JP2003303042A - Key scan circuit - Google Patents

Key scan circuit

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JP2003303042A JP2002106722A JP2002106722A JP2003303042A JP 2003303042 A JP2003303042 A JP 2003303042A JP 2002106722 A JP2002106722 A JP 2002106722A JP 2002106722 A JP2002106722 A JP 2002106722A JP 2003303042 A JP2003303042 A JP 2003303042A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a key scan circuit which needs little electric current to work and performs stable operation. <P>SOLUTION: This circuit is the key scan circuit to detect ON and OFF status of a key switch connected to an intersection of each row and each column in which scan lines forming each of the rows and sense lines forming each of the columns are arranged in a matrix shape, a pull-up/down switch circuit is connected to each sense line, the status of the pull-up/down switch signal and the sense line status is returned and inputted, the pull-up/down switch circuit is switched to a pull-up element or a pull-down element and is operated according to the ON and OFF status of the key. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明はマトリクス状に配置
されたキースイッチを順次走査してキーの押し下げ状態
を検出するキースキャン回路に関する。 【0002】 【従来の技術】図4はm×n個のキーの状態を検出する
ための従来例を示す回路図である。m行×n列のキーマ
トリクス13には、各行と各列の交点にプッシュ式のキー
スイッチが接続されている。スキャン信号出力回路23は
スキャン線S0からSmの各行に対して順次スキャン信号
を出力する。センス回路14はセンス線K0からKnの各列
の状態を読みこみ、スキャン信号出力回路23からのスキ
ャン情報信号101に基づいてキーのオン、オフ状態を
検出し、その情報をキーデータ100として出力する。
同一構成のプルダウン素子20はキーが押されていないと
きにセンス線がフローティング状態となるのを防ぐため
のもので、抵抗またはオン抵抗が高いトランジスタで構
成される。本例においてはセンス線がハイレベルのとき
がアクティブ状態、ローレベルのときが非アクティブ状
態となる。 【0003】図5は図4の回路の動作をタイミングチャー
トで示したもので、S0からSmの各スキャン線に対しス
キャン信号を順次出力していく。スキャン信号は正論理
のパルスである。K0からKnの各センス線は、それぞ
れのセンス線上に配置されたキーがひとつも押されてい
なければ、プルダウン素子によりローレベルとなる。い
ずれかのキーが押されている場合は、そのキーが接続さ
れたスキャン線の信号が現れる。したがって仮にS0が
ハイレベルになるタイミングでK0もハイレベルになっ
た場合、S0とK0の交点にあるキーが押されたと判定で
きる。 【0004】ところで、この回路ではキーが押された場
合、このキーに接続されたスキャン信号がハイレベルの
期間、スキャン信号出力回路からプルダウン素子を通し
て貫通電流が流れる。図6はキーの押されているx番目
のスキャン線およびy番目のセンス線の波形と貫通電流
との関係を示したものである。キーが押された場合、ス
キャン信号がハイレベルの期間、貫通電流が流れ続ける
ことがわかる。 【0005】この貫通電流を減少させるにはスキャン信
号のパルス幅を短くすることが考えられる。しかし、ス
キャン信号がキースイッチを介してセンス回路に伝達さ
れるまでには、スキャン信号出力回路の出力インピーダ
ンスとスキャン線/センス線の寄生容量の時定数による
遅れがあるため、少なくともその遅れ時間分以上のパル
ス幅にしておく必要があった。 【0006】また、貫通電流を減らすため、プルダウン
素子をトランジスタなどのオン/オフ可能な素子で構成
し、スキャン信号がローレベルの時にプルダウン素子を
オンにしてセンス線をローレベルとし、プルダウン素子
をオフにしてからスキャン信号をハイレベルにする、い
わゆるプリチャージ方式とすることも考えられる。しか
しこの方法では、キーが押されていないときは、センス
線の寄生容量だけでローレベルを保持するため、ノイズ
に弱くなる。また、キーを押し始めたときと離し始めた
時に、接点が振動して数ミリ秒程度の短い時間でオン/
オフを繰り返す、いわゆるチャタリングによってセンス
線の状態が不安定になり、誤動作する場合があるという
問題があった。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のキ
ースキャン回路では、スキャン信号のパルス幅をある程
度以上狭くすることができなかった。また、プリチャー
ジ方式では、チャタリングが生じ誤動作してしまう場合
があった。本発明は上記問題点を解消し、消費電流が少
なく、かつ安定動作するキースキャン回路を提供するこ
とを目的としている。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、各行を構成するスキャン線と各列を構成す
るセンス線をマトリクス状に配置し、各行と各列の交点
に接続されたキースイッチのオン、オフ状態を検出する
キースキャン回路において、前記各センス線に接続され
たプルアップ/ダウン切換回路と、各スキャン線に順次
供給するスキャン信号、スキャン情報信号およびプルア
ップ/ダウン切換信号を生成するスキャン信号出力回路
と、前記スキャン情報信号および前記各センス線の状態
を読み込み、キーのオン、オフ状態を出力するセンス回
路とを有し、前記プルアップ/ダウン切換回路にはプル
アップ素子とプルダウン素子およびゲート回路を設け、
該ゲート回路の一方に前記プルアップ/ダウン切換信号
を入力し、他の一方に前記センス線の状態を帰還入力す
ることにより、前記キースイッチのオン、オフ状態に応
じて前記プルアップ/ダウン切換回路をプルアップ素子
またはプルダウン素子に切り換え動作させることを特徴
とするものである。 【0009】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図1は本発明の一実施例の回路図である。10は同
一構成のプルアップ/ダウン切換回路であり、プルダウ
ン素子となるNMOSトランジスタ1と、プルアップ素子と
なるPMOSトランジスタ2と、NANDゲート3から構成されて
いる。13はm行×n列のキーマトリクスで、各行と各列
の交点にプッシュ式のキースイッチが接続されている。
15はスキャン信号出力回路であり、スキャン線S0から
Smの各行に対して順次スキャン信号を出力するととも
にn個のプルアップ/ダウン切換回路10に対してそれぞ
れプルアップ/ダウン切換信号102を出力する。14は
センス線K0からKnの各列の状態を読みこむセンス回路
であり、各センス線の状態とスキャン信号出力回路15か
らのスキャン情報信号101にもとづいて、キーのオ
ン、オフ状態を検出し、その結果をキーデータ100と
して出力する。 【0010】スキャン信号出力回路15が出力する信号の
タイミングを図2に示す。スキャン線S0からSmに対し
て順次正論理のパルスを出力するが、各パルスの間に全
スキャン線がローレベルとなる期間を設ける。このスキ
ャン線がローレベルとなる期間に同期して、スキャン信
号出力回路15から負論理のパルスのプルアップ/ダウ
ン切換信号102を出力し、全てのプルアップ/ダウン
切換回路をリセットしてプルダウン素子が動作している
状態にしておく。 【0011】図1、図2にもとづき詳細な動作の説明をす
る。まず全スキャン線がローレベルとなる期間に同期し
て、スキャン信号出力回路15からローレベルのプルア
ップ/ダウン切換信号102が出力される。このプルア
ップ/ダウン切換信号102が入力したNANDゲート3
は、出力がハイレベルとなり、NMOSトランジスタ1がオ
ン、PMOSトランジスタ2がオフとなる。その結果、プル
アップ/ダウン切換回路10はプルダウン素子として動作
する。次にプルアップ/ダウン切換信号がハイレベルと
なり、スキャン線Sx(xは0〜mの任意の整数)のいず
れかがハイレベルになる。このときSxとセンス線Ky
(yは0〜nの任意の整数)の交点にあるキーが押され
ていなければセンス線Kyの状態は変化せず、NMOSトラ
ンジスタ1に貫通電流が流れることはない。SxとKyの
交点にあるキーが押されている場合は、スキャン信号が
センス線Kyに伝達されてハイレベルになる。NANDゲー
ト3の一方の入力であるセンス線Kyからの帰還入力が
ハイレベルになると、他の一方の入力であるプルアップ
/ダウン切換信号は既にハイレベルになっているので、
NANDゲート3の出力はローレベルとなりNMOSトランジス
タ1がオフ、PMOSトランジスタ2がオンとなり、プルアッ
プ/ダウン切換回路10はプルアップ素子として動作す
る。スキャン信号出力回路15は、スキャン線Sxに対
して予め定めた時間ハイレベルを出力したら、ローレベ
ルに戻る。同時に、プルアップ/ダウン切換信号102
に対し、ローレベルを出力してプルアップ/ダウン切換
回路10をプルダウン素子に切り換え、次のスキャンに備
える。 【0012】スキャン信号出力回路15からNMOSトランジ
スタ1を介して流れる貫通電流の波形を図3に示す。セン
ス線Kyの電圧が時定数に従って立ち上がり始めてか
ら、NANDゲート3の入力閾値電圧を超え、NMOSトランジ
スタ1がオフするまでの期間と、次のスキャンに備えて
NMOSトランジスタ1が再びオンしたとき、センス線Ky
の寄生容量に充電された電荷を放電する期間に、貫通電
流が流れることがわかる。その間の期間はNMOSトランジ
スタ1がオフしているため電流が流れることはない。ま
た、NMOSトランジスタ1がオフしている間PMOSトランジ
スタ2がオンしてセンス線Kyをハイレベルに保持するた
め、チャタリングによりキーの接点が離れてもセンス線
Kyの電圧レベルが不安定になることもない。 【0013】上記例ではスキャン信号に正論理のパルス
を使用したが、負論理のパルスを使用することも可能
で、その場合はNMOS、PMOSトランジスタの動作が上記例
と逆になるようにプルアップ/ダウン切換回路を構成す
ればよい。 【0014】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば貫
通電流の流れる時間がスキャン期間中の一部しかなく、
全期間電流が流れる従来手法に比べて消費電流を低減す
ることが可能である。また、キーが押されたことを検出
した後はスキャン信号のレベルを保持するためチャタリ
ングに対しても強くなる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a key scan circuit for sequentially scanning key switches arranged in a matrix to detect a pressed state of a key. 2. Description of the Related Art FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example for detecting the state of m × n keys. A push-type key switch is connected to the intersection of each row and each column in the key matrix 13 of m rows × n columns. The scan signal output circuit 23 sequentially outputs a scan signal to each row of the scan lines S0 to Sm. The sense circuit 14 reads the state of each column of the sense lines K0 to Kn, detects the ON / OFF state of the key based on the scan information signal 101 from the scan signal output circuit 23, and outputs the information as key data 100. I do.
The pull-down element 20 having the same configuration is for preventing the sense line from being in a floating state when the key is not pressed, and is constituted by a transistor having high resistance or high on-resistance. In this example, when the sense line is at a high level, it is in an active state, and when it is at a low level, it is in an inactive state. FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the circuit shown in FIG. 4, in which scan signals are sequentially output to scan lines S0 to Sm. The scan signal is a positive logic pulse. Each of the sense lines K0 to Kn is set to a low level by a pull-down element unless any key arranged on each sense line is pressed. When any key is pressed, a signal of the scan line to which the key is connected appears. Therefore, if K0 also goes high at the timing when S0 goes high, it can be determined that the key at the intersection of S0 and K0 has been pressed. In this circuit, when a key is pressed, a through current flows from a scan signal output circuit through a pull-down element while a scan signal connected to the key is at a high level. FIG. 6 shows the relationship between the waveform of the x-th scan line and the y-th sense line whose key is pressed and the through current. It can be seen that when the key is pressed, the through current continues to flow while the scan signal is at the high level. To reduce this through current, it is conceivable to shorten the pulse width of the scan signal. However, before the scan signal is transmitted to the sense circuit via the key switch, there is a delay due to the time constant of the output impedance of the scan signal output circuit and the parasitic capacitance of the scan line / sense line. It was necessary to keep the above pulse width. Further, in order to reduce a through current, the pull-down element is constituted by an element which can be turned on / off such as a transistor. It is also conceivable to use a so-called precharge system in which the scan signal is turned to a high level after being turned off. However, in this method, when the key is not pressed, the low level is maintained only by the parasitic capacitance of the sense line, so that the method is susceptible to noise. Also, when the key starts to be pressed and released, the contact vibrates and turns on / off in a short time of about several milliseconds.
There is a problem that the state of the sense line becomes unstable due to so-called chattering that is repeatedly turned off, and a malfunction may occur. As described above, in the conventional key scan circuit, the pulse width of the scan signal cannot be reduced to a certain degree or more. Further, in the precharge method, chattering may occur and a malfunction may occur. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a key scan circuit which solves the above-mentioned problems and consumes less current and operates stably. According to the present invention, in order to attain the above object, a scan line constituting each row and a sense line constituting each column are arranged in a matrix, and an intersection of each row and each column is provided. A key scan circuit for detecting an on / off state of a key switch connected to a switch, a pull-up / down switching circuit connected to each of the sense lines, a scan signal, a scan information signal, and a pull signal sequentially supplied to each scan line. A scan signal output circuit for generating an up / down switching signal; and a sense circuit for reading a state of the scan information signal and each of the sense lines and outputting an on / off state of a key. The circuit is provided with a pull-up element, a pull-down element, and a gate circuit,
The pull-up / down switching signal is input to one of the gate circuits and the state of the sense line is fed back to the other of the gate circuits, whereby the pull-up / down switching is performed according to the on / off state of the key switch. The circuit is operated by switching to a pull-up element or a pull-down element. An embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention. Reference numeral 10 denotes a pull-up / down switching circuit having the same configuration, which includes an NMOS transistor 1 serving as a pull-down element, a PMOS transistor 2 serving as a pull-up element, and a NAND gate 3. Reference numeral 13 denotes a key matrix of m rows × n columns, and a push-type key switch is connected to an intersection of each row and each column.
Reference numeral 15 denotes a scan signal output circuit, which sequentially outputs a scan signal to each row of the scan lines S0 to Sm and outputs a pull-up / down switching signal 102 to each of the n pull-up / down switching circuits 10. . Reference numeral 14 denotes a sense circuit for reading the state of each column of the sense lines K0 to Kn. Based on the state of each sense line and the scan information signal 101 from the scan signal output circuit 15, a key ON / OFF state is detected. , And outputs the result as key data 100. FIG. 2 shows the timing of the signal output from the scan signal output circuit 15. Positive logic pulses are sequentially output to the scan lines S0 to Sm, and a period in which all scan lines are at a low level is provided between each pulse. The scan signal output circuit 15 outputs a pull-up / down switching signal 102 of a negative logic pulse from the scan signal output circuit 15 in synchronization with a period in which the scan line is at a low level, resets all the pull-up / down switching circuits, and Is in operation. A detailed operation will be described with reference to FIGS. First, a low-level pull-up / down switching signal 102 is output from the scan signal output circuit 15 in synchronization with a period in which all scan lines are at a low level. The NAND gate 3 to which the pull-up / down switching signal 102 is input
The output becomes high level, the NMOS transistor 1 is turned on, and the PMOS transistor 2 is turned off. As a result, the pull-up / down switching circuit 10 operates as a pull-down element. Next, the pull-up / down switching signal goes high, and one of the scan lines Sx (x is any integer from 0 to m) goes high. At this time, Sx and sense line Ky
If the key at the intersection of (y is any integer from 0 to n) is not pressed, the state of the sense line Ky does not change, and no through current flows through the NMOS transistor 1. If the key at the intersection of Sx and Ky is pressed, the scan signal is transmitted to the sense line Ky and goes high. When the feedback input from the sense line Ky, which is one input of the NAND gate 3, goes high, the other input, the pull-up / down switching signal, is already high,
The output of the NAND gate 3 becomes low level, the NMOS transistor 1 is turned off, the PMOS transistor 2 is turned on, and the pull-up / down switching circuit 10 operates as a pull-up element. After outputting the high level to the scan line Sx for a predetermined time, the scan signal output circuit 15 returns to the low level. At the same time, the pull-up / down switching signal 102
Then, a low level is output to switch the pull-up / down switching circuit 10 to a pull-down element to prepare for the next scan. FIG. 3 shows a waveform of a through current flowing from the scan signal output circuit 15 via the NMOS transistor 1. A period from when the voltage of the sense line Ky starts rising according to the time constant to when the voltage exceeds the input threshold voltage of the NAND gate 3 and the NMOS transistor 1 is turned off, and in preparation for the next scan
When the NMOS transistor 1 turns on again, the sense line Ky
It can be seen that a through current flows during a period in which the charge charged in the parasitic capacitance is discharged. During that period, no current flows because the NMOS transistor 1 is off. In addition, since the PMOS transistor 2 is turned on while the NMOS transistor 1 is turned off and the sense line Ky is held at the high level, the voltage level of the sense line Ky becomes unstable even if the key contacts are separated due to chattering. Nor. In the above example, a pulse of a positive logic is used as a scan signal. However, a pulse of a negative logic can be used. In this case, pull-up is performed so that the operation of the NMOS and PMOS transistors is opposite to that of the above example. / Down switching circuit may be configured. As described above, according to the present invention, the flow time of the through current is only a part during the scan period,
It is possible to reduce current consumption as compared with the conventional method in which current flows during the entire period. Further, after detecting that the key is pressed, the level of the scan signal is maintained so that chattering becomes strong.

【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の一実施例の回路図である。 【図2】 本発明におけるスキャン信号出力回路のタイ
ミングチャートである。 【図3】 本発明における貫通電流の波形図である。 【図4】 従来例の回路図である。 【図5】 従来例におけるスキャン信号出力回路のタイ
ミングチャートである。 【図6】 従来例における貫通電流の波形図である。 【符号の説明】 1 NMOSトランジスタ 2 PMOSトランジスタ 3 NANDゲート 10 プルアップ/ダウン切換回路 13 m行×n列キーマトリクス 14 センス回路 15 スキャン信号出力回路 20 プルダウン素子
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a timing chart of a scan signal output circuit according to the present invention. FIG. 3 is a waveform diagram of a through current in the present invention. FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional example. FIG. 5 is a timing chart of a scan signal output circuit in a conventional example. FIG. 6 is a waveform diagram of a through current in a conventional example. [Description of Signs] 1 NMOS transistor 2 PMOS transistor 3 NAND gate 10 Pull-up / down switching circuit 13 m row × n column key matrix 14 sense circuit 15 scan signal output circuit 20 pull-down element

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 各行を構成するスキャン線と各列を構成
するセンス線をマトリクス状に配置し、各行と各列の交
点に接続されたキースイッチのオン、オフ状態を検出す
るキースキャン回路において、 前記各センス線に接続されたプルアップ/ダウン切換回
路と、各スキャン線に順次供給するスキャン信号、スキ
ャン情報信号およびプルアップ/ダウン切換信号を生成
するスキャン信号出力回路と、前記スキャン情報信号お
よび前記各センス線の状態を読み込み、キーのオン、オ
フ状態を出力するセンス回路とを有し、 前記プルアップ/ダウン切換回路にはプルアップ素子と
プルダウン素子およびゲート回路を設け、該ゲート回路
の一方に前記プルアップ/ダウン切換信号を入力し、他
の一方に前記センス線の状態を帰還入力することによ
り、前記キースイッチのオン、オフ状態に応じて前記プ
ルアップ/ダウン切換回路をプルアップ素子またはプル
ダウン素子に切り換え動作させることを特徴とするキー
スキャン回路。
Claims 1. A scan line constituting each row and a sense line constituting each column are arranged in a matrix, and the on / off state of a key switch connected to the intersection of each row and each column is determined. In a key scan circuit for detecting, a pull-up / down switch circuit connected to each of the sense lines, and a scan signal output circuit for generating a scan signal, a scan information signal, and a pull-up / down switch signal sequentially supplied to each scan line And a sense circuit for reading the scan information signal and the state of each of the sense lines and outputting a key ON / OFF state. The pull-up / down switching circuit includes a pull-up element, a pull-down element, and a gate circuit. And the pull-up / down switching signal is input to one of the gate circuits, and the state of the sense line is input to the other of the gate circuits as a feedback input. A key scan circuit that switches the pull-up / down switching circuit to a pull-up element or a pull-down element in response to an on / off state of the key switch.
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