JP2003133243A - Modular injector and exhaust assembly - Google Patents

Modular injector and exhaust assembly

Info

Publication number
JP2003133243A
JP2003133243A JP2002205716A JP2002205716A JP2003133243A JP 2003133243 A JP2003133243 A JP 2003133243A JP 2002205716 A JP2002205716 A JP 2002205716A JP 2002205716 A JP2002205716 A JP 2002205716A JP 2003133243 A JP2003133243 A JP 2003133243A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
injector
exhaust
plate
assembly
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002205716A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Jay Brian Dedontney
ブライアン デドントニー ジェイ
Richard Matthiesen
マッティーセン リチャード
Samuel Kurita
クリタ サミュエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML US Inc
Original Assignee
ASML US Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML US Inc filed Critical ASML US Inc
Publication of JP2003133243A publication Critical patent/JP2003133243A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45514Mixing in close vicinity to the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519Inert gas curtains
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45572Cooled nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45578Elongated nozzles, tubes with holes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Quick-Acting Or Multi-Walled Pipe Joints (AREA)
  • Infusion, Injection, And Reservoir Apparatuses (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved injector for delivering gases, more particularly, a modular injector and exhaust assembly. SOLUTION: The injector and exhaust assembly for delivering gases to a substrate is provided. The injector and exhaust assembly according to the present invention comprises at least two injectors, which are adjacently spaced from each other so that at least one exhaust channel is formed therebetween, and further comprises an installation board for fixing at least the two injectors and each of at least the two injectors can be individually installed on or removed from the installation board which is provided with at least one exhaust slot fluid-communicating to at least one exhaust channel. The exhaust assembly is coupled with the installation board so as to remove exhaust gas from the injector.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、広くはガス供給用
ガスインジェクタに関し、より詳しくは、実質的に均一
なガス分散を促進するモジュラガス供給インジェクタ/
排出組立体に関する。
FIELD OF THE INVENTION This invention relates generally to gas injectors for gas delivery, and more particularly, to modular gas delivery injectors / facilitators that promote substantially uniform gas distribution.
Regarding the discharge assembly.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガスの供給は、半導体デバイスの製造に
おける重要な加工工程である。ガスは、種々の半導体製
造装置を用いて半導体を加工すべく供給される。このよ
うな一例として、熱反応または熱分解により酸化膜のよ
うな材料の層を半導体基板すなわちウェーハ上に蒸着さ
せる或るガスを搬送する化学蒸着(CVD)システムが
使用されている。
Gas supply is an important processing step in the manufacture of semiconductor devices. Gas is supplied to process semiconductors using various semiconductor manufacturing equipment. As one such example, a chemical vapor deposition (CVD) system is used that carries a gas that deposits a layer of material such as an oxide film on a semiconductor substrate or wafer by thermal reaction or pyrolysis.

【0003】多くの形式の半導体製造システムのうちの
1つの重要な構成要素として、基板にガスを供給するの
に使用されるインジェクタがある。例えばCVDシステ
ムでは、ガスを基板上に分散してガスを反応させかつ基
板表面上に所望の膜または層を蒸着させなくてはならな
い。インジェクタの1つの目的は、制御されかつ再現可
能な態様でガスを所望位置に搬送することである。ガス
が制御された態様で分配されると、ガスの事前混合およ
び事前反応を最小限にすることができ、従ってガスの実
質的に完全で、効率的で、均質な反応の機会を最大にで
きる。ガス流が制御されない場合には、化学反応は最適
化されず、その結果、膜の組成および/または厚さが均
一にならない傾向が生じる。このようなことが生じる
と、半導体の適正機能が損なわれ、故障を生じることも
ある。従って、制御された実質的に均一な態様でガスの
供給を促進できるインジェクタの設計が望まれている。
One important component of many types of semiconductor manufacturing systems is the injector used to supply the gas to the substrate. For example, in a CVD system, the gas must be dispersed over the substrate to react the gas and deposit the desired film or layer on the substrate surface. One purpose of the injector is to deliver gas to a desired location in a controlled and reproducible manner. Pre-mixing and pre-reaction of the gas can be minimized when the gas is distributed in a controlled manner, thus maximizing the opportunity for a substantially complete, efficient, homogeneous reaction of the gas. . If the gas flow is uncontrolled, the chemistry will not be optimized, resulting in a nonuniform film composition and / or thickness. When this happens, the proper function of the semiconductor may be impaired and a failure may occur. Therefore, it is desirable to have an injector design that can facilitate gas delivery in a controlled and substantially uniform manner.

【0004】インジェクタの重要性を考慮した多くの設
計形式が開発されている。従来技術によるインジェクタ
組立体の2つの例が、本願に援用する米国特許第6,0
22,414号および第6,200,389号に開示さ
れている。これらの米国特許には、インジェクタの長さ
方向に沿って延びている多数のガス出口を備えた細長い
直線状の単体型インジェクタが開示されている。また、
単一の材料ブロック内に形成された多数のインジェクタ
ヘッドを備えたインジェクタ組立体も開示されている。
これらのインジェクタは優れた設計であることが証明さ
れているが、これらの多ヘッド単一本体インジェクタ組
立体の製造はコストが嵩む。各インジェクタは、同じ単
一材料ビレットで、(ワイヤEDMを用いて)連続的に
機械加工されるので長い製造時間を要する。
Many design types have been developed that take into account the importance of the injector. Two examples of prior art injector assemblies are described in US Pat. No. 6,0, which is incorporated herein by reference.
No. 22,414 and No. 6,200,389. These U.S. patents disclose an elongated linear unitary injector with multiple gas outlets extending along the length of the injector. Also,
An injector assembly with multiple injector heads formed in a single block of material is also disclosed.
While these injectors have proven to be good designs, the manufacture of these multi-head single-body injector assemblies is costly. Each injector is continuously machined (using wire EDM) with the same single material billet, thus requiring long manufacturing times.

【0005】スループットのためには、多インジェクタ
を用いることがしばしば要望されている。単一本体イン
ジェクタ組立体を使用するとインジェクタヘッドの数が
増大し、従って製造時間も増大する。長い製造時間およ
び高いコストは、全体的プロセス結果を改善するインジ
ェクタ構造の反復設計を妨げる。また、各連続製造工程
中に、多数のインジェクタヘッドの全部を、単一製造誤
差を与える危険にさらす高い傾向がある。従って、製造
および組立ての容易性を促進する優れたインジェクタ組
立体が要望されている。
For throughput, it is often desired to use multiple injectors. The use of a single body injector assembly increases the number of injector heads and therefore manufacturing time. Long manufacturing times and high costs impede the iterative design of injector structures that improve overall process results. Also, during each successive manufacturing process, there is a high tendency to expose all of the multiple injector heads to a single manufacturing error. Therefore, there is a need for a superior injector assembly that facilitates ease of manufacture and assembly.

【0006】インジェクタ以外に、一般にガスを除去す
べくインジェクタ組立体に連結される排出システムも、
基板へのガスの実質的に均一なおよび/または制御され
た供給を促進する上で重要な役割を演じる。当業界で
は、優れた排出システム、より詳しくは、実質的に均一
な態様でガスを除去するシステムを開発する努力が継続
的になされている。インジェクタの数が増大し、従って
排出システムの複雑さが高まると、排出ガス流のバラン
シング等の問題が生じる。高いスループットのためには
多数のインジェクタが望ましいので、優れた排出システ
ムの開発も要望されている。
In addition to the injector, an exhaust system, which is typically coupled to the injector assembly to remove gas,
It plays an important role in promoting a substantially uniform and / or controlled delivery of gas to the substrate. There is an ongoing effort in the art to develop superior exhaust systems, and more particularly systems that remove gas in a substantially uniform manner. As the number of injectors and thus the complexity of the exhaust system increases, problems such as exhaust gas flow balancing arise. Since a large number of injectors are desirable for high throughput, there is also a need to develop a good exhaust system.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、ガ
スを供給するための改善されたインジェクタを提供する
ことにある。より詳しくは、本発明の一目的は、モジュ
ラガス供給インジェクタ/排出組立体を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION One object of the present invention is to provide an improved injector for supplying gas. More specifically, one object of the present invention is to provide a modular gas supply injector / exhaust assembly.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の一態様によれ
ば、1つ以上の内側インジェクタヘッドを有し、該イン
ジェクタヘッドがこれらの間に排出チャネルを形成すべ
く互いに間隔を隔てて隣接して配置される構成のインジ
ェクタ組立体が提供される。1つ以上の端インジェクタ
ヘッドが更に設けられ、該端インジェクタヘッドは、前
記インジェクタヘッドとの間に排出チャネルを形成すべ
く、該インジェクタヘッドの外側に対して間隔を隔てて
隣接して配置される。更に取付け板が設けられており、
該取付け板は、前記インジェクタヘッドおよび端インジ
ェクタヘッドを個々に固定するための複数の固定孔を備
え、インジケータヘット゛および端インジェクタヘッドがイ
ンジェクタ組立体に対して個々に着脱されるように構成
されている。
SUMMARY OF THE INVENTION In accordance with one aspect of the present invention, there is one or more inner injector heads that are spaced apart from one another to form an exhaust channel therebetween. An injector assembly is provided that is configured to be deployed. One or more end injector heads are further provided, and the end injector heads are spaced apart and adjacent to the outside of the injector heads to form an exhaust channel with the injector heads. . Furthermore, a mounting plate is provided,
The mounting plate is provided with a plurality of fixing holes for individually fixing the injector head and the end injector head, and the indicator head and the end injector head are individually attached to and detached from the injector assembly. .

【0009】本発明の他の態様によれば、インジェクタ
組立体は更に、インジェクタヘッドからガスを除去する
ための、取付け板に連結される排出組立体を有してい
る。本発明の特に優れた長所は、内側インジェクタヘッ
ドおよび端インジェクタヘッドから別々に排出できるこ
とである。これにより、システムの構成がアンバランス
であるときでもガスの制御された排出を促進できる。
In accordance with another aspect of the invention, the injector assembly further includes an exhaust assembly coupled to the mounting plate for removing gas from the injector head. A particularly advantageous advantage of the present invention is that it can be ejected separately from the inner injector head and the end injector head. This can facilitate controlled emission of gas even when the system configuration is unbalanced.

【0010】本発明の他の態様によれば、取付け板に連
結される下方排出板を備えた排出組立体が提供される。
下方排出板には、該下方排出板のかなり大きい長さに沿
って延びているテーパ状排出チャネルが形成されてい
る。下方排出板には、上方排出板が連結される。上方排
出板には排出ポートが形成されており、該排出ポート
は、上方排出板のかなり大きい長さに沿って延びかつ上
方排出板の頂面の二重ポートに終端している基端部の拡
大開口の形状を有している。テーパ状排出チャネルおよ
び排出ポートは、インジェクタ組立体の排出チャネルに
流体連通している。
In accordance with another aspect of the invention, a drainage assembly is provided that includes a lower drainage plate coupled to a mounting plate.
The lower discharge plate is formed with a tapered discharge channel extending along a substantially long length of the lower discharge plate. The upper discharge plate is connected to the lower discharge plate. The upper exhaust plate is formed with an exhaust port which extends along a substantially long length of the upper exhaust plate and which terminates in a dual port on the top surface of the upper exhaust plate. It has the shape of an enlarged opening. The tapered exhaust channel and the exhaust port are in fluid communication with the exhaust channel of the injector assembly.

【0011】本発明の更に別の態様によれば、排出組立
体は更に、インジェクタヘッドに流体連通する外側排出
マニホルドと、内側インジェクタヘッドに流体連通する
内側排出マニホルド組立体とを有している。一実施形態
では、内側排出マニホルドは、複数の貫通通路が形成さ
れた板を有している。複数のチューブが設けられ、該チ
ューブは、各貫通通路およびバランシングユニットに連
結される。バランシングユニットは、複数のチューブの
入口および単一の出口を有している。バランシングユニ
ットは、インジェクタ組立体が奇数すなわちアンバラン
スな数の排出チャネルを有する場合でもバランスのとれ
た排出流を形成する。
In accordance with yet another aspect of the present invention, the exhaust assembly further includes an outer exhaust manifold in fluid communication with the injector head and an inner exhaust manifold assembly in fluid communication with the inner injector head. In one embodiment, the inner exhaust manifold comprises a plate having a plurality of through passages formed therein. A plurality of tubes are provided, the tubes being connected to each through passage and the balancing unit. The balancing unit has multiple tube inlets and a single outlet. The balancing unit produces a balanced exhaust flow even if the injector assembly has an odd or unbalanced number of exhaust channels.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の他の目的および長所は、
添付図面を参照して以下に述べる本発明の詳細な説明お
よび特許請求の範囲の記載を読むことにより明らかにな
るであろう。
Other objects and advantages of the present invention are:
It will be apparent from a reading of the following detailed description of the invention and the appended claims, with reference to the accompanying drawings.

【0013】概略的にいえば、本発明は、或る長さ方
向、より詳しくはインジェクタの長さ方向に沿うガス分
配を行なうことができる薬品またはガスのモジュライン
ジェクタ/排出組立体を提供し、かつ従来技術の欠点に
対処できるインジェクタ/排出組立体を形成すべく協働
する複数の個々のインジェクタを提供する。本発明のイ
ンジェクタ組立体は、加工中に一種類以上のガス状薬品
を半導体ウェーハすなわち基板に供給する組立体を形成
すべく協働する複数のインジェクタヘッドを有してい
る。本発明のインジェクタヘッドは、一種類以上のガス
を1つ以上の分配チャネルを介して供給面に供給するた
めの軸線方向に整合した1つ以上の通路を有している。
本発明の組立体は更に、少なくとも2つの端インジェク
タヘッドを有し、各端エンドインジェクタヘッドは組立
体の両端部に配置されている。端インジェクタヘッドも
また、一種類以上のガスを1つ以上の分配チャネルを介
して供給面に供給するための軸線方向に整合した1つ以
上の通路を有している。一実施形態では、組立体は更に
取付け板を有し、該取付け板には複数のインジェクタヘ
ッドが固定されて、個々のインジェクタの位置決めおよ
び協働が行なわれる。取付け板には、インジェクタによ
り供給されたガスの排出すなわち除去を行なうための排
出システムが連結されている。
Generally speaking, the present invention provides a chemical or gas modular injector / exhaust assembly capable of gas distribution along a length, and more particularly along the length of the injector, And, a plurality of individual injectors are provided that cooperate to form an injector / exhaust assembly that addresses the shortcomings of the prior art. The injector assembly of the present invention includes a plurality of injector heads that cooperate to form an assembly that supplies one or more gaseous chemicals to a semiconductor wafer or substrate during processing. The injector head of the present invention has one or more axially aligned passages for delivering one or more gases to the delivery surface through one or more distribution channels.
The assembly of the present invention further comprises at least two end injector heads, with each end end injector head located at opposite ends of the assembly. The end injector head also has one or more axially aligned passages for delivering one or more gases to the delivery surface through one or more distribution channels. In one embodiment, the assembly further includes a mounting plate to which a plurality of injector heads are secured for positioning and cooperating with individual injectors. An exhaust system for exhausting or removing the gas supplied by the injector is connected to the mounting plate.

【0014】特に図1を参照すると、ここには、本発明
の一実施形態によるモジュラインジェクタ組立体120
が概略断面図で示されている。図1に示す実施形態で
は、組立体120は、全部で6個の個々のインジェクタ
ヘッド122a〜122d;124a、124bを有し
ている。しかしながら、当業者には、インジェクタ組立
体120に近接して配置される基板121(図3)に所
望の薬品を供給するのに、組立体120を任意数のイン
ジェクタで構成できることは明らかであろう。6個のイ
ンジェクタヘッドは、内側インジェクタヘッド122a
〜122dと、X軸線に沿う組立体の各遠位端に配置さ
れた端インジェクタヘッド124a、124bからな
る。全てのインジェクタヘッド122a〜122d;1
24a、124bは取付け板126に配置されかつ固定
されている。取付け板126は、インジェクタヘッドの
重量を支持しかつ位置を維持するのに充分な剛性を有し
ている。取付け板126は、以下に詳述する排出システ
ム130に連結される。図示しないが、インジェクタ/
排出組立体の全体は、例えば米国特許第6,022,4
14号、第6,200,389号および米国特許出願第
09/757,542号(これらの全開示は本願に援用
する)に開示されている形式のCVD等のシステム内に
収容される。
With particular reference to FIG. 1, a modular injector assembly 120 according to one embodiment of the present invention will now be described.
Is shown in a schematic sectional view. In the embodiment shown in FIG. 1, the assembly 120 has a total of six individual injector heads 122a-122d; 124a, 124b. However, it will be apparent to one of ordinary skill in the art that the assembly 120 can be configured with any number of injectors to deliver the desired chemistry to the substrate 121 (FIG. 3) located proximate to the injector assembly 120. . The six injector heads are the inner injector heads 122a.
˜122d and end injector heads 124a, 124b located at each distal end of the assembly along the X axis. All injector heads 122a-122d; 1
24a and 124b are arranged and fixed to a mounting plate 126. The mounting plate 126 is sufficiently rigid to support the weight of the injector head and maintain its position. The mounting plate 126 is connected to the ejection system 130, which is described in detail below. Injector / not shown
The entire discharge assembly is described, for example, in US Pat. No. 6,022,4.
No. 14, 6,200,389 and US patent application Ser. No. 09 / 757,542, the entire disclosures of which are incorporated herein by reference, contained within a system such as CVD.

【0015】一実施形態では、内側インジェクタヘッド
122a〜122dおよび端インジェクタヘッド124
a、124b(ときどき、これらを集合的に「インジェ
クタ」と呼ぶ)は、排出チャネル134a〜134e
が、各端インジェクタヘッドと隣接インジェクタとの間
および各隣接インジェクタ同士の間に形成されるように
して配置される。例えば、第一端インジェクタ124a
と第一インジェクタ122aとの間に第一排出チャネル
134aが形成されている。第二排出チャネル134b
が、第一インジェクタ122aと第二インジェクタ12
2bとの間に形成されている。第三排出チャネル134
cが、第二インジェクタ122bと第三インジェクタ1
22cとの間に形成されている。第四排出チャネル13
4dが、第三インジェクタ122cと第四インジェクタ
122dとの間に形成されている。第五排出チャネル1
34eが、第四インジェクタ122dと第二端インジェ
クタ124bとのとの間に形成されている。インジェク
タヘッド122および端インジェクタ124は、排出チ
ャネルがY軸線に沿うインジェクタの高さで、取付け板
126内に延びている。内側インジェクタヘッドおよび
端インジェクタヘッドは、以下に詳述するように、各排
出チャネル134が取付け板126に形成された対応排
出スロット132および排出システムすなわち組立体1
30と整合するように、取付け板126に固定される。
In one embodiment, inner injector heads 122a-122d and end injector heads 124.
a, 124b (sometimes collectively referred to as "injectors"), exhaust channels 134a-134e.
Are arranged such that they are formed between each end injector head and adjacent injectors and between adjacent injectors. For example, the first end injector 124a
And a first injector 122a, a first discharge channel 134a is formed. Second discharge channel 134b
However, the first injector 122a and the second injector 12
It is formed between 2b. Third discharge channel 134
c is the second injector 122b and the third injector 1
22c. Fourth discharge channel 13
4d is formed between the third injector 122c and the fourth injector 122d. Fifth discharge channel 1
34e is formed between the 4th injector 122d and the 2nd end injector 124b. The injector head 122 and the end injectors 124 extend into the mounting plate 126 at the height of the injector with the discharge channel along the Y-axis. The inner injector heads and end injector heads have corresponding ejector slots 132 and ejector systems or assemblies 1 in which each ejector channel 134 is formed in a mounting plate 126, as described in detail below.
It is fixed to the mounting plate 126 so as to be aligned with 30.

【0016】図2および図3に示すように、各インジェ
クタヘッド122a〜122dは、Z軸線(図1の紙面
内に示されている)に沿ってインジェクタの長さ方向に
延びている1つ以上の細長通路150を有している。各
細長通路150から薬品供給面154まで分配チャネル
152が延びている。各細長通路150から延びている
各分配チャネル152は、供給面154内に形成された
領域156に収斂している。領域156は、図1および
図3に示すように凹状に形成できる。或いは、領域15
6は平坦に形成するか、凹状でもよい。分配チャネル1
52、領域156および供給面154は、インジェクタ
ヘッド122の長さ方向に形成できる。他の実施形態で
は、一種類以上の反応体がインジェクタの全長に亘って
スパンすることを防止するため、1つ以上の細長通路1
50および/または分配チャネル152はこれらの端部
で(例えば、閉塞、栓塞および/または充満により)制
限することができる。これにより、蒸着領域での反応プ
ロセスのスパンがインジェクタの全長内に制限され、か
つウェーハ121の縁部を通る反応プロセスの発生が最
小になる。
As shown in FIGS. 2 and 3, each injector head 122a-122d includes one or more injector heads 122a-122d extending in the lengthwise direction of the injector along the Z-axis (shown in the plane of the paper of FIG. 1). It has an elongated passage 150. A distribution channel 152 extends from each elongated passage 150 to the drug supply surface 154. Each distribution channel 152 extending from each elongated passage 150 converges in a region 156 formed in the supply surface 154. The region 156 can be formed in a concave shape as shown in FIGS. Alternatively, area 15
6 may be formed flat or may be concave. Distribution channel 1
52, region 156 and supply surface 154 can be formed along the length of injector head 122. In another embodiment, one or more elongated passages 1 are provided to prevent one or more reactants from spanning the entire length of the injector.
50 and / or distribution channel 152 can be restricted at these ends (eg, by occlusion, plugging and / or filling). This limits the span of the reaction process in the deposition area to within the length of the injector and minimizes the occurrence of the reaction process through the edge of the wafer 121.

【0017】再び図2を参照すると、インジェクタ組立
体120にガスを供給するため、インジェクタの各端に
ガス入口端キャップ160、162が連結されており、
ガス状薬品を細長通路150に供給できるようになって
いる。各端キャップ160、162には、いずれかの通
路150に一致する1つ以上の開口163が設けられて
いる。端キャップは、開口163を介してガスを通路1
50内に供給するためのガス供給入口(図示せず)に固
定される。開口163は各端キャップ160または16
2において同一パターンにする必要はなく、ガスは、各
端キャップでの開口163の配置に基いて、インジェク
タの一端または両端から通路150内に搬送されること
に留意することが重要である。例えば図2に示すよう
に、端キャップ160は通路150b、150cと整合
する2つの開口163を有し、端キャップ162は通路
150aと整合する1つの開口163を有している。イ
ンジェクタヘッドと各端キャップ160、162との間
には、気密シールを形成するシール164が配置されて
いる。シール164はろう付け材料で形成でき、この場
合には、ろう付け加工中にろう付け材料が溶融して、端
キャップ160、162がインジェクタヘッドにろう付
けされるため単一本体が形成される。或いは、端キャッ
プ160、162は、金属要素を固定するためのリベッ
ト、ボルト、ピンまたは他の任意の手段によりインジェ
クタヘッドに固定できる。
Referring again to FIG. 2, gas inlet end caps 160, 162 are connected to each end of the injector for supplying gas to the injector assembly 120,
A gaseous chemical can be supplied to the elongated passage 150. Each end cap 160, 162 is provided with one or more openings 163 that match either passage 150. The end cap allows the passage of gas through the opening 163.
It is fixed to a gas supply inlet (not shown) for supplying into 50. The opening 163 is provided at each end cap 160 or 16
It is important to note that the gases do not have to be in the same pattern at 2, and that the gas is delivered into the passage 150 from one or both ends of the injector based on the placement of the openings 163 at each end cap. For example, as shown in FIG. 2, end cap 160 has two openings 163 aligned with passageways 150b, 150c and end cap 162 has one opening 163 aligned with passageway 150a. A seal 164 is arranged between the injector head and each end cap 160, 162 to form an airtight seal. The seal 164 may be formed of a brazing material, in which case the brazing material melts during the brazing process and the end caps 160, 162 are brazed to the injector head to form a single body. Alternatively, the end caps 160, 162 can be secured to the injector head by rivets, bolts, pins or any other means for securing metal elements.

【0018】基板121上に材料の層すなわち膜を蒸着
させるため、反応ガスが、通路および分配チャネルを通
してガス供給面154に搬送される。特別な長所は、ガ
スを各通路150および各チャネル152内で別々に搬
送できることである。これにより、ガスの事前混合およ
び/または事前反応が最小限になる。ガスが領域156
に流入すると、ガスはガス供給面154の領域内で混合
および反応して、材料の層を基板121の表面上に蒸着
する。例えば酸化ケイ素を蒸着させる場合には、シラン
および酸素またはTEOSおよびオゾンを各通路150
内で独立的に搬送できる。また、窒素等のパージガスを
1つ以上の通路150内で別々に搬送できる。パージガ
スは、1つの蒸着を隣接領域から隔絶させるのに使用で
き、また反応ガスの事前反応の防止を補助することがで
きる。別の構成として、インジェクタ組立体120内で
の蒸着物の形成を最小にするため、1つ以上の通路15
0は、エッチング液種を供給するように構成することも
できる。
To deposit a layer or film of material on the substrate 121, reactive gas is conveyed to the gas supply surface 154 through the passages and distribution channels. A particular advantage is that the gas can be carried separately in each passage 150 and each channel 152. This minimizes gas premixing and / or prereaction. Gas is in area 156
The gas mixes and reacts in the region of the gas supply surface 154 to deposit a layer of material on the surface of the substrate 121. For example, when depositing silicon oxide, silane and oxygen or TEOS and ozone are supplied to each passage 150.
It can be transported independently inside. In addition, purge gas such as nitrogen can be separately conveyed in the one or more passages 150. The purge gas can be used to isolate one deposition from adjacent areas and can help prevent pre-reaction of the reactive gas. Alternatively, one or more passageways 15 may be provided to minimize the formation of deposits within the injector assembly 120.
0 can also be configured to supply an etchant species.

【0019】供給面154は凹状領域からインジェクタ
ヘッドの外縁部158a、158bへと両方向に延びて
大きい表面積を形成しており、これにより露出される製
品すなわち基板(例えばシリコンウェーハ)121への
ガス露出を増大させ、大きい化学反応を行なうことがで
きる。細長通路150には、該細長通路を通る均一なガ
ス分配を行なう補助をする定量チューブ172を設ける
ことができる。一実施形態では、インジェクタには、該
インジェクタの内部でこの長さ方向に沿って形成される
1つ以上の付加細長通路174を設け、インジェクタの
温度を制御する冷却流体を循環させることができる。
The supply surface 154 extends in both directions from the recessed area to the outer edges 158a, 158b of the injector head to form a large surface area, thereby exposing the exposed product or substrate 121 (eg, a silicon wafer) 121 to gas. And large chemical reactions can be carried out. The elongated passageway 150 may be provided with a metering tube 172 to aid in uniform gas distribution through the elongated passageway. In one embodiment, the injector may be provided with one or more additional elongated passages 174 formed along the length within the injector to circulate a cooling fluid that controls the temperature of the injector.

【0020】一実施形態では、インジェクタヘッド12
4a、124bは、蒸着中にパージガスを供給するよう
に構成されている。パージガスの流れは、好ましくは、
インジェクタヘッド124a、124bの下の領域と基
板121との間に不活性ガスバリヤすなわちセミシール
176を形成するように作用し、反応ガスが蒸着領域か
ら逃散してCVD装置(図示せず)の他の部分または周
囲の環境内に流入することを実質的に防止する。端イン
ジェクタヘッド124a、124bはまた、基板表面の
方向に突出し、この突出部と基板との間のインジェクタ
組立体の周囲に小間隙領域を形成する或る長さ部分を有
し、「セミシール」を形成している。このセミシール
は、所望の加工領域からの反応種の拡散を最小にする補
助をなす。他の実施形態では、端インジェクタヘッド1
24は、インジェクタ組立体120内での蒸着の形成を
最小にするエッチング液種を供給するように構成するこ
ともできる。
In one embodiment, the injector head 12
4a and 124b are configured to supply a purge gas during vapor deposition. The flow of purge gas is preferably
Acts to form an inert gas barrier or semi-seal 176 between the area under the injector heads 124a, 124b and the substrate 121, allowing the reactive gas to escape from the deposition area and to cause other parts of the CVD apparatus (not shown). Or substantially prevent it from flowing into the surrounding environment. The end injector heads 124a, 124b also have a length that protrudes toward the substrate surface and forms a small gap area around the injector assembly between the protrusion and the substrate, providing a "semi-seal". Is forming. This semi-seal helps minimize the diffusion of reactive species from the desired processing area. In another embodiment, the end injector head 1
24 may also be configured to provide an etchant species that minimizes formation of vapor deposition within injector assembly 120.

【0021】前述のように、本発明は、モジュラインジ
ェクタ組立体120を提供する。各インジェクタヘッド
は別体部片であり、組立体120を形成すべく配置され
かつ個々に取り付けられている。これにより、大きなフ
レキシビリティが得られる。個々のインジェクタヘッド
122、124は、全体的に取り換えるか取り外すこと
ができる。付加インジェクタヘッド122、124を付
加することもできる。異なる形式のインジェクタヘッド
122、124を使用して異なる蒸着パターンを創出す
ることもできる。これにより、システムのチャンバ構造
を改造し、最適化しおよび/または異なる用途に適合さ
せることができる。インジェクタ122a〜122d
は、これらのインジェクタ122a〜122dにより占
拠された全領域をスパンする1つのインジェクタで置換
して、大きい長さをもつガス供給面154を有するイン
ジェクタを創出することができる。これにより、プロセ
スリアクタ内での非常に長い滞留時間を必要とする化学
物質および反応の使用を可能にする。
As mentioned above, the present invention provides a modular injector assembly 120. Each injector head is a separate piece, arranged and individually mounted to form the assembly 120. This gives great flexibility. The individual injector heads 122, 124 can be entirely replaced or removed. Additional injector heads 122,124 can also be added. Different types of injector heads 122, 124 can also be used to create different deposition patterns. This allows the chamber structure of the system to be modified, optimized and / or adapted for different applications. Injectors 122a to 122d
Can be replaced with one injector that spans the entire area occupied by these injectors 122a-122d, creating an injector with a gas delivery surface 154 having a large length. This allows the use of chemicals and reactions that require very long residence times in the process reactor.

【0022】より詳しくは、本発明のモジュラの特徴が
図4および図5により詳細に示されている。一般に、イ
ンジェクタ組立体120は取付け板126に取り付けら
れる。前述のように、特別な長所として、本発明は、取
付け板126への各インジェクタヘッド122、124
の個別的取付け技術を提供する。図5に示す一実施形態
では、取付け板126は、上面を形成するフランジ13
3を備えた側壁131で形成され、かつ底面135を備
えた凹状トラフを備えている。底面35内には、1つ以
上の排出スロット132および複数の固定孔178が形
成されている。排出スロット132は、Z軸線に沿って
取付け板126の大きい長さに亘って延びており、かつ
インジェクタ組立体120の各排出チャネル134と流
体連通している。固定孔178は底面135の全体に亘
って配置されており、インジェクタヘッド122、12
4および後述の排出板を取付け板126に固定する。取
付け板126の一実施形態を示したが、当業者ならば、
本発明の範囲から逸脱することなく、取付け板126を
他の形態、例えば排出スロットおよび固定孔を備えた平
板に構成できることは理解されよう。
More particularly, the modular features of the present invention are shown in more detail in FIGS. Generally, injector assembly 120 is mounted to mounting plate 126. As mentioned above, as a particular advantage, the present invention provides for each injector head 122, 124 to mount plate 126.
To provide individual mounting technology. In one embodiment shown in FIG. 5, the mounting plate 126 includes a flange 13 forming an upper surface.
3 has a concave trough formed of side walls 131 with a bottom surface 135. One or more ejection slots 132 and a plurality of fixing holes 178 are formed in the bottom surface 35. The exhaust slot 132 extends along the Z-axis along a large length of the mounting plate 126 and is in fluid communication with each exhaust channel 134 of the injector assembly 120. The fixing hole 178 is arranged over the entire bottom surface 135, and the injector heads 122, 12 are provided.
4 and the discharge plate described later are fixed to the mounting plate 126. Although one embodiment of mounting plate 126 is shown, one of ordinary skill in the art would appreciate that
It will be appreciated that the mounting plate 126 can be configured in other configurations, such as a flat plate with ejection slots and locking holes, without departing from the scope of the present invention.

【0023】図6〜図10に詳細に示すように、取付け
板126には排出組立体130が連結されている。排出
組立体130は、下方排出板140と、上方排出板14
2と、外側排出マニホルド146と、内側排出マニホル
ド組立体148とを有している。一般に、下方および上
方の排出板140、142はインジェクタの排出チャネ
ル134と直接干渉して、インジェクタ組立体からガス
を除去する機能を有する。外側および内側の排出マニホ
ルド146、148はインジェクタ組立体の端部および
中央部からのガスの排出流をバランスさせて、ガスの制
御された実質的に均一な排出を促進する機能を有する。
A discharge assembly 130 is connected to the mounting plate 126, as shown in detail in FIGS. The eject assembly 130 includes a lower eject plate 140 and an upper eject plate 14.
2, an outer exhaust manifold 146, and an inner exhaust manifold assembly 148. In general, the lower and upper exhaust plates 140, 142 have the function of directly interfering with the injector exhaust channels 134 to remove gas from the injector assembly. Outer and inner exhaust manifolds 146, 148 function to balance the exhaust flow of gas from the end and center portions of the injector assembly, facilitating controlled and substantially uniform exhaust of gas.

【0024】下方排出板140は、図6に詳細図で、お
よび図1に断面図で示されている。一般に、下方排出板
140には、外方にテーパした形状をもつ1つ以上の排
出チャネル136が貫通して形成されている。テーパ状
排出チャネル136は細長く、かつZ軸線に沿って下方
排出板140の大きい長さに亘って延びている。インジ
ェクタ組立体120の各排出スロット134について、
1つのテーパ状排出チャネル136が設けられている。
下方排出板140は取付け板126内に固定され(図1
参照)、かつテーパ状排出チャネル136が、取付け板
126内に形成された排出チャネル132および互いに
隣接するインジェクタヘッド122、124の間に形成
された排出スロット134と整合するようにして、イン
ジェクタヘッドに対して配置されている。テーパ状排出
チャネル136は、取付け板126に隣接する基部が幅
狭であり、次に、上方排出板142に隣接する頂部が幅
広になるように実質的に直線状の態様で外方にテーパし
ている。他の実施形態では、テーパ状排出チャネル13
6は、直線状の態様以外の輪郭態様でテーパ状に形成で
きる。例えば、幅広輪郭の開口をチャネル136の上端
部に配置することもできる。或る用途では、インジェク
タの下を横切る縁部の近くの基板上の不均一な蒸着部分
を低減させるため、インジェクタの端部で高い吸引力が
得られるようにするのが有効である。
The lower discharge plate 140 is shown in detail in FIG. 6 and in cross-section in FIG. Generally, the lower drain plate 140 is formed with one or more drain channels 136 having an outwardly tapered shape. The tapered discharge channel 136 is elongated and extends along the Z-axis for a large length of the lower discharge plate 140. For each ejection slot 134 of the injector assembly 120,
One tapered drain channel 136 is provided.
The lower discharge plate 140 is fixed in the mounting plate 126 (see FIG. 1).
And the tapered ejection channel 136 aligns with the ejection channel 132 formed in the mounting plate 126 and the ejection slot 134 formed between the adjacent injector heads 122, 124. It is placed against. The tapered drainage channel 136 tapers outwardly in a substantially linear manner such that the base adjacent the mounting plate 126 is narrow and then the top adjacent the upper discharge plate 142 is wide. ing. In another embodiment, the tapered exhaust channel 13
6 can be formed in a tapered shape in a contour mode other than the linear mode. For example, a wide contoured opening may be located at the upper end of channel 136. In some applications, it is beneficial to have a high suction force at the ends of the injector to reduce non-uniform deposition on the substrate near the edges that traverse under the injector.

【0025】下方排出板140のテーパ状排出チャネル
136は、下方排出板140に隣接して連結される上方
排出板142の排出ポート210とも整合している。こ
れにより、ガス供給面154から下方および上方の排出
板を貫通する実質的に連続した1つの排出ガス流路が形
成される。上方排出板142は下方排出板140の上に
配置され、かつ所定位置において取付け板126に固定
される。固定孔は、上下の排出板を取付け板に固定する
ためのボルト、リベット、ピンまたは他の任意の手段を
受け入れるように構成されている。
The tapered exhaust channel 136 of the lower exhaust plate 140 is also aligned with the exhaust port 210 of the upper exhaust plate 142 which is connected adjacent to the lower exhaust plate 140. As a result, one substantially continuous exhaust gas flow path is formed from the gas supply surface 154 through the lower and upper discharge plates. The upper discharge plate 142 is disposed on the lower discharge plate 140 and is fixed to the mounting plate 126 at a predetermined position. The securing holes are configured to receive bolts, rivets, pins or any other means for securing the upper and lower ejection plates to the mounting plate.

【0026】特別な長所として、本発明は、制御された
および/または実質的に均一な態様でガスの除去を行な
う。より詳しくは、本発明は、「ライン源」から「ポイ
ント源」へのガスの排出を行なう。すなわち、ガスは、
インジェクタ(すなわちライン源)の長さに沿って、排
出チャネル134を介して、下方および上方の排出板1
40、142を通って、上方排出板142の頂部の出口
ポート210(すなわちポイント源)に排出される。
As a particular advantage, the present invention provides gas removal in a controlled and / or substantially uniform manner. More specifically, the present invention provides for the discharge of gas from a "line source" to a "point source". That is, the gas is
Lower and upper discharge plates 1 along the length of the injector (ie line source), via discharge channels 134.
Through 40, 142 to the outlet port 210 (ie, point source) at the top of the upper discharge plate 142.

【0027】図1および図7〜図9を参照して、この特
徴を説明する。前述のように、下方排出板140の排出
チャネル136は外方にテーパしており、これにより排
出ガスのための大きい体積が形成される。上方排出板1
42は、該第二排出板142を貫通している1つ以上の
排出ポート210を有している。インジェクタ組立体1
20の長さ方向に沿う断面図である図8に示すように、
ポート210aはその基端部に幅広の細長開端部213
を有し、該開端部213はZ軸線方向に沿って上方排出
板142の大きい長さに亘って延び、次に、好ましくは
上方排出板142の頂面212の2つ(すなわち二重)
の幅狭ポート210a1、210a2に終端するように
内方に向ってテーパしている。2つのポートが示されて
いるが、他の実施形態では、1つのみの、または2つ以
上のポートを使用することもできる。実質的に均一な排
出流を促進するため、二重排出ポート210a1、21
0a2は2つの内部キャビティ216a、216bが中
央部分220により分離されるように配置され、かつ各
キャビティ216a、216bは各排出ポートの幅広端
213の長さLが第1排出板140のテーパ状排出チャ
ネル136の長さの1/2に実質的に等しくなるように
テーパしている。好ましい一実施形態では、ウェーハ表
面から上方排出板の二重出口の始端に至る排出通路の高
さとその幅とのアスペクト比(縦横比)は約0.6以上
である。
This feature will be described with reference to FIGS. 1 and 7 to 9. As previously mentioned, the exhaust channel 136 of the lower exhaust plate 140 tapers outwardly, which creates a large volume for exhaust gas. Upper discharge plate 1
42 has one or more discharge ports 210 penetrating the second discharge plate 142. Injector assembly 1
As shown in FIG. 8, which is a sectional view taken along the length direction of 20,
The port 210a has a wide, elongated open end 213 at its proximal end.
And the open end 213 extends along the Z-axis along a large length of the upper discharge plate 142, and then preferably two (ie, double) top surfaces 212 of the upper discharge plate 142.
Of the narrow ports 210a1 and 210a2 are tapered inward. Although two ports are shown, other embodiments may use only one port or more than one port. In order to promote a substantially uniform exhaust flow, the dual exhaust ports 210a1, 21
0a2 is arranged such that the two inner cavities 216a, 216b are separated by the central portion 220, and each cavity 216a, 216b has a length L of the wide end 213 of each discharge port that is tapered discharge of the first discharge plate 140. It tapers to be substantially equal to one-half the length of the channel 136. In a preferred embodiment, the aspect ratio (aspect ratio) of the height and width of the discharge passage from the wafer surface to the beginning of the double outlet of the upper discharge plate is about 0.6 or more.

【0028】上方排出板142には、該上方排出板14
2と下方排出板140および取付け板126とを固定お
よび整合させ、全ての排出スロットおよびチャネルを整
合させかつ組立体全体の気密シールを確保するための固
定孔178が形成されている。各排出ポート210の周
囲には排出チューブ取付け孔214が形成されており、
排出チューブ(後述)を、気密シールが形成されるよう
にして上方排出板142に固定できるようにしている。
The upper discharge plate 142 includes the upper discharge plate 14
2 and the lower ejector plate 140 and mounting plate 126 are secured and aligned to form a locking hole 178 for aligning all drainage slots and channels and ensuring a hermetic seal of the entire assembly. A discharge tube mounting hole 214 is formed around each discharge port 210,
A discharge tube (described later) can be fixed to the upper discharge plate 142 so that an airtight seal is formed.

【0029】特別な長所は、本発明の排出システム13
0が更に、インジェクタヘッド122a〜122dおよ
び端インジェクタヘッド124a、124bからの排出
流をバランスさせる手段を有していることである。排出
流をバランスさせる手段を設けることにより、インジェ
クタ組立体120の設計のフレキシビリティおよび選択
性を大幅に促進できる。例えば、インジェクタ組立体の
内側領域および外側領域に独立した排出マニホルドを設
けることにより、インジェクタ組立体が、アンバランス
な数すなわち奇数のインジェクタまたは排出チャネルを
採用することが可能になる(例えば、5つの排出チャネ
ル134a〜134eが設けられている図1参照)。
A particular advantage is that the discharge system 13 of the present invention.
0 further comprises means for balancing the exhaust flow from the injector heads 122a-122d and the end injector heads 124a, 124b. Providing a means for balancing the exhaust flow can greatly facilitate the flexibility and selectivity of the injector assembly 120 design. For example, providing separate exhaust manifolds in the inner and outer regions of the injector assembly allows the injector assembly to employ an unbalanced or odd number of injectors or exhaust channels (eg, five injectors). (See FIG. 1 where exhaust channels 134a-134e are provided).

【0030】より詳しくは、一例示実施形態では、排出
システム130は更に、図10〜図17に詳細に示すよ
うに、外側排出マニホルド146および内側排出マニホ
ルド組立体148を有している。概略的に説明すると、
外側排出ガスマニホルド146は2つの板230を有
し、各板230は、インジェクタ組立体120の大きい
長さに亘って延びておりかつ板230の各端部に形成さ
れた2つの貫通通路232を有している。板230の各
通路232には、U型チューブ234が連結されてい
る。U型チューブ234の湾曲セクションの頂部には、
該チューブおよび板を共通の外側排出ライン237に連
結するためのフィッシュマウスフランジのような適当な
コネクタ235が取り付けられている。
More specifically, in one exemplary embodiment, exhaust system 130 further includes an outer exhaust manifold 146 and an inner exhaust manifold assembly 148, as shown in detail in FIGS. If you explain roughly,
The outer exhaust gas manifold 146 has two plates 230, each plate 230 extending over a large length of the injector assembly 120 and having two through passages 232 formed at each end of the plate 230. Have A U-shaped tube 234 is connected to each passage 232 of the plate 230. At the top of the curved section of U-tube 234,
A suitable connector 235, such as a fish mouth flange, is attached to connect the tube and plate to a common outer drain line 237.

【0031】外側排出ガスマニホルド146は、両端イ
ンジェクタヘッド124a、124bに流体連通してお
りかつインジェクタ組立体120の最外排出チャネル
(すなわち、図示の例示実施形態では排出チャネル13
4a、134e)を通る最終排出流路を形成する。より
詳しくは、各板230は、該板230の各端部の貫通通
路232が、最外すなわち端インジェクタヘッド124
a、124bおよび外側半部のインジェクタ122a、
122dに一致する二重出口ポート210a1、210
a2と長手方向に整合するように上方排出板142に取
り付けられている。インジェクタ組立体120の両端部
には2つの端インジェクタ124a、124bが配置さ
れているので、外側排出マニホルド146は、上方排出
板142の両端部に配置された2つの対応板230およ
びチューブ234を有している。板230とチューブ2
34との2つの組立体は、T型コネクタ238を介して
外側排出ライン237に一緒に連結されている。かくし
て、端インジェクタヘッド124a、124bおよび外
側インジェクタ122a、122dからガスを除去する
ため、ガスは、それぞれ、最外排出チャネル134a、
134eを通り、対応する取付け板126の最外排出ス
ロット132を上向きに流れ、下方および上方の排出板
の対応する最外排出チャネル136a、136eを通
り、外側排出マニホルドの通路232およびチューブ2
34を通り、外側排出ライン237から流出して、最後
に共通の主排出ダクト236に到達する。
Outer exhaust gas manifold 146 is in fluid communication with double ended injector heads 124a, 124b and is the outermost exhaust channel of injector assembly 120 (ie, exhaust channel 13 in the illustrated exemplary embodiment).
4a, 134e) to form the final exhaust flow path. More specifically, each plate 230 has a through passage 232 at each end of the plate 230 that is the outermost or end injector head 124.
a, 124b and the outer half injector 122a,
Dual exit ports 210a1, 210 matching 122d
It is attached to the upper discharge plate 142 so as to be aligned with a2 in the longitudinal direction. Since the two end injectors 124a, 124b are located at opposite ends of the injector assembly 120, the outer exhaust manifold 146 has two corresponding plates 230 and tubes 234 located at opposite ends of the upper exhaust plate 142. is doing. Plate 230 and tube 2
The two assemblies with 34 are connected together to the outer drain line 237 via a T-connector 238. Thus, the gas is removed from the end injector heads 124a, 124b and the outer injectors 122a, 122d to remove the gas from the outermost exhaust channels 134a, 134a, respectively.
134e, upwardly through the outermost discharge slots 132 of the corresponding mounting plate 126, and through the corresponding outermost discharge channels 136a, 136e of the lower and upper discharge plates, the outer discharge manifold passageway 232 and the tube 2
Out of the outer exhaust line 237 through 34 and finally to the common main exhaust duct 236.

【0032】大きな長所として、本発明は、インジェク
タ組立体の内側排出チャネルおよび外側排出チャネルの
別々の排出を行なう。内側チャネル(例えば、図示の例
示実施形態に示す排出チャネル134b、134c、1
34d)の排出を行なうため、内側排出マニホルド組立
体148が使用される。図12〜図17には、内側排出
マニホルド組立体148がより詳細に示されている。内
側排出マニホルド組立体148は、インジェクタ組立体
120の大きい長に亘って延びている板240を有して
いる。板240には複数の貫通通路242が形成されて
いる。図12に示すように、貫通通路242は2つの対
をなして設けられており、1つの対の各通路は、板24
0の長手方向両端部に配置されている。板240の各通
路242にはチューブ244が連結されており、該チュ
ーブ244はそれぞれの通路242をバランシングユニ
ット246に連結する。
As a great advantage, the present invention provides separate ejection of the inner and outer ejection channels of the injector assembly. Inner channels (e.g., exhaust channels 134b, 134c, 1 shown in the illustrated exemplary embodiment).
An inner exhaust manifold assembly 148 is used to provide the exhaust of 34d). The inner exhaust manifold assembly 148 is shown in greater detail in FIGS. 12-17. The inner exhaust manifold assembly 148 includes a plate 240 that extends the large length of the injector assembly 120. A plurality of through passages 242 are formed in the plate 240. As shown in FIG. 12, the through passages 242 are provided in two pairs, and each passage of one pair is formed by the plate 24.
0 are arranged at both ends in the longitudinal direction. A tube 244 is connected to each passage 242 of the plate 240, and the tube 244 connects each passage 242 to the balancing unit 246.

【0033】外側排出ガスマニホルド146と同様に、
内側排出ガスマニホルド148は内側インジェクタヘッ
ド122a〜122dおよび内側インジェクタ122
b、122cの内側半部に流体連通しており、かつイン
ジェクタ組立体120の内側排出チャネル(すなわち、
図示の例示実施形態の排出チャネル134b、134
c、134d)を通るガスの最終排出流路を形成してい
る。より詳しくは、板240は、該板240のの各端部
の貫通通路242が内側インジェクタヘッド122b、
122c、122dの排出チャネルに一致する二重出口
ポート210a、210bと長手方向に整合するように
して、上方排出板142に取り付けられている。図示の
実施形態は、各インジェクタに2つ(すなわち二重)の
出口ポートを備えた3つの内側インジェクタヘッド、従
って板240に6つの貫通孔242を形成しているが、
当業者ならば、本発明の範囲から逸脱することなく他の
構造を採用できることは理解されよう。
Similar to the outer exhaust gas manifold 146,
Inner exhaust gas manifold 148 includes inner injector heads 122a-122d and inner injector 122.
b, 122c in fluid communication with the inner halves and the inner exhaust channel (ie,
The exhaust channels 134b, 134 of the illustrated exemplary embodiment
c, 134d) forming the final exhaust flow path for gas. More specifically, the plate 240 has a through passage 242 at each end of the plate 240 having an inner injector head 122b,
It is attached to the upper discharge plate 142 in longitudinal alignment with the dual outlet ports 210a, 210b that match the discharge channels of 122c, 122d. Although the illustrated embodiment forms three inner injector heads with two (ie, dual) outlet ports for each injector, and thus six through holes 242 in plate 240,
Those skilled in the art will appreciate that other constructions can be employed without departing from the scope of the invention.

【0034】システムから排出させるため、ガスは、内
側排出チャネル134b、134c、134dを通り、
取付け板126の対応する内側排出スロット132を通
って上昇し、それぞれ下方および上方の排出板の対応す
る内側排出チャネル136b、136c、136dおよ
び210b、210c、210dを通り、通路242か
ら流出してチューブ244内に入る。チューブ244
は、これらの他端部がバランシングユニット246に連
結されている。特別な長所として、バランシングユニッ
ト246は、奇数の排出チャネルが使用される場合で
も、排出ガスの実質的に均一な流れを促進する。
To vent from the system, gas passes through the inner vent channels 134b, 134c, 134d,
The tube rises through the corresponding inner drainage slots 132 of the mounting plate 126 and exits the passageway 242 through the corresponding inner drainage channels 136b, 136c, 136d and 210b, 210c, 210d of the lower and upper drain plates, respectively. Enter in 244. Tube 244
Are connected at their other ends to the balancing unit 246. As a special advantage, the balancing unit 246 promotes a substantially uniform flow of exhaust gas, even when an odd number of exhaust channels are used.

【0035】図15〜図17Bには、バランシングユニ
ット246がより詳細に示されている。概略的に説明す
ると、バランシングユニット246は、頂板250と、
底板252と、中央シートすなわちブレーズ箔254と
を有している。特に図16Aおよび図16Bに示すよう
に、底板252には複数の凹状チャネル255が形成さ
れている。各チューブ244について、1つの凹状チャ
ネル255が形成されている。各凹状チャネル255
は、それぞれのチューブの一端がバランシングユニット
に連結される箇所に設けられた入口256を有してい
る。各凹状チャネル255はユニット246の中央に向
って内方に延びており、この中央には、チャネル255
の反対側端部が中央領域258に収斂しており、出口ポ
ート259が設けられている。出口ポート259は、フ
ランジ262を介して内側排出ライン260に連結され
ている。内側排出ライン260は、この例では弁300
を介して主排出ダクト236に連結されている。
The balancing unit 246 is shown in more detail in FIGS. 15-17B. Generally speaking, the balancing unit 246 includes a top plate 250,
It has a bottom plate 252 and a central sheet or blaze foil 254. In particular, as shown in FIGS. 16A and 16B, bottom plate 252 has a plurality of recessed channels 255 formed therein. One concave channel 255 is formed for each tube 244. Each concave channel 255
Has an inlet 256 at one end of each tube connected to the balancing unit. Each recessed channel 255 extends inwardly toward the center of the unit 246, in the center of which channel 255
The opposite end converges in the central region 258 and is provided with an outlet port 259. The outlet port 259 is connected to the inner discharge line 260 via the flange 262. The inner discharge line 260 is the valve 300 in this example.
Is connected to the main discharge duct 236 via the.

【0036】図17Aおよび図17Bに示すように、頂
板250も、ユニットの中央の中央凹状領域268に向
って内方に収斂する複数の凹状チャネル265を有して
いる。頂板250の凹状チャネル265および中央領域
268は、入口または出口が存在しない点を除き、底板
252の凹状チャネル255と鏡像関係をなしている。
かくして、頂板250および底板252がシールされる
と、これらの中には、バランシングユニット246の底
面の複数の入口256および単一の中央出口258を備
えた複数のチャネルが形成される。
As shown in FIGS. 17A and 17B, the top plate 250 also has a plurality of concave channels 265 that converge inwardly toward a central concave region 268 of the unit. The concave channel 265 and the central region 268 of the top plate 250 are mirror images of the concave channel 255 of the bottom plate 252 except that there are no inlets or outlets.
Thus, when the top plate 250 and the bottom plate 252 are sealed, they form a plurality of channels with a plurality of inlets 256 and a single central outlet 258 in the bottom surface of the balancing unit 246.

【0037】バランシングユニット246内のチャネル
は、内側インジェクタヘッド122からの排出ガス流に
流体連通している。前述のように、この排出ガスはチュ
ーブ244内に流入する。各チューブ244は底板25
2の入口256に連結されている。ガスは、入口256
に流入してチャネルを通り、中央出口258およびポー
ト259を通って流出する。複数の全部の入口256か
らのガスは、それぞれのチューブからのガス流をバラン
スさせる単一の中央出口258に搬送され、また流体連
通しているため、インジェクタ組立体の各排出チャネル
134からのガス流がバランスされる。好ましい一実施
形態では、全ての排出チューブ244が同じ長さおよび
形状を有し、バランシングユニット246は、内側ポー
ト210から最終出口259に至る各排出経路を同じ長
さにする。内側および外側の排出経路の上記バランシン
グに加え、弁300の使用によりインジェクタ120の
第二作動モードが可能になる。弁300を閉じると、反
応副生物を浄化できるガス種を、フィッシュマウスフラ
ンジ301を介して内側排出チューブ内に導入できる。
内側排出チューブと主排出ダクトとを連結する弁が閉じ
られると、浄化ガスは、内側排出バランサを通り、多数
の内側排出経路を介してプロセスチャンバ内に戻され
る。バランシングユニットは、浄化ガスを、プロセスチ
ャンバに通じる各排出経路に均一に分配すべく機能す
る。蒸着副生物と反応する浄化ガスの流出物(effluent
s)は、2つの外側排出経路を介して全て除去される。
The channels within the balancing unit 246 are in fluid communication with the exhaust gas flow from the inner injector head 122. As described above, this exhaust gas flows into the tube 244. Each tube 244 has a bottom plate 25
Two inlets 256 are connected. Gas is the inlet 256
Through the channel and out through the central outlet 258 and port 259. The gas from all of the multiple inlets 256 is delivered to and in fluid communication with a single central outlet 258 that balances the gas flow from the respective tubes so that the gas from each exhaust channel 134 of the injector assembly is The flow is balanced. In one preferred embodiment, all drainage tubes 244 have the same length and shape and balancing unit 246 ensures that each drainage path from inner port 210 to final outlet 259 has the same length. In addition to the above balancing of the inner and outer exhaust paths, the use of valve 300 allows a second mode of operation of injector 120. When the valve 300 is closed, a gas species capable of purifying reaction by-products can be introduced into the inner exhaust tube through the fish mouth flange 301.
When the valve connecting the inner exhaust tube and the main exhaust duct is closed, the purge gas is returned through the inner exhaust balancer and into the process chamber via multiple inner exhaust passages. The balancing unit serves to evenly distribute the purge gas to each exhaust path leading to the process chamber. Clean gas effluent that reacts with deposition by-products (effluent
s) is all removed via the two outer outlet channels.

【0038】要約すると、本発明のモジュラインジェク
タ/排出組立体は、細長い通路および分配チャネルによ
り供給される単一の細長本体を有している。一実施形態
では、細長通路、分配チャネルおよび凹状領域は、ワイ
ヤEDM加工により形成される。次に、ガス入口端キャ
ップインジェクタが、ろう付け、ボルト止めまたは他の
手段によりインジェクタ組立体に固定され、インジェク
タ本体を形成する。各細長チャネル内に均一に分配する
ため、インジェクタ本体の頂部の個々の入口から別々の
薬品を導きかつ分配する定量手段を設けることができ、
薬品は次に供給面に導かれる。これらの複数のインジェ
クタは、複数のインジェクタを互いに位置決めする単一
の取付け板にボルト止めされる。排出経路は、或る距離
を隔てて並べて配置される2つのインジェクタにより形
成される。取付け板はテーパ状排出チャネルと整合した
排出スロットを有し、付加排出チューブまたはダクトが
取付け板の頂部にボルト止めされ、次に蒸着領域から出
る排出副生物を案内する排出組立体にボルト止めされ
る。次に、インジェクタを備えた取付け板がCVDチャ
ンバ上に配置され、これにより、インジェクタ供給面が
プロセスチャンバの内側面を形成する。
In summary, the modular injector / exhaust assembly of the present invention has a single elongate body provided by an elongated passage and distribution channel. In one embodiment, the elongated passages, distribution channels and recessed regions are formed by wire EDM processing. The gas inlet end cap injector is then secured to the injector assembly by brazing, bolting or other means to form the injector body. For even distribution within each elongated channel, metering means can be provided to direct and dispense separate chemicals from individual inlets at the top of the injector body,
The drug is then directed to the supply surface. These injectors are bolted to a single mounting plate that positions the injectors relative to each other. The discharge path is formed by two injectors arranged side by side with a certain distance. The mounting plate has a discharge slot aligned with the tapered discharge channel and an additional discharge tube or duct is bolted to the top of the mounting plate and then to a discharge assembly that guides discharge by-products exiting the deposition area. It Next, a mounting plate with injectors is placed over the CVD chamber such that the injector feed surface forms the inner surface of the process chamber.

【0039】本発明のモジュラインジェクタは、従来技
術のマルチブロックインジェクタに比べて長所を有す
る。本発明のモジュラインジェクタの製造により、幾つ
かの工作機械と平行してワイヤEDM工程を行なうこと
が可能になる。モジュラインジェクタはまた、時間およ
び費用をかけることなく、単一ユニットにおいてインジ
ェクタ表面の詳細形状を変化させることを可能にする。
インジェクタ本体の端キャップのろう付けはインジェク
タの特徴とは殆ど無関係に行なうことができ、このた
め、ろう付け加工の成功性が高められ、廃棄物およびコ
ストの両方が低減される。個々のインジェクタは、重量
およびサイズが小さいために、組立体の構成前の製造お
よび取扱いを容易にする。反応ガスと接触する表面の電
解研摩は、小型、軽量かつ完全露出型インジェクタによ
り容易に行なわれる。また、誤差、損傷または他の問題
による廃棄コストは非常に小さい。
The modular injector of the present invention has advantages over prior art multi-block injectors. The manufacture of the modular injector of the present invention allows the wire EDM process to be performed in parallel with some machine tools. Modular injectors also make it possible to change the detailed geometry of the injector surface in a single unit, without time and expense.
Brazing of the end caps of the injector body can be done almost independently of the injector characteristics, thus increasing the success of the brazing process and reducing both waste and cost. The individual injectors, due to their low weight and size, facilitate prefabricated manufacturing and handling of the assembly. Electropolishing of the surface in contact with the reaction gas is facilitated by a compact, lightweight and fully exposed injector. Also, the cost of disposal due to errors, damage or other problems is very low.

【0040】個々のインジェクタは、ガス、水および窒
素のフィード(図示せず)を供給しかつ排出経路幅を確
立する干渉板(図示せず)に固定される。個々のインジ
ェクタの端キャップは、インジェクタの端部でのガス漏
洩を防止しかつセミシールを形成する。各インジェクタ
は個々に分岐されているので、各インジェクタは加工ニ
ーズに基いて異なる化学成分をもたせることができる。
下方の排出板には、蒸着ガス速度の流れフィールドパタ
ーンに影響を与える改善された出口形状にすることがで
きる。端インジェクタは、反応体種の領域の両端部に隣
接する不活性ガス領域を形成しかつ組立体120の各遠
位端にセミシールを形成する。インジェクタチャネル、
領域、供給面および輪郭の形状は、蒸着速度、改善され
た薬品使用効率を最適化しかつガス流路を改善すべく変
えることができる。排出チャネル、スロットおよびチュ
ービングは、チャンバ内の排出流の均一性を向上させ
る。
The individual injectors are fixed to an interference plate (not shown) which supplies the gas, water and nitrogen feeds (not shown) and establishes the exhaust path width. The individual injector end caps prevent gas leakage at the injector ends and form a semi-seal. Since each injector is individually branched, each injector can have different chemical components based on processing needs.
The lower discharge plate can have an improved exit geometry that affects the flow field pattern of deposition gas velocity. The end injectors form an inert gas region adjacent the ends of the reactant species region and form a semi-seal at each distal end of the assembly 120. Injector channel,
The shape of the areas, feed surfaces and contours can be varied to optimize deposition rate, improved chemical efficiency and improve gas flow paths. The exhaust channels, slots and tubing improve the uniformity of the exhaust flow within the chamber.

【0041】本発明の他の特徴および長所は、本発明の
開示を読む当業者には明らかであろう。本発明の特定実
施形態および例についての上記説明は例示および説明の
ためのものであり、本発明を上記例について説明した
が、本発明はこれらの例に限定されるものではない。上
記例は排他的なものまたは本発明を説明に係る正確な形
態に限定するものではなく、上記教示から多くの変更を
行ない得ることは明白である。本発明の範囲には、本願
に開示されかつ特許請求の範囲に記載されたものおよび
その均等物が包含される。
Other features and advantages of the invention will be apparent to those of skill in the art upon reading the present disclosure. The foregoing descriptions of specific embodiments and examples of the present invention are provided for purposes of illustration and description, and the present invention has been described above with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. It is clear that the above examples are not intended to be exclusive or to limit the invention to the precise form illustrated, as many changes may be made from the above teachings. The scope of the present invention includes those disclosed in the present application and the claims and their equivalents.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のモジュラ薬品インジェクタ組立体の一
実施形態を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of the modular drug injector assembly of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態による単一モジュラインジ
ェクタヘッドの一実施形態を示す簡単化した組立図であ
る。
FIG. 2 is a simplified assembly view of one embodiment of a single modular ejector head according to one embodiment of the present invention.

【図3】図1の多インジェクタヘッドおよび1つの端イ
ンジェクタを示す部分断面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing the multi-injector head and one end injector of FIG.

【図4】本発明の一実施形態によるインジェクタ組立体
を下から見た斜視図である。
FIG. 4 is a bottom perspective view of an injector assembly according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施形態による取付け板を上から見
た斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view of a mounting plate according to an embodiment of the present invention as viewed from above.

【図6】本発明の一実施形態による第一(下方)排出板
を上から見た斜視図である。
FIG. 6 is a top perspective view of a first (lower) discharge plate according to one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施形態による第二(上方)排出板
を上から見た斜視図である。
FIG. 7 is a top perspective view of a second (upper) discharge plate according to an embodiment of the present invention.

【図8】図7のA−A′線に沿う第二排出板の断面図で
ある。
8 is a cross-sectional view of the second discharge plate taken along the line AA ′ in FIG.

【図9】本発明の一実施形態による第二排出板を示す底
面図である。
FIG. 9 is a bottom view showing the second discharge plate according to the embodiment of the present invention.

【図10】本発明の他の実施形態によるインジェクタ/
排出組立体を上から見た斜視図である。
FIG. 10 shows an injector / according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a perspective view of the ejection assembly seen from above.

【図11】本発明による外側排出マニホルドの一実施形
態を示す簡単化した側面図である。
FIG. 11 is a simplified side view of one embodiment of an outer ejection manifold according to the present invention.

【図12】本発明の一実施形態による内側排出マニホル
ド組立体を上から見た斜視図である。
FIG. 12 is a top perspective view of an inner ejection manifold assembly according to one embodiment of the present invention.

【図13】本発明の一実施形態による内側排出マニホル
ド組立体を側方から見た断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional side view of an inner exhaust manifold assembly according to one embodiment of the present invention.

【図14A】本発明による内側排出マニホルド組立体の
底板の一実施形態を示す平面図である。
FIG. 14A is a plan view of one embodiment of a bottom plate of an inner exhaust manifold assembly according to the present invention.

【図14B】本発明による内側排出マニホルド組立体の
底板の一実施形態を示す側面図である。
FIG. 14B is a side view of one embodiment of the bottom plate of the inner exhaust manifold assembly according to the present invention.

【図14C】図14Aの14C−14C線に沿う断面図
である。
14C is a cross-sectional view taken along line 14C-14C of FIG. 14A.

【図15】本発明による内側排出マニホルド組立体の頂
マニホルドの一実施形態を示す組立図である。
FIG. 15 is an assembly view of one embodiment of a top manifold of an inner exhaust manifold assembly according to the present invention.

【図16A】本発明の一実施形態による図15の頂マニ
ホルドの底板を示す平面図である。
FIG. 16A is a plan view of the bottom plate of the top manifold of FIG. 15 according to one embodiment of the invention.

【図16B】図16Aの16B−16B線に沿う底板の
断面図である。
16B is a cross-sectional view of the bottom plate taken along the line 16B-16B in FIG. 16A.

【図17A】本発明の一実施形態による図15の頂マニ
ホルドの頂板を示す平面図である。
FIG. 17A is a plan view of the top plate of the top manifold of FIG. 15 according to one embodiment of the invention.

【図17B】図17Aの17B−17B線に沿う断面図
である。
17B is a cross-sectional view taken along the line 17B-17B of FIG. 17A.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

120 モジュラインジェクタ組立体 130 排出システム 132 排出スロット 140 下方排出板 142 上方排出板 210 排出ポート 120 Modular injector assembly 130 emission system 132 Ejection slot 140 Lower discharge plate 142 Upper discharge plate 210 discharge port

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチャード マッティーセン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95066 ソコッツ ヴァリー スプレッデ ィング オーク 140 (72)発明者 サミュエル クリタ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 ソコ ッツ ヴァリー バジャ ソル ドライヴ 109 Fターム(参考) 4K030 AA06 AA14 BA44 CA04 EA03 EA11 FA10 KA45 LA15 5F045 AA03 AB32 AC00 AC01 AC07 AC11 AF03 BB08 DP03 EF01   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Richard Matthisen             United States California             95066 Socots Valley Spread             Swing oak 140 (72) Inventor Samuel Kurita             United States California Soko             Ts Valley Baja Sol Drive               109 F term (reference) 4K030 AA06 AA14 BA44 CA04 EA03                       EA11 FA10 KA45 LA15                 5F045 AA03 AB32 AC00 AC01 AC07                       AC11 AF03 BB08 DP03 EF01

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも2つのインジェクタを有し、
該インジェクタは、これらの間に少なくとも1つの排出
チャネルを形成すべく互いに間隔を隔てて隣接して配置
され、 少なくとも2つのインジェクタを固定する取付け板を更
に有し、少なくとも2つのインジェクタの各々が取付け
板に対して個々に取付けまたは取外しでき、取付け板に
は、少なくとも1つの排出チャネルに流体連通している
少なくとも1つの排出スロットが設けられていることを
特徴とする基板にガスを供給するインジェクタ組立体。
1. Having at least two injectors,
The injector further includes a mounting plate disposed adjacent and spaced from each other to form at least one exhaust channel therebetween, and wherein each of the at least two injectors is mounted with a mounting plate for securing the at least two injectors. An injector set for supplying gas to a substrate, which can be individually attached to or detached from the plate, the attachment plate being provided with at least one exhaust slot in fluid communication with at least one exhaust channel. Three-dimensional.
【請求項2】 前記インジェクタは同じ形式であること
を特徴とする請求項1記載のインジェクタ組立体。
2. The injector assembly of claim 1, wherein the injectors are of the same type.
【請求項3】 前記インジェクタは異なる形式であるこ
とを特徴とする請求項1記載のインジェクタ組立体。
3. The injector assembly of claim 1, wherein the injector is of a different type.
【請求項4】 端面と細長い外部ガス供給面とを備えた
単一細長部材を有し、前記ガス供給面は、基板に直接対
面する前記細長部材の長さ方向に沿って延びており、 細長部材に形成されかつガスを受け入れる端面間で延び
ている少なくとも1つの細長通路と、 単一の細長部材に形成された少なくとも1つの薄くて細
長い分配スロットとを有し、該分配スロットは細長通路
とガス供給面との間に延びていてガスをガス供給面に沿
って供給することを特徴とする請求項1記載のインジェ
クタ組立体。
4. A single elongated member having an end surface and an elongated external gas supply surface, the gas supply surface extending along the length of the elongated member directly facing the substrate, At least one elongated passageway formed in the member and extending between the end faces for receiving gas; and at least one thin and elongated distribution slot formed in the single elongated member, the distribution slot having an elongated passageway The injector assembly of claim 1, wherein the injector assembly extends between the gas supply surface and supplies gas along the gas supply surface.
【請求項5】 前記ガス供給面は中央凹状領域を有して
いることを特徴とする請求項5記載のインジェクタ組立
体。
5. The injector assembly of claim 5, wherein the gas supply surface has a central recessed area.
【請求項6】 前記少なくとも1つのスロットは、取付
け板のかなり大きい長さに沿って延びかつ少なくとも1
つの排出チャネルと整合していることを特徴とする請求
項1記載のインジェクタ組立体。
6. The at least one slot extends along at least one length of the mounting plate and is at least one.
The injector assembly of claim 1, wherein the injector assembly is aligned with one exhaust channel.
【請求項7】 前記インジェクタからガスを除去するた
めの、前記取付け板に連結された排出組立体を更に有す
ることを特徴とする請求項1記載のインジェクタ組立
体。
7. The injector assembly of claim 1, further comprising an exhaust assembly coupled to the mounting plate for removing gas from the injector.
【請求項8】 前記取付け板に連結された下方排出板を
有し、該下方排出板には、取付け板の少なくとも1つの
排出スロットに流体連通している少なくとも1つの排出
チャネルが設けられており、 下方排出板に連結された上方排出板を更に有し、該上方
排出板には、下方排出板の少なくとも1つの排出チャネ
ルに流体連通している少なくとも1つの排出ポートが設
けられていることを特徴とする請求項7記載のインジェ
クタ組立体。
8. A lower exhaust plate coupled to the mounting plate, the lower exhaust plate provided with at least one exhaust channel in fluid communication with at least one exhaust slot of the mounting plate. And further comprising an upper discharge plate coupled to the lower discharge plate, the upper discharge plate being provided with at least one discharge port in fluid communication with at least one discharge channel of the lower discharge plate. The injector assembly according to claim 7, characterized in that
【請求項9】 前記下方排出板の少なくとも1つの排出
チャネルは下方排出板のかなり大きい長さに沿って延び
かつ取付け板の少なくとも1つの排出スロットと整合し
ていることを特徴とする請求項8記載のインジェクタ組
立体。
9. The at least one exhaust channel of the lower exhaust plate extends along a substantially greater length of the lower exhaust plate and is aligned with the at least one exhaust slot of the mounting plate. The injector assembly described.
【請求項10】 前記下方排出板の少なくとも1つの排
出チャネルは下方排出板の高さ方向に沿ってテーパして
いることを特徴とする請求項9記載のインジェクタ組立
体。
10. The injector assembly according to claim 9, wherein at least one discharge channel of the lower discharge plate tapers along a height direction of the lower discharge plate.
【請求項11】 前記下方排出板の少なくとも1つの排
出チャネルは、下方排出板の頂面で幅広かつ底面で幅狭
になっていることを特徴とする請求項10記載のインジ
ェクタ組立体。
11. The injector assembly of claim 10, wherein at least one discharge channel of the lower discharge plate is wide at the top surface of the lower discharge plate and narrow at the bottom surface.
【請求項12】 前記少なくとも1つの排出ポートは上
方排出板のかなり大きい長さに沿って延びている基端部
の細長開口からなり、該細長開口は内方にテーパしてお
りかつ上方排出板の頂面の少なくとも1つのポートに終
端していることを特徴とする請求項8記載のインジェク
タ組立体。
12. The at least one exhaust port comprises a proximal elongate opening extending along a substantially long length of the upper evacuation plate, the elongate opening being inwardly tapered and the upper evacuation plate. 9. The injector assembly of claim 8 terminating in at least one port on the top surface of the injector.
【請求項13】 前記細長開口は上方排出板の頂面の複
数のポートに終端していることを特徴とする請求項12
記載のインジェクタ組立体。
13. The elongated opening terminates in a plurality of ports on the top surface of the upper discharge plate.
The injector assembly described.
【請求項14】 前記細長開口は上方排出板の頂面の2
つのポートに終端していることを特徴とする請求項12
記載のインジェクタ組立体。
14. The elongated opening is formed on the top surface of the upper discharge plate.
13. Terminating at one port, 13
The injector assembly described.
【請求項15】 前記少なくとも2つのインジェクタ
は、これらの間に第一排出チャネルを形成すべく互いに
間隔を隔てて隣接して配置された1つ以上の内側インジ
ェクタを有し、 1つ以上の端インジェクタを有し、該端インジェクタ
は、該内側インジェクタとの間に第二排出チャネルを形
成すべく内側インジェクタの外側に対して間隔を隔てて
隣接して配置され、 前記排出組立体は更に、 第一排出チャネルに流体連通している内側排出マニホル
ド組立体と、 第二排出チャネルに流体連通している外側排出マニホル
ド組立体とを有していることを特徴とする請求項7記載
のインジェクタ組立体。
15. The at least two injectors have one or more inner injectors spaced adjacent to one another to form a first exhaust channel therebetween, one or more ends. An injector, the end injector is spaced apart and adjacent to the outside of the inner injector to form a second discharge channel with the inner injector, the discharge assembly further comprising: 8. The injector assembly of claim 7, including an inner exhaust manifold assembly in fluid communication with one exhaust channel and an outer exhaust manifold assembly in fluid communication with the second exhaust channel. .
【請求項16】 前記1つ以上の端インジェクタと1つ
以上の内側インジェクタとの間に気密シールが設けられ
ていることを特徴とする請求項15記載のインジェクタ
組立体。
16. The injector assembly of claim 15, wherein a hermetic seal is provided between the one or more end injectors and the one or more inner injectors.
【請求項17】 前記内側排出マニホルド組立体は、 複数の貫通通路が設けられた板と、 複数の貫通通路の各々に連結された複数のチューブと、 各チューブの複数の入口および単一の出口を備えたバラ
ンシングユニットとを有していることを特徴とする請求
項15記載のインジェクタ組立体。
17. The inner exhaust manifold assembly includes a plate having a plurality of through passages, a plurality of tubes connected to each of the plurality of through passages, a plurality of inlets and a single outlet of each tube. 16. The injector assembly according to claim 15, further comprising a balancing unit having a.
【請求項18】 前記バランシングユニットには更に、
前記複数の入口と単一の出口とを連結する複数のチャネ
ルが設けられていることを特徴とする請求項17記載の
インジェクタ組立体。
18. The balancing unit further comprises:
18. The injector assembly according to claim 17, wherein a plurality of channels are provided connecting the plurality of inlets and a single outlet.
【請求項19】 前記バランシングユニットは、 底板を有し、該底板にはこの中央に向って内方に延びて
いる複数の凹状チャネルと、該凹状チャネルの各端部の
複数の入口とが設けられ、 頂板を更に有し、該頂板には、この中央領域に向って内
方に延びている複数の凹状チャネルが設けられ、 前記底板の凹状チャネルおよびおよび前記頂板の中央領
域は鏡像関係をなしておりかつ前記複数の入口と単一の
出口とを連結する複数のチャネルを構成していることを
特徴とする請求項18記載のインジェクタ組立体。
19. The balancing unit has a bottom plate, the bottom plate having a plurality of concave channels extending inward toward the center and a plurality of inlets at each end of the concave channel. And further comprising a top plate, the top plate being provided with a plurality of concave channels extending inwardly toward the central region, the concave channel of the bottom plate and the central region of the top plate forming a mirror image relationship. 19. The injector assembly of claim 18, comprising a plurality of channels that connect the plurality of inlets with a single outlet.
【請求項20】 少なくとも2つのインジェクタを有
し、該インジェクタは、これらの間に少なくとも1つの
排出チャネルを形成すべく互いに間隔を隔てて隣接して
配置され、 少なくとも2つのインジェクタを固定する取付け板を有
し、少なくとも2つのインジェクタの各々が取付け板に
対して個々に取付けまたは取外しでき、取付け板には、
少なくとも1つの排出チャネルに流体連通している少な
くとも1つの排出スロットが設けられており、 インジェクタからガスを除去するための前記取付け板に
連結された排出組立体を更に有し、該排出組立体は排出
ガスの均一流を形成するためのバランシングユニットを
備えていることを特徴とするインジェクタ組立体。
20. A mounting plate having at least two injectors, the injectors being spaced apart and adjacent to each other to form at least one discharge channel therebetween, the mounting plate securing the at least two injectors. And each of the at least two injectors can be individually attached to or removed from the mounting plate, the mounting plate comprising:
At least one exhaust slot is provided in fluid communication with the at least one exhaust channel and further comprises an exhaust assembly coupled to the mounting plate for removing gas from the injector, the exhaust assembly comprising: An injector assembly comprising a balancing unit for forming a uniform flow of exhaust gas.
【請求項21】 前記少なくとも2つのインジェクタ
は、これらの間に第一排出チャネルを形成すべく互いに
間隔を隔てて隣接して配置された1つ以上の内側インジ
ェクタを有し、 1つ以上の端インジェクタを有し、該端インジェクタ
は、該内側インジェクタとの間に第二排出チャネルを形
成すべく内側インジェクタの外側に対して間隔を隔てて
隣接して配置され、 前記排出組立体は、 第一排出チャネルに流体連通している内側排出マニホル
ド組立体と、 第二排出チャネルに流体連通している外側排出マニホル
ド組立体とを有し、 内側排出マニホルド組立体は、内側インジェクタからの
排出ガスに流体連通する複数のチャネルが設けられたバ
ランシングユニットを備えていることを特徴とする請求
項21記載のインジェクタ組立体。
21. The at least two injectors have one or more inner injectors spaced adjacent to one another to form a first exhaust channel therebetween, one or more ends. An injector, the end injector is spaced apart and adjacent to the outside of the inner injector to form a second discharge channel with the inner injector, the discharge assembly comprising: An inner exhaust manifold assembly in fluid communication with the exhaust channel and an outer exhaust manifold assembly in fluid communication with the second exhaust channel, the inner exhaust manifold assembly being in fluid communication with the exhaust gas from the inner injector. 22. The injector assembly of claim 21, comprising a balancing unit provided with a plurality of channels in communication.
【請求項22】 1つ以上の内側インジェクタを設ける
段階を有し、内側インジェクタはこれらの間に第一排出
チャネルを形成すべく互いに間隔を隔てて隣接して配置
され、 1つ以上の端インジェクタを設ける段階を有し、端イン
ジェクタは、内側インジェクタとの間に第二排出チャネ
ルを形成すべく内側インジェクタの外側に対して間隔を
隔てて隣接して配置され、 前記内側インジェクタおよび端インジェクタを通して反
応ガスを基板に供給する段階と、 第一排出チャネルから内側排出マニホルド組立体を通し
て排出ガスを除去する段階と、 第二排出チャネルから外側排出マニホルド組立体を通し
て排出ガスを除去する段階とを更に有することを特徴と
する基板にガスを供給する方法。
22. Providing one or more inner injectors, the inner injectors being spaced apart and adjacent to each other to form a first exhaust channel therebetween, one or more end injectors. The end injector is spaced apart and adjacent to the outside of the inner injector to form a second exhaust channel between the inner injector and the inner injector, and the end injector reacts through the inner injector and the end injector. Providing gas to the substrate; removing exhaust gas from the first exhaust channel through the inner exhaust manifold assembly; and removing exhaust gas from the second exhaust channel through the outer exhaust manifold assembly. A method of supplying a gas to a substrate.
【請求項23】 前記内側インジェクタおよび端インジ
ェクタから排出ガスを除去する段階が、底面の長さ方向
に沿うチャネルから、内側および外側の排出マニホルド
組立体の頂面のポートにガスを排出することからなるこ
とを特徴とする請求項22記載の方法。
23. Removing exhaust gas from the inner and end injectors comprises discharging gas from channels along the length of the bottom surface to ports on the top surface of the inner and outer exhaust manifold assemblies. 23. The method of claim 22, wherein:
【請求項24】 前記内側インジェクタから排出ガスを
除去する段階が、複数の入口から、内側排出マニホルド
組立体内のバランシングユニットに設けられた複数のチ
ャネルを通して単一の中央出口に排出ガスを収斂させる
ことからなることからなることを特徴とする請求項22
記載の方法。
24. Removing exhaust gas from the inner injector converges the exhaust gas from a plurality of inlets to a single central outlet through a plurality of channels provided in a balancing unit within the inner exhaust manifold assembly. 23. consisting of consisting of
The method described.
JP2002205716A 2001-07-13 2002-07-15 Modular injector and exhaust assembly Pending JP2003133243A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30540601P 2001-07-13 2001-07-13
US60/305406 2001-07-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003133243A true JP2003133243A (en) 2003-05-09

Family

ID=23180650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002205716A Pending JP2003133243A (en) 2001-07-13 2002-07-15 Modular injector and exhaust assembly

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6890386B2 (en)
EP (1) EP1283279B1 (en)
JP (1) JP2003133243A (en)
KR (1) KR20030007175A (en)
CN (1) CN1397662A (en)
DE (1) DE60203971T2 (en)
SG (1) SG104976A1 (en)
TW (1) TW548724B (en)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001283944A1 (en) * 2000-09-22 2002-04-02 Aixtron Ag Gas inlet mechanism for cvd-method and device
US6670071B2 (en) * 2002-01-15 2003-12-30 Quallion Llc Electric storage battery construction and method of manufacture
US6955725B2 (en) * 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US8133554B2 (en) * 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7456429B2 (en) * 2006-03-29 2008-11-25 Eastman Kodak Company Apparatus for atomic layer deposition
JP4883085B2 (en) * 2006-06-28 2012-02-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 Thin film forming apparatus and thin film forming method
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US20080166880A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Levy David H Delivery device for deposition
US20100015731A1 (en) * 2007-02-20 2010-01-21 Lam Research Corporation Method of low-k dielectric film repair
WO2008156631A2 (en) * 2007-06-15 2008-12-24 Nanogram Corporation Reactive flow deposition and synthesis of inorganic foils
US9105449B2 (en) * 2007-06-29 2015-08-11 Lam Research Corporation Distributed power arrangements for localizing power delivery
US8528498B2 (en) * 2007-06-29 2013-09-10 Lam Research Corporation Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US20100206229A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-19 Alta Devices, Inc. Vapor deposition reactor system
US20100212591A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-26 Alta Devices, Inc. Reactor lid assembly for vapor deposition
GB0816186D0 (en) * 2008-09-05 2008-10-15 Aviza Technologies Ltd Gas delivery device
US8470718B2 (en) * 2008-08-13 2013-06-25 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor
US8758512B2 (en) * 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
JP5648349B2 (en) * 2009-09-17 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 Deposition equipment
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
DE102010050258A1 (en) * 2010-11-02 2012-05-03 Hq-Dielectrics Gmbh Apparatus for treating substrates
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US20120225191A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225203A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
TR201903701T4 (en) 2011-03-23 2019-04-22 Pilkington Group Ltd The apparatus for deposition of thin film coatings and the deposition method for using this apparatus.
EP2688850B1 (en) * 2011-03-23 2018-02-21 Pilkington Group Limited Method of depositing zinc oxide coatings by chemical vapor deposition
US20130143415A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Applied Materials, Inc. Multi-Component Film Deposition
US9267205B1 (en) 2012-05-30 2016-02-23 Alta Devices, Inc. Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor
US12065735B2 (en) * 2013-07-25 2024-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Vapor deposition apparatus
US20150360242A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Veeco Ald Inc. Linear Deposition Apparatus with Modular Assembly
US20150361548A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Veeco Ald Inc. Injection Assembly in Linear Deposition Apparatus with Bulging Ridges Extending along Bottom Openings
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
KR102337807B1 (en) * 2014-11-14 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 Thin film deposition apparatus
KR102420015B1 (en) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Shower head of Combinatorial Spatial Atomic Layer Deposition apparatus
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10294562B2 (en) 2016-04-05 2019-05-21 Aixtron Se Exhaust manifold in a CVD reactor
US10780447B2 (en) * 2016-04-26 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead
US11248292B2 (en) 2017-03-14 2022-02-15 Eastman Kodak Company Deposition system with moveable-position web guides
US10895011B2 (en) 2017-03-14 2021-01-19 Eastman Kodak Company Modular thin film deposition system
US20180265977A1 (en) 2017-03-14 2018-09-20 Eastman Kodak Company Deposition system with vacuum pre-loaded deposition head
US10400332B2 (en) * 2017-03-14 2019-09-03 Eastman Kodak Company Deposition system with interlocking deposition heads
US10501848B2 (en) 2017-03-14 2019-12-10 Eastman Kodak Company Deposition system with modular deposition heads
US10584413B2 (en) 2017-03-14 2020-03-10 Eastman Kodak Company Vertical system with vacuum pre-loaded deposition head
US10550476B2 (en) 2017-03-14 2020-02-04 Eastman Kodak Company Heated gas-bearing backer
US10422038B2 (en) 2017-03-14 2019-09-24 Eastman Kodak Company Dual gas bearing substrate positioning system
US10435788B2 (en) 2017-03-14 2019-10-08 Eastman Kodak Deposition system with repeating motion profile
JP6640781B2 (en) * 2017-03-23 2020-02-05 キオクシア株式会社 Semiconductor manufacturing equipment
KR102462797B1 (en) * 2018-06-18 2022-11-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Gas distribution assembly for improved pump-purge and precursor delivery
KR102576220B1 (en) * 2018-06-22 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 Thin Film Processing Appartus and Method
US11332827B2 (en) * 2019-03-27 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density
US20230097346A1 (en) * 2021-09-30 2023-03-30 Applied Materials, Inc. Flow guide apparatuses for flow uniformity control in process chambers

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
US4731995A (en) * 1986-11-05 1988-03-22 Edelbrock Corporation Exhaust manifold and an improved exhaust manifold, intake manifold and engine combination
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
JPH0399747A (en) * 1989-09-11 1991-04-24 Honda Motor Co Ltd Method for casting dual type exhaust manifold
US5136975A (en) * 1990-06-21 1992-08-11 Watkins-Johnson Company Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
US6022414A (en) * 1994-07-18 2000-02-08 Semiconductor Equipment Group, Llc Single body injector and method for delivering gases to a surface
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US6086710A (en) * 1995-04-07 2000-07-11 Seiko Epson Corporation Surface treatment apparatus
JP3498299B2 (en) * 1996-01-08 2004-02-16 株式会社ユーメックス Exhaust manifold structure
DE19643865C2 (en) * 1996-10-30 1999-04-08 Schott Glas Plasma-assisted chemical deposition process (CVD) with remote excitation of an excitation gas (remote plasma CVD process) for coating or for treating large-area substrates and device for carrying out the same
US6352592B1 (en) * 1998-01-16 2002-03-05 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Free floating shield and semiconductor processing system
US5849088A (en) * 1998-01-16 1998-12-15 Watkins-Johnson Company Free floating shield
US6056824A (en) * 1998-01-16 2000-05-02 Silicon Valley Group Thermal Systems Free floating shield and semiconductor processing system
US6063235A (en) * 1998-08-14 2000-05-16 Plasmasil, Llc Gas discharge apparatus for wafer etching systems
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US20020134507A1 (en) * 1999-12-22 2002-09-26 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Gas delivery metering tube

Also Published As

Publication number Publication date
US20050183825A1 (en) 2005-08-25
TW548724B (en) 2003-08-21
EP1283279A2 (en) 2003-02-12
DE60203971T2 (en) 2006-02-23
US6890386B2 (en) 2005-05-10
EP1283279A3 (en) 2003-03-05
EP1283279B1 (en) 2005-05-04
CN1397662A (en) 2003-02-19
SG104976A1 (en) 2004-07-30
KR20030007175A (en) 2003-01-23
DE60203971D1 (en) 2005-06-09
US20030037729A1 (en) 2003-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003133243A (en) Modular injector and exhaust assembly
KR100355058B1 (en) Single body injector and deposition chamber
EP0697376B1 (en) Single body injector and method for delivering gases to a surface
US6200389B1 (en) Single body injector and deposition chamber
JP3117331U (en) Dual gas faceplate for showerhead in semiconductor wafer processing system
JP4564656B2 (en) Dual channel gas distribution plate
US6302964B1 (en) One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP5779174B2 (en) Semiconductor process reactor and components thereof
TWI417415B (en) Chemical vapor deposition flow inlet elements and methods
US20060112876A1 (en) Semiconductor processing apparatus
JP3816920B2 (en) Reaction vessel for thin film deposition
KR101132262B1 (en) Gas injecting assembly and Apparatus for depositing thin film on wafer using the same
KR20090031338A (en) Semiconductor device fabrication equipment with showerhead
TWI601575B (en) Nozzle head, apparatus, and operation method thereof
WO2013100462A1 (en) Substrate processing device
KR20040085315A (en) Reactor for depositing thin film on wafer
JPS5934231B2 (en) CVD device discharge device
JP2938070B1 (en) Atmospheric pressure CVD equipment
KR20010077236A (en) An apparatus for dispersing gas
KR20180130891A (en) Reactor of apparatus for processing substrate
JPH10312997A (en) Normal pressure cvd device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060306

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060606

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060609

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061106