JP2003207671A - ポストアニーリングと反転陽子交換とを伴う気相陽子交換工程による高品質導波路の形成方法 - Google Patents
ポストアニーリングと反転陽子交換とを伴う気相陽子交換工程による高品質導波路の形成方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 189
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 79
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 39
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 35
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 229910013553 LiNO Inorganic materials 0.000 claims description 18
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 15
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 4
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 claims description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 2
- 238000001307 laser spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010067445 RA V Proteins 0.000 description 1
- VXVGFMUNENQGFW-UHFFFAOYSA-N Rubia akane RA-V Natural products C1=CC(OC)=CC=C1CC(N(C)C(=O)C(C)NC(=O)C(C)NC(=O)C(N(C1=O)C)C2)C(=O)NC(C)C(=O)N(C)C1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O VXVGFMUNENQGFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- HGPXWXLYXNVULB-UHFFFAOYSA-M lithium stearate Chemical compound [Li+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HGPXWXLYXNVULB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- TUBWTFZPLDUNIL-HJJYVODLSA-N tpc-a Chemical compound O.O.O.O.O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O.C1=CC(OC)=CC=C1C[C@H](N(C)C(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@H](N(C1=O)C)C2)C(=O)N[C@H](C)C(=O)N(C)[C@@H]1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC2=CC=C1O TUBWTFZPLDUNIL-HJJYVODLSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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Abstract
る。 【解決手段】 強誘電体結晶中に導波路を製造する方法
は下記の工程からなる。強誘電体結晶が与えられる工
程。気相陽子が、気相陽子交換加工により強誘電体結晶
中に拡散され、段状の屈折率プロフィルを持つ気相陽子
交換(VPE)導波路材構造を形成する工程。VPE導
波路材構造が、ポストアニーリング工程及び付加的な反
転陽子交換工程からなるグループから選択される一つ又
はそれ以上工程により取扱うことで導波路の製造を完了
させ、これによって製造された導波路の屈折率プロフィ
ルは柔軟に最適化することが可能な工程。この方法は、
高品質な導波路の形成を可能にすると共に、幾つかの応
用に対して素子の最適化に設計の柔軟性に充分な自由度
を与える。
Description
製造に関するもので、より明確には、例えば導波路の伝
播損失、非線型性、電子光学(EO)、音響光学(A
O)及び一様性のような所望の光学特性とともに、設計
可能な屈折率プロフィルを有する導波路製造の方法に関
するものである。
酸リチウム(LiNbO3)及びやタンタル酸リチウム
(LiTaO3)のような幾つかの強誘電性の結晶中に
おいて、望まれる均質な結晶相の形成に使用することが
可能である。電子光学(EO)、音響光学(AO)及び
非線型光学などの特性のような重要な光学特性は、他の
液相陽子変換工程が使用される時にこれらの特性の観測
される劣化に比べれば、VPE工程によって保存され得
る。
型性を持った優れた光学特性は、幾つかの応用に対して
良く適合している。例として、図1A〜図1Gは、先行
技術における、X線振動曲線測定によって解明される異
なる工程による結晶相を示している。即ち: (図1A)APE(焼鈍陽子変換)導波路:162秒のピ
ークシフト(αフェーズ) (図1B)PE(液相を介した陽子変換)導波路:59
4秒のピークシフト(βフェーズ) (図1C)300℃、8時間でのVPE導波路:504
秒のピークシフト(κフェーズ) (図1D)300℃、10時間でのVPE導波路:50
4秒のピークシフト(κフェーズ) (図1E)300℃、12時間でのVPE導波路:50
4秒のピークシフト(κフェーズ) (図1F)300℃、20時間でのVPE導波路:50
4秒のピークシフト(κフェーズ) (図1G)300℃、30時間でのVPE導波路:50
4秒のピークシフト(κフェーズ)
に比べて、優れた光学特性を示す。しかし、αフェーズ
に比べて、κフェーズはより高い屈折率プロフィルをも
ち、幾つかの導波路の応用においては好ましい。図1C
から図1Gは504秒のピークシフトを示しており、そ
れらの試料のκフェーズを表している。κ構造は、例に
ある工程条件下で、最大深さ5ミクロン以下で存在する
ことを示してきた。これは、より深い深さに対しても、
温度や時間及び酸濃度のような気相工程の慎重な制御に
より達成され得る。
た導波路は、それぞれ図2と図3に示されるような、高
い屈折率差を持った段状の屈折率プロフィルを形成す
る。図2、図3において: (a)APE(焼鈍陽子交換)導波路 (b)160℃、36時間でのPE(液相による陽子交
換)導波路 (c)300℃、8時間でのVPEに対する導波路 (d)300℃、10時間でのVPEに対する導波路 (e)300℃、12時間でのVPEに対する導波路 (f)300℃、20時間でのVPEに対する導波路 (g)300℃、30時間でのVPEに対する導波路
程の導波路(試料a、Δne<0.03であるαフェー
ズ構造)と比較して、VPE工程は高い屈折率プロフィ
ルの導波路(試料c、d、e、f及びg)を生じる。P
E導波路(試料b)は、VPE工程の導波路と比較し
て、より高い屈折率プロフィルを得ることが可能である
が、一般的に、PE工程によって準備された試料は劣化
した光学特性を示す結果となる。それゆえ、VPE工程
が、導波路の非線型周波数変換の効果を得るしっかりと
閉じ込められた導波路の製造を可能にする。κフェーズ
(試料cからg)は、最適化された製造条件で工程が実
行され得る限り、異なる深さに対して達成され得る。こ
の特性は、多様な応用に対するVPE導波路を設計し製
造することを可能にする。
E工程導波路は、必ずしも応用に対する最適な設計をで
きるわけではない。
子交換されたLiNbO3導波路の非線型光学効果:蒸
気圧の効果」、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス(Journal of Applied Ph
ysics)、1999年2月1日、Vol.85、N
o.3、第1322頁〜第1382頁 この論文は、安息香酸蒸気中で陽子交換されたLiNb
O3導波路の特性に対する蒸気圧の効果を記述してい
る。
陽子交換LiNbO3導波路の調製」、ジャーナル・オ
ブ・オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカB
(J.Opt.Soc.Am.B),1999年3月、
Vol.16,No.3,第401頁〜第406頁 この論文は、安息香酸中でのX及びZ配向の基板の陽子
交換によるα−又はβ−フェーズLiNbO3導波路の
形成を記述している。
交換LiNbO3導波路におけるd33非線型係数の深さ
プロフィル」、アプライド・フィジックス・レター(A
ppl.Phys.Lett.)、1993年4月26
日、Vol.62、No.17、第2012頁〜第20
14頁 この論文は、斜め研磨された試料から反射された第2高
調波生成を用いた焼鈍陽子交換されたLiNbO3中の
d33非線型係数の深さプロフィルについて述べている。
bO3中の埋め込み型導波についての反転陽子交換」、
1998年、ジャーナル・オブ・オプティカル・ソサイ
エティ・オブ・アメリカA(J.Opt.Soc.A
m.A)、Vol.15、No.7,第1938頁〜第
1842頁 この論文は、陽子交換及び焼鈍陽子交換されたLiNb
O3導波路の異なるHxLi1-xNbO3結晶相中で行われ
た反転陽子交換(RPE)工程について述べている。
陽子交換導波路についての反転交換法」、1991年7
月19日、エレクトロニクス・レター(Electro
nics・Letters)、Vol.27,No.1
5,第1360頁〜第1361頁 この論文は、埋め込み型陽子交換LiNbO3導波路の
形成について述べている。導波路を画定する最初の交換
段階及び焼鈍段階に続き、2回目の交換がリチウムを再
度導入し、表面での異常な屈折率を下げる。
の要求項目の一部においてスタンフォード大学の卒業研
究に関する委員会に提出された(1999年8月)ミン
−フシン チョウ(本発明の共同発明者)の学位論文
「光ファイバ通信のための3光波混合を用いた光波混合
器」 この学位論文は、周期的な極性をもつLiNbO3(P
PLN)導波路中に製造された、光ファイバ通信及びそ
の他の全光信号処理への応用のための、光波混合器(F
O)の開発について記述している。
書、オーン他 この文献は陽子交換層と波長変換素子形成のための工程
について記述している。
書、ビンデル他 この文献はLiNbO3における導波路形成の陽子交換
方法について記述している。
書、シュウ他 この文献は波長変換素子及び波長変換方法について記述
している。
書、ソノダ他 この文献は光波長変換素子とその製造方法及び光波長変
換モジュールについて記述している。
書、ミズウチ他 この文献は光導波路と光波長変換素子について記述して
いる。
書、ミズウチ他 この文献は光導波路変換素子について記述している。
書、ミズウチ他 この文献は、偏波変換部、これを使用した光波長変換素
子及び光導波路の製造方法について記述している。
書、カワグチ他 この文献は光導波路素子、光学素子、光導波路素子の製
造方法及び周期的な領域反転構造の製造方法について記
述している。
書、グプタ この文献は周波数変換レーザ装置について記述してい
る。
書、ミズウチ他 この文献は領域反転部を製造する方法、このような領域
反転部を利用した光波長変換素子の製造方法及びそのよ
うな素子の組立方法について記述している。
書、ウェブジョーン他 この文献は周期的な電場極性を持った結晶性導波路につ
いて記述している。
書、ヨー この文献は全光波長変換器について記述している。
書、アゴスティネリ他 この文献は統合的な変調及び最適化手段を有する導波路
非線型光周波数変換器について記述している。
書、サンフォード他 この文献は合成周波数生成のための陽子交換導波路につ
いて記述している。
書、サワキ他 この文献は第2高調波光線発生のための光学素子とその
製造方法について記述している。
書、サワキ他 この文献は導波路型第2高調波生成素子とその製造方法
について記述している。
書、シュン他 この文献は位相整合非線型波長変換のためのハイブリッ
ド光導波路について記述している。
成のための改善された方法を提供することが、本発明の
1つもしくはそれ以上の実施形態の目的である。
を持つ素子の幾何学的構造を処理するための改善された
方法を提供することが、本発明の1つもしくはそれ以上
の実施形態のもう1つの目的である。他の目的を以下に
示す。
発明の前述もしくは他の目的は次に示す方法で達成され
得るということである。具体的には、強誘電性結晶が提
供される。気相陽子交換工程により気相陽子が強誘電性
結晶中に拡散され、段状の屈折率プロフィルを持つ気相
陽子交換(VPE)導波路材構造が形成される。VPE
導波路材構造はポストアニーリング工程や付加的な反転
陽子変換工程からなるグループから選択された一以上の
工程を施され、導波路の製造を完了する。これにより、
製造された導波路の屈折率プロフィルは、VPE導波路
材構造の段状屈折率プロフィルに比較して、滑らかにさ
れる。本発明に記述された方法は、好ましい光学特性を
持った高品質な導波路の製造を可能にし、素子の性能を
最適化した屈折率プロフィルの設計をも可能にする。例
えば、本発明に記述された製造方法の使用により好まし
い導波路の幾何学的構造の設計が可能になる。そして、
本発明は幅広く様々な応用に最適な素子性能を得るため
の幾つかの設計寸法に道を開く。
る記載から、明確に理解される。添付図面において類似
の参照番号は類似もしくは対応する要素、領域及び部分
を示す。
図、図8Cは図8Dの断面図、図8Eは図8Fの断面
図)に示されているように、本発明に示す工程は極性の
ある微細構造を持つ基板中に高性能チャンネル導波路を
形成するのに用いることができる。このようなタイプの
素子は非線型周波数変換及び光周波数混合に幅広い応用
性を持つ。
例を概略的に示す。例として導波路の両側(図9
(A))及び直接的に導波路の上(図9(B))に形成
された電極を示す。
述される改良された工程(図4から図7に示された4つ
の実施例の加工を組み合わせることによる)を概略的に
示しており、これらの工程により多層導波路配列が形成
される。この様な構造は分散シフト、分散平坦化、又は
効果的な性能向上への応用性を持つ。
折率プロフィルが形成される。 b.図10B:続いてRPE工程が実行され、第1のサ
ブレイヤとして深く埋めこまれた導波路プロフィルが形
成される。 c.図10C:続いてVPE工程が実行され、導波路プ
ロフィルのもう一つのサブレイヤが形成される。 d.図10D:続いてRPE工程が実行され、導波路プ
ロフィルのもう一つのサブレイヤが形成される。 e.図10E:続いてVPE工程が実行され、導波路プ
ロフィルのもう一つのサブレイヤが形成される。 f.図10F:続いてRPE工程が実行され、導波路プ
ロフィルのもう一つのサブレイヤが形成される。 g.図10G:(任意に)ポストアニーリング(時後焼
鈍)を実行し得る。これにより多層導波路構造の最終的
なプロフィルが形成される。
図7に示される4つの実施例の工程を組み合わせた例を
示す。図10A〜図10Gの例は、より複雑な多層導波
路を形成するために一連の工程、すなわちRPE/VP
E/RPE/VPE...RPE/VPEといった工程
を用いることによる、図4〜図7に示した工程の拡張性
を示す。
示された一連の加工を用いて作製した導波路の物理的な
実施例を示す。図11(A)は、チャンネル導波路マス
ク802(例えばSiO2で形成されている)を付着し
た基板800(例えばLiNbO3で形成されている)
中に形成された導波路804を示す。図11(B)は、
チャンネル導波路マスク902(例えばSiO2で形成
されている)を付着した基板900(例えばLiNbO
3でできている)中に形成された別の導波路904を示
す。
NbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、KT
iOPO4(KTP)、KNbO3又はKDP、及びMg
O:LiNbO3、ZnO:LiNbO3、周期的な極性
を持つKTP(PP−KTP)、異なった結晶方向、即
ちX配向、Y配向、Z配向での周期的極性を持つニオブ
酸塩リチウム(PP−LN)または周期的に極性を持つ
タンタル酸リチウム(PP−LT)のようなこれらの族
といった強誘電性材料/結晶中で、ポストアニーリング
工程及び/又は反転陽子交換工程が続く気相陽子交換
(VPE)を用いた導波路の製造からなる。より好まし
い強誘電性材料/結晶はLiNbO3又はLiTaO3と
これらの族であり、最も好ましい強誘電性材料/結晶は
LiNbO3とその族である。
族は、同じ溶融点を持つLiNbO3(CLN)と化学
式通りのLiNbO3(SLN)のような配向が異なる
結晶も、上記結晶でMgO:CLN,ZnO:CLN、
MgO:SLN,ZnO:SLNのような添加物を含む
結晶も、上記結晶で異なる結晶配向即ちX配向、Y配
向、Z配向を持つものも、上記結晶でその結晶体中に周
期的又は非周期的な強誘電性領域反転部を持つものも含
む。
れる本発明の他の好ましい実施例の導波路の深さ方向に
おける1次元屈折率を示している。望まれる応用が2次
元チャンネル導波路構造の形成に使用されるので、図4
〜図7が示すのは2次元チャンネル導波路の深さ方向に
おける断面を単に示すことがわかる。実際の2次元の屈
折率プロフィルは導波路チャンネルの幅に依存し、一般
にはその導波路チャンネルは本発明に記述されている工
程の前に前もって決定される導波路チャンネルマスクに
より定義される。
は、それらが互いに異なる設計や工程の柔軟性を提供す
るように、互いに互換性があり、RA−VPE(VPE
+アニーリング+RPE)(図5に示される)とAR−
VPE(VPE+RPE+アニーリング)(図7に示さ
れている)は最も一般的で、より望ましいものであり、
これらは素子の設計及び最適化のための工程において最
大の自由度を提供する。
グ)(図4に示される)は工程段階の低減による簡易性
を提供し、R−VPE(VPE+RPE)(図6に示さ
れる)は埋め込み構造をもつ非常に高い屈折率差を提供
する。(図4のA−VPEと図6のR−VPEは、それ
ぞれ図5のRA−VPEと図7のAR−VPEを省略/
簡略させたものと見ることができる。)単一の処理によ
り特定の望ましい屈折率プロフィルを得ることが常に可
能とは限らないことから、上述の組み合わせが高品質な
導波路を製造する完全な方法を提供すると同時に設計の
柔軟性を与える。
交換(VPE)工程により最初に気相陽子がLiNbO
3(ニオブ酸リチウム)といった強誘電性結晶材中へ拡
散され、図4(A)、図5(A)、図6(A)及び図7
(A)に示される段状屈折率プロフィルをもつ高品質な
導波路材構造(VPE)を形成する。
ステアリン酸又はピロ燐酸のような純粋な酸の蒸気中、
2)例えば異なる安息香酸チリウム濃度で緩衝処理され
た安息香酸、又は異なるステアリン酸リチウム濃度で緩
衝処理されたステアリン酸のような緩衝用の酸の蒸気
中、で実施可能であり、図4〜図7の具体的な実施例の
ためにポストアニーリング及び/又は反転陽子交換を行
う前の、初期の陽子濃度及び結晶相が調整される。
から2×1022atoms/cm3であり、より好まし
くは約2×1021から2×1022atoms/cm3で
ある。陽子源は好ましくは安息香酸又は別のステアリン
酸やピロリン酸といった水素を含んだ化学的な酸の蒸気
であり、より好ましくは安息香酸とその族である。
7)実施例の熱焼鈍工程は同じものである。第2(図
5)、第3(図6)及び第4(図7)実施例の反転陽子
交換工程は同じものである。
形成 図4(第1実施例)に示されているように、図4(A)
に示される様な段状屈折率プロフィルをもつ導波路材構
造はポストアニーリングされ、VPE工程により形成さ
れた陽子をLiNbO3内へ拡散させ、図4(B)に示
されるような、より平滑な屈折率プロフィルを持つA−
VPE導波路が作製される。
件、温度が、好ましくは約250から400℃及び、よ
り好ましくは約300から360℃、及び、時間が、好
ましくは1から72時間及び、より好ましくは約1から
36時間、で行われ、最適処理温度及び時間は特定の応
用に最適化された設計に依存する。
PEチャンネル導波路の物理的な実施例の断面図及び投
影図を示し、これらの図では基板100(例えばLiN
bO 3)、チャンネル導波路マスク102(例えばSi
O2)及びA−VPEチャンネル導波路104を示して
いる。基板100は極性のある微細構造を持っており、
例として、周期的に極性を持つLiNbO3が示されて
いる。
の形成 図5(第2実施例)に示されているように、図5(A)
に示される様な段状屈折率プロフィルをもつ導波路材構
造はポストアニーリングされ、VPE工程により作製さ
れた陽子をLiNbO3内へ拡散させ、図5(B)に示
されるような、より平滑な屈折率プロフィルを有する導
波路が製造される。
PE(図4)のポストアニーリング工程と同じ条件で行
われる。次に導波路は、付加的な反転陽子交換工程によ
り埋め込み導波路を形成し且つ図5(C)に示される様
に導波路モードプロフィルの形状を整えられることで更
に最適化される。
次の条件で行われる。反転陽子の化学的な源は、好まし
くはLiNO3−KNO3−NaNO3の混合体中で前も
って生成され、この化学的な混合体の混合比はLiNO
3濃度が、好ましくは約30から45%mol%、より
好ましくは約35から40mol%、KNO3濃度は、
好ましくは約30から60mol%、より好ましくは約
40から50mol%。NaNO3濃度は、好ましくは
約10から30mol%、より好ましくは約15から2
5mol%、温度は、好ましくは約200から400
℃、より好ましくは250から350℃、及び、時間
は、好ましくは約1から72時間、より好ましくは1か
ら36時間、に調整されており、最適処理温度及び時間
は特定の応用に最適化された導波路設計に依存する。
VPEチャンネル導波路の物理的な実施例の断面図及び
投影図を示し、これらの図では基板300(例えばLi
NbO3)、チャンネル導波路マスク302(例えばS
iO2)及びRA−VPEチャンネル導波路304を示
している。基板300は極性を持つ微細構造を持ち、例
として周期的に極性をもつLiNbO3を示す。
形成 図6(第3実施例)に示されるように、図6(A)に示
される段状屈折率プロフィルをもつ導波路材構造は付加
的な反転陽子交換工程に供され、埋め込み導波路を形成
し且つ図6(B)に示される様に導波路モードプロフィ
ルの形状を整えられる。
第2実施例RA−VPE(図5)の反転陽子交換工程と
同じく最適化された処理温度及び時間で行われ、最適化
された処理温度及び時間は特定の応用に最適化された導
波路設計に依存する。
PEチャンネル導波路の物理的な実施例の断面図及び投
影図を示し、これらの図では基板200(例えばLiN
bO 3),チャンネル導波路マスク202(例えばSi
O2)及びR−VPEチャンネル導波路204を示して
いる。基板200は極性を持つ微細構造を持つ。例とし
て周期的に極性をもつLiNbO3を示す。
の形成 図7(第4実施例)に示されるように、図7(A)に示
されるような段状屈折率プロフィルをもつ導波路材構造
は付加的な反転陽子交換工程に供され、埋め込み導波路
を形成し且つ図7(B)に示される様に導波路モードプ
ロフィルの形状を整えられる。
第2実施例のRA−VPE(図5)及び第3実施例のR
−VPE(図6)反転陽子交換工程と同じ最適化された
処理温度及び時間条件で行われ、これらの処理温度及び
時間は特定の応用に最適化された導波路設計に依存す
る。
てより最適化され、VPE工程によって生成された陽子
をLiNbO3中に拡散させ、図5Cに示されるよう
な、より平滑な屈折率プロフィルを持つAR−VPE導
波路が作製される。
施例のA−VPE(図4)及び第2実施例のRA−VP
E(図5)のポストアニーリング工程と同じ最適化され
た処理温度及び時間条件で行われ、これらの処理温度及
び時間は特定の応用に最適化された導波路設計に依存す
る。
VPEチャンネル導波路の物理的な実施例の断面図及び
投影図を示し、これらの図では基板300(例えばLi
NbO3)、チャンネル導波路マスク302(例えばS
iO2)及びRA−VPEチャンネル導波路304を示
している。基板300は極性を持つ微細構造を持ち、例
として周期的に極性をもつLiNbO3を示す(図8E
及び図8Fは図5及び図7のAR−VPE及びRA−V
PEチャンネル導波路の両方を示していることに注
意)。
5)、R−VPE(図6)及びAR−VPE(図7)と
いった工程は、高品質導波路の製造を可能にするだけで
はなく、素子を最適化するための設計の柔軟性に充分な
自由度を与える。例として、高品質な平滑な屈折率プロ
フィルはA−VPEによって形成でき、A−VPEはV
PE工程により製造された高品質な高い段状屈折率プロ
フィルを持つ導波路を調整するのに大きな自由度を与え
る。高品質な埋め込み導波路はR−VPE工程により得
ることができ、R−VPE工程はVPEにより製造され
た高い段状屈折率プロフィルを維持することを可能に
し、深さ方向により対称な構造をも形成することも可能
にする。より平滑な屈折率プロフィルを有する、高品質
で対称な、埋め込み導波路は、RA−VPE及び/又は
AR−VPE工程により得ることができる。RA−VP
E工程はVPEのプロフィルを独立に調整することを可
能にし、最初に熱焼鈍を行い、次に反転陽子交換工程を
実行することで希望する構造を形成する。一方、AR−
VPE工程は目的に合った導波路プロフィルを同時に作
製することを可能にし、その後より対称な導波路構造を
生成する。
軟な導波路プロフィルの最適化を可能にする。応用例と
して、青色光の発光といった非線型周波数変換、及び強
誘電性非線型材中で製造された高品質な対称埋め込み導
波路内での伝送光周波数混合器がある。素子の最適化に
は幾つかの異なる周波数での光モードプロフィルの統合
された重ね合わせの最大化と非線型材料が要求される。
更に、伝播損失を低減するために、望ましい結晶相での
動作も要求される。本発明に記述されている製造工程
は、低損失で高い非線型性を持つ系を得ることを可能に
すると同時に総合的な素子効率を最大にするよう導波路
の幾何学的構造を設計することを、柔軟な製造工程によ
り光モードプロフィルを調整することで、可能にしてい
る。
が、本発明の実施形態を使用することで、可能となるで
あろう。本発明の工程は、効率的かつ最適な製造、及
び、制約を受けない構造設計といった特定の設計を行う
ことにも使用できる。
用いることが可能である。 1)2次高調波生成、全周波数生成器の異なる周波数生
成、波長変換器、分散補償素子、非線型補償素子、光パ
ラメータの周波数増幅及び生成、段階的な非線型周波数
変換、レーザ表示装置・レーザスキャナ・レーザ印刷・
レーザ分光器・感知器及び検出器用の光源、光ファイバ
通信及び光信号処理のための光周波数混合器のような擬
似位相整合導波路及び非線型導波への応用、 2)光電増幅、位相変調器又は高速変調器(図9A及び
図9Bを参照)のような光電応用及びそれらの最適化、 3)音響光学への応用と最適化、及び 4)統合的な光及び導波路結合の最適化。
である。 1.高品質導波路及び工程の最適化:高い屈折率、対称
性、低伝播損失を持つ埋め込み導波路の提供だけでな
く、非線型係数や光電係数といった材料の光学特性の保
護。 2.応用最適化に対する設計の柔軟性:工程段階が、様
々な応用への設計最適化のための高い自由度を提供す
る。 3.ほんの少しの鍵となる工程(即ち、VPE、RP
E、熱焼鈍)だけが、開発及び最適化に必要とされる。
上述の最適化された工程の組合せにより、製造工程及び
設計における高い自由度が得られる。それ故、精巧な製
造及び設計方法が、3つの鍵となる工程を通すだけで提
供可能となる。 4.更なる最適化と新しい素子製造の簡易性:これらの
3つの鍵となる最適化された工程に基づいて、付加的な
工程や設計の組合せを容易に開発できる。例としては、
幾つかの一連のR−VPE、RA−VPE又はAR−V
PE工程を実行し、分散シフト導波路や擬似位相整合導
波路のために効率を高めた分散平準化導波路の製造、非
線型導波への応用及び統合的な光及び導波路の最適化へ
の応用、といった特定の応用のために多層導波路構造を
生成する。この種類の設計や素子に対する類似性は分散
シフトファイバ又は分散平準化ファイバからなる光ファ
イバの設計及び製造に使用される。 5.2次元の制限のない導波路構造。方法が設計及び工
程の柔軟性を提供する様に、同時に最適化された導波路
の幅及び深さプロフィルで設計された導波路を製造する
ために使用できる。そのような設計の導波路は、非常に
安定した特性を有し、且つ非常に高い工程公差を有す
る。すなわち、チャンネル幅の変動、処理温度の一様性
及び温度の安定性等のような工程条件に対して鈍感であ
る。
てきたが、特許請求の範囲によって定義されたものを除
き、発明の制限を意図するものではない。
ついてX線振動曲線を示すグラフである。
ついてX線振動曲線を示すグラフである。
ついてX線振動曲線を示すグラフである。
ついてX線振動曲線を示すグラフである。
ついてX線振動曲線を示すグラフである。
ついてX線振動曲線を示すグラフである。
ついてX線振動曲線を示すグラフである。
ついて屈折率変化/屈折率差を示す図である。
らgについて屈折率の特徴を示したグラフである。
る。
る。
る。
る。
形成されたチャンネル導波路の、結果として生ずる物理
的な実施形態を示す概略図である。
形成されたチャンネル導波路の、結果として生ずる物理
的な実施形態を示す概略図である。
形成されたチャンネル導波路の、結果として生ずる物理
的な実施形態を示す概略図である。
形成されたチャンネル導波路の、結果として生ずる物理
的な実施形態を示す概略図である。
形成されたチャンネル導波路の、結果として生ずる物理
的な実施形態を示す概略図である。
形成されたチャンネル導波路の、結果として生ずる物理
的な実施形態を示す概略図である。
発明に記述された改良された工程を示す概略図である。
発明に記述された改良された工程を示す概略図である。
発明に記述された改良された工程を示す概略図である。
発明に記述された改良された工程を示す概略図である。
発明に記述された改良された工程を示す概略図である。
発明に記述された改良された工程を示す概略図である。
発明に記述された改良された工程を示す概略図である。
明に記述された改良された工程の物理的な実施例を示す
概略図である。
Claims (61)
- 【請求項1】 強誘電性結晶内に導波路を製造する方法
において、 強誘電性結晶を提供するステップ、 気相陽子を上記強誘電性結晶中へ気相陽子交換工程によ
り拡散し、段状の屈折率プロフィルを有する気相陽子交
換(VPE)導波路材構造を形成するステップ、及びポ
ストアニーリング(事後焼鈍)工程及び付加的な反転陽
子交換工程を含むグループから選択された1つ又はそれ
以上の工程により上記VPE導波路材構造を処理し、導
波路の製造を完了させるステップ、を含み、これによ
り、製造された導波路の屈折率プロフィルを柔軟に最適
化する、強誘電性結晶内に導波路を製造する方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法において、 上記強誘電性結晶は、ニオブ酸リチウム(LiNb
O3)と、タンタル酸リチウム(LiTaO3)と、KT
iOPO4(KTP)と、KNbO3と、KDPと、及
び、MgO:LiNbO3、ZnO:LiNbO3、周期
的に極性を持つKTP(PP−KTP)、周期的に極性
をもつニオブ酸リチウム(PP−LN)又は周期的に極
性をもつタンタル酸リチウム(PP−LT)といった族
とを含むグループから選択される、方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の方法において、 上記強誘電性結晶は、 定成分のLiNbO3(CLN)及び化学式通りのLi
NbO3(SLN)、 上記結晶で、MgO:CLN、ZnO:CLN、Mg
O:SLN、ZnO:SLNといった添加物を有するも
の、 上記結晶で、X配向、Y配向、又はZ配向を含む異なる
結晶配向を有するもの、及び上記結晶で、その結晶体中
に周期的又は非周期的な強誘電性領域反転を有するもの
からなるグループから選択される、方法。 - 【請求項4】 請求項1記載の方法において、 上記強誘電性結晶が、LiNbO3又はLiTaO3の強
誘電性結晶及びそれぞれの族である、方法。 - 【請求項5】 請求項1記載の方法において、 上記強誘電性結晶が、LiNbO3の強誘電性結晶及び
その族である、方法。 - 【請求項6】 請求項1記載の方法において、 上記強誘電性結晶が、X配向、Y配向及びZ配向を含む
グループから選択される結晶配向を有する、方法。 - 【請求項7】 請求項1記載の方法において、 上記気相陽子交換工程が、純粋な酸の蒸気及び緩衝/希
釈した酸の蒸気を含むグループから選択された蒸気中で
行われる、方法。 - 【請求項8】 請求項1記載の方法において、 上記気相陽子交換工程が、純粋な安息香酸蒸気、純粋な
ステアリン酸蒸気、及び純粋なピロ燐酸蒸気からなるグ
ループから選択された蒸気中で行われる、方法 - 【請求項9】 請求項1記載の方法において、 上記気相陽子交換(VPE)導波路材構造の陽子濃度
が、約1021から2×1022atoms/cm3に調整
されている、方法。 - 【請求項10】 請求項1記載の方法において、 上記気相陽子交換(VPE)導波路材構造の陽子濃度
が、約2×1021から2×1022atoms/cm3に
調整されている、方法。 - 【請求項11】 請求項1記載の方法において、 上記気相陽子が、安息香酸、ステアリン酸、及びピロ燐
酸を含むグループから選択される源を有する、方法 - 【請求項12】 請求項1記載の方法において、 上記気相陽子が安息香酸及びその族である、方法
- 【請求項13】 請求項1記載の方法において、 上記ポストアニーリング工程が下記の条件、 温度、約250℃から400℃及び、 時間、約1時間から72時間、 で行われる、方法
- 【請求項14】 請求項1記載の方法において、 上記ポストアニーリング工程が下記の条件、 温度、約300℃から360℃及び 時間、約1時間から36時間、 で行われる、方法
- 【請求項15】 請求項1記載の方法において、 上記付加的な反転陽子交換工程が、LiNO3−KNO3
−NaNO3の混合物中において、約200℃から40
0℃の温度で、約1時間から72時間行われ、 LiNO3濃度が約30mol%から45mol%、K
NO3濃度が約30mol%から60mol%、及びN
aNO3濃度が約10mol%から30mol%であ
る、方法 - 【請求項16】 請求項1記載の方法において、 上記付加的な反転陽子交換工程が、LiNO3−KNO3
−NaNO3の混合物中において、約200℃から40
0℃の温度で、約1時間から36時間行われ、 LiNO3濃度が約35mol%から40mol%、K
NO3濃度が約40mol%から50mol%、及びN
aNO3濃度が約15mol%から25mol%であ
る、方法。 - 【請求項17】 請求項1記載の方法において、 上記製造された導波路が、下記の処理への応用:2次高
調波生成、全周波数生成器の異なる周波数の生成、波長
変換器、分散補償素子、非線型補償素子、光パラメータ
周波数増幅及び生成、段階的な非線型周波数変換、レー
ザ表示装置・レーザスキャナ・レーザ印刷・レーザ分光
・感知器及び検出器のための光源、光ファイバ通信及び
光信号処理のための光周波数混合器といった擬似位相整
合導波路及び非線型導波の応用;光電増幅、位相変調器
又は高速変調器といった光電応用及びその最適化;音響
光学への応用と最適化;及び統合的な光及び導波路結合
の最適化に使用可能である、方法。 - 【請求項18】 請求項1記載の方法において、 上記VPE導波路材構造が、ポストアニーリング工程の
みにより処理される、方法。 - 【請求項19】 請求項1記載の方法において、 上記VPE導波路材構造が、ポストアニーリング工程、
及び、これに続く付加的な反転陽子交換工程により処理
される、方法。 - 【請求項20】 請求項1記載の方法において、 上記VPE導波路材構造が、付加的な反転陽子交換工程
のみにより処理される、方法。 - 【請求項21】 請求項1記載の方法において、 上記VPE導波路材構造が、付加的な反転陽子交換工
程、及び、これに続くポストアニーリング工程により処
理される、方法。 - 【請求項22】 請求項1記載の方法において、 上記製造された導波路が、反転陽子交換工程、及び、こ
れに続く少なくとも1つ以上の付加的な一連の、 a)気相陽子交換工程、 b)気相陽子交換工程に続く、反転陽子交換工程 で上記VPE導波路を処理することにより形成された多
層導波路構造である、方法 - 【請求項23】 請求項1記載の方法において、 上記製造された導波路が、下記の一連の工程:ポストア
ニーリング工程;後に付加的な反転陽子交換工程が続
く、ポストアニーリング工程;付加的な反転陽子交換工
程;及び後にポストアニーリング工程が続く、付加的な
反転陽子交換工程;のうちの一つ又はそれ以上の工程で
処理される、方法 - 【請求項24】 請求項1記載の方法において、 製造された導波路が分散シフト導波路である、方法。
- 【請求項25】 請求項1記載の方法において、 製造された導波路が分散平準化導波路である、方法。
- 【請求項26】 請求項1記載の方法において、 製造された導波路は、最適化された導波路幅と深さプロ
フィルで同時に形成される、方法。 - 【請求項27】 請求項1記載の方法において、 製造された導波路は最適化された導波路幅と深さプロフ
ィルをもって同時に形成され、ここで製造された導波路
は非常に高い加工公差を持つ、方法。 - 【請求項28】 請求項1記載の方法において、 製造された導波路は最適化された導波路幅と深さプロフ
ィルを持って同時に形成され、ここで製造された導波路
はチャンネル幅の変動、処理温度の一様性及び温度の安
定性に対してあまり敏感でない、方法。 - 【請求項29】 請求項1記載の方法において、 製造された導波路は下記の工程の応用、 分散シフト導波路、分散平準化導波路、擬似位相整合導
波路の効果的な強化、非線型導波の応用、統合的な光及
び導波路の最適化の応用、に使用可能な、方法。 - 【請求項30】 強誘電性結晶内に導波路を製造する方
法において、 強誘電性結晶を提供するステップ、 気相陽子を強誘電性結晶中へ気相陽子交換工程により拡
散させ、段状の屈折率プロフィルを持つ気相陽子交換
(VPE)導波路材構造を形成するステップ、及びポス
トアニーリング工程によりVPE導波路材構造を処理
し、導波路の製造を完了させるステップ、を含み、 これにより、製造された導波路の屈折率プロフィルを柔
軟に最適化することが可能な方法。 - 【請求項31】 請求項30記載の方法において、 強誘電性結晶は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、
タンタル酸リチウム(LiTaO3)、KTiOPO
4(KTP)、KNbO3、KDP、及びMgO:LiN
bO3、ZnO:LiNbO3、周期的に極性を持つKT
P(PP−KTP)、周期的に極性をもつニオブ酸リチ
ウム(PP−LN)又は周期的に極性をもつタンタル酸
リチウム(PP−LT)といった族を含むグループから
選択される、方法。 - 【請求項32】 請求項30記載の方法において、 気相陽子交換工程が純粋な酸の蒸気及び拡散/希釈した
酸の蒸気からなるグループから選択された蒸気中で行わ
れる、方法。 - 【請求項33】 請求項30記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約1021から2
×2022atoms/cm3に調整された陽子濃度をも
つ、方法。 - 【請求項34】 請求項30記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約2×1021か
ら2×2022atoms/cm3に調整された陽子濃度
をもつ、方法。 - 【請求項35】 請求項30記載の方法において、 気相陽子が安息香酸及びその族である、方法。
- 【請求項36】 請求項30記載の方法において、 ポストアニーリング工程が以下の条件 温度、約250から400℃及び、 時間、約1から72時間、 で行われる、方法。
- 【請求項37】 請求項30記載の方法において、 ポストアニーリング工程が以下の条件 温度、約300から360℃及び、 時間、約1から36時間、 で行われる、方法。
- 【請求項38】 強誘電性結晶内に導波路を製造する方
法において、 強誘電性結晶を提供するステップ、 気相陽子を強誘電性結晶中へ気相陽子交換工程により拡
散させ、段状の屈折率プロフィルを持つ気相陽子交換
(VPE)導波路材構造を形成するステップ、及びポス
トアニーリング工程及びこれに続く付加的な反転陽子交
換工程によりVPE導波路材構造を処理し、導波路の製
造を完了させるステップ、を含み、 これにより、製造された導波路の屈折率プロフィルを柔
軟に最適化することが可能、な方法。 - 【請求項39】 請求項38記載の方法において、 強誘電性結晶は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、
タンタル酸リチウム(LiTaO3)、KTiOPO
4(KTP)、KNbO3、KDP、及びMgO:LiN
bO3、ZnO:LiNbO3、周期的に極性を持つKT
P(PP−KTP)、周期的に極性をもつニオブ酸リチ
ウム(PP−LN)又は周期的に極性をもつタンタル酸
リチウム(PP−LT)といった族からなるグループか
ら選択される、方法。 - 【請求項40】 請求項38記載の方法において、 気相陽子交換工程が純粋な酸の蒸気及び拡散/希釈した
酸の蒸気からなるグループから選択された蒸気中で行わ
れる、方法。 - 【請求項41】 請求項38記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約1021から2×
2022atoms/cm3に調整された陽子濃度をも
つ、方法。 - 【請求項42】 請求項38記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約2×1021から
2×2022atoms/cm3に調整された陽子濃度を
もつ、方法。 - 【請求項43】 請求項38記載の方法において、 気相陽子が安息香酸及びその族である、方法。
- 【請求項44】 請求項38記載の方法において、 ポストアニーリング工程が以下の条件 温度、約250から400℃及び、 時間、約1から72時間、 で行われ、 付加的な反転陽子交換工程がLiNO3−KNO3−Na
NO3の混合物中において約200から400℃の温度
で約1から72時間行われ、LiNO3濃度が約30か
ら45mol%、KNO3濃度が約30から60mol
%且つNaNO3濃度が約10から30mol%であ
る、方法。 - 【請求項45】 請求項38記載の方法において、 ポストアニーリング工程が以下の条件 温度、約300から360℃及び、 時間、約1から36時間、 で行われ、 付加的な反転陽子交換工程がLiNO3−KNO3−Na
NO3の混合物中において約200から400℃の温度
で約1から36時間行われ、LiNO3濃度が約35か
ら40mol%、KNO3濃度が約40から50mol
%且つNaNO3濃度が約15から25mol%であ
る、方法。 - 【請求項46】 強誘電性結晶内に導波路を製造する方
法において、 強誘電性結晶を提供するステップ、 気相陽子を強誘電性結晶中へ気相陽子交換工程により拡
散させ、段状の屈折率プロフィルを持つ気相陽子交換
(VPE)導波路材構造を形成するステップ、及び付加
的な反転陽子交換加工のみによりVPE導波路材構造を
処理し、導波路の製造を完了させるステップ、を含み、 これにより、製造された導波路の屈折率プロフィルを柔
軟に最適化することが可能な方法。 - 【請求項47】 請求項46記載の方法において、 強誘電性結晶は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、
タンタル酸リチウム(LiTaO3)、KTiOPO
4(KTP)、KNbO3、KDP及びMgO:LiNb
O3、ZnO:LiNbO3、周期的に極性を持つKTP
(PP−KTP)、周期的に極性をもつニオブ酸塩リチ
ウム(PP−LN)又は周期的に極性をもつタンタル酸
塩リチウム(PP−LT)といった族からなるグループ
から選択される、方法。 - 【請求項48】 請求項46記載の方法において、 気相陽子交換工程が純粋な酸の蒸気及び拡散/希釈した
酸の蒸気からなるグループから選択された蒸気中で行わ
れる、方法。 - 【請求項49】 請求項46記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約1021から2×
2022atoms/cm3に調整された陽子濃度をも
つ、方法。 - 【請求項50】 請求項46記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約2×1021から
2×2022atoms/cm3に調整された陽子濃度を
もつ、方法。 - 【請求項51】 請求項46記載の方法において、 気相陽子が安息香酸及びその族である、方法。
- 【請求項52】 請求項46記載の方法において、 付加的な反転陽子交換工程がLiNO3−KNO3−Na
NO3の混合物中において約200から400℃の温度
で約1から72時間行われ、LiNO3濃度が約30か
ら45mol%、KNO3濃度が約30から60mol
%且つNaNO3濃度が約10から30mol%であ
る、方法。 - 【請求項53】 請求項46記載の方法において、 付加的な反転陽子交換工程がLiNO3−KNO3−Na
NO3の混合物中において約200から400℃の温度
で約1から36時間行われ、LiNO3濃度が約35か
ら40mol%、KNO3濃度が約40から50mol
%且つNaNO3濃度が約15から25mol%であ
る、方法。 - 【請求項54】 強誘電性結晶内に導波路を製造する方
法において、 強誘電性結晶を提供するステップ、 気相陽子を強誘電性結晶中へ気相陽子交換工程により拡
散させ、段状の屈折率プロフィルを持つ気相陽子交換
(VPE)導波路材構造を形成するステップ、及び付加
的な反転陽子交換工程及びこれに続くポストアニーリン
グ工程によりVPE導波路材構造を処理し、導波路の製
造を完了させるステップ、を含み、 これにより、製造された導波路の屈折率プロフィルを柔
軟に最適化することが可能な方法。 - 【請求項55】 請求項54記載の方法において、 強誘電性結晶は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、
タンタル酸リチウム(LiTaO3)、KTiOPO
4(KTP)、KNbO3、KDP及びMgO:LiNb
O3、ZnO:LiNbO3、周期的に極性を持つKTP
(PP−KTP)、周期的に極性をもつニオブ酸リチウ
ム(PP−LN)又は周期的に極性をもつタンタル酸リ
チウム(PP−LT)といった族を含むグループから選
択される、方法。 - 【請求項56】 請求項54記載の方法において、 気相陽子交換工程が純粋な酸の蒸気及び拡散/希釈した
酸の蒸気からなるグループから選択された蒸気中で行わ
れる、方法。 - 【請求項57】 請求項54記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約1021から2×
2022atoms/cm3に調整された陽子濃度をも
つ、方法。 - 【請求項58】 請求項54記載の方法において、 気相陽子交換(VPE)導波路材構造が約2×1021から
2×2022atoms/cm3に調整された陽子濃度を
もつ、方法。 - 【請求項59】 請求項54記載の方法において、 気相陽子が安息香酸及びその族である、方法。
- 【請求項60】 請求項54記載の方法において、 付加的な反転陽子交換工程がLiNO3−KNO3−Na
NO3の混合物中において約200から400℃の温度
で約1から72時間行われ、LiNO3濃度が約30か
ら45mol%、KNO3濃度が約30から60mol
%且つNaNO3濃度が約10から30mol%であ
り、 ポストアニーリング工程が下記の条件、 温度、約250から400℃、 時間、約1から72時間 で行われる、方法。 - 【請求項61】 請求項54記載の方法において、 付加的な反転陽子交換工程がLiNO3−KNO3−Na
NO3の混合物中において、約200から400℃の温
度で、約1から36時間行われ、LiNO3濃度が約3
5から40mol%、KNO3濃度が約40から50m
ol%且つNaNO3濃度が約15から25mol%で
あり、 ポストアニーリング工程が下記の条件、 温度、約300から360℃及び、 時間、約1から36時間、 で行われる、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/042,570 US20030127042A1 (en) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | Method of forming high quality waveguides by vapor-phase proton-exchange process with post-thermal annealing and reversed proton-exchange |
US10/042570 | 2002-01-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003207671A true JP2003207671A (ja) | 2003-07-25 |
JP2003207671A5 JP2003207671A5 (ja) | 2007-01-18 |
Family
ID=21922639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002317687A Pending JP2003207671A (ja) | 2002-01-09 | 2002-10-31 | ポストアニーリングと反転陽子交換とを伴う気相陽子交換工程による高品質導波路の形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030127042A1 (ja) |
JP (1) | JP2003207671A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160149208A (ko) | 2014-05-09 | 2016-12-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 압전성 산화물 단결정 기판 |
KR20170137743A (ko) | 2015-04-16 | 2017-12-13 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 탄탈산리튬 단결정 기판 및 이것의 접합 기판과 이 제조법 및 이 기판을 사용한 탄성 표면파 디바이스 |
DE102018217999A1 (de) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Lithiumtantalat-Einkristallsubstrat, gebondetes Substrat, Herstellungsverfahren des gebondeten Substrats und eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung, die das gebondete Substrat verwendet |
US10707829B2 (en) | 2015-01-15 | 2020-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Lithium tantalate single crystal substrate for a surface acoustic wave device and a device using the same, and a manufacturing method thereof and an inspection method thereof |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7170671B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-01-30 | Hc Photonics Corporation | High efficiency wavelength converters |
KR100878978B1 (ko) | 2007-01-12 | 2009-01-19 | 광주과학기술원 | 레이저를 이용한 피피엘엔 도파로 소자의 제조 방법 |
US8189981B2 (en) * | 2009-11-23 | 2012-05-29 | The Aerospace Corporation | Stable lithium niobate waveguides, and methods of making and using same |
FR3051979B1 (fr) * | 2016-05-25 | 2018-05-18 | Soitec | Procede de guerison de defauts dans une couche obtenue par implantation puis detachement d'un substrat |
CN110286439B (zh) * | 2019-07-02 | 2020-07-24 | 山东大学 | 采用质子交换方法在渐变周期极化钽酸锂上形成光波导量子芯片的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519802A (en) * | 1994-05-09 | 1996-05-21 | Deacon Research | Method for making devices having a pattern poled structure and pattern poled structure devices |
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US6650819B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-11-18 | Konstantin P. Petrov | Methods for forming separately optimized waveguide structures in optical materials |
-
2002
- 2002-01-09 US US10/042,570 patent/US20030127042A1/en not_active Abandoned
- 2002-10-31 JP JP2002317687A patent/JP2003207671A/ja active Pending
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US10361357B2 (en) | 2014-05-09 | 2019-07-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Piezoelectric oxide single crystal substrate |
US10707829B2 (en) | 2015-01-15 | 2020-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Lithium tantalate single crystal substrate for a surface acoustic wave device and a device using the same, and a manufacturing method thereof and an inspection method thereof |
KR20170137743A (ko) | 2015-04-16 | 2017-12-13 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 탄탈산리튬 단결정 기판 및 이것의 접합 기판과 이 제조법 및 이 기판을 사용한 탄성 표면파 디바이스 |
US11021810B2 (en) | 2015-04-16 | 2021-06-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Lithium tantalate single crystal substrate, bonded substrate, manufacturing method of the bonded substrate, and surface acoustic wave device using the bonded substrate |
DE102018217999A1 (de) | 2017-10-20 | 2019-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Lithiumtantalat-Einkristallsubstrat, gebondetes Substrat, Herstellungsverfahren des gebondeten Substrats und eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung, die das gebondete Substrat verwendet |
KR20190044504A (ko) | 2017-10-20 | 2019-04-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 리튬 탄탈레이트 단결정 기판, 접합 기판, 접합 기판의 제조 방법, 및 접합 기판을 사용한 탄성 표면파 디바이스 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20030127042A1 (en) | 2003-07-10 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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