JP2003286216A - Hydrogenated bisphenol a-4,4'-divinyl ether compound, method for producing the same and photoresist composition containing the compound - Google Patents

Hydrogenated bisphenol a-4,4'-divinyl ether compound, method for producing the same and photoresist composition containing the compound

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JP2003286216A
JP2003286216A JP2002090692A JP2002090692A JP2003286216A JP 2003286216 A JP2003286216 A JP 2003286216A JP 2002090692 A JP2002090692 A JP 2002090692A JP 2002090692 A JP2002090692 A JP 2002090692A JP 2003286216 A JP2003286216 A JP 2003286216A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide (trans, trans)-hydrogenated bisphenol A-4,4'-bivinyl ether compound which has a single structure and is low in odor, low evaporable, low irritative, low toxic, and highly cation-polymerizable. <P>SOLUTION: This (trans, trans)-hydrogenated bisphenol A-4,4'-bivinyl ether compound represented by formula (1), a method for producing the compound, and a photoresist composition containing the compound. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なジビニルエ
−テル化合物、その製造法および当該化合物を含有して
なるフォトレジスト組成物に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel divinyl ether compound, a method for producing the same, and a photoresist composition containing the compound.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ビニルエーテル化合物は、カチオ
ン重合性モノマーやラジカル重合性モノマーとして、フ
ォトレジスト、接着剤、塗料等の用途に用いられてきた
が、該化合物が有する臭気や、その化学構造がフェノー
ル誘導体である場合には、当該化学構造に起因する環境
ホルモン作用の疑念などの問題点があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, vinyl ether compounds have been used as a cationically polymerizable monomer or a radically polymerizable monomer in applications such as photoresists, adhesives and paints. In the case of a phenol derivative, there were problems such as suspicion of action of environmental hormone due to the chemical structure.

【0003】一方、これらの問題点を克服するために、
比較的分子量を大きくして揮発性を抑え、かつ、芳香環
を核還元してフェノール骨格をシクロヘキサノール骨格
に変更する試み、例えば水素化ビスフェノールAをビニ
ルエーテル化する方法が特開平10−279513号公
報に開示されている。
On the other hand, in order to overcome these problems,
An attempt to change the phenol skeleton to a cyclohexanol skeleton by reducing the volatility by relatively increasing the molecular weight and reducing the aromatic ring, for example, a method of converting hydrogenated bisphenol A into a vinyl ether is disclosed in JP-A-10-279513. Is disclosed in.

【0004】しかしながら、当該方法により得られる化
合物は、二個のシクロヘキサノール骨格の立体構造上、
トランス,トランス−体、シス,トランス−体及びシ
ス,シス−体の3種の立体異性体の混合物であり、又還
元触媒の種類や還元条件によってその異性体組成が大き
く異なってくることが知られている(特開昭53−11
9855号公報、特開昭64−34935号公報、特開
2000−44503号公報など)。従って、これら方
法で得られたジビニルエーテル化合物はその組成が一定
していないため、物性が安定しないものであった。
However, the compound obtained by this method has a three-dimensional structure of two cyclohexanol skeletons,
It is a mixture of three types of stereo isomers of trans, trans-form, cis, trans-form and cis, cis-form, and it is known that the isomer composition greatly varies depending on the type of reducing catalyst and reducing conditions. (Japanese Patent Laid-Open No. 53-11
9855, JP-A-64-34935, and JP-A-2000-44503). Therefore, the composition of the divinyl ether compound obtained by these methods is not constant, and the physical properties are not stable.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、低臭気、低
揮発性、低刺激性、低毒性で、カチオン重合性が高い、
単一構造を有する(トランス,トランス)−水素化ビス
フェノールA−4,4’−ジビニルエーテル化合物を提
供することを目的とする。
The present invention has low odor, low volatility, low irritation, low toxicity and high cationic polymerizability.
It is an object to provide a (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4′-divinyl ether compound having a single structure.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく、鋭意研究を重ねた。その結果、単一の立体
異性体である(トランス,トランス)−4,4’−水素
化ビスフェノールAをジビニルエーテル化することによ
り、単一の立体異性体である(トランス,トランス)−
水素化ビスフェノールA−4,4’−ジビニルエーテル
化合物が得られ、前記目的が達成できること、予め再結
晶して精製したトランス,トランス−体である上記水素
化ビスフェノールAをジビニルエーテル化することによ
り、好適に目的化合物が得られること等を見出し本発明
を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The present inventor has conducted extensive studies in order to achieve the above object. As a result, a single stereoisomer (trans, trans) -4,4'-hydrogenated bisphenol A is converted into a divinyl ether to obtain a single stereoisomer (trans, trans)-.
A hydrogenated bisphenol A-4,4′-divinyl ether compound is obtained, the above-mentioned object can be achieved, and the above-mentioned hydrogenated bisphenol A which is a trans or trans-form which is purified by recrystallization is divinyl etherified. The inventors have found that the target compound is preferably obtained and completed the present invention.

【0007】本発明は、以下に示す、単一の立体異性体
である新規化合物のジビニルエーテル化合物、当該化合
物の製造法および当該化合物を含有してなるフォトレジ
スト組成物に係るものである。
The present invention relates to a divinyl ether compound, which is a novel compound having a single stereoisomer, a process for producing the compound, and a photoresist composition containing the compound, which are shown below.

【0008】1.式(1):1. Formula (1):

【0009】[0009]

【化3】 で表される(トランス,トランス)−水素化ビスフェノ
ールA−4,4’−ジビニルエ−テル化合物。
[Chemical 3] A (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4′-divinyl ether compound represented by:

【0010】2.式(2)2. Formula (2)

【0011】[0011]

【化4】 で表される(トランス,トランス)−4,4’−水素化
ビスフェノールAを、アルカリ触媒の存在下、アセチレ
ンと反応させてビニルエーテル化させることを特徴とす
る式(1)で表される(トランス,トランス)−水素化
ビスフェノールA−4,4’−ジビニルエ−テル化合物
の製造法。
[Chemical 4] (Trans, trans) -4,4′-hydrogenated bisphenol A is reacted with acetylene in the presence of an alkali catalyst to form a vinyl ether, which is represented by the formula (1) (trans. , Trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether compound.

【0012】3.式(2)で表される(トランス,トラ
ンス)−4,4’−水素化ビスフェノールAが、再結晶
による精製物である上記項2記載のジビニルエーテル化
合物の製造法。
3. 3. The method for producing a divinyl ether compound according to item 2, wherein the (trans, trans) -4,4′-hydrogenated bisphenol A represented by the formula (2) is a purified product by recrystallization.

【0013】4.ビニルエーテル化させた後、晶析工程
を経る上記項2又は3に記載のジビニルエ−テル化合物
の製造法。
4. 4. The method for producing a divinyl ether compound according to the above item 2 or 3, which is subjected to a crystallization step after being vinyl etherified.

【0014】5.式(1)で表わされる(トランス,ト
ランス)−水素化ビスフェノールA−4,4’−ジビニ
ルエ−テル化合物を含有してなるフォトレジスト組成
物。
5. A photoresist composition comprising a (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether compound represented by the formula (1).

【0015】6.(A)式(1)で表わされる(トラン
ス,トランス)−4,4’−水素化ビスフェノールA−
4,4’−ジビニルエ−テル化合物、(B)重合体1k
gあたり0.5〜10当量のカルボキシル基を有し、且
つ3,000〜100,000の範囲内の数平均分子量
及び0℃以上のガラス転移温度を有する重合体(a)、
重合体1kgあたり1〜10当量のヒドロキシフェニル
基を有し、且つ500〜100,000の範囲内の数平
均分子量及び0℃以上のガラス転移温度を有する重合体
(b)及び重合体1kgあたり0.2〜20当量のヒド
ロキシフェニル基及び0.5〜10当量のカルボキシル
基を有し、且つ500〜100,000の範囲内の数平
均分子量及び0℃以上のガラス転移温度を有する重合体
(c)から選ばれる少なくとも1種の重合体、並びに
(C)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物
を含有してなることを特徴とする上記項5に記載のフォ
トレジスト組成物。
6. (A) (trans, trans) -4,4'-hydrogenated bisphenol A- represented by the formula (1)
4,4'-divinyl ether compound, (B) polymer 1k
A polymer (a) having 0.5 to 10 equivalents of a carboxyl group per g and having a number average molecular weight in the range of 3,000 to 100,000 and a glass transition temperature of 0 ° C. or higher,
Polymer (b) having 1 to 10 equivalents of hydroxyphenyl group per 1 kg of polymer, and having a number average molecular weight in the range of 500 to 100,000 and a glass transition temperature of 0 ° C. or higher, and 0 per kg of polymer. A polymer having a hydroxyphenyl group of 2 to 20 equivalents and a carboxyl group of 0.5 to 10 equivalents, and having a number average molecular weight in the range of 500 to 100,000 and a glass transition temperature of 0 ° C. or higher (c 6. The photoresist composition as described in the above item 5, which comprises at least one polymer selected from the group (1) and (C) a compound capable of generating an acid upon irradiation with active energy rays.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明化合物 本発明化合物である(トランス,トランス)−水素化ビ
スフェノールA−4,4’−ジビニルエーテル化合物の
原料である(トランス,トランス)−4,4’−水素化
ビスフェノールAとしては、工業原料として市販されて
いる4,4’−水素化ビスフェノールAを使用すること
ができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Inventive Compound (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether compound (trans, trans) -4,4'-hydrogen which is a raw material of the compound As the hydrogenated bisphenol A, 4,4′-hydrogenated bisphenol A commercially available as an industrial raw material can be used.

【0017】市販の4,4’−水素化ビスフェノールA
は、通常、トランス,トランス−体、シス,トランス−
体及びシス,シス−体の三種の立体異性体からなる混合
物であり、当該混合物を精製してトランス,トランス−
体を分離してから使用することにより、ジビニルエーテ
ル化後、特に精製しなくても、目的化合物である式
(1)の(トランス,トランス)−水素化ビスフェノー
ルA−4,4’−ジビニルエーテル化合物を、好適に収
得することができる。ここで、上記立体異性体混合物か
ら、トランス,トランス−体を精製する方法としては、
シス,トランス−体及びシス,シス−体の除去が可能で
ある限り、格別限定はされないが、精製物の純度を効率
良く向上させることができる点で再結晶が好ましい。な
お、再結晶に用いる溶媒としては、アルコール類、エス
テル類、ケトン類等が好ましく、特にメタノール、酢酸
エチル、アセトン等を用いることが好ましい。再結晶に
用いる溶媒の量は、精製前の粗結晶1重量部に対し0.
5重量部から10重量部であり、純度向上及び回収率の
兼ね合いより1重量部から5重量部とすることがより好
ましい。
Commercially available 4,4'-hydrogenated bisphenol A
Is usually trans, trans-form, cis, trans-
And a cis-cis-cis mixture of three stereoisomers. The mixture is purified to give trans, trans-
By using after separating the body, after the divinyl etherification, the target compound (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4′-divinyl ether of the formula (1) is not particularly purified. The compound can be conveniently obtained. Here, as a method for purifying a trans or trans-isomer from the above stereoisomer mixture,
There is no particular limitation as long as the cis, trans-form and the cis, cis-form can be removed, but recrystallization is preferable because the purity of the purified product can be efficiently improved. As the solvent used for recrystallization, alcohols, esters, ketones and the like are preferable, and methanol, ethyl acetate, acetone and the like are particularly preferable. The amount of solvent used for recrystallization was 0.
It is 5 to 10 parts by weight, and more preferably 1 to 5 parts by weight in consideration of the improvement in purity and the recovery rate.

【0018】本発明化合物は、式(2)の(トランス,
トランス)−4,4’−水素化ビスフェノールAを、ア
ルカリ触媒の存在下に、溶媒中、アセチレンガスを導入
して加熱反応させることにより得られる。
The compound of the present invention has the formula (2) (trans,
Trans) -4,4′-hydrogenated bisphenol A can be obtained by introducing acetylene gas in a solvent in the presence of an alkali catalyst to cause a heating reaction.

【0019】本反応に用いられるアルカリ触媒としては
特に限定されず、各種公知のものを使用することができ
る。具体的には、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属
アルコキシド類等があげられる。アルカリ金属水酸化物
としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化リチウムなどがあげられる。アルカリ金属ア
ルコキシド類としては、例えば、ナトリウムメトキシ
ド、カリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリ
ウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチウムエトキ
シドなどがあげられる。これらの中では、安価で作業性
のよい粒状のアルカリ金属水酸化物を用いることが好ま
しい。なお、アルカリ触媒の使用量は原料の4,4’−
水素化ビスフェノールA1.0モルに対し0.1から
1.0モルとすることが反応速度の点から好ましい。
The alkali catalyst used in this reaction is not particularly limited, and various known catalysts can be used. Specific examples include alkali metal hydroxides and alkali metal alkoxides. Examples of the alkali metal hydroxide include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide and the like. Examples of the alkali metal alkoxides include sodium methoxide, potassium methoxide, lithium methoxide, sodium ethoxide, potassium ethoxide, lithium ethoxide and the like. Among these, it is preferable to use a granular alkali metal hydroxide which is inexpensive and has good workability. The amount of alkali catalyst used is 4,4'-
From the viewpoint of reaction rate, it is preferable that the amount of hydrogenated bisphenol A is 0.1 to 1.0 mol per 1.0 mol.

【0020】溶媒としては、(トランス,トランス)−
4,4’−水素化ビスフェノールAを溶解するものであ
れば特に限定無く使用することができる。具体的にはジ
メチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、スルホラン、ジメチルイミダゾリジノン
等の高沸点極性溶媒があげられる。溶媒の使用量は、原
料の4,4’−水素化ビスフェノールAの重量に対し同
重量から3倍重量程度とすることが作業性の点から好ま
しい。
As the solvent, (trans, trans)-
It can be used without particular limitation as long as it dissolves 4,4′-hydrogenated bisphenol A. Specific examples thereof include high-boiling polar solvents such as dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, dimethylacetamide, sulfolane, and dimethylimidazolidinone. From the viewpoint of workability, the amount of the solvent used is preferably about the same weight to about 3 times the weight of the raw material 4,4′-hydrogenated bisphenol A.

【0021】ビニルエーテル化反応は、0.10〜0.
25MPaの圧力でアセチレンガス又はアセチレンと不
活性ガスの混合ガスを反応系内に吹き込み加熱、攪拌下
に行なうことができる。不活性ガスとしては、例えば、
窒素、アルゴン等があげられる。反応温度は100〜1
60℃程度、好ましくは120℃前後であり、反応時間
は、通常、2〜24時間程度である。
The vinyl etherification reaction is carried out in the range of 0.10-0.
It can be carried out by blowing acetylene gas or a mixed gas of acetylene and an inert gas into the reaction system at a pressure of 25 MPa while heating and stirring. As the inert gas, for example,
Examples thereof include nitrogen and argon. Reaction temperature is 100-1
The temperature is about 60 ° C., preferably about 120 ° C., and the reaction time is usually about 2 to 24 hours.

【0022】ビニルエーテル化反応させて得られる反応
混合物は、濃縮、蒸留工程の後、水洗または抽出等によ
るアルカリ分及び高沸点溶媒の除去工程を経て、粗製物
とされる。粗製物は減圧蒸留、再結晶、クロマトグラフ
ィー等の分離精製法を適宜組み合わせて精製することに
より、ほぼ純粋な本発明化合物を得ることができる。
The reaction mixture obtained by the vinyl etherification reaction is made into a crude product after the steps of concentrating and distilling, followed by washing with water or extraction to remove the alkali content and the high boiling point solvent. The crude product can be purified by an appropriate combination of separation and purification methods such as distillation under reduced pressure, recrystallization and chromatography to obtain a compound of the present invention which is almost pure.

【0023】また、粗製物の分離精製法として晶析法を
用いることにより、立体異性体の純度を更に向上させる
ことができる。晶析に用いる溶媒としては粗製物を溶解
するものであれば特に制限されないが、飽和炭化水素化
合物が好ましい。飽和炭化水素化合物としては、公知の
ものが使用できるが、n−ペンタン、n−ヘキサン、n
−ヘプタン、イソヘキサン等の鎖状炭化水素類や、シク
ロヘキサン、シクロペンタン等の環状炭化水素類などが
あげられる。これらの中でも、純度を向上させることが
できる点から鎖状炭化水素類を用いることが好ましい。
なお、晶析に用いる溶媒の量は、粗製物1重量部に対し
0.5重量部から10重量部であり、純度向上及び回収
率の兼ね合いより1重量部から5重量部とすることがよ
り好ましい。
By using the crystallization method as a method for separating and purifying the crude product, the purity of stereoisomers can be further improved. The solvent used for crystallization is not particularly limited as long as it can dissolve the crude product, but a saturated hydrocarbon compound is preferable. As the saturated hydrocarbon compound, known compounds can be used, but n-pentane, n-hexane, n
-Chain hydrocarbons such as heptane and isohexane, and cyclic hydrocarbons such as cyclohexane and cyclopentane. Among these, chain hydrocarbons are preferably used because the purity can be improved.
The amount of the solvent used for crystallization is 0.5 to 10 parts by weight with respect to 1 part by weight of the crude product, and it is more preferable to set the amount to 1 to 5 parts by weight in consideration of improvement in purity and recovery rate. preferable.

【0024】本発明の化合物の製造法としては上記アセ
チレン法に限定されず、例えば、パラジウム等の錯体触
媒を用いたアルキルビニルエ−テルとの交換反応(特開
平9−87224号公報)、または酢酸ビニルとの交換
反応(特開2001−220364号公報)等によって
も製造することができる。
The method for producing the compound of the present invention is not limited to the above-mentioned acetylene method, and for example, an exchange reaction with an alkyl vinyl ether using a complex catalyst such as palladium (JP-A-9-87224), or It can also be produced by an exchange reaction with vinyl acetate (JP 2001-220364 A).

【0025】本発明化合物である式(1)の(トラン
ス,トランス)−水素化ビスフェノールA−4,4’−
ジビニルエーテル化合物は、単一の立体異性体であり、
常温では液体で融点17℃である。また、図1に本発明
化合物の赤外スペクトルを、図2に1H−NMRスペク
トルを、図3に13C−NMRスペクトルを、それぞれ示
す。従って、本発明化合物は、これらの物理化学的特性
等の手段により同定することができる。
The compound of the present invention, (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-of the formula (1)
The divinyl ether compound is a single stereoisomer,
It is liquid at room temperature and has a melting point of 17 ° C. Further, FIG. 1 shows the infrared spectrum of the compound of the present invention, FIG. 2 shows the 1 H-NMR spectrum, and FIG. 3 shows the 13 C-NMR spectrum. Therefore, the compound of the present invention can be identified by such means as physicochemical properties.

【0026】本発明フォトレジスト組成物 本発明のフォトレジスト組成物は、(A)上記式(1)
で表わされる(トランス,トランス)−水素化ビスフェ
ノールA−4,4’−ジビニルエーテル化合物を、含有
することを特徴とする組成物である。
Photoresist Composition of the Present Invention The photoresist composition of the present invention comprises (A) the above formula (1)
(Trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether compound represented by

【0027】本発明組成物は、好ましくは、(A)式
(1)で表わされる(トランス,トランス)−水素化ビ
スフェノールA−4,4’−ジビニルエーテル化合物、
(B)重合体1kgあたり0.5〜10当量のカルボキ
シル基を有し、且つ3,000〜100,000の範囲
内の数平均分子量及び0℃以上のガラス転移温度を有す
る重合体(a)、重合体1kgあたり1〜10当量のヒ
ドロキシフェニル基を有し、且つ500〜100,00
0の範囲内の数平均分子量及び0℃以上のガラス転移温
度を有する重合体(b)及び重合体1kgあたり0.2
〜20当量のヒドロキシフェニル基及び0.5〜10当
量のカルボキシル基を有し、且つ500〜100,00
0の範囲内の数平均分子量及び0℃以上のガラス転移温
度を有する重合体(c)から選ばれる少なくとも1種の
重合体、並びに(C)活性エネルギー線照射により酸を
発生する化合物(以下、このものを単に「光酸発生剤化
合物(C)」と略すことがある。)を含有してなる。
The composition of the present invention is preferably (A) a (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether compound represented by the formula (1),
(B) Polymer having 0.5 to 10 equivalents of carboxyl group per 1 kg of polymer, having a number average molecular weight in the range of 3,000 to 100,000 and a glass transition temperature of 0 ° C. or higher (a). Having 1 to 10 equivalents of hydroxyphenyl groups per 1 kg of polymer, and 500 to 100,000
Polymer (b) having a number average molecular weight in the range of 0 and a glass transition temperature of 0 ° C. or higher and 0.2 per 1 kg of the polymer.
Having from 20 to 20 equivalents of hydroxyphenyl groups and from 0.5 to 10 equivalents of carboxyl groups, and from 500 to 100,00
At least one polymer selected from the polymers (c) having a number average molecular weight in the range of 0 and a glass transition temperature of 0 ° C. or higher, and (C) a compound that generates an acid upon irradiation with active energy rays (hereinafter, This may be abbreviated as "photoacid generator compound (C)").

【0028】重合体(B) 重合体(B)成分は、重合体(a)、重合体(b)及び
重合体(c)から選ばれる少なくとも一種の重合体であ
る。
[0028] Polymer (B) Polymer (B) component, the polymer (a), it is at least one polymer selected from the polymer (b) and the polymer (c).

【0029】カルボキシル基含有重合体(a) 一分子中に少なくとも1つのカルボキシル基を有する被
膜形成性の重合体であり、例えば、カルボキシル基を含
有する重合性不飽和単量体の単独重合体;該カルボキシ
ル基含有単量体と他の共重合可能な単量体との共重合
体;分子鎖中又は分子末端にカルボキシル基を有するポ
リエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系などの樹
脂等が挙げられる。
Carboxyl group-containing polymer (a) A film-forming polymer having at least one carboxyl group in one molecule, for example, a homopolymer of a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group; Copolymers of the carboxyl group-containing monomer with other copolymerizable monomers; polyester-based, polyurethane-based, polyamide-based, etc. resins having a carboxyl group in the molecular chain or at the molecular end thereof.

【0030】上記カルボキシル基を含有する重合性不飽
和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸等が挙げられる。また、こ
れらカルボキシル基含有単量体と共重合可能な他の単量
体としては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メ
タ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、
(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシ
ル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸
2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メ
タ)アクリル酸デシル等の(メタ)アクリル酸のC1
12アルキルエステル;(メタ)アクリル酸ヒドロキシ
エチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、
(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)
アクリル酸ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸の
2〜C6ヒドロキシアルキルエステル;スチレン、α−
メチルスチレン、p−tert−ブチルスチレン等のビ
ニル芳香族化合物;酢酸ビニル、(メタ)アクリロニト
リル、(メタ)アクリルアミド、ビニルピロリドン等が
挙げられる。殊に、該他の単量体としてスチレン、α−
メチルスチレン、C1〜C6アルキルで置換されたスチレ
ン(例えばp−tert−ブチルスチレン)などのビニ
ル芳香族化合物を使用することが、形成される画像パタ
ーンの精度、耐エッチング性等の点で好適である。これ
らの単量体は、それぞれ単独で用いてもよく又は2種以
上組合わせて使用することができる。
Examples of the polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, itaconic acid and the like. Further, as the other monomer copolymerizable with the carboxyl group-containing monomer, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate,
(Meth) acrylic acid such as butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, and decyl (meth) acrylate. C 1 ~
C 12 alkyl ester; hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate,
3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth)
C 2 -C 6 hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid such as hydroxyethyl acrylate-butyl; styrene, alpha-
Vinyl aromatic compounds such as methylstyrene and p-tert-butylstyrene; vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide, vinylpyrrolidone and the like. Particularly, as the other monomer, styrene, α-
The use of vinyl aromatic compounds such as methyl styrene and C 1 -C 6 alkyl-substituted styrene (for example, p-tert-butyl styrene) is advantageous in terms of accuracy of the image pattern to be formed, etching resistance and the like. It is suitable. These monomers may be used alone or in combination of two or more kinds.

【0031】重合体(a)は、約3,000〜約10
0,000、特に約5,000〜約30,000の範囲
内の数平均分子量を有していることが好ましく、また、
カルボキシル基の含有量は、重合体1kgあたり一般に
0.5〜10当量、特に0.5〜5.0当量の範囲内にあ
ることが望ましい。カルボキシル基の含有量が0.5当
量/kgより少ないと、活性エネルギー線照射前の加熱
により形成される膜の架橋度が十分でなく、また、アル
カリ性現像液に対する露光部の溶解性が低く現像性が低
下する傾向があり、他方、10当量/kgを越えると、
組成物の貯蔵安定性が低下する傾向がある。
The polymer (a) is about 3,000 to about 10.
It is preferred to have a number average molecular weight in the range of 10,000, especially in the range of about 5,000 to about 30,000, and
The content of the carboxyl group is preferably in the range of generally 0.5 to 10 equivalents, especially 0.5 to 5.0 equivalents per 1 kg of the polymer. When the content of the carboxyl group is less than 0.5 equivalent / kg, the degree of crosslinking of the film formed by heating before irradiation with active energy rays is not sufficient, and the solubility of the exposed portion in an alkaline developing solution is low and development is low. However, if it exceeds 10 equivalents / kg,
The storage stability of the composition tends to decrease.

【0032】また、重合体(a)は、そのガラス転移温
度(Tg)が0℃以上、特に5〜70℃の範囲内にある
ことが好適である。Tgが0℃未満であると、塗膜が粘
着性を示し、ゴミやホコリなどがつきやすくなり、取り
扱い難くなる傾向がある。
The polymer (a) preferably has a glass transition temperature (Tg) of 0 ° C. or higher, particularly 5 to 70 ° C. If the Tg is less than 0 ° C., the coating film becomes tacky, and dust and dirt are likely to adhere to it, which tends to make it difficult to handle.

【0033】ヒドロキシフェニル基含有重合体(b) 重合体(b)は一分子中に少なくとも1つのヒドロキシ
フェニル基を有する重合体であり、例えば、1官能性又
は多官能性フェノール化合物、アルキルフェノール化合
物又はそれらの混合物と、フォルムアルデヒド、アセト
ンなどのカルボニル化合物との縮合物;p−ヒドロキシ
スチレンのようなヒドロキシ基含有ビニル芳香族化合物
の単独重合体;該ヒドロキシル基含有ビニル芳香族化合
物と他の共重合可能な単量体との共重合体等が挙げられ
る。
Hydroxyphenyl group-containing polymer (b) The polymer (b) is a polymer having at least one hydroxyphenyl group in one molecule, and is, for example, a monofunctional or polyfunctional phenol compound, an alkylphenol compound or Condensates of their mixtures with carbonyl compounds such as formaldehyde and acetone; homopolymers of vinyl aromatic compounds containing hydroxy groups such as p-hydroxystyrene; vinyl aromatic compounds containing hydroxyl groups and other copolymers. Examples thereof include copolymers with possible monomers.

【0034】上記1官能性又は多官能性フェノール化合
物としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m
−クレゾール、p−クレゾール、3,5−キシレノー
ル、2,6−キシレノール、2,4−キシレノール、カ
テコール、レゾルシン、ピロガロール、ビスフェノール
Aなどのベンゼン環上に1〜3個のヒドロキシル基を有
する化合物が挙げられる。
Examples of the monofunctional or polyfunctional phenol compound include phenol, o-cresol and m.
-Cresol, p-cresol, 3,5-xylenol, 2,6-xylenol, 2,4-xylenol, catechol, resorcin, pyrogallol, bisphenol A, etc., a compound having 1 to 3 hydroxyl groups on the benzene ring Can be mentioned.

【0035】また、アルキルフェノール化合物として
は、例えば、p−イソプロピルフェノール、p−ter
t−ブチルフェノール、p−tert−アミルフェノー
ル、p−tert−オクチルフェノールなどのアルキル
部分の炭素数が1〜10、好ましくは1〜4のアルキル
フェノール化合物が挙げられる。
Examples of the alkylphenol compound include p-isopropylphenol and p-ter.
Examples thereof include alkylphenol compounds having 1 to 10, preferably 1 to 4 carbon atoms in the alkyl moiety such as t-butylphenol, p-tert-amylphenol, and p-tert-octylphenol.

【0036】これらの化合物とフォルムアルデヒド、ア
セトンなどのカルボニル化合物との縮合反応はそれ自体
既知の方法で行なうことができ、一般にアルカリ触媒で
縮合させると、縮合が進むにつれて不溶不融となるレゾ
ール型が得られ、酸触媒で縮合させると可溶可融のノボ
ラック型が得られる。
The condensation reaction of these compounds with a carbonyl compound such as formaldehyde or acetone can be carried out by a method known per se. Generally, when the condensation reaction is carried out with an alkali catalyst, it becomes insoluble and infusible as the condensation progresses. And a soluble and fusible novolak type is obtained by condensation with an acid catalyst.

【0037】ノボラック型フェノール樹脂は、通常縮合
が進むにつれて分子量が増大するが、反応時間1〜3時
間で縮合させることにより得られる分子量が500〜
2,000の範囲内のものが好適である。
The molecular weight of the novolac type phenol resin usually increases as the condensation proceeds, but the molecular weight obtained by condensing in the reaction time of 1 to 3 hours is 500 to
Those within the range of 2,000 are preferable.

【0038】また、ヒドロキシ基含有ビニル芳香族化合
物と共重合可能な他の単量体としては、前記カルボキシ
ル基含有単量体と共重合可能な他の単量体と同様の共重
合可能な他の単量体を用いることができる。
As the other monomer copolymerizable with the hydroxy group-containing vinyl aromatic compound, the same copolymerizable other monomer as the above-mentioned carboxyl group-containing monomer can be used. Can be used.

【0039】かかるヒドロキシフェニル基含有重合体
(b)は一般に約500〜約100,000、特に約6
00〜約30,000の範囲内の数平均分子量を有して
いることが好ましい。
Such hydroxyphenyl group-containing polymer (b) is generally about 500 to about 100,000, especially about 6
It is preferred to have a number average molecular weight within the range of 00 to about 30,000.

【0040】また、重合体(b)のヒドロキシフェニル
基の含有量は、重合体1kgあたり一般に0.5〜10
当量、特に2.0〜10.0当量の範囲内にあるのが好都
合である。ヒドロキシフェニル基の含有量が0.5当量
/kgより少ないと、活性エネルギー線照射前の加熱に
より形成される膜の架橋度が十分でなくなる傾向があ
り、10当量/kgを越えると、レジスト膜が脆くなり
やすい。
The content of hydroxyphenyl group in the polymer (b) is generally 0.5 to 10 per 1 kg of the polymer.
It is convenient for it to be in the range of equivalents, especially 2.0 to 10.0 equivalents. If the hydroxyphenyl group content is less than 0.5 equivalent / kg, the degree of crosslinking of the film formed by heating before irradiation with active energy rays tends to be insufficient, and if it exceeds 10 equivalent / kg, the resist film is formed. Tend to be brittle.

【0041】重合体(b)も、重合体(a)と同様に、
そのガラス転移温度(Tg)が0℃以上、特に5〜70
℃の範囲内にあることが好適である。Tgが0℃未満で
あると、塗膜が粘着性を示し、ゴミやホコリなどがつき
やすくなり、取り扱い難くなる傾向がある。
The polymer (b) is also the same as the polymer (a).
Its glass transition temperature (Tg) is 0 ° C. or higher, especially 5 to 70.
It is preferably in the range of ° C. If the Tg is less than 0 ° C., the coating film becomes tacky, and dust and dirt are likely to adhere to it, which tends to make it difficult to handle.

【0042】カルボキシル基及びヒドロキシフェニル基
含有重合体(c) 重合体(c)は、一分子中に少なくとも1つのカルボキ
シル基及びヒドロキシフェニル基を含む被膜形成性の重
合体であり、例えば、p−ヒドロキシスチレンのような
ヒドロキシスチレンと、カルボキシル基を含有する重合
性不飽和単量体との共重合体;ヒドロキシスチレン及び
該カルボキシル基含有単量体と他の共重合可能な単量体
との共重合体等が挙げられる。
Carboxyl group and hydroxyphenyl group
Content polymer (c) The polymer (c) is a film-forming polymer containing at least one carboxyl group and hydroxyphenyl group in one molecule, and for example, hydroxystyrene such as p-hydroxystyrene, Examples thereof include copolymers with a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group; hydroxystyrene and copolymers of the carboxyl group-containing monomer with another copolymerizable monomer.

【0043】上記カルボキシル基を含有する重合性不飽
和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル
酸、クロトン酸、イタコン酸等が挙げられる。また、上
記他の共重合可能な他の単量体としては、例えば、(メ
タ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、
(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチ
ル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸
オクチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、
(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸デシル
等の(メタ)アクリル酸のC1〜C12アルキルエステ
ル;(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル、(メタ)ア
クリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸
3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキ
シブチル等の(メタ)アクリル酸のC2〜C6ヒドロキシ
アルキルエステル;スチレン、α−メチルスチレン、p
−tert−ブチルスチレン等のビニル芳香族化合物;
酢酸ビニル、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アク
リルアミド、ビニルピロリドン等が挙げられる。これら
の単量体は、それぞれ単独で用いてもよく又は2種以上
組合わせて使用することができる。
Examples of the polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, itaconic acid and the like. Examples of the other copolymerizable monomer include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate,
Propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate,
(Meth) acrylate, nonyl (meth) C 1 -C 12 alkyl esters of (meth) acrylic acid such as decyl acrylate; (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl, (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl, (meth) C 2 -C 6 hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid such as hydroxyethyl acrylate-butyl; styrene, alpha-methyl styrene, p
Vinyl aromatic compounds such as -tert-butylstyrene;
Examples thereof include vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide, vinylpyrrolidone and the like. These monomers may be used alone or in combination of two or more kinds.

【0044】また、重合体(c)として、ヒドロキシ安
息香酸、没食子酸、レゾルシン酸などのフェノールカル
ボン酸類、又はこれらとフェノール、炭素数1〜18の
モノ−もしくはジ−アルキルフェノールもしくはナフト
ール類、レゾルシン、カテコール等から選ばれるフェノ
ール類の1種もしくは2種以上との混合物をホルムアル
デヒドと縮合させることにより得られる重合体を使用す
ることもできる。
Further, as the polymer (c), phenolcarboxylic acids such as hydroxybenzoic acid, gallic acid and resorcinic acid, or phenols, mono- or di-alkylphenols having 1 to 18 carbon atoms or naphthols, resorcin, A polymer obtained by condensing a mixture of one or more phenols selected from catechol and the like with formaldehyde can also be used.

【0045】重合体(c)は、一般に、約500〜約1
00,000、特に約650〜約30,000の範囲内
の数平均分子量を有していることが好ましい。
The polymer (c) is generally about 500 to about 1.
It is preferred to have a number average molecular weight in the range of 0,000, especially about 650 to about 30,000.

【0046】重合体(c)において、該重合体のカルボ
キシル基の含有量は、重合体1kgあたり一般に0.5
〜10当量、特に0.5〜5.0当量の範囲内にあり、
また該重合体のヒドロキシフェニル基は重合体1kgあ
たり少なくとも1.0当量、特に2.0〜8.0当量の
範囲内にあることが望ましい。
In the polymer (c), the content of carboxyl group in the polymer is generally 0.5 per 1 kg of the polymer.
In the range of 10 to 10 equivalents, especially 0.5 to 5.0 equivalents,
The hydroxyphenyl group of the polymer is preferably at least 1.0 equivalent, and particularly preferably 2.0 to 8.0 equivalents per kg of the polymer.

【0047】重合体(c)のカルボキシル基の含有量
が、0.5当量/kgより少ないと、活性光線照射前の
加熱により形成される膜の架橋度が十分でなく、また、
アルカリ性現像液に対する露光部の溶解性が低く現像性
が低下する傾向があり、他方、10当量/kgを越える
と、組成物の貯蔵安定性が低下する傾向があるので好ま
しくない。
When the content of the carboxyl group of the polymer (c) is less than 0.5 equivalent / kg, the degree of crosslinking of the film formed by heating before actinic ray irradiation is not sufficient, and
The solubility of the exposed part in an alkaline developing solution is low and the developability tends to be low, while when it exceeds 10 equivalents / kg, the storage stability of the composition tends to be low, which is not preferable.

【0048】重合体(c)のヒドロキシフェニル基の含
有量が、0.2当量/kgより少ないと架橋時の架橋度
が不十分となり、一方20当量/kgを越えると未反応
物が増えてパターン解像度が悪くなるので好ましくな
い。
When the content of the hydroxyphenyl group in the polymer (c) is less than 0.2 equivalent / kg, the degree of crosslinking during crosslinking becomes insufficient, while when it exceeds 20 equivalent / kg, unreacted substances increase. It is not preferable because the pattern resolution becomes poor.

【0049】また、重合体(c)は、そのガラス転移温
度(Tg)が0℃以上、特に5〜70℃の範囲内にある
ことが好適である。Tgが0℃未満であると、塗膜が粘
着性を示し、ゴミやホコリなどがつきやすくなり、取り
扱い難くなる傾向がある。
The glass transition temperature (Tg) of the polymer (c) is preferably 0 ° C. or higher, particularly 5 to 70 ° C. If the Tg is less than 0 ° C., the coating film becomes tacky, and dust and dirt are likely to adhere to it, which tends to make it difficult to handle.

【0050】光酸発生剤化合物(C) 光酸発生剤化合物(C)は、下記の活性エネルギー線の
照射により分解して、前記重合体(B)とジビニルエー
テル化合物(A)との間で形成される架橋構造を切断す
るのに十分な強度の酸を発生する化合物であり、従来か
ら公知のものを使用することができる。
Photo-acid generator compound (C) The photo-acid generator compound (C) is decomposed by irradiation with the following active energy rays to produce a bond between the polymer (B) and the divinyl ether compound (A). It is a compound that generates an acid having a sufficient strength to cleave the formed crosslinked structure, and conventionally known compounds can be used.

【0051】光酸発生剤化合物(C)として用いられる
化合物及び混合物の例には、ジアゾニウム、ホスホニウ
ム、スルホニウム及びヨードニウム塩:ハロゲン化合
物:有機金属/有機ハロゲンの組み合わせ:強酸、例え
ばトルエンスルホン酸のベンゾイン及びo−ニトロベン
ジルエステル:並びに米国特許番号4371605に記
載されるN−ヒドロキシアミド及びN−ヒドロキシイミ
ドスルホネート類が含まれる。アリールナフトキノンジ
アジド−4−スルホネート類も含まれる。好適な光可溶
化剤は、ジアリールヨードニウムまたはトリアリールス
ルホニウム塩である。
Examples of compounds and mixtures used as photoacid generator compounds (C) are diazonium, phosphonium, sulfonium and iodonium salts: halogen compounds: organometallic / organohalogen combinations: strong acids, for example benzoin of toluenesulfonic acid. And o-nitrobenzyl esters: and N-hydroxyamides and N-hydroxyimide sulfonates described in US Pat. No. 4,371,605. Also included are arylnaphthoquinonediazide-4-sulfonates. Suitable photosolubilizers are diaryliodonium or triarylsulfonium salts.

【0052】これらは一般に、複合金属ハロゲン化物イ
オンの塩、例えばテトラフルオロボレート、ヘキサフル
オロアンチモネート、ヘキサフルオロアルセネートおよ
びへキサフルオロホスフェートなどの形態で存在してい
る。感光性を示す酸発生剤の他の有効な群には、正対イ
オンとして芳香族オニウム酸発生剤を有するアニオン基
が付加しているオリゴマー類およびポリマー類が含まれ
る。上記ポリマー類の例には、米国特許番号4,66
1,429の第9欄、1〜68行および第10欄、1〜
14行に記述されているポリマー類が含まれる。化学放
射線の利用可能波長に対するスペクトル感度を調整する
目的で、このシステムに増感剤を添加するのが望まし
い。この必要性はこの系の要求および使用する特定感光
性化合物に依存している。例えば、300nm未満の波
長にのみ応答するヨードニウムおよびスルホニウム塩の
場合、ベンゾフェノンおよびその誘導体、多環状芳香族
炭化水素類、例えはペリレン、ピレンおよびアントラセ
ン、並びにそれらの誘導体などを用いることで、より長
い波長に感光させることができる。ジアリールヨードニ
ウムおよびトリアリールスルホニウム塩の分解もまた、
ビス−(p−N,N−ジメチルアミノベンジリデン)−
アセトンで感光性が与えられ得る。3〜4個の原子から
成る鎖長を有するアントラセンに結合したスルホニウム
塩は、有効な光可溶化剤である。MG.Tilleyの博士論
文、North Dakota State University、Fargo、ND(1988)
[Diss.Abstr.lnt.B、49、8791(1989):Chem.Abstr.、11
1、39942u]に記述されている化合物は、好適な種類の光
可溶化剤である。他の好適な酸発生剤は、ATASS、
即ちへキサフルオロアンチモン酸3−(9−アントラセ
ニル)プロビルジフエニルスルホニウムである。この化
合物では、アントラセンとスルホニウム塩とが、3個の
炭素から成る鎖で結合している。
They are generally present in the form of salts of complex metal halide ions, such as tetrafluoroborate, hexafluoroantimonate, hexafluoroarsenate and hexafluorophosphate. Another useful group of photolabile acid generators includes oligomers and polymers to which anionic groups having an aromatic onium acid generator as the positive counterion are attached. Examples of the above polymers include US Pat.
1,429, column 9, lines 1-68 and column 10, lines 1-
Included are the polymers described in line 14. It is desirable to add a sensitizer to this system in order to adjust the spectral sensitivity to the available wavelengths of actinic radiation. This need depends on the requirements of the system and the particular photosensitive compound used. For example, in the case of iodonium and sulfonium salts that respond only to wavelengths below 300 nm, benzophenone and its derivatives, polycyclic aromatic hydrocarbons such as perylene, pyrene and anthracene, and their derivatives can be used to obtain longer Can be wavelength sensitive. Decomposition of diaryliodonium and triarylsulfonium salts is also
Bis- (p-N, N-dimethylaminobenzylidene)-
Photosensitivity can be provided with acetone. Sulfonium salts linked to anthracene having a chain length of 3 to 4 atoms are effective photosolubilizers. MG.Tilley PhD Thesis, North Dakota State University, Fargo, ND (1988)
[Diss.Abstr.lnt.B, 49, 8791 (1989): Chem. Abstr., 11
The compounds described in [1,39942u] are a suitable class of photosolubilizers. Other suitable acid generators are ATASS,
That is, 3- (9-anthracenyl) probiyldiphenylsulfonium hexafluoroantimonate. In this compound, the anthracene and sulfonium salt are linked by a chain of 3 carbons.

【0053】ここで使用可能な光酸発生剤化合物(C)
の追加的例は、ジフェニルヨードニウムトシレート、ベ
ンゾイントシレート、およびへキサフルオロアンチモン
酸トリアリールスルホニウムである。また、上記した以
外にも、例えば鉄−アレン錯体類、ルテニウムアレン錯
体類、シラノール−金属キレート錯体類、トリアジン化
合物類、ジアジドナフトキノン化合物類、スルホン酸エ
ステル類、スルホン酸イミドエステル類、ハロゲン系化
合物類等を使用することができる。更に特開平7−14
6552号公報、特願平9−289218号に記載の酸
発生剤も使用することができる。
Photoacid generator compound (C) usable here
Additional examples of are diphenyliodonium tosylate, benzoin tosylate, and triarylsulfonium hexafluoroantimonate. In addition to the above, for example, iron-allene complexes, ruthenium allene complexes, silanol-metal chelate complexes, triazine compounds, diazidonaphthoquinone compounds, sulfonic acid esters, sulfonic acid imide esters, halogen-based compounds. Compounds and the like can be used. Further, JP-A-7-14
The acid generators described in Japanese Patent No. 6552 and Japanese Patent Application No. 9-289218 can also be used.

【0054】本発明のフォトレジスト組成物は、上記し
た各成分を有機溶剤に分散もしくは溶解(着色剤として
顔料を用いた場合は更に顔料を微分散)させた有機溶剤
系もしくは水系のタイプとして使用することができる。
The photoresist composition of the present invention is used as an organic solvent-based or water-based type in which the above components are dispersed or dissolved in an organic solvent (if a pigment is used as a coloring agent, the pigment is further finely dispersed). can do.

【0055】該フォトレジスト組成物の配合割合は、該
組成物の用途等に応じて広い範囲にわたつて変えること
ができるが、ジビニルエーテル化合物(A)は、重合体
(B)100重量部に対して約5〜150重量部、特に
10〜100重量部の範囲内で使用することが好しい。
光酸発生剤化合物(C)は、重合体(B)とジビニルエ
ーテル化合物(A)の合計量100重量部に対して、約
0.1〜40重量部、特に0.2〜20重量部の範囲内
で用いるのが適当である。
The blending ratio of the photoresist composition can be varied over a wide range depending on the use of the composition, etc., but the divinyl ether compound (A) is added to 100 parts by weight of the polymer (B). On the other hand, it is preferably used in the range of about 5 to 150 parts by weight, particularly 10 to 100 parts by weight.
The photoacid generator compound (C) is about 0.1 to 40 parts by weight, particularly 0.2 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the polymer (B) and the divinyl ether compound (A). It is suitable to use within the range.

【0056】本発明のフォトレジスト組成物には、必要
に応じて増感色素を配合してもよい。使用しうる増感色
素としては、例えば、フェノチアジン系、アントラセン
系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ペリレン系、
ピレン系、メロシアニン系、ケトクマリン系等の色素が
挙げられる。
A sensitizing dye may be added to the photoresist composition of the present invention, if necessary. Examples of sensitizing dyes that can be used include phenothiazine-based, anthracene-based, coronene-based, benzanthracene-based, perylene-based,
Examples include dyes of pyrene type, merocyanine type, ketocoumarin type, and the like.

【0057】これら増感色素の配合量は、重合体(B)
100重量部に対して0.1〜10重量部、好ましくは
0.3〜5重量部の範囲内が適当である。
The blending amount of these sensitizing dyes is such that the polymer (B)
A suitable range is 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.3 to 5 parts by weight, relative to 100 parts by weight.

【0058】本発明のフォトレジスト組成物には、必要
に応じて着色剤を配合してもよく、使用しうる着色剤と
しては、例えばロイコ染料とハロゲン化合物の組み合わ
せがよく知られている。ロイコ染料としては例えば、ト
リス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン塩酸塩「ロ
イコクリスタルバイオレット」、ビス(4−ジメチルア
ミノフェニル)メタン塩酸塩「ロイコマラカイトグリー
ン」等が挙げられる。一方、ハロゲン化合物としては臭
化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エ
チレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンゾイル、臭化
メチレン、トリブロモメチルフェニルスルホン、四臭化
炭素、トリス(2,3−ジブロモプロピル)ホスフェー
ト、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イ
ソブチル、1,1,1−トリクロロ−2,2−ビス(p
−クロロフェニル)エタン、ヘキサクロロエタン等が挙
げられる。ここに示すもの以外の着色剤を含有しても良
い。
A colorant may be added to the photoresist composition of the present invention if necessary, and as the colorant which can be used, for example, a combination of a leuco dye and a halogen compound is well known. Examples of the leuco dye include tris (4-dimethylaminophenyl) methane hydrochloride “leuco crystal violet” and bis (4-dimethylaminophenyl) methane hydrochloride “leucomalachite green”. On the other hand, as the halogen compound, amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzoyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris (2, 3-dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p
-Chlorophenyl) ethane, hexachloroethane and the like. Coloring agents other than those shown here may be contained.

【0059】本発明のフォトレジスト組成物には、必要
に応じてレジスト膜に適当な可撓性、非粘着性等を付与
するために、フタル酸エステル等の可塑剤、ポリエステ
ル樹脂、アクリル樹脂等を添加してもよい。それらの添
加量は通常、ジビニルエーテル化合物(A)及び重合体
(B)の合計量100重量部に対して、50重量部以下
であることが好ましい。
In the photoresist composition of the present invention, a plasticizer such as a phthalate ester, a polyester resin, an acrylic resin or the like may be added to the resist film to impart appropriate flexibility and non-adhesiveness to the resist film, if necessary. May be added. Usually, the addition amount thereof is preferably 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total amount of the divinyl ether compound (A) and the polymer (B).

【0060】本発明のフォトレジスト組成物には、更に
必要に応じて、流動性調節剤を添加してもよい。
If necessary, a fluidity modifier may be added to the photoresist composition of the present invention.

【0061】本発明のフォトレジスト組成物は、以上に
述べた各成分をそのまま又は必要に応じて溶剤中で混合
することにより調製することができる。その際に使用し
うる溶剤は組成物の各成分を溶解できるものであれば特
に制限はなく、例えば、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソ
フォロン等のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル等のエステル類;メタノール、エタノール、プロ
パノール等の炭素数1〜10の脂肪族アルコール類;ベ
ンジルアルコール等の芳香族基含有アルコール類;エチ
レングリコール、プロピレングリコール等のグリコール
類;これらグリコール類とメタノール、エタノール、ブ
タノール、ヘキサノール、オクタノール、ベンジルアル
コール、フェノール等とのモノもしくはジエーテル又は
当該モノエーテルのエステル類等のグリコールエーテル
類;ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル
類;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等
の環状カーボネート類;脂肪族及び芳香族炭化水素類等
を挙げることができる。これらの溶剤は必要に応じて単
独又は2種類以上を混合して用いることができる。
The photoresist composition of the present invention can be prepared by mixing the above-mentioned components as they are or in a solvent if necessary. The solvent that can be used in that case is not particularly limited as long as it can dissolve each component of the composition, and examples thereof include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and isophorone; methyl acetate, ethyl acetate, acetic acid. Esters such as butyl; aliphatic alcohols having 1 to 10 carbon atoms such as methanol, ethanol, propanol; alcohols containing an aromatic group such as benzyl alcohol; glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; these glycols and methanol , Glycol ethers such as mono- or diethers with ethanol, butanol, hexanol, octanol, benzyl alcohol, phenol, etc. or esters of the monoethers; cyclic ethers such as dioxane, tetrahydrofuran; Ji Ren carbonate, cyclic carbonates such as propylene carbonate, aliphatic and aromatic hydrocarbons, and the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more, if necessary.

【0062】本発明のフォトレジスト組成物は、レジス
トパターンなどの画像が形成される基材(例えば、プリ
ント基板)に直接もしくはポリエチレンテレフタレート
フィルム表面に該組成物を塗装し、次いで乾燥、焼付け
を行って得られた感光性ドライフィルムを上記と同様の
基材に貼付けを行うことにより基材にフォトレジスト被
膜を形成することができる。
The photoresist composition of the present invention is applied directly to a substrate (for example, a printed circuit board) on which an image such as a resist pattern is formed, or the polyethylene terephthalate film surface is coated with the composition, followed by drying and baking. The photoresist dry film thus obtained can be applied to the same substrate as described above to form a photoresist film on the substrate.

【0063】上記した塗装方法としては、例えば、ロー
ラー、ロールコーター、スピンコーター、カーテンロー
ルコーター、スプレー、静電塗装、浸漬塗装、シルク印
刷、スピン塗装等の手段により塗布することができる。
また、形成されたレジスト用被膜は、必要に応じてセッ
ティングした後、必要に応じて焼付け(約50〜130
℃)を行うことによりレジスト被膜を得ることができ
る。
As the above-mentioned coating method, for example, a roller, roll coater, spin coater, curtain roll coater, spray, electrostatic coating, dip coating, silk printing, spin coating or the like can be used.
Further, the formed resist coating film is set according to need and then baked as necessary (about 50 to 130).
A resist film can be obtained by carrying out (° C.).

【0064】また、該フォトレジスト被膜は、所望のレ
ジスト被膜(画像)が得られるように光線で直接感光さ
せ露光部分の被膜を従来から公知の現像液で現像処理
(アルカリ現像、酸現像、水現像、有機溶剤現像など)
して除去することができる。
The photoresist coating is directly exposed to light so that a desired resist coating (image) can be obtained, and the coating on the exposed portion is developed with a conventionally known developing solution (alkali development, acid development, water development). Development, organic solvent development, etc.)
Can be removed.

【0065】露光に使用される光源としては、特に制限
なしに、例えば、超高圧、高圧、中圧、低圧の水銀灯、
ケミカルランプ灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メ
タルハライド灯、タングステン灯等やアルゴンレーザー
(488nm)、YAG−SHGレーザー(532n
m)、UVレーザー(351〜364nm)に発振線を
持つレーザーも使用できる。 その照射量は、通常0.
5〜2000mJ/cm 2、好ましくは1〜1000m
J/cm2の範囲内が好ましい。
The light source used for exposure is not particularly limited.
Without, for example, ultra high pressure, high pressure, medium pressure, low pressure mercury lamp,
Chemical lamp, carbon arc lamp, xenon lamp,
Talhalide lamp, Tungsten lamp, Argon laser
(488 nm), YAG-SHG laser (532n
m), oscillating line to UV laser (351 to 364 nm)
You can also use your own laser. The dose is usually 0.
5-2000 mJ / cm 2, Preferably 1 to 1000 m
J / cm2The range of is preferable.

【0066】[0066]

【実施例】以下、合成例、実施例、比較例及び試験例を
あげて本発明をさらに具体的に説明する。各例におい
て、「%」及び「部」は、原則として、重量基準であ
る。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Synthesis Examples, Examples, Comparative Examples and Test Examples. In each example, “%” and “part” are, as a general rule, on a weight basis.

【0067】合成例1 (1)市販工業薬品(新日本理化(株)製)の4,4’−
水素化ビスフェノールA(ガスクロマトグラフィー(以
下「GC」と略記する)による面積%はシス,シス−
体:7.1%;シス,トランス−体:38.4%;トラ
ンス,トランス−体:50.3%)を、メタノールから
再結晶して融点194℃の(トランス,トランス)−
4,4’−水素化ビスフェノールAを得た(GC面積%
でトランス,トランス−体が99.9%以上;シス,シ
ス−体及びシス,トランス−体は共に0.0%であっ
た)。
Synthesis Example 1 (1) Commercially available industrial chemical (manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) 4,4'-
Hydrogenated bisphenol A (area% by gas chromatography (hereinafter abbreviated as "GC") is cis, cis-
Body: 7.1%; cis, trans-body: 38.4%; trans, trans-body: 50.3%), and recrystallized from methanol to give a melting point of 194 ° C. (trans, trans)-
4,4'-hydrogenated bisphenol A was obtained (GC area%
And trans-trans-forms were 99.9% or more; both cis-cis-forms and cis-trans-forms were 0.0%).

【0068】(2)攪拌機、温度計、アセチレンガス導入
管及び均圧管付還流冷却管を備えた100ml四口フラ
スコに、上記(1)で精製した(トランス,トランス)−
4,4’−水素化ビスフェノールA12.0g(50ミ
リモル)、水酸化カリウム1.65g(25ミリモル)
及びジメチルスルホキシド25gを仕込み、アセチレン
ガス導入管より窒素ガスを常圧で導入し系内を窒素置換
した。100℃まで攪拌加熱してジオール体を溶解した
後、アセチレンガスを常圧で導入して窒素ガスをアセチ
レンガスで置換して120℃まで昇温し同温度で16時
間常圧のアセチレンガス雰囲気下に保持することによ
り、ビニルエーテル化反応を行った。GCで反応がほぼ
完結しているのを確かめた(GC面積%は原料ジオール
体:0.0%;モノビニルエーテル体:7.1%;ジビ
ニルエーテル体:91.2%であった)後、n−ヘプタ
ン50mlで2回反応液を抽出した。抽出液は集めて減
圧濃縮して油状の粗製物12.46g(GC面積%は原
料ジオール体:0.0%;モノビニルエーテル体:3.
5%;ジビニルエーテル体:93.0%であった)を得
た。
(2) A 100 ml four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer, an acetylene gas introduction tube and a reflux condenser with a pressure equalizing tube was purified in the above (1) (trans, trans)-
4,4'-hydrogenated bisphenol A 12.0 g (50 mmol), potassium hydroxide 1.65 g (25 mmol)
And 25 g of dimethyl sulfoxide were charged, and nitrogen gas was introduced at normal pressure from an acetylene gas introduction pipe to replace the inside of the system with nitrogen. After stirring and heating to 100 ° C. to dissolve the diol, acetylene gas is introduced at normal pressure, nitrogen gas is replaced with acetylene gas, the temperature is raised to 120 ° C., and at the same temperature for 16 hours under acetylene gas atmosphere at normal pressure. Then, the vinyl etherification reaction was carried out. After confirming that the reaction was almost complete by GC (GC area% was starting material diol body: 0.0%; monovinyl ether body: 7.1%; divinyl ether body: 91.2%), The reaction solution was extracted twice with 50 ml of n-heptane. The extracts were collected and concentrated under reduced pressure to obtain 12.46 g of an oily crude product (GC area%: raw material diol body: 0.0%; monovinyl ether body: 3.
5%; divinyl ether form: 93.0%) was obtained.

【0069】この油状の粗製物をn−ヘプタンに溶解
し、−30℃まで冷却晶析してGC面積%で99.6%
以上の融点17℃の無色結晶4.38gを得た。この結
晶が(トランス,トランス)−水素化ビスフェノールA
−4,4’−ジビニルエーテルであることは、1H−及
13C−NMR分析法(溶媒は重クロロホルム)と赤外
分光分析法(IR)(Neat,NaCl板)で同定し
た。IRスペクトルを図1に、その特性吸収値を表1
に、1H−スペクトルを図2に、その帰属を表2に、13
Cスペクトルを図3に、その帰属を表3にそれぞれ示し
た。
The oily crude product was dissolved in n-heptane, cooled to -30 ° C. and crystallized to have a GC area% of 99.6%.
4.38 g of colorless crystals having a melting point of 17 ° C. were obtained. This crystal is (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A
It was identified to be -4,4'-divinyl ether by 1 H- and 13 C-NMR analysis methods (solvent is deuterated chloroform) and infrared spectroscopy (IR) (Neat, NaCl plate). The IR spectrum is shown in FIG.
In the 1 H- spectrum in FIG. 2, the attribution in Table 2, 13
The C spectrum is shown in FIG. 3 and the attribution is shown in Table 3, respectively.

【0070】[0070]

【表1】 [Table 1]

【0071】[0071]

【表2】 [Table 2]

【0072】[0072]

【表3】 合成例2 攪拌機、温度計、アセチレンガス導入管及び均圧管付還
流冷却管を備えた100ml四口フラスコに、市販工業
薬品(新日本理化(株)製)の4,4’−水素化ビスフ
ェノールA(GCによる面積%でシス,シス−体:7.
1%;シス,トランス−体:38.4%;トランス,ト
ランス−体:50.3%)を12.0g(50ミリモ
ル)、水酸化カリウム1.65g(25ミリモル)及び
ジメチルスルホキシド25gを仕込み、アセチレンガス
導入管より窒素ガスを常圧で導入し系内を窒素置換し
た。100℃まで攪拌加熱してジオール体を溶解した
後、アセチレンガスを常圧で導入して窒素ガスをアセチ
レンガスで置換して120℃まで昇温し同温度で16時
間常圧のアセチレンガス雰囲気下に保持することによ
り、ビニルエーテル化反応を行った。
[Table 3] Synthesis Example 2 In a 100 ml four-necked flask equipped with a stirrer, a thermometer, an acetylene gas introduction tube, and a reflux condenser with a pressure equalizing tube, a commercially available industrial chemical (manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) 4,4′-hydrogenated bisphenol A was used. (Area% by cis in cis, cis-form: 7.
1%; cis, trans-form: 38.4%; trans, trans-form: 50.3%) 12.0 g (50 mmol), potassium hydroxide 1.65 g (25 mmol) and dimethyl sulfoxide 25 g were charged. Then, nitrogen gas was introduced through the acetylene gas introduction pipe at normal pressure to replace the inside of the system with nitrogen. After stirring and heating to 100 ° C. to dissolve the diol, acetylene gas is introduced at normal pressure, nitrogen gas is replaced with acetylene gas, the temperature is raised to 120 ° C., and at the same temperature for 16 hours under acetylene gas atmosphere at normal pressure. Then, the vinyl etherification reaction was carried out.

【0073】GCで原料ジオール体の消失を確認して冷
却後、n−ヘプタン50mlで3回反応液を抽出した。
抽出液は集めて減圧濃縮して油状の粗製物13.20g
を得た。この油状物をシリカゲルカラムにて精製して、
精製油状物4.96g(GC面積%は、原料ジオール
体:0.0%;モノビニルエーテル体:0.0%;ジビ
ニルエーテル体:98.4%であり、ジビニルエーテル
体の内シス,シス−体:1.5%;シス,トランス−
体:39.4%;トランス,トランス−体:57.5
%)を得た。この油状物が水素化ビスフェノールA−
4,4’−ジビニルエーテル(混合物)であることは、
1H−及び13C−NMR分析法(溶媒は重クロロホル
ム)と赤外分光分析法(IR)(Neat,NaCl
板)より同定した。
After confirming disappearance of the raw material diol by GC, the reaction solution was cooled and extracted with 50 ml of n-heptane three times.
The extracts were collected and concentrated under reduced pressure to obtain 13.20 g of oily crude product.
Got This oily substance was purified with a silica gel column,
4.96 g of purified oil (GC area%: raw material diol body: 0.0%; monovinyl ether body: 0.0%; divinyl ether body: 98.4%). Body: 1.5%; cis, trans-
Body: 39.4%; trans, trans-body: 57.5
%) Was obtained. This oil is hydrogenated bisphenol A-
That it is 4,4'-divinyl ether (mixture),
1 H- and 13 C-NMR analysis methods (solvent is deuterated chloroform) and infrared spectroscopy (IR) (Neat, NaCl)
Plate).

【0074】合成例3 カルボキシル基含有重合体(a)の合成 アクリル酸7.8部、メチルメタクリレート50部、エ
チルアクリレート12.2部、フェノキシエチレングリ
コールアクリレート30部、重合開始剤としてターシャ
リーブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート1部よ
りなる混合物を重合して得た。得られたカルボキシル基
含有重合体は、数平均分子量が4,500で、カルボキ
シル基含有量が1当量/kg重合体であった。
Synthetic Example 3 Synthesis of Carboxyl Group-Containing Polymer (a) 7.8 parts of acrylic acid, 50 parts of methyl methacrylate, 12.2 parts of ethyl acrylate, 30 parts of phenoxyethylene glycol acrylate, tertiary butylper as a polymerization initiator. Obtained by polymerizing a mixture consisting of 1 part oxy-2-ethylhexanoate. The obtained carboxyl group-containing polymer had a number average molecular weight of 4,500 and a carboxyl group content of 1 equivalent / kg.

【0075】合成例4 ヒドロキシフェニル基含有重合体(b)の合成 o−クレゾール1,490部、30%フォルマリン1,
145部、脱イオン水130部及び蓚酸6.5部をフラ
スコに入れ60分還流させた。次いで15%塩酸を1
3.5部加え40分還流させた後、400部の約15℃
脱イオン水を加え内容物を約75℃に保ち樹脂を沈降さ
せた。ついで35%水酸化ナトリウム溶液を加え中和後
水層を除去し、更に同様な洗浄操作を2度繰り返した
後、減圧下に約120℃で乾燥してノボラックフェノー
ル樹脂を得た。得られたノボラックフェノール樹脂(ヒ
ドロキシフェニル基含有重合体)は、数平均分子量が6
00で、ヒドロキシフェニル基含有量が10当量/kg
重合体であった。
Synthesis Example 4 Synthesis of hydroxyphenyl group-containing polymer (b) o-cresol 1,490 parts, 30% formalin 1,
145 parts, 130 parts of deionized water and 6.5 parts of oxalic acid were placed in a flask and refluxed for 60 minutes. Then add 15% hydrochloric acid to 1
After adding 3.5 parts and refluxing for 40 minutes, 400 parts of about 15 ° C
Deionized water was added to keep the contents at about 75 ° C to allow the resin to settle. Then, a 35% sodium hydroxide solution was added to neutralize, the aqueous layer was removed, and the same washing operation was repeated twice, followed by drying at about 120 ° C. under reduced pressure to obtain a novolac phenol resin. The resulting novolac phenol resin (hydroxyphenyl group-containing polymer) has a number average molecular weight of 6
00, hydroxyphenyl group content is 10 equivalents / kg
It was a polymer.

【0076】合成例5 カルボキシル基及びヒドロキシフェニル基含有重合体
(c)の合成 o−ヒドロキシ安息香酸600部、o−クレゾール90
0部、30%フォルマリン1,145部、脱イオン水1
30部及び蓚酸6.5部をフラスコに入れ60分還流さ
せた。次いで15%塩酸を13.5部加え40分還流さ
せた後、400部の約15℃脱イオン水を加え内容物を
約50℃に保ち樹脂を沈降させた。更に400部の脱イ
オン水を加え50℃で樹脂を洗浄した後、水層を除去
し、更に同様な洗浄操作を3度繰り返した後、減圧下に
約120℃乾燥してノボラックフェノール樹脂を得た。
得られたノボラックフェノール樹脂(カルボキシル基及
びヒドロキシフェニル基含有重合体)は、数平均分子量
が約650、カルボキシル基含有量が2.8モル/kg
重合体、ヒドロキシルフェニル基含有量が5.4モル/
kg重合体であった。
Synthesis Example 5 Synthesis of Polymer (c) Containing Carboxyl Group and Hydroxyphenyl Group 600 parts of o-hydroxybenzoic acid, 90 parts of o-cresol
0 parts, 30% formalin 1,145 parts, deionized water 1
30 parts and 6.5 parts of oxalic acid were placed in a flask and refluxed for 60 minutes. Then, 13.5 parts of 15% hydrochloric acid was added and refluxed for 40 minutes, then 400 parts of deionized water of about 15 ° C. was added to keep the content at about 50 ° C. to precipitate the resin. After further adding 400 parts of deionized water to wash the resin at 50 ° C., the water layer was removed, and the same washing operation was repeated 3 times, followed by drying under reduced pressure at about 120 ° C. to obtain a novolac phenol resin. It was
The resulting novolac phenol resin (polymer containing carboxyl group and hydroxyphenyl group) has a number average molecular weight of about 650 and a carboxyl group content of 2.8 mol / kg.
Polymer, hydroxyl phenyl group content is 5.4 mol /
It was a kg polymer.

【0077】実施例1 合成例3で得たカルボキシル基含有重合体100部、合
成例1で得た(トランス,トランス)−水素化ビスフェ
ノールA−4,4’−ジビニルエーテル53mmol/
重合体100g、「UVAC1591」(ダイセルユー
シービー(株)製、商品名、光酸発生剤化合物、以下同
様の意味を示す。)2部の混合物をシクロヘキサノンに
溶解し、30重量%の溶液とした。かくして、本発明の
フォトレジスト組成物を得た。
Example 1 100 parts of the carboxyl group-containing polymer obtained in Synthesis Example 3 and 53 mmol / (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether obtained in Synthesis Example 1
A mixture of 100 g of the polymer and 2 parts of "UVAC1591" (manufactured by Daicel UCB Co., Ltd., trade name, photoacid generator compound, having the same meaning below) was dissolved in cyclohexanone to prepare a 30% by weight solution. . Thus, the photoresist composition of the present invention was obtained.

【0078】実施例2 合成例4で得たヒドロキシフェニル基含有重合体100
部、合成例1で得た(トランス,トランス)−水素化ビ
スフェノールA−4,4’−ジビニルエーテル53mm
ol/重合体100g、「UVAC1591」2部の混
合物をシクロヘキサノンに溶解し、30重量%の溶液と
した。かくして、本発明のフォトレジスト組成物を得
た。
Example 2 Hydroxyphenyl group-containing polymer 100 obtained in Synthesis Example 4
Part, (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4′-divinyl ether 53 mm obtained in Synthesis Example 1
A mixture of 100 g of ol / polymer and 2 parts of "UVAC1591" was dissolved in cyclohexanone to prepare a 30 wt% solution. Thus, the photoresist composition of the present invention was obtained.

【0079】実施例3 合成例5で得たカルボキシル基及びヒドロキシフェニル
基含有重合体100部、合成例1で得た(トランス,ト
ランス)−水素化ビスフェノールA−4,4’−ジビニ
ルエーテル53mmol/重合体100g、「UVAC
1591」2部の混合物をシクロヘキサノンに溶解し、
30重量%の溶液とした。かくして、本発明のフォトレ
ジスト組成物を得た。
Example 3 100 parts of the carboxyl group- and hydroxyphenyl group-containing polymer obtained in Synthesis Example 5, (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether 53 mmol / obtained in Synthesis Example 1 Polymer 100g, "UVAC
1591 "dissolved in 2 parts of cyclohexanone,
A 30% by weight solution was prepared. Thus, the photoresist composition of the present invention was obtained.

【0080】比較例1 合成例3で得たカルボキシル基含有重合体100部、合
成例2で得た水素化ビスフェノールA−4,4’−ジビ
ニルエーテル(混合物)53mmol/重合体100
g、「UVAC1591」2部の混合物をシクロヘキサ
ノンに溶解し、30重量%の溶液とした。かくして、比
較用のフォトレジスト組成物を得た。
Comparative Example 1 100 parts of the carboxyl group-containing polymer obtained in Synthesis Example 3 and 53 mmol of hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether (mixture) obtained in Synthesis Example 2 / polymer 100
g, a mixture of 2 parts of "UVAC1591" was dissolved in cyclohexanone to obtain a 30 wt% solution. Thus, a photoresist composition for comparison was obtained.

【0081】比較例2 合成例4で得たヒドロキシフェニル基含有重合体100
部、合成例2で得た水素化ビスフェノールA−4,4’
−ジビニルエーテル(混合物)53mmol/重合体1
00g、「UVAC1591」2部の混合物をシクロヘ
キサノンに溶解し、30重量%の溶液とした。かくし
て、比較用のフォトレジスト組成物を得た。
Comparative Example 2 Hydroxyphenyl group-containing polymer 100 obtained in Synthesis Example 4
Part, hydrogenated bisphenol A-4,4 ′ obtained in Synthesis Example 2
-Divinyl ether (mixture) 53 mmol / polymer 1
A mixture of 00 g and 2 parts of "UVAC1591" was dissolved in cyclohexanone to give a 30 wt% solution. Thus, a photoresist composition for comparison was obtained.

【0082】比較例3 合成例5で得たカルボキシル基及びヒドロキシフェニル
基含有重合体100部、合成例2で得た水素化ビスフェ
ノールA−4,4’−ジビニルエーテル(混合物)53
mmol/重合体100g、「UVAC1591」2部
の混合物をシクロヘキサノンに溶解し、30重量%の溶
液とした。かくして、比較用のフォトレジスト組成物を
得た。
Comparative Example 3 100 parts of the carboxyl group- and hydroxyphenyl group-containing polymer obtained in Synthesis Example 5 and hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether (mixture) 53 obtained in Synthesis Example 2
A mixture of mmol / 100 g of polymer and 2 parts of "UVAC1591" was dissolved in cyclohexanone to obtain a 30 wt% solution. Thus, a photoresist composition for comparison was obtained.

【0083】試験例1 以下の如く、各実施例及び比較例のフォトレジスト組成
物を用いてレジスト被膜を形成し、その性能を評価し
た。
Test Example 1 As described below, a resist film was formed using the photoresist compositions of Examples and Comparative Examples, and the performance thereof was evaluated.

【0084】実施例1〜3及び比較例1〜3で得た各組
成物を、銅箔上に乾燥膜厚10μmになるようにバーコ
ーターにて塗布し100℃10分間乾燥し、カルボキシ
ル基又はヒドロキシフェニル基とビニルエーテル基との
付加反応を行い、レジスト用被膜を形成した。
Each of the compositions obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 was coated on a copper foil with a bar coater to a dry film thickness of 10 μm and dried at 100 ° C. for 10 minutes to obtain a carboxyl group or A hydroxyphenyl group and a vinyl ether group were subjected to an addition reaction to form a resist film.

【0085】次いで、基板に365nmの紫外光をステ
ップタブレット(日立化成(株)製21段)越しに照射
し、室温10分放置後、25℃0.75%炭酸ナトリウ
ム水溶液を用い現像し、光感度の測定を行った。
Next, the substrate was irradiated with 365 nm ultraviolet light through a step tablet (21 step, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), left at room temperature for 10 minutes, and developed with a 0.75% sodium carbonate aqueous solution at 25 ° C. The sensitivity was measured.

【0086】また、実施例及び比較例の各フォトレジス
ト組成物の最適露光量を露光し、室温10分放置後25
℃0.75%炭酸ナトリウム水溶液を用い現像し、レジ
ストパターンを形成した。各レジストについて、光感
度、解像度及びパターン形状を評価した結果を表4に示
す。
After exposure to the optimum exposure dose of each photoresist composition of Examples and Comparative Examples and leaving it at room temperature for 10 minutes, 25
The resist pattern was formed by developing using a 0.75% sodium carbonate aqueous solution at ℃. Table 4 shows the results of evaluating the photosensitivity, resolution, and pattern shape of each resist.

【0087】[0087]

【表4】 上記パターン形状の評価において、良はパターンのエッ
ジ部が鮮明であることを示し、不良はパターンのエッジ
部が不鮮明であることを示す。
[Table 4] In the evaluation of the pattern shape, “good” means that the edge portion of the pattern is clear, and “bad” means that the edge portion of the pattern is not clear.

【0088】[0088]

【発明の効果】本発明の新規化合物である(トランス,
トランス)−水素化ビスフェノールA−4,4’−ジビ
ニルエーテル化合物は、低臭気、低揮発性、低刺激性で
毒性の低い化合物であり、カチオン重合性が高く、立体
異性体の混合物である従来公知のジビニルエーテル化合
物に比べて対称性の高い単一の立体構造に起因する優れ
た反応性等の特性を有し、フォトレジスト、接着剤、塗
料等のモノマー基剤、架橋剤等の添加剤としても有用に
用いられる。
The novel compound of the present invention (trans,
The trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether compound is a compound having low odor, low volatility, low irritation and low toxicity, high cationic polymerizability and a mixture of stereoisomers. It has characteristics such as excellent reactivity due to a single steric structure with high symmetry compared to known divinyl ether compounds, and is an additive such as a monomer base for photoresists, adhesives, paints, crosslinking agents, etc. It is also useful as

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、本発明化合物の赤外スペクトルを示す
ものである。
FIG. 1 shows an infrared spectrum of the compound of the present invention.

【図2】図2は、本発明化合物の1H−NMRスペクト
ルを示す図である。
FIG. 2 is a chart showing 1 H-NMR spectrum of the compound of the present invention.

【図3】図3は、本発明化合物の13C−NMRスペクト
ルを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a 13 C-NMR spectrum of the compound of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 玄児 神奈川県平塚市東八幡4丁目17番1号 関 西ペイント株式会社内 (72)発明者 曽根 孝明 大阪府大阪市鶴見区鶴見1丁目1番9号荒 川化学工業株式会社研究所内 (72)発明者 水家 次朗 大阪府大阪市鶴見区鶴見1丁目1番9号荒 川化学工業株式会社研究所内 Fターム(参考) 4H006 AA01 AA02 AB46 AC43 AD15 BA02 BA29 BA32 BD60 GN22 GP02 4H039 CA61 CD10 CF20    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Genji Imai             Seki, 4-17-1, Higashi-Hachiman, Hiratsuka City, Kanagawa Prefecture             West Paint Co., Ltd. (72) Inventor Takaaki Sone             1-9 Tsurumi, Tsurumi-ku, Osaka-shi, Osaka             Kawa Chemical Industry Co., Ltd. (72) Inventor Jiro Mizuya             1-9 Tsurumi, Tsurumi-ku, Osaka-shi, Osaka             Kawa Chemical Industry Co., Ltd. F-term (reference) 4H006 AA01 AA02 AB46 AC43 AD15                       BA02 BA29 BA32 BD60 GN22                       GP02                 4H039 CA61 CD10 CF20

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】式(1): 【化1】 で表される(トランス,トランス)−水素化ビスフェノ
ールA−4,4’−ジビニルエ−テル化合物。
1. Formula (1): A (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4′-divinyl ether compound represented by:
【請求項2】式(2) 【化2】 で表される(トランス,トランス)−4,4’−水素化
ビスフェノールAを、アルカリ触媒の存在下、アセチレ
ンと反応させてビニルエーテル化させることを特徴とす
る式(1)で表される(トランス,トランス)−水素化
ビスフェノールA−4,4’−ジビニルエ−テル化合物
の製造法。
2. Formula (2): (Trans, trans) -4,4′-hydrogenated bisphenol A is reacted with acetylene in the presence of an alkali catalyst to form a vinyl ether, which is represented by formula (1) (trans , Trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4'-divinyl ether compound.
【請求項3】式(2)で表される(トランス,トラン
ス)−4,4’−水素化ビスフェノールAが、再結晶に
よる精製物である請求項2記載のジビニルエーテル化合
物の製造法。
3. The method for producing a divinyl ether compound according to claim 2, wherein the (trans, trans) -4,4′-hydrogenated bisphenol A represented by the formula (2) is a purified product by recrystallization.
【請求項4】ビニルエーテル化させた後、晶析工程を経
る請求項2又は3に記載のジビニルエ−テル化合物の製
造法。
4. The method for producing a divinyl ether compound according to claim 2 or 3, which comprises a crystallization step after the vinyl etherification.
【請求項5】式(1)で表わされる(トランス,トラン
ス)−水素化ビスフェノールA−4,4’−ジビニルエ
−テル化合物を含有してなるフォトレジスト組成物。
5. A photoresist composition containing a (trans, trans) -hydrogenated bisphenol A-4,4′-divinyl ether compound represented by the formula (1).
【請求項6】(A)式(1)で表わされる(トランス,
トランス)−4,4’−水素化ビスフェノールA−4,
4’−ジビニルエ−テル化合物、(B)重合体1kgあ
たり0.5〜10当量のカルボキシル基を有し、且つ
3,000〜100,000の範囲内の数平均分子量及
び0℃以上のガラス転移温度を有する重合体(a)、重
合体1kgあたり1〜10当量のヒドロキシフェニル基
を有し、且つ500〜100,000の範囲内の数平均
分子量及び0℃以上のガラス転移温度を有する重合体
(b)及び重合体1kgあたり0.2〜20当量のヒド
ロキシフェニル基及び0.5〜10当量のカルボキシル
基を有し、且つ500〜100,000の範囲内の数平
均分子量及び0℃以上のガラス転移温度を有する重合体
(c)から選ばれる少なくとも1種の重合体、並びに
(C)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物
を含有してなることを特徴とする請求項5に記載のフォ
トレジスト組成物。
6. (A) Formula (1) (transformer,
Trans) -4,4'-hydrogenated bisphenol A-4,
4'-divinyl ether compound, (B) polymer having 0.5 to 10 equivalents of carboxyl group per kg, and having a number average molecular weight in the range of 3,000 to 100,000 and a glass transition of 0 ° C or higher. Polymer (a) having a temperature, a polymer having 1 to 10 equivalents of a hydroxyphenyl group per 1 kg of a polymer, and having a number average molecular weight in the range of 500 to 100,000 and a glass transition temperature of 0 ° C. or higher. (B) and a polymer having 0.2 to 20 equivalents of hydroxyphenyl groups and 0.5 to 10 equivalents of carboxyl groups per 1 kg of a polymer, and having a number average molecular weight in the range of 500 to 100,000 and 0 ° C or higher. At least one polymer selected from polymers (c) having a glass transition temperature, and (C) a compound capable of generating an acid upon irradiation with active energy rays. The photoresist composition of claim 5 that.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2010137742A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 日本カーバイド工業株式会社 Process for producing vinyl ether
CN115739116A (en) * 2022-11-29 2023-03-07 本源精化环保科技有限公司 Catalyst, preparation method and regeneration method thereof, and hydrogenated bisphenol A production method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010137742A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 日本カーバイド工業株式会社 Process for producing vinyl ether
US9000228B2 (en) 2009-05-29 2015-04-07 Nippon Carbide Industries Co., Ltd. Method for producing vinyl ether
JP5734182B2 (en) * 2009-05-29 2015-06-17 日本カーバイド工業株式会社 Method for producing vinyl ether
CN115739116A (en) * 2022-11-29 2023-03-07 本源精化环保科技有限公司 Catalyst, preparation method and regeneration method thereof, and hydrogenated bisphenol A production method

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