JP2003243342A - Polishing pad - Google Patents
Polishing padInfo
- Publication number
- JP2003243342A JP2003243342A JP2002038463A JP2002038463A JP2003243342A JP 2003243342 A JP2003243342 A JP 2003243342A JP 2002038463 A JP2002038463 A JP 2002038463A JP 2002038463 A JP2002038463 A JP 2002038463A JP 2003243342 A JP2003243342 A JP 2003243342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- wafer
- resin matrix
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハや
LSI（大規模集積回路）やハードディスクや光学部品な
どの精密研磨において、特に化学的機械的研磨（CMP：C
hemical Mechanical Polishing）において使用される研
磨パッドに関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer and
Chemical mechanical polishing (CMP: C) especially for precision polishing of LSI (Large Scale Integrated Circuit), hard disk and optical parts.
The present invention relates to a polishing pad used in chemical mechanical polishing).
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高密度化、多層
化が進み、配線パターンがより微細になってきており、
フォトリソグラフィー技術を使用して集積回路の微細な
パターンをウエーハ上に精度良く形成するためには、ウ
エーハを全体平坦化させることが必要であり、CMP法が
不可欠な技術となっている。CMP工程において、ウエー
ハは研磨機に取り付けられ、回転するラッピング定盤に
取り付けられた研磨パッドに押し付けられる。研磨パッ
ドの中あるいは表面には研磨材であるシリカ等の微粒子
を含む研磨用スラリーが供給され、ウエーハ表面は研磨
され、平坦化が実現される。こうした研磨パッドには、
ポリウレタンの独立発泡体やポリエステル繊維にポリウ
レタンを含浸させた連続発泡体が主に使用されている。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have become higher in density and multilayered, and wiring patterns have become finer.
In order to accurately form a fine pattern of an integrated circuit on a wafer by using photolithography technology, it is necessary to flatten the entire wafer, and the CMP method is an indispensable technology. In the CMP process, the wafer is mounted on a polishing machine and pressed against a polishing pad mounted on a rotating lapping platen. A polishing slurry containing fine particles such as silica, which is an abrasive, is supplied to the inside or the surface of the polishing pad, and the surface of the wafer is polished and flattened. These polishing pads include
Mainly used are independent foams of polyurethane and continuous foams obtained by impregnating polyester fibers with polyurethane.
【０００３】しかしながら、このような発泡機構を有す
る研磨パッドは、孔のサイズや分布に均一性を持たせる
ことが製法上困難であり、研磨プロセスにおいて、スラ
リー中の研磨材の分布やウエーハ表面とパッド間の圧力
分布を均一に制御することができず、ウエーハ表面の良
好な平坦化が行うことが難しい。また、研磨用スラリー
中のシリカ等の微粒子は使用中に凝集したり、配線上に
付着するなどして、スクラッチやウエーハ表面の汚染を
もたらす場合がある。However, it is difficult for the polishing pad having such a foaming mechanism to make the size and distribution of pores uniform, and in the polishing process, the distribution of the abrasive in the slurry and the surface of the wafer are not uniform. The pressure distribution between the pads cannot be controlled uniformly, and it is difficult to achieve a good flattening of the wafer surface. Further, fine particles such as silica in the polishing slurry may be agglomerated during use or adhered to the wiring, resulting in scratches and contamination of the wafer surface.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】そこでこれらの問題を
解決するために、研磨パッド中に研磨粒子を含有する、
所謂固定砥粒パッドも提案されている。固定砥粒パッド
ではポリマー中に研磨粒子を混合し、研磨パッドを成形
する方法や、モノマー中に研磨粒子を分散させ、重合し
た後に成形する方法などがあるが、いずれも研磨粒子が
研磨パッド中で凝集し、所望の研磨特性が得られず、ま
た研磨中に研磨粒子が研磨パッドから剥離し、スクラッ
チや汚染の原因となる。また、前もって研磨粒子の表面
をシランカップリング剤などで改質したり、ポリマーや
モノマーの末端基を修飾するなどの方法もあるが、研磨
パッド中での研磨粒子の均一な分散や研磨粒子の剥離防
止を実現するには十分ではなかった。Therefore, in order to solve these problems, the polishing pad contains abrasive particles,
So-called fixed abrasive pads have also been proposed. Fixed abrasive pads include a method of mixing polishing particles into a polymer to form the polishing pad, a method of dispersing the polishing particles in a monomer, and a method of polymerizing and then forming. Agglomerates with each other, the desired polishing characteristics cannot be obtained, and the polishing particles peel off from the polishing pad during polishing, causing scratches and contamination. There are also methods such as modifying the surface of the polishing particles with a silane coupling agent in advance, or modifying the end groups of the polymer and the monomer. It was not sufficient to realize peeling prevention.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために鋭意研究を行った結果、構造的に均一で
あり、ウエーハ表面の良好な研磨を可能とし、砥粒の脱
落によるスクラッチやウエーハ表面の汚染のない研磨パ
ッドを見出した。すなわち本発明は、樹脂マトリックス
と研磨特性を有する無機物質とからなる複合材料から主
としてなり、該無機物質が有機−無機ハイブリッド合成
法によって形成され、該無機物質が実質的に本体樹脂マ
トリックス中に均一に分散していることを特徴とする研
磨パッドに関する。As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention have found that they are structurally uniform, enable good polishing of the wafer surface, and cause the abrasive grains to fall off. We have found a polishing pad with no scratches or contamination of the wafer surface. That is, the present invention is mainly composed of a composite material comprising a resin matrix and an inorganic substance having polishing properties, the inorganic substance being formed by an organic-inorganic hybrid synthesis method, and the inorganic substance being substantially uniform in the main resin matrix. And a polishing pad characterized by being dispersed in
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】本発明の研磨パッドは、樹脂マト
リックスと研磨特性と有する無機物質からなる複合材料
を主たる構成成分とする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The polishing pad of the present invention mainly comprises a composite material composed of a resin matrix and an inorganic substance having polishing characteristics.
【０００７】本発明の樹脂マトリックスとは、研磨パッ
ド本体を形成するものであり、熱可塑性樹脂や熱硬化性
樹脂、熱可塑性エラストマー、熱硬化性エラストマー、
合成ゴムなどの合成樹脂やセルロースやゴムなどの天然
樹脂などやこれらの混合物が挙げられる。具体的にはポ
リウレタンやナイロン、ポリエステル、ポリ乳酸、ポリ
プロピレン、シリコーンポリマー、ポリイミド、アクリ
ル、ポリエチレン、フェノール、エポキシ、テフロン
（登録商標）、ポリビニルアルコール、天然ゴム、セル
ロース等が挙げられる。研磨の際にウエーハの縁ダレを
防止し、かつウエーハ表面に形成された集積回路の微細
パターンに追従し、集積回路の微細パターンを傷つける
ことを防ぐためには、ポリウレタン系やエポキシ系など
の樹脂が好ましく使用される。また、樹脂マトリックス
にはポリエステル繊維やカーボン繊維などの補強物質を
添加してもよい。The resin matrix of the present invention forms the main body of the polishing pad, and comprises a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a thermoplastic elastomer, a thermosetting elastomer,
Examples thereof include synthetic resins such as synthetic rubber, natural resins such as cellulose and rubber, and mixtures thereof. Specific examples include polyurethane, nylon, polyester, polylactic acid, polypropylene, silicone polymer, polyimide, acrylic, polyethylene, phenol, epoxy, Teflon (registered trademark), polyvinyl alcohol, natural rubber, and cellulose. In order to prevent the edge sagging of the wafer during polishing and to follow the fine pattern of the integrated circuit formed on the surface of the wafer and prevent damaging the fine pattern of the integrated circuit, a resin such as polyurethane or epoxy is used. Preferably used. Further, a reinforcing material such as polyester fiber or carbon fiber may be added to the resin matrix.
【０００８】本発明の研磨特性を有する無機物質とは、
複合材料を形成する樹脂マトリックス中に、あるいは樹
脂マトリックス表面に存在するものであり、二酸化珪素
や酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化セリウム、酸
化マンガン、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸
化クロム、炭化珪素などやこれらの複合化合物などが挙
げられる。該無機物質の形状は、特に限定されないが、
研磨面を均一、平滑とし、かつスクラッチなどの傷が付
かないようにするためには、鋭角でない、球状または疑
似球状のような表面を有するものが好ましい。該無機物
質のサイズは、均一な研磨特性と樹脂マトリックスとの
接着性、樹脂マトリックスから欠落した場合のウエーハ
表面へのダメージを与えないことを考慮すれば１μｍ以
下であることが好ましく、さらに好ましくは100nm以
下、特に好ましくは10nm以下である。The inorganic substance having polishing characteristics of the present invention is
It exists in the resin matrix forming the composite material or on the surface of the resin matrix, and is silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, cerium oxide, manganese oxide, iron oxide, zirconium oxide, tin oxide, chromium oxide, silicon carbide. Etc. and these compound compounds etc. are mentioned. The shape of the inorganic substance is not particularly limited,
In order to make the polished surface uniform and smooth and to prevent scratches such as scratches, those having a spherical or pseudo-spherical surface without an acute angle are preferable. The size of the inorganic substance is preferably 1 μm or less, more preferably 1 μm or less in consideration of uniform polishing characteristics, adhesiveness with the resin matrix, and damage to the surface of the wafer when it is removed from the resin matrix. It is 100 nm or less, particularly preferably 10 nm or less.
【０００９】本発明において、研磨パッドを構成する複
合材料を形成するための有機−無機ハイブリッド合成法
とは、分子レベルにおいて樹脂マトリックス原料と研磨
特性を有する無機物質の前駆体とを均一混合する方法を
指す。樹脂マトリックス原料と研磨特性を有する無機物
質の前駆体とを均一に混合し、続いて重合、縮合、脱
水、脱アルコール、脱溶媒、架橋などの反応工程を経
て、固化させ、必要に応じて加熱、冷却や紫外線照射な
どを行えば、樹脂マトリックス中に研磨特性を有する無
機物質が均一に分散した複合材料が得られる。具体例を
挙げると、高分子ポリオール及びポリイソシアネートを
用いて両末端基に水酸基を有するウレタンプレポリマー
を得て、これを樹脂マトリックス原料とし、これに、研
磨特性を有する無機物質の前駆体として、テトラエトキ
シシランを添加して、よく混合し、脱エタノール反応
後、冷却することで10nm以下のサイズで球状に近いシリ
カ粒子がポリウレタン中に均一に分散したものが得られ
る。In the present invention, the organic-inorganic hybrid synthesis method for forming the composite material constituting the polishing pad is a method of uniformly mixing a resin matrix raw material and a precursor of an inorganic substance having polishing characteristics at the molecular level. Refers to. A resin matrix raw material and a precursor of an inorganic substance having polishing properties are uniformly mixed, followed by reaction steps such as polymerization, condensation, dehydration, dealcoholization, desolventization and crosslinking, solidification, and heating if necessary. By cooling, irradiation with ultraviolet rays, or the like, a composite material in which an inorganic substance having polishing properties is uniformly dispersed in a resin matrix can be obtained. To give a specific example, a urethane prepolymer having hydroxyl groups at both end groups is obtained using a high molecular weight polyol and polyisocyanate, and this is used as a resin matrix raw material, and as a precursor of an inorganic substance having polishing properties, By adding tetraethoxysilane, mixing well, deethanolizing, and cooling, silica particles having a size of 10 nm or less and having a nearly spherical shape are uniformly dispersed in polyurethane.
【００１０】前記有機−無機ハイブリッド合成法によっ
て得られる複合材料は、所定の形状に成形または加工さ
れて研磨パッドとして使用される。ウエーハと接する研
磨パッドの研磨面には、摩擦力や圧力分布を制御した
り、研磨屑や加工液及び必要に応じて添加されるスラリ
ー液を効果的に供給・排出、あるいは貯蔵することがで
きるための溝や表面形状が付与されることが一般的であ
る。また、研磨パッド本体材料は必要に応じて発泡成形
することも可能である。本発明の研磨パッドを使用する
際には、必要に応じて、研磨面をダイヤモンドドレッサ
ーなどで適度に荒らしてもよい。The composite material obtained by the organic-inorganic hybrid synthesis method is molded or processed into a predetermined shape and used as a polishing pad. On the polishing surface of the polishing pad that is in contact with the wafer, it is possible to control the frictional force and pressure distribution, and to effectively supply / discharge or store polishing dust, processing liquid, and slurry liquid added as needed. It is common to provide a groove or surface shape for this purpose. Further, the polishing pad body material can be foam-molded if necessary. When using the polishing pad of the present invention, the polishing surface may be appropriately roughened with a diamond dresser or the like, if necessary.
【００１１】本発明は、以下の特定の実施例により、さ
らに詳しく例示されるものの、これら実施例に限定され
るものではない。なお、以下の例で「部」とは「質量
部」を意味する。The present invention is illustrated in greater detail by the following specific examples, but is not limited to these examples. In the following examples, "part" means "part by mass".
【００１２】実施例１
タケネートL-2695（ポリウレタンプレポリマー，三井タ
ケダケミカル社製）30部、MS51（テトラメトキシシラン
部分縮合体、多摩化学社製）2.69部を80℃の真空中で1
時間、脱泡しながら混合したものと、イハラキュアミン
（MOCA，イハラケミカル社製）8.95部を120℃の真空中
で1時間溶融脱泡したものとを、100℃の真空中で泡をか
まないように混合し、シリコーン剥離剤を塗布した100
℃に加熱した600mmφ×100mmの円筒型金型に流し込み、
100℃で24時間保持して、円筒型のウレタン−シリカ有
機−無機ハイブリッド材料を得た。これをダイヤモンド
カッターで２ｍｍ厚に切り出し、研磨パッドを作製し
た。作製した研磨パッドを透過型電子顕微鏡で観察した
ところ、約5nmのシリカ粒子がポリウレタン中に均一に
分散していた。この研磨パッドを使用して、シリコンウ
エーハのCMPを行なったところ、従来の発泡ポリウレタ
ンパッドと比較して、表面粗さが約１／３となり、ウエ
ーハ洗浄後に残存する砥粒は見られず、ウエーハ表面に
スクラッチは見られなかった。Example 1 Takenate L-2695 (polyurethane prepolymer, manufactured by Mitsui Takeda Chemical Co., Ltd.) (30 parts) and MS51 (tetramethoxysilane partial condensate, manufactured by Tama Chemical Co., Ltd.) (2.69 parts) were placed in a vacuum at 80 ° C.
The mixture was degassed for a period of time, and 8.95 parts of Iharacuamine (MOCA, manufactured by Ihara Chemical Co., Ltd.) was melted and degassed in a vacuum of 120 ° C. for 1 hour. Mixed so that it does not exist, and coated with silicone release agent 100
Pour into a 600 mm φ × 100 mm cylindrical mold heated to ℃,
By holding at 100 ° C. for 24 hours, a cylindrical urethane-silica organic-inorganic hybrid material was obtained. This was cut to a thickness of 2 mm with a diamond cutter to prepare a polishing pad. When the produced polishing pad was observed with a transmission electron microscope, silica particles of about 5 nm were uniformly dispersed in polyurethane. When CMP of a silicon wafer was performed using this polishing pad, the surface roughness was about 1/3 of that of a conventional foamed polyurethane pad, and no abrasive grains remained after cleaning the wafer were observed. No scratch was found on the surface.
【００１３】実施例２
ハイブレンL-315（ウレタンプレポリマー，三井タケダ
ケミカル製）30部、MS51（テトラメトキシシラン部分縮
合体、多摩化学製）2.94部、イハラキュアミン（MOCA，
イハラケミカル製）9.02部をメチルエチルケトン200部
に溶解させ、シリコーン剥離剤を塗布した600mmφ×100
mmの円筒型金型に流し込み、真空中120℃で、24時間加
熱し、円筒型のウレタン−シリカ有機−無機ハイブリッ
ド材料を得た。これをダイヤモンドカッターで２ｍｍ厚
に切り出し、研磨パッドを作製した。作製した研磨パッ
ドを透過型電子顕微鏡で観察したところ、約5nmのシリ
カ粒子がポリウレタン中に均一に分散していた。この研
磨パッドを使用してシリコンウエーハのCMPを行なった
ところ、従来の発泡ポリウレタンパッドと比較して、表
面粗さが約１／３となり、ウエーハ洗浄後に残存する砥
粒は見られず、ウエーハ表面にスクラッチは見られなか
った。Example 2 30 parts of Hybrene L-315 (urethane prepolymer, manufactured by Mitsui Takeda Chemical Co., Ltd.), 2.94 parts of MS51 (partial condensate of tetramethoxysilane, manufactured by Tama Chemical Co., Ltd.), Iharacuamine (MOCA,
Ihara Chemical's 9.02 parts dissolved in 200 parts of methyl ethyl ketone and coated with silicone release agent 600 mmφ x 100
It was poured into a cylindrical metal mold of mm and heated in vacuum at 120 ° C. for 24 hours to obtain a cylindrical urethane-silica organic-inorganic hybrid material. This was cut to a thickness of 2 mm with a diamond cutter to prepare a polishing pad. When the produced polishing pad was observed with a transmission electron microscope, silica particles of about 5 nm were uniformly dispersed in polyurethane. When CMP of a silicon wafer was performed using this polishing pad, the surface roughness was about 1/3 of that of a conventional foamed polyurethane pad, and no abrasive grains remained after cleaning the wafer, and the wafer surface No scratches were seen.
【００１４】実施例３
クラポールP2010（ポリエステルポリオール，クラレ
製）50部、プラクセル220（ポリエステルポリオール、
ダイセル化学工業製）74部、イソホロンジイソシアネー
ト34部を窒素気流下、80℃で5時間反応させてウレタン
プレポリマーを得た。このウレタンプレポリマーにトル
エン127部、メチルエチルケトン130部を加え、攪拌しな
がら50℃まで冷却後、イソホロンジアミン13部および３
−アミノプロピルトリエトキシシラン9.1部を２−プロ
パノール128部に溶かした溶液を10分間で滴下し、1時間
静置して得られたポリウレタン溶液を、シリコーン剥離
剤を塗布した600mmφ×100mmの円筒型金型に流し込み、
真空中120℃で24時間加熱し、円筒型のウレタン−シリ
カ有機−無機ハイブリッド材料を得た。これをダイヤモ
ンドカッターで２ｍｍ厚に切り出し、研磨パッドを作製
した。作製した研磨パッドを透過型電子顕微鏡で観察し
たところ、約3nmのシリカ粒子がポリウレタン中に均一
に分散していた。この研磨パッドを使用してシリコンウ
エーハのCMPを行なったところ、従来の発泡ポリウレタ
ンパッドと比較して、表面粗さが約１／２となり、ウエ
ーハ洗浄後に残存する砥粒は見られず、ウエーハ表面に
スクラッチは見られなかった。Example 3 50 parts of Curapol P2010 (polyester polyol, manufactured by Kuraray), Praxel 220 (polyester polyol,
74 parts by weight of Daicel Chemical Industries) and 34 parts of isophorone diisocyanate were reacted under a nitrogen stream at 80 ° C. for 5 hours to obtain a urethane prepolymer. To this urethane prepolymer, 127 parts of toluene and 130 parts of methyl ethyl ketone were added, and after cooling to 50 ° C with stirring, 13 parts of isophoronediamine and 3 parts of
-A solution of 9.1 parts of aminopropyltriethoxysilane in 128 parts of 2-propanol was added dropwise over 10 minutes, and the polyurethane solution obtained by standing for 1 hour was coated with a silicone release agent to form a cylinder of 600 mmφ x 100 mm. Pour into the mold,
By heating at 120 ° C. for 24 hours in vacuum, a cylindrical urethane-silica organic-inorganic hybrid material was obtained. This was cut to a thickness of 2 mm with a diamond cutter to prepare a polishing pad. When the produced polishing pad was observed with a transmission electron microscope, silica particles of about 3 nm were uniformly dispersed in polyurethane. When CMP of a silicon wafer was performed using this polishing pad, the surface roughness was about 1/2 of that of the conventional foamed polyurethane pad, and no abrasive particles remained after the wafer was washed, and the wafer surface No scratches were seen.
【００１５】比較例１
ハイブレンL-315（ウレタンプレポリマー，三井タケダ
ケミカル製）30部、イハラキュアミン（MOCA，イハラケ
ミカル製）9.02部をメチルエチルケトン200部に溶解さ
せ、シランカップリング剤で表面処理したナノテックSi
O2（平均粒径30nm，真球状超微粒子，シーアイ化成製）
を加えてよく混合攪拌を行ない、シリコーン剥離剤を塗
布した600mmφ×100mmの円筒型金型に流し込み、真空中
120℃で24時間加熱し、円筒型のウレタン−シリカ超微
粒子複合材料を得た。これをダイヤモンドカッターで２
ｍｍ厚に切り出し、研磨パッドを作製した。作製した研
磨パッドを透過型電子顕微鏡で観察したところ、約30nm
のシリカ粒子が約3個程度の凝集を形成してポリウレタ
ン中に分散していた。作製した研磨パッドを使用してシ
リコンウエーハのCMPを行なったところ、表面粗さは、
従来の発泡ポリウレタンパッドと比較してほぼ同等であ
った。また、ウエーハ洗浄後に残存する砥粒がわずかに
見られ、ウエーハ表面にスクラッチが観察された。Comparative Example 1 30 parts of Hybrene L-315 (urethane prepolymer, manufactured by Mitsui Takeda Chemical) and 9.02 parts of Iharacuamine (MOCA, manufactured by Ihara Chemical) were dissolved in 200 parts of methyl ethyl ketone and surface-treated with a silane coupling agent. Nanotech Si
O 2 (average particle size 30nm, spherical ultrafine particles, manufactured by CI Kasei)
, Mix well, stir, pour into a 600 mmφ × 100 mm cylindrical mold coated with silicone release agent, and in vacuum
After heating at 120 ° C. for 24 hours, a cylindrical urethane-silica ultrafine particle composite material was obtained. 2 with a diamond cutter
It was cut into a thickness of mm to prepare a polishing pad. Observation of the prepared polishing pad with a transmission electron microscope revealed that it was approximately 30 nm.
The silica particles of No. 3 formed about 3 aggregates and were dispersed in polyurethane. When the CMP of the silicon wafer was performed using the produced polishing pad, the surface roughness was
It was almost equivalent to the conventional foamed polyurethane pad. Further, a small amount of abrasive grains remained after the wafer was washed, and scratches were observed on the surface of the wafer.
【００１６】[0016]
【発明の効果】本発明の研磨パッドを用いれば、半導体
ウエーハ等を精密に研磨でき、被研磨体表面を汚染した
り、傷付けることがない。By using the polishing pad of the present invention, a semiconductor wafer or the like can be precisely polished, and the surface of the object to be polished is not contaminated or scratched.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 CB01 DA17 4F071 AA09 AA10 AA15 AA20 AA27 AA29 AA31 AA41 AA42 AA43 AA53 AA54 AA60 AA67 AB18 AB26 AD02 AD06 AE13 DA19 4J002 AB011 AC011 BB031 BB121 BD151 BE021 CC031 CD001 CF001 CF181 CG001 CK021 CL001 CM041 CP031 DE096 DE116 DE136 DE146 DJ006 DJ016 FA086 FD206 GT00─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C08L 101/00 C08L 101/00 F term (reference) 3C058 AA07 AA09 CB01 DA17 4F071 AA09 AA10 AA15 AA20 AA27 AA29 AA31 AA41 AA42 AA43 AA53 AA54 AA60 AA67 AB18 AB26 AD02 AD06 AE13 DA19 4J002 AB011 AC011 BB031 BB121 BD151 BE021 CC031 CD001 CF001 CF181 CG001 CK021 CL001 CM041 CP031 DE096 DE116 DE136 DE146 DJ006 DJ016 FA086 FD206 GT00
Claims (2)
物質とからなる複合材料から主として形成された研磨パ
ッドにおいて、この複合材料が有機−無機ハイブリッド
合成法によって形成され、該無機物質が実質的に樹脂マ
トリックス中に均一に分散していることを特徴とする研
磨パッド。1. A polishing pad mainly formed of a composite material comprising a resin matrix and an inorganic substance having polishing properties, wherein the composite material is formed by an organic-inorganic hybrid synthesis method, the inorganic substance being substantially a resin. A polishing pad characterized by being uniformly dispersed in a matrix.
徴とする請求項１記載の研磨パッド。2. The polishing pad according to claim 1, wherein the particle size of the inorganic substance is 10 nm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002038463A JP2003243342A (en) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | Polishing pad |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002038463A JP2003243342A (en) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | Polishing pad |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243342A true JP2003243342A (en) | 2003-08-29 |
Family
ID=27779767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002038463A Pending JP2003243342A (en) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | Polishing pad |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243342A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005131779A (en) * | 2003-10-09 | 2005-05-26 | Yasuhiro Tani | Composite material tool plate for polishing |
| JP2005177934A (en) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Polishing pad for cmp and polishing method using it |
| WO2006059617A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Mitsui Chemicals Polyurethanes, Inc. | Polyurethane-polysilicic acid composite and method for production thereof |
| JP2007533765A (en) * | 2003-10-10 | 2007-11-22 | コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼイション | Abrasion resistant polymer |
| JP2009148891A (en) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Nitta Haas Inc | Polishing pad |
| JP2009241424A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Laminated sheet |
-
2002
- 2002-02-15 JP JP2002038463A patent/JP2003243342A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005131779A (en) * | 2003-10-09 | 2005-05-26 | Yasuhiro Tani | Composite material tool plate for polishing |
| JP2007533765A (en) * | 2003-10-10 | 2007-11-22 | コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼイション | Abrasion resistant polymer |
| US8093315B2 (en) | 2003-10-10 | 2012-01-10 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Wear resistant polymers |
| JP2005177934A (en) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Polishing pad for cmp and polishing method using it |
| WO2006059617A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Mitsui Chemicals Polyurethanes, Inc. | Polyurethane-polysilicic acid composite and method for production thereof |
| JP2009241424A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Laminated sheet |
| JP2009148891A (en) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Nitta Haas Inc | Polishing pad |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7497885B2 (en) | Abrasive articles with nanoparticulate fillers and method for making and using them | |
| JP4810173B2 (en) | Method for forming a polishing pad with reduced striations | |
| TWI551395B (en) | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers | |
| TWI551397B (en) | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window | |
| WO2013089240A1 (en) | Polishing pad | |
| JP2003062748A (en) | Abrasive pad | |
| KR20060053261A (en) | Polishing pad | |
| TWI477358B (en) | Method and mix head assembly for manufacturing chemical mechanical polishing pad polishing layers | |
| WO2020262211A1 (en) | Synthetic grinding stone | |
| CN113442056B (en) | Polishing pad, preparation method thereof and manufacturing method of semiconductor device | |
| US20070128995A1 (en) | Polishing grindstone and method for producing same | |
| JP2003243342A (en) | Polishing pad | |
| JPH11207632A (en) | Polisher, manufacture of the same and polishing tool | |
| JP7118841B2 (en) | polishing pad | |
| JP7118840B2 (en) | polishing pad | |
| JP2005251851A (en) | Polishing pad and polishing method | |
| JP2878282B2 (en) | Polyurethane composition for abrasive and method for producing polyurethane foam | |
| JP2003257905A (en) | Method for polishing workpiece | |
| JP2014111296A (en) | Polishing pad and its manufacturing method | |
| JP6444507B2 (en) | Polishing pad manufacturing method | |
| JP5221992B2 (en) | Polishing pad | |
| JP2002292556A (en) | Slurry, grindstone, pad and abrasive fluid for mirror polishing of silicon wafer, and mirror polishing method using these materials | |
| JP3455517B2 (en) | Urethane molded product containing cavities for polishing pad, polishing sheet and polishing pad | |
| JP2001287152A (en) | Abrasive sheet for semiconductor wafer and manufacturing method therefor | |
| JP2003340728A (en) | Grinding sheet and method for manufacturing the same |