JP2003270042A - Fabry-perot filter apparatus, its manufacturing method, and operating method - Google Patents

Fabry-perot filter apparatus, its manufacturing method, and operating method

Info

Publication number
JP2003270042A
JP2003270042A JP2002062731A JP2002062731A JP2003270042A JP 2003270042 A JP2003270042 A JP 2003270042A JP 2002062731 A JP2002062731 A JP 2002062731A JP 2002062731 A JP2002062731 A JP 2002062731A JP 2003270042 A JP2003270042 A JP 2003270042A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fabry
perot filter
perot
color filter
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002062731A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ritsuei Chin
陳立鋭
Zuishin Rin
林瑞進
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority to JP2002062731A priority Critical patent/JP2003270042A/en
Publication of JP2003270042A publication Critical patent/JP2003270042A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Fabry-Perot filter apparatus, a method for manufacturing the Fabry-Perot filter apparatus, and a method for operating the Fabry-Perot filter apparatus. <P>SOLUTION: In the Fabry-Perot filter apparatus, the method for manufacturing the Fabry-Perot filter apparatus, and the method for operating the Fabry- Perot filter apparatus, a Fabry-Perot filter and at least one color filter layer are used, both of them are assembled on a substrate, and at least two optical transducer elements formed in the substrate are covered. In the apparatus and the methods, at least one color filter layer is constituted of at least two color filter elements of different colors which are each individually recorded in the optical transducer elements at least out of the two optical transducer elements. The apparatus and the methods are prepared for heightened optical discrimination characteristics. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、ファ
ブリーペローフィルタ装置に関し、より詳しくは、性能
が高められたファブリーペローフィルタ装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a Fabry-Perot filter device, and more particularly to a Fabry-Perot filter device having improved performance.

【0002】[0002]

【従来の技術】ファブリーペローフィルタは、光学的感
知応用分野および光放射応用分野の双方において、望ま
しい光学的特性を提供するために用いられる光干渉フィ
ルタである。特に、ファブリーペローフィルタの、決し
て限定的な応用分野ではない、通常の応用分野におい
て、様々な組成物のサンプル分析用の光学的分光測光装
置中の光ンンポーネントに用いられる。
BACKGROUND OF THE INVENTION Fabry-Perot filters are optical interference filters used to provide desirable optical properties in both optical sensing and light emitting applications. In particular, it is used as a photocomponent in an optical spectrophotometer for the analysis of samples of various compositions in the usual, but not exclusively, application of Fabry-Perot filters.

【0003】ファブリーペローフィルタは、要するに、
様々な応用分野に用いられる光学的装置中の光コンポー
ネントとして明らかに当を得たものだが、それでいて、
ファブリーペローフィルタにまったく問題がない訳では
ない。
The Fabry-Perot filter is, in short,
It was clearly gained as an optical component in optical devices used in various fields of application, but
The Fabry-Perot filter is not without its problems.

【0004】その点からすれば、ファブリーペローフィ
ルタを、高められた光学的識別特性を伴わせて効率的に
製造することは通常は難しいことが多い。
From that point, it is often difficult to fabricate Fabry-Perot filters efficiently with enhanced optical discrimination.

【0005】このため、高められた性能、特に高められ
た光学的識別特性を伴わせて製造できるファブリーペロ
ーフィルタ装置を提供することが望ましい。
Therefore, it is desirable to provide a Fabry-Perot filter device that can be manufactured with enhanced performance, especially with enhanced optical discrimination.

【0006】本発明は、上記目標の実現を目的としてい
る。
The present invention is directed to achieving the above goals.

【0007】ファブリーペローフィルタ装置の製造技術
において、望ましい特性を持つ各種のファブリーペロー
フィルタ装置が開示されてきた。
In the manufacturing technology of Fabry-Perot filter devices, various Fabry-Perot filter devices having desirable characteristics have been disclosed.

【0008】前記ファブリーペローフィルタ装置に含ま
れるが、前記ファブリーペローフィルタ装置に限定され
ない、ファブリーペローフィルタ装置が、以下の特許に
おいて開示されているが、前記特許には(1)Kata
giriらの、米国特許番号4,859,060(調整
可能な干渉測定特性を持つファブリーペローフィルタ装
置において、前記ファブリーペローフィルタ装置中の1
対の部分反射層の間隔を変更できるように、前記ファブ
リーペローフィルタ装置を製造する)、(2)Zoch
bauerの、米国特許番号5,357,340(高め
られた光学的特性を持つファブリーペローフィルタ装置
において、前記ファブリーペローフィルタ装置中に、1
つのファブリーペローフィルタではなく、1対のファブ
リーペローフィルタを用いる)、(3)Coleらの、
米国特許番号55,503,73(高められた光学的性
能を持つファブリーペローフィルタ装置において、ファ
ブリーペローフィルタと連係してマイクロレンズ層を用
いた製造が伴う)および、(4)Lehtoらの、米国
特許番号5,818,586(調整可能な干渉測定特性
を持つ追加のファブリーペローフィルタ装置において、
前記ファブリーペローフィルタ装置を、前記ファブリー
ペローフィルタ装置中の1対の部分反射層の間隔を変更
できるように製造する)が含まれる。
[0008] A Fabry-Perot filter device, which is included in the Fabry-Perot filter device, but is not limited to the Fabry-Perot filter device, is disclosed in the following patents, which is (1) Kata.
giri et al., U.S. Pat. No. 4,859,060 (in a Fabry-Perot filter device with adjustable interferometric characteristics, one of the Fabry-Perot filter devices).
The Fabry-Perot filter device is manufactured so that the distance between the pair of partially reflective layers can be changed), (2) Zoch
Bauer, U.S. Pat. No. 5,357,340 (in a Fabry-Perot filter device with enhanced optical properties, wherein 1
A pair of Fabry-Perot filters instead of two Fabry-Perot filters), (3) Cole et al.
US Pat. Nos. 55,503,73 (with fabrication using a microlens layer in conjunction with a Fabry-Perot filter device in a Fabry-Perot filter device with enhanced optical performance) and (4) Lehto et al., US Patent No. 5,818,586 (in an additional Fabry-Perot filter device with adjustable interferometric characteristics,
Manufacturing the Fabry-Perot filter device such that the spacing of the pair of partially reflective layers in the Fabry-Perot filter device can be varied.

【0009】同様に、特に限定してファブリーペローフ
ィルタ装置を対象にしたものではないが、オカモトは、
米国特許番号6,094,272において、識別するこ
とが望ましい色を持つサンプルに関し、赤、緑および青
ま少なくとも2色の反射又は透過性の尺度を規定する距
離公差色識別装置を開示している。
Similarly, although not particularly limited to the Fabry-Perot filter device, Okamoto
U.S. Pat. No. 6,094,272 discloses a distance tolerance color discriminator that defines a measure of reflectance or transmissivity of at least two colors, red, green and blue, for samples having colors that it is desirable to discriminate. .

【0010】上記関連技術参考文献の各々の開示は、本
書において出典別にすべて記載されている。
The disclosures of each of the above-referenced related art references are hereby incorporated by reference in their entirety.

【0011】ファブリーペローフィルタ装置の製造技術
において望ましいのは、高められた性能、特に、高めら
れた光学的識別特性を伴わせて製造できる、追加のファ
ブリーペローフィルタ装置である。
Desirable in the fabrication technology of Fabry-Perot filter devices is an additional Fabry-Perot filter device that can be manufactured with enhanced performance, especially with enhanced optical signature.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記目標の
実現を盾的としている。
The present invention is aimed at achieving the above goals.

【0013】本発明の第1の目的は、ファブリーペロー
フィルタ装置、前記ファブリーペローフィルタ装置を製
造する方法および、前記ファブリーペローフィルタ装置
を操作する方法を、提供することである。
A first object of the present invention is to provide a Fabry-Perot filter device, a method of manufacturing the Fabry-Perot filter device, and a method of operating the Fabry-Perot filter device.

【0014】本発明の第2の目的は、前記ファブリーペ
ローフィルタ装置、前記ファブリーペローフィルタ装置
を製造する前記方法および、前記ファブリーペローフィ
ルタ装置を操作する前記方法を、本発明の前記第1の目
的に従って提供し、そこにおいて、前記ファブリーペロ
ーフィルタ装置を高められた性能を伴わせて製造する。
A second object of the present invention is to provide the Fabry-Perot filter device, the method of manufacturing the Fabry-Perot filter device, and the method of operating the Fabry-Perot filter device, the first object of the present invention. In which the Fabry-Perot filter device is manufactured with enhanced performance.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の前記2つの目的
に従って、本発明によって、ファブリーペローフィルタ
装置、前記ファブリーペローフィルタ装置を製造する方
法および、前記ファブリーペローフィルタ装置を操作す
る方法が提供される。
According to the two objects of the invention, the present invention provides a Fabry-Perot filter device, a method of manufacturing the Fabry-Perot filter device, and a method of operating the Fabry-Perot filter device. It

【0016】本発明によれば、前記ファブリーペローフ
ィルタ装置は、第1の実施例では、少なくとも2つの光
トランスデューサエレメントをその中に形成済みの1つ
の基板から構成される。前記ファブリーペローフィルタ
装置は、第2の実施例では、前記基板上に組み立てられ
て、前記少なくとも2つの光トランスデューサエレメン
トを覆っている1つのファブリーペローフィルタから構
成され、そこでは、前記ファブリーペローフィルタは、
透過材料で隔てられた1対の部分反射層から構成され
る。最後に、前記ファブリーペローフィルタ装置は、第
3の実施例では、これも前記基板上に組み立てられてい
て、前記少なくとも2つの光トランスデューサエレメン
トを覆っている、少なくとも1つの色フィルタ層から構
成され、そこでは、前記少なくとも1つの色フィルタ層
は、前記少なくとも2つの光トランスデューサエレメン
ト中の個々の光トランスデューサエレメントに、その色
フィルタエレメントの各々が記録される、色が異なる少
なくとも2つの色フィルタエレメントから構成される。
According to the invention, the Fabry-Perot filter device comprises, in a first embodiment, a substrate having at least two optical transducer elements formed therein. The Fabry-Perot filter device comprises in a second embodiment a Fabry-Perot filter assembled on the substrate and covering the at least two optical transducer elements, wherein the Fabry-Perot filter is ,
It consists of a pair of partially reflective layers separated by a transmissive material. Finally, the Fabry-Perot filter device, in a third embodiment, consists of at least one color filter layer, which is also assembled on the substrate and covers the at least two optical transducer elements, Therein, the at least one color filter layer comprises at least two color filter elements of different colors, each of which is recorded on an individual light transducer element in the at least two light transducer elements. To be done.

【0017】本発明によるファブリーペローフィルタ装
置では、本発明によるファブリーペローフィルタ装置を
製造する方法および、本発明によるファブリーペローフ
ィルタ装置を操作する方法が考察されている。
With regard to the Fabry-Perot filter device according to the invention, a method for manufacturing the Fabry-Perot filter device according to the invention and a method for operating the Fabry-Perot filter device according to the invention are considered.

【0018】本発明は、ファブリーペローフィルタ装
置、前記ファブリーペローフィルタ装置を製造する方法
および、前記ファブリーペローフィルタ装置を操作する
方法を提供し、そこでは、前記ファブリーペローフィル
タ装置を、高められた性能、特に高められた光学的識別
特性を伴わせて製造する。
The present invention provides a Fabry-Perot filter device, a method of manufacturing the Fabry-Perot filter device, and a method of operating the Fabry-Perot filter device, wherein the Fabry-Perot filter device is enhanced in performance. , Especially with enhanced optical discrimination properties.

【0019】本発明では、上記目的を実現するのに、前
記ファブリーペローフィルタ装置中で用いられている基
板上に、前記基板上に同じように組み立てられたファブ
リーペローフィルタと組み合わせて、前記基板中に同じ
ように形成された少なくとも2つの光トランスデューサ
エレメントを覆う、少なくとも1つの色フィルタ層を組
み立てる。前記ファブリーペローフィルタ装置中では、
前記少なくとも1つの色フィルタ層が、前記少なくとも
2つの光トランスデューサエレメント中の個別の光トラ
ンスデューサエレメントに、その色フィルタエレメント
の各々が記録される、色が異なる少なくとも2つの色フ
ィルタエレメントから構成される。本発明のファブリー
ペローフィルタ装置中では、色フィルタ層の存在によっ
て、特に、前記ファブリーペローフィルタ装置中の高め
られた光学的識別特性に備えている。
In the present invention, in order to achieve the above-mentioned object, a substrate used in the Fabry-Perot filter device is combined with a Fabry-Perot filter similarly assembled on the substrate, and Assembling at least one color filter layer overlying at least two similarly formed optical transducer elements. In the Fabry-Perot filter device,
The at least one color filter layer comprises at least two color filter elements of different colors, each color filter element being recorded on a separate light transducer element in the at least two light transducer elements. In the Fabry-Perot filter device of the present invention, the presence of the color filter layer provides for, among other things, enhanced optical discrimination in the Fabry-Perot filter device.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明は、ファブリーペローフィ
ルタ装置、前記ファブリーペローフィルタ装置を製造す
る方法および、前記ファブリーペローフィルタ装置を操
作する方法を提供し、これによって、ファブリーペロー
フィルタ装置を、高められた性能、特に、光学的識別特
性を高めて製造する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a Fabry-Perot filter device, a method of manufacturing the Fabry-Perot filter device, and a method of operating the Fabry-Perot filter device, thereby enhancing the Fabry-Perot filter device. Manufactured with enhanced performance, particularly optical discrimination characteristics.

【0021】本発明では、上記目的を実現するために、
前記ファブリーペローフィルタ装置中で用いられている
基板上に、前記基板上に同じように組み立てられたファ
ブリーペローフィルタと組み合わせて、前記基板中に同
じように形成された少なくとも2つの光トランスデュー
サエレメントを覆う、少なくとも1つの色フィルタ層を
組み立てる。前記ファブリーペローフィルタ装置中で
は、前記少なくとも1つの色フィルタ層が、前記少なく
とも2つの光トランスデューサエレメント中の個別の光
トランスデューサエレメントに、その色フィルタエレメ
ントの各々が記録される、色が異なる少なくとも2つの
色フィルタエレメントから構成される。本発明のファブ
リーペローフィルタ装置中では、色フィルタ層の存在に
よって、特に、前記ファブリーペローフィルタ装置の高
められた光学的識別特性に備えている。
In the present invention, in order to achieve the above object,
On a substrate used in the Fabry-Perot filter device, in combination with a Fabry-Perot filter similarly assembled on the substrate, covering at least two similarly formed optical transducer elements in the substrate. , Assembling at least one color filter layer. In the Fabry-Perot filter device, the at least one color filter layer includes at least two different colors, each color filter element being recorded on a separate light transducer element in the at least two light transducer elements. It is composed of color filter elements. In the Fabry-Perot filter device of the present invention, the presence of the color filter layer provides for, among other things, the enhanced optical discrimination of the Fabry-Perot filter device.

【0022】本発明の好ましい実施形態では、ダイレク
トイルミネーションおよび、半導体基板中に形成済みの
一連の光ダイオードを用いている、感知側のファブリー
ペローフィルタ装置という条件で、本発明を最も詳しく
説明しているが、本発明は、ダイレクトイルミネーショ
ンおよび、そのように製造されたファブリーペローフィ
ルタ装置に限定するよう意図したものではない。それど
ころか、本発明によるファブリーペローフィルタ装置
を、半導体基板以外の基板を用いて製造し、受光体や光
エミッタなど、光ダイオード以外の光活性光トランスデ
ューサデバイスを用いてもよい。同様に、本発明による
ファブリーペローフィルタ装置は、ダイレクトイルミネ
ーションおよび感知応用分野(すなわち、吸収および透
過性の分光光度測定応用分野)のほか、インダイレクト
イルミネーションおよび感知応用分野(すなわち、蛍光
分光光度測定応用分野)で用いるように製造してよい。
In a preferred embodiment of the invention, the invention is best described with the proviso that it is a Fabry-Perot filter device on the sensing side using direct illumination and a series of photodiodes already formed in a semiconductor substrate. However, the present invention is not intended to be limited to direct illumination and Fabry-Perot filter devices so manufactured. On the contrary, the Fabry-Perot filter device according to the present invention may be manufactured using a substrate other than a semiconductor substrate and a photoactive phototransducer device other than a photodiode, such as a photoreceptor or a light emitter. Similarly, Fabry-Perot filter devices according to the present invention may be used in direct illumination and sensing applications (ie, absorption and transmission spectrophotometric applications), as well as indirect illumination and sensing applications (ie, fluorescence spectrophotometric applications). Field).

【0023】ここで、図1を参照すると、本発明の好ま
しい実施形態に従って製造されたファブリーペローフィ
ルタ装置の略断面図が示されている。
Referring now to FIG. 1, there is shown a schematic cross-sectional view of a Fabry-Perot filter device made in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

【0024】図1に示されているのは、第1の実施例で
は、たいていファブリーペローフィルタ装置11であっ
て、前記ファブリーペローフィルタ装置11は、第1の
実施例では、一連の光ダイオード、12a、12bおよ
び12cをその中に形成済みの半導体基板10から構成
されている。
Shown in FIG. 1 is a Fabry-Perot filter arrangement 11 in the first embodiment, which is usually a Fabry-Perot filter arrangement 11, which in the first embodiment comprises a series of photodiodes, The semiconductor substrate 10 is formed with 12a, 12b and 12c formed therein.

【0025】本発明の好ましい実施形態において、前記
半導体基板10に関しては、半導体集積回路のマイクロ
電子製造技術における半導体基板の定義は、どちらか一
方のドーパント極性、様々なドーパント濃度および複数
の結晶方向によって行うにもかかわらず、本発明の好ま
しい実施形態では、前記半導体基板10は、N−又はP
−のドーパント濃度を持っている(100)シリコン半
導体基板であるのが一般的であり、望ましい。
In a preferred embodiment of the present invention, with respect to the semiconductor substrate 10, the definition of the semiconductor substrate in the microelectronics manufacturing technology of semiconductor integrated circuits is defined by one of the dopant polarities, various dopant concentrations and a plurality of crystal orientations. Nevertheless, in a preferred embodiment of the present invention, the semiconductor substrate 10 is N- or P-type.
It is common and desirable to have a (100) silicon semiconductor substrate having a -dopant concentration.

【0026】同様に、本発明の好ましい実施形態におい
て、前記一連の光ダイオード、12a、12bおよび1
2cに関しては、半導体集積回路のマイクロ電子製造技
術で、前記一連の光ダイオード、12a、12bおよび
12cもまた同じように一般的で、前記半導体基板10
と比較して眺めた場合に、一般に高いドーパント濃度お
よび逆のドーパント極性を持つ一連の領域を、前記半導
体基板10に注入することに伴わせて形成される。本発
明の好ましい実施形態においては、前記一連の光ダイオ
ード、12a、12bおよび12cの各々は、一般的に
および望ましくは、約10〜約2000ミクロンの線幅
を持つ。
Similarly, in a preferred embodiment of the invention said series of photodiodes, 12a, 12b and 1
With respect to 2c, the series of photodiodes, 12a, 12b and 12c, are also common in the microelectronic fabrication technology for semiconductor integrated circuits, and the semiconductor substrate 10
Seen in comparison, a series of regions generally having a high dopant concentration and opposite dopant polarities are formed along with implanting the semiconductor substrate 10. In a preferred embodiment of the invention, each of said series of photodiodes, 12a, 12b and 12c, generally and desirably, has a line width of about 10 to about 2000 microns.

【0027】図1の前記略断面図においては、前期半導
体基板10上に各々形成されている、第1のスペーサ層
14と第2のスペーサ層22が、前記一連の光ダイオー
ド、12a、12bおよび12cと共に示されている
が、本発明においてはしかしながら、本発明によるファ
ブリーペローフィルタ装置を1つ提供するために、光ダ
イオードなどの光活性光トランスデューサ領域を、最低
限で2つしか必要としない。
In the schematic cross-sectional view of FIG. 1, the first spacer layer 14 and the second spacer layer 22, which are each formed on the semiconductor substrate 10, are the same as the series of photodiodes, 12a, 12b and Although shown with 12c, the present invention, however, requires only a minimum of two photoactive light transducer regions, such as photodiodes, to provide one Fabry-Perot filter device according to the present invention.

【0028】本発明の好ましい形態において、前記第1
のスペーサ層14および前記第2のスペーサ層22に関
しては、前記第1のスペーサ層14および前記第2のス
ペーサ層22の各々は、半導体マイクロ電子製造技術で
従来のスペーサ材料、特に、図1に略断面図を示した前
記ファブリーペロートランスデューサエレメントを操作
する場合に前記一連の光ダイオード、12a、12bお
よび12cによって強度を検知および分類される放射線
に対して透明なスペーサ材料から、形成できる。
In a preferred embodiment of the present invention, the first
In regard to the spacer layer 14 and the second spacer layer 22 of FIG. 1, each of the first spacer layer 14 and the second spacer layer 22 is a conventional spacer material in semiconductor microelectronics fabrication technology, in particular FIG. It can be formed from a spacer material transparent to radiation whose intensity is sensed and classified by the series of photodiodes, 12a, 12b and 12c, when operating the Fabry-Perot transducer element shown in schematic cross-section.

【0029】本発明の好ましい実施形態において、前記
第1のスペーサ層14および前記第2のスペーサ層22
の各々は、一般的におよび望ましくは、誘電性材料の酸
化シリコンから形成され、約0〜約10マイクロメート
ルの厚みに形成するが、本発明によるファブリーペロー
フィルタ装置においては他の材料や厚みを用いてもよ
い。
In a preferred embodiment of the present invention, the first spacer layer 14 and the second spacer layer 22.
Is generally and desirably formed from a dielectric material, silicon oxide, and is formed to a thickness of about 0 to about 10 micrometers, although other materials and thicknesses may be used in the Fabry-Perot filter device of the present invention. You may use.

【0030】図1の略断面図には、前記第1のスペーサ
層14および前記第2のスペーサ層22の間にサンドイ
ッチ方式で挿入して形成されている、ファブリーペロー
フィルタ19も示されているが、これは、干渉測定スペ
ーサ層18を媒介に第2の部分反射層20から隔てられ
た第1の部分反射層16から構成されている。
The schematic cross-sectional view of FIG. 1 also shows a Fabry-Perot filter 19 formed by being sandwiched between the first spacer layer 14 and the second spacer layer 22. However, it comprises a first partially reflective layer 16 which is separated from a second partially reflective layer 20 by means of an interferometric spacer layer 18.

【0031】本発明の好ましい実施形態において、前記
干渉測定スペーサ層18に関しては、前記干渉測定スペ
ーサ層18は、前記第1のスペーサ層14および前記第
2のスペーサ層22を形成するのに用いた方法および材
料を用いて形成してよいが、前記干渉測定スペーサ層1
8は、一般的におよび望ましくは、本発明の好ましい実
施形態によるファブリーペローフィルタ装置中で前記フ
ァブリーペローフィルタ19を提供するために、厳格な
許容寸法を遵守して製造する。一般的におよび望ましく
は、前記干渉測定スペーサ層22は、約100〜約50
000オングストロームの範囲から厚みを選択して形成
され、誘電性材料の酸化シリコンから形成されもする。
In a preferred embodiment of the present invention, with respect to the interferometric spacer layer 18, the interferometric spacer layer 18 was used to form the first spacer layer 14 and the second spacer layer 22. The interferometric measuring spacer layer 1 may be formed by using the method and the material.
8 generally and desirably is manufactured in compliance with strict tolerances to provide said Fabry-Perot filter 19 in a Fabry-Perot filter device according to a preferred embodiment of the present invention. Generally and desirably, the interferometric spacer layer 22 is from about 100 to about 50.
It is formed with a thickness selected from the range of 000 angstroms and may be formed of silicon oxide as a dielectric material.

【0032】本発明の好ましい実施形態において、前記
第1の部分反射層16および前記第2の部分反射層20
に関しては、前記第1の部分反射層16および前記第2
の部分反射層20は、半導体集積回路のマイクロ電子製
造技術において一般的な複数の反射材料のどれから形成
してもよいが、厚みについては部分反射特性を前記反射
材料に与えるような範囲から選ぶ。一般的におよび望ま
しくは、そうした反射材料は金属材料になるが、アルミ
ニウム、銀、金へいった金属材料に限定されないように
する。一般的におよび望ましくは、前記第1の部分反射
層16および前記第2の部分反射層20は、反射金属材
料の銀から形成され、約100〜約600オングストロ
ームの厚みに形成される。
In a preferred embodiment of the present invention, the first partially reflective layer 16 and the second partially reflective layer 20.
With regard to the first partially reflective layer 16 and the second
The partially reflective layer 20 may be formed of any of a plurality of reflective materials that are common in the microelectronics manufacturing technology for semiconductor integrated circuits, but the thickness is selected from the range that gives the partially reflective characteristics to the reflective material. . Generally and desirably, such reflective materials will be metallic materials, but are not limited to metallic materials such as aluminum, silver and gold. Generally and desirably, the first partially reflective layer 16 and the second partially reflective layer 20 are formed of a reflective metallic material, silver, and have a thickness of about 100 to about 600 angstroms.

【0033】最後に、図1の前記略断面図には、前記第
2のスペーサ層22上に形成されている色フィルタ層2
4が示されており、これで、本発明の好ましい実施形態
による前記ファブリーペローフィルタ装置11の製造が
完成する。
Finally, in the schematic cross-sectional view of FIG. 1, the color filter layer 2 formed on the second spacer layer 22 is shown.
4 is shown, which completes the manufacture of the Fabry-Perot filter device 11 according to a preferred embodiment of the present invention.

【0034】本発明の好ましい実施形態において、前記
色フィルタ層24に関しては、前記色フィルタ層24
は、色が異なる3つの色フィルタエレメント、24a、
24bおよび24cから構成されているが、本発明にお
いては一般的に、色フィルタ層を提供するには、色が異
なる色フィルタエレメントを最低限で2つしか必要とし
ない。同じように、本発明および、本発明の好ましい実
施形態においては、前記色フィルタ層24における前記
色フィルタエレメント、24a、24bおよび24cの
各々は、前記一連の光ダイオード、12a、12bおよ
び12cにおいて対応する光ダイオード12a、12b
又は12cに記録される。
In a preferred embodiment of the present invention, with respect to the color filter layer 24, the color filter layer 24 is
Are three color filter elements of different colors, 24a,
Although comprised of 24b and 24c, the present invention generally requires a minimum of two different color filter elements to provide a color filter layer. Similarly, in the present invention and in a preferred embodiment of the present invention, each of the color filter elements, 24a, 24b and 24c in the color filter layer 24 corresponds in the series of photodiodes, 12a, 12b and 12c. Photodiodes 12a, 12b
Or recorded in 12c.

【0035】本発明の好ましい実施形態において、前記
色フィルタ層24に関しては、マイクロ電子製造技術で
従来よりある色フィルタ材料を用いて前記色フィルタ層
24を形成できる。一般的におよび望ましくは、前記色
フィルタ層24中の前記一連の色フィルタエレメント、
24a、24bおよび24cは、一連の色が異なるパタ
ーンフォトレジスト層を用いて形成されるが、他の色付
き層を用いてもよい。本発明の好ましい実施形態におい
て、前記一連の色フィルタエレメント、24a、24b
および24cは、一般的におよび望ましくは、赤、緑、
青の透過性の一連の色フィルタエレメントから構成され
るが、本発明は、赤、緑、青の透過性の一連の色フィル
タエレメント、24a、24bおよび24cのみに明確
に限定されるわけではない。
In a preferred embodiment of the present invention, with respect to the color filter layer 24, the color filter layer 24 can be formed by using a conventional color filter material in a microelectronics manufacturing technique. Generally and preferably, the series of color filter elements in the color filter layer 24,
24a, 24b and 24c are formed using a series of different colored patterned photoresist layers, although other colored layers may be used. In a preferred embodiment of the invention said series of color filter elements, 24a, 24b.
And 24c are generally and desirably red, green,
Although comprised of a series of blue transmissive color filter elements, the present invention is not specifically limited to only the series of red, green, blue transmissive color filter elements, 24a, 24b and 24c. .

【0036】最後に、図1の略断面図には、照射側の放
射線ビーム28を通す媒介となるサンプル媒体26も示
されているが、これは、最終的に、前記一連の光ダイオ
ード、12a、12bおよび12cによって感知され
る。
Finally, the schematic cross-sectional view of FIG. 1 also shows a sample medium 26, which is a medium through which the radiation beam 28 on the irradiation side passes, which, in the end, is the series of photodiodes, 12a. , 12b and 12c.

【0037】本発明の好ましい実施形態において、前記
サンプル媒体26に関しては、前記サンプル媒体26
は、液体、気体、固体又は、その代わりとなる混合物、
すなわち、他の点では通例一般的な混合物、さもなけれ
ば、ファブリーペローフィルタ装置を用いる際に分析に
供してもよい。
In a preferred embodiment of the present invention, with respect to the sample medium 26, the sample medium 26
Is a liquid, gas, solid or alternative mixture,
That is, otherwise common mixtures, otherwise may be subjected to analysis when using a Fabry-Perot filter device.

【0038】本発明の好ましい実施形態において、前記
放射線ビーム28に関しては、前記放射線ビーム28を
供給するのに、そうでなければ本技術で一般的に周知
で、前記サンプル媒体26の分析に適した、複数の放射
線源のどれを用いてもよい。一般的におよび望ましく
は、ただし、限定されることはないが、前記放射線ビー
ム28は白色光可視光放射源から誘導される。
In a preferred embodiment of the invention, with respect to the radiation beam 28, it is suitable for providing the radiation beam 28, otherwise generally known in the art and for analyzing the sample medium 26. , Any of a plurality of radiation sources may be used. Generally and desirably, but not exclusively, the radiation beam 28 is directed from a white light visible light source.

【0039】当業者の理解するところでは、および、図
1に略断面図が示されているファブリーペローフィルタ
装置を操作する状況において、前記放射線ビーム28、
サンプル媒体26並びに、色フィルタエレメント、24
a、24bおよび24cを選択するのに、サンプル媒体
26を分析する際に、波長識別を高めることに加え、こ
れによって精度および感度を高めることも考慮するよう
にする。
It will be understood by those skilled in the art, and in the context of operating a Fabry-Perot filter device, the schematic cross-section of which is shown in FIG.
Sample medium 26 and color filter element 24
In selecting a, 24b, and 24c, in analyzing the sample medium 26, in addition to increasing wavelength discrimination, this also increases accuracy and sensitivity.

【0040】同様に、これも、当業者の理解するところ
では、ただし、図1の前記略断面図の状況において特に
説明されている訳ではないが、図1に略断面図が示され
ているファブリーペローフィルタ装置11は、一般的に
および望ましくは、半導体集積回跿のマイクロ電子製造
製造技術において他の点では通常一般的な、半導体集積
回跿のマイクロ電子製造の方法および材料を用いて、全
体を製造する。こうした半導体集積回跿のマイクロ電子
製造方法は、本発明によるファブリーペローフィルタ装
置において、前記サンプル媒体26などのサンプルを収
容するサンプル閉じ込め構造を、前記ファブリーペロー
フィルタ装置において、製造するために用いてよい。
Similarly, this is also understood by those skilled in the art, although not specifically described in the context of the schematic cross-section of FIG. 1, but shown in FIG. The Fabry-Perot filter device 11 generally and desirably uses methods and materials for microelectronic fabrication of semiconductor integrated circuits, which are otherwise conventional in microelectronic fabrication technology of semiconductor integrated circuits. The whole is manufactured. Such a microelectronic manufacturing method for a semiconductor integrated circuit can be used to manufacture a sample confinement structure containing a sample such as the sample medium 26 in the Fabry-Perot filter device according to the present invention. .

【0041】さらに、本発明の好ましい実施形態では、
色フィルタ層よりも基板の近くにファブリーペローフィ
ルタを組み立てたファブリーペローフィルタ装置という
状況で本発明を誼明しているが、本発明のファブリーペ
ローフィルタ装置では、基板を基準にしたファブリーペ
ローフィルタと色フィルタ層の順序を逆にすることも予
定されている。
Furthermore, in a preferred embodiment of the present invention,
Although the present invention is explained in the context of a Fabry-Perot filter device in which a Fabry-Perot filter is assembled closer to the substrate than the color filter layer, the Fabry-Perot filter device of the present invention is a Fabry-Perot filter based on the substrate and It is also planned to reverse the order of the color filter layers.

【0042】最後に、これも当業者の理解するところで
は、図1の前記略断面図で図示されたファブリーペロー
フィルタ装置11は、干渉測定スペーサ層18が固定寸
法という状況で説明されており、もう一方で、本発明に
よるファブリーペローフィルタ装置を、「背景技術」に
おいて開示されたファブリーペローフィルタ装置による
調整可能な干渉測定特性を提供するように、製造および
組み立てを行ってもよいが、本書では、「背景技術」の
全関連技術がここでも出典別に完全に記載される。
Finally, as will also be understood by those skilled in the art, the Fabry-Perot filter device 11 shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 1 has been described in the context of the interferometric spacer layer 18 having a fixed dimension, On the other hand, a Fabry-Perot filter device according to the present invention may be manufactured and assembled to provide adjustable interferometric characteristics with the Fabry-Perot filter device disclosed in the "Background Art", but in this document Again, all related technologies of the "Background" are fully described here by source.

【0043】[0043]

【実施例】ここで、図2を参照すると、ファブリーペロ
ーフィルタの透過率対波長のグラフが示されているが、
前記ファブリーペローフィルタは、(1)厚み約400
0オングストロームの二酸化シリコン干渉測定スペーサ
層で、その結果、最初の片面上に形成済み、(2)約4
00オングストロームの厚みに形成された最初の銀の部
分反射層で、さらにその結果、もう一方の片面上に形成
済み、(3)約40オングストロームの厚みに形成され
る第2の銀の部分反射層、から構成される。
EXAMPLE Referring now to FIG. 2, there is shown a graph of transmittance versus wavelength for a Fabry Perot filter.
The Fabry-Perot filter has (1) a thickness of about 400
0 Å silicon dioxide interferometric spacer layer, so formed on one side first, (2) about 4
A first silver partially reflective layer formed to a thickness of 00 angstroms, resulting in a second silver partially reflective layer formed to a thickness of about 40 angstroms on the other side. ,,.

【0044】図2のグラフ中に示してあるように、40
0〜700ナノメートルの波長範囲で透過率のピークが
複数あって、サンプルの効率的および高精度の検知およ
び定量化を妨げかねないが、そのサンプルは、図2のグ
ラフに透過率特性が示されたファブリーペローフィルタ
をその中に組み立て済みのファブリーペローフィルタ装
置を用いて分析される。
As shown in the graph of FIG.
Multiple transmittance peaks in the wavelength range of 0-700 nanometers may interfere with efficient and accurate detection and quantification of the sample, but the sample shows a transmittance profile in the graph of Figure 2. The manufactured Fabry-Perot filter is analyzed using the Fabry-Perot filter device assembled therein.

【0045】ここで、図3を参照すると、本発明による
ファブリーペローフィルタ装置において、照射源として
用いてよい一般的な白色光放射源の相対強度対波長のグ
ラフが示されている。
Referring now to FIG. 3, there is shown a graph of relative intensity versus wavelength of a typical white light radiation source that may be used as the illumination source in a Fabry-Perot filter device according to the present invention.

【0046】図3のグラフ中に図示されているように、
前記白色光放射源には、およそ440ナノメートル、5
50ナノメートルおよび625ナノメートルに、主要な
スペクトル放射のピークがあって、サンプルの効率的お
よび高精度の検知および定量化を妨げかねないが、その
サンプルは、図2のグラフに透過率特性が示されたファ
ブリーペローフィルタをその中に組み立て済みのファブ
リーペローフィルタ装置と、図3のグラフ中に放射特性
を示した白色光放射源を用いて分析される。
As illustrated in the graph of FIG.
The white light source has approximately 440 nanometers, 5
The major spectral emission peaks at 50 and 625 nanometers may interfere with efficient and accurate detection and quantification of the sample, but the sample has a transmittance profile in the graph of FIG. The Fabry-Perot filter device having the Fabry-Perot filter shown therein assembled therein and the white light radiation source whose emission characteristics are shown in the graph of FIG. 3 are analyzed.

【0047】ここで、図4を参照すると、本発明による
ファブリーペローフィルタ装置中で用いてよい色フィル
タ層中の一連の色フィルタエレメントの透過率対波長の
グラフが示されており、このとき、前記ファブリーペロ
ーフィルタ装置は、(1)図2のグラフによる透過率特
性のファブリーペローフィルタ、と、(2)図3のグラ
フによる放射特性の白色光放射源、とを用いている。
Referring now to FIG. 4, there is shown a plot of transmittance versus wavelength for a series of color filter elements in a color filter layer that may be used in a Fabry-Perot filter device according to the present invention, where: The Fabry-Perot filter device uses (1) a Fabry-Perot filter having a transmittance characteristic shown in the graph of FIG. 2 and (2) a white light radiation source having a radiation characteristic shown in the graph of FIG.

【0048】図4のグラフ中に図示されているように、
参照番号32に対応する曲線は、青色光の透過率に備え
る色フィルタエレメントに対応する。同様に、参照番号
34に対応する曲線は、緑色光の透過率に備える色フィ
ルタエレメントに対応する。最後に、参照番号36に対
応する曲線は、赤色光の透過率に備える色フィルタエレ
メントに対応する。
As illustrated in the graph of FIG.
The curve corresponding to reference numeral 32 corresponds to the color filter element for blue light transmission. Similarly, the curve corresponding to reference numeral 34 corresponds to the color filter element providing for the transmission of green light. Finally, the curve corresponding to reference numeral 36 corresponds to the color filter element providing for the transmission of red light.

【0049】ここで、図5(A)、図5(B)および図
5(C)を参照すると、図4のグラフに分光特性が示さ
れた個々の色フィルタエレメントによってフィルタリン
グされたことに付随して、図3のグラフから誘導され
た、一連の相対強度対波長のグラフが示されている。
5 (A), 5 (B) and 5 (C), the fact that the graphs of FIG. 4 show the spectral characteristics are filtered by the individual color filter elements. Thus, a series of relative intensity vs. wavelength graphs are shown derived from the graph of FIG.

【0050】図5(A)、図5(B)および図5(C)
のグラフ中に示したように、図3のグラフに従った白色
光放射源の図4のグラフ中に示された分光特性を持つ個
々の色フィルタエレメントによって、フィルタリングを
行うと、図3のグラフ中の複数の主要ピークを個別識別
することに備えられる。このため、そうした色フィルタ
エレメント識別に付随して、図5(A)、図5(B)お
よび図5(C)のグラフで示されたピークについては、
個々のピーク強度をお互いに、より効率的および高精度
に付随する放射強度を決定するように、別々に正規化す
ればよい。同様に、付随する放射強度および特徴を、正
確に決定、分類および正規化することで、本発明による
ファブリーペローフィルタ装置中で分析されるサンプル
のために、サンプルの放射強度および放射特徴や吸収強
度および吸収特徴を、より効率的および高精度に決定で
きる(すなわち、付随する放射特性の定量化又は特徴付
けが不完全になっても、サンプル特性は曖昧化されそう
にはないため、付随する放射特性をより正確に決定すれ
ば、より正確なサンプル特性の決定に備えられる)。
5 (A), 5 (B) and 5 (C)
As shown in the graph of FIG. 3, when filtering is performed by the individual color filter element having the spectral characteristic shown in the graph of FIG. 4 of the white light radiation source according to the graph of FIG. Provision is made for individual identification of multiple major peaks therein. Therefore, the peaks shown in the graphs of FIGS. 5 (A), 5 (B) and 5 (C) associated with such color filter element identification are
The individual peak intensities may be separately normalized with respect to each other to determine the associated radiation intensities more efficiently and accurately. Similarly, by accurately determining, classifying and normalizing the accompanying radiant intensity and characteristics, the radiant intensity and radiative characteristic or absorption intensity of the sample can be determined for the sample to be analyzed in the Fabry-Perot filter device according to the invention. And absorption characteristics can be determined more efficiently and with high accuracy (ie, the incomplete quantification or characterization of the associated emission characteristics does not likely obscure the sample characteristics, and therefore the associated emission characteristics). A more accurate determination of the characteristics provides for more accurate determination of sample characteristics).

【0051】当業者の理解するところでは、本発明の好
ましい実施形態および実施例は、本発明を限定するもの
ではなく、本発明を例証するものである。本発明の好ま
しい実施形態および実施例に準拠したファブリーペロー
フィルタ装置については、それを製造するのに用いる材
料、構造および寸法に対して改訂および変更を施すこと
ができるが、それでも依然として、本発明によるファブ
リーペローフィルタ装置、さらに添付する、特許請求の
範囲に準拠したファブリーペローフィルタ装置を提供す
る。
It will be understood by those skilled in the art that the preferred embodiments and examples of the present invention are illustrative of the present invention rather than limiting of the present invention. The Fabry-Perot filter device according to the preferred embodiments and examples of the invention may be revised and modified with respect to the materials, structures and dimensions used to manufacture it, nevertheless according to the invention. Provided is a Fabry-Perot filter device, and the accompanying, Fabry-Perot filter device.

【0052】本発明の前記目的、特徴および長所は、前
述した「発明の実施の形態」の説明において明らかにさ
れた。「発明の実施の形態」は、添付図面を参照して説
明するが、以下のように、添付図面は本開示の資料部分
にあたる。
The above-mentioned objects, features and advantages of the present invention have been clarified in the explanation of the above-mentioned "Embodiment of the Invention". The "embodiment of the invention" will be described with reference to the accompanying drawings, and the accompanying drawings correspond to the material portion of the present disclosure as follows.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の好ましい実施形態によるファブリーペ
ローフィルタ装置の略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a Fabry-Perot filter device according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】本発明によるファヶリーペローフィルタ装置中
で用いてよい、銀マ二酸化シリコン/銀という構成のフ
ァブリーペローフィルタの、透過率対波長のグラフであ
る。
FIG. 2 is a graph of transmittance versus wavelength for a Fabry-Perot filter of the configuration silver-silicon dioxide / silver that may be used in a Fagally-Perot filter device according to the present invention.

【図3】本発明によるファブリーペローフィルタ装置中
で用いてよい、白色光可視光源の、相対強度対波長のグ
ラフである。
FIG. 3 is a graph of relative intensity versus wavelength of a white light visible light source that may be used in a Fabry-Perot filter device according to the present invention.

【図4】本発明によるファブリーペローフィルタ装置中
の色フィルタ層で用いてよい、一連の色フィルタエレメ
ントの、透過率対波長のグラフである。
FIG. 4 is a graph of transmittance versus wavelength for a series of color filter elements that may be used in a color filter layer in a Fabry-Perot filter device according to the present invention.

【図5】(A)、(B)および(C)は、図3のグラフ
に従った前記ファブリーペロー装置中で用いてよい前期
白色光可視光源の、一連の相対強度対波長のグラフだ
が、これらは、前記ファブリーペロー装置中に、図4の
グラフに従った前記一連の色フィルタを中に形成済みの
前記色フィルタ層を組み込んだ後のものである。
5 (A), (B) and (C) are a series of relative intensity vs. wavelength graphs of early white light visible light sources that may be used in the Fabry-Perot apparatus according to the graph of FIG. These are after incorporating in the Fabry-Perot device the color filter layer having the series of color filters according to the graph of FIG. 4 formed therein.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:半導体基板 11:ファブリーペローフィルタ装置 12:一連の光ダイオード 14、22:スペーサ層 16、20:部分反射層 18:干渉測定スペーサ層 19:ファブリーペローフィルタ 24:色フィルタ層 26:サンプル媒体 28:照射側の放射線ビーム 10: Semiconductor substrate 11: Fabry Perot filter device 12: Series of photodiodes 14, 22: Spacer layer 16, 20: Partial reflective layer 18: Interferometric measurement spacer layer 19: Fabry Perot filter 24: Color filter layer 26: Sample medium 28: Radiation beam on irradiation side

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも2つの光トランスデューサエ
レメントをその中に形成済みの基板と、 前記基板上で組み立てられ、前記少なくとも2つの光ト
ランスデューサエレメントを覆うファブリーペローフィ
ルタであり、透過材料で隔てた1対の部分反射層から構
成される、前記ファブリーペローフィルタと、 これもまた前記基板上で組み立てられ、前記少なくとも
2つの光トランスデューサエレメントを覆う、少なくと
も1つの色フィルタ層であり、前記少なくとも2つの光
トランスデューサエレメント中の個々の光トランスデュ
ーサエレメントに、その色フィルタエレメントの各々が
記録される、色が異なる少なくとも2つの色フィルタエ
レメントから構成される、前記少なくとも1つの色フィ
ルタ層とを備えるファブリーペローフィルタ装置。
1. A pair of Fabry-Perot filters assembled on the substrate and covering the at least two optical transducer elements with a substrate having at least two optical transducer elements formed therein, the pair being separated by a transmissive material. A Fabry-Perot filter comprising at least two partially-reflecting layers of at least one color filter layer, which is also assembled on the substrate and covers the at least two optical transducer elements. A Fabry-Perot fill comprising at least one color filter layer composed of at least two color filter elements of different colors, each color filter element being recorded on an individual light transducer element in the element. Apparatus.
【請求項2】 前記光トランスデューサエレメントが光
エミッタエレメントである、請求項1に記載のファブリ
ーペローフィルタ装置。
2. The Fabry-Perot filter device of claim 1, wherein the light transducer element is a light emitter element.
【請求項3】 前記光トランスデューサエレメントが光
センサエレメントである、請求項1に記載のファブリー
ペローフィルタ装置。
3. The Fabry-Perot filter device according to claim 1, wherein the optical transducer element is an optical sensor element.
【請求項4】 前記基板が半導体基板で、前記光トラン
スデューサエレメントが半導体光センサエレメントであ
る、請求項1に記載のファブリーペローフィルタ装置。
4. The Fabry-Perot filter device according to claim 1, wherein the substrate is a semiconductor substrate, and the optical transducer element is a semiconductor optical sensor element.
【請求項5】 前記1対の部分反射層を固定距離で隔て
る、請求項1に記載のファブリーペローフィルタ装置。
5. The Fabry-Perot filter device according to claim 1, wherein the pair of partially reflective layers are separated by a fixed distance.
【請求項6】 前記1対の部分反射層を可変距離で隔て
る、請求項1に記載のファブリーペローフィルタ装置。
6. The Fabry-Perot filter device of claim 1, wherein the pair of partially reflective layers are separated by a variable distance.
【請求項7】 ファブリーペローフィルタ装置を製造す
る方法において、前記方法が、 少なくとも2つの光トランスデューサエレメントを中に
形成済みの基板を提供するステップと、 ファブリーペローフィルタを、前記基板上で組み立て
て、前記少なくとも2つの光トランスデューサエレメン
トを覆うステップであり、前記ファブリーペローフィル
タを、透過材料で隔てた1対の部分反射層から成る、前
記ステップと、 少なくとも1つの色フィルタ層を、これもまた前記基板
上で組み立てて、前記少なくとも2つの光トランスデュ
ーサエレメントを覆うステップであり、前記少なくとも
1つの色フィルタ層が、色が異なる少なくとも2つの色
フィルタエレメントから成り、前記少なくとも1つの色
フィルタエレメントの各々が、前記少なくとも2つの光
トランスデューサエレメント中の個々の光トランスデュ
ーサエレメントで記録される、前記ステップとを含む方
法。
7. A method of manufacturing a Fabry-Perot filter device, the method comprising: providing a substrate having at least two optical transducer elements formed therein; assembling a Fabry-Perot filter on the substrate; Covering the at least two optical transducer elements, the Fabry-Perot filter comprising a pair of partially reflective layers separated by a transmissive material; and at least one color filter layer, also the substrate. Assembled above, covering said at least two light transducer elements, said at least one color filter layer consisting of at least two color filter elements of different colors, each of said at least one color filter element comprising: At least Also recorded with individual light transducer elements in two light transducer elements.
【請求項8】 前記色光トランスデューサエレメントが
光エミッタエレメントである、請求項7に記載の方法。
8. The method of claim 7, wherein the color light transducer element is a light emitter element.
【請求項9】 前記光トランスデューサエレメントが光
センサエレメントである、請求項7に記載の方法。
9. The method of claim 7, wherein the light transducer element is a light sensor element.
【請求項10】 前記基板が半導体基板で、前記光トラ
ンスデューサエレメントが半導体光センサエレメントで
ある、請求項7に記載の方法。
10. The method of claim 7, wherein the substrate is a semiconductor substrate and the optical transducer element is a semiconductor photosensor element.
【請求項11】 前記1対の部分反射層を固定距離で隔
てる、請求項7に記載の方法。
11. The method of claim 7, wherein the pair of partially reflective layers are separated by a fixed distance.
【請求項12】 前記1対の部分反射層を可変距離で隔
てる、請求項7に記載の方法。
12. The method of claim 7, wherein the pair of partially reflective layers are separated by a variable distance.
【請求項13】 ファヶリーペローフィルタ装置を操作
する方法において、前記方法が、 ファヶリーペローフィルタ装置を提供するステップであ
り、前記装置が、 少なくとも2つの光センサトランスデューサエレメント
をその中に形成済みの基板と、 前記基板上で組み立てられ、前記少なくとも2つの光セ
ンサトランスデューサエレメントを覆うファブリーペロ
ーフィルタであり、透過材料で隔てた1対の部分反射層
から構成される、前記ファブリーペローフィルタと、 これもまた前記基板上で組み立てられ、前記少なくとも
2つの光センサトランスデューサエレメントを覆う、少
なくとも1つの色フィルタ層であり、前記少なくとも2
つの光センサトランスデューサエレメント中の個々の光
センサトランスデューサエレメントに、その色フィルタ
エレメントの各々が記録される、色が異なる少なくとも
2つの色フィルタエレメントから構成される、前記少な
くとも1つの色フィルタ層と、 前記ファブリーペローフィルタ装置および前記少なくと
も1つの色フィルタ層の上に、組み立てられたサンプル
チャンバと、 前記サンプルチャンバ中のサンプルを照射するように配
置された放射源と、 を含む前記ステップと、 前記サンプルを前記サンプルチャンバに導入して、前記
サンプルチャンバ中の前記サンプルを照射するステップ
と、 前記少なくとも2つの光センサトランスデューサエレメ
ント間ま光電効果の差を比較することに基づいて前記サ
ンプルを分析するステップとを含む方法。
13. A method of operating a Fagally-Perot filter device, the method comprising the steps of providing a Fagally-Perot filter device, the device forming at least two photosensor transducer elements therein. A Fabry-Perot filter assembled on said substrate and covering said at least two optical sensor transducer elements, said Fabry-Perot filter comprising a pair of partially reflective layers separated by a transmissive material; This is also at least one color filter layer assembled on said substrate and covering said at least two photosensor transducer elements, said at least two
Said at least one color filter layer consisting of at least two color filter elements of different colors, each color filter element being recorded on an individual photosensor transducer element of one of the photosensor transducer elements; A Fabry-Perot filter device and an assembled sample chamber on the at least one color filter layer; and a radiation source arranged to illuminate the sample in the sample chamber; Introducing into the sample chamber to illuminate the sample in the sample chamber, and analyzing the sample based on comparing differences in photoelectric effect between the at least two photosensor transducer elements. No way.
【請求項14】 前記基板が半導体基板で、前記光セン
サトランスデューサエレメントが半導体光センサトラン
スデューサエレメントである、請求項13に記載の方
法。
14. The method of claim 13, wherein the substrate is a semiconductor substrate and the photosensor transducer element is a semiconductor photosensor transducer element.
【請求項15】 前記1対の部分反射層を固定距離で隔
てる、請求項13記載の方法。
15. The method of claim 13, wherein the pair of partially reflective layers are separated by a fixed distance.
【請求項16】 前記1対の部分反射層を可変距離で隔
てる、請求項13に記載の方法。
16. The method of claim 13, wherein the pair of partially reflective layers are separated by a variable distance.
JP2002062731A 2002-03-07 2002-03-07 Fabry-perot filter apparatus, its manufacturing method, and operating method Pending JP2003270042A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002062731A JP2003270042A (en) 2002-03-07 2002-03-07 Fabry-perot filter apparatus, its manufacturing method, and operating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002062731A JP2003270042A (en) 2002-03-07 2002-03-07 Fabry-perot filter apparatus, its manufacturing method, and operating method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003270042A true JP2003270042A (en) 2003-09-25

Family

ID=29196349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002062731A Pending JP2003270042A (en) 2002-03-07 2002-03-07 Fabry-perot filter apparatus, its manufacturing method, and operating method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003270042A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012070302A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-31 浜松ホトニクス株式会社 Spectroscopic sensor
WO2012070301A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-31 浜松ホトニクス株式会社 Method for producing spectroscopic sensor
JP2016166797A (en) * 2015-03-10 2016-09-15 日置電機株式会社 Light-amount measurement device
CN109959451A (en) * 2017-12-22 2019-07-02 采钰科技股份有限公司 Spectrum detection device and its manufacturing method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012070302A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-31 浜松ホトニクス株式会社 Spectroscopic sensor
WO2012070301A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-31 浜松ホトニクス株式会社 Method for producing spectroscopic sensor
JP2012112723A (en) * 2010-11-22 2012-06-14 Hamamatsu Photonics Kk Method for manufacturing spectroscopic sensor
JP2012112722A (en) * 2010-11-22 2012-06-14 Hamamatsu Photonics Kk Spectroscopic sensor
US8715443B2 (en) 2010-11-22 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method for producing spectroscopic sensor
US8873056B2 (en) 2010-11-22 2014-10-28 Hamamatsu Photonics K.K. Spectroscopic sensor
JP2016166797A (en) * 2015-03-10 2016-09-15 日置電機株式会社 Light-amount measurement device
CN109959451A (en) * 2017-12-22 2019-07-02 采钰科技股份有限公司 Spectrum detection device and its manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6768555B2 (en) Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination
KR102086108B1 (en) Spectroscopic assembly and method
US7466409B2 (en) Method and apparatus for CMOS imagers and spectroscopy
US7524459B2 (en) Optoelectronic and microfluidic integration for miniaturized spectroscopic devices
US7196790B2 (en) Multiple wavelength spectrometer
EP2021748B1 (en) Spectrometer and interferometric method
CN101889346B (en) Image sensor with a spectrum sensor
KR102155486B1 (en) Sensor apparatus and method based on wavelength centroid detection
KR20120030547A (en) Interference filters with high transmission and large rejection range for mini-spectrometer
JP2011504595A (en) Fluorescent biochip diagnostic device
TWI445933B (en) Color detector having area scaled photodetectors
JP2003270042A (en) Fabry-perot filter apparatus, its manufacturing method, and operating method
JP2004219330A (en) Fluorescence measuring apparatus
US11199450B2 (en) Optical sensor and method for detecting electromagnetic radiation
TWI232315B (en) Fabry-Perot filter and the construction method thereof
TWI470195B (en) Color detector
Zhang et al. A compact MEMS-based infrared spectrometer for multi-gases measurement
US20230304861A1 (en) Multi-channel inferometer-based optical sensor
JPH08226854A (en) Dichroic photosensor and radiation thermometer
RU2727560C1 (en) Monolithic sensor of chemical composition of substance
US20230111949A1 (en) Integrated detector on fabry-perot interferometer system
JPS5939618Y2 (en) 2 wavelength photoelectric photometer
JPH02234040A (en) Method for measuring spectral characteristic of color filter and production of color filter
JPH06317472A (en) Fluorescent photometer
JPS6085339A (en) Hue selecting device of light emitting element

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20040803

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050111