JP2003258513A - 90-degree hybrid of plane circuit shape - Google Patents

90-degree hybrid of plane circuit shape

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JP2003258513A
JP2003258513A JP2002059093A JP2002059093A JP2003258513A JP 2003258513 A JP2003258513 A JP 2003258513A JP 2002059093 A JP2002059093 A JP 2002059093A JP 2002059093 A JP2002059093 A JP 2002059093A JP 2003258513 A JP2003258513 A JP 2003258513A
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metal film
degree hybrid
circuit type
shape
shaped slit
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Application number
JP2002059093A
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Japanese (ja)
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Yukio Ikeda
幸夫 池田
Kazutomi Mori
一富 森
Kazuhisa Yamauchi
和久 山内
Koji Yamanaka
宏治 山中
Hiroshi Otsuka
浩志 大塚
Osami Ishida
修己 石田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized 90-degree hybrid of plane circuit shape. <P>SOLUTION: The hybrid includes: a metallic film 7 configuring a center conductor clamped in a dielectric body 1 or a microstrip conductor on the surface of the dielectric body; an X-shaped slit 9 placed in the inside of the metallic film; and four terminals 3, 4, 5, 6 placed at an outer circumferential part of the metallic film, the metallic film is shaped to be rectangle, circular, elliptic, an axis symmetry shape or an optional shape, and the X-shaped slit is formed such that two optionally shaped slits are crossed with each other. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、小型の平面回路
形90度ハイブリッドに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a compact plane circuit type 90-degree hybrid.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は、例えば、電子情報通信学会マイ
クロ波研究会の信学技報MW90−11、「方形平面回
路を利用した90度ハイブリッドの検討」に示された従
来の90度ハイブリッドの構成図であり、図において、
1は誘電体基板であり、2は接地金属膜である。3は第
1の端子であり、4は第2の端子であり、5は第3の端
子であり、6は第4の端子である。7は方形金属膜であ
り、8は容量性スタブである。ここで、方形金属膜7の
寸法、容量性スタブ8の寸法、および第1の端子3、第
2の端子4、第3の端子5、第4の端子6の取付け位置
は、電磁界解析により、整合条件と等電力分配条件を満
足するように決定されている。
2. Description of the Related Art FIG. 8 is a conventional 90-degree hybrid shown in, for example, "Technical report MW90-11 of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Microwave Research Group," Study of 90-degree hybrid using rectangular plane circuit ". It is a configuration diagram of, in the figure,
Reference numeral 1 is a dielectric substrate, and 2 is a ground metal film. Reference numeral 3 is a first terminal, 4 is a second terminal, 5 is a third terminal, and 6 is a fourth terminal. Reference numeral 7 is a square metal film, and 8 is a capacitive stub. Here, the dimensions of the rectangular metal film 7, the dimensions of the capacitive stub 8, and the mounting positions of the first terminal 3, the second terminal 4, the third terminal 5, and the fourth terminal 6 are determined by electromagnetic field analysis. , The matching condition and the equal power distribution condition are satisfied.

【0003】次に、動作について説明する。第2の端子
4を無反射終端として、第1の端子3から信号が入力さ
れる。すると、第3の端子5及び第4の端子6には等振
幅で位相が90度異なる信号が出力される。
Next, the operation will be described. A signal is input from the first terminal 3 with the second terminal 4 serving as a reflectionless termination. Then, signals having the same amplitude but different phases by 90 degrees are output to the third terminal 5 and the fourth terminal 6.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の平面回路形90
度ハイブリッドは、以上のように構成されているので、
図8中のaが0.30波長相当寸法となり、回路が大型
化するという課題があった。
Conventional planar circuit type 90
Since the degree hybrid is configured as above,
There is a problem in that a in FIG. 8 has a size corresponding to 0.30 wavelength and the circuit becomes large.

【0005】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、小型の平面回路形90度ハイブリ
ッドを得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a small-sized plane circuit type 90-degree hybrid.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明に係る平面回路
形90度ハイブリッドは、誘電体に挟まれた中心導体又
は誘電体表面のマイクロストリップ導体を構成する金属
膜と、金属膜の内部に設けられたX形スリットと、金属
膜の外周部に設けられた4つの端子とを有するものであ
る。
A planar circuit type 90-degree hybrid according to the present invention is provided inside a metal film and a metal film which constitutes a central conductor sandwiched between dielectrics or a microstrip conductor on the surface of the dielectric. The X-shaped slit is provided and four terminals are provided on the outer peripheral portion of the metal film.

【0007】この発明に係る平面回路形90度ハイブリ
ッドは、金属膜が方形形状を有するものである。
In the planar circuit 90-degree hybrid according to the present invention, the metal film has a rectangular shape.

【0008】この発明に係る平面回路形90度ハイブリ
ッドは、金属膜が円形又は楕円形形状を有するものであ
る。
In the plane circuit type 90-degree hybrid according to the present invention, the metal film has a circular or elliptical shape.

【0009】この発明に係る平面回路形90度ハイブリ
ッドは、金属膜が軸対称な形状を有するものである。
In the planar circuit type 90-degree hybrid according to the present invention, the metal film has an axially symmetrical shape.

【0010】この発明に係る平面回路形90度ハイブリ
ッドは、金属膜が任意形状を有するものである。
In the plane circuit type 90-degree hybrid according to the present invention, the metal film has an arbitrary shape.

【0011】この発明に係る平面回路形90度ハイブリ
ッドは、X形のスリットが任意形状の2つのスリットが
相互に交差する形状を有するものである。
In the plane circuit type 90-degree hybrid according to the present invention, the X-shaped slit has a shape in which two slits having an arbitrary shape intersect with each other.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1の平面
回路形90度ハイブリッドの構成図であり、図1におい
て、1は誘電体基板であり、2は接地金属膜である。3
は第1の端子であり、4は第2の端子であり、5は第3
の端子であり、6は第4の端子である。7は方形金属膜
であり、9はX形スリットである。この発明の平面回路
形90度ハイブリッドは線A−A’と線B−B’に対し
て2重対称構造である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1. 1 is a configuration diagram of a planar circuit type 90-degree hybrid according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, 1 is a dielectric substrate and 2 is a ground metal film. Three
Is a first terminal, 4 is a second terminal, and 5 is a third terminal.
, And 6 is a fourth terminal. Reference numeral 7 is a rectangular metal film, and 9 is an X-shaped slit. The plane circuit type 90-degree hybrid of the present invention has a double symmetric structure with respect to the line AA 'and the line BB'.

【0013】次に動作について説明する。この回路に偶
モード・奇モード解析法を適用すれば、図1の線A−
A’および線B−B’が開放面あるいは短絡面になる。
図1の線A−Oおよび線B−Oで囲まれる1/4平面回
路の反射係数をΓαβとすると、入力端子を第1の端子
3、アイソレーション端子を第2の端子4とするハイブ
リッドは次の条件が満足されるときに得られる。
Next, the operation will be described. If the even mode / odd mode analysis method is applied to this circuit, the line A- in FIG.
A'and the line BB 'are open or short-circuited faces.
Assuming that the reflection coefficient of the 1/4 plane circuit surrounded by the line A-O and the line B-O in FIG. 1 is Γαβ, a hybrid having the first terminal 3 as the input terminal and the second terminal 4 as the isolation terminal is Obtained when the following conditions are met:

【0014】Γoo=−Γso (式1) Γos=−Γss (式2) Γos−Γoo=π/2 (式3) ここで、添字αは線A−Oの境界条件を示し、添字βは
線B−Oの境界条件を示していて、αおよびβがoのと
きは開放条件を表し、αおよびβがsのときは短絡条件
を表す。
Γoo = −Γso (Equation 1) Γos = −Γss (Equation 2) Γos−Γoo = π / 2 (Equation 3) where the subscript α indicates the boundary condition of the line AO and the subscript β indicates the line. The boundary condition of B-O is shown. When α and β are o, they represent an open condition, and when α and β are s, they represent a short circuit condition.

【0015】図8に示す従来の平面形90度ハイブリッ
ドにおけるように、1/4平面回路にスリットが無く、
回路の大きさが波長に比べて小さい場合には、∠Γoo
と∠Γssの差は大きいが、∠Γso、∠Γos、∠Γ
ss間の差は入力端子の近傍が短絡されるために小さく
なる。このため、従来の平面形90度ハイブリッドにお
いては、ハイブリッド特性を得るには、中心周波数にお
いてaが約0.30波長相当寸法必要であった。
As in the conventional planar 90 degree hybrid shown in FIG. 8, there is no slit in the 1/4 planar circuit,
If the size of the circuit is smaller than the wavelength, ∠Γoo
And ∠Γss are large, ∠Γso, ∠Γos, ∠Γ
The difference between ss becomes small because the vicinity of the input terminal is short-circuited. For this reason, in the conventional planar 90-degree hybrid, in order to obtain the hybrid characteristics, the dimension a needs to be about 0.30 wavelength at the center frequency.

【0016】図2はX形スリット9の反射係数の位相に
およぼす影響を示すグラフである。図2では、横軸が周
波数(GHz)を表し、縦軸が位相差(度)を表してい
る。図2には6GHz帯でのシミュレーション結果が示
されている。図2において、符号∠Γαβ|slitは
X形スリット9を設けた場合の位相を示し、符号∠Γα
βはX形スリット9を設けない場合の位相を示す。図2
のθは対角線C−C’とX形スリット9の一辺がなす角
度を表している。
FIG. 2 is a graph showing the influence of the reflection coefficient of the X-shaped slit 9 on the phase. In FIG. 2, the horizontal axis represents frequency (GHz) and the vertical axis represents phase difference (degree). FIG. 2 shows a simulation result in the 6 GHz band. In FIG. 2, the symbol ∠Γαβ | slit indicates the phase when the X-shaped slit 9 is provided, and the symbol ∠Γαα
β indicates the phase when the X-shaped slit 9 is not provided. Figure 2
Represents the angle formed by the diagonal line CC ′ and one side of the X-shaped slit 9.

【0017】回路はa=b=8.75mm、d=1.5
3mm、比誘電率εr=2.53である。図2に示すよ
うに、X形スリット9の∠Γoo、∠Γssにおよぼす
影響は小さいが、∠Γso、∠Γosへの影響は大き
い。このため、この発明の平面形90度ハイブリッドに
おいては、小さいaおよびbで、(式3)を満足するこ
とができる。
The circuit has a = b = 8.75 mm and d = 1.5.
3 mm, relative permittivity εr = 2.53. As shown in FIG. 2, the influence of the X-shaped slit 9 on ∠Γoo and ∠Γss is small, but the influence on ∠Γso and ∠Γos is large. Therefore, the planar 90-degree hybrid of the present invention can satisfy (Equation 3) with small a and b.

【0018】図3は、試作したこの発明の平面形90度
ハイブリッドのSパラメータを示す図である。図3にお
いて、S11は端子3における反射を表し、S21は端
子3から端子4への通過を表し、S31は端子3から端
子5への通過を表し、S41は端子3から端子6への通
過を表している。
FIG. 3 is a diagram showing S-parameters of the prototype 90 ° hybrid according to the present invention. In FIG. 3, S 11 represents the reflection at the terminal 3, S 21 represents the passage from the terminal 3 to the terminal 4, S 31 represents the passage from the terminal 3 to the terminal 5, and S 41 represents the terminal 3 to the terminal 6. Represents the passage to.

【0019】a=7.2mm、b=6mm、l=4.7
mm、w=0.5mm、d=1.53mm、εr=2.
53としている。図3において、実線は測定値、破線は
計算値を表している。実験値と計算値は良く一致してい
る。aは0.22波長相当寸法で、従来の平面90度ハ
イブリッドと比較して、約1/2の面積である。
A = 7.2 mm, b = 6 mm, l = 4.7
mm, w = 0.5 mm, d = 1.53 mm, εr = 2.
53. In FIG. 3, the solid line represents the measured value and the broken line represents the calculated value. The experimental and calculated values are in good agreement. a is a dimension corresponding to 0.22 wavelength, which is about half the area of the conventional plane 90-degree hybrid.

【0020】以上のように、この実施の形態1の平面回
路形90度ハイブリッドは、誘電体1に挟まれた中心導
体又は誘電体表面のマイクロストリップ導体を構成する
金属膜7と、金属膜の内部に設けられたX形スリット9
と、金属膜の外周部に設けられた4つの端子3,4,
5,6とを有し、金属膜7が方形形状を有するものであ
る。
As described above, the planar circuit type 90-degree hybrid according to the first embodiment includes the metal film 7 forming the central conductor sandwiched between the dielectrics 1 or the microstrip conductor on the surface of the dielectric, and the metal film. X-shaped slit 9 provided inside
And four terminals 3, 4, provided on the outer periphery of the metal film.
5 and 6, and the metal film 7 has a rectangular shape.

【0021】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、方形形状の金属膜の内部にX形スリットを設けるよ
うに構成したので、反射係数に影響をおよぼして金属膜
の寸法を小さくでき、小型の平面回路形90度ハイブリ
ッドを実現することができる効果が得られる。
As described above, according to the first embodiment, since the X-shaped slit is provided inside the rectangular metal film, the reflection coefficient is affected and the size of the metal film can be reduced. It is possible to obtain the effect of realizing a small plane circuit type 90-degree hybrid.

【0022】実施の形態2.図4は、この発明の実施の
形態2の平面回路形90度ハイブリッドの構成図であ
り、図4において、10は円形又は楕円形の金属膜であ
る。金属膜10の形状を、図1に示す実施の形態1の平
面回路形90度ハイブリッドの金属膜7の方形から円形
又は楕円形に変えていること以外、図1と同様の符号は
同様の構成要素を示す。
Embodiment 2. 4 is a configuration diagram of a planar circuit type 90-degree hybrid according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 4, 10 is a circular or elliptical metal film. 1 has the same configuration as that of FIG. 1 except that the shape of the metal film 10 is changed from the rectangular shape of the planar circuit 90-degree hybrid metal film 7 of Embodiment 1 shown in FIG. 1 to a circular shape or an elliptical shape. Indicates an element.

【0023】次に動作について説明する。この実施の形
態2の平面回路形90度ハイブリッドにおいても、X形
スリット9は第1の実施の形態の場合と同様に動作す
る。
Next, the operation will be described. Also in the planar circuit type 90-degree hybrid of the second embodiment, the X-shaped slit 9 operates similarly to the case of the first embodiment.

【0024】以上のように、この実施の形態2の平面回
路形90度ハイブリッドは、誘電体1に挟まれた中心導
体又は誘電体表面のマイクロストリップ導体を構成する
金属膜10と、金属膜の内部に設けられたX形スリット
9と、金属膜の外周部に設けられた4つの端子3,4,
5,6とを有し、金属膜10が円形又は楕円形形状を有
するものである。
As described above, in the planar circuit type 90-degree hybrid of the second embodiment, the metal film 10 constituting the central conductor sandwiched between the dielectrics 1 or the microstrip conductor on the surface of the dielectric and the metal film 10 are formed. The X-shaped slit 9 provided inside and the four terminals 3, 4, provided on the outer peripheral portion of the metal film.
5 and 6, the metal film 10 has a circular or elliptical shape.

【0025】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、円形または楕円形形状の金属膜の内部にX形スリッ
トを設けるように構成したので、反射係数に影響をおよ
ぼして金属膜の寸法を小さくでき、小型の平面回路形9
0度ハイブリッドを実現することができる効果が得られ
る。
As described above, according to the second embodiment, since the X-shaped slit is provided inside the circular or elliptical metal film, the reflection coefficient is affected and the size of the metal film is affected. Can be made smaller, and is a compact planar circuit type 9
The effect that a 0-degree hybrid can be realized is obtained.

【0026】実施の形態3.図5は、この発明の実施の
形態3の平面回路形90度ハイブリッドの構成図であ
り、図5において、11は線B−B’に関して軸対象の
形状の金属膜である。金属膜11の形状を、図1に示す
実施の形態1の平面回路形90度ハイブリッドの金属膜
7の方形から軸対象で任意形状としていること以外、図
1と同様の符号は同様の構成要素を示す。
Embodiment 3. FIG. 5 is a configuration diagram of a planar circuit type 90-degree hybrid according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 5, 11 is a metal film having an axially symmetric shape with respect to line BB ′. 1 is the same as that of FIG. 1 except that the shape of the metal film 11 is changed from the rectangular shape of the metal film 7 of the plane circuit type 90-degree hybrid of the first embodiment shown in FIG. Indicates.

【0027】次に動作について説明する。この実施の形
態3の平面回路形90度ハイブリッドにおいても、X形
スリット9は第1の実施の形態の場合と同様に動作す
る。
Next, the operation will be described. Also in the planar circuit 90-degree hybrid of the third embodiment, the X-shaped slit 9 operates similarly to the case of the first embodiment.

【0028】以上のように、この実施の形態3の平面回
路形90度ハイブリッドは、誘電体1に挟まれた中心導
体又は誘電体表面のマイクロストリップ導体を構成する
金属膜11と、金属膜の内部に設けられたX形スリット
9と、金属膜の外周部に設けられた4つの端子3,4,
5,6とを有し、金属膜11が軸対称な形状を有するも
のである。
As described above, in the planar circuit type 90-degree hybrid of the third embodiment, the metal film 11 constituting the central conductor sandwiched between the dielectrics 1 or the microstrip conductor on the surface of the dielectric and the metal film 11 are formed. The X-shaped slit 9 provided inside and the four terminals 3, 4, provided on the outer peripheral portion of the metal film.
5 and 6, the metal film 11 has an axially symmetric shape.

【0029】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、軸対象の形状の金属膜の内部にX形スリットを設け
るように構成したので、反射係数に影響をおよぼして金
属膜の寸法を小さくでき、小型の平面回路形90度ハイ
ブリッドを実現することができる効果が得られる。
As described above, according to the third embodiment, since the X-shaped slit is provided inside the metal film having the axially symmetrical shape, the size of the metal film is affected by affecting the reflection coefficient. The effect that it can be made small and a small plane circuit type 90-degree hybrid can be realized is obtained.

【0030】実施の形態4.図6は、この発明の実施の
形態4の平面回路形90度ハイブリッドの構成図であ
り、図6において、12は任意形状の金属膜である。金
属膜12の形状を図1に示す実施の形態1の平面回路形
90度ハイブリッドの金属膜7の方形から任意形状とし
ていること以外、図1と同様の符号は同様の構成要素を
示す。
Fourth Embodiment 6 is a configuration diagram of a planar circuit type 90-degree hybrid according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 6, reference numeral 12 is a metal film having an arbitrary shape. The same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same components except that the shape of the metal film 12 is changed from the rectangular shape of the metal film 7 of the plane circuit type 90-degree hybrid of the first embodiment shown in FIG.

【0031】次に動作について説明する。この実施の形
態4の平面回路形90度ハイブリッドにおいても、X形
スリット9は第1の実施の形態の場合と同様に動作す
る。
Next, the operation will be described. Also in the planar circuit 90-degree hybrid of the fourth embodiment, the X-shaped slit 9 operates similarly to the case of the first embodiment.

【0032】以上のように、この実施の形態4の平面回
路形90度ハイブリッドは、誘電体1に挟まれた中心導
体又は誘電体表面のマイクロストリップ導体を構成する
金属膜12と、金属膜の内部に設けられたX形スリット
9と、金属膜の外周部に設けられた4つの端子3,4,
5,6とを有し、金属膜12が任意形状を有するもので
ある。
As described above, in the planar circuit type 90-degree hybrid of the fourth embodiment, the metal film 12 constituting the central conductor sandwiched between the dielectrics 1 or the microstrip conductor on the surface of the dielectric and the metal film 12 are formed. The X-shaped slit 9 provided inside and the four terminals 3, 4, provided on the outer peripheral portion of the metal film.
5 and 6, the metal film 12 has an arbitrary shape.

【0033】以上のように、この実施の形態4によれ
ば、任意形状の金属膜の内部にX形スリットを設けるよ
うに構成したので、反射係数に影響をおよぼして金属膜
の寸法を小さくでき、小型の平面回路形90度ハイブリ
ッドを実現することができる効果が得られる。
As described above, according to the fourth embodiment, since the X-shaped slit is provided inside the metal film having an arbitrary shape, the size of the metal film can be reduced by affecting the reflection coefficient. It is possible to obtain the effect of realizing a small plane circuit type 90-degree hybrid.

【0034】実施の形態5.図7は、この発明の実施の
形態5の平面回路形90度ハイブリッドに用いるX形ス
リット9の構成図である。図7では、(a)、(b)、
(c)、(d)、(e)、(f)の6種類の構成例を示
している。X形スリット9は、2つのスリットが交差す
る構造であれば、任意の形状で良く、水平、垂直軸に対
する対称性が崩れても良い。
Embodiment 5. FIG. 7 is a configuration diagram of an X-shaped slit 9 used in the planar circuit type 90-degree hybrid according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 7, (a), (b),
Six types of configuration examples of (c), (d), (e), and (f) are shown. The X-shaped slit 9 may have any shape as long as the two slits intersect each other, and the symmetry with respect to the horizontal and vertical axes may be broken.

【0035】次に動作について説明する。この実施の形
態5の平面回路形90度ハイブリッドにおいても、X形
スリット9は第1の実施の形態の場合と同様に動作す
る。
Next, the operation will be described. Also in the planar circuit type 90-degree hybrid of the fifth embodiment, the X-shaped slit 9 operates similarly to the case of the first embodiment.

【0036】この実施の形態5のX形スリット9を任意
形状の金属膜12に設ける場合には、任意形状の金属膜
12とX形スリット9と4つの端子の取付け位置及び形
状を最適化するにことより、等振幅で90度位相差の分
配条件を実現する。
When the X-shaped slit 9 of the fifth embodiment is provided on the metal film 12 having an arbitrary shape, the mounting positions and shapes of the metal film 12 having the arbitrary shape, the X-shaped slit 9 and the four terminals are optimized. Therefore, the distribution condition of equal amplitude and 90 ° phase difference is realized.

【0037】以上のように、この実施の形態5の平面回
路形90度ハイブリッドは、誘電体1に挟まれた中心導
体又は誘電体表面のマイクロストリップ導体を構成する
金属膜7/10/11/12と、金属膜の内部に設けら
れたX形スリット9と、金属膜の外周部に設けられた4
つの端子3,4,5,6とを有するものである。
As described above, in the planar circuit type 90-degree hybrid of the fifth embodiment, the metal film 7/10/11 / which constitutes the central conductor sandwiched between the dielectrics 1 or the microstrip conductor on the surface of the dielectric 7/10/11 / 12, X-shaped slits 9 provided inside the metal film, and 4 provided on the outer periphery of the metal film.
It has three terminals 3, 4, 5, and 6.

【0038】この実施の形態5の平面回路形90度ハイ
ブリッドは、金属膜7が方形形状を有するものである。
In the planar circuit type 90-degree hybrid of the fifth embodiment, the metal film 7 has a rectangular shape.

【0039】この実施の形態5の平面回路形90度ハイ
ブリッドは、金属膜10が円形又は楕円形形状を有する
ものである。
In the planar circuit type 90-degree hybrid of the fifth embodiment, the metal film 10 has a circular or elliptical shape.

【0040】この実施の形態5の平面回路形90度ハイ
ブリッドは、金属膜11が軸対称な形状を有するもので
ある。
In the planar circuit type 90-degree hybrid of the fifth embodiment, the metal film 11 has an axially symmetrical shape.

【0041】この実施の形態5の平面回路形90度ハイ
ブリッドは、金属膜12が任意形状を有するものであ
る。
In the flat circuit type 90-degree hybrid of the fifth embodiment, the metal film 12 has an arbitrary shape.

【0042】この実施の形態5の平面回路形90度ハイ
ブリッドは、X形スリット9が任意形状の2つのスリッ
トが相互に交差する形状を有するものである。
In the planar circuit type 90-degree hybrid of the fifth embodiment, the X-shaped slit 9 has a shape in which two slits having an arbitrary shape intersect with each other.

【0043】以上のように、この実施の形態5によれ
ば、金属膜の内部に任意形状の2つのスリットが相互に
交差する形状を有するX形スリットを設けるように構成
したので、反射係数に影響をおよぼして金属膜の寸法を
小さくでき、小型の平面回路形90度ハイブリッドを実
現することができる効果が得られる。
As described above, according to the fifth embodiment, the X-shaped slit having a shape in which two slits having an arbitrary shape intersect with each other is provided inside the metal film, so that the reflection coefficient is improved. As a result, the size of the metal film can be reduced, and a small planar circuit type 90-degree hybrid can be realized.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、金属
膜の内部にX形スリットを設けるように構成したので、
反射係数に影響をおよぼして金属膜の寸法を小さくで
き、小型の平面回路形90度ハイブリッドを実現するこ
とができる効果がある。
As described above, according to the present invention, since the X-shaped slit is provided inside the metal film,
There is an effect that the size of the metal film can be reduced by influencing the reflection coefficient and a small plane circuit type 90 degree hybrid can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1の平面回路形90度
ハイブリッドの構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a plane circuit type 90-degree hybrid according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 X形スリットの反射係数の位相におよぼす影
響を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the influence of the reflection coefficient of an X-shaped slit on the phase.

【図3】 試作したこの発明の平面形90度ハイブリッ
ドのSパラメータを示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing S parameters of a prototype 90 ° hybrid according to the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態2の平面回路形90度
ハイブリッドの構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a plane circuit type 90-degree hybrid according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態3の平面回路形90度
ハイブリッドの構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a plane circuit type 90-degree hybrid according to a third embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態4の平面回路形90度
ハイブリッドの構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a plane circuit type 90-degree hybrid according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】 この発明の実施の形態5の平面回路形90度
ハイブリッドに用いるX形スリットの構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram of an X-shaped slit used in a planar circuit type 90-degree hybrid according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】 従来の90度ハイブリッドの構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of a conventional 90-degree hybrid.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体基板、2 接地金属膜、3 第1の端子、4
第2の端子、5 第3の端子、6 第4の端子、7
方形金属膜、8 容量性スタブ、9 X形スリット、1
0 円形又は楕円形の金属膜、11 軸対象の形状の金
属膜、12 任意形状の金属膜。
1 Dielectric Substrate, 2 Ground Metal Film, 3 First Terminal, 4
2nd terminal, 5 3rd terminal, 6 4th terminal, 7
Square metal film, 8 capacitive stubs, 9 X-shaped slits, 1
0 circular or elliptical metal film, 11 metal film of symmetrical shape, 12 metal film of arbitrary shape.

フロントページの続き (72)発明者 山内 和久 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山中 宏治 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 大塚 浩志 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 石田 修己 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内Continued front page    (72) Inventor Kazuhisa Yamauchi             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Koji Yamanaka             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Otsuka             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor, Shuji Ishida             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トリプレート又はマイクロストリップ構
造の平面回路形90度ハイブリッドにおいて、 誘電体に挟まれた中心導体又は誘電体表面のマイクロス
トリップ導体を構成する金属膜と、 上記金属膜の内部に設けられたX形スリットと、 上記金属膜の外周部に設けられた4つの端子とを有する
ことを特徴とする平面回路形90度ハイブリッド。
1. In a planar circuit type 90-degree hybrid having a triplate or microstrip structure, a metal film constituting a central conductor sandwiched between dielectrics or a microstrip conductor on the surface of the dielectric, and provided inside the metal film. A planar circuit type 90-degree hybrid having an X-shaped slit formed therein and four terminals provided on the outer peripheral portion of the metal film.
【請求項2】 金属膜が方形形状を有することを特徴と
する請求項1記載の平面回路形90度ハイブリッド。
2. The plane circuit type 90-degree hybrid according to claim 1, wherein the metal film has a rectangular shape.
【請求項3】 金属膜が円形又は楕円形形状を有するこ
とを特徴とする請求項1記載の平面回路形90度ハイブ
リッド。
3. The planar circuit type 90-degree hybrid according to claim 1, wherein the metal film has a circular or elliptical shape.
【請求項4】 金属膜が軸対称な形状を有することを特
徴とする請求項1記載の平面回路形90度ハイブリッ
ド。
4. The plane circuit type 90-degree hybrid according to claim 1, wherein the metal film has an axially symmetric shape.
【請求項5】 金属膜が任意形状を有することを特徴と
する請求項1記載の平面回路形90度ハイブリッド。
5. The planar circuit type 90-degree hybrid according to claim 1, wherein the metal film has an arbitrary shape.
【請求項6】 X形のスリットが任意形状の2つのスリ
ットが相互に交差する形状を有することを特徴とする請
求項2から請求項5のうちのいずれか1項記載の平面回
路形90度ハイブリッド。
6. The planar circuit type 90 degrees according to claim 2, wherein the X-shaped slit has a shape in which two slits having an arbitrary shape intersect with each other. hybrid.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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