JP2003107667A - Photomask, its manufacturing method and method for forming magnetization pattern - Google Patents

Photomask, its manufacturing method and method for forming magnetization pattern

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JP2003107667A
JP2003107667A JP2001302024A JP2001302024A JP2003107667A JP 2003107667 A JP2003107667 A JP 2003107667A JP 2001302024 A JP2001302024 A JP 2001302024A JP 2001302024 A JP2001302024 A JP 2001302024A JP 2003107667 A JP2003107667 A JP 2003107667A
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JP
Japan
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photomask
pattern
magnetic
layer
energy ray
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JP2001302024A
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Japanese (ja)
Inventor
Shiroji Kondo
城二 近藤
Shigenobu Harada
重信 原田
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask on which a mask pattern is formed with high accuracy. SOLUTION: In exposing procedures of a manufacturing method for the photomask having a process for forming a photoresist layer 13 on a transparent substrate base 10 having an energy ray shielding material layer 12 before an etching processing, a process for forming a resist pattern 13A by developing a latent image pattern after forming it by irradiating the photoresist layer 13 with an energy ray, a process for etching the energy ray shielding material layer 12 and a process for removing the resist 13A, a latent image 13b for diffraction slit is formed in a transmission area 15 without the energy ray shielding material layer 12 in outer peripherals of a mask pattern area by photoresist. The latent image 13b for diffraction slit is irradiated with laser beam 21 from the bottom of the transparent substrate base 10, a developer is supplied as detecting zero-order, 1st-order or 2nd-order diffracted lights and development is stopped at a point of time when light quantity ratio between diffracted lights becomes prescribed one.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの製
造方法に係り、特に、磁気ディスクに磁化パターンを形
成する場合等に用いるフォトマスクの製造方法に関す
る。また、本発明は、この方法により製造されたフォト
マスクと、このフォトマスクを用いて磁気ディスクに磁
化パターンを形成する方法とに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask manufacturing method, and more particularly to a photomask manufacturing method used for forming a magnetization pattern on a magnetic disk. The present invention also relates to a photomask manufactured by this method and a method for forming a magnetization pattern on a magnetic disk using this photomask.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気ディスク装置(ハードディスクドラ
イブ)に代表される磁気記録装置はコンピュータなどの
情報処理装置の外部記憶装置として広く用いられ、近年
は動画像の録画装置やセットトップボックスのための記
録装置としても使用されつつある。
2. Description of the Related Art A magnetic recording device represented by a magnetic disk device (hard disk drive) is widely used as an external storage device of an information processing device such as a computer, and in recent years, it is a recording device for a moving image recording device or a set top box. It is also being used as a device.

【0003】磁気ディスク装置は、通常、磁気ディスク
を1枚或いは複数枚を串刺し状に固定するシャフトと、
該シャフトにベアリングを介して接合された磁気ディス
クを回転させるモータと、記録及び/又は再生に用いる
磁気ヘッドと、該ヘッドが取り付けられたアームと、ヘ
ッドアームを介してヘッドを磁気記録媒体上の任意の位
置に移動させることのできるアクチュエータとからな
る。記録再生用ヘッドは通常浮上型ヘッドで、磁気記録
媒体上を一定の浮上量で移動している。
A magnetic disk device usually has a shaft for fixing one or a plurality of magnetic disks in a skewered shape,
A motor for rotating a magnetic disk joined to the shaft through a bearing, a magnetic head used for recording and / or reproducing, an arm to which the head is attached, and a head for mounting the head on a magnetic recording medium. An actuator that can be moved to any position. The recording / reproducing head is usually a flying head, which moves on the magnetic recording medium with a constant flying height.

【0004】また、浮上型ヘッドの他に媒体との距離を
より縮めるために、コンタクトヘッド(接触型ヘッド)
の使用も提案されている。
In addition to the flying head, in order to further reduce the distance to the medium, a contact head (contact head)
The use of is also suggested.

【0005】磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒
体は、一般にアルミニウム合金などからなる基板の表面
にNiP層を形成し、所要の平滑化処理、テキスチャリ
ング処理などを施した後、その上に、金属下地層、磁性
層(情報記録層)、保護層、潤滑層などを順次形成して
作製されている。あるいは、ガラスなどからなる基板の
表面に金属下地層、磁性層(情報記録層)、保護層、潤
滑層などを順次形成して作製されている。磁気記録媒体
には面内磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とがある。面
内磁気記録媒体は、通常、長手記録が行われる。
In a magnetic recording medium mounted on a magnetic disk device, a NiP layer is generally formed on the surface of a substrate made of an aluminum alloy or the like, and after performing a required smoothing treatment, texturing treatment, etc., a NiP layer is formed thereon. It is manufactured by sequentially forming a metal underlayer, a magnetic layer (information recording layer), a protective layer, a lubricating layer and the like. Alternatively, it is manufactured by sequentially forming a metal underlayer, a magnetic layer (information recording layer), a protective layer, a lubricating layer, etc. on the surface of a substrate made of glass or the like. The magnetic recording medium includes an in-plane magnetic recording medium and a perpendicular magnetic recording medium. Longitudinal recording is usually performed on the longitudinal magnetic recording medium.

【0006】磁気記録媒体の高密度化は年々その速度を
増しており、これを実現する技術には様々なものがあ
る。例えば磁気ヘッドの浮上量をより小さくしたり磁気
ヘッドとしてGMRヘッドを採用したり、また磁気ディ
スクの記録層に用いる磁性材料を保磁力の高いものにす
るなどの改良や、磁気ディスクの情報記録トラックの間
隔を狭くするなどが試みられている。例えば100Gb
it/inch2を実現するには、トラック密度は10
0ktpi以上が必要とされる。
The density of magnetic recording media is increasing every year, and there are various techniques for realizing this. For example, improvements such as making the flying height of the magnetic head smaller, adopting a GMR head as the magnetic head, and increasing the coercive force of the magnetic material used for the recording layer of the magnetic disk, and the information recording track of the magnetic disk Attempts have been made to reduce the interval between. For example, 100 Gb
To achieve it / inch 2 , the track density is 10
0 ktpi or more is required.

【0007】各トラックには、磁気ヘッドを制御するた
めの制御用磁化パターンが形成されている。例えば磁気
ヘッドの位置制御に用いる信号や同期制御に用いる信号
である。情報記録トラックの間隔を狭めてトラック数を
増加させると、データ記録/再生用ヘッドの位置制御に
用いる信号(以下、「サーボ信号」と言うことがあ
る。)もそれに合わせてディスクの半径方向に対して密
に、すなわちより多く設けて精密な制御を行えるように
しなければならない。
A control magnetization pattern for controlling the magnetic head is formed on each track. For example, it is a signal used for position control of the magnetic head or a signal used for synchronization control. When the distance between the information recording tracks is narrowed and the number of tracks is increased, the signal used for position control of the data recording / reproducing head (hereinafter, also referred to as “servo signal”) is also aligned in the radial direction of the disk. On the other hand, it must be densely provided, that is, more, so that precise control can be performed.

【0008】また、データ記録に用いる以外の領域、即
ちサーボ信号に用いる領域や該サーボ領域とデータ記録
領域の間のギャップ部を小さくしてデータ記録領域を広
くし、データ記録容量を上げたいとの要請も大きい。こ
のためにはサーボ信号の出力を上げたり同期信号の精度
を上げる必要がある。
In addition, it is desirable to increase the data recording capacity by reducing the area other than the area used for data recording, that is, the area used for servo signals and the gap between the servo area and the data recording area to widen the data recording area. Is also a big request. For this purpose, it is necessary to increase the output of the servo signal and the accuracy of the synchronization signal.

【0009】従来広く製造に用いられている方法は、ド
ライブ(磁気記録装置)のヘッドアクチュエータ近傍に
穴を開け、その部分にエンコーダ付きのピンを挿入し、
該ピンでアクチュエータを係合し、ヘッドを正確な位置
に駆動してサーボ信号を記録するものである。しかしな
がら、位置決め機構とアクチュエータの重心が異なる位
置にあるため、高精度のトラック位置制御ができず、サ
ーボ信号を正確に記録するのが困難であった。
Conventionally, the method widely used for manufacturing is to make a hole in the vicinity of a head actuator of a drive (magnetic recording device), and insert a pin with an encoder into the hole.
The actuator is engaged with the pin, the head is driven to an accurate position, and the servo signal is recorded. However, since the center of gravity of the positioning mechanism and the center of gravity of the actuator are different from each other, highly accurate track position control cannot be performed, and it is difficult to accurately record the servo signal.

【0010】一方、レーザビームを磁気ディスクに照射
してディスク表面を局所的に変形させ物理的な凹凸を形
成することで、凹凸サーボ信号を形成する技術も提案さ
れている。しかし、凹凸により浮上ヘッドが不安定とな
り記録再生に悪影響を及ぼす、凹凸を形成するために大
きなパワーをもつレーザビームを用いる必要がありコス
トがかかる、凹凸を1ずつ形成するために時間がかか
る、といった問題があった。
On the other hand, there is also proposed a technique of forming a concave / convex servo signal by irradiating a magnetic disk with a laser beam to locally deform the surface of the disk to form physical unevenness. However, the flying head becomes unstable due to the unevenness, which adversely affects recording / reproduction. It is necessary to use a laser beam having a large power to form the unevenness, which is costly, and it takes time to form the unevenness one by one. There was such a problem.

【0011】このため新しいサーボ信号形成法が提案さ
れている。
Therefore, a new servo signal forming method has been proposed.

【0012】一例は、高保磁力の磁性層を持つマスター
ディスクにサーボパターンを形成し、マスターディスク
を磁気記録媒体に密着させるとともに、外部から補助磁
界をかけて磁化パターンを転写する方法である(USP
5,991,104号)。
One example is a method in which a servo pattern is formed on a master disk having a magnetic layer having a high coercive force, the master disk is brought into close contact with a magnetic recording medium, and a magnetic field is transferred by applying an auxiliary magnetic field from the outside (USP).
5,991,104).

【0013】他の例は、媒体を予め一方向に磁化してお
き、マスターディスクに高透磁率で低保磁力の軟磁性層
などをパターニングし、マスターディスクを媒体に密着
させるとともに外部磁界をかける方法である。軟磁性層
がシールドとして働き、シールドされていない領域に磁
化パターンが転写される(特開昭50−60212号公
報(USP3、869、711号)、特開平10−40
544号公報(EP915456号)、Digest of Inte
rMag 2000、GP-06、参照)。
In another example, the medium is magnetized in one direction in advance, a soft magnetic layer having a high magnetic permeability and a low coercive force is patterned on the master disk, and the master disk is brought into close contact with the medium and an external magnetic field is applied. Is the way. The soft magnetic layer acts as a shield, and the magnetization pattern is transferred to the unshielded region (Japanese Patent Laid-Open No. 60-60212 (USP 3,869,711), Japanese Patent Laid-Open No. 10-40).
544 (EP915456), Digest of Inte
rMag 2000, GP-06, see).

【0014】これらの方法では、いずれもマスターディ
スクを用い、強力な磁界によって磁化パターンを媒体に
形成している。
In each of these methods, a master disk is used and a magnetic pattern is formed on the medium by a strong magnetic field.

【0015】一般に磁界の強度は距離に依存するので、
磁界によって磁化パターンを記録する際には、漏れ磁界
によってパターン境界が不明瞭になりやすい。そこで、
漏れ磁界を最小にするためにマスターディスクと媒体を
密着させることが不可欠である。そしてパターンが微細
になるほど、隙間なく完全に密着させる必要があり、通
常、両者は真空吸着などにより圧着される。
Generally, the strength of the magnetic field depends on the distance.
When recording a magnetization pattern with a magnetic field, the leakage magnetic field tends to obscure the pattern boundaries. Therefore,
Intimate contact between the master disk and the medium is essential to minimize stray magnetic fields. Further, as the pattern becomes finer, it is necessary to completely adhere to each other without a gap, and usually, both are pressure-bonded by vacuum suction or the like.

【0016】また、媒体の保磁力が高くなるほど転写に
用いる磁界も大きくなり、漏れ磁界も大きくなるため、
更に完全に密着させる必要がある。
Also, the higher the coercive force of the medium, the larger the magnetic field used for transfer and the larger the leakage magnetic field.
Furthermore, it is necessary to make them adhere completely.

【0017】従って上記技術は、保磁力の低い磁気ディ
スクや、マスターディスクに密着させ易い可撓性のフロ
ッピー(登録商標)ディスクには適用しやすいが、硬質
基板を用いた、高密度記録用の保磁力が3000Oe以
上もあるような磁気ディスクへの適用が非常に難しい。
Therefore, the above technique is easily applied to a magnetic disk having a low coercive force and a flexible floppy (registered trademark) disk which is easily adhered to a master disk, but it is used for high density recording using a hard substrate. It is very difficult to apply to a magnetic disk having a coercive force of 3000 Oe or more.

【0018】即ち、硬質基板の磁気ディスクは、マスタ
ーディスクへの密着の際に微小なゴミ等を挟み込み媒体
に欠陥が生じたり、或いは高価なマスターディスクを痛
めてしまう恐れがあった。特にガラス基板の場合、ゴミ
の挟み込みで密着が不十分になり磁気転写できなかった
り、磁気記録媒体にクラックが発生したりするという問
題があった。
In other words, the magnetic disk of the hard substrate has a risk that minute dust or the like may be caught in the medium when it comes into close contact with the master disk, or the expensive master disk may be damaged. In particular, in the case of a glass substrate, there are problems that the adhesion is insufficient due to the inclusion of dust, magnetic transfer cannot be performed, and cracks occur in the magnetic recording medium.

【0019】また、特開昭50−60212号(USP
3、869、711号)に記載されたような技術では、
ディスクのトラック方向に対して斜めの角度を有したパ
ターンは、記録は可能であるが信号強度の弱いパターン
しか作れないという問題があった。保磁力が2000〜
2500Oe以上の高保磁力の磁気記録媒体に対して
は、転写の磁界強度を確保するために、マスターディス
クのパターン用強磁性体(シールド材)は、パーマロイ
あるいはセンダスト等の飽和磁束密度の大きい軟磁性体
を使わざるを得ない。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 60-60212 (USP
3, 869, 711),
The pattern having an oblique angle with respect to the track direction of the disk has a problem that only a pattern having weak signal strength can be formed although recording is possible. Coercive force is 2000 ~
For a magnetic recording medium having a high coercive force of 2500 Oe or more, in order to secure the magnetic field strength for transfer, the pattern ferromagnetic material (shield material) of the master disk is made of soft magnetic material such as permalloy or sendust having a large saturation magnetic flux density. I have no choice but to use my body.

【0020】しかし、斜めのパターンでは、磁化反転の
磁界はマスターディスクの強磁性層が作るギャップに垂
直方向となってしまい所望の方向に磁化を傾けることが
できない。その結果、磁界の一部が強磁性層に逃げてし
まい磁気転写の際に所望の部位に十分な磁界がかかりに
くく、十分な磁化反転パターンを形成できず高い信号強
度が得にくくなってしまう。こうした斜めの磁化パター
ンは、再生出力が、トラックに垂直のパターンに対して
アジマスロス以上に大きく減ってしまう。
However, in the oblique pattern, the magnetic field of the magnetization reversal is perpendicular to the gap formed by the ferromagnetic layer of the master disk, and the magnetization cannot be tilted in the desired direction. As a result, a part of the magnetic field escapes to the ferromagnetic layer, and it is difficult to apply a sufficient magnetic field to a desired portion during magnetic transfer, and it is difficult to form a sufficient magnetization reversal pattern and it is difficult to obtain high signal strength. Such an oblique magnetization pattern causes the reproduction output to be reduced more than azimuth loss with respect to the pattern perpendicular to the track.

【0021】このような問題点を解決するために、本出
願人は、特願2000−134608号及び特願200
0−134611号において、局所加熱と外部磁界印加
を組み合わせて磁気記録媒体に磁化パターンを形成する
方法を提案している。例えば、媒体を予め一方向に磁化
しておき、パターニングされたマスクを介してエネルギ
ー線を照射し局所的に加熱し、該加熱領域の保磁力を下
げつつ外部磁界を印加し、この加熱領域に外部磁界によ
る磁化を施して、磁化パターンを形成する。
In order to solve such a problem, the present applicant has filed Japanese Patent Application Nos. 2000-134608 and 200.
No. 0-134611 proposes a method of forming a magnetization pattern on a magnetic recording medium by combining local heating and application of an external magnetic field. For example, the medium is magnetized in one direction in advance, and an energy ray is irradiated through a patterned mask to locally heat the medium, and an external magnetic field is applied while lowering the coercive force of the heated region. Magnetization is applied by an external magnetic field to form a magnetization pattern.

【0022】本技術によれば、加熱により保磁力を下げ
て外部磁界を印加するので、外部磁界が媒体の保磁力よ
り高い必要はなく、弱い磁界で記録できる。そして、記
録される領域が加熱領域に限定され、加熱領域以外には
磁界が印加されても記録されないので、媒体にマスク等
を密着させなくても明瞭な磁化パターンが記録できる。
このため圧着によって媒体やマスクを傷つけることな
く、媒体の欠陥を増加させることもない。
According to the present technology, since the coercive force is lowered by heating and the external magnetic field is applied, the external magnetic field does not need to be higher than the coercive force of the medium, and recording can be performed with a weak magnetic field. Since the area to be recorded is limited to the heating area and the area other than the heating area is not recorded even when a magnetic field is applied, a clear magnetization pattern can be recorded without bringing a mask or the like into close contact with the medium.
Therefore, the medium and the mask are not damaged by the pressure bonding, and the defects of the medium are not increased.

【0023】また、マスターディスクの軟磁性体によっ
て外部磁界をシールドする必要がないため、斜めの磁化
パターンも良好に形成できる。
Further, since it is not necessary to shield the external magnetic field by the soft magnetic material of the master disk, a diagonal magnetization pattern can be formed well.

【0024】このようなフォトマスクを介してエネルギ
ー線を照射し磁性層を局所的に加熱しつつ外部磁界を印
加して磁化パターンを形成する方法において、エネルギ
ー線としては現在のところレーザ光が主として用いられ
ている。また、フォトマスクには、形成すべき磁化パタ
ーンに合致したパターンにてエネルギー線遮断材料層よ
りなるマスクパターンが形成されている。なお、このフ
ォトマスクとしては、石英ガラス製の透明基板の上にク
ロム系材料よりなるマスクパターンを形成したものが主
として用いられている。クロム系材料としては、金属ク
ロム層のみからなるもの;又は、金属クロム層の表面に
酸化クロム層を形成したもの;が主として用いられてい
る。
In the method of irradiating an energy ray through such a photomask to locally heat the magnetic layer and applying an external magnetic field to form a magnetization pattern, a laser beam is mainly used as an energy ray at present. It is used. Further, a mask pattern made of an energy ray blocking material layer is formed on the photomask in a pattern matching the magnetization pattern to be formed. As the photomask, a photomask in which a mask pattern made of a chromium-based material is formed on a transparent substrate made of quartz glass is mainly used. As the chrome-based material, a material formed of only a metal chromium layer; or a material in which a chromium oxide layer is formed on the surface of the metal chromium layer is mainly used.

【0025】このフォトマスクの形成方法について次に
概略的に説明する。
A method of forming this photomask will be briefly described below.

【0026】透明基板素体としては、石英ガラスよりな
る透明基板と、その一方の面に均一に形成されたエネル
ギー線遮断材料層とからなるものが用いられる。
As the transparent substrate body, a transparent substrate made of quartz glass and an energy ray blocking material layer uniformly formed on one surface thereof is used.

【0027】この透明基板素体上に光硬化性樹脂を含む
フォトレジストを所定厚みにて塗布し、必要に応じてベ
ーク(プリベーク)する。
Photoresist containing a photo-curable resin is applied to the transparent substrate body to a predetermined thickness and baked (pre-baked) if necessary.

【0028】このフォトレジストにレーザビームを照射
して潜像パターンを形成する。この潜像パターンは、形
成しようとするマスクパターンに合致したパターンであ
る。
The photoresist is irradiated with a laser beam to form a latent image pattern. This latent image pattern is a pattern that matches the mask pattern to be formed.

【0029】この基板上に現像液を供給して露光された
フォトレジストを除去し(現像工程)、その後、必要に
応じてベーク(ポストベーク)し、レジストパターンを
形成する。
A developing solution is supplied onto this substrate to remove the exposed photoresist (developing step), and then, if necessary, baking (post-baking) is performed to form a resist pattern.

【0030】次いで、エネルギー線遮断材料層をエッチ
ングし、最後に、残ったレジストパターンを溶解除去
(リムーブ)する。これによりマスクパターンが透明基
板上に形成されたフォトマスクが製造される。
Next, the energy ray blocking material layer is etched, and finally, the remaining resist pattern is dissolved and removed (removed). As a result, a photomask having a mask pattern formed on the transparent substrate is manufactured.

【0031】上記の現像工程において、従来、現像液は
タイマーによって所定時間だけ基板上に供給されてい
る。
In the above developing process, conventionally, the developing solution is supplied onto the substrate for a predetermined time by a timer.

【0032】[0032]

【発明が解決しようとする課題】タイマーによって所定
時間だけ現像液を基板上に供給する方式の場合、露光用
レーザーのパワーの変動、フォトレジストの感度の変動
等の外乱があった場合、過現像や逆に現像不足が生じ、
現像後のマスクパターンの精度不良を生じさせることが
ある。
In the case of a system in which a developing solution is supplied onto a substrate for a predetermined time by a timer, when there is a disturbance such as fluctuation of power of exposure laser or fluctuation of photoresist sensitivity, overdevelopment occurs. On the contrary, development shortage occurs,
The accuracy of the mask pattern after development may be deteriorated.

【0033】本発明は、高精度のマスクパターンを有し
たフォトマスクを効率良く製造することができるフォト
マスクの製造方法と、この方法により製造されたフォト
マスクと、このフォトマスクを用いた磁化パターン形成
方法とを提供することを目的とする。
The present invention provides a photomask manufacturing method capable of efficiently manufacturing a photomask having a highly accurate mask pattern, a photomask manufactured by this method, and a magnetization pattern using this photomask. And a forming method.

【0034】[0034]

【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
製造方法は、透明基板上のパターン形成領域にエネルギ
ー線遮断材料層よりなるマスクパターンがエッチングに
より形成されたフォトマスクを製造する方法であって、
エッチング処理前のエネルギー線遮断材料層を備えた透
明基板素体にフォトレジスト層を形成する工程と、該フ
ォトレジスト層にエネルギー線を照射することにより前
記マスクパターンに従った潜像パターンを形成する潜像
パターン形成工程と、該フォトレジスト層を現像してエ
ネルギー線遮断材料層上にレジストパターンを形成する
現像工程と、エネルギー線遮断材料層をエッチングする
エッチング工程と、レジストパターンを除去するレジス
トパターン除去工程と、を有するフォトマスクの製造方
法において、前記透明基板素体は、前記パターン形成領
域以外の少なくとも一部に前記エネルギー線遮断材料層
を有しない透過領域を有しており、前記潜像パターン形
成工程において、該透過領域にエネルギー線を照射して
該透過領域に回折スリット用潜像を形成し、前記現像工
程において、該回折スリット用潜像に光を照射しながら
その透過光を検出し、この透過光が所定の状態となるま
で現像を行うことを特徴とするものである。
A method of manufacturing a photomask according to the present invention is a method of manufacturing a photomask in which a mask pattern made of an energy ray blocking material layer is formed by etching in a pattern forming region on a transparent substrate. hand,
A step of forming a photoresist layer on a transparent substrate body provided with an energy ray blocking material layer before etching, and a latent image pattern according to the mask pattern is formed by irradiating the photoresist layer with energy rays. A latent image pattern forming step, a developing step of developing the photoresist layer to form a resist pattern on the energy ray blocking material layer, an etching step of etching the energy ray blocking material layer, and a resist pattern of removing the resist pattern In the method for manufacturing a photomask, which comprises a removing step, the transparent substrate element has a transparent region having no energy ray blocking material layer in at least a part other than the pattern forming region, and the latent image In the pattern formation process, the transmission area is irradiated with energy rays to diffract the transmission area. It is characterized in that a latent image for lit is formed, in the developing step, the transmitted light is detected while irradiating the latent image for the diffraction slit with light, and the development is performed until the transmitted light reaches a predetermined state. It is a thing.

【0035】かかる本発明のフォトマスクの製造方法に
あっては、現像時に回折スリット用潜像に光を照射し、
その透過光から現像の進行状況を検知するので、常に現
像を過不足なく適正に行うことができる。これにより、
高精度のマスクパターンを有したフォトマスクを製造す
ることができる。
In the photomask manufacturing method of the present invention, the latent image for the diffraction slit is irradiated with light during development,
Since the progress of development is detected from the transmitted light, the development can always be properly performed without excess or deficiency. This allows
A photomask having a highly accurate mask pattern can be manufactured.

【0036】現像工程においては、回折スリット用潜像
に光としてレーザ光を照射し、その0次回折光、1次回
折光、2次回折光のいずれか2つを検出して光の強度比
をモニタリングするのが好ましく、特に0次回折光と1
次回折光との強度比、又は1次回折光と2次回折光との
強度比をモニタリングするのが好ましい。
In the developing step, the latent image for the diffraction slit is irradiated with laser light as light, and any two of the 0th-order diffracted light, the 1st-order diffracted light and the 2nd-order diffracted light are detected to monitor the light intensity ratio. Is preferable, and especially 0 order diffracted light and 1
It is preferable to monitor the intensity ratio of the secondary diffracted light or the intensity ratio of the primary diffracted light and the secondary diffracted light.

【0037】本発明では、エッチング処理前のエネルギ
ー線遮断材料層は円形であり、その外周側に透過領域を
配置するのが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the energy ray blocking material layer before etching is circular, and the transmission region is arranged on the outer peripheral side thereof.

【0038】回折スリット用潜像は、円形のエネルギー
線遮断材料層と同心円状の円形状又はスパイラル状に設
けられるのが好ましい。
The latent image for the diffraction slit is preferably provided in a circular shape or a spiral shape concentric with the circular energy ray blocking material layer.

【0039】本発明のフォトマスクは、かかる本発明の
フォトマスクの製造方法により製造されたものである。
The photomask of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a photomask of the present invention.

【0040】本発明の磁気ディスクにおける磁化パター
ン形成方法は、磁性層を有してなる磁気ディスクに対し
フォトマスクを介してエネルギー線を照射し、これによ
って該磁性層を局所的に加熱しつつ外部磁界を印加して
磁化パターンを形成する方法において、このフォトマス
クとして本発明方法により製造されたものを用いること
を特徴とするものである。
The method of forming a magnetic pattern in a magnetic disk according to the present invention comprises irradiating a magnetic disk having a magnetic layer with energy rays through a photomask, thereby locally heating the magnetic layer while externally heating the magnetic layer. In a method of applying a magnetic field to form a magnetization pattern, the photomask manufactured by the method of the present invention is used as the photomask.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】本発明のフォトマスクの製造方法
は、透明基板上のパターン形成領域にエネルギー線遮断
材料層よりなるマスクパターンがエッチングにより形成
されたフォトマスクを製造する方法であって、エッチン
グ処理前のエネルギー線遮断材料層を備えた透明基板素
体にフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジ
スト層にエネルギー線を照射することにより前記マスク
パターンに従った潜像パターンを形成する潜像パターン
形成工程と、該フォトレジスト層を現像してエネルギー
線遮断材料層上にレジストパターンを形成する現像工程
と、エネルギー線遮断材料層をエッチングするエッチン
グ工程と、レジストパターンを除去するレジストパター
ン除去工程と、を有するフォトマスクの製造方法におい
て、前記透明基板素体は、前記パターン形成領域以外の
少なくとも一部に前記エネルギー線遮断材料層を有しな
い透過領域を有しており、前記潜像パターン形成工程に
おいて、該透過領域にエネルギー線を照射して該透過領
域に回折スリット用潜像を形成し、前記現像工程におい
て、該回折スリット用潜像に光を照射しながらその透過
光を検出し、この透過光が所定の状態となるまで現像を
行うことを特徴とするものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method for producing a photomask of the present invention is a method for producing a photomask in which a mask pattern made of an energy ray blocking material layer is formed by etching in a pattern formation region on a transparent substrate, A step of forming a photoresist layer on a transparent substrate body provided with an energy ray blocking material layer before etching, and a latent image pattern according to the mask pattern is formed by irradiating the photoresist layer with energy rays. A latent image pattern forming step, a developing step of developing the photoresist layer to form a resist pattern on the energy ray blocking material layer, an etching step of etching the energy ray blocking material layer, and a resist pattern of removing the resist pattern A method of manufacturing a photomask, comprising: The body has a transmissive region not having the energy ray blocking material layer in at least a part other than the pattern forming region, and in the latent image pattern forming step, the transmissive region is irradiated with an energy ray to transmit the light. A latent image for a diffraction slit is formed in a region, the transmitted light is detected while irradiating the latent image for the diffraction slit with light in the developing step, and development is performed until the transmitted light reaches a predetermined state. It is a feature.

【0042】透明基板は透明石英基板が好適であるが、
これに限定されるものではない。透明基板の形状は任意
であり、方形でも円形でもよい。
The transparent substrate is preferably a transparent quartz substrate,
It is not limited to this. The shape of the transparent substrate is arbitrary and may be square or circular.

【0043】透明基板上に形成されるエネルギー線遮断
材料層は金属クロム膜、又は、金属クロム膜の表面に酸
化クロム層を形成した膜が好適であるが、これに限定さ
れない。
The energy ray blocking material layer formed on the transparent substrate is preferably a metal chromium film or a film in which a chromium oxide layer is formed on the surface of the metal chromium film, but the material is not limited to this.

【0044】フォトレジストとしては、光硬化型合成樹
脂又は電子線硬化型合成樹脂を主成分としたものが好適
であり、フォトレジスト層に照射されるエネルギー線
は、レーザビーム又は電子線が好適である。
As the photoresist, it is preferable to use a photo-curable synthetic resin or an electron beam-curable synthetic resin as a main component, and the energy beam with which the photoresist layer is irradiated is preferably a laser beam or an electron beam. is there.

【0045】エッチング処理前のエネルギー線遮断材料
層は透明基板層上に円形に形成され、この円形のエネル
ギー線遮断材料層の外側に透過領域が形成されているこ
とが好ましい。透過領域の幅は0.5〜10mm程度が
好ましい。この透過領域に、好ましくは円形のエネルギ
ー線遮断材料層と同心円状に1又は複数のリング状の回
折スリット用の潜像がフォトレジストの露光によって形
成され、その後の現像工程において回折スリットが次第
に現像されてくる。
It is preferable that the energy ray blocking material layer before the etching treatment is formed in a circular shape on the transparent substrate layer, and the transmission region is formed outside the circular energy ray blocking material layer. The width of the transparent region is preferably about 0.5 to 10 mm. In this transmission region, a latent image for one or a plurality of ring-shaped diffraction slits is formed by exposure of the photoresist, preferably concentrically with the circular energy ray blocking material layer, and the diffraction slits are gradually developed in the subsequent development process. Is coming.

【0046】以下、本発明の実施の形態に係るフォトマ
スク製造方法の現像工程について図面を参照しながら詳
細に説明する。図1(a),(b),(c)は実施の形態に
係るフォトマスクの現像工程示す模式的な説明図であ
る。
Hereinafter, the developing process of the photomask manufacturing method according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1A, 1 </ b> B, and 1 </ b> C are schematic explanatory views showing the developing process of the photomask according to the embodiment.

【0047】図1(a)の通り、ターンテーブル1上に
露光済みのフォトレジスト付きの透明基板素体10が載
置され、このターンテーブル1が定角速度にて回転され
る。透明基板素体10は、石英ガラスよりなる透明基板
11と、この透明基板11の上面に均一に形成されたエ
ネルギー線遮断材料層12とからなる。このエネルギー
線遮断材料層12の上にフォトレジスト層13が形成さ
れ、露光されている。
As shown in FIG. 1A, the exposed transparent substrate body 10 with photoresist is placed on the turntable 1, and the turntable 1 is rotated at a constant angular velocity. The transparent substrate body 10 includes a transparent substrate 11 made of quartz glass and an energy ray blocking material layer 12 formed uniformly on the upper surface of the transparent substrate 11. A photoresist layer 13 is formed on the energy ray blocking material layer 12 and exposed.

【0048】エネルギー線遮断材料層12は円形であ
り、その外周側にエネルギー線遮断材料層12の無い透
過領域15(図1(b))が設けられている。フォトレ
ジスト層13は、エネルギー線遮断材料層12と透過領
域15の全体を覆うように全域にわたって均一厚さにて
形成されている。
The energy ray blocking material layer 12 has a circular shape, and the transmission region 15 (FIG. 1B) without the energy ray blocking material layer 12 is provided on the outer peripheral side thereof. The photoresist layer 13 is formed with a uniform thickness over the entire area so as to cover the entire energy ray blocking material layer 12 and the transmission area 15.

【0049】このフォトレジスト層13への露光は、エ
ネルギー線遮断材料層12上及び透過領域15の双方に
行われる。図1(b)の通り、エネルギー線遮断材料層
12上への露光により、マスクパターン用潜像13aが
形成され、透過領域15への露光により複数の回折スリ
ット用潜像13bが形成される。各回折スリット用潜像
13bは、円形のエネルギー線遮断材料層12と同心円
状の細幅リング状である。回折スリットの周期(トラッ
クピッチ)は、モニター用レーザビームの1.5〜5.
0倍程度が好ましく、たとえば、波長633nmのHe
−Neレーザを使用した場合、約1.0〜3.0μm程
度が好ましい。溝幅はトラックピッチの半分以下が好適
である。溝の本数は200〜4000本(スパイラルの
場合は200〜4000トラック)が好ましい。
The exposure of the photoresist layer 13 is performed on both the energy ray blocking material layer 12 and the transmission region 15. As shown in FIG. 1B, a mask pattern latent image 13 a is formed by exposure on the energy ray blocking material layer 12, and a plurality of diffraction slit latent images 13 b are formed by exposure on the transmission region 15. Each diffraction slit latent image 13b has a narrow ring shape concentric with the circular energy ray blocking material layer 12. The period (track pitch) of the diffraction slit is 1.5 to 5.
It is preferably about 0 times, for example, He with a wavelength of 633 nm.
When a -Ne laser is used, it is preferably about 1.0 to 3.0 μm. The groove width is preferably half the track pitch or less. The number of grooves is preferably 200 to 4000 (200 to 4000 tracks in the case of spiral).

【0050】なお、フォトレジスト層13への露光後
に、必要に応じ透明基板素体10を加熱してフォトレジ
スト層13のポストベークを行う。
After the exposure of the photoresist layer 13, the transparent substrate body 10 is heated if necessary to post-bake the photoresist layer 13.

【0051】このようにして露光が行われたフォトレジ
スト層13を有する透明基板素体10(図1(b)のも
の)を、そのエネルギー線遮断材料層12がターンテー
ブル1と同軸となるように載置する。そして、図1
(a)の通り、ターンテーブル1を定角速度にて回転さ
せると共に、ターンテーブル1の上方に配置された給液
ノズル2から現像液3を透明基板素体10上に定流量に
て供給する。透明基板素体10上に供給された現像液3
は、遠心力によって透明基板素体10上に広がりながら
透明基板素体10の外周縁に向って移動し、やがて該外
周縁から落下する。現像液3が透明基板素体10上を移
動する間にフォトレジスト層13の現像が行われる。
The transparent substrate body 10 (of FIG. 1B) having the photoresist layer 13 thus exposed is arranged such that the energy ray blocking material layer 12 is coaxial with the turntable 1. Place on. And FIG.
As shown in (a), the turntable 1 is rotated at a constant angular velocity, and the developing solution 3 is supplied onto the transparent substrate body 10 at a constant flow rate from the solution supply nozzle 2 arranged above the turntable 1. Developer 3 supplied on transparent substrate body 10
Moves toward the outer peripheral edge of the transparent substrate body 10 while spreading on the transparent substrate body 10 by the centrifugal force, and eventually falls from the outer peripheral edge. The development of the photoresist layer 13 is performed while the developing solution 3 moves on the transparent substrate body 10.

【0052】潜像13a,13b以外の露光領域のフォ
トレジスト層13は、現像液3によって徐々に流去さ
れ、図1(c)の通り、潜像13aに由来するマスクパ
ターン用レジスト13Aがエネルギー線遮断材料層12
上に現像され、潜像13bに由来する回折スリット13
Bが透過領域15に現像される。
The photoresist layer 13 in the exposed areas other than the latent images 13a and 13b is gradually washed away by the developing solution 3, and the mask pattern resist 13A derived from the latent image 13a is energized as shown in FIG. 1 (c). Line blocking material layer 12
Diffraction slit 13 developed on and derived from latent image 13b
B is developed in the transparent region 15.

【0053】この現像工程の間、図1(a)の通り、透
明基板素体10の透過領域15の下方に配置したレーザ
光源20からレーザビーム21を回折スリット用潜像1
3bに向けて照射し、透過光量をフォトディテクタ3
0,31,32によって検出する。フォトディテクタ3
0は0次回折光を検出し、フォトディテクタ31は1次
回折光を検出し、フォトディテクタ32は2次回折光を
検出する。
During this developing step, as shown in FIG. 1A, a laser beam 21 is emitted from a laser light source 20 disposed below the transmissive region 15 of the transparent substrate body 10 to the diffraction slit latent image 1.
3b, and the amount of transmitted light is detected by the photodetector 3
It is detected by 0, 31, 32. Photo detector 3
0 detects the 0th order diffracted light, the photodetector 31 detects the 1st order diffracted light, and the photodetector 32 detects the 2nd order diffracted light.

【0054】未露光のフォトレジスト層13が現像液に
よって除去されるにつれて各回折光の光量が変化する。
そして、この回折光量から未露光フォトレジスト層13
の除去状況(現像の進行状況)を検知し、現像の進行状
況が所定状態となったときに現像液3の供給を停止す
る。
The amount of each diffracted light changes as the unexposed photoresist layer 13 is removed by the developing solution.
Then, from this amount of diffracted light, the unexposed photoresist layer 13
The removal status (development progress status) is detected, and the supply of the developer 3 is stopped when the development progress status reaches a predetermined state.

【0055】現像の進行状況を検知するには、0次回折
光と1次回折光の強度比I/I、又は、1次回折光
と2次回折光の強度比I/Iを演算するのが好まし
く、この比が所定比に達したときに現像を停止する。現
像が進行するにつれてI/Iは増加し、I/I
は減少する。ただし溝幅がトラックピッチの半分以上と
なると増加に転じる。
In order to detect the progress of development, the intensity ratio I 0 / I 1 of the 0th-order diffracted light and the 1st-order diffracted light or the intensity ratio I 1 / I 2 of the 1st-order diffracted light and the 2nd-order diffracted light is calculated. The development is stopped when this ratio reaches a predetermined ratio. As the development progresses, I 0 / I 1 increases, and I 1 / I 2
Decreases. However, it starts to increase when the groove width becomes more than half of the track pitch.

【0056】このようにレーザビーム21の回折状況か
ら現像の進行状況を的確に検知できるので、フォトレジ
スト層13を過不足なく適正に現像することができる。
As described above, since the progress of development can be accurately detected from the diffraction of the laser beam 21, the photoresist layer 13 can be properly developed without excess or deficiency.

【0057】なお、現像状況モニター用のレーザビーム
21は、フォトレジストを露光させないようにするため
に赤色(例えば波長633nmのHe−Neレーザ)を
用いるのが好ましい。フォトレジスト層13の厚みは、
薄すぎるとエッチング時にレジストがなくなってしま
い、厚すぎると露光が困難であるところから、500〜
10000Åが好適である。
The laser beam 21 for monitoring the development status is preferably red (for example, He—Ne laser having a wavelength of 633 nm) so as not to expose the photoresist. The thickness of the photoresist layer 13 is
If it is too thin, the resist will run out during etching, and if it is too thick, it will be difficult to expose it.
10000Å is suitable.

【0058】この現像の後、必要に応じ透明基板素体1
0を加熱してレジスト13Aのポストベークを行う。そ
の後、透明基板素体10のエネルギー線遮断材料層12
をエッチング液と接触させてエネルギー線遮断材料層1
2をエッチングした後、リムーブ液と接触させてレジス
ト13A及び回折スリット13Bを除去する。これによ
り、所定のエネルギー線遮断材料層よりなるマスクパタ
ーンを有したフォトマスクが製造される。前述の通り、
フォトレジスト層13の現像が適正に行われているの
で、このマスクパターンの精度はきわめて高い。
After this development, if necessary, the transparent substrate body 1
0 is heated and the resist 13A is post-baked. After that, the energy ray blocking material layer 12 of the transparent substrate body 10
The energy ray blocking material layer 1 by contacting with the etching solution
After etching 2, the resist 13A and the diffraction slits 13B are removed by bringing them into contact with a remove liquid. As a result, a photomask having a mask pattern made of a predetermined energy ray blocking material layer is manufactured. As mentioned above,
Since the photoresist layer 13 is properly developed, the accuracy of this mask pattern is extremely high.

【0059】このようにして製造されたフォトマスクを
用いて磁気ディスク(磁気記録媒体)に磁化パターンを
形成する方法について図2,3を参照して説明する。図
2(a)は実施の形態に係る磁化パターンの形成方法を
示す平面図、図2(b)は図2(a)のB−B線に沿う
断面図、図3は磁束を示す模式的な断面図、図4は磁気
記録媒体の断面拡大図である。
A method of forming a magnetization pattern on a magnetic disk (magnetic recording medium) using the photomask thus manufactured will be described with reference to FIGS. 2A is a plan view showing a method of forming a magnetization pattern according to the embodiment, FIG. 2B is a sectional view taken along line BB of FIG. 2A, and FIG. 3 is a schematic view showing magnetic flux. FIG. 4 is an enlarged sectional view of the magnetic recording medium.

【0060】この磁化パターン形成方法では、図4の通
り基板41a上に磁性層41bを有してなり、該磁性層
41bが面内の所定方向にほぼ一様に磁化されてなる面
内磁気記録媒体41に対し、図2(b)の通りエネルギ
ー線45を照射して磁性層41bを局所的に加熱すると
同時に磁性層41bにマグネット42を用いて外部磁界
を印加し、加熱部を該所定方向とは逆向きに磁化するこ
とにより磁化パターンを形成する。磁気記録媒体41は
ターンテーブル(図示略)上に載置され、留め付けられ
る。
In this magnetization pattern forming method, as shown in FIG. 4, a magnetic layer 41b is provided on a substrate 41a, and the magnetic layer 41b is magnetized substantially uniformly in a predetermined direction within the surface to provide in-plane magnetic recording. As shown in FIG. 2 (b), the medium 41 is irradiated with energy rays 45 to locally heat the magnetic layer 41b, and at the same time, an external magnetic field is applied to the magnetic layer 41b using a magnet 42 so that the heating portion is moved in the predetermined direction. A magnetization pattern is formed by magnetizing in the opposite direction. The magnetic recording medium 41 is placed and fastened on a turntable (not shown).

【0061】エネルギー線45の照射領域を限定するた
めに、遮光板43が用いられている。エネルギー線45
は、この遮光板43の扇形の窓孔43aを通り、さらに
フォトマスク44を透過して磁気記録媒体1に照射され
る。
The light shielding plate 43 is used to limit the irradiation area of the energy rays 45. Energy ray 45
Passes through the fan-shaped window hole 43a of the light shielding plate 43, further passes through the photomask 44, and is irradiated onto the magnetic recording medium 1.

【0062】マグネット42は、N極(図中の符号N)
とS極(図中の符号S)とからなる。このマグネット4
2が円盤状の磁気記録媒体41の両面側(図2(b)の
上下両側)に配置されている。上側のマグネット42の
N極からS極に向かう磁束と下側のマグネット42のN
極からS極に向かう磁束とが磁性層41b内において垂
直成分同士を打ち消し合い、面内成分のみが磁性層41
bに印加される。この結果、磁性層41bは面内方向に
配向した磁化を受けるようになる。なお、各マグネット
42の磁気記録媒体1の中心近傍側の端部にはトップヨ
ーク46が配置されている。これは、該端部近傍で磁界
が弱まるのを補うためのものである。
The magnet 42 has an N pole (reference numeral N in the figure).
And S pole (symbol S in the figure). This magnet 4
2 are arranged on both sides (upper and lower sides of FIG. 2B) of the disk-shaped magnetic recording medium 41. The magnetic flux from the N pole of the upper magnet 42 to the S pole and the N of the lower magnet 42
The magnetic flux from the pole to the S pole cancels out vertical components in the magnetic layer 41b, and only the in-plane component is magnetic layer 41b.
applied to b. As a result, the magnetic layer 41b comes to be magnetized in the in-plane direction. A top yoke 46 is arranged at the end of each magnet 42 near the center of the magnetic recording medium 1. This is to compensate for the weakening of the magnetic field near the end.

【0063】図示はしないが、フォトマスク44には、
形成すべき磁化パターンに合致したエネルギー線遮断材
料層パターンが前記本発明方法により形成されている。
マスク44と磁気記録媒体41との間にはスペーサ47
が介在されている。
Although not shown, the photomask 44 includes
An energy ray blocking material layer pattern matching the magnetization pattern to be formed is formed by the method of the present invention.
A spacer 47 is provided between the mask 44 and the magnetic recording medium 41.
Is intervening.

【0064】所定方向に一様に磁化された磁気記録媒体
41を回転させながらエネルギー線45を照射して磁気
記録媒体41を局所的に加熱し、マグネット42からの
磁束によって磁気記録媒体41を面内方向にパターンに
従って前記所定方向と逆方向に磁化し、磁化パターンを
形成する。
While rotating the magnetic recording medium 41 uniformly magnetized in a predetermined direction, the magnetic recording medium 41 is locally heated by irradiating it with energy rays 45, and the magnetic recording medium 41 is heated by the magnetic flux from the magnet 42. Magnetization is performed in the inward direction according to the pattern in the opposite direction to the predetermined direction to form a magnetization pattern.

【0065】この磁化パターン形成方法では、好ましく
は、予め所定方向(例えば周方向)に一様に磁化されて
いる磁気記録媒体にパターン形成処理を施す。磁気記録
媒体をあらかじめ所定方向に一様に磁化する方法は任意
である。通常、製造直後の磁気記録媒体はランダム磁化
になっているので、他の外部磁界で一様磁化するのが好
ましい。
In this magnetization pattern forming method, preferably, a pattern forming process is performed on the magnetic recording medium which is magnetized uniformly in a predetermined direction (for example, the circumferential direction) in advance. A method of previously magnetizing the magnetic recording medium uniformly in a predetermined direction is arbitrary. Usually, the magnetic recording medium immediately after manufacturing is randomly magnetized, so it is preferable to uniformly magnetize it with another external magnetic field.

【0066】この外部磁界を印加する手段としては、磁
気ヘッドを用いてもよいし、電磁石または、永久磁石を
所望の磁化方向に磁界が生じるよう配置して用いてもよ
い。複数個用いても良い。更にそれらの異なる手段を組
み合わせて使用してもよい。
As a means for applying the external magnetic field, a magnetic head may be used, or an electromagnet or a permanent magnet may be arranged so as to generate a magnetic field in a desired magnetization direction. You may use two or more. Furthermore, these different means may be used in combination.

【0067】なお、所定方向とは、データの書込み/再
生ヘッドの走行方向(媒体とヘッドの相対移動方向)と
同一又は逆方向である。ディスク形状の磁気記録媒体に
おいては通常、媒体の周方向である。従ってそのように
磁化されるように、外部磁界を印加する。
The predetermined direction is the same as or opposite to the running direction of the data write / playback head (the relative movement direction of the medium and the head). In a disk-shaped magnetic recording medium, it is usually in the circumferential direction of the medium. Therefore, an external magnetic field is applied so as to be magnetized as such.

【0068】また、磁性層全体を所望の方向に一様に磁
化するとは、磁性層の全部をほぼ同一方向に磁化するこ
とを言うが、厳密に全部ではなく、少なくとも媒体の磁
化パターンを形成すべき領域が同一方向に磁化されてい
ればよい。
Further, to uniformly magnetize the entire magnetic layer in a desired direction means to magnetize all of the magnetic layers in substantially the same direction, but not exactly all, and at least form the magnetization pattern of the medium. It suffices that the regions to be magnetized are magnetized in the same direction.

【0069】この磁界の強さは、磁気記録媒体の磁性層
の特性によって異なるが、磁性層の室温での保磁力の2
倍以上の磁界によって磁化することが好ましい。これよ
り弱いと磁化が不十分となる可能性がある。この磁界の
上限は、磁性層の室温での保磁力の5倍以下程度で十分
である。
The strength of this magnetic field varies depending on the characteristics of the magnetic layer of the magnetic recording medium, but it depends on the coercive force of the magnetic layer at room temperature, which is 2
It is preferable to magnetize by a magnetic field more than double. If it is weaker than this, the magnetization may be insufficient. The upper limit of this magnetic field is about 5 times or less the coercive force of the magnetic layer at room temperature.

【0070】本発明の磁化パターン形成方法において
は、このように磁性層を予め所定の方向に均一に磁化し
た後、磁性層を局所的に加熱すると同時に外部磁界を印
加し加熱部を該所定の方向とは逆方向に磁化して磁化パ
ターンを形成する。これによれば、互いに逆向きの磁区
が明瞭に形成されるので、信号強度が強くC/N及びS
/Nが良好な磁化パターンが得られる。
In the method for forming a magnetic pattern according to the present invention, after the magnetic layer is magnetized uniformly in a predetermined direction in this way, the magnetic layer is locally heated and at the same time an external magnetic field is applied to apply the heating portion to the predetermined direction. Magnetize in the direction opposite to the direction to form a magnetization pattern. According to this, magnetic domains in opposite directions are clearly formed, so that the signal strength is high and C / N and S are high.
A magnetization pattern with a good / N is obtained.

【0071】磁気記録媒体にエネルギー線を照射して加
熱する場合、加熱温度は、磁性層の保磁力の低下が見ら
れる温度以上、例えば磁性層の磁化消失温度、キュリー
温度近傍である。本発明では、この温度が100℃以上
である磁気記録媒体を用いるのが好ましい。この温度が
100℃未満の磁気記録媒体は、室温での磁区の安定性
が低い傾向がある。また、加熱温度は700℃以下が好
ましい。あまり加熱温度が高いと、磁気記録媒体が変形
してしまう可能性がある。
When the magnetic recording medium is heated by irradiating it with energy rays, the heating temperature is equal to or higher than the temperature at which the coercive force of the magnetic layer is lowered, for example, near the magnetization disappearing temperature of the magnetic layer and the Curie temperature. In the present invention, it is preferable to use a magnetic recording medium whose temperature is 100 ° C. or higher. A magnetic recording medium whose temperature is lower than 100 ° C. tends to have low stability of magnetic domains at room temperature. The heating temperature is preferably 700 ° C or lower. If the heating temperature is too high, the magnetic recording medium may be deformed.

【0072】加熱と同時に印加する磁界の方向は、上記
の均一磁化の方向と逆方向である。また、磁界の強さ
は、強いほど磁化パターンが形成しやすい。好ましくは
面内方向の磁界強度が磁性層の室温での保磁力の1/8
以上の磁界とする。これより弱いと、加熱部が冷却され
る時に周囲の磁区からの磁界の影響をうけて再び周囲と
同じ方向に磁化されてしまう可能性がある。
The direction of the magnetic field applied at the same time as the heating is opposite to the direction of the above-mentioned uniform magnetization. Also, the stronger the magnetic field, the easier the formation of the magnetization pattern. Preferably, the magnetic field strength in the in-plane direction is 1/8 of the coercive force of the magnetic layer at room temperature.
The above magnetic field is used. If it is weaker than this, when the heating part is cooled, it may be magnetized again in the same direction as the surroundings under the influence of the magnetic field from the surrounding magnetic domains.

【0073】ただし、この加熱時の印加磁界が強すぎる
と、加熱部の周囲の磁区も影響を受けてしまう可能性が
ある。従って、加熱領域に加える磁界強度は、面内方向
の磁界強度が磁性層の室温での保磁力より小さくするの
が好ましく、特に磁性層の室温での保磁力の2/3以
下、とりわけ1/2以下とするのが好ましい。
However, if the applied magnetic field at the time of heating is too strong, the magnetic domains around the heating portion may be affected. Therefore, the magnetic field strength applied to the heating region is preferably such that the magnetic field strength in the in-plane direction is smaller than the coercive force of the magnetic layer at room temperature, and particularly 2/3 or less of the coercive force of the magnetic layer at room temperature, especially 1 / It is preferably 2 or less.

【0074】上記磁界分布を達成するには、図2の通
り、互いに逆向きの磁極からなるマグネット42(磁石
対)を、磁気記録媒体41の両面に配置することにより
外部磁界の印加を行うのが好適である。この方法による
と、図3の通り、磁気記録媒体1の面内方向に印加され
る磁界強度は1個の磁石対から印加される磁界の面内方
向成分の2倍となり、垂直成分は打ち消し合う。これに
より、垂直成分を小さくし、面内方向成分だけを大きく
することができる。
In order to achieve the above magnetic field distribution, an external magnetic field is applied by arranging magnets 42 (magnet pairs) having magnetic poles opposite to each other on both sides of the magnetic recording medium 41 as shown in FIG. Is preferred. According to this method, as shown in FIG. 3, the magnetic field strength applied in the in-plane direction of the magnetic recording medium 1 is twice the in-plane direction component of the magnetic field applied from one magnet pair, and the vertical components cancel each other out. . This makes it possible to reduce the vertical component and increase only the in-plane direction component.

【0075】なお、磁石の強さ、距離などを最適化する
ことにより、垂直成分を著しく小さくできる。
The vertical component can be significantly reduced by optimizing the strength and distance of the magnet.

【0076】次に、磁性層を局所的に加熱するためのエ
ネルギー線45の照射機構について説明する。
Next, the irradiation mechanism of the energy ray 45 for locally heating the magnetic layer will be described.

【0077】このエネルギー線としては、不要な部分へ
の熱拡散防止やパワーコントロールが容易であり、加熱
する部位の大きさが制御しやすいレーザを利用するのが
好ましい。
As this energy ray, it is preferable to use a laser which can easily prevent heat diffusion to an unnecessary portion and control the power and can easily control the size of a portion to be heated.

【0078】また、レーザは連続照射よりもパルス状に
して加熱部位の制御や加熱温度の制御を行うのが好まし
い。従って、レーザ照射源としてはパルスレーザ光源の
使用が好適である。パルスレーザ光源はレーザをパルス
状に断続的に発振するものであり、連続レーザを音響光
学素子(AO)や電気光学素子(EO)などの光学部品
で断続させパルス化するのに比して、パワー尖頭値の高
いレーザをごく短時間に照射することができ、熱の蓄積
が起こりにくく非常に好ましい。
Further, it is preferable that the laser is pulsed rather than continuous irradiation to control the heating portion and the heating temperature. Therefore, it is preferable to use a pulsed laser light source as the laser irradiation source. A pulsed laser light source oscillates a laser in a pulsed manner intermittently, and compared with a continuous laser that is intermittently pulsed by an optical component such as an acousto-optic device (AO) or an electro-optic device (EO), It is possible to irradiate a laser having a high power peak value in a very short time, and it is very preferable that heat is hardly accumulated.

【0079】連続レーザを光学部品によりパルス化した
場合、パルス内ではそのパルス幅に亘ってほぼ同じパワ
ーを持つ。一方パルスレーザ光源は、例えば光源内で共
振によりエネルギーをためて、パルスとしてレーザを一
度に放出するため、パルス内では尖頭のパワーが非常に
大きく、その後小さくなっていく。パルスレーザ光源を
使用すると、ごく短時間に急激に加熱しその後急冷させ
ることができる。これにより、コントラストが高く精度
の高い磁化パターンを形成することができる。
When a continuous laser is pulsed by optical components, it has almost the same power within the pulse over its pulse width. On the other hand, the pulsed laser light source accumulates energy by resonance in the light source, for example, and emits the laser as a pulse at a time. Therefore, the power of the peak is very large in the pulse and then becomes small. A pulsed laser light source can be used to heat rapidly in a very short period of time and then cool rapidly. This makes it possible to form a highly accurate magnetic pattern with high contrast.

【0080】磁化パターンが形成される媒体面は、パル
ス状レーザの照射時と非照射時で温度差が大きい方が、
パターンのコントラストを上げ、或いは記録密度を上げ
るために好ましい。従ってパルス状レーザの非照射時に
は室温以下程度になっているのが好ましい。室温とは2
5℃程度である。
The surface of the medium on which the magnetization pattern is formed has a larger temperature difference between the irradiation of the pulsed laser and the non-irradiation,
It is preferable to increase the contrast of the pattern or increase the recording density. Therefore, it is preferable that the temperature is about room temperature or lower when the pulsed laser is not irradiated. What is room temperature 2
It is about 5 ° C.

【0081】なお、パルス状レーザを使用する際に、外
部磁界は連続的に印加してもパルス状に印加しても良
い。
When using a pulsed laser, the external magnetic field may be applied continuously or in a pulsed manner.

【0082】レーザの波長は、1100nm以下である
ことが好ましい。1100nmよりも波長が短いと回折
作用が小さく分解能が上がるため、微細な磁化パターン
を形成しやすい。600nm以下の波長のレーザ光は、
高分解能であるだけでなく、回折が小さいため間隙によ
るマスクと磁気記録媒体のスペーシングも広くとれハン
ドリングがしやすく、磁化パターン形成装置が構成しや
すくなるという利点が生まれる。また、なお、レーザ光
の波長は150nm以上であるのが好ましい。150n
m未満では、マスクに用いる合成石英の吸収が大きくな
り、加熱が不十分となりやすい。波長を350nm以上
とすれば、光学ガラスをマスクとして使用することもで
きる。
The wavelength of the laser is preferably 1100 nm or less. When the wavelength is shorter than 1100 nm, the diffraction effect is small and the resolution is improved, so that a fine magnetization pattern is easily formed. Laser light with a wavelength of 600 nm or less
Not only the resolution is high, but also the diffraction is small, so that the spacing between the mask and the magnetic recording medium can be widely taken due to the gap, and the handling is easy, and the magnetization pattern forming device can be easily configured. In addition, the wavelength of the laser light is preferably 150 nm or more. 150n
If it is less than m, the absorption of synthetic quartz used for the mask becomes large, and heating tends to be insufficient. If the wavelength is 350 nm or more, the optical glass can be used as a mask.

【0083】レーザ光としては、具体的には、エキシマ
レーザ(157,193,248,308,351n
m)、YAGのQスイッチレーザ(1064nm)の2
倍波(532nm)、3倍波(355nm)、或いは4
倍波(266nm)、Arレーザ(488nm、514
nm)、ルビーレーザ(694nm)などが好適であ
る。
The laser light is specifically an excimer laser (157, 193, 248, 308, 351n).
m), 2 of YAG Q-switched laser (1064 nm)
Overtone (532nm), Overtone (355nm), or 4
Harmonics (266nm), Ar laser (488nm, 514nm)
nm), ruby laser (694 nm), etc. are suitable.

【0084】レーザのパワー(単位面積当りの照射エネ
ルギー)は、外部磁界の大きさによって最適な値を選べ
ばよいが、パルス状レーザの1パルス当たりのパワーは
1000mJ/cm2以下とすることが好ましい。これ
より大きなパワーをかけると、パルス状レーザによって
該磁気記録媒体表面が損傷を受け変形を起こす可能性が
ある。変形により粗度Raが3nm以上やうねりWaが
5nm以上に大きくなると、浮上型/接触型ヘッドの走
行に支障を来すおそれがある。
The power of the laser (irradiation energy per unit area) may be selected as an optimum value depending on the magnitude of the external magnetic field, but the power per pulse of the pulsed laser is 1000 mJ / cm 2 or less. preferable. If a power higher than this is applied, the pulsed laser may damage the surface of the magnetic recording medium and cause deformation. If the roughness Ra increases to 3 nm or more and the waviness Wa increases to 5 nm or more due to the deformation, the running of the flying / contact type head may be hindered.

【0085】レーザのパワーは、より好ましくは500
mJ/cm2以下であり、更に好ましくは200mJ/
cm2以下である。この領域であると比較的熱拡散の大
きな基板を用いた場合でも分解能の高い磁化パターンが
形成しやすい。また、パワーは10mJ/cm2以上と
するのが好ましい。これより小さいと、磁性層の温度が
上がりにくく磁気転写が起こりにくい。なお、パターン
幅が狭いほど必要なパワーは増加する傾向にある。ま
た、レーザの波長が短いほど、印加可能なパワーの上限
値は低下する傾向にある。
The laser power is more preferably 500.
mJ / cm 2 or less, more preferably 200 mJ /
It is not more than cm 2 . In this region, it is easy to form a magnetization pattern with high resolution even when a substrate having a relatively large thermal diffusion is used. The power is preferably 10 mJ / cm 2 or more. If it is smaller than this, the temperature of the magnetic layer is hard to rise and magnetic transfer is hard to occur. Note that the required power tends to increase as the pattern width becomes narrower. Further, the shorter the wavelength of the laser, the lower the upper limit of the power that can be applied tends to decrease.

【0086】磁気記録媒体の基板がAl等の金属又は合
金である場合は、熱伝導率が大きいことから、局所に与
えた熱が所望の部位以外にも広がってしまい磁化パター
ンを歪ませることが無いよう、また、過剰なエネルギー
によって基板に物理的な損傷が起きないよう、該パワー
は30〜120mJ/cm2の範囲であることが好まし
い。
When the substrate of the magnetic recording medium is a metal such as Al or an alloy, the heat conductivity is large, so that the heat applied locally spreads to other than the desired portion, which may distort the magnetization pattern. The power is preferably in the range of 30 to 120 mJ / cm 2 so that there is no physical damage to the substrate due to excess energy.

【0087】磁気記録媒体の基板がガラス等のセラミッ
クスである場合はAl等に比して熱伝導が少なく、パル
ス状レーザ照射部位での熱の蓄積が多いことから、該パ
ワーは10〜100mJ/cm2の範囲であることが好
ましい。
When the substrate of the magnetic recording medium is a ceramic such as glass, the heat conduction is smaller than that of Al and the heat is accumulated much at the pulsed laser irradiation site, and therefore the power is 10 to 100 mJ / It is preferably in the range of cm 2 .

【0088】磁気記録媒体の基板がポリカーボネイト等
の樹脂である場合は、パルス状レーザ照射部位での熱の
蓄積が多くガラス等に比して融点が低いことから、該パ
ワーは10〜80mJ/cm2の範囲であることが好ま
しい。
When the substrate of the magnetic recording medium is a resin such as polycarbonate, the power is 10 to 80 mJ / cm because the amount of heat accumulated at the pulsed laser irradiation site is large and the melting point is lower than that of glass or the like. It is preferably in the range of 2 .

【0089】また、レーザによる磁性層、保護層、潤滑
層の損傷が心配される場合は、パルス状レーザのパワー
を小さくし、印加磁界強度を上げることもできる。例え
ば、面内記録媒体の場合は、常温での保磁力の25〜7
5%のできるだけ大きな磁界をかけ、照射レーザのパワ
ーを下げる。
If the magnetic layer, the protective layer and the lubricating layer may be damaged by the laser, the power of the pulsed laser may be reduced to increase the strength of the applied magnetic field. For example, in the case of an in-plane recording medium, the coercive force at room temperature is 25 to 7
A magnetic field as large as possible of 5% is applied to reduce the power of the irradiation laser.

【0090】なお、保護層と潤滑層を介してパルス状レ
ーザを照射するにあたり、潤滑剤の受けるダメージ(分
解、重合)等も考慮し、照射後に再塗布するなどの必要
がある場合がある。
When irradiating the pulsed laser through the protective layer and the lubricating layer, it may be necessary to re-apply after the irradiation in consideration of damage (decomposition, polymerization) to the lubricant.

【0091】パルス状レーザのパルス幅は、1μsec
以下であることが望ましい。これよりパルス幅が広いと
該磁気記録媒体にパルス状レーザにて与えたエネルギー
による発熱が分散して、分解能が低下しやすい。1パル
ス当たりのパワーが同じである場合、パルス幅を短くし
一度に強いレーザを照射した方が、熱拡散が小さく磁化
パターンの分解能が高くなる傾向にある。より好ましく
は100nsec以下である。この領域であるとAlな
ど金属の比較的熱拡散の大きな基板を用いた場合でも分
解能の高い磁化パターンが形成しやすい。最小幅が2μ
m以下のパターンを形成する際には、パルス幅を25n
sec以下とするのがよい。即ち、分解能を重視すれ
ば、パルス幅は短いほど良い。また、パルス幅は1ns
ec以上であるのが好ましい。磁性層の磁化反転が完了
するまでの時間、加熱を保持しておくのが好ましいから
である。なお、本願においてパターンの最小幅とは、パ
ターン中の最も狭い長さを言う。四角形のパターンであ
れば短辺、円形ならば直径、楕円形ならば短径である。
The pulse width of the pulsed laser is 1 μsec.
The following is desirable. If the pulse width is wider than this, the heat generated by the energy given to the magnetic recording medium by the pulsed laser is dispersed, and the resolution is likely to be lowered. When the power per pulse is the same, when the pulse width is shortened and a strong laser is irradiated at one time, thermal diffusion tends to be small and the resolution of the magnetization pattern tends to be high. It is more preferably 100 nsec or less. In this region, it is easy to form a magnetization pattern with high resolution even when a substrate such as Al having a relatively large thermal diffusion is used. Minimum width is 2μ
When forming a pattern of m or less, a pulse width of 25n
It is better to be less than sec. That is, if the resolution is important, the shorter the pulse width, the better. The pulse width is 1 ns
It is preferably ec or more. This is because it is preferable to keep heating for the time until the magnetization reversal of the magnetic layer is completed. In the present application, the minimum width of the pattern means the narrowest length of the pattern. A square pattern has a short side, a circle has a diameter, and an ellipse has a short diameter.

【0092】パルス状レーザの一種として、モードロッ
クレーザのようにピコ秒、フェムト秒レベルの超短パル
スを高周波で発生できるレーザがある。超短パルスを高
周波で照射している期間においては、各々の超短パルス
間のごく短い時間はレーザが照射されないが非常に短い
時間であるため加熱部はほとんど冷却されない。すなわ
ち、一旦キュリー温度以上に昇温された領域はキュリー
温度以上に保たれる。
As one type of pulsed laser, there is a laser capable of generating ultrashort pulses of picosecond or femtosecond level at high frequency, such as a mode-locked laser. During the period of irradiating the ultra-short pulse with a high frequency, the laser is not emitted for a very short time between the ultra-short pulses, but the heating portion is hardly cooled because it is a very short time. That is, the region once heated to the Curie temperature or higher is kept at the Curie temperature or higher.

【0093】本発明において、マスクを介してエネルギ
ー線を照射し、局所加熱することにより、複雑なパター
ンや従来法では作りにくかった特殊なパターンも容易に
形成できる。
In the present invention, by irradiating an energy ray through a mask and heating locally, it is possible to easily form a complicated pattern or a special pattern which is difficult to make by the conventional method.

【0094】例えば、磁気記録媒体の位相サーボ方式に
は、内周から外周に、半径及びトラックに対して斜めに
直線的に延びる磁化パターンが用いられる。このよう
な、半径方向に連続したパターンや半径に斜めのパター
ンは、ディスクを回転させながら1トラックずつサーボ
信号を記録する従来のサーボパターン形成方法では作り
にくかった。本発明の磁化パターン形成方法によれば、
複雑な計算や複雑な装置構成を必要とせず、このような
磁化パターンを一度の照射で簡便かつ短時間に形成でき
る。
For example, in the phase servo system of the magnetic recording medium, a magnetization pattern extending linearly obliquely to the radius and the track from the inner circumference to the outer circumference is used. Such a pattern continuous in the radial direction or a pattern oblique to the radius has been difficult to form by the conventional servo pattern forming method of recording a servo signal track by track while rotating the disk. According to the magnetization pattern forming method of the present invention,
Such a magnetization pattern can be formed easily and in a short time with a single irradiation, without requiring complicated calculations and complicated device configurations.

【0095】フォトマスクは磁気ディスク全面を覆うも
のでなくても、磁化パターンの繰り返し単位を含む大き
さでよく、後者の場合、それを移動させて使用する。
The photomask does not have to cover the entire surface of the magnetic disk, but may have a size including a repeating unit of the magnetization pattern. In the latter case, it is moved and used.

【0096】また、磁化パターン形成前に磁気ディスク
に潤滑層が設けられている場合は、フォトマスクに潤滑
剤が付着するのを最小限にするため、マスクと媒体との
あいだにスペーサを配置して間隙を設けるのが好まし
い。
In addition, when a lubricating layer is provided on the magnetic disk before the formation of the magnetization pattern, a spacer is arranged between the mask and the medium in order to minimize the adhesion of the lubricant to the photomask. It is preferable to provide a gap.

【0097】[0097]

【実施例】以下実施例及び比較例について説明する。EXAMPLES Examples and comparative examples will be described below.

【0098】実施例1 厚さ2.3mm、1辺の大きさ127mmの石英透明基
板上に直径112mm、厚さ80nmの金属クロム層が
均一に形成された透明基板素体について、スピンコーテ
ィングにてフォトレジストを厚さ(ドライ厚さ)200
nmにコーティングした後、80℃×30minのプリ
ベークを行った。Krレーザ(λ=413mm)を照射
して露光した後、現像、80℃×12minのポストベ
ーク、エッチング及びリムーブ処理してマスクパターン
を有したフォトマスクを製造した。
Example 1 A transparent substrate body in which a metallic chromium layer having a diameter of 112 mm and a thickness of 80 nm was uniformly formed on a quartz transparent substrate having a thickness of 2.3 mm and a side of 127 mm was formed by spin coating. Thickness of photoresist (dry thickness) 200
After coating to a thickness of 80 nm, prebaking was performed at 80 ° C. for 30 minutes. After exposure by irradiating with a Kr laser (λ = 413 mm), development, post-baking at 80 ° C. × 12 min, etching and removal were performed to manufacture a photomask having a mask pattern.

【0099】この露光及び現像工程においては、図1の
通り、幅300nm、パターンのピッチ1.6μm、厚
さ200nmの回折スリット用潜像13bを1250本
形成し、波長633nmのHe−Neレーザ21を照射
した。そして、2次回折光と1次回折光との光量比I
/Iをモニターし、この比が55%となった時点で現
像を停止した。なお、現像時にはターンテーブルを20
0rpmにて回転させた。現像停止後、純水によるリン
スを行い、次いで回転数を1500rpmに上げて水切
りした。
In this exposure and development step, as shown in FIG. 1, 1250 diffraction latent images 13b for a diffraction slit having a width of 300 nm, a pattern pitch of 1.6 μm and a thickness of 200 nm are formed, and a He—Ne laser 21 having a wavelength of 633 nm is formed. Was irradiated. Then, the light quantity ratio I 2 of the second-order diffracted light and the first-order diffracted light
/ I 1 was monitored, and development was stopped when this ratio reached 55%. When developing, turntable 20
It was rotated at 0 rpm. After stopping the development, rinsing with pure water was performed, and then the number of revolutions was increased to 1500 rpm to drain water.

【0100】製造したフォトマスク表面のマスクパター
ンと直交方向の断面の模式図を図5に示す。図5の寸法
Aは溝の底面の幅であり、Bは台形部の底幅である。ト
ラックピッチTPはTP=A+Bである。A/TPすな
わちA/(A+B)で定義される値が開口比である。こ
の開口比が55%(0.55)となるようにして7個の
フォトマスクを製造した。そして、各マスクの内周部分
(約18mm)の開口比をAFM(ダイヤインスツルメ
ンツ社製 Dimension3100,プローブはオ
リンパス製OMCL−AC160TS,曲率半径10n
m以下)によりパターンの円周方向に断面形状を測定し
た。結果を表1に示す。なお、表中の誤差は、目標値の
測定値の差の2乗平均平均の平方根である。
A schematic view of a cross section of the manufactured photomask surface in a direction orthogonal to the mask pattern is shown in FIG. Dimension A in FIG. 5 is the width of the bottom surface of the groove, and B is the bottom width of the trapezoidal portion. The track pitch TP is TP = A + B. The value defined by A / TP, that is, A / (A + B) is the aperture ratio. Seven photomasks were manufactured so that the aperture ratio was 55% (0.55). Then, the aperture ratio of the inner peripheral portion (about 18 mm) of each mask is AFM (Dimension 3100 manufactured by Dia Instruments Co., Ltd., probe is OMCL-AC160TS manufactured by Olympus, and radius of curvature is 10 n).
m or less), the cross-sectional shape was measured in the circumferential direction of the pattern. The results are shown in Table 1. The error in the table is the square root of the root mean square of the differences between the measured values of the target values.

【0101】[0101]

【表1】 [Table 1]

【0102】比較例1 現像液をタイマーにより25secだけ供給したこと以
外は実施例1と同様にしてフォトマスクを製造した。
Comparative Example 1 A photomask was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the developing solution was supplied for 25 seconds by a timer.

【0103】製造したフォトマスクについて実施例1と
同様に測定し評価した。結果を表2に示す。
The manufactured photomask was measured and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

【0104】[0104]

【表2】 [Table 2]

【0105】表1,2の対比から明らかな通り、実施例
1によると、目標値からの誤差が小さく精度の高いフォ
トマスクが製造される。
As is clear from the comparison between Tables 1 and 2, according to the first embodiment, a photomask having a small error from the target value and a high precision is manufactured.

【0106】[0106]

【発明の効果】以上の通り、本発明によると、高精度に
てマスクパターンが形成されたフォトマスクが提供され
る。このフォトマスクにより、高精度にて磁化パターン
が形成された磁気ディスクを製造することができる。
As described above, according to the present invention, a photomask having a mask pattern formed with high accuracy is provided. With this photomask, it is possible to manufacture a magnetic disk on which a magnetic pattern is formed with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施の形態に係るフォトマスクの製造方法に用
いられる現像工程の概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a developing process used in a method for manufacturing a photomask according to an embodiment.

【図2】フォトマスクを用いた磁化パターン形成方法の
説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a magnetization pattern forming method using a photomask.

【図3】図2の方法における磁束を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing magnetic flux in the method of FIG.

【図4】磁気記録媒体の厚み方向の断面図である。FIG. 4 is a sectional view in the thickness direction of a magnetic recording medium.

【図5】フォトマスクの表面のマスクパターンを示す模
式的な断面図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a mask pattern on the surface of a photomask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ターンテーブル 2 給液ノズル 3 現像液 10 透明基板素体 11 透明基板 12 エネルギー線遮断材料層 13 フォトレジスト層 15 透過領域 20 レーザ光源 30 0次光用フォトディテクタ 31 1次光用フォトディテクタ 32 2次光用フォトディテクタ 41 磁気ディスク 42 マグネット 44 フォトマスク 1 turntable 2 Liquid supply nozzle 3 developer 10 Transparent substrate body 11 Transparent substrate 12 Energy ray blocking material layer 13 Photoresist layer 15 Transparent area 20 laser light source Photodetector for 300th order light 31 Photodetector for primary light 32 Photodetector for secondary light 41 magnetic disk 42 magnet 44 Photomask

フロントページの続き Fターム(参考) 2H095 BA12 BB06 BB15 BE04 2H097 LA20 5D091 AA02 AA08 CC26 HH20 5D112 AA05 GB01 Continued front page    F-term (reference) 2H095 BA12 BB06 BB15 BE04                 2H097 LA20                 5D091 AA02 AA08 CC26 HH20                 5D112 AA05 GB01

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上のパターン形成領域にエネル
ギー線遮断材料よりなるマスクパターンがエッチングに
より形成されたフォトマスクを製造する方法であって、 エッチング処理前のエネルギー線遮断材料層を備えた透
明基板素体にフォトレジスト層を形成する工程と、 該フォトレジスト層にエネルギー線を照射することによ
り前記マスクパターンに従った潜像パターンを形成する
潜像パターン形成工程と、 該フォトレジスト層を現像してエネルギー線遮断材料層
上にレジストパターンを形成する現像工程と、 エネルギー線遮断材料層をエッチングするエッチング工
程と、 レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程
と、を有するフォトマスクの製造方法において、 前記透明基板素体は、前記パターン形成領域以外の少な
くとも一部に前記エネルギー線遮断材料層を有しない透
過領域を有しており、 前記潜像パターン形成工程において、該透過領域にエネ
ルギー線を照射して該透過領域に回折スリット用潜像を
形成し、 前記現像工程において、該回折スリット用潜像に光を照
射しながらその透過光を検出し、この透過光が所定の状
態となるまで現像を行うことを特徴とするフォトマスク
の製造方法。
1. A method of manufacturing a photomask in which a mask pattern made of an energy ray blocking material is formed by etching in a pattern forming region on a transparent substrate, the method comprising a transparent layer having an energy ray blocking material layer before etching treatment. A step of forming a photoresist layer on the substrate body; a latent image pattern forming step of forming a latent image pattern according to the mask pattern by irradiating the photoresist layer with energy rays; and developing the photoresist layer. In the method for producing a photomask, which includes a developing step of forming a resist pattern on the energy ray blocking material layer, an etching step of etching the energy ray blocking material layer, and a resist pattern removing step of removing the resist pattern, The transparent substrate element has a small area other than the pattern formation area. Both have a transmissive region not having the energy ray blocking material layer, and in the latent image pattern forming step, the transmissive region is irradiated with an energy beam to form a latent image for a diffraction slit in the transmissive region. Then, in the developing step, the transmitted light is detected while irradiating the latent image for the diffraction slit with the light, and the development is performed until the transmitted light reaches a predetermined state.
【請求項2】 請求項1において、前記現像工程におい
て前記光としてレーザ光を照射し、その透過光の0次回
折光、1次回折光及び2次回折光の少なくとも2つの光
量を検出し、それらの比が所定比となるまで現像を行う
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
2. The laser beam is irradiated as the light in the developing step, and at least two light quantities of the transmitted light, that is, the 0th-order diffracted light, the 1st-order diffracted light, and the 2nd-order diffracted light are detected, and the ratio thereof is detected. The method for producing a photomask, characterized in that development is performed until a predetermined ratio is obtained.
【請求項3】 請求項2において、1次回折光及び2次
回折光の2つの光量を検出することを特徴とするフォト
マスクの製造方法。
3. The method of manufacturing a photomask according to claim 2, wherein two light quantities of a first-order diffracted light and a second-order diffracted light are detected.
【請求項4】 請求項2において、0次回折光及び1次
回折光の2つの光量を検出することを特徴とするフォト
マスクの製造方法。
4. The method of manufacturing a photomask according to claim 2, wherein two light quantities of a 0th-order diffracted light and a 1st-order diffracted light are detected.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか1項におい
て、エッチング処理前の前記エネルギー線遮断材料層は
円形であり、 前記透過領域は、この円形のエネルギー線遮断材料層の
外周の外側に配置されていることを特徴とするフォトマ
スクの製造方法。
5. The energy beam blocking material layer before etching according to claim 1, wherein the energy beam blocking material layer has a circular shape, and the transmission region is outside the outer periphery of the circular energy beam blocking material layer. A method of manufacturing a photomask, wherein the photomask is arranged.
【請求項6】 請求項5において、前記回折スリット形
成用潜像は、円形の前記エネルギー線遮断材料層と同心
円状の円形状又はスパイラル状であることを特徴とする
フォトマスクの製造方法。
6. The method of manufacturing a photomask according to claim 5, wherein the latent image for forming the diffraction slit has a circular shape or a spiral shape concentric with the circular energy ray blocking material layer.
【請求項7】 磁性層を有してなる磁気ディスクに対し
フォトマスクを介してエネルギー線を照射し、これによ
って該磁性層を局所的に加熱しつつ外部磁界を印加して
磁化パターンを形成するために用いるフォトマスクであ
って、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の方法に
より製造されたフォトマスク。
7. A magnetic disk having a magnetic layer is irradiated with energy rays through a photomask, thereby locally heating the magnetic layer and applying an external magnetic field to form a magnetization pattern. A photomask used for that purpose, which is manufactured by the method according to claim 1.
【請求項8】 磁性層を有してなる磁気ディスクに対し
フォトマスクを介してエネルギー線を照射し、これによ
って該磁性層を局所的に加熱しつつ外部磁界を印加して
磁化パターンを形成する方法であって、 該フォトマスクが請求項1ないし6のいずれか1項に記
載の方法により製造されたものであることを特徴とする
磁気ディスクにおける磁化パターン形成方法。
8. A magnetic disk having a magnetic layer is irradiated with energy rays through a photomask, thereby locally heating the magnetic layer and applying an external magnetic field to form a magnetization pattern. A method for forming a magnetization pattern in a magnetic disk, wherein the photomask is manufactured by the method according to any one of claims 1 to 6.
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