JP2003145837A - Imaging apparatus and semiconductor laser drive circuit - Google Patents

Imaging apparatus and semiconductor laser drive circuit

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JP2003145837A
JP2003145837A JP2001348783A JP2001348783A JP2003145837A JP 2003145837 A JP2003145837 A JP 2003145837A JP 2001348783 A JP2001348783 A JP 2001348783A JP 2001348783 A JP2001348783 A JP 2001348783A JP 2003145837 A JP2003145837 A JP 2003145837A
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JP
Japan
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semiconductor laser
light intensity
overshoot
forming apparatus
image forming
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JP2001348783A
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Inventor
Masanori Okada
雅典 岡田
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reproduce the reproducibility and halftoning of the microdots of an electrostatic latent image at a high resolution through a convenient low cost arrangement. SOLUTION: The imaging apparatus 1 comprises a laser diode 201 outputting a laser beam for exposure. In the semiconductor laser drive circuit 210 for controlling the laser output of the laser diode 201, an overshoot circuit part 220 is connected in series to the ground side of the laser diode 201. When the inductance of an inductance component 221 in the overshoot circuit part 220 is altered, an overshoot occurs at the rising part of optical output from the laser diode 201 and a photosensitive drum 30 is overexposed resulting in formation of a sufficient electrostatic latent image.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル方式の画
像形成装置及び半導体レーザ駆動回路に関し、特に、電
子写真方式の画像形成装置及び半導体レーザ駆動回路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital image forming apparatus and a semiconductor laser driving circuit, and more particularly to an electrophotographic image forming apparatus and a semiconductor laser driving circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子写真方式を用いた画像形成装
置(たとえば、複写機,プリンタ,ファックス等)にお
いては、感光体表面を暗下で均一に帯電し、その後、レ
ーザ光などを用いた露光装置で感光体を露光することに
より、帯電した感光体表面に所望の静電潜像を形成し、
この静電潜像にトナーを供給することで静電潜像を顕像
化して画像形成を行っている。そして、そのトナーで顕
像化した画像を記録媒体に転写し、定着させることで印
字を行うとともに、転写されなかったトナーはクリーニ
ング手段などで除去している。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an image forming apparatus using an electrophotographic system (for example, a copying machine, a printer, a fax machine, etc.), the surface of a photoconductor is uniformly charged in the dark, and then exposure using a laser beam is performed. By exposing the photoconductor with the device, a desired electrostatic latent image is formed on the charged photoconductor surface,
By supplying toner to the electrostatic latent image, the electrostatic latent image is visualized to form an image. Then, the image visualized with the toner is transferred to a recording medium and fixed to perform printing, and the untransferred toner is removed by a cleaning unit or the like.

【0003】このような構造を有する画像形成装置は、
近年、高速化、高画質化、高解像度化が強く望まれてき
ている。しかしながら、1200dpiあるいはそれ以
上の高解像度において、さらには電子写真プロセス速度
が高速の場合においては、いわゆる画像ボケや潜像流れ
などの現象により、解像度が著しく低下して、良好な画
像品質を得ることが困難になるという問題があった。
The image forming apparatus having such a structure is
In recent years, there has been a strong demand for higher speed, higher image quality, and higher resolution. However, at a high resolution of 1200 dpi or higher, and when the electrophotographic process speed is high, the resolution is remarkably reduced due to phenomena such as so-called image blurring and latent image deletion, and good image quality is obtained. There was a problem that it would be difficult.

【0004】そこで、微小ドットの再現性を高めるため
に、静電潜像を保持させること、すなわち、静電潜像の
流れを防止することが必要となる。この静電潜像の流れ
は、レーザの発光立ち上がり特性にも大きく影響される
ため、感光体に対してレーザ光で過剰露光することによ
り静電潜像が強く保持される。
Therefore, in order to improve the reproducibility of minute dots, it is necessary to hold the electrostatic latent image, that is, to prevent the flow of the electrostatic latent image. Since the flow of the electrostatic latent image is greatly influenced by the emission rising characteristic of the laser, the electrostatic latent image is strongly retained by overexposing the photoconductor with the laser light.

【0005】ところが、感光体に対して過剰露光を行う
と、ハーフトーン画像の階調性がなくなり、コントラス
トの乏しい画像品質になる傾向がある。したがって、微
小ドットの再現性の優れた画像品質を得るためのレーザ
の発光強度と、階調性の優れた画像品質を得るためのレ
ーザの発光強度は異なったものが必要となる。すなわ
ち、これら二種類以上の発光強度の出力制御が可能な露
光装置が必要となる。
However, if the photosensitive member is overexposed, the gradation of the halftone image is lost and the image quality tends to be poor in contrast. Therefore, the emission intensity of the laser for obtaining the image quality with excellent reproducibility of the fine dots and the emission intensity of the laser for obtaining the image quality with excellent gradation are required to be different. That is, an exposure apparatus capable of controlling the output of these two or more types of emission intensity is required.

【0006】また、高速かつ高解像度の画像形成装置で
は、その不要輻射等のノイズレベルも大きくなり種々の
ノイズ対策が必要となってくる。とりわけ、画像情報を
伝達して光出力に変換する信号線にEMI(Elect
romagnetic interference)対
策を施す必要がある。
Further, in a high-speed and high-resolution image forming apparatus, the noise level of unnecessary radiation and the like becomes large and various noise countermeasures are required. In particular, the signal line that transmits image information and converts it into an optical output is EMI (Select).
It is necessary to take measures against the romantic interference.

【0007】このような高解像度の画像品質を得るため
の従来技術の一例として、特開平9−114206号公
報に画像形成装置および画像形成方法が開示されてい
る。この公報に開示の画像形成装置および画像形成方法
は、出力制御波生成手段が、各画素の書き込み時間内に
鋭いピークを有する波形を生成し、この波形でレーザ光
の射出光を制御して露光エネルギーを集中させている。
これにより、レーザ光のビーム径を変化させることな
く、画素同士の干渉を防いで、細線の再現性を高めるこ
とができる。
As an example of the prior art for obtaining such high resolution image quality, Japanese Patent Laid-Open No. 9-114206 discloses an image forming apparatus and an image forming method. In the image forming apparatus and the image forming method disclosed in this publication, the output control wave generating means generates a waveform having a sharp peak within the writing time of each pixel, and controls the emitted light of the laser light with this waveform to perform exposure. Concentrating energy.
This makes it possible to prevent interference between pixels and improve the reproducibility of thin lines without changing the beam diameter of the laser light.

【0008】また、高解像度の画像品質を得るための他
の従来技術の一例が、特開2000−127498号公
報に画像形成装置として開示されている。この公報に開
示の画像形成装置は、感光体表面を、トナーが付着しな
い電位VHより高い電位VH1に帯電しておき、半導体
レーザが、この感光体表面電位をVHとする強度1のバ
ックグラウンド露光強度と、強度1より強い強度であっ
て、連続露光すると感光体表面電位をトナーの付着に適
した表面電位VLよりも低い電位に低下させる過剰な強
度2の露光強度とを発生できるようにする。
An example of another prior art for obtaining high resolution image quality is disclosed as an image forming apparatus in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-127498. In the image forming apparatus disclosed in this publication, the surface of the photoconductor is charged to a potential VH1 higher than the potential VH at which the toner does not adhere, and the semiconductor laser causes background exposure of intensity 1 with the photoconductor surface potential being VH. Intensity and an exposure intensity of intensity 2 which is higher than intensity 1 and which, when continuously exposed, lowers the surface potential of the photoreceptor to a potential lower than the surface potential VL suitable for toner adhesion. .

【0009】さらに、強度1による露光と強度2による
露光、及び露光OFFの状態を組み合わせて与え、それ
によって画像部の表面電位をVLとするととともに、コ
ントラストが大きくなるよう制御して、ソフトウェア的
あるいはハードウェア的に送信されてきた画像情報を補
正する。
Further, the exposure with the intensity 1 and the exposure with the intensity 2, and the exposure OFF state are combined and given, and thereby the surface potential of the image portion is set to VL, and the contrast is controlled so as to increase, so that software or Correct the image information sent by hardware.

【0010】このような構成により、この公報に開示の
画像形成装置は、レーザ光の強度を多段階に変調するこ
となく、またビーム径を小さくしたりせず、リップルを
発生させないようにして露光後のコントラストを高く
し、階調のなまりを改善させて、微小ドットの再現性と
階調性とを得られるようにしている。このため、この公
報に開示の画像形成装置は、階調再現のためにレーザ光
をパルス幅変調した場合に、そのレーザ光がガウシアン
分布によってハイライト部及び暗部で正確に階調再現さ
れないのを防ぐことができる。
With such a configuration, the image forming apparatus disclosed in this publication does not modulate the intensity of the laser beam in multiple stages, does not reduce the beam diameter, and does not generate ripples for exposure. After that, the contrast is increased and the rounding of the gradation is improved so that the reproducibility and gradation of minute dots can be obtained. Therefore, in the image forming apparatus disclosed in this publication, when the laser beam is pulse-width modulated for gradation reproduction, the laser light is not accurately reproduced in the highlight portion and the dark portion due to the Gaussian distribution. Can be prevented.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
画像形成装置及び画像形成方法(特開平9−11420
6号公報)は、1200dpi以上の高解像度における
画像品質を得るためのものではなかった。さらに、この
従来の画像形成装置及び画像形成方法は、各画素の書き
込み時間内に鋭いピークを有する波形を生成する出力制
御波生成手段を必要とし、複雑な制御が必要であった。
However, the conventional image forming apparatus and image forming method (Japanese Patent Laid-Open No. 9-11420).
No. 6) was not for obtaining image quality at a high resolution of 1200 dpi or higher. Furthermore, this conventional image forming apparatus and image forming method require an output control wave generating means for generating a waveform having a sharp peak within the writing time of each pixel, and thus require complicated control.

【0012】また、他の従来の画像形成装置(特開20
00−127498号公報)は、レーザ光により感光体
表面電位をVHとする強度1のバックグラウンド露光強
度と、強度1より強く、連続露光すると感光体表面電位
をトナーが付着するのに適した表面電位VLよりも低い
電位に低下させる過剰な強度2を与えられるようにする
機構、および強度2の露光強度や露光OFFとするパル
スを生成する機構などが必要で、ソフトウェア的、ハー
ドウェア的に複雑とならざるを得なかった。さらに、不
要輻射等のノイズ対策、特にEMI対策を、画像情報を
伝達する信号線上に施すと、その電圧波形が鈍り、得ら
れる画像のドットが十分に再現せず、低品質の画像しか
得られなかった。
Further, another conventional image forming apparatus (Japanese Laid-Open Patent Publication No.
No. 00-127498) discloses a background exposure intensity of intensity 1 where the surface potential of the photoconductor is VH by laser light, and a surface which is stronger than the intensity 1 and is suitable for toner adhesion to the surface potential of the photoconductor when continuously exposed. A mechanism for giving an excessive intensity 2 for reducing the potential to a potential lower than the potential VL, a mechanism for generating an exposure intensity of the intensity 2 and a pulse for turning off the exposure are required, which is complicated in terms of software and hardware. I had no choice. Furthermore, if noise countermeasures such as unnecessary radiation, especially EMI countermeasures, are applied to the signal line that transmits image information, the voltage waveform becomes dull, the dots of the obtained image cannot be reproduced sufficiently, and only low quality images are obtained. There wasn't.

【0013】そこで、半導体レーザの光出力の立ち上が
り部にオーバーシュートを発生させることにより、12
00dpi以上の高解像度等においても、十分な静電潜
像の形成を可能とする技術が考えられる。ところが、プ
リンタ、複写機等に一般に使用されているレーザダイオ
ードについては、通常、図14に示すように、このレー
ザダイオード901(LD901)のアノード側とフォ
トダイオード902(PD902)のカソード側とが接
続された状態で、一個のパッケージ903に封入されて
いる。
Therefore, by generating an overshoot at the rising portion of the optical output of the semiconductor laser,
A technique capable of forming a sufficient electrostatic latent image even at a high resolution of 00 dpi or more can be considered. However, in a laser diode generally used in a printer, a copying machine, etc., as shown in FIG. 14, the anode side of the laser diode 901 (LD901) and the cathode side of the photodiode 902 (PD902) are normally connected. In this state, it is enclosed in one package 903.

【0014】そして、オーバーシュートを発生させるた
めのインダクタンスLをLD901のアノード側に接続
すると、PD902のカソード側にもそのインダクタン
スLが接続されることとなる。このため、APC(Au
to Power Control)におけるPD90
1の出力(主に電流出力)にオーバーシュートの歪みの
発生等が要因となって、LD901のパワーコントロー
ルに時間がかかる、設計通りのパワーにコントロールで
きない等の不具合が生じる可能性があった。そして、P
D902の出力の歪みが大きすぎると、最悪の場合は、
APC中にLD901が破壊することさえあった。
When the inductance L for generating the overshoot is connected to the anode side of the LD 901, the inductance L is also connected to the cathode side of the PD 902. Therefore, APC (Au
PD90 in to Power Control)
Due to the occurrence of overshoot distortion in the output of No. 1 (mainly the current output), there is a possibility that the power control of the LD 901 takes time and the power cannot be controlled as designed. And P
If the output distortion of D902 is too large, in the worst case,
The LD901 was even destroyed during APC.

【0015】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、解像度を上げた場合や電子写真プロセス速度
を高速化した場合における静電潜像の微小ドットの再現
性及び階調性を、低コストで簡易な構成により再現させ
るとともに、APCにおけるPD出力へのオーバーシュ
ートの歪みの発生等を防止でき、かつ、不要輻射等のノ
イズ対策(特にEMI対策)を可能とする画像形成装置
の提供を目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and shows the reproducibility and gradation of minute dots of an electrostatic latent image when the resolution is increased or the electrophotographic process speed is increased. Of an image forming apparatus that can be reproduced at a low cost with a simple configuration, can prevent the occurrence of overshoot distortion in the PD output in the APC, and can prevent noise such as unnecessary radiation (especially EMI measures). For the purpose of provision.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の請求項1記載の画像形成装置は、画像情報
にもとづいて半導体レーザを点灯し、かつ、半導体レー
ザから出力されたレーザビームにより感光体上を走査露
光して静電潜像を形成する露光手段を有した画像形成装
置であって、露光手段が、画像情報にもとづいて半導体
レーザを点灯し、通常の光強度で感光体上を走査露光す
る光強度制御回路部と、この光強度制御回路部により点
灯された半導体レーザの光出力の立ち上がり部で、光強
度を強くするオーバーシュート回路部とを有し、このオ
ーバーシュート回路部が、インダクタンスの成分値を設
定するインダクタンス部品を有し、このインダクタンス
部品が、半導体レーザの端子のうち、フォトダイオード
と共通には接続されていない端子に接続された構成とし
た。
To achieve this object, an image forming apparatus according to claim 1 of the present invention turns on a semiconductor laser based on image information and outputs a laser beam from the semiconductor laser. An image forming apparatus having an exposing unit for scanning and exposing the photosensitive member to form an electrostatic latent image by the exposing unit, turning on a semiconductor laser based on image information, and exposing the photosensitive member at a normal light intensity. The light intensity control circuit unit for scanning and exposing the upper portion and the overshoot circuit unit for increasing the light intensity at the rising portion of the light output of the semiconductor laser lighted by the light intensity control circuit unit are provided. Part has an inductance component that sets the component value of the inductance, and this inductance component is commonly connected to the photodiode among the terminals of the semiconductor laser. It was connected to each other in the stomach not terminal.

【0017】画像形成装置をこのような構成とすると、
光強度制御回路部が、通常の光強度で半導体レーザから
レーザビームを出力させ、オーバーシュート回路部が、
そのレーザビームの光出力の立ち上がり部にオーバーシ
ュートを発生させることができる。
When the image forming apparatus has such a configuration,
The light intensity control circuit section causes the semiconductor laser to output a laser beam with normal light intensity, and the overshoot circuit section,
An overshoot can be generated at the rising portion of the optical output of the laser beam.

【0018】このため、解像度を上げた場合や電子写真
プロセス速度を高速化した場合においても、感光体ドラ
ム上の静電潜像を十分に形成できる。したがって、静電
潜像の微小ドットの再現性及び階調性を高めることがで
き、これにより、静電潜像の不十分な形成による画像ボ
ケや潜像流れ等の防止が可能となる。
Therefore, even when the resolution is increased or the electrophotographic process speed is increased, the electrostatic latent image on the photosensitive drum can be sufficiently formed. Therefore, the reproducibility and gradation of the minute dots of the electrostatic latent image can be enhanced, and thus it becomes possible to prevent image blurring and latent image deletion due to insufficient formation of the electrostatic latent image.

【0019】さらに、感光体を過剰露光して静電潜像を
強く保持させる光強度のオーバーシュートは、単に急峻
な立ち上がりのパルスを与えるだけで生成できることか
ら、従来の画像形成装置における出力制御波生成手段や
過剰強度などを生成する機構を用いる必要がなく、低コ
ストでかつ簡易な構成により、微小ドットの再現性の優
れた高画質を実現できる画像形成装置を提供できる。
Furthermore, since the light intensity overshoot that overexposes the photosensitive member to strongly hold the electrostatic latent image can be generated simply by giving a pulse of a steep rising edge, the output control wave in the conventional image forming apparatus is generated. It is possible to provide an image forming apparatus that can realize high image quality with excellent reproducibility of minute dots without using a generating unit or a mechanism for generating excess intensity and having a low cost and a simple configuration.

【0020】加えて、インダクタンス部品を、半導体レ
ーザの端子のうちフォトダイオードと共通には接続され
ていない端子に接続することにより(すなわち、半導体
レーザの端子のうちのアノードがフォトダイオードと接
続されていれば、一方のカソードにインダクタンス部品
を接続し、また、そのカソードがフォトダイオードと接
続されていれば、一方のアノードにインダクタンス部品
を接続することにより)、APCにおけるPD出力への
オーバーシュートの歪みの発生等を防止できる。
In addition, by connecting the inductance component to a terminal of the semiconductor laser which is not commonly connected to the photodiode (that is, the anode of the terminals of the semiconductor laser is connected to the photodiode). Then, by connecting an inductance component to one cathode, and by connecting an inductance component to one anode if the cathode is connected to a photodiode), distortion of overshoot to PD output in APC Can be prevented.

【0021】一般に、レーザダイオードLD及びフォト
ダイオードPDは、通常、それぞれLDのアノードとP
Dのカソードとが接続され一つのパッケージに封入され
ているため、LDのアノード側にインダクタンスLを接
続すると、PDのカソード側にそのインダクタンスLが
接続されたことになる。
Generally, the laser diode LD and the photodiode PD are usually the anode of the LD and the photodiode P, respectively.
Since the cathode of D is connected and enclosed in one package, when the inductance L is connected to the anode side of LD, the inductance L is connected to the cathode side of PD.

【0022】このため、APCのときのPD出力にオー
バーシュート等の歪みが発生するなどの要因により、L
Dのパワーコントロールに時間がかかる、設計通りのパ
ワーにコントロールできない等の不具合の可能性があ
り、さらには、PD出力の歪みが大きすぎる等で最悪の
場合、APC中にLDを破壊させてしまう可能性があっ
た。そこで、インダクタンスLをLDのカソード側端子
(つまり、PDと接続されていない側)に接続すること
により、そのインダクタンスLがLDのみに作用して、
PDの出力には影響を与えないことから、APC時のP
D出力にオーバーシュート等の歪みが発生するなどの不
具合を防止できる。
Therefore, due to factors such as distortion such as overshoot occurring in the PD output during APC, L
There is a possibility that the power control of D takes a long time, the power cannot be controlled as designed, and further, in the worst case, because the PD output is distorted too much, the LD is destroyed during APC. There was a possibility. Therefore, by connecting the inductance L to the cathode side terminal of the LD (that is, the side not connected to the PD), the inductance L acts only on the LD,
Since it does not affect the PD output, P at APC
It is possible to prevent problems such as distortion of the D output such as overshoot.

【0023】また、請求項2記載の画像形成装置は、イ
ンダクタンス部品が、半導体レーザの接地側の端子に接
続された構成とした。画像形成装置をこのような構成と
すれば、半導体レーザ(レーザダイオードLD)とフォ
トダイオードPDとを封入したパッケージを画像形成装
置に設けた場合、LDとPDとの接続された側が電源側
とされ、一方、LDとPDとの接続されていない側が接
地側とされることから、LDの接地側に接続したインダ
クタンス部品は、PDには接続されないことになる。こ
のため、インダクタンス部品は、LDに対してのみ作用
し、PDの出力には影響を与えないことから、APC時
のPD出力にオーバーシュート等の歪みが発生するなど
の不具合を防止できる。
In the image forming apparatus according to the second aspect, the inductance component is connected to the ground side terminal of the semiconductor laser. With this configuration of the image forming apparatus, when the package including the semiconductor laser (laser diode LD) and the photodiode PD is provided in the image forming apparatus, the side where the LD and PD are connected is the power source side. On the other hand, since the side where the LD and the PD are not connected is the ground side, the inductance component connected to the ground side of the LD is not connected to the PD. Therefore, since the inductance component acts only on the LD and does not affect the output of the PD, it is possible to prevent a problem such as distortion of the PD output during APC such as overshoot.

【0024】また、請求項3記載の画像形成装置は、オ
ーバーシュート回路部により光出力の立ち上がり部で発
生するオーバーシュートが、一画素を形成するための光
出力の照射時間のうち、60%を超える時間を占める構
成とした。画像形成装置をこのような構成とすれば、解
像度を上げた場合や電子写真プロセス速度を高速化させ
た場合においても、感光体ドラム上を過剰露光して、静
電潜像を十分に形成することができる。
Further, in the image forming apparatus according to the third aspect, the overshoot generated at the rising portion of the light output by the overshoot circuit portion accounts for 60% of the light output irradiation time for forming one pixel. The configuration takes up more time. With such a configuration of the image forming apparatus, even when the resolution is increased or the electrophotographic process speed is increased, the photosensitive drum is overexposed to sufficiently form the electrostatic latent image. be able to.

【0025】特に、従来において一画素よりも短い時間
で発光する場合は、オーバーシュートの照射時間が、O
N/OFFを制御する信号に追従することができず、光
波形が崩れて高画質の画像を得ることができなかったも
のの、本発明の画像形成装置によれば、光波形が崩れる
ことなく、十分に静電潜像を形成して、高画質の画像を
得ることができる。
In particular, when light is emitted in a time shorter than one pixel in the conventional case, the overshoot irradiation time is O
Although it was not possible to follow the signal for controlling N / OFF, and the optical waveform was disturbed to obtain a high-quality image, the image forming apparatus of the present invention does not disrupt the optical waveform. An electrostatic latent image can be formed sufficiently to obtain a high quality image.

【0026】また、請求項4記載の画像形成装置は、オ
ーバーシュートが、好ましくは照射時間のほぼ100%
で収束する構成とした。画像形成装置をこのような構成
とすると、解像度を上げた場合や電子写真プロセス速度
を高速化させた場合においても、感光体ドラム上を過剰
露光して、静電潜像を十分に形成することができる。
Further, in the image forming apparatus according to the fourth aspect, the overshoot is preferably about 100% of the irradiation time.
It is configured to converge at. When the image forming apparatus is configured as described above, the electrostatic latent image is sufficiently formed by overexposing the photosensitive drum even when the resolution is increased or the electrophotographic process speed is increased. You can

【0027】また、請求項5記載の画像形成装置は、オ
ーバーシュートにおける光強度の最大値が、通常の光強
度に対し1.2倍以上であって5倍以下である構成とし
た。画像形成装置をこのような構成とすれば、高解像度
等においても、感光体ドラム上を過剰露光して、十分に
静電潜像を形成することができる。
Further, in the image forming apparatus according to the fifth aspect of the present invention, the maximum value of the light intensity in the overshoot is 1.2 times or more and 5 times or less of the normal light intensity. With such a configuration of the image forming apparatus, the photosensitive drum can be overexposed and a sufficient electrostatic latent image can be formed even at high resolution.

【0028】また、請求項6記載の画像形成装置は、オ
ーバーシュートにおける光強度の最大値が、通常の光強
度に対し、好ましくは1.2倍以上であって2倍以下で
ある構成とした。画像形成装置をこのような構成とする
と、高解像度等においても、感光体ドラム上を過剰露光
して、十分に静電潜像を形成することができる。
Further, in the image forming apparatus according to the sixth aspect of the present invention, the maximum value of the light intensity in the overshoot is preferably 1.2 times or more and not more than 2 times the normal light intensity. . When the image forming apparatus has such a configuration, the electrostatic latent image can be sufficiently formed by overexposing the photosensitive drum even at high resolution.

【0029】また、請求項7記載の画像形成装置は、電
子写真プロセス速度を取得する速度取得手段を有し、光
強度制御回路部が、速度取得手段により取得された電子
写真プロセス速度にもとづいて、通常の光強度を変更す
る構成とした。画像形成装置をこのような構成とすれ
ば、光強度制御回路部が電子写真プロセス速度にもとづ
いて、通常の光強度を制御できる。このため、オーバー
シュートが発生したレーザ出力の光強度が、光強度制御
回路部において、電子写真プロセス速度にもとづく通常
の光強度へ移行制御される。
An image forming apparatus according to a seventh aspect of the present invention has speed acquisition means for acquiring the electrophotographic process speed, and the light intensity control circuit section is based on the electrophotographic process speed acquired by the speed acquisition means. The configuration is such that the normal light intensity is changed. When the image forming apparatus has such a configuration, the light intensity control circuit section can control the normal light intensity based on the electrophotographic process speed. Therefore, the light intensity of the laser output in which the overshoot has occurred is controlled to be shifted to the normal light intensity based on the electrophotographic process speed in the light intensity control circuit section.

【0030】また、請求項8記載の画像形成装置は、温
度及び湿度などの環境情報を取得する環境情報取得手段
を有し、光強度制御回路部が、環境情報取得手段で取得
された環境情報にもとづいて、通常の光強度を変更する
構成とした。画像形成装置をこのような構成とすると、
光強度制御回路部が環境情報にもとづいて、通常の光強
度を制御できる。このため、オーバーシュートが発生し
たレーザ出力の光強度が、光強度制御回路部において、
環境情報にもとづく通常の光強度へ移行制御される。
Further, the image forming apparatus according to the present invention has environmental information acquisition means for acquiring environmental information such as temperature and humidity, and the light intensity control circuit section has the environmental information acquired by the environmental information acquisition means. Based on the above, it is configured to change the normal light intensity. When the image forming apparatus has such a configuration,
The light intensity control circuit unit can control the normal light intensity based on the environmental information. Therefore, the light intensity of the laser output where the overshoot has occurred is
It is controlled to shift to normal light intensity based on environmental information.

【0031】また、請求項9記載の画像形成装置は、半
導体レーザが、複数のレーザ光を出射可能な半導体レー
ザからなる構成とした。画像形成装置をこのような構成
とすれば、たとえばマルチビームレーザダイオードを半
導体レーザとして用いた画像形成装置においても、本発
明を実施して、高解像度等における微小ドットの再現性
及び階調性の再現や、高画質の画像の取得が可能とな
る。
In the image forming apparatus according to the ninth aspect, the semiconductor laser is composed of a semiconductor laser capable of emitting a plurality of laser beams. With such a configuration of the image forming apparatus, the present invention can be applied to, for example, an image forming apparatus using a multi-beam laser diode as a semiconductor laser to achieve reproducibility and gradation of fine dots at high resolution. It is possible to reproduce and acquire a high quality image.

【0032】また、請求項10記載の画像形成装置は、
インダクタンス部品が、ノイズ対策部品からなる構成と
した。画像形成装置をこのような構成とすると、オーバ
ーシュート回路部を構成するインダクタンス部品のイン
ダクタンス成分を高めることにより、微小ドットの再現
性及び階調性の再現等を図るだけでなく、不要輻射等の
ノイズ対策、特にEMI対策をも可能となる。
An image forming apparatus according to a tenth aspect of the invention is
The inductance component is a noise countermeasure component. When the image forming apparatus has such a configuration, by increasing the inductance component of the inductance component that constitutes the overshoot circuit unit, not only the reproducibility of minute dots and the reproducibility of gradation are achieved, but also unnecessary radiation, etc. It is possible to take noise countermeasures, especially EMI countermeasures.

【0033】これは、インダクタンス部品のインダクタ
ンス値を高めると、レーザビームの光出力の立ち上がり
部にオーバーシュートを発生させて、十分な静電潜像を
形成できるとともに、そのインダクタンス値が高まるこ
とにより、EMI対策の効果もより大きくなるためであ
る。
This is because when the inductance value of the inductance component is increased, an overshoot is generated at the rising portion of the optical output of the laser beam, a sufficient electrostatic latent image can be formed, and the inductance value is increased. This is because the effect of the EMI countermeasure becomes larger.

【0034】また、請求項11記載の半導体レーザ駆動
回路は、感光体上を走査露光するための半導体レーザを
駆動制御する半導体レーザ駆動回路であって、半導体レ
ーザの光出力を通常の光強度で出力させる光強度制御回
路部と、半導体レーザの光出力の立ち上がり部にオーバ
ーシュートを発生させるオーバーシュート回路部とを有
し、このオーバーシュート回路部が、インダクタンスの
成分値を設定するインダクタンス部品を有し、このイン
ダクタンス部品が、半導体レーザの端子のうち、フォト
ダイオードと共通には接続されていない端子に接続され
た構成とした。
A semiconductor laser drive circuit according to claim 11 is a semiconductor laser drive circuit for driving and controlling a semiconductor laser for scanning and exposing on a photosensitive member, wherein the optical output of the semiconductor laser is at a normal light intensity. It has a light intensity control circuit section for outputting and an overshoot circuit section for generating an overshoot at the rising portion of the light output of the semiconductor laser, and this overshoot circuit section has an inductance component for setting the component value of the inductance. Then, the inductance component is connected to a terminal of the semiconductor laser which is not commonly connected to the photodiode.

【0035】半導体レーザ駆動回路をこのような構成と
すれば、半導体レーザにインダクタンス部品が接続され
るため、レーザビームの光出力の立ち上がり部にオーバ
ーシュートを発生させることができる。これにより、感
光体ドラム上が過剰露光されることから、解像度を上げ
た場合や電子写真プロセス速度を高速化した場合におけ
る静電潜像の微小ドットの再現性及び階調性を再現でき
る。
If the semiconductor laser drive circuit is constructed as described above, since the inductance component is connected to the semiconductor laser, an overshoot can be generated at the rising portion of the optical output of the laser beam. As a result, since the photosensitive drum is overexposed, the reproducibility and gradation of the minute dots of the electrostatic latent image can be reproduced when the resolution is increased or the electrophotographic process speed is increased.

【0036】さらに、インダクタンス部品を、半導体レ
ーザの端子のうち、フォトダイオードと共通には接続さ
れていない端子に接続することにより、そのインダクタ
ンス部品を電源側に接続した場合の不都合を回避でき
る。すなわち、従来においては、電源側で接続されパッ
ケージングされたLD及びPDのその電源側にインダク
タンス部品を接続することにより、PD出力にオーバー
シュートの歪みが発生し、LDのパワーコントロールに
時間を要するなどの不都合が生じていたが、本発明の半
導体レーザ駆動回路を有する画像形成装置においては、
インダクタンス部品が半導体レーザの接地側に接続され
るため、PD出力にオーバーシュートの歪みが発生せ
ず、この発生にともなう不都合を除去できる。
Further, by connecting the inductance component to a terminal of the semiconductor laser which is not commonly connected to the photodiode, it is possible to avoid the inconvenience caused when the inductance component is connected to the power source side. That is, conventionally, by connecting an inductance component to the power source side of the packaged LD and PD connected on the power source side, overshoot distortion occurs in the PD output, and it takes time to control the power of the LD. However, in the image forming apparatus having the semiconductor laser drive circuit of the present invention,
Since the inductance component is connected to the ground side of the semiconductor laser, distortion of overshoot does not occur in the PD output, and the inconvenience associated with this occurrence can be eliminated.

【0037】また、請求項12記載の半導体レーザ駆動
回路は、インダクタンス部品が、半導体レーザの接地側
の端子に接続された構成とした。半導体レーザ駆動回路
をこのような構成とすると、半導体レーザ(レーザダイ
オードLD)とフォトダイオードPDとが封入されたパ
ッケージを画像形成装置に設けた場合、通常、LDとP
Dとの接続された側が電源側とされ、一方、LDとPD
との接続されていない側が接地側とされることから、L
Dの接地側に接続されたインダクタンス部品は、PDに
は接続されないこととなる。したがって、インダクタン
ス部品の作用がPDの出力に悪影響を及ぼすことはない
ため、APC時のPD出力にオーバーシュート等の歪み
が発生するなどの不具合を防止できる。
In the semiconductor laser drive circuit according to the twelfth aspect, the inductance component is connected to the ground side terminal of the semiconductor laser. When the semiconductor laser drive circuit has such a structure, when the package in which the semiconductor laser (laser diode LD) and the photodiode PD are enclosed is provided in the image forming apparatus, the LD and the P are usually provided.
The side connected to D is the power supply side, while LD and PD
Since the side not connected to is the ground side, L
The inductance component connected to the ground side of D is not connected to PD. Therefore, since the action of the inductance component does not adversely affect the output of the PD, it is possible to prevent a problem such as distortion of the PD output during APC such as overshoot.

【0038】また、請求項13記載の半導体レーザ駆動
回路は、光強度制御回路部が、速度取得手段により取得
された電子写真プログラム速度にもとづいて、通常露光
時の光強度を変更する構成とした。半導体レーザ駆動回
路をこのような構成とすると、光強度制御回路部が電子
写真プロセス速度にもとづいて、通常の光強度を制御で
きる。このため、オーバーシュートが発生したレーザ出
力の光強度が、光強度制御回路部において、電子写真プ
ロセス速度にもとづく通常の光強度へ移行制御される。
Further, in the semiconductor laser drive circuit according to the thirteenth aspect, the light intensity control circuit section is configured to change the light intensity during normal exposure based on the electrophotographic program speed acquired by the speed acquisition means. . When the semiconductor laser drive circuit has such a configuration, the light intensity control circuit section can control the normal light intensity based on the electrophotographic process speed. Therefore, the light intensity of the laser output in which the overshoot has occurred is controlled to be shifted to the normal light intensity based on the electrophotographic process speed in the light intensity control circuit section.

【0039】また、請求項14記載の半導体レーザ駆動
回路は、光強度制御回路部が、環境情報取得手段により
取得された環境情報にもとづいて、通常露光時の光強度
を変更する構成とした。半導体レーザ駆動回路をこのよ
うな構成とすれば、光強度制御回路部が環境情報にもと
づいて、通常の光強度を制御できる。このため、オーバ
ーシュートが発生したレーザ出力の光強度が、光強度制
御回路部において、環境情報にもとづく通常の光強度へ
移行制御される。
Further, in the semiconductor laser drive circuit according to the fourteenth aspect, the light intensity control circuit section is configured to change the light intensity at the time of normal exposure based on the environmental information acquired by the environmental information acquisition means. If the semiconductor laser driving circuit has such a configuration, the light intensity control circuit section can control the normal light intensity based on the environmental information. Therefore, the light intensity of the laser output in which the overshoot has occurred is controlled to shift to the normal light intensity based on the environmental information in the light intensity control circuit section.

【0040】また、請求項15記載の半導体レーザ駆動
回路は、半導体レーザが、複数のレーザ光を出射する半
導体レーザからなる構成とした。半導体レーザ駆動回路
をこのような構成とすると、たとえばマルチビームレー
ザダイオードを半導体レーザとして用いた画像形成装置
に半導体レーザ駆動回路を設けた場合においても、高解
像度等における微小ドットの再現性及び階調性の再現
や、高画質の画像の取得が可能となる。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the semiconductor laser drive circuit, the semiconductor laser is a semiconductor laser that emits a plurality of laser beams. With such a configuration of the semiconductor laser drive circuit, even when the semiconductor laser drive circuit is provided in an image forming apparatus using, for example, a multi-beam laser diode as a semiconductor laser, reproducibility and gradation of fine dots at high resolution and the like are obtained. It is possible to reproduce the sex and acquire a high quality image.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。まず、本発明の画像形成
装置及び半導体レーザ駆動回路の実施形態について、図
1を参照して説明する。同図は、本実施形態の画像形成
装置の構成を示す概略図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, an embodiment of an image forming apparatus and a semiconductor laser driving circuit of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the image forming apparatus of this embodiment.

【0042】同図に示すように、画像形成装置1は、帯
電器10と、レーザスキャナ20と、感光体ドラム30
と、現像器40と、転写ローラ50と、定着器60とを
有している。ここで、帯電器10は、像担持体である感
光体ドラム30上を均一に帯電させる。
As shown in FIG. 1, the image forming apparatus 1 includes a charger 10, a laser scanner 20, and a photosensitive drum 30.
And a developing device 40, a transfer roller 50, and a fixing device 60. Here, the charging device 10 uniformly charges the surface of the photoconductor drum 30, which is an image carrier.

【0043】レーザスキャナ20(露光手段)は、スキ
ャナで原稿を読み取った後あるいはパソコン(PC)等
からの印字データを受け取った後、各種画像処理を施し
た画像データにもとづいて、レーザビームを、帯電した
感光体ドラム30に向けて照射する。これにより、感光
体ドラム30の表面は、露光され静電潜像が形成され
る。このレーザスキャナ20は、図2に示すように、レ
ーザダイオード201と、コリメータレンズ202と、
シリンドリカルレンズ203と、平面ミラー204a,
204bと、回転多面鏡205と、fθレンズ206
a,206bと、反射ミラー207と、ミラー208
と、フォトディテクタ209と、半導体レーザ駆動回路
210とを有している。
The laser scanner 20 (exposure means) emits a laser beam based on the image data that has been subjected to various image processing after reading the original with the scanner or receiving print data from a personal computer (PC) or the like. The charged photosensitive drum 30 is irradiated. As a result, the surface of the photoconductor drum 30 is exposed and an electrostatic latent image is formed. As shown in FIG. 2, the laser scanner 20 includes a laser diode 201, a collimator lens 202, and
A cylindrical lens 203, a plane mirror 204a,
204b, rotating polygon mirror 205, fθ lens 206
a, 206b, a reflection mirror 207, and a mirror 208
And a photodetector 209 and a semiconductor laser drive circuit 210.

【0044】レーザダイオード201(LD201、半
導体レーザ)は、レーザビームを出力する光源であっ
て、半導体レーザ駆動回路210に接続され、画像情報
にもとづいてレーザビームが射出されるようにコントロ
ールされる。コリメータレンズ202は、LD201か
ら射出されたレーザビームを拡散光線から平行光線に変
換する。このコリメータレンズ202で平行光線に変換
されたレーザビームは、シリンドリカルレンズ203及
び平面ミラー204a,204bを介して回転多面鏡2
05に入射される。なお、平面ミラー204a,204
bは、省略することができる。
The laser diode 201 (LD 201, semiconductor laser) is a light source that outputs a laser beam, is connected to the semiconductor laser drive circuit 210, and is controlled so that the laser beam is emitted based on image information. The collimator lens 202 converts the laser beam emitted from the LD 201 from a diffused ray into a parallel ray. The laser beam converted into parallel rays by the collimator lens 202 passes through the cylindrical lens 203 and the plane mirrors 204a and 204b, and the rotary polygon mirror 2
It is incident on 05. The plane mirrors 204a, 204
b can be omitted.

【0045】回転多面鏡205(ポリゴンミラー)は、
側面に複数の反射面が設けられた正多角形状に形成され
ており、入射されたレーザビームはこの反射面に収束す
るようになっている。この回転多面鏡205により反射
されたレーザビームは、fθレンズ206a,206b
を透過し、反射ミラー207により屈曲されて、感光体
ドラム30に照射される。
The rotary polygon mirror 205 (polygon mirror) is
It is formed in a regular polygonal shape having a plurality of reflecting surfaces on its side surface, and the incident laser beam is focused on this reflecting surface. The laser beam reflected by the rotating polygon mirror 205 is fθ lenses 206a and 206b.
Of light, is bent by the reflection mirror 207, and is irradiated onto the photoconductor drum 30.

【0046】回転多面鏡205で反射されたレーザビー
ムの進行方向のうち、主走査方向上流側には、ミラー2
08が配置されている。また、ミラー208によるレー
ザビームの反射方向にはフォトディテクタ209が配置
されている。これらミラー208及びフォトディテクタ
209において、レーザスキャナ20から感光体ドラム
30へのラインごとの照射開始タイミング(SOS:S
tart of scan)が検知される。
Of the traveling direction of the laser beam reflected by the rotary polygon mirror 205, the mirror 2 is located on the upstream side in the main scanning direction.
08 are arranged. A photodetector 209 is arranged in the direction in which the laser beam is reflected by the mirror 208. In the mirror 208 and the photo detector 209, the irradiation start timing (SOS: S) from the laser scanner 20 to the photosensitive drum 30 for each line.
start of scan) is detected.

【0047】半導体レーザ駆動回路210は、図3に示
すように、光強度制御回路部211と、オーバーシュー
ト回路部220と、スナバ回路部230と、フォトダイ
オード240(PD240)とを有している。光強度制
御回路部211は、同図に示すように、電流源212
と、スイッチング部213と、S/H部214と、コン
パレータ215と、負荷抵抗RL216とを有してい
る。
As shown in FIG. 3, the semiconductor laser drive circuit 210 has a light intensity control circuit section 211, an overshoot circuit section 220, a snubber circuit section 230, and a photodiode 240 (PD240). . The light intensity control circuit unit 211, as shown in FIG.
The switching unit 213, the S / H unit 214, the comparator 215, and the load resistor RL216.

【0048】電流源212には、バイアス電流源(図示
せず)とスイッチング電流源(図示せず)とがあり、バ
イアス電流源によってLD201に所定電流値のバイア
ス電流が流れるようになっている。なお、このバイアス
電流は、LD201がコヒーレントな光を出力するため
に必要な閾値電流未満となるように設定されている。
The current source 212 has a bias current source (not shown) and a switching current source (not shown), and a bias current of a predetermined current value flows through the LD 201 by the bias current source. The bias current is set to be less than the threshold current necessary for the LD 201 to output coherent light.

【0049】スイッチング電流源は、外部から設定電圧
を受けて、所望の出力強度に相当するスイッチング電流
をLD201へ供給する。なお、スイッチング電流の電
流値は、バイアス電流との和によってLD201がコヒ
ーレントな光を出力するために必要な閾値電流を超える
ように設定されている。すなわち、スイッチング部21
3によってスイッチング電流をLD201側に流すか否
かの切り替えによって、LD201が点灯制御されるよ
うになっている。
The switching current source receives a set voltage from the outside and supplies a switching current corresponding to a desired output intensity to the LD 201. The current value of the switching current is set to exceed the threshold current required for the LD 201 to output coherent light, depending on the sum of the switching current and the bias current. That is, the switching unit 21
The lighting of the LD 201 is controlled by switching whether or not a switching current is passed to the LD 201 side by 3.

【0050】スイッチング部213は、Video信号
(画像データにもとづく画像信号)にもとづいて、LD
201から出力されるレーザビームのON/OFF制御
を行う。S/H部214(Sample/Hold回
路)は、コンパレータ215の出力にもとづいて、電流
源212で設定されているスイッチング電流を変化さ
せ、モニタ電圧が基準電圧と一致するようなスイッチン
グ電流を生成する。
The switching unit 213 outputs the LD based on the Video signal (image signal based on image data).
ON / OFF control of the laser beam output from 201 is performed. The S / H unit 214 (Sample / Hold circuit) changes the switching current set in the current source 212 based on the output of the comparator 215, and generates the switching current such that the monitor voltage matches the reference voltage. .

【0051】また、S/H部214は、外部端子からサ
ンプル(Sample)信号を入力している間に、LD
201の点灯制御を行う。そして、S/H部214は、
サンプル信号が入力されていない間、すなわち、ホール
ド(Hold)信号を入力している間に、点灯(光出
力)制御の結果を保持する。
Further, the S / H section 214 is provided with an LD while the sample signal is being input from the external terminal.
Lighting control of 201 is performed. Then, the S / H unit 214
The result of the lighting (optical output) control is held while the sample signal is not input, that is, while the hold (Hold) signal is input.

【0052】コンパレータ215のプラス端子側は、P
D240から出力され電流−電圧変換されたモニタ電圧
を入力する。また、コンパレータ215のマイナス端子
側は、基準電圧端子から所定の基準電圧を入力する。そ
して、コンパレータ215は、モニタ電圧と基準電圧と
を比較し、その結果を出力信号として、出力端子側から
S/H部214へ送る。負荷抵抗RL216は、LD2
01に対して並列に接続されており、レーザビームの出
力がOFFのときに電流を流す。
The positive terminal side of the comparator 215 has P
The monitor voltage output from D240 and converted into current-voltage is input. Further, the negative terminal side of the comparator 215 inputs a predetermined reference voltage from the reference voltage terminal. Then, the comparator 215 compares the monitor voltage with the reference voltage, and sends the result as an output signal from the output terminal side to the S / H unit 214. The load resistance RL216 is LD2
01 is connected in parallel, and a current flows when the output of the laser beam is OFF.

【0053】フォトダイオード240(PD240)
は、LD201の出力光量に対応した電流を出力する。
この電流は、電流−電圧変換器(図示せず)によりモニ
タ電圧に電圧変換されて、コンパレータ215のプラス
端子側に入力される。このPD240とLD201と
は、図14に示すように、一般に、LD201のアノー
ドとPD240のカソードとが接続されており、一つの
パッケージに封入されている。
Photodiode 240 (PD240)
Outputs a current corresponding to the output light amount of the LD 201.
This current is converted into a monitor voltage by a current-voltage converter (not shown) and input to the positive terminal side of the comparator 215. As shown in FIG. 14, the PD 240 and the LD 201 are generally connected to the anode of the LD 201 and the cathode of the PD 240, and are enclosed in one package.

【0054】オーバーシュート回路部220は、インダ
クタンスの成分値を設定するインダクタンス部品221
を有しており、LD201の接地側Aに接続されてい
る。このインダクタンス部品221をLD201に直列
に接続することにより、スイッチング部213でVid
eo信号にもとづきレーザビームがON/OFF制御さ
れると、その光波形の立ち上がり部にオーバーシュート
が形成される。そして、このインダクタンス部品221
の定数を変更することによりオーバーシュートの大きさ
を制御できる。
The overshoot circuit section 220 includes an inductance component 221 for setting the component value of the inductance.
And is connected to the ground side A of the LD 201. By connecting the inductance component 221 to the LD 201 in series, the switching unit 213 is connected to Vid.
When the laser beam is ON / OFF controlled based on the eo signal, an overshoot is formed at the rising portion of the optical waveform. Then, this inductance component 221
The magnitude of overshoot can be controlled by changing the constant of.

【0055】ここで、インダクタンス部品221は、L
D201の電源側Bに接続することも考えられる。とこ
ろが、LD201は、一般に、アノード側(図14にお
いては電源側B)でPD240と接続されパッケージに
封入されているため、インダクタンス部品221をLD
201のアノード側(電源側B)に接続すると、PD2
40のカソード側(電源側B)にもそのインダクタンス
部品221が接続されることになる。
Here, the inductance component 221 is L
It is also conceivable to connect to the power source side B of D201. However, since the LD 201 is generally connected to the PD 240 on the anode side (the power source side B in FIG. 14) and enclosed in a package, the LD 201 is not included in the LD 201.
When connected to the anode side (power source side B) of 201, PD2
The inductance component 221 is also connected to the cathode side (power source side B) of 40.

【0056】この場合、APC(Auto power
control)中においてPD240の出力(主に
電流出力)にオーバーシュート等の歪みが発生するなど
を要因として、LD201のパワーコントロールに時間
がかかる、設計通りのパワーにコントロールできない等
の不具合が生じ問題となる。さらに、PD240の出力
の歪みが大きすぎると、最悪の場合、APC中にLD2
01を破壊させてしまう可能性がある。
In this case, the APC (Auto power)
Due to distortion such as overshoot occurring in the output (mainly current output) of the PD 240 during control, there are problems such as time-consuming power control of the LD 201 and inability to control the power as designed. Become. Furthermore, if the output distortion of PD240 is too large, in the worst case, LD2 will be
01 may be destroyed.

【0057】そこで、インダクタンス部品221をLD
201のカソード側(図14においては接地側A、言い
換えれば、LD201の端子のうち、PD240と共通
には接続されていない端子側)に接続すれば、このイン
ダクタンス部品221がLD201のみに作用し、PD
240の出力には影響を与えないため、上記の不具合が
発生しなくなる。なお、インダクタンス部品221を接
続する端子は、LD201の接地側Aに限るものではな
く、たとえば、LD201の端子であって、LD201
とPD240とが接続されていない端子でもよい。
Therefore, the inductance component 221 is LD
When connected to the cathode side of 201 (ground side A in FIG. 14, in other words, of the terminals of the LD201, which is not commonly connected to the PD240), this inductance component 221 acts only on the LD201. PD
Since the output of 240 is not affected, the above-mentioned problems do not occur. The terminal to which the inductance component 221 is connected is not limited to the ground side A of the LD 201, and may be, for example, the terminal of the LD 201 and the LD 201.
It may be a terminal in which the PD 240 and the PD 240 are not connected.

【0058】なお、LD201及びPD240は、図1
4においては、LD201のアノード側とPD240の
カソード側とを接続しているが、このような接続に限る
ものではなく、たとえば、図4(a),(b)のような
接続例もある。これらの接続例においても、インダクタ
ンス部品221がLD201の電源側Bに接続された場
合は、上記のような問題(たとえば、LD201のパワ
ーコントロールの不具合等)を奏することとなるが、一
方、そのインダクタンス部品221がLD201の接地
側Aに接続された場合は、その問題は解決される。
The LD 201 and PD 240 are shown in FIG.
In FIG. 4, the anode side of the LD 201 and the cathode side of the PD 240 are connected, but the connection is not limited to this and there are connection examples as shown in FIGS. 4A and 4B, for example. In these connection examples as well, when the inductance component 221 is connected to the power source side B of the LD 201, the above-mentioned problem (for example, power control failure of the LD 201) occurs, but on the other hand, its inductance If the component 221 is connected to the ground side A of the LD 201, the problem is solved.

【0059】スナバ回路部230は、抵抗R231とコ
ンデンサC232との直列接続で構成されており、ON
/OFF制御されたレーザビームの光波形を整形する。
このため、LD201にインダクタンス部品221が接
続されていない場合において、スナバ回路部230によ
り制御されたレーザビームの光波形は、図5(a)のよ
うな波形、すなわち、立ち上がり部にオーバーシュート
のない波形となる。
The snubber circuit section 230 is composed of a resistor R231 and a capacitor C232 connected in series, and is turned on.
Shapes the optical waveform of a laser beam controlled to be turned off.
Therefore, when the inductance component 221 is not connected to the LD 201, the optical waveform of the laser beam controlled by the snubber circuit unit 230 has a waveform as shown in FIG. 5A, that is, there is no overshoot at the rising portion. It becomes a waveform.

【0060】一方、LD201にインダクタンス部品2
21が接続されている場合においては、スナバ回路部2
30の有する抵抗R231及びコンデンサC232の定
数を変更することにより、オーバーシュートの大きさの
変更が可能となる。なお、オーバーシュートが発生した
場合のレーザビームの光波形は、図5(b)に示すよう
な形状の波形となる。
On the other hand, the inductance component 2 is added to the LD 201.
When 21 is connected, the snubber circuit unit 2
The magnitude of the overshoot can be changed by changing the constants of the resistor R231 and the capacitor C232 included in 30. The optical waveform of the laser beam when the overshoot occurs has a waveform as shown in FIG.

【0061】さらに、スナバ回路部230は、LD20
1及びインダクタンス部品221の直列接続に対して並
列に接続されている。ただし、スナバ回路部230は、
図3においては、LD201及びインダクタンス部品2
21の直列接続に対して並列に接続されているが、LD
201とインダクタンス部品221との直列接続に対す
る接続に限定されるものではなく、たとえば、LD20
1のみに並列に接続することもできる。
Furthermore, the snubber circuit section 230 is
1 and the inductance component 221 are connected in parallel to the series connection. However, the snubber circuit unit 230
In FIG. 3, the LD 201 and the inductance component 2 are shown.
21 connected in parallel to the series connection of 21
The connection of the LD 201 and the inductance component 221 is not limited to the series connection.
It is also possible to connect only one in parallel.

【0062】また、スナバ回路部230は、同図におい
ては、抵抗R231とコンデンサC232との直列接続
により構成されているが、これらの直列接続に限定され
るものではなく、たとえば、抵抗R231とコンデンサ
C232との並列接続により構成することもできる。
Further, although the snubber circuit section 230 is constituted by the series connection of the resistor R231 and the capacitor C232 in the same drawing, the snubber circuit section 230 is not limited to these series connections, and for example, the resistor R231 and the capacitor C232 are connected. It can also be configured by parallel connection with C232.

【0063】この場合は、LD201及びインダクタン
ス部品221の直列接続に、抵抗R231が並列に接続
され、さらにこの回路にコンデンサC232が並列に接
続される。また、LD201とインダクタンス部品22
1との直列接続に限定されるものではなく、LD201
のみに抵抗R231が並列に接続され、さらに、この回
路にコンデンサC232が並列に接続されることとして
もよい。
In this case, the resistor R231 is connected in parallel to the series connection of the LD 201 and the inductance component 221, and the capacitor C232 is connected in parallel to this circuit. In addition, the LD 201 and the inductance component 22
The LD 201 is not limited to the serial connection with the LD 201.
The resistor R231 may be connected in parallel only to this, and the capacitor C232 may be connected in parallel to this circuit.

【0064】なお、LD201自身の有している抵抗成
分,静電容量成分,インダクタンス成分等により、光波
形の立ち上がり部にオーバーシュートが形成されること
もある。この場合は、これら抵抗成分,静電容量成分,
インダクタンス成分等の値を考慮して、インダクタンス
部品221,抵抗R231及びコンデンサC232の値
が設定される。
An overshoot may be formed at the rising portion of the optical waveform due to the resistance component, electrostatic capacitance component, inductance component, etc. of the LD 201 itself. In this case, these resistance component, capacitance component,
The values of the inductance component 221, the resistor R231, and the capacitor C232 are set in consideration of the values of the inductance component and the like.

【0065】感光体ドラム30(感光体)は、一定方向
に定速回転する円筒状の感光体である。この感光体ドラ
ム30は、帯電器10により一様に帯電された後、一定
方向に定速回転することで、レーザビームが照射され露
光される。これにより、感光体ドラム30に、潜像が形
成される。
The photoconductor drum 30 (photoconductor) is a cylindrical photoconductor that rotates at a constant speed in a fixed direction. The photoconductor drum 30 is uniformly charged by the charger 10 and then rotated at a constant speed in a fixed direction to be irradiated with a laser beam to be exposed. As a result, a latent image is formed on the photoconductor drum 30.

【0066】具体的には、露光された部分は、感光体ド
ラム30の感光層からプラスの電荷が発生し、一定電位
(たとえば、−150V等)の潜像が形成されるように
なっている。なお、ここでいう一定電圧の潜像電位と
は、走査露光装置11により全面露光された場合、すな
わち画像領域全体に走査が行われた場合の収束電位であ
る。
Specifically, in the exposed portion, a positive charge is generated from the photosensitive layer of the photosensitive drum 30, and a latent image having a constant potential (for example, -150V) is formed. . The latent image potential of a constant voltage mentioned here is a convergence potential when the entire surface is exposed by the scanning exposure device 11, that is, when the entire image area is scanned.

【0067】現像器40(現像手段)は、感光体ドラム
30の周面に対向して、感光体ドラム30にトナーを供
給する。転写ローラ50(転写手段)は、感光体ドラム
30上で顕画化された静電潜像を記録紙上に転写する。
定着器60(定着手段)は、トナー像が転写された用紙
を加熱及び加圧して、トナーを融解固定する。これによ
り、記録紙上に転写されたトナー像が固着される。
The developing device 40 (developing means) faces the peripheral surface of the photosensitive drum 30 and supplies toner to the photosensitive drum 30. The transfer roller 50 (transfer means) transfers the electrostatic latent image visualized on the photoconductor drum 30 onto the recording paper.
The fixing device 60 (fixing means) heats and pressurizes the sheet on which the toner image has been transferred to melt and fix the toner. As a result, the toner image transferred onto the recording paper is fixed.

【0068】次に、本実施形態の画像形成装置の動作に
ついて、図1を参照して説明する。まず、帯電器10に
より、像担持体である感光体ドラム30上が均一に帯電
され、さらに、露光手段であるレーザスキャナ20によ
り露光されて、静電潜像が形成される。
Next, the operation of the image forming apparatus of this embodiment will be described with reference to FIG. First, the photoconductor drum 30, which is an image bearing member, is uniformly charged by the charger 10, and is further exposed by the laser scanner 20, which is an exposing unit, to form an electrostatic latent image.

【0069】この静電潜像が、現像手段である現像器4
0により顕画化され、転写手段である転写ローラ50に
より記録紙上に転写される。そして、この記録紙上に転
写されたトナー像が、定着手段である定着器60により
固着される。
This electrostatic latent image is developed by the developing device 4 as a developing means.
The image is visualized by 0 and is transferred onto the recording paper by a transfer roller 50 which is a transfer unit. Then, the toner image transferred onto the recording paper is fixed by a fixing device 60 which is a fixing unit.

【0070】次に、感光体ドラム上に形成された静電潜
像の様子を、図6を参照して説明する。解像度が低い場
合や電子写真プロセス速度が遅い場合は、同図のAのよ
うに十分な静電潜像が形成される。
Next, the state of the electrostatic latent image formed on the photosensitive drum will be described with reference to FIG. When the resolution is low or the electrophotographic process speed is slow, a sufficient electrostatic latent image is formed as indicated by A in FIG.

【0071】ところが、解像度が高くなったり電子写真
速度が速くなったりすると、同図のBやCのように、静
電潜像の形成は不十分となる。そこで、レーザビームの
発光強度を図5(b)に示すような波形、すなわち、光
波形の立ち上がり部にオーバーシュートを発生させた波
形にすると、感光体が過剰露光される。これにより、図
6のBやCのような不十分な静電潜像しか形成されなか
ったのが、同図のAのような十分な静電潜像が形成され
るようになる。
However, when the resolution becomes higher or the electrophotographic speed becomes faster, the electrostatic latent image is not sufficiently formed as shown by B and C in FIG. Therefore, when the emission intensity of the laser beam is set to a waveform as shown in FIG. 5B, that is, a waveform in which an overshoot is generated at the rising portion of the optical waveform, the photoconductor is overexposed. As a result, an insufficient electrostatic latent image such as B and C in FIG. 6 was formed, but a sufficient electrostatic latent image such as A in FIG. 6 is formed.

【0072】このとき、光波形の立ち上がり部のオーバ
ーシュートは、一画素を形成するときの50%以上、好
ましくはほぼ100%となるようにするとよく、また、
光強度は通常露光時の光強度の1.2倍以上で、かつ、
5倍以下、好ましくは1.2倍以上で、かつ、2倍以下
であることが望ましい。
At this time, the overshoot at the rising portion of the optical waveform may be 50% or more, preferably about 100%, when forming one pixel.
The light intensity is 1.2 times or more the light intensity during normal exposure, and
It is desirable to be 5 times or less, preferably 1.2 times or more, and 2 times or less.

【0073】次に、レーザスキャナにおける半導体レー
ザ駆動回路の動作について、図3を参照して説明する。
電流源212において、設定電圧により所望の出力強度
に相当する電流が送り出されると、スイッチング部21
3でスイッチング制御され、LD201あるいは負荷抵
抗RL216へ供給される。このスイッチング部213
における供給電流の制御は、Video信号(画像デー
タにもとづく画像信号)にもとづいて行われ、レーザダ
イオードLD201から出力されるレーザビームがON
/OFF制御される。
Next, the operation of the semiconductor laser drive circuit in the laser scanner will be described with reference to FIG.
When a current corresponding to a desired output intensity is sent by the set voltage in the current source 212, the switching unit 21
It is switching-controlled by 3 and is supplied to the LD 201 or the load resistor RL216. This switching unit 213
The control of the supply current is performed based on the Video signal (image signal based on the image data), and the laser beam output from the laser diode LD201 is turned on.
/ OFF is controlled.

【0074】LD201に電流が供給された場合は、こ
のLD201からレーザビームが出力されるたびに、オ
ーバーシュート回路部220により、レーザビームの光
出力の立ち上がり部において、図5(b)に示すような
オーバーシュートが生じる。このオーバーシュートは、
オーバーシュート回路部220が有するインダクタンス
部品221の定数や、スナバ回路部230が有する抵抗
R231及びコンデンサC232の定数等により、その
大きさが定められる。なお、LD201に電流が供給さ
れない場合、すなわち、レーザビームの出力がOFFの
ときは、その供給電流が負荷抵抗RLへ供給される。
When a current is supplied to the LD 201, each time the LD 201 outputs a laser beam, the overshoot circuit unit 220 causes the rising portion of the optical output of the laser beam as shown in FIG. 5B. Overshoot occurs. This overshoot
The size is determined by the constant of the inductance component 221 included in the overshoot circuit unit 220, the constants of the resistor R231 and the capacitor C232 included in the snubber circuit unit 230, and the like. When no current is supplied to the LD 201, that is, when the output of the laser beam is OFF, the supplied current is supplied to the load resistance RL.

【0075】LD201から光出力されたレーザビーム
が、PD240で受光される。この受光されたレーザビ
ームの光量にもとづき、PD240から電流(受光電
流)が出力される。この出力された受光電流が、電流−
電圧変換器(図示せず)によりモニタ電圧に電圧変換さ
れて、コンパレータ215のプラス端子側に入力され
る。
The laser beam optically output from the LD 201 is received by the PD 240. Based on the amount of the received laser beam, the PD 240 outputs a current (received current). The output received light current is the current −
The voltage is converted into a monitor voltage by a voltage converter (not shown) and input to the positive terminal side of the comparator 215.

【0076】コンパレータ215において、マイナス端
子側で受けた基準電圧と、プラス端子側で受けたモニタ
電圧とが比較され、その結果が出力信号として、出力端
子側からS/H部214へ送られる。S/H部214に
おいて、コンパレータ215からの出力信号にもとづ
き、電流源212で設定されたスイッチング電流が変化
され、モニタ電圧が基準電圧と一致するようなスイッチ
ング電流が生成される。
In the comparator 215, the reference voltage received at the minus terminal side is compared with the monitor voltage received at the plus terminal side, and the result is sent as an output signal from the output terminal side to the S / H section 214. In the S / H unit 214, the switching current set by the current source 212 is changed based on the output signal from the comparator 215, and the switching current is generated so that the monitor voltage matches the reference voltage.

【0077】さらに、S/H部214において、外部端
子からサンプル(Sample)信号が入力している間
に、LD201の点灯制御が行われる。また、S/H部
214において、サンプル信号が入力されていない間、
すなわち、ホールド(Hold)信号を入力している間
に、点灯(光出力)制御の結果が保持される。
Further, in the S / H section 214, the lighting control of the LD 201 is performed while the sample signal is being input from the external terminal. Further, in the S / H unit 214, while the sample signal is not input,
That is, the result of the lighting (light output) control is held while the hold (Hold) signal is input.

【0078】次に、設定電圧の変更によるレーザビーム
の出力強度の制御について、図3を参照して説明する。
レーザダイオードLD201からのレーザビームの出力
強度は、電子写真プロセス速度にもとづいて変更するこ
とができる。
Next, the control of the output intensity of the laser beam by changing the set voltage will be described with reference to FIG.
The output intensity of the laser beam from the laser diode LD201 can be changed based on the electrophotographic process speed.

【0079】この電子写真プロセス速度は、図示しない
速度取得手段により取得される。速度取得手段は、予め
電子写真プロセス速度情報を不揮発性メモリ等の記録装
置に記憶しておき、電源投入時にその電子写真プロセス
速度情報を読み出して、その記録装置のプロセス速度
(設定電圧)を決定する。この決定された設定電圧は、
電流源212へ供給される。この供給により、レーザダ
イオードLDの出力強度が制御される。
The electrophotographic process speed is acquired by speed acquisition means (not shown). The speed acquisition means stores the electrophotographic process speed information in a recording device such as a non-volatile memory in advance, reads the electrophotographic process speed information when the power is turned on, and determines the process speed (set voltage) of the recording device. To do. This determined set voltage is
It is supplied to the current source 212. This supply controls the output intensity of the laser diode LD.

【0080】記録装置は、電源投入時にその記憶された
電子写真プロセス速度情報を読み出せばよいため、エン
ジン基板上に設けてもよいし、また、コントロール基板
上に設けてもよい。さらに、別の基板上やユニット(た
とえば、HDDやCFカード等)に設けてもよい。
The recording device may be provided on the engine substrate or the control substrate because it is sufficient to read the stored electrophotographic process speed information when the power is turned on. Further, it may be provided on another substrate or unit (for example, HDD or CF card).

【0081】また、レーザダイオードLD201からの
レーザビームの出力強度は、環境情報にもとづいて変更
することもできる。環境情報には、温度や湿度に関する
情報が含まれる。そして、この環境情報は、図示しない
環境情報取得手段により取得される。
Further, the output intensity of the laser beam from the laser diode LD201 can be changed based on the environmental information. The environmental information includes information about temperature and humidity. Then, this environmental information is acquired by an environmental information acquisition unit (not shown).

【0082】環境情報取得手段とは、画像形成装置1が
設置されている環境の温度や湿度を環境情報として検出
する手段であって、温湿度センサユニットにより構成さ
れている。この温湿度センサユニットには、温度検出用
のサーミスタや湿度検出用の湿度センサが設けられてい
る。
The environmental information acquisition means is means for detecting the temperature and humidity of the environment in which the image forming apparatus 1 is installed as environmental information, and is composed of a temperature / humidity sensor unit. The temperature / humidity sensor unit is provided with a thermistor for temperature detection and a humidity sensor for humidity detection.

【0083】この環境情報取得手段においては、温度検
出用のサーミスタや湿度検出用の湿度センサによって取
得された環境情報にもとづき、設定電圧が変更されて、
電流源212へ供給される。この供給により、レーザダ
イオードLDの出力強度が制御される。なお、これら温
度検出用のサーミスタや湿度検出用の湿度センサを、温
湿度センサユニットではなく、エンジン基板などの基板
上に直接実装することもできる。
In this environment information acquisition means, the set voltage is changed based on the environment information acquired by the thermistor for temperature detection and the humidity sensor for humidity detection,
It is supplied to the current source 212. This supply controls the output intensity of the laser diode LD. The thermistor for temperature detection and the humidity sensor for humidity detection may be directly mounted on a substrate such as an engine substrate instead of the temperature / humidity sensor unit.

【0084】次に、レーザスキャナにおけるLD駆動手
段のインダクタンス部品について、図3を参照して説明
する。本実施形態においては、オーバーシュート回路部
220がインダクタンス部品221により構成されてい
る。
Next, the inductance component of the LD driving means in the laser scanner will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the overshoot circuit section 220 is composed of the inductance component 221.

【0085】このインダクタンス部品221は、純粋な
インダクタンス電子部品(たとえば、コイル単体など)
に限るものではなく、インダクタンス成分を含む部品、
たとえば、EMI対策に使用されるビーズやインピーダ
などの部品(EMI対策部品、ノイズ対策部品)を用い
ることもできる。このEMI対策部品をインダクタンス
部品221として使用することにより、レーザダイオー
ドの光波形の立ち上がり部のオーバーシュートを制御可
能なだけでなくEMI等のノイズも同時に行うことがで
きる。
The inductance component 221 is a pure inductance electronic component (for example, a single coil).
But not limited to components that include inductance components,
For example, parts such as beads and impeders used for EMI countermeasures (EMI countermeasure components, noise countermeasure components) can also be used. By using this EMI countermeasure component as the inductance component 221, not only the overshoot of the rising portion of the optical waveform of the laser diode can be controlled but also noise such as EMI can be performed at the same time.

【0086】インダクタンス部品221にEMI対策部
品の一つであるビーズを使用したときのレーザビームの
光波形の例を、図7〜図10に示す。図7及び図8は、
100MHzにおけるインピーダンスが60Ωとなるビ
ーズを使用したときの光波形を、また、図9及び図10
は、100MHzにおけるインピーダンスが120Ωと
なるビーズを使用したときの光波形をそれぞれ示してい
る。
7 to 10 show examples of optical waveforms of the laser beam when beads, which are one of the EMI countermeasure components, are used for the inductance component 221. 7 and 8 show
9 and 10 show optical waveforms when beads having an impedance of 60 Ω at 100 MHz are used.
Shows the optical waveforms when beads having an impedance of 120Ω at 100 MHz were used.

【0087】さらに、図7及び図9は、約二画素を形成
する時間のレーザビームの光波形を、また、図8及び図
10は、約1/2画素を形成する時間のレーザビームの
光波形をそれぞれ示している。図7及び図9に示すよう
に、光波形を出力する半導体レーザ駆動回路210にお
いて、EMI対策部品のインピーダンス値を大きくする
と、立ち上がり部のオーバーシュートが大きくなり、過
剰露光により有効である。しかも、そのインピーダンス
が大きいほど、EMI対策の効果もより大きくなり有効
である。
Further, FIGS. 7 and 9 show the optical waveform of the laser beam during the time when about two pixels are formed, and FIGS. 8 and 10 show the optical waveform of the laser beam during the time when about 1/2 pixel is formed. Waveforms are shown respectively. As shown in FIGS. 7 and 9, in the semiconductor laser drive circuit 210 that outputs an optical waveform, when the impedance value of the EMI countermeasure component is increased, the overshoot at the rising portion is increased, which is effective for overexposure. Moreover, the greater the impedance, the greater the effect of the EMI countermeasure, which is effective.

【0088】ただし、図8及び図10に示すように、光
波形を出力する半導体レーザ駆動回路210において、
EMI対策部品のインピーダンス値を大きくしすぎる
と、一画素よりも短い時間での発光では、入力信号のO
N/OFFに追従することができず光波形が崩れてしま
う。
However, as shown in FIGS. 8 and 10, in the semiconductor laser drive circuit 210 that outputs an optical waveform,
If the impedance value of the EMI countermeasure component is made too large, the light emission in the time shorter than one pixel causes the O
N / OFF cannot be followed and the optical waveform is destroyed.

【0089】一画素よりも短い時間での発光時にその光
波形が崩れてしまうと、いわゆるスムージング処理をす
る場合の発光が崩れてしまい、高画質の画像を得ること
ができない。このため、オーバーシュートは、一画素を
形成する時間よりも短い時間で点灯したときにも、光波
形が崩れることなく再現するように制御することが望ま
れる。
If the light waveform is broken during light emission in a time shorter than one pixel, the light emission in the so-called smoothing process is broken and a high quality image cannot be obtained. Therefore, it is desirable to control the overshoot so that the overshoot is reproduced without being distorted even when the light is turned on for a time shorter than the time for forming one pixel.

【0090】好適な例として、一画素を形成する時間の
ほぼ100%で、その最大値が通常露光時の光強度の
1.2倍以上であって2倍以下となるようにオーバーシ
ュートを制御するとよい。また、他の好適な例として
は、一画素を形成する時間の50%以上で収束し、その
最大値が通常光強度の1.2倍以上であって5倍以下と
なるように、オーバーシュートを制御してもよい。
As a preferred example, the overshoot is controlled so that the maximum value is 1.2 times or more and not more than 2 times the light intensity at the time of normal exposure for almost 100% of the time for forming one pixel. Good to do. Further, as another preferable example, the overshoot is performed so that the light converges in 50% or more of the time for forming one pixel and the maximum value is 1.2 times or more and 5 times or less of the normal light intensity. May be controlled.

【0091】ところで、本実施形態において、オーバー
シュート回路部220のインダクタンス部品として用い
られる電波対策部品(ビーズ,インピーダ等)は、フェ
ライト等の磁性体中に信号を通すことによって高周波を
損失させてノイズを抑制する部品である。
By the way, in the present embodiment, the radio wave countermeasure components (beads, impeders, etc.) used as the inductance components of the overshoot circuit section 220 cause a high frequency loss by passing a signal through a magnetic material such as ferrite, thereby causing noise. It is a part that suppresses

【0092】この電波対策部品は、特定の周波数(たと
えば、100MHz)におけるインピーダンスZでその
定数を決定しているが、インピーダンスZには抵抗成分
Rとインダクタンス成分Xがあり、対策部品の定数を変
化すると、インピーダンスZだけでなくその抵抗成分R
とインダクタンス成分Xが変化してオーバーシュートの
大きさが変化する。
This radio wave countermeasure component has its constant determined by the impedance Z at a specific frequency (for example, 100 MHz). The impedance Z has a resistance component R and an inductance component X, and the constant of the countermeasure component is changed. Then, not only the impedance Z but also its resistance component R
Then, the inductance component X changes and the magnitude of the overshoot changes.

【0093】オーバーシュートには、これらZ,R,X
の周波数特性が大きく寄与しており、電波対策部品の定
数を大きくするだけではオーバーシュートを大きくでき
ない。たとえば、周波数100MHzにおけるインピー
ダンスZが同じであっても、低周波側と高周波側のイン
ピーダンスZの差が小さい部品ではオーバーシュートが
小さく、その差が大きい部品ではオーバーシュートも大
きくなる。
For overshoot, these Z, R, X
Since the frequency characteristic of 1 contributes greatly, the overshoot cannot be increased only by increasing the constant of the radio wave countermeasure component. For example, even if the impedance Z at the frequency of 100 MHz is the same, the overshoot is small in the part where the difference between the impedance Z on the low frequency side and the high frequency side is small, and the overshoot is large for the part where the difference is large.

【0094】また、たとえば、Z、R、Xが100MH
zよりも高い周波数でピークをもつような特性であると
よりオーバーシュートが大きくなる。このZ、R、Xの
周波数特性においてそのピークとなる周波数は、プリン
ト基板の特性(材質、パターン長など)、レーザダイオ
ードの種類や実際にレーザをON/OFFさせる周波数
等によって異なると考えられる。
Further, for example, Z, R and X are 100 MH
If the characteristic has a peak at a frequency higher than z, the overshoot becomes larger. It is considered that the peak frequency in the Z, R, and X frequency characteristics differs depending on the characteristics of the printed board (material, pattern length, etc.), the type of laser diode, the frequency at which the laser is actually turned on / off, and the like.

【0095】実例として、図11に示す特性をもつ対策
部品ではオーバーシュートが小さく、図12及び図13
に示す特性をもつ対策部品の方がよりオーバーシュート
が大きくなる。しかし、図13の特性をもつ部品では図
12よりもオーバーシュートを大きくすることができる
が、一画素を形成するドット(約20ns)よりも小さ
い1/2ドット程度(約10ns)のレーザ発光の波形
が崩れてしまうという不具合が発生してしまう。
As an actual example, the countermeasure component having the characteristics shown in FIG.
The overshoot is larger in the countermeasure component having the characteristics shown in. However, in the component having the characteristics of FIG. 13, the overshoot can be made larger than that of FIG. 12, but the laser emission of about 1/2 dot (about 10 ns) smaller than the dot (about 20 ns) forming one pixel The problem that the waveform is broken occurs.

【0096】これは、Xのピーク値が大きいこと、Z、
Rのピーク周波数が図12に比べて低いことがその原因
と考えられる。このため、対策部品の特性は一意に決定
できず、レーザのON/OFFの周波数等によって最適
な特性を選ぶ必要がある。
This means that the peak value of X is large, Z,
It is considered that this is because the peak frequency of R is lower than that in FIG. Therefore, the characteristic of the countermeasure component cannot be uniquely determined, and it is necessary to select the optimum characteristic according to the ON / OFF frequency of the laser and the like.

【0097】なお、電波対策としての効果も図11、図
12、図13の順で高くなり、図13の特性をもつ部品
が最も有効であるが、これについても画像形成装置の機
種が変わればまったく効果が無くなることもある。ま
た、本発明においては、LD201に、複数のレーザ光
を発光するいわゆるマルチビームレーザダイオードを使
用してもよく、さらに、カラー画像を形成する画像形成
装置に適用してもよい。
The effect as a countermeasure against radio waves increases in the order of FIG. 11, FIG. 12, and FIG. 13, and the parts having the characteristics of FIG. 13 are the most effective, but this is also the case if the model of the image forming apparatus changes. It may be completely ineffective. In addition, in the present invention, a so-called multi-beam laser diode that emits a plurality of laser beams may be used for the LD 201, and may be applied to an image forming apparatus that forms a color image.

【0098】[0098]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電子写
真方式の画像形成装置において、半導体レーザにインダ
クタンス部品を接続して、レーザビームの光出力の立ち
上がり部にオーバーシュートを発生させることにより、
解像度を上げた場合や電子写真プロセス速度を高速化し
た場合にも、微小ドットの再現性や階調性を低コストで
再現できる。
As described above, according to the present invention, in an electrophotographic image forming apparatus, an inductance component is connected to a semiconductor laser to generate an overshoot at the rising portion of the optical output of a laser beam. Due to
Even when the resolution is increased or the electrophotographic process speed is increased, the reproducibility and gradation of the fine dots can be reproduced at low cost.

【0099】また、インダクタンス部品を、半導体レー
ザの接地側、すなわち、半導体レーザの端子のうちフォ
トダイオードと共通には接続されていない端子側に接続
することで、APCにおけるPD出力へのオーバーシュ
ートの歪みの発生等を防止できる。さらに、オーバーシ
ュートを発生させるインダクタンス部品にEMI部品を
用いることで、不要輻射等の対策も同時に可能となる。
By connecting the inductance component to the ground side of the semiconductor laser, that is, to the terminal side of the terminals of the semiconductor laser that is not commonly connected to the photodiode, the overshoot to the PD output in the APC is prevented. The occurrence of distortion can be prevented. Furthermore, by using an EMI component as an inductance component that causes overshoot, it is possible to simultaneously take measures against unwanted radiation and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の画像形成装置の要部構成を示す概略図
である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a main configuration of an image forming apparatus of the present invention.

【図2】本発明の画像形成装置におけるレーザスキャナ
の内部構成を示す概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing an internal configuration of a laser scanner in the image forming apparatus of the present invention.

【図3】本発明の画像形成装置における半導体レーザ駆
動回路の内部構成を示す電気回路図である。
FIG. 3 is an electric circuit diagram showing an internal configuration of a semiconductor laser drive circuit in the image forming apparatus of the present invention.

【図4】レーザダイオード及びフォトダイオードを封入
するパッケージ内の回路構成を示す電気回路図である。
FIG. 4 is an electric circuit diagram showing a circuit configuration in a package that encloses a laser diode and a photodiode.

【図5】オーバーシュートを発生させる前及びさせた後
におけるそれぞれの光出力の露光強度を示すグラフであ
る。
FIG. 5 is a graph showing the exposure intensity of each light output before and after overshoot is generated.

【図6】解像度あるいは電子写真プロセス速度等にもと
づく感光体ドラム上の静電潜像の形成状態を示す模式図
である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a formation state of an electrostatic latent image on a photosensitive drum based on resolution, electrophotographic process speed, or the like.

【図7】オーバーシュート回路部としてEMI対策部品
を用いた場合の光出力の発光強度を示すグラフ(100
MHzにおけるインピーダンスが60Ωとなるビーズを
使用したときの約2画素を形成する時間のレーザビーム
の光波形)である。
FIG. 7 is a graph (100) showing the emission intensity of the optical output when an EMI countermeasure component is used as the overshoot circuit unit.
It is an optical waveform of a laser beam at the time of forming about 2 pixels when a bead having an impedance of 60 Ω at MHz is used.

【図8】オーバーシュート回路部としてEMI対策部品
を用いた場合の光出力の発光強度を示すグラフ(100
MHzにおけるインピーダンスが60Ωとなるビーズを
使用したときの約1/2画素を形成する時間のレーザビ
ームの光波形)である。
FIG. 8 is a graph (100) showing the emission intensity of the optical output when an EMI countermeasure component is used as the overshoot circuit unit.
It is an optical waveform of a laser beam during the time when about 1/2 pixel is formed when a bead having an impedance of 60 Ω at MHz is used.

【図9】オーバーシュート回路部としてEMI対策部品
を用いた場合の光出力の発光強度を示すグラフ(100
MHzにおけるインピーダンスが120Ωとなるビーズ
を使用したときの約2画素を形成する時間のレーザビー
ムの光波形)である。
FIG. 9 is a graph (100) showing the emission intensity of the optical output when an EMI countermeasure component is used as the overshoot circuit unit.
It is an optical waveform of a laser beam at the time of forming about 2 pixels when a bead having an impedance of 120Ω at MHz is used.

【図10】オーバーシュート回路部としてEMI対策部
品を用いた場合の光出力の発光強度を示すグラフ(10
0MHzにおけるインピーダンスが120Ωとなるビー
ズを使用したときの約1/2画素を形成する時間のレー
ザビームの光波形)である。
FIG. 10 is a graph (10) showing the emission intensity of the optical output when an EMI countermeasure component is used as the overshoot circuit unit.
It is an optical waveform of a laser beam at the time when about 1/2 pixel is formed when a bead having an impedance of 0Ω at 0 MHz is used.

【図11】EMI対策部品におけるインピーダンス成分
Z,インダクタンス成分X及び抵抗成分Rの周波数特性
を示すグラフ(低周波側と高周波側のインピーダンスZ
の差が小さい場合)である。
FIG. 11 is a graph showing frequency characteristics of an impedance component Z, an inductance component X and a resistance component R in an EMI countermeasure component (impedance Z on the low frequency side and the high frequency side).
If the difference is small).

【図12】EMI対策部品におけるインピーダンス成分
Z,インダクタンス成分X及び抵抗成分Rの周波数特性
を示すグラフ(低周波側と高周波側のインピーダンスZ
の差が中程度の場合)である。
FIG. 12 is a graph showing frequency characteristics of an impedance component Z, an inductance component X and a resistance component R in an EMI countermeasure component (impedance Z on a low frequency side and a high frequency side).
If the difference is medium).

【図13】EMI対策部品におけるインピーダンス成分
Z,インダクタンス成分X及び抵抗成分Rの周波数特性
を示すグラフ(低周波側と高周波側のインピーダンスZ
の差が大きい場合)である。
FIG. 13 is a graph showing frequency characteristics of an impedance component Z, an inductance component X and a resistance component R in an EMI countermeasure component (impedance Z on the low frequency side and the high frequency side).
If the difference is large).

【図14】レーザダイオード及びフォトダイオードを封
入するパッケージ内の回路構成を示す電気回路図であ
る。
FIG. 14 is an electric circuit diagram showing a circuit configuration in a package enclosing a laser diode and a photodiode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 画像形成装置 10 帯電器 20 レーザスキャナ 201 レーザダイオード(LD) 202 コリメータレンズ 203 シリンドリカルレンズ 204 平面ミラー 205 回転多面鏡 206 fθレンズ 207 反射ミラー 208 ミラー 209 フォトディテクタ 210 半導体レーザ駆動回路 211 光強度制御回路部 212 電流源 213 スイッチング部 214 S/H部 215 コンパレータ 216 負荷抵抗RL 220 オーバーシュート回路部 221 インダクタンス部品 230 スナバ回路 231 抵抗R 232 コンデンサC 240 フォトダイオード(PD) 30 感光体ドラム 40 現像器 50 転写ローラ 60 定着器 901 レーザダイオード(LD) 902 フォトダイオード(PD) 903 パッケージ 1 Image forming device 10 Charger 20 laser scanner 201 Laser diode (LD) 202 collimator lens 203 Cylindrical lens 204 plane mirror 205 rotating polygon mirror 206 fθ lens 207 reflective mirror 208 mirror 209 Photo Detector 210 Semiconductor laser drive circuit 211 Light intensity control circuit 212 current source 213 Switching unit 214 S / H section 215 Comparator 216 Load resistance RL 220 Overshoot circuit 221 Inductance parts 230 snubber circuit 231 Resistance R 232 Capacitor C 240 Photodiode (PD) 30 photoconductor drum 40 developer 50 transfer roller 60 fixer 901 Laser diode (LD) 902 Photodiode (PD) 903 package

フロントページの続き Fターム(参考) 2C362 AA03 AA13 AA52 AA55 AA61 AA63 5F073 AB27 AB29 BA07 EA17 EA27 FA02 GA04 GA12 GA18 GA19 GA25 Continued front page    F-term (reference) 2C362 AA03 AA13 AA52 AA55 AA61                       AA63                 5F073 AB27 AB29 BA07 EA17 EA27                       FA02 GA04 GA12 GA18 GA19                       GA25

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画像情報にもとづいて半導体レーザを点
灯し、かつ、前記半導体レーザから出力されたレーザビ
ームにより感光体上を走査露光して静電潜像を形成する
露光手段を有した画像形成装置であって、 前記露光手段が、 前記画像情報にもとづいて前記半導体レーザを点灯し、
通常の光強度で前記感光体上を走査露光する光強度制御
回路部と、 この光強度制御回路部により点灯された前記半導体レー
ザの光出力の立ち上がり部で、前記光強度を強くするオ
ーバーシュート回路部とを有し、 このオーバーシュート回路部が、インダクタンスの成分
値を設定するインダクタンス部品を有し、 このインダクタンス部品が、前記半導体レーザの端子の
うち、フォトダイオードと共通には接続されていない端
子に接続されたことを特徴とする画像形成装置。
1. An image forming apparatus having an exposing means for turning on a semiconductor laser on the basis of image information, and scanning and exposing a photosensitive member with a laser beam outputted from the semiconductor laser to form an electrostatic latent image. In the device, the exposure unit turns on the semiconductor laser based on the image information,
A light intensity control circuit unit that scans and exposes the photosensitive member with a normal light intensity, and an overshoot circuit that increases the light intensity at the rising portion of the light output of the semiconductor laser that is turned on by the light intensity control circuit unit. The overshoot circuit section has an inductance component for setting a component value of the inductance, and the inductance component is a terminal of the terminals of the semiconductor laser that is not commonly connected to the photodiode. An image forming apparatus connected to the.
【請求項2】 前記インダクタンス部品が、前記半導体
レーザの接地側の端子に接続されたことを特徴とする請
求項1記載の画像形成装置。
2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the inductance component is connected to a ground side terminal of the semiconductor laser.
【請求項3】 前記オーバーシュート回路部により前記
光出力の立ち上がり部で発生するオーバーシュートが、
一画素を形成するための前記光出力の照射時間のうち、
60%を超える時間を占めることを特徴とする請求項1
又は2記載の画像形成装置。
3. The overshoot generated at the rising portion of the optical output by the overshoot circuit unit,
Of the irradiation time of the light output for forming one pixel,
6. Occupying more than 60% of the time.
Or the image forming apparatus according to 2.
【請求項4】 前記オーバーシュートが、好ましくは前
記照射時間のほぼ100%で収束することを特徴とする
請求項1、2又は3記載の画像形成装置。
4. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the overshoot converges preferably at about 100% of the irradiation time.
【請求項5】 前記オーバーシュートにおける前記光強
度の最大値が、前記通常の光強度に対し1.2倍以上で
あって5倍以下であることを特徴とする請求項1、2、
3又は4記載の画像形成装置。
5. The maximum value of the light intensity in the overshoot is 1.2 times or more and 5 times or less of the normal light intensity.
The image forming apparatus according to 3 or 4.
【請求項6】 前記オーバーシュートにおける前記光強
度の最大値が、前記通常の光強度に対し、好ましくは
1.2倍以上であって2倍以下であることを特徴とする
請求項1〜5のいずれかに記載の画像形成装置。
6. The maximum value of the light intensity in the overshoot is preferably 1.2 times or more and not more than 2 times the normal light intensity. The image forming apparatus according to any one of 1.
【請求項7】 電子写真プロセス速度を取得する速度取
得手段を有し、 前記光強度制御回路部が、前記速度取得手段により取得
された前記電子写真プロセス速度にもとづいて、前記通
常の光強度を変更することを特徴とする請求項1〜6の
いずれかに記載の画像形成装置。
7. A speed acquisition means for acquiring an electrophotographic process speed is provided, wherein the light intensity control circuit section determines the normal light intensity based on the electrophotographic process speed acquired by the speed acquisition means. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the image forming apparatus is changed.
【請求項8】 温度及び湿度などの環境情報を取得する
環境情報取得手段を有し、 前記光強度制御回路部が、前記環境情報取得手段で取得
された前記環境情報にもとづいて、前記通常の光強度を
変更することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記
載の画像形成装置。
8. An environmental information acquisition unit for acquiring environmental information such as temperature and humidity, wherein the light intensity control circuit unit is configured to perform the normal operation based on the environmental information acquired by the environmental information acquisition unit. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the light intensity is changed.
【請求項9】 前記半導体レーザが、複数のレーザ光を
出射可能な半導体レーザからなることを特徴とする請求
項1〜8のいずれかに記載の画像形成装置。
9. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor laser is a semiconductor laser capable of emitting a plurality of laser beams.
【請求項10】 前記インダクタンス部品が、ノイズ対
策部品からなることを特徴とする請求項1〜9のいずれ
かに記載の画像形成装置。
10. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the inductance component is a noise countermeasure component.
【請求項11】 感光体上を走査露光するための半導体
レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動回路であって、 前記半導体レーザの光出力を通常の光強度で出力させる
光強度制御回路部と、 前記半導体レーザの光出力の立ち上がり部にオーバーシ
ュートを発生させるオーバーシュート回路部とを有し、 このオーバーシュート回路部が、インダクタンスの成分
値を設定するインダクタンス部品を有し、 このインダクタンス部品が、前記半導体レーザの端子の
うち、フォトダイオードと共通には接続されていない端
子に接続されたことを特徴とする半導体レーザ駆動回
路。
11. A semiconductor laser drive circuit for driving and controlling a semiconductor laser for scanning and exposing on a photoconductor, comprising: a light intensity control circuit section for outputting a light output of the semiconductor laser at a normal light intensity; An overshoot circuit section for generating an overshoot at the rising portion of the optical output of the semiconductor laser; the overshoot circuit section has an inductance component for setting the component value of the inductance; A semiconductor laser drive circuit characterized in that the semiconductor laser drive circuit is connected to one of the terminals of the laser which is not commonly connected to the photodiode.
【請求項12】 前記インダクタンス部品が、前記半導
体レーザの接地側の端子に接続されたことを特徴とする
請求項11記載の半導体レーザ駆動回路。
12. The semiconductor laser drive circuit according to claim 11, wherein the inductance component is connected to a ground side terminal of the semiconductor laser.
【請求項13】 前記光強度制御回路部が、速度取得手
段により取得された電子写真プログラム速度にもとづい
て、前記通常露光時の光強度を変更することを特徴とす
る請求項11又は12記載の半導体レーザ駆動回路。
13. The light intensity control circuit unit changes the light intensity during the normal exposure based on the electrophotographic program speed acquired by the speed acquisition unit. Semiconductor laser drive circuit.
【請求項14】 前記光強度制御回路部が、環境情報取
得手段により取得された環境情報にもとづいて、前記通
常露光時の光強度を変更することを特徴とする請求項1
1又は12記載の半導体レーザ駆動回路。
14. The light intensity control circuit unit changes the light intensity during the normal exposure based on the environment information acquired by the environment information acquisition means.
13. The semiconductor laser drive circuit described in 1 or 12.
【請求項15】 前記半導体レーザが、複数のレーザ光
を出射する半導体レーザからなることを特徴とする請求
項11、12、13又は14記載の半導体レーザ駆動回
路。
15. The semiconductor laser driving circuit according to claim 11, wherein the semiconductor laser is a semiconductor laser that emits a plurality of laser beams.
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