JP2003289043A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

Semiconductor manufacturing device

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JP2003289043A
JP2003289043A JP2002092484A JP2002092484A JP2003289043A JP 2003289043 A JP2003289043 A JP 2003289043A JP 2002092484 A JP2002092484 A JP 2002092484A JP 2002092484 A JP2002092484 A JP 2002092484A JP 2003289043 A JP2003289043 A JP 2003289043A
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JP
Japan
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exhaust duct
clean room
hot air
chamber
heater unit
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002092484A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Seiji Watanabe
誠治 渡辺
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent hot air from being emitted to a clean room or the atmosphere. <P>SOLUTION: A water passage 32 is installed on internal faces of four side walls and internal face of a ceiling wall in a heat unit setting chamber 12a of a case body 11, and the water passage 32 is connected to a feed pipe 33 and a distributing water pipe 34. One edge of an exhaust duct 39 is connected to a buffer duct 38 communicated with the neighborhood of the ceiling surface of the heater unit setting chamber 12a, and the other edge of the exhaust duct 39 is inserted through a blower 41 set on the upper face of a utility box 31 into a lower side chamber 5 of a clean room 2. A water passage 40 for cooling hot air circulating in the exhaust duct 39 is spirally installed across the full length at the outer periphery of the exhaust duct 39, and the water passage 40 is connected to the feed pipe 33 and the distributing water pipe 34. Therefore, it is possible to cool hot air circulating in the exhaust duct by the distributing water pipe of the exhaust duct, and to prevent hot air from being emitted to the clean room or the atmosphere. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特に、筐体の内部の熱気を筐体の外部へ排気する技術に
関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICとい
う。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハとい
う。)に熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装
置(furnace )に利用して有効なものに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus,
In particular, the present invention relates to a technique for exhausting hot air inside a housing to the outside of the housing. ) Is applied to a heat treatment device (furnace) that is effective.

【0002】ICの製造方法においてウエハに熱処理を
施す熱処理装置として、バッチ式縦形ホットウオール形
熱処理装置が、広く使用されている。バッチ式縦形ホッ
トウオール形熱処理装置(以下、熱処理装置という。)
は、ウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチュ
ーブと、プロセスチューブの内部を加熱するヒータユニ
ットとを備えており、複数枚のウエハがボートによって
積層された状態で処理室に下端の炉口から搬入され、ヒ
ータユニットによって処理室内が加熱されることによ
り、ウエハに熱処理が施されるように構成されている。
A batch type vertical hot wall type heat treatment apparatus is widely used as a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a wafer in an IC manufacturing method. Batch type vertical hot wall heat treatment equipment (hereinafter referred to as heat treatment equipment)
Is equipped with a process tube that forms a processing chamber into which wafers are loaded, and a heater unit that heats the inside of the process tube. A furnace opening at the lower end of the processing chamber in a state where a plurality of wafers are stacked by a boat The wafer is heat-treated by being loaded from the inside and heated in the processing chamber by the heater unit.

【0003】従来のこの種の熱処理装置においては、ヒ
ータユニットの熱気は熱処理装置が設置されたクリーン
ルームに排気されたり、クリーンルームの建屋の外に排
気されたりしている。
In the conventional heat treatment apparatus of this type, the hot air of the heater unit is exhausted to a clean room in which the heat treatment apparatus is installed or to the outside of a clean room building.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱処理
装置の熱気がクリーンルームに排気される場合には、ク
リーンルームにおいて循環するクリーンエアに冷えた外
気を大量に取り込むことにより、クリーンルームの室温
の上昇を防止することが実施されているため、クリーン
ルームにおけるクリーンエアの清浄度の維持費用が増大
してしまうという問題点がある。
However, when the hot air of the heat treatment apparatus is exhausted to the clean room, a large amount of cold outside air is taken into the clean air circulating in the clean room to prevent the room temperature of the clean room from rising. Therefore, there is a problem that the maintenance cost of the cleanliness of clean air in the clean room increases.

【0005】他方、熱処理装置の熱気がクリーンルーム
の建屋の外に排気される場合には、熱気が大気中に放出
されるのを防止するための対策が必要になる。
On the other hand, when the hot air of the heat treatment apparatus is discharged to the outside of the building of the clean room, it is necessary to take measures to prevent the hot air from being released into the atmosphere.

【0006】本発明の目的は、熱気がクリーンルームや
大気中に放出されるのを防止することができる半導体製
造装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing hot air from being released into a clean room or the atmosphere.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、筐体の内部の熱気を筐体の外部へ排気する排気
ダクトを備えている半導体製造装置において、前記排気
ダクトが冷却されるように構成されていることを特徴と
する。
A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus provided with an exhaust duct for exhausting hot air inside a casing to the outside of the casing, wherein the exhaust duct is cooled. It is characterized in that it is configured as follows.

【0008】前記した手段によれば、筐体の内部の熱気
を排気する排気ダクトが冷却されるため、熱気がクリー
ンルームや大気中に放出されるのを防止することができ
る。
According to the above-mentioned means, since the exhaust duct for exhausting the hot air inside the housing is cooled, it is possible to prevent the hot air from being released into the clean room or the atmosphere.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】本実施の形態において、本発明に係る半導
体製造装置は、熱処理装置すなわちバッチ式縦形ホット
ウオール形熱処理装置として構成されており、図1に示
されているように、半導体装置の製造工場の建屋1に構
築されたクリーンルーム2に設置されている。クリーン
ルーム2の内部にはグレーチング3が上側室4と下側室
5とに仕切るように水平に架設されており、熱処理装置
10はグレーチング3の上に設置されている。クリーン
ルーム2の天井壁には複数台のクリーンユニット6がク
リーンエア7をクリーンルーム2の内部に供給するよう
に設置されており、建屋1には新規のエア9を補給する
ための外気導入管8が敷設されている。
In the present embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is configured as a heat treatment apparatus, that is, a batch type vertical hot wall type heat treatment apparatus, and as shown in FIG. 1, a semiconductor device manufacturing plant. It is installed in the clean room 2 built in the building 1. Inside the clean room 2, a grating 3 is horizontally installed so as to divide it into an upper chamber 4 and a lower chamber 5, and the heat treatment apparatus 10 is installed on the grating 3. A plurality of clean units 6 are installed on the ceiling wall of the clean room 2 so as to supply clean air 7 to the inside of the clean room 2, and the building 1 has an outside air introduction pipe 8 for supplying new air 9. It has been laid.

【0011】熱処理装置10は気密室構造に構築された
筐体11を備えており、図2に示されているように、筐
体11の気密室12の一端部(以下、後端部とする。)
の上部に設定されたヒータユニット設置室12aの内部
にはヒータユニット13が垂直方向に据え付けられてい
る。詳細な図示は省略するが、ヒータユニット13は抵
抗ヒータ素線が螺旋状に組まれてなるヒータと、ステン
レス鋼等の薄板によって円筒形状に形成されたケースの
内部に断熱材が充填されてなる円筒形状の断熱槽とを備
えており、ヒータが断熱槽の内周面に螺旋状に敷設され
ている。ヒータユニット設置室12aは直方体の箱形状
に構築されており、ヒータユニット13は円筒形状に構
築されているため、ヒータユニット設置室12aの側壁
内面とヒータユニット13の外周面との間には熱気の通
路となる隙間が形成されている。
The heat treatment apparatus 10 has a housing 11 constructed in an airtight chamber structure. As shown in FIG. 2, one end of the airtight chamber 12 of the housing 11 (hereinafter referred to as a rear end). .)
A heater unit 13 is vertically installed inside the heater unit installation chamber 12a set at the upper part of the above. Although not shown in detail, the heater unit 13 includes a heater formed by spirally assembling a resistance heater wire, and a case formed in a cylindrical shape by a thin plate of stainless steel or the like and filled with a heat insulating material. A cylindrical heat insulating tank is provided, and a heater is laid in a spiral shape on the inner peripheral surface of the heat insulating tank. Since the heater unit installation chamber 12a is constructed in the shape of a rectangular parallelepiped box and the heater unit 13 is constructed in the shape of a cylinder, hot air is provided between the inner surface of the side wall of the heater unit installation chamber 12a and the outer peripheral surface of the heater unit 13. Is formed as a passage.

【0012】ヒータユニット13の内部には処理室を構
成するプロセスチューブ14が同心円に配置されてお
り、プロセスチューブ14の下端部には処理室に原料ガ
スやパージガス等を導入するためのガス導入管15と、
処理室を真空排気するための排気管16とが接続されて
いる。筐体11の気密室12におけるヒータユニット設
置室12aの下部にはエレベータ17が設置されてお
り、エレベータ17はプロセスチューブ14の真下に配
置されたボート18を垂直方向に昇降させるように構成
されている。ボート18は多数枚のウエハ19を中心を
揃えて水平に配置した状態で支持して、プロセスチュー
ブ14の処理室に対して搬入搬出するように構成されて
いる。
A process tube 14 constituting a processing chamber is concentrically arranged inside the heater unit 13, and a gas introducing pipe for introducing a raw material gas or a purge gas into the processing chamber is provided at a lower end portion of the process tube 14. 15,
An exhaust pipe 16 for evacuating the processing chamber is connected. An elevator 17 is installed in a lower portion of the heater unit installation chamber 12a in the airtight chamber 12 of the housing 11, and the elevator 17 is configured to vertically elevate and lower a boat 18 disposed directly below the process tube 14. There is. The boat 18 is configured to support a large number of wafers 19 arranged horizontally with their centers aligned and to carry in and out of the process chamber of the process tube 14.

【0013】筐体11の正面壁には複数枚のウエハを収
納したウエハキャリア(以下、キャリアという。)を筐
体11の気密室12に搬入搬出するためのキャリア搬入
搬出口が開設されており、キャリア搬入搬出口はフロン
トシャッタ20(図3参照)によって開閉されるように
なっている。キャリア搬入搬出口にはキャリアの位置合
わせを実行する搬入搬出ステージ(以下、I/Oステー
ジという。)21が設置されており、キャリアはキャリ
ア搬入搬出口を通してI/Oステージ21に出し入れさ
れるようになっている。I/Oステージ21には平面視
が略L字形の平板形状に形成された載置台22が設置さ
れている。筐体11の気密室12における前後方向の中
央部の上部には回転式のポッド棚23が設置されてお
り、回転式のポッド棚23は合計八個のキャリアを保管
するように構成されている。すなわち、図1に示されて
いるように、回転式のポッド棚23は略卍形状に形成さ
れた両棚板24、24が上下二段に配置されて水平面内
で回転自在に支承されており、モータ等の間欠回転駆動
装置(図示せず)によってピッチ送り的に一方向に回転
されるようになっている。
A carrier loading / unloading port for loading / unloading a wafer carrier (hereinafter referred to as a carrier) containing a plurality of wafers into / from the hermetic chamber 12 of the housing 11 is provided on the front wall of the housing 11. The carrier loading / unloading port is opened and closed by the front shutter 20 (see FIG. 3). A carry-in / carry-out stage (hereinafter referred to as I / O stage) 21 for aligning the carrier is installed at the carrier carry-in / carry-out port. It has become. The I / O stage 21 is provided with a mounting table 22 formed in a flat plate shape having a substantially L shape in a plan view. A rotary pod shelf 23 is installed in the upper part of the central portion in the front-rear direction of the airtight chamber 12 of the housing 11, and the rotary pod shelf 23 is configured to store a total of eight carriers. . That is, as shown in FIG. 1, in the rotary pod shelf 23, two shelf plates 24, 24 formed in a substantially swastika shape are arranged vertically in two stages and rotatably supported in a horizontal plane. , A motor or the like intermittent rotation driving device (not shown) is rotated in one direction by pitch feed.

【0014】筐体11の気密室12におけるポッド棚2
3の下側にはウエハ19をローディングするウエハロー
ディングポート26が一対、垂直方向に上下二段に設置
されており、両ウエハローディングポート26、26は
平面視が略L字形の平板形状に形成された載置台27、
27をそれぞれ備えている。筐体11の気密室12にお
けるI/Oステージ21とポッド棚23およびウエハロ
ーディングポート26との間には、スカラ形ロボット
(selective compliance assembly robot arm 。SCA
RA)によって構成されたキャリアハンドリング装置
(以下、ハンドリング装置という。)28が設置されて
いる。ハンドリング装置28はI/Oステージ21とポ
ッド棚23との間およびポッド棚23とウエハローディ
ングポート26との間でキャリアを搬送するように構成
されている。ウエハローディングポート26とボート1
8との間にはウエハ移載装置(water transfer equipme
nt)29が設置されており、ウエハ移載装置29はウエ
ハローディングポート26とボート18との間でウエハ
を搬送するように構成されている。
The pod shelf 2 in the airtight chamber 12 of the housing 11
3, a pair of wafer loading ports 26 for loading the wafer 19 are installed vertically in two stages vertically, and both wafer loading ports 26, 26 are formed in a flat plate shape having a substantially L-shape in plan view. Mounting table 27,
27 are provided respectively. Between the I / O stage 21, the pod shelf 23, and the wafer loading port 26 in the airtight chamber 12 of the housing 11, a scalar compliance robot (selective compliance assembly robot arm SCA) is provided.
A carrier handling device (hereinafter, referred to as a handling device) 28 configured by RA is installed. The handling device 28 is configured to transfer the carrier between the I / O stage 21 and the pod shelf 23 and between the pod shelf 23 and the wafer loading port 26. Wafer loading port 26 and boat 1
Wafer transfer equipment (water transfer equipme
nt) 29 is installed, and the wafer transfer device 29 is configured to transfer the wafer between the wafer loading port 26 and the boat 18.

【0015】図1、図3および図4に示されているよう
に、熱処理装置10はガス供給装置や電源装置等がユニ
ット化されたユーティリティーボックス31を備えてお
り、ユーティリティーボックス31は筐体11の気密室
12に設置された各種の器具や機器のメンテナンス作業
を実施し易くするために、筐体11の後方に適当に離間
されて設置されている。
As shown in FIGS. 1, 3 and 4, the heat treatment apparatus 10 includes a utility box 31 in which a gas supply device, a power supply device and the like are unitized, and the utility box 31 is a casing 11. In order to facilitate the maintenance work of various instruments and devices installed in the airtight chamber 12, they are installed at appropriate intervals behind the housing 11.

【0016】図2に示されているように、筐体11の気
密室12のうちヒータユニット13が設置された後端部
のヒータユニット設置室12aには、冷却水を流通させ
る通水管32がヒータユニット設置室12aの四枚の側
壁の内面および天井壁の内面に添うようにそれぞれ敷設
されており、各壁面の通水管32は図5でも参照される
ように蛇行形状に配管されている。図4および図5に示
されているように、ヒータユニット設置室12aには給
水管33および排水管34が配管されており、図1に示
されているように、給水管33および排水管34はクリ
ーンルーム2の下側室5から上側室4に引き込まれてヒ
ータユニット設置室12aに配管されている。給水管3
3および排水管34には各壁面に敷設された通水管32
が、冷却水が全長にわたって流通するように接続されて
いる。
As shown in FIG. 2, a water passage pipe 32 for circulating cooling water is provided in the heater unit installation chamber 12a at the rear end of the airtight chamber 12 of the housing 11 where the heater unit 13 is installed. The heater unit installation chamber 12a is laid along the inner surfaces of the four side walls and the inner surface of the ceiling wall, and the water pipes 32 on the respective wall surfaces are arranged in a meandering shape as shown in FIG. As shown in FIGS. 4 and 5, a water supply pipe 33 and a drain pipe 34 are provided in the heater unit installation chamber 12a, and as shown in FIG. 1, the water supply pipe 33 and the drain pipe 34 are provided. Is drawn from the lower chamber 5 of the clean room 2 to the upper chamber 4 and is piped to the heater unit installation chamber 12a. Water supply pipe 3
3 and the drain pipe 34, the water pipe 32 laid on each wall surface
However, the cooling water is connected so as to flow over the entire length.

【0017】図6に示されているように、ヒータユニッ
ト設置室12aの天井面付近における片側にはラジエー
タ35が設置されている。ラジエータ35はヒータユニ
ット設置室12aに連通した被冷却ダクト36と、被冷
却ダクト36を流通する熱気を冷却するための通水管3
7とを備えており、通水管37は被冷却ダクト36に蛇
行形状に配管されて、他の通水管32と同様に給水管3
3および排水管34に接続されている。被冷却ダクト3
6にはバッファダクト38が連設されており、バッファ
ダクト38には排気ダクト39の一端が接続されてい
る。図1、図3および図4に示されているように、排気
ダクト39の他端はユーティリティーボックス31の上
面に設置された送風機41を介してクリーンルーム2の
下側室5に挿入されている。排気ダクト39の外周には
排気ダクト39を流通する熱気を冷却するための通水管
40が全長にわたって螺旋形状に敷設されており、通水
管40は他の通水管32、37と同様に給水管33およ
び排水管34にそれぞれ接続されている。
As shown in FIG. 6, a radiator 35 is installed on one side near the ceiling surface of the heater unit installation chamber 12a. The radiator 35 includes a cooled duct 36 communicating with the heater unit installation chamber 12a, and a water pipe 3 for cooling hot air flowing through the cooled duct 36.
7, the water pipe 37 is connected to the cooled duct 36 in a meandering shape, and like the other water pipes 32, the water pipe 3 is provided.
3 and the drain pipe 34. Cooled duct 3
A buffer duct 38 is connected in series to 6, and one end of an exhaust duct 39 is connected to the buffer duct 38. As shown in FIGS. 1, 3 and 4, the other end of the exhaust duct 39 is inserted into the lower chamber 5 of the clean room 2 via a blower 41 installed on the upper surface of the utility box 31. On the outer circumference of the exhaust duct 39, a water pipe 40 for cooling the hot air flowing through the exhaust duct 39 is laid in a spiral shape over the entire length, and the water pipe 40 is the same as the other water pipes 32 and 37. And drainage pipe 34, respectively.

【0018】ちなみに、ヒータユニット設置室12aに
おけるバッファダクト38と反対側にはスカベンジャ用
バッファダクト42が形成されており、スカベンジャ用
バッファダクト42はプロセスチューブ14の下端部の
外側に設置されたスカベンジャの内部に接続されてい
る。スカベンジャ用バッファダクト42にはスカベンジ
ャ用排気ダクト43が接続されている。
Incidentally, a scavenger buffer duct 42 is formed on the opposite side of the heater unit installation chamber 12a from the buffer duct 38, and the scavenger buffer duct 42 is located outside the lower end of the process tube 14. It is connected to the inside. A scavenger exhaust duct 43 is connected to the scavenger buffer duct 42.

【0019】次に、前記構成に係る熱処理装置の作用を
説明する。
Next, the operation of the heat treatment apparatus having the above structure will be described.

【0020】図2に示されているように、複数枚のウエ
ハ19を垂直方向に整列させて保持したボート18はボ
ートエレベータ17によって差し上げられてプロセスチ
ューブ14の処理室に搬入(ボートローディング)され
る。続いて、プロセスチューブ14の処理室が所定の圧
力に排気管16によって排気され、所定の温度(400
〜1200℃)にヒータユニット13によって加熱され
る。次いで、処理ガスが処理室にガス導入管15によっ
て導入される。処理ガスは処理室を流れる間にボート1
8に保持されたウエハ19に接触することにより、ウエ
ハ19に対して熱処理を施す。
As shown in FIG. 2, the boat 18 holding a plurality of wafers 19 aligned in the vertical direction is lifted by the boat elevator 17 and carried into the processing chamber of the process tube 14 (boat loading). It Subsequently, the processing chamber of the process tube 14 is exhausted to a predetermined pressure by the exhaust pipe 16, and a predetermined temperature (400
To 1200 ° C.) by the heater unit 13. Next, the processing gas is introduced into the processing chamber by the gas introduction pipe 15. While processing gas flows through the processing chamber, boat 1
By contacting the wafer 19 held by the wafer 8, the wafer 19 is heat-treated.

【0021】所定の熱処理時間が経過すると、処理ガス
の導入が停止された後に、ボート18がボートエレベー
タ17によって下降されて処理室から搬出(ボートアン
ローディング)される。以降、前記作用が繰り返される
ことにより、熱処理装置10によってウエハ19に対す
る熱処理がバッチ処理されて行く。
After the lapse of a predetermined heat treatment time, after the introduction of the processing gas is stopped, the boat 18 is lowered by the boat elevator 17 and is unloaded (boat unloading) from the processing chamber. After that, by repeating the above operation, the heat treatment for the wafer 19 is batch-processed by the heat treatment apparatus 10.

【0022】以上の熱処理において、ヒータユニット1
3の温度は例えば400〜1200℃もの高温度に上昇
するため、ヒータユニット設置室12aの雰囲気温度も
高温度に上昇することになる。そこで、ヒータユニット
設置室12aに敷設された通水管32には冷却水が給水
管33および排水管34によって流通され、ヒータユニ
ット設置室12の高温となった雰囲気である熱気がラジ
エータ35の被冷却ダクト36、バッファダクト38お
よび排気ダクト39を通じて送風機41によって強制的
に排気される。すなわち、ヒータユニット設置室12a
の側壁内面が通水管32を流れる冷却水によって強制的
に冷却される。また、ヒータユニット設置室12aの熱
気が強制的に排気されることにより、ヒータユニット設
置室12aが相対的に空冷される。
In the above heat treatment, the heater unit 1
Since the temperature of 3 rises to a high temperature of 400 to 1200 ° C., for example, the ambient temperature of the heater unit installation chamber 12a also rises to a high temperature. Therefore, the cooling water is circulated through the water pipe 32 laid in the heater unit installation chamber 12a by the water supply pipe 33 and the drain pipe 34, and the hot air in the heater unit installation chamber 12 that is the high temperature atmosphere is cooled by the radiator 35. The air is forcedly exhausted by the blower 41 through the duct 36, the buffer duct 38, and the exhaust duct 39. That is, the heater unit installation chamber 12a
The inner surface of the side wall of the is forcibly cooled by the cooling water flowing through the water pipe 32. Further, the heater unit installation chamber 12a is relatively air-cooled by forcibly exhausting the hot air in the heater unit installation chamber 12a.

【0023】ヒータユニット設置室12aから送風機4
1の排気力によって吸い上げられた熱気は、ラジエータ
35の通水管37によって冷却される。ラジエータ35
によって冷却された熱気は、バッファダクト38を経て
排気ダクト39に送風機41の排気力によって吸い込ま
れ、クリーンルーム2の下側室5に吹き出される。この
際、排気ダクト39には通水管40が全長にわたって螺
旋状に敷設されているため、排気ダクト39を流れる熱
気は通水管40を流れる冷却水によってさらに冷却され
る。このようにしてヒータユニット設置室12aからの
熱気はラジエータ35によって冷却された後に、排気ダ
クト39を流れる間にさらに冷却されるため、クリーン
ルーム2の下側室5に吹き出される際の温度は充分に下
げられている。
From the heater unit installation chamber 12a to the blower 4
The hot air sucked up by the exhaust force of No. 1 is cooled by the water pipe 37 of the radiator 35. Radiator 35
The hot air cooled by is sucked into the exhaust duct 39 through the buffer duct 38 by the exhaust force of the blower 41, and is blown out to the lower chamber 5 of the clean room 2. At this time, since the water pipe 40 is laid in a spiral shape over the entire length of the exhaust duct 39, the hot air flowing through the exhaust duct 39 is further cooled by the cooling water flowing through the water pipe 40. In this way, the hot air from the heater unit installation chamber 12a is cooled by the radiator 35 and then further cooled while flowing through the exhaust duct 39, so that the temperature at which the hot air is blown out to the lower chamber 5 of the clean room 2 is sufficient. It has been lowered.

【0024】クリーンルーム2の下側室5に吹き出され
たヒータユニット設置室12aからのエアすなわち充分
に降温された熱気は、上側室4から下側室5にグレーチ
ング3を通ってダウンブローされたクリーンエア7と一
緒になってクリーンルーム2のクリーンユニット6の排
気力によって吸い上げられる。クリーンユニット6に吸
い上げられたクリーンエア7はクリーンユニット6によ
って浄化されるとともに温度調和される。この際、ヒー
タユニット設置室12aから排気された熱気の温度はク
リーンルーム2の下側室5に吹き出される際には充分に
降温されているため、クリーンルーム2のクリーンユニ
ット6の温度調和の出力は抑制することができる。クリ
ーンルーム2の温度調和の出力を抑制することにより、
クリーンルーム2に外気導入管8によって補給される新
規のエア9の補給量を低減させることができるため、こ
の新規のエア9の浄化に伴うクリーンユニット6のフィ
ルタの余分な汚染を抑制することができる。つまり、ク
リーンルーム2のランニングコストを大幅に低減するこ
とができる。
The air from the heater unit installation chamber 12a blown into the lower chamber 5 of the clean room 2, that is, the hot air that has been sufficiently cooled down, is blown down from the upper chamber 4 to the lower chamber 5 through the grating 3 and the clean air 7 is blown down. It is sucked up by the exhaust force of the clean unit 6 of the clean room 2 together with. The clean air 7 sucked up by the clean unit 6 is purified and temperature-conditioned by the clean unit 6. At this time, the temperature of the hot air exhausted from the heater unit installation chamber 12a is sufficiently lowered when it is blown out to the lower chamber 5 of the clean room 2, so that the temperature-harmonic output of the clean unit 6 of the clean room 2 is suppressed. can do. By suppressing the output of temperature control of the clean room 2,
Since the amount of new air 9 supplied to the clean room 2 by the outside air introduction pipe 8 can be reduced, extra contamination of the filter of the clean unit 6 due to purification of the new air 9 can be suppressed. . That is, the running cost of the clean room 2 can be significantly reduced.

【0025】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

【0026】1) ヒータユニット設置室の熱気を排気す
る排気ダクトに通水管を敷設することにより、排気ダク
トを流れる熱気を冷却することができるため、熱気がク
リーンルームや大気中に放出されるのを防止することが
できる。
1) Since the hot air flowing through the exhaust duct can be cooled by laying a water pipe in the exhaust duct that exhausts the hot air in the heater unit installation chamber, the hot air is not released into the clean room or the atmosphere. Can be prevented.

【0027】2) 熱気がクリーンルームに放出されるの
を防止することにより、クリーンルームのランニングコ
ストを大幅に低減することができ、また、熱気がクリー
ンルームの建屋の外に放出されるのを防止することによ
り、建屋の外気の温度が上昇するのを防止することがで
きる。
2) By preventing hot air from being released into the clean room, the running cost of the clean room can be significantly reduced, and hot air can be prevented from being released outside the building of the clean room. As a result, it is possible to prevent the temperature of the outside air of the building from rising.

【0028】3) 排気ダクトに送風機を設置することに
より、ヒータユニット室の熱気を強制的に排気すること
ができるため、ヒータユニット室を強制的に空冷するこ
とができ、しかも、屋外に送風機を設置する場合に比べ
て排気ダクトの長さを短縮することができる。
3) By installing a blower in the exhaust duct, the hot air in the heater unit chamber can be forcibly exhausted, so that the heater unit chamber can be forcibly cooled by air, and the blower can be installed outdoors. The length of the exhaust duct can be shortened compared to the case where it is installed.

【0029】4) 排気ダクトの吹出口をクリーンルーム
のグレーチングの下側室に配することにより、クリーン
ルームにおいて各種の半導体製造装置が設置される上側
室のクリーンエアのダウンブローを乱すことを防止する
ことができるため、クリーンルームの性能の低下を防止
することができる。
4) By arranging the air outlet of the exhaust duct in the lower room of the grating in the clean room, it is possible to prevent the down blow of clean air in the upper room in which various semiconductor manufacturing apparatuses are installed in the clean room from being disturbed. Therefore, it is possible to prevent the performance of the clean room from deteriorating.

【0030】5) 排気ダクトを冷却する通水管を熱処理
装置の他の通水管に冷却水を流通させるための給水管お
よび排水管に接続することにより、排気ダクトを冷却す
るための専用の給水管および排水管を配管しなくて済む
ため、設備費用の増加を抑制することができる。
5) Dedicated water pipe for cooling the exhaust duct by connecting the water pipe for cooling the exhaust duct to a water pipe and a drain pipe for circulating cooling water to other water pipes of the heat treatment apparatus. Also, since it is not necessary to provide a drainage pipe, it is possible to suppress an increase in equipment cost.

【0031】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
Needless to say, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0032】例えば、冷却する排気ダクトはヒータユニ
ット設置室に接続された排気ダクトに限らず、スカベン
ジャに接続された排気ダクトのように、筐体の内部の熱
気を筐体の外部へ排気する他の排気ダクトを冷却するよ
うに構成してもよい。
For example, the exhaust duct for cooling is not limited to the exhaust duct connected to the heater unit installation chamber, but the hot air inside the casing is exhausted to the outside of the casing like the exhaust duct connected to the scavenger. The exhaust duct may be cooled.

【0033】排気ダクトに設置する送風機はクリーンル
ームの上側室に配置するに限らず、クリーンルームの下
側室に配置してもよい。
The blower installed in the exhaust duct is not limited to being placed in the upper room of the clean room, but may be placed in the lower room of the clean room.

【0034】排気ダクトを冷却する通水管は専用の給水
管および排水管に接続してもよい。
The water pipe for cooling the exhaust duct may be connected to a dedicated water supply pipe and drain pipe.

【0035】排気ダクトの吹出口はクリーンルームの下
側室に配するに限らず、上側室に配してもよい。
The outlet of the exhaust duct is not limited to being arranged in the lower chamber of the clean room, but may be arranged in the upper chamber.

【0036】半導体製造装置はバッチ式縦形ホットウオ
ール形熱処理装置に限らず、バッチ式横形ホットウオー
ル形熱処理装置等の半導体製造装置全般に適用すること
ができる。
The semiconductor manufacturing apparatus is not limited to the batch type vertical hot wall type heat treatment apparatus, but can be applied to all semiconductor manufacturing apparatuses such as a batch type horizontal hot wall type heat treatment apparatus.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明するように、本発明によれば、
熱気がクリーンルームや大気中に放出されるのを防止す
ることができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to prevent hot air from being released into a clean room or the atmosphere.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態である熱処理装置のクリ
ーンルームでの設置状態を示す縦断面図である。
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an installed state of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention in a clean room.

【図2】その熱処理装置の内部構造を示す斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view showing the internal structure of the heat treatment apparatus.

【図3】その熱処理装置を示す正面側からの外観斜視図
である。
FIG. 3 is an external perspective view showing the heat treatment apparatus from the front side.

【図4】その熱処理装置を示す背面側からの外観斜視図
である。
FIG. 4 is an external perspective view from the back side showing the heat treatment apparatus.

【図5】図4のV−V線に沿う一部省略断面図である。5 is a partially omitted cross-sectional view taken along the line VV of FIG.

【図6】図5のVI−VI線に沿う一部省略断面図である。6 is a partially omitted cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…IC製造工場の建屋、2…クリーンルーム、3…グ
レーチング、4…上側室、5…下側室、6…クリーンユ
ニット、7…クリーンエア、8…外気導入管、9…エ
ア、10…熱処理装置(半導体製造装置)、11…筐
体、12…気密室、12a…ヒータユニット設置室、1
3…ヒータユニット、14…プロセスチューブ、15…
ガス導入管、16…排気管、17…エレベータ、18…
ボート、19…ウエハ、20…フロントシャッタ、21
…I/Oステージ、22…載置台、23…ポッド棚、2
4…棚板、25…載置部、26…ウエハローディングポ
ート、27…載置台、28…キャリアハンドリング装
置、29…ウエハ移載装置、31…ユーティリティーボ
ックス、32…通水管、33…給水管、34…排水管、
35…ラジエータ、36…被冷却ダクト、37…通水
管、38…バッファダクト、39…排気ダクト、40…
通水管、41…送風機、42…スカベンジャ用バッファ
ダクト、43…スカベンジャ用排気ダクト。
1 ... IC manufacturing factory building, 2 ... Clean room, 3 ... Grating, 4 ... Upper chamber, 5 ... Lower chamber, 6 ... Clean unit, 7 ... Clean air, 8 ... Outside air introduction pipe, 9 ... Air, 10 ... Heat treatment apparatus (Semiconductor manufacturing apparatus), 11 ... Casing, 12 ... Airtight chamber, 12a ... Heater unit installation chamber, 1
3 ... Heater unit, 14 ... Process tube, 15 ...
Gas introduction pipe, 16 ... Exhaust pipe, 17 ... Elevator, 18 ...
Boat, 19 ... Wafer, 20 ... Front shutter, 21
... I / O stage, 22 ... Mounting table, 23 ... Pod shelf, 2
4 ... Shelf plate, 25 ... Loading part, 26 ... Wafer loading port, 27 ... Loading table, 28 ... Carrier handling device, 29 ... Wafer transfer device, 31 ... Utility box, 32 ... Water pipe, 33 ... Water supply pipe, 34 ... drainage pipe,
35 ... Radiator, 36 ... Cooled duct, 37 ... Water pipe, 38 ... Buffer duct, 39 ... Exhaust duct, 40 ...
Water pipe, 41 ... Blower, 42 ... Scavenger buffer duct, 43 ... Scavenger exhaust duct.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 筐体の内部の熱気を筐体の外部へ排気す
る排気ダクトを備えている半導体製造装置において、前
記排気ダクトが冷却されるように構成されていることを
特徴とする半導体製造装置。
1. A semiconductor manufacturing apparatus comprising an exhaust duct for exhausting hot air inside a casing to the outside of the casing, wherein the exhaust duct is configured to be cooled. apparatus.
【請求項2】 前記排気ダクトに送風機が設置されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a blower is installed in the exhaust duct.
【請求項3】 クリーンルームに設置され、前記排気ダ
クトの吹出口がこのクリーンルームの床下に配されてい
ることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体製
造装置。
3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is installed in a clean room, and the air outlet of the exhaust duct is arranged under the floor of the clean room.
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