JP2003156667A - Method for laser marking - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザマーキング
方法に関し、特に、眼鏡レンズ表面にレーザ光線で隠し
マークを形成するレーザマーキング方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser marking method, and more particularly to a laser marking method for forming a hidden mark on a spectacle lens surface with a laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】眼鏡レンズには、品質保証マーク、レン
ズの種類等を示す識別マーク、位置決め用のマークなど
の隠しマークが、目立たないようにレンズ表面に形成さ
れている。隠しマークは、通常は視認できず、一定の方
向の反射光等で識別できるように形成されている。2. Description of the Related Art In a spectacle lens, hidden marks such as a quality assurance mark, an identification mark indicating the type of lens, and a positioning mark are formed on the lens surface so as to be inconspicuous. The hidden mark is usually invisible, and is formed so that it can be identified by reflected light in a certain direction.
【０００３】近年、眼鏡レンズのカスタム化が進み、レ
ンズ加工の指示、クレーム時の追跡調査等から、レンズ
一枚毎に異なる製造番号、加工指示記号等の隠しマーク
を形成する必要性が高まってきている。In recent years, customization of spectacle lenses has progressed, and it has become increasingly necessary to form a hidden mark such as a manufacturing number and a processing instruction symbol for each lens, based on a lens processing instruction, follow-up investigation at the time of complaint, and the like. ing.
【０００４】従来、隠しマークを眼鏡レンズ表面に形成
する方法としては、ダイヤモンドペンを用いる機械的な
刻印方法、プラスチックレンズを成形する注型重合型に
予め形成されているマークからの転写方法、レンズ表面
をエッチングする方法、レンズ表面に湿潤性のある物質
をスタンプで施す方法、レーザ光線を照射するレーザマ
ーキング方法などがある。Conventionally, as a method of forming a hidden mark on the surface of a spectacle lens, a mechanical marking method using a diamond pen, a transfer method from a mark previously formed in a casting polymerization mold for molding a plastic lens, a lens There are a method of etching the surface, a method of stamping a lens surface with a wettable substance, a laser marking method of irradiating a laser beam, and the like.
【０００５】ダイヤモンドペンを用いる機械的な刻印方
法は、近年ではＮＣ制御で自由にマークを形成すること
ができるようになったが、手間がかかり、作業能率が悪
いという問題があると共に、ダイヤモンドペンに与える
荷重の変動やペンの摩耗などでマーキング品質が安定し
ないという問題がある。In recent years, the mechanical marking method using a diamond pen has made it possible to freely form a mark by NC control, but there is a problem that it takes time and labor and work efficiency is low, and the diamond pen is also used. There is a problem that the marking quality is not stable due to the fluctuation of the load applied to the pen and the wear of the pen.
【０００６】注型重合型からの転写方法は、型に設けら
れている凹凸を転写する方法であり、凹凸の変更はでき
ず、しかも型は高価であるため再利用されることから、
一枚毎に異なるマークを形成するのは事実上不可能であ
る。The transfer method from the casting polymerization mold is a method of transferring the unevenness provided on the mold. Since the unevenness cannot be changed and the mold is expensive, it is reused.
It is virtually impossible to form different marks for each sheet.
【０００７】レンズ表面をエッチングする方法やレンズ
表面に湿潤性のある物質をスタンプで施す方法は、コス
トがかかり、しかも一枚毎に異なるマークを形成するこ
とは、マスクやスタンプを用いることから困難である。The method of etching the lens surface and the method of applying a wettable substance to the lens surface with a stamp are costly, and it is difficult to form different marks for each sheet because a mask or a stamp is used. Is.
【０００８】これに対し、レーザマーキング方法は、電
気的制御によりマークを形成できるため、レンズ一枚毎
に異なるマークを形成することに適していると考えられ
る。On the other hand, the laser marking method is suitable for forming different marks for each lens because the marks can be formed by electrical control.
【０００９】従来のレーザマーキング方法には、エキシ
マレーザを用いてレンズ表面にマークを施す方法（特許
第２７５５６１０号）、プラスチックレンズ表面に損傷
を与えずにレーザ光を照射し、レンズ内部にマークを付
する方法（特許第２８１０１５１号）、プラスチックレ
ンズ表面に形成されている反射防止膜やハードコート膜
とレンズ基材との界面近傍のレンズ基材にレーザ光を照
射してマークを付する方法（特許第３０８１３９５号）
などが提案されている。As a conventional laser marking method, a method of making a mark on the lens surface by using an excimer laser (Japanese Patent No. 2755610), a laser beam is irradiated without damaging a plastic lens surface, and a mark is formed inside the lens. (Patent No. 2810151), a method of irradiating a laser beam to a lens base material near the interface between the antireflection film or the hard coat film formed on the surface of the plastic lens and the lens base material to make a mark ( (Patent No. 3081395)
Have been proposed.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、紫外光
を直接発振するエキシマレーザは、比較的高出力である
が、短時間発光のパルスレーザであり、半導体露光、微
細加工などの大面積の一括処理的加工に用いられる。そ
のため、エキシマレーザを用いる従来のレーザマーキン
グ方法では、マーク形状の切欠きがあるマスク又はステ
ンシルを用いてレーザ光を照射するもので、一枚毎に異
なるマークを形成することは困難である。However, the excimer laser that directly oscillates ultraviolet light has a relatively high output, but it is a pulse laser that emits light for a short time, and is a large-area batch process such as semiconductor exposure and fine processing. Used for mechanical processing. Therefore, in the conventional laser marking method using the excimer laser, laser light is emitted using a mask or stencil having a mark-shaped notch, and it is difficult to form different marks for each sheet.
【００１１】また、プラスチックレンズ表面に損傷を与
えずにレーザ光を照射し、レンズ内部にマークを付する
方法では、表面の破壊を防止しながらレンズ内部に焦点
を調節することが難しく、一定の品質のマークを形成す
ることが困難であるという問題がある。Further, in the method of irradiating a laser beam without damaging the surface of the plastic lens and marking the inside of the lens, it is difficult to adjust the focus inside the lens while preventing the surface from being destroyed, and it is difficult to adjust the focus. There is a problem that it is difficult to form quality marks.
【００１２】更に、プラスチックレンズ表面に形成され
ている反射防止膜やハードコート膜とレンズ基材との界
面近傍のレンズ基材にレーザ光を照射してマークを付す
る方法は、反射防止膜やハードコート膜に損傷を与えな
いようにレンズ基材表面に精密に焦点を合わせるには、
焦点距離が非常に短くなる。そのため、レンズ表面が曲
面で構成され、その曲面が使用者の処方により異なるこ
とから、精密な焦点合わせは難しいと考えられ、一定の
品質のマークを形成することが困難であるという問題が
ある。Further, a method of irradiating a laser beam to a lens base material in the vicinity of an interface between the lens base material and the anti-reflection film or the hard coat film formed on the surface of the plastic lens to make a mark is as follows. To precisely focus on the lens substrate surface so as not to damage the hard coat film,
The focal length becomes very short. Therefore, since the lens surface is composed of a curved surface, and the curved surface varies depending on the prescription of the user, it is considered that precise focusing is difficult and it is difficult to form a mark of constant quality.
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、眼鏡レンズ一枚毎に異なるマークを容易に形成する
ことができるレーザマーキング方法を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a laser marking method capable of easily forming different marks for each spectacle lens.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意検討した結果、固体レーザから出射さ
れる基本波レーザ光を紫外線に波長変換した紫外線レー
ザ光を用いることが有効であることを知見した。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventor has found that it is effective to use an ultraviolet laser light obtained by converting the wavelength of a fundamental laser light emitted from a solid-state laser into ultraviolet light. I found that there is.
【００１５】即ち、固体レーザは短パルス発振ないしは
連続発振で、マーキングに適しているが、実用化されて
いる固体レーザのほとんどは、その発振波長が赤色から
近赤外領域に存在するため、固体レーザを用いて紫外光
を発生させるには、通常非線形光学結晶を用いた波長変
換によらねばならない。紫外線領域の光は、ガラスやプ
ラスチックなどのほとんどの物質で光吸収率が大きく、
到達深度が浅いため、短パルス高ピークパワー密度の紫
外線レーザ光を照射されたレンズは、レンズ表面の極薄
い表面層が照射された部分だけ瞬時に蒸発分解する。そ
のため、紫外線レーザ光のビームを電気的、光学的に制
御することによって、レンズ一枚毎に異なるマークをレ
ンズ表面に容易に形成することが可能である。That is, the solid-state laser is a short pulse oscillation or continuous oscillation and is suitable for marking, but most of the solid-state lasers that have been put into practical use have an oscillation wavelength in the red to near-infrared region. In order to generate ultraviolet light using a laser, it is usually necessary to perform wavelength conversion using a nonlinear optical crystal. Most materials such as glass and plastic have high light absorption in the ultraviolet range,
Since the reach depth is shallow, the lens irradiated with the ultraviolet laser light having the short pulse and high peak power density instantaneously evaporates and decomposes only the part of the lens surface irradiated with the extremely thin surface layer. Therefore, by electrically and optically controlling the beam of the ultraviolet laser light, it is possible to easily form different marks for each lens on the lens surface.
【００１６】紫外線レーザ光は、レンズ基材を直接、あ
るいはその表面に形成されている反射防止膜やハードコ
ート膜を蒸発させることで、マーキングすることができ
る。多層膜で構成される反射防止膜の場合、その１層又
は複数層を除去することにより、マーキングすることが
できる。Ultraviolet laser light can be used for marking directly on the lens substrate or by evaporating the antireflection film or the hard coat film formed on the surface of the lens substrate. In the case of an antireflection film composed of a multilayer film, marking can be performed by removing one or more layers.
【００１７】また、紫外線レーザ光がレンズ基材に深く
到達してダメージを与えないように、レンズ基材に紫外
線吸収剤を含有させることが好ましい。It is preferable that the lens base material contains an ultraviolet absorber so that the ultraviolet laser light does not reach the lens base material deeply and cause damage.
【００１８】従って、請求項１記載の発明は、固体レー
ザより出射された基本波レーザ光を波長変換した紫外線
レーザ光をレンズに照射して前記レンズ表面にマークを
形成することを特徴とするレーザマーキング方法を提供
する。Accordingly, the invention according to claim 1 is characterized in that the laser is characterized in that a mark is formed on the surface of the lens by irradiating the lens with an ultraviolet laser beam obtained by wavelength-converting the fundamental wave laser beam emitted from the solid-state laser. Provide a marking method.
【００１９】請求項２記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザマーキング方法において、前記レンズが、レンズ基
材表面に反射防止膜及び／又はハードコート膜を有し、
前記マークを、前記反射防止膜及び／又はハードコート
膜に形成することを特徴とするレーザマーキング方法を
提供する。According to a second aspect of the invention, in the laser marking method according to the first aspect, the lens has an antireflection film and / or a hard coat film on the surface of the lens substrate,
There is provided a laser marking method, characterized in that the mark is formed on the antireflection film and / or the hard coat film.
【００２０】請求項３記載の発明は、請求項２記載のレ
ーザマーキング方法において、前記反射防止膜が、多層
膜で構成され、前記マークを、前記多層膜反射防止膜の
１層又は複数層を除去して形成することを特徴とするレ
ーザマーキング方法を提供する。According to a third aspect of the present invention, in the laser marking method according to the second aspect, the antireflection film is composed of a multilayer film, and the mark is formed by one or a plurality of layers of the multilayer antireflection film. There is provided a laser marking method characterized by removing and forming.
【００２１】請求項４記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザマーキング方法において、前記マークを、前記レン
ズを構成するレンズ基材表面に形成することを特徴とす
るレーザマーキング方法を提供する。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a laser marking method according to the first aspect, wherein the mark is formed on a surface of a lens base material forming the lens.
【００２２】請求項５記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザマーキング方法において、前記レンズが、紫外線吸
収剤を含有することを特徴とするレーザマーキング方法
を提供する。A fifth aspect of the present invention provides the laser marking method according to the first aspect, wherein the lens contains an ultraviolet absorber.
【００２３】請求項６記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザマーキング方法において、前記マークが、前記レン
ズ一枚毎に又は複数枚毎に異なる文字、図形又は記号を
含むことを特徴とするレーザマーキング方法を提供す
る。According to a sixth aspect of the present invention, in the laser marking method according to the first aspect, the mark includes different characters, figures or symbols for each lens or for each plurality of lenses. Provide a marking method.
【００２４】請求項７記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザマーキング方法において、前記マークが、隠しマー
クであることを特徴とするレーザマーキング方法を提供
する。The invention according to claim 7 provides the laser marking method according to claim 1, wherein the mark is a hidden mark.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定される
ものではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following embodiments.
【００２６】本発明のレーザマーキング方法は、上述し
たように、固体レーザより出射された基本波レーザ光を
波長変換した紫外線レーザ光をレンズに照射してレンズ
表面にマークを形成するものである。As described above, the laser marking method of the present invention is to irradiate a lens with ultraviolet laser light obtained by wavelength-converting the fundamental laser light emitted from a solid-state laser to form a mark on the lens surface.
【００２７】固体レーザは、短パルス発振ないしは連続
発振であり、マーキングに適している。また、エキシマ
レーザ等のガスレーザと比較して、ガス処理などの付帯
設備を含めた装置が小さく、しかも取り扱いが容易で、
経済的メリットが大きい。しかし、実用化されている固
体レーザのほとんどは、その発振波長が赤色から近赤外
領域に存在する。そのため、固体レーザを用いて基本波
レーザ光を発生させ、その基本波レーザ光を波長変換し
て紫外線レーザ光を発生させる必要がある。The solid-state laser is a short pulse oscillation or a continuous oscillation and is suitable for marking. In addition, compared with gas lasers such as excimer lasers, the equipment including auxiliary equipment such as gas processing is small and easy to handle,
Great economic benefits. However, most of the practically used solid-state lasers have an oscillation wavelength in the red to near-infrared region. Therefore, it is necessary to generate a fundamental wave laser beam using a solid-state laser, and to convert the wavelength of the fundamental wave laser beam to generate an ultraviolet laser beam.
【００２８】固体レーザとしては、例えば、ＹＡＧレー
ザ（１０６４ｎｍ）、ＹＬＦレーザ（１０４７ｎｍ）、
ＹＶＯ4レーザ（１０６４ｎｍ）等がある。As the solid-state laser, for example, YAG laser (1064 nm), YLF laser (1047 nm),
There is a YVO 4 laser (1064 nm) or the like.
【００２９】基本波を波長変換するには、通常、非線形
光学結晶を用いる。非線形光学結晶は、直線偏光してい
る強いレーザ光を照射すると、照射結晶面で異なる電気
分極が誘起される結晶である。紫外光発生に適するとさ
れている非線形光学結晶としては、β−ＢａＢ2Ｏ4（Ｂ
ＢＯ）、ＬｉＢ3Ｏ5（ＬＢＯ）、ＫＴｉＯＰＯ4および
ＣｓＬｉＢ6Ｏ10（ＣＬＢＯ）などがある。To convert the wavelength of the fundamental wave, a nonlinear optical crystal is usually used. A non-linear optical crystal is a crystal in which a different electric polarization is induced in an irradiated crystal plane when irradiated with a linearly polarized strong laser beam. As a nonlinear optical crystal that is said to be suitable for generating ultraviolet light, β-BaB 2 O 4 (B
BO), LiB 3 O 5 (LBO), KTiOPO 4 and CsLiB 6 O 10 (CLBO).
【００３０】非線形光学結晶に基本波レーザ光を照射す
ると、基本波レーザ光（波長λ0）の波長の半分の波長
の第２高調波（波長λ2＝λ0／２）が発生する。また、
波長変換しなかった基本波レーザ光も一部が残る。これ
らの残った基本波レーザ光と第２高調波（波長λ2）と
を更に非線形光学結晶に入力すると、その和周波である
基本波レーザ光の波長の１／３の波長の第３高調波（波
長λ3＝λ0・λ2／λ0＋λ2）が発生する。また、第２
高調波のみを更に非線形光学結晶に入力すると、第２高
調波の第２高調波として基本波レーザ光の波長の１／４
の波長の第４高調波（λ4＝λ2／２＝λ0／４）が発生
する。更に、第２高調波と第３高調波とを非線形光学結
晶に入力すると、その和周波である基本波レーザ光の波
長の１／５の波長の第５高調波（λ5＝λ0／５）が出力
する。通常、固体レーザの基本波レーザ光の第３高調
波、第４高調波、第５高調波は紫外線であるので、これ
らの高調波レーザ光をマーキングの光源として用いるこ
とができる。[0030] irradiating the nonlinear optical crystal a fundamental wave laser beam, a second harmonic wave having a wavelength half the wavelength of the fundamental wave laser light (wavelength lambda 0) (wavelength λ 2 = λ 0/2) is generated. Also,
Part of the fundamental laser light that has not been wavelength-converted remains. When the remaining fundamental laser light and the second harmonic (wavelength λ 2 ) are further input to the nonlinear optical crystal, the third harmonic having a wavelength of 1/3 of the sum of the fundamental laser light is added. (Wavelength λ 3 = λ 0 · λ 2 / λ 0 + λ 2 ) occurs. Also, the second
If only the harmonics are further input to the nonlinear optical crystal, the second harmonic of the second harmonic becomes 1/4 of the wavelength of the fundamental laser light.
A fourth harmonic of a wavelength (λ 4 = λ 2/2 = λ 0/4) is generated. Furthermore, the second when the harmonic and the third harmonic wave is input to the nonlinear optical crystal, the fifth harmonic of 1/5 wavelength of the wavelength of the fundamental wave laser light which is a sum frequency (λ 5 = λ 0/5 ) Outputs. Usually, the third harmonic, the fourth harmonic, and the fifth harmonic of the fundamental laser light of the solid-state laser are ultraviolet rays, and thus these harmonic laser light can be used as a light source for marking.
【００３１】例えば、基本波レーザとして半導体レーザ
励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（１０６４ｎｍ）を用いると、
第１非線形光学結晶によってその第２高調波である５３
２ｎｍ光が発する。第２非線形光学結晶に第２高調波と
第１段目の結晶で波長変換せずに残った１０６４ｎｍと
が入力されると、その和周波である第３高調波（３５５
ｎｍ）が発生する。この第３高調波は紫外線（波長４０
０ｎｍ以下）である。また、第２高調波の５３２ｎｍ光
をさらに第２非線形光学結晶に入力すると紫外線の第４
高調波の２６６ｎｍが発生する。基本波レーザ光からの
変換効率は、通常第３高調波で２０〜３０％、第４高調
波で１０〜２０％程度である。そのため、波長変換方式
によるレーザ光源は比較的低出力である。このように波
長変換された紫外線レーザ光は、出力は小さいものの、
レンズ表面にマークを付するには十分の出力がある。For example, when a semiconductor laser pumped Nd: YAG laser (1064 nm) is used as the fundamental wave laser,
The first nonlinear optical crystal causes its second harmonic to be 53
2 nm light is emitted. When the second harmonic and the 1064 nm remaining without wavelength conversion in the first-stage crystal are input to the second nonlinear optical crystal, the third harmonic (355
nm) is generated. This third harmonic is ultraviolet light (wavelength 40
0 nm or less). In addition, if the second harmonic 532 nm light is further input to the second nonlinear optical crystal, the fourth ultraviolet light
A harmonic of 266 nm is generated. The conversion efficiency from the fundamental wave laser light is usually about 20 to 30% for the third harmonic and about 10 to 20% for the fourth harmonic. Therefore, the laser light source based on the wavelength conversion method has a relatively low output. Although the output of the wavelength-converted ultraviolet laser light is small,
There is enough power to mark the lens surface.
【００３２】図１に紫外線レーザマーキング装置の概要
を示す。図１（ａ）は、第４高調波を光源とするマーキ
ング装置である。この紫外線レーザマーキング装置１
は、基本波発振器１１、第１非線形光学結晶１２、波長
分離ミラー１３、第２非線形光学結晶１４、波長分離光
学系１５及びスキャナ部１６とを備える。基本波発振器
１１から出射された基本波レーザ光１ωは、第１非線形
光学結晶１２に入力され、第１非線形光学結晶１２から
第２高調波２ωと変換されなかった基本波レーザ光１ω
とが出射する。波長分離ミラー１３で基本波を反射して
除去し、第２高調波２ωのみを第２非線形光学結晶１４
に入力すると、第４高調波４ωと変換されなかった第２
高調波２ωとが出射する。この第２高調波２ωと第４高
調波４ωとを波長分離光学系１５に入力し、第４高調波
４ωのみを出力する。第４高調波４ωのビームをスキャ
ナ部１６で例えば垂直方向に出射させ、第４高調波４ω
を水平方向にスキャンさせることによって各種のマーク
をレンズ１００表面に形成できるようになっている。FIG. 1 shows an outline of an ultraviolet laser marking device. FIG. 1A shows a marking device that uses the fourth harmonic as a light source. This UV laser marking device 1
Includes a fundamental wave oscillator 11, a first nonlinear optical crystal 12, a wavelength separation mirror 13, a second nonlinear optical crystal 14, a wavelength separation optical system 15, and a scanner unit 16. The fundamental laser light 1ω emitted from the fundamental oscillator 11 is input to the first nonlinear optical crystal 12 and is not converted into the second harmonic 2ω from the first nonlinear optical crystal 12 by the fundamental laser light 1ω.
And are emitted. The fundamental wave is reflected and removed by the wavelength separation mirror 13, and only the second harmonic wave 2ω is generated by the second nonlinear optical crystal 14.
Input to the second harmonic that was not converted to the fourth harmonic 4ω
Harmonics 2ω and are emitted. The second harmonic wave 2ω and the fourth harmonic wave 4ω are input to the wavelength separation optical system 15, and only the fourth harmonic wave 4ω is output. A beam of the fourth harmonic 4ω is emitted by the scanner unit 16 in the vertical direction, and the fourth harmonic 4ω is emitted.
By scanning in the horizontal direction, various marks can be formed on the surface of the lens 100.
【００３３】また、図１（ｂ）は第３高調波を光源とす
るマーキング装置である。このマーキング装置２は、基
本波発振器１１、第１非線形光学結晶１２、第２非線形
光学結晶１４、波長分離光学系１７及びスキャナ部１６
とを備える。基本波発振器１１から出射された基本波レ
ーザ光１ωは、第１非線形光学結晶１２に入力され、第
１非線形光学結晶１２から第２高調波２ωと変換されな
かった基本波レーザ光１ωとが出射する。これらの基本
波レーザ光１ωと第２高調波２ωとを第２非線形光学結
晶１４に入力すると、これらの和周波である第３高調波
３ωと変換されなかった基本波レーザ光１ωと第２高調
波２ωとが出射する。この基本波レーザ光１ωと第２高
調波２ωとを波長分離光学系１７で除き、第３高調波３
ωのみを出力する。この第３高調波３ωのビームをスキ
ャナ部１６で例えば垂直方向に出射させ、第３高調波３
ωを水平方向にスキャンさせることによって各種のマー
クをレンズ１００表面に形成できるようになっている。FIG. 1B shows a marking device using the third harmonic as a light source. This marking device 2 includes a fundamental wave oscillator 11, a first nonlinear optical crystal 12, a second nonlinear optical crystal 14, a wavelength separation optical system 17, and a scanner section 16.
With. The fundamental wave laser light 1ω emitted from the fundamental wave oscillator 11 is input to the first nonlinear optical crystal 12 and emitted from the first nonlinear optical crystal 12 to the second harmonic wave 2ω and the fundamental wave laser light 1ω that has not been converted. To do. When the fundamental wave laser light 1ω and the second harmonic wave 2ω are input to the second nonlinear optical crystal 14, the third harmonic wave 3ω which is the sum frequency thereof and the fundamental wave laser light 1ω and the second harmonic wave which have not been converted. Waves 2ω and are emitted. The fundamental wave laser light 1ω and the second harmonic 2ω are removed by the wavelength separation optical system 17, and the third harmonic 3
Output only ω. The beam of the third harmonic wave 3ω is emitted in the vertical direction by the scanner unit 16, and the third harmonic wave 3ω is emitted.
Various marks can be formed on the surface of the lens 100 by scanning ω in the horizontal direction.
【００３４】紫外線レーザマーキング装置の市販品とし
て、例えばウシオ電機（株）製のユニマークＳＵを例示
することができる。このユニマークＳＵは、基本波発振
機としてＹＡＧレーザを用い、２つの非線形光学結晶で
第４高調波（波長２６６ｎｍ）の短パルスの紫外線レー
ザ光を出力することができる。As a commercially available product of the ultraviolet laser marking device, for example, Unimark SU manufactured by USHIO INC. Can be exemplified. This Unimark SU uses a YAG laser as a fundamental wave oscillator and can output a short-pulse ultraviolet laser light of a fourth harmonic (wavelength of 266 nm) with two nonlinear optical crystals.
【００３５】紫外線レーザマーキング装置から出力され
る紫外線レーザ光は、波長が短いため集光性が良好であ
り、例えばユニマークＳＵは、ビーム径３０μｍの紫外
線レーザ光を出力することができる。このビーム径は、
ＣＯ2レーザマーキング装置の約１／４、ＹＡＧレーザ
マーキング装置の約１／３である。そのため、微細で精
密なマークを形成でき、隠しマークの形成に適してい
る。The ultraviolet laser light output from the ultraviolet laser marking device has a good condensing property because of its short wavelength. For example, Unimark SU can output the ultraviolet laser light having a beam diameter of 30 μm. This beam diameter is
It is about 1/4 of the CO 2 laser marking device and about 1/3 of the YAG laser marking device. Therefore, fine and precise marks can be formed, which is suitable for forming hidden marks.
【００３６】ユニマークＳＵは、出力した紫外線レーザ
ビーム光を垂直方向に出射し、そのビーム光を平面のＸ
Ｙ方向に所定のパターンでスキャンできるようになって
いる。ビーム光のスキャンにより、例えば各種の文字や
数字、所定の図形等を簡単に印字できるようになってい
る。The Unimark SU emits the output ultraviolet laser beam light in the vertical direction and emits the beam light on a plane X-axis.
It is possible to scan in a predetermined pattern in the Y direction. By scanning the light beam, for example, various characters, numbers, predetermined figures, etc. can be easily printed.
【００３７】但し、紫外線のような短波長の光線は、ビ
ーム径を小さくすることができるが、ＣＯ2レーザに比
べると同様の光学系を用いた場合、焦点位置前後でほぼ
一定のビーム径が得られる許容範囲が狭くなる。ユニマ
ークＳＵの場合、焦点位置から平面のＺ方向に前後１ｍ
ｍが許容範囲である。マーキングの対象物が平面的であ
ればこれで十分である。しかし、眼鏡レンズの場合は曲
面形状や側面の厚みでマーキングを施す面が大きく変化
する。例えば、強度の凸レンズの場合、中心部分と外周
部分でおよそ８ｍｍの高低差がある。また、凹レンズの
場合、強度に応じて外周部分の厚さが変化するため、同
じ面に載置したときにレンズ側面の最大の高さと最小の
高さの差は最大約１０ｍｍにもなる。凹レンズの場合
は、側面の高低に加えてレンズの曲面の高低が加わる。
従って、眼鏡レンズの曲面や側面の厚さによらずマーキ
ングするには、１０〜２０ｍｍ程度の印字の許容範囲が
必要となる。However, a short-wavelength light such as ultraviolet rays can have a small beam diameter, but when a similar optical system is used as compared with a CO 2 laser, a beam diameter that is substantially constant before and after the focal position is obtained. The allowable range obtained is narrow. In the case of Unimark SU, it is 1m back and forth from the focal position in the Z direction on the plane.
m is the allowable range. This is sufficient if the marking object is flat. However, in the case of a spectacle lens, the surface to be marked changes greatly depending on the curved surface shape and the thickness of the side surface. For example, in the case of a strong convex lens, there is a height difference of about 8 mm between the central portion and the outer peripheral portion. Further, in the case of a concave lens, the thickness of the outer peripheral portion changes depending on the strength, so that when mounted on the same surface, the difference between the maximum height and the minimum height of the lens side surface is up to about 10 mm. In the case of a concave lens, the height of the curved surface of the lens is added to the height of the side surface.
Therefore, a marking allowable range of about 10 to 20 mm is required for marking regardless of the thickness of the curved surface or side surface of the spectacle lens.
【００３８】そのため、例えば焦点距離を長くして印字
の許容範囲を１０〜２０ｍｍ程度に大きくするような光
学系、あるいは平行なビーム光線に変える光学系をマー
キング装置に組み込むことにより、眼鏡レンズのマーキ
ングが可能となる。Therefore, for example, by incorporating an optical system for increasing the focal length to increase the allowable range of printing to about 10 to 20 mm or an optical system for converting the light beam into parallel beam rays into the marking device, the marking of the spectacle lens is performed. Is possible.
【００３９】また、焦点をレンズの曲面に合わせて移動
させるか、又はレンズを載置するステージをレンズの曲
面に応じて移動させる機構を設けることで、レンズのマ
ーキングが可能となる。Further, the lens can be marked by providing a mechanism for moving the focus according to the curved surface of the lens, or for moving the stage on which the lens is mounted according to the curved surface of the lens.
【００４０】紫外光領域（４００ｎｍ以下）の光線は、
可視光領域で透明な材料であってもプラスチック、ガラ
ス、半導体、無機材料などの殆ど全ての材料で吸収され
る。そのため、短パルス高ピークパワー密度の紫外線レ
ーザ光の到達深度は浅く、短パルス高ピークパワー密度
の紫外線レーザ光を照射された物質は、極薄い表面層が
瞬時に蒸発分解する。この現象を利用した加工方法はレ
ーザアブレーションと呼ばれ、熱影響の少ない切れの良
い加工が特徴である。Light in the ultraviolet region (400 nm or less) is
Almost all materials such as plastics, glass, semiconductors, and inorganic materials are absorbed even if the material is transparent in the visible light region. Therefore, the arrival depth of the ultraviolet laser light having a short pulse high peak power density is shallow, and an ultrathin surface layer of a substance irradiated with the ultraviolet laser light having a short pulse high peak power density is instantly vaporized and decomposed. A processing method utilizing this phenomenon is called laser ablation, and is characterized by good cutting with little thermal influence.
【００４１】眼鏡レンズは、レンズ基材がプラスチック
製とガラス製とに大別される。紫外線レーザ光は、透明
プラスチック、ガラスの両方で吸収される。また、プラ
スチックレンズ基材の表面に設けられるハードコート
膜、更には反射防止膜の大部分も紫外線を吸収する。そ
のため、本発明のレーザマーキング方法は、プラスチッ
ク製、ガラス製の眼鏡レンズの両方に適用できる。ま
た、プラスチックレンズ基材又はガラスレンズ基材、ハ
ードコート膜、反射防止膜のいずれにもマークを形成す
ることができる。The spectacle lens is roughly classified into a lens base material made of plastic and glass. Ultraviolet laser light is absorbed by both transparent plastic and glass. Further, the hard coat film provided on the surface of the plastic lens substrate, and most of the antireflection film also absorbs ultraviolet rays. Therefore, the laser marking method of the present invention can be applied to both spectacle lenses made of plastic and glass. Further, the mark can be formed on any of the plastic lens substrate or the glass lens substrate, the hard coat film, and the antireflection film.
【００４２】プラスチックレンズ基材としては、（メ
タ）アクリル樹脂をはじめとしてスチレン樹脂、カーボ
ネート樹脂、アリル樹脂、ジエチレングリコールビスア
リルカーボネート樹脂（ＣＲ−３９）等のアリルカーボ
ネート樹脂、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエー
テル樹脂、イソシアネート化合物とジエチレングリコー
ルなどのヒドロキシ化合物との反応で得られたウレタン
樹脂、イソシアネート化合物とポリチオール化合物とを
反応させたチオウレタン樹脂、分子内に１つ以上のジス
ルフィド結合を有する（チオ）エポキシ化合物を含有す
る重合性組成物を硬化して得られる透明樹脂等を例示す
ることができる。Examples of the plastic lens substrate include (meth) acrylic resin, styrene resin, carbonate resin, allyl resin, allyl carbonate resin such as diethylene glycol bisallyl carbonate resin (CR-39), vinyl resin, polyester resin, poly Ether resin, urethane resin obtained by reacting isocyanate compound with hydroxy compound such as diethylene glycol, thiourethane resin obtained by reacting isocyanate compound with polythiol compound, (thio) epoxy having one or more disulfide bonds in the molecule Examples thereof include transparent resins obtained by curing a polymerizable composition containing a compound.
【００４３】反射防止膜は、無機被膜、有機被膜の単層
または多層で構成される。無機被膜の材料としては、Ｓ
ｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、Ｔｉ
2Ｏ3、Ｔｉ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ2、Ｍｇ
Ｏ、Ｙ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＭｇＦ2、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ5等の
無機物が用いられ、これらを単独でまたは２種以上を併
用して用いられる。プラスチックレンズ基材には、低温
で真空蒸着が可能なＳｉＯ 2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2
Ｏ5が好ましく用いられる。The antireflection film is a single layer of an inorganic film and an organic film.
Or it is composed of multiple layers. The material of the inorganic coating is S
iO2, SiO, ZrO2, TiO2, TiO, Ti
2O3, Ti2OFive, Al2O3, Ta2OFive, CeO2, Mg
O, Y2O3, SnO2, MgF2, WO3, Nb2OFiveEtc.
Inorganic substances are used, and these are used alone or in combination of two or more.
Used for. Low temperature for plastic lens base material
SiO that can be vacuum-deposited by 2, ZrO2, TiO2, Ta2
OFiveIs preferably used.
【００４４】無機被膜の多層膜としては、プラスチック
レンズ基材側からＺｒＯ2層とＳｉＯ2層の合計光学的膜
厚がλ／４、ＺｒＯ2層の光学的膜厚がλ／４、最表層
のＳｉＯ2層の光学的膜厚がλ／４の屈折率が高い層と
屈折率が低い層とを交互に成膜する積層構造を例示する
ことができる。ここで、λは設計波長であり、通常５２
０ｎｍが用いられる。最表層は、耐環境性に優れ、固い
被膜を形成できるＳｉＯ2とすることが好ましい。As the multilayer film of the inorganic coating, the total optical thickness of the ZrO 2 layer and the SiO 2 layer from the plastic lens substrate side is λ / 4, the optical thickness of the ZrO 2 layer is λ / 4, and the outermost layer. can be optical film thickness of the SiO 2 layer is illustrated a laminated structure for forming the alternating lambda / 4 layers has a lower refractive index and a high refractive index layer. Where λ is the design wavelength, which is usually 52
0 nm is used. The outermost layer is preferably made of SiO 2 which has excellent environment resistance and can form a hard coating.
【００４５】有機被膜の材料は、例えばＦＦＰ（テトラ
フルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合
体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＥＴ
ＦＥ（エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体）等
を挙げることができ、レンズ基材やハードコート膜の屈
折率を考慮して選定される。The material of the organic coating is, for example, FFP (tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer), PTFE (polytetrafluoroethylene), ET.
FE (ethylene-tetrafluoroethylene copolymer) and the like can be mentioned, and it is selected in consideration of the refractive index of the lens substrate or the hard coat film.
【００４６】反射防止膜を構成するＳｉＯ2の２６６ｎ
ｍの波長での透過率は約９０％、ＺｒＯ2の２６６ｎｍ
の波長での透過率は約７０％であり、ＳｉＯ2とＺｒＯ2
を交互に積層した反射防止膜では、２６６ｎｍの波長で
の透過率は７０％前後である。そのため、反射防止膜は
紫外線レーザ光を吸収して蒸発分解する。反射防止膜の
膜厚は、基材の屈折率にもよるが、多層構造では概ね２
００〜３００ｎｍの範囲である。紫外線レーザ光ビーム
の照射により、照射されている部分の反射防止膜の一部
又は全部を蒸発分解させることができる。多層膜の反射
防止膜の一部を除去するときは、レーザ光の出力調整等
で最上層又は複数層を除去するようにして、深さを制御
するようにしても良い。266n of SiO 2 constituting the antireflection film
The transmittance at a wavelength of m is about 90%, 266 nm of ZrO 2
Has a transmittance of about 70% at the wavelength of, and SiO 2 and ZrO 2
In the antireflection film in which the layers are alternately laminated, the transmittance at a wavelength of 266 nm is about 70%. Therefore, the antireflection film absorbs the ultraviolet laser light and evaporates and decomposes. Although the thickness of the antireflection film depends on the refractive index of the base material, it is approximately 2 in the multilayer structure.
The range is from 00 to 300 nm. By irradiation with the ultraviolet laser light beam, part or all of the irradiated antireflection film can be vaporized and decomposed. When removing a part of the antireflection film of the multilayer film, the depth may be controlled by removing the uppermost layer or a plurality of layers by adjusting the output of laser light or the like.
【００４７】一方、ハードコート膜は、一般的に、一分
子中にビニル基、アリル基、アクリル基、エポキシ基、
メタクリル基等の重合可能な重合性基とアルコキシ基等
の加水分解性基とを有するシラン化合物やシランカップ
リング剤を主成分とする熱硬化性組成物を熱硬化して得
られるシリコーン系樹脂をバインダーとして無機微粒子
を分散させたものが主流である。On the other hand, the hard coat film generally has a vinyl group, an allyl group, an acryl group, an epoxy group,
A silicone resin obtained by thermosetting a thermosetting composition containing a silane compound or a silane coupling agent as a main component having a polymerizable group such as a methacryl group and a hydrolyzable group such as an alkoxy group. The mainstream is one in which inorganic particles are dispersed as a binder.
【００４８】プラスチックレンズ基材の表面に直接紫外
線レーザ光を照射してマークを形成する場合、通常プラ
スチックレンズ基材上にハードコート膜、ハードコート
膜の上に反射防止膜などが設けられるため、反射防止膜
に凹凸を形成できる程度の深さに形成することが好まし
い。When a mark is formed by directly irradiating the surface of a plastic lens substrate with an ultraviolet laser beam, a hard coat film is usually provided on the plastic lens substrate, and an antireflection film is provided on the hard coat film. It is preferable to form the antireflection film to a depth such that irregularities can be formed.
【００４９】プラスチックレンズ基材の表面に紫外線レ
ーザ光を照射する場合、紫外線レーザ光がレンズ内部に
深く到達しないように、プラスチックレンズ基材に紫外
線吸収剤を含有させることができる。特に、ＹＡＧレー
ザの第３高調波の３５５ｎｍの波長の紫外線のように長
波長の紫外線に有効である。また、紫外線吸収剤を含有
させたプラスチックレンズは、紫外線によるプラスチッ
クレンズの劣化の防止の機能、眼を紫外線から守ること
ができる機能を有するため、紫外線吸収剤含有プラスチ
ックレンズ基材とすることが好ましい。When the surface of the plastic lens substrate is irradiated with the ultraviolet laser light, the plastic lens substrate may contain an ultraviolet absorber so that the ultraviolet laser light does not reach deep inside the lens. In particular, it is effective for ultraviolet rays having a long wavelength, such as ultraviolet rays having a wavelength of 355 nm which is the third harmonic of the YAG laser. Further, since the plastic lens containing the ultraviolet absorbent has a function of preventing deterioration of the plastic lens due to ultraviolet rays and a function of protecting the eyes from ultraviolet rays, it is preferable to use the plastic lens substrate containing the ultraviolet absorbent. .
【００５０】プラスチックレンズに練り込むことができ
る紫外線吸収剤としては、原料モノマーとの相溶性に優
れる紫外線吸収剤であれば、どの紫外線吸収剤も使用可
能であり、例えば、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾ
ール系、サリチル酸フェニル系、トリアジン系、ニッケ
ル塩系などをあげることができる。なかでも、ベンゾト
リアゾール系は、原料モノマーに対する溶解性が良好で
あり、紫外線吸収能力が高く、しかも化合物単体での色
が淡色か白色でレンズが着色しにくいという特徴を備え
ているため、好ましい。As the ultraviolet absorber that can be kneaded into the plastic lens, any ultraviolet absorber can be used as long as it is excellent in compatibility with the raw material monomers. For example, benzophenone type and benzotriazole type. Examples thereof include phenyl salicylate type, triazine type and nickel salt type. Among them, the benzotriazole type is preferable because it has good solubility in the raw material monomer, high ultraviolet absorption ability, and has a feature that the color of the compound alone is pale or white and the lens is difficult to be colored.
【００５１】ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として
は、例えば２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニ
ル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキ
シ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２−ヒドロキシ−３、５−ジ・ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）ベンゾトリアゾール、５−クロロ−２−
（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェ
ニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−
５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３、５
−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−２−ヒドロキシフェニル）
−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３、５−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）−２Ｈ−ベン
ゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２
−イル）−４−メチル−（３、４、５、６−テトラヒド
ロフタルイミジルメチル）フェノール、２−（２−ヒド
ロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）−２Ｈ−ベ
ンゾトリアゾール、１．６−ビス（４−ベンゾイル−３
−ヒドロキシフェノキシ）−ヘキサン、１、４−ビス
（４−ベンゾイル−４−オクチルフェニル）−２Ｈ−ベ
ンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−４−オクチ
ルオキシフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール等を例
示することができる。また、（メタ）アクリロイルオキ
シ基等の重合性官能基を有する反応型紫外線吸収剤、例
えば２−（２−ヒドロキシ−５−メタクリロキシエチル
フェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾールを使用すること
もできる。Examples of the benzotriazole type ultraviolet absorber include 2- (2-hydroxy-5-methylphenyl) -2H-benzotriazole, 2- (2-hydroxy-5-tert-butylphenyl) benzotriazole, 2- (2-Hydroxy-3,5-di.tert-butylphenyl) benzotriazole, 5-chloro-2-
(3,5-di-tert-butyl-2-hydroxyphenyl) -2H-benzotriazole, 2- (3-ter
t-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl)-
5-chloro-2H-benzotriazole, 2- (3,5
-Di-tert-pentyl-2-hydroxyphenyl)
-2H-benzotriazole, 2- (3,5-di-te
rt-Butyl-2-hydroxyphenyl) -2H-benzotriazole, 2- (2H-benzotriazole-2)
-Yl) -4-methyl- (3,4,5,6-tetrahydrophthalimidylmethyl) phenol, 2- (2-hydroxy-5-tert-octylphenyl) -2H-benzotriazole, 1.6-bis (4-benzoyl-3
-Hydroxyphenoxy) -hexane, 1,4-bis (4-benzoyl-4-octylphenyl) -2H-benzotriazole, 2- (2-hydroxy-4-octyloxyphenyl) -2H-benzotriazole and the like are exemplified. be able to. Further, a reactive ultraviolet absorber having a polymerizable functional group such as a (meth) acryloyloxy group, for example, 2- (2-hydroxy-5-methacryloxyethylphenyl) -2H-benzotriazole can also be used.
【００５２】紫外線吸収剤の配合量は、原料モノマー１
００重量部に対して０．００１〜５重量部、プラスチッ
クレンズに４００ｎｍ以下の紫外線を十分に吸収させる
ためには、０．１〜５重量部、好ましくは０．２〜３重
量部の範囲とすることが好ましい。The blending amount of the ultraviolet absorber is the raw material monomer 1
0.001 to 5 parts by weight with respect to 00 parts by weight, and 0.1 to 5 parts by weight, preferably 0.2 to 3 parts by weight in order to allow the plastic lens to sufficiently absorb ultraviolet rays of 400 nm or less Preferably.
【００５３】紫外線レーザ光で眼鏡レンズに形成する隠
しマークとしては、文字、図形、記号などがある。隠し
マークの一例を図２に示す。眼鏡レンズ１００に形成す
るマークとしては、眼鏡レンズの加工基準位置（光学中
心）を示す位置決めマーク１０１、製造メーカーを表す
品質保証マーク１０２、眼鏡レンズの種類を示す識別マ
ーク１０３、クレーム時に追跡調査するための製造コー
ド１０４、製造工程での染色加工等の指示を示す加工指
示マーク１０５、眼鏡フレームに嵌めるときに削る形状
を示す玉型形状マーク１０６等を例示することができ
る。この他には、図示していないが、バーコードや二次
元コードなどをマーキングでき、マーキングの種類は問
わない。The hidden marks formed on the spectacle lens by the ultraviolet laser light include characters, figures, symbols and the like. An example of the hidden mark is shown in FIG. As the marks formed on the spectacle lens 100, a positioning mark 101 indicating a processing reference position (optical center) of the spectacle lens, a quality assurance mark 102 indicating the manufacturer, an identification mark 103 indicating the type of the spectacle lens, and a follow-up investigation at the time of complaint. The manufacturing code 104 for this purpose, the processing instruction mark 105 that indicates an instruction such as dyeing processing in the manufacturing process, and the target lens-shaped mark 106 that indicates a shape to be cut when the eyeglass frame is fitted can be exemplified. Other than this, although not shown, a barcode, a two-dimensional code, or the like can be marked, and the marking type is not limited.
【００５４】玉型形状マーク１０６は、玉型加工したと
きに玉型レンズに残らないように、玉型と同一形状で同
一の大きさ又はわずかに大きくした形状にすることが好
ましい。玉型形状マーク１０６を形成することによっ
て、眼鏡レンズ１００の不要になる範囲が明確になり、
不良検査の際に玉型形状マークの内側だけを検査すれば
よいから、歩留まり向上に顕著な効果がある。It is preferable that the target lens shape mark 106 has the same shape as the target lens shape, or the same size or a slightly larger shape so as not to remain on the target lens when the target lens shape is processed. By forming the target lens shape mark 106, the unnecessary area of the spectacle lens 100 becomes clear,
Since only the inside of the lens-shaped mark needs to be inspected at the time of the defect inspection, there is a remarkable effect in improving the yield.
【００５５】加工指示マーク１０５は、製造工程で必要
になるマークであるため、レンズ基材に形成し、完成レ
ンズには不要であるため、玉型形状マーク１０６の枠外
に設ける。Since the processing instruction mark 105 is a mark required in the manufacturing process, it is formed on the lens base material and is not necessary for the finished lens. Therefore, the processing instruction mark 105 is provided outside the frame of the target lens shape mark 106.
【００５６】品質保証マーク１０２、位置決め用マーク
１０１、識別マーク１０３等は決まった記号、文字であ
るため、注型重合型からの転写でも良いが、玉型形状マ
ーク１０６、識別マーク１０４、加工指示マーク１０５
などは個々のレンズ毎に異なるため、本発明によるレー
ザマーキング方法によるマーキングが有効である。その
ため、マークの形成方法を２種以上採用し、例えば品質
保証マーク１０２、位置決め用マーク１０１、識別マー
ク１０３等を注型重合型からの転写で形成し、識別マー
ク１０４、加工指示マーク１０５、玉型形状マーク１０
６等はレンズ基材に紫外線レーザマーキング装置を用い
てマーキングすることができる。Since the quality assurance mark 102, the positioning mark 101, the identification mark 103, etc. are fixed symbols and characters, they may be transferred from the casting polymerization type, but the target lens shape mark 106, the identification mark 104, and the processing instruction. Mark 105
Etc. are different for each lens, the marking by the laser marking method according to the present invention is effective. Therefore, two or more types of mark forming methods are adopted, for example, the quality assurance mark 102, the positioning mark 101, the identification mark 103, etc. are formed by transfer from the casting polymerization mold, and the identification mark 104, the processing instruction mark 105, and the ball are formed. Mold shape mark 10
6 and the like can be marked on the lens substrate using an ultraviolet laser marking device.
【００５７】また、製造の日付や納品する小売店などを
マークする場合は、同日の生産品に対しては同じマーク
を付し、あるいは同じ小売店に対する製品に同じマーク
を付するため、複数枚毎に同じマークを付することにな
るのは勿論である。Further, in the case of marking the date of manufacture or the retail store to which the product is delivered, the same mark is attached to the products produced on the same day, or the same mark is attached to the products for the same retail store, so that a plurality of sheets are produced. Of course, the same mark will be attached to each item.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明のレーザマーキング方法によれ
ば、固体レーザより出射された基本波レーザ光を波長変
換した紫外線レーザ光をレンズに照射して形成するた
め、レンズ一枚毎にあるいは複数枚毎に異なるマークを
容易に形成することができる。According to the laser marking method of the present invention, since the laser is formed by irradiating the lens with the ultraviolet laser light whose wavelength is converted from the fundamental laser light emitted from the solid-state laser, one lens or a plurality of lenses are formed. It is possible to easily form different marks for each.
【図１】紫外線レーザマーキング装置の概要の構成を示
すブロック図であり、（ａ）は第４高調波を光源とする
もの、（ｂ）は第３高調波を光源とするものを示す。FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an ultraviolet laser marking device, in which (a) shows a fourth harmonic as a light source and (b) shows a third harmonic as a light source.
【図２】レンズに形成するマークの一例を示す平面図で
ある。FIG. 2 is a plan view showing an example of marks formed on a lens.
１、２ 紫外線レーザマーキング装置 １１ 基本波発振器 １２ 第１非線形光学結晶 １３ 波長分離ミラー １４ 第２非線形光学結晶 １５ 波長分離光学系 １６ スキャナ部 １７ 波長分離光学系 １００ レンズ １０１ 位置決めマーク １０２ 品質保証マーク １０３ 識別マーク １０４ 製造コード １０５ 加工指示マーク １０６ 玉型形状マーク 1, 2 UV laser marking device 11 fundamental wave oscillator 12 First nonlinear optical crystal 13 Wavelength separation mirror 14 Second nonlinear optical crystal 15 Wavelength separation optical system 16 Scanner section 17 Wavelength separation optical system 100 lenses 101 Positioning mark 102 quality assurance mark 103 identification mark 104 Manufacturing code 105 Processing instruction mark 106 Target shape mark
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 3/00 Ｇ０２Ｃ 13/00 Ｇ０２Ｃ 13/00 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｓ Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02B 3/00 G02C 13/00 G02C 13/00 B41M 5/26 S
Claims (7)
光を波長変換した紫外線レーザ光をレンズに照射して前
記レンズ表面にマークを形成することを特徴とするレー
ザマーキング方法。1. A laser marking method, wherein a mark is formed on the lens surface by irradiating a lens with an ultraviolet laser beam obtained by wavelength-converting a fundamental wave laser beam emitted from a solid-state laser.
おいて、 前記レンズが、レンズ基材表面に反射防止膜及び／又は
ハードコート膜を有し、 前記マークを、前記反射防止膜及び／又はハードコート
膜に形成することを特徴とするレーザマーキング方法。2. The laser marking method according to claim 1, wherein the lens has an antireflection film and / or a hard coat film on a surface of a lens substrate, and the mark has the antireflection film and / or the hard coat film. A laser marking method characterized by forming on a film.
おいて、 前記反射防止膜が、多層膜で構成され、 前記マークを、前記多層膜反射防止膜の１層又は複数層
を除去して形成することを特徴とするレーザマーキング
方法。3. The laser marking method according to claim 2, wherein the antireflection film is a multilayer film, and the mark is formed by removing one or more layers of the multilayer antireflection film. A laser marking method characterized by:
おいて、 前記マークを、前記レンズを構成するレンズ基材表面に
形成することを特徴とするレーザマーキング方法。4. The laser marking method according to claim 1, wherein the mark is formed on a surface of a lens base material forming the lens.
おいて、 前記レンズが、紫外線吸収剤を含有することを特徴とす
るレーザマーキング方法。5. The laser marking method according to claim 1, wherein the lens contains an ultraviolet absorber.
おいて、 前記マークが、前記レンズの一枚毎に又は複数枚毎に異
なる文字、図形又は記号を含むことを特徴とするレーザ
マーキング方法。6. The laser marking method according to claim 1, wherein the mark includes a character, a figure, or a symbol which is different for each lens or for each plurality of lenses.
おいて、 前記マークが、隠しマークであることを特徴とするレー
ザマーキング方法。7. The laser marking method according to claim 1, wherein the mark is a hidden mark.
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