JP2003218670A5

JP2003218670A5 -

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Publication number: JP2003218670A5
Application number: JP2002156567A
Authority: JP
Filing date: 2002-05-30
Publication date: 2004-11-18
Anticipated expiration: 2022-05-30

Description

【発明の名称】弾性表面波フィルタ、平衡型フィルタ、および通信装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極を備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極の内、（１）両側に他のＩＤＴ電極が配置された前記第１のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続されており、他方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続されており、（２）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第２のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（３）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第３のＩＤＴ電極は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは相異なる側にある一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（４）前記第２及び第３のＩＤＴ電極と一対の対向する櫛形電極の互いに隣り合う電極指同士の中心間隔は、弾性表面波フィルタの中心周波数λに対して実質上０．９×λ／２から１．１×λ／２までの範囲の値を有する弾性表面波フィルタ。
【請求項２】圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極と、
前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第２のＩＤＴ電極側にある第１の反射器電極と、
前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第３のＩＤＴ電極側にある第２の反射器電極とを備え、
前記少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極は、前記第１の反射器電極と前記第２の反射器電極との間に配置されており、
前記第１から第３のＩＤＴ電極の内、（１）両側に他のＩＤＴ電極が配置された前記第１のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続されており、他方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続されており、（２）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第２のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（３）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第３のＩＤＴ電極は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは相異なる側にある一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（４）前記第２のＩＤＴ電極と前記第１の反射器電極が電気的に接続され、かつ、前記第３のＩＤＴ電極と前記第２の反射器電極が電気的に接続されている弾性表面波フィルタ。
【請求項３】前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線と、前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線とは、互いに接続され不平衡端子に接続されている請求項２記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４】前記第２のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第３のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されている請求項３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項５】前記第２のＩＤＴ電極の前記一方の櫛形電極は、第２の平衡型端子の一方に接続されており、
前記第３のＩＤＴ電極の前記一方の櫛形電極は、前記第２の平衡型端子の一方に接続されている請求項１または２に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項６】前記第１および第２の反射器電極は、接地されており、
前記第２のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第１の反射器電極と接続されることによって接地されており、
前記第３のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第２の反射器電極と接続されることによって接地されている請求項４記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項７】前記第１および第２の反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されており、
前記第２のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第１の反射器電極と接続されることによって前記不平衡型端子に接続されており、
前記第３のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第２の反射器電極と接続されることによって前記不平衡型端子に接続されている請求項４記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項８】前記第１および／または前記第２の反射器電極は、少なくとも２つの分割反射器電極に分割されている請求項４記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項９】前記少なくとも２つの分割反射器電極の内の、前記第２および／または前記第３のＩＤＴ電極に近接する方の分割反射器電極は、直接接地されているかまたは他の前記分割反射器電極を介して接地されている請求項８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１０】（１）前記第１の反射器電極が分割され、前記第２のＩＤＴ電極の前記他方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されている分割反射器電極に接続されることによって接地されており、
（２）前記第２の反射器電極が分割され、前記第３のＩＤＴ電極の前記他方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されている分割反射器電極に接続されることによって接地されている請求項９記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１１】（１）前記第１の反射器電極が分割され、前記第２のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されていない分割反射器電極に接続されており、その第２のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されており、
（２）前記第２の反射器電極が分割され、前記第３のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されていない分割反射器電極に接続されており、その第３のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されている請求項１０記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１２】（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極の電極指ピッチが互いに異なっており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極の電極指ピッチが互いに異なっている請求項８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１３】（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極のメタライゼーションレシオが互いに異なっており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極のメタライゼーションレシオが互いに異なっている請求項８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１４】（１）前記第１の反射器電極が少なくとも３つの前記分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の互いに隣接する２つの分割反射器電極の間の間隔が全て同じではなく、
（２）前記第２の反射器電極が少なくとも３つの前記分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の互いに隣接する２つの分割反射器電極の間の間隔が全て同じではない請求項８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１５】前記分割反射器電極への分割は、前記第１から第３のＩＤＴ電極が配置されている方向と直交する方向で行われている請求項８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１６】（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第２のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第３のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されている請求項１５記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１７】（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第２のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、接地されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第３のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、接地されている請求項１５記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１８】（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の前記第２のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極は、前記第１から第３のＩＤＴ電極が配置されている方向と直交する方向でさらに２つ以上の横分割反射器電極に分割されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の前記第３のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極は、前記第１から第３のＩＤＴ電極が配置されている方向と直交する方向でさらに２つ以上の横分割反射器電極に分割されている請求項１５記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１９】（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、前記不平衡型端子に接続されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、前記不平衡型端子に接続されている請求項１８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２０】（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、接地されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、接地されている請求項１８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２１】前記不平衡型端子には、単数または複数の弾性表面波共振器が直列および／または並列に接続されている請求項４記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２２】不平衡型から平衡型または平衡型から不平衡型への変換機能を有する請求項１または２に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２３】圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極を備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極の内、（１）両側に他のＩＤＴ電極が配置された前記第１のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続されており、他方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続されており、（２）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第２のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（３）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第３のＩＤＴ電極は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは相異なる側にある一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、
前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、前記弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された、（４）両側に他のＩＤＴ電極が配置された第４のＩＤＴ電極と、（５）前記他のＩＤＴ電極の内の一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力される第５のＩＤＴ電極と、（６）前記他のＩＤＴ電極の内の一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力される前記第５のＩＤＴ電極とは相異なる側にある第６のＩＤＴ電極とを有する第１のフィルタトラックと、
前記第１のＩＤＴ電極と、前記第２のＩＤＴ電極と、前記第３のＩＤＴ電極とを有する第２のフィルタトラックとを備え、
前記第１のフィルタトラックと前記第２のフィルタトラックとは、縦続に接続されており、
前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線と、前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線とは、互いに接続されており、
前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線と、前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線とは、互いに接続されている弾性表面波フィルタ。
【請求項２４】前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは、相等しい側にある請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２５】前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは、相異なる側にある請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２６】前記第４のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、不平衡型端子に接続されている請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２７】前記第４のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、前記第２のフィルタトラックとは反対側に配置されている請求項２６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２８】前記第２のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第３のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第５のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第６のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されている請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項２９】（１）前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して行われる信号の入力または出力の位相と、（２）前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して行われる信号の入力または出力の位相とは、実質上互いに逆相である請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３０】（１）前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線と、前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線とを接続するための配線のリアクタンス成分と、（２）前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線と、前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線とを接続するための配線のリアクタンス成分とは、実質上互いに等しい請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３１】前記第４のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、第２の平衡型端子の一方に接続されており、
前記第４のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、前記第２の平衡型端子の他方に接続されている請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３２】前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第２のＩＤＴ電極側にある第１の反射器電極と、
前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第３のＩＤＴ電極側にある第２の反射器電極と、
前記第４のＩＤＴ電極を基準にして前記第５のＩＤＴ電極側にある第３の反射器電極と、
前記第４のＩＤＴ電極を基準にして前記第６のＩＤＴ電極側にある第４の反射器電極とを備え、
前記少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極は、前記第１の反射器電極と前記第２の反射器電極との間に配置されており、
前記少なくとも第４から第６のＩＤＴ電極は、前記第３の反射器電極と前記第４の反射器電極との間に配置されている請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３３】前記第１から第６のＩＤＴ電極の内の少なくとも１個のＩＤＴ電極は、複数の分割ＩＤＴ電極に分割されており、
前記複数の分割ＩＤＴ電極の櫛形電極の内の一方の側に配置されている櫛形電極の全部または一部は、互いに電気的に接続されており、
前記複数の分割ＩＤＴ電極の櫛形電極の内の他方の側に配置されている櫛形電極の全部または一部は、互いに電気的に接続されている請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３４】前記第１から第６のＩＤＴ電極の内の少なくとも１個のＩＤＴ電極は、２個または３個の分割ＩＤＴ電極に分割されている請求項３３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３５】前記一対の対向する櫛型電極の互いに隣り合う電極指同士の中心距離は、弾性表面波フィルタの中心周波数λに対して実質上０．９×λ／２
から１．１×λ／２までの範囲の値を有する請求項２３記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３６】圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続される第１のＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が第２の平衡端子の一方または不平衡型端子に接続される第２のＩＤＴ電極とを備え、
前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極との間には、リアクタンス素子が接続されている弾性表面波フィルタ。
【請求項３７】前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が前記不平衡型端子に接続される第３のＩＤＴ電極をさらに備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って、前記第２、第３のＩＤＴ電極が前記第１のＩＤＴ電極の相異なる側に存するよう配置され、
前記第１のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、前記第１の平衡端子の他方に接続されている請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３８】前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と、前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極との間には、リアクタンス素子が接続されている請求項３７記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３９】前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは、前記弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された第１から第３のＩＤＴ電極から見て相異なる側にある請求項３８記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４０】前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続される第３のＩＤＴ電極をさらに備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って、前記第１、第３のＩＤＴ電極が前記第２のＩＤＴ電極の相異なる側に存するよう配置されている請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４１】前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と、前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極との間には、リアクタンス素子が接続されている請求項４０記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４２】（１）前記第１のＩＤＴ電極と、前記第１のＩＤＴ電極がその間に配置された二つの反射器電極とを有する第１の弾性表面波共振子と、（２）前記第２のＩＤＴ電極と、前記第２のＩＤＴ電極がその間に配置された二つの反射器電極とを有する第２の弾性表面波共振子とを備え、
前記第１の弾性表面波共振子と前記第２の弾性表面波共振子とは、梯子型に接続されている請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４３】前記不平衡型端子と前記平衡型端子との間に存在する寄生成分と前記リアクタンス素子とによって、共振周波数が通過帯域内に設定された並列共振回路が形成されている請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４４】前記リアクタンス素子は、インダクタンスである請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４５】前記圧電基板は、４０以上の実効比誘電率を有する請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４６】前記圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを利用して構成されている請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項４７】不平衡型端子と平衡端型子とを備えた平衡型フィルタであって、
前記不平衡型端子と少なくとも一つの前記平衡端型子との間には、少なくとも一つの所定のリアクタンス素子が接続されている平衡型フィルタ。
【請求項４８】前記不平衡型端子と前記平衡型端子との間に存在する寄生成分と前記リアクタンス素子とによって、共振周波数が通過帯域内に設定された並列共振回路が形成されている請求項４７記載の平衡型フィルタ。
【請求項４９】送信および／または受信を行う送信・受信手段と、
前記送信に利用されるべき送信信号および／または前記受信に利用されるべき受信信号に対してフィルタリングを行う、請求項１または２または３６記載の弾性表面波フィルタ、または請求項４７記載の平衡型フィルタとを備えた通信装置。
【請求項５０】前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が前記不平衡型端子に接続される第３のＩＤＴ電極をさらに備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って、前記第２、第３のＩＤＴ電極が前記第１のＩＤＴ電極の相異なる側に存するよう配置され、
前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、第１の分割櫛形電極と第２の分割櫛形電極に分割されており、
前記第１の分割櫛形電極は、前記第１の平衡型端子の一方に接続され、
前記第２の分割櫛形電極は、前記第１の平衡型端子の他方に接続されている請求項３６記載の弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波フィルタ、平衡型フィルタ、および通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波（ＳＡＷ）を用いたエレクトロメカニカル機能部品は、波の音速が数ｋｍ／ｓであり、波のエネルギーが伝搬媒体の表面に集中する性質を有することからハードウェアの高密度化の流れの中で注目され、インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ電極）電極の開発と薄膜作成技術、表面加工技術の進歩によって、レーダ用遅延線、テレビジョン受像機用帯域フィルタなどに実用化され、現在では、通信機器の送受信回路のＲＦ、ＩＦ段のフィルタとして広く使用されている。
【０００３】
近年、対雑音特性の良好化を目的としてＩＣなどの半導体部品の平衡化が進み、ＲＦ段に使用される弾性表面波フィルタにおいても平衡化が求められている。また、近年では、弾性表面波フィルタの前段及び後段に配置されるＩＣ等により、弾性表面波フィルタが不平衡−平衡型端子を有することあるいは平衡−平衡型端子を有することが求められている。また、従来より、ＲＦ段のフィルタとしては、縦モード型の弾性表面波フィルタが広く用いられている。このような弾性表面波フィルタにとっては、平衡度が一つの重要なパラメータになる。
【０００４】
（Ａ）まず、図１２〜１３を参照しながら、従来の不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタについて説明する。
【０００５】
図１２に、従来の不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタの構成を示す。図１２において、弾性表面波フィルタは、圧電基板１００１上に、第１、第２、第３のＩＤＴ電極１００２、１００３、１００４と第１、第２の反射器電極１００５、１００６とにより構成される。第１のＩＤＴ電極１００２の上側の電極指は平衡型端子の一方１００７に接続され、第１のＩＤＴ電極１００２の下側の電極指は平衡型端子の他方１００８に接続される。また、ＩＤＴ電極１００３、１００４の同じ側の電極指を不平衡型端子１００９に接続し、他方を接地する。以上の構成とすることにより不平衡−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【０００６】
図１３に、上記とは別の例として、平衡−平衡型端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタの構成を示す。図１３において、弾性表面波フィルタは、圧電基板１００１上に、第１、第２、第３のＩＤＴ電極１００２、１００３、１００４と第１、第２の反射器電極１００５、１００６とにより構成される。第１のＩＤＴ電極１００２の上側の電極指は平衡型端子の一方１００７に接続され、第１のＩＤＴ電極１００２の下側の電極指は平衡型端子の他方１００８に接続される。また、ＩＤＴ電極１００３、１００４の同じ側の電極指を平衡型端子１０１０に接続し、ＩＤＴ電極１００３、１００４の他方の側の電極指を平衡型端子１０１１に接続する。以上の構成とすることにより平衡−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【０００７】
（Ｂ）つぎに、図２７を参照しながら、従来の不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタについて説明する。
【０００８】
図２７に、従来の不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタの概略図を示す。図２７において、弾性表面波フィルタは、それぞれ圧電基板上に配置された１段目のフィルタトラック６及び２段目のフィルタトラック１２から構成される。
【０００９】
１段目のフィルタトラック６は、第１、第２、第３のＩＤＴ電極１、２、３と第１、第２の反射器電極４、５とにより構成される。また、２段目のフィルタトラック１２は、第４、第５、第６のＩＤＴ電極７、８、９と、第３、第４の反射器電極１０、１１とにより構成される。
【００１０】
第１のＩＤＴ電極１の両側には、第２、及び第３のＩＤＴ電極２、３が配置さえており、その両側には、第１、第２の反射器電極４、５が配置されている。また、第４のＩＤＴ電極の両側には、第５、第６のＩＤＴ電極８、９が配置されており、その両側には、第３、第４の反射器電極１０、１１が配置されている。
【００１１】
第１のＩＤＴ電極１は、２段目のフィルタトラック１２の側とは反対側の方にに配置された上部電極１ａと、２段目のフィルタトラック１２の側の方に配置された下部電極１ｂとから構成される。
【００１２】
第２のＩＤＴ電極２は、２段目のフィルタトラック１２の側とは反対側の方にに配置された上部電極２ａと、２段目のフィルタトラック１２の側の方に配置された下部電極２ｂとから構成される。
【００１３】
第３のＩＤＴ電極３は、２段目のフィルタトラック１２の側とは反対側の方にに配置された上部電極３ａと、２段目のフィルタトラック１２の側の方に配置された下部電極３ｂとから構成される。
【００１４】
第４のＩＤＴ電極７は、１段目のフィルタトラック６の側の方に配置された上部電極７ａと、１段目のフィルタトラック６の側とは反対側の方配置された下部電極７ｂとから構成される。
【００１５】
第５のＩＤＴ電極８は、１段目のフィルタトラック６の側の方に配置された上部電極８ａと、１段目のフィルタトラック６の側とは反対側の方配置された下部電極８ｂとから構成される。
【００１６】
第６のＩＤＴ電極９は、１段目のフィルタトラック６の側の方に配置された上部電極９ａと、１段目のフィルタトラック６の側とは反対側の方配置された下部電極９ｂとから構成される。
【００１７】
このように各ＩＤＴ電極はそれぞれ一対の櫛形電極である上部電極と下部電極とから構成されている。
【００１８】
また、第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａは、１段目のフィルタトラック６の２段目のフィルタトラック１２とは反対側に設けられた入力用の不平衡型端子ＩＮに接続されており、第１のＩＤＴ電極１の下部電極１ｂは、接地されている。
【００１９】
第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂは、引き回し配線３２によって第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａに接続されている。第２のＩＤＴ電極２の上部電極２ａは接地されている。
【００２０】
第３のＩＤＴ電極３の下部電極３ｂは、引き回し配線３３によって第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａに接続されている。第３のＩＤＴ電極３の上部電極３ａは接地されている。
【００２１】
第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａは、出力用の１対の平衡型端子のうち１段目のフィルタトラック６の側に設けられた平衡型端子ＯＵＴ１に接続されており、第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂは、出力用の１対の平衡型端子のうち、１段目のフィルタトラック６とは反対側に設けられた平衡型端子ＯＵＴ２に接続されている。
【００２２】
第５のＩＤＴ電極８の下部電極８ｂ及び第６のＩＤＴ電極９の下部電極９ｂは、ともに接地されている。
【００２３】
次に、このような従来の弾性表面波フィルタの動作を説明する。
【００２４】
不平衡型端子ＩＮに信号を入力することにより、第１のＩＤＴ電極１で弾性表面波が生じる。そして、弾性表面波は、第１、第２の反射器電極４、５により閉じ込められて複数の共振モードを生じる。この共振モードを利用することによりフィルタ特性が得られ、第２のＩＤＴ電極２及び第３のＩＤＴ電極３でそれぞれ電気信号に変換される。
【００２５】
第２のＩＤＴ電極２で変換された電気信号は、引き回し配線３２を通過して第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａに出力される。また、第３のＩＤＴ電極３で変換された電気信号は、引き回し配線３３を通過して第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａに出力される。このとき、弾性表面波フィルタの各ＩＤＴ電極同士の間隔及び電極指の接続の仕方を予め調整しておくことにより、引き回し配線３２に入力される電気信号と引き回し配線３３に入力される電気信号とは位相が逆相となる。
【００２６】
第５のＩＤＴ電極８に入力された電気信号は、第５のＩＤＴ電極８で弾性表面波に変換され、また、第６のＩＤＴ電極９に入力された電気信号は、第６のＩＤＴ電極９で弾性表面波に変換される。そして、第５のＩＤＴ電極８及び第６のＩＤＴ電極９で変換された弾性表面波は、第３、第４の反射器電極１０、１１により閉じ込められて複数の共振モードを形成する。この共振モードを利用することによりフィルタ特性が得られ、電気信号は、平衡型端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２から出力される。
【００２７】
（Ｃ）つぎに、図４０を参照しながら、従来の平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタについて説明する。
【００２８】
図４０に従来の平衡型端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタの構成を示す。図４０において、弾性表面波フィルタは、前述した従来の弾性表面波フィルタ（図１２参照）と類似した構成を有しており、圧電基板４１０１上に、第１、第２、第３のインターディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極とする）４１０２、４１０３、４１０４と第１、第２の反射器電極４１０５、４１０６とにより構成される。第１のＩＤＴ電極４１０２の一方の電極指は平衡型端子の一方４１０７に接続され、第１のＩＤＴ電極４１０２の他方の電極指は平衡型端子の他方４１０８に接続される。また、第２、第３のＩＤＴ電極４１０３、４１０４の一方の側の電極指を不平衡型端子４１０９に接続し、他方を接地する。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の弾性表面波フィルタには、つぎのような課題があった。
【００３０】
（Ａ）図１２の弾性表面波フィルタでは、平衡型端子１００７と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線の付近には、第２のＩＤＴ電極１００３と不平衡型端子１００９とを接続する配線や第３のＩＤＴ電極１００４と不平衡型端子１００９とを接続する引き回し配線が存在する。
【００３１】
一方、平衡型端子１００８と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線は、平衡型端子１００７と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線より、第２のＩＤＴ電極１００３と不平衡型端子１００９とを接続する配線や第３のＩＤＴ電極１００４と不平衡型端子１００９とを接続する引き回し配線から離れている。
【００３２】
従って、平衡型端子１００７と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線は、不平衡型端子１００９と第２のＩＤＴ電極１００３や第３のＩＤＴ電極１００４とを接続する引き回し配線との間に、平衡型端子１００８と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線より、高周波的なより大きな寄生成分が存在する。従って平衡度が劣化することになる。
【００３３】
図１３の弾性表面波フィルタでは、平衡型端子１００７と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線の付近には、第２のＩＤＴ電極１００３と平衡型端子１０１０とを接続する引き回し配線、及び第３のＩＤＴ電極１００４と平衡型端子１０１０とを接続する引き回し配線が存在し、これら２つの引き回し配線には位相が実質上等しい信号が流れる。従って、平衡型端子１００７と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線、及び第２のＩＤＴ電極１００３からの引き回し配線との間の高周波的な寄生成分は、平衡型端子１００７と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線、及び第３のＩＤＴ電極１００４からの引き回し配線の間の高周波的な寄生成分と実質上位相が等しくなる。
【００３４】
同様に平衡型端子１００８と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線の付近には、第２のＩＤＴ電極１００３と平衡型端子１０１１とを接続する引き回し配線、及び第３のＩＤＴ電極１００４と平衡型端子１０１１とを接続する引き回し配線が存在し、これら２つの引き回し配線には位相が実質上等しい信号が流れる。従って、平衡型端子１００８と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線、及び第２のＩＤＴ電極１００３からの引き回し配線の間の高周波的な寄生成分は、平衡型端子１００８と第１のＩＤＴ電極１００２とを接続する引き回し配線、及び第３のＩＤＴ電極１００４からの引き回し配線の間の高周波的な寄生成分と実質上位相が等しくなる。
【００３５】
従って、平衡型端子１００７、１００８または平衡型端子１０１０，１０１１から出力された信号には上記の寄生成分が含まれることになり、平衡型端子のそれぞれにアンバランスな寄生成分が生じて、弾性波表面波フィルタの特性が劣化することになる。
【００３６】
このように、従来の弾性表面波フィルタ（図１２〜１３参照）では、ＩＤＴ電極からの引き回し配線同士が空間的に結合したり、入出力ＩＤＴ電極が空間的に結合したりすることにより平衡度が劣化したり、弾性波表面波フィルタの特性が劣化したりすることがあった。
【００３７】
（Ｂ）また、図２７の弾性表面波フィルタでは、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線の付近には、第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂと第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａとを接続する引き回し配線３２や、第３のＩＤＴ電極３の下部電極３ｂと第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａとを接続する引き回し配線３３が存在する。一方、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線の付近には、引き回し配線３２及び引き回し配線３３は存在していない。
【００３８】
このように、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線は、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線より、引き回し配線３２、３３により近い位置に配置されている。
【００３９】
従って、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線や、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線に、アンバランスな寄生成分が存在するために、平衡度が劣化することになると、本発明者は考えている。
【００４０】
このように、従来の弾性表面波フィルタ（図２７参照）では、ＩＤＴ電極からの引き回し配線同士が空間的に結合したり、入出力ＩＤＴ電極同士が空間的に結合したりすることにより平衡度が劣化したり、弾性波表面波フィルタの特性が劣化したりすることがあった。
【００４１】
（Ｃ）また、図４０の弾性表面波フィルタでは、図４１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、通過帯域において、振幅バランス特性は−１．２ｄＢ〜＋１．０ｄＢ、位相バランス特性は−８°〜＋１０°と大きく劣化している。なお、図４１（Ａ）は従来の９００ＭＨｚ帯の弾性表面波フィルタの通過特性であり、図４１（Ｂ）は従来の９００ＭＨｚ帯の弾性表面波フィルタの通過帯域（９２５ＭＨｚから９６０ＭＨｚまで）の振幅バランス特性であり、図４１（Ｃ）は従来の９００ＭＨｚ帯の弾性表面波フィルタの通過帯域の位相バランス特性である。
【００４２】
ここで、振幅バランス特性とは平衡型端子の一方４１０７と不平衡型端子４１０９との信号振幅と平衡型端子の他方４１０８と不平衡型端子４１０９との信号振幅との振幅差を表したものであり、この値が零となればバランス特性の劣化はない。また、位相バランス特性とは平衡型端子の一方４１０７と不平衡型端子４１０９との信号の位相と平衡型端子の他方４１０８と不平衡型端子４１０９との信号の位相との位相差の１８０度からのずれを表したものであり、この値が零となればバランス特性の劣化はない。
【００４３】
このように、従来の弾性表面波フィルタ（図４０参照）では、重要な電気的特性の一つであるバランス特性の劣化が大きかった。なお、その劣化原因に関する詳細な議論が少なかった。
【００４４】
本発明は、上記課題を考慮し、より良好なフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタ、平衡型フィルタ、および通信装置を提供することを目的とするものである。
【００４５】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明は、圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極を備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極の内、（１）両側に他のＩＤＴ電極が配置された前記第１のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続されており、他方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続されており、（２）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第２のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（３）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第３のＩＤＴ電極は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは相異なる側にある一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（４）前記第２及び第３のＩＤＴ電極と一対の対向する櫛形電極の互いに隣り合う電極指同士の中心間隔は、弾性表面波フィルタの中心周波数λに対して実質上０．９×λ／２から１．１×λ／２までの範囲の値を有する弾性表面波フィルタである。
【００４６】
第２の本発明は、圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極と、前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第２のＩＤＴ電極側にある第１の反射器電極と、前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第３のＩＤＴ電極側にある第２の反射器電極とを備え、前記少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極は、前記第１の反射器電極と前記第２の反射器電極との間に配置されており、前記第１から第３のＩＤＴ電極の内、（１）両側に他のＩＤＴ電極が配置された前記第１のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続されており、他方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続されており、（２）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第２のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（３）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第３のＩＤＴ電極は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは相異なる側にある一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（４）前記第２のＩＤＴ電極と前記第１の反射器電極が電気的に接続され、かつ、前記第３のＩＤＴ電極と前記第２の反射器電極が電気的に接続されている弾性表面波フィルタである。
【００４７】
第３の本発明は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線と、前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線とは、互いに接続され不平衡端子に接続されている第２の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００４８】
第４の本発明は、前記第２のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第３のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されている第３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００４９】
第５の本発明は、前記第２のＩＤＴ電極の前記一方の櫛形電極は、第２の平衡型端子の一方に接続されており、
前記第３のＩＤＴ電極の前記一方の櫛形電極は、前記第２の平衡型端子の一方に接続されている第１または第２の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５０】
第６の本発明は、前記第１および第２の反射器電極は、接地されており、
前記第２のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第１の反射器電極と接続されることによって接地されており、
前記第３のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第２の反射器電極と接続されることによって接地されている第４の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５１】
第７の本発明は、前記第１および第２の反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されており、
前記第２のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第１の反射器電極と接続されることによって前記不平衡型端子に接続されており、
前記第３のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第２の反射器電極と接続されることによって前記不平衡型端子に接続されている第４の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５２】
第８の本発明は、前記第１および／または前記第２の反射器電極は、少なくとも２つの分割反射器電極に分割されている第４の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５３】
第９の本発明は、前記少なくとも２つの分割反射器電極の内の、前記第２および／または前記第３のＩＤＴ電極に近接する方の分割反射器電極は、直接接地されているかまたは他の前記分割反射器電極を介して接地されている第８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５４】
第１０の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が分割され、前記第２のＩＤＴ電極の前記他方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されている分割反射器電極に接続されることによって接地されており、
（２）前記第２の反射器電極が分割され、前記第３のＩＤＴ電極の前記他方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されている分割反射器電極に接続されることによって接地されている第９の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５５】
第１１の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が分割され、前記第２のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されていない分割反射器電極に接続されており、その第２のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されており、
（２）前記第２の反射器電極が分割され、前記第３のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の接地されていない分割反射器電極に接続されており、その第３のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されている第１０の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５６】
第１２の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極の電極指ピッチが互いに異なっており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極の電極指ピッチが互いに異なっている第８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５７】
第１３の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極のメタライゼーションレシオが互いに異なっており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の少なくとも２つの分割反射器電極のメタライゼーションレシオが互いに異なっている第８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５８】
第１４の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が少なくとも３つの前記分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の互いに隣接する２つの分割反射器電極の間の間隔が全て同じではなく、
（２）前記第２の反射器電極が少なくとも３つの前記分割反射器電極に分割され、その分割反射器電極の内の互いに隣接する２つの分割反射器電極の間の間隔が全て同じではない第８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００５９】
第１５の本発明は、前記分割反射器電極への分割は、前記第１から第３のＩＤＴ電極が配置されている方向と直交する方向で行われている第８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６０】
第１６の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第２のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極の一方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第３のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、前記不平衡型端子に接続されている第１５の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６１】
第１７の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第２のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、接地されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極の他方の電極は、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極に接続されており、その第３のＩＤＴ電極の一方の電極が接続されている前記分割反射器電極は、接地されている第１５の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６２】
第１８の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第１の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の前記第２のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極は、前記第１から第３のＩＤＴ電極が配置されている方向と直交する方向でさらに２つ以上の横分割反射器電極に分割されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２の反射器電極を構成する前記分割反射器電極の内の前記第３のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極は、前記第１から第３のＩＤＴ電極が配置されている方向と直交する方向でさらに２つ以上の横分割反射器電極に分割されている第１５の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６３】
第１９の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、前記不平衡型端子に接続されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、前記不平衡型端子に接続されている第１８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６４】
第２０の本発明は、（１）前記第１の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第２のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、接地されており、
（２）前記第２の反射器電極が前記少なくとも２つの分割反射器電極に分割され、前記第３のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極がさらに前記２つ以上の横分割反射器電極に分割されている場合、その横分割反射器電極の内の何れかは、接地されている第１８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６５】
第２１の本発明は、前記不平衡型端子には、単数または複数の弾性表面波共振器が直列および／または並列に接続されている第４の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６６】
第２２の本発明は、不平衡型から平衡型または平衡型から不平衡型への変換機能を有する第１または第２の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６７】
第２３の本発明は、圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極を備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極の内、（１）両側に他のＩＤＴ電極が配置された前記第１のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続されており、他方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続されており、（２）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第２のＩＤＴ電極は、一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、（３）前記他のＩＤＴ電極の内の前記第３のＩＤＴ電極は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは相異なる側にある一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力され、
前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極からそれぞれ構成されている、前記弾性表面波の伝搬方向に沿って配置された、（４）両側に他のＩＤＴ電極が配置された第４のＩＤＴ電極と、（５）前記他のＩＤＴ電極の内の一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力される第５のＩＤＴ電極と、（６）前記他のＩＤＴ電極の内の一方の櫛形電極が引き回し配線を介して信号が入力または出力される前記第５のＩＤＴ電極とは相異なる側にある第６のＩＤＴ電極とを有する第１のフィルタトラックと、
前記第１のＩＤＴ電極と、前記第２のＩＤＴ電極と、前記第３のＩＤＴ電極とを有する第２のフィルタトラックとを備え、
前記第１のフィルタトラックと前記第２のフィルタトラックとは、縦続に接続されており、
前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線と、前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線とは、互いに接続されており、
前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線と、前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための前記引き回し配線とは、互いに接続されている弾性表面波フィルタである。
【００６８】
第２４の本発明は、前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは、相等しい側にある第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００６９】
第２５の本発明は、前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは、相異なる側にある第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７０】
第２６の本発明は、前記第４のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、不平衡型端子に接続されている第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７１】
第２７の本発明は、前記第４のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、前記第２のフィルタトラックとは反対側に配置されている第２６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７２】
第２８の本発明は、前記第２のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第３のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第５のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されており、
前記第６のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、接地されている第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７３】
第２９の本発明は、（１）前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して行われる信号の入力または出力の位相と、（２）前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して行われる信号の入力または出力の位相とは、実質上互いに逆相である第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７４】
第３０の本発明は、（１）前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線と、前記第５のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線とを接続するための配線のリアクタンス成分と、（２）前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線と、前記第６のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極に対して信号の入力または出力を行うための引き回し配線とを接続するための配線のリアクタンス成分とは、実質上互いに等しい第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７５】
第３１の本発明は、前記第４のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、第２の平衡型端子の一方に接続されており、
前記第４のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、前記第２の平衡型端子の他方に接続されている第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７６】
第３２の本発明は、前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第２のＩＤＴ電極側にある第１の反射器電極と、
前記第１のＩＤＴ電極を基準にして前記第３のＩＤＴ電極側にある第２の反射器電極と、
前記第４のＩＤＴ電極を基準にして前記第５のＩＤＴ電極側にある第３の反射器電極と、
前記第４のＩＤＴ電極を基準にして前記第６のＩＤＴ電極側にある第４の反射器電極とを備え、
前記少なくとも第１から第３のＩＤＴ電極は、前記第１の反射器電極と前記第２の反射器電極との間に配置されており、
前記少なくとも第４から第６のＩＤＴ電極は、前記第３の反射器電極と前記第４の反射器電極との間に配置されている第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７７】
第３３の本発明は、前記第１から第６のＩＤＴ電極の内の少なくとも１個のＩＤＴ電極は、複数の分割ＩＤＴ電極に分割されており、
前記複数の分割ＩＤＴ電極の櫛形電極の内の一方の側に配置されている櫛形電極の全部または一部は、互いに電気的に接続されており、
前記複数の分割ＩＤＴ電極の櫛形電極の内の他方の側に配置されている櫛形電極の全部または一部は、互いに電気的に接続されている第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７８】
第３４の本発明は、前記第１から第６のＩＤＴ電極の内の少なくとも１個のＩＤＴ電極は、２個または３個の分割ＩＤＴ電極に分割されている第３３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００７９】
第３５の本発明は、前記一対の対向する櫛形電極の互いに隣り合う電極指同士の中心間隔は、弾性表面波フィルタの中心周波数λに対して実質上０．９×λ／２から１．１×λ／２までの範囲の値を有する第２３の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８０】
第３６の本発明は、圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が第１の平衡型端子の一方に接続される第１のＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が第２の平衡端子の一方または不平衡型端子に接続される第２のＩＤＴ電極とを備え、
前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極との間には、リアクタンス素子が接続されている弾性表面波フィルタである。
【００８１】
第３７の本発明は、前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が前記不平衡型端子に接続される第３のＩＤＴ電極をさらに備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って、前記第２、第３のＩＤＴ電極が前記第１のＩＤＴ電極の相異なる側に存するよう配置され、
前記第１のＩＤＴ電極の他方の櫛形電極は、前記第１の平衡端子の他方に接続されている第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８２】
第３８の本発明は、前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と、前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極との間には、リアクタンス素子が接続されている第３７の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８３】
第３９の本発明は、前記第２のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極とは、前記弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置された第１から第３のＩＤＴ電極から見て相異なる側にある第３８の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８４】
第４０の本発明は、前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が前記第１の平衡型端子の他方に接続される第３のＩＤＴ電極をさらに備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って、前記第１、第３のＩＤＴ電極が前記第２のＩＤＴ電極の相異なる側に存するよう配置されている第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８５】
第４１の本発明は、前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極と、前記第３のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極との間には、リアクタンス素子が接続されている第４０の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８６】
第４２の本発明は、（１）前記第１のＩＤＴ電極と、前記第１のＩＤＴ電極がその間に配置された二つの反射器電極とを有する第１の弾性表面波共振子と、（２）前記第２のＩＤＴ電極と、前記第２のＩＤＴ電極がその間に配置された二つの反射器電極とを有する第２の弾性表面波共振子とを備え、
前記第１の弾性表面波共振子と前記第２の弾性表面波共振子とは、梯子型に接続されている第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８７】
第４３の本発明は、前記不平衡型端子と前記平衡型端子との間に存在する寄生成分と前記リアクタンス素子とによって、共振周波数が通過帯域内に設定された並列共振回路が形成されている第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８８】
第４４の本発明は、前記リアクタンス素子は、インダクタンスである第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００８９】
第４５の本発明は、前記圧電基板は、４０以上の実効比誘電率を有する第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００９０】
第４６の本発明は、前記圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを利用して構成されている第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００９１】
第４７の本発明は、不平衡型端子と平衡端型子とを備えた平衡型フィルタであって、
前記不平衡型端子と少なくとも一つの前記平衡端型子との間には、少なくとも一つの所定のリアクタンス素子が接続されている平衡型フィルタである。
【００９２】
第４８の本発明は、前記不平衡型端子と前記平衡型端子との間に存在する寄生成分と前記リアクタンス素子とによって、共振周波数が通過帯域内に設定された並列共振回路が形成されている第４７の本発明の平衡型フィルタである。
【００９３】
第４９の本発明は、送信および／または受信を行う送信・受信手段と、
前記送信に利用されるべき送信信号および／または前記受信に利用されるべき受信信号に対してフィルタリングを行う、第１または第２または第３６の本発明の弾性表面波フィルタ、または第４７の本発明の平衡型フィルタとを備えた通信装置である。
【００９４】
第５０の本発明は、前記圧電基板上に配置された一対の対向する櫛形電極から構成された、一方の櫛形電極が前記不平衡型端子に接続される第３のＩＤＴ電極をさらに備え、
前記第１から第３のＩＤＴ電極は、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って、
前記第２、第３のＩＤＴ電極が前記第１のＩＤＴ電極の相異なる側に存するよう配置され、
前記第１のＩＤＴ電極の一方の櫛形電極は、第１の分割櫛形電極と第２の分割櫛形電極に分割されており、
前記第１の分割櫛形電極は、前記第１の平衡型端子の一方に接続され、
前記第２の分割櫛形電極は、前記第１の平衡型端子の他方に接続されている第３６の本発明の弾性表面波フィルタである。
【００９５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００９６】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。なお、図１は実施の形態１における弾性表面波フィルタの概略図を示す。
【００９７】
なお、第１のＩＤＴ電極１０２は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極１０３は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極１０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極１０５は本発明の第１の反射器電極に対応し、第２の反射器電極１０６は本発明の第２の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方１０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、平衡端子の他方１０８は本発明の第１の平衡型端子の他方に対応し、不平衡端子は１０９は本発明の不平衡型端子に対応する。
【００９８】
図１において、１０１は圧電基板であり、この圧電基板１０１の上に、周期構造ストリップライン状に交差する電極パターンを構成することによって、弾性表面波を励起させることができる。圧電基板１０１の上には、第１のＩＤＴ電極１０２と第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４と第１、第２の反射器電極１０５、１０６とによって構成される縦モード型の弾性表面波フィルタが形成されている。
【００９９】
上述の弾性表面波フィルタにおいて、第１のＩＤＴ電極１０２の上部電極１０２ａは平衡型端子の一方１０７に接続され、第１のＩＤＴ電極１０２の下部電極１０２ｂは平衡型端子の他方１０８に接続される。また、第２のＩＤＴ電極１０３の上部電極１０３ａは不平衡型端子１０９に接続され、下部電極１０３ｂは接地される。第３のＩＤＴ電極１０４の下部電極１０４ｂは不平衡型端子１０９に接続され、上部電極１０４ａは接地される。
【０１００】
このように、上述の弾性表面波フィルタは不平衡型−平衡型の端子を有する構成となり、不平衡型端子１０９からの信号経路は構造的に上下逆側からの接続となる。また、第１のＩＤＴ電極１０２の上部電極１０２ａと下部電極１０２ｂの電極指の数は同数である。
【０１０１】
以上の構成とすることにより、不平衡型端子１０９に接続される第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４からの引き回し配線と平衡型端子１０７、１０８に接続される第１のＩＤＴ電極１０２からの引き回し配線とのアンバランスな空間的な結合による平衡度の劣化を抑えることができ、良好な平衡度を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【０１０２】
すなわち、不平衡型端子１０９からの信号経路を構造的に上下逆側から接続するようにしたことにより、第２のＩＤＴ電極１０３及び第３のＩＤＴ電極１０４からの引き回し配線と平衡型端子１０７に接続される第１のＩＤＴ電極１０２からの引き回し配線との空間的な結合は、第２のＩＤＴ電極１０３及び第３のＩＤＴ電極１０４からの引き回し配線と平衡型端子１０８に接続される第１のＩＤＴ電極１０２からの引き回し配線との空間的な結合と実質上同一になる。従って平衡度の劣化を抑えることが出来る。
【０１０３】
また、第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４における電極指の配置は弾性表面波が打ち消し合わないような構成となる。すなわち、不平衡型端子１０９に接続される第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４の上部電極１０３ａ、下部電極１０４ｂをプラス（＋）とし、接地される電極をマイナス（−）とすると、図２（Ａ）に示すように同相の配置になっている。
【０１０４】
なお、図２（Ｂ）に示す構成であっても、本発明の効果は同様である。図２（Ｂ）は第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４の上部電極と下部電極の配置を電極指が一つ分ずらした構成である。この場合には、第１のＩＤＴ電極１０２の極性が逆となるだけで、本発明による効果は同様である。
【０１０５】
また、第２のＩＤＴ電極１０３の上部電極１０３ａと第３のＩＤＴ電極１０４の下部電極１０４ｂとが不平衡型端子１０９に接続されるとしたが、これは第２のＩＤＴ電極１０３の下部電極１０３ｂと第３のＩＤＴ電極１０４の上部電極１０４ａとが不平衡型端子１０９に接続されていてもよい。すなわち、第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４への信号経路の接続を構造的に上下逆側から行うようにすれば、本発明の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１０６】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。なお、図３は実施の形態２における弾性表面波フィルタの概略図を示す。
【０１０７】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは、不平衡型端子３０９が第１の弾性表面波共振子３１０を直列に介して入力端子ＩＮに接続され、第１の弾性表面波共振子３１０と不平衡型端子３０９との間に第２の弾性表面波共振子３１１が並列に接続されている点を特徴としている。
【０１０８】
なお、第１のＩＤＴ電極３０２は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極３０３は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極３０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極３０５は本発明の第１の反射器電極に対応し、第２の反射器電極３０６は本発明の第２の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方３０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、平衡端子の他方３０８は本発明の第１の平衡型端子の他方に対応し、不平衡端子は３０９は本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１０９】
図３において、３０１は圧電基板であり、この圧電基板３０１の上に、周期構造ストリップライン状に交差する電極パターンを構成することによって、弾性表面波を励起させることができる。圧電基板３０１の上には、第１のＩＤＴ電極３０２と第２、第３のＩＤＴ電極３０３、３０４と第１、第２の反射器電極３０５、３０６とによって構成される縦モード型の弾性表面波フィルタが形成されている。
【０１１０】
上述の弾性表面波フィルタにおいて、第１のＩＤＴ電極３０２の上部電極３０２ａは平衡型端子の一方３０７に接続され、第１のＩＤＴ電極３０２の下部電極３０２ｂは平衡型端子の他方３０８に接続される。また、第２のＩＤＴ電極３０３の上部電極３０３ａは不平衡型端子３０９に接続され、下部電極３０３ｂは接地される。第３のＩＤＴ電極３０４の下部電極３０４ｂは不平衡型端子３０９に接続され、上部電極３０３ａは接地される。このように、上述の弾性表面波フィルタは不平衡型−平衡型の端子を有する構成となり、不平衡型端子３０９からの信号経路は構造的に上下逆側からの接続となる。また、第１のＩＤＴ電極３０２の上部電極３０２ａと下部電極３０２ｂの電極指の数は同数である。
【０１１１】
さらに、不平衡型端子３０９は第１の弾性表面波共振子３１０を直列に介して入力端子ＩＮに接続され、第１の弾性表面波共振子３１０と不平衡型端子３０９の間には、第２の弾性表面波共振子３１１が並列に接続され、弾性表面波共振子３１１の一端は接地されている。第１の弾性表面波共振子３１０と第２の弾性表面波共振子３１１は減衰極を形成するために挿入した。また、平衡型端子３０７、３０８はそれぞれ出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続される。なお、ＩＮ、ＯＵＴ１、ＯＵＴ２の接続に関しては、ワイヤーボンディング実装やフェースダウン実装などにより、圧電基板外の端子に引き出される構成となる。
【０１１２】
ここで、本実施の形態の弾性表面波フィルタにおける平衡度特性を、図４（Ａ）〜（Ｂ）を利用して説明する。
【０１１３】
なお、図４（Ａ）に示すのは、比較のための従来の構成（すなわち、不平衡型端子に接続される第２、第３のＩＤＴ電極の接続として図１２に示す従来構成）を用いたときの特性である。すなわち、図４（Ａ）は、図１２の弾性表面波フィルタの不平衡型端子１００９から平衡型端子１００７への信号と不平衡型端子１００９から平衡型端子１００８への信号との振幅差と位相差を示している。なお、弾性表面波フィルタが完全に平衡であるという理想的な状態にあると仮定した場合には、不平衡型端子１００９から平衡型端子１００７への信号と不平衡型端子１００９から平衡型端子１００８への信号との位相は１８０度異なる。図４（Ａ）の位相差は、この理想的な状態からのずれをプロットしたものである。
【０１１４】
そして、図４（Ｂ）に示すのは、本実施の形態における９００ＭＨｚ帯の弾性表面波フィルタの平衡度特性である。図４は、ＩＮからＯＵＴ１への信号とＩＮからＯＵＴ２への信号の振幅差と位相差を表している。なお、図３の弾性表面波フィルタが完全に平衡であるという理想的な状態にある場合には、ＩＮからＯＵＴ１への信号とＩＮからＯＵＴ２への信号とは位相が１８０度異なる。図４（Ｂ）の位相差とは、この理想的な状態からのずれをプロットしたものである。
【０１１５】
図４（Ａ）〜（Ｂ）からわかるように、本実施の形態における弾性表面波フィルタの平衡度特性は、振幅差、位相差ともに従来に比べ改善している。９２５ＭＨｚから９６０ＭＨｚの範囲において、従来構成では、振幅差が２．２ｄＢ（−１．２ｄＢから＋１．０ｄＢ）であるのに対し、本発明の構成では１．５ｄＢ（−０．８ｄＢから＋０．７ｄＢ）と０．７ｄＢの改善が得られている。また、位相差に関しては、従来構成では１９°（−７°から＋１２°）であるのに対し、本発明の構成では１３°（−５°から＋８°）と６°の改善が得られている。
【０１１６】
以上説明したように、不平衡型端子に接続される第２、第３のＩＤＴ電極と平衡型端子に接続される第１のＩＤＴ電極の引き回し配線による空間的なアンバランスな結合を抑えることができ、良好な平衡度を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【０１１７】
なお、本実施形態においては、不平衡側を入力、平衡側を出力としたが、入力と出力が逆であってもかまわない。
【０１１８】
また、本実施の形態では、不平衡型端子３０９は第１の弾性表面波共振子３１０を直列に介して入力端子ＩＮに接続され、第１の弾性表面波共振子３１０と不平衡型端子３０９の間には、第２の弾性表面波共振子３１１が並列に接続されるとして説明したが、これに限らない。第１の弾性表面波共振子３１０及び第２の弾性表面波共振子３１１のいずれか一方を備えていなくても構わない。また、不平衡型端子３０９を２つ以上の弾性表面波共振子を直列に介して入力端子ＩＮに接続しても構わない。さらに、これら複数の弾性表面波共振子に２つ以上の弾性表面波共振子を並列に接続しても構わない。要するに、不平衡型端子３０９とＩＮとの間には弾性表面波フィルタとして適切な特性が得られる限り直列及び／または並列に任意の個数の弾性表面波共振子を挿入しても構わない。
【０１１９】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。なお、図５は実施の形態３における弾性表面波フィルタの概略図を示す。
【０１２０】
なお、第１のＩＤＴ電極５０２は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極５０３は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極５０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極５０５は本発明の第１の反射器電極に対応し、第２の反射器電極５０６は本発明の第２の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方５０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、平衡端子の他方５０８は本発明の第１の平衡型端子の他方に対応し、不平衡端子は５０９は本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１２１】
図５において、５０１は圧電基板であり、この圧電基板５０１の上に、周期構造ストリップライン状に交差する電極パターンを構成することによって、弾性表面波を励起させることができる。圧電基板５０１の上には、第１のＩＤＴ電極５０２と第２、第３のＩＤＴ電極５０３、５０４と第１、第２の反射器電極５０５、５０６とによって構成される縦モード型の弾性表面波フィルタが形成されている。
【０１２２】
上述の弾性表面波フィルタにおいて、第１のＩＤＴ電極５０２の上部電極５０２ａは平衡型端子の一方５０７に接続され、第１のＩＤＴ電極５０２の下部電極５０２ｂは平衡型端子の他方５０８に接続される。また、第２のＩＤＴ電極５０３の上部電極５０３ａは第１の反射器電極５０５を介して不平衡型端子５０９に接続され、下部電極５０３ｂは接地される。第３のＩＤＴ電極５０４の下部電極５０４ｂは第２の反射器電極５０６を介して不平衡型端子５０９に接続され、上部電極５０３ａは接地される。
【０１２３】
このように、上述の弾性表面波フィルタは不平衡型−平衡型の端子を有する構成となり、不平衡型端子５０９からの信号経路は構造的に上下逆側からの接続となる。また、第１のＩＤＴ電極５０２の上部電極５０２ａと下部電極５０２ｂの電極指の数は同数である。
【０１２４】
以上の構成とすることにより、平衡度は従来に比べ改善することができる。９２５ＭＨｚから９６０ＭＨｚの範囲において、従来構成では、振幅差が２．２ｄＢ（−１．２ｄＢから＋１．０ｄＢ）であるのに対し、本発明の構成では１．８ｄＢ（−１．０ｄＢから＋０．８ｄＢ）と０．４ｄＢの改善が得られている。また、位相差に関しては、従来構成では１９°（−７°から＋１２°）であるのに対し、本発明の構成では１６°（−６°から＋１０°）と３°の改善が得られる。なお、位相差の定義は実施の形態２と同様である。
【０１２５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタの構成では、第２、第３のＩＤＴ電極への信号経路への引き回しをより小さくすることができるので、引き回しによる抵抗、インダクタ成分による特性劣化をより抑え、基板上の電極配置や端子配置の自由度をより高めることが可能となる。
【０１２６】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。なお、図６は実施の形態４における弾性表面波フィルタの概略図を示す。
【０１２７】
なお、第１のＩＤＴ電極６０２は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極６０３は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極６０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極６０５は本発明の第１の反射器電極に対応し、第２の反射器電極６０６は本発明の第２の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方６０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、平衡端子の他方６０８は本発明の第１の平衡型端子の他方に対応し、不平衡端子は６０９は本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１２８】
図６において、６０１は圧電基板であり、この圧電基板６０１の上に、周期構造ストリップライン状に交差する電極パターンを構成することによって、弾性表面波を励起させることができる。圧電基板６０１の上には、第１のＩＤＴ電極６０２と第２、第３のＩＤＴ電極６０３、６０４と第１、第２の反射器電極６０５、６０６とによって構成される縦モード型の弾性表面波フィルタが形成されている。また、第１の反射器電極６０５は第１、第２、第３の分割反射器電極６０５ａ、６０５ｂ、６０５ｃとにより構成され、第２の反射器電極６０６は第４、第５、第６の分割反射器電極６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃとにより構成される。
【０１２９】
上述の弾性表面波フィルタにおいて、第１のＩＤＴ電極６０２の上部電極６０２ａは平衡型端子の一方６０７に接続され、第１のＩＤＴ電極６０２の下部電極６０２ｂは平衡型端子の他方６０８に接続される。また、第２のＩＤＴ電極６０３の上部電極６０３ａは第３の分割反射器電極６０５ｃを介して不平衡型端子６０９に接続され、下部電極６０３ｂ、第１、第２の分割反射器電極６０５ａ、６０５ｂは接地される。第３のＩＤＴ電極６０４の下部電極６０４ｂは第６の分割反射器電極６０６ｃを介して不平衡型端子６０９に接続され、上部電極６０３ａ、第４、第５の分割反射器電極６０６ａ、６０６ｂは接地される。
【０１３０】
このように、上述の弾性表面波フィルタは不平衡型−平衡型の端子を有する構成となり、不平衡型端子６０９からの信号経路は構造的に上下逆側からの接続となる。また、第１のＩＤＴ電極６０２の上部電極６０２ａと下部電極６０２ｂの電極指の数は同数である。
【０１３１】
以上の構成とすることにより、平衡度は従来に比べ改善することができる。９２５ＭＨｚから９６０ＭＨｚの範囲において、従来構成では、振幅差が２．２ｄＢ（−１．２ｄＢから＋１．０ｄＢ）であるのに対し、本発明の構成では１．７ｄＢ（−１．０ｄＢから＋０．７ｄＢ）と０．５ｄＢの改善が得られている。また、位相差に関しては、従来構成では１９°（−７°から＋１２°）であるのに対し、本発明の構成では１３°（−５°から＋８°）と６°の改善が得られる。
なお、本実施の形態の位相差の定義は実施の形態２と同様である。
【０１３２】
さらに、本構成においては、第２、第３のＩＤＴ電極６０３、６０４と信号経路として用いている第３、第６の分割反射器電極との間に、第１、第２、第４、第５の分割反射器電極を接地している構成としているため、信号経路からのＩＤＴ電極への空間的な結合をさらにより小さくでき、実施の形態３よりもさらにより良好な特性が得られている。また、第２、第３のＩＤＴ電極への信号経路への引き回しをより小さくすることができるので、引き回しによる抵抗、インダクタ成分による特性劣化をより抑え、基板上の電極配置や端子配置の自由度をより高めることが可能となる。
【０１３３】
また、本構成においては、下部電極６０２ｂと第１の分割反射器電極６０５ａ、及び上部電極６０３ａと第４の分割反射器電極６０６ａとを共通にして接地としているため、接地端子を引き出すことができ、基板上の電極配置の自由度をさらにより大きくすることができる。
【０１３４】
なお、第１、第４の分割反射器電極は接地としているが、これは接地としない構成であってもかまわない。
【０１３５】
また、第３、第６の分割反射器電極を信号経路としているが、これは第２、第３、第５、第６の分割反射器電極を信号経路としてもかまわない。第２、第３のＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極が接地あるいは信号経路から分離されていれば、空間的な結合は抑えることができ、本発明の効果は同様となる。
【０１３６】
また、分割反射器電極に関しては、第１、第２、第３の分割反射器電極６０５ａ、６０５ｂ、６０５ｃを、図７に示すように、第１、第２、第３の分割反射器電極７０１ａ、７０１ｂ、７０１ｃのような構成としてもかまわない。図７において、第１、第２、第３の分割反射器電極７０１ａ、７０１ｂ、７０１ｃはそれぞれ、電極指ピッチＰ１ａ、Ｐ１ｂ、Ｐ１ｃ、電極部分Ｍ１ａ、Ｍ１ｂ、Ｍ１ｃと自由表面基板部分Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃの比であるメタライゼーション・レシオη１ａ＝Ｍ１ａ／Ｓ１ａ、η１ｂ＝Ｍ１ｂ／Ｓ１ｂ、η１ｃ＝Ｍ１ｃ／Ｓ１ｃが異なる分割反射器電極を用いてもかまわない。
【０１３７】
また、第１、第２の分割反射器電極７０１ａ、７０１ｂの間隔Ｌ１と第２、第３の分割反射器電極７０１ｂ、７０１ｃの間隔Ｌ２とを異ならせてもよい。この場合には、分割反射器電極の反射特性のスプリアス周波数を異ならせることにより帯域外の減衰量を良好とすることが可能となる。
【０１３８】
なお、第１、第２、第３の分割反射器電極について説明したが、この構成は、第１、第２、第３の分割反射器電極６０５ａ、６０５ｂ、６０５ｃだけでなく、第４、第５、第６の分割反射器電極６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃにも適用できるものである。
【０１３９】
以上の構成とすることにより、平衡度が良好な帯域外減衰量に優れる弾性表面波フィルタを実現することができる。
【０１４０】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。なお、図８は実施の形態５における弾性表面波フィルタの概略図を示す。
【０１４１】
なお、第１のＩＤＴ電極８０２は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極８０３は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極８０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極８０５は本発明の第１の反射器電極に対応し、第２の反射器電極８０６は本発明の第２の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方８０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、平衡端子の他方８０８は本発明の第１の平衡型端子の他方に対応し、不平衡端子は８０９は本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１４２】
図８において、８０１は圧電基板であり、この圧電基板８０１の上に、周期構造ストリップライン状に交差する電極パターンを構成することによって、弾性表面波を励起させることができる。
【０１４３】
圧電基板８０１の上には、第１のＩＤＴ電極８０２と第２、第３のＩＤＴ電極８０３、８０４と第１、第２の反射器電極８０５、８０６とによって構成される縦モード型の弾性表面波フィルタが形成されている。
【０１４４】
また、第１の反射器電極８０５は横方向に分割され、第１の上部反射器電極８０５ａと第１の下部反射器電極８０５ｂとにより構成され、第２の反射器電極８０６は第２の上部反射器電極８０６ａと第２の下部反射器電極８０６ｂとにより構成される。
【０１４５】
また、上述の弾性表面波フィルタにおいて、第１のＩＤＴ電極８０２の上部電極８０２ａは平衡型端子の一方８０７に接続され、第１のＩＤＴ電極８０２の下部電極８０２ｂは平衡型端子の他方８０８に接続される。第２のＩＤＴ電極８０３の上部電極８０３ａは第１の上部反射器電極８０５ａを介して不平衡型端子８０９に接続され、下部電極８０３ｂ、第１の下部反射器電極８０５ｂは接地される。第３のＩＤＴ電極８０４の下部電極８０４ｂは第２の下部反射器電極８０６ｂを介して不平衡型端子８０９に接続され、上部電極８０３ａ、第２の上部反射器電極８０６ａは接地される。
【０１４６】
このように、上述の弾性表面波フィルタは不平衡型−平衡型の端子を有する構成となり、不平衡型端子８０９からの信号経路は構造的に上下逆側からの接続となる。また、第１のＩＤＴ電極８０２の上部電極８０２ａと下部電極８０２ｂの電極指の数は同数である。
【０１４７】
以上の構成とすることにより、平衡度は従来に比べ改善することができる。９２５ＭＨｚから９６０ＭＨｚの範囲において、従来構成では、振幅差が２．２ｄＢ（−１．２ｄＢから＋１．０ｄＢ）であるのに対し、本発明の構成では１．７ｄＢ（−１．０ｄＢから＋０．７ｄＢ）と０．５ｄＢの改善が得られている。また、位相差に関しては、従来構成では１９°（−７°から＋１２°）であるのに対し、本発明の構成では１３°（−５°から＋８°）と６°の改善が得られる。なお、本実施の形態の位相差の定義は、実施の形態２と同様である。
【０１４８】
本構成においては、第１の上部反射器電極８０５ａと第２の下部反射器電極８０６ｂとを介しているので、第２、第３のＩＤＴ電極への信号経路への引き回しをより小さくすることができるので、引き回しによる抵抗、インダクタ成分による特性劣化をより抑え、基板上の電極配置や端子配置の自由度をより高めることが可能となる。
【０１４９】
また、本構成においては、下部電極８０２ｂと第１の下部反射器電極８０５ｂ、及び上部電極８０３ａと第２の上部反射器電極８０６ａとを共通にして接地としているため、接地端子を引き出すことができ、基板上の電極配置の自由度をさらにより大きくすることができる。
【０１５０】
なお、反射器電極８０５、８０６は、図９に示すような構成であってもかまわない。図９において、第１及び第２の反射器電極９０１、９０２はそれぞれ２つの分割反射器電極に分割され、さらに、入力ＩＤＴ電極に近接する分割反射器電極が上部反射器電極と下部反射器電極とにより構成される構成である。図９に示す構成であっても、本発明の平衡度改善の効果は同様であり、また電極配置の自由度を上げるという効果に関しても同様に得られるものである。なお、第１の反射器電極９０１は本発明の第１の反射器電極に対応し、第２の反射器電極９０２は本発明の第２の反射器電極に対応する。
【０１５１】
（実施の形態６）
以下、本発明の実施の形態６の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。図１０は実施の形態６における弾性表面波フィルタの概略図である。
【０１５２】
上記実施の形態では、不平衡−平衡型端子を有する弾性表面波について説明したが、実施の形態６では、平衡−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタについて説明する。
【０１５３】
実施の形態１と同一の部分については同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【０１５４】
なお、平衡端子１１１は本発明の第２の平衡型端子の一方に対応する。
【０１５５】
図１０において、圧電基板１０１の上には、第１のＩＤＴ電極１０２と第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４と第１、第２の反射器電極１０５、１０６とによって構成される縦モード型の弾性表面波フィルタが形成されている。
【０１５６】
上述の弾性表面波フィルタにおいて、第１のＩＤＴ電極１０２の上部電極１０２ａは平衡型端子の一方１０７に接続され、第１のＩＤＴ電極１０２の下部電極１０２ｂは平衡型端子の他方１０８に接続される。また、第２のＩＤＴ電極１０３の上部電極１０３ａは平衡型端子１１０に接続され、下部電極１０３ｂは平衡型端子１１１に接続される。また、第３のＩＤＴ電極１０４の下部電極１０４ｂは平衡型端子１１０に接続され、上部電極１０３ａは平衡型端子１１１に接続される。
【０１５７】
このように、上述の弾性表面波フィルタは平衡型−平衡型の端子を有する構成となり、平衡型端子１１０及び平衡型端子１１１からの信号経路はそれぞれ構造的に上下逆側からの接続となる。また、第１のＩＤＴ電極１０２の上部電極１０２ａと下部電極１０２ｂの電極指の数は同数である。
【０１５８】
以上の構成とすることにより第２のＩＤＴ電極の上部電極１０３ａを平衡型端子１１０に接続する引き回し配線と、第３のＩＤＴ電極１０４の上部電極１０４ａを平衡型端子１１１に接続する引き回し配線とに流れる信号が互いに逆の位相になる。また、第２のＩＤＴ電極の下部電極１０３ｂを平衡型端子１１１に接続する引き回し配線と、第３のＩＤＴ電極１０４の下部電極１０４ｂを平衡型端子１１０に接続する引き回し配線とに流れる信号が互いに逆の位相になる。
【０１５９】
従って、これらの引き回し配線から空間的に漏れる信号は左側と右側で位相が逆になっているので、上部電極１０２ａを平衡型端子１０７に接続する引き回し配線への影響を軽減出来る。また、下部電極１０２ｂを平衡型端子１０８に接続する引き回し配線への影響を軽減出来る。従って弾性表面波フィルタの特性が劣化することを抑えることが出来る。
【０１６０】
第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４における電極指の配置は、図１１（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様であり、弾性表面波が打ち消し合わないような構成となる。ずなわち、平衡型端子１１０、１１１に接続される第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４の上部電極１０３ａ、下部電極１０４ｂをプラス（＋）とし、平衡型端子１１１に接続される電極をマイナス（−）とすると、図１１（Ａ）に示すように同相の配置になっている。
【０１６１】
なお、、図１１（Ｂ）に示す構成であっても本発明の効果は同様である。図１１（Ｂ）は、第２、第３のＩＤＴ電極の上部電極と下部電極の配置を電極指一つ分だけずらした構成である。この場合には、第１のＩＤＴ電極１０２の極性が逆となるだけで、本発明の実施の形態による効果は同様である。
【０１６２】
また、第２のＩＤＴ電極１０３の上部電極１０３ａと第３のＩＤＴ電極１０４の下部電極１０４ｂとが平衡型端子１１０に接続されるとしたが、これは第２のＩＤＴ電極１０３の下部電極１０３ｂと第３のＩＤＴ電極１０４の上部電極１０４ａとが平衡型端子１１０に接続されていてもよい。すなわち、第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４への信号経路の接続を構造的に上下逆側から行うようにすれば、本発明の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１６３】
なお、実施の形態２〜５の各実施の形態の弾性表面波フィルタの対応する部分を実施の形態６の弾性表面波フィルタに置き換えてもよい。このようにすれば不平衡−平衡型弾性表面波フィルタについて上記各実施の形態で得られたのと同等の効果を平衡−平衡型表面波フィルタについても得ることが出来る。
【０１６４】
（実施の形態７）
以下、本発明の実施の形態７の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。図１４は実施の形態７における弾性表面波フィルタの概略図である。
【０１６５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは、不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０１６６】
なお、第４のＩＤＴ電極７は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第５のＩＤＴ電極８は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第６のＩＤＴ電極９は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応し、第１のＩＤＴ電極１は本発明の第４のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極２は本発明の第５のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極３は本発明の第６のＩＤＴ電極に対応する。また、第３の反射器電極１０は本発明の第１の反射器電極に対応し、第４の反射器電極１１は本発明の第２の反射器電極に対応し、第１の反射器電極４は本発明の第３の反射器電極に対応し、第２の反射器電極５は本発明の第４の反射器電極に対応する。また、ＯＵＴ１は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、ＯＵＴ２は本発明の第１の平衡型端子の他方に対応し、ＩＮは本発明の不平衡型端子に対応する。
【０１６７】
図１４において、弾性表面波フィルタは、それぞれ圧電基板上に配置された１段目のフィルタトラック６及び２段目のフィルタトラック１２から構成される。
【０１６８】
１段目のフィルタトラック６は、第１、第２、第３のＩＤＴ電極１、２、３と第１、第２の反射器電極４、５とにより構成される。また、２段目のフィルタトラック１２は、第４、第５、第６のＩＤＴ電極７、８、９と、第４、第５の反射器電極１０、１１とにより構成される。
【０１６９】
第１のＩＤＴ電極１の両側には、第２、及び第３のＩＤＴ電極２、３が配置されており、その両側には、第１、第２の反射器電極４、５が配置されている。これらの各ＩＤＴ電極及び反射器電極は弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されている。また、第４のＩＤＴ電極の両側には、第５、第６のＩＤＴ電極８、９が配置されており、その両側には、第３、第４の反射器電極１０、１１が配置されている。これらの各ＩＤＴ電極及び反射器電極は弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されている。そして、１段目のフィルタトラック６と２段目のフィルタトラック１２とは、縦続に接続されて２段の縦モードフィルタを構成している。
【０１７０】
なお、図１４では、第１のＩＤＴ電極１と第４のＩＤＴ電極７とは互いに対向して配置されており、第２のＩＤＴ電極２と第５のＩＤＴ電極８とは互いに対向して配置されており、第３のＩＤＴ電極３と第６のＩＤＴ電極９とは互いに対向して配置されているとして図示しているが、これに限らない。例えば、図１４において、１段目のフィルタトラック６を２段目のフィルタトラック１２に対して第１のＩＤＴ電極１、第２のＩＤＴ電極２、及び第３のＩＤＴ電極が配置されている方向に平行移動させた弾性表面波フィルタや、１段目のフィルタトラック６と２段目のフィルタトラック１２とを異なった圧電基板上に形成した弾性表面波フィルタであっても本実施の形態と同等の効果を得ることが出来る。要するに、本実施の形態の弾性表面波フィルタは、１段目のフィルタトラック６と２段目のフィルタトラック１２とが、縦続に接続されて２段の縦モードフィルタを構成していさえすれよい。
【０１７１】
第１のＩＤＴ電極１は、上部電極１ａと、下部電極１ｂとから構成されており、第２のＩＤＴ電極２は、上部電極２ａと、下部電極２ｂとから構成されており、第３のＩＤＴ電極３は、上部電極３ａと、下部電極３ｂとから構成されており、第４のＩＤＴ電極７は、上部電極７ａと、下部電極７ｂとから構成されており、第５のＩＤＴ電極８は、上部電極８ａと、下部電極８ｂとから構成されており、第６のＩＤＴ電極９は、上部電極９ａと、下部電極９ｂとから構成されている。このように各ＩＤＴ電極はそれぞれ一対の櫛形電極である上部電極と下部電極とから構成されている。
【０１７２】
また、第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａは、入力用の不平衡型端子ＩＮに接続されており、第１のＩＤＴ電極１の下部電極１ｂは、接地されている。
【０１７３】
第２のＩＤＴ電極２の上部電極２ａは、引き回し配線１３によって第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａに接続されている。第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂは接地されている。
【０１７４】
第３のＩＤＴ電極３の下部電極３ｂは、引き回し配線１４によって第６のＩＤＴ電極９の下部電極９ｂに接続されている。第３のＩＤＴ電極３の上部電極３ａは接地されている。
【０１７５】
第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａは、出力用の１対の平衡型端子のうち一方の平衡型端子ＯＵＴ１に接続されており、第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂは、出力用の１対の平衡型端子のうち、他方の平衡型端子ＯＵＴ２に接続されている。
【０１７６】
第５のＩＤＴ電極８の下部電極８ｂ及び第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａは、ともに接地されている。
【０１７７】
また、引き回し配線１３、１４は、第１のＩＤＴ電極１などの各ＩＤＴ電極が形成されている圧電基板上で引き回されている。なお、このとき引き回し配線１３と引き回し配線１４のリアクタンス成分が同じになるように引き回すことが好ましい。なお、引き回し配線１３、１４を圧電基板上で引き回す代わりに、圧電基板の下地基板で引き回しても構わない。
【０１７８】
なお、ＩＮ、ＯＵＴ１、ＯＵＴ２の接続に関しては、ワイヤーボンディング実装やフェースダウン実装などにより、圧電基板外の端子に引き出される構成となる。
【０１７９】
また、上記の各ＩＤＴ電極及び各反射器電極では、互いに隣合う電極指の中心間隔が０．９×λ／２から１．１×λ／２までの範囲になるようにした。このようにすることによりバルク放射損を抑えることが出来、フィルタのロスを小さくすることが出来る。
【０１８０】
次に、このような本実施の形態の弾性表面波フィルタの動作を説明する。
【０１８１】
不平衡型端子ＩＮに信号を入力することにより、第１のＩＤＴ電極１で弾性表面波が生じる。そして、弾性表面波は、第１、第２の反射器電極４、５により複数の共振モードを生じる。この共振モードを利用することによりフィルタ特性が得られ、第２のＩＤＴ電極２及び第３のＩＤＴ電極３でそれぞれ電気信号に変換される。
【０１８２】
第２のＩＤＴ電極２で変換された電気信号は、引き回し配線１３を通過して第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａに出力される。また、第３のＩＤＴ電極３で変換された電気信号は、引き回し配線１４を通過して第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａに出力される。このとき、弾性表面波フィルタの各ＩＤＴ電極同士の間隔及び電極指の配置を予め調整しておくことにより、引き回し配線１３に入力される電気信号と引き回し配線１４に入力される電気信号とは位相が互いに逆相になる。
【０１８３】
第５のＩＤＴ電極８に入力された電気信号は、第５のＩＤＴ電極８で弾性表面波に変換され、また、第６のＩＤＴ電極９に入力された電気信号は、第６のＩＤＴ電極９で弾性表面波に変換される。そして、第５のＩＤＴ電極８及び第６のＩＤＴ電極９で変換された弾性表面波は、圧電基板を伝搬する。伝搬した弾性表面波は、第３、第４の反射器電極１０、１１で反射されることにより、複数の共振モードを生じる。
【０１８４】
この共振モードを利用することによりフィルタ特性が得られ、平衡型端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２から出力される。
【０１８５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタはこのように動作する。
【０１８６】
これまでの実施の形態においては、アンバランスな寄生成分によるバランス特性劣化の改善を示した。つぎに、バランス特性劣化原因の明確化を行う。
【０１８７】
本発明者は、従来の弾性表面波フィルタ（図２７参照）のフィルタ特性と、このような本実施の形態の弾性表面波フィルタ（図１４参照）のフィルタ特性とをともにシミュレーションして比較してみた。
【０１８８】
また、本発明者は、前述した実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１参照）のフィルタ特性や従来の弾性表面波フィルタ（図１２参照）のフィルタ特性に関しても同様なシミュレーションを行った。
【０１８９】
以下では、（１）従来の弾性表面波フィルタ（図１２参照）のフィルタ特性、および実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１参照）のフィルタ特性に関してまず説明し、（２）従来の弾性表面波フィルタ（図２７参照）のフィルタ特性、および本実施の形態の弾性表面波フィルタ（図１４参照）のフィルタ特性に関してつぎに説明する。
【０１９０】
（１）図４２に、従来の弾性表面波フィルタ（図１２参照）のフィルタ特性をシミュレーションにより求める際の条件を示し、図４７にその条件に従って求められたフィルタ特性（振幅バランス特性および位相バランス特性）を示す。振幅バランス特性および位相バランス特性は、本発明者が発生を予想した二箇所の寄生容量（容量成分４３０１）がともに０．１ｐＦである場合と、それらがともに０．２ｐＦである場合とについて図示されている。
【０１９１】
このようなシミュレーションにより求められたフィルタ特性は、実験により求められるフィルタ特性（図４１参照）と同様の傾向を示しており、本発明者が行った前述のような寄生容量の発生の予想は、的確であるといえる。
【０１９２】
図４８に、実施の形態１の弾性表面波フィルタ（図１参照）のフィルタ特性をシミュレーションにより求める際の条件を示し、図４９にその条件に従って求められたフィルタ特性（振幅バランス特性および位相バランス特性）を示す。振幅バランス特性および位相バランス特性は、本発明者が発生を予想した二箇所の寄生容量がともに０．１ｐＦである場合と、それらがともに０．２ｐＦである場合とについて図示されている。なお、図４３（Ａ）〜（Ｂ）には、振幅バランス特性および位相バランス特性それぞれに関して、寄生容量と通過帯域における最大値および最小値との関係を示している。
【０１９３】
このようなシミュレーションにより求められたフィルタ特性は、実験により求められるフィルタ特性と同様の傾向を示しており、本発明者が行った前述のような寄生容量の発生の予想は、的確であるといえる。
【０１９４】
（２）さて、図１５に、従来の図２７の弾性表面波フィルタのフィルタ特性をシミュレーションにより求める際の条件を示し、図１６にその条件に従って求められたフィルタ特性を示す。
【０１９５】
また、図１７に、本実施の形態の図１４の弾性表面波フィルタのフィルタ特性をシミュレーションにより求める際の条件を示し、図１８にその条件に従って求められたフィルタ特性を示す。
【０１９６】
まず、従来の弾性表面波フィルタについては、図１５に示すように、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線と、引き回し配線３２とが接近しているので、これらの引き回し配線により寄生容量３４が形成されると仮定した。また、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線と、引き回し配線３３とが接近しているので、これらの引き回し配線により寄生容量３５が形成されると仮定した。また、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線は、引き回し配線３２及び引き回し配線３３から離れているので、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線は引き回し引き回し配線３２とも引き回し配線３３とも寄生容量を形成することはないと仮定した。
【０１９７】
また、各ＩＤＴ電極及び各反射器電極は、引き回し配線３２に入力される信号の位相と、引き回し配線３３に入力される信号の位相とが、逆相になるように配置した。
【０１９８】
このようなシミュレーション条件によりシミュレーションを行った結果、従来の弾性表面波フィルタについては、図１６に示すフィルタ特性が得られた。
【０１９９】
図１６（Ａ）に、シミュレーションによって求められた、従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す。また、図１６（Ｂ）にシミュレーションによって求められた、従来の弾性表面波フィルタの振幅バランスを示す。なお、振幅バランスとは、不平衡型端子ＩＮから入力信号を入力した場合に、平衡型端子ＯＵＴ１に出力される信号の振幅と、平衡型端子ＯＵＴ２に出力される信号の振幅との比（単位：デシベル）をプロットしたものである。なお、弾性表面波フィルタが完全に平衡であるという理想的な状態にあると仮定した場合には、平衡型端子ＯＵＴ１から検出される信号と、平衡型端子ＯＵＴ２から検出される信号とは等振幅でかつ位相は互いに１８０度異なる。従って振幅バランスの絶対値が大きいほど理想的な平衡状態からのずれが大きいことになる。図１６（Ｃ）にシミュレーションによって求められた、従来の弾性表面波フィルタの位相バランスを示す。なお、位相バランスとは、不平衡型端子ＩＮから入力信号を入力した場合に、平衡型端子ＯＵＴ１に出力される信号の位相と平衡型端子ＯＵＴ２に出力される信号の位相との差（単位：度）をプロットしたものである。なお、弾性表面波フィルタが完全に平衡であるという理想的な状態にあると仮定した場合には、平衡型端子ＯＵＴ１から検出される信号と、平衡型端子ＯＵＴ２から検出される信号とは等振幅でかつ位相は互いに１８０度異なる。従って、位相バランスとは、平衡型端子ＯＵＴ１から検出される信号の位相と平衡型端子ＯＵＴ２から検出される信号の位相との位相差が１８０度から何度ずれているかを示すものである。従って位相バランスの絶対値が大きいほど理想的な平衡状態からのずれが大きいことになる。
【０２００】
次に、本実施の形態の図１４に示す弾性表面波フィルタについては、図１７に示すように、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線と、引き回し配線１３とが接近しているので、これらの引き回し配線により寄生容量３６が形成されると仮定した。また、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線と、引き回し配線１４とが接近しているので、これらの引き回し配線により寄生容量３７が形成されると仮定した。
【０２０１】
一方、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線は、引き回し配線１４には接近していないので、これらの引き回し配線同士は寄生容量を形成しないと仮定した。また、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線は、引き回し配線１３には接近していないので、これらの引き回し配線同士は寄生容量を形成しないと仮定した。
【０２０２】
また、各ＩＤＴ電極及び各反射器電極は、引き回し配線１３に入力される信号の位相と、引き回し配線１４に入力される信号の位相とが、互いに逆相になるように配置した。
【０２０３】
このようなシミュレーション条件によりシミュレーションを行った結果、本実施の形態の弾性表面波フィルタについては、図１８に示すフィルタ特性が得られた。
【０２０４】
図１８（Ａ）にシミュレーションによって求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す。また、図１８（Ｂ）にシミュレーションによって求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの振幅バランスを示す。また、図１８（Ｃ）にシミュレーションによって求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランスを示す。
【０２０５】
図１６と図１７とを比較すると、図１７（Ａ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの周波数特性は、通過帯域外で減衰極が得られており、通過帯域外で急峻に減衰する特性になっている。これに対して図１６（Ａ）に示す従来の弾性表面波フィルタの周波数特性は、通過帯域外で減衰極が得られておらず、急峻に減衰する特性にはなっていない。
【０２０６】
また、図１８（Ｂ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの振幅バランスは、広い周波数領域に渡って良好な特性が得られている。これに対して、図１６（Ｂ）に示す従来の弾性表面波フィルタの振幅バランスは、図１８（Ｂ）よりは振幅バランスが劣化している。
【０２０７】
また、図１８（Ｃ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランスは、広い周波数領域に渡って良好な特性が得られている。これに対して、図１６（Ｃ）に示す従来の弾性表面波フィルタの位相バランスは、図１８（Ｃ）よりは位相バランスが劣化している。
【０２０８】
このように、本実施の形態の弾性表面波フィルタの特性と従来の弾性表面波フィルタの特性とをシミュレーションによって求めた場合、本実施の形態の弾性表面波フィルタの方が、従来の弾性表面波フィルタより良好な平衡度を有し、かつ良好な周波数特性を有するという結果が得られた。
【０２０９】
この結果は、次のように解釈することが出来る。すなわち、本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線と、引き回し配線１３とによって形成される寄生成分と、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線と、引き回し配線１４とによって形成される寄生成分とが実質上同一になるので、良好な平衡度及び良好な周波数特性を有する弾性表面波フィルタが得られたと考えることが出来る。ところが、従来の弾性表面波フィルタでは、平衡型端子ＯＵＴ１と第４のＩＤＴ電極７の上部電極７ａとを接続する引き回し配線と、引き回し配線３２、３３とで形成される寄生成分と、平衡型端子ＯＵＴ２と第４のＩＤＴ電極７の下部電極７ｂとを接続する引き回し配線と、引き回し配線３２、３３とで形成されるアンバランスな寄生成分とが、異なっているために、本実施の形態の弾性表面波フィルタよりは平衡度及び周波数特性がともに劣化したものと考えることが出来る。
【０２１０】
さらに、本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、引き回し配線１３に入力される信号の位相と引き回し配線１４に入力される信号の位相とを互いに逆相になるようにしたことによっても、本実施の形態の弾性表面波フィルタの特性が良好になった原因であると考えられることが出来る。
【０２１１】
次に、本実施の形態の図１４の弾性表面波フィルタの特性と従来の図２７の弾性表面波フィルタの特性を実験により求めてみた。
【０２１２】
すなわち、図１９に、実験により求めた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの特性を示し、図２０に、実験により求めた、従来の弾性表面波フィルタの特性を示す。
【０２１３】
すなわち、図１９（Ａ）に、実験により求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの周波数特性を示し、図１９（Ｂ）に、実験により求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの振幅バランスを示し、図１９（Ｃ）に、実験により求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランスを示す。
【０２１４】
また、図２０（Ａ）に、実験により求められた、従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示し、図２０（Ｂ）に、実験により求められた、従来の弾性表面波フィルタの振幅バランスを示し、図２０（Ｃ）に、実験により求められた、従来の弾性表面波フィルタの位相バランスを示す。
【０２１５】
図１９と図２０とを比較すると、図１９（Ａ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの周波数特性は、通過帯域外で減衰極が得られており、かつ通過帯域外で急峻な減衰特性が得られている。これに対して図２０（Ａ）に示す従来の弾性表面波フィルタの周波数特性は、通過帯域外で減衰極が得られておらず、通過帯域外で急峻な減衰特性が得られていない。
【０２１６】
また、図１９（Ｂ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの振幅バランスは、広い周波数領域に渡って良好な特性が得られている。これに対して、図２０（Ｂ）に示す従来の弾性表面波フィルタの振幅バランスは、図１９（Ｂ）よりは振幅バランスが劣化している。
【０２１７】
また、図１９（Ｃ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランスは、広い周波数領域に渡って良好な特性が得られている。これに対して、図２０（Ｃ）に示す従来の弾性表面波フィルタの位相バランスは、図１９（Ｃ）よりは位相バランスが劣化している。
【０２１８】
このように、シミュレーションにより求めた場合と、実験により求めた場合とで、同様の傾向が得られた。すなわち、いずれの場合にせよ、本実施の形態の弾性表面波フィルタの方が従来の弾性表面波フィルタよりも、良好な平衡度及び良好な周波数特性が得られる。
【０２１９】
このように、引き回し配線１３と第５のＩＤＴ電極８との接続を、引き回し配線１４と第６のＩＤＴ電極９との接続に対して上下逆にすることによって、平衡型端子ＯＵＴ１からの引き回し配線との寄生成分による影響と、平衡型端子ＯＵＴ２からの引き回し配線との寄生成分による影響とを実質上ほぼ同一とすることが出来るので、平衡度の劣化を抑えることが出来、良好な特性を有する弾性表面波フィルタを実現することが出来る。
【０２２０】
なお、各ＩＤＴ電極における電極指の配置は弾性表面波が打ち消し合わないような構成となる。ずなわち、不平衡型端子ＩＮに接続される第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａをプラス（＋）とし、接地される第１のＩＤＴ電極１の下部電極１ｂをマイナス（−）とすると、図２１に示すように電極指の極性が同相の配置になっている。従って、図２２に示すような構成であっても、各ＩＤＴ電極における電極指の配置が弾性表面波が打ち消し合わないような構成であれば、本実施の形態と同等の効果を得ることが出来る。すなわち、図２２は、第２、第３のＩＤＴ電極２、３の上部電極２ａ、３ａと下部電極２ｂ、３ｂの配置を電極指一つ分だけずらし、また、第４、第５のＩＤＴ電極の上部電極８ａ、９ａ、と下部電極８ｂ、９ｂとの配置を電極指一つ分だけずらした構成である。また、第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂと第５のＩＤＴ電極８の下部電極８ｂとを引き回し配線１５によって接続し、第３のＩＤＴ電極３の上部電極３ａと第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａとを引き回し配線１６で接続した構成である。
【０２２１】
このように、図１４の弾性表波フィルタの引き回し配線１３、１４の接続を図２２のように上下逆転させた場合であっても、本実施の形態と同等の効果を得ることが出来る。なお、電極に重み付けを施す場合は、これに限るものでない。ここで、電極に重み付けを施すとは、例えば図１４の第１のＩＤＴ電極１では、各電極指は上部電極１ａから引き出されている電極指と下部電極１ｂから引き出されている電極指とが交互に配列されているが、少なくともいずれか一つの電極指を逆側の電極から引き出すようにした場合を意味している。
【０２２２】
なお、本実施の形態では、不平衡型端子ＩＮに信号が入力され、一対の平衡型端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２から信号が出力されるとして説明したが、これに限らない。一対の平衡型端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２から信号を入力し、不平衡型端子ＩＮから信号を出力しても、本実施の形態と同等の効果を得ること出来る。
【０２２３】
また、本実施の形態では、各ＩＤＴ電極及び各反射器電極は、引き回し配線１３に入力される信号の位相と、引き回し配線１４に入力される信号の位相とが、互いに逆相になるように配置されているとして説明したが、これに限らない。各ＩＤＴ電極及び各反射器電極を、引き回し配線１３に入力される信号の位相と、引き回し配線１４に入力される信号の位相とが互いに同相になるように配置してもよい。
【０２２４】
引き回し配線１３に入力される信号の位相と、引き回し配線１４に入力される信号の位相とが互いに同相になるように配置した場合について、本実施の形態の弾性表面波フィルタのフィルタ特性と従来の弾性表面波フィルタのフィルタ特性とをともにシミュレーションにより求めて比較してみた。
【０２２５】
従来の弾性表面波フィルタについては、上述した図１５のシミュレーション条件において、第２のＩＤＴ電極２や第５のＩＤＴ電極８の配置を調整することによって、引き回し配線３２に入力される信号の位相と引き回し配線３３に入力される信号の位相とが互いに同相になるように配置した。それ以外のシミュレーション条件は、図１５のシミュレーション条件と同様である。
【０２２６】
また、本実施の形態の弾性表面波フィルタについては、上述した図１７のシミュレーション条件において、第３のＩＤＴ電極３や第６のＩＤＴ電極９の配置を調整することによって、引き回し配線１３に入力される信号の位相と引き回し配線１４に入力される信号の位相とが互いに同相になるように配置した。それ以外のシミュレーション条件は図１７のシミュレーション条件と同様である。
【０２２７】
図２８に、このようなシミュレーション条件でシミュレーションを行い、その結果求められた、従来の弾性表面波フィルタのフィルタ特性を示す。すなわち、図２８（Ａ）は、シミュレーションにより求められた従来の弾性表面波フィルタの周波数特性であり、図２８（Ｂ）は、シミュレーションにより求められた、従来の弾性表面波フィルタの位相バランスである。
【０２２８】
また、図２９に、このようなシミュレーション条件でシミュレーションを行い、その結果求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタのフィルタ特性を示す。すなわち、図２９（Ａ）は、シミュレーションにより求められた本実施の形態の弾性表面波フィルタの周波数特性であり、図２９（Ｂ）は、シミュレーションにより求められた、本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランスである。
【０２２９】
図２８と図２９とを比較すると、図２９（Ａ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの周波数特性は、通過帯域外で減衰極が得られており、通過帯域外で急峻に減衰する特性になっている。これに対して図２８（Ａ）に示す従来の弾性表面波フィルタの周波数特性は、通過帯域外で減衰極が得られておらず、急峻に減衰する特性にはなっていない。
【０２３０】
また、シミュレーションによる振幅バランスについては、図示していないが、本実施の形態の弾性表面波フィルタの方が従来の弾性表面波フィルタより若干良好となる傾向が認められた。
【０２３１】
また、図２９（Ｂ）に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタの位相バランスは、図２８（Ｂ）に示す従来の弾性表面波フィルタより２度程度位相バランスが優れている。このように若干ではあるが、本実施の形態の弾性表面波フィルタの方が位相バランスが優れている。
【０２３２】
さらに、図２９に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタのフィルタ特性を図１５のシミュレーション条件すなわち引き回し配線の信号の位相が逆相になる場合の従来の弾性表面波フィルタのシミュレーションを行った結果である図１６のフィルタ特性とを比較すると、振幅バランス及び位相バランスについてはともかく、周波数特性については、図２９に示す本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、減衰極が得られているのに対して、図１６のフィルタ特性では減衰極が得られていない。従って周波数特性については、引き回し配線３２に入力される信号の位相と引き回し配線３３に入力される信号の位相とが互いに同相である場合の本実施の形態の弾性表面波フィルタの方が、従来の弾性表面波フィルタで引き回し配線に入力される信号の位相を互いに逆相にしたものよりも明らかに良好な特性を有している。
【０２３３】
このように、各ＩＤＴ電極及び各反射器電極を、引き回し配線１３に入力される信号の位相と、引き回し配線１４に入力される信号の位相とが互いに同相になるように配置した場合であっても、従来の弾性表面波フィルタよりは良好な周波数特性を得ることが出来る。
【０２３４】
（実施の形態８）
以下、本発明の実施の形態８の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。図２３は実施の形態８における弾性表面波フィルタの概略図である。
【０２３５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは、前述した実施の形態７と同様に、不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０２３６】
なお、本実施の形態の弾性表面波フィルタのうち前述した実施の形態７と同一部分には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【０２３７】
図２３において、弾性表面波フィルタは、それぞれ圧電基板上に配置された１段目のフィルタトラック６及び２段目のフィルタトラック１２から構成される。
【０２３８】
１段目のフィルタトラック６は、第１、第２、第３のＩＤＴ電極１、２、３と第１、第２の反射器電極４、５とにより構成される。また、２段目のフィルタトラック１２は、第４、第５、第６のＩＤＴ電極７、８、９と、第４、第５の反射器電極１０、１１とにより構成される。
【０２３９】
本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、前述した実施の形態７で図１４を用いて説明した弾性表面波フィルタとは異なり、第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂと第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａとが引き回し配線１７によって接続されいる。
【０２４０】
これ以外は、前述した実施の形態７と同様である。
【０２４１】
次に、このような本実施の形態の動作を前述した実施の形態７との相違点を中
心に説明する。
【０２４２】
本実施の形態でも前述した実施の形態７と同様、引き回し配線１７に入力される信号の位相と引き回し配線１８に入力される信号の位相とは互いに逆相になるように、各ＩＤＴ電極が予め配置されているものとする。
【０２４３】
前述した実施の形態７では、引き回し配線１３は、第２のＩＤＴ電極２の上部電極２ａから引き回されているために、引き回し配線１３は、不平衡型端子ＩＮと第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａとを接続する引き回し配線と近接して配置される構成となる。従って、これらの引き回し配線同士が結合することを考慮すると、本実施の形態に示すように、引き回し配線１７及び引き回し配線１８は、それぞれ第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂ及び第３のＩＤＴ電極３の下部電極３ｂから引き回されている構成が好ましい。すなわち、本実施の形態の弾性表面波フィルタではいずれの引き回し配線１７、１８も第１の実施の形態よりも不平衡型端子ＩＮと第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａとを接続する引き回し配線から遠い位置に配置されている。従って、引き回し配線１７及び引き回し配線１８と、不平衡型端子ＩＮと第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａとを接続する引き回し配線との寄生成分の影響は、前述した実施の形態７よりも小さくなる。
【０２４４】
このように、不平衡型端子ＩＮと第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａとを接続する引き回し配線との結合が前述した実施の形態７より小さくなるように引き回し配線１７及び引き回し配線１８が配線されているので、良好なフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタを実現することが出来る。
【０２４５】
なお、各ＩＤＴ電極における電極指の配置は前述した実施の形態７と同様に弾性表面波が打ち消し合わないような構成となる。
【０２４６】
従って、図２４に示すような構成であっても、各ＩＤＴ電極における電極指の配置が弾性表面波が打ち消し合わないような構成であれば、本実施の形態と同等の効果を得ることが出来る。すなわち、図２４は、第４、第５のＩＤＴ電極８、９の上部電極８ａ、９ａと下部電極８ｂ、９ｂの配置を電極指一つ分だけずらした構成である。また、第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂと第５のＩＤＴ電極７の下部電極８ｂとを引き回し配線１９によって接続し、第３のＩＤＴ電極３の下部電極３ｂと第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａとを引き回し配線２０で接続した構成である。
【０２４７】
このように、図２３の弾性表波フィルタの引き回し配線１７、１８の接続を図２４のように上下逆転させた場合であっても、本実施の形態と同等の効果を得ることが出来る。
【０２４８】
（実施の形態９）
以下、本発明の実施の形態９の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。図２５は実施の形態９における弾性表面波フィルタの概略図である。
【０２４９】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは、前述した実施の形態７と同様に、不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０２５０】
本実施の形態の弾性表面波フィルタのうち前述した実施の形態７と同一部分には同一を付して詳細な説明を省略する。
【０２５１】
なお、第４のＩＤＴ電極２１は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応する。
【０２５２】
図２５において、弾性表面波フィルタは、それぞれ圧電基板上に配置された１段目のフィルタトラック６及び２段目のフィルタトラック１２から構成される。
【０２５３】
１段目のフィルタトラック６は、前述した実施の形態７と同様に第１、第２、第３のＩＤＴ電極１、２、３と第１、第２の反射器電極４、５とにより構成される。また、２段目のフィルタトラック１２は、前述した実施の形態７と同様に第４、第５、第６のＩＤＴ電極２１、８、９と、第４、第５の反射器電極１０、１１とにより構成される。
【０２５４】
本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、前述した実施の形態７とは異なり、第４のＩＤＴ電極２１が、第１の分割ＩＤＴ電極２２、及び第２の分割ＩＤＴ電極２３に分割されている。
【０２５５】
すなわち、第１の分割ＩＤＴ電極２２の上部電極２２ａ及び下部電極２２ｂのうち１段目のフィルタトラック６の側の方に配置されている上部電極２２ａは一対の平衡型端子のうち平衡型端子ＯＵＴ１に接続されている。また、第１の分割ＩＤＴ電極２２の上部電極２２ａ及び下部電極２２ｂのうち１段目のフィルタトラック６の側とは反対側の方に配置されている下部電極２２ｂは、接地されている。
【０２５６】
また、第２の分割ＩＤＴ電極２３の上部電極２３ａ及び下部電極２３ｂのうち、第１のフィルタトラック６の側とは反対側の方に配置されている下部電極２３ｂは、一対の平衡型端子のうち平衡型端子ＯＵＴ２に接続されている。第２の分割ＩＤＴ電極２３の上部電極２３ａ及び下部電極２３ｂのうち、第１のフィルタトラック６の側に配置されている上部電極２３ａは接地されている。
【０２５７】
これ以外は、前述した実施の形態７と同様である。
【０２５８】
次に、このような本実施の形態の動作を前述した実施の形態７との相違点を中心に説明する。
【０２５９】
本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、第４のＩＤＴ電極２１を第１の分割ＩＤＴ電極２２と第２の分割ＩＤＴ電極２３とに分割したことにより、平衡型端子ＯＵＴ１と平衡型端子ＯＵＴ２との間のアイソレーションを確保することが出来るようになる。
【０２６０】
また、第４のＩＤＴ電極２１の電極指の本数が同数であり、電極指の幅が同数であり、隣接する電極指の中心間隔が同じであるという条件では、第４のＩＤＴ電極２１を第１の分割ＩＤＴ電極２２及び第２の分割ＩＤＴ電極２３に分割した方が、第４のＩＤＴ電極２１を分割しない場合に比べて、平衡型端子ＯＵＴ１及び平衡型端子ＯＵＴ２のインピーダンスが高い。従って、第４のＩＤＴ電極２１を第１の分割ＩＤＴ電極２２及び第２の分割ＩＤＴ電極２３に分割することにより、第４のＩＤＴ電極２１の電極指の本数などの条件を一定にしたままで、フィルタの周波数特性が実質上同一であって、平衡型端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２の出力インピーダンスが高い弾性表面波フィルタを実現することが出来る。
【０２６１】
なお、本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、第２のＩＤＴ電極４の上部電極４ａと第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａとを引き回し配線１３によって接続し、第３のＩＤＴ電極３の下部電極３ｂと第６のＩＤＴ電極９の下部電極９ｂとを引き回し配線１４によって接続したが、これに限らない。第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂと第５のＩＤＴ電極８の下部電極８ｂとを引き回し配線１３によって接続し、第３のＩＤＴ電極３の上部電極３ａと第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａとを引き回し配線１４で接続しても構わない。なお、この場合には各弾性表面波フィルタは弾性表面波を打ち消し合わないように配置されているものとする。
【０２６２】
また、前述した実施の形態８で説明したように、１段目のフィルタトラック６において、第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂから引き回し配線１３を引き回しても構わない。この場合には不平衡型端子ＩＮと第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａとを接続する引き回し配線との寄生成分の影響を小さくすることが出来る。
【０２６３】
また、同様に、前述した実施の形態８で説明した弾性表面波フィルタの第３のＩＤＴ電極を本実施の形態の第４のＩＤＴ電極２１の部分と同様に第１の分割ＩＤＴ電極２２と第２の分割ＩＤＴ電極２３に分割しても構わない。
【０２６４】
（実施の形態１０）
以下、本発明の実施の形態１０の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。図２６は実施の形態１０における弾性表面波フィルタの概略図である。
【０２６５】
本実施の形態の弾性表面波フィルタは、前述した実施の形態９と同様に、不平衡−平衡型入出力端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタである。
【０２６６】
本実施の形態の弾性表面波フィルタのうち前述した実施の形態９と同一部分には同一を付して詳細な説明を省略する。
【０２６７】
なお、第４のＩＤＴ電極２６は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応する。
【０２６８】
図２６において、弾性表面波フィルタは、それぞれ圧電基板上に配置された１段目のフィルタトラック６及び２段目のフィルタトラック１２から構成される。
【０２６９】
１段目のフィルタトラック６は、前述した実施の形態７と同様に第１、第２、第３のＩＤＴ電極１、２、３と第１、第２の反射器電極４、５とにより構成される。また、２段目のフィルタトラック１２は、前述した実施の形態７と同様に第４、第５、第６のＩＤＴ電極２６、８、９と、第４、第５の反射器電極１０、１１とにより構成される。
【０２７０】
本実施の形態の弾性表面波フィルタでは、前述した実施の形態９とは異なり、第４のＩＤＴ電極２６が、第１の分割ＩＤＴ電極２７、第２の分割ＩＤＴ電極２８、及び第３の分割ＩＤＴ電極２９にに分割されている。
【０２７１】
すなわち、第１の分割ＩＤＴ電極２７の上部電極２７ａ及び下部電極２７ｂのうち１段目のフィルタトラック６の側の方に配置されている上部電極２７ａは一対の平衡型端子のうち平衡型端子ＯＵＴ１に接続されている。また、第１の分割ＩＤＴ電極２７の上部電極２７ａ及び下部電極２７ｂのうち１段目のフィルタトラック６の側とは反対側の方に配置されている下部電極２７ｂは、接地されている。
【０２７２】
また、第２の分割ＩＤＴ電極２８の上部電極２８ａ及び下部電極２８ｂのうち、第１のフィルタトラック６の側の方に配置されている上部電極２８ａは、第１の分割ＩＤＴ電極２７の上部電極２７ａに接続されている。第２の分割ＩＤＴ電極２８の上部電極２８ａ及び下部電極２８ｂのうち、第１のフィルタトラック６の側とは反対側の方に配置されている下部電極２８ｂは、第３の分割ＩＤＴ電極２９の上部電極２９ａ及び下部電極２９ｂのうち、１段目のフィルタトラック６の側とは反対側の方に配置されている下部電極２９ｂに接続されている。
【０２７３】
また、第３の分割ＩＤＴ電極２９の上部電極２９ａ及び２９ｂのうち、１段目のフィルタトラック６の側の方に配置されている上部電極２９ａは接地されている。また、第３の分割ＩＤＴ電極２９の下部電極２９ｂは、一対の平衡型端子のうち平衡型端子ＯＵＴ２に接続されている。
【０２７４】
これ以外は、前述した実施の形態９と同様である。
【０２７５】
次に、このような本実施の形態の動作を前述した実施の形態９との相違点を中
心に説明する。
【０２７６】
第４のＩＤＴ電極２６の電極指の本数が同数であり、電極指の幅が同数であり、隣接する電極指の中心間隔が同じであるという条件では、第４のＩＤＴ電極２６を第１の分割ＩＤＴ電極２７及び第２の分割ＩＤＴ電極２８及び第３の分割ＩＤＴ電極２９に分割した方が、第４のＩＤＴ電極２６を分割しない場合に比べて、平衡型端子ＯＵＴ１及び平衡型端子ＯＵＴ２のインピーダンスが高くなる。従って、第４のＩＤＴ電極２６を第１の分割ＩＤＴ電極２７及び第２の分割ＩＤＴ電極２８及び第３の分割ＩＤＴ電極２９に分割することにより、第４のＩＤＴ電極２８の電極指の本数などの条件を同じにした場合には、平衡型端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２の出力インピーダンスが高い弾性表面波フィルタを実現することが出来る。さらに、第４のＩＤＴ電極２６の電極指の本数などの条件を同じにした場合には、第４のＩＤＴ電極２８を分割した場合の弾性表面波フィルタの特性は、第４のＩＤＴ電極２８を分割していない場合の弾性表面波フィルタと実質上同じ特性になる。
【０２７７】
従って、第４のＩＤＴ電極２８を分割することにより分割前のフィルタ特性を変えずに平衡型端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２のインピーダンスが高い弾性表面波フィルタを実現することが出来る。
【０２７８】
さらに、第２の分割ＩＤＴ電極２８の電極指の本数と、第１及び第３の分割ＩＤＴ電極２７、２９の電極指の本数との比を調整することにより、平衡型端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２のインピーダンスを調整することが出来る。
【０２７９】
このように第４のＩＤＴ電極２６を分割することによりインピーダンスの制御が可能になる。
【０２８０】
なお、前述した実施の形態８で説明したように、１段目のフィルタトラック６において、第２のＩＤＴ電極２の下部電極２ｂから引き回し配線１３を引き回しても構わない。この場合には不平衡型端子ＩＮと第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａとを接続する引き回し配線との寄生成分の影響を小さくすることが出来る。
【０２８１】
なお、本実施の形態７〜１０では、第４の分割ＩＤＴ電極を分割ＩＤＴ電極に分割したが、これに限らず、第１、第２、第３、第４、第５、第６のＩＤＴ電極の全部または一部を分割ＩＤＴ電極に分割しても構わない。例えば第１のＩＤＴ電極を分割ＩＤＴ電極に分割した場合には、不平衡型端子ＩＮのインピーダンスが高い弾性表面波フィルタを実現することが出来る。
【０２８２】
また、本実施の形態７〜１０では、各ＩＤＴ電極を分割する分割数は、２または３であるとして説明したが他の分割数であっても構わない。
【０２８３】
また、本実施の形態７〜１０では、不平衡型端子ＩＮは、第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａの側の方に配置されている、すなわち１段目のフィルタトラック６の２段目のフィルタトラック１２とは反対側の方に配置されており、第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａが不平衡型端子ＩＮに接続されているとして説明したが、これに限らない。不平衡型端子ＩＮが第１のＩＤＴ電極１の下部電極１ｂの側に配置されている、すなわち１段目のフィルタトラック６の２段目のフィルタトラック１２の側の方に配置されており、第１のＩＤＴ電極１の下部電極１ｂが不平衡型端子ＩＮに接続されていても構わない。また、不平衡型端子ＩＮが第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａの側の方に配置されており、第１のＩＤＴ電極１の下部電極１ｂが不平衡型端子ＩＮに接続されていても構わない。また、不平衡型端子ＩＮが第１のＩＤＴ電極１の下部電極１ｂの側の方に配置されており、第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａが不平衡型端子ＩＮに接続されていても構わない。
【０２８４】
また、本実施の形態７〜１０では、第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａが不平衡型端子ＩＮに接続されているとして説明したが、これに限らない。これらの弾性表面波フィルタについては、第１のＩＤＴ電極１の上部電極１ａ及び下部電極１ｂがそれぞれ、一対の平衡型端子ＯＵＴ１及びＯＵＴ２とは別の一対の平衡型端子の一方及び他方に接続されていても構わない。この場合には、平衡型−平衡型の弾性表面波フィルタが得られる。そして、この別の平衡型端子の一方から引き回される引き回し配線と、１段目のフィルタトラック６と２段目のフィルタトラック１２とを接続する引き回し配線との間の寄生成分は、この別の平衡型端子の他方から引き回される引き回し配線と、１段目のフィルタトラック６と２段目のフィルタトラック１２とを接続する引き回し配線との間の寄生成分と同程度になるので、同等の効果を得ることが出来る。
【０２８５】
また、本実施の形態７〜１０では、１段目のフィルタトラック６の下側に２段目のフィルタトラック１２が配置されているとして説明したが、これに限らず、各ＩＤＴ電極及び不平衡型端子ＩＮ及び一対の平衡型端子の引き回し配線による接続を変えずに、１段目のフィルタトラック６の上側に２段目のフィルタトラック１２を配置しても構わない。
【０２８６】
また、本実施の形態７〜１０では、第２のＩＤＴ電極２の上部電極２ａ及び下部電極２ｂのうち引き回し配線が接続されていない方の電極は接地されており、第３のＩＤＴ電極３の上部電極３ａ及び下部電極３ｂのうち引き回し配線が接続されていない方の電極は接地されているとして説明したが、これに限らない。第２のＩＤＴ電極２に接続されている引き回し配線に流れる信号の位相と第３のＩＤＴ電極３に接続されている引き回し配線に流れる信号の位相とが互いに逆相になっている場合には、これらの電極を接地する代わりに、互いに電気的に接続しても構わない。
【０２８７】
また、本実施の形態７〜１０では、第５のＩＤＴ電極８の上部電極８ａ及び下部電極８ｂのうち引き回し配線が接続されていない方の電極は接地されており、第６のＩＤＴ電極９の上部電極９ａ及び下部電極９ｂのうち引き回し配線が接続されていない方の電極は接地されているとして説明したが、これに限らない。第５のＩＤＴ電極８に接続されている引き回し配線に流れる信号の位相と第６のＩＤＴ電極９に接続されている引き回し配線に流れる信号の位相とが互いに逆相になっている場合には、これらの電極を接地せず、互いに電気的に接続しても構わない。
【０２８８】
（実施の形態１１）
以下、本発明の実施の形態１１の弾性表面波フィルタについて、主として図３０を参照しながら説明する。
【０２８９】
なお、第１のＩＤＴ電極３１０２は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極３１０３は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極３１０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極３１０５、第２の反射器電極３１０６は、本発明の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方３１０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、不平衡端子は３１０９は本発明の不平衡型端子に対応する。また、リアクタンス素子３１１０は、本発明のリアクタンス素子に対応する。
【０２９０】
弾性表面波フィルタ（図３０）の構成について説明する前に、弾性表面波フィルタのバランス特性の劣化原因に関しての考察を行う。ＲＦ段に使用される広帯域な特性を必要とするような弾性表面波フィルタでは、一般的に、リチウム酸タンタル（ＬｉＴａＯ₃）やリチウム酸ニオブ（ＬｉＮｂＯ₃）などの圧電基板が広く用いられており、このような基板の実効比誘電率はそれぞれ４８、４９程度と大きい値である。ここで、実効比誘電率とは圧電基板の比誘電率テンソルε11Tとε33Tを用いて、
【０２９１】
【数１】
（（ε11T）×（ε33T））1／2
と定義する。
【０２９２】
弾性表面波フィルタにおいては、圧電基板の実効比誘電率が大きいので、ＩＤＴ電極間の空間的な結合だけでなく、圧電基板中のＩＤＴ電極同士の寄生成分による結合や、他にも、ＩＤＴ電極を端子に接続するために要する配線などにも寄生成分が生じる。ここまで配線同士のアンバランスな寄生成分の低減によるバランス特性の改善についていろいろ述べてきたが、図４２に、これらの寄生成分を考慮した構成を示す。図４２は、図４０の弾性表面波フィルタに寄生成分として、ＩＤＴ電極間に容量成分４３０１を仮定した構成となる。図４１に示す構成で容量成分４３０１の容量値を変化させて、９００ＭＨｚ帯のフィルタに関して解析を行った結果を図４３に示す。圧電基板としては、ＬｉＴａＯ₃を用いている。
【０２９３】
図４３（Ａ）〜（Ｂ）はそれぞれ通過帯域における振幅バランス特性、位相バランス特性の最大値と最小値を示している。図４３（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、容量値が大きくなる程バランス特性が劣化している。即ち、ＩＤＴ電極間の寄生成分による結合が大きい程、弾性表面波フィルタのバランス特性が劣化するということが明らかになった。
【０２９４】
次に、前述のバランス特性の劣化を改善する弾性表面波フィルタの構成について述べる。図３０に本発明の平衡型端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタの構成を示す。図３０において、弾性表面波フィルタは、圧電基板３１０１上に、第１、第２、第３のインターディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極とする）３１０２、３１０３、３１０４と第１、第２の反射器電極３１０５、３１０６とにより構成される。
【０２９５】
第１のＩＤＴ電極３１０２の一方の電極指は平衡型端子の一方３１０７に接続され、第１のＩＤＴ電極３１０２の他方の電極指は平衡型端子の他方３１０８に接続される。また、第２、第３のＩＤＴ電極３１０３、３１０４の一方の側の電極指を不平衡型端子３１０９に接続し、他方を接地する。さらに、第１のＩＤＴ電極と第２、第３のＩＤＴ電極３１０３、３１０４との間にリアクタンス素子３１１０を介して接続する。この場合には、平衡型端子の一方３１０７と不平衡型端子３１０９との間にリアクタンス素子が配置される構成となる。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【０２９６】
図３１に示すのは、リアクタンス素子としてインダクタを配置した場合の弾性表面波フィルタの特性である。圧電基板としては、ＬｉＴａＯ₃を用いている。さらに、ＩＤＴ電極間や空間的な結合等の寄生成分と配置されるインダクタンスとにより形成される並列共振の共振周波数が通過帯域内となるように設定されている。図３１において、（Ａ）は通過特性であり、（Ｂ）は通過帯域の振幅バランス特性、（Ｃ）は通過帯域の位相バランス特性である。図３１より、通過帯域において、振幅バランス特性は−０．２ｄＢ〜＋０．２ｄＢ、位相バランス特性は−４°〜＋１°であり、図４１の従来の弾性表面波フィルタの特性に比べて、通過特性を劣化させることなくバランス特性が改善している。
【０２９７】
なお、本実施の形態１１においては、第１のＩＤＴ電極と第２、第３のＩＤＴ電極３１０３、３１０４との間として、平衡型端子の一方３１０７と不平衡型端子３１０９との間にリアクタンス素子を配置したが、これは、平衡型端子の他方３１０８と不平衡型端子３１０９との間にリアクタンス素子を配置しても構わない。また、図３２に示すように、第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極３１０３との間に第１のリアクタンス素子３３０１を、第１のＩＤＴ電極と第３のＩＤＴ電極３１０４との間に第２リアクタンス素子３３０２を配置しても、ＩＤＴ電極間や空間的な結合等の寄生成分がリアクタンス素子との並列共振を形成して、その共振周波数を通過帯域内に設定されていればバランス特性改善の効果は同様に得られる。なお、第１のリアクタンス素子３３０１、第２のリアクタンス素子３３０２は、本発明のリアクタンス素子に対応する。
【０２９８】
（実施の形態１２）
以下、本発明の実施の形態１２の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。図３３に本発明の平衡型端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタの構成を示す。図３３において、弾性表面波フィルタは、圧電基板３４０１上に、第１、第２、第３のＩＤＴ電極３４０２、３４０３、３４０４と第１、第２の反射器電極３４０５、３４０６とにより構成される。
【０２９９】
第１のＩＤＴ電極３４０２の一方の電極指は平衡型端子の一方３４０７に接続され、第１のＩＤＴ電極３４０２の他方の電極指は平衡型端子の他方３４０８に接続される。また、第２のＩＤＴ電極３４０３の一方の電極指と第３のＩＤＴ電極３４０４の他方の電極指を不平衡型端子３４０９に接続し、第２のＩＤＴ電極３４０３の他方の電極指と第３のＩＤＴ電極３４０４の一方の側の電極指を接地する。図３０の構成とは、不平衡型端子に接続される第３のＩＤＴ電極の電極指が上下逆側という点で異なる。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【０３００】
図３４に示すのは、図３３に示した弾性表面波フィルタの特性図である。圧電基板としては、ＬｉＴａＯ₃を用いている。図３４において、（Ａ）は通過特性であり、（Ｂ）は通過帯域の振幅バランス特性、（Ｃ）は通過帯域の位相バランス特性である。図３４より、通過帯域において、振幅バランス特性は−０．８ｄＢ〜＋０．６ｄＢ、位相バランス特性は−５°〜＋８°であり、図４１の従来の弾性表面波フィルタの特性に比べてバランス特性が改善している。
【０３０１】
このように、第２、第３のＩＤＴ電極３４０３、３４０４と不平衡型端子３４０９との接続に関して、第２、第３のＩＤＴ電極３４０３、３４０４の電極指の上下逆側からの接続とすることによりバランス特性が改善される。
【０３０２】
さらに、第１のＩＤＴ電極と第２、第３のＩＤＴ電極３４０３、３４０４との間にリアクタンス素子を介して接続する。図３５に示すように、平衡型端子の一方３４０７と不平衡型端子３４０９との間に第１のリアクタンス素子３６０１が配置され、平衡型端子の他方３４０８と不平衡型端子３４０９との間に第２のリアクタンス素子３６０２が配置される構成となる。
【０３０３】
なお、第１のＩＤＴ電極３４０２は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第２のＩＤＴ電極３４０３は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極３４０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極３４０５、第２の反射器電極３４０６は、本発明の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方３４０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、不平衡端子は３４０９は本発明の不平衡型端子に対応する。また、第１のリアクタンス素子３６０１、第２のリアクタンス素子３６０２は、本発明のリアクタンス素子に対応する。
【０３０４】
図３６（Ａ）〜（Ｃ）に示すのは、リアクタンス素子としてインダクタを配置した場合の弾性表面波フィルタの特性である。圧電基板としては、ＬｉＴａＯ₃を用いている。さらに、ＩＤＴ電極間や空間的な結合等の寄生成分と配置されるインダクタンスとにより形成される並列共振の共振周波数が通過帯域内となるように設定されている。図３６において、（Ａ）は通過特性であり、（Ｂ）は通過帯域の振幅バランス特性、（Ｃ）は通過帯域の位相バランス特性である。図３６より、通過帯域において、振幅バランス特性は−０．２ｄＢ〜＋０．４ｄＢ、位相バランス特性は−１°〜＋２°であり、図４０の従来の弾性表面波フィルタの特性に比べて、バランス特性が大きく改善している。また、図３３の構成における弾性表面波フィルタの特性に比べてもバランス特性が改善している。
【０３０５】
なお、本実施の形態１２においては、平衡型端子の一方３４０７と不平衡型端子３４０９との間に第１のリアクタンス素子３６０１が配置され、平衡型端子の他方３４０８と不平衡型端子３４０９との間に第２のリアクタンス素子３６０２が配置される構成として説明したが、これは、どちらか一方にリアクタンス素子が配置される構成であっても、ＩＤＴ電極間や空間的な結合等の寄生成分がリアクタンス素子との並列共振を形成して、その共振周波数を通過帯域内に設定されていればバランス特性改善の効果は同様に得られる。
【０３０６】
また、図５０に示されているように、第１のＩＤＴ電極３１０２を２分割して平衡性を実現しても構わない。さらに、この場合には、ＩＤＴ電極の容量を小さくし、そのインピーダンスをより高くとることができる。
【０３０７】
（実施の形態１３）
以下、本発明の実施の形態１３の弾性表面波フィルタについて図面を参照にして説明する。図３７に本発明の平衡型端子を有する縦モード型の弾性表面波フィルタの構成を示す。
【０３０８】
なお、第２のＩＤＴ電極３８０３は本発明の第１のＩＤＴ電極に対応し、第１のＩＤＴ電極３８０２は本発明の第２のＩＤＴ電極に対応し、第３のＩＤＴ電極３８０４は本発明の第３のＩＤＴ電極に対応する。また、第１の反射器電極３８０５、第２の反射器電極３８０６は、本発明の反射器電極に対応する。また、平衡端子の一方３８０７は本発明の第１の平衡型端子の一方に対応し、平衡端子の他方３８０８は本発明の第１の平衡型端子の他方に対応し、不平衡端子は３８０９は本発明の不平衡型端子に対応する。また、第１のリアクタンス素子３８１０、第２のリアクタンス素子３８１１は、本発明のリアクタンス素子に対応する。
【０３０９】
図３７において、弾性表面波フィルタは、圧電基板３８０１上に、第１、第２、第３のＩＤＴ電極３８０２、３８０３、３８０４と第１、第２の反射器電極３８０５、３８０６とにより構成される。
【０３１０】
第２のＩＤＴ電極３８０３の一方の電極指は平衡型端子の一方３８０７に接続し、第３のＩＤＴ電極３８０４の一方の電極指は平衡型端子の他方３８０８に接続される。また、第１のＩＤＴ電極３８０２の一方の電極指は不平衡型端子の一方３８０７に接続される。さらに、第１のＩＤＴ電極の一方の電極指と第２、第３のＩＤＴ電極３８０３、３８０４の一方の電極指との間にはそれぞれ第１、第２のリアクタンス素子３８１０、３８１１を介して接続される。即ち、図３７に示すように、平衡型端子の一方３８０７と不平衡型端子３８０９との間に第１のリアクタンス素子３８１０が配置され、平衡型端子の他方３８０８と不平衡型端子３８０９との間に第２のリアクタンス素子３８１１が配置される構成となる。以上の構成とすることにより不平衡型−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【０３１１】
以上の構成の弾性表面波フィルタにおいて、ＩＤＴ電極間や空間的な結合等の寄生成分が第１、第２のリアクタンス素子３８１０、３８１１との並列共振を形成して、その共振周波数を通過帯域内に設定することにより、良好なバランス特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができる。また、本構成においては、第１のＩＤＴ電極３８０２の電極指本数よりも、第２、第３のＩＤＴ電極の電極指本数を少ない構成であるので、本実施の形態１１〜１２に比べて、平衡型端子側のインピーダンスを高く設定できる。
【０３１２】
なお、本実施の形態では弾性表面波フィルタを用いて説明したが、図３８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、少なくとも一つの平衡型端子を有するフィルタであれば、本実施の形態と同様の構成とすることにより、良好なバランス特性を有するフィルタが得られる（ただし、図３８（Ａ）と（Ｂ）とは電気的に等価であり、図３８（Ｂ）に示されているようにリアクタンス素子３９０５′、３９０６′が並列に接続されてもよい）。
【０３１３】
たとえば、フィルタ３９０１において、不平衡型端子３９０２と平衡型端子の一方３９０３にリアクタンス素子３９０５を配置して、平衡型端子と不平衡型端子との間に生じる寄生成分とリアクタンス素子３９０５とにより並列共振の共振周波数が通過帯域内となるように設定することにより、良好なバランス特性が得られる。このようにして、図３０に示されている弾性表面波フィルタと類似した構成が得られるが、リアクタンス素子３９０５が圧電基板上に形成されている必要はない。なお、不平衡型端子３９０２と不平衡型端子３１０９（図３０参照）とが対応し、平衡型端子の一方３９０３と平衡型端子の一方３１０７（図３０参照）とが対応し、平衡型端子の他方３９０４と平衡型端子の他方３１０８（図３０参照）とが対応する。
【０３１４】
また、フィルタ３９０１において、不平衡型端子３９０２と平衡型端子の一方３９０３にリアクタンス素子３９０５′、３９０６′を配置して、平衡型端子と不平衡型端子との間に生じる寄生成分とリアクタンス素子３９０５′、３９０６′とにより並列共振の共振周波数が通過帯域内となるように設定することにより、良好なバランス特性が得られる。このようにして、図３２に示されている弾性表面波フィルタと類似した構成が得られるが、リアクタンス素子３９０５′、３９０６′が圧電基板上に形成されている必要はない。
【０３１５】
また、フィルタ３９０１において、不平衡型端子３９０２と平衡型端子の一方３９０３にリアクタンス素子３９０５″を配置し、不平衡型端子３９０２と平衡型端子の他方３９０４にリアクタンス素子３９０６″を配置して、平衡型端子と不平衡型端子との間に生じる寄生成分とリアクタンス素子３９０５″、３９０６″とにより並列共振の共振周波数が通過帯域内となるように設定することにより、良好なバランス特性が得られる。このようにして、図３５、３７に示されている弾性表面波フィルタと類似した構成が得られるが、リアクタンス素子３９０５″、３９０６″が圧電基板上に形成されている必要はない。なお、不平衡型端子３９０２と不平衡型端子３４０９（図３５参照）とが対応し、平衡型端子の一方３９０３と平衡型端子の一方３４０７（図３５参照）とが対応し、平衡型端子の他方３９０４と平衡型端子の他方３４０８（図３５参照）とが対応する。また、不平衡型端子３９０２と不平衡型端子３８０９（図３７参照）とが対応し、平衡型端子の一方３９０３と平衡型端子の一方３８０７（図３７参照）とが対応し、平衡型端子の他方３９０４と平衡型端子の他方３８０８（図３７参照）とが対応する。
【０３１６】
なお、本実施の形態１１〜１３においては、不平衡−平衡型の弾性表面波フィルタに関して説明したが、これは平衡−平衡型の弾性表面波フィルタであっても、リアクタンス素子の接続の仕方が異なるだけであり、ＩＤＴ電極間や空間的な結合等の寄生成分とリアクタンス素子との並列共振の共振周波数を通過帯域内に設定することにより、バランス特性改善の効果は同様に得られる。
【０３１７】
また、本実施の形態１１〜１３においては圧電基板としてＬｉＴａＯ₃を用いて説明したが、これはＬｉＮｂＯ₃などの他の圧電基板でもよく、圧電基板の実効比誘電率が大きい程その効果は大きく、ＬｉＴａＯ₃やＬｉＮｂＯ₃などの実効比誘電率が４０以上の圧電基板であれば十分な効果が得られる。
【０３１８】
また、本実施の形態１１〜１３においては、リアクタンス素子としてインダクタンスを用いて説明したが、これに限るものではなく、伝送回路等を組み合わせてもよく、即ち、端子間に生じる容量成分を通過帯域内において打ち消し合うような構成とすることにより、同様の改善効果が得られる。
【０３１９】
また、リアクタンス素子は、圧電基板上に形成されても、パッケージや実装基板に形成されても構わない。また、チップ部品であってもよい。
【０３２０】
また、本実施の形態では１段の弾性表面波フィルタについて説明したが、これは複数の弾性表面波フィルタを縦続に接続した構成であっても構わない。
【０３２１】
また、本実施の形態１１〜１３においては、３電極の縦モード型フィルタを用いて説明したが、これは２電極や４電極（図５０参照）、５電極の縦モード型フィルタであっても、弾性表面波共振子を用いた梯子型や対称格子型のフィルタ構成であっても、同様に平衡型端子と他の端子との間にリアクタンス素子を配置する構成であれば、バランス特性に関して同様の効果が得られる。
【０３２２】
また、本発明にかかる実施の形態の、５電極構成を有する弾性表面波フィルタの構成図である図４４に示されているように、弾性表面波の伝搬方向に実質的に沿って配置されたＩＤＴ電極５００１〜５００５を備え、（１）ＩＤＴ電極５００１は、一方の櫛形電極が平衡型端子の一方５０１１に接続されており、他方の櫛形電極が平衡型端子の他方５０１２に接続されており、（２）ＩＤＴ電極５００２は、一方の櫛形電極が不平衡端子５０２０に接続されており、（３）ＩＤＴ電極５１０３は、ＩＤＴ電極５００２の一方の櫛形電極とは相異なる側にある一方の櫛形電極が不平衡端子５０２０に接続されており、（４）ＩＤＴ電極５１０４は、一方の櫛形電極が平衡型端子の一方５０１１に接続されており、他方の櫛形電極が平衡型端子の他方５０１２に接続されており、（５）ＩＤＴ電極５１０５は、一方の櫛形電極が平衡型端子の一方５０１１に接続されており、他方の櫛形電極が平衡型端子の他方５０１２に接続されている弾性表面波フィルタは、本発明に含まれる。
【０３２３】
また、端子を接続するためのパッド電極は、ＩＤＴ電極のバスバー電極と引き回し電極を介して接続されていてもよいし、ＩＤＴ電極のバスバー電極と一体的に構成されていてもよい。
【０３２４】
より具体的には、本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタにおける、パッド電極のバスバー電極との接続に関する説明図（その１）である図４５に示されているように、パッド電極５１０１がバスバー電極５２０１、５２０４と引き回し電極５３０１を介して接続され、パッド電極５１０２がバスバー電極５２０２と引き回し電極５３０２を介して接続され、パッド電極５１０３がバスバー電極５２０３と引き回し電極５３０３を介して接続されているような弾性表面波フィルタは、本発明に含まれる。また、本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタにおける、パッド電極のバスバー電極との接続に関する説明図（その２）である図４６に示されているように、パッド電極５１０４がバスバー電極５２０２と一体的に構成され、パッド電極５１０５がバスバー電極５２０３と一体的に構成されているような弾性表面波フィルタは、本発明に含まれる。
【０３２５】
（実施の形態１４）
以下、本発明の実施の形態１４の通信機器について図面を参照にして説明する。図３９に示すのは、本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタ、または平衡型フィルタを用いた通信機器４００１のブロック図である。
【０３２６】
図３９において、送信回路から出力される送信信号は、送信増幅器４００２、送信フィルタ４００３、スイッチ４００４を介してアンテナ４００５より送信される。また、アンテナ４００５より受信された受信信号は、スイッチ４００４、受信フィルタ４００６、受信増幅器４００７を介して受信回路に入力される。ここで、送信増幅器４００２は平衡型であり、スイッチ４００４は不平衡型であるので、送信フィルタ４００３は不平衡−平衡型端子を有する構成となる。また、受信増幅器４００７は平衡型であり、スイッチ４００４は不平衡型であるので、受信フィルタ４００６は不平衡−平衡型端子を有する構成となる。
【０３２７】
本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタ、または平衡型フィルタを通信機器４００１の送信フィルタ４００３、または受信フィルタ４００６に適用することにより、バランス特性の劣化による送信時の変調精度劣化を抑えることができ、また、バランス特性の劣化による受信時の感度劣化を抑えることができ、高性能な通信機器を実現することができる。
【０３２８】
なお、本実施の形態１４において、送信フィルタ４００３、受信フィルタ４００６を不平衡−平衡型として説明したが、これはスイッチ４００４が平衡型の場合には、送信フィルタ４００３、受信フィルタ４００６を平衡型とすればよい。この場合にも、送信フィルタ４００３、受信フィルタ４００６にリアクタンス素子を付加してバランス特性を改善することにより、高性能な通信機器を実現することができる。
【０３２９】
また、スイッチ４００４が平衡型、送信増幅器４００２、または受信増幅器４００７が不平衡型の場合には、送信フィルタ４００３、または受信フィルタ４００６の平衡型と不平衡型の入出力端子を入れ替えることにより同様の効果が得られる。
【０３３０】
また、通信機器４００１において、送信と受信とを切り換える手段としてスイッチ４００４を用いて説明したが、これは共用器であっても構わない。
【０３３１】
また、本発明の弾性表面波フィルタや平衡型フィルタを用いた通信機器とは、携帯電話端末、ＰＨＳ端末、自動車電話端末、携帯電話の無線基地局、無線により通信を行う無線装置などを含む。要するに本発明の通信機器とは、高周波信号を用いて通信を行う機器であって、その機器の機能を実現する回路の一部に本発明の弾性表面波フィルタが用いられている機器でありさえればよい。
【０３３２】
【発明の効果】
以上説明したところから明らかなように、本発明は、より良好なフィルタ特性を有する弾性表面波フィルタ、平衡型フィルタ、および通信装置を提供することができるという長所を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの構成図
【図２】（Ａ）本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの電極指配置図
（Ｂ）本発明の実施の形態１における、また別の弾性表面波フィルタの電極指配置図
【図３】本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの構成図
【図４】（Ａ）従来の弾性表面波フィルタの特性を説明するための説明図
（Ｂ）本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの特性を説明するための説明図
【図５】本発明の実施の形態３における弾性表面波フィルタの構成図
【図６】本発明の実施の形態４における弾性表面波フィルタの構成図
【図７】本発明の実施の形態４における反射器電極の構成図
【図８】本発明の実施の形態５における弾性表面波フィルタの構成図
【図９】本発明の実施の形態５における弾性表面波フィルタの他の構成図
【図１０】本発明の実施の形態６における弾性表面波フィルタの構成図
【図１１】（Ａ）本発明の実施の形態６における弾性表面波フィルタの電極指配置図
（Ｂ）本発明の実施の形態６における、また別の弾性表面波フィルタの電極指配置図
【図１２】従来の弾性表面波フィルタの構成図
【図１３】従来の弾性表面波フィルタの構造図
【図１４】本発明の実施の形態７における弾性表面波フィルタの概略図
【図１５】従来の弾性表面波フィルタのシミュレーション条件を示す図
【図１６】（Ａ）シミュレーションにより求められた従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図
（Ｂ）シミュレーションにより求められた従来の弾性表面波フィルタの振幅バランスを示す図
（Ｃ）シミュレーションにより求められた従来の弾性表面波フィルタの位相バランスを示す図
【図１７】本発明の実施の形態７における弾性表面波フィルタのシミュレーション条件を示す図
【図１８】（Ａ）本発明の実施の形態７におけるシミュレーションにより求められた弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図
（Ｂ）本発明の実施の形態７におけるシミュレーションにより求められた弾性表面波フィルタの振幅バランスを示す図
（Ｃ）本発明の実施の形態７におけるシミュレーションにより求められた弾性表面波フィルタの位相バランスを示す図
【図１９】（Ａ）本発明の実施の形態７における実験により求められた弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図
（Ｂ）本発明の実施の形態７における実験により求められた弾性表面波フィルタの振幅バランスを示す図
（Ｃ）本発明の実施の形態７における実験により求められた弾性表面波フィルタの位相バランスを示す図
【図２０】（Ａ）実験により求められた従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図
（Ｂ）実験により求められた従来の弾性表面波フィルタの振幅バランスを示す図
（Ｃ）実験により求められた従来の弾性表面波フィルタの位相バランスを示す図
【図２１】本発明の実施の形態７における各ＩＤＴ電極の配置方法を説明する図
【図２２】本発明の実施の形態７における別の弾性表面波フィルタの概略図
【図２３】本発明の実施の形態８における弾性表面波フィルタの概略図
【図２４】本発明の実施の形態８における別の弾性表面波フィルタの概略図
【図２５】本発明の実施の形態９における弾性表面波フィルタの概略図
【図２６】本発明の実施の形態１０における弾性表面波フィルタの概略図
【図２７】従来の弾性表面波フィルタの概略図
【図２８】（Ａ）引き回し配線の信号の位相が互いに同相の場合の従来の弾性表面波フィルタのシミュレーションによる周波数特性を示す図
（Ｂ）引き回し配線の信号の位相が互いに同相の場合の従来の弾性表面波フィルタのシミュレーションによる位相バランスを示す図
【図２９】（Ａ）本発明の実施の形態７における引き回し配線の信号の位相が互いに同相の場合の弾性表面波フィルタのシミュレーションによる周波数特性を示す図
（Ｂ）本発明の実施の形態７における引き回し配線の信号の位相が互いに同相の場合の弾性表面波フィルタのシミュレーションによる位相バランスを示す図
【図３０】本発明の実施の形態１１における弾性表面波フィルタの構成図
【図３１】（Ａ）本発明の実施の形態１１における弾性表面波フィルタの通過特性を示す図
（Ｂ）本発明の実施の形態１１における弾性表面波フィルタの振幅バランス特性を示す図
（Ｃ）本発明の実施の形態１１における弾性表面波フィルタの位相バランス特性を示す図
【図３２】本発明の実施の形態１１における他の弾性表面波フィルタの構成図
【図３３】本発明の実施の形態１２における弾性表面波フィルタの構成図
【図３４】（Ａ）本発明の実施の形態１２における弾性表面波フィルタの通過特性を示す図
（Ｂ）本発明の実施の形態１２における弾性表面波フィルタの振幅バランス特性を示す図
（Ｃ）本発明の実施の形態１２における弾性表面波フィルタの位相バランス特性を示す図
【図３５】本発明の実施の形態１２における他の弾性表面波フィルタの特性図
【図３６】（Ａ）本発明の実施の形態１２における他の弾性表面波フィルタの通過特性を示す図
（Ｂ）本発明の実施の形態１２における他の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性を示す図
（Ｃ）本発明の実施の形態１２における他の弾性表面波フィルタの位相バランス特性を示す図
【図３７】本発明の実施の形態１３における弾性表面波フィルタの構成図
【図３８】（Ａ）本発明の実施の形態における弾性表面波フィルタへのリアクタンス素子の付加に関する説明図（その１）
（Ｂ）本発明の実施の形態における弾性表面波フィルタへのリアクタンス素子の付加に関する説明図（その２）
（Ｃ）本発明の実施の形態における弾性表面波フィルタへのリアクタンス素子の付加に関する説明図（その３）
【図３９】本発明の実施の形態１４における通信機器の構成を示すブロック図
【図４０】従来の弾性表面波フィルタの構成図
【図４１】（Ａ）従来の弾性表面波フィルタの通過特性を示す図
（Ｂ）従来の弾性表面波フィルタの振幅バランス特性を示す図
（Ｃ）従来の弾性表面波フィルタの位相バランス特性を示す図
【図４２】寄生成分を考慮した場合の弾性表面波フィルタの構成図
【図４３】弾性表面波フィルタの振幅、及び位相バランス特性を示す図
【図４４】本発明にかかる実施の形態の、５電極構成を有する弾性表面波フィルタの構
成図
【図４５】本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタにおける、パッド電極のバスバー電極との接続に関する説明図（その１）
【図４６】本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタにおける、パッド電極のバスバー電極との接続に関する説明図（その２）
【図４７】従来の弾性表面波フィルタのシミュレーションモデルの振幅バランス特性および位相バランス特性に関する説明図
【図４８】本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタのシミュレーションモデルの説明図
【図４９】本発明にかかる実施の形態の弾性表面波フィルタのシミュレーションモデルの振幅バランス特性および位相バランス特性に関する説明図
【図５０】本発明の実施の形態における弾性表面波フィルタの構成図
【符号の説明】
１０１圧電基板
１０２第１のＩＤＴ電極
１０２ａ第１のＩＤＴ電極の上部電極
１０２ｂ第１のＩＤＴ電極の下部電極
１０３第２のＩＤＴ電極
１０３ａ第２のＩＤＴ電極の上部電極
１０３ｂ第２のＩＤＴ電極の下部電極
１０４第３のＩＤＴ電極
１０４ａ第３のＩＤＴ電極の上部電極
１０４ｂ第３のＩＤＴ電極の下部電極
１０５第１の反射器電極
１０６第２の反射器電極
１０７平衡型端子の一方
１０８平衡型端子の他方
１０９不平衡型端子Patent application title: Surface acoustic wave filter, balanced filter, and communication device
[Claim of claim]
1. At least first to third IDT electrodes disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave, each of which comprises a pair of opposing comb-shaped electrodes disposed on a piezoelectric substrate. Equipped
Among the first to third IDT electrodes, (1) in the first IDT electrode in which the other IDT electrodes are disposed on both sides, one comb-shaped electrode is connected to one of the first balanced terminals And the other comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals, and (2) in the second IDT electrode of the other IDT electrodes, one comb electrode is connected via a lead wire. Signal is input or output, and (3) the third IDT electrode among the other IDT electrodes is one comb electrode on the side different from one comb electrode of the second IDT electrode. A signal is input or output through the routing wiring(4) The center distance between the adjacent electrode fingers of the second and third IDT electrodes and the pair of opposing comb electrodes is substantially 0.9 × λ with respect to the center frequency λ of the surface acoustic wave filter. Have a value in the range of / 2 to 1.1 × λ / 2Surface acoustic wave filter.
[Claim 2]At least first to third IDT electrodes disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave, each of which comprises a pair of opposing comb electrodes disposed on a piezoelectric substrate;
A first reflector electrode on the side of the second IDT electrode with respect to the first IDT electrode;
A second reflector electrode on the side of the third IDT electrode with respect to the first IDT electrode;
The at least first to third IDT electrodes are disposed between the first reflector electrode and the second reflector electrode,
Among the first to third IDT electrodes, (1) in the first IDT electrode in which the other IDT electrodes are disposed on both sides, one comb-shaped electrode is connected to one of the first balanced terminals And the other comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals, and (2) in the second IDT electrode of the other IDT electrodes, one comb electrode is connected via a lead wire. Signal is input or output, and (3) the third IDT electrode among the other IDT electrodes is one comb electrode on the side different from one comb electrode of the second IDT electrode. A signal is input or output through the lead-out wiring, (4) the second IDT electrode and the first reflector electrode are electrically connected, and the third IDT electrode and the second reflection Surface acoustic wave filter in which the sensor electrodes are electrically connected.
[Claim 3]PreviousIn order to input or output a signal to or from the lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the second IDT electrode and to one of the comb electrodes of the third IDT electrode. The above-mentioned lead-out wires are connected to each other and to an unbalanced terminal.2Surface acoustic wave filter according to the description.
4. The other comb-shaped electrode of the second IDT electrode is grounded.
The other comb electrode of the third IDT electrode is grounded.3Surface acoustic wave filter according to the description.
5. The one comb-shaped electrode of the second IDT electrode is connected to one of the second balanced terminals,
The one comb-shaped electrode of the third IDT electrode is connected to one of the second balanced terminals.Or 2Surface acoustic wave filter according to the description.
6. The first and second reflector electrodes are grounded.
The other electrode of the second IDT electrode is grounded by being connected to the first reflector electrode;
The other electrode of the third IDT electrode is grounded by being connected to the second reflector electrode.4Surface acoustic wave filter according to the description.
7. The first and second reflector electrodes are connected to the unbalanced terminal,
One electrode of the second IDT electrode is connected to the unbalanced terminal by being connected to the first reflector electrode,
One of the electrodes of the third IDT electrode is connected to the unbalanced terminal by being connected to the second reflector electrode.4Surface acoustic wave filter according to the description.
8. The first and / or second reflector electrode is divided into at least two split reflector electrodes.4Surface acoustic wave filter according to the description.
9. Of the at least two split reflector electrodes, the split reflector electrode closer to the second and / or third IDT electrode is either directly grounded or the other split Claim to be grounded via a reflector electrode8Surface acoustic wave filter according to the description.
(1) The first reflector electrode is divided, and the other electrode of the second IDT electrode is one of the divided reflector electrodes constituting the first reflector electrode. It is grounded by being connected to the split reflector electrode which is grounded,
(2) The second reflector electrode is divided, and the other electrode of the third IDT electrode is connected to the ground among the divided reflector electrodes constituting the second reflector electrode. Claim to be grounded by being connected to the reflector electrode9Surface acoustic wave filter according to the description.
11. The first reflector electrode is divided, and one electrode of the second IDT electrode is a ground of the divided reflector electrodes constituting the first reflector electrode. Said split reflector electrode, which is connected to an undivided split reflector electrode, to which one electrode of the second IDT electrode is connected, is connected to said unbalanced terminal,
(2) The second reflector electrode is split, and one electrode of the third IDT electrode is a non-grounded split reflection of the split reflector electrodes constituting the second reflector electrode The split reflector electrode, which is connected to the sensor electrode and to which one electrode of the third IDT electrode is connected, is connected to the unbalanced terminal.10Surface acoustic wave filter according to the description.
12. The first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and electrode finger pitches of at least two of the divided reflector electrodes among the divided reflector electrodes are different from each other. Yes,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and electrode finger pitches of at least two of the divided reflector electrodes among the divided reflector electrodes are different from each other.8Surface acoustic wave filter according to the description.
13. The first reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and the metallization ratios of at least two of the split reflector electrodes of the split reflector electrodes are different from each other. Yes,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and the metallization ratios of at least two of the split reflector electrodes of the split reflector electrodes are different from each other.8Surface acoustic wave filter according to the description.
14. The first reflector electrode is divided into at least three of the split reflector electrodes, and the distance between two adjacent split reflector electrodes of the split reflector electrodes is Not all the same,
(2) The second reflector electrode is divided into at least three of the split reflector electrodes, and the spacing between two adjacent split reflector electrodes of the split reflector electrodes is not all the same. Term8Surface acoustic wave filter according to the description.
15. The split reflector electrode is divided in a direction orthogonal to the direction in which the first to third IDT electrodes are disposed.8Surface acoustic wave filter according to the description.
(1) The first reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and one electrode of the second IDT electrode constitutes the first reflector electrode. The split reflector electrode connected to the split reflector electrode, to which one electrode of the second IDT electrode is connected, is connected to the unbalanced terminal,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and one of the third IDT electrodes is the split reflector electrode constituting the second reflector electrode. The split reflector electrode, which is connected to one of the third IDT electrodes, is connected to the unbalanced terminal.5Surface acoustic wave filter according to the description.
(1) The first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the other electrode of the second IDT electrode constitutes the first reflector electrode. The split reflector electrode connected to the split reflector electrode, to which one electrode of the second IDT electrode is connected, is grounded;
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and the other electrode of the third IDT electrode is the split reflector electrode constituting the second reflector electrode. Said split reflector electrode connected to one of the third IDT electrodes is connected to ground,5Surface acoustic wave filter according to the description.
18. The first reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and the second of the split reflector electrodes constituting the first reflector electrode. The split reflector electrode adjacent to the IDT electrode is further split into two or more horizontal split reflector electrodes in a direction orthogonal to the direction in which the first to third IDT electrodes are disposed,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and is adjacent to the third IDT electrode of the split reflector electrodes constituting the second reflector electrode The split reflector electrode is further split into two or more horizontal split reflector electrodes in a direction orthogonal to the direction in which the first to third IDT electrodes are disposed.5Surface acoustic wave filter according to the description.
(1) The first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the second IDT electrode is further divided into the two or more laterally divided electrodes. When divided into reflector electrodes, any one of the lateral split reflector electrodes is connected to the unbalanced terminal,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the third IDT electrode is further divided into the two or more horizontally divided reflector electrodes If any one of the lateral split reflector electrodes is connected to the unbalanced terminal,8Surface acoustic wave filter according to the description.
20. The first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the second IDT electrode is further divided into the two or more laterally divided electrodes. When divided into reflector electrodes, any one of the horizontal split reflector electrodes is grounded,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the third IDT electrode is further divided into the two or more horizontally divided reflector electrodes If any of the horizontal split reflector electrodes are grounded,8Surface acoustic wave filter according to the description.
21. The unbalanced terminal according to claim 1, wherein one or more surface acoustic wave resonators are connected in series and / or in parallel.4Surface acoustic wave filter according to the description.
22. The method of converting an unbalanced type to a balanced type or a balanced type to an unbalanced type according to claim 1.Or 2Surface acoustic wave filter according to the description.
[23]And at least first to third IDT electrodes disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave, each of which comprises a pair of opposing comb electrodes disposed on a piezoelectric substrate,
Among the first to third IDT electrodes, (1) in the first IDT electrode in which the other IDT electrodes are disposed on both sides, one comb-shaped electrode is connected to one of the first balanced terminals And the other comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals, and (2) in the second IDT electrode of the other IDT electrodes, one comb electrode is connected via a lead wire. Signal is input or output, and (3) the third IDT electrode among the other IDT electrodes is one comb electrode on the side different from one comb electrode of the second IDT electrode. A signal is input or output through the lead wiring,
Arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave, each being constituted by a pair of opposing comb electrodes arranged on the piezoelectric substrate (4) With a fourth IDT electrode, on the other side of which other IDT electrodes are arranged,5) A fifth IDT electrode to which a signal is input or output via one of the other IDT electrodes and the lead-out wire;6) A first IDT electrode having a sixth IDT electrode on a different side from the fifth IDT electrode to which a signal is inputted or outputted through one of the other IDT electrodes and the comb-shaped electrode of the other IDT electrode With filter track,
A second filter track having the first IDT electrode, the second IDT electrode, and the third IDT electrode;
The first filter track and the second filter track are connected in cascade,
In order to input or output a signal to or from the lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the second IDT electrode and to one of the comb electrodes of the fifth IDT electrode And the lead-out wires are connected to each other,
In order to input or output a signal to or from the lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the third IDT electrode and to one of the comb electrodes of the sixth IDT electrode Are connected to each other andBulletSurface wave filter.
24. The comb-shaped electrode of the fifth IDT electrode and the comb-shaped electrode of the sixth IDT electrode are on the same side.3Surface acoustic wave filter according to the description.
25. The comb-shaped electrode of the fifth IDT electrode and the comb-shaped electrode of the sixth IDT electrode are on different sides.3Surface acoustic wave filter according to the description.
26. The comb-shaped electrode of the fourth IDT electrode is connected to an unbalanced terminal.3Surface acoustic wave filter according to the description.
27. The method according to claim 2, wherein one comb-shaped electrode of the fourth IDT electrode is disposed on the opposite side to the second filter track.6Surface acoustic wave filter according to the description.
28. The other comb-shaped electrode of the second IDT electrode is grounded.
The other comb-shaped electrode of the third IDT electrode is grounded.
The other comb electrode of the fifth IDT electrode is grounded.
The other comb-shaped electrode of the sixth IDT electrode is grounded.3Surface acoustic wave filter according to the description.
29. (1) phase of an input or output of a signal to be applied to one comb electrode of the second IDT electrode, and (2) one comb electrode of the third IDT electrode. The phase of the input or output of the signal to be performed is substantially opposite in phase to each other.3Surface acoustic wave filter according to the description.
(1) A lead wiring for inputting or outputting a signal to one comb electrode of the second IDT electrode, and a signal to one comb electrode of the fifth IDT electrode A reactance component of a wire for connecting to a lead wire for performing the input or output of the device, and (2) a lead wire for performing signal input or output to one of the comb electrodes of the third IDT electrode. And reactance components of wiring for connecting a lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the sixth IDT electrode, which are substantially equal to each other.3Surface acoustic wave filter according to the description.
31. One comb-shaped electrode of the fourth IDT electrode is connected to one of the second balanced terminals,
The other comb-shaped electrode of the fourth IDT electrode is connected to the other of the second balanced terminals.3Surface acoustic wave filter according to the description.
32. A first reflector electrode on the side of the second IDT electrode with reference to the first IDT electrode;
A second reflector electrode on the side of the third IDT electrode with reference to the first IDT electrode;
A third reflector electrode on the side of the fifth IDT electrode with reference to the fourth IDT electrode;
And a fourth reflector electrode on the side of the sixth IDT electrode with respect to the fourth IDT electrode,
The at least first to third IDT electrodes are disposed between the first reflector electrode and the second reflector electrode,
The at least fourth to sixth IDT electrodes are disposed between the third reflector electrode and the fourth reflector electrode.3Surface acoustic wave filter according to the description.
33. At least one IDT electrode of the first to sixth IDT electrodes is divided into a plurality of divided IDT electrodes,
All or a part of the comb electrodes disposed on one side of the plurality of interdigitated electrodes of the split IDT electrodes are electrically connected to each other,
The interdigital transducer according to claim 2, wherein all or part of the interdigital electrodes disposed on the other side of the interdigital electrodes of the plurality of divided IDT electrodes are electrically connected to each other.3Surface acoustic wave filter according to the description.
34. The at least one IDT electrode of the first to sixth IDT electrodes is divided into two or three divided IDT electrodes.3Surface acoustic wave filter according to the description.
35. The center distance between adjacent electrode fingers of the pair of opposing comb electrodes is substantially 0.9 × λ / 2 with respect to the center frequency λ of the surface acoustic wave filter.
Have a value in the range from 1 to 1.1 × λ / 2.3Surface acoustic wave filter according to the description.
36. A first IDT electrode composed of a pair of opposing comb electrodes disposed on a piezoelectric substrate, wherein one comb electrode is connected to one of the first balanced terminals.
And a second IDT electrode composed of a pair of opposed comb electrodes disposed on the piezoelectric substrate, one of the comb electrodes being connected to one of the second balanced terminals or the unbalanced terminal.
A surface acoustic wave filter in which a reactance element is connected between one comb electrode of the first IDT electrode and one comb electrode of the second IDT electrode.
37. A third IDT electrode comprising one pair of opposing comb electrodes disposed on the piezoelectric substrate, wherein one of the comb electrodes is connected to the unbalanced terminal,
The first to third IDT electrodes are disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave such that the second and third IDT electrodes are on different sides of the first IDT electrode,
The other comb-shaped electrode of the first IDT electrode is connected to the other of the first balanced terminal.6Surface acoustic wave filter according to the description.
38. A reactance element is connected between one comb electrode of the first IDT electrode and one comb electrode of the third IDT electrode.7Surface acoustic wave filter according to the description.
39. A first comb-shaped electrode of the second IDT electrode and one comb-shaped electrode of the third IDT electrode according to the first aspect of the present invention, which is disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave. The third side from the third IDT electrode on the different side8Surface acoustic wave filter according to the description.
40. A third IDT electrode further comprising a pair of opposing comb electrodes disposed on the piezoelectric substrate, wherein one comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals. ,
The first to third IDT electrodes are disposed so that the first and third IDT electrodes are on different sides of the second IDT electrode substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave. Claim 36Surface acoustic wave filter according to the description.
41. A reactance element is connected between one comb electrode of the first IDT electrode and one comb electrode of the third IDT electrode.40Surface acoustic wave filter according to the description.
42. A first surface acoustic wave resonator comprising: the first IDT electrode; and two reflector electrodes between which the first IDT electrode is disposed; A second surface acoustic wave resonator having a second IDT electrode and two reflector electrodes between which the second IDT electrode is disposed,
The first surface acoustic wave resonator and the second surface acoustic wave resonator are connected in a ladder shape.6Surface acoustic wave filter according to the description.
43. A parallel resonant circuit in which a resonant frequency is set in a pass band is formed by the parasitic component existing between the unbalanced terminal and the balanced terminal and the reactance element. 36Surface acoustic wave filter according to the description.
44. The method of claim 3, wherein the reactance element is an inductance.6Surface acoustic wave filter according to the description.
45. The piezoelectric substrate according to claim 3, having an effective relative permittivity of 40 or more.6Surface acoustic wave filter according to the description.
46. The piezoelectric substrate according to claim 3, wherein lithium tantalate or lithium niobate is used.6Surface acoustic wave filter according to the description.
47. A balanced filter comprising an unbalanced terminal and a balanced end type element, comprising:
At least one predetermined reactance element is connected between the unbalanced terminal and the at least one balanced end type element.
48. A parallel resonant circuit in which a resonant frequency is set in a pass band is formed by the parasitic component existing between the unbalanced terminal and the balanced terminal and the reactance element. 47Balanced filter as described.
49. Transmission / reception means for transmission and / or reception
The filtering is performed on the transmission signal to be used for the transmission and / or the reception signal to be used for the reception.2 or36The surface acoustic wave filter according to claim 1 or claim 47A communication device comprising the described balanced filter.
50. A third IDT electrode comprising one pair of opposing comb-shaped electrodes disposed on the piezoelectric substrate, wherein one of the comb-shaped electrodes is connected to the unbalanced terminal,
The first to third IDT electrodes are disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave such that the second and third IDT electrodes are on different sides of the first IDT electrode,
One comb-shaped electrode of the first IDT electrode is divided into a first divided comb-shaped electrode and a second divided comb-shaped electrode,
The first divided comb electrode is connected to one of the first balanced terminals,
The second divided comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals.6Surface acoustic wave filter according to the description.
Detailed Description of the Invention
[0001]
Field of the Invention
The present invention relates to surface acoustic wave filters, balanced filters, and communication devices.
[0002]
[Prior Art]
The electromechanical functional component using surface acoustic wave (SAW) has the property that the sound velocity of the wave is several km / s, and the energy of the wave is concentrated on the surface of the propagation medium, and the flow of densification of hardware In the development of interdigital transducer (IDT electrode) electrodes and development of thin film formation technology and surface processing technology, it has been put to practical use in radar delay lines, television receiver band filters, etc. It is widely used as a filter for the RF and IF stages of the transmission / reception circuit of equipment.
[0003]
In recent years, semiconductor components such as ICs have been balanced for the purpose of improving the noise characteristics, and also in the surface acoustic wave filter used in the RF stage. Further, in recent years, it has been required that the surface acoustic wave filter has an unbalanced-balanced type terminal or a balanced-balanced type terminal by an IC or the like disposed at the front stage and the rear stage of the surface acoustic wave filter. Also, conventionally, a longitudinal mode type surface acoustic wave filter has been widely used as a filter of the RF stage. The degree of balance is an important parameter for such surface acoustic wave filters.
[0004]
(A) First, a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a conventional unbalanced / balanced input / output terminal will be described with reference to FIGS.
[0005]
FIG. 12 shows the configuration of a longitudinal mode surface acoustic wave filter having a conventional unbalanced-balanced input / output terminal. In FIG. 12, the surface acoustic wave filter is formed on a piezoelectric substrate 1001 by first, second and third IDT electrodes 1002, 1003 and 1004, and first and second reflector electrodes 1005 and 1006. . The upper electrode finger of the first IDT electrode 1002 is connected to one of the balanced terminals 1007, and the lower electrode finger of the first IDT electrode 1002 is connected to the other of the balanced terminals 1008. Further, the electrode fingers on the same side of the IDT electrodes 1003 and 1004 are connected to the unbalanced terminal 1009, and the other is grounded. By the above configuration, a surface acoustic wave filter having an unbalanced-balanced type terminal can be obtained.
[0006]
FIG. 13 shows, as another example different from the above, the configuration of a longitudinal mode surface acoustic wave filter having balanced-balanced terminals. In FIG. 13, the surface acoustic wave filter is formed on a piezoelectric substrate 1001 by first, second and third IDT electrodes 1002, 1003 and 1004 and first and second reflector electrodes 1005 and 1006. . The upper electrode finger of the first IDT electrode 1002 is connected to one of the balanced terminals 1007, and the lower electrode finger of the first IDT electrode 1002 is connected to the other of the balanced terminals 1008. Further, the electrode fingers on the same side of the IDT electrodes 1003 and 1004 are connected to the balanced terminal 1010, and the electrode fingers on the other side of the IDT electrodes 1003 and 1004 are connected to the balanced terminal 1011. With the above configuration, a surface acoustic wave filter having balanced-balanced terminals can be obtained.
[0007]
(B) Next, with reference to FIG. 27, a longitudinal-mode surface acoustic wave filter having a conventional unbalanced-balanced input / output terminal will be described.
[0008]
FIG. 27 is a schematic view of a conventional longitudinal-mode surface acoustic wave filter having an unbalanced-balanced input / output terminal. In FIG. 27, the surface acoustic wave filter is composed of the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 disposed on the piezoelectric substrate.
[0009]
The first stage filter track 6 is composed of first, second and third IDT electrodes 1, 2 and 3 and first and second reflector electrodes 4 and 5. Further, the second-stage filter track 12 is constituted by the fourth, fifth and sixth IDT electrodes 7, 8 and 9 and the third and fourth reflector electrodes 10 and 11.
[0010]
The second and third IDT electrodes 2 and 3 are disposed on both sides of the first IDT electrode 1, and the first and second reflector electrodes 4 and 5 are disposed on both sides thereof. There is. Further, fifth and sixth IDT electrodes 8 and 9 are disposed on both sides of the fourth IDT electrode, and third and fourth reflector electrodes 10 and 11 are disposed on both sides thereof. There is.
[0011]
The first IDT electrode 1 includes an upper electrode 1a disposed on the side opposite to the second-stage filter track 12 and a lower electrode disposed on the second-stage filter track 12 side. And 1b.
[0012]
The second IDT electrode 2 includes an upper electrode 2a disposed on the side opposite to the second-stage filter track 12 and a lower electrode disposed on the second-stage filter track 12 side. And 2b.
[0013]
The third IDT electrode 3 includes an upper electrode 3a disposed on the side opposite to the second-stage filter track 12 and a lower electrode disposed on the second-stage filter track 12 side. And 3b.
[0014]
The fourth IDT electrode 7 includes an upper electrode 7a disposed on the side of the first-stage filter track 6 and a lower electrode 7b disposed on the side opposite to the first-stage filter track 6 side. It consists of
[0015]
The fifth IDT electrode 8 includes an upper electrode 8a disposed on the side of the first-stage filter track 6 and a lower electrode 8b disposed on the opposite side of the first-stage filter track 6 side. It consists of
[0016]
The sixth IDT electrode 9 includes an upper electrode 9a disposed on the side of the first-stage filter track 6 and a lower electrode 9b disposed on the opposite side of the first-stage filter track 6 side. It consists of
[0017]
Thus, each IDT electrode is composed of an upper electrode and a lower electrode which are a pair of comb-shaped electrodes.
[0018]
Further, the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 is connected to an input unbalanced terminal IN provided on the opposite side to the second-stage filter track 12 of the first-stage filter track 6 The lower electrode 1b of the first IDT electrode 1 is grounded.
[0019]
The lower electrode 2 b of the second IDT electrode 2 is connected to the upper electrode 8 a of the fifth IDT electrode 8 by the lead wiring 32. The upper electrode 2a of the second IDT electrode 2 is grounded.
[0020]
The lower electrode 3 b of the third IDT electrode 3 is connected to the upper electrode 9 a of the sixth IDT electrode 9 by the lead wiring 33. The upper electrode 3a of the third IDT electrode 3 is grounded.
[0021]
The upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 is connected to the balanced terminal OUT1 provided on the side of the first-stage filter track 6 of the pair of balanced terminals for output, and the fourth IDT The lower electrode 7b of the electrode 7 is connected to a balanced terminal OUT2 provided on the opposite side of the first-stage filter track 6 out of the pair of balanced terminals for output.
[0022]
The lower electrode 8b of the fifth IDT electrode 8 and the lower electrode 9b of the sixth IDT electrode 9 are both grounded.
[0023]
Next, the operation of such a conventional surface acoustic wave filter will be described.
[0024]
A surface acoustic wave is generated at the first IDT electrode 1 by inputting a signal to the unbalanced terminal IN. The surface acoustic wave is confined by the first and second reflector electrodes 4 and 5 to generate a plurality of resonance modes. By utilizing this resonance mode, filter characteristics can be obtained, and converted to electrical signals by the second IDT electrode 2 and the third IDT electrode 3 respectively.
[0025]
The electrical signal converted by the second IDT electrode 2 passes through the lead wiring 32 and is output to the upper electrode 8 a of the fifth IDT electrode 8. Further, the electrical signal converted by the third IDT electrode 3 passes through the lead wiring 33 and is output to the upper electrode 9 a of the sixth IDT electrode 9. At this time, by adjusting in advance the distance between the IDT electrodes of the surface acoustic wave filter and the connection method of the electrode fingers, the electric signal input to the lead-out wiring 32 and the electric signal input to the lead-out wiring 33 Is out of phase.
[0026]
The electrical signal input to the fifth IDT electrode 8 is converted to a surface acoustic wave by the fifth IDT electrode 8, and the electrical signal input to the sixth IDT electrode 9 is the sixth IDT electrode 9. Are converted to surface acoustic waves. The surface acoustic waves converted by the fifth IDT electrode 8 and the sixth IDT electrode 9 are confined by the third and fourth reflector electrodes 10 and 11 to form a plurality of resonance modes. A filter characteristic is obtained by utilizing this resonance mode, and an electrical signal is outputted from balanced terminals OUT1 and OUT2.
[0027]
(C) Next, with reference to FIG. 40, a longitudinal mode surface acoustic wave filter having a conventional balanced type input / output terminal will be described.
[0028]
FIG. 40 shows the configuration of a conventional longitudinal-mode surface acoustic wave filter having balanced terminals. In FIG. 40, the surface acoustic wave filter has a configuration similar to that of the conventional surface acoustic wave filter (see FIG. 12) described above, and the first, second and third interdigitals are formed on the piezoelectric substrate 4101. A transducer electrode (hereinafter, referred to as an IDT electrode) 4102, 4103, 4104 and first and second reflector electrodes 4105, 4106. One electrode finger of the first IDT electrode 4102 is connected to one side 4107 of the balanced terminal, and the other electrode finger of the first IDT electrode 4102 is connected to the other side 4108 of the balanced terminal. In addition, the electrode finger on one side of the second and third IDT electrodes 4103 and 4104 is connected to the unbalanced terminal 4109, and the other is grounded. With the above configuration, a surface acoustic wave filter having an unbalanced-balanced terminal can be obtained.
[0029]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional surface acoustic wave filter described above has the following problems.
[0030]
(A) In the surface acoustic wave filter shown in FIG. 12, the second IDT electrode 1003 and the unbalanced terminal 1009 are connected in the vicinity of the lead wiring connecting the balanced terminal 1007 and the first IDT electrode 1002. There is a wiring or a lead wiring that connects the third IDT electrode 1004 and the unbalanced terminal 1009.
[0031]
On the other hand, the lead wiring for connecting the balanced terminal 1008 and the first IDT electrode 1002 is unbalanced with the second IDT electrode 1003 compared to the lead wiring for connecting the balanced terminal 1007 and the first IDT electrode 1002. It is separated from the wiring connecting the terminal 1009 and the lead wiring connecting the third IDT electrode 1004 and the unbalanced terminal 1009.
[0032]
Therefore, the lead wiring for connecting the balanced terminal 1007 and the first IDT electrode 1002 is between the lead wiring for connecting the unbalanced terminal 1009 and the second IDT electrode 1003 or the third IDT electrode 1004. There is a parasitic component larger in high frequency than the lead wiring connecting the balanced terminal 1008 and the first IDT electrode 1002. Therefore, the degree of balance is degraded.
[0033]
In the surface acoustic wave filter of FIG. 13, in the vicinity of the lead wiring connecting the balanced terminal 1007 and the first IDT electrode 1002, the lead wiring connecting the second IDT electrode 1003 and the balanced terminal 1010, and There are lead wires connecting the third IDT electrode 1004 and the balanced terminal 1010, and signals having substantially the same phase flow through these two lead wires. Therefore, the high frequency parasitic component between the lead-out wiring connecting the balanced terminal 1007 and the first IDT electrode 1002 and the lead-out wiring from the second IDT electrode 1003 is obtained by combining the balanced terminal 1007 with the first terminal. The phase is substantially equal to the high frequency parasitic component between the lead-out wiring connecting the IDT electrode 1002 and the lead-out wiring from the third IDT electrode 1004.
[0034]
Similarly, in the vicinity of a lead wire connecting the balanced terminal 1008 and the first IDT electrode 1002, a lead wire connecting the second IDT electrode 1003 and the balanced terminal 1011 and a third IDT electrode 1004 and There are lead wires connecting the balanced terminals 1011, and signals having substantially the same phase flow through these two lead wires. Therefore, high frequency parasitic components between the lead-out wiring connecting the balanced terminal 1008 and the first IDT electrode 1002 and the lead-out wiring from the second IDT electrode 1003 are the balanced terminal 1008 and the first IDT. The high frequency parasitic component between the lead wiring connecting the electrode 1002 and the lead wiring from the third IDT electrode 1004 is substantially in phase with the parasitic component.
[0035]
Therefore, the signals output from the balanced terminals 1007 and 1008 or the balanced terminals 1010 and 1011 include the above-described parasitic components, and unbalanced parasitic components are generated in each of the balanced terminals, thereby causing elastic waves. The characteristics of the surface wave filter will be degraded.
[0036]
As described above, in the conventional surface acoustic wave filter (see FIGS. 12 to 13), the balance between the lead-out wires from the IDT electrodes is spatially coupled or the input / output IDT electrodes are spatially coupled. In some cases, the characteristics of the surface acoustic wave filter may deteriorate.
[0037]
(B) Further, in the surface acoustic wave filter of FIG. 27, the lower electrode 2b of the second IDT electrode 2 is provided in the vicinity of the lead wiring connecting the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7. And the lead-out wiring 32 connecting the upper electrode 8a of the fifth IDT electrode 8, and the lead-out wiring 33 connecting the lower electrode 3b of the third IDT electrode 3 and the upper electrode 9a of the sixth IDT electrode 9 Do. On the other hand, the lead wiring 32 and the lead wiring 33 do not exist in the vicinity of the lead wiring which connects the balanced terminal OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7.
[0038]
As described above, the lead wiring for connecting the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 is closer to the lead wiring for connecting the balanced terminal OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 It is disposed at a position closer to the lead wirings 32 and 33.
[0039]
Therefore, the lead wiring connecting the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 and the lead wiring connecting the balanced terminal OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 are unbalanced. The present inventor thinks that the degree of balance will deteriorate due to the presence of various parasitic components.
[0040]
As described above, in the conventional surface acoustic wave filter (see FIG. 27), the degree of balance is achieved by the spatial coupling between the lead-out wires from the IDT electrodes and the spatial coupling between the input and output IDT electrodes. In some cases, the characteristics of the surface acoustic wave filter may deteriorate.
[0041]
(C) Also, in the surface acoustic wave filter of FIG. 40, as shown in FIGS. 41 (A) to (C), the amplitude balance characteristic is -1.2 dB to +1.0 dB, and the phase balance characteristic is-in the pass band. It is greatly deteriorated to 8 ° to + 10 °. 41 (A) shows the pass characteristics of the conventional 900 MHz band surface acoustic wave filter, and FIG. 41 (B) shows the amplitude balance of the pass band (from 925 MHz to 960 MHz) of the conventional 900 MHz band surface acoustic wave filter. FIG. 41C shows the phase balance characteristics of the pass band of the conventional 900 MHz band surface acoustic wave filter.
[0042]
Here, the amplitude balance characteristic represents an amplitude difference between the signal amplitude of one of the balanced terminals 4107 and the unbalanced terminal 4109 and the signal amplitude of the other of the balanced terminals 4108 and the unbalanced terminal 4109. If this value is zero, there is no deterioration of the balance characteristics. The phase balance characteristic refers to the phase difference between the phase of the signal between one of the balanced terminals 4107 and the unbalanced terminal 4109 and the phase of the signal between the other balanced terminal 4108 and the unbalanced terminal 4109 from 180 degrees. The deviation of the balance characteristic is represented, and if this value is zero, there is no deterioration of the balance characteristic.
[0043]
Thus, in the conventional surface acoustic wave filter (see FIG. 40), the deterioration of the balance characteristic, which is one of the important electrical characteristics, was large. In addition, there were few detailed discussions about the cause of the deterioration.
[0044]
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter, a balanced filter, and a communication device having better filter characteristics in consideration of the above-mentioned problems.
[0045]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided at least first to third IDTs disposed substantially along the propagation direction of a surface acoustic wave, each of which comprises a pair of opposed comb electrodes disposed on a piezoelectric substrate. Equipped with electrodes,
Among the first to third IDT electrodes, (1) in the first IDT electrode in which the other IDT electrodes are disposed on both sides, one comb-shaped electrode is connected to one of the first balanced terminals And the other comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals, and (2) in the second IDT electrode of the other IDT electrodes, one comb electrode is connected via a lead wire. Signal is input or output, and (3) the third IDT electrode among the other IDT electrodes is one comb electrode on the side different from one comb electrode of the second IDT electrode. A signal is input or output through the routing wiring(4) The center distance between the adjacent electrode fingers of the second and third IDT electrodes and the pair of opposing comb electrodes is substantially 0.9 × λ with respect to the center frequency λ of the surface acoustic wave filter. Have a value in the range of / 2 to 1.1 × λ / 2Surface acoustic wave filter.
[0046]
According to a second aspect of the present invention, there is provided at least first to third IDTs disposed substantially along a propagation direction of a surface acoustic wave, each of which comprises a pair of opposing comb-like electrodes disposed on a piezoelectric substrate. An electrode, a first reflector electrode on the side of the second IDT electrode with respect to the first IDT electrode, and a third on the side of the third IDT electrode with respect to the first IDT electrode And at least one of the first to third IDT electrodes is disposed between the first reflector electrode and the second reflector electrode. Among the three IDT electrodes, (1) the first IDT electrode in which the other IDT electrodes are disposed on both sides has one comb electrode The other IDT electrode is connected to one of the first balanced terminals, and the other comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals; (2) the second IDT of the other IDT electrodes In the electrode, one comb-shaped electrode inputs or outputs a signal through a lead wiring, and (3) the third IDT electrode in the other IDT electrodes is one comb-shaped electrode of the second IDT electrode And a signal is input or output via one lead wiring on one side of the comb electrode on the different side, and (4) the second IDT electrode and the first reflector electrode are electrically connected, and It is a surface acoustic wave filter in which said 3rd IDT electrode and said 2nd reflector electrode are electrically connected.
[0047]
Second3The present invention of,PreviousIn order to input or output a signal to or from the lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the second IDT electrode and to one of the comb electrodes of the third IDT electrode. The lead-out wires of the first are connected to each other and to an unbalanced terminal.2The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0048]
Second4In the present invention, the other comb-shaped electrode of the second IDT electrode is grounded.
The other comb-shaped electrode of the third IDT electrode is grounded3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0049]
Second5In the present invention, the one comb-like electrode of the second IDT electrode is connected to one of the second balanced terminals,
The first comb-shaped electrode of the third IDT electrode is connected to one of the second balanced terminals.Or secondThe surface acoustic wave filter of the present invention.
[0050]
Second6In the present invention, the first and second reflector electrodes are grounded.
The other electrode of the second IDT electrode is grounded by being connected to the first reflector electrode;
The other electrode of the third IDT electrode is grounded by being connected to the second reflector electrode4The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0051]
Second7In the present invention, the first and second reflector electrodes are connected to the unbalanced terminal,
One electrode of the second IDT electrode is connected to the unbalanced terminal by being connected to the first reflector electrode,
A first electrode of the third IDT electrode is connected to the unbalanced terminal by being connected to the second reflector electrode4The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0052]
Second8According to the present invention, the first and / or the second reflector electrode is divided into at least two split reflector electrodes.4The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0053]
Second9According to the present invention, among the at least two split reflector electrodes, the split reflector electrode closer to the second and / or third IDT electrode is directly grounded or the other split The second is grounded via the reflector electrode8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0054]
Second10According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided, and the other electrode of the second IDT electrode is one of the divided reflector electrodes constituting the first reflector electrode. It is grounded by being connected to the split reflector electrode which is grounded,
(2) The second reflector electrode is divided, and the other electrode of the third IDT electrode is connected to the ground among the divided reflector electrodes constituting the second reflector electrode. The second is grounded by being connected to the reflector electrode9The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0055]
First1According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided, and one electrode of the second IDT electrode is grounded among the divided reflector electrodes constituting the first reflector electrode. Said split reflector electrode, which is connected to an undivided split reflector electrode, to which one electrode of the second IDT electrode is connected, is connected to said unbalanced terminal,
(2) The second reflector electrode is split, and one electrode of the third IDT electrode is a non-grounded split reflection of the split reflector electrodes constituting the second reflector electrode The split reflector electrode, which is connected to the first electrode of the third IDT electrode and to which one electrode of the third IDT electrode is connected, is connected to the unbalanced terminal;10The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0056]
First2According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and electrode finger pitches of at least two of the divided reflector electrodes among the divided reflector electrodes are different from each other Yes,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and electrode finger pitches of at least two of the split reflector electrodes among the split reflector electrodes are different from each other8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0057]
First3The invention provides that (1) the first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the metallization ratios of at least two of the divided reflector electrodes of the divided reflector electrodes are different from each other Yes,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and the metallization ratios of at least two of the split reflector electrodes among the split reflector electrodes are different from each other8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0058]
First4According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided into at least three of the split reflector electrodes, and the distance between two adjacent split reflector electrodes of the split reflector electrodes is Not all the same,
(2) The second reflector electrode is divided into at least three of the split reflector electrodes, and the spacing between two adjacent split reflector electrodes of the split reflector electrodes is not all the same.8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0059]
First5In the invention, the division into the split reflector electrodes is performed in a direction orthogonal to the direction in which the first to third IDT electrodes are arranged.8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0060]
First6According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and one electrode of the second IDT electrode constitutes the first reflector electrode The split reflector electrode connected to the split reflector electrode, to which one electrode of the second IDT electrode is connected, is connected to the unbalanced terminal,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and one of the third IDT electrodes is the split reflector electrode constituting the second reflector electrode. The split reflector electrode connected to one of the third IDT electrodes is connected to the first terminal connected to the unbalanced terminal.5The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0061]
First7According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the other electrode of the second IDT electrode constitutes the first reflector electrode The split reflector electrode connected to the split reflector electrode, to which one electrode of the second IDT electrode is connected, is grounded;
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and the other electrode of the third IDT electrode is the split reflector electrode constituting the second reflector electrode. The split reflector electrode connected to one of the third IDT electrodes is connected to the first5The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0062]
First8According to the present invention, the first reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and the second of the split reflector electrodes constituting the first reflector electrode. The split reflector electrode adjacent to the IDT electrode is further split into two or more horizontal split reflector electrodes in a direction orthogonal to the direction in which the first to third IDT electrodes are disposed,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two split reflector electrodes, and is adjacent to the third IDT electrode of the split reflector electrodes constituting the second reflector electrode The split reflector electrode is further split into two or more horizontal split reflector electrodes in a direction orthogonal to the direction in which the first to third IDT electrodes are disposed.5The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0063]
First9According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the second IDT electrode is further divided into the two or more laterally divided electrodes. When divided into reflector electrodes, any one of the lateral split reflector electrodes is connected to the unbalanced terminal,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the third IDT electrode is further divided into the two or more horizontally divided reflector electrodes If any of the lateral split reflector electrodes is connected to the unbalanced terminal,8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0064]
Second20According to the present invention, (1) the first reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the second IDT electrode is further divided into the two or more laterally divided electrodes. When divided into reflector electrodes, any one of the horizontal split reflector electrodes is grounded,
(2) The second reflector electrode is divided into the at least two divided reflector electrodes, and the divided reflector electrode adjacent to the third IDT electrode is further divided into the two or more horizontally divided reflector electrodes If any of the horizontal split reflector electrodes is connected to the first8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0065]
Second1According to the present invention, in the unbalanced terminal, one or more surface acoustic wave resonators are connected in series and / or in parallel.4The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0066]
Second2The present invention provides a method of converting an unbalanced type to a balanced type or a balanced type to a balanced type to a first type.Or secondThe surface acoustic wave filter of the present invention.
[0067]
Second3The present invention isAt least a first to a fourth electrode arranged substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave, each of which is composed of a pair of opposing comb electrodes arranged on a piezoelectric substrate. Equipped with 3 IDT electrodes,
Among the first to third IDT electrodes, (1) in the first IDT electrode in which the other IDT electrodes are disposed on both sides, one comb-shaped electrode is connected to one of the first balanced terminals And the other comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals, and (2) in the second IDT electrode of the other IDT electrodes, one comb electrode is connected via a lead wire. Signal is input or output, and (3) the third IDT electrode among the other IDT electrodes is one comb electrode on the side different from one comb electrode of the second IDT electrode. A signal is input or output through the lead wiring,
Arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave, each being constituted by a pair of opposing comb electrodes arranged on the piezoelectric substrate (4) With a fourth IDT electrode, on the other side of which other IDT electrodes are arranged,5) A fifth IDT electrode to which a signal is input or output via one of the other IDT electrodes and the lead-out wire;6) A first IDT electrode having a sixth IDT electrode on a different side from the fifth IDT electrode to which a signal is inputted or outputted through one of the other IDT electrodes and the comb-shaped electrode of the other IDT electrode With filter track,
A second filter track having the first IDT electrode, the second IDT electrode, and the third IDT electrode;
The first filter track and the second filter track are connected in cascade,
In order to input or output a signal to or from the lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the second IDT electrode and to one of the comb electrodes of the fifth IDT electrode And the lead-out wires are connected to each other,
In order to input or output a signal to or from the lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the third IDT electrode and to one of the comb electrodes of the sixth IDT electrode Are connected to each other andBulletSurface acoustic wave filter.
[0068]
Second4The present invention is characterized in that the second comb electrode of the fifth IDT electrode and the first comb electrode of the sixth IDT electrode are on the same side.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0069]
Second5The present invention is characterized in that the second comb electrode of the fifth IDT electrode and the first comb electrode of the sixth IDT electrode are on different sides.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0070]
Second6According to the invention, in the second IDT electrode, one comb-shaped electrode is connected to an unbalanced terminal.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0071]
Second7According to the invention, in the second IDt electrode, one comb-shaped electrode is disposed on the opposite side to the second filter track.6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0072]
Second8In the present invention, the other comb-shaped electrode of the second IDT electrode is grounded.
The other comb-shaped electrode of the third IDT electrode is grounded.
The other comb electrode of the fifth IDT electrode is grounded.
The other comb-shaped electrode of the sixth IDT electrode is connected to the second ground electrode.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0073]
Second9The present invention is characterized in that (1) the phase of the input or output of the signal performed on one comb electrode of the second IDT electrode, and (2) one comb electrode of the third IDT electrode. The phase of the input or output of the signal to be3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0074]
Second30According to the present invention, (1) a lead wiring for inputting or outputting a signal to one comb electrode of the second IDT electrode and a signal to one comb electrode of the fifth IDT electrode A reactance component of a wire for connecting to a lead wire for performing the input or output of the device, and (2) a lead wire for performing signal input or output to one of the comb electrodes of the third IDT electrode. And reactance components of wiring for connecting a lead wiring for inputting or outputting a signal to one of the comb electrodes of the sixth IDT electrode are substantially equal to each other.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0075]
Third1In the present invention, one comb-shaped electrode of the fourth IDT electrode is connected to one of the second balanced terminals,
The other comb-shaped electrode of the fourth IDT electrode is connected to the other of the second balanced terminals.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0076]
Third2According to the present invention, a first reflector electrode on the side of the second IDT electrode with reference to the first IDT electrode;
A second reflector electrode on the side of the third IDT electrode with reference to the first IDT electrode;
A third reflector electrode on the side of the fifth IDT electrode with reference to the fourth IDT electrode;
And a fourth reflector electrode on the side of the sixth IDT electrode with respect to the fourth IDT electrode,
The at least first to third IDT electrodes are disposed between the first reflector electrode and the second reflector electrode,
The at least fourth to sixth IDT electrodes are disposed between the third reflector electrode and the fourth reflector electrode.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0077]
Third3In the present invention, at least one of the first to sixth IDT electrodes is divided into a plurality of divided IDT electrodes,
All or a part of the comb electrodes disposed on one side of the plurality of interdigitated electrodes of the split IDT electrodes are electrically connected to each other,
All or a part of the comb-shaped electrodes arranged on the other side of the comb-shaped electrodes of the plurality of divided IDT electrodes are electrically connected to each other3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0078]
Third4In the present invention, at least one of the first to sixth IDT electrodes is divided into two or three divided IDT electrodes.3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0079]
Third5According to the present invention, the center distance between the adjacent electrode fingers of the pair of opposing comb electrodes is substantially 0.9 × λ / 2 to 1.1 × λ with respect to the center frequency λ of the surface acoustic wave filter. Second with values in the range up to3The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0080]
Third6According to the present invention, there is provided a first IDT electrode comprising a pair of opposing comb electrodes disposed on a piezoelectric substrate, wherein one comb electrode is connected to one of the first balanced terminals.
And a second IDT electrode composed of a pair of opposed comb electrodes disposed on the piezoelectric substrate, one of the comb electrodes being connected to one of the second balanced terminals or the unbalanced terminal.
It is a surface acoustic wave filter in which a reactance element is connected between one comb electrode of the first IDT electrode and one comb electrode of the second IDT electrode.
[0081]
Third7The present invention further comprises a third IDT electrode composed of a pair of opposing comb electrodes disposed on the piezoelectric substrate, one of the comb electrodes being connected to the unbalanced terminal,
The first to third IDT electrodes are disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave such that the second and third IDT electrodes are on different sides of the first IDT electrode,
The other comb-shaped electrode of the first IDT electrode is connected to the other of the first balanced terminals,6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0082]
Third8In the present invention, a reactance element is connected between one comb electrode of the first IDT electrode and one comb electrode of the third IDT electrode.7The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0083]
Third9According to the present invention, the first comb-shaped electrode of the second IDT electrode and the one comb-shaped electrode of the third IDT electrode are disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave. The third side which is different from the third IDT electrode8The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0084]
Second40The present invention further comprises a third IDT electrode composed of a pair of opposing comb-shaped electrodes disposed on the piezoelectric substrate, one of the comb-shaped electrodes being connected to the other of the first balanced terminals. ,
The first to third IDT electrodes are disposed so that the first and third IDT electrodes are on different sides of the second IDT electrode substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave. There is a third6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0085]
Fourth1In the present invention, a reactance element is connected between one comb electrode of the first IDT electrode and one comb electrode of the third IDT electrode.40The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0086]
Fourth2The present invention is characterized in that (1) a first surface acoustic wave resonator having the first IDT electrode and two reflector electrodes between which the first IDT electrode is disposed; (2) the first surface acoustic wave resonator A second surface acoustic wave resonator having a second IDT electrode and two reflector electrodes between which the second IDT electrode is disposed,
The first surface acoustic wave resonator and the second surface acoustic wave resonator are connected in a ladder shape.6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0087]
Fourth3According to the present invention, the parallel resonant circuit in which a resonant frequency is set within a pass band is formed by the parasitic component existing between the unbalanced terminal and the balanced terminal and the reactance element.6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0088]
Fourth4According to the present invention, the reactance element is an inductance.6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0089]
Fourth5In the invention, the piezoelectric substrate has a third effective relative permittivity of 40 or more.6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0090]
Fourth6In the present invention, the piezoelectric substrate is formed using lithium tantalate or lithium niobate.6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0091]
Fourth7The present invention is a balanced filter having an unbalanced terminal and a balanced end type particle, wherein
At least one predetermined reactance element is connected between the unbalanced terminal and the at least one balanced end type element.
[0092]
Fourth8According to the present invention, the parallel resonant circuit in which the resonant frequency is set within the pass band is formed by the parasitic component existing between the unbalanced terminal and the balanced terminal and the reactance element.7The balanced filter of the present invention.
[0093]
Fourth9The present invention provides a transmitting / receiving means for transmitting and / or receiving
Filtering the transmission signal to be used for the transmission and / or the reception signal to be used for the reception;Second orThird6Surface acoustic wave filter according to the present invention, or7And the balanced filter of the present invention.
[0094]
Second50The present invention further comprises a third IDT electrode composed of a pair of opposing comb electrodes disposed on the piezoelectric substrate, one of the comb electrodes being connected to the unbalanced terminal,
The first to third IDT electrodes are substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave.
The second and third IDT electrodes are arranged to be on different sides of the first IDT electrode,
One comb-shaped electrode of the first IDT electrode is divided into a first divided comb-shaped electrode and a second divided comb-shaped electrode,
The first divided comb electrode is connected to one of the first balanced terminals,
The second divided comb electrode is connected to the other of the first balanced terminals.6The surface acoustic wave filter of the present invention.
[0095]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0096]
Embodiment 1
The surface acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment.
[0097]
The first IDT electrode 102 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the second IDT electrode 103 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 104 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. Also, the first reflector electrode 105 corresponds to the first reflector electrode of the present invention, and the second reflector electrode 106 corresponds to the second reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 107 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, the other 108 of the balanced terminals corresponds to the other of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal is 109. It corresponds to the unbalanced terminal of the present invention.
[0098]
In FIG. 1, reference numeral 101 denotes a piezoelectric substrate, and surface acoustic waves can be excited by forming on the piezoelectric substrate 101 electrode patterns intersecting in the form of periodic structure strip lines. A longitudinal mode elastic surface formed of a first IDT electrode 102, second and third IDT electrodes 103 and 104, and first and second reflector electrodes 105 and 106 on a piezoelectric substrate 101. A wave filter is formed.
[0099]
In the surface acoustic wave filter described above, the upper electrode 102a of the first IDT electrode 102 is connected to one of the balanced terminals 107, and the lower electrode 102b of the first IDT electrode 102 is connected to the other 108 of the balanced terminals. . The upper electrode 103a of the second IDT electrode 103 is connected to the unbalanced terminal 109, and the lower electrode 103b is grounded. The lower electrode 104b of the third IDT electrode 104 is connected to the unbalanced terminal 109, and the upper electrode 104a is grounded.
[0100]
As described above, the surface acoustic wave filter described above is configured to have the unbalanced-balanced type terminal, and the signal path from the unbalanced type terminal 109 is structurally connected from the upside-down side. Further, the number of electrode fingers of the upper electrode 102 a and the lower electrode 102 b of the first IDT electrode 102 is the same.
[0101]
With the above configuration, the lead wiring from the second and third IDT electrodes 103 and 104 connected to the unbalanced terminal 109 and the first IDT electrode 102 connected to the balanced terminals 107 and 108 It is possible to suppress the deterioration of the balance due to the unbalanced spatial coupling with the lead wiring, and to obtain a surface acoustic wave filter having a good balance.
[0102]
That is, by connecting the signal path from the unbalanced terminal 109 structurally from the upside down side, the lead wiring from the second IDT electrode 103 and the third IDT electrode 104 and the balanced terminal 107 can be obtained. The spatial coupling with the lead wiring from the first IDT electrode 102 to be connected is made by connecting the lead wiring from the second IDT electrode 103 and the third IDT electrode 104 to the balanced terminal 108. It is substantially identical to the spatial coupling with the lead wiring from the IDT electrode 102. Therefore, the deterioration of the degree of balance can be suppressed.
[0103]
Further, the arrangement of the electrode fingers in the second and third IDT electrodes 103 and 104 is configured such that the surface acoustic waves do not cancel each other. That is, assuming that the upper electrodes 103a and the lower electrodes 104b of the second and third IDT electrodes 103 and 104 connected to the unbalanced terminal 109 are plus (+) and the grounded electrode is minus (-) in the figure. As shown in FIG. 2 (A), they are arranged in the same phase.
[0104]
Even in the configuration shown in FIG. 2B, the effects of the present invention are the same. In FIG. 2B, the arrangement of the upper and lower electrodes of the second and third IDT electrodes 103 and 104 is shifted by one electrode finger. In this case, the effects of the present invention are the same except that the polarity of the first IDT electrode 102 is reversed.
[0105]
Further, although the upper electrode 103a of the second IDT electrode 103 and the lower electrode 104b of the third IDT electrode 104 are connected to the unbalanced terminal 109, this corresponds to the lower electrode 103b of the second IDT electrode 103. And the upper electrode 104 a of the third IDT electrode 104 may be connected to the unbalanced terminal 109. That is, by connecting the signal paths to the second and third IDT electrodes 103 and 104 structurally from the upside-down side, the same effect as that of the embodiment of the present invention can be obtained.
[0106]
Second Embodiment
Hereinafter, a surface acoustic wave filter according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic view of the surface acoustic wave filter according to the second embodiment.
[0107]
In the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, the unbalanced terminal 309 is connected to the input terminal IN via the first surface acoustic wave resonator 310 in series, and is unbalanced with the first surface acoustic wave resonator 310. It is characterized in that a second surface acoustic wave resonator 311 is connected in parallel with the die terminal 309.
[0108]
The first IDT electrode 302 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the second IDT electrode 303 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 304 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. Also, the first reflector electrode 305 corresponds to the first reflector electrode of the present invention, and the second reflector electrode 306 corresponds to the second reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 307 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, the other 308 of the balanced terminals corresponds to the other of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal is 309 It corresponds to the unbalanced terminal of the present invention.
[0109]
In FIG. 3, reference numeral 301 denotes a piezoelectric substrate, and surface acoustic waves can be excited by forming on the piezoelectric substrate 301 electrode patterns intersecting in the form of periodic structure strip lines. A longitudinal mode elastic surface formed of a first IDT electrode 302, second and third IDT electrodes 303 and 304, and first and second reflector electrodes 305 and 306 on the piezoelectric substrate 301. A wave filter is formed.
[0110]
In the surface acoustic wave filter described above, the upper electrode 302a of the first IDT electrode 302 is connected to one of the balanced terminals 307, and the lower electrode 302b of the first IDT electrode 302 is connected to the other 308 of the balanced terminals. . Further, the upper electrode 303a of the second IDT electrode 303 is connected to the unbalanced terminal 309, and the lower electrode 303b is grounded. The lower electrode 304b of the third IDT electrode 304 is connected to the unbalanced terminal 309, and the upper electrode 303a is grounded. As described above, the surface acoustic wave filter described above is configured to have the unbalanced-balanced type terminal, and the signal path from the unbalanced type terminal 309 is structurally connected from the upside-down side. Further, the number of electrode fingers of the upper electrode 302a and the lower electrode 302b of the first IDT electrode 302 is the same.
[0111]
Furthermore, the unbalanced terminal 309 is connected to the input terminal IN via the first surface acoustic wave resonator 310 in series, and the first surface acoustic wave resonator 310 and the unbalanced terminal 309 have a first connection. Two surface acoustic wave resonators 311 are connected in parallel, and one end of the surface acoustic wave resonator 311 is grounded. The first surface acoustic wave resonator 310 and the second surface acoustic wave resonator 311 were inserted to form an attenuation pole. The balanced terminals 307 and 308 are connected to the output terminals OUT1 and OUT2, respectively. The connection of IN, OUT1, and OUT2 is drawn to a terminal outside the piezoelectric substrate by wire bonding mounting, face-down mounting, or the like.
[0112]
Here, the degree-of-equilibrium characteristic of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment will be described using FIGS. 4 (A) to 4 (B).
[0113]
Note that FIG. 4A shows a conventional configuration for comparison (that is, the conventional configuration shown in FIG. 12 as the connection of the second and third IDT electrodes connected to the unbalanced terminal). It is the characteristic when it was. That is, FIG. 4A shows an amplitude difference between the signal from the unbalanced terminal 1009 to the balanced terminal 1007 and the signal from the unbalanced terminal 1009 to the balanced terminal 1008 of the surface acoustic wave filter of FIG. It shows the difference. When it is assumed that the surface acoustic wave filter is in an ideal state of being completely balanced, the signal from the unbalanced terminal 1009 to the balanced terminal 1007 and the balanced terminal 1009 to the balanced terminal 1008 The phase of the signal to is 180 degrees different. The phase difference in FIG. 4A is a plot of the deviation from this ideal state.
[0114]
FIG. 4B shows the balance characteristic of the surface acoustic wave filter of 900 MHz band in the present embodiment. FIG. 4 shows the amplitude difference and the phase difference of the signal from IN to OUT1 and the signal from IN to OUT2. When the surface acoustic wave filter of FIG. 3 is in an ideal state of being perfectly balanced, the signal from IN to OUT1 and the signal from IN to OUT2 are 180 degrees out of phase. The phase difference in FIG. 4B is a plot of the deviation from this ideal state.
[0115]
As can be seen from FIGS. 4 (A) to 4 (B), the balance characteristics of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment are improved in both the amplitude difference and the phase difference as compared with the related art. In the 925 MHz to 960 MHz range, the amplitude difference is 2.2 dB (-1.2 dB to +1.0 dB) in the conventional configuration, whereas 1.5 dB (-0.8 dB to +0.7 dB) in the configuration of the present invention And an improvement of 0.7 dB. Further, with respect to the phase difference, in the configuration of the present invention, an improvement of 13 ° (-5 ° to + 8 °) and 6 ° can be obtained, while in the conventional configuration it is 19 ° (-7 ° to + 12 °). There is.
[0116]
As described above, it is possible to suppress the spatial unbalance coupling due to the lead-out wiring of the first and second IDT electrodes connected to the unbalanced terminal and the first IDT electrode connected to the balanced terminal. As a result, a surface acoustic wave filter having a good degree of balance can be obtained.
[0117]
In the present embodiment, the unbalanced side is the input and the balanced side is the output, but the input and the output may be reversed.
[0118]
Further, in the present embodiment, the unbalanced terminal 309 is connected to the input terminal IN via the first surface acoustic wave resonator 310 in series, and the first surface acoustic wave resonator 310 and the unbalanced terminal 309 are connected. In the meantime, the second surface acoustic wave resonator 311 is described as being connected in parallel, but the present invention is not limited to this. One of the first surface acoustic wave resonator 310 and the second surface acoustic wave resonator 311 may not be provided. Also, the unbalanced terminal 309 may be connected to the input terminal IN via two or more surface acoustic wave resonators in series. Furthermore, two or more surface acoustic wave resonators may be connected in parallel to the plurality of surface acoustic wave resonators. In short, any number of surface acoustic wave resonators may be inserted in series and / or in parallel between the unbalanced terminal 309 and IN as long as an appropriate characteristic as a surface acoustic wave filter can be obtained.
[0119]
Third Embodiment
The surface acoustic wave filter according to the third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 is a schematic view of the surface acoustic wave filter according to the third embodiment.
[0120]
The first IDT electrode 502 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the second IDT electrode 503 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 504 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. Also, the first reflector electrode 505 corresponds to the first reflector electrode of the present invention, and the second reflector electrode 506 corresponds to the second reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 507 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, the other of the balanced terminals 508 corresponds to the other of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal is 509 It corresponds to the unbalanced terminal of the present invention.
[0121]
In FIG. 5, reference numeral 501 denotes a piezoelectric substrate, and surface acoustic waves can be excited by forming on the piezoelectric substrate 501 electrode patterns intersecting in the form of periodic structure strip lines. A longitudinal mode elastic surface formed of a first IDT electrode 502, second and third IDT electrodes 503 and 504, and first and second reflector electrodes 505 and 506 on the piezoelectric substrate 501. A wave filter is formed.
[0122]
In the surface acoustic wave filter described above, the upper electrode 502a of the first IDT electrode 502 is connected to one of the balanced terminals 507, and the lower electrode 502b of the first IDT electrode 502 is connected to the other of the balanced terminals 508. . Further, the upper electrode 503a of the second IDT electrode 503 is connected to the unbalanced terminal 509 via the first reflector electrode 505, and the lower electrode 503b is grounded. The lower electrode 504b of the third IDT electrode 504 is connected to the unbalanced terminal 509 via the second reflector electrode 506, and the upper electrode 503a is grounded.
[0123]
As described above, the surface acoustic wave filter described above is configured to have an unbalanced-balanced terminal, and the signal path from the unbalanced terminal 509 is structurally connected from the upside-down side. Further, the number of electrode fingers of the upper electrode 502 a and the lower electrode 502 b of the first IDT electrode 502 is the same.
[0124]
With the above configuration, the degree of balance can be improved as compared to the prior art. In the 925 MHz to 960 MHz range, the amplitude difference is 2.2 dB (-1.2 dB to +1.0 dB) in the conventional configuration, whereas it is 1.8 dB (-1.0 dB to +0.8 dB) in the configuration of the present invention ) And an improvement of 0.4 dB. Further, with respect to the phase difference, in the configuration of the present invention, an improvement of 16 ° (-6 ° to + 10 °) and 3 ° can be obtained, while in the conventional configuration it is 19 ° (-7 ° to + 12 °). The definition of the phase difference is the same as that of the second embodiment.
[0125]
In the configuration of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, since the routing to the signal path to the second and third IDT electrodes can be made smaller, characteristic deterioration due to the resistance and inductor component due to routing can be further suppressed. It is possible to further increase the degree of freedom of the electrode arrangement and the terminal arrangement on the substrate.
[0126]
Embodiment 4
The surface acoustic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 6 is a schematic view of the surface acoustic wave filter according to the fourth embodiment.
[0127]
The first IDT electrode 602 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the second IDT electrode 603 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 604 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. Also, the first reflector electrode 605 corresponds to the first reflector electrode of the present invention, and the second reflector electrode 606 corresponds to the second reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 607 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, the other of the balanced terminals 608 corresponds to the other of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal is 609 It corresponds to the unbalanced terminal of the present invention.
[0128]
In FIG. 6, reference numeral 601 denotes a piezoelectric substrate, and surface acoustic waves can be excited by forming an electrode pattern intersecting on the piezoelectric substrate 601 in the form of periodic strip lines. A longitudinal mode elastic surface formed of a first IDT electrode 602, second and third IDT electrodes 603 and 604, and first and second reflector electrodes 605 and 606 on the piezoelectric substrate 601. A wave filter is formed. Also, the first reflector electrode 605 is composed of the first, second and third split reflector electrodes 605a, 605b and 605c, and the second reflector electrode 606 is the fourth, fifth and sixth It is comprised by the division | segmentation reflector electrode 606a, 606b, and 606c.
[0129]
In the surface acoustic wave filter described above, the upper electrode 602a of the first IDT electrode 602 is connected to one of the balanced terminals 607, and the lower electrode 602b of the first IDT electrode 602 is connected to the other of the balanced terminals 608. . Further, the upper electrode 603a of the second IDT electrode 603 is connected to the unbalanced terminal 609 through the third divided reflector electrode 605c, and the lower electrode 603b and the first and second divided reflector electrodes 605a and 605b. Is grounded. The lower electrode 604b of the third IDT electrode 604 is connected to the unbalanced terminal 609 via the sixth split reflector electrode 606c, and the upper electrode 603a and the fourth and fifth split reflector electrodes 606a and 606b are grounded. Be done.
[0130]
As described above, the surface acoustic wave filter described above is configured to have an unbalanced-balanced terminal, and the signal path from the unbalanced terminal 609 is structurally connected from the upside-down side. Further, the number of electrode fingers of the upper electrode 602 a and the lower electrode 602 b of the first IDT electrode 602 is the same.
[0131]
With the above configuration, the degree of balance can be improved as compared to the prior art. In the 925 MHz to 960 MHz range, in the conventional configuration, the amplitude difference is 2.2 dB (-1.2 dB to +1.0 dB), whereas in the configuration of the present invention, 1.7 dB (-1.0 dB to +0.7 dB) And 0.5 dB improvement is obtained. Further, with respect to the phase difference, in the configuration of the present invention, an improvement of 13 ° (-5 ° to + 8 °) and 6 ° can be obtained, while in the conventional configuration it is 19 ° (-7 ° to + 12 °).
The definition of the phase difference in the present embodiment is the same as that in the second embodiment.
[0132]
Furthermore, in the present configuration, the first, second, fourth, fourth and sixth IDT electrodes 603, 604 and the third, sixth, split reflector electrodes used as signal paths, Since the configuration is such that the five split reflector electrodes are grounded, the spatial coupling from the signal path to the IDT electrode can be further reduced, and even better characteristics than in the third embodiment can be obtained. . In addition, since the routing to the signal path to the second and third IDT electrodes can be further reduced, the characteristic degradation due to the resistance and inductor component due to routing can be further suppressed, and the degree of freedom of electrode placement and terminal placement on the substrate Can be enhanced.
[0133]
Further, in the present configuration, since the lower electrode 602b and the first split reflector electrode 605a, and the upper electrode 603a and the fourth split reflector electrode 606a are grounded in common, the ground terminal can be extracted. The degree of freedom of electrode arrangement on the substrate can be further increased.
[0134]
Although the first and fourth split reflector electrodes are grounded, they may not be grounded.
[0135]
Also, although the third and sixth split reflector electrodes are used as the signal path, the second, third, fifth and sixth split reflector electrodes may be used as the signal path. If the split reflector electrodes close to the second and third IDT electrodes are separated from the ground or the signal path, spatial coupling can be suppressed, and the effect of the present invention is similar.
[0136]
Further, as for the split reflector electrodes, as shown in FIG. 7, the first, second and third split reflector electrodes 701a, 605b and 605c can be divided into first, second and third split reflector electrodes 701a. , 701b, and 701c. In FIG. 7, the first, second and third split reflector electrodes 701a, 701b and 701c respectively have electrode finger pitches P1a, P1b and P1c, electrode portions M1a, M1b and M1c and free surface substrate portions S1a, S1b, It is also possible to use split reflector electrodes having different metallization ratios η1a = M1a / S1a, η1b = M1b / S1b, and η1c = M1c / S1c, which are ratios of S1c.
[0137]
Further, the distance L1 between the first and second split reflector electrodes 701a and 701b may be different from the distance L2 between the second and third split reflector electrodes 701b and 701c. In this case, by making the spurious frequency of the reflection characteristic of the split reflector electrode different, it is possible to make the amount of attenuation outside the band good.
[0138]
Although the first, second, and third split reflector electrodes have been described, this configuration is not limited to the first, second, and third split reflector electrodes 605a, 605b, and 605c, but also the fourth, fourth, and fifth split reflector electrodes. The fifth and sixth split reflector electrodes 606a, 606b, and 606c are also applicable.
[0139]
With the above configuration, it is possible to realize a surface acoustic wave filter that is excellent in the out-of-band attenuation with a good degree of balance.
[0140]
Fifth Embodiment
The surface acoustic wave filter according to the fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 8 is a schematic view of the surface acoustic wave filter according to the fifth embodiment.
[0141]
The first IDT electrode 802 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the second IDT electrode 803 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 804 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. Also, the first reflector electrode 805 corresponds to the first reflector electrode of the present invention, and the second reflector electrode 806 corresponds to the second reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 807 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, the other of the balanced terminals 808 corresponds to the other of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal is 809 It corresponds to the unbalanced terminal of the present invention.
[0142]
In FIG. 8, reference numeral 801 denotes a piezoelectric substrate, and surface acoustic waves can be excited by forming an electrode pattern intersecting the periodic structure strip line on the piezoelectric substrate 801.
[0143]
A longitudinal mode elastic surface formed of a first IDT electrode 802, second and third IDT electrodes 803 and 804, and first and second reflector electrodes 805 and 806 on a piezoelectric substrate 801. A wave filter is formed.
[0144]
Also, the first reflector electrode 805 is divided in the lateral direction, and is constituted by the first upper reflector electrode 805a and the first lower reflector electrode 805b, and the second reflector electrode 806 is the second upper portion. It is comprised by the reflector electrode 806a and the 2nd lower reflector electrode 806b.
[0145]
In the surface acoustic wave filter described above, the upper electrode 802a of the first IDT electrode 802 is connected to one of the balanced terminals 807, and the lower electrode 802b of the first IDT electrode 802 is connected to the other of the balanced terminals 808. Be done. The upper electrode 803a of the second IDT electrode 803 is connected to the unbalanced terminal 809 via the first upper reflector electrode 805a, and the lower electrode 803b and the first lower reflector electrode 805b are grounded. The lower electrode 804b of the third IDT electrode 804 is connected to the unbalanced terminal 809 via the second lower reflector electrode 806b, and the upper electrode 803a and the second upper reflector electrode 806a are grounded.
[0146]
As described above, the surface acoustic wave filter described above is configured to have an unbalanced-balanced terminal, and the signal path from the unbalanced terminal 809 is structurally connected from the upside-down side. Further, the number of the electrode fingers of the upper electrode 802a of the first IDT electrode 802 and the number of the electrode fingers of the lower electrode 802b are the same.
[0147]
With the above configuration, the degree of balance can be improved as compared to the prior art. In the 925 MHz to 960 MHz range, in the conventional configuration, the amplitude difference is 2.2 dB (-1.2 dB to +1.0 dB), whereas in the configuration of the present invention, 1.7 dB (-1.0 dB to +0.7 dB) And 0.5 dB improvement is obtained. Further, with respect to the phase difference, in the configuration of the present invention, an improvement of 13 ° (-5 ° to + 8 °) and 6 ° can be obtained, while in the conventional configuration it is 19 ° (-7 ° to + 12 °). The definition of the phase difference in the present embodiment is the same as that in the second embodiment.
[0148]
In this configuration, since the first upper reflector electrode 805a and the second lower reflector electrode 806b are interposed, it is possible to further reduce the routing to the signal path to the second and third IDT electrodes. Since this can be performed, it is possible to further suppress the characteristic deterioration due to the resistance and the inductor component due to the routing, and to further increase the freedom of the electrode arrangement and the terminal arrangement on the substrate.
[0149]
Further, in this configuration, since the lower electrode 802b and the first lower reflector electrode 805b, and the upper electrode 803a and the second upper reflector electrode 806a are commonly grounded, the ground terminal can be extracted. The degree of freedom of electrode arrangement on the substrate can be further increased.
[0150]
The reflector electrodes 805 and 806 may have a configuration as shown in FIG. In FIG. 9, the first and second reflector electrodes 901 and 902 are each divided into two split reflector electrodes, and further, the split reflector electrodes in the vicinity of the input IDT electrode are the upper reflector electrode and the lower reflector electrode. And the like. Even in the configuration shown in FIG. 9, the effect of improving the degree of balance of the present invention is similar, and the effect of increasing the degree of freedom in electrode arrangement can be obtained similarly. The first reflector electrode 901 corresponds to the first reflector electrode of the present invention, and the second reflector electrode 902 corresponds to the second reflector electrode of the present invention.
[0151]
Sixth Embodiment
The surface acoustic wave filter according to the sixth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 10 is a schematic view of a surface acoustic wave filter according to the sixth embodiment.
[0152]
In the above embodiment, a surface acoustic wave having an unbalanced-balanced terminal has been described, but in the sixth embodiment, a surface acoustic wave filter having a balanced-balanced terminal will be described.
[0153]
The same parts as in the first embodiment are assigned the same reference numerals and detailed explanations thereof will be omitted.
[0154]
The balanced terminal 111 corresponds to one of the second balanced terminals of the present invention.
[0155]
In FIG. 10, a longitudinal mode constituted of a first IDT electrode 102, second and third IDT electrodes 103 and 104, and first and second reflector electrodes 105 and 106 on a piezoelectric substrate 101. A mold surface acoustic wave filter is formed.
[0156]
In the surface acoustic wave filter described above, the upper electrode 102a of the first IDT electrode 102 is connected to one of the balanced terminals 107, and the lower electrode 102b of the first IDT electrode 102 is connected to the other 108 of the balanced terminals. . Further, the upper electrode 103 a of the second IDT electrode 103 is connected to the balanced terminal 110, and the lower electrode 103 b is connected to the balanced terminal 111. The lower electrode 104 b of the third IDT electrode 104 is connected to the balanced terminal 110, and the upper electrode 103 a is connected to the balanced terminal 111.
[0157]
As described above, the surface acoustic wave filter described above has a balanced-balanced terminal configuration, and the signal paths from the balanced terminal 110 and the balanced terminal 111 are structurally connected from the upside-down side. Further, the number of electrode fingers of the upper electrode 102 a and the lower electrode 102 b of the first IDT electrode 102 is the same.
[0158]
According to the above configuration, the lead-out wiring connecting the upper electrode 103a of the second IDT electrode to the balanced terminal 110 and the lead-out wiring connecting the upper electrode 104a of the third IDT electrode 104 to the balanced terminal 111 The flowing signals are in opposite phase to each other. Also, the signals flowing through the lead wiring connecting the lower electrode 103b of the second IDT electrode to the balanced terminal 111 and the lead wiring connecting the lower electrode 104b of the third IDT electrode 104 to the balanced terminal 110 are reverse to each other. It becomes the phase of
[0159]
Therefore, since the signals spatially leaking from these lead wires are opposite in phase between the left and right sides, the influence on the lead wires connecting the upper electrode 102a to the balanced terminal 107 can be reduced. In addition, the influence on the lead wiring connecting the lower electrode 102b to the balanced terminal 108 can be reduced. Therefore, deterioration of the characteristics of the surface acoustic wave filter can be suppressed.
[0160]
The arrangement of the electrode fingers in the second and third IDT electrodes 103 and 104 is the same as that of the first embodiment, as shown in FIG. 11A, and the structure is such that the surface acoustic waves do not cancel each other. That is, the upper electrode 103a and the lower electrode 104b of the second and third IDT electrodes 103 and 104 connected to the balanced terminals 110 and 111 are plus (+), and the electrode connected to the balanced terminal 111 is In the case of minus (-), as shown in FIG.
[0161]
The effect of the present invention is the same even with the configuration shown in FIG. FIG. 11B is a configuration in which the arrangement of the upper and lower electrodes of the second and third IDT electrodes is shifted by one electrode finger. In this case, the effects of the embodiment of the present invention are the same, except that the polarity of the first IDT electrode 102 is reversed.
[0162]
In addition, although the upper electrode 103a of the second IDT electrode 103 and the lower electrode 104b of the third IDT electrode 104 are connected to the balanced terminal 110, this corresponds to the lower electrode 103b of the second IDT electrode 103 The upper electrode 104 a of the third IDT electrode 104 may be connected to the balanced terminal 110. That is, by connecting the signal paths to the second and third IDT electrodes 103 and 104 structurally from the upside-down side, the same effect as that of the embodiment of the present invention can be obtained.
[0163]
The corresponding portion of the surface acoustic wave filter of each of the second to fifth embodiments may be replaced with the surface acoustic wave filter of the sixth embodiment. In this way, it is possible to obtain the same effect as that obtained in the above embodiments for the unbalanced-balanced surface acoustic wave filter also for the balanced-balanced surface wave filter.
[0164]
Seventh Embodiment
The surface acoustic wave filter according to the seventh embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 14 is a schematic view of the surface acoustic wave filter according to the seventh embodiment.
[0165]
The surface acoustic wave filter according to the present embodiment is a longitudinal mode surface acoustic wave filter having an unbalanced-balanced input / output terminal.
[0166]
The fourth IDT electrode 7 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the fifth IDT electrode 8 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the sixth IDT electrode 9 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. The first IDT electrode 1 corresponds to the third IDT electrode, the first IDT electrode 1 corresponds to the fourth IDT electrode of the present invention, and the second IDT electrode 2 corresponds to the fifth IDT electrode of the present invention. The IDT electrode 3 corresponds to the sixth IDT electrode of the present invention. The third reflector electrode 10 corresponds to the first reflector electrode of the present invention, and the fourth reflector electrode 11 corresponds to the second reflector electrode of the present invention, and the first reflector electrode 10 4 corresponds to the third reflector electrode of the present invention, and the second reflector electrode 5 corresponds to the fourth reflector electrode of the present invention. Also, OUT1 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, OUT2 corresponds to the other of the first balanced terminals of the present invention, and IN corresponds to the unbalanced terminal of the present invention.
[0167]
In FIG. 14, the surface acoustic wave filter is composed of a first-stage filter track 6 and a second-stage filter track 12 respectively disposed on a piezoelectric substrate.
[0168]
The first stage filter track 6 is composed of first, second and third IDT electrodes 1, 2 and 3 and first and second reflector electrodes 4 and 5. Also, the second-stage filter track 12 is constituted by the fourth, fifth and sixth IDT electrodes 7, 8 and 9 and the fourth and fifth reflector electrodes 10 and 11.
[0169]
The second and third IDT electrodes 2 and 3 are disposed on both sides of the first IDT electrode 1, and the first and second reflector electrodes 4 and 5 are disposed on both sides thereof. There is. Each of these IDT electrodes and reflector electrodes are disposed along the propagation direction of the surface acoustic wave. Further, fifth and sixth IDT electrodes 8 and 9 are disposed on both sides of the fourth IDT electrode, and third and fourth reflector electrodes 10 and 11 are disposed on both sides thereof. There is. Each of these IDT electrodes and reflector electrodes are disposed along the propagation direction of the surface acoustic wave. The first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 are connected in cascade to constitute a two-stage longitudinal mode filter.
[0170]
In FIG. 14, the first IDT electrode 1 and the fourth IDT electrode 7 are disposed to face each other, and the second IDT electrode 2 and the fifth IDT electrode 8 are disposed to face each other. Although the third IDT electrode 3 and the sixth IDT electrode 9 are illustrated as being disposed facing each other, the present invention is not limited to this. For example, in FIG. 14, the direction in which the first IDT electrode 1, the second IDT electrode 2, and the third IDT electrode are disposed with respect to the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12. Even if the surface acoustic wave filter is moved in parallel, or the surface acoustic wave filter in which the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 are formed on different piezoelectric substrates, this embodiment is equivalent to this embodiment. You can get the effect of In short, in the surface acoustic wave filter of the present embodiment, the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 may be connected in cascade to constitute a two-stage longitudinal mode filter.
[0171]
The first IDT electrode 1 is composed of an upper electrode 1a and a lower electrode 1b, and the second IDT electrode 2 is composed of an upper electrode 2a and a lower electrode 2b. The electrode 3 is composed of an upper electrode 3a and a lower electrode 3b, the fourth IDT electrode 7 is composed of an upper electrode 7a and a lower electrode 7b, and the fifth IDT electrode 8 is composed of The sixth IDT electrode 9 is composed of an upper electrode 9a and a lower electrode 9b. Thus, each IDT electrode is composed of an upper electrode and a lower electrode which are a pair of comb-shaped electrodes.
[0172]
Further, the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 is connected to the unbalanced input terminal IN, and the lower electrode 1b of the first IDT electrode 1 is grounded.
[0173]
The upper electrode 2 a of the second IDT electrode 2 is connected to the upper electrode 8 a of the fifth IDT electrode 8 by the lead wiring 13. The lower electrode 2b of the second IDT electrode 2 is grounded.
[0174]
The lower electrode 3 b of the third IDT electrode 3 is connected to the lower electrode 9 b of the sixth IDT electrode 9 by the lead wiring 14. The upper electrode 3a of the third IDT electrode 3 is grounded.
[0175]
The upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 is connected to one balanced terminal OUT1 of the pair of output balanced terminals, and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 is used for output Of the pair of balanced terminals, it is connected to the other balanced terminal OUT2.
[0176]
The lower electrode 8 b of the fifth IDT electrode 8 and the upper electrode 9 a of the sixth IDT electrode 9 are both grounded.
[0177]
Further, the lead wirings 13 and 14 are lead on the piezoelectric substrate on which each IDT electrode such as the first IDT electrode 1 is formed. At this time, it is preferable to route so that the reactance components of the routing wire 13 and the routing wire 14 become the same. Note that instead of routing the lead-out wires 13 and 14 on the piezoelectric substrate, the base substrate of the piezoelectric substrate may be routed.
[0178]
The connection of IN, OUT1, and OUT2 is drawn to a terminal outside the piezoelectric substrate by wire bonding mounting, face-down mounting, or the like.
[0179]
In each of the IDT electrodes and the reflector electrodes described above, the center distance between the electrode fingers adjacent to each other is in the range of 0.9 × λ / 2 to 1.1 × λ / 2. By doing this, bulk radiation loss can be suppressed, and filter loss can be reduced.
[0180]
Next, the operation of the surface acoustic wave filter of this embodiment will be described.
[0181]
A surface acoustic wave is generated at the first IDT electrode 1 by inputting a signal to the unbalanced terminal IN. The surface acoustic wave generates a plurality of resonance modes by the first and second reflector electrodes 4 and 5. By utilizing this resonance mode, filter characteristics can be obtained, and converted to electrical signals by the second IDT electrode 2 and the third IDT electrode 3 respectively.
[0182]
The electrical signal converted by the second IDT electrode 2 passes through the lead wiring 13 and is output to the upper electrode 8 a of the fifth IDT electrode 8. The electric signal converted by the third IDT electrode 3 passes through the lead wiring 14 and is output to the upper electrode 9 a of the sixth IDT electrode 9. At this time, by adjusting the distance between the IDT electrodes of the surface acoustic wave filter and the arrangement of the electrode fingers in advance, the phase of the electric signal input to the lead wiring 13 and the electric signal input to the lead wiring 14 are different. Are in opposite phase to each other.
[0183]
The electrical signal input to the fifth IDT electrode 8 is converted to a surface acoustic wave by the fifth IDT electrode 8, and the electrical signal input to the sixth IDT electrode 9 is the sixth IDT electrode 9. Are converted to surface acoustic waves. The surface acoustic waves converted by the fifth IDT electrode 8 and the sixth IDT electrode 9 propagate through the piezoelectric substrate. The propagated surface acoustic wave is reflected by the third and fourth reflector electrodes 10 and 11 to generate a plurality of resonance modes.
[0184]
By utilizing this resonance mode, filter characteristics can be obtained and output from balanced terminals OUT1 and OUT2.
[0185]
The surface acoustic wave filter of the present embodiment operates in this manner.
[0186]
In the above embodiments, the improvement of the balance characteristic deterioration due to the unbalanced parasitic component is shown. Next, the cause of balance characteristic deterioration is clarified.
[0187]
The inventor of the present invention simulates and compares the filter characteristics of the conventional surface acoustic wave filter (see FIG. 27) and the filter characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment (see FIG. 14). saw.
[0188]
In addition, the inventor carried out similar simulations with regard to the filter characteristics of the surface acoustic wave filter (see FIG. 1) of the first embodiment described above and the filter characteristics of the conventional surface acoustic wave filter (see FIG. 12).
[0189]
In the following, (1) the filter characteristics of the conventional surface acoustic wave filter (see FIG. 12) and the filter characteristics of the surface acoustic wave filter of the first embodiment (see FIG. 1) will be described first; The filter characteristics of the surface wave filter (see FIG. 27) and the filter characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment (see FIG. 14) will be described next.
[0190]
(1) FIG. 42 shows the conditions for obtaining the filter characteristics of the conventional surface acoustic wave filter (see FIG. 12) by simulation, and FIG. 47 shows the filter characteristics (amplitude balance characteristics and phase balance characteristics) determined according to the conditions. ). The amplitude balance characteristics and the phase balance characteristics are illustrated for the case where both of the two parasitic capacitances (capacitance component 4301) which the present inventors expected to generate (capacitance component 4301) are both 0.1 pF and when they are both 0.2 pF. ing.
[0191]
The filter characteristics obtained by such simulation show the same tendency as the filter characteristics obtained by experiment (see FIG. 41), and the prediction by the inventor of the occurrence of the parasitic capacitance as described above is It can be said that it is accurate.
[0192]
FIG. 48 shows the conditions for obtaining the filter characteristics of the surface acoustic wave filter of the first embodiment (see FIG. 1) by simulation, and FIG. 49 shows the filter characteristics (amplitude balance characteristics and phase balance characteristics) obtained according to the conditions. ). The amplitude balance characteristic and the phase balance characteristic are illustrated in the case where both of the parasitic capacitances at the two places predicted by the inventor are 0.1 pF and in the case where both of them are 0.2 pF. 43A to 43B show the relationship between the parasitic capacitance and the maximum value and the minimum value in the pass band with respect to each of the amplitude balance characteristic and the phase balance characteristic.
[0193]
The filter characteristics obtained by such simulation show the same tendency as the filter characteristics obtained by experiment, and it can be said that the present inventor's prediction of the occurrence of parasitic capacitance as described above is accurate. .
[0194]
(2) FIG. 15 shows the conditions for obtaining the filter characteristics of the conventional surface acoustic wave filter of FIG. 27 by simulation, and FIG. 16 shows the filter characteristics obtained according to the conditions.
[0195]
Further, FIG. 17 shows conditions for obtaining the filter characteristics of the surface acoustic wave filter of FIG. 14 of the present embodiment by simulation, and FIG. 18 shows filter characteristics obtained according to the conditions.
[0196]
First, in the conventional surface acoustic wave filter, as shown in FIG. 15, the lead-out wiring connecting the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 is close to the lead-out wiring 32. Therefore, it was assumed that parasitic capacitance 34 was formed by these routed interconnections. In addition, it is assumed that the parasitic capacitance 35 is formed by the lead-out wiring 33 and the lead-out wiring that connects the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 to each other. did. In addition, since the lead wiring connecting the balanced terminal OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 is separated from the lead wiring 32 and the lead wiring 33, the lead terminal of the balanced terminal OUT2 and the fourth IDT electrode 7 is It was assumed that neither the routed wiring 32 nor the routed wiring 33 would form a parasitic capacitance in the routed wiring connecting the lower electrode 7 b.
[0197]
Further, each IDT electrode and each reflector electrode are arranged such that the phase of the signal input to the lead wiring 32 and the phase of the signal input to the lead wiring 33 are in opposite phase.
[0198]
As a result of performing simulation under such simulation conditions, the filter characteristics shown in FIG. 16 were obtained for the conventional surface acoustic wave filter.
[0199]
FIG. 16A shows the frequency characteristics of the conventional surface acoustic wave filter obtained by simulation. Further, FIG. 16B shows the amplitude balance of the conventional surface acoustic wave filter obtained by simulation. The amplitude balance is the ratio of the amplitude of the signal output to the balanced terminal OUT1 to the amplitude of the signal output to the balanced terminal OUT2 when the input signal is input from the unbalanced terminal IN (unit: : Decibel) is plotted. When it is assumed that the surface acoustic wave filter is in an ideal state of being perfectly balanced, the signal detected from balanced terminal OUT1 and the signal detected from balanced terminal OUT2 have equal amplitudes. And the phases differ from each other by 180 degrees. Therefore, the larger the absolute value of the amplitude balance, the larger the deviation from the ideal equilibrium state. FIG. 16C shows the phase balance of the conventional surface acoustic wave filter obtained by simulation. The phase balance is the difference between the phase of the signal output to the balanced terminal OUT1 and the phase of the signal output to the balanced terminal OUT2 when the input signal is input from the unbalanced terminal IN (unit: Degrees) are plotted. When it is assumed that the surface acoustic wave filter is in an ideal state of being perfectly balanced, the signal detected from balanced terminal OUT1 and the signal detected from balanced terminal OUT2 have equal amplitudes. And the phases differ from each other by 180 degrees. Therefore, the phase balance indicates how many phase differences between the phase of the signal detected from the balanced terminal OUT1 and the phase of the signal detected from the balanced terminal OUT2 from 180 degrees. Therefore, the larger the absolute value of the phase balance, the larger the deviation from the ideal equilibrium state.
[0200]
Next, as to the surface acoustic wave filter shown in FIG. 14 of the present embodiment, as shown in FIG. 17, the lead-out wiring connecting the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 and the lead-out It is assumed that parasitic capacitance 36 is formed by these lead-out lines because the lines 13 are close to each other. In addition, it is assumed that the parasitic capacitance 37 is formed by the lead-out wiring, since the lead-out wiring for connecting the balanced terminal OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 is close to each other. did.
[0201]
On the other hand, it is assumed that the lead wirings connecting the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7 do not form parasitic capacitances because they are not close to the lead wiring 14. . Further, it is assumed that the lead-out lines connecting the balanced terminal OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 do not form parasitic capacitances because they are not close to the lead-out lines 13. .
[0202]
Further, each IDT electrode and each reflector electrode are arranged such that the phase of the signal input to the lead-out wiring 13 and the phase of the signal input to the lead-out wiring 14 are in opposite phase to each other.
[0203]
As a result of performing simulation under such simulation conditions, the filter characteristics shown in FIG. 18 were obtained for the surface acoustic wave filter of the present embodiment.
[0204]
FIG. 18A shows frequency characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment, which are obtained by simulation. Further, FIG. 18B shows the amplitude balance of the surface acoustic wave filter of the present embodiment, which is obtained by simulation. Further, FIG. 18C shows the phase balance of the surface acoustic wave filter of the present embodiment, which is obtained by simulation.
[0205]
Comparing FIG. 16 with FIG. 17, the frequency characteristics of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 17A show that attenuation poles are obtained outside the passband, and steeply attenuates outside the passband. It is a characteristic that On the other hand, in the frequency characteristic of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 16A, no attenuation pole is obtained outside the passband, and it does not have a characteristic to attenuate sharply.
[0206]
Further, in the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 18B, good characteristics are obtained over a wide frequency range. On the other hand, in the amplitude balance of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 16 (B), the amplitude balance is more deteriorated than in FIG. 18 (B).
[0207]
Further, the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 18C has good characteristics over a wide frequency range. On the other hand, the phase balance of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 16C is more deteriorated than that of FIG. 18C.
[0208]
Thus, when the characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment and the characteristics of the conventional surface acoustic wave filter are determined by simulation, the surface acoustic wave filter of the present embodiment is the conventional surface acoustic wave. The result was that the filter had better balance and better frequency characteristics.
[0209]
This result can be interpreted as follows. That is, in the surface acoustic wave filter of the present embodiment, the lead-out wiring connecting the balance type terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7, the parasitic component formed by the lead wiring 13, and the balance type Since the lead-out wiring connecting the terminal OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 and the parasitic component formed by the lead-out wiring 14 are substantially the same, good balance and good frequency characteristics can be obtained. It can be considered that a surface acoustic wave filter having the same is obtained. However, in the conventional surface acoustic wave filter, the lead-out wiring connecting the balanced terminal OUT1 and the upper electrode 7a of the fourth IDT electrode 7, the parasitic component formed by the lead-out wirings 32 and 33, and the balanced terminal Since the lead-out wiring connecting OUT2 and the lower electrode 7b of the fourth IDT electrode 7 and the unbalanced parasitic component formed by the lead-out wirings 32 and 33 are different, the elasticity of the present embodiment is obtained. It can be considered that both the degree of balance and the frequency characteristics are degraded more than the surface wave filter.
[0210]
Furthermore, in the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, the present embodiment can also be implemented by setting the phase of the signal input to the routing wiring 13 and the phase of the signal input to the routing wiring 14 to be in opposite phase to each other. It can be considered that the characteristic of the surface acoustic wave filter in the form of is improved.
[0211]
Next, the characteristics of the surface acoustic wave filter of FIG. 14 of the present embodiment and the characteristics of the conventional surface acoustic wave filter of FIG.
[0212]
That is, FIG. 19 shows the characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment obtained by experiments, and FIG. 20 shows the characteristics of the conventional surface acoustic wave filter obtained by experiments.
[0213]
More specifically, FIG. 19 (A) shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment obtained by experiments, and FIG. 19 (B) shows the elastic surfaces of the present embodiment obtained by experiments. FIG. 19C shows the amplitude balance of the wave filter, and FIG. 19C shows the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, which is obtained by experiments.
[0214]
FIG. 20 (A) shows the frequency characteristics of the conventional surface acoustic wave filter determined by experiment, and FIG. 20 (B) shows the amplitude balance of the conventional surface acoustic wave filter determined by experiment. FIG. 20 (C) shows the phase balance of the conventional surface acoustic wave filter determined by experiments.
[0215]
Comparing FIG. 19 and FIG. 20, in the frequency characteristic of the surface acoustic wave filter of the present embodiment shown in FIG. 19A, an attenuation pole is obtained outside the passband, and steepness is obtained outside the passband. Attenuation characteristics are obtained. On the other hand, in the frequency characteristics of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 20A, no attenuation pole is obtained outside the pass band, and no sharp attenuation characteristics are obtained outside the pass band.
[0216]
Further, the amplitude balance of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 19B has good characteristics over a wide frequency range. On the other hand, in the amplitude balance of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 20 (B), the amplitude balance is worse than in FIG. 19 (B).
[0217]
Further, the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 19C has good characteristics over a wide frequency range. On the other hand, the phase balance of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 20C is more deteriorated than that of FIG. 19C.
[0218]
As described above, the same tendency was obtained between the case determined by simulation and the case determined by experiment. That is, in any case, the surface acoustic wave filter of the present embodiment provides better balance and better frequency characteristics than the conventional surface acoustic wave filter.
[0219]
In this manner, the connection between the lead wiring 13 and the fifth IDT electrode 8 is upside down with respect to the connection between the lead wiring 14 and the sixth IDT electrode 9, whereby the lead wiring from the balanced terminal OUT1 is obtained. And the influence of the parasitic component with the lead-out wiring from the balanced terminal OUT2 can be made substantially the same, so that the deterioration of the degree of equilibrium can be suppressed and it has good characteristics. A surface acoustic wave filter can be realized.
[0220]
The arrangement of the electrode fingers in each IDT electrode is configured such that the surface acoustic waves do not cancel each other. In other words, assuming that the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 connected to the unbalanced terminal IN is plus (+) and the lower electrode 1b of the first IDT electrode 1 grounded is minus (-). As shown in FIG. 21, the polarities of the electrode fingers are arranged in phase. Therefore, even with the configuration as shown in FIG. 22, if the arrangement of the electrode fingers in each IDT electrode does not cancel out the surface acoustic waves, an effect equivalent to that of the present embodiment can be obtained. . That is, FIG. 22 shifts the arrangement of the upper electrodes 2a and 3a and the lower electrodes 2b and 3b of the second and third IDT electrodes 2 and 3 by one electrode finger, and the fourth and fifth IDT electrodes The arrangement of the upper electrodes 8a and 9a and the lower electrodes 8b and 9b is shifted by one electrode finger. Further, the lower electrode 2b of the second IDT electrode 2 and the lower electrode 8b of the fifth IDT electrode 8 are connected by the lead wiring 15, and the upper electrode 3a of the third IDT electrode 3 and the sixth IDT electrode 9 are connected. An upper electrode 9 a is connected by a lead wiring 16.
[0221]
As described above, even when the connection of the routing wires 13 and 14 of the surface acoustic wave filter of FIG. 14 is reversed up and down as shown in FIG. 22, the same effect as that of the present embodiment can be obtained. In addition, when weighting to an electrode, it does not restrict to this. Here, to weight the electrodes, for example, in the first IDT electrode 1 of FIG. 14, each electrode finger includes an electrode finger drawn from the upper electrode 1a and an electrode finger drawn from the lower electrode 1b. Although arranged alternately, this means that at least one of the electrode fingers is drawn out from the electrode on the opposite side.
[0222]
In the present embodiment, the signal is input to the unbalanced terminal IN, and the signal is output from the pair of balanced terminals OUT1 and OUT2. However, the present invention is not limited to this. Even when signals are input from the pair of balanced terminals OUT1 and OUT2 and signals are output from the unbalanced terminal IN, the same effect as that of this embodiment can be obtained.
[0223]
Further, in the present embodiment, in each IDT electrode and each reflector electrode, the phase of the signal input to the lead wiring 13 and the phase of the signal input to the lead wiring 14 are in opposite phase to each other. Although described as being arranged, the present invention is not limited to this. Each IDT electrode and each reflector electrode may be arranged such that the phase of the signal input to the lead wiring 13 and the phase of the signal input to the lead wiring 14 are in phase with each other.
[0224]
The filter characteristics of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment and the conventional one are disposed in the case where the phase of the signal input to the routing wiring 13 and the phase of the signal input to the routing wiring 14 are in phase with each other. The filter characteristics of the surface acoustic wave filter were both obtained by simulation and compared.
[0225]
With regard to the conventional surface acoustic wave filter, the phase of the signal input to the lead wiring 32 is adjusted by adjusting the arrangement of the second IDT electrode 2 and the fifth IDT electrode 8 under the simulation conditions of FIG. 15 described above. It arrange | positions so that the phases of the signal input into the lead wiring 33 may become in-phase mutually. The other simulation conditions are the same as the simulation conditions of FIG.
[0226]
Further, the surface acoustic wave filter of the present embodiment is inputted to the lead-out wiring 13 by adjusting the arrangement of the third IDT electrode 3 and the sixth IDT electrode 9 under the simulation conditions of FIG. 17 described above. And the phase of the signal input to the routing wiring 14 are in phase with each other. The other simulation conditions are the same as the simulation conditions of FIG.
[0227]
FIG. 28 shows the filter characteristics of the conventional surface acoustic wave filter obtained by performing simulation under such simulation conditions and as a result. That is, FIG. 28A shows frequency characteristics of the conventional surface acoustic wave filter obtained by simulation, and FIG. 28B shows phase balance of the conventional surface acoustic wave filter obtained by simulation. .
[0228]
Further, FIG. 29 shows the filter characteristics of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment obtained by performing simulation under such simulation conditions and as a result. That is, FIG. 29A shows frequency characteristics of the surface acoustic wave filter of the present embodiment obtained by simulation, and FIG. 29B shows surface acoustic waves of the present embodiment obtained by simulation. It is the phase balance of the filter.
[0229]
Comparing FIG. 28 with FIG. 29, the frequency characteristics of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 29A show that attenuation poles are obtained outside the pass band, and sharp attenuation occurs outside the pass band. It is a characteristic that On the other hand, in the frequency characteristic of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 28A, no attenuation pole is obtained outside the passband, and it does not have a characteristic to attenuate sharply.
[0230]
Further, regarding the amplitude balance by simulation, although not shown, it was found that the surface acoustic wave filter of this embodiment tends to be slightly better than the conventional surface acoustic wave filter.
[0231]
Further, the phase balance of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 29B is about twice as good as that of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. As described above, the surface acoustic wave filter according to the present embodiment is superior in phase balance, although this is slightly.
[0232]
Furthermore, the filter characteristics of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment shown in FIG. 29 are simulated under the simulation conditions of FIG. 15, that is, the results of simulation of the conventional surface acoustic wave filter when the phase of the signal of the lead wiring becomes opposite. Comparing with the filter characteristic of FIG. 16 which is the amplitude balance and the phase balance, the attenuation characteristic is obtained in the surface acoustic wave filter of the present embodiment shown in FIG. On the other hand, no attenuation pole is obtained in the filter characteristic of FIG. Therefore, regarding the frequency characteristics, the surface acoustic wave filter of this embodiment in the case where the phase of the signal input to the lead wiring 32 and the phase of the signal input to the lead wiring 33 are in phase with each other is the conventional one. The surface acoustic wave filter has clearly better characteristics than those in which the phases of the signals input to the lead-out wiring lines are opposite to each other.
[0233]
In this manner, each IDT electrode and each reflector electrode are arranged such that the phase of the signal input to the lead wiring 13 and the phase of the signal input to the lead wiring 14 are in phase with each other. Also, better frequency characteristics can be obtained than conventional surface acoustic wave filters.
[0234]
Eighth Embodiment
Hereinafter, a surface acoustic wave filter according to an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 23 is a schematic view of the surface acoustic wave filter according to the eighth embodiment.
[0235]
The surface acoustic wave filter according to the present embodiment is a longitudinal mode surface acoustic wave filter having an unbalanced / balanced input / output terminal, as in the seventh embodiment described above.
[0236]
In the surface acoustic wave filter of the present embodiment, the same parts as those of the seventh embodiment described above are indicated by the same reference numerals and the detailed description will be omitted.
[0237]
In FIG. 23, the surface acoustic wave filter is composed of the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 disposed on the piezoelectric substrate.
[0238]
The first stage filter track 6 is composed of first, second and third IDT electrodes 1, 2 and 3 and first and second reflector electrodes 4 and 5. Also, the second-stage filter track 12 is constituted by the fourth, fifth and sixth IDT electrodes 7, 8 and 9 and the fourth and fifth reflector electrodes 10 and 11.
[0239]
The surface acoustic wave filter according to the present embodiment differs from the surface acoustic wave filter described with reference to FIG. 14 in the seventh embodiment described above in that the lower electrode 2 b of the second IDT electrode 2 and the fifth IDT electrode 8 And the upper electrode 8 a of the second embodiment are connected by the lead wiring 17.
[0240]
Except for this, the seventh embodiment is the same as the seventh embodiment.
[0241]
Next, the difference from the seventh embodiment described above in the operation of the present embodiment will be described.
Explain to the heart.
[0242]
Also in the present embodiment, as in the seventh embodiment described above, each IDT electrode is previously provided such that the phase of the signal input to the lead wiring 17 and the phase of the signal input to the lead wiring 18 are in reverse phase to each other. It shall be arranged.
[0243]
In the seventh embodiment described above, since the lead wiring 13 is drawn from the upper electrode 2 a of the second IDT electrode 2, the lead wiring 13 includes the unbalanced terminal IN and the first IDT electrode 1. It becomes the structure arrange | positioned adjacent to the lead wiring which connects the upper electrode 1a. Therefore, in consideration of coupling of these lead-out lines, as shown in the present embodiment, the lead-out line 17 and the lead-out line 18 are the lower electrode 2b of the second IDT electrode 2 and the third IDT electrode, respectively. A configuration in which the three lower electrodes 3b are routed is preferable. That is, in the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, the lead-out wires 17 and 18 also connect the unbalanced terminal IN and the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 in comparison with the first embodiment. It is located far from Therefore, the influence of parasitic components of the lead wiring 17 and the lead wiring 18 and the lead wiring for connecting the unbalanced terminal IN to the upper electrode 1 a of the first IDT electrode 1 is smaller than that of the seventh embodiment described above. Become.
[0244]
As described above, the lead wiring 17 and the lead wiring 18 are wirings such that the coupling between the unbalanced terminal IN and the lead wiring for connecting the upper electrode 1 a of the first IDT electrode 1 is smaller than that in the seventh embodiment described above. As a result, a surface acoustic wave filter having good filter characteristics can be realized.
[0245]
The arrangement of the electrode fingers in each IDT electrode is configured such that the surface acoustic waves do not cancel each other as in the seventh embodiment described above.
[0246]
Therefore, even in the configuration as shown in FIG. 24, if the arrangement of the electrode fingers in each IDT electrode does not cancel out the surface acoustic waves, the same effect as that of the present embodiment can be obtained. . That is, FIG. 24 shows a configuration in which the arrangement of the upper electrodes 8a and 9a and the lower electrodes 8b and 9b of the fourth and fifth IDT electrodes 8 and 9 is shifted by one electrode finger. Further, the lower electrode 2b of the second IDT electrode 2 and the lower electrode 8b of the fifth IDT electrode 7 are connected by the lead wiring 19, and the lower electrode 3b of the third IDT electrode 3 and the sixth IDT electrode 9 are connected. The upper electrode 9 a is connected with the lead wiring 20.
[0247]
As described above, even when the connections of the routing wires 17 and 18 of the surface acoustic wave filter of FIG. 23 are reversed as shown in FIG. 24, the same effect as that of the present embodiment can be obtained.
[0248]
(Embodiment 9)
The surface acoustic wave filter according to the ninth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 25 is a schematic view of a surface acoustic wave filter according to the ninth embodiment.
[0249]
The surface acoustic wave filter according to the present embodiment is a longitudinal mode surface acoustic wave filter having an unbalanced / balanced input / output terminal, as in the seventh embodiment described above.
[0250]
In the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, the same parts as those in the seventh embodiment described above are given the same, and detailed description will be omitted.
[0251]
The fourth IDT electrode 21 corresponds to the first IDT electrode of the present invention.
[0252]
In FIG. 25, the surface acoustic wave filter is composed of the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 disposed on the piezoelectric substrate.
[0253]
The first-stage filter track 6 is configured by the first, second and third IDT electrodes 1, 2, 3 and the first and second reflector electrodes 4 and 5 as in the seventh embodiment described above. Be done. The second-stage filter track 12 has the fourth, fifth, and sixth IDT electrodes 21, 8, 9 and the fourth, fifth reflector electrodes 10, 11 as in the seventh embodiment described above. And consists of
[0254]
In the surface acoustic wave filter of the present embodiment, unlike the seventh embodiment described above, the fourth IDT electrode 21 is divided into the first divided IDT electrode 22 and the second divided IDT electrode 23. .
[0255]
That is, of the upper electrode 22a and the lower electrode 22b of the first split IDT electrode 22, the upper electrode 22a disposed on the side of the first-stage filter track 6 is a balanced terminal OUT1 of the pair of balanced terminals. It is connected to the. Further, the lower electrode 22b of the upper electrode 22a and the lower electrode 22b of the first divided IDT electrode 22 which is disposed on the side opposite to the side of the first-stage filter track 6 is grounded.
[0256]
Further, of the upper electrode 23a and the lower electrode 23b of the second divided IDT electrode 23, the lower electrode 23b disposed on the side opposite to the first filter track 6 side is a pair of balanced terminals. Among them, it is connected to the balanced terminal OUT2. Of the upper electrode 23a and the lower electrode 23b of the second divided IDT electrode 23, the upper electrode 23a disposed on the side of the first filter track 6 is grounded.
[0257]
Except for this, the seventh embodiment is the same as the seventh embodiment.
[0258]
Next, the operation of the present embodiment will be described focusing on differences from the seventh embodiment described above.
[0259]
In the surface acoustic wave filter of the present embodiment, the fourth IDT electrode 21 is divided into the first divided IDT electrode 22 and the second divided IDT electrode 23, whereby the balanced terminal OUT1 and the balanced terminal OUT2 are obtained. It is possible to secure the isolation between
[0260]
Also, under the condition that the number of electrode fingers of the fourth IDT electrode 21 is the same, the width of the electrode fingers is the same, and the center distance between adjacent electrode fingers is the same, the fourth IDT electrode 21 The split IDT electrode 22 and the second split IDT electrode 23 have higher impedances of the balanced terminal OUT1 and the balanced terminal OUT2 than when the fourth IDT electrode 21 is not split. Therefore, by dividing the fourth IDT electrode 21 into the first divided IDT electrode 22 and the second divided IDT electrode 23, the conditions such as the number of electrode fingers of the fourth IDT electrode 21 can be kept constant. The surface acoustic wave filter can be realized in which the frequency characteristics of the filter are substantially the same and the output impedance of the balanced terminals OUT1 and OUT2 is high.
[0261]
In the surface acoustic wave filter of the present embodiment, the upper electrode 4 a of the second IDT electrode 4 and the upper electrode 8 a of the fifth IDT electrode 8 are connected by the lead-out wiring 13, and the third IDT electrode 3 is formed. Although the lower electrode 3 b and the lower electrode 9 b of the sixth IDT electrode 9 are connected by the lead wiring 14, the present invention is not limited to this. The lower electrode 2 b of the second IDT electrode 2 and the lower electrode 8 b of the fifth IDT electrode 8 are connected by the lead wiring 13, and the upper electrode 3 a of the third IDT electrode 3 and the upper electrode of the sixth IDT electrode 9 9a may be connected by the lead wiring 14. In this case, the surface acoustic wave filters are arranged so as not to cancel out the surface acoustic waves.
[0262]
Further, as described in the eighth embodiment described above, in the first-stage filter track 6, the lead wiring 13 may be routed from the lower electrode 2 b of the second IDT electrode 2. In this case, the influence of the parasitic component of the lead-out wiring connecting the unbalanced terminal IN and the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 can be reduced.
[0263]
Similarly, the third IDT electrode of the surface acoustic wave filter described in the eighth embodiment described above may be combined with the first split IDT electrode 22 and the first IDT electrode 21 in the same manner as the fourth IDT electrode 21 of the present embodiment. It may be divided into two divided IDT electrodes 23.
[0264]
Tenth Embodiment
The surface acoustic wave filter according to the tenth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 26 is a schematic view of a surface acoustic wave filter according to the tenth embodiment.
[0265]
The surface acoustic wave filter according to the present embodiment is a longitudinal mode surface acoustic wave filter having an unbalanced / balanced input / output terminal, as in the ninth embodiment described above.
[0266]
In the surface acoustic wave filter according to the present embodiment, the same parts as those in the ninth embodiment described above are given the same, and detailed description will be omitted.
[0267]
The fourth IDT electrode 26 corresponds to the first IDT electrode of the present invention.
[0268]
In FIG. 26, the surface acoustic wave filter is composed of the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 disposed on the piezoelectric substrate.
[0269]
The first-stage filter track 6 is configured by the first, second and third IDT electrodes 1, 2, 3 and the first and second reflector electrodes 4 and 5 as in the seventh embodiment described above. Be done. The second-stage filter track 12 has the fourth, fifth, and sixth IDT electrodes 26, 8, 9, and the fourth, fifth reflector electrodes 10, 11 as in the seventh embodiment described above. And consists of
[0270]
In the surface acoustic wave filter of the present embodiment, unlike the ninth embodiment described above, the fourth IDT electrode 26 includes the first divided IDT electrode 27, the second divided IDT electrode 28, and the third divided electrode. It is divided into IDT electrodes 29.
[0271]
That is, of the upper electrode 27a and the lower electrode 27b of the first split IDT electrode 27, the upper electrode 27a disposed on the side of the first-stage filter track 6 is a balanced terminal OUT1 of the pair of balanced terminals. It is connected to the. The lower electrode 27b of the upper electrode 27a and the lower electrode 27b of the first divided IDT electrode 27 which is disposed on the side opposite to the first-stage filter track 6 is grounded.
[0272]
Further, of the upper electrode 28 a and the lower electrode 28 b of the second divided IDT electrode 28, the upper electrode 28 a disposed on the side closer to the first filter track 6 is the upper electrode of the first divided IDT electrode 27. Connected to 27a. Of the upper electrode 28 a and the lower electrode 28 b of the second split IDT electrode 28, the lower electrode 28 b disposed on the side opposite to the first filter track 6 side is the third split IDT electrode 29. The upper electrode 29a and the lower electrode 29b are connected to the lower electrode 29b disposed on the side opposite to the first-stage filter track 6 side.
[0273]
Further, of the upper electrodes 29a and 29b of the third divided IDT electrode 29, the upper electrode 29a disposed on the side of the first-stage filter track 6 is grounded. The lower electrode 29b of the third split IDT electrode 29 is connected to the balanced terminal OUT2 of the pair of balanced terminals.
[0274]
Except for this point, it is the same as the ninth embodiment described above.
[0275]
Next, the difference from the ninth embodiment described above in the operation of the present embodiment will be described.
Explain to the heart.
[0276]
Under the condition that the number of electrode fingers of the fourth IDT electrode 26 is the same, the width of the electrode fingers is the same, and the center distance between the adjacent electrode fingers is the same, the fourth IDT electrode 26 is the first The split IDT electrode 27, the second split IDT electrode 28, and the third split IDT electrode 29 have balanced terminals OUT 1 and OUT 2 compared to the case where the fourth IDT electrode 26 is not split. The impedance is high. Therefore, by dividing the fourth IDT electrode 26 into the first divided IDT electrode 27, the second divided IDT electrode 28, and the third divided IDT electrode 29, the number of electrode fingers of the fourth IDT electrode 28, etc. If the conditions of the above are the same, it is possible to realize a surface acoustic wave filter in which the output impedances of the balanced terminals OUT1 and OUT2 are high. Furthermore, when the conditions such as the number of electrode fingers of the fourth IDT electrode 26 are the same, the characteristics of the surface acoustic wave filter when the fourth IDT electrode 28 is divided are the same as the fourth IDT electrode 28. The characteristic is substantially the same as that of the surface acoustic wave filter in the case of not being divided.
[0277]
Therefore, by dividing the fourth IDT electrode 28, it is possible to realize a surface acoustic wave filter in which the impedances of the balanced terminals OUT1 and OUT2 are high without changing the filter characteristics before division.
[0278]
Furthermore, by adjusting the ratio between the number of electrode fingers of the second divided IDT electrode 28 and the number of electrode fingers of the first and third divided IDT electrodes 27 and 29, the impedance of the balanced terminals OUT1 and OUT2 Can be adjusted.
[0279]
By dividing the fourth IDT electrode 26 in this manner, control of impedance becomes possible.
[0280]
As described in the eighth embodiment described above, in the first-stage filter track 6, the lead wiring 13 may be drawn from the lower electrode 2 b of the second IDT electrode 2. In this case, the influence of the parasitic component of the lead-out wiring connecting the unbalanced terminal IN and the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 can be reduced.
[0281]
In the seventh to tenth embodiments, the fourth divided IDT electrode is divided into the divided IDT electrodes. However, the present invention is not limited to this, and the first, second, third, fourth, fifth and sixth IDTs may be used. All or part of the electrodes may be divided into divided IDT electrodes. For example, when the first IDT electrode is divided into divided IDT electrodes, it is possible to realize a surface acoustic wave filter in which the impedance of the unbalanced terminal IN is high.
[0282]
Further, in the seventh to tenth embodiments, the number of divisions for dividing each IDT electrode has been described as 2 or 3, but it may be another number of divisions.
[0283]
Further, in the seventh to tenth embodiments, the unbalanced terminal IN is disposed on the side of the upper electrode 1 a of the first IDT electrode 1, that is, the second stage of the first-stage filter track 6. It has been described that the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 is connected to the unbalanced terminal IN, but the present invention is not limited to this. The unbalanced terminal IN is disposed on the side of the lower electrode 1b of the first IDT electrode 1, that is, on the side of the filter track 12 on the second stage of the filter track 6 on the first stage, The lower electrode 1b of the first IDT electrode 1 may be connected to the unbalanced terminal IN. Also, even if the unbalanced terminal IN is disposed on the side of the upper electrode 1 a of the first IDT electrode 1 and the lower electrode 1 b of the first IDT electrode 1 is connected to the unbalanced terminal IN I do not care. Also, even if the unbalanced terminal IN is disposed on the side of the lower electrode 1 b of the first IDT electrode 1 and the upper electrode 1 a of the first IDT electrode 1 is connected to the unbalanced terminal IN I do not care.
[0284]
In the seventh to tenth embodiments, the upper electrode 1a of the first IDT electrode 1 is described as being connected to the unbalanced terminal IN. However, the present invention is not limited to this. In these surface acoustic wave filters, the upper electrode 1a and the lower electrode 1b of the first IDT electrode 1 are respectively connected to one and the other of a pair of balanced terminals other than the pair of balanced terminals OUT1 and OUT2. It does not matter. In this case, a balanced-balanced surface acoustic wave filter is obtained. The parasitic component between the lead-out wire routed from one of the other balanced terminals and the lead-out wire connecting the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12 is Are equivalent to the parasitic components between the routing wire routed from the other of the balanced terminals of the above and the routing wire connecting the first-stage filter track 6 and the second-stage filter track 12. You can get the effect of
[0285]
In the seventh to tenth embodiments, the second-stage filter track 12 is disposed below the first-stage filter track 6, but the present invention is not limited thereto. The second-stage filter track 12 may be disposed on the upper side of the first-stage filter track 6 without changing the connection of the lead terminal IN and the pair of balanced-type lead wires.
[0286]
Further, in the seventh to tenth embodiments, one of the upper electrode 2a and the lower electrode 2b of the second IDT electrode 2 to which the lead wiring is not connected is grounded, and the third IDT electrode 3 is not connected. Although one of the upper electrode 3a and the lower electrode 3b to which the lead wiring is not connected is described as being grounded, the present invention is not limited to this. When the phase of the signal flowing in the lead wiring connected to the second IDT electrode 2 and the phase of the signal flowing in the lead wiring connected to the third IDT electrode 3 are in reverse phase with each other, Instead of grounding these electrodes, they may be electrically connected to each other.
[0287]
Further, in the seventh to tenth embodiments, one of the upper electrode 8 a and the lower electrode 8 b of the fifth IDT electrode 8 to which the lead wiring is not connected is grounded, and the sixth IDT electrode 9 is not Although one of the upper electrode 9a and the lower electrode 9b to which the lead wiring is not connected is described as being grounded, the present invention is not limited to this. When the phase of the signal flowing in the lead wiring connected to the fifth IDT electrode 8 and the phase of the signal flowing in the lead wiring connected to the sixth IDT electrode 9 are in reverse phase with each other, These electrodes may be electrically connected to each other without being grounded.
[0288]
(Embodiment 11)
The surface acoustic wave filter according to the eleventh embodiment of the present invention will be described below mainly with reference to FIG.
[0289]
The first IDT electrode 3102 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the second IDT electrode 3103 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 3104 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. The first reflector electrode 3105 and the second reflector electrode 3106 correspond to the reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 3107 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal corresponds to the unbalanced terminal of the present invention. The reactance element 3110 corresponds to the reactance element of the present invention.
[0290]
Before describing the configuration of the surface acoustic wave filter (FIG. 30), the cause of deterioration of the balance characteristics of the surface acoustic wave filter will be considered. In surface acoustic wave filters that require the broadband characteristics used in the RF stage, generally lithium tantalate (LiTaO) is used.₃) And lithium niobate (LiNbO)₃And the like are widely used, and the effective relative permittivity of such a substrate is as large as about 48 and 49, respectively. Here, the effective relative permittivity means the relative permittivity tensors ε 11 T and ε 33 T of the piezoelectric substrate.
[0291]
[Equation 1]
((Ε 11 T) × (ε 33 T)) 1/2
Define as
[0292]
In the surface acoustic wave filter, since the effective relative permittivity of the piezoelectric substrate is large, not only spatial coupling between IDT electrodes, but also coupling due to parasitic components of IDT electrodes in the piezoelectric substrate, and others, IDT electrodes A parasitic component is also generated in the wiring required to connect the terminal to the terminal. Although various improvements in the balance characteristics due to the reduction of unbalanced parasitic components between wires have been described above, FIG. 42 shows a configuration in which these parasitic components are taken into consideration. FIG. 42 shows a configuration in which a capacitive component 4301 is assumed between IDT electrodes as a parasitic component in the surface acoustic wave filter of FIG. FIG. 43 shows the result of analysis of a 900 MHz band filter by changing the capacitance value of the capacitance component 4301 in the configuration shown in FIG. LiTaO as a piezoelectric substrate₃Is used.
[0293]
FIGS. 43A and 43B respectively show the maximum value and the minimum value of the amplitude balance characteristic and the phase balance characteristic in the pass band. As shown in FIGS. 43A and 43B, the balance characteristic is deteriorated as the capacitance value is increased. That is, it has been clarified that the balance characteristic of the surface acoustic wave filter is deteriorated as the coupling by the parasitic component between the IDT electrodes is larger.
[0294]
Next, the configuration of the surface acoustic wave filter for improving the deterioration of the balance characteristic described above will be described. FIG. 30 shows the structure of a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a balanced terminal according to the present invention. In FIG. 30, the surface acoustic wave filter comprises first, second and third interdigital transducer electrodes (hereinafter referred to as IDT electrodes) 3102, 3103 and 3104 and first and second reflections on a piezoelectric substrate 3101. It is comprised by the device electrode 3105,3106.
[0295]
One electrode finger of the first IDT electrode 3102 is connected to one end 3107 of the balanced terminal, and the other electrode finger of the first IDT electrode 3102 is connected to the other 3108 of the balanced terminal. In addition, the electrode finger on one side of the second and third IDT electrodes 3103 and 3104 is connected to the unbalanced terminal 3109, and the other is grounded. Furthermore, the first IDT electrode and the second and third IDT electrodes 3103 and 3104 are connected via a reactance element 3110. In this case, the reactance element is disposed between one of the balanced terminals 3107 and the unbalanced terminal 3109. With the above configuration, a surface acoustic wave filter having an unbalanced-balanced terminal can be obtained.
[0296]
FIG. 31 shows the characteristics of the surface acoustic wave filter when an inductor is disposed as a reactance element. LiTaO as a piezoelectric substrate₃Is used. Furthermore, the resonance frequency of parallel resonance formed by parasitic components such as inter-IDT electrodes or spatial coupling and an inductance arranged is set to be within the pass band. In FIG. 31, (A) is a pass characteristic, (B) is an amplitude balance characteristic of the pass band, and (C) is a phase balance characteristic of the pass band. From FIG. 31, in the pass band, the amplitude balance characteristic is −0.2 dB to +0.2 dB, and the phase balance characteristic is −4 ° to + 1 °. Compared to the characteristics of the conventional surface acoustic wave filter of FIG. The balance characteristics are improved without deteriorating the characteristics.
[0297]
In the eleventh embodiment, a reactance element is provided between one of the balanced terminals 3107 and the unbalanced terminal 3109, between the first IDT electrode and the second and third IDT electrodes 3103 and 3104. In this case, a reactance element may be disposed between the other of balanced terminals 3108 and unbalanced terminal 3109. In addition, as shown in FIG. 32, a first reactance element 3301 is provided between the first IDT electrode and the second IDT electrode 3103, and a first reactance element 3301 is provided between the first IDT electrode and the third IDT electrode 3104. Even if the two reactance elements 3302 are arranged, if parasitic components such as between IDT electrodes and spatial coupling form parallel resonance with the reactance elements, and if the resonance frequency is set within the pass band, the balance characteristics will be improved. The effect of can be obtained as well. The first reactance element 3301 and the second reactance element 3302 correspond to the reactance element of the present invention.
[0298]
(Embodiment 12)
The surface acoustic wave filter according to the twelfth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 33 shows the configuration of a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a balanced terminal according to the present invention. In FIG. 33, the surface acoustic wave filter is formed on the piezoelectric substrate 3401 by the first, second and third IDT electrodes 3402, 3403 and 3404 and the first and second reflector electrodes 3405 and 3406. .
[0299]
One electrode finger of the first IDT electrode 3402 is connected to one end 3407 of the balanced terminal, and the other electrode finger of the first IDT electrode 3402 is connected to the other 3408 of the balanced terminal. Further, one electrode finger of the second IDT electrode 3403 and the other electrode finger of the third IDT electrode 3404 are connected to the unbalanced terminal 3409, and the other electrode finger of the second IDT electrode 3403 and the third electrode finger are connected. The electrode finger on one side of the IDT electrode 3404 is grounded. The configuration of FIG. 30 differs in that the electrode fingers of the third IDT electrode connected to the unbalanced terminal are upside down. With the above configuration, a surface acoustic wave filter having an unbalanced-balanced terminal can be obtained.
[0300]
FIG. 34 is a characteristic diagram of the surface acoustic wave filter shown in FIG. LiTaO as a piezoelectric substrate₃Is used. In FIG. 34, (A) is a pass characteristic, (B) is an amplitude balance characteristic of the pass band, and (C) is a phase balance characteristic of the pass band. From FIG. 34, in the pass band, the amplitude balance characteristic is −0.8 dB to +0.6 dB, and the phase balance characteristic is −5 ° to + 8 °, which is a balance characteristic compared to the characteristics of the conventional surface acoustic wave filter of FIG. Is improving.
[0301]
Thus, with regard to the connection between the second and third IDT electrodes 3403 and 3404 and the unbalanced terminal 3409, the connection is made from the upside-down side of the electrode fingers of the second and third IDT electrodes 3403 and 3404. Balance characteristics are improved.
[0302]
Furthermore, the first IDT electrode and the second and third IDT electrodes 3403 and 3404 are connected via a reactance element. As shown in FIG. 35, the first reactance element 3601 is disposed between one of the balanced terminals 3407 and the unbalanced terminal 3409, and the first reactance element 3601 is disposed between the other balanced terminal 3408 and the unbalanced terminal 3409. The two reactance elements 3602 are arranged.
[0303]
The first IDT electrode 3402 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the second IDT electrode 3403 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 3404 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. The first reflector electrode 3405 and the second reflector electrode 3406 correspond to the reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 3407 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal 3409 corresponds to the unbalanced terminal of the present invention. The first reactance element 3601 and the second reactance element 3602 correspond to the reactance element of the present invention.
[0304]
36A to 36C show the characteristics of the surface acoustic wave filter when an inductor is disposed as a reactance element. LiTaO as a piezoelectric substrate₃Is used. Furthermore, the resonance frequency of parallel resonance formed by parasitic components such as inter-IDT electrodes or spatial coupling and an inductance arranged is set to be within the pass band. In FIG. 36, (A) is a pass characteristic, (B) is an amplitude balance characteristic of the pass band, and (C) is a phase balance characteristic of the pass band. From FIG. 36, in the pass band, the amplitude balance characteristic is −0.2 dB to +0.4 dB, and the phase balance characteristic is −1 ° to + 2 °, which is a balance as compared with the characteristics of the conventional surface acoustic wave filter of FIG. The characteristics are greatly improved. Also, the balance characteristics are improved as compared with the characteristics of the surface acoustic wave filter in the configuration of FIG.
[0305]
In the twelfth embodiment, the first reactance element 3601 is disposed between one of balanced terminals 3407 and unbalanced terminal 3409, and the other 3408 of balanced terminals and unbalanced terminal 3409. Although the second reactance element 3602 is disposed between them, parasitic components such as inter-IDT electrodes and spatial If parallel resonance with the reactance element is formed and the resonance frequency is set within the pass band, the effect of improving the balance characteristic can be obtained similarly.
[0306]
Further, as shown in FIG. 50, the first IDT electrode 3102 may be divided into two to realize the balance. Furthermore, in this case, the capacitance of the IDT electrode can be reduced and its impedance can be made higher.
[0307]
(Embodiment 13)
The surface acoustic wave filter according to the thirteenth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 37 shows the configuration of a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a balanced terminal according to the present invention.
[0308]
The second IDT electrode 3803 corresponds to the first IDT electrode of the present invention, the first IDT electrode 3802 corresponds to the second IDT electrode of the present invention, and the third IDT electrode 3804 corresponds to the first IDT electrode of the present invention. It corresponds to the third IDT electrode. The first reflector electrode 3805 and the second reflector electrode 3806 correspond to the reflector electrode of the present invention. Also, one of the balanced terminals 3807 corresponds to one of the first balanced terminals of the present invention, the other 3808 of the balanced terminals corresponds to the other of the first balanced terminals of the present invention, and the unbalanced terminal is 3809 It corresponds to the unbalanced terminal of the present invention. The first reactance element 3810 and the second reactance element 3811 correspond to the reactance element of the present invention.
[0309]
In FIG. 37, the surface acoustic wave filter is formed on the piezoelectric substrate 3801 by the first, second and third IDT electrodes 3802, 3803 and 3804 and the first and second reflector electrodes 3805 and 3806. .
[0310]
One electrode finger of the second IDT electrode 3803 is connected to one of the balanced terminals 3807, and one electrode finger of the third IDT electrode 3804 is connected to the other 3808 of the balanced terminal. Further, one electrode finger of the first IDT electrode 3802 is connected to one of the unbalanced terminals 3807. Furthermore, connection is made between one electrode finger of the first IDT electrode and one electrode finger of the second and third IDT electrodes 3803 and 3804 via the first and second reactance elements 3810 and 3811, respectively. Be done. That is, as shown in FIG. 37, the first reactance element 3810 is disposed between one of the balanced terminals 3807 and the unbalanced terminal 3809, and between the other of the balanced terminals 3808 and the unbalanced terminal 3809. The second reactance element 3811 is disposed on the With the above configuration, a surface acoustic wave filter having an unbalanced-balanced terminal can be obtained.
[0311]
In the surface acoustic wave filter having the above configuration, parasitic components such as inter-IDT electrodes and spatial coupling form parallel resonance with the first and second reactance elements 3810 and 3811, and the resonance frequency is within the pass band. By setting to, it is possible to realize a surface acoustic wave filter having good balance characteristics. Further, in the present configuration, since the number of electrode fingers of the second and third IDT electrodes is smaller than the number of electrode fingers of the first IDT electrode 3802, compared with the eleventh to twelfth embodiments, The impedance on the balanced terminal side can be set high.
[0312]
Although the present embodiment has been described using a surface acoustic wave filter, as shown in FIGS. 38A to 38C, any filter having at least one balanced terminal may be used according to the present embodiment. With the same configuration, a filter having good balance characteristics can be obtained (however, FIGS. 38A and 38B are electrically equivalent and as shown in FIG. 38B). And reactance elements 3905 'and 3906' may be connected in parallel).
[0313]
For example, in filter 3901, reactance element 3905 is disposed on unbalanced terminal 3902 and one 3903 of balanced terminals, and parallel resonance is caused by a parasitic component generated between the balanced terminal and unbalanced terminal and reactance element 3905. By setting the resonance frequency of to be within the pass band, good balance characteristics can be obtained. Thus, a configuration similar to that of the surface acoustic wave filter shown in FIG. 30 is obtained, but the reactance element 3905 does not have to be formed on the piezoelectric substrate. The unbalanced terminal 3902 and the unbalanced terminal 3109 (see FIG. 30) correspond to each other, and one of the balanced terminals 3903 and the one of the balanced terminals 3107 (see FIG. 30) correspond to each other. The other 3904 corresponds to the other 3108 (see FIG. 30) of the balanced terminals.
[0314]
Further, in the filter 3901, reactance elements 3905 ′ and 3906 ′ are disposed on the unbalanced terminal 3902 and one of the balanced terminals 3903, and a parasitic component generated between the balanced terminal and the unbalanced terminal and the reactance element 3905 By setting the resonance frequency of parallel resonance to be within the pass band by ', 3906', a good balance characteristic can be obtained. In this way, a configuration similar to that of the surface acoustic wave filter shown in FIG. 32 is obtained, but the reactance elements 3905 'and 3906' do not have to be formed on the piezoelectric substrate.
[0315]
In the filter 3901, the reactive element 3905 ′ ′ is disposed on the unbalanced terminal 3902 and one of the balanced terminals 3903, and the reactive element 3906 ′ ′ is disposed on the unbalanced terminal 3902 and the other 3904 of the balanced terminals. Favorable balance characteristics can be obtained by setting the resonance frequency of parallel resonance to be within the pass band by the parasitic component generated between the mold terminal and the unbalanced terminal and the reactance elements 3905 "and 3906". In this way, a configuration similar to that of the surface acoustic wave filter shown in FIGS. 35 and 37 is obtained, but the reactance elements 3905 ′ ′ and 3906 ′ ′ need not be formed on the piezoelectric substrate. The unbalanced terminal 3902 and the unbalanced terminal 3409 (see FIG. 35) correspond to each other, and one of the balanced terminals 3903 and the one of the balanced terminals 3407 (see FIG. 35) correspond to each other. The other 3904 corresponds to the other 3408 (see FIG. 35) of the balanced terminal. Also, the unbalanced terminal 3902 corresponds to the unbalanced terminal 3809 (see FIG. 37), and one of the balanced terminals 3903 and the one of the balanced terminals 3807 (see FIG. 37) correspond to each other. The other 3904 corresponds to the other 3808 of the balanced terminal (see FIG. 37).
[0316]
In the eleventh to thirteenth embodiments, although the unbalanced-balanced surface acoustic wave filter has been described, even if it is a balanced-balanced surface acoustic wave filter, the connection method of the reactance element is The effect of improving the balance characteristics can be similarly obtained by setting the resonance frequency of parallel resonance between a parasitic component such as IDT electrodes or spatial coupling and the reactance element within the pass band.
[0317]
In the first to thirteenth embodiments, LiTaO is used as a piezoelectric substrate.₃But this is LiNbO₃And so on, and the effect is larger as the effective relative permittivity of the piezoelectric substrate is larger, and LiTaO₃And LiNbO₃In the case of a piezoelectric substrate having an effective relative permittivity of 40 or more, a sufficient effect can be obtained.
[0318]
Further, although the inductances are described as reactance elements in the first to thirteenth embodiments, the present invention is not limited to this, and a transmission circuit or the like may be combined. The same improvement effect can be obtained by adopting a configuration that cancels each other out.
[0319]
Further, the reactance element may be formed on the piezoelectric substrate, or may be formed on the package or the mounting substrate. Also, it may be a chip part.
[0320]
Further, in the present embodiment, although a single-stage surface acoustic wave filter has been described, a plurality of surface acoustic wave filters may be connected in cascade.
[0321]
Further, in the first to thirteenth embodiments, the three-electrode longitudinal mode filter has been described. However, even if the two-electrode, four-electrode (see FIG. 50), or five-electrode longitudinal mode filter is described. Even in the case of a ladder-type or symmetrical-grid-type filter configuration using a surface acoustic wave resonator, if the reactance element is similarly disposed between the balanced terminal and the other terminal, the same is true regarding the balance characteristic. The effect of
[0322]
Further, as shown in FIG. 44 which is a structural view of a surface acoustic wave filter having a five-electrode configuration according to an embodiment of the present invention, the filter is disposed substantially along the propagation direction of the surface acoustic wave. The IDT electrodes 5001 to 5005 are provided. (1) The IDT electrode 5001 has one comb electrode connected to one of the balanced terminals 5011 and the other comb electrode connected to the other 5012 of the balanced terminals, (2) One comb-shaped electrode of the IDT electrode 5002 is connected to the unbalanced terminal 5020, and (3) One comb-shaped electrode of the IDT electrode 5103 is on the opposite side to one comb-shaped electrode of the IDT electrode 5002. Are connected to the unbalanced terminal 5020, and (4) one IDT electrode 5104 is connected to one of the balanced terminals 5011 and the other comb electrode is connected to the balanced terminal. (5) IDT electrode 5105 is elastic with one comb electrode connected to one of the balanced terminals 5011 and the other comb electrode connected to the other 5012 of the balanced terminals A surface wave filter is included in the present invention.
[0323]
The pad electrode for connecting the terminal may be connected to the bus bar electrode of the IDT electrode via the lead-out electrode, or may be integrally formed with the bus bar electrode of the IDT electrode.
[0324]
More specifically, in the surface acoustic wave filter according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 45 which is an explanatory diagram (part 1) relating to connection of pad electrodes to bus bar electrodes, pad electrodes 5101. Are connected with the bus bar electrodes 5201 and 5204 via the lead electrode 5301, the pad electrode 5102 is connected with the bus bar electrode 5202 via the lead electrode 5302, and the pad electrode 5103 is connected with the bus bar electrode 5203 via the lead electrode 5303. Such surface acoustic wave filters are included in the present invention. Further, in the surface acoustic wave filter according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 46, which is an explanatory diagram (part 2) relating to connection of pad electrodes to bus bar electrodes, pad electrodes 5104 are bus bar electrodes 5202. A surface acoustic wave filter that is integrally formed with the pad electrode 5105 integrally formed with the bus bar electrode 5203 is included in the present invention.
[0325]
Fourteenth Embodiment
The communication device according to the fourteenth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 39 is a block diagram of a communication device 4001 using a surface acoustic wave filter or a balanced filter according to an embodiment of the present invention.
[0326]
In FIG. 39, the transmission signal output from the transmission circuit is transmitted from the antenna 4005 via the transmission amplifier 4002, the transmission filter 4003, and the switch 4004. A reception signal received from the antenna 4005 is input to the reception circuit via the switch 4004, the reception filter 4006, and the reception amplifier 4007. Here, since the transmission amplifier 4002 is balanced and the switch 4004 is unbalanced, the transmission filter 4003 is configured to have an unbalanced-balanced terminal. Further, since the reception amplifier 4007 is balanced and the switch 4004 is unbalanced, the reception filter 4006 has an unbalanced-balanced terminal.
[0327]
Applying the surface acoustic wave filter or the balanced filter according to the embodiment of the present invention to the transmission filter 4003 or the reception filter 4006 of the communication device 4001 to suppress modulation accuracy deterioration during transmission due to deterioration of balance characteristics. In addition, it is possible to suppress the sensitivity deterioration at the time of reception due to the deterioration of the balance characteristics, and to realize a high-performance communication device.
[0328]
In the fourteenth embodiment, although the transmission filter 4003 and the reception filter 4006 have been described as unbalanced-balanced, when the switch 4004 is balanced, the transmission filter 4003 and the reception filter 4006 are balanced. do it. Also in this case, by adding a reactance element to the transmission filter 4003 and the reception filter 4006 to improve the balance characteristic, a high-performance communication device can be realized.
[0329]
When the switch 4004 is balanced and the transmission amplifier 4002 or the reception amplifier 4007 is unbalanced, similar operations can be performed by switching the balanced and unbalanced input / output terminals of the transmission filter 4003 or the reception filter 4006. An effect is obtained.
[0330]
Further, in the communication device 4001, although the switch 4004 has been described as means for switching between transmission and reception, it may be a shared device.
[0331]
Further, the communication device using the surface acoustic wave filter or balanced filter of the present invention includes a portable telephone terminal, a PHS terminal, a car telephone terminal, a wireless base station of a portable telephone, a wireless device for performing wireless communication, and the like. In short, the communication device of the present invention is a device which performs communication using a high frequency signal, and is even a device in which the surface acoustic wave filter of the present invention is used as a part of a circuit for realizing the function of the device. Just do it.
[0332]
【Effect of the invention】
As apparent from the above description, the present invention has the advantage of being able to provide a surface acoustic wave filter, a balanced filter, and a communication device having better filter characteristics.
Brief Description of the Drawings
FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2A is an electrode finger layout diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention.
(B) Electrode finger arrangement drawing of another surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention
FIG. 3 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4A is an explanatory view for explaining the characteristics of a conventional surface acoustic wave filter;
(B) Explanatory drawing for demonstrating the characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of this invention
FIG. 5 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to a third embodiment of the present invention
FIG. 6 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to a fourth embodiment of the present invention
FIG. 7 is a configuration diagram of a reflector electrode in a fourth embodiment of the present invention
FIG. 8 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to a fifth embodiment of the present invention
FIG. 9 is another configuration diagram of the surface acoustic wave filter according to the fifth embodiment of the present invention
FIG. 10 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to a sixth embodiment of the present invention
FIG. 11A is an electrode finger layout diagram of a surface acoustic wave filter according to a sixth embodiment of the present invention.
(B) Electrode finger arrangement of still another surface acoustic wave filter according to the sixth embodiment of the present invention
FIG. 12 is a block diagram of a conventional surface acoustic wave filter
FIG. 13 is a structural view of a conventional surface acoustic wave filter
FIG. 14 is a schematic view of a surface acoustic wave filter according to a seventh embodiment of the present invention
FIG. 15 is a diagram showing simulation conditions of a conventional surface acoustic wave filter
FIG. 16A is a diagram showing frequency characteristics of a conventional surface acoustic wave filter obtained by simulation
(B) A diagram showing the amplitude balance of a conventional surface acoustic wave filter determined by simulation
(C) Diagram showing the phase balance of a conventional surface acoustic wave filter determined by simulation
FIG. 17 is a diagram showing simulation conditions of the surface acoustic wave filter according to the seventh embodiment of the present invention
FIG. 18A is a diagram showing frequency characteristics of a surface acoustic wave filter obtained by simulation according to a seventh embodiment of the present invention.
(B) The figure which shows the amplitude balance of the surface acoustic wave filter calculated | required by the simulation in Embodiment 7 of this invention.
(C) The figure which shows the phase balance of the surface acoustic wave filter calculated | required by the simulation in Embodiment 7 of this invention.
FIG. 19A is a diagram showing frequency characteristics of a surface acoustic wave filter obtained by an experiment according to a seventh embodiment of the present invention.
(B) The figure which shows the amplitude balance of the surface acoustic wave filter calculated | required by experiment in Embodiment 7 of this invention.
(C) The figure which shows the phase balance of the surface acoustic wave filter calculated | required by experiment in Embodiment 7 of this invention.
FIG. 20A is a diagram showing frequency characteristics of a conventional surface acoustic wave filter obtained by experiments
(B) A diagram showing the amplitude balance of a conventional surface acoustic wave filter determined by experiment
(C) Diagram showing the phase balance of a conventional surface acoustic wave filter determined by experiment
FIG. 21 is a view for explaining a method of arranging each IDT electrode in the seventh embodiment of the present invention.
FIG. 22 is a schematic view of another surface acoustic wave filter according to a seventh embodiment of the present invention
FIG. 23 is a schematic view of a surface acoustic wave filter according to an eighth embodiment of the present invention
FIG. 24 is a schematic view of another surface acoustic wave filter according to an eighth embodiment of the present invention
FIG. 25 is a schematic view of a surface acoustic wave filter according to a ninth embodiment of the present invention
FIG. 26 is a schematic view of a surface acoustic wave filter according to a tenth preferred embodiment of the present invention
FIG. 27 is a schematic view of a conventional surface acoustic wave filter
FIG. 28 (A) is a diagram showing simulated frequency characteristics of a conventional surface acoustic wave filter when the phases of signals of routed wiring are in phase with each other.
(B) A diagram showing phase balance by simulation of a conventional surface acoustic wave filter when the phases of signals of routed wiring are in phase with each other
FIG. 29A is a diagram showing frequency characteristics by simulation of a surface acoustic wave filter in the case where phases of signals of lead wiring in the seventh embodiment of the present invention are in phase with each other.
(B) The figure which shows the phase balance by simulation of a surface acoustic wave filter in case the phases of the signal of the lead wiring in Embodiment 7 of this invention are in-phase mutually.
FIG. 30 is a block diagram of a surface acoustic wave filter according to an eleventh embodiment of the present invention
FIG. 31 (A) is a diagram showing the passage characteristic of the surface acoustic wave filter according to the eleventh embodiment of the present invention
(B) The figure which shows the amplitude balance characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 11 of this invention
(C) The figure which shows the phase balance characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 11 of this invention
FIG. 32 is a block diagram of another surface acoustic wave filter according to Embodiment 11 of the present invention
FIG. 33 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to a twelfth embodiment of the present invention
FIG. 34 (A) is a diagram showing the transmission characteristics of the surface acoustic wave filter in the twelfth embodiment of the present invention
(B) The figure which shows the amplitude balance characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 12 of this invention
(C) The figure which shows the phase balance characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 12 of this invention
FIG. 35 is a characteristic diagram of another surface acoustic wave filter according to the twelfth embodiment of the present invention
FIG. 36A shows a transmission characteristic of another surface acoustic wave filter according to the twelfth embodiment of the present invention
(B) The figure which shows the amplitude balance characteristic of the other surface acoustic wave filter in Embodiment 12 of this invention
(C) A diagram showing phase balance characteristics of another surface acoustic wave filter according to Embodiment 12 of the present invention
FIG. 37 is a block diagram of a surface acoustic wave filter according to a thirteenth embodiment of the present invention
FIG. 38A is an illustration related to the addition of a reactance element to a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention (part 1)
(B) Explanatory view on the addition of a reactance element to a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention (part 2)
(C) Explanatory view on the addition of a reactance element to a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention (part 3)
FIG. 39 is a block diagram showing a configuration of a communication device in a fourteenth embodiment of the present invention
FIG. 40 is a block diagram of a conventional surface acoustic wave filter
FIG. 41 (A) is a diagram showing the pass characteristic of a conventional surface acoustic wave filter
(B) Amplitude balance characteristic of a conventional surface acoustic wave filter
(C) Diagram showing phase balance characteristics of a conventional surface acoustic wave filter
FIG. 42 is a block diagram of a surface acoustic wave filter in consideration of parasitic components
FIG. 43 shows the amplitude and phase balance characteristics of the surface acoustic wave filter
FIG. 44 is a structure of a surface acoustic wave filter having a five-electrode structure according to an embodiment of the present invention;
Drawing
FIG. 45 is an explanatory view regarding connection of a pad electrode to a bus bar electrode in a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention (part 1);
FIG. 46 is an explanatory view (Part 2) concerning connection of pad electrodes to bus bar electrodes in the surface acoustic wave filter according to the embodiment of the present invention;
FIG. 47 is an explanatory view regarding amplitude balance characteristics and phase balance characteristics of a simulation model of a conventional surface acoustic wave filter;
FIG. 48 is an explanatory view of a simulation model of the surface acoustic wave filter according to the embodiment of the present invention;
FIG. 49 is an explanatory view regarding amplitude balance characteristics and phase balance characteristics of a simulation model of the surface acoustic wave filter according to the embodiment of the present invention;
FIG. 50 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention
[Description of the code]
101 Piezoelectric substrate
102 1st IDT electrode
102a Top electrode of the first IDT electrode
102b The lower electrode of the first IDT electrode
103 Second IDT electrode
103a The top electrode of the second IDT electrode
103b The lower electrode of the second IDT electrode
104 Third IDT electrode
104a The top electrode of the third IDT electrode
104b The lower electrode of the third IDT electrode
105 first reflector electrode
106 Second reflector electrode
107 One of balanced terminals
108 The other of balanced terminals
109 Unbalanced terminal