JP2003228847A - Recording method of phase change optical disk - Google Patents

Recording method of phase change optical disk

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JP2003228847A
JP2003228847A JP2002022482A JP2002022482A JP2003228847A JP 2003228847 A JP2003228847 A JP 2003228847A JP 2002022482 A JP2002022482 A JP 2002022482A JP 2002022482 A JP2002022482 A JP 2002022482A JP 2003228847 A JP2003228847 A JP 2003228847A
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power
recording
erase
optical disk
signal
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JP2002022482A
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Eiji Noda
英治 野田
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for determining CW erase power optimum for a phase change optical disk, a direct overwrite method using the power determined by the above method as erase power in recording, and a recording/ reproducing device using the CW erase power. <P>SOLUTION: The CW erase of an HF signal recorded by predetermined recording power is carried out by different power (Pe), then the pit level (I11L) of a remaining 11T signal is measured. Assuming that Pe obtained when d(I11L)/ d(Pe) is maximized is Pe1, Pe obtained when d (I11L)/d(Pe) is minimized is Pe2 and Pe2-Pe1 is ΔPe, Pe satisfying the following relational expression is the optimal CW erase power (Pecw): Pe1+0.05×Pe≤Pe≤Pe2-0.05×ΔPe. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光ディス
クのダイレクトオーバーライト方法及び情報記録再生装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a direct overwrite method for a phase change optical disc and an information recording / reproducing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】相変化型光ディスクのダイレクトオーバ
ーライトにおいて、記録とは記録層のアモルファス化、
消去とは記録層の結晶化であり、アモルファス化した記
録層の反射信号強度をピットレベルと言い、結晶化した
記録層の反射信号強度をランドレベルという。従来の相
変化型光ディスクのダイレクトオーバーライトは、オレ
ンジブックに記載のγ法に基づきドライブにより決定さ
れる記録パワー(Pw)と、該記録パワー(Pw)に定
数(ε)を乗じた消去パワー(Pe)により行われてい
た。この方法によると、決定されたPwが本来の最適値
より高めの値である場合には、それに伴いPeも高くな
ってしまう。その為、過剰なPeでダイレクトオーバー
ライトすることになり、アモルファス化が起きてランド
レベルが低下し、ジッターが悪化したり記録膜の耐久性
が劣化したりしていた。逆に決定されたPwが本来の最
適値より低目の値である場合には、それに伴いPeも低
くなってしまう。その為、ダイレクトオーバーライト前
に記録されている信号が充分に消去できずジッターが悪
化していた。
2. Description of the Related Art In direct overwrite of a phase change type optical disk, recording means amorphization of a recording layer,
Erasing is crystallization of the recording layer, the reflected signal intensity of the amorphous recording layer is called the pit level, and the reflected signal intensity of the crystallized recording layer is called the land level. Direct overwrite of a conventional phase change optical disc is performed by a recording power (Pw) determined by a drive based on the γ method described in Orange Book and an erasing power (Pw) multiplied by a constant (ε). Pe). According to this method, when the determined Pw is a value higher than the original optimum value, Pe also increases accordingly. Therefore, direct overwriting is performed with excessive Pe, and amorphization occurs, the land level is lowered, jitter is deteriorated, and durability of the recording film is deteriorated. On the contrary, when the determined Pw is lower than the original optimum value, the Pe becomes lower accordingly. Therefore, the signal recorded before the direct overwrite could not be erased sufficiently and the jitter was deteriorated.

【0003】一方、レーザーの定常照射によるCW(又
はフィジカル)イレースという消去方法がオレンジブッ
クに記載されているが、γ法で得られる最適記録パワー
(Pwo)に伴いOPC(記録パワーの最適化)によっ
て変わり得る消去パワーPeoはCWイレースパワー
(Pecw)として最適ではなく、CWイレースした部
分にダイレクトオーバーライト特性の低下が見られるた
め、通常の消去には、消去パターンのダイレクトオーバ
ーライトであるロジカル・イレースが用いられる。ま
た、スタンパにより形成されたROM部を一部に有する
ハイブリッド・ディスクの実用化が近づいているが、こ
のディスクの場合、ロジカル・イレースを掛けるとRO
M部にダイレクトオーバーライトされる為、その再生が
不能になってしまう。
On the other hand, an erasing method called CW (or physical) erase by steady laser irradiation is described in the Orange Book. OPC (optimization of recording power) is accompanied by the optimum recording power (Pwo) obtained by the γ method. The erasing power Peo that can vary depending on the CW erase power (Pecw) is not optimal, and the direct overwrite characteristic is degraded in the CW erased part. Erase is used. Further, a hybrid disc having a ROM portion formed by a stamper as a part thereof is coming into practical use. In the case of this disc, if logical erase is applied, RO
Since it is directly overwritten on the M part, its reproduction becomes impossible.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、相変化型光
ディスクにとって最適なCWイレースパワー決定方法の
提供、該方法により決定されたパワーを記録時の消去パ
ワーとすることによりダイレクトオーバーライト特性を
向上させると共に、良好な信号品質が得られる相変化型
光ディスクのダイレクトオーバーライト方法の提供、及
び前記方法により決定されたCWイレースパワーを利用
した相変化型光ディスクの記録再生装置の提供を目的と
する。更に、ハイブリッド・ディスクの安全な消去方法
及び誤消去の場合の修復方法の提供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a CW erase power determining method most suitable for a phase change type optical disk, and the direct overwrite characteristic is obtained by using the power determined by the method as an erasing power during recording. It is an object of the present invention to provide a direct overwrite method for a phase-change optical disk that improves and obtains good signal quality, and a recording / reproducing apparatus for a phase-change optical disk that uses the CW erase power determined by the method. . Further, it is another object of the present invention to provide a safe erasing method for a hybrid disc and a repair method in case of erroneous erasing.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題は、次の1)〜
7)の発明(以下、本発明1〜7という)によって解決
される。 1) 所定の記録パワーで記録されたHF信号を異なる
パワー(Pe)でCWイレースした後、残存する11T
信号のピットレベル(I11L)を測定し、d(I11
L)/d(Pe)が最大となるPeをPe1、d(I1
1L)/d(Pe)が最小となるPeをPe2とし、P
e2−Pe1をΔPeとした時、下記の関係式(1)を
満足するPeを最適CWイレースパワー(Pecw)と
することを特徴とする相変化型光ディスクのCWイレー
スパワー決定方法。 Pe1+0.05×ΔPe≦Pe≦Pe2−0.05×ΔPe (1) 2) 所定の記録パワーで記録されたHF信号を異なる
パワー(Pe)でCWイレースした後、残存する11T
信号のピットレベル(I11L)とランドレベル(I1
1H)を測定し、下記の関係式(2)を満足するPeを
最適CWイレースパワー(Pecw)とすることを特徴
とする相変化型光ディスクのCWイレースパワー決定方
法。 I11L/I11H>0.8 (2) 3) 記録パワーが、γ法で得られる最適記録パワー
(Pwo)より高いことを特徴とする1)又は2)記載
の相変化型光ディスクのCWイレースパワー決定方法。 4) CWイレース時の線速がディスクの最高記録線速
より高いことを特徴とする1)〜3)の何れかに記載の
相変化型光ディスクのCWイレースパワー決定方法。 5) 1)〜4)の何れかに記載の方法で決定された最
適CWイレースパワー(Pecw)を記録時の消去パワ
ー(Peo)とすることを特徴とする相変化型光ディス
クのダイレクトオーバーライト方法。 6) 消去パワー(Peo)を固定して異なる記録パワ
ーで記録されたHF信号のβを測定し、βが0〜8%と
なる記録パワーを最適記録パワー(Pwo)とすること
を特徴とする5)記載の相変化型光ディスクのダイレク
トオーバーライト方法。 7) 少なくとも一部にスタンパにより形成されたRO
M部を有するハイブリッド・ディスクに対し、1)〜
4)の何れかに記載のCWイレースパワー決定方法で得
られたパワーでCWイレースを行う手段を備えたことを
特徴とする相変化型光ディスクの記録再生装置。
[Means for Solving the Problems] The above problems are solved in the following 1) to
This is solved by the invention 7) (hereinafter referred to as the present inventions 1 to 7). 1) Remaining 11T after CW erase of HF signal recorded with predetermined recording power with different power (Pe)
Measure the pit level (I11L) of the signal and d (I11L)
The value of Pe that maximizes L) / d (Pe) is Pe1, d (I1
1L) / d (Pe) is the minimum Pe is Pe2, and P
A method for determining a CW erase power of a phase-change optical disk, wherein Pe satisfying the following relational expression (1) is set as an optimum CW erase power (Pecw), where e2-Pe1 is ΔPe. Pe1 + 0.05 × ΔPe ≦ Pe ≦ Pe2−0.05 × ΔPe (1) 2) Remaining 11T after CW erase of the HF signal recorded with a predetermined recording power with different power (Pe)
Signal pit level (I11L) and land level (I1
1H) is measured, and Pe that satisfies the following relational expression (2) is set as the optimum CW erase power (Pecw). I11L / I11H> 0.8 (2) 3) The recording power is higher than the optimum recording power (Pwo) obtained by the γ method, and the CW erase power determination of the phase change type optical disk according to 1) or 2). Method. 4) The method for determining the CW erase power of a phase-change optical disc according to any one of 1) to 3), wherein the linear velocity during CW erase is higher than the maximum recording linear velocity of the disc. 5) A direct overwrite method for a phase-change optical disk, characterized in that the optimum CW erase power (Pecw) determined by the method according to any one of 1) to 4) is used as an erasing power (Peo) during recording. . 6) The erase power (Peo) is fixed and β of the HF signal recorded with different recording power is measured, and the recording power at which β is 0 to 8% is set as the optimum recording power (Pwo). 5) The direct overwrite method for the phase change type optical disk described in 5). 7) RO formed at least in part by a stamper
1) ~ for hybrid discs with M section
A recording / reproducing apparatus for a phase-change type optical disc, comprising a means for performing CW erase with the power obtained by the CW erase power determination method according to any one of 4).

【0006】以下、上記本発明の実施の形態を図面に従
って説明する。図1に相変化型情報記録再生装置の実施
の形態例を示す。相変化型光ディスクからなる情報記録
媒体1をスピンドルモーター2からなる駆動手段により
回転駆動し、光源駆動手段であるレーザー駆動回路4に
より半導体レーザーからなる光源を駆動し、記録再生用
ピックアップ3にて、図示していない光学系を介して、
該半導体レーザー光源から情報記録媒体1に電磁波とし
てレーザー光を照射することにより、情報記録媒体1の
記録層に相変化を生じさせ、情報記録媒体1からの反射
光を記録再生用ピックアップ3で受光して情報記録媒体
1に対する情報の記録や再生を行う。波形処理回路6で
は再生されたHF信号の信号レベルが測定され、Pec
wやPwoを求める演算が行われる。記録再生用ピック
アップ3の最適記録パワーは、記録パワー設定手段とし
ての記録パワー設定回路・消去パワー設定回路5により
設定される。
The embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a phase change type information recording / reproducing apparatus. The information recording medium 1 composed of a phase-change type optical disk is rotationally driven by a driving means composed of a spindle motor 2, a light source composed of a semiconductor laser is driven by a laser driving circuit 4 which is a light source driving means, and a recording / reproducing pickup 3 Via an optical system not shown,
By irradiating the information recording medium 1 with a laser beam as an electromagnetic wave from the semiconductor laser light source, a phase change occurs in the recording layer of the information recording medium 1, and the reflected light from the information recording medium 1 is received by the recording / reproducing pickup 3. Then, information is recorded on or reproduced from the information recording medium 1. The waveform processing circuit 6 measures the signal level of the reproduced HF signal,
A calculation for obtaining w and Pwo is performed. The optimum recording power of the recording / reproducing pickup 3 is set by a recording power setting circuit / erasing power setting circuit 5 as recording power setting means.

【0007】情報記録媒体1の記録再生装置は、記録再
生用ピックアップ3にて電磁波としてレーザー光を情報
記録媒体1に照射することにより情報記録媒体1の記録
層に相変化を生じさせ、情報記録媒体1に対する情報の
記録、再生を行い、かつ、書き換えが可能である相変化
型情報記録再生装置であり、記録すべき信号を変調部で
変調し記録再生用ピックアップ3にて情報記録媒体1に
記録を行う記録手段を備えている。このピックアップを
含む記録手段は、情報記録媒体1の記録層に対してマー
クの幅として信号を記録する、いわゆるPWM記録方式
で情報の記録を行う。記録に際しては、記録すべき信号
を変調部にてクロックを用いて変調する。変調方式とし
ては、例えば書き換え型コンパクトディスクの情報記録
に適したEFM(Eight−to−Fourteen
−Modulation)変調方式、或いはその改良変
調方式を採用する。
The recording / reproducing apparatus for the information recording medium 1 causes the recording layer of the information recording medium 1 to undergo a phase change by irradiating the information recording medium 1 with a laser beam as an electromagnetic wave by the recording / reproducing pickup 3. A phase-change type information recording / reproducing apparatus capable of recording / reproducing information on / from the medium 1 and rewriting the information, wherein a signal to be recorded is modulated by a modulator and recorded on the information recording medium 1 by a recording / reproducing pickup 3. The recording means for recording is provided. The recording means including this pickup records information on the recording layer of the information recording medium 1 by a so-called PWM recording method in which a signal is recorded as a mark width. At the time of recording, the signal to be recorded is modulated by the modulator using the clock. The modulation method is, for example, EFM (Eight-to-Fourteen) suitable for recording information on a rewritable compact disc.
-Modulation) modulation method or an improved modulation method thereof.

【0008】また、相変化型光ディスクの基本的な構成
は、案内溝を有する基板上に第1誘電体層、記録層、第
2誘電体層、金属又は合金層、オーバーコート層を有す
る。更に、好ましくは、オーバーコート層上に印刷層、
基板鏡面にハードコート層を有する。基板の材料は通常
ガラス、セラミクス、又は樹脂であり、成型性、コスト
の点で樹脂基板が好適である。樹脂の例としてはポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン
系樹脂、フッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂など
が挙げられるが、成型性、光学特性、コストの点で優れ
たポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
また、基板の形状としてはディスク状、カード状、或い
はシート状であってもよい。但し、本発明の相変化型光
ディスクを書き換え可能なコンパクトディスク(CD−
RW)に応用する場合には、以下のような特定の条件が
付与されることが望ましい。その条件とは、使用する基
板に形成される案内溝(グルーブ)の幅が0.25〜
0.65μm、好適には0.30〜0.60μm、案内
溝の深さが150〜550Å、好適には200〜450
Åとなっていることである。
The basic structure of the phase change type optical disk has a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, a metal or alloy layer, and an overcoat layer on a substrate having a guide groove. Further preferably, a printing layer on the overcoat layer,
It has a hard coat layer on the mirror surface of the substrate. The substrate material is usually glass, ceramics, or resin, and a resin substrate is preferable in terms of moldability and cost. Examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin, fluorine resin, ABS resin, urethane resin, and the like. A polycarbonate resin and an acrylic resin, which are excellent in terms of moldability, optical characteristics and cost, are preferable.
Further, the substrate may have a disk shape, a card shape, or a sheet shape. However, the phase-change type optical disk of the present invention is a rewritable compact disk (CD-
When applied to RW), it is desirable that the following specific conditions be given. The condition is that the width of the guide groove (groove) formed on the substrate to be used is 0.25 to 0.25.
0.65 μm, preferably 0.30 to 0.60 μm, the depth of the guide groove is 150 to 550 Å, preferably 200 to 450
That is Å.

【0009】本発明で用いられる光ディスク、特に相変
化型光ディスクの品質としては、単に記録消去できるだ
けでなく、信号の再生安定性や信号の寿命も同時に要求
される。これらを総合的に満足し、かつ再結晶化線速度
を5.0〜10.0m/sとするためには、少なくとも
記録層の材料が主にAgαInβSbγTeδ(α、
β、γ、δは原子%、α+β+γ+δ=100)からな
り、α、β、γ、δが次の要件を満足するものである必
要があった。 0<α≦10 2≦β≦12 55≦γ≦70 22≦δ≦32 Agが10原子%を越えたり、Inが12原子%を越え
たり、Sbが70原子%を越えると、信号の再生安定性
や信号の寿命が不充分であった。Teの含有量は再結晶
化線速度に大きく影響するため、記録層の膜厚や他の層
の熱伝導率によって制御したとしても、22〜32原子
%とする必要があった。
As the quality of the optical disk used in the present invention, especially the phase change type optical disk, not only recording and erasing but also the reproduction stability of the signal and the life of the signal are required at the same time. In order to satisfy these requirements comprehensively and to set the recrystallization linear velocity to 5.0 to 10.0 m / s, at least the material of the recording layer is mainly AgαInβSbγTeδ (α,
β, γ, and δ consist of atomic% and α + β + γ + δ = 100), and it was necessary that α, β, γ, and δ satisfy the following requirements. 0 <α ≦ 10 2 ≦ β ≦ 12 55 ≦ γ ≦ 70 22 ≦ δ ≦ 32 When Ag exceeds 10 atomic%, In exceeds 12 atomic%, and Sb exceeds 70 atomic%, signal reproduction is performed. The stability and signal life were insufficient. Since the content of Te has a great influence on the recrystallization linear velocity, it is necessary to set it to 22 to 32 atomic% even if it is controlled by the film thickness of the recording layer and the thermal conductivity of other layers.

【0010】また、信号の再生安定性や信号の寿命を向
上させる方法としては、信号の再生劣化や信号の寿命低
下は、非晶質マークの結晶化が原因であるから、記録層
に周期表の3B族、4B族、5B族から選ばれた少なく
とも1種の元素を添加することが効果的であった。この
メカニズムは明確ではないが、これらの添加元素は、A
gInSbTeの空間的隙間に入ったり化学結合を形成
することにより、非晶質マークの結晶化を抑制すると考
えられている。よって、原子半径が小さかったり、Ag
InSbTeとの化学結合力が大きかったり、化学結合
手の多い元素が効果的である。特に、B、C、N、S
i、Ge、Snが効果的である。これら添加元素の量
は、記録層の5原子%以下が効果的である。5原子%を
越えると、AgInSbTe記録層が本来有する記録消
去特性に影響を与えてしまい、消し残りの原因となって
しまう。
As a method for improving the reproduction stability of the signal and the life of the signal, the deterioration of the reproduction of the signal and the decrease of the life of the signal are caused by the crystallization of the amorphous marks. It was effective to add at least one element selected from 3B group, 4B group, and 5B group. Although this mechanism is not clear, these additional elements are
It is considered that the crystallization of the amorphous mark is suppressed by entering a spatial gap of gInSbTe or forming a chemical bond. Therefore, the atomic radius is small or Ag
An element that has a large chemical bond with InSbTe or has a large number of chemical bonds is effective. Especially B, C, N, S
i, Ge, and Sn are effective. The effective amount of these additional elements is 5 atomic% or less of the recording layer. If it exceeds 5 atomic%, the recording and erasing characteristics originally possessed by the AgInSbTe recording layer are affected, and the unerased portion remains.

【0011】記録層の膜厚としては10〜50nm、好
適には12〜30nmとするのがよく、ジッター等の初
期特性、オーバーライト特性、量産効率を考慮すると、
14〜25nmとするのが更に好ましい。10nmより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を
果さなくなる。また、50nmより厚いと高速で均一な
相変化が起こり難くなる。このような記録層は、各種気
相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、
電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、ス
パッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
The thickness of the recording layer is preferably 10 to 50 nm, preferably 12 to 30 nm. Considering initial characteristics such as jitter, overwrite characteristics and mass production efficiency,
More preferably, it is 14 to 25 nm. When the thickness is less than 10 nm, the light absorption ability is remarkably lowered, and it cannot serve as a recording layer. If it is thicker than 50 nm, it is difficult for a uniform phase change to occur at high speed. Such a recording layer is formed by various vapor deposition methods such as vacuum deposition method, sputtering method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plating method,
It can be formed by an electron beam evaporation method or the like. Among them, the sputtering method is excellent in mass productivity and film quality.

【0012】第1誘電体層及び第2誘電体層の材料とし
ては、SiO、SiO、ZnO、SnO、Al
、TiO、In、MgO、ZrOなどの金
属酸化物;Si、AlN、TiN、BN、ZrN
などの窒化物;ZnS、In 、TaSなどの硫
化物;SiC、TaC、BC、WC、TiC、ZrC
などの炭化物やダイアモンド状カーボン、或いはそれら
の混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層
とすることもできるが、互いの混合物としてもよく、必
要に応じて不純物を含んでもよい。更に、必要に応じて
誘電体層を多層化することもできる。但し、第1誘電体
層及び第2誘電体層の融点は記録層よりも高いことが必
要である。このような第1誘電体層及び第2誘電体層
は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリン
グ法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーテ
ィング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。
中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れて
いる。
As materials for the first dielectric layer and the second dielectric layer
For SiO, SiOTwo, ZnO, SnOTwo, AlTwoO
Three, TiOTwo, InTwoOThree, MgO, ZrOTwoSuch as gold
Group oxide; SiThreeNFour, AlN, TiN, BN, ZrN
Such as nitrides; ZnS, In TwoSThree, TaSFourSulfur
Compounds: SiC, TaC, BFourC, WC, TiC, ZrC
Carbides such as and diamond-like carbon, or those
A mixture of Each of these materials is a protective layer.
However, they may be mixed with each other, and
Impurities may be included if necessary. Furthermore, if necessary
The dielectric layers can be multi-layered. However, the first dielectric
The melting points of the layer and the second dielectric layer must be higher than that of the recording layer.
It is important. Such first dielectric layer and second dielectric layer
Are various vapor phase growth methods such as vacuum deposition method and sputter phosphorus.
Method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plate
It can be formed by a coating method, an electron beam evaporation method, or the like.
Above all, the sputtering method is superior in mass productivity and film quality.
There is.

【0013】第1誘電体層の膜厚は、DVDの再生波長
である650nmの反射率に大きく影響する。780n
mと650nmの再生波長でCD−RWの規格である反
射率0.15〜0.25を満足するためには、第1誘電
体層を65〜130nmとすることが要求される。第2
誘電体層の膜厚としては、15〜45nm、好適には2
0〜40nmとするのがよい。15nmより薄くなると
耐熱性保護層としての機能を果さなくなるし、感度の低
下を生じる。一方、45nmより厚くなると、界面剥離
を生じ易くなり、繰り返し記録性能も低下する。
The thickness of the first dielectric layer has a great influence on the reflectance at 650 nm which is the reproduction wavelength of DVD. 780n
In order to satisfy the reflectance of 0.15 to 0.25 which is the standard of CD-RW at the reproducing wavelength of m and 650 nm, the first dielectric layer is required to have a thickness of 65 to 130 nm. Second
The thickness of the dielectric layer is 15 to 45 nm, preferably 2
The thickness is preferably 0 to 40 nm. When the thickness is less than 15 nm, the function as the heat resistant protective layer is not fulfilled and the sensitivity is lowered. On the other hand, when the thickness is more than 45 nm, interfacial peeling is likely to occur and the repetitive recording performance is also deteriorated.

【0014】合金又は金属層(反射放熱層)としては、
Al、Au、Ag、Cu、Taなどの金属材料、又はそ
れらの合金などを用いることができる。また添加元素と
しては、Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd、Taな
どが使用される。このような反射放熱層は、各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ
CVD法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。合金又は金属層
の膜厚としては、70〜200nm、好適には100〜
160nmとするのがよい。
As the alloy or metal layer (reflection heat dissipation layer),
A metal material such as Al, Au, Ag, Cu, Ta, or an alloy thereof can be used. Further, Cr, Ti, Si, Cu, Ag, Pd, Ta and the like are used as the additive element. Such a reflective heat dissipation layer can be formed by various vapor deposition methods such as vacuum deposition method, sputtering method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plating method and electron beam evaporation method. The thickness of the alloy or metal layer is 70 to 200 nm, preferably 100 to 200 nm.
It is preferably 160 nm.

【0015】合金又は金属層の上には、その酸化防止と
してオーバーコート層を有することが望ましい。オーバ
ーコート層としては、スピンコートで作製した紫外線硬
化樹脂が一般的であり、その厚さは、5〜15μmが適
当である。5μm未満では、オーバーコート層上に印刷
層を設ける場合、エラーの増大が認められることがあ
る。一方、15μmを越えると、内部応力が大きくなっ
てしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしま
う。ハードコート層としては、スピンコートで作製した
紫外線硬化樹脂が一般的であり、その厚さは、2〜6μ
mが適当である。2μm未満では、十分な耐擦傷性が得
られない。6μmを越えると、内部応力が大きくなって
しまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
その硬度は、布で擦っても大きな傷が付かない鉛筆硬度
であるH以上とする必要がある。また、必要に応じ導電
性の材料を混入させて帯電防止を図り、埃等の付着を防
止することも効果的である。
It is desirable to have an overcoat layer on the alloy or metal layer as an antioxidation agent. As the overcoat layer, a UV curable resin produced by spin coating is generally used, and its thickness is suitably 5 to 15 μm. When the thickness is less than 5 μm, an increase in error may be observed when the printing layer is provided on the overcoat layer. On the other hand, when the thickness exceeds 15 μm, the internal stress increases, which greatly affects the mechanical properties of the disk. As the hard coat layer, an ultraviolet curable resin produced by spin coating is generally used, and the thickness thereof is 2 to 6 μm.
m is suitable. If it is less than 2 μm, sufficient scratch resistance cannot be obtained. If it exceeds 6 μm, the internal stress becomes large and the mechanical properties of the disk are greatly affected.
The hardness must be H or more, which is a pencil hardness that does not cause a large scratch even if it is rubbed with a cloth. In addition, it is also effective to mix a conductive material as necessary to prevent electrostatic charge and prevent adhesion of dust and the like.

【0016】図2に、上記構成の初期化された相変化型
光ディスクに信号を記録しCWイレースした場合の、P
eと、残存信号の11Tのランドレベル(I11H)、
ピットレベル(I11L)、及びd(I11L)/d
(Pe)との関係を示す。図から分るように、d(I1
1L)/d(Pe)が最大となるCWイレースパワー
(Pe1)は6.0mW、d(I11L)/d(Pe)
が最小となるCWイレースパワー(Pe2)は10.2
mWであり、Pe2−Pe1(ΔPe)は4.2mWで
ある。ここで、最適なCWイレースパワー(Pecw)
とは、残存信号振幅が小さく反射率の低下が少ないパワ
ーである。この相変化型光ディスクの場合、Pecwは
6.2〜10.0mWである。
FIG. 2 shows P when a signal is recorded on the initialized phase change type optical disc having the above-mentioned structure and CW erase is performed.
e and the land level (I11H) of 11T of the residual signal,
Pit level (I11L) and d (I11L) / d
The relationship with (Pe) is shown. As you can see from the figure, d (I1
CW erase power (Pe1) that maximizes 1L) / d (Pe) is 6.0mW, d (I11L) / d (Pe)
CW erase power (Pe2) is 10.2
mW, and Pe2-Pe1 (ΔPe) is 4.2 mW. Here, the optimum CW erase power (Pecw)
Is a power with a small residual signal amplitude and a small decrease in reflectance. In the case of this phase change type optical disc, Pecw is 6.2 to 10.0 mW.

【0017】残存信号振幅を測定する為に予めディスク
に記録されるHF信号をγ法で得られる最適記録パワー
(Pwo)より高い記録パワーで記録し残存し易くして
おくと、信号振幅が大きい信号でも充分消去出来るPe
cwが得られる。上記の結果より次の関係式が得られる
(有効数字の関係上、少数点以下第2位を四捨五入すれ
ば上記の説明の数値6.2〜10.0mWと符合す
る)。 Pe1+0.05×ΔPe≦Pecw≦Pe2−0.0
5×ΔPe LD(レーザダイオード)の利用効率からみてPecw
は小さいほど好ましく、この相変化型光ディスクの場
合、Pecwは6.2mWである。また、この消去パワ
ーにおいて、I11LとI11Hは次の関係にある。 I11L/I11H>0.8
In order to measure the residual signal amplitude, if the HF signal previously recorded on the disk is recorded with a recording power higher than the optimum recording power (Pwo) obtained by the γ method so as to easily remain, the signal amplitude becomes large. Pe that can be sufficiently erased even with signals
cw is obtained. From the above result, the following relational expression is obtained (in terms of significant figures, if the second place below the decimal point is rounded off, it will be in agreement with the numerical value of 6.2 to 10.0 mW in the above description). Pe1 + 0.05 × ΔPe ≦ Pecw ≦ Pe2-0.0
From the viewpoint of the utilization efficiency of 5 × ΔPe LD (laser diode), Pecw
Is preferably as small as possible, and in the case of this phase change type optical disc, Pecw is 6.2 mW. Further, at this erase power, I11L and I11H have the following relationship. I11L / I11H> 0.8

【0018】CWイレースの場合、消去と同時にマーク
を形成しなければならないダイレクトオーバーライトに
較べて高い線速で消去が可能で、ロジカル・イレースよ
り高速に消去が行える。次に、この相変化型光ディスク
に対し、Pe=Pecw=6.2mWで信号を記録した
場合のβとPwの関係を図3に示す。図から分るよう
に、Peを固定した場合、βとPwは一次相関関係にあ
り線形近似が可能となる。βはEFM信号のマーク長・
ピット長のバランスを表し、その値が0〜8%の間にあ
るときがエラーの発生が少ない。図3より、Pwが約1
2.3mWのとき、EFM信号として最もバランスの良
いβ=4%が得られることが分る。
In the case of CW erase, erasing can be performed at a higher linear velocity than direct overwriting in which marks must be formed simultaneously with erasing, and erasing can be performed at a higher speed than logical erasing. Next, FIG. 3 shows the relationship between β and Pw when a signal is recorded at Pe = Pecw = 6.2 mW on this phase change type optical disc. As can be seen from the figure, when Pe is fixed, β and Pw have a linear correlation and linear approximation is possible. β is the mark length of the EFM signal
It represents the balance of the pit length, and when the value is in the range of 0 to 8%, few errors occur. From Figure 3, Pw is about 1
It can be seen that at 2.3 mW, β = 4% with the best balance can be obtained as the EFM signal.

【0019】図4及び図5に、この相変化型光ディスク
に対し、Pe=6.2mWでダイレクトオーバーライト
を繰り返した場合、及び従来のPe=ε×Pw(ε=
0.5)でダイレクトオーバーライトを繰り返した場合
の、エラーのパワーマージンを示す。なお、図4はダイ
レクトオーバーライト2回の場合、図5は1000回の
場合のデータである。図4、図5から分るように、Pe
=6.2mWの場合はダイレクトオーバーライト特性の
パワーマージンが著しく向上している。即ち、実用上、
より信頼性の高い記録を行うためには、消去パワー(P
eo)を固定する事が有利である。また、スタンパによ
り形成されたROM部を一部に有するハイブリッド・デ
ィスクの場合、ロジカル・イレースを掛けるとROM部
にダイレクトオーバーライトされてしまう。すると、ス
タンパにより形成されたROM部は消去されずにロジカ
ル・イレースパターンが上書きされる為、その再生が不
能になってしまう。この様に誤消去されたハイブリッド
・ディスクでも、ROM部に上書きされたロジカル・イ
レースパターンだけをCWイレースで消去することによ
り復元が可能となる。
FIG. 4 and FIG. 5 show the case where the direct overwrite is repeated at Pe = 6.2 mW for this phase change type optical disk, and the conventional Pe = ε × Pw (ε =
The power margin of the error when the direct overwrite is repeated at 0.5) is shown. It should be noted that FIG. 4 shows data when the direct overwrite is performed twice, and FIG. 5 shows data when the direct overwrite is performed 1000 times. As can be seen from FIGS. 4 and 5, Pe
= 6.2 mW, the power margin of the direct overwrite characteristic is significantly improved. That is, in practical use,
To perform more reliable recording, the erasing power (P
It is advantageous to fix eo). Further, in the case of a hybrid disc having a ROM part formed by a stamper in a part thereof, if the logical erase is applied, the ROM part is directly overwritten. Then, the ROM portion formed by the stamper is not erased and the logical erase pattern is overwritten, which makes the reproduction impossible. Even a hybrid disc that is erroneously erased in this way can be restored by erasing only the logical erase pattern overwritten in the ROM section by CW erase.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明1〜2によれば、低消去パワーに
よる消し残りや高消去パワーによる記録膜のアモルファ
ス化が起きない最適なCWイレースパワーが得られる。
本発明3によれば、消去し難い条件下でCWイレースパ
ワーが決定できるので、得られるCWイレースパワーの
正確性が増す。本発明4によれば、最高記録線速が上限
のロジカル・イレースより高い線速でのCWイレースパ
ワーが決定できるので、高線速でのロジカル・イレース
により消去に費やす作業時間が短縮できる。本発明5に
よれば、記録パワーに依らず最適な消去パワーで記録を
行うので、記録パワーマージンの広い記録が行える。本
発明6によれば、消去パワーを固定した場合の最適記録
パワーを、信号バランスをパラメーターにして決定でき
るので、良好な信号品質の記録が行える。本発明7によ
れば、最適なCWイレースによりハイブリッド・ディス
クを安全に消去できる記録再生装置が得られる。
According to the present inventions 1 and 2, an optimum CW erase power that does not cause unerased residue due to low erase power or amorphization of a recording film due to high erase power can be obtained.
According to the third aspect of the present invention, the CW erase power can be determined under the condition that it is difficult to erase, so that the accuracy of the obtained CW erase power is increased. According to the fourth aspect of the present invention, the CW erase power at a linear velocity higher than the logical erase with the maximum recording linear velocity being the upper limit can be determined, so the work time spent for erasing can be shortened by the logical erase at a high linear velocity. According to the fifth aspect of the invention, since recording is performed with the optimum erasing power regardless of the recording power, it is possible to perform recording with a wide recording power margin. According to the sixth aspect of the present invention, since the optimum recording power when the erasing power is fixed can be determined by using the signal balance as a parameter, recording with good signal quality can be performed. According to the present invention 7, it is possible to obtain a recording / reproducing apparatus capable of safely erasing a hybrid disc by optimal CW erase.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る情報記録再生装置の
構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an information recording / reproducing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】残存信号レベルと消去パワーとの関係を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a residual signal level and erasing power.

【図3】β及びエラーと記録パワーの関係を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between β and an error and recording power.

【図4】ダイレクトオーバーライト2回の場合の、エラ
ーと記録パワーの関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an error and a recording power when direct overwrite is performed twice.

【図5】ダイレクトオーバーライト1000回の場合
の、エラーと記録パワーの関係を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between an error and a recording power in the case of 1000 times of direct overwrite.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 情報記録媒体 2 スピンドルモーター 3 ピックアップ 4 レーザー駆動回路 5 記録パワー設定回路・消去パワー設定回路 6 波形処理回路 1 Information recording medium 2 spindle motor 3 pickups 4 Laser drive circuit 5 Recording power setting circuit / Erase power setting circuit 6 Waveform processing circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5D090 AA01 AA03 AA07 BB02 BB05 BB11 CC02 CC11 EE01 EE06 FF09 KK03 KK20 5D119 AA23 AA26 AA31 BA01 BA02 BA05 BB01 BB04 DA02 DA08 HA17 HA19 HA27 HA52 5D789 AA23 AA26 AA31 BA01 BA02 BA05 BB01 BB04 DA02 DA08 HA17 HA19 HA27 HA52    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5D090 AA01 AA03 AA07 BB02 BB05                       BB11 CC02 CC11 EE01 EE06                       FF09 KK03 KK20                 5D119 AA23 AA26 AA31 BA01 BA02                       BA05 BB01 BB04 DA02 DA08                       HA17 HA19 HA27 HA52                 5D789 AA23 AA26 AA31 BA01 BA02                       BA05 BB01 BB04 DA02 DA08                       HA17 HA19 HA27 HA52

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の記録パワーで記録されたHF信号
を異なるパワー(Pe)でCWイレースした後、残存す
る11T信号のピットレベル(I11L)を測定し、d
(I11L)/d(Pe)が最大となるPeをPe1、
d(I11L)/d(Pe)が最小となるPeをPe2
とし、Pe2−Pe1をΔPeとした時、下記の関係式
(1)を満足するPeを最適CWイレースパワー(Pe
cw)とすることを特徴とする相変化型光ディスクのC
Wイレースパワー決定方法。 Pe1+0.05×ΔPe≦Pe≦Pe2−0.05×ΔPe (1)
1. A pit signal (I11L) of the remaining 11T signal is measured after CW erase of an HF signal recorded at a predetermined recording power with different power (Pe), and d
Pe1 that maximizes (I11L) / d (Pe) is Pe1,
Pe2 is Pe2 that minimizes d (I11L) / d (Pe).
And Pe2-Pe1 is ΔPe, Pe satisfying the following relational expression (1) is the optimum CW erase power (Pe).
cw) of the phase-change optical disk characterized by
How to determine W erase power. Pe1 + 0.05 × ΔPe ≦ Pe ≦ Pe2−0.05 × ΔPe (1)
【請求項2】 所定の記録パワーで記録されたHF信号
を異なるパワー(Pe)でCWイレースした後、残存す
る11T信号のピットレベル(I11L)とランドレベ
ル(I11H)を測定し、下記の関係式(2)を満足す
るPeを最適CWイレースパワー(Pecw)とするこ
とを特徴とする相変化型光ディスクのCWイレースパワ
ー決定方法。 I11L/I11H>0.8 (2)
2. The pit level (I11L) and the land level (I11H) of the remaining 11T signal are measured after CW erase of the HF signal recorded at a predetermined recording power with different powers (Pe), and the following relations are measured. A method for determining a CW erase power of a phase-change optical disk, characterized in that Pe that satisfies Expression (2) is set as an optimum CW erase power (Pecw). I11L / I11H> 0.8 (2)
【請求項3】 記録パワーが、γ法で得られる最適記録
パワー(Pwo)より高いことを特徴とする請求項1又
は2記載の相変化型光ディスクのCWイレースパワー決
定方法。
3. The method for determining CW erase power of a phase change optical disk according to claim 1, wherein the recording power is higher than the optimum recording power (Pwo) obtained by the γ method.
【請求項4】 CWイレース時の線速がディスクの最高
記録線速より高いことを特徴とする請求項1〜3の何れ
かに記載の相変化型光ディスクのCWイレースパワー決
定方法。
4. The method for determining the CW erase power of a phase-change type optical disk according to claim 1, wherein the linear velocity during CW erase is higher than the maximum recording linear velocity of the disc.
【請求項5】 請求項1〜4の何れかに記載の方法で決
定された最適CWイレースパワー(Pecw)を記録時
の消去パワー(Peo)とすることを特徴とする相変化
型光ディスクのダイレクトオーバーライト方法。
5. The direct of a phase change optical disk, wherein the optimum CW erase power (Pecw) determined by the method according to claim 1 is used as an erasing power (Peo) during recording. Overwrite method.
【請求項6】 消去パワー(Peo)を固定して異なる
記録パワーで記録されたHF信号のβを測定し、βが0
〜8%となる記録パワーを最適記録パワー(Pwo)と
することを特徴とする請求項5記載の相変化型光ディス
クのダイレクトオーバーライト方法。
6. The erasing power (Peo) is fixed and β of HF signals recorded with different recording powers is measured, and β is 0.
6. The direct overwrite method for a phase-change optical disk according to claim 5, wherein the recording power of .about.8% is set to the optimum recording power (Pwo).
【請求項7】 少なくとも一部にスタンパにより形成さ
れたROM部を有するハイブリッド・ディスクに対し、
請求項1〜4の何れかに記載のCWイレースパワー決定
方法で得られたパワーでCWイレースを行う手段を備え
たことを特徴とする相変化型光ディスクの記録再生装
置。
7. A hybrid disc having a ROM portion formed at least in part by a stamper,
A recording / reproducing apparatus for a phase-change optical disk, comprising means for performing CW erase with the power obtained by the CW erase power determining method according to claim 1.
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