JP2003304102A - Complex resonator and band pass filter using the same - Google Patents

Complex resonator and band pass filter using the same

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JP2003304102A
JP2003304102A JP2002106302A JP2002106302A JP2003304102A JP 2003304102 A JP2003304102 A JP 2003304102A JP 2002106302 A JP2002106302 A JP 2002106302A JP 2002106302 A JP2002106302 A JP 2002106302A JP 2003304102 A JP2003304102 A JP 2003304102A
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JP
Japan
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metallization
frequency
dielectric substrate
resonator
line
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JP2002106302A
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Japanese (ja)
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Kenji Endo
謙二 遠藤
Yasumasa Noguchi
泰正 野口
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TDK Corp
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TDK Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a complex resonator having a plurality of resonance frequencies capable of arbitrarily setting at least two resonance frequencies of the plurality of resonance frequencies. <P>SOLUTION: This complex resonator is provided with dielectric boards 21-1 to 21-4 and first and second coplaner lines formed on a dielectric board 21-3. In a first frequency, a transmission line A configuring the first coplaner line is made to function as a ground pattern configuring a second coplaner line, and in a second frequency different from the first frequency, a transmission line B configuring the second coplaner line is made to function as a ground pattern configuring the first coplaner line. Thus, the length of the transmission line A configuring the first coplaner line and the length of the transmission line B configuring the second coplaner line is adjusted so that the resonance frequencies of those coplaners can be independently set. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複合共振器及びこ
れを用いた帯域通過フィルタに関し、さらに詳細には、
各共振周波数を任意に設定可能な複合共振器及びこれを
用いた帯域通過フィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite resonator and a bandpass filter using the same, and more specifically,
The present invention relates to a composite resonator in which each resonance frequency can be set arbitrarily and a bandpass filter using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】今日、携帯電話に代表される情報通信端
末の小型化にはめざましいものがあり、これには情報通
信端末に組み込まれる各種部品の小型化が大きく寄与し
ている。情報通信端末に組み込まれる最も重要な部品の
一つに帯域通過フィルタがある。
2. Description of the Related Art Today, there are remarkable miniaturization of information communication terminals typified by mobile phones, and miniaturization of various parts incorporated in the information communication terminals greatly contributes to this. A band pass filter is one of the most important parts incorporated in an information communication terminal.

【0003】一般的な帯域通過フィルタとしては、複数
のλ/4誘電体共振器を組み合わせて構成されたものが
知られている。このような帯域通過フィルタにおいて
は、最低次モードの共振に基づく周波数のみならず、高
次モードの共振に基づいてその奇数倍(3倍、5倍、7
倍・・・)の周波数においても通過特性を示すことか
ら、これを利用して多帯域通過フィルタとして用いるこ
とが可能である。
As a general bandpass filter, a filter formed by combining a plurality of λ / 4 dielectric resonators is known. In such a bandpass filter, not only the frequency based on the resonance of the lowest order mode but also an odd multiple (3 times, 5 times, 7 times) of that based on the resonance of the higher order mode.
Since a pass characteristic is exhibited even at a frequency of (...), it can be used as a multi-band pass filter.

【0004】また、複数のλ/2誘電体共振器を組み合
わせて構成された帯域通過フィルタも知られており、こ
のような帯域通過フィルタにおいては、最低次モードの
共振に基づく主周波数のみならず、高次モードの共振に
基づいてその整数倍(2倍、3倍、4倍・・・)の周波
数においても通過特性を示す。したがって、このような
タイプの帯域通過フィルタについても、多帯域通過フィ
ルタとして用いることが可能である。
There is also known a bandpass filter constructed by combining a plurality of λ / 2 dielectric resonators. In such a bandpass filter, not only the main frequency based on the resonance of the lowest order mode but also the , And shows a pass characteristic even at a frequency that is an integral multiple (2 times, 3 times, 4 times ...) Based on the resonance of the higher order mode. Therefore, such a type of bandpass filter can also be used as a multibandpass filter.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】現在、有線・無線を問
わず多くの通信方式が存在しているが、これら各通信方
式において用いられる周波数帯域は互いに異なっている
ことが一般的である。他方、いわゆるデュアルバンド携
帯電話機に代表されるような、複数の方式による通信が
可能な情報通信端末が開発されており、今後このような
情報通信端末に対する需要はますます高まるものと考え
られる。したがって、このような情報通信端末において
は、それぞれの方式に対応した複数の帯域通過フィルタ
を用いるか、上述したような多帯域通過フィルタを用い
る必要がある。
Currently, there are many communication systems, both wired and wireless, but the frequency bands used in each of these communication systems are generally different from each other. On the other hand, information communication terminals capable of communication by a plurality of methods, represented by so-called dual band mobile phones, have been developed, and it is considered that the demand for such information communication terminals will further increase in the future. Therefore, in such an information communication terminal, it is necessary to use a plurality of band pass filters corresponding to each method or use the above-described multi band pass filter.

【0006】しかしながら、上述のように高次モードの
共振を利用した多帯域通過フィルタにおいては、各通過
帯域の周波数が最低次モードの共振周波数の奇数倍或い
は整数倍に固定されてしまうことから、それぞれの方式
に対応した通過帯域が奇数倍乃至は整数倍の関係にある
場合にしか利用することができなかった。また、各誘電
体共振器のメタライズパターンを調整することによっ
て、高次モードの共振周波数をある程度偏倚させること
は可能であるが、このような調整には限度があり、2つ
の通過帯域の関係を自由に設定できるわけではない。
However, in the multi-bandpass filter utilizing the resonance of the higher-order mode as described above, the frequency of each passband is fixed to an odd multiple or an integral multiple of the resonance frequency of the lowest-order mode. It can be used only when the passbands corresponding to the respective systems are in odd multiples or integer multiples. Further, it is possible to bias the resonance frequency of the higher-order mode to some extent by adjusting the metallization pattern of each dielectric resonator, but such adjustment is limited, and the relationship between the two passbands is limited. It cannot be set freely.

【0007】したがって、本発明の目的は、複数の共振
周波数を有する複合共振器であって、これら共振周波数
のうち少なくとも2つの共振周波数を任意に設定可能な
複合共振器を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a composite resonator having a plurality of resonance frequencies, in which at least two resonance frequencies can be arbitrarily set.

【0008】また、本発明の他の目的は、複数の通過帯
域を有する帯域通過フィルタであって、これら通過帯域
のうち少なくとも2つの通過帯域を任意に設定可能な帯
域通過フィルタを提供することである。
Another object of the present invention is to provide a bandpass filter having a plurality of passbands, in which at least two passbands of these passbands can be arbitrarily set. is there.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる複合共振
器は、誘電体基板上に設けられた少なくとも2つのコプ
レナー線路を有し、一方のコプレナー線路を構成する伝
送線(活電部、ホットラインと呼ばれることもある)を
他方のコプレナー線路を構成するグランドパターンとし
て用いる点に特徴を有している。また、本発明にかかる
帯域通過フィルタは、このような複合共振器を用いるこ
とにより、少なくとも2つの通過帯域を互いに設定可能
とした点に特徴を有している。
A composite resonator according to the present invention has at least two coplanar lines provided on a dielectric substrate, and a transmission line (a live part, a hot part or a hot line) constituting one of the coplanar lines. (Sometimes called a line) is used as a ground pattern forming the other coplanar line. Further, the bandpass filter according to the present invention is characterized in that at least two passbands can be set to each other by using such a composite resonator.

【0010】図1は、コプレナー線路の基本構造を概略
的に示す平面図である。図1に示すように、コプレナー
線路10は、誘電体基板13上に設けられた伝送線11
と、誘電体基板13上に設けられ、伝送線11を挟むよ
うに同一平面上に設けられたグランドパターン12とに
よって構成され、これにより伝送線11の長さに基づい
た共振をさせることが可能となる。例えば、図2(a)
に示すように、伝送線11の一端をグランドパターン1
2に短絡し他端を開放すれば、λ/4共振器として機能
し、n・λ/4共振(n:1以上の奇数)をさせること
ができる。一方、図2(b)に示すように、伝送線11
の両端をグランドパターン12に短絡すれば、λ/2共
振器として機能し、m・λ/2共振(m:1以上の整
数)をさせることができる。また、図示はしないが両端
を開放しても同様にλ/2共振器として機能する。
FIG. 1 is a plan view schematically showing the basic structure of a coplanar line. As shown in FIG. 1, the coplanar line 10 includes a transmission line 11 provided on a dielectric substrate 13.
And a ground pattern 12 provided on the dielectric substrate 13 and provided on the same plane so as to sandwich the transmission line 11, thereby enabling resonance based on the length of the transmission line 11. Becomes For example, FIG. 2 (a)
As shown in FIG.
By short-circuiting to 2 and opening the other end, it functions as a λ / 4 resonator, and can make n · λ / 4 resonance (n: an odd number of 1 or more). On the other hand, as shown in FIG.
By shorting both ends to the ground pattern 12, it is possible to function as a λ / 2 resonator and perform m · λ / 2 resonance (m: an integer of 1 or more). Also, although not shown, even if both ends are opened, it similarly functions as a λ / 2 resonator.

【0011】図3は、2つのコプレナー線路の一部を互
いに共用する原理を説明するための模式図である。図3
に示すように、2本の伝送線11−1、11−2を誘電
体基板13上に平行に敷設し、これら伝送線11−1、
11−2を挟むようにして誘電体基板13上の同一平面
にグランドパターン12−1、12−2を設ければ、2
つのコプレナー線路10−1、10−2を構成すること
ができる。この場合、コプレナー線路10−1において
は、伝送線11−1が実際に伝送線として利用される一
方、伝送線11−1が共振する周波数において伝送線1
1−2が実質的にグランドパターンとして利用され、コ
プレナー線路10−2においては、伝送線11−2が実
際に伝送線として利用される一方、伝送線11−2が共
振する周波数において伝送線11−1が実質的にグラン
ドパターンとして利用される。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the principle of sharing a part of two coplanar lines with each other. Figure 3
As shown in, two transmission lines 11-1 and 11-2 are laid in parallel on the dielectric substrate 13, and these transmission lines 11-1 and
If ground patterns 12-1 and 12-2 are provided on the same plane on the dielectric substrate 13 so as to sandwich 11-2, 2
Two coplanar lines 10-1 and 10-2 can be constructed. In this case, in the coplanar line 10-1, the transmission line 11-1 is actually used as a transmission line, while the transmission line 1 is used at a frequency at which the transmission line 11-1 resonates.
1-2 is substantially used as the ground pattern, and in the coplanar line 10-2, the transmission line 11-2 is actually used as the transmission line, while the transmission line 11-2 is used at the frequency at which the transmission line 11-2 resonates. -1 is substantially used as the ground pattern.

【0012】本発明は、このようにして互いにその一部
を共用した少なくとも2つのコプレナー線路の各共振周
波数を異ならせることによって、複数の共振周波数を得
るものである。この場合、かかる2つのコプレナー線路
の共振周波数は、互いに独立に設定可能であることか
ら、従来のように、各共振周波数が最低次モードの共振
周波数の奇数倍或いは整数倍に固定されてしまうという
ことがなくなる。したがって、使用する周波数帯域が奇
数倍乃至は整数倍の関係にない複数の方式による通信を
行う情報通信端末用の帯域通過フィルタとして好適に利
用することが可能となる。
According to the present invention, a plurality of resonance frequencies are obtained by differentiating the resonance frequencies of at least two coplanar lines that share a part of each other in this way. In this case, since the resonance frequencies of the two coplanar lines can be set independently of each other, each resonance frequency is fixed to an odd multiple or an integer multiple of the resonance frequency of the lowest order mode as in the conventional case. Will disappear. Therefore, the frequency band to be used can be suitably used as a bandpass filter for an information communication terminal that performs communication by a plurality of methods that are not in a relationship of odd multiples or integer multiples.

【0013】したがって、本発明の上記目的は、誘電体
基板と、前記誘電体基板上に設けられた第1及び第2の
コプレナー線路とを備え、第1の周波数においては、前
記第1のコプレナー線路を構成する伝送線が前記第2の
コプレナー線路を構成するグランドパターンとして機能
し、前記第1の周波数とは異なる第2の周波数において
は、前記第2のコプレナー線路を構成する伝送線が前記
第1のコプレナー線路を構成するグランドパターンとし
て機能することを特徴とする複合共振器によって達成さ
れる。
Therefore, the above object of the present invention comprises a dielectric substrate and first and second coplanar lines provided on the dielectric substrate, and at the first frequency, the first coplanar line is provided. The transmission line forming the line functions as a ground pattern forming the second coplanar line, and at a second frequency different from the first frequency, the transmission line forming the second coplanar line is This is achieved by a composite resonator that functions as a ground pattern forming the first coplanar line.

【0014】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第1の周波数においては前記第1のコプレナー線路が
λ/4共振器として機能し、前記第2の周波数において
は前記第2のコプレナー線路がλ/2共振器として機能
する。
In a preferred aspect of the present invention, the first coplanar line functions as a λ / 4 resonator at the first frequency, and the second coplanar line has a λ / 4 resonator at the second frequency. It functions as a / 2 resonator.

【0015】本発明の前記目的はまた、誘電体基板と、
前記誘電体基板に設けられた第1乃至第3のメタライズ
とを備え、前記第2のメタライズは、両端が前記第1の
メタライズに接続されるとともに周囲が前記第1のメタ
ライズに囲まれており、前記第3のメタライズは、一端
が前記第1のメタライズに接続されるとともに他端が開
放され、周囲が前記第2のメタライズに囲まれているこ
とを特徴とする複合共振器によって達成される。
The above object of the present invention also includes a dielectric substrate,
First to third metallization provided on the dielectric substrate, wherein both ends of the second metallization are connected to the first metallization and a periphery thereof is surrounded by the first metallization. The third metallization is achieved by a composite resonator characterized in that one end is connected to the first metallization, the other end is open, and the periphery is surrounded by the second metallization. .

【0016】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第2のメタライズが略コの字状乃至は略U字状であ
る。
In a preferred aspect of the present invention, the second metallization is substantially U-shaped or U-shaped.

【0017】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第3のメタライズが略I字状である。
In a further preferred aspect of the present invention, the third metallization is substantially I-shaped.

【0018】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第1のメタライズを接地する手段をさらに備え
る。
In a further preferred aspect of the present invention, there is further provided means for grounding the first metallization.

【0019】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、第1の周波数においては前記第3のメタライズがλ
/4共振器の伝送線として機能し、前記第1の周波数と
は異なる第2の周波数においては前記第2のメタライズ
がλ/2共振器の伝送線として機能する。
In a further preferred aspect of the present invention, the third metallization is λ at the first frequency.
/ 4 resonator transmission line, and at a second frequency different from the first frequency, the second metallization functions as a λ / 2 resonator transmission line.

【0020】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第1の周波数においては前記第2のメタライズ
がグランドパターンとして機能し、前記第2の周波数に
おいては前記第1及び第3のメタライズがグランドパタ
ーンとして機能する。
[0020] In a further preferred aspect of the present invention, the second metallization functions as a ground pattern at the first frequency, and the first and third metallizations serve as a ground pattern at the second frequency. Function as.

【0021】本発明の前記目的はまた、誘電体基板と、
前記誘電体基板上に設けられた第1及び第2のコプレナ
ー線路と、入出力電極に接続され、前記第1及び第2の
コプレナー線路を励振する励振電極とを有し、第1の周
波数においては、前記第1のコプレナー線路を構成する
伝送線が前記第2のコプレナー線路を構成するグランド
パターンとして機能し、前記第1の周波数とは異なる第
2の周波数においては、前記第2のコプレナー線路を構
成する伝送線が前記第1のコプレナー線路を構成するグ
ランドパターンとして機能することを特徴とする帯域通
過フィルタによって達成される。
The above object of the present invention also includes a dielectric substrate,
The first and second coplanar lines provided on the dielectric substrate, and the excitation electrodes that are connected to the input / output electrodes and excite the first and second coplanar lines. Means that the transmission line forming the first coplanar line functions as a ground pattern forming the second coplanar line, and the second coplanar line is formed at a second frequency different from the first frequency. Is achieved by a bandpass filter characterized in that the transmission line forming the above-mentioned function as a ground pattern forming the above-mentioned first coplanar line.

【0022】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第1の周波数においては前記第1のコプレナー線路が
λ/4共振器として機能し、前記第2の周波数において
は前記第2のコプレナー線路がλ/2共振器として機能
する。
In a preferred embodiment of the present invention, the first coplanar line functions as a λ / 4 resonator at the first frequency, and the second coplanar line has a λ / 4 resonator at the second frequency. It functions as a / 2 resonator.

【0023】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第1及び第2のコプレナー線路によって構成さ
れる複合共振器が複数設けられている。
[0023] In a further preferred aspect of the present invention, a plurality of composite resonators each including the first and second coplanar lines are provided.

【0024】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記各複合共振器間の結合を抑制する手段をさらに
備えている。
In a further preferred aspect of the present invention, there is further provided means for suppressing coupling between the composite resonators.

【0025】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記抑制する手段がスルーホール配線からなる。
In a further preferred aspect of the present invention, the suppressing means comprises through-hole wiring.

【0026】本発明の前記目的はまた、誘電体基板と、
前記誘電体基板に設けられた第1乃至第3のメタライズ
と、前記第1のメタライズを接地する接地手段と、前記
第2及び第3のメタライズによって構成される伝送線を
励振する励振手段とを備え、前記第2のメタライズは、
両端が前記第1のメタライズに接続されるとともに周囲
が前記第1のメタライズに囲まれており、前記第3のメ
タライズは、一端が前記第1のメタライズに接続される
とともに他端が開放され、周囲が前記第2のメタライズ
に囲まれていることを特徴とする帯域通過フィルタによ
って達成される。
The above object of the present invention also includes a dielectric substrate,
First to third metallization provided on the dielectric substrate, grounding means for grounding the first metallization, and excitation means for exciting the transmission line constituted by the second and third metallization. And the second metallization is
Both ends are connected to the first metallization and the periphery is surrounded by the first metallization, and the third metallization has one end connected to the first metallization and the other end open. This is achieved by a bandpass filter characterized in that the circumference is surrounded by the second metallization.

【0027】本発明の好ましい実施態様においては、前
記励振手段が、前記誘電体基板上の前記第1乃至第3の
メタライズが設けられた層とは異なる層上に設けられた
第4のメタライズからなり、これによって前記伝送線を
容量的に励振可能に構成されている。
[0027] In a preferred aspect of the present invention, the exciting means comprises a fourth metallization provided on a layer different from the layer provided with the first to third metallizations on the dielectric substrate. Therefore, the transmission line can be capacitively excited.

【0028】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記励振手段が、前記第2のメタライズ及び前記第
3のメタライズに接続された第5のメタライズからな
り、これによって前記伝送線を誘導的に励振可能に構成
されている。
In another preferred embodiment of the invention said excitation means comprises a fifth metallization connected to said second metallization and said third metallization, whereby inductively the transmission line. It is configured to be excitable.

【0029】本発明の別のさらに好ましい実施態様にお
いては、前記第5のメタライズが前記誘電体基板上に設
けられている。
In another more preferred aspect of the present invention, the fifth metallization is provided on the dielectric substrate.

【0030】本発明の別のさらに好ましい実施態様にお
いては、前記第5のメタライズが前記誘電体基板上の前
記第1乃至第3のメタライズが設けられた層とは異なる
層上に設けられており、スルーホール配線を介して前記
第2のメタライズ及び前記第3のメタライズに接続され
ている。
In another more preferred aspect of the present invention, the fifth metallization is provided on a layer different from the layer provided with the first to third metallizations on the dielectric substrate. , And is connected to the second metallization and the third metallization via through-hole wiring.

【0031】本発明によれば、第1のコプレナー線路を
構成する伝送線の長さと第2のコプレナー線路を構成す
る伝送線の長さを調整することにより、或いは、第2の
メタライズの長さと第3のメタライズの長さを調整する
ことにより、これらコプレナー線路の共振周波数を互い
に独立して設定することができ、これらメタライズを伝
送線とする共振器の共振周波数を互いに独立して設定す
ることができる。これにより、各通過帯域が最低次モー
ドの共振周波数の奇数倍或いは整数倍に固定されてしま
うということがなくなり、奇数倍乃至は整数倍の関係に
ない複数の通過帯域をもたせることが可能となる。した
がって、使用する周波数帯域が奇数倍乃至は整数倍の関
係にない複数の方式による通信を行う情報通信端末用の
帯域通過フィルタとして好適に利用することが可能とな
る。
According to the present invention, the length of the transmission line forming the first coplanar line and the length of the transmission line forming the second coplanar line are adjusted, or the length of the second metallization is adjusted. By adjusting the length of the third metallization, the resonance frequencies of these coplanar lines can be set independently of each other, and the resonance frequencies of the resonators using these metallizations as transmission lines can be set independently of each other. You can As a result, each pass band is not fixed to an odd multiple or an integral multiple of the resonance frequency of the lowest order mode, and it is possible to have a plurality of pass bands that are not in the odd multiple or integral multiple relationship. . Therefore, the frequency band to be used can be suitably used as a bandpass filter for an information communication terminal that performs communication by a plurality of methods that are not in a relationship of odd multiples or integer multiples.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Referring to the accompanying drawings,
A preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

【0033】図4は、本発明の好ましい実施態様にかか
る帯域通過フィルタ20を概略的に示す略斜視図であ
り、図5は、帯域通過フィルタ20を構成する各誘電体
基板を分解した状態を示す略分解斜視図である。
FIG. 4 is a schematic perspective view schematically showing a bandpass filter 20 according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 5 shows a state in which each dielectric substrate constituting the bandpass filter 20 is disassembled. It is a schematic exploded perspective view.

【0034】図4及び図5に示すように、本実施態様に
かかる帯域通過フィルタ20は、積層される4枚の誘電
体基板21−1〜21−4(これらをまとめて「積層ブ
ロック21」と呼ぶことがある)と、これらの表面に形
成されたメタライズ22によって構成される直方体の誘
電体フィルタである。尚、図4及び図5において、誘電
体基板21−1〜21−4の表面のうちメタライズ22
が施された部分はハッチングで示され、メタライズ22
が施されていない部分は用紙の色(白色)で示されてい
る。また、本実施態様にかかる帯域通過フィルタ20
は、図4に示す対象面23を中心として面対称であり、
このため、帯域通過フィルタ20を反対側から見た場合
においても図4及び図5と同じように見える。また、特
に限定されるものではないが、メタライズ22としては
銀ペーストを用いることが好ましい。
As shown in FIGS. 4 and 5, the bandpass filter 20 according to the present embodiment includes four laminated dielectric substrates 21-1 to 21-4 (collectively, the “laminated block 21”). It may be called)), and is a rectangular parallelepiped dielectric filter constituted by the metallization 22 formed on these surfaces. In addition, in FIGS. 4 and 5, the metallization 22 of the surfaces of the dielectric substrates 21-1 to 21-4 is
The hatched area indicates the metallized area.
The portion not subjected to the mark is shown in the color (white) of the paper. In addition, the bandpass filter 20 according to the present embodiment
Is plane-symmetric with respect to the target surface 23 shown in FIG.
Therefore, even when the bandpass filter 20 is viewed from the opposite side, it looks the same as in FIGS. 4 and 5. Moreover, although not particularly limited, it is preferable to use a silver paste as the metallization 22.

【0035】図5に示すように、積層ブロック21を構
成する4枚の誘電体基板21−1〜21−4の長手方向
の側面には、いずれもメタライズ22−1、22−2及
び22−3が共通する位置に形成されている。これらの
うち、メタライズ22−1は入出力電極として用いら
れ、メタライズ22−2及び22−3はグランド電極と
して用いられる。本実施態様においては、誘電体基板2
1−1及び21−4に設けられるメタライズはこれらメ
タライズ22−1、22−2及び22−3のみであり、
その他の表面は露出される。
As shown in FIG. 5, metallization 22-1, 22-2 and 22- are formed on the side surfaces of the four dielectric substrates 21-1 to 21-4 constituting the laminated block 21 in the longitudinal direction. 3 are formed at common positions. Of these, the metallization 22-1 is used as an input / output electrode, and the metallizations 22-2 and 22-3 are used as ground electrodes. In this embodiment, the dielectric substrate 2
Metallizations provided on 1-1 and 21-4 are only these metallizations 22-1, 22-2 and 22-3,
Other surfaces are exposed.

【0036】誘電体基板21−2には、側面に設けられ
たメタライズ22−1、22−2及び22−3の他に、
上面に2つのメタライズ22−4が設けられている。こ
れら2つのメタライズ22−4は、一方の側面に設けら
れたメタライズ22−1及び他方の側面に設けられたメ
タライズ22−1にそれぞれ接続されており、引き出し
配線としての役割を果たすとともに、誘電体基板21−
3上に設けられる複合共振器に対する励振電極としての
役割を果たす。誘電体基板21−2のその他の表面には
メタライズは形成されておらず、露出されている。
On the dielectric substrate 21-2, in addition to the metallizations 22-1, 22-2 and 22-3 provided on the side surfaces,
Two metallizations 22-4 are provided on the upper surface. These two metallizations 22-4 are connected to the metallization 22-1 provided on one side surface and the metallization 22-1 provided on the other side surface, respectively, and serve as lead-out wiring, and at the same time, the dielectric material is formed. Board 21-
3 serves as an excitation electrode for the composite resonator provided on the upper part of FIG. The metallization is not formed on the other surface of the dielectric substrate 21-2 and is exposed.

【0037】誘電体基板21−3には、側面に設けられ
たメタライズ22−1、22−2及び22−3の他に、
上面にメタライズ22−5が設けられている。メタライ
ズ22−5は、誘電体基板21−3の上面のうち、両側
面に設けられたメタライズ22−1との接触を妨げるた
めの切り欠き部24及び2つのスリット部25、26を
除く全面に形成されており、両側面に設けられたメタラ
イズ22−2、22−3と接触することによりグランド
電位が与えられる。図5に示すように、スリット部2
5、26は略コの字状であり、また、スリット部26
は、スリット部25により囲まれた領域内に設けられて
いることから、メタライズ22−5のうち、スリット部
25により囲まれた領域は略コの字状となり、スリット
部26により囲まれた領域は略I字状となる。次に、誘
電体基板21−3の上面図を用いて、メタライズ22−
5の形状をより詳細に説明する。
On the dielectric substrate 21-3, in addition to the metallizations 22-1, 22-2 and 22-3 provided on the side surfaces,
A metallization 22-5 is provided on the upper surface. The metallization 22-5 is formed on the entire upper surface of the dielectric substrate 21-3 except for the notch 24 and the two slits 25 and 26 for preventing contact with the metallization 22-1 provided on both side surfaces. The ground potential is provided by contacting the metallizations 22-2 and 22-3 formed on both sides. As shown in FIG. 5, the slit portion 2
5 and 26 are substantially U-shaped, and the slit portion 26
Is provided in the area surrounded by the slit 25, the area of the metallized 22-5 surrounded by the slit 25 has a substantially U shape, and the area surrounded by the slit 26. Has a substantially I shape. Next, using the top view of the dielectric substrate 21-3, the metallization 22-
The shape of No. 5 will be described in more detail.

【0038】図6は、誘電体基板21−3の上面図であ
る。尚、図6には、誘電体基板21−1〜21−4を積
層した場合におけるメタライズ22−4の平面位置も併
せて示されている。
FIG. 6 is a top view of the dielectric substrate 21-3. In addition, FIG. 6 also shows the planar position of the metallization 22-4 when the dielectric substrates 21-1 to 21-4 are laminated.

【0039】図6に示すように、誘電体基板21−3の
上面に形成されたメタライズ22−5は、スリット部2
6により囲まれた略I字状の領域Aと、スリット部25
により囲まれた略コの字状の領域Bと、それ以外の領域
Cに分けることができ、領域A,Bは、誘電体基板21
−2に設けられたメタライズ22−4によって容量励振
される。尚、図6に示す例においては、メタライズ22
−4が略I字状の領域Aとオーバーラップする部分を有
しているが、略I字状の領域Aを励振可能である限り、
このようなオーバーラップ部分を設ける必要はない。
As shown in FIG. 6, the metallization 22-5 formed on the upper surface of the dielectric substrate 21-3 includes slit portions 2
A substantially I-shaped region A surrounded by 6 and the slit portion 25
It can be divided into a substantially B-shaped region B surrounded by and a region C other than that. The regions A and B are the dielectric substrate 21.
-2 is capacitively excited by the metallization 22-4 provided at -2. Incidentally, in the example shown in FIG.
-4 has a portion overlapping the substantially I-shaped region A, but as long as the substantially I-shaped region A can be excited,
It is not necessary to provide such an overlap part.

【0040】図6から明らかなように、メタライズ22
−5のうち、スリット部26により囲まれた略I字状の
領域Aは、その一端がグランド電極である領域Cと接し
ており、且つ、他端が開放されていることから、これに
隣接する領域Bをグランドパターンと考えれば、図7
(a)に示すように、これら領域A,Bからなる部分
は、領域Aを伝送線とするλ/4波長コプレナー線路と
みなすことができる。一方、スリット部25により囲ま
れた略コの字状の領域Bは、その両端がグランド電極で
ある領域Cと接していることから、これに隣接する領域
A及び領域Cをグランドパターンと考えれば、図7
(b)に示すように、これら領域A,B,Cからなる部
分は、領域Bを伝送線とするλ/2波長コプレナー線路
とみなすことができる。このように、誘電体基板21−
3及びその上面に形成されたメタライズ22−5は、2
つのコプレナー線路を用いた複合共振器として機能す
る。
As is apparent from FIG. 6, the metallization 22
In -5, the substantially I-shaped region A surrounded by the slit portion 26 is adjacent to the region C which has one end in contact with the region C which is the ground electrode and the other end which is open. If the region B to be processed is considered as a ground pattern,
As shown in (a), the portion consisting of the regions A and B can be regarded as a λ / 4 wavelength coplanar line having the region A as a transmission line. On the other hand, the substantially U-shaped region B surrounded by the slit portion 25 has both ends in contact with the region C which is the ground electrode. Therefore, if the regions A and C adjacent thereto are considered as the ground pattern. , Fig. 7
As shown in (b), the portion composed of the regions A, B, and C can be regarded as a λ / 2 wavelength coplanar line having the region B as a transmission line. In this way, the dielectric substrate 21-
3 and the metallization 22-5 formed on the upper surface thereof are 2
It functions as a composite resonator using two coplanar lines.

【0041】したがって、領域Aを伝送線とするコプレ
ナー線路については、n・λ/4共振(n:1以上の奇
数)が可能となり、領域Bを伝送線とするコプレナー線
路については、m・λ/2共振(m:1以上の整数)が
可能となる。
Therefore, n.lamda./4 resonance (n is an odd number of 1 or more) is possible for the coplanar line using the area A as the transmission line, and m.lamda. For the coplanar line using the area B as the transmission line. / 2 resonance (m: integer of 1 or more) is possible.

【0042】図8は、領域Aを伝送線とするコプレナー
線路の共振特性を模式的に示す図であり、λ/4共振が
生じている場合の電圧波形、3λ/4共振が生じている
場合の電圧波形及び5λ/4共振が生じている場合の電
圧波形が示されている。図8に示すように、領域Aを伝
送線とするコプレナー線路においては、n・λ/4共振
(n:1以上の奇数)が可能であることから、領域Aの
長さを設定することにより、目的とする1以上の共振周
波数を得ることができる。
FIG. 8 is a diagram schematically showing the resonance characteristic of the coplanar line having the transmission line in the area A. The voltage waveform when λ / 4 resonance occurs and the case where 3λ / 4 resonance occurs 2 and the voltage waveform when 5λ / 4 resonance occurs. As shown in FIG. 8, in the coplanar line using the region A as the transmission line, n.lamda./4 resonance (n: an odd number of 1 or more) is possible. Therefore, by setting the length of the region A, Thus, one or more desired resonance frequencies can be obtained.

【0043】図9は、領域Bを伝送線とするコプレナー
線路の共振特性を模式的に示す図であり、λ/2共振が
生じている場合の電圧波形、λ共振が生じている場合の
電圧波形及び3λ/2共振が生じている場合の電圧波形
が示されている。図9に示すように、領域Bを伝送線と
するコプレナー線路においては、m・λ/2共振(m:
1以上の整数)が可能であることから、領域Bの長さを
設定することにより、目的とする1以上の共振周波数を
得ることができる。
FIG. 9 is a diagram schematically showing the resonance characteristics of the coplanar line having the transmission line in the region B. The voltage waveform when the λ / 2 resonance occurs and the voltage when the λ resonance occurs. The waveform and the voltage waveform when the 3λ / 2 resonance occurs are shown. As shown in FIG. 9, in the coplanar line having the transmission line in the region B, m · λ / 2 resonance (m:
Since an integer of 1 or more) is possible, the desired resonance frequency of 1 or more can be obtained by setting the length of the region B.

【0044】この場合、領域Aの長さと領域Bの長さと
は、互いに独立して設定可能であることから、領域Aを
伝送線とするコプレナー線路の共振周波数と、領域Bを
伝送線とするコプレナー線路の共振周波数とは、互いに
独立して設定できる。したがって、本実施態様にかかる
帯域通過フィルタ20においては、従来のように、各通
過帯域が最低次モードの共振周波数の奇数倍或いは整数
倍に固定されてしまうということがなく、奇数倍乃至は
整数倍の関係にない複数の通過帯域をもたせることが可
能となる。これにより、本実施態様にかかる帯域通過フ
ィルタ20は、使用する周波数帯域が奇数倍乃至は整数
倍の関係にない複数の方式による通信を行う情報通信端
末用の帯域通過フィルタとして好適に用いることが可能
となる。
In this case, since the length of the region A and the length of the region B can be set independently of each other, the resonance frequency of the coplanar line having the region A as the transmission line and the region B as the transmission line. The resonance frequency of the coplanar line can be set independently of each other. Therefore, in the bandpass filter 20 according to the present embodiment, each passband is not fixed at an odd multiple or an integral multiple of the resonance frequency of the lowest order mode as in the conventional case, and an odd multiple or an integer multiple. It is possible to have a plurality of pass bands that are not in a double relationship. As a result, the bandpass filter 20 according to the present embodiment can be suitably used as a bandpass filter for an information communication terminal that performs communication by a plurality of systems in which the frequency bands to be used are not odd multiples or integer multiples. It will be possible.

【0045】図10は、帯域通過フィルタ20の周波数
特性を示すグラフである。尚、図10に示す周波数特性
は、帯域通過フィルタ20を構成する誘電体基板21−
1及び21−4の比誘電率εが約50であり、誘電体基
板21−2及び21−3の比誘電率εが約92であり、
誘電体基板21−1〜21−4の平面サイズがいずれも
8.0mm×3.5mmであり、誘電体基板21−1〜
21−4の厚みがそれぞれ0.4mm、0.8mm、
0.2mm及び0.4mmであり、また、メタライズ2
2−5のうち、スリット部26により囲まれた略I字状
の領域Aの長さ及び幅がそれぞれ4.3mm及び0.4
mmであり、スリット部25により囲まれた略U字状の
領域Bの長さ及び幅がそれぞれ12.5mm及び0.3
mmである場合の特性である。ここで、領域Bの長さと
は、領域Bの中心に沿った長さにより定義される。
FIG. 10 is a graph showing the frequency characteristic of the bandpass filter 20. The frequency characteristic shown in FIG. 10 has a dielectric substrate 21-
The relative permittivity ε of 1 and 21-4 is about 50, the relative permittivity ε of the dielectric substrates 21-2 and 21-3 is about 92,
Each of the dielectric substrates 21-1 to 21-4 has a planar size of 8.0 mm × 3.5 mm, and the dielectric substrates 21-1 to 21-4
21-4 has a thickness of 0.4 mm, 0.8 mm,
0.2 mm and 0.4 mm, and metallization 2
2-5, the length and width of the substantially I-shaped region A surrounded by the slit portion 26 are 4.3 mm and 0.4, respectively.
mm, and the length and width of the substantially U-shaped region B surrounded by the slit portion 25 are 12.5 mm and 0.3, respectively.
It is a characteristic when it is mm. Here, the length of the region B is defined by the length along the center of the region B.

【0046】図10に示すように、本実施態様にかかる
帯域通過フィルタ20は、3GHz以下の周波数帯域に
おいて4つの通過帯域(約1GHz、約1.5GHz、
約2GHz、約3GHz)を有している。
As shown in FIG. 10, the bandpass filter 20 according to this embodiment has four passbands (about 1 GHz, about 1.5 GHz, and 3 GHz).
About 2 GHz, about 3 GHz).

【0047】これらのうち、約1GHzの通過帯域は、
領域Bを伝送線とするコプレナー線路の最低次モードの
共振(図9に示すλ/2共振)に基づいており、当該周
波数においては、領域Aはグランドパターンとみなされ
る。また、約2GHz及び約3GHzの通過帯域につい
ては、それぞれ領域Bを伝送線とするコプレナー線路の
2次モードの共振(図9に示すλ共振)及び3次モード
の共振(図9に示す3λ/2共振)に基づいており、そ
の共振周波数が最低次モードの共振周波数の整数倍(2
倍及び3倍)となっていることが確認できる。
Of these, the pass band of about 1 GHz is
It is based on the resonance (λ / 2 resonance shown in FIG. 9) of the lowest mode of the coplanar line having the region B as the transmission line, and the region A is regarded as the ground pattern at the frequency. Regarding the pass bands of about 2 GHz and about 3 GHz, the second-order mode resonance (λ resonance shown in FIG. 9) and the third-order mode resonance (3λ / shown in FIG. 9) of the coplanar line having the region B as the transmission line, respectively. 2 resonance), and the resonance frequency is an integer multiple (2
2 times and 3 times).

【0048】一方、約1.5GHzの通過帯域は、領域
Aを伝送線とするコプレナー線路の最低次モードの共振
(図8に示すλ/4共振)に基づいており、当該周波数
においては、領域Bはグランドパターンとみなされる。
したがって、図10には示されていないが、帯域通過フ
ィルタ20の周波数特性には、4.5GHz、7.5G
Hz等、最低次モードの共振周波数である約1.5GH
zの奇数倍に相当する高次モードの共振(図8に示す3
λ/4共振、5λ/4共振等)に基づいた通過帯域が現
れるはずである。
On the other hand, the pass band of about 1.5 GHz is based on the resonance of the lowest order mode (λ / 4 resonance shown in FIG. 8) of the coplanar line having the area A as the transmission line, and the area at the frequency. B is regarded as a ground pattern.
Therefore, although not shown in FIG. 10, the frequency characteristics of the band pass filter 20 include 4.5 GHz and 7.5 G.
GH, which is the resonance frequency of the lowest mode such as Hz
Resonance of a higher mode equivalent to an odd multiple of z (3 shown in FIG.
A passband based on λ / 4 resonance, 5λ / 4 resonance, etc.) should appear.

【0049】以上説明したように、本実施態様によれ
ば、領域Aの長さ及び領域Bの長さの設定により、領域
Aを伝送線とするコプレナー線路の共振周波数と、領域
Bを伝送線とするコプレナー線路の共振周波数とを互い
に独立して設定可能であることから、少なくとも2つの
通過帯域の周波数を任意に設定することができる。した
がって、本実施態様にかかる帯域通過フィルタ20は、
使用する周波数帯域が奇数倍乃至は整数倍の関係にない
複数の方式による通信を行う情報通信端末用の帯域通過
フィルタとして好適に用いることが可能となる。
As described above, according to this embodiment, by setting the length of the region A and the length of the region B, the resonance frequency of the coplanar line having the region A as the transmission line and the region B as the transmission line. Since the resonance frequency of the coplanar line can be set independently of each other, the frequencies of at least two pass bands can be set arbitrarily. Therefore, the bandpass filter 20 according to the present embodiment is
The frequency band to be used can be suitably used as a bandpass filter for an information communication terminal that performs communication by a plurality of methods that are not in the relationship of odd multiples or integer multiples.

【0050】尚、上記実施態様にかかる帯域通過フィル
タ20には、図4に示すように、誘電体基板21−1〜
21−4が積層された状態において、積層ブロック21
の長手方向の側面にのみメタライズ22が設けられてい
るが、その他の面にもメタライズ22を設けても構わな
い。
As shown in FIG. 4, the bandpass filter 20 according to the above embodiment has dielectric substrates 21-1 to 21-1.
In the state where 21-4 are stacked, the stacked block 21
Although the metallization 22 is provided only on the side surface in the longitudinal direction, the metallization 22 may be provided on the other surfaces.

【0051】図11は、積層ブロック21の他の面にも
メタライズ22を設けた例による帯域通過フィルタ2
0’を示す略斜視図であり、図12は、各誘電体基板2
1−1〜21−4を分解した状態を示す略分解斜視図で
ある。
FIG. 11 shows a bandpass filter 2 according to an example in which a metallization 22 is provided on the other surface of the laminated block 21.
12 is a schematic perspective view showing 0 ', and FIG.
It is a schematic exploded perspective view which shows the state which decomposed | disassembled 1-1 to 21-4.

【0052】図11及び図12に示すように、帯域通過
フィルタ20’においては、最上層を構成する誘電体基
板21−1の上面にメタライズ22−6が設けられてい
るとともに、各誘電体基板21−1〜21−4の短辺方
向の側面にもメタライズ22−7が設けられている。
尚、図示しないが、最下層を構成する誘電体基板21−
4の底面にもメタライズが設けられている。このよう
に、積層ブロック21の他の面にもメタライズ22を設
ける場合、最上層を構成する誘電体基板21−1の上面
には、入出力電極であるメタライズ22−1とグランド
電極であるメタライズ22−6との接触を妨げる切り欠
き部27が必要である。同様に、図示しないが、最下層
を構成する誘電体基板21−4の底面にも、入出力電極
であるメタライズ22−1とグランド電極であるメタラ
イズ(図示せず)との接触を妨げる切り欠き部(図示せ
ず)が必要である。
As shown in FIGS. 11 and 12, in the bandpass filter 20 ', the metallization 22-6 is provided on the upper surface of the dielectric substrate 21-1 constituting the uppermost layer, and each dielectric substrate 21-1 is provided. Metallization 22-7 is also provided on the side surfaces of 21-1 to 21-4 in the short side direction.
Although not shown, the dielectric substrate 21- constituting the lowermost layer
Metallization is also provided on the bottom surface of 4. In this way, when the metallization 22 is provided on the other surface of the laminated block 21 as well, the metallization 22-1 which is the input / output electrode and the metallization which is the ground electrode are formed on the upper surface of the dielectric substrate 21-1 forming the uppermost layer. A cutout 27 is required to prevent contact with 22-6. Similarly, although not shown, a cutout that prevents contact between the metallization 22-1 that is the input / output electrode and the metallization (not shown) that is the ground electrode is also formed on the bottom surface of the dielectric substrate 21-4 forming the lowermost layer. A part (not shown) is required.

【0053】次に、本発明の好ましい他の実施態様につ
いて説明する。
Next, another preferred embodiment of the present invention will be described.

【0054】図13は、本発明の好ましい他の実施態様
にかかる帯域通過フィルタ30を構成する各誘電体基板
を分解した状態を示す略分解斜視図である。尚、これら
各誘電体基板を積層した後においては、上記実施態様に
かかる帯域通過フィルタ20の外観と差はなく、その外
観は図4に示したとおりである。
FIG. 13 is a schematic exploded perspective view showing an exploded state of each dielectric substrate constituting the bandpass filter 30 according to another preferred embodiment of the present invention. After stacking these dielectric substrates, there is no difference from the appearance of the bandpass filter 20 according to the above embodiment, and the appearance is as shown in FIG.

【0055】本実施態様にかかる帯域通過フィルタ30
は、上記実施態様にかかる帯域通過フィルタ20に対
し、誘電体基板21−3上に構成される複合共振器に対
する励振方法において異なり、その他の構成については
上記実施態様にかかる帯域通過フィルタ20と同様であ
る。したがって、上記実施態様にかかる帯域通過フィル
タ20と同一の構成要素については同一の符号を付し、
重複する説明は省略する。
Bandpass filter 30 according to the present embodiment
Differs from the bandpass filter 20 according to the above embodiment in the excitation method for the composite resonator formed on the dielectric substrate 21-3, and other configurations are similar to those of the bandpass filter 20 according to the above embodiment. Is. Therefore, the same components as those of the bandpass filter 20 according to the above embodiment are designated by the same reference numerals,
A duplicate description will be omitted.

【0056】図13に示すように、帯域通過フィルタ3
0においては、誘電体基板21−2上に設けられたメタ
ライズ22−4が途中から細くされている。かかる細い
メタライズ22−8は、引き出し配線としての役割を果
たすとともに、誘電体基板21−3上に設けられる複合
共振器に対する励振電極としての役割を果たす。
As shown in FIG. 13, the band pass filter 3
At 0, the metallization 22-4 provided on the dielectric substrate 21-2 is thinned from the middle. The thin metallization 22-8 serves as an extraction wiring and also as an excitation electrode for the composite resonator provided on the dielectric substrate 21-3.

【0057】図14は、図13に示すA−A線に沿った
略断面図である。
FIG. 14 is a schematic sectional view taken along the line AA shown in FIG.

【0058】図14に示すように、誘電体基板21−2
には4つのスルーホール配線31−1〜31−4が設け
られている。これらのうち、スルーホール配線31−
1、31−2は対応するメタライズ22−8とメタライ
ズ22−5のうち領域Aに対応する部分(図14におい
ては、22−5(A)と表記)とをそれぞれ接続してお
り、スルーホール配線31−3、31−4は対応するメ
タライズ22−8とメタライズ22−5のうち領域Bに
対応する部分(図14においては、22−5(B)と表
記)とをそれぞれ接続している。
As shown in FIG. 14, the dielectric substrate 21-2
Are provided with four through-hole wirings 31-1 to 31-4. Of these, through-hole wiring 31-
Reference numerals 1 and 31-2 respectively connect the corresponding metallization 22-8 and the portion corresponding to the area A of the metallization 22-5 (indicated as 22-5 (A) in FIG. 14), and form through holes. The wirings 31-3 and 31-4 connect the corresponding metallization 22-8 and the portion corresponding to the region B of the metallization 22-5 (indicated by 22-5 (B) in FIG. 14), respectively. .

【0059】図15は、誘電体基板21−3の上面図で
あり、誘電体基板21−1〜21−4を積層した場合に
おけるメタライズ22−4、22−8の平面位置及びス
ルーホール配線31−1〜31−4の平面位置も併せて
示されている。図15を参照すれば、スリット部26に
より囲まれた略I字状の領域Aがスルーホール配線31
−1または31−2を介して誘導的に励振され、スリッ
ト部25により囲まれた略コの字状の領域Bがスルーホ
ール配線31−3または31−4を介して誘導的に励振
されることが分かる。
FIG. 15 is a top view of the dielectric substrate 21-3, showing the plane positions of the metallization 22-4, 22-8 and the through-hole wiring 31 when the dielectric substrates 21-1 to 21-4 are laminated. The plane positions of -1 to 31-4 are also shown together. Referring to FIG. 15, the substantially I-shaped region A surrounded by the slit portion 26 is a through hole wiring 31.
-1 or 31-2 inductively excited, and the substantially U-shaped region B surrounded by the slit portion 25 is inductively excited via the through-hole wiring 31-3 or 31-4. I understand.

【0060】これにより、本実施態様にかかる帯域通過
フィルタ30においても、領域Aを伝送線とするコプレ
ナー線路及び領域Bを伝送線とするコプレナー線路を励
振することができることから、領域Aの長さ及び領域B
の長さを調整することにより、奇数倍乃至は整数倍の関
係にない複数の通過帯域をもたせることが可能となる。
Accordingly, also in the bandpass filter 30 according to the present embodiment, the coplanar line having the area A as the transmission line and the coplanar line having the area B as the transmission line can be excited, so that the length of the area A is increased. And area B
By adjusting the length of, it is possible to have a plurality of pass bands that are not in odd multiples or integer multiples.

【0061】次に、本発明の好ましいさらに他の実施態
様について説明する。
Next, still another preferred embodiment of the present invention will be described.

【0062】図16は、本発明の好ましいさらに他の実
施態様にかかる帯域通過フィルタ40を構成する各誘電
体基板を分解した状態を示す略分解斜視図である。尚、
これら各誘電体基板を積層した後においては、上記実施
態様にかかる帯域通過フィルタ20’の外観とほとんど
差はなく、その外観は図11に示したとおりである。
FIG. 16 is a schematic exploded perspective view showing an exploded state of each dielectric substrate constituting the bandpass filter 40 according to still another preferred embodiment of the present invention. still,
After stacking these dielectric substrates, there is almost no difference from the appearance of the bandpass filter 20 'according to the above embodiment, and the appearance is as shown in FIG.

【0063】本実施態様にかかる帯域通過フィルタ40
は、上記実施態様にかかる帯域通過フィルタ30と同
様、誘電体基板21−3上に構成された複合共振器を誘
導励振するタイプであるが、励振電極となるメタライズ
の配置において上記実施態様にかかる帯域通過フィルタ
30と異なるとともに、誘電体基板21−1〜21−4
にスルーホール配線41が設けられている点において上
記実施態様にかかる帯域通過フィルタ30と異なる。そ
の他の構成については上記実施態様にかかる帯域通過フ
ィルタ30と同様であるので、上記実施態様にかかる帯
域通過フィルタ30と同一の構成要素については同一の
符号を付し、重複する説明は省略する。
Bandpass filter 40 according to the present embodiment
Similarly to the bandpass filter 30 according to the above-described embodiment, is a type in which a composite resonator formed on the dielectric substrate 21-3 is inductively excited. However, according to the above-described embodiment in the arrangement of the metallization serving as an excitation electrode. Different from the band pass filter 30, the dielectric substrates 21-1 to 21-4
The point that the through-hole wiring 41 is provided is different from the band pass filter 30 according to the above-described embodiment. Since the other configurations are similar to those of the bandpass filter 30 according to the above-described embodiment, the same components as those of the bandpass filter 30 according to the above-mentioned embodiment are denoted by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted.

【0064】図17は、誘電体基板21−3の上面図で
ある。
FIG. 17 is a top view of the dielectric substrate 21-3.

【0065】図16及び図17に示すように、誘電体基
板21−3上には、メタライズ22−1とメタライズ2
2−5の領域Bとを接続する細いメタライズ22−9
と、メタライズ22−5の領域Aと領域Bとを接続する
細いメタライズ22−10とを備えている。したがっ
て、領域Bを伝送線とするコプレナー線路については、
メタライズ22−9を介して励振され、領域Aを伝送線
とするコプレナー線路については、メタライズ22−
9、22−10を介して励振されることになる。このよ
うに、本実施態様においては、励振電極となるメタライ
ズ22−9,22−10を誘電体基板21−3上に配置
することによって、励振電極と接続するためのスルーホ
ール配線31の省略を可能としている。
As shown in FIGS. 16 and 17, metallization 22-1 and metallization 2 are formed on the dielectric substrate 21-3.
A thin metallization 22-9 for connecting to the area B of 2-5
And a thin metallization 22-10 connecting the region A and the region B of the metallization 22-5. Therefore, for the coplanar line that uses the region B as the transmission line,
For the coplanar line which is excited through the metallization 22-9 and uses the region A as a transmission line, the metallization 22-
It will be excited via 9, 22-10. As described above, in this embodiment, the metallizations 22-9 and 22-10 to be the excitation electrodes are arranged on the dielectric substrate 21-3, so that the through-hole wiring 31 for connecting to the excitation electrodes can be omitted. It is possible.

【0066】このように、本実施態様にかかる帯域通過
フィルタ30においても、領域Aを伝送線とするコプレ
ナー線路及び領域Bを伝送線とするコプレナー線路を励
振することができることから、領域Aの長さ及び領域B
の長さを調整することにより、奇数倍乃至は整数倍の関
係にない複数の通過帯域をもたせることが可能となる。
As described above, also in the bandpass filter 30 according to the present embodiment, since the coplanar line having the area A as the transmission line and the coplanar line having the area B as the transmission line can be excited, the length of the area A is increased. Area B
By adjusting the length of, it is possible to have a plurality of pass bands that are not in odd multiples or integer multiples.

【0067】尚、本実施態様においては、図17を参照
すれば明らかなように、誘電体基板21−3上に設けら
れたメタライズ22−5の領域Cが2つに分断されてし
まう。しかしながら、本実施態様においては、図16に
示すように、これら分断された領域Cはいずれもスルー
ホール配線41を介して、最上層となる誘電体基板21
−1の上面や最下層となる誘電体基板21−4の底面に
設けられたメタライズ22−6に接続されていることか
ら、いずれの領域にも確実にグランド電位が与えられ
る。尚、これら分断された領域Cは、誘電体基板21−
3の長辺方向の側面に設けられたメタライズ22−2、
22−3や短辺方向の側面に設けられたメタライズ22
−7を介して、誘電体基板21−1の上面及び誘電体基
板21−4の底面に設けられたメタライズ22−6に接
続されているので、メタライズ22−7を介した接続に
より、分断された領域Cの両方に確実にグランド電位を
与えることができれば、このようなスルーホール配線4
1を省略しても構わない。
In this embodiment, as is apparent from FIG. 17, the region C of the metallization 22-5 provided on the dielectric substrate 21-3 is divided into two. However, in this embodiment, as shown in FIG. 16, each of the divided regions C is the uppermost dielectric substrate 21 via the through hole wiring 41.
Since it is connected to the metallization 22-6 provided on the upper surface of -1 or the bottom surface of the dielectric substrate 21-4, which is the lowermost layer, the ground potential is surely applied to any region. The divided region C is the dielectric substrate 21-
3, a metallization 22-2 provided on the side surface in the long side direction,
22-3 and the metallization 22 provided on the side surface in the short side direction
Since it is connected to the metallization 22-6 provided on the top surface of the dielectric substrate 21-1 and the bottom surface of the dielectric substrate 21-4 via -7, it is separated by the connection via the metallization 22-7. If the ground potential can be reliably applied to both of the regions C, the through hole wiring 4
1 may be omitted.

【0068】次に、本発明の好ましいさらに他の実施態
様について説明する。
Next, another preferred embodiment of the present invention will be described.

【0069】図18は、本発明の好ましいさらに他の実
施態様にかかる帯域通過フィルタ50を構成する各誘電
体基板を分解した状態を示す略分解斜視図である。図1
8に示すように、本実施態様にかかる帯域通過フィルタ
50は、本発明にかかる複合共振器が2段用いられた多
段フィルタである。
FIG. 18 is a schematic exploded perspective view showing a state in which each dielectric substrate constituting the bandpass filter 50 according to still another preferred embodiment of the present invention is disassembled. Figure 1
As shown in FIG. 8, the bandpass filter 50 according to the present embodiment is a multistage filter in which two stages of the composite resonator according to the present invention are used.

【0070】具体的には、帯域通過フィルタ50は、積
層される4枚の誘電体基板51−1〜51−4(これら
をまとめて「積層ブロック」と呼ぶことがある)と、こ
れらの表面に形成されたメタライズによって構成される
直方体の誘電体フィルタである。図18に示すように、
積層ブロックを構成する4枚の誘電体基板51−1〜5
1−4の長手方向の側面には、いずれもメタライズ52
−1、52−2及び52−3が共通する位置に形成され
ている。これらのうち、メタライズ52−1は入出力電
極として用いられ、メタライズ52−2及び52−3は
グランド電極として用いられる。また、各誘電体基板5
1−1〜51−4の短辺方向の側面には、メタライズ5
2−7が設けられている。
Specifically, the bandpass filter 50 includes four dielectric substrates 51-1 to 51-4 (collectively referred to as "laminated block") and their surfaces. This is a rectangular parallelepiped dielectric filter configured by metallization formed on the. As shown in FIG.
Four dielectric substrates 51-1 to 5-5 forming a laminated block
Metallization 52 is provided on each of the side surfaces in the longitudinal direction of 1-4.
-1, 52-2 and 52-3 are formed at a common position. Of these, the metallize 52-1 is used as an input / output electrode, and the metallize 52-2 and 52-3 are used as ground electrodes. In addition, each dielectric substrate 5
Metallization 5 is provided on the side surfaces in the short side direction of 1-1 to 51-4.
2-7 are provided.

【0071】さらに、誘電体基板51−1の上面には、
切り欠き部57を除く全面にグランド電極であるメタラ
イズ52−6がさらに設けられている。かかるメタライ
ズ52−6は、切り欠き部57によって、入出力電極で
あるメタライズ52−1との接触が妨げられている。図
示はしないが誘電体基板51−4の底面も同様である。
以下に詳述するが、誘電体基板51−1には長手方向に
沿って多数のスルーホール配線61が設けられている。
Furthermore, on the upper surface of the dielectric substrate 51-1,
A metallization 52-6, which is a ground electrode, is further provided on the entire surface excluding the cutout portion 57. The metallization 52-6 is prevented from coming into contact with the metallization 52-1 which is an input / output electrode by the cutout portion 57. Although not shown, the bottom surface of the dielectric substrate 51-4 is similar.
As will be described in detail below, the dielectric substrate 51-1 is provided with a large number of through-hole wirings 61 along the longitudinal direction.

【0072】また、誘電体基板51−2には、上面にメ
タライズ52−4、52−8、52−9がさらに設けら
れている。これらのうち、メタライズ52−4は、一方
の側面に設けられたメタライズ52−1及び他方の側面
に設けられたメタライズ52−1にそれぞれ接続されて
おり、引き出し配線としての役割を果たすとともに、誘
電体基板51−3上に設けられる2つの複合共振器に対
する励振電極としての役割を果たす。また、メタライズ
52−8は、誘電体基板51−3上に設けられる2つの
複合共振器を接続する励振電極としての役割を果たす。
さらに、メタライズ52−9は、誘電体基板51−1に
設けられたスルーホール配線61及び誘電体基板51−
2の側面に設けられたメタライズ52−7と接してお
り、これによりグランド電極として用いられる。以下に
詳述するが、誘電体基板51−2には長手方向に沿って
多数のスルーホール配線62が設けられている。
Further, the dielectric substrate 51-2 is further provided with metallizations 52-4, 52-8, 52-9 on the upper surface. Of these, the metallization 52-4 is connected to the metallization 52-1 provided on one side surface and the metallization 52-1 provided on the other side surface, respectively, and plays a role as a lead wiring and also serves as a dielectric. It serves as an excitation electrode for the two composite resonators provided on the body substrate 51-3. Further, the metallization 52-8 serves as an excitation electrode that connects the two composite resonators provided on the dielectric substrate 51-3.
Further, the metallization 52-9 includes the through-hole wiring 61 provided on the dielectric substrate 51-1 and the dielectric substrate 51-1.
It is in contact with the metallization 52-7 provided on the second side surface, and is used as a ground electrode. As will be described in detail below, the dielectric substrate 51-2 is provided with a large number of through-hole wirings 62 along the longitudinal direction.

【0073】さらに、誘電体基板51−3には、上面に
メタライズ52−5が設けられている。メタライズ52
−5は、図6に示したメタライズ22−5のパターンが
2回繰り返されたパターンを有しており、その詳細につ
いては後述する。かかるメタライズ52−5は、切り欠
き部54によって、入出力電極であるメタライズ52−
1との接触が妨げられている。以下に詳述するが、誘電
体基板51−3には長手方向に沿って多数のスルーホー
ル配線63が設けられている。
Further, the dielectric substrate 51-3 is provided with a metallization 52-5 on the upper surface. Metallize 52
-5 has a pattern in which the pattern of the metallization 22-5 shown in FIG. 6 is repeated twice, and details thereof will be described later. The metallization 52-5 is a metallization 52-which is an input / output electrode due to the notch 54.
Contact with 1 is blocked. As will be described in detail below, the dielectric substrate 51-3 is provided with a number of through-hole wirings 63 along the longitudinal direction.

【0074】そして、誘電体基板51−4の上面には、
誘電体基板51−3に設けられたスルーホール配線63
及び誘電体基板51−4の側面に設けられたメタライズ
52−7と接するメタライズ52−10が設けられ、底
面(図示せず)には、メタライズ52−1との接触を妨
げるための切り欠き部を除く全面にグランド電極である
メタライズ(図示せず)が設けられている。以下に詳述
するが、誘電体基板51−4には長手方向に沿って多数
のスルーホール配線64が設けられている。
Then, on the upper surface of the dielectric substrate 51-4,
Through-hole wiring 63 provided on the dielectric substrate 51-3
And a metallization 52-10 provided in contact with the metallization 52-7 provided on the side surface of the dielectric substrate 51-4, and a notch portion for preventing contact with the metallization 52-1 on the bottom surface (not shown). A metallization (not shown) that is a ground electrode is provided on the entire surface except for. As will be described in detail below, the dielectric substrate 51-4 is provided with a number of through-hole wirings 64 along the longitudinal direction.

【0075】次に、誘電体基板21−3の上面図を用い
て、メタライズ22−5の形状をより詳細に説明する。
Next, the shape of the metallization 22-5 will be described in more detail with reference to the top view of the dielectric substrate 21-3.

【0076】図19は、誘電体基板51−3の上面図で
ある。尚、図19には、誘電体基板51−1〜51−4
を積層した場合におけるメタライズ52−4、52−
8、52−9の平面位置も併せて示されている。
FIG. 19 is a top view of the dielectric substrate 51-3. Incidentally, FIG. 19 shows the dielectric substrates 51-1 to 51-4.
Metallization 52-4, 52- in the case of stacking
The plane positions of 8, 52-9 are also shown.

【0077】図19に示すように、誘電体基板51−3
の上面に形成されたメタライズ52−5は、スリット部
56により囲まれた略I字状の領域A1、A2と、スリ
ット部55により囲まれた略コの字状の領域B1、B2
と、それ以外の領域Cに分けることができ、領域A1,
A2,B1,B2は、誘電体基板51−2に設けられた
メタライズ52−4、52−8によって容量励振され
る。したがって、領域A1と領域A2の形状を一致させ
るとともに、領域B1と領域B2の形状を一致させれ
ば、領域A1,B1,Cにより構成される複合共振器と
領域A2,B2,Cにより構成される複合共振器の特性
が一致することから、2段の帯域通過フィルタとして機
能することになる。
As shown in FIG. 19, the dielectric substrate 51-3
The metallization 52-5 formed on the upper surface of the metal is formed into a substantially I-shaped region A1 and A2 surrounded by the slit portion 56 and a substantially U-shaped region B1 and B2 surrounded by the slit portion 55.
And other areas C, and the areas A1,
A2, B1 and B2 are capacitively excited by metallizations 52-4 and 52-8 provided on the dielectric substrate 51-2. Therefore, if the shapes of the areas A1 and A2 are matched and the shapes of the areas B1 and B2 are matched, the composite resonator constituted by the areas A1, B1, C and the areas A2, B2, C are constituted. Since the characteristics of the composite resonator are the same, the composite resonator functions as a two-stage bandpass filter.

【0078】図20は、図18に示すB−B線に沿った
略断面図である。
FIG. 20 is a schematic sectional view taken along the line BB shown in FIG.

【0079】図20に示すように、誘電体基板51−1
〜51−4には、誘電体基板51−3上に構成される2
つの複合共振器間に多数のスルーホール配線61〜64
が設けられている。かかるスルーホール配線には全てグ
ランド電位が与えられることから、これによって、2つ
の複合共振器間の結合が抑制されている。
As shown in FIG. 20, a dielectric substrate 51-1
2 to 51-4 are formed on the dielectric substrate 51-3.
A large number of through-hole wirings 61 to 64 between one composite resonator
Is provided. Since the ground potential is applied to all the through-hole wirings, the coupling between the two composite resonators is suppressed by this.

【0080】以上のように、本実施態様にかかる帯域通
過フィルタ50は、2つの複合共振器を用いた2段フィ
ルタとして機能することから、上記各実施態様による効
果に加え、遮断領域における減衰量をより増大させるこ
とが可能となる。
As described above, since the bandpass filter 50 according to this embodiment functions as a two-stage filter using two composite resonators, in addition to the effects of each of the above embodiments, the attenuation amount in the cutoff region is increased. Can be further increased.

【0081】尚、本実施態様においては、2つの複合共
振器を容量的に励振しているが、上記実施態様にかかる
帯域通過フィルタ30、40と同様、これらを誘導的に
励振しても構わない。
Although the two composite resonators are capacitively excited in this embodiment, they may be inductively excited like the bandpass filters 30 and 40 according to the above embodiment. Absent.

【0082】また、本実施態様においては、2つの複合
共振器間の好ましくない結合を防止するためにスルーホ
ール配線61〜64を用いているが、これら複合共振器
間の距離を大きく設定することによって、スルーホール
配線61〜64やメタライズ52−9、52−10を用
いることなく結合を防止しても構わない。また、スルー
ホール配線を用いる場合であっても、目的とする特性に
よっては、メタライズ52−9、52−10を用いるこ
となく、少数のスルーホール配線を設けるに止めても構
わない。
Further, in this embodiment, the through-hole wirings 61 to 64 are used to prevent undesired coupling between the two composite resonators, but the distance between these composite resonators should be set large. Therefore, the coupling may be prevented without using the through hole wirings 61 to 64 and the metallizations 52-9 and 52-10. Even if the through-hole wiring is used, depending on the desired characteristics, a small number of through-hole wirings may be provided without using the metallization 52-9 and 52-10.

【0083】さらに、本実施態様においては、誘電体基
板51−3上に2つの複合共振器を構成しているが、3
以上の複合共振器を用いることにより3段以上の帯域通
過フィルタを構成することも可能である。
Furthermore, in this embodiment, two composite resonators are formed on the dielectric substrate 51-3, but three composite resonators are provided.
It is also possible to construct a bandpass filter having three or more stages by using the above composite resonator.

【0084】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims, and these are also included in the scope of the present invention. It goes without saying that it is a thing.

【0085】例えば、上記各実施態様においては、いず
れも4枚の誘電体基板を用いて積層ブロックを構成して
いるが、積層ブロックを構成する誘電体基板の枚数は一
例であり、本発明がこれに限定されるものではない。
For example, in each of the above embodiments, the laminated block is formed by using four dielectric substrates, but the number of the dielectric substrates forming the laminated block is an example, and the present invention is not limited to this. It is not limited to this.

【0086】また、上記各実施態様においては、領域B
の形状を略コの字状としているが、両端が接地される限
りにおいてコの字状であることは必須でなく、例えば、
U字状であっても構わない。同様に、上記各実施態様に
おいては、領域Aの形状を略I字状としているが、一端
が接地され他端が開放される限りにおいてI字状である
ことは必須でなく、例えば、J字状やS字状であっても
構わない。
In each of the above embodiments, the area B
Although the shape of is in a substantially U shape, it is not essential that it is U shape as long as both ends are grounded.
It may be U-shaped. Similarly, in each of the above embodiments, the shape of the region A is substantially I-shaped, but it is not essential that the region A is I-shaped as long as one end is grounded and the other end is open. It may have a shape or an S shape.

【0087】[0087]

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、一方のコプレナー線路を構成する伝送線を他方のコ
プレナー線路を構成するグランドパターンとして用いて
いることから、少なくとも2つの共振周波数を互いに独
立して設定することが可能となる。このため、このよう
な複合共振器を用いて帯域通過フィルタを構成すれば、
従来のように、各通過帯域が最低次モードの共振周波数
の奇数倍或いは整数倍に固定されてしまうということが
なくなり、奇数倍乃至は整数倍の関係にない複数の通過
帯域をもたせることが可能となる。したがって、使用す
る周波数帯域が奇数倍乃至は整数倍の関係にない複数の
方式による通信を行う情報通信端末用の帯域通過フィル
タとして好適に利用することが可能となる。
As described above, according to the present invention, since the transmission line forming one coplanar line is used as the ground pattern forming the other coplanar line, at least two resonance frequencies are independent of each other. Can be set. Therefore, if a bandpass filter is constructed using such a composite resonator,
As in the past, each passband is no longer fixed at an odd multiple or an integral multiple of the resonance frequency of the lowest order mode, and it is possible to have multiple passbands that are not in the odd multiple or integral multiple relationship. Becomes Therefore, the frequency band to be used can be suitably used as a bandpass filter for an information communication terminal that performs communication by a plurality of methods that are not in a relationship of odd multiples or integer multiples.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、コプレナー線路の基本構造を概略的に
示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view schematically showing a basic structure of a coplanar line.

【図2】図2(a)は、λ/4共振器として機能するコ
プレナー線路を概略的に示す平面図であり、図2(b)
は、λ/2共振器として機能するコプレナー線路を概略
的に示す平面図である。
2 (a) is a plan view schematically showing a coplanar line functioning as a λ / 4 resonator, and FIG.
FIG. 4 is a plan view schematically showing a coplanar line that functions as a λ / 2 resonator.

【図3】図3は、2つのコプレナー線路の一部を互いに
共用する原理を説明するための模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the principle of sharing a part of two coplanar lines with each other.

【図4】図4は、本発明の好ましい実施態様にかかる帯
域通過フィルタ20を概略的に示す略斜視図である。
FIG. 4 is a schematic perspective view schematically showing a bandpass filter 20 according to a preferred embodiment of the present invention.

【図5】図5は、帯域通過フィルタ20を構成する各誘
電体基板を分解した状態を示す略分解斜視図である。
FIG. 5 is a schematic exploded perspective view showing a state in which each dielectric substrate that constitutes the bandpass filter 20 is exploded.

【図6】図6は、帯域通過フィルタ20を構成する誘電
体基板21−3の上面図である。
FIG. 6 is a top view of a dielectric substrate 21-3 forming the bandpass filter 20.

【図7】図7(a)は、帯域通過フィルタ20に含まれ
る複合共振器がλ/4共振器として機能している状態を
示す模式図であり、図7(b)は、帯域通過フィルタ2
0に含まれる複合共振器がλ/2共振器として機能して
いる状態を示す模式図である。
7 (a) is a schematic diagram showing a state in which a composite resonator included in the bandpass filter 20 functions as a λ / 4 resonator, and FIG. 7 (b) is a bandpass filter. Two
It is a schematic diagram which shows the state in which the composite resonator contained in 0 is functioning as a (lambda) / 2 resonator.

【図8】図8は、領域Aを伝送線とするコプレナー線路
の共振特性を模式的に示す図である。
FIG. 8 is a diagram schematically showing a resonance characteristic of a coplanar line having a region A as a transmission line.

【図9】図9は、領域Bを伝送線とするコプレナー線路
の共振特性を模式的に示す図である。
FIG. 9 is a diagram schematically showing a resonance characteristic of a coplanar line having a region B as a transmission line.

【図10】図10は、帯域通過フィルタ20の周波数特
性を示すグラフである。
FIG. 10 is a graph showing frequency characteristics of the bandpass filter 20.

【図11】図11は、帯域通過フィルタ20の変形例で
ある帯域通過フィルタ20’を概略的に示す略斜視図で
ある。
FIG. 11 is a schematic perspective view schematically showing a bandpass filter 20 ′ which is a modified example of the bandpass filter 20.

【図12】図12は、帯域通過フィルタ20’を構成す
る各誘電体基板を分解した状態を示す略分解斜視図であ
る。
FIG. 12 is a schematic exploded perspective view showing a state in which each dielectric substrate forming the bandpass filter 20 ′ is disassembled.

【図13】図13は、本発明の好ましい他の実施態様に
かかる帯域通過フィルタ30を構成する各誘電体基板を
分解した状態を示す略分解斜視図である。
FIG. 13 is a schematic exploded perspective view showing an exploded state of each dielectric substrate that constitutes the bandpass filter 30 according to another preferred embodiment of the present invention.

【図14】図13に示すA−A線に沿った略断面図であ
る。
14 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.

【図15】図15は、帯域通過フィルタ30を構成する
誘電体基板21−3の上面図である。
FIG. 15 is a top view of a dielectric substrate 21-3 forming the bandpass filter 30.

【図16】図16は、本発明の好ましいさらに他の実施
態様にかかる帯域通過フィルタ40を構成する各誘電体
基板を分解した状態を示す略分解斜視図である。
FIG. 16 is a schematic exploded perspective view showing a state in which each dielectric substrate constituting the bandpass filter 40 according to still another preferred embodiment of the present invention is disassembled.

【図17】図17は、帯域通過フィルタ40を構成する
誘電体基板21−3の上面図である。
FIG. 17 is a top view of a dielectric substrate 21-3 forming the bandpass filter 40.

【図18】図18は、本発明の好ましいさらに他の実施
態様にかかる帯域通過フィルタ50を構成する各誘電体
基板を分解した状態を示す略分解斜視図である。
FIG. 18 is a schematic exploded perspective view showing a state in which each dielectric substrate constituting the bandpass filter 50 according to still another preferred embodiment of the present invention is disassembled.

【図19】図19は、帯域通過フィルタ50を構成する
誘電体基板51−3の上面図である。
FIG. 19 is a top view of a dielectric substrate 51-3 forming the bandpass filter 50.

【図20】図18に示すB−B線に沿った略断面図であ
る。
20 is a schematic cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10−1,10−2 コプレナー線路 11,11−1,11−2 伝送線 12,12−1,12−2 グランドパターン 13 誘電体基板 20,20’,30,40,50 帯域通過フィルタ 21 積層ブロック 21−1〜21−4 誘電体基板 22、22−1〜22−10 メタライズ 23 対象面 24,27 切り欠き部 25,26 スリット部 31−1〜31−4,41 スルーホール配線 51−1〜51−4 誘電体基板 52−1〜52−10 メタライズ 54,57 切り欠き部 55,56 スリット部 61〜64 スルーホール配線 10, 10-1, 10-2 coplanar line 11, 11-1, 11-2 Transmission line 12, 12-1, 12-2 Ground pattern 13 Dielectric substrate 20, 20 ', 30, 40, 50 band pass filter 21 Laminated block 21-1 to 21-4 Dielectric substrate 22, 22-1 to 22-10 Metallization 23 Target surface 24,27 Notch 25,26 slit part 31-1 to 31-4, 41 Through-hole wiring 51-1 to 51-4 Dielectric substrate 52-1 to 52-10 Metallization 54, 57 Notch 55,56 slit part 61-64 through hole wiring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 泰正 奈良県奈良市東登美ヶ丘2−12−10 Fターム(参考) 5J006 HB02 HB05 HB12 HB13 HB21 HB22 JA01 JA05 JA09 JA10 JA22 LA11 LA24 NA02 NA03 NA04 NA08 NB07 NB10 NC03   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yasumasa Noguchi             2-12-10 Higashitomigaoka, Nara City, Nara Prefecture F-term (reference) 5J006 HB02 HB05 HB12 HB13 HB21                       HB22 JA01 JA05 JA09 JA10                       JA22 LA11 LA24 NA02 NA03                       NA04 NA08 NB07 NB10 NC03

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体基板と、前記誘電体基板上に設け
られた第1及び第2のコプレナー線路とを備え、第1の
周波数においては、前記第1のコプレナー線路を構成す
る伝送線が前記第2のコプレナー線路を構成するグラン
ドパターンとして機能し、前記第1の周波数とは異なる
第2の周波数においては、前記第2のコプレナー線路を
構成する伝送線が前記第1のコプレナー線路を構成する
グランドパターンとして機能することを特徴とする複合
共振器。
1. A dielectric substrate and first and second coplanar lines provided on the dielectric substrate, wherein a transmission line forming the first coplanar line is provided at a first frequency. The second coplanar line functions as a ground pattern, and at a second frequency different from the first frequency, the transmission line forming the second coplanar line forms the first coplanar line. A composite resonator characterized by functioning as a ground pattern.
【請求項2】 前記第1の周波数においては前記第1の
コプレナー線路がλ/4共振器として機能し、前記第2
の周波数においては前記第2のコプレナー線路がλ/2
共振器として機能することを特徴とする請求項1に記載
の複合共振器。
2. At the first frequency, the first coplanar line functions as a λ / 4 resonator, and the second coplanar line functions as a λ / 4 resonator.
At the frequency of, the second coplanar line is λ / 2.
The composite resonator according to claim 1, which functions as a resonator.
【請求項3】 誘電体基板と、前記誘電体基板に設けら
れた第1乃至第3のメタライズとを備え、前記第2のメ
タライズは、両端が前記第1のメタライズに接続される
とともに周囲が前記第1のメタライズに囲まれており、
前記第3のメタライズは、一端が前記第1のメタライズ
に接続されるとともに他端が開放され、周囲が前記第2
のメタライズに囲まれていることを特徴とする複合共振
器。
3. A dielectric substrate, and first to third metallization provided on the dielectric substrate, wherein both ends of the second metallization are connected to the first metallization and a periphery thereof is Surrounded by the first metallization,
One end of the third metallization is connected to the first metallization, the other end is open, and the periphery is the second metallization.
A compound resonator characterized by being surrounded by a metallization of.
【請求項4】 前記第2のメタライズが、略コの字状乃
至は略U字状であることを特徴とする請求項3に記載の
複合共振器。
4. The composite resonator according to claim 3, wherein the second metallization is substantially U-shaped or U-shaped.
【請求項5】 前記第3のメタライズが、略I字状であ
ることを特徴とする請求項3または4に記載の複合共振
器。
5. The composite resonator according to claim 3, wherein the third metallization is substantially I-shaped.
【請求項6】 前記第1のメタライズを接地する手段を
さらに備えることを特徴とする請求項3乃至5のいずれ
か1項に記載の複合共振器。
6. The composite resonator according to claim 3, further comprising means for grounding the first metallization.
【請求項7】 第1の周波数においては前記第3のメタ
ライズがλ/4共振器の伝送線として機能し、前記第1
の周波数とは異なる第2の周波数においては前記第2の
メタライズがλ/2共振器の伝送線として機能すること
を特徴とする請求項6に記載の複合共振器。
7. The third metallization functions as a transmission line of a λ / 4 resonator at a first frequency,
7. The composite resonator according to claim 6, wherein the second metallization functions as a transmission line of the λ / 2 resonator at a second frequency different from the frequency of.
【請求項8】 前記第1の周波数においては前記第2の
メタライズがグランドパターンとして機能し、前記第2
の周波数においては前記第1及び第3のメタライズがグ
ランドパターンとして機能することを特徴とする請求項
7に記載の複合共振器。
8. The second metallization functions as a ground pattern at the first frequency, and the second metallization functions as a ground pattern.
8. The composite resonator according to claim 7, wherein the first and third metallizations function as a ground pattern at the frequency of.
【請求項9】 誘電体基板と、前記誘電体基板上に設け
られた第1及び第2のコプレナー線路と、入出力電極に
接続され、前記第1及び第2のコプレナー線路を励振す
る励振電極とを有し、第1の周波数においては、前記第
1のコプレナー線路を構成する伝送線が前記第2のコプ
レナー線路を構成するグランドパターンとして機能し、
前記第1の周波数とは異なる第2の周波数においては、
前記第2のコプレナー線路を構成する伝送線が前記第1
のコプレナー線路を構成するグランドパターンとして機
能することを特徴とする帯域通過フィルタ。
9. An excitation electrode connected to a dielectric substrate, first and second coplanar lines provided on the dielectric substrate, and input / output electrodes to excite the first and second coplanar lines. And at a first frequency, the transmission line forming the first coplanar line functions as a ground pattern forming the second coplanar line,
At a second frequency different from the first frequency,
The transmission line forming the second coplanar line is the first line.
Band-pass filter, which functions as a ground pattern that constitutes the coplanar line of the.
【請求項10】 前記第1の周波数においては前記第1
のコプレナー線路がλ/4共振器として機能し、前記第
2の周波数においては前記第2のコプレナー線路がλ/
2共振器として機能することを特徴とする請求項9に記
載の帯域通過フィルタ。
10. The first frequency at the first frequency
Of the coplanar line of λ / 4 functions as a λ / 4 resonator, and at the second frequency, the second coplanar line of λ /
The bandpass filter according to claim 9, which functions as a two-resonator.
【請求項11】 前記第1及び第2のコプレナー線路に
よって構成される複合共振器が複数設けられていること
を特徴とする請求項9または10に記載の帯域通過フィ
ルタ。
11. The bandpass filter according to claim 9, wherein a plurality of composite resonators each including the first and second coplanar lines are provided.
【請求項12】 前記各複合共振器間の結合を抑制する
手段をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載
の帯域通過フィルタ。
12. The band pass filter according to claim 11, further comprising means for suppressing coupling between the composite resonators.
【請求項13】 前記抑制する手段がスルーホール配線
からなることを特徴とする請求項12に記載の帯域通過
フィルタ。
13. The bandpass filter according to claim 12, wherein the suppressing unit is a through-hole wiring.
【請求項14】 誘電体基板と、前記誘電体基板に設け
られた第1乃至第3のメタライズと、前記第1のメタラ
イズを接地する接地手段と、前記第2及び第3のメタラ
イズによって構成される伝送線を励振する励振手段とを
備え、前記第2のメタライズは、両端が前記第1のメタ
ライズに接続されるとともに周囲が前記第1のメタライ
ズに囲まれており、前記第3のメタライズは、一端が前
記第1のメタライズに接続されるとともに他端が開放さ
れ、周囲が前記第2のメタライズに囲まれていることを
特徴とする帯域通過フィルタ。
14. A dielectric substrate, first to third metallizations provided on the dielectric substrate, grounding means for grounding the first metallization, and second and third metallizations. The second metallization has both ends connected to the first metallization and a periphery surrounded by the first metallization, and the third metallization is A band pass filter, one end of which is connected to the first metallization, the other end of which is open, and the periphery of which is surrounded by the second metallization.
【請求項15】 前記励振手段が、前記誘電体基板上の
前記第1乃至第3のメタライズが設けられた層とは異な
る層上に設けられた第4のメタライズからなり、これに
よって前記伝送線を容量的に励振可能に構成されている
ことを特徴とする請求項14に記載の帯域通過フィル
タ。
15. The excitation means comprises a fourth metallization provided on a layer different from the layer provided with the first to third metallizations on the dielectric substrate, whereby the transmission line is formed. 15. The bandpass filter according to claim 14, wherein the bandpass filter is configured to be able to be excited capacitively.
【請求項16】 前記励振手段が、前記第2のメタライ
ズ及び前記第3のメタライズに接続された第5のメタラ
イズからなり、これによって前記伝送線を誘導的に励振
可能に構成されていることを特徴とする請求項14に記
載の帯域通過フィルタ。
16. The excitation means comprises a fifth metallization connected to the second metallization and the third metallization, whereby the transmission line is configured to be inductively excitable. The band pass filter according to claim 14, wherein the band pass filter is a filter.
【請求項17】 前記第5のメタライズが前記誘電体基
板上に設けられていることを特徴とする請求項16に記
載の帯域通過フィルタ。
17. The band pass filter according to claim 16, wherein the fifth metallization is provided on the dielectric substrate.
【請求項18】 前記第5のメタライズが前記誘電体基
板上の前記第1乃至第3のメタライズが設けられた層と
は異なる層上に設けられており、スルーホール配線を介
して前記第2のメタライズ及び前記第3のメタライズに
接続されていることを特徴とする請求項16に記載の帯
域通過フィルタ。
18. The fifth metallization is provided on a layer different from the layer provided with the first to third metallizations on the dielectric substrate, and the second metallization is provided through a through-hole wiring. 17. The band pass filter according to claim 16, wherein the band pass filter is connected to the first metallization and the third metallization.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007068123A (en) * 2005-09-02 2007-03-15 National Institute Of Information & Communication Technology Ultrawideband band pass filter
JP2009147796A (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Sharp Corp High frequency circuit and receiving apparatus
WO2009090815A1 (en) * 2008-01-17 2009-07-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Strip-line filter
JP2009225436A (en) * 2008-02-22 2009-10-01 Ntt Docomo Inc Dual-band bandpass resonator and dual-band bandpass filter
JP2012034342A (en) * 2010-06-29 2012-02-16 Ntt Docomo Inc Multiple bandwidth resonator and multiple bandwidth pass filter

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007068123A (en) * 2005-09-02 2007-03-15 National Institute Of Information & Communication Technology Ultrawideband band pass filter
JP4565145B2 (en) * 2005-09-02 2010-10-20 独立行政法人情報通信研究機構 Ultra-wideband bandpass filter
JP2009147796A (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Sharp Corp High frequency circuit and receiving apparatus
JP4624401B2 (en) * 2007-12-17 2011-02-02 シャープ株式会社 High frequency circuit and receiver
US8131246B2 (en) 2007-12-17 2012-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha High-frequency circuit having filtering function and reception device
WO2009090815A1 (en) * 2008-01-17 2009-07-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Strip-line filter
JP5287729B2 (en) * 2008-01-17 2013-09-11 株式会社村田製作所 Stripline filter
JP2009225436A (en) * 2008-02-22 2009-10-01 Ntt Docomo Inc Dual-band bandpass resonator and dual-band bandpass filter
JP2012034342A (en) * 2010-06-29 2012-02-16 Ntt Docomo Inc Multiple bandwidth resonator and multiple bandwidth pass filter

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