JP2003198260A - Frequency converter and wireless communication device using the converter - Google Patents

Frequency converter and wireless communication device using the converter

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JP2003198260A JP2001390488A JP2001390488A JP2003198260A JP 2003198260 A JP2003198260 A JP 2003198260A JP 2001390488 A JP2001390488 A JP 2001390488A JP 2001390488 A JP2001390488 A JP 2001390488A JP 2003198260 A JP2003198260 A JP 2003198260A
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Hisashi Adachi
寿史 足立
Junji Ito
順治 伊藤
Hideo Nakano
秀夫 中野
Naoki Okamoto
直樹 岡本
Hidehiko Kurimoto
秀彦 栗本
Masanori Nakamura
政則 中村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a frequency converter having wide dynamic range, and to provide a wireless communication device. <P>SOLUTION: A constant current source 11, a bias circuit 40, and a frequency conversion circuit 6 are provided. The bias circuit 40 has a first transistor 7, a second transistor 8, a first resistor 9, a second resistor 26 whose one end is connected to the junction of the first resistor 9 and the second transistor 8 and whose other end is grounded, and a third resistor 10 whose one end is connected to the junction. To the other end of the third resistor 10, a first input terminal RFin 2, which supplies a frequency converted signal, is connected. The frequency conversion circuit 6 is connected to the other end of the third resistor 10, and inputs a local oscillation signal supplied from a second input terminal LOin 3. By combining the frequency-converted signal and the local oscillation signal, a frequency conversion signal, that is the frequency-converted signal whose frequency is converted, is outputted to the output terminal. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、無線受信回路等に
用いられる周波数変換装置、及びそれを用いた無線通信
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a frequency conversion device used in a radio receiving circuit and the like, and a radio communication device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話の端末の受信回路や、携帯電話
の基地局の受信回路には、受信した高周波信号を中間周
波数の信号に変換するために周波数変換装置が用いられ
ている。
2. Description of the Related Art In a receiving circuit of a mobile phone terminal or a receiving circuit of a base station of a mobile phone, a frequency converter is used to convert a received high frequency signal into an intermediate frequency signal.

【0003】特に、近年の携帯電話などの移動体通信で
は、基地局と移動端末との間の距離に応じて受信電界が
大きく変化するため、受信系に広いダイナミックレンジ
が必要となる。
Particularly, in mobile communication such as mobile phones in recent years, a receiving system requires a wide dynamic range because a receiving electric field greatly changes depending on a distance between a base station and a mobile terminal.

【0004】図13に携帯電話端末の受信回路やその基
地局の受信回路に用いられる従来の周波数変換装置10
1を示す。
FIG. 13 shows a conventional frequency converter 10 used in a receiving circuit of a mobile phone terminal or a receiving circuit of its base station.
1 is shown.

【0005】従来の周波数変換装置101は、携帯電話
端末の受信回路やその基地局の受信回路に用いられる回
路であり、受信した高周波受信信号を局部発振信号と合
成することにより中間周波数の信号に変換して出力する
回路である。
The conventional frequency converter 101 is a circuit used in a receiving circuit of a mobile phone terminal or a receiving circuit of its base station, and synthesizes a received high frequency received signal with a local oscillation signal to form an intermediate frequency signal. It is a circuit that converts and outputs.

【0006】周波数変換装置101は、抵抗11、バイ
アス回路5、及び周波数変換回路6、局部発振信号増幅
回路17から構成される。バイアス回路5は、カレント
ミラー回路と呼ばれる回路であり、周波数変換回路6に
安定したバイアスを供給する回路である。周波数変換回
路6は、端子RFin2から入力した高周波受信信号
と、端子LOin3から入力した局部発振信号とをバイ
ポーラトランジスタ15及び16により合成することに
より、バイポーラトランジスタ15及び16の非線形性
により高周波受信信号を中間周波数の信号に変換し、そ
の変換した信号を端子IFout4から中間周波数の信
号として出力する回路である。
The frequency conversion device 101 comprises a resistor 11, a bias circuit 5, a frequency conversion circuit 6, and a local oscillation signal amplification circuit 17. The bias circuit 5 is a circuit called a current mirror circuit, and is a circuit that supplies a stable bias to the frequency conversion circuit 6. The frequency conversion circuit 6 synthesizes the high frequency reception signal input from the terminal RFin2 and the local oscillation signal input from the terminal LOin3 by the bipolar transistors 15 and 16, so that the high frequency reception signal is generated by the non-linearity of the bipolar transistors 15 and 16. This is a circuit that converts the signal into an intermediate frequency signal and outputs the converted signal from the terminal IFout4 as an intermediate frequency signal.

【0007】バイアス回路5は、バイポーラトランジス
タ7、8と、抵抗9、10と、キャパシタ12、13と
から構成される。
The bias circuit 5 is composed of bipolar transistors 7 and 8, resistors 9 and 10, and capacitors 12 and 13.

【0008】また、周波数変換回路6は、バイポーラト
ランジスタ14、15、16と、インダクタ18、1
9、20と、キャパシタ21、22、23、24、25
とから構成される。
The frequency conversion circuit 6 includes bipolar transistors 14, 15, 16 and inductors 18, 1
9, 20 and capacitors 21, 22, 23, 24, 25
Composed of and.

【0009】次に、このような従来の周波数変換装置1
01の形態の動作を説明する。
Next, such a conventional frequency converter 1 will be described.
The operation of the form 01 will be described.

【0010】バイアス回路40は、端子Vcc1から電
源の供給を受けて、周波数変換回路6のバイポーラトラ
ンジスタ14のベースにバイアスを供給する。また、バ
イポーラトランジスタ15及び16のそれぞれのコレク
タには、それぞれインダクタ19及び20を介して端子
Vcc1からバイアスが供給されている。
The bias circuit 40 receives power supply from the terminal Vcc1 and supplies a bias to the base of the bipolar transistor 14 of the frequency conversion circuit 6. A bias is supplied to the collectors of the bipolar transistors 15 and 16 from the terminal Vcc1 via the inductors 19 and 20, respectively.

【0011】端子RFin2から入力された高周波受信
信号は、直流遮断用キャパシタ25を通過して、バイポ
ーラトランジスタ14で増幅され、バイポーラトランジ
スタ14のコレクタからバイポーラトランジスタ15及
び16にそれぞれ入力される。1対の端子LOin3か
らそれぞれ入力される局部発振信号は、局部発振信号増
幅回路17でそれぞれ増幅されれて、バイポーラトラン
ジスタ15及び16にぞれぞれ入力される。
The high frequency received signal input from the terminal RFin2 passes through the DC blocking capacitor 25, is amplified by the bipolar transistor 14, and is input from the collector of the bipolar transistor 14 to the bipolar transistors 15 and 16, respectively. The local oscillation signals input from the pair of terminals LOin3 are amplified by the local oscillation signal amplifier circuit 17 and input to the bipolar transistors 15 and 16, respectively.

【0012】バイポーラトランジスタ15及び16は、
差動回路を形成しており、バイポーラトランジスタ14
で増幅された高周波受信信号と局部発振信号増幅回路1
7から出力された局部発振信号とを合成する。合成され
た信号はバイポーラトランジスタ15及び16のそれぞ
れのコレクタから出力される。
The bipolar transistors 15 and 16 are
A differential circuit is formed, and the bipolar transistor 14
High-frequency reception signal amplified by and local oscillation signal amplification circuit 1
The local oscillation signal output from 7 is combined. The combined signal is output from the collectors of the bipolar transistors 15 and 16, respectively.

【0013】この出力信号は、直流遮断用のキャパシタ
23及び24を通過して、端子IFout4から出力さ
れる。端子IFout4から出力された信号は、中間周
波数以外の周波数を低減する特性を有するフィルタを通
過することにより、中間周波数以外の歪み成分が低減さ
れるので、中間周波数の信号を得ることが出来る。
This output signal passes through the DC blocking capacitors 23 and 24 and is output from the terminal IFout4. Since the signal output from the terminal IFout4 passes through a filter having a characteristic of reducing frequencies other than the intermediate frequency, distortion components other than the intermediate frequency are reduced, so that a signal of the intermediate frequency can be obtained.

【0014】図14に周波数変換回路101の動作特性
を示す。
FIG. 14 shows the operating characteristics of the frequency conversion circuit 101.

【0015】すなわち、図14の横軸LOは局部発振信
号増幅回路17の利得(単位はデシベル)を表してい
る。また、CGは、端子IFout4から出力される中
間周波数の信号の、端子RFinから入力される高周波
受信信号に対する利得(単位はデシベル)であり、II
P3は、2波入力された高周波受信信号に対する出力中
間周波数信号のうち3次相互変調波成分の割合を示す指
標であり、NFは雑音指数(Noise Figur
e)である。
That is, the horizontal axis LO in FIG. 14 represents the gain (unit is decibel) of the local oscillation signal amplifier circuit 17. CG is the gain (unit is decibel) of the intermediate frequency signal output from the terminal IFout4 with respect to the high frequency reception signal input from the terminal RFin, and II
P3 is an index indicating the ratio of the third-order intermodulation wave component of the output intermediate frequency signal to the high frequency reception signal input as two waves, and NF is a noise figure (Noise Figure).
e).

【0016】まず、CGは、局部発振信号増幅回路17
の利得LOが−30デシベル付近までの間では、LOが
増加するとともに増加するが、LOが−30デシベル付
近で実質上飽和状態になり、LOが−30デシベルより
大きくなっても実質上一定値をとっている。
First, CG is a local oscillation signal amplifier circuit 17
The gain LO increases up to around -30 decibels as the LO increases, but the LO becomes substantially saturated near -30 decibels, and is substantially constant even when the LO becomes larger than -30 decibels. Is taking.

【0017】また、IIP3は、LOが−20デシベル
を超えた付近まではLOが増加するとともに増加する
が、LOが−20デシベルを超えた付近からは実質上一
定値をとっている。
IIP3 increases with the increase of LO up to the vicinity of LO exceeding -20 decibels, but has a substantially constant value from the vicinity of LO exceeding -20 decibels.

【0018】また、NFは、LOが−10デシベル付近
まではLOが増加するにつれて減少し、LOが−10デ
シベル付近で最小値をとり、LOが−10デシベルを超
えてからはLOが増加するとともに増加している。
Further, NF decreases as LO increases up to around -10 decibels, takes a minimum value near LO -10 decibels, and increases after LO exceeds -10 decibels. Is increasing with.

【0019】IIP3は、上述したように、IFout
4から出力される信号のうち3次相互変調歪み成分の程
度を表すので、IIP3の値が大きいほど周波数変換装
置101は良好な特性すなわち、IFout4から出力
される信号のうち、3次相互変調歪み成分のレベルが低
いということが出来る。
As described above, IIP3 is IFout.
Since the degree of the third-order intermodulation distortion component of the signal output from No. 4 is represented, the larger the value of IIP3 is, the better the characteristics of the frequency conversion device 101, that is, the third order intermodulation distortion of the signal output from IFout4. It can be said that the level of ingredients is low.

【0020】また、上述したようにNFは、IFout
4から出力される信号に含まれる雑音成分の程度を表す
ので、NFの値が小さいほど周波数変換装置101は低
雑音な特性を有するということが出来る。
As mentioned above, NF is IFout.
Since the degree of the noise component included in the signal output from No. 4 is represented, it can be said that the smaller the value of NF, the lower the noise of the frequency conversion device 101.

【0021】周波数変換装置101の特性としては、低
雑音な特性を有し、かつ3次相互変調歪み成分のレベル
が低いことが要求される。
The frequency converter 101 is required to have low noise characteristics and a low level of third-order intermodulation distortion component.

【0022】従って、局部発振信号増幅回路17の利得
を−10デシベル付近に設定すれば、図14から周波数
変換装置101が最も低雑音であり、かつ3次相互変調
歪み成分が最大となる。すなわち、局部発振信号増幅回
路17の利得を−10デシベル付近に設定した場合に周
波数変換装置101が最も良好な特性を有するようにな
る。
Therefore, if the gain of the local oscillation signal amplifier circuit 17 is set to around -10 decibels, the frequency conversion device 101 has the lowest noise and the third-order intermodulation distortion component becomes maximum from FIG. That is, when the gain of the local oscillation signal amplifier circuit 17 is set near -10 decibels, the frequency conversion device 101 has the best characteristics.

【0023】[0023]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、周波数
変換装置は、回路の非線形性を利用して高周波受信信号
すなわち高い周波数の信号を低い周波数の信号に変換す
るという特異性を有するので、低雑音特性と低歪み特性
とを両立させることは困難であり、それが受信回路のダ
イナミックレンジを狭くする要因となっていた。
However, since the frequency conversion device has the peculiarity of converting a high frequency received signal, that is, a high frequency signal into a low frequency signal by utilizing the non-linearity of the circuit, it has a low noise characteristic. It is difficult to achieve both low distortion characteristics and low distortion characteristics, which has been a factor that narrows the dynamic range of the receiving circuit.

【0024】すなわち、低雑音特性と低歪み特性とを両
立させ、よりダイナミックレンジの広い周波数変換装置
が必要であるという課題がある。
That is, there is a problem that a frequency converter having both a low noise characteristic and a low distortion characteristic and a wider dynamic range is required.

【0025】また、従来の周波数変換装置101では、
バイポーラトランジスタ等の性能が同じである場合に、
局部発信信号増幅回路17の利得を−10デシベル付近
に設定した場合に最も良好な特性を有するが、さらにこ
れ以上良好な特性を有する周波数変換装置101を実現
することは困難であるすなわち、バイポーラトランジス
タなどのトランジスタの性能が同じである場合にさらに
歪み特性及びノイズ特性の両方が良好な特性である周波
数変換装置を実現することは困難であるという課題があ
る。
Further, in the conventional frequency converter 101,
If the performance of bipolar transistors etc. is the same,
It has the best characteristics when the gain of the local oscillation signal amplification circuit 17 is set near -10 decibels, but it is difficult to realize the frequency conversion device 101 having further better characteristics, that is, the bipolar transistor. If the transistors have the same performance, it is difficult to realize a frequency conversion device having both good distortion characteristics and good noise characteristics.

【0026】本発明は、上記課題を考慮し、低雑音特性
と低歪み特性とを両立させることが出来、よりダイナミ
ックレンジの広い周波数変換装置、及び無線通信装置を
提供することを目的とするものである。
In consideration of the above problems, it is an object of the present invention to provide a frequency conversion device and a wireless communication device which can achieve both low noise characteristics and low distortion characteristics and have a wider dynamic range. Is.

【0027】本発明は、上記課題を考慮し、トランジス
タの性能が同じであっても、歪み特性及びノイズ特性の
両方が従来のものより良好である周波数変換装置、及び
無線通信装置を提供することを目的とするものである。
In view of the above problems, the present invention provides a frequency conversion device and a wireless communication device in which both the distortion characteristics and the noise characteristics are better than those of the conventional one, even if the performances of the transistors are the same. The purpose is.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、第1の本発明(請求項1に対応)は、所定の電
流を供給する定電流源と、バイアス回路と、周波数変換
回路とを備え、前記バイアス回路は、前記定電流源から
の電流の供給を受ける第1の増幅回路と、前記定電流源
からの電流の供給を受ける第2の増幅回路と、前記第1
の増幅回路と前記第2の増幅回路との間に接続された第
1の抵抗と、前記第1の抵抗と前記第2の増幅回路との
接続点に一方が接続され、他方が接地されている第2の
抵抗と、前記接続点に一方が接続された第3の抵抗とを
有し、前記第3の抵抗の他方には、周波数被変換信号を
供給する第1の入力端子が接続され、前記周波数変換回
路は、前記第3の抵抗の他方に接続され、第2の入力端
子から供給されてくる局部発振信号を入力し、前記周波
数被変換信号と前記局部発振信号とを合成することによ
り、前記周波数被変換信号を周波数変換した信号である
周波数変換信号を出力端子に出力し、前記第2の入力端
子及び前記出力端子はそれぞれ1対ある周波数変換装置
である。
In order to solve the above-mentioned problems, the first invention (corresponding to claim 1) is a constant current source for supplying a predetermined current, a bias circuit, and a frequency conversion circuit. The bias circuit includes a first amplifier circuit supplied with a current from the constant current source, a second amplifier circuit supplied with a current from the constant current source, and the first amplifier circuit.
A first resistor connected between the first amplifying circuit and the second amplifying circuit and a connection point between the first resistor and the second amplifying circuit, and the other is grounded. Has a second resistor and a third resistor, one of which is connected to the connection point, and the other of the third resistors is connected to a first input terminal for supplying a frequency-converted signal. The frequency conversion circuit is connected to the other of the third resistors, receives the local oscillation signal supplied from the second input terminal, and synthesizes the frequency-converted signal and the local oscillation signal. Thus, a frequency-converted signal, which is a signal obtained by frequency-converting the frequency-converted signal, is output to the output terminal, and each of the second input terminal and the output terminal is a pair of frequency converters.

【0029】また、第2の本発明(請求項2に対応)
は、前記周波数変換回路は、第3、第4、及び第5の増
幅回路を有し、前記第3の増幅回路は前記第3の抵抗の
他方に接続され、前記第4の増幅回路は、前記第3の増
幅回路に接続されるとともに、前記第2の入力端子の一
方に接続され、前記第5の増幅回路は、前記第3の増幅
回路に接続されるとともに、前記第2の入力端子の他方
に接続され、前記出力端子の一方は、前記第4の増幅回
路に接続され、前記出力端子の他方は、前記第5の増幅
回路に接続され、前記第4の増幅回路および前記第5の
増幅回路は差動回路を形成している第1の本発明の周波
数変換装置である。
The second invention (corresponding to claim 2)
The frequency conversion circuit has third, fourth, and fifth amplification circuits, the third amplification circuit is connected to the other of the third resistors, and the fourth amplification circuit is The third amplifier circuit is connected to one of the second input terminals, the fifth amplifier circuit is connected to the third amplifier circuit, and the second input terminal is connected to the third input circuit. Connected to the other, one of the output terminals is connected to the fourth amplifier circuit, and the other of the output terminals is connected to the fifth amplifier circuit, the fourth amplifier circuit and the fifth amplifier circuit. The amplifier circuit is the frequency conversion device according to the first aspect of the present invention forming a differential circuit.

【0030】また、第3の本発明(請求項3に対応)
は、前記第3の増幅回路はトランジスタであり、前記第
3の増幅回路のエミッタは、インダクタを介して接地さ
れている第2の本発明の周波数変換装置である。
The third invention (corresponding to claim 3)
Is the frequency conversion device according to the second aspect of the present invention, in which the third amplification circuit is a transistor, and the emitter of the third amplification circuit is grounded via an inductor.

【0031】また、第4の本発明(請求項4に対応)
は、前記第3の増幅回路はトランジスタであり、前記第
3の増幅回路のエミッタは、互いに並列接続されたキャ
パシタ及びインダクタを介して接地されている第2の本
発明の周波数変換装置である。
The fourth invention (corresponding to claim 4)
Is the frequency conversion device according to the second aspect of the present invention, in which the third amplification circuit is a transistor, and the emitter of the third amplification circuit is grounded via a capacitor and an inductor connected in parallel with each other.

【0032】また、第5の本発明(請求項5に対応)
は、前記第1の増幅回路及び前記第3の増幅回路は、そ
れぞれトランジスタであり、前記第1の増幅回路のエミ
ッタ及び前記第3の増幅回路のエミッタは、それぞれ抵
抗を介して接地されている第2の本発明の周波数変換装
置である。
The fifth invention (corresponding to claim 5)
The first amplifier circuit and the third amplifier circuit are transistors, respectively, and the emitter of the first amplifier circuit and the emitter of the third amplifier circuit are grounded via resistors. It is a frequency conversion device of the second invention.

【0033】また、第6の本発明(請求項6に対応)
は、前記バイアス回路は、前記第3の抵抗の一方に接続
された第4の抵抗を有し、前記第1の入力端子は、1対
あり、前記入力端子の一方、及び他方は、それぞれ前記
第3の抵抗の他方及び前記第4の抵抗の他方に接続され
ており、前記周波数変換回路は、第3、第4、第5、第
6、第7、及び第8の増幅回路を有し、前記第3の増幅
回路は前記第3の抵抗の他方に接続され、前記第4の増
幅回路は前記第4の抵抗の他方に接続され、前記第5及
び第6の増幅回路は、ともに前記第3の増幅回路に接続
され、かつそれぞれ前記第2の入力端子の一方及び他方
に接続され、かつそれぞれ前記出力端子の一方及び他方
に接続され、前記第7及び第8の増幅回路は、ともに前
記第4の増幅回路に接続され、かつそれぞれ前記第2の
入力端子の他方及び一方に接続され、かつそれぞれ前記
出力端子の一方及び他方に接続され、前記第5及び第6
の増幅回路は差動回路を形成し、前記第7及び前記第8
の増幅回路は差動回路を形成している第1の本発明の周
波数変換装置である。
The sixth invention (corresponding to claim 6)
The bias circuit has a fourth resistor connected to one of the third resistors, the first input terminal is a pair, and one and the other of the input terminals are respectively the The frequency conversion circuit is connected to the other of the third resistors and the other of the fourth resistors, and the frequency conversion circuit includes third, fourth, fifth, sixth, seventh, and eighth amplification circuits. , The third amplifier circuit is connected to the other of the third resistors, the fourth amplifier circuit is connected to the other of the fourth resistors, and the fifth and sixth amplifier circuits are both Connected to a third amplifier circuit, respectively connected to one and the other of the second input terminals, and respectively connected to one and the other of the output terminals, and the seventh and eighth amplifier circuits are both Is connected to the fourth amplifier circuit and is connected to the other of the second input terminals. On the other hand, are connected, and are connected to one and the other of each of the output terminals, the fifth and sixth
The amplifier circuit forms a differential circuit, and includes the seventh and eighth circuits.
The amplifier circuit is the frequency conversion device according to the first aspect of the present invention forming a differential circuit.

【0034】また、第7の本発明(請求項7に対応)
は、前記バイアス回路は、前記定電流源からの電流の供
給を受ける第9の増幅回路と、前記第1の増幅回路と前
記第9の増幅回路との間に接続された第4の抵抗と、前
記第4の抵抗と前記第9の増幅回路との接続点に一方が
接続され、他方が接地されている第5の抵抗と、前記接
続点に一方が接続され、他方が前記バイアス回路の外部
に接続される第6の抵抗とを有し、前記第1の入力端子
は、1対あり、前記入力端子の一方、及び他方は、それ
ぞれ前記第3の抵抗の他方及び前記第6の抵抗の他方に
接続されており、前記周波数変換回路は、第3、第4、
第5、第6、第7、及び第8の増幅回路を有し、前記第
3の増幅回路は前記第3の抵抗の他方に接続され、前記
第4の増幅回路は前記第6の抵抗の他方に接続され、前
記第5及び第6の増幅回路は、ともに前記第3の増幅回
路に接続され、かつそれぞれ前記第2の入力端子の一方
及び他方に接続され、かつそれぞれ前記出力端子の一方
及び他方に接続され、前記第7及び第8の増幅回路は、
ともに前記第4の増幅回路に接続され、かつそれぞれ前
記第2の入力端子の他方及び一方に接続され、かつそれ
ぞれ前記出力端子の一方及び他方に接続され、前記第5
及び第6の増幅回路は差動回路を形成し、前記第7及び
前記第8の増幅回路は差動回路を形成している第1の本
発明の周波数変換装置である。
The seventh invention (corresponding to claim 7)
The bias circuit includes a ninth amplifier circuit which is supplied with a current from the constant current source, and a fourth resistor which is connected between the first amplifier circuit and the ninth amplifier circuit. , A fifth resistor, one of which is connected to the connection point between the fourth resistor and the ninth amplifier circuit and the other of which is grounded, and one of which is connected to the connection point and the other of which is the bias circuit. A sixth resistor connected to the outside, the first input terminal is a pair, and one and the other of the input terminals are the other of the third resistor and the sixth resistor, respectively. And the frequency conversion circuit is connected to the other of the third, fourth, and
A fifth, a sixth, a seventh, and an eighth amplifier circuit, the third amplifier circuit is connected to the other of the third resistors, and the fourth amplifier circuit is connected to the sixth resistor. The fifth and sixth amplifier circuits are connected to the other, both are connected to the third amplifier circuit, and are respectively connected to one and the other of the second input terminals, and one of the output terminals, respectively. And the other, and the seventh and eighth amplifier circuits are
Both are connected to the fourth amplifier circuit, and are respectively connected to the other and one of the second input terminals, and are connected to one and the other of the output terminals, respectively.
The sixth and sixth amplifier circuits form a differential circuit, and the seventh and eighth amplifier circuits are the frequency conversion device of the first aspect of the present invention in which a differential circuit is formed.

【0035】また、第8の本発明(請求項8に対応)
は、前記第1の入力端子の一方は、キャパシタを介して
接地されている第6または7の本発明の周波数変換装置
である。
The eighth invention (corresponding to claim 8)
Is the sixth or seventh frequency conversion device of the invention, wherein one of the first input terminals is grounded via a capacitor.

【0036】また、第9の本発明(請求項9に対応)
は、前記第3の増幅回路及び前記第4の増幅回路はそれ
ぞれトランジスタであり、前記第3の増幅回路のエミッ
タ及び前記第4の増幅回路のエミッタはそれぞれインダ
クタを介して接地されている第6〜8の本発明のいずれ
かの周波数変換装置である。
The ninth invention (corresponding to claim 9)
The sixth amplifier circuit and the fourth amplifier circuit are transistors, respectively, and the emitter of the third amplifier circuit and the emitter of the fourth amplifier circuit are grounded via an inductor. 8 is a frequency conversion device according to any one of the present inventions.

【0037】また、第10の本発明(請求項10に対
応)は、前記第3の増幅回路および前記第4の増幅回路
はそれぞれトランジスタであり、前記第3の増幅回路の
エミッタと前記第4の増幅回路のエミッタとはキャパシ
タを介して接続されており、前記第3の増幅回路のエミ
ッタ及び前記第4の増幅回路のエミッタはそれぞれイン
ダクタを介して接地されている第6〜8の本発明のいず
れかの周波数変換装置である。
According to a tenth aspect of the present invention (corresponding to claim 10), each of the third amplifying circuit and the fourth amplifying circuit is a transistor, and an emitter of the third amplifying circuit and the fourth amplifying circuit. In the sixth to eighth aspects of the present invention, the emitter of the amplifier circuit is connected via a capacitor, and the emitter of the third amplifier circuit and the emitter of the fourth amplifier circuit are grounded via an inductor. Any one of the frequency conversion devices.

【0038】また、第11の本発明(請求項11に対
応)は、前記第3の増幅回路および前記第4の増幅回路
はそれぞれトランジスタであり、前記第3の増幅回路の
エミッタ及び前記第4の増幅回路のエミッタはそれぞれ
インダクタの一方が接続されており、前記インダクタの
他方どうしは互いに接続されており、前記インダクタの
他方どうしを接続する配線の中点で抵抗を介して接地さ
れている第6〜8の本発明のいずれかの周波数変換装置
である。
According to an eleventh aspect of the present invention (corresponding to claim 11), each of the third amplifier circuit and the fourth amplifier circuit is a transistor, and the emitter of the third amplifier circuit and the fourth amplifier circuit are the same. The emitters of the amplifier circuits are connected to one of the inductors, the other of the inductors is connected to each other, and is grounded via a resistor at the midpoint of the wiring connecting the other of the inductors. 6 to 8 is a frequency conversion device according to any one of the present invention.

【0039】また、第12の本発明(請求項12に対
応)は、前記第3の増幅回路および前記第4の増幅回路
はそれぞれトランジスタであり、前記第3の増幅回路の
エミッタ及び前記第4の増幅回路のエミッタにはそれぞ
れインダクタの一方が接続されそれ、らのインダクタの
他方どうしは互いに接続されており、それらのインダク
タの他方どうしを接続する配線の中点でインダクタを介
して接地されている第6〜8の本発明のいずれかに記載
の周波数変換装置である。
According to a twelfth aspect of the present invention (corresponding to claim 12), each of the third amplifier circuit and the fourth amplifier circuit is a transistor, and the emitter of the third amplifier circuit and the fourth amplifier circuit are the same. One of the inductors is connected to the emitter of the amplifier circuit, and the other of the inductors is connected to each other, and it is grounded via the inductor at the midpoint of the wiring that connects the other of these inductors. The frequency conversion device according to any one of the sixth to eighth aspects of the present invention.

【0040】また、第13の本発明(請求項13に対
応)は、前記第2の入力端子に接続され、前記局部発振
信号を増幅して、前記周波数変換回路に出力する局部発
振信号増幅回路を備えた第1の本発明の周波数変換装置
である。
A thirteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 13) is a local oscillation signal amplifier circuit which is connected to the second input terminal, amplifies the local oscillation signal, and outputs the amplified signal to the frequency conversion circuit. It is a frequency conversion device according to the first aspect of the present invention.

【0041】また、第14の本発明(請求項14に対
応)は、前記局部発振信号増幅回路は、前記第2の入力
端子から供給される前記局部発振信号を入力する第10
の増幅回路及び第11の増幅回路とを有し、前記第10
の増幅回路及び前記第11の増幅回路は、差動回路を形
成している第13の本発明の周波数変換装置である。
According to a fourteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 14), the local oscillation signal amplifier circuit receives the local oscillation signal supplied from the second input terminal as a tenth aspect.
An amplifier circuit and an eleventh amplifier circuit,
The amplifier circuit and the eleventh amplifier circuit are the frequency conversion device of the thirteenth invention, which form a differential circuit.

【0042】また、第15の本発明(請求項15に対
応)は、前記局部発振信号増幅回路は、前記第10の増
幅回路および前記第11の増幅回路に所定の電流を供給
する定電流供給回路を備えた第14の本発明の周波数変
換装置である。
In the fifteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 15), the local oscillation signal amplifier circuit supplies a constant current to the tenth amplifier circuit and the eleventh amplifier circuit. It is a frequency converter according to the 14th aspect of the present invention, which is provided with a circuit.

【0043】また、第16の本発明(請求項16に対
応)は、前記第2の入力端子の一方は、キャパシタを介
して接地されている第14または15の本発明の周波数
変換装置である。
The sixteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 16) is the frequency conversion device according to the fourteenth or fifteenth aspect of the present invention, wherein one of the second input terminals is grounded via a capacitor. .

【0044】また、第17の本発明(請求項17に対
応)は、前記局部発振信号増幅回路は、キャパシタ及び
インダクタが互いに並列接続された第1の共振回路およ
び第2の共振回路を有し、前記第10の増幅回路及び前
記第11の増幅回路は、それぞれトランジスタであり、
前記第10の増幅回路のベース及び第11の増幅回路の
ベースはそれぞれ前記第2の入力端子の一方及び他方に
接続され、前記第10の増幅回路のエミッタと前記第1
1の増幅回路のエミッタは、互いに接続され、その接続
点には前記定電流供給回路が接続されており、前記第1
0の増幅回路のコレクタは、前記第1の共振回路の一方
に接続されており、前記第1の共振回路の他方は、バイ
アス供給源からバイアスの供給を受け、前記第11の増
幅回路のコレクタは、前記第2の共振回路の一方に接続
されており、前記第2の共振回路の他方は、前記バイア
ス供給源からバイアスの供給を受け、前記第10の増幅
回路のコレクタと前記第11の増幅回路のコレクタと
は、それぞれ、前記周波数変換回路に接続されている第
14〜16の本発明のいずれかの周波数変換装置であ
る。
According to a seventeenth aspect of the present invention (corresponding to claim 17), the local oscillation signal amplifier circuit has a first resonance circuit and a second resonance circuit in which capacitors and inductors are connected in parallel with each other. , The tenth amplifier circuit and the eleventh amplifier circuit are transistors,
The base of the tenth amplifier circuit and the base of the eleventh amplifier circuit are connected to one and the other of the second input terminals, respectively, and the emitter of the tenth amplifier circuit and the first
The emitters of the first amplification circuit are connected to each other, and the constant current supply circuit is connected to the connection point of the first amplification circuit,
The collector of the 0th amplification circuit is connected to one of the first resonance circuits, and the other of the first resonance circuits receives a bias from a bias supply source, and the collector of the 11th amplification circuit. Is connected to one of the second resonance circuits, and the other of the second resonance circuits is supplied with a bias from the bias supply source, and is connected to the collector of the tenth amplifier circuit and the eleventh amplifier circuit. The collector of the amplifier circuit is the frequency conversion device according to any one of the fourteenth to sixteenth aspects of the present invention, which is connected to the frequency conversion circuit.

【0045】また、第18の本発明(請求項18に対
応)は、前記局部発振信号増幅回路は、一方が前記第1
の共振回路の他方及び前記第2の共振回路の他方に接続
され、他方が前記バイアス供給源に接続された抵抗を有
する第17の本発明の周波数変換装置である。
According to an eighteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 18), one of the local oscillation signal amplifier circuits has the first portion.
The frequency conversion device according to the 17th aspect of the present invention, which has a resistor connected to the other of the resonant circuits and the other of the second resonant circuits, and the other of which is connected to the bias supply source.

【0046】また、第19の本発明(請求項19に対
応)は、前記局部発振信号増幅回路は、一方が第1の共
振回路の他方及び前記第2の共振回路の他方に接続さ
れ、他方が前記バイアス供給源に接続されたダイオード
を有する第17の本発明の周波数変換装置である。
According to a nineteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 19), one of the local oscillation signal amplifier circuits is connected to the other of the first resonance circuit and the other of the second resonance circuits, and the other Is a frequency converter according to the seventeenth aspect of the present invention, which has a diode connected to the bias supply source.

【0047】また、第20の本発明(請求項20に対
応)は、前記周波数変換回路に注入される前記局部発振
信号の注入レベルを所定の条件に応じて制御する制御回
路を備えた第13〜19の本発明のいずれかの周波数変
換装置である。
The twentieth aspect of the present invention (corresponding to claim 20) includes a control circuit for controlling an injection level of the local oscillation signal injected into the frequency conversion circuit according to a predetermined condition. 19 is a frequency conversion device according to any one of the present inventions.

【0048】また、第21の本発明(請求項21に対
応)は、前記所定の条件とは、前記周波数変換回路から
出力される前記周波数変換信号の信号レベルであり、前
記制御回路は、前記周波数変換回路から出力される前記
周波数変換信号の信号レベルに応じて前記周波数変換回
路に注入される前記局部発振信号の注入レベルを制御す
る制御回路を備えた第20の本発明の周波数変換装置で
ある。
In the twenty-first aspect of the present invention (corresponding to claim 21), the predetermined condition is a signal level of the frequency conversion signal output from the frequency conversion circuit, and the control circuit includes A frequency conversion device according to a twentieth aspect of the present invention, comprising a control circuit for controlling an injection level of the local oscillation signal injected into the frequency conversion circuit according to a signal level of the frequency conversion signal output from the frequency conversion circuit. is there.

【0049】また、第22の本発明(請求項22に対
応)は、前記制御回路は、前記周波数変換信号の信号レ
ベルが増加すると、前記局部発振信号の注入レベルを減
少させる第21の本発明の周波数変換装置である。
In the twenty-second aspect of the present invention (corresponding to claim 22), the control circuit decreases the injection level of the local oscillation signal when the signal level of the frequency conversion signal increases. Frequency conversion device.

【0050】また、第23の本発明(請求項23に対
応)は、前記信号レベルを検出する検出回路を備え、前
記周波数変換回路と前記検出回路との間には、前記周波
数変換信号の歪み成分を低減するフィルタが挿入されて
いる第20〜22の本発明のいずれかの周波数変換装置
である。
The twenty-third aspect of the present invention (corresponding to claim 23) includes a detection circuit for detecting the signal level, and the distortion of the frequency conversion signal is provided between the frequency conversion circuit and the detection circuit. The frequency conversion device according to any one of the 20th to 22nd aspects of the present invention, in which a filter for reducing a component is inserted.

【0051】また、第24の本発明(請求項24に対
応)は、前記制御回路は、前記周波数変換信号の信号レ
ベルが増加すると、前記局部発振信号増幅回路の利得を
低下させる第22〜23の本発明のいずれかの周波数変
換装置である。
In the twenty-fourth aspect of the present invention (corresponding to claim 24), the control circuit reduces the gain of the local oscillation signal amplification circuit when the signal level of the frequency conversion signal increases. The frequency conversion device according to any one of the present inventions.

【0052】また、第25の本発明(請求項25に対
応)は、前記局部発振信号増幅回路の利得を低下させる
とは、前記局部発振信号増幅回路の電流を減少させるこ
とである第24の本発明の周波数変換装置である。
In the twenty-fifth aspect of the present invention (corresponding to claim 25), lowering the gain of the local oscillation signal amplifier circuit means reducing the current of the local oscillation signal amplifier circuit. It is a frequency conversion device of the present invention.

【0053】また、第26の本発明(請求項26に対
応)は、前記局部発振信号増幅回路の利得を低下させる
とは、前記局部発振信号増幅回路の電流を減少させるこ
とである第24の本発明の周波数変換装置である。
In the twenty-sixth aspect of the present invention (corresponding to claim 26), reducing the gain of the local oscillation signal amplifier circuit means reducing the current of the local oscillation signal amplifier circuit. It is a frequency conversion device of the present invention.

【0054】また、第27の本発明(請求項27に対
応)は、前記所定の条件とは、前記周波数変換回路に注
入される前記周波数被変換信号の信号レベルであり、前
記制御回路は、前記周波数被変換信号の信号レベルに応
じて、前記局部発振信号の注入レベルを変化させる第2
0の本発明の周波数変換装置である。
In the twenty-seventh aspect of the present invention (corresponding to claim 27), the predetermined condition is a signal level of the frequency-converted signal injected into the frequency conversion circuit, and the control circuit includes: A second changing the injection level of the local oscillation signal according to the signal level of the frequency converted signal;
0 frequency converter of the present invention.

【0055】また、第28の本発明(請求項28に対
応)は、前記制御回路は、前記周波数被変換信号の信号
レベルが増加すると、前記周波数被変換信号の信号レベ
ルを減少させる第27の本発明の周波数変換装置であ
る。
In the twenty-eighth aspect of the present invention (corresponding to claim 28), the control circuit decreases the signal level of the frequency converted signal when the signal level of the frequency converted signal increases. It is a frequency conversion device of the present invention.

【0056】また、第29の本発明(請求項29に対
応)は、前記信号レベルを減少させるとは、前記局部発
振信号増幅回路の利得を低下させることである第28の
本発明の周波数変換装置である。
In the twenty-ninth aspect of the present invention (corresponding to claim 29), reducing the signal level means reducing the gain of the local oscillation signal amplifying circuit. It is a device.

【0057】また、第30の本発明(請求項30に対
応)は、前記信号レベルを減少させるとは、前記局部発
振信号増幅回路の電流を減少させることである第29の
本発明の周波数変換装置である。
In the thirtieth invention (corresponding to claim 30), reducing the signal level means reducing the current of the local oscillation signal amplifying circuit. The frequency conversion according to the twenty-ninth invention. It is a device.

【0058】また、第31の本発明(請求項31に対
応)は、前記信号レベルを減少させるとは、前記局部発
振信号増幅回路の電圧を減少させることである第29の
本発明の周波数変換装置である。
According to the 31st aspect of the present invention (corresponding to claim 31), reducing the signal level means reducing the voltage of the local oscillation signal amplifier circuit. It is a device.

【0059】また、第32の本発明(請求項32に対
応)は、前記周波数変換信号の信号レベルが増加する
と、前記定電流供給回路に出力する電流を減少させる制
御回路を備え、前記定電流供給回路は、第12、第1
3、及び第14の増幅回路と、第7、第8、第9、第1
0、及び第11の抵抗とを有し、前記第12、第13、
及び第14の増幅回路は、それぞれトランジスタであ
り、前記第12の増幅回路のベースと前記14の増幅回
路のエミッタとの間には第7の抵抗が接続されており、
前記第13の増幅回路のベースと前記第14の増幅回路
のエミッタとの間には第8の抵抗が接続されており、前
記第12の増幅回路エミッタと前記第13の増幅回路エ
ミッタとは、それぞれ前記第9の抵抗、及び前記第10
の抵抗を介して接地されており、前記第14の増幅回路
のベースとコレクタとは、前記第11の抵抗を介して接
続されており、前記第14の増幅回路のコレクタは、前
記制御回路の出力に接続されており、前記第13の増幅
回路のコレクタと前記第14の増幅回路のベースとは接
続されており、前記第12の増幅回路のコレクタは、前
記第10及び前記第11の増幅回路に接続されている第
15〜19の本発明のいずれかの周波数変換装置であ
る。
The 32nd aspect of the present invention (corresponding to claim 32) is provided with a control circuit for decreasing the current output to the constant current supply circuit when the signal level of the frequency conversion signal is increased. The supply circuits are the twelfth and first
3rd and 14th amplifier circuits, and 7th, 8th, 9th, 1st
0th and 11th resistors, and the 12th, 13th, and
And the 14th amplifier circuit is a transistor, respectively, and a 7th resistor is connected between the base of the 12th amplifier circuit and the emitter of the 14th amplifier circuit,
An eighth resistor is connected between the base of the thirteenth amplifier circuit and the emitter of the fourteenth amplifier circuit, and the twelfth amplifier circuit emitter and the thirteenth amplifier circuit emitter are: The ninth resistor and the tenth resistor, respectively.
Is grounded via a resistance of the fourteenth amplification circuit, a base and a collector of the fourteenth amplification circuit are connected through the eleventh resistance, and a collector of the fourteenth amplification circuit is connected to a collector of the control circuit. The collector of the thirteenth amplifier circuit and the base of the fourteenth amplifier circuit are connected to the output, and the collector of the twelfth amplifier circuit is connected to the tenth and eleventh amplifiers. The frequency conversion device according to any one of the fifteenth to nineteenth aspects of the present invention, which is connected to a circuit.

【0060】また、第33の本発明(請求項33に対
応)は、前記周波数変換信号の信号レベルが増加する
と、出力電圧を低下させる制御回路を備え、前記局部発
振信号増幅回路は、エミッタが第1の共振回路の他方及
び前記第2の共振回路の他方に接続され、コレクタが前
記バイアス供給源に接続され、ベースが前記制御回路の
出力に接続されたトランジスタを有し、前記定電流供給
回路は、第12、第13、及び第14の増幅回路と、第
7、第8、第9、第10、及び第11の抵抗とを有し、
前記第12、第13、及び第14の増幅回路は、それぞ
れトランジスタであり、前記第12の増幅回路のベース
と前記14の増幅回路のエミッタとの間には第7の抵抗
が接続されており、前記第13の増幅回路のベースと前
記第14の増幅回路のエミッタとの間には第8の抵抗が
接続されており、前記第12の増幅回路エミッタと前記
第13の増幅回路エミッタとは、それぞれ前記第9の抵
抗、及び前記第10の抵抗を介して接地されており、前
記第14の増幅回路のベースとコレクタとは、前記第1
1の抵抗を介して接続されており、前記第14の増幅回
路のコレクタは、前記バイアス供給源に接続されてお
り、前記第13の増幅回路のコレクタと前記第14の増
幅回路のベースとは接続されており、前記第12の増幅
回路のコレクタは、前記第10及び前記第11の増幅回
路に接続されている第17〜19の本発明のいずれかの
周波数変換装置である。
A thirty-third aspect of the present invention (corresponding to claim 33) is provided with a control circuit for decreasing the output voltage when the signal level of the frequency conversion signal increases, and the local oscillation signal amplification circuit has an emitter. The constant current supply circuit includes a transistor connected to the other of the first resonance circuit and the other of the second resonance circuits, the collector of which is connected to the bias supply source, and the base of which is connected to the output of the control circuit. The circuit has twelfth, thirteenth, and fourteenth amplifier circuits, and seventh, eighth, ninth, tenth, and eleventh resistors,
The twelfth, thirteenth, and fourteenth amplifier circuits are each transistors, and a seventh resistor is connected between the base of the twelfth amplifier circuit and the emitter of the fourteenth amplifier circuit. An eighth resistor is connected between the base of the thirteenth amplifier circuit and the emitter of the fourteenth amplifier circuit, and the twelfth amplifier circuit emitter and the thirteenth amplifier circuit emitter are connected to each other. , The base and collector of the fourteenth amplifier circuit are connected to the first resistor and the first resistor, respectively, and are grounded via the ninth resistor and the tenth resistor, respectively.
Connected via the first resistor, the collector of the fourteenth amplifier circuit is connected to the bias supply source, and the collector of the thirteenth amplifier circuit and the base of the fourteenth amplifier circuit are connected. The collector of the twelfth amplifier circuit is connected, and is the frequency converter according to any one of the seventeenth to nineteenth aspects of the present invention, which is connected to the tenth and eleventh amplifier circuits.

【0061】また、第34の本発明(請求項34に対
応)は、受信信号を受信する受信回路を備え、前記受信
回路には第1〜33の本発明のいずれかの周波数変換装
置が用いられている無線通信装置である。
The 34th aspect of the present invention (corresponding to claim 34) includes a receiving circuit for receiving a received signal, and the frequency converting device according to any one of the first to 33th aspects of the present invention is used for the receiving circuit. Wireless communication device.

【0062】[0062]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0063】(第1の実施の形態)まず、第1の実施の
形態を説明する。
(First Embodiment) First, the first embodiment will be described.

【0064】図1に、本実施の形態の周波数変換装置8
1を示す。本実施の形態の周波数変換装置81は、携帯
電話端末の受信回路やその基地局の受信回路に用いられ
る回路であり、受信した高周波受信信号を局部発振信号
と合成することにより中間周波数の信号に変換して出力
する回路である。
FIG. 1 shows a frequency converter 8 according to this embodiment.
1 is shown. The frequency conversion device 81 of the present embodiment is a circuit used for a receiving circuit of a mobile phone terminal or a receiving circuit of its base station, and synthesizes a received high frequency received signal with a local oscillation signal to form an intermediate frequency signal. It is a circuit that converts and outputs.

【0065】周波数変換装置81は、抵抗11、バイア
ス回路40、及び周波数変換回路6、局部発振信号増幅
回路17から構成される。バイアス回路5は、カレント
ミラー回路と呼ばれる回路であり、周波数変換回路6に
安定したバイアスを供給する回路である。周波数変換回
路6は、端子RFin2から入力した高周波受信信号
と、端子LOin3から入力した局部発振信号とをバイ
ポーラトランジスタ15及び16により合成することに
より、バイポーラトランジスタ15及び16の非線形性
により高周波受信信号を中間周波数の信号に変換し、そ
の変換した信号を端子IFout4から中間周波数の信
号として出力する回路である。
The frequency conversion device 81 is composed of the resistor 11, the bias circuit 40, the frequency conversion circuit 6, and the local oscillation signal amplification circuit 17. The bias circuit 5 is a circuit called a current mirror circuit, and is a circuit that supplies a stable bias to the frequency conversion circuit 6. The frequency conversion circuit 6 synthesizes the high frequency reception signal input from the terminal RFin2 and the local oscillation signal input from the terminal LOin3 by the bipolar transistors 15 and 16, so that the high frequency reception signal is generated by the non-linearity of the bipolar transistors 15 and 16. This is a circuit that converts the signal into an intermediate frequency signal and outputs the converted signal from the terminal IFout4 as an intermediate frequency signal.

【0066】バイアス回路40は、バイポーラトランジ
スタ7、8と、抵抗9、10、26と、キャパシタ13
とから構成される。
The bias circuit 40 includes bipolar transistors 7 and 8, resistors 9, 10 and 26, and a capacitor 13.
Composed of and.

【0067】また、周波数変換回路6は、バイポーラト
ランジスタ14、15、16と、インダクタ18、1
9、20と、キャパシタ21、22、23、24、25
とから構成される。
Further, the frequency conversion circuit 6 includes bipolar transistors 14, 15, 16 and inductors 18, 1
9, 20 and capacitors 21, 22, 23, 24, 25
Composed of and.

【0068】また、図2に局部発振信号増幅回路17の
構成を示す局部発振信号増幅回路17は、バイポーラト
ランジスタ31、32と、ダイオード37と、キャパシ
タ38、29、33、35と、インダクタ33、35と
から構成される。
In addition, the local oscillation signal amplification circuit 17 showing the configuration of the local oscillation signal amplification circuit 17 in FIG. 2 includes bipolar transistors 31, 32, a diode 37, capacitors 38, 29, 33, 35, an inductor 33, And 35.

【0069】すなわち、本実施の形態の周波数変換回路
81は、従来の周波数変換回路101のキャパシタ12
を抵抗26に置き換えたものである。キャパシタ12を
抵抗26に置き換えることにより周波数変換装置の特性
を向上させることが出来たが、これについては後述す
る。
That is, the frequency conversion circuit 81 of this embodiment is the same as the capacitor 12 of the conventional frequency conversion circuit 101.
Is replaced with a resistor 26. The characteristics of the frequency conversion device could be improved by replacing the capacitor 12 with the resistor 26, which will be described later.

【0070】まず、バイアス回路40について説明す
る。すなわち、バイアス電源である端子Vcc1には、
定電流を供給するための抵抗11の一方が接続されてお
り、抵抗11の他方はバイポーラトランジスタ7のコレ
クタ及びバイポーラトランジスタ8のベースに接続され
ており、バイポーラトランジスタ8のコレクタは端子V
cc1に接続されている。バイポーラトランジスタ7の
エミッタとコレクタとの間にはキャパシタ13が接続さ
れており、バイポーラトランジスタ7のエミッタは接地
されており、バイポーラトランジスタ7のベースとバイ
ポーラトランジスタ8のエミッタとの間には抵抗9が接
続されている。そしてバイポーラトランジスタ8のエミ
ッタと抵抗9との接続点には、抵抗26の一方及び抵抗
10の一方が接続されており、抵抗26の他方は接地さ
れている。
First, the bias circuit 40 will be described. That is, the terminal Vcc1 which is the bias power source,
One of the resistors 11 for supplying a constant current is connected, the other of the resistors 11 is connected to the collector of the bipolar transistor 7 and the base of the bipolar transistor 8, and the collector of the bipolar transistor 8 has a terminal V.
It is connected to cc1. A capacitor 13 is connected between the emitter and collector of the bipolar transistor 7, the emitter of the bipolar transistor 7 is grounded, and a resistor 9 is provided between the base of the bipolar transistor 7 and the emitter of the bipolar transistor 8. It is connected. One of the resistors 26 and 10 is connected to the connection point between the emitter of the bipolar transistor 8 and the resistor 9, and the other of the resistors 26 is grounded.

【0071】次に、周波数変換回路6について説明す
る。すなわち、バイポーラトランジスタ14のベースは
抵抗10の他方に接続されるとともに、高周波受信信号
を供給する端子RFin2に直流遮断用のキャパシタ2
5を介して接続されている。バイポーラトランジスタ1
4のエミッタはインダクタ18を介して接地されてお
り、バイポーラトランジスタ14のコレクタはバイポー
ラトランジスタ15、16のそれぞれのエミッタに接続
されている。
Next, the frequency conversion circuit 6 will be described. That is, the base of the bipolar transistor 14 is connected to the other of the resistors 10 and the DC blocking capacitor 2 is connected to the terminal RFin2 that supplies a high frequency reception signal.
It is connected via 5. Bipolar transistor 1
The emitter of 4 is grounded via an inductor 18, and the collector of the bipolar transistor 14 is connected to the emitters of the bipolar transistors 15 and 16, respectively.

【0072】バイポーラトランジスタ15のベース及び
バイポーラトランジスタ16のベースは一対の端子LO
inから供給される局部発振信号を増幅する局部発振信
号増幅回路17のそれぞれの出力に接続されている。そ
して、バイポーラトランジスタ15、16のそれぞれの
コレクタは、それぞれ直流遮断用のキャパシタ23及び
直流遮断用のキャパシタ24を介して中間周波数の信号
を出力する1対の端子IFout4の一方及び他方にそ
れぞれ接続されとともに、それぞれインダクタ19の一
方及びインダクタ20の一方に接続され、さらに、キャ
パシタ21の一方及びキャパシタ22の一方が接続され
ている。また、インダクタ19の他方及びインダクタ2
0の他方は端子Vcc1に接続されている。そして、キ
ャパシタ21の他方、及びキャパシタ22の他方はそれ
ぞれ接地されている。
The base of the bipolar transistor 15 and the base of the bipolar transistor 16 are a pair of terminals LO.
It is connected to each output of the local oscillation signal amplifier circuit 17 which amplifies the local oscillation signal supplied from in. The collectors of the bipolar transistors 15 and 16 are respectively connected to one and the other of the pair of terminals IFout4 that output a signal of an intermediate frequency through the DC blocking capacitor 23 and the DC blocking capacitor 24, respectively. At the same time, it is connected to one of the inductor 19 and one of the inductor 20, respectively, and further connected to one of the capacitor 21 and one of the capacitor 22. Also, the other of the inductor 19 and the inductor 2
The other of 0 is connected to the terminal Vcc1. The other side of the capacitor 21 and the other side of the capacitor 22 are grounded.

【0073】さらに、局部発振信号増幅回路17につい
て説明する。すなわち、バイポーラトランジスタ31及
び32のベースは、それぞれ1対の端子LOin3に、
直流遮断用のキャパシタ38、及び39を介して接続さ
れるとともに、局部発振信号増幅回路17用のバイアス
回路29にそれぞれ接続されている。また、バイポーラ
トランジスタ31及び32のエミッタはともに定電流源
30に接続されている。また、バイポーラトランジスタ
31及び32のコレクタはそれぞれ、端子LOout2
8の一方及び他方に接続されている。1対の端子LOo
ut28の一方及び他方は、図1のバイポーラトランジ
スタ15のベース及びバイポーラトランジスタ16のベ
ースにそれぞれ接続されている。さらに、バイポーラト
ランジスタ31及び32のそれぞれのコレクタは、キャ
パシタ33及びインダクタ34が並列接続された共振回
路の一方及びキャパシタ35及びインダクタ26が並列
接続された共振回路の一方にそれぞれ接続されている。
Further, the local oscillation signal amplifier circuit 17 will be described. That is, the bases of the bipolar transistors 31 and 32 are connected to the pair of terminals LOin3,
The capacitors are connected via DC blocking capacitors 38 and 39, and are also connected to a bias circuit 29 for the local oscillation signal amplifier circuit 17, respectively. The emitters of the bipolar transistors 31 and 32 are both connected to the constant current source 30. Further, the collectors of the bipolar transistors 31 and 32 are respectively connected to the terminal LOout2.
8 is connected to one side and the other side. A pair of terminals LOo
One and the other of the ut 28 are connected to the base of the bipolar transistor 15 and the base of the bipolar transistor 16 of FIG. 1, respectively. Further, the collectors of the bipolar transistors 31 and 32 are respectively connected to one of the resonance circuits in which the capacitor 33 and the inductor 34 are connected in parallel and one of the resonance circuits in which the capacitor 35 and the inductor 26 are connected in parallel.

【0074】そして、キャパシタ33及びインダクタ3
4が並列接続された回路の他方、及びキャパシタ35及
びインダクタ36が並列接続された回路の他方は、ダイ
オード37の一方に接続されている。ダイオード37の
他方は、端子Vcc27に接続されている。
Then, the capacitor 33 and the inductor 3
The other of the circuits in which 4 is connected in parallel and the other of the circuits in which the capacitor 35 and the inductor 36 are connected in parallel are connected to one of the diodes 37. The other side of the diode 37 is connected to the terminal Vcc27.

【0075】次に、このような本実施の形態の動作を説
明する。
Next, the operation of this embodiment will be described.

【0076】バイアス回路40は、端子Vcc1から電
源の供給を受けて、周波数変換回路6のバイポーラトラ
ンジスタ14のベースにバイアスを供給する。また、バ
イポーラトランジスタ15及び16のそれぞれのコレク
タには、それぞれインダクタ19及び20を介して端子
Vcc1からバイアスが供給されている。
The bias circuit 40 receives power supply from the terminal Vcc1 and supplies a bias to the base of the bipolar transistor 14 of the frequency conversion circuit 6. A bias is supplied to the collectors of the bipolar transistors 15 and 16 from the terminal Vcc1 via the inductors 19 and 20, respectively.

【0077】端子RFin2から入力された高周波受信
信号は、直流遮断用キャパシタ25を通過して、バイポ
ーラトランジスタ14のベースに入力され、バイポーラ
トランジスタ14で増幅されバイポーラトランジスタ1
4のコレクタからバイポーラトランジスタ15及び16
にそれぞれ入力される。また、バイポーラトランジスタ
14のエミッタはインダクタ18を介して接地されてい
るので、良好なノイズ特性及び良好な歪み特性を得るこ
とが出来る。
The high frequency reception signal input from the terminal RFin2 passes through the DC blocking capacitor 25, is input to the base of the bipolar transistor 14, is amplified by the bipolar transistor 14, and is amplified by the bipolar transistor 1.
4 collectors of bipolar transistors 15 and 16
Are input respectively. Further, since the emitter of the bipolar transistor 14 is grounded via the inductor 18, good noise characteristics and good distortion characteristics can be obtained.

【0078】1対の端子LOin3からそれぞれ入力さ
れる局部発振信号は、局部発振信号増幅回路17でそれ
ぞれ増幅される。
Local oscillation signals input from the pair of terminals LOin3 are amplified by the local oscillation signal amplifier circuit 17, respectively.

【0079】すなわち、図2において、1対の端子LO
in3から入力される局部発振信号は、それぞれバイポ
ーラトランジスタ31のベース及びバイポーラトランジ
スタ32のベースに入力され、それぞれバイポーラトラ
ンジスタ31及びバイポーラトランジスタ32で増幅さ
れ、それぞれのコレクタから出力される。なお、定電流
源30の電流及びVcc27が供給するバイアス電圧は
周波数変換回路6が良好な特性になるように調整されて
いる。
That is, in FIG. 2, a pair of terminals LO
The local oscillation signal input from in3 is input to the base of the bipolar transistor 31 and the base of the bipolar transistor 32, respectively, amplified by the bipolar transistor 31 and the bipolar transistor 32, and output from each collector. The current of the constant current source 30 and the bias voltage supplied by the Vcc 27 are adjusted so that the frequency conversion circuit 6 has good characteristics.

【0080】1対の端子LOout28から出力された
局部発振信号は、図1において、バイポーラトランジス
タ15及び16にぞれぞれ入力される。バイポーラトラ
ンジスタ15及び16は、差動回路を形成しており、バ
イポーラトランジスタ14で増幅された高周波受信信号
と局部発振信号増幅回路17から出力された局部発振信
号とを合成する。合成された信号はバイポーラトランジ
スタ15及び16のそれぞれのコレクタから出力され
る。
The local oscillation signals output from the pair of terminals LOout 28 are input to the bipolar transistors 15 and 16 in FIG. 1, respectively. The bipolar transistors 15 and 16 form a differential circuit, and combine the high frequency reception signal amplified by the bipolar transistor 14 and the local oscillation signal output from the local oscillation signal amplification circuit 17. The combined signal is output from the collectors of the bipolar transistors 15 and 16, respectively.

【0081】この出力信号には、バイポーラトランジス
タ15及び16の非線形性により、高周波受信信号の周
波数と局部発振信号の周波数との差の周波数を有する中
間周波数の信号が含まれることになる。また、上述した
ようにバイポーラトランジスタ15及び16は、差動回
路を形成しているので、この高周波受信信号の周波数の
信号などの基本波の周波数の信号は互いにキャンセルさ
れることになる。
Due to the non-linearity of the bipolar transistors 15 and 16, this output signal contains an intermediate frequency signal having a frequency difference between the frequency of the high frequency reception signal and the frequency of the local oscillation signal. Further, since the bipolar transistors 15 and 16 form a differential circuit as described above, the signals of the fundamental wave frequency such as the signal of the frequency of the high frequency reception signal are canceled with each other.

【0082】この出力信号は、直流遮断用のキャパシタ
23及び24を通過して、端子IFout4から出力さ
れる。端子IFout4から出力された信号は、中間周
波数以外の周波数を低減する特性を有するフィルタを通
過することにより、中間周波数以外の歪み成分が低減さ
れるので、中間周波数の信号を得ることが出来る。
This output signal passes through the DC blocking capacitors 23 and 24 and is output from the terminal IFout4. Since the signal output from the terminal IFout4 passes through a filter having a characteristic of reducing frequencies other than the intermediate frequency, distortion components other than the intermediate frequency are reduced, so that a signal of the intermediate frequency can be obtained.

【0083】図3に周波数変換回路81の動作特性を示
す。
FIG. 3 shows the operating characteristics of the frequency conversion circuit 81.

【0084】本実施の形態の周波数変換装置81では、
従来の周波数変換装置101のキャパシタ12の代わり
に抵抗26を用いた。このようにすることにより、図3
のような優れた動作特性が得られた。すなわち、図3の
横軸LOは局部発振信号増幅回路17の利得(単位はデ
シベル)を表している。また、CGは、端子IFout
4から出力される中間周波数の信号の、端子RFinか
ら入力される高周波受信信号に対する利得(単位はデシ
ベル)であり、IIP3は、端子IFout4から出力
される全信号のうち3次相互変調歪み成分の割合すなわ
ち中間周波数の信号の割合を示す指標であり、NFは雑
音指数(Noise Figure)である。
In the frequency converter 81 of this embodiment,
A resistor 26 is used in place of the capacitor 12 of the conventional frequency converter 101. By doing so, FIG.
Excellent operating characteristics such as That is, the horizontal axis LO of FIG. 3 represents the gain (unit is decibel) of the local oscillation signal amplifier circuit 17. CG is a terminal IFout
4 is the gain (unit is decibel) of the intermediate frequency signal output from the terminal 4 with respect to the high frequency reception signal input from the terminal RFin, and IIP3 is the third-order intermodulation distortion component of all the signals output from the terminal IFout4. The ratio, that is, an index indicating the ratio of the signal of the intermediate frequency, and NF is a noise figure.

【0085】まず、CGは、局部発振信号増幅回路17
の利得LOが−30デシベル付近までの間では、LOが
増加するとともに増加するが、LOが−30デシベル付
近で実質上飽和状態になり、LOが−30デシベルより
大きくなっても実質上一定値をとっている。
First, CG is a local oscillation signal amplifier circuit 17
The gain LO increases up to around -30 decibels as the LO increases, but the LO becomes substantially saturated near -30 decibels, and is substantially constant even when the LO becomes larger than -30 decibels. Is taking.

【0086】また、IIP3は、LOが−33デシベル
まではLOが増加するとともに増加し、LOが−33デ
シベルで最大となり、LOが−33デシベルを超えてか
らは減少に転じる。
The IIP3 increases as LO increases up to −33 decibels, reaches its maximum at −33 decibels, and starts decreasing after LO exceeds −33 decibels.

【0087】また、NFは、LOが−10デシベル付近
まではLOが増加するにつれて減少し、LOが−10デ
シベル付近で最小値をとり、LOが−10デシベルを超
えてからはLOが増加するとともに増加している。
Further, NF decreases as LO increases up to around LO-10 decibels, takes a minimum value near LO-10 decibels, and increases after LO exceeds -10 decibels. Is increasing with.

【0088】IIP3は、上述したように、IFout
4から出力される信号のうち3次相互変調歪み成分の程
度を表すので、IIP3の値が大きいほど周波数変換装
置101は良好な特性すなわち、IFout4から出力
される信号のうち、3次相互変調歪み成分のレベルが低
いということが出来る。IFout4から出力される信
号のうち、中間周波数の信号の信号レベルが高いという
ことが出来る。
As described above, IIP3 is IFout.
Since the degree of the third-order intermodulation distortion component of the signal output from No. 4 is represented, the larger the value of IIP3 is, the better the characteristics of the frequency conversion device 101, that is, the third order intermodulation distortion of the signal output from IFout4. It can be said that the level of ingredients is low. It can be said that, of the signals output from IFout4, the signal level of the intermediate frequency signal is high.

【0089】また、上述したようにNFは、IFout
4から出力される信号に含まれる雑音成分の程度を表す
ので、NFの値が小さいほど周波数変換装置101は低
雑音な特性を有するということが出来る。
As described above, NF is IFout.
Since the degree of the noise component included in the signal output from No. 4 is represented, it can be said that the smaller the value of NF, the lower the noise of the frequency conversion device 101.

【0090】次に、図3の動作特性を図14の従来の周
波数変換装置101の動作特性と比較して説明する。
Next, the operating characteristics of FIG. 3 will be described in comparison with the operating characteristics of the conventional frequency converter 101 of FIG.

【0091】図3の動作特性において、IIP3は、L
Oが−33デシベルの時に最大値10デシベルをとる。
ところが、図14の動作特性では、IIP3は、最大で
も6デシベル程度の値にしかならない。すなわち、本実
施の形態のほうが従来のものよりIIP3の最大値が大
きい。
In the operation characteristic of FIG. 3, IIP3 is L
When O is -33 dB, the maximum value is 10 dB.
However, in the operation characteristics of FIG. 14, IIP3 has a value of about 6 decibels at the maximum. That is, the maximum value of IIP3 in this embodiment is larger than that in the conventional one.

【0092】また、LOとNFとの差は、図3におい
て、LOが−33デシベルの値を取る場合に1デシベル
程度の差になる。またLOが−20デシベルから0デシ
ベルの範囲でもその差は、2デシベル以上ある。ところ
が、LOとNFとの差は図14において、LOが−10
デシベルの場合に最大となり、この場合で2デシベル程
度である。このように、発明者は、図13のキャパシタ
12を図1に示すように抵抗26に置き換えることによ
って、トランジスタサイズ等が従来と同一であっても、
従来よりはるかに優れた特性を実現できることを発見し
た。
Further, the difference between LO and NF is about 1 decibel when LO takes a value of -33 decibel in FIG. Further, even if the LO is in the range of -20 dB to 0 dB, the difference is 2 dB or more. However, the difference between LO and NF is −10 in LO in FIG.
The maximum is in the case of decibel, and in this case, it is about 2 decibel. As described above, the inventor replaces the capacitor 12 of FIG. 13 with the resistor 26 as shown in FIG.
It has been discovered that far superior characteristics can be realized.

【0093】また、従来の技術で説明したように、周波
数変換装置101や81の特性としては、低雑音な特性
を有し、かつ3次相互変調歪み成分が低いことが要求さ
れる。
As described in the prior art, the frequency converters 101 and 81 are required to have low noise characteristics and low third-order intermodulation distortion components.

【0094】従って、本実施の形態の周波数変換装置8
1で、LOを−33デシベルに設定した場合には、II
P3が10デシベルである周波数変換装置を実現するこ
とが出来る。これは従来の周波数変換装置101で、L
Oを−10デシベルに設定した場合よりIIP3の値が
はるかに大きい。また、LOが−33デシベルでは、N
Fの値も従来のものより多少は大きくなる。しかしなが
ら十分歪み特性が良好なために、中間周波数の信号の信
号レベルを十分大きくとれるので、雑音の影響を相殺す
ることが出来る。
Therefore, the frequency conversion device 8 of the present embodiment
If the LO is set to -33 decibels in 1, then II
It is possible to realize a frequency conversion device in which P3 is 10 decibels. This is the conventional frequency converter 101, and L
The value of IIP3 is much higher than if O was set to -10 decibels. When LO is -33 dB, N
The value of F is also slightly larger than that of the conventional one. However, since the distortion characteristic is sufficiently good, the signal level of the intermediate frequency signal can be made sufficiently high, so that the influence of noise can be canceled.

【0095】このように、本実施の形態の周波数変換装
置81は、キャパシタ12の代わりに抵抗26を用いる
ことにより、雑音特性は従来のものと同程度であるが、
歪み特性を従来のものより向上させることが出来た。従
って、本実施の形態の周波数変換装置81は、従来の周
波数変換装置101より良好な特性を有しているという
ことが出来る。
As described above, the frequency converter 81 of the present embodiment uses the resistor 26 instead of the capacitor 12, so that the noise characteristic is about the same as that of the conventional one.
It was possible to improve the distortion characteristics over the conventional one. Therefore, it can be said that the frequency conversion device 81 of the present embodiment has better characteristics than the conventional frequency conversion device 101.

【0096】なお、LOを−10デシベルに設定するた
めには、図2の局部発振信号増幅回路17の定電流源3
0の電流量を調整するかまたはバイポーラトランジスタ
31、及び32のそれぞれのエミッタとコレクタとの間
の電圧を調整すればよい。なお、LOの調整方法につい
ては後述する。
In order to set LO to -10 decibels, the constant current source 3 of the local oscillation signal amplifier circuit 17 of FIG.
The amount of current of 0 may be adjusted, or the voltage between the emitter and collector of each of the bipolar transistors 31 and 32 may be adjusted. The LO adjustment method will be described later.

【0097】このように、本実施の形態の周波数変換装
置81は、図13のキャパシタ12を図1に示すように
抵抗26に置き換えることによって、トランジスタサイ
ズ等が従来と同一であっても、従来よりはるかに優れた
特性を実現できた。
As described above, the frequency converter 81 of the present embodiment replaces the capacitor 12 of FIG. 13 with the resistor 26 as shown in FIG. Much better characteristics were achieved.

【0098】また、図12にシミュレーションにより求
めたCG、IIP3、NFを示す。すなわち、図12
は、本実施の形態の周波数変換装置81の局部発振信号
増幅回路17のキャパシタ33及び35のキャパシタン
ス値及び各バイポーラトランジスタのトランジスタサイ
ズを変更してシミュレーションによりCG、IIP3、
NFを求めたものである。このようにシミュレーション
上では、キャパシタ33及び35のキャパシタンス値及
び各バイポーラトランジスタのトランジスタサイズを調
整することにより、IIP3のピーク位置とNFのボト
ム位置とを一致させることができた。従って、LOを上
記のピーク値及びボトム位置に対応する位置に設定する
ことにより歪み特性、雑音特性ともに良好な特性を有す
る周波数変換装置を実現することが期待出来る。
FIG. 12 shows CG, IIP3, and NF obtained by simulation. That is, FIG.
Are CG, IIP3 by simulation by changing the capacitance values of the capacitors 33 and 35 of the local oscillation signal amplifier circuit 17 of the frequency conversion device 81 of the present embodiment and the transistor size of each bipolar transistor, and
This is the NF. Thus, in the simulation, the peak position of IIP3 and the bottom position of NF could be matched by adjusting the capacitance values of the capacitors 33 and 35 and the transistor size of each bipolar transistor. Therefore, by setting LO at the positions corresponding to the above-mentioned peak value and bottom position, it can be expected to realize a frequency conversion device having good distortion characteristics and noise characteristics.

【0099】なお、本実施の形態では、バイポーラトラ
ンジスタ7のコレクタとエミッタの間にはキャパシタ1
3が接続されているとして説明したが、キャパシタ13
が接続されていなくても構わない。
In this embodiment, the capacitor 1 is placed between the collector and the emitter of the bipolar transistor 7.
3 has been connected, the capacitor 13
Does not have to be connected.

【0100】さらに、本実施の形態では、バイポーラト
ランジスタ7のエミッタ及びバイポーラトランジスタ8
のベースには、抵抗11が接続されているとして説明し
たが、抵抗11の代わりに、定電流源が接続されていて
も構わない。
Further, in this embodiment, the emitter of the bipolar transistor 7 and the bipolar transistor 8 are
Although it has been described that the resistor 11 is connected to the base of, the constant current source may be connected instead of the resistor 11.

【0101】さらに、本実施の形態では、バイポーラト
ランジスタ8と端子Vcc1とは直接接続されていると
して説明したが、これに限らず、バイポーラトランジス
タ8と端子Vcc1とは、抵抗やチョークコイルなどの
他の素子を介して接続されていても構わない。
Furthermore, in the present embodiment, the bipolar transistor 8 and the terminal Vcc1 have been described as being directly connected, but the present invention is not limited to this, and the bipolar transistor 8 and the terminal Vcc1 may be connected to other elements such as resistors and choke coils. It may be connected via the element.

【0102】さらに、本実施の形態では、バイポーラト
ランジスタ14のエミッタにはインダクタ18が接続さ
れているとして説明したが、これに限らず、多少歪み特
性及び雑音特性が劣化するが、バイポーラトランジスタ
14のエミッタが直接接地されいても構わない。
Furthermore, in the present embodiment, the description has been made assuming that the inductor 18 is connected to the emitter of the bipolar transistor 14, but the present invention is not limited to this, and distortion characteristics and noise characteristics are somewhat deteriorated. The emitter may be directly grounded.

【0103】さらに、本実施の形態では、バイポーラト
ランジスタ14のエミッタにはインダクタ18が接続さ
れているとして説明したが、これに限らず、バイポーラ
トランジスタ14のエミッタがインダクタとキャパシタ
とが並列に接続された共振回路を介して接地されていて
も構わない。このようにすれば歪み特性及び雑音特性と
もに良好になる。
Further, in the present embodiment, the description has been made assuming that the inductor 18 is connected to the emitter of the bipolar transistor 14, but not limited to this, the emitter of the bipolar transistor 14 is connected in parallel with the inductor and the capacitor. It may be grounded via a resonant circuit. By doing so, both the distortion characteristic and the noise characteristic are improved.

【0104】さらに、本実施の形態では、バイポーラト
ランジスタ7のエミッタが抵抗を介して接地されてお
り、バイポーラトランジスタ14のエミッタがインダク
タ18の代わりに抵抗を介して接地されていても構わな
い。このようにすれば、バイポーラトランジスタの特性
のばらつきによる回路内を流れる電流のばらつきをさら
に小さくすることが出来る。
Further, in the present embodiment, the emitter of bipolar transistor 7 may be grounded via a resistor, and the emitter of bipolar transistor 14 may be grounded via a resistor instead of inductor 18. By doing so, it is possible to further reduce the variation in the current flowing in the circuit due to the variation in the characteristics of the bipolar transistor.

【0105】さらに、本実施の形態の端子LOin39
は差動入力であるとして説明したが、これに限らず、端
子LOin39の一方がキャパシタを介して接地されて
いても構わない。
Further, the terminal LOin39 of the present embodiment.
However, the present invention is not limited to this, and one of the terminals LOin39 may be grounded via a capacitor.

【0106】さらに、本実施の形態の局部発振信号増幅
回路17のバイポーラトランジスタ31及び32は、キ
ャパシタ33及びインダクタ34が並列接続された回路
と、キャパシタ35及びインダクタ36が並列接続され
た回路とをそれぞれ介してダイオードに接続されている
として説明したが、これらの回路を介さずに、直接ダイ
オード37に接続されていても構わない。また、バイポ
ーラトランジスタ31及び32のそれぞれのエミッタ
が、直接端子Vcc27に接続されていても構わない。
Further, the bipolar transistors 31 and 32 of the local oscillation signal amplifier circuit 17 of the present embodiment include a circuit in which a capacitor 33 and an inductor 34 are connected in parallel and a circuit in which a capacitor 35 and an inductor 36 are connected in parallel. Although it has been described that they are connected to the diodes via the respective circuits, they may be directly connected to the diode 37 without using these circuits. Further, the emitters of the bipolar transistors 31 and 32 may be directly connected to the terminal Vcc27.

【0107】さらに、ダイオード37の代わりに抵抗を
用いても構わない。
Further, a resistor may be used instead of the diode 37.

【0108】なお、本実施の形態の抵抗11は本発明の
定電流源の例である。
The resistor 11 of the present embodiment is an example of the constant current source of the present invention.

【0109】(第2の実施の形態)次に、第2の実施の
形態について説明する。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described.

【0110】図4に第2の実施の形態の周波数変換装置
82の回路図を示す。
FIG. 4 shows a circuit diagram of the frequency conversion device 82 of the second embodiment.

【0111】本実施の形態の周波数変換装置82は、抵
抗11、バイアス回路43及び周波数変換回路44、局
部発振信号増幅回路17から構成される。
The frequency conversion device 82 of the present embodiment is composed of the resistor 11, the bias circuit 43, the frequency conversion circuit 44, and the local oscillation signal amplification circuit 17.

【0112】すなわち、本実施の形態の周波数変換回路
82は、第1の実施の形態の端子RFin2を差動型の
1対の端子RFin42におきかえたものである。
That is, the frequency conversion circuit 82 of the present embodiment has the terminal RFin2 of the first embodiment replaced with a pair of differential type terminals RFin42.

【0113】バイアス回路43には、第1の実施の形態
のバイアス回路40とは異なり、抵抗41の一方がバイ
ポーラトランジスタ8のエミッタに接続されている。そ
れ以外は第1の実施の形態のバイアス回路40と同様で
ある。
Unlike the bias circuit 40 of the first embodiment, one of the resistors 41 of the bias circuit 43 is connected to the emitter of the bipolar transistor 8. Other than that, it is the same as the bias circuit 40 of the first embodiment.

【0114】また、周波数変換回路44は、バイポーラ
トランジスタ14a、14b、15a、15b、16
a、16bと、抵抗46と、キャパシタ25a、25
b、21、22、23、24と、インダクタ18a、1
8bから構成される。
Further, the frequency conversion circuit 44 includes bipolar transistors 14a, 14b, 15a, 15b, 16
a, 16b, the resistor 46, and the capacitors 25a, 25
b, 21, 22, 23, 24 and inductors 18a, 1
8b.

【0115】バイポーラトランジスタ14a及び14b
は、第1の実施の形態のバイポーラトランジスタ14を
差動回路にしたものであり、バイポーラトランジスタ1
5a、15bは、第1の実施の形態のバイポーラトラン
ジスタ15を差動回路にしたものであり、バイポーラト
ランジスタ16は、第1の実施の形態のバイポーラトラ
ンジスタ16を差動回路にしたものである。
Bipolar transistors 14a and 14b
Is a differential circuit of the bipolar transistor 14 of the first embodiment.
5a and 15b are the bipolar transistor 15 of the first embodiment in a differential circuit, and the bipolar transistor 16 is the bipolar transistor 16 of the first embodiment in a differential circuit.

【0116】バイポーラトランジスタ14a及び14b
のそれぞれのベースは、それぞれ抵抗10の他方及び抵
抗41の他方に接続されているとともに、それぞれ1対
の端子RFin42の一方及び他方にキャパシタ25a
及び25bを介して接続されている。また、バイポーラ
トランジスタ14a及び14bのそれぞれのエミッタ
は、それぞれインダクタ18a及び18bの一方に接続
され、インダクタ18a及び18bの他方は抵抗49を
介して接地されている。
Bipolar transistors 14a and 14b
Is connected to the other side of the resistor 10 and the other side of the resistor 41, and is connected to one side and the other side of the pair of terminals RFin42 of the capacitor 25a.
And 25b. The emitters of the bipolar transistors 14a and 14b are connected to one of the inductors 18a and 18b, respectively, and the other of the inductors 18a and 18b is grounded via a resistor 49.

【0117】バイポーラトランジスタ15a及び15b
のそれぞれのエミッタはともにバイポーラトランジスタ
14aのコレクタに接続され、バイポーラトランジスタ
16a及び16bのそれぞれのエミッタはともにバイポ
ーラトランジスタ14bのコレクタに接続されている。
Bipolar transistors 15a and 15b
Each of the emitters is connected to the collector of the bipolar transistor 14a, and each emitter of the bipolar transistors 16a and 16b is connected to the collector of the bipolar transistor 14b.

【0118】また、局部発振信号増幅回路17の一方及
び他方の入力は、1対の端子LOin3の一方及び他方
にそれぞれ接続されている。バイポーラトランジスタ1
5a、15b、16a、及び16bのそれぞれのベース
は、それぞれ局部発振信号増幅回路17の出力の一方、
その出力の他方、その出力の他方、及びその出力の一方
に接続されている。バイポーラトランジスタ15a、1
5b、16a、及び16bのそれぞれのコレクタは、そ
れぞれキャパシタ23、キャパシタ24、キャパシタ2
3、及びキャパシタ24に接続されている。これ以外
は、第1の実施の形態と同様である。
Also, one and the other inputs of the local oscillation signal amplifier circuit 17 are connected to one and the other terminals of the pair of terminals LOin3, respectively. Bipolar transistor 1
The bases of 5a, 15b, 16a, and 16b are one of the outputs of the local oscillation signal amplification circuit 17,
It is connected to the other of the outputs, the other of the outputs, and one of the outputs. Bipolar transistors 15a, 1
The collectors of 5b, 16a, and 16b have capacitors 23, 24, and 2 respectively.
3 and the capacitor 24. Other than this, it is the same as the first embodiment.

【0119】次に、このような本実施の形態の動作を第
1の実施の形態との相違点を中心に本実施の形態の周波
数変換装置82では、端子RF42を差動型の端子と
し、端子RF42から入力される高周波受信信号が差動
型の回路に入力されるので、高周波受信信号の基本波に
加えて局部発振信号の基本波もキャンセルする。従っ
て、第1の実施の形態の周波数変換装置81よりも中間
周波数成分をより強くすることが出来る。従って、第1
の実施の形態の周波数変換装置81に比べてより良好な
特性を有する。
Next, focusing on the difference between the operation of the present embodiment and that of the first embodiment, in the frequency conversion device 82 of the present embodiment, the terminal RF42 is a differential type terminal, Since the high frequency reception signal input from the terminal RF42 is input to the differential type circuit, the fundamental wave of the local oscillation signal is canceled in addition to the fundamental wave of the high frequency reception signal. Therefore, the intermediate frequency component can be made stronger than that of the frequency conversion device 81 of the first embodiment. Therefore, the first
It has better characteristics than the frequency converter 81 of the embodiment.

【0120】また、インダクタ18a及びインダクタ1
8bとを接続することにより仮想接地を実現している。
そして、インダクタ18a及びインダクタ18bの中点
に抵抗46の一方を接続し、他方を接地したので、バイ
ポーラトランジスタ18a及び18bの特性のばらつき
による周波数変換装置82の特性の劣化を抑えることが
出来る。
In addition, the inductor 18a and the inductor 1
Virtual grounding is realized by connecting with 8b.
Since one of the resistors 46 is connected to the midpoint of the inductors 18a and 18b and the other is grounded, it is possible to suppress deterioration of the characteristics of the frequency conversion device 82 due to variations in characteristics of the bipolar transistors 18a and 18b.

【0121】なお、本実施の形態の1対の端子RFin
2の一方がキャパシタを介して接地されていても構わな
い。このようにすれば、バランを用いることなく不平衡
型の回路に直接接続することが出来る。
Incidentally, the pair of terminals RFin of the present embodiment.
One of 2 may be grounded via a capacitor. By doing so, it is possible to directly connect to an unbalanced circuit without using a balun.

【0122】さらに、本実施の形態のインダクタ18a
及びインダクタ18bは抵抗46を介して接地されてい
るとして説明したが、抵抗46を介することなく接地さ
れていても構わない。
Furthermore, the inductor 18a according to the present embodiment.
Although the inductor 18b and the inductor 18b have been described as being grounded via the resistor 46, they may be grounded without the resistor 46.

【0123】さらに、本実施の形態のバイポーラトラン
ジスタ14a及び14bはキャパシタにより接続されて
いても構わない。
Furthermore, the bipolar transistors 14a and 14b of this embodiment may be connected by capacitors.

【0124】さらに、本実施の形態の抵抗46の代わり
にインダクタにより仮想接地を行うことも出来る。
Furthermore, virtual grounding can be performed by an inductor instead of the resistor 46 of this embodiment.

【0125】さらに、第2の実施の形態においても、第
1の実施の形態で説明した各変形例を同様に適用出来る
ことはいうまでもない。
Further, it goes without saying that the modifications described in the first embodiment can be similarly applied to the second embodiment.

【0126】(第3の実施の形態)次に、第3の実施の
形態について説明する。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment will be described.

【0127】図5に第3の実施の形態の周波数変換装置
83の回路図を示す。
FIG. 5 shows a circuit diagram of the frequency conversion device 83 of the third embodiment.

【0128】本実施の形態の周波数変換装置83は、抵
抗11、バイアス回路47及び周波数変換回路44、局
部発振信号増幅回路17から構成される。
The frequency conversion device 83 of this embodiment is composed of the resistor 11, the bias circuit 47, the frequency conversion circuit 44, and the local oscillation signal amplification circuit 17.

【0129】すなわち、本実施の形態の周波数変換回路
83は、第2の実施の形態と同様に、第1の実施の形態
の端子RFin2を差動型の1対の端子RFin42に
おきかえたものである。
That is, the frequency conversion circuit 83 of the present embodiment is similar to the second embodiment except that the terminal RFin2 of the first embodiment is replaced with a pair of differential type terminals RFin42. is there.

【0130】バイアス回路47は、第2の実施の形態の
バイアス回路40のバイポーラトランジスタ8を差動型
のバイポーラトランジスタ8a及び8bに置き換えたも
のである。
The bias circuit 47 is obtained by replacing the bipolar transistor 8 of the bias circuit 40 of the second embodiment with differential bipolar transistors 8a and 8b.

【0131】すなわち、バイアス回路47は、バイポー
ラトランジスタ7、8a、8bと、抵抗9a、9b、1
0a、10b、26a、26b、45と、キャパシタ1
3から構成される。
That is, the bias circuit 47 includes bipolar transistors 7, 8a and 8b and resistors 9a, 9b and 1b.
0a, 10b, 26a, 26b, 45 and the capacitor 1
It consists of 3.

【0132】バイポーラトランジスタ7のエミッタは抵
抗45を介して接地されており、そのエミッタとコレク
タとの間にはキャパシタ13が接続されるとともに、そ
のコレクタは、抵抗11に接続されるとともに、バイポ
ーラトランジスタ8aのベース及びバイポーラトランジ
スタ8bのベースにも接続されている。また、バイポー
ラトランジスタ7のベースは、抵抗9aの一方及び抵抗
9bの一方に接続されている。
The emitter of the bipolar transistor 7 is grounded through the resistor 45, the capacitor 13 is connected between the emitter and the collector, and the collector is connected to the resistor 11 and the bipolar transistor. It is also connected to the base of 8a and the base of the bipolar transistor 8b. The base of the bipolar transistor 7 is connected to one of the resistors 9a and 9b.

【0133】抵抗9aの他方は、バイポーラトランジス
タ8aのエミッタに接続され、抵抗9bの他方は、バイ
ポーラトランジスタ8bのエミッタに接続されている。
そして、バイポーラトランジスタ8aと抵抗9aとの接
続点には抵抗26a及び抵抗10aが接続されており、
バイポーラトランジスタ8bと抵抗9bとの接続点には
抵抗26b及び抵抗10bが接続されている。
The other of the resistors 9a is connected to the emitter of the bipolar transistor 8a, and the other of the resistors 9b is connected to the emitter of the bipolar transistor 8b.
A resistor 26a and a resistor 10a are connected to a connection point between the bipolar transistor 8a and the resistor 9a,
A resistor 26b and a resistor 10b are connected to a connection point between the bipolar transistor 8b and the resistor 9b.

【0134】周波数変換回路44のバイポーラトランジ
スタ14aのベースは抵抗10aに接続されており、バ
イポーラトランジスタ14bのベースは抵抗10bに接
続されれている。それ以外は第2の実施の形態と同様で
あるので説明を省略する。
The base of the bipolar transistor 14a of the frequency conversion circuit 44 is connected to the resistor 10a, and the base of the bipolar transistor 14b is connected to the resistor 10b. Other than that, the description is omitted because it is the same as the second embodiment.

【0135】次に、このような本実施の形態の動作を第
1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described focusing on the difference from the first embodiment.

【0136】本実施の形態の周波数変換装置82では、
端子RF42を差動型の端子とし、端子RF42から入
力される高周波受信信号が差動型の回路に入力されるの
で、高周波受信信号の基本波に加えて局部発振信号の基
本波もキャンセルする。従って、第1の実施の形態の周
波数変換装置81よりも2次の歪みをより強くすること
が出来る。従って、第1の実施の形態の周波数変換装置
81に比べてより良好な特性を有する。
In the frequency conversion device 82 of this embodiment,
Since the terminal RF42 is a differential terminal and the high frequency reception signal input from the terminal RF42 is input to the differential circuit, the fundamental wave of the local oscillation signal is canceled in addition to the fundamental wave of the high frequency reception signal. Therefore, the second-order distortion can be made stronger than that of the frequency converter 81 of the first embodiment. Therefore, it has better characteristics than the frequency conversion device 81 of the first embodiment.

【0137】また、インダクタ18a及びインダクタ1
8bとを接続することにより仮想接地を実現しているこ
とは第2の実施の形態と同様である。
In addition, the inductor 18a and the inductor 1
Similar to the second embodiment, the virtual grounding is realized by connecting with 8b.

【0138】また、バイポーラトランジスタ7と接地と
の間に抵抗45を設け、また、インダクタ18a及び1
8bと接地との間に抵抗46を設けることにより、バイ
ポーラトランジスタの特性のばらつきによる周波数変換
装置82の特性の劣化を抑えることが出来る。
A resistor 45 is provided between the bipolar transistor 7 and the ground, and the inductors 18a and 18a
By providing the resistor 46 between 8b and the ground, it is possible to suppress deterioration of the characteristics of the frequency conversion device 82 due to variations in the characteristics of the bipolar transistor.

【0139】なお、第3の形態においても上記各実施の
形態で説明した各変形例が適用出来ることはいうまでも
ない。
It goes without saying that the modifications described in the above embodiments can be applied to the third embodiment.

【0140】(第4の実施の形態)次に、第4の実施の
形態を説明する。
(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment will be described.

【0141】図6に第4の実施の形態の周波数変換装置
84のブロック図を示す。
FIG. 6 shows a block diagram of the frequency conversion device 84 of the fourth embodiment.

【0142】本実施の形態の周波数変換装置84は、周
波数変換回路48、フィルタ50、受信電界強度認識部
51、及び局部発振信号増幅回路49から構成される。
The frequency conversion device 84 of this embodiment is composed of a frequency conversion circuit 48, a filter 50, a received electric field strength recognition section 51, and a local oscillation signal amplification circuit 49.

【0143】周波数変換回路48は、第1の実施の形態
の周波数変換回路6及びバイアス回路40であるとす
る。なお、これに限らず本実施の形態の周波数変換回路
48は、第2の実施の形態や第3の実施の形態の周波数
変換回路およびバイアス回路であってもよい。
The frequency conversion circuit 48 is assumed to be the frequency conversion circuit 6 and the bias circuit 40 of the first embodiment. The frequency conversion circuit 48 of the present embodiment is not limited to this, and may be the frequency conversion circuit and the bias circuit of the second embodiment or the third embodiment.

【0144】フィルタ50は、中間周波数以外の周波数
の信号を低減し、中間周波数の信号を通過させるフィル
タである。
The filter 50 is a filter that reduces signals of frequencies other than the intermediate frequency and passes signals of the intermediate frequency.

【0145】受信電界強度認識部51は、フィルタ50
から出力された中間周波数の信号の信号レベルに応じ
て、局部発振信号増幅回路49の利得を制御する回路で
ある。
The received electric field strength recognizing section 51 includes a filter 50.
It is a circuit that controls the gain of the local oscillation signal amplifier circuit 49 according to the signal level of the intermediate frequency signal output from.

【0146】図7に、局部発振信号増幅回路49の回路
図を示す。なお、図7では、受信電界強度認識部51と
して、局部発振信号増幅回路71の電流を制御すること
によって利得を制御する受信電界強度認識部51aを用
いている。
FIG. 7 shows a circuit diagram of the local oscillation signal amplifier circuit 49. Note that, in FIG. 7, as the reception electric field strength recognition unit 51, the reception electric field strength recognition unit 51a that controls the gain by controlling the current of the local oscillation signal amplification circuit 71 is used.

【0147】局部発振信号増幅回路49は、バイポーラ
トランジスタ56、57、63、64、65と、ダイオ
ード58と、抵抗66、67、68、69、70と、キ
ャパシタ59、61、72、73と、インダクタ60、
62とから構成される。
The local oscillation signal amplifier circuit 49 includes bipolar transistors 56, 57, 63, 64 and 65, a diode 58, resistors 66, 67, 68, 69 and 70, capacitors 59, 61, 72 and 73, and Inductor 60,
And 62.

【0148】局部発振信号増幅回路49のうち、バイポ
ーラトランジスタ63、64、65と、抵抗66、6
7、68、69、70とによって構成される回路部分
は、第1の実施の形態における図2の定電流源30に相
当する部分である。
Of the local oscillation signal amplifier circuit 49, bipolar transistors 63, 64 and 65 and resistors 66 and 6 are used.
A circuit portion constituted by 7, 68, 69 and 70 corresponds to the constant current source 30 of FIG. 2 in the first embodiment.

【0149】バイポーラトランジスタ56及び57のそ
れぞれのベースはキャパシタ72の一方及び73の一方
にそれぞれ接続されるとともに、バイアス回路55にそ
れぞれ接続されている。また、キャパシタ72の他方及
び73の他方はそれぞれ、上記実施の形態の1対の端子
LOin3に接続されている。バイポーラトランジスタ
56及び57のそれぞれのコレクタは、キャパシタ59
及びインダクタ60が並列接続された共振回路の一方
と、キャパシタ61及びインダクタ62が並列接続され
た共振回路の一方とにそれぞれ接続されるとともに、そ
れぞれ周波数変換回路48に接続されている。また、こ
れらの共振回路の他方はともにダイオード58の一方に
接続され、ダイオード58の他方は、バイアス電源Vc
c74に接続されている。
The bases of the bipolar transistors 56 and 57 are connected to one of the capacitors 72 and 73 and to the bias circuit 55. The other side of the capacitor 72 and the other side of the capacitor 73 are respectively connected to the pair of terminals LOin3 in the above-described embodiment. The collector of each of the bipolar transistors 56 and 57 is a capacitor 59.
And the inductor 60 are connected to one of the resonance circuits connected in parallel, and the capacitor 61 and the inductor 62 are connected to one of the resonance circuits connected in parallel, and are connected to the frequency conversion circuit 48, respectively. The other of these resonance circuits is connected to one of the diodes 58, and the other of the diodes 58 is connected to the bias power supply Vc.
It is connected to c74.

【0150】また、バイポーラトランジスタ56及び5
7のそれぞれのエミッタは、バイポーラトランジスタ6
3のコレクタに接続されている。バイポーラトランジス
タ63及び65のそれぞれのエミッタは、抵抗66及び
69を介してそれぞれ接地されている。
Further, the bipolar transistors 56 and 5
Each emitter of 7 is a bipolar transistor 6
It is connected to 3 collectors. The respective emitters of the bipolar transistors 63 and 65 are grounded via the resistors 66 and 69, respectively.

【0151】バイポーラトランジスタ66のベースとバ
イポーラトランジスタ64のエミッタとの間には抵抗6
7が接続されており、バイポーラトランジスタ65とバ
イポーラトランジスタ64との間には抵抗68が接続さ
れている。バイポーラトランジスタ65のコレクタとバ
イポーラトランジスタ64のベースとは接続されおり、
バイポーラトランジスタ64のベースには抵抗70の一
方が接続され、抵抗70の他方はバイポーラトランジス
タ64のコレクタに接続されている。そして、バイポー
ラトランジスタ64のコレクタは、受信電界強度認識部
51aに接続されている。
A resistor 6 is provided between the base of the bipolar transistor 66 and the emitter of the bipolar transistor 64.
7 is connected, and a resistor 68 is connected between the bipolar transistor 65 and the bipolar transistor 64. The collector of the bipolar transistor 65 and the base of the bipolar transistor 64 are connected,
One of the resistors 70 is connected to the base of the bipolar transistor 64, and the other of the resistors 70 is connected to the collector of the bipolar transistor 64. The collector of the bipolar transistor 64 is connected to the reception field strength recognition unit 51a.

【0152】次に、このような本実施の形態の動作を説
明する。
Next, the operation of this embodiment will be described.

【0153】受信電界強度認識部51aは、周波数変換
回路48から出力され、フィルタ50を通過した中間周
波数の信号の信号レベルを検出している。
The received electric field intensity recognition section 51a detects the signal level of the intermediate frequency signal output from the frequency conversion circuit 48 and passed through the filter 50.

【0154】受信電界強度認識部51aは、フィルタ5
0から出力された中間周波数の信号の信号レベルが所定
の信号レベルより強くなったことを検出した場合、局部
発振信号増幅回路49のバイポーラトランジスタ64の
コレクタに出力する電流を少なくする。また、受信電界
強度認識部51aは、フィルタ50から出力された中間
周波数の信号の信号レベルがその所定の信号レベルより
弱くなったことを検出した場合、バイポーラトランジス
タ64のコレクタに出力する電流を多くする。このよう
に受信電界強度検出部51aは、フィルタ50から出力
された中間周波数の信号の信号レベルが所定の信号レベ
ルより強くなると、その出力電流を少なくし、その中間
周波数の信号の信号レベルが所定の信号レベルより弱く
なると、その出力電流を多くする。このように中間周波
数の信号の信号レベルが所定の信号レベルより強いか弱
いかに応じて、その出力電流を2段階に切り替える一
方、抵抗70とバイポーラトランジスタ65のコレクタ
との間を流れる電流と、バイポーラトランジスタ63の
コレクタ側を流れる電流とは比例する。従って、受信電
界強度認識部51aから出力される電流と、バイポーラ
トランジスタ50及び57のエミッタ側の電流とは比例
する。従って、受信電界強度認識部51aの出力電流が
増加すると、局部発振信号増幅回路49の利得も増加
し、受信電界強度認識部51aの出力電流が減少する
と、局部発振信号増幅回路49の利得も減少することに
なる。
The reception electric field strength recognition section 51a includes a filter 5
When it is detected that the signal level of the intermediate frequency signal output from 0 becomes higher than a predetermined signal level, the current output to the collector of the bipolar transistor 64 of the local oscillation signal amplification circuit 49 is reduced. In addition, when the reception electric field intensity recognition unit 51a detects that the signal level of the intermediate frequency signal output from the filter 50 becomes lower than the predetermined signal level, the reception electric field intensity recognition unit 51a increases the current output to the collector of the bipolar transistor 64. To do. As described above, when the signal level of the signal of the intermediate frequency output from the filter 50 becomes stronger than the predetermined signal level, the reception electric field strength detection unit 51a reduces the output current thereof, and the signal level of the signal of the intermediate frequency becomes the predetermined level. When it becomes weaker than the signal level of, the output current is increased. As described above, the output current is switched between two stages depending on whether the signal level of the intermediate frequency signal is higher or lower than the predetermined signal level, while the current flowing between the resistor 70 and the collector of the bipolar transistor 65 and the bipolar current. It is proportional to the current flowing through the collector side of the transistor 63. Therefore, the current output from the reception electric field intensity recognition unit 51a is proportional to the currents on the emitter side of the bipolar transistors 50 and 57. Therefore, when the output current of the reception field strength recognition unit 51a increases, the gain of the local oscillation signal amplification circuit 49 also increases, and when the output current of the reception field strength recognition unit 51a decreases, the gain of the local oscillation signal amplification circuit 49 also decreases. Will be done.

【0155】一般に、図示していないアンテナから受信
された高周波受信信号の信号レベルが強い場合には、そ
れに応じてこの中間周波数の信号の信号レベルも強くな
る。また、この高周波受信信号の信号レベルが弱い場合
には、それに応じて、この中間周波数の信号レベルも弱
くなる。
Generally, when the signal level of the high frequency received signal received from the antenna (not shown) is strong, the signal level of the signal of this intermediate frequency also becomes strong accordingly. Further, when the signal level of the high frequency reception signal is weak, the signal level of the intermediate frequency also weakens accordingly.

【0156】従って、受信電界強度認識部51aが上記
のような動作を行うことにより、局部発振信号増幅回路
49の利得が制御され、その結果、高周波受信信号の信
号レベルが強い場合、周波数変換回路48に入力される
局部発振信号の信号レベルが下げられ、また、高周波受
信信号の信号レベルが弱い場合には、周波数変換回路4
8に入力される局部発振信号の信号レベルが上げられ
る。
Therefore, the reception electric field strength recognizing section 51a performs the above-mentioned operation to control the gain of the local oscillation signal amplifying circuit 49. As a result, when the signal level of the high frequency reception signal is strong, the frequency converting circuit When the signal level of the local oscillation signal input to 48 is lowered and the signal level of the high frequency reception signal is weak, the frequency conversion circuit 4
The signal level of the local oscillation signal input to 8 is raised.

【0157】詳しくは、高周波受信信号の信号レベルが
弱い場合つまり中間周波数の信号レベルが上記の所定の
信号レベルより弱い場合には、図3において、LOが−
10デシベル付近の局部発振信号すなわち、NFが最小
となるような局部発振信号が周波数変換回路48に入力
される。一方高周波受信信号の信号レベルが強い場合つ
まり中間周波数の信号レベルが上記の所定の信号レベル
より強い場合には、図3において、LOが−33デシベ
ル付近の局部発振信号すなわち、IIP3が最大となる
ような局部発振信号が周波数変換回路48に入力され
る。
Specifically, when the signal level of the high frequency received signal is weak, that is, when the signal level of the intermediate frequency is weaker than the above predetermined signal level, LO in FIG.
A local oscillation signal near 10 decibels, that is, a local oscillation signal that minimizes NF is input to the frequency conversion circuit 48. On the other hand, when the signal level of the high-frequency reception signal is strong, that is, when the signal level of the intermediate frequency is higher than the above-mentioned predetermined signal level, in FIG. Such a local oscillation signal is input to the frequency conversion circuit 48.

【0158】従って、高周波受信信号の信号レベルが弱
い場合には、周波数変換装置48は低雑音な特性を有す
るので、雑音の影響を避けることが出来、また、このと
きCGは最大すなわち、周波数変換回路48から出力さ
れた中間周波数の信号の高周波受信信号に対する利得は
最大になっている。
Therefore, when the signal level of the high frequency received signal is weak, the frequency conversion device 48 has a characteristic of low noise, so that the influence of noise can be avoided, and at this time, CG is the maximum, that is, frequency conversion. The gain of the intermediate frequency signal output from the circuit 48 with respect to the high frequency reception signal is maximized.

【0159】一方、高周波受信信号の信号レベルが強い
場合には、良好な歪み特性を有し、かつ周波数変換回路
48から出力された中間周波数の信号の高周波受信信号
に対する利得は、上記の場合よりは多少低下する。
On the other hand, when the signal level of the high-frequency reception signal is strong, the gain of the intermediate frequency signal output from the frequency conversion circuit 48 with respect to the high-frequency reception signal has better distortion characteristics than that in the above case. Is slightly lower.

【0160】これにより、高周波受信信号のダイナミッ
クレンジが広い場合であっても、良好な歪み特性及び低
雑音性を有する周波数変換装置84を実現することが出
来る。
As a result, even if the dynamic range of the high frequency received signal is wide, the frequency conversion device 84 having good distortion characteristics and low noise characteristics can be realized.

【0161】なお、本実施の形態では、受信電界強度認
識部51aは、中間周波数の信号の信号レベルが上記の
所定の信号レベルより大きいか小さいかに応じて2段階
の電流を出力するとして説明したが、これに限らない。
受信電界強度認識部51が検出した中間周波数の信号の
信号レベルに比例した電流を出力しても構わないし、ま
た、必ずしも比例している必要はなく、その検出した信
号レベルが大きいほど多くの電流を出力しても構わない
し、また、その検出した信号レベルが大きいほど、その
出力電流を段階的に大きくしても構わない。
In the present embodiment, the received electric field strength recognizing unit 51a outputs two levels of current depending on whether the signal level of the intermediate frequency signal is higher or lower than the predetermined signal level. However, it is not limited to this.
A current proportional to the signal level of the intermediate frequency signal detected by the reception electric field strength recognizing unit 51 may be output, and the current does not necessarily have to be proportional, and the larger the detected signal level is, the larger the current is. May be output, or the output current may be increased stepwise as the detected signal level increases.

【0162】なお、第4の実施の形態においても上記各
実施の形態において説明した各変形例を適用出来ること
はいうまでもない。
It is needless to say that each modification described in each of the above embodiments can be applied to the fourth embodiment.

【0163】(第5の実施の形態)次に、第5の実施の
形態を説明する。
(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment will be described.

【0164】図8に第5の実施の形態の周波数変換装置
85のブロック図を示す。
FIG. 8 shows a block diagram of the frequency converter 85 of the fifth embodiment.

【0165】本実施の形態の周波数変換装置85は、第
4の実施の形態における図6の受信電界強度認識部51
として、局部発振信号増幅回路71の電圧を制御するこ
とによってその利得を制御する受信電界強度認識部51
bを用いたものである。
The frequency conversion device 85 of the present embodiment is the same as the reception electric field intensity recognition unit 51 of FIG. 6 in the fourth embodiment.
As a reception electric field strength recognition unit 51, the gain of the local oscillation signal amplification circuit 71 is controlled by controlling the voltage of the local oscillation signal amplification circuit 71.
b is used.

【0166】本実施の形態の周波数変換回路85は、周
波数変換回路71、フィルタ50、受信電界強度認識部
51b、及び局部発振信号増幅回路71から構成され
る。
The frequency conversion circuit 85 of this embodiment is composed of a frequency conversion circuit 71, a filter 50, a received electric field strength recognition section 51b, and a local oscillation signal amplification circuit 71.

【0167】周波数変換回路48、フィルタ50につい
ては第4の実施の形態と同様である。
The frequency conversion circuit 48 and the filter 50 are the same as those in the fourth embodiment.

【0168】受信電界強度認識部51bは、フィルタ5
0から出力された中間周波数の信号の信号レベルに応じ
て、局部発振信号増幅回路71の利得を制御する回路で
ある。
The reception electric field strength recognizing section 51b includes a filter 5
This circuit controls the gain of the local oscillation signal amplifier circuit 71 according to the signal level of the intermediate frequency signal output from 0.

【0169】図7に、局部発振信号増幅回路71の回路
図を示す。
FIG. 7 shows a circuit diagram of the local oscillation signal amplifier circuit 71.

【0170】局部発振信号増幅回路71と第4の実施の
形態の局部発振信号増幅回路49との相違点は、バイポ
ーラトランジスタ58のベースが受信電界強度認識部5
1bに接続されている点である。これ以外は第4の実施
の形態の局部発振信号増幅回路49と同様である。
The difference between the local oscillation signal amplifying circuit 71 and the local oscillation signal amplifying circuit 49 of the fourth embodiment is that the base of the bipolar transistor 58 is the reception electric field intensity recognition section 5.
It is a point connected to 1b. Other than this, it is the same as the local oscillation signal amplifier circuit 49 of the fourth embodiment.

【0171】次に、このような本実施の形態の動作を第
4の実施の形態との相違点を中心に説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described focusing on the difference from the fourth embodiment.

【0172】受信電界強度認識部51bは、第4の実施
の形態と同様に、周波数変換回路48から出力され、フ
ィルタ50を通過した中間周波数の信号の信号レベルを
検出している。
As in the fourth embodiment, the received electric field strength recognizing section 51b detects the signal level of the intermediate frequency signal output from the frequency conversion circuit 48 and passing through the filter 50.

【0173】受信電界強度認識部51bは、フィルタ5
0から出力された中間周波数の信号の信号レベルが所定
の信号レベルより強くなったことを検出した場合、局部
発振信号増幅回路71のバイポーラトランジスタ58の
ベースに出力する電圧を低くする。また、受信電界強度
認識部51bは、フィルタ50から出力された中間周波
数の信号の信号レベルがその所定の信号レベルより弱く
なったことを検出した場合、バイポーラトランジスタ5
8のベースに出力する電圧を高くする。このように受信
電界強度検出部51bは、フィルタ50から出力された
中間周波数の信号の信号レベルが上記所定の信号レベル
より強くなると、その出力電圧を低くし、その中間周波
数の信号の信号レベルが上記所定の信号レベルより弱く
なると、その出力電圧を多くする。このように中間周波
数の信号の信号レベル応じて、2段階の出力電圧を出力
する。
The received electric field strength recognizing section 51b includes the filter 5
When it is detected that the signal level of the intermediate frequency signal output from 0 becomes higher than a predetermined signal level, the voltage output to the base of the bipolar transistor 58 of the local oscillation signal amplification circuit 71 is lowered. Further, when the reception electric field strength recognition unit 51b detects that the signal level of the intermediate frequency signal output from the filter 50 becomes weaker than the predetermined signal level, the bipolar transistor 5 is detected.
The voltage output to the base of 8 is increased. As described above, when the signal level of the signal of the intermediate frequency output from the filter 50 becomes higher than the predetermined signal level, the reception electric field intensity detection unit 51b lowers the output voltage and the signal level of the signal of the intermediate frequency becomes When the signal level becomes weaker than the predetermined signal level, the output voltage is increased. In this way, two levels of output voltage are output according to the signal level of the intermediate frequency signal.

【0174】また、バイポーラトランジスタ58のベー
スに加えられる電圧が高くなると、局部発振信号増幅回
路71の利得が増加し、逆にバイポーラトランジスタ5
8のベースに加えられる電圧が低下すると、局部発振信
号増幅回路71の利得が低下することになる。
When the voltage applied to the base of the bipolar transistor 58 increases, the gain of the local oscillation signal amplifier circuit 71 increases, and conversely the bipolar transistor 5
When the voltage applied to the base of 8 decreases, the gain of the local oscillation signal amplification circuit 71 decreases.

【0175】従って、受信電界強度認識部51bが上記
のような動作を行うことにより、局部発振信号増幅回路
49の利得が制御され、その結果、高周波受信信号の信
号レベルが強い場合、つまり検出された中間周波数の信
号の信号レベルが上記所定の信号レベルより強い場合、
周波数変換回路48に入力される局部発振信号の信号レ
ベルが下げられ、また、高周波受信信号の信号レベルが
弱い場合、つまり検出された中間周波数の信号の信号レ
ベルが上記所定の信号レベルより弱い場合には、周波数
変換回路48に入力される局部発振信号の信号レベルが
上げられる。
Therefore, the reception electric field intensity recognizing section 51b performs the above-described operation to control the gain of the local oscillation signal amplifying circuit 49, and as a result, when the signal level of the high frequency reception signal is strong, that is, detected. If the signal level of the intermediate frequency signal is stronger than the above predetermined signal level,
When the signal level of the local oscillation signal input to the frequency conversion circuit 48 is lowered and the signal level of the high frequency reception signal is weak, that is, when the signal level of the detected intermediate frequency signal is weaker than the predetermined signal level. , The signal level of the local oscillation signal input to the frequency conversion circuit 48 is raised.

【0176】詳しくは、高周波受信信号の信号レベルが
弱い場合つまり中間周波数の信号レベルが上記の所定の
信号レベルより弱い場合には、図3において、LOが−
10デシベル付近の局部発振信号すなわち、NFが最小
となるような局部発振信号が周波数変換回路48に入力
される。一方高周波受信信号の信号レベルが強い場合つ
まり中間周波数の信号レベルが上記の所定の信号レベル
より強い場合には、図3において、LOが−33デシベ
ル付近の局部発振信号すなわち、IIP3が最大となる
ような局部発振信号が周波数変換回路48に入力され
る。
Specifically, when the signal level of the high frequency received signal is weak, that is, when the signal level of the intermediate frequency is weaker than the predetermined signal level described above, LO in FIG.
A local oscillation signal near 10 decibels, that is, a local oscillation signal that minimizes NF is input to the frequency conversion circuit 48. On the other hand, when the signal level of the high-frequency reception signal is strong, that is, when the signal level of the intermediate frequency is higher than the above-mentioned predetermined signal level, in FIG. Such a local oscillation signal is input to the frequency conversion circuit 48.

【0177】従って、高周波受信信号の信号レベルが弱
い場合には、周波数変換装置71は低雑音な特性を有す
るので、雑音の影響を避けることが出来、また、このと
きCGは最大すなわち、周波数変換回路48から出力さ
れた中間周波数の信号の高周波受信信号に対する利得は
最大になっている。
Therefore, when the signal level of the high frequency received signal is weak, the frequency converter 71 has a characteristic of low noise, so that the influence of noise can be avoided, and at this time, CG is maximum, that is, frequency conversion is performed. The gain of the intermediate frequency signal output from the circuit 48 with respect to the high frequency reception signal is maximized.

【0178】一方、高周波受信信号の信号レベルが強い
場合には、良好な歪み特性を有し、かつ周波数変換回路
48から出力された中間周波数の信号の高周波受信信号
に対する利得は、上記の場合よりは多少低下する。
On the other hand, when the signal level of the high frequency reception signal is strong, the gain of the intermediate frequency signal output from the frequency conversion circuit 48 with respect to the high frequency reception signal has good distortion characteristics, and the gain is higher than that in the above case. Is slightly lower.

【0179】これにより、高周波受信信号のダイナミッ
クレンジが広い場合であっても、良好な歪み特性及び低
雑音性を有する周波数変換装置85を実現することが出
来る。
As a result, it is possible to realize the frequency conversion device 85 having good distortion characteristics and low noise characteristics even when the dynamic range of the high frequency received signal is wide.

【0180】なお、本実施の形態では、受信電界強度認
識部51bは、中間周波数の信号の信号レベルが上記の
所定の信号レベルより大きいか小さいかに応じて2段階
の電流を出力するとして説明したが、これに限らない。
受信電界強度認識部51が検出した中間周波数の信号の
信号レベルに比例した電流を出力しても構わないし、ま
た、必ずしも比例している必要はなく、その検出した信
号レベルが大きいほど多くの電流を出力しても構わない
し、また、その検出した信号レベルが大きいほど、その
出力電流を段階的に大きくしても構わない。
In the present embodiment, the received electric field strength recognizing section 51b outputs two levels of current depending on whether the signal level of the intermediate frequency signal is higher or lower than the predetermined signal level. However, it is not limited to this.
A current proportional to the signal level of the intermediate frequency signal detected by the reception electric field strength recognizing unit 51 may be output, and the current does not necessarily have to be proportional, and the larger the detected signal level is, the larger the current is. May be output, or the output current may be increased stepwise as the detected signal level increases.

【0181】なお、第5の実施の形態においても上記各
実施の形態で説明した各変形例が適用出来ることはいう
までもない。
Needless to say, each modification described in each of the above embodiments can be applied to the fifth embodiment.

【0182】(第6の実施の形態)次に、第6の実施の
形態について説明する。
(Sixth Embodiment) Next, a sixth embodiment will be described.

【0183】図9に、本実施の形態の周波数変換装置の
構成を示す。
FIG. 9 shows the configuration of the frequency conversion apparatus of this embodiment.

【0184】本実施の形態の周波数変換装置は、第4の
実施の形態と同様に局部発振信号増幅回路72の電流を
制御することにより、局部発振信号増幅回路72の利得
を制御するが、第5の実施の形態とは異なり、高周波受
信信号の信号レベルをモニタし、その信号レベルに応じ
て上記制御を行うものである。
The frequency converter of the present embodiment controls the gain of the local oscillation signal amplification circuit 72 by controlling the current of the local oscillation signal amplification circuit 72 as in the fourth embodiment. Unlike the fifth embodiment, the signal level of the high frequency reception signal is monitored and the above control is performed according to the signal level.

【0185】図10に、本実施の形態の周波数変換装置
86の回路図を示す。
FIG. 10 shows a circuit diagram of the frequency converter 86 of this embodiment.

【0186】本実施の形態の周波数変換回路86のう
ち、周波数変換回路6、バイアス回路40は第1の実施
の形態と同様である。また、局部発振信号増幅回路17
aは、第1の実施の形態の局部発振信号増幅回路17と
は、定電流源30の部分が異なっている。
Of the frequency conversion circuit 86 of this embodiment, the frequency conversion circuit 6 and the bias circuit 40 are the same as those of the first embodiment. In addition, the local oscillation signal amplifier circuit 17
The constant current source 30 is different from the local oscillation signal amplifier circuit 17 of the first embodiment in a.

【0187】また、本実施の形態の周波数変換装置86
は、高周波受信信号の信号レベルを検出し、その信号レ
ベルに応じて局部発振信号増幅回路の電流を制御するた
めの制御回路100a及び110bを備えている。
Further, the frequency conversion device 86 of the present embodiment.
Is provided with control circuits 100a and 110b for detecting the signal level of the high frequency reception signal and controlling the current of the local oscillation signal amplifier circuit according to the signal level.

【0188】制御回路110aは、バイポーラトランジ
スタ90、92と、ダイオード91、95と、抵抗9
3、94とから構成される。
The control circuit 110a includes bipolar transistors 90 and 92, diodes 91 and 95, and a resistor 9
It is composed of 3, 94.

【0189】また、制御回路110bは、バイポーラト
ランジスタ96、97、104と、抵抗96、97、9
8、99、100、105とから構成される。
Further, the control circuit 110b includes bipolar transistors 96, 97 and 104 and resistors 96, 97 and 9 respectively.
It is composed of 8, 99, 100 and 105.

【0190】バイポーラトランジスタ90とダイオード
91とは、互いに接続されており、それぞれ抵抗93及
び94を介して接地されている。また、バイポーラトラ
ンジスタ90のコレクタは抵抗99の一方に接続されて
いる。ダイオード91はバイポーラトランジスタのエミ
ッタに接続されており、バイポーラトランジスタのコレ
クタは周波数変換回路6用の電源を供給する端子Vcc
(Mix)1に接続されており、そのベースは、ダイオ
ード95に接続されている。また、ダイオード95は端
子Vcc(Mix)1に接続されるとともに、バイポー
ラトランジスタ8のコレクタに接続されている。
The bipolar transistor 90 and the diode 91 are connected to each other and are grounded via resistors 93 and 94, respectively. The collector of the bipolar transistor 90 is connected to one of the resistors 99. The diode 91 is connected to the emitter of the bipolar transistor, and the collector of the bipolar transistor has a terminal Vcc for supplying power to the frequency conversion circuit 6.
(Mix) 1 and its base is connected to the diode 95. The diode 95 is connected to the terminal Vcc (Mix) 1 and also to the collector of the bipolar transistor 8.

【0191】バイポーラトランジスタ96のエミッタは
抵抗98を介して接地されており、そのベースには抵抗
100の一方が接続されており、抵抗100の他方はバ
イポーラトランジスタ97のエミッタに接続されてい
る。抵抗100とバイポーラトランジスタ97との接続
点には抵抗102の一方が接続されており、抵抗102
の他方は、バイポーラトランジスタ104のベースに接
続されている。そして、バイポーラトランジスタ104
のコレクタはバイポーラトランジスタ31及び32のそ
れぞれのエミッタにともに接続されており、そのエミッ
タは抵抗105を介して接地されている。これ以外は第
1の実施の形態及び第4の実施の形態と同様である。
The emitter of the bipolar transistor 96 is grounded through the resistor 98, one of the resistors 100 is connected to its base, and the other of the resistors 100 is connected to the emitter of the bipolar transistor 97. One of the resistors 102 is connected to the connection point between the resistor 100 and the bipolar transistor 97.
The other of is connected to the base of the bipolar transistor 104. And the bipolar transistor 104
Is connected to the respective emitters of the bipolar transistors 31 and 32, and the emitter thereof is grounded via the resistor 105. The other points are the same as those of the first and fourth embodiments.

【0192】次に、このような本実施の形態の動作を第
4の実施の形態との相違点を中心に説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described focusing on the difference from the fourth embodiment.

【0193】制御回路110aに相当する部分は、端子
RFin2から入力される高周波信号の信号レベルを電
流の増減として検出し、制御回路110bに相当する部
分は、検出された電流を局部発振信号増幅回路17aの
利得を制御できるような電流に増幅する。
The portion corresponding to the control circuit 110a detects the signal level of the high frequency signal input from the terminal RFin2 as an increase / decrease in current, and the portion corresponding to the control circuit 110b detects the detected current by the local oscillation signal amplifier circuit. It is amplified to a current that can control the gain of 17a.

【0194】詳細な説明を省略するが、高周波受信信号
の信号レベルが強くなったことを検出した場合、局部発
振信号増幅回路17aのバイポーラトランジスタ31及
び32のエミッタの電流が減少する。また、高周波受信
信号の信号レベルが弱くなったことを検出した場合に
は、バイポーラトランジスタ31及び32の電流が増加
する従って、高周波受信信号の信号レベルが弱い場合に
は、局部発振信号増幅回路17aの利得が増加し、高周
波受信信号の信号レベルが強い場合には、局部発振信号
増幅回路17aの利得が減少することになる。従って第
4の実施の形態と同様にして歪み特性及び雑音特性とも
に広いダイナミックレンジに渡って良好になる。
Although detailed description is omitted, when it is detected that the signal level of the high frequency reception signal becomes strong, the currents of the emitters of the bipolar transistors 31 and 32 of the local oscillation signal amplification circuit 17a decrease. Further, when it is detected that the signal level of the high frequency reception signal becomes weak, the currents of the bipolar transistors 31 and 32 increase. Therefore, when the signal level of the high frequency reception signal is weak, the local oscillation signal amplifier circuit 17a When the signal level of the high-frequency reception signal is high, the gain of the local oscillation signal amplification circuit 17a decreases. Therefore, similarly to the fourth embodiment, the distortion characteristics and the noise characteristics are good over a wide dynamic range.

【0195】(第7の実施の形態)次に、第7の実施の
形態について説明する。
(Seventh Embodiment) Next, a seventh embodiment will be described.

【0196】図9に、本実施の形態の周波数変換装置の
構成を示す。
FIG. 9 shows the configuration of the frequency conversion apparatus of this embodiment.

【0197】本実施の形態の周波数変換装置は、第5の
実施の形態と同様に局部発振信号増幅回路72の電圧を
制御することにより、局部発振信号増幅回路72の利得
を制御するが、第5の実施の形態とは異なり、高周波受
信信号の信号レベルをモニタし、その信号レベルに応じ
て上記制御を行うものである。
The frequency conversion device of the present embodiment controls the gain of the local oscillation signal amplification circuit 72 by controlling the voltage of the local oscillation signal amplification circuit 72 as in the fifth embodiment. Unlike the fifth embodiment, the signal level of the high frequency reception signal is monitored and the above control is performed according to the signal level.

【0198】図11に、本実施の形態の周波数変換装置
87の回路図を示す。
FIG. 11 shows a circuit diagram of the frequency converter 87 of this embodiment.

【0199】本実施の形態の周波数変換回路87のう
ち、周波数変換回路6、バイアス回路40、局部発振信
号増幅回路17は、第1の実施の形態と同様である。
Of the frequency conversion circuit 87 of this embodiment, the frequency conversion circuit 6, the bias circuit 40, and the local oscillation signal amplification circuit 17 are the same as those in the first embodiment.

【0200】また、本実施の形態の周波数変換装置87
は、高周波受信信号の信号レベルを検出し、その信号レ
ベルに応じて局部発振信号増幅回路17の電圧を制御す
るための制御回路120a及び120bを備えている。
Further, the frequency converter 87 of the present embodiment.
Is provided with control circuits 120a and 120b for detecting the signal level of the high frequency reception signal and controlling the voltage of the local oscillation signal amplification circuit 17 according to the signal level.

【0201】制御回路120a及び120bは、バイポ
ーラトランジスタ90、92と、ダイオード91、95
と、抵抗93、94、103とから構成される。
The control circuits 120a and 120b include bipolar transistors 90 and 92 and diodes 91 and 95.
And resistors 93, 94 and 103.

【0202】制御回路120a及び120bの部分は、
抵抗103を備えている以外は第6の実施の形態の制御
回路110aと同様であるので説明を省略する。
The parts of the control circuits 120a and 120b are
The control circuit 110a is the same as the control circuit 110a according to the sixth embodiment except that the resistor 103 is provided, and thus the description thereof is omitted.

【0203】次に、このような本実施の形態の動作を第
6の実施の形態との相違点を中心に説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described focusing on the difference from the sixth embodiment.

【0204】制御回路112aに相当する部分は、端子
RFin2から入力される高周波信号の信号レベルを電
流の増減として検出する。その電流の増減は抵抗103
及びバイポーラトランジスタ37により、バイポーラト
ランジスタ31及びバイポーラトランジスタ32に加え
られる電圧が調整される。
The portion corresponding to the control circuit 112a detects the signal level of the high frequency signal input from the terminal RFin2 as an increase / decrease in current. The increase or decrease of the current is the resistance 103
The bipolar transistor 37 regulates the voltage applied to the bipolar transistor 31 and the bipolar transistor 32.

【0205】従って、詳細な説明を省略するが、高周波
受信信号の信号レベルが強くなったことを検出した場
合、局部発振信号増幅回路17aのバイポーラトランジ
スタ31及び32のコレクタの電圧が低下する。また、
高周波受信信号の信号レベルが弱くなったことを検出し
た場合には、バイポーラトランジスタ31及び32のコ
レクタの電圧が上昇する。
Therefore, although detailed description is omitted, when it is detected that the signal level of the high frequency reception signal becomes strong, the voltage of the collectors of the bipolar transistors 31 and 32 of the local oscillation signal amplification circuit 17a decreases. Also,
When it is detected that the signal level of the high frequency reception signal has become weak, the collector voltages of the bipolar transistors 31 and 32 rise.

【0206】従って、高周波受信信号の信号レベルが弱
い場合には、局部発振信号増幅回路17aの利得が増加
し、高周波受信信号の信号レベルが強い場合には、局部
発振信号増幅回路17aの利得が減少することになる。
従って第5の実施の形態と同様にして歪み特性及び雑音
特性ともに広いダイナミックレンジに渡って良好にな
る。
Therefore, when the signal level of the high frequency reception signal is weak, the gain of the local oscillation signal amplification circuit 17a increases, and when the signal level of the high frequency reception signal is strong, the gain of the local oscillation signal amplification circuit 17a increases. Will decrease.
Therefore, similarly to the fifth embodiment, the distortion characteristic and the noise characteristic are good over a wide dynamic range.

【0207】なお、本実施の形態の周波数変換装置は、
受信した高周波受信信号を局部発振信号と合成すること
により中間周波数の信号に変換して出力する回路である
として説明したが、これに限らない。送信時に、中間周
波数の信号またはベースバンド信号で搬送波周波数の信
号を変調した信号を局部発振信号と合成することにより
送信周波数の信号または送信出力側の中間周波数の信号
に変換する回路としても用いることが出来る。この場
合、周波数変換装置の端子RFinに中間周波数の信号
またはベースバンド信号で搬送波周波数の信号を変調し
た信号を入力し、端子IFoutからは、送信周波数の
信号または送信出力側の中間周波数の信号が出力され
る。このように本実施の形態の周波数変換装置は、周波
数の高い信号をその信号より周波数の低い信号に変換す
るダウンミキサとして用いることが出来るのみならず、
周波数の低い信号をその信号より周波数が高い信号に変
換するアップミキサとしても用いることが出来る。
The frequency converter of the present embodiment is
The circuit has been described as a circuit that converts a received high-frequency received signal into a signal of an intermediate frequency by combining with a local oscillation signal and outputs the signal, but the invention is not limited thereto. Also used as a circuit to convert the signal of the carrier frequency by the signal of the intermediate frequency or the baseband signal at the time of transmission to the signal of the transmission frequency or the signal of the intermediate frequency of the transmission output side by combining with the local oscillation signal. Can be done. In this case, an intermediate frequency signal or a signal obtained by modulating a carrier frequency signal with a baseband signal is input to the terminal RFin of the frequency conversion device, and a transmission frequency signal or a transmission output side intermediate frequency signal is input from the terminal IFout. Is output. As described above, the frequency conversion device according to the present embodiment can be used not only as a down mixer that converts a high-frequency signal into a lower-frequency signal than the signal,
It can also be used as an upmixer for converting a signal having a low frequency into a signal having a frequency higher than the signal.

【0208】なお、本発明の周波数被変換信号は、本実
施の形態のRFinに入力される高周波受信信号に限ら
ず、本発明の周波数変換装置がアップミキサとして用い
られる場合には、中間周波数の信号またはベースバンド
信号で搬送波周波数の信号を変調した信号など、要する
に本発明の周波数被変換信号は、本発明の周波数変換装
置に入力され、その周波数が変換される信号でありさえ
すればよい。
The frequency-converted signal of the present invention is not limited to the high-frequency reception signal input to RFin of the present embodiment, but when the frequency conversion device of the present invention is used as an upmixer, it has an intermediate frequency. In short, the frequency-converted signal of the present invention, such as a signal obtained by modulating a carrier frequency signal with a signal or a baseband signal, may be a signal whose frequency is converted by being input to the frequency conversion device of the present invention.

【0209】さらに、本発明の周波数変換信号は、本実
施の形態のIFoutから出力される中間周波数の信号
に限らず、本発明の周波数変換装置がアップミキサとし
て用いられる場合には、本実施の形態のIFoutから
出力される送信周波数の信号または送信出力側の中間周
波数の信号など、要するに本発明の周波数変換信号は、
本発明の周波数変換装置から出力される、周波数が変換
された信号でありさえすればよい。
Furthermore, the frequency converted signal of the present invention is not limited to the intermediate frequency signal output from IFout of the present embodiment, but when the frequency conversion device of the present invention is used as an up mixer, In short, the frequency-converted signal of the present invention, such as the signal of the transmission frequency output from the IFout of the form or the signal of the intermediate frequency on the transmission output side,
It only has to be a frequency-converted signal output from the frequency conversion device of the present invention.

【0210】なお、受信信号を受信する受信回路を備
え、少なくとも前記受信回路には本発明の周波数変換装
置が用いられている無線通信装置も本発明に属する。
A radio communication device provided with a receiving circuit for receiving a received signal and in which the frequency conversion device of the present invention is used in at least the receiving circuit also belongs to the present invention.

【0211】さらに、送信信号を出力する送信回路を備
え、少なくとも前記送信回路には本発明の周波数変換装
置が用いられている無線通信装置も本発明に属する。
Further, the present invention also relates to a radio communication device which is provided with a transmission circuit for outputting a transmission signal and in which at least the transmission circuit uses the frequency conversion device of the present invention.

【0212】なお、本発明の無線通信装置とは、例え
ば、携帯電話、PHS、自動車電話、列車電話、船舶電
話、航空機電話、コードレス電話、ポケットベル(登録
商標)などの移動体無線装置を含む。
The radio communication device of the present invention includes, for example, mobile radio devices such as mobile phones, PHS, car phones, train phones, ship phones, aircraft phones, cordless phones, and pagers (registered trademark). .

【0213】[0213]

【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、低雑音特性と低歪み特性とを両立させる
ことが出来、よりダイナミックレンジの広い周波数変換
装置、及び無線通信装置を提供することが出来る。
As is apparent from the above description, the present invention provides a frequency conversion device and a wireless communication device that can achieve both low noise characteristics and low distortion characteristics and have a wider dynamic range. You can

【0214】また、本発明は、上記課題を考慮し、トラ
ンジスタの性能が同じであっても、歪み特性及びノイズ
特性の両方が従来のものより良好である周波数変換装
置、及び無線通信装置を提供することが出来る。
Further, in consideration of the above problems, the present invention provides a frequency conversion device and a wireless communication device in which both distortion characteristics and noise characteristics are better than those of the conventional ones, even if the performances of the transistors are the same. You can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態における周波数変換
装置の回路図
FIG. 1 is a circuit diagram of a frequency conversion device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態における局部発振信
号増幅回路の回路図
FIG. 2 is a circuit diagram of a local oscillation signal amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施の形態における周波数変換
装置の特性を示す図
FIG. 3 is a diagram showing characteristics of the frequency conversion device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態における周波数変換
装置の回路図
FIG. 4 is a circuit diagram of a frequency conversion device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施の形態における周波数変換
装置の回路図
FIG. 5 is a circuit diagram of a frequency conversion device according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施の形態及び第5の実施の形
態における周波数変換装置の構成を示す図
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a frequency conversion device according to a fourth embodiment and a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第4の実施の形態における周波数変換
装置の詳細な構成を示す図
FIG. 7 is a diagram showing a detailed configuration of a frequency conversion device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5の実施の形態における周波数変換
装置の詳細な構成を示す図
FIG. 8 is a diagram showing a detailed configuration of a frequency conversion device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第6の実施の形態及び第7の実施の形
態における周波数変換装置の構成を示す図
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a frequency conversion device according to a sixth embodiment and a seventh embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第6の実施の形態における周波数変
換装置の回路図
FIG. 10 is a circuit diagram of a frequency conversion device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第7の実施の形態における周波数変
換装置の回路図
FIG. 11 is a circuit diagram of a frequency conversion device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第1の実施の形態における周波数変
換装置のシミュレーションにおける特性を示す図
FIG. 12 is a diagram showing characteristics in simulation of the frequency conversion device according to the first embodiment of the present invention.

【図13】従来の周波数変換装置の回路図FIG. 13 is a circuit diagram of a conventional frequency conversion device.

【図14】従来の周波数変換装置の特性を示す図FIG. 14 is a diagram showing characteristics of a conventional frequency conversion device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 端子Vcc 2 端子RFin 3 端子LOin 4 端子IFout 6 周波数変換回路 7 バイポーラトランジスタ 8 バイポーラトランジスタ 9 抵抗 10 抵抗 11 抵抗 13 キャパシタ 14 バイポーラトランジスタ 15 バイポーラトランジスタ 16 バイポーラトランジスタ 17 局部発振信号増幅回路 18 インダクタ 19 インダクタ 20 インダクタ 21 キャパシタ 22 キャパシタ 23 キャパシタ 24 キャパシタ 25 キャパシタ 26 抵抗 40 バイアス回路 1 terminal Vcc 2 terminal RFin 3 terminal LOin 4 terminal IFout 6 Frequency conversion circuit 7 Bipolar transistor 8 bipolar transistors 9 resistance 10 resistance 11 resistance 13 capacitors 14 Bipolar transistor 15 Bipolar transistor 16 bipolar transistor 17 Local oscillation signal amplification circuit 18 inductor 19 inductor 20 inductor 21 Capacitor 22 Capacitor 23 Capacitor 24 capacitors 25 capacitors 26 Resistance 40 bias circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 順治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中野 秀夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岡本 直樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 栗本 秀彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 政則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Junji Ito             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Hideo Nakano             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Naoki Okamoto             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Hidehiko Kurimoto             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Masanori Nakamura             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd.

Claims (34)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の電流を供給する定電流源と、 バイアス回路と、 周波数変換回路とを備え、 前記バイアス回路は、前記定電流源からの電流の供給を
受ける第1の増幅回路と、 前記定電流源からの電流の供給を受ける第2の増幅回路
と、 前記第1の増幅回路と前記第2の増幅回路との間に接続
された第1の抵抗と、前記第1の抵抗と前記第2の増幅
回路との接続点に一方が接続され、他方が接地されてい
る第2の抵抗と、 前記接続点に一方が接続された第3の抵抗とを有し、 前記第3の抵抗の他方には、周波数被変換信号を供給す
る第1の入力端子が接続され、 前記周波数変換回路は、前記第3の抵抗の他方に接続さ
れ、第2の入力端子から供給されてくる局部発振信号を
入力し、前記周波数被変換信号と前記局部発振信号とを
合成することにより、前記周波数被変換信号を周波数変
換した信号である周波数変換信号を出力端子に出力し、 前記第2の入力端子及び前記出力端子はそれぞれ1対あ
る周波数変換装置。
1. A constant current source for supplying a predetermined current, a bias circuit, and a frequency conversion circuit, wherein the bias circuit receives a current from the constant current source, and a first amplification circuit. A second amplifier circuit supplied with a current from the constant current source, a first resistor connected between the first amplifier circuit and the second amplifier circuit, and the first resistor. A second resistor, one of which is connected to the connection point with the second amplifier circuit and the other of which is grounded; and a third resistor of which one is connected to the connection point, the third resistor A first input terminal for supplying a frequency-converted signal is connected to the other of the resistors, and the frequency conversion circuit is connected to the other of the third resistors and supplied from a second input terminal. Input an oscillation signal and synthesize the frequency converted signal and the local oscillation signal. It allows the frequency to be converted signal and outputs a frequency-converted signal is a frequency converted signal to an output terminal, the second is the input terminal and the output terminal respectively a pair a certain frequency converter.
【請求項2】 前記周波数変換回路は、第3、第4、及
び第5の増幅回路を有し、 前記第3の増幅回路は前記第3の抵抗の他方に接続さ
れ、 前記第4の増幅回路は、前記第3の増幅回路に接続され
るとともに、前記第2の入力端子の一方に接続され、 前記第5の増幅回路は、前記第3の増幅回路に接続され
るとともに、前記第2の入力端子の他方に接続され、 前記出力端子の一方は、前記第4の増幅回路に接続さ
れ、 前記出力端子の他方は、前記第5の増幅回路に接続さ
れ、 前記第4の増幅回路および前記第5の増幅回路は差動回
路を形成している請求項1記載の周波数変換装置。
2. The frequency conversion circuit includes third, fourth, and fifth amplification circuits, the third amplification circuit being connected to the other of the third resistors, and the fourth amplification circuit. A circuit connected to the third amplifier circuit and to one of the second input terminals, a fifth amplifier circuit connected to the third amplifier circuit, and a second circuit Connected to the other of the input terminals, one of the output terminals is connected to the fourth amplifier circuit, the other of the output terminals is connected to the fifth amplifier circuit, The frequency conversion device according to claim 1, wherein the fifth amplifier circuit forms a differential circuit.
【請求項3】 前記第3の増幅回路はトランジスタであ
り、 前記第3の増幅回路のエミッタは、インダクタを介して
接地されている請求項2記載の周波数変換装置。
3. The frequency conversion device according to claim 2, wherein the third amplifier circuit is a transistor, and the emitter of the third amplifier circuit is grounded via an inductor.
【請求項4】 前記第3の増幅回路はトランジスタであ
り、 前記第3の増幅回路のエミッタは、互いに並列接続され
たキャパシタ及びインダクタを介して接地されている請
求項2記載の周波数変換装置。
4. The frequency conversion device according to claim 2, wherein the third amplifier circuit is a transistor, and an emitter of the third amplifier circuit is grounded via a capacitor and an inductor connected in parallel with each other.
【請求項5】 前記第1の増幅回路及び前記第3の増幅
回路は、それぞれトランジスタであり、 前記第1の増幅回路のエミッタ及び前記第3の増幅回路
のエミッタは、それぞれ抵抗を介して接地されている請
求項2記載の周波数変換装置。
5. The first amplifying circuit and the third amplifying circuit are transistors, and the emitter of the first amplifying circuit and the emitter of the third amplifying circuit are grounded via resistors, respectively. The frequency conversion device according to claim 2, which is provided.
【請求項6】 前記バイアス回路は、前記第3の抵抗の
一方に接続された第4の抵抗を有し、 前記第1の入力端子は、1対あり、 前記入力端子の一方、及び他方は、それぞれ前記第3の
抵抗の他方及び前記第4の抵抗の他方に接続されてお
り、 前記周波数変換回路は、第3、第4、第5、第6、第
7、及び第8の増幅回路を有し、 前記第3の増幅回路は前記第3の抵抗の他方に接続さ
れ、 前記第4の増幅回路は前記第4の抵抗の他方に接続さ
れ、 前記第5及び第6の増幅回路は、ともに前記第3の増幅
回路に接続され、かつそれぞれ前記第2の入力端子の一
方及び他方に接続され、かつそれぞれ前記出力端子の一
方及び他方に接続され、 前記第7及び第8の増幅回路は、ともに前記第4の増幅
回路に接続され、かつそれぞれ前記第2の入力端子の他
方及び一方に接続され、かつそれぞれ前記出力端子の一
方及び他方に接続され、 前記第5及び第6の増幅回路は差動回路を形成し、 前記第7及び前記第8の増幅回路は差動回路を形成して
いる請求項1記載の周波数変換装置。
6. The bias circuit has a fourth resistor connected to one of the third resistors, the first input terminal is a pair, and one and the other of the input terminals are , The other of the third resistors and the other of the fourth resistors, respectively, the frequency conversion circuit, the third, fourth, fifth, sixth, seventh, and eighth amplifier circuit The third amplifier circuit is connected to the other of the third resistors, the fourth amplifier circuit is connected to the other of the fourth resistors, and the fifth and sixth amplifier circuits are , And the third and second amplification terminals, respectively, and one and the other of the second input terminals, and one and the other of the output terminals, respectively, and the seventh and eighth amplification circuits. Are both connected to the fourth amplifier circuit, and are respectively connected to the second input circuit. Connected to the other and one of the terminals and to one and the other of the output terminals, respectively, the fifth and sixth amplifier circuits form a differential circuit, and the seventh and eighth amplifier circuits are The frequency conversion device according to claim 1, wherein the frequency conversion device forms a differential circuit.
【請求項7】 前記バイアス回路は、前記定電流源から
の電流の供給を受ける第9の増幅回路と、 前記第1の増幅回路と前記第9の増幅回路との間に接続
された第4の抵抗と、 前記第4の抵抗と前記第9の増幅回路との接続点に一方
が接続され、他方が接地されている第5の抵抗と、 前記接続点に一方が接続され、他方が前記バイアス回路
の外部に接続される第6の抵抗とを有し、 前記第1の入力端子は、1対あり、 前記入力端子の一方、及び他方は、それぞれ前記第3の
抵抗の他方及び前記第6の抵抗の他方に接続されてお
り、 前記周波数変換回路は、第3、第4、第5、第6、第
7、及び第8の増幅回路を有し、 前記第3の増幅回路は前記第3の抵抗の他方に接続さ
れ、 前記第4の増幅回路は前記第6の抵抗の他方に接続さ
れ、 前記第5及び第6の増幅回路は、ともに前記第3の増幅
回路に接続され、かつそれぞれ前記第2の入力端子の一
方及び他方に接続され、かつそれぞれ前記出力端子の一
方及び他方に接続され、 前記第7及び第8の増幅回路は、ともに前記第4の増幅
回路に接続され、かつそれぞれ前記第2の入力端子の他
方及び一方に接続され、かつそれぞれ前記出力端子の一
方及び他方に接続され、 前記第5及び第6の増幅回路は差動回路を形成し、 前記第7及び前記第8の増幅回路は差動回路を形成して
いる請求項1記載の周波数変換装置。
7. The bias circuit comprises a ninth amplifier circuit which is supplied with current from the constant current source, and a fourth amplifier circuit which is connected between the first amplifier circuit and the ninth amplifier circuit. And a fifth resistor, one of which is connected to the connection point between the fourth resistor and the ninth amplifier circuit and the other of which is grounded, and one of which is connected to the connection point and the other of which is A sixth resistor connected to the outside of a bias circuit, the first input terminal is a pair, and one and the other of the input terminals are respectively the other of the third resistor and the third resistor. 6 is connected to the other of the resistors, the frequency conversion circuit has a third, fourth, fifth, sixth, seventh, and eighth amplification circuit, the third amplification circuit is the Connected to the other of the third resistors, the fourth amplifier circuit is connected to the other of the sixth resistors, Fifth and sixth amplifier circuits are both connected to the third amplifier circuit, and are respectively connected to one and the other of the second input terminals, and are respectively connected to one and the other of the output terminals, The seventh and eighth amplifier circuits are both connected to the fourth amplifier circuit, and are respectively connected to the other and one of the second input terminals, and are respectively connected to one and the other of the output terminals. The frequency conversion device according to claim 1, wherein the fifth and sixth amplification circuits form a differential circuit, and the seventh and eighth amplification circuits form a differential circuit.
【請求項8】 前記第1の入力端子の一方は、キャパシ
タを介して接地されている請求項6または7に記載の周
波数変換装置。
8. The frequency conversion device according to claim 6, wherein one of the first input terminals is grounded via a capacitor.
【請求項9】 前記第3の増幅回路及び前記第4の増幅
回路はそれぞれトランジスタであり、 前記第3の増幅回路のエミッタ及び前記第4の増幅回路
のエミッタはそれぞれインダクタを介して接地されてい
る請求項6〜8のいずれかに記載の周波数変換装置。
9. The third amplifier circuit and the fourth amplifier circuit are transistors, respectively, and the emitter of the third amplifier circuit and the emitter of the fourth amplifier circuit are grounded via inductors. The frequency conversion device according to any one of claims 6 to 8.
【請求項10】 前記第3の増幅回路および前記第4の
増幅回路はそれぞれトランジスタであり、 前記第3の増幅回路のエミッタと前記第4の増幅回路の
エミッタとはキャパシタを介して接続されており、 前記第3の増幅回路のエミッタ及び前記第4の増幅回路
のエミッタはそれぞれインダクタを介して接地されてい
る請求項6〜8のいずれかに記載の周波数変換装置。
10. The third amplifier circuit and the fourth amplifier circuit are each a transistor, and the emitter of the third amplifier circuit and the emitter of the fourth amplifier circuit are connected via a capacitor. The frequency conversion device according to any one of claims 6 to 8, wherein the emitter of the third amplification circuit and the emitter of the fourth amplification circuit are grounded via an inductor.
【請求項11】 前記第3の増幅回路および前記第4の
増幅回路はそれぞれトランジスタであり、 前記第3の増幅回路のエミッタ及び前記第4の増幅回路
のエミッタはそれぞれインダクタの一方が接続されてお
り、前記インダクタの他方どうしは互いに接続されてお
り、前記インダクタの他方どうしを接続する配線の中点
で抵抗を介して接地されている請求項6〜8のいずれか
に記載の周波数変換装置。
11. The third amplifying circuit and the fourth amplifying circuit are transistors, and one of the inductors is connected to the emitter of the third amplifying circuit and the emitter of the fourth amplifying circuit. 9. The frequency conversion device according to claim 6, wherein the other of the inductors is connected to each other, and is grounded via a resistor at a midpoint of a wire connecting the other of the inductors.
【請求項12】 前記第3の増幅回路および前記第4の
増幅回路はそれぞれトランジスタであり、 前記第3の増幅回路のエミッタ及び前記第4の増幅回路
のエミッタにはそれぞれインダクタの一方が接続され、
それらのインダクタの他方どうしは互いに接続されてお
り、それらのインダクタの他方どうしを接続する配線の
中点でインダクタを介して接地されている請求項6〜8
のいずれかに記載の周波数変換装置。
12. The third amplifier circuit and the fourth amplifier circuit are transistors, and one of the inductors is connected to the emitter of the third amplifier circuit and the emitter of the fourth amplifier circuit, respectively. ,
9. The other of the inductors is connected to each other, and is grounded via the inductor at the midpoint of the wiring connecting the other of the inductors.
The frequency conversion device according to any one of 1.
【請求項13】 前記第2の入力端子に接続され、前記
局部発振信号を増幅して、前記周波数変換回路に出力す
る局部発振信号増幅回路を備えた請求項1記載の周波数
変換装置。
13. The frequency conversion device according to claim 1, further comprising a local oscillation signal amplification circuit which is connected to the second input terminal, amplifies the local oscillation signal, and outputs the amplified signal to the frequency conversion circuit.
【請求項14】 前記局部発振信号増幅回路は、前記第
2の入力端子から供給される前記局部発振信号を入力す
る第10の増幅回路及び第11の増幅回路とを有し、 前記第10の増幅回路及び前記第11の増幅回路は、差
動回路を形成している請求項13記載の周波数変換装
置。
14. The local oscillation signal amplification circuit includes a tenth amplification circuit and an eleventh amplification circuit for inputting the local oscillation signal supplied from the second input terminal, and the tenth amplification circuit. 14. The frequency conversion device according to claim 13, wherein the amplifier circuit and the eleventh amplifier circuit form a differential circuit.
【請求項15】 前記局部発振信号増幅回路は、前記第
10の増幅回路および前記第11の増幅回路に所定の電
流を供給する定電流供給回路を備えた請求項14記載の
記載の周波数変換装置。
15. The frequency conversion device according to claim 14, wherein the local oscillation signal amplifier circuit includes a constant current supply circuit that supplies a predetermined current to the tenth amplifier circuit and the eleventh amplifier circuit. .
【請求項16】 前記第2の入力端子の一方は、キャパ
シタを介して接地されている請求項14または15に記
載の周波数変換装置。
16. The frequency conversion device according to claim 14, wherein one of the second input terminals is grounded via a capacitor.
【請求項17】 前記局部発振信号増幅回路は、キャパ
シタ及びインダクタが互いに並列接続された第1の共振
回路および第2の共振回路を有し、 前記第10の増幅回路及び前記第11の増幅回路は、そ
れぞれトランジスタであり、 前記第10の増幅回路のベース及び第11の増幅回路の
ベースはそれぞれ前記第2の入力端子の一方及び他方に
接続され、 前記第10の増幅回路のエミッタと前記第11の増幅回
路のエミッタは、互いに接続され、その接続点には前記
定電流供給回路が接続されており、 前記第10の増幅回路のコレクタは、前記第1の共振回
路の一方に接続されており、前記第1の共振回路の他方
は、バイアス供給源からバイアスの供給を受け、 前記第11の増幅回路のコレクタは、前記第2の共振回
路の一方に接続されており、前記第2の共振回路の他方
は、前記バイアス供給源からバイアスの供給を受け、 前記第10の増幅回路のコレクタと前記第11の増幅回
路のコレクタとは、それぞれ、前記周波数変換回路に接
続されている請求項14〜16のいずれかに記載の周波
数変換装置。
17. The local oscillation signal amplification circuit includes a first resonance circuit and a second resonance circuit in which a capacitor and an inductor are connected in parallel to each other, and the tenth amplification circuit and the eleventh amplification circuit. Are transistors, the base of the tenth amplifier circuit and the base of the eleventh amplifier circuit are respectively connected to one and the other of the second input terminals, and the emitter of the tenth amplifier circuit and the The emitters of the amplifier circuits of 11 are connected to each other, the constant current supply circuit is connected to the connection point, and the collector of the tenth amplifier circuit is connected to one of the first resonance circuits. And the other of the first resonance circuits is supplied with a bias from a bias supply source, and the collector of the eleventh amplification circuit is connected to one of the second resonance circuits. The other of the second resonance circuits receives a bias supply from the bias supply source, and the collector of the tenth amplification circuit and the collector of the eleventh amplification circuit are respectively connected to the frequency conversion circuit. The frequency conversion device according to any one of claims 14 to 16, which is connected.
【請求項18】 前記局部発振信号増幅回路は、一方が
前記第1の共振回路の他方及び前記第2の共振回路の他
方に接続され、他方が前記バイアス供給源に接続された
抵抗を有する請求項17記載の周波数変換装置。
18. The local oscillation signal amplifier circuit has a resistor, one of which is connected to the other of the first resonant circuit and the other of the second resonant circuit, and the other of which is connected to the bias supply source. Item 17. The frequency conversion device according to item 17.
【請求項19】 前記局部発振信号増幅回路は、一方が
第1の共振回路の他方及び前記第2の共振回路の他方に
接続され、他方が前記バイアス供給源に接続されたダイ
オードを有する請求項17記載の周波数変換装置。
19. The local oscillation signal amplifier circuit has a diode, one of which is connected to the other of the first resonance circuit and the other of the second resonance circuit, and the other of which is connected to the bias supply source. 17. The frequency converter according to item 17.
【請求項20】 前記周波数変換回路に注入される前記
局部発振信号の注入レベルを所定の条件に応じて制御す
る制御回路を備えた請求項13〜19のいずれかに記載
の周波数変換装置。
20. The frequency conversion device according to claim 13, further comprising a control circuit that controls an injection level of the local oscillation signal injected into the frequency conversion circuit according to a predetermined condition.
【請求項21】 前記所定の条件とは、前記周波数変換
回路から出力される前記周波数変換信号の信号レベルで
あり、 前記制御回路は、前記周波数変換回路から出力される前
記周波数変換信号の信号レベルに応じて前記周波数変換
回路に注入される前記局部発振信号の注入レベルを制御
する制御回路を備えた請求項20記載の周波数変換装
置。
21. The predetermined condition is a signal level of the frequency conversion signal output from the frequency conversion circuit, and the control circuit is a signal level of the frequency conversion signal output from the frequency conversion circuit. 21. The frequency conversion device according to claim 20, further comprising a control circuit for controlling an injection level of the local oscillation signal injected into the frequency conversion circuit in accordance with the above.
【請求項22】 前記制御回路は、前記周波数変換信号
の信号レベルが増加すると、前記局部発振信号の注入レ
ベルを減少させる請求項21記載の周波数変換装置。
22. The frequency conversion device according to claim 21, wherein the control circuit decreases the injection level of the local oscillation signal when the signal level of the frequency conversion signal increases.
【請求項23】 前記信号レベルを検出する検出回路を
備え、 前記周波数変換回路と前記検出回路との間には、前記周
波数変換信号の歪み成分を低減するフィルタが挿入され
ている請求項20〜22のいずれかに記載の周波数変換
装置。
23. A detection circuit for detecting the signal level is provided, and a filter for reducing a distortion component of the frequency conversion signal is inserted between the frequency conversion circuit and the detection circuit. 22. The frequency conversion device according to any one of 22.
【請求項24】 前記制御回路は、前記周波数変換信号
の信号レベルが増加すると、前記局部発振信号増幅回路
の利得を低下させる請求項22〜23のいずれかに記載
の周波数変換装置。
24. The frequency conversion device according to claim 22, wherein the control circuit reduces the gain of the local oscillation signal amplification circuit when the signal level of the frequency conversion signal increases.
【請求項25】 前記局部発振信号増幅回路の利得を低
下させるとは、前記局部発振信号増幅回路の電流を減少
させることである請求項24記載の周波数変換装置。
25. The frequency conversion device according to claim 24, wherein reducing the gain of the local oscillation signal amplifier circuit means reducing a current of the local oscillation signal amplifier circuit.
【請求項26】 前記局部発振信号増幅回路の利得を低
下させるとは、前記局部発振信号増幅回路の電流を減少
させることである請求項24記載の周波数変換装置。
26. The frequency conversion device according to claim 24, wherein reducing the gain of the local oscillation signal amplifier circuit means reducing a current of the local oscillation signal amplifier circuit.
【請求項27】 前記所定の条件とは、前記周波数変換
回路に注入される前記周波数被変換信号の信号レベルで
あり、 前記制御回路は、前記周波数被変換信号の信号レベルに
応じて、前記局部発振信号の注入レベルを変化させる請
求項20記載の周波数変換装置。
27. The predetermined condition is a signal level of the frequency-converted signal injected into the frequency conversion circuit, and the control circuit is configured to control the local part according to the signal level of the frequency-converted signal. 21. The frequency conversion device according to claim 20, wherein the injection level of the oscillation signal is changed.
【請求項28】 前記制御回路は、前記周波数被変換信
号の信号レベルが増加すると、前記周波数被変換信号の
信号レベルを減少させる請求項27記載の周波数変換装
置。
28. The frequency conversion device according to claim 27, wherein the control circuit decreases the signal level of the frequency converted signal when the signal level of the frequency converted signal increases.
【請求項29】 前記信号レベルを減少させるとは、前
記局部発振信号増幅回路の利得を低下させることである
請求項28記載の周波数変換装置。
29. The frequency conversion device according to claim 28, wherein reducing the signal level means reducing the gain of the local oscillation signal amplification circuit.
【請求項30】 前記信号レベルを減少させるとは、前
記局部発振信号増幅回路の電流を減少させることである
請求項29記載の周波数変換装置。
30. The frequency conversion device according to claim 29, wherein reducing the signal level means reducing a current of the local oscillation signal amplifier circuit.
【請求項31】 前記信号レベルを減少させるとは、前
記局部発振信号増幅回路の電圧を減少させることである
請求項29記載の周波数変換装置。
31. The frequency conversion device according to claim 29, wherein decreasing the signal level means decreasing the voltage of the local oscillation signal amplifier circuit.
【請求項32】 前記周波数変換信号の信号レベルが増
加すると、前記定電流供給回路に出力する電流を減少さ
せる制御回路を備え、 前記定電流供給回路は、第12、第13、及び第14の
増幅回路と、第7、第8、第9、第10、及び第11の
抵抗とを有し、 前記第12、第13、及び第14の増幅回路は、それぞ
れトランジスタであり、 前記第12の増幅回路のベースと前記14の増幅回路の
エミッタとの間には第7の抵抗が接続されており、 前記第13の増幅回路のベースと前記第14の増幅回路
のエミッタとの間には第8の抵抗が接続されており、 前記第12の増幅回路エミッタと前記第13の増幅回路
エミッタとは、それぞれ前記第9の抵抗、及び前記第1
0の抵抗を介して接地されており、 前記第14の増幅回路のベースとコレクタとは、前記第
11の抵抗を介して接続されており、前記第14の増幅
回路のコレクタは、前記制御回路の出力に接続されてお
り、 前記第13の増幅回路のコレクタと前記第14の増幅回
路のベースとは接続されており、 前記第12の増幅回路のコレクタは、前記第10及び前
記第11の増幅回路に接続されている請求項15〜19
のいずれかに記載の周波数変換装置。
32. A control circuit for decreasing the current output to the constant current supply circuit when the signal level of the frequency conversion signal increases, wherein the constant current supply circuit includes twelfth, thirteenth and fourteenth. An amplifier circuit, and seventh, eighth, ninth, tenth, and eleventh resistors, wherein the twelfth, thirteenth, and fourteenth amplifier circuits are transistors, respectively, and A seventh resistor is connected between the base of the amplifier circuit and the emitter of the fourteen amplifier circuit, and a seventh resistor is connected between the base of the thirteenth amplifier circuit and the emitter of the fourteenth amplifier circuit. 8 resistors are connected, and the twelfth amplifier circuit emitter and the thirteenth amplifier circuit emitter are respectively connected to the ninth resistor and the first resistor.
It is grounded through a resistor of 0, the base and collector of the 14th amplifier circuit are connected through the 11th resistor, and the collector of the 14th amplifier circuit is connected to the control circuit. The collector of the thirteenth amplifier circuit is connected to the base of the fourteenth amplifier circuit, and the collector of the twelfth amplifier circuit is connected to the tenth and eleventh amplifier circuits. 20. Connected to an amplifier circuit.
The frequency conversion device according to any one of 1.
【請求項33】 前記周波数変換信号の信号レベルが増
加すると、出力電圧を低下させる制御回路を備え、 前記局部発振信号増幅回路は、エミッタが第1の共振回
路の他方及び前記第2の共振回路の他方に接続され、コ
レクタが前記バイアス供給源に接続され、ベースが前記
制御回路の出力に接続されたトランジスタを有し、 前記定電流供給回路は、第12、第13、及び第14の
増幅回路と、第7、第8、第9、第10、及び第11の
抵抗とを有し、 前記第12、第13、及び第14の増幅回路は、それぞ
れトランジスタであり、 前記第12の増幅回路のベースと前記14の増幅回路の
エミッタとの間には第7の抵抗が接続されており、 前記第13の増幅回路のベースと前記第14の増幅回路
のエミッタとの間には第8の抵抗が接続されており、 前記第12の増幅回路エミッタと前記第13の増幅回路
エミッタとは、それぞれ前記第9の抵抗、及び前記第1
0の抵抗を介して接地されており、 前記第14の増幅回路のベースとコレクタとは、前記第
11の抵抗を介して接続されており、前記第14の増幅
回路のコレクタは、前記バイアス供給源に接続されてお
り、 前記第13の増幅回路のコレクタと前記第14の増幅回
路のベースとは接続されており、 前記第12の増幅回路のコレクタは、前記第10及び前
記第11の増幅回路に接続されている請求項17〜19
のいずれかに記載の周波数変換装置。
33. A control circuit for decreasing the output voltage when the signal level of the frequency conversion signal increases, wherein the local oscillation signal amplification circuit has an emitter of the other of the first resonance circuit and the second resonance circuit. A transistor having a collector connected to the bias supply source and a base connected to the output of the control circuit, and the constant current supply circuit includes twelfth, thirteenth, and fourteenth amplification circuits. A circuit and a seventh, an eighth, a ninth, a tenth, and an eleventh resistor, and the twelfth, thirteenth, and fourteenth amplification circuits are transistors, respectively, and the twelfth amplification circuit. A seventh resistor is connected between the base of the circuit and the emitter of the fourteenth amplifying circuit, and an eighth resistor is connected between the base of the thirteenth amplifying circuit and the emitter of the fourteenth amplifying circuit. The resistance of is connected Cage, wherein the twelfth amplification circuit emitter and the second 13 amplifier circuit emitter of the respective ninth resistor, and the first
It is grounded via a resistance of 0, the base and collector of the 14th amplification circuit are connected via the 11th resistance, and the collector of the 14th amplification circuit is connected to the bias supply. A collector of the thirteenth amplification circuit and a base of the fourteenth amplification circuit are connected, and a collector of the twelfth amplification circuit is connected to the tenth and eleventh amplification circuits. 20. Connected to a circuit
The frequency conversion device according to any one of 1.
【請求項34】 受信信号を受信する受信回路を備え、 前記受信回路には請求項1〜33のいずれかに記載の周
波数変換装置が用いられている無線通信装置。
34. A wireless communication device comprising a receiving circuit for receiving a received signal, wherein the frequency converting device according to claim 1 is used in the receiving circuit.
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