JP2003198005A - Magnetoresistive effect device, magnetic head using the same, its manufacturing method, and head suspension assembly - Google Patents
Magnetoresistive effect device, magnetic head using the same, its manufacturing method, and head suspension assemblyInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素
子、これを用いた磁気ヘッド及びその製造方法、並びに
ヘッドサスペンションアセンブリに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect element, a magnetic head using the same, a method of manufacturing the same, and a head suspension assembly.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の大
容量小型化に伴い、高感度、高出力のヘッドが要求され
ている。その要求に対して、現行製品であるＧＭＲヘッ
ド（Giant Magneto-Resistive Head）の懸命な特性改善
が進んでおり、一方でＧＭＲヘッドの２倍以上の抵抗変
化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果型ヘッド（ＴＭ
Ｒヘッド）の開発も精力的に行われている。2. Description of the Related Art As the capacity of a hard disk drive (HDD) becomes smaller and smaller, a head having high sensitivity and high output is required. In response to the demand, the characteristics of the current product GMR head (Giant Magneto-Resistive Head) are being improved steadily, while the tunnel magnetoresistive head that can be expected to have a resistance change rate more than double that of the GMR head. (TM
R head) is also being actively developed.
【０００３】ＧＭＲヘッドとＴＭＲヘッドは、一般的
に、センス電流を流す方向の違いからヘッド構造が異な
る。一般のＧＭＲヘッドのような膜面に対して平行にセ
ンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ（Current In Plan
e）構造、ＴＭＲヘッドのように膜面に対して垂直にセ
ンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ（Current Perpendi
cular to Plane）構造と呼ぶ。ＣＰＰ構造は、磁気シー
ルドそのものを電極として用いることができるため、Ｃ
ＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題とな
っている、磁気シールド−素子間ショート（絶縁不良）
が本質的に生じない。GMR heads and TMR heads generally have different head structures due to the difference in the direction in which a sense current flows. A head structure, such as a general GMR head, in which a sense current flows in parallel to the film surface is formed by CIP (Current In Plan).
e) structure, a head structure such as a TMR head for flowing a sense current perpendicularly to the film surface is referred to as CPP (Current Perpendi
cular to Plane) structure. In the CPP structure, since the magnetic shield itself can be used as an electrode, C
Magnetic shield-element short circuit (insulation failure), which is a serious problem in narrowing the read gap of IP structure
Essentially does not occur.
【０００４】ＣＰＰ構造のヘッドとしては、ＴＭＲヘッ
ドの他にも、例えば、磁気抵抗効果素子にスピンバルブ
膜（スペキュラー型、デュアルスピンバルブ型磁性多層
膜を含む）を用いながらもＣＰＰ構造を持つＣＰＰ−Ｇ
ＭＲヘッドも知られている。As a CPP structure head, in addition to a TMR head, for example, a CPP structure having a CPP structure while using a spin valve film (including a specular type and a dual spin valve type magnetic multilayer film) in a magnetoresistive effect element. -G
MR heads are also known.
【０００５】ＣＰＰ構造のヘッドでは、いずれのタイプ
のヘッドであっても、基体上に形成された磁気抵抗効果
層に電流を流すための上部電極及び下部電極が、前記磁
気抵抗効果層の上面側（基体と反対側）及び下面側（基
体側）にそれぞれ形成されている。製造工程上、一般的
に、磁気抵抗効果層の形成後であって上部電極の形成前
に、磁気抵抗効果層が形成された基体が大気中に置かれ
る。このとき、磁気抵抗効果層の上面が空気中で酸化さ
れてしまうことにより磁気抵抗効果層のＭＲ比等の特性
を損なうような事態を防止するため、磁気抵抗効果層の
上面には、キャップ層と呼ばれる導電性保護層が予め形
成される。この導電性保護層として、Ｔａなどの金属層
が用いられている。そして、ＣＰＰ構造のヘッドでは、
上部電極は、導電性保護層を介して、磁気抵抗効果層に
電気的に接続されている。In any type of head having a CPP structure, the upper electrode and the lower electrode for passing a current through the magnetoresistive effect layer formed on the substrate are provided on the upper surface side of the magnetoresistive effect layer. (The side opposite to the base body) and the lower surface side (base side). In the manufacturing process, generally, the substrate on which the magnetoresistive effect layer is formed is placed in the atmosphere after the magnetoresistive effect layer is formed and before the upper electrode is formed. At this time, in order to prevent the situation in which the upper surface of the magnetoresistive effect layer is oxidized in the air and the characteristics such as MR ratio of the magnetoresistive effect layer are impaired, the cap layer is formed on the upper surface of the magnetoresistive effect layer. A conductive protective layer called as is previously formed. A metal layer such as Ta is used as the conductive protective layer. And in the head of the CPP structure,
The upper electrode is electrically connected to the magnetoresistive effect layer via the conductive protective layer.
【０００６】ＣＩＰ構造のヘッドとしては、ＬＯＬ（le
ad overlay）構造を持つヘッドも知られている（例え
ば、特開２０００−９９９２６号公報）。ＬＯＬ構造
は、スピンバルブ膜等の磁気抵抗効果層の上面側に、磁
気抵抗効果層に電流を流すための２つの上部電極が形成
され、一方の上部電極の一部が磁気抵抗効果層の面方向
の一方側部分に重なるとともに他方の上部電極の一部が
磁気抵抗効果層の面方向の他方方側部分に重なるように
配置され、両者の電極が面方向に間隔をあけた構造であ
る。As a head having a CIP structure, LOL (le
A head having an ad overlay structure is also known (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-99926). In the LOL structure, two upper electrodes for flowing a current through the magnetoresistive effect layer are formed on the upper surface side of the magnetoresistive effect layer such as a spin valve film, and one of the upper electrodes is part of the surface of the magnetoresistive effect layer. In this structure, one of the two upper electrodes overlaps with one side of the magneto-resistive layer, and a part of the other upper electrode overlaps with the other side of the magnetoresistive layer in the plane direction.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ＣＰＰ構造のヘッドで
は、上部電極及び前記導電性保護層を経由して磁気抵抗
効果層に電流を流すため、上部電極と導電性保護層との
間に良好な電気的接触を保ち、低抵抗化を実現する必要
がある。ところが、導電性保護層としてＴａなどの酸化
しやすい金属層が用いられていたので、磁気抵抗効果層
及び導電性保護層が形成された基体を大気中に置いた際
に、導電性保護層の表面は空気中で酸化する。このた
め、そのままの状態で導電性保護層の上に上部電極など
の他の層を形成するとすれば、上部電極と導電性保護層
との間に良好な電気的接触を保つことができない。そこ
で、従来は、導電性保護層の上に上部電極などの他の層
を形成する前に、上部電極等を成膜するのと同一の真空
装置内で、ドライエッチング（スパッタエッチング、イ
オンビームエッチング等、ドライプロセス全般を含む）
することにより、導電性保護層の表面酸化膜が除去され
ていた。In the head having the CPP structure, a current is passed through the magnetoresistive effect layer through the upper electrode and the conductive protective layer, so that a good electric field is provided between the upper electrode and the conductive protective layer. It is necessary to maintain electrical contact and achieve low resistance. However, since a metal layer such as Ta that easily oxidizes is used as the conductive protective layer, when the substrate on which the magnetoresistive effect layer and the conductive protective layer are formed is placed in the atmosphere, the conductive protective layer The surface oxidizes in air. Therefore, if another layer such as the upper electrode is formed on the conductive protective layer as it is, good electrical contact cannot be maintained between the upper electrode and the conductive protective layer. Therefore, conventionally, before forming another layer such as the upper electrode on the conductive protective layer, dry etching (sputter etching, ion beam etching) is performed in the same vacuum apparatus as that for forming the upper electrode and the like. Etc., including all dry processes)
By doing so, the surface oxide film of the conductive protective layer was removed.
【０００８】しかし、この表面酸化膜の除去工程の際、
低抵抗化を実現するために十分なドライエッチングを施
すと、磁気抵抗効果層へのイオンビームによるダメージ
が深刻な問題になる。例えば、ＴＭＲヘッドの場合には
極薄のトンネルバリア層（例えば、厚さ１ｎｍ以下）へ
のイオンビームダメージや、ＣＰＰ−ＧＭＲヘッドの場
合にはフリー層等へのイオンビームダメージが、深刻な
問題になる。磁気抵抗効果層がダメージを受けると、Ｍ
Ｒ比が極端に下がり、場合によっては磁気ヘッドとして
用いることができなくなる。このように、従来は、磁気
抵抗効果層にイオンビームダメージを与えることなく低
抵抗化を実現することは、困難であった。また、表面酸
化膜の除去工程が必要であったので、その分、製造工程
が増え、コストアップを免れなかった。However, during the step of removing the surface oxide film,
If sufficient dry etching is performed to realize a low resistance, damage to the magnetoresistive layer by the ion beam becomes a serious problem. For example, in the case of a TMR head, ion beam damage to an extremely thin tunnel barrier layer (for example, a thickness of 1 nm or less), and in the case of a CPP-GMR head, ion beam damage to a free layer is a serious problem. become. When the magnetoresistive layer is damaged, M
The R ratio is extremely lowered, and it cannot be used as a magnetic head in some cases. As described above, conventionally, it has been difficult to realize a low resistance without damaging the magnetoresistive effect layer with an ion beam. Further, since the step of removing the surface oxide film is necessary, the number of manufacturing steps is increased accordingly, which inevitably results in cost increase.
【０００９】以上、ＣＰＰ構造のヘッドを例に挙げて説
明したが、前述した事情は、ＣＰＰ構造のヘッドのみな
らず、基体の一方の面側に形成された磁気抵抗効果層
と、該磁気抵抗効果層の前記基体とは反対側の面に形成
された導電性保護層と、を有する磁気抵抗効果素子につ
いて、一般的に適合する。Although the head having the CPP structure has been described above as an example, the above-mentioned circumstances are not limited to the head having the CPP structure, and the magnetoresistive effect layer formed on one surface side of the substrate and the magnetoresistive layer. A magnetoresistive effect element having a conductive protective layer formed on the surface of the effect layer opposite to the substrate is generally applicable.
【００１０】例えば、前述した事情は、前述したＬＯＬ
構造のヘッドについても同様である。すなわち、ＬＯＬ
構造のヘッドの場合も、ＣＰＰ構造のヘッドと同様に、
磁気抵抗効果層の表面酸化の防止のため、磁気抵抗効果
層の上面に導電性保護層を形成することが、好ましい。
この場合、２つの上部電極は、導電性保護層を介して、
磁気抵抗効果層に電気的にそれぞれ接続される。この導
電性保護層は、例えば、上部電極層のエッチングによる
パターニングの際のエッチングストップ層としても用い
ることができる。ＣＰＰ構造のヘッドの場合と同様に、
導電性保護層としてＴａ等の金属層を用いると、低抵抗
化のために、ドライエッチングにより導電性保護層の表
面酸化膜を除去する必要がある。低抵抗化を実現するた
めに十分なドライエッチングを施すと、磁気抵抗効果層
（例えば、ＧＭＲヘッドの場合には、フリー層等）への
イオンビームダメージが問題となる。したがって、ＬＯ
Ｌ構造のヘッドについても、磁気抵抗効果層にイオンビ
ームダメージを与えることなく、低抵抗化を実現するこ
とは、困難である。また、ＬＯＬ構造のヘッドについて
も、表面酸化膜の除去工程が必要であるので、その分、
製造工程が増え、コストアップを免れない。For example, the above-mentioned circumstances are related to the above-mentioned LOL.
The same applies to the structured head. That is, LOL
In the case of a structured head as well as a CPP structured head,
In order to prevent surface oxidation of the magnetoresistive effect layer, it is preferable to form a conductive protective layer on the upper surface of the magnetoresistive effect layer.
In this case, the two upper electrodes are connected via a conductive protective layer,
Each of them is electrically connected to the magnetoresistive layer. This conductive protective layer can also be used, for example, as an etching stop layer when patterning the upper electrode layer by etching. As with the CPP structure head,
When a metal layer such as Ta is used as the conductive protective layer, it is necessary to remove the surface oxide film of the conductive protective layer by dry etching in order to reduce the resistance. If sufficient dry etching is performed to realize a low resistance, ion beam damage to the magnetoresistive effect layer (for example, a free layer in the case of a GMR head) becomes a problem. Therefore, LO
Also for the head having the L structure, it is difficult to realize a low resistance without damaging the magnetoresistive layer with an ion beam. Further, since the head having the LOL structure also needs the step of removing the surface oxide film,
The number of manufacturing processes increases, which inevitably increases costs.
【００１１】本発明は、前述したような事情に鑑みてな
されたもので、磁気抵抗効果層にイオンビームダメージ
を与えることなく低抵抗化を実現することができるとと
もに、製造工程が少なくなりコストダウンを図ることが
できる、磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド及
びその製造方法、並びにヘッドサスペンションアセンブ
リを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to realize a low resistance without damaging the magnetoresistive effect layer with an ion beam, and to reduce the number of manufacturing steps to reduce the cost. It is an object of the present invention to provide a magnetoresistive effect element, a magnetic head using the same, a method of manufacturing the same, and a head suspension assembly.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の態様による磁気抵抗効果素子は、基
体の一方の面側に形成された磁気抵抗効果層と、該磁気
抵抗効果層の前記基体とは反対側の面に形成された１層
以上からなる導電性保護層と、を備え、前記導電性保護
層の少なくとも前記基体とは最も反対側の層が、金属窒
化物で形成されたものである。In order to solve the above-mentioned problems, a magnetoresistive effect element according to a first aspect of the present invention comprises a magnetoresistive effect layer formed on one surface side of a substrate and the magnetoresistive effect. A conductive protective layer formed of one or more layers formed on the surface of the layer opposite to the substrate, wherein at least the layer of the conductive protective layer opposite to the substrate is a metal nitride. It was formed.
【００１３】従来、磁気ヘッドの分野においては、磁気
抵抗効果素子におけるキャップ層と呼ばれる導電性保護
層として、Ｔａ等の金属層を用いることが技術常識とな
っており、導電性保護層には必然的に表面酸化膜が形成
され、この表面酸化膜の除去が不可欠であるということ
が、当然のこととして何らの疑いもなく受け入れられて
きた。Conventionally, in the field of magnetic heads, it has been common technical knowledge to use a metal layer such as Ta as a conductive protective layer called a cap layer in a magnetoresistive effect element, and the conductive protective layer is inevitable. It has been naturally accepted without any doubt that a surface oxide film is formed and removal of the surface oxide film is essential.
【００１４】本発明者は、研究の結果、このような磁気
ヘッドの分野の技術常識に反し、前記導電性保護層とし
て金属窒化物を用いることが極めて有効であることを、
見出した。As a result of research, the present inventor has found that contrary to the common general knowledge in the field of magnetic heads, it is extremely effective to use metal nitride as the conductive protective layer.
I found it.
【００１５】すなわち、金属窒化物は、常温では空気中
の酸素に対して極めて安定であるため、大気中に置いて
も実質的に酸化せず、しかも金属窒化物の電気抵抗はさ
ほど高くない。このため、導電性保護層として金属窒化
物を用いれば、従来は不可欠と考えられ実際に行われて
きた導電性保護層の表面酸化膜の除去が不要となり、低
抵抗化を実現することができる。導電性保護層の表面酸
化膜の除去が不要であるので、その除去の際に生ずる磁
気抵抗効果層へのイオンビームダメージを完全に回避す
ることができる。また、導電性保護層の表面酸化膜の除
去が不要であるので、製造工程が少なくなり、コストダ
ウンを図ることができる。したがって、導電性保護層と
して金属窒化物を用いれば、磁気抵抗効果層にイオンビ
ームダメージを与えることなく低抵抗化を実現すること
ができるとともに、製造工程が少なくなりコストダウン
を図ることができる。That is, since the metal nitride is extremely stable against oxygen in the air at room temperature, it does not substantially oxidize even when placed in the air, and the electric resistance of the metal nitride is not so high. Therefore, if a metal nitride is used as the conductive protective layer, it is not necessary to remove the surface oxide film of the conductive protective layer, which has been considered to be indispensable in the past, and it is possible to realize a low resistance. . Since it is not necessary to remove the surface oxide film of the conductive protective layer, it is possible to completely avoid ion beam damage to the magnetoresistive effect layer that occurs during the removal. Further, since it is not necessary to remove the surface oxide film of the conductive protective layer, the number of manufacturing steps can be reduced and the cost can be reduced. Therefore, if a metal nitride is used as the conductive protective layer, it is possible to realize a low resistance without damaging the magnetoresistive effect layer with an ion beam, and it is possible to reduce the number of manufacturing steps and reduce the cost.
【００１６】さらに、導電性保護層の表面酸化膜の除去
が不要であるので、表面酸化膜の除去の際のイオンビー
ムダメージを低減させるべく導電性保護層を厚くするよ
うな必要がなく、導電性保護層を薄くすることができ
る。したがって、磁気抵抗効果層を所望の形状にミリン
グ等する際に定まる磁気抵抗効果層の端面形状が良好と
なり、また、ＭＲギャップを狭めることができる。ＭＲ
ギャップを狭めることができるため、高記録密度化を図
ることができる。Furthermore, since it is not necessary to remove the surface oxide film of the conductive protective layer, it is not necessary to thicken the conductive protective layer in order to reduce the ion beam damage when removing the surface oxide film, and the conductivity is reduced. The sex protection layer can be thinned. Therefore, the end surface shape of the magnetoresistive effect layer determined when milling the magnetoresistive effect layer into a desired shape is improved, and the MR gap can be narrowed. MR
Since the gap can be narrowed, high recording density can be achieved.
【００１７】また、導電性保護層として金属窒化物を用
いることは、次の点からも非常に有効であることが判明
した。すなわち、導電性保護層として酸化し難い貴金属
（金、白金など）を用いるとすれば、導電性保護層の表
面酸化膜の除去が不要となる。しかし、これらの材料は
柔らかいために現在の磁気ヘッドの製造に不可欠なＡＢ
Ｓ（Air Bearing Surface）の研磨の際に他の材料に比
べて流れ出し易いため、記録媒体との対向面の凹凸（リ
セスと称する）を増大させ、また、流出した貴金属が素
子の絶縁部をショートさせるなどの問題が発生する。さ
らに、貴金属は一般的に拡散し易く、通電使用による原
子の輸送現象（エレクトロマイグレーション）を起こし
易い。これに対して、金属窒化物は極めて堅いため、導
電性保護層として金属窒化物を用いれば、ＡＢＳ研磨に
より生ずるリセスが増大するようなことがないととも
に、素子の絶縁部をショートさせるなどの問題が発生し
難くなる。また、金属窒化物はエレクトロマイグレーシ
ョン耐性が高いので、導電性保護層として金属窒化物を
用いれば、エレクトロマイグレーションによる問題も生
じない。Further, it has been found that the use of metal nitride as the conductive protective layer is very effective also from the following points. That is, if a precious metal (gold, platinum, etc.) that is difficult to oxidize is used for the conductive protective layer, it is not necessary to remove the surface oxide film of the conductive protective layer. However, since these materials are soft, it is necessary to use the AB which is indispensable for the manufacture of current magnetic heads.
Since it easily flows out when polishing S (Air Bearing Surface) compared to other materials, it increases irregularities (referred to as recesses) on the surface facing the recording medium, and the flowing out noble metal shorts the insulating part of the element. Problems such as letting occur. Furthermore, the noble metal is generally easy to diffuse and easily causes a transport phenomenon (electromigration) of atoms due to use of electric current. On the other hand, since metal nitride is extremely hard, if metal nitride is used as the conductive protective layer, the recesses caused by ABS polishing will not increase, and the insulating portion of the device will be short-circuited. Is less likely to occur. In addition, since metal nitride has high electromigration resistance, if metal nitride is used as the conductive protective layer, problems due to electromigration do not occur.
【００１８】以上の説明からわかるように、前記第１の
態様によれば、従来の技術常識に反して、導電性保護層
の少なくとも基体とは最も反対側の層が金属窒化物で形
成されているので、磁気抵抗効果層にイオンビームダメ
ージを与えることなく低抵抗化を実現することができる
とともに、製造工程が少なくなりコストダウンを図るこ
とができ、更に、前述したその他の種々の利点も得るこ
とができる。As can be seen from the above description, according to the first aspect, contrary to the conventional technical common sense, at least the layer of the electrically conductive protective layer opposite to the base is formed of metal nitride. As a result, the resistance can be reduced without damaging the magnetoresistive layer with ion beams, the manufacturing process can be reduced and the cost can be reduced, and various other advantages described above can be obtained. be able to.
【００１９】なお、前記第１の態様による磁気抵抗効果
素子は、例えば、ＣＰＰ構造のヘッドの磁気抵抗効果素
子でもよいし、ＣＩＰ構造を持つＬＯＬ構造のヘッドの
磁気抵抗効果素子でもよい。また、前記第１の態様によ
る磁気抵抗効果素子の用途は、必ずしも磁気ヘッドに限
定されるものではない。The magnetoresistive effect element according to the first aspect may be, for example, a magnetoresistive effect element of a CPP structure head or a LOL structure head magnetoresistive effect element having a CIP structure. The use of the magnetoresistive effect element according to the first aspect is not necessarily limited to the magnetic head.
【００２０】本発明の第２の態様による磁気抵抗効果素
子は、前記第１の態様において、前記導電性保護層は、
前記磁気抵抗効果層の少なくとも前記基体とは最も反対
側の層と実質的に重なるように、形成されたものであ
る。A magnetoresistive effect element according to a second aspect of the present invention is the magnetoresistive effect element according to the first aspect, wherein the conductive protective layer is
It is formed so as to substantially overlap at least the layer of the magnetoresistive layer opposite to the substrate.
【００２１】この第２の態様によれば、磁気抵抗効果層
の少なくとも前記基体とは最も反対側の層をミリング等
して所望の形状にする際に、導電性保護層も同時にミリ
ング等することができ、いわゆるセルフアラインを達成
することができる。したがって、製造工程が簡略化さ
れ、好ましい。According to the second aspect, when at least the layer of the magnetoresistive effect layer on the side opposite to the substrate is milled to have a desired shape, the conductive protective layer is also milled. Therefore, so-called self-alignment can be achieved. Therefore, the manufacturing process is simplified, which is preferable.
【００２２】本発明の第３の態様による磁気抵抗効果素
子は、前記第１又は第２の態様において、前記磁気抵抗
効果層に電流を流すための一対の電極を備え、該一対の
電極のうちの少なくとも一方が前記導電性保護層を介し
て前記磁気抵抗効果層に電気的に接続されたものであ
る。この第３の態様は、電極の配置例を挙げたものであ
る。A magnetoresistive effect element according to a third aspect of the present invention is the magnetoresistive effect element according to the first or second aspect, which includes a pair of electrodes for passing a current through the magnetoresistive effect layer. At least one of them is electrically connected to the magnetoresistive effect layer via the conductive protective layer. The third mode is an example of the arrangement of electrodes.
【００２３】本発明の第４の態様による磁気抵抗効果素
子は、前記第１乃至第３のいずれかの態様において、前
記金属窒化物が、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、Ｎｂ
Ｎ、ＴａＮ、ＣｒＮ、ＷＮ及びＭｏＮからなる群より選
ばれた１種以上を含むものである。A magnetoresistive effect element according to a fourth aspect of the present invention is the magnetoresistive element according to any one of the first to third aspects, wherein the metal nitride is TiN, ZrN, HfN, VN or Nb.
One or more selected from the group consisting of N, TaN, CrN, WN and MoN.
【００２４】この第４の態様は、導電性保護層として用
いるのに好適な材料の具体例を挙げたものであるが、前
記第１乃至第３の態様ではこれらの例に限定されるもの
ではない。In the fourth aspect, specific examples of materials suitable for use as the conductive protective layer are given, but the first to third aspects are not limited to these examples. Absent.
【００２５】本発明の第５の態様による磁気抵抗効果素
子は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前
記導電性保護層の厚さが１０ｎｍ以下であるものであ
る。A magnetoresistive effect element according to a fifth aspect of the present invention is the magnetoresistive effect element according to any one of the first to fourth aspects, wherein the conductive protective layer has a thickness of 10 nm or less.
【００２６】ＭＲギャップを縮小して高記録密度化を図
るために、導電性保護層の厚さは、この第５の態様のよ
うに１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下で
あることがより好ましく、３ｎｍ以下であることがより
一層好ましい。また、磁気抵抗効果層の空気中での酸化
を有効に防止するためには、導電性保護層の厚さは２ｎ
ｍ以上であることが好ましい。In order to reduce the MR gap and increase the recording density, the thickness of the conductive protective layer is preferably 10 nm or less, more preferably 5 nm or less, as in the fifth embodiment. It is more preferably 3 nm or less. Further, in order to effectively prevent the oxidation of the magnetoresistive effect layer in the air, the conductive protective layer has a thickness of 2n.
It is preferably m or more.
【００２７】本発明の第６の態様による磁気ヘッドは、
基体と、該基体により支持された磁気抵抗効果素子とを
備え、前記磁気抵抗効果素子が前記第１乃至第５のいず
れかの態様による磁気抵抗効果素子であるものである。A magnetic head according to a sixth aspect of the present invention is
The magnetoresistive effect element comprises a base and a magnetoresistive effect element supported by the base, and the magnetoresistive effect element is the magnetoresistive effect element according to any one of the first to fifth aspects.
【００２８】この第６の態様によれば、前記第１乃至第
５のいずれかの態様による磁気抵抗効果素子が用いられ
ているので、磁気抵抗効果層にイオンビームダメージを
与えることなく低抵抗化を実現することができるととも
に、製造工程が少なくなりコストダウンを図ることがで
き、更に、前述したその他の種々の利点も得ることがで
きる。According to the sixth aspect, since the magnetoresistive effect element according to any one of the first to fifth aspects is used, the resistance is reduced without causing ion beam damage to the magnetoresistive effect layer. In addition to being able to realize the above, it is possible to reduce the number of manufacturing steps and reduce the cost, and further, it is possible to obtain various other advantages described above.
【００２９】本発明の第７の態様による磁気ヘッドの製
造方法は、前記第６の態様による磁気ヘッドを製造する
製造方法であって、前記導電性保護層の前記基体とは最
も反対側の層を形成する工程を備え、該工程は、前記金
属窒化物をターゲットとしたスパッタ法により前記金属
酸化物の層を形成する工程を含むものである。A method of manufacturing a magnetic head according to a seventh aspect of the present invention is a method of manufacturing the magnetic head according to the sixth aspect, wherein the layer of the electrically conductive protective layer opposite to the substrate is located. And a step of forming a layer of the metal oxide by a sputtering method using the metal nitride as a target.
【００３０】前記第６の態様による磁気ヘッドを製造す
る製造方法では、前記導電性保護層の前記基体とは最も
反対側の前記層を形成する工程を備え、該工程は、窒化
されていない金属をターゲットとした反応性スパッタ法
により前記金属酸化物の層を形成する工程を含んでもよ
い。しかし、この場合には、磁気抵抗効果層の最上層の
強磁性層などがＮ２プラズマなどに晒されることによ
る、素子の特性劣化が懸念される。The manufacturing method for manufacturing a magnetic head according to the sixth aspect includes a step of forming the layer on the side of the conductive protection layer opposite to the base body, the step comprising the step of forming a non-nitrided metal. The method may include a step of forming the metal oxide layer by a reactive sputtering method with a target of. However, in this case, the characteristics of the element may be deteriorated due to the uppermost ferromagnetic layer of the magnetoresistive layer being exposed to N 2 plasma or the like.
【００３１】これに対し、前記第７の態様では、金属窒
化物自体をターゲットとしたスパッタ法により金属酸化
物の層が形成され、反応性スパッタを使わないので、磁
気抵抗効果層の最上層の強磁性層などが、導電性保護層
の成膜中に窒化されたり、プラズマによるダメージを受
けたりすることがない。反応性スパッタを使わないの
で、一般的に成膜レートが遅くなるが、大気に暴露され
ることによる磁気抵抗効果層の酸化を防止するために必
要な金属窒化物の層の膜厚は薄くてすむので、その成膜
に必要な時間はさほど要しない。On the other hand, in the seventh aspect, since the metal oxide layer is formed by the sputtering method using the metal nitride itself as the target and reactive sputtering is not used, the uppermost layer of the magnetoresistive layer is formed. The ferromagnetic layer and the like are not nitrided or damaged by plasma during the formation of the conductive protective layer. Since reactive sputtering is not used, the deposition rate is generally slow, but the thickness of the metal nitride layer required to prevent oxidation of the magnetoresistive layer due to exposure to the atmosphere is small. Therefore, the time required for the film formation is not so long.
【００３２】本発明の第８の態様によるヘッドサスペン
ションアセンブリは、磁気ヘッドと、該磁気ヘッドが先
端部付近に搭載され前記磁気ヘッドを支持するサスペン
ションと、を備え、前記磁気ヘッドが第６の態様による
磁気ヘッドであるものである。A head suspension assembly according to an eighth aspect of the present invention comprises a magnetic head and a suspension for mounting the magnetic head near a tip end portion thereof and supporting the magnetic head, wherein the magnetic head is the sixth aspect. Is a magnetic head.
【００３３】この第８の態様によれば、前記第６の態様
による磁気ヘッドが用いられているので、磁気ディスク
装置等の高記録密度化及びコストダウンを図ることがで
きる。According to the eighth aspect, since the magnetic head according to the sixth aspect is used, it is possible to increase the recording density and reduce the cost of the magnetic disk device or the like.
【００３４】[0034]
【発明の実施の形態】以下、本発明による磁気抵抗効果
素子、これを用いた磁気ヘッド及びその製造方法、並び
にヘッドサスペンションアセンブリについて、図面を参
照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A magnetoresistive effect element according to the present invention, a magnetic head using the same, a method of manufacturing the same, and a head suspension assembly will be described with reference to the drawings.
【００３５】［第１の実施の形態］[First Embodiment]
【００３６】図１は、本発明の第１の実施の形態による
磁気ヘッドを模式的に示す概略斜視図である。図２は、
図１に示す磁気ヘッドのＴＭＲ素子２及び誘導型磁気変
換素子３の部分を模式的に示す拡大断面図である。図３
は、図２中のＡ−Ａ’矢視概略図である。図４は、図２
中のＴＭＲ素子２付近を更に拡大した拡大図である。図
５は、図３中のＴＭＲ素子２付近を更に拡大した拡大図
である。理解を容易にするため、図１乃至図５に示すよ
うに、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する
（後述する図についても同様である。）。Ｘ軸方向が磁
気記録媒体の移動方向と一致している。FIG. 1 is a schematic perspective view schematically showing a magnetic head according to the first embodiment of the present invention. Figure 2
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a TMR element 2 and an inductive magnetic conversion element 3 of the magnetic head shown in FIG. 1. Figure 3
FIG. 3 is a schematic view taken along the line AA ′ in FIG. 4 is shown in FIG.
It is the enlarged view which further expanded the TMR element 2 vicinity inside. FIG. 5 is an enlarged view in which the vicinity of the TMR element 2 in FIG. 3 is further enlarged. For easy understanding, X-axis, Y-axis and Z-axis which are orthogonal to each other are defined as shown in FIGS. 1 to 5 (the same applies to the figures described later). The X-axis direction coincides with the moving direction of the magnetic recording medium.
【００３７】第１の実施の形態による磁気ヘッドは、図
１に示すように、基体としてのスライダ１と、再生用磁
気ヘッド素子として用いられる磁気抵抗効果素子として
のＴＭＲ素子２と、記録用磁気ヘッド素子としての誘導
型磁気変換素子３と、ＤＬＣ膜等からなる保護膜４とを
備え、複合型磁気ヘッドとして構成されている。もっと
も、本発明による磁気ヘッドは、例えば、ＴＭＲ素子２
のみを備えていてもよい。また、第１の実施の形態で
は、素子２，３はそれぞれ１個ずつ設けられているが、
その数は何ら限定されるものではない。As shown in FIG. 1, the magnetic head according to the first embodiment has a slider 1 as a substrate, a TMR element 2 as a magnetoresistive effect element used as a reproducing magnetic head element, and a magnetic recording element. An inductive magnetic conversion element 3 as a head element and a protective film 4 made of a DLC film or the like are provided and configured as a composite magnetic head. However, the magnetic head according to the present invention is, for example, the TMR element 2
It may be equipped with only. Further, in the first embodiment, each of the elements 2 and 3 is provided one by one,
The number is not limited in any way.
【００３８】スライダ１は磁気記録媒体対向面側にレー
ル部１１，１２を有し、レール部１１、１２の表面がＡ
ＢＳ（エアベアリング面）を構成している。図１に示す
例では、レール部１１、１２の数は２本であるが、これ
に限らない。例えば、１〜３本のレール部を有してもよ
いし、ＡＢＳはレール部を持たない平面であってもよ
い。また、浮上特性改善等のために、ＡＢＳに種々の幾
何学的形状が付されることもある。本発明による磁気ヘ
ッドは、いずれのタイプのスライダを有していてもよ
い。The slider 1 has rail portions 11 and 12 on the side facing the magnetic recording medium, and the surfaces of the rail portions 11 and 12 are A.
It constitutes BS (air bearing surface). In the example shown in FIG. 1, the number of rail portions 11 and 12 is two, but the number is not limited to this. For example, it may have 1 to 3 rail portions, or the ABS may be a flat surface having no rail portions. Further, the ABS may be provided with various geometrical shapes in order to improve the floating characteristics. The magnetic head according to the present invention may have any type of slider.
【００３９】第１の実施の形態では、保護膜４はレール
部１１，１２の表面にのみ設けられ、保護膜４の表面が
ＡＢＳを構成している。もっとも、保護膜４は、スライ
ダ１の磁気記録媒体対向面の全面に設けてもよい。ま
た、保護膜４を設けることが好ましいが、必ずしも保護
膜４を設ける必要はない。In the first embodiment, the protective film 4 is provided only on the surfaces of the rail portions 11 and 12, and the surface of the protective film 4 constitutes ABS. However, the protective film 4 may be provided on the entire surface of the slider 1 facing the magnetic recording medium. Although it is preferable to provide the protective film 4, it is not always necessary to provide the protective film 4.
【００４０】ＴＭＲ素子２及び誘導型磁気変換素子３
は、図１に示すように、レール部１１、１２の空気流出
端部ＴＲの側に設けられている。記録媒体移動方向は、
図中のＸ軸方向と一致しており、磁気記録媒体が高速移
動した時に動く空気の流出方向と一致する。空気は流入
端部ＬＥから入り、流出端部ＴＲから流出する。スライ
ダ１の空気流出端部ＴＲの端面には、ＴＭＲ素子２に接
続されたボンディングパッド５ａ，５ｂ及び誘導型磁気
変換素子３に接続されたボンディングパッド５ｃ，５ｄ
が設けられている。TMR element 2 and induction type magnetic conversion element 3
Is provided on the side of the air outflow end portion TR of the rail portions 11 and 12, as shown in FIG. The recording medium movement direction is
It coincides with the X-axis direction in the figure, and coincides with the outflow direction of air that moves when the magnetic recording medium moves at high speed. Air enters from the inflow end LE and flows out from the outflow end TR. Bonding pads 5a and 5b connected to the TMR element 2 and bonding pads 5c and 5d connected to the inductive magnetic conversion element 3 are provided on the end surface of the air outflow end portion TR of the slider 1.
Is provided.
【００４１】ＴＭＲ素子２及び誘導型磁気変換素子３
は、図２及び図３に示すように、スライダ１を構成する
セラミック基体１５の上に設けられた下地層１６の上
に、積層されている。セラミック基体１５は、通常、ア
ルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）又はＳｉＣ等で構成さ
れる。Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣを用いる場合、これは導電性
があるので、下地層１６として、例えばＡｌ２Ｏ３から
なる絶縁膜が用いられる。下地層１６は、場合によって
は設けなくてもよい。TMR element 2 and inductive magnetic conversion element 3
2 is laminated on a base layer 16 provided on a ceramic substrate 15 which constitutes the slider 1, as shown in FIGS. The ceramic base 15 is usually made of AlTiC (Al 2 O 3 —TiC) or SiC. When Al 2 O 3 —TiC is used, since it has conductivity, an insulating film made of, for example, Al 2 O 3 is used as the underlayer 16. The base layer 16 may not be provided in some cases.
【００４２】ＴＭＲ素子２は、図４及び図５に示すよう
に、下地層１６上に形成された下部電極２１と、下部電
極２１の上側（基体１５と反対側）に形成された上部電
極３１と、電極２１，３１間に下部電極２１側から順に
積層された、下部金属層２２、ピン層２３、ピンド層２
４、トンネルバリア層２５、フリー層２６、及び、導電
性保護層としての上部金属層（キャップ層）２７と、上
部金属層３０と、上部電極３１を、備えている。ピン層
２３、ピンド層２４、トンネルバリア層２５及びフリー
層２６が、磁気抵抗効果層を構成している。実際のＴＭ
Ｒ素子２は、図示されたような層数の膜構造ではなく、
より多層の膜構造を有するのが一般的であるが、図に示
す磁気ヘッドでは、説明の簡略化のため、ＴＭＲ素子２
の基本動作に必要な最少膜構造を示してある。As shown in FIGS. 4 and 5, the TMR element 2 includes a lower electrode 21 formed on the underlayer 16 and an upper electrode 31 formed on the upper side of the lower electrode 21 (the side opposite to the base 15). And a lower metal layer 22, a pinned layer 23, and a pinned layer 2 that are sequentially stacked between the electrodes 21 and 31 from the lower electrode 21 side.
4, a tunnel barrier layer 25, a free layer 26, an upper metal layer (cap layer) 27 as a conductive protection layer, an upper metal layer 30, and an upper electrode 31. The pinned layer 23, the pinned layer 24, the tunnel barrier layer 25, and the free layer 26 form a magnetoresistive effect layer. Actual TM
The R element 2 does not have a film structure with the number of layers as shown in the drawing,
Generally, the magnetic head shown in the figure has a multilayered film structure, but in the magnetic head shown in the figure, the TMR element 2 is used for simplification of description.
The minimum membrane structure required for the basic operation of is shown.
【００４３】本実施の形態では、下部電極２１及び上部
電極３１は、下部磁気シールド及び上部磁気シールドと
してそれぞれ兼用されている。電極２１，３１は、例え
ば、ＮｉＦｅなどの磁性材料で形成されている。図面に
は示していないが、これらの電極２１，３１は、前述し
たボンディングパッド５ａ，５ｂにそれぞれ電気的に接
続されている。なお、下部電極２１及び上部電極３１と
は別に、下部磁気シールド及び上部磁気シールドを設け
てもよいことは、言うまでもない。In the present embodiment, the lower electrode 21 and the upper electrode 31 are also used as the lower magnetic shield and the upper magnetic shield, respectively. The electrodes 21 and 31 are formed of a magnetic material such as NiFe, for example. Although not shown in the drawing, these electrodes 21 and 31 are electrically connected to the above-mentioned bonding pads 5a and 5b, respectively. Needless to say, a lower magnetic shield and an upper magnetic shield may be provided separately from the lower electrode 21 and the upper electrode 31.
【００４４】下部金属層２２は、導電体となっており、
例えば、基体１５側から順に積層されたＴａ層及びＮｉ
Ｆｅ層の積層体などで構成される。ピンド層２４及びフ
リー層２６は、それぞれ強磁性層で構成され、例えば、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ
又はＦｅＣｏＮｉなどの材料で形成される。ピン層２３
は、反強磁性層で構成され、例えば、ＰｔＭｎ、ＩｒＭ
ｎ、ＲｕＲｈＭｎ、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｄＰｔＭ
ｎ、ＲｈＭｎ又はＣｒＭｎＰｔなどのＭｎ系合金で形成
することが好ましい。ピンド層２４は、ピン層２３との
間の交換結合バイアス磁界によってその磁化方向が所定
方向に固定されている。一方、フリー層２６は、基本的
に磁気情報である外部磁場に応答して自由に磁化の向き
が変わるようになっている。本実施の形態では、ピン層
２３が層２４の下側に配置されているが、その代わりに
ピン層２３を層２６，２７間に配置し、層２４をフリー
層、層２６をピンド層としてもよい。トンネルバリア層
２５は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＧｄＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ２、ＴｉＯ２又はＷＯ２などの
材料で形成される。The lower metal layer 22 is a conductor,
For example, a Ta layer and a Ni layer, which are sequentially stacked from the base 15 side.
It is composed of a stack of Fe layers and the like. The pinned layer 24 and the free layer 26 are each composed of a ferromagnetic layer, and for example,
Fe, Co, Ni, FeCo, NiFe, CoZrNb
Alternatively, it is formed of a material such as FeCoNi. Pin layer 23
Is composed of an antiferromagnetic layer, for example, PtMn, IrM
n, RuRhMn, FeMn, NiMn, PdPtM
It is preferably formed of Mn-based alloy such as n, RhMn or CrMnPt. The magnetization direction of the pinned layer 24 is fixed in a predetermined direction by an exchange coupling bias magnetic field with the pinned layer 23. On the other hand, the free layer 26 is adapted to change its magnetization direction freely in response to an external magnetic field which is basically magnetic information. In the present embodiment, the pinned layer 23 is arranged below the layer 24, but instead, the pinned layer 23 is arranged between the layers 26 and 27, and the layer 24 is a free layer and the layer 26 is a pinned layer. Good. The tunnel barrier layer 25 is made of, for example, Al 2 O 3 , NiO, GdO, Mg.
It is formed of a material such as O, Ta 2 O 5 , MoO 2 , TiO 2 or WO 2 .
【００４５】本実施の形態では、上部金属層２７は、Ｔ
ｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、Ｃｒ
Ｎ、ＷＮ及びＭｏＮなどの金属窒化物の単層膜で構成さ
れている。もっとも、上部金属層２７を複数層で構成し
てもよく、その場合には、少なくとも最上層を金属窒化
物で形成すればよい。ＭＲギャップを縮小して高記録密
度化を図るために、上部金属層２７の厚さは、１０ｎｍ
以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがよ
り好ましく、３ｎｍ以下であることがより一層好まし
い。また、磁気抵抗効果層の空気中での酸化を有効に防
止するためには、導電性保護層の厚さは２ｎｍ以上であ
ることが好ましい。In this embodiment, the upper metal layer 27 is made of T
iN, ZrN, HfN, VN, NbN, TaN, Cr
It is composed of a single layer film of metal nitride such as N, WN and MoN. However, the upper metal layer 27 may be composed of a plurality of layers, in which case at least the uppermost layer may be formed of metal nitride. In order to reduce the MR gap and increase the recording density, the thickness of the upper metal layer 27 is 10 nm.
It is preferably not more than 5 nm, more preferably not more than 5 nm, and even more preferably not more than 3 nm. Further, in order to effectively prevent the oxidation of the magnetoresistive effect layer in the air, the thickness of the conductive protective layer is preferably 2 nm or more.
【００４６】上部金属層３０は、導電体となっており、
Ｔａなどの非磁性金属材料で形成される。本実施の形態
では、上部金属層３０は、磁気シールドギャップ（電極
２１，３１間のギャップ）を所望の間隔に保つために、
設けられている。もっとも、必ずしも上部金属層３０を
設ける必要はない。The upper metal layer 30 is a conductor,
It is formed of a non-magnetic metal material such as Ta. In the present embodiment, the upper metal layer 30 maintains the magnetic shield gap (gap between the electrodes 21 and 31) at a desired distance.
It is provided. However, it is not always necessary to provide the upper metal layer 30.
【００４７】図３及び図５に示すように、フリー層２６
及びピン層２３のＺ軸方向の両側には、磁区制御のため
のバイアス磁界を付与するバイアス層（磁区制御層）と
しての硬磁性層２８ａ，２８ｂが形成されている。硬磁
性層２８ａ，２８ｂは、例えば、Ｃｒ／ＣｏＰｔ（コバ
ルト白金合金）、Ｃｒ／ＣｏＣｒＰｔ（コバルトクロム
白金合金）、ＴｉＷ／ＣｏＰｔ、ＴｉＷ／ＣｏＣｒＰｔ
などの材料で形成される。これらの層２８ａ，２８ｂの
上側には、Ａｌ２Ｏ３などからなる絶縁層２９が形成さ
れている。絶縁層２９は、層２５，２６，２７が形成さ
れていないピンド層２４上の領域と上部金属層３０との
間、及び、ＴＭＲ素子２が形成されていない下部金属層
２２の領域と上部金属層３０との間にも、連続して形成
されている。絶縁層２９は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＭｇＯ又はＴｉＯ２などの材料で形成される。As shown in FIGS. 3 and 5, the free layer 26
On both sides of the pinned layer 23 in the Z-axis direction, hard magnetic layers 28a and 28b are formed as bias layers (magnetic domain control layers) that apply a bias magnetic field for magnetic domain control. The hard magnetic layers 28a and 28b are made of, for example, Cr / CoPt (cobalt platinum alloy), Cr / CoCrPt (cobalt chromium platinum alloy), TiW / CoPt, TiW / CoCrPt.
It is made of materials such as. An insulating layer 29 made of Al 2 O 3 or the like is formed on the upper side of these layers 28a and 28b. The insulating layer 29 is formed between the region on the pinned layer 24 where the layers 25, 26, 27 are not formed and the upper metal layer 30, and the region where the TMR element 2 is not formed and the upper metal layer 22. The layer 30 is also formed continuously. The insulating layer 29 is made of, for example, Al 2 O 3 or Si.
It is formed of a material such as O 2 , MgO or TiO 2 .
【００４８】ここで、前述した各層のうちの主要な各層
の具体的な構成の一例を、下記の表１に示す。Table 1 below shows an example of a concrete structure of each main layer among the above-mentioned layers.
【００４９】[0049]
【表１】 [Table 1]
【００５０】誘導型磁気変換素子３は、図２及び図３に
示すように、当該素子３に対する下部磁性層としても兼
用される前記上部電極３１、上部磁性層３６、コイル層
３７、アルミナ等からなるライトギャップ層３８、ノボ
ラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶縁層３９及びア
ルミナ等からなる保護層４０などを有している。磁性層
３６の材質としては、例えば、ＮｉＦｅ又はＦｅＮなど
が用いられる。下部磁性層としても兼用された上部電極
３１及び上部磁性層３６の先端部は、微小厚みのアルミ
ナなどのライトギャップ層３８を隔てて対向する下部ポ
ール部３１ａ及び上部ポール部３６ａとなっており、下
部ポール部３１ａ及び上部ポール部３６ａにおいて磁気
記録媒体に対して情報の書き込みを行なう。下部磁性層
としても兼用された上部電極３１及び上部磁性層３６
は、そのヨーク部が下部ポール部３１ａ及び上部ポール
部３６ａとは反対側にある結合部４１において、磁気回
路を完成するように互いに結合されている。絶縁層３９
の内部には、ヨーク部の結合部４１のまわりを渦巻状に
まわるように、コイル層３７が形成されている。コイル
層３７の両端は、ボンディングパッド５ｃ，５ｄに電気
的に接続されている。コイル層３７の巻数及び層数は任
意である。また、誘導型磁気変換素子３の構造も任意で
よい。As shown in FIGS. 2 and 3, the inductive magnetic conversion element 3 includes the upper electrode 31, the upper magnetic layer 36, the coil layer 37, alumina, etc., which also serves as the lower magnetic layer for the element 3. A light gap layer 38, an insulating layer 39 made of an organic resin such as a novolac resin, and a protective layer 40 made of alumina or the like. As the material of the magnetic layer 36, for example, NiFe or FeN is used. The tip portions of the upper electrode 31 and the upper magnetic layer 36, which also serve as the lower magnetic layer, are the lower pole portion 31a and the upper pole portion 36a which face each other across the write gap layer 38 made of alumina or the like having a small thickness. Information is written to the magnetic recording medium in the lower pole portion 31a and the upper pole portion 36a. The upper electrode 31 and the upper magnetic layer 36 which are also used as the lower magnetic layer
Are coupled to each other at a coupling portion 41 whose yoke portion is on the side opposite to the lower pole portion 31a and the upper pole portion 36a so as to complete a magnetic circuit. Insulation layer 39
Inside, the coil layer 37 is formed so as to spiral around the coupling portion 41 of the yoke portion. Both ends of the coil layer 37 are electrically connected to the bonding pads 5c and 5d. The number of turns and the number of layers of the coil layer 37 are arbitrary. Further, the structure of the inductive magnetic conversion element 3 may be arbitrary.
【００５１】次に、本実施の形態による磁気ヘッドの製
造方法の一例について、説明する。Next, an example of the method of manufacturing the magnetic head according to the present embodiment will be described.
【００５２】まず、ウエハ工程を行う。すなわち、基体
１５となるべきＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ又はＳｉＣ等のウエ
ハ１０１を用意し、薄膜形成技術等を用いて、ウエハ１
０１上のマトリクス状の多数の磁気ヘッドの形成領域に
それぞれ、前述した各層を前述した構造となるように形
成する。First, a wafer process is performed. That is, a wafer 101 such as Al 2 O 3 —TiC or SiC to be the base 15 is prepared, and the wafer 1 is formed by using a thin film forming technique or the like.
Each of the layers described above is formed in the formation region of a large number of magnetic heads in a matrix on 01 so as to have the above-described structure.
【００５３】このウエハ工程の概要について、図６乃至
図１０を参照して説明する。図６乃至図１０はウエハ工
程を構成する各工程を模式的に示す図であり、図６
（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）、図９（ａ）及び図１
０（ａ）はそれぞれ概略平面図である。図６（ｂ）は図
６（ａ）中のＢ−Ｃ線に沿った概略断面図、図７（ｂ）
は図７（ａ）中のＢ−Ｃ線に沿った概略断面図、図８
（ｂ）は図８（ａ）中のＢ−Ｃ線に沿った概略断面図、
図９（ｂ）は図９（ａ）中のＢ−Ｃ線に沿った概略断面
図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）中のＢ−Ｃ線に沿った
概略断面図である。なお、図９（ａ）において、ＴＷは
ＴＭＲ素子２が規定するトラック幅を示し、ＰＭＤは硬
磁性層２８ａ，２８ｂ間の幅（Permanent Magnet Dista
nceと呼ばれる。）を示す。An outline of this wafer process will be described with reference to FIGS. 6 to 10 are diagrams schematically showing each step constituting the wafer step.
(A), FIG. 7 (a), FIG. 8 (a), FIG. 9 (a), and FIG.
0 (a) is a schematic plan view. FIG. 6B is a schematic sectional view taken along line B-C in FIG. 6A, and FIG.
8 is a schematic sectional view taken along line B-C in FIG.
FIG. 8B is a schematic cross-sectional view taken along the line B-C in FIG.
9B is a schematic sectional view taken along the line B-C in FIG. 9A, and FIG. 10B is a schematic sectional view taken along the line B-C in FIG. 10A. In FIG. 9A, TW indicates the track width defined by the TMR element 2, and PMD indicates the width between the hard magnetic layers 28a and 28b (Permanent Magnet Dista).
called nce. ) Is shown.
【００５４】ウエハ工程では、まず、ウエハ１０１上
に、下地層１６、下部電極２１、下部金属層２２、ピン
層２３、ピンド層２４、トンネルバリア層２５、フリー
層２６、上部金属層２７を、順次積層する（図６）。こ
のとき、下部電極２１は例えばめっき法により形成し、
他の層は例えばスパッタ法で形成する。In the wafer process, first, the base layer 16, the lower electrode 21, the lower metal layer 22, the pinned layer 23, the pinned layer 24, the tunnel barrier layer 25, the free layer 26, and the upper metal layer 27 are formed on the wafer 101. Laminate sequentially (FIG. 6). At this time, the lower electrode 21 is formed by, for example, a plating method,
The other layers are formed by, for example, the sputtering method.
【００５５】上部金属層２７を形成する工程では、窒化
されていない金属をターゲットとした反応性スパッタ法
により金属窒化物の層を形成してもよい。例えば、上部
金属層２７をＴｉＮで形成するときには、ターゲットと
してＴｉを用い、チャンバー圧力を５ｍＴｏｒｒ、パワ
ーを１．５ｋＷ、Ａｒガス圧を２×１０−４Ｔｏｒｒ、
基板温度を５０℃、Ｎ２の流量を５０ｓｃｃｍとした条
件で、反応性スパッタ法により上部金属層２７を形成す
ることができる。In the step of forming the upper metal layer 27, a metal nitride layer may be formed by a reactive sputtering method using a non-nitrided metal as a target. For example, when the upper metal layer 27 is formed of TiN, Ti is used as a target, the chamber pressure is 5 mTorr, the power is 1.5 kW, the Ar gas pressure is 2 × 10 −4 Torr,
The upper metal layer 27 can be formed by the reactive sputtering method under the conditions that the substrate temperature is 50 ° C. and the N 2 flow rate is 50 sccm.
【００５６】しかし、このように反応性スパッタ法によ
り上部金属層２７を形成すると、磁気抵抗効果層の最上
層のフリー層２６などがＮ２プラズマなどに晒されるこ
とによる、素子の特性劣化が懸念される。However, when the upper metal layer 27 is formed by the reactive sputtering method as described above, the characteristics of the element may be deteriorated due to the exposure of the uppermost free layer 26 of the magnetoresistive layer to N 2 plasma. To be done.
【００５７】そこで、上部金属層２７を形成する工程で
は、金属窒化物自体をターゲットとしたスパッタ法によ
り金属窒化物の層を形成することが好ましい。例えば、
上部金属層２７をＴｉＮで形成するときには、ターゲッ
トとしてＴｉＮを用い、チャンバー圧力を０．５Ｐａ、
パワーを３００Ｗ〜１ｋＷ、基板温度を５０℃とした条
件で、スパッタ法により上部金属層２７を形成すること
ができる。この場合、磁気抵抗効果層の最上層のフリー
層２６などが、上部金属層２７の成膜中に窒化された
り、プラズマによるダメージを受けたりすることがな
い。反応性スパッタを使わないので、一般的に成膜レー
トが遅くなるが、大気に暴露されることによる磁気抵抗
効果層の酸化を防止するために必要な金属窒化物の層の
膜厚は薄くてすむので、その成膜に必要な時間はさほど
要しない。Therefore, in the step of forming the upper metal layer 27, it is preferable to form the metal nitride layer by the sputtering method using the metal nitride itself as a target. For example,
When the upper metal layer 27 is formed of TiN, TiN is used as a target, the chamber pressure is 0.5 Pa,
The upper metal layer 27 can be formed by the sputtering method under the conditions that the power is 300 W to 1 kW and the substrate temperature is 50 ° C. In this case, the uppermost free layer 26 of the magnetoresistive effect layer and the like are not nitrided during the formation of the upper metal layer 27 and are not damaged by the plasma. Since reactive sputtering is not used, the deposition rate is generally slow, but the thickness of the metal nitride layer required to prevent oxidation of the magnetoresistive layer due to exposure to the atmosphere is small. Therefore, the time required for the film formation is not so long.
【００５８】その後、イオンミリングにより、ピン層２
３、ピンド層２４、トンネルバリア層２５、フリー層２
６及び上部金属層２７を、部分的に除去する（図７）。
次いで、硬磁性層２８ａ，２８ｂを部分的に形成する
（図８）。その後、イオンミリングにより、トンネルバ
リア層２５及びフリー層２６及び上部金属層を、所定の
形状にパターニングする（図９）。After that, the pinned layer 2 is formed by ion milling.
3, pinned layer 24, tunnel barrier layer 25, free layer 2
6 and the upper metal layer 27 are partially removed (FIG. 7).
Next, the hard magnetic layers 28a and 28b are partially formed (FIG. 8). After that, the tunnel barrier layer 25, the free layer 26, and the upper metal layer are patterned into a predetermined shape by ion milling (FIG. 9).
【００５９】次いで、リフトオフ法により絶縁層２９を
形成する。その後、この状態の基板１０１が一旦大気中
に置かれる。このとき、上部金属層２７が従来のように
Ｔａ等で形成されていれば上部金属層２７の上面に酸化
膜が形成される。しかし、本実施の形態では、上部金属
層２７の少なくとも最上層が金属窒化物で形成されてい
るので、上部金属層２７の上面は実質的に酸化されな
い。したがって、従来必要であった上部金属層２７の表
面酸化膜の除去が不要となり、酸化膜除去のためのドラ
イエッチングを行うことなく、引き続いて、上部金属層
２７をスパッタ法等により形成し、更に、メッキ法等に
より上部電極３１を形成する（図１０）。Next, the insulating layer 29 is formed by the lift-off method. After that, the substrate 101 in this state is once placed in the atmosphere. At this time, if the upper metal layer 27 is formed of Ta or the like as in the conventional case, an oxide film is formed on the upper surface of the upper metal layer 27. However, in the present embodiment, at least the uppermost layer of the upper metal layer 27 is formed of metal nitride, so that the upper surface of the upper metal layer 27 is not substantially oxidized. Therefore, it becomes unnecessary to remove the surface oxide film of the upper metal layer 27, which is conventionally required, and the upper metal layer 27 is subsequently formed by a sputtering method or the like without performing dry etching for removing the oxide film. The upper electrode 31 is formed by a plating method or the like (FIG. 10).
【００６０】最後に、ギャップ層３８、コイル層３７、
絶縁層３９、上部磁性層３６及び保護膜４０を形成し
（図２）、更に電極５ａ〜５ｄ等を形成する。これによ
り、ウエハ工程が完了する。Finally, the gap layer 38, the coil layer 37,
The insulating layer 39, the upper magnetic layer 36, and the protective film 40 are formed (FIG. 2), and the electrodes 5a to 5d are formed. This completes the wafer process.
【００６１】次に、ウエハ工程後が完了したウエハに対
して、公知の工程を経て磁気ヘッドを完成させる。簡単
に説明すると、前記ウエハから、基体上に複数の磁気ヘ
ッドの部分が一列状に配列された各バー（バー状磁気ヘ
ッド集合体）切り出す。次いで、このバーに対して、ス
ロートハイト、ＭＲハイト等を設定するために、そのＡ
ＢＳ側にラッピング処理（研磨）を施す。このとき、上
部金属層２７が金や白金等の貴金属で形成されていれば
ＡＢＳ側のリセスが増大し、流出した貴金属が素子の絶
縁部をショートさせるなどの問題が発生する。しかし、
本実施の形態では、上部金属層２７が金属窒化物が形成
されており、金属窒化物は堅いので、このような問題が
発生しない。Next, the magnetic head is completed through known processes for the wafer which has been subjected to the wafer process. Briefly, each bar (bar-shaped magnetic head assembly) in which a plurality of magnetic head portions are arranged in a line on a substrate is cut out from the wafer. Then, in order to set the throat height, MR height, etc. for this bar, the A
Lapping treatment (polishing) is performed on the BS side. At this time, if the upper metal layer 27 is formed of a noble metal such as gold or platinum, the recess on the ABS side increases, and the outflowing noble metal causes a problem such as short-circuiting the insulating portion of the element. But,
In the present embodiment, the upper metal layer 27 is formed of metal nitride, and the metal nitride is hard, so such a problem does not occur.
【００６２】その後、必要に応じて、スメア除去のため
に、ラッピング処理後のバーのＡＢＳ側の面をエッチン
グする。次に、ＡＢＳ側に保護膜４を形成し、更に、エ
ッチング等によりレール１１，１２を形成する。最後
に、機械加工により切断してバーを個々の磁気ヘッドに
分離する。これにより、本実施の形態による磁気ヘッド
が完成する。After that, if necessary, the ABS side surface of the bar after the lapping process is etched to remove smear. Next, the protective film 4 is formed on the ABS side, and the rails 11 and 12 are further formed by etching or the like. Finally, it is cut by machining to separate the bars into individual magnetic heads. As a result, the magnetic head according to this embodiment is completed.
【００６３】金属窒化物は、大気中に置いても実質的に
酸化せず、しかも金属窒化物の電気抵抗はさほど高くな
い。本実施の形態では、前述したように、上部金属層２
７の少なくとも最上層が金属窒化物で形成されているの
で、上部金属層２７の表面酸化膜の除去が不要となり、
低抵抗化を実現することができる。上部金属層２７の表
面酸化膜の除去が不要であるので、その除去の際に生ず
る磁気抵抗効果層へのイオンビームダメージを完全に回
避することができる。また、上部金属層２７の表面酸化
膜の除去が不要であるので、製造工程が少なくなり、コ
ストダウンを図ることができる。したがって、本実施の
形態によれば、磁気抵抗効果層にイオンビームダメージ
を与えることなく低抵抗化を実現することができるとと
もに、製造工程が少なくなりコストダウンを図ることが
できる。The metal nitride does not substantially oxidize even when placed in the atmosphere, and the electric resistance of the metal nitride is not so high. In the present embodiment, as described above, the upper metal layer 2
Since at least the uppermost layer of 7 is formed of metal nitride, it is not necessary to remove the surface oxide film of the upper metal layer 27,
A low resistance can be realized. Since it is not necessary to remove the surface oxide film of the upper metal layer 27, it is possible to completely avoid ion beam damage to the magnetoresistive effect layer that occurs during the removal. Further, since it is not necessary to remove the surface oxide film of the upper metal layer 27, the number of manufacturing steps can be reduced and the cost can be reduced. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize a low resistance without damaging the magnetoresistive effect layer with an ion beam, and it is possible to reduce the manufacturing process and cost.
【００６４】さらに、上部金属層２７の表面酸化膜の除
去が不要であるので、表面酸化膜の除去の際のイオンビ
ームダメージを低減させるべく上部金属層２７を厚くす
るような必要がなく、上部金属層２７を薄くすることが
できる。したがって、磁気抵抗効果層を所望の形状にミ
リングする際に定まる磁気抵抗効果層の端面形状が良好
となり、また、ＭＲギャップを狭めることができる。Ｍ
Ｒギャップを狭めることができるため、高記録密度化を
図ることができる。Further, since it is not necessary to remove the surface oxide film of the upper metal layer 27, it is not necessary to thicken the upper metal layer 27 to reduce ion beam damage when removing the surface oxide film. The metal layer 27 can be thinned. Therefore, the end face shape of the magnetoresistive effect layer, which is determined when milling the magnetoresistive effect layer into a desired shape, becomes good, and the MR gap can be narrowed. M
Since the R gap can be narrowed, high recording density can be achieved.
【００６５】また、前述したように、上部金属層２７の
少なくとも最上層が金属窒化物で形成されているので、
金属窒化物は極めて堅いことから、ＡＢＳ研磨により生
ずるリセスが増大するようなことがないとともに、素子
の絶縁部をショートさせるなどの問題が発生し難くな
る。また、金属窒化物はエレクトロマイグレーション耐
性が高いので、エレクトロマイグレーションによる問題
も生じない。Further, as described above, since at least the uppermost layer of the upper metal layer 27 is formed of metal nitride,
Since the metal nitride is extremely hard, the recesses caused by the ABS polishing do not increase, and the problems such as short-circuiting the insulating portion of the element hardly occur. In addition, since metal nitride has high electromigration resistance, problems due to electromigration do not occur.
【００６６】［第２の実施の形態］[Second Embodiment]
【００６７】図１１は、本発明の第２の実施の形態によ
る磁気ヘッドのＧＭＲ素子６及び誘導型磁気変換素子３
の部分を模式的に示す拡大断面図であり、図２に対応し
ている。図１２は、図１１中のＤ−Ｄ’矢視のＧＭＲ素
子６付近を更に拡大した拡大図である。図１１及び図１
２において、図２乃至図５中の要素と同一又は対応する
要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略す
る。FIG. 11 shows the GMR element 6 and the inductive magnetic conversion element 3 of the magnetic head according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the portion of FIG. 2 and corresponds to FIG. 2. FIG. 12 is an enlarged view in which the vicinity of the GMR element 6 as seen from the arrow DD ′ in FIG. 11 is further enlarged. 11 and 1
2, the same or corresponding elements as those in FIGS. 2 to 5 are designated by the same reference numerals, and the duplicate description thereof will be omitted.
【００６８】第２の実施の形態は、ＬＯＬ構造を持つ磁
気ヘッドの一例である。第２の実施の形態による磁気ヘ
ッドが前記第１の実施の形態による磁気ヘッドと異なる
所は、層２１，３１間の構造と、これに伴う層２１，３
１の機能である。前記第１の実施の形態では、層２１，
３１がそれぞれ磁気シールド及び電極を兼用しているの
に対し、第２の実施の形態では、層２１，３１は、磁気
シールドとしてのみ用いられ、電極として作用しない。
したがって、第２の実施の形態では、層２１，３１をそ
れぞれ下部磁気シールド層及び上部磁気シールド層と呼
ぶ。The second embodiment is an example of a magnetic head having a LOL structure. The magnetic head according to the second embodiment differs from the magnetic head according to the first embodiment in that the structure between layers 21 and 31 and the layers 21 and 3 associated therewith are different.
This is the function of 1. In the first embodiment, the layers 21,
In the second embodiment, the layers 21 and 31 are used only as magnetic shields and do not act as electrodes, whereas 31 serves as a magnetic shield and an electrode, respectively.
Therefore, in the second embodiment, the layers 21 and 31 are called the lower magnetic shield layer and the upper magnetic shield layer, respectively.
【００６９】第２の実施の形態では、図１１及び図１２
に示すように、下部磁気シールド層２１と上部磁気シー
ルド層３１との間に、下部シールドギャップ層５１及び
上部シールドギャップ層５２が形成されている。磁気抵
抗効果素子として前記第１の実施の形態におけるＴＭＲ
素子２に代わりに設けられたＧＭＲ素子６が、シールド
ギャップ層５１，５２間に形成されている。図１１中に
おいて、５３はシールドギャップ層５１，５２間に形成
されたシールドギャップ層である。シールドギャップ層
５１，５２，５３は、例えば、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２
などの材料で形成される。In the second embodiment, FIGS. 11 and 12 are used.
As shown in, the lower shield gap layer 51 and the upper shield gap layer 52 are formed between the lower magnetic shield layer 21 and the upper magnetic shield layer 31. TMR in the first embodiment as a magnetoresistive effect element
The GMR element 6 provided instead of the element 2 is formed between the shield gap layers 51 and 52. In FIG. 11, 53 is a shield gap layer formed between the shield gap layers 51 and 52. The shield gap layers 51, 52, 53 are made of, for example, Al 2 O 3 or SiO 2
It is made of materials such as.
【００７０】ＧＭＲ素子６は、下部シールドギャップ層
５１上に形成された例えばＳＶＭＲ多層膜又はＡＭＲ単
層膜からなるＭＲ膜（磁気抵抗効果層）５４を有してい
る。ＭＲ膜５４の層厚は、例えば、約４０〜６０ｎｍで
ある。磁区制御層としてのＣｏ系合金からなる硬磁性層
５５ａ，５５ｂ（層厚は例えば約６０〜８０ｎｍ）が、
ＭＲ膜５４のトラック幅方向の両端に接して、下部シー
ルドギャップ層５１上に形成されている。The GMR element 6 has an MR film (magnetoresistive layer) 54 which is formed on the lower shield gap layer 51 and is made of, for example, an SVMR multilayer film or an AMR single layer film. The layer thickness of the MR film 54 is, for example, about 40 to 60 nm. The hard magnetic layers 55a and 55b (having a layer thickness of, for example, about 60 to 80 nm) as a magnetic domain control layer made of a Co-based alloy,
The MR film 54 is formed on the lower shield gap layer 51 in contact with both ends in the track width direction.
【００７１】ＭＲ膜５４の上面には、前記第１の実施の
形態における上部金属層２７に相当する導電性保護層と
しての、上部金属層（キャップ層）５６が形成されてい
る。上部金属層５６は、上部金属層２７と同じく、例え
ば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、
ＣｒＮ、ＷＮ及びＭｏＮなどの金属窒化物の単層膜で構
成される。もっとも、上部金属層５６を複数層で構成し
てもよく、その場合には、少なくとも最上層を金属窒化
物で形成すればよい。また、上部金属層５６の厚さにつ
いても、上部金属層２７の場合と同様である。本実施の
形態では、上部金属層５６は、エッチングストップ層と
しても用いられる。An upper metal layer (cap layer) 56 is formed on the upper surface of the MR film 54 as a conductive protective layer corresponding to the upper metal layer 27 in the first embodiment. The upper metal layer 56 is similar to the upper metal layer 27 in that, for example, TiN, ZrN, HfN, VN, NbN, TaN,
It is composed of a single layer film of metal nitride such as CrN, WN and MoN. However, the upper metal layer 56 may be composed of a plurality of layers, in which case at least the uppermost layer may be formed of metal nitride. Further, the thickness of the upper metal layer 56 is similar to that of the upper metal layer 27. In the present embodiment, the upper metal layer 56 is also used as an etching stop layer.
【００７２】第１のリード層（電極層）５７ａ，５７ｂ
（層厚は例えば約２０〜６０ｎｍ）が、上部金属層５６
を介してＭＲ膜５４の両端部にそれぞれ部分的にオーバ
ーラップするように、上部金属層５６及び硬磁性層５５
ａ，５５ｂ上にそれぞれ形成されている。第１のリード
層５７ａ，５７ｂは、例えば、Ａｕ、ＡｕＣｕ、ＡｕＮ
ｉ、ＡｕＳｉ又はＡｌＴｉなどの材料で形成される。第
１のリード層５７ａ，５７ｂ上には、キャップ層５８
ａ，５８ｂがそれぞれ積層されパターニングされてい
る。キャップ層５８ａ，５８ｂ上には、第２のリード層
５９ａ，５９ｂがそれぞれ積層されている。First lead layers (electrode layers) 57a, 57b
(The layer thickness is, for example, about 20 to 60 nm), but the upper metal layer 56
The upper metal layer 56 and the hard magnetic layer 55 so as to partially overlap with both ends of the MR film 54 via
It is formed on each of a and 55b. The first lead layers 57a and 57b are made of, for example, Au, AuCu, AuN.
It is formed of a material such as i, AuSi, or AlTi. A cap layer 58 is formed on the first lead layers 57a and 57b.
a and 58b are laminated and patterned. Second lead layers 59a and 59b are laminated on the cap layers 58a and 58b, respectively.
【００７３】次に、第２の実施の形態による磁気ヘッド
の製造方法の一例について、説明する。この製造方法
が、前記第１の実施の形態による磁気ヘッドの前述した
製造方法と異なる所は、ウエハ工程の具体的な内容のみ
である。このウエハ工程の概要について、図１３及び図
１４を参照して説明する。Next, an example of a method of manufacturing the magnetic head according to the second embodiment will be described. This manufacturing method differs from the above-described manufacturing method of the magnetic head according to the first embodiment only in the specific contents of the wafer process. An outline of this wafer process will be described with reference to FIGS. 13 and 14.
【００７４】図１３及び図１４は、ウエハ工程を構成す
る各工程を模式的に示す概略断面図である。13 and 14 are schematic cross-sectional views schematically showing the respective steps constituting the wafer step.
【００７５】このウエハ工程では、まず、基体１５とな
るべきＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ又はＳｉＣ等のウエハ１０１
上に、下地層１６、下部磁気シールド層２１、下部シー
ルドギャップ層５１、ＭＲ膜５４、上部金属層５６を、
順次積層する（図１３（ａ））。このとき、下部磁気シ
ールド層２１は例えばめっき法により形成し、他の層は
例えばスパッタ法で形成する。上部金属層５６を形成す
る工程は、前記第１の実施の形態における上部金属層２
７の形成工程と同様に行われる。In this wafer process, first, a wafer 101 such as Al 2 O 3 —TiC or SiC to be the base 15 is formed.
The underlayer 16, the lower magnetic shield layer 21, the lower shield gap layer 51, the MR film 54, and the upper metal layer 56 are formed on the upper layer.
The layers are sequentially laminated (FIG. 13A). At this time, the lower magnetic shield layer 21 is formed by, for example, a plating method, and the other layers are formed by, for example, a sputtering method. The step of forming the upper metal layer 56 is performed by the upper metal layer 2 in the first embodiment.
The formation process of No. 7 is performed.
【００７６】次に、イオンミリングによりＭＲ膜５４及
び上部金属層５６を部分的に除去した後、硬磁性層５５
ａ，５５ｂを部分的に形成する（図１３（ｂ））。その
後、この状態の基板１０１が一旦大気中に置かれる。こ
のとき、上部金属層５６の少なくとも最上層が金属窒化
物で形成されているので、上部金属層５６の上面は実質
的に酸化されない。したがって、従来必要であった上部
金属層５６の表面酸化膜の除去が不要となり、酸化膜除
去のためのドライエッチングを行うことなく、引き続い
て、第１のリード層５７ａ，５７ｂとなるべき金属層５
７、及び、キャップ層５８ａ，５８ｂとなるべき金属層
５８を順次成膜する（図１３（ｃ））。Next, after the MR film 54 and the upper metal layer 56 are partially removed by ion milling, the hard magnetic layer 55.
a and 55b are partially formed (FIG. 13B). After that, the substrate 101 in this state is once placed in the atmosphere. At this time, since at least the uppermost layer of the upper metal layer 56 is formed of metal nitride, the upper surface of the upper metal layer 56 is not substantially oxidized. Therefore, it becomes unnecessary to remove the surface oxide film of the upper metal layer 56, which is conventionally required, and the metal layers to be the first lead layers 57a and 57b can be continuously formed without performing the dry etching for removing the oxide film. 5
7 and the metal layer 58 to be the cap layers 58a and 58b are sequentially formed (FIG. 13C).
【００７７】次いで、金属層５８上に、フォトリソグラ
フィーによってレジストパターン９０を形成する（図１
３（ｄ））。Next, a resist pattern 90 is formed on the metal layer 58 by photolithography (FIG. 1).
3 (d)).
【００７８】その後、このレジストパターン９０をマス
クとしてＣＦ４ガスを用いて、金属層５８をエッチング
して、キャップ層５８ａ，５８ｂの形状にパターニング
する（図１４（ａ））。キャップ層５８ａ，５８ｂの材
料としてＴａを用いた場合のエッチング条件は、例え
ば、次の表２の通りである。Then, using the resist pattern 90 as a mask, CF 4 gas is used to etch the metal layer 58 to pattern the shape of the cap layers 58a and 58b (FIG. 14A). The etching conditions when Ta is used as the material of the cap layers 58a and 58b are, for example, as shown in Table 2 below.
【００７９】[0079]
【表２】 [Table 2]
【００８０】ＣＦ４ガスを使用してこのような条件を用
いることにより、エッチングされるキャップ層５８ａ，
５８ｂのバリ発生を防止できる。なお、ＣＦ４ガスの代
わりに、レジスト材料とキャップ層５８ａ，５８ｂの材
料との選択比が取れるガス、例えばＣ２Ｆ６ガス又はＳ
Ｆ６ガスを用いてもよい。By using such a condition using CF 4 gas, the cap layer 58a to be etched,
The burr of 58b can be prevented. It should be noted that, instead of CF 4 gas, a gas that allows a selective ratio of the resist material and the material of the cap layers 58a and 58b, such as C 2 F 6 gas or S, is used.
It may be used F 6 gas.
【００８１】次に、Ｏ２ガスによりアッシングを行い、
レジストパターン９０を除去する（図１４（ｂ））。キ
ャップ層５８ａ，５８ｂの材料としてＴａを用いた場合
のアッシング条件は、例えば、次の表３の通りである。
なお、レジストパターン９０の下に存在するキャップ層
５８ａ，５８ｂは、このアッシング条件ではほとんどエ
ッチングされない。Next, ashing is performed with O 2 gas,
The resist pattern 90 is removed (FIG. 14B). The ashing conditions when Ta is used as the material of the cap layers 58a and 58b are, for example, as shown in Table 3 below.
Note that the cap layers 58a and 58b existing under the resist pattern 90 are hardly etched under this ashing condition.
【００８２】[0082]
【表３】 [Table 3]
【００８３】次いで、キャップ層５８ａ，５８ｂをマス
クとし、Ａｒ及びＯ２の混合ガスを用いて金属層５７を
ドライエッチングして、第１のリード層５７ａ，５７ｂ
の形状にパターニングする（図１４（ｃ））。キャップ
層５８ａ，５８ｂの材料としてＴａを用いるとともに第
１のリード層５７ａ，５７ｂの材料としてＡｕを用いた
場合のエッチング条件は、例えば、次の表４に示す通り
である。Next, using the cap layers 58a and 58b as masks, the metal layer 57 is dry-etched using a mixed gas of Ar and O 2 to form the first lead layers 57a and 57b.
Patterning is performed (FIG. 14C). The etching conditions when Ta is used as the material of the cap layers 58a and 58b and Au is used as the material of the first lead layers 57a and 57b are, for example, as shown in Table 4 below.
【００８４】[0084]
【表４】 [Table 4]
【００８５】本実施の形態のように、Ａｒ及びＯ２の混
合ガスを用いて第１のリード層５７ａ，５７ｂのドライ
エッチングを行うと、ＡｕのＴａに対する選択比が３
４．６と非常に高いため、Ｔａによるマスクであるキャ
ップ層５８ａ，５８ｂを薄くした場合にも、Ａｕによる
リード層５７ａ，５７ｂを確実にかつ精度良くエッチン
グすることができる。When the first lead layers 57a and 57b are dry-etched using a mixed gas of Ar and O 2 as in this embodiment, the selectivity ratio of Au to Ta is 3%.
Since it is very high at 4.6, the lead layers 57a, 57b made of Au can be surely and accurately etched even when the cap layers 58a, 58b, which are masks made of Ta, are made thin.
【００８６】次に、キャップ層５８ａ，５８ｂ上に第２
のリード層５９ａ，５９ｂを形成し、更にこれらの上に
Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の上部シールドギャップ層５
２を成膜する。Next, a second layer is formed on the cap layers 58a and 58b.
Lead layers 59a and 59b are formed on the upper shield gap layer 5 of Al 2 O 3 or SiO 2.
2 is formed into a film.
【００８７】次いで、メッキ法等により上部磁気シール
ド３１を形成する。最後に、ギャップ層３８、コイル層
３７、絶縁層３９、上部磁性層３６及び保護膜４０を形
成し、更に電極５ａ〜５ｄ等を形成する。これにより、
ウエハ工程が完了する。Next, the upper magnetic shield 31 is formed by a plating method or the like. Finally, the gap layer 38, the coil layer 37, the insulating layer 39, the upper magnetic layer 36, and the protective film 40 are formed, and further the electrodes 5a to 5d are formed. This allows
The wafer process is completed.
【００８８】その後、前記第１の実施の形態に関して説
明した各工程を行う。これによって、図１１及び図１２
に示す磁気ヘッドが完成する。After that, the steps described in regard to the first embodiment are performed. As a result, FIG. 11 and FIG.
The magnetic head shown in is completed.
【００８９】本実施の形態によれば、上部金属層５６の
少なくとも最上層が金属窒化物で形成されているので、
前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。According to the present embodiment, since at least the uppermost layer of the upper metal layer 56 is formed of metal nitride,
The same advantages as those of the first embodiment can be obtained.
【００９０】［第３の実施の形態］[Third Embodiment]
【００９１】図１５は、本発明の第３の実施の形態によ
るヘッドサスペンションアセンブリを示す磁気記録媒体
対向面側から見た概略平面図である。FIG. 15 is a schematic plan view of the head suspension assembly according to the third embodiment of the present invention, as seen from the side facing the magnetic recording medium.
【００９２】第３の実施の形態によるヘッドサスペンシ
ョンアセンブリは、磁気ヘッド７１と、磁気ヘッド７１
が先端部付近に搭載され磁気ヘッド７１を支持するサス
ペンション７２と、を備えている。磁気ヘッド７１とし
て、前述した第１又は第２の実施の形態による磁気ヘッ
ドが、用いられている。図１１では、磁気ヘッド７１の
構成要素としてスライダ１（図１も参照）のみを示して
いる。The head suspension assembly according to the third embodiment includes a magnetic head 71 and a magnetic head 71.
And a suspension 72 that is mounted near the tip and supports the magnetic head 71. As the magnetic head 71, the magnetic head according to the first or second embodiment described above is used. In FIG. 11, only the slider 1 (see also FIG. 1) is shown as a component of the magnetic head 71.
【００９３】サスペンション７２は、磁気ヘッド７１の
スライダ１が装着されるフレクシャ７３と、フレクシャ
７３を支持し磁気ヘッド７１のスライダ１に押圧力（荷
重）を付与するロードビーム７４と、ベースプレート７
５と、を有している。The suspension 72 has a flexure 73 on which the slider 1 of the magnetic head 71 is mounted, a load beam 74 which supports the flexure 73 and applies a pressing force (load) to the slider 1 of the magnetic head 71, and a base plate 7.
5 and.
【００９４】フレクシャ７３は、図面には示していない
が、先端側から基端側にかけて、帯状に延びた薄いステ
ンレス鋼板等からなる基板と、該基板上に形成されたポ
リイミド層等からなる絶縁層と、該絶縁層上に形成され
た信号入出力用の４本の導体パターン８１ａ〜８１ｄ
と、これらの上に形成されたポリイミド層等からなる保
護層と、から構成されている。導体パターン８１ａ〜８
１ｄは、フレクシャ７３の長さ方向にほぼその全長に渡
って形成されている。Although not shown in the drawing, the flexure 73 includes a substrate made of a thin stainless steel plate or the like extending in a strip shape from the front end side to the base end side, and an insulating layer made of a polyimide layer or the like formed on the substrate. And four conductor patterns 81a to 81d for signal input / output formed on the insulating layer
And a protective layer formed on these and made of a polyimide layer or the like. Conductor patterns 81a-8
1d is formed over the entire length of the flexure 73 in the longitudinal direction.
【００９５】フレクシャ７３の先端部には、平面視で略
々コ字状の抜き溝８２が形成されることによりジンバル
部８３が構成され、ジンバル部８３に磁気ヘッド７１の
スライダ１が接着剤等により接合されている。フレクシ
ャ７３には、スライダ１に設けられたボンディングパッ
ド５ａ〜５ｄ（図１参照）と近接する箇所において、導
体パターン８１ａ〜８１ｄの一端部がそれぞれ電気的に
接続された４つのボンディングパッドが、それぞれ形成
されている。これらのボンディングパッドは、金ボール
等によりスライダ１のボンディングパッド５ａ〜５ｄに
それぞれ電気的に接続されている。また、フレクシャ７
３の基端側には、導体パターン８１ａ〜８１ｄの他端部
がそれぞれ電気的に接続された外部回路接続用のボンデ
ィングパッド８４ａ〜８４ｄが、形成されている。A gimbal portion 83 is formed by forming an approximately U-shaped cutout groove 82 in a plan view at the tip of the flexure 73, and the slider 1 of the magnetic head 71 is attached to the gimbal portion 83 with an adhesive or the like. Are joined by. The flexure 73 has four bonding pads electrically connected to one ends of the conductor patterns 81a to 81d, respectively, at locations near the bonding pads 5a to 5d (see FIG. 1) provided on the slider 1. Has been formed. These bonding pads are electrically connected to the bonding pads 5a to 5d of the slider 1 by gold balls or the like. Also, flexure 7
Bonding pads 84a to 84d for external circuit connection, to which the other ends of the conductor patterns 81a to 81d are electrically connected, are formed on the base end side of 3.
【００９６】ロードビーム７４は、比較的厚いステンレ
ス鋼板等によって形成されている。ロードビーム７４
は、先端側の平面視で略三角形状の剛性部７４ａと、基
端側のベースプレート接合部と、剛性部７４ａと前記接
合部との間に位置し磁気ヘッド７１のスライダ１に付与
する押圧力を発生させる弾性部７４ｂと、前記接合部か
ら側方に延在しフレクシャ７４の基端側部分を支持する
支持部７４ｃと、を有している。図１１において、７４
ｄは剛性部７４ａの剛性を高めるための折り曲げ起立
部、７４ｅは弾性部７４ｂが発生する押圧力を調整する
穴である。ロードビーム７４の剛性部７４ａには、フレ
クシャ７３が、レーザ溶接等による複数のスポット溶接
点９１で固着されている。また、ロードビーム７４の前
記接合部には、ベースプレート７５が、複数のスポット
溶接点９２で固着されている。フレクシャ７３の基端側
部分は、ベースプレート７５から側方にはみ出したロー
ドビーム７４の支持部７４ｃにより、支持されている。The load beam 74 is formed of a relatively thick stainless steel plate or the like. Load beam 74
Is a rigid portion 74a having a substantially triangular shape in plan view on the distal end side, a base plate joint portion on the proximal end side, and a pressing force applied to the slider 1 of the magnetic head 71 located between the rigid portion 74a and the joint portion. And a support portion 74c that extends laterally from the joint portion and supports the base end side portion of the flexure 74. In FIG. 11, 74
Reference numeral d denotes a bent standing portion for increasing the rigidity of the rigid portion 74a, and 74e is a hole for adjusting the pressing force generated by the elastic portion 74b. The flexure 73 is fixed to the rigid portion 74a of the load beam 74 at a plurality of spot welding points 91 by laser welding or the like. Further, a base plate 75 is fixed to the joint portion of the load beam 74 at a plurality of spot welding points 92. The base end side portion of the flexure 73 is supported by the support portion 74c of the load beam 74 that laterally extends from the base plate 75.
【００９７】第３の実施の形態では、磁気ヘッド７１と
して、前述した第１又は第２の実施の形態による磁気ヘ
ッドが、搭載されているので、第３の実施の形態による
ヘッドサスペンションアセンブリを磁気ディスク装置等
に用いれば、当該磁気ディスク装置等の高記録密度化及
びコストダウンを図ることができる。In the third embodiment, since the magnetic head according to the first or second embodiment described above is mounted as the magnetic head 71, the head suspension assembly according to the third embodiment is magnetically mounted. When used in a disk device or the like, it is possible to increase the recording density and reduce the cost of the magnetic disk device or the like.
【００９８】以上、本発明の各実施の形態及び実施例に
ついて説明したが、本発明はこれらの例に限定されるも
のではない。Although the respective embodiments and examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these examples.
【００９９】前述した各実施の形態では、前述した構造
のＴＭＲ素子を有する磁気ＴＭＲ素子を有する磁気ヘッ
ドの例、及び、前記構造のＧＭＲ素子を有するＬＯＬ構
造を持つ磁気ヘッドの例であったが、本発明は、他の構
造を持つＴＭＲ素子や他の磁気抵抗効果素子を有する磁
気ヘッド等にも、適用することができる。具体的には、
本発明は、例えば、ＣＰＰ−ＧＭＲヘッドなどのＴＭＲ
ヘッド以外の他のＣＰＰ構造を持つ磁気ヘッドなどにも
適用することができる。In each of the above-described embodiments, an example of the magnetic head having the magnetic TMR element having the TMR element having the above-described structure and an example of the magnetic head having the LOL structure having the GMR element having the above-described structure have been described. The present invention can also be applied to a magnetic head having a TMR element having another structure or another magnetoresistive effect element. In particular,
The present invention is, for example, a TMR such as a CPP-GMR head.
It can also be applied to a magnetic head having a CPP structure other than the head.
【０１００】さらに、前述した実施の形態では、本発明
による磁気抵抗効果素子を磁気ヘッドに用いた例を挙げ
たが、本発明による磁気抵抗効果素子は他の種々の用途
にも適用することができる。Further, in the above-mentioned embodiment, the example in which the magnetoresistive effect element according to the present invention is used for the magnetic head is given, but the magnetoresistive effect element according to the present invention can be applied to various other uses. it can.
【０１０１】[0101]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁気抵抗効果層にイオンビームダメージを与えることな
く低抵抗化を実現することができるとともに、製造工程
が少なくなりコストダウンを図ることができる、磁気抵
抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド及びその製造方
法、並びにヘッドサスペンションアセンブリを提供する
ことができる。As described above, according to the present invention,
A magnetoresistive element, a magnetic head using the same, and a manufacturing method thereof, which can realize a reduction in resistance without damaging an ion beam to a magnetoresistive layer and reduce the number of manufacturing steps. A method as well as a head suspension assembly can be provided.
【図１】本発明の第１の実施の形態による磁気ヘッドを
模式的に示す概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view schematically showing a magnetic head according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す磁気ヘッドのＴＭＲ素子及び誘導型
磁気変換素子の部分を模式的に示す拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a TMR element and an inductive magnetic conversion element of the magnetic head shown in FIG.
【図３】図２中のＡ−Ａ’矢視概略図である。FIG. 3 is a schematic view taken along the line A-A ′ in FIG.
【図４】図２中のＴＭＲ素子付近を更に拡大した拡大図
である。FIG. 4 is an enlarged view in which the vicinity of the TMR element in FIG. 2 is further enlarged.
【図５】図３中のＴＭＲ素子付近を更に拡大した拡大図
である。5 is an enlarged view in which the vicinity of the TMR element in FIG. 3 is further enlarged.
【図６】図１に示す磁気ヘッドの製造方法におけるウエ
ハ工程を構成する一工程を模式的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically showing one step constituting a wafer step in the method of manufacturing the magnetic head shown in FIG.
【図７】図１に示す磁気ヘッドの製造方法におけるウエ
ハ工程を構成する他の工程を模式的に示す図である。7A and 7B are diagrams schematically showing another step constituting the wafer step in the method of manufacturing the magnetic head shown in FIG.
【図８】図１に示す磁気ヘッドの製造方法におけるウエ
ハ工程を構成する更に他の工程を模式的に示す図であ
る。8A and 8B are diagrams schematically showing still another step constituting the wafer step in the method of manufacturing the magnetic head shown in FIG.
【図９】図１に示す磁気ヘッドの製造方法におけるウエ
ハ工程を構成する更に他の工程を模式的に示す図であ
る。FIG. 9 is a diagram schematically showing still another step constituting the wafer step in the method of manufacturing the magnetic head shown in FIG.
【図１０】図１に示す磁気ヘッドの製造方法におけるウ
エハ工程を構成する更に他の工程を模式的に示す図であ
る。10 is a diagram schematically showing still another step constituting the wafer step in the method of manufacturing the magnetic head shown in FIG.
【図１１】本発明の第２の実施の形態による磁気ヘッド
のＧＭＲ素子及び誘導型磁気変換素子の部分を模式的に
示す拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged sectional view schematically showing a portion of a GMR element and an inductive magnetic conversion element of a magnetic head according to a second embodiment of the present invention.
【図１２】図１１中のＤ−Ｄ’矢視のＧＭＲ素子付近を
更に拡大した拡大図である。FIG. 12 is an enlarged view in which the vicinity of the GMR element taken along the line DD ′ in FIG. 11 is further enlarged.
【図１３】図１１に示す磁気ヘッドの製造方法における
ウエハ工程を構成する各工程を模式的に示す図である。FIG. 13 is a diagram schematically showing each step constituting a wafer step in the method of manufacturing the magnetic head shown in FIG.
【図１４】図１１に示す磁気ヘッドの製造方法における
ウエハ工程を構成する他の各工程を模式的に示す図であ
る。14 is a diagram schematically showing each of the other steps constituting the wafer step in the method of manufacturing the magnetic head shown in FIG.
【図１５】本発明の第３の実施の形態によるヘッドサス
ペンションアセンブリを示す概略平面図である。FIG. 15 is a schematic plan view showing a head suspension assembly according to a third embodiment of the invention.
１ スライダ ２ ＴＭＲ素子 ３ 誘導型磁気変換素子 ６ ＧＭＲ素子 ２１ 下部電極 ２２ 下部金属層 ２３ ピン層 ２４ ピンド層 ２５ トンネルバリア層 ２６ フリー層 ２７，５６ 上部金属層（キャップ層） ２８ａ，２８ｂ，５５ａ，５５ｂ 硬磁性層 ２９ 絶縁層 ３０ 上部金属層 ３１ 上部電極 ５１，５２，５３ シールドギャップ層 ５４ ＭＲ膜 ５７ａ，５７ｂ リード層（電極層） 1 slider 2 TMR element 3 Induction type magnetic conversion element 6 GMR element 21 Lower electrode 22 Lower metal layer 23 pin layers 24 pinned layers 25 tunnel barrier layer 26 free class 27,56 Upper metal layer (cap layer) 28a, 28b, 55a, 55b Hard magnetic layer 29 Insulation layer 30 Upper metal layer 31 upper electrode 51, 52, 53 Shield gap layer 54 MR film 57a, 57b Lead layer (electrode layer)
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G017 AC01 AC06 AD55 AD61 AD62 AD65 5D034 BA03 BA05 BA08 BA15 BA17 CA08 DA07 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 AC00 AC05 BA12 CC01 DB02 DB12 FC01 GC02 Continued front page F term (reference) 2G017 AC01 AC06 AD55 AD61 AD62 AD65 5D034 BA03 BA05 BA08 BA15 BA17 CA08 DA07 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 AC00 AC05 BA12 CC01 DB02 DB12 FC01 GC02
Claims (8)
効果層と、該磁気抵抗効果層の前記基体とは反対側の面
に形成された１層以上からなる導電性保護層と、を備
え、 前記導電性保護層の少なくとも前記基体とは最も反対側
の層が、金属窒化物で形成されたことを特徴とする磁気
抵抗効果素子。1. A magnetoresistive effect layer formed on one surface side of a substrate, and a conductive protective layer comprising one or more layers formed on a surface of the magnetoresistive effect layer opposite to the substrate. A magnetoresistive effect element, comprising: a conductive protective layer, wherein at least a layer of the conductive protective layer opposite to the substrate is formed of a metal nitride.
層の少なくとも前記基体とは最も反対側の層と実質的に
重なるように、形成されたことを特徴とする請求項１記
載の磁気抵抗効果素子。2. The magnetic material according to claim 1, wherein the conductive protective layer is formed so as to substantially overlap at least the layer of the magnetoresistive effect layer on the side opposite to the substrate. Resistance effect element.
一対の電極を備え、該一対の電極のうちの少なくとも一
方が前記導電性保護層を介して前記磁気抵抗効果層に電
気的に接続されたことを特徴とする請求項１又は２記載
の磁気抵抗効果素子。3. A pair of electrodes for passing a current through the magnetoresistive effect layer, at least one of the pair of electrodes being electrically connected to the magnetoresistive effect layer via the conductive protective layer. The magnetoresistive effect element according to claim 1, wherein the magnetoresistive effect element is formed.
ｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、ＷＮ及びＭｏＮ
からなる群より選ばれた１種以上を含むことを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気抵抗効果素
子。4. The metal nitride is TiN, ZrN, H
fN, VN, NbN, TaN, CrN, WN and MoN
The magnetoresistive effect element according to any one of claims 1 to 3, further comprising at least one selected from the group consisting of:
であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の磁気抵抗効果素子。5. The magnetoresistive element according to claim 1, wherein the conductive protective layer has a thickness of 10 nm or less.
抗効果素子とを備え、前記磁気抵抗効果素子が請求項１
乃至５のいずれかに記載された磁気抵抗効果素子である
ことを特徴とする磁気ヘッド。6. A magnetoresistive effect element comprising a base and a magnetoresistive effect element supported by the base, wherein the magnetoresistive effect element is claim 1.
6. A magnetic head, which is the magnetoresistive effect element according to any one of 1 to 5.
造方法であって、前記導電性保護層の前記基体とは最も
反対側の層を形成する工程を備え、該工程は、前記金属
窒化物をターゲットとしたスパッタ法により前記金属酸
化物の層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
６記載の磁気ヘッド。7. A method of manufacturing a magnetic head according to claim 6, further comprising the step of forming a layer of the conductive protective layer opposite to the base, the step comprising forming the metal nitride layer. 7. The magnetic head according to claim 6, further comprising a step of forming the metal oxide layer by a sputtering method using an object as a target.
近に搭載され前記磁気ヘッドを支持するサスペンション
と、を備え、前記磁気ヘッドが請求項６記載の磁気ヘッ
ドであることを特徴とするヘッドサスペンションアセン
ブリ。8. A magnetic head according to claim 6, further comprising a magnetic head and a suspension mounted near the tip of the magnetic head to support the magnetic head. Suspension assembly.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001399971A JP2003198005A (en) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | Magnetoresistive effect device, magnetic head using the same, its manufacturing method, and head suspension assembly |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2001399971A JP2003198005A (en) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | Magnetoresistive effect device, magnetic head using the same, its manufacturing method, and head suspension assembly |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2001399971A Pending JP2003198005A (en) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | Magnetoresistive effect device, magnetic head using the same, its manufacturing method, and head suspension assembly |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005523575A (en) * | 2002-04-18 | 2005-08-04 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | Combination of materials of tunnel junction cap layer, tunnel junction hard mask, and tunnel junction stack seed film in MRAM processing |
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2001
- 2001-12-28 JP JP2001399971A patent/JP2003198005A/en active Pending
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