JP2003255377A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2003255377A
JP2003255377A JP2002058902A JP2002058902A JP2003255377A JP 2003255377 A JP2003255377 A JP 2003255377A JP 2002058902 A JP2002058902 A JP 2002058902A JP 2002058902 A JP2002058902 A JP 2002058902A JP 2003255377 A JP2003255377 A JP 2003255377A
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Kazuhiro Inoue
和弘 井上
Shinji Ogawa
真司 小川
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve quality of a reflection type and a semi-transmission type LCD (liquid crystal display). <P>SOLUTION: In a display device, TFTs (thin film transistors) 110 which are the switching elements provided for every pixel are formed on a first substrate 100 and a base material film 50 whose work function is similar to that of the transparent electrode 250 of a second substrate 200 and which consists of IZO (Indium Zinc Oxide), ITO (Indium Tin Oxide), Mo (Molybdenum) and the like is connected to each TFT 110 and a reflecting electrode 44 which reflects rays of light entering from the side of the second substrate 200 is formed on the material film 50. A liquid crystal layer 300 is AC driven with satisfactory symmetry by a transparent electrode 250 and the reflecting electrode 44 whose electric characteristic is adjusted while providing a plurality of minute opening parts 46 in the reflection electrode 44 and exerting the influence of the electric characteristic of the base material film 50 on the surface of the electrode 44 with these opening parts 46. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射機能を備えた
反射型あるいは半透過型表示装置などに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective or semi-transmissive display device having a reflective function.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置(以下LCDという)は薄
型で低消費電力であるという特徴を備え、現在、コンピ
ュータモニターや、携帯情報機器などのモニターとして
広く用いられている。このようなLCDは、一対の基板
間に液晶が封入され、それぞれの基板に形成され電極に
よって間に位置する液晶の配向を制御することで表示を
行うものであり、CRT(陰極線管)ディスプレイや、
エレクトロルミネッセンス(以下、EL)ディスプレイ
等と異なり、原理上自ら発光しないため、観察者に対し
て画像を表示するには光源を必要とする。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device (hereinafter referred to as LCD) has a feature that it is thin and has low power consumption, and is currently widely used as a monitor for computer monitors and portable information equipment. In such an LCD, liquid crystal is sealed between a pair of substrates, and the display is performed by controlling the orientation of the liquid crystal that is formed between the substrates and is positioned between the electrodes by a CRT (cathode ray tube) display or ,
In principle, unlike an electroluminescence (EL) display and the like, it does not emit light by itself, and thus requires a light source to display an image to an observer.

【0003】そこで、透過型LCDでは、各基板に形成
する電極として透明電極を採用し、液晶表示パネルの後
方や側方に光源を配置し、この光源光の透過量を液晶パ
ネルで制御することで周囲が暗くても明るい表示ができ
る。しかし、常に光源を点灯させて表示を行うため、光
源による電力消費が避けられないこと、また昼間の屋外
のように外光が非常に強い環境下では、十分なコントラ
ストが確保できないという特性がある。
Therefore, in a transmissive LCD, a transparent electrode is used as an electrode formed on each substrate, a light source is arranged at the back or side of the liquid crystal display panel, and the amount of light transmitted from this light source is controlled by the liquid crystal panel. Even if the surroundings are dark, bright display is possible. However, since the light source is always turned on for display, power consumption by the light source is unavoidable, and sufficient contrast cannot be ensured in an environment where outside light is extremely strong such as outdoors during the day. .

【0004】一方、反射型LCDでは、太陽や室内灯等
の外光を光源として採用し、液晶パネルに入射するこれ
らの周囲光を、非観察面側の基板に形成した反射電極に
よって反射する。そして、液晶層に入射し反射電極で反
射された光の液晶パネルからの射出光量を画素ごとに制
御することで表示を行う。このように反射型LCDは、
光源として外光を採用するため、外光がないと表示が見
えないが、透過型LCDと異なり光源による電力消費が
なく非常に低消費電力であり、また屋外など周囲が明る
いと十分なコントラストが得られる。しかし、この反射
型LCDは、従来においては、色再現性や表示輝度など
一般的な表示品質の点で透過型と比較すると不十分であ
るという課題があった。
On the other hand, in the reflection type LCD, external light such as the sun or room light is used as a light source, and ambient light incident on the liquid crystal panel is reflected by a reflective electrode formed on the substrate on the non-observation surface side. Then, display is performed by controlling, for each pixel, the amount of light emitted from the liquid crystal panel that is incident on the liquid crystal layer and reflected by the reflective electrode. In this way, the reflective LCD is
Since external light is used as the light source, the display cannot be seen without external light, but unlike a transmissive LCD, it does not consume power from the light source and has very low power consumption. can get. However, this reflective LCD has a problem that it is insufficient in comparison with a transmissive LCD in terms of general display quality such as color reproducibility and display brightness.

【0005】他方で、機器の低消費電力化に対する要求
が一段と強まる状況下では透過型LCDよりも消費電力
の小さい反射型LCDは有利であるため、携帯機器の高
精細モニター用途などへの採用が試みられており、表示
品質の向上のための研究開発が行われている。
On the other hand, in a situation where the demand for lower power consumption of devices is further increased, the reflective LCD, which consumes less power than the transmissive LCD, is advantageous. Therefore, the reflective LCD is suitable for use in high-definition monitors of portable devices. This is being attempted, and research and development for improving display quality are being conducted.

【0006】図5は、各画素ごとに薄膜トランジスタ
(TFT:Thin Film Transistor)を備えた従来のアク
ティブマトリクス型の反射型LCDの1画素あたりの平
面構造(第1基板側)を示し、図6は、この図5のC−
C線に沿った位置での反射型LCDの概略断面構造を示
している。
FIG. 5 shows a plane structure (first substrate side) per pixel of a conventional active matrix type reflective LCD having a thin film transistor (TFT) for each pixel, and FIG. , C- of this FIG.
The schematic cross-sectional structure of the reflective LCD at a position along the line C is shown.

【0007】反射型LCDは所定ギャップ隔てて貼り合
わされた第1基板100と第2基板200との間に液晶
層300が封入されて構成されている。第1及び第2基
板100及び200としてはガラス基板やプラスチック
基板などが用いられ、少なくともこの例では、観察面側
に配置される第2基板200には透明基板が採用されて
いる。
The reflective LCD is constructed by enclosing a liquid crystal layer 300 between a first substrate 100 and a second substrate 200 which are attached to each other with a predetermined gap. A glass substrate, a plastic substrate, or the like is used as the first and second substrates 100 and 200. In at least this example, a transparent substrate is used as the second substrate 200 arranged on the observation surface side.

【0008】第1電極100の液晶側の面には、各画素
ごとにTFT110が形成されている。このTFT11
0の能動層120の例えばドレイン領域には、層間絶縁
膜134に形成されたコンタクトホールを介して各画素
にデータ信号を供給するためのデータライン136が接
続され、ソース領域は、層間絶縁膜134及び平坦化絶
縁膜138を貫通するように形成されたコンタクトホー
ルを介して、画素ごとに個別パターンに形成された第1
電極(画素電極)150に接続されている。
A TFT 110 is formed for each pixel on the liquid crystal side surface of the first electrode 100. This TFT11
A data line 136 for supplying a data signal to each pixel is connected to, for example, the drain region of the active layer 120 of 0 through a contact hole formed in the interlayer insulating film 134, and the source region is connected to the interlayer insulating film 134 in the source region. And a first pattern formed in an individual pattern for each pixel through a contact hole formed so as to penetrate the planarization insulating film 138.
It is connected to the electrode (pixel electrode) 150.

【0009】上記第1電極150としては、反射機能を
備えたAl、Agなどが用いられており、この反射電極
150上に液晶層300の初期配向を制御するための配
向膜160が形成されている。
As the first electrode 150, Al, Ag or the like having a reflection function is used, and an alignment film 160 for controlling the initial alignment of the liquid crystal layer 300 is formed on the reflection electrode 150. There is.

【0010】第1基板100と対向配置される第2基板
200の液晶側には、カラー表示装置の場合カラーフィ
ルタ(R,G,B)210が形成され、カラーフィルタ
210の上に第2電極として、ITO(Indium Tin Oxi
de)等の透明導電材料が用いられた透明電極250が形
成されている。またこの透明電極250の上には、第1
基板側と同様の配向膜260が形成されている。
In the case of a color display device, a color filter (R, G, B) 210 is formed on the liquid crystal side of the second substrate 200 which faces the first substrate 100, and the second electrode is formed on the color filter 210. As an ITO (Indium Tin Oxi
A transparent electrode 250 using a transparent conductive material such as de) is formed. Further, on the transparent electrode 250, the first
An alignment film 260 similar to that on the substrate side is formed.

【0011】反射型LCDは、上述のような構成を備え
ており、液晶パネルに入射され、反射電極150で反射
され、再び液晶パネルから射出される光の量を、画素ご
と制御して所望の表示を行う。
The reflection type LCD has the above-mentioned structure, and controls the amount of light which is incident on the liquid crystal panel, reflected by the reflection electrode 150, and emitted again from the liquid crystal panel for each pixel to obtain a desired amount. Display.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】反射型に限らず、LC
Dにおいては、焼き付き防止のため液晶を交流電圧駆動
している。透過型LCDでは、第1基板上の第1電極及
び第2基板上の第2電極のいずれも透明であることが求
められており、双方とも電極材料としてITOが採用さ
れている。従って、液晶の交流駆動に際して、第1及び
第2電極は、互いに正、負電圧をほぼ同一の条件で液晶
に印加することができる。
The present invention is not limited to the reflection type, but is not limited to the LC type.
In D, the liquid crystal is driven with an alternating voltage to prevent image sticking. In the transmissive LCD, both the first electrode on the first substrate and the second electrode on the second substrate are required to be transparent, and both employ ITO as an electrode material. Therefore, when alternating-current driving the liquid crystal, the first and second electrodes can apply positive and negative voltages to the liquid crystal under substantially the same conditions.

【0013】しかし、上記図6のように、第1電極15
0として金属材料からなる反射電極、第2電極250と
してITOなどの透明金属酸化材料からなる透明電極を
用いた反射型LCDでは、駆動条件によっては、表示の
ちらつき(フリッカ)が発生したり、液晶の焼き付きの
問題が起こることがあった。これは、例えば最近報告さ
れている限界フリッカ周波数(CFF)以下で液晶を駆
動した場合に顕著である。CFF以下での駆動とは、L
CDにおける一層の低消費電力化を目的として、液晶の
駆動周波数(≒第1及び第2電極との対向領域にそれぞ
れ形成された画素それぞれにおける液晶(液晶容量)へ
のデータ書き込み周波数)を、例えばNTSC規格など
で基準とされている60Hzより低くするなど、人の目
にフリッカとして感知される得るCFF以下、例えば4
0Hz〜30Hzとする試みである。ところが、従来の
反射型液晶パネルの各画素をこのようなCFF以下の周
波数で駆動したところ、上記フリッカや液晶の焼き付き
の問題は顕著となり、表示品質の大幅な低下を招くこと
がわかったのである。
However, as shown in FIG. 6, the first electrode 15
In a reflective LCD using a reflective electrode made of a metal material as 0 and a transparent electrode made of a transparent metal oxide material such as ITO as the second electrode 250, display flicker or liquid crystal may occur depending on driving conditions. The problem of image sticking sometimes occurred. This is remarkable when the liquid crystal is driven at, for example, the recently reported limit flicker frequency (CFF) or less. Driving below CFF means L
For the purpose of further lowering the power consumption of the CD, the drive frequency of the liquid crystal (≈data writing frequency to the liquid crystal (liquid crystal capacitance) in each pixel formed in the region facing the first and second electrodes) is set to, for example, Lower than 60 Hz, which is the standard of the NTSC standard, etc., can be perceived as flicker by human eyes.
This is an attempt to set 0 Hz to 30 Hz. However, it has been found that when each pixel of the conventional reflective liquid crystal panel is driven at such a frequency of CFF or less, the above-mentioned problems of flicker and image sticking of liquid crystal become remarkable, and display quality is significantly deteriorated. .

【0014】図5、図6に示すような反射型LCDのフ
リッカや液晶焼き付き発生の原因について、出願人の研
究の結果、これらは上述のような液晶層300に対する
第1及び第2電極の電気的性質についての非対称性が原
因の一つであることが判明した。この非対称性は、第2
電極250に用いられるITOなどの透明金属酸化物の
仕事関数が4.7eV〜5.2eV程度であるのに対
し、第1電極150に用いられるAlなどの金属の仕事
関数が4.2eV〜4.3eV程度と差が大きいことに
起因すると考えられる。仕事関数の相違は、同一電圧を
各電極に印加した時に、実際に配向膜160,260を
介して液晶界面に誘起される電荷に差を生じさせる。そ
して、このような液晶の配向膜界面に誘起される電荷の
差により、液晶層内の不純物イオンなどが一方の電極側
に偏り、結果として残留DC電圧が液晶層300に蓄積
される。液晶の駆動周波数が低くなればなるほど、この
残留DCが液晶に及ぼす影響が大きくなってフリッカや
液晶の焼き付き発生が顕著となるため、特に、CFF以
下での駆動は実質的には困難であった。
As a result of the applicant's research on the cause of flicker and liquid crystal burn-in of the reflection type LCD as shown in FIGS. It was found that one of the causes was the asymmetry of the physical properties. This asymmetry is the second
The work function of a transparent metal oxide such as ITO used for the electrode 250 is about 4.7 eV to 5.2 eV, whereas the work function of a metal such as Al used for the first electrode 150 is 4.2 eV to 4 eV. It is considered that this is due to the large difference of about 0.3 eV. The difference in work function causes a difference in the charges actually induced at the liquid crystal interface via the alignment films 160 and 260 when the same voltage is applied to each electrode. Then, due to the difference in charges induced at the interface of the alignment film of the liquid crystal, impurity ions in the liquid crystal layer are biased to one electrode side, and as a result, the residual DC voltage is accumulated in the liquid crystal layer 300. The lower the driving frequency of the liquid crystal, the greater the influence of the residual DC on the liquid crystal, and the more noticeable the occurrence of flicker and the image sticking of the liquid crystal. Therefore, driving at CFF or less is practically difficult. .

【0015】なお、反射型LCDとしては、従来、第1
及び第2電極に透過型LCDのようにITOを用い、第
1基板の外側(液晶との非対向側)に別途反射板を設け
る構造も知られている。しかし、第1基板の外側に反射
板を設けた場合、透明な第1電極150及び透明な第1
基板の厚さ分だけ光路長が伸び、視差による表示品質の
低下が発生しやすい。従って、高い表示品質の要求され
るディスプレイ用途の反射型LCDでは、画素電極とし
て反射電極を用いており、上述のように駆動周波数を低
くするとフリッカ等を生ずるため、低消費電力化のため
に駆動周波数を低下させることはできなかった。
It should be noted that the reflective LCD is the first conventional type.
Also, a structure is known in which ITO is used for the second electrode as in a transmissive LCD, and a separate reflection plate is provided outside the first substrate (on the side not facing the liquid crystal). However, when the reflection plate is provided outside the first substrate, the transparent first electrode 150 and the transparent first electrode 150 are provided.
The optical path length is extended by the thickness of the substrate, and display quality is likely to deteriorate due to parallax. Therefore, in a reflective LCD for display applications that require high display quality, a reflective electrode is used as a pixel electrode. As described above, when the driving frequency is lowered, flicker occurs, and thus driving is performed to reduce power consumption. The frequency could not be lowered.

【0016】上記課題を解決するために本発明は、液晶
層に対する第1及び第2電極の電気的特性をそろえ、フ
リッカや視差の影響がなく、表示品質が高くて低消費電
力な反射機能を備えた表示装置を実現することを目的と
する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has a reflective function that has the same electrical characteristics of the first and second electrodes with respect to the liquid crystal layer, is free from the influence of flicker and parallax, and has high display quality and low power consumption. An object of the present invention is to realize a display device provided with the display device.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、それぞれ電極が形成された第1基板と第
2基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの
表示を行う表示装置であって、前記第1基板は、前記第
2基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜
と、前記下地材料膜を覆って形成され、前記液晶層に第
2基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有
し、前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されて
いる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a display for each pixel, in which a liquid crystal layer is enclosed between a first substrate and a second substrate on which electrodes are formed. In the display device, the first substrate is formed by covering a base material film having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side and the base material film, and forming a second substrate on the liquid crystal layer. And a plurality of fine openings are formed in the reflecting electrode.

【0018】本発明の他の態様では、それぞれ電極が形
成された第1基板と第2基板との間に液晶層が封入され
て構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、前
記第1基板は、画素ごとに設けられたスイッチ素子と、
前記スイッチ素子を覆う絶縁膜の上に形成され、前記第
2基板側の透明電極と仕事関数の類似した材料からな
り、該スイッチ素子と接続された前記下地材料膜と、前
記下地材料膜を覆って形成され該下地材料膜を介して前
記スイッチ素子に電気的に接続され、前記液晶層に第2
基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有
し、前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されて
いる。
According to another aspect of the present invention, there is provided a display device configured to enclose a liquid crystal layer between a first substrate and a second substrate on which electrodes are respectively formed to perform display for each pixel. 1 substrate is a switch element provided for each pixel,
A base material film formed on an insulating film covering the switch element and made of a material having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side, and covering the base material film connected to the switch element and the base material film. Formed on the liquid crystal layer and electrically connected to the switch element through the base material film.
A reflecting electrode for reflecting light incident from the substrate side, and the reflecting electrode is formed with a plurality of fine openings.

【0019】以上のように第1基板側において第2基板
側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜の上に、
微細な複数の開口部を有する反射電極を形成すること
で、透明電極と電気特性の異なる反射電極が液晶層側に
配置される構成であっても、下地材料層の影響を反射電
極表面に及ぼすことが可能となる。このため、液晶層を
透明電極と反射電極とによって対称性よく駆動すること
ができる。特に、各画素における液晶層の駆動周波数を
例えば60Hzより低く設定した場合でも、フリッカな
ど発生することなく品質な表示が可能である。
As described above, on the base material film having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side on the first substrate side,
By forming a reflective electrode having a plurality of fine openings, the influence of the underlying material layer on the reflective electrode surface is exerted even if the transparent electrode and the reflective electrode having different electrical characteristics are arranged on the liquid crystal layer side. It becomes possible. Therefore, the liquid crystal layer can be driven with good symmetry by the transparent electrode and the reflective electrode. In particular, even when the driving frequency of the liquid crystal layer in each pixel is set lower than 60 Hz, for example, it is possible to display with high quality without causing flicker.

【0020】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記開口部は、それぞれ直径が10μm以下で、
反射電極領域に対する前記複数の開口部の占める割合は
20%以下である。
In another aspect of the present invention, in the display device, each of the openings has a diameter of 10 μm or less,
The ratio of the plurality of openings to the reflective electrode region is 20% or less.

【0021】開口部の直径が10μm以下であれば、反
射電極表面において開口部領域と非開口部領域との特性
の差が過大となってかえって特性差による表示品質の低
下が起こることを防止できる。特性とは、例えばフリッ
カや焼き付きの程度、光学条件などが挙げられる。また
開口部の占める割合を20%程度に抑えることで、反射
電極の反射機能を維持することができる。
If the diameter of the opening is 10 μm or less, it is possible to prevent the characteristic difference between the opening region and the non-opening region on the surface of the reflective electrode from becoming too large and the display quality from being deteriorated due to the characteristic difference. . The characteristics include, for example, the degree of flicker and image sticking, and optical conditions. In addition, the reflection function of the reflection electrode can be maintained by suppressing the ratio of the openings to about 20%.

【0022】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記下地材料膜の仕事関数と、前記第2基板側の
透明電極の透明導電材料の仕事関数との差は、0.5e
V以下である。
In another aspect of the present invention, in the above display device, the difference between the work function of the underlying material film and the work function of the transparent conductive material of the transparent electrode on the second substrate side is 0.5e.
It is V or less.

【0023】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、前記下地材料膜は、導電材料を用いて形成されて
いる。
In another aspect of the present invention, in the display device, the base material film is formed using a conductive material.

【0024】本発明の他の態様では、上記表示装置にお
いて、各画素における液晶層の駆動周波数は、60Hz
より低い。
According to another aspect of the present invention, in the display device, the driving frequency of the liquid crystal layer in each pixel is 60 Hz.
Lower.

【0025】以上のような下地材料膜を採用すること
で、反射電極表面(液晶層との対向面)における特性を
第2基板側の透明電極に確実に近づけることができる。
また、下地材料膜に導電材料を採用すれば、例えばスイ
ッチ素子が設けられている場合に、反射電極よりも下層
の下地材料膜をこのスイッチ素子に接続し、下地材料膜
上に反射電極を形成すれば、反射電極とスイッチ素子と
を特別な構成を設けることなく電気的に接続することも
可能となり、下地材料膜と反射電極との積層構造を採用
することによる工程の追加を最小限とすることができ
る。
By using the above-mentioned base material film, the characteristics on the surface of the reflective electrode (the surface facing the liquid crystal layer) can be surely brought close to the transparent electrode on the second substrate side.
If a conductive material is used for the underlying material film, for example, when a switch element is provided, the underlying material film below the reflective electrode is connected to this switch element, and the reflective electrode is formed on the underlying material film. By doing so, it is possible to electrically connect the reflective electrode and the switch element without providing a special configuration, and minimize the addition of steps by adopting the laminated structure of the base material film and the reflective electrode. be able to.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の好適
な実施の形態(以下実施形態という)について説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described below with reference to the drawings.

【0027】図1は、本実施形態に係る反射型LCDと
して反射型アクティブマトリクスLCDの第1基板側の
平面構成の一部、図2は、図1のA−A線に沿った位置
におけるLCDの概略断面構成を示している。アクティ
ブマトリクス型LCDでは、表示領域内にマトリクス状
に複数の画素が設けられ、各画素に対してTFTなどの
スイッチ素子が設けられる。スイッチ素子は、第1及び
第2基板の一方、例えば第1基板100側に画素ごとに
形成され、各スイッチ素子の上には層間絶縁膜34及び
平坦化絶縁膜38が形成されており、本実施形態では、
この平坦化絶縁膜38の上に、第2基板200の透明電
極(共通電極)250と仕事関数が類似し、各画素毎に
個別のパターンを有する下地材料膜50が形成されてい
る。
FIG. 1 is a partial plan view of a reflective active matrix LCD as a reflective LCD according to this embodiment on the first substrate side, and FIG. 2 is an LCD at a position along line AA in FIG. 2 shows a schematic sectional configuration of In an active matrix type LCD, a plurality of pixels are provided in a matrix in a display area, and a switching element such as a TFT is provided for each pixel. The switch element is formed for each pixel on one of the first and second substrates, for example, the first substrate 100 side, and the interlayer insulating film 34 and the flattening insulating film 38 are formed on each switch element. In an embodiment,
A base material film 50 having a work function similar to that of the transparent electrode (common electrode) 250 of the second substrate 200 and having an individual pattern for each pixel is formed on the flattening insulating film 38.

【0028】反射電極44は、反射特性のよい金属材料
を用い、下地材料膜50を覆って各画素毎に個別パター
ンに形成されている。そして、この反射電極44には複
数の微小な開口部46が形成されている。
The reflective electrode 44 is made of a metal material having a good reflective property, and is formed in an individual pattern for each pixel, covering the base material film 50. A plurality of minute openings 46 are formed in the reflective electrode 44.

【0029】ここで、各画素のスイッチ素子として、本
実施形態ではチャネル20c、ドレイン・ソース領域2
0d・20sを含む能動層20に多結晶シリコンを用い
た多結晶シリコンTFT110を採用される。もちろ
ん、多結晶シリコンに限らず、非晶質シリコンTFTで
あってもよい。
Here, in the present embodiment, as the switching element of each pixel, the channel 20c and the drain / source region 2 are used.
A polycrystalline silicon TFT 110 using polycrystalline silicon for the active layer 20 including 0d · 20s is adopted. Of course, not only polycrystalline silicon but also amorphous silicon TFT may be used.

【0030】下地材料膜50としては、具体的には、仕
事関数の差が例えば0.5eV程度以下の材料を用いる
ことが好ましい。このような材料としては、例えば、透
明電極250と同じIZO(Indium Zinc Oxide)やI
TO等の透明導電性材料、或いはモリブデンなどの導電
性材料や、その他の非導電性材料が採用可能である。図
1及び図2の例では、この下地材料膜50としては、I
ZOなどの導電性材料を用い、また、層間絶縁膜34に
形成されたコンタクトホール内にもこの下地材料膜50
を形成することで、TFT110のソース電極40と電
気的に接続している。
As the base material film 50, specifically, it is preferable to use a material having a work function difference of, for example, about 0.5 eV or less. Examples of such a material include IZO (Indium Zinc Oxide) and I, which are the same as those of the transparent electrode 250.
A transparent conductive material such as TO, a conductive material such as molybdenum, or another non-conductive material can be used. In the example of FIGS. 1 and 2, the base material film 50 is I
A conductive material such as ZO is used, and the base material film 50 is also formed in the contact hole formed in the interlayer insulating film 34.
Is formed, it is electrically connected to the source electrode 40 of the TFT 110.

【0031】また、反射電極44は、このような下地材
料膜50の上に直接形成されている。従って、本実施形
態においては、反射電極44はこの下地材料膜50を介
してTFT110のソース電極40と電気的に接続され
ている。従って、TFT110のゲート電極32に、ゲ
ート信号(走査信号)が印加されて、TFT110がオ
ンすると、例えばソース電極40側の電圧が、ドレイン
電極(データライン)36に印加されているデータ信号
電圧に等しくなり、このデータ信号電圧が、ソース電極
40及び下地材料膜50を介して反射電極44に印加さ
れることになる。
The reflective electrode 44 is directly formed on the base material film 50. Therefore, in the present embodiment, the reflective electrode 44 is electrically connected to the source electrode 40 of the TFT 110 via the base material film 50. Therefore, when a gate signal (scanning signal) is applied to the gate electrode 32 of the TFT 110 and the TFT 110 is turned on, for example, the voltage on the source electrode 40 side becomes the data signal voltage applied to the drain electrode (data line) 36. Therefore, the data signal voltage becomes equal, and the data signal voltage is applied to the reflective electrode 44 through the source electrode 40 and the base material film 50.

【0032】第1及び第2基板100,200には、ガ
ラスなどの透明基板が用いられ、第1基板100と対向
する第2基板200側には、従来と同様に、カラータイ
プの場合にはカラーフィルタ210が形成され、カラー
フィルタ210上に透明導電材料からなる透明電極25
0が形成されている。透明導電材料としては、上述の通
りIZOやITOなどが採用されている。なお、アクテ
ィブマトリクス型では、この透明電極250は各画素に
対する共通電極として形成されている。また、このよう
な透明電極250の上には、ポリイミドなどからなる配
向膜260が形成されている。
As the first and second substrates 100 and 200, transparent substrates such as glass are used. On the side of the second substrate 200 facing the first substrate 100, in the case of a color type, as in the conventional case. The color filter 210 is formed, and the transparent electrode 25 made of a transparent conductive material is formed on the color filter 210.
0 is formed. As the transparent conductive material, IZO, ITO or the like is adopted as described above. In the active matrix type, the transparent electrode 250 is formed as a common electrode for each pixel. An alignment film 260 made of polyimide or the like is formed on the transparent electrode 250.

【0033】以上のような構成の第2基板側に対向配置
される第1基板100側では、液晶との接触面に第2基
板と同様、ポリイミドなどからなる配向膜60が形成さ
れている。この配向膜60の下層には、上述のように反
射電極44が形成されている。反射電極44には、上述
の通り複数の微細な開口部46が形成されており、この
開口部46の存在によって、反射電極44の表面(液晶
対向面)に、第2基板の透明電極250と電気的特性の
類似した下地材料膜50の影響を及ぼしている。従っ
て、透明電極250とは本来的には電気的特性の異なる
反射電極44の表面の特性を透明電極250の特性に近
づけることができ、透明電極250と反射電極44とに
よって、液晶層300を対称性よく交流駆動できる。こ
のため、液晶の駆動周波数を上述のようなCFF以下と
した場合であっても、フリッカや液晶の焼き付きなく、
高品質な表示が可能となる。
On the side of the first substrate 100, which is arranged opposite to the side of the second substrate having the above-mentioned structure, an alignment film 60 made of polyimide or the like is formed on the contact surface with the liquid crystal, like the second substrate. The reflective electrode 44 is formed on the lower layer of the alignment film 60 as described above. As described above, the plurality of minute openings 46 are formed in the reflective electrode 44. Due to the presence of the openings 46, the transparent electrode 250 of the second substrate and the transparent electrode 250 of the second substrate are formed on the surface (the liquid crystal facing surface) of the reflective electrode 44. The underlying material film 50 having similar electrical characteristics is affected. Therefore, the characteristic of the surface of the reflective electrode 44, which is originally different in electrical characteristic from the transparent electrode 250, can be brought close to the characteristic of the transparent electrode 250, and the liquid crystal layer 300 is symmetrical by the transparent electrode 250 and the reflective electrode 44. AC drive with good performance. Therefore, even if the drive frequency of the liquid crystal is set to the CFF or less as described above, flicker and image sticking of the liquid crystal do not occur.
High quality display is possible.

【0034】反射電極44としては、Al、Ag、これ
らの合金(本実施形態ではAl−Nd合金)など、反射
特性に優れた材料を少なくともその液晶層側に用いてい
る。この電極44の厚さは、例えば1000Å程度であ
る。反射電極44の複数の開口部46は、下地材料膜5
0の上に反射電極材料を積層し、これをフォトリソグラ
フィにより画素毎の個別パターンとする際、同時に形成
することができる。つまり、反射電極を形成するための
パターンマスクに、開口部用のパターンも形成しておけ
ば、特別な工程の追加なく反射電極44のパターニング
と同時に開口部46を反射電極形成領域内に形成するこ
とができる。
As the reflective electrode 44, a material having excellent reflective characteristics such as Al, Ag, or an alloy of these (Al-Nd alloy in this embodiment) is used at least on the liquid crystal layer side. The thickness of the electrode 44 is, for example, about 1000Å. The plurality of openings 46 of the reflective electrode 44 are formed in the base material film 5
When a reflective electrode material is laminated on 0 and formed into an individual pattern for each pixel by photolithography, it can be formed simultaneously. That is, if a pattern for the opening is also formed in the pattern mask for forming the reflective electrode, the opening 46 is formed in the reflective electrode formation region at the same time as the patterning of the reflective electrode 44 without adding a special process. be able to.

【0035】各開口部46が大きすぎると、開口部領域
と非開口領域とで特性の違いが大きくなる。従って、開
口部46の大きさは、その直径を例えば10μm以下、
より好ましくは5μm以下とすることが好適である。開
口部46の形状については特に限定されないが、開口し
やすい(エッチングしやすい)形状、例えば図示するよ
うな円形が採用できる。
If each opening 46 is too large, the difference in characteristics between the opening region and the non-opening region becomes large. Therefore, the size of the opening 46 has a diameter of, for example, 10 μm or less,
More preferably, the thickness is 5 μm or less. The shape of the opening 46 is not particularly limited, but a shape that allows easy opening (easy etching), for example, a circular shape as shown in the drawing can be adopted.

【0036】また、反射電極44において開口部46の
占める割合が大きすぎると反射電極44による反射面積
が減少するため、反射率が低下して反射機能が損なわれ
る。従って、反射電極44の形成領域内(開口部を形成
しなかった場合の反射電極面積)に対する開口部46の
割合は、20%以下、より好ましくは10%以下とする
ことが望ましい。ここで、下地材料膜50として、上述
のように透明電極250と仕事関数の類似した不透明の
Mo等の高融点金属層を採用することも可能である。M
o等であればIZOなどと異なり光反射機能を備えるた
め、開口部領域においても下地材料膜50によって光を
反射することができる。しかし、反射電極材料に用いら
れるAl等と比較するとMo等の反射率は低く、やはり
開口部46の占める割合は20%程度に止めることが好
適である。
Further, if the proportion of the opening 46 in the reflective electrode 44 is too large, the reflective area of the reflective electrode 44 is reduced, so that the reflectance is lowered and the reflective function is impaired. Therefore, the ratio of the opening 46 to the area where the reflective electrode 44 is formed (the area of the reflective electrode when the opening is not formed) is preferably 20% or less, more preferably 10% or less. Here, as the base material film 50, it is also possible to employ an opaque refractory metal layer such as Mo having a work function similar to that of the transparent electrode 250 as described above. M
If it is o or the like, since it has a light reflecting function unlike IZO or the like, light can be reflected by the base material film 50 even in the opening region. However, the reflectance of Mo or the like is lower than that of Al or the like used for the reflective electrode material, and it is preferable to keep the ratio of the opening 46 to about 20%.

【0037】なお、反射電極44内における開口部46
の配置は、規則的であってもランダムであっても良い
が、モアレ縞などの干渉が発生し難い配置とすることが
好ましい。従って、ある程度ランダムな配置の方が好ま
しい。
The opening 46 in the reflection electrode 44 is provided.
The arrangement may be regular or random, but it is preferable that the arrangement is such that interference such as moire fringes does not easily occur. Therefore, a somewhat random arrangement is preferable.

【0038】下地材料膜50として、IZO、ITOな
どの透明導電性材料を採用した場合、この下地材料膜5
0は、透過型LCDの透明画素電極の形成工程までを利
用して形成できる。また、後述するように半透過型LC
Dを実現する場合には、透明な下地材料膜50を1画素
全域に形成し、反射電極44の面積を反射型の場合と比
較して小さいパターンに変更することで対応できる。ま
た、IZO等の下地材料膜50の上層にAlなどからな
る反射電極44を形成した場合、特別な処理をすること
なく下地材料膜50と反射電極44とをオーミックコン
タクトさせることができる。
When a transparent conductive material such as IZO or ITO is used as the base material film 50, the base material film 5
0 can be formed by using the process of forming the transparent pixel electrode of the transmissive LCD. Also, as will be described later, a transflective LC
In order to realize D, it is possible to form the transparent underlayer material film 50 over the entire area of one pixel and change the area of the reflective electrode 44 into a pattern smaller than that of the reflective type. When the reflective electrode 44 made of Al or the like is formed on the upper layer of the underlying material film 50 such as IZO, the underlying material film 50 and the reflective electrode 44 can be brought into ohmic contact with each other without any special treatment.

【0039】一方、Mo等の高融点金属材料を下地材料
膜50に用いた場合、例えばMoはその下層の平坦化絶
縁膜38との親和性が高く、また、ソース電極40及び
反射電極44とのコンタクト性にも優れるため、表示装
置としての信頼性向上を図ることができる。また、下地
材料膜50としてMo等を採用した場合、この材料膜5
0は透明導電材料などと比較して高い導電率を有してい
るため、反射電極44を薄くした場合にも、TFT11
0と反射電極44との間の電気抵抗を十分低く抑えるこ
とができる。従って、例えば開口部46を設けることに
代え、或いは開口部46を形成すると共に、反射電極4
4の厚さを減ずることで下地材料膜50の特性の影響を
反射電極44の表面に及ぼす構成が採用可能である。こ
のような構成は、例えば反射電極44の厚さを100Å
〜200Å程度とし、下地材料膜50としてのMo膜を
500Å程度の厚さとすることで対応できる。
On the other hand, when a refractory metal material such as Mo is used for the base material film 50, for example, Mo has a high affinity with the flattening insulating film 38 below it, and also with the source electrode 40 and the reflective electrode 44. Since the contact property is excellent, the reliability as a display device can be improved. When Mo or the like is adopted as the base material film 50, this material film 5
Since 0 has a higher conductivity than a transparent conductive material or the like, even if the reflective electrode 44 is thin, the TFT 11
The electrical resistance between 0 and the reflective electrode 44 can be suppressed sufficiently low. Therefore, for example, instead of providing the opening 46, or forming the opening 46, the reflective electrode 4 is formed.
It is possible to adopt a configuration in which the influence of the characteristics of the base material film 50 is exerted on the surface of the reflective electrode 44 by reducing the thickness of 4. In such a configuration, for example, the thickness of the reflective electrode 44 is 100Å
This can be dealt with by setting the thickness to about 200 Å and setting the thickness of the Mo film as the base material film 50 to about 500 Å.

【0040】なお、図2の構成では、平坦化絶縁膜38
の各画素領域内に所望の角度の傾斜面が形成されてお
り、この平坦化絶縁膜38を覆って下地材料膜50が形
成され、その上に反射電極44が積層されている。そし
て、反射電極44の表面には平坦化絶縁膜38と同様な
傾斜が形成されている。このような傾斜面を最適な角
度、位置で形成すれば、各画素毎に外光を集光して射出
することができ、例えばディスプレイの正面位置での表
示輝度の向上を図ることが可能である。もちろん、この
ような傾斜面は必ずしも存在しなくてもよい。
In the structure of FIG. 2, the flattening insulating film 38
An inclined surface having a desired angle is formed in each of the pixel regions, a base material film 50 is formed so as to cover the flattening insulating film 38, and the reflective electrode 44 is laminated thereon. Then, the same inclination as that of the planarization insulating film 38 is formed on the surface of the reflective electrode 44. If such an inclined surface is formed at an optimum angle and position, external light can be condensed and emitted for each pixel, and it is possible to improve the display brightness at the front position of the display, for example. is there. Of course, such an inclined surface does not necessarily have to exist.

【0041】次に、上記構成の半透過型LCDへの適用
例について説明する。図3は、アクティブマトリクス型
の半透過型LCDの概略平面構成を示している。上記図
1の構成と相違する点は、透明導電性材料からなる下地
材料膜50の上の反射電極44の形成領域が1画素領域
よりも小さく、反射電極44の形成されていない領域で
は下地材料膜50が広がって表示電極として機能してい
る点であり、他は共通する。このような半透過型LCD
においても、下地材料膜50の上に形成される反射電極
44には微細な複数の開口部46を形成し、反射電極4
4の表面の電気特性を共通電極250の特性に近づける
ことができる。また反射領域の特性を透過領域の特性に
近づけることもできる。従って、液晶層300を対称性
よく駆動でき、かつ透過領域と反射領域との間の特性の
差を小さくでき、周囲光の強さ等に応じて光源を切り替
えることで、反射表示、透過表示のいずれも高い表示品
質を実現できる。
Next, an example of application to the transflective LCD having the above structure will be described. FIG. 3 shows a schematic plan configuration of an active matrix type transflective LCD. The difference from the configuration of FIG. 1 is that the area where the reflective electrode 44 is formed on the underlying material film 50 made of a transparent conductive material is smaller than one pixel area and the area where the reflective electrode 44 is not formed is the underlying material. The film 50 spreads and functions as a display electrode, and is otherwise common. Such a transflective LCD
Also, in the reflective electrode 44 formed on the base material film 50, a plurality of fine openings 46 are formed,
The electrical characteristics of the surface of No. 4 can be made close to the characteristics of the common electrode 250. Also, the characteristics of the reflective area can be made close to the characteristics of the transmissive area. Therefore, the liquid crystal layer 300 can be driven with good symmetry, the difference in characteristics between the transmissive region and the reflective region can be reduced, and the light source can be switched according to the intensity of ambient light or the like to perform reflective display or transmissive display. Both can achieve high display quality.

【0042】以上、反射層44を備える反射または半透
過型のLCDについて説明したが、本発明に係るスイッ
チ素子(TFT)、下地材料膜50及び、開口部46を
備えた反射電極44の構成はELディスプレイにも適用
でき、これにより基板側の電極に反射機能を持たせるこ
とができる。図4は本実施形態に係るアクティブマトリ
クス型のELディスプレイの各画素における部分断面構
造を示す。
Although the reflective or semi-transmissive LCD having the reflective layer 44 has been described above, the structure of the switch element (TFT) according to the present invention, the base material film 50, and the reflective electrode 44 having the opening 46 is as follows. It can also be applied to an EL display, which allows the electrodes on the substrate side to have a reflection function. FIG. 4 shows a partial sectional structure of each pixel of the active matrix type EL display according to this embodiment.

【0043】図4のELディスプレイにおいて採用され
た素子は、発光材料として有機化合物を用いた有機EL
素子90であり、陽極80と陰極86との間に有機素子
層88が形成されている。有機素子層88は、少なくと
も有機発光機能分子を含む発光層83を備え、有機化合
物の特性、発光色などにより単層構造、2層、3層また
はそれ以上の多層構造から構成することができる。図4
の例では、有機素子層88は、基板側100に配置され
る陽極80側から正孔輸送層82/発光層83/電子輸
送層84がこの順に形成され、発光層83は陽極80と
同様に画素ごとに個別パターンとされ、正孔輸送層82
及び電子輸送層84が陰極86と同様に全画素共通で形
成されている。なお、隣接する画素間で各陽極80を絶
縁し、また陽極80のエッジ領域において上層の陰極8
6とのショートを防止する目的で、隣接画素の陽極間領
域には平坦化絶縁膜39が形成されている。
The element adopted in the EL display of FIG. 4 is an organic EL using an organic compound as a light emitting material.
The element 90 is an organic element layer 88 formed between an anode 80 and a cathode 86. The organic element layer 88 includes at least a light emitting layer 83 containing an organic light emitting functional molecule, and can be formed of a single layer structure, two layers, three layers or more multilayer structures depending on the characteristics of the organic compound, the emission color and the like. Figure 4
In the example, the organic element layer 88 has a hole transport layer 82 / light emitting layer 83 / electron transport layer 84 formed in this order from the anode 80 side arranged on the substrate side 100, and the light emitting layer 83 is the same as the anode 80. An individual pattern is formed for each pixel, and the hole transport layer 82
Also, the electron transport layer 84 is formed commonly to all the pixels, similarly to the cathode 86. In addition, each anode 80 is insulated between adjacent pixels, and the cathode 8 of the upper layer is provided in the edge region of the anode 80.
A flattening insulating film 39 is formed in a region between the anodes of adjacent pixels for the purpose of preventing a short circuit with the pixel 6.

【0044】この有機EL素子90は、陽極80から注
入される正孔と陰極86から注入される電子とが発光層
83で再結合して有機発光分子が励起され、これが基底
状態に戻る際に光が放射される。有機EL素子90は電
流駆動型の発光素子であり、陽極80は、有機素子層8
8に対して十分な正孔注入能力を備える必要があり、通
常、仕事関数の高いITO、IZOなどの透明導電材料
が用いられる。このため、発光層83からの光は、透明
な陽極80側から透明な基板100を透過して外部に射
出される。これに対し、図4に示すアクティブマトリク
ス型有機ELディスプレイでは、仕事関数の高いIT
O、IZO、或いはMoなどからなる下地材料膜50
と、この上に形成された開口部46付きの反射電極44
との積層により光反射性の陽極80を実現している。即
ち、反射電極44の有機素子層88との界面に、開口部
46を介して下地時材料膜50の高い仕事関数の影響が
及ぶことで、単独では正孔注入能力の低い反射電極44
から、有機素子層88に正孔を注入することができる。
また、発光層83で得られた光を高い反射率を備えた反
射電極44の表面で上方に向けて反射することができ
る。
In this organic EL element 90, holes injected from the anode 80 and electrons injected from the cathode 86 are recombined in the light emitting layer 83 to excite the organic light emitting molecules, and when the organic light emitting molecules return to the ground state. Light is emitted. The organic EL element 90 is a current-driven light emitting element, and the anode 80 is the organic element layer 8
It is necessary to have a sufficient hole injection ability with respect to No. 8, and a transparent conductive material such as ITO or IZO having a high work function is usually used. Therefore, the light from the light emitting layer 83 passes through the transparent substrate 100 from the transparent anode 80 side and is emitted to the outside. On the other hand, in the active matrix type organic EL display shown in FIG. 4, IT having a high work function is used.
Base material film 50 made of O, IZO, or Mo
And a reflective electrode 44 having an opening 46 formed thereon.
The light-reflecting anode 80 is realized by stacking the above. That is, the interface of the reflective electrode 44 with the organic element layer 88 is affected by the high work function of the underlying material film 50 through the opening 46, and thus the reflective electrode 44 having a low hole injection capability alone.
Therefore, holes can be injected into the organic element layer 88.
Further, the light obtained from the light emitting layer 83 can be reflected upward on the surface of the reflective electrode 44 having a high reflectance.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように、この発明では、反
射型または半透過型LCDのように一方の基板側に反射
電極を必要とする場合に、反射電極に複数の開口部を設
けることでその表面特性を下地材料膜の特性、つまり他
方の透明電極の特性に近づけることが可能である。従っ
て、簡易な構成で、液晶を対称性よく交流駆動すること
ができ、液晶の駆動周波数を例えばCFF以下に設定し
たような場合であっても、フリッカの発生なく、また焼
き付きを発生させることなく高品質な表示を行うことが
できる。
As described above, according to the present invention, when a reflective electrode is required on one substrate side as in a reflective or transflective LCD, a plurality of openings are provided in the reflective electrode. The surface characteristics can be made close to the characteristics of the base material film, that is, the characteristics of the other transparent electrode. Therefore, the liquid crystal can be AC-driven with good symmetry with a simple configuration, and even if the drive frequency of the liquid crystal is set to, for example, CFF or less, flicker does not occur and burn-in does not occur. High-quality display can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係るアクティブマトリク
ス型の反射型LCDの第1基板側の概略平面構成を示す
図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic plan configuration on a first substrate side of an active matrix reflective LCD according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1のA−A線に沿った位置における反射型
LCDの概略断面構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic sectional configuration of a reflective LCD at a position along line AA in FIG.

【図3】 本発明の実施形態に係るアクティブマトリク
ス型の半透過型LCDの第1基板側の概略平面構成を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic plan configuration of a first substrate side of an active matrix type transflective LCD according to an embodiment of the present invention.

【図4】 本発明のアクティブマトリクス型の有機EL
ディスプレイの概略断面構造を示す図である。
FIG. 4 is an active matrix type organic EL device of the present invention.
It is a figure which shows the schematic cross-section of a display.

【図5】 従来のアクティブマトリクス型の反射型LC
Dにおける第1基板側の一部平面構造を示す図である。
FIG. 5: Conventional active matrix reflective LC
It is a figure which shows the 1st board | substrate side partial planar structure in D.

【図6】 図5のC−C線に沿った位置における従来の
反射型LCDの概略断面構造を示す図である。
6 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of a conventional reflective LCD at a position along line CC of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 能動層(p−Si層)、30 ゲート絶縁膜、3
2 ゲート電極(ゲートライン)、34 層間絶縁膜、
36,37 ドレイン電極(データライン)、38,3
9 平坦化絶縁膜、40 ソース電極、44 反射電
極、46 開口部、50 下地材料膜、60,260
配向膜、80 陽極、82 正孔輸送層、83 発光
層、84 電子輸送層、86 陰極、88 有機素子
層、90 有機EL素子、100 第1基板、110
TFT、200 第2基板、210 カラーフィルタ、
250 第2電極、300 液晶層。
20 active layer (p-Si layer), 30 gate insulating film, 3
2 gate electrode (gate line), 34 interlayer insulating film,
36, 37 drain electrode (data line), 38, 3
9 flattening insulating film, 40 source electrode, 44 reflective electrode, 46 opening, 50 base material film, 60, 260
Alignment film, 80 Anode, 82 Hole transport layer, 83 Light emitting layer, 84 Electron transport layer, 86 Cathode, 88 Organic device layer, 90 Organic EL device, 100 First substrate, 110
TFT, 200 second substrate, 210 color filter,
250 second electrode, 300 liquid crystal layer.

フロントページの続き Fターム(参考) 2H091 FA14Y FD04 GA02 GA03 GA07 GA11 LA12 LA16 2H092 HA05 JA45 JA46 JB07 JB16 NA01 PA06 PA12 5F110 AA09 BB01 CC02 GG02 GG13 GG15 HM18 NN02 NN72 Continued front page    F-term (reference) 2H091 FA14Y FD04 GA02 GA03                       GA07 GA11 LA12 LA16                 2H092 HA05 JA45 JA46 JB07 JB16                       NA01 PA06 PA12                 5F110 AA09 BB01 CC02 GG02 GG13                       GG15 HM18 NN02 NN72

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 それぞれ電極が形成された第1基板と第
2基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの
表示を行う表示装置であって、 前記第1基板は、 前記第2基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材
料膜と、 前記下地材料膜を覆って形成され、前記液晶層に第2基
板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、 前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されている
ことを特徴とする表示装置。
1. A display device configured to enclose a liquid crystal layer between a first substrate and a second substrate on which electrodes are formed to perform display for each pixel, wherein the first substrate is the first substrate. 2 a transparent electrode on the side of the substrate, a base material film having a work function similar to that of the transparent electrode, and a reflective electrode formed to cover the base material film and reflect light incident on the liquid crystal layer from the side of the second substrate. A display device characterized in that a plurality of fine openings are formed in the reflective electrode.
【請求項2】 それぞれ電極が形成された第1基板と第
2基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの
表示を行う表示装置であって、 前記第1基板は、 画素ごとに設けられたスイッチ素子と、 前記スイッチ素子を覆う絶縁膜の上に形成され、前記第
2基板側の透明電極と仕事関数の類似した材料からな
り、該スイッチ素子と接続された前記下地材料膜と、 前記下地材料膜を覆って形成され該下地材料膜を介して
前記スイッチ素子に電気的に接続され、前記液晶層に第
2基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有
し、 前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されている
ことを特徴とする表示装置。
2. A display device configured to enclose a liquid crystal layer between a first substrate and a second substrate on which electrodes are formed to perform display for each pixel, wherein the first substrate is for each pixel. And a base material film formed on the insulating film covering the switch element and made of a material having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side and connected to the switch element. And a reflective electrode formed to cover the base material film, electrically connected to the switch element via the base material film, and reflecting light incident on the liquid crystal layer from the second substrate side. The display device is characterized in that the reflective electrode is formed with a plurality of fine openings.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の表示装置
において、 前記開口部は、それぞれ直径が10μm以下で、反射電
極領域に対する前記複数の開口部の占める割合は20%
以下であることを特徴とする表示装置。
3. The display device according to claim 1, wherein each of the openings has a diameter of 10 μm or less, and a ratio of the plurality of openings to the reflective electrode region is 20%.
A display device characterized by the following.
【請求項4】 請求項1〜請求項3のいずれか一つに記
載の表示装置において、 前記下地材料膜の仕事関数と、前記第2基板側の透明電
極の透明導電材料の仕事関数との差は、0.5eV以下
であることを特徴とする表示装置。
4. The display device according to claim 1, wherein a work function of the underlying material film and a work function of a transparent conductive material of the transparent electrode on the second substrate side are provided. A display device characterized in that the difference is 0.5 eV or less.
【請求項5】 請求項4に記載の表示装置において、 前記下地材料膜は、導電材料を用いて形成されているこ
とを特徴とする表示装置。
5. The display device according to claim 4, wherein the base material film is formed using a conductive material.
【請求項6】 請求項4又は請求項5に記載の表示装置
において、 各画素における液晶層の駆動周波数は、60Hzより低
いことを特徴とする液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the driving frequency of the liquid crystal layer in each pixel is lower than 60 Hz.
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