JP2003130926A - Semiconductor tester - Google Patents

Semiconductor tester

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JP2003130926A
JP2003130926A JP2001323156A JP2001323156A JP2003130926A JP 2003130926 A JP2003130926 A JP 2003130926A JP 2001323156 A JP2001323156 A JP 2001323156A JP 2001323156 A JP2001323156 A JP 2001323156A JP 2003130926 A JP2003130926 A JP 2003130926A
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Japan
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pattern
timing
timing set
program
memory
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Application number
JP2001323156A
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Japanese (ja)
Inventor
Noritaka Tsuchida
典孝 土田
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Advantest Corp
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Advantest Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor tester provided with a timing setting change-over means which enables device tests to be performed continuously being kept intact, without transferring a program, when the device tests are performed splitting devices into a plurality, and only conditions for timing setting are different. SOLUTION: This tester concerns a semiconductor tester provided with a timing setting memory TSM which stores a predetermined plurality of timing settings for specifying the timing edges of generated pulses to be used for testing devices to be tested. The semiconductor tester is also provided with a TS number resource selection control means which supplies a TS number value from a TS number resource different from TS number data TSD generated by a pattern generator PG, to the memory TSM.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、被試験デバイス
(DUT)を試験する為に発生する試験波形等(印加波
形やストローブ信号等)を所定のタイミング条件で発生
する構成を備える半導体試験装置に関する。特に、パタ
ーン発生器のパターンメモリに格納しているタイミング
条件とは独立して、別のタイミング条件で試験波形を発
生可能な手段を備えて、タイミング条件が異なるパター
ンプログラムを共有化可能とする半導体試験装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test apparatus having a structure for generating a test waveform or the like (application waveform, strobe signal, etc.) generated for testing a device under test (DUT) under a predetermined timing condition. . In particular, a semiconductor that includes a unit that can generate a test waveform under a different timing condition independently of the timing condition stored in the pattern memory of the pattern generator, and can share pattern programs with different timing conditions. Regarding test equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】DUTを試験する為に半導体試験装置が
発生する試験波形としては、例えばDUTへ印加する数
百チャンネル以上のドライバ波形や、DUTからの応答
信号を受けて所定のタイミングで比較する数百チャンネ
ル以上のストローブ信号がある。これらパルスは、各エ
ッジが所定に規定されたパルスとして発生される。前縁
/後縁の各エッジは、個々に所定のタイミング条件(タ
イミング・セット:TS)に基づいて所定に遅延したパ
ルス波形として出力される。図1は半導体試験装置の本
願に係る要部概念構成図である。この構成要素は、記憶
装置100と、パターン発生器PGと、試験周期発生部
10と、タイミング発生・波形整形部TGFCと、ピン
エレクトロニクスPEと、論理比較器DCと、その他を
備える。ここで、半導体試験装置は公知であり技術的に
良く知られている為、本願に係る要部を除き、その他の
信号や構成要素、及びその詳細説明については省略す
る。従って、ピンエレクトロニクスPEと論理比較器D
Cとは説明を省略する。
2. Description of the Related Art As a test waveform generated by a semiconductor test device for testing a DUT, for example, a driver waveform of several hundred channels or more applied to the DUT or a response signal from the DUT is received and compared at a predetermined timing. There are strobe signals of several hundred channels or more. These pulses are generated as pulses in which each edge is prescribed. Each of the leading edge / trailing edge is individually output as a pulse waveform delayed by a predetermined time based on a predetermined timing condition (timing set: TS). FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of a main part of a semiconductor test apparatus according to the present application. This component includes a memory device 100, a pattern generator PG, a test cycle generator 10, a timing generator / waveform shaper TGFC, pin electronics PE, a logical comparator DC, and the like. Here, since the semiconductor test apparatus is publicly known and well known in the art, other signals and constituent elements, and detailed description thereof will be omitted except for the main part of the present application. Therefore, the pin electronics PE and the logical comparator D
The description of C is omitted.

【0003】記憶装置100は、数百Gバイト容量のハ
ードディスク装置であり、図示ないが数百Mバイト容量
の高速の半導体メモリ、例えばSBM(Super Buffer M
emory)を備えている。このSBMは、当該デバイスを
試験する為に、PGに備えるパターンプログラムメモリ
PPMのメモリ容量より大きく、所定に分割された単位
で複数回分の次回パターンプログラム120を格納して
待機している。そして、PGからの要求に基づいて次の
次回パターンプログラム120を超高速にパターンプロ
グラムメモリPPMへ転送する。この転送時間は転送ワ
ード数やシステム構成にもよるが例えば数秒以上かか
る。この転送開始から転送完了する迄の期間はデバイス
試験が一時停止状態となる結果、デバイス試験のスルー
プットが低下する難点がある。更に、もしもハードディ
スク装置からSBMへの読み込みが完了していない場合
には、この読み込み時間も加算されてくる為、デバイス
試験のスループットが更に低下する。
The storage device 100 is a hard disk device having a capacity of hundreds of gigabytes, and although not shown, a high-speed semiconductor memory having a capacity of hundreds of megabytes, for example, an SBM (Super Buffer M).
emory). In order to test the device, the SBM is larger than the memory capacity of the pattern program memory PPM included in the PG, and stores the next-time pattern program 120 for a plurality of times in a predetermined divided unit and stands by. Then, based on the request from the PG, the next next-time pattern program 120 is transferred to the pattern program memory PPM at an extremely high speed. This transfer time is, for example, several seconds or more, depending on the number of transfer words and the system configuration. During the period from the start of the transfer to the completion of the transfer, the device test is suspended, so that the throughput of the device test is lowered. Further, if the reading from the hard disk drive to the SBM is not completed, this reading time is also added, and the throughput of the device test is further reduced.

【0004】パターン発生器PG(Pattern Generato
r)は、メモリデバイス試験用のメモリテスタとロジッ
クデバイス試験用のロジックテスタとでは異なる。ここ
で、試験パターンPAT1と期待値パターンPAT2の
発生形態は、一方のメモリテスタでは内部のALPG
(Algorithmic Pattern Generator)により演算生成し
た生成データが試験パターンPAT1と期待値パターン
PAT2として使用される。但し、ランダムな期待値パ
ターンPAT2が必要となる場合には専用の期待値格納
メモリ(図2ではパターンプログラムメモリPPMに該
当する)に格納した格納データが期待値パターンPAT
2として適用される。ここでは専用の期待値格納メモリ
を適用する場合と仮定する。他方のロジックテスタでは
大容量の試験パターン格納メモリ(図2ではパターンプ
ログラムメモリPPMに該当する)へ試験パターンPA
T1と期待値パターンPAT2とを格納して使用され
る。PGは所定のプログラム制御命令を実行し、これに
対応するプログラムアドレスによりパターンプログラム
メモリPPMをアクセスして読み出された試験周期パタ
ーンRD1と、TS番号データTSDと、試験パターン
PAT1と、期待値パターンPAT2と、その他を出力
する。尚、パターンの発生周期は、試験周期発生部10
が発生するレートクロックRTCLKに基づく周期で発
生する。
A pattern generator PG (Pattern Generato)
r) is different between the memory tester for memory device test and the logic tester for logic device test. Here, the test pattern PAT1 and the expected value pattern PAT2 are generated in one memory tester by the internal ALPG.
The generated data calculated and generated by the (Algorithmic Pattern Generator) is used as the test pattern PAT1 and the expected value pattern PAT2. However, when the random expected value pattern PAT2 is required, the stored data stored in the dedicated expected value storage memory (corresponding to the pattern program memory PPM in FIG. 2) is the expected value pattern PAT.
Applied as 2. Here, it is assumed that a dedicated expected value storage memory is applied. In the other logic tester, the test pattern PA is stored in a large-capacity test pattern storage memory (corresponding to the pattern program memory PPM in FIG. 2).
T1 and expected value pattern PAT2 are stored and used. The PG executes a predetermined program control command, accesses the pattern program memory PPM by the program address corresponding to the PG, reads the test period pattern RD1, the TS number data TSD, the test pattern PAT1, and the expected value pattern. Output PAT2 and others. In addition, the pattern generation cycle is the test cycle generation unit 10
Are generated in a cycle based on the rate clock RTCLK.

【0005】次に、図2のパターンプログラムメモリP
PMへ4回のプログラムを転送する場合のパターンプロ
グラムとタイミングセットの格納内容を説明する。これ
は4回のパターンプログラムにおいて、全てのテスタチ
ャンネルが各々1つのタイミングセット(TS番号)
A、B、C、Dのみが異なるものを順次適用してデバイ
ス試験を実施する簡明な場合である。これは、DUTを
特性別にランク分けするとき等で良く使用される。第1
プログラムは、最初にパターンプログラムメモリPPM
へ転送(ロード)されるプログラムであり、パターンプ
ログラムAとタイミングセットAとが転送される。第2
プログラムは、次回パターンプログラム120から次の
パターンプログラムAとタイミングセットBとが転送さ
れる。ここで、パターンプログラムA側は以前と同一の
内容である。以後同様にして、第3プログラムでは、次
回パターンプログラム120から次のパターンプログラ
ムAとタイミングセットCとが転送され、第4プログラ
ムでは、その次のパターンプログラムAとタイミングセ
ットDとが転送される。ここでも、パターンプログラム
A側は以前と同一の内容である。これによれば、タイミ
ングセットをA、B、C、Dと変更する為に、変更不要
なパターンプログラムAと共にパターンプログラムメモ
リPPMへ転送する必要性がある。これに伴い、パター
ンプログラムを転送するための転送時間が必要となって
くる。
Next, the pattern program memory P of FIG.
The stored contents of the pattern program and timing set when the program is transferred to the PM four times will be described. This is one timing set (TS number) for each tester channel in the pattern program of 4 times.
This is a simple case in which device tests are performed by sequentially applying only those different in A, B, C, and D. This is often used when ranking DUTs by characteristics. First
First, the program is the pattern program memory PPM.
The pattern program A and the timing set A are transferred. Second
As the program, the next pattern program A and timing set B are transferred from the next pattern program 120. Here, the pattern program A side has the same contents as before. Thereafter, similarly, in the third program, the next pattern program A and the timing set C are transferred from the next pattern program 120, and in the fourth program, the next pattern program A and the timing set D are transferred. Here again, the contents on the pattern program A side are the same as before. According to this, in order to change the timing set to A, B, C, D, it is necessary to transfer the pattern program A, which does not need to be changed, to the pattern program memory PPM. Along with this, a transfer time is required to transfer the pattern program.

【0006】次に、図2に対応するデバイス試験のフロ
ーチャートを図3を示して説明する。ステップS1は、
全体で使用されるタイミングセットを一括して転送す
る。ここでは、タイミングセットA,B,C,Dに対応
する個々のテスタチャンネル毎の遅延量データを、全て
のテスタチャンネルのタイミングセットメモリTSMへ
書き込む。ステップS2は、第1試験用の第1パターン
プログラムを転送する。即ち、図2に示すパターンプロ
グラムAとタイミングセットAとを転送する。数十Mワ
ードを転送するには例えば数十秒の転送時間がかかる。
この期間は、実際にデバイス試験を実行していないの
で、一時停止期間Aとなる。ステップS3は、転送され
た前記パターンプログラムに基づき、所定にデバイス試
験を実行する。即ち、実際にデバイス試験を実施する試
験実施期間Bであり、例えば数秒から数十秒の実行時間
である。ステップS4は、上記ステップS2と同様であ
り、次の第2試験用の第2パターンプログラムを転送す
る。この期間も、デバイス試験の一時停止期間Aとな
る。ステップS5は、上記ステップS3と同様であり、
次の第2試験の試験実施期間Bである。以後のステップ
S6とステップS8も、上記ステップS2と同様であ
り、次のパターンプログラムを転送する。この期間も、
デバイス試験の一時停止期間Aとなる。ステップS7と
ステップS9も、上記ステップS3と同様であり、次の
試験実施期間Bである。上述した図2と図3の説明によ
れば、次のプログラムの転送の都度、一時停止期間Aが
生じることが判る。この一時停止期間Aの回数が多い
程、デバイス試験が完了するまでに、時間がかかる難点
がある。更に、スループットの低下要因でもある。この
ように、タイミングセットA、B、C、Dが異なるのみ
であっても、次のタイミングセットを転送する必要があ
り、この結果、一時停止期間Aが必要となっている。
Next, a flow chart of the device test corresponding to FIG. 2 will be described with reference to FIG. Step S1 is
Transfer the timing set used in the whole at once. Here, the delay amount data for each individual tester channel corresponding to the timing sets A, B, C, D is written in the timing set memory TSM of all the tester channels. A step S2 transfers the first pattern program for the first test. That is, the pattern program A and the timing set A shown in FIG. 2 are transferred. It takes, for example, several tens of seconds to transfer several tens of M words.
This period is the suspension period A because the device test is not actually executed. A step S3 executes a predetermined device test based on the transferred pattern program. That is, it is a test execution period B in which a device test is actually executed, and is an execution time of, for example, several seconds to several tens of seconds. Step S4 is similar to step S2, and transfers the next second pattern program for the second test. This period also becomes the device test suspension period A. Step S5 is the same as step S3,
It is the test implementation period B of the next second test. The subsequent steps S6 and S8 are similar to step S2, and the next pattern program is transferred. This period also
This is the device test suspension period A. Steps S7 and S9 are also the same as step S3, and are the next test implementation period B. From the above description of FIGS. 2 and 3, it is understood that the suspension period A occurs every time the next program is transferred. The larger the number of the suspension periods A, the longer the time required for the device test to be completed. Further, it is also a factor of lowering the throughput. As described above, even if only the timing sets A, B, C, and D are different, it is necessary to transfer the next timing set, and as a result, the pause period A is required.

【0007】図1に戻り、試験周期発生部10は、オン
ザフライで変更可能な試験周期を発生する。即ち、上記
試験周期パターンRD1を受けて、これに基づく規定の
周期時間となるように、固定の基準クロックCLKを所
定に分周したレートクロックRTCLKを発生して、P
GとTGFCとへ供給する。更に、規定の周期時間と基
準クロックCLKとの端数時間である端数時間情報FD
2はTGFCへ供給する。
Returning to FIG. 1, the test cycle generator 10 generates a test cycle that can be changed on the fly. That is, when the test cycle pattern RD1 is received, a rate clock RTCLK obtained by dividing the fixed reference clock CLK by a predetermined frequency is generated so as to have a specified cycle time based on the test cycle pattern RD1.
Supply to G and TGFC. Further, the fractional time information FD, which is the fractional time between the specified cycle time and the reference clock CLK.
2 supplies to TGFC.

【0008】タイミング発生・波形整形部TGFC(Ti
ming Generator Format Control)は、DUTへ印加す
る所定複数チャンネル、例えば1024チャンネルのド
ライバパルスDRPと、DCへ供給する所定複数チャン
ネルのストローブ信号STB3を発生するものである。
本願に係る内部要素としては、所定複数チャンネル数の
タイミングセットメモリTSMとクロック発生部20と
を備える。
Timing generation / waveform shaping section TGFC (Ti
ming generator format control) is for generating driver pulses DRP of a predetermined plurality of channels, for example, 1024 channels to be applied to the DUT, and strobe signals STB3 of a predetermined plurality of channels to be supplied to DC.
The internal elements according to the present application include a timing set memory TSM having a predetermined number of channels and a clock generator 20.

【0009】タイミングセットメモリTSMは、発生す
るパルスのエッジのタイミングを規定する複数種類のタ
イミングセットデータ(遅延量データ)を格納するメモ
リであって、例えばTS番号データTSDが10ビット
幅のとき1024種類を備える。上記PGからのTS番
号であるTS番号データTSDをアドレス入力端aで受
けて、これに基づいて読み出されたタイミング遅延デー
タDL5をクロック発生部20へ供給する。
The timing set memory TSM is a memory for storing a plurality of types of timing set data (delay amount data) which defines the timing of the edge of the generated pulse. For example, when the TS number data TSD has a 10-bit width, it is 1024. With types. The TS number data TSD which is the TS number from the PG is received at the address input terminal a, and the timing delay data DL5 read based on this is supplied to the clock generation unit 20.

【0010】ここで、タイミングセットメモリTSMへ
のタイミングデータの書込みは、当初において、全ての
パターンプログラムで使用されるタイミングデータ(図
2の場合はTS番号A〜Dの4種類)が一括して書込み
される。ところで、TS番号を指定するTS番号データ
TSDは、パターンプログラムメモリPPMの中へパタ
ーンプログラムの一部分として一体に格納されている。
そのため、試験パターンPAT1と期待値パターンPA
T2とが同一で、TS番号データTSDのみが異なるデ
バイス試験があった場合でも、別のパターンプログラム
を適用する必要がある。この結果、デバイス試験を行う
全体のパターンプログラムの容量が増大してくる。この
増大に伴って、複数に分割して備える次回パターンプロ
グラム120の本数も増加する難点がある。
Here, when writing the timing data to the timing set memory TSM, initially, the timing data (four types of TS numbers A to D in the case of FIG. 2) used in all the pattern programs are collectively written. Written. By the way, the TS number data TSD designating the TS number is integrally stored in the pattern program memory PPM as a part of the pattern program.
Therefore, the test pattern PAT1 and the expected value pattern PA
Even if there is a device test in which T2 is the same and only the TS number data TSD is different, it is necessary to apply another pattern program. As a result, the capacity of the entire pattern program for device testing increases. Along with this increase, there is a drawback that the number of next-time pattern programs 120 that are divided into a plurality of pieces and increase.

【0011】クロック発生部20は、所定の波形整形条
件に基づいて実際に所定タイミングに遅延させたパルス
を生成して出力するものであって、上記端数時間情報F
D2とタイミング遅延データDL5とを加算し、更に所
定のスキュー補正量が加算された最終遅延量を求め、可
変遅延手段VD1を備えてレートクロックRTCLKを
基準として所定に遅延させた遅延パルスを生成する。一
方のドライバパルスDRPを出力するときは、受ける試
験パターンPAT1の条件に基づいて所定の波形整形と
なるように、前記遅延パルスにより前縁と後縁を波形整
形したドライバパルスDRPを出力し、他方のストロー
ブ信号STB3を出力するときは、受ける試験パターン
PAT1の条件に基づいて前記遅延パルスをストローブ
用パルスとして出力する。
The clock generator 20 generates and outputs a pulse that is actually delayed at a predetermined timing based on a predetermined waveform shaping condition, and outputs the fractional time information F.
D2 and the timing delay data DL5 are added together to obtain a final delay amount to which a predetermined skew correction amount is added, and a variable delay means VD1 is provided to generate a delay pulse delayed by a predetermined amount based on the rate clock RTCLK. . When one of the driver pulses DRP is output, the driver pulse DRP having the leading edge and the trailing edge shaped by the delay pulse is output so that the predetermined waveform shaping is performed based on the condition of the received test pattern PAT1. When outputting the strobe signal STB3, the delay pulse is output as a strobe pulse based on the condition of the received test pattern PAT1.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述説明したように従
来技術においては、タイミングセットが図2に示すよう
に、タイミングセットA、B、C、Dと異なるのみであ
っても、次のタイミングセットを含むプログラムを転送
する為に、図3に示すように一時停止期間Aが各々必要
となっている。この結果、デバイス試験を行う全体のパ
ターンプログラムの容量が増大してくる難点がある。更
に、デバイス試験が完了するまでに時間がかかる結果、
スループットの低下要因ともなっている。そこで、本発
明が解決しようとする課題は、複数本に分割してデバイ
ス試験が行われ、且つタイミングセットの条件のみが異
なる場合には、プログラムを転送することなく、そのま
ま継続してデバイス試験が実施できるタイミングセット
切り替え手段を備える半導体試験装置を提供することで
ある。また、1本のパターンプログラムを複数に分割
し、この中でタイミングセットの条件のみが異なる場合
には、当該分割したパターンプログラムを1つに共有化
し、所定にタイミングセットを切り替えるタイミングセ
ット切り替え手段を備える半導体試験装置を提供するこ
とである。
As described above, in the prior art, even if the timing set is different from the timing sets A, B, C and D as shown in FIG. In order to transfer a program including the above, a pause period A is required as shown in FIG. As a result, there is a problem that the capacity of the entire pattern program for device testing increases. In addition, it takes time to complete the device test,
It is also a factor that reduces the throughput. Therefore, the problem to be solved by the present invention is to divide the device test into a plurality of lines, and if only the conditions of the timing set are different, continue the device test without transferring the program. It is an object of the present invention to provide a semiconductor test apparatus including a timing set switching unit that can be implemented. Further, when one pattern program is divided into a plurality of parts and only the conditions of the timing set are different among them, the divided pattern programs are shared as one, and a timing set switching means for switching the timing set in a predetermined manner is provided. It is to provide a semiconductor test device provided with.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】第1の解決手段を示す。
上記課題を解決するために、被試験デバイスの試験に使
用する発生パルスのタイミングエッジを規定する所定複
数個のタイミングセットを格納するタイミングセットメ
モリTSMを備える半導体試験装置において、パターン
発生器PGに他のパターンデータと共に格納しているタ
イミングセットを選択指定するTS番号データTSDを
適用しないて、タイミングセットを選択指定する他のT
S番号リソースからのTS番号値を上記タイミングセッ
トメモリTSMへ供給できるTS番号リソース選択制御
手段(例えばTSセレクタ3とTSレジスタR1とTS
選択制御レジスタR2)を備える、ことを特徴とする半
導体試験装置である。上記発明によれば、複数本に分割
してデバイス試験が行われ、且つタイミングセットの条
件のみが異なる場合には、プログラムを転送することな
く、そのまま継続してデバイス試験が実施できるタイミ
ングセット切り替え手段を備える半導体試験装置が実現
できる。
A first solution will be described.
In order to solve the above problems, in a semiconductor test apparatus including a timing set memory TSM that stores a predetermined plurality of timing sets that define timing edges of generated pulses used for testing a device under test, the pattern generator PG is Other than the TS number data TSD for selecting and designating the timing set stored together with the pattern data of
TS number resource selection control means capable of supplying the TS number value from the S number resource to the timing set memory TSM (for example, TS selector 3, TS register R1, and TS
The semiconductor test apparatus is provided with a selection control register R2). According to the above invention, when the device test is performed by dividing into a plurality of lines and only the conditions of the timing set are different, the timing set switching means that can continuously perform the device test without transferring the program. A semiconductor test apparatus including

【0014】次に、第2の解決手段を示す。上記課題を
解決するために、被試験デバイスの試験に使用する発生
パルスのタイミングエッジを規定する所定複数個のタイ
ミングセットを格納するタイミングセットメモリTSM
を備える半導体試験装置において、パターン発生器PG
から発生するタイミングセットを選択指定するTS番号
データTSDとは異なるTS番号リソースからのTS番
号値を上記タイミングセットメモリTSMへ供給できる
TS番号リソース選択制御手段(例えばTSセレクタ3
とTSレジスタR1とTS選択制御レジスタR2)を備
える、ことを特徴とする半導体試験装置がある。
Next, the second solving means will be shown. In order to solve the above problems, a timing set memory TSM that stores a plurality of predetermined timing sets that define timing edges of generated pulses used for testing a device under test.
In a semiconductor test apparatus including a pattern generator PG
The TS number resource selection control means (for example, the TS selector 3) that can supply the TS number value from the TS number resource different from the TS number data TSD for selecting and specifying the timing set generated from the timing set memory TSM.
And a TS register R1 and a TS selection control register R2).

【0015】次に、第3の解決手段を示す。上記課題を
解決するために、被試験デバイスの試験に使用する発生
パルスのタイミングエッジを規定する所定複数個のタイ
ミングセットを格納するタイミングセットメモリTSM
を備え、所定のタイミングセットを選択指定するTS番
号値をパターン発生器PGから前記タイミングセットメ
モリTSMに供給し、これに基づいて所定タイミングの
発生パルスを生成して出力する半導体試験装置におい
て、第1に、TS番号通常供給モードのときにはパター
ン発生器PGから供給されるTS番号データTSDをT
S番号値として上記タイミングセットメモリTSMへ供
給し、第2に、TS番号独立供給モードのときには上記
TS番号データTSDとは異なるTS番号リソース(例
えばTSレジスタR1)からのTS番号値を上記タイミ
ングセットメモリTSMへ供給できるTS番号リソース
選択制御手段(例えばTSセレクタ3とTSレジスタR
1とTS選択制御レジスタR2)を備える、ことを特徴
とする半導体試験装置がある。
Next, a third solving means will be shown. In order to solve the above problems, a timing set memory TSM that stores a plurality of predetermined timing sets that define timing edges of generated pulses used for testing a device under test.
A semiconductor test device that supplies a TS number value for selecting and designating a predetermined timing set from the pattern generator PG to the timing set memory TSM, and generates and outputs a generated pulse at a predetermined timing based on the TS number value. 1, the TS number data TSD supplied from the pattern generator PG is set to T in the TS number normal supply mode.
The TS number value is supplied to the timing set memory TSM as the S number value, and secondly, in the TS number independent supply mode, the TS number value from the TS number resource (for example, the TS register R1) different from the TS number data TSD is set to the timing set. TS number resource selection control means that can be supplied to the memory TSM (for example, TS selector 3 and TS register R
1 and a TS selection control register R2).

【0016】次に、第4の解決手段を示す。上記課題を
解決するために、被試験デバイスの試験に使用する発生
パルスのタイミングエッジを規定する所定複数個のタイ
ミングセットを格納するタイミングセットメモリTSM
を備え、所定のタイミングセットを選択指定するTS番
号値をパターン発生器PGから前記タイミングセットメ
モリTSMに供給し、これに基づいて所定タイミングの
発生パルスを生成して出力する半導体試験装置におい
て、パターン発生器PGから発生するパターンデータで
あるタイミングセットを選択指定するTS番号データT
SDのTS番号値を上記タイミングセットメモリTSM
へ供給する通常の動作モードをTS番号通常供給モード
と呼称し、前記TS番号データTSDとは異なる別系統
から上記TS番号データTSDとは独立したTS番号値
を上記タイミングセットメモリTSMへ供給する動作モ
ードをTS番号独立供給モードと呼称したとき、上記T
S番号通常供給モードのときにはパターン発生器PGか
ら供給されるTS番号データTSDをTS番号値として
上記タイミングセットメモリTSMへ供給し、上記TS
番号独立供給モードのときには上記TS番号データTS
Dとは異なるTS番号リソースからのTS番号値を上記
タイミングセットメモリTSMへ供給できるTS番号リ
ソース選択制御手段(例えばTSセレクタ3とTSレジ
スタR1とTS選択制御レジスタR2)を備える、こと
を特徴とする半導体試験装置がある。
Next, a fourth solving means will be shown. In order to solve the above problems, a timing set memory TSM that stores a plurality of predetermined timing sets that define timing edges of generated pulses used for testing a device under test.
In a semiconductor test apparatus for supplying a TS number value for selecting and designating a predetermined timing set from the pattern generator PG to the timing set memory TSM, and generating and outputting a generated pulse at a predetermined timing based on the TS number value. TS number data T for selecting and designating a timing set that is pattern data generated from the generator PG
The TS number value of SD is used as the timing set memory TSM.
A normal operation mode for supplying to the timing set memory TSM is called a TS number normal supply mode, and a TS number value independent of the TS number data TSD is supplied to the timing set memory TSM from another system different from the TS number data TSD. When the mode is called the TS number independent supply mode, the above T
In the S number normal supply mode, the TS number data TSD supplied from the pattern generator PG is supplied to the timing set memory TSM as the TS number value, and the TS
In the number independent supply mode, the above TS number data TS
TS number resource selection control means (for example, TS selector 3, TS register R1, and TS selection control register R2) capable of supplying a TS number value from a TS number resource different from D to the timing set memory TSM. There is a semiconductor test equipment that does.

【0017】次に、第5の解決手段を示す。ここで第4
図は、本発明に係る解決手段を示している。被試験デバ
イス(DUT)を試験するプログラムを格納するパター
ンプログラムメモリPPMを備え、前記パターンプログ
ラムメモリPPMはDUTを試験する試験波形等(印加
波形やストローブ信号)を生成するパターンデータを発
生し、且つ発生する発生パルスのタイミングエッジを規
定する所定複数個のタイミングセットの番号(TS番
号)の中で所定のTS番号を選択指定するTS番号デー
タTSDを他のパターンデータと共に発生してタイミン
グ発生・波形整形部TGFCへ供給するパターン発生器
PGを具備し、上記タイミング発生・波形整形部TGF
Cは内部にタイミングセットを格納するタイミングセッ
トメモリTSMを備え、前記タイミングセットメモリT
SMはタイミングセットのTS番号値を選択指定する所
定のTS番号入力信号を入力として受け、前記TS番号
入力信号で選択指定されたタイミングセットに基づいて
所定に遅延したタイミングエッジの発生パルス(例えば
ストローブ信号STB3)を生成して出力し、若しくは
所定に遅延したタイミングエッジで所定の試験波形に波
形整形した発生パルス(例えばドライバパルスDRP)
を出力する構成を備える半導体試験装置において、パタ
ーン発生器PGから発生するパターンデータであるTS
番号データTSDのTS番号値を上記タイミングセット
メモリTSMへ供給する通常の動作モードをTS番号通
常供給モードと呼称し、前記TS番号データTSDとは
異なる別系統から上記TS番号データTSDとは独立し
たTS番号値を上記タイミングセットメモリTSMへ供
給する動作モードをTS番号独立供給モードと呼称した
とき、上記TS番号通常供給モードのときにはパターン
発生器PGから供給されるTS番号データTSDをTS
番号値として上記タイミングセットメモリTSMへ供給
し、上記TS番号独立供給モードのときには上記TS番
号データTSDとは異なるTS番号リソースからのTS
番号値を上記タイミングセットメモリTSMへ供給でき
るTS番号リソース選択制御手段(例えばTSセレクタ
3とTSレジスタR1とTS選択制御レジスタR2)を
備える、ことを特徴とする半導体試験装置がある。
Next, a fifth solving means will be shown. The fourth here
The figure shows the solution according to the invention. A pattern program memory PPM for storing a program for testing a device under test (DUT) is provided, and the pattern program memory PPM generates pattern data for generating a test waveform or the like (applied waveform or strobe signal) for testing the DUT, and Timing generation / waveform is generated by generating TS number data TSD together with other pattern data for selecting and designating a predetermined TS number from a plurality of predetermined timing set numbers (TS numbers) that define the timing edges of the generated pulses. The timing generator / waveform shaper TGF is provided with a pattern generator PG supplied to the shaper TGFC.
C has a timing set memory TSM for storing a timing set therein, and the timing set memory T
The SM receives as input a predetermined TS number input signal for selecting and specifying the TS number value of the timing set, and generates a timing edge generation pulse (for example, strobe) delayed by a predetermined time based on the timing set selected and specified by the TS number input signal. Signal STB3) is generated and output, or a generated pulse whose waveform is shaped into a predetermined test waveform at a timing edge delayed by a predetermined amount (for example, driver pulse DRP)
In a semiconductor test apparatus having a configuration for outputting a pattern, TS which is pattern data generated from the pattern generator PG
A normal operation mode for supplying the TS number value of the number data TSD to the timing set memory TSM is called a TS number normal supply mode, and is independent of the TS number data TSD from another system different from the TS number data TSD. When the operation mode for supplying the TS number value to the timing set memory TSM is called the TS number independent supply mode, the TS number data TSD supplied from the pattern generator PG in the TS number normal supply mode is TS.
It is supplied to the timing set memory TSM as a number value, and in the TS number independent supply mode, a TS from a TS number resource different from the TS number data TSD is supplied.
There is a semiconductor test apparatus including a TS number resource selection control means (for example, a TS selector 3, a TS register R1, and a TS selection control register R2) capable of supplying a number value to the timing set memory TSM.

【0018】次に、第6の解決手段を示す。ここで第4
図は、本発明に係る解決手段を示している。上述TS番
号リソース選択制御手段の一態様は、TS切り替え手段
と、TS選択モードレジスタと、TS番号値格納手段
と、TS番号指定手段とを備え、上記TS切り替え手段
は第1に上記TS番号通常供給モードのときにはPGの
上記パターンプログラムメモリPPMから発生するTS
番号データTSDを選択して上記タイミングセットメモ
リTSMへ供給し、第2にTS番号独立供給モードのと
きには上記TS番号値格納手段から出力されるTS番号
値を上記タイミングセットメモリTSMへ供給するもの
(例えばTSセレクタ3)であり、上記TS選択モード
レジスタはTS番号通常供給モードかTS番号独立供給
モードかの動作モードを切り替え制御するもの(例えば
TS選択制御レジスタR2のセレクト制御信号R2s
a)であり、上記TS番号値格納手段は当該DUTの試
験実施で適用される複数個のTS番号値が格納可能な格
納容量を少なくとも備える格納装置(例えばTSレジス
タR1)であり、上記TS番号指定手段はTS番号値の
指定を制御できるTS制御プログラム(例えばメイン側
プログラムPRO1)に基づいて、上記TS番号値格納
手段に格納されているTS番号値の中でデバイス試験の
実行に対応するTS番号値を選択指定する制御信号を受
けてラッチ保持するレジスタ(例えばTS選択制御レジ
スタR2のTS選択信号R2sb)であり、 以上を具
備する、ことを特徴とする上述半導体試験装置がある。
Next, a sixth solving means will be shown. The fourth here
The figure shows the solution according to the invention. One aspect of the TS number resource selection control means includes a TS switching means, a TS selection mode register, a TS number value storage means, and a TS number designating means. In the supply mode, the TS generated from the pattern program memory PPM of the PG
Number data TSD is selected and supplied to the timing set memory TSM, and secondly, in the TS number independent supply mode, the TS number value output from the TS number value storage means is supplied to the timing set memory TSM ( For example, the TS selector 3), and the TS selection mode register controls switching of the operation mode of the TS number normal supply mode or the TS number independent supply mode (for example, the selection control signal R2s of the TS selection control register R2).
a), wherein the TS number value storage means is a storage device (for example, TS register R1) having at least a storage capacity capable of storing a plurality of TS number values applied in the test implementation of the DUT, and the TS number Based on a TS control program (for example, main program PRO1) capable of controlling the designation of the TS number value, the designating means corresponds to the execution of the device test among the TS number values stored in the TS number value storing means. It is a register (for example, the TS selection signal R2sb of the TS selection control register R2) that receives and holds a control signal for selectively designating a number value, and the above-mentioned semiconductor test device is provided with the above.

【0019】次に、第7の解決手段を示す。ここで第8
図は、本発明に係る解決手段を示している。上述TS番
号リソース選択制御手段の一態様は、TS番号変換手段
と、TS番号指定手段とを備え、上記TS番号変換手段
はDUTを試験実行するパターンプログラムに適用する
複数のTS番号値を所定に格納するメモリ(例えばアド
レス変換手段50)であり、前記メモリのアドレス入力
端を第1のアドレス入力端a1と第2のアドレス入力端
a2に分割し、一方の第1のアドレス入力端a1には上
記TS番号データTSDの所定ビット数若しくは全ビッ
ト数を入力し、他方の第2のアドレス入力端a2には上
記TS番号指定手段から出力される切り替え信号(例え
ばTS選択制御レジスタR2のTS選択信号R2sb)
を入力し、これに基づいて当該TS番号変換手段から所
定のTS番号値に変換した変換TS番号値(例えばTS
変換データ50s)を読み出して出力するものであり、
上記TS番号指定手段は上記TS番号変換手段に格納さ
れている複数のTS番号値の中で、当該パターンプログ
ラムで適用すべきTS番号値に変換できるように、TS
番号値の指定を制御できるTS制御プログラムに基づく
TS番号切り替え制御信号を、例えばテスタバスTBU
Sを介して受けてラッチ保持するレジスタ(例えばTS
選択制御レジスタR2のTS選択信号R2sb)であ
り、 以上を具備する、ことを特徴とする上述半導体試
験装置がある。これにより、複数のタイミングセットが
1本のパターンプログラム中にランダムに存在する場合
においても、TS番号値のみが異なる小分割された分割
パターンプログラムを共用パターンとして適用可能とな
り、且つオンザフライでの実行が可能となる。
Next, a seventh means for solving the problems will be described. 8th here
The figure shows the solution according to the invention. One aspect of the above-mentioned TS number resource selection control means includes a TS number conversion means and a TS number designating means, and the TS number conversion means specifies a plurality of TS number values to be applied to a pattern program for test execution of a DUT. It is a memory (for example, address conversion means 50) for storing, and the address input end of the memory is divided into a first address input end a1 and a second address input end a2, and one of the first address input ends a1 has A predetermined number of bits or the total number of bits of the TS number data TSD is input, and a switching signal (for example, a TS selection signal of the TS selection control register R2) output from the TS number designating means is input to the other second address input terminal a2. R2sb)
Is input, and based on this, the converted TS number value converted from the TS number conversion means to a predetermined TS number value (for example, TS
The converted data 50s) is read and output.
The TS number designating means converts the TS number values stored in the TS number converting means into the TS number values to be applied by the pattern program, so that the TS number
A TS number switching control signal based on a TS control program capable of controlling the designation of the number value is provided, for example, on a tester bus TBU.
A register for receiving and latching via S (eg TS
It is the TS selection signal R2sb) of the selection control register R2, and there is the above-mentioned semiconductor test device characterized by comprising the above. As a result, even when a plurality of timing sets are randomly present in one pattern program, it is possible to apply a subdivided divided pattern program having different TS number values as a shared pattern, and the on-the-fly execution is possible. It will be possible.

【0020】次に、第8の解決手段を示す。ここで第6
図は、本発明に係る解決手段を示している。TS番号値
のみが異なるパターンプログラムを共用パターンと呼称
したとき、上記TS制御プログラムの一態様としては、
複数回出現する前記共用パターンの実行直前において上
記TS番号変換手段により選択出力される上記変換TS
番号値が当該共用パターンで適用するTS番号値となる
ように上記TS番号指定手段を所定に制御する、ことを
特徴とする上述半導体試験装置がある。
Next, an eighth solution means will be shown. 6th here
The figure shows the solution according to the invention. When a pattern program having only different TS number values is called a shared pattern, one aspect of the TS control program is as follows.
The converted TS selected and output by the TS number conversion means immediately before execution of the shared pattern that appears a plurality of times
There is the above-mentioned semiconductor testing device characterized in that the TS number designating means is controlled in a predetermined manner so that the number value becomes the TS number value applied in the common pattern.

【0021】次に、第9の解決手段を示す。ここで第5
図は、本発明に係る解決手段を示している。パターン発
生器PGのパターンプログラムメモリPPMへ格納され
るパターンプログラムにおいて、上記共用パターンの一
態様としては、少なくとも2回連続するTS番号値のみ
が異なるパターンプログラムである、ことを特徴とする
上述半導体試験装置がある。
Next, the ninth solving means will be described. The fifth here
The figure shows the solution according to the invention. In the pattern program stored in the pattern program memory PPM of the pattern generator PG, one mode of the common pattern is a pattern program in which at least two consecutive TS number values are different from each other. There is a device.

【0022】次に、第10の解決手段を示す。ここで第
5図は、本発明に係る解決手段を示している。パターン
発生器PGのパターンプログラムメモリPPMへ格納さ
れるパターンプログラムにおいて、上記共用パターン
は、少なくとも2回連続するTS番号値のみが異なるパ
ターンプログラムがパターンプログラムメモリPPMへ
転送格納される条件が存在するときに、これを共用パタ
ーンとして適用してパターンプログラムメモリPPMへ
1回の転送格納とし、当該パターンプログラムにはメイ
ン側プログラムPRO1を追加して備え、前記メイン側
プログラムPRO1に基づきTS番号値を順次指定して
1つの共用パターンをサブルーチンコールして実行す
る、ことを特徴とする上述半導体試験装置がある。
Next, a tenth solving means will be described. Here, FIG. 5 shows a solving means according to the present invention. In the pattern program stored in the pattern program memory PPM of the pattern generator PG, when there is a condition that the common pattern is transferred and stored in the pattern program memory PPM at least twice in succession only in the TS number value. Then, this is applied as a shared pattern to be transferred to and stored in the pattern program memory PPM once, and the main program PRO1 is additionally provided in the pattern program, and the TS number value is sequentially specified based on the main program PRO1. Then, there is the above-mentioned semiconductor test device characterized in that one shared pattern is called by a subroutine and executed.

【0023】次に、第11の解決手段を示す。ここで第
10図は、本発明に係る解決手段を示している。パター
ン発生器PGのパターンプログラムメモリPPMへ格納
されるパターンプログラムにおいて、上記共用パターン
の一態様としては、TS番号値のみが異なるパターンプ
ログラム単位に分割したものである、ことを特徴とする
上述半導体試験装置がある。
Next, the eleventh solving means will be shown. Here, FIG. 10 shows a solving means according to the present invention. In the pattern program stored in the pattern program memory PPM of the pattern generator PG, one aspect of the shared pattern is that the shared pattern is divided into pattern program units having different TS number values. There is a device.

【0024】次に、第12の解決手段を示す。ここで第
10図は、本発明に係る解決手段を示している。パター
ン発生器PGのパターンプログラムメモリPPMへ格納
されるパターンプログラムにおいて、上記共用パターン
は、共用パターンとして適用可能な単位に分割し、分割
された共用パターンに対して所定のTS番号値に順次切
り替え制御して、分割された当該共用パターンをサブル
ーチンコールするメイン側プログラムPRO1を当該パ
ターンプログラムメモリPPMへ所定に格納して備え
る、ことを特徴とする上述半導体試験装置がある。
Next, a twelfth solving means will be shown. Here, FIG. 10 shows a solving means according to the present invention. In the pattern program stored in the pattern program memory PPM of the pattern generator PG, the common pattern is divided into units applicable as the common pattern, and the divided common pattern is sequentially switched to a predetermined TS number value. Then, the above-mentioned semiconductor test apparatus is characterized in that the main side program PRO1 for calling the divided shared pattern as a subroutine is stored in the pattern program memory PPM in a predetermined manner.

【0025】尚、本願発明手段は、所望により、上記解
決手段における各要素手段を適宜組み合わせて、実用可
能な他の構成手段としても良い。また、上記各要素に付
与されている符号は、発明の実施の形態等に示されてい
る符号に対応するものの、これに限定するものではな
く、実用可能な他の均等物を適用した構成手段としても
良い。
If desired, the means of the present invention may be appropriately combined with the respective element means of the above-mentioned solving means to form other practical constituent means. Further, although the reference numerals given to the above respective elements correspond to the reference numerals shown in the embodiments of the present invention and the like, the present invention is not limited to this, and constituent means to which other practical equivalents are applied. Also good.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】本発明について、図4と図5と図
6と図7とを参照して以下に説明する。尚、従来構成に
対応する要素は同一符号を付し、また重複する部位の説
明は省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below with reference to FIGS. 4, 5, 6 and 7. The elements corresponding to those of the conventional configuration are designated by the same reference numerals, and the description of the overlapping portions will be omitted.

【0027】図4は本発明の半導体試験装置の本願に係
る要部概念構成図である。本発明で異なる構成要素は、
タイミング発生・波形整形部TGFCの内部構成におい
て、TS選択制御レジスタR2と、TSレジスタR1
と、TSセレクタ3とを備える。ここで、TS番号デー
タTSDは10ビット幅の場合と仮定する。
FIG. 4 is a conceptual configuration diagram of a main part of the semiconductor test apparatus of the present invention according to the present application. The different components of the present invention are
In the internal configuration of the timing generation / waveform shaping unit TGFC, the TS selection control register R2 and the TS register R1
And a TS selector 3. Here, it is assumed that the TS number data TSD has a 10-bit width.

【0028】TS選択制御レジスタR2は、3ビット幅
のレジスタであって、テスタバスTBUSから随時設定
内容を変更できる。PGのプログラムには、図5のPR
O1に示すように、このTS選択制御レジスタR2を設
定制御できる制御命令を記述しておく。この記述は数ワ
ード程度の小容量で足りる。これにより、テスタバスT
BUSを介して設定条件を変更できる。この設定変更に
要する時間は数μ秒で済む。3ビットのレジスタ出力の
中で、1ビットのセレクト制御信号R2saはTSセレ
クタ3の選択入力端sへ供給する。2ビットのTS選択
信号R2sbはTSレジスタR1へ供給する。
The TS selection control register R2 is a 3-bit wide register, and the setting contents can be changed from the tester bus TBUS at any time. The PG program has the PR shown in FIG.
As indicated by O1, a control command capable of setting and controlling the TS selection control register R2 is described. This description can be as small as a few words. This allows the tester bus T
The setting conditions can be changed via BUS. The time required to change this setting is several microseconds. Of the 3-bit register output, the 1-bit select control signal R2sa is supplied to the select input terminal s of the TS selector 3. The 2-bit TS selection signal R2sb is supplied to the TS register R1.

【0029】TSレジスタR1は、10ビット幅で4ワ
ードのメモリ若しくはレジスタであって、TS選択制御
レジスタR2からの2ビットのTS選択信号R2sbに
より選択されたTS番号値R1sをTSセレクタ3のB
入力端へ供給する。また、デバイス試験の開始に先立っ
て、各レジスタには使用予定のTS番号A〜Dに対応す
るTS値をセットしておく。
The TS register R1 is a memory or a register having a width of 10 bits and 4 words. The TS number value R1s selected by the 2-bit TS selection signal R2sb from the TS selection control register R2 is transferred to the B of the TS selector 3.
Supply to the input terminal. Prior to starting the device test, the TS values corresponding to the TS numbers A to D to be used are set in the registers.

【0030】TSセレクタ3は、2入力1出力型のマル
チプレクサであって、上記セレクト制御信号R2sa
が”0”のときは、既存のプログラムが適用できるよう
にする為にPGからのTS番号データTSDをTS番号
データTSDxとして出力する。他方、上記セレクト制
御信号R2saが”1”のときは、本発明に対応した新
規プログラムを適用する場合であり、TSレジスタR1
に基づくTS番号値R1sをTS番号データTSDxと
して出力する。
The TS selector 3 is a 2-input 1-output type multiplexer, and has the select control signal R2sa.
Is "0", the TS number data TSD from the PG is output as the TS number data TSDx so that the existing program can be applied. On the other hand, when the select control signal R2sa is "1", the new program corresponding to the present invention is applied, and the TS register R1 is applied.
The TS number value R1s based on is output as the TS number data TSDx.

【0031】上述発明構成によれば、タイミングセット
メモリTSMへ供給するTS番号データTSDxは、P
Gに格納されているタイミングセットA〜Dとは無関係
に随時変更可能となる構成手段を備えることにより、図
5に示す例では、従来4本必要であったプログラムが1
本のプログラムで試験実施できる利点が得られることと
なる。従って、全体のプログラム容量が大幅に削減でき
る。更に、図3に示すデバイス試験の一時停止期間Aの
回数も4回から1回に低減される結果、デバイス試験の
スループットが大幅に向上できる利点が得られる。
According to the above-mentioned configuration of the invention, the TS number data TSDx supplied to the timing set memory TSM is P
By providing the constituent means that can be changed at any time regardless of the timing sets A to D stored in G, in the example shown in FIG.
This program has the advantage that it can be tested. Therefore, the overall program capacity can be significantly reduced. Further, the number of device test suspension periods A shown in FIG. 3 is also reduced from four to one, and as a result, there is an advantage that the device test throughput can be significantly improved.

【0032】次に、図5の1本に共有化した共用パター
ンプログラムの概念図と、図6のフローチャートと、図
7のメイン側プログラムPRO1の記述内容により手順
を説明する。尚、実際の適用では、第1に、パターンプ
ログラムに図7に相当するメイン側プログラムPRO1
が記述されて、これからサブ側プログラムPRO2をコ
ールする形態と、第2に、メインプログラムとパターン
プログラムに分かれていてメインプログラム側からパタ
ーンプログラムを「MEAS MPAT」等によりサブ側プログ
ラムPRO2をサブルーチンコールする形態と、があ
る。
Next, the procedure will be described with reference to the conceptual diagram of the shared pattern program shared in one in FIG. 5, the flowchart in FIG. 6, and the description content of the main side program PRO1 in FIG. In the actual application, firstly, the main program PRO1 corresponding to FIG. 7 is used as the pattern program.
Is described, and the sub-side program PRO2 is called from now on. Secondly, the sub-program PRO2 is divided into a main program and a pattern program, and the main program side calls the sub-program PRO2 by a subroutine such as "MEAS MPAT". There are forms.

【0033】本発明では、図5に示す1本の共用パター
ンプログラムにより、従来と同様に、全てのテスタチャ
ンネルで4つの異なるタイミングセットA〜Dを順次実
行して試験する場合とする。共用パターンプログラム
は、メイン側プログラムPRO1と、サブ側プログラム
PRO2とを備える。一方の、メイン側プログラムPR
O1は、図7の原理的なプログラム記述例に示すように
数ワード程度のプログラムである。他方のサブ側プログ
ラムPRO2は共通に適用するパターンプログラムAで
あり、この中のタイミングセット部位は使用しない。無
論、従来における第2プログラム〜第4プログラムは不
要である。
In the present invention, it is assumed that four different timing sets A to D are sequentially executed and tested on all the tester channels by one shared pattern program shown in FIG. The shared pattern program includes a main-side program PRO1 and a sub-side program PRO2. One side main program PR
O1 is a program of about several words as shown in the principle program description example of FIG. The other sub-side program PRO2 is a pattern program A that is commonly applied, and the timing set portion therein is not used. Of course, the conventional second to fourth programs are unnecessary.

【0034】次に、図6のフローチャートについて、図
7のメイン側プログラムの記述例と共に説明する。ステ
ップS1は、従来と同様であり、全体で使用されるタイ
ミングセットを一括して転送する。更に、図4に示すT
SレジスタR1へタイミングセットA〜Dを指定する為
に、4個のTS番号値を書き込んでおく。
Next, the flowchart of FIG. 6 will be described together with a description example of the main program shown in FIG. Step S1 is the same as the conventional one and collectively transfers the timing sets used throughout. Furthermore, T shown in FIG.
In order to specify the timing sets A to D in the S register R1, four TS number values are written in advance.

【0035】ステップS21は、記憶装置100から共
有パターンプログラムをパターンプログラムメモリPP
Mへ転送する。この期間は、実際にデバイス試験を実行
していないので、一時停止期間といえる。
In step S21, the shared pattern program is loaded from the storage device 100 into the pattern program memory PP.
Transfer to M. This period is a suspension period because the device test is not actually executed.

【0036】ステップS22は、TS選択制御レジスタ
R2へタイミングセットAを選択指定する設定データ
を、テスタバスTBUSを介して書き込む。無論、TS
セレクタ3はTSレジスタR1側に選択しておく。この
実行時間は、わずか数μ秒で済む。図7に示す「SET TS
A」の記述がこれに相当する。ステップ23は、上記共
有パターンプログラムと、選択指定されたタイミングセ
ットAに基づいて第1試験が実行される。図7に示す第
1の「CALL PAT1」の記述がこれに相当し、サブ側プロ
グラムPRO2をサブルーチンコールする。やがて、サ
ブ側プログラムPRO2での実行が終了すると、コール
元へリターンする。この期間は、実際にデバイス試験を
実施する試験実施期間Bである。
A step S22 writes the setting data for selecting and designating the timing set A into the TS selection control register R2 via the tester bus TBUS. Of course, TS
The selector 3 is selected on the TS register R1 side. This execution time is only a few microseconds. As shown in Fig. 7, "SET TS
The description of "A" corresponds to this. In step 23, the first test is executed based on the shared pattern program and the timing set A selected and designated. The description of the first "CALL PAT1" shown in FIG. 7 corresponds to this, and the sub-side program PRO2 is called as a subroutine. Eventually, when the execution by the sub-side program PRO2 is completed, the process returns to the calling source. This period is the test execution period B in which the device test is actually performed.

【0037】ステップ24は、TS選択制御レジスタR
2へ次のタイミングセットBを選択指定する設定データ
を書き込む。この実行時間は、わずか数μ秒で済む。図
7に示す「SET TS B」の記述がこれに相当する。ステッ
プ25は、上記ステップ23と同様であり、上記共有パ
ターンプログラムと、選択指定されたタイミングセット
Bに基づいて第2試験が実行される。図7に示す第2の
「CALL PAT1」の記述がこれに相当する。この期間は、
実際にデバイス試験を実施する試験実施期間Bである。
Step 24 is a TS selection control register R
The setting data for selecting and designating the next timing set B is written in 2. This execution time is only a few microseconds. The description of “SET TS B” shown in FIG. 7 corresponds to this. Step 25 is similar to step 23, and the second test is executed based on the shared pattern program and the timing set B selected and designated. The description of the second “CALL PAT 1” shown in FIG. 7 corresponds to this. During this period,
It is a test execution period B in which a device test is actually executed.

【0038】ステップ26は、TS選択制御レジスタR
2へ次のタイミングセットCを選択指定する設定データ
を書き込む。この実行時間も、わずか数μ秒で済む。図
7に示す「SET TS C」の記述がこれに相当する。ステッ
プ27は、上記ステップ23と同様であり、上記共有パ
ターンプログラムと、選択指定されたタイミングセット
Cに基づいて第3試験が実行される。図7に示す第3の
「CALL PAT1」の記述がこれに相当する。この期間は、
実際にデバイス試験を実施する試験実施期間Bである。
Step 26 is a TS selection control register R
The setting data for selecting and designating the next timing set C is written in 2. This execution time is only a few microseconds. The description of “SET TS C” shown in FIG. 7 corresponds to this. Step 27 is the same as step 23, and the third test is executed based on the shared pattern program and the timing set C selected and designated. The description of the third "CALL PAT 1" shown in FIG. 7 corresponds to this. During this period,
It is a test execution period B in which a device test is actually executed.

【0039】ステップ28は、TS選択制御レジスタR
2へ次のタイミングセットDを選択指定する設定データ
を書き込む。この実行時間も、わずか数μ秒で済む。図
7に示す「SET TS D」の記述がこれに相当する。ステッ
プ29は、上記ステップ23と同様であり、上記共有パ
ターンプログラムと、選択指定されたタイミングセット
Dに基づいて第4試験が実行される。図7に示す第4の
「CALL PAT1」の記述がこれに相当する。この期間は、
実際にデバイス試験を実施する試験実施期間Bである。
Step 28 is a TS selection control register R
The setting data for selecting and designating the next timing set D is written in 2. This execution time is only a few microseconds. The description of “SET TS D” shown in FIG. 7 corresponds to this. Step 29 is the same as step 23, and the fourth test is executed based on the shared pattern program and the timing set D selected and designated. The description of the fourth “CALL PAT 1” shown in FIG. 7 corresponds to this. During this period,
It is a test execution period B in which a device test is actually executed.

【0040】上述図6のフローチャートに示すように上
述発明構成によれば、パターンプログラムの転送回数が
従来では4回必要であったものが本発明では1回に削減
できている。この結果、第1に一時停止期間Aが4回か
ら1回に削減された結果、デバイス試験のスループット
が大幅に向上できる大きな利点が得られる。更に、記憶
装置100へ格納する次回パターンプログラム120の
容量が全体で1/4に激減できる大きな利点が得られる
こととなる。
As shown in the flow chart of FIG. 6, according to the configuration of the above-described invention, the number of times of transferring the pattern program can be reduced to one in the present invention from four in the conventional case. As a result, first, the suspension period A is reduced from four times to one time, and as a result, a great advantage that the throughput of the device test can be significantly improved is obtained. Further, there is a great advantage that the capacity of the next-time pattern program 120 stored in the storage device 100 can be drastically reduced to 1/4 as a whole.

【0041】尚、本発明の技術的思想は、上述実施の形
態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではな
い。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形
態を適宜変形して広汎に応用してもよい。例えば、上述
実施例のTSレジスタR1では、4ワードのタイミング
セットを格納するとした簡明な具体例であったが、メモ
リを適用することで数百ワード以上のタイミングセット
を格納可能とし、これを選択指定できるビット幅のTS
選択制御レジスタR2を備える構成としても良い。
The technical idea of the present invention is not limited to the specific configuration examples and connection mode examples of the above-described embodiment. Furthermore, based on the technical idea of the present invention, the above-described embodiments may be appropriately modified and widely applied. For example, the TS register R1 of the above-described embodiment is a simple concrete example in which a timing set of 4 words is stored, but by applying a memory, a timing set of several hundred words or more can be stored, and this is selected. TS with a specified bit width
The selection control register R2 may be provided.

【0042】また、上述実施例では、TS選択制御レジ
スタR2への書込みをテスタバスTBUSを適用して書
き込む具体例で説明していたが、所望により、PGから
出力する複数ビットのパターンデータの発生を適用し
て、TS選択制御レジスタR2へ直接書込みするように
接続して構成しても良い。この場合には、PGによる他
のパターン発生と同期したタイミングで変更できる利点
が得られる。
In the above-mentioned embodiment, the writing to the TS selection control register R2 has been described as a specific example of writing by applying the tester bus TBUS, but if desired, generation of a plurality of bits of pattern data output from the PG may be generated. It may be applied and configured so as to be connected so as to directly write to the TS selection control register R2. In this case, there is an advantage that the PG can be changed at a timing synchronized with the generation of another pattern.

【0043】また、上述図5に示す実施例では、全ての
テスタチャンネルのTS選択制御レジスタR2へ同一設
定データを設定する簡明な条件で動作可能な具体構成例
で説明していたが、個々のテスタチャンネル毎に所望ワ
ード数、例えば数百ワードのタイミングセットを格納で
きるTSレジスタR1と、これを選択指定できるビット
幅のTS選択制御レジスタR2を備える構成とし、更
に、図7に示すメイン側プログラムPRO1に対して各
テスタチャンネル毎(若しくはテスタチャンネル群毎)
に異なる設定値を設定できるようにプログラムを記述す
ることで、TS番号値R1sの異なる条件でも適用でき
るようにしても良い。この場合には、多数に分割された
パターンプログラムを共用パターンプログラムとして適
用できる頻度が高くなる結果、より一層実用的な実現手
段となる。
In the embodiment shown in FIG. 5, the specific configuration example in which the same setting data is set in the TS selection control registers R2 of all the tester channels can be operated under the simple condition has been described. A TS register R1 capable of storing a timing set of a desired number of words, for example, several hundreds of words for each tester channel, and a TS selection control register R2 having a bit width capable of selectively designating the TS register R1 are provided. For PRO1 for each tester channel (or for each tester channel group)
By writing a program so that different setting values can be set in the above, it is possible to apply even under different conditions of the TS number value R1s. In this case, the pattern program divided into a large number can be applied as a common pattern program more frequently, resulting in a more practical implementation means.

【0044】また、図8の他の要部概念構成例に示すよ
うに、上述した図4のTSレジスタR1とTSセレクタ
3の代わりにアドレス変換手段50を備える構成例があ
る。この構成例では、例えば最大32種類のTS番号デ
ータTSDがPGから発生でき、且つオンザフライで切
り替え可能となる。アドレス変換手段50は、1024
ワード×10ビット幅のメモリであって、PGからの1
0ビット幅のTS番号データTSDの中で下位6ビット
を第1のアドレス入力端a1へ受け、TS番号データT
SDの上位4ビットはタイミングセットメモリTSMの
第1のアドレス入力端a1へ供給する。更に、TS選択
制御レジスタR2からの4ビット幅のTS選択制御信号
R2sをアドレス変換手段50の第2のアドレス入力端
a2で受け、両アドレスに基づいて読出した6ビット幅
のTS変換データ50sをタイミングセットメモリTS
Mの第2のアドレス入力端a2へ供給する。この結果、
TS番号データTSDの中で下位6ビットに基づいてT
S番号が切り替え可能となり、更にTS選択制御レジス
タR2の4ビット幅に基づいて16本までのパターンプ
ログラムを共有化することが可能となる。尚、メモリ容
量を増加させて、PGからの10ビット全てのTS番号
データTSDを、対応するメモリ容量を備えるアドレス
変換手段50の第1のアドレス入力端a1へ供給するよ
うに構成しても良い。図8の構成によれば、図9の4本
のパターンプログラムでタイミングセットのみが異なる
記述例に示すように、パターンプログラムAが共有で、
複数のタイミングセットがランダムに任意に存在する場
合においても適用可能となるからして、適用可能な頻度
が更に増える利点が得られる。
As shown in another conceptual structural example of FIG. 8, there is a structural example in which an address converting means 50 is provided instead of the TS register R1 and the TS selector 3 of FIG. In this configuration example, for example, a maximum of 32 types of TS number data TSD can be generated from the PG and can be switched on the fly. The address conversion means 50 is 1024
Memory of word x 10 bit width, 1 from PG
The lower 6 bits of the TS number data TSD of 0 bit width are received by the first address input terminal a1 and the TS number data T
The upper 4 bits of SD are supplied to the first address input terminal a1 of the timing set memory TSM. Further, the TS selection control signal R2s having a 4-bit width from the TS selection control register R2 is received at the second address input terminal a2 of the address conversion means 50, and the TS conversion data 50s having a 6-bit width read based on both addresses is received. Timing set memory TS
It is supplied to the second address input terminal a2 of M. As a result,
T based on the lower 6 bits in the TS number data TSD
The S number can be switched, and up to 16 pattern programs can be shared based on the 4-bit width of the TS selection control register R2. The memory capacity may be increased to supply all the 10-bit TS number data TSD from the PG to the first address input terminal a1 of the address conversion means 50 having the corresponding memory capacity. . According to the configuration of FIG. 8, the pattern program A is shared as shown in the description example in which only the timing set is different among the four pattern programs of FIG.
Since it can be applied even when a plurality of timing sets are randomly present, there is an advantage that the applicable frequency is further increased.

【0045】また、図8の構成手段を適用する、図10
(a)のパターンプログラムメモリPPMにおけるパタ
ーン分割例は、1本のパターンプログラムの中を、複数
の小区画に区切っても支障とならない境界で8個のサブ
側プログラムPRO2〜PRO9に分割できる場合にお
いて、タイミングセットのみが異なる場合である。先
ず、パターンプログラムのデータ内容を解析する解析手
段を備えて、順次データ内容を解析比較する。これによ
り、例えば図10(a)におけるPRO3とPRO4と
PRO5の3カ所はタイミングセットが異なるが共用可
能であるとして検出され、また、PRO8とPRO9の
2カ所タイミングセットが異なるが共用可能であるとし
て検出される。これら検出に基づいて、図10(b)の
パターンプログラムの圧縮結果例に示すように、圧縮し
たパターンプログラムとすることができる。この結果、
パターンプログラムメモリPPMには空スペースが生じ
る結果、この部位は追加格納領域となる。この結果、次
回パターンプログラム120の一部をこの部位へシフト
格納することが可能となる。従って、図10の圧縮手法
の場合には、パターンプログラム全体の容量を圧縮低減
することが可能となる。これに伴い、次回パターンプロ
グラム120の本数が低減できる場合には、デバイス試
験のスループットが向上できる利点が得られる。
Further, the constituent means shown in FIG. 8 is applied to FIG.
The pattern division example in the pattern program memory PPM of (a) is a case where one pattern program can be divided into eight sub-side programs PRO2 to PRO9 at boundaries that do not hinder the division into a plurality of small sections. , Only when the timing set is different. First, an analysis means for analyzing the data content of the pattern program is provided to sequentially analyze and compare the data content. As a result, for example, it is detected that PRO3, PRO4, and PRO5 in FIG. 10A have different timing sets but can be shared, and PRO8 and PRO9 have two timing sets that are different but can be shared. To be detected. Based on these detections, a compressed pattern program can be obtained as shown in the example of the compression result of the pattern program of FIG. As a result,
As a result of an empty space being generated in the pattern program memory PPM, this portion becomes an additional storage area. As a result, it becomes possible to shift-store a part of the next pattern program 120 to this part. Therefore, in the case of the compression method of FIG. 10, the capacity of the entire pattern program can be compressed and reduced. Accordingly, if the number of pattern programs 120 can be reduced next time, there is an advantage that the throughput of the device test can be improved.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明は、上述の説明内容からして、下
記に記載される効果を奏する。上述説明したように本発
明によれば、タイミングセットメモリTSMへ供給する
TS番号データを、PGに格納されているタイミングセ
ットとは無関係に独立して設定変更可能な構成手段を備
えることにより、タイミングセットのみが異なる複数本
のプログラムを1本に共有化して試験実施できる利点が
得られる。また、図3に示すデバイス試験の一時停止期
間Aの回数も低減される結果、デバイス試験のスループ
ットが大幅に向上できる利点も得られる。また、全体の
プログラム容量は共有化で圧縮できるからして大幅に削
減できる利点が得られる。従って、本発明の技術的効果
は大であり、産業上の経済効果も大である。
The present invention has the following effects based on the above description. As described above, according to the present invention, the TS number data to be supplied to the timing set memory TSM is provided with the configuration means capable of independently changing the setting regardless of the timing set stored in the PG. There is an advantage that a plurality of programs, which are different only in the set, can be shared as one and tested. In addition, as a result of reducing the number of device test suspension periods A shown in FIG. 3, the throughput of the device test can be significantly improved. Moreover, since the entire program capacity can be compressed by sharing, there is an advantage that it can be significantly reduced. Therefore, the technical effect of the present invention is great, and the economic effect in industry is also great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の、半導体試験装置の本願に係る要部概念
構成図。
FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of a main part of a conventional semiconductor test apparatus according to the present application.

【図2】従来の、パターンプログラムメモリPPMへ4
回のプログラムを転送する場合のパターンプログラムと
タイミングセットの格納内容例。
FIG. 2 shows a conventional pattern program memory PPM 4
Example of stored contents of pattern program and timing set when transferring one program.

【図3】図2に対応するデバイス試験のフローチャー
ト。
FIG. 3 is a flowchart of a device test corresponding to FIG.

【図4】本発明の、半導体試験装置の本願に係る要部概
念構成図。
FIG. 4 is a conceptual configuration diagram of a main part of a semiconductor test apparatus according to the present invention of the present invention.

【図5】本発明の、1本に共有化した共用パターンプロ
グラムの概念図。
FIG. 5 is a conceptual diagram of a shared pattern program shared by one of the present invention.

【図6】本発明の、デバイス試験のフローチャート。FIG. 6 is a flowchart of a device test of the present invention.

【図7】本発明の、メイン側プログラムPRO1の原理
的なプログラム記述例。
FIG. 7 is a principle program description example of a main program PRO1 according to the present invention.

【図8】本発明の、半導体試験装置の本願に係る他の要
部概念構成例。
FIG. 8 is another conceptual configuration example of a main part of the semiconductor test apparatus according to the present invention of the present invention.

【図9】4本のパターンプログラムで多数カ所でタイミ
ングセットのみが異なる場合のパターンプログラムとタ
イミングセットの格納内容例。
FIG. 9 is an example of the stored contents of a pattern program and a timing set in the case where four pattern programs differ in only the timing set at many places.

【図10】本発明の、パターンプログラムメモリPPM
におけるパターン分割例と、共有部位を圧縮した状態の
パターンプログラム例。
FIG. 10 is a pattern program memory PPM of the present invention.
3 is an example of pattern division and a pattern program example in which a shared part is compressed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

R1 TSレジスタ VD1 可変遅延手段 PRO1 メイン側プログラム PRO2〜PRO9 サブ側プログラム R2 TS選択制御レジスタ 3 TSセレクタ 10 試験周期発生部 20 クロック発生部 50 アドレス変換手段 100 記憶装置 120 次回パターンプログラム DUT 被試験デバイス PG パターン発生器(Pattern Generator) PPM パターンプログラムメモリ TBUS テスタバス TGFC タイミング発生・波形整形部(Timing Gener
ator Format Control) TSM タイミングセットメモリ
R1 TS register VD1 Variable delay means PRO1 Main side program PRO2 to PRO9 Sub side program R2 TS selection control register 3 TS selector 10 Test cycle generation section 20 Clock generation section 50 Address conversion means 100 Storage device 120 Next pattern program DUT Device under test PG Pattern Generator PPM Pattern Program Memory TBUS Tester Bus TGFC Timing Generator / Waveformer (Timing Gener)
ator Format Control) TSM Timing Set Memory

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被試験デバイスの試験に使用する発生パ
ルスのタイミングエッジを規定する所定複数個のタイミ
ングセットを格納するタイミングセットメモリを備える
半導体試験装置において、 パターン発生器に他のパターンデータと共に格納してい
るタイミングセットを選択指定するTS番号データを適
用しないて、タイミングセットを選択指定する他のTS
番号リソースからのTS番号値を該タイミングセットメ
モリへ供給できるTS番号リソース選択制御手段を備え
る、ことを特徴とする半導体試験装置。
1. A semiconductor test apparatus having a timing set memory for storing a predetermined plurality of timing sets for defining timing edges of generated pulses used for testing a device under test, and storing the same in a pattern generator together with other pattern data. Other TS that selects and specifies the timing set without applying the TS number data that specifies and specifies the selected timing set
A semiconductor test apparatus, comprising: TS number resource selection control means capable of supplying a TS number value from a number resource to the timing set memory.
【請求項2】 被試験デバイスの試験に使用する発生パ
ルスのタイミングエッジを規定する所定複数個のタイミ
ングセットを格納するタイミングセットメモリを備える
半導体試験装置において、 パターン発生器から発生するタイミングセットを選択指
定するTS番号データとは異なるTS番号リソースから
のTS番号値を該タイミングセットメモリへ供給できる
TS番号リソース選択制御手段を備える、ことを特徴と
する半導体試験装置。
2. A semiconductor test apparatus having a timing set memory for storing a plurality of predetermined timing sets for defining timing edges of generated pulses used for testing a device under test, wherein a timing set generated from a pattern generator is selected. A semiconductor test apparatus comprising: a TS number resource selection control means capable of supplying a TS number value from a TS number resource different from the designated TS number data to the timing set memory.
【請求項3】 被試験デバイスの試験に使用する発生パ
ルスのタイミングエッジを規定する所定複数個のタイミ
ングセットを格納するタイミングセットメモリを備え、
所定のタイミングセットを選択指定するTS番号値をパ
ターン発生器から前記タイミングセットメモリに供給
し、これに基づいて所定タイミングの発生パルスを生成
して出力する半導体試験装置において、 第1に、TS番号通常供給モードのときにはパターン発
生器から供給されるTS番号データをTS番号値として
該タイミングセットメモリへ供給し、第2に、TS番号
独立供給モードのときには該TS番号データとは異なる
TS番号リソースからのTS番号値を該タイミングセッ
トメモリへ供給できるTS番号リソース選択制御手段を
備える、ことを特徴とする半導体試験装置。
3. A timing set memory for storing a plurality of predetermined timing sets for defining timing edges of generated pulses used for testing a device under test,
In a semiconductor test apparatus for supplying a TS number value for selecting and designating a predetermined timing set from the pattern generator to the timing set memory, and generating and outputting a generated pulse at a predetermined timing based on the TS number value. In the normal supply mode, the TS number data supplied from the pattern generator is supplied to the timing set memory as a TS number value. Secondly, in the TS number independent supply mode, the TS number resource different from the TS number data is used. 2. A semiconductor test apparatus, comprising: TS number resource selection control means capable of supplying the TS number value of 1. to the timing set memory.
【請求項4】 被試験デバイス(DUT)の試験に使用
する発生パルスのタイミングエッジを規定する所定複数
個のタイミングセットを格納するタイミングセットメモ
リTSMを備え、所定のタイミングセットを選択指定す
るTS番号値をパターン発生器PGから前記タイミング
セットメモリTSMに供給し、これに基づいて所定タイ
ミングの発生パルスを生成して出力する半導体試験装置
において、 パターン発生器PGから発生するパターンデータである
タイミングセットを選択指定するTS番号データTSD
のTS番号値を該タイミングセットメモリTSMへ供給
する通常の動作モードをTS番号通常供給モードと呼称
し、前記TS番号データTSDとは異なる別系統から該
TS番号データTSDとは独立したTS番号値を該タイ
ミングセットメモリTSMへ供給する動作モードをTS
番号独立供給モードと呼称したとき、 該TS番号通常供給モードのときにはパターン発生器P
Gから供給されるTS番号データTSDをTS番号値と
して該タイミングセットメモリTSMへ供給し、該TS
番号独立供給モードのときには該TS番号データTSD
とは異なるTS番号リソースからのTS番号値を該タイ
ミングセットメモリTSMへ供給できるTS番号リソー
ス選択制御手段を備える、ことを特徴とする半導体試験
装置。
4. A TS number for selecting and designating a predetermined timing set, comprising a timing set memory TSM for storing a plurality of predetermined timing sets defining timing edges of generated pulses used for testing a device under test (DUT). In a semiconductor test apparatus that supplies a value from the pattern generator PG to the timing set memory TSM and generates and outputs a generated pulse at a predetermined timing based on the value, a timing set that is pattern data generated from the pattern generator PG is generated. TS number data TSD to select and specify
A normal operation mode for supplying the TS number value of the TS number data to the timing set memory TSM is called a TS number normal supply mode, and a TS number value independent of the TS number data TSD from another system different from the TS number data TSD. Of the operation mode for supplying the timing set memory TSM
In the number independent supply mode, the pattern generator P is used in the TS number normal supply mode.
The TS number data TSD supplied from G is supplied to the timing set memory TSM as a TS number value, and the TS
In the number independent supply mode, the TS number data TSD
A semiconductor test apparatus, comprising: TS number resource selection control means capable of supplying a TS number value from a TS number resource different from that to the timing set memory TSM.
【請求項5】 被試験デバイス(DUT)を試験するプ
ログラムを格納するパターンプログラムメモリPPMを
備え、前記パターンプログラムメモリPPMはDUTを
試験する試験波形を生成するパターンデータを発生し、
且つ発生する発生パルスのタイミングエッジを規定する
所定複数個のタイミングセットの番号(TS番号)の中
で所定のTS番号を選択指定するTS番号データTSD
を他のパターンデータと共に発生してタイミング発生・
波形整形部TGFCへ供給するパターン発生器PGと、 該タイミング発生・波形整形部TGFCは内部にタイミ
ングセットを格納するタイミングセットメモリTSMを
備え、前記タイミングセットメモリTSMはタイミング
セットのTS番号値を選択指定する所定のTS番号入力
信号を入力として受け、前記TS番号入力信号で選択指
定されたタイミングセットに基づいて所定に遅延したタ
イミングエッジの発生パルスを生成して出力し、若しく
は所定に遅延したタイミングエッジで所定の試験波形に
波形整形した発生パルスを出力する構成を備える半導体
試験装置において、 パターン発生器PGから発生するパターンデータである
TS番号データTSDのTS番号値を該タイミングセッ
トメモリTSMへ供給する通常の動作モードをTS番号
通常供給モードと呼称し、前記TS番号データTSDと
は異なる別系統から該TS番号データTSDとは独立し
たTS番号値を該タイミングセットメモリTSMへ供給
する動作モードをTS番号独立供給モードと呼称したと
き、 該TS番号通常供給モードのときにはパターン発生器P
Gから供給されるTS番号データTSDをTS番号値と
して該タイミングセットメモリTSMへ供給し、該TS
番号独立供給モードのときには該TS番号データTSD
とは異なるTS番号リソースからのTS番号値を該タイ
ミングセットメモリTSMへ供給できるTS番号リソー
ス選択制御手段を備える、ことを特徴とする半導体試験
装置。
5. A pattern program memory PPM for storing a program for testing a device under test (DUT), the pattern program memory PPM generating pattern data for generating a test waveform for testing the DUT,
Also, TS number data TSD for selecting and designating a predetermined TS number from a plurality of numbers (TS numbers) of a plurality of timing sets that define the timing edges of the generated pulses.
To generate timing together with other pattern data.
The pattern generator PG supplied to the waveform shaping unit TGFC and the timing generation / waveform shaping unit TGFC have a timing set memory TSM for storing a timing set therein, and the timing set memory TSM selects a TS number value of the timing set. Timing of receiving a predetermined TS number input signal to be designated as an input and generating and outputting a generated pulse of a timing edge delayed by a predetermined timing based on the timing set selected and designated by the TS number input signal, or timing delayed by a predetermined delay In a semiconductor test apparatus having a configuration of outputting a generated pulse whose waveform is shaped into a predetermined test waveform at an edge, a TS number value of TS number data TSD which is pattern data generated from a pattern generator PG is supplied to the timing set memory TSM. Normal operation mode The operation mode for supplying a TS number value independent of the TS number data TSD to the timing set memory TSM from another system different from the TS number data TSD is called the TS number independent supply mode. When the TS number normal supply mode is set, the pattern generator P
The TS number data TSD supplied from G is supplied to the timing set memory TSM as a TS number value, and the TS
In the number independent supply mode, the TS number data TSD
A semiconductor test apparatus, comprising: TS number resource selection control means capable of supplying a TS number value from a TS number resource different from that to the timing set memory TSM.
【請求項6】 該TS番号リソース選択制御手段は、T
S切り替え手段と、TS選択モードレジスタと、TS番
号値格納手段と、TS番号指定手段とを備え、 該TS切り替え手段は第1に該TS番号通常供給モード
のときにはPGの該パターンプログラムメモリPPMか
ら発生するTS番号データTSDを選択して該タイミン
グセットメモリTSMへ供給し、第2にTS番号独立供
給モードのときには該TS番号値格納手段から出力され
るTS番号値を該タイミングセットメモリTSMへ供給
するものであり、 該TS選択モードレジスタはTS番号通常供給モードか
TS番号独立供給モードかの動作モードを切り替え制御
するものであり、 該TS番号値格納手段は当該DUTの試験実施で適用さ
れる複数個のTS番号値が格納可能な格納容量を少なく
とも備える格納装置であり、 該TS番号指定手段はTS番号値の指定を制御できるT
S制御プログラムに基づいて、該TS番号値格納手段に
格納されているTS番号値の中でデバイス試験の実行に
対応するTS番号値を選択指定する制御信号を受けてラ
ッチ保持するレジスタであり、 以上を具備する、ことを特徴とする請求項1乃至5記載
の半導体試験装置。
6. The TS number resource selection control means is T
An S switching means, a TS selection mode register, a TS number value storage means, and a TS number designating means are provided. First, the TS switching means is operated from the pattern program memory PPM of the PG in the TS number normal supply mode. The generated TS number data TSD is selected and supplied to the timing set memory TSM. Secondly, in the TS number independent supply mode, the TS number value output from the TS number value storage means is supplied to the timing set memory TSM. The TS selection mode register controls to switch the operation mode between the TS number normal supply mode and the TS number independent supply mode, and the TS number value storage means is applied in the test execution of the DUT. A storage device having at least a storage capacity capable of storing a plurality of TS number values, the TS number designation Means can control the designation of TS number values
A register for receiving and holding a control signal for selecting and designating a TS number value corresponding to the execution of the device test among the TS number values stored in the TS number value storage means based on the S control program, The semiconductor test apparatus according to claim 1, comprising the above.
【請求項7】 該TS番号リソース選択制御手段は、T
S番号変換手段と、TS番号指定手段とを備え、 該TS番号変換手段はDUTを試験実行するパターンプ
ログラムに適用する複数のTS番号値を所定に格納する
メモリであり、前記メモリのアドレス入力端を第1のア
ドレス入力端と第2のアドレス入力端に分割し、一方の
第1のアドレス入力端には該TS番号データTSDの所
定ビット数若しくは全ビット数を入力し、他方の第2の
アドレス入力端には該TS番号指定手段から出力される
切り替え信号を入力し、これに基づいて当該TS番号変
換手段から所定のTS番号値に変換した変換TS番号値
を読み出して出力するものであり、 該TS番号指定手段は該TS番号変換手段に格納されて
いる複数のTS番号値の中で、当該パターンプログラム
で適用すべきTS番号値に変換できるように、TS番号
値の指定を制御できるTS制御プログラムに基づくTS
番号切り替え制御信号を受けてラッチ保持するレジスタ
であり、 以上を具備する、ことを特徴とする請求項1乃至5記載
の半導体試験装置。
7. The TS number resource selection control means is T
An S number converting means and a TS number designating means are provided. The TS number converting means is a memory for storing a plurality of TS number values applied to a pattern program for test execution of the DUT, and an address input terminal of the memory. Is divided into a first address input end and a second address input end, and one of the first address input ends receives a predetermined number of bits or the total number of bits of the TS number data TSD, and the other second input end. A switching signal output from the TS number designating means is input to the address input terminal, and based on the switching signal, the converted TS number value converted into a predetermined TS number value is read out and output. , So that the TS number designating means can convert the TS number values stored in the TS number converting means into the TS number values to be applied by the pattern program. , Based on the TS control program that can control the specification of the TS number value TS
6. A semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the register is a register for receiving and latching a number switching control signal, and including the above.
【請求項8】 TS番号値のみが異なるパターンプログ
ラムを共用パターンと呼称したとき、該TS制御プログ
ラムは、複数回出現する前記共用パターンの実行直前に
おいて該TS番号変換手段により選択出力される該変換
TS番号値が当該共用パターンで適用するTS番号値と
なるように該TS番号指定手段を所定に制御する、こと
を特徴とする請求項6又は7記載の半導体試験装置。
8. When a pattern program having only different TS number values is referred to as a shared pattern, the TS control program is selectively output by the TS number conversion means immediately before execution of the shared pattern that appears a plurality of times. 8. The semiconductor test apparatus according to claim 6, wherein the TS number designating means is controlled in a predetermined manner so that the TS number value becomes a TS number value applied in the common pattern.
【請求項9】 パターン発生器PGのパターンプログラ
ムメモリPPMへ格納されるパターンプログラムにおい
て、該共用パターンは、少なくとも2回連続するTS番
号値のみが異なるパターンプログラムである、ことを特
徴とする請求項8記載の半導体試験装置。
9. The pattern program stored in the pattern program memory PPM of the pattern generator PG, wherein the shared pattern is a pattern program that differs only in the TS number values that continue at least twice. 8. The semiconductor test device according to 8.
【請求項10】 パターン発生器PGのパターンプログ
ラムメモリPPMへ格納されるパターンプログラムにお
いて、該共用パターンは、少なくとも2回連続するTS
番号値のみが異なるパターンプログラムがパターンプロ
グラムメモリPPMへ転送格納される条件が存在すると
きに、これを共用パターンとして適用してパターンプロ
グラムメモリPPMへ1回の転送格納とし、当該パター
ンプログラムにはメイン側プログラムを追加して備え、
前記メイン側プログラムに基づきTS番号値を順次指定
して1つの共用パターンをサブルーチンコールして実行
する、ことを特徴とする請求項8記載の半導体試験装
置。
10. In the pattern program stored in the pattern program memory PPM of the pattern generator PG, the shared pattern is a TS that is continuous at least twice.
When there is a condition that a pattern program having a different number value is transferred to and stored in the pattern program memory PPM, it is applied as a shared pattern to be transferred and stored once in the pattern program memory PPM. Prepared by adding a side program,
9. The semiconductor test apparatus according to claim 8, wherein a TS number value is sequentially specified based on the main program, and one shared pattern is called by a subroutine to be executed.
【請求項11】 パターン発生器PGのパターンプログ
ラムメモリPPMへ格納されるパターンプログラムにお
いて、該共用パターンは、TS番号値のみが異なるパタ
ーンプログラム単位に分割したものである、ことを特徴
とする請求項8記載の半導体試験装置。
11. The pattern program stored in the pattern program memory PPM of the pattern generator PG, wherein the shared pattern is divided into pattern program units having different TS number values only. 8. The semiconductor test device according to 8.
【請求項12】 パターン発生器PGのパターンプログ
ラムメモリPPMへ格納されるパターンプログラムにお
いて、該共用パターンは、共用パターンとして適用可能
な単位に分割し、分割された共用パターンに対して所定
のTS番号値に順次切り替え制御して、分割された当該
共用パターンをサブルーチンコールするメイン側プログ
ラムを当該パターンプログラムメモリPPMへ所定に格
納して備える、ことを特徴とする請求項8記載の半導体
試験装置。
12. In a pattern program stored in a pattern program memory PPM of a pattern generator PG, the common pattern is divided into units applicable as a common pattern, and a predetermined TS number is assigned to the divided common pattern. 9. The semiconductor test apparatus according to claim 8, further comprising: a main-side program for sequentially switching control to a value and subroutine-calling the divided shared pattern, which is stored in the pattern program memory PPM in a predetermined manner.
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