JP2003064355A - Organic electroluminescent element and full-color display device - Google Patents

Organic electroluminescent element and full-color display device

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JP2003064355A
JP2003064355A JP2002171356A JP2002171356A JP2003064355A JP 2003064355 A JP2003064355 A JP 2003064355A JP 2002171356 A JP2002171356 A JP 2002171356A JP 2002171356 A JP2002171356 A JP 2002171356A JP 2003064355 A JP2003064355 A JP 2003064355A
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智寛 押山
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基 木下
Hiroshi Kita
弘志 北
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element having an improved emission luminance and a display device having a low power consumption and a high luminance using the organic electroluminescent element. SOLUTION: This organic electroluminescent element has a light-emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound. The organic electroluminescent element is characterized in that the ratio (N/C) of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound is >=0 and <=0.05 and the emission maximum wavelength obtained by the electroluminescence in a state of the fluorescent compound converted into the element is a longer wavelength than the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(以下有機ELとも略記する)素子および
表示装置に関するものである。詳しくいえば、本発明は
発光輝度に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、
および該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表
示装置に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as organic EL) element and a display device. More specifically, the present invention relates to an organic electroluminescence device having excellent emission brightness,
And a display device having the organic electroluminescence element.

【0002】[0002]

【従来の技術】発光型の電子ディスプレイデバイスとし
て、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)
がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロル
ミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子
が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平
面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させ
るためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光
層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及
び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エ
キシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の
光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子であ
り、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、さら
に、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高
く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携
帯性等の観点から注目されている。
2. Description of the Related Art An electroluminescent display (ELD) is used as a light emitting type electronic display device.
There is. Examples of the ELD constituent elements include an inorganic electroluminescent element and an organic electroluminescent element. Inorganic electroluminescent elements have been used as a flat light source, but a high alternating voltage is required to drive the light emitting element. An organic electroluminescence device has a structure in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and electrons and holes are injected into the light emitting layer to recombine to generate excitons (excitons). It is an element that emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when the excitons are generated and deactivated, and can emit light at a voltage of several V to several tens of V. Further, it is a self-luminous type. Therefore, it has a wide viewing angle and high visibility, and since it is a thin-film type complete solid-state element, it is attracting attention from the viewpoints of space saving, portability, and the like.

【0003】しかしながら、今後の実用化に向けた有機
EL素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝
度に発光する有機EL素子の開発が望まれている。
However, in the organic EL element for practical use in the future, it is desired to develop an organic EL element which emits light with high efficiency and low power consumption.

【0004】本発明の有機EL素子のフルカラー化方式
は、蛍光発光材料をホスト化合物として、燐光性化合物
をドーパントとして用いることが特徴である。
The full color system of the organic EL device of the present invention is characterized by using a fluorescent light emitting material as a host compound and a phosphorescent compound as a dopant.

【0005】特許第3093796号では、スチルベン
誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体又はトリススチリ
ルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光
輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。
In Japanese Patent No. 3093796, a stilbene derivative, a distyrylarylene derivative or a trisstyrylarylene derivative is doped with a small amount of a phosphor to improve the emission brightness and prolong the life of the device.

【0006】また、8−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をド
ープした有機発光層を有する素子(特開昭63−264
692号公報)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素
をドープした有機発光層を有する素子(特開平3−25
5190号公報)が知られている。
Further, a device having an organic light-emitting layer in which an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound and a slight amount of phosphor is doped therein (Japanese Patent Laid-Open No. 63-264).
No. 692), an element having an organic light-emitting layer obtained by doping an 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host compound with a quinacridone dye (JP-A-3-25).
No. 5190) is known.

【0007】以上のように、励起一重項からの発光を用
いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:
3であるため発光性励起種の生成確率が25%であるこ
とと、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取
り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。
ところが、プリンストン大より、励起三重項からの燐光
発光を用いる有機EL素子の報告(M.A.Baldo
et al.,nature、395巻、151−1
54ページ(1998年))がされて以来、室温で燐光
を示す材料の研究が活発になってきている(例えば、
M.A.Baldo et al.,nature、4
03巻、17号、750−753ページ(2000
年)、US特許6097147号など)。励起三重項を
使用すると、内部量子効率の上限が100%となるた
め、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍
となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも
応用可能であり注目されている。
As described above, when light emission from excited singlet is used, the production ratio of singlet excitons and triplet excitons is 1 :.
Therefore, the limit of the external extraction quantum efficiency (η ext ) is set to 5% because the generation probability of the luminescent excited species is 25% and the light extraction efficiency is about 20%.
However, Princeton et al. Reported on an organic EL device using phosphorescence emission from excited triplet (MA Baldo.
et al. , Nature, Volume 395, 151-1
Since page 54 (1998)), research on materials that exhibit phosphorescence at room temperature has become active (eg,
M. A. Baldo et al. , Nature, 4
Vol. 03, No. 17, pp. 750-753 (2000
), US Pat. No. 6,097,147). When the excited triplet is used, the upper limit of the internal quantum efficiency becomes 100%, so that in principle, the luminous efficiency is four times higher than that of the excited singlet, and the performance is almost the same as that of a cold cathode tube. It can be applied to and attracts attention.

【0008】燐光性化合物をドーパントとして用いると
きのホストは、燐光性化合物の発光極大波長よりも短波
な領域に発光極大波長を有することが必要であることは
もちろんであるが、その他にも満たすべき条件があるこ
とが分かってきた。
It is needless to say that the host when the phosphorescent compound is used as a dopant is required to have an emission maximum wavelength in a region shorter than the emission maximum wavelength of the phosphorescent compound, but other requirements should be satisfied. I understand that there are conditions.

【0009】The 10th Internatio
nal Workshop onInorganic
and Organic Electrolumine
scence(EL ’00、浜松)では、燐光性化合
物についていくつかの報告がなされている。例えば、I
kaiらはホール輸送性の化合物を燐光性化合物のホス
トとして用いている。また、M.E.Tompsonら
は、各種電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとし
て、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いて
いる。さらに、Tsutsuiらは、ホールブロック層
の導入により高い発光効率を得ている。
The 10th Internet
nal Workshop on Inorganic
and Organic Electrolumine
Science (EL '00, Hamamatsu) has made some reports on phosphorescent compounds. For example, I
Kai et al. use a hole-transporting compound as a host for a phosphorescent compound. In addition, M. E. Tampson et al. Use various electron-transporting materials as a host of a phosphorescent compound by doping them with a novel iridium complex. Furthermore, Tsutsui et al. Obtained high luminous efficiency by introducing a hole blocking layer.

【0010】燐光性化合物のホスト化合物については、
例えば、C.Adachi etal.,Appl.P
hys.Lett.,77巻、904ページ(2000
年)等に詳しく記載されているが、高輝度の有機エレク
トロルミネッセンス素子を得るためにホスト化合物に必
要とされる性質について、より新しい観点からのアプロ
ーチが必要である。
Regarding the host compound of the phosphorescent compound,
For example, C.I. Adachi et al. , Appl. P
hys. Lett. , 77, 904 (2000
However, it is necessary to take a new approach from the viewpoint of the properties required for the host compound to obtain a high-brightness organic electroluminescent device.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光輝度の
改善を目的になされたものであり、発光輝度の向上した
有機エレクトロルミネッセンス素子、および本発明の有
機エレクトロルミネッセンス素子を用いた低消費電力、
高輝度な表示装置を提供するものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made for the purpose of improving the light emission brightness, and an organic electroluminescence device having an improved light emission brightness, and a low power consumption using the organic electroluminescence device of the present invention. ,
A high-brightness display device is provided.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は以下に示
す手段により達成された。
The objects of the present invention have been achieved by the means described below.

【0013】1.蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比(N/C)が、0以上0.05以下であ
り、かつ、素子となった状態での電界発光によって得ら
れる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波長よ
りも長波であることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
1. In an organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound is 0 or more and 0. An organic electroluminescence device having a wavelength of not more than 05 and having a maximum emission wavelength obtained by electroluminescence in a device state is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.

【0014】2.蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と
炭素原子数の比(N/C)が、0以上0.03以下であ
ることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
2. The ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound is 0 or more and 0.03 or less, and the organic electroluminescence device described in 1 above.

【0015】3.蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比(N/C)が、0より大きく、かつ、0.
05未満であり、素子となった状態での電界発光によっ
て得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大
波長よりも長波であることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
3. In an organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms (N / C) in the molecule of the fluorescent compound is larger than 0, And 0.
An organic electroluminescence device having a wavelength of less than 05 and having a maximum emission wavelength obtained by electroluminescence in a device-state is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.

【0016】4.蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と
炭素原子数の比(N/C)が、0より大きく、かつ、
0.03以下であることを特徴とする前記3に記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
4. The ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms (N / C) in the molecule of the fluorescent compound is larger than 0, and
0.03 or less, The organic electroluminescent element of the said 3 characterized by the above-mentioned.

【0017】5.蛍光性化合物の蛍光極大波長が350
nmから440nmであることを特徴とする前記1〜4
のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
5. The maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound is 350
1 to 4 characterized in that it is from nm to 440 nm
The organic electroluminescence element according to any one of 1.

【0018】6.蛍光性化合物の分子量が600以上で
あることを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 6. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 5 above, wherein the fluorescent compound has a molecular weight of 600 or more.

【0019】7.燐光性化合物の溶液中での燐光量子収
率が、25℃において0.01以上であることを特徴と
する前記1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
7. 7. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 6 above, wherein the phosphorescence quantum yield in a solution of the phosphorescent compound is 0.01 or more at 25 ° C.

【0020】8.発光層に隣接した正孔輸送層、または
電子輸送層に少なくとも1種の蛍光性化合物が更に含有
され、該蛍光性化合物の蛍光極大波長が、350nmか
ら440nmであることを特徴とする前記1〜7のいず
れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. The hole transport layer adjacent to the light emitting layer, or the electron transport layer further contains at least one fluorescent compound, the fluorescent maximum wavelength of the fluorescent compound is from 350nm to 440nm, the above 1 7. The organic electroluminescence device according to any one of 7 above.

【0021】9.蛍光性化合物の蛍光発光極大波長が3
90nmから410nmであることを特徴とする前記1
〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
9. The fluorescence emission maximum wavelength of the fluorescent compound is 3
1 characterized in that it is 90 nm to 410 nm
7. The organic electroluminescence device according to any one of items 7 to 7.

【0022】10.発光層、及び正孔輸送層または電子
輸送層に含有される蛍光性化合物の蛍光発光極大波長が
それぞれ390nmから410nmであることを特徴と
する前記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
10. 9. The organic electroluminescent device as described in 8 above, wherein the fluorescent compounds contained in the light emitting layer and the hole transporting layer or the electron transporting layer each have a fluorescence emission maximum wavelength of 390 nm to 410 nm.

【0023】11.陰極と発光層との間に少なくとも1
層の陰極バッファー層を有することを特徴とする前記1
〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
11. At least 1 between the cathode and the light emitting layer
1 characterized in that it has a cathode buffer layer of a layer
10. The organic electroluminescence device according to any one of items 10 to 10.

【0024】12.蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式(I)で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
12. In an organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the fluorescent compound contains the compound represented by the general formula (I) and is in the state of being a device. The maximum emission wavelength obtained by electroluminescence of 1. is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.

【0025】13.蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式(II)で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
13. In an organic electroluminescence device having a light-emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the fluorescent compound contains the compound represented by the general formula (II), The maximum emission wavelength obtained by electroluminescence of 1. is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.

【0026】14.蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が下記一般式(III)で
表される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での
電界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化
合物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. In an organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the fluorescent compound contains a compound represented by the following general formula (III) The maximum emission wavelength obtained by electroluminescence of 1. is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.

【0027】15.蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式(IV)で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
15. In an organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the fluorescent compound contains the compound represented by the general formula (IV), The maximum emission wavelength obtained by electroluminescence of 1. is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.

【0028】16.蛍光性化合物と燐光性化合物の両方
を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス
素子において、該蛍光性化合物が前記一般式(V)で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
16. In an organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the fluorescent compound contains the compound represented by the general formula (V) and becomes an element. The maximum emission wavelength obtained by electroluminescence of 1. is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.

【0029】17.前記一般式(I)、(II)、(II
I)、(IV)または(V)で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0以上
0.05以下であることを特徴とする前記12〜16の
いずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
17. The general formulas (I), (II) and (II
The ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound represented by I), (IV) or (V) is 0 or more and 0.05 or less. The organic electroluminescence device according to any one of 12 to 16.

【0030】18.前記一般式(I)、(II)、(II
I)、(IV)または(V)で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0より
大きく、かつ、0.05未満であることを特徴とする前
記12〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
18. The general formulas (I), (II) and (II
The ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound represented by I), (IV) or (V) is greater than 0 and less than 0.05. 17. The organic electroluminescence device according to any one of 12 to 16 above, which is characterized.

【0031】19.燐光性化合物が、重金属錯体系化合
物であることを特徴とする前記1〜18のいずれか1項
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. 19. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 18 above, wherein the phosphorescent compound is a heavy metal complex compound.

【0032】20.燐光性化合物が、元素の周期律表に
おけるVIII属の金属を中心金属とする錯体系化合物であ
ることを特徴とする前記19に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
20. 20. The organic electroluminescence device as described in 19 above, wherein the phosphorescent compound is a complex compound containing a Group VIII metal in the periodic table of elements as a central metal.

【0033】21.燐光性化合物が、オスミウム、イリ
ジウム、または、白金錯体系化合物であることを特徴と
する前記19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
21. 20. The organic electroluminescence device as described in 19 above, wherein the phosphorescent compound is an osmium, iridium, or platinum complex compound.

【0034】22.燐光性化合物からの発光の極大波長
よりも更に長波な領域に、蛍光極大波長を有する第2の
蛍光性化合物を少なくとも1種更に含有することを特徴
とする前記1〜21のいずれか1項に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
22. 22. In any one of the above items 1 to 21, further containing at least one second fluorescent compound having a fluorescence maximum wavelength in a region having a longer wavelength than the maximum wavelength of light emitted from the phosphorescent compound. The organic electroluminescence device described.

【0035】23.前記1〜22のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。
23. 23. A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 22 above.

【0036】24.前記1〜22のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子の、異なる極大波
長の発光を有する2種以上を同一基板上に並置している
ことを特徴とするフルカラー表示装置。
24. 23. A full-color display device, wherein two or more kinds of the organic electroluminescent elements according to any one of 1 to 22 having different maximum wavelengths of light emission are juxtaposed on the same substrate.

【0037】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
者等は、燐光性化合物のホスト化合物として用いられる
蛍光性化合物について鋭意検討を重ねた結果、素子の発
光輝度とホスト化合物の分子中の窒素原子数と炭素原子
数の比(N/C)に、ある対応関係があることを見出し
た。その結果、N/Cがある程度小さい値をとる場合
に、発光輝度のさらなる向上が認められた。これは、N
/Cがある程度大きくなると、ホスト化合物の分子中の
窒素原子の何らかの作用により発光輝度に限界が見られ
るものと推定される。したがって、燐光性化合物をドー
パントに用いた有機EL素子の発光輝度を向上させるに
は、ホスト化合物のN/Cを小さくすることが有効であ
ることが分かった。
The present invention will be described in detail below. The inventors of the present invention have conducted extensive studies on the fluorescent compound used as the host compound of the phosphorescent compound, and as a result, have found that the emission brightness of the device and the ratio of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the molecule of the host compound (N / C ), There is a certain correspondence. As a result, when N / C takes a small value to some extent, further improvement in emission luminance was recognized. This is N
When / C becomes large to some extent, it is presumed that the emission brightness is limited due to some action of the nitrogen atom in the molecule of the host compound. Therefore, it was found that it is effective to reduce the N / C of the host compound in order to improve the emission brightness of the organic EL device using the phosphorescent compound as a dopant.

【0038】本発明において、蛍光性化合物は光励起に
より2個の電子スピンが反平行の状態である励起一重項
からの発光が観測される化合物のことであり、燐光性化
合物は光励起により2個の電子スピンが平行の状態であ
る励起三重項からの発光が観測される化合物である。こ
こで、本発明に記載の燐光性化合物では、前記蛍光性化
合物の励起一重項状態、または、励起三重項状態からの
エネルギー移動により、室温(15〜30℃)において
励起三重項状態が形成されると考えられている。通常、
燐光発光は77°Kの低温でしか観測不能と考えられて
いたが、近年室温で燐光発光を観測できる化合物が見出
されてからは、多くの化合物がイリジウム錯体系など重
金属錯体系化合物を中心に合成検討されている(例え
ば、S.Lamansky et al.,J.Am.
Chem.Soc.,123巻、4304ページ、20
01年)。
In the present invention, a fluorescent compound is a compound in which light emission from an excited singlet in which two electron spins are antiparallel to each other is observed by photoexcitation, and a phosphorescent compound is excited by photoexcitation. It is a compound in which light emission from an excited triplet in which electron spins are parallel is observed. Here, in the phosphorescent compound according to the present invention, an excited triplet state is formed at room temperature (15 to 30 ° C.) by energy transfer from the excited singlet state or the excited triplet state of the fluorescent compound. Is believed to be. Normal,
Phosphorescence was thought to be observable only at a low temperature of 77 ° K, but since the discovery of compounds capable of observing phosphorescence at room temperature in recent years, many compounds have focused on heavy metal complex compounds such as iridium complex compounds. Have been studied synthetically (for example, S. Lamansky et al., J. Am.
Chem. Soc. , 123, 4304, 20
2001).

【0039】本発明において、蛍光性化合物の蛍光極大
波長は、蛍光性化合物をガラス基板上に100nm蒸着
したときの蒸着膜の蛍光スペクトルを測定した時の極大
値である。
In the present invention, the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound is the maximum value when the fluorescence spectrum of the vapor deposition film when the fluorescent compound is vapor-deposited on a glass substrate to a thickness of 100 nm is measured.

【0040】本発明において、蛍光性化合物と燐光性化
合物の両方を含有する発光層をもつ有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、分子中の窒素原子数と炭素原
子数の比(N/C)が0以上0.05以下のホスト化合
物を燐光性化合物と併用する場合に、特異的に発光輝度
の向上が認められたため、本発明において、燐光性化合
物のホストとして組み合わせる蛍光性化合物は、該分子
中の窒素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0以上
0.05以下のものであることが好ましい。この理由に
ついては余り明確ではないが、前述のように窒素原子数
と炭素原子数の比(N/C)がある程度大きくなると、
ホスト化合物の分子中の窒素原子の何らかの作用により
発光輝度に限界が見られるためと推定される。
In the present invention, in an organic electroluminescent device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms in the molecule is 0 or more and 0 or more. When a host compound of 0.05 or less was used in combination with a phosphorescent compound, a specific improvement in emission brightness was observed. Therefore, in the present invention, the fluorescent compound to be combined as the host of the phosphorescent compound is a nitrogen compound in the molecule. The ratio (N / C) of the number of carbon atoms to the number of carbon atoms is preferably 0 or more and 0.05 or less. The reason for this is not so clear, but as described above, when the ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms (N / C) increases to some extent,
It is presumed that the emission brightness is limited due to some action of the nitrogen atom in the molecule of the host compound.

【0041】また、本発明において、燐光性化合物のホ
ストとして組み合わせる蛍光性化合物が、該分子中の窒
素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0より大きく
0.03以下のものであると、特異的に発光寿命が長く
なり好ましい。この理由については余り明確ではない
が、ある程度以上の発光寿命を有するためには窒素原子
を有するホスト化合物をもちいることが好ましいが、窒
素原子数と炭素原子数の比(N/C)がある程度大きく
なると窒素原子の何らかの作用により寿命に限界がみら
れるためと推定される。
In the present invention, the fluorescent compound to be combined as the host of the phosphorescent compound has a ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms (N / C) in the molecule of more than 0 and 0.03 or less. This is preferable because the light emission life is lengthened specifically. Although the reason for this is not so clear, it is preferable to use a host compound having a nitrogen atom in order to have a luminescence lifetime longer than a certain level, but the ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms (N / C) is to some extent. It is presumed that the life is limited due to some action of nitrogen atoms when it becomes larger.

【0042】本発明において、ドーパントとして組み込
む燐光性化合物の燐光発光極大波長は、ホストの蛍光性
化合物の蛍光極大波長に比べ、より長波であることが必
要である。これによりドーパントとして組み込んだ燐光
性化合物の励起三重項による発光を利用した有機エレク
トロルミネッセンス(EL)素子を得ることができる。
従って、素子を構成した状態において電界発光により得
られる発光極大波長は、該ホストとして用いた蛍光性化
合物の単独での蛍光極大波長(蛍光性化合物をガラス上
に100nm蒸着したときの蒸着膜で蛍光スペクトルを
測定した時の極大値)よりも長波である。
In the present invention, the maximum wavelength of phosphorescence emission of the phosphorescent compound incorporated as a dopant must be longer than that of the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound of the host. This makes it possible to obtain an organic electroluminescence (EL) device utilizing the light emission by the excited triplet of the phosphorescent compound incorporated as a dopant.
Therefore, the maximum emission wavelength obtained by electroluminescence in the state where the device is configured is the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound used as the host alone (fluorescence in a vapor deposition film when the fluorescent compound is vapor-deposited 100 nm on glass). It is a longer wave than the maximum value when the spectrum was measured).

【0043】本発明において、ホスト化合物として用い
る蛍光性化合物の蛍光極大波長は350nmから440
nmであることが好ましく、更に好ましいのは390n
m〜410nmである。
In the present invention, the maximum fluorescent wavelength of the fluorescent compound used as the host compound is 350 nm to 440.
nm, more preferably 390 n
It is m-410 nm.

【0044】又、低分子系の有機材料は、分子量が小さ
いと熱安定性が劣るため、発光輝度が十分ではない場合
がある。本発明に用いる燐光性化合物のホストとなる蛍
光性化合物は、熱安定性の観点から分子量が600以上
であることが好ましく用いられる。
Further, the low molecular weight organic material has a poor thermal stability when the molecular weight is small, so that the emission brightness may not be sufficient. The fluorescent compound used as the host of the phosphorescent compound used in the present invention preferably has a molecular weight of 600 or more from the viewpoint of thermal stability.

【0045】本発明の燐光性化合物は溶液中の燐光量子
収率が、25℃において0.001以上である。好まし
くは、0.01以上である。さらに好ましくは、0.1
以上である。
The phosphorescent compound of the present invention has a phosphorescence quantum yield in solution of 0.001 or more at 25 ° C. It is preferably 0.01 or more. More preferably, 0.1
That is all.

【0046】以下に、励起三重項状態の量子収率φp
測定手段及びその理論について述べる。
The means for measuring the quantum yield φ p in the excited triplet state and the theory therefor will be described below.

【0047】励起一重項状態から基底状態へは無輻射遷
移と蛍光放出により、それぞれ速度定数、ksn、kf
励起エネルギーを失う。この他に、励起三重項状態への
遷移が速度定数、kiscで起き失活する。ここで、励起
一重項状態の寿命、τsは次式で定義される。
Excitation energy is lost from the excited singlet state to the ground state due to non-radiative transition and fluorescence emission at rate constants k sn and k f , respectively. In addition to this, a transition to an excited triplet state occurs with a rate constant, k isc , and deactivates. Here, the lifetime of the excited singlet state, τ s, is defined by the following equation.

【0048】τs=(ksn+kf+kisc-1 また、蛍光の量子収率、φfは次式で定義される。Τ s = (k sn + k f + ki sc ) −1 Further , the quantum yield of fluorescence, φ f is defined by the following equation.

【0049】φf= kf・τs 励起三重項状態から基底状態へは無輻射遷移と燐光放出
によりそれぞれ、速度定数、ktn、kpで失活する。ま
た、励起三重項状態の寿命、τtは次式で定義される。
Φ f = k f · τ s Excited triplet state to ground state is deactivated by rate constants, k tn and k p by non-radiative transition and phosphorescence emission, respectively. The lifetime of the excited triplet state, τ t, is defined by the following equation.

【0050】τt=(ktn+kp-1 τtは10-6〜10-3秒であり、長いものは数秒に及ぶ
場合もある。そして、燐光の量子収率、φpは励起三重
項状態の生成の量子収率、φSTを用いて次のように定義
される。
Τ t = (k tn + k p ) −1 τ t is 10 −6 to 10 −3 seconds, and a long one may reach several seconds. The quantum yield of phosphorescence, φ p, is defined as follows using the quantum yield of excited triplet state generation, φ ST .

【0051】φp=φST・kp・τt 上記パラメータは、第4版実験化学講座7の分光IIの3
98ページ(1992年版、丸善)に記載の方法により
測定することが出来る。上記パラメータ中、燐光性化合
物の溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定
できるが、本発明においては溶媒としてテトラヒドロフ
ランを用いて測定を行ったものである。
Φ p = φ ST · k p · τ t The above parameters are the same as those in Spectroscopic II of 4th edition Experimental Chemistry Course 7.
It can be measured by the method described on page 98 (1992 version, Maruzen). Among the above parameters, the phosphorescence quantum yield in a solution of the phosphorescent compound can be measured using various solvents, but in the present invention, it is measured using tetrahydrofuran as the solvent.

【0052】本発明における置換基の立体パラメータE
sとは、Taftによって定義された置換基定数であ
り、例えば「薬物の構造活性相関 化学の領域 増刊1
22号南江堂社刊」に記載されている。特に本発明で言
うEs値とは、水素原子を基準としたものであり、すな
わちEs(H=0)の値であり、メチル基を基準とした
Es(CH3=0)と定義したEs値から1.24差し
引いた値を示す。その代表的な値を表1に示す。
Steric parameter E of the substituent in the present invention
s is a substituent constant defined by Taft, and is, for example, “Structure-Activity Correlation of Chemistry.
No. 22, published by Nankodo Publishing Co., Ltd. In particular, the Es value referred to in the present invention is based on a hydrogen atom, that is, the value of Es (H = 0), and the Es value defined as Es (CH 3 = 0) based on a methyl group. The value obtained by subtracting 1.24 from is shown. The typical values are shown in Table 1.

【0053】[0053]

【表1】 [Table 1]

【0054】以下、発光層について説明する。ここでい
う発光層は、広義の意味では、陰極と陽極からなる電極
に電流を流した際に発光する層のことを指す。具体的に
は、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光す
る蛍光性化合物を含有する層のことを指す。通常、エレ
クトロルミネッセンス素子(EL素子)は一対の電極の
間に発光層を挟持した構造をとる。本発明の有機EL素
子は、必要に応じ発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送
層、陽極バッファー層および陰極バッファー層等を有
し、陰極と陽極で挟持された構造をとる。
The light emitting layer will be described below. In a broad sense, the light emitting layer as used herein refers to a layer that emits light when a current is applied to an electrode composed of a cathode and an anode. Specifically, it refers to a layer containing a fluorescent compound that emits light when a current is applied to an electrode composed of a cathode and an anode. In general, an electroluminescent element (EL element) has a structure in which a light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes. The organic EL device of the present invention has a hole transport layer, an electron transport layer, an anode buffer layer, a cathode buffer layer, and the like in addition to the light emitting layer as necessary, and has a structure sandwiched between a cathode and an anode.

【0055】具体的には、 (i)陽極/発光層/陰極 (ii)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極 (iii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極 (iv)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極 (v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/
電子輸送層/陰極バッファー層/陰極などで示される構
造がある。
Specifically, (i) anode / light emitting layer / cathode (ii) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode (iii) anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iv) anode / positive Hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer /
There is a structure represented by electron transport layer / cathode buffer layer / cathode.

【0056】上記化合物を用いて発光層を形成する方法
としては、例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、LB法などの公知の方法により薄膜を形成する方法
があるが、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここ
で、分子堆積膜とは、上記化合物の気相状態から沈着さ
れ形成された薄膜や、該化合物の溶融状態又は液相状態
から固体化され形成された膜のことである。通常、この
分子堆積膜はLB法により形成された薄膜(分子累積
膜)と、凝集構造、高次構造の相違やそれに起因する機
能的な相違により区別することができる。
As a method of forming a light emitting layer using the above compound, there is a method of forming a thin film by a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method, a casting method and an LB method. Preferably there is. Here, the molecular deposition film is a thin film formed by depositing the above compound in a vapor phase state, or a film formed by solidifying a molten state or a liquid phase state of the compound. Usually, this molecular deposition film can be distinguished from a thin film (molecular cumulative film) formed by the LB method, based on the difference in aggregation structure, higher order structure, and functional difference caused by it.

【0057】また、この発光層は、特開昭57−517
81号に記載されているように、樹脂などの結着材と共
に発光材料として上記化合物を溶剤に溶かして溶液とし
たのち、これをスピンコート法などにより塗布して薄膜
形成することにより得ることができる。
Further, this light emitting layer is disclosed in JP-A-57-517.
No. 81, it can be obtained by dissolving the above compound as a light emitting material together with a binder such as a resin in a solvent to form a solution, and then applying this solution by a spin coating method or the like to form a thin film. it can.

【0058】このようにして形成された発光層の膜厚に
ついては特に制限はなく、状況に応じて適宜選択するこ
とができるが、通常は5nm〜5μmの範囲である。
The thickness of the light emitting layer thus formed is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the situation, but is usually in the range of 5 nm to 5 μm.

【0059】ここで、本発明に記載の燐光性化合物は、
具体的には、重金属錯体系化合物であり、好ましくは元
素の周期律表でVIII属の金属を中心金属とする錯体系化
合物であり、さらに好ましくは、オスミウム、イリジウ
ムまたは白金錯体系化合物である。
Here, the phosphorescent compound according to the present invention is
Specifically, it is a heavy metal complex compound, preferably a complex compound having a Group VIII metal as a central metal in the periodic table of elements, and more preferably an osmium, iridium or platinum complex compound.

【0060】これらの燐光性化合物としては、前記のよ
うに燐光量子収率が、25℃において0.001以上で
ある他、前記ホストとなる蛍光性化合物の蛍光極大波長
よりも長い燐光発光極大波長を有するものであり、これ
により、例えば、ホストとなる蛍光性化合物の発光極大
波長より長波の燐光性化合物をもちいて燐光性化合物の
発光、即ち三重項状態を利用した、ホスト化合物の蛍光
極大波長よりも長波において電界発光するEL素子を得
ることができる。従って、用いられる燐光性化合物の燐
光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、
原理的には、中心金属、配位子、配位子の置換基等を選
択することで得られる発光波長を変化させることができ
る。
These phosphorescent compounds have a phosphorescence quantum yield of 0.001 or more at 25 ° C. as described above, and a phosphorescence emission maximum wavelength longer than the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound serving as the host. Accordingly, for example, by using a phosphorescent compound having a wavelength longer than the maximum emission wavelength of the fluorescent compound as a host, the emission of the phosphorescent compound, that is, the maximum fluorescence wavelength of the host compound using the triplet state is obtained. It is possible to obtain an EL element that emits light at longer wavelengths. Therefore, the maximum wavelength of phosphorescence emission of the phosphorescent compound used is not particularly limited,
In principle, the emission wavelength obtained can be changed by selecting the central metal, the ligand, the substituent of the ligand, and the like.

【0061】例えば、350nm〜440nmの領域に
蛍光極大波長を有する蛍光性化合物をホスト化合物とし
て用い、例えば、緑の領域に燐光をもったイリジウム錯
体を用いる事で緑領域に電界発光する有機EL素子を得
ることが出来る。
For example, by using a fluorescent compound having a fluorescence maximum wavelength in the region of 350 nm to 440 nm as a host compound and using an iridium complex having phosphorescence in the green region, for example, an organic EL element which emits light in the green region by electroluminescence. Can be obtained.

【0062】以下に、本発明で用いられる燐光性化合物
の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.4
0巻、1704−1711に記載の方法等により合成で
きる。
Specific examples of the phosphorescent compound used in the present invention are shown below, but the invention is not limited thereto.
These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. Four
Volume 0, 1704-1711 and the like.

【0063】[0063]

【化6】 [Chemical 6]

【0064】[0064]

【化7】 [Chemical 7]

【0065】[0065]

【化8】 [Chemical 8]

【0066】また、別の形態では、ホスト化合物として
の蛍光性化合物(A)と燐光性化合物の他に、燐光性化
合物からの発光の極大波長よりも長波な領域に、蛍光極
大波長を有するもう一つの蛍光性化合物(B)を少なく
とも1種含有する場合もある。この場合、蛍光性化合物
(A)と燐光性化合物からのエネルギー移動で、有機E
L素子としての電界発光は蛍光性化合物(B)からの発
光が得られる。蛍光性化合物(B)として好ましいの
は、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここ
で、蛍光量子収率は10%以上、特に30%以上が好ま
しい。具体的には、クマリン系色素,ピラン系色素,シ
アニン系色素,クロコニウム系色素,スクアリウム系色
素,オキソベンツアントラセン系色素,フルオレセイン
系色素,ローダミン系色素,ピリリウム系色素,ペリレ
ン系色素,スチルベン系色素,ポリチオフェン系色素、
または、希土類錯体系蛍光体などが挙げられる。
In another embodiment, in addition to the fluorescent compound (A) as the host compound and the phosphorescent compound, it has a maximum fluorescence wavelength in a region longer than the maximum wavelength of light emitted from the phosphorescence compound. In some cases, at least one fluorescent compound (B) may be contained. In this case, energy transfer from the fluorescent compound (A) and the phosphorescent compound causes the organic E
As electroluminescence as the L element, light emission from the fluorescent compound (B) can be obtained. The fluorescent compound (B) is preferably one having a high fluorescence quantum yield in a solution state. Here, the fluorescence quantum yield is preferably 10% or more, and particularly preferably 30% or more. Specifically, coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squaryl dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes , Polythiophene dye,
Alternatively, a rare earth complex-based phosphor may be used.

【0067】ここでの蛍光量子収率も、前記第4版実験
化学講座7の分光IIの362ページ(1992年版、丸
善)に記載の方法により測定することが出来、本発明に
おいては、テトラヒドロフラン中で測定する。
The fluorescence quantum yield here can also be measured by the method described on page 362 (1992, Maruzen) of Spectroscopy II in the Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7, and in the present invention, in tetrahydrofuran. To measure.

【0068】本発明に用いる蛍光性化合物は、蛍光性化
合物分子中の窒素原子数と炭素原子数の比(N/C)が
0以上0.05以下である化合物をホスト化合物として
燐光性化合物と併用することが好ましい。これにより、
より発光輝度が高く、発光寿命にも優れた有機EL素子
を提供することができるが、別の観点からみると、本発
明においては燐光性化合物と組み合わせて用いるホスト
化合物として、前記一般式(I)〜(V)で表される化
合物を用いることが有用である。
The fluorescent compound used in the present invention is a phosphorescent compound using a compound having a ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the fluorescent compound molecule of 0 or more and 0.05 or less as a host compound. It is preferable to use them together. This allows
Although it is possible to provide an organic EL device having higher emission brightness and excellent emission life, from another viewpoint, in the present invention, as the host compound used in combination with the phosphorescent compound, the compound represented by the general formula (I )-(V) are useful.

【0069】以下に、本発明における一般式(I)〜
(V)で表される化合物について詳しく説明する。
The following are the general formulas (I) to (I) in the present invention.
The compound represented by (V) will be described in detail.

【0070】前記一般式(I)において、nは0から3
の整数を表し、R1及びR2は各々、置換基を表し、置換
基として好ましくは、アルキル基(メチル、エチル、i
−プロピル、ヒドロキシエチル、メトキシメチル、トリ
フルオロメチル、t−ブチル等)、ハロゲン原子(弗
素、塩素等)、アルコキシ基(メトキシ、エトキシ、i
−プロポキシ、ブトキシ等)が挙げられる。Arは置換
基を有していても良い芳香族炭化水素環又は芳香族複素
環基を表し、好ましくはナフチル、ビナフチル、キノリ
ル、イソキノリル、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダ
ゾリル等を表す。nが2以上の整数を表すとき、複数の
1、R2は同一であっても異なっていてもよい。
In the general formula (I), n is 0 to 3
In which R 1 and R 2 each represent a substituent, and the substituent is preferably an alkyl group (methyl, ethyl, i
-Propyl, hydroxyethyl, methoxymethyl, trifluoromethyl, t-butyl, etc.), halogen atom (fluorine, chlorine, etc.), alkoxy group (methoxy, ethoxy, i
-Propoxy, butoxy, etc.). Ar represents an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and preferably naphthyl, binaphthyl, quinolyl, isoquinolyl, benzoxazolyl, benzimidazolyl and the like. When n represents an integer of 2 or more, a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different.

【0071】一般式(II)においてn4、n5及びn6
は各々0から7の整数を表す。一つ又は複数のR6、R7
及びR8は各々アルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、ハロゲン、アルコキシ基、アリールオキシ基、複
素環基の中から選ばれる置換基を表し、メチル基、ナフ
チル基が特に好ましい。
In the general formula (II), n4, n5 and n6
Each represents an integer of 0 to 7. One or more R 6 , R 7
And R 8 each represents a substituent selected from an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a halogen, an alkoxy group, an aryloxy group and a heterocyclic group, and a methyl group and a naphthyl group are particularly preferable.

【0072】n4〜n6が2以上の整数を表すとき、複
数のR6〜R8は同一であっても異なっていてもよい。
When n4 to n6 represent an integer of 2 or more, a plurality of R 6 to R 8 may be the same or different.

【0073】一般式(III)において、R11〜R16、X1
〜X9は水素原子又は置換基を表し、それぞれ異なって
いても同一でも良い。R11〜R16で表される基として
は、好ましくは、アルキル基(例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、トリフルオロメチル基、t−ブチ
ル基等)が挙げられる。ただし、R11〜R16のそれぞれ
の立体パラメータEsR11〜EsR16値の合計値は、Es
R11+EsR12+EsR13+EsR14+EsR15+EsR16
−2.0を満たす。尚、互いに隣接する置換基同士は縮
合して環構造を形成していてもよい。X1〜X9で表され
る置換基としてはアルキル基、アリール基、複素環基、
ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基等が好ましく、
特にX2、X5、X8はアリール基又はアミノ基(特にジ
アリールアミノ基)であることがさらに好ましい。
In the general formula (III), R 11 to R 16 , X 1
To X 9 represent a hydrogen atom or a substituent, and may be different or the same. The group represented by R 11 to R 16 is preferably an alkyl group (eg, methyl group, ethyl group, isopropyl group, trifluoromethyl group, t-butyl group, etc.). However, the total value of the three-dimensional parameters Es R11 to Es R16 of R 11 to R 16 is Es.
R11 + Es R12 + Es R13 + Es R14 + Es R15 + Es R16
-2.0 is satisfied. In addition, adjacent substituents may be condensed with each other to form a ring structure. The substituent represented by X 1 to X 9 is an alkyl group, an aryl group, a heterocyclic group,
Halogen atom, alkoxy group, amino group and the like are preferable,
In particular, X 2 , X 5 and X 8 are more preferably an aryl group or an amino group (particularly a diarylamino group).

【0074】一般式(IV)において、R101〜R128はそ
れぞれ水素原子、または、置換基を表し、R101〜R104
の少なくとも一つは置換基を表す。R101〜R128が置換
基を表す場合、その置換として好ましくは、アルキル基
(例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロ
キシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル
基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロ−n−ブチ
ル基、パーフルオロ−t−ブチル基、t−ブチル基
等)、シクロアルキル基(例えばシクロペンチル基、シ
クロヘキシル基等)、アラルキル基(例えばベンジル
基、2−フェネチル基等)、アリール基(例えばフェニ
ル基、ナフチル基、p−トリル基、p−クロロフェニル
基等)、アルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等)、アリールオキ
シ基(例えばフェノキシ基等)、アリールアミノ基(例
えば、ジフェニルアミノ基等)等が挙げられる。これら
の基はさらに置換されていてもよく、前記置換基として
は、ハロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、
アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジ
ルアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。
In the general formula (IV), R 101 to R 128 each represent a hydrogen atom or a substituent, and R 101 to R 104
At least one of the above represents a substituent. When R 101 to R 128 represent a substituent, the substituent is preferably an alkyl group (eg, methyl group, ethyl group, isopropyl group, hydroxyethyl group, methoxymethyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluoropropyl group, Fluoro-n-butyl group, perfluoro-t-butyl group, t-butyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), aralkyl group (eg, benzyl group, 2-phenethyl group, etc.), aryl Group (eg phenyl group, naphthyl group, p-tolyl group, p-chlorophenyl group etc.), alkoxy group (eg methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, butoxy group etc.), aryloxy group (eg phenoxy group etc.), An arylamino group (for example, a diphenylamino group, etc.) and the like can be mentioned. These groups may be further substituted, and as the substituent, a halogen atom, a hydrogen atom, a trifluoromethyl group,
Examples thereof include an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, a dibenzylamino group, and a diarylamino group.

【0075】一般式(IV)において、R101〜R104の置
換基としては、アルキル基が好ましく、中でも、R101
〜R104のいずれか2つ、または、4つがメチル基であ
ることがもっとも好ましい。
In the general formula (IV), the substituent of R 101 to R 104 is preferably an alkyl group, and among them, R 101
Most preferably, any two or four of R 104 to R 104 are methyl groups.

【0076】一般式(V)において、R201〜R206はそ
れぞれ水素原子、または、置換基を表す。R201〜R206
が置換基を表す場合、その置換基としては前記R101
128の例で挙げられている置換基が好ましい。さらに
好ましくは、アリール基、または、置換アリール基であ
り、最も好ましくはフェニル基または、置換フェニル基
である。
In the general formula (V), R 201 to R 206 each represents a hydrogen atom or a substituent. R 201 to R 206
When R represents a substituent, the substituent may be any of R 101 to
The substituents mentioned in the examples of R 128 are preferred. An aryl group or a substituted aryl group is more preferable, and a phenyl group or a substituted phenyl group is most preferable.

【0077】一般式(I)〜(V)で表される化合物の
中でも、分子中の窒素原子数と炭素原子数の比(N/
C)が0.05以下であることが好ましく、分子中の窒
素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0.03以下で
あることが最も好ましい。
Among the compounds represented by the general formulas (I) to (V), the ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms in the molecule (N /
C) is preferably 0.05 or less, and most preferably the ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms (N / C) in the molecule is 0.03 or less.

【0078】以下に、本発明における一般式(I)〜
(V)で表される化合物の具体例を示すが、これらに限
定されるものではない。
The following are the general formulas (I) to (I) in the present invention.
Specific examples of the compound represented by (V) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0079】[0079]

【化9】 [Chemical 9]

【0080】[0080]

【化10】 [Chemical 10]

【0081】[0081]

【化11】 [Chemical 11]

【0082】[0082]

【化12】 [Chemical 12]

【0083】[0083]

【化13】 [Chemical 13]

【0084】[0084]

【化14】 [Chemical 14]

【0085】[0085]

【化15】 [Chemical 15]

【0086】[0086]

【化16】 [Chemical 16]

【0087】[0087]

【化17】 [Chemical 17]

【0088】[0088]

【化18】 [Chemical 18]

【0089】[0089]

【化19】 [Chemical 19]

【0090】[0090]

【化20】 [Chemical 20]

【0091】[0091]

【化21】 [Chemical 21]

【0092】[0092]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0093】[0093]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0094】[0094]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0095】[0095]

【化25】 [Chemical 25]

【0096】[0096]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0097】[0097]

【化27】 [Chemical 27]

【0098】[0098]

【化28】 [Chemical 28]

【0099】[0099]

【化29】 [Chemical 29]

【0100】[0100]

【化30】 [Chemical 30]

【0101】[0101]

【化31】 [Chemical 31]

【0102】[0102]

【化32】 [Chemical 32]

【0103】[0103]

【化33】 [Chemical 33]

【0104】[0104]

【化34】 [Chemical 34]

【0105】[0105]

【化35】 [Chemical 35]

【0106】[0106]

【化36】 [Chemical 36]

【0107】[0107]

【化37】 [Chemical 37]

【0108】[0108]

【化38】 [Chemical 38]

【0109】又、本発明に用いることのできる分子中の
窒素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0以上0.0
5以下である蛍光性化合物としては、前記一般式(I)
〜(V)で表される化合物の他にも以下の様な化合物が
あげられる。
The ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms in the molecule which can be used in the present invention is 0 or more and 0.0 or more.
Examples of the fluorescent compound having 5 or less include those represented by the general formula (I).
In addition to the compounds represented by (V) to (V), the following compounds may be mentioned.

【0110】[0110]

【化39】 [Chemical Formula 39]

【0111】本明細書の蛍光性化合物が発光する色は、
「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京
大学出版会、1985)の108頁の図4.16におい
て、分光放射輝度計CS−1000(ミノルタ製)で測
定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決
定される。
The color emitted by the fluorescent compound of the present specification is
In Fig. 4.16 on page 108 of "Handbook of New Color Science" (edited by The Color Society of Japan, The University of Tokyo Press, 1985), the results measured by the spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Minolta) are shown in CIE chromaticity coordinates. It is determined by the color when fitted.

【0112】一般式(I)〜(V)で表される化合物
は、ガラス転移温度(Tg)が高いことから、有機エレ
クトロルミネッセンス素子の材料としての熱安定性も十
分にある。Tgは100度以上であることが好ましい。
Since the compounds represented by the general formulas (I) to (V) have a high glass transition temperature (Tg), they have sufficient thermal stability as a material for an organic electroluminescence device. Tg is preferably 100 degrees or more.

【0113】一般式(I)〜(V)で表される化合物の
分子量は600以上5000以下であることが好まし
い。この範囲内の分子量であると発光層を真空蒸着法に
より容易に作製することができ、有機EL素子の製造が
容易になる。さらに、有機EL素子中における蛍光性化
合物の熱安定性もよくなる。
The molecular weight of the compounds represented by formulas (I) to (V) is preferably 600 or more and 5000 or less. When the molecular weight is within this range, the light emitting layer can be easily produced by the vacuum vapor deposition method, and the production of the organic EL device becomes easy. Further, the thermal stability of the fluorescent compound in the organic EL device is improved.

【0114】次に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入
層、電子輸送層等発光層と組み合わせてEL素子を構成
するその他の層について説明する。
Next, other layers constituting the EL device in combination with the light emitting layer such as the hole injecting layer, the hole transporting layer, the electron injecting layer and the electron transporting layer will be described.

【0115】正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入
された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注
入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、そのうえ、発光層に陰極、電子注入層又は電子輸送
層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは
正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層
内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の
優れた素子となる。この正孔注入層、正孔輸送層の材料
(以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という)について
は、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する
機能を有する性質をもつものであれば特に制限はなく、
従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料と
して慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔
輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選
択して用いることができる。
The hole injection layer and the hole transport layer have a function of transmitting the holes injected from the anode to the light emitting layer. The hole injection layer and the hole transport layer are provided between the anode and the light emitting layer. By interposing, many holes are injected into the light emitting layer at a lower electric field, and moreover, the electrons injected from the cathode, the electron injection layer or the electron transport layer into the light emission layer, the holes are injected into the light emitting layer and the hole injection layer or the positive layer. Due to the electron barrier existing at the interface of the hole transport layer, the element is accumulated at the interface in the light emitting layer and the light emission efficiency is improved. The material of the hole injecting layer and the hole transporting layer (hereinafter referred to as the hole injecting material and the hole transporting material) has a property of transmitting the holes injected from the anode to the light emitting layer. There is no particular limitation as long as it is one
Conventionally, in an optical transmission material, an arbitrary material is selected and used from materials conventionally used as charge injection / transport materials for holes and known materials used in hole injection layers and hole transport layers of EL elements. be able to.

【0116】上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔
の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有する
ものであり、有機物,無機物のいずれであってもよい。
この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリ
アゾール誘導体,オキサジアゾール誘導体,イミダゾー
ル誘導体,ポリアリールアルカン誘導体,ピラゾリン誘
導体及びピラゾロン誘導体,フェニレンジアミン誘導
体,アリールアミン誘導体,アミノ置換カルコン誘導
体,オキサゾール誘導体,スチリルアントラセン誘導
体,フルオレノン誘導体,ヒドラゾン誘導体,スチルベ
ン誘導体,シラザン誘導体,アニリン系共重合体、ま
た、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマ
ーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料とし
ては、上記のものを使用することができるが、ポルフィ
リン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルア
ミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いるこ
とが好ましい。
The above hole injecting material and hole transporting material have any of hole injecting or transporting and electron blocking properties, and may be either organic or inorganic.
Examples of the hole injection material and the hole transport material include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazoles. Examples thereof include derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers. As the hole injecting material and the hole transporting material, the above materials can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound. preferable.

【0117】上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリ
ルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′
−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニ
ル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン
(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノ
フェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリ
ルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,
N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェ
ニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタ
ン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキ
シフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,
N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−
〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベ
ン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニル
ビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフ
ェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾー
ル、さらには、米国特許第5,061,569号明細書
に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する
もの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4
−308688号公報に記載されているトリフェニルア
ミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,
4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N
−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDAT
A)などが挙げられる。
Typical examples of the aromatic tertiary amine compound and the styrylamine compound are N, N, N ', N'.
-Tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N,
N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′,
N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl ) Phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N,
N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- ( Di-p-tolylamino) -4'-
[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenyl Carbazoles, as well as those having in the molecule two fused aromatic rings as described in US Pat. No. 5,061,569, such as 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) −
N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4
No. 3,308,688 discloses three starburst-type linked triphenylamine units 4,
4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N
-Phenylamino] triphenylamine (MTDAT
A) etc. are mentioned.

【0118】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
Further, it is also possible to use a polymer material in which these materials are introduced into the polymer chain, or where these materials are used as a polymer main chain.

【0119】また、p型−Si、p型−SiCなどの無
機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用する
ことができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正
孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピ
ンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法によ
り、薄膜化することにより形成することができる。正孔
注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はない
が、通常は5nm〜5μm程度である。この正孔注入
層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からな
る一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複
数層からなる積層構造であってもよい。
Inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injecting material and the hole transporting material. The hole injecting layer and the hole transporting layer are formed by thinning the above hole injecting material and hole transporting material by a known method such as a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. Can be formed. The thickness of the hole injection layer and the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 μm. The hole injection layer and the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

【0120】さらに、必要に応じて用いられる電子輸送
層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能
を有していればよく、その材料としては従来公知の化合
物の中から任意のものを選択して用いることができる。
Further, the electron-transporting layer used as required may have a function of transmitting the electrons injected from the cathode to the light-emitting layer, and its material is any of conventionally known compounds. One can be selected and used.

【0121】この電子輸送層に用いられる材料(以下、
電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオ
レン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラ
カルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデン
メタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘
導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さら
に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジア
ゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾー
ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン
環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として
用いることができる。
Materials used for this electron transport layer (hereinafter, referred to as
Examples of the electron transport material) include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as naphthaleneperylene, carbodiimides, fluorenylidene methane derivatives, anthraquinodimethane and Examples thereof include anthrone derivative and oxadiazole derivative. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which an oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, or a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as the electron transport material.

【0122】さらにこれらの材料を高分子鎖に導入し
た、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材
料を用いることもできる。
Further, a polymer material obtained by introducing these materials into a polymer chain or using these materials as a polymer main chain can also be used.

【0123】また、8−キノリノール誘導体の金属錯
体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム
(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノ
ール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−
キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8
−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−
8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノ
ール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中
心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPb
に置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いる
ことができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフ
タロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホ
ン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料とし
て好ましく用いることができる。また、発光層の材料と
して例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材
料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送
層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導
体も電子輸送材料として用いることができる。
Further, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-).
Quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8)
-Quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-)
8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metal of these metal complexes is In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb.
The metal complex replaced with can also be used as an electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those whose terminal is substituted with an alkyl group, a sulfonic acid group, or the like can be preferably used as the electron transport material. Further, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as the electron transporting material, and like the hole injecting layer and the hole transporting layer, it is an inorganic material such as n-type-Si or n-type-SiC. Semiconductors can also be used as electron transport materials.

【0124】この電子輸送層は、上記化合物を、例えば
真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法など
の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができ
る。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通
常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この電子輸送層
は、これらの電子輸送材料一種又は二種以上からなる一
層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種
組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
This electron transporting layer can be formed by forming the above compound by a known thin film forming method such as a vacuum vapor deposition method, a spin coating method, a casting method and an LB method. The thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm. The electron-transporting layer may have a single-layer structure composed of one or more of these electron-transporting materials, or a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

【0125】又、本発明においては、蛍光性化合物は発
光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔
輸送層、または電子輸送層に前記燐光性化合物のホスト
化合物となる蛍光性化合物と同じ領域に蛍光極大波長を
有する蛍光性化合物を少なくとも1種含有させてもよ
く、それにより更にEL素子の発光効率を高めることが
できる。これらの正孔輸送層や電子輸送層に含有される
蛍光性化合物としては、発光層に含有されるものと同様
に蛍光極大波長が350nmから440nm、更に好ま
しくは390nm〜410nmの範囲にある蛍光性化合
物が用いられる。
Further, in the present invention, the fluorescent compound is not limited to only the light emitting layer, and a fluorescent compound which becomes a host compound of the phosphorescent compound is provided in the hole transport layer or the electron transport layer adjacent to the light emitting layer. At least one fluorescent compound having a fluorescence maximum wavelength may be contained in the same region as the compound, which can further increase the emission efficiency of the EL device. The fluorescent compound contained in these hole transporting layer or electron transporting layer has a fluorescence maximum wavelength in the range of 350 nm to 440 nm, more preferably 390 nm to 410 nm, like the one contained in the light emitting layer. A compound is used.

【0126】本発明の有機EL素子に好ましく用いられ
る基盤は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限
定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子に好ましく用い
られる基盤としては例えばガラス、石英、光透過性プラ
スチックフィルムを挙げることができる。
The substrate preferably used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the kind of glass, plastic, etc., and is not particularly limited as long as it is transparent.
Examples of the substrate preferably used for the electroluminescent element of the present invention include glass, quartz, and a light-transmissive plastic film.

【0127】光透過性プラスチックフィルムとしては、
例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエ
チレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレー
ト、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルロー
ストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプ
ロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げら
れる。
As the light-transmissive plastic film,
For example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyetherimide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose Examples thereof include films made of acetate propionate (CAP) and the like.

【0128】次に、該有機EL素子を作製する好適な例
を説明する。例として、前記の陽極/正孔注入層/正孔
輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からな
るEL素子の作製法について説明する。
Next, a suitable example for producing the organic EL element will be described. As an example, a method for manufacturing an EL device composed of the above-mentioned anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.

【0129】まず適当な基板上に、所望の電極用物質、
例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好まし
くは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着
やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作
製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正
孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層からなる薄
膜を形成させる。
First, on a suitable substrate, a desired electrode material,
For example, a thin film made of an anode material is formed by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 10 to 200 nm to produce an anode. Then, a thin film composed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer, which are element materials, is formed thereon.

【0130】さらに、陽極と発光層または正孔注入層の
間、および、陰極と発光層または電子注入層との間には
バッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。
Further, a buffer layer (electrode interface layer) may be provided between the anode and the light emitting layer or the hole injecting layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron injecting layer.

【0131】バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効
率向上のために電極と有機層間に設けられる層のこと
で、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2
章「電極材料」(第123頁〜第166頁)に詳細に記
載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層と
がある。
The buffer layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to reduce the driving voltage and improve the luminous efficiency.
2nd volume of "January 30 issued by TS Co., Ltd."
It is described in detail in Chapter “Electrode Materials” (pages 123 to 166), and includes an anode buffer layer and a cathode buffer layer.

【0132】陽極バッファー層は、特開平9−4547
9号、同9−260062号、同8−288069号等
にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタ
ロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、
酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモ
ルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラ
ルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた
高分子バッファー層等が挙げられる。
The anode buffer layer is described in JP-A-9-4547.
The details are also described in No. 9, No. 9-260062, No. 8-288069 and the like, and as a specific example, a phthalocyanine buffer layer represented by copper phthalocyanine,
Examples thereof include an oxide buffer layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene.

【0133】陰極バッファー層は、特開平6−3258
71号、同9−17574号、同10−74586号等
にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチ
ウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、
フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッフ
ァー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類
金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチ
ウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
The cathode buffer layer is described in JP-A-6-3258.
No. 71, No. 9-17574, No. 10-74586, etc., the details are also described, and specifically, a metal buffer layer typified by strontium, aluminum, etc.,
Examples thereof include an alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, and an oxide buffer layer typified by aluminum oxide and lithium oxide.

【0134】上記バッファー層はごく薄い膜であること
が望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜10
0nmの範囲が好ましい。
It is desirable that the buffer layer is a very thin film, and the film thickness is 0.1 to 10 depending on the material.
The range of 0 nm is preferred.

【0135】さらに上記基本構成層の他に必要に応じて
その他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開
平11−204258号、同11−204359号、お
よび「有機EL素子とその工業化最前線(1998年1
1月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第237頁
等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層など
のような機能層を有していても良い。
In addition to the above-mentioned basic constituent layers, if desired, layers having other functions may be laminated. For example, JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and "organic EL element and its industrialization." Frontline (1998 1
It may have a functional layer such as a hole blocking (hole blocking) layer described in page 237, etc. of January 30, 30).

【0136】バッファー層は、陰極バッファー層または
陽極バッファー層の少なくとも何れか1つの層内に本発
明の化合物の少なくとも1種が存在して、発光層として
機能してもよい。
The buffer layer may function as a light emitting layer when at least one kind of the compound of the present invention is present in at least one of the cathode buffer layer and the anode buffer layer.

【0137】次に有機EL素子の電極について説明す
る。有機EL素子の電極は、陰極と陽極からなる。
Next, the electrodes of the organic EL element will be described. The electrodes of the organic EL element consist of a cathode and an anode.

【0138】この有機EL素子における陽極としては、
仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導
性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好
ましく用いられる。このような電極物質の具体例として
はAuなどの金属、CuI、インジウムチンオキシド
(ITO)、SnO2、ZnOなどの導電性透明材料が
挙げられる。
As the anode in this organic EL device,
A material having a high work function (4 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof as an electrode material is preferably used. Specific examples of such electrode substances include conductive transparent materials such as metals such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO.

【0139】上記陽極は、蒸着やスパッタリングなどの
方法により、これらの電極物質の薄膜を形成させ、フォ
トリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成して
もよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場
合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やス
パッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン
を形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合に
は、透過率を10%より大きくすることが望ましく、ま
た、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好まし
い。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μ
m、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれ
る。
For the anode, a thin film of these electrode materials may be formed by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern of a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not required so much. (About 100 μm or more), a pattern may be formed through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material. When the emitted light is taken out from this anode, it is desirable that the transmittance is higher than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, the film thickness depends on the material, but is usually 10 nm to 1 μm.
m, preferably 10 nm to 200 nm.

【0140】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合
金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質と
するものが用いられる。このような電極物質の具体例と
しては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグ
ネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネ
シウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合
物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/
酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リ
チウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げら
れる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する
耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の
値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例え
ばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウ
ム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニ
ウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム
/アルミニウム混合物などが好適である。上記陰極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより、作製することがで
きる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下
が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは
50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過
させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一
方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上するので
好都合である。
On the other hand, as the cathode, a metal having a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode substance is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum /
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, indium, lithium / aluminum mixture, rare earth metal and the like can be mentioned. Among these, from the viewpoint of electron injecting property and durability against oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value, for example, a magnesium / silver mixture or magnesium. Aluminium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, lithium / aluminum mixture and the like are suitable. The cathode is
These electrode materials can be produced by forming a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 200 nm. In addition, since light is transmitted, it is convenient that either the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or semi-transparent so that the light emission efficiency is improved.

【0141】次に有機EL素子の作製方法について説明
する。薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート
法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得ら
れやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点か
ら、真空蒸着法が好ましい。薄膜化に、真空蒸着法を採
用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、
分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより
異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空
度10-6〜10-3Pa、蒸着速度0.01〜50nm/
秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの
範囲で適宜選ぶことが望ましい。
Next, a method for manufacturing an organic EL element will be described. As a method for thinning the film, there are the spin coating method, the casting method, the vapor deposition method and the like as described above, but the vacuum vapor deposition method is preferable from the viewpoints that a uniform film is easily obtained and pinholes are not easily generated. When a vacuum vapor deposition method is used for thinning, the vapor deposition conditions are the type of compound used,
Generally, the boat heating temperature is 50 to 450 ° C., the degree of vacuum is 10 −6 to 10 −3 Pa, and the deposition rate is 0.01 to 50 nm, although it depends on the desired crystal structure, association structure, etc. of the molecular deposited film.
Second, substrate temperature is preferably -50 to 300 [deg.] C. and film thickness is 5 nm to 5 [mu] m.

【0142】前記の様に、適当な基板上に、所望の電極
用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以
下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるよ
うに、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ
て陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層から
なる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質から
なる薄膜を1μm以下、好ましくは50〜200nmの
範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング
などの方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作
製は、一回の真空引きで一貫してこの様に正孔注入層か
ら陰極まで作製するのが好ましいが、作製順序を逆にし
て、陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順
に作製することも可能である。このようにして得られた
有機EL素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を
+、陰極を−の極性として電圧5〜40V程度を印加す
ると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加
しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交
流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態
になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形
は任意でよい。
As described above, a thin film of a desired electrode material, for example, an anode material, is vapor-deposited or sputtered on a suitable substrate to a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm. Etc. to form an anode, and after forming a thin film of each layer consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer on the anode as described above, By forming a thin film made of a substance for a cathode on it by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and by providing a cathode,
A desired organic EL device can be obtained. In this organic EL device, it is preferable to consistently manufacture from the hole injection layer to the cathode in this way by vacuuming once, but the manufacturing order is reversed, and the cathode, the electron injection layer, the light emitting layer, It is also possible to fabricate the hole injection layer and the anode in this order. When a direct current voltage is applied to the thus obtained organic EL element, light emission can be observed by applying a voltage of about 5 to 40 V with the anode having a positive polarity and the cathode having a negative polarity. Moreover, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the − state. The waveform of the alternating current applied may be arbitrary.

【0143】[0143]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the embodiments of the present invention are not limited thereto.

【0144】実施例1 エレクトロルミネッセンス素子No.1−1〜1−22
を以下のように作製した。
Example 1 Electroluminescence element No. 1-1 to 1-22
Was prepared as follows.

【0145】〈有機EL素子の作製〉陽極として100
mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO
(インジウムチンオキシド)を150nm成膜した基板
(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを
行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板を
イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガス
で乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
<Production of Organic EL Element> 100 as anode
ITO on a glass substrate of mm × 100 mm × 1.1 mm
After patterning was performed on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which (indium tin oxide) was deposited to a thickness of 150 nm, the transparent supporting substrate provided with this ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol and dried with nitrogen gas. After drying, the substrate was dried with UV ozone for 5 minutes.

【0146】この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置
の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱
ボートに、α−NPDを200mg入れ、別のモリブデ
ン製抵抗加熱ボートにCBPを200mg入れ、別のモ
リブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン(BC)
を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに
Ir−1(燐光性化合物)を100mg入れ、さらに別
のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg
入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×
10-4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加
熱ボートに通電して、220℃まで加熱し、蒸着速度
0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し、膜厚45
nmの正孔輸送層を設けた。さらに、CBPとIr−1
の入った前記加熱ボートに通電して220℃まで加熱
し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.01n
m/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚20n
mの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温で
あった。さらに、BCの入った前記加熱ボートに通電し
て250℃まで加熱し、蒸着速度0.1nm/secで
前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止の役
割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、A
lq3の入った前記加熱ボートに通電して250℃まで
加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記電子輸送層
の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子輸送層を設け
た。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation system, while 200 mg of α-NPD was put in a resistance heating boat made of molybdenum and 200 mg of CBP was put in another resistance heating boat made of molybdenum. Bathocuproine (BC) on another molybdenum resistance heating boat
200 mg, put 100 mg of Ir-1 (phosphorescent compound) in another molybdenum resistance heating boat, and further put 200 mg of Alq 3 in another molybdenum resistance heating boat.
It was put in and attached to a vacuum vapor deposition apparatus. Then 4x vacuum chamber
After the pressure was reduced to 10 −4 Pa, the heating boat containing α-NPD was energized to heat up to 220 ° C. and vapor-deposited on a transparent support substrate at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to give a film thickness of 45.
nm hole transport layer was provided. Furthermore, CBP and Ir-1
Is heated to 220 ° C. by energizing the above heating boat containing the vapor deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.01 n, respectively.
Co-deposition on the hole transport layer at a film thickness of 20 n
m emission layer was provided. The substrate temperature during vapor deposition was room temperature. Further, the heating boat containing BC is energized and heated to 250 ° C., vapor-deposited on the light-emitting layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec, and electron transport also having a role of blocking holes with a thickness of 10 nm. Layers were provided. On top of that, A
The heating boat containing 1q 3 was energized and heated to 250 ° C., and vapor deposition was performed on the electron transport layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to further provide an electron transport layer having a film thickness of 40 nm. The substrate temperature during vapor deposition was room temperature.

【0147】次に、真空槽をあけ、電子輸送層の上にス
テンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム3gを入れ、
タングステン製の蒸着用バスケットに銀を0.5g入
れ、再び真空槽を2×10-4Paまで減圧した後、マグ
ネシウム入りのボートに通電して蒸着速度1.5〜2.
0nm/secでマグネシウムを蒸着し、この際、同時
に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度0.1nm/se
cで銀を蒸着し、前記マグネシウムと銀との混合物から
なる対向電極とすることにより、有機EL素子No.1
−1(比較用)を作製した。
Next, the vacuum chamber was opened, and a rectangular perforated mask made of stainless steel was placed on the electron transport layer, while 3 g of magnesium was placed in a resistance heating boat made of molybdenum.
0.5 g of silver was placed in a tungsten vapor deposition basket, the vacuum chamber was decompressed again to 2 × 10 −4 Pa, and a boat containing magnesium was energized to deposit a vapor deposition rate of 1.5 to 2.
Magnesium is vapor-deposited at 0 nm / sec, and at the same time, a silver basket is heated at a vapor deposition rate of 0.1 nm / se.
In the organic EL device No. No. 3 by depositing silver with the organic EL device No. c to form a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver. 1
-1 (for comparison) was prepared.

【0148】上記において、発光層のCBP、燐光性化
合物を表2にしめす化合物に置き換えた以外は全く同じ
方法で、有機EL素子No.1−2〜1−22を作製し
た。
In the above, the organic EL device No. 1 was manufactured by the same method except that the CBP and phosphorescent compound in the light emitting layer were replaced with the compounds shown in Table 2. 1-2 to 1-22 were produced.

【0149】上記で使用した化合物の構造を以下に示
す。
The structures of the compounds used above are shown below.

【0150】[0150]

【化40】 [Chemical 40]

【0151】〈有機EL素子No.1−1〜1−22の
発光輝度および発光寿命の評価〉有機EL素子No.1
−1では、初期駆動電圧3Vで電流が流れ始め、発光層
のドーパントである燐光性化合物からの発光を示した。
有機EL素子No.1−1の温度23℃、乾燥窒素ガス
雰囲気下で9V直流電圧を印加した時の発光輝度をミノ
ルタ製CS−1000を用いて測定し、この値を100
としたときの有機EL素子各試料それぞれの発光輝度の
比の値(相対値)を表2に示す。
<Organic EL Element No. Evaluation of Light-Emitting Luminance and Light-Emitting Life of Each of 1-1 to 1-22> Organic EL Element No. 1
At -1, a current started to flow at an initial drive voltage of 3 V, and light emission from the phosphorescent compound that was a dopant for the light emitting layer was exhibited.
Organic EL element No. The light emission luminance when a DC voltage of 9 V was applied in a dry nitrogen gas atmosphere at a temperature of 1-1 at 23 ° C. was measured using a CS-1000 manufactured by Minolta, and this value was 100.
Table 2 shows the value (relative value) of the emission luminance ratio of each sample of the organic EL device.

【0152】[0152]

【表2】 [Table 2]

【0153】表2から明らかなように、本発明の化合物
を発光層に用いたエレクトロルミネッセンス素子は、発
光輝度が高いことから、有機EL素子として非常に有用
であることが判明し、以下の3点が明らかとなった。 (1)N/Cが0.05(5%)以下のホスト化合物を
用いた素子は発光輝度が高く、とりわけ、N/Cが0.
03(3%)以下である場合は、さらに発光輝度が向上
している。 (2)N/Cが0.05(5%)以下でも、ホスト化合
物の蛍光極大波長が350〜440nmの場合に発光輝
度が大きい。 (3)N/Cが0.05(5%)以下で、蛍光極大波長
が350〜440nmで、分子量が600以上という条
件が満たされている場合に、最も発光輝度が大きい。
As is clear from Table 2, since the electroluminescence device using the compound of the present invention in the light emitting layer has a high emission brightness, it was found to be very useful as an organic EL device. The point became clear. (1) A device using a host compound having an N / C of 0.05 (5%) or less has a high emission luminance, and in particular, an N / C of 0.
When it is at most 03 (3%), the emission brightness is further improved. (2) Even if the N / C is 0.05 (5%) or less, the emission brightness is high when the fluorescence maximum wavelength of the host compound is 350 to 440 nm. (3) When N / C is 0.05 (5%) or less, the fluorescence maximum wavelength is 350 to 440 nm, and the molecular weight is 600 or more, the emission brightness is highest.

【0154】尚、Ir−1、2、3、5、8、9の燐光
性化合物の燐光量子収率は、25℃テトラヒドロフラン
中で測定した結果、それぞれ、0.36、0.32、
0.27、0.12、0.34、0.21であった。
The phosphorescent quantum yields of the phosphorescent compounds of Ir-1, 2, 3, 5, 8, 9 were 0.36, 0.32, and 0.36, 0.32, respectively.
The values were 0.27, 0.12, 0.34 and 0.21.

【0155】また、ホストとなる蛍光性化合物の蛍光極
大波長は、蛍光性化合物をガラス基板上に100nmの
厚みで蒸着したときの蒸着膜の蛍光スペクトルを測定し
た時の極大値である。
The fluorescent maximum wavelength of the fluorescent compound serving as a host is the maximum value when the fluorescent spectrum of the vapor deposition film when the fluorescent compound is vapor-deposited on a glass substrate to a thickness of 100 nm is measured.

【0156】実施例2 さらに、有機EL素子No.1−1〜1−22に対し
て、正孔輸送材料をα-NPD(蛍光極大発光波長が4
52nm)からm−MTDATXA(蛍光極大発光波長
が399nm)に置き換えた以外は、実施例1と全く同
様にして有機EL素子を作製したところ、発光輝度の向
上が見られた。
Example 2 Furthermore, the organic EL device No. For 1-1 to 1-22, the hole transport material is α-NPD (fluorescence maximum emission wavelength is 4
When an organic EL device was produced in exactly the same manner as in Example 1, except that 52 nm) was replaced with m-MTDATXA (fluorescent maximum emission wavelength was 399 nm), an improvement in emission brightness was observed.

【0157】[0157]

【化41】 [Chemical 41]

【0158】実施例3 実施例1で作製した有機EL素子の陰極をAlに置き換
え、陰極と電子輸送層の間に陰極バッファー層として、
LiFを0.5nm蒸着して陰極バッファー層を設けた
以外は、実施例1における有機EL素子No.1−1〜
1−22と全く同様にして有機EL素子No.3−1〜
3−22を作製した。実施例1と同様に発光輝度をミノ
ルタ製CS−1000を用いて測定したところ、有機E
L素子No.3−8は、前記有機EL素子No.1−8
との相対比較で、発光輝度142となった。また、有機
EL素子No.3−1〜3−22のうちのその他の素子
についても、同様に、陰極バッファー層の導入が効果的
であった。
Example 3 The cathode of the organic EL device produced in Example 1 was replaced with Al, and a cathode buffer layer was provided between the cathode and the electron transport layer.
Organic EL device No. 1 in Example 1 except that LiF was vapor-deposited at 0.5 nm to provide a cathode buffer layer. 1-1 ~
1-22, the organic EL element No. 3-1
3-22 was produced. When the emission brightness was measured using CS-1000 manufactured by Minolta in the same manner as in Example 1, organic E
L element No. 3-8 is the organic EL element No. 1-8
The emission luminance was 142 in relative comparison with. In addition, the organic EL element No. The introduction of the cathode buffer layer was also effective for the other elements among 3-1 to 3-22.

【0159】実施例4 実施例1における有機EL素子No.1−1、1−8に
おいて燐光性化合物をIr−1からそれぞれPt−3
(2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエ
チル−21H−23H−ポルフィンプラチナム(II)
(PtOEP);ポルフィリンプロダクツ株式会社製)
に置き換えた以外は、実施例1と全く同様にして有機エ
レクトロルミネッセンス素子No.4−1、4−2を作
製した。
Example 4 Organic EL device No. 1 in Example 1 In 1-1 and 1-8, phosphorescent compounds were added from Ir-1 to Pt-3, respectively.
(2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H-23H-porphine platinum (II)
(PtOEP); Porphyrin Products Co., Ltd.)
Except that the organic electroluminescence element No. 1 was replaced by the same procedure as in Example 1. 4-1 and 4-2 were produced.

【0160】また、同様に実施例1における有機EL素
子No.1−1、1−7において燐光性化合物をIr−
1からそれぞれPt−2に置き換えた以外は、実施例1
と全く同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子N
o.4−3、4−4を作製した。
Similarly, the organic EL element No. 1 in Example 1 was used. In 1-1 and 1-7, the phosphorescent compound was Ir-
Example 1 except that Pt-2 was used instead of 1
And the organic electroluminescence element N in exactly the same manner as
o. 4-3 and 4-4 were produced.

【0161】これらの有機EL素子の発光輝度を測定し
た。その結果、本発明の化合物を用いた有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光輝度の改善が確認さ
れた。
The emission luminance of these organic EL devices was measured. As a result, it was confirmed that in the organic electroluminescence device using the compound of the present invention, the emission brightness was improved.

【0162】なお、Pt−3を用いた場合は赤色の発光
が得られ、Pt−2を用いた場合は青色の発光が得られ
た。
When Pt-3 was used, red luminescence was obtained, and when Pt-2 was used, blue luminescence was obtained.

【0163】実施例5 実施例1において、発光層の構成を蛍光性化合物(7)
と1質量%のDCM2の層(発光層A)を1nm、
(7)と10質量%のIr−1の層(発光層B)を1n
mそれぞれを交互に5層積層(合計10nm)したもの
に変更した以外は、実施例1と同様にして本発明の有機
EL素子No.5−1を作製した。
Example 5 In Example 1, the structure of the light emitting layer was changed to the fluorescent compound (7).
And a layer of 1 wt% DCM2 (light emitting layer A) is 1 nm
(7) and a layer of 10% by mass of Ir-1 (light-emitting layer B) in 1 n
m in the same manner as in Example 1 except that each layer was alternately laminated with 5 layers (total 10 nm). 5-1 was produced.

【0164】[0164]

【化42】 [Chemical 42]

【0165】有機EL素子No.5−1においてDCM
2からの発光が590nmに観測された。
Organic EL element No. DCM in 5-1
Emission from 2 was observed at 590 nm.

【0166】上記蛍光性化合物(7)をCBPに置き換
えた以外有機EL素子No.5−1と全く同様にして比
較の有機EL素子No.5−2を作製した。有機EL素
子No.5−2からもDCM2からの発光が590nm
に観測されたが、発光輝度は蛍光性化合物(7)を使用
した場合の0.60倍であり本発明の構成の方が高輝度
の点で有利であることが分かった。
Organic EL device No. 1 except that the fluorescent compound (7) was replaced with CBP. Comparative Organic EL Element No. 5-2 was produced. Organic EL element No. The emission from DCM2 is 590 nm from 5-2 as well.
However, the emission brightness was 0.60 times that when the fluorescent compound (7) was used, and it was found that the constitution of the present invention is more advantageous in terms of high brightness.

【0167】実施例6 実施例1および4で作製したそれぞれ赤色、緑色、青色
発光有機エレクトロルミネッセンス素子を同一基板上に
並置し、図1に示すアクティブマトリクス方式フルカラ
ー表示装置を作製した。
Example 6 The red, green and blue light emitting organic electroluminescent elements produced in Examples 1 and 4 were placed side by side on the same substrate to produce the active matrix type full color display device shown in FIG.

【0168】図1には作製したフルカラー表示装置の表
示部の模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の
走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数
の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青
領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数の
データ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5と
データ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3
に接続している(詳細は図示せず)。前記複数画素3
は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクテ
ィブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トラン
ジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式
で駆動されており、走査線5から走査信号が印加される
と、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取
った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、
青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表
示が可能となる。
FIG. 1 shows only a schematic view of the display portion of the manufactured full-color display device. That is, on the same substrate, a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 arranged in parallel (pixels whose emission color is a red region, a green region pixel, a blue region pixel, etc.) are arranged. The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern, and the pixels 3 are located at the orthogonal positions.
(Not shown in detail). The plurality of pixels 3
Are driven by an active matrix method in which an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor which is an active element, and a drive transistor are provided, and when a scanning signal is applied from the scanning line 5, the data line is driven. An image data signal is received from 6 and light is emitted according to the received image data. In this way, each red, green,
Full-color display is possible by appropriately arranging blue pixels in parallel.

【0169】該フルカラー表示装置を駆動することによ
り、輝度の高い鮮明なフルカラー動画表示が得られた。
By driving the full-color display device, a clear full-color moving image display with high brightness was obtained.

【0170】実施例7 実施例1の有機EL素子No.1−1と同様にして、発
光層の化合物、燐光性化合物を表3に示す化合物に置き
換えた以外は全く同じ方法で、有機EL素子No.7−
1〜7−22を作製した。
Example 7 The organic EL device No. 1 of Example 1 was used. In the same manner as in 1-1, except that the compound of the light emitting layer and the phosphorescent compound were replaced with the compounds shown in Table 3, the organic EL device No. 7-
1-7-22 were produced.

【0171】各有機EL素子の温度23℃で、乾燥窒素
ガス雰囲気下で9Vの直流電圧を印加した時の発光輝度
の半減する時間(発光寿命)を測定し有機EL素子N
o.7−1を100とした時の相対値で表した。発光輝
度[cd/m2]については、ミノルタ製CS−100
0を用いて測定した。
At a temperature of each organic EL element of 23 ° C., the time required for halving the emission luminance (emission life) when applying a DC voltage of 9 V in a dry nitrogen gas atmosphere was measured to determine the organic EL element N.
o. It was expressed as a relative value when 7-1 was set to 100. Regarding the emission brightness [cd / m 2 ], Minolta CS-100
It was measured using 0.

【0172】[0172]

【表3】 [Table 3]

【0173】[0173]

【化43】 [Chemical 43]

【0174】表3から明らかなように、本発明のN/C
が0より大で0.05未満のホスト化合物、特にN/C
が0より大で0.03以下のホスト化合物を発光層に用
いたエレクトロルミネッセンス素子は、輝度の半減する
時間(発光寿命)が長いことから、有機EL素子として
非常に有用であることが判明した。
As is clear from Table 3, N / C of the present invention
A host compound having a value greater than 0 and less than 0.05, especially N / C
It has been found that an electroluminescence device using a host compound having a value of more than 0 and 0.03 or less in the light emitting layer has a long half-life of luminance (emission life), and thus is very useful as an organic EL device. .

【0175】[0175]

【発明の効果】発光輝度に優れた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子および該有機エレクトロルミネッセンス素
子を用いた低消費電力の表示装置が得られた。
EFFECT OF THE INVENTION An organic electroluminescence device excellent in emission brightness and a display device of low power consumption using the organic electroluminescence device are obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】アクティブマトリクス方式フルカラー表示装置
の表示部の模式図。
FIG. 1 is a schematic diagram of a display unit of an active matrix full-color display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A 表示部(ディスプレイ) 3 画素 5 走査線 6 データ線 A display (display) 3 pixels 5 scan lines 6 data lines

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 B D (72)発明者 北 弘志 東京都日野市さくら町1番地コニカ株式会 社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB04 AB11 DB03─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/22 H05B 33/22 BD (72) Inventor Hiroshi Kita No. 1 Sakuramachi, Hino City, Tokyo Konica Stocks Meeting Internal F-term (reference) 3K007 AB02 AB03 AB04 AB11 DB03

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を含
有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子
において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭素
原子数の比(N/C)が、0以上0.05以下であり、
かつ、素子となった状態での電界発光によって得られる
発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波長よりも
長波であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
1. In an organic electroluminescent device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound is N / C. , 0 or more and 0.05 or less,
In addition, the maximum emission wavelength obtained by electroluminescence in a state of being an element is a longer wave than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound, wherein the organic electroluminescence element is characterized.
【請求項2】 蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比(N/C)が、0以上0.03以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
2. The organic electroluminescence according to claim 1, wherein the ratio of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms (N / C) in the molecule of the fluorescent compound is 0 or more and 0.03 or less. element.
【請求項3】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を含
有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子
において、該蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭素
原子数の比(N/C)が、0より大きく、かつ、0.0
5未満であり、素子となった状態での電界発光によって
得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物の蛍光極大波
長よりも長波であることを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
3. In an organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, the ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound is (N / C). , Greater than 0 and 0.0
An organic electroluminescence device having a wavelength of less than 5 and having a maximum emission wavelength obtained by electroluminescence in a device state is longer than the maximum fluorescence wavelength of the fluorescent compound.
【請求項4】 蛍光性化合物の分子中の窒素原子数と炭
素原子数の比(N/C)が、0より大きく、かつ、0.
03以下であることを特徴とする請求項3に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
4. The ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound is larger than 0 and is 0.
It is 03 or less, The organic electroluminescent element of Claim 3 characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 蛍光性化合物の蛍光極大波長が350n
mから440nmであることを特徴とする請求項1〜4
のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
5. The fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound is 350 n.
It is m to 440 nm, It is characterized by the above-mentioned.
The organic electroluminescence element according to any one of 1.
【請求項6】 蛍光性化合物の分子量が600以上であ
ることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the fluorescent compound has a molecular weight of 600 or more.
【請求項7】 燐光性化合物の溶液中での燐光量子収率
が、25℃において0.01以上であることを特徴とす
る請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
7. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the phosphorescence quantum yield in the solution of the phosphorescent compound is 0.01 or more at 25 ° C. .
【請求項8】 発光層に隣接した正孔輸送層、または電
子輸送層に少なくとも1種の蛍光性化合物が更に含有さ
れ、該蛍光性化合物の蛍光極大波長が、350nmから
440nmであることを特徴とする請求項1〜7のいず
れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. The hole transport layer adjacent to the light emitting layer or the electron transport layer further contains at least one fluorescent compound, and the fluorescent compound has a maximum fluorescence wavelength of 350 nm to 440 nm. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein
【請求項9】 蛍光性化合物の蛍光発光極大波長が39
0nmから410nmであることを特徴とする請求項1
〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
9. The fluorescence emission maximum wavelength of the fluorescent compound is 39.
2. The range from 0 nm to 410 nm.
7. The organic electroluminescence device according to any one of items 7 to 7.
【請求項10】 発光層、及び正孔輸送層または電子輸
送層に含有される蛍光性化合物の蛍光発光極大波長がそ
れぞれ390nmから410nmであることを特徴とす
る請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
10. The organic electroluminescence according to claim 8, wherein the fluorescent compound contained in the light emitting layer and the hole transporting layer or the electron transporting layer has a fluorescence emission maximum wavelength of 390 nm to 410 nm, respectively. element.
【請求項11】 陰極と発光層との間に少なくとも1層
の陰極バッファー層を有することを特徴とする請求項1
〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
11. The method according to claim 1, further comprising at least one cathode buffer layer between the cathode and the light emitting layer.
10. The organic electroluminescence device according to any one of items 10 to 10.
【請求項12】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式(I)で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化1】 〔式中、R1及びR2は各々置換基を表し、Arは置換基
を有していてもよい芳香族炭化水素環又は芳香族複素環
基を表し、nは0から3の整数を表す。〕
12. An organic electroluminescence device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, wherein the fluorescent compound contains a compound represented by the following general formula (I), and the device The organic electroluminescence device is characterized in that the emission maximum wavelength obtained by electroluminescence in the above state is longer than the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound. [Chemical 1] [Wherein, R 1 and R 2 each represent a substituent, Ar represents an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and n represents an integer of 0 to 3] . ]
【請求項13】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式(II)で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化2】 〔式中、一つ又は複数のR6、R7及びR8は各々アルキ
ル基、シクロアルキル基、アリール基、ハロゲン、アル
コキシ基、アリールオキシ基、複素環基の中から選ばれ
る置換基を表し、n4、n5及びn6は各々0から7の
整数を表す。〕
13. An organic electroluminescent device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, wherein the fluorescent compound contains a compound represented by the following general formula (II), and the device The organic electroluminescence device is characterized in that the emission maximum wavelength obtained by electroluminescence in the above state is longer than the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound. [Chemical 2] [Wherein one or more R 6 , R 7 and R 8 each represent a substituent selected from an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a halogen, an alkoxy group, an aryloxy group and a heterocyclic group. , N4, n5 and n6 each represent an integer of 0 to 7. ]
【請求項14】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式(III)で表
される化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電
界発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合
物の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。 【化3】 〔式中、R11〜R16及びX1〜X9は水素原子又は置換基
を表し、それぞれ異なっていても同一でも良い。ただ
し、R11〜R16のそれぞれの立体パラメータEsR1 1
EsR16値の合計値は、EsR11+EsR12+EsR13+E
R14+EsR15+EsR16≦−2.0を満たす。〕
14. An organic electroluminescent device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, wherein the fluorescent compound contains a compound represented by the following general formula (III), and the device The organic electroluminescence device is characterized in that the emission maximum wavelength obtained by electroluminescence in the above state is longer than the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound. [Chemical 3] [In formula, R < 11 > -R < 16 > and X < 1 > -X < 9 > represent a hydrogen atom or a substituent, and they may differ, respectively and may be the same. However, the respective stereoscopic parameters Es R1 1 to R 11 to R 16 of
The total value of Es R16 is Es R11 + Es R12 + Es R13 + E
s R14 + Es R15 + Es R16 ≦ −2.0 is satisfied. ]
【請求項15】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式(IV)で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化4】 〔式中、R101〜R128はそれぞれ水素原子、または、置
換基を表し、R101〜R1 04の少なくとも一つは置換基を
表す。〕
15. An organic electroluminescent device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, wherein the fluorescent compound contains a compound represented by the following general formula (IV), and the device The organic electroluminescence device is characterized in that the emission maximum wavelength obtained by electroluminescence in the above state is longer than the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound. [Chemical 4] Wherein, R 101 to R 128 each represents a hydrogen atom, or a substituent, at least one of R 101 to R 1 04 represent a substituent. ]
【請求項16】 蛍光性化合物と燐光性化合物の両方を
含有する発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素
子において、該蛍光性化合物が下記一般式(V)で表さ
れる化合物を含有し、かつ、素子となった状態での電界
発光によって得られる発光極大波長は、該蛍光性化合物
の蛍光極大波長よりも長波であることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子。 【化5】 〔式中、R201〜R206はそれぞれ水素原子、または、置
換基を表す。〕
16. An organic electroluminescent device having a light emitting layer containing both a fluorescent compound and a phosphorescent compound, wherein the fluorescent compound contains a compound represented by the following general formula (V), and the device The organic electroluminescence device is characterized in that the emission maximum wavelength obtained by electroluminescence in the above state is longer than the fluorescence maximum wavelength of the fluorescent compound. [Chemical 5] [In the formula, R 201 to R 206 each represent a hydrogen atom or a substituent. ]
【請求項17】 前記一般式(I)、(II)、(II
I)、(IV)または(V)で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0以上
0.05以下であることを特徴とする請求項12〜16
のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
17. The general formulas (I), (II) and (II
The ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms and the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound represented by I), (IV) or (V) is 0 or more and 0.05 or less. Item 12 to 16
The organic electroluminescence element according to any one of 1.
【請求項18】 前記一般式(I)、(II)、(II
I)、(IV)または(V)で表される蛍光性化合物の分
子中の窒素原子数と炭素原子数の比(N/C)が0より
大きく、かつ、0.05未満であることを特徴とする請
求項12〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
18. The general formula (I), (II), (II
The ratio (N / C) of the number of nitrogen atoms to the number of carbon atoms in the molecule of the fluorescent compound represented by I), (IV) or (V) is greater than 0 and less than 0.05. The organic electroluminescence device according to any one of claims 12 to 16, which is characterized in that.
【請求項19】 燐光性化合物が、重金属錯体系化合物
であることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the phosphorescent compound is a heavy metal complex compound.
【請求項20】 燐光性化合物が、元素の周期律表にお
けるVIII属の金属を中心金属とする錯体系化合物である
ことを特徴とする請求項19に記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
20. The organic electroluminescence device according to claim 19, wherein the phosphorescent compound is a complex compound having a Group VIII metal in the periodic table of elements as a central metal.
【請求項21】 燐光性化合物が、オスミウム、イリジ
ウム、または、白金錯体系化合物であることを特徴とす
る請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
21. The organic electroluminescence device according to claim 19, wherein the phosphorescent compound is an osmium, iridium, or platinum complex compound.
【請求項22】 燐光性化合物からの発光の極大波長よ
りも更に長波な領域に、蛍光極大波長を有する第2の蛍
光性化合物を少なくとも1種更に含有することを特徴と
する請求項1〜21のいずれか1項に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。
22. At least one second fluorescent compound having a fluorescent maximum wavelength is further contained in a region having a longer wavelength than the maximum wavelength of light emitted from the phosphorescent compound, and the second fluorescent compound is further contained. The organic electroluminescence element according to any one of 1.
【請求項23】 請求項1〜22のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特
徴とする表示装置。
23. A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1. Description:
【請求項24】 請求項1〜22のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子の、異なる極大波
長の発光を有する2種以上を同一基板上に並置している
ことを特徴とするフルカラー表示装置。
24. A full-color display characterized in that two or more kinds of the organic electroluminescence elements according to any one of claims 1 to 22 having light emission of different maximum wavelengths are juxtaposed on the same substrate. apparatus.
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