JP2003077996A - Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、静電チャックに関
する。本発明は、特に、冷媒により冷却される静電チャ
ックに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electrostatic chuck. The invention particularly relates to an electrostatic chuck that is cooled by a coolant.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスを製造する装置には、ク
ーロン力によりウエハを固定する静電チャックが広く採
用されている。静電チャックは、ウエハを所望の温度に
維持するため、又は静電チャックそれ自体の保護のため
に、冷媒により冷却される。2. Description of the Related Art An electrostatic chuck for fixing a wafer by Coulomb force is widely used in an apparatus for manufacturing a semiconductor device. The electrostatic chuck is cooled by a coolant to maintain the wafer at a desired temperature or to protect the electrostatic chuck itself.
【０００３】冷媒により冷却される静電チャックが、公
開特許公報（特開２０００−２９９２８８）に開示され
ている。公知のその静電チャックには、図４に示されて
いるように、その上面にウエハを載置する載置台１０１
が、冷却ジャケット１０２とともに設けられている。An electrostatic chuck cooled by a refrigerant is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-299288. As shown in FIG. 4, the known electrostatic chuck has a mounting table 101 for mounting a wafer on the upper surface thereof.
Are provided together with the cooling jacket 102.
【０００４】載置台１０１は、半導体プロセスが行われ
る過酷な環境に対する耐性を有するように、セラミック
体からなる。セラミック体としては、窒化アルミニウム
が例示される。The mounting table 101 is made of a ceramic body so as to have resistance to a harsh environment where semiconductor processes are performed. An example of the ceramic body is aluminum nitride.
【０００５】載置台１０１の内部には、シート状の電極
１０３とヒータ１０４とが埋設されている。電極１０３
には、静電吸着用の直流電圧が供給される。ヒータ１０
４には、電熱用の電力が供給される。載置台１０１は、
冷却ジャケット１０２に熱伝導性シート部材１０７を介
してぴったり押し付けた状態で接続される。A sheet-shaped electrode 103 and a heater 104 are embedded in the mounting table 101. Electrode 103
Is supplied with a DC voltage for electrostatic attraction. Heater 10
Electric power for electric heating is supplied to 4. The mounting table 101 is
It is connected to the cooling jacket 102 via the heat conductive sheet member 107 in a state of being exactly pressed.
【０００６】冷却ジャケット１０２は、アルミニウムの
ような熱伝導性の部材で形成される。冷却ジャケット１
０２の内部には、冷媒通路１０５が設けられている。冷
媒通路１０５には、冷媒１０６が供給される。載置台１
０１に載せられたウエハが有する熱は、載置台１０１、
熱伝導性シート部材１０７、及び冷却ジャケット１０２
を介して冷媒１０６に伝導され、ウエハは冷却される。The cooling jacket 102 is formed of a heat conductive member such as aluminum. Cooling jacket 1
A refrigerant passage 105 is provided inside 02. The refrigerant 106 is supplied to the refrigerant passage 105. Table 1
The heat of the wafer placed on 01 is set on the mounting table 101,
Thermally conductive sheet member 107 and cooling jacket 102
The heat is conducted to the coolant 106 via and the wafer is cooled.
【０００７】プラズマプロセスのようにウエハに多くの
熱が加えられるプロセスを行う場合、ウエハを低温に保
つためには、冷却効率が高いことが要求される。冷却効
率を高くするためには、ウエハと冷媒との間の熱抵抗が
小さいことが望まれる。When performing a process in which a large amount of heat is applied to the wafer, such as a plasma process, high cooling efficiency is required to keep the wafer at a low temperature. In order to improve the cooling efficiency, it is desired that the thermal resistance between the wafer and the coolant is small.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウエ
ハと冷媒との間の熱抵抗が小さい静電チャックと、その
静電チャックを搭載した半導体製造装置とを提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an electrostatic chuck having a small thermal resistance between a wafer and a coolant, and a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the electrostatic chuck.
【０００９】本発明の他の目的は、ウエハの冷却効率が
高い静電チャックと、その静電チャックを搭載した半導
体製造装置とを提供することにある。Another object of the present invention is to provide an electrostatic chuck having a high wafer cooling efficiency and a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the electrostatic chuck.
【００１０】本発明の更に他の目的は、ウエハと冷媒と
の間の熱抵抗が小さく、且つ、製造が容易な静電チャッ
クと、その静電チャックを搭載した半導体製造装置とを
提供することにある。Still another object of the present invention is to provide an electrostatic chuck which has a small thermal resistance between a wafer and a coolant and is easy to manufacture, and a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the electrostatic chuck. It is in.
【課題を解決するための手段】以下に、[発明の実施の
形態]で使用される番号・符号を用いて、課題を解決す
るための手段が説明される。これらの番号・符号は、
[特許請求の範囲]の記載と[発明の実施の形態]の記載と
の対応関係を明らかにするために付加されている。但
し、付加された番号・符号は、[特許請求の範囲]に記載
されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならな
い。[Means for Solving the Problems] Means for solving the problems will be described below with reference to the numbers and symbols used in the embodiments of the present invention. These numbers and signs are
It is added to clarify the correspondence between the description in the claims and the description in the embodiments of the invention. However, the added numbers / codes should not be used to interpret the technical scope of the invention described in [Claims].
【００１１】本発明による静電チャックは、セラミック
で形成され、且つ、ウエハを保持する載置台（１、１
１）と、載置台（１１）に埋め込まれ、ウエハをクーロ
ン力により載置台（１、１１）に向けて吸引する電極
（３、１３）とを備えている。載置台（１、１１）は、
載置台（１、１１）を冷却する冷媒に直接に接する。載
置台（１、１１）と冷媒との直接接触は、ウエハと冷媒
との間の熱抵抗を小さくする。The electrostatic chuck according to the present invention is made of ceramics and has a mounting table (1, 1) for holding a wafer.
1) and electrodes (3, 13) embedded in the mounting table (11) and sucking the wafer toward the mounting table (1, 11) by Coulomb force. The mounting table (1, 11) is
It directly contacts the cooling medium for cooling the mounting table (1, 11). The direct contact between the mounting table (1, 11) and the cooling medium reduces the thermal resistance between the wafer and the cooling medium.
【００１２】当該静電チャックは、更に、載置台（１、
１１）に接合される通路形成部材（２、７、１２）を備
え、載置台（１、１１）と通路形成部材（２、７、１
２）との間には、前記冷媒が通過する冷媒通路（５、１
５）が形成されることが好ましい。互いに接合される載
置台（１、１１）と通路形成部材（２、７、１２）との
間に冷媒通路（５、１５）が設けられる構造の形成は容
易であり、この構造は、当該静電チャックの製造を容易
化する。The electrostatic chuck further includes a mounting table (1,
11) is provided with a passage forming member (2, 7, 12), and the mounting table (1, 11) and the passage forming member (2, 7, 1).
2) and a refrigerant passage (5, 1) through which the refrigerant passes.
5) is preferably formed. It is easy to form a structure in which the refrigerant passages (5, 15) are provided between the mounting table (1, 11) and the passage forming members (2, 7, 12) that are joined to each other. Facilitates the manufacture of electric chucks.
【００１３】このとき、通路形成部材（７、１２）は、
金属で形成され、載置台（１、１１）と通路形成部材
（７、１２）とは、載置台（１、１１）をクランプして
通路形成部材（７、１２）にねじ止めされるクランプ
（９）により接合されることが好ましい。載置台（１、
１１）と通路形成部材（７、１２）とがクランプ（９）
によって接合されることにより、当該静電チャックの製
造が容易化される。At this time, the passage forming members (7, 12) are
The clamp (1) formed of metal, and the mounting table (1, 11) and the passage forming member (7, 12) clamp the mounting table (1, 11) and are screwed to the passage forming member (7, 12). It is preferable that they are joined according to 9). Mounting table (1,
11) and the passage forming member (7, 12) are clamped (9)
The electrostatic chuck can be manufactured easily by being bonded by.
【００１４】また、通路形成部材（２、７）は、載置台
（１）に面し、且つ、実質的に平坦な接合面（２ａ、７
ａ）を有し、載置台（１）は、通路形成部材（２、７）
に面する溝（６）を有し、接合面（２ａ、７ａ）と溝
（６）とは、冷媒を通過する冷媒通路（５）を構成する
ことが好ましい。載置台（１）に溝（６）が設けられて
いることにより、冷媒と載置台（１）との接触面積が増
大し、冷却効率が向上する。Further, the passage forming member (2, 7) faces the mounting table (1) and is a substantially flat joint surface (2a, 7).
a), and the mounting table (1) has a passage forming member (2, 7)
It is preferable to have a groove (6) facing to each other, and the joint surface (2a, 7a) and the groove (6) form a refrigerant passage (5) through which a refrigerant passes. By providing the groove (6) on the mounting table (1), the contact area between the refrigerant and the mounting table (1) is increased, and the cooling efficiency is improved.
【００１５】また、通路形成部材（１２）は、載置台
（１１）に面する溝（１６）を有し、載置台（１１）
は、通路形成部材（１２）にし、且つ、実質的に平坦な
接合面（１１ｂ）を有し、溝（１６）と接合面（１１
ｂ）とは、冷媒を通過する冷媒通路（１５）を構成する
ことが好ましい。この場合、通路形成部材（１２）は、
金属で形成されることが特に好ましい。溝（１６）が形
成される通路形成部材（１２）が金属で形成されること
は、通路形成部材（１２）の形成を容易にする。Further, the passage forming member (12) has a groove (16) facing the mounting table (11), and the mounting table (11) is provided.
Is a passage forming member (12) and has a substantially flat joint surface (11b), and the groove (16) and the joint surface (11).
It is preferable that b) constitutes a refrigerant passage (15) through which a refrigerant passes. In this case, the passage forming member (12) is
It is particularly preferably formed of metal. The metal forming of the passage forming member (12) in which the groove (16) is formed facilitates formation of the passage forming member (12).
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明による静電チャックの実施の一形態を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Referring to the accompanying drawings,
An embodiment of the electrostatic chuck according to the present invention will be described.
【００１７】（実施の第１形態）図１は、本発明による
静電チャックの実施の第１形態を示す。本発明による静
電チャックの実施の第１形態は、載置台１がセラミック
板２とともに設けられている。載置台１とセラミック板
２とは、半導体プロセスが行われる過酷な環境に対する
耐性を有するように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）のようなセラミックで形成されて
いる。載置台１とセラミック板２とは、固溶接合により
強固に接合される。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of an electrostatic chuck according to the present invention. In the first embodiment of the electrostatic chuck according to the present invention, the mounting table 1 is provided together with the ceramic plate 2. The mounting table 1 and the ceramic plate 2 are made of a ceramic such as alumina (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN) so as to have resistance to a harsh environment in which a semiconductor process is performed. The mounting table 1 and the ceramic plate 2 are firmly joined by solid welding.
【００１８】載置台１は、ウエハが載せられる載置面１
ａを有する。載置台１の内部には、載置面１ａに近接し
て電極３が埋設されている。電極３には、直流電圧が印
加され、電極３は、載置面１ａに載せられたウエハをク
ーロン力により載置台１１に向けて吸引する。載置台１
には、更に、電極３よりも載置面１ａから離れた位置に
ヒータ４が埋設されている。ヒータ４には、外部から電
力が供給され、ウエハを加熱する。The mounting table 1 is a mounting surface 1 on which a wafer is mounted.
a. An electrode 3 is embedded inside the mounting table 1 close to the mounting surface 1 a. A DC voltage is applied to the electrode 3, and the electrode 3 attracts the wafer mounted on the mounting surface 1a toward the mounting table 11 by Coulomb force. Table 1
Further, a heater 4 is embedded at a position farther from the mounting surface 1 a than the electrode 3. Electric power is supplied to the heater 4 from the outside to heat the wafer.
【００１９】載置台１とセラミック板２との間には、冷
媒通路５が形成されている。載置台１は、セラミック板
２に面して溝６を有する。セラミック板２は、載置台１
に面し、且つ、実質的に平坦である接合面２ａを有す
る。載置台１の溝６とセラミック板２の接合面２ａと
は、冷媒通路５を構成する。冷媒通路５には、冷媒が供
給され、載置台１と、載置台１に載せられたウエハと
は、その冷媒により冷却される。このとき、冷媒通路５
に供給される冷媒は、載置台１に直接に接し、これによ
り冷媒と載置台１に載せられたウエハとの間の熱抵抗が
小さくされている。更に、載置台１に溝６が形成されて
いることにより、冷媒と載置台１との接触面積が増大さ
れ、これにより、冷却効率の向上が図られている。A coolant passage 5 is formed between the mounting table 1 and the ceramic plate 2. The mounting table 1 has a groove 6 facing the ceramic plate 2. The ceramic plate 2 is the mounting table 1
And has a bonding surface 2a that faces the surface and is substantially flat. The groove 6 of the mounting table 1 and the joint surface 2 a of the ceramic plate 2 form a refrigerant passage 5. A coolant is supplied to the coolant passage 5, and the mounting table 1 and the wafer mounted on the mounting table 1 are cooled by the coolant. At this time, the refrigerant passage 5
The cooling medium supplied directly to the mounting table 1 is in contact with the mounting table 1, so that the thermal resistance between the cooling medium and the wafer mounted on the mounting table 1 is reduced. Further, since the groove 6 is formed in the mounting table 1, the contact area between the refrigerant and the mounting table 1 is increased, and thereby the cooling efficiency is improved.
【００２０】載置台１とセラミック板２とは、一体に形
成され得る。この場合、載置台１とセラミック板２とが
一体に形成された一体形成構造体の内部に冷媒通路５が
設けられることになる。載置台１とセラミック板２と
が、一体に形成されることは、載置台１とセラミック板
２との接合を確実にする上で好ましい。しかし、セラミ
ックを、一体形成構造体の内部に冷媒通路が設けられて
いるような複雑な構造に焼結することは、実質的に困難
である。本実施の形態のように、載置台１とセラミック
板２とが別体に形成され、更に載置台１とセラミック板
２とが接合されることは、製造の容易化の観点から好ま
しい。The mounting table 1 and the ceramic plate 2 can be integrally formed. In this case, the refrigerant passage 5 is provided inside the integrally formed structure in which the mounting table 1 and the ceramic plate 2 are integrally formed. It is preferable that the mounting table 1 and the ceramic plate 2 are integrally formed in order to ensure the bonding between the mounting table 1 and the ceramic plate 2. However, it is substantially difficult to sinter the ceramic into a complex structure such that the coolant passages are provided inside the integrally formed structure. It is preferable that the mounting table 1 and the ceramic plate 2 are separately formed and the mounting table 1 and the ceramic plate 2 are joined together as in the present embodiment, from the viewpoint of facilitating manufacturing.
【００２１】載置台１とセラミック板２とは、２００℃
以下の低温プロセス向けには、アルミナで形成されるこ
とが好ましく、２００℃から５００℃程度の高温プロセ
ス向けには、窒化アルミニウムで形成されることが好ま
しい。アルミナで形成されたセラミックは、温度分布が
大きいと割れやすく、高温プロセス向けには、載置台１
とセラミック板２とは、高温に耐え得る窒化アルミニウ
ムで形成されることが好ましい。一方、窒化アルミニウ
ムは、低温における誘電率が大きく、概ね２００℃以上
でしか使用することが難しい。従って、２００℃以下の
低温プロセス向けには、載置台１とセラミック板２と
は、誘電率が比較的低いアルミナで形成されることが好
ましい。The mounting table 1 and the ceramic plate 2 are at 200 ° C.
Alumina is preferably used for the following low temperature processes, and aluminum nitride is preferably used for the high temperature processes of about 200 ° C to 500 ° C. Ceramics made of alumina tend to crack when the temperature distribution is large, so for high temperature processes, the mounting table 1
The ceramic plate 2 and the ceramic plate 2 are preferably formed of aluminum nitride that can withstand high temperatures. On the other hand, aluminum nitride has a large dielectric constant at low temperatures, and it is difficult to use it only at about 200 ° C. or higher. Therefore, for a low temperature process of 200 ° C. or lower, the mounting table 1 and the ceramic plate 2 are preferably made of alumina having a relatively low dielectric constant.
【００２２】（実施の第２形態）図２は、本発明による
静電チャックの実施の第２形態を示す。実施の第２形態
では、載置台１は、セラミック板２の代わりに金属製の
金属ブロック７に接合される。金属ブロック７は、載置
台１に面し、且つ、実質的に平坦な接合面７ａを有す
る。載置台１の溝６と金属ブロック７の接合面７ａと
は、冷媒通路５を形成している。金属ブロック７には、
冷媒通路５に接続する冷媒導入口８１と冷媒排出口８２
が設けられる。冷媒は、冷媒導入口８１を介して冷媒通
路５に供給され、冷媒排出口８２を介して冷媒通路５か
ら排出される。(Second Embodiment) FIG. 2 shows a second embodiment of the electrostatic chuck according to the present invention. In the second embodiment, the mounting table 1 is joined to the metal block 7 made of metal instead of the ceramic plate 2. The metal block 7 faces the mounting table 1 and has a substantially flat joint surface 7 a. The groove 6 of the mounting table 1 and the joint surface 7 a of the metal block 7 form a refrigerant passage 5. In the metal block 7,
Refrigerant inlet 8 1 and refrigerant outlet 8 2 connected to the refrigerant passage 5
Is provided. The refrigerant is supplied to the refrigerant passage 5 through the refrigerant inlet port 81, it is discharged from the refrigerant passage 5 through the coolant outlet port 82.
【００２３】載置台１と金属ブロック７との接合は、ク
ランプ９とねじ１０とにより行われている。クランプ９
は、載置台１をクランプし、ねじ１０により金属ブロッ
ク７にねじ止めされている。金属ブロック７が金属製で
あることは、クランプ９を金属ブロック７にねじ止めす
ることを容易にする。金属ブロック７がセラミックでな
く、金属で形成されていることにより、金属ブロック７
に雌ねじを容易に形成することができる。実施の第２形
態では、載置台１と金属ブロック７との接合は、載置台
１をクランプするクランプ９を金属ブロック７にねじ止
めすることにより行われ、当該静電チャックの製造の容
易化が図られている。セラミック同士を接合する技術が
必要とされる実施の第１形態と比較して、実施の第２形
態は、当該静電チャックの製造の容易化の点で好まし
い。The mounting table 1 and the metal block 7 are joined by the clamp 9 and the screw 10. Clamp 9
Clamps the mounting table 1 and is screwed to the metal block 7 with screws 10. The metal block 7 being made of metal facilitates screwing the clamp 9 to the metal block 7. Since the metal block 7 is made of metal instead of ceramic, the metal block 7
A female screw can be easily formed on the. In the second embodiment, the mounting table 1 and the metal block 7 are joined to each other by screwing a clamp 9 for clamping the mounting table 1 to the metal block 7, which facilitates manufacturing of the electrostatic chuck. Has been planned. Compared with the first embodiment in which the technique of joining ceramics to each other is required, the second embodiment is preferable in terms of facilitating the manufacture of the electrostatic chuck.
【００２４】実施の第２形態においても実施の第１形態
と同様に、載置台１は、２００℃以下の低温プロセス向
けには、アルミナで形成されることが好ましく、２００
℃から５００℃程度の高温プロセス向けには、窒化アル
ミニウムで形成されることが好ましい。Also in the second embodiment, similarly to the first embodiment, the mounting table 1 is preferably made of alumina for a low temperature process of 200 ° C. or lower.
For a high temperature process of about 0 ° C to 500 ° C, it is preferably formed of aluminum nitride.
【００２５】（実施の第３形態）図３は、本発明による
静電チャックの実施の第３形態を示す。本発明による静
電チャックの実施の第３形態は、載置台１１が金属ブロ
ック１２とともに設けられている。載置台１１は、半導
体プロセスが行われる過酷な環境に対する耐性を有する
ように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）のようなセラミックで形成されている。金属
ブロック１２は、金属で形成されている。(Third Embodiment) FIG. 3 shows a third embodiment of the electrostatic chuck according to the present invention. In the third embodiment of the electrostatic chuck according to the present invention, the mounting table 11 is provided together with the metal block 12. The mounting table 11 is formed of a ceramic such as alumina (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN) so as to have resistance to a harsh environment in which a semiconductor process is performed. The metal block 12 is made of metal.
【００２６】載置台１１と金属ブロック１２とは、載置
台１１をクランプするクランプ１９と、クランプ１９を
金属ブロック１２にねじ止めするねじ２０とにより接合
されている。実施の第２形態で説明されているように、
このような構造は、当該静電チャックの製造を容易化す
る。The mounting table 11 and the metal block 12 are joined by a clamp 19 for clamping the mounting table 11 and a screw 20 for screwing the clamp 19 to the metal block 12. As described in the second embodiment,
Such a structure facilitates manufacturing of the electrostatic chuck.
【００２７】載置台１１は、ウエハが載せられる載置面
１１ａを有する。載置台１１の内部には、載置面１１ａ
に近接して電極１３が埋設されている。電極１３には、
直流電圧が印加され、電極１３は、載置面１１ａに載せ
られたウエハをクーロン力により載置台１１に向けて吸
引する。載置台１１には、更に、電極１３よりも載置面
１１ａから離れた位置にヒータ１４が埋設されている。
ヒータ１４には、外部から電力が供給され、ウエハを加
熱する。The mounting table 11 has a mounting surface 11a on which a wafer is mounted. Inside the mounting table 11, the mounting surface 11 a
The electrode 13 is buried close to. The electrode 13 has
A DC voltage is applied, and the electrode 13 attracts the wafer mounted on the mounting surface 11a toward the mounting table 11 by Coulomb force. A heater 14 is further embedded in the mounting table 11 at a position farther from the mounting surface 11 a than the electrodes 13.
Electric power is externally supplied to the heater 14 to heat the wafer.
【００２８】載置台１１と金属ブロック１２との間に
は、冷媒通路１５が形成されている。実施の第１形態及
び実施の第２形態と異なり、実施の第３形態では、載置
台１１ではなく金属ブロック１２に溝１６が形成されて
いる。載置台１１は、金属ブロック１２に面し、且つ、
実質的に平坦な接合面１１ｂを有する。溝１６と接合面
１１ｂとは、冷媒通路１５を形成する。金属ブロック１
２には、冷媒通路１５に接続する冷媒導入口１８１と冷
媒排出口１８２とが設けられる。冷媒は、冷媒導入口１
８１を介して冷媒通路１５に供給され、冷媒排出口１８
２を介して冷媒通路１５から排出される。A coolant passage 15 is formed between the mounting table 11 and the metal block 12. Unlike the first embodiment and the second embodiment, in the third embodiment, the groove 16 is formed in the metal block 12 instead of the mounting table 11. The mounting table 11 faces the metal block 12, and
It has a substantially flat joint surface 11b. The groove 16 and the joint surface 11b form the refrigerant passage 15. Metal block 1
2 is provided with a coolant inlet port 18 1 and a coolant outlet port 18 2 which are connected to the coolant passage 15. The refrigerant is the refrigerant inlet 1
8 1 is supplied to the refrigerant passage 15 and the refrigerant outlet 18
The refrigerant is discharged from the refrigerant passage 15 via 2 .
【００２９】実施の第３形態では、セラミックで形成さ
れた載置台１１ではなく、金属で形成された金属ブロッ
ク１２に溝１６が形成されることにより、当該静電チャ
ックの製造の容易化が図られている。実施の第１形態及
び実施の第２形態のように、セラミックで形成された載
置台１に溝６を形成するよりも、金属で形成された金属
ブロック１２に溝１６を形成することの方が容易であ
る。実施の第３の形態は、当該静電チャックの製造の容
易化の点では、実施の第１形態及び実施の第２形態より
も好ましい。In the third embodiment, the groove 16 is formed in the metal block 12 made of metal instead of the mounting table 11 made of ceramic, thereby facilitating the manufacture of the electrostatic chuck. Has been. As in the first and second embodiments, forming the groove 16 in the metal block 12 formed of metal is more preferable than forming the groove 6 in the mounting table 1 formed of ceramic. It's easy. The third embodiment is preferable to the first and second embodiments in terms of facilitating the manufacture of the electrostatic chuck.
【００３０】以上に説明された実施の第１形態から実施
の第３形態の静電チャックは、半導体プロセスを行う半
導体製造装置のチャンバに設置されて使用される。これ
により、半導体プロセスが行われる間のウエハの冷却効
率が増大される。The electrostatic chucks of the first to third embodiments described above are used by being installed in the chamber of a semiconductor manufacturing apparatus that performs a semiconductor process. This increases the wafer cooling efficiency during the semiconductor process.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明により、ウエハと冷媒との間の熱
抵抗が小さい静電チャックと、その静電チャックを搭載
した半導体製造装置とが提供される。According to the present invention, an electrostatic chuck having a small thermal resistance between a wafer and a coolant and a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the electrostatic chuck are provided.
【００３２】また、本発明により、ウエハの冷却効率が
高い静電チャックと、その静電チャックを搭載した半導
体製造装置とが提供される。The present invention also provides an electrostatic chuck having a high wafer cooling efficiency and a semiconductor manufacturing apparatus having the electrostatic chuck mounted thereon.
【００３３】また、本発明により、ウエハと冷媒との間
の熱抵抗が小さく、且つ、製造が容易な静電チャック
と、その静電チャックを搭載した半導体製造装置とが提
供される。Further, according to the present invention, there is provided an electrostatic chuck having a small thermal resistance between a wafer and a coolant and easy to manufacture, and a semiconductor manufacturing apparatus equipped with the electrostatic chuck.
【図１】図１は、本発明による静電チャックの実施の第
１形態を示す。FIG. 1 shows a first embodiment of an electrostatic chuck according to the present invention.
【図２】図２は、本発明による静電チャックの実施の第
２形態を示す。FIG. 2 shows a second embodiment of the electrostatic chuck according to the present invention.
【図３】図３は、本発明による静電チャックの実施の第
３形態を示す。FIG. 3 shows a third embodiment of the electrostatic chuck according to the present invention.
【図４】図４は、公知の静電チャックを示す。FIG. 4 shows a known electrostatic chuck.
１、１１：載置台 ２：セラミック板 ３、１３：電極 ４、１４：ヒータ ５、１５：冷媒通路 ６、１６：溝 ７、１２：金属ブロック ８１、１８１：冷媒導入口 ８２、１８２：冷媒排出口 ９、１９：クランプ １０、２０：ねじ1, 11: Mounting table 2: Ceramic plate 3, 13: Electrode 4, 14: Heater 5, 15: Refrigerant passage 6, 16: Groove 7, 12: Metal block 8 1 , 18 1 : Refrigerant inlet port 8 2 , 18 2 : Refrigerant outlet 9, 19: Clamp 10, 20: Screw
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Claims (7)
保持する載置台と、 前記載置台に埋め込まれ、前記ウエハをクーロン力によ
り前記載置台に向けて吸引する電極とを備え、 前記載置台は、前記載置台を冷却する冷媒に直接に接す
る静電チャック。1. A mounting table which is made of ceramics and holds a wafer, and an electrode which is embedded in the mounting table and sucks the wafer toward the mounting table by Coulomb force. , An electrostatic chuck that is in direct contact with a coolant that cools the mounting table.
て、 更に、前記載置台に接合される通路形成部材を備え、 前記載置台と前記通路形成部材との間には、前記冷媒が
通過する冷媒通路が形成された静電チャック。2. The electrostatic chuck according to claim 1, further comprising a passage forming member joined to the mounting table, wherein the refrigerant passes between the mounting table and the passage forming member. An electrostatic chuck with a coolant passage formed.
て、 前記通路形成部材は、金属で形成され、 前記載置台と前記通路形成部材とは、前記載置台をクラ
ンプして前記通路形成部材にねじ止めされるクランプに
より接合された静電チャック。3. The electrostatic chuck according to claim 2, wherein the passage forming member is formed of a metal, and the mounting table and the passage forming member are clamped on the mounting table to form the passage forming member. An electrostatic chuck joined by a screwed clamp.
て、 前記通路形成部材は、前記載置台に面し、且つ、実質的
に平坦な接合面を有し、 前記載置台は、前記通路形成部材に面する溝を有し、 前記接合面と前記溝とは、前記冷媒通路を構成する静電
チャック。4. The electrostatic chuck according to claim 2, wherein the passage forming member has a bonding surface that faces the mounting table and is substantially flat, and the mounting table includes the passage forming member. An electrostatic chuck having a groove facing the member, wherein the joint surface and the groove constitute the refrigerant passage.
て、 前記通路形成部材は、前記載置台に面する溝を有し、 前記載置台は、前記通路形成部材に面し、且つ、実質的
に平坦な接合面を有し、 前記溝と前記接合面とは、前記冷媒通路を構成する静電
チャック。5. The electrostatic chuck according to claim 2, wherein the passage forming member has a groove facing the mounting table, and the mounting table faces the passage forming member and is substantially An electrostatic chuck having a flat joint surface, wherein the groove and the joint surface constitute the refrigerant passage.
て、 前記通路形成部材は、金属で形成された静電チャック。6. The electrostatic chuck according to claim 5, wherein the passage forming member is made of metal.
求項に記載の静電チャックを備えた半導体製造装置。7. A semiconductor manufacturing apparatus provided with the electrostatic chuck according to claim 1. Description:
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