JP2003290322A - Radiation irradiation apparatus - Google Patents
Radiation irradiation apparatusInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線照射装置に
関し、特に、医療施設、飲食品製造施設の空気ダクトの
ような流体の中の微小生命を殺菌等により増殖を抑制す
るための放射線照射装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation irradiation apparatus, and more particularly to a radiation irradiation apparatus for suppressing the growth of microscopic life in a fluid such as an air duct of a medical facility or a food and drink manufacturing facility by sterilizing it. Regarding
【0002】[0002]
【従来の技術】病院のような医療施設、飲料水メーカの
ような飲食品製造施設、冷暖房設備には、排風機、送風
機による排風、送風のような空気循環のための空気ダク
トが立体的に配置されている。空気中に浮遊している粉
塵は、送風機、排風機が作り出す空気流に乗って強制的
に隅々に散布される。そのような粉塵の捕集のために、
空気ダクトにはフィルタが介設されている。湿気が多い
粉塵には、繁殖能力を失っていない細菌、カビ、ウイル
スのような微小生命体が付着している。フィルタで捕集
された生命体付着粉塵は乾燥して、その付着生命体の増
殖が有効に抑制され、院内感染のような事故は起こりに
くい。このようにフィルタは、有効に機能している。2. Description of the Related Art In medical facilities such as hospitals, food and beverage manufacturing facilities such as drinking water makers, and air conditioning equipment, air ducts for air circulation such as exhaust fans and blowers are three-dimensional. It is located in. The dust floating in the air is forcibly scattered in every corner by the air flow created by the blower and exhaust fan. For the collection of such dust,
A filter is provided in the air duct. The damp dust has micro organisms such as bacteria, molds and viruses that have not lost their ability to reproduce. The dust attached to living organisms collected by the filter dries, the growth of the attached living organisms is effectively suppressed, and an accident such as nosocomial infection is unlikely to occur. In this way the filter is working effectively.
【0003】湿度が極端に高くなり粉塵の乾燥が進まな
い高湿度環境下では、適度の栄養分と適度の水分ととも
にフィルタに捕集される閾値以上の密度の細菌は急速に
繁殖することが知られている。フィルタ構成繊維物質又
はフィルタ構成多孔性物質に対する衝突的捕獲、又は、
フィルタ内の拡散的捕捉である粉塵捕獲による粉塵は、
その捕獲量の増大に伴うダクト内気圧の上昇により、フ
ィルタを透過しフィルタから離脱して、再び室内に拡散
的に散逸してしまうことが多い。このような繁殖と散逸
は、院内感染の原因の1つになっている。In a high humidity environment where the humidity is extremely high and the drying of dust does not proceed, it is known that bacteria having a density above a threshold value captured by a filter along with an appropriate amount of nutrients and an appropriate amount of water rapidly propagate. ing. Collisional capture of the filter constituent fibrous material or the filter constituent porous material, or
Dust due to dust capture, which is a diffuse trap in the filter,
Due to the increase in the air pressure inside the duct due to the increase in the trapped amount, the air often passes through the filter, is separated from the filter, and is diffused again into the room. Such breeding and dissipation is one of the causes of nosocomial infections.
【0004】フィルタに長期間の捕獲性能を期待するこ
とはできない。フィルタ交換頻度を高めることは、保守
費用を増大させる。フィルタに向かう気流中の細菌に対
して紫外線を照射する技術が知られている。空気中に浮
遊している細菌の代表例は、カビ類である。紫外線は、
カビ類に対して死滅効果が低い。紫外線に代えて電子線
を用いることが考えられる。配管中を流れる流体に電子
線を照射してその流体に対して物理的・化学的処理を行
う技術が、図16に示されるように知られている。この
公知の電子線照射技術は、ガス、粉体のような流体又は
流動体101に対して脱硫処理又は脱硝処理を行う処理
技術として知られている。このような電子線の利用に
は、盲点があったと考えられる。図17は、電子線の処
理対象流体の中の到達距離(深さ又は深さ等価量)とそ
の深さ位置の吸収線量の関係を示している。吸収線量
は、電子線が流体に触れ始める浅い領域よりもその電子
線がより進んだ深い領域でより多くなり、その電子線が
更により進んだ更に深い領域では逆により少なくなる。A filter cannot be expected to have a long-term capturing performance. Increasing filter replacement frequency increases maintenance costs. There is known a technique of irradiating bacteria in a gas flow toward a filter with ultraviolet rays. Typical examples of bacteria floating in the air are molds. UV rays
Low killing effect against molds. It is possible to use an electron beam instead of ultraviolet rays. A technique of irradiating a fluid flowing in a pipe with an electron beam to perform a physical / chemical treatment on the fluid is known as shown in FIG. This known electron beam irradiation technique is known as a treatment technique for performing desulfurization treatment or denitration treatment on a fluid such as gas or powder or the fluid 101. It is considered that there was a blind spot in the use of such electron beams. FIG. 17 shows the relationship between the arrival distance (depth or depth equivalent amount) of the electron beam in the fluid to be processed and the absorbed dose at the depth position. The absorbed dose is higher in a deep region where the electron beam has advanced more than in a shallow region where the electron beam starts to contact the fluid, and conversely less in a deep region where the electron beam has advanced further.
【0005】このような吸収線量の分布は、よく知られ
ている物理的事実あるが、生命に係わる細菌死滅処理に
電子線照射技術を流用する場合に問題点が残存してい
る。図17に示されるように、300keVの電子線の
照射始点(深さ=0.00)の初期吸収線量と深さ0.
06強の位置の吸収線量とは同じであり、このような2
点の間の吸収線量は初期吸収線量より多いが、深さ0.
06強の領域では、初期吸収線量より少なくなってい
る。ダクト内の流体通過断面積が広く電子線の進行方向
のダクト径が大きい場合、吸収線量が十分に多くなく、
細菌死滅効果が実質的にない無効断面領域が生じる。電
子線のエネルギー(keV)を大きくすることは、図1
7に示されるように、かえって吸収線量を少なくし、非
吸収電子線がダクトの対向壁に吸収される吸収量が多く
なって、他の障害を惹起する。電子線のエネルギーを小
さくすることは、場所によっては吸収線量を多くするこ
とができるが、有効到達距離が短い。The distribution of such absorbed dose is a well-known physical fact, but a problem remains when the electron beam irradiation technique is applied to the killing treatment of life-threatening bacteria. As shown in FIG. 17, the initial absorbed dose at the irradiation start point (depth = 0.00) of the electron beam of 300 keV and the depth of 0.
It is the same as the absorbed dose at the position above 06.
The absorbed dose between the points is higher than the initial absorbed dose, but at a depth of 0.
In the region above 06, the dose is smaller than the initial absorbed dose. If the fluid passage cross-section in the duct is wide and the duct diameter in the electron beam traveling direction is large, the absorbed dose is not large enough,
An invalid cross-section area is created which has virtually no killing effect. Increasing the electron beam energy (keV) is as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, the absorbed dose is rather reduced, and the amount of non-absorbed electron beams absorbed by the opposing wall of the duct is increased, which causes other obstacles. Reducing the energy of the electron beam can increase the absorbed dose depending on the location, but the effective range is short.
【0006】フィルタは、通常時には細菌の散逸を防止
するが、異常時には細菌の繁殖のための温床になる。フ
ィルタを有効に活用してフィルタの本来の機能を引き出
すことが求められる。その有効活用のために電子線を用
いることが望まれる。電子線を用いる場合に、その電子
線の有効到達距離を認識して電子線の有効利用を実現す
ることが更に求められる。[0006] The filter normally prevents the dissipation of bacteria, but in the case of abnormality, it serves as a hotbed for the growth of bacteria. It is required to effectively utilize the filter and bring out the original function of the filter. It is desirable to use an electron beam for its effective use. When an electron beam is used, it is further required to recognize the effective reach of the electron beam and realize the effective use of the electron beam.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、フィ
ルタを有効に活用してフィルタの本来の機能を引き出す
とともに、フィルタが細菌供給源にならない放射線照射
装置を提供することにある。本発明の他の課題は、フィ
ルタの有効活用のために用いる電子線の有効到達距離を
認識して電子線の有効利用を実現することができる放射
線照射装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radiation irradiating device which effectively utilizes a filter to bring out the original function of the filter and which does not serve as a source of bacteria. Another object of the present invention is to provide a radiation irradiation apparatus capable of recognizing an effective reach of an electron beam used for effective use of a filter and realizing effective use of the electron beam.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段が、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧()つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複
数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも1つの実
施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特
に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現さ
れている技術的事項に付せられている参照番号、参照記
号等に一致している。このような参照番号、参照記号
は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の
技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよ
うな対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の
形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されるこ
とを意味しない。Means for solving the problem Means for solving the problem are expressed as follows. The technical matters appearing in the expression are accompanied by parentheses (), and numbers, symbols and the like are added. The numbers, symbols and the like are technical matters constituting at least one embodiment or a plurality of examples of the plurality of embodiments or a plurality of examples of the present invention, particularly, the embodiment or the example. It corresponds to the reference numbers, reference symbols, etc. attached to the technical matters expressed in the drawings corresponding to. Such reference numbers and reference symbols clarify correspondences and bridges between the technical matters described in the claims and the technical matters of the embodiments or examples. Such correspondence / bridge does not mean that the technical matters described in the claims are limited to the technical matters of the embodiment or the examples.
【0009】本発明による放射線照射装置は、流路
(1)の外側に介設される放射線照射器(3)を構成し
ている。放射線照射器(3)は、放射線を取り出す放射
線取出窓(7)を形成し、放射線取出窓(7)は、流路
(1)の流体に触れて流路内放射線(9)を流路(1)
の中に放出する放出面(8)を有している。流路内放射
線(9)は、放出面(8)から放出されて放出面(8)
に対向する流路(1)の対向面まで確実に飛行すること
ができる飛程距離を持つエネルギーを放出面(8)から
放出される時に有している。The radiation irradiating device according to the present invention constitutes a radiation irradiator (3) provided outside the flow path (1). The radiation irradiator (3) forms a radiation extraction window (7) through which the radiation is extracted, and the radiation extraction window (7) contacts the fluid in the flow channel (1) to cause the radiation (9) in the flow channel (the flow channel (7)). 1)
Has an emitting surface (8) for emitting into. Radiation (9) in the flow path is emitted from the emission surface (8) and emitted.
When the energy is emitted from the emission surface (8), the energy has a range capable of surely flying to the opposite surface of the flow path (1) opposed to.
【0010】このようにエネルギーを完全に失うことな
く、放出面から対向面まで飛行する放射線の飛程距離が
意識的に与えられて設計されていて、流路(1)の中の
物質の物性を流路断面上で変化させることができ、物質
処理の効率、収率が向上し確実化する。飛程距離の途中
の飛行距離とエネルギー温存率とが線形でない物理的効
果を巧みに利用することができる放射線として、X線、
γ線、α線の他に、荷電粒子であり容易に発生させるこ
とができる点で、電子線が最適切に例示される。但し、
本発明では、放射線として荷電粒子特に電子線が用いら
れる場合に特に有効化される。As described above, the physical properties of the substance in the flow channel (1) are designed by intentionally giving the range of radiation flying from the emitting surface to the facing surface without completely losing energy. Can be changed on the cross section of the flow path, which improves and ensures the efficiency and yield of the substance treatment. X-rays as radiation that can skillfully utilize physical effects in which flight distance in the middle of range and energy conservation rate are not linear
In addition to γ-rays and α-rays, electron beams are the most suitable examples because they are charged particles and can be easily generated. However,
The invention is particularly effective when charged particles, especially electron beams, are used as radiation.
【0011】本発明による放射線照射装置は、流路
(2)に介設され流路内放射線(9)により物性が変化
する物質を前記流路から除去するフィルタリング機器を
更に構成している。フィルタリング機器としては、織
布、多孔性板で形成されるフィルタの他に、蒸留、触媒
改質機器、高温化、冷凍のような物性変換を行う機器が
例示される。特に、流路内放射線(9)の照射は、微生
物の細胞を破壊してその生存率を極端に減少させる。閾
値以下の個体数の微生物がフィルタで増殖する確率は極
端に低い。フィルタを通過した微生物の流路内放射線
(9)の照射の後の生存率はより極端に低く、閾値以下
の個体数の微生物の吸い込みによる発病率は極端に低く
なる。The radiation irradiating apparatus according to the present invention further comprises a filtering device provided in the channel (2) for removing a substance whose physical properties are changed by the radiation (9) in the channel from the channel. Examples of the filtering device include a woven fabric and a filter formed of a porous plate, as well as a device that performs physical property conversion such as distillation, catalyst reforming device, high temperature, and freezing. In particular, the irradiation of the radiation (9) in the flow channel destroys the cells of the microorganisms and extremely reduces the survival rate thereof. The probability that the number of microorganisms below the threshold will grow on the filter is extremely low. The survival rate after irradiation of the radiation (9) in the flow path of the microorganisms that have passed through the filter is extremely low, and the disease incidence due to the inhalation of the microorganisms having the number of individuals below the threshold value is extremely low.
【0012】流路内放射線(9)は、放出面(8)から
放出されて放出面(8)に対向する流路(1)の対向面
まで確実に飛行する。流路内放射線(9)の飛程距離
は、流路内放射線(9)の方向の流路の中の幅より長い
ので、流路内放射線(9)が流路内の途中で消滅するこ
とはない。The radiation (9) in the flow channel is emitted from the emission surface (8) and reliably travels to the facing surface of the flow channel (1) facing the emission surface (8). Since the range of the radiation (9) in the channel is longer than the width in the channel in the direction of the radiation (9) in the channel, the radiation (9) in the channel should disappear in the middle of the channel. There is no.
【0013】放出面(8)から放出される流路内放射線
(9)の放出時エネルギーは第1設定エネルギーより大
きく、且つ、対向面に到達する流路内放射線(9)の到
達時エネルギーは第2設定エネルギーより大きい。第2
設定エネルギーは零ではない。第1設定エネルギーが第
2設定エネルギーに概ね等しいことは、放射線のエネル
ギーが有効に利用される。両端点のエネルギーを設定す
ることにより、飛程距離が十分に長く採ることができ
る。両端点のエネルギーが概ね等しいことは、エネルギ
ー効率を最大化する。The emission energy of the in-channel radiation (9) emitted from the emission surface (8) is larger than the first set energy, and the arrival energy of the in-channel radiation (9) reaching the facing surface is It is larger than the second set energy. Second
The set energy is not zero. The fact that the first set energy is substantially equal to the second set energy means that the energy of radiation is effectively used. By setting the energy at both ends, the range can be made sufficiently long. The approximately equal energy at the endpoints maximizes energy efficiency.
【0014】流路内放射線(9)は、放出面(8)で放
出線ベクトルを有し、放出線ベクトルは、流路(1)の
中に形成される流路に対して斜めに交叉する。飛程距離
が流路幅より長く設定されている流路内放射線(9)
は、対向面で反射して流体(2)に吸収され、無駄に流
路(1)を透過する透過線量が少ない。十分に長く設定
されている飛程を持つ放射線の吸収量が増大する。流路
内放射線(9)が対向面に対して斜めに入射すること
は、更に、吸収線量を増大させる。The radiation (9) in the flow channel has an emission line vector at the emission surface (8), and the emission line vector intersects the flow channel formed in the flow channel (1) at an angle. . Radiation in a channel with a range set to be longer than the channel width (9)
Is reflected by the facing surface, is absorbed by the fluid (2), and has a small transmission dose that is wastefully transmitted through the flow path (1). The amount of absorption of radiation having a range set sufficiently long increases. The oblique incidence of the in-channel radiation (9) on the opposite surface further increases the absorbed dose.
【0015】対向面を形成する対向部位は反射層(1
8)を有していることが好ましい。反射層(18)を構
成する物質の原子の原子番号は流路(1)を構成する物
質の原子の原子番号より大きいことは、反射率を増大さ
せ吸収線量を増大させることができる点で好ましい。流
路内放射線(9)は放出面(8)で放出線ベクトルを有
し、放出線ベクトルは反射層(18)の内面である対向
面に斜めに交叉することが好ましい。The facing portion forming the facing surface is a reflective layer (1
It is preferable to have 8). It is preferable that the atomic number of the atoms of the substance forming the reflective layer (18) is larger than the atomic number of the atoms of the substance forming the flow path (1), since the reflectance can be increased and the absorbed dose can be increased. . It is preferable that the radiation (9) in the flow channel has an emission line vector at the emission surface (8), and the emission line vector obliquely intersects the facing surface which is the inner surface of the reflective layer (18).
【0016】放射線照射器(3)が配置されている流路
(1)の流路部位で流路の中に流れを邪魔する邪魔板
(23)が追加される。流路内放射線(9)は放出面
(8)で放出線ベクトルを有し、放出線ベクトルの向き
は、邪魔板(23)により形成される流路部分(2’)
の流路方向に概ね平行である。このような流路構成は、
吸収線量を増大させる。A baffle plate (23) for obstructing the flow is added in the flow path portion of the flow path (1) in which the radiation irradiator (3) is arranged. The radiation in the flow path (9) has an emission line vector at the emission surface (8), and the direction of the emission line vector is the flow path portion (2 ′) formed by the baffle plate (23).
Is substantially parallel to the flow path direction of. Such a flow channel configuration is
Increase absorbed dose.
【0017】放射線照射器(3)が配置されている流路
(1)の流路部位に配置される磁石22が更に追加され
る。流路内放射線(9)の一部分はローレンツ力を受け
て不規則に迷走することにより、そのより多くが吸収さ
れる。A magnet 22 is further added to the flow path part of the flow path (1) in which the radiation irradiator (3) is arranged. A part of the radiation (9) in the flow channel is subjected to Lorentz force and strays irregularly, so that more of it is absorbed.
【0018】フィルタの配置は、放射線取出窓(7)よ
り下流側又は上流側であり、その上流側と下流側の配置
は、生物学的にその殺菌効果は同じである。フィルタ
は、2つが用いられ得る。その1つは、放射線取出窓
(7)より下流側に配置され、他の1つは放射線取出窓
(7)より上流側に配置される。2つの使用により、よ
り確実な捕獲が可能であるだけでなく、1つ1つの捕獲
力を弱めることにより、全体のコストを低減することが
できる。The filter is arranged downstream or upstream of the radiation extraction window (7), and its upstream and downstream arrangements have biologically the same bactericidal effect. Two filters can be used. One is arranged downstream of the radiation extraction window (7), and the other one is arranged upstream of the radiation extraction window (7). Not only is the use of two more reliable, but also the weakening of each individual capture force can reduce the overall cost.
【0019】対向面の冷却が好ましく、対向面は積極的
に冷却される。It is preferable to cool the facing surface, and the facing surface is positively cooled.
【0020】本発明による放射線照射装置は、下記構成
により、図14に示されるように、既述の構成と同じ効
果を奏する:ダクト(1)と、ダクト(1)に介設され
微生物付着粒子のような粒子を吸着するフィルタ(1
2)と、ダクト(1)の外側に配置される電子線照射器
(3)とから構成され、電子線照射器(3)は、電子線
を取り出す電子線取出窓(7)を有し、電子線取出窓
(7)は、ダクト(1)の中の流体に触れてダクト内電
子線(9)をダクト(1)の中に放出する放出面を有し
ている。ダクトは、第1ダクト(1)と、第1ダクト
(1)より下流側で第1ダクト(1)に対して屈曲して
接続する第2ダクト(1’)とから形成され、ダクト内
電子線(9)の流れの方向は、第2ダクト(1’)によ
り形成される流路の方向に概ね平行である。The radiation irradiating apparatus according to the present invention has the same effect as the above-mentioned structure as shown in FIG. 14 by the following structure: the duct (1) and the microorganism-adhered particles interposed in the duct (1). Filter for adsorbing particles such as (1
2) and an electron beam irradiator (3) arranged outside the duct (1), and the electron beam irradiator (3) has an electron beam extraction window (7) for extracting an electron beam, The electron beam extraction window (7) has an emission surface that comes into contact with the fluid in the duct (1) and emits the electron beam (9) in the duct into the duct (1). The duct is formed of a first duct (1) and a second duct (1 ′) that is bent and connected to the first duct (1) on the downstream side of the first duct (1). The flow direction of the line (9) is substantially parallel to the direction of the flow path formed by the second duct (1 ').
【0021】流路方向にダクト内電子線(9)が照射さ
れ、ダクト内電子線(9)の飛程距離にある電子線は実
質的にその全てが吸収される。ダクトが曲がる部分があ
る場合には、その曲がり部分が積極的に活用される。The electron beam (9) in the duct is irradiated in the direction of the flow path, and substantially all the electron beams within the range of the electron beam (9) in the duct are absorbed. When the duct has a bent portion, the bent portion is positively utilized.
【0022】電子線の低エネルギー化は、電子線照射器
のコストを低減させることができるだけでなく、制動放
射線(例示:X線)のエネルギーを低減しその発生放射
線の範囲を狭くして、制動放射線量を低減することがで
き、その放射線対策の不要になり又はその対策コストが
大幅に低減する。Lowering the energy of the electron beam can not only reduce the cost of the electron beam irradiator, but also reduce the energy of the bremsstrahlung (example: X-rays) and narrow the range of the generated radiation to reduce the braking. The radiation dose can be reduced, and the radiation countermeasure becomes unnecessary or the countermeasure cost is significantly reduced.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】図に対応して、本発明による放射
線照射装置の実施の形態は、ダクトに電子線照射器とフ
ィルタとが配置されている。そのダクト1は、図1に示
されるように、断面が円形又は矩形に形成され、その中
に一方方向に流体2が通されている。流体2として、病
院内循環空気又は病院内外循環空気が例示される。以下
で、流体は、空気2又はダクト内空気流2といわれる。
電子線照射器3は、筐体4と、筐体4の中に配置され電
子線5を放出する電極6と、筐体4に配置される電子線
取出窓7とから構成されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Corresponding to the drawings, in an embodiment of a radiation irradiation apparatus according to the present invention, an electron beam irradiator and a filter are arranged in a duct. As shown in FIG. 1, the duct 1 has a circular or rectangular cross section, and a fluid 2 is passed through the duct 1 in one direction. Examples of the fluid 2 include circulating air inside the hospital or circulating air inside and outside the hospital. In the following, the fluid is referred to as air 2 or duct air flow 2.
The electron beam irradiator 3 includes a housing 4, an electrode 6 arranged in the housing 4 for emitting an electron beam 5, and an electron beam extraction window 7 arranged in the housing 4.
【0024】電子線取出窓7は、ダクト1の中の空気を
筐体4の中に、全く侵入させず又は僅かにしか侵入させ
ないが、電子線5をダクト内に透過的に通過させる(玉
突き的に又は透過的に電子をはじき出す)ことができ
る。電子線取出窓7がダクト内気流2に直接に外接する
内側面は、電子線放出面8として定義されて設定され
る。ダクト1の断面が矩形であれば、電子線放出面8は
平面であり、ダクト1の断面が円形であれば、電子線放
出面8は円筒面である。ダクト1の内面と電子線放出面
8とは実質的に同一面(又は滑らかに接続する1曲面:
図6参照)を形成し、その同一面はダクト内気流2の整
流性を失わせず、且つ、ダクト1の内面と電子線放出面
8とを実質的に同一面に形成することは、電子線放出面
8からダクト1の中に放出されダクト内気流2を通過・
透過してダクト1の対向壁に到達するるダクト内電子線
9のエネルギーを有効化する。電子線放出面8がダクト
1の中に突出している場合には、整流性を損なう。The electron beam extraction window 7 does not allow the air in the duct 1 to enter the housing 4 at all or only slightly, but allows the electron beam 5 to pass through the duct transparently (balloon). Electrons can be ejected either directly or transparently). An inner side surface of the electron beam extraction window 7 that directly circumscribes the airflow 2 in the duct is defined and set as an electron beam emission surface 8. If the duct 1 has a rectangular cross section, the electron beam emission surface 8 is a flat surface, and if the duct 1 has a circular cross section, the electron beam emission surface 8 is a cylindrical surface. The inner surface of the duct 1 and the electron beam emitting surface 8 are substantially flush with each other (or one curved surface that connects smoothly):
(See FIG. 6), the same surface does not lose the rectifying property of the air flow 2 in the duct, and the inner surface of the duct 1 and the electron beam emitting surface 8 are formed substantially on the same surface. It is emitted from the line emission surface 8 into the duct 1 and passes through the air flow 2 in the duct.
The energy of the electron beam 9 in the duct that penetrates and reaches the opposing wall of the duct 1 is validated. If the electron beam emitting surface 8 projects into the duct 1, the rectifying property is impaired.
【0025】電子線照射器3の下流側に触媒ユニット1
1が、ダクト1に介設されて配置されている。ダクト内
気流2は、触媒ユニット11を透過的に通過することが
できる。触媒ユニット11は、電子線照射を受けて酸素
が変化して発生するオゾンを吸着し分解する触媒を含ん
でいる。触媒ユニット11の下流側にフィルタユニット
12が、ダクト1に介設されて配置されている。フィル
タユニット12は、ダクト内気流2に含まれている粉
塵、微小有機物、微小水滴を捕獲する。The catalyst unit 1 is provided downstream of the electron beam irradiator 3.
1 is disposed so as to be interposed in the duct 1. The air flow 2 in the duct can pass through the catalyst unit 11 transparently. The catalyst unit 11 includes a catalyst that adsorbs and decomposes ozone generated when oxygen is changed by receiving electron beam irradiation. The filter unit 12 is disposed on the downstream side of the catalyst unit 11 so as to be interposed in the duct 1. The filter unit 12 captures dust, minute organic matter, and minute water droplets contained in the air flow 2 in the duct.
【0026】微小水滴、微小非有機物、微小有機物のよ
うな粉塵13、酸素系分子・原子14、窒素その他の非
酸素系分子・原子15を含むダクト内気流2は、触媒ユ
ニット11より上流側で、ダクト内電子線9を受ける。
酸素系分子・原子14の一部分は、オゾン14’に変化
する。ダクト内電子線9を受けて死滅した微生物死骸が
付着している微生物死骸付着粉塵13’とオゾン14’
と酸素分子・原子14と非酸素系分子・原子15のうち
のオゾン14’は、触媒ユニット11を浸透的に通過す
る間に触媒ユニット11に吸着され触媒ユニット11に
含まれる触媒により分解されて酸素系分子・原子14に
戻る。触媒ユニット11を通過するオゾンの濃度は、許
容値(0.1ppm)以下になる。オゾン分解の程度
は、触媒量、触媒温度、風量に左右されるが、空調設備
では、風量と温度は規定されていて実質的に一定である
ので、触媒量が適正に選定されることが好ましい。The air flow 2 in the duct containing fine water droplets, fine non-organic matter, dust 13 such as fine organic matter, oxygen-based molecules / atoms 14, nitrogen and other non-oxygen-based molecules / atoms 15 is located upstream of the catalyst unit 11. , Receives the electron beam 9 in the duct.
A part of the oxygen-based molecule / atom 14 is changed to ozone 14 '. Microorganism carcass-adhered dust 13 'and ozone 14' to which the microbial carcasses that have been killed by receiving the electron beam 9 in the duct are attached
Ozone 14 ′ of oxygen molecule / atom 14 and non-oxygen-based molecule / atom 15 is adsorbed by the catalyst unit 11 while permeating through the catalyst unit 11 and decomposed by the catalyst contained in the catalyst unit 11. Return to oxygen-based molecule / atom 14. The concentration of ozone passing through the catalyst unit 11 becomes equal to or less than the allowable value (0.1 ppm). The degree of ozone decomposition depends on the catalyst amount, catalyst temperature, and air volume, but in air conditioning equipment, the air volume and temperature are regulated and are substantially constant, so it is preferable to select the catalyst volume appropriately. .
【0027】触媒ユニット11を通過した微生物死骸付
着粉塵13’と酸素系分子・原子14と非酸素系分子・
原子15のうち微生物死骸付着粉塵13’は、フィルタ
ユニット12で捕捉される。酸素系分子・原子14と非
酸素系分子・原子15は、フィルタユニット12を通過
して、再び、病室のような居住空間に還流する。フィル
タユニット12に向かうダクト内気流2の中の微生物死
骸付着粉塵13’の大部分は、フィルタユニット12で
捕捉される。微生物死骸付着粉塵13’の中には、死滅
せずに生き残っている微生物が付着している。ダクト内
気流2が定常時の湿度を維持して乾燥状態にあれば、フ
ィルタユニット12の中で残存微生物が増殖して繁殖す
ることはない。繁殖のためには、
(1)単位面積当たり又は単位体積当たりの個体数が閾
値以上であること
(2)繁殖可能領域が適正な湿度に保持されていること
(3)繁殖可能領域が適正な温度に保持されていること
(4)繁殖可能領域に適正な量の栄養分が存在すること
の少なくとも4条件が同時に満たされることが必要であ
る。全条件が偶然に満たされることがあれば、院内感染
が発生することが知られている。条件(2)と条件
(3)と条件(4)とが同時に満たされることは滅多に
ない。条件(2)と条件(3)と条件(4)とが同時に
満たされることがあっても、条件(1)が満たされるこ
とは原理的に皆無である。従来の空調システムでは、膨
大な量のフィルタユニット12のうちの僅かな個数のフ
ィルタユニット12には、一定個体数以上(閾値以上)
の細菌群が存在していることがある。条件(2),
(3),(4)が偶然に同時に満たされる場合、一定個
体数以上の細菌群の繁殖が確実に生起する。Dust 13 'attached to dead microorganisms passing through the catalyst unit 11, oxygen-based molecules / atoms 14 and non-oxygen-based molecules /
The microbial carcass attached dust 13 ′ of the atoms 15 is captured by the filter unit 12. The oxygen-based molecule / atom 14 and the non-oxygen-based molecule / atom 15 pass through the filter unit 12 and are returned to the living space such as a hospital room again. Most of the dust 13 'attached to dead microorganisms in the air flow 2 in the duct toward the filter unit 12 is captured by the filter unit 12. In the microbial carcass attached dust 13 ′, microorganisms that have survived without being killed are attached. If the air flow 2 in the duct is in a dry state while maintaining the humidity in a steady state, residual microorganisms will not grow and propagate in the filter unit 12. For breeding, (1) The number of individuals per unit area or unit volume is equal to or more than a threshold value (2) The breeding area is kept at an appropriate humidity (3) The breeding area is appropriate It is necessary that at least four conditions of being kept at the temperature (4) having a proper amount of nutrients in the fertile area are simultaneously satisfied. Nosocomial infections are known to occur if all conditions are met by chance. Condition (2), condition (3), and condition (4) are rarely met at the same time. In principle, the condition (1) is never satisfied even if the condition (2), the condition (3), and the condition (4) are simultaneously satisfied. In the conventional air conditioning system, a small number of filter units 12 out of the enormous amount of filter units 12 have a certain number of individuals or more (more than a threshold value).
There may be a bacterial group of. Condition (2),
When (3) and (4) are coincidentally fulfilled at the same time, the bacterial population of a certain number or more is certainly propagated.
【0028】本発明では、一定個体数N以上の細菌群が
付着しているフィルタユニット12は確率統計的に確実
にダクト内電子線9の照射を受けていて、ダクト内電子
線9を受けたフィルタユニット12の細菌群のうち生存
している微生物の個体数N’は、Nより著しく小さい:
N’<<N。従って、フィルタユニット12で微生物が
繁殖する確率は、確率統計的に零である。電子線死滅効
果とフィルタ捕獲効果の相乗効果は、繁殖確率を実質的
に零化する。条件(2),(3),(4)のうちの1条
件はやがて満たされなくなって、繁殖しないが生きて残
存している微生物は、やがて全滅し全滅に近い状態にな
る。In the present invention, the filter unit 12 to which the bacterial group of a certain number N or more is attached is reliably and statistically reliably irradiated with the electron beam 9 in the duct, and receives the electron beam 9 in the duct. The number N'of living microorganisms in the bacterial population of the filter unit 12 is significantly smaller than N:
N '<< N. Therefore, the probability that microorganisms propagate in the filter unit 12 is statistically zero. The synergistic effect of the electron beam killing effect and the filter capturing effect makes the breeding probability substantially zero. One of the conditions (2), (3), and (4) will not be satisfied soon, and microorganisms that do not reproduce but remain alive will eventually be annihilated and will be in a state close to annihilation.
【0029】電子線放出面8とダクト1の対向壁との間
の距離Lは、最小化されていて、図17に示される深さ
L1又はL2に一致させることができる。距離L1又は
L2に対応する電子線のエネルギーを選択することが重
要である。吸収線量がダクト内電子線9の有効到達距離
の間で一定値以上であることが重要である。図2に示さ
れるように、ダクト内電子線9の飛行距離が第1閾距離
D1より短かいダクト内気流2の第1流れ領域R1と、
ダクト内電子線9の飛行距離が第2閾距離D2より長い
ダクト内気流2の第2流れ領域R2では、吸収線量Q1
が吸収線量閾値Kより少ないことがある。このような場
合、第2流れ領域R1と第2流れ領域R2を通過するダ
クト内気流2の一部分に含まれる粉塵13の微生物の無
効化率は不十分に小さい。ダクト内電子線9の飛行行程
の両端点で、吸収線量Q2が一定値以上であることが重
要である。ダクト内電子線9の飛行行程の両端点で吸収
線量Q2が一定値以上であることは、図17と図2に示
されるように、全ての飛行到達点で吸収線量が一定値以
上であることと必要十分の関係にある。エネルギーが大
きいことだけでは、全ての飛行到達点で吸収線量を一定
値以上に制御することはできない。The distance L between the electron beam emitting surface 8 and the opposing wall of the duct 1 is minimized and can be matched to the depth L1 or L2 shown in FIG. It is important to select the electron beam energy corresponding to the distance L1 or L2. It is important that the absorbed dose is a certain value or more during the effective reach of the electron beam 9 in the duct. As shown in FIG. 2, the flight distance of the electron beam 9 in the duct is shorter than the first threshold distance D1, and the first flow region R1 of the air flow 2 in the duct,
In the second flow region R2 of the duct airflow 2 in which the flight distance of the electron beam 9 in the duct is longer than the second threshold distance D2, the absorbed dose Q1
May be less than the absorbed dose threshold K. In such a case, the ineffective rate of the microorganisms of the dust 13 contained in a part of the air flow 2 in the duct passing through the second flow region R1 and the second flow region R2 is insufficiently small. It is important that the absorbed dose Q2 is a certain value or more at both end points of the flight path of the electron beam 9 in the duct. That the absorbed dose Q2 is a certain value or more at both ends of the flight path of the electron beam 9 in the duct means that the absorbed dose is a certain value or more at all flight arrival points, as shown in FIG. 17 and FIG. Have a necessary and sufficient relationship with. It is not possible to control the absorbed dose above a certain value at all flight arrival points simply by having a large amount of energy.
【0030】図17に示されるように、電子線放出面8
(飛行距離が0である面)で最小吸収線量を持ってい
る。電子線取出窓7がそのような最小吸収線量を持つた
めには、電子線取出窓7は電子線5を減速させるための
減速板を有していることが重要である。As shown in FIG. 17, the electron beam emitting surface 8
It has the minimum absorbed dose (on the plane where the flight distance is 0). In order for the electron beam extraction window 7 to have such a minimum absorbed dose, it is important that the electron beam extraction window 7 has a deceleration plate for decelerating the electron beam 5.
【0031】図3は、本発明による放射線照射装置の実
施の他の形態を示している。実施の本形態では、実施の
既述の形態の触媒ユニット11より上流側に、他のフィ
ルタユニットとして、プレフィルタ16が追加されて配
置されている。微生物死骸付着粉塵13’のうちの多く
は、プレフィルタ16で捕捉される。プレフィルタ16
を通過するダクト内気流2の中の微生物死骸付着粉塵1
3’の減少は、触媒ユニット11の触媒の機能の喪失を
抑制する。プレフィルタ16は比較的に捕捉率が小さい
がより安価なものが使用され、非酸素系分子・原子15
は比較的により高価であるが捕捉率がより大きいもの
(HEPAフィルタ)が使用され、性能向上効果と対費
用効果とが奏される。FIG. 3 shows another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. In the present embodiment, a pre-filter 16 is additionally arranged as another filter unit on the upstream side of the catalyst unit 11 of the above-described embodiment. Most of the dust 13 'attached to the microbial carcasses is captured by the prefilter 16. Pre-filter 16
Dust in the air flow 2 in the duct passing through
The decrease of 3 ′ suppresses the loss of the catalytic function of the catalytic unit 11. The pre-filter 16 has a relatively small trapping rate, but is cheaper than the non-oxygen-based molecule / atom 15.
Is relatively more expensive but has a higher capture rate (HEPA filter), which is effective in improving performance and cost efficiency.
【0032】図4は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示している。実施の本形態では、実
施の図1の形態のフィルタユニット12が、電子線照射
器3の下流側から電子線照射器3の上流側に配置替えさ
れて配置されている。全条件(1),(2),(3),
(4)が偶然にも揃って従来であれば院内感染が起きる
確率が零でなく存在する状況では、細菌の繁殖がフィル
タユニット12の中で起きる可能性がある。フィルタユ
ニット12の中で繁殖した細菌群は、フィルタユニット
12から漏れて下流側に流れ出す。フィルタユニット1
2から流れ出す粉塵の外表面で飽和的に繁殖した細菌群
が付着している細菌群付着粉塵13”はダクト内電子線
9を受ける。その粉塵13”に付着している細菌群の個
体数Nは、細菌群がダクト内電子線9を受けることによ
り、個体数N’まで著しく減少する:N’<<N。個体
数N’の粉塵を吸い込む人の発病はない。実施の図1の
形態の医学的予防効果は、実施の本形態の医学的予防効
果に医学的には実質的に同効である(一定個体数密度以
上の細菌群を吸い込まない限り発病には至らない点で、
同効である。)。FIG. 4 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. In the present embodiment, the filter unit 12 of the embodiment of FIG. 1 is rearranged and arranged from the downstream side of the electron beam irradiator 3 to the upstream side of the electron beam irradiator 3. All conditions (1), (2), (3),
In the situation where (4) happens to be all the same and the probability of nosocomial infection is not zero in the conventional case, bacterial propagation may occur in the filter unit 12. The bacterial group propagated in the filter unit 12 leaks from the filter unit 12 and flows out to the downstream side. Filter unit 1
The bacteria-group-adhered dust 13 ″ to which the bacteria group saturably propagated on the outer surface of the dust flowing from 2 adheres receives the electron beam 9 in the duct. The number N of bacteria groups adhered to the dust 13 ″ Is significantly reduced to a population number N ′ by the bacterial group receiving electron beam 9 in the duct: N ′ << N. There is no illness in people who inhale N'of dust. The medical preventive effect of the embodiment of FIG. 1 of the embodiment is medically substantially equivalent to the medical preventive effect of the embodiment of the present invention (unless a group of bacteria with a certain population density or more is inhaled In the point that does not reach,
Same effect. ).
【0033】図5は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示している。実施の本形態では、実
施の図3の形態のプレフィルタ16が、電子線照射器3
の下流側から電子線照射器3の上流側に配置替されて配
置されている。ダクト内電子線9を受けて個体数(密
度)が個体数(密度)N’に減少している粉塵13’
は、フィルタフィルタユニット12で捕捉されるが、細
菌群はフィルタユニット12で繁殖することはない。実
施の本形態のプレフィルタ16’は、既述の通り、触媒
ユニット11の寿命を延長することができ、且つ、ダク
ト内電子線9の照射領域の粉塵量が少ないので、ダクト
内電子線9の線量(電流量)を低減することにより、電
子線取出窓7の加熱による温度上昇の程度を低減し、更
に、電子線照射器3のコストを低下させることができ
る。FIG. 5 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. In the present embodiment, the pre-filter 16 of the embodiment shown in FIG.
It is rearranged from the downstream side to the upstream side of the electron beam irradiator 3. Dust 13 'whose number (density) is reduced to N'when receiving electron beam 9 in the duct
Are trapped in the filter unit 12, but bacterial groups do not propagate in the filter unit 12. As described above, the pre-filter 16 ′ of the present embodiment can extend the life of the catalyst unit 11 and has a small amount of dust in the irradiation area of the electron beam 9 in the duct. By reducing the dose (current amount) of the electron beam extraction window 7, it is possible to reduce the degree of temperature rise due to heating of the electron beam extraction window 7 and further reduce the cost of the electron beam irradiator 3.
【0034】図6は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示している。実施の本形態は、ダク
ト内電子線9の飛行有効距離の点で改良されている。ダ
クト内電子線9の飛行有効距離Dは、ダクト1の標準距
離Dsより短く設定されている。電子線照射器3が配置
されるダクト部分は、それ以外の部分よりもダクト内電
子線9の進行方向距離(飛行距離)の点で短くなるよう
に変形されている。流路断面積は、全てのダクト部分で
同じであることは好ましい。流路方向に直交する方向の
流路断面長さの増大に伴って、カーテン状のダクト内電
子線9のその方向の長さを増大することは好ましい。触
媒ユニット11とフィルタユニット12の配置関係は、
実施の既述の全ての形態が適用され得る。FIG. 6 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. The present embodiment is improved in terms of the effective flight distance of the electron beam 9 in the duct. The effective flight distance D of the electron beam 9 in the duct is set shorter than the standard distance Ds of the duct 1. The duct portion in which the electron beam irradiator 3 is arranged is deformed so as to be shorter than the other portions in terms of the traveling direction distance (flight distance) of the electron beam 9 in the duct. It is preferable that the flow passage cross-sectional area is the same in all duct portions. It is preferable to increase the length of the curtain-shaped electron beam in the duct 9 in that direction as the cross-sectional length of the flow path in the direction orthogonal to the flow direction increases. The positional relationship between the catalyst unit 11 and the filter unit 12 is
All the forms described in the embodiments can be applied.
【0035】図17に示されるように、ダクト内の密度
が場所によって異ならない場合には、飛行距離がより短
くなれば、より小さいエネルギー(電子1個の電子線放
出面8でのエネルギー)のダクト内電子線9は、ダクト
内の全飛行範囲で十分な殺菌効果を有する。ダクト内電
子線9の飛行距離を短くすることにより、よりエネルギ
ーが低い電子線5を生成する電子線照射器3を用いるこ
とができる。As shown in FIG. 17, when the density in the duct does not vary depending on the place, the shorter the flight distance, the smaller the energy (energy at the electron beam emitting surface 8 of one electron) of the smaller energy. The electron beam 9 in the duct has a sufficient bactericidal effect in the entire flight range in the duct. By reducing the flight distance of the electron beam 9 in the duct, the electron beam irradiator 3 that generates the electron beam 5 having lower energy can be used.
【0036】このように規定される適正な飛行距離Dと
同じ長さを持つ断面形状にダクト1の全体を変更するこ
とは、圧力損失の増大を招く。電子線照射器3より下流
側に配置される触媒ユニット11で圧力損失の増大を招
かないためには、電子線照射器3より交流側でダクト1
の断面積が適正に定められる。その断面積の適正化の結
果として、電子線照射器3が配置されていないダクト部
分の断面積は、電子線照射器3が配置されているダクト
部分の断面積より大きくなることがある。断面積がこの
ように変化する場合、その変化領域のダクト部分の内面
の曲面は、図6に示されるように、滑らかに変化して前
後の内面に連続する曲面17に形成されていることが好
ましい。触媒ユニット11が配置されているダクト部分
の断面積が広く設定されていれば、圧力損失が少なくな
るとともに、触媒ユニット11の中でダクト内気流2の
流速が遅くなり、オゾンと触媒の相互作用確率が高くな
って、処理効率が向上する。電子線照射器3が配置され
ているダクト部分の上流側と下流側で断面積が広く形成
されている場合には、その上流側と下流側とで圧力損失
を低減ささせるレデューサ構造が採用されることが望ま
しい。Changing the entire duct 1 to have a sectional shape having the same length as the proper flight distance D defined in this manner causes an increase in pressure loss. In order not to cause an increase in pressure loss in the catalyst unit 11 arranged on the downstream side of the electron beam irradiator 3, the duct 1 on the AC side of the electron beam irradiator 3 is used.
The cross-sectional area of is properly determined. As a result of the optimization of the cross-sectional area, the duct area where the electron beam irradiator 3 is not arranged may be larger than the duct area where the electron beam irradiator 3 is arranged. When the cross-sectional area changes in this manner, the curved surface of the inner surface of the duct portion in the changed region may be formed into a curved surface 17 that smoothly changes and is continuous with the front and rear inner surfaces, as shown in FIG. preferable. If the cross-sectional area of the duct portion in which the catalyst unit 11 is arranged is set to be wide, the pressure loss is reduced, and the flow velocity of the air flow 2 in the duct in the catalyst unit 11 is reduced, so that the interaction between ozone and the catalyst is reduced. The probability increases and the processing efficiency improves. When the duct area where the electron beam irradiator 3 is arranged has a wide cross-sectional area on the upstream side and the downstream side, a reducer structure that reduces pressure loss on the upstream side and the downstream side is adopted. Is desirable.
【0037】このような圧力損失と相互作用確率が考慮
されてダクト内電子線9の飛行距離を短くすることは、
ダクト内電子線9の初期エネルギーの低下を可能にす
る。初期エネルギーの低下は、電子線照射器3の設備コ
ストを低減することができ、且つ、ダクト内電子線9の
照射によりダクト内気流2の壁等から発生するX線を防
御するためのX線遮蔽対策のコストを低減することがで
きる。To shorten the flight distance of the electron beam 9 in the duct in consideration of such pressure loss and interaction probability,
The initial energy of the electron beam 9 in the duct can be reduced. The decrease in the initial energy can reduce the equipment cost of the electron beam irradiator 3, and also protects the X-rays generated from the wall of the airflow 2 in the duct by the irradiation of the electron beam 9 in the duct. The cost of shielding measures can be reduced.
【0038】図7は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示している。ダクト内電子線9の飛
行の終端領域を形成するダクト1の材質又はそのダクト
を内側で被覆する被覆層18の材質を形成する原子の原
子番号は、その領域以外の領域のダクト内気流2の材質
を形成する原子の原子番号よりもより高い。このような
高原子番号の材料で形成される被覆層18に入射するダ
クト内電子線9の一部は、高原子番号の原子に衝突し、
被覆層18の中で減衰散乱過程を経て、反射電子線19
としてダクト1の中のダクト内気流2に反射的に戻る。
そのエネルギーが適正に規定されているダクト内電子線
9のうち被覆層18に侵入する一部分が必ず存在する。
このような一部分を跳ね返すことによりその一部分を吸
収線量として有効に利用することができる。被覆層18
の中の減衰散乱過程の電子の吸収は、被覆層18の発熱
の原因になる。被覆層18又は被覆層18に接合するダ
クト1の部分を冷却することは好ましい。その冷却は、
水冷が好ましい。FIG. 7 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. The atomic number of the atom forming the material of the duct 1 forming the terminal area of flight of the electron beam 9 in the duct or the material of the coating layer 18 covering the duct inside is the same as that of the air flow 2 in the duct in the area other than the area. It is higher than the atomic number of the atoms that form the material. A part of the electron beam 9 in the duct incident on the coating layer 18 formed of such a material with a high atomic number collides with an atom with a high atomic number,
In the coating layer 18, a backscattered electron beam 19 passes through an attenuation scattering process.
As a result, it returns to the duct air flow 2 in the duct 1 in a reflective manner.
There is always a part of the electron beam 9 in the duct, the energy of which is properly regulated, which penetrates into the coating layer 18.
By bouncing back such a part, the part can be effectively used as the absorbed dose. Coating layer 18
The absorption of electrons in the attenuated scattering process in the inside causes the heat generation of the coating layer 18. It is preferable to cool the cover layer 18 or the part of the duct 1 that joins the cover layer 18. That cooling is
Water cooling is preferred.
【0039】図8は、入射電子線エネルギーとその電子
線の反射率との関係を示している(R Ito et al.:Bull.
Univ. Osaka Pref. 41(1939) p69)。複数の入射電子
線のエネルギーが同じであり、且つ、同じ厚さであれ
ば、より大きい番号の高原子番号の原子の反射率は、よ
り小さい番号の低原子番号の原子の反射率より大きい。
電子線飛程距離は、飛行がその中で行われる物質(今の
場合は主として空気)の密度と入射位置のエネルギーと
により決定される。本発明では、電子線は一定以上のエ
ネルギーを残存させてダクトの一方側から対向側まで飛
行することができるように、飛行行程はその電子線の飛
程距離(その同じ密度の物質中を大部分の電子が飛行し
得る距離)より必ず短くなるように設定されているか
ら、ダクト内に入射する電子線の一部分は必ず対向側に
到達し、且つ、対向側の壁である高原子番号原子の物質
中に侵入する。FIG. 8 shows the relationship between the incident electron beam energy and the reflectance of the electron beam (R Ito et al .: Bull.
Univ. Osaka Pref. 41 (1939) p69). If the energies of the incident electron beams are the same and the thicknesses are the same, the reflectivity of the higher numbered higher atomic number atom is higher than that of the lower numbered lower atomic number atom.
The electron beam range is determined by the density of the substance in which the flight takes place (mainly air in this case) and the energy of the incident position. In the present invention, the flight range of the electron beam is such that the electron beam is allowed to fly from one side of the duct to the opposite side while leaving a certain amount of energy remaining in the duct. Since it is set so that it is always shorter than the distance that a part of the electrons can fly), a part of the electron beam entering the duct always reaches the opposite side, and the high atomic number atom which is the wall on the opposite side. Penetrate into the substance of.
【0040】そのように侵入する電子線の一部は、反射
電子線19になって反射して再びダクト内気流2に侵入
してダクト内気流2で吸収される。反射電子線エネルギ
ーの飛程距離が飛行距離より長くなければ、反射電子線
19は完全にダクト内気流2に吸収される。反射率がよ
り高い物質の採択による反射電子率の増加は、反射前の
吸収量と反射後の吸収量の合計を図17に示される入射
位置での電子線吸収量より大きい吸収量に全飛行行程で
維持させることができるから、ダクト内長さDをより大
きく設定することができ、又は、入射エネルギーの低減
により電子線照射器3の設備コストをより低減すること
ができ、更には、冷却器の規模を小さくすることができ
る。A part of the electron beam penetrating in this way becomes a reflected electron beam 19 and is reflected and again enters the duct air flow 2 and is absorbed by the duct air flow 2. If the range of the reflected electron beam energy is not longer than the flight distance, the reflected electron beam 19 is completely absorbed by the air flow 2 in the duct. The increase of the backscattered electron rate due to the adoption of a material having a higher reflectance is due to the total amount of absorption before reflection and after reflection being changed to the total amount of absorption larger than the amount of electron beam absorption at the incident position shown in FIG. Since it can be maintained in the process, the length D in the duct can be set larger, or the equipment cost of the electron beam irradiator 3 can be further reduced by reducing the incident energy, and further, the cooling can be performed. The scale of the vessel can be reduced.
【0041】図9は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示している。実施の本形態は、実施
の既述の全形態と、電子線出射角度の点で異なってい
る。電子線放出面8はダクト内気流2の流線方向に平行
ではない。電子線5とダクト内電子線9の有効中心線
は、ダクト内気流2の流路方向に対して90度で入射せ
ず、従って、ダクト1の対向側の反射面(その対向側の
ダクト1の内面:円筒面又は平面)に対して90度で入
射しない。図10は、電子線の入射角度と反射率との関
係を示している。入射角度は、ダクト内電子線9の中心
線と対向側の反射面との角度が90度である場合に0度
として定義されている。図10に示されるように、入射
角度が大きいほどに反射率が大きい。実施の本形態の反
射電子線量は、実施の図1又は図7の形態の反射電子線
量より多く、全吸収線量が多くなって、既述の効果が更
に増進する。FIG. 9 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. The present embodiment is different from all the embodiments described above in terms of the electron beam emission angle. The electron beam emitting surface 8 is not parallel to the streamline direction of the air flow 2 in the duct. The effective center lines of the electron beam 5 and the electron beam 9 in the duct do not enter at 90 degrees with respect to the flow direction of the air flow 2 in the duct, and therefore, the reflection surface on the opposite side of the duct 1 (the duct 1 on the opposite side). Inner surface: Cylindrical surface or plane) does not enter at 90 degrees. FIG. 10 shows the relationship between the incident angle of an electron beam and the reflectance. The incident angle is defined as 0 degree when the angle between the center line of the electron beam 9 in the duct and the reflecting surface on the opposite side is 90 degrees. As shown in FIG. 10, the reflectance increases as the incident angle increases. The backscattered electron dose of the present embodiment is larger than the backscattered electron dose of the embodiment shown in FIG. 1 or FIG. 7, and the total absorbed dose is large, so that the effect described above is further enhanced.
【0042】図11は、本発明による放射線照射装置の
実施の更に他の形態を示している。実施の本形態は、実
施の図9の形態と、対向側に対する電子線の入射角度の
点で異なっている。電子線放出面8はダクト内気流2の
流線方向に平行である。電子線5とダクト内電子線9の
有効中心線は、ダクト内気流2の流路方向に対して90
度で入射している。被覆層18の入射面であり反射面で
ある対向面21は、流線方向に平行ではない。ダクト内
電子線9と反射電子線19との間の角度は0度より大き
くなって、実施の図9の形態と同じく、入射角度がより
大きくなっている。実施の本形態の反射電子線量は、実
施の図1又は図7の形態の反射電子線量より多く、全吸
収線量が多くなって、既述の効果が更に増進する。FIG. 11 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. The present embodiment is different from the embodiment of FIG. 9 in the angle of incidence of the electron beam on the opposite side. The electron beam emitting surface 8 is parallel to the streamline direction of the air flow 2 in the duct. The effective center lines of the electron beam 5 and the electron beam 9 in the duct are 90 with respect to the flow direction of the air flow 2 in the duct.
It is incident at a degree. The facing surface 21 that is the incident surface and the reflective surface of the coating layer 18 is not parallel to the streamline direction. The angle between the in-duct electron beam 9 and the reflected electron beam 19 is larger than 0 degree, and the incident angle is larger as in the embodiment of FIG. The backscattered electron dose of the present embodiment is larger than the backscattered electron dose of the embodiment shown in FIG. 1 or FIG. 7, and the total absorbed dose is large, so that the effect described above is further enhanced.
【0043】図12は、本発明による放射線照射装置の
実施の更に他の形態を示している。磁石22が、追加さ
れている。磁石22の磁界は、ダクト内気流2の流線と
ダクト内電子線9の電子線進行方向ベクトル(その向き
はダクト内電子線9の有効中心線の向きに一致)とに対
して垂直であり又は交叉している。磁石22は、ダクト
1の外側に配置されることが好ましく、磁石22に電子
線が侵入せず、且つ、磁石22にダクト内気流2が触れ
ないことが好ましい。この場合、ダクト1の材質として
は非磁性体が採択される。ダクト内電子線9を構成する
無数の電子の一部分は、ダクト内気流2と相互作用しな
がら不規則に方向を変えて進み、全体的にはローレンツ
力を受けて円軌道を描きながら、部分的にはローレンツ
力により不規則的強制力を受けて偏向し、ダクト内気流
2の中で迷走する。飛程距離は必要程度に十分にダクト
内距離より長く設定されているので、ダクト内電子線9
の一部分は対向側に侵入するが、磁石22がなければ対
向側に侵入して無効化する電子線の一部分は、ダクト内
気流2の中で迷走している間に有効にダクト内気流2に
吸収される。このような吸収量の増大は、既述の効果を
促進する。更に、ダクト内気流2を構成する物質の原子
の原子番号は、ダクトの材質を構成する原子の原子番号
より小さい。制動を受けて電子が放出する制動X線量
は、電子が相互作用する相手側の原子の原子番号が小さ
いほどに少ない。電子の迷走による吸収量の増大は、制
動X線量を減少させることができる効果がある。FIG. 12 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. A magnet 22 has been added. The magnetic field of the magnet 22 is perpendicular to the streamline of the air flow 2 in the duct and the electron beam traveling direction vector of the electron beam 9 in the duct (its direction matches the direction of the effective center line of the electron beam 9 in the duct). Or they are crossing. The magnet 22 is preferably arranged outside the duct 1, and it is preferable that an electron beam does not enter the magnet 22 and the air flow 2 in the duct does not touch the magnet 22. In this case, the duct 1 is made of a non-magnetic material. A part of the innumerable electrons forming the electron beam 9 in the duct changes its direction irregularly while interacting with the air flow 2 in the duct, and receives a Lorentz force as a whole to draw a circular orbit. Is deflected by receiving an irregular force due to Lorentz force, and strays in the air flow 2 in the duct. Since the range is set to be sufficiently longer than the duct internal distance, the electron beam in the duct 9
Part of the electron beam enters the opposite side, but if there is no magnet 22, the part of the electron beam that enters the opposite side and is invalidated effectively enters the duct air flow 2 while straying in the duct air flow 2. Be absorbed. Such an increase in the amount of absorption promotes the effects described above. Further, the atomic number of the atom of the substance forming the duct air flow 2 is smaller than the atomic number of the atom forming the material of the duct. The braking X-ray dose emitted by electrons upon being braked is smaller as the atomic number of the counterpart atom with which the electrons interact is smaller. Increasing the amount of absorption due to stray electrons has the effect of reducing the braking X-ray dose.
【0044】図13は、本発明による放射線照射装置の
実施の更に他の形態を示している。実施の本形態には、
邪魔板23が追加されている。邪魔板23は、電子線照
射器3が配置されているダクト部位に配置されている。
邪魔板23は、上流側ダクト内気流2の進路を変えてそ
の後の気流2’を屈曲させるために追加されている。ダ
クト内電子線9は、曲折する気流2’を透過的に通過す
る。気流2’の曲折により圧力損失が増大するが、その
気体に乗って移動する粉塵は、ダクト内電子線9が通過
する領域に時間的に長く停滞する。全ての粉塵は、必ず
1度はダクト内電子線9を横切るが、多くの粉塵は何度
もダクト内電子線9を横切る。停滞と渦流とにより、吸
収量が増大する。邪魔板23により形成される流路の方
向が気流2’の方向に一致し、その流路の方向はダクト
内電子線9に直交していないので、粉塵がダクト内電子
線9の中に滞在する時間が長く、吸収量が更に増大す
る。邪魔板23が電子線を吸収することによる発熱を回
避するために、邪魔板23を積極的に冷却する冷却構造
を邪魔板23に与えることは好ましい。FIG. 13 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. In the present embodiment,
A baffle 23 is added. The baffle plate 23 is arranged at a duct portion where the electron beam irradiator 3 is arranged.
The baffle plate 23 is added to change the course of the air flow 2 in the upstream duct and bend the subsequent air flow 2 '. The electron beam 9 in the duct transparently passes through the bending airflow 2 '. Although the pressure loss increases due to the bending of the airflow 2 ′, the dust that moves along with the gas stays in the region where the electron beam 9 in the duct passes for a long time. All the dust always crosses the electron beam 9 in the duct once, but many dusts cross the electron beam 9 in the duct many times. The amount of absorption increases due to the stagnation and the eddy current. Since the direction of the flow path formed by the baffle plate 23 coincides with the direction of the air flow 2'and the direction of the flow path is not orthogonal to the electron beam 9 in the duct, dust stays in the electron beam 9 in the duct. It takes a long time to do so, and the absorption amount further increases. In order to avoid heat generation due to the baffle plate 23 absorbing the electron beam, it is preferable to provide the baffle plate 23 with a cooling structure for actively cooling the baffle plate 23.
【0045】実施の図13の形態では、粉塵は一様な電
子線照射を受けることができる。実施の図1の形態で
は、ダクト内電子線9の中心線上で異なる位置を通過す
る電子の吸収量は、図17に示されるように異るが、そ
のような線上を移動する任意の粉塵は一様な量の電子線
を吸収することができる。一様な電子線吸収は、初期的
電子線エネルギーを小さくすることができる。制動X線
量の増大を有効に抑える効果は、既述の通りである。In the embodiment shown in FIG. 13, the dust can be uniformly irradiated with the electron beam. In the embodiment shown in FIG. 1, the absorption amount of electrons passing through different positions on the center line of the in-duct electron beam 9 is different as shown in FIG. 17, but any dust moving on such a line is It can absorb a uniform amount of electron beams. The uniform electron beam absorption can reduce the initial electron beam energy. The effect of effectively suppressing the increase in the braking X-ray dose is as described above.
【0046】図14は、本発明による放射線照射装置の
実施の更に他の形態を示している。ダクト1は、直角に
屈曲する屈曲部位1’を有している。屈曲部位1’で
は、ダクト内空気流2の流路方向とダクト内電子線9の
方向とが一致し、又は、ダクト内空気流2の流路方向と
ダクト内電子線9の方向との間の角度が直角に比べて有
効に小さいので、吸収量の一様性が優れていて、既述の
複数の効果を同時に容易に実現することができる。実施
の本形態では、電子線放出面8は、屈曲後の流路を形成
する断面形状に同じ断面形状を持つことが要求される
(全ての粉塵がダクト内電子線9の中で時間的に長く存
在することができる。)。FIG. 14 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. The duct 1 has a bending portion 1 ′ that bends at a right angle. In the bent portion 1 ′, the flow direction of the air flow 2 in the duct and the direction of the electron beam 9 in the duct match, or between the flow direction of the air flow 2 in the duct and the direction of the electron beam 9 in the duct. Since the angle is effectively smaller than the right angle, the uniformity of the absorption amount is excellent and the above-described plurality of effects can be easily realized at the same time. In the present embodiment, the electron beam emitting surface 8 is required to have the same cross-sectional shape as the cross-sectional shape that forms the flow path after bending (all dust is temporally in the duct electron beam 9). Can exist for a long time.)
【0047】図15は、本発明による放射線照射装置の
実施の更に他の形態を示している。実施の本形態は、実
施の図6の形態と実施の図12の形態のそれぞれの利点
が合成された複合効果(更に電子線照射器3の設備コス
トを低減する効果)を持つように改変されている。その
構成は自明的であるからその記述は自明的に省略され
る。FIG. 15 shows still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention. The present embodiment is modified so as to have a combined effect (an effect of further reducing the equipment cost of the electron beam irradiator 3) in which the respective advantages of the embodiment of FIG. 6 and the embodiment of FIG. 12 are combined. ing. Since its structure is self-explanatory, its description is omitted.
【0048】本発明による放射線照射装置の実施の既述
の形態は、病院が対象として記述されているが、本発明
による放射線照射装置は、食品製造プラント、薬品製造
プラントでより有効に利用される。The above-described embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention has been described for a hospital, but the radiation irradiation apparatus according to the present invention is more effectively used in a food manufacturing plant and a drug manufacturing plant. .
【0049】[0049]
【発明の効果】本発明による放射線照射装置は、フィル
タを有効に活用しフィルタが細菌供給源にならない。電
子線の有効到達距離が適正に設定され、電子線の有効利
用を実現することができる。The radiation irradiating apparatus according to the present invention effectively utilizes the filter so that the filter does not serve as a source of bacteria. The effective reach of the electron beam is appropriately set, and the effective use of the electron beam can be realized.
【図1】図1は、本発明による放射線照射装置の実施の
形態を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図2】図2は、電子線の飛程を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing a range of an electron beam.
【図3】図3は、本発明による放射線照射装置の実施の
他の形態を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図4】図4は、本発明による放射線照射装置の実施の
更に他の形態を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図5】図5は、本発明による放射線照射装置の実施の
更に他の形態を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図6】図6は、本発明による放射線照射装置の実施の
更に他の形態を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図7】図7は、本発明による放射線照射装置の実施の
更に他の形態を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図8】図8は、反射率を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing reflectance.
【図9】図9は、本発明による放射線照射装置の実施の
更に他の形態を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図10】図10は、反射率を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing reflectance.
【図11】図11は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示す断面図である。FIG. 11 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図12】図12は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示す断面図である。FIG. 12 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図13】図13は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示す断面図である。FIG. 13 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図14】図14は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図15】図15は、本発明による放射線照射装置の実
施の更に他の形態を示す断面図である。FIG. 15 is a sectional view showing still another embodiment of the radiation irradiation apparatus according to the present invention.
【図16】図16は、公知の電子線照射装置を示す斜軸
投影図である。FIG. 16 is an oblique-axis projection view showing a known electron beam irradiation device.
【図17】図17は、公知の吸収線量の増減を示すグラ
フである。FIG. 17 is a graph showing known increase / decrease in absorbed dose.
【符号の説明】 1…ダクト(第1ダクト) 1’…第2ダクト 2…流体 3…電子線照射器 5…電子線 7…電子線取出窓 8…放出面 9…ダクト内電子線 12…フィルタ 13’…微生物付着粒子 18…反射層 22…磁石[Explanation of symbols] 1 ... duct (first duct) 1 '... second duct 2 ... fluid 3 ... Electron beam irradiator 5 ... Electron beam 7 ... Electron beam extraction window 8 ... Emission surface 9 ... Electron beam in duct 12 ... Filter 13 '... Microorganism-attached particles 18 ... Reflective layer 22 ... Magnet
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4C058 AA19 AA23 BB06 CC04 CC05 EE23 KK03 KK22 KK28 KK46 4C080 AA09 BB05 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 4C058 AA19 AA23 BB06 CC04 CC05 EE23 KK03 KK22 KK28 KK46 4C080 AA09 BB05
Claims (17)
え、 前記放射線照射器は、放射線を取り出す放射線取出窓を
備え、 前記放射線取出窓は、前記流路の流体に触れて流路内放
射線を前記流路の中に放出する放出面を有し、 前記流路内放射線は、前記放出面から放出されて前記放
出面に対向する前記ダクトの対向面まで確実に飛行する
ことができる飛程距離を持つエネルギーを前記放出面か
ら放出される時に有している放射線照射装置。1. A radiation irradiator provided outside a flow path, wherein the radiation irradiator comprises a radiation extraction window for extracting radiation, and the radiation extraction window is in contact with a fluid in the flow path to flow. There is an emission surface that emits in-road radiation into the flow path, and the in-flow radiation is emitted from the emission surface and can reliably fly to the opposing surface of the duct that faces the emission surface. A radiation irradiating device having energy having a possible range when being emitted from the emitting surface.
り物性が変化する物質を前記流路から除去するフィルタ
リング機器を更に具える放射線照射装置。2. A radiation irradiating apparatus further comprising a filtering device which is provided in the flow channel and removes a substance whose physical properties are changed by radiation in the flow channel from the flow channel.
線の放出時エネルギーは第1設定エネルギーより大き
く、且つ、前記対向面に到達する前記流路内放射線の到
達時エネルギーは第2設定エネルギーより大きく、前記
第2設定エネルギーは零ではない請求項1又は2の放射
線照射装置。3. The emission energy of the radiation in the flow path emitted from the emission surface is larger than a first setting energy, and the arrival energy of the radiation in the flow path reaching the facing surface is a second setting energy. The radiation irradiation apparatus according to claim 1 or 2, wherein the second set energy is larger than energy and is not zero.
ネルギーに概ね等しい請求項3の放射線照射装置。4. The radiation irradiation apparatus according to claim 3, wherein the first setting energy is substantially equal to the second setting energy.
クトルを有し、前記放出線ベクトルは、前記流路の中に
形成される流路に対して斜めに交叉する請求項1〜4の
放射線照射装置。5. The radiation in the flow channel has an emission line vector at the emission surface, and the emission line vector intersects obliquely with respect to the flow channel formed in the flow channel. 4 radiation irradiation device.
斜めに入射する請求項5の放射線照射装置。6. The radiation irradiating apparatus according to claim 5, wherein the radiation in the flow channel is obliquely incident on the facing surface.
有し、前記反射層を構成する物質の原子の原子番号は前
記流路を構成する物質の原子の原子番号より大きい請求
項3の放射線照射装置。7. The facing portion forming the facing surface has a reflecting layer, and the atomic number of the atom of the substance forming the reflecting layer is larger than the atomic number of the atom of the substance forming the flow path. Radiation irradiation device.
クトルを有し、前記放出線ベクトルは前記反射層の内面
である前記対向面に斜めに交叉する請求項7の放射線照
射装置。8. The radiation irradiating apparatus according to claim 7, wherein the radiation in the flow path has an emission line vector at the emission surface, and the emission line vector obliquely intersects the facing surface which is an inner surface of the reflective layer.
路の流路部位で前記流路の中に流れを邪魔する邪魔板を
更に具え、 前記流路内放射線は前記放出面で放出線ベクトルを有
し、前記放出線ベクトルの向きは、前記邪魔板により形
成される流路部分の流路方向に概ね平行である請求項1
〜8から選択される1請求項の放射線照射装置。9. The apparatus further comprises a baffle plate for obstructing a flow in the flow passage at a flow passage portion of the flow passage in which the radiation irradiator is arranged, and the radiation in the flow passage is an emission line at the emission surface. A vector, and the direction of the emission line vector is substantially parallel to the flow direction of the flow path portion formed by the baffle plate.
The radiation irradiation device according to claim 1, which is selected from
流路の流路部位に配置される磁石を更に具え、 前記流路内放射線の一部分はローレンツ力を受けて不規
則に迷走する請求項1〜9から選択される1請求項の放
射線照射装置。10. The apparatus further comprises a magnet arranged at a flow passage part of the flow passage in which the radiation irradiator is arranged, and a part of the radiation in the flow passage receives a Lorentz force and strays irregularly. The radiation irradiation device according to claim 1, which is selected from 1 to 9.
取出窓より上流側に配置されている請求項1〜10の放
射線照射装置。11. The radiation irradiating device according to claim 1, wherein the filtering device is arranged upstream of the radiation extraction window.
され、 前記第2フィルタは前記放射線取出窓より上流側に配置
されている請求項1〜10から選択される1請求項の放
射線照射装置。12. The filling device includes a first filter and a second filter, the first filter is disposed downstream of the radiation extraction window, and the second filter is upstream of the radiation extraction window. The radiation irradiation apparatus according to claim 1, wherein the radiation irradiation apparatus is arranged on the side.
媒ユニットを更に具え、前記触媒ユニットは、前記放射
線取出窓より下流側に配置されている請求項1〜12か
ら選択される1請求項の放射線照射装置。13. The method according to claim 1, further comprising a catalyst unit disposed in the flow path for decomposing ozone, wherein the catalyst unit is disposed downstream of the radiation extraction window. Radiation irradiation device of paragraph.
媒ユニットを更に具え、前記触媒ユニットは、前記放射
線取出窓より下流側に配置されている前記フィルタは、 第1フィルタと、 第2フィルタとを備え、 前記第1フィルタは前記放射線取出窓より下流側に配置
され、 前記第2フィルタは前記放射線取出窓より下流側に配置
され、 前記触媒ユニットは、前記第1フィルタと前記第2フィ
ルタの間に介設されている請求項1〜10から選択され
る1請求項の放射線照射装置。14. A catalyst unit disposed in the flow path for decomposing ozone, the catalyst unit being disposed downstream of the radiation extraction window, wherein the filter is a first filter and a second filter. A filter, the first filter is disposed downstream of the radiation extraction window, the second filter is disposed downstream of the radiation extraction window, the catalyst unit is the first filter and the second The radiation irradiating device according to claim 1, wherein the radiation irradiating device is interposed between filters.
1〜14から選択される1請求項の放射線照射装置。15. The radiation irradiating apparatus according to claim 1, wherein the facing surface is positively cooled.
クト内電子線を前記ダクトの中に放出する放出面を有
し、 前記ダクトは、 第1ダクトと、 前記第1ダクトより下流側で前記第1ダクトに対して屈
曲して接続する第2ダクトとを備え、 前記ダクト内放射線の流れの方向は、前記第2ダクトに
より形成される流路の方向に概ね平行である電子線照射
装置。16. A duct, a filter interposed in the duct for adsorbing fine particles, and an electron beam irradiator arranged outside the duct, wherein the electron beam irradiator extracts an electron beam. An extraction window is provided, the electron beam extraction window has an emission surface that emits an electron beam in the duct into the duct by touching a fluid in the duct, and the duct includes a first duct and the first duct. A second duct that is bent and connected to the first duct on the downstream side of the first duct, and the direction of the flow of radiation in the duct is substantially parallel to the direction of the flow path formed by the second duct. Electron beam irradiation device.
ダクトにより形成される前記流路の中で吸収される請求
項16の電子線照射装置。17. All of the electron beams in the duct are the second
The electron beam irradiation device according to claim 16, wherein the electron beam irradiation device is absorbed in the flow path formed by a duct.
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---|---|---|---|
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---|---|
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- 2002-03-29 JP JP2002097480A patent/JP2003290322A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |