JP2003115131A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JP2003115131A
JP2003115131A JP2002192864A JP2002192864A JP2003115131A JP 2003115131 A JP2003115131 A JP 2003115131A JP 2002192864 A JP2002192864 A JP 2002192864A JP 2002192864 A JP2002192864 A JP 2002192864A JP 2003115131 A JP2003115131 A JP 2003115131A
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JP
Japan
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layer
optical recording
recording medium
recording
heat dissipation
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Pending
Application number
JP2002192864A
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Japanese (ja)
Inventor
Takuro Sekiya
卓朗 関谷
Masaaki Umehara
正彬 梅原
Michiharu Abe
通治 安倍
Yoshiyuki Kageyama
喜之 影山
Kazunori Ito
和典 伊藤
Michiaki Shinozuka
道明 篠塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a concrete configuration when two optical recording media are layered and to specify conditions that an optical recording medium is manufactured at low costs and satisfactorily attached to a driving device in an optical recording medium for high density recording having a phase transition type recording layer. SOLUTION: In the optical recording medium utilizing a phase transition phenomenon and constituted of a first protective layer 2, a recording layer, a second protective layer 4 and a reflective heat dissipation layer 5 layered in this order on a substrate 1 having grooves formed thereon, recording or erasure of recording pit information is performed at the recording layer of the groove part. The first and the second protective layers consists of a mixture of ZnS and SiO2 , the recording layer has Ge, Sb and Te as main constituent elements and the reflective heat dissipation layer 5 consists of Al alloy. The two optical recording media are layered via a resin adhesive layer therebetween, the grooves opposed to each other of the mutual substrates are shifted by one row or more and the two optical recording media are layered and stuck to each other with the shift amount within the range where the two optical recording media can be attached to the driving device for driving the media.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、書換え可能なDV
Dなど、相変化型記録層を有する高密度記録用の光記録
媒体に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a rewritable DV.
The present invention relates to an optical recording medium for high density recording such as D having a phase change recording layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にコンパクトディスク(CD)やD
VDは、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉
により生じる反射率変化を利用して2値信号の記録及び
トラッキング信号の検出が行なわれている。近年、CD
と互換性のある媒体として、相変化型の書換え可能なコ
ンパクトディスク(CD−RW、CD−Rewrita
ble)が広く使用されつつある。また、DVDについ
ても、相変化型の書換え可能なDVDが各種提案されて
いる。
2. Description of the Related Art Generally, a compact disc (CD) or a D
In the VD, recording of a binary signal and detection of a tracking signal are performed by utilizing the reflectance change caused by the interference of the reflected light from the bottom of the concave pit and the mirror surface. CD in recent years
As a medium compatible with, a phase change type rewritable compact disc (CD-RW, CD-Rewrita)
ble) is being widely used. As for the DVD, various phase change type rewritable DVDs have been proposed.

【0003】これら相変化型の書換え可能なCD及びD
VDは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反
射率差および位相差変化を利用して記録情報信号の検出
を行なう。通常の相変化媒体は、基板上に下部保護層、
相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有
し、これら層の多重干渉を利用して反射率差および位相
差を制御しCDやDVDと互換性を持たせることができ
る。CD−RWにおいては、反射率を15〜25%に落
とした範囲内ではCDと記録信号及び溝信号の互換性が
確保でき、反射率の低いことをカバーする増幅系を付加
したCDドライブでは再生が可能である。
These phase change type rewritable CDs and Ds
The VD detects a recorded information signal by utilizing the difference in reflectance and the change in phase difference caused by the difference in refractive index between an amorphous state and a crystalline state. A typical phase change medium has a lower protective layer on the substrate,
It has a structure in which a phase-change recording layer, an upper protective layer, and a reflective layer are provided, and by utilizing multiple interference of these layers, it is possible to control the reflectance difference and the phase difference and to make them compatible with CDs and DVDs. . In the CD-RW, the compatibility between the CD and the recording signal and the groove signal can be ensured within the range in which the reflectance is reduced to 15 to 25%, and the reproduction is performed by the CD drive added with the amplification system that covers the low reflectance. Is possible.

【0004】なお、相変化型記録媒体は消去と再記録過
程を1つの集束光ビームの強度変調のみによって行なう
ことができるため、CD−RWや書換え可能DVD等の
相変化型記録媒体において記録とは、記録と消去を同時
に行なうオーバーライト記録を含む。相変化を利用した
情報の記録には、結晶、非晶質、又はそれらの混合状態
を用いることができ、複数の結晶相を用いることもでき
るが、現在実用化されている書換可能相変化型記録媒体
は、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のマーク
を形成して記録するのが一般的である。記録層の材料と
してはいずれもカルコゲン元素、即ちS、Se、Teを
含むカルコゲナイド系合金を用いることが多い。
Since the phase change recording medium can perform the erasing and re-recording processes only by intensity modulation of one focused light beam, recording and recording in the phase change recording medium such as CD-RW and rewritable DVD. Includes overwrite recording in which recording and erasing are performed simultaneously. For recording information using phase change, a crystalline state, an amorphous state, or a mixed state thereof can be used, and a plurality of crystalline phases can be used, but the rewritable phase change type currently in practical use. A recording medium is generally recorded by forming a non-recorded / erased state into a crystalline state and forming an amorphous mark. A chalcogen element, that is, a chalcogenide alloy containing S, Se, and Te is often used as the material of the recording layer.

【0005】例えば、GeTe−SbTe疑似二元
合金を主成分とするGeSbTe系、InTe−Sb
Te疑似二元合金を主成分とするInSbTe系、S
.7Te0.3を共晶系を主成分とするAgInS
bTe系合金、GeSnTe系などである。このうち、
GeTe−SbTe疑似二元合金に過剰のSbを添
加した系、特に、GeSbTe、もしくはGe
SbTeなどの金属間化合物近傍組成が主に実用化
されている。
For example, GeTe—Sb 2 Te 3 pseudo-binary alloy containing GeSbTe as a main component, InTe—Sb 2
In 3 SbTe based on Te 3 pseudo binary alloy, S
b 0 . 7 Te 0.3 AgInS containing eutectic as a main component
Examples include bTe alloys and GeSnTe alloys. this house,
GeTe-Sb 2 Te 3 pseudo binary alloy system obtained by adding excess Sb in, in particular, Ge 1 Sb 2 Te 4, or Ge 2
Compositions near intermetallic compounds such as Sb 2 Te 5 have been mainly put into practical use.

【0006】これら組成は、金属間化合物特有の、相分
離を伴わない結晶化を特徴とし結晶成長速度が速いた
め、初期化が容易で、消去時の再結晶化速度が速い。こ
のため従来より、実用的なオーバーライト特性を示す記
録層としては、疑似二元合金系や金属間化合物近傍組成
が注目されていた(文献Jpn. J. Appl. Phys., vol.69
(1991), p2849、あるいはSPIE, Vol. 2514(1995), pp29
4-301等記載)。
These compositions are characterized by crystallization without phase separation, which is peculiar to intermetallic compounds, and have a high crystal growth rate. Therefore, initialization is easy and recrystallization rate during erasing is fast. For this reason, a pseudo binary alloy system or a composition in the vicinity of an intermetallic compound has been attracting attention as a recording layer exhibiting practical overwrite characteristics (Reference Jpn. J. Appl. Phys., Vol.69).
(1991), p2849, or SPIE, Vol. 2514 (1995), pp29
4-301 etc.).

【0007】また、従来よりGeSbTe三元組成、も
しくはこの三元組成を母体として添加元素を含有する記
録層組成に関して報告がなされている(特開昭61−2
58787号公報、特開昭62−53886号公報、特
開昭62−152786号公報、特開平1−63195
号公報、特開平1−211249号公報、特開平1−2
77338号公報)。しかしながら、このような組成の
材料を書換え可能なDVDなどの高密度記録用の光記録
媒体への適用は、まだ開発が始まったばかりであり、解
決しなければならない問題が多々ある。そのうちの一つ
の問題として、大容量化があり、2枚の光記録媒体を積
層して、2倍の容量にしようとする考え方がある。しか
しながら、2枚の光記録媒体を高精度に積層するにはど
のようにしたらいいのかはまだ検討されていない。
Further, it has been conventionally reported that the ternary composition of GeSbTe, or the composition of the recording layer containing the ternary composition as a matrix and containing an additive element (JP-A-61-2).
58787, JP-A-62-53886, JP-A-62-152786, JP-A-1-63195.
Japanese Patent Laid-Open No. 1-211249 and Japanese Patent Laid-Open No. 1-212
77338). However, application of the material having such a composition to an optical recording medium for high-density recording such as a rewritable DVD has just begun development and there are many problems to be solved. One of the problems is to increase the capacity, and there is an idea of stacking two optical recording media to double the capacity. However, how to stack two optical recording media with high accuracy has not been studied yet.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のごと
き実情に鑑みてなされたもので、その目的は第1に、こ
のような書換え可能なDVDなど、相変化型記録層を有
する高密度記録用の光記録媒体において、記録容量の大
容量化を図るために、2枚の光記録媒体を積層する際の
具体的な構成を明確にすることにある。また第2に、こ
のような2枚の光記録媒体を積層接着した光記録媒体
が、低コストで製作でき、かつドライブ装置に良好に取
り付けられるような条件を明確にすることにある。さら
に第3に、このような2枚の光記録媒体を積層接着した
光記録媒体において、その具体的な構成の他の例を提案
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the circumstances as described above, and firstly, its purpose is to provide a high density recording medium having a phase change recording layer such as a rewritable DVD. In an optical recording medium for recording, in order to increase the recording capacity, it is to clarify a specific configuration when two optical recording media are stacked. Secondly, it is necessary to clarify the conditions under which an optical recording medium obtained by laminating and adhering two such optical recording media can be manufactured at low cost and can be favorably attached to a drive device. Thirdly, it is to propose another example of the specific configuration of the optical recording medium in which two such optical recording media are laminated and adhered.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
(1)「光照射による結晶とアモルファスの相転移現象
を利用した光記録媒体において、該光記録媒体は、溝を
形成した基板上に、第1の保護層、記録層、第2の保護
層、反射放熱層をこの順序で積層した構成とし、前記溝
部の記録層において、記録ビット情報を記録あるいは消
去する光記録媒体であって、前記第1、第2の保護層は
ZnSとSiOの混合物よりなり、前記記録層はG
e、Sb、Teを主たる構成元素とし、前記反射放熱層
はAl合金よりなり、前記光記録媒体を間に樹脂接着層
を介して、前記第1の保護層、記録層、第2の保護層、
反射放熱層を形成した面を互いに向かい合わせて2枚積
層するとともに、互いの基板の相対する溝を1列以上ず
らし、かつ、この2枚積層した光記録媒体を駆動するド
ライブ装置に設置可能な範囲内のずらし量として積層接
着したことを特徴とする光記録媒体」、(2)「前記ず
らし量は、前記2枚の光記録媒体のそれぞれの中心に設
けられた円状の穴の中心軸のずれ量としたことを特徴と
する前記第(1)項に記載の光記録媒体」、(3)「光
照射による結晶とアモルファスの相転移現象を利用した
光記録媒体において、該光記録媒体は、溝を形成した基
板上に、第1の保護層、記録層、第2の保護層、反射放
熱層をこの順序で積層した構成とし、前記溝部の記録層
において、記録ビット情報を記録あるいは消去する光記
録媒体であって、前記第1、第2の保護層はZnSとS
iO の混合物よりなり、前記記録層はGe、Sb、T
eを主たる構成元素とし、前記反射放熱層はAl合金よ
りなり、前記記録媒体を間に樹脂接着層を介して、前記
第1の保護層、記録層、第2の保護層、反射放熱層を形
成した面を互いに向かい合わせて2枚積層するととも
に、互いの基板の相対する溝を1列以上ずらし、かつ、
この2枚積層した光記録媒体を駆動するドライブ装置に
設置し、該ドライブ装置の書き込み用ピックアップが追
従できる範囲内のずらし量として積層接着したことを特
徴とする光記録媒体」により達成される。
The above-mentioned problems are solved by the present invention.
(1) "Phase transition between crystalline and amorphous due to light irradiation
In an optical recording medium utilizing the
On the formed substrate, the first protective layer, the recording layer, the second protective layer
Layer and a reflective heat dissipation layer are laminated in this order, and the groove
The recording bit information is recorded or erased in the recording layer of
The optical recording medium to be removed, wherein the first and second protective layers are
ZnS and SiOTwoAnd the recording layer is G
The reflection and heat dissipation layer containing e, Sb, and Te as main constituent elements
Is made of Al alloy and has a resin adhesive layer between the optical recording media.
Via the first protective layer, the recording layer, the second protective layer,
Two sheets are stacked with the surfaces with the reflective heat dissipation layer facing each other.
Layers and make sure that there are no more than
And driving the optical recording medium in which the two recording layers are stacked.
Stacked connection as a shift amount within the range that can be installed in live equipment
Optical recording medium characterized by being worn ”, (2)
The load amount is set at the center of each of the two optical recording media.
It is characterized in that it is the amount of deviation of the center axis of the carved circular hole.
The optical recording medium according to the above item (1),
Utilizing the phase transition phenomenon of crystalline and amorphous by irradiation
In the optical recording medium, the optical recording medium has a groove-formed substrate.
On the plate, the first protective layer, the recording layer, the second protective layer, the reflective layer
The thermal layer is laminated in this order, and the recording layer of the groove is formed.
Optical recording for recording or erasing recorded bit information
A recording medium, wherein the first and second protective layers are ZnS and S
iO TwoThe recording layer is made of Ge, Sb, T
The main constituent element is e, and the reflection / heat dissipation layer is made of an Al alloy.
And a resin adhesive layer is interposed between the recording medium and
Form the first protective layer, recording layer, second protective layer, and reflective heat dissipation layer.
When the two surfaces are stacked with the surfaces made facing each other
The grooves facing each other are offset by one or more rows, and
For a drive device that drives the optical recording medium in which two sheets are stacked.
Installed and the writing pickup of the drive device added
It is a special feature that they are laminated and bonded as a shift amount within the range that can comply.
Optical recording medium.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の光記録媒体の記
録部部分断面図を模式的に描いたものであり、基板
(1)/第1の保護層(2)/記録層(3)/第2の保
護層(4)/反射放熱層(5)の構成を有している。ま
た、その上(反射放熱層(5)の上)を紫外線もしくは
熱硬化性の樹脂で被覆(保護コート層(6))されてい
る(これについては後述する)。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic sectional view of a recording portion of an optical recording medium according to the present invention, in which a substrate (1) / first protective layer (2) / recording layer ( 3) / second protective layer (4) / reflection heat dissipation layer (5). In addition, an ultraviolet ray or a thermosetting resin is coated thereon (on the reflection / heat radiation layer (5)) (protective coating layer (6)) (this will be described later).

【0011】図1のような各層の順序は、透明基板を介
して記録再生用の集束光ビーム、例えばレーザ光を記録
層に照射する場合に適している。最初に基板(1)につ
いて説明する。基板(1)には、ポリカーボネート、ア
クリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるいは透明
ガラスを用いることができる。なかでも、ポリカーボネ
ート樹脂はCDにおいて最も広く用いられている実績も
あり、安価でもあるので最も好ましい。基板(1)に
は、記録再生光を案内する溝が設けられており、図1に
示すように溝部はグルーブ部、そのとなりの部分はラン
ド部と呼ぶ。そしてそのグルーブ部は0.8μm以下
(例えば0.74μm)のピッチで形成されるととも
に、このグルーブ部の記録層(後述)に記録ビット情報
が付与され、記録ビット情報の書き込み/消去/再生
(読み出し)などが行なわれる。なお、この溝部(ラン
ド部/グルーブ部)の断面形状は、必ずしも幾何学的に
矩形あるいは台形状の溝である必要はなく、たとえば、
イオン注入などによって、屈折率の異なる導波路のよう
なものを形成して光学的に溝が形成されていても良い。
The order of the layers as shown in FIG. 1 is suitable for irradiating the recording layer with a focused light beam for recording and reproduction, for example, a laser beam through the transparent substrate. First, the substrate (1) will be described. For the substrate (1), transparent resin such as polycarbonate, acryl, polyolefin, or transparent glass can be used. Among them, the polycarbonate resin is the most preferable because it has a track record of being most widely used in CD and is inexpensive. The substrate (1) is provided with a groove for guiding the recording / reproducing light. As shown in FIG. 1, the groove portion is called a groove portion and the portion next to it is called a land portion. The groove portions are formed with a pitch of 0.8 μm or less (for example, 0.74 μm), and recording bit information is added to a recording layer (described later) of the groove portions to write / erase / reproduce the recording bit information. (Reading) is performed. The cross-sectional shape of the groove portion (land portion / groove portion) does not necessarily have to be a geometrically rectangular or trapezoidal groove.
The groove may be formed optically by forming a waveguide like one having a different refractive index by ion implantation or the like.

【0012】次に、本発明の記録層(3)について説明
する。本発明の光記録媒体の記録層(3)は相変化型の
記録層であり、その厚みは一般的に5nmから100n
mの範囲が好ましい。記録層(3)の厚みが5nmより
薄いと充分なコントラストが得られ難く、また結晶化速
度が遅くなる傾向があり、短時間での消去が困難となり
やすい。一方、100nmを越すとやはり光学的なコン
トラストが得にくくなり、また、クラックが生じやすく
なる。さらに、DVDなど再生専用ディスクと互換性を
とれるほどのコントラストを得る必要があり、かつ、最
短マーク長が0.5μm以下となるような高密度記録で
は、5nm以上25nm以下が好ましい。5nm未満で
は反射率が低くなりすぎ、また、膜成長初期の不均一な
組成、疎な膜の影響が現れやすいので好ましくない。
Next, the recording layer (3) of the present invention will be described. The recording layer (3) of the optical recording medium of the present invention is a phase change type recording layer, and its thickness is generally 5 nm to 100 n.
A range of m is preferred. When the thickness of the recording layer (3) is less than 5 nm, it is difficult to obtain sufficient contrast, and the crystallization speed tends to be slow, which makes it difficult to erase in a short time. On the other hand, when the thickness exceeds 100 nm, it becomes difficult to obtain optical contrast and cracks easily occur. Further, it is necessary to obtain a contrast that is compatible with a read-only disc such as a DVD, and for high-density recording in which the shortest mark length is 0.5 μm or less, 5 nm or more and 25 nm or less is preferable. If the thickness is less than 5 nm, the reflectance becomes too low, and the effects of a non-uniform composition and a sparse film at the beginning of film growth are likely to occur, which is not preferable.

【0013】一方、25nmより厚いと熱容量が大きく
なり記録感度が悪くなるし、結晶成長が3次元的になる
ため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾
向にある。さらに、記録層の相変化による体積変化が顕
著になり繰返しオーバーライト耐久性が悪くなるので好
ましくない。マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライ
ト耐久性の観点からは20nm以下とすることがより望
ましい。また、記録層の密度はバルク密度の80%以
上、より好ましくは90%以上であることが望ましい。
On the other hand, if the thickness is more than 25 nm, the heat capacity becomes large, the recording sensitivity becomes poor, and the crystal growth becomes three-dimensional, so that the edges of the amorphous marks tend to be disturbed and the jitter tends to increase. Furthermore, the volume change due to the phase change of the recording layer becomes remarkable, and the repeated overwrite durability deteriorates, which is not preferable. From the viewpoints of mark edge jitter and repeated overwrite durability, the thickness is more preferably 20 nm or less. The density of the recording layer is preferably 80% or more of the bulk density, more preferably 90% or more.

【0014】記録層の密度はスパッタ成膜法において
は、成膜時のスパッタガス(Ar等の希ガス)の圧力を
低くする、ターゲット正面に近接して基板を配置するな
どして、記録層に照射される高エネルギーAr量を多く
することが必要である。高エネルギーArは、スパッタ
のためにターゲットに照射されるArイオンが、一部跳
ね返されて基板側に到達するものか、プラズマ中のAr
イオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達す
るものかのいずれかである。このような高エネルギーの
希ガスの照射効果をatomic peening効果
という。一般的に使用されるArガスでのスパッタでは
atomic peening効果により、Arがスパ
ッタ膜に混入される。膜中のAr量により、atomi
c peening効果を見積もることができる。すな
わち、Ar量が少なければ、高エネルギーAr照射効果
が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやす
い。一方、Ar量が多ければ高エネルギーArの照射が
激しく、密度は高くなるものの、膜中に取り込まれたA
rが繰返しオーバーライト時にvoidとなって析出
し、繰返しの耐久性を劣化させる。記録層膜中の適当な
Ar量は、0.1原子%以上、1.5原子%以下であ
る。さらに、直流スパッタリングよりも高周波スパッタ
リングを用いたほうが、膜中Ar量が少なくして、高密
度膜が得られるので好ましい。
In the sputtering film forming method, the density of the recording layer is set by lowering the pressure of the sputtering gas (rare gas such as Ar) at the time of forming the film, or by disposing the substrate close to the front surface of the target. It is necessary to increase the amount of high-energy Ar that is irradiated to the. High-energy Ar means that Ar ions irradiated on the target for sputtering are partially repelled and reach the substrate side, or Ar ions in plasma are used.
Either of the ions is accelerated by the sheath voltage over the entire surface of the substrate and reaches the substrate. The irradiation effect of such a high-energy rare gas is called the atomic peening effect. In sputtering with Ar gas that is generally used, Ar is mixed in the sputtered film due to the atomic peening effect. Depending on the amount of Ar in the film, atomi
The c peening effect can be estimated. That is, if the amount of Ar is small, it means that the high energy Ar irradiation effect is small, and a film having a low density is likely to be formed. On the other hand, when the amount of Ar is large, high-energy Ar irradiation is intense and the density is high, but the amount of A incorporated in the film is large.
When r is repeatedly overwritten, it becomes a void and precipitates, deteriorating the durability of repetition. A suitable amount of Ar in the recording layer film is 0.1 atom% or more and 1.5 atom% or less. Furthermore, it is preferable to use high-frequency sputtering rather than direct-current sputtering because the amount of Ar in the film can be reduced and a high-density film can be obtained.

【0015】本発明において、記録層はGe、Sb、T
eを主たる構成元素とした合金を主成分とする薄膜から
なる。すなわち、記録層中のGe、Sb、Teの各元素
量の比がそれぞれ、1原子%以上5原子%以下、65原
子%以上85原子%以下、15原子%以上30原子%以
下の組成範囲にあればよく、記録層には必要に応じて他
の元素を、合計10原子%程度まで添加してもよい。記
録層にさらに、O、N、及びSから選ばれる少なくとも
一つの元素を、0.1原子%以上5原子%以下添加する
ことで、記録層の光学定数を微調整することができる。
しかし、5原子%を超えて添加することは、結晶化速度
を低下させ消去性能を悪化させるので好ましくない。
In the present invention, the recording layer is Ge, Sb, T
It is composed of a thin film whose main component is an alloy containing e as a main constituent element. That is, the composition ratios of Ge, Sb, and Te in the recording layer are 1 at% or more and 5 at% or less, 65 at% or more and 85 at% or less, and 15 at% or more and 30 at% or less, respectively. Other elements may be added to the recording layer, if necessary, up to a total of about 10 atom%. The optical constant of the recording layer can be finely adjusted by further adding at least one element selected from O, N, and S to the recording layer in an amount of 0.1 atom% or more and 5 atom% or less.
However, the addition of more than 5 atomic% is not preferable because it lowers the crystallization rate and deteriorates the erasing performance.

【0016】また、オーバーライト時の結晶化速度を低
下させずに、経時安定性を増すために、V、Nb、T
a、Cr、Co、Pt及びZrの少なくとも一種を、8
原子%以下添加するのが好ましい。より好ましくは、
0.1原子%以上5原子%以下添加する。SbTeに対
する、これら添加元素とGeの合計の添加量は全部で1
5原子%以下であることが望ましい。過剰に含まれると
Sb以外の相分離を誘起してしまう。特に、Ge含有量
が3原子%以上、5原子%以下の場合には添加効果が大
きい。経時安定性の向上と屈折率の微調整のために、S
i、Sn、及びPbの少なくとも一種を、5原子%以下
添加するのが好ましい。これら添加元素とGeの合計の
含有量は15原子%以下が好ましい。これら元素はGe
と同じ4配位ネットワークを持つ。
In order to increase the stability over time without decreasing the crystallization rate during overwriting, V, Nb, T
at least one of a, Cr, Co, Pt, and Zr is 8
It is preferable to add at most atomic%. More preferably,
Add 0.1 atom% or more and 5 atom% or less. The total addition amount of these additional elements and Ge to SbTe is 1 in total.
It is preferably 5 atomic% or less. If it is contained excessively, phase separation other than Sb will be induced. In particular, when the Ge content is 3 atomic% or more and 5 atomic% or less, the addition effect is large. To improve stability over time and finely adjust the refractive index, S
It is preferable to add at least one of i, Sn, and Pb in an amount of 5 atomic% or less. The total content of these additional elements and Ge is preferably 15 atomic% or less. These elements are Ge
It has the same 4-coordination network as.

【0017】Al、Ga、Inを8原子%以下添加する
ことは、結晶化温度を上昇させると同時に、ジッタを低
減させたり、記録感度を改善する効果もあるが、偏析も
生じやすいため、6原子%以下とするのが好ましい。ま
た、Geとあわせた含有量は15原子%以下、好ましく
は13%以下とすることが望ましい。Agを8原子%以
下添加することはやはり記録感度を改善する上で効果が
あり、特にGe原子量が5原子%を越える場合に用いれ
ば、効果が顕著である。しかし、8原子%を超える添加
は、ジッタを増加させたり、非晶質マークの安定性を損
ねるので好ましくないし、Geと合わせた添加量が15
原子%を超えると偏析を生じやすいので好ましくない。
Agの含有量として最も好ましいのは、5原子%以下で
ある。
Addition of Al, Ga and In in an amount of 8 atomic% or less not only raises the crystallization temperature but also reduces jitter and improves recording sensitivity, but segregation easily occurs. It is preferably at most atomic%. The content of Ge and Ge is preferably 15 atomic% or less, and more preferably 13% or less. The addition of 8 atomic% or less of Ag is also effective in improving the recording sensitivity, and the effect is remarkable especially when it is used when the Ge atomic weight exceeds 5 atomic%. However, the addition of more than 8 atomic% is not preferable because it increases the jitter and impairs the stability of the amorphous mark, and the addition amount together with Ge is 15
If it exceeds atomic%, segregation is likely to occur, which is not preferable.
The most preferable content of Ag is 5 atomic% or less.

【0018】さて、本発明の記録媒体の記録層(3)
は、成膜後の状態は通常、非晶質である。したがって、
成膜後に、記録層全面を結晶化して初期化された状態
(未記録状態)とする必要がある。初期化方法として
は、固相でのアニールによる初期化も可能であるが、一
旦記録層を溶融させ再凝固時に徐冷して結晶化させる溶
融再結晶化による初期化が望ましい。本記録層は成膜直
後には結晶成長の核がほとんどなく、固相での結晶化は
困難であるが、溶融再結晶化によれば、少数の結晶核が
形成されてのち、溶融して、結晶成長が主体となって高
速で再結晶化が進む。
The recording layer (3) of the recording medium of the present invention.
In general, the state after film formation is amorphous. Therefore,
After the film formation, it is necessary to crystallize the entire surface of the recording layer to an initialized state (unrecorded state). As the initialization method, initialization by solid phase annealing is possible, but initialization by melt recrystallization in which the recording layer is once melted and gradually cooled during resolidification to be crystallized is desirable. This recording layer has almost no crystal growth nuclei immediately after film formation, and it is difficult to crystallize in the solid phase.However, by melt recrystallization, a small number of crystal nuclei are formed and then melted. , The crystal growth is the main, and the recrystallization proceeds at high speed.

【0019】また、本発明の記録層は、溶融再結晶化に
よる結晶と、固相でのアニールによる結晶とは反射率が
異なるため、混在するとノイズの原因となる。そして、
実際のオーバーライト記録の際には、消去部は溶融再結
晶化による結晶となるため、初期化も溶融再結晶化によ
り行なうのが好ましい。このとき、記録層を溶融するの
は局所的かつ、1ミリ秒程度以下の短時間に限る。溶融
領域が広かったり、溶融時間あるいは冷却時間が長すぎ
ると、熱によって各層が破壊されたり、プラスチック基
板表面が変形したりするためである。このような熱履歴
を与えるには、波長600〜1000nm程度の高出力
半導体レーザー光を、長軸100〜300μm、短軸1
〜3μmに集束して照射し、短軸方向を走査軸として、
1〜10m/sの線速度で走査することが望ましい。同
じ集束光でも円形に近いと溶融領域が広すぎ、再非晶質
化が起きやすく、また、多層構成や基板へのダメージが
大きく好ましくない。初期化が溶融再結晶化によって行
なわれたことは以下のようにして確認できる。すなわ
ち、該初期化後の媒体に、直径約1.5μmより小さい
スポット径に集束された、記録層を溶融するにたる記録
パワーPwの記録光を、直流的に、一定線速度で照射す
る。案内溝がある場合は、その溝もしくは溝間からなる
トラックに、トラッキングサーボ及びフォーカスサーボ
をかけた状態で行なう。
Further, in the recording layer of the present invention, the crystal due to the melting recrystallization and the crystal due to the annealing in the solid phase have different reflectances, so that if mixed, it causes noise. And
During actual overwrite recording, the erased portion becomes crystals due to melt recrystallization, so it is preferable that the initialization is also performed by melt recrystallization. At this time, the recording layer is melted locally and only for a short time of about 1 millisecond or less. This is because if the melting region is wide, or if the melting time or cooling time is too long, each layer is destroyed by heat and the surface of the plastic substrate is deformed. In order to give such a thermal history, a high-power semiconductor laser beam with a wavelength of about 600 to 1000 nm is used, with a major axis of 100 to 300 μm and a minor axis of 1 μm.
Focus and irradiate to ~ 3μm, the short axis direction as the scanning axis,
It is desirable to scan at a linear velocity of 1 to 10 m / s. Even with the same focused light, if it is close to a circle, the melted region is too wide and re-amorphization tends to occur, and the multilayer structure and the substrate are greatly damaged, which is not preferable. It can be confirmed as follows that the initialization was performed by melt recrystallization. That is, the recording medium having the recording power Pw for melting the recording layer, which is focused to a spot diameter smaller than about 1.5 μm, is irradiated to the medium after the initialization at a constant linear velocity. When there is a guide groove, the tracking servo and the focus servo are applied to the groove or the track formed between the grooves.

【0020】その後、同じトラック上に消去パワーPe
(≦Pw)の消去光を直流的に照射して得られる消去状
態の反射率が、全く未記録の初期状態の反射率とほとん
ど同じであれば、該初期化状態は溶融際結晶状態と確認
できる。なぜなら、記録光照射により記録層は一旦溶融
されており、それを消去光照射で完全に再結晶化した状
態は、記録光による溶融と消去光による再結晶化の過程
を経ており、溶融再結晶化された状態にあるからであ
る。なお、初期化状態の反射率Rini と溶融再結晶化状
態Rcry の反射率がほぼ同じであることは、(Rini −
Rcry )/{(Rini +Rcry )/2}で定義される両
者の反射率差が20%以下であることをいう。通常、ア
ニール等の固相結晶化だけでは、その反射率差は20%
より大きい。
After that, the erasing power Pe is written on the same track.
If the reflectance in the erased state obtained by irradiating the erasing light of (≦ Pw) in a direct current is almost the same as the reflectance in the unrecorded initial state, the initialized state is confirmed to be a crystalline state during melting. it can. This is because the recording layer is once melted by the irradiation of the recording light, and the state in which it is completely recrystallized by the irradiation of the erasing light undergoes the process of melting by the recording light and recrystallization by the erasing light. This is because it is in a simplified state. The fact that the reflectance in the initialized state Rini and the reflectance in the molten recrystallized state Rcry are almost the same is (Rini −
Rcry) / {(Rini + Rcry) / 2} means that the difference in reflectance between the two is 20% or less. Usually, the difference in reflectance is 20% only by solid phase crystallization such as annealing.
Greater than

【0021】このような本発明の記録層は図1に示すよ
うに、第1の保護層(2)と第2の保護層(4)の間に
はさみ込まれた構成となって基板(1)表面(溝形成
面)に設けられる。ここで第1の保護層(2)は主とし
て、記録時の高温による基板(1)表面の変形を防止す
るのに有効である。また、第2の保護層(4)は記録層
(3)と反射放熱層(5)の相互拡散を防止し、記録層
(3)の変形を抑制しつつ、反射放熱層(5)へ効率的
に熱を逃すという機能を併せ持つ。
As shown in FIG. 1, the recording layer of the present invention has a structure in which it is sandwiched between the first protective layer (2) and the second protective layer (4), and the substrate (1 ) Provided on the surface (groove forming surface). Here, the first protective layer (2) is mainly effective in preventing the deformation of the surface of the substrate (1) due to a high temperature during recording. Further, the second protective layer (4) prevents mutual diffusion of the recording layer (3) and the reflection heat dissipation layer (5), suppresses the deformation of the recording layer (3), and efficiently transfers to the reflection heat dissipation layer (5). It also has the function of releasing heat.

【0022】保護層(2)、(4)の材料としては、屈
折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等
に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点
である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物
やCa、Mg、Li等のフッ化物を用いることができる
が、本発明者らは種々の材料を検討した結果、上記観点
および本発明の記録層(3)を構成する材料との整合性
を考慮して、ZnSとSiOの混合物が最も好ましい
と考えている。なおこの材料に限らず、上記酸化物、硫
化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的
組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を
制御したり、混合して用いることも有効である。
The material of the protective layers (2) and (4) is determined by taking into consideration the refractive index, thermal conductivity, chemical stability, mechanical strength, adhesion and the like. In general, metal or semiconductor oxides, sulfides, nitrides, carbides and fluorides such as Ca, Mg, and Li having high transparency and high melting point can be used. As a result of investigating the materials, it is considered that the mixture of ZnS and SiO 2 is the most preferable in view of the above viewpoint and the compatibility with the material constituting the recording layer (3) of the present invention. Not limited to this material, the above oxides, sulfides, nitrides, carbides, and fluorides do not necessarily have to have a stoichiometric composition, and the composition is controlled or mixed to control the refractive index and the like. It is also effective to use.

【0023】保護層の機能等について、もう少し詳述す
る。本発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一
種に属する。急冷構造は、放熱を促進し、記録層再凝固
時の冷却速度を高める層構成を採用することで、非晶質
マーク形成のときの再結晶化の問題を回避しつつ、高速
結晶化による高消去比を実現する。このため第2の保護
層(4)の膜厚は、5nm以上30nm以下とする。5
nmより薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊さ
れやすく、また、放熱効果が大きすぎて記録に要するパ
ワーが不必要に大きくなってしまう。
The function of the protective layer and the like will be described in more detail. The layer structure of the present invention belongs to a type of layer structure called a quench structure. The rapid cooling structure adopts a layer structure that promotes heat dissipation and increases the cooling rate during resolidification of the recording layer, thus avoiding the problem of recrystallization during the formation of amorphous marks and achieving high temperature crystallization. Achieve an erase ratio. Therefore, the film thickness of the second protective layer (4) is set to 5 nm or more and 30 nm or less. 5
If the thickness is less than nm, the recording layer is apt to be destroyed by deformation when melted, and the heat dissipation effect is too large, and the power required for recording unnecessarily increases.

【0024】本発明の、第2の保護層の膜厚は、繰返し
オーバーライトにおける耐久性に大きく影響し、特にジ
ッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚が30n
mより厚い場合には、記録時に、第2の保護層の記録側
と、反射層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側に
おける熱膨張差から、保護層自体が非対称に変形しやす
くなる。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を
蓄積させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。上記
のような本発明の記録層材料を用いると、最短マーク長
0.5μm以下の高密度記録において低ジッタを実現で
きるが、本発明者らの検討によれば、高密度記録を実現
するために短波長のレーザーダイオード(例えば、波長
700nm以下)を用いる場合には、上記急冷構造の層
構成についても、一層の留意が必要になる。特に、波長
が500nm以下、開口数NAが0.55以上の小さな
集束光ビームを用いた1ビームオーバーライト特性の検
討において、マーク幅方向の温度分布を平坦化すること
が、高消去比及び消去パワーマージンを広く取るために
重要であることが判っている。
The film thickness of the second protective layer of the present invention has a great influence on the durability in repeated overwriting, and is particularly important for suppressing the deterioration of jitter. Film thickness is 30n
When it is thicker than m, the temperature difference between the recording side and the reflecting layer side of the second protective layer becomes large at the time of recording, and the protective layer itself is likely to be asymmetrically deformed due to the difference in thermal expansion between both sides of the protective layer. Become. Repeating this is not preferable because it causes microscopic plastic deformation to accumulate inside the protective layer, resulting in increased noise. When the recording layer material of the present invention as described above is used, low jitter can be realized in high density recording with a shortest mark length of 0.5 μm or less, but according to the study by the present inventors, high density recording is realized. When a short-wavelength laser diode (for example, a wavelength of 700 nm or less) is used, it is necessary to pay more attention to the layer structure of the quenching structure. In particular, in studying the one-beam overwrite characteristic using a small focused light beam having a wavelength of 500 nm or less and a numerical aperture NA of 0.55 or more, flattening the temperature distribution in the mark width direction is effective for high erasing ratio and erasing. It has been found to be important for ensuring a wide power margin.

【0025】この傾向は、波長630〜680nm、N
A=0.6前後の光学系を用いた、DVD対応の光学系
においても同様である。このような光学系を用いた高密
度マーク長変調記録においては、特に熱伝導特性の低い
ものを第2の保護層として用いる。好ましくはその膜厚
を10nm以上25nm以下とする。いずれの場合に
も、その上に設ける反射放熱層(5)をとりわけ高熱伝
導率の材料とすることにより、消去比及び消去パワーマ
ージンを改善できる。検討によれば、広い消去パワー範
囲において、本発明の記録層が持つ良好な消去特性を発
揮させるには、単に膜厚方向の温度分布や時間変化のみ
ならず、膜面方向(記録ビーム走査方向の垂直方向)の
温度分布をできるだけ平坦化できるような層構成を用い
るのが好ましい。
This tendency is due to wavelengths of 630 to 680 nm and N
The same applies to a DVD-compatible optical system using an optical system with A = about 0.6. In high density mark length modulation recording using such an optical system, a material having particularly low thermal conductivity is used as the second protective layer. The film thickness is preferably 10 nm or more and 25 nm or less. In either case, the erasing ratio and the erasing power margin can be improved by forming the reflective heat dissipation layer (5) provided thereon with a material having particularly high thermal conductivity. According to the study, in order to exert the good erasing characteristics of the recording layer of the present invention in a wide erasing power range, not only the temperature distribution in the film thickness direction and the time change but also the film surface direction (recording beam scanning direction) It is preferable to use a layer structure capable of flattening the temperature distribution in the vertical direction).

【0026】本発明者らは、光記録媒体の層構成を適切
に設計することにより、媒体中のトラック横断方向の温
度分布を平坦にすることで、溶融して再非晶質化される
ことなく、再結晶化することのできる幅を広げ、消去率
及び消去パワーマージンを広げることを試みた。一方、
熱伝導率が低くごく薄い第2の保護層を介して、記録層
から、極めて高熱伝導率の反射放熱層への放熱を促進す
ることで、記録層における温度分布が平坦になることが
判った。第2の保護層の熱伝導率を高くしても放熱効果
は促進されるが、あまり放熱が促進されると、記録に要
する照射パワーが高くなる、すなわち、記録感度が著し
く低下してしまう。
By properly designing the layer structure of the optical recording medium, the inventors of the present invention flatten the temperature distribution in the cross-track direction in the medium, thereby melting and re-amorphizing. Instead, the width that can be recrystallized is expanded, and the erasing rate and the erasing power margin are expanded. on the other hand,
It was found that the temperature distribution in the recording layer becomes flat by promoting the heat dissipation from the recording layer to the reflective heat dissipation layer having an extremely high thermal conductivity through the second protective layer having a low thermal conductivity and a very thin thickness. . Although the heat dissipation effect is promoted even if the thermal conductivity of the second protective layer is increased, if the heat dissipation is promoted too much, the irradiation power required for recording increases, that is, the recording sensitivity decreases significantly.

【0027】本発明においては低熱伝導率の、薄い第2
の保護層を用いるのが好ましい。低熱伝導率の、薄い第
2の保護層を用いることにより、記録パワー照射開始時
点の数nsec〜数10.nsecにおいて、記録層か
ら反射層への熱伝導に時間的な遅延をあたえ、その後に
反射層への放熱を促進することができるため、放熱によ
り必要以上に記録感度を低下させることがない。従来知
られている、SiO、Ta、Al、Al
N、SiN等を主成分とする保護層材料は、それ自身の
熱伝導率が高すぎて、単体では本発明の光記録媒体の第
2の保護層(4)としては好ましくない。
In the present invention, a thin second layer having a low thermal conductivity is used.
It is preferable to use the above protective layer. By using the thin second protective layer having a low thermal conductivity, several nsec to several tens of nanoseconds at the start of recording power irradiation. In nsec, heat conduction from the recording layer to the reflective layer can be delayed in time, and heat dissipation to the reflective layer can be promoted thereafter, so that the recording sensitivity is not unnecessarily lowered by heat dissipation. Conventionally known, SiO 2, Ta 2 O 5 , Al 2 O 3, Al
The protective layer material containing N, SiN or the like as a main component has a too high thermal conductivity and is not preferable as the second protective layer (4) of the optical recording medium of the present invention by itself.

【0028】一方、反射放熱層(5)における放熱は、
反射放熱層(5)の厚みを厚くしても達成できるが、反
射放熱層(5)の厚みが300nmを超えると、記録層
(3)膜面方向よりも膜厚方向の熱伝導が顕著になり、
膜面方向の温度分布改善効果が得られない。また、反射
放熱層(5)自体の熱容量が大きくなり、反射放熱層
(5)、ひいては記録層(3)の冷却に時間がかかるよ
うになって、非晶質マークの形成が阻害される。最も好
ましいのは、高熱伝導率の反射放熱層(5)を薄く設け
て横方向への放熱を選択的に促進することである。従来
用いられていた急冷構造は、膜厚方向の1次元的な熱の
逃げにのみ注目し、記録層(3)から反射放熱層(5)
に早く熱を逃すことのみを意図しており、この平面方向
の温度分布の平坦化に充分な留意が払われていなかっ
た。
On the other hand, the heat radiation in the reflection heat radiation layer (5) is
This can be achieved by increasing the thickness of the reflective heat dissipation layer (5), but when the thickness of the reflective heat dissipation layer (5) exceeds 300 nm, the heat conduction in the film thickness direction becomes more remarkable than in the film surface direction of the recording layer (3). Becomes
The effect of improving the temperature distribution in the film surface direction cannot be obtained. Further, the heat capacity of the reflective heat dissipation layer (5) itself becomes large, and it takes time to cool the reflective heat dissipation layer (5) and eventually the recording layer (3), which hinders the formation of amorphous marks. Most preferably, the reflective heat dissipation layer (5) having a high thermal conductivity is thinly provided to selectively promote heat dissipation in the lateral direction. The quenching structure used conventionally pays attention only to the one-dimensional escape of heat in the film thickness direction, and from the recording layer (3) to the reflection heat dissipation layer (5).
It was intended only to quickly release heat, and no sufficient attention was paid to the flattening of the temperature distribution in the plane direction.

【0029】なお、本発明の、いわば「第2の保護層で
の熱伝導遅延効果を考慮した超急冷構造」は、本発明に
係る記録層(3)に適用すると、従来のGeTe−Sb
Te記録層に比べて一層効果がある。なぜなら、本
発明の記録層(3)はTm近傍での再凝固時の結晶成長
が再結晶化の律速になっているからである。Tm近傍で
の冷却即速度を極限まで大きくして、非晶質マーク及び
そのエッジの形成を確実かつ明確なものとするには、超
急冷構造が有効であり、かつ、膜面方向の温度分布の平
坦化で、もともとTm近傍で高速消去可能であったもの
が、より高消去パワーまで確実に再結晶化による消去を
確保できるからである。
Incidentally, the so-called "super-quenching structure in which the heat conduction delay effect in the second protective layer is taken into consideration" of the present invention, when applied to the recording layer (3) of the present invention, is a conventional GeTe-Sb.
It is more effective than the 2 Te 3 recording layer. This is because, in the recording layer (3) of the present invention, the crystal growth during resolidification near Tm is the rate-determining factor for recrystallization. The ultra-quenching structure is effective for maximizing the immediate cooling rate in the vicinity of Tm to ensure the formation of the amorphous marks and the edges thereof, and the temperature distribution in the film surface direction. With the flattening, the high-speed erasing that was originally possible in the vicinity of Tm can surely secure the erasing by recrystallization up to a higher erasing power.

【0030】本発明においては、第2の保護層(4)の
材料としては熱伝導特性が低い方が望ましいが、その目
安は1×10−3pJ/(μm・K・nsec)であ
る。しかしながら、このような低熱伝導率材料の薄膜状
態の熱伝導率を直接測定するのは困難であり、代わり
に、熱シミュレーションと実際の記録感度の測定結果か
ら目安を得ることができる。好ましい結果をもたらす低
熱伝導率の第2の保護層材料としては、ZnS、Zn
O、TaS又は希土類硫化物のうちの少なくとも一種
を50mol%以上90mol%以下含み、かつ、融点
又は分解点が1000℃以上の耐熱性化合物とを含む複
合誘電体が望ましい。
In the present invention, it is desirable that the material of the second protective layer (4) has a low thermal conductivity, but the standard is 1 × 10 −3 pJ / (μm · K · nsec). However, it is difficult to directly measure the thermal conductivity of such a low thermal conductivity material in a thin film state, and instead, a guide can be obtained from thermal simulation and actual measurement results of recording sensitivity. Examples of the material for the second protective layer having a low thermal conductivity that gives favorable results include ZnS and Zn.
A composite dielectric containing at least one of O, TaS 2, and rare earth sulfides in an amount of 50 mol% to 90 mol% and a heat-resistant compound having a melting point or a decomposition point of 1000 ° C. or more is desirable.

【0031】より具体的には、La、Ce、Nd、Y等
の希土類の硫化物を60mol%以上90mol%以下
含む複合誘電体が望ましい。あるいは、ZnS、ZnO
もしくは希土類硫化物の組成の範囲を70〜90mol
%とすることが望ましい。これらと混合されるべき、融
点又は分解点が1000℃以上の耐熱化合物材料として
は、Mg、Ca、Sr、Y、La、Ce、Ho、Er、
Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、A
l、Si、Ge、Pb等の酸化物、窒化物、炭化物やC
a、Mg、Li等のフッ化物を用いることができる。
More specifically, a composite dielectric containing a rare earth sulfide such as La, Ce, Nd, or Y in an amount of 60 mol% to 90 mol% is desirable. Alternatively, ZnS, ZnO
Alternatively, the composition range of the rare earth sulfide is 70 to 90 mol.
It is desirable to set it as%. Examples of the heat-resistant compound material having a melting point or a decomposition point of 1000 ° C. or higher to be mixed with these include Mg, Ca, Sr, Y, La, Ce, Ho, Er,
Yb, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Zn, A
l, Si, Ge, Pb and other oxides, nitrides, carbides and C
Fluorides such as a, Mg and Li can be used.

【0032】特にZnSと混合されるべき材料としては
SiOが望ましく、本発明ではこの組み合わせが最適
であると考えている。この第2の保護層(4)の膜厚が
30nmより厚いとマーク幅方向の温度分布の充分な平
坦化効果が得られないため、30nm以下とする。好ま
しくは25nm以下とする。5nm未満では、第2の保
護層部での熱伝導の遅延効果が不充分で、記録感度低下
が著しくなり好ましくない。第2の保護層(4)の厚さ
は、記録レーザー光の波長が600〜700nmでは1
5nm〜25nmが好ましく、波長が350〜600n
mでは5〜20nmが好ましく、より好ましくは5〜1
5nmである。
Particularly, SiO 2 is desirable as a material to be mixed with ZnS, and the present invention considers that this combination is optimal. If the thickness of the second protective layer (4) is thicker than 30 nm, a sufficient flattening effect of the temperature distribution in the mark width direction cannot be obtained, so the thickness is set to 30 nm or less. It is preferably 25 nm or less. When the thickness is less than 5 nm, the effect of delaying the heat conduction in the second protective layer portion is insufficient and the recording sensitivity is significantly lowered, which is not preferable. The thickness of the second protective layer (4) is 1 when the wavelength of the recording laser light is 600 to 700 nm.
5 nm to 25 nm is preferable, and the wavelength is 350 to 600 n.
m is preferably 5 to 20 nm, more preferably 5 to 1
It is 5 nm.

【0033】なお、本発明においては、上記のように第
1、第2の保護層ともZnSとSiOを混合したもの
としているが、このように同じ材料にすると、製造上の
コスト低減の面からも有利である。
In the present invention, both the first and second protective layers are made of ZnS and SiO 2 as described above. However, if the same material is used, the manufacturing cost can be reduced. Is also advantageous.

【0034】次に、反射放熱層(5)について説明す
る。本発明においては、非常に高熱伝導率で300nm
以下の薄い反射放熱層(5)を用いて、横方向の放熱効
果を促進するのが特徴である。一般には薄膜の熱伝導率
はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり、小さくなって
いるのが普通である。特に40nm未満の薄膜では成長
初期の島状構造の影響で熱伝導率が1桁以上小さくなる
場合があり好ましくない。さらに、成膜条件によって結
晶性や不純物量が異なり、これが同じ組成でも熱伝導率
が異なる要因になる。
Next, the reflection / heat dissipation layer (5) will be described. In the present invention, it has a very high thermal conductivity of 300 nm.
The following thin reflective heat dissipation layer (5) is used to promote the heat dissipation effect in the lateral direction. In general, the thermal conductivity of a thin film differs greatly from the thermal conductivity in the bulk state and is usually small. In particular, in the case of a thin film having a thickness of less than 40 nm, the thermal conductivity may decrease by one digit or more due to the influence of the island structure at the initial stage of growth, which is not preferable. Furthermore, the crystallinity and the amount of impurities differ depending on the film forming conditions, which causes the difference in thermal conductivity even with the same composition.

【0035】本発明において良好な特性を示す高熱伝導
率の反射放熱層(5)を規定するために、反射放熱層
(5)の熱伝導率は直接測定することも可能であるが、
その熱伝導の良否を電気抵抗を利用して見積もることが
できる。金属膜のように電子が熱もしくは電気伝導を主
として司る材料においては熱伝導率と電気伝導率は良好
な比例関係があるためである。薄膜の電気抵抗はその膜
厚や測定領域の面積で規格化された抵抗率値で表わす。
体積抵抗率と面積抵抗率は通常の4探針法で測定でき、
JIS K 7194によって規定されている。本法に
より、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりもはるか
に簡便かつ再現性の良いデータが得られる。
In the present invention, the thermal conductivity of the reflective heat dissipation layer (5) can be directly measured in order to define the high thermal conductivity reflective heat dissipation layer (5) exhibiting good characteristics.
The quality of the heat conduction can be estimated by using the electric resistance. This is because the thermal conductivity and the electrical conductivity have a good proportional relationship in a material such as a metal film in which electrons mainly control heat or electrical conductivity. The electric resistance of a thin film is represented by a resistivity value standardized by the film thickness and the area of the measurement region.
Volume resistivity and area resistivity can be measured by the usual 4 probe method,
It is specified by JIS K 7194. This method provides much simpler and more reproducible data than actually measuring the thermal conductivity of the thin film itself.

【0036】本発明において好ましい反射放熱層(5)
の特性としては、体積抵抗率が20nΩ・m以上150
nΩ・m以下であり、より好ましくは20nΩ・m以上
100nΩ・m以下である。体積抵抗率20nΩ・m未
満の材料は薄膜状態では実質的に得にくい。体積抵抗率
150nΩ・mより体積抵抗率が大きい場合でも、例え
ば300nmを超える厚膜とすれば面積抵抗率を下げる
ことはできるが、本発明者らの検討によれば、このよう
な高体積抵抗率材料で面積抵抗率のみ下げても、充分な
放熱効果は得られなかった。厚膜では単位面積当たりの
熱容量が増大してしまうためと考えられる。また、この
ような厚膜では成膜に時間がかかり、材料費も増えるた
め製造コストの観点から好ましくない。さらに、膜表面
の微視的な平坦性も悪くなってしまう。好ましくは、膜
厚300nm以下で面積抵抗率0.2以上0.9Ω/□
以下が得られるような、低体積抵抗率材料を用いる。
0.5Ω/□が最も好ましい。
Reflective heat dissipation layer (5) preferred in the present invention
The characteristic is that the volume resistivity is 20 nΩ · m or more 150
It is nΩ · m or less, and more preferably 20 nΩ · m or more and 100 nΩ · m or less. A material having a volume resistivity of less than 20 nΩ · m is practically difficult to obtain in a thin film state. Even if the volume resistivity is larger than 150 nΩ · m, the sheet resistivity can be reduced by using a thick film having a thickness of more than 300 nm. However, according to the study by the present inventors, such a high volume resistivity is obtained. A sufficient heat dissipation effect could not be obtained even if only the sheet resistivity was lowered with the rate material. It is considered that the thick film increases the heat capacity per unit area. Further, such a thick film is not preferable from the viewpoint of manufacturing cost because it takes time to form the film and the material cost increases. Further, the microscopic flatness of the film surface is also deteriorated. Preferably, the area resistivity is 0.2 or more and 0.9 Ω / □ at a film thickness of 300 nm or less.
A low volume resistivity material is used such that:
0.5Ω / □ is the most preferable.

【0037】本発明に適した材料は、以下のとおりであ
る。例えば、Cuを0.3重量%以上5.0重量%以下
含有するAl−Cu系合金である。特に、ZnSとSi
を混合したものを主成分とする第2の保護層(4)
に対しては、Cuを0.5重量%以上4.0重量%以下
含有するAl−Cu系合金が、耐食性、密着性、高熱伝
導率のすべてをバランス良く満足する反射放熱層として
望ましい。
Materials suitable for the present invention are as follows. For example, it is an Al-Cu alloy containing 0.3% by weight or more and 5.0% by weight or less of Cu. Especially ZnS and Si
Second protective layer containing a mixture of O 2 as a main component (4)
On the other hand, an Al-Cu based alloy containing Cu in an amount of 0.5% by weight or more and 4.0% by weight or less is desirable as a reflection / radiation layer satisfying all of corrosion resistance, adhesion, and high thermal conductivity in good balance.

【0038】また、Siを0.3重量%以上0.8重量
%以下、Mgを0.3重量%以上1.2重量%以下含有
するAl−Mg−Si系合金も有効である。さらに、A
lにTa、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、P
d、Pt、Mg、Zr、Mo、又はMnを0.2原子%
以上2原子%以下含むAl合金は、添加元素濃度に比例
して体積抵抗率が増加し、また、耐ヒロック性が改善さ
れ、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等考慮して用いるこ
とができる。Al合金に関しては、添加不純物量0.2
原子%未満では、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は
不充分であることが多い。また、2原子%より多いと上
記の低抵抗率が得られにくい。経時安定性をより重視す
る場合には添加成分としてはTaが好ましい。
An Al-Mg-Si based alloy containing Si in an amount of 0.3 wt% to 0.8 wt% and Mg in an amount of 0.3 wt% to 1.2 wt% is also effective. Furthermore, A
l, Ta, Ti, Co, Cr, Si, Sc, Hf, P
0.2 atomic% of d, Pt, Mg, Zr, Mo, or Mn
The Al alloy containing 2 atom% or less has a volume resistivity increased in proportion to the concentration of the additional element, and has improved hillock resistance, and should be used in consideration of durability, volume resistivity, film formation rate, and the like. it can. For Al alloys, the amount of added impurities is 0.2
If it is less than atomic%, the hillock resistance is often insufficient, depending on the film forming conditions. If it is more than 2 atomic%, it is difficult to obtain the above low resistivity. When importance is attached to stability over time, Ta is preferable as an additive component.

【0039】またZnSとSiOを混合したものを主
成分とする第2の保護層(4)に対しては、Taを0.
5原子%以上、0.8原子%以下とするAlTa合金
が、耐食性、密着性、高熱伝導率のすべてをバランス良
く満足する反射放熱層として望ましい。また、Taの場
合わずか0.5原子%の添加で純AlやAl−Mg−S
i合金に比べて、スパッタリング時の成膜レートが3〜
4割アップするという製造上好ましい効果が得られる。
For the second protective layer (4) whose main component is a mixture of ZnS and SiO 2 , Ta is 0.
An AlTa alloy with a content of 5 atomic% or more and 0.8 atomic% or less is desirable as a reflective heat dissipation layer that satisfies all of corrosion resistance, adhesion, and high thermal conductivity in a well-balanced manner. Further, in the case of Ta, addition of only 0.5 atomic% of pure Al or Al-Mg-S
Compared with i alloy, the film formation rate during sputtering is 3 ~
It is possible to obtain a preferable effect in manufacturing that the amount is increased by 40%.

【0040】上記Al合金を反射放熱層として用いる場
合、好ましい膜厚は150nm以上300nm以下であ
る。150nm未満では純Alでも放熱効果は不充分で
ある。300nmを越えると、熱が水平方向より垂直方
向に逃げて、水平方向の熱分布改善に寄与しないし、反
射放熱層そのものの熱容量が大きく、却って記録層の冷
却速度が遅くなってしまう。また、膜表面の微視的な平
坦性も悪くなる。
When the above Al alloy is used as the reflection / heat dissipation layer, the preferable film thickness is 150 nm or more and 300 nm or less. If it is less than 150 nm, the heat radiation effect is insufficient even with pure Al. When it exceeds 300 nm, heat escapes in the vertical direction from the horizontal direction, does not contribute to the improvement of the heat distribution in the horizontal direction, and the heat capacity of the reflection / heat dissipation layer itself is large, which rather slows the cooling rate of the recording layer. In addition, the microscopic flatness of the film surface also deteriorates.

【0041】さらに、AgにTi、V、Ta、Nb、
W、Co、Cr、Si、Ge、Sn、Sc、Hf、P
d、Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo、又はMnを
0.2原子%以上5原子%以下含むAg合金も望まし
い。経時安定性をより重視する場合には添加成分として
はTi、Mgが好ましい。上記Ag合金を反射放熱層と
して用いる場合、好ましい膜厚は30nm以上200n
m以下である。30nm未満では純Agでも放熱効果は
不充分である。200nmを越えると、熱が水平方向よ
り垂直方向に逃げて、水平方向の熱分布改善に寄与しな
いし、不必要な厚膜は生産性を低下させる。また、膜表
面の微視的な平坦性も悪くなる。
Further, Ag, Ti, V, Ta, Nb,
W, Co, Cr, Si, Ge, Sn, Sc, Hf, P
An Ag alloy containing 0.2 atomic% or more and 5 atomic% or less of d, Rh, Au, Pt, Mg, Zr, Mo, or Mn is also desirable. When more importance is attached to stability over time, Ti and Mg are preferable as additive components. When the Ag alloy is used as the reflection / heat dissipation layer, the preferable film thickness is 30 nm or more and 200 n or less.
m or less. If it is less than 30 nm, the heat dissipation effect is insufficient even with pure Ag. When the thickness exceeds 200 nm, heat escapes in the vertical direction from the horizontal direction, does not contribute to the improvement of the heat distribution in the horizontal direction, and an unnecessary thick film reduces the productivity. In addition, the microscopic flatness of the film surface also deteriorates.

【0042】本発明者らは上記Alへの添加元素、Ag
への添加元素は、その添加元素濃度に比例して、体積抵
抗率が増加することを確認している。ところで、不純物
の添加は一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱
を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。添加
不純物量を調節することは、結晶粒径を大きくすること
で材料本来の高熱伝導率を得るために必要である。な
お、反射放熱層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成さ
れるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量もさ
ることながら、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて
全不純物量を2原子%以下とする必要がある。このため
にプロセスチャンバの到達真空度は1×10-3Pa以下
とすることが望ましい。また、10-4Paより悪い到達
真空度で成膜するなら、成膜レートを1nm/秒以上、
好ましくは10nm/秒以上として不純物が取り込まれ
るのを防ぐことが望ましい。
The inventors of the present invention added Ag, an additive element to the above Al.
It has been confirmed that the volume resistivity of the element added to the element increases in proportion to the concentration of the element added. By the way, it is considered that addition of impurities generally reduces the crystal grain size, increases electron scattering at grain boundaries, and lowers thermal conductivity. It is necessary to adjust the amount of added impurities in order to obtain the original high thermal conductivity of the material by increasing the crystal grain size. The reflective heat dissipation layer is usually formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method, but the total amount of impurities, including the amount of water and oxygen mixed during film formation as well as the amount of impurities in the target and the evaporation material itself, is 2 atoms. It must be less than or equal to%. For this reason, it is desirable that the ultimate vacuum of the process chamber is 1 × 10 −3 Pa or less. In addition, if the film is formed at an ultimate vacuum degree lower than 10 −4 Pa, the film formation rate is 1 nm / sec or more,
It is desirable to prevent impurities from being taken in, preferably at 10 nm / sec or more.

【0043】あるいは、意図的な添加元素を1原子%よ
り多く含む場合は、成膜レートを10nm/秒以上とし
て付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。成膜
条件は不純物量とは無関係に結晶粒径に影響を及ぼす場
合もある。例えば、AlにTaを2原子%程度混入した
合金膜は、結晶粒の間に非晶質相が混在するが、結晶相
と非晶質相の割合は成膜条件に依存する。また、低圧で
スパッタするほど結晶部分の割合が増え、体積抵抗率が
下がり、熱伝導率が増加する。膜中の不純物組成あるい
は結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲットの製法や
スパッタガス(Ar、Ne、Xe等)にも依存する。こ
のように、薄膜状態の体積抵抗率は金属材料、組成のみ
によっては決まらない。高熱伝導率を得るためには、上
記のように、不純物量を少なくするのが望ましいが、一
方で、AlやAgの純金属は耐食性や耐ヒロック性に劣
る傾向があるため、両者のバランスを考慮して最適組成
が決まる。
Alternatively, when the intentional additive element is contained in an amount of more than 1 atomic%, it is desirable that the film formation rate is 10 nm / sec or more to prevent the addition of additional impurities as much as possible. The film forming conditions may affect the crystal grain size regardless of the amount of impurities. For example, in an alloy film in which about 2 atomic% of Ta is mixed with Al, an amorphous phase is mixed between crystal grains, but the ratio of the crystal phase and the amorphous phase depends on the film forming conditions. Further, as the sputtering is performed at a lower pressure, the proportion of crystal parts increases, the volume resistivity decreases, and the thermal conductivity increases. The impurity composition or crystallinity in the film also depends on the manufacturing method of the alloy target used for sputtering and the sputtering gas (Ar, Ne, Xe, etc.). As described above, the volume resistivity in a thin film state is not determined only by the metal material and composition. In order to obtain high thermal conductivity, it is desirable to reduce the amount of impurities as described above, but on the other hand, pure metals such as Al and Ag tend to be inferior in corrosion resistance and hillock resistance. The optimum composition is determined in consideration.

【0044】さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために
反射放熱層を多層化することも有効である。このとき、
少なくとも1層は全反射放熱層膜厚の50%以上の膜厚
を有する上記低体積抵抗率材料として実質的に放熱効果
を司り、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロッ
ク性の改善に寄与するように構成される。より具体的に
は、金属中最も高熱伝導率および低体積抵抗率であるA
gはSを含む保護層との相性が悪く、繰返しオーバーラ
イトした場合の劣化がやや速いという傾向がある。ま
た、高温高湿の加速試験環境下で腐食を生じやすい傾向
がある。そこで、低体積抵抗率材料としてAg及びAg
合金を用い、上部保護層との間に界面層としてAlを主
成分とする合金層を1nm以上100nm以下設けるこ
とも有効である。厚さを5nm以上とすれば、層が島状
構造とならず均一に形成されやすい。
It is also effective to make the reflection and heat dissipation layer multi-layered in order to obtain higher heat conduction and higher reliability. At this time,
At least one layer substantially controls the heat radiation effect as the low volume resistivity material having a film thickness of 50% or more of the total reflection heat radiation layer thickness, and the other layers have corrosion resistance, adhesion with the protective layer, and hillock resistance. Configured to contribute to the improvement of. More specifically, A, which has the highest thermal conductivity and the lowest volume resistivity among metals,
g has poor compatibility with the protective layer containing S, and tends to deteriorate a little when repeatedly overwritten. In addition, corrosion tends to occur in an accelerated test environment of high temperature and high humidity. Therefore, Ag and Ag are used as the low volume resistivity material.
It is also effective to use an alloy and to provide an alloy layer containing Al as a main component between 1 nm and 100 nm inclusive as an interface layer between the alloy and the upper protective layer. When the thickness is 5 nm or more, the layer does not have an island structure and is easily formed uniformly.

【0045】Al合金としては前述と同様に例えば、T
a、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、P
t、Mg、Zr、Mo、又はMnを0.2原子%以上2
原子%以下含むAl合金が挙げられる。界面層の厚さは
1nm未満では保護効果が不充分で、100nmを越え
ると放熱効果が犠牲になる。界面層の使用は、特に反射
放熱層がAg又はAg合金の場合に有効である。なぜな
ら、Agは本発明で好ましいとされる硫化物を含む保護
層との接触により、比較的硫化による腐食を起こしやす
いからである。
As the Al alloy, for example, T
a, Ti, Co, Cr, Si, Sc, Hf, Pd, P
t, Mg, Zr, Mo, or Mn is 0.2 atomic% or more 2
An Al alloy containing at most atomic% can be used. If the thickness of the interface layer is less than 1 nm, the protective effect is insufficient, and if it exceeds 100 nm, the heat dissipation effect is sacrificed. The use of the interface layer is particularly effective when the reflection / heat dissipation layer is Ag or an Ag alloy. This is because Ag is relatively likely to be corroded by sulfidation when it comes into contact with the protective layer containing sulfide which is preferred in the present invention.

【0046】さらにAg合金反射層とAl合金界面層を
用いる場合、AgとAlは比較的相互拡散しやすい組み
合わせであるので、Al表面を1nmより厚く、酸化し
て界面酸化層を設けることがいっそう好ましい。界面酸
化層が5nm、特に10nmを越えるとそれが熱抵抗と
なり、本来の趣旨である、極めて放熱性の高い反射放熱
層としての機能が損なわれるので好ましくない。反射放
熱層の多層化は、高体積抵抗率材料と低体積抵抗率材料
を組み合わせて所望の膜厚で所望の面積抵抗率を得るた
めにも有効である。合金化による体積抵抗率調節は、合
金ターゲットの使用によりスパッタ工程を簡素化できる
が、ターゲット製造コスト、ひいては媒体の原材料比を
上昇させる要因にもなる。したがって、純Alや純Ag
の薄膜と上記添加元素そのものの薄膜を多層化して所望
の体積抵抗率を得ることも有効である。層数が3層程度
までであれば、初期の装置コストは増加するものの、個
々の媒体コストはかえって抑制できる場合がある。反射
放熱層を複数の金属膜からなる多層反射放熱層とし、全
膜厚を40nm以上300nm以下とし、多層反射放熱
層の厚さの50%以上が体積抵抗率20nΩ・m以上1
50nΩ・m以下の金属薄膜層(多層であっても良い)
とするのが好ましい。
Further, when the Ag alloy reflection layer and the Al alloy interface layer are used, since Ag and Al are a combination that is relatively easy to diffuse into each other, it is more preferable to oxidize the Al surface to a thickness of more than 1 nm to provide the interface oxide layer. preferable. If the interface oxide layer exceeds 5 nm, especially 10 nm, it becomes a thermal resistance, and the function as a reflection heat dissipation layer having an extremely high heat dissipation property is impaired, which is not preferable. The multilayered reflection / heat dissipation layer is also effective for obtaining a desired sheet resistivity with a desired film thickness by combining a high volume resistivity material and a low volume resistivity material. The adjustment of the volume resistivity by alloying can simplify the sputtering process by using the alloy target, but it also increases the manufacturing cost of the target and eventually the raw material ratio of the medium. Therefore, pure Al and pure Ag
It is also effective to obtain a desired volume resistivity by forming a multi-layer of the above thin film and the above thin film of the additive element itself. If the number of layers is up to about 3, the initial device cost may increase, but the individual medium cost may be suppressed rather. The reflection / heat dissipation layer is a multilayer reflection / heat dissipation layer composed of a plurality of metal films, the total thickness is 40 nm or more and 300 nm or less, and 50% or more of the thickness of the multilayer reflection / heat dissipation layer is 20 nΩ · m or more in volume resistivity.
Metal thin film layer of 50 nΩ · m or less (may be multi-layer)
Is preferred.

【0047】図2は、上記のような構成の光記録媒体の
1完成イメージであり、反射放熱層(5)の上に紫外線
もしくは熱硬化性の樹脂(保護コート層(6))を介し
て保護基板(7)が貼り合わされる。保護コート層
(6)は、上記樹脂をスピンコート等によって塗布して
なり、保護基板(7)は、基板(1)と同様にポリカー
ボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、
あるいは透明ガラスを用いることができる。なかでも、
ポリカーボネート樹脂は安価であり最も好ましい。
FIG. 2 shows one completed image of the optical recording medium having the above-mentioned structure, in which an ultraviolet ray or a thermosetting resin (protective coating layer (6)) is provided on the reflective heat radiation layer (5). The protective substrate (7) is attached. The protective coat layer (6) is formed by applying the above resin by spin coating or the like, and the protective substrate (7) is a transparent resin such as polycarbonate, acryl, or polyolefin, similar to the substrate (1).
Alternatively, transparent glass can be used. Above all,
Polycarbonate resin is inexpensive and most preferable.

【0048】図3は、図2の保護基板(7)に代わっ
て、保護コート層(6)を介して、もう1枚光記録媒体
を下の光記録媒体と鏡像関係になるように貼り合わせた
ものである。下の光記録媒体の基板(1)、第1の保護
層(2)、記録層(3)、第2の保護層(4)、反射放
熱層(5)に対応して、基板(1’)、第1の保護層
(2’)、記録層(3’)、第2の保護層(4’)、反
射放熱層(5’)よりなり、材料各層の厚さも同じにさ
れる。このようにすると、単に光記録媒体を保護できる
だけではなく、記録容量を2倍にすることができる。
FIG. 3 shows that, in place of the protective substrate (7) of FIG. 2, another optical recording medium is attached via a protective coat layer (6) in a mirror image relationship with the optical recording medium below. It is a thing. Corresponding to the substrate (1), the first protective layer (2), the recording layer (3), the second protective layer (4), and the reflective heat dissipation layer (5) of the lower optical recording medium, the substrate (1 ' ), The first protective layer (2 ′), the recording layer (3 ′), the second protective layer (4 ′), and the reflection / heat dissipation layer (5 ′), and the material layers have the same thickness. By doing so, not only can the optical recording medium be protected, but the recording capacity can be doubled.

【0049】次に、本発明の光記録媒体に情報を記録す
る方法について説明する。本発明の光記録媒体に光を照
射することによってマーク長変調された情報を複数の記
録マーク長により記録するにあたり、一つの記録マーク
の時間的な長さをnTとしたとき(Tは基準クロック周
期であって25ns以下である。nは2以上の自然数で
ある。)、記録マークの時間的な長さnTを、
Next, a method of recording information on the optical recording medium of the present invention will be described. When recording the information of which the mark length is modulated by irradiating the optical recording medium of the present invention with a plurality of recording mark lengths, assuming that the time length of one recording mark is nT (T is a reference clock). The period is 25 ns or less, n is a natural number of 2 or more.), And the temporal length nT of the recording mark is

【0050】[0050]

【数1】η1T、α1T、β1T、α2T、β2T、…α
T、βT、…、αmT、βmT、η2T (mはパルス分割数である。Σi(αi+βi)+η1+η
2=nである。αi(1≦i≦m)は0より大きい実数で
あり、βi(1≦i≦m−1)は0より大きい実数であ
り、βmは0以上の実数である。η1およびη2はそれぞ
れ−2以上2以下の実数である。)の順に分割し、α
T(1≦i≦m)の時間内においては記録パワーPwi
の記録光を照射し、βT(1≦i≦m−1)の時間内
においては、Pbi<PwiかつPbi<Pwi+1
るバイアスパワーPbiの記録光を照射し、少なくとも
一つの記録マークの時間的長さについては上述パルス分
割数mを2以上とし、かつ全ての記録マークの時間的長
さについてn/m≧1.25を満たすようにする。
## EQU1 ## η 1 T, α 1 T, β 1 T, α 2 T, β 2 T, ... α i
T, β i T, ..., α m T, β m T, η 2 T (m is the pulse division number. Σ ii + β i ) + η 1 + η
2 = n. α i (1 ≦ i ≦ m) is a real number greater than 0, β i (1 ≦ i ≦ m−1) is a real number greater than 0, and β m is a real number greater than or equal to 0. Each of η 1 and η 2 is a real number of −2 or more and 2 or less. ) Order, and α i
Within the time period of T (1 ≦ i ≦ m), the recording power Pwi
Of the recording light of the bias power Pbi satisfying Pbi <Pwi and Pbi <Pwi + 1 within a time period of β i T (1 ≦ i ≦ m−1). Regarding the temporal length, the pulse division number m is set to 2 or more, and n / m ≧ 1.25 is satisfied for the temporal length of all recording marks.

【0051】ところで、前述のように本発明では基板
(1)に、記録書込み用のレーザー光を案内するピッチ
0.8μm以下(例えば0.74μm)の溝を設けてお
り、その溝形成面に、記録層(3)やその他の層を設け
ている。そして2枚の光記録媒体を互いの溝および記録
層(3)などを形成した面を向かい合わせ、鏡像関係に
なるように積層接合して記録容量を2倍にした光記録媒
体を実現しており、図3はそれを示したものである。つ
まり2枚の光記録媒体は鏡像関係になるように積層接合
してなるので、互いの溝部等(ランド部およびグルーブ
部)は完全にその位置が一致している。
By the way, as described above, in the present invention, the substrate (1) is provided with the groove having the pitch of 0.8 μm or less (for example, 0.74 μm) for guiding the laser beam for recording and writing, and the groove forming surface is formed. The recording layer (3) and other layers are provided. Then, two optical recording media are made to face each other with their surfaces having grooves and recording layers (3) formed thereon, and are laminated and bonded in a mirror image relationship to realize an optical recording medium with double the recording capacity. FIG. 3 shows this. That is, since the two optical recording media are laminated and joined so as to have a mirror image relationship, the positions of the grooves and the like (lands and grooves) are completely the same.

【0052】これは本発明のような通常の2倍の容量を
得るための記録媒体としての性能上は何ら問題は生じな
いが、一方で、このような高精度に互いのランド部およ
びグルーブ部が鏡像関係となるように精度良く一致させ
て積層接着する場合、その製造コストは非常に高いもの
となる。なぜならば、積層時の位置合わせに高精度の治
工具が必要となるし、接着剤はそれ自身流動性を持って
いるし、またそれが硬化する際に、一時的に発熱した
り、流動性が増加したりするので、積層時の高精度な位
置合わせを狂わせたりするからである。つまり、大変高
精度な位置合わせ治工具ならびに接着治工具が必要とな
るのである。
This does not cause any problem in terms of performance as a recording medium for obtaining a capacity twice as large as that of the present invention, but on the other hand, the land portion and groove portion of each other with such high precision are provided. When they are laminated and adhered with high accuracy so that they have a mirror image relationship, the manufacturing cost thereof is very high. This is because a highly accurate jig and tool is required for alignment during stacking, the adhesive itself has fluidity, and when it cures, it temporarily generates heat and fluidity. Is increased, which may cause misalignment of highly accurate alignment during stacking. In other words, very accurate positioning jigs and adhesive jigs are required.

【0053】図4は、このような本発明を適用した2枚
積層型の光記録媒体ならびにそのドライブ装置を模式的
に示したものである。図中、(8)は2枚積層光記録媒
体、(8−1)は第1の光記録媒体、(8−2)は第2
の光記録媒体、(9)は光記録媒体の中心部分に形成さ
れた円状開口、(10)はこのような光記録媒体のラン
ドおよびグルーブ部にレーザー光を照射し、光学的にア
クセスしながら、記録ビット情報を記録するピックアッ
プユニット、(11)は光記録媒体を回す回転軸、(1
2)はドライブ装置を示している。
FIG. 4 schematically shows such a two-layer laminated type optical recording medium to which the present invention is applied and its drive device. In the figure, (8) is a two-layer laminated optical recording medium, (8-1) is a first optical recording medium, and (8-2) is a second optical recording medium.
Optical recording medium, (9) is a circular opening formed in the central portion of the optical recording medium, and (10) is a laser beam irradiating land and groove portions of such an optical recording medium for optical access. However, a pickup unit for recording the recording bit information, (11) is a rotating shaft for rotating the optical recording medium, (1)
2) shows a drive device.

【0054】図4(a)は、2枚積層光記録媒体(8)
をドライブ装置(12)に装着していない状態であり、
図4(b)は、光記録媒体の中心部分に形成された円状
開口(9)を回転軸(11)に差し込んで2枚積層光記
録媒体(8)をドライブ装置(12)に装着した状態を
示している。ピックアップユニット(10)は、図の矢
印方向に移動しながら、グルーブ部に記録ビット情報の
記録を行なう。
FIG. 4A shows a two-layer laminated optical recording medium (8).
Is not attached to the drive device (12),
In FIG. 4 (b), the circular opening (9) formed in the central portion of the optical recording medium is inserted into the rotating shaft (11), and the two-layer laminated optical recording medium (8) is mounted in the drive device (12). It shows the state. The pickup unit (10) records the recording bit information in the groove portion while moving in the direction of the arrow in the figure.

【0055】ところで、本発明者は、このような2枚積
層による2倍の容量の光記録媒体の研究開発を通じて、
上記のような上下2枚の光記録媒体(8−1)、(8−
2)を高精度に積層接着し、上下の溝部も完全に一致さ
せるように苦慮しているうちに、あることに気が付い
た。すなわち、本発明のような2枚の光記録媒体を積層
接着した光記録媒体で図4に示したようなドライブ装置
で実際に記録ビット情報の記録を行なう場合、それぞれ
片側ずつで記録を行なうという使い方が一般的であると
考えられる。つまり図4の例で説明すると、光記録媒体
(8−2)で記録ビット情報の記録を行なうという作業
を行なって、それがすんだら、光記録媒体(8)の上下
を裏返して、次に光記録媒体(8−1)で記録ビット情
報の記録を行なうという使い方が一般的であると考えら
れる。あるいは、ドライブ装置がやや高価になるが、図
4に示したピックアップユニット(10)を、光記録媒
体(8)の上下に設け、光記録媒体(8)の上下の裏返
しを行なわないという使い方も考えられる。
By the way, the present inventor has conducted research and development of an optical recording medium having a double capacity by stacking two sheets as described above.
The above two upper and lower optical recording media (8-1), (8-
I noticed that there was something while I was trying to stack and adhere 2) with high precision and making the upper and lower grooves completely match. That is, in the case of actually recording the recording bit information by the drive device as shown in FIG. 4 in the optical recording medium in which two optical recording media such as the present invention are laminated and adhered, recording is performed on one side each. The usage is considered to be general. That is, to explain with reference to the example of FIG. 4, when the recording bit information is recorded on the optical recording medium (8-2), and when it is completed, the optical recording medium (8) is turned upside down and then It is considered that the optical recording medium (8-1) is generally used for recording recording bit information. Alternatively, although the drive device is slightly expensive, the pickup unit (10) shown in FIG. 4 is provided above and below the optical recording medium (8) and the optical recording medium (8) is not turned upside down. Conceivable.

【0056】しかしいずれにしろ、記録ビット情報の記
録という作業は、ピックアップユニット(10)(ある
いは図示しないもう一つのピックアップユニット)によ
って高精度に行なわれるため、トラッキングエラー、記
録のエラーなどを防止するためには必ずしも、上下2枚
の光記録媒体(8−1)、(8−2)の上下の溝部まで
も完全に一致させる必要はないということに気が付い
た。それよりもむしろ、本発明のような2枚積層光記録
媒体(8)が、ドライブ装置(12)に設置できるよう
にすることが重要な課題であることに気が付いた。つま
り本発明のような2枚積層光記録媒体(8)は、ドライ
ブ装置(12)に設置でき、回転軸(11)によって光
記録媒体を回転できれば、トラッキング制御されたピッ
クアップユニット(10)によって、自由に記録ビット
情報の記録ができるので、上下2枚の光記録媒体(8−
1)、(8−2)を高精度に積層接着し、上下の溝部も
完全に一致させないようにした。図5は、本発明の2枚
積層光記録媒体(8)の部分断面図であり、第1の光記
録媒体(8−1)と第2の光記録媒体(8−2)のそれ
ぞれの互いの溝部等(ランドおよびグルーブ)を一致さ
せないようにして製作したものである。
In any case, however, the operation of recording the recording bit information is performed with high accuracy by the pickup unit (10) (or another pickup unit not shown), so that tracking error, recording error, etc. are prevented. Therefore, it has been found that it is not always necessary to completely match the upper and lower groove portions of the upper and lower optical recording media (8-1) and (8-2). Instead, I realized that it is an important issue to be able to install the two-layer laminated optical recording medium (8) of the present invention in the drive device (12). That is, the two-layer laminated optical recording medium (8) according to the present invention can be installed in the drive device (12), and if the optical recording medium can be rotated by the rotation shaft (11), the tracking control pickup unit (10) can be used. Since recording bit information can be freely recorded, two upper and lower optical recording media (8-
1) and (8-2) were laminated and adhered with high precision so that the upper and lower groove portions were not completely aligned. FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the double-layered optical recording medium (8) of the present invention, in which each of the first optical recording medium (8-1) and the second optical recording medium (8-2) is separated from each other. It was manufactured so that the groove portions (lands and grooves) of (1) do not match.

【0057】図6は、第1の光記録媒体(8−1)と第
2の光記録媒体(8−2)のそれぞれの円状開口をずら
して積層接着した例を示したものであり、第1の光記録
媒体の円状開口(9−1)と第2の光記録媒体の円状開
口(9−2)の中心点はX方向にΔX、Y方向にΔYず
らして積層接着したものである。この場合、それぞれの
円状開口(9−1)と(9−2)の直径(D1)、(D
2)は等しくなるように形成されている(=Φ15m
m)ので、2枚積層光記録媒体(8)の円状開口(9)
は、(D1)(もしくは(D2))より(ΔX+ΔY
)の平方根の値分だけ小さい値となり、それが2枚積
層光記録媒体8の実質的な円状開口(9)の直径とみな
される。そしてその2枚積層光記録媒体(8)の実質的
な円状開口(9)の直径は、ドライブ装置(12)の回
転軸(11)の直径よりも小さい値となるような円状開
口(9−1)と(9−2)の中心点のずれ量とされる。
FIG. 6 shows an example in which the circular openings of the first optical recording medium (8-1) and the second optical recording medium (8-2) are displaced and laminated and bonded. The center points of the circular opening (9-1) of the first optical recording medium and the circular opening (9-2) of the second optical recording medium are offset by ΔX in the X direction and ΔY in the Y direction and laminated and bonded. Is. In this case, the diameters (D1) and (D1) of the circular openings (9-1) and (9-2), respectively.
2) are formed to be equal (= Φ15m
m) so that the circular aperture (9) of the two-layer laminated optical recording medium (8)
Is (ΔX 2 + ΔY) from (D1) (or (D2))
The value becomes smaller by the value of the square root of 2 ), which is regarded as the diameter of the substantially circular opening (9) of the two-layer laminated optical recording medium 8. The diameter of the substantially circular opening (9) of the two-layer laminated optical recording medium (8) is smaller than the diameter of the rotation shaft (11) of the drive device (12) ( The amount of deviation between the center points of 9-1) and (9-2) is set.

【0058】本発明では、このずれ量を、少なくとも第
1の光記録媒体(8−1)と第2の光記録媒体(8−
2)の互いの基板の相対する溝が1列以上ずれるように
して積層接着される。つまり、記録ビット情報を記録す
る溝列の1ピッチ分以上ずれるようにして積層接着され
る。具体的には接着工程における接着剤の硬化時に、接
着剤が流動性を示すという性質を利用することによって
得られる。またそのずれ量の上限は、このような2枚積
層光記録媒体(8)が、ドライブ装置(12)に設置で
きる範囲内とされる。具体的にはその2枚積層光記録媒
体(8)の実質的な円状開口(9)の直径が、ドライブ
装置(12)の回転軸(11)の直径とほぼ同じ値であ
るが、実質的な円状開口(9)の内壁と回転軸(11)
の外壁が適度なフリクションを持ち、2枚積層光記録媒
体(8)がドライブ装置(12)に固定され、回転軸
(11)によって、2枚積層光記録媒体(8)が回転軸
(11)に対して滑ることなく同じ回転数で回転できる
ということが設置できる範囲内という意味である。
In the present invention, this shift amount is at least the first optical recording medium (8-1) and the second optical recording medium (8-
In 2), the grooves are bonded to each other so that the grooves facing each other are offset by one or more rows. That is, they are laminated and bonded so as to be displaced by one pitch or more of the groove row for recording the recording bit information. Specifically, it is obtained by utilizing the property that the adhesive exhibits fluidity when the adhesive is cured in the bonding step. Further, the upper limit of the amount of deviation is set within a range in which such a double-layered optical recording medium (8) can be installed in the drive device (12). Specifically, the diameter of the substantially circular opening (9) of the two-layer laminated optical recording medium (8) is substantially the same as the diameter of the rotating shaft (11) of the drive device (12), but Inner wall of rotating circular opening (9) and rotating shaft (11)
The outer wall of the device has an appropriate friction, the two-layer laminated optical recording medium (8) is fixed to the drive device (12), and the two-layer laminated optical recording medium (8) is rotated by the rotation shaft (11). On the other hand, being able to rotate at the same number of rotations without slipping means that it can be installed.

【0059】他に重要な点は図4(b)に示したよう
に、矢印方向に移動するピックアップ(10)がフォー
カシングやトラッキングでき、追従できるという点であ
る。つまり製作上の低コスト化を図るために、第1の光
記録媒体(8−1)と第2の光記録媒体(8−2)の互
いのずれ量はできるだけ大きくして、ラフな構成の2枚
積層光記録媒体(8)とするわけであるが、そのずれ量
の上限は、ピックアップ(10)が追従できる範囲内と
することにより、低コスト化および満足すべき性能の両
面が実現できるのである。
Another important point is that, as shown in FIG. 4B, the pickup (10) moving in the arrow direction can perform focusing, tracking and tracking. That is, in order to reduce the manufacturing cost, the amount of misalignment between the first optical recording medium (8-1) and the second optical recording medium (8-2) is made as large as possible, and a rough structure is obtained. The two-layer laminated optical recording medium (8) is used, but by setting the upper limit of the shift amount within the range that the pickup (10) can follow, both cost reduction and satisfactory performance can be realized. Of.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明の請求項1により、このような光記録
媒体において、基板に溝を形成し、その上に記録層など
を形成した面を、互いに向かい合わせて2枚積層すると
ともに、互いの基板の相対する溝を1列以上ずらし、か
つ、この2枚積層した光記録媒体を、駆動するドライブ
装置に設置可能な範囲内のずらし量として積層接着する
ようにしたので、通常の2倍の大容量化が実現できるよ
うになる。また、2枚積層接着して製作する際に生ずる
位置ずれ量を、互いの基板の相対する溝の1列以上と
し、かつ、この2枚積層した光記録媒体を駆動するドラ
イブ装置に設置可能な範囲内のずらし量としたので、ド
ライブ装置に良好に取り付けることが可能となり、しか
も、位置ずれの許容範囲をゆるくかつ明確にしたので、
低コストでこのような2枚積層接着した光記録媒体が実
現できるようになる。また、本発明の請求項2により、
このような光記録媒体において、2枚の光記録媒体のず
らし量を2枚の光記録媒体のそれぞれの中心に設けられ
た円状の穴の中心軸のずれ量の範囲内としたので、上記
第1の効果に加え、このような2枚積層接着した光記録
媒体がドライブ装置の回転軸部に無理することなく必ず
入れられるので、ユーザーが無理やり差し込んで、ドラ
イブ装置の回転軸部、あるいは光記録媒体の穴部内壁を
傷つけたり、さらにはドライブ装置全体を破損したり、
光記録媒体そのものを変形させたり、破損させたりする
という事故が皆無となる。さらにまた、本発明の請求項
3により、このような光記録媒体において、基板に溝を
形成し、その上に記録層などを形成した面を、互いに向
かい合わせて2枚積層するとともに、互いの基板の相対
する溝を1列以上ずらし、かつ、この2枚積層した光記
録媒体を、駆動するドライブ装置に設置可能な範囲内の
ずらし量として積層接着するようにしたので、通常の2
倍の大容量化が実現できるようになる。また、2枚積層
接着して製作する際に生ずる位置ずれ量を、互いの基板
の相対する溝の1列以上とし、かつ、この2枚積層した
光記録媒体を駆動するドライブ装置に設置した際に、ド
ライブ装置の書き込み用ピックアップが追従できる範囲
内のずらし量として積層接着するようにしたので、接着
する際の位置ずれ精度がそれほど厳しくなく、低コスト
でこのような2枚積層接着した光記録媒体を製作できる
ようになる。また、そのずれ量は、ドライブ装置の書き
込み用ピックアップが追従できる範囲内としているの
で、機能上も全く問題は生じない。
As is apparent from the detailed and specific description above, according to claim 1 of the present invention, in such an optical recording medium, a groove is formed in a substrate and a recording layer or the like is formed thereon. The two surfaces are laminated so that they face each other, and the opposing grooves of the substrates are offset by at least one row, and the optical recording medium having the two laminated layers is within a range that can be installed in a drive device for driving. Since the layers are bonded by laminating as a shift amount, it is possible to realize a capacity double that of a normal case. In addition, the amount of positional deviation that occurs when two sheets are laminated and adhered to each other is set to one or more rows of grooves facing each other, and the optical disc can be installed in a drive device that drives the two laminated optical recording media. Since the amount of shift is within the range, it is possible to install it in the drive device satisfactorily, and since the allowable range of positional deviation is loose and clear,
It becomes possible to realize such an optical recording medium in which two layers are bonded together at low cost. Further, according to claim 2 of the present invention,
In such an optical recording medium, the shift amount of the two optical recording media is set within the range of the shift amount of the central axis of the circular hole provided at the center of each of the two optical recording media. In addition to the first effect, since such an optical recording medium having two layers laminated and adhered can be inserted into the rotary shaft portion of the drive device without force, the user can forcefully insert the rotary shaft portion of the drive device or the optical recording medium. The inner wall of the hole of the recording medium may be damaged, or the entire drive unit may be damaged.
There is no accident that the optical recording medium itself is deformed or damaged. Furthermore, according to claim 3 of the present invention, in such an optical recording medium, two grooves are formed on the substrate, and the surfaces on which the recording layer and the like are formed face each other and are laminated together. Since the grooves facing each other on the substrate are displaced by one or more rows, and the two optical recording media that are laminated are laminated and bonded to each other within a shift amount that can be set in a drive device to be driven,
Double the capacity can be realized. In addition, when the two sheets are laminated and bonded to each other, the positional deviation amount is one row or more of the grooves facing each other, and when the two optical recording media are laminated and installed in a drive device. In addition, since the lamination adhesion is performed as a shift amount within a range that can be followed by the writing pickup of the drive device, the positional deviation accuracy at the time of adhesion is not so severe, and such optical recording with two lamination adhesion at low cost. You will be able to make media. Further, since the amount of deviation is within the range that the writing pickup of the drive device can follow, there is no problem in terms of function.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に適用される光記録媒体の記録層などの
層構成を説明するための部分断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view for explaining a layer structure such as a recording layer of an optical recording medium applied to the present invention.

【図2】本発明が実際に完成した場合を説明するための
部分断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view for explaining a case where the present invention is actually completed.

【図3】本発明が実際に完成した場合の他の構成例を説
明するための部分断面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view for explaining another configuration example when the present invention is actually completed.

【図4】本発明を適用した2枚積層型の光記録媒体なら
びにそのドライブ装置を模式的に示した図である。
FIG. 4 is a diagram schematically showing a two-layer laminated optical recording medium and a drive device thereof to which the present invention is applied.

【図5】本発明の2枚積層光記録媒体(8)の部分断面
図である。
FIG. 5 is a partial sectional view of a double-layered optical recording medium (8) of the present invention.

【図6】第1の光記録媒体(8−1)と第2の光記録媒
体(8−2)のそれぞれの円状開口をずらして積層接着
した例を示した図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example in which circular openings of the first optical recording medium (8-1) and the second optical recording medium (8-2) are shifted and laminated and bonded.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 1’ 基板 2 第1の保護層 2’ 第1の保護層 3 記録層 3’…記録層 4 第2の保護層 4’ 第2の保護層 5 反射放熱層 5’ 反射放熱層 6 保護コート層 7 保護基板 8 2枚積層光記録媒体 8−1 第1の光記録媒体 8−2 第2の光記録媒体 9 円状開口 9−1 円状開口 9−2 円状開口 10 ピックアップユニット 11 回転軸 12 ドライブ装置 D−1 直径 D−2 直径 1 substrate 1'substrate 2 First protective layer 2'first protective layer 3 recording layers 3 '... recording layer 4 Second protective layer 4'second protective layer 5 Reflective heat dissipation layer 5'Reflective heat dissipation layer 6 Protective coating layer 7 Protective board 8 Two-layer laminated optical recording medium 8-1 First optical recording medium 8-2 Second optical recording medium 9 circular openings 9-1 Circular opening 9-2 circular opening 10 pickup unit 11 rotation axis 12 Drive device D-1 diameter D-2 diameter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 538 G11B 7/24 538E (72)発明者 安倍 通治 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 篠塚 道明 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 5D029 JA01 JB13 LA14 LA15 MA13 RA27 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G11B 7/24 538 G11B 7/24 538E (72) Inventor Tsuji Abe 1-3, Nakamagome, Ota-ku, Tokyo No. 6 In Ricoh Company (72) Inventor Yoshiyuki Kageyama 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo In-house Ricoh Company (72) Kazunori Ito 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Shares Within Ricoh Company (72) Inventor Michiaki Shinozuka 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo F-terms within Ricoh Company, Ltd. (reference) 5D029 JA01 JB13 LA14 LA15 MA13 RA27

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光照射による結晶とアモルファスの相転
移現象を利用した光記録媒体において、該光記録媒体
は、溝を形成した基板上に、第1の保護層、記録層、第
2の保護層、反射放熱層をこの順序で積層した構成と
し、前記溝部の記録層において、記録ビット情報を記録
あるいは消去する光記録媒体であって、前記第1、第2
の保護層はZnSとSiOの混合物よりなり、前記記
録層はGe、Sb、Teを主たる構成元素とし、前記反
射放熱層はAl合金よりなり、前記光記録媒体を間に樹
脂接着層を介して、前記第1の保護層、記録層、第2の
保護層、反射放熱層を形成した面を互いに向かい合わせ
て2枚積層するとともに、互いの基板の相対する溝を1
列以上ずらし、かつ、この2枚積層した光記録媒体を駆
動するドライブ装置に設置可能な範囲内のずらし量とし
て積層接着したことを特徴とする光記録媒体。
1. An optical recording medium utilizing a crystal-amorphous phase transition phenomenon by light irradiation, wherein the optical recording medium comprises a first protective layer, a recording layer, and a second protective layer on a grooved substrate. An optical recording medium having a structure in which a recording layer and a reflection heat dissipation layer are laminated in this order, and recording or erasing recording bit information in the recording layer of the groove portion.
Of the protective layer is made of a mixture of ZnS and SiO 2 , the recording layer has Ge, Sb, and Te as main constituent elements, the reflective heat dissipation layer is made of an Al alloy, and a resin adhesive layer is interposed between the optical recording medium. Then, the two surfaces on which the first protective layer, the recording layer, the second protective layer, and the reflection / heat dissipation layer are formed face each other, and two sheets are laminated, and the opposing grooves of the substrates are formed into one.
An optical recording medium, which is shifted by more than one row and is laminated and bonded so that the amount of shift is within a range that can be set in a drive device for driving the optical recording medium having the two laminated layers.
【請求項2】 前記ずらし量は、前記2枚の光記録媒体
のそれぞれの中心に設けられた円状の穴の中心軸のずれ
量としたことを特徴とする請求項1に記載の光記録媒
体。
2. The optical recording according to claim 1, wherein the shift amount is a shift amount of a central axis of a circular hole provided at the center of each of the two optical recording media. Medium.
【請求項3】 光照射による結晶とアモルファスの相転
移現象を利用した光記録媒体において、該光記録媒体
は、溝を形成した基板上に、第1の保護層、記録層、第
2の保護層、反射放熱層をこの順序で積層した構成と
し、前記溝部の記録層において、記録ビット情報を記録
あるいは消去する光記録媒体であって、前記第1、第2
の保護層はZnSとSiOの混合物よりなり、前記記
録層はGe、Sb、Teを主たる構成元素とし、前記反
射放熱層はAl合金よりなり、前記記録媒体を間に樹脂
接着層を介して、前記第1の保護層、記録層、第2の保
護層、反射放熱層を形成した面を互いに向かい合わせて
2枚積層するとともに、互いの基板の相対する溝を1列
以上ずらし、かつ、この2枚積層した光記録媒体を駆動
するドライブ装置に設置し、該ドライブ装置の書き込み
用ピックアップが追従できる範囲内のずらし量として積
層接着したことを特徴とする光記録媒体。
3. An optical recording medium utilizing a crystal-amorphous phase transition phenomenon by light irradiation, wherein the optical recording medium comprises a first protective layer, a recording layer and a second protective layer on a substrate having a groove formed therein. An optical recording medium having a structure in which a recording layer and a reflection heat dissipation layer are laminated in this order, and recording or erasing recording bit information in the recording layer of the groove portion.
Of the protective layer is made of a mixture of ZnS and SiO 2 , the recording layer has Ge, Sb, and Te as main constituent elements, the reflective heat dissipation layer is made of an Al alloy, and the recording medium has a resin adhesive layer interposed therebetween. And stacking two sheets with the surfaces on which the first protective layer, the recording layer, the second protective layer, and the reflection / heat dissipation layer are formed facing each other, and displacing the grooves facing each other in one or more rows, and An optical recording medium, which is installed in a drive device for driving the optical recording medium having the two laminated layers, and is laminated and adhered as a shift amount within a range that a writing pickup of the drive device can follow.
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