JP2003077410A - Display device and substrate for display device - Google Patents

Display device and substrate for display device

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JP2003077410A
JP2003077410A JP2001269819A JP2001269819A JP2003077410A JP 2003077410 A JP2003077410 A JP 2003077410A JP 2001269819 A JP2001269819 A JP 2001269819A JP 2001269819 A JP2001269819 A JP 2001269819A JP 2003077410 A JP2003077410 A JP 2003077410A
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JP
Japan
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display device
substrate
gate electrode
rib
electron emission
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Application number
JP2001269819A
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Japanese (ja)
Inventor
Zenichiro Hara
善一郎 原
Kozaburo Shibayama
耕三郎 柴山
Masaaki Kai
政明 開
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device with fluctuation between display cells curtailed on various controls concerning electron emission. SOLUTION: A gate electrode 14 is provided with a positioning hole 14a, a rib 13 with a protrusion 13a at the peak, which is inserted into the positioning hole 14a. The protrusion 13a is provided with a frit glass 15, to which the gate electrode 14 is fixed. Each of cold cathodes contained in each cell makes up an electron emitting source for having a corresponding phosphor 23 emit light. Ribs 13 are arranged to partition adjacent cells, formed in a given height by, for instance, a multilayer printing method. The ribs 13 of multilayer films are all insulating films, or a part of them are formed including conductive films. The cold cathode 12 is formed by printing paste of carbon nanotube or the like.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は表示装置及び表示装
置用基板に関し、特に電子放出に関する各種制御につい
ての表示セル間でのばらつきを低減し、輝度むら等の不
具合が抑制された高品質の表示を得るための技術に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a substrate for a display device, and more particularly, to a high quality display in which variations such as unevenness in brightness are suppressed by reducing variations among display cells for various controls relating to electron emission. Technology for obtaining.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10に従来の表示装置1Pを説明する
ための断面図を示し、図11に表示装置1Pの第1基板
10Pを説明するための平面図を示す。なお、図11中
のII−II線における断面が図10に対応する。従来
の表示装置1Pは、第1基板10P、第2基板20及び
枠状体30を備えている。
2. Description of the Related Art FIG. 10 shows a sectional view for explaining a conventional display device 1P, and FIG. 11 shows a plan view for explaining a first substrate 10P of the display device 1P. The cross section taken along the line II-II in FIG. 11 corresponds to FIG. 10. The conventional display device 1P includes a first substrate 10P, a second substrate 20, and a frame 30.

【0003】詳細には、第1基板10Pは陰極基板11
P、冷陰極12P、リブ13P及びゲート電極14Pを
備えている。例えばガラス製の陰極基板11P上に複数
の冷陰極12P及びリブ13Pが延在しており、冷陰極
12Pとリブ13Pとが交互に並んでいる。リブ13P
は多層印刷によって所定の高さに形成されている。
More specifically, the first substrate 10P is the cathode substrate 11
P, a cold cathode 12P, a rib 13P and a gate electrode 14P. For example, a plurality of cold cathodes 12P and ribs 13P extend on a cathode substrate 11P made of glass, and the cold cathodes 12P and the ribs 13P are alternately arranged. Rib 13P
Are formed at a predetermined height by multilayer printing.

【0004】リブ13Pの頂部には複数のゲート電極1
4Pが配置されている。ゲート電極14Pは冷陰極12
Pと立体交差するように延在しており、ゲート電極14
Pの両端はフリットガラス等で固定されている(図示せ
ず)。ゲート電極14Pには冷陰極13Pと対面する各
部分にメッシュ開口部14bPが形成されている。
A plurality of gate electrodes 1 are provided on top of the ribs 13P.
4P is arranged. The gate electrode 14P is the cold cathode 12.
The gate electrode 14 extends so as to intersect with P.
Both ends of P are fixed with frit glass or the like (not shown). A mesh opening 14bP is formed in each portion of the gate electrode 14P facing the cold cathode 13P.

【0005】他方、第2基板20は、陽極基板21、蛍
光体23及び陽極(後述の図1に図示される陽極22を
参照)を備えている。例えばガラス製の陽極基板21に
は、ゲート電極14Pのメッシュ開口部14bPに対面
して蛍光体23が塗布されている。更に、陽極基板21
上には蛍光体23を覆って陽極が形成されている(図示
せず)。
On the other hand, the second substrate 20 is provided with an anode substrate 21, a phosphor 23 and an anode (see the anode 22 shown in FIG. 1 described later). For example, the fluorescent material 23 is applied to the glass anode substrate 21 so as to face the mesh openings 14bP of the gate electrode 14P. Furthermore, the anode substrate 21
An anode is formed on the phosphor 23 so as to cover the phosphor 23 (not shown).

【0006】陰極基板11Pと陽極基板21とは両基板
11P,21の周縁に沿った枠状体30を介して封止さ
れており、陰極基板11と陽極基板21と枠状体30と
で表示装置1Pの基体となる真空容器が形成される。
The cathode substrate 11P and the anode substrate 21 are sealed via a frame-shaped body 30 along the peripheral edges of the both substrates 11P and 21. The cathode substrate 11, the anode substrate 21 and the frame-shaped body 30 display A vacuum container that serves as the base of the device 1P is formed.

【0007】表示装置1Pにおいて、ゲート電極14P
と冷陰極12Pとの各(立体)交差点ないしは各蛍光体
23が画面の1つの表示セル(単に「セル」とも呼ぶ)
3Pに対応する。
In the display device 1P, the gate electrode 14P
Each (three-dimensional) intersection between the cold cathode 12P and the cold cathode 12P or each phosphor 23 is one display cell (also simply referred to as "cell") on the screen.
Corresponds to 3P.

【0008】冷陰極12Pから放出された電子はゲート
電極14P(の電位)によって引き出され、メッシュ開
口部14bPを通過して、蛍光体23に衝突する。かか
る電子の衝突により蛍光体23が発光する。
The electrons emitted from the cold cathode 12P are extracted by (the potential of) the gate electrode 14P, pass through the mesh opening 14bP, and collide with the phosphor 23. The phosphor 23 emits light due to the collision of the electrons.

【0009】冷陰極2Pは、熱陰極とは異なり、加熱す
る必要がないので、消費電力が小さい。さらに、冷陰極
2Pは熱陰極よりも高密度に配置することができるの
で、高解像度の表示装置を実現することができる。
Unlike the hot cathode, the cold cathode 2P does not need to be heated and therefore consumes less power. Further, since the cold cathode 2P can be arranged at a higher density than the hot cathode, a high resolution display device can be realized.

【0010】ここで、図12に冷陰極12Pの一般的な
電子放出特性を説明するための図を示す。冷陰極12P
からの電子放出は高電界によってなされるので、安定し
た電子放出を得るためには冷陰極12Pに閾値以上の電
圧を印加する必要がある。ゲート電極14Pと冷陰極1
2Pとに同時にON電圧が印加されると、冷陰極12P
近傍の電位は閾値を越え、冷陰極12Pから電子が放出
される。これに対して、ゲート電極14Pと冷陰極12
Pとの一方のみがONの場合は、冷陰極12Pの電位は
閾値に達せず、電子は放出されない。
Here, FIG. 12 shows a diagram for explaining a general electron emission characteristic of the cold cathode 12P. Cold cathode 12P
Since electrons are emitted from the high electric field, it is necessary to apply a voltage equal to or higher than a threshold value to the cold cathode 12P in order to obtain stable electron emission. Gate electrode 14P and cold cathode 1
When ON voltage is applied to 2P and cold cathode simultaneously, cold cathode 12P
The potential in the vicinity exceeds the threshold value, and electrons are emitted from the cold cathode 12P. On the other hand, the gate electrode 14P and the cold cathode 12
When only one of P and P is ON, the potential of the cold cathode 12P does not reach the threshold value and electrons are not emitted.

【0011】上述のように冷陰極12Pとゲート電極1
4Pとは直交するように配置されているので、ダイナミ
ック駆動が適用可能である。ダイナミック駆動では、ゲ
ート電極14Pに走査信号を印加し、冷陰極12Pにデ
ータ信号を印加することにより両電極14P,12Pの
交点に対応する位置に配置された蛍光体23の発光を制
御し、走査が一巡することにより画像が表示される。
As described above, the cold cathode 12P and the gate electrode 1
Since it is arranged so as to be orthogonal to 4P, dynamic driving can be applied. In the dynamic driving, a scanning signal is applied to the gate electrode 14P and a data signal is applied to the cold cathode 12P to control the light emission of the phosphor 23 arranged at the position corresponding to the intersection of the two electrodes 14P and 12P, thereby performing scanning. The image is displayed by going around.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】一般的に、冷陰極12
Pから放出される電子は、冷陰極12P近傍の電界に依
存して敏感に変化する。このため、冷陰極12P近傍の
電界を安定させて放出電子量を十分に確保するために
は、冷陰極12Pとゲート電極14Pとの位置精度が重
要である。
Generally, the cold cathode 12
The electrons emitted from P sensitively change depending on the electric field near the cold cathode 12P. Therefore, the positional accuracy of the cold cathode 12P and the gate electrode 14P is important in order to stabilize the electric field near the cold cathode 12P and secure a sufficient amount of emitted electrons.

【0013】従来の表示装置1Pにおいて、冷陰極12
Pとゲート電極14Pとの距離は例えば数10μm程度
である。また、画面の垂直方向の精度、具体的にはゲー
ト電極14Pの配列方向の精度は10μm以下である。
また、水平方向の精度、具体的には冷陰極12Pの配列
方向の精度は、セル3Pのピッチが狭くなり解像度が高
くなるにつれて厳しくなる。
In the conventional display device 1P, the cold cathode 12
The distance between P and the gate electrode 14P is, for example, about several tens of μm. The accuracy in the vertical direction of the screen, specifically, the accuracy in the arrangement direction of the gate electrodes 14P is 10 μm or less.
Further, the accuracy in the horizontal direction, specifically, the accuracy in the arrangement direction of the cold cathodes 12P becomes stricter as the pitch of the cells 3P becomes narrower and the resolution becomes higher.

【0014】上述のように従来の表示装置1Pではリブ
13Pの上にゲート電極14Pを配置し、ゲート電極1
4Pの両端をフリットガラス等で固定しているのみであ
る。このため、ゲート電極14Pの配置精度が低く、メ
ッシュ開口部14bPの配置ずれによって電子ビームの
広がりにばらつきが生じてしまうという問題点がある。
更に、上述の固定方法ではゲート電極14Pが変形し
て、冷陰極12P近傍の電界及び電子の放出量にばらつ
きが生じる等の問題点がある。
As described above, in the conventional display device 1P, the gate electrode 14P is disposed on the rib 13P, and the gate electrode 1
Only both ends of 4P are fixed with frit glass or the like. Therefore, there is a problem in that the arrangement accuracy of the gate electrode 14P is low and the spread of the electron beam varies due to the arrangement displacement of the mesh opening 14bP.
Further, the above-mentioned fixing method has a problem that the gate electrode 14P is deformed, and the electric field near the cold cathode 12P and the amount of emitted electrons vary.

【0015】これらの結果、従来の表示装置1Pでは、
各セル3P間で発光にばらつきが生じやすく、画面全体
を均質に発光させることが難しい。なお、発光のばらつ
きは画面全体としては例えば輝度むらとして観測され
る。
As a result, in the conventional display device 1P,
Light emission is likely to vary among the cells 3P, and it is difficult to make the entire screen emit light uniformly. It should be noted that variations in light emission are observed as, for example, uneven brightness on the entire screen.

【0016】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、電子放出に関する各種制御についての表示セル間
でのばらつきが低減されて、輝度むら等の不具合が抑制
された高品質の表示が可能な表示装置及び表示装置用基
板を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to realize high-quality display in which variations such as brightness unevenness are suppressed by reducing variations among display cells regarding various controls relating to electron emission. It is an object of the present invention to provide a display device and a display device substrate.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の表示装
置は、真空容器と、前記真空容器内に配置された電子放
出源と、前記電子放出源に対面して配置された、位置決
め穴を有するゲート電極と、前記真空容器内において前
記電子放出源に隣り合って配置されており、前記ゲート
電極の前記位置決め穴に挿入された凸部を有するリブと
を備える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a display device, wherein a vacuum container, an electron emission source arranged in the vacuum container, and a positioning hole arranged so as to face the electron emission source. And a rib that is disposed adjacent to the electron emission source in the vacuum container and that has a convex portion that is inserted into the positioning hole of the gate electrode.

【0018】請求項2に記載の表示装置は、請求項1に
記載の表示装置であって、前記リブは、少なくとも2種
類の材料の多層膜から成る。
A display device according to a second aspect is the display device according to the first aspect, wherein the rib is formed of a multilayer film of at least two kinds of materials.

【0019】請求項3に記載の表示装置は、請求項1又
は請求項2に記載の表示装置であって、前記リブの前記
凸部に対して設けられて前記ゲート電極を固定するフリ
ットガラスを更に備える。
The display device according to a third aspect is the display device according to the first or second aspect, further comprising a frit glass which is provided on the convex portion of the rib and fixes the gate electrode. Further prepare.

【0020】請求項4に記載の表示装置は、請求項1乃
至請求項3のいずれかに記載の表示装置であって、前記
電子放出源を複数備え、前記リブは、前記複数の電子放
出源間を仕切るように配置されている。
The display device according to claim 4 is the display device according to any one of claims 1 to 3, wherein a plurality of the electron emission sources are provided, and the ribs are provided with the plurality of electron emission sources. It is arranged so as to divide the space.

【0021】請求項5に記載の表示装置は、請求項1乃
至請求項4のいずれかに記載の表示装置であって、前記
電子放出源は、カーボンナノチューブを含むカーボン系
材料から成る冷陰極を含む。
The display device according to claim 5 is the display device according to any one of claims 1 to 4, wherein the electron emission source is a cold cathode made of a carbon-based material containing carbon nanotubes. Including.

【0022】請求項6に記載の表示装置用基板は、絶縁
性基板と、前記絶縁性基板上に配置された電子放出源
と、前記電子放出源に対面して配置された、位置決め穴
を有するゲート電極と、前記絶縁性基板上において前記
電子放出源に隣り合って配置されており、前記ゲート電
極の前記位置決め穴に挿入された凸部を有するリブとを
備える。
A display device substrate according to a sixth aspect has an insulating substrate, an electron emission source arranged on the insulating substrate, and a positioning hole arranged so as to face the electron emission source. A gate electrode and a rib that is arranged on the insulating substrate adjacent to the electron emission source and has a convex portion that is inserted into the positioning hole of the gate electrode are provided.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】<実施の形態1>図1に実施の形
態1に係る表示装置1を説明するための断面図を示し、
図2に表示装置1の第1基板10を説明するための平面
図を示す。図面の煩雑化を避けるため、図2では第1基
板10の要素の一部を省略して図示している。また、説
明のために図2の平面図中から一部の要素を取り除いた
図を図3に示す。なお、図2中のI−I線における断面
が図1に対応する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION <First Embodiment> FIG. 1 is a sectional view showing a display device 1 according to the first embodiment.
FIG. 2 shows a plan view for explaining the first substrate 10 of the display device 1. In order to avoid complication of the drawing, some elements of the first substrate 10 are omitted in FIG. For the sake of explanation, FIG. 3 shows a diagram in which some elements are removed from the plan view of FIG. The cross section taken along the line I-I in FIG. 2 corresponds to FIG.

【0024】表示装置1は第1基板(ないしは表示装置
用基板)10、第2基板20及び枠状体30(図10参
照)を備えており、第1及び第2基板10,20は両基
板10,20の周縁に沿った枠状体30を介して封止さ
れている。このとき、第1基板10は陰極基板11を含
んでおり、第2基板20は陽極基板21を含んでおり、
陰極基板11と陽極基板21と枠状体30とで表示装置
1の基体となる真空容器2が形成される。両基板11,
21は陰極基板11の表面11Sと陽極基板21の表面
21Sとを平行に対面させて配置されており、両表面1
1S,21Sは真空容器2の内面を成す。なお、両基板
11,21及び枠状体30は例えばガラス等の絶縁性部
材から成る。
The display device 1 includes a first substrate (or a display device substrate) 10, a second substrate 20 and a frame 30 (see FIG. 10). The first and second substrates 10 and 20 are both substrates. It is sealed via a frame-shaped body 30 along the periphery of 10, 20. At this time, the first substrate 10 includes the cathode substrate 11, the second substrate 20 includes the anode substrate 21,
The cathode substrate 11, the anode substrate 21, and the frame-shaped body 30 form a vacuum container 2 that serves as a base of the display device 1. Both substrates 11,
21 is arranged such that the surface 11S of the cathode substrate 11 and the surface 21S of the anode substrate 21 face each other in parallel.
1S and 21S form the inner surface of the vacuum container 2. The substrates 11 and 21 and the frame 30 are made of an insulating material such as glass.

【0025】表示装置1は、真空容器2内に冷陰極1
2、リブ13、ゲート電極14、フリットガラス15、
陽極22及び蛍光体23を更に備えている。
The display device 1 includes a cold cathode 1 inside a vacuum container 2.
2, ribs 13, gate electrodes 14, frit glass 15,
An anode 22 and a phosphor 23 are further provided.

【0026】詳細には、陰極基板11の表面11S上に
複数のリブ13が所定方向に(ここでは画面の縦方向
に)延在しており、上記表面11S上であって隣接する
リブ13間にそれぞれ帯状の冷陰極12が延在してい
る。なお、陰極基板11の表面11Sに垂直な方向の寸
法に関して冷陰極12よりもリブ13の方が大きい。
More specifically, a plurality of ribs 13 extend in a predetermined direction (here, in the vertical direction of the screen) on the surface 11S of the cathode substrate 11, and between adjacent ribs 13 on the surface 11S. A strip-shaped cold cathode 12 extends in each of the above. The rib 13 is larger than the cold cathode 12 in the dimension in the direction perpendicular to the surface 11S of the cathode substrate 11.

【0027】そして、冷陰極12と立体交差して(ここ
では平面図視(図2参照)において直交して)帯状のゲ
ート電極14が複数、延在している。このとき、冷陰極
12とゲート電極14との(立体)交差点がマトリクス
状に規定され、各交差点が画面の1つの表示セル(単に
「セル」とも呼ぶ)3に対応する。
A plurality of strip-shaped gate electrodes 14 extend three-dimensionally (in a plane view (see FIG. 2) orthogonally) with the cold cathode 12 in a three-dimensional manner. At this time, the (three-dimensional) intersections between the cold cathodes 12 and the gate electrodes 14 are defined in a matrix, and each intersection corresponds to one display cell (also simply referred to as “cell”) 3 on the screen.

【0028】特に、ゲート電極14は位置決め穴14a
を有していると共に、リブ13は陰極基板11の表面1
1Sとは反対側の(換言すれば陽極基板21の側の)頂
部に凸部13aを有している。そして、リブ13の凸部
13aはゲート電極14の位置決め穴14aに挿入され
ている。リブ13の凸部13aの高さはゲート電極14
の厚さよりも大きく、凸部13aは位置決め穴14aか
ら突出している。かかる突出部分にフリットガラス15
が設けられており、ゲート電極14が固定されている。
In particular, the gate electrode 14 has a positioning hole 14a.
And the rib 13 is provided on the surface 1 of the cathode substrate 11.
The protrusion 13a is provided on the top opposite to 1S (in other words, on the side of the anode substrate 21). The protrusion 13a of the rib 13 is inserted into the positioning hole 14a of the gate electrode 14. The height of the convex portion 13a of the rib 13 is equal to the height of the gate electrode 14
The thickness of the protrusion 13a is greater than the thickness of the protrusion 13a and protrudes from the positioning hole 14a. Frit glass 15 is attached to the protruding portion.
Are provided and the gate electrode 14 is fixed.

【0029】ゲート電極14には冷陰極12と対面する
各部分ないしは上述の各交差点にメッシュ開口部14b
が形成されている。ただし、図面の煩雑化を避けるた
め、メッシュ形状の詳細な図示は省略している。
The gate electrode 14 has a mesh opening 14b at each portion facing the cold cathode 12 or at each intersection described above.
Are formed. However, in order to avoid complication of the drawing, detailed illustration of the mesh shape is omitted.

【0030】リブ13は例えば多層印刷法により所望の
高さに形成される。具体的には、絶縁性ペーストの印刷
・乾燥・焼成を繰り返すことによって、陰極基板11の
表面11S上に複数の(ここでは一例として4層の)絶
縁性膜13b,13c,13d,13eをこの順序で積
層し、更に絶縁性膜13eとは印刷パターンを変えて当
該絶縁性膜13e上に絶縁性の上記凸部13aを形成す
る。
The ribs 13 are formed at a desired height by, for example, a multi-layer printing method. Specifically, by repeating printing, drying, and baking of the insulating paste, a plurality of (here, four layers as an example) insulating films 13b, 13c, 13d, and 13e are formed on the surface 11S of the cathode substrate 11. The insulating film 13e is laminated in this order, and the insulating film 13e is formed on the insulating film 13e by changing the printing pattern from the insulating film 13e.

【0031】なお、図2の図示とは違えて、凸部13a
を絶縁性膜13b〜13eと同じ幅(リブの延在方向と
交差する方向ないしはゲート電極14の延在方向の寸
法)に形成しても構わない。
Note that, unlike the illustration of FIG. 2, the protrusion 13a is
May be formed to have the same width as the insulating films 13b to 13e (dimension in the direction crossing the extending direction of the ribs or in the extending direction of the gate electrode 14).

【0032】また、冷陰極12は例えばカーボンナノチ
ューブ等のカーボン系材料のペーストを用いた印刷法に
より形成される。印刷法によれば半導体製造プロセスよ
りも簡便で低コストに冷陰極12を形成することができ
る。
The cold cathode 12 is formed by a printing method using a paste of a carbon material such as carbon nanotube. According to the printing method, the cold cathode 12 can be formed more simply and at lower cost than the semiconductor manufacturing process.

【0033】他方、陽極基板21の表面21S上には、
ゲート電極14のメッシュ開口部14bに対面して蛍光
体23が塗布されている(従って蛍光体23はマトリク
ス状に配置されている)。更に、陽極基板21の表面2
1S上には蛍光体23を覆って陽極22が形成されてい
る。なお、各蛍光体毎にそれぞれ陽極22を設けても良
い。
On the other hand, on the surface 21S of the anode substrate 21,
The phosphors 23 are applied so as to face the mesh openings 14b of the gate electrode 14 (thus, the phosphors 23 are arranged in a matrix). Furthermore, the surface 2 of the anode substrate 21
An anode 22 is formed on the 1S so as to cover the phosphor 23. The anode 22 may be provided for each phosphor.

【0034】表示装置1では、冷陰極12から放出され
た電子はゲート電極14(の電位)によって引き出さ
れ、メッシュ開口部14bを通過して、当該メッシュ開
口部14bに対面した蛍光体23に衝突する。かかる電
子の衝突により蛍光体23が発光する。各蛍光体23は
画面の1つの表示セル3に対応し、蛍光体23の発光に
よりセル3が発光する。このとき、第2基板20ないし
は陽極基板21が表示面ないしは画面を成す。なお、カ
ラー表示の場合、例えば赤(R),緑(G)及び青
(B)を発光する蛍光体23ないしはセル3を含むセル
群で以て1つの画素が構成される。
In the display device 1, the electrons emitted from the cold cathode 12 are extracted by (the potential of) the gate electrode 14, pass through the mesh opening 14b, and collide with the phosphor 23 facing the mesh opening 14b. To do. The phosphor 23 emits light due to the collision of the electrons. Each phosphor 23 corresponds to one display cell 3 on the screen, and the emission of the phosphor 23 causes the cell 3 to emit light. At this time, the second substrate 20 or the anode substrate 21 forms a display surface or a screen. In the case of color display, one pixel is formed by a cell group including the phosphor 23 or the cell 3 that emits red (R), green (G), and blue (B), for example.

【0035】特に、帯状の冷陰極12のうちで各セル3
に含まれる各部分(各メッシュ開口部14bに対面する
各部分を含む)はそれぞれ、対応する蛍光体23を発光
させるための電子放出源12b(図3参照)にあたる。
なお、このとき、電子放出源12bとゲート電極14と
は対面している。
In particular, among the strip-shaped cold cathodes 12, each cell 3
Each of the portions included in the above (including each portion facing each mesh opening 14b) corresponds to an electron emission source 12b (see FIG. 3) for causing the corresponding phosphor 23 to emit light.
At this time, the electron emission source 12b and the gate electrode 14 face each other.

【0036】上述のようにゲート電極14の位置決め穴
14aにリブ13の凸部13aが挿入されているので、
ゲート電極14の両端部のみが固定された従来の表示装
置1Pと比較して、ゲート電極14を陰極基板11の表
面11Sに平行な平面内において精度良く配置すること
ができる。このため、ゲート電極14のメッシュ開口部
14bを適切に配置することができるので、電子ビーム
の広がりを全セル3で同様にすることができる。
Since the convex portion 13a of the rib 13 is inserted into the positioning hole 14a of the gate electrode 14 as described above,
Compared with the conventional display device 1P in which only both ends of the gate electrode 14 are fixed, the gate electrode 14 can be accurately arranged in a plane parallel to the surface 11S of the cathode substrate 11. Therefore, the mesh openings 14b of the gate electrode 14 can be appropriately arranged, and the spread of the electron beam can be made similar in all cells 3.

【0037】このとき、印刷法によれば形成膜厚を高精
度にコントロールできるので、凸部13aの直下の絶縁
性膜13eまでの高さが第1基板10全体において均一
なリブ13を形成することができる。このため、ゲート
電極14を表面11S又は冷陰極12に対して十分な平
行度で配置することができる。
At this time, since the formed film thickness can be controlled with high accuracy by the printing method, the rib 13 having a uniform height up to the insulating film 13e immediately below the convex portion 13a is formed on the entire first substrate 10. be able to. Therefore, the gate electrode 14 can be arranged with sufficient parallelism to the surface 11S or the cold cathode 12.

【0038】更に、フリットガラス15によってゲート
電極14が固定されているので、ゲート電極14の変形
が抑制される。このため、ゲート電極14と冷陰極12
との距離を第1基板10全体において均一化することが
でき、これにより陰極12近傍の電界及び電子の放出量
を全セル3で同様にすることができる。
Furthermore, since the gate electrode 14 is fixed by the frit glass 15, the deformation of the gate electrode 14 is suppressed. Therefore, the gate electrode 14 and the cold cathode 12
Can be made uniform over the entire first substrate 10, and thus the electric field in the vicinity of the cathode 12 and the electron emission amount can be made the same in all cells 3.

【0039】従って、電子放出に関する各種制御(例え
ば電子ビームの広がり、冷陰極12近傍の電界及び電子
の放出量の各制御)についての表示セル3間でのばらつ
きを低減することができる。その結果、表示装置1によ
れば、輝度むら等の不具合が抑制された高品質の表示を
得ることができる。
Therefore, it is possible to reduce variations among the display cells 3 in various controls relating to electron emission (for example, spread of electron beam, electric field in the vicinity of the cold cathode 12 and control of electron emission amount). As a result, according to the display device 1, it is possible to obtain a high-quality display in which defects such as uneven brightness are suppressed.

【0040】また、上述のように冷陰極12は隣接する
リブ13間に配置されており、冷陰極12とリブ13と
は交互に並んでいる。このため、リブ13(のうちで各
セル3の両側の部分は)電子放出源12bの周囲の一部
に配置されており、リブ13の延在方向と交差する方向
(すなわちゲート電極14の延在方向)に並ぶ電子放出
源12bを仕切っている。従って、電子放出源12bか
ら出た電子が、リブ13を介した隣りの表示セル3のメ
ッシュ開口部14bに向かうことが防止されるので、隣
り合う表示セル3間で誤発光が防止される。
Further, as described above, the cold cathodes 12 are arranged between the adjacent ribs 13, and the cold cathodes 12 and the ribs 13 are alternately arranged. Therefore, the ribs 13 (of which, the portions on both sides of each cell 3) are arranged in a part of the periphery of the electron emission source 12b, and the ribs 13 extend in a direction intersecting the extending direction of the ribs 13 (that is, the extending direction of the gate electrode 14). The electron emission sources 12b arranged side by side (in the present direction) are partitioned. Therefore, the electrons emitted from the electron emission source 12b are prevented from heading to the mesh opening 14b of the adjacent display cell 3 via the rib 13, so that erroneous light emission is prevented between the adjacent display cells 3.

【0041】また、冷陰極12にカーボンナノチューブ
を用いることによって電子放出源12bの、従って表示
装置1の長寿命化が図られる。
Also, by using carbon nanotubes for the cold cathode 12, the life of the electron emission source 12b, and thus of the display device 1, can be extended.

【0042】なお、第1基板10に代えて、図4の平面
図に示す第1基板10Aを用いても誤発光を防止可能で
ある。第1基板10Aは上述の第1基板10においてリ
ブ13に代えて格子状のリブ113を備えている。第1
基板10Aでは、格子状の窓内に電子放出源12bが配
置されるようにリブ113の配置位置・寸法等が定めら
れており、各電子放出源12bはリブ113によって全
周囲が取り囲まれている。
It is possible to prevent erroneous light emission by using the first substrate 10A shown in the plan view of FIG. 4 instead of the first substrate 10. The first substrate 10A includes a grid-shaped rib 113 instead of the rib 13 in the above-described first substrate 10. First
In the substrate 10A, the arrangement position, dimensions, etc. of the ribs 113 are determined so that the electron emission sources 12b are arranged in the lattice-shaped window, and each electron emission source 12b is entirely surrounded by the ribs 113. .

【0043】また、第1基板10,10Aに代えて、図
5の平面図に示す第1基板10Bを表示装置1に適用す
ることもできる。第1基板10Bは上記第1基板10A
において冷陰極12に代えて、下地電極112aと冷陰
極(ないしは電子放出源)112bとから成る電極ない
しは配線112を備えている。
Further, instead of the first substrates 10 and 10A, the first substrate 10B shown in the plan view of FIG. 5 can be applied to the display device 1. The first substrate 10B is the first substrate 10A described above.
In place of the cold cathode 12, an electrode or wiring 112 including a base electrode 112a and a cold cathode (or an electron emission source) 112b is provided.

【0044】具体的には、下地電極112aは、既述の
冷陰極12と同様に、陰極基板11の表面11S上にお
ける隣接するリブ13間に帯状に形成されており、下地
電極112a上に複数の冷陰極112bが形成されてい
る。各冷陰極112bはゲート電極14のメッシュ開口
部14bに、更にはメッシュ開口部14bを介して蛍光
体23に対面して配置されているが、隣接する冷陰極1
12bは互いには接していない。下地電極112aは例
えば銀等のペーストを用いた印刷法により形成され、冷
陰極112bは上述の冷陰極12と同様に形成される。
Specifically, the base electrode 112a is formed in a strip shape between the adjacent ribs 13 on the surface 11S of the cathode substrate 11 as in the cold cathode 12 described above, and a plurality of base electrodes 112a are formed on the base electrode 112a. Cold cathode 112b is formed. Each cold cathode 112b is arranged facing the phosphor 23 through the mesh opening 14b of the gate electrode 14 and further through the mesh opening 14b.
12b are not in contact with each other. The base electrode 112a is formed by a printing method using a paste such as silver, and the cold cathode 112b is formed similarly to the cold cathode 12 described above.

【0045】上述の冷陰極12では、ゲート電極14の
メッシュ開口部14bに対面しない部分から放出された
電子はほとんどメッシュ開口部14bを通過しないの
で、発光への寄与は低い。これに対して、電極112に
よれば、発光への寄与が低い部分には冷陰極112bを
設けないことにより、不要な電子放出を低減することが
できる。従って、放出電子の利用効率を向上することが
でき、消費電力を低減することができる。
In the cold cathode 12 described above, electrons emitted from a portion of the gate electrode 14 which does not face the mesh opening 14b hardly pass through the mesh opening 14b, so that the contribution to light emission is low. On the other hand, according to the electrode 112, unnecessary electron emission can be reduced by not providing the cold cathode 112b in a portion where the contribution to light emission is low. Therefore, the utilization efficiency of the emitted electrons can be improved and the power consumption can be reduced.

【0046】図5には電極112と格子状のリブ113
とを組み合わせた構成を図示しているが、電極112と
直線状のリブ13(図2及び図3参照)とを組み合わせ
ることも可能である。
In FIG. 5, the electrodes 112 and the grid-like ribs 113 are shown.
Although the configuration in which the above is combined is shown, it is also possible to combine the electrode 112 and the linear rib 13 (see FIGS. 2 and 3).

【0047】なお、図4及び図5には上述の説明に必要
な要素を抽出して図示しており、不図示のその他の構成
は既述の第1基板10と同様である。第1基板10A,
10B等は第1基板10に代えて表示装置1に適用する
こともできる。また、格子状のリブ113も凸部13a
を有していることは言うまでもない。
4 and 5, elements necessary for the above description are extracted and shown, and other configurations not shown are the same as those of the first substrate 10 described above. The first substrate 10A,
10B and the like can be applied to the display device 1 instead of the first substrate 10. Also, the grid-shaped ribs 113 also have convex portions 13a.
Needless to say that it has.

【0048】<実施の形態2>さて、実施の形態1では
リブ13,113を絶縁性ペーストを用いた多層印刷法
により形成する場合を述べた。このとき、各絶縁性膜1
3b〜13eを1種類の絶縁性ペーストで形成しても良
いし、複数種類の絶縁性ペーストで形成しても良い。
Second Embodiment Now, the first embodiment has described the case where the ribs 13 and 113 are formed by the multi-layer printing method using the insulating paste. At this time, each insulating film 1
3b to 13e may be formed of one kind of insulating paste or plural kinds of insulating paste.

【0049】或いは更に、絶縁性ペーストのみならず導
電性ペーストを用いることも可能であり、実施の形態2
ではそのようにして形成されたリブを備えた第1基板
(ないしは表示装置用基板)を説明する。
Further, it is possible to use not only the insulating paste but also the conductive paste, and the second embodiment
Now, the first substrate (or the display device substrate) having the ribs thus formed will be described.

【0050】図6に実施の形態2に係る第1基板10C
を説明するための断面図を示す。第1基板10Cは、既
述の第1基板10(図1参照)においてリブ13をリブ
213に代えた構造を有している。図6と図1とを比較
すれば分かるように、リブ213は既述のリブ13の絶
縁性膜13c,13dに代えて導電性膜13f,13g
を含んでいる。なお、リブ213はリブ13のように直
線状であっても良いし、リブ113のように格子状であ
っても良い。
FIG. 6 shows a first substrate 10C according to the second embodiment.
A sectional view for explaining The first substrate 10C has a structure in which the ribs 13 in the first substrate 10 (see FIG. 1) described above are replaced with the ribs 213. As can be seen by comparing FIG. 6 and FIG. 1, the rib 213 has conductive films 13f and 13g instead of the insulating films 13c and 13d of the rib 13 described above.
Is included. The rib 213 may be linear like the rib 13 or may be lattice-like like the rib 113.

【0051】ところで、表示装置1の製造工程には種々
の印刷工程がある。このため、例えば冷陰極12や不図
示の配線等の印刷形成時に導電性膜13f,13gを同
時に形成することができる。かかる同時印刷は冷陰極1
2や配線等に用いていた印刷版のパターンを変更するこ
とにより容易に実現可能である。このため、リブ形成用
の単一の材料の多層印刷によってリブを形成する場合と
比較して、製造工程を簡素化することができるし、製造
時間を短縮することができる。
By the way, there are various printing processes in the manufacturing process of the display device 1. Therefore, for example, the conductive films 13f and 13g can be formed at the same time when the cold cathode 12 and wiring (not shown) are formed by printing. Such simultaneous printing is cold cathode 1
It can be easily realized by changing the pattern of the printing plate used for 2 and wiring. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing time can be shortened as compared with the case where the ribs are formed by multilayer printing of a single material for forming the ribs.

【0052】なお、リブの形成以外の他の印刷工程の利
用(兼用)は、リブ213が導電性膜13f,13gを
含む場合だけでなく、複数種類の絶縁性ペーストでリブ
を形成する場合にも有効である。
The use (combined use) of printing processes other than the formation of the ribs is not limited to the case where the rib 213 includes the conductive films 13f and 13g, but the case where the rib is formed by a plurality of kinds of insulating pastes. Is also effective.

【0053】このとき、例えば、図7の断面図に示す第
1基板10Dのように最下層に導電膜13hを有するリ
ブ213を格子状に形成すると、リブ213を介して冷
陰極12が短絡しうる。換言すれば、リブ213を介し
て冷陰極12やゲート電極14が短絡しないように積層
位置を設定すれば、リブ213中の種々の位置(凸部1
3aも含む)に導電性膜を用いることができる。
At this time, for example, when the ribs 213 having the conductive film 13h in the lowermost layer are formed in a lattice pattern as in the first substrate 10D shown in the sectional view of FIG. 7, the cold cathode 12 is short-circuited via the ribs 213. sell. In other words, if the stacking position is set so that the cold cathode 12 and the gate electrode 14 are not short-circuited via the rib 213, various positions in the rib 213 (the convex portion 1
3a is also included), a conductive film can be used.

【0054】或いは、リブの平面図パターンの設計によ
っても上述の短絡を防止することができる。例えば、図
7の第1基板10Dのリブ213を、図8の平面図に示
すパターンに形成することにより短絡を防止することが
できる。
Alternatively, the above short circuit can be prevented by designing the plan view pattern of the ribs. For example, by forming the rib 213 of the first substrate 10D of FIG. 7 in the pattern shown in the plan view of FIG. 8, it is possible to prevent a short circuit.

【0055】具体的には、図8の第1基板10Dのリブ
213は、上述の格子状のリブにおいて冷陰極12と交
差する方向に延在する部分を、複数の冷陰極12に接し
ないように、分断したパターンにあたる。換言すれば、
リブ213は櫛のような形状をしている(冷陰極12に
沿って延在する部分(図2のリブ13に相当する)が櫛
の背にあたり、冷陰極12に交差して延在する複数の部
分が櫛歯にあたる)。
Specifically, the rib 213 of the first substrate 10D shown in FIG. 8 does not contact the plurality of cold cathodes 12 at the portion extending in the direction intersecting with the cold cathodes 12 in the above-mentioned grid-like ribs. It corresponds to the divided pattern. In other words,
The rib 213 has a comb-like shape (a portion extending along the cold cathode 12 (corresponding to the rib 13 in FIG. 2) corresponds to the back of the comb, and a plurality of ribs intersect the cold cathode 12 and extend. Part corresponds to the comb teeth).

【0056】また、例えば、逆に、リブ13,113に
おいて凸部13a直下の層(既述の絶縁性膜13eに相
当する)を導電性膜に代えて得られるリブ213の場
合、冷陰極12に沿って延在する部分(リブ13に相当
する部分)を分断することによってゲート電極14同士
の短絡を防ぐことができる。また、格子状のリブ213
において交差点部分を削除したような形状にしても良
い。
On the contrary, for example, in the case of the rib 213 obtained by replacing the layer (corresponding to the above-described insulating film 13e) immediately below the convex portion 13a in the ribs 13 and 113 with a conductive film, the cold cathode 12 is used. A short circuit between the gate electrodes 14 can be prevented by dividing a portion (a portion corresponding to the rib 13) extending along the gate electrode. Also, the grid-shaped ribs 213
The shape may be such that the intersection portion is deleted in.

【0057】なお、これらの分断形状のリブ213によ
っても電子放出源12bの周囲は囲まれており、冷陰極
12の延在方向と交差する方向に並ぶ、或いは更に冷陰
極12の延在方向に並ぶ電子放出源12bが仕切られ
る。
The periphery of the electron emission source 12b is also surrounded by these divided ribs 213, and is arranged in a direction intersecting the extending direction of the cold cathode 12, or further in the extending direction of the cold cathode 12. The aligned electron emission sources 12b are partitioned.

【0058】導電性膜を有するリブ213と既述の電極
112とを組み合わせても良いし(図9の平面図に示す
第1基板10Eを参照)、リブ213の上述の種々の形
状は、導電性膜を含まないリブにも適用可能であること
は言うまでもない。
The rib 213 having a conductive film may be combined with the above-mentioned electrode 112 (see the first substrate 10E shown in the plan view of FIG. 9), and the various shapes of the rib 213 described above are conductive. It goes without saying that the present invention can also be applied to ribs that do not include a flexible film.

【0059】なお、図6〜図9には上述の説明に必要な
要素を抽出して図示しており、不図示のその他の構成は
既述の第1基板10と同様である。第1基板10C,1
0D,10E等は第1基板10に代えて表示装置1に適
用することもできる。また、導電性膜を有するリブ21
3も凸部13aを有していることは言うまでもない。
6 to 9, elements necessary for the above description are extracted and shown, and other configurations not shown are the same as those of the first substrate 10 described above. First substrate 10C, 1
0D, 10E, etc. can be applied to the display device 1 instead of the first substrate 10. In addition, the rib 21 having a conductive film
It goes without saying that 3 also has the convex portion 13a.

【0060】<実施の形態1,2に共通の変形例>な
お、冷陰極12,112bに代えて、電子放出源として
熱陰極を用いることも可能である。
<Modifications Common to Embodiments 1 and 2> Instead of the cold cathodes 12 and 112b, a hot cathode can be used as an electron emission source.

【0061】[0061]

【発明の効果】請求項1に係る発明によれば、ゲート電
極の位置決め穴にリブの凸部が挿入されているので、ゲ
ート電極の両端部のみが固定された従来の構造と比較し
て精度良く配置されたゲート電極を提供することができ
る。このため、電子放出に関する各種制御についての表
示セル間でのばらつきを低減することができる。従っ
て、輝度むら等の不具合が抑制された高品質の表示が可
能な表示装置を提供することができる。
According to the first aspect of the present invention, since the convex portion of the rib is inserted in the positioning hole of the gate electrode, the accuracy is higher than that of the conventional structure in which only both ends of the gate electrode are fixed. A well-arranged gate electrode can be provided. For this reason, it is possible to reduce variations among display cells regarding various controls related to electron emission. Therefore, it is possible to provide a display device capable of high-quality display in which defects such as uneven brightness are suppressed.

【0062】請求項2に係る発明によれば、表示装置の
製造工程中の種々の印刷工程を利用して、多層膜から成
るリブを形成することができる。このため、単一の材料
の多層印刷によってリブを形成する場合と比較して、製
造工程を簡素化することができるし、製造時間を短縮す
ることができる。
According to the second aspect of the present invention, the rib made of the multilayer film can be formed by utilizing various printing steps in the manufacturing process of the display device. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing time can be shortened as compared with the case where the ribs are formed by multilayer printing of a single material.

【0063】請求項3に係る発明によれば、フリットガ
ラスによってゲート電極が固定されるので、ゲート電極
の変形を抑制することができる。このため、電子放出に
関する各種制御についての表示セル間でのばらつきを低
減することができる。従って、輝度むら等の不具合が抑
制された高品質の表示が得られる。
According to the invention of claim 3, since the gate electrode is fixed by the frit glass, the deformation of the gate electrode can be suppressed. For this reason, it is possible to reduce variations among display cells regarding various controls related to electron emission. Therefore, it is possible to obtain a high quality display in which defects such as uneven brightness are suppressed.

【0064】請求項4に係る発明によれば、隣り合う表
示セル間で誤発光を防止することができる。
According to the invention of claim 4, erroneous light emission can be prevented between adjacent display cells.

【0065】請求項5に係る発明によれば、電子放出源
の、従って表示装置の長寿命化が図られる。
According to the fifth aspect of the present invention, the life of the electron emission source and thus of the display device can be extended.

【0066】請求項6に係る発明によれば、ゲート電極
の位置決め穴にリブの凸部が挿入されているので、ゲー
ト電極の両端部のみが固定された従来の構造と比較して
精度良く配置されたゲート電極を提供することができ
る。このため、電子放出に関する各種制御についての表
示セル間でのばらつきを低減することができる。従っ
て、輝度むら等の不具合が抑制された高品質の表示が可
能な表示装置を提供することができる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the rib protrusions are inserted into the positioning holes of the gate electrode, the ribs can be arranged more accurately than the conventional structure in which only both ends of the gate electrode are fixed. A gate electrode can be provided. For this reason, it is possible to reduce variations among display cells regarding various controls related to electron emission. Therefore, it is possible to provide a display device capable of high-quality display in which defects such as uneven brightness are suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施の形態1に係る表示装置を説明するため
の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a display device according to a first embodiment.

【図2】 実施の形態1に係る表示装置用基板を説明す
るための平面図である。
FIG. 2 is a plan view for explaining the display device substrate according to the first embodiment.

【図3】 実施の形態1に係る表示装置用基板を説明す
るための平面図である。
FIG. 3 is a plan view for explaining the display device substrate according to the first embodiment.

【図4】 実施の形態1に係る第2の表示装置用基板を
説明するための平面図である。
FIG. 4 is a plan view for explaining a second display device substrate according to the first embodiment.

【図5】 実施の形態1に係る第3の表示装置用基板を
説明するための平面図である。
FIG. 5 is a plan view for explaining a third display device substrate according to the first embodiment.

【図6】 実施の形態2に係る表示装置用基板を説明す
るための断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a display device substrate according to a second embodiment.

【図7】 実施の形態2に係る第2の表示装置用基板を
説明するための断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a second display device substrate according to the second embodiment.

【図8】 実施の形態2に係る第2の表示装置用基板を
説明するための平面図である。
FIG. 8 is a plan view for explaining a second display device substrate according to the second embodiment.

【図9】 実施の形態2に係る第3の表示装置を説明す
るための断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a third display device according to the second embodiment.

【図10】 従来の表示装置を説明するための断面図で
ある。
FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a conventional display device.

【図11】 従来の表示装置を説明するための平面図で
ある。
FIG. 11 is a plan view for explaining a conventional display device.

【図12】 冷陰極の電子放出特性を説明するための図
である。
FIG. 12 is a diagram for explaining electron emission characteristics of a cold cathode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 表示装置、2 真空容器、3 セル、10,10A
〜10E 第1基板(表示装置用基板)、11 陰極基
板、12 冷陰極、12b 電子放出源、13,11
3,213 リブ、13a 凸部、13b〜13e 絶
縁性膜、13f〜13h 導電性膜、14 ゲート電
極、14a 位置決め穴、15 フリットガラス、11
2b 冷陰極(電子放出源)。
1 display device, 2 vacuum container, 3 cells, 10, 10A
10E First substrate (display device substrate), 11 Cathode substrate, 12 Cold cathode, 12b Electron emission source, 13, 11
3, 213 rib, 13a convex portion, 13b to 13e insulating film, 13f to 13h conductive film, 14 gate electrode, 14a positioning hole, 15 frit glass, 11
2b Cold cathode (electron emission source).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 開 政明 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5C031 DD17 5C036 EE15 EF01 EF06 EG12 EG17 EH10    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Masaaki Kai             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. F-term (reference) 5C031 DD17                 5C036 EE15 EF01 EF06 EG12 EG17                       EH10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空容器と、 前記真空容器内に配置された電子放出源と、 前記電子放出源に対面して配置された、位置決め穴を有
するゲート電極と、 前記真空容器内において前記電子放出源に隣り合って配
置されており、前記ゲート電極の前記位置決め穴に挿入
された凸部を有するリブとを備える、表示装置。
1. A vacuum container, an electron emission source arranged in the vacuum container, a gate electrode having a positioning hole arranged facing the electron emission source, and the electron emission in the vacuum container. A rib disposed adjacent to the source and having a convex portion inserted into the positioning hole of the gate electrode.
【請求項2】 請求項1に記載の表示装置であって、 前記リブは、少なくとも2種類の材料の多層膜から成
る、表示装置。
2. The display device according to claim 1, wherein the rib is formed of a multilayer film of at least two kinds of materials.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の表示装置
であって、 前記リブの前記凸部に対して設けられて前記ゲート電極
を固定するフリットガラスを更に備える、表示装置。
3. The display device according to claim 1, further comprising a frit glass which is provided on the convex portion of the rib and fixes the gate electrode.
【請求項4】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
の表示装置であって、 前記電子放出源を複数備え、 前記リブは、前記複数の電子放出源間を仕切るように配
置されている、表示装置。
4. The display device according to claim 1, further comprising a plurality of the electron emission sources, wherein the rib is arranged so as to partition the plurality of electron emission sources. There is a display device.
【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の表示装置であって、 前記電子放出源は、カーボンナノチューブを含むカーボ
ン系材料から成る冷陰極を含む、表示装置。
5. The display device according to claim 1, wherein the electron emission source includes a cold cathode made of a carbon-based material containing carbon nanotubes.
【請求項6】 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に配置された電子放出源と、 前記電子放出源に対面して配置された、位置決め穴を有
するゲート電極と、 前記絶縁性基板上において前記電子放出源に隣り合って
配置されており、前記ゲート電極の前記位置決め穴に挿
入された凸部を有するリブとを備える、表示装置用基
板。
6. An insulating substrate, an electron emitting source arranged on the insulating substrate, a gate electrode having a positioning hole arranged facing the electron emitting source, and on the insulating substrate. A display device substrate, comprising a rib that is disposed adjacent to the electron emission source and that has a convex portion that is inserted into the positioning hole of the gate electrode.
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