光パワ
ーは0.8mWである。再生時には線速度をCDの2倍
速(1.2m/s)まで低下させた。エラーレートはC
D規格で定義された平均ブロックエラーレート(BLE
R)を測定した。BLER測定にはケンウッド社製デコ
ーダー(DR3553)を使用した。DDU1000か
らの出力信号を直接本デコーダーに導入した。
The linear velocity at the time of recording is twice as fast as that of CD (2.4 m /
In s), the clock period is 115 nanoseconds. For reproduction evaluation, a DDU1000 tester manufactured by Pulstec was used, and an EFM modulation signal was recorded on the entire surface of the disk. The wavelength of the optical head is about 780 nm, the NA is about 0.5, and the reproduction light power is 0.8 mW. During reproduction, the linear velocity was reduced to twice the speed of CD (1.2 m / s). The error rate is C
Average block error rate (BLE
R) was measured. A Kenwood decoder (DR3553) was used for the BLER measurement. The output signal from the DDU1000 was directly introduced into this decoder.

【0057】なお、記録信号の品質は、CD−RWの規
格であるオレンジブック・パート3に照らして十分規格
範囲内の特性であった。例えば、再生速度が1倍速
(1.2m/s)のときにジッタの許容値は35ナノ秒
であるが、測定値は15〜20ナノ秒以下であった。
It should be noted that the quality of the recording signal was sufficiently within the standard range in light of Orange Book Part 3 which is the standard of CD-RW. For example, when the reproduction speed is 1 × speed (1.2 m / s), the allowable value of jitter is 35 nanoseconds, but the measured value is 15 to 20 nanoseconds or less.

【0058】(実施例1)層構成を第1保護層(Zn
S)80(SiO220を105nm、Ag5In5Sb
63.5Te26.5記録層を16nm、第2保護層(ZnS)
80(SiO220を42nm、反射層を膜厚160nm
とした。反射層は、Si:0.91重量%、Mg:0.
90重量%、Mn:0.70重量%、Ti:0.15重
量、Feを0.24重量%、Cu、Zn、Crを各々
0.00重量%(検出限界以下)含み、残部Alの純度
は99.8重量%以上であるアルミニウム合金ターゲッ
トをスパッタリングして形成した。
(Example 1) The first protective layer (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 to 105 nm, Ag 5 In 5 Sb
63.5 Te 26.5 recording layer 16 nm, second protective layer (ZnS)
80 (SiO 2 ) 20 42 nm, reflective layer thickness 160 nm
And The reflective layer has Si: 0.91% by weight, Mg: 0.
90% by weight, Mn: 0.70% by weight, Ti: 0.15% by weight, 0.24% by weight of Fe, 0.00% by weight of each of Cu, Zn and Cr (below the detection limit), and the purity of the balance Al. Was formed by sputtering an aluminum alloy target containing 99.8% by weight or more.

【0059】このターゲットは鋳造後、約450℃に加
熱して鍛造されている。本合金ターゲットの組成は鋳造
後にJIS H1305−76による発光分析法で測定
した。ただし、この測定法自体を特に限定するものでは
ない。反射層の成膜は到達真空度2×10-4Pa以下、
Ar圧約0.6Pa、成膜レート約8nm/秒で行っ
た。反射層中の酸素、窒素等の不純物はX線励起光電子
分光での検出感度以下で、全部併せてもほぼ1原子%未
満であると見なせた。
After casting, this target is heated to about 450 ° C. and forged. The composition of this alloy target was measured by an emission analysis method according to JIS H1305-76 after casting. However, this measuring method itself is not particularly limited. The reflective layer is formed by the ultimate vacuum of 2 × 10 −4 Pa or less,
The Ar pressure was about 0.6 Pa and the film formation rate was about 8 nm / sec. Impurities such as oxygen and nitrogen in the reflective layer were below the detection sensitivity in X-ray excitation photoelectron spectroscopy, and were considered to be less than about 1 atomic% in total.

【0060】また、反射層の体積抵抗率は約90nΩ・
m、面積抵抗率は約0.53Ω/ □であった。(Zn
S)80(SiO220保護層の膜密度は3.50g/c
3で理論的バルク密度3.72g/cm3の94%であ
った。成膜直後の記録層は非晶質であり、長軸約70μ
m、短軸約1.3μmに集光した波長830nmのレー
ザー光ビームにより線速3〜4m/sで初期化パワー5
00〜800mWを照射して全面結晶化させ初期(未記
録)状態とした。
The volume resistivity of the reflective layer is about 90 nΩ.
m, and the sheet resistivity was about 0.53 Ω / □. (Zn
S) 80 (SiO 2 ) 20 protective layer has a film density of 3.50 g / c
m 3 was 94% of the theoretical bulk density of 3.72 g / cm 3 . The recording layer immediately after film formation is amorphous and has a long axis of about 70μ.
m, initializing power of 5 at a linear velocity of 3 to 4 m / s by a laser light beam having a wavelength of 830 nm focused on a short axis of about 1.3 μm
The entire surface was crystallized by irradiation with 00 to 800 mW to obtain an initial (unrecorded) state.

【0061】2倍速記録において、記録信号の品質はC
D−RW規格を十分満足するものであった。 本試作デ
ィスクを80℃/85%相対湿度の環境下に1000時
間保存した場合のブロックエラーレート(BLER)の
変化を図4に示す。図4においてArchivalのグ
ラフは、加速試験前に記録された信号を加速試験後に読
み出した場合の信号品質を示すものであり、Shelf
のグラフは、加速試験後に未記録領域に新たに記録した
場合の信号品質を示す。
In double speed recording, the quality of the recording signal is C
It was sufficiently satisfied with the D-RW standard. FIG. 4 shows changes in the block error rate (BLER) when the prototype disk was stored in an environment of 80 ° C./85% relative humidity for 1000 hours. The Archival graph in FIG. 4 shows the signal quality when the signal recorded before the acceleration test is read out after the acceleration test.
The graph of shows the signal quality when newly recorded in the unrecorded area after the acceleration test.

【0062】加速試験1000時間後のArchiva
l特性、Shelf特性いずれにおいてもBLERの増
加はほとんど見られず、良好な保存安定性が得られてい
ることがわかる。
Archiva after 1000 hours of accelerated test
In both the l characteristic and the Shelf characteristic, almost no increase in BLER was observed, indicating that good storage stability was obtained.

【0063】(比較例1、2)反射層を厚さ80nmあ
るいは140nmの純Al(純度99.99%)とした
以外は実施例1と同様にディスクを作成した。反射層の
成膜は到達真空度2×10-4Pa、Ar圧0.54P
a、成膜レートは1.4nm/秒でスパッタして行い、
その体積抵抗率は46nΩ・mであった。実施例1と同
様に初期結晶化を行った。
(Comparative Examples 1 and 2) Discs were prepared in the same manner as in Example 1 except that the reflective layer was made of pure Al having a thickness of 80 nm or 140 nm (purity 99.99%). The film formation of the reflective layer is an ultimate vacuum of 2 × 10 −4 Pa and an Ar pressure of 0.54 P.
a, the deposition rate is 1.4 nm / sec, and the sputtering is performed.
Its volume resistivity was 46 nΩ · m. Initial crystallization was performed in the same manner as in Example 1.

【0064】ディスク製造直後は良好な特性を示した
が、室温で2、3日放置すると反射層膜厚80nm及び
140nmのいずれにおいても、反射層に、結晶粒界に
応力に由来すると思われる100μmオーダーの欠陥が
多数見られ、製造直後に記録された情報を正しく再生す
ることが困難となった。
Immediately after the production of the disk, good characteristics were exhibited, but when left at room temperature for 2 to 3 days, 100 μm, which is considered to be derived from stress in the crystal grain boundary in the reflective layer, at both reflective layer thicknesses of 80 nm and 140 nm. Many defects on the order were found, and it became difficult to correctly reproduce the information recorded immediately after manufacturing.

【0065】(実施例2〜6、比較例3、4)実施例1
の層構成及び成膜条件において、反射層合金ターゲット
組成と反射層膜厚を表−1のように変化させてディスク
を作成した。いずれの場合にも、成膜レートは5nm/
秒〜10nm/秒、体積抵抗率は約50〜100nΩ・
m、面積抵抗率は約0.5〜0.9Ω/□の範囲内であ
った。これらディスクを80℃、85%相対湿度の環境
に500時間保持したのち、再度実施例1と同様にブロ
ックエラーレート(BLER)を測定した。結果を表−
1に示す。
(Examples 2 to 6, Comparative Examples 3 and 4) Example 1
Under the layer structure and film forming conditions of No. 3, the reflective layer alloy target composition and the thickness of the reflective layer were changed as shown in Table 1 to prepare a disk. In either case, the film formation rate is 5 nm /
Second to 10 nm / second, volume resistivity is about 50 to 100 nΩ
m, areal resistivity was in the range of about 0.5 to 0.9 Ω / □. After holding these disks in an environment of 80 ° C. and 85% relative humidity for 500 hours, the block error rate (BLER) was measured again as in Example 1. Table of results
Shown in 1.

【0066】参考として表−2に、伸展材用Al合金の
JIS規格6061、同6063、あるいは、ヨーロッ
パ規格EAA6082合金の規格値を示す。なお、JI
S6061,JIS6063においては、Mnはその他
の不純物として扱われており規定がない。実施例2〜6
は、加速試験500時間後のArchival特性、S
helf特性いずれにおいてもBLERの増加はほとん
ど見られず、良好な保存安定性が得られた。比較例3の
場合は、Fe含有量が0.42重量%と本発明規定の上
限値を超えており、JIS6061規格内ではあるもの
の耐食性に劣ることが分かる。
For reference, Table 2 shows the standard values of Al alloys for extension materials according to JIS standards 6061 and 6063 or European standard EAA6082 alloy. JI
In S6061 and JIS6063, Mn is treated as other impurities and is not specified. Examples 2-6
Is the archival characteristic, S after 500 hours of the acceleration test.
Almost no increase in BLER was observed in any of the half characteristics, and good storage stability was obtained. In the case of Comparative Example 3, the Fe content is 0.42% by weight, which exceeds the upper limit defined by the present invention, and it is understood that the corrosion resistance is inferior although it is within the JIS6061 standard.

【0067】一方、比較例4は有害不純物であるFe含
有量が0.44重量%と高い。また、Si量及びMg量
がともに低すぎる。このため、比較例1の高純度Alに
近い特性を示し、結晶粒界のストレスに由来すると思わ
れる微細な剥離欠陥が生じたものと考えられる。これら
の結果は、既存のAl合金規格内の合金を単に流用する
だけでは本発明の効果が得られないことを示している。
On the other hand, in Comparative Example 4, the content of Fe, which is a harmful impurity, is as high as 0.44% by weight. Moreover, both the amount of Si and the amount of Mg are too low. Therefore, it is considered that the characteristics are similar to those of the high-purity Al of Comparative Example 1 and that the fine peeling defects which are considered to be caused by the stress of the crystal grain boundary are generated. These results indicate that the effect of the present invention cannot be obtained by simply diverting the alloy within the existing Al alloy standard.

【0068】[0068]

【表1】 [Table 1]

【0069】[0069]

【表2】 [Table 2]

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明によれば、高熱伝導率、高耐食性
を有しながら、非常に安価で大量生産に適したAl合金
反射層を提供することができ、コストパフォーマンスに
優れた光学的情報記録用媒体を実現することができる。
According to the present invention, it is possible to provide an Al alloy reflective layer which has high thermal conductivity and high corrosion resistance, is very inexpensive, and is suitable for mass production. A recording medium can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光学的情報記録用媒体の層構成の一例
の説明図
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a layer structure of an optical information recording medium of the present invention.

【図2】本発明の光学的情報記録用媒体の層構成の他の
一例の説明図
FIG. 2 is an explanatory view of another example of the layer structure of the optical information recording medium of the present invention.

【図3】実施例で使用した記録パルスストラテジーの説
明図
FIG. 3 is an explanatory diagram of a recording pulse strategy used in the examples.

【図4】実施例1の光学的情報記録用媒体のBLERの
経時変化を示すグラフ
FIG. 4 is a graph showing changes with time of BLER of the optical information recording medium of Example 1.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1’ 基板 2、2’ 第1保護層 3、3’ 記録層 4、4’ 第2保護層 5、5’ 反射層 1,1 'substrate 2, 2'first protective layer 3,3 'recording layer 4, 4'second protective layer 5,5 'reflective layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K029 AA11 BA23 BB02 BC01 CA05 DC04 DC08 EA01 5D029 MA13 MA14 MA17 5D121 AA05 EE03 EE14 EE30    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 4K029 AA11 BA23 BB02 BC01 CA05                       DC04 DC08 EA01                 5D029 MA13 MA14 MA17                 5D121 AA05 EE03 EE14 EE30

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に少なくとも記録層と反射層とを
有する光学的情報記録用媒体を量産する製造方法であっ
て、 該反射層がスパッタリングによって形成され、 該スパッタリングの際に、該反射層の面積抵抗率をほぼ
一定に保つように該反射層の膜厚を調整することを特徴
とする光学的情報記録用媒体の製造方法。
1. A manufacturing method for mass-producing an optical information recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the reflective layer is formed by sputtering, and the reflective layer is formed during the sputtering. The method for producing an optical information recording medium, characterized in that the film thickness of the reflective layer is adjusted so that the sheet resistivity of the above is kept substantially constant.
【請求項2】 反射層の面積抵抗率の変動幅が±10%
以内となるように該反射層の膜厚を調整する請求項1に
記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
2. The fluctuation range of the sheet resistivity of the reflective layer is ± 10%.
The method for producing an optical information recording medium according to claim 1, wherein the film thickness of the reflective layer is adjusted so as to be within the range.
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