JP2003109213A - Magnetic recording medium - Google Patents

Magnetic recording medium

Info

Publication number
JP2003109213A
JP2003109213A JP2001300995A JP2001300995A JP2003109213A JP 2003109213 A JP2003109213 A JP 2003109213A JP 2001300995 A JP2001300995 A JP 2001300995A JP 2001300995 A JP2001300995 A JP 2001300995A JP 2003109213 A JP2003109213 A JP 2003109213A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetic
recording medium
substrate
underlayer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001300995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisao Kawai
久雄 河合
Sadaichirou Umezawa
禎一郎 梅澤
Hironao Tanaka
宏尚 田中
Masaki Kamimura
正樹 上村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Hoya Magnetics Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Hoya Corp
Hoya Magnetics Singapore Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp, Hoya Magnetics Singapore Pte Ltd filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2001300995A priority Critical patent/JP2003109213A/en
Publication of JP2003109213A publication Critical patent/JP2003109213A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a magnetic recording medium having high coercive force and satisfactory in an S/N ratio. SOLUTION: A pre-coating layer 2 and a NiP based alloy layer 3 are successively layered on a non-magnetic substrate (a glass substrate) 1. A concentrically shaped texture 31 is formed on the principal surface of the NiP based alloy layer 3. A CrMo based alloy base layer 4 having 80-300 Å thickness and <140 Ågrain size, an intermediate layer 5, a CoCrPtB based magnetic layer 6, a protective layer 7 and a lubrication layer 8 are successively layered thereon.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録再生を
行うための磁気ディスク装置に好適な磁気記録媒体に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium suitable for a magnetic disk device for recording / reproducing information.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気記録媒体の構成として、非磁性基板
上にCo系磁性層とカーボン等による保護層、潤滑層を
この順に形成した磁気ディスクが使用されている。Co
系磁性層の面内配向性を向上させ、電磁変換特性を改善
するために、非磁性基板とCo系磁性層の間に、Cr系
下地層を形成したり、或いは、非磁性基板と前記Cr系
下地層の間に円周状のテクスチャ構造を形成することも
試みられている。
2. Description of the Related Art As a structure of a magnetic recording medium, a magnetic disk in which a Co type magnetic layer, a protective layer made of carbon or the like, and a lubricating layer are formed in this order on a non-magnetic substrate is used. Co
In order to improve the in-plane orientation of the magnetic system magnetic layer and improve the electromagnetic conversion characteristics, a Cr system underlayer is formed between the nonmagnetic substrate and the Co system magnetic layer, or the nonmagnetic substrate and the Cr system are formed. Attempts have also been made to form circumferential textured structures between system underlayers.

【0003】また、特公平7−72935によれば、円
周方向のHcが1200 Oe以上と大きく、高S/N
比の磁気記録媒体として、円周方向に沿ってテクスチャ
ー処理を施したディスク状の非磁性基板上に、Wを0.
5at%乃至30at%の割合で含むCrW膜を下地層
として形成し、この下地層上にCo系合金磁性膜を形成
した磁気記録媒体が開示されている。これまでの電磁変
換特性の改善において、CrにMo、W、V、Tiなど
の添加元素を加えたCr系合金下地層が多く提案されて
いるが、その中で、CrWという材料が、電磁変換特性
の改善においてS/N比が最も良いという今までの知見
から提案されたものと考えられる。
Further, according to Japanese Patent Publication No. 7-72935, Hc in the circumferential direction is as large as 1200 Oe or more, and a high S / N ratio is obtained.
As a magnetic recording medium having a specific ratio, W was set to 0.% on a disk-shaped non-magnetic substrate that was textured along the circumferential direction.
There is disclosed a magnetic recording medium in which a CrW film containing 5 at% to 30 at% is formed as an underlayer, and a Co-based alloy magnetic film is formed on the underlayer. In order to improve the electromagnetic conversion characteristics up to now, many Cr-based alloy underlayers in which an additive element such as Mo, W, V, or Ti is added to Cr have been proposed. It is considered that it was proposed from the knowledge that the S / N ratio is the best in improving the characteristics.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年の磁気記
録媒体の急速な高記録密度化は、磁気記録媒体に対して
劇的な電磁変換特性の向上即ち、S/N比の劇的改善を
要求しているが、従来技術では、この要求に十分に応え
るS/N比を得ることが困難になってきた。本発明は上
記課題を解決するために成されたもので、保磁力が35
00 Oe以上と高保磁力で、しかもS/N比が良好な
磁気記録媒体を得ることを目的とする。
However, the rapid increase in recording density of magnetic recording media in recent years has led to a dramatic improvement in electromagnetic conversion characteristics, that is, a dramatic improvement in S / N ratio, with respect to magnetic recording media. Although required, it has become difficult with the conventional technology to obtain an S / N ratio that sufficiently meets this requirement. The present invention has been made to solve the above problems and has a coercive force of 35
It is an object to obtain a magnetic recording medium having a high coercive force of 00 Oe or more and a good S / N ratio.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めの手段として、第1の手段は、非磁性基板上にCr系
下地層と、CoPt系磁性層とを有する磁気記録媒体で
あって、前記非磁性基板の表面又はこの基板と前記磁性
層との間に形成される層の表面のいずれか又は双方に、
磁性層の面内配向性を良好にする同心円状のテクスチャ
ーが形成され、前記Cr系下地層は、CrとMoとを含
むCrMo系合金であり、その層の厚さが80〜300
Åであることを特徴とする磁気記録媒体である。第2の
手段は、非磁性基板上にCr系下地層と、CoPt系磁
性層とを有する磁気記録媒体であって、前記非磁性基板
の表面又はこの基板と前記磁性層との間に形成される層
の表面のいずれか又は双方に、磁性層の面内配向性を良
好にする同心円状のテクスチャーが形成され、前記Cr
系下地層は、CrとMoとを含むCrMo系合金であ
り、その層を構成するCrMo系合金の結晶粒のサイズ
が140Å未満であることを特徴とする磁気記録媒体で
ある。第3の手段は、前記CoPt系磁性層は、CoC
rPtB系磁性層であることを特徴とする第1又は第2
の手段にかかる磁気記録媒体である。第4の手段は、前
記非磁性基板がガラス基板であり、前記同心円状のテク
スチャーは、前記ガラス基板上に形成されたNiP系合
金層の表面上に形成されていることを特徴とする第1〜
第3のいずれかの手段にかかる磁気記録媒体である。第
5の手段は、前記下地層を構成するCrMo系合金のM
oの含有量が5〜30at%であることを特徴とする第
1〜第4のいずれかの手段にかかる磁気記録媒体であ
る。第6の手段は、前記NiP系合金層はスパッタリン
グによって形成されたものであり、前記非磁性基板と前
記NiP系合金層との間に、前記非磁性基板と前記Ni
P系合金層との膜付着力を良好にするプリコート層が形
成されていることを特徴とする第1〜第5のいずれかの
手段にかかる磁気記録媒体である。第7の手段は、前記
プリコート層は、Cr、Cr合金、NiAlから選ばれ
る材料からなることを特徴とする第6の手段にかかる磁
気記録媒体である。第8の手段は、少なくとも前記下地
層は、−100V乃至―400Vの負のバイアス電圧を
印加してスパッタ成膜したものであることを特徴とする
第1〜第7の手段にかかる磁気記録媒体である。
As a means for solving the above-mentioned problems, the first means is a magnetic recording medium having a Cr-based underlayer and a CoPt-based magnetic layer on a non-magnetic substrate. , On the surface of the non-magnetic substrate or on the surface of a layer formed between the substrate and the magnetic layer, or both,
A concentric circular texture that improves the in-plane orientation of the magnetic layer is formed, and the Cr-based underlayer is a CrMo-based alloy containing Cr and Mo, and the thickness of the layer is 80 to 300.
It is a magnetic recording medium characterized by being Å. The second means is a magnetic recording medium having a Cr-based underlayer and a CoPt-based magnetic layer on a non-magnetic substrate, which is formed on the surface of the non-magnetic substrate or between this substrate and the magnetic layer. A concentric texture that improves the in-plane orientation of the magnetic layer is formed on either or both surfaces of the layer.
The base underlayer is a CrMo-based alloy containing Cr and Mo, and the size of the crystal grains of the CrMo-based alloy forming the layer is less than 140Å is a magnetic recording medium. A third means is that the CoPt-based magnetic layer is CoC.
The first or second is characterized by being an rPtB-based magnetic layer
The magnetic recording medium according to the above means. A fourth means is characterized in that the non-magnetic substrate is a glass substrate, and the concentric texture is formed on a surface of a NiP-based alloy layer formed on the glass substrate. ~
A magnetic recording medium according to any one of the third means. A fifth means is M of a CrMo-based alloy that constitutes the underlayer.
The magnetic recording medium according to any one of the first to fourth means, wherein the content of o is 5 to 30 at%. A sixth means is that the NiP-based alloy layer is formed by sputtering, and the non-magnetic substrate and the NiP are provided between the non-magnetic substrate and the NiP-based alloy layer.
The magnetic recording medium according to any one of the first to fifth means, characterized in that a precoat layer for improving film adhesion to the P-based alloy layer is formed. A seventh means is a magnetic recording medium according to the sixth means, wherein the precoat layer is made of a material selected from Cr, Cr alloys and NiAl. An eighth means is a magnetic recording medium according to any one of the first to seventh means, wherein at least the underlayer is formed by sputtering by applying a negative bias voltage of −100V to −400V. Is.

【0006】本発明者らは、上記課題を解決するに当た
り、S/N比を良好にするための最適な下地層の確認を
行った。この実験は、同心円状のテクスチャーを形成し
ない従来一般的に使われてきた磁気記録媒体(ガラス基
板上に下地層、CoCr中間層、CoPtCrB系磁性
層、カーボン保護層、パーフルオロポリエーテル潤滑層
を形成した磁気記録媒体)において、下地層としてCr
Mo合金とCrW合金とした場合の磁気記録媒体をそれ
ぞれ試作して電磁変換特性を評価した。その結果、Cr
Mo系下地層に比べ、CrW系下地層の方が、高いS/
N比を示した。
In solving the above problems, the present inventors confirmed the optimum underlayer for improving the S / N ratio. In this experiment, a magnetic recording medium which has not been used to form a concentric texture and which is generally used in the past (underlayer, CoCr intermediate layer, CoPtCrB magnetic layer, carbon protective layer, perfluoropolyether lubricating layer on a glass substrate In the formed magnetic recording medium), Cr is used as an underlayer.
Magnetic recording media in the case of using the Mo alloy and the CrW alloy were made as prototypes and the electromagnetic conversion characteristics were evaluated. As a result, Cr
The CrW-based underlayer has a higher S / than the Mo-based underlayer.
The N ratio was shown.

【0007】これは、上述したCrWという材料が、電
磁変換特性の改善においてS/N比が最も良いという今
までの知見と同じ結果であることが確認された。しか
し、特公平7−72935に開示される様な、非磁性基
板上に同心円状のテクスチャを形成した磁気記録媒体に
おいては、全く違った結果となることが多くの実験を重
ねた結果わかった。
It has been confirmed that this is the same result as the previous knowledge that the above-mentioned material CrW has the best S / N ratio in improving the electromagnetic conversion characteristics. However, as a result of many experiments, it has been found that a magnetic recording medium having a concentric circular texture formed on a non-magnetic substrate, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 7-72935, gives completely different results.

【0008】本発明者らは、非磁性基板上に同心円状の
テクスチャーが形成された磁気記録媒体においては、C
rW系下地層に比べて、CrMo系下地層の方が、高い
S/N比が得られるという、従来の結論からは想到し得
ない特性を見出し、かつ、近年の高記録密度化の要求に
十分応えられることを突き止めた。
The present inventors have found that in a magnetic recording medium having a concentric texture formed on a non-magnetic substrate, C
The CrMo-based underlayer has a higher S / N ratio than the rW-based underlayer, which is a characteristic that cannot be conceived from the conventional conclusion, and the recent demand for higher recording density has been found. I found out that I could respond enough.

【0009】すなわち、非磁性基板上の磁性層を形成す
る側の主表面上に、磁性層の面内配向性を良好にする同
心円状のテクスチャーが形成された磁気記録媒体におい
て、下地層をCrとMoとを含むCrMo系合金で構成
することで、高S/N比が得られる磁気記録媒体とな
る。
That is, in the magnetic recording medium in which the concentric circular texture for improving the in-plane orientation of the magnetic layer is formed on the main surface of the non-magnetic substrate on which the magnetic layer is formed, the underlayer is made of Cr. A magnetic recording medium having a high S / N ratio can be obtained by using a CrMo alloy containing Mo and Mo.

【0010】ここで、同心円状のテクスチャー形態(表
面粗さやピッチなど)は、得られる電磁変換特性に応じ
て適宜調整される。具体的には、同心円状のテクスチャ
ーの表面粗さ(原子間力顕微鏡(AFM)による測定)
最大高さRmaxは、高記録密度に対応した、ヘッド浮
上特性を得る為に、1.5〜15nmで調整されること
が好ましい。
Here, the concentric texture form (surface roughness, pitch, etc.) is appropriately adjusted according to the obtained electromagnetic conversion characteristics. Specifically, the surface roughness of concentric circular texture (measured by atomic force microscope (AFM))
The maximum height Rmax is preferably adjusted in the range of 1.5 to 15 nm in order to obtain head flying characteristics corresponding to high recording density.

【0011】また、同心円状のテクスチャーの半径方向
のピッチは、0.005〜0.07μmとすることが、
半径方向の結晶粒成長を抑制し、また、これら同心円状
のテクスチャーの半径方向のピッチが、磁性層の結晶粒
径に対し略規則的に形成されていることで、テクスチャ
ー間の粒径、すなわちディスク全体の粒径が均一化され
ることになる。
Also, the radial pitch of the concentric circular texture is set to 0.005 to 0.07 μm,
By suppressing the crystal grain growth in the radial direction, and the radial pitch of these concentric circular textures is formed substantially regularly with respect to the crystal grain size of the magnetic layer, the grain size between textures, that is, The particle size of the entire disc is made uniform.

【0012】同心円状のテクスクチャーは、本発明の効
果が得られる範囲内であれば、螺旋状でもクロステクス
チャーでも構わない。
The concentric texture may be spiral or cross-textured as long as the effect of the present invention can be obtained.

【0013】CrMo系合金は、CrMo以外にTa、
Ti、Hf、V、Nb、Mn等の添加元素を0.05〜
10at%含んでも構わない。また、O(酸素)、N
(窒素)、H(水素)、C(炭素)、B(ホウ素)など
のガスを添加してもよい。
CrMo-based alloys include Ta, in addition to CrMo.
The additive elements such as Ti, Hf, V, Nb, and Mn are added in an amount of 0.05 to
10 at% may be included. Also, O (oxygen), N
A gas such as (nitrogen), H (hydrogen), C (carbon), B (boron) may be added.

【0014】非磁性基板の材料としては、ガラス(ガラ
スセラミック、所謂結晶化ガラスを含む)、セラミッ
ク、アルミニウム、カーボンなどが挙げられる。中で
も、第2の手段のように、非磁性基板をガラス基板で構
成し、このガラス基板にNiP系合金層を形成し、この
NiP系合金層の表面上に上記同心円状のテクスチャー
を形成することにより、さらに高保磁力、高S/N比の
磁気記録媒体が得られる。
Examples of the material of the non-magnetic substrate include glass (including glass ceramics, so-called crystallized glass), ceramics, aluminum, carbon and the like. In particular, like the second means, the non-magnetic substrate is composed of a glass substrate, a NiP alloy layer is formed on the glass substrate, and the concentric texture is formed on the surface of the NiP alloy layer. As a result, a magnetic recording medium having a higher coercive force and a higher S / N ratio can be obtained.

【0015】即ち、非磁性基板としてガラス基板とする
ことにより、他の材料と比較して精密研磨した際に優れ
た平滑性が得られる。したがって、スパッタリング法な
どによって形成される下地層や磁性層が、基板の表面状
態によって結晶粒径がばらつくのを抑えることができる
ので、電磁変換特性に有利である。
That is, by using a glass substrate as the non-magnetic substrate, excellent smoothness can be obtained when precision-polished as compared with other materials. Therefore, the crystal grain size of the underlayer or magnetic layer formed by the sputtering method can be suppressed from varying depending on the surface state of the substrate, which is advantageous for electromagnetic conversion characteristics.

【0016】さらに、ガラス基板は従来用いられていた
アルミニウム合金基板と違い熱的耐久性が良好である。
磁性層を形成するときに、加熱処理を加えることによっ
て、下地層の材料のCrが磁性層粒径の間に偏析され、
高保磁力の磁気記録媒体が得られる点で有利である。ま
た、この表面平滑性や熱的耐久性が良いガラス基板上に
NiP系合金層を形成することによって、下地層や磁性
層の成膜中に基板にバイアス電圧を印加することがで
き、後述するようにさらに高いS/N比が得られるので
有利である。
Further, the glass substrate has good thermal durability unlike the aluminum alloy substrate which has been conventionally used.
By applying heat treatment when forming the magnetic layer, Cr of the material of the underlayer is segregated between the particle diameters of the magnetic layer,
This is advantageous in that a magnetic recording medium having a high coercive force can be obtained. Further, by forming the NiP alloy layer on the glass substrate having good surface smoothness and thermal durability, a bias voltage can be applied to the substrate during the formation of the underlayer and the magnetic layer, which will be described later. It is advantageous because a higher S / N ratio can be obtained.

【0017】同心円状のテクスチャーは、ガラス基板表
面に同心円状のテクスチャーを形成させた後、NiP系
合金層をしても、ガラス基板上にNiP系合金層を形成
させた後、NiP系合金層表面に同心円状のテクスチャ
ーを形成させても良い。NiP系合金層は、NiPのほ
かに、Al,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,T
a,W等の金属を含有しても構わない。
As for the concentric circular texture, even if the NiP alloy layer is formed on the glass substrate surface after the concentric texture is formed, the NiP alloy layer is formed on the glass substrate and then the NiP alloy layer is formed. A concentric texture may be formed on the surface. The NiP-based alloy layer includes Al, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, and T in addition to NiP.
A metal such as a or W may be contained.

【0018】また、CrMo系合金のMoの含有量は、
磁性層との格子のマッチングを考慮し、5〜30at%
とすることが好ましい。さらに好ましくは、8〜15a
t%が望ましい。
The content of Mo in the CrMo alloy is
5 to 30 at% considering the matching of the lattice with the magnetic layer
It is preferable that More preferably, 8-15a
t% is desirable.

【0019】CrMo系合金下地層の膜厚は、50〜3
00Åが高S/N比の点で好ましい。この膜厚の範囲の
CrMo系合金下地層を形成した場合、高保磁力の点か
ら、磁性層の材料としてCoPt系、特に好ましくはC
oCrPtB系合金が好ましい。CoCrPtB系合金
にすることで、下地層の膜厚を厚くせずに、したがっ
て、S/Nを悪化させずに保磁力Hc等の他の特性を良
好に維持できる。
The thickness of the CrMo alloy base layer is 50 to 3
00Å is preferable in terms of high S / N ratio. When a CrMo-based alloy underlayer having this thickness is formed, a CoPt-based material, particularly preferably C, is used as the material of the magnetic layer from the viewpoint of high coercive force.
An oCrPtB-based alloy is preferable. By using a CoCrPtB-based alloy, other characteristics such as coercive force Hc can be favorably maintained without increasing the film thickness of the underlayer and thus without deteriorating the S / N ratio.

【0020】また、NiP系合金層はスパッタリングに
よって形成されたものとし、前記非磁性基板とNiP系
合金層の付着力を強くするプリコート層を形成すること
により、NiP系合金層の特性を安定させる事ができ
る。NiP系合金層は、500〜2000Åで成膜され
るので、極めて膜応力が高くなる。膜応力はスパッタ条
件(基板温度、ガス圧など)に左右されやすく、これら
の条件を正確に管理する必要がある。何かの要因で膜応
力が高くなると、最悪の場合、膜が基板から剥離してし
まう事になる。その為、NiP合金の基板からの剥離を
起こさないようにする為に、プリコート層が必要にな
る。
The NiP-based alloy layer is formed by sputtering, and a precoat layer that strengthens the adhesion between the nonmagnetic substrate and the NiP-based alloy layer is formed to stabilize the characteristics of the NiP-based alloy layer. I can do things. Since the NiP-based alloy layer is formed with a thickness of 500 to 2000Å, the film stress becomes extremely high. The film stress is easily influenced by the sputtering conditions (substrate temperature, gas pressure, etc.), and these conditions must be controlled accurately. If the film stress becomes high for some reason, in the worst case, the film will peel off from the substrate. Therefore, a precoat layer is necessary to prevent the NiP alloy from peeling off from the substrate.

【0021】前記プリコート層としては、下地層や、下
地層の下に下地層の結晶粒径を制御する目的でシード層
が形成されるが、これら下地層とシード層の結晶構造と
同じ材料とすることが好ましく、例えば、Cr、Cr合
金(CrMo、CrV、CrTi、CrTa、Cr
W)、B2結晶構造(NiAl、AlCo、NiAlR
u等)の材料などが挙げられる。尚、これらの材料にO
(酸素)、N(窒素)、B(ホウ素)、C(炭素)等を
加えて結晶粒径を微細化させても良い。
As the precoat layer, an underlayer or a seed layer is formed under the underlayer for the purpose of controlling the crystal grain size of the underlayer. The seed layer is formed of the same material as the crystal structure of the underlayer and the seed layer. For example, Cr, Cr alloys (CrMo, CrV, CrTi, CrTa, Cr
W), B2 crystal structure (NiAl, AlCo, NiAlR
materials such as u). In addition, O for these materials
(Oxygen), N (nitrogen), B (boron), C (carbon), etc. may be added to make the crystal grain size finer.

【0022】また、少なくとも下地層を−100V乃至
−400Vの負のバイアス電圧を印加してスパッタ成膜
することにより、更に高S/N比が得られる。
A higher S / N ratio can be obtained by applying a negative bias voltage of -100 V to -400 V to at least the underlayer to form a film by sputtering.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体を具
体的に説明する。 (実施例1)図1は実施例1にかかる磁気記録媒体の膜
構成を示す図である。図1に示されるように、実施例1
にかかる磁気記録媒体は、非磁性基板(ガラス基板)1
上に、プリコート層2、NiP系合金層3、下地層4、
中間層5、磁性層6、保護層7、潤滑層8が順次積層さ
れたものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The magnetic recording medium of the present invention will be specifically described below. (Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram showing a film structure of a magnetic recording medium according to Embodiment 1. As shown in FIG. 1, Example 1
The magnetic recording medium according to the present invention is a non-magnetic substrate (glass substrate) 1
On top, a precoat layer 2, a NiP-based alloy layer 3, a base layer 4,
The intermediate layer 5, the magnetic layer 6, the protective layer 7, and the lubricating layer 8 are sequentially laminated.

【0024】ガラス基板1は、化学強化されたアルミノ
シリケートガラスであって、両面研磨装置により精密研
磨(中心線平均粗さRa=0.2nm(AFMで測
定))されたものである。
The glass substrate 1 is a chemically strengthened aluminosilicate glass, which has been finely polished (center line average roughness Ra = 0.2 nm (measured by AFM)) by a double-sided polishing machine.

【0025】プリコート層2は、CrMo薄膜(膜厚1
00オングストローム)で、NiP系合金層3とガラス
基板1の膜付着性を良好にするために設けられている。
CrMo薄膜は、Cr:91at%、Mo:9at%で
ある。
The precoat layer 2 is a CrMo thin film (film thickness 1
The film thickness is 00 angstrom) and is provided to improve the film adhesion between the NiP-based alloy layer 3 and the glass substrate 1.
The CrMo thin film has Cr: 91 at% and Mo: 9 at%.

【0026】NiP系合金層3は、NiP(Ni:80
at%、P:20at%)薄膜(膜厚800オングスト
ローム)である。このNiP系合金層3の表面上に同心
円状に最大高さRmax=3.5nm、半径方向のピッ
チが0.025μm(原子間力顕微鏡にて測定)のテク
スチャー31が形成されている。
The NiP alloy layer 3 is made of NiP (Ni: 80).
at%, P: 20 at%) thin film (thickness 800 angstrom). A texture 31 having a maximum height Rmax of 3.5 nm and a radial pitch of 0.025 μm (measured by an atomic force microscope) is concentrically formed on the surface of the NiP alloy layer 3.

【0027】下地層4は、CrMo薄膜(膜厚150オ
ングストローム)で、磁性層の結晶構造を良好にするた
めに設けられている。このCrMo合金は、Cr:91
at%、Mo:9at%の組成比で構成されている。な
お、下地層4は、CrMo下地層の結晶性を促進させる
ため、−300Vの負のバイアスを印加した状態でスパ
ッタ成膜したものである。
The underlayer 4 is a CrMo thin film (thickness: 150 Å) and is provided to improve the crystal structure of the magnetic layer. This CrMo alloy has a Cr: 91
The composition ratio is at%, Mo: 9 at%. The underlayer 4 is formed by sputtering with a negative bias of −300 V applied to promote the crystallinity of the CrMo underlayer.

【0028】また、中間層5は、磁性層の結晶性を良好
にする目的で設けられたもので、非磁性のhcp構造か
らなるCoCr薄膜(膜厚:30オングストローム)。
Co、Crの含有量はそれぞれ、Co:65at%、C
r:35at%である。
The intermediate layer 5 is provided for the purpose of improving the crystallinity of the magnetic layer, and is a CoCr thin film (thickness: 30 Å) having a non-magnetic hcp structure.
Co and Cr contents are Co: 65 at% and C, respectively.
r: 35 at%.

【0029】磁性層6は、CoCrPtB合金薄膜(膜
厚:150オングストローム)で、Co、Cr、Pt、
Bの含有量はそれぞれ、Co:61at%、Cr:20
at%、Pt:12at%、B:7at%である。な
お、CoCrPtB合金薄膜の組成は、Crが10〜3
0at%、Ptが4〜18at%、Bが0.5〜15a
t%で、残部がCoである組成範囲であればよい。
The magnetic layer 6 is a CoCrPtB alloy thin film (film thickness: 150 angstrom) and is made of Co, Cr, Pt,
The contents of B are Co: 61 at% and Cr: 20 respectively.
At%, Pt: 12 at%, and B: 7 at%. The composition of the CoCrPtB alloy thin film is such that Cr is 10 to 3
0 at%, Pt 4 to 18 at%, B 0.5 to 15 a
The composition range is t% and the balance is Co.

【0030】保護層7は、磁性層が磁気ヘッドとの接触
によって劣化することを防止するためのものであり、膜
厚45オングストロームの水素化カーホ゛ン膜からな
る。また、潤滑層8は、パーフルオロポリエーテルの液
体潤滑剤からなり、この膜によって磁気ヘッドとの接触
を緩和している。尚、膜厚は8オングストロームであ
る。
The protective layer 7 is for preventing the magnetic layer from deteriorating due to contact with the magnetic head, and is composed of a hydrogenated carbon film having a film thickness of 45 angstrom. The lubricating layer 8 is made of a liquid lubricant of perfluoropolyether, and this film alleviates the contact with the magnetic head. The film thickness is 8 Å.

【0031】次に、上述の構成からなる磁気記録媒体の
製造方法について説明する。まず、低温型イオン交換に
よって化学強化したガラス基板の主表面を精密研磨し、
中心線平均粗さRa=0.2nmに仕上げる。
Next, a method of manufacturing the magnetic recording medium having the above structure will be described. First, precision polishing the main surface of the glass substrate chemically strengthened by low temperature ion exchange,
The center line average roughness Ra is finished to 0.2 nm.

【0032】次に、静止対向型スパッタリング装置によ
って、CrMo薄膜からなるプリコート層2、NiP薄
膜からなるNiP系合金層3を形成する。
Next, a precoat layer 2 made of a CrMo thin film and a NiP type alloy layer 3 made of a NiP thin film are formed by a static opposed sputtering apparatus.

【0033】次に、テープ式のテクスチャ装置によっ
て、NiP系合金層3の表面に同心円状のテクスチャー
(溝)を形成する(最大高さRmax=3.5nm、ピ
ッチ0.025μm)。
Next, a tape-type texture device is used to form concentric circular textures (grooves) on the surface of the NiP alloy layer 3 (maximum height Rmax = 3.5 nm, pitch 0.025 μm).

【0034】図2は実施例1で用いるテープ式のテクス
チャ装置の概略図である。図2に示されるように、本実
施例で使用するテープ式テクスチャ装置は、スピンドル
101に固定されたガラス基板1を回転させるととも
に、スラリー滴下口102より研磨剤をテープ103に
供給し、ガラス基板1の両主表面を、ローラ104に巻
きつけられたテープ103によってはさむことで、ガラ
ス基板1の主表面に同心円状の溝を形成する。テープ1
03を巻きつけたローラ104は、一定の回転速度で回
転しており、常にテープ103の新しい面が基板に接触
するようにしている。この場合、スピンドル101を揺
動させることにより、クロステクスチャー又は螺旋形状
に調製することもできる。
FIG. 2 is a schematic view of a tape type texture device used in the first embodiment. As shown in FIG. 2, in the tape-type texture device used in this embodiment, the glass substrate 1 fixed to the spindle 101 is rotated, and the polishing agent is supplied to the tape 103 from the slurry dropping port 102, so that the glass substrate By sandwiching both main surfaces of No. 1 with the tape 103 wound around the roller 104, concentric grooves are formed on the main surface of the glass substrate 1. Tape 1
The roller 104 wound with 03 is rotating at a constant rotation speed so that the new surface of the tape 103 is always in contact with the substrate. In this case, by swinging the spindle 101, a cross texture or a spiral shape can be prepared.

【0035】次に、このNiP系合金層付き基板の主表
面上に静止対向型スパッタリング装置によって、CrM
o薄膜からなる下地層4、CoCr薄膜からなる中間層
5、CoCrPtB磁性層6、水素化カーボン保護層7
を順次成膜した。尚、下地層4と磁性層6は、バイアス
電圧を−300V印加した状態で、また、保護層7はA
r+H2の混合ガス雰囲気下で、それ以外の層は、Ar
の不活性ガス雰囲気下で、基板加熱温度200℃でスパ
ッタリング成膜した。次いで、保護層7上にパーフルオ
ロポリエーテル潤滑剤をディップ処理することによっ
て、潤滑層8を形成し、磁気ディスクを得た。
Next, CrM was formed on the main surface of the substrate with the NiP alloy layer by a static facing type sputtering device.
o Underlayer 4 made of a thin film, intermediate layer 5 made of a CoCr thin film, CoCrPtB magnetic layer 6, hydrogenated carbon protective layer 7
Were sequentially formed. The base layer 4 and the magnetic layer 6 were applied with a bias voltage of -300 V, and the protective layer 7 was A.
In a mixed gas atmosphere of r + H 2 , other layers are Ar
Under an inert gas atmosphere, the film was formed by sputtering at a substrate heating temperature of 200 ° C. Then, the protective layer 7 was dip-treated with a perfluoropolyether lubricant to form a lubricating layer 8 to obtain a magnetic disk.

【0036】この得られた磁気ディスクの保磁力Hc
は、3526 Oe、保磁力角形比S*は、0.77
、孤立波再生出力LFは、1.521mV、孤立波パ
ルス幅PWは、13.77nsec、S/N比は、2
9.27dB、半径方向の保磁力に対する円周方向の保
磁力の比であるOR(Oriented Ratio)
は、1.21であった。このように、後述する比較例と
比較して極めて高いS/N比を持つ事が分かる。
Coercive force Hc of the obtained magnetic disk
Is 3526 Oe, and the coercive force squareness ratio S * is 0.77.
, The solitary wave reproduction output LF is 1.521 mV, the solitary wave pulse width PW is 13.77 nsec, and the S / N ratio is 2.
9.27 dB, which is the ratio of the coercive force in the circumferential direction to the coercive force in the radial direction, OR (Oriented Ratio)
Was 1.21. Thus, it can be seen that it has an extremely high S / N ratio as compared with the comparative example described later.

【0037】これは、非磁性基板表面に形成された同心
円状のテクスチャー(溝)が、磁性層の面内配向性を改
善すると共に、テクスチャーの凹凸が磁性粒のサイズ分
布を小さくする事でこれらの特性が良好になったと考え
られる。また、この場合、CrMo下地層4の結晶粒の
サイズが130Å(TEM(透過型電子顕微鏡)での測
定)であった。CrMo下地層4の結晶粒のサイズは、
50Å以上で140Å未満が望ましく、さらに好ましく
は60Å以上で130Å以下がよい。さらには、CrM
o下地層4の厚さは80Å以上で300Å未満が望まし
い。80Å未満だと、その上に形成される磁性層の配向
性が悪くなってくるため、保磁力Hc、保磁力角形比S
*、出力LF、パルス幅PW、S/N比が悪化する。3
00Åを越えると、保磁力Hcは良好であるが、結晶粒
のサイズが大きくなるためS/N比が大きく悪化するの
で好ましくない。
This is because concentric circular textures (grooves) formed on the surface of the non-magnetic substrate improve the in-plane orientation of the magnetic layer, and unevenness of the texture reduces the size distribution of magnetic particles. It is considered that the characteristics of are improved. Further, in this case, the size of the crystal grains of the CrMo underlayer 4 was 130Å (measured by a TEM (transmission electron microscope)). The size of the crystal grains of the CrMo underlayer 4 is
It is preferably 50 Å or more and less than 140 Å, more preferably 60 Å or more and 130 Å or less. Furthermore, CrM
o The thickness of the underlayer 4 is preferably 80 Å or more and less than 300 Å. If it is less than 80 Å, the orientation of the magnetic layer formed on it deteriorates, so the coercive force Hc and the coercive force squareness S
*, Output LF, pulse width PW, and S / N ratio deteriorate. Three
When it exceeds 00Å, the coercive force Hc is good, but the S / N ratio is greatly deteriorated because the size of the crystal grain is large, which is not preferable.

【0038】尚、保磁力Hc、保磁力角形比S*、孤立
波再生出力LF、孤立波パルス幅PW、S/N比の特性
は以下のようにして測定したものである。後述する他の
実施例及び比較例も同じ測定方法によって測定した。
The characteristics of the coercive force Hc, the coercive force squareness ratio S *, the solitary wave reproduction output LF, the solitary wave pulse width PW, and the S / N ratio are measured as follows. Other Examples and Comparative Examples described later were also measured by the same measuring method.

【0039】保磁力Hc、保磁力角形比S*は、振動試
料型磁気測定装置(VSML:Vibrating S
ample Magnetometer)で測定した。
保磁力Hcは、PWと熱揺らぎ特性の改善において、高
いほど良い。また保磁力角形比S*は、面内配向性と磁
性粒間の磁気的分離を表す指標で、高いほど良い。
The coercive force Hc and the coercive force squareness ratio S * are determined by a vibrating sample magnetometer (VSML: Vibrating S).
The measurement was carried out using an ample Magnetometer).
The higher the coercive force Hc, the better the PW and the improvement of thermal fluctuation characteristics. The coercive force squareness ratio S * is an index representing the in-plane orientation and the magnetic separation between magnetic grains, and the higher the better.

【0040】孤立波再生出力LFは、電磁変換特性測定
器(Guzik)により測定した。孤立波再生出力LF
は、その他の電磁変換特性が維持できるのであれば、記
録信号の再生出力が高くなるので、高いほうがよい。
The solitary wave reproduction output LF was measured by an electromagnetic conversion characteristic measuring instrument (Guzik). Solitary wave reproduction output LF
If the other electromagnetic conversion characteristics can be maintained, the reproduction output of the recording signal becomes high, so the higher the better.

【0041】孤立波パルス幅(PW50:孤立信号波形
の半値幅)の測定は次のようにして行った。MRヘッド
を搭載した電磁変換特性測定器(Guzik)で孤立再
生信号を抽出し、グランド(0)に対する出力信号のピ
ーク値の50%における孤立波形の幅をPW50とし
た。なお、このPW50は高記録密度のためには、小さ
ければ小さいほど良い。これは、パルス幅が狭いと同一
面積上により多くのパルス(信号)を書き込めることに
なるからである。一方、PW50が大きいと、隣り合う
パルス(信号)同士が干渉しあい、信号を読み出すとき
にエラーとなって現れる。この波形干渉がエラーレート
を悪くする。
The solitary wave pulse width (PW50: half-value width of solitary signal waveform) was measured as follows. An isolated reproduction signal was extracted with an electromagnetic conversion characteristic measuring instrument (Guzik) equipped with an MR head, and the width of the isolated waveform at 50% of the peak value of the output signal with respect to the ground (0) was defined as PW50. It should be noted that the smaller the PW50, the better for high recording density. This is because if the pulse width is narrow, more pulses (signals) can be written on the same area. On the other hand, if the PW50 is large, adjacent pulses (signals) interfere with each other, and an error appears when reading the signals. This waveform interference deteriorates the error rate.

【0042】S/N比の測定は、電磁変換特性測定器
(Guzik)を用いた。測定に用いた磁気ヘッドは、
浮上量が20nmのGMR(Giant Magnet
Resistace:巨大磁気抵抗)型再生素子をも
つヘッド(以下、GMRヘッドという)である。記録ト
ラック幅は、2.0nmであり、再生トラック幅は0.
5nmである。S/N比は、IF記録密度(520kf
ci)で、磁気記録媒体上にキャリア信号記録した後
に、DC周波数領域から、IFの1.2倍周波数領域ま
での媒体ノイズを、スペクトロアナライザを用いて観測
し、算出した。S/N比は、一般に、0.5dB向上す
ると、2Gbit/inch2の記録密度向上に寄与で
きる。S/N比は、ノイズによる信号の読み取りエラー
を防ぐために、高いほどエラーレートが改善され、かつ
高密度記録を達成できる。
The S / N ratio was measured using an electromagnetic conversion characteristic measuring instrument (Guzik). The magnetic head used for the measurement is
GMR (Giant Magnet) with a flying height of 20 nm
Resistor: A head (hereinafter referred to as a GMR head) having a reproducing element of giant magnetoresistive type. The recording track width is 2.0 nm and the reproducing track width is 0.
It is 5 nm. The S / N ratio is the IF recording density (520 kf
After recording a carrier signal on the magnetic recording medium in step ci), the medium noise from the DC frequency region to the 1.2 times the IF frequency region was observed and calculated using a spectroanalyzer. Generally, if the S / N ratio is improved by 0.5 dB, it can contribute to the improvement of the recording density of 2 Gbit / inch 2 . The higher the S / N ratio is, the more the error rate is improved and the high density recording can be achieved in order to prevent a signal reading error due to noise.

【0043】(比較例1)次に、上記実施例1の磁気記
録媒体におけるCrMo薄膜からなる下地層をCrW
(W:10at%)に変更した以外は実施例1と同様に
して磁気記録媒体を作製して比較例1とした。この得ら
れた比較例1の磁気記録媒体の保磁力Hcは3510
Oe、保磁力角形比S*は0.82、孤立波再生出力L
Fは1.520mV、孤立波パルス幅PWは13.89
nsec、S/N比は27.28dB、ORは1.19
であった。実施例1に比較してS/N比がなり劣ること
が分かる。
(Comparative Example 1) Next, the underlayer made of the CrMo thin film in the magnetic recording medium of Example 1 was replaced with CrW.
A magnetic recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 except that (W: 10 at%) was changed to Comparative Example 1. The coercive force Hc of the obtained magnetic recording medium of Comparative Example 1 was 3510.
Oe, coercive force squareness ratio S * is 0.82, solitary wave reproduction output L
F is 1.520 mV and solitary wave pulse width PW is 13.89.
nsec, S / N ratio is 27.28 dB, OR is 1.19
Met. It can be seen that the S / N ratio is inferior as compared with Example 1.

【0044】また、上記実施例1の記録媒体における下
地層のCrMo9(Mo:9at%)をCrMo5(M
o:5at%)に変更した以外は実施例1と同様にして
作製した磁気記録媒体を実施例2とし、CrMo9をC
rMo30(Mo:30at%)に変更した以外は実施
例1と同様にして作製した磁気記録媒体を実施例3とし
た。図3は実施例等の特性を表にして示す図である。
Further, CrMo9 (Mo: 9 at%) of the underlayer in the recording medium of Example 1 was replaced with CrMo5 (M
o: 5 at%) except that the magnetic recording medium manufactured in the same manner as in Example 1 was used as Example 2, and CrMo9 was used as C
A magnetic recording medium manufactured in the same manner as in Example 1 except that the content was changed to rMo30 (Mo: 30 at%) was set as Example 3. FIG. 3 is a table showing the characteristics of the examples and the like.

【0045】図3の表に示されるように、CrMoのM
o濃度が5〜30at%であれば、特性は殆ど変化しな
い。ただし、Mo濃度が極端に少ない場合(<5at
%)、CrMo下地と磁性層との格子ズレが大きくな
り、特性が低下していく。また、極端にMo濃度が高い
場合も同様に格子ズレによる、特性低下が著しい。よっ
て、Mo濃度は5〜30at%が適当である。
As shown in the table of FIG. 3, M of CrMo is
When the o concentration is 5 to 30 at%, the characteristics hardly change. However, when the Mo concentration is extremely low (<5 at
%), The lattice deviation between the CrMo underlayer and the magnetic layer increases, and the characteristics deteriorate. Also, when the Mo concentration is extremely high, the characteristics are significantly deteriorated due to the lattice shift. Therefore, the Mo concentration is preferably 5 to 30 at%.

【0046】(実施例4)上記実施例1におけるプリコ
ート層2の材料をCrMo合金からNiAl合金にした
以外は、実施例1と同様にして磁気記録媒体を作製し、
実施例4とした。この得られた磁気ディスクの保磁力H
cは3512 Oe、保磁力角形比S*は0.79、孤
立波再生出力LFは1.524mV、孤立波パルス幅P
Wは13.87nsec、S/N比は29.23dB、
ORは1.20であった。
Example 4 A magnetic recording medium was prepared in the same manner as in Example 1 except that the material of the precoat layer 2 in Example 1 was changed from CrMo alloy to NiAl alloy.
It was set as Example 4. Coercive force H of the obtained magnetic disk
c is 3512 Oe, coercive force squareness ratio S * is 0.79, solitary wave reproduction output LF is 1.524 mV, and solitary wave pulse width P.
W is 13.87 nsec, S / N ratio is 29.23 dB,
The OR was 1.20.

【0047】(実施例5)図4は実施例5にかかる磁気
記録媒体の構成を示す図である。この実施例は、テクス
チャー11を非磁性基板(ガラス基板)1の表面に直接
形成した例である。 すなわち、ガラス基板1の表面に
上記実施例1と同様のテクスチャー装置を使って同心円
状のテクスチャー(最大高さRmax=3.4 nm、
半径方向のピッチが0.025μm)を形成し、静止対
向型のスパッタリング装置を使って、プリコート層2、
NiP系合金層3を形成し、更に実施例1と同様に、下
地層4、中間層5、磁性層6、保護層7、潤滑層8を形
成した以外は実施例1と同様にして磁気記録媒体を作製
したものである。この得られた磁気ディスクの保磁力H
cは3434 Oe、保磁力角形比S*は0.75、孤
立波再生出力LFは1.487mV、孤立波パルス幅P
Wは13.99nsec、S/N比は28.87dB、
ORは1.07であった。
(Fifth Embodiment) FIG. 4 is a diagram showing the structure of a magnetic recording medium according to the fifth embodiment. In this embodiment, the texture 11 is directly formed on the surface of the non-magnetic substrate (glass substrate) 1. That is, a concentric texture (maximum height Rmax = 3.4 nm, on the surface of the glass substrate 1 using the same texture device as in Example 1 above,
The pitch in the radial direction is 0.025 μm), and the precoat layer 2 is formed by using a stationary facing sputtering device.
Magnetic recording was performed in the same manner as in Example 1 except that the NiP-based alloy layer 3 was formed and the underlayer 4, the intermediate layer 5, the magnetic layer 6, the protective layer 7, and the lubricating layer 8 were further formed as in Example 1. A medium is produced. Coercive force H of the obtained magnetic disk
c is 3434 Oe, coercive force squareness ratio S * is 0.75, solitary wave reproduction output LF is 1.487 mV, solitary wave pulse width P
W is 13.99 nsec, S / N ratio is 28.87 dB,
The OR was 1.07.

【0048】(参考例1〜2、実施例1、6〜8)次
に、実施例1におけるバイアス電圧を0V(参考例
1)、−100V(実施例6)、−200V(実施例
7)、−300V(実施例1)、−400V(実施例
8)、−500V(参考例2)と変化させた以外は実施
例1と同様にして磁気記録媒体を作製し、PW、S/N
比の特性を測定した。図5はバイアス電圧の違いによる
PW、S/N比の特性変化を示すグラフである。図5に
示されるように、バイアス電圧を−100V〜ー400
Vで成膜したときに、高S/N比が得られ、好ましいこ
とがわかる。
Reference Examples 1 and 2, Examples 1 and 6 to 8 Next, the bias voltage in Example 1 is 0 V (Reference Example 1), -100 V (Example 6), and -200 V (Example 7). , -300V (Example 1), -400V (Example 8), and -500V (Reference Example 2) except that the magnetic recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 to obtain PW and S / N.
Ratio characteristics were measured. FIG. 5 is a graph showing changes in characteristics of PW and S / N ratio due to differences in bias voltage. As shown in FIG. 5, the bias voltage is set to −100V to −400.
It can be seen that a high S / N ratio is obtained when the film is formed at V, which is preferable.

【0049】図6は下地層の組成を変えた場合のそれぞ
れについて磁性層の膜厚を変えて測定したS/N比を示
すグラフである。図6において、縦軸がS/N比の値で
あり横軸が出力(LF)の値である。磁性層の膜厚を変
えると出力(LF)の値が変化するので、膜厚で示すか
わりに出力(LF)で示してある。×印のプロット点
が、下地層を、Mo濃度が9at%のCrMo合金で構
成した場合に、磁性層の膜厚を種々変えてS/N比の測
定した値を示すものである。同様に、黒四角のプロット
点は、下地層を、Mo濃度が12at%のCrMo合金
で構成した場合、黒菱形のプロット点は、下地層を、M
o濃度が15at%のCrMo合金で構成した場合、黒
三角のプロット点は、下地層を、W濃度が20at%の
CrW合金で構成した場合である。
FIG. 6 is a graph showing the S / N ratio measured by changing the film thickness of the magnetic layer when the composition of the underlayer is changed. In FIG. 6, the vertical axis represents the S / N ratio value and the horizontal axis represents the output (LF) value. Since the output (LF) value changes when the film thickness of the magnetic layer is changed, the output (LF) is shown instead of the film thickness. The plot points marked with X show the measured values of the S / N ratio when the underlayer is made of a CrMo alloy having a Mo concentration of 9 at% and the thickness of the magnetic layer is variously changed. Similarly, the black square plot points indicate that the underlayer is made of a CrMo alloy having a Mo concentration of 12 at%, and the black rhombus plot points indicate the underlayer by M
In the case of the CrMo alloy having an o concentration of 15 at%, the black triangle plot points indicate the case where the underlayer is made of a CrW alloy having a W concentration of 20 at%.

【0050】図6から、下地層をCrMo合金で構成し
たほうがCrW合金で構成した場合よりはるかにS/N
比がよく、また、CrMo合金で構成した場合には、M
o濃度が15at%より12at%のほうがよく、ま
た、12at%より9at%のほうがよいことが分る。
From FIG. 6, the S / N ratio of the underlayer made of a CrMo alloy is much higher than that of a CrW alloy.
The ratio is good, and when composed of CrMo alloy, M
It can be seen that the o concentration is preferably 12 at% rather than 15 at%, and 9 at% is better than 12 at%.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非磁性基板の表面又はこの基板と磁性層との間に形成さ
れる層の表面のいずれか又は双方に、同心円状のテクス
チャーを形成し、下地層をCrMo系合金で構成し、そ
の層の厚さが80〜300Åとし、又は、下地層を構成
するCrMo系合金の結晶粒のサイズを140Å未満と
し、又は、磁性層をCoCrPtB系合金で構成したこ
とにより、高保磁力を有し、S/N比も良好な磁気記録
媒体を得ることを可能にしたものである。
As described above, according to the present invention,
A concentric texture is formed on either or both of the surface of the non-magnetic substrate and the surface of the layer formed between this substrate and the magnetic layer, and the underlayer is made of a CrMo-based alloy, and the thickness of the layer. Has a high coercive force and an S / N ratio of 80 to 300Å, or the size of the crystal grains of the CrMo-based alloy constituting the underlayer is less than 140Å, or the magnetic layer is composed of a CoCrPtB-based alloy. The ratio makes it possible to obtain a good magnetic recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施例1にかかる磁気記録媒体の膜構成を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a film configuration of a magnetic recording medium according to a first embodiment.

【図2】 実施例1で用いるテープ式のテクスチャ装置
の概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of a tape-type texture device used in the first embodiment.

【図3】 実施例等の特性を表にして示す図である。FIG. 3 is a table showing characteristics of examples and the like.

【図4】 実施例5にかかる磁気記録媒体の構成を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a structure of a magnetic recording medium according to a fifth embodiment.

【図5】 バイアス電圧の違いによるPW、S/N比の
特性変化を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing characteristic changes in PW and S / N ratio due to differences in bias voltage.

【図6】 下地層の組成を変えた場合のそれぞれについ
て磁性層の膜厚を変えて測定したS/N比を示すグラフ
である。
FIG. 6 is a graph showing the S / N ratio measured by changing the film thickness of the magnetic layer when the composition of the underlayer is changed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…非磁性基板、11、31…テクスチャー、2…プリ
コート層、3…NiP系合金層、4…下地層、5…中間
層、6…磁性層、7…保護層、8…潤滑層。
1 ... Non-magnetic substrate, 11, 31 ... Texture, 2 ... Precoat layer, 3 ... NiP type alloy layer, 4 ... Underlayer, 5 ... Intermediate layer, 6 ... Magnetic layer, 7 ... Protective layer, 8 ... Lubricating layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 久雄 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 梅澤 禎一郎 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 田中 宏尚 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 上村 正樹 東京都新宿区中落合2丁目7番5号 ホー ヤ株式会社内 Fターム(参考) 5D006 BB02 CA01 CA05 CA06 CB04 CB07 CB08 EA03 EA05 5D112 AA02 AA03 BA03 BA05 FA04 GA09    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Hisao Kawai             2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo Ho             Within Ya Co., Ltd. (72) Inventor Teichiro Umezawa             2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo Ho             Within Ya Co., Ltd. (72) Inventor Hirotaka Tanaka             2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo Ho             Within Ya Co., Ltd. (72) Inventor Masaki Uemura             2-7-5 Nakaochiai, Shinjuku-ku, Tokyo Ho             Within Ya Co., Ltd. F-term (reference) 5D006 BB02 CA01 CA05 CA06 CB04                       CB07 CB08 EA03 EA05                 5D112 AA02 AA03 BA03 BA05 FA04                       GA09

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非磁性基板上にCr系下地層と、CoP
t系磁性層とを有する磁気記録媒体であって、 前記非磁性基板の表面又はこの基板と前記磁性層との間
に形成される層の表面のいずれか又は双方に、磁性層の
面内配向性を良好にする同心円状のテクスチャーが形成
され、 前記Cr系下地層は、CrとMoとを含むCrMo系合
金であり、その層の厚さが80〜300Åであることを
特徴とする磁気記録媒体。
1. A Cr-based underlayer and CoP on a non-magnetic substrate.
A magnetic recording medium having a t-based magnetic layer, wherein the in-plane orientation of the magnetic layer is on either or both of the surface of the non-magnetic substrate and the surface of the layer formed between the substrate and the magnetic layer. Magnetic recording layer having a concentric circular texture for improving the magnetic property, wherein the Cr-based underlayer is a CrMo-based alloy containing Cr and Mo, and the thickness of the layer is 80 to 300Å. Medium.
【請求項2】 非磁性基板上にCr系下地層と、CoP
t系磁性層とを有する磁気記録媒体であって、 前記非磁性基板の表面又はこの基板と前記磁性層との間
に形成される層の表面のいずれか又は双方に、磁性層の
面内配向性を良好にする同心円状のテクスチャーが形成
され、 前記Cr系下地層は、CrとMoとを含むCrMo系合
金であり、その層を構成するCrMo系合金の結晶粒の
サイズが140Å未満であることを特徴とする磁気記録
媒体。
2. A Cr-based underlayer and CoP on a non-magnetic substrate.
A magnetic recording medium having a t-based magnetic layer, wherein the in-plane orientation of the magnetic layer is on either or both of the surface of the non-magnetic substrate and the surface of the layer formed between the substrate and the magnetic layer. A concentric circular texture for improving the property is formed, and the Cr-based underlayer is a CrMo-based alloy containing Cr and Mo, and the size of the crystal grains of the CrMo-based alloy constituting the layer is less than 140Å. A magnetic recording medium characterized by the above.
【請求項3】 前記CoPt系磁性層は、CoCrPt
B系磁性層であることを特徴請求項1又は2に記載の磁
気記録媒体。
3. The CoPt-based magnetic layer is CoCrPt.
The magnetic recording medium according to claim 1, which is a B-based magnetic layer.
【請求項4】 前記非磁性基板がガラス基板であり、前
記同心円状のテクスチャーは、前記ガラス基板上に形成
されたNiP系合金層の表面上に形成されていることを
特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
4. The non-magnetic substrate is a glass substrate, and the concentric circular texture is formed on a surface of a NiP-based alloy layer formed on the glass substrate. 4. The magnetic recording medium according to any one of 3 to 3.
【請求項5】 前記下地層を構成するCrMo系合金の
Moの含有量が5〜30at%であることを特徴とする
請求項1〜4のいずれかに記載の磁気記録媒体。
5. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the CrMo-based alloy forming the underlayer has a Mo content of 5 to 30 at%.
【請求項6】 前記NiP系合金層はスパッタリングに
よって形成されたものであり、前記非磁性基板と前記N
iP系合金層との間に、前記非磁性基板と前記NiP系
合金層との膜付着力を良好にするプリコート層が形成さ
れていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記
載の磁気記録媒体。
6. The NiP-based alloy layer is formed by sputtering, and the non-magnetic substrate and the N
6. A precoat layer that improves the film adhesion between the non-magnetic substrate and the NiP alloy layer is formed between the iP alloy layer and the iP alloy layer. Magnetic recording medium.
【請求項7】 前記プリコート層は、Cr、Cr合金、
NiAlから選ばれる材料からなることを特徴とする請
求項6記載の磁気記録媒体。
7. The precoat layer comprises Cr, a Cr alloy,
7. The magnetic recording medium according to claim 6, which is made of a material selected from NiAl.
【請求項8】 少なくとも前記下地層は、−100V乃
至―400Vの負のバイアス電圧を印加してスパッタ成
膜したものであることを特徴とする請求項1〜7のいず
れかに記載の磁気記録媒体。
8. The magnetic recording according to claim 1, wherein at least the underlayer is formed by sputtering by applying a negative bias voltage of −100V to −400V. Medium.
JP2001300995A 2001-09-28 2001-09-28 Magnetic recording medium Pending JP2003109213A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001300995A JP2003109213A (en) 2001-09-28 2001-09-28 Magnetic recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001300995A JP2003109213A (en) 2001-09-28 2001-09-28 Magnetic recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003109213A true JP2003109213A (en) 2003-04-11

Family

ID=19121478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001300995A Pending JP2003109213A (en) 2001-09-28 2001-09-28 Magnetic recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003109213A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7662264B2 (en) 2005-04-19 2010-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing magnetic recording medium
US7826176B2 (en) 2006-03-30 2010-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic recording medium with thicker protective film in edge areas and magnetic recording apparatus using the medium
US7898768B2 (en) 2006-03-16 2011-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Patterned medium with magnetic pattern depth relationship
US8652338B2 (en) 2007-09-26 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic recording medium and method of manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7662264B2 (en) 2005-04-19 2010-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing magnetic recording medium
US7898768B2 (en) 2006-03-16 2011-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Patterned medium with magnetic pattern depth relationship
US7826176B2 (en) 2006-03-30 2010-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic recording medium with thicker protective film in edge areas and magnetic recording apparatus using the medium
US8652338B2 (en) 2007-09-26 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic recording medium and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6670055B2 (en) Magnetic recording medium and manufacturing method therefor
US5605733A (en) Magnetic recording medium, method for its production, and system for its use
US6303217B1 (en) Longitudinal recording medium with a dual underlayer
US5879783A (en) Low noise magnetic recording medium and method of manufacturing
JP3755449B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
JP2011248969A (en) Perpendicular magnetic disk
JP2012009086A (en) Perpendicular magnetic recording medium and method for manufacturing the same
JPWO2007129687A1 (en) Magnetic recording medium, manufacturing method thereof, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP2006155861A (en) Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus
JPWO2009014205A1 (en) Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method thereof, and magnetic recording / reproducing apparatus
JP4557880B2 (en) Magnetic recording medium and magnetic recording / reproducing apparatus
JP4534711B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
US6403241B1 (en) CoCrPtB medium with a 1010 crystallographic orientation
JP2006302426A (en) Perpendicular magnetic recording medium and its manufacturing method
US6156422A (en) High density magnetic recording medium with high Hr and low Mrt
US7357998B2 (en) Disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, perpendicular magnetic recording disk and manufacturing methods thereof
JP2003109213A (en) Magnetic recording medium
JP2005078796A (en) MAGNETIC THIN FILM MEDIA WITH BI-LAYER STRUCTURE OF CrTi/NiP
JP2003067909A (en) Perpendicular magnetic recording medium
JP4535666B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
US20040213949A1 (en) Magnetic disk and method of producing the same
JP4238455B2 (en) Magnetic recording medium manufacturing method and magnetic recording / reproducing apparatus
JP4534402B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing method thereof
JP2001503180A (en) Magnetic recording media comprising an underlayer of nickel-aluminum or iron-aluminum
US7273666B2 (en) Magnetic recording medium and magnetic recording medium driving apparatus