JP2003172718A - Gas detector - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス濃度を検出す
るガス検出装置に関し、特に、センサの較正対策に係る
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas detector for detecting gas concentration, and more particularly to a measure for calibrating a sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、ガスセンサには、一般計測の
他、都市ガス及びプロパンガスなどの漏れ検知に応用さ
れる一方、空気清浄機や空気調和装置の室内機などに至
るまで広く応用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, gas sensors have been widely used not only for general measurement but also for leak detection of city gas and propane gas, and also for air cleaners and indoor units of air conditioners. There is.
【０００３】この従来のガスセンサは、センサの経時変
化や妨害ガスの影響によりセンサ出力がドリフトするた
め、零点補正を行わないと、正確な絶対値レベルの測定
が困難である。そこで、従来、ガス検出装置は、特開２
００１−４１９１６号公報に開示されているように、ガ
スセンサをチャンバに設け、該チャンバ内に触媒を設け
ているものがある。そして、上記ガス検出装置は、チャ
ンバの内部空気を定期的に一旦清浄にし、ガスセンサの
基準値を較正するようにしている。In this conventional gas sensor, the sensor output drifts due to the change with time of the sensor and the influence of the interfering gas, so that accurate absolute value level measurement is difficult unless the zero point correction is performed. Therefore, conventionally, a gas detection device is disclosed in
As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 001-41916, there is one in which a gas sensor is provided in a chamber and a catalyst is provided in the chamber. Then, the gas detection device is configured to periodically clean the air inside the chamber and calibrate the reference value of the gas sensor.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のガス検出装置は、基準値の較正、つまり、零点補正を
行っているが、較正用触媒に熱触媒を用いると、この熱
触媒を加熱した際、ガスセンサ自身も加熱される。この
結果、ガスセンサ自身の温度依存性によってセンサ出力
が変動し、較正精度が悪いという問題があった。As described above, the conventional gas detection device calibrates the reference value, that is, performs the zero point correction. However, when a thermal catalyst is used as the calibration catalyst, this thermal catalyst is used. When heated, the gas sensor itself is also heated. As a result, there is a problem in that the sensor output fluctuates due to the temperature dependence of the gas sensor itself, resulting in poor calibration accuracy.
【０００５】本発明は、斯かる点に鑑みて成されたもの
で、装置全体の消費電力の増加及びコスト上昇を抑制し
つつ、センサの較正精度の向上を図ることを目的とする
ものである。The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to improve the calibration accuracy of a sensor while suppressing an increase in power consumption and an increase in cost of the entire apparatus. .
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】具体的に、図１に示すよ
うに、第１の発明は、外部空気を流入させるための開口
（43）を有するチャンバ（40）と、該チャンバ（40）に
流入した外部空気からチャンバ（40）の外部のガス濃度
を検出する半導体センサ（20）とを備えている。更に、
該半導体センサ（20）の基準値を較正するために上記チ
ャンバ（40）の内部空気を清浄にするための熱触媒（5
0）と、上記チャンバ（40）内に清浄空気を生成するた
めに上記熱触媒（50）を活性化するための触媒ヒータ
（60）とを備えている。加えて、上記半導体センサ（2
0）の基準値の較正において、該半導体センサ（20）の
感ガス部（26）を所定温度に維持するための加熱制御手
段（73）を備えている。Specifically, as shown in FIG. 1, the first invention is a chamber (40) having an opening (43) for letting in external air, and the chamber (40). And a semiconductor sensor (20) for detecting the gas concentration outside the chamber (40) from the outside air flowing into the chamber. Furthermore,
A thermal catalyst (5) for cleaning the internal air of the chamber (40) to calibrate the reference value of the semiconductor sensor (20).
0) and a catalyst heater (60) for activating the thermal catalyst (50) to generate clean air in the chamber (40). In addition, the semiconductor sensor (2
In the calibration of the reference value of 0), a heating control means (73) is provided for maintaining the gas sensing part (26) of the semiconductor sensor (20) at a predetermined temperature.
【０００７】また、第２の発明は、第１の発明におい
て、上記加熱制御手段（73）が半導体センサ（20）の内
部ヒータ部（27）の印加電圧を所定の制御パターンで制
御するように構成されたものである。In a second aspect based on the first aspect, the heating control means (73) controls the voltage applied to the internal heater section (27) of the semiconductor sensor (20) in a predetermined control pattern. It is composed.
【０００８】また、第３の発明は、第２の発明におい
て、上記加熱制御手段（73）が制御パターンを外部空気
の温度に基づいて選定するように構成されたものであ
る。A third aspect of the invention is the second aspect of the invention, wherein the heating control means (73) selects the control pattern based on the temperature of the external air.
【０００９】すなわち、本発明では、半導体センサ（2
0）が対象ガスのガス濃度を検出する場合、触媒ヒータ
（60）への通電を停止した状態において、対象ガスが開
口（43）を介してチャンバ（40）内に流入し、半導体セ
ンサ（20）の感ガス部（26）に供給される。そして、上
記半導体センサ（20）が対象ガス濃度に対応したセンサ
出力を出力する。That is, in the present invention, the semiconductor sensor (2
0) detects the gas concentration of the target gas, the target gas flows into the chamber (40) through the opening (43) while the energization of the catalyst heater (60) is stopped, and the semiconductor sensor (20 ) Is supplied to the gas sensing part (26). Then, the semiconductor sensor (20) outputs a sensor output corresponding to the target gas concentration.
【００１０】一方、半導体センサ（20）の較正を行う場
合、触媒ヒータ（60）へ通電し、熱触媒（50）を活性化
させ、チャンバ（40）の内部空気を清浄化する。そし
て、上記半導体センサ（20）は、清浄空気のガス濃度を
検出し、センサ出力によって半導体センサ（20）の零点
を較正する。この較正時において、加熱制御手段（73）
が半導体センサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維
持する。On the other hand, when the semiconductor sensor (20) is calibrated, the catalyst heater (60) is energized to activate the thermal catalyst (50) and clean the internal air of the chamber (40). The semiconductor sensor (20) detects the gas concentration of clean air and calibrates the zero point of the semiconductor sensor (20) based on the sensor output. During this calibration, heating control means (73)
Maintains the gas sensing part (26) of the semiconductor sensor (20) at a predetermined temperature.
【００１１】具体的に、例えば、上記加熱制御手段（7
3）は、外部空気の温度の検知信号を受けて外部空気の
温度に対応した制御パターンを選択する。その後、較正
動作が開始して触媒ヒータ（60）が加熱すると、加熱制
御手段（73）は、較正の開始時から半導体センサ（20）
の内部ヒータ部（27）の印加電圧を低下させ、触媒ヒー
タ（60）の加熱が終了するまで徐々に低下させる。Specifically, for example, the heating control means (7
3) receives a detection signal of the temperature of the external air and selects a control pattern corresponding to the temperature of the external air. After that, when the calibration operation starts and the catalyst heater (60) heats, the heating control means (73) causes the semiconductor sensor (20) to start from the start of the calibration.
The applied voltage of the internal heater section (27) is gradually decreased until the heating of the catalyst heater (60) is completed.
【００１２】この電圧制御により半導体センサ（20）の
センサ出力は、触媒ヒータ（60）の加熱が開始される
と、チャンバ（40）の内部空気が清浄化されるので、急
激に低下する。その後、半導体センサ（20）は、触媒ヒ
ータ（60）の温度の影響を受けるものの、内部ヒータ部
（27）の加熱度合が低下するので、センサ出力は、清浄
レベルまで低下して該清浄レベルを維持する。その後、
触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、半導体センサ
（20）は、通常の検出動作に復帰する。With this voltage control, the sensor output of the semiconductor sensor (20) drops sharply when the heating of the catalyst heater (60) is started, because the internal air of the chamber (40) is cleaned. Thereafter, although the semiconductor sensor (20) is affected by the temperature of the catalyst heater (60), the heating degree of the internal heater section (27) is reduced, so that the sensor output is reduced to a clean level and the clean level is lowered. maintain. afterwards,
When the heating of the catalyst heater (60) is completed, the semiconductor sensor (20) returns to the normal detection operation.
【００１３】[0013]
【発明の効果】したがって、本発明によれば、清浄空気
によって半導体センサ（20）の較正を行う際、加熱制御
手段（73）によって半導体センサ（20）の感ガス部（2
6）を所定温度に維持するようにしたために、上記半導
体センサ（20）の温度依存性によるセンサ出力の変動を
防止することができる。この結果、上記半導体センサ
（20）の較正動作を正確に行うことができるので、測定
誤差を大幅に低減することができる。Therefore, according to the present invention, when the semiconductor sensor (20) is calibrated with clean air, the heating control means (73) causes the gas sensing part (2) of the semiconductor sensor (20).
Since 6) is maintained at the predetermined temperature, it is possible to prevent the sensor output from varying due to the temperature dependency of the semiconductor sensor (20). As a result, since the calibration operation of the semiconductor sensor (20) can be performed accurately, the measurement error can be significantly reduced.
【００１４】また、清浄空気によって半導体センサ（2
0）の零点の較正を行うようにしたために、検出の対象
ガスが室内に定常的に存在する場合、又はこの対象ガス
の変化が小さい場合や、緩やかな場合においても対象ガ
ス濃度を正確に検出することができる。この結果、測定
の信頼性を向上させることができる。In addition, the semiconductor sensor (2
Since the zero point of (0) is calibrated, the target gas concentration can be accurately detected even when the target gas for detection is constantly present in the room, or when the target gas changes little or is gentle. can do. As a result, the reliability of measurement can be improved.
【００１５】特に、半導体センサ（20）の感度低下など
が生じても、対象ガスが存在しない清浄な状態から対象
ガス濃度を検出するので、精度の高い測定を行うことが
できる。Particularly, even if the sensitivity of the semiconductor sensor (20) is lowered, the concentration of the target gas is detected from a clean state in which the target gas does not exist, so that highly accurate measurement can be performed.
【００１６】また、上記加熱制御手段（73）としては、
加熱手段や冷却手段を採用することも可能である。つま
り、この熱触媒（50）の加熱時における半導体センサ
（20）の熱影響を抑制するためには、半導体センサ（2
0）の温度を一定にすればよい。例えば、ヒータなどの
加熱手段を別途に設け、熱触媒（50）の加熱時における
到達上昇温度以上の高温で加熱手段をＰＩ制御又はＰＩ
Ｄ制御し、半導体センサ（20）の温度を一定にする。ま
たは、いわゆるペルチェ素子などの電子冷却手段を設け
て冷却し、半導体センサ（20）の温度を一定にすること
が考えられる。これら加熱手段や冷却手段を設けると、
装置全体の消費電力が増加すると共に、コスト上昇の要
因になる。Further, as the heating control means (73),
It is also possible to employ heating means or cooling means. That is, in order to suppress the thermal influence of the semiconductor sensor (20) when heating the thermal catalyst (50), the semiconductor sensor (2
The temperature of 0) should be constant. For example, a heating means such as a heater is separately provided, and the heating means is PI-controlled or PI-heated at a temperature higher than the temperature reached by the heating of the thermal catalyst (50).
D control is performed to keep the temperature of the semiconductor sensor (20) constant. Alternatively, it is conceivable to provide an electronic cooling means such as a so-called Peltier element to cool the semiconductor sensor (20) to keep the temperature constant. When these heating means and cooling means are provided,
This increases the power consumption of the entire device and increases the cost.
【００１７】そこで、本発明の一態様として、上記半導
体センサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を制御
することとする。この発明によれば、加熱手段や冷却手
段などの部品点数を増加させることなく、通常一定電圧
が印加される内部ヒータ部（27）の電圧を所定制御パタ
ーンに変更することで半導体センサ（20）の感ガス部
（26）を所定温度に維持することができる。この結果、
装置全体の消費電力の増加やコスト上昇を招くことなく
半導体センサ（20）の較正動作を正確に行うことができ
る。Therefore, as one aspect of the present invention, the voltage applied to the internal heater section (27) of the semiconductor sensor (20) is controlled. According to the present invention, the semiconductor sensor (20) is changed by changing the voltage of the internal heater section (27) to which a constant voltage is normally applied to a predetermined control pattern without increasing the number of parts such as heating means and cooling means. The gas sensing part (26) can be maintained at a predetermined temperature. As a result,
The calibration operation of the semiconductor sensor (20) can be accurately performed without increasing the power consumption of the entire device and increasing the cost.
【００１８】また、外部温度に対応して制御パターンを
選択するので、外部温度に対応して半導体センサ（20）
の感ガス部（26）の温度、つまり、感ガス部（26）の表
面温度を一定に制御することができる。この結果、外部
温度に拘わらず、半導体センサ（20）の較正動作を正確
に行うことができる。Further, since the control pattern is selected according to the external temperature, the semiconductor sensor (20) is selected according to the external temperature.
The temperature of the gas sensing part (26), that is, the surface temperature of the gas sensing part (26) can be controlled to be constant. As a result, the calibration operation of the semiconductor sensor (20) can be accurately performed regardless of the external temperature.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００２０】図１に示すように、本実施形態のガス検出
装置（10）は、例えば、空気調和装置の室内機や空気清
浄機に設けられている。そして、該ガス検出装置（10）
は、外部空気である室内空気のガス濃度を検出するもの
で、例えば、室内のホルムアルデヒドなどの対象ガスの
ガス濃度を検出するものである。As shown in FIG. 1, the gas detector (10) of this embodiment is provided, for example, in an indoor unit or an air cleaner of an air conditioner. And the gas detection device (10)
Is for detecting the gas concentration of the room air which is the outside air, for example for detecting the gas concentration of the target gas such as formaldehyde in the room.
【００２１】上記ガス検出装置（10）は、ガスセンサ
（20）と清浄空気の生成手段（30）とを備えている。そ
して、上記生成手段（30）は、チャンバ（40）に熱触媒
（50）及び触媒ヒータ（60）が設けられて構成されてい
る。The gas detector (10) comprises a gas sensor (20) and a clean air generating means (30). The generating means (30) is configured by providing the chamber (40) with the thermal catalyst (50) and the catalyst heater (60).
【００２２】上記チャンバ（40）は、所定容量の容器状
に形成されている。具体的に、上記チャンバ（40）は、
高熱伝導率材料で形成され、ほぼカップ状の本体（41）
と、該本体（41）の上部を閉鎖する上部板（42）とより
構成されている。そして、上記本体（41）の上部には、
チャンバ（40）の外部と内部とを連通する開口（43）が
形成されている。該開口（43）は、室内空気がチャンバ
（40）に流入して拡散するように形成されている。The chamber (40) is shaped like a container having a predetermined volume. Specifically, the chamber (40) is
Body made of high thermal conductivity material, almost cup-shaped body (41)
And an upper plate (42) for closing the upper part of the main body (41). And, in the upper part of the main body (41),
An opening (43) that communicates the outside and the inside of the chamber (40) is formed. The opening (43) is formed so that room air flows into the chamber (40) and diffuses therein.
【００２３】尚、上記チャンバ（40）は、熱触媒（50）
の負荷を小さくすると共に、測定時の対象ガスに対する
応答性を良くするため、容積が極力小さいことが望まし
い。つまり、上記チャンバ（40）の容量は、熱触媒（5
0）並びに触媒ヒータ（60）のサイズ及び電気容量に応
じて、温度上昇を避けるための下限値が存在し、数ミリ
リットルから数十ミリリットル程度である。The chamber (40) includes a thermal catalyst (50).
It is desirable that the volume be as small as possible in order to reduce the load on the device and improve the response to the target gas at the time of measurement. That is, the capacity of the chamber (40) is
0) and the size and electric capacity of the catalyst heater (60), there is a lower limit value for avoiding temperature rise, which is about several milliliters to several tens of milliliters.
【００２４】上記ガスセンサ（20）は、半導体センサで
構成され、チャンバ（40）の本体（41）に取り付けられ
ている。そして、図２に示す上記ガスセンサ（20）のセ
ンサ部（24）がチャンバ（40）内に位置している。The gas sensor (20) is composed of a semiconductor sensor and is attached to the main body (41) of the chamber (40). The sensor part (24) of the gas sensor (20) shown in FIG. 2 is located in the chamber (40).
【００２５】上記ガスセンサ（20）は、図２に示すよう
に、ピン（21）が貫通して取り付けられたプレート（2
2）と、上記ピン（21）にリード線（23）を介して接続
されたセンサ部（24）と、該センサ部（24）を覆うセン
サカバー（25）とを備えている。上記センサ部（24）
は、半導体より成る感ガス部（26）と内部ヒータ部（2
7）とを備え、該内部ヒータ部（27）が感ガス部（26）
を常時約３００℃〜４００℃に加熱している。As shown in FIG. 2, the gas sensor (20) includes a plate (2) having a pin (21) penetratingly attached thereto.
2), a sensor section (24) connected to the pin (21) via a lead wire (23), and a sensor cover (25) covering the sensor section (24). Above sensor part (24)
Is a gas sensing part (26) made of semiconductor and an internal heater part (2
7) and the internal heater section (27) is a gas sensitive section (26)
Is constantly heated to about 300 ° C to 400 ° C.
【００２６】上記センサカバー（25）は、プレート（2
2）に取り付けられ、チャンバ（40）の内部空気が導入
されるように開口部（28）が形成されている。The sensor cover (25) has a plate (2
The opening (28) is formed so that the inside air of the chamber (40) is introduced into the chamber (40).
【００２７】上記熱触媒（50）と触媒ヒータ（60）と
は、チャンバ（40）の内部の中央下部に配置されてい
る。上記触媒ヒータ（60）は、熱触媒（50）を活性化さ
せるための駆動源であって、電気ヒータで構成されてい
る。The thermal catalyst (50) and the catalyst heater (60) are arranged in the lower part of the center inside the chamber (40). The catalyst heater (60) is a drive source for activating the thermal catalyst (50) and is composed of an electric heater.
【００２８】上記熱触媒（50）は、ガスセンサ（20）の
基準値を較正するために清浄空気を生成するものであ
る。該熱触媒（50）は、例えば、触媒成分が担体に担持
されて構成され、マンガン系触媒、バナジウム系触媒又
はモリブデン系触媒等の熱触媒で構成されている。The thermal catalyst (50) produces clean air for calibrating the reference value of the gas sensor (20). The thermal catalyst (50) is composed of, for example, a catalyst component supported on a carrier, and is composed of a thermal catalyst such as a manganese-based catalyst, a vanadium-based catalyst, or a molybdenum-based catalyst.
【００２９】上記熱触媒（50）の担体としては、例え
ば、活性アルミナ、セリア、ジルコニア、シリカ及びゼ
オライト等から選ばれた１種類以上の金属酸化物又は該
金属酸化物と金属の複合酸化物との混合物が採用されて
いる。The carrier for the thermal catalyst (50) is, for example, one or more kinds of metal oxides selected from activated alumina, ceria, zirconia, silica, zeolite and the like, or composite oxides of these metal oxides and metals. A mixture of is adopted.
【００３０】上記触媒成分としては、例えば、Ag、Pd、
Pt、Mn及びRhのうちから選ばれた１種類以上の金属、該
金属を含有する合金若しくは該金属の酸化物、又はこれ
らの２種類以上の混合物が採用されている。Examples of the catalyst component include Ag, Pd,
One or more metals selected from Pt, Mn and Rh, an alloy containing the metal or an oxide of the metal, or a mixture of two or more thereof is used.
【００３１】また、上記熱触媒（50）は、例えば、触媒
成分が担体に担持されたものを網状に形成された金属等
の基材に担持させてもよく、また、熱触媒（50）は、触
媒成分のみからなるものを網状に形成された金属等の基
材に担持させてもよい。The thermal catalyst (50) may be obtained by, for example, supporting a catalyst component on a carrier and supporting it on a base material such as a net-shaped metal. Alternatively, the catalyst component alone may be supported on a base material such as a net-shaped metal.
【００３２】上記触媒ヒータ（60）は、熱触媒（50）に
接合されるか、又は重ね合わされ、該触媒ヒータ（60）
への通電によって熱触媒（50）が活性化するように構成
されている。The catalyst heater (60) is bonded to or superposed on the thermal catalyst (50), and the catalyst heater (60)
The thermal catalyst (50) is activated by energizing the thermal catalyst.
【００３３】また、上記触媒ヒータ（60）と熱触媒（5
0）との構成は、ヒータフィラメントに熱触媒を直接に
塗布したものでもよい。The catalyst heater (60) and the thermal catalyst (5
The configuration of 0) may be one in which the thermal catalyst is directly applied to the heater filament.
【００３４】また、上記触媒ヒータ（60）にプレートや
フィン等の伝熱部材を取り付け、該伝熱部材に熱触媒
（50）をコーティングしてもよい。A heat transfer member such as a plate or a fin may be attached to the catalyst heater (60) and the heat transfer member may be coated with the thermal catalyst (50).
【００３５】また、上記熱触媒（50）の焼結体を形成
し、該焼結体に触媒ヒータ（60）を巻き付けてもよい。It is also possible to form a sintered body of the thermal catalyst (50) and wind the catalyst heater (60) around the sintered body.
【００３６】また、上記熱触媒（50）を粉末状とし、こ
の粉末状熱触媒と触媒ヒータ（60）とを管状保持材に充
填するか、網状保持材で挟み込むようにしてもよい。Alternatively, the thermal catalyst (50) may be in the form of powder, and the powdery thermal catalyst and the catalyst heater (60) may be filled in a tubular holding material, or may be sandwiched between mesh holding materials.
【００３７】一方、上記ガスセンサ（20）にはコントロ
ーラ（70）が接続されている。該コントローラ（70）
は、ガスセンサ（20）のセンサ出力を受けてガス濃度を
算出して表示又は制御信号の出力を行う検出処理手段
（71）と、較正の開始と終了とを制御する較正手段（7
2）とを備えている。On the other hand, a controller (70) is connected to the gas sensor (20). The controller (70)
Is a detection processing means (71) which receives the sensor output of the gas sensor (20) to calculate the gas concentration and outputs a display or control signal, and a calibration means (7) which controls the start and end of the calibration.
2) and are provided.
【００３８】上記較正手段（72）は、所定時間毎に較正
動作を実行するか、又は前回の較正動作が終了した後、
所定時間が経過し且つガスセンサ（20）のセンサ出力が
所定値以下になると、較正動作を実行するように構成さ
れている。つまり、上記較正手段（72）によって触媒ヒ
ータ（60）が通電によって加熱する。The calibrating means (72) executes the calibrating operation every predetermined time, or after the previous calibrating operation is completed,
The calibration operation is performed when a predetermined time elapses and the sensor output of the gas sensor (20) becomes a predetermined value or less. That is, the catalyst heater (60) is heated by energization by the calibration means (72).
【００３９】更に、上記較正手段（72）は、ガスセンサ
（20）のセンサ出力の変化率が所定値以下になると、較
正動作の終了判定を行うように構成されている。そし
て、上記較正手段（72）の終了信号を受けて検出処理手
段（71）がガスセンサ（20）の基準値である零点を較正
する。尚、上記較正手段（72）は、較正動作を所定時間
以上又は所定時間以下の制約を設けてもよい。Further, the calibration means (72) is configured to determine the end of the calibration operation when the rate of change in the sensor output of the gas sensor (20) becomes less than a predetermined value. Then, in response to the end signal of the calibration means (72), the detection processing means (71) calibrates the zero point which is the reference value of the gas sensor (20). The calibration means (72) may be provided with a constraint that the calibration operation is performed for a predetermined time or longer or a predetermined time or shorter.
【００４０】更に、本発明の特徴として、上記コントロ
ーラ（70）は、ガスセンサ（20）の較正時に、ガスセン
サ（20）の内部ヒータ部（27）を制御する加熱制御手段
（73）が設けられている。該加熱制御手段（73）は、ガ
スセンサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持する
ための手段であり、ガスセンサ（20）の内部ヒータ部
（27）の印加電圧を所定の制御パターンで制御するよう
に構成されている。Further, as a feature of the present invention, the controller (70) is provided with heating control means (73) for controlling the internal heater section (27) of the gas sensor (20) when the gas sensor (20) is calibrated. There is. The heating control means (73) is a means for maintaining the gas sensing part (26) of the gas sensor (20) at a predetermined temperature, and controls the applied voltage of the internal heater part (27) of the gas sensor (20) by a predetermined control. It is configured to be controlled by a pattern.
【００４１】また、上記加熱制御手段（73）は、ガスセ
ンサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を複数の所
定の制御パターンから１つの制御パターンを選択して制
御するように構成されている。The heating control means (73) is configured to control the voltage applied to the internal heater section (27) of the gas sensor (20) by selecting one control pattern from a plurality of predetermined control patterns. ing.
【００４２】そこで、上記加熱制御手段（73）がガスセ
ンサ（20）の内部ヒータ部（27）を制御する基本原理に
ついて説明する。Then, the basic principle that the heating control means (73) controls the internal heater section (27) of the gas sensor (20) will be described.
【００４３】上記ガスセンサ（20）の較正動作を開始す
ると、触媒ヒータ（60）が加熱して熱触媒（50）を活性
化するので、チャンバ（40）の内部温度が上昇し、ガス
センサ（20）の周囲温度も上昇する。一方、上記ガスセ
ンサ（20）は、温度依存性があるので、周囲温度が上昇
すると、センサ出力が変動する。When the calibration operation of the gas sensor (20) is started, the catalyst heater (60) heats and activates the thermal catalyst (50), so that the internal temperature of the chamber (40) rises and the gas sensor (20). Ambient temperature also rises. On the other hand, since the gas sensor (20) has temperature dependence, the sensor output fluctuates when the ambient temperature rises.
【００４４】具体的に、図３に示すように、清浄空気の
雰囲気中において、触媒ヒータ（60）を区間Ｘで加熱す
る。その際、ガスセンサ（20）に対して温度の影響が少
ない場合、実線Ａで示すように、ガス濃度を示すセンサ
出力は、時間の経過と共に若干上昇する程度である。Specifically, as shown in FIG. 3, the catalyst heater (60) is heated in the section X in an atmosphere of clean air. At that time, when the influence of the temperature on the gas sensor (20) is small, as shown by the solid line A, the sensor output indicating the gas concentration is slightly increased with the passage of time.
【００４５】これに対し、上記ガスセンサ（20）に対し
て温度の影響が大きい場合、一点鎖線Ｂで示すように、
ガス濃度を示すセンサ出力は、触媒ヒータ（60）を加熱
した後、暫くして上昇し始め、触媒ヒータ（60）の加熱
を停止した後、更に一旦上昇した後、低下する。On the other hand, when the gas sensor (20) is greatly affected by temperature, as indicated by the chain line B,
The sensor output indicating the gas concentration starts to rise for a while after heating the catalyst heater (60), stops heating of the catalyst heater (60), then rises again, and then falls.
【００４６】このように、半導体型のガスセンサ（20）
は、周囲温度の影響を極めて受け易く、周囲温度によっ
てセンサ出力が大きく変動する。Thus, the semiconductor type gas sensor (20)
Is extremely susceptible to the ambient temperature, and the sensor output greatly varies depending on the ambient temperature.
【００４７】したがって、上記ガスセンサ（20）の較正
動作時に、触媒ヒータ（60）を加熱すると、図３に二点
鎖線Ｃで示すように、チャンバ（40）の内部空気が清浄
化されるので、センサ出力は、加熱初期において急激に
低下する。その後、上記センサ出力は、温度の影響を受
けて上昇し始め、触媒ヒータ（60）の加熱を停止した
後、更に一旦上昇した後、低下する。Therefore, when the catalyst heater (60) is heated during the calibration operation of the gas sensor (20), the internal air of the chamber (40) is cleaned as shown by the chain double-dashed line C in FIG. The sensor output sharply drops at the beginning of heating. After that, the sensor output starts to increase under the influence of temperature, stops heating of the catalyst heater (60), then further increases once, and then decreases.
【００４８】この結果、上記図３の二点鎖線で示すセン
サ出力Ｃは、最低点が図３の実線で示すセンサ出力Ａの
レベルまで低下しないことになる。したがって、較正し
た基準値（零点）がズレることから、ガスセンサ（20）
が絶対値のガス濃度を検出した際、誤差を生ずることに
なる。As a result, the lowest point of the sensor output C shown by the chain double-dashed line in FIG. 3 does not drop to the level of the sensor output A shown by the solid line in FIG. Therefore, since the calibrated reference value (zero point) is displaced, the gas sensor (20)
When the absolute value of the gas concentration is detected, an error will occur.
【００４９】一方、半導体型のガスセンサ（20）は、内
部ヒータ部（27）が感ガス部（26）を常時３００℃〜４
００℃まで加熱している。したがって、上記ガスセンサ
（20）が較正動作時に触媒ヒータ（60）の温度の影響を
受ける場合、触媒ヒータ（60）の温度に対応して内部ヒ
ータ部（27）の加熱度合が低下するように、該内部ヒー
タ部（27）の印加電圧を低下させる。On the other hand, in the semiconductor type gas sensor (20), the internal heater section (27) always keeps the gas sensitive section (26) at 300 ° C to 4 ° C.
Heating to 00 ° C. Therefore, when the gas sensor (20) is affected by the temperature of the catalyst heater (60) during the calibration operation, the heating degree of the internal heater part (27) is reduced corresponding to the temperature of the catalyst heater (60). The voltage applied to the internal heater section (27) is reduced.
【００５０】具体的に、図４のＤに示す制御パターンで
内部ヒータ部（27）の印加電圧を制御する。つまり、図
４に示す区間Ｘで触媒ヒータ（60）を加熱するので、こ
の加熱が開始すると、内部ヒータ部（27）の印加電圧Ｄ
を加熱終了まで徐々に低下させ、上記触媒ヒータ（60）
の加熱が終了すると、徐々に印加電圧Ｄを上昇させる。Specifically, the applied voltage of the internal heater section (27) is controlled by the control pattern shown in D of FIG. That is, since the catalyst heater (60) is heated in the section X shown in FIG. 4, when the heating is started, the applied voltage D of the internal heater section (27) is increased.
Is gradually lowered to the end of heating, and the catalyst heater (60)
When the heating is completed, the applied voltage D is gradually increased.
【００５１】このように、上記内部ヒータ部（27）の印
加電圧Ｄを制御すると、図５のＥに示すように、ガスセ
ンサ（20）のセンサ出力は、触媒ヒータ（60）の加熱を
開始すると（区間Ｘ参照）、チャンバ（40）の内部空気
が清浄化されるので、急激に低下する。その後、ガスセ
ンサ（20）は、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受ける
ものの、内部ヒータ部（27）の加熱度合が低下するの
で、センサ出力Ｅは、清浄レベルまで低下して該清浄レ
ベルを維持する。その後、触媒ヒータ（60）の加熱が終
了すると、印加電圧の上昇に伴って内部ヒータ部（27）
の温度が徐々に上昇して通常の検出時の温度に復帰する
ので、ガスセンサ（20）のセンサ出力Ｅは、現在のガス
濃度に対応したレベルに戻ることになる。When the applied voltage D of the internal heater section (27) is controlled in this way, the sensor output of the gas sensor (20) starts heating the catalyst heater (60) as shown in E of FIG. (Refer to the section X), since the internal air of the chamber (40) is cleaned, it drops sharply. After that, although the gas sensor (20) is affected by the temperature of the catalyst heater (60), the heating degree of the internal heater section (27) decreases, so the sensor output E decreases to a clean level and the clean level is lowered. maintain. After that, when the heating of the catalyst heater (60) is completed, the internal heater section (27) is increased as the applied voltage increases.
Since the temperature of (1) gradually increases and returns to the temperature at the time of normal detection, the sensor output E of the gas sensor (20) returns to the level corresponding to the current gas concentration.
【００５２】したがって、内部ヒータ部（27）の印加電
圧を制御しない従来のガスセンサ（20）のセンサ出力Ｃ
に比較して、清浄レベルのセンサ出力Ｅが維持されるの
で、較正が確実に行われる。Therefore, the sensor output C of the conventional gas sensor (20) that does not control the voltage applied to the internal heater section (27).
Since the sensor output E at the clean level is maintained as compared with the above, the calibration is reliably performed.
【００５３】また、上記図４及び図５は、雰囲気温度が
２５℃の場合である。つまり、チャンバ（40）の外部の
室内温度が２５℃の場合である。この雰囲気温度が異な
る場合、センサ出力も異なる。つまり、図７に示すよう
に、雰囲気温度が４５℃の場合、図４の制御パターンで
印加電圧を制御すると、センサ出力は、二点鎖線Ｆで示
すように変化し、雰囲気温度が２５℃のセンサ出力Ｅの
変動と異なることになる。4 and 5 show the case where the ambient temperature is 25.degree. That is, this is the case where the room temperature outside the chamber (40) is 25 ° C. When the ambient temperature is different, the sensor output is also different. That is, as shown in FIG. 7, when the ambient temperature is 45 ° C. and the applied voltage is controlled by the control pattern of FIG. 4, the sensor output changes as shown by the chain double-dashed line F and the ambient temperature is 25 ° C. It will be different from the fluctuation of the sensor output E.
【００５４】具体的に、雰囲気温度が４５℃の場合、図
４の制御パターンで印加電圧を制御すると、触媒ヒータ
（60）の加熱を開始すると（区間Ｘ参照）、チャンバ
（40）の内部空気が清浄化されるので、センサ出力Ｆ
は、一旦急激に低下する。その後、上記センサ出力Ｆ
は、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受けて上昇し、触
媒ヒータ（60）の加熱を停止した後、更に一旦上昇した
後、低下する。Specifically, when the ambient temperature is 45 ° C. and the applied voltage is controlled by the control pattern of FIG. 4, when the heating of the catalyst heater (60) is started (see section X), the internal air of the chamber (40) is Sensor output F
Will drop sharply once. After that, the sensor output F
Rises under the influence of the temperature of the catalyst heater (60), and after the heating of the catalyst heater (60) is stopped, it rises again and then falls.
【００５５】そこで、図６のＧに示す制御パターンで内
部ヒータ部（27）の印加電圧を制御する。つまり、触媒
ヒータ（60）の加熱が開始すると（区間Ｘ参照）、内部
ヒータ部（27）の印加電圧を低下させると共に、雰囲気
温度が２５℃の場合より低下させ、上記触媒ヒータ（6
0）の加熱が終了すると、徐々に印加電圧を上昇させ
る。Therefore, the applied voltage of the internal heater section (27) is controlled by the control pattern shown in G of FIG. That is, when the heating of the catalyst heater (60) is started (refer to section X), the applied voltage of the internal heater section (27) is lowered and also lower than the case where the ambient temperature is 25 ° C.
When the heating in 0) is completed, the applied voltage is gradually increased.
【００５６】このように、上記内部ヒータ部（27）の印
加電圧Ｇを制御すると、図７の一点鎖線Ｈに示すよう
に、ガスセンサ（20）のセンサ出力は、触媒ヒータ（6
0）の加熱を開始すると、チャンバ（40）の内部空気が
清浄化されるので、急激に低下する。その後、ガスセン
サ（20）は、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受けるも
のの、内部ヒータ部（27）の加熱度合が低下するので、
センサ出力Ｈは、清浄レベルまで低下して該清浄レベル
を維持する。更に、触媒ヒータ（60）の加熱が終了する
と、印加電圧の上昇に伴って内部ヒータ部（27）の温度
が徐々に上昇して通常の検出時の温度に復帰するので、
ガスセンサ（20）のセンサ出力Ｈは、現在のガス濃度に
対応したレベルに戻ることになる。When the applied voltage G of the internal heater section (27) is controlled in this manner, the sensor output of the gas sensor (20) is the catalyst heater (6) as shown by the chain line H in FIG.
When the heating of (0) is started, the internal air of the chamber (40) is cleaned, and the temperature drops sharply. After that, although the gas sensor (20) is affected by the temperature of the catalyst heater (60), the heating degree of the internal heater portion (27) is reduced,
The sensor output H drops to and remains at the clean level. Further, when the heating of the catalyst heater (60) is completed, the temperature of the internal heater section (27) gradually rises with the increase of the applied voltage and returns to the temperature at the normal detection time.
The sensor output H of the gas sensor (20) returns to the level corresponding to the current gas concentration.
【００５７】したがって、本実施形態においては、加熱
制御手段（73）が雰囲気温度である室内温度に対応した
複数の制御パターンを予め記憶し、室内温度に基づいて
印加電圧の制御パターンを選択するようにしている。Therefore, in this embodiment, the heating control means (73) stores in advance a plurality of control patterns corresponding to the room temperature which is the ambient temperature, and selects the control pattern of the applied voltage based on the room temperature. I have to.
【００５８】〈作用〉次に、上述したガス検出装置（1
0）の検出動作について説明する。<Operation> Next, the gas detector (1
The detection operation of (0) will be described.
【００５９】先ず、ガスセンサ（20）が室内の対象ガス
のガス濃度を検出する場合、触媒ヒータ（60）への通電
を停止している。この通電の停止により、熱触媒（50）
が活性化することがないので、室内空気が開口（43）を
介してチャンバ（40）内に流入し、拡散する。この室内
空気がガスセンサ（20）の感ガス部（26）に供給され
る。First, when the gas sensor (20) detects the gas concentration of the target gas in the room, the energization of the catalyst heater (60) is stopped. By stopping this energization, the thermal catalyst (50)
Is not activated, the room air flows into the chamber (40) through the opening (43) and diffuses. This room air is supplied to the gas sensing part (26) of the gas sensor (20).
【００６０】上記ガスセンサ（20）は、この室内空気か
ら対象ガス濃度に対応したセンサ出力を出力し、検出処
理手段（71）がガス濃度を算出し、例えば、制御信号を
出力し、室内ファンの駆動などの制御を実行する。The gas sensor (20) outputs a sensor output corresponding to the target gas concentration from the indoor air, the detection processing means (71) calculates the gas concentration, and outputs, for example, a control signal to the indoor fan. Executes control such as driving.
【００６１】一方、コントローラ（70）の較正手段（7
2）は、前回の較正動作が終了した後、所定時間が経過
し且つガスセンサ（20）のセンサ出力が所定値以下にな
ると、較正動作を実行する。つまり、上記較正手段（7
2）の制御信号によって触媒ヒータ（60）への通電が開
始される。この通電により、熱触媒（50）が活性化し、
チャンバ（40）の内部空気が清浄され、清浄空気がガス
センサ（20）に供給される。On the other hand, the calibration means (7
2) executes the calibration operation when a predetermined time elapses after the previous calibration operation is completed and the sensor output of the gas sensor (20) becomes a predetermined value or less. That is, the calibration means (7
The control signal of 2) starts energization of the catalyst heater (60). This energization activates the thermal catalyst (50),
The inside air of the chamber (40) is cleaned, and the cleaned air is supplied to the gas sensor (20).
【００６２】そして、上記ガスセンサ（20）は、清浄空
気のガス濃度を検出する。その後、上記較正手段（72）
は、ガスセンサ（20）のセンサ出力の変化率が所定値以
下になると、較正の終了を判定する。検出処理手段（7
1）は、較正の終了時におけるセンサ出力によってガス
センサ（20）の零点を較正する。その後、通常の測定動
作を再開する。Then, the gas sensor (20) detects the gas concentration of the clean air. Then, the calibration means (72)
When the rate of change in the sensor output of the gas sensor (20) becomes less than or equal to a predetermined value, the end of calibration is determined. Detection processing means (7
1) calibrates the zero point of the gas sensor (20) by the sensor output at the end of calibration. After that, the normal measurement operation is restarted.
【００６３】そこで、上記較正動作における触媒ヒータ
（60）の制御について説明すると、先ず、加熱制御手段
（73）は、外部空気の温度である室内温度の検知信号を
受けて室内温度に対応した制御パターンを選択する。そ
の後、較正動作が開始して触媒ヒータ（60）が加熱する
と、加熱制御手段（73）は、図４又は図６の制御パター
ンに基づき、較正の開始時からガスセンサ（20）の内部
ヒータ部（27）の印加電圧を低下させ、触媒ヒータ（6
0）の加熱が終了するまで徐々に低下させる。Therefore, the control of the catalyst heater (60) in the above calibration operation will be described. First, the heating control means (73) receives a detection signal of the room temperature, which is the temperature of the outside air, and performs control corresponding to the room temperature. Select a pattern. After that, when the calibration operation is started and the catalyst heater (60) is heated, the heating control means (73) causes the internal heater section (of the gas sensor (20) (from the start of the calibration) based on the control pattern of FIG. 4 or 6. 27) Reduce the applied voltage to the catalyst heater (6
Gradually lower until 0) heating is completed.
【００６４】そして、上記触媒ヒータ（60）の加熱が終
了すると、内部ヒータ部（27）の印加電圧を徐々に上昇
し、通常の検出時の印加電圧に復帰させる。When the heating of the catalyst heater (60) is completed, the applied voltage of the internal heater section (27) is gradually increased to return to the normal applied voltage at the time of detection.
【００６５】このように印加電圧を制御すると、ガスセ
ンサ（20）のセンサ出力は、図５Ｅ又は図７Ｈに示すよ
うに、触媒ヒータ（60）の加熱が開始されると、チャン
バ（40）の内部空気が清浄化されるので、急激に低下す
る。その後、ガスセンサ（20）は、触媒ヒータ（60）の
温度の影響を受けるものの、内部ヒータ部（27）の加熱
度合が低下するので、センサ出力は、清浄レベルまで低
下して該清浄レベルを維持する。更に、触媒ヒータ（6
0）の加熱が終了すると、印加電圧の上昇に伴って内部
ヒータ部（27）の温度が徐々に上昇して通常の検出時の
温度に復帰するので、ガスセンサ（20）のセンサ出力
は、現在のガス濃度に対応したレベルに戻り、通常の測
定動作を再開する。When the applied voltage is controlled in this way, the sensor output of the gas sensor (20) is changed to the inside of the chamber (40) when the heating of the catalyst heater (60) is started, as shown in FIG. 5E or 7H. As the air is cleaned, it drops sharply. After that, although the gas sensor (20) is affected by the temperature of the catalyst heater (60), the heating degree of the internal heater section (27) decreases, so the sensor output decreases to the clean level and maintains the clean level. To do. In addition, the catalyst heater (6
When the heating of (0) is completed, the temperature of the internal heater (27) gradually rises with the rise of the applied voltage and returns to the temperature at the time of normal detection, so the sensor output of the gas sensor (20) is Return to the level corresponding to the gas concentration of and restart the normal measurement operation.
【００６６】〈実施形態の効果〉したがって、本発明に
よれば、清浄空気によってガスセンサ（20）の較正を行
う際、ガスセンサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に
維持するようにしたために、半導体型のガスセンサ（2
0）の温度依存性によるセンサ出力の変動を防止するこ
とができる。この結果、上記ガスセンサ（20）の較正動
作を正確に行うことができるので、測定誤差を大幅に低
減することができる。<Effects of Embodiment> Therefore, according to the present invention, when the gas sensor (20) is calibrated with clean air, the gas sensing portion (26) of the gas sensor (20) is maintained at a predetermined temperature. A semiconductor type gas sensor (2
It is possible to prevent the sensor output from changing due to the temperature dependency of 0). As a result, the calibration operation of the gas sensor (20) can be performed accurately, and the measurement error can be significantly reduced.
【００６７】また、清浄空気によってガスセンサ（20）
の零点の較正を行うようにしたために、検出の対象ガス
が室内に定常的に存在する場合、又はこの対象ガスの変
化が小さい場合や、緩やかな場合においても対象ガス濃
度を正確に検出することができる。この結果、測定の信
頼性を向上させることができる。Further, the gas sensor (20) is provided with clean air.
Since the zero point of the target gas is calibrated, the target gas concentration must be accurately detected even when the target gas for detection is constantly present in the room, or when the target gas changes little or is gentle. You can As a result, the reliability of measurement can be improved.
【００６８】特に、ガスセンサ（20）の感度低下などが
生じても、対象ガスが存在しない清浄な状態から対象ガ
ス濃度を検出するので、精度の高い測定を行うことがで
きる。In particular, even if the sensitivity of the gas sensor (20) decreases, the concentration of the target gas is detected from a clean state in which the target gas does not exist, so that highly accurate measurement can be performed.
【００６９】また、上記ガスセンサ（20）の内部ヒータ
部（27）の印加電圧を制御するようにすると、加熱手段
や冷却手段などの部品点数を増加させることなく、通常
一定電圧が印加される内部ヒータ部（27）の電圧を所定
制御パターンに変更するという制御の簡単な変更でもっ
てガスセンサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持
することができる。この結果、装置全体の消費電力の増
加やコスト上昇を招くことなくガスセンサ（20）の較正
動作を正確に行うことができる。Further, by controlling the applied voltage of the internal heater part (27) of the gas sensor (20), a constant voltage is normally applied without increasing the number of parts such as heating means and cooling means. The gas sensitive part (26) of the gas sensor (20) can be maintained at a predetermined temperature by a simple control change such that the voltage of the heater part (27) is changed to a predetermined control pattern. As a result, the calibration operation of the gas sensor (20) can be accurately performed without increasing the power consumption of the entire apparatus and increasing the cost.
【００７０】また、外部温度である室内温度に対応して
制御パターンを選択するので、室内温度に対応して半導
体センサ（20）の感ガス部（26）の温度、つまり、感ガ
ス部（26）の表面温度を一定に制御することができる。
この結果、室内温度に拘わらず、半導体センサ（20）の
較正動作を正確に行うことができる。Further, since the control pattern is selected according to the room temperature which is the outside temperature, the temperature of the gas sensing part (26) of the semiconductor sensor (20), that is, the gas sensing part (26 ) Surface temperature can be controlled to be constant.
As a result, the calibration operation of the semiconductor sensor (20) can be performed accurately regardless of the room temperature.
【００７１】また、上記チャンバ（40）を高熱伝導材料
で形成すると、触媒ヒータ（60）の熱を容易に放熱させ
ることができる。Further, if the chamber (40) is made of a high heat conductive material, the heat of the catalyst heater (60) can be easily dissipated.
【００７２】[0072]
【発明の他の実施の形態】上記実施形態における加熱制
御手段（73）の制御パターンは、２つに限られず、３つ
以上であってもよく、また、雰囲気温度の関数であって
もよい。Other Embodiments The control pattern of the heating control means (73) in the above embodiment is not limited to two and may be three or more, or may be a function of ambient temperature. .
【図１】本発明のガス検出装置の構成を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a gas detection device of the present invention.
【図２】ガスセンサを示す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a gas sensor.
【図３】ガスセンサの温度依存性を示す出力特性図であ
る。FIG. 3 is an output characteristic diagram showing temperature dependence of a gas sensor.
【図４】ガスセンサの内部ヒータ部の印加電圧の電圧特
性図である。FIG. 4 is a voltage characteristic diagram of an applied voltage of an internal heater portion of a gas sensor.
【図５】図４の制御パターンで電圧制御した場合のガス
センサの出力特性図である。5 is an output characteristic diagram of a gas sensor when voltage control is performed according to the control pattern of FIG.
【図６】ガスセンサの内部ヒータ部の印加電圧の他の電
圧特性図である。FIG. 6 is another voltage characteristic diagram of the applied voltage of the internal heater part of the gas sensor.
【図７】図６の制御パターンで電圧制御した場合のガス
センサの出力特性図である。7 is an output characteristic diagram of a gas sensor when voltage control is performed according to the control pattern of FIG.
10 ガス検出装置 20 ガスセンサ 24 センサ部 26 感ガス部 27 内部ヒータ部 40 チャンバ 43 開口 50 熱触媒 60 触媒ヒータ 70 コントローラ 73 加熱制御手段 10 Gas detector 20 gas sensor 24 Sensor section 26 Sensitive gas section 27 Internal heater 40 chamber 43 opening 50 thermal catalyst 60 catalytic heater 70 controller 73 Heating control means
Claims (3)
を有するチャンバ（40）と、 該チャンバ（40）に流入した外部空気からチャンバ（4
0）の外部のガス濃度を検出する半導体センサ（20）
と、 該半導体センサ（20）の基準値を較正するために上記チ
ャンバ（40）の内部空気を清浄にするための熱触媒（5
0）と、 上記チャンバ（40）内に清浄空気を生成するために上記
熱触媒（50）を活性化するための触媒ヒータ（60）と、 上記半導体センサ（20）の基準値の較正において、該半
導体センサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持す
るための加熱制御手段（73）とを備えていることを特徴
とするガス検出装置。1. An opening (43) for letting in external air.
And a chamber (4) from the external air flowing into the chamber (40).
Semiconductor sensor (20) for detecting the gas concentration outside the (0)
And a thermal catalyst (5) for cleaning the internal air of the chamber (40) to calibrate the reference value of the semiconductor sensor (20).
0), a catalytic heater (60) for activating the thermal catalyst (50) to generate clean air in the chamber (40), and calibration of the reference value of the semiconductor sensor (20), A gas detecting device comprising: a heating control means (73) for maintaining the gas sensitive portion (26) of the semiconductor sensor (20) at a predetermined temperature.
ヒータ部（27）の印加電圧を所定の制御パターンで制御
するように構成されていることを特徴とするガス検出装
置。2. The heating control means (73) according to claim 1, wherein the heating control means (73) is configured to control the applied voltage of the internal heater part (27) of the semiconductor sensor (20) in a predetermined control pattern. Characteristic gas detection device.
温度に基づいて選定するように構成されていることを特
徴とするガス検出装置。3. The gas detection device according to claim 2, wherein the heating control means (73) is configured to select a control pattern based on the temperature of the external air.
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