JP2003160867A - Method for forming thin film by chemical vapor deposition - Google Patents
Method for forming thin film by chemical vapor depositionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの製造の
際に、半導体デバイス基板上に薄膜を形成するための化
学気相成長による薄膜形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a thin film by chemical vapor deposition for forming a thin film on a semiconductor device substrate when manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化が進むに伴な
って、絶縁膜に形成されるコンタクトホールやスルホー
ルの径は極度に微細化されてきている。このような微細
パターンの段差部の穴埋め、たとえば基板上の絶縁膜中
のコンタクトホールやスルーホールへの高融点金属など
の穴埋めの技術としては、化学気相成長法（以下、ＣＶ
Ｄと称する）が有効であることが知られている。2. Description of the Related Art As semiconductor devices have been highly integrated, the diameters of contact holes and through holes formed in an insulating film have been extremely miniaturized. As a technique of filling the stepped portion of such a fine pattern, for example, filling a contact hole or a through hole in an insulating film on a substrate with a refractory metal or the like, a chemical vapor deposition method (hereinafter, referred to as CV) is used.
(Referred to as D) is known to be effective.
【０００３】金属の薄膜を基板上に堆積して段差部の穴
埋めをする従来のＣＶＤでは、原料ガスとして、たとえ
ばタングステンやモリブデン等のフッ化物を用い、この
金属フッ化物を、反応性ガスである水素やシラン系ガス
との混合ガスとしてＣＶＤ装置に導入し、プラズマや紫
外線等によりこの反応性ガスを励起させながら、この原
料ガスと反応性ガスの還元反応を基板上で行い金属の薄
膜を堆積している（特開昭６３−６５０７５号公報、特
開昭６４−２３３号公報）。In the conventional CVD in which a metal thin film is deposited on a substrate to fill in a step portion, a fluoride such as tungsten or molybdenum is used as a raw material gas, and the metal fluoride is a reactive gas. It is introduced into a CVD device as a mixed gas with hydrogen and silane-based gas, and while this reactive gas is excited by plasma, ultraviolet rays, etc., a reduction reaction of this source gas and the reactive gas is performed on the substrate to deposit a metal thin film. (JP-A-63-65075 and JP-A-64-233).
【０００４】しかし、化学気相成長法による半導体デバ
イス基板上での薄膜の形成は、原料ガスと反応性ガスの
選択によりほぼ決まっており、選択された原料ガスと反
応性ガスの反応過程に依存して、ウェーハ基板や堆積し
た薄膜のエッチング反応がおこる。たとえば基板上への
タングステン薄膜の形成に当たっては、フッ化タングス
テンを金属タングステンに還元するための還元反応は、
最終生成物として還元により半導体デバイス基板上に堆
積させる金属タングステンの外に、三フッ化シラン（Ｓ
ｉＨＦ３）を生成する反応が最も進行しやすい反応とし
て伴なわれる。そのため、水素を反応性ガスとして用い
た場合には、反応温度として４００〜５００℃程度の温
度が必要であり、この反応温度ではシリコン基板のエッ
チング反応が促進されたり、生成した薄膜表面が荒れた
りする。However, the formation of a thin film on a semiconductor device substrate by the chemical vapor deposition method is almost determined by the selection of the source gas and the reactive gas, and depends on the reaction process of the selected source gas and the reactive gas. Then, the etching reaction of the wafer substrate and the deposited thin film occurs. For example, in forming a tungsten thin film on a substrate, the reduction reaction for reducing tungsten fluoride to metallic tungsten is
In addition to metallic tungsten deposited on the semiconductor device substrate by reduction as the final product, trifluorosilane (S
The reaction for producing iHF3) is involved as the reaction that is most likely to proceed. Therefore, when hydrogen is used as a reactive gas, a reaction temperature of about 400 to 500 ° C. is required. At this reaction temperature, the etching reaction of the silicon substrate is promoted, or the surface of the formed thin film is roughened. To do.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】この様に、反応性ガス
として水素を用いた場合には反応に高温度を必要とする
ために、表面の荒れや基板の侵食等を起こし、これが漏
洩電流や薄膜剥離の原因となっている。As described above, when hydrogen is used as a reactive gas, a high temperature is required for the reaction, so that the surface is roughened and the substrate is eroded. It is a cause of thin film peeling.
【０００６】そこで、本発明の目的は、基板の侵食を防
止して漏洩電流を押さえ、膜表面の平坦性を向上した化
学気相成長法による薄膜形成方法を提供することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to provide a thin film forming method by the chemical vapor deposition method in which the erosion of the substrate is suppressed, the leakage current is suppressed, and the flatness of the film surface is improved.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、化学気相成長法により段差部を有する半導
体デバイス基板上に薄膜を形成する方法において、原料
ガスと反応性ガスを交互に前記半導体デバイス基板上に
導入して、化学気相成長を行い、この化学気相成長を繰
り返し行うことにより所要の膜厚の薄膜を前記半導体デ
バイス基板上に形成することを特徴とする化学気相成長
による薄膜形成方法である。In order to achieve the above object, the present invention provides a method of forming a thin film on a semiconductor device substrate having a step portion by a chemical vapor deposition method, in which a source gas and a reactive gas are alternated. Is introduced onto the semiconductor device substrate to perform chemical vapor deposition, and the chemical vapor deposition is repeatedly performed to form a thin film having a required film thickness on the semiconductor device substrate. This is a thin film forming method by phase growth.
【０００８】[0008]
【作用】本発明は、化学気相成長法により薄膜を半導体
デバイス基板上に形成する際に、原料ガスと反応性ガス
とを交互に、不連続に半導体デバイス基板上に導入し、
原料ガス導入により半導体デバイス基板上に吸着した原
料ガスを、次いで導入された反応性ガスで反応させて、
金属の薄膜を形成し、この工程を一定温度で繰り返し行
って所要の膜厚の薄膜を半導体デバイス基板上に形成す
るものである。When the thin film is formed on the semiconductor device substrate by the chemical vapor deposition method, the raw material gas and the reactive gas are alternately and discontinuously introduced onto the semiconductor device substrate,
The raw material gas adsorbed on the semiconductor device substrate by introducing the raw material gas is reacted with the reactive gas introduced next,
A thin metal film is formed, and this step is repeated at a constant temperature to form a thin film having a desired film thickness on a semiconductor device substrate.
【０００９】本発明で用いる半導体デバイス基板とは、
半導体集積回路製造用のシリコンや化合物半導体などの
ウェーハ基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置などに
用いられるガラス基板およびその他の半導体デバイス製
造用基板などであり、特にその表面に絶縁膜を設けた基
板、特にコンタクトホールやスルーホールのごとき段差
部のあるもので、その段差部を金属で埋め込む必要のあ
るものである。The semiconductor device substrate used in the present invention is
Wafer substrates such as silicon and compound semiconductors for manufacturing semiconductor integrated circuits, glass substrates used for liquid crystal display devices and plasma display devices, and other semiconductor device manufacturing substrates, especially substrates having an insulating film on the surface thereof. Especially, there is a stepped portion such as a contact hole or a through hole, and the stepped portion needs to be filled with metal.
【００１０】本発明で用いる原料ガスは、金属ハロゲン
化物、たとえば六フッ化タングステン、四塩化チタンお
よび有機金属化合物、たとえばトリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウムなどである。また、本発明
で用いる反応性ガスは、上記原料ガスと反応することが
できるガスで、たとえば水素、ヒドラジン、ホスフィ
ン、およびジボランなどである。The source gas used in the present invention is a metal halide such as tungsten hexafluoride, titanium tetrachloride and an organic metal compound such as trimethylaluminum and triethylaluminum. The reactive gas used in the present invention is a gas capable of reacting with the above-mentioned raw material gas, and examples thereof include hydrogen, hydrazine, phosphine, and diborane.
【００１１】本発明では、原料ガスと反応性ガスの導入
を交互に行うため、原料ガスによる半導体デバイス基板
の侵食や膜表面の荒れが防止される。In the present invention, since the source gas and the reactive gas are introduced alternately, it is possible to prevent the source gas from eroding the semiconductor device substrate and roughening the film surface.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付した図面を参照
して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１３】実施例１
図１に示したＣＶＤ装置を用いて原料ガスである六フッ
化タングステン（ＷＦ６）と、反応性ガスである水素ガ
ス（Ｈ2）とを半導体デバイス基板上に、図２に示す時
間間隔とガス流量で交互に導入して金属タングステン膜
を形成した。Example 1 Using the CVD apparatus shown in FIG. 1, tungsten hexafluoride (WF6) which is a source gas and hydrogen gas (H 2 ) which is a reactive gas are placed on a semiconductor device substrate, and FIG. The metal tungsten film was formed by alternately introducing the gas at a time interval and gas flow rate shown in.
【００１４】すなわち、ＣＶＤ室４内を圧力制御装置８
を経て真空ポンプ５で数１０Ｔｏｒｒに減圧した後に、
ガス導入口１より原料ガス６として六フッ化タングステ
ン（ＷＦ6）をガス流量制御装置２ａを介してＣＶＤ室
４内へ、図３Ａで示すように導入した。このとき、ＣＶ
Ｄ室４内および半導体デバイス基板９は４００℃で一定
に加熱保持した。That is, the pressure control device 8 is provided inside the CVD chamber 4.
After reducing the pressure to several tens of Torr by the vacuum pump 5,
As a raw material gas 6, tungsten hexafluoride (WF 6 ) was introduced into the CVD chamber 4 through the gas flow rate control device 2a from the gas inlet 1 as shown in FIG. 3A. At this time, CV
The inside of the D chamber 4 and the semiconductor device substrate 9 were heated and held at 400 ° C. constantly.
【００１５】原料ガス（ＷＦ6）は、半導体デバイス基
板９上に３〜５分子の層厚で吸着され（ＷＦｘ）、次い
で、図３Ｂで示すように原料ガスの供給を中断し、反応
性ガス７としての水素（Ｈ2）をガス流量制御装置２ｂ
を介してＣＶＤ室４内へ導入する。半導体デバイス基板
９上に吸着した原料（ＷＦｘ）は、水素ガス（Ｈ2）に
よって還元されて、タングステン（Ｗ）の薄膜を半導体
デバイス基板９に堆積させた（図３Ｃ）。The raw material gas (WF 6 ) is adsorbed on the semiconductor device substrate 9 with a layer thickness of 3 to 5 molecules (WFx), and then the supply of the raw material gas is interrupted as shown in FIG. Hydrogen (H 2 ) as gas flow controller 2 b
It is introduced into the CVD chamber 4 via. The raw material (WFx) adsorbed on the semiconductor device substrate 9 was reduced by hydrogen gas (H 2 ) to deposit a thin film of tungsten (W) on the semiconductor device substrate 9 (FIG. 3C).
【００１６】以後、薄膜が所望の厚さに半導体デバイス
基板９上に形成できるように原料ガスと反応性ガスを交
互に図２で示す時間間隔とガス流量で供給を繰り返すこ
とによりタングステン（Ｗ）の薄膜を形成した。Thereafter, the source gas and the reactive gas are alternately supplied at the time intervals and the gas flow rates shown in FIG. 2 so that a thin film having a desired thickness can be formed on the semiconductor device substrate 9. Thin film was formed.
【００１７】従来の六フッ化タングステン（ＷＦ6）と
水素ガス（Ｈ２）の混合ガス、および六フッ化タングス
テン（ＷＦ6）と反応性ガスとして四水素化ケイ素（Ｓ
ｉＨ4）の混合ガスをそれぞれ用いるＣＶＤでタングス
テン薄膜を同じ半導体デバイス基板上に形成した場合
と、本発明の方法で成膜した場合の基板温度温度と物性
を下記表１に比較して示す。Conventional mixed gas of tungsten hexafluoride (WF 6 ) and hydrogen gas (H 2), and tungsten hexafluoride (WF 6 ) and silicon tetrahydride (S) as reactive gas.
Table 1 below shows the substrate temperature and physical properties when a tungsten thin film is formed on the same semiconductor device substrate by CVD using a mixed gas of iH 4 ) and when it is formed by the method of the present invention.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】表１中、段差被覆率とは、平面上の生成膜
の膜厚ａに対するホール底部上の生成膜の膜厚ｂの比、
ｂ／ａ×１００％で表示したもので、１００％に近い程
よい。また、表面荒さは表面反射率から評価したもので
あり、◎印は表面状態が実質的にミラー表面であり、優
れていること、○印は表面状態がミラー表面に近く良好
なこと、△印は表面状態がミラー表面にはほど遠く不良
であることを表す。In Table 1, the step coverage is the ratio of the film thickness b of the film formed on the plane to the film thickness a of the film formed on the plane,
It is expressed by b / a × 100%, and the closer to 100% the better. The surface roughness is evaluated from the surface reflectance, and ◎ indicates that the surface state is substantially the mirror surface and is excellent, and ○ indicates that the surface state is close to the mirror surface and good, and the Δ mark Indicates that the surface condition is far from the mirror surface and is defective.
【００２０】上記表１から、原料ガス供給と、反応性ガ
ス供給を交互に不連続的に繰り返すことからなる本発明
は、半導体デバイス基板浸蝕のない、表面平坦性に優れ
た金属薄膜が形成されていることがわかる。From Table 1 above, according to the present invention, in which the supply of the raw material gas and the supply of the reactive gas are alternately and discontinuously repeated, a metal thin film having excellent surface flatness without erosion of the semiconductor device substrate is formed. You can see that
【００２１】実施例２
図４に示すように、励起手段としてＲＦ誘導プラズマを
備えたＣＶＤ装置を用いて、原料ガスとして六フッ化タ
ングステン（ＷＦ6）と、反応性ガスとして水素ガス
（Ｈ２）とを半導体デバイス基板９上に、図２の時間間
隔と類似の時間間隔とガス流量で交互に不連続的に導入
して金属タングステン膜を形成した。Example 2 As shown in FIG. 4, using a CVD apparatus equipped with RF induction plasma as an exciting means, tungsten hexafluoride (WF 6 ) as a source gas and hydrogen gas (H 2) as a reactive gas were used. Were alternately and discontinuously introduced on the semiconductor device substrate 9 at time intervals and gas flow rates similar to those of FIG. 2 to form a metal tungsten film.
【００２２】すなわち、放電管３内をＣＶＤ室４内と共
に圧力制御装置８を経て真空ポンプ５で数１０Ｔｏｒｒ
に減圧した後に、ガス導入口より原料ガス６として六フ
ッ化タングステン（ＷＦ6）をガス流量制御装置２ａを
介して放電管３へ導入する。このとき、反応室４内およ
び半導体デバイス基板９の温度は３００℃もしくはそれ
以下に加熱した。That is, the inside of the discharge tube 3 together with the inside of the CVD chamber 4 is passed through the pressure control device 8 and the vacuum pump 5 for several tens Torr.
After the pressure is reduced to 2, tungsten hexafluoride (WF 6 ) as a source gas 6 is introduced into the discharge tube 3 through the gas flow rate control device 2a from the gas introduction port. At this time, the temperature in the reaction chamber 4 and the semiconductor device substrate 9 was heated to 300 ° C. or lower.
【００２３】半導体デバイス基板９上に原料ガス（ＷＦ
6）は３〜５分子の層厚で吸着される（ＷＦｘ）。次い
で、原料ガスの供給を中断し、反応性ガス７としての水
素（Ｈ2）をガス流量制御装置２ｂを介して放電管３内
へ導入する。そして、高周波発生器１０により高周波を
導入して放電管３内にプラズマを形成し、Ｈ2ガスを励
起状態（Ｈ）にして半導体デバイス基板上に供給する。
半導体デバイス基板９上に吸着した原料（ＷＦｘ）は、
励起Ｈによって還元されてタングステン（Ｗ）の薄膜を
半導体デバイス基板９に堆積させた。On the semiconductor device substrate 9, the source gas (WF
6 ) is adsorbed with a layer thickness of 3 to 5 molecules (WFx). Then, the supply of the raw material gas is interrupted, and hydrogen (H 2 ) as the reactive gas 7 is introduced into the discharge tube 3 via the gas flow rate control device 2b. Then, a high frequency is introduced by the high frequency generator 10 to form plasma in the discharge tube 3, and the H 2 gas is excited (H) and supplied onto the semiconductor device substrate.
The raw material (WFx) adsorbed on the semiconductor device substrate 9 is
A thin film of tungsten (W) reduced by excitation H was deposited on the semiconductor device substrate 9.
【００２４】以後、薄膜が所望の厚さに形成できるよう
に原料ガスと反応性ガスの供給を交互に繰り返すことに
よりタングステン（Ｗ）の薄膜を形成した。このとき放
電を安定させるためにアルゴンガスなどを添加すること
もできる。Thereafter, a thin film of tungsten (W) was formed by alternately repeating the supply of the source gas and the reactive gas so that the thin film could be formed to a desired thickness. At this time, argon gas or the like can be added to stabilize the discharge.
【００２５】上記プロセスにより実施例１と同等の特性
を有する金属タングステン薄膜を得た。反応性ガスの励
起手段としてＲＦ誘導プラズマを用いることにより、励
起手段を用いないときよりも低い基板温度を用いること
ができ、しかもＣＶＤプロセス時間を短縮できた。A metal tungsten thin film having the same characteristics as in Example 1 was obtained by the above process. By using the RF induction plasma as the means for exciting the reactive gas, it was possible to use a lower substrate temperature than when the exciting means was not used, and the CVD process time could be shortened.
【００２６】実施例３
図５に示すように、励起手段として電子サイクロトロン
共鳴を備えたＣＶＤ装置を用いて、実施例２と同様にし
て、ＣＶＤにより金属タングステン膜を半導体デバイス
基板９上に形成した。Example 3 As shown in FIG. 5, using a CVD apparatus equipped with electron cyclotron resonance as an excitation means, a metal tungsten film was formed on the semiconductor device substrate 9 by CVD in the same manner as in Example 2. .
【００２７】すなわち、実施例２で用いたＲＦ誘導放電
管の代わりに、マイクロ波発振器１３と電磁石１２から
なる電子サイクロトロン共鳴放電管１４を用い、原料ガ
ス６である六フッ化タングステン（ＷＦ6）と反応性ガ
ス７である水素ガス（Ｈ2）とを図２に示した時間間隔
と同様に交互に導入し、水素（Ｈ2）ガスを電子サイク
ロトロン共鳴放電により励起種（Ｈ）生成を行い、実施
例２と同様にして、実施例１と同等の特性を有する金属
タングステン薄膜を得た。このとき放電を安定させるた
めにアルゴンガスなどを添加してもよい。That is, instead of the RF induction discharge tube used in Example 2, an electron cyclotron resonance discharge tube 14 composed of a microwave oscillator 13 and an electromagnet 12 was used, and the source gas 6 was tungsten hexafluoride (WF 6 ). 2 and hydrogen gas (H 2 ) which is the reactive gas 7 are alternately introduced at the same time intervals as shown in FIG. 2, and the hydrogen (H 2 ) gas is excited to generate excited species (H) by electron cyclotron resonance discharge. A metal tungsten thin film having the same characteristics as in Example 1 was obtained in the same manner as in Example 2. At this time, argon gas or the like may be added to stabilize the discharge.
【００２８】反応性ガスの励起手段として電子サイクロ
トロン共鳴を用いることにより、励起手段を用いないと
きよりも低い基板温度を用いることができ、しかもＣＶ
Ｄプロセス時間を短縮できた。By using electron cyclotron resonance as the means for exciting the reactive gas, it is possible to use a lower substrate temperature than when no exciting means is used, and moreover, CV
D Process time could be shortened.
【００２９】実施例４
図６に示すように、励起手段として紫外線を使用した光
励起を用いたＣＶＤ装置を用いて、実施例２と同様にし
て、ＣＶＤにより金属タングステン膜を半導体デバイス
基板９上に形成した。Example 4 As shown in FIG. 6, a metal tungsten film was deposited on the semiconductor device substrate 9 by CVD in the same manner as in Example 2 using a CVD apparatus using photoexcitation using ultraviolet rays as the excitation means. Formed.
【００３０】すなわち、実施例２で用いたＲＦ誘導放電
管の代わりに、紫外線ランプ１５を半導体デバイス基板
９上に設置してあり、原料ガス６である六フッ化タング
ステン（ＷＦ6）と反応性ガス７である水素ガス（Ｈ
２）の交互導入と紫外線光による反応性ガス（Ｈ2）の
励起種（Ｈ）生成とを上記実施例２と同様にして行っ
て、実施例１と同等の特性を有する金属タングステン薄
膜を得た。That is, instead of the RF induction discharge tube used in Example 2, an ultraviolet lamp 15 is installed on the semiconductor device substrate 9, and it reacts with tungsten hexafluoride (WF 6 ) which is the source gas 6. Hydrogen gas that is gas 7 (H
The alternating introduction of 2 ) and the generation of excited species (H) of the reactive gas (H 2 ) by ultraviolet light are performed in the same manner as in Example 2 above to obtain a metal tungsten thin film having the same characteristics as in Example 1. It was
【００３１】反応性ガスの励起手段として紫外線ランプ
を用いることにより、励起手段を用いないときよりも低
い基板温度を用いることができ、しかもＣＶＤプロセス
時間を短縮できた。By using an ultraviolet lamp as the means for exciting the reactive gas, a lower substrate temperature can be used and a CVD process time can be shortened as compared with the case where the exciting means is not used.
【００３２】なお、紫外線光源としてはエキマレーザな
どの紫外線レーザや水素放電による真空紫外線光源など
を用いることもできる。また、実施例４に実施例２およ
び３の方法を組み合わせることも可能である。As the ultraviolet light source, an ultraviolet laser such as an excimer laser or a vacuum ultraviolet light source by hydrogen discharge can be used. It is also possible to combine the method of Embodiments 2 and 3 with Embodiment 4.
【００３３】また、上述した各実施例においては、金属
タングステン薄膜の形成を例に本発明を説明したが、本
発明は、このような金属薄膜の形成に限定されるもので
はなく、原料ガスと励起した反応性ガスの組み合わせに
より様々な薄膜の形成に利用できる。たとえば、原料ガ
スに金属ハロゲン化物や有機金属化合物を用い反応性ガ
スにシラン系ガスを用いることで、金属シリサイドの薄
膜ができることは周知であり、これに本発明を適用する
ことも可能である。Further, in each of the above-described embodiments, the present invention has been described by taking the formation of a metal tungsten thin film as an example, but the present invention is not limited to the formation of such a metal thin film, and a source gas and It can be used for forming various thin films by combining excited reactive gases. For example, it is well known that a metal silicide thin film can be formed by using a metal halide or an organometallic compound as a raw material gas and a silane-based gas as a reactive gas, and the present invention can be applied to this.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
料ガスを反応性ガス用いて分解する化学気相成長法によ
り薄膜を形成する方法において、原料ガスと反応性ガス
を交互に半導体デバイス基板上に導入することにより、
基体の侵食や薄膜表面の荒れのない、漏洩電流を抑え、
薄膜表面の平坦性が向上した薄膜が得られる。As described above, according to the present invention, in a method of forming a thin film by a chemical vapor deposition method in which a raw material gas is decomposed using a reactive gas, the raw material gas and the reactive gas are alternately arranged in a semiconductor device. By introducing it on the substrate,
There is no erosion of the substrate or roughening of the thin film surface, suppressing leakage current,
A thin film with improved flatness of the thin film surface can be obtained.
【図１】 本発明の実施例１に用いたＣＶＤ装置の概略
図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a CVD apparatus used in a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の実施例１において、原料ガスと反応
性ガスとを交互に不連続的に導入する時間間隔をガス流
量と供に示す。FIG. 2 shows, together with the gas flow rate, the time intervals at which the source gas and the reactive gas are alternately and discontinuously introduced in Example 1 of the present invention.
【図３】 本発明の実施例１による薄膜形成のステップ
を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing steps of forming a thin film according to Example 1 of the present invention.
【図４】 本発明の実施例２に用いたＣＶＤ装置の概略
図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a CVD apparatus used in Example 2 of the present invention.
【図５】 本発明の実施例３に用いたＣＶＤ装置の概略
図である。FIG. 5 is a schematic view of a CVD apparatus used in Example 3 of the present invention.
【図６】 本発明の実施例４に用いたＣＶＤ装置の概略
図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a CVD apparatus used in Example 4 of the present invention.
１…ガス導入口、 ２…ガス流量制御装置、 ３…放電管、 ４…反応室、 ５…真空ポンプ、 ６…原料ガス、 ７…反応性ガス、 ８…圧力制御装置、 ９…半導体デバイス基板、 １０…高周波発振器、 １１…コイル、 １２…電磁石、 １３…マイクロ波発振器、 １４…電子サクロトロン共鳴放電管、 １５…紫外線ランプ。 1 ... Gas inlet, 2 ... Gas flow controller, 3 ... discharge tube, 4 ... Reaction chamber, 5 ... vacuum pump, 6 ... Raw material gas, 7 ... Reactive gas, 8 ... Pressure control device, 9 ... Semiconductor device substrate, 10 ... High frequency oscillator, 11 ... coil, 12 ... electromagnet, 13 ... Microwave oscillator, 14 ... Electron sacrotron resonance discharge tube, 15 ... UV lamp.
Claims (2)
導体デバイス基板上に薄膜を形成する方法において、 原料ガスと反応性ガスを交互に前記半導体デバイス基板
上に導入して、化学気相成長を行い、この化学気相成長
を繰り返し行うことにより所要の膜厚の薄膜を前記半導
体デバイス基板上に形成することを特徴とする化学気相
成長による薄膜形成方法。1. A method for forming a thin film on a semiconductor device substrate having a step portion by chemical vapor deposition, in which a source gas and a reactive gas are alternately introduced onto the semiconductor device substrate to perform chemical vapor deposition. And forming a thin film having a required film thickness on the semiconductor device substrate by repeating the chemical vapor deposition.
たはスルーホール部であることを特徴とする請求項１に
記載の化学気相成長による薄膜形成方法。2. The thin film forming method by chemical vapor deposition according to claim 1, wherein the step portion is a contact hole portion or a through hole portion.
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| JP2002313148A JP2003160867A (en) | 1992-07-24 | 2002-10-28 | Method for forming thin film by chemical vapor deposition |
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| A02 | Decision of refusal |
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