JP2003084234A - 光学デバイス及び光学デバイスの製造方法 - Google Patents

光学デバイス及び光学デバイスの製造方法

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JP2003084234A JP2001277237A JP2001277237A JP2003084234A JP 2003084234 A JP2003084234 A JP 2003084234A JP 2001277237 A JP2001277237 A JP 2001277237A JP 2001277237 A JP2001277237 A JP 2001277237A JP 2003084234 A JP2003084234 A JP 2003084234A
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政利 石井
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繁 小西
Susumu Shirasaki
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学素子同士を接着剤を使用することなく接
合し、小型で高信頼性の光学デバイスを安価に提供す
る。 【解決手段】 磁性ガーネットの少なくとも一面が、透
光性光学材料を介して偏光子と接着剤を使用することな
しに接合されて成り、光がその接合面を透過することに
よって機能する光学デバイスにおいて、前記透光性光学
材料の線膨張係数α2(/℃)が、前記磁性ガーネット
の線膨張係数α1(/℃)と前記偏光子の線膨張係数α
3(/℃)の間の値をとるものであり、前記透光性光学
材料の厚さt2(mm)が、t2≧0.02mmであ
り、かつ前記偏光子の厚さt3(mm)が、0.02m
m≦t3≦0.3mmであることを特徴とする光学デバ
イス。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学素子が接着剤
を使用することなしに接合された光学デバイス及び光学
デバイスの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、WDM(Wavelength
Division Multiplex、波長分割多
重)の多波長化により、光通信システムの高集積化が進
んでいる。その結果、そこに使用される光学デバイスの
小型化に対する要求も強くなってきている。光学デバイ
スの多くは、固定部材にファラデー回転子や偏光子等の
光学素子を接合し、これらを組み合わせることにより構
成されている。しかし、この方法では、固定部材が邪魔
になり光学デバイスの小型化の妨げとなっている。そこ
で、固定部材を排除して、光学素子同士を接着する方法
が検討されている。
【0003】光学デバイスの小型化には、光学素子の透
光面同士を接合すると効果的である。このような光学素
子同士の接合において最も簡単な方法は、有機接着剤を
使用して接合を行うことである。しかしながら、有機接
着剤は、アウトガスがレーザーダイオードに悪影響を及
ぼす上に、高出力レーザーの照射や高温高湿雰囲気下の
暴露に弱く、デバイスの信頼性に欠けるといった欠点を
有する。
【0004】そこで、有機接着剤を使用することなく、
光学素子同士を接合する方法が望まれ、種々検討されて
いる。例えば、その一つとして、低融点ガラスや半田を
無機接合材として使用して、光学素子同士を接合する方
法がある。低融点ガラスとは、BiやPbO等の
低融点材料を主成分とした接合用ガラスである。しかし
ながら、接合時にガラスの軟化点よりも高温に加熱する
必要がある。そのため、低融点ガラスを用いて接合する
場合、低融点ガラスの軟化の際に光学素子に施した反射
防止膜と低融点ガラスが反応してしまい、反射防止機能
が損なわれるといった問題がある。このため、透光面同
士の接合に低融点ガラスを使用した光学デバイスの実用
化は困難とされている。
【0005】一方、半田を使用する場合、透光性が全く
無いため、透光面に直接配置することができない。従っ
て、透光面の外枠に選択的メタライズを施し、メタライ
ズ部のみに半田が介在するような接合方法が採られてい
る。このような接合方法は、複雑なメタライズ工程を必
要とし、歩留りの低下およびコスト上昇が避け難いとい
った問題を有する。
【0006】また、接合材を一切使用しないで光学素子
同士を直接接合する方法(特開平7−220923号公
報、特開2000−56265号公報参照)も試みられ
ている。この方法は、光学素子の表面を親水化処理した
後に親水化面同士を貼り合せるもので、半導体ではSO
I(Silicon On Insulator)ウエ
ーハの製造工程で実用化されている。しかしながら、こ
の方法を光学デバイスに適用する場合、次に述べるよう
な問題点があり、実用化が困難な状況である。
【0007】この直接接合方法は、被接合物の形状およ
び物性に大きく依存する。例えば、反りに関しては、曲
率半径で数百m以上あることが望ましい。また、被接合
物の表面粗さは、Ra=0.3nm以下であることが望
ましいと言われている。さらに、被接合物間の線膨張係
数の差にも大きく影響される。
【0008】しかしながら、上記の制限を満足する光学
素子は少ない。例えば、光学デバイスで一般的に使用さ
れる光学素子の一つである鉄系ガーネット等は、厚さ方
向に応力分布を有するため大きな反りを伴うことが多
い。また、偏光ガラスは、ガラスに銀粒子を分散させた
構造であるため、表面粗さを制御することが困難であ
る。そのため、このような光学素子同士を直接接合した
場合、接合面には剥離が発生しやすく、接合面の密着
性、耐久性は低いものであった。
【0009】さらに、これら光学素子の線膨張係数は、
材料によって大きく異なる場合が多く、被接合物間の線
膨張係数には大きな差が生じる。このような線膨張係数
の異なる材料を直接接合した場合、異種材料間に熱応力
が発生し、それが接合部に集中することによって光学歪
が生じやすくなり、消光比等の光学特性を低下させると
いう問題があった。したがって、直接接合技術を光学デ
バイスヘ適用することは、非常に困難なものである。
【0010】以上のように、従来技術によって有機接着
剤を使用することなく光学素子を接合し、高信頼性の光
学デバイスを安価にかつ容易に製造することは、非常に
困難な状況にある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は上記問
題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、
光学素子同士を接着剤を使用することなく接合し、小型
で高信頼性の光学デバイスを安価に提供することにあ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、磁性ガーネットの少なくとも一面
が、透光性光学材料を介して偏光子と接着剤を使用する
ことなしに接合されて成り、光がその接合面を透過する
ことによって機能する光学デバイスにおいて、前記透光
性光学材料の線膨張係数α2(/℃)が、前記磁性ガー
ネットの線膨張係数α1(/℃)と前記偏光子の線膨張
係数α3(/℃)の間の値をとるものであり、前記透光
性光学材料の厚さt2(mm)が、t2≧0.02mm
であり、かつ前記偏光子の厚さt3(mm)が、0.0
2mm≦t3≦0.3mmであることを特徴とする光学
デバイスが提供される(請求項1)。
【0013】このように、透光性光学材料の線膨張係数
α2が、磁性ガーネットの線膨張係数α1と偏光子の線
膨張係数α3の間の値をとるものであり、透光性光学材
料の厚さt2が、t2≧0.02mmであり、かつ偏光
子の厚さt3が、0.02mm≦t3≦0.3mmであ
る光学デバイスであれば、接合時の熱処理工程時に光学
素子同士が剥離する事を防止できるため、十分な接合強
度を得ることができる。また、磁性ガーネットと偏光子
間で生じる熱応力を低減できるため、熱応力を起源とし
た光学歪による光学特性の劣化を抑制でき、さらに、有
機接着剤を使用していないため、アウトガスの発生や雰
囲気による接合面の劣化が生じない。したがって、実用
レベルの光学特性を有し、小型で高信頼性の光学デバイ
スを安価に提供することができる。
【0014】このとき、前記磁性ガーネットの透光性光
学材料側に金属酸化膜が形成されていることが好ましく
(請求項2)、前記金属酸化膜がAl、Ti
、SiOから選択される1種または2種以上の金
属酸化膜であり、また単層または多層に積層されたもの
であることが好ましい(請求項3)。
【0015】このように、磁性ガーネットの透光性光学
材料側に金属酸化膜が形成されていることによって、反
射防止膜として作用し、また光学素子同士の接合をより
強固にすることができる。また、該金属酸化膜がAl
、TiO、SiOから選択される1種または2
種以上の金属酸化膜であり、単層または多層に積層され
たものであることによって、反射防止膜としての効果に
優れ、さらに接合力の向上が顕著であるため、高性能で
高信頼性の光学デバイスとすることができる。
【0016】また、このとき、前記磁性ガーネットがビ
スマス置換鉄ガーネットであることが好ましく(請求項
4)、さらに、前記偏光子が偏光ガラスであることが好
ましい(請求項5)。
【0017】このように、磁性ガーネットがファラデー
回転能に優れているビスマス置換鉄ガーネットであるこ
とによって、0.5mm程度の厚さで45度のファラデ
ー回転角が実現可能であり、光学デバイスの小型化に有
効である。また、本発明の特徴の一つは、上述したよう
に、偏光子の厚さを適切に設定して接合力及び光学特性
の改善を図っているため、光学特性が厚さに依存するこ
とのない偏光子を用いることが好ましい。そのため、偏
光子が光学特性への厚さの影響が少ない偏光ガラスであ
ることによって、光学特性を低下させることなく偏光子
の厚さを適切に設定することができる。この偏光ガラス
としては、一般的に使用されている硼珪酸ガラス等のガ
ラス母材中に銀や銅などの金属を分散させたものを用い
ることができる。
【0018】また、前記光学デバイスが、前記磁性ガー
ネットの他方の面にも透光性光学材料を介して偏光子が
接合された光アイソレータであることが好ましい(請求
項6)。
【0019】光アイソレータは、光学デバイスの中で最
も利用価値が高いものの一つであり、光通信における必
須デバイスである。このように、本発明の光学デバイス
が光アイソレータであることによって、近年要望の強い
光アイソレータの小型化、有機接着剤のフリー化に応え
た光学デバイスを提供することができる。
【0020】次に、本発明に係る光学デバイスの製造方
法は、磁性ガーネットの少なくとも一面を透光性光学材
料を介して偏光子と接着剤を使用することなしに接合し
て光学デバイスを製造する方法において、前記透光性光
学材料に、その線膨張係数α2(/℃)が前記磁性ガー
ネットの線膨張係数α1(/℃)と前記偏光子の線膨張
係数α3(/℃)の間の値であり、また厚さt2(m
m)が、t2≧0.02mmであるものを用い、かつ前
記偏光子に、その厚さt3(mm)が、0.02mm≦
t3≦0.3mmであるものを用いて接合することを特
徴とする(請求項7)。
【0021】このように、透光性光学材料に、その線膨
張係数α2が磁性ガーネットの線膨張係数α1と偏光子
の線膨張係数α3の間の値であり、また厚さt2が、t
2≧0.02mmであるものを用い、かつ偏光子に、そ
の厚さt3が、0.02mm≦t3≦0.3mmである
ものを用いて光学デバイスを製造することによって、光
学素子同士を接着剤を使用することなく十分な接合強度
で接合でき、また光学歪による光学特性の劣化を抑制で
きる。したがって、優れた光学特性を有する高信頼性の
光学デバイスを安価に製造することができる。
【0022】このとき、前記磁性ガーネットと前記透光
性光学材料、および/または前記透光性光学材料と前記
偏光子との接合は、各々の接合面に研磨、洗浄、親水化
処理、乾燥工程を施した後、接合面を直接または水を介
して貼り合わせ、その後熱処理を行うことによって接合
することが好ましい(請求項8)。
【0023】このように、磁性ガーネットと前記透光性
光学材料、および/または前記透光性光学材料と前記偏
光子との接合面に研磨、洗浄、親水化処理、乾燥工程を
施した後、これらを直接または水を介して貼り合わせ、
その後熱処理を行うことによって、磁性ガーネットを構
成する化学種と透光性光学材料を構成する化学種との相
互作用、および/または透光性光学材料を構成する化学
種と偏光子を構成する化学種との相互作用が有効に働
き、十分な接合強度を得ることができる。それによっ
て、接合面の剥離を防止することができる。
【0024】さらに、このとき、前記磁性ガーネットの
透光性光学材料側に金属酸化膜を形成した後に、該磁性
ガーネットと透光性光学材料を接合することが好ましい
(請求項9)。
【0025】このように、磁性ガーネットの透光性光学
材料側に金属酸化膜を形成した後に接合を行うことによ
って、光学素子同士の接合強度をさらに高めることがで
きる。また、形成された金属酸化膜が光学デバイスにお
いて反射防止膜としての機能を有することにより、信頼
性が高く、高性能の光学デバイスを製造することができ
る。
【0026】さらに、前記磁性ガーネットに形成する金
属酸化膜を、Al、TiO、SiOから選択
される1種または2種以上の金属酸化膜とし、該金属酸
化膜を単層または多層に積層することが好ましい(請求
項10)。
【0027】このように、金属酸化膜をAl、T
iO、SiOから選択される1種または2種以上の
金属酸化膜とし、単層または多層に積層することによっ
て、金属酸化膜の反射防止膜としての機能をさらに高
め、また光学素子同士の接合力も著しく高めることがで
きる。
【0028】また、前記磁性ガーネットの両面に透光性
光学材料を介して偏光子を接合して、光アイソレータを
製造することが好ましい(請求項11)。このように、
光アイソレータを製造することによって、接着剤を用い
ることなく、十分な接合強度を有する小型の光アイソレ
ータを製造することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発
明者等は、小型で信頼性の高い光学デバイスを提供する
ために、光学素子同士が接着剤を使用することなく十分
な接合強度で透光面で接合され、また接合時に種々の光
学素子の反射防止膜に与えられるダメージがなく、しか
も、線膨張係数差を有する光学素子間の接合においても
光学特性の低下が抑制された光学デバイスとして、磁性
ガーネットが透光性光学材料を介して偏光子と接合され
た光学デバイスであって、透光性光学材料の線膨張係数
が制御されており、透光性光学材料と偏光子の厚さが適
切に選択された光学デバイスであれば極めて効果的であ
ることを見出し、接合に関する諸条件を精査することに
よって本発明を完成させるに至った。
【0030】すなわち、磁性ガーネットの少なくとも一
面が、透光性光学材料を介して偏光子と接着剤を使用す
ることなしに接合されて成り、光がその接合面を透過す
ることによって機能する光学デバイスにおいて、前記透
光性光学材料の線膨張係数α2(/℃)が、前記磁性ガ
ーネットの線膨張係数α1(/℃)と前記偏光子の線膨
張係数α3(/℃)の間の値をとるものであり、前記透
光性光学材料の厚さt2(mm)が、t2≧0.02m
mであり、かつ前記偏光子の厚さt3(mm)が、0.
02mm≦t3≦0.3mmであることを特徴とする光
学デバイスであれば、十分な接合強度と実用レベルの光
学特性を有する小型で高信頼性の光学デバイスを安価に
提供することができる。
【0031】本発明の磁性ガーネットと透光性光学材
料、および/または透光性光学材料と偏光子との接合に
おける接合方法の一例を図1に示す。先ず、磁性ガーネ
ット、透光性光学材料及び偏光子の接合される表面(接
合面)に十分な研磨加工(工程)を施す。その後、各
光学素子の接合面を十分に洗浄し(工程)、親水化処
理(工程)を行う。その際、接合面の洗浄には、通
常の湿式洗浄が有効であるが、さらに短波長紫外線処理
(UV処理)やプラズマ処理を併用するとより効果的で
ある。また、親水化処理には、半導体SOIウエーハ
プロセスで一般的に利用されているアンモニア過水(ア
ンモニア水、過酸化水素水、純水の混合液)や硝酸、塩
酸の希釈液もしくはこれら希釈液に過酸化水素水を添加
した溶液が有効である。
【0032】次に、純水による洗浄を行い、親水化処理
液を除去する。純水洗浄後は、IPA蒸気乾燥法やスピ
ンドライヤーで乾燥し、乾燥むらを防止することが望ま
しい(工程)。このようにして得られた前処理済みの
光学素子の各接合面を直接接合しても良いが、より接合
を容易にするため接合面に液体を塗布し(工程)、そ
の後磁性ガーネットと偏光子を透光性光学材料を介して
貼り合せる(工程)。このとき塗布する液体は、水、
アンモニア等の極性分子を主成分とした液体を単独もし
くは混合して使用することができるが、特に純水を介し
て接合するのが望ましい。また、アルカリ金属元素やケ
イ酸塩などの可溶性物質を添加することによって更に接
合力を向上させることも可能である。
【0033】上記の手順で貼り合せた接合体を自然乾燥
もしくは真空乾燥させることによって、弱い接合力で固
定される(工程)。このとき、光学素子の表面が十分
に平坦でないと、光学素子間の接合面に空隙が生じ剥離
が起こる。この問題を解決するために、偏光子の厚さを
0.3mm以下とすると効果的である。以下にそのメカ
ニズムを説明する。
【0034】一般に、薄板に力を加えて曲げるのに必要
な力は、板厚の3乗に比例する。従って、被接合物の厚
さが薄ければ薄いほど、表面の凸凹に追従しやすくなり
空隙が埋められるため、剥離が生じ難くなる。磁性ガー
ネットの場合は、ファラデー回転能×厚さで所望のファ
ラデー回転角が得られるために、接合強度を高めるため
に厚さを薄くすることができない。一方、偏光子の場
合、特に偏光ガラスの場合には、その厚さが0.02m
m以上であれば十分な消光特性が得られるため、密着性
向上の為に厚さを薄くすることが可能である。
【0035】実際に、偏光ガラスを薄くしてゆき、工程
の乾燥を行った後、その密着性を確認したところ、偏
光ガラスの厚みが0.3mm以下であれば、剥離の発生
が低減され接合が十分であることが確認できた。
【0036】工程で乾燥を施した後、得られた接合体
に80〜200℃程度の温度で数時間熱処理を施すこと
により、必要十分な接合力が得られる(工程)。この
とき、熱処理工程における昇温速度が速や過ぎると、昇
温中に接合面の剥離が発生する恐れがある。従って、2
0℃/h以下の昇温速度に設定することが望ましい。ま
た、熱処理時の雰囲気は、大気中でも問題ないが、減圧
雰囲気もしくは水素を含む雰囲気であるとより望まし
い。以上の工程を施すことにより、光学素子同士が直接
接合された光学デバイスを得ることができる。
【0037】一般に、光学素子の歪に影響を受け易い光
学デバイス、例えば光アイソレータ等では、接合された
光学素子にストレスがかかると消光比が低下する傾向に
ある。光学素子同士を接着剤を使用せずに接合された光
学デバイスは強固に固定されているため、光学デバイス
の温度変化に伴って光学素子間の線膨張係数差に比例し
たストレス(熱応力)が加わる。
【0038】したがって、直接接合された光学デバイス
では、温度変化に伴って消光比の劣化が生じる。この温
度変化による消光比劣化は、光学素子間の線膨張係数差
が2×10−6/℃以上で顕著になる傾向にある。一般
に光学素子として使用される偏光ガラスの線膨張係数は
6.5×10−6/℃であり、ビスマス置換鉄ガーネッ
トの線膨張係数は11×10−6/℃である。したがっ
て、両者の線膨張係数の差は4.5×10−6/℃とな
り、ビスマス置換鉄ガーネットと偏光ガラスを直接接合
して得られた光学デバイスの場合、大きな消光比劣化が
生じる。そこで、本発明は、偏光子と磁性ガーネットの
間に、両者の線膨張係数の間の値の線膨張係数を有する
透光性光学材料を設けることにより消光比劣化の抑制を
図っている。このとき、透光性光学材料の材質として
は、光源より発した光線を透過でき、その消光比劣化量
が小さいものであれば、透光性光学材料として用いるこ
とができ、このような材質として、例えば、ソーダ石灰
ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラ
ス、鉛ガラス、バリウムガラス等の各種光学ガラスを挙
げることができる。
【0039】消光比劣化を抑制する効果は、透光性光学
材料の厚さに依存し、その厚さが厚くなるほど消光比劣
化の抑制効果は大きくなる。これは、偏光子と磁性ガー
ネット間に働く熱応力を透光性光学材料が変形すること
によって緩和するためで、透光性光学材料の厚さが薄過
ぎる場合、熱応力の緩和効果は十分に働かなくなる。そ
のため、透光性光学材料の厚さは、0.02mm以上と
することが好ましく、0.05mm以上とすることがさ
らに望ましい。また、透光性光学材料の厚さの上限は、
所望の光学デバイスサイズの制限に依存するが、光アイ
ソレータ等の場合は光学距離が5mm以下の場合が多
く、透光性光学材料以外の光学素子の厚み分を勘案する
と、1mm以下であることが好ましい。
【0040】また、上記の直接接合方法において、磁性
ガーネットと透光性光学材料を接合する際、磁性ガーネ
ットの透光性光学材料との接合面に金属酸化膜を形成し
た後に、該磁性ガーネットと透光性光学材料を接合する
ことによって、形成された金属酸化膜が反射防止膜とし
て作用し、また接合強度をより強固にすることができ
る。その際、磁性ガーネットの接合面に形成される金属
酸化膜は、化学的に安定で通信波長帯(0.9〜1.7
μm)で透明であれば良く、表面層が親水化され易いも
のであればさらに好ましい。そのため、該金属酸化膜が
Al、TiO 、SiOから選択される1種ま
たは2種以上の金属酸化膜であり、単層または多層に積
層されたものであることによって、反射防止膜としての
効果が大きく、さらに接合力の向上が顕著であるため、
高信頼性の光学デバイスとすることができる。
【0041】
【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 (実施例1)光学素子として、厚さの異なる数種類の偏
光ガラス(偏光子)、バッファガラス(透光性光学材
料)及びファラデー回転子(ビスマス置換鉄ガーネット
を波長1.31μmでθf=45°に調整したもの)を
用意し、これらの光学素子に十分な研磨加工を施して表
面粗さを0.3nm以下に調製した。
【0042】その後、ファラデー回転子には、その両面
に対ガラス反射防止膜(Al、TiOまたはS
iOの単層膜、あるいはAl/TiO/Si
の3層膜)を施したものと対ガラス反射防止膜を施
していないものを準備し、また一方、偏光ガラスには非
接合面側のみに対空気反射防止膜(Al/SiO
膜)を施した。尚、これらの反射防止膜は波長1.3
1μmで最適化した。各光学素子の詳細な物性について
は以下の表1に示す。表1に示した光学素子のデータ
は、偏光ガラスの非接合面およびファラデー回転子の両
面に反射防止膜を施したものについて測定したものであ
る。
【0043】
【表1】
【0044】次に、接合一体化する光学デバイスの構成
を図2に示す。図2は、ファラデー回転子13に対ガラ
ス反射防止膜17を施したものを用いた場合を示してい
る。偏光ガラス14の接合面(対空気反射防止膜16が
形成されてない面)とファラデー回転子13の接合面を
バッファガラス(透光性光学材料)12を介して接合す
るこによって、光学デバイス19を製造する。
【0045】光学デバイスの接合手順は、図1に示すフ
ローに従って行った。各工程の主な製造条件を以下に示
す。 研磨:各光学素子の表面粗さが表1に示した値となる
ように研磨を行う。 洗浄:低圧水銀灯によるUV(紫外線)処理後、純水
で洗浄(US(Ultra Sonic、超音波)洗
浄)する。 親水化処理:アンモニア水:過酸化水素水: 純水=
1:1:4のアンモニア過水に浸漬する。 洗浄・乾燥:純水洗浄(US洗浄)後、IPA蒸気乾
燥を行う。 液体塗布:各光学素子の接合面に純水を塗布する。 貼合:塗布液が乾燥する前にファラデー回転子と偏光
ガラスをバッファガラスを介して貼り合せる。その際、
2枚の偏光ガラスの偏波方向が互いに45°になるよう
に調整する。 乾燥:貼り合わせ後24時間真空乾燥する。 熱処理:110℃、10時間、大気中で行う。昇温速
度は4℃/hとする。
【0046】工程の乾燥を行った後、得られた接合体
の接合面を検査して密着性を評価した。その結果を下記
の表2に示す。表2から明らかなように、偏光ガラスの
厚さが0.3mm以下のものでは、大きな剥離が発生す
ることはなく、密着性が向上していた。さらに、ファラ
デー回転子に金属酸化膜を施したものでは、それが各単
層膜あるいは3層膜に関わらず、光学素子間の接合面に
剥離が発生せず、密着性がさらに向上していることが判
った。
【0047】
【表2】
【0048】次に、工程で熱処理を行った後、得られ
た接合体(光学デバイス)をダイサーにより1mm×1
mmのチップ状に切断した。このチップを、105℃、
100時間のプレッシャークッカーで処理した後に接合
面を観察し、接合面の耐久性を評価した。その結果を下
記表3に示す。
【0049】
【表3】
【0050】表3に示したように、偏光ガラスの厚さを
0.3mm以下にすることによって接合面の侵食が低減
された光学デバイスをえることができた。また、ファラ
デー回転子に金属酸化膜を施したものはさらに接合強度
が向上しており、十分な接合強度を有した信頼性の高い
光学デバイスを得ることができた。
【0051】(実施例2)次に、透光性光学材料の厚さ
が光学特性に及ぼす影響について実験を行った。光学素
子として、偏光ガラス(偏光子)、バッファガラス(透
光性光学材料)及びファラデー回転子(ビスマス置換鉄
ガーネットを波長1.31μmでθf=45°に調整し
たもの)を用意した。なお、今回の実験では酸化膜形成
後の偏光ガラスの厚さを0.3mmとし、またバッファ
ガラスに関しては0.01〜0.30mmの厚さを有す
る数種類のものを用意した。また、ファラデー回転子
は、光アイソレータの光学特性を測定する時の温度にて
θf=45°となるように調整し、さらにその両面に
は、対ガラス反射防止膜としてAl/TiO
SiOの3層膜のみを形成した。それ以外の各光学素
子の物性については実施例1と同様とした。また光学デ
バイスの接合手順についても実施例1と同様にして光学
素子の接合を行い、光学デバイスを作製した。また、比
較のため、バッファガラスを介さず、偏光ガラスとファ
ラデー回転子を直に接合した光学デバイスも作製した。
【0052】次に、図3に示すように、得られた光学デ
バイス19を1×1mmのチップ状に切断して円筒型マ
グネット15中に設置し、光アイソレータ10を構成し
た。その後、得られたバッファガラス12の厚さの異な
る光アイソレータに対して、消光比の測定を行った。消
光比の測定は、図5に示すように、光源(不図示)より
発した光線22を光アイソレータ10に透過させ、透過
した光線22を検出器21で検出することによって行っ
た。このとき、測定温度は工程における光学材料温度
よりも40℃低い温度に設定した。このように温度を設
定することによって、接合面に熱応力が印加された状態
で消光比を測定することができる。
【0053】図4に、バッファガラスの厚さの異なる光
アイソレータの消光比を測定した結果を示す。図4に示
したように、バッファガラスの厚さを0.02mm以上
とすることによって、消光比劣化を低減できることが確
認された。
【0054】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本
発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的
に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、
いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含され
る。
【0055】例えば、上記の実施の形態では、磁性ガー
ネットの両面に透光性光学材料を介して偏光子が接合さ
れた最小単位で構成された光アイソレータを示している
が、これに限定されるものではなく、偏光子とファラデ
ー回転子を更に組み合わせて多段構造に構成した光アイ
ソレータ等にも適用することができる。また、上述した
実施の形態では、光学素子を接合する際に接合面に純水
を塗布して接合を行っているが、これに限定されるもの
ではなく、十分な結合強度が得られる場合は水を介さず
光学素子同士を直に接合してもよい。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
接着剤を使用することなく各種光学素子の接合を容易で
かつ強固な接合強度で行うことができ、アウトガスの発
生や接合面の劣化がなく、優れた光学特性を有する小型
で高信頼性の光デバイスを安価に提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の接合方法の一例を示すフロー図であ
る。
【図2】実施例1で接合する光学素子の構成を示す概要
図である。
【図3】実施例2で作製した接合型光アイソレータの断
面図である。
【図4】バッファガラス(透光性光学材料)厚の異なる
光アイソレータの消光比を測定した結果を示したグラフ
である。
【図5】光アイソレータの消光比測定における構成を表
した概略図である。
【符号の説明】
10…光アイソレータ、 12…バッファガラス(透光
性光学材料)、13…ファラデー回転子(磁性ガーネッ
ト)、14…偏光ガラス(偏光子)、 15…円筒型マ
グネット、16…対空気反射防止膜、 17…対ガラス
反射防止膜、19…光学デバイス、21…検出器、 2
2…光線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/09 505 G02B 1/10 A (72)発明者 小西 繁 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 白崎 享 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 Fターム(参考) 2H043 AE02 2H049 BA02 BA08 BB03 BB51 BB61 BB65 BC14 2H079 AA03 BA02 CA06 DA13 EA22 EA27 EA28 KA05 2H099 AA01 BA02 CA05 CA11 2K009 AA04 AA06 BB04 CC03 DD03 DD08 DD17 FF03

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 磁性ガーネットの少なくとも一面が、透
    光性光学材料を介して偏光子と接着剤を使用することな
    しに接合されて成り、光がその接合面を透過することに
    よって機能する光学デバイスにおいて、前記透光性光学
    材料の線膨張係数α2(/℃)が、前記磁性ガーネット
    の線膨張係数α1(/℃)と前記偏光子の線膨張係数α
    3(/℃)の間の値をとるものであり、前記透光性光学
    材料の厚さt2(mm)が、t2≧0.02mmであ
    り、かつ前記偏光子の厚さt3(mm)が、0.02m
    m≦t3≦0.3mmであることを特徴とする光学デバ
    イス。
  2. 【請求項2】 前記磁性ガーネットの透光性光学材料側
    に金属酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項
    1に記載の光学デバイス。
  3. 【請求項3】 前記磁性ガーネットに形成された金属酸
    化膜が、Al、TiO、SiOから選択され
    る1種または2種以上の金属酸化膜であり、該金属酸化
    膜が単層または多層に積層されたものであることを特徴
    とする請求項1または請求項2に記載の光学デバイス。
  4. 【請求項4】 前記磁性ガーネットがビスマス置換鉄ガ
    ーネットであることを特徴とする請求項1から請求項3
    のいずれか一項に記載の光学デバイス。
  5. 【請求項5】 前記偏光子が偏光ガラスであることを特
    徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の
    光学デバイス。
  6. 【請求項6】 前記光学デバイスが、前記磁性ガーネッ
    トの他方の面にも透光性光学材料を介して偏光子が接合
    された光アイソレータであることを特徴とする請求項1
    から請求項5のいずれか一項に記載の光学デバイス。
  7. 【請求項7】 磁性ガーネットの少なくとも一面を透光
    性光学材料を介して偏光子と接着剤を使用することなし
    に接合して光学デバイスを製造する方法において、前記
    透光性光学材料に、その線膨張係数α2(/℃)が前記
    磁性ガーネットの線膨張係数α1(/℃)と前記偏光子
    の線膨張係数α3(/℃)の間の値であり、また厚さt
    2(mm)が、t2≧0.02mmであるものを用い、
    かつ前記偏光子に、その厚さt3(mm)が、0.02
    mm≦t3≦0.3mmであるものを用いて接合するこ
    とを特徴とする光学デバイスの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記磁性ガーネットと前記透光性光学材
    料、および/または前記透光性光学材料と前記偏光子と
    の接合は、各々の接合面に研磨、洗浄、親水化処理、乾
    燥工程を施した後、接合面を直接または水を介して貼り
    合わせ、その後熱処理を行うことによって接合すること
    を特徴とする請求項7に記載の光学デバイスの製造方
    法。
  9. 【請求項9】 前記磁性ガーネットの透光性光学材料側
    に金属酸化膜を形成した後に、該磁性ガーネットと透光
    性光学材料を接合することを特徴とする請求項7または
    請求項8に記載の光学デバイスの製造方法。
  10. 【請求項10】 前記磁性ガーネットに形成する金属酸
    化膜を、Al、TiO、SiOから選択され
    る1種または2種以上の金属酸化膜とし、該金属酸化膜
    を単層または多層に積層することを特徴とする請求項9
    に記載の光学デバイスの製造方法。
  11. 【請求項11】 前記磁性ガーネットの両面に透光性光
    学材料を介して偏光子を接合して、光アイソレータを製
    造することを特徴とする請求項7から請求項10のいず
    れか一項に記載の光学デバイスの製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08146351A (ja) * 1994-11-21 1996-06-07 Kyocera Corp 光アイソレータ用素子及びその製造方法
JPH11223797A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Mitsubishi Chemical Corp 光アイソレータおよびその製造方法
JP2000056265A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 光アイソレータとその製造方法
JP2001051235A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 光アイソレータ用又は光磁界センサ用光学部品及びその製造方法並びに光ファイバ接続型光アイソレータ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08146351A (ja) * 1994-11-21 1996-06-07 Kyocera Corp 光アイソレータ用素子及びその製造方法
JPH11223797A (ja) * 1998-02-06 1999-08-17 Mitsubishi Chemical Corp 光アイソレータおよびその製造方法
JP2000056265A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 光アイソレータとその製造方法
JP2001051235A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 光アイソレータ用又は光磁界センサ用光学部品及びその製造方法並びに光ファイバ接続型光アイソレータ

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