JP2003121705A - Waveguide type optical module - Google Patents
Waveguide type optical moduleInfo
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- JP2003121705A JP2003121705A JP2001315740A JP2001315740A JP2003121705A JP 2003121705 A JP2003121705 A JP 2003121705A JP 2001315740 A JP2001315740 A JP 2001315740A JP 2001315740 A JP2001315740 A JP 2001315740A JP 2003121705 A JP2003121705 A JP 2003121705A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路を用いて
光を導波する導波路型光デバイスを用いた導波路型光モ
ジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type optical module using a waveguide type optical device for guiding light using an optical waveguide.
【０００２】[0002]
【従来の技術】導波路型フォトダイオードや半導体レー
ザ増幅器等光を光導波路によって導波する導波路型光デ
バイスがある。導波路型光デバイスを利用する場合に
は、これと光ファイバとを結合した導波路型光モジュー
ルとして用いる場合が多い。このとき、導波路型光デバ
イスと光ファイバ間での光の損失が少ない（結合効率が
高い）ことが望まれる。結合効率向上のための手法とし
て、光導波路の端面近傍に球レンズ等を設置して光ビー
ムを集光する手法、光ファイバに先球ファイバやテーパ
先球ファイバを用いて光ビームを収束する手法、あるい
は光導波路の端面を庇状に加工する手法（１９９７、電
子情報通信学会総合大会予稿集Ｃ‐４−３９参照）があ
る。図９は光導波路の端面を庇状に加工したフォトダイ
オード５００を表した断面図である。光ファイバ５０１
から出射した出射光５０２には光導波路５０３の導波路
端面５０４に直接入射する成分５０２Ａの他に導波路端
部５０４の下方に入射する成分５０２Ｂがある。導波路
端面５０４の近傍が負の傾斜を有することから、導波路
端面５０４の下方に入射する成分５０２Ｂはこの入射時
に屈折し光導波路５０３に下方から入射する。このよう
に、光導波路の端面を庇状に加工することによって、光
ファイバ５０１と光導波路５０３の結合効率が向上す
る。2. Description of the Related Art There are waveguide type optical devices such as waveguide type photodiodes and semiconductor laser amplifiers that guide light through an optical waveguide. When a waveguide type optical device is used, it is often used as a waveguide type optical module in which this is coupled with an optical fiber. At this time, it is desired that light loss between the waveguide type optical device and the optical fiber is small (coupling efficiency is high). As a method for improving the coupling efficiency, a method of installing a spherical lens or the like near the end face of the optical waveguide to focus the light beam, or a method of focusing the light beam by using a spherical fiber or a tapered spherical fiber as the optical fiber Alternatively, there is a method of processing the end face of the optical waveguide into an eaves shape (see 1997, IEICE General Conference Proceedings C-4-39). FIG. 9 is a sectional view showing a photodiode 500 in which the end face of the optical waveguide is processed into an eaves shape. Optical fiber 501
The emitted light 502 emitted from the component includes a component 502A that is directly incident on the waveguide end face 504 of the optical waveguide 503, and a component 502B that is incident below the waveguide end 504. Since the vicinity of the waveguide end face 504 has a negative inclination, the component 502B incident below the waveguide end face 504 is refracted at the time of this incidence and enters the optical waveguide 503 from below. By thus processing the end face of the optical waveguide into the eaves shape, the coupling efficiency between the optical fiber 501 and the optical waveguide 503 is improved.
【０００３】一方、導波路型光デバイスには、光導波路
以外（コア層とクラッド層以外）の部分に光が入射する
と、特性の劣化を招く場合がある。例えば、導波路型フ
ォトダイオードでは光導波路以外への光の入射により浮
遊キャリアが発生して、高速応答性が低下する。光導波
路以外への光の入射を防止する手法として、導波路型光
デバイスの導波路端面に透明な窓層を形成する手法、あ
るいは光導波路をテーパ状に加工する手法がある。On the other hand, in a waveguide type optical device, if light is incident on a portion other than the optical waveguide (other than the core layer and the clad layer), the characteristics may be deteriorated. For example, in the waveguide type photodiode, floating carriers are generated by the incidence of light on the portions other than the optical waveguide, and the high speed response is deteriorated. As a method of preventing the incidence of light on other than the optical waveguide, there is a method of forming a transparent window layer on the end face of the waveguide of the waveguide type optical device or a method of processing the optical waveguide into a tapered shape.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】導波路型光デバイスと
光ファイバとを結合する場合に、結合効率の向上と光導
波路以外への光入射防止の双方の両立が要望される。導
波路型光デバイスの光導波路の端面形状は、例えば幅２
〜４μｍ、厚さ０．５〜１μｍ程度の横長の長方形をし
ており、円形の光ファイバのコア端面とはその形状が異
なる。前述の球レンズ等を用いて結合効率の向上を図る
手法はいずれも、円状の光ビームを集光するのが目的で
あり、光導波路の端面と対応する形状の光ビームは得ら
れない。このため、光ファイバからの断面円状の光ビー
ムを長方形の導波路端面に効率よく入射することが困難
であった。When coupling a waveguide type optical device and an optical fiber, it is required to improve both coupling efficiency and prevent light from entering other than the optical waveguide. The end face shape of the optical waveguide of the waveguide type optical device has, for example, a width of 2
It has a horizontally long rectangular shape with a thickness of about 4 μm and a thickness of about 0.5 to 1 μm, and its shape is different from the core end face of a circular optical fiber. All of the above-mentioned methods for improving the coupling efficiency by using a spherical lens or the like are intended to collect a circular light beam, and a light beam having a shape corresponding to the end face of the optical waveguide cannot be obtained. Therefore, it is difficult to efficiently enter a light beam having a circular cross section from the optical fiber into the end face of the rectangular waveguide.
【０００５】一方、窓層の形成あるいは光導波路のテー
パ加工により光導波路以外への光の入射防止を図る手法
は、前者では複雑かつ精密な制御を要する加工プロセス
が必要であり、後者では結合効率自体を改善することは
できない。さらに、導波路型デバイスでは光導波路内に
不均一に光が入射すると、例えば応答速度の低下等特性
に悪影響がでる場合がある。本発明はこのような課題を
解決するためになされたもので、結合効率の向上と光導
波路以外への光の入射防止を両立し、さらには光導波路
内への均一な光の入射が可能な導波路型光モジュールを
提供することを目的としている。On the other hand, the method of preventing the incidence of light on the portions other than the optical waveguide by forming the window layer or tapering the optical waveguide requires a processing process that requires complicated and precise control in the former, and a coupling efficiency in the latter. It cannot improve itself. Further, in a waveguide type device, if light enters the optical waveguide in a non-uniform manner, the characteristics may be adversely affected, such as a reduction in response speed. The present invention has been made in order to solve such a problem, and achieves both improvement of coupling efficiency and prevention of incidence of light other than the optical waveguide, and further, uniform incidence of light into the optical waveguide is possible. It is an object to provide a waveguide type optical module.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る導波路型光モジュールは、光導波路を有
する導波路型光デバイスと、前記光導波路の光入射端面
に対向する側部を有する光ファイバとを具備することを
特徴とする。光ファイバを横切った光ビームが光導波路
の光入射端面に入射するように光ファイバを設置するこ
とで、光ファイバを光ビーム形状の変更手段として用い
ることができる。この結果、例えば他の光ファイバから
出射した光ビームの断面形状を略円形から略長円形状に
変換できる。このように、光ビームが断面略長方形の光
導波路の光入射端面に対応した形状となるように光ビー
ムの断面形状が変更される。In order to achieve the above object, a waveguide type optical module according to the present invention comprises a waveguide type optical device having an optical waveguide and a side portion facing the light incident end face of the optical waveguide. And an optical fiber having. The optical fiber can be used as a means for changing the shape of the light beam by disposing the optical fiber so that the light beam traversing the optical fiber is incident on the light incident end face of the optical waveguide. As a result, for example, the cross-sectional shape of the light beam emitted from another optical fiber can be converted from a substantially circular shape to a substantially oval shape. In this way, the cross-sectional shape of the light beam is changed so that the light beam has a shape corresponding to the light incident end surface of the optical waveguide having a substantially rectangular cross section.
【０００７】光ビームの断面形状が変更されることによ
って、導波路型光デバイスと他の光ファイバとの結合効
率を向上できる（損失の低減）。また、光導波路以外へ
の光ビームの入射を低減し、特性の劣化（例えば導波路
型フォトダイオードの応答速度の低下）を防止できる。
さらに、光導波路内への均一な光の入射を可能とし、光
導波路内への不均一な光の入射による特性の劣化を防止
できる。「導波路型光デバイス」の例として、光導波路
を内蔵したフォトダイオードや半導体レーザ増幅素子が
挙げられる。「光ファイバ」はシングルモード、マルチ
モードのいずれでも差し支えない。By changing the cross-sectional shape of the light beam, the coupling efficiency between the waveguide type optical device and another optical fiber can be improved (loss reduction). Further, it is possible to reduce the incidence of the light beam on the portions other than the optical waveguide and prevent the deterioration of the characteristics (for example, the reduction of the response speed of the waveguide type photodiode).
Further, it is possible to allow the uniform incidence of light into the optical waveguide and prevent the deterioration of the characteristics due to the non-uniform incidence of light into the optical waveguide. Examples of the “waveguide type optical device” include a photodiode and a semiconductor laser amplifying element having a built-in optical waveguide. The "optical fiber" may be either single mode or multimode.
【０００８】（１）光ファイバが「光導波路の光入射端
面に対向する側部を有する」一例として、略長方形の前
記光入射端面の長辺方向に対して前記光ファイバの軸が
略平行になるように、該光ファイバを配置することが挙
げられる。光ファイバを横切った光ビームの例えば長円
形の長軸方向と光導波路の光入射端面の長辺方向を一致
させ、結合効率の向上を図ることができる。このとき光
入射端の長辺と光ファイバの軸とが例えば１０°程度ず
れても結合効率にはさほど大きな影響はない。(1) As an example of the optical fiber "having a side portion facing the light incident end face of the optical waveguide", the axis of the optical fiber is substantially parallel to the long side direction of the substantially rectangular light incident end face. The optical fiber may be arranged so that For example, it is possible to improve the coupling efficiency by making the long axis direction of, for example, an ellipse of the light beam traversing the optical fiber coincide with the long side direction of the light incident end face of the optical waveguide. At this time, even if the long side of the light incident end and the axis of the optical fiber are deviated by, for example, about 10 °, the coupling efficiency is not significantly affected.
【０００９】（２）前記導波路型光デバイスが、前記光
ファイバを載置する光ファイバ載置部を有してもよい。
光ファイバ載置部によって導波路型光デバイスに対する
光ファイバの設置が容易に行える。光ファイバ載置部
は、導波路型光デバイス上の光導波路の入射端面付近に
例えば斜面が垂直な段差、斜面が傾斜したＬ字型の段
差、あるいはＶ字型の溝を形成することで構成できる。(2) The waveguide type optical device may have an optical fiber mounting portion on which the optical fiber is mounted.
The optical fiber mounting portion facilitates the installation of the optical fiber on the waveguide type optical device. The optical fiber mounting portion is configured by forming, for example, a step having a vertical slope, a L-shaped step having a slope inclined, or a V-shaped groove near the incident end surface of the optical waveguide on the waveguide type optical device. it can.
【００１０】（３）導波路型光モジュールが、複数の前
記導波路型光デバイスを具備してもよい。複数の導波路
型光デバイスを配置したいわゆるアレー構造として、集
積率を向上できる。(3) The waveguide type optical module may include a plurality of the waveguide type optical devices. The integration rate can be improved as a so-called array structure in which a plurality of waveguide type optical devices are arranged.
【００１１】（４）前記光ファイバが前記導波路型光デ
バイスの入射端面に入射する光とは異なる光を伝送して
もよい。光ファイバは、光ビームの形状変更手段とする
ことに加えて、それ自体での光導波による光伝送に用い
ることができる。光ファイバを光ビームの形状変更手段
と信号伝送手段の双方に利用できるので、導波路型光モ
ジュールの集積化が容易になる。(4) The optical fiber may transmit light different from the light incident on the incident end face of the waveguide type optical device. The optical fiber can be used not only as a means for changing the shape of the light beam, but also for optical transmission by optical waveguide by itself. Since the optical fiber can be used for both the shape changing means of the light beam and the signal transmitting means, the waveguide type optical module can be easily integrated.
【００１２】（５）導波路型光モジュールが、前記光フ
ァイバを挟んで、前記光入射端面と対向する端面を有す
る第２の光ファイバをさらに具備してもよい。第１の光
ファイバによって、第２の光ファイバから出射された光
ビームの形状を変更できる。ここで、第２の光ファイバ
が集光手段を有してもよい。第２の光ファイバから出射
した光ビームが、集光手段で集光されることで、光導波
路の入射端面に入射する効率がより向上する。集光手段
の例として、第２の光ファイバに先球ファイバやテーパ
先球ファイバを用いること、あるいは第２の光ファイバ
に近接した球レンズを使用することが挙げられる。(5) The waveguide type optical module may further include a second optical fiber having an end face opposite to the light incident end face with the optical fiber interposed therebetween. The shape of the light beam emitted from the second optical fiber can be changed by the first optical fiber. Here, the second optical fiber may have a light collecting means. The light beam emitted from the second optical fiber is condensed by the condensing unit, so that the efficiency of incidence on the incident end face of the optical waveguide is further improved. As an example of the light collecting means, it is possible to use a spherical fiber or a tapered spherical fiber for the second optical fiber, or to use a spherical lens close to the second optical fiber.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
（第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係る導
波路型光モジュール１０の構成を立体的に表す斜視図で
ある。図２は導波路型光モジュール１０の断面状態を表
す一部断面図である。ここで、図１は見やすさのために
導波路型光デバイスの層構造の一部を省略して表してい
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a perspective view three-dimensionally showing the structure of a waveguide type optical module 10 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a cross-sectional state of the waveguide type optical module 10. Here, in FIG. 1, a part of the layer structure of the waveguide type optical device is omitted for ease of viewing.
【００１４】図１、図２に示すように、導波路型光モジ
ュール１０は導波路型光デバイスであるフォトダイオー
ド（ＰＤ）１００と光ファイバ１７０とが光ファイバ１
８０を間に挟んで対向して構成される。フォトダイオー
ド１００と光ファイバ１７０は、光コネクタを用いた着
脱可能な方式および接着剤等を用いた固定方式のいずれ
の方式で接続しても差し支えない。As shown in FIGS. 1 and 2, the waveguide type optical module 10 includes a photodiode (PD) 100, which is a waveguide type optical device, and an optical fiber 170.
It is configured to face each other with 80 in between. The photodiode 100 and the optical fiber 170 may be connected by either a detachable method using an optical connector or a fixing method using an adhesive or the like.
【００１５】フォトダイオード１００は、光ファイバ載
置部１１０、光導波路１２０を有するリッジ部１３０、
ｎ側電極引出し部１４０を有する。また、フォトダイオ
ード１００は、基板１０１上にバッファ層１０２、下部
クラッド層１０３、光吸収層１０４、上部クラッド層１
０５、キャップ層１０６、コンタクト層１０７が順に積
層されて構成され、さらにｐ型電極１０８がコンタクト
層１０７上に、ｎ型電極１４２がｎ側電極引出し部１４
０上に形成されている。光導波路１２０は下部クラッド
層１０３、光吸収層１０４、上部クラッド層１０５から
構成され、リッジ部１３０は、下部クラッド層１０３、
光吸収層１０４、上部クラッド層１０５、キャップ層１
０６、コンタクト層１０７から構成される。光導波路１
２０の入射端面１２２、出射端面１２４それぞれは、光
ファイバ載置部１１０およびｎ側電極引出し部１４０に
面し、それぞれ低反射膜１５２、１５４で覆われてい
る。The photodiode 100 includes an optical fiber mounting portion 110, a ridge portion 130 having an optical waveguide 120,
It has an n-side electrode lead-out portion 140. In addition, the photodiode 100 includes a buffer layer 102, a lower clad layer 103, a light absorption layer 104, and an upper clad layer 1 on a substrate 101.
05, the cap layer 106, and the contact layer 107 are laminated in this order, the p-type electrode 108 is on the contact layer 107, and the n-type electrode 142 is the n-side electrode lead-out portion 14.
It is formed on 0. The optical waveguide 120 includes a lower clad layer 103, a light absorption layer 104, and an upper clad layer 105, and the ridge portion 130 includes a lower clad layer 103,
Light absorption layer 104, upper cladding layer 105, cap layer 1
06, and the contact layer 107. Optical waveguide 1
The entrance end face 122 and the exit end face 124 of 20 face the optical fiber mounting portion 110 and the n-side electrode lead-out portion 140, respectively, and are covered with low-reflection films 152 and 154, respectively.
【００１６】基板１０１は、キャリア濃度１〜７×１０
１８［１／ｃｍ３］のｎ型ＩｎＰで構成される。バッフ
ァ層１０２は、キャリア濃度が１〜５×１０１５［１／
ｃｍ ３］で膜厚２〜３μｍのｎ型ＩｎＰで構成される。
下部クラッド層１０３は、キャリア濃度５×１０１５〜
１×１０１６［１／ｃｍ３］で膜厚約１μｍのｎ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰから構成される。光吸収層１０４は、不純物
を添加しない（undope）膜厚約０．５μｍのＩｎＧａＡ
ｓから構成される。上部クラッド層１０５は、キャリア
濃度５×１０１５〜５×１０１６［１／ｃｍ３］、膜厚
約１μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰから構成される。キャッ
プ層１０６は、ｐ型ＩｎＰから構成される。コンタクト
層１０７は、ｐ型ＩｎＧａＡｓから構成される。低反射
膜１５２、１５４は、ＳｉＮ等の誘電体から構成され
る。The substrate 101 has a carrier concentration of 1 to 7 × 10.
18[1 / cmThree] N-type InP. Buff
The carrier layer 102 has a carrier concentration of 1 to 5 × 10.15[1 /
cm Three] It is comprised by n-type InP with a film thickness of 2-3 micrometers.
The lower clad layer 103 has a carrier concentration of 5 × 1015~
1 x 1016[1 / cmThree], N-type In with a film thickness of about 1 μm
It is composed of GaAsP. The light absorption layer 104 is an impurity
InGaA with undope film thickness of about 0.5 μm
s. The upper clad layer 105 is a carrier
Concentration 5 × 1015~ 5 x 1016[1 / cmThree], Film thickness
It is made of p-type InGaAsP of about 1 μm. Cap
The push layer 106 is made of p-type InP. contact
The layer 107 is composed of p-type InGaAs. Low reflection
The films 152 and 154 are made of a dielectric material such as SiN.
It
【００１７】リッジ部１３０は、幅３〜５μｍ、長さ２
０〜３０μｍ程度であり、光導波路１２０の幅と長さも
これに対応する。光導波路１２０の実質的な厚さは、下
部クラッド層１０３、光吸収層１０４、および上部クラ
ッド層１０５の厚さを加えたものであるから、本実施形
態における光導波路の厚さは２．５μｍ程度となる。即
ち、光導波路１２０の断面は、幅３〜５μｍ、厚さ２．
５μｍのやや横長の形状となる。The ridge portion 130 has a width of 3 to 5 μm and a length of 2
It is about 0 to 30 μm, and the width and length of the optical waveguide 120 also correspond to this. Since the substantial thickness of the optical waveguide 120 is the sum of the thicknesses of the lower clad layer 103, the light absorption layer 104, and the upper clad layer 105, the thickness of the optical waveguide in this embodiment is 2.5 μm. It will be about. That is, the cross section of the optical waveguide 120 has a width of 3 to 5 μm and a thickness of 2.
It becomes a slightly oblong shape of 5 μm.
【００１８】光ファイバ１７０は、先端に集光手段たる
球状部１７２を有する先球ファイバであり、さらにコア
１７４とクラッド１７６を有する。光ファイバ１７０の
軸は光導波路１２０の軸方向１２６に対してフォトダイ
オード１００の層方向に角度θ傾いている。光ファイバ
１８０は、コア１８２とクラッド１８４を有し、その軸
は光導波路１２０の軸に対して垂直、かつ光導波路１２
０の幅方向に平行である。光ファイバ載置部１１０およ
びｎ側電極引出し部１４０は、５０μｍ程度の段差の垂
直溝である。光ファイバ１８０は、コア１８２とクラッ
ド１８４を有し、その軸が光導波路１２０の軸に対して
垂直、かつ光導波路１２０の幅方向に平行になるように
光ファイバ載置部１１０上に載置される。The optical fiber 170 is a front spherical fiber having a spherical portion 172 as a light condensing means at its tip, and further has a core 174 and a clad 176. The axis of the optical fiber 170 is inclined by an angle θ with respect to the axial direction 126 of the optical waveguide 120 in the layer direction of the photodiode 100. The optical fiber 180 has a core 182 and a clad 184, the axis of which is perpendicular to the axis of the optical waveguide 120 and
It is parallel to the width direction of 0. The optical fiber mounting portion 110 and the n-side electrode lead-out portion 140 are vertical grooves with a step difference of about 50 μm. The optical fiber 180 has a core 182 and a clad 184, and is placed on the optical fiber placement unit 110 so that its axis is perpendicular to the axis of the optical waveguide 120 and parallel to the width direction of the optical waveguide 120. To be done.
【００１９】以下にフォトダイオード１００の製造工程
を示す。
（１）基板１０１上に、バッファ層１０２〜コンタクト
層１０７が、順に気相成長法により形成される。
（２）コンタクト層１０７〜下部クラッド層１０３をエ
ッチングして、リッジ部１３０が形成される。このエッ
チングは、光蝕刻工程（フォトリソグラフィー）による
マスクの形成後に、塩酸系、硫酸系等の薬液によるウェ
ットエッチングやイオンミリング等のドライエッチング
により行う。
（３）コンタクト層１０７〜基板１０１をエッチングし
て、光ファイバ載置部１１０を形成する。ｎ側電極引出
し部１４０は、この光ファイバ載置部１１０と同時に形
成される。このエッチングは、リッジ部１３０の作成工
程と同様の工程により行われる。
（４）光ファイバ載置部１１０とｎ側電極引出し部１４
０の段差面それぞれに低反射膜１５２、１５４が形成さ
れる。
（５）その後、ｐ型電極１０８とｎ型電極１４２それぞ
れが、コンタクト層１０７、ｎ側電極引出し部１４０の
上に形成される。
（６）光ファイバ載置部１１０上に光ファイバ１８０を
光導波路１２０と直交する方向に、位置合わせして固定
する。この固定は例えば接着剤を用いて行える。The manufacturing process of the photodiode 100 will be described below. (1) The buffer layer 102 to the contact layer 107 are sequentially formed on the substrate 101 by the vapor phase growth method. (2) The contact layer 107 to the lower clad layer 103 are etched to form the ridge portion 130. This etching is performed by wet etching with a chemical solution such as hydrochloric acid or sulfuric acid or dry etching such as ion milling after forming a mask by a photo-etching process (photolithography). (3) The contact layer 107 to the substrate 101 are etched to form the optical fiber mounting portion 110. The n-side electrode lead-out portion 140 is formed at the same time as the optical fiber mounting portion 110. This etching is performed by the same process as the process of forming the ridge portion 130. (4) Optical fiber mounting portion 110 and n-side electrode lead-out portion 14
The low reflection films 152 and 154 are formed on each of the 0 step surfaces. (5) After that, the p-type electrode 108 and the n-type electrode 142 are formed on the contact layer 107 and the n-side electrode lead-out portion 140, respectively. (6) The optical fiber 180 is aligned and fixed on the optical fiber mounting portion 110 in the direction orthogonal to the optical waveguide 120. This fixing can be performed using an adhesive, for example.
【００２０】光ファイバ１７０から球状部１７２を通っ
て出射した出射光１７８は、入射点Ａで光ファイバ１８
０に入射し光ファイバ１８０の軸中心（コア１８２）を
通過して、出射点Ｂで光ファイバ１８０から出射する。
さらに出射光１７８は入射端面１２２から光導波路１２
０に入射する。フォトダイオード１００は、光導波路１
２０に入射した光の光量を検出する。The emitted light 178 emitted from the optical fiber 170 through the spherical portion 172 is incident on the optical fiber 18 at the incident point A.
It is incident on 0, passes through the axial center (core 182) of the optical fiber 180, and is emitted from the optical fiber 180 at the emission point B.
Further, the emitted light 178 is transmitted from the incident end face 122 to the optical waveguide 12
It is incident on 0. The photodiode 100 is the optical waveguide 1.
The amount of light incident on 20 is detected.
【００２１】図３（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ光ファイ
バ１８０を通過する前後の出射光１７８ｉ、１７８ｏの
断面形状を表した図である。光ファイバ１８０は一種の
円筒レンズとみることができる。このため、光ファイバ
１７０から出射した断面円状の出射光（光ビーム）１７
８ｉが、光ファイバ１８０を通過すると断面が横長長円
状（楕円形）の出射光１７８ｏとなる。その結果、出射
光１７８ｏは光導波路１２０の入射端面１２２の形状と
対応した形状となる。FIGS. 3A and 3B are views showing the cross-sectional shapes of the outgoing lights 178i and 178o before and after passing through the optical fiber 180, respectively. The optical fiber 180 can be regarded as a kind of cylindrical lens. Therefore, the emitted light (light beam) 17 having a circular cross section emitted from the optical fiber 170
When 8i passes through the optical fiber 180, it becomes outgoing light 178o having a cross section of a horizontally elongated oval shape (elliptical shape). As a result, the emitted light 178o has a shape corresponding to the shape of the incident end surface 122 of the optical waveguide 120.
【００２２】出射光１７８ｏの断面形状が入射端面１２
２の形状と対応することから、光ファイバ１８０とフォ
トダイオード１００の結合効率は再現性良く８０％以上
が実現できた。また、光ビーム１９１の形状が光導波路
１２０の入射端面１２２の形状と対応していることは、
バッファ層１０２、キャップ層１０６への光の入射をも
抑制する。このため、バッファ層１０２、キャップ層１
０６を構成するＩｎＰ材料中における遅い拡散キャリア
成分の発生が防止される。この結果、フォトダイオード
１００の遮断周波数として２０〜３０ＧＨｚを実現でき
る。The cross-sectional shape of the outgoing light 178o is the incident end face 12
Since it corresponds to the shape of No. 2, the coupling efficiency between the optical fiber 180 and the photodiode 100 was reproducible with 80% or more. The shape of the light beam 191 corresponds to the shape of the incident end face 122 of the optical waveguide 120.
The incidence of light on the buffer layer 102 and the cap layer 106 is also suppressed. Therefore, the buffer layer 102 and the cap layer 1
Generation of a slow diffusion carrier component in the InP material forming 06 is prevented. As a result, 20 to 30 GHz can be realized as the cutoff frequency of the photodiode 100.
【００２３】（第２実施形態）図４は本発明の第２実施
形態に係る導波路型光モジュール２０の構成を表す一部
断面図である。本実施形態では、光導波路デバイスとし
て半導体レーザ増幅器２００を用いている。図４に示す
ように、導波路型光モジュール２０は半導体レーザ増幅
器２００と光ファイバ２７０とが光ファイバ２８０を間
に挟んで対向して構成される。(Second Embodiment) FIG. 4 is a partial sectional view showing the structure of a waveguide type optical module 20 according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the semiconductor laser amplifier 200 is used as the optical waveguide device. As shown in FIG. 4, the waveguide type optical module 20 is configured such that the semiconductor laser amplifier 200 and the optical fiber 270 face each other with the optical fiber 280 interposed therebetween.
【００２４】半導体レーザ増幅器２００は、基板２０１
上にバッファ層２０２、下部クラッド層２０３、活性層
２０４、上部クラッド層２０５、キャップ層２０６、コ
ンタクト層２０７が順に積層されて構成される。半導体
レーザ増幅器２００は、さらにリッジ部２３０、光ファ
イバ載置部２１０、ｎ側電極引出し部２４０を有し、ｐ
型電極２０８がコンタクト層２０７上に、ｎ型電極２４
２がｎ側電極引出し部２４０上に形成される。光ファイ
バ載置部２１０およびｎ側電極引出し部２４０は、５０
μｍ程度の段差の垂直溝である。リッジ部２３０の下部
クラッド層２０３、活性層２０４、上部クラッド層２０
５が光導波路２２０に相当する。光導波路２２０の入射
端面２２２、出射端面２２４それぞれは、光ファイバ載
置部２１０およびｎ側電極引出し部２４０に面し、それ
ぞれ低反射膜２５２、２５４で覆われている。光ファイ
バ２８０は、光ファイバ載置部２１０上に光導波路２２
０とほぼ直交するように載置される。The semiconductor laser amplifier 200 includes a substrate 201.
A buffer layer 202, a lower clad layer 203, an active layer 204, an upper clad layer 205, a cap layer 206, and a contact layer 207 are sequentially stacked on top of this. The semiconductor laser amplifier 200 further includes a ridge portion 230, an optical fiber mounting portion 210, and an n-side electrode lead portion 240, and p
The n-type electrode 24 is formed on the contact layer 207 by the n-type electrode 208.
2 is formed on the n-side electrode lead-out portion 240. The optical fiber mounting portion 210 and the n-side electrode lead-out portion 240 are 50
It is a vertical groove with a step of about μm. The lower clad layer 203, the active layer 204, and the upper clad layer 20 of the ridge portion 230
5 corresponds to the optical waveguide 220. The entrance end surface 222 and the exit end surface 224 of the optical waveguide 220 face the optical fiber mounting portion 210 and the n-side electrode lead-out portion 240, respectively, and are covered with low-reflection films 252 and 254, respectively. The optical fiber 280 is formed on the optical fiber mounting portion 210 by the optical waveguide 22.
It is placed so as to be substantially orthogonal to 0.
【００２５】基板２０１は、キャリア濃度１〜７×１０
１８［１／ｃｍ３］のｎ型ＩｎＰで構成される。バッフ
ァ層２０２は、キャリア濃度が１〜５×１０１７［１／
ｃｍ ３］で膜厚２〜３μｍのｎ型ＩｎＰで構成される。
下部クラッド層２０３は、キャリア濃度１〜９×１０
１７［１／ｃｍ３］で膜厚約１μｍのｎ型ＩｎＰから構
成される。活性層２０４は、不純物を添加しない（undo
pe）膜厚約０．２μｍのＩｎＧａＡｓＰから構成され
る。上部クラッド層１０５は、キャリア濃度が約５×１
０１７［１／ｃｍ３］、膜厚約１μｍのｐ型ＩｎＰから
構成される。キャップ層２０６は、ｐ型ＩｎＰから構成
される。コンタクト層２０７は、ｐ型ＩｎＧａＡｓから
構成される。The substrate 201 has a carrier concentration of 1 to 7 × 10.
18[1 / cmThree] N-type InP. Buff
The carrier layer 202 has a carrier concentration of 1 to 5 × 10.17[1 /
cm Three] It is comprised by n-type InP with a film thickness of 2-3 micrometers.
The lower clad layer 203 has a carrier concentration of 1 to 9 × 10.
17[1 / cmThree], An n-type InP having a film thickness of about 1 μm is formed.
Is made. The active layer 204 does not add impurities (undo
pe) composed of InGaAsP with a thickness of about 0.2 μm
It The upper clad layer 105 has a carrier concentration of about 5 × 1.
017[1 / cmThree], From p-type InP having a film thickness of about 1 μm
Composed. The cap layer 206 is made of p-type InP
To be done. The contact layer 207 is made of p-type InGaAs
Composed.
【００２６】リッジ部２３０は、幅３〜５μｍ、長さ２
００〜３００μｍ程度であり、光導波路２２０の幅と長
さもこれに対応する。光導波路２２０の実質的な厚さ
は、下部クラッド層２０３、活性層２０４、および上部
クラッド層２０５の厚さを加えたものであるから、本実
施形態における光導波路の厚さは２．５μｍ程度とな
る。即ち、光導波路２２０の断面は、第１実施形態と同
様の幅３〜５μｍ、厚さ２．５μｍのやや横長の形状と
なる。低反射膜２５２、２５４は、ＳｉＮ等の誘電体か
ら構成される。The ridge portion 230 has a width of 3 to 5 μm and a length of 2
The width is about 00 to 300 μm, and the width and length of the optical waveguide 220 also correspond to this. Since the substantial thickness of the optical waveguide 220 is the sum of the thicknesses of the lower clad layer 203, the active layer 204, and the upper clad layer 205, the thickness of the optical waveguide in this embodiment is about 2.5 μm. Becomes That is, the cross section of the optical waveguide 220 has a slightly laterally long shape with a width of 3 to 5 μm and a thickness of 2.5 μm as in the first embodiment. The low reflection films 252 and 254 are made of a dielectric material such as SiN.
【００２７】本実施形態に係る導波路型光モジュール２
０は、第１の実施形態と同様、基板２０１にバッファ層
２０２等を積層し、エッチングにより光ファイバ載置部
２１０およびｎ側電極引出し部２４０を形成し光ファイ
バ２８０を光ファイバ載置部２１０に載置することで製
造される。この後、第１の実施形態と同様に、光蝕刻工
程およびエッチング工程により段差部分を形成する。な
お、半導体レーザ増幅器２００では、動作の安定のため
光導波路２２０の入射端面２２２及び出射端面２２４に
低反射膜２５２、２５４の必要性が高い。本実施形態に
おいても、光ファイバ２８０の軸を光導波路２２０の軸
に直交とし、入射端面２２２の長辺に平行とすること
で、結合効率８０％以上を実現できる。Waveguide type optical module 2 according to the present embodiment
0 is similar to the first embodiment, the buffer layer 202 and the like are laminated on the substrate 201, and the optical fiber mounting portion 210 and the n-side electrode lead-out portion 240 are formed by etching to form the optical fiber 280 and the optical fiber mounting portion 210. Manufactured by mounting on. After that, as in the first embodiment, a step portion is formed by a photo-etching process and an etching process. In the semiconductor laser amplifier 200, it is highly necessary to provide the low reflection films 252 and 254 on the entrance end face 222 and the exit end face 224 of the optical waveguide 220 for stable operation. Also in the present embodiment, the coupling efficiency of 80% or more can be realized by making the axis of the optical fiber 280 orthogonal to the axis of the optical waveguide 220 and parallel to the long side of the incident end face 222.
【００２８】（第３実施形態）図５は本発明の第３の実
施形態に係る導波路型光モジュールの構成を表す斜視図
である。本実施形態では、本発明を横方向にアレー化し
たフォトダイオード１００Ａに適用している。図５に示
すように、基板１０１Ａ上にリッジ部１３０Ａ、１３０
Ｂ、１３０Ｃが平行に形成されている。リッジ部１３０
Ａ〜Ｃそれぞれの端面は光ファイバ載置部１１０Ａに載
置された光ファイバ１８０Ａを介して光ファイバ１７０
Ａ〜Ｃに対向している。リッジ部１３０Ａ〜１３０Ｃに
形成された光導波路１２０Ａ〜１２０Ｃ（図示せず）は
互いに並列であり、その入射端面１２２Ａ〜１２２Ｃ
（図示せず）それぞれに光ファイバ１７０Ａ〜１７０Ｃ
からの出射光１７８Ａ〜１７８Ｃが入射する。(Third Embodiment) FIG. 5 is a perspective view showing the structure of a waveguide type optical module according to a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, the present invention is applied to the photodiode 100A that is an array in the lateral direction. As shown in FIG. 5, the ridge portions 130A and 130 are formed on the substrate 101A.
B and 130C are formed in parallel. Ridge part 130
Each of the end faces of A to C is provided with an optical fiber 170 via an optical fiber 180A mounted on the optical fiber mounting portion 110A.
Facing A to C. The optical waveguides 120A to 120C (not shown) formed on the ridge portions 130A to 130C are parallel to each other, and their incident end faces 122A to 122C.
(Not shown) Optical fibers 170A to 170C respectively
The emitted light from 178A to 178C enters.
【００２９】一本の光ファイバ１８０Ａを用いて複数組
の光ファイバ１７０Ａ〜Ｃと光導波路１２０Ａ〜Ｃを効
率よく光結合できる。なお、光ファイバ１７０Ａ〜Ｃの
先端には球状部等の集光手段を適宜に設置しても差し支
えない。A plurality of sets of optical fibers 170A-C and optical waveguides 120A-C can be efficiently optically coupled by using one optical fiber 180A. It should be noted that light condensing means such as a spherical portion may be appropriately installed at the tips of the optical fibers 170A to 170C.
【００３０】（第４実施形態）図６は本発明の第４の実
施形態に係る導波路型光モジュールの構成を表す斜視図
である。本実施形態では、本発明を縦方向にアレー化し
たフォトダイオード１００Ｄに適用している。図６に示
すように、基板１０１Ｄ上にリッジ部１３０Ｄ、１３０
Ｅが直列に形成されている。リッジ部１３０Ｄ、１３０
Ｅそれぞれの端部は光ファイバ載置部１１０Ｄ、１１０
Ｅそれぞれに載置された光ファイバ１８０Ｄ、１８０Ｅ
を介して光ファイバ１７０Ｄ、１７０Ｅに対向してい
る。リッジ部１３０Ｄ、１３０Ｅそれぞれに形成された
光導波路１２０Ｄ、１２０Ｅ（図示せず）は互いに直列
であり、その入射端面１２２Ｄ、１２２Ｅ（図示せず）
それぞれに光ファイバ１７０Ｄ、１７０Ｅからの出射光
１７８Ｄ、１７８Ｅが入射する。(Fourth Embodiment) FIG. 6 is a perspective view showing the structure of a waveguide type optical module according to a fourth embodiment of the present invention. In the present embodiment, the present invention is applied to a photodiode 100D having an array in the vertical direction. As shown in FIG. 6, the ridge portions 130D and 130 are formed on the substrate 101D.
E is formed in series. Ridge portions 130D, 130
Each of the end portions of E has optical fiber mounting portions 110D and 110D.
Optical fibers 180D and 180E placed on each E
The optical fibers 170D and 170E are opposed to each other via. The optical waveguides 120D and 120E (not shown) formed on the ridge portions 130D and 130E are in series with each other, and their incident end faces 122D and 122E (not shown).
Emitted lights 178D and 178E from the optical fibers 170D and 170E enter the respective optical fibers.
【００３１】本実施形態では、光ファイバ１８０Ｄ、Ｅ
それぞれによって、光ファイバ１７０Ｄ、Ｅと光導波路
１２０Ｄ、Ｅを効率よく光結合できる。このように光導
波路１２０Ｄ、Ｅを直列に配置できるのは、光ファイバ
１７０Ｄ、Ｅの軸それぞれが図１のように光導波路１２
０Ｄ、Ｅの軸方向に対して角度θ傾けたことによる。な
お、光ファイバ１７０Ｄ、Ｅの先端には球状部等の集光
手段を適宜に設置しても差し支えない。In the present embodiment, the optical fibers 180D, E
The respective optical fibers 170D, E and the optical waveguides 120D, E can be efficiently optically coupled. In this way, the optical waveguides 120D and E can be arranged in series because the axes of the optical fibers 170D and E are respectively arranged as shown in FIG.
This is because the angle θ is inclined with respect to the axial directions of 0D and E. Note that light condensing means such as a spherical portion may be appropriately installed at the tips of the optical fibers 170D and E.
【００３２】（その他の実施形態）本発明の実施形態
は、上記の実施形態に限られず、拡張、変更が可能であ
る。拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含
まれる。
（１）例えば、光ファイバ載置部１１０の段差の深さを
外部の光学系に対応して変更できる。また、光ファイバ
載置部１１０の形状を順メサ形状のＬ字型溝あるいはＶ
字型溝としてもよい。図７、図８はそれぞれ、Ｌ字型
溝、Ｖ字型溝の光ファイバ載置部１１０Ｆ、１１０Ｇを
有する導波路型光モジュール１０Ｆ、１０Ｇを表した側
面図である。図７では光ファイバ載置部１１０Ｆの斜面
が傾斜している。また、図８では光ファイバ１８０はＶ
字型の斜面の間に載置されている。このように光ファイ
バ載置部は種々の形状を採りうる。(Other Embodiments) The embodiment of the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but can be expanded and modified. Extended and modified embodiments are also included in the technical scope of the present invention. (1) For example, the depth of the step of the optical fiber mounting portion 110 can be changed according to the external optical system. In addition, the shape of the optical fiber mounting portion 110 is changed to an L-shaped groove or V of a normal mesa shape.
It may be a V-shaped groove. 7 and 8 are side views showing waveguide type optical modules 10F and 10G having optical fiber mounting portions 110F and 110G having L-shaped grooves and V-shaped grooves, respectively. In FIG. 7, the slope of the optical fiber mounting portion 110F is inclined. Further, in FIG. 8, the optical fiber 180 is V
It is placed between the slopes of the letter shape. Thus, the optical fiber mounting portion can take various shapes.
【００３３】（２）光ファイバ１８０はシングルモー
ド、マルチモードいずれでも差し支えない。シングルモ
ードとマルチモードでは例えばコアの径が相違するが、
コアとクラッドの屈折率は通常大きく異なるものではな
いことから、光ビームの断面形状の変換能力に対する影
響は小さい。光ファイバ１８０は、円筒レンズとして用
いる以外に、軸方向に光信号を別途伝送することもでき
る。このように光ファイバ１８０に２つの機能を持たせ
ると光モジュールの集積化に有効である。なお、光ファ
イバ１８０は、光導波路１２０の軸方向および入射端面
１２２の幅方向に対して垂直および平行から例えば１０
度程度ずれても差し支えない。(2) The optical fiber 180 may be either single mode or multimode. For example, the diameter of the core is different in single mode and multi mode,
Since the refractive index of the core and that of the cladding are usually not so different, the cross-sectional shape of the light beam is less affected by the conversion ability. The optical fiber 180 can also separately transmit an optical signal in the axial direction, instead of being used as a cylindrical lens. In this way, providing the optical fiber 180 with two functions is effective for integrating optical modules. The optical fiber 180 is arranged in a direction perpendicular to and parallel to the axial direction of the optical waveguide 120 and the width direction of the incident end face 122, for example, 10 degrees.
There is no problem even if it shifts by about a degree.
【００３４】（３）光ファイバ１７０は、出射する光を
集光する集光手段を備えるのが好ましいが、この集光手
段は光ファイバ１７０自体を先球ファイバとすることに
は限られず、光ファイバ１７０をテーパ先球ファイバと
したり、あるいは通常のファイバと球面レンズとを組み
合わせたりしても差し支えない。光ファイバ１７０は、
導波路の軸方向に対して傾斜する場合に限られず、導波
路の軸方向に一致する軸を有しても差し支えない。
（４）本発明における導波路型デバイスは光導波路から
光を入射するのであれば、フォトダイオード、半導体レ
ーザ増幅器に限られない。例えば、光変調器を含むこと
ができる。導波路型デバイスの導波路はリッジ型に限ら
れず、埋め込み構造でも差し支えない。導波路型デバイ
スの基板１０１は、例えばＦｅドープＩｎＰの半絶縁性
基板であってもよい。このときには、ｎ型電極１４２は
コンタクト層を介して基板１０１に電気的に接続され
る。導波路型デバイスを複数用いたアレー構造は導波路
型デバイスを並列、直列の双方に平面的に配列しても差
し支えない。なお、ｎ側電極は基板の裏面に形成しても
よい。(3) The optical fiber 170 is preferably provided with a light condensing means for condensing the emitted light, but this light condensing means is not limited to the optical fiber 170 itself being a spherical fiber. The fiber 170 may be a tapered spherical fiber, or a normal fiber and a spherical lens may be combined. The optical fiber 170 is
The invention is not limited to the case of inclining with respect to the axial direction of the waveguide, and may have an axis that coincides with the axial direction of the waveguide. (4) The waveguide type device in the present invention is not limited to the photodiode and the semiconductor laser amplifier as long as the light enters from the optical waveguide. For example, a light modulator can be included. The waveguide of the waveguide device is not limited to the ridge type, and may have a buried structure. The substrate 101 of the waveguide device may be a semi-insulating substrate of Fe-doped InP, for example. At this time, the n-type electrode 142 is electrically connected to the substrate 101 via the contact layer. In the array structure using a plurality of waveguide type devices, the waveguide type devices may be arranged in parallel both in a plane and in a plane. The n-side electrode may be formed on the back surface of the substrate.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば光
導波路内への均一な光の入射が可能な導波路型光モジュ
ールを提供できる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a waveguide type optical module capable of uniformly entering light into an optical waveguide.
【図１】 本発明の第１実施形態に係る導波路型光モジ
ュールの構成を立体的に表す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view three-dimensionally showing a configuration of a waveguide type optical module according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第１実施形態に係る導波路型光モジ
ュールの断面状態を表す一部断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a cross-sectional state of the waveguide type optical module according to the first embodiment of the present invention.
【図３】 光ファイバを通過する前後の出射光の断面形
状を表した図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional shape of outgoing light before and after passing through an optical fiber.
【図４】 本発明の第２実施形態に係る導波路型光モジ
ュールの構成を表す一部断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a configuration of a waveguide type optical module according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の第３の実施形態に係る導波路型光モ
ジュールの構成を表す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a waveguide type optical module according to a third embodiment of the present invention.
【図６】 本発明の第４の実施形態に係る導波路型光モ
ジュールの構成を表す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of a waveguide type optical module according to a fourth embodiment of the present invention.
【図７】 Ｌ字型溝の光ファイバ載置部を有する導波路
型光モジュールを表した一部断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing a waveguide type optical module having an optical fiber mounting portion having an L-shaped groove.
【図８】 Ｖ字型溝の光ファイバ載置部を有する導波路
型光モジュールを表した一部断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a waveguide type optical module having an optical fiber mounting portion having a V-shaped groove.
【図９】 光導波路の端面を庇状に加工した従来のフォ
トダイオードを表した一部断面図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view showing a conventional photodiode in which an end face of an optical waveguide is processed into an eaves shape.
１０，２０…導波路型光モジュール
１００（１００Ａ，１００Ｄ）…フォトダイオード
１０１（１０１Ａ，１０１Ｄ）…基板
１０２…バッファ層
１０３…下部クラッド層
１０４…光吸収層
１０５…上部クラッド層
１０６…キャップ層
１０７…コンタクト層
１０８…ｎ型電極
１１０（１１０Ａ，１１０Ｄ，１１０Ｆ）…光ファイバ
載置部
１２０（１２０Ａ，１２０Ｄ，１２０Ｅ）…光導波路
１２２…入射端面
１２４…出力端面
１２６…軸方向
１３０（１３０Ａ，１３０Ｄ）…リッジ部
１４０…ｎ側電極引出し部
１４２…ｎ型電極
１５２，１５４…低反射膜
１７０（１７０Ａ〜１７０Ｅ）…光ファイバ
１７２…球状部
１７４…コア
１７６…クラッド
１７８…出射光
１８０（１８０Ａ，１８０Ｄ，１８０Ｅ）…光ファイバ
１８２…コア
１８４…クラッド
１９１…光ビーム
２００…半導体レーザ増幅器
２０１…基板
２０２…バッファ層
２０３…下部クラッド層
２０４…活性層
２０５…上部クラッド層
２０６…キャップ層
２０７…コンタクト層
２１０…光ファイバ載置部
２２０…光導波路
２２２…入射端面
２２４…出射端面
２３０…リッジ部
２４０…ｎ側電極引出し部
２４２…ｎ型電極
２５２，２５４…低反射膜
２７０，２８０…光ファイバ10, 20 ... Waveguide type optical module 100 (100A, 100D) ... Photodiode 101 (101A, 101D) ... Substrate 102 ... Buffer layer 103 ... Lower cladding layer 104 ... Light absorption layer 105 ... Upper cladding layer 106 ... Cap layer 107 Contact layer 108 n-type electrode 110 (110A, 110D, 110F) Optical fiber mounting portion 120 (120A, 120D, 120E) Optical waveguide 122 Incident end face 124 Output end face 126 Axial direction 130 (130A, 130D) ) Ridge portion 140 ... N-side electrode lead-out portion 142 ... N-type electrodes 152, 154 ... Low reflection film 170 (170A to 170E) ... Optical fiber 172 ... Spherical portion 174 ... Core 176 ... Clad 178 ... Emitted light 180 (180A, 180D, 180E) ... optical fiber 182 ... core 184 ... 191 ... Light beam 200 ... Semiconductor laser amplifier 201 ... Substrate 202 ... Buffer layer 203 ... Lower cladding layer 204 ... Active layer 205 ... Upper cladding layer 206 ... Cap layer 207 ... Contact layer 210 ... Optical fiber mounting portion 220 ... Optical waveguide 222 ... Incident end face 224 ... Emitting end face 230 ... Ridge portion 240 ... N-side electrode lead-out portion 242 ... N-type electrodes 252, 254 ... Low reflection films 270, 280 ... Optical fiber
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Claims (7)
と、 前記光導波路の光入射端面に対向する側部を有する光フ
ァイバとを具備することを特徴とする導波路型光モジュ
ール。1. A waveguide type optical module comprising: a waveguide type optical device having an optical waveguide; and an optical fiber having a side portion facing a light incident end face of the optical waveguide.
が略平行になるように、該光ファイバが配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の導波路型光モジュー
ル。2. The light incident end face has a substantially rectangular shape, and the optical fiber is arranged so that an axis of the optical fiber is substantially parallel to a long side direction of the light incident end face. The waveguide type optical module according to claim 1.
イバを載置する光ファイバ載置部を有することを特徴と
する請求項１記載の導波路型光モジュール。3. The waveguide type optical module according to claim 1, wherein the waveguide type optical device has an optical fiber mounting portion on which the optical fiber is mounted.
ることを特徴とする請求項１記載の導波路型光モジュー
ル。4. The waveguide type optical module according to claim 1, comprising a plurality of the waveguide type optical devices.
光入射端面に入射する光とは異なる光を伝送することを
特徴とする請求項１記載の導波路型光モジュール。5. The waveguide type optical module according to claim 1, wherein the optical fiber transmits light different from the light incident on the light incident end surface of the optical device.
面と対向する端面を有する第２の光ファイバをさらに具
備することを特徴とする請求項１記載の導波路型光モジ
ュール。6. The waveguide type optical module according to claim 1, further comprising a second optical fiber having an end face facing the light incident end face with the optical fiber interposed therebetween.
ることを特徴とする請求項６記載の導波路型光モジュー
ル。7. The waveguide type optical module according to claim 6, wherein the second optical fiber has a condensing unit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001315740A JP2003121705A (en) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | Waveguide type optical module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001315740A JP2003121705A (en) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | Waveguide type optical module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003121705A true JP2003121705A (en) | 2003-04-23 |
Family
ID=19133859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001315740A Withdrawn JP2003121705A (en) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | Waveguide type optical module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003121705A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019490A (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Toyoda Mach Works Ltd | Fiber laser oscillator |
| US7285744B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-10-23 | Leister Process Technologies | Method and apparatus for simultaneously heating materials |
-
2001
- 2001-10-12 JP JP2001315740A patent/JP2003121705A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285744B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-10-23 | Leister Process Technologies | Method and apparatus for simultaneously heating materials |
| JP2006019490A (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Toyoda Mach Works Ltd | Fiber laser oscillator |
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