JP2003195529A

JP2003195529A - Photoresist stripper composition

Info

Publication number: JP2003195529A
Application number: JP2002169783A
Authority: JP
Inventors: Seung-Hyun Ahn; 承鉉安; Sang-Moon Chon; 相文全; Hoe-Sik Chung; 曾式鄭; Mi-Sook Jeon; 美淑田; Eun-Mi Bae; 恩美裴; Baik-Soon Choi; 百洵崔; Ok-Seok Jang; 玉錫張
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-12-14
Filing date: 2002-06-11
Publication date: 2003-07-09
Anticipated expiration: 2022-06-11
Also published as: US6589719B1; US20030113673A1; JP3590395B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel photoresist stripper composition. <P>SOLUTION: A thinner composition as the photoresist stripper composition consists of 8 to 95 wt.% normal butyl acetate, 0.1 to 13 wt.% γ-butyrolactone and 3 to 80 wt.% of a non-acetate ester compound. The thinner composition may also consist of 42 to 90 wt.% normal butyl acetate, 1 to 13 wt.% γ- butyrolactone and 5 to 45 wt.% polyhydric alcohol derivatives. Photoresist applied on an edge part and a rear side surface part of a substrate can be selectively stripped by using the thinner composition. The photoresist applied on the entire surface of the substrate can also be stripped by using the thinner composition. Various kinds of photoresist materials can be stripped by using the inexpensive thinner composition. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストス
トリッパ組成物に関するものであり、より詳細には、低
廉に製造することができ、、基板上に塗布されているフ
ォトレジストをストリッピングするために用いられる新
規なフォトレジストストリッパ組成物に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoresist stripper composition, and more particularly to a photoresist stripper composition which can be manufactured inexpensively and is used for stripping a photoresist coated on a substrate. The present invention relates to a novel photoresist stripper composition used.

【０００２】[0002]

【従来の技術】微細回路を製造するためには、シリコン
基板の小さい領域に不純物を正確に調節して注入し、こ
のような領域を相互に連結し素子およびＶＬＳＩ回路を
形成しなければならないが、これら領域を限定するパタ
ーンはフォトリソグラフィにより形成される。即ち、ウ
ェーハ基板上にフォトレジストポリマフィルムを塗布
し、紫外線、赤外線またはＸ線などを照射し、選択的に
露光させた後に現像する。これにより、残ったフォトレ
ジストは被覆している基板を保護し、フォトレジストが
除去された部分はパターンに用いて、基板表面上に各種
付加的または抽出的工程を行う。2. Description of the Related Art In order to manufacture a fine circuit, it is necessary to precisely adjust and inject impurities into a small area of a silicon substrate, and to interconnect such areas to form a device and a VLSI circuit. The pattern that limits these regions is formed by photolithography. That is, a photoresist polymer film is coated on a wafer substrate, irradiated with ultraviolet rays, infrared rays or X-rays, selectively exposed, and then developed. Thus, the remaining photoresist protects the substrate it covers, and the portion from which the photoresist has been removed is used as a pattern to perform various additional or extraction steps on the substrate surface.

【０００３】フォトリソグラフィを実施するとき、フォ
トレジストの塗布に対する不良が度々発生する。このよ
うな不良が発生すると、前記フォトレジストが塗布され
ている基板をストリッピングしフォトレジストを除去し
た後、基板を再使用する。このような工程をウェーハの
リワーク（ｒｅｗｏｒｋ）工程という。When photolithography is carried out, defects in the application of photoresist often occur. When such a defect occurs, the substrate coated with the photoresist is stripped to remove the photoresist, and then the substrate is reused. Such a process is called a wafer rework process.

【０００４】また、フォトレジスト層を形成するときに
は、主に基板を回転させながら、フォトレジストを基板
上に塗布する。そうすると、基板エッジと裏面（ｂａｃ
ｋｓｉｄｅ）にもフォトレジストが塗布される。しか
し、基板エッジと裏面に塗布されたフォトレジストはエ
ッチングやイオン注入工程のような後続工程でパーティ
クルなどを発生させ、または、パターン不良を発生させ
る原因として作用する。したがって、シンナー組成物を
用いて基板のエッジと裏面に塗布されているフォトレジ
ストをストリッピングし除去する工程（以下、“ＥＢＲ
工程”という）を実施する。Further, when forming the photoresist layer, the photoresist is applied on the substrate while mainly rotating the substrate. Then, the substrate edge and the back surface (bac
A photoresist is also applied to kside). However, the photoresist applied to the edge and the back surface of the substrate may cause particles or the like in a subsequent process such as an etching process or an ion implantation process or cause a pattern defect. Therefore, a process of stripping and removing the photoresist applied to the edge and the back surface of the substrate using the thinner composition (hereinafter, referred to as “EBR”).
Process).

【０００５】従来のフォトレジストは、溶解速度が遅す
ぎたり、溶解が不完全であったりし、ストリッピング
後、基板上のフォトレジスト成分の残留汚染物が後続工
程で除去されない場合が発生した。このような場合に
は、装置の収率を低下させ、信頼性によくない影響を及
ぼす。In the conventional photoresist, the dissolution rate may be too slow or the dissolution may be incomplete, and residual contaminants of the photoresist component on the substrate may not be removed in a subsequent process after stripping. In such a case, the yield of the device is reduced, and the reliability is adversely affected.

【０００６】一方、半導体装置の集積度が高まって、Ｉ
−ライン、Ｇ−ラインで使用されるフォトレジスト組成
物が開発され、このようなフォトレジスト組成物はノボ
ラック（ｎｏｖｏｌａｃｋ）樹脂を主成分にする。ま
た、エキシマレーザ波長や原紫外線に反応する増幅型フ
ォトレジストも用いられてきた。したがって、このよう
な多様なフォトレジストに共通的に優れた溶解度を示す
フォトレジストのストリッピング用シンナー組成物が必
要となる。On the other hand, since the degree of integration of semiconductor devices has increased, I
The photoresist compositions used in the -line, G-line have been developed, and such photoresist compositions are based on novolak resins. In addition, amplification type photoresists that respond to excimer laser wavelengths and source ultraviolet rays have also been used. Therefore, there is a need for a thinner stripping composition for photoresists that exhibits excellent solubility in common with such various photoresists.

【０００７】最近、呈示されたシンナー組成物はたとえ
ば、米国特許第５，８６６，３０５号（ｉｓｓｕｅｄ
ｔｏＣｈｏｎｅｔａｌ．）および米国特許第６，
１５９，６４６号（ｉｓｓｕｅｄｔｏＪｅｏｎｅ
ｔａｌ．）などに開示されている。Recently presented thinner compositions have been described, for example, in US Pat. No. 5,866,305 (issued).
to Chon et al. ) And US Pat.
159,646 (issued to Jeone)
t al. ) Etc. are disclosed.

【０００８】米国特許第５，８６６，３０５号には、エ
チルラクタート（ｅｔｈｙｌｌａｃｔａｔｅ）および
エチル−３−エトキシプロピオネート（ｅｔｈｙｌ−３
−ｅｔｈｏｘｙｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）から成るシン
ナー組成物またはエチルラクタート（ｅｔｈｙｌｌａ
ｃｔａｔｅ）、エチル−３−エトキシプロピオネートお
よびγ−ブチロラクトンから成るシンナー組成物が開示
されている。米国特許第５，８６６，３０５号に開示さ
れたシンナー組成物が現在多く用いられているが、この
シンナー組成物はエチル−３−エトキシプロピオネート
が主成分であるために、価格が高い。また、米国特許第
５，８６６，３０５号に開示されたシンナー組成物は特
定フォトレジストたとえば、増幅型フォトレジストのス
トリッピングで溶解能力が下がる短所がある。US Pat. No. 5,866,305 discloses ethyl lactate and ethyl-3-ethoxypropionate (ethyl-3).
-A thinner composition consisting of ethyl propionate or ethyl lactate
A thinner composition comprising ctate), ethyl-3-ethoxypropionate and γ-butyrolactone is disclosed. Although the thinner composition disclosed in U.S. Pat. No. 5,866,305 is widely used at present, this thinner composition is expensive due to ethyl-3-ethoxypropionate as a main component. In addition, the thinner composition disclosed in US Pat. No. 5,866,305 has a drawback that the dissolving ability is lowered by stripping a specific photoresist, for example, an amplification type photoresist.

【０００９】米国特許第６，１５９，６４６号による
と、エチルラクタートおよびγ−ブチロラクトンから成
るシンナー組成物、エチルラクタート、エチル−３−エ
トキシプロピオネートおよびγ−ブチロラクトンから成
るシンナー組成物またはエチルラクタートおよびエチル
−３−エトキシプロピオネートから成るシンナー組成物
が開示されている。しかし、このシンナー組成物は高価
であるエチル−３−エトキシプロピオネート、γ−ブチ
ロラクトンなどが主成分であるので、シンナー組成物の
製造単価が高い。According to US Pat. No. 6,159,646, a thinner composition consisting of ethyl lactate and γ-butyrolactone, a thinner composition consisting of ethyl lactate, ethyl-3-ethoxypropionate and γ-butyrolactone or A thinner composition comprising ethyl lactate and ethyl-3-ethoxypropionate is disclosed. However, since the thinner composition is mainly composed of expensive ethyl-3-ethoxypropionate, γ-butyrolactone, etc., the manufacturing cost of the thinner composition is high.

【００１０】また、本出願人により１９９９年１０月８
日付で出願され（出願番号第１９９９−４３４８６号）
２００１年５月７日付で公開された韓国特許公開第２０
０１−３６４６１号には、アセトン、γ−ブチロラクト
ンおよびアセト酸エステル化合物を主成分とするストリ
ッピング組成物が開示されている。しかし、シンナーの
主成分であるアセトンは浸透（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏ
ｎ）特性が相当に強くて特に、ＥＢＲ工程でフォトレジ
ストのエッジプロファイルがよくない。特に、特定フォ
トレジストたとえば、ＤＵＶフォトレジストで顕著であ
る。また、アセトンは揮発性が高いので、たとえば、ノ
ーマルブチルアセテート（ＮＢＡ）＋γ−ブチロラクト
ン（ＧＢＬ）＋アセトンからなるシンナーを用いてＥＢ
Ｒ工程を進行する場合には残留物が残り、望ましくな
い。[0010] The applicant of the present invention, October 8, 1999
Filed on the date (Application No. 1999-43486)
Korean Patent Publication No. 20 published on May 7, 2001
No. 01-36461 discloses a stripping composition containing acetone, γ-butyrolactone and an acetic acid ester compound as main components. However, the main component of thinner, acetone, penetrates (penetratio).
n) The characteristics are so strong that the edge profile of the photoresist is not good especially in the EBR process. In particular, it is remarkable in a specific photoresist, for example, a DUV photoresist. In addition, since acetone has high volatility, for example, a thinner composed of normal butyl acetate (NBA) + γ-butyrolactone (GBL) + acetone is used for EB.
When the R process is performed, a residue remains, which is not desirable.

【００１１】シンナー組成物は再使用のためのフォトレ
ジストのストリッピング（リワーク工程）、ならびに基
板エッジと裏面に塗布されるフォトレジストのストリッ
ピング（ＥＢＲ工程）などに共通的に用いることができ
るが、二工程に同一な効果を示すシンナーが必ず必要で
ある。The thinner composition can be commonly used for the stripping of the photoresist for re-use (rework step) and the stripping of the photoresist applied to the substrate edge and the back surface (EBR step). It is necessary to use a thinner that shows the same effect in the two steps.

【００１２】また、シンナー組成物はその成分上価格が
高いという短所がある。これは、経費節減が要求される
最近の半導体装置の製造に致命的な欠陥として作用す
る。したがって、最近ではストリッピング特性に支障を
きたさない低廉な価格のシンナー組成物の開発が必要で
ある。[0012] Further, the thinner composition has a disadvantage that the price is high due to its components. This acts as a fatal defect in the recent manufacturing of semiconductor devices requiring cost reduction. Therefore, recently, it is necessary to develop an inexpensive thinner composition which does not affect the stripping property.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、現在
使用されている全てのフォトレジストに対してリワーク
工程およびＥＢＲ工程に共通的に優れたストリッピング
特性を有する低廉な価格の新規なフォトレジストストリ
ッパ組成物を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a novel low cost photoresist having excellent stripping characteristics common to rework and EBR processes for all currently used photoresists. It is to provide a resist stripper composition.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために本発明は、アセト酸エステル化合物、γ−ブチロ
ラクトンおよび非アセト酸エステル化合物を含むことを
特徴とするフォトレジストストリッパ組成物を提供す
る。また、本発明の目的はアセト酸エステル化合物、γ
−ブチロラクトンおよび多価アルコール誘導体を含むこ
とを特徴とするフォトレジストストリッパ組成物によっ
ても達成できる。In order to achieve the object of the present invention, the present invention provides a photoresist stripper composition comprising an acetic acid ester compound, γ-butyrolactone and a non-acetoic acid ester compound. To do. Further, the object of the present invention is to provide an acetic acid ester compound, γ
It can also be achieved by a photoresist stripper composition characterized in that it comprises butyrolactone and a polyhydric alcohol derivative.

【００１５】本発明のフォトレジストストリッパ組成物
を用いたフォトレジストのストリッピング方法は、アセ
ト酸エステル化合物、γ−ブチロラクトンおよび非アセ
ト酸エステル化合物を含むフォトレジストストリッパ組
成物またはアセト酸エステル化合物、γ−ブチロラクト
ンおよび多価アルコール誘導体を含むことを特徴とする
フォトレジストストリッパ組成物を用意する段階と、フ
ォトレジストが塗布されている基板にフォトレジストス
トリッパ組成物を接触させフォトレジストをストリッピ
ングする段階とを含む。アセト酸エステル化合物として
は、ノーマルブチルアセテート（ｎｏｒｍａｌｂｕｔ
ｙｌａｃｅｔａｔｅ）を使用することが望ましい。The method of stripping a photoresist using the photoresist stripper composition of the present invention is a photoresist stripper composition containing an acetate ester compound, γ-butyrolactone and a non-acetate ester compound or an acetate ester compound, γ Providing a photoresist stripper composition comprising butyrolactone and a polyhydric alcohol derivative, and stripping the photoresist by contacting the photoresist stripper composition with a substrate on which the photoresist has been applied. including. As the acetic acid ester compound, normal butyl acetate is used.
It is desirable to use yl acetate).

【００１６】本発明によると、アセト酸エステル化合物
特に、ノーマルブチルアセテート（ｎｏｒｍａｌｂｕ
ｔｙｌａｃｅｔａｔｅ）のような低廉な価格の化合物
を、フォトレジストストリッパ組成物の主成分または高
い組成比を有する化合物に用いることができる。フォト
レジストストリッパ組成物を低廉な価格に製造すること
ができるにも関わらず、従来のシンナー組成物と同様に
同一またはさらに優れたフォトレジストのストリッピン
グ特性を確保することができる。したがって、フォトレ
ジストストリッパ組成物は最近の経費節減が要求される
半導体産業に活用する場合、経済的な面で相当に利点が
ある。そして、フォトレジストストリッパ組成物を構成
する化合物は環境新化的であるので最近の環境問題にも
積極的に対処することができる。According to the present invention, acetic acid ester compounds, especially normal butyl acetate (normal bu)
Low cost compounds such as tyl acetate can be used as the major component of the photoresist stripper composition or as a compound with a high composition ratio. Even though the photoresist stripper composition can be manufactured at a low price, it is possible to secure the same or better photoresist stripping characteristics as in the conventional thinner composition. Therefore, the photoresist stripper composition is considerably economically advantageous when used in the semiconductor industry where the recent cost saving is required. Further, since the compounds constituting the photoresist stripper composition are environmentally innovative, it is possible to positively deal with recent environmental problems.

【００１７】[0017]

【発明の実施の形態】まず、アセト酸エステル化合物、
γ−ブチロラクトンおよび非アセト酸エステル化合物か
ら成る第１群のフォトレジストストリッパ組成物につい
て説明する。本発明で使用することができるアセト酸エ
ステル化合物としては、ノーマルブチルアセテート、ア
ミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソプロピ
ルアセテートなどを挙げることができる。これらは単独
にまたは混合し使用することができる。本発明で使用す
ることができる望ましいアセト酸エステル化合物として
は、ノーマルブチルアセテート（ｎｏｒｍａｌｂｕｔ
ｙｌａｃｅｔａｔｅ：以下、‘ＮＢＡ’と称する）を
挙げることができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First, an acetic acid ester compound,
A first group of photoresist stripper compositions consisting of γ-butyrolactone and a non-acetate compound will be described. Examples of acetic acid ester compounds that can be used in the present invention include normal butyl acetate, amyl acetate, ethyl acetoacetate and isopropyl acetate. These can be used alone or in combination. A desirable aceto ester compound that can be used in the present invention is normal butyl acetate.
yl acetate: hereinafter referred to as'NBA ').

【００１８】ここで、ＮＢＡは樹脂（ｒｅｓｉｎ）類に
対し良好な溶解能力があることで知られている。ＮＢＡ
は２０℃での比重が０．８８２であり、２５℃での粘度
が０．６９３ｃＰであり、大気圧で沸点が１２６．５℃
であり、引火点（ｆｌａｓｈｐｏｉｔ）は３８℃であ
り、発火点（ｂｕｒｎｉｎｇｐｏｉｎｔ）は４２１℃
である物理的特性を有する。特に、ＮＢＡは価格が安く
湿潤性（ＷＥＴＴＡＢＩＬＩＴＹ、基板上での広がり程
度またはフォトレジストとの反応程度）が良好である
が、単独使用時にはＥＢＲ工程でフォトレジストエッジ
プロファイルがよくない。Here, NBA is known to have a good dissolving ability for resins. NBA
Has a specific gravity of 0.882 at 20 ° C, a viscosity of 0.693 cP at 25 ° C, and a boiling point of 126.5 ° C at atmospheric pressure.
And the flash point is 38 ° C. and the burning point is 421 ° C.
Has physical properties that are In particular, NBA has a low price and good wettability (WETTABILITY, extent of spread on substrate or extent of reaction with photoresist), but when used alone, the photoresist edge profile is not good in the EBR process.

【００１９】第１群のフォトレジストストリッパ組成物
において、アセト酸エステル化合物の含量が８重量％未
満であるかまたは９５重量％を超過すると、フォトレジ
ストのストリッピング特性が低下するために望ましくな
い。したがって、アセト酸エステル化合物の含量は８か
ら９５重量％、望ましくは５０から９０重量％である。
特に、アセト酸エステル化合物がＮＢＡである場合、Ｎ
ＢＡの含量は２０から９０重量％であり、望ましくは３
０から８９重量％である。In the first group of photoresist stripper compositions, a content of acetic acid ester compound of less than 8% by weight or more than 95% by weight is not preferable because the stripping property of the photoresist is deteriorated. Therefore, the content of the acetic acid ester compound is 8 to 95% by weight, preferably 50 to 90% by weight.
In particular, when the acetic acid ester compound is NBA, N
The content of BA is 20 to 90% by weight, preferably 3
0 to 89% by weight.

【００２０】そして、本発明で使用することができる非
アセト酸エステル化合物の例として、エチルラクタート
（ｅｔｈｙｌｌａｃｔａｔｅ：以下、‘ＥＬ’と称す
る）、エチル−３−エトキシプロピオネート（ｅｔｈｙ
ｌ−３−ｅｔｈｏｘｙｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：以下、
‘ＥＥＰ’と称する）、メチル−３−メトキシプロピオ
ネート（ｍｅｔｈｙｌ−３−ｍｅｔｈｏｘｙｐｒｏｐ
ｉｏｎａｔｅ：以下、‘ＭＭＰ’と称する）などを挙げ
ることができる。これらは単独に使用することもでき、
２以上の成分を混合し使用することもできる。物質は浸
透（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）特性を抑制する特性があ
って、例えばフォトレジストストリッパ組成物としてＮ
ＢＡとγ−ブチロラクトンのみを使用する場合、発生す
るフォトレジスト残留物（ｒｅｓｉｄｕｅ）を抑制する
役割を有する。As examples of the non-acetate compound that can be used in the present invention, ethyl lactate (hereinafter referred to as'EL ') and ethyl-3-ethoxypropionate (ethy).
l-3-ethoxy propionate:
"EEP"), methyl-3-methoxypropionate (methyl-3-methoxyprop)
Ionicate: hereinafter referred to as “MMP”) and the like. These can also be used alone,
It is also possible to mix and use two or more components. The material has a property of suppressing a penetration property, and is used as a photoresist stripper composition, for example.
When only BA and γ-butyrolactone are used, it has a role of suppressing the photoresist residue generated.

【００２１】非アセト酸エステル化合物の含量が３重量
％未満であるかまたは８０重量％を超過すると、フォト
レジストのストリッピング特性が低下するために望まし
くない。したがって、非アセト酸エステル化合物の含量
は３から８０重量％、望ましくは１０から７０重量％で
ある。When the content of the non-acetate compound is less than 3% by weight or exceeds 80% by weight, the stripping property of the photoresist is deteriorated, which is not desirable. Therefore, the content of the non-acetate compound is 3 to 80% by weight, preferably 10 to 70% by weight.

【００２２】特に、非アセト酸エステル化合物としてＥ
ＥＰを使用する場合、ＥＥＰの含量は１０から７０重量
％、望ましくは１０から６５重量％である。本発明の第
１群のフォトレジストストリッパ組成物は主成分として
γ−ブチロラクトン（ｇａｍｍａ−ｂｕｔｙｒｏｌａ
ｃｔｏｎｅ：以下、‘ＧＢＬ’と称する）を含む。In particular, E is used as the non-acetate compound.
When using EP, the content of EEP is 10 to 70% by weight, preferably 10 to 65% by weight. The photoresist stripper composition of the first group of the present invention comprises γ-butyrolactone as a main component.
ctone: hereinafter referred to as “GBL”).

【００２３】ＧＢＬは合成樹脂の溶剤として知られてお
り、発火点が高く、溶剤としては比較的安定である。そ
して、ＧＢＬは食品添加剤として使用される程度に人体
に対し安全である。ＧＢＬは２５℃での比重が１．１２
５４であり、２５℃での粘度が１．７ｃＰであり、大気
圧で沸点は２０４℃であり、引火点は９８．３℃であ
り、発火点は４５７℃である物理的特性を有する。ＧＢ
Ｌはフォトレジスト溶解能力が相当に優れているが、価
格が高く、ＧＢＬの含量が小さいと、溶解能が下がり、
多すぎると製造単価が上昇するために適当量が必要であ
る。より具体的には、ＧＢＬは溶解度（ｓｏｌｕｂｉｌ
ｉｔｙ）がよいので、エッジプロファイルを改善させる
役割を有するが、ＮＢＡ＋ＧＢＬのみにより構成された
フォトレジストストリッパ組成物は、残留物を誘発させ
るので、ＥＥＰなどの非アセト酸エステル化合物を必要
とする。GBL is known as a solvent for synthetic resins, has a high ignition point, and is relatively stable as a solvent. And GBL is safe for the human body to the extent that it is used as a food additive. GBL has a specific gravity of 1.12 at 25 ° C.
54, a viscosity at 25 ° C. of 1.7 cP, a boiling point at atmospheric pressure of 204 ° C., a flash point of 98.3 ° C. and a flash point of 457 ° C. GB
L has a very good photoresist dissolving ability, but it is expensive, and if the GBL content is low, the dissolving ability decreases,
If the amount is too large, the production unit price rises, so an appropriate amount is required. More specifically, GBL is the solubility (solubil
However, the photoresist stripper composition composed only of NBA + GBL induces residues and thus requires a non-acetate compound such as EEP.

【００２４】ＧＢＬの含量が０．１重量％未満である
と、フォトレジストストリッパ組成物の製造が容易でな
いために、望ましくない。そして、ＧＢＬの含量が１３
％を超過すると、フォトレジストストリッパ組成物の製
造価格が上昇するために望ましくない。したがって、Ｇ
ＢＬの含量は１から１３重量％であり、望ましくはＧＢ
Ｌの含量は０．１から７重量％であり、より望ましく
は、０．５から５重量％である。If the GBL content is less than 0.1% by weight, it is not desirable because the photoresist stripper composition is not easily manufactured. And the GBL content is 13
%, It is not desirable because it increases the manufacturing cost of the photoresist stripper composition. Therefore, G
BL content is 1 to 13% by weight, preferably GB
The content of L is 0.1 to 7% by weight, more preferably 0.5 to 5% by weight.

【００２５】本発明の望ましいフォトレジストストリッ
パ組成物としては、ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＬから成る
フォトレジストストリッパ組成物、ＮＢＡ、ＧＢＬおよ
びＥＥＰから成るフォトレジストストリッパ組成物、ま
たはＮＢＡ、ＧＢＬおよびＭＭＰから成るフォトレジス
トストリッパ組成物などを挙げることができる。Preferred photoresist stripper compositions of the present invention include photoresist stripper compositions comprising NBA, GBL and EL, photoresist stripper compositions comprising NBA, GBL and EEP, or photoresists comprising NBA, GBL and MMP. A resist stripper composition etc. can be mentioned.

【００２６】ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＬから成るフォト
レジストストリッパ組成物では、ＮＢＡの含量が５０か
ら８５重量％であり、ＧＢＬの含量が１から１３重量％
であり、ＥＬの含量が１０から４０重量％であることが
望ましい。そして、より望ましいフォトレジストストリ
ッパ組成物で、ＮＢＡの含量は５５から８５重量％であ
り、ＧＢＬの含量は１から７重量％であり、ＥＬの含量
は１０から４０重量％である。In a photoresist stripper composition consisting of NBA, GBL and EL, the NBA content is 50 to 85% by weight and the GBL content is 1 to 13% by weight.
It is desirable that the EL content is 10 to 40% by weight. And in a more desirable photoresist stripper composition, the content of NBA is 55 to 85% by weight, the content of GBL is 1 to 7% by weight, and the content of EL is 10 to 40% by weight.

【００２７】ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＥＰから成るフォ
トレジストストリッパ組成物では、ＮＢＡの含量が２０
から９０重量％であり、ＧＢＬの含量が０．１から１３
重量％であり、ＥＥＰの含量が１０から７０重量％であ
ることが望ましい。そして、より望ましいフォトレジス
トストリッパ組成物で、ＮＢＡの含量は３０から８９重
量％であり、ＧＢＬの含量は０．１から７重量％であ
り、ＥＥＰの含量は２０から７０重量％である。また、
最も望ましいフォトレジストストリッパ組成物で、ＮＢ
Ａの含量は３０から８９重量％であり、ＧＢＬの含量は
０．５から５重量％であり、ＥＥＰの含量は１０から６
５重量％である。A photoresist stripper composition consisting of NBA, GBL and EEP has a NBA content of 20.
To 90% by weight, and the GBL content is 0.1 to 13
It is preferable that the content of EEP is 10 to 70% by weight. And in a more desirable photoresist stripper composition, the content of NBA is 30 to 89% by weight, the content of GBL is 0.1 to 7% by weight, and the content of EEP is 20 to 70% by weight. Also,
Most desirable photoresist stripper composition, NB
The content of A is 30 to 89% by weight, the content of GBL is 0.5 to 5% by weight, and the content of EEP is 10 to 6%.
It is 5% by weight.

【００２８】ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＭＭＰから成るフォ
トレジストストリッパ組成物では、ＮＢＡの含量が５０
から９０重量％であり、ＧＢＬの含量が１から１３重量
％であり、ＭＭＰの含量が５から４０重量％であること
が望ましい。そして、より望ましいフォトレジストスト
リッパ組成物で、ＮＢＡの含量は５５から９０重量％で
あり、ＧＢＬの含量は１から７重量％であり、ＭＭＰの
含量は５から４０重量％である。A photoresist stripper composition consisting of NBA, GBL and MMP has a NBA content of 50.
To 90% by weight, the GBL content is 1 to 13% by weight, and the MMP content is 5 to 40% by weight. And in a more desirable photoresist stripper composition, the content of NBA is 55 to 90% by weight, the content of GBL is 1 to 7% by weight, and the content of MMP is 5 to 40% by weight.

【００２９】そして、フォトレジストストリッパ組成物
は必要により微量の界面活性剤をさらに含むことができ
る。本発明で使用可能である界面活性剤としてはアルキ
ルベンゼンスルホン酸塩およびこれのアルカリ金属塩、
アルキル酸塩ジフェニルジスルホン酸塩およびこれのア
ルカリ金属塩、アルキルアリールスホン酸塩、アルカリ
金属フルオロアルカルカルボン酸塩、アンモニウム過フ
ルオロアルキルスルホン酸塩などを挙げることができ
る。界面活性剤の役割は湿潤性（ＷＥＴＴＡＢＩＬＩＴ
Ｙ）を向上させ、フォトレジストストリッパの各成分を
均等に混ぜられるようにするものである。界面活性剤の
含量は１重量％以下であることが望ましい。If desired, the photoresist stripper composition may further contain a trace amount of a surfactant. As the surfactant usable in the present invention, alkylbenzene sulfonate and its alkali metal salt,
Examples thereof include alkyl acid salt diphenyl disulfonate, an alkali metal salt thereof, an alkylaryl sulfonate, an alkali metal fluoroalcarcarboxylate, and an ammonium perfluoroalkylsulfonate. The role of the surfactant is wettability (WETTABILIT
Y) is improved so that the components of the photoresist stripper can be mixed uniformly. The content of the surfactant is preferably 1% by weight or less.

【００３０】次に、アセト酸エステル化合物、γ−ブチ
ロラクトンおよび多価アルコール誘導体から成る第２群
（ｓｅｃｏｎｄｇｒｏｕｐ）によるフォトレジストス
トリッパ組成物について説明する。本発明の第２群によ
るフォトレジストストリッパ組成物はアセト酸エステル
化合物を含む。アセト酸エステル化合物における説明は
前述したとおりである。Next, a photoresist stripper composition of the second group consisting of an acetic acid ester compound, γ-butyrolactone and a polyhydric alcohol derivative will be described. A photoresist stripper composition according to the second group of the present invention comprises an acetic acid ester compound. The description of the acetic acid ester compound is as described above.

【００３１】フォトレジストストリッパ組成物におい
て、アセト酸エステル化合物の含量が４２重量％未満で
あるかまたは９０重量％を超過すると、フォトレジスト
のストリッピング特性が低下するために望ましくない。
したがって、フォトレジストストリッパ組成物中のアセ
ト酸エステル化合物の含量は４２から９０重量％であ
り、望ましくは５０から８５重量％である。In the photoresist stripper composition, if the content of the acetic acid ester compound is less than 42% by weight or more than 90% by weight, the stripping property of the photoresist is deteriorated, which is not desirable.
Therefore, the content of acetic acid ester compound in the photoresist stripper composition is 42 to 90% by weight, preferably 50 to 85% by weight.

【００３２】本発明の第２群によるフォトレジストスト
リッパ組成物はＧＢＬを含む。ＧＢＬの説明は前述した
とおりである。ＧＢＬの含量が１重量％未満であると、
フォトレジストストリッパ組成物の製造が容易でないた
めに望ましくない。そして、ＧＢＬの含量が１３％を超
過すると、フォトレジストストリッパ組成物の製造価格
が上昇するために望ましくない。ＧＢＬの含量は１から
１３重量％であり、望ましくは１から７重量％である。The photoresist stripper composition according to the second group of the present invention comprises GBL. The GBL has been described above. When the GBL content is less than 1% by weight,
It is not desirable because the photoresist stripper composition is not easy to manufacture. If the GBL content exceeds 13%, the manufacturing cost of the photoresist stripper composition increases, which is not desirable. The content of GBL is 1 to 13% by weight, preferably 1 to 7% by weight.

【００３３】本発明の第２群によるフォトレジストスト
リッパ組成物は多価アルコール誘導体を含む。本発明で
使用することができる多価アルコール誘導体としてはプ
ロピレングリコールモノメチルエーテル（ｐｒｏｐｙｌ
ｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈ
ｅｒ：以下、‘ＰＧＭＥ’と称する）、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅ
ｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ
ａｃｅｔａｔｅ：以下、‘ＰＧＭＥＡ’と称する）な
どを挙げることができる。これらは単独にまたは混合し
使用することができる。前述した第１群のフォトレジス
トストリッパ組成物のように、ＮＢＡ＋ＧＢＬのみで構
成されたフォトレジストストリッパ組成物は残留物を誘
発させるので、多価アルコール誘導体が必要である。The photoresist stripper composition according to the second group of the present invention comprises a polyhydric alcohol derivative. Examples of the polyhydric alcohol derivative that can be used in the present invention include propylene glycol monomethyl ether (propyl).
one glycol monomethyl eth
er: hereinafter referred to as “PGME”), propylene glycol monomethyl ether acetate (propyle)
ne glycolmonomethyl ether
acetate: hereinafter referred to as “PGMEA”) and the like. These can be used alone or in combination. Like the first group of photoresist stripper compositions described above, a photoresist stripper composition composed of only NBA + GBL induces residues and thus requires a polyhydric alcohol derivative.

【００３４】多価アルコール誘導体の含量が５重量％未
満であるかまたは４５重量％を超過すると、フォトレジ
ストのストリッピング特性が低下されるために望ましく
ない。したがって、多価アルコール誘導体の含量は５か
ら４５重量％、望ましくは１０から４０重量％である。When the content of the polyhydric alcohol derivative is less than 5% by weight or exceeds 45% by weight, the stripping property of the photoresist is deteriorated, which is not desirable. Therefore, the content of the polyhydric alcohol derivative is 5 to 45% by weight, preferably 10 to 40% by weight.

【００３５】本発明の第２群によるフォトレジストスト
リッパ組成物の望ましい例としては、ＮＢＡ、ＧＢＬお
よびＰＧＭＥから成るフォトレジストストリッパ組成
物、ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥＡから成るフォトレ
ジストストリッパ組成物などを挙げることができる。Preferred examples of photoresist stripper compositions according to the second group of the invention include photoresist stripper compositions consisting of NBA, GBL and PGME, photoresist stripper compositions consisting of NBA, GBL and PGMEA. You can

【００３６】ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥから成るフ
ォトレジストストリッパ組成物の場合、ＮＢＡの含量は
５０から８５重量％、望ましくは５５から８５重量％で
あり、ＧＢＬの含量は１から１３重量％であり、望まし
くは１から７重量％であり、ＰＧＭＥの含量は５から４
０重量％、望ましくは１０から３０重量％である。For a photoresist stripper composition consisting of NBA, GBL and PGME, the NBA content is 50 to 85% by weight, preferably 55 to 85% by weight, and the GBL content is 1 to 13% by weight, Desirably 1 to 7% by weight, the content of PGME is 5 to 4
It is 0% by weight, preferably 10 to 30% by weight.

【００３７】ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥＡから成る
フォトレジストストリッパ組成物の場合、ＮＢＡの含量
は５０から８５重量％であり、ＧＢＬの含量は１から１
３重量％、望ましくは１から７重量％であり、ＰＧＭＥ
Ａの含量は１０から４０重量％である。For a photoresist stripper composition consisting of NBA, GBL and PGMEA, the NBA content is 50 to 85% by weight and the GBL content is 1 to 1%.
3% by weight, preferably 1 to 7% by weight, PGME
The content of A is 10 to 40% by weight.

【００３８】そして、第２群によるフォトレジストスト
リッパ組成物は界面活性剤をさらに含むことが望まし
い。界面活性剤については上述したとおりである。前記
界面活性剤の含量は望ましくは１重量％以下である。以
下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。まず、
フォトレジストストリッパ組成物としてのシンナー組成
物を使用したフォトレジストのストリッピング方法につ
いて説明する。The photoresist stripper composition according to the second group may further include a surfactant. The surfactant is as described above. The content of the surfactant is preferably 1% by weight or less. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First,
A method for stripping a photoresist using a thinner composition as the photoresist stripper composition will be described.

【００３９】（ＥＢＲ工程）図１は本発明の一実施例に
よるシンナー組成物を使用し基板エッジと裏面部位に塗
布されているフォトレジストをストリッピングする方法
を説明するための工程図である。(EBR Process) FIG. 1 is a process diagram for explaining a method of stripping a photoresist coated on a substrate edge and a back surface using a thinner composition according to an embodiment of the present invention.

【００４０】図１を参照すると、ＮＢＡ、ＧＢＬ及び非
アセト酸エステル化合物から成るシンナー組成物または
ＮＢＡ、ＧＢＬおよび多価アルコール誘導体から成るシ
ンナー組成物を用意する。（段階Ｓ１０）次に、基板上
にフォトレジストを塗布する。（段階Ｓ１２）フォトレ
ジストの塗布は主にスピンコータを使用する。スピンコ
ータにより回転する基板にフォトレジストを塗布する。
これにより、基板に噴射されたフォトレジストは遠心力
により基板のエッジ部位まで押し出され、基板全体領域
に均一の厚みで塗布される。Referring to FIG. 1, a thinner composition comprising NBA, GBL and a non-acetate compound or a thinner composition comprising NBA, GBL and a polyhydric alcohol derivative is prepared. (Step S10) Next, a photoresist is applied on the substrate. (Step S12) The spin coater is mainly used to apply the photoresist. A photoresist is applied to the rotating substrate by a spin coater.
As a result, the photoresist sprayed on the substrate is pushed out to the edge portion of the substrate by the centrifugal force, and is applied to the entire region of the substrate with a uniform thickness.

【００４１】そして、遠心力によりフォトレジストは基
板のエッジ部位だけでなく、基板の裏面部位まで押し出
される。このように、基板のエッジと裏面部位まで押し
出され基板のエッジと裏面に塗布されるフォトレジスト
は、後続工程で不良として作用する。Then, the centrifugal force pushes the photoresist not only to the edge portion of the substrate but also to the back surface portion of the substrate. Thus, the photoresist extruded to the edge and the back surface of the substrate and applied to the edge and the back surface of the substrate acts as a defect in the subsequent process.

【００４２】したがって、フォトレジストが塗布される
基板のエッジと裏面にシンナー組成物を接触させ、フォ
トレジストをストリッピングする。（段階Ｓ１４）シン
ナー組成物の接触の方法は基板にシンナー組成物を噴射
する方法などを挙げることができる。Therefore, the thinner composition is brought into contact with the edge and the back surface of the substrate to which the photoresist is applied, and the photoresist is stripped. (Step S14) Examples of the method of contacting the thinner composition include a method of spraying the thinner composition on the substrate.

【００４３】シンナー組成物を噴射する方法は、基板を
回転させる回転−チャック（ｓｐｉｎ−ｃｈｕｃｋ）、
ならびにシンナー組成物を噴射するノズルなどを使用し
実施することができる。本実施例では回転チャックおよ
びノズルを用いてシンナー組成物を噴射する方法につい
て説明する。The method of spraying the thinner composition includes a spin-chuck for rotating the substrate,
In addition, it can be carried out by using a nozzle or the like for injecting the thinner composition. In this example, a method of spraying a thinner composition using a rotary chuck and a nozzle will be described.

【００４４】シンナー組成物を噴射するときに基板は回
転−チャックにより順次に低速回転および高速回転をす
ることが望ましい。まず、フォトレジストが塗布された
基板を比較的低速で回転させながら、シンナー組成物を
噴射する。基板を例えば、８００から２，０００ｒｐｍ
の速度で回転させながら、ノズルを通じてシンナー組成
物を基板のエッジと裏面に約５〜１０秒、望ましくは６
秒間噴射する。そうすると、回転する基板上に噴射され
たシンナー組成物は遠心力により、基板のエッジと裏面
に不必要に塗布されたフォトレジストをストリッピング
し除去する。When the thinner composition is sprayed, it is desirable that the substrate be sequentially rotated at a low speed and a high speed by a rotation-chuck. First, the thinner composition is sprayed while rotating the substrate coated with the photoresist at a relatively low speed. Substrate, for example, 800 to 2,000 rpm
The thinner composition is applied to the edge and the backside of the substrate through the nozzle for about 5 to 10 seconds, preferably 6 times, while rotating at a speed of
Fire for a second. Then, the thinner composition sprayed on the rotating substrate strips and removes the photoresist unnecessarily applied to the edge and the back surface of the substrate by centrifugal force.

【００４５】次に、基板を２，０００から２，５００ｒ
ｐｍの比較的高速で回転させ、基板をスピンドライす
る。（段階Ｓ１６）スピンドライ工程は必要である場合
には省略することができる。そして、シンナー組成物を
噴射する他の方法は次のとおりである。例えばノズルを
固定させた後、基板を回転させながら、基板のエッジに
シンナー組成物を噴射する方法があり、基板を固定させ
た後、ノズルを基板のエッジ部位に沿って移動させなが
らシンナー組成物を噴射する方法がある。また、基板裏
面にシンナー組成物を噴射する方法も他のノズルを用い
て基板エッジにシンナー組成物を噴射する方法と類似で
ある。以後、通常的なフォト工程すなわち、フォトレジ
ストベーク、露光および現像工程を進行する。Then, the substrate is 2,000 to 2,500 r.
Spin at a relatively high speed of pm to spin dry the substrate. (Step S16) The spin dry process can be omitted if necessary. And the other method of injecting the thinner composition is as follows. For example, there is a method of spraying a thinner composition to the edge of the substrate while rotating the substrate after fixing the nozzle. After fixing the substrate, the thinner composition is moved while moving the nozzle along the edge portion of the substrate. There is a method of injecting. The method of spraying the thinner composition on the back surface of the substrate is similar to the method of spraying the thinner composition on the edge of the substrate using another nozzle. After that, a normal photo process, that is, a photoresist bake process, an exposure process, and a development process are performed.

【００４６】（リワーク工程）図２は本発明の一実施例
によるシンナー組成物を使用し基板全面に塗布されてい
るフォトレジストをストリッピングする方法を説明する
ための工程図である。先に、通常のフォト工程すなわ
ち、現像工程まで完了した状態で不良が発生すると、リ
ワーク工程を実施する。(Rework Process) FIG. 2 is a process diagram for explaining a method of stripping a photoresist coated on the entire surface of a substrate using a thinner composition according to an embodiment of the present invention. First, when a defect occurs in a state where the normal photo process, that is, the developing process is completed, a rework process is performed.

【００４７】図２を参照すると、ＮＢＡ、ＧＢＬおよび
非アセト酸エステル化合物から成るシンナー組成物また
はＮＢＡ、ＧＢＬおよび多価アルコール誘導体から成る
シンナー組成物を用意する。（段階Ｓ２０）そして、フォトレジストが塗布されている基板すなわ
ち、再使用のためにリワークを実施する基板に、シンナ
ー組成物を接触させフォトレジストをストリッピングす
る。シンナー組成物を接触させる方法は、基板をバスに
収容されているシンナー組成物に浸漬（ｄｉｐｐｉｎ
ｇ）させる方法または回転−チャックおよびノズルを用
いて基板上にシンナー組成物を噴射する方法などがあ
る。Referring to FIG. 2, a thinner composition comprising NBA, GBL and a non-acetate compound or a thinner composition comprising NBA, GBL and a polyhydric alcohol derivative is prepared. (Step S20) Then, the thinner composition is brought into contact with the substrate coated with the photoresist, that is, the substrate to be reworked for reuse, and the photoresist is stripped. The method of contacting the thinner composition is performed by dipping the substrate in the thinner composition contained in the bath.
g) or a method of spraying a thinner composition onto a substrate using a rotation-chuck and a nozzle.

【００４８】本実施例では回転−チャックおよびノズル
を用いて基板上にシンナー組成物を噴射する方法につい
て説明する。まず、フォトレジストが塗布されている基
板を比較的低速で回転させながら、シンナー組成物を基
板に噴射する。（段階Ｓ２２）具体的には、基板を８０
０から２，０００ｒｐｍの速度で回転させながら、ノズ
ルを通じて基板上にシンナー組成物を約１０から２０秒
間噴射する。そうすると、回転する基板上に噴射された
シンナー組成物は遠心力により基板上に均一に供給され
る。In this example, a method of spraying a thinner composition onto a substrate using a rotation-chuck and a nozzle will be described. First, the thinner composition is sprayed onto the substrate while rotating the substrate coated with the photoresist at a relatively low speed. (Step S22) Specifically, the substrate is set to 80.
The thinner composition is sprayed on the substrate through the nozzle for about 10 to 20 seconds while rotating at a speed of 0 to 2,000 rpm. Then, the thinner composition sprayed onto the rotating substrate is uniformly supplied onto the substrate by centrifugal force.

【００４９】続いて、基板の回転を一時的に停止する。
（段階Ｓ２４）基板の停止は約１０秒から３０秒間維持
される。そうすると、基板上に噴射されたシンナー組成
物により基板上に塗布されているフォトレジストが溶解
する。次に、任意に基板を約２，０００から２，５００
ｒｐｍの高速で回転させ、ウェーハをスピンドライさせ
る。スピンドライは省略可能である。Then, the rotation of the substrate is temporarily stopped.
(Step S24) The substrate is stopped for about 10 to 30 seconds. Then, the thinner composition sprayed on the substrate dissolves the photoresist coated on the substrate. Next, optionally the substrate is about 2,000 to 2,500.
Spin at a high speed of rpm to spin dry the wafer. Spin dry can be omitted.

【００５０】続いて、基板上に残留するフォトレジスト
残留物を除去するために、基板を比較的高速で回転させ
る。具体的には、基板を約２０００から２５００ｒｐｍ
の速度で回転させながら、高速で回転する基板にシンナ
ー組成物を約１０から２０秒間噴射させる。（段階Ｓ２
６）そうすると、基板上に残留するフォトレジスト残留
物が除去される。Subsequently, the substrate is rotated at a relatively high speed in order to remove the photoresist residue remaining on the substrate. Specifically, the substrate is about 2000 to 2500 rpm
The thinner composition is sprayed on the substrate rotating at a high speed for about 10 to 20 seconds while rotating at a speed of. (Step S2
6) Then, the photoresist residue remaining on the substrate is removed.

【００５１】そして、高速で回転する基板へのシンナー
組成物の噴射を停止する。そうすると、基板のみ続けて
２０００〜２５００ｒｐｍの高速で回転する。これによ
り、基板に噴射されたシンナー組成物のスピンドライを
行う。（段階Ｓ２８）続いて、基板上に純水を噴射し基板を洗浄し、続けて基
板を回転させスピンドライを実施する。（段階Ｓ３０）Then, the injection of the thinner composition to the substrate rotating at a high speed is stopped. Then, only the substrate is continuously rotated at a high speed of 2000 to 2500 rpm. Thus, the thinner composition sprayed on the substrate is spin dried. (Step S28) Subsequently, pure water is sprayed onto the substrate to wash the substrate, and then the substrate is rotated to perform spin dry. (Step S30)

【００５２】ここで、段階Ｓ２４、Ｓ２６およびＳ３０
は追加的工程として作業者の任意に省略することもでき
る。したがって、上述の方法を通じてフォトレジストの
ストリッピングを行った場合、基板は再使用可能であ
る。Now, steps S24, S26 and S30
Can be optionally omitted by the operator as an additional step. Therefore, the substrate is reusable if the photoresist is stripped through the method described above.

【００５３】このように、多様なフォトレジストのスト
リッピングを実施するとき、シンナー組成物を使用して
も優れたストリッピング特性を得ることができる。すな
わち、本発明は低廉な価格のフォトレジストストリッパ
組成物を使用するにも関わらず、フォトレジストのスト
リッピング特性には影響を及ぼさない。以下、本発明の
実施例を具体的に説明する。Thus, when performing stripping of various photoresists, excellent stripping characteristics can be obtained even if a thinner composition is used. That is, the present invention does not affect the stripping properties of the photoresist, despite the use of inexpensive photoresist stripper compositions. Hereinafter, examples of the present invention will be specifically described.

【００５４】〈実施例１〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＥＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造し
た。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、ＧＢ
Ｌの含量が５重量％、ＥＬの含量が１０重量％を有する
ように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．
７９ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。<Example 1> NBA, GBL and EL were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 85% by weight, GB
The L content was adjusted to 5% by weight and the EL content was adjusted to 10% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition is 0.
It was 79 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００５５】〈実施例２〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＥＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造し
た。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量％、ＧＢ
Ｌの含量が５重量％、ＥＬの含量が２０重量％を有する
ように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．
８８ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。Example 2 NBA, GBL and EL were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 75% by weight, GB
The content of L was adjusted to 5% by weight and the content of EL was adjusted to 20% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition is 0.
It was 88 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００５６】〈実施例３〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造
した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、Ｇ
ＢＬの含量が５重量％、ＥＥＰの含量が１０重量％を有
するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は
０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。Example 3 NBA, GBL and EEP were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 85% by weight, G
The BL content was adjusted to 5% by weight and the EEP content was adjusted to 10% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.74 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００５７】〈実施例４〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造
した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量％、Ｇ
ＢＬの含量が５重量％、ＥＥＰの含量が２０重量％を有
するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は
０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。Example 4 NBA, GBL and EEP were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 75% by weight, G
The BL content was adjusted to 5% by weight and the EEP content was adjusted to 20% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.74 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００５８】〈実施例５〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造
した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が３５重量％、Ｇ
ＢＬの含量が５重量％、ＥＥＰの含量が６０重量％を有
するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は
０．７８ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。Example 5 NBA, GBL and EEP were placed in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 35% by weight, G
The BL content was adjusted to 5% by weight and the EEP content was adjusted to 60% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.78 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００５９】〈実施例６〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＰＧＭＥＡを入れて、これらを混合しシンナー組成物を
製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量
％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥＡの含量が１０
重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成
物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であっ
た。<Example 6> NBA, GBL and PGMEA were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 85% by weight, a GBL content of 5% by weight, and a PGMEA content of 10%.
Adjusted to have weight percent. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.74 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６０】〈実施例７〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＰＧＭＥＡを入れて、これらを混合しシンナー組成物を
製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量
％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥＡの含量が２０
重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成
物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であっ
た。Example 7 NBA, GBL and PGMEA were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 75% by weight, a GBL content of 5% by weight, and a PGMEA content of 20% by weight.
Adjusted to have weight percent. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.74 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６１】〈実施例８〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＰＧＭＥを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製
造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、
ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥの含量が１０重量％
を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘
度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。<Example 8> NBA, GBL and PGME were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 85% by weight,
GBL content 5% by weight, PGME content 10% by weight
Was adjusted to have. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.74 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６２】〈実施例９〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよび
ＰＧＭＥを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製
造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量％、
ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥの含量が２０重量％
を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘
度は０．７８ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。<Example 9> NBA, GBL and PGME were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 75% by weight,
GBL content 5% by weight, PGME content 20% by weight
Was adjusted to have. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.78 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６３】〈実施例１０〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよ
びＭＭＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製
造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が９０重量％、
ＧＢＬの含量が５重量％、ＭＭＰの含量が５重量％を有
するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は
０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。Example 10 NBA, GBL and MMP were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 90% by weight,
The GBL content was adjusted to 5% by weight and the MMP content was adjusted to 5% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.74 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６４】〈実施例１１〉容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよ
びＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製
造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８７重量％、
ＧＢＬの含量が１重量％、ＥＥＰの含量が１２重量％を
有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度
は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。<Example 11> NBA, GBL and EEP were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition has an NBA content of 87% by weight,
The GBL content was adjusted to 1% by weight and the EEP content was adjusted to 12% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition was 0.74 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６５】〈比較例１〉容器にＥＥＰ、ＥＬおよびＧ
ＢＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造し
た。シンナー組成物はＥＥＰの含量が７５重量％、ＥＬ
の含量が２０重量％、ＧＢＬの含量が５重量％を有する
ように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は１．
３０ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。<Comparative Example 1> EEP, EL and G in a container
BL was added and these were mixed to produce a thinner composition. The thinner composition has an EEP content of 75% by weight, EL
Was adjusted to 20% by weight, and the content of GBL was adjusted to 5% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition is 1.
It was 30 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６６】〈比較例２〉韓国特許公開公報第２００１
−３６４６１号に開示されたシンナー組成物を製造し
た。容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびアセトンを入れて、こ
れらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成
物はＮＢＡの含量が８５重量％、ＧＢＬの含量が５重量
％、アセトンの含量が１０重量％を有するように調整し
た。収得したシンナー組成物の粘度は０．６６ｃＰ（２
５℃恒温槽で測定）であった。Comparative Example 2 Korean Patent Publication No. 2001
The thinner composition disclosed in No. 36461 was prepared. NBA, GBL, and acetone were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition was adjusted to have an NBA content of 85% by weight, a GBL content of 5% by weight, and an acetone content of 10% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition is 0.66 cP (2
(Measured in a 5 ° C. constant temperature bath).

【００６７】〈比較例３〉容器にＧＢＬおよびＥＬを入
れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シン
ナー組成物はＧＢＬの含量が２０重量％、ＥＬの含量が
８０重量％を有するように調整した。収得したシンナー
組成物の粘度は２．４０ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）で
あった。<Comparative Example 3> GBL and EL were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The thinner composition was adjusted to have a GBL content of 20% by weight and an EL content of 80% by weight. The viscosity of the obtained thinner composition was 2.40 cP (measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００６８】〈比較例４〉容器にＮＢＡおよびＥＬを入
れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シン
ナー組成物のＮＢＡ：ＥＬの比率を８５：５に調整し
た。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２
５℃恒温槽で測定）であった。<Comparative Example 4> NBA and EL were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The NBA: EL ratio of the thinner composition was adjusted to 85: 5. The viscosity of the obtained thinner composition is 0.74 cP (2
(Measured in a 5 ° C. constant temperature bath).

【００６９】〈比較例５〉容器にＮＢＡおよびＧＢＬを
入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シ
ンナー組成物中のＮＢＡ：ＧＢＬの比率を８５：５に調
整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ
（２５℃恒温槽で測定）であった。<Comparative Example 5> NBA and GBL were put in a container and mixed to prepare a thinner composition. The NBA: GBL ratio in the thinner composition was adjusted to 85: 5. The viscosity of the obtained thinner composition is 0.74 cP
(Measured in a 25 ° C. constant temperature bath).

【００７０】（フォトレジストの種類による溶解速度試
験）実施例８で製造されたシンナー組成物を使用し、現
在使用されているフォトレジストに対する溶解速度を試
験した。〈試験例１〉基板上にｉ−ラインフォトレジストである
クライアント社（Ｃｌａｒｉａｎｔｃｏｍｐａｎｙ：米
国）のＡＺ１５２０ＨＳ（製品名）を約１．５ｃｃスピ
ン塗布した後、ソフトベーキング（１１０℃に加熱）を
実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは４２，
０００Åであった。そして、２５℃で基板をシンナー組
成物に浸漬させ、フォトレジストをストリッピングした
後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は５，０
００Å／ｓｅｃであった。(Dissolution Rate Test According to Type of Photoresist) The thinner composition prepared in Example 8 was used to test the dissolution rate for the currently used photoresist. <Test Example 1> About 1.5 cc of AZ1520HS (product name) of Client Company (Clariant company: USA), which is an i-line photoresist, was spin-coated on the substrate, and then soft baking (heating to 110 ° C.) was performed. The formed photoresist film has a thickness of 42,
It was 000Å. Then, the substrate was immersed in the thinner composition at 25 ° C., the photoresist was stripped, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate was 5,0
It was 00Å / sec.

【００７１】〈試験例２〉基板上にｉ−ラインフォトレ
ジストであるシプリコリア社（ＳｈｉｐｌｅｙＫｏｒｅ
ａｃｏｍｐａｎｙ：韓国）のＭＣＰＲ−４１００Ｈ
（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベ
ーキング（９０℃に加熱）を実施した。形成されたフォ
トレジスト膜の厚みは１１，９００Åであった。そし
て、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストを
ストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察され
た溶解速度は３，０００Å／ｓｅｃ以上であった。TEST EXAMPLE 2 An i-line photoresist on the substrate, Shipley Korea, is used.
a company: Korea) MCPR-4100H
After spin coating about 1.5 cc of (product name), soft baking (heating to 90 ° C.) was performed. The formed photoresist film had a thickness of 11,900Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate was 3,000Å / sec or more.

【００７２】〈試験例３〉基板上にｉ−ラインフォトレ
ジストであるティオケイ社（ＴＯＫｃｏｍｐａｎｙ：
日本）のＳＡＴ−７０１（製品名）を約１．５ｃｃスピ
ン塗布した後、ソフトベーキング（９０℃に加熱）を実
施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは９，７０
０Åであった。そして、基板をシンナー組成物に浸漬さ
せフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を
観察した。観察された溶解速度は９，７００Å／ｓｅｃ
以上であった。<Test Example 3> An i-line photoresist TOKAY company (TOK company:
SAT-701 (product name) of Japan) was spin-coated on the surface of about 1.5 cc, and then soft baking (heating to 90 ° C.) was performed. The formed photoresist film has a thickness of 9,70
It was 0Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. Observed dissolution rate is 9,700Å / sec
That was all.

【００７３】〈試験例４〉基板上にｉ−ラインフォトレ
ジストであるティオケイ社（ＴＯＫｃｏｍｐａｎｙ：
日本）のＳＡＴ−６６８（製品名）を約１．５ｃｃスピ
ン塗布した後、ソフトベーキング（９０℃に加熱）を実
施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１９，７
００Åであった。そして、基板をシンナー組成物に浸漬
させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度
を観察した。観察された溶解速度は１９，０００Å／ｓ
ｅｃ以上であった。<Test Example 4> An i-line photoresist (TOK company) on the substrate was used.
About 1.5 cc of SAT-668 (product name) of Japan) was spin-coated, and then soft baking (heating to 90 ° C.) was performed. The thickness of the formed photoresist film is 19,7
It was 00Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. Observed dissolution rate is 19,000Å / s
It was ec or more.

【００７４】〈試験例５〉基板上にｉ−ラインフォトレ
ジストであるシプリコリア社（ＳｈｉｐｌｅｙＫｏｒｅ
ａｃｏｍｐａｎｙ：韓国）のＭＣＰＲ−ｉ７０１０Ｎ
（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベ
ーキング（１１０℃に加熱）を実施した。形成されたフ
ォトレジスト膜の厚みは３５，０００Åであった。そし
て、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストを
ストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察され
た溶解速度は２０，０００Å／ｓｅｃ以上であった。TEST EXAMPLE 5 An i-line photoresist, Shipley Korea, which is an i-line photoresist, is formed on the substrate.
a company: Korea) MCPR-i7010N
After spin coating about 1.5 cc of (product name), soft baking (heating to 110 ° C.) was performed. The formed photoresist film had a thickness of 35,000Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate was 20,000 Å / sec or more.

【００７５】〈試験例６〉基板上にｉ−ラインフォトレ
ジストであるドンウー社（Ｄｏｎｇｗｏｏｃｏｍｐａ
ｎｙ：韓国）のＰＦＩ−５８Ａ（製品名）を約１．５ｃ
ｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１１０℃に加
熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは
１２，３００Åであった。そして、基板をシンナー組成
物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、
溶解速度を観察した。観察された溶解速度は１２，２０
０Å／ｓｅｃ以上であった。TEST EXAMPLE 6 Dong-Woo Compa, which is an i-line photoresist on a substrate.
About 1.5c of PFI-58A (product name) of ny: Korea)
After c spin coating, soft baking (heating to 110 ° C.) was performed. The thickness of the formed photoresist film was 12,300Å. Then, after the substrate is immersed in a thinner composition and the photoresist is stripped,
The dissolution rate was observed. The observed dissolution rate is 12,20
It was 0Å / sec or more.

【００７６】〈試験例７〉基板上にｉ−ラインフォトレ
ジストであるティオケイ社（ＴＯＫｃｏｍｐａｎｙ：
日本）のＴＨＭＲ−ｉｐ３１００（製品名）を約１．５
ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１１０℃に
加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚み
は１４，４００Åであった。そして、基板をシンナー組
成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした
後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は１４，
４００Å／ｓｅｃ以上であった。TEST EXAMPLE 7 An i-line photoresist TOKAY company (TOK company) on a substrate.
(Japan) THMR-ip3100 (product name) is about 1.5
After cc spin coating, soft baking (heating to 110 ° C.) was performed. The thickness of the formed photoresist film was 14,400 Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate was 14,
It was 400 Å / sec or more.

【００７７】〈試験例８〉基板上にｇ−ラインフォトレ
ジストであるシプリコリア社（ＳｈｉｐｌｅｙＫｏｒｅ
ａｃｏｍｐａｎｙ：韓国）のＧＳ１１１Ｍ（製品名）
を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング
（９０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジス
ト膜の厚みは１２，２００Åであった。そして、基板を
シンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピ
ングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度
は１２，０００Å／ｓｅｃ以上であった。<Test Example 8> Shipry Korea, which is a g-line photoresist on a substrate, is used.
a company: Korea) GS111M (product name)
After spin coating about 1.5 cc, soft baking (heating to 90 ° C.) was performed. The formed photoresist film had a thickness of 12,200Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate was 12,000Å / sec or more.

【００７８】〈試験例９〉基板上に原紫外線用フォトレ
ジストであるシンエツ社（Ｓｈｉｎｅｔｓｕｃｏｍｐ
ａｎｙ：日本）のＳＥＰＲ−４０２（製品名）を約１．
５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１００℃
に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚
みは１０，３００Åであった。そして、基板をシンナー
組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした
後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は７，０
００Å／ｓｅｃ以上であった。<Test Example 9> A photoresist for original ultraviolet rays on a substrate, Shinetsu comp.
Any: Japan) SEPR-402 (product name) is about 1.
After 5cc spin coating, soft baking (100 ℃
Heating). The formed photoresist film had a thickness of 10,300Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate is 7.0
It was more than 00Å / sec.

【００７９】〈試験例１０〉基板上に原紫外線用フォト
レジストであるシンエツ社（Ｓｈｉｎｅｔｓｕｃｏｍ
ｐａｎｙ：日本）のＳＥＰＲ−４３０（製品名）を約
１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１０
０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜
の厚みは５，７００Åであった。そして、基板をシンナ
ー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングし
た後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は５，
７００Å／ｓｅｃ以上であった。<Test Example 10> A photoresist for original ultraviolet rays on a substrate is provided by Shinetsu com.
About 1.5 cc of spin-coated SEPR-430 (product name) of pany (Japan), followed by soft baking (10
Heating to 0 ° C.). The thickness of the formed photoresist film was 5,700 Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate was 5,
It was more than 700Å / sec.

【００８０】〈試験例１１〉基板上に原紫外線用フォト
レジストであるスミトモ社（Ｓｕｍｉｔｏｍｏｃｏｍ
ｐａｎｙ：日本）のＳＳＫ−５００ＭＡ（製品名）を約
１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１０
０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜
の厚みは１６，０００Åであった。そして、基板をシン
ナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピング
した後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は
７，０００Å／ｓｅｃ以上であった。<Test Example 11> Sumitomo com, which is a photoresist for original ultraviolet rays, is formed on a substrate.
(Pay: Japan) SSK-500MA (product name) is applied by spin coating for about 1.5 cc, and then soft baking (10
Heating to 0 ° C.). The thickness of the formed photoresist film was 16,000Å. Then, the substrate was dipped in a thinner composition to strip the photoresist, and then the dissolution rate was observed. The observed dissolution rate was 7,000 Å / sec or more.

【００８１】試験例１から１１で、実施例８で製造され
たシンナー組成物を使用し多様なフォトレジストに対す
る溶解速度を観察したとおり、実施例８によるシンナー
組成物は大部分のフォトレジストに対し優れた溶解速度
を示すことが分かる。また、他の実施例によるシンナー
組成物もこれと類似の結果を示した。したがって、本発
明によるフォトレジストストリッパ組成物はウェーハ上
に塗布されたフォトレジストを溶解するに使用すること
ができることが分かる。In Test Examples 1 to 11, using the thinner composition prepared in Example 8 and observing the dissolution rate for various photoresists, the thinner composition according to Example 8 was used for most photoresists. It can be seen that it exhibits an excellent dissolution rate. Also, the thinner compositions according to other examples showed similar results. Therefore, it can be seen that the photoresist stripper composition according to the present invention can be used to dissolve the photoresist coated on the wafer.

【００８２】（フォトレジストの種類による残留物評価
試験）実施例１から１１および比較例１から５で収得さ
れたシンナー組成物を使用しフォトレジストを溶解させ
た後、残留するフォトレジストである残留物の存在可否
を検査した。具体的には、試験例１から１１で使用され
たものと同一のフォトレジストを基板上に試験例１から
１１と同一の方法により塗布した。フォトレジストが塗
布された基板を実施例１から１１および比較例１から５
で収得されたシンナー組成物中に１２０秒間に浸漬させ
た後、自然乾燥させた。自然乾燥された基板を顕微鏡で
観察し基板上に残留する残留物の存在可否を評価した。
評価結果を下記表１に示す。(Residue Evaluation Test According to Photoresist Type) The thinner compositions obtained in Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 5 were used to dissolve the photoresist, and then the residual photoresist remained. The existence of the object was inspected. Specifically, the same photoresist used in Test Examples 1 to 11 was coated on the substrate by the same method as in Test Examples 1 to 11. Substrates coated with photoresist were tested in Examples 1-11 and Comparative Examples 1-5.
It was immersed in the thinner composition obtained in 1. for 120 seconds, and then naturally dried. The naturally dried substrate was observed with a microscope to evaluate the presence or absence of a residue remaining on the substrate.
The evaluation results are shown in Table 1 below.

【００８３】[0083]

【表１】 [Table 1]

【００８４】表１の凡例において、○よい、△普通、×
悪いを示す。 ○：基板上に残留物が残留しない良好な状態 △：基板上に残留物が若干残留した状態（残留物が占め
る面積が基板面積対比１０％未満） ×：基板上に残留物が相当な程度に残留し、ストリッピ
ング状態がよくない場合（残留物が占める面積が基板面
積対比１０％以上）In the legend of Table 1, ○ good, △ normal, ×
Show bad. ◯: A good state in which no residue remains on the substrate Δ: A state in which some residue remains on the substrate (the area occupied by the residue is less than 10% of the substrate area) ×: A considerable amount of residue remains on the substrate When the stripping condition remains poor, the area occupied by the residue is 10% or more of the substrate area.

【００８５】また、表１のＰＲ１から１１は各々試験例
１から１１で使用されたフォトレジストと同一なフォト
レジストを示す。表１から分かるように、本発明の実施
例１から１１により収得されたシンナー組成物を使用
し、浸漬法によりフォトレジストをストリッピングして
も、以前より使用されているシンナー組成物と同様に良
好なストリッピング特性を得ることができる。したがっ
て、本発明のフォトレジストストリッパ組成物は浸漬法
によるフォトレジストストリッパ組成物として使用する
ことができる。Further, PR1 to PR11 in Table 1 show the same photoresists as those used in Test Examples 1 to 11, respectively. As can be seen from Table 1, when the thinner composition obtained by Examples 1 to 11 of the present invention is used and the photoresist is stripped by the dipping method, it is similar to the thinner composition used before. Good stripping characteristics can be obtained. Therefore, the photoresist stripper composition of the present invention can be used as a photoresist stripper composition by the dipping method.

【００８６】（フォトレジストの種類によるＥＢＲ工程
の評価）実施例１１、ならびに比較例１、２、３および
５で収得されたシンナー組成物を使用し、フォトレジス
ト種類別に前述したようなＥＢＲ工程を実施した後、フ
ォトレジストのストリッピング程度を評価した（ＥＢＲ
評価）。本ＥＢＲ評価時には、基板にシンナー組成物を
噴射する方法を使用してフォトレジストと接触させた。
噴射にはＤＮＳ社の窒素（Ｎ₂）加圧方式コータ（Ｃｏ
ａｔｅｒ）を用いた。このとき、窒素圧力は０．７ｋｇ
ｆ／ｃｍ²（６．９×１０⁴Ｐａ）であり、シンナー組成
物は１３ｃｃ／ｍｉｎの流速で４秒間供給した。評価結
果を下記表２に示す。(Evaluation of EBR Process According to Photoresist Type) The thinner compositions obtained in Example 11 and Comparative Examples 1, 2, 3 and 5 were used to perform the EBR process as described above for each photoresist type. After implementation, the degree of stripping of the photoresist was evaluated (EBR
Evaluation). During this EBR evaluation, the substrate was contacted with a photoresist using a method of spraying a thinner composition.
Nitrogen (N ₂ ) pressurization type coater (Co
ater) was used. At this time, the nitrogen pressure is 0.7 kg
f / cm ² (6.9 × 10 ⁴ Pa), and the thinner composition was supplied for 4 seconds at a flow rate of 13 cc / min. The evaluation results are shown in Table 2 below.

【００８７】[0087]

【表２】 [Table 2]

【００８８】表２の凡例において、○よい、△普通、×
悪いを示す。 ○：ＥＢＲ工程を実施した部位に残留物がなく、ＥＢＲ
工程を実施した後のフォトレジストの境界線（ＥＢＲ工
程を実施した部位と実施しない部位との間の境界線）が
きれいに形成された状態 △：ＥＢＲ工程を実施した部位には残留物がないが、Ｅ
ＢＲ工程を実施した後のフォトレジストの境界線がきれ
いでない状態 ×：ＥＢＲ工程を実施した部位に残留物があり、ＥＢＲ
工程を実施した後のフォトレジストの境界線がきれいで
ない状態In the legend of Table 2, ○ good, △ normal, ×
Show bad. ◯: No residue was found at the site where the EBR process was performed,
After the process, the boundary line of the photoresist (the boundary line between the part where the EBR process is carried out and the part where the EBR process is not carried out) is neatly formed. Δ: There is no residue at the part where the EBR process is carried out. , E
Border line of photoresist is not clean after BR process is performed. X: EBR process area has residue and EBR
Borderline of photoresist is not clean after performing process

【００８９】前記ＰＲ３から７および９から１１は、試
験例３から７および９から１１で使用されたフォトレジ
ストと同一のフォトレジストを示す。表２から分かるよ
うに、本発明の実施例１１で収得したシンナー組成物を
使用すると、ＥＢＲ工程を実施した場合に優れたストリ
ッピング特性を得ることができる。PRs 3 to 7 and 9 to 11 above represent the same photoresists used in Test Examples 3 to 7 and 9 to 11. As can be seen from Table 2, when the thinner composition obtained in Example 11 of the present invention is used, excellent stripping characteristics can be obtained when the EBR process is performed.

【００９０】比較例１のシンナー組成物は、本発明の実
施例１１と殆ど同一のストリッピング特性を示している
が、いくつかのｉ−ラインフォトレジストに対してＥＢ
Ｒ境界線がきれいでなく、特に価格が高いという短所が
ある。また、比較例２のシンナー組成物はＥＢＲ工程を
実施した後に残留物が残らないが、添加成分であるアセ
トンを含むので、ＥＢＲ境界線がきれいでないことが示
された。比較例３の組成物はフォトレジストに対する溶
解能力はよいが、粘度が高く（２．４０ｃＰ）、ＥＢＲ
特性がよくないことが示され、比較例５のシンナー組成
物の場合には、ＥＢＲ工程を実施した後、いくつかのフ
ォトレジスト組成物に対して残留物を残した。以上、本
発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定
されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を
有するものであれば本発明の思想と精神を離れることな
く、本発明の実施例を修正または変更できるであろう。The thinner composition of Comparative Example 1 exhibits almost the same stripping properties as Example 11 of the present invention, but EB for some i-line photoresists.
The R boundary is not clean and the price is particularly high. Further, although the thinner composition of Comparative Example 2 did not leave a residue after the EBR step was performed, it was shown that the EBR boundary line was not clean because it contained acetone as an additive component. The composition of Comparative Example 3 has good solubility in photoresist, but high viscosity (2.40 cP), and EBR
The properties were shown to be poor, and the thinner composition of Comparative Example 5 left a residue for some photoresist compositions after the EBR process was performed. Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to these, and without departing from the spirit and spirit of the present invention, one having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs, The embodiments of the present invention could be modified or changed.

【００９１】[0091]

【発明の効果】本発明による新規なフォトレジストスト
リッパ組成物は、多様なフォトレジストおよびＥＢＲ／
リワーク工程に対し良好なストリッピング特性を示し
た。特に、ノーマルブチルアセテートのような低廉な価
格の非アセト酸エステル化合物をストリッパの主成分に
含み、この成分はストリッパの成分含量を高める。した
がって、フォトレジストストリッパ組成物を低廉な価格
に製造することができ、多様なフォトレジストに対して
優れた特性を確保することができる。フォトレジストス
トリッパ組成物は環境新化的であるので、環境問題を発
生させず、後に惹起される環境問題にも積極的に対処す
ることができ、また、下部膜に支障を及ぼさないことを
確認することができた。本発明によると、低廉な価格の
フォトレジストストリッパ組成物をフォトレジストのス
トリッピングに積極的に使用することができる。したが
って、半導体産業に広く使用されることができる。The novel photoresist stripper composition according to the present invention has various photoresist and EBR / EBR /
It showed good stripping characteristics for the rework process. In particular, a cheaper non-acetate compound such as normal butyl acetate is included in the main component of the stripper, which increases the content of the stripper component. Therefore, the photoresist stripper composition can be manufactured at a low price, and excellent characteristics can be secured for various photoresists. Since the photoresist stripper composition is environmentally innovative, it is confirmed that it does not cause environmental problems, can positively deal with environmental problems caused later, and does not hinder the lower film. We were able to. In accordance with the present invention, inexpensive photoresist stripper compositions can be actively used for photoresist stripping. Therefore, it can be widely used in the semiconductor industry.

[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施例によるシンナー組成物を使用し
基板エッジおよび裏面部位に塗布されているフォトレジ
ストをストリッピングする方法を説明するための工程図
である。FIG. 1 is a process chart for explaining a method of stripping a photoresist applied to a substrate edge and a back surface using a thinner composition according to an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施例によるシンナー組成物を使用し
基板エッジ全面に塗布されているフォトレジストをスト
リッピングする方法を説明するための工程図である。FIG. 2 is a process diagram illustrating a method of stripping a photoresist coated on the entire surface of a substrate using a thinner composition according to an embodiment of the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鄭曾式大韓民国京畿道龍仁市樹脂邑風徳千里珍山タウン三星５次アパート522棟1102号 (72)発明者田美淑大韓民国ソウル市永登浦区大林３洞777− １番地新東亜アパート１棟905号 (72)発明者裴恩美大韓民国京畿道水原市勧善区細柳１洞334 −43番地 (72)発明者崔百洵大韓民国京畿道安養市東安区坪村洞草原漢陽アパート605棟1003号 (72)発明者張玉錫大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞風林アパート233棟902号Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 LA03 5F046 MA02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Zheng Zhong expression Yongin-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea Town Samsung 5th Apartment 522 Building 1102 (72) Inventor Miyoshi Ta 777-, Daelong 3-dong, Yeongdeungpo-gu, Seoul, South Korea No. 1 Shin-Toa Apartment No. 905 (72) Inventor Ami Emi 334 Hosoyanagi, Sokzen-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea −43 (72) Inventor Choi Hyakuki Republic of Korea Gyeonggi Province Dongyang-gu Dongan-gu Pyeongchon-dong Meadow Han Yang apartment 605 building 1003 (72) Inventor Zhang Yu Tin Gyeonggi-do Suwon-si, Gwondo-gu, Korea Part 233 No. 902 F-term (reference) 2H096 AA25 AA26 LA03 5F046 MA02

Claims

[Claims]

1. A photoresist stripper composition comprising an acetate ester compound, γ-butyrolactone and a non-acetate ester compound.

2. The photoresist stripper composition according to claim 1, wherein the acetic acid ester compound is normal butyl acetate.

3. The photoresist of claim 1, wherein the acetate compound is at least one material selected from the group consisting of normal butyl acetate, amyl acetate, ethyl acetoacetate and isopropyl acetate. Stripper composition.

4. The non-acetate compound is any one substance selected from the group including ethyl lactate, ethyl-3-ethoxypropionate and methyl-3-methoxypropionate. The photoresist stripper composition according to claim 1.

5. The content of the acetic acid ester compound is 8
To 95% by weight, the γ-butyrolactone content is 0.1 to 13% by weight, and the non-acetate compound content is 3 to 80% by weight. Photoresist stripper composition.

6. The content of the acetic acid ester compound is 5
The content of the γ-butyrolactone is 0.1 to 7% by weight, and the content of the non-acetate compound is 10 to 70% by weight. A photoresist stripper composition as described.

7. The non-acetate compound is ethyl lactate, the content of normal butyl acetate is 50 to 85 wt%, the content of γ-butyrolactone is 1 to 13 wt%, The photoresist stripper composition according to claim 2, wherein the content of lactate is 10 to 40% by weight.

8. The non-acetate compound is ethyl lactate, the content of normal butyl acetate is 55 to 85% by weight, the content of γ-butyrolactone is 1 to 7% by weight, The photoresist stripper composition according to claim 2, wherein the content of lactate is 10 to 40% by weight.

9. The photoresist stripper composition according to claim 2, wherein the non-acetate compound is ethyl-3-ethoxypropionate.

10. The content of normal butyl acetate is 20 to 90% by weight, the content of γ-butyrolactone is 0.1 to 13% by weight, and the ethyl-3
-Ethoxypropionate content of 10 to 70% by weight
10. The photoresist stripper composition according to claim 9, wherein:

11. The normal butyl acetate content is 30 to 89% by weight, the γ-butyrolactone content is 0.1 to 7% by weight, and the ethyl-3-
The photoresist stripper composition according to claim 9, wherein the content of ethoxypropionate is 20 to 70% by weight.

12. The normal butyl acetate content is 30 to 89 wt%, the γ-butyrolactone content is 0.5 to 5 wt%, and the ethyl-3-
10. The photoresist stripper composition according to claim 9, wherein the content of ethoxypropionate is 10 to 65% by weight.

13. The non-acetate compound is methyl-3-methoxypropionate, and the content of normal butyl acetate is 50 to 90% by weight.
The photoresist stripper composition of claim 2, wherein the content of γ-butyrolactone is 1 to 13% by weight, and the content of methyl-3-methoxypropionate is 5 to 40% by weight. .

14. The non-acetate compound is methyl-3-methoxypropionate, and the normal butyl acetate content is 55 to 90% by weight.
The photoresist stripper composition of claim 2, wherein the content of γ-butyrolactone is 1 to 7% by weight, and the content of methyl-3-methoxypropionate is 5 to 40% by weight. .

15. The photoresist stripper composition according to claim 1, further comprising a surfactant.

16. The photoresist stripper composition according to claim 15, wherein the content of the surfactant is 1% by weight or less.

17. The surfactant is an alkylbenzene sulfonate, an alkali metal salt of an alkylbenzene sulfonate, an alkyl metal salt of diphenyldisulfonate and an alkyl metal salt of diphenyldisulfonate, an alkylaryl sulfonate. 16. The photoresist stripper composition of claim 15, wherein the photoresist stripper composition is at least one material selected from the group consisting of: an alkali metal fluoroalcarcarboxylate, an ammonium perfluoroalkyl sulfonate, and mixtures thereof. object.

18. A photoresist stripper composition comprising an acetate compound, γ-butyrolactone and a polyhydric alcohol derivative.

19. The acetic acid ester compound is normal butyl acetate.
8. The photoresist stripper composition according to item 8.

20. The photo according to claim 18, wherein the acetic acid ester compound is at least one substance selected from the group consisting of normal butyl acetate, amyl acetate, ethyl acetoacetate and isopropyl acetate. Resist stripper composition.

21. The polyhydric alcohol derivative is either propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, or a mixture of propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate. Photoresist stripper composition.

22. The content of the acetic acid ester compound is 42 to 90% by weight, the content of the γ-butyrolactone is 1 to 13% by weight, and the content of the polyhydric alcohol derivative is 5 to 45% by weight. 19. The photoresist stripper composition of claim 18, which is.

23. The content of the acetic acid ester compound is 50 to 85% by weight, the content of the γ-butyrolactone is 1 to 7% by weight, and the content of the polyhydric alcohol derivative is 10 to 40% by weight. 19. The photoresist stripper composition of claim 18, which is.

24. The polyhydric alcohol derivative is propylene glycol monomethyl ether, and the content of the normal butyl acetate is 50 to 85% by weight.
The content of γ-butyrolactone is 1 to 13% by weight, and the content of propylene glycol monomethyl ether is 5 to 40% by weight.
9. The photoresist stripper composition according to item 9.

25. The polyhydric alcohol derivative is propylene glycol monomethyl ether, and the content of the normal butyl acetate is 55 to 85% by weight.
The photoresist stripper composition of claim 19, wherein the content of γ-butyrolactone is 1 to 7% by weight and the content of propylene glycol monomethyl ether is 10 to 30% by weight.

26. The polyhydric alcohol derivative is propylene glycol monomethyl ether acetate, the normal butyl acetate content is 50 to 85 wt%, and the γ-butyrolactone content is 1 to 13.
20. The photoresist stripper composition of claim 19, wherein the content of the propylene glycol monomethyl ether acetate is 10 to 40% by weight.

27. The polyhydric alcohol derivative is propylene glycol monomethyl ether acetate, the normal butyl acetate content is 55 to 85 wt%, and the γ-butyrolactone content is 1 to 7 wt%. The photoresist stripper composition according to claim 19, wherein the content of propylene glycol monomethyl ether acetate is 10 to 40% by weight.

28. The photoresist stripper composition of claim 18, further comprising a surfactant.

29. The photoresist stripper composition according to claim 28, wherein the content of the surfactant is 1% by weight or less.

30. The surfactant is an alkylbenzene sulfonate, an alkali metal salt of an alkylbenzene sulfonate, an alkyl metal salt of diphenyldisulfonate and an alkyl metal salt of diphenyldisulfonate, an alkylaryl sulfonate. 29. The photoresist stripper composition of claim 28, wherein the photoresist stripper composition is at least one material selected from the group consisting of: an alkali metal fluoroalcarcarboxylate, an ammonium perfluoroalkyl sulfonate, and mixtures thereof. object.