JP2003237086A - Nozzle plate, its manufacturing method and inkjet recording head - Google Patents

Nozzle plate, its manufacturing method and inkjet recording head

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JP2003237086A
JP2003237086A JP2002038091A JP2002038091A JP2003237086A JP 2003237086 A JP2003237086 A JP 2003237086A JP 2002038091 A JP2002038091 A JP 2002038091A JP 2002038091 A JP2002038091 A JP 2002038091A JP 2003237086 A JP2003237086 A JP 2003237086A
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nozzle
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repellent film
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nozzle plate, its manufacturing method and an inkjet recording head which can improve the durability and water repellency of a water repellent film by preventing nozzle clogging. <P>SOLUTION: The nozzle plate 20 having a plurality of nozzle openings 21 for discharging liquid drops and joined to a channel formation substrate 10 where channels communicating with the nozzle openings 21 are formed is provided with a nozzle plate body which has the nozzle openings 21 set and is joined to the channel formation substrate 10. The water repellent film 100 formed of an inorganic compound of a lower permittivity than that of the nozzle plate body is set at least in the periphery of the nozzle openings 21 at a face opposite to the channel formation substrate 10 of the nozzle plate body. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ノズル開口と連通
する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の
表面に圧電素子を形成して、圧電素子の変位によりイン
クを吐出させるインクジェット式記録ヘッド等に用いら
れるノズルプレート及びその製造方法並びにインクジェ
ット式記録ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention comprises a vibrating plate forming a part of a pressure generating chamber communicating with a nozzle opening, forming a piezoelectric element on the surface of the vibrating plate, and ejecting ink by displacement of the piezoelectric element. The present invention relates to a nozzle plate used for an inkjet recording head and the like, a method for manufacturing the same, and an inkjet recording head.

【0002】[0002]

【従来の技術】インク滴を吐出するノズル開口と連通す
る圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧
電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧して
ノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式
記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦
振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、た
わみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの
2種類が実用化されている。
2. Description of the Related Art A part of a pressure generating chamber that communicates with a nozzle opening for ejecting ink droplets is composed of a vibrating plate, and the vibrating plate is deformed by a piezoelectric element to pressurize ink in the pressure generating chamber to eject it from the nozzle opening. Two types of inkjet recording heads that eject ink droplets have been put into practical use: one that uses a longitudinal vibration mode piezoelectric actuator that expands and contracts in the axial direction of a piezoelectric element, and one that uses a flexural vibration mode piezoelectric actuator. ing.

【0003】前者は圧電素子の端面を振動板に当接させ
ることにより圧力発生室の容積を変化させることができ
て、高密度印刷に適したヘッドの製作が可能である反
面、圧電素子をノズル開口の配列ピッチに一致させて櫛
歯状に切り分けるという困難な工程や、切り分けられた
圧電素子を圧力発生室に位置決めして固定する作業が必
要となり、製造工程が複雑であるという問題がある。
The former allows the volume of the pressure generating chamber to be changed by bringing the end face of the piezoelectric element into contact with the vibrating plate, and a head suitable for high-density printing can be manufactured. There is a problem in that the manufacturing process is complicated because a difficult process of matching the array pitch of the openings and cutting into comb teeth or a work of positioning and fixing the cut piezoelectric element in the pressure generating chamber are required.

【0004】これに対して後者は、圧電材料のグリーン
シートを圧力発生室の形状に合わせて貼付し、これを焼
成するという比較的簡単な工程で振動板に圧電素子を作
り付けることができるものの、たわみ振動を利用する関
係上、ある程度の面積が必要となり、高密度配列が困難
であるという問題がある。
On the other hand, in the latter, the piezoelectric element can be formed on the vibration plate by a relatively simple process of sticking a green sheet of a piezoelectric material in conformity with the shape of the pressure generating chamber and firing it. However, due to the use of flexural vibration, a certain area is required, and there is a problem that high-density arrangement is difficult.

【0005】一方、後者の記録ヘッドの不都合を解消す
べく、特開平5−286131号公報に見られるよう
に、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧
電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法に
より圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生
室毎に独立するように圧電素子を形成したものが提案さ
れている。
On the other hand, in order to eliminate the disadvantage of the latter recording head, a uniform piezoelectric material layer is formed over the entire surface of the diaphragm by a film forming technique as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-286131. It has been proposed that the piezoelectric material layer is cut into a shape corresponding to the pressure generating chamber by a lithographic method and a piezoelectric element is formed so as to be independent for each pressure generating chamber.

【0006】また、このような従来のインクジェット式
記録ヘッドは、一般的に、圧力発生室を形成した流路形
成基板に、インク滴を吐出するための複数のノズル開口
を穿設したノズルプレートが接着剤によって接合された
構造となっている。
Further, such a conventional ink jet recording head generally has a nozzle plate in which a plurality of nozzle openings for ejecting ink droplets are formed on a flow path forming substrate in which a pressure generating chamber is formed. It has a structure joined by an adhesive.

【0007】さらに、ノズルプレートの流路形成基板と
は反対側の面には、樹脂材料からなる撥水膜が形成され
ている。この撥水膜は、ノズル開口から吐出したインク
がノズルプレートの表面に付着することを防止してい
る。
Further, a water repellent film made of a resin material is formed on the surface of the nozzle plate opposite to the flow path forming substrate. This water-repellent film prevents ink ejected from the nozzle openings from adhering to the surface of the nozzle plate.

【0008】このような撥水膜は、ノズル開口を一時的
にレジストで埋めたノズルプレートの表面に、例えば、
フッ素樹脂等の樹脂材料からなる塗布液を塗布し、その
後、レジストを除去することで形成される。
Such a water-repellent film is formed, for example, on the surface of the nozzle plate whose nozzle openings are temporarily filled with resist.
It is formed by applying a coating liquid made of a resin material such as a fluororesin and then removing the resist.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ノズル
開口が高密度に穿設されたノズルプレートに撥水膜を形
成する場合、ノズル開口の内径が実質的に小さくなるた
め、そのノズル開口をレジストで埋めるという作業が比
較的困難であるという問題がある。
However, when a water-repellent film is formed on a nozzle plate in which nozzle openings are formed with high density, the inner diameter of the nozzle openings is substantially reduced, and therefore the nozzle openings are made of resist. There is a problem that the work of filling is relatively difficult.

【0010】また、ノズル開口がレジストで確実に埋め
られていないノズルプレートの表面に樹脂材料を塗布す
ると、その樹脂材料がノズル開口内に入り込んでノズル
詰りが発生するという問題となる。
Further, if a resin material is applied to the surface of the nozzle plate in which the nozzle openings are not surely filled with resist, the resin material enters into the nozzle openings to cause nozzle clogging.

【0011】さらに、ノズルプレートの表面は、所定の
タイミングでワイピング処理するが、このとき、撥水膜
の表面にキズ等の損傷が発生してしまい、撥水膜の耐久
性や撥水性が低減するという問題がある。
Further, the surface of the nozzle plate is subjected to a wiping process at a predetermined timing, but at this time, the surface of the water-repellent film is damaged such as scratches, and the durability and water repellency of the water-repellent film are reduced. There is a problem of doing.

【0012】本発明はこのような事情に鑑み、ノズル詰
りを防止して撥水膜の耐久性及び撥水性を向上できるノ
ズルプレート及びその製造方法並びにインクジェット式
記録ヘッドを提供することを課題とする。
In view of such circumstances, it is an object of the present invention to provide a nozzle plate capable of preventing nozzle clogging and improving the durability and water repellency of a water repellent film, a method of manufacturing the nozzle plate, and an ink jet recording head. .

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の第1の態様は、液滴を吐出する複数個のノズル開口
を有し、該ノズル開口と連通する流路が形成された流路
形成基板に接合されるノズルプレートにおいて、前記ノ
ズル開口が設けられ且つ前記流路形成基板に接合される
ノズルプレート本体を具備し、当該ノズルプレート本体
の前記流路形成基板とは反対側の面の少なくとも前記ノ
ズル開口の周囲に、前記ノズルプレート本体より誘電率
が低い無機化合物からなる撥水膜が設けられていること
を特徴とするノズルプレートにある。
A first aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems is a flow having a plurality of nozzle openings for ejecting liquid droplets and forming a flow path communicating with the nozzle openings. A nozzle plate joined to a passage forming substrate, comprising a nozzle plate body provided with the nozzle opening and joined to the passage forming substrate, and a surface of the nozzle plate body opposite to the passage forming substrate. A water repellent film made of an inorganic compound having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate body is provided at least around the nozzle opening.

【0014】かかる第1の態様では、液滴と撥水膜との
間の電気的な相互作用が低く抑えられて、撥水膜の撥水
性が向上する。また、撥水膜の剛性を高くすることで耐
久性が向上する。
In the first aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved. Moreover, durability is improved by increasing the rigidity of the water-repellent film.

【0015】本発明の第2の態様は、第1の態様におい
て、前記無機化合物の誘電率εがε<10であることを
特徴とするノズルプレートにある。
A second aspect of the present invention is the nozzle plate according to the first aspect, characterized in that the dielectric constant ε of the inorganic compound is ε <10.

【0016】かかる第2の態様では、液滴と撥水膜との
間の電気的な相互作用が低く抑えられて、撥水膜の撥水
性が向上する。
In the second aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved.

【0017】本発明の第3の態様は、第1又は第2の態
様において、前記無機化合物が酸化マグネシウム又は酸
化シリコンであることを特徴とするノズルプレートにあ
る。
A third aspect of the present invention is the nozzle plate according to the first or second aspect, characterized in that the inorganic compound is magnesium oxide or silicon oxide.

【0018】かかる第3の態様では、液滴と撥水膜との
間の電気的な相互作用が低く抑えられて、撥水膜の撥水
性が向上する。また、撥水膜の剛性を高くすることで耐
久性が向上する。
In the third aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved. Moreover, durability is improved by increasing the rigidity of the water-repellent film.

【0019】本発明の第4の態様は、第3の態様におい
て、前記無機化合物が分子内に存在するヒドロキシ基を
フッ素に置換したものであることを特徴とするノズルプ
レートにある。
A fourth aspect of the present invention is the nozzle plate according to the third aspect, wherein the inorganic compound is one in which a hydroxy group present in the molecule is replaced with fluorine.

【0020】かかる第4の態様では、親水性を示すヒド
ロキシ基がフッ素に置換されて撥水性が更に向上する。
In the fourth aspect, the hydroxy group having hydrophilicity is replaced with fluorine to further improve the water repellency.

【0021】本発明の第5の態様は、第1又は第2の態
様において、前記無機化合物が窒化ケイ素であることを
特徴とするノズルプレートにある。
A fifth aspect of the present invention is the nozzle plate according to the first or second aspect, characterized in that the inorganic compound is silicon nitride.

【0022】かかる第5の態様では、液滴と撥水膜との
間の電気的な相互作用が低く抑えられて、撥水膜の撥水
性が向上する。また、撥水膜の剛性を高くすることで耐
久性が向上する。
In the fifth aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved. Moreover, durability is improved by increasing the rigidity of the water-repellent film.

【0023】本発明の第6の態様は、第1〜5の何れか
の態様において、前記撥水膜の厚さが0.05〜10μ
mであることを特徴とするノズルプレートにある。
According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects, the water repellent film has a thickness of 0.05 to 10 μm.
m in the nozzle plate.

【0024】かかる第6の態様では、撥水膜の強度を確
保することができる。
In the sixth aspect, the strength of the water repellent film can be secured.

【0025】本発明の第7の態様は、第1〜6の何れか
の態様において、前記ノズルプレート本体がケイ素又は
ステンレス鋼からなることを特徴とするノズルプレート
にある。
A seventh aspect of the present invention is the nozzle plate according to any one of the first to sixth aspects, characterized in that the nozzle plate body is made of silicon or stainless steel.

【0026】かかる第7の態様では、ノズルプレート本
体の強度を確保することができる。
In the seventh aspect, the strength of the nozzle plate body can be ensured.

【0027】本発明の第8の態様は、ノズル開口が設け
られたノズルプレートと、前記ノズル開口に連通する圧
力発生室が形成される流路形成基板と、該流路形成基板
の一方面側に振動板を介して設けられて前記圧力発生室
内に圧力変化を生じさせる圧電素子とを具備するインク
ジェット式記録ヘッドにおいて、前記ノズルプレートの
前記流路形成基板とは反対側の面の少なくとも前記ノズ
ル開口の周囲に、前記ノズルプレートより誘電率が低い
無機化合物からなる撥水膜が設けられていることを特徴
とするインクジェット式記録ヘッドにある。
According to an eighth aspect of the present invention, a nozzle plate provided with a nozzle opening, a flow path forming substrate in which a pressure generating chamber communicating with the nozzle opening is formed, and one surface side of the flow path forming substrate An inkjet recording head provided with a piezoelectric element for generating a pressure change in the pressure generating chamber, the nozzle being provided on at least the nozzle of a surface of the nozzle plate opposite to the flow path forming substrate. In the ink jet recording head, a water repellent film made of an inorganic compound having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate is provided around the opening.

【0028】かかる第8の態様では、液滴と撥水膜との
間の電気的な相互作用を低く抑えられて、撥水膜の撥水
性が向上する。また、撥水膜の剛性を高くすることで耐
久性が向上する。
In the eighth aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved. Moreover, durability is improved by increasing the rigidity of the water-repellent film.

【0029】本発明の第9の態様は、第8の態様におい
て、前記無機化合物の誘電率εがε<10であることを
特徴とするインクジェット式記録ヘッドにある。
A ninth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the eighth aspect, characterized in that the dielectric constant ε of the inorganic compound is ε <10.

【0030】かかる第9の態様では、液滴と撥水膜との
間の電気的な相互作用が低く抑えられて、撥水膜の撥水
性が向上する。
In the ninth aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved.

【0031】本発明の第10の態様は、第8又は第9の
態様において、前記無機化合物が酸化マグネシウム又は
酸化シリコンであることを特徴とするインクジェット式
記録ヘッドにある。
A tenth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the eighth or ninth aspect, characterized in that the inorganic compound is magnesium oxide or silicon oxide.

【0032】かかる第10の態様では、液滴と撥水膜と
の間の電気的な相互作用を低く抑えられて、撥水膜の撥
水性が向上する。また、撥水膜の剛性を高くすることで
耐久性が向上する。
In the tenth aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved. Moreover, durability is improved by increasing the rigidity of the water-repellent film.

【0033】本発明の第11の態様は、第10の態様に
おいて、前記無機化合物が分子内に存在するヒドロキシ
基をフッ素に置換したものであることを特徴とするイン
クジェト式記録ヘッドにある。
An eleventh aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the tenth aspect, wherein the inorganic compound is one in which a hydroxy group present in the molecule is replaced with fluorine.

【0034】かかる第11の態様では、親水性を示すヒ
ドロキシ基がフッ素に置換されて撥水性が更に向上す
る。
In the eleventh aspect, the hydroxy group having hydrophilicity is substituted with fluorine to further improve the water repellency.

【0035】本発明の第12の態様は、第8又は9の態
様において、前記無機化合物が窒化ケイ素であることを
特徴とするインクジェット式記録ヘッドにある。
A twelfth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the eighth or ninth aspect, characterized in that the inorganic compound is silicon nitride.

【0036】かかる第12の態様では、液滴と撥水膜と
の間の電気的な相互作用を低く抑えられて、撥水膜の撥
水性が向上する。また、撥水膜の剛性を高くすることで
耐久性が向上する。
In the twelfth aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film can be suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film can be improved. Moreover, durability is improved by increasing the rigidity of the water-repellent film.

【0037】本発明の第13の態様は、第8〜12の何
れかの態様において、前記撥水膜の厚さが0.05〜1
0μmであることを特徴とするインクジェット式記録ヘ
ッドにある。
A thirteenth aspect of the present invention is any one of the eighth to twelfth aspects, wherein the water repellent film has a thickness of 0.05 to 1.
The inkjet recording head is characterized by having a thickness of 0 μm.

【0038】かかる第13の態様では、撥水膜の強度を
確保することができる。
In the thirteenth aspect, the strength of the water repellent film can be secured.

【0039】本発明の第14の態様は、第8〜13の何
れかの態様において、前記ノズルプレートがケイ素又は
ステンレス鋼からなることを特徴とするインクジェット
式記録ヘッドにある。
A fourteenth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to any one of the eighth to thirteenth aspects, characterized in that the nozzle plate is made of silicon or stainless steel.

【0040】かかる第14の態様では、ノズルプレート
本体の強度を確保することができる。
In the fourteenth aspect, the strength of the nozzle plate body can be ensured.

【0041】本発明の第15の態様は、液滴を吐出する
複数個のノズル開口を有し、該ノズル開口と連通する流
路が形成された流路形成基板に接合されるノズルプレー
トの製造方法において、前記ノズル開口が設けられたノ
ズルプレート本体の前記流路形成基板との接合面とは反
対側の面に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の表面
に存在するヒドロキシ基をフッ素に置換することによっ
て前記ノズルプレート本体の表面に当該ノズルプレート
本体より誘電率が低い撥水膜を形成する工程とを具備す
ることを特徴とするノズルプレートの製造方法にある。
A fifteenth aspect of the present invention is a method of manufacturing a nozzle plate, which has a plurality of nozzle openings for ejecting droplets and is joined to a flow path forming substrate having a flow path communicating with the nozzle openings. In the method, a step of forming an oxide film on a surface of the nozzle plate main body provided with the nozzle openings, the surface being opposite to the bonding surface with the flow path forming substrate, and the hydroxy group existing on the surface of the oxide film being fluorine-containing. Forming a water repellent film having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate body on the surface of the nozzle plate body.

【0042】かかる第15の態様では、液滴と撥水膜と
の間の電気的な相互作用が低く抑えられて、撥水膜の撥
水性が向上する。また、撥水膜の剛性を高くすることで
耐久性が向上する。さらには、ノズル開口をレジストで
埋めずに撥水膜を形成することができ、ノズル詰りが防
止される。
In the fifteenth aspect, the electrical interaction between the droplet and the water repellent film is suppressed to a low level, and the water repellency of the water repellent film is improved. Moreover, durability is improved by increasing the rigidity of the water-repellent film. Further, the water-repellent film can be formed without filling the nozzle openings with the resist, and the nozzle clogging can be prevented.

【0043】本発明の第16の態様は、第15の態様に
おいて、前記酸化膜をスパッタリング法によって形成す
ることを特徴とするノズルプレートの製造方法にある。
A sixteenth aspect of the present invention is the method for manufacturing a nozzle plate according to the fifteenth aspect, characterized in that the oxide film is formed by a sputtering method.

【0044】かかる第16の態様では、ノズル開口をレ
ジストで埋めずに撥水膜を形成することができ、ノズル
詰りが防止される。
In the sixteenth aspect, the water repellent film can be formed without filling the nozzle opening with the resist, and the nozzle clogging can be prevented.

【0045】本発明の第17の態様は、第15又は第1
6の態様において、前記酸化膜を前記ノズル開口の周囲
を熱酸化することによって形成することを特徴とするノ
ズルプレートの製造方法にある。
The seventeenth aspect of the present invention is the fifteenth or first aspect.
In a sixth aspect, there is provided a method for manufacturing a nozzle plate, wherein the oxide film is formed by thermally oxidizing the periphery of the nozzle opening.

【0046】かかる第17の態様では、ノズル開口をレ
ジストで埋めずに撥水膜を形成することができ、作業工
程が簡略化される。また、製造コストが低く抑えられ
る。
In the seventeenth aspect, the water repellent film can be formed without filling the nozzle opening with the resist, and the working process is simplified. In addition, the manufacturing cost can be kept low.

【0047】本発明は、ノズルプレート本体より誘電率
が低い無機化合物からなる撥水膜を設けることを特徴と
する。このような無機化合物で撥水膜を形成することに
よって、インク等の液滴と撥水膜との間の電気的な相互
作用を低く抑えることができる。
The present invention is characterized in that a water repellent film made of an inorganic compound having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate body is provided. By forming the water repellent film with such an inorganic compound, it is possible to suppress the electrical interaction between the droplets of ink or the like and the water repellent film.

【0048】このような無機化合物は、誘電率εがノズ
ルプレート本体より低いものであれば特に限定されない
が、例えば、誘電率εが10より小さい無機化合物であ
り、具体的には、酸化シリコン、酸化マグネシウムなど
の酸化物や、窒化ケイ素等の窒化物を挙げることができ
る。
The inorganic compound is not particularly limited as long as it has a dielectric constant ε lower than that of the nozzle plate body. For example, the inorganic compound is an inorganic compound having a dielectric constant ε smaller than 10, specifically, silicon oxide, Examples thereof include oxides such as magnesium oxide and nitrides such as silicon nitride.

【0049】本発明の撥水膜は、ノズルプレートの表面
に、例えば、スパッタリング法等を用いて、堆積された
無機化合物層からなるようにしてもよいし、ノズルプレ
ートの表面を熱酸化等して形成した酸化膜からなるよう
にしてもよい。
The water-repellent film of the present invention may be made of an inorganic compound layer deposited on the surface of the nozzle plate by using, for example, a sputtering method, or the surface of the nozzle plate may be thermally oxidized. It may be made of an oxide film formed as described above.

【0050】また、撥水膜が酸化物で形成される場合
は、その分子のヒドロキシ基が表面に存在して親水性を
示す。このため、このようなヒドロキシ基をフッ素に置
換して撥水性処理することが望ましい。これにより、撥
水性を更に向上させることができる。
When the water-repellent film is formed of an oxide, the hydroxyl group of the molecule is present on the surface and exhibits hydrophilicity. For this reason, it is desirable to substitute such a hydroxy group with fluorine for water repellency treatment. Thereby, the water repellency can be further improved.

【0051】また、例えば、金属酸化物や窒化ケイ素等
の無機化合物からなる撥水膜をノズルプレートの表面に
形成する場合、無機化合物がノズル開口内に付着する虞
はないので、ノズル開口をレジスト等で埋める必要がな
い。従って、製造コストを低く抑えることができるとい
う効果を奏する。
In addition, for example, when a water repellent film made of an inorganic compound such as metal oxide or silicon nitride is formed on the surface of the nozzle plate, there is no risk of the inorganic compound adhering to the inside of the nozzle opening. There is no need to fill in with etc. Therefore, there is an effect that the manufacturing cost can be kept low.

【0052】[0052]

【発明の実施の形態】以下に本発明を実施形態に基づい
て詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below based on embodiments.

【0053】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図
であり、図2は、図1の平面図及び断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is an exploded perspective view showing an ink jet recording head according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view and a sectional view of FIG.

【0054】図示するように、流路形成基板10は、本
実施形態では面方位(110)のシリコン単結晶基板か
らなる。流路形成基板10としては、通常、100〜3
00μm程度の厚さのものが用いられ、隣接する圧力発
生室間の隔壁の剛性を保ちつつ配列密度を高くする場合
には、厚さの薄いものを用いることが望ましい。
As shown in the figure, the flow path forming substrate 10 is a silicon single crystal substrate having a plane orientation (110) in this embodiment. The flow path forming substrate 10 is usually 100 to 3
A thin film having a thickness of about 00 μm is preferably used in order to increase the array density while maintaining the rigidity of the partition walls between the adjacent pressure generating chambers.

【0055】流路形成基板10の一方の面は開口面とな
り、他方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリ
コンからなる、厚さ1〜2μmの弾性膜50が形成され
ている。
One surface of the flow path forming substrate 10 is an opening surface, and the other surface is formed with an elastic film 50 of 1 to 2 μm in thickness made of silicon dioxide formed by thermal oxidation in advance.

【0056】一方、流路形成基板10の開口面には、シ
リコン単結晶基板を異方性エッチングすることにより、
複数の隔壁11により区画された圧力発生室12が幅方
向に並設され、その長手方向外側には、後述するリザー
バ形成基板のリザーバ部に連通して各圧力発生室12の
共通のインク室となるリザーバの一部を構成する連通部
13が形成され、各圧力発生室12の長手方向一端部と
それぞれインク供給路14を介して連通されている。
On the other hand, the opening surface of the flow path forming substrate 10 is anisotropically etched to form a silicon single crystal substrate.
Pressure generating chambers 12 partitioned by a plurality of partition walls 11 are arranged side by side in the width direction, and on the outer side in the longitudinal direction, the pressure generating chambers 12 communicate with a reservoir portion of a reservoir forming substrate, which will be described later, and a common ink chamber of each pressure generating chamber 12. A communication portion 13 that forms a part of the reservoir is formed, and is connected to one end portion in the longitudinal direction of each pressure generating chamber 12 via an ink supply passage 14.

【0057】ここで、異方性エッチングは、シリコン単
結晶基板のエッチングレートの違いを利用して行われ
る。例えば、本実施形態では、シリコン単結晶基板をK
OH等のアルカリ溶液に浸漬すると、徐々に侵食されて
(110)面に垂直な第1の(111)面と、この第1
の(111)面と約70度の角度をなし且つ上記(11
0)面と約35度の角度をなす第2の(111)面とが
出現し、(110)面のエッチングレートと比較して
(111)面のエッチングレートが約1/180である
という性質を利用して行われる。かかる異方性エッチン
グにより、二つの第1の(111)面と斜めの二つの第
2の(111)面とで形成される平行四辺形状の深さ加
工を基本として精密加工を行うことができ、圧力発生室
12を高密度に配列することができる。
Here, the anisotropic etching is performed by utilizing the difference in the etching rate of the silicon single crystal substrate. For example, in this embodiment, the silicon single crystal substrate is set to K.
When it is dipped in an alkaline solution such as OH, it is gradually eroded and the first (111) plane perpendicular to the (110) plane and the first (111) plane
Forms an angle of about 70 degrees with the (111) plane of
A second (111) plane that makes an angle of about 35 degrees with the (0) plane appears, and the etching rate of the (111) plane is about 1/180 of the etching rate of the (110) plane. Is done using. By such anisotropic etching, it is possible to perform precision machining based on the depth machining of the parallelogram shape formed by the two first (111) planes and the two diagonal second (111) planes. The pressure generating chambers 12 can be arranged in high density.

【0058】本実施形態では、各圧力発生室12の長辺
を第1の(111)面で、短辺を第2の(111)面で
形成している。この圧力発生室12は、流路形成基板1
0をほぼ貫通して弾性膜50に達するまでエッチングす
ることにより形成されている。ここで、弾性膜50は、
シリコン単結晶基板をエッチングするアルカリ溶液に侵
される量がきわめて小さい。また各圧力発生室12の一
端に連通する各インク供給路14は、圧力発生室12よ
り浅く形成されており、圧力発生室12に流入する顔料
インクの流路抵抗を一定に保持している。すなわち、イ
ンク供給路14は、シリコン単結晶基板を厚さ方向に途
中までエッチング(ハーフエッチング)することにより
形成されている。なお、ハーフエッチングは、エッチン
グ時間の調整により行われる。
In this embodiment, the long side of each pressure generating chamber 12 is formed by the first (111) plane, and the short side is formed by the second (111) plane. The pressure generating chamber 12 is provided in the flow path forming substrate 1
It is formed by etching through almost 0 to reach the elastic film 50. Here, the elastic film 50 is
The amount of the alkaline solution that etches the silicon single crystal substrate is extremely small. Each ink supply passage 14 communicating with one end of each pressure generation chamber 12 is formed shallower than the pressure generation chamber 12, and keeps the flow resistance of the pigment ink flowing into the pressure generation chamber 12 constant. That is, the ink supply path 14 is formed by etching the silicon single crystal substrate halfway in the thickness direction (half etching). The half etching is performed by adjusting the etching time.

【0059】また、流路形成基板10の開口面側には、
各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側で連通
するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が
接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。
On the opening surface side of the flow path forming substrate 10,
A nozzle plate 20 having a nozzle opening 21 that communicates with the pressure generating chamber 12 on the side opposite to the ink supply path 14 is fixed via an adhesive or a heat-welding film.

【0060】なお、ノズルプレート20は、本実施形態
では、厚さが例えば、0.1〜1mmで、線膨張係数が
300℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6
℃]であるステンレス鋼(SUS)等の金属材料、シリ
コン(Si)、ガラスセラミックス及び不錆鋼等を挙げ
ることができる。
In the present embodiment, the nozzle plate 20 has a thickness of, for example, 0.1 to 1 mm and a linear expansion coefficient of 300 ° C. or less, for example, 2.5 to 4.5 [× 10 -6 /
C.], a metal material such as stainless steel (SUS), silicon (Si), glass ceramics, and rust-free steel.

【0061】このようなノズルプレート20は、流路形
成基板10と熱膨張係数が略同一の材料で形成するよう
にしてもよい。この場合には、流路形成基板10とノズ
ルプレート20との熱による変形が略同一となるため、
熱硬化性の接着剤等を用いて容易に接合することができ
る。なお、本実施形態では、ノズルプレートの材質にシ
リコンを用いた。
The nozzle plate 20 as described above may be formed of a material having a thermal expansion coefficient substantially the same as that of the flow path forming substrate 10. In this case, since the flow path forming substrate 10 and the nozzle plate 20 are deformed substantially by heat,
It can be easily joined using a thermosetting adhesive or the like. In this embodiment, silicon is used as the material of the nozzle plate.

【0062】さらに、ノズルプレート20は、一方の面
で流路形成基板10の一面を全面的に覆い、シリコン単
結晶基板を衝撃や外力から保護する補強板の役目も果た
す。
Further, the nozzle plate 20 entirely covers one surface of the flow path forming substrate 10 with one surface, and also serves as a reinforcing plate for protecting the silicon single crystal substrate from impact and external force.

【0063】このようなノズルプレート20の流路形成
基板10とは反対側の面には、ノズルプレート20より
誘電率が低い無機化合物からなる撥水膜100が設けら
れている。なお、撥水膜100の膜厚は、0.05〜1
0μm程度である。
A water repellent film 100 made of an inorganic compound having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate 20 is provided on the surface of the nozzle plate 20 opposite to the flow path forming substrate 10. The water-repellent film 100 has a thickness of 0.05 to 1
It is about 0 μm.

【0064】この撥水膜の誘電率εは、低いほど好まし
く、具体的には、誘電率εがε<10であることが望ま
しい。
The lower the dielectric constant ε of this water repellent film is, the more preferable it is. Specifically, it is desirable that the dielectric constant ε is ε <10.

【0065】また、撥水膜100を形成する無機化合物
としては、例えば、酸化シリコン、酸化マグネシウム等
の酸化物、窒化ケイ素等の窒化物を挙げることができ
る。ここで、酸化シリコンや酸化マグネシウムの誘電率
εは3〜4であり、窒化ケイ素の誘電率εは8である。
Examples of the inorganic compound forming the water repellent film 100 include oxides such as silicon oxide and magnesium oxide, and nitrides such as silicon nitride. Here, the dielectric constant ε of silicon oxide or magnesium oxide is 3 to 4, and the dielectric constant ε of silicon nitride is 8.

【0066】例えば、本実施形態では、ノズルプレート
20の表面を熱酸化することにより酸化シリコンからな
る撥水膜100を形成した。
For example, in this embodiment, the water repellent film 100 made of silicon oxide is formed by thermally oxidizing the surface of the nozzle plate 20.

【0067】このような無機化合物は、誘電率εがε<
10であるため、インク滴との間の電気的な相互作用を
低く抑えることができる。
Such an inorganic compound has a dielectric constant ε of ε <
Since it is 10, the electrical interaction with the ink droplet can be suppressed low.

【0068】なお、本実施形態のように、無機化合物が
酸化物である場合には、分子内に親水性基であるヒドロ
キシ基が存在している。従って、このような酸化物で撥
水膜を形成する場合には、親水性基をフッ素に置換する
ことが望ましい。これにより、撥水性を更に向上するこ
とができる。なお、低誘電率εの無機化合物からなる撥
水膜が所望の撥水性を発揮すれば、親水性基をフッ素に
置換しなくてもよい。
When the inorganic compound is an oxide as in this embodiment, a hydroxy group, which is a hydrophilic group, exists in the molecule. Therefore, when forming a water-repellent film with such an oxide, it is desirable to replace the hydrophilic group with fluorine. Thereby, the water repellency can be further improved. If the water repellent film made of an inorganic compound having a low dielectric constant ε exhibits desired water repellency, it is not necessary to replace the hydrophilic group with fluorine.

【0069】このように、本実施形態の撥水膜100
は、ノズルプレートより誘電率εが低い無機化合物で形
成されているので、インク滴との間の電気的な相互作用
が低く抑えられる。従って、撥水性を向上させることが
できる。
As described above, the water-repellent film 100 of the present embodiment.
Is formed of an inorganic compound having a dielectric constant ε lower than that of the nozzle plate, so that electrical interaction with ink droplets can be suppressed to a low level. Therefore, the water repellency can be improved.

【0070】また、撥水膜100は、無機化合物で形成
されているため、例えば、樹脂材料等の有機化合物で形
成された撥水膜に比べて耐久性を向上させることができ
る。すなわち、無機化合物からなる撥水膜100は、樹
脂材料で形成されたものよりも剛性が高いため、ワイピ
ングした際に、インクに含まれる顔料粒子が接触して、
撥水膜100の表面に発生するキズ等の損傷を低減する
ことができ、撥水膜100の耐久性が向上する。
Further, since the water repellent film 100 is formed of an inorganic compound, it is possible to improve the durability as compared with a water repellent film formed of an organic compound such as a resin material. That is, since the water-repellent film 100 made of an inorganic compound has higher rigidity than that made of a resin material, the pigment particles contained in the ink come into contact with each other when wiping,
Damage such as scratches generated on the surface of the water-repellent film 100 can be reduced, and the durability of the water-repellent film 100 is improved.

【0071】一方、流路形成基板10の開口面とは反対
側の弾性膜50の上には、厚さが例えば、約0.2μm
の下電極膜60と、厚さが例えば、約1μmの圧電体層
70と、厚さが例えば、約0.1μmの上電極膜80と
が、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子30
0を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極
膜60、圧電体層70、及び上電極膜80を含む部分を
いう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極
を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力
発生室12毎にパターニングして構成する。そして、こ
こではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体
層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電
歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態で
は、下電極膜60は圧電素子300の共通電極とし、上
電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、
駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
何れの場合においても、各圧力発生室12毎に圧電体能
動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧
電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が
生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称す
る。
On the other hand, a thickness of, for example, about 0.2 μm is formed on the elastic film 50 on the side opposite to the opening surface of the flow path forming substrate 10.
The lower electrode film 60, the piezoelectric layer 70 having a thickness of, for example, about 1 μm, and the upper electrode film 80 having a thickness of, for example, about 0.1 μm are laminated in a process described below to form the piezoelectric element 30.
Configures 0. Here, the piezoelectric element 300 refers to a portion including the lower electrode film 60, the piezoelectric layer 70, and the upper electrode film 80. Generally, one of the electrodes of the piezoelectric element 300 is used as a common electrode, and the other electrode and the piezoelectric layer 70 are patterned for each pressure generating chamber 12. Further, here, a portion which is composed of one of the patterned electrodes and the piezoelectric layer 70 and in which piezoelectric strain is generated by applying a voltage to both electrodes is referred to as a piezoelectric active portion. In the present embodiment, the lower electrode film 60 is the common electrode of the piezoelectric element 300, and the upper electrode film 80 is the individual electrode of the piezoelectric element 300.
There is no problem in reversing this due to the driving circuit and wiring.
In any case, the piezoelectric active portion is formed for each pressure generating chamber 12. Further, here, the piezoelectric element 300 and the vibration plate that is displaced by the driving of the piezoelectric element 300 are collectively referred to as a piezoelectric actuator.

【0072】また、流路形成基板10の圧電素子300
側には、各圧力発生室12の共通のインク室となるリザ
ーバ110の少なくとも一部を構成するリザーバ部31
を有するリザーバ形成基板30が接合されている。この
リザーバ部31は、本実施形態では、リザーバ形成基板
30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘
って形成されており、上述のように流路形成基板10の
連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のイン
ク室となるリザーバ110を構成している。
Further, the piezoelectric element 300 of the flow path forming substrate 10
On the side, a reservoir portion 31 that constitutes at least a part of a reservoir 110 that serves as a common ink chamber for each pressure generation chamber 12
The reservoir forming substrate 30 having the is bonded. In the present embodiment, the reservoir portion 31 is formed to penetrate the reservoir forming substrate 30 in the thickness direction and extend in the width direction of the pressure generating chamber 12, and as described above, the communicating portion of the flow passage forming substrate 10. A reservoir 110 that communicates with the pressure generating chamber 12 and serves as a common ink chamber for the pressure generating chambers 12 is configured.

【0073】このリザーバ形成基板30としては、流路
形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラ
ス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施
形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結
晶基板を用いて形成した。
As the reservoir forming substrate 30, it is preferable to use a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the passage forming substrate 10, for example, glass or a ceramic material. It was formed using a silicon single crystal substrate of the same material.

【0074】また、リザーバ形成基板30の圧電素子3
00に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害
しない程度の空間を確保した状態で、その空間を密封可
能な圧電素子保持部32が設けられ、圧電素子300は
この圧電素子保持部32内に密封されている。
In addition, the piezoelectric element 3 of the reservoir forming substrate 30
In a region facing 00, a piezoelectric element holding portion 32 that can seal the space is provided in a state where a space that does not hinder the movement of the piezoelectric element 300 is secured, and the piezoelectric element 300 includes the piezoelectric element holding portion 32. It is sealed inside.

【0075】ここで、各圧電素子300を構成すると共
に複数の圧電素子300に共通する共通電極である下電
極膜60は、リザーバ形成基板30が接合される領域ま
で延設されている。例えば、本実施形態では、下電極膜
60は、圧力発生室12に対向する領域からリザーバ1
10とは反対側の周壁上まで延設されている。そして、
リザーバ形成基板30の一部がこの下電極膜60に対向
する領域で、流路形成基板10と接合されている。
Here, the lower electrode film 60, which is a common electrode that constitutes each piezoelectric element 300 and is common to the plurality of piezoelectric elements 300, is extended to the region where the reservoir forming substrate 30 is bonded. For example, in the present embodiment, the lower electrode film 60 is formed from the region facing the pressure generating chamber 12 to the reservoir 1
It is extended to the peripheral wall on the opposite side to 10. And
A part of the reservoir forming substrate 30 is joined to the flow path forming substrate 10 in a region facing the lower electrode film 60.

【0076】なお、リザーバ形成基板30には、封止膜
41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板4
0が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低
く可撓性を有する材料(例えば、厚さが6μmのポリフ
ェニレンサルファイド(PPS)フィルム)からなり、
この封止膜41によってリザーバ部31の一方面が封止
されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料
(例えば、厚さが30μmのステンレス鋼(SUS)
等)で形成される。この固定板42のリザーバ110に
対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部4
3となっているため、リザーバ110の一方面は可撓性
を有する封止膜41のみで封止され、内部圧力の変化に
よって変形可能な可撓部33となっている。
The reservoir forming substrate 30 includes a compliance substrate 4 including a sealing film 41 and a fixing plate 42.
0 is joined. Here, the sealing film 41 is made of a material having low rigidity and flexibility (for example, a polyphenylene sulfide (PPS) film having a thickness of 6 μm),
One surface of the reservoir section 31 is sealed by the sealing film 41. The fixing plate 42 is made of a hard material such as metal (for example, stainless steel (SUS) having a thickness of 30 μm).
Etc.). The area of the fixing plate 42 facing the reservoir 110 is the opening 4 completely removed in the thickness direction.
Therefore, the one surface of the reservoir 110 is sealed only by the sealing film 41 having flexibility, and is a flexible portion 33 that can be deformed by a change in internal pressure.

【0077】また、このリザーバ110の長手方向略中
央部外側のコンプライアンス基板40上には、リザーバ
110にインクを供給するためのインク導入口35が形
成されている。さらに、リザーバ形成基板30には、イ
ンク導入口35とリザーバ110の側壁とを連通するイ
ンク導入路36が設けられている。
An ink inlet 35 for supplying ink to the reservoir 110 is formed on the compliance substrate 40 outside the central portion in the longitudinal direction of the reservoir 110. Further, the reservoir forming substrate 30 is provided with an ink introducing passage 36 that connects the ink introducing port 35 and the side wall of the reservoir 110.

【0078】なお、このような本実施形態のインクジェ
ット式記録ヘッドは、図示しない外部インク供給手段と
接続したインク導入口35からインクを取り込み、リザ
ーバ110からノズル開口21に至るまで内部をインク
で満たした後、図示しない駆動回路からの記録信号に従
い、外部配線を介して圧力発生室12に対応するそれぞ
れの下電極膜60と上電極膜80との間に電圧を印加
し、弾性膜50、下電極膜60及び圧電体層70をたわ
み変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が
高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
The ink jet recording head of the present embodiment as described above takes in ink from the ink introduction port 35 connected to an external ink supply means (not shown) and fills the interior from the reservoir 110 to the nozzle opening 21 with ink. Then, according to a recording signal from a driving circuit (not shown), a voltage is applied between the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80 corresponding to the pressure generating chamber 12 via the external wiring, and the elastic film 50, By flexurally deforming the electrode film 60 and the piezoelectric layer 70, the pressure in each pressure generating chamber 12 is increased and an ink droplet is ejected from the nozzle opening 21.

【0079】ここで、このような本実施形態のインクジ
ェット式記録ヘッドの製造方法について、図3〜図5を
参照して説明する。なお、図3〜図5は、圧力発生室1
2の長手方向の一部を示す断面図である。
Here, a method for manufacturing the ink jet recording head of this embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5 show the pressure generating chamber 1
It is sectional drawing which shows a part of 2 longitudinal direction.

【0080】まず、図3(a)に示すように、流路形成
基板10となるシリコン単結晶基板のウェハを約110
0℃の拡散炉で熱酸化して二酸化シリコンからなる弾性
膜50を形成する。
First, as shown in FIG. 3A, about 110 wafers of silicon single crystal substrates to be the flow path forming substrate 10 are prepared.
An elastic film 50 made of silicon dioxide is formed by thermal oxidation in a 0 ° C. diffusion furnace.

【0081】次に、図3(b)に示すように、スパッタ
リングで下電極膜60を弾性膜50の全面に形成後、下
電極膜60をパターニングして全体パターンを形成す
る。この下電極膜60の材料としては、白金(Pt)等
が好適である。これは、スパッタリング法やゾル−ゲル
法で成膜する後述の圧電体層70は、成膜後に大気雰囲
気下又は酸素雰囲気下で600〜1000℃程度の温度
で焼成して結晶化させる必要があるからである。すなわ
ち、下電極膜60の材料は、このような高温、酸化雰囲
気下で導電性を保持できなければならず、殊に、圧電体
層70としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を用いた
場合には、酸化鉛の拡散による導電性の変化が少ないこ
とが望ましく、これらの理由から白金が好適である。
Next, as shown in FIG. 3B, the lower electrode film 60 is formed on the entire surface of the elastic film 50 by sputtering, and then the lower electrode film 60 is patterned to form an overall pattern. Platinum (Pt) or the like is suitable as a material for the lower electrode film 60. This is because the piezoelectric layer 70 described later, which is formed by the sputtering method or the sol-gel method, needs to be crystallized by baking at a temperature of about 600 to 1000 ° C. in the air atmosphere or the oxygen atmosphere after the film formation. Because. That is, the material of the lower electrode film 60 must be able to maintain the conductivity under such a high temperature and oxidizing atmosphere, and especially when lead zirconate titanate (PZT) is used as the piezoelectric layer 70. It is desirable that the change in conductivity due to the diffusion of lead oxide is small, and platinum is preferable for these reasons.

【0082】次に、図3(c)に示すように、圧電体層
70を成膜する。この圧電体層70は、結晶が配向して
いることが好ましい。例えば、本実施形態では、金属有
機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥し
てゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物か
らなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用
いて形成することにより、結晶が配向している圧電体層
70とした。圧電体層70の材料としては、チタン酸ジ
ルコン酸鉛系の材料がインクジェット式記録ヘッドに使
用する場合には好適である。なお、この圧電体層70の
成膜方法は、特に限定されず、例えば、スパッタリング
法で形成してもよい。
Next, as shown in FIG. 3C, the piezoelectric layer 70 is formed. The piezoelectric layer 70 preferably has crystals oriented. For example, in the present embodiment, a so-called sol-gel method is used in which a so-called sol in which a metal organic material is dissolved and dispersed in a catalyst is applied, dried, gelled, and fired at a high temperature to obtain a piezoelectric layer 70 made of a metal oxide. To form a piezoelectric layer 70 in which crystals are oriented. As a material for the piezoelectric layer 70, a lead zirconate titanate-based material is suitable for use in an inkjet recording head. The method for forming the piezoelectric layer 70 is not particularly limited, and may be formed by, for example, a sputtering method.

【0083】さらに、ゾル−ゲル法又はスパッタリング
法等によりチタン酸ジルコン酸鉛の前駆体膜を形成後、
アルカリ水溶液中での高圧処理法にて低温で結晶成長さ
せる方法を用いてもよい。
Further, after forming a lead zirconate titanate precursor film by a sol-gel method or a sputtering method,
A method of growing crystals at a low temperature by a high-pressure treatment method in an alkaline aqueous solution may be used.

【0084】何れにしても、このように成膜された圧電
体層70は、バルクの圧電体とは異なり結晶が優先配向
しており、且つ本実施形態では、圧電体層70は、結晶
が柱状に形成されている。なお、優先配向とは、結晶の
配向方向が無秩序ではなく、特定の結晶面がほぼ一定の
方向に向いている状態をいう。また、結晶が柱状の薄膜
とは、略円柱体の結晶が中心軸を厚さ方向に略一致させ
た状態で面方向に亘って集合して薄膜を形成している状
態をいう。勿論、優先配向した粒状の結晶で形成された
薄膜であってもよい。なお、このように薄膜工程で製造
された圧電体層の厚さは、一般的に0.2〜5μmであ
る。
In any case, in the piezoelectric body layer 70 thus formed, the crystals are preferentially oriented unlike the bulk piezoelectric body, and in the present embodiment, the piezoelectric body layer 70 has the crystals. It has a columnar shape. Note that the preferential orientation means that the crystal orientation direction is not disordered, and a specific crystal plane is oriented in a substantially constant direction. Further, a thin film having a columnar crystal means a state in which crystals having a substantially columnar body are aggregated in a plane direction with the central axes substantially aligned with the thickness direction to form a thin film. Of course, it may be a thin film formed of preferentially oriented granular crystals. The thickness of the piezoelectric layer manufactured in the thin film process is generally 0.2 to 5 μm.

【0085】次に、図4(a)に示すように、上電極膜
80を成膜する。上電極膜80は、導電性の高い材料で
あればよく、例えば、アルミニウム、金、ニッケル、白
金等の多くの金属や、導電性酸化物等を使用できる。本
実施形態では、白金をスパッタリングにより成膜してい
る。
Next, as shown in FIG. 4A, the upper electrode film 80 is formed. The upper electrode film 80 may be made of a material having high conductivity, and for example, many metals such as aluminum, gold, nickel and platinum, and a conductive oxide can be used. In this embodiment, platinum is deposited by sputtering.

【0086】次いで、図4(b)に示すように、圧電体
層70及び上電極膜80のみをエッチングして圧電素子
300のパターニングを行う。
Next, as shown in FIG. 4B, only the piezoelectric layer 70 and the upper electrode film 80 are etched to pattern the piezoelectric element 300.

【0087】なお、本実施形態では、リザーバ110が
形成される領域の周縁部の一部に、下電極膜60、圧電
体層70及び上電極膜80を残すことにより、リザーバ
110の周縁部の剛性を向上させている。
In this embodiment, the lower electrode film 60, the piezoelectric layer 70, and the upper electrode film 80 are left on a part of the peripheral portion of the region where the reservoir 110 is formed, so that the peripheral portion of the reservoir 110 is formed. Improves rigidity.

【0088】以上が膜形成プロセスである。このように
して膜形成を行った後、前述したアルカリ溶液によるシ
リコン単結晶基板の異方性エッチングを行い、図4
(c)に示すように、圧力発生室12、連通部13及び
インク供給路14等を形成する。
The above is the film forming process. After the film formation is performed in this manner, anisotropic etching of the silicon single crystal substrate with the above-mentioned alkaline solution is performed, and the result of FIG.
As shown in (c), the pressure generating chamber 12, the communication portion 13, the ink supply path 14 and the like are formed.

【0089】次に、図5(a)に示すように、流路形成
基板10の圧電素子300側に、リザーバ形成基板30
を接着剤等を介して接合する。
Next, as shown in FIG. 5A, the reservoir forming substrate 30 is provided on the piezoelectric element 300 side of the flow path forming substrate 10.
Are bonded via an adhesive or the like.

【0090】次いで、図5(b)に示すように、流路形
成基板10のリザーバ形成基板30とは反対側の面に、
ノズル開口の周囲に撥水膜100が形成されたノズルプ
レート20を接合する。
Next, as shown in FIG. 5B, on the surface of the flow path forming substrate 10 opposite to the reservoir forming substrate 30,
The nozzle plate 20 having the water repellent film 100 formed around the nozzle opening is bonded.

【0091】ここで、ノズルプレート20の表面に撥水
膜100を形成する方法について図6を参照しながら説
明する。なお、図6は、本発明の実施形態1に係るノズ
ルプレートの要部断面図である。
A method of forming the water repellent film 100 on the surface of the nozzle plate 20 will be described with reference to FIG. 6 is a cross-sectional view of the main parts of the nozzle plate according to the first embodiment of the present invention.

【0092】まず、図6(a)に示すように、ノズル開
口21が複数個設けられたノズルプレート20の表面を
熱酸化することにより酸化膜101を形成する。なお、
本実施形態では、ノズルプレート20の材質としてシリ
コンを用いたので、酸化膜101は酸化シリコンであ
る。
First, as shown in FIG. 6A, an oxide film 101 is formed by thermally oxidizing the surface of a nozzle plate 20 provided with a plurality of nozzle openings 21. In addition,
In this embodiment, since silicon is used as the material of the nozzle plate 20, the oxide film 101 is silicon oxide.

【0093】次に、図6(b)に示すように、酸化膜1
01の表面にフッ素化合物102を付着させて、酸化膜
101の表面に存在するヒドロキシ基をフッ素に置換す
る。詳しくは、濃硫酸及び二クロム酸カリウムを含有す
る溶液に、酸化膜101の表面を浸した後、その酸化膜
101の表面に、フッ素化合物102であるフッ化リチ
ウム(LiF)を付着する。これにより、酸化膜101
の表面に存在するヒドロキシ基をフッ素に置換すること
ができる。
Next, as shown in FIG. 6B, the oxide film 1
The fluorine compound 102 is attached to the surface of 01 to replace the hydroxy group existing on the surface of the oxide film 101 with fluorine. Specifically, after immersing the surface of the oxide film 101 in a solution containing concentrated sulfuric acid and potassium dichromate, lithium fluoride (LiF) which is a fluorine compound 102 is attached to the surface of the oxide film 101. Thereby, the oxide film 101
The hydroxy groups present on the surface of can be replaced with fluorine.

【0094】なお、フッ素化合物としては、フッ化リチ
ウム(LiF)の他に、例えば、フッ化ナトリウム(N
aF)、フッ化マグネシウム(MgF)、フッ化カル
シウム(CaF)等を用いるようにしてもよい。
As the fluorine compound, in addition to lithium fluoride (LiF), for example, sodium fluoride (N
aF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), or the like may be used.

【0095】このように、本実施形態では、ノズルプレ
ート20の表面を熱酸化することで酸化膜を形成するの
で、ノズル開口21の内径が比較的小さくても、確実に
撥水膜100を形成することができる。また、このよう
な内径が小さいノズル開口21をレジスト等で埋める必
要がないため、作業工程を簡略化できる。従って、製造
コストを低く抑えることができる。
As described above, in this embodiment, since the oxide film is formed by thermally oxidizing the surface of the nozzle plate 20, the water repellent film 100 is reliably formed even if the inner diameter of the nozzle opening 21 is relatively small. can do. Further, since it is not necessary to fill the nozzle opening 21 having such a small inner diameter with a resist or the like, the working process can be simplified. Therefore, the manufacturing cost can be kept low.

【0096】また、このように製造されたノズルプレー
ト20は、ノズル開口21をレジスト等で埋めたり、或
いは、樹脂材料を塗布したりして撥水膜を形成しないた
め、ノズル詰りが発生することがない。従って、インク
をノズル開口21から確実に吐出させることができる。
In the nozzle plate 20 manufactured in this manner, the nozzle openings 21 are filled with resist or the like, or a resin material is applied to form no water-repellent film, so that nozzle clogging may occur. There is no. Therefore, the ink can be surely ejected from the nozzle opening 21.

【0097】なお、本実施形態では、撥水膜100は、
ノズルプレート20の全面に形成するようにしたが、こ
れに限定されず、ノズル開口21の周囲だけに形成する
ようにしてもよい。この場合、撥水膜を形成する領域以
外の部分を、例えば、レジスト等で被覆した状態で形成
すればよい。
In this embodiment, the water repellent film 100 is
Although it is formed on the entire surface of the nozzle plate 20, the invention is not limited to this and may be formed only around the nozzle opening 21. In this case, the portion other than the region where the water repellent film is formed may be formed, for example, in a state of being covered with a resist or the like.

【0098】また、ノズル開口21を有するノズルプレ
ート20に撥水膜100を形成するようにしたが、これ
に限定されず、酸化膜を形成した後にノズル開口を形成
するようにしてもよいし、撥水膜を形成した後にノズル
開口を形成してもよいし、その後、リザーバ形成基板3
0上にコンプライアンス基板40を接合することによ
り、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドが形成さ
れる(図5(b)参照)。
Further, although the water repellent film 100 is formed on the nozzle plate 20 having the nozzle openings 21, the present invention is not limited to this, and the nozzle openings may be formed after forming the oxide film, The nozzle openings may be formed after forming the water-repellent film, and then the reservoir forming substrate 3
By bonding the compliance substrate 40 on the surface of the ink jet recording head, the ink jet recording head of this embodiment is formed (see FIG. 5B).

【0099】なお、実際には、上述した一連の膜形成及
び異方性エッチングによって一枚のウェハ上に多数のチ
ップを同時に形成し、プロセス終了後、図1に示すよう
な一つのチップサイズの流路形成基板10毎に分割す
る。そして、分割した流路形成基板10に、リザーバ形
成基板30及びコンプライアンス基板40を順次接着し
て一体化することによってインクジェット式記録ヘッド
が形成される。
In practice, a large number of chips are simultaneously formed on one wafer by the above-described series of film formation and anisotropic etching, and after the process is completed, one chip size as shown in FIG. The flow path forming substrate 10 is divided. Then, the ink jet recording head is formed by sequentially adhering the reservoir forming substrate 30 and the compliance substrate 40 to the divided flow path forming substrate 10 and integrating them.

【0100】ここで、下記実施例及び比較例のノズルプ
レートを作製し、撥水性を比較する試験を行った。その
結果について説明する。
Here, the nozzle plates of the following Examples and Comparative Examples were prepared and a test for comparing water repellency was conducted. The result will be described.

【0101】(実施例)シリコンからなるノズルプレー
ト本体を用意して、そのノズルプレート本体の表面を熱
酸化することによって酸化膜を形成する。その後、二ク
ロム酸カリウムを濃硫酸で溶かした溶液を70℃に加熱
し、その溶液にノズルプレート本体の酸化膜の表面を浸
す。
(Example) A nozzle plate body made of silicon is prepared, and an oxide film is formed by thermally oxidizing the surface of the nozzle plate body. Then, a solution of potassium dichromate dissolved in concentrated sulfuric acid is heated to 70 ° C., and the surface of the oxide film of the nozzle plate body is dipped in the solution.

【0102】続いて、ノズルプレート本体を冷却した
後、酸化膜の表面を微量のLiFで被覆する。このよう
にして無機化合物で形成された撥水膜を有する実施例の
ノズルプレートを形成した。
Then, after cooling the nozzle plate body, the surface of the oxide film is coated with a slight amount of LiF. In this way, the nozzle plate of the example having the water repellent film formed of the inorganic compound was formed.

【0103】(比較例)実施例と同じノズルプレート本
体を用意し、そのノズルプレート本体の表面に、ポリフ
ッ化エチレン系の樹脂材料を塗布した後、その樹脂材料
を硬化することで撥水膜を形成した。このようにして有
機化合物で形成された撥水膜を有するノズルプレート本
体を比較例のノズルプレートとした。
(Comparative Example) The same nozzle plate body as in the example was prepared, and after coating the surface of the nozzle plate body with a polyfluorinated ethylene resin material, the resin material was cured to form a water repellent film. Formed. The nozzle plate body having the water repellent film formed of the organic compound in this manner was used as a nozzle plate of a comparative example.

【0104】(試験例)上述した実施例及び比較例のノ
ズルプレートの撥水膜の表面に、同一のインク滴を10
mgずつ付着させて、図7に示すように、インク滴と撥
水膜との接触角(θ)及びインク滴が移動する傾斜の
角度を表す転落角(θ)を測定した。その結果を表1
に示す。
(Test Example) On the surface of the water-repellent film of the nozzle plates of the above-mentioned Examples and Comparative Examples, 10 identical ink droplets were applied.
Each mg was adhered, and as shown in FIG. 7, the contact angle (θ 1 ) between the ink droplet and the water-repellent film and the sliding angle (θ 2 ) representing the angle of inclination at which the ink droplet moves were measured. The results are shown in Table 1.
Shown in.

【0105】[0105]

【表1】 [Table 1]

【0106】上記表1に示すように、実施例のノズルプ
レートは、インク滴と撥水膜との接触角は比較例のノズ
ルプレートと同程度であり、インク滴が移動する転落角
は非常に小さく、実施例のノズルプレートが、比較例に
比べて優れた撥水性を有していることは明らかである。
As shown in Table 1 above, the nozzle plate of the example has a contact angle between the ink droplet and the water-repellent film which is about the same as that of the nozzle plate of the comparative example, and the falling angle of the ink droplet is very small. It is clear that the nozzle plates of the examples, which are small, have excellent water repellency as compared to the comparative examples.

【0107】(他の実施形態)以上、本発明の実施形態
を説明したが、インクジェット式記録ヘッドの基本的構
成は上述したものに限定されるものではない。
(Other Embodiments) Although the embodiments of the present invention have been described above, the basic structure of the ink jet recording head is not limited to the above.

【0108】例えば、上述した実施形態1では、ノズル
プレート20の表面を熱酸化することで撥水膜100を
形成するようにしたが、これに限定されず、スパッタリ
ング法を用いて、ノズルプレートの表面に無機化合物か
らなる撥水膜を形成してもよい。
For example, in the above-described first embodiment, the water repellent film 100 is formed by thermally oxidizing the surface of the nozzle plate 20, but the present invention is not limited to this, and the sputtering method is used to form the water repellent film. A water repellent film made of an inorganic compound may be formed on the surface.

【0109】このようなスパッタリング法を用いて撥水
膜を形成することで、上述した実施形態1と同様の効果
を得られる他、窒化ケイ素等の無機材料で撥水膜を形成
することができる。
By forming the water repellent film by using such a sputtering method, the same effect as that of the above-described first embodiment can be obtained, and the water repellent film can be formed of an inorganic material such as silicon nitride. .

【0110】このように、スパッタリング法を用いて撥
水膜を形成する場合、無機化合物がノズル開口内に付着
する虞はない。このため、上述した実施形態1と同様
に、作業工程を簡略化して、製造コストを低く抑えるこ
とができる。
As described above, when the water repellent film is formed by the sputtering method, there is no possibility that the inorganic compound will adhere to the inside of the nozzle opening. Therefore, similarly to the first embodiment described above, it is possible to simplify the work process and reduce the manufacturing cost.

【0111】また、上述の実施形態1では、成膜及びリ
ソグラフィプロセスを応用して製造される薄膜型のイン
クジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定
されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付す
る等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式
記録ヘッドにも本発明を採用することができる。
Further, in the above-described first embodiment, the thin film type ink jet recording head manufactured by applying the film formation and the lithographic process is taken as an example, but the present invention is not limited to this, for example, green. The present invention can also be applied to a thick film type ink jet recording head formed by a method such as attaching a sheet.

【0112】[0112]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、ノズル
プレートの流路形成基板との接合面とは反対側の面の少
なくともノズル開口の周囲に、ノズルプレートより誘電
率が低い無機化合物からなる撥水膜を設けるようにした
ため、撥水膜の耐久性及び撥水性を向上することができ
るという効果を奏する。
As described above, according to the present invention, an inorganic compound having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate is formed on at least the periphery of the nozzle opening on the surface of the nozzle plate opposite to the surface where the flow path forming substrate is joined. Since the water repellent film is provided, there is an effect that the durability and water repellency of the water repellent film can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of an ink jet recording head according to a first embodiment of the invention.

【図2】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの平面図及び断面図である。
2A and 2B are a plan view and a sectional view of the ink jet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図3】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the ink jet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図4】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the inkjet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図5】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the ink jet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図6】本発明の実施形態1に係るノズルプレートの製
造方法を説明する概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the nozzle plate according to the first embodiment of the invention.

【図7】接触角(θ)及び転落角(θ)を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a contact angle (θ 1 ) and a falling angle (θ 2 ).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 流路形成基板 12 圧力発生室 20 ノズルプレート 21 ノズル開口 30 リザーバ形成基板 40 コンプライアンス基板 60 下電極膜 70 圧電体層 80 上電極膜 100 撥水膜 101 酸化膜 102 フッ素化合物 110 リザーバ 300 圧電素子 10 Flow path forming substrate 12 Pressure generation chamber 20 nozzle plate 21 nozzle opening 30 Reservoir forming substrate 40 compliance board 60 Lower electrode film 70 Piezoelectric layer 80 Upper electrode film 100 water repellent film 101 oxide film 102 Fluorine compound 110 reservoir 300 Piezoelectric element

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液滴を吐出する複数個のノズル開口を有
し、該ノズル開口と連通する流路が形成された流路形成
基板に接合されるノズルプレートにおいて、 前記ノズル開口が設けられ且つ前記流路形成基板に接合
されるノズルプレート本体を具備し、当該ノズルプレー
ト本体の前記流路形成基板とは反対側の面の少なくとも
前記ノズル開口の周囲に、前記ノズルプレート本体より
誘電率が低い無機化合物からなる撥水膜が設けられてい
ることを特徴とするノズルプレート。
1. A nozzle plate, which has a plurality of nozzle openings for discharging droplets and is joined to a flow path forming substrate having a flow path communicating with the nozzle openings, wherein the nozzle openings are provided. A nozzle plate main body joined to the flow path forming substrate, and having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate main body at least around the nozzle opening on a surface of the nozzle plate main body opposite to the flow path forming substrate. A nozzle plate provided with a water-repellent film made of an inorganic compound.
【請求項2】 請求項1において、前記無機化合物の誘
電率εがε<10であることを特徴とするノズルプレー
ト。
2. The nozzle plate according to claim 1, wherein the dielectric constant ε of the inorganic compound is ε <10.
【請求項3】 請求項1又は2において、前記無機化合
物が酸化マグネシウム又は酸化シリコンであることを特
徴とするノズルプレート。
3. The nozzle plate according to claim 1, wherein the inorganic compound is magnesium oxide or silicon oxide.
【請求項4】 請求項3において、前記無機化合物が分
子内に存在するヒドロキシ基をフッ素に置換したもので
あることを特徴とするノズルプレート。
4. The nozzle plate according to claim 3, wherein the inorganic compound is one in which a hydroxy group existing in the molecule is replaced with fluorine.
【請求項5】 請求項1又は2において、前記無機化合
物が窒化ケイ素であることを特徴とするノズルプレー
ト。
5. The nozzle plate according to claim 1, wherein the inorganic compound is silicon nitride.
【請求項6】 請求項1〜5の何れかにおいて、前記撥
水膜の厚さが0.05〜10μmであることを特徴とす
るノズルプレート。
6. The nozzle plate according to claim 1, wherein the water repellent film has a thickness of 0.05 to 10 μm.
【請求項7】 請求項1〜6の何れかにおいて、前記ノ
ズルプレート本体がケイ素又はステンレス鋼からなるこ
とを特徴とするノズルプレート。
7. The nozzle plate according to claim 1, wherein the nozzle plate body is made of silicon or stainless steel.
【請求項8】 ノズル開口が設けられたノズルプレート
と、前記ノズル開口に連通する圧力発生室が形成される
流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に振動板を
介して設けられて前記圧力発生室内に圧力変化を生じさ
せる圧電素子とを具備するインクジェット式記録ヘッド
において、 前記ノズルプレートの前記流路形成基板とは反対側の面
の少なくとも前記ノズル開口の周囲に、前記ノズルプレ
ートより誘電率が低い無機化合物からなる撥水膜が設け
られていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッ
ド。
8. A nozzle plate having a nozzle opening, a flow path forming substrate in which a pressure generating chamber communicating with the nozzle opening is formed, and provided on one surface side of the flow path forming substrate via a vibration plate. An ink jet recording head comprising a piezoelectric element for generating a pressure change in the pressure generating chamber, wherein the nozzle is provided on at least a surface of the nozzle plate opposite to the flow path forming substrate, at least around the nozzle opening. An ink jet recording head having a water repellent film made of an inorganic compound having a lower dielectric constant than that of a plate.
【請求項9】 請求項8において、前記無機化合物の誘
電率εがε<10であることを特徴とするインクジェッ
ト式記録ヘッド。
9. The ink jet recording head according to claim 8, wherein the dielectric constant ε of the inorganic compound is ε <10.
【請求項10】 請求項8又は9において、前記無機化
合物が酸化マグネシウム又は酸化シリコンであることを
特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
10. The ink jet recording head according to claim 8 or 9, wherein the inorganic compound is magnesium oxide or silicon oxide.
【請求項11】 請求項10において、前記無機化合物
が分子内に存在するヒドロキシ基をフッ素に置換したも
のであることを特徴とするインクジェト式記録ヘッド。
11. The ink jet recording head according to claim 10, wherein the inorganic compound is one in which a hydroxy group present in the molecule is replaced with fluorine.
【請求項12】 請求項8又は9において、前記無機化
合物が窒化ケイ素であることを特徴とするインクジェッ
ト式記録ヘッド。
12. The ink jet recording head according to claim 8, wherein the inorganic compound is silicon nitride.
【請求項13】 請求項8〜12の何れかにおいて、前
記撥水膜の厚さが0.05〜10μmであることを特徴
とするインクジェット式記録ヘッド。
13. The ink jet recording head according to claim 8, wherein the water repellent film has a thickness of 0.05 to 10 μm.
【請求項14】 請求項8〜13の何れかにおいて、前
記ノズルプレートがケイ素又はステンレス鋼からなるこ
とを特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
14. The ink jet recording head according to claim 8, wherein the nozzle plate is made of silicon or stainless steel.
【請求項15】 液滴を吐出する複数個のノズル開口を
有し、該ノズル開口と連通する流路が形成された流路形
成基板に接合されるノズルプレートの製造方法におい
て、 前記ノズル開口が設けられたノズルプレート本体の前記
流路形成基板との接合面とは反対側の面に酸化膜を形成
する工程と、前記酸化膜の表面に存在するヒドロキシ基
をフッ素に置換することによって前記ノズルプレート本
体の表面に当該ノズルプレート本体より誘電率が低い撥
水膜を形成する工程とを具備することを特徴とするノズ
ルプレートの製造方法。
15. A method of manufacturing a nozzle plate, comprising: a plurality of nozzle openings for ejecting droplets, wherein the nozzle plate is joined to a flow path forming substrate having a flow path communicating with the nozzle openings. A step of forming an oxide film on the surface of the provided nozzle plate body opposite to the surface to be joined to the flow path forming substrate; and the nozzle by substituting fluorine for a hydroxy group existing on the surface of the oxide film. And a step of forming a water repellent film having a dielectric constant lower than that of the nozzle plate body on the surface of the plate body.
【請求項16】 請求項15において、前記酸化膜をス
パッタリング法によって形成することを特徴とするノズ
ルプレートの製造方法。
16. The method for manufacturing a nozzle plate according to claim 15, wherein the oxide film is formed by a sputtering method.
【請求項17】 請求項15又は16において、前記酸
化膜を前記ノズル開口の周囲を熱酸化することによって
形成することを特徴とするノズルプレートの製造方法。
17. The method of manufacturing a nozzle plate according to claim 15, wherein the oxide film is formed by thermally oxidizing the periphery of the nozzle opening.
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