JP2003061345A - Artificial resonance system switching power circuit - Google Patents

Artificial resonance system switching power circuit

Info

Publication number
JP2003061345A
JP2003061345A JP2001241125A JP2001241125A JP2003061345A JP 2003061345 A JP2003061345 A JP 2003061345A JP 2001241125 A JP2001241125 A JP 2001241125A JP 2001241125 A JP2001241125 A JP 2001241125A JP 2003061345 A JP2003061345 A JP 2003061345A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
signal
voltage
terminal
oscillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001241125A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuho Tsuchida
満穂 土田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2001241125A priority Critical patent/JP2003061345A/en
Publication of JP2003061345A publication Critical patent/JP2003061345A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent generation of abnormal oscillation with an insufficiently charged capacitor of an oscillation circuit. SOLUTION: A trigger signal is detected from a trigger detection circuit 6 relating to turning off of the power MOSFET1. Logical operation of the rigger signal and an oscillation frequency limiting signal is performed in a fix circuit 4 to generate a set signal. A charge signal of fixed pulse width or more is generated by the set signal from the fix circuit 4 from a charge signal generating circuit 7. A switching element 5 is turned on. A capacitor C of an oscillation circuit 3 is charged.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、テレビジョンある
いは音響機器等の電子機器に用いられる擬似共振方式ス
イッチング電源回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a quasi-resonant switching power supply circuit used in electronic equipment such as televisions and audio equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】擬似共振方式スイッチング電源回路で
は、トランスの一次巻線に接続されたパワーMOSFE
TがOFFしたときに発生する逆起電圧の立下りを補助
巻線から検出し、ICの発振回路内のコンデンサーを急
速に充電させ、発振周波数を早めるようにされている。
2. Description of the Related Art In a quasi-resonant switching power supply circuit, a power MOSFET connected to a primary winding of a transformer is used.
The fall of the counter electromotive voltage that occurs when T is turned off is detected from the auxiliary winding, and the capacitor in the oscillation circuit of the IC is rapidly charged to accelerate the oscillation frequency.

【0003】図8は従来の擬似共振方式スイッチング電
源回路に用いた集積回路部分のブロック図である。破線
の枠は集積回路Q単体で、Vcc端子、TRG端子、F
B端子、SENSE端子、GATE端子及びGND端子
を有する。前記集積回路QはパッケージPに組み込まれ
る。前記パッケージPにはVcc端子、TRG端子
、FB端子、SOURCE端子及びDRAIN端
子を有する。
FIG. 8 is a block diagram of an integrated circuit portion used in a conventional quasi-resonant switching power supply circuit. The frame of the broken line is the integrated circuit Q alone, Vcc terminal, TRG terminal, F
It has a B terminal, a SENSE terminal, a GATE terminal and a GND terminal. The integrated circuit Q is incorporated in the package P. The package P has a Vcc terminal, a TRG terminal, an FB terminal, a SOURCE terminal, and a DRAIN terminal.

【0004】前記Vcc端子とVcc端子、TRG端
子とTRG端子及びFB端子とFB端子とは接続さ
れ、又前記SOURCE端子とDRAIN端子間に
はパワーMOSFET1のソース・ドレインが接続され
ている。またパワーMOSFET1のドレインにはセン
サーMOSFET2のドレイン電極が接続されている。
The Vcc terminal and the Vcc terminal, the TRG terminal and the TRG terminal, the FB terminal and the FB terminal are connected, and the source / drain of the power MOSFET 1 is connected between the SOURCE terminal and the DRAIN terminal. The drain electrode of the sensor MOSFET 2 is connected to the drain of the power MOSFET 1.

【0005】発振回路3は鋸歯状波信号を発生する発振
器で、フイックス回路4から充電信号が加わるとMOS
FET5がONされ、該MOSFET5を介しても前記
発振回路3内のコンデンサーCに充電し、充電される速
度を早める。前記発振された鋸歯状波信号は発振エッジ
回路8でパルス信号に変換され、ラッチ回路9に加わ
る。
The oscillating circuit 3 is an oscillator for generating a sawtooth wave signal. When the charging signal is applied from the fix circuit 4, the oscillating circuit 3 is a MOS.
The FET 5 is turned on, and the capacitor C in the oscillation circuit 3 is also charged through the MOSFET 5 to accelerate the charging speed. The oscillated sawtooth wave signal is converted into a pulse signal by the oscillating edge circuit 8 and applied to the latch circuit 9.

【0006】前記充電信号はトリガー信号TRGと周波
数制限信号とをフイックス回路4で論理演算し得られ
る。前記トリガー信号TRGはパワーMOSFET1が
OFFする時に後述するトランスの補助巻線から発生す
る信号に関連してトリガー端子TRGにトリガー端子
信号を発生する。そしてトリガー検出回路6で前記トリ
ガー端子信号を検出し得る。また周波数制限信号は発振
回路3からの信号がフイックス回路4に帰還され、発振
信号がH(ハイ)からL(ロー)或いはLからHに切り
替わった瞬間からある一定期間遅れて前記フイックス回
路4内で生成する。
The charging signal can be obtained by logically operating the trigger signal TRG and the frequency limiting signal in the fix circuit 4. The trigger signal TRG generates a trigger terminal signal at the trigger terminal TRG in association with a signal generated from the auxiliary winding of the transformer described later when the power MOSFET 1 is turned off. Then, the trigger detection circuit 6 can detect the trigger terminal signal. In the frequency limiting signal, the signal from the oscillating circuit 3 is fed back to the fix circuit 4, and a certain period of time elapses after the oscillating signal is switched from H (high) to L (low) or from L to H. Generate with.

【0007】基準電圧発生回路10はVcc端子に加
えられた電源電圧Vccから基準電圧Vrefを発生す
る。低電圧検出回路11は電源電圧Vccと所定電圧と
を比較し、電源電圧Vccが所定電圧以下の場合は停止
信号を発生し、電源電圧Vccが所定電圧以上になると
停止解除信号を発生し、前記発振回路3を発振する。
Reference voltage generating circuit 10 generates reference voltage Vref from power supply voltage Vcc applied to the Vcc terminal. The low voltage detection circuit 11 compares the power supply voltage Vcc with a predetermined voltage, generates a stop signal when the power supply voltage Vcc is equal to or lower than a predetermined voltage, and generates a stop release signal when the power supply voltage Vcc is equal to or higher than the predetermined voltage. The oscillator circuit 3 is oscillated.

【0008】高電圧検出回路12は逆に前記電源電圧V
ccが規定電圧より高い場合に停止信号を検出しラッチ
回路9に加え、ラッチする。異常過熱検出回路13はチ
ップが異常な温度上昇を検出するもので、チップが異常
な温度まで上昇すると停止信号をラッチ回路9に加えラ
ッチする。
On the contrary, the high-voltage detection circuit 12 has the power supply voltage V
When cc is higher than the specified voltage, a stop signal is detected and applied to the latch circuit 9 for latching. The abnormal overheat detection circuit 13 detects an abnormal temperature rise of the chip. When the chip rises to an abnormal temperature, a stop signal is applied to the latch circuit 9 and latched.

【0009】発振レベル比較回路15は前記基準電圧発
生回路10からの基準電圧VrefとFB端子よりの
負荷電圧に応じて供給される電圧及びセンサーMOSF
ET2を介して加えられる電圧との和電圧を比較し、基
準電圧が大きいときには発生される信号はローレベルで
ある。しかし前記負荷電圧等に応じて供給される電圧が
基準電圧より大きくなると前記発振レベル比較回路15
からハイレベルの信号を発生する。
The oscillation level comparison circuit 15 is supplied with the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 10 and the load voltage from the FB terminal and the sensor MOSF.
The sum voltage is compared with the voltage applied via ET2, and when the reference voltage is high, the signal generated is low level. However, when the voltage supplied according to the load voltage or the like becomes higher than the reference voltage, the oscillation level comparison circuit 15
Generates a high level signal from.

【0010】パルス幅変調回路16はRS−フリップフ
ロップよりなり、SET端子Sには前記ラッチ回路9を
通過したパルス信号がインバータ回路17を介して加え
られる。又RSET端子Rには発振レベル比較回路39
からの信号が加えられる。前記パルス幅変調回路16の
Qバー端子よりの信号はドライバー18を介して前記パ
ワーMOSFET1とセンサーMOSFET2のゲート
に加えられる。
The pulse width modulation circuit 16 is composed of an RS flip-flop, and the pulse signal passing through the latch circuit 9 is applied to the SET terminal S via the inverter circuit 17. Further, the RSET terminal R has an oscillation level comparison circuit 39
The signal from is added. The signal from the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 is applied to the gates of the power MOSFET 1 and the sensor MOSFET 2 via the driver 18.

【0011】図2は前記集積回路Qを用いた擬似共振方
式スイッチング電源回路の回路図である。全波整流回路
20にはチョークコイル21を介して端子Xと端子Yの
商業電源Vinが加えられる。トランス22は一次側巻
線23と出力電圧を取り出す二次側巻線24及び補助巻
線25よりなる。前記一次側巻線23の一端に前記全波
整流回路20の端子Sに接続され、他端がパッケージP
のDRAIN端子に接続され、MOSFET1のドレ
イン・ソース電極を介して前記全波整流回路20の端子
Tに接続されている。
FIG. 2 is a circuit diagram of a quasi-resonant switching power supply circuit using the integrated circuit Q. A commercial power supply Vin for terminals X and Y is applied to the full-wave rectifier circuit 20 via a choke coil 21. The transformer 22 includes a primary winding 23, a secondary winding 24 for extracting an output voltage, and an auxiliary winding 25. One end of the primary winding 23 is connected to the terminal S of the full-wave rectifier circuit 20, and the other end is connected to the package P.
Connected to the terminal T of the full-wave rectifier circuit 20 via the drain / source electrode of the MOSFET 1.

【0012】平滑回路27は前記全波整流回路20で整
流された直流電圧を平滑する。前記整流し平滑された直
流電圧は起動抵抗28を介してパッケージPのVCC端
子に加えられ集積回路の電源電圧Vccとなる。又補
助巻線25の一端はダイオード30を介して前記Vcc
端子に接続される。更に抵抗45を介してTRG端子
にも接続されている。
The smoothing circuit 27 smoothes the DC voltage rectified by the full-wave rectifying circuit 20. The rectified and smoothed DC voltage is applied to the VCC terminal of the package P via the starting resistor 28 and becomes the power supply voltage Vcc of the integrated circuit. Further, one end of the auxiliary winding 25 is connected to the Vcc via the diode 30.
Connected to the terminal. Further, it is also connected to the TRG terminal via the resistor 45.

【0013】トランス22の二次側巻線24にはダイオ
ード31及びコンデンサ32が接続されている。フォト
カプラ33は発光ダイオード34とフォトトランジスタ
35とよりなり、フォトトランジスタ35の一端は抵抗
36及び抵抗37が接続されている。
A diode 31 and a capacitor 32 are connected to the secondary winding 24 of the transformer 22. The photocoupler 33 includes a light emitting diode 34 and a phototransistor 35, and a resistor 36 and a resistor 37 are connected to one end of the phototransistor 35.

【0014】トランジスタ40は端子Mと端子Nから取
り出される負荷電圧の変化を検出するもので、ベースに
分割抵抗41、42が接続され、エミッタにツエーナー
ダイオード43が接続されている。
The transistor 40 detects a change in the load voltage taken out from the terminals M and N, and has dividing resistors 41 and 42 connected to the base and a Zener diode 43 connected to the emitter.

【0015】次に動作を説明する。今端子Xと端子Y間
に加えられた商業電源は全波整流回路20で整流され、
平滑回路27で平滑された後起動抵抗28を介してパッ
ケージPのVcc端子に電源電圧Vccとして加えら
れる。
Next, the operation will be described. The commercial power supply now applied between terminals X and Y is rectified by the full-wave rectifier circuit 20,
After being smoothed by the smoothing circuit 27, it is applied as a power supply voltage Vcc to the Vcc terminal of the package P via the starting resistor 28.

【0016】前記Vcc端子に電源電圧Vccが加え
られると基準電圧発生回路10より基準電圧Vrefを
発生する。前記電源電圧Vccが設定電圧以上になると
低電圧検出回路11からの停止解除信号が発振回路3に
加わり、前記発振回路3より鋸波状波信号を発生する。
When the power supply voltage Vcc is applied to the Vcc terminal, the reference voltage generating circuit 10 generates the reference voltage Vref. When the power supply voltage Vcc becomes equal to or higher than the set voltage, the stop release signal from the low voltage detection circuit 11 is applied to the oscillation circuit 3, and the oscillation circuit 3 generates a sawtooth wave signal.

【0017】前記鋸歯状波信号は発振エッジ回路8に加
わり、パルス信号に変換されラッチ回路9に加わる。こ
のとき高電圧検出回路12からは停止信号が検出されな
いので、前記パルス信号はラッチ回路9及びインバータ
回路17を介してパルス幅変調回路15のSET端子S
に加わる。
The sawtooth wave signal is applied to the oscillation edge circuit 8, converted into a pulse signal and applied to the latch circuit 9. At this time, since the stop signal is not detected from the high voltage detection circuit 12, the pulse signal is transmitted through the latch circuit 9 and the inverter circuit 17 to the SET terminal S of the pulse width modulation circuit 15.
Join in.

【0018】図3に示すように、パルス幅変調回路16
のSET端子Sにパルス信号が加わると、前記パルス幅
変調回路16は反転し、Qバー端子の信号はローレベル
となる。このときドライバー18には低電圧検出回路1
1よりの停止解除信号が加えられているので、前記ドラ
イバー回路18は動作状態となっている。前記パルス幅
変調回路16のQバー端子のローレベル信号はドライバ
ー回路18でハイレベル信号に反転され、パワーMOS
FET1及びセンサーMOSFET2のそれぞれのゲー
トに加わる。
As shown in FIG. 3, the pulse width modulation circuit 16
When a pulse signal is applied to the SET terminal S of, the pulse width modulation circuit 16 is inverted and the signal at the Q bar terminal becomes low level. At this time, the driver 18 has the low voltage detection circuit 1
Since the stop release signal from 1 is applied, the driver circuit 18 is in the operating state. The low level signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 is inverted to a high level signal by the driver circuit 18, and the power MOS
It is added to the respective gates of FET1 and sensor MOSFET2.

【0019】前記パワーMOSFET1及びセンサーM
OSFET2のゲートに前記ドライバー回路18で反転
されたハイレベル信号が加わると、これらパワーMOS
FET1及びセンサーMOSFET2をONされる。す
るとパワーMOSFET1のドレイン・ソースを介して
トランスの一次側巻線に前記整流され平滑された直流電
圧が加わる。
The power MOSFET 1 and the sensor M
When a high level signal inverted by the driver circuit 18 is applied to the gate of the OSFET 2, these power MOS
The FET1 and the sensor MOSFET2 are turned on. Then, the rectified and smoothed DC voltage is applied to the primary winding of the transformer via the drain / source of the power MOSFET 1.

【0020】前記トランス22の一次側巻線23に加え
られた直流電圧に応じてトランス22の二次側巻線24
に所定の二次電圧が得られる。前記得られた二次電圧は
ダイオード31及びコンデンサ32で整流平滑され、端
子Mと端子Nから取り出され負荷電圧として負荷に供給
される。
The secondary winding 24 of the transformer 22 is responsive to the DC voltage applied to the primary winding 23 of the transformer 22.
Then, a predetermined secondary voltage is obtained. The obtained secondary voltage is rectified and smoothed by the diode 31 and the capacitor 32, taken out from the terminals M and N, and supplied to the load as a load voltage.

【0021】そのため前記パワーMOSFET1のドレ
イン・ソースを介して機器にあるトランス22の一次側
巻線23に商業電源から整流された電流が流れる。前記
トランスの22一次側巻線23に流れる電流に応じてト
ランス22の二次側巻線24に電流が流れ所定の負荷電
圧が得られる。
Therefore, a rectified current from the commercial power source flows through the primary winding 23 of the transformer 22 in the device via the drain / source of the power MOSFET 1. A current flows through the secondary winding 24 of the transformer 22 according to the current flowing through the primary winding 22 of the transformer 22 to obtain a predetermined load voltage.

【0022】前記負荷電圧が所定の電圧以下且つパワー
MOSFET1のドレイン電流値が基準値以下のときは
パルス幅変調回路16はSETし続けるので、パルス幅
変調回路16のQバー端子の信号はローレベルのままで
パワーMOSFET1はONし続ける。
When the load voltage is equal to or lower than the predetermined voltage and the drain current value of the power MOSFET 1 is equal to or lower than the reference value, the pulse width modulation circuit 16 continues to set, so that the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 is at a low level. The power MOSFET 1 continues to be turned on as it is.

【0023】前記端子M及び端子Nより取り出された負
荷電圧の変化は分割抵抗41、42で検出され、トラン
ジスタ40のベース電圧を変化する。即ち負荷電圧が上
がるとトランジスタ40のベース電圧は上昇し、トラン
ジスタ40を介して発光ダイオード34に流れる電流I
Dが増加し発光も増加する。それによりフォトトランジ
スタ35の抵抗値が下がり、端子に加わるフィードバ
ック電圧FBが大きくなる。
The change in the load voltage taken out from the terminals M and N is detected by the dividing resistors 41 and 42, and the base voltage of the transistor 40 is changed. That is, when the load voltage rises, the base voltage of the transistor 40 rises, and the current I flowing through the light emitting diode 34 through the transistor 40.
D increases and light emission also increases. As a result, the resistance value of the phototransistor 35 decreases, and the feedback voltage FB applied to the terminal increases.

【0024】前記発振レベル比較回路15に加えられる
負荷電圧に応じたフィードバック電圧FBとセンサーM
OSFET2を介して加えられる電圧との和電圧が前記
基準電圧発生回路10からの基準電圧Vrefより僅か
でも大きくなると、前記発振レベル比較回路15からハ
イレベルの信号を発生し、パルス幅変調回路16のRS
ET端子Rにリセット信号を加え、前記パルス幅変調回
路16のQバー端子の信号をハイレベルにする。
The feedback voltage FB corresponding to the load voltage applied to the oscillation level comparison circuit 15 and the sensor M
When the sum voltage with the voltage applied through the OSFET 2 becomes slightly larger than the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 10, the oscillation level comparison circuit 15 generates a high level signal and the pulse width modulation circuit 16 outputs RS
A reset signal is applied to the ET terminal R to bring the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 to a high level.

【0025】従ってドライバー回路18を介してパワー
MOSFET1のゲートに加わる信号がローレベルとな
るため、前記パワーMOSFET1はOFFされるの
で、機器にあるトランス22の一次側巻線23に商業電
源からの電流は流れない。
Therefore, since the signal applied to the gate of the power MOSFET 1 via the driver circuit 18 becomes low level, the power MOSFET 1 is turned off, and the current from the commercial power source is supplied to the primary side winding 23 of the transformer 22 in the equipment. Does not flow.

【0026】図4に示すように前記パワーMOSFET
1のドレイ・ソース間電圧VDSはパワーMOSFET
1がOFFした瞬間に、トランス22の一次側巻線23
に蓄えられたエネルギーによって発生する逆起電圧によ
り一旦上昇し、そのエネルギーの放出が終了したと同時
に低下するが、このとき一次側巻線23に応じて発生す
る補助巻線25の電圧を抵抗45及びTRG端子とGN
D間に設けたコンデンサCOとにより積分して、TRG
端子信号を生成し、TRG端子に加える。前記TRG
端子に加えられたTRG端子信号はトリガー検出回路
6に加えられトリガー信号を生成する。
As shown in FIG. 4, the power MOSFET
1 Drain-source voltage VDS is power MOSFET
At the moment when 1 is turned off, the primary winding 23 of the transformer 22
The voltage once rises due to the counter electromotive voltage generated by the energy stored in the capacitor and then decreases at the same time when the release of the energy is completed. At this time, the voltage of the auxiliary winding 25 generated according to the primary winding 23 is changed by the resistor 45. And TRG terminal and GN
TRG is integrated by the capacitor CO provided between D and
A terminal signal is generated and added to the TRG terminal. The TRG
The TRG terminal signal applied to the terminal is applied to the trigger detection circuit 6 to generate a trigger signal.

【0027】生成されたトリガー信号TRGはフイック
ス回路4に加わる。図5に示すように、前記フイックス
回路4では内部で生成された発振制限信号と前記トリガ
ー信号とを論理演算し、共にローレベルのとき充電信号
を発生する。するとMOSFET5がONされ、MOS
FET5を介してもコンデンサーCを充電するので、前
記コンデンサーCの充電が早められた鋸歯状波信号を発
振する。
The generated trigger signal TRG is applied to the fix circuit 4. As shown in FIG. 5, the fix circuit 4 logically operates the internally generated oscillation limiting signal and the trigger signal, and generates a charging signal when both are at a low level. Then, the MOSFET 5 is turned on and the MOS
Since the capacitor C is also charged through the FET 5, the charging of the capacitor C is accelerated to generate a sawtooth wave signal.

【0028】前記発振回路3から発振された鋸歯状波信
号は、前記発振エッジ回路8でパルス信号に変換されパ
ルス幅変調回路16のSET端子に加わり、前記パルス
幅変調回路16のQバー端子の信号は再びローレベルと
なる。前記パルス幅変調回路16のQバー端子のローレ
ベル信号はドライバー回路18を介してパワーMOSF
ET1及びセンサーMOSFET2のそれぞれのゲート
に加わり、これらパワーMOSFET1及びセンサーM
OSFET2をONする。
The sawtooth wave signal oscillated from the oscillating circuit 3 is converted into a pulse signal by the oscillating edge circuit 8 and applied to the SET terminal of the pulse width modulating circuit 16, and the Q bar terminal of the pulse width modulating circuit 16 is connected. The signal goes low again. The low level signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 is passed through the driver circuit 18 to the power MOSF
The power MOSFET 1 and the sensor M are added to the respective gates of the ET1 and the sensor MOSFET2.
Turn on OSFET2.

【0029】そのためパワーMOSFET1のドレイン
・ソースを介して機器にあるトランス22の一次側巻線
23に商業電源から整流された電流が流れる。前記トラ
ンスの22一次側巻線23に流れる電流に応じてトラン
ス22の二次側巻線24に電流が流れ所定の負荷電圧が
得られる。
Therefore, a rectified current from the commercial power source flows through the primary winding 23 of the transformer 22 in the device via the drain / source of the power MOSFET 1. A current flows through the secondary winding 24 of the transformer 22 according to the current flowing through the primary winding 22 of the transformer 22 to obtain a predetermined load voltage.

【0030】[0030]

【発明が解決しようとする課題】前述の擬似共振スイッ
チング電源回路において、トランスの一次巻線に接続さ
れたパワーMOSFETがOFFされるとき関連して発
生されるTRG端子信号に基いてトリガー信号を検出
し、そのトリガー信号で発振回路のコンデンサーを急速
に充電し、発振周波数を早めている。前記発振周波数が
早くなり過ぎないようにするために、発振回路からの帰
還信号に関連して周波数制限信号を生成し、前記トリガ
ー信号と周波数制限信号との論理演算を行って充電信号
を発生し、コンデンサーを充電するか、否かの判断を行
っている。
In the above quasi-resonant switching power supply circuit, the trigger signal is detected based on the TRG terminal signal generated when the power MOSFET connected to the primary winding of the transformer is turned off. Then, the trigger signal rapidly charges the capacitor of the oscillator circuit to accelerate the oscillation frequency. In order to prevent the oscillation frequency from becoming too fast, a frequency limiting signal is generated in association with a feedback signal from the oscillation circuit, and a charge signal is generated by performing a logical operation of the trigger signal and the frequency limiting signal. , To determine whether to charge the capacitor.

【0031】ところで図4に示すように、軽負荷のとき
は負荷電圧が高く、少ない電流IDで前記フイードバッ
ク電圧FBが所定電圧以上となる。従って発振レベル比
較回路に加えられるフィードバック電圧FBとセンサー
MOSFETを介して加えられる電圧との和電圧が前記
基準電圧発生回路からの基準電圧Vrefより大きくな
り、発振パワーMOSFETを早くOFFさせる。その
ためパワーMOSFETのON/OFF周期が短くな
る。
By the way, as shown in FIG. 4, when the load is light, the load voltage is high, and the feedback voltage FB becomes a predetermined voltage or more with a small current ID. Therefore, the sum voltage of the feedback voltage FB applied to the oscillation level comparison circuit and the voltage applied via the sensor MOSFET becomes larger than the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit, and the oscillation power MOSFET is turned off quickly. Therefore, the ON / OFF cycle of the power MOSFET becomes short.

【0032】一方図5示すように、パワーMOSFET
のON/OFF周期が短くなり、前記発振周波数が制限
値付近になった場合に、トリガー信号と周波数制限信号
とにずれを生じ、充電信号のパルス幅が小さくなる。
On the other hand, as shown in FIG. 5, a power MOSFET
When the ON / OFF cycle of is shortened and the oscillation frequency is close to the limit value, the trigger signal and the frequency limit signal are displaced from each other, and the pulse width of the charging signal is reduced.

【0033】図7に示すように、充電信号のパルス幅が
小さくなると、コンデンサーは十分に充電されずドレイ
ン・ソース間電圧が最低値のときゲートがONするゼロ
クロス発振動作にならない異常な発振を引き起こす。
As shown in FIG. 7, when the pulse width of the charging signal becomes small, the capacitor is not sufficiently charged and the gate is turned on when the drain-source voltage is at the minimum value, causing abnormal oscillation that does not result in zero-cross oscillation operation. .

【0034】[0034]

【課題を解決するための手段】本発明は発振回路から発
振される発振信号によりパルス変調回路をセットし、ト
ランスの一次巻線とアース間に接続されたパワースイッ
チング素子をONし、負荷電圧の大きさに応じて帰還さ
れるフイードバック電圧が所定電圧以上になったときに
発生する信号で前記パルス変調回路をリセットし前記パ
ワースイッチング素子をOFFする擬似共振方式スイッ
チング電源回路において、前記スイッチング素子がOF
Fすることに関連して発生する信号に基いてトリガー信
号を検出するトリガー検出回路と、前記トリガー信号と
発振回路から帰還される信号に基いて発生される発振周
波数制限信号とを論理演算しセット信号を発生するフイ
ックス回路と、前記フイックス回路からのセット信号で
一定パルス幅以上の充電信号を発生する充電信号発生回
路とよりなり、前記充電信号でスイッチング素子をON
し発振回路のコンデンサーを十分に充電させることを特
徴とする擬似共振方式スイッチング電源回路を提供す
る。
According to the present invention, a pulse modulation circuit is set by an oscillation signal oscillated from an oscillation circuit, a power switching element connected between a primary winding of a transformer and a ground is turned on, and a load voltage In a quasi-resonant switching power supply circuit that resets the pulse modulation circuit and turns off the power switching element with a signal generated when the feedback voltage fed back according to the magnitude exceeds a predetermined voltage, the switching element is OF
A trigger detection circuit for detecting a trigger signal based on a signal generated in relation to the F, and an oscillation frequency limiting signal generated based on the trigger signal and a signal fed back from the oscillation circuit are logically operated and set. It comprises a fix circuit for generating a signal and a charge signal generating circuit for generating a charge signal having a fixed pulse width or more by a set signal from the fix circuit, and the switching element is turned on by the charge signal.
Provided is a quasi-resonant switching power supply circuit, which is characterized in that a capacitor of an oscillation circuit is sufficiently charged.

【0035】本発明は前記充電信号発生回路はRS−F
Fである擬似共振方式スイッチング電源回路を提供す
る。
In the present invention, the charging signal generating circuit is RS-F.
A quasi-resonant switching power supply circuit that is F is provided.

【0036】本発明は前記RS−FFはフイックス回路
からのパルス信号でセットし、発振回路より前記コンデ
ンサーの充電終了時に発生するリセット信号でリセット
する擬似共振方式スイッチング電源回路を提供する。
The present invention provides a quasi-resonant switching power supply circuit in which the RS-FF is set by a pulse signal from a fix circuit and reset by a reset signal generated at the end of charging of the capacitor by an oscillation circuit.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】本発明を図1から図6に従い説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described with reference to FIGS.

【0038】図1は本発明のスイッチング電源回路に用
いた集積回路のブロック図である。基本的な動作原理お
よび回路構成は従来に技術の欄で説明したものと同じで
あるので、簡単に説明する。
FIG. 1 is a block diagram of an integrated circuit used in the switching power supply circuit of the present invention. The basic operating principle and the circuit configuration are the same as those described in the section of the related art, and thus will be briefly described.

【0039】パッケージPのDRAIN端子とSOU
RCE端子間にはパワーMOSFET1のソース電極
・ドレイン電極が接続されている。またパワーMOSF
ET1のドレイン電極にはセンサーMOSFET2のド
レイン電極が接続されている。
DRAIN terminal of package P and SOU
The source electrode / drain electrode of the power MOSFET 1 is connected between the RCE terminals. Also power MOSF
The drain electrode of the sensor MOSFET 2 is connected to the drain electrode of ET1.

【0040】発振回路3は鋸歯状波信号を発生する発振
器で、フイックス回路4から充電信号Jが加わるとMO
SFET5がONされ、前記発振回路3内のコンデンサ
ーCに前記MOSFET5を介しても充電し、充電され
る速度を早める。前記発振された鋸歯状波信号は発振エ
ッジ回路8でパルス信号に変換され、ラッチ回路9に加
わる。
The oscillating circuit 3 is an oscillator which generates a sawtooth wave signal, and when the charging signal J is applied from the fix circuit 4, the oscillator circuit 3
The SFET 5 is turned on, and the capacitor C in the oscillation circuit 3 is also charged through the MOSFET 5 to accelerate the charging speed. The oscillated sawtooth wave signal is converted into a pulse signal by the oscillating edge circuit 8 and applied to the latch circuit 9.

【0041】前記フイックス回路4はトリガー検出回路
6から検出されるトリガー信号TRGと、周波数制限信
号との論理演算しセット信号を発生する。RS−FF7
は前記セット信号がセット端子Sに加わることによりセ
ットされ充電信号Jを発生し、発振回路3からコンデン
サーCが100%充電されたとき発生するリセット信号
がリセット端子に加わることによりリセットされる。
The fix circuit 4 logically operates the trigger signal TRG detected by the trigger detection circuit 6 and the frequency limiting signal to generate a set signal. RS-FF7
Is reset by applying the set signal to the set terminal S to generate the charge signal J, and applying the reset signal generated when the capacitor C is fully charged from the oscillator circuit 3 to the reset terminal.

【0042】図4に示すように、前記トリガー信号TR
GはパワーMOSFET1がOFFした瞬間に、トラン
ス22の一次側巻線23に蓄えられたエネルギーによっ
て発生する逆起電圧により一旦上昇し、エネルギーの放
出が終了したと同時に低下するが、このとき一次側巻線
22に応じて発生する補助巻線25の電圧を抵抗45及
びTRG端子とGND間に設けたコンデンサCOとによ
り積分して、TRG端子信号を生成し、TRG端子に
加える。
As shown in FIG. 4, the trigger signal TR
G rises once due to the counter electromotive voltage generated by the energy stored in the primary winding 23 of the transformer 22 at the moment when the power MOSFET 1 is turned off, and then decreases at the same time when the energy release is completed. The voltage of the auxiliary winding 25 generated according to the winding 22 is integrated by the resistor 45 and the capacitor CO provided between the TRG terminal and GND to generate a TRG terminal signal, which is applied to the TRG terminal.

【0043】また周波数制限信号は発振回路3からの信
号がフイックス回路4に帰還され、発振信号がH(ハ
イ)からL(ロー)或いはLからHに切り替わった瞬間
からある一定期間後に前記フイックス回路4内で生成さ
れる。
As for the frequency limiting signal, the signal from the oscillation circuit 3 is fed back to the fix circuit 4, and the fixed frequency period is passed after a certain period from the moment when the oscillation signal is switched from H (high) to L (low) or from L to H. Generated within 4.

【0044】次に動作を説明する。図2に示す端子Xと
端子Y間に加えられた商業電源は全波整流回路20で整
流され、平滑回路27で平滑された後起動抵抗28を介
してパッケージPのVcc端子に電源電圧Vccとし
て加えられる。
Next, the operation will be described. The commercial power source applied between the terminals X and Y shown in FIG. 2 is rectified by the full-wave rectifier circuit 20, smoothed by the smoothing circuit 27, and then is supplied to the Vcc terminal of the package P as the power source voltage Vcc via the starting resistor 28. Added.

【0045】前記Vcc端子に電源電圧Vccが加え
られると基準電圧発生回路10より基準電圧Vrefを
発生する。前記電源電圧Vccが設定電圧以上になると
低電圧検出回路10からの停止解除信号が発振回路3に
加わり、前記発振回路3より鋸波状波信号を発生する。
When the power supply voltage Vcc is applied to the Vcc terminal, the reference voltage generating circuit 10 generates the reference voltage Vref. When the power supply voltage Vcc becomes equal to or higher than the set voltage, the stop release signal from the low voltage detection circuit 10 is applied to the oscillation circuit 3, and the oscillation circuit 3 generates a sawtooth wave signal.

【0046】前記鋸歯状波信号は発振エッジ回路8に加
わり、パルス信号に変換されラッチ回路9に加わる。こ
のとき高電圧検出回路12からは停止信号が検出されな
いので、前記パルス信号はラッチ回路9及びインバータ
回路17を介してパルス幅変調回路16のSET端子S
に加わる。
The sawtooth wave signal is applied to the oscillation edge circuit 8, converted into a pulse signal and applied to the latch circuit 9. At this time, since the stop signal is not detected from the high voltage detection circuit 12, the pulse signal is transmitted through the latch circuit 9 and the inverter circuit 17 to the SET terminal S of the pulse width modulation circuit 16.
Join in.

【0047】図3に示すように、パルス幅変調回路16
のSET端子Sにパルス信号が加わると、前記パルス幅
変調回路16は反転し、Qバー端子の信号はローレベル
となる。このときドライバー18には低電圧検出回路1
1よりの停止信号が加えられているので、前記ドライバ
ー回路11は動作状態となっている。前記パルス幅変調
回路16のQバー端子のローレベル信号はドライバー回
路18でハイレベル信号に反転され、パワーMOSFE
T1及びセンサーMOSFET2のそれぞれのゲートに
加わる。
As shown in FIG. 3, the pulse width modulation circuit 16
When a pulse signal is applied to the SET terminal S of, the pulse width modulation circuit 16 is inverted and the signal at the Q bar terminal becomes low level. At this time, the driver 18 has the low voltage detection circuit 1
Since the stop signal from 1 is applied, the driver circuit 11 is in the operating state. The low level signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 is inverted to a high level signal by the driver circuit 18, and the power MOSFE
Add to the respective gates of T1 and sensor MOSFET2.

【0048】前記パワーMOSFET1及びセンサーM
OSFET2のゲートに前記ドライバー回路18で反転
されたハイレベル信号が加わると、これらパワーMOS
FET1及びセンサーMOSFET2をONされる。す
るとパワーMOSFET1のドレイン・ソースを介して
トランスの一次側巻線に前記整流され平滑された直流電
圧が加わる。
The power MOSFET 1 and the sensor M
When a high level signal inverted by the driver circuit 18 is applied to the gate of the OSFET 2, these power MOS
The FET1 and the sensor MOSFET2 are turned on. Then, the rectified and smoothed DC voltage is applied to the primary winding of the transformer via the drain / source of the power MOSFET 1.

【0049】前記トランス22の一次側巻線24に加え
られた直流電圧に応じてトランス22の二次側巻線24
に所定の二次電圧が得られる。前記得られた二次電圧は
ダイオード31及びコンデンサー32で整流平滑され、
端子Mと端子Nから取り出され負荷電圧として負荷に供
給される。
The secondary winding 24 of the transformer 22 is responsive to the DC voltage applied to the primary winding 24 of the transformer 22.
Then, a predetermined secondary voltage is obtained. The obtained secondary voltage is rectified and smoothed by the diode 31 and the capacitor 32,
It is taken out from the terminals M and N and supplied to the load as a load voltage.

【0050】そのため前記パワーMOSFET1のドレ
イン・ソースを介して機器にあるトランス22の一次側
巻線23に商業電源から整流された電流が流れる。前記
トランスの22一次側巻線23に流れる電流に応じてト
ランス22の二次側巻線24に電流が流れ所定の負荷電
圧が得られる。
Therefore, a rectified current from the commercial power source flows through the primary winding 23 of the transformer 22 in the device via the drain / source of the power MOSFET 1. A current flows through the secondary winding 24 of the transformer 22 according to the current flowing through the primary winding 22 of the transformer 22 to obtain a predetermined load voltage.

【0051】前記負荷電圧が所定の電圧以下且つパワー
MOSFET1のドレイン電流値が基準値以下のとき、
パルス幅変調回路16はSETし続けるので、パルス幅
変調回路16のQバー端子の信号はローレベルのままで
パワーMOSFET1はONし続ける。
When the load voltage is below a predetermined voltage and the drain current value of the power MOSFET 1 is below a reference value,
Since the pulse width modulation circuit 16 continues to set, the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 remains low level and the power MOSFET 1 continues to be turned on.

【0052】前記端子M及び端子Nより取り出された負
荷電圧の変化は分割抵抗41、42で検出され、トラン
ジスタ40のベース電圧を変化する。即ち負荷電圧が上
がるとトランジスタ40のベース電圧は上昇し、トラン
ジスタ40を介して発光ダイオード34に流れる電流I
Dが増加し発光も増加する。それによりフォトトランジ
スタ35の抵抗値が下がり、端子に加わるフィードバ
ック電圧FBが大きくなる。
The change in the load voltage taken out from the terminals M and N is detected by the dividing resistors 41 and 42, and the base voltage of the transistor 40 is changed. That is, when the load voltage rises, the base voltage of the transistor 40 rises, and the current I flowing through the light emitting diode 34 through the transistor 40.
D increases and light emission also increases. As a result, the resistance value of the phototransistor 35 decreases, and the feedback voltage FB applied to the terminal increases.

【0053】前記発振レベル比較回路15に加えられる
負荷電圧に応じたフィードバック電圧FBとセンサーM
OSFET2を介して加えられる電圧との和電圧が前記
基準電圧発生回路10からの基準電圧Vrefより僅か
でも大きくなると、前記発振レベル比較回路15からハ
イレベルの信号を発生し、パルス幅変調回路16のRS
ET端子Rにリセット信号を加え、前記パルス幅変調回
路16のQバー端子の信号をハイレベルにする。
The feedback voltage FB corresponding to the load voltage applied to the oscillation level comparison circuit 15 and the sensor M
When the sum voltage with the voltage applied through the OSFET 2 becomes slightly larger than the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 10, the oscillation level comparison circuit 15 generates a high level signal and the pulse width modulation circuit 16 outputs RS
A reset signal is applied to the ET terminal R to bring the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 to a high level.

【0054】従ってドライバー回路18を介してパワー
MOSFET1のゲートに加わる信号がローレベルとな
るため、前記パワーMOSFET1はOFFされるの
で、機器にあるトランス22の一次側巻線23に商業電
源からの電流は流れない。
Therefore, since the signal applied to the gate of the power MOSFET 1 via the driver circuit 18 becomes low level, the power MOSFET 1 is turned off, and the current from the commercial power source is supplied to the primary winding 23 of the transformer 22 in the equipment. Does not flow.

【0055】図4に示すように、パワーMOSFET1
がOFFした瞬間に、トランス22の一次側巻線23に
蓄えられたエネルギーによって発生する逆起電圧により
一旦上昇し、そのエネルギーの放出が終了したと同時に
低下するが、このとき一次側巻線22に応じて発生する
補助巻線25の電圧を抵抗45及びTRG端子とGND
間に設けたコンデンサCOとにより積分して、TRG端
子信号を生成し、TRG端子に加える。
As shown in FIG. 4, the power MOSFET 1
At the moment when is turned off, the voltage temporarily rises due to the counter electromotive voltage generated by the energy stored in the primary winding 23 of the transformer 22 and then decreases at the same time when the release of the energy is finished. The voltage of the auxiliary winding 25 generated according to the
The TRG terminal signal is generated by integration with the capacitor CO provided between them, and is added to the TRG terminal.

【0056】前記TRG端子信号はトリガー検出回路6
に加えられ、トリガー信号TRGを生成する。生成され
たトリガー信号TRGはフイックス回路4に加わる。前
記フイックス回路4では内部で生成された発振制限信号
と前記トリガー信号とを論理演算し、共に負のときセッ
ト信号を発生する。
The TRG terminal signal is the trigger detection circuit 6
To generate a trigger signal TRG. The generated trigger signal TRG is applied to the fix circuit 4. The fix circuit 4 logically operates the internally generated oscillation limiting signal and the trigger signal, and generates a set signal when both are negative.

【0057】前記セット信号はRS−FF7に加わり、
該RS−FF7をセットし充電信号を発生する。それに
よりMOSFET5がONされ、MOSFET5を介し
てもコンデンサーCを充電するので、前記コンデンサー
Cの充電が早められた鋸歯状波信号を発振する。
The set signal is added to RS-FF7,
The RS-FF7 is set and a charging signal is generated. As a result, the MOSFET 5 is turned on, and the capacitor C is charged also via the MOSFET 5, so that the sawtooth wave signal in which the charging of the capacitor C is accelerated is oscillated.

【0058】前記発振回路3から発振された鋸歯状波信
号は、前記発振エッジ回路8でパルス信号に変換され、
パルス幅変調回路16のSET端子に加わり、前記パル
ス幅変調回路16のQバー端子の信号は再びローレベル
となる。前記パルス幅変調回路16のQバー端子のロー
レベル信号はパワーMOSFET1及びセンサーMOS
FET2のそれぞれのゲートに加わり、これらパワーM
OSFET1及びセンサーMOSFET2をONする。
The sawtooth wave signal oscillated from the oscillation circuit 3 is converted into a pulse signal by the oscillation edge circuit 8,
It is added to the SET terminal of the pulse width modulation circuit 16, and the signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 becomes low level again. The low level signal at the Q bar terminal of the pulse width modulation circuit 16 is the power MOSFET 1 and the sensor MOS.
These power M added to each gate of FET2
The OSFET1 and the sensor MOSFET2 are turned on.

【0059】そのためパワーMOSFET1のドレイン
・ソースを介して機器にあるトランス22の一次側巻線
23に商業電源から整流された電流が流れる。前記トラ
ンスの22一次側巻線23に流れる電流に応じてトラン
ス22の二次側巻線24に電流が流れ所定の負荷電圧が
得られる。
Therefore, a rectified current from the commercial power supply flows through the primary winding 23 of the transformer 22 in the device via the drain / source of the power MOSFET 1. A current flows through the secondary winding 24 of the transformer 22 according to the current flowing through the primary winding 22 of the transformer 22 to obtain a predetermined load voltage.

【0060】図4に示すように、重負荷のときは二次側
の電圧がやや低い為、発光ダイオード34が弱く、フォ
トトランジスタ35の抵抗値が高い為フィードバック電
圧FBが低く、パワーMOSFET1のドレイン電流I
Dが流れてもフィードバック電圧FBとセンサーMOS
FET2を介して加えられる電圧との和電圧が基準電圧
発生回路10からの基準電圧Vrefより直ぐに大きく
なることはない。
As shown in FIG. 4, when the load is heavy, the voltage on the secondary side is slightly low, so the light emitting diode 34 is weak, and the resistance value of the phototransistor 35 is high, so the feedback voltage FB is low, and the drain of the power MOSFET 1 is low. Current I
Even if D flows, feedback voltage FB and sensor MOS
The sum voltage with the voltage applied via the FET2 does not immediately become higher than the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 10.

【0061】しかし軽負荷のとき二次側の電圧がやや高
い為、発光ダイオード34が強く発光し、フォトトラン
ジスタ35の抵抗値が下がりフィードバック電圧FBが
高くなり、パワーーMOSFET1のドレイン電流ID
が少し流れただけでフィードバック電圧FBとセンサー
MOSFET2を介して加えられる電圧との和電圧が前
記基準電圧発生回路10からの基準電圧Vrefより大
きくなり、前記発振レベル比較回路15からハイレベル
の信号を発生し、前記パワーMOSFET1はOFFさ
れる。
However, when the load is light, the voltage on the secondary side is slightly high, so that the light emitting diode 34 emits light strongly, the resistance value of the phototransistor 35 decreases, the feedback voltage FB increases, and the drain current ID of the power MOSFET 1 increases.
The sum of the feedback voltage FB and the voltage applied via the sensor MOSFET 2 becomes larger than the reference voltage Vref from the reference voltage generation circuit 10, and a high level signal is output from the oscillation level comparison circuit 15. Occurs, the power MOSFET 1 is turned off.

【0062】前記パワーMOSFET1はOFFされる
と、前述したように、補助巻線25に発生する電圧から
TRG端子信号を生成し、TRG端子に加えられた後
トリガー検出回路6よりトリガー信号TRGを生成す
る。生成されたトリガー信号TRGはフイックス回路4
に加わる。従って前記フイックス回路4には発振回路3
からの発振制限信号が加わると、セット信号を発生す
る。
When the power MOSFET 1 is turned off, as described above, the TRG terminal signal is generated from the voltage generated in the auxiliary winding 25, and the trigger signal TRG is generated from the trigger detection circuit 6 after being applied to the TRG terminal. To do. The generated trigger signal TRG is the fix circuit 4
Join in. Therefore, the fix circuit 4 includes an oscillator circuit 3
When the oscillation limit signal from is added, a set signal is generated.

【0063】前記セット信号はRS−FF7に加わり、
該RS−FF7をセットし充電信号Jを発生する。それ
によりMOSFET5がONされ、MOSFET5を介
してもコンデンサーCを充電するので、前記コンデンサ
ーCの充電が早められ鋸歯状波信号の発振周波数を早め
る。
The set signal is added to RS-FF7,
The RS-FF7 is set and the charging signal J is generated. As a result, the MOSFET 5 is turned on, and the capacitor C is also charged through the MOSFET 5, so that the charging of the capacitor C is accelerated and the oscillation frequency of the sawtooth wave signal is accelerated.

【0064】前述したように、パワーMOSFET1の
OFFが早められると、前記コンデンサーCの充電が早
められ、発振周波数が高くなり発振周波数が制限値付近
になると、トリガー信号TRGと周波数制限信号との周
期がずれ、前記フイックス回路4からトリガー信号TR
Gと周波数制限信号を論理演算して得られるセット信号
のパルス幅が小さくなり、コンデンサーCが100%ま
で充電されない恐れがある。
As described above, when the power MOSFET 1 is turned off earlier, the capacitor C is charged earlier, and when the oscillation frequency becomes higher and the oscillation frequency becomes close to the limit value, the cycle of the trigger signal TRG and the frequency limit signal is increased. The trigger circuit TR from the fix circuit 4
The pulse width of the set signal obtained by logically operating G and the frequency limiting signal becomes small, and the capacitor C may not be charged to 100%.

【0065】しかし図6に示すように、本発明では前記
セット信号をRS−FF7に加え、該RS−FF7をセ
ットし充電信号Jを発生する。従ってフイックス回路4
から発生されるセット信号のパルス幅が小さくてもコン
デンサーCは常に100%充電される。従って常に発振
回路3から正常な鋸歯状波信号信号を発振する。
However, as shown in FIG. 6, in the present invention, the set signal is added to the RS-FF7, the RS-FF7 is set, and the charging signal J is generated. Therefore, fix circuit 4
The capacitor C is always charged 100% even if the pulse width of the set signal generated from is small. Therefore, the oscillator circuit 3 always oscillates a normal sawtooth wave signal signal.

【0066】[0066]

【発明の効果】本発明の擬似共振方式スイッチング電源
回路は負荷電圧を制御する前記スイッチング素子がOF
Fすることに関連してトリガー検出回路よりトリガー信
号を検出し、フイックス回路で前記トリガー信号と発振
周波数制限信号とを論理演算しセット信号を発生し、充
電信号発生回路より前記フイックス回路からのセット信
号で一定パルス幅以上の充電信号を発生するようにした
ので、軽負荷時に発振周波数が高まり、制限値付近にな
ってフイックス回路から検出されるセット信号のパルス
幅が小さくなっても発振回路のコンデンサーを十分に充
電できる。
According to the quasi-resonant switching power supply circuit of the present invention, the switching element for controlling the load voltage is OF.
The trigger signal is detected by the trigger detection circuit in relation to the operation of F, and the set signal is generated by logically operating the trigger signal and the oscillation frequency limiting signal by the fix circuit, and the set signal is set by the charge signal generating circuit from the fix circuit. Since a charging signal with a certain pulse width or more is generated by the signal, even if the oscillation frequency increases at light load and the pulse width of the set signal detected from the fix circuit becomes small near the limit value, the oscillation circuit Can fully charge the capacitor.

【0067】従って前記コンデンサーが充分に充電され
ず、ゼロクロスにならず異常発振を起こし、ノイズを発
生することを防止できる。
Therefore, it can be prevented that the capacitor is not sufficiently charged, does not become a zero cross and causes abnormal oscillation, and noise is generated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の擬似共振方式スイッチング電源回路に
用いられた集積回路のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an integrated circuit used in a quasi-resonant switching power supply circuit of the present invention.

【図2】本発明及び従来の集積回路を用いた擬似共振方
式スイッチング電源回路の回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a quasi-resonant switching power supply circuit using the present invention and a conventional integrated circuit.

【図3】本発明及び従来の擬似共振方式スイッチング電
源回路に用いられたパルス幅変調回路部分の波形図であ
る。
FIG. 3 is a waveform diagram of a pulse width modulation circuit portion used in the present invention and the conventional quasi-resonant switching power supply circuit.

【図4】本発明及び従来の擬似共振方式スイッチング電
源回路の各部部分の信号波形図である。
FIG. 4 is a signal waveform diagram of each part of a quasi-resonant switching power supply circuit according to the present invention.

【図5】本発明及び従来の擬似共振方式スイッチング電
源回路のフイックス回路部分の信号波形図である。
FIG. 5 is a signal waveform diagram of a fix circuit portion of the present invention and the conventional quasi-resonant switching power supply circuit.

【図6】本発明及び従来の擬似共振方式スイッチング電
源回路の充電信号とコンデンサーの充電電圧との関係を
示す波形図である。
FIG. 6 is a waveform diagram showing a relationship between a charging signal and a charging voltage of a capacitor in the quasi-resonant switching power supply circuit of the present invention and the related art.

【図7】従来の擬似共振方式スイッチング電源回路のコ
ンデンサーの充電電圧とパワーMOSFETのドレイン
・ソース間電圧との関係を示す波形図である。
FIG. 7 is a waveform diagram showing a relationship between a charging voltage of a capacitor and a drain-source voltage of a power MOSFET of a conventional quasi-resonant switching power supply circuit.

【図8】従来の擬似共振方式スイッチング電源回路に用
いられた集積回路のブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram of an integrated circuit used in a conventional quasi-resonant switching power supply circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パワーMOSFET 3 発振回路 4 フイックス回路 5 MOSFET 6 トリガー検出回路 7 RS−FF 10 基準電圧発生回路 15 発振レベル比較回路 16 パルス幅変調回路 22 トランス 23 一次側巻線 24 二次側巻線 25 補助巻線 1 power MOSFET 3 oscillator circuits 4 fixed circuit 5 MOSFET 6 Trigger detection circuit 7 RS-FF 10 Reference voltage generation circuit 15 Oscillation level comparison circuit 16 pulse width modulation circuit 22 transformer 23 Primary winding 24 Secondary winding 25 auxiliary winding

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発振回路から発振される発振信号により
パルス変調回路をセットし、トランスの一次巻線とアー
ス間に接続されたパワースイッチング素子をONし、負
荷電圧の大きさに応じて帰還されるフイードバック電圧
が所定電圧以上になったときに発生する信号で前記パル
ス変調回路をリセットし前記パワースイッチング素子を
OFFするスイッチング電源回路において、 前記パワースイッチング素子がOFFすることに関連し
て発生する信号に基いてトリガー信号を検出するトリガ
ー検出回路と、 前記トリガー信号と発振回路から帰還される信号に基い
て発生される発振周波数制限信号とを論理演算しセット
信号を発生するフイックス回路と、 前記フイックス回路からのセット信号で一定パルス幅以
上の充電信号を発生する充電信号発生回路とよりなり、 前記充電信号でスイッチング素子をONし発振回路のコ
ンデンサーを十分に充電させることを特徴とする擬似共
振方式スイッチング電源回路。
1. A pulse modulating circuit is set by an oscillating signal oscillated from an oscillating circuit, a power switching element connected between a primary winding of a transformer and a ground is turned on, and the power is fed back according to the magnitude of a load voltage. In a switching power supply circuit for resetting the pulse modulation circuit and turning off the power switching element with a signal generated when the feedback voltage exceeds a predetermined voltage, a signal generated in association with the turning off of the power switching element. A trigger detection circuit for detecting a trigger signal based on the above, a fix circuit for performing a logical operation of the trigger signal and an oscillation frequency limiting signal generated based on a signal fed back from the oscillator circuit to generate a set signal, and the fix circuit Charge signal that generates a charge signal with a certain pulse width or more by the set signal from the circuit A quasi-resonant switching power supply circuit comprising a generating circuit, wherein a switching element is turned on by the charging signal to sufficiently charge a capacitor of the oscillation circuit.
【請求項2】前記充電信号発生回路はRS−FFである
ことを特徴とする請求項1記載の擬似共振方式スイッチ
ング電源回路。
2. The quasi-resonant switching power supply circuit according to claim 1, wherein the charge signal generating circuit is an RS-FF.
【請求項3】 前記RS−FFはフイックス回路からの
パルス信号でセットし、発振回路より前記コンデンサー
の充電終了時に発生するリセット信号でリセットするこ
とを特徴とする請求項2記載の擬似共振方式スイッチン
グ電源回路。
3. The quasi-resonant switching method according to claim 2, wherein the RS-FF is set by a pulse signal from a fix circuit and reset by a reset signal generated at the end of charging of the capacitor by an oscillating circuit. Power supply circuit.
JP2001241125A 2001-08-08 2001-08-08 Artificial resonance system switching power circuit Pending JP2003061345A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001241125A JP2003061345A (en) 2001-08-08 2001-08-08 Artificial resonance system switching power circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001241125A JP2003061345A (en) 2001-08-08 2001-08-08 Artificial resonance system switching power circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003061345A true JP2003061345A (en) 2003-02-28

Family

ID=19071629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001241125A Pending JP2003061345A (en) 2001-08-08 2001-08-08 Artificial resonance system switching power circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003061345A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007174890A (en) * 2005-11-28 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Switching power supply and semiconductor device used for it
US7301786B2 (en) 2005-03-10 2007-11-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Quasi resonant type switching power supply apparatus with overcurrent limiting
US7394670B2 (en) 2004-03-23 2008-07-01 Sanken Electric Co., Ltd. Switching power source

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7394670B2 (en) 2004-03-23 2008-07-01 Sanken Electric Co., Ltd. Switching power source
US7301786B2 (en) 2005-03-10 2007-11-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Quasi resonant type switching power supply apparatus with overcurrent limiting
CN100435463C (en) * 2005-03-10 2008-11-19 三洋电机株式会社 Quasi resonant type switching power supply unit and quasi resonant type switching power apparatus using the same
JP2007174890A (en) * 2005-11-28 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Switching power supply and semiconductor device used for it

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6469484B2 (en) Power supply circuit and method thereof to detect demagnitization of the power supply
JP4682647B2 (en) Switching power supply
US20070253228A1 (en) Switching power supply
JP4669306B2 (en) Quasi-resonant switching power supply device and pseudo-resonant switching power supply circuit using the same
KR20010036172A (en) Pulsewidth modulation signal generator and switching mode power supply using pulsewidth modulation signal generator
JP2005287261A (en) Semiconductor device for controlling switching power supply
US6285566B1 (en) RCC power supply with remote disabling of oscillation frequency control
US20220216797A1 (en) Integrated circuit and power supply device
US10720847B2 (en) Semiconductor device for switching power supply and AC-DC convertor
JP2004260977A (en) Ac-to-dc converter
JP2016152738A (en) Semiconductor device for controlling power supply
US20080007976A1 (en) Power supply device and electric appliance provided therewith
US7466568B2 (en) Switching power supply circuit
JP3691498B2 (en) Self-excited switching power supply circuit
JPH05336745A (en) Switching power source
JP2003061345A (en) Artificial resonance system switching power circuit
US11936302B2 (en) Detection circuit, switching control circuit, and power supply circuit
US11632033B2 (en) Switching control circuit and power supply circuit
US20040174721A1 (en) Switching power supply unit
JP4393087B2 (en) Overcurrent detection circuit for switching power supply
JP2002354795A (en) Switching power circuit
JP2001025251A (en) Power supply
JP2003259636A (en) Switching power supply unit
JP2001008453A (en) Switching power supply device
JP4694044B2 (en) Integrated circuit for switching power supply

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20051226