JP2003242627A - Glass substrate for information recording medium - Google Patents

Glass substrate for information recording medium

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JP2003242627A
JP2003242627A JP2002036325A JP2002036325A JP2003242627A JP 2003242627 A JP2003242627 A JP 2003242627A JP 2002036325 A JP2002036325 A JP 2002036325A JP 2002036325 A JP2002036325 A JP 2002036325A JP 2003242627 A JP2003242627 A JP 2003242627A
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JP
Japan
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polishing
slope
measurement point
glass substrate
information recording
Prior art date
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Application number
JP2002036325A
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Japanese (ja)
Inventor
Kanki Horisaka
環樹 堀坂
Koichi Suzuki
弘一 鈴木
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass substrate for an information recording medium capable of expanding a recording area by improving the flatness of a slope of a ski jump. <P>SOLUTION: The ski jump 22 is determined as follows. That is to say, a position away by 1.5% of a radius from the outer circumferential end edge of a substrate surface 10 along a radial direction is defined as a reference point, and a first measurement point 24a is determined on the slope 23 of the ski jump 22 at a position on the substrate surface 10, being on an inner side from the reference point. A second measurement point 24b is determined on the slope 23 away only by 0.5 to 3.0 mm to the inner side of the glass substrate from the first measurement point 24a along a radial direction. A straight line is connected between the first measurement point 24a and the second measurement point 24b, and by using the straight line as a reference straight line 25, the distance from the reference straight line to the surface of an actual slope 23 is defined as a radial curvature (RC). The RC represents the shape of the ski jump 22, and the RC is defined to be 50 nm or less. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばハードデ
ィスク等のような情報記録装置の磁気記録媒体である磁
気ディスク、光磁気ディスク、光ディスク等といった情
報記録媒体に用いるための情報記録媒体用ガラス基板及
びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium glass substrate for use in an information recording medium such as a magnetic disk, a magneto-optical disk, an optical disk, etc., which is a magnetic recording medium of an information recording apparatus such as a hard disk. The present invention relates to a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、上記のような情報記録媒体の1つ
として、ハードディスク装置に内装された磁気ディスク
が知られている。同磁気ディスクは、情報記録媒体用ガ
ラス基板(以下、単にガラス基板とも記載する)の基板
表面に磁性層等を積層することによって製造されてい
る。また、磁気ディスクに記録された磁気記録情報を読
みとるための磁気ヘッド(以下、単にヘッドとも記載す
る)は、磁気ディスクに対してその表面から浮上した状
態で移動するように構成されている。このヘッドが移動
するときに磁気ディスクの表面に凹凸が存在すると、こ
れら凹凸とヘッドとが衝突し、ヘッドの損傷、磁気ディ
スクの傷つき等のような不具合を生じるおそれがある。
このような不具合の発生を抑制するため、ガラス基板は
その基板表面が平滑面となるように製造時に研磨処理を
施されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as one of the above information recording media, a magnetic disk incorporated in a hard disk device is known. The magnetic disk is manufactured by laminating a magnetic layer or the like on the surface of a glass substrate for information recording medium (hereinafter, also simply referred to as a glass substrate). Further, a magnetic head (hereinafter, also simply referred to as a head) for reading the magnetic recording information recorded on the magnetic disk is configured to move in a state of floating above the surface of the magnetic disk. If there are irregularities on the surface of the magnetic disk when the head moves, the irregularities and the head may collide with each other, causing problems such as damage to the head and scratches on the magnetic disk.
In order to suppress the occurrence of such defects, the glass substrate is subjected to a polishing treatment at the time of manufacture so that the substrate surface becomes a smooth surface.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の磁気
ディスクは、その記録容量を増大させるために記録領域
の拡大が図られている。しかし、ガラス基板に研磨処理
を施した場合、ガラス基板の僅かな歪み、撓み、反り、
研磨処理時の研磨応力等により、基板表面の外周端縁部
には高い確率でスキージャンプと呼ばれる山状の隆起が
形成されてしまう。このスキージャンプは研磨条件によ
って様々な形状となり、その斜面が平坦で直線状に続く
もの、斜面の勾配が途中で大きく変わるもの、斜面上に
大小の凹凸が形成されているもの等がある。
By the way, in recent magnetic disks, the recording area is being expanded in order to increase the recording capacity thereof. However, when the glass substrate is subjected to polishing treatment, slight distortion, bending, warpage of the glass substrate,
Due to polishing stress and the like during the polishing process, mountain-shaped protrusions called ski jumps are formed at the outer peripheral edge of the substrate surface with high probability. This ski jump has various shapes depending on the polishing conditions, and there are one in which the slope is flat and continues in a straight line, one in which the slope of the slope greatly changes in the middle, and one in which large and small irregularities are formed on the slope.

【0004】前記ヘッドは、スキージャンプの斜面が平
坦な場合にはその斜面上を移動することが可能である。
だが、スキージャンプの斜面の曲率半径が小さく、急勾
配となったり、凹凸が形成されていたり等した場合、ヘ
ッドはスキージャンプの斜面上を移動することができ
ず、斜面に衝突してしまう。このため、記録領域の拡大
を図るには、スキージャンプの斜面の平坦度を向上さ
せ、同斜面上をヘッドが移動することができるようにす
る必要があった。
When the slope of the ski jump is flat, the head can move on the slope.
However, if the slope of the ski jump has a small radius of curvature and becomes steep or has unevenness, the head cannot move on the slope of the ski jump and collides with the slope. Therefore, in order to expand the recording area, it is necessary to improve the flatness of the slope of the ski jump so that the head can move on the slope.

【0005】また、ガラス基板の表面状態は、一般に中
心線平均粗さ(Ra)、最大高さ(Rmax)等のJI
S B0601で定義された表面粗さの大小で評価され
ている。しかし、同表面粗さは基板表面全体の表面状態
を考慮し、それらの平均値によって算出されるものであ
り、スキージャンプの斜面のみを考慮することはできな
かった。
The surface condition of the glass substrate is generally determined by JI such as center line average roughness (Ra) and maximum height (Rmax).
It is evaluated by the magnitude of the surface roughness defined by S B0601. However, the surface roughness is calculated by taking an average value of the surface states of the entire substrate surface into consideration, and it is not possible to consider only the slope of the ski jump.

【0006】この発明は、このような従来技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、スキージャンプの斜面の平坦度を向上させ
ることにより、記録領域の拡大を図ることができる情報
記録媒体用ガラス基板を提供することにある。
The present invention has been made by paying attention to the problems existing in the prior art. An object of the invention is to provide a glass substrate for an information recording medium, which can increase the recording area by improving the flatness of the slope of the ski jump.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の情報記録媒体用ガラス基板の発
明は、円盤状をなすガラス基板の基板表面で外周端縁部
から隆起した山状をなすスキージャンプの頂点が基板表
面の外周端縁と、外周端縁から径方向に沿って半径の
1.5%内方へ離間した位置との間に形成されるととも
に、当該頂点から基板表面の内方へ向かって延びるスキ
ージャンプの斜面上に第1測定点を定め、同第1測定点
から基板表面の内方へ径方向に沿って所定距離W(m
m)だけ離間した位置となる斜面上に第2測定点を定
め、これら第1測定点と第2測定点とを結んだ直線を基
準直線とし、当該基準直線から基準直線よりも基板表面
側に位置する斜面の表面までの距離をラジアルカーベィ
チャー(RC)としたとき、RCが50nm以下である
ことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the invention of a glass substrate for an information recording medium according to claim 1 is such that a disk-shaped glass substrate is protruded from an outer peripheral edge portion on the substrate surface. An apex of the mountain-shaped ski jump is formed between the outer peripheral edge of the substrate surface and a position spaced radially inward from the outer peripheral edge by 1.5% of the radius. From the first measurement point on the slope of the ski jump extending inward from the substrate surface to a predetermined distance W (m
m) defines a second measurement point on a slope that is separated by a distance, and a straight line connecting the first measurement point and the second measurement point is used as a reference straight line, and the reference straight line is located closer to the substrate surface side than the reference straight line. When the distance to the surface of the slope located is a radial curve (RC), RC is 50 nm or less.

【0008】請求項2に記載の情報記録媒体用ガラス基
板の発明は、請求項1に記載の発明において、前記所定
距離Wが0.5〜3.0mmであることを特徴とするも
のである。
The invention of the glass substrate for an information recording medium described in claim 2 is characterized in that, in the invention described in claim 1, the predetermined distance W is 0.5 to 3.0 mm. .

【0009】請求項3に記載の情報記録媒体用ガラス基
板の発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明におい
て、前記基板表面からスキージャンプの頂点までの高さ
が0.5μm以下であることを特徴とするものである。
The invention of the glass substrate for an information recording medium described in claim 3 is the invention of claim 1 or 2, wherein the height from the substrate surface to the top of the ski jump is 0.5 μm or less. It is characterized by being.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を、図
面に基づいて詳細に説明する。情報記録媒体用ガラス基
板は、中心に円孔を有した円盤状をなし、磁気ディス
ク、光磁気ディスク、光ディスク等の情報記録媒体の基
板として用いられている。このガラス基板を形成する材
料としてはフロート法、ダウンドロー法、リドロー法又
はプレス法で製造されたソーダライムガラス、アルミノ
シリケートガラス、ボロシリケートガラス、結晶化ガラ
ス等が挙げられる。そして、このガラス基板の基板表面
に磁性膜等を積層することにより、情報記録媒体が構成
されるとともに、磁性膜等が積層された状態の基板表面
が情報記録媒体の情報記録部とされる。この情報記録媒
体の情報記録部のうち、例えばヘッドが接触する領域
(ランディングゾーン)、外周縁及び内周縁に形成され
た面取り部(チャンファー部)等を除いた部分が情報記
録媒体に情報を記録するためのデータ領域として使用さ
れている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. The glass substrate for an information recording medium has a disk shape having a circular hole at the center, and is used as a substrate for an information recording medium such as a magnetic disk, a magneto-optical disk, an optical disk. Examples of the material for forming this glass substrate include soda lime glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, and crystallized glass produced by the float method, downdraw method, redraw method or press method. An information recording medium is constructed by laminating a magnetic film or the like on the surface of the glass substrate, and the substrate surface with the magnetic film or the like laminated serves as an information recording portion of the information recording medium. Of the information recording portion of this information recording medium, for example, a portion excluding a region in contact with the head (landing zone), chamfered portions (chamfer portion) formed on the outer peripheral edge and the inner peripheral edge, stores information on the information recording medium. It is used as a data area for recording.

【0011】上記の情報記録媒体は、高密度記録化を図
るか、あるいはデータ領域を拡大することによってその
記録容量を増大させることが可能である。これらのう
ち、高密度記録化を図る方法としては情報記録部、つま
り情報記録媒体の表面と情報記録媒体に記録された情報
を読み取るためのヘッドとの距離を狭める方法が挙げら
れる。また、データ領域を拡大する方法としては、情報
記録部の全てをデータ領域とする方法が挙げられる。
The above information recording medium can be increased in recording capacity by achieving high density recording or by expanding the data area. Among these, as a method for achieving high-density recording, there is a method of narrowing the distance between the information recording portion, that is, the surface of the information recording medium and the head for reading the information recorded on the information recording medium. As a method of expanding the data area, there is a method of using the entire information recording unit as the data area.

【0012】これらのうちいずれの方法を採る場合であ
っても、ガラス基板の基板表面に凹凸が存在すると情報
記録部にも凹凸が形成されてしまう。すると、この凹凸
にデータ領域を移動中のヘッドが接触又は干渉し、記録
された情報を正確に読み取ることができなかったり、ヘ
ッドが破損したり、情報記録部が傷ついたり等のような
不具合を起こすおそれがある。そこで、情報記録媒体に
使用されるガラス基板は、情報記録部となる基板表面に
高精度な研磨処理が施されることにより、凹凸の発生を
抑える試みがなされている。
Regardless of which of these methods is adopted, if there is unevenness on the surface of the glass substrate, unevenness is also formed on the information recording portion. Then, the head that is moving in the data area contacts or interferes with the unevenness, so that the recorded information cannot be read accurately, the head is damaged, the information recording section is damaged, and the like. It may occur. Therefore, in the glass substrate used for the information recording medium, an attempt has been made to suppress the occurrence of unevenness by subjecting the surface of the substrate, which becomes the information recording portion, to highly precise polishing.

【0013】これら凹凸は、具体的には原子間力顕微鏡
(AFM)で測定される。そして、その測定結果に基づ
き、JIS B0601の規定に従って表面粗さを表す
算術平均粗さ(Ra)、最大高さ(Rmax)及び最大
山高さ(Rp)が求められる。なお、Rmaxは凹凸の
うち、最も高い山と最も深い谷の高低差を示し、Rpは
各凸部のうち、中心線から最も高いものの高さを示す。
These irregularities are specifically measured by an atomic force microscope (AFM). Then, based on the measurement result, the arithmetic mean roughness (Ra), the maximum height (Rmax), and the maximum peak height (Rp), which represent the surface roughness, are obtained in accordance with the regulations of JIS B0601. It should be noted that Rmax represents the height difference between the highest peak and the deepest valley in the unevenness, and Rp represents the height of the highest one from the center line in each convex portion.

【0014】ガラス基板において、Raは0.8nm以
下とすることが好ましく、0.3nm以下とすることが
より好ましい。Raが0.8nmより大きいと多数の凹
凸が発生して基板表面が荒れるため、ヘッドの移動が不
安定となり、前に挙げたような不具合を起こすおそれが
ある。また、Rmaxは2〜5nmとすることが好まし
い。Rmaxを2nm未満とすることは難しく、却って
製造効率が低下するおそれがあり、Rmaxが5nm大
きいと基板表面の少なくとも一部が大きく荒れるおそれ
があり、記録容量の増大を図りにくくなる。加えて、R
pは3nm以下とすることが好ましい。Rpが3nmよ
り大きいと、基板表面の少なくとも一部に大きな凸が形
成されるおそれがあり、このような凸にヘッドが衝突
し、前に挙げたような不具合を起こすおそれがある。
In the glass substrate, Ra is preferably 0.8 nm or less, more preferably 0.3 nm or less. If Ra is larger than 0.8 nm, a large number of irregularities are generated and the surface of the substrate is roughened, so that the movement of the head becomes unstable and the above-mentioned problems may occur. Further, Rmax is preferably 2 to 5 nm. It is difficult to set Rmax to less than 2 nm, and there is a risk that the manufacturing efficiency will be decreased. On the other hand, when Rmax is greater than 5 nm, at least a portion of the substrate surface may be greatly roughened, making it difficult to increase recording capacity. In addition, R
It is preferable that p is 3 nm or less. If Rp is larger than 3 nm, large protrusions may be formed on at least a part of the substrate surface, and the head may collide with such protrusions, causing the above-mentioned problems.

【0015】研磨処理後のガラス基板の基板表面の状態
を実際に測定すると、ガラス基板の歪み、撓み、反り、
研磨時の機械的歪みや研磨応力等により、外周端縁部に
はスキージャンプと呼ばれる山状をなす隆起部が形成さ
れている場合がある。同スキージャンプは基板表面の外
周端部に大きな凹凸を発生させる。このため、情報記録
部とヘッドとの距離を狭めて高密度記録化を図る場合
と、データ領域を拡げる場合との両方で障害となる。そ
こで、記録容量の増大を図るにはスキージャンプの形状
を適正なものとすることにより、障害を抑えることが重
要課題となる。
When the state of the substrate surface of the glass substrate after the polishing treatment is actually measured, distortion, bending, warpage of the glass substrate,
There may be a case where a mountain-shaped raised portion called a ski jump is formed on the outer peripheral edge portion due to mechanical strain, polishing stress, or the like during polishing. The ski jump causes large irregularities on the outer peripheral edge of the substrate surface. For this reason, there are obstacles both when the distance between the information recording section and the head is reduced to achieve high density recording and when the data area is expanded. Therefore, in order to increase the recording capacity, it is an important issue to suppress the obstacle by making the shape of the ski jump proper.

【0016】なお、基板表面の内周端縁部にもスキージ
ャンプが形成される可能性がある。しかし、ガラス基板
の円孔にはハードディスク装置等に組み込まれた際に支
持治具等が取り付けられることから、内周端縁までデー
タ領域が拡大される可能性は低い。このため、本発明で
は外周端縁に形成されたスキージャンプに着目し、これ
について考察する。
There is a possibility that ski jumps may also be formed on the inner peripheral edge of the substrate surface. However, since a supporting jig or the like is attached to the circular hole of the glass substrate when it is incorporated in a hard disk device or the like, it is unlikely that the data area is expanded to the inner peripheral edge. Therefore, the present invention focuses on the ski jump formed on the outer peripheral edge and considers it.

【0017】スキージャンプは、具体的には次のように
して規定されている。すなわち、図1に示すように、基
準線21よりもガラス基板の基板表面10の外周端縁部
が上方へ隆起しているとき、この隆起部分がスキージャ
ンプ22とされる。この基準線21は、基板表面10に
おいて、外周端縁から径方向に沿って半径の15〜19
%離間した測定点から半径の27〜31%離間した測定
点までの間の基板表面10に沿った線を直線となるよう
に近似して得られる。なお、これ以降、図1で左方向を
基板表面10の内方、図1で右方向を基板表面10の外
方とする。
The ski jump is specifically defined as follows. That is, as shown in FIG. 1, when the outer peripheral edge portion of the substrate surface 10 of the glass substrate is raised above the reference line 21, this raised portion serves as a ski jump 22. The reference line 21 has a radius of 15 to 19 along the radial direction from the outer peripheral edge on the substrate surface 10.
It is obtained by approximating the line along the substrate surface 10 between the measurement points separated by% and the measurement points separated by 27 to 31% of the radius to be a straight line. Note that, hereinafter, the left direction in FIG. 1 is the inside of the substrate surface 10, and the right direction in FIG. 1 is the outside of the substrate surface 10.

【0018】当該スキージャンプ22は、研磨条件を変
えることによって形成位置を調整することが可能であ
る。そして、スキージャンプ22は、その頂点22aが
基板表面10の外周端縁から径方向に沿って半径の1.
5%離間した位置までの範囲内に配置されるように形成
されている。また、スキージャンプ22の高さをSJと
すれば、SJは基準線21から頂点22aまでの長さで
示される。このSJは0.5μm以下とすることが好ま
しい。SJが0.5μmより高くなると、スキージャン
プ22にヘッドが衝突する確率が高まり、データ領域を
拡げにくくなる。
The formation position of the ski jump 22 can be adjusted by changing the polishing conditions. The apex 22a of the ski jump 22 has a radius of 1. from the outer peripheral edge of the substrate surface 10 along the radial direction.
It is formed so as to be arranged within a range up to a position separated by 5%. If the height of the ski jump 22 is SJ, SJ is represented by the length from the reference line 21 to the apex 22a. This SJ is preferably 0.5 μm or less. When SJ is higher than 0.5 μm, the probability of the head colliding with the ski jump 22 increases, and it becomes difficult to expand the data area.

【0019】データ領域を拡大する場合、スキージャン
プ22の頂点22aから基板表面10の内方へ向かって
延びる斜面23上をヘッドが移動することができるなら
ば、頂点22aまでデータ領域を拡大することが可能で
ある。このため、本発明者らは斜面23の平坦度の向上
を図ることにより、データ領域の拡大が可能であるとの
結論に至った。
When expanding the data area, if the head can move on the slope 23 extending from the apex 22a of the ski jump 22 toward the inside of the substrate surface 10, expand the data area to the apex 22a. Is possible. Therefore, the present inventors have concluded that the data area can be expanded by improving the flatness of the slope 23.

【0020】斜面23の平坦度を規定する方法として
は、斜面23の表面が平坦面であると仮定した場合、こ
の平坦面から実際の斜面23の表面までの距離で表現す
る方法が挙げられる。この平坦面から実際の斜面23の
表面までの距離(以後ラジアルカーベィチャー、RCと
略称する)は、具体的に次のような方法で決定される。
As a method of defining the flatness of the slope 23, when the surface of the slope 23 is assumed to be a flat surface, there is a method of expressing it by the distance from this flat surface to the actual surface of the slope 23. The distance from the flat surface to the actual surface of the slope 23 (hereinafter referred to as radial curver, abbreviated as RC) is specifically determined by the following method.

【0021】すなわち、まず基板表面10の外周端縁か
ら径方向に沿って半径の1.5%離間した位置を基準点
とし、同基準点よりも基板表面10の内方となる位置の
斜面23上に第1測定点24aを定める。次に、当該第
1測定点24aから径方向に沿ってガラス基板の内方へ
距離W(mm)だけ離間した斜面23上に第2測定点2
4bを定める。その後、第1測定点24aと第2測定点
24bとの間を直線で結び、同直線を斜面23の表面を
平坦面と仮定したときに平坦面を表す基準直線25とす
る。そして、RCは、当該基準直線25から実際の斜面
23の表面までの距離で決定される。
That is, first, a position separated from the outer peripheral edge of the substrate surface 10 along the radial direction by 1.5% of the radius is set as a reference point, and the slope 23 at a position located inside the substrate surface 10 from the reference point. The first measurement point 24a is defined above. Next, the second measurement point 2 is formed on the slope 23 that is separated from the first measurement point 24a in the radial direction by a distance W (mm) inward of the glass substrate.
Define 4b. After that, the first measurement point 24a and the second measurement point 24b are connected by a straight line, and the straight line is used as a reference straight line 25 representing a flat surface when the surface of the slope 23 is assumed to be a flat surface. Then, RC is determined by the distance from the reference straight line 25 to the actual surface of the slope 23.

【0022】RCを決定する際、基準点を半径の1.5
%離間した位置よりも基板表面10の外方に定めた場
合、第1測定点24a及び第2測定点24bの間にスキ
ージャンプ22の頂点22aが存在してしまうおそれが
あり、基準直線25を的確に求めることができなくなる
おそれがある。また、第1測定点24aから第2測定点
24bまでの距離Wは、0.5〜3.0mmとすること
が好ましい。距離Wを0.5mm未満とした場合には基
準直線25を的確に求めることができなくなるおそれが
ある。3.0mmよりも長くした場合には第2測定点2
4bをスキージャンプ22の斜面23上に定めることが
できなくなるおそれがある。
When determining RC, the reference point is set to a radius of 1.5.
When it is set outside the substrate surface 10 rather than the position separated by%, the apex 22a of the ski jump 22 may be present between the first measurement point 24a and the second measurement point 24b. It may not be possible to accurately request the information. The distance W from the first measurement point 24a to the second measurement point 24b is preferably 0.5 to 3.0 mm. If the distance W is less than 0.5 mm, it may not be possible to accurately obtain the reference straight line 25. If the length is longer than 3.0 mm, the second measurement point 2
4b may not be able to be set on the slope 23 of the ski jump 22.

【0023】図1に示した以外にも、スキージャンプは
次のような形状のものが存在する。すなわち、図4
(a)のように、図1のものと比較して、頂点22aが
明確でなく斜面23の勾配が途中で大きく変化する、図
4(b)のように、基板表面10の外方側となる斜面が
基準線21よりも下方に位置し、面ダレ(ロールオフ)
となるもの等が挙げられる。これら図4(a),(b)
で示したものも、上記のようにしてRCを決定すること
が可能である。
Other than the one shown in FIG. 1, there are ski jumps having the following shapes. That is, FIG.
As shown in FIG. 4A, the apex 22a is not clear as compared with that in FIG. 1, and the slope of the slope 23 greatly changes in the middle. As shown in FIG. The slope is located below the reference line 21, and the surface sags (rolls off).
And the like. These FIGS. 4 (a) and 4 (b)
The RC indicated by can also determine the RC as described above.

【0024】上記のようにして決定したRCは、50n
m以下とされ、より好ましくは25nm以下である。R
Cが50nmより長い場合、斜面23の表面にヘッドが
接触し、斜面23上を移動することができなくなる。そ
して、RCを50nm以下とすることで斜面23の平坦
度を良好に維持することができ、この斜面23をデータ
領域に含めることが可能であるため、データ領域の拡大
を図ることが可能となる。RCの下限は特に規定されな
いが、RCは小さいほど好ましいことから0nm以上で
ある。
The RC determined as described above is 50n.
m or less, and more preferably 25 nm or less. R
When C is longer than 50 nm, the head comes into contact with the surface of the slope 23 and cannot move on the slope 23. Then, by setting RC to 50 nm or less, the flatness of the slope 23 can be favorably maintained, and since the slope 23 can be included in the data area, the data area can be expanded. . Although the lower limit of RC is not particularly specified, the smaller the RC, the more preferable, and therefore it is 0 nm or more.

【0025】次いで、前記ガラス基板の製造方法につい
て説明する。図3に示すように、ガラス基板37は、円
盤加工32の工程においてシート状のガラス素板31を
切断することにより、その中心に円孔を有する円盤状に
形成される。また、同円盤加工32の工程でガラス素板
31は、その外径寸法及び内径寸法が所定長さとなるよ
うに内外周端面が研削加工されるとともに、内外周端面
の角部が研磨加工されて面取りされる。
Next, a method for manufacturing the glass substrate will be described. As shown in FIG. 3, the glass substrate 37 is formed into a disk shape having a circular hole at the center by cutting the sheet-shaped glass base plate 31 in the disk processing 32 step. Further, in the process of the same disk processing 32, the glass base plate 31 is ground and processed so that the outer and inner diameters thereof have predetermined lengths, and the corners of the inner and outer peripheral end surfaces are ground. Be chamfered.

【0026】円盤加工32が施されたガラス素板31
は、1次研磨工程において粗研磨加工33を施され、そ
の表面を粗研磨される。この粗研磨加工33は、ガラス
素板31の厚みを所定値にするとともに、大きなうねり
と、欠け(チッピング)、ひび(クラック)等の大きな
欠陥とを取り除き、RCをある程度良好な値とするため
に行われる。
A glass base plate 31 on which a disk processing 32 is applied
Is subjected to rough polishing 33 in the primary polishing step, and its surface is roughly polished. This rough polishing 33 sets the thickness of the glass base plate 31 to a predetermined value, removes large undulations and large defects such as chipping (crapping) and cracks (cracks), and makes RC a certain good value. To be done.

【0027】ここで、粗研磨加工33を施すための研磨
装置の構成について説明する。図2(a),(b)に示
すように、研磨装置41は、互いに平行となるように上
下に配設された円盤状をなす上定盤42b及び下定盤4
2aと、これら上定盤42b及び下定盤42aを内側に
囲い込むように配設された円環状をなすインターナルギ
ヤ43とを備えている。当該下定盤42aの中心には回
転軸44が突設されるとともに、同回転軸44の下端外
周面上には太陽ギヤ45が配設されている。上定盤42
bの中心には挿通孔46が透設されており、同挿通孔4
6には回転軸44が挿通されている。そして、上定盤4
2b、下定盤42a、インターナルギヤ43及び太陽ギ
ヤ45は、モータ等によりそれぞれ独立して回転するこ
とができるように駆動されている。
Now, the structure of the polishing apparatus for performing the rough polishing process 33 will be described. As shown in FIGS. 2A and 2B, the polishing apparatus 41 includes a disc-shaped upper plate 42b and a lower plate 4 which are vertically arranged so as to be parallel to each other.
2a, and an internal gear 43 having an annular shape arranged so as to surround the upper surface plate 42b and the lower surface plate 42a inside. A rotary shaft 44 is provided so as to project from the center of the lower turn table 42a, and a sun gear 45 is provided on the outer peripheral surface of the lower end of the rotary shaft 44. Upper surface plate 42
An insertion hole 46 is transparently provided at the center of b.
A rotary shaft 44 is inserted through the shaft 6. And upper surface plate 4
2b, the lower surface plate 42a, the internal gear 43, and the sun gear 45 are driven by a motor or the like so that they can rotate independently of each other.

【0028】下定盤42a及び上定盤42bの間にはこ
れらに挟み込まれるようにして複数のキャリア47が配
設されている。同キャリア47には複数の円孔48が透
設され、各円孔48内にはガラス素板31が収容されて
いる。また、各キャリア47の外周縁部にはギア49が
突設されており、各キャリア47のギア49は前記イン
ターナルギヤ43及び太陽ギヤ45にぞれぞれ噛合され
ている。
A plurality of carriers 47 are arranged between the lower turn table 42a and the upper turn table 42b so as to be sandwiched therebetween. The carrier 47 is provided with a plurality of circular holes 48, and the glass base plate 31 is housed in each circular hole 48. A gear 49 is provided on the outer peripheral edge of each carrier 47, and the gear 49 of each carrier 47 is meshed with the internal gear 43 and the sun gear 45, respectively.

【0029】研磨処理時において、当該研磨装置41
は、各キャリア47内に複数枚のガラス素板31を収容
した状態で下定盤42a及び上定盤42bの間にキャリ
ア47を挟み込む。その後、下定盤42a及び上定盤4
2bとガラス素板31との間に研磨剤を供給しながら上
定盤42b、下定盤42a、インターナルギヤ43及び
太陽ギヤ45をそれぞれ回転させる。すると、下定盤4
2a及び上定盤42bの間で各キャリア47がガラス素
板31を下定盤42a及び上定盤42bに接触させた状
態でそれぞれ自転しながら回転軸44を中心に公転され
ることにより、ガラス素板31の基板表面が研磨され
る。
During the polishing process, the polishing device 41 concerned.
The carrier 47 is sandwiched between the lower surface plate 42a and the upper surface plate 42b in a state where a plurality of glass base plates 31 are accommodated in each carrier 47. Then, the lower surface plate 42a and the upper surface plate 4
The upper surface plate 42b, the lower surface plate 42a, the internal gear 43, and the sun gear 45 are rotated while supplying an abrasive between the 2b and the glass base plate 31. Then, lower surface plate 4
2a and the upper surface plate 42b, each carrier 47 is revolved around the rotation shaft 44 while rotating while rotating the glass element plate 31 in contact with the lower surface plate 42a and the upper surface plate 42b. The substrate surface of the plate 31 is polished.

【0030】1次研磨工程では、前記研磨装置41の各
定盤42のガラス素板31との接触面に硬質ポリッシャ
が貼付されて粗研磨加工33が施される。同硬質ポリッ
シャは、硬度(JIS A)65〜85、圧縮弾性率6
0〜65%の発泡樹脂よりなり、圧縮率が2〜4%とな
るようにして用いられる。硬度が65未満、圧縮弾性率
が65%より高い又は圧縮率が4%より高い場合、研磨
時に硬質ポリッシャが変形し、大きなロールオフが形成
されるおそれがある。また、硬度が85より大きい、圧
縮弾性率が60%未満又は圧縮率が2%未満の場合、同
硬質ポリッシャにより素板表面が傷つき、却って表面状
態が荒れたり、RCが高くなったり等してしまうおそれ
がある。
In the primary polishing step, a hard polisher is attached to the contact surface of each surface plate 42 of the polishing apparatus 41 with the glass base plate 31, and rough polishing 33 is performed. The hard polisher has a hardness (JIS A) of 65 to 85 and a compression elastic modulus of 6
It is made of a foamed resin of 0 to 65% and is used so that the compression rate is 2 to 4%. If the hardness is less than 65 and the compression modulus is higher than 65% or the compression rate is higher than 4%, the hard polisher may be deformed during polishing and a large roll-off may be formed. If the hardness is greater than 85, the compression modulus is less than 60% or the compression rate is less than 2%, the surface of the base plate is scratched by the hard polisher, and the surface condition is rather roughened or RC is increased. There is a risk that

【0031】1次研磨工程の研磨剤には、平均粒径1.
2μm前後の研磨材を溶媒としての水に分散させてスラ
リー状にしたものが用いられる。該研磨材としては、ア
ルミナ砥粒、酸化セリウムや酸化ランタン等の希土類酸
化物、酸化ジルコニウム、二酸化マンガン、酸化アルミ
ニウム、コロイダルシリカ等が挙げられる。これらのう
ち、希土類酸化物は研磨効率が優れていることから好ま
しく、希土類酸化物のなかでも酸化セリウムがより好ま
しい。1次研磨工程における研磨量は好ましくは15〜
40μmである。研磨量が15μm未満では大きな欠陥
を十分に取り除くことができない。一方、40μmを超
えて研磨しても、それ以上RCは小さくはならず、却っ
て研磨時間が長くなることで生産効率の低下を招く。
The abrasive used in the primary polishing step has an average particle size of 1.
A slurry in which an abrasive having a diameter of about 2 μm is dispersed in water as a solvent is used. Examples of the abrasive include alumina abrasive grains, rare earth oxides such as cerium oxide and lanthanum oxide, zirconium oxide, manganese dioxide, aluminum oxide and colloidal silica. Of these, rare earth oxides are preferable because they have excellent polishing efficiency, and cerium oxide is more preferable among the rare earth oxides. The polishing amount in the primary polishing step is preferably 15-
It is 40 μm. If the polishing amount is less than 15 μm, large defects cannot be sufficiently removed. On the other hand, even if the polishing exceeds 40 μm, the RC does not decrease further, but rather the polishing time becomes longer, resulting in a decrease in production efficiency.

【0032】そして、1次研磨工程でガラス素板31
は、RCが25〜70nmとされることが好ましい。R
Cを25nm未満とすることは不可能ではないが、研磨
時間が非常に長くなって生産効率の低下を招くおそれが
あるため現実的ではない。また、RCを70nmより高
くすると、これ以後の工程における所要時間が長くなり
生産効率の低下を招くおそれがあるとともに、ガラス基
板37とした際にRCが50nm以下にならないおそれ
がある。
Then, the glass base plate 31 is subjected to the primary polishing process.
Preferably has an RC of 25 to 70 nm. R
Although it is not impossible to set C to be less than 25 nm, it is not realistic because the polishing time becomes very long and the production efficiency may be lowered. Further, if RC is higher than 70 nm, the time required for the subsequent steps may be long, which may lead to a decrease in production efficiency, and when the glass substrate 37 is used, RC may not be 50 nm or less.

【0033】上記の1次研磨工程に続き、ガラス素板3
1は2次研磨工程において精密研磨加工34を施され、
その表面を精密研磨される。この精密研磨加工34は、
1次研磨工程で取り除くことのできなかったうねり、欠
陥の他、1次研磨工程後にガラス素板31の表面に残留
する研磨応力、形成された研磨痕等を取り除くために行
われる。さらに、同2次研磨工程でガラス素板31は、
研磨処理後の表面粗さが情報記録媒体の基板として要求
される表面粗さとほぼ同程度になるまで精密研磨加工3
4を施されるとともに、RCが50nm以下とされる。
Following the above primary polishing step, the glass base plate 3
1 is subjected to precision polishing processing 34 in the secondary polishing process,
The surface is precision polished. This precision polishing process 34
In addition to undulations and defects that could not be removed in the primary polishing step, polishing stress remaining on the surface of the glass base plate 31 after the primary polishing step, polishing marks formed, etc. are removed. Further, in the second polishing step, the glass base plate 31 is
Precision polishing process 3 until the surface roughness after polishing becomes almost the same as the surface roughness required for the substrate of the information recording medium.
4 and RC is set to 50 nm or less.

【0034】当該2次研磨工程では、前記1次研磨工程
で使用した研磨装置41をそのまま用いるのではなく、
同一構成ではあるが2次研磨工程専用に用意された別の
研磨装置41を用いて精密研磨加工34を行う。これ
は、前記1次研磨工程で使用した研磨装置41をそのま
ま用いると1次研磨工程で残留した研磨剤等により2次
研磨工程での研磨精度が低下したり、研磨条件を再設定
する等の煩雑な作業が必要となり、製造効率が低下する
おそれがあるためである。
In the secondary polishing step, the polishing apparatus 41 used in the primary polishing step is not used as it is, but
The precision polishing process 34 is performed by using another polishing apparatus 41 having the same configuration but prepared only for the secondary polishing step. This is because if the polishing apparatus 41 used in the primary polishing step is used as it is, the polishing accuracy in the secondary polishing step may be reduced due to the polishing agent remaining in the primary polishing step, and the polishing conditions may be reset. This is because complicated work is required and the production efficiency may decrease.

【0035】2次研磨工程で使用する研磨装置41に
は、各定盤42に軟質ポリッシャが貼付されたものが使
用される。同軟質ポリッシャは、硬度(アスカーC)5
8〜78、圧縮弾性率58〜78%のスウェード製のパ
ッドよりなり、圧縮率が1〜5%となるようにして用い
られる。硬度が58未満、圧縮弾性率が78%より高い
又は圧縮率が5%より高い場合、研磨時に軟質ポリッシ
ャが変形し、ロールオフが大きくなるおそれがある。ま
た、硬度が78より大きい、圧縮弾性率が58%未満又
は圧縮率が1%未満の場合、同軟質ポリッシャにより素
板表面が傷つき、却って表面状態が荒れたり、RCを5
0nm以下とすることができなくなったり等してしまう
おそれがある。
As the polishing device 41 used in the secondary polishing step, one having a soft polisher attached to each surface plate 42 is used. The soft polisher has a hardness (Asker C) of 5
The pad is made of suede having a compression modulus of 8 to 78 and a compression modulus of 58 to 78%, and is used so that the compression rate is 1 to 5%. When the hardness is less than 58 and the compression elastic modulus is higher than 78% or the compression ratio is higher than 5%, the soft polisher may be deformed during polishing and the roll-off may be increased. When the hardness is higher than 78, the compression modulus is less than 58% or the compression rate is less than 1%, the surface of the base plate is scratched by the soft polisher, and the surface condition is rather roughened or RC is increased to 5%.
There is a possibility that the thickness may not be 0 nm or less.

【0036】2次研磨工程の研磨剤には、平均粒径0.
8μm前後の研磨材を溶媒としての水に分散させてスラ
リー状にしたものが用いられる。該研磨材としては、酸
化セリウムや酸化ランタン等の希土類酸化物、酸化ジル
コニウム、二酸化マンガン、酸化アルミニウム、コロイ
ダルシリカ等が挙げられる。これらのうち、希土類酸化
物は研磨効率が優れていることから好ましく、希土類酸
化物のなかでも酸化セリウムがより好ましい。
The abrasive used in the secondary polishing step has an average particle size of 0.
A slurry in which an abrasive having a diameter of about 8 μm is dispersed in water as a solvent is used. Examples of the abrasive include rare earth oxides such as cerium oxide and lanthanum oxide, zirconium oxide, manganese dioxide, aluminum oxide, colloidal silica and the like. Of these, rare earth oxides are preferable because they have excellent polishing efficiency, and cerium oxide is more preferable among the rare earth oxides.

【0037】2次研磨工程における研磨量は好ましくは
2〜10μmである。研磨量が2μm未満では、RCが
50nmより大きくなるおそれがあり、また表面粗さを
所望値以下にすることができなくなるおそれがある。一
方、10μmを超えて研磨しても、それ以上表面粗さと
RCは良好な値とはなりにくく、却って研磨時間が長く
なることで生産効率の低下を招くおそれがある。
The polishing amount in the secondary polishing step is preferably 2 to 10 μm. If the polishing amount is less than 2 μm, RC may be greater than 50 nm, and the surface roughness may not be reduced to a desired value or less. On the other hand, even if polishing is performed to exceed 10 μm, the surface roughness and RC are less likely to be good values, and the polishing time is rather prolonged, which may lead to a decrease in production efficiency.

【0038】ガラス素板31は、情報記録媒体として要
求される耐衝撃性、耐振動性、耐熱性等を向上させるた
めに化学強化されることが好ましい。このため、この実
施形態においては、精密研磨加工34を施されたガラス
素板31に化学強化処理35が施される。
The glass base plate 31 is preferably chemically strengthened in order to improve impact resistance, vibration resistance, heat resistance and the like required as an information recording medium. Therefore, in this embodiment, the chemical strengthening treatment 35 is performed on the glass base plate 31 that has been subjected to the precision polishing process 34.

【0039】当該化学強化処理35とは、ガラス素板3
1の組成中に含まれるリチウムイオンやナトリウムイオ
ン等の一価の金属イオンを、これと比較してそのイオン
半径が大きなナトリウムイオンやカリウムイオン等の一
価の金属イオンにイオン交換することをいう。そして、
ガラス素板31の表面に圧縮応力を作用させて化学強化
する方法である。この化学強化処理35は、化学強化塩
を加熱溶融した化学強化処理液にガラス素板31を所定
時間浸漬することによって行われる。化学強化塩の具体
例としては、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸銀等
をそれぞれ単独、あるいは少なくとも2種を混合したも
のが挙げられる。
The chemical strengthening treatment 35 means the glass base plate 3
Ion exchange of monovalent metal ions such as lithium ions and sodium ions contained in the composition of 1 to monovalent metal ions such as sodium ions and potassium ions having a larger ionic radius compared to this. . And
In this method, a compressive stress is applied to the surface of the glass base plate 31 to chemically strengthen it. The chemical strengthening treatment 35 is performed by immersing the glass base plate 31 in a chemical strengthening treatment liquid obtained by heating and melting a chemical strengthening salt for a predetermined time. Specific examples of the chemically strengthened salt include potassium nitrate, sodium nitrate, silver nitrate, etc., each alone or as a mixture of at least two kinds.

【0040】化学強化処理液の温度は、ガラス素板31
に用いた材料の歪点よりも好ましくは50〜150℃程
度低い温度であり、より好ましくは化学強化処理液自身
の温度が350〜400℃程度である。ガラス素板31
の材料の歪点よりも150℃程度低い温度未満では、ガ
ラス素板31を十分に化学強化処理することができな
い。一方、ガラス素板31の材料の歪点よりも50℃程
度低い温度を超えると、ガラス素板31に化学強化処理
35を施すときに、ガラス素板31に歪みが発生しやす
い。
The temperature of the chemical strengthening treatment liquid is the glass base plate 31.
The temperature is preferably about 50 to 150 ° C. lower than the strain point of the material used for, and more preferably the temperature of the chemical strengthening treatment liquid itself is about 350 to 400 ° C. Glass base plate 31
If the temperature is lower than the strain point of the above material by about 150 ° C., the glass base plate 31 cannot be sufficiently chemically strengthened. On the other hand, when the temperature exceeds the strain point of the material of the glass base plate 31 by about 50 ° C., the glass base plate 31 is likely to be distorted when the glass base plate 31 is subjected to the chemical strengthening treatment 35.

【0041】上記のようにガラス素板31に化学強化処
理35を施したとき、圧縮応力が作用することにより、
素板表面には強化層が形成される。しかし、化学強化処
理35を施した場合には圧縮応力の作用により、ガラス
素板31の表面が荒れ、表面粗さが悪化するおそれがあ
る。このため、ガラス素板31は化学強化処理35より
も前の工程でRaが0.3〜1.0nm、Rmaxが3
〜10nm、Rpが3〜7nmとされることが好まし
い。Raを0.3nm未満、Rmaxを3nm未満又は
Rpを3nm未満とした場合、化学強化処理35よりも
前の工程での所要時間が長くなり生産効率の低下を招く
おそれがある。Raが1.0nmより大きい、Rmax
が10nmより大きい又はRpが7nmより大きい場
合、化学強化処理35よりも後の工程でRa、Rmax
及びRpのそれぞれを所望値以下とするために各工程で
の所要時間が長くなり、生産効率の低下を招くおそれが
ある。
When the glass base plate 31 is subjected to the chemical strengthening treatment 35 as described above, the compressive stress acts,
A reinforcing layer is formed on the surface of the base plate. However, when the chemical strengthening treatment 35 is performed, the surface of the glass base plate 31 may be roughened due to the action of compressive stress, and the surface roughness may be deteriorated. Therefore, the glass base plate 31 has Ra of 0.3 to 1.0 nm and Rmax of 3 in the step prior to the chemical strengthening treatment 35.
-10 nm and Rp are preferably 3 to 7 nm. When Ra is less than 0.3 nm, Rmax is less than 3 nm, or Rp is less than 3 nm, the time required in the step prior to the chemical strengthening treatment 35 becomes long, which may lead to a decrease in production efficiency. Ra greater than 1.0 nm, Rmax
Is larger than 10 nm or Rp is larger than 7 nm, Ra, Rmax in a step after the chemical strengthening treatment 35
Since each of Rp and Rp is set to a desired value or less, the time required in each process becomes long, which may lead to a decrease in production efficiency.

【0042】上記のようにして化学強化処理35を施さ
れたガラス素板31は、3次研磨工程において超精密研
磨加工36を施され、その表面を超精密研磨される。こ
の超精密研磨加工36は、素板表面から深さ0.1〜1
μmの部分を平滑化するものであり、素板表面に発生し
た特に微小な荒れ、うねり、3次研磨工程よりも前の行
程で形成された痕、欠陥等といった微小な欠陥を取り除
くために行われる。
The glass base plate 31 which has been subjected to the chemical strengthening treatment 35 as described above is subjected to ultra-precision polishing processing 36 in the third polishing step, and the surface thereof is subjected to ultra-precision polishing. This ultra-precision polishing process 36 has a depth of 0.1 to 1 from the surface of the blank plate.
This is for smoothing the part of μm, and it is performed to remove minute defects such as minute roughness, undulation, and traces and defects formed in the process before the third polishing process that have occurred on the surface of the base plate. Be seen.

【0043】当該3次研磨工程においても、1次研磨工
程及び2次研磨工程で使用した研磨装置41をそのまま
用いるのではなく、同一構成ではあるが同工程専用に用
意された別の研磨装置41を用いて超精密研磨加工36
を行う。これは、該3次研磨工程ではこれ以前の各研磨
工程よりもさらに高い研磨精度が要求されるため、各研
磨工程で使用した研磨装置41をそのまま用いるとそれ
ぞれの研磨工程で残留する研磨剤により研磨精度が低下
するおそれがあるためである。
Also in the third polishing step, the polishing apparatus 41 used in the primary polishing step and the secondary polishing step is not used as it is, but another polishing apparatus 41 having the same structure but prepared exclusively for the same step. Ultra-precision polishing process using
I do. This is because the third polishing step requires higher polishing accuracy than the previous polishing steps. Therefore, if the polishing apparatus 41 used in each polishing step is used as it is, the polishing agent remaining in each polishing step may cause This is because the polishing accuracy may decrease.

【0044】3次研磨工程で使用する研磨装置41に
は、各定盤42に軟質ポリッシャが貼付されたものが使
用される。同軟質ポリッシャは、硬度(アスカーC)5
8〜78、圧縮弾性率58〜85%のスウェード製のパ
ッドよりなり、圧縮率が1〜5%となるようにして用い
られる。硬度が58未満、圧縮弾性率が85%より高い
又は圧縮率が5%より高い場合、研磨時に軟質ポリッシ
ャが変形し、ロールオフが大きくなるおそれがある。ま
た、硬度が78より大きい、圧縮弾性率が58%未満又
は圧縮率が1%未満の場合、同軟質ポリッシャにより素
板表面が傷つき、却って表面状態が荒れたり、RCを5
0nm以下とすることができなくなったり等してしまう
おそれがある。
As the polishing apparatus 41 used in the third polishing step, one having a soft polisher attached to each surface plate 42 is used. The soft polisher has a hardness (Asker C) of 5
The pad is made of suede having a compression modulus of 8 to 78 and a compression modulus of 58 to 85%, and is used so that the compression rate is 1 to 5%. If the hardness is less than 58 and the compression modulus is higher than 85% or the compression rate is higher than 5%, the soft polisher may be deformed during polishing and the roll-off may be increased. When the hardness is higher than 78, the compression modulus is less than 58% or the compression rate is less than 1%, the surface of the base plate is scratched by the soft polisher, and the surface condition is rather roughened or RC is increased to 5%.
There is a possibility that the thickness may not be 0 nm or less.

【0045】3次研磨工程の研磨剤には、平均粒径(D
50)が10〜150nmの研磨材を溶媒としての水に分
散させてスラリー状にしたものが用いられる。研磨材の
平均粒径を10nm未満とした場合、研磨効率の低下を
招くとともに、微小な欠陥を十分取り除くことができな
くなるおそれがある。平均粒径が150nmを越えた場
合、素板表面に研磨材による研磨痕が形成され、同研磨
痕が基となって微小なうねり又は微小な凹凸が発生する
おそれがある。
The average particle size (D
An abrasive having a 50 ) of 10 to 150 nm is dispersed in water as a solvent to form a slurry. If the average particle size of the abrasive is less than 10 nm, the polishing efficiency may be reduced and minute defects may not be sufficiently removed. If the average particle size exceeds 150 nm, a polishing mark may be formed on the surface of the base plate by the polishing material, and minute waviness or minute unevenness may occur due to the polishing mark.

【0046】前記研磨材としては粒径が小さく、素板表
面が過剰に研磨されることを抑制することが可能である
ことからコロイダルシリカが好ましい。また、研磨剤中
における研磨材の濃度は、5〜40重量%とすることが
好ましい。研磨材の濃度が5重量%未満の場合、研磨効
率の低下を招くとともに、微小なうねりを十分取り除く
ことができなくなるおそれがある。40重量%を越える
場合、素板表面に研磨材による研磨痕が形成され、同研
磨痕が基となって微小なうねり又は微小な凹凸が発生す
るおそれがある。
Colloidal silica is preferred as the abrasive because it has a small particle size and can suppress excessive polishing of the surface of the base plate. The concentration of the abrasive in the abrasive is preferably 5-40% by weight. If the concentration of the abrasive is less than 5% by weight, polishing efficiency may be reduced and minute waviness may not be sufficiently removed. If it exceeds 40% by weight, polishing marks may be formed on the surface of the raw plate by the polishing material, and minute waviness or minute unevenness may occur due to the polishing marks.

【0047】3次研磨工程における研磨量は好ましくは
100〜1000nmである。研磨量が100nm未満
では微小なうねりを十分に取り除くことができないおそ
れがある。一方、1000nmを超えて研磨しても、そ
れ以上微小な欠陥を取り除くことはできず、却って研磨
時間が長くなることで生産効率の低下を招く。
The polishing amount in the third polishing step is preferably 100 to 1000 nm. If the polishing amount is less than 100 nm, minute undulations may not be sufficiently removed. On the other hand, even if polishing exceeds 1000 nm, fine defects cannot be removed any more, and rather the polishing time becomes longer, resulting in a decrease in production efficiency.

【0048】当該3次研磨工程で1回の研磨作業を1バ
ッチとした場合、各バッチ毎に複数のガラス素板31に
超精密研磨加工36が施される。このとき、各バッチに
おけるガラス素板31の厚みの差はそれぞれ4μm以下
とすることが好ましく、2μm以下とすることがより好
ましい。厚みの差が4μmを越えると、ガラス素板31
の研磨量を100〜1000nmの範囲内に維持するこ
とが難しくなり、ガラス基板37の生産品質の低下を招
くおそれがある。厚みの差の下限は特に規定されない
が、好ましくは0μm以上である。
When one polishing operation is regarded as one batch in the third polishing step, the ultra-precision polishing process 36 is applied to the plurality of glass base plates 31 in each batch. At this time, the difference in the thickness of the glass base plate 31 in each batch is preferably 4 μm or less, and more preferably 2 μm or less. If the difference in thickness exceeds 4 μm, the glass base plate 31
It becomes difficult to maintain the polishing amount in the range of 100 to 1000 nm, which may lead to deterioration of the production quality of the glass substrate 37. The lower limit of the thickness difference is not particularly limited, but is preferably 0 μm or more.

【0049】この3次研磨工程でガラス素板31のRC
及び表面粗さを2次研磨工程までの各行程と比較して小
さくすることが可能である。このときのRCは、好まし
くは25nm以下である。加えて、Raは好ましくは
0.8nm以下、Rmaxは好ましくは2〜5nm、R
pは好ましくは3nm以下である。
In this third polishing process, RC of the glass base plate 31
It is possible to reduce the surface roughness as compared with the steps up to the secondary polishing step. RC at this time is preferably 25 nm or less. In addition, Ra is preferably 0.8 nm or less, Rmax is preferably 2 to 5 nm, R
p is preferably 3 nm or less.

【0050】そして、3次研磨工程後、ガラス素板31
は洗浄され、その表面に付着した研磨粉、研磨材、粉塵
等の付着物が除去されてガラス基板37とされる。この
ガラス素板31を洗浄するための洗浄液としては、有機
溶液、酸性溶液、アルカリ性溶液、水、湯等が挙げられ
る。この有機溶液としてはイソプロピルアルコール(I
PA)、メタノール、エタノール、ブタノール等が挙げ
られる。酸性溶液としてはフッ酸、硫酸、スルファミン
酸、塩酸、硝酸、リン酸等が挙げられる。アルカリ性溶
液としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモ
ニア、テトラメチル水酸化物等が挙げられる。また、こ
れらの洗浄液にカチオン性、アニオン性又はノニオン性
界面活性剤やキレート剤等この種の洗浄に一般に用いら
れる洗浄補助剤(ビルダー)を添加してもよい。
After the third polishing step, the glass base plate 31
Are cleaned, and the adhered substances such as abrasive powder, abrasives, and dust adhering to the surface are removed to form the glass substrate 37. Examples of the cleaning liquid for cleaning the glass base plate 31 include organic solutions, acidic solutions, alkaline solutions, water, and hot water. As this organic solution, isopropyl alcohol (I
PA), methanol, ethanol, butanol and the like. Examples of the acidic solution include hydrofluoric acid, sulfuric acid, sulfamic acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid and the like. Examples of the alkaline solution include potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonia, tetramethyl hydroxide and the like. Further, a cleaning auxiliary agent (builder) generally used for this type of cleaning such as a cationic, anionic or nonionic surfactant and a chelating agent may be added to these cleaning solutions.

【0051】加えて、3次研磨工程で研磨材にコロイダ
ルシリカを使用する場合、コロイダルシリカを凝集させ
ずに効率よく除去することができることから水、湯及び
pH12以下のアルカリ性水溶液から選ばれる少なくと
も1種で洗浄することが好ましい。また、さらに洗浄度
を高めるため、これらによる洗浄の後、pH12を越え
る強アルカリ性水溶液、酸性水溶液、有機溶液を用いて
洗浄を行ってもよい。
In addition, when colloidal silica is used as an abrasive in the third polishing step, at least one selected from water, hot water and an alkaline aqueous solution having a pH of 12 or less can be removed efficiently without causing the agglomeration of the colloidal silica. It is preferred to wash with seeds. Further, in order to further enhance the cleaning degree, cleaning may be performed using a strong alkaline aqueous solution, an acidic aqueous solution or an organic solution having a pH of more than 12 after the cleaning.

【0052】前記実施形態によって発揮される効果につ
いて、以下に記載する。 ・ 実施形態のガラス基板は、スキージャンプ22の斜
面23の平坦度を斜面23の表面が平坦面であると仮定
し、同平坦面から実際の斜面23の表面までの距離、す
なわちラジアルカーベィチャー(RC)で表現してい
る。このため、基板表面全体ではなく、スキージャンプ
22のみを考慮し、その斜面23の形状を的確に表現す
ることができる。従って、同RCが適正値となるように
ガラス基板を形成することにより、スキージャンプ22
の斜面23の平坦度の向上を図ることができる。そし
て、当該RCは50nm以下とされていることから、斜
面23の平坦度を良好なものとし、これをデータ領域に
含めることができるため、記録領域の拡大を図ることが
できる。
The effects exerted by the above embodiment will be described below. In the glass substrate of the embodiment, the flatness of the slope 23 of the ski jump 22 is assumed to be a flat surface, and the distance from the flat surface to the actual surface of the slope 23, that is, the radial curve. (RC). Therefore, the shape of the slope 23 can be accurately expressed by considering only the ski jump 22 instead of the entire substrate surface. Therefore, the ski jump 22 can be formed by forming the glass substrate so that the RC has an appropriate value.
The flatness of the slope 23 can be improved. Since the RC is set to 50 nm or less, the flatness of the slope 23 can be made good and can be included in the data area, so that the recording area can be expanded.

【0053】・ また、RCを規定するとき、スキージ
ャンプ22の斜面23に定められる第1測定点24aか
ら第2測定点24bまでの距離Wは、0.5〜3.0m
mとされている。このため、第1測定点24aから第2
測定点24bまでの領域にスキージャンプ22の頂点2
2aが含まれることが防止され、斜面23の形状をより
的確に表現することができ、その平坦度を確実に向上さ
せることができる。
When defining RC, the distance W from the first measurement point 24a defined on the slope 23 of the ski jump 22 to the second measurement point 24b is 0.5 to 3.0 m.
It is supposed to be m. Therefore, from the first measurement point 24a to the second measurement point
The top 2 of the ski jump 22 in the area up to the measurement point 24b
2a is prevented from being included, the shape of the slope 23 can be expressed more accurately, and the flatness thereof can be reliably improved.

【0054】・ 加えて、基板表面10からスキージャ
ンプ22の頂点22aまでの高さを0.5μm以下とす
ることにより、大きなスキージャンプ22が形成される
ことを抑制し、記録領域の拡大を効果的に図ることがで
きる。
In addition, by setting the height from the substrate surface 10 to the apex 22a of the ski jump 22 to be 0.5 μm or less, it is possible to suppress the formation of a large ski jump 22 and effectively expand the recording area. Can be achieved.

【0055】なお、本実施形態は、次のように変更して
具体化することも可能である。 ・ 例えば、ガラス素板31に超精密研磨加工36を施
した後で化学強化処理35を施してもよい。このように
構成した場合、超精密研磨加工36を行うときに素板表
面に硬質の強化層が形成されていないため、超精密研磨
を容易かつ短時間で行うことができる。
The embodiment can be modified and embodied as follows. -For example, the glass base plate 31 may be subjected to the ultra-precision polishing process 36 and then subjected to the chemical strengthening process 35. With such a configuration, since the hard reinforcing layer is not formed on the surface of the base plate when performing the ultraprecision polishing process 36, the ultraprecision polishing can be performed easily and in a short time.

【0056】・ また、ガラス素板31に円盤加工32
を施した後、化学強化処理35を施し、その後で順番に
粗研磨加工33、精密研磨加工34及び超精密研磨加工
36を施してもよい。このように構成した場合、化学強
化処理35を施した後に超精密研磨加工36を行う場合
と比較して、素板表面の研磨は行いやすく、さらに研磨
後の素板表面が化学強化処理35で荒れることをも抑制
することができる。このため、生産効率の向上を図りつ
つ、高品質のガラス基板を得ることができる。
Further, the glass base plate 31 is processed into a disc 32.
After the above, the chemical strengthening treatment 35 may be performed, and thereafter, the rough polishing process 33, the precision polishing process 34, and the ultra-precision polishing process 36 may be sequentially performed. In the case of such a configuration, as compared with the case where the ultra-precision polishing process 36 is performed after the chemical strengthening treatment 35 is performed, the surface of the raw plate is more easily polished, and the surface of the raw plate after the polishing is chemically strengthened 35. Roughness can also be suppressed. Therefore, it is possible to obtain a high-quality glass substrate while improving the production efficiency.

【0057】・ 加えて、粗研磨加工33と精密研磨加
工34との間で化学強化処理35を施してもよい。 ・ 情報記録媒体として要求される耐衝撃性、耐振動
性、耐熱性等を満たすことが可能であれば、化学強化処
理35を省略してガラス基板を製造してもよい。このよ
うに化学強化処理35を省略する場合、ガラス素板31
を切断、研削、研磨等して加工するときに発生するチッ
ピング、クラック等の欠陥を溶融したり、削り取ったり
等して埋めたり、取り除いたりすることにより、ガラス
基板の強度維持を図ることが好ましい。
In addition, a chemical strengthening process 35 may be performed between the rough polishing process 33 and the precision polishing process 34. If the impact resistance, vibration resistance, heat resistance, etc. required of the information recording medium can be satisfied, the glass substrate may be manufactured by omitting the chemical strengthening treatment 35. When omitting the chemical strengthening treatment 35 in this way, the glass base plate 31
It is preferable to maintain the strength of the glass substrate by melting, shaving, etc., filling and removing defects such as chipping and cracks that occur when processing by cutting, grinding, polishing, etc. .

【0058】・ ガラス素板31に発生したうねり、歪
み、反り、撓み等が非常に大きい場合には、粗研磨加工
33よりも前の工程でガラス素板31にラップ研磨加工
を施してもよい。このラップ研磨加工は、1次〜3次研
磨工程で使用されたものと同一構成の研磨装置41を使
用して行う。また、ラップ研磨加工では硬質又は軟質ポ
リッシャを使用せず、各定盤42の表面をガラス素板3
1の表面に直接的に接触させてラップ研磨を行う。加え
て、同ラップ研磨加工では1次〜3次研磨工程と比較し
て粒径の大きな研磨材が使用される。そして、ラップ研
磨加工における研磨量は70〜300μmとすることが
好ましい。このように構成した場合、1次研磨工程では
取り除きにくい非常に大きなうねり、歪み、反り、撓み
等も取り除くことができる。
When the waviness, distortion, warpage, bending, etc. generated in the glass base plate 31 are very large, the glass base plate 31 may be subjected to the lapping process in a step prior to the rough polishing process 33. . This lapping process is performed by using the polishing device 41 having the same structure as that used in the primary to tertiary polishing steps. In the lapping process, a hard or soft polisher is not used, and the surface of each platen 42 is covered with the glass base plate 3
Lapping is performed by directly contacting the surface of 1. In addition, in the lapping process, an abrasive having a larger particle size than that used in the primary to tertiary polishing steps is used. The lapping amount in the lapping process is preferably 70 to 300 μm. With this configuration, it is possible to remove very large undulations, distortions, warps, flexures, etc. that are difficult to remove in the primary polishing process.

【0059】・ また、2次研磨工程までの各工程でR
Cを十分に小さくすることが可能であるならば、3次研
磨工程を省略してもよい。このように構成した場合、製
造工程を簡略なものとし、生産量の増加を図ることがで
きる。
R in each step up to the secondary polishing step
The third polishing step may be omitted if C can be made sufficiently small. With this configuration, the manufacturing process can be simplified and the production amount can be increased.

【0060】・ 1次〜3次研磨工程の各工程の間で前
に挙げた洗浄液を使用し、ガラス素板31を洗浄しても
よい。このように構成した場合、製造されるガラス基板
の品質を向上させることができる。
The glass base plate 31 may be washed by using the cleaning liquid mentioned above between the first to third polishing steps. With this configuration, the quality of the glass substrate manufactured can be improved.

【0061】・ 実施形態では第1測定点24aと第2
測定点24bとの間に存在する斜面23全体が基準直線
25よりも基板表面10側に位置している。RCを規定
する場合、斜面23の形状はこれに限らず、斜面の一部
が基準直線25よりも上方へ隆起した形状、斜面の全体
が基準直線25よりも上方へ隆起した形状のものであっ
てもよい。このような形状の斜面には、例えば第1測定
点24aと第2測定点24bとの間で斜面の曲率が変化
し、基板表面10の内方側では斜面が基板表面10側へ
向かって膨らむ円弧状をなし、基板表面10の外方側で
は斜面が基板表面10の上方側へ向かって膨らむ円弧状
をなすものが挙げられる。このような斜面の場合でも、
基板表面10側へ膨らむ部分のRCと基板表面10の上
方側へ向かって膨らむ部分のRCのうち数値の大きい方
のRCを50nm以下とすることにより、斜面23をデ
ータ領域に含めることが可能である。なお、斜面23の
形状としては、基板表面10の上方側へ向かって膨らむ
ものより、基板表面10側へ向かって膨らむものの方が
好ましい。これは、基板表面10から斜面23の始端部
までが略平坦状となり、ヘッドが斜面23上を登りやす
くなるためである。
In the embodiment, the first measurement point 24a and the second measurement point 24a
The entire slope 23 existing between the measurement point 24b and the measurement point 24b is located closer to the substrate surface 10 side than the reference straight line 25. In the case of defining RC, the shape of the slope 23 is not limited to this, and a part of the slope is a shape that is raised above the reference straight line 25, and the entire slope is a shape that is raised above the reference straight line 25. May be. In the slope having such a shape, for example, the curvature of the slope changes between the first measurement point 24a and the second measurement point 24b, and the slope swells toward the substrate surface 10 side on the inner side of the substrate surface 10. An example is a circular arc shape, and an inclined surface on the outer side of the substrate surface 10 has an arc shape that bulges toward the upper side of the substrate surface 10. Even on such slopes,
The slope 23 can be included in the data region by setting the RC having the larger numerical value out of the RC swelling toward the substrate surface 10 side and the RC swelling toward the upper side of the substrate surface 10 to 50 nm or less. is there. In addition, as the shape of the slope 23, it is preferable that the slope 23 swells toward the substrate surface 10 side rather than swells toward the upper side of the substrate surface 10. This is because the area from the substrate surface 10 to the start end of the slope 23 is substantially flat, and the head can easily climb on the slope 23.

【0062】さらに、前記実施形態より把握できる技術
的思想について以下に記載する。 ・ 前記基板表面において、JIS B0601に規定
される算術平均粗さ(Ra)、最大高さ(Rmax)及
び最大山高さ(Rp)がそれぞれ、Raが0.8nm以
下、Rmaxが2〜5nm及びRpが3nm以下である
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記
載の情報記録媒体用ガラス基板。このように構成した場
合、情報記録媒体としたときの不具合の発生をより効果
的に抑制することができる。
Further, the technical idea which can be understood from the above embodiment will be described below. On the substrate surface, the arithmetic mean roughness (Ra), the maximum height (Rmax) and the maximum peak height (Rp) defined in JIS B0601 are Ra 0.8 nm or less, Rmax 2-5 nm and Rp, respectively. Is 3 nm or less, The glass substrate for information recording media according to any one of claims 1 to 3. With such a configuration, it is possible to more effectively suppress the occurrence of defects when the information recording medium is used.

【0063】・ 前記RCが25nm以下であることを
特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の情
報記録媒体用ガラス基板。このように構成した場合、ス
キージャンプの斜面の平坦度をより良好なものとするこ
とができ、さらなる高記録密度化への対応を図りなが
ら、広い記録領域を確保することができる。
The glass substrate for an information recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the RC is 25 nm or less. With such a configuration, the flatness of the slope of the ski jump can be made better, and a wider recording area can be secured while coping with higher recording density.

【0064】・ 請求項1に記載の情報記録媒体用ガラ
ス基板の製造方法であって、硬質ポリッシャを用いてガ
ラス基板の基板表面を粗研磨する粗研磨加工を施すため
の1次研磨工程と、粗研磨した後の基板表面を硬度(ア
スカーC)が58〜78の軟質ポリッシャを用いて精密
研磨する精密研磨加工を施すための2次研磨工程とを備
えることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造
方法。このように構成した場合、スキージャンプの斜面
の平坦度を向上させることができ、記録領域の拡大を図
ることができるガラス基板を生産することができる。
A method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein a primary polishing step for performing a rough polishing process for roughly polishing the substrate surface of the glass substrate using a hard polisher, A glass for information recording medium, comprising: a secondary polishing step for performing a precision polishing process in which a substrate surface after rough polishing is precisely polished using a soft polisher having a hardness (Asker C) of 58 to 78. Substrate manufacturing method. With this structure, it is possible to improve the flatness of the slope of the ski jump and to produce a glass substrate that can expand the recording area.

【0065】・ 前記斜面を基板表面側へ向かって膨ら
む円弧状に形成することを特徴とする請求項1から請求
項3のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板。こ
のように構成した場合、ヘッドが斜面上を登りやすくす
ることができる。
The glass substrate for an information recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein the inclined surface is formed in an arc shape which bulges toward the substrate surface side. With this configuration, the head can easily climb on the slope.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、次のような効果を奏する。請求項1に記載の発明の
情報記録媒体用ガラス基板によれば、スキージャンプの
斜面の平坦度を向上させることにより、記録領域の拡大
を図ることができる。
As described in detail above, the present invention has the following effects. According to the glass substrate for an information recording medium of the first aspect, the recording area can be expanded by improving the flatness of the slope of the ski jump.

【0067】請求項2に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板によれば、請求項1に記載の発明の効果に加え
て、第1測定点から第2測定点までの領域にスキージャ
ンプの頂点が含まれることを防止し、斜面の形状をより
的確に表現することができ、その平坦度を確実に向上さ
せることができる。
According to the glass substrate for an information recording medium of the invention described in claim 2, in addition to the effect of the invention described in claim 1, in addition to the effect of the invention described in claim 1, the ski jump is formed in the area from the first measurement point to the second measurement point. It is possible to prevent the apex from being included, more accurately express the shape of the slope, and surely improve the flatness.

【0068】請求項3に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板によれば、請求項1又は請求項2に記載の発明
の効果に加えて、大きなスキージャンプが形成されるこ
とを抑制し、記録領域の拡大を効果的に図ることができ
る。
According to the glass substrate for an information recording medium of the invention described in claim 3, in addition to the effect of the invention described in claim 1 or 2, the formation of a large ski jump is suppressed, The recording area can be effectively expanded.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 基板表面に形成されたスキージャンプを示す
概念図。
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a ski jump formed on a substrate surface.

【図2】 研磨装置を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing a polishing device.

【図3】 ガラス基板の製造工程を示すフロー図。FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing process of a glass substrate.

【図4】 (a)及び(b)は別形態のスキージャンプ
を示す概念図。
4A and 4B are conceptual diagrams showing another form of ski jump.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…基板表面、22…スキージャンプ、22a…頂
点、23…斜面、24a…第1測定点、24b…第2測
定点、25…基準直線、37…ガラス基板。
Reference numeral 10 ... Substrate surface, 22 ... Ski jump, 22a ... Apex, 23 ... Slope, 24a ... First measurement point, 24b ... Second measurement point, 25 ... Reference straight line, 37 ... Glass substrate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5D006 CB01 CB07 DA03 5D029 KA24 KB20 5D075 EE03 FG13 FG17    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5D006 CB01 CB07 DA03                 5D029 KA24 KB20                 5D075 EE03 FG13 FG17

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 円盤状をなすガラス基板の基板表面で外
周端縁部から隆起した山状をなすスキージャンプの頂点
が基板表面の外周端縁と、外周端縁から径方向に沿って
半径の1.5%内方へ離間した位置との間に形成される
とともに、当該頂点から基板表面の内方へ向かって延び
るスキージャンプの斜面上に第1測定点を定め、同第1
測定点から基板表面の内方へ径方向に沿って所定距離W
(mm)だけ離間した位置となる斜面上に第2測定点を
定め、これら第1測定点と第2測定点とを結んだ直線を
基準直線とし、当該基準直線から基準直線よりも基板表
面側に位置する斜面の表面までの距離をラジアルカーベ
ィチャー(RC)としたとき、RCが50nm以下であ
ることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
1. An apex of a ski jump having a mountain shape raised from the outer peripheral edge on a substrate surface of a disk-shaped glass substrate has an outer peripheral edge on the substrate surface and a radius extending from the outer peripheral edge along a radial direction. The first measurement point is defined on the slope of the ski jump that is formed between a position spaced inward by 1.5% and extends inward of the substrate surface from the apex.
A predetermined distance W from the measurement point inward of the substrate surface along the radial direction
A second measurement point is defined on a slope that is separated by (mm), and a straight line connecting the first measurement point and the second measurement point is set as a reference straight line. The reference straight line is closer to the substrate surface side than the reference straight line. A glass substrate for an information recording medium, wherein RC is 50 nm or less when a distance to the surface of the slope located at is a radial curve (RC).
【請求項2】 前記所定距離Wが0.5〜3.0mmで
あることを特徴とする請求項1に記載の情報記録媒体用
ガラス基板。
2. The glass substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein the predetermined distance W is 0.5 to 3.0 mm.
【請求項3】 前記基板表面からスキージャンプの頂点
までの高さが0.5μm以下であることを特徴とする請
求項1又は請求項2に記載の情報記録媒体用ガラス基
板。
3. The glass substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein the height from the substrate surface to the top of the ski jump is 0.5 μm or less.
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