JP2003317946A - Organic el element and manufacturing method for organic el element - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 216
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 49
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 50
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 43
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 39
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- -1 hydroxyethyl group Chemical group 0.000 description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 20
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 19
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 15
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 14
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N (3S,8S,10R,13S,14S,17S)-17-isoquinolin-7-yl-N,N,10,13-tetramethyl-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydro-1H-cyclopenta[a]phenanthren-3-amine Chemical compound CN(C)[C@H]1CC[C@]2(C)C3CC[C@@]4(C)[C@@H](CC[C@@H]4c4ccc5ccncc5c4)[C@@H]3CC=C2C1 IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYRKKGOKRMZEIT-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(2-cyclopropylethoxy)-9-(2-hydroxy-2-methylpropyl)-1h-phenanthro[9,10-d]imidazol-2-yl]-5-fluorobenzene-1,3-dicarbonitrile Chemical compound C1=C2C3=CC(CC(C)(O)C)=CC=C3C=3NC(C=4C(=CC(F)=CC=4C#N)C#N)=NC=3C2=CC=C1OCCC1CC1 PYRKKGOKRMZEIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000379221 Abies nordmanniana Species 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229940127573 compound 38 Drugs 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- LJJQENSFXLXPIV-UHFFFAOYSA-N fluorenylidene Chemical group C1=CC=C2[C]C3=CC=CC=C3C2=C1 LJJQENSFXLXPIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N furazan Chemical compound C=1C=NON=1 JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N naphthalene perylene Chemical group C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 AODWRBPUCXIRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- PIDFDZJZLOTZTM-KHVQSSSXSA-N ombitasvir Chemical compound COC(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@H]1C(=O)NC1=CC=C([C@H]2N([C@@H](CC2)C=2C=CC(NC(=O)[C@H]3N(CCC3)C(=O)[C@@H](NC(=O)OC)C(C)C)=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)C=C1 PIDFDZJZLOTZTM-KHVQSSSXSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005009 perfluoropropyl group Chemical group FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットディスプ
レーの表示装置や電子写真複写機、プリンター等の光
源、照明等に使用される有機ＥＬ素子及びその製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL element used as a light source for a display device of a flat display, an electrophotographic copying machine, a printer or the like, illumination, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、蛍光性もしくはリン光
性の有機化合物を含む薄膜を陰極と陽極で挟んだ構成を
有し、前記薄膜に電子及び正孔を注入して再結合させる
ことにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキ
シトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用し
て発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発
光が可能であり、自己発光型であるために視野角依存性
に富み、視認性が高く、更には薄膜型の完全固体素子で
あるために省スペース等の観点から注目され、実用化研
究への展開が開始されている。2. Description of the Related Art An organic EL device has a structure in which a thin film containing a fluorescent or phosphorescent organic compound is sandwiched between a cathode and an anode, and electrons and holes are injected into the thin film to recombine. It is an element that emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when excitons (exciton) are generated and the inactivation of the exciton, and can emit light at a low voltage of several V to several tens of V. Since it is a self-luminous type, it has a wide viewing angle dependency and high visibility, and since it is a thin film type complete solid state element, it has attracted attention from the viewpoint of space saving etc. Has been done.
【０００３】近年、従来の有機ＥＬの効率を遙かにしの
ぐリン光発光の有機ＥＬ素子がＳ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ
らにより見いだされている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．（１９９９），７５（１），４−６）。また、
Ｃ．Ａｄａｃｈｉらが報告しているように６０ｌｍ／Ｗ
にもおよぶ視感度効率を出す性能を有するものもあり
（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９０，５０４８（２００
１））、この様な素子はディスプレーへの応用や、照明
への応用に期待され、有機ＥＬ素子の大型化、さらに大
量生産の可能性が考えられる。In recent years, phosphorescent organic EL elements that far surpass the efficiency of conventional organic EL have been developed by S.K. R. Forrest
Et al. (Appl. Phys. Le.
tt. (1999), 75 (1), 4-6). Also,
C. 60 lm / W as reported by Adachi et al.
There is also one having a performance of providing a luminous efficiency as high as that of (J. Appl. Phys., 90, 5048 (200
1)), such devices are expected to be applied to displays and lighting, and it is possible that the organic EL devices will become larger and mass-produced.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】通常、有機ＥＬ素子
は、１０-4Ｐａ以下というような高真空を用いた真空蒸
着法で有機層を形成しているが、今後、有機ＥＬ素子の
大型化や大量生産される可能性を考えると、真空蒸着法
による有機層の形成は生産効率及び製造コストの面で好
ましくない。Generally, in an organic EL element, an organic layer is formed by a vacuum deposition method using a high vacuum of 10 −4 Pa or less, but in the future, the size of the organic EL element will be increased. Considering the possibility of mass production, the formation of the organic layer by the vacuum deposition method is not preferable in terms of production efficiency and production cost.
【０００５】また、ドーパントを真空蒸着法により発色
層に含有させる場合には、蒸着の際に基板上でドーパン
トのムラが生じてしまい、これが発色光のムラの原因と
なり品質を低下させてしまう問題がある。これは有機Ｅ
Ｌ素子を大型化する場合にはより顕著な問題となる。さ
らに、複数のドーパントを含有させる場合は、技術的に
も困難となる。Further, when the dopant is contained in the color forming layer by the vacuum vapor deposition method, unevenness of the dopant occurs on the substrate during the vapor deposition, which causes unevenness of the colored light and deteriorates the quality. There is. This is organic E
This becomes a more significant problem when the size of the L element is increased. Further, when a plurality of dopants are contained, it becomes technically difficult.
【０００６】有機ＥＬ素子の有機層の形成においては、
現在の真空蒸着法に代わる方法として、ウェットプロセ
スによる有機層の形成が注目されている。In forming the organic layer of the organic EL element,
As an alternative method to the current vacuum deposition method, the formation of an organic layer by a wet process has attracted attention.
【０００７】しかしながら、ウェットプロセスでの有機
層の形成においては、有機化合物の種類によっては、層
の形成時に結晶化してしまうものもあり、この場合には
外部取り出し効率や視感度効率等を劣化させてしまい、
有機ＥＬ素子の品質を低下させてしまう。However, in the formation of the organic layer by the wet process, some organic compounds may be crystallized during the formation of the layer. In this case, the external extraction efficiency and the luminous efficiency are deteriorated. And
This deteriorates the quality of the organic EL element.
【０００８】また、外部取り出し効率等に優れた高品質
の有機ＥＬ素子の有機層に用いる有機化合物は高純度な
有機化合物である必要がある。通常は有機化合物を昇華
精製を行ってから用いているのであるが、分子量の大き
いものは昇華精製を行うことができず再沈にて精製を行
うのであるが、それだけでは十分に精製が行えていな
い。Further, the organic compound used for the organic layer of the high quality organic EL element which is excellent in the extraction efficiency to the outside needs to be a highly pure organic compound. Usually, an organic compound is used after being purified by sublimation.However, a compound having a large molecular weight cannot be purified by sublimation and is purified by reprecipitation. Absent.
【０００９】本発明は、かかる課題に鑑みてなされたも
のであり、本発明の目的は、高品質の有機ＥＬ素子を簡
易に製造し、製造コストを抑え、有機ＥＬ素子の大型化
が可能な有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供するもの
である。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to easily manufacture a high-quality organic EL element, suppress the manufacturing cost, and increase the size of the organic EL element. An organic EL device and a method for manufacturing the same are provided.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記構
成により達成された。The object of the present invention has been achieved by the following constitution.
【００１１】（１） 対向する電極間に少なくとも発光
層を含む有機層を有する有機ＥＬ素子において、前記有
機層の少なくとも１層は、ガラス転移温度が８０〜２５
０℃であり昇華精製を行った有機化合物を用いてウェッ
トプロセスで形成した層であることを特徴とする有機Ｅ
Ｌ素子。(1) In an organic EL device having an organic layer including at least a light emitting layer between opposed electrodes, at least one of the organic layers has a glass transition temperature of 80 to 25.
Organic E, which is a layer formed by a wet process using an organic compound that has been sublimated and purified at 0 ° C.
L element.
【００１２】（２） 前記有機層の少なくとも１層は、
ガラス転移温度が８０〜２５０℃であり昇華精製を行っ
た有機化合物を２種以上用いてウェットプロセスで形成
した層であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ
素子。(2) At least one of the organic layers is
The organic EL device according to (1), which has a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. and is a layer formed by a wet process using two or more kinds of sublimation-purified organic compounds.
element.
【００１３】（３） 前記有機層を少なくとも３層以上
有することを特徴とする（１）又は（２）に記載の有機
ＥＬ素子。(3) The organic EL device according to (1) or (2), which has at least three organic layers.
【００１４】（４） 前記有機層全てが前記ウェットプ
ロセスで形成した層であることを特徴とする（１）〜
（３）のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。(4) All the organic layers are layers formed by the wet process (1) to
The organic EL element according to any one of (3).
【００１５】（５） 前記ウェットプロセスで形成した
層の少なくとも１層は発光層であり、前記発光層にはホ
スト及びドーパントを含有することを特徴とする（１）
〜（４）のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。(5) At least one of the layers formed by the wet process is a light emitting layer, and the light emitting layer contains a host and a dopant.
~ The organic EL device according to any one of (4).
【００１６】（６） 前記ドーパントはリン光発光する
ことを特徴とする（５）に記載の有機ＥＬ素子。(6) In the organic EL device having the constitution (5), the dopant emits phosphorescence.
【００１７】（７） 前記ホストの３重項エネルギー準
位は、ドーパントの３重項エネルギー準位より大きいこ
とを特徴とする（５）又は（６）に記載の有機ＥＬ素
子。(7) The organic EL device according to (5) or (6), wherein the triplet energy level of the host is higher than the triplet energy level of the dopant.
【００１８】（８） 前記発光層は白色に発光すること
を特徴とする（１）〜（７）のいずれか１項に記載の有
機ＥＬ素子。(8) The organic EL device according to any one of (1) to (7), wherein the light emitting layer emits white light.
【００１９】（９） 前記発光層は青色に発光すること
を特徴とする（１）〜（７）のいずれか１項に記載の有
機ＥＬ素子。(9) The organic EL device according to any one of (1) to (7), wherein the light emitting layer emits blue light.
【００２０】（１０） 対向する電極間に少なくとも発
光層を含む有機層を有する有機ＥＬ素子の製造方法にお
いて、前記有機層の少なくとも１層を、ガラス転移温度
が８０〜２５０℃であり昇華精製を行った有機化合物を
用いてウェットプロセスで形成することを特徴とする有
機ＥＬ素子の製造方法。(10) In a method for producing an organic EL device having an organic layer including at least a light emitting layer between opposed electrodes, at least one of the organic layers has a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. and is subjected to sublimation purification. A method for manufacturing an organic EL element, which is characterized in that the formed organic compound is formed by a wet process.
【００２１】（１１） 前記有機層の少なくとも１層
を、ガラス転移温度が８０〜２５０℃であり昇華精製を
行った有機化合物を２種以上用いてウェットプロセスで
形成することを特徴とする（１０）に記載の有機ＥＬ素
子の製造方法。(11) At least one of the organic layers is formed by a wet process using two or more kinds of organic compounds having a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. and subjected to sublimation purification. The manufacturing method of the organic EL element as described in 1).
【００２２】（１２） 前記有機層は少なくとも３層以
上であることを特徴とする（１０）又は（１１）に記載
の有機ＥＬ素子の製造方法。(12) The method for producing an organic EL device according to (10) or (11), wherein the organic layer is at least three layers or more.
【００２３】（１３） 前記有機層全てを前記ウェット
プロセスで形成することを特徴とする（１０）〜（１
２）のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。(13) All of the organic layers are formed by the wet process, (10) to (1)
2. The method for producing an organic EL device according to any one of 2).
【００２４】（１４） 前記ウェットプロセスで形成す
る層の少なくとも１層は発光層であり、前記発光層には
ホスト及びドーパントを含有することを特徴とする（１
０）〜（１３）のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の
製造方法。(14) At least one of the layers formed by the wet process is a light emitting layer, and the light emitting layer contains a host and a dopant.
0) to the manufacturing method of an organic EL element according to any one of (13).
【００２５】（１５） 前記ドーパントはリン光発光す
ることを特徴とする（１４）に記載の有機ＥＬ素子の製
造方法。(15) The method of manufacturing an organic EL device according to (14), wherein the dopant emits phosphorescence.
【００２６】（１６） 前記ホストの３重項エネルギー
準位は、ドーパントの３重項エネルギー準位より大きい
ことを特徴とする（１４）又は（１５）に記載の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法。(16) The organic E according to (14) or (15), wherein the triplet energy level of the host is higher than the triplet energy level of the dopant.
Manufacturing method of L element.
【００２７】（１７） 前記発光層は白色に発光するこ
とを特徴とする（１０）〜（１６）のいずれか１項に記
載の有機ＥＬ素子の製造方法。(17) The method for manufacturing an organic EL device according to any one of (10) to (16), wherein the light emitting layer emits white light.
【００２８】（１８） 前記発光層は青色に発光するこ
とを特徴とする（１０）〜（１６）のいずれか１項に記
載の有機ＥＬ素子の製造方法。(18) The method for producing an organic EL device according to any one of (10) to (16), wherein the light emitting layer emits blue light.
【００２９】本発明者らは、ガラス転移温度が８０〜２
５０℃である有機化合物はウェットプロセスで有機ＥＬ
素子の有機層の層形成を行っても結晶化がしにくいこと
を発見した。従って本発明者らは、この有機化合物を昇
華精製してからウェットプロセスにて形成した層を有す
る有機ＥＬ素子は、高品質で有機ＥＬ素子の製造が容易
であり、かつ製造コストが抑えられ、大型化が可能であ
ることを見出した。The present inventors have found that the glass transition temperature is 80 to 2
Organic compounds at 50 ° C are organic EL in wet process
It was discovered that crystallization is difficult even when the organic layer of the device is formed. Therefore, the present inventors have found that an organic EL element having a layer formed by a wet process after sublimation purification of this organic compound is of high quality, is easy to manufacture, and has a low manufacturing cost. It was found that the size can be increased.
【００３０】本発明において、有機ＥＬ素子は、対向す
る電極間に少なくとも発光層を含む有機層を有する構成
をしている。ただし、対向する電極間には、有機層以外
の層（例えばフッ化リチウム層や無機金属塩の層、また
はそれらを含有する層など）が任意の位置に配置されて
いてもよい。In the present invention, the organic EL element has a structure having an organic layer including at least a light emitting layer between the electrodes facing each other. However, a layer other than the organic layer (for example, a lithium fluoride layer, a layer of an inorganic metal salt, or a layer containing them) may be disposed at any position between the opposing electrodes.
【００３１】本発明において、有機層は、有機化合物を
含有する層のことをいい、対向する一対の電極から注入
された電子及び正孔が再結合して発光する領域（発光領
域）を有する発光層を有する。In the present invention, the organic layer refers to a layer containing an organic compound, and has a region (light emitting region) in which electrons and holes injected from a pair of electrodes facing each other are recombined to emit light. With layers.
【００３２】前記発光領域は、発光層の層全体であって
もよいし、発光層の厚みの一部分であってもよい。The light emitting region may be the entire layer of the light emitting layer or a part of the thickness of the light emitting layer.
【００３３】本発明の有機ＥＬ素子のウェットプロセス
で形成した層に用いられる有機化合物は、ガラス転移温
度が８０〜２５０℃であり、昇華精製が行われた有機化
合物である。The organic compound used in the layer formed by the wet process of the organic EL device of the present invention is an organic compound having a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. and sublimation purification.
【００３４】ガラス転移温度（Ｔｇ）とは、示差走査熱
量測定法（ＤＳＣ）で測定した値である。The glass transition temperature (Tg) is a value measured by a differential scanning calorimetry (DSC).
【００３５】ガラス転移温度が８０〜２５０℃である有
機化合物は、ウエットプロセスで層形成しても、基板上
で結晶化しにくいので、この有機化合物を用いることで
外部取り出し量子効率や視感度効率等が高く品質のよい
有機ＥＬ素子とすることが可能となる。An organic compound having a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. is difficult to crystallize on the substrate even when a layer is formed by a wet process. Therefore, by using this organic compound, external extraction quantum efficiency, luminous efficiency, etc. It is possible to obtain an organic EL device having high quality and high quality.
【００３６】本発明に用いられる有機化合物は具体的に
は下記一般式（１）〜（９）で表される化合物が好まし
い。The organic compounds used in the present invention are specifically preferably compounds represented by the following general formulas (1) to (9).
【００３７】[0037]
【化１】 [Chemical 1]
【００３８】〔式中、Ａｒはそれぞれ独立に縮環アリー
ル構造または縮環ヘテロアリールを表す。縮環アリー
ル、縮環ヘテロアリールはさらに置換基を有しても良
い。ｎは２〜６の整数である。[In the formula, each Ar independently represents a condensed aryl structure or a condensed heteroaryl. The condensed ring aryl and the condensed ring heteroaryl may further have a substituent. n is an integer of 2-6.
【００３９】置換基には、アルキル基（例えばメチル
基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、
メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオ
ロプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフル
オロ−ｔ−ブチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキ
ル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基
等）、アラルキル基（例えばベンジル基、２−フェネチ
ル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル
基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基等）、ヘテロ
環基（例えばフラン、チオフェン、ピロール、イミダゾ
ール、ピラゾール、１，２，４−トリアゾール、１，
２，３−トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、イ
ソオキサゾール、イソチアゾール、フラザン、ピリジ
ン）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、
イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基
（例えばフェノキシ基等）、アシル基、カルボニル基等
が挙げられる。これらの基はさらに置換されていてもよ
く、前記置換基としては、ハロゲン原子、水素原子、ト
リフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ
基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。またこれらは
任意の置換基を複数個それぞれ独立に有していてもよ
く、その複数の置換基が互いに結合してさらに環を形成
してもよい。〕As the substituent, an alkyl group (eg, methyl group, ethyl group, isopropyl group, hydroxyethyl group,
Methoxymethyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluoro-n-butyl group, perfluoro-t-butyl group, t-butyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), Aralkyl group (eg, benzyl group, 2-phenethyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, p-tolyl group, p-chlorophenyl group, etc.), heterocyclic group (eg, furan, thiophene, pyrrole, imidazole, pyrazole) , 1,2,4-triazole, 1,
2,3-triazole, oxazole, thiazole, isoxazole, isothiazole, furazan, pyridine), alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group,
Examples thereof include an isopropoxy group, a butoxy group), an aryloxy group (for example, a phenoxy group), an acyl group, a carbonyl group and the like. These groups may be further substituted, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydrogen atom, a trifluoromethyl group, a cyano group, a nitro group, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group and an alkylthio group. , Dialkylamino group, dibenzylamino group, diarylamino group and the like. Further, these may each independently have a plurality of arbitrary substituents, and the plurality of substituents may be bonded to each other to further form a ring. ]
【００４０】[0040]
【化２】 [Chemical 2]
【００４１】〔式中、Ａｒは一般式（１）で説明したＡ
ｒと同じである。Ｄは置換基にＡｒを有する窒素原子又
は硫黄原子又は酸素原子である。ｎは２〜６の整数であ
る。〕[In the formula, Ar is A described in the general formula (1).
same as r. D is a nitrogen atom, a sulfur atom or an oxygen atom having Ar as a substituent. n is an integer of 2-6. ]
【００４２】[0042]
【化３】 [Chemical 3]
【００４３】〔式中、Ａｒは一般式（１）で説明したＡ
ｒと同じである。Ａは窒素原子又はリン原子又はホウ素
原子を表す。ｎは２又は３の整数である。〕[In the formula, Ar is A described in the general formula (1).
same as r. A represents a nitrogen atom, a phosphorus atom or a boron atom. n is an integer of 2 or 3. ]
【００４４】[0044]
【化４】 [Chemical 4]
【００４５】〔式中、Ａｒは一般式（１）で説明したＡ
ｒと同じである。Ｂ1は置換基にＡｒを有する窒素原子
又は酸素原子である。Ｂ2は炭素原子又は酸素原子であ
る。〕[In the formula, Ar is A described in the general formula (1).
same as r. B 1 is a nitrogen atom or oxygen atom having Ar as a substituent. B 2 is a carbon atom or an oxygen atom. ]
【００４６】[0046]
【化５】 [Chemical 5]
【００４７】〔式中、Ａｒは一般式（１）で説明したＡ
ｒと同じである。Ａは、一般式（３）で説明したＡと同
じである。〕[In the formula, Ar is A described in the general formula (1).
same as r. A is the same as A described in the general formula (3). ]
【００４８】[0048]
【化６】 [Chemical 6]
【００４９】〔式中、Ａｒは一般式（１）と同じであ
る。Ａは、一般式（３）で説明したＡと同じである。〕[In the formula, Ar is the same as in the general formula (1). A is the same as A described in the general formula (3). ]
【００５０】[0050]
【化７】 [Chemical 7]
【００５１】〔式中、Ａｒは一般式（１）と同じであ
る。Ａは、一般式（３）で説明したＡと同じである。〕[In the formula, Ar is the same as in the general formula (1). A is the same as A described in the general formula (3). ]
【００５２】[0052]
【化８】 [Chemical 8]
【００５３】〔式中、Ａｒは一般式（１）と同じであ
る。Ａは、一般式（３）で説明したＡと同じである。ｎ
は１〜３の整数である。〕
以下に一般式（１）〜（８）の化合物例を示すがこれに
限られるものではない。[In the formula, Ar is the same as in the general formula (1). A is the same as A described in the general formula (3). n
Is an integer of 1 to 3. Examples of compounds represented by formulas (1) to (8) are shown below, but the invention is not limited thereto.
【００５４】[0054]
【化９】 [Chemical 9]
【００５５】[0055]
【化１０】 [Chemical 10]
【００５６】[0056]
【化１１】 [Chemical 11]
【００５７】[0057]
【化１２】 [Chemical 12]
【００５８】[0058]
【化１３】 [Chemical 13]
【００５９】[0059]
【化１４】 [Chemical 14]
【００６０】[0060]
【化１５】 [Chemical 15]
【００６１】[0061]
【化１６】 [Chemical 16]
【００６２】[0062]
【化１７】 [Chemical 17]
【００６３】[0063]
【化１８】 [Chemical 18]
【００６４】[0064]
【化１９】 [Chemical 19]
【００６５】[0065]
【化２０】 [Chemical 20]
【００６６】[0066]
【化２１】 [Chemical 21]
【００６７】[0067]
【化２２】 [Chemical formula 22]
【００６８】[0068]
【化２３】 [Chemical formula 23]
【００６９】[0069]
【化２４】 [Chemical formula 24]
【００７０】[0070]
【化２５】 [Chemical 25]
【００７１】[0071]
【化２６】 [Chemical formula 26]
【００７２】本発明において、有機層は、その機能によ
って大きくは正孔輸送層と電子輸送層に分類することが
できる。さらに細かく機能分類すると、正孔注入層、正
孔輸送層、電子阻止層、電子注入層、電子輸送層、正孔
阻止層等がある。In the present invention, the organic layer can be roughly classified into a hole transport layer and an electron transport layer depending on its function. When further classified into functions, there are a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, and the like.
【００７３】本発明において、対向する一対の電極およ
び有機層の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、こ
れに限定されるものではない。
（ｉ）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／電子輸送
層／陰極
（iii）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子輸送型発
光層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送型発光層／電子輸送層／陰極
（ｖ）陽極／正孔輸送層／正孔輸送型発光層／電子輸送
層／陰極
（vi）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／正孔輸送型発光
層／電子輸送層／電子注入層
（vii）陽極／正孔輸送層／電子輸送型発光層／電子輸
送層／陰極
（viii）陽極／正孔輸送型発光層／電子輸送層／電子注
入層／陰極
（ix）陽極／正孔注入層／正孔輸送型発光層／正孔阻止
層／電子輸送層／電子注入層／陰極
上記において、正孔輸送型発光層および電子輸送型発光
層が本発明における発光層に該当する。In the present invention, preferred specific examples of the layer structure of the pair of electrodes and the organic layer facing each other are shown below, but the invention is not limited thereto. (I) Anode / hole transport layer / electron transport type light emitting layer / cathode (ii) anode / hole transport layer / electron transport type light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) anode / hole injection layer / hole Transport layer / electron transport type light emitting layer / cathode (iv) Anode / hole transport type light emitting layer / electron transport layer / cathode (v) anode / hole transport layer / hole transport type light emitting layer / electron transport layer / cathode ( vi) Anode / hole injection layer / hole transport layer / hole transport type light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer (vii) anode / hole transport layer / electron transport type light emitting layer / electron transport layer / cathode ( viii) Anode / hole transport type light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (ix) anode / hole injection layer / hole transport type light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / Cathode In the above, the hole transport type light emitting layer and the electron transport type light emitting layer correspond to the light emitting layer in the present invention.
【００７４】本発明の有機ＥＬ素子の対向する電極は、
上記の陰極、陽極となるが、陽極としては、仕事関数の
大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及
びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用い
られる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなど
の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、
ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）など非晶質で透
明導電膜を作製可能な材料を用いても良い。該陽極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望
の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン
精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程
度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の
形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この
陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より
大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料に
もよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２
００ｎｍの範囲で選ばれる。The opposing electrodes of the organic EL device of the present invention are
The above-mentioned cathode and anode are used, and as the anode, those having a high work function (4 eV or more) metal, alloy, electrically conductive compound and a mixture thereof as an electrode substance are preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO),
Conductive transparent materials such as SnO 2 and ZnO are mentioned.
Alternatively, a material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that can form an amorphous transparent conductive film may be used. The anode is
A thin film may be formed from these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not required so much (about 100 μm or more), A pattern may be formed through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material. When the emitted light is taken out from this anode, it is desirable that the transmittance is higher than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, the film thickness depends on the material, but is usually 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 2
It is selected in the range of 00 nm.
【００７５】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネ
シウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合
物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リ
チウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウ
ム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニ
ウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム
／アルミニウム混合物、アルミニウムなどが好適であ
る。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリン
グなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作
製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は
数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。な
お、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰
極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光効率
が向上し好都合である。On the other hand, as the cathode, a metal having a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode substance is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum /
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, indium, lithium / aluminum mixture, rare earth metal and the like can be mentioned. Among these, from the viewpoint of electron injecting property and durability against oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value, for example, a magnesium / silver mixture or magnesium. Aluminium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, lithium / aluminum mixture, aluminum and the like are preferable. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 nm to 1 μm.
m, preferably 50 to 200 nm. In order to transmit the emitted light, it is convenient that either the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or semi-transparent and the luminous efficiency is improved.
【００７６】次に、注入層、正孔輸送層、電子輸送層等
について説明する。注入層は必要に応じて設け、電子注
入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層ま
たは正孔輸送層の間、および、陰極と発光層または電子
輸送層との間に存在させてもよい。Next, the injection layer, hole transport layer, electron transport layer and the like will be described. The injection layer is provided as necessary, and has an electron injection layer and a hole injection layer, and is present between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer as described above. You may let me.
【００７７】注入層とは、駆動電圧低下や発光効率向上
のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有
機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０
日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極
材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に記載されて
おり、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層
（陰極バッファー層）とがある。The injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to reduce the driving voltage and improve the light emission efficiency, and is referred to as "organic EL element and its industrial front line (November 30, 1998).
(Nippon NTS Co., Ltd.) ”, Chapter 2, Chapter 2," Electrode Materials "(Pages 123 to 166), describes in detail the hole injection layer (anode buffer layer) and electron injection. There is a layer (cathode buffer layer).
【００７８】陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開
平９−４５４７９号、同９−２６００６２号、同８−２
８８０６９号等にもその詳細が記載されており、具体例
として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン
バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッ
ファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリア
ニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性
高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。The anode buffer layer (hole injection layer) is described in JP-A Nos. 9-45479, 9-260062 and 8-2.
The details are also described in 88069 and the like, and specific examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by copper phthalocyanine, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, polyaniline (emeraldine) and polythiophene. And a polymer buffer layer using a conductive polymer.
【００７９】陰極バッファー層（電子注入層）は、特開
平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−
７４５８６号等にもその詳細が記載されており、具体的
にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属
バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金
属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表され
るアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。The cathode buffer layer (electron injection layer) is described in JP-A Nos. 6-325871, 9-17574 and 10-.
The details are also described in No. 74586 and the like, specifically, metal buffer layers typified by strontium and aluminum, alkali metal compound buffer layers typified by lithium fluoride, and alkali typified by magnesium fluoride. Examples thereof include an earth metal compound buffer layer and an oxide buffer layer typified by aluminum oxide.
【００８０】上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜
であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は
０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 to 100 nm, although it depends on the material.
【００８１】阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜
の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものであ
る。例えば特開平１１−２０４２５８号、同１１−２０
４３５９号、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線
（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発
行）」の第２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホー
ルブロック）層がある。As described above, the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layers of the organic compound thin film. For example, JP-A-11-204258 and JP-A-11-20
4359, and "Hole blocking (hole blocking) layer" described on page 237 of "organic EL device and its industrial frontier (published on Nov. 30, 1998, NTS Co., Ltd.)".
【００８２】正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層で
あり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能
力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔
を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させる
ことができる。The hole blocking layer is an electron transporting layer in a broad sense, and is made of a material having a function of transporting electrons and having a very small ability to transport holes, and blocks holes while transporting electrons. As a result, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
【００８３】一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸
送層であり、正孔をを輸送する機能を有しつつ電子を輸
送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送し
つつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向
上させることができる。On the other hand, the electron blocking layer is a hole transporting layer in a broad sense, and is made of a material having a function of transporting holes and having a significantly small ability to transport electrons. By blocking the above, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
【００８４】正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も
正孔輸送層に含まれる。The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
【００８５】正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も
正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数
層設けることができる。The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in the broad sense, the hole injection layer and the electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer may be a single layer or a plurality of layers.
【００８６】正孔輸送材料としては、特に制限はなく、
従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料と
して慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔
輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができる。The hole transport material is not particularly limited,
Conventionally, in an optical transmission material, an arbitrary material is selected and used from materials conventionally used as charge injection / transport materials for holes and known materials used in hole injection layers and hole transport layers of EL elements. be able to.
【００８７】正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸
送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機
物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾー
ル誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及
びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ
ールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサ
ゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレ
ノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シ
ラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分
子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げら
れる。The hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either an organic substance or an inorganic substance. For example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amino-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative. Examples thereof include derivatives, silazane derivatives, aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers.
【００８８】正孔輸送材料としては、上記のものを使用
することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三
級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族
第三級アミン化合物を用いることが好ましい。As the hole transport material, the above-mentioned materials can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
【００８９】芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）
−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（Ｔ
ＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェ
ニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−
４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−
ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニル
エーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオー
ドリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミ
ン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ
−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，
Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベン
ゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
スチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらに
は、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載され
ている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例え
ば４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６
８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニッ
トが３つスターバースト型に連結された４，４’，
４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）な
どが挙げられる。Typical examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds are N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'.
-Diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)
-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (T
PD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ', N'-
Tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl;
1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl)-
4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-
Di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N,
N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ',
N'-Tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) ) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N,
N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and further described in US Pat. No. 5,061,569. Having two fused aromatic rings in the molecule, such as 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086.
No. 88, 4,3 ', in which three triphenylamine units are linked in a starburst type,
4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) and the like can be mentioned.
【００９０】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。Further, it is also possible to use a polymer material in which these materials are introduced into the polymer chain or where these materials are used as a polymer main chain.
【００９１】また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣなどの無
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。Inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injecting material and the hole transporting material.
【００９２】また、本発明においてはリン光ドーパント
を含有する発光層に隣接してなる正孔輸送層の正孔輸送
材料の励起３重項エネルギーは、リン光ドーパントの励
起３重項エネルギーより大きいことが好ましい。つま
り、発光層に隣接する正孔輸送層の正孔輸送材料は、正
孔輸送能を有しつつかつ、大きい励起活性エネルギーを
有し、なおかつ高Ｔｇである化合物が好ましい。Further, in the present invention, the excited triplet energy of the hole transport material of the hole transport layer adjacent to the light emitting layer containing the phosphorescent dopant is larger than the excited triplet energy of the phosphorescent dopant. It is preferable. That is, the hole transport material of the hole transport layer adjacent to the light emitting layer is preferably a compound having a hole transport ability, a large excitation activity energy, and a high Tg.
【００９３】このような有機化合物は具体的な一例とし
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。即ち、メチル基、ｔ−ブチル基、イソ
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ正孔輸送化合物のＴｇを下げることなく、
多少の正孔輸送能の低下が見られるが短波長発光を有す
る正孔輸送化合物が得られる。但し、置換基は上記に限
定するものではない。As a specific example, such an organic compound can be obtained by making the π-electron plane non-planar due to an effect such as steric hindrance. Examples include the introduction of a sterically hindering substituent at the ortho position (viewed from the nitrogen atom) of the aryl group of triarylamine. This enhances the twist angle. That is, by effectively disposing a substituent having steric hindrance such as a peri-position hydrogen atom of a methyl group, a t-butyl group, an isopropyl group, or a naphthyl group in an organic compound, the Tg of a high Tg hole transport compound is increased. Without lowering
A hole-transporting compound having a short-wavelength emission is obtained although the hole-transporting ability is slightly lowered. However, the substituent is not limited to the above.
【００９４】また、芳香環に共役する基を導入する場合
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。It can also be obtained by introducing a group conjugated to an aromatic ring into a non-conjugated position (for example, in the case of triphenylamine, a meta position of a phenyl group).
【００９５】このように立体障害置換基を有する正孔輸
送材料及び非共役型正孔輸送材料の化合物例を以下に挙
げるがこれに限定されるものではない。Examples of the compound of the hole transport material and the non-conjugated hole transport material having the sterically hindered substituent in this way are shown below, but the compound is not limited thereto.
【００９６】[0096]
【化２７】 [Chemical 27]
【００９７】[0097]
【化２８】 [Chemical 28]
【００９８】[0098]
【化２９】 [Chemical 29]
【００９９】[0099]
【化３０】 [Chemical 30]
【０１００】[0100]
【化３１】 [Chemical 31]
【０１０１】[0101]
【化３２】 [Chemical 32]
【０１０２】[0102]
【化３３】 [Chemical 33]
【０１０３】[0103]
【化３４】 [Chemical 34]
【０１０４】[0104]
【化３５】 [Chemical 35]
【０１０５】[0105]
【化３６】 [Chemical 36]
【０１０６】[0106]
【化３７】 [Chemical 37]
【０１０７】この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、
例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、イン
クジェット法、ＬＢ法などの公知の方法により、薄膜化
することにより形成することができる。正孔輸送層の膜
厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ
程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二
種以上からなる一層構造であっても良い。This hole transport layer contains the above hole transport material,
For example, it can be formed by forming a thin film by a known method such as a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, an inkjet method, an LB method. The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 μm.
It is a degree. The hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the above materials.
【０１０８】電子輸送層とは電子を輸送する機能を有す
る材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も
電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数
層設けることができる。The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, the electron injection layer and the hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer may be a single layer or a plurality of layers.
【０１０９】電子輸送材料としては、特に制限はなく、
従来のＥＬ素子の電子輸送材料に使用される公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。The electron transport material is not particularly limited,
Any known material can be selected and used from the known materials used for the electron transport material of conventional EL devices.
【０１１０】この電子輸送材料の例としては、フェナン
トロリン誘導体、ビピリジン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料、電子
注入材料として用いることができる。Examples of this electron transport material include phenanthroline derivatives, bipyridine derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as naphthaleneperylene, carbodiimide, and fluorenylidene. Examples include methane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives. Further, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which an oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group are also used as an electron transport material and an electron injection material. be able to.
【０１１１】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。また金属錯体を用いることも
できる。Further, it is also possible to use a polymer material in which these materials are introduced into the polymer chain or where these materials are used as a polymer main chain. A metal complex can also be used.
【０１１２】また、本発明においてはリン光ドーパント
を含有する発光層に隣接してなる電子輸送層の電子輸送
材料の励起３重項エネルギーは、リン光ドーパントの励
起３重項エネルギーより大きいことが好ましい。つま
り、発光層に隣接する電子輸送層の電子輸送材料は、電
子輸送能を有しつつかつ、大きい励起活性エネルギーを
有し、なおかつ高Ｔｇである化合物が好ましい。In the present invention, the excited triplet energy of the electron transport material of the electron transport layer adjacent to the light emitting layer containing the phosphorescent dopant is larger than the excited triplet energy of the phosphorescent dopant. preferable. That is, the electron transporting material of the electron transporting layer adjacent to the light emitting layer is preferably a compound having an electron transporting ability, a large excitation activation energy, and a high Tg.
【０１１３】このような有機化合物は具体的な一例とし
てはπ電子平面を立体障害等の効果により非平面的する
ことで得られる。例としてはトリアリールアミンのアリ
ール基のオルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の
置換基を導入することが挙げられる。これによりねじれ
角を増強される。As a specific example, such an organic compound can be obtained by making the π-electron plane non-planar due to an effect such as steric hindrance. Examples include the introduction of a sterically hindering substituent at the ortho position (viewed from the nitrogen atom) of the aryl group of triarylamine. This enhances the twist angle.
【０１１４】すなわち、メチル基、ｔ−ブチル基、イソ
プロピル基、ナフチル基のペリ位水素原子等の立体障害
のある置換基を有機化合物内に効果的に配置することに
より、高Ｔｇ電子輸送化合物のＴｇを下げることなく、
多少の電子輸送能の低下が見られるが短波長発光を有す
る電子輸送化合物が得られる。但し、置換基は上記に限
定するものではない。That is, by effectively arranging a sterically hindering substituent such as a peri-position hydrogen atom of a methyl group, a t-butyl group, an isopropyl group or a naphthyl group in an organic compound, a high Tg electron transporting compound can be obtained. Without lowering Tg
An electron-transporting compound having a short-wavelength emission is obtained although the electron-transporting ability is slightly lowered. However, the substituent is not limited to the above.
【０１１５】また、芳香環に共役する基を導入する場合
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。Alternatively, when a group conjugated to an aromatic ring is introduced, it is also introduced at a non-conjugated position (for example, in the case of triphenylamine, a meta position of a phenyl group).
【０１１６】このように立体障害置換基を有する電子輸
送材料および非共役型電子輸送材料の化合物例として、
先に挙げた２−７〜２−１１（４−１〜４−５とす
る）、２−１２（４−９）、２−１３（４−１０）や、
以下のものが挙げられるがこれに限定されるものではな
い。Examples of compounds of the electron-transporting material and the non-conjugated electron-transporting material having the sterically hindered substituents are as follows.
2-7 to 2-11 (referred to as 4-1 to 4-5), 2-12 (4-9), 2-13 (4-10), and
The following may be mentioned, but the present invention is not limited thereto.
【０１１７】[0117]
【化３８】 [Chemical 38]
【０１１８】この電子輸送層は、上記化合物を、例えば
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、イ
ンクジェット法などの公知の薄膜化法により製膜して形
成することができる。電子輸送層、電子注入層としての
膜厚は、特に制限はないが、通常は０．１ｎｍ〜５μｍ
の範囲で選ばれる。この電子輸送層、電子注入層は、こ
れらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一層構造
であってもよい。This electron transporting layer can be formed by forming the above compound into a film by a known thinning method such as a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method or an ink jet method. The thickness of the electron transport layer and the electron injection layer is not particularly limited, but is usually 0.1 nm to 5 μm.
It is selected in the range of. The electron-transporting layer and the electron-injecting layer may have a single-layer structure made of one or more of these electron-transporting materials.
【０１１９】本発明に係る有機ＥＬ素子において、有機
化合物薄膜を構成する全材料のそれぞれのＴｇは、１０
０℃以上であることが、有機ＥＬ素子の寿命を延ばすこ
とになり好ましい。また、有機ＥＬ素子自体にフレキシ
ブル性を与えることになる。Ｔｇは、示差走査熱量測定
法（ＤＳＣ）により測定される。In the organic EL device according to the present invention, Tg of all the materials constituting the organic compound thin film is 10
It is preferable that the temperature is 0 ° C. or higher because the life of the organic EL element is extended. In addition, the organic EL element itself is given flexibility. Tg is measured by differential scanning calorimetry (DSC).
【０１２０】正孔輸送層、電子輸送層は単層もしくは複
数層設けることができる。本発明の有機ＥＬ素子は、有
機層の少なくとも１層が、ガラス転移温度が８０〜２５
０℃であり昇華精製を行った有機化合物を２種以上用い
てウェットプロセスで形成した層であることが好まし
い。これにより、ウェットプロセスでの層形成時に有機
化合物が結晶化するのをより一層抑えることができるよ
うになり、一段と高品質の有機ＥＬ素子とすることがで
きる。The hole transport layer and the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers. In the organic EL device of the present invention, at least one of the organic layers has a glass transition temperature of 80 to 25.
It is preferably a layer formed at a temperature of 0 ° C. by a wet process using two or more kinds of sublimation-purified organic compounds. As a result, it becomes possible to further suppress the crystallization of the organic compound during the layer formation in the wet process, and it is possible to obtain a higher quality organic EL element.
【０１２１】本発明の有機ＥＬ素子においては、ウェッ
トプロセスで形成した層に隣接する有機層を有する場合
は、ウェットプロセスで用いた溶媒は、該隣接する有機
層に含有される有機化合物を溶解しにくい溶媒を用いる
ことが好ましい。When the organic EL device of the present invention has an organic layer adjacent to the layer formed by the wet process, the solvent used in the wet process dissolves the organic compound contained in the adjacent organic layer. It is preferable to use a difficult solvent.
【０１２２】このようにすることで、先に形成した有機
層の上にウェットプロセスで有機層を形成するような場
合に、ウェットプロセス時に用いる溶媒が、先に形成し
た有機層の有機化合物を溶解してしまうことを防止し、
より品質の高い有機ＥＬ素子を提供することができる。By doing so, when the organic layer is formed on the previously formed organic layer by the wet process, the solvent used in the wet process dissolves the organic compound of the previously formed organic layer. To prevent
It is possible to provide a higher quality organic EL element.
【０１２３】このような条件に当てはまる溶媒を選択す
るのには、溶解度パラメータ等を参照することができ
る。In order to select a solvent which meets such conditions, solubility parameters and the like can be referred to.
【０１２４】本発明の有機ＥＬ素子においては、有機層
として、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の３層を有す
ることが好ましく、これにより、高品質な有機ＥＬ素子
を提供することができる。In the organic EL device of the present invention, it is preferable that the organic layer has three layers of a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer, whereby a high quality organic EL device can be provided. it can.
【０１２５】本発明の有機ＥＬ素子においては、有機層
全てがガラス転移温度が８０〜２５０℃であり昇華精製
した有機化合物を用いてウェットプロセスにて形成した
層であることが好ましい。このような有機ＥＬ素子は、
より高品質であり、有機ＥＬ素子を簡易に製造すること
ができ、コストも削減でき、大型化も可能となる。In the organic EL device of the present invention, all the organic layers are preferably layers having a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. and formed by a wet process using an organic compound purified by sublimation. Such an organic EL device is
The quality is higher, the organic EL element can be easily manufactured, the cost can be reduced, and the size can be increased.
【０１２６】本発明において、発光層はドーパント及び
ホストを有することが好ましい。これにより輝度、視感
効率、及び外部取り出し効率等を向上させることができ
品質を高めることができる。In the present invention, the light emitting layer preferably contains a dopant and a host. As a result, the brightness, the luminous efficiency, the external extraction efficiency, etc. can be improved and the quality can be improved.
【０１２７】ホストとドーパントとは、発光層を２種類
以上の化合物から構成し、前記２種以上の化合物の混合
比（質量）で多い方がホストであり、少ない方がドーパ
ントである。例えば発光層をＡ化合物、Ｂ化合物という
２種で構成しその混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば
Ａ化合物がドーパントであり、Ｂ化合物がホストであ
る。As for the host and the dopant, the light-emitting layer is composed of two or more kinds of compounds, and the larger the mixing ratio (mass) of the two or more kinds of compounds is the host, the smaller is the dopant. For example, if the light emitting layer is composed of two kinds of compounds, A compound and B compound, and the mixing ratio is A: B = 10: 90, the A compound is the dopant and the B compound is the host.
【０１２８】更に発光層をＡ化合物、Ｂ化合物、Ｃ化合
物の３種から構成しその混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１
０：８５であればＡ化合物、Ｂ化合物がドーパントであ
り、Ｃ化合物がホストである。Further, the light emitting layer is composed of three kinds of A compound, B compound and C compound, and the mixing ratio thereof is A: B: C = 5: 1.
When it is 0:85, the A compound and the B compound are the dopants, and the C compound is the host.
【０１２９】ドーパントの混合比は好ましくは質量で
０．００１％以上５０％未満であり、ホストの混合比は
好ましくは質量で５０％以上１００％未満である。The mixing ratio of the dopant is preferably 0.001% or more and less than 50% by mass, and the mixing ratio of the host is preferably 50% or more and less than 100% by mass.
【０１３０】次にドーパントについて述べる。原理とし
ては２つ挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト
上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状
態が生成し、このエネルギーをドーパントに移動させる
ことでドーパントからの発光を得るというエネルギー移
動型、もう一つはドーパントがキャリアトラップとな
り、ドーパント化合物上でキャリアの再結合が起こりド
ーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ
型であるが、いずれの場合においても、ドーパント化合
物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態の
エネルギーよりも低いことが条件である。Next, the dopant will be described. There are two principles. One is that recombination of carriers occurs on the host where carriers are transported, an excited state of the host compound is generated, and this energy is transferred to the dopant to obtain light emission from the dopant. Energy transfer type, and the other is the carrier trap type in which the dopant serves as a carrier trap and carrier recombination occurs on the dopant compound, and light emission from the dopant is obtained, but in both cases, excitation of the dopant compound The condition is that the state energy is lower than the excited state energy of the host compound.
【０１３１】また、エネルギー移動型ではエネルギー移
動をしやすい条件として、ホストの発光とドーパントの
吸収の重なり積分が大きい方が良い。キャリアトラップ
型ではキャリアトラップしやすいエネルギー関係である
ことが必要である。例えば電子のキャリアトラップはホ
ストの電子親和力（ＬＵＭＯレベル）よりもドーパント
の電子親和力（ＬＵＭＯレベル）の方が大きい必要があ
る。逆に正孔のキャリアトラップはドーパントのイオン
化ポテンシャル（ＨＯＭＯレベル）よりもドーパントの
イオン化ポテンシャル（ＨＯＭＯレベル）が小さい必要
がある。Further, in the energy transfer type, it is preferable that the overlap integral of the emission of the host and the absorption of the dopant is large as a condition for facilitating the energy transfer. The carrier trap type needs to have an energy relationship that facilitates carrier trapping. For example, in the electron carrier trap, the electron affinity (LUMO level) of the dopant needs to be larger than the electron affinity (LUMO level) of the host. On the other hand, the hole carrier trap needs to have a smaller dopant ionization potential (HOMO level) than the dopant ionization potential (HOMO level).
【０１３２】これらのことから、ドーパントには色純度
を含めた発光色と発光効率からドーパント化合物の選択
が可能で、ホスト化合物はキャリア輸送性が良く、更に
上記のエネルギー関係を満たすものから選ばれる。From the above, it is possible to select a dopant compound as a dopant from the viewpoint of emission color including color purity and emission efficiency, and the host compound is selected from those having good carrier transportability and satisfying the above energy relationship. .
【０１３３】発光層のドーパントは、有機ＥＬ素子のド
ーパントとして使用される公知のものの中から任意のも
のを選択して用いることができるが、蛍光発光又はリン
光発光する有機化合物または錯体であることが好まし
い。The dopant for the light-emitting layer may be selected from known ones used as dopants for organic EL devices, and it should be an organic compound or complex that emits fluorescence or phosphorescence. Is preferred.
【０１３４】蛍光を発するドーパントとしてはレーザー
色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が好まし
い。As the dopant that emits fluorescence, a compound represented by a laser dye and having a high fluorescence quantum yield is preferable.
【０１３５】本発明においては、発光層にリン光発光す
るドーパントを含有させることが特に好ましく、これに
より、より、輝度、視感効率、及び外部取り出し効率を
高くすることができ、照明としても十分利用できるよう
になる。In the present invention, it is particularly preferable that the light emitting layer contains a dopant that emits phosphorescence, whereby the brightness, the luminous efficiency, and the external extraction efficiency can be further increased, and the light emitting layer is also sufficient for illumination. Will be available.
【０１３６】リン光発光するドーパントとしては室温で
リン光発光可能な化合物、例えばイリジウム錯体、白金
錯体、ユーロピウム錯体が望ましいがこれに限定されな
い。As the dopant that emits phosphorescence, a compound capable of emitting phosphorescence at room temperature, such as an iridium complex, a platinum complex, or a europium complex is preferable, but not limited thereto.
【０１３７】以下にドーパント材料を挙げるがこれに限
定されるものではない。The dopant materials are listed below, but the invention is not limited thereto.
【０１３８】[0138]
【化３９】 [Chemical Formula 39]
【０１３９】[0139]
【化４０】 [Chemical 40]
【０１４０】[0140]
【化４１】 [Chemical 41]
【０１４１】本発明においては、発光層を白色又は青色
に発光させることが好ましい。有機ＥＬ素子の発光層を
白色に発光させることにより、照明としても十分利用で
きるようになる。In the present invention, it is preferable that the light emitting layer emits white or blue light. By making the light emitting layer of the organic EL element emit white light, it can be sufficiently used as illumination.
【０１４２】有機ＥＬ素子の発光層を青色に発光させる
ことにより、フィルター等を用いて赤色、緑色に変換す
ることが可能となり、有機ＥＬ素子でのフルカラー化を
容易に行うことができる。By making the light emitting layer of the organic EL element emit blue light, it becomes possible to convert it into red and green by using a filter or the like, and it is possible to easily realize full color in the organic EL element.
【０１４３】特に、本発明の有機ＥＬ素子でリン光ドー
パントを用いる場合、ホストの３重項エネルギー準位
は、ドーパントの３重項エネルギー準位より大きいこと
が好ましい。これにより、ホストによるドーパントのリ
ン光発光の妨害を防止することができるので、輝度、視
感効率、及び外部取り出し効率を高くすることができ、
品質をより高めることができる。In particular, when the phosphorescent dopant is used in the organic EL device of the present invention, the triplet energy level of the host is preferably higher than the triplet energy level of the dopant. As a result, it is possible to prevent the host from interfering with the phosphorescent emission of the dopant, so that it is possible to increase the luminance, the luminous efficiency, and the external extraction efficiency.
The quality can be improved.
【０１４４】本発明に用いることができるホストとして
は、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子で用いられる化
合物を用いることができるが、正孔輸送能、電子輸送能
を有しつつかつ、大きい励起３重項エネルギーを有し、
なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ま
しい。The host that can be used in the present invention is not particularly limited, and compounds that have been conventionally used in organic EL devices can be used. Has triplet energy,
Furthermore, a compound having a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
【０１４５】このような有機化合物は、例えばπ電子平
面を立体障害等の効果により非平面的にすることで得ら
れる。例としてはトリアリールアミンのアリール基のオ
ルト位（窒素原子から見た）に立体障害性の置換基を導
入することが挙げられる。これによりねじれ角を増強さ
れる。即ち、メチル基、ｔ−ブチル基、イソプロピル
基、ナフチル基のペリ位水素原子等、立体障害のある置
換基を有機化合物内に効果的に配置することにより、高
Ｔｇ正孔輸送化合物、高Ｔｇ電子輸送化合物のＴｇを下
げることなく、多少の正孔輸送能、電子輸送能の低下が
見られるが短波長発光を有する発光材料が得られる。但
し、置換基は上記に限定するものではない。Such an organic compound can be obtained, for example, by making the π-electron plane non-planar due to an effect such as steric hindrance. Examples include the introduction of a sterically hindering substituent at the ortho position (viewed from the nitrogen atom) of the aryl group of triarylamine. This enhances the twist angle. That is, by effectively arranging a substituent having a steric hindrance such as a peri-position hydrogen atom of a methyl group, a t-butyl group, an isopropyl group or a naphthyl group in an organic compound, a high Tg hole transport compound or a high Tg compound can be obtained. Without lowering the Tg of the electron-transporting compound, it is possible to obtain a light-emitting material which emits light at a short wavelength although the hole-transporting ability and the electron-transporting ability are slightly lowered. However, the substituent is not limited to the above.
【０１４６】また、芳香環に共役する基を導入する場合
に非共役する位に導入する（例えば、トリフェニルアミ
ンの場合フェニル基のメタ位）ことでも得られる。Further, when a group conjugated to an aromatic ring is introduced, it is also introduced at a non-conjugated position (for example, in the case of triphenylamine, a meta position of a phenyl group).
【０１４７】このように立体障害置換基を有する発光材
料、非共役型発光材料の化合物例を以下に挙げるがこれ
に限定されるものではない。Compound examples of the light-emitting material and the non-conjugated light-emitting material having the sterically hindered substituent in this way are shown below, but the invention is not limited thereto.
【０１４８】[0148]
【化４２】 [Chemical 42]
【０１４９】[0149]
【化４３】 [Chemical 43]
【０１５０】[0150]
【化４４】 [Chemical 44]
【０１５１】[0151]
【化４５】 [Chemical formula 45]
【０１５２】[0152]
【化４６】 [Chemical formula 46]
【０１５３】本発明において、ウェットプロセスは、有
機層の形成において、溶媒に有機化合物を溶解した溶液
を用いて有機層を形成する方法をいう。具体的には、塗
布（スピンコート、グラビアコート、リバースコート、
多層塗布）、インクジェット、印刷等の方法が挙げられ
る。従って、真空蒸着法のように有機化合物を溶媒に溶
解した溶液を用いずに有機層を形成する方法はウェット
プロセスには含まれない。In the present invention, the wet process means a method of forming an organic layer by using a solution in which an organic compound is dissolved in a solvent in forming the organic layer. Specifically, coating (spin coating, gravure coating, reverse coating,
Methods such as multi-layer coating), ink jetting, printing, etc. may be mentioned. Therefore, a method of forming an organic layer without using a solution in which an organic compound is dissolved in a solvent, such as a vacuum deposition method, is not included in the wet process.
【０１５４】本発明において、特に好ましいウェットプ
ロセスにはインクジェット、多層塗布が挙げられる。In the present invention, particularly preferable wet processes include ink jet and multi-layer coating.
【０１５５】本発明に係る有機ＥＬ素子は基体を有して
いてもよく、ガラス、プラスチックなどの種類には特に
限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない
が、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石
英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に
好ましい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与え
ることが可能な樹脂フィルムである。The organic EL device according to the present invention may have a substrate, and there are no particular restrictions on the type of glass, plastic, etc. There is no particular restriction as long as it is transparent, but it is preferably used. Examples of the substrate include glass, quartz, and a light transmissive resin film. A particularly preferable substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.
【０１５６】樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリ
エーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート
（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（Ｃ
ＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyether imide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC). , Cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate (C
Examples thereof include a film made of AP) and the like.
【０１５７】樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは
有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成
されていても良い。On the surface of the resin film, an inorganic or organic coating or a hybrid coating of both may be formed.
【０１５８】またカラーフィルター等の色相改良フィル
ター等を併用しても良い。このようにして得られた有機
ＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、
陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加する
と、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加し
ても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流
電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態に
なったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は
任意でよい。Further, a hue improving filter such as a color filter may be used in combination. When a direct current voltage is applied to the thus obtained organic EL element, the anode is +,
When a voltage of about 2 to 40 V is applied with the negative polarity of the cathode, light emission can be observed. Moreover, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the − state. The waveform of the alternating current applied may be arbitrary.
【０１５９】本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、
ディスプレー、各種発光光源として用いることができ
る。The organic EL device of the present invention is a display device,
It can be used as a display and various light emitting sources.
【０１６０】また、表示デバイス、ディスプレーにおい
て、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いること
により、フルカラーの表示が可能となる。Further, by using three kinds of organic EL elements of blue, red and green light emission in the display device and the display, full color display is possible.
【０１６１】表示デバイス、ディスプレーとしてはテレ
ビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表
示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像
や動画像を再生する表示装置として使用しても良く、動
画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単
純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアク
ティブマトリックス方式でもどちらでも良い。Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a teletext display, and an information display in a car. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images or moving images, and when used as a display device for reproducing moving images, either a simple matrix (passive matrix) system or an active matrix system may be used.
【０１６２】発光光源としては家庭用照明、車内照明、
時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記
憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の
光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定す
るものではない。As the light emission source, home lighting, interior lighting,
Examples thereof include, but are not limited to, backlights for watches and liquid crystals, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, and the like.
【０１６３】また、本発明に係る有機ＥＬ素子に共振器
構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いても良い。Further, the organic EL element according to the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure.
【０１６４】このような共振器構造を有した有機ＥＬ素
子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子写真複写
機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が
挙げられるがこれに限定するものではない。The purpose of using the organic EL element having such a resonator structure is as a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, and the like. It is not limited to.
【０１６５】また、レーザー発振をさせることにより、
上記用途に使用しても良い。Further, by oscillating laser,
You may use it for the said use.
【０１６６】[0166]
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the embodiments of the present invention are not limited thereto.
【０１６７】実施例
１．基材及び溶液１〜８の調製
５０μｍ×５０μｍのガラス基板上の中央部分にＩＴＯ
を膜厚１００ｎｍで３０μｍ×５０μｍとなるように蒸
着した。Example 1. Preparation of base material and solutions 1-8 ITO in the central part on a glass substrate of 50 μm × 50 μm
Was vapor-deposited so as to have a film thickness of 100 nm and a size of 30 μm × 50 μm.
【０１６８】また、化合物３８、１９、４４、ＴＰＢ、
Ｉｒ（ｐｐｙ）3、ＦＩｒ（ｐｉｃ）、ＣＢＰ、ＢＣ、
Ａｌｑ3、Ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）を１×１０-3Ｐａ以
下の圧力で下記温度にて昇華精製した。なお、昇華精製
方法はｚｏｎｅ ｓｕｂｌｉｍｅｄ法に従って行った。Further, compounds 38, 19, 44, TPB,
Ir (ppy) 3 , FIr (pic), CBP, BC,
Alq 3, Btp 2 Ir a (acac) below a pressure of 1 × 10 -3 Pa was purified by sublimation at below temperatures. The sublimation purification method was performed according to the zone sublimed method.
【０１６９】化合物３８：３４０℃ 化合物１９：２８０℃ 化合物４４：２８０℃ ＴＰＢ：３１０℃ Ｉｒ（ｐｐｙ）3：２８０℃ ＦＩｒ（ｐｉｃ）：３１０℃ ＣＢＰ：２６０℃ ＢＣ：２５０℃ Ａｌｑ3：３２０℃ Ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）：３２０℃Compound 38: 340 ° C. Compound 19: 280 ° C. Compound 44: 280 ° C. TPB: 310 ° C. Ir (ppy) 3 : 280 ° C. FIr (pic): 310 ° C. CBP: 260 ° C. BC: 250 ° C. Alq 3 : 320 ° C. Btp 2 Ir (acac): 320 ° C
【０１７０】[0170]
【化４７】 [Chemical 47]
【０１７１】[0171]
【化４８】 [Chemical 48]
【０１７２】表１に示すようにドーパント、ホスト、溶
媒を混合して溶液１〜８を調製した。As shown in Table 1, solutions 1 to 8 were prepared by mixing the dopant, host and solvent.
【０１７３】[0173]
【表１】 [Table 1]
【０１７４】２．有機ＥＬ素子の作製
（１）有機ＥＬ素子１の作製
基板上のＩＴＯ蒸着部分にスピンコート法で溶液１を塗
布し、厚さ１００ｎｍの有機層を形成し、真空下６０℃
にて１時間真空乾燥を行った。2. Preparation of Organic EL Element (1) Preparation of Organic EL Element 1 Solution 1 is applied to the ITO vapor deposition portion on the substrate by spin coating to form an organic layer having a thickness of 100 nm, and the temperature is 60 ° C. under vacuum.
It was vacuum dried for 1 hour.
【０１７５】その後、厚さ０．５ｎｍのＬｉＦの層と、
厚さ１００ｎｍのＡｌの層とを順に真空蒸着にて形成し
有機ＥＬ素子１を作製した。Then, a layer of LiF having a thickness of 0.5 nm was formed,
An Al layer having a thickness of 100 nm was sequentially formed by vacuum vapor deposition to produce an organic EL device 1.
【０１７６】（２）有機ＥＬ素子２の作製
有機ＥＬ素子１の作製方法において、溶液１を溶液２に
変更する以外は有機ＥＬ素子１の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子２を作製した。(2) Preparation of Organic EL Element 2 Organic EL element 2 was prepared in the same manner as organic EL element 1 except that solution 1 was changed to solution 2. .
【０１７７】（３）有機ＥＬ素子３の作製
有機ＥＬ素子１の作製方法において、溶液１を溶液３に
変更する以外は有機ＥＬ素子１の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子３を作製した。(3) Preparation of Organic EL Element 3 The organic EL element 3 was prepared in the same manner as the organic EL element 1 except that the solution 1 was changed to the solution 3. .
【０１７８】（４）有機ＥＬ素子４の作製
有機ＥＬ素子１の作製方法において、溶液１を溶液４に
変更する以外は有機ＥＬ素子１の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子４を作製した。(4) Preparation of Organic EL Element 4 Organic EL element 4 was prepared in the same manner as organic EL element 1 except that solution 1 was changed to solution 4. .
【０１７９】（５）有機ＥＬ素子５の作製
有機ＥＬ素子１の作製方法において、溶液１を溶液５に
変更する以外は有機ＥＬ素子１の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子５を作製した。(5) Preparation of Organic EL Element 5 The organic EL element 5 was prepared in the same manner as the organic EL element 1 except that the solution 1 was changed to the solution 5. .
【０１８０】（６）有機ＥＬ素子６の作製
有機ＥＬ素子１の作製方法において、溶液１を溶液６に
変更する以外は有機ＥＬ素子１の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子６を作製した。(6) Preparation of Organic EL Element 6 The organic EL element 6 was prepared in the same manner as the organic EL element 1 except that the solution 1 was changed to the solution 6. .
【０１８１】（７）有機ＥＬ素子７の作製
有機ＥＬ素子１の作製方法において、溶液１を溶液７に
変更する以外は有機ＥＬ素子１の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子７を作製した。(7) Preparation of Organic EL Element 7 The organic EL element 7 was prepared in the same manner as the organic EL element 1 except that the solution 1 was changed to the solution 7. .
【０１８２】（８）有機ＥＬ素子８の作製
有機ＥＬ素子１の作製方法において、溶液１を溶液８に
変更する以外は有機ＥＬ素子１の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子８を作製した。(8) Preparation of Organic EL Element 8 The organic EL element 8 was prepared in the same manner as the organic EL element 1 except that the solution 1 was changed to the solution 8. .
【０１８３】（９）有機ＥＬ素子９の作製
基板上のＩＴＯ蒸着部分にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液
（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ）をスピンコート法で塗
布し、厚さ５０ｎｍの層を形成した。次に、スピンコー
ト法で溶液３を塗布し、厚さ５０ｎｍの層を形成し、真
空下６０℃にて１時間真空乾燥を行った。さらに、厚さ
１０ｎｍのＢＣの層と、厚さ０．５ｎｍのＬｉＦの層
と、厚さ１００ｎｍのＡｌの層と、を順に真空蒸着にて
形成し有機ＥＬ素子９を作製した。(9) Preparation of Organic EL Element 9 A PEDOT / PSS aqueous solution (Baytron manufactured by Bayer Co., Ltd.) was applied to the ITO deposited portion on the substrate by spin coating to form a layer having a thickness of 50 nm. Next, the solution 3 was applied by spin coating to form a layer having a thickness of 50 nm, and vacuum drying was performed at 60 ° C. for 1 hour under vacuum. Further, a BC layer having a thickness of 10 nm, a LiF layer having a thickness of 0.5 nm, and an Al layer having a thickness of 100 nm were sequentially formed by vacuum vapor deposition to fabricate an organic EL element 9.
【０１８４】（１０）有機ＥＬ素子１０の作製
有機ＥＬ素子９の作製方法において、溶液３を溶液４に
変更する以外は有機ＥＬ素子９の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子１０を作製した。(10) Preparation of Organic EL Element 10 The organic EL element 10 was prepared in the same manner as the organic EL element 9 except that the solution 3 was changed to the solution 4. .
【０１８５】（１１）有機ＥＬ素子１１の作製
有機ＥＬ素子９の作製方法において、溶液３を溶液５に
変更する以外は有機ＥＬ素子９の作製方法と同様にし
て、有機ＥＬ素子１１を作製した。(11) Preparation of Organic EL Element 11 The organic EL element 11 was prepared in the same manner as the organic EL element 9 except that the solution 3 was changed to the solution 5. .
【０１８６】（１２）有機ＥＬ素子１２の作製
基板上のＩＴＯ蒸着部分にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液
（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ）をスピンコート法で塗
布して５０ｎｍの層を形成した。次に、スピンコート法
で溶液３を塗布して５０ｎｍの層を形成し、さらに、ス
ピンコート法で溶液８を塗布して２０ｎｍの層を形成し
た。その後、真空下６０℃にて１時間真空乾燥を行い、
厚さ０．５ｎｍのＬｉＦの層と、厚さ１００ｎｍのＡｌ
の層とを真空蒸着にて形成し有機ＥＬ素子１２を作製し
た。(12) Preparation of Organic EL Element 12 A PEDOT / PSS aqueous solution (Baytron manufactured by Bayer Co., Ltd.) was applied to the ITO deposited portion on the substrate by spin coating to form a 50 nm layer. Next, solution 3 was applied by spin coating to form a 50 nm layer, and then solution 8 was applied by spin coating to form a 20 nm layer. After that, vacuum dry at 60 ℃ for 1 hour,
0.5 nm thick LiF layer and 100 nm thick Al
To form an organic EL element 12.
【０１８７】（１３）有機ＥＬ素子１３の作製
基板上のＩＴＯ蒸着部分にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液
（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ）をスピンコート法で塗
布して厚さ５０ｎｍの層を形成した。次に、スピンコー
ト法で溶液３を塗布して厚さ５０ｎｍの層を形成し、さ
らに、スピンコート法で溶液８を塗布して厚さ１５ｎｍ
の層を形成した。真空下６０℃にて１時間真空乾燥を行
った後に、厚さ３０ｎｍのＡｌｑ3の層と、厚さ０．５
ｎｍのＬｉＦの層と、厚さ１００ｎｍのＡｌの層とを順
に真空蒸着にて形成し有機ＥＬ素子１３を作製した。(13) Preparation of Organic EL Element 13 A PEDOT / PSS aqueous solution (Baytron manufactured by Bayer Co., Ltd.) was applied to the ITO deposited portion on the substrate by spin coating to form a layer having a thickness of 50 nm. Next, the solution 3 is applied by spin coating to form a layer having a thickness of 50 nm, and the solution 8 is applied by spin coating to form a layer having a thickness of 15 nm.
Layers were formed. After vacuum drying under vacuum at 60 ° C. for 1 hour, a layer of Alq 3 with a thickness of 30 nm and a thickness of 0.5
A LiF layer having a thickness of 100 nm and an Al layer having a thickness of 100 nm were sequentially formed by vacuum vapor deposition, to fabricate an organic EL device 13.
【０１８８】（１４）有機ＥＬ素子１４の作製
有機ＥＬ素子１２の作製方法において、溶液３を溶液６
に変更する以外は有機ＥＬ素子１２の作製方法と同様に
して有機ＥＬ素子１４を作製した。(14) Preparation of Organic EL Element 14 In the method of preparing the organic EL element 12, the solution 3 was replaced with the solution 6
An organic EL element 14 was prepared in the same manner as the organic EL element 12 except that
【０１８９】（１５）有機ＥＬ素子１５の作製
有機ＥＬ素子１３の作製方法において、溶液３を溶液６
に変更する以外は有機ＥＬ素子１３の作製方法と同様に
して有機ＥＬ素子１５を作製した。(15) Preparation of Organic EL Element 15 In the method of preparing the organic EL element 13, the solution 3 was replaced with the solution 6
An organic EL element 15 was produced in the same manner as the organic EL element 13 except that the organic EL element 13 was changed to.
【０１９０】（１６）有機ＥＬ素子１６の作製
基板上のＩＴＯ蒸着部分にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液
（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ）をスピンコート法で塗
布して厚さ５０ｎｍの層を形成した。真空下６０℃にて
１時間真空乾燥を行った後に、ＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）
3を真空蒸着法にて共蒸着させた。このときのＣＢＰと
Ｉｒ（ｐｐｙ）3の蒸着スピードがＣＢＰ／Ｉｒ（ｐｐ
ｙ）3＝０．０６となるように調整して４０ｎｍの層を
形成した。さらに、スピンコート法で溶液８を塗布して
厚さ１５ｎｍの層を形成してから、真空下６０℃にて１
時間真空乾燥を行った。その後、厚さ３０ｎｍのＡｌｑ
3の層と、厚さ０．５ｎｍのＬｉＦの層と、厚さ１００
ｎｍのＡｌの層と、を順に真空蒸着にて形成して有機Ｅ
Ｌ素子１６を作製した。(16) Preparation of Organic EL Element 16 A PEDOT / PSS aqueous solution (Baytron manufactured by Bayer Co., Ltd.) was applied to the ITO deposited portion on the substrate by spin coating to form a layer having a thickness of 50 nm. After vacuum drying under vacuum at 60 ° C. for 1 hour, CBP and Ir (ppy)
3 was co-deposited by a vacuum deposition method. The deposition speed of CBP and Ir (ppy) 3 at this time is CBP / Ir (pp
to form a layer of 40nm adjusted to be y) 3 = 0.06. Further, the solution 8 is applied by a spin coating method to form a layer having a thickness of 15 nm, and then the layer is formed under vacuum at 60 ° C. for 1 hour.
Vacuum drying was performed for an hour. Then, 30 nm thick Alq
3 layers, 0.5 nm thick LiF layer, 100 thickness
nm Al layer and the organic E layer
L element 16 was produced.
【０１９１】（１７）有機ＥＬ素子１’〜１６’の作製
有機ＥＬ素子１〜１６の作製において、スピンコート法
による層の形成を行っていた部分をすべて真空蒸着によ
る層の形成に変更した以外は、有機ＥＬ素子１〜１６の
作製方法と同様にして、有機ＥＬ素子１’〜１６’をそ
れぞれ作製した。３．外部取り出し量子効率の評価
ウェットプロセスであるスピンコート法により層を形成
した有機ＥＬ素子１〜１６の外部取り出し量子効率
（η）は以下の式を用いて求めた。
外部取り出し量子効率（％）＝１００×有機ＥＬ素子外
部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数
なお、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ社製）
により測定した発光スペクトルを各波長の光子のエネル
ギーから３８０〜７８０ｎｍの光子数を求め、さらにラ
ンバーシアン仮定に基づき発光面から発光した光子数を
求めた。また、有機ＥＬ素子に流した電子数は電流量か
ら求めた。(17) Preparation of organic EL elements 1'to 16 'In the preparation of organic EL elements 1 to 16, except that the layer formation by spin coating was changed to the layer formation by vacuum evaporation. In the same manner as in the method for producing the organic EL elements 1 to 16, organic EL elements 1'to 16 'were produced. 3. Evaluation of External Extraction Quantum Efficiency The external extraction quantum efficiency (η) of the organic EL devices 1 to 16 having layers formed by the spin coating method, which is a wet process, was determined using the following formula. External extraction quantum efficiency (%) = 100 × number of photons emitted outside the organic EL element / number of electrons flown in the organic EL element Spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Minolta)
The number of photons at 380 to 780 nm was determined from the energy of photons of each wavelength in the emission spectrum measured by, and the number of photons emitted from the light emitting surface was determined based on the Lambertian assumption. The number of electrons flowing through the organic EL element was calculated from the amount of current.
【０１９２】さらに真空蒸着法により層を形成した有機
ＥＬ素子１’〜１６’の外部取り出し量子効率（η’）
も測定して、両者の比を求めた。Further, the external extraction quantum efficiency (η ′) of the organic EL devices 1 ′ to 16 ′ having layers formed by the vacuum deposition method.
Was also measured to determine the ratio of the two.
【０１９３】[0193]
【表２】 [Table 2]
【０１９４】表２の結果より、本発明の有機ＥＬ素子
は、真空蒸着法よりも簡易で低コストであるウェットプ
ロセスによる層形成方法の一つであるスピンコート法を
用いて有機層を形成した有機ＥＬ素子であるが、真空蒸
着法で有機層を形成した有機ＥＬ素子と同等の外部取り
だし量子効率を有することが分かり、真空蒸着法と同等
の性能を有する有機ＥＬ素子であることが分かった。From the results shown in Table 2, in the organic EL device of the present invention, the organic layer was formed by the spin coating method which is one of the layer forming methods by the wet process which is simpler and lower in cost than the vacuum deposition method. Although it is an organic EL element, it was found that it has the same external extraction quantum efficiency as an organic EL element in which an organic layer is formed by a vacuum vapor deposition method, and that it is an organic EL element having the same performance as a vacuum vapor deposition method. .
【０１９５】さらに分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミ
ノルタ社製）を用いて有機ＥＬ素子１〜１６の発光色を
ＣＩＥ色度図を用いて測定した。Further, the emission colors of the organic EL elements 1 to 16 were measured using a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Minolta) using a CIE chromaticity diagram.
【０１９６】[0196]
【表３】 [Table 3]
【０１９７】有機ＥＬ素子１、３は、青色に発光するこ
とからフルカラー化用途の有機ＥＬ素子に用いると有用
であることが分かった。Since the organic EL elements 1 and 3 emit blue light, it was found that they are useful when used in full color organic EL elements.
【０１９８】有機ＥＬ７、８、１４、１５は、白色に発
色することから、白色照明として用いることができるこ
とが分かった。It was found that the organic ELs 7, 8, 14, and 15 can be used as white illumination because they emit white color.
【０１９９】４．生産安定性評価
有機ＥＬ素子１５を１００個と、有機ＥＬ素子１５’を
１００個作製し、それぞれの発光色を前述の装置を用い
て測定し、発光色のずれ（Δｘｙ）が０．０８以上のも
のの個数を調べたところ、有機ＥＬ素子１５では３個で
あり、有機ＥＬ素子では１０個であった。これは、本発
明の有機ＥＬ素子１５は、ウェットプロセスであるスピ
ンコート法で発光層を形成していることから基体上にド
ーパントのムラが発生しないのに対し、有機ＥＬ素子１
５’は真空蒸着法にて発光層を形成したことから基体上
でドーパントのムラが生じてしまい、発光色にずれが生
じたものと考えられる。特に本実施例では、表示部分面
積が３０ｍｍ×５０ｍｍと大きいことからこの差が顕著
に現れたものと思われる。4. Production stability evaluation 100 organic EL elements 15 and 100 organic EL elements 15 'were produced, and the emission color of each was measured using the above-mentioned device, and the emission color shift (Δxy) was 0.08 or more. When the number of the organic EL elements was examined, it was 3 and the number of the organic EL elements was 10. This is because the organic EL element 15 of the present invention has the light emitting layer formed by the spin coating method which is a wet process, so that the unevenness of the dopant does not occur on the substrate, whereas the organic EL element 1
It is considered that 5'has formed a light emitting layer by a vacuum vapor deposition method, so that unevenness of the dopant occurs on the substrate, resulting in a shift in emission color. Particularly, in this embodiment, it is considered that this difference is remarkable because the display portion area is as large as 30 mm × 50 mm.
【０２００】この結果より、本発明の製造方法で製造し
た有機ＥＬ素子は、表示部分が大きい有機ＥＬ素子であ
っても安定して品質の高い有機ＥＬ素子を製造すること
ができることが分かった。
５．有機化合物の精製の影響
有機ＥＬ素子９の作製方法において、溶液３に含まれる
化合物１９の代わりに、ポリビニルカルバゾール（東京
化成）をクロロホルムに溶かし込み、メタノールに再沈
させる作業を３回繰り返して精製したポリビニルカルバ
ゾールを用いた以外は、有機ＥＬ素子９の作製方法と同
様にして有機ＥＬ素子１７を作製した。From these results, it was found that the organic EL element manufactured by the manufacturing method of the present invention can stably manufacture a high quality organic EL element even if the organic EL element has a large display portion. 5. Effect of Purification of Organic Compound In the method for producing the organic EL element 9, instead of the compound 19 contained in the solution 3, polyvinylcarbazole (Tokyo Kasei) is dissolved in chloroform, and the work of reprecipitation in methanol is repeated three times for purification. An organic EL element 17 was produced in the same manner as the organic EL element 9 except that the polyvinyl carbazole described above was used.
【０２０１】有機ＥＬ素子９と、有機ＥＬ素子１７の外
部取り出し量子効率を測定し、有機ＥＬ素子９の外部取
り出し量子効率／有機ＥＬ素子１７の外部取り出し量子
効率を求めたところ１．８であり、有機ＥＬ素子１７の
外部取り出し量子効率が低下していることが分かった。The external extraction quantum efficiency of the organic EL element 9 and the organic EL element 17 was measured, and the external extraction quantum efficiency of the organic EL element 9 / the external extraction quantum efficiency of the organic EL element 17 was calculated to be 1.8. It was found that the external extraction quantum efficiency of the organic EL element 17 was lowered.
【０２０２】有機ＥＬ素子１７は、有機化合物を昇華精
製以外の精製方法で精製したのであるが、昇華精製以外
の精製を行うと有機ＥＬ素子の品質に大きく影響するこ
とが分かった。The organic EL element 17 was obtained by purifying an organic compound by a purification method other than sublimation purification. However, it was found that purification other than sublimation purification significantly affects the quality of the organic EL element.
【０２０３】[0203]
【発明の効果】本発明によって、高品質の有機ＥＬ素子
を簡易に製造し、製造コストを抑え、有機ＥＬ素子の大
型化が可能な有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する
ことができた。According to the present invention, it is possible to provide an organic EL element capable of easily manufacturing a high quality organic EL element, suppressing the manufacturing cost, and increasing the size of the organic EL element, and a manufacturing method thereof.
Claims (18)
む有機層を有する有機ＥＬ素子において、前記有機層の
少なくとも１層は、ガラス転移温度が８０〜２５０℃で
あり昇華精製を行った有機化合物を用いてウェットプロ
セスで形成した層であることを特徴とする有機ＥＬ素
子。1. In an organic EL device having an organic layer including at least a light emitting layer between opposed electrodes, at least one of the organic layers has a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. and is an organic compound obtained by sublimation purification. An organic EL element characterized by being a layer formed by a wet process using.
転移温度が８０〜２５０℃であり昇華精製を行った有機
化合物を２種以上用いてウェットプロセスで形成した層
であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素
子。2. At least one of the organic layers is a layer formed by a wet process using two or more kinds of sublimation-purified organic compounds having a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. The organic EL device according to claim 1.
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素
子。3. The organic EL device according to claim 1, which has at least three organic layers.
で形成した層であることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。4. The organic EL device according to claim 1, wherein all the organic layers are layers formed by the wet process.
なくとも１層は発光層であり、前記発光層にはホスト及
びドーパントを含有することを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。5. At least one of the layers formed by the wet process is a light emitting layer, and the light emitting layer contains a host and a dopant.
The organic EL element according to any one of 1.
特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子。6. The organic EL device according to claim 5, wherein the dopant emits phosphorescence.
ドーパントの３重項エネルギー準位より大きいことを特
徴とする請求項５又は６に記載の有機ＥＬ素子。7. The triplet energy level of the host is
7. The organic EL device according to claim 5, which has a triplet energy level higher than that of the dopant.
とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素
子。8. The organic EL device according to claim 1, wherein the light emitting layer emits white light.
とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素
子。9. The organic EL device according to claim 1, wherein the light emitting layer emits blue light.
含む有機層を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機層の少なくとも１層を、ガラス転移温度が８０
〜２５０℃であり昇華精製を行った有機化合物を用いて
ウェットプロセスで形成することを特徴とする有機ＥＬ
素子の製造方法。10. A method for manufacturing an organic EL device having an organic layer including at least a light emitting layer between opposed electrodes,
At least one of the organic layers has a glass transition temperature of 80.
Organic EL characterized by being formed by a wet process using an organic compound which has been subjected to sublimation purification at ˜250 ° C.
Device manufacturing method.
ス転移温度が８０〜２５０℃であり昇華精製を行った有
機化合物を２種以上用いてウェットプロセスで形成する
ことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の製
造方法。11. The method according to claim 10, wherein at least one of the organic layers is formed by a wet process using two or more kinds of sublimation-purified organic compounds having a glass transition temperature of 80 to 250 ° C. A method for manufacturing an organic EL device according to item 1.
ることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法。12. The organic E according to claim 10, wherein the organic layer is at least three layers or more.
Manufacturing method of L element.
スで形成することを特徴とする請求項１０〜１２のいず
れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。13. The method for manufacturing an organic EL element according to claim 10, wherein all the organic layers are formed by the wet process.
少なくとも１層は発光層であり、前記発光層にはホスト
及びドーパントを含有することを特徴とする請求項１０
〜１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方
法。14. The method according to claim 10, wherein at least one of the layers formed by the wet process is a light emitting layer, and the light emitting layer contains a host and a dopant.
14. The method for manufacturing an organic EL element according to any one of items 1 to 13.
を特徴とする請求項１４に記載の有機ＥＬ素子の製造方
法。15. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 14, wherein the dopant emits phosphorescence.
は、ドーパントの３重項エネルギー準位より大きいこと
を特徴とする請求項１４又は１５に記載の有機ＥＬ素子
の製造方法。16. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 14, wherein the triplet energy level of the host is higher than the triplet energy level of the dopant.
徴とする請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の有機
ＥＬ素子の製造方法。17. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 10, wherein the light emitting layer emits white light.
徴とする請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の有機
ＥＬ素子の製造方法。18. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 10, wherein the light emitting layer emits blue light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002120841A JP2003317946A (en) | 2002-04-23 | 2002-04-23 | Organic el element and manufacturing method for organic el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002120841A JP2003317946A (en) | 2002-04-23 | 2002-04-23 | Organic el element and manufacturing method for organic el element |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007305561A Division JP5082800B2 (en) | 2007-11-27 | 2007-11-27 | Manufacturing method of organic EL element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003317946A true JP2003317946A (en) | 2003-11-07 |
Family
ID=29536950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002120841A Pending JP2003317946A (en) | 2002-04-23 | 2002-04-23 | Organic el element and manufacturing method for organic el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003317946A (en) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014379A (en) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent (el) element and display device |
| EP1727397A1 (en) * | 2004-03-17 | 2006-11-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same |
| JP2007512692A (en) * | 2003-11-25 | 2007-05-17 | メルク パテント ゲーエムベーハー | Organic electroluminescence device |
| JP2008066759A (en) * | 2007-11-27 | 2008-03-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic el element and manufacturing method of organic el element |
| JPWO2006132012A1 (en) * | 2005-06-09 | 2009-01-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| WO2009008343A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and material for organic electroluminescent device |
| WO2009008349A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el element and organic el material-containing solution |
| US7485376B2 (en) * | 2003-03-26 | 2009-02-03 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, illuminator, and display |
| KR100972993B1 (en) | 2009-08-03 | 2010-07-30 | 주식회사 유피케미칼 | Organic compounds for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using same |
| JP2011526424A (en) * | 2008-06-26 | 2011-10-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Organic light-emitting diode luminaire |
| US8039127B2 (en) | 2009-04-06 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| US8154195B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-04-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| US8211552B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-07-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| JP2012182156A (en) * | 2012-06-27 | 2012-09-20 | Konica Minolta Holdings Inc | Method for manufacturing organic el element |
| US8294142B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-10-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device |
| US8318322B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Aromatic amine compound, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using aromatic amine compound |
| US8426036B2 (en) | 2007-07-07 | 2013-04-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device and anthracene derivative |
| US8436343B2 (en) | 2007-07-07 | 2013-05-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device |
| JP2013125653A (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus |
| US8674343B2 (en) | 2009-10-29 | 2014-03-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diodes having white light emission |
| JP2014212126A (en) * | 2003-12-19 | 2014-11-13 | ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド | Optical device |
| US8895154B2 (en) | 2004-03-02 | 2014-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| EP3211056A1 (en) | 2006-08-31 | 2017-08-30 | CDT Oxford Limited | Compounds for use in opto-electrical devices |
| US11673863B2 (en) | 2019-07-12 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting device, light-receiving device, light-emitting apparatus, light-emitting module, electronic device, and lighting device |
-
2002
- 2002-04-23 JP JP2002120841A patent/JP2003317946A/en active Pending
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014379A (en) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent (el) element and display device |
| US7485376B2 (en) * | 2003-03-26 | 2009-02-03 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, illuminator, and display |
| JP2007512692A (en) * | 2003-11-25 | 2007-05-17 | メルク パテント ゲーエムベーハー | Organic electroluminescence device |
| US7880379B2 (en) | 2003-11-25 | 2011-02-01 | Merck Patent Gmbh | Phosphorescent organic electroluminescent device having no hole transporting layer |
| US9660212B2 (en) | 2003-12-19 | 2017-05-23 | Cambridge Display Technology Limited | Optical device comprising a charge transport layer of insoluble organic material and method for the production thereof |
| JP2016149371A (en) * | 2003-12-19 | 2016-08-18 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | Optical device |
| JP2014212126A (en) * | 2003-12-19 | 2014-11-13 | ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド | Optical device |
| US8895154B2 (en) | 2004-03-02 | 2014-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| EP1727397A1 (en) * | 2004-03-17 | 2006-11-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same |
| EP1727397A4 (en) * | 2004-03-17 | 2008-07-02 | Idemitsu Kosan Co | Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same |
| US8808874B2 (en) | 2005-06-09 | 2014-08-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, illuminator and display |
| US8728633B2 (en) | 2005-06-09 | 2014-05-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, illuminator and display |
| US9428687B2 (en) | 2005-06-09 | 2016-08-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, illuminator and display |
| JPWO2006132012A1 (en) * | 2005-06-09 | 2009-01-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| EP3211056B1 (en) * | 2006-08-31 | 2020-07-22 | CDT Oxford Limited | Compounds for use in opto-electrical devices |
| EP3211056A1 (en) | 2006-08-31 | 2017-08-30 | CDT Oxford Limited | Compounds for use in opto-electrical devices |
| WO2009008364A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US8587192B2 (en) | 2007-07-07 | 2013-11-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| US8154195B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-04-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| US8211552B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-07-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| JPWO2009008216A1 (en) * | 2007-07-07 | 2010-09-02 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescence device |
| US8294142B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-10-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device |
| JPWO2009008343A1 (en) * | 2007-07-07 | 2010-09-09 | 出光興産株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE |
| US8330350B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-12-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| US8426036B2 (en) | 2007-07-07 | 2013-04-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device and anthracene derivative |
| US8436343B2 (en) | 2007-07-07 | 2013-05-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device |
| JP5208937B2 (en) * | 2007-07-07 | 2013-06-12 | 出光興産株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE |
| WO2009008216A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JP5303462B2 (en) * | 2007-07-07 | 2013-10-02 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescence device |
| US9082995B2 (en) | 2007-07-07 | 2015-07-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL element and organic EL material-containing solution |
| JP5357023B2 (en) * | 2007-07-07 | 2013-12-04 | 出光興産株式会社 | Organic EL device and organic EL material-containing solution |
| WO2009008343A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and material for organic electroluminescent device |
| WO2009008349A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el element and organic el material-containing solution |
| WO2009008365A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and material for organic electroluminescent device |
| JP2008066759A (en) * | 2007-11-27 | 2008-03-21 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic el element and manufacturing method of organic el element |
| US8852758B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Aromatic amine compound, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using the aromatic amine compound |
| US8318322B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Aromatic amine compound, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using aromatic amine compound |
| JP2011526424A (en) * | 2008-06-26 | 2011-10-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Organic light-emitting diode luminaire |
| US8039127B2 (en) | 2009-04-06 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| KR100972993B1 (en) | 2009-08-03 | 2010-07-30 | 주식회사 유피케미칼 | Organic compounds for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using same |
| US8674343B2 (en) | 2009-10-29 | 2014-03-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diodes having white light emission |
| JP2013125653A (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus |
| JP2012182156A (en) * | 2012-06-27 | 2012-09-20 | Konica Minolta Holdings Inc | Method for manufacturing organic el element |
| US11673863B2 (en) | 2019-07-12 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting device, light-receiving device, light-emitting apparatus, light-emitting module, electronic device, and lighting device |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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