JP2003131398A - Alkaline system working fluid, method and apparatus for preparing working fluid and method and apparatus for feeding working fluid - Google Patents

Alkaline system working fluid, method and apparatus for preparing working fluid and method and apparatus for feeding working fluid

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JP2003131398A
JP2003131398A JP2002221122A JP2002221122A JP2003131398A JP 2003131398 A JP2003131398 A JP 2003131398A JP 2002221122 A JP2002221122 A JP 2002221122A JP 2002221122 A JP2002221122 A JP 2002221122A JP 2003131398 A JP2003131398 A JP 2003131398A
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liquid
component
alkaline
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mass
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JP2002221122A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshimoto Nakagawa
俊元 中川
Yuko Katagiri
優子 片桐
Osamu Ogawa
修 小川
Satoru Morita
悟 森田
Makoto Kikukawa
誠 菊川
Takahiro Takarayama
隆博 宝山
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Nagase and Co Ltd
Nagase CMS Technology Co Ltd
Hirama Rika Kenkyusho Ltd
Original Assignee
Nagase and Co Ltd
Nagase CMS Technology Co Ltd
Hirama Rika Kenkyusho Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an alkaline working fluid which is capable of reducing the rate of consumption during working processing and the amount of waste liquids to be produced and has excellent solubility to organic films, such as photoresists, after exposure and a feeder, etc., for the same. SOLUTION: A developer feeder 100 is constituted by consecutively installing a preprocessing section 20, such as a filter 2, a regulating vessel 5 and a leveling vessel 6 to the rear stage of an accepting vessel 1 connected across piping L1 to a development processor 210. A liquid feed system 8 and a controller 9 are connected to the regulating vessel 5 and the concentrations of the dissolved photoresist components and alkaline components in the used liquid W are regulated to specified values in accordance with the values actually measured by concentration meters 51 and 52. The resultant regenerated liquid is fed through piping L2 to the development processor 210.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリ系加工
液、その調整方法及び装置、並びに、アルカリ系加工液
の供給方法及び装置に関し、詳しくは、基体上に塗布さ
れたフォトレジストや機能膜といった有機膜の現像や加
工形成に用いられるアルカリ系加工液、該アルカリ系加
工液の調整方法及びそのための装置、並びに、フォトレ
ジストの現像や機能膜の加工にアルカリ系加工液を供給
する方法及びそのための装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alkaline working liquid, a method and an apparatus for adjusting the same, and a method and a device for supplying an alkaline working liquid, and more specifically, to a photoresist or a functional film coated on a substrate. Alkaline-based working liquid used for development and processing of organic film, method for adjusting the alkaline-based working liquid and apparatus therefor, and method for supplying alkaline-based working liquid for developing photoresist and processing functional film, and therefore Of equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、微細素子の製造、マイクロ加工
(マイクロマシニング)等の分野において、種々の有機
膜が種々の用途に用いられている。かかる有機膜として
は、例えば、フォトリソグラフィに不可欠なフォトレジ
ストと呼ばれる有機感光性樹脂組成物の薄膜や、いわゆ
る有機機能膜が代表的なものである。
2. Description of the Related Art In recent years, various organic films have been used for various purposes in the fields of manufacturing fine elements, micromachining, and the like. A typical example of such an organic film is a thin film of an organic photosensitive resin composition called a photoresist, which is indispensable for photolithography, or a so-called organic functional film.

【0003】フォトリソグラフィ技術は、メモリ、論理
回路等の半導体装置や液晶装置の製造において、微細パ
ターンをウェハ等の基体上に転写する際に広く用いられ
ており、製造プロセスの中でも極めて重要なステップで
ある。通常、フォトレジストの薄膜をウェハ上に例えば
スピンコート等で塗布し、マスクを用いた露光を行った
後、現像を実施してマスクパターンをウェハ上に転写す
る。
The photolithography technique is widely used for transferring a fine pattern onto a substrate such as a wafer in the manufacture of semiconductor devices such as memories and logic circuits and liquid crystal devices, and is an extremely important step in the manufacturing process. Is. In general, a thin film of photoresist is applied on a wafer by, for example, spin coating, exposure is performed using a mask, and then development is performed to transfer the mask pattern onto the wafer.

【0004】このようなフォトレジストとしては、ポジ
・ネガ用、i線用、KrFエキシマレーザー用、ArF
エキシマレーザー用、等の用途又は条件に応じて多くの
種類があり、材質的にも、マトリックス材料のノボラッ
ク(N;Novolac)樹脂にジアゾキノン(DQ)系感光
剤が配合されたDQNレジストをはじめ、光酸発生剤入
りレジスト、化学増幅型レジスト等、多岐にわたる。ま
た、このようなフォトレジスト(特にポジ型のもの)の
現像には、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド(TMAH)水溶液、水酸化カリウム(KOH)水溶
液、等のアルカリ系現像液が広く用いられている。
As such photoresists, positive / negative, i-line, KrF excimer laser, ArF
There are many types depending on the use or conditions such as for excimer laser, and also in terms of material, including DQN resist in which diazoquinone (DQ) type photosensitizer is blended with novolac (N; Novolac) resin as a matrix material, A wide variety of products including photo-acid generator-containing resists and chemically amplified resists. Further, for developing such a photoresist (particularly a positive type), an alkaline developing solution such as an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or an aqueous solution of potassium hydroxide (KOH) is widely used.

【0005】一般に、半導体装置や液晶装置製造におけ
るリソグラフィ工程では、露光(感光)後のフォトレジ
スト上にアルカリ系現像液をスプレー方式、バドル方
式、又はディップ方式で散布することにより現像を行っ
ている。これに際し、現像液は再使用されず、つまり新
液が使い捨て方式で使用される場合が多く、特に半導体
装置の製造において顕著な傾向にある。
Generally, in a lithography process in manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal device, development is carried out by spraying an alkaline developing solution on a photoresist after exposure (exposure) by a spray method, a paddle method or a dip method. . In this case, the developing solution is not reused, that is, the new solution is often used in a disposable manner, and there is a remarkable tendency particularly in the manufacture of semiconductor devices.

【0006】その理由としては、(1)現在、半導体装
置製造に用いるウェハサイズの主流は8インチ(200
mmφ)であり、ウェハあたりの一回の使用量が少ない
こと、(2)洗浄用リンス水により希釈されてアルカリ
濃度が低下してしまうこと、(3)再使用した場合、現
像液に含まれるパーティクル、金属イオン等の増加・蓄
積が後工程に影響を及ぼすと懸念されること、(4)上
述したようにフォトレジスト及び現像液は用途・材質が
多岐にわたり、各々に応じた現像液管理が必ずしも十分
には行われていないこと、等が挙げられる。
The reasons are as follows: (1) Currently, the mainstream wafer size used for manufacturing semiconductor devices is 8 inches (200 mm).
mmφ), and the amount used once per wafer is small, (2) the alkali concentration is lowered by being diluted with the rinse water for cleaning, and (3) it is contained in the developer when reused. There is concern that increase / accumulation of particles, metal ions, etc. will affect the post-process. (4) As mentioned above, photoresists and developers have a wide variety of uses and materials, and it is necessary to manage the developers according to each. It is not always done sufficiently.

【0007】一方、機能膜としては、液晶表示素子、半
導体回路素子等の劣化や損傷を防止するための保護膜、
素子表面を平坦化するための平坦化膜、層状に配置され
る配線の間を絶縁するための層間絶縁膜、液晶パネルの
液晶を封入する2枚の基板の間隔を一定に保つスペー
サ、液晶配向能を有する液晶配向膜、半透過型及び反射
型液晶ディスプレイ用の正面輝度を得るための光散乱性
膜、低誘電性を有する低誘電率膜、等が挙げられ、光学
素子としてのマイクロレンズ等も有機機能膜として例示
される。これらの機能膜は、その用途に応じて、電気絶
縁性、平坦性、耐熱性、透明性、耐薬品性、機械的強
度、等に優れた特性を有するものである。
On the other hand, as the functional film, a protective film for preventing deterioration and damage of liquid crystal display elements, semiconductor circuit elements and the like,
A flattening film for flattening the element surface, an interlayer insulating film for insulating between wirings arranged in layers, a spacer for keeping a constant gap between two substrates enclosing the liquid crystal of a liquid crystal panel, a liquid crystal alignment Liquid crystal alignment film having a function, a light-scattering film for obtaining front brightness for transflective and reflective liquid crystal displays, a low dielectric constant film having a low dielectric property, and the like, and a microlens as an optical element, etc. Is also exemplified as the organic functional film. These functional films have excellent properties such as electrical insulation, flatness, heat resistance, transparency, chemical resistance, mechanical strength, etc., depending on the application.

【0008】これらの機能膜は、一般に、アルカリ可溶
性有機系樹脂をベースとするものであり、フォトレジス
トと略同様にポジ型・ネガ型に大別され、その成形加工
には、リソグラフィ工程が多用される。このような機能
膜の製造におけるリソグラフィ工程においても、露光
(感光)後の機能膜上にアルカリ系加工液をスプレー方
式、バドル方式、又はディップ方式で散布することが行
われ、通常、その加工液は再使用されず、新液が使い捨
て方式で使用される場合が多い。
These functional films are generally based on an alkali-soluble organic resin, and are roughly classified into a positive type and a negative type in the same manner as a photoresist, and a lithography process is frequently used for the forming process. To be done. Even in the lithography process in the production of such a functional film, an alkaline processing liquid is sprayed on the functional film after exposure (photosensitization) by a spray method, a paddle method, or a dip method. In many cases, the new solution is not reused and the new solution is used in a disposable manner.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体装置や液晶装置、マイクロマシン等の微細部材の更な
る微細化が加速されており、殊に半導体装置に関して
は、旧来のデザインルールの予想を凌ぐ勢いで微細化・
薄層化が進行している。例えば、既に0.13μmに対
応した半導体メモリの製品製造が行われつつあり、製造
工程におけるフォトリソグラフィの重要性がますます高
まってきている。このため、フォトレジストのパターニ
ングに対し、これまで以上に極微細な線幅を確実に達成
することが要求されている。このような状況下、歩留ま
り低下を防止する観点からは、現像液へのパーティクル
等の混入を一層抑制する必要があり、この点で現像液の
使い捨て使用が今後も継続する可能性がある。
By the way, in recent years, further miniaturization of fine members such as semiconductor devices, liquid crystal devices, and micromachines has been accelerated, and in particular, regarding semiconductor devices, it exceeds the expectations of the conventional design rules. Miniaturization with momentum
Thinning is in progress. For example, a semiconductor memory product corresponding to 0.13 μm is already being manufactured, and the importance of photolithography in the manufacturing process is increasing. Therefore, for patterning the photoresist, it is required to reliably achieve a finer line width than ever before. Under such circumstances, from the viewpoint of preventing the yield reduction, it is necessary to further suppress the mixing of particles and the like into the developing solution, and in this respect, the disposable use of the developing solution may continue in the future.

【0010】しかし、微細化・薄層化と共に、生産性の
向上等を望むべくウェハの大口径化が進んでおり、近い
将来、枚葉処理による300mmφウェハが主流となる
見込みである。こうなると、現像液やリンス水の使用量
が増大するため、材料コストが騰がると共に、廃液の発
生量及び処理量が増大する傾向となる。これに加え、本
発明者は、従来の現像液新液を用いたフォトレジスト
(ポジ型)の現像工程について詳細な検討を行ったとこ
ろ、以下に示す知見を得た。
However, along with the miniaturization and thinning of the wafer, the diameter of the wafer is being increased in order to improve the productivity, and it is expected that 300 mmφ wafers by single wafer processing will become the mainstream in the near future. In this case, the amount of developer and rinse water used increases, so that the material cost rises, and the amount of waste liquid generated and the amount of treatment tend to increase. In addition to this, the present inventor has made a detailed study on a developing process of a photoresist (positive type) using a conventional developer new liquid, and has obtained the following findings.

【0011】通常、ウェハ上に塗布されたフォトレジス
トは、固定化のためのプリベークが施された後、露光、
現像が順に行われる。ポジ型のフォトレジストの場合、
露光部分の官能基がカルボン酸等のアルカリと反応し易
い化学形へと変化し、露光部分のアルカリ系現像液に対
する溶解速度が未露光部に比して顕著に高められる。こ
こで、ウェハ上に成膜された金属薄膜上にポジ型フォト
レジストを塗布し、露光、現像してパターニングを行っ
た後、金属薄膜のエッチングを実施した。この場合、現
像で溶解されたフォトレジストの露光部下に露呈した部
分の金属薄膜がエッチングされることとなる。
Usually, the photoresist coated on the wafer is exposed to light after being prebaked for fixing.
Development is performed in order. For positive photoresist,
The functional group of the exposed portion is changed to a chemical form that easily reacts with an alkali such as carboxylic acid, and the dissolution rate of the exposed portion in an alkaline developing solution is remarkably increased as compared with the unexposed portion. Here, a positive type photoresist was applied on the metal thin film formed on the wafer, exposed and developed to perform patterning, and then the metal thin film was etched. In this case, the metal thin film exposed under the exposed portion of the photoresist dissolved by the development is etched.

【0012】ところが、条件によっては、そのような金
属薄膜の一部においてエッチング不良が発生し得ること
が確認された。このようなエッチング不良が生じると、
導電性の低下により製品としての信頼性が低下したり、
或いは、導電不良により製品として成立せず、歩留まり
が低下してしまう。また、半導体装置や液晶装置の微細
化・薄層化に伴って、かかる事象の発生確率が高まり、
生産性が低下してしまうおそれもある。
However, it has been confirmed that etching defects may occur in a part of such a metal thin film depending on the conditions. When such etching failure occurs,
As the conductivity decreases, the reliability of the product decreases,
Alternatively, due to poor conductivity, the product cannot be established and the yield is reduced. In addition, with the miniaturization and thinning of semiconductor devices and liquid crystal devices, the probability of such events increasing,
There is also a risk that productivity will decrease.

【0013】そして、本発明者は、このようなエッチン
グ不良を引き起こす原因について研究を進めた。その結
果、現像工程後のポストベーク若しくはハードベーク、
又はリンス工程において、ウェハ上に残存するフォトレ
ジストの表層又は表面の剥離が生じ、この剥離片が露呈
した金属薄膜上に付着することによりエッチングが阻害
され得ることが要因の一つであることを見出した。ま
た、かかる事象が現像液の溶解性に関係するとすれば、
従来の新液を用いた現像方法では、未露光部分のみなら
ず露光部分の溶解が必ずしも十分ではない可能性もあ
る。パターン線幅の極細化に対応するには、現像時の溶
解性ひいては選択溶解性の更なる向上が望まれる。
The present inventor then conducted research on the cause of such etching defects. As a result, post bake or hard bake after the development process,
Or, in the rinse step, peeling of the surface layer or surface of the photoresist remaining on the wafer occurs, and one of the factors is that the peeled pieces may adhere to the exposed metal thin film and inhibit etching. I found it. If such an event is related to the solubility of the developing solution,
In the conventional developing method using a new solution, it is possible that not only the unexposed portion but also the exposed portion is not sufficiently dissolved. In order to cope with the extremely fine pattern line width, further improvement in the solubility at the time of development and thus the selective solubility is desired.

【0014】また、機能膜を形成したり成形加工する際
にも、上述したフォトレジストの現像時におけるエッチ
ング不良と同種の問題点が生じるおそれがある。すなわ
ち、露光後の機能膜をアルカリ系加工液で処理する際
に、上述したようなフォトレジストで生じるおそれがあ
るエッチング不良と同様にして加工不良が発生するおそ
れがある。
Further, when forming or molding the functional film, there is a possibility that the same kind of problems as the above-mentioned defective etching at the time of developing the photoresist may occur. That is, when the functional film after exposure is treated with an alkaline processing liquid, processing defects may occur in the same manner as the etching defects that may occur with the photoresist as described above.

【0015】そこで、本発明は、このような事情に鑑み
てなされたものであり、基体上に塗布されたフォトレジ
ストや機能膜といった有機膜の現像・加工に用いる際
に、使用量及び廃液発生量を低減でき、露光後の有機膜
に対する溶解性に優れると共に、有機膜の表層剥離等の
現像不良や加工不良を十分に防止することが可能なアル
カリ系加工液を提供することを目的とする。また、本発
明は、そのアルカリ系加工液を調整する方法及び装置、
並びに、そのアルカリ系加工液を現像・加工が行われる
工程・設備に供給する方法及び装置を提供することを目
的とする。
Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and when used for developing and processing an organic film such as a photoresist or a functional film coated on a substrate, the usage amount and the generation of waste liquid are generated. It is an object of the present invention to provide an alkaline processing liquid that can reduce the amount and is excellent in solubility in an organic film after exposure, and can sufficiently prevent development failure and processing failure such as surface peeling of the organic film. . The present invention also provides a method and apparatus for adjusting the alkaline processing liquid,
Another object of the present invention is to provide a method and an apparatus for supplying the alkaline processing liquid to a process / equipment in which development / processing is performed.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者は上記知見に基づいて鋭意研究を重ねたと
ころ、ポジ型フォトレジストの未露光部の表層にアルカ
リ系現像液に対して溶解耐性を示す難溶化膜が形成さ
れ、この膜部分が現像後のポストベーク或いはリンス工
程において、熱的又は機械的に下層から剥ぎとられるこ
とにより、表層剥離が生じ得ることを更に見出した。ま
た、フォトレジストへのアルカリ系現像液の浸透性がレ
ジストの溶解性を左右する一要因であり、特に、難溶化
膜が表面に形成されたフォトレジストに対する初期の溶
解性に大きな影響を及ぼし得ることも判明した。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has conducted earnest research based on the above findings and found that the surface layer of the unexposed portion of the positive photoresist is exposed to an alkaline developer. It was further found that a poorly soluble film that exhibits dissolution resistance is formed, and this film portion can be peeled off thermally or mechanically from the lower layer in the post-baking or rinsing step after development, resulting in peeling of the surface layer. . Further, the permeability of the alkaline developing solution into the photoresist is one factor that influences the solubility of the resist, and in particular, the initial solubility of the poorly soluble film in the photoresist formed on the surface may be greatly affected. I also found out.

【0017】また、このような現象が、液晶表示素子及
び半導体回路素子用の保護膜、平坦化膜、層間絶縁膜、
基板間スペーサ、液晶配向膜、光散乱性膜、低誘電率
膜、マイクロレンズ等の機能膜の成形・加工においても
認められることを確認した。
Further, such a phenomenon is caused by a protective film for a liquid crystal display device and a semiconductor circuit device, a planarizing film, an interlayer insulating film,
It was confirmed that it was also observed in the molding and processing of spacers between substrates, liquid crystal alignment films, light scattering films, low dielectric constant films, and functional films such as microlenses.

【0018】そして、本発明者は、以上の知見に基づい
て更に研究を進め、本発明を完成するに至った。
The inventor of the present invention has completed the present invention by further researching based on the above findings.

【0019】すなわち、本発明によるアルカリ系加工液
は、半導体装置、液晶装置等の製造に用いられるウェハ
といった基体上に塗布されたフォトレジストの現像加
工、又は、上述した種々の有機機能膜の成形加工に用い
られるアルカリ系加工液、つまり感光性を有する有機膜
の加工処理に用いられるアルカリ系加工液であって、加
工の対象となる有機膜と同種の又は異種の有機膜を構成
する第1成分(有機膜成分)が0.001〜2.0質量
%の濃度で溶解されて成ることを特徴とする。
That is, the alkaline processing liquid according to the present invention is used to develop a photoresist applied on a substrate such as a wafer used for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal device or the like, or to form the above-mentioned various organic functional films. An alkaline processing liquid used for processing, that is, an alkaline processing liquid used for processing an organic film having photosensitivity, which constitutes an organic film of the same or different type as the organic film to be processed. It is characterized in that the component (organic film component) is dissolved at a concentration of 0.001 to 2.0 mass%.

【0020】このように、本発明によるアルカリ系加工
液は、構成成分として溶解した第1成分(溶解有機膜成
分)を上記の一定の濃度で含有して成るものである。か
かる第1成分を含むアルカリ系加工液は、ウェハ上に塗
布されて感光した後の有機膜に対する濡れ性が、新液を
用いる従来に比して有意に高められる。具体的には、有
機膜上におけるアルカリ系加工液の表面張力が有意に低
下することが確認された。よって、アルカリ系加工液が
有機膜表面に浸透し易く、言わば‘なじみ’易くなる。
As described above, the alkaline working fluid according to the present invention contains the dissolved first component (dissolved organic film component) as a constituent at the above-mentioned constant concentration. The alkaline processing liquid containing the first component has significantly improved wettability with respect to the organic film after being coated on the wafer and exposed to light, as compared with the conventional method using a new liquid. Specifically, it was confirmed that the surface tension of the alkaline processing liquid on the organic film was significantly reduced. Therefore, the alkaline processing liquid easily permeates the surface of the organic film, which is, so to speak, “friendly”.

【0021】特に、先のフォトレジストの例では、未露
光部の難溶化膜に対してもアルカリ系加工液(この場
合、アルカリ系現像液)が十分になじむことにより、難
溶化膜の溶解が促進される。また、アルカリ系加工液と
有機膜との濡れ性を一層高めてより浸透させ易くなる点
で、溶解した第1成分は、好ましくは加工の対象となる
有機膜と同種、より好ましくは同一若しくは略同一の組
成を有するものであると好適であり、更には、加工対象
の有機膜と同種のマトリックス及び/又は感光剤を含有
してなるものが望ましい。
In particular, in the example of the above photoresist, the alkali-based processing solution (in this case, the alkali-based developing solution) sufficiently dissolves in the unexposed portion of the hardly soluble film, so that the hardly soluble film is dissolved. Be promoted. In addition, the dissolved first component is preferably the same kind as the organic film to be processed, more preferably the same or substantially the same as the organic film to be processed, in that the wettability between the alkaline processing liquid and the organic film is further increased and the permeation becomes easier. It is preferable that they have the same composition, and further, those that contain the same kind of matrix and / or photosensitizer as the organic film to be processed.

【0022】ここで、溶解した第1成分の濃度が0.0
01質量%未満となると、アルカリ系加工液の有機膜へ
の浸透性が十分に高められず、従来の新液に対する優位
性が認められ難い。一方、この第1成分の濃度が2.0
質量%を超えると、パターンとして残った有機膜(ポジ
型では未露光部に相当)上面のエッジ部分の浸蝕(エッ
ジ効果)が顕著となり、その後の下地層のエッチング、
成膜といった後工程に悪影響を及ぼし得るので好ましく
ない。また、溶解した第1成分の濃度が2.0質量%を
超えても濃度に応じた浸透性が発現され難い。なお、本
発明では、アルカリ系加工液に含まれる成分濃度を質量
基準つまり「質量%」で規定するが、実質的には重量基
準である「重量%」と同等である(以下同様)。
Here, the concentration of the dissolved first component is 0.0
If it is less than 01% by mass, the permeability of the alkaline processing liquid into the organic film cannot be sufficiently enhanced, and it is difficult to recognize the superiority to the conventional new liquid. On the other hand, the concentration of this first component is 2.0
When the content exceeds the mass%, the erosion (edge effect) of the edge portion of the upper surface of the organic film (corresponding to the unexposed portion in the positive type) remaining as a pattern becomes remarkable, and the etching of the underlying layer after that
It is not preferable because it may adversely affect the subsequent processes such as film formation. Further, even if the concentration of the dissolved first component exceeds 2.0% by mass, it is difficult to develop the permeability according to the concentration. In the present invention, the concentration of the component contained in the alkaline working liquid is defined on a mass basis, that is, “mass%”, but it is substantially equivalent to “weight%” which is a weight standard (the same applies below).

【0023】また、有機膜がフォトレジストであるとき
に、第1成分として、加工としての現像の対象となるフ
ォトレジストと同種の又は異種の有機膜を構成する第2
成分が0.001〜2.0質量%、好ましくは0.01
〜1.5質量%、より好ましくは0.1〜1.0質量%
の濃度で溶解されて成ると好適である。なお、第2成分
が現像対象のフォトレジストと同種又は異種のフォトレ
ジスト成分の場合、第2成分は実質的にフォトレジスト
成分となり、第2成分はフォトレジスト成分以外の有機
膜、例えば、後述する機能膜成分であってもよい。
In addition, when the organic film is a photoresist, a second component that forms an organic film of the same kind as or a different kind from the photoresist to be developed as processing is used as a first component.
Ingredients 0.001 to 2.0% by mass, preferably 0.01
~ 1.5 mass%, more preferably 0.1-1.0 mass%
It is preferable that it is dissolved at a concentration of. When the second component is the same or different photoresist component as the photoresist to be developed, the second component is substantially a photoresist component, and the second component is an organic film other than the photoresist component, for example, as described later. It may be a functional film component.

【0024】この場合、アルカリ系加工液は、構成成分
として溶解した第2成分を上記一定の濃度で含有して成
るアルカリ系現像液として機能する。このような溶解し
た第2成分を含むアルカリ系加工液は、ウェハ上に塗布
されて感光した後のフォトレジストに対する濡れ性が、
新液を用いる従来に比して有意に高められる。これは、
フォトレジスト上におけるアルカリ系加工液の表面張力
が有意に低下し、アルカリ系加工液がフォトレジスト表
面に浸透し易くなることによると考えられる。
In this case, the alkaline processing liquid functions as an alkaline developing liquid containing the second component dissolved as a constituent component at the above-mentioned constant concentration. Such an alkaline processing liquid containing the dissolved second component has a wettability with respect to the photoresist after being coated on the wafer and exposed to light.
It can be significantly increased compared to the conventional method using a new solution. this is,
It is considered that this is because the surface tension of the alkaline processing liquid on the photoresist is significantly lowered and the alkaline processing liquid easily penetrates into the photoresist surface.

【0025】なお、アルカリ系加工液とフォトレジスト
との濡れ性を一層高めてより浸透させ易くなる点で、溶
解した第2成分は、好ましくは現像の対象となるフォト
レジストと同種、より好ましくは同一若しくは略同一の
組成を有するものであると好適であり、更には、現像対
象のフォトレジストと同種のマトリックス及び/又は感
光剤を含有してなるものが望ましい。
The dissolved second component is preferably of the same type as the photoresist to be developed, and more preferably from the viewpoint that the wettability between the alkaline processing liquid and the photoresist is further enhanced to facilitate permeation. It is preferable that they have the same or substantially the same composition, and further, it is desirable that they contain the same matrix and / or photosensitizer as the photoresist to be developed.

【0026】ここで、溶解した第2成分の濃度が0.0
01質量%未満となると、アルカリ系現像液のフォトレ
ジストへの浸透性が十分に高められず、従来の新液に対
する優位性が認められ難い。一方、この濃度が2.0質
量%を超えると、パターンとして残ったフォトレジスト
(ポジ型では未露光部、ネガ型では露光部に相当)上面
のエッジ部分の浸蝕(エッジ効果)が顕著となり、その
後の下地層のエッチング、成膜といった後工程に悪影響
を及ぼし得るので好ましくない。また、溶解した第2成
分の濃度が2.0質量%を超えても濃度に応じた浸透性
が発現され難い。
Here, the concentration of the dissolved second component is 0.0
If it is less than 01% by mass, the permeability of the alkaline developing solution into the photoresist cannot be sufficiently enhanced, and it is difficult to recognize the superiority to the conventional new solution. On the other hand, when the concentration exceeds 2.0 mass%, the erosion (edge effect) of the edge portion of the upper surface of the photoresist (corresponding to the unexposed portion in the positive type and the exposed portion in the negative type) remaining as the pattern becomes remarkable, It is not preferable because it may adversely affect the subsequent processes such as etching and film formation of the underlying layer. Further, even if the concentration of the dissolved second component exceeds 2.0% by mass, the penetrability according to the concentration is difficult to be expressed.

【0027】或いは、有機膜が機能膜であるときに、第
1成分として、加工の対象となる機能膜と同種の又は異
種の有機膜を構成する第3成分(機能膜成分)が好まし
くは0.001〜0.5質量%、より好ましくは0.0
1〜0.3質量%の濃度で溶解されて成るものであって
も有用である。なお、第3成分が加工対象の機能膜と同
種又は異種の機能膜成分の場合、第3成分は実質的に機
能膜成分となり、第3成分は機能膜成分以外の有機膜、
例えば、前述したフォトレジスト成分であってもよい。
Alternatively, when the organic film is a functional film, a third component (functional film component) forming an organic film of the same kind or different kind as the functional film to be processed is preferably 0 as the first component. 0.001 to 0.5 mass%, more preferably 0.0
It is also useful if it is dissolved at a concentration of 1 to 0.3% by mass. When the third component is the same or different functional film component as the functional film to be processed, the third component is substantially a functional film component, and the third component is an organic film other than the functional film component,
For example, it may be the above-mentioned photoresist component.

【0028】ここで、本発明における「機能膜」につい
て以下に説明する。機能膜は、感光性の有機高分子樹脂
を主成分とし、アルカリ加工液によって所望のパターン
形状に加工され、その後剥離処理が施されずに構造部材
として基板上に残留して要求される種々の機能を果たす
言わば永久膜である。これに対し、フォトレジストは、
基板上の金属薄膜又は金属酸化薄膜のエッチングによる
パターニングのためのレジスト(抵抗膜)として作用
し、エッチング後にレジスト剥離処理により除去され、
最終的に基板上には残存しないもの、即ち、一時的に使
用される仮の膜である。
The "functional film" in the present invention will be described below. The functional film contains a photosensitive organic polymer resin as a main component, is processed into a desired pattern shape by an alkaline processing liquid, and is not subjected to a peeling treatment thereafter, and remains as a structural member on the substrate in various required shapes. It is, so to speak, a permanent film. In contrast, photoresist is
Acts as a resist (resistive film) for patterning by etching a metal thin film or a metal oxide thin film on a substrate, and is removed by a resist stripping process after etching,
What does not finally remain on the substrate is a temporary film that is temporarily used.

【0029】かかる機能膜のうちポジ型のものとして
は、例えば、アルカリ可溶性有機系樹脂(不飽和カルボ
ン酸、不飽和カルボン酸無水物、エポキシ基含有不飽和
化合物、オレフィン系不飽和化合物等の共重合体から成
るもの、アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂から
なるもの等)、溶剤、感光剤としての1,2−キノンジ
アジド化合物から成る溶液を原料とするものが挙げられ
る。
The positive type of the functional film is, for example, an alkali-soluble organic resin (unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride, epoxy group-containing unsaturated compound, olefinic unsaturated compound, etc.). Examples thereof include those made of a polymer, those made of an alkali-soluble cyclic polyolefin-based resin), a solvent, and a solution made of a 1,2-quinonediazide compound as a photosensitizer.

【0030】この原料溶液が基板上に塗布された後、プ
リベークが施されて溶剤が揮発し、ポジ型の感光性塗膜
が形成される。それから、所定形状のマスク等を介して
紫外線による露光が行われた後、本発明のアルカリ系加
工液によって露光部が溶解される。残った未露光部は基
板ごとポストベークされ、所定パターンを有する機能膜
が得られる。
After the raw material solution is applied on the substrate, prebaking is performed to evaporate the solvent and form a positive type photosensitive coating film. Then, after exposure by ultraviolet rays through a mask having a predetermined shape, the exposed portion is dissolved by the alkaline processing liquid of the present invention. The remaining unexposed portion is post-baked together with the substrate to obtain a functional film having a predetermined pattern.

【0031】また、機能膜のうちネガ型のものとして
は、例えば、アルカリ可溶性有機系樹脂(不飽和カルボ
ン酸、不飽和カルボン酸無水物、エポキシ基含有不飽和
化合物、オレフィン系不飽和化合物等の共重合体からな
るもの)、エチレン性不飽和結合を有する重合成化合
物、溶剤、感放射線重合開始剤から成る溶液を原料とす
るものが挙げられる。
Examples of the negative type functional film include, for example, alkali-soluble organic resins (unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride, epoxy group-containing unsaturated compound, olefinic unsaturated compound, etc.). (A copolymer)), a polysynthetic compound having an ethylenically unsaturated bond, a solvent, and a solution containing a radiation-sensitive polymerization initiator as a raw material.

【0032】この原料溶液が基板上に塗布された後、プ
リベークが施されて溶剤が揮発し、ネガ型の感光性塗膜
が形成される。それから、所定形状のマスク等を介して
紫外線による露光が行われた後、本発明のアルカリ系加
工液によって未露光部が溶解される。残った露光部は基
板ごとポストベークされ、所定パターンを有する機能膜
が得られる。
After this raw material solution is applied on the substrate, it is pre-baked to evaporate the solvent and form a negative photosensitive coating film. Then, after being exposed to ultraviolet light through a mask having a predetermined shape, the unexposed portion is dissolved by the alkaline processing liquid of the present invention. The remaining exposed portion is post-baked together with the substrate to obtain a functional film having a predetermined pattern.

【0033】このような機能膜に対し、アルカリ系加工
液は、構成成分として溶解した第3成分(溶解機能膜成
分)を上記一定の濃度で含有して成るアルカリ系の成形
・加工液として機能する。溶解した第3成分を含むアル
カリ系加工液は、ウェハ上に塗布されて感光した後の機
能膜に対する濡れ性が、新液を用いる従来に比して有意
に高められる。これは、機能膜上におけるアルカリ系加
工液の表面張力が有意に低下し、アルカリ系加工液が機
能膜表面に浸透し易くなることによると考えられる。
In contrast to such a functional film, the alkaline processing liquid functions as an alkaline molding / processing liquid containing the third component (dissolved functional film component) dissolved as a constituent at the above-mentioned constant concentration. To do. The alkaline processing liquid containing the dissolved third component has significantly improved wettability with respect to the functional film after being coated on the wafer and exposed to light, as compared with the conventional method using the new liquid. It is considered that this is because the surface tension of the alkaline processing liquid on the functional film is significantly reduced, and the alkaline processing liquid easily permeates the surface of the functional film.

【0034】なお、アルカリ系加工液と機能膜との濡れ
性を一層高めてより浸透させ易くなる点で、溶解した第
3成分は、好ましくは加工の対象となる機能膜と同種、
より好ましくは同一若しくは略同一の組成を有するもの
であると好適であり、更には、加工対象の機能膜と同種
のマトリックス及び/又は感光剤を含有してなるものが
望ましい。
The dissolved third component is preferably the same kind as the functional film to be processed, in that the wettability between the alkaline processing liquid and the functional film is further enhanced and the permeation is facilitated.
It is more preferable that they have the same or substantially the same composition, and further, it is desirable that they contain the same kind of matrix and / or photosensitizer as the functional film to be processed.

【0035】ここで、溶解した第3成分の濃度が0.0
01質量%未満となると、アルカリ系加工液の機能膜へ
の浸透性が十分に高められず、従来の新液に対する優位
性が認められ難い。一方、この第3成分の濃度が0.5
質量%を超えると、パターンとして残った機能膜(ポジ
型では未露光部、ネガ型では露光部に相当)上面での浸
蝕が顕著となり、所望のパターンが得られなくなるので
好ましくない。
Here, the concentration of the dissolved third component is 0.0
If it is less than 01% by mass, the permeability of the alkaline processing liquid into the functional film cannot be sufficiently enhanced, and it is difficult to recognize the superiority to the conventional new liquid. On the other hand, the concentration of this third component is 0.5
When the content is more than mass%, erosion on the upper surface of the functional film remaining as a pattern (corresponding to the unexposed portion in the positive type and the exposed portion in the negative type) becomes remarkable and a desired pattern cannot be obtained, which is not preferable.

【0036】また、アルカリ系加工液中のアルカリ成分
は、有機膜の溶解性を左右する主要因であり、より具体
的には、アルカリ成分が0.05〜2.5質量%の濃度
で含有されて成るものであると好適である。なお、かか
る好適範囲において、対象となる有機膜及び/又はアル
カリの種類に応じて適宜濃度管理を行うことができる。
The alkaline component in the alkaline processing liquid is the main factor that influences the solubility of the organic film, and more specifically, the alkaline component is contained at a concentration of 0.05 to 2.5 mass%. It is preferable that it is composed of In addition, in such a suitable range, concentration control can be appropriately performed according to the type of the target organic film and / or alkali.

【0037】さらに、有機膜がフォトレジストである場
合、アルカリ系加工液中のアルカリ成分の濃度が、好ま
しくは0.1〜2.5質量%、より好ましくは0.1〜
2.4質量%の範囲内の値であると好適である。
Further, when the organic film is a photoresist, the concentration of the alkaline component in the alkaline processing liquid is preferably 0.1 to 2.5% by mass, more preferably 0.1 to 2.5% by mass.
A value within the range of 2.4% by mass is preferable.

【0038】具体的に例示すると、半導体装置製造に用
いられるフォトレジスト用のアルカリ系現像液として
は、アルカリ成分(例えばTMAH)が好ましくは2.
2〜2.4質量%、より好ましくは2.3〜2.4質量
%であると有用である。また、液晶装置製造に用いられ
るフォトレジスト(例えばDQNレジスト)用のアルカ
リ系現像液としては、アルカリ成分が好ましくは2.2
〜2.4質量%、より好ましく2.3〜2.4質量%で
あると有用である。
To give a concrete example, an alkaline component (for example, TMAH) is preferably used as the alkaline developer for photoresists used in the manufacture of semiconductor devices.
It is useful that the amount is 2 to 2.4% by mass, and more preferably 2.3 to 2.4% by mass. In addition, as an alkaline developer for a photoresist (for example, a DQN resist) used for manufacturing a liquid crystal device, an alkaline component is preferably 2.2.
It is useful for it to be -2.4 mass%, more preferably 2.3-2.4 mass%.

【0039】このアルカリ成分の濃度が0.1質量%未
満であると、フォトレジストの溶解速度が実用上不十分
な程度に減少する傾向にある。これに対し、アルカリ成
分の濃度が2.5質量%を上回ると、濃度の増大に応じ
た溶解性の向上が得られ難くなると共に、場合によって
は、フォトレジストの溶解性ひいてはパターニング形状
を制御し難くなる。
If the concentration of the alkali component is less than 0.1% by mass, the dissolution rate of the photoresist tends to decrease to an extent that is practically insufficient. On the other hand, when the concentration of the alkaline component exceeds 2.5% by mass, it becomes difficult to improve the solubility according to the increase in the concentration, and in some cases, the solubility of the photoresist and thus the patterning shape are controlled. It will be difficult.

【0040】或いは、有機膜が機能膜である場合、アル
カリ系加工液中のアルカリ成分の濃度が、好ましくは
0.05〜2.4質量%、より好ましくは0.08〜
2.4質量%の範囲内の値であると好適である。
Alternatively, when the organic film is a functional film, the concentration of the alkaline component in the alkaline processing liquid is preferably 0.05 to 2.4% by mass, more preferably 0.08 to
A value within the range of 2.4% by mass is preferable.

【0041】具体的に例示すると、保護膜及びスペーサ
に好適なネガ型の(メタ)アクリル系機能膜用のアルカ
リ系加工液としては、アルカリ成分(例えばTMAH)
が好ましくは0.05〜0.6質量%、より好ましくは
0.08〜0.12質量%であると有用である。また、
保護膜又は層間絶縁膜及びスペーサに好適なポジ型(メ
タ)アクリル系機能膜用のアルカリ系加工液としては、
アルカリ成分(例えばTMAH)が好ましくは0.05
〜0.6質量%、より好ましく0.1〜0.3質量%で
あると有用である。
To give a concrete example, as an alkaline working liquid for a negative type (meth) acrylic functional film suitable for a protective film and a spacer, an alkaline component (eg TMAH) is used.
Is preferably 0.05 to 0.6% by mass, more preferably 0.08 to 0.12% by mass. Also,
As an alkaline processing liquid for a positive type (meth) acrylic functional film suitable for a protective film or an interlayer insulating film and a spacer,
Alkaline component (eg TMAH) is preferably 0.05
It is useful that the content is ˜0.6 mass%, more preferably 0.1 to 0.3 mass%.

【0042】さらに、保護膜及び液晶配向膜に好適なネ
ガ型の(メタ)アクリル系機能膜用のアルカリ系加工液
としては、アルカリ成分(例えばTMAH)が好ましく
は0.05〜0.6質量%、より好ましくは0.3〜
0.6質量%であると有用である。さらにまた、マイク
ロレンズに好適なポジ型のエポキシ系機能膜用のアルカ
リ系加工液としては、アルカリ成分(例えばTMAH)
が好ましくは0.5〜2.4質量%、より好ましくは
1.0〜2.4質量%であると有用である。加えて、層
間絶縁膜に好適なネガ型の(メタ)アクリル系機能膜用
のアルカリ系加工液としては、アルカリ成分(例えばT
MAH)が好ましくは1.0〜2.4質量%、より好ま
しくは2.3〜2.4質量%であると有用である。
Further, as an alkaline processing liquid for a negative type (meth) acrylic functional film suitable for a protective film and a liquid crystal alignment film, an alkaline component (eg TMAH) is preferably contained in an amount of 0.05 to 0.6 mass. %, More preferably 0.3 to
It is useful if it is 0.6% by mass. Furthermore, as an alkaline processing liquid for a positive type epoxy functional film suitable for a microlens, an alkaline component (eg TMAH) is used.
Is preferably 0.5 to 2.4 mass%, more preferably 1.0 to 2.4 mass%. In addition, as an alkaline processing liquid for a negative type (meth) acrylic functional film suitable for an interlayer insulating film, an alkaline component (for example, T
It is useful that the MAH) is preferably 1.0 to 2.4% by mass, more preferably 2.3 to 2.4% by mass.

【0043】このアルカリ成分の濃度が0.05質量%
未満であると、機能膜の溶解速度が実用上不十分な程度
に減少する傾向にある。これに対し、アルカリ成分の濃
度が2.4質量%を上回ると、濃度の増大に応じた溶解
性の向上が得られ難くなると共に、場合によっては、機
能膜の溶解性ひいてはパターニング形状を制御し難くな
る。
The concentration of this alkaline component is 0.05% by mass.
If it is less than the above, the dissolution rate of the functional film tends to decrease to an extent that is practically insufficient. On the other hand, when the concentration of the alkaline component exceeds 2.4% by mass, it becomes difficult to improve the solubility according to the increase of the concentration, and in some cases, the solubility of the functional film and thus the patterning shape are controlled. It will be difficult.

【0044】また、本発明によるアルカリ系加工液の調
整方法は、本発明のアルカリ系加工液を有効に調整する
ための方法であり、基体上に塗布された有機膜の加工工
程(換言すれば処理工程)に用いられるアルカリ系加工
液を調整する方法であって、アルカリ系加工液に含まれ
且つ加工の対象となる有機膜と同種の又は異種の有機膜
を構成する第1成分(溶解有機膜成分)の濃度が0.0
01〜2.0質量%の範囲内の値となるように、及び、
アルカリ系加工液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.
05〜2.5質量%の範囲内の値となるようにアルカリ
系加工液の液性を調整することを特徴とする。
Further, the method for preparing an alkaline working liquid according to the present invention is a method for effectively adjusting the alkaline working liquid according to the present invention, which is a process for processing an organic film coated on a substrate (in other words, A method for adjusting an alkaline processing liquid used in a treatment step), comprising a first component (dissolved organic) which is included in the alkaline processing liquid and constitutes an organic film of the same kind or different kind as an organic film to be processed. Concentration of membrane component) is 0.0
To a value within the range of 01 to 2.0% by mass, and
The concentration of the alkaline component contained in the alkaline processing liquid is 0.
It is characterized in that the liquidity of the alkaline working liquid is adjusted so as to be a value within the range of 05 to 2.5 mass%.

【0045】具体的には、例えば、アルカリ系加工液に
含まれる溶解した第1成分及びアルカリ成分の濃度を適
宜測定し、それぞれの実測値及び予め設定した各濃度値
に基づいて、目標設定値に満たない場合には、第1成分
又はアルカリを添加して溶解せしめる一方、目標設定値
を上回る場合には希釈を行うといった操作を、随時、手
動又は自動で実施できる。或いは、アルカリ系加工液の
溶媒へのアルカリ及びフォトレジストの添加溶解量を計
量管理してもよい。
Specifically, for example, the concentrations of the dissolved first component and alkali component contained in the alkaline working fluid are appropriately measured, and the target set value is set based on the measured values and preset concentration values. If it does not satisfy the above condition, the operation of adding the first component or alkali to dissolve it and, if it exceeds the target set value, diluting can be carried out manually or automatically at any time. Alternatively, the amount of the alkali and the photoresist added and dissolved in the solvent of the alkaline processing liquid may be measured and controlled.

【0046】また、有機膜がフォトレジストであるとき
に、第1成分として、アルカリ系加工液に含まれ且つ加
工としての現像の対象となるフォトレジストと同種の又
は異種の有機膜を構成する第2成分の濃度が0.001
〜2.0質量%の範囲内の値となるように、及び、アル
カリ系加工液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.1〜
2.5質量%の範囲内の値となるように、該アルカリ系
加工液の液性を調整すると好ましい。
When the organic film is a photoresist, the first component is an organic film which is the same as or different from the photoresist which is contained in the alkaline processing liquid and is to be developed as processing. The concentration of the two components is 0.001
The concentration of the alkaline component contained in the alkaline processing liquid is 0.1 to 2.0% by mass.
It is preferable to adjust the liquidity of the alkaline working liquid so that the value falls within the range of 2.5% by mass.

【0047】具体的には、例えば、アルカリ系加工液に
含まれる溶解した第2成分及びアルカリ成分の濃度を適
宜測定し、それぞれの実測値及び予め設定した各濃度値
に基づいて、目標設定値に満たない場合には、第2成分
又はアルカリを添加して溶解せしめる一方、目標設定値
を上回る場合には希釈を行うといった操作を、随時、手
動又は自動で実施できる。或いは、アルカリ系加工液の
溶媒へのアルカリ及び第2成分の添加溶解量を計量管理
してもよい。
Specifically, for example, the concentrations of the dissolved second component and alkaline component contained in the alkaline working fluid are appropriately measured, and the target set value is set based on the measured values and preset concentration values. If it does not satisfy the above condition, the second component or the alkali is added to dissolve it, while if it exceeds the target set value, the operation of diluting can be carried out manually or automatically at any time. Alternatively, the amount of addition and dissolution of the alkali and the second component in the solvent of the alkaline processing liquid may be measured and controlled.

【0048】或いは、有機膜が機能膜であるときに、第
1成分として、アルカリ系加工液に含まれ且つ加工の対
象となる機能膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第
3成分の濃度が0.001〜0.5質量%の範囲内の値
となるように、及び、アルカリ系加工液に含まれるアル
カリ成分の濃度が0.05〜2.4質量%の範囲内の値
となるように、アルカリ系加工液の液性を調整すると好
ましい。
Alternatively, when the organic film is a functional film, as a first component, a third component contained in the alkaline processing liquid and forming the same or different organic film as the functional film to be processed is included. So that the concentration is in the range of 0.001 to 0.5% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the alkaline working liquid is in the range of 0.05 to 2.4% by mass. It is preferable to adjust the liquidity of the alkaline processing liquid so that

【0049】具体的には、例えば、アルカリ系加工液に
含まれる溶解した第3成分及びアルカリ成分の濃度を適
宜測定し、それぞれの実測値及び予め設定した各濃度値
に基づいて、目標設定値に満たない場合には、第3成分
又はアルカリを添加して溶解せしめる一方、目標設定値
を上回る場合には希釈を行うといった操作を、随時、手
動又は自動で実施できる。或いは、アルカリ系加工液の
溶媒へのアルカリ及び第3成分の添加溶解量を計量管理
してもよい。
Specifically, for example, the concentrations of the dissolved third component and alkali component contained in the alkaline working liquid are appropriately measured, and the target set value is set based on the measured values and preset concentration values. If it does not satisfy the above condition, the third component or alkali may be added to dissolve it, while if it exceeds the target set value, dilution may be performed manually or automatically at any time. Alternatively, the amount of addition and dissolution of the alkali and the third component in the solvent of the alkaline processing liquid may be measured and controlled.

【0050】また、本発明によるアルカリ系加工液の供
給方法は、本発明によって調整されるアルカリ系加工液
を、基体上に塗布された有機膜の加工工程に供給する方
法であって、(1)有機膜と同種の又は異種の有機膜を
構成する第1成分(有機膜成分)を含む使用済液を受け
入れる受入工程と、(2)使用済液に含まれる第1成分
(溶解有機膜成分)及びアルカリ成分の濃度を測定する
濃度測定工程と、(3)第1成分及びアルカリ成分の濃
度実測値に基づいて、使用済液に含まれる第1成分の濃
度が0.001〜2.0質量%の範囲内の値となるよう
に、且つ、使用済液に含まれるアルカリ成分の濃度が
0.05〜2.5質量%の範囲内の値となるように、該
使用済液の液性を調整して再生液を得る調整工程と、
(4)再生液を加工工程に送給する送給工程とを備える
ことを特徴とする。なお、受入工程で受け入れる使用済
液は、送給工程での送給対象である加工工程で使用され
たものでもよく、別の設備の加工工程で使用されたもの
でもよい。
The method for supplying the alkaline processing liquid according to the present invention is a method for supplying the alkaline processing liquid prepared according to the present invention to the processing step of the organic film coated on the substrate, wherein (1) ) A receiving step of receiving a used liquid containing a first component (organic film component) constituting the same kind or different kind of organic film as the organic film, and (2) a first component (dissolved organic film component) contained in the used liquid. ) And the concentration measuring step of measuring the concentration of the alkaline component, and (3) the concentration of the first component contained in the used liquid is 0.001 to 2.0 based on the measured concentrations of the first component and the alkaline component. The liquid of the used liquid so that the concentration of the alkaline component contained in the used liquid is in the range of 0.05 to 2.5% by mass, and the value of the used liquid is within the range of mass%. A step of adjusting the properties to obtain a regenerated liquid,
(4) A feeding step of feeding the regenerating liquid to the processing step. The used liquid received in the receiving step may be the one used in the processing step to be fed in the feeding step, or the one used in the processing step of another facility.

【0051】受入工程で受け入れた使用済液は、例えば
有機膜の加工に供され且つ第1成分が溶解又は分散され
たものであり、通常は、リンス水によって希釈され、ア
ルカリ成分が初期に比して薄められている。濃度測定工
程では、この使用済液に含まれる溶解した第1成分及び
アルカリ成分の濃度を測定する。次いで、調整工程にお
いて、これらの実測値を、例えば予め設定した濃度値と
比較考量し、不足する場合には、その差分に応じた第1
成分及び/又はアルカリを補給する一方、過剰な場合に
は適宜希釈する。このとき、濃度測定工程及び調整工程
を並行して連続実施し、濃度のフィードバック制御を行
うと好適である。そして、溶解した第1成分及びアルカ
リ成分の濃度が上記所定範囲の濃度に調整された再生液
を有機膜の加工工程に送給する。
The used liquid received in the receiving step is, for example, one that has been used for processing an organic film and in which the first component has been dissolved or dispersed, and is usually diluted with rinsing water so that the alkali component is compared with the initial component. And is diluted. In the concentration measuring step, the concentrations of the dissolved first component and alkaline component contained in the used liquid are measured. Next, in the adjustment step, these measured values are weighed, for example, with a preset density value, and if insufficient, the first value corresponding to the difference is calculated.
While supplementing the components and / or the alkali, if excessive, dilute appropriately. At this time, it is preferable that the concentration measuring step and the adjusting step are continuously performed in parallel to perform the feedback control of the concentration. Then, the regenerated liquid in which the concentrations of the dissolved first component and alkaline component are adjusted to be within the above-mentioned predetermined range is fed to the organic film processing step.

【0052】また、有機膜がフォトレジストであるとき
に、第1成分として、アルカリ系加工液に含まれ且つ加
工としての現像の対象となるフォトレジストと同種の又
は異種の有機膜を構成する第2成分の濃度が0.001
〜2.0質量%の範囲内の値となるように、及び、アル
カリ系加工液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.1〜
2.5質量%の範囲内の値となるように、アルカリ系加
工液の液性を調整すると好ましい。この場合、上記濃度
範囲の第2成分及びアルカリ成分を含む再生液がフォト
レジストの現像工程に送給される。
Further, when the organic film is a photoresist, the first component forms an organic film which is the same as or different from the photoresist which is contained in the alkaline processing liquid and is a development target for processing. The concentration of the two components is 0.001
The concentration of the alkaline component contained in the alkaline processing liquid is 0.1 to 2.0% by mass.
It is preferable to adjust the liquidity of the alkaline working liquid so that the value falls within the range of 2.5% by mass. In this case, the regenerant liquid containing the second component and the alkaline component in the above concentration range is fed to the photoresist developing step.

【0053】或いは、有機膜が機能膜であるときに、第
1成分として、アルカリ系加工液に含まれ且つ加工の対
象となる機能膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第
3成分の濃度が0.001〜0.5質量%の範囲内の値
となるように、及び、アルカリ系加工液に含まれるアル
カリ成分の濃度が0.05〜2.4質量%の範囲内の値
となるように、アルカリ系加工液の液性を調整すると好
ましい。この場合、上記濃度範囲の第3成分及びアルカ
リ成分を含む再生液が機能膜の加工工程に送給される。
Alternatively, when the organic film is a functional film, as the first component, a third component contained in the alkaline processing liquid and constituting the organic film of the same kind or different kind as the functional film to be processed is used. So that the concentration is in the range of 0.001 to 0.5% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the alkaline working liquid is in the range of 0.05 to 2.4% by mass. It is preferable to adjust the liquidity of the alkaline processing liquid so that In this case, the regenerant liquid containing the third component and the alkaline component in the above concentration range is fed to the functional film processing step.

【0054】さらに、(5)受入工程と調整工程との間
に実施され、使用済液のろ過を行うろ過ステップ、使用
済液中に残留する第1成分(或いは、第2成分又は第3
成分)を除去する残留成分除去ステップ、及び、使用済
液に含まれる金属成分を除去する金属成分除去ステップ
のうち少なくともいずれか一つのステップを有する前処
理工程を備えると好ましい。
Further, (5) a filtration step which is carried out between the receiving step and the adjusting step for filtering the used liquid, the first component (or the second component or the third component) remaining in the used liquid.
It is preferable to include a pretreatment process including at least one of a residual component removing step of removing a component) and a metal component removing step of removing a metal component contained in the used liquid.

【0055】使用済液として有機膜の加工に使用された
ものを用いると、第1成分が、分散状態、溶解状態、場
合によっては残渣状態等の形態で残留していることがあ
り、更には受入工程に送られる間に溶け込んだ金属イオ
ン等も含まれ得る。半導体装置、液晶装置等の素子製造
やマイクロマシニングでは、これらの混入を防止する必
要があるため、ろ過ステップ及び金属成分除去ステップ
を実施することが望ましい。また、使用済液には、溶解
した第1成分が上記所定範囲の上限値つまり濃度2.0
質量%を超えて含まれることもあり、調整工程に先立っ
て、第1成分の一定量を除去すべく残留成分除去ステッ
プを実施すると好適である。
When the used liquid used for processing the organic film is used, the first component may remain in a dispersed state, a dissolved state, or a residual state in some cases. It may also include metal ions and the like that have been dissolved during the sending to the receiving step. In the manufacture of elements such as semiconductor devices and liquid crystal devices and in micromachining, it is necessary to prevent them from being mixed, and therefore it is desirable to carry out the filtration step and the metal component removal step. In the used liquid, the dissolved first component has an upper limit value of the above predetermined range, that is, a concentration of 2.0.
Since it may be contained in excess of mass%, it is preferable to carry out a residual component removing step to remove a certain amount of the first component prior to the adjusting step.

【0056】またさらに、ろ過ステップにおいては、使
用済液をクロスフローろ過により透過液と非透過液とに
ろ別し、調整工程がその非透過液を使用済液に添加する
非透過液添加ステップを有しても好ましい。ここで、
「透過液」とは、ろ過においてろ過手段を透過した成分
(透過成分)を総称するものであり、主として又は実質
的に液分から成るものである。また、「非透過液」と
は、ろ過において当該ろ過手段を透過しない成分(非透
過成分)を総称するものであり、換言すれば、使用済液
の「透過液」以外の部分を示し、主として又は実質的に
液分から成るものであるが、使用済液の性状によっては
ろ過残渣としての固形分が含有される場合もある。
Furthermore, in the filtration step, the used liquid is separated into a permeated liquid and a non-permeated liquid by cross-flow filtration, and the adjusting step adds the non-permeated liquid to the used liquid. Is also preferable. here,
The "permeated liquid" is a generic term for components (permeated components) that have permeated through the filtering means in filtration, and mainly or substantially consist of liquid components. Further, the "non-permeated liquid" is a generic term for components that do not permeate the filtration means in filtration (non-permeated component). In other words, it indicates a portion of the used liquid other than the "permeated liquid", and mainly Alternatively, it may consist essentially of a liquid component, but depending on the properties of the used liquid, it may contain a solid component as a filtration residue.

【0057】ろ過ステップに適用するろ過手法は、特に
限定されるものではないが、半導体装置、液晶装置等の
素子製造に要求されるアルカリ系加工液の清浄度、清澄
度、粒子濃度等に好適なろ過精度(粒子又は分子量サイ
ズ)を考慮すると、クロスフローろ過が望ましい。この
場合、使用済液は、分画サイズ(ろ別サイズ)以上の物
質を含む非透過液と、分画サイズ未満の物質を含む透過
液とにろ別される。
The filtration method applied to the filtration step is not particularly limited, but is suitable for the cleanliness, clarification, particle concentration, etc. of the alkaline processing liquid required for manufacturing elements such as semiconductor devices and liquid crystal devices. Cross-flow filtration is desirable in consideration of proper filtration accuracy (particle or molecular weight size). In this case, the used liquid is separated by filtration into a non-permeate liquid containing a substance having a fractional size (filtering size) or more and a permeate liquid containing a substance having a fractional size or less.

【0058】非透過液には、分画サイズ以上の第1成分
つまり有機膜成分、或いは第2成分又は第3成分が含ま
れており、これを非透過液添加ステップで使用済液に添
加すれば、使用済液中に溶解している第1〜第3成分の
濃度調整に流用できる。よって、調整工程において新た
な第1〜第3成分を別途補充する必要がない。また、ろ
過ステップでのろ過サイズを適宜設定すれば、非透過液
中の金属イオンを十分に低減できるので、調整工程にお
ける濃度調整に用いると好適である。
The impermeable liquid contains the first component having a size equal to or larger than the fractional size, that is, the organic membrane component, or the second component or the third component, which is added to the used liquid in the impermeable liquid adding step. For example, it can be used to adjust the concentrations of the first to third components dissolved in the used liquid. Therefore, it is not necessary to separately replenish new first to third components in the adjusting step. Further, by appropriately setting the filtration size in the filtration step, the metal ions in the non-permeate can be sufficiently reduced, and therefore it is suitable to be used for concentration adjustment in the adjustment step.

【0059】さらにまた、(6)調整工程と供給工程と
の間に実施され、再生液からパーティクル成分を除去す
るパーティクル除去ステップを有する後処理工程を備え
ると、加工工程へのパーティクルの混入を抑止できるの
で一層好ましい。
Furthermore, (6) the post-treatment process, which is carried out between the adjusting process and the supplying process and has a particle removing step for removing the particle component from the regenerating liquid, can prevent the mixing of particles into the processing process. It is more preferable because it can.

【0060】また、本発明による加工液調整装置は、基
体上に塗布された有機膜の加工に用いられるアルカリ系
加工液を調整するための装置であって、アルカリ系加工
液に含まれ且つ有機膜と同種の又は異種の有機膜を構成
する第1成分(溶解有機膜成分)の濃度が0.001〜
2.0質量%の範囲内の値となるように、且つ、アルカ
リ系加工液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.05〜
2.5質量%の範囲内の値となるように、アルカリ系加
工液の液性が調整される調整部を備えるものである。
The processing liquid adjusting apparatus according to the present invention is an apparatus for adjusting the alkaline processing liquid used for processing the organic film applied on the substrate, and is contained in the alkaline processing liquid and contains the organic processing liquid. The concentration of the first component (dissolved organic film component) that constitutes the same or different organic film as the film is 0.001 to
The concentration of the alkaline component contained in the alkaline processing liquid is 0.05 to so that the value falls within the range of 2.0% by mass.
It is equipped with an adjusting unit for adjusting the liquidity of the alkaline working liquid so that the value is within the range of 2.5% by mass.

【0061】さらに、有機膜がフォトレジストであると
きに、調整部は、前記第1成分として、アルカリ系加工
液に含まれ且つ加工としての現像の対象となるフォトレ
ジストと同種の又は異種の有機膜を構成する第2成分の
濃度が0.001〜2.0質量%の範囲内の値となるよ
うに、且つ、該アルカリ系加工液に含まれるアルカリ成
分の濃度が0.1〜2.5質量%の範囲内の値となるよ
うに、アルカリ系加工液の液性が調整されるものである
と好ましい。
Further, when the organic film is a photoresist, the adjusting part is an organic material which is the same as or different from the photoresist which is contained in the alkaline processing liquid as the first component and which is a development target for processing. The concentration of the second component constituting the film is set to a value within the range of 0.001 to 2.0% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the alkaline processing liquid is 0.1 to 2. It is preferable that the liquidity of the alkaline working liquid is adjusted so that the value falls within the range of 5% by mass.

【0062】或いは、有機膜が機能膜であるときに、調
整部は、第1成分として、アルカリ系加工液に含まれ且
つ加工の対象となる機能膜と同種の又は異種の有機膜を
構成する第3成分の濃度が0.001〜0.5質量%の
範囲内の値となるように、且つ、アルカリ系加工液に含
まれるアルカリ成分の濃度が0.05〜2.4質量%の
範囲内の値となるように、アルカリ系加工液の液性が調
整されるものであっても好ましい。
Alternatively, when the organic film is a functional film, the adjusting portion constitutes, as the first component, an organic film which is contained in the alkaline processing liquid and is the same or different from the functional film to be processed. The concentration of the third component is in the range of 0.001 to 0.5% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the alkaline working liquid is in the range of 0.05 to 2.4% by mass. It is also preferable that the liquidity of the alkaline processing liquid is adjusted so that the value falls within the range.

【0063】また、本発明によるアルカリ系現像液の供
給装置は、基体上に塗布された有機膜の加工部にアルカ
リ系加工液を供給するための装置であって、(a)有機
膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第1成分(溶解
有機膜成分)を含む使用済液が供給される受入部と、
(b)使用済液に含まれる第1成分及びアルカリ成分の
濃度を測定する濃度測定部と、(c)第1成分及びアル
カリ成分の濃度実測値に基づいて、使用済液に含まれる
第1成分の濃度が0.001〜2.0質量%の範囲内の
値となるように、且つ、使用済液に含まれるアルカリ成
分の濃度が0.05〜2.5質量%の範囲内の値となる
ように、使用済液の液性を調整して再生液を得る調整部
と、(d)再生液を加工部へ送給する送給部とを備える
ものである。
The alkaline developing solution supply apparatus according to the present invention is an apparatus for supplying an alkaline processing solution to a processed portion of an organic film coated on a substrate, and is of the same type as (a) organic film. Or a receiving part to which a used liquid containing a first component (dissolved organic film component) constituting an organic film of a different type is supplied,
(B) a concentration measuring unit for measuring the concentrations of the first component and the alkaline component contained in the used liquid; and (c) the first concentration contained in the used liquid, based on the measured values of the concentrations of the first component and the alkaline component. A value within the range of 0.05 to 2.5 mass% so that the concentration of the component is within the range of 0.001 to 2.0 mass% and the concentration of the alkaline component contained in the used liquid is within the range of 0.05 to 2.5 mass%. In order to obtain the regenerated liquid, the adjusting unit for adjusting the liquid property of the used liquid to obtain the regenerated liquid, and (d) the feeding unit for feeding the regenerated liquid to the processing unit.

【0064】さらに、有機膜がフォトレジストであると
きに、受入部は、使用済液として、フォトレジストと同
種の又は異種の有機膜を構成する第2成分を含むものが
供給されるものであり、濃度測定部が、使用済液に含ま
れる第2成分及びアルカリ成分の濃度を測定するもので
あり、調整部が、第2成分及びアルカリ成分の濃度実測
値に基づいて、使用済液に含まれる第2成分の濃度が
0.001〜2.0質量%の範囲内の値となるように、
且つ、使用済液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.1
〜2.5質量%の範囲内の値となるように使用済液の液
性を調整するものであると好適である。
Further, when the organic film is a photoresist, the receiving portion is supplied with the used liquid containing the second component which constitutes the organic film of the same kind or different kind as the photoresist. The concentration measuring unit measures the concentrations of the second component and the alkaline component contained in the used liquid, and the adjusting unit includes the used liquid in the used liquid based on the measured values of the concentrations of the second component and the alkaline component. So that the concentration of the second component is 0.001 to 2.0% by mass,
Moreover, the concentration of the alkaline component contained in the used liquid is 0.1
It is preferable to adjust the liquidity of the used liquid so that the value is within a range of from 2.5% by mass to 2.5% by mass.

【0065】或いは、有機膜が機能膜であるときに、受
入部は、使用済液として、機能膜と同種の又は異種の有
機膜を構成する第3成分を含むものが供給されるもので
あり、濃度測定部が、使用済液に含まれる第3成分及び
アルカリ成分の濃度を測定するものであり、調整部が、
第3成分及びアルカリ成分の濃度実測値に基づいて、使
用済液に含まれる第3成分の濃度が0.001〜0.5
質量%の範囲内の値となるように、且つ、使用済液に含
まれるアルカリ成分の濃度が0.05〜2.4質量%の
範囲内の値となるように、使用済液の液性を調整するも
のであっても好適である。
Alternatively, when the organic film is a functional film, the receiving portion is supplied with the used liquid containing the third component which constitutes the organic film of the same kind or different kind as the used film. The concentration measuring section measures the concentrations of the third component and the alkaline component contained in the used liquid, and the adjusting section
Based on the measured values of the concentrations of the third component and the alkaline component, the concentration of the third component contained in the used liquid is 0.001 to 0.5.
Liquidity of the used liquid so that the value is within the range of mass% and the concentration of the alkaline component contained in the used liquid is within the range of 0.05 to 2.4% by mass. It is also suitable to adjust.

【0066】具体的には、(e)受入部と調整部との間
に設けられ、使用済液がろ過されるろ過部、使用済液中
に残留する第1成分(或いは第2成分又は第3成分)が
除去される残留成分除去部、及び、使用済液に含まれる
金属成分が除去される金属成分除去部のうち少なくとも
いずれか一つを有する前処理部を備えるとより好まし
い。
Specifically, (e) a filtering section provided between the receiving section and the adjusting section for filtering the used liquid, the first component (or the second component or the second component remaining in the used liquid). It is more preferable to include a pretreatment unit having at least one of a residual component removal unit for removing the three components) and a metal component removal unit for removing the metal components contained in the used liquid.

【0067】さらに、ろ過部が、使用済液をクロスフロ
ーろ過により透過液と非透過液とにろ別するものであ
り、(f)ろ過部及び調整部に接続されており、且つ、
非透過液をろ過部から調整部へ移送する非透過液移送部
を備えると更に好ましく、またさらに、(g)調整部と
送給部との間に設けられ、再生液に含まれるパーティク
ル成分が除去されるパーティクル除去部を有する後処理
部を備えると一層好ましい。
Further, the filtering section separates the used liquid into a permeated liquid and a non-permeated liquid by cross-flow filtration, and (f) is connected to the filtering section and the adjusting section, and
It is more preferable to include a non-permeate transfer section for transferring the non-permeate from the filtration section to the adjustment section. Further, (g) a particle component contained in the regenerant liquid provided between the adjustment section and the feeding section It is more preferable to include a post-treatment section having a particle removal section to be removed.

【0068】加えて、(h)調整部に接続されており、
再生液が調整部から水頭圧力差によって自然移送され、
再生液に含まれる第1成分(或いは第2成分又は第3成
分)及びアルカリ成分の濃度が平準化される平準化部を
備えると有用である。これにより、アルカリ系加工液と
しての再生液を連続して有機膜の加工部に送給し易くな
り、しかも、バッチ方式で送給する場合に比して、送給
される再生液中の第1成分(或いは第2成分又は第3成
分)及びアルカリ成分の濃度をより安定に維持できる。
In addition, (h) is connected to the adjusting section,
The regenerated liquid is naturally transferred from the adjustment unit due to the head pressure difference,
It is useful to provide a leveling unit for leveling the concentrations of the first component (or the second component or the third component) and the alkaline component contained in the regenerating liquid. As a result, it becomes easier to continuously supply the regenerating liquid as the alkaline processing liquid to the processing part of the organic film, and moreover, as compared with the case where the regenerating liquid is fed by the batch method, The concentrations of the one component (or the second component or the third component) and the alkaline component can be maintained more stably.

【0069】[0069]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。本発明によるアルカリ系加工液は、半
導体装置、液晶装置等の素子製造やマイクロ加工に適用
されるフォトリソグラフィ工程で基体上に塗布された有
機膜の加工処理、特にフォトレジストの現像又は機能膜
の加工に用いられるものであり、加工の対象となる有機
膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第1成分(有機
膜成分)が0.001〜2.0質量%の範囲内の濃度で
溶解されて成るものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below. The alkaline processing liquid according to the present invention is used for processing an organic film applied on a substrate in a photolithography process applied to element manufacturing of semiconductor devices, liquid crystal devices, etc. and micro processing, especially for developing a photoresist or for forming a functional film. The first component (organic film component), which is used for processing and constitutes the same or different organic film as the organic film to be processed, has a concentration within the range of 0.001 to 2.0% by mass. It is made by melting.

【0070】〈第1実施形態〉本実施形態は、有機膜が
フォトレジストである場合の一態様である。本態様にお
いては、アルカリ系加工液は、フォトレジストのアルカ
リ系現像液として機能する。このアルカリ系現像液(ア
ルカリ系加工液)に含有される溶解有機膜成分としての
溶解フォトレジスト成分(溶解した第2成分)として
は、特に限定されず、現像の対象となるフォトレジスト
と同種のものであっても、異種のものであっても構わな
いが、現像対象のフォトレジストとの親和性に優れるも
のが望ましく、この観点より、好ましくは現像対象のフ
ォトレジストと同種、例えば、同じマトリックス樹脂を
含むもの、より好ましくは感光剤成分も同種のもの、更
に好ましくは同一若しくは略同一の組成を有するものが
望ましい。
<First Embodiment> This embodiment is one mode in which the organic film is a photoresist. In this embodiment, the alkaline processing liquid functions as an alkaline developing liquid for the photoresist. The dissolved photoresist component (dissolved second component) as the dissolved organic film component contained in the alkaline developer (alkali processing liquid) is not particularly limited, and may be the same type as the photoresist to be developed. Although it may be one of different types, it is desirable that it has excellent affinity with the photoresist to be developed, and from this viewpoint, it is preferably the same type as the photoresist to be developed, for example, the same matrix. Desirably, a resin-containing material, more preferably the same type of sensitizer component, and even more preferably the same or substantially the same composition.

【0071】かかるフォトレジストの具体例としては、
例えば、ノボラック樹脂、アクリル(系)樹脂等のマト
リックス材料に、ジアゾキノン、特にジアゾナフトキノ
ン系の感光剤が含まれたものが挙げられる。これらは、
近年、半導体装置及び液晶装置製造におけるフォトリソ
グラフィに多用されている。
Specific examples of such a photoresist include:
For example, a matrix material such as a novolac resin or an acrylic (based) resin containing a diazoquinone, particularly a diazonaphthoquinone-based photosensitizer may be used. They are,
In recent years, it has been widely used in photolithography in manufacturing semiconductor devices and liquid crystal devices.

【0072】また、本態様のアルカリ系現像液に含まれ
るアルカリ成分は、特に制限されるものではないが、例
えば、アルカリ金属の水酸化物、置換又は未置換のアン
モニウムハイドロオキサイドが挙げられ、なかでもTM
AH、KOHが好ましい。さらに、アルカリ成分の含有
濃度が、好ましくは0.1〜2.5質量%、より好まし
くは0.1〜2.4質量%の濃度で含有されて成るもの
であると好適である。
The alkaline component contained in the alkaline developing solution of the present embodiment is not particularly limited, but examples thereof include alkali metal hydroxides and substituted or unsubstituted ammonium hydroxides. But TM
AH and KOH are preferred. Further, it is preferable that the content of the alkali component is 0.1 to 2.5% by mass, more preferably 0.1 to 2.4% by mass.

【0073】またさらに、かかる好適範囲において、対
象となるフォトレジスト及び/又はアルカリの種類に応
じて適宜濃度管理を行うことができる。一例を示すと、
半導体装置製造に用いられるフォトレジスト用のアルカ
リ系現像液としては、アルカリ成分(例えばTMAH)
が好ましくは2.2〜2.4質量%(より具体的には
2.375〜2.385質量%)、より好ましくは2.
3〜2.4質量%(より具体的には2.377〜2.3
83質量%)であると有用である。
Furthermore, within such a preferable range, concentration control can be appropriately performed depending on the type of the photoresist and / or the alkali to be targeted. For example,
As an alkaline developing solution for a photoresist used for manufacturing a semiconductor device, an alkaline component (for example, TMAH) is used.
Is preferably 2.2 to 2.4% by mass (more specifically 2.375 to 2.385% by mass), and more preferably 2.
3 to 2.4 mass% (more specifically, 2.377 to 2.3)
83% by mass) is useful.

【0074】また、液晶装置製造に用いられるフォトレ
ジスト(例えばDQNレジスト)用のアルカリ系現像液
としては、アルカリ成分が好ましくは2.2〜2.4質
量%(より具体的には2.370〜2.390質量
%)、より好ましく2.3〜2.4質量%(より具体的
には2.375〜2.385質量%)であると有用であ
る。
Further, as an alkaline developing solution for a photoresist (for example, a DQN resist) used for manufacturing a liquid crystal device, an alkaline component is preferably 2.2 to 2.4 mass% (more specifically, 2.370). It is useful that the amount is from about 2.390% by mass), more preferably from 2.3 to 2.4% by mass (more specifically from 2.375 to 2.385% by mass).

【0075】次に、図を参照して、本発明による加工液
調整方法及び装置並びに加工液供給方法及び装置につい
て説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、
重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係
は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくも
のとする。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限ら
れるものではない。
Next, with reference to the drawings, a working fluid adjusting method and apparatus and a working fluid supply method and apparatus according to the present invention will be described. In addition, the same reference numerals are given to the same elements,
A duplicate description will be omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. The dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

【0076】図1は、本発明による加工液供給装置の好
適な一実施形態の構成を示す模式図である。現像液供給
装置100(加工液供給装置;加工液調整装置を兼ね
る)は、半導体製造設備200の現像処理装置210
(加工部)に配管L1及び配管L2(送給部)を介して
接続されており、本発明のアルカリ系現像液を現像処理
装置210に循環供給するものである。この現像液供給
装置100は、配管L1に接続された受入槽1(受入
部)の後段に、前処理部20、調整槽5及び平準化槽6
(平準化部)が連設されたものであり、最後段の平準化
槽6にパーティクル除去器7(パーティクル除去部)が
設けられた配管L2(送給部)が接続されている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a preferred embodiment of the working fluid supply apparatus according to the present invention. The developing solution supply apparatus 100 (working solution supply apparatus; also serving as the working solution adjusting apparatus) is a development processing apparatus 210 of the semiconductor manufacturing facility 200.
It is connected to the (processing section) via a pipe L1 and a pipe L2 (feeding section), and circulates and supplies the alkaline developing solution of the present invention to the development processing apparatus 210. The developing solution supply apparatus 100 includes a pretreatment unit 20, an adjusting tank 5, and a leveling tank 6 at a stage subsequent to the receiving tank 1 (receiving unit) connected to the pipe L1.
The (leveling section) is connected in series, and a pipe L2 (feeding section) provided with a particle remover 7 (particle removing section) is connected to the final leveling tank 6.

【0077】受入槽1は、攪拌機Mを備えており、現像
処理装置210でフォトレジストの現像に使用された使
用済液Wが配管L1を通して導入される。その後段に配
置された前処理部20は、受入槽1にそれぞれ配管L3
〜L5を介して順に配置されたろ過器2、残留フォトレ
ジスト除去器3及び金属イオン除去器4によって構成さ
れている。
The receiving tank 1 is equipped with a stirrer M, and the used solution W used for developing the photoresist in the developing processing apparatus 210 is introduced through the pipe L1. The pretreatment section 20 arranged in the subsequent stage is provided with the pipe L3 in the receiving tank 1 respectively.
Through L5, the filter 2, the residual photoresist remover 3 and the metal ion remover 4 are arranged in this order.

【0078】ろ過器2(ろ過部)には、単一又は複数の
ろ過膜で構成される膜分離モジュール21又はその多段
ユニットが設置されており、受入槽1から送液される使
用済液Wのろ過処理が行われる。膜分離モジュール21
に用いられる膜の種類は特に制限されず、例えば、精密
ろ過(MF)膜、限外ろ過(UF)膜、ナノフィルトレ
ーション(NF)膜、逆浸透(RO)膜等が挙げられ
る。
The filter 2 (filter section) is provided with a membrane separation module 21 composed of a single or a plurality of filtration membranes or a multi-stage unit thereof, and the used liquid W sent from the receiving tank 1 is used. Is filtered. Membrane separation module 21
The type of membrane used in the above is not particularly limited, and examples thereof include a microfiltration (MF) membrane, an ultrafiltration (UF) membrane, a nanofiltration (NF) membrane, and a reverse osmosis (RO) membrane.

【0079】これらは、必要なろ過精度に応じて使い分
けられるが、半導体製造設備200での使用に供する観
点から、クロスフローによる高性能ろ過(クロスフロー
ろ過)を実現できるMF膜、UF膜、NF膜、RO膜が
好ましく、ろ過性能、ろ過速度及び簡便性の兼ね合いか
ら、UF膜又はNF膜を用いると好適である。また、膜
の性状も特に限定されず、例えば、平膜状、中空糸状等
とすることができる。
These are properly used depending on the required filtration accuracy, but from the viewpoint of being used in the semiconductor manufacturing facility 200, MF membranes, UF membranes, NF membranes that can realize high-performance filtration by crossflow (crossflow filtration). Membranes and RO membranes are preferable, and it is preferable to use UF membranes or NF membranes in consideration of filtration performance, filtration rate and simplicity. Moreover, the property of the membrane is not particularly limited, and may be, for example, a flat membrane, a hollow fiber, or the like.

【0080】また、残留フォトレジスト除去器3(残留
成分除去部)は、ろ過器2と同様に、単一又は複数のろ
過膜で構成される膜分離モジュール31又はその多段ユ
ニットが設置されており、膜分離モジュール21から配
管を通して送液される透過成分(UFやNF等によるク
ロスフローろ過を採用した場合には、透過液となる。以
下、「透過液」として記載する。)に対し、更に膜ろ過
を行うものである。この膜分離モジュール31に用いら
れる膜の種類は特に制限されないが、ろ過器2の膜分離
モジュール21を構成する膜よりもろ過精度の高いもの
(例えば孔径が膜分離モジュール21を構成する膜に比
して小さいもの)が用いられる。
As with the filter 2, the residual photoresist remover 3 (residual component remover) is provided with a membrane separation module 31 composed of a single or a plurality of filtration membranes or a multi-stage unit thereof. Further, with respect to a permeation component (a permeation liquid when cross flow filtration using UF or NF is adopted, which is sent from the membrane separation module 21 through a pipe, it will be referred to as a “permeation liquid” hereinafter). Membrane filtration is performed. The type of membrane used for the membrane separation module 31 is not particularly limited, but one having higher filtration accuracy than the membrane constituting the membrane separation module 21 of the filter 2 (for example, the pore diameter is larger than that of the membrane constituting the membrane separation module 21). Then the smaller one) is used.

【0081】例えば、膜分離モジュール21でMF膜を
用いた場合には、膜分離モジュール31では、UF膜、
NF膜、又はRO膜を用いることが望ましい。同様に、
前者でUF膜を用いた場合には後者ではNF膜又はRO
膜を、或いは、前者でNF膜を用いた場合には後者では
RO膜を用いると好適である。なお、両者に同種の膜を
用いてもよく、上述したように膜分離モジュール31の
膜ろ過精度を高めておけばよい。
For example, when the membrane separation module 21 uses the MF membrane, the membrane separation module 31 uses the UF membrane,
It is desirable to use an NF film or an RO film. Similarly,
If the former uses a UF membrane, the latter uses an NF membrane or RO.
It is preferable to use a membrane, or if the former is an NF membrane, the latter is an RO membrane. Note that the same type of membrane may be used for both, and the membrane filtration accuracy of the membrane separation module 31 may be increased as described above.

【0082】またさらに、受入槽1、ろ過器2、及び残
留フォトレジスト除去器3は、配管L6によってそれぞ
れドレン系10に接続されている。これらにより、受入
槽1からの余剰液、ろ過器2及び残留フォトレジスト除
去器3からの非透過液が廃液としてドレン系10へ排出
される。また、ろ過器2からの非透過液の一部が流量調
整バルブV4を有する配管L7(非透過液移送部)を通
して調整槽5へ移送されるようになっている。
Further, the receiving tank 1, the filter 2, and the residual photoresist remover 3 are connected to the drain system 10 by a pipe L6. As a result, the excess liquid from the receiving tank 1 and the non-permeated liquid from the filter 2 and the residual photoresist remover 3 are discharged to the drain system 10 as waste liquid. Further, a part of the non-permeated liquid from the filter 2 is transferred to the adjustment tank 5 through the pipe L7 (non-permeated liquid transfer section) having the flow rate adjusting valve V4.

【0083】調整槽5は、配管L8を介して金属イオン
除去器4に接続されており、内部に攪拌機Mを有してい
る。また、槽外部には、濃度計51,52が設けられた
循環配管L9が設置されている。この調整槽5に配管L
10を介して接続された平準化槽6は、調整槽5で調整
された後述する再生液Wsが自然送液され、槽外部に
は、濃度計61,62が設けられた循環配管L11が設
置されている。
The adjusting tank 5 is connected to the metal ion remover 4 via a pipe L8, and has an agitator M inside. A circulation pipe L9 provided with densitometers 51 and 52 is installed outside the tank. Piping L to this adjusting tank 5
The leveling tank 6 connected via 10 is naturally fed with a regenerant liquid Ws, which will be described later, adjusted in the adjusting tank 5, and a circulation pipe L11 provided with concentration meters 61 and 62 is installed outside the tank. Has been done.

【0084】濃度計51は、調整槽5内の使用済液Wに
含まれる溶解フォトレジスト成分の濃度を検知するもの
であり、吸光光度計、屈折率計、粘度計、超音波濃度
計、液体密度計、自動滴定装置、等の種々の計測機器が
採用される。ここで、例えば、本出願人等による特許第
2561578号公報には、アルカリ系現像液中の溶解
樹脂濃度と吸光度との高い相関関係が示されており、吸
光光度計により溶解フォトレジスト成分濃度が高精度で
測定されることが理解される。
The densitometer 51 is for detecting the concentration of the dissolved photoresist component contained in the used liquid W in the adjusting tank 5, and includes an absorptiometer, a refractometer, a viscometer, an ultrasonic densitometer, and a liquid. Various measuring instruments such as a densitometer and an automatic titrator are used. Here, for example, Japanese Patent No. 2561578 by the present applicant shows a high correlation between the concentration of the dissolved resin in the alkaline developing solution and the absorbance, and the concentration of the dissolved photoresist component is measured by an absorptiometer. It is understood that it is measured with high accuracy.

【0085】一方、濃度計52は、調整槽5内の使用済
液Wに含まれるアルカリ成分の濃度を検知するものであ
り、導電率計、超音波濃度計、液体密度計、自動滴定装
置、電磁誘導コイルによる位相差濃度計、等の種々の計
測機器が採用される。例えば、上記特許第256157
8号公報には、アルカリ系現像液中のアルカリ濃度と導
電率との高い相関関係が示されており、導電率計により
溶解フォトレジスト成分濃度が高精度で測定されること
が理解される。このように、濃度計51,52から濃度
測定部が構成されている。また、濃度計61,62は、
それぞれ平準化槽6内の再生液Wsの溶解フォトレジス
ト成分濃度及びアルカリ成分濃度を検知するものであ
り、各々濃度計51,52と同様の計測機器を用いるこ
とができる。
On the other hand, the densitometer 52 detects the concentration of the alkaline component contained in the used liquid W in the adjusting tank 5, and includes a conductivity meter, an ultrasonic densitometer, a liquid densitometer, an automatic titrator, Various measuring devices such as a phase difference densitometer using an electromagnetic induction coil are adopted. For example, the above-mentioned Japanese Patent No. 256157.
Japanese Patent Laid-Open No. 8 shows a high correlation between the alkali concentration in the alkaline developer and the conductivity, and it is understood that the concentration of the dissolved photoresist component can be measured with high accuracy by the conductivity meter. In this way, the concentration measuring section is constituted by the densitometers 51 and 52. Also, the densitometers 61 and 62 are
Each is for detecting the dissolved photoresist component concentration and the alkaline component concentration of the regenerant liquid Ws in the leveling tank 6, and the same measuring equipment as the densitometers 51 and 52 can be used.

【0086】また、現像液供給装置100は、液供給系
8及び制御装置9を更に備えている。液供給系8は、そ
れぞれ流量調整バルブV1〜V3を有する配管L21〜
L23を介して調整槽5に接続された純水供給系81、
現像液原液供給系82及び現像液新液供給系83から構
成されている。純水供給系81は、イオン濃度、パーテ
ィクル濃度等が適宜管理されたいわゆる純水又は超純水
を貯留又は発生する装置(図示せず)を有している。一
方、現像液原液供給系82には、例えば、20質量%程
度のアルカリ成分濃度に調整されたTMAH溶液が保持
されており、現像液新液供給系83には、予め現像液原
液を所定濃度に希釈して得られる現像液の新液、例え
ば、2.38質量%のアルカリ成分濃度に調整されたT
MAH溶液が保持されている。
The developing solution supply apparatus 100 further includes a solution supply system 8 and a controller 9. The liquid supply system 8 includes pipes L21 to L1 having flow rate adjusting valves V1 to V3, respectively.
A pure water supply system 81 connected to the adjusting tank 5 via L23,
It is composed of a developing solution stock solution supply system 82 and a developing solution new solution supply system 83. The pure water supply system 81 has a device (not shown) for storing or generating so-called pure water or ultrapure water in which the ion concentration, particle concentration, etc. are appropriately controlled. On the other hand, the developing solution undiluted solution supply system 82 holds, for example, a TMAH solution adjusted to have an alkaline component concentration of about 20% by mass, and the developing solution undiluted solution supply system 83 previously holds the undiluted solution of the developing solution. A new developer solution obtained by diluting to T, for example, T adjusted to an alkali component concentration of 2.38% by mass.
The MAH solution is retained.

【0087】また、制御装置9は、CPU、MPU等の
演算部92にインターフェイス91,93が接続された
ものである。インターフェイス91は、入力インターフ
ェイスであり、濃度計51,52,61,62に接続さ
れている。これらの濃度計によって取得された溶解フォ
トレジスト成分及びアルカリ成分の濃度検出信号がイン
ターフェイス91を介して演算部92へ入力される。一
方、インターフェイス93は、出力インターフェイスで
あり、流量調整バルブV1〜V4に接続されており、演
算部92からの弁開閉量、開閉時間又は時刻の制御信号
がそれぞれのバルブに出力される。この制御装置9、調
整槽5及び液供給系8から調整部が構成されている。
Further, the control unit 9 is one in which interfaces 91 and 93 are connected to a computing unit 92 such as a CPU or MPU. The interface 91 is an input interface and is connected to the densitometers 51, 52, 61, 62. The concentration detection signals of the dissolved photoresist component and the alkaline component obtained by these densitometers are input to the arithmetic unit 92 via the interface 91. On the other hand, the interface 93 is an output interface and is connected to the flow rate adjusting valves V1 to V4, and the control signal of the valve opening / closing amount, opening / closing time or time from the arithmetic unit 92 is output to each valve. The controller 9, the adjusting tank 5, and the liquid supply system 8 constitute an adjusting unit.

【0088】またさらに、平準化槽6と現像処理装置2
10とを結ぶ配管L2に設けられたパーティクル除去器
7として用いる具体的な除去手段は特に限定されない
が、パーティクルが微粒子成分であるため、膜ろ過等の
ろ過手段を用いると、処理が確実且つ簡便であるので好
ましい。
Furthermore, the leveling tank 6 and the development processing apparatus 2
The specific removing means used as the particle remover 7 provided in the pipe L2 connecting with 10 is not particularly limited, but since the particles are fine particle components, using a filtering means such as membrane filtration ensures reliable and simple processing. Therefore, it is preferable.

【0089】このように構成された現像液供給装置10
0を用いた本発明による加工液調整方法及び加工液供給
方法の一例について説明する。図2は、本発明による加
工液供給方法の好適な一実施形態の手順の概略を示すフ
ロー図である。なお、以下の各処理ステップにおいて
は、必要に応じて適宜温度調整を行うものとする。
The developing solution supply apparatus 10 configured as described above
An example of the method for adjusting the working fluid and the method for supplying the working fluid according to the present invention using 0 will be described. FIG. 2 is a flow chart showing an outline of the procedure of a preferred embodiment of the working fluid supply method according to the present invention. In addition, in each of the following processing steps, the temperature is appropriately adjusted as necessary.

【0090】まず、処理を開始し、半導体製造設備20
0の現像処理装置210から配管L1を通して、現像に
使用された使用済液Wを受入槽1に受け入れる(ステッ
プS1;受入工程)。次に、受入槽1で攪拌機Mにより
十分に攪拌混合した使用済液Wを配管L3を通してろ過
器2に導入し、膜分離モジュール21を流通させて膜ろ
過を行う(ステップS2;ろ過ステップ)。次いで、透
過液を配管L4により残留フォトレジスト除去器3へ送
出すると共に、非透過液の一部を後述するように配管L
7を通して調整槽5に供給する。非透過液の残部は、配
管L6を通してドレン系10へ送出する。
First, the processing is started, and the semiconductor manufacturing facility 20
The used liquid W used for the development is received in the receiving tank 1 from the developing device 210 of No. 0 through the pipe L1 (step S1; receiving step). Next, the used liquid W that has been sufficiently stirred and mixed by the stirrer M in the receiving tank 1 is introduced into the filter 2 through the pipe L3, and the membrane separation module 21 is circulated to perform membrane filtration (step S2; filtration step). Then, the permeated liquid is sent to the residual photoresist remover 3 through the pipe L4, and a part of the non-permeated liquid is fed into the pipe L as described later.
It is supplied to the adjusting tank 5 through 7. The rest of the non-permeated liquid is sent to the drain system 10 through the pipe L6.

【0091】残留フォトレジスト除去器3では、膜ろ過
により使用済液Wに溶解等している残留フォトレジスト
を除去する(ステップS3;残留成分除去ステップ)。
フォトレジストが除去された透過液は配管L5を通して
金属成分除去器4へ導入し、金属イオンを使用済液から
除去する(ステップS4;金属イオン除去ステップ)。
このように、ステップS2〜S4から前処理工程が構成
されている。
In the residual photoresist removing device 3, the residual photoresist dissolved in the used liquid W is removed by membrane filtration (step S3; residual component removing step).
The permeated liquid from which the photoresist has been removed is introduced into the metal component remover 4 through the pipe L5 to remove metal ions from the used liquid (step S4; metal ion removal step).
In this way, the pretreatment process is composed of steps S2 to S4.

【0092】次いで、金属イオンを除去した使用済液W
を調整槽5へ供給する。調整槽5では、この使用済液W
を攪拌機Mで攪拌しながら、循環配管L9を通してその
一部を循環させる。その間に、濃度計51,52により
使用済液Wの溶解フォトレジスト成分濃度及びアルカリ
成分濃度を測定する(ステップS51;濃度測定工
程)。濃度計51,52がそれぞれ吸光光度計及び導電
率計である場合をとってより詳細に説明すると、まず、
循環配管L9を流通する使用済液が濃度計51,52を
通過する際に、吸光度に応じた吸光度検出信号と、導電
率に応じた導電率検出信号が、連続的又は断続的に制御
装置9へ出力される。
Next, the used liquid W from which metal ions have been removed
Is supplied to the adjusting tank 5. In the adjusting tank 5, this used liquid W
While being stirred by the stirrer M, a part thereof is circulated through the circulation pipe L9. In the meantime, the dissolved photoresist component concentration and the alkaline component concentration of the used liquid W are measured by the densitometers 51 and 52 (step S51; concentration measuring step). The case where the densitometers 51 and 52 are an absorptiometer and a conductivity meter, respectively, will be described in more detail.
When the used liquid flowing through the circulation pipe L9 passes through the densitometers 51 and 52, the absorbance detection signal according to the absorbance and the conductivity detection signal according to the conductivity are continuously or intermittently supplied to the control device 9 Is output to.

【0093】演算部92には、これらの検出信号強度に
対する溶解フォトレジスト成分濃度及びアルカリ成分濃
度の相関データを予め入力又は記憶させておく。そし
て、実測された検出信号強度から調整槽5内の溶解フォ
トレジスト成分濃度及びアルカリ成分濃度(以下、「濃
度実測値」という)を求める。また、演算部92には、
溶解フォトレジスト成分濃度及びアルカリ成分濃度の目
標設定値を予め入力又は記憶させておく。演算部92で
は、更に、このように設定した濃度値(以下、「濃度設
定値」)と濃度実測値との差分を求める。
Correlation data of the concentration of the dissolved photoresist component and the concentration of the alkaline component with respect to these detection signal intensities are input or stored in the arithmetic unit 92 in advance. Then, the dissolved photoresist component concentration and the alkali component concentration (hereinafter, referred to as “concentration actual measurement value”) in the adjustment tank 5 are obtained from the actually measured detection signal intensity. Further, the calculation unit 92 has
Target set values of the dissolved photoresist component concentration and the alkaline component concentration are input or stored in advance. The calculation unit 92 further obtains the difference between the density value thus set (hereinafter, “density setting value”) and the actual density value.

【0094】ここで、本態様においては、溶解フォトレ
ジスト成分の濃度設定値を0.001〜2.0質量%、
好ましくは0.01〜1.5質量%、より好ましくは
0.1〜1.0質量%の範囲内の値とする。また、アル
カリ成分の濃度設定値を好ましくは0.1〜2.5質量
%の範囲内の値とする。
Here, in this embodiment, the concentration set value of the dissolved photoresist component is 0.001 to 2.0% by mass,
The value is preferably 0.01 to 1.5% by mass, more preferably 0.1 to 1.0% by mass. Moreover, the concentration set value of the alkaline component is preferably set to a value within the range of 0.1 to 2.5 mass%.

【0095】溶解フォトレジスト成分の濃度実測値が濃
度設定値を下回るときには、制御装置9から例えば一定
時間のバルブ開信号を流量調整バルブV4へ出力し、調
整槽5内へフォトレジストを供給する(非透過液添加ス
テップ)。また、溶解フォトレジスト成分の濃度実測値
が濃度設定値を上回るときには、例えば、一定時間のバ
ルブ開信号を流量調整バルブV3へ出力し、調整槽5内
へ新液を供給する。
When the measured concentration value of the dissolved photoresist component is lower than the concentration set value, the control device 9 outputs a valve opening signal for a predetermined time to the flow rate adjusting valve V4 to supply the photoresist into the adjusting tank 5 ( Non-permeate addition step). When the measured concentration value of the dissolved photoresist component exceeds the concentration set value, for example, a valve open signal for a certain period of time is output to the flow rate adjusting valve V3, and the new liquid is supplied into the adjusting tank 5.

【0096】同様に、アルカリ成分の濃度実測値が濃度
設定値を下回るときには、制御装置9から一定時間のバ
ルブ開信号を流量調整バルブV2へ出力し、調整槽5内
へ現像液の原液を供給する。また、アルカリ成分の濃度
実測値が濃度設定値を上回るときには、一定時間のバル
ブ開信号を流量調整バルブV1へ出力し、調整槽5内へ
純水を供給する。
Similarly, when the actual measured value of the concentration of the alkaline component is lower than the set concentration value, the controller 9 outputs a valve opening signal for a fixed time to the flow rate adjusting valve V2 to supply the stock solution of the developing solution into the adjusting tank 5. To do. When the actually measured concentration of the alkaline component exceeds the concentration set value, a valve opening signal for a certain period of time is output to the flow rate adjusting valve V1, and pure water is supplied into the adjusting tank 5.

【0097】それから、純水等を添加した使用済液Wを
攪拌機Mで十分に攪拌混合しながら、溶解フォトレジス
ト成分濃度及びアルカリ成分濃度の測定を連続的に又は
断続的に実施する。そして、濃度実測値と濃度設定値と
の差分が所定の値となるか、或いは、上記の濃度範囲を
濃度設定値とした場合には、濃度実測値がその濃度範囲
内の値となるまで(ステップS52)、使用済液W中の
溶解フォトレジスト成分及びアルカリ成分濃度の液性調
整を継続する(ステップS54)。このように、ステッ
プS52〜S54から調整工程が構成されている。
Then, the dissolved photoresist component concentration and the alkali component concentration are continuously or intermittently measured while the used liquid W to which pure water or the like has been added is sufficiently stirred and mixed by the stirrer M. Then, when the difference between the measured density value and the density set value becomes a predetermined value, or when the density range is set to the density set value, the measured density value becomes a value within the density range ( In step S52), the liquid properties of the dissolved photoresist component and the alkaline component in the used liquid W are continuously adjusted (step S54). In this way, the adjustment process is composed of steps S52 to S54.

【0098】次に、濃度調整を終了した使用済液Wを再
生液Wsとして平準化槽6へ移送する。再生液Wsは、
配管L10を通して自然液送される。すなわち、調整槽
5から平準化槽6へは、配管L10を遮断しない限り、
両者の水頭圧力差に応じて送液が常時行われる。よっ
て、平準化槽6を、溶解フォトレジスト成分濃度及びア
ルカリ成分濃度が標準化された再生液Wsのバッファー
槽として機能させることができる。
Next, the used liquid W whose concentration has been adjusted is transferred to the leveling tank 6 as the regenerated liquid Ws. The regeneration liquid Ws is
Natural liquid is sent through the pipe L10. That is, unless the pipe L10 is shut off from the adjusting tank 5 to the leveling tank 6,
The liquid is constantly sent according to the difference in head pressure between the two. Therefore, the leveling tank 6 can be made to function as a buffer tank for the regenerating liquid Ws whose dissolved photoresist component concentration and alkali component concentration are standardized.

【0099】また、濃度計61,62により、平準化槽
6内の再生液Wsの溶解フォトレジスト成分濃度及びア
ルカリ成分濃度を測定してもよい。調整槽5及び平準化
槽6内の液性は原則的に同等であるが、両者の設置条件
又は送液のタイミング等によって若干の変動がある場合
には、濃度計61,62による濃度実測値を制御装置9
へ出力し、これらの濃度実測値を調整槽5内での液性調
整にフィードバックする制御も可能である。これらの濃
度計61,62による濃度測定は、常時連続して実施す
る必要はなく、かかる濃度調整が不要であれば濃度計6
1,62を設置しなくても構わない。
Further, the densitometers 61 and 62 may be used to measure the dissolved photoresist component concentration and the alkaline component concentration of the regenerant liquid Ws in the leveling tank 6. In principle, the liquid properties in the adjusting tank 5 and the leveling tank 6 are the same, but if there is some variation due to the installation conditions of both, or the timing of liquid transfer, etc. Control device 9
It is also possible to perform control so that the actual measured values of these concentrations are fed back to the liquid property adjustment in the adjusting tank 5. The concentration measurement by these densitometers 61 and 62 does not always have to be continuously performed, and if such concentration adjustment is unnecessary, the densitometer 6
It is not necessary to install 1,62.

【0100】それから、配管L2を通して、再生液Ws
をパーティクル除去器7へ送出し、微粒子成分の除去を
行う(ステップS7;パーティクル除去ステップ、後処
理工程)。そして、パーティクルが除去された再生液W
sの必要量を、配管L2を通して現像処理装置210へ
送給し(送給工程)、アルカリ系現像液の供給処理を終
了する。
Then, the regenerant liquid Ws is passed through the pipe L2.
Is sent to the particle remover 7 to remove the fine particle component (step S7; particle removing step, post-processing step). Then, the regenerated liquid W from which the particles have been removed
The required amount of s is supplied to the development processing apparatus 210 through the pipe L2 (supplying step), and the supply processing of the alkaline developer is completed.

【0101】このような構成の現像液供給装置100及
びこれを用いた加工液供給方法によれば、現像処理装置
210へ送給するアルカリ系現像液の再生液が溶解フォ
トレジスト成分を0.001〜2.0質量%の濃度で含
有するので、ウェハ等の基体上に塗布されて露光が行わ
れたフォトレジストへの浸透性及び濡れ性が高められ
る。この溶解フォトレジスト成分濃度が0.001質量
%未満となると、フォトレジストへの浸透性が十分では
ない一方で、この濃度が2.0質量%を超えると、パタ
ーンとして残ったフォトレジスト(ポジ型では未露光部
に相当)上面のエッジ部分の浸蝕(エッジ効果)が顕著
となることがある。
According to the developing solution supplying apparatus 100 having such a structure and the processing solution supplying method using the same, the regenerating solution of the alkaline developing solution to be supplied to the developing processing apparatus 210 dissolves 0.001 of the dissolved photoresist component. Since it is contained at a concentration of ˜2.0% by mass, the penetrability and wettability to the photoresist which has been coated and exposed on the substrate such as a wafer is enhanced. When the concentration of the dissolved photoresist component is less than 0.001% by mass, the penetrability into the photoresist is insufficient, while when this concentration exceeds 2.0% by mass, the photoresist remaining as a pattern (positive type In this case, the erosion (edge effect) of the edge portion on the upper surface may be remarkable, which corresponds to the unexposed portion.

【0102】よって、溶解フォトレジスト成分濃度を
0.001〜2.0質量%の範囲内の値に調整すること
により、十分な浸透性が得られ、つまり現像時における
フォトレジストへの‘なじみ’の程度が改善されると共
に、パターンの形状制御性の低下を抑止できる。したが
って、未露光部のフォオレジスト表層への浸透・溶解を
達成でき、難溶化層の生成ひいてはその剥離を抑制可能
であり、しかも、現像後の後工程における処理への悪影
響を防止できる。その結果、例えば、難溶化層の剥離に
起因すると推測される下層のエッチング不良等を十分に
防止して、半導体装置や液晶装置の歩留まりの低下を抑
え得る。
Therefore, by adjusting the concentration of the dissolved photoresist component to a value within the range of 0.001 to 2.0 mass%, sufficient penetrability can be obtained, that is, "familiarity" with the photoresist during development. And the degree of controllability of the pattern shape can be prevented. Therefore, it is possible to achieve the penetration and dissolution of the unexposed portion into the surface layer of the photoresist, the formation of the hardly soluble layer and the peeling thereof, and it is possible to prevent the adverse effect on the processing in the post-process after the development. As a result, for example, it is possible to sufficiently prevent the etching failure of the lower layer, which is presumed to be caused by the peeling of the poorly soluble layer, and suppress the reduction in the yield of the semiconductor device or the liquid crystal device.

【0103】また、溶解フォトレジスト成分の濃度が
2.0質量%を超えても濃度に応じた浸透性が発現され
難い傾向にある。よって、この濃度を2.0質量%以下
にすれば、溶解フォトレジスト成分の過剰な使用を抑え
ることができ、手間とコストの低減を図ることができ
る。
Further, even if the concentration of the dissolved photoresist component exceeds 2.0% by mass, the penetrability corresponding to the concentration tends to be hardly exhibited. Therefore, if this concentration is set to 2.0% by mass or less, it is possible to suppress the excessive use of the dissolved photoresist component, and it is possible to reduce labor and cost.

【0104】さらに、再生液に含まれるアルカリ成分濃
度を好ましくは0.1〜2.5質量%とするので、実用
上十分なフォトレジストの溶解速度を得ることができ
る。このアルカリ成分の濃度が2.5質量%を上回る
と、濃度の増大に応じた溶解性の向上が得られ難くなる
と共に、場合によっては、フォトレジストの溶解性ひい
てはパターニング形状を制御し難くなる。また、アルカ
リとして前出のTMAHを使用する場合、TMAH溶液
の原液としては20質量%程度の濃度のものが汎用され
ている。よって、余りに高濃度のものは液性調整が困難
となる場合がある。
Further, since the concentration of the alkaline component contained in the regenerant is preferably 0.1 to 2.5% by mass, a practically sufficient photoresist dissolution rate can be obtained. When the concentration of the alkaline component exceeds 2.5% by mass, it becomes difficult to improve the solubility according to the increase of the concentration, and in some cases, it becomes difficult to control the solubility of the photoresist and thus the patterning shape. When the above-mentioned TMAH is used as the alkali, a stock solution of the TMAH solution having a concentration of about 20% by mass is generally used. Therefore, if the concentration is too high, it may be difficult to adjust the liquid properties.

【0105】ここで、図1に示すように半導体装置製造
におけるフォトレジストの現像に用いる場合、再生液中
のアルカリ成分(例えばTMAH)濃度は、好ましくは
2.2〜2.4質量%、より好ましくは2.3〜2.4
質量%であると有用である。こうすれば、未露光部が所
定寸法の線幅と膜厚とで形成されたパターニングを極め
て再現性よく且つ確実に行える利点がある。
Here, as shown in FIG. 1, when used for developing a photoresist in the manufacture of a semiconductor device, the concentration of the alkaline component (eg TMAH) in the regenerant is preferably 2.2 to 2.4% by mass. Preferably 2.3-2.4
It is useful that the content is% by mass. By doing so, there is an advantage that patterning in which the unexposed portion is formed with a line width and a film thickness of a predetermined dimension can be performed extremely reproducibly and reliably.

【0106】また、液晶装置製造におけるフォトレジス
ト(例えばDQNレジスト)の現像に用いる場合、再生
液中のアルカリ成分濃度が、好ましくは2.2〜2.4
質量%、より好ましく2.3〜2.4質量%であると好
適である。この場合にも、未露光部が所定寸法の線幅と
膜厚とで形成されたパターニングを極めて再現性よく且
つ確実に行うことができる。
When used for developing a photoresist (for example, a DQN resist) in the manufacture of liquid crystal devices, the concentration of the alkaline component in the regenerating liquid is preferably 2.2 to 2.4.
It is preferable that the content is mass%, more preferably 2.3 to 2.4 mass%. Also in this case, the patterning in which the unexposed portion is formed with the line width and the film thickness of a predetermined dimension can be performed extremely reproducibly and reliably.

【0107】また、現像液供給装置100では、一旦現
像に使用された使用済液から得た再生液を本発明のアル
カリ系現像液として現像処理装置210へ供給できるの
で、従来の新液を使い捨て方式で使用する場合に比し
て、廃液の発生量を格段に低減できる。さらに、溶解フ
ォトレジスト成分濃度の調整に、前処理工程のろ過器2
からの非透過液を用いるので、溶解フォトレジスト成分
の有効利用を図り且つ廃液の更なる低減が可能となる。
Further, in the developing solution supplying apparatus 100, since the regenerating solution obtained from the used solution which has been once used for the development can be supplied to the developing processing apparatus 210 as the alkaline developing solution of the present invention, the conventional new solution is disposable. The amount of waste liquid generated can be significantly reduced as compared with the case of using the method. Furthermore, in order to adjust the concentration of the dissolved photoresist component, the filter 2 in the pretreatment process is used.
Since the non-permeated liquid from Example 1 is used, the dissolved photoresist component can be effectively used and the waste liquid can be further reduced.

【0108】またさらに、調整槽5内の使用済液Wの溶
解フォトレジスト成分濃度及びアルカリ成分濃度を測定
し、それらの濃度実測値に基づいて液性調整を行うの
で、確度及び精度に優れた濃度制御を実現できる。この
とき、濃度調整を連続又は断続的に実施すれば、溶解フ
ォトレジスト成分濃度及びアルカリ成分濃度を一定の濃
度値又は濃度範囲に一層確実に且つ安定に保持すること
ができる。またさらに、平準化槽6の使用、更には平準
化槽6内における濃度実測値を調整槽5における濃度調
整に供することにより、現像処理装置210への安定し
た再生液の供給をより確実ならしめることができる。
Furthermore, since the dissolved photoresist component concentration and the alkali component concentration of the used liquid W in the adjusting tank 5 are measured and the liquid properties are adjusted based on the measured concentration values, the accuracy and precision are excellent. Concentration control can be realized. At this time, if the concentration adjustment is performed continuously or intermittently, the concentration of the dissolved photoresist component and the concentration of the alkaline component can be more reliably and stably maintained within a certain concentration value or concentration range. Further, by using the leveling tank 6, and by using the actual concentration measured value in the leveling tank 6 for the concentration adjustment in the adjusting tank 5, the stable supply of the regenerant solution to the development processing apparatus 210 can be made more reliable. be able to.

【0109】〈第2実施形態〉本実施形態は、有機膜が
機能膜である場合の一態様である。本態様においては、
アルカリ系加工液は、各種機能膜の成形加工液として機
能する。この成形加工液(アルカリ系加工液)に含有さ
れる有機膜成分としての溶解機能膜成分(溶解した第3
成分)としては、特に限定されず、加工の対象となる機
能膜と同種のものであっても、異種のものであっても構
わないが、加工対象の機能膜との親和性に優れるものが
望ましく、この観点より、好ましくは加工対象の機能膜
と同種、例えば、同じマトリックス樹脂を含むもの、よ
り好ましくは感光剤成分も同種のもの、更に好ましくは
同一若しくは略同一の組成を有するものが望ましい。
<Second Embodiment> The present embodiment is one mode in which the organic film is a functional film. In this aspect,
The alkaline processing liquid functions as a molding processing liquid for various functional films. Dissolving functional film component as an organic film component contained in this molding processing liquid (alkali processing liquid) (dissolved third
The component) is not particularly limited, and may be the same kind or different kinds as the functional film to be processed, but one having excellent affinity with the functional film to be processed is preferable. From this viewpoint, it is preferable that the functional film to be processed is of the same kind, for example, the same matrix resin is contained, more preferably the photosensitizer component is also the same kind, and more preferably the same or substantially the same composition. .

【0110】かかる機能膜としては、前述の如く、感光
性の有機高分子樹脂を主成分とし、アルカリ加工液によ
って所望のパターン形状に加工され、その後剥離処理が
施されずに構造部材として基板上に残留して要求される
種々の機能を果たす言わば永久膜であり、一般に、アル
カリ可溶性有機系樹脂をベースとするものであり、フォ
トレジストと略同様にポジ型・ネガ型に大別され、その
成形加工には、リソグラフィ工程が多用される。
As described above, the functional film is composed of a photosensitive organic polymer resin as a main component, is processed into a desired pattern shape by an alkali processing liquid, and is not subjected to a peeling treatment thereafter, and is a structural member on a substrate. It is a so-called permanent film that fulfills various functions required to remain in, and is generally based on an alkali-soluble organic resin, and is roughly classified into a positive type and a negative type similar to photoresists. A lithography process is often used for the molding process.

【0111】ポジ型の機能膜としては、例えば、アルカ
リ可溶性有機系樹脂(不飽和カルボン酸、不飽和カルボ
ン酸無水物、エポキシ基含有不飽和化合物、オレフィン
系不飽和化合物等の共重合体から成るもの、アルカリ可
溶性環状ポリオレフィン系樹脂からなるもの等)、溶
剤、感光剤としての1,2−キノンジアジド化合物から
成る溶液を原料とするものが挙げられる。一方、ネガ型
の機能膜としては、例えば、アルカリ可溶性有機系樹脂
(不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、エポキ
シ基含有不飽和化合物、オレフィン系不飽和化合物等の
共重合体からなるもの)、エチレン性不飽和結合を有す
る重合成化合物、溶剤、感放射線重合開始剤から成る溶
液を原料とするものが挙げられる。
The positive functional film is made of, for example, a copolymer of an alkali-soluble organic resin (unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride, epoxy group-containing unsaturated compound, olefinic unsaturated compound, etc.). And a solution of a 1,2-quinonediazide compound as a photosensitizer and a solvent. On the other hand, the negative functional film includes, for example, a copolymer of an alkali-soluble organic resin (unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride, epoxy group-containing unsaturated compound, olefinic unsaturated compound, etc. ), A polysynthetic compound having an ethylenically unsaturated bond, a solvent and a radiation-sensitive polymerization initiator as a raw material.

【0112】また、機能膜を用途の観点から分類する
と、例えば、液晶表示素子、半導体回路素子等の劣化や
損傷を防止するための保護膜、素子表面を平坦化するた
めの平坦化膜、層状に配置される配線の間を絶縁するた
めの層間絶縁膜、液晶パネルの液晶を封入する2枚の基
板の間隔を一定に保つスペーサ、液晶配向能を有する液
晶配向膜、半透過型及び反射型液晶ディスプレイ用の正
面輝度を得るための光散乱性膜、低誘電性を有する低誘
電率膜、等が挙げられ、光学素子としてのマイクロレン
ズ等も有機機能膜として例示することができる。これら
の機能膜は、その用途に応じて、電気絶縁性、平坦性、
耐熱性、透明性、耐薬品性、機械的強度、等に優れた特
性を有するものである。
When the functional film is classified from the viewpoint of use, for example, a protective film for preventing deterioration or damage of a liquid crystal display device, a semiconductor circuit device, a flattening film for flattening the device surface, and a layered structure. Interlayer insulating film for insulating between the wirings arranged in a space, a spacer for keeping a constant space between two substrates for enclosing the liquid crystal of the liquid crystal panel, a liquid crystal aligning film having a liquid crystal aligning ability, a semi-transmissive type and a reflective type Examples thereof include a light-scattering film for obtaining front luminance for liquid crystal displays, a low dielectric constant film having a low dielectric property, and the like, and microlenses as optical elements can be exemplified as the organic functional film. These functional films have electrical insulating properties, flatness,
It has excellent properties such as heat resistance, transparency, chemical resistance, and mechanical strength.

【0113】ここで、本態様のアルカリ系加工液に含ま
れるアルカリ成分は、特に制限されるものではないが、
例えば、アルカリ金属の水酸化物、置換又は未置換のア
ンモニウムハイドロオキサイドが挙げられ、なかでもT
MAH、KOHが好ましい。さらに、アルカリ成分の含
有濃度が、好ましくは0.05〜2.4質量%、より好
ましくは0.08〜2.4質量%の濃度で含有されて成
るものであると好適である。また、アルカリ系加工液に
含まれる溶解機能膜成分(溶解した第3成分)の濃度設
定値を好ましくは0.001〜0.5質量%、より好ま
しくは0.01〜0.3質量%の範囲内の値とする。
Here, the alkaline component contained in the alkaline working liquid of the present embodiment is not particularly limited,
Examples thereof include alkali metal hydroxides and substituted or unsubstituted ammonium hydroxides. Among them, T
MAH and KOH are preferred. Furthermore, it is suitable that the content concentration of the alkali component is preferably 0.05 to 2.4 mass%, more preferably 0.08 to 2.4 mass%. Further, the concentration set value of the dissolved functional film component (dissolved third component) contained in the alkaline processing liquid is preferably 0.001 to 0.5% by mass, more preferably 0.01 to 0.3% by mass. Set to a value within the range.

【0114】またさらに、かかる好適範囲において、対
象となる機能膜及び/又はアルカリの種類に応じて、ア
ルカリ成分の濃度を適宜管理することができる。一例を
示すと、保護膜及びスペーサに好適なネガ型の(メタ)
アクリル系機能膜用のアルカリ系加工液としては、アル
カリ成分(例えばTMAH)が好ましくは0.05〜
0.6質量%、より好ましくは0.08〜0.12質量
%であると有用である。また、保護膜又は層間絶縁膜及
びスペーサに好適なポジ型(メタ)アクリル系機能膜用
のアルカリ系加工液としては、アルカリ成分(例えばT
MAH)が好ましくは0.05〜0.6質量%、より好
ましく0.1〜0.3質量%であると有用である。
Furthermore, in such a preferable range, the concentration of the alkaline component can be appropriately controlled according to the type of functional film and / or alkali to be targeted. As an example, a negative type (meth) suitable for a protective film and a spacer
As the alkaline working liquid for the acrylic functional film, an alkaline component (eg, TMAH) is preferably 0.05 to
It is useful to be 0.6% by mass, more preferably 0.08 to 0.12% by mass. In addition, as an alkaline processing liquid for a positive (meth) acrylic functional film suitable for a protective film or an interlayer insulating film and a spacer, an alkaline component (for example, T
MAH) is preferably 0.05 to 0.6% by mass, more preferably 0.1 to 0.3% by mass.

【0115】さらに、保護膜及び液晶配向膜に好適なネ
ガ型の(メタ)アクリル系機能膜用のアルカリ系加工液
としては、アルカリ成分(例えばTMAH)が好ましく
は0.05〜0.6質量%、より好ましくは0.3〜
0.6質量%であると有用である。さらにまた、マイク
ロレンズに好適なポジ型のエポキシ系機能膜用のアルカ
リ系加工液としては、アルカリ成分(例えばTMAH)
が好ましくは0.5〜2.4質量%、より好ましくは
1.0〜2.4質量%であると有用である。加えて、層
間絶縁膜に好適なネガ型の(メタ)アクリル系機能膜用
のアルカリ系加工液としては、アルカリ成分(例えばT
MAH)が好ましくは1.0〜2.4質量%、より好ま
しくは2.3〜2.4質量%であると有用である。
Further, as the alkaline working liquid for the negative type (meth) acrylic functional film suitable for the protective film and the liquid crystal alignment film, an alkaline component (eg TMAH) is preferably contained in an amount of 0.05 to 0.6 mass. %, More preferably 0.3 to
It is useful if it is 0.6% by mass. Furthermore, as an alkaline processing liquid for a positive type epoxy functional film suitable for a microlens, an alkaline component (eg TMAH) is used.
Is preferably 0.5 to 2.4 mass%, more preferably 1.0 to 2.4 mass%. In addition, as an alkaline processing liquid for a negative type (meth) acrylic functional film suitable for an interlayer insulating film, an alkaline component (for example, T
It is useful that the MAH) is preferably 1.0 to 2.4% by mass, more preferably 2.3 to 2.4% by mass.

【0116】また、本態様に好適な本発明の加工液調整
方法及び装置並びに加工液供給方法及び装置としては、
「フォトレジスト」、及び「現像」をそれぞれ「機能
膜」及び各種機能膜の「形成・加工」と読み替え、アル
カリ系現像液に代えて各種機能膜に応じた上述のアルカ
リ系加工液が用いられること以外は、現像液供給装置1
00と同様に構成された加工液調整装置及び加工液供給
装置、並びにこれらを用いた加工液調整方法及び加工液
供給方法を例示できる。
Further, the working fluid adjusting method and apparatus and the working fluid supplying method and apparatus of the present invention suitable for this embodiment are
"Photoresist" and "development" are read as "functional film" and "formation / processing" of various functional films, respectively, and the above-mentioned alkaline processing liquids corresponding to various functional films are used instead of the alkaline developing liquid. Other than that, the developer supply device 1
A machining fluid adjusting device and a machining fluid supplying device configured in the same manner as 00, and a machining fluid adjusting method and a machining fluid supplying method using them can be exemplified.

【0117】本態様によれば、アルカリ系加工液の再生
液が溶解機能膜成分を0.001〜0.5質量%の濃度
で含有するので、ウェハ等の基体上に塗布されて露光が
行われた機能膜への浸透性及び濡れ性が高められる。こ
の溶解機能膜成分濃度が0.001質量%未満となる
と、機能膜への浸透性が十分ではない一方で、この濃度
が0.5質量%を超えると、パターンとして残った機能
膜上面の浸蝕が顕著となり、所望のパターンが得られな
くなる。
According to this embodiment, since the regenerating liquid of the alkaline processing liquid contains the dissolved functional film component in a concentration of 0.001 to 0.5% by mass, it is applied to the substrate such as a wafer and exposed. The penetrability and wettability into the broken functional film are enhanced. If the concentration of the dissolved functional film component is less than 0.001% by mass, the permeability to the functional film is insufficient, while if the concentration exceeds 0.5% by mass, the upper surface of the functional film remaining as a pattern is eroded. Becomes remarkable and a desired pattern cannot be obtained.

【0118】よって、溶解機能膜成分濃度を0.001
〜0.5質量%の範囲内の値に調整することにより、十
分な浸透性が得られ、つまり成形・加工時における機能
膜への‘なじみ’の程度が改善されると共に、形状制御
性の低下を抑止できる。したがって、残存する未露光部
又は露光部の機能膜表層への浸透・溶解を達成でき、難
溶化層の生成ひいてはその剥離を抑制可能である。その
結果、例えば、難溶化層の剥離に起因すると推測される
下層のエッチング不良等を十分に防止して、機能膜を備
える構造体の歩留まりの低下を抑え得る。
Therefore, the concentration of the dissolution functional film component is set to 0.001.
By adjusting the value within the range of up to 0.5 mass%, sufficient permeability can be obtained, that is, the degree of “familiarity” with the functional film at the time of molding / processing can be improved and the shape controllability can be improved. It can suppress the decline. Therefore, the remaining unexposed portion or exposed portion can be penetrated / dissolved in the surface layer of the functional film, and the formation of the hardly-solubilized layer and the peeling thereof can be suppressed. As a result, for example, it is possible to sufficiently prevent the etching failure of the lower layer, which is supposed to be caused by the peeling of the hardly soluble layer, and prevent the yield of the structure including the functional film from decreasing.

【0119】また、溶解機能膜成分の濃度が0.5質量
%を超えても濃度に応じた浸透性が発現され難い傾向に
ある。よって、この濃度を0.5質量%以下にすれば、
溶解機能膜成分の過剰な使用を抑えることができ、手間
とコストの低減を図ることができる。
Further, even if the concentration of the dissolution functional membrane component exceeds 0.5% by mass, the permeability depending on the concentration tends to be difficult to be expressed. Therefore, if this concentration is 0.5 mass% or less,
Excessive use of the dissolution function film component can be suppressed, and labor and cost can be reduced.

【0120】さらに、再生液に含まれるアルカリ成分濃
度を好ましくは0.05〜2.4質量%とするので、実
用上十分な機能膜の溶解速度を得ることができる。この
アルカリ成分の濃度が2.4質量%を上回ると、濃度の
増大に応じた溶解性の向上が得られ難くなると共に、場
合によっては、機能膜の溶解性ひいてはパターニング形
状を制御し難くなるおそれがある。また、アルカリとし
て前出のTMAHを使用する場合、TMAH溶液の原液
としては20質量%程度の濃度のものが汎用されてい
る。よって、余りに高濃度のものは液性調整が困難とな
る場合がある。
Furthermore, since the concentration of the alkaline component contained in the regenerant is preferably 0.05 to 2.4 mass%, a practically sufficient dissolution rate of the functional film can be obtained. If the concentration of the alkaline component exceeds 2.4% by mass, it becomes difficult to improve the solubility according to the increase of the concentration, and in some cases, it becomes difficult to control the solubility of the functional film and thus the patterning shape. There is. When the above-mentioned TMAH is used as the alkali, a stock solution of the TMAH solution having a concentration of about 20% by mass is generally used. Therefore, if the concentration is too high, it may be difficult to adjust the liquid properties.

【0121】また、一旦加工に使用された使用済液から
得た再生液を本発明のアルカリ系加工液として加工処理
装置へ供給できるので、従来の新液を使い捨て方式で使
用する場合に比して、廃液の発生量を格段に低減でき
る。さらに、溶解機能膜成分濃度の調整に、前処理工程
のろ過器2からの非透過液を用いるので、溶解機能膜成
分の有効利用を図り且つ廃液の更なる低減が可能とな
る。
Further, since the regenerated liquid obtained from the used liquid which has been once used for processing can be supplied to the processing apparatus as the alkaline processing liquid of the present invention, compared with the case where the conventional new liquid is used in a disposable system. As a result, the amount of waste liquid generated can be significantly reduced. Further, since the non-permeated liquid from the filter 2 in the pretreatment step is used for adjusting the concentration of the dissolved functional film component, the dissolved functional film component can be effectively used and the waste liquid can be further reduced.

【0122】またさらに、調整槽5内の使用済液Wの溶
解機能膜成分濃度及びアルカリ成分濃度を測定し、それ
らの濃度実測値に基づいて液性調整を行うので、確度及
び精度に優れた濃度制御を実現できる。このとき、濃度
調整を連続又は断続的に実施すれば、溶解機能膜成分濃
度及びアルカリ成分濃度を一定の濃度値又は濃度範囲に
一層確実に且つ安定に保持することができる。またさら
に、平準化槽6の使用、更には平準化槽6内における濃
度実測値を調整槽5における濃度調整に供することによ
り、加工処理装置への安定した再生液の供給をより確実
ならしめることができる。
Furthermore, since the concentration of the dissolved functional film component and the concentration of the alkaline component of the used liquid W in the adjustment tank 5 are measured and the liquid property is adjusted based on the measured concentration values, the accuracy and precision are excellent. Concentration control can be realized. At this time, if the concentration adjustment is performed continuously or intermittently, the concentration of the dissolved functional film component and the concentration of the alkaline component can be more reliably and stably maintained at a constant concentration value or concentration range. Further, by using the leveling tank 6, and by providing the actual concentration measured value in the leveling tank 6 for concentration adjustment in the adjusting tank 5, it is possible to more reliably ensure stable supply of the regenerant liquid to the processing apparatus. You can

【0123】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、例えば、使用済液Wを再生して用
いずに、原液又は新液にフォトレジストを溶解させて溶
解フォトレジスト成分の濃度調整を行ったものをアルカ
リ系現像液(本発明によるアルカリ系加工液)として用
いてもよい。また、残留フォトレジスト除去器3として
は、膜分離モジュール31を備えるものの代りに、例え
ば、電気透析部、電解部、イオン交換部、蒸発濃縮部と
してもよく、設備規模の縮小化及びアルカリ成分の分解
を抑制する観点からは膜ろ過を採用する利点が大きい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the photoresist is dissolved by dissolving the photoresist in the undiluted solution or the new solution without reusing the used solution W and dissolving it. The concentration-adjusted product may be used as an alkaline developing solution (alkali processing solution according to the present invention). Further, as the residual photoresist remover 3, instead of the one including the membrane separation module 31, for example, an electrodialysis unit, an electrolysis unit, an ion exchange unit, and an evaporation concentration unit may be used to reduce the scale of equipment and to reduce alkali components. From the viewpoint of suppressing decomposition, the advantage of using membrane filtration is great.

【0124】さらに、濃度計51,52が温度補償機能
を有していることが望ましく、或いは、その代りに、制
御装置9が濃度実測値の温度補償機能、例えば、温度実
測値に基づく検出信号強度の補正を行う機能を有してい
てもよい。またさらに、本発明の加工液調整装置を現像
処理装置210に組み込み、現像処理工程において本発
明の加工液調整方法を実施してもよい。この場合、一例
として、前出の特許第2561578号公報に記載され
た現像液管理装置に適用するケースが挙げられる。加え
て、インターフェイス91,93に代えて入出力機能を
有する入出力インターフェイスを用いてもよく、制御装
置9を用いた自動制御に代えて手動で行っても構わな
い。
Furthermore, it is desirable that the densitometers 51 and 52 have a temperature compensating function, or, instead, the control device 9 has a temperature compensating function of the measured concentration value, for example, a detection signal based on the measured temperature value. It may have a function of correcting the intensity. Furthermore, the working liquid adjusting apparatus of the present invention may be incorporated in the development processing apparatus 210 to carry out the working liquid adjusting method of the present invention in the development processing step. In this case, as an example, there is a case of applying to the developer management device described in the above-mentioned Japanese Patent No. 2561578. In addition, an input / output interface having an input / output function may be used instead of the interfaces 91 and 93, and manual control may be performed instead of the automatic control using the control device 9.

【0125】また、前処理部20、後処理部、又は平準
化槽6は設置することが望ましいが、上記の如く使用済
液Wを用いない場合、又は、使用済液Wを用いてもその
清澄度によっては設けなくてもよい。さらに、前処理又
は後処理として、使用済液W又は再生液Wsに含まれる
溶存ガスを除去するようにしてもよい。またさらに、溶
解フォトレジスト成分濃度及びアルカリ成分濃度を算出
するにあたり、調整槽5又は平準化槽6内の液量を測定
すべく、各槽5,6に液面計、容積計、又は重量計を設
けてもよい。
Further, it is desirable to install the pretreatment section 20, the posttreatment section, or the leveling tank 6, but when the used liquid W is not used as described above, or when the used liquid W is used, It may not be provided depending on the clarity. Further, as the pretreatment or the posttreatment, the dissolved gas contained in the used liquid W or the regenerated liquid Ws may be removed. Furthermore, in calculating the dissolved photoresist component concentration and the alkaline component concentration, in order to measure the liquid amount in the adjusting tank 5 or the leveling tank 6, each tank 5, 6 is equipped with a liquid level meter, a volume meter, or a weight meter. May be provided.

【0126】さらにまた、使用済液Wの再生は、一回の
みならず複数回実施可能であるが、熱履歴、自然酸化等
による現像液の劣化を考慮して、一定回数又は一定時間
の再生をした時点で新液と交換してもよい。例えば、現
像処理装置210における基体処理枚数を計数し、所定
枚数の処理に達した時点で交換する方法を採用できる。
本発明においては、このように新液を用いる場合にも、
溶解フォトレジスト成分濃度を上述した一定の濃度範囲
とする。
Furthermore, the used liquid W can be regenerated not only once but also a plurality of times. However, in consideration of deterioration of the developing solution due to thermal history, natural oxidation, etc., the used solution W can be regenerated a certain number of times or a certain time. It may be replaced with a new solution at the time of performing. For example, it is possible to employ a method in which the number of substrates processed in the development processing apparatus 210 is counted and the substrate is replaced when a predetermined number of processes is reached.
In the present invention, even when the new liquid is used,
The concentration of the dissolved photoresist component is set within the above-mentioned fixed concentration range.

【0127】さらにまた、半導体製造設備200と異な
る設備で現像等の加工処理に使用された使用済液を受入
槽1に供給するようにしてもよい。この場合、他の設備
で使用したアルカリ系加工液を半導体製造設備200の
現像処理装置210へ供給して再使用することができ
る。また、そこで使用されたアルカリ系加工液を半導体
製造設備200又は他の設備で使用することも可能であ
る。なお、以上の代替例は、有機膜として機能膜を加工
処理する場合にも同様に適用することができる。
Furthermore, the used liquid used for the processing such as development may be supplied to the receiving tank 1 in a facility different from the semiconductor manufacturing facility 200. In this case, the alkaline processing liquid used in other equipment can be supplied to the development processing apparatus 210 of the semiconductor manufacturing equipment 200 and reused. Further, the alkaline processing liquid used therein can be used in the semiconductor manufacturing facility 200 or other facilities. The above alternative example can be similarly applied to the case where the functional film is processed as the organic film.

【0128】[0128]

【実施例】以下、本発明に係る具体的な実施例について
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
EXAMPLES Hereinafter, specific examples according to the present invention will be described, but the present invention is not limited thereto.

【0129】〈実施例1〉アルカリとしてTMAHを含
むアルカリ系現像液の新液(ナガセケムテックス株式会
社製;NPD−18)に、ノボラック/ジアゾナフトキ
ノン系のポジ型レジスト(ナガセケムテックス株式会社
製;NPR3510PG)を溶解せしめ、溶解フォトレ
ジスト成分濃度が0.12質量%、及び、アルカリ成分
濃度が2.376質量%である本発明のアルカリ系加工
液を得た。
Example 1 A new novolak / diazonaphthoquinone type positive resist (manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.) was added to a new alkaline developer containing TMAH as an alkali (manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd .; NPD-18). NPR3510PG) was dissolved to obtain an alkaline working liquid of the present invention having a dissolved photoresist component concentration of 0.12% by mass and an alkaline component concentration of 2.376% by mass.

【0130】〈比較例1〉実施例1で用いた新液(アル
カリ成分濃度2.380質量%)をアルカリ系加工液と
した。
<Comparative Example 1> The new liquid (concentration of alkali component: 2.380% by mass) used in Example 1 was used as an alkaline working liquid.

【0131】〈フォトレジスト溶解特性試験〉ITO薄
膜が成膜されたウェハ上に、実施例1でアルカリ系加工
液中に溶解させたものと同じフォトレジストの溶液を膜
厚1.5μmでスピンコートし、100℃、2分間のプ
リベークを行ったものを現像用試料とした。この試料に
対し、露光波長436nm、露光強度20mJ/c
2、露光部/未露光部あり、の条件下で露光を行っ
た。この露光後試料上に、実施例1及び比較例1のアル
カリ系加工液を供給し、温度23℃で現像を行った。現
像は、DRM(Development Rate Monitor;PERKI
N ELMER社製、型式:MODEL E900)を用
い、現像時間に対するフォトレジスト膜厚をモニターし
ながら実施した。
<Photoresist Dissolution Characteristic Test> On the wafer on which the ITO thin film was formed, the same photoresist solution as that dissolved in the alkaline processing liquid in Example 1 was spin-coated to a film thickness of 1.5 μm. Then, a sample for development was prebaked at 100 ° C. for 2 minutes. This sample had an exposure wavelength of 436 nm and an exposure intensity of 20 mJ / c.
Exposure was carried out under the conditions of m 2 and exposed / unexposed areas. The alkaline working liquids of Example 1 and Comparative Example 1 were supplied onto the post-exposure sample, and development was performed at a temperature of 23 ° C. Development is performed by DRM (Development Rate Monitor; PERKI).
It was carried out by using NELMER, model: MODEL E900) while monitoring the photoresist film thickness against the development time.

【0132】図3は、フォトレジスト溶解試験における
現像時間に対する未露光部のフォトレジスト膜厚の変化
を示すグラフである。曲線C1,C2は、それぞれ実施
例1及び比較例1のアルカリ系加工液を用いたときの結
果を示す。これより、本試験では、現像時間が70秒程
度までは、実施例1のアルカリ系加工液の方が、比較例
1よりも未露光部のフォトレジストに対する溶解性(膜
減り量)が高いことが確認された。また、その後は、実
施例1及び比較例1のアルカリ系加工液の溶解性が逆転
する傾向が認められた。すなわち、実施例1は、未露光
部のフォトレジスト表層に対する現像初期の溶解性に優
れることが判明した。
FIG. 3 is a graph showing changes in the photoresist film thickness of the unexposed portion with respect to the development time in the photoresist dissolution test. Curves C1 and C2 show the results when the alkaline working fluids of Example 1 and Comparative Example 1 were used, respectively. From this, in this test, the solubility of the alkaline working liquid of Example 1 to the photoresist in the unexposed portion (film reduction amount) was higher than that of Comparative Example 1 until the developing time was about 70 seconds. Was confirmed. Further, after that, it was observed that the solubilities of the alkaline working liquids of Example 1 and Comparative Example 1 were reversed. That is, it was found that Example 1 was excellent in solubility in the unexposed portion of the photoresist surface layer at the initial stage of development.

【0133】また、現像中の未露光部におけるDRM分
析波長を確認したところ、実施例1のアルカリ系加工液
を用いた場合の第一波の強度変化が比較的顕著であっ
た。さらに、現像時間60秒における残膜率(初期膜厚
に対する残存膜厚の割合)の試料2枚に対する平均値
は、実施例1の場合95.3%であったのに対し、比較
例1の場合は96.2%であった。これらの結果から
も、実施例1のアルカリ系加工液による方が、比較例1
のものよりも未露光部のフォトレジスト表層の膜厚変化
が速いことが判明した。
When the DRM analysis wavelength in the unexposed area during development was confirmed, the intensity change of the first wave was relatively remarkable when the alkaline processing liquid of Example 1 was used. Further, the average value of the residual film rate (ratio of the residual film thickness to the initial film thickness) for the two samples in the developing time of 60 seconds was 95.3% in the case of Example 1, whereas that of Comparative Example 1 was In the case, it was 96.2%. Also from these results, the alkaline working liquid of Example 1 is better than Comparative Example 1
It was found that the change in the film thickness of the photoresist surface layer in the unexposed area was faster than that of No.

【0134】この詳細な作用機構は未だ不明な部分もあ
るが、実施例1のアルカリ系加工液は、比較例1の従来
品に比して、フォトレジストに対する界面活性効果が高
められており、フォトレジスト表層への‘なじみ’が向
上され、これにより表層の溶解が促進されることが一因
であると推定される。但し、作用はこれに限定されな
い。
Although the detailed mechanism of action is still unclear, the alkaline working liquid of Example 1 has a higher surfactant effect on the photoresist than the conventional product of Comparative Example 1. It is presumed that one of the reasons is that the “familiarity” with the photoresist surface layer is improved, which promotes dissolution of the surface layer. However, the operation is not limited to this.

【0135】〈実施例2〉実施例1で用いたのと同じア
ルカリ系現像液の新液(ナガセケムテックス株式会社
製;NPD−18)に、同じくノボラック/ジアゾナフ
トキノン系のポジ型レジスト(ナガセケムテックス株式
会社製;NPR3510PG)を、溶解フォトレジスト
成分濃度が0.005、0.01、0.05、0.1、
0.5、1.0、1.5、2.0質量%となるように溶
解せしめ、本発明による種々のアルカリ系現像液を得
た。
Example 2 The same new alkaline developer (Nagase Chemtex Co., Ltd .; NPD-18) used in Example 1 was added to a novolak / diazonaphthoquinone positive resist (Nagase). Chemtex Co., Ltd .; NPR3510PG), and the dissolved photoresist component concentration is 0.005, 0.01, 0.05, 0.1,
It was dissolved so as to be 0.5, 1.0, 1.5 and 2.0% by mass to obtain various alkaline developers according to the present invention.

【0136】〈表面張力測定試験1〉実施例2で種々の
溶解フォトレジスト成分濃度に調整したアルカリ系加工
液、及び、比較例1のアルカリ系加工液(溶解フォトレ
ジスト成分濃度が0%)について、自動表面張力測定計
(協和界面科学社製;CBVP−A3)を用い、表面張
力をそれぞれ5回づつ測定した。測定結果及び平均値を
表1に示す。また、図4及び5は、溶解フォトレジスト
成分濃度に対する表面張力(平均値)の変化を示すグラ
フであり、横軸をそれぞれリニアスケール及び対数スケ
ールで表示したものである。
<Surface Tension Measurement Test 1> Alkali-based working liquid adjusted to various dissolved photoresist component concentrations in Example 2 and alkaline-based working liquid of Comparative Example 1 (dissolved photoresist component concentration 0%) The surface tension was measured 5 times using an automatic surface tension measuring device (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd .; CBVP-A3). The measurement results and average values are shown in Table 1. 4 and 5 are graphs showing changes in the surface tension (average value) with respect to the concentration of the dissolved photoresist component, in which the horizontal axis is displayed on a linear scale and a logarithmic scale, respectively.

【0137】[0137]

【表1】 [Table 1]

【0138】これらの結果より、新液に溶解フォトレジ
スト成分を0.001質量%オーダー以上の濃度で添加
すると、表面張力が格段に軽減されることが確認され
た。このような表面張力の低下による濡れ性の向上が、
未露光部のフォトレジスト表層に対する‘なじみ’を向
上させる一要因と考えられる。また、アルカリ成分濃度
が約2.38質量%のこの試験条件では、溶解フォトレ
ジスト成分濃度が0.1質量%を超える辺りから、表面
張力の低下が鈍化し、数質量%を超えるとその低下傾向
が飽和する傾向にあると予測される。
From these results, it was confirmed that the surface tension was remarkably reduced when the dissolved photoresist component was added to the new solution at a concentration of 0.001% by mass or more. The improvement of wettability due to such a decrease in surface tension,
It is considered to be one of the factors that improve the “familiarity” with the photoresist surface layer in the unexposed area. Under this test condition where the concentration of the alkali component is about 2.38% by mass, the decrease in the surface tension becomes slower when the concentration of the dissolved photoresist component exceeds 0.1% by mass, and when the concentration exceeds several% by mass. It is predicted that the tendency will be saturated.

【0139】〈実施例3〉アルカリ系加工液の原液とし
て、実施例1で用いたのと同じアルカリ系現像液の新液
(ナガセケムテックス株式会社製;NPD−18)を使
用し、これにノボラック/ジアゾナフトキノン系のポジ
型レジスト(ナガセケムテックス株式会社製;NPR3
510PG)を溶解せしめ、溶解フォトレジスト成分濃
度が0.005、0.1、0.3質量%、及び、アルカ
リ成分濃度が0.4質量%である本発明のアルカリ系加
工液を得た。
<Example 3> As an undiluted solution of an alkaline working solution, the same new alkaline developer solution as used in Example 1 (NPD-18 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.) was used. Novolac / diazonaphthoquinone type positive resist (Nagase Chemtex Co., Ltd .; NPR3)
510 PG) was dissolved to obtain an alkaline working liquid of the present invention having a dissolved photoresist component concentration of 0.005, 0.1 and 0.3% by mass and an alkaline component concentration of 0.4% by mass.

【0140】〈比較例2〉ポジ型レジストを溶解させな
かったこと以外は、実施例3と同様にして、アルカリ成
分濃度が0.4質量%のアルカリ系加工液を得た。
Comparative Example 2 An alkaline working liquid having an alkali component concentration of 0.4% by mass was obtained in the same manner as in Example 3 except that the positive resist was not dissolved.

【0141】〈表面張力測定試験2〉実施例3で種々の
溶解フォトレジスト成分濃度に調整したアルカリ系加工
液、及び、比較例2のアルカリ系加工液(溶解フォトレ
ジスト成分濃度が0%)について、自動表面張力測定計
(協和界面科学社製;CBVP−A3)を用い、表面張
力をそれぞれ5回づつ測定した。測定結果(平均値の
み)を表2に示す。また、図6は、溶解フォトレジスト
成分濃度に対する表面張力(平均値)の変化を示すグラ
フである。
<Surface Tension Measurement Test 2> Regarding the alkaline-type working liquid adjusted to various dissolved photoresist component concentrations in Example 3 and the alkaline-based working liquid of Comparative Example 2 (dissolved photoresist component concentration 0%) The surface tension was measured 5 times using an automatic surface tension measuring device (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd .; CBVP-A3). Table 2 shows the measurement results (only the average value). FIG. 6 is a graph showing changes in surface tension (average value) with respect to the concentration of dissolved photoresist components.

【0142】[0142]

【表2】 [Table 2]

【0143】アルカリ成分濃度が0.4質量%のこの試
験条件では、溶解フォトレジスト成分濃度が0.3質量
%前後から、表面張力の低下が鈍化し、その低下傾向が
徐々に飽和する傾向にあると予測される。
Under this test condition where the concentration of the alkali component is 0.4% by mass, the decrease in the surface tension becomes blunt from the concentration of the dissolved photoresist component of around 0.3% by mass, and the decreasing tendency tends to be saturated gradually. Expected to be.

【0144】[0144]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のアルカリ
系加工液によれば、基体上に塗布された有機膜の現像や
成形加工といった加工処理に用いる際に、使用量及び廃
液発生量を低減でき、露光後の有機膜に対する溶解性に
優れると共に、加工処理後における有機膜の表層剥離を
十分に防止することが可能となる。また、本発明の加工
液調整方法及び装置並びに加工液供給方法及び装置によ
れば、そのように優れる本発明のアルカリ系加工液を有
効に調整でき、また、有機膜の加工処理に本発明のアル
カリ系加工液を有効に供給することが可能になる。
As described above, according to the alkaline processing liquid of the present invention, when it is used for processing such as development and molding of the organic film coated on the substrate, the amount used and the amount of waste liquid generated are reduced. It can be reduced and the solubility in the organic film after exposure is excellent, and the surface layer peeling of the organic film after processing can be sufficiently prevented. Further, according to the processing liquid adjusting method and apparatus and the processing liquid supply method and apparatus of the present invention, the alkaline processing liquid of the present invention thus excellent can be effectively adjusted, and the processing liquid of the present invention can be applied to the organic film. It becomes possible to effectively supply the alkaline processing liquid.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による現像液供給装置の好適な一実施形
態の構成を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a preferred embodiment of a developer supply device according to the present invention.

【図2】本発明による現像液供給方法の好適な一実施形
態の手順の概略を示すフロー図である。
FIG. 2 is a flowchart showing an outline of a procedure of a preferred embodiment of a developing solution supply method according to the present invention.

【図3】フォトレジスト溶解試験における現像時間に対
する未露光部のフォトレジスト膜厚の変化を示すグラフ
である。
FIG. 3 is a graph showing a change in photoresist film thickness of an unexposed portion with respect to a developing time in a photoresist dissolution test.

【図4】溶解フォトレジスト濃度に対する表面張力(平
均値)の変化を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing changes in surface tension (average value) with respect to dissolved photoresist concentration.

【図5】溶解フォトレジスト濃度に対する表面張力(平
均値)の変化を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing changes in surface tension (average value) with respect to dissolved photoresist concentration.

【図6】溶解フォトレジスト濃度に対する表面張力(平
均値)の変化を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing changes in surface tension (average value) with respect to dissolved photoresist concentration.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…受入槽(受入部)、2…ろ過器(ろ過部)、3…残
留フォトレジスト除去器(残留成分除去部)、4…金属
イオン除去器(金属成分除去部)、5…調整槽(調整
部)、6…平準化槽(平準化部)、7…パーティクル除
去器(パーティクル除去部、後処理部)、8…液供給系
(調整部)、9…制御装置(調整部)、20…前処理
部、51,52…濃度計(濃度測定部)、100…現像
液供給装置(加工液供給装置)、210…現像処理装置
(加工部)、L2…配管(送給部)、L7…配管(非透
過液移送部)、V1〜V4…流量調整バルブ、W…使用
済液、Ws…再生液。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Receiving tank (reception part), 2 ... Filter (filtration part), 3 ... Residual photoresist removal device (remaining component removal part), 4 ... Metal ion removal device (metal component removal part), 5 ... Adjustment tank ( Adjusting part), 6 ... Leveling tank (leveling part), 7 ... Particle remover (particle removing part, post-treatment part), 8 ... Liquid supply system (adjusting part), 9 ... Control device (adjusting part), 20 ... pretreatment section, 51, 52 ... densitometer (concentration measurement section), 100 ... developing solution supply device (processing solution supply apparatus), 210 ... development processing apparatus (processing section), L2 ... pipe (feeding section), L7 ... Piping (non-permeated liquid transfer section), V1 to V4 ... Flow rate adjusting valve, W ... Used liquid, Ws ... Regeneration liquid.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 俊元 神奈川県川崎市中原区田尻町31番地 株式 会社平間理化研究所内 (72)発明者 片桐 優子 神奈川県川崎市中原区田尻町31番地 株式 会社平間理化研究所 (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町5番1号 長瀬 産業株式会社内 (72)発明者 森田 悟 東京都中央区日本橋小舟町5番1号 長瀬 産業株式会社内 (72)発明者 菊川 誠 神奈川県横浜市港北区新横浜1−19−20サ ンハマダビル1階 ナガセシィエムエステ クノロジー株式会社内 (72)発明者 宝山 隆博 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセケム テックス株式会社内 Fターム(参考) 2H096 AA25 GA08 GA09 GA10 5F046 LA12    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Toshimoto Nakagawa             31 Tajiri-cho, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Stock             Company Hirama Rika Institute (72) Inventor Yuko Katagiri             31 Tajiri-cho, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Stock             Hirama Rika Research Laboratories (72) Inventor Osamu Ogawa             Nagase, 5-1, Kobunecho, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Satoru Morita             Nagase, 5-1, Kobunecho, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Makoto Kikukawa             1-19-20 Shin-Yokohama, Kohoku Ward, Yokohama City, Kanagawa Prefecture             Nhamada Building 1st floor             Kunology Co., Ltd. (72) Inventor Takahiro Takayama             236 Nakai, Tatsuno-cho, Tatsuno-shi, Hyogo Nagasechem             Inside Tex Co., Ltd. F-term (reference) 2H096 AA25 GA08 GA09 GA10                 5F046 LA12

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基体上に塗布された感光性を有する有機
膜の加工に用いられるアルカリ系加工液であって、 加工の対象となる前記有機膜と同種の又は異種の有機膜
を構成する第1成分が0.001〜2.0質量%の濃度
で溶解されて成る、ことを特徴とするアルカリ系加工
液。
1. An alkaline processing liquid used for processing a photosensitive organic film coated on a substrate, which comprises an organic film of the same or different type as the organic film to be processed. An alkaline working fluid, characterized in that one component is dissolved at a concentration of 0.001 to 2.0 mass%.
【請求項2】 前記有機膜がフォトレジストであるとき
に、 前記第1成分として、前記加工としての現像の対象とな
る前記フォトレジストと同種の又は異種の有機膜を構成
する第2成分が0.001〜2.0質量%の濃度で溶解
されて成る、ことを特徴とする請求項1記載のアルカリ
系加工液。
2. When the organic film is a photoresist, as the first component, the second component constituting the organic film of the same kind or different kind as the photoresist to be developed as the processing is 0. The alkaline working liquid according to claim 1, wherein the alkaline working liquid is dissolved at a concentration of 0.001 to 2.0% by mass.
【請求項3】 前記有機膜が機能膜であるときに、 前記第1成分として、加工の対象となる前記機能膜と同
種の又は異種の有機膜を構成する第3成分が0.001
〜0.5質量%の濃度で溶解されて成る、ことを特徴と
する請求項1記載のアルカリ系加工液。
3. When the organic film is a functional film, the first component is 0.001 as a third component which constitutes an organic film of the same kind or different kind as the functional film to be processed.
The alkaline working liquid according to claim 1, wherein the alkaline working liquid is dissolved at a concentration of 0.5% by mass.
【請求項4】 アルカリ成分が0.05〜2.5質量%
の濃度で含有されて成る、ことを特徴とする請求項1記
載のアルカリ系加工液。
4. The alkali component is 0.05 to 2.5% by mass.
The alkaline working fluid according to claim 1, wherein the alkaline working fluid is contained at a concentration of.
【請求項5】 アルカリ成分が0.1〜2.5質量%の
濃度で含有されて成る、ことを特徴とする請求項2記載
のアルカリ系加工液。
5. The alkaline working liquid according to claim 2, wherein the alkaline component is contained at a concentration of 0.1 to 2.5 mass%.
【請求項6】 アルカリ成分が0.05〜2.4質量%
の濃度で含有されて成る、ことを特徴とする請求項3記
載のアルカリ系加工液。
6. The alkali component is 0.05 to 2.4% by mass.
The alkaline working fluid according to claim 3, wherein the alkaline working fluid is contained at a concentration of.
【請求項7】 基体上に塗布された有機膜の加工工程に
用いられるアルカリ系加工液を調整する加工液調整方法
であって、 前記アルカリ系加工液に含まれ且つ加工の対象となる前
記有機膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第1成分
の濃度が0.001〜2.0質量%の範囲内の値となる
ように、及び、該アルカリ系加工液に含まれるアルカリ
成分の濃度が0.05〜2.5質量%の範囲内の値とな
るように、該アルカリ系加工液の液性を調整する、こと
を特徴とする加工液調整方法。
7. A processing liquid adjusting method for adjusting an alkaline processing liquid used in a processing step of processing an organic film coated on a substrate, wherein the organic processing liquid is contained in the alkaline processing liquid and is a processing target. The concentration of the first component constituting the same kind or different kind of organic film as the film is set to a value within the range of 0.001 to 2.0% by mass, and of the alkaline component contained in the alkaline processing liquid. A method for adjusting a working fluid, which comprises adjusting the liquidity of the alkaline working fluid so that the concentration is within a range of 0.05 to 2.5 mass%.
【請求項8】 前記有機膜がフォトレジストであるとき
に、 前記第1成分として、前記アルカリ系加工液に含まれ且
つ前記加工としての現像の対象となる前記フォトレジス
トと同種の又は異種の有機膜を構成する第2成分の濃度
が0.001〜2.0質量%の範囲内の値となるよう
に、及び、該アルカリ系加工液に含まれるアルカリ成分
の濃度が0.1〜2.5質量%の範囲内の値となるよう
に、該アルカリ系加工液の液性を調整する、ことを特徴
とする請求項7記載の加工液調整方法。
8. When the organic film is a photoresist, as the first component, an organic material that is the same as or different from the photoresist that is contained in the alkaline processing liquid and is a development target for the processing. The concentration of the second component constituting the film is set to a value within the range of 0.001 to 2.0% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the alkaline processing liquid is 0.1 to 2. 8. The working fluid adjusting method according to claim 7, wherein the liquidity of the alkaline working fluid is adjusted so that the value falls within the range of 5% by mass.
【請求項9】 前記有機膜が機能膜であるときに、 前記第1成分として、前記アルカリ系加工液に含まれ且
つ加工の対象となる前記機能膜と同種の又は異種の有機
膜を構成する第3成分の濃度が0.001〜0.5質量
%の範囲内の値となるように、及び、該アルカリ系加工
液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.05〜2.4質
量%の範囲内の値となるように、該アルカリ系加工液の
液性を調整する、ことを特徴とする請求項7記載の加工
液調整方法。
9. When the organic film is a functional film, an organic film which is contained in the alkaline processing liquid as the first component and is the same or different from the functional film to be processed is formed. The concentration of the third component is set to a value within the range of 0.001 to 0.5% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the alkaline working liquid is 0.05 to 2.4% by mass. The method for adjusting a working fluid according to claim 7, wherein the liquidity of the alkaline working fluid is adjusted so that the value falls within the range.
【請求項10】 基体上に塗布された有機膜の加工工程
にアルカリ系加工液を供給する加工液供給方法であっ
て、 前記有機膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第1成
分を含む使用済液を受け入れる受入工程と、 前記使用済液に含まれる前記第1成分及びアルカリ成分
の濃度を測定する濃度測定工程と、 前記第1成分及び前記アルカリ成分の濃度実測値に基づ
いて、前記使用済液に含まれる第1成分の濃度が0.0
01〜2.0質量%の範囲内の値となるように、且つ、
該使用済液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.05〜
2.5質量%の範囲内の値となるように、該使用済液の
液性を調整して再生液を得る調整工程と、 前記再生液を前記加工工程に送給する送給工程と、を備
えることを特徴とする加工液供給方法。
10. A processing liquid supply method for supplying an alkaline processing liquid to a processing step of an organic film coated on a substrate, wherein a first component constituting an organic film of the same kind or different kind as the organic film is provided. A receiving step of receiving the used liquid containing, a concentration measuring step of measuring the concentration of the first component and the alkaline component contained in the used liquid, based on the measured concentration of the first component and the alkaline component, The concentration of the first component contained in the used liquid is 0.0
To a value within the range of 01 to 2.0% by mass, and
The concentration of the alkaline component contained in the used liquid is 0.05 to
An adjusting step of adjusting the liquidity of the used liquid to obtain a regenerated liquid so that the value is within a range of 2.5% by mass; and a feeding process of feeding the regenerated liquid to the processing step. A method for supplying a working fluid, comprising:
【請求項11】 前記有機膜がフォトレジストであると
きに、 前記受入工程においては、前記使用済液として、前記フ
ォトレジストと同種の又は異種の有機膜を構成する第2
成分を含むものを受け入れ、 前記濃度測定工程においては、前記使用済液に含まれる
前記第2成分及びアルカリ成分の濃度を測定し、 前記調整工程においては、前記第2成分及び前記アルカ
リ成分の濃度実測値に基づいて、前記使用済液に含まれ
る第2成分の濃度が0.001〜2.0質量%の範囲内
の値となるように、且つ、該使用済液に含まれるアルカ
リ成分の濃度が0.1〜2.5質量%の範囲内の値とな
るように、該使用済液の液性を調整して再生液を得る、
ことを特徴とする請求項10記載の加工液供給方法。
11. When the organic film is a photoresist, in the receiving step, as the used liquid, an organic film that is the same as or different from the photoresist is formed.
Accepting those containing components, in the concentration measuring step, the concentrations of the second component and the alkaline component contained in the used liquid are measured, and in the adjusting step, the concentrations of the second component and the alkaline component are measured. Based on the measured value, the concentration of the second component contained in the used liquid is set to a value within the range of 0.001 to 2.0% by mass, and the alkaline component contained in the used liquid is A liquid regenerant is obtained by adjusting the liquidity of the used liquid so that the concentration becomes a value within the range of 0.1 to 2.5% by mass.
The working fluid supply method according to claim 10, wherein
【請求項12】 前記有機膜が機能膜であるときに、 前記受入工程においては、前記使用済液として、前記機
能膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第3成分を含
むものを受け入れ、 前記濃度測定工程においては、前記使用済液に含まれる
前記第3成分及びアルカリ成分の濃度を測定し、 前記調整工程においては、前記第3成分及び前記アルカ
リ成分の濃度実測値に基づいて、前記使用済液に含まれ
る第3成分の濃度が0.001〜0.5質量%の範囲内
の値となるように、且つ、該使用済液に含まれるアルカ
リ成分の濃度が0.05〜2.4質量%の範囲内の値と
なるように、該使用済液の液性を調整して再生液を得
る、ことを特徴とする請求項10記載の加工液供給方
法。
12. When the organic film is a functional film, in the receiving step, as the used liquid, a liquid containing a third component constituting an organic film of the same kind or different kind as the functional film is received. In the concentration measuring step, the concentrations of the third component and the alkaline component contained in the used liquid are measured, and in the adjusting step, based on the actual measurement values of the third component and the alkaline component, The concentration of the third component contained in the used liquid is in the range of 0.001 to 0.5% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the used liquid is 0.05 to 11. The method for supplying a working liquid according to claim 10, wherein the regenerant liquid is obtained by adjusting the liquidity of the used liquid so that the value is within the range of 2.4% by mass.
【請求項13】 前記受入工程と前記調整工程との間に
実施され、前記使用済液のろ過を行うろ過ステップ、前
記使用済液中に残留する第1成分を除去する残留成分除
去ステップ、及び、前記使用済液に含まれる金属成分を
除去する金属成分除去ステップのうち少なくともいずれ
か一つのステップを有する前処理工程を備える、ことを
特徴とする請求項10記載の加工液供給方法。
13. A filtration step performed between the receiving step and the adjusting step for filtering the used liquid, a residual component removing step for removing a first component remaining in the used liquid, and 11. The working liquid supply method according to claim 10, further comprising a pretreatment process including at least one step of removing metal components contained in the used liquid.
【請求項14】 前記ろ過ステップにおいては、前記使
用済液をクロスフローろ過により透過液と非透過液とに
ろ別し、 前記調整工程が、前記非透過液を前記使用済液に添加す
る非透過液添加ステップを有する、ことを特徴とする請
求項13記載の加工液供給方法。
14. In the filtration step, the used liquid is separated into a permeated liquid and a non-permeated liquid by cross-flow filtration, and the adjusting step adds a non-permeated liquid to the used liquid. 14. The working liquid supply method according to claim 13, further comprising a permeated liquid adding step.
【請求項15】 前記調整工程と前記送給工程との間に
実施され、前記再生液からパーティクル成分を除去する
パーティクル除去ステップを有する後処理工程を備え
る、ことを特徴とする請求項10記載の加工液供給方
法。
15. The post-treatment process, which is carried out between the adjusting process and the feeding process and has a particle removing step for removing particle components from the regenerating liquid, according to claim 10. Working fluid supply method.
【請求項16】 基体上に塗布された有機膜の加工に用
いられるアルカリ系加工液を調整するための加工液調整
装置であって、 前記アルカリ系加工液に含まれ且つ前記有機膜と同種の
又は異種の有機膜を構成する第1成分の濃度が0.00
1〜2.0質量%の範囲内の値となるように、且つ、該
アルカリ系加工液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.
05〜2.5質量%の範囲内の値となるように、該アル
カリ系加工液の液性が調整される調整部を備える、こと
を特徴とする加工液調整装置。
16. A processing liquid adjusting device for adjusting an alkaline processing liquid used for processing an organic film applied on a substrate, which is contained in the alkaline processing liquid and is of the same kind as the organic film. Alternatively, the concentration of the first component constituting the heterogeneous organic film is 0.00
The concentration of the alkaline component contained in the alkaline working liquid is set to be a value within the range of 1 to 2.0% by mass.
A working fluid adjusting device, comprising: an adjusting unit for adjusting the liquidity of the alkaline working fluid so that the value is within a range of 05 to 2.5 mass%.
【請求項17】 前記有機膜がフォトレジストであると
きに、 前記調整部は、前記第1成分として、前記アルカリ系加
工液に含まれ且つ前記加工としての現像の対象となる前
記フォトレジストと同種の又は異種の有機膜を構成する
第2成分の濃度が0.001〜2.0質量%の範囲内の
値となるように、且つ、該アルカリ系加工液に含まれる
アルカリ成分の濃度が0.1〜2.5質量%の範囲内の
値となるように、該アルカリ系加工液の液性が調整され
るものである、ことを特徴とする請求項16記載の加工
液調整装置。
17. When the organic film is a photoresist, the adjusting unit is the same as the photoresist that is contained in the alkaline processing liquid as the first component and is a development target for the processing. Or the concentration of the second component constituting the heterogeneous organic film is in the range of 0.001 to 2.0% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the alkaline working liquid is 0. The working fluid adjusting device according to claim 16, wherein the liquidity of the alkaline working fluid is adjusted so as to be a value within the range of 1 to 2.5% by mass.
【請求項18】 前記有機膜が機能膜であるときに、 前記調整部は、前記第1成分として、前記アルカリ系加
工液に含まれ且つ加工の対象となる前記機能膜と同種の
又は異種の有機膜を構成する第3成分の濃度が0.00
1〜0.5質量%の範囲内の値となるように、且つ、該
アルカリ系加工液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.
05〜2.4質量%の範囲内の値となるように、該アル
カリ系加工液の液性が調整されるものである、ことを特
徴とする請求項16記載の加工液調整装置。
18. When the organic film is a functional film, the adjusting unit is the same as or different from the functional film that is contained in the alkaline processing liquid as the first component and is a processing target. The concentration of the third component constituting the organic film is 0.00
The concentration of the alkaline component contained in the alkaline working liquid is 0. 1 so that the value falls within the range of 1 to 0.5% by mass.
The working fluid adjusting device according to claim 16, wherein the liquidity of the alkaline working fluid is adjusted so as to be a value within the range of 05 to 2.4 mass%.
【請求項19】 基体上に塗布された有機膜の加工部に
アルカリ系加工液を供給するための加工液供給装置であ
って、 前記有機膜と同種の又は異種の有機膜を構成する第1成
分(溶解有機膜成分)を含む使用済液が供給される受入
部と、 前記使用済液に含まれる前記第1成分及びアルカリ成分
の濃度を測定する濃度測定部と、 前記第1成分及び前記アルカリ成分の濃度実測値に基づ
いて、前記使用済液に含まれる第1成分の濃度が0.0
01〜2.0質量%の範囲内の値となるように、且つ、
該使用済液に含まれるアルカリ成分の濃度が0.05〜
2.5質量%の範囲内の値となるように、該使用済液の
液性を調整して再生液を得る調整部と、 前記再生液を前記加工部へ送給する送給部と、を備える
ことを特徴とする加工液供給装置。
19. A working liquid supply device for supplying an alkaline working liquid to a processed portion of an organic film coated on a substrate, the first liquid forming an organic film of the same kind or different kind as the organic film. A receiving part to which a used liquid containing a component (dissolved organic film component) is supplied, a concentration measuring part for measuring the concentrations of the first component and the alkaline component contained in the used liquid, the first component and the Based on the measured concentration of the alkaline component, the concentration of the first component contained in the used liquid was 0.0
To a value within the range of 01 to 2.0% by mass, and
The concentration of the alkaline component contained in the used liquid is 0.05 to
An adjusting unit that adjusts the liquidity of the used liquid to obtain a regenerated liquid so that the value is within a range of 2.5 mass%; and a feeding unit that feeds the regenerated liquid to the processing unit. A machining fluid supply device comprising:
【請求項20】 前記有機膜がフォトレジストであると
きに、 前記受入部は、前記使用済液として、前記フォトレジス
トと同種の又は異種の有機膜を構成する第2成分を含む
ものが供給されるものであり、 前記濃度測定部が、前記使用済液に含まれる前記第2成
分及びアルカリ成分の濃度を測定するものであり、 前記調整部が、前記第2成分及び前記アルカリ成分の濃
度実測値に基づいて、前記使用済液に含まれる第2成分
の濃度が0.001〜2.0質量%の範囲内の値となる
ように、且つ、該使用済液に含まれるアルカリ成分の濃
度が0.1〜2.5質量%の範囲内の値となるように、
該使用済液の液性を調整するものである、ことを特徴と
する請求項19記載の加工液供給装置。
20. When the organic film is a photoresist, the receiving portion is supplied with the used liquid containing a second component that forms an organic film of the same kind as or different from the photoresist. The concentration measuring unit measures the concentration of the second component and the alkaline component contained in the used liquid, and the adjusting unit measures the concentration of the second component and the alkaline component. Based on the value, the concentration of the second component contained in the used liquid becomes a value within the range of 0.001 to 2.0% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the used liquid. Of 0.1 to 2.5% by mass,
20. The working fluid supply device according to claim 19, wherein the fluidity of the used fluid is adjusted.
【請求項21】 前記有機膜が機能膜であるときに、 前記受入部は、前記使用済液として、前記機能膜と同種
の又は異種の有機膜を構成する第3成分を含むものが供
給されるものであり、 前記濃度測定部が、前記使用済液に含まれる前記第3成
分及びアルカリ成分の濃度を測定するものであり、 前記調整部が、前記第3成分及び前記アルカリ成分の濃
度実測値に基づいて、前記使用済液に含まれる第3成分
の濃度が0.001〜0.5質量%の範囲内の値となる
ように、且つ、該使用済液に含まれるアルカリ成分の濃
度が0.05〜2.4質量%の範囲内の値となるよう
に、該使用済液の液性を調整するものである、ことを特
徴とする請求項19記載の加工液供給装置。
21. When the organic film is a functional film, the receiving part is supplied with the used liquid containing a third component that constitutes an organic film of the same kind as or different from the functional film. The concentration measuring unit measures the concentration of the third component and the alkaline component contained in the used liquid, and the adjusting unit measures the concentration of the third component and the alkaline component. Based on the value, the concentration of the third component contained in the used liquid becomes a value within the range of 0.001 to 0.5% by mass, and the concentration of the alkaline component contained in the used liquid. 20. The working liquid supply apparatus according to claim 19, wherein the liquid property of the used liquid is adjusted so that the value becomes within a range of 0.05 to 2.4% by mass.
【請求項22】 前記受入部と前記調整部との間に設け
られ、前記使用済液がろ過されるろ過部、前記使用済液
中に残留する前記第1成分が除去される残留成分除去
部、及び、前記使用済液に含まれる金属成分が除去され
る金属成分除去部のうち少なくともいずれか一つを有す
る前処理部を備える、ことを特徴とする請求項19記載
の加工液供給装置。
22. A filtering unit provided between the receiving unit and the adjusting unit for filtering the used liquid, and a residual component removing unit for removing the first component remaining in the used liquid. 20. The processing liquid supply apparatus according to claim 19, further comprising: a pretreatment unit having at least one of a metal component removal unit that removes a metal component contained in the used liquid.
【請求項23】 前記ろ過部が、前記使用済液をクロス
フローろ過により透過液と非透過液とにろ別するもので
あり、 前記ろ過部及び前記調整部に接続されており、且つ、前
記非透過液を該ろ過部から該調整部へ移送する非透過液
移送部を備える、ことを特徴とする請求項19記載の加
工液供給装置。
23. The filtration unit filters the used liquid into a permeated liquid and a non-permeated liquid by cross-flow filtration, and is connected to the filtration unit and the adjustment unit, and 20. The working liquid supply apparatus according to claim 19, further comprising a non-permeated liquid transfer unit that transfers the non-permeated liquid from the filtration unit to the adjustment unit.
【請求項24】 前記調整部と前記送給部との間に設け
られ、前記再生液に含まれるパーティクル成分が除去さ
れるパーティクル除去部を有する後処理部を備える、こ
とを特徴とする請求項19記載の加工液供給装置。
24. A post-treatment unit is provided between the adjusting unit and the feeding unit, the post-treatment unit having a particle removing unit for removing a particle component contained in the regenerant liquid. 19. The working fluid supply device according to item 19.
【請求項25】 前記調整部に接続されており、前記再
生液が前記調整部から水頭圧力差によって自然移送さ
れ、該再生液に含まれる前記第1成分及びアルカリ成分
の濃度が平準化される平準化部を備える、ことを特徴と
する請求項19記載の加工液供給装置。
25. The regenerant is connected to the adjuster, and the regenerant is naturally transferred from the adjuster by a head pressure difference, and the concentrations of the first component and the alkaline component contained in the regenerant are leveled. 20. The machining fluid supply device according to claim 19, further comprising a leveling unit.
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