JP2003059642A - Organic electroluminescence element and illumination device, display device and mobile terminal using the same - Google Patents

Organic electroluminescence element and illumination device, display device and mobile terminal using the same

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JP2003059642A
JP2003059642A JP2001242893A JP2001242893A JP2003059642A JP 2003059642 A JP2003059642 A JP 2003059642A JP 2001242893 A JP2001242893 A JP 2001242893A JP 2001242893 A JP2001242893 A JP 2001242893A JP 2003059642 A JP2003059642 A JP 2003059642A
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JP
Japan
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substrate
light
organic electroluminescence
light emitting
refractive index
Prior art date
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Application number
JP2001242893A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Hamano
敬史 濱野
Shinichiro Kaneko
信一郎 金子
Takahiro Komatsu
隆宏 小松
Akira Gyotoku
明 行徳
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence element in which a medium having a refractive index of light that is effective in improving the efficiency is selected as a material of the substrate and which can maintain the emission of high efficiency by applying a measure suitable for the substrate material, and an illumination device, a display device and a mobile terminal using the same. SOLUTION: The organic electroluminescence element comprises at least a positive electrode for injecting holes, a luminous layer having luminous region, and a negative electrode for injecting electrons on the substrate, and comprises a light-angle changing means on the opposite face of the element face of the substrate, and the refractive index of the substrate is made 1.2 or more.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、種々の表示装置や
表示装置の光源又はバックライト、若しくは光通信機器
に使用される発光素子等に用いられる有機エレクトロル
ミネッセンス素子、それを用いた照明装置、表示装置及
び携帯端末に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to various display devices, light sources or backlights of display devices, or organic electroluminescence elements used for light-emitting elements used in optical communication equipment, and illuminating devices using the same. The present invention relates to a display device and a mobile terminal.

【0002】[0002]

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子とは、固
体蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであ
り、現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクト
ロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイ
のバックライトやフラットディスプレイ等への応用展開
が一部で図られている。しかし、無機エレクトロルミネ
ッセンス素子は発光させるために必要な電圧が100V
以上と高く、しかも青色発光が難しいため、RGBの三
原色によるフルカラー化が困難である。
2. Description of the Related Art An electroluminescence element is a light emitting device utilizing the electroluminescence of a solid fluorescent substance. At present, an inorganic electroluminescence element using an inorganic material as a light emitter has been put into practical use, and it is used as a backlight of a liquid crystal display. Some applications are being developed for flat displays and the like. However, the voltage required to emit light from an inorganic electroluminescent device is 100V.
Since it is high as described above and it is difficult to emit blue light, it is difficult to realize full color by the three primary colors of RGB.

【0003】一方、有機材料を用いたエレクトロルミネ
ッセンス素子に関する研究も古くから注目され、様々な
検討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから
本格的な実用化研究へは進展しなかった。
On the other hand, research on electroluminescent elements using organic materials has been attracting attention for a long time and various studies have been made, but since the luminous efficiency is very poor, it has not progressed to full-scale practical research. It was

【0004】しかし、1987年にコダック社のC.
W.Tangらにより、有機材料を正孔輸送層と発光層
の2層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレ
クトロルミネッセンス素子が提案され、10V以下の低
電圧にもかかわらず1000cd/m2以上の高い発光
輝度が得られることが明らかとなった〔C.W.Tan
g and S.A.Vanslyke:Appl.P
hys.Lett、51(1987)913等参照〕。
これ以降、有機エレクトロルミネッセンス素子が俄然注
目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有す
る有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が
盛んに行われている。
However, in 1987, Kodak C.I.
W. Tang et al. Proposed an organic electroluminescence device having a function-separated laminated structure in which an organic material is divided into two layers, a hole transport layer and a light emitting layer, and 1000 cd / m 2 or more despite a low voltage of 10 V or less. It was revealed that a high emission luminance of [C. W. Tan
g and S. A. Vanslyke: Appl. P
hys. Lett, 51 (1987) 913, etc.].
Since then, the organic electroluminescence device has been suddenly attracting attention, and even now, much research is being conducted on the organic electroluminescence device having a similar function-separated laminated structure.

【0005】ここで、従来の一般的な有機エレクトロル
ミネッセンス素子の構成について図8を用いて説明す
る。
Here, the structure of a conventional general organic electroluminescence device will be described with reference to FIG.

【0006】図8は従来の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の要部断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of a conventional organic electroluminescence device.

【0007】図8において、1はガラス基板、2は陽
極、3は正孔輸送層、4は発光層、5は陰極である。
In FIG. 8, 1 is a glass substrate, 2 is an anode, 3 is a hole transport layer, 4 is a light emitting layer, and 5 is a cathode.

【0008】図8に示すように有機エレクトロルミネッ
センス素子は、ガラス基板上にスパッタリング法や抵抗
加熱蒸着法等により形成されたITO等の透明な導電性
膜からなる陽極2と、陽極2上に同じく抵抗加熱蒸着法
等により形成されたN、N’−ジフェニル−N、N’−
ビス(3−メチルフェニル)−1、1’−ジフェニル−
4、4’−ジアミン(以下、TPDと略称する。)等か
らなる正孔輸送層3と、正孔輸送層3上に抵抗加熱蒸着
法等により形成された8−Hydroxyquinol
ine Aluminum(以下、Alq3と略称す
る。)等からなる発光層4と、発光層4上に抵抗加熱蒸
着法等により形成された100nm〜300nmの膜厚
の金属膜からなる陰極5とを備えている。
As shown in FIG. 8, the organic electroluminescence element has an anode 2 made of a transparent conductive film such as ITO formed on a glass substrate by a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method or the like, and an anode 2 on the anode 2. N, N'-diphenyl-N, N'- formed by a resistance heating vapor deposition method or the like
Bis (3-methylphenyl) -1,1'-diphenyl-
A hole transport layer 3 made of 4,4′-diamine (hereinafter abbreviated as TPD) and the like, and 8-Hydroxyquinol formed on the hole transport layer 3 by a resistance heating vapor deposition method or the like.
A light emitting layer 4 made of in Aluminum (hereinafter abbreviated as Alq 3 ) or the like, and a cathode 5 made of a metal film having a film thickness of 100 nm to 300 nm formed on the light emitting layer 4 by a resistance heating vapor deposition method or the like. ing.

【0009】上記構成を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子の陽極2をプラス極として、また陰極5をマ
イナス極として直流電圧又は直流電流を印加すると、陽
極2から正孔輸送層3を介して発光層4に正孔が注入さ
れ、陰極5から発光層4に電子が注入される。発光層4
では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成され
る励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現
象が起こる。
When a DC voltage or a DC current is applied with the anode 2 of the organic electroluminescence device having the above structure as a positive electrode and the cathode 5 as a negative electrode, a voltage is applied from the anode 2 to the light emitting layer 4 via the hole transport layer 3. Holes are injected and electrons are injected from the cathode 5 into the light emitting layer 4. Light emitting layer 4
In this case, recombination of holes and electrons occurs, and a luminescence phenomenon occurs when the excitons generated accompanying this transition from the excited state to the ground state.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】このような有機エレク
トロルミネッセンス素子において、通常、発光層中の蛍
光体から放射される光は、蛍光体を中心とした全方位に
出射され、正孔輸送層、陽極、ガラス基板を経由して、
あるいは、一旦光取り出し方向とは逆方向へ向かい、陰
極で反射され、発光層、正孔輸送層、陽極、ガラス基板
を経由して、空気中へ放射される。しかし、光が各媒質
の境界面を通過する際、入射側の媒質の屈折率が出射側
の屈折率より大きい場合には、屈折波の出射角が90と
なる角度、つまり臨界角、よりも大きな角度で入射する
光は、境界面を透過することができず、全反射され、光
は空気中へ取り出されない。
In such an organic electroluminescence device, the light emitted from the phosphor in the light emitting layer is usually emitted in all directions centering around the phosphor, and the hole transport layer, Via the anode and glass substrate,
Alternatively, the light once goes in the direction opposite to the light extraction direction, is reflected by the cathode, and is emitted into the air via the light emitting layer, the hole transport layer, the anode, and the glass substrate. However, when light passes through the boundary surface of each medium and the refractive index of the medium on the incident side is larger than the refractive index on the emitting side, the angle at which the refracted wave exits is 90, that is, the critical angle. Light incident at large angles cannot pass through the interface and is totally reflected and the light is not extracted into the air.

【0011】ここで、異なる媒質の境界面における、光
の屈折角と、媒質の屈折率の関係は、スネルの法則に従
う。スネルの法則によると、屈折率n1の媒質から屈折
率n2の媒質へ光が進行する場合、入射角θ1と屈折角θ
2の間に、n1sinθ1=n2sinθ2なる関係が成り
立つ。したがって、n1>n2が成り立つ場合、θ2=9
0°となる入射角θ1=sin-1(n2/n1)は、臨界
角としてよく知られており、入射角がこれよりも大きな
場合、光は媒質間の境界面において全反射されることと
なる。
Here, the relationship between the refraction angle of light and the refractive index of the medium at the interface between different media follows Snell's law. According to Snell's law, when light travels from a medium having a refractive index n 1 to a medium having a refractive index n 2 , the incident angle θ 1 and the refraction angle θ
Between the two, the relationship of n 1 sin θ 1 = n 2 sin θ 2 is established. Therefore, if n 1 > n 2 holds, θ 2 = 9
The incident angle θ 1 = sin −1 (n 2 / n 1 ) at 0 ° is well known as the critical angle, and when the incident angle is larger than this, light is totally reflected at the interface between the media. The Rukoto.

【0012】したがって、等方的に光の放射される有機
エレクトロルミネッセンス素子において、この臨界角よ
りも大きな角度で放射される光は、境界面における全反
射を繰り返し、素子内部に閉じ込められ、空気中へ放射
されなくなる。
Therefore, in the organic electroluminescence device that isotropically emits light, the light emitted at an angle larger than the critical angle repeats total reflection at the boundary surface and is confined inside the device to be trapped in the air. Is no longer emitted.

【0013】図9は従来の有機エレクトロルミネセンス
素子の要部断面における代表的な光線経路を示す模式図
である。なお、図9において、図8で説明した部分と同
じものには同一の符号を付している。
FIG. 9 is a schematic view showing a typical light beam path in a cross section of a main part of a conventional organic electroluminescent element. In FIG. 9, the same parts as those described in FIG. 8 are designated by the same reference numerals.

【0014】図9に示すように、発光層4中から放射さ
れた光は、陽極2とガラス基板1との界面(ITO/ガ
ラス界面)、および、ガラス基板1と空気との界面(ガ
ラス/空気界面)などの各境界面において全反射され
る。
As shown in FIG. 9, the light emitted from the light emitting layer 4 is generated by the interface between the anode 2 and the glass substrate 1 (ITO / glass interface) and the interface between the glass substrate 1 and air (glass / glass). It is totally reflected at each boundary surface such as the air interface).

【0015】このことは、発光層中で放射される光が素
子外部へ放射されず、有機エレクトロルミネッセンス素
子として、見かけ上の効率低下の原因となる。一般に、
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層で得られる
放射光は、大部分が全反射によって素子内部に閉じ込め
られ、有効な放射光として利用されるのは、17%から
20%程度であることが知られている〔Advance
d Material6(1994)491等参照〕。
This means that the light emitted in the light emitting layer is not emitted to the outside of the device, which causes a reduction in apparent efficiency of the organic electroluminescence device. In general,
It is known that most of the emitted light obtained in the light emitting layer of the organic electroluminescence device is confined inside the device by total reflection and is used as effective emitted light in about 17% to 20%. [Advance
d Material 6 (1994) 491 etc.].

【0016】そこで、有機エレクトロルミネッセンス素
子の基板に光の出射角度を変換する手段を設けること
で、上述した問題点の解決を図る事が提案されている。
Therefore, it has been proposed to solve the above-mentioned problems by providing means for converting the emission angle of light on the substrate of the organic electroluminescence element.

【0017】例えば、特許2773720号公報には、
基板の光取り出し側にレンズ構造を形成することで光取
り出し効率を向上させる発明がなされている。
For example, Japanese Patent No. 2737720 discloses that
An invention has been made that improves the light extraction efficiency by forming a lens structure on the light extraction side of a substrate.

【0018】また、特許2991183号公報には、素
子界面の全反射を抑制する位置に回折格子等を形成する
ことで光取り出し効率を向上させる発明がなされ、特開
平9−129375号公報には、光取り出し側表面を乱
反射面あるいは反射・屈折角に乱れを生じさせることで
光取り出し効率を向上させる発明がなされている。
Further, Japanese Patent No. 2991183 discloses an invention which improves the light extraction efficiency by forming a diffraction grating or the like at a position where total reflection at the device interface is suppressed, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-129375 discloses An invention has been made that improves the light extraction efficiency by causing the light extraction side surface to have irregular reflection surfaces or irregularities in reflection / refraction angles.

【0019】更に、特開平10−189251号公報に
は、透明基板内に光出射角度を変換する手段を形成する
ことで、あるいは、特開平10−308286号公報に
は、下部電極側面に光反射層を形成することで、光取り
出し効率を向上させる発明がなされている。このように
上記何れの発明においても取り出し効率の向上について
の発明がなされている。
Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-189251, a means for converting the light emission angle is formed in a transparent substrate, or in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-308286, light is reflected on the side surface of a lower electrode. The invention has been made to improve the light extraction efficiency by forming a layer. As described above, in any of the above-described inventions, an invention for improving the extraction efficiency is made.

【0020】しかしながら、上記いずれの施策において
も、光を反射・屈折あるいは回折・散乱などにより、光
の角度変換することでの光取出し効率の向上を図ってい
るが、基板の媒質と光の角度変換について検討は行われ
ていない。
However, in any of the above-mentioned measures, the light extraction efficiency is improved by converting the angle of the light by reflecting / refracting or diffracting / scattering the light. No conversion is considered.

【0021】また、特許2846571号公報には、基
板の媒質についての考察をおこない、光取出し面までの
光路長を設計し、光の干渉効果を利用することで、光取
出し効率を向上および色純度向上に関する発明がなされ
ている。しかし、前記発明においては、光の角度変換等
の積極的な施策は行われておらず、また、有機層の膜厚
により発光効率自体が変わるため、発光効率に起因する
膜厚と干渉効果に起因する膜厚とが必ずしも一致しない
ため、効率の良い光取出し施策はなされていない。
Further, in Japanese Patent No. 2846571, consideration is given to the medium of the substrate, the optical path length to the light extraction surface is designed, and the light interference effect is utilized to improve the light extraction efficiency and improve the color purity. Inventions relating to improvement have been made. However, in the above-mentioned invention, no positive measures such as angle conversion of light are taken, and the light emission efficiency itself changes depending on the film thickness of the organic layer. Since the resulting film thickness does not always match, no efficient light extraction measure has been taken.

【0022】本発明は上記問題点に鑑み、取り出し効率
向上に効果のある光の屈折率を持つ媒質を基板材料とし
て選択し、かつ、その基板材料に適した施策を施すこと
により、高効率な発光性能を維持する事ができる有機エ
レクトロルミネッセンス素子、それを用いた照明装置、
表示装置及び携帯端末を提供する事を目的とする。
In view of the above problems, the present invention selects a medium having a refractive index of light which is effective for improving the extraction efficiency as a substrate material, and implements a measure suitable for the substrate material to achieve high efficiency. An organic electroluminescent element capable of maintaining light emitting performance, a lighting device using the same,
An object is to provide a display device and a mobile terminal.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基
板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を
有する発光層と、電子を注入する陰極を備え、基板の素
子形成面に対向する面に光の角度変換手段を備え、基板
の屈折率を1.2以上とした構成としたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the organic electroluminescence device of the present invention has an anode on which at least holes are injected, a light-emitting layer having a light-emitting region, and electrons on a substrate. Is provided, a light angle converting means is provided on the surface of the substrate facing the element formation surface, and the refractive index of the substrate is 1.2 or more.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、基板上
に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有す
る発光層と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクト
ロルミネッセンス素子であって、基板の素子形成面に対
向する面に光の角度変換手段を備え、基板の屈折率を
1.2以上としたことを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子であって、素子内部での光損失を減少さ
せることができるため、視認性に優れた、高効率の発光
性能を維持することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 is an organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons. An organic electroluminescence element, characterized in that the surface of the substrate facing the element formation surface is provided with light angle conversion means, and the refractive index of the substrate is 1.2 or more. Since the loss can be reduced, it is possible to maintain a highly efficient light emitting performance with excellent visibility.

【0025】請求項2に記載の発明は、基板上に、少な
くとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、基板の素子形成面に対向する面
に光の角度変換手段を備え、基板の屈折率を1.4以上
としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子であって、素子内部での光損失を減少させることが
できるため、視認性に優れた、高効率の発光性能を維持
することができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons. An organic electroluminescent device characterized in that the surface of the device opposite to the device formation surface is provided with a light angle conversion means, and the refractive index of the substrate is 1.4 or more, and light loss inside the device is reduced. Therefore, it is possible to maintain highly efficient light emitting performance with excellent visibility.

【0026】請求項3に記載の発明は、基板上に、少な
くとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、基板の素子形成面に対向する面
に光の角度変換手段を備え、基板の屈折率を1.7以上
としたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子であって、素子内部での光損失を減少させることが
できるため、視認性に優れた、高効率の発光性能を維持
することができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons. An organic electroluminescence device, characterized in that the surface of the device is provided with a light angle conversion means on the surface facing the device formation surface, and the refractive index of the substrate is 1.7 or more, and light loss inside the device is reduced. Therefore, it is possible to maintain highly efficient light emitting performance with excellent visibility.

【0027】請求項4に記載の発明は、基板上に、少な
くとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、基板の素子形成面に対向する面
に光の角度変換手段を備え、光の角度変換手段は基板よ
りも屈折率が高いことを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子であって、素子内部での光損失を減少さ
せることができるため、視認性に優れた、高効率の発光
性能を維持することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence device, comprising an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons on a substrate. Is provided with a light angle conversion means on the surface facing the element formation surface, and the light angle conversion means is an organic electroluminescence element characterized by having a higher refractive index than that of the substrate. Since it can be reduced, it is possible to maintain the light emission performance with excellent visibility and high efficiency.

【0028】請求項5に記載の発明は、基板上に、少な
くとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、基板の素子形成面及び素子形成
面に対向する面に光の角度変換手段を備えたことを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子であって、素
子内部での光損失を減少させることができるため、視認
性に優れた、高効率の発光性能を維持することができ
る。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons. An organic electroluminescence device characterized by comprising a device for forming an angle and a device for converting light angle on a face opposed to the device formation surface, since the light loss inside the device can be reduced, It is possible to maintain excellent and highly efficient light emission performance.

【0029】請求項6に記載の発明は、基板上に、少な
くとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、基板の素子形成面に光の角度変
換手段を備え、基板の屈折率を1.7以下としたことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
て、素子内部での光損失を減少させることができるた
め、視認性に優れた、高効率の発光性能を維持すること
ができる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons. The organic electroluminescence device is characterized in that the device forming surface of the device is provided with a light angle converting means, and the refractive index of the substrate is 1.7 or less, and it is possible to reduce the light loss inside the device. Further, it is possible to maintain high visibility and excellent luminous efficiency.

【0030】請求項7に記載の発明は、基板上に、少な
くとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、基板の素子形成面に光の角度変
換手段を備え、基板の屈折率を1.5以下としたことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
て、素子内部での光損失を減少させることができるた
め、視認性に優れた、高効率の発光性能を維持すること
ができる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons. An organic electroluminescence device characterized in that a device for forming an angle of light is provided on the device formation surface of the device, and the refractive index of the substrate is set to 1.5 or less, since light loss inside the device can be reduced. Further, it is possible to maintain high visibility and excellent luminous efficiency.

【0031】請求項8に記載の発明は、請求項1〜7に
おいて、1光の角度変換手段は、面上に形成された微小
な凹凸からなる散乱面であることを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子であって、光の角度変換手段
は、厳密な角度設計の必要がなく、容易な形成手段によ
り光の角度変換手段を形成することができ、高効率の発
光性能を維持することができる。
The invention according to claim 8 is the organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the angle conversion means for one light is a scattering surface formed of minute irregularities formed on the surface. The light angle converting means, which is an element, does not require a strict angle design, the light angle converting means can be formed by a simple forming means, and highly efficient light emitting performance can be maintained.

【0032】請求項9に記載の発明は、請求項1〜7に
おいて、光の角度変換手段は、面上に形成された光取出
し面とは非平行な関係にある面からなることを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板面
と、非平行な面を利用することにより、多彩な角度設計
することが可能なため、より好適な設計が可能である。
According to a ninth aspect of the present invention, in the first to seventh aspects, the light angle converting means is formed of a surface that is non-parallel to the light extraction surface formed on the surface. In the organic electroluminescence element which is used, a variety of angles can be designed by using a surface that is not parallel to the substrate surface, and thus a more suitable design is possible.

【0033】請求項10に記載の発明は、請求項1〜7
において、光の角度変換手段は、面上に形成された微小
レンズアレイからなることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子であって、レンズ幅、曲率半径の選
択肢が多いのでより好適な設計が可能である。
The invention according to a tenth aspect is the first to seventh aspects.
In the above, the light angle conversion means is an organic electroluminescence element characterized by comprising a microlens array formed on the surface, and since there are many options for the lens width and the radius of curvature, a more suitable design is possible. is there.

【0034】請求項11に記載の発明は、請求項1〜7
において、光の角度変換手段は、面上に形成された微小
プリズムアレイからなることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子であって、高さを増やすことなく
非平行面と同様の効果を得られるため、より好適な設計
が可能である。
The invention described in claim 11 is the invention according to claims 1 to 7.
In the above, the light angle conversion means is an organic electroluminescence element characterized by comprising a micro prism array formed on a surface, and since the same effect as a non-parallel surface can be obtained without increasing the height. A more suitable design is possible.

【0035】請求項12に記載の発明は、請求項8〜1
1において、光の角度変換手段は、基板の表面に形成さ
れたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子であって、その形成界面が基板の素子形成面に対向す
る面(空気/基板界面)であれば、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子形成後に表面を加工すればよく作成行程
が簡単となり、形成界面が基板の素子形成面(基板/陽
極界面)であれば、光の角度変換手段としての微小レン
ズ等が剥き出しになることはない。
The invention described in claim 12 is the invention according to claims 8 to 1.
1 is an organic electroluminescence element characterized in that the light angle conversion means is formed on the surface of the substrate, and the formation interface is a surface (air / substrate interface) facing the element formation surface of the substrate. If so, the surface can be processed after the organic electroluminescence element is formed, and the creation process can be simplified. If the formation interface is the element formation surface of the substrate (substrate / anode interface), a microlens or the like as a light angle conversion means can be used. It is never exposed.

【0036】請求項13に記載の発明は、請求項8〜1
1において、光の角度変換手段は、基板の内部に形成さ
れたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子であって、その形成界面が基板の素子形成面に対向す
る面(空気/基板界面)であれば、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子形成後に表面を加工すればよく作成行程
が簡単となる上、基板表面に凹凸等が無くなり、光の角
度変換手段の耐摩擦性が向上する。また、形成界面が基
板の素子形成面(基板/陽極界面)であれば、光の角度
変換手段としての微小レンズ等が剥き出しになることは
ない上、均一な面に対して陽極等を形成することが可能
となる。
The invention according to claim 13 is the invention according to claims 8 to 1.
1 is an organic electroluminescence element characterized in that the light angle conversion means is formed inside the substrate, and the formation interface is a surface (air / substrate interface) facing the element formation surface of the substrate. If so, the surface can be processed after the organic electroluminescence element is formed, the manufacturing process is simple, and the substrate surface is free from irregularities and the abrasion resistance of the light angle conversion means is improved. Further, if the formation interface is the element formation surface of the substrate (substrate / anode interface), the microlenses or the like as the light angle conversion means are not exposed, and the anode or the like is formed on a uniform surface. It becomes possible.

【0037】請求項14に記載の発明は、請求項8〜1
1において、光の角度変換手段は、透明レジストからな
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
であって、加工がしやすく安価である。
The invention described in claim 14 relates to claims 8 to 1.
In No. 1, the light angle conversion means is an organic electroluminescence element characterized by being made of a transparent resist, which is easy to process and inexpensive.

【0038】請求項15に記載の発明は、請求項8〜1
1において、光の角度変換手段は、酸化チタンからなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子で
あって、他の材料との屈折率差を大きくすることがで
き、蒸着などの簡単な方法で形成が可能である。
The invention described in claim 15 relates to claims 8 to 1.
1 is an organic electroluminescence device characterized in that the light angle conversion means is made of titanium oxide, and can be formed by a simple method such as vapor deposition, which can increase the difference in refractive index from other materials. Is possible.

【0039】請求項16に記載の発明は、請求項1〜1
5において、基板と接する側の電極に対向する電極は、
可視光領域における光の反射率が50%以上であること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子であっ
て、有効な光取出しが可能であり、陰極の材料、膜厚、
形成方法等の選択性を拡大することが可能となる。
The invention according to claim 16 is the invention according to claims 1 to 1.
In 5, the electrode facing the electrode contacting the substrate is
An organic electroluminescence device characterized by having a light reflectance of 50% or more in a visible light region, capable of effective light extraction, a cathode material, a film thickness,
It is possible to expand the selectivity such as the forming method.

【0040】請求項17に記載の発明は、請求項1〜1
6において、陽極がストライプ状に個々電気的に分離さ
れ、陰極がストライプ状に個々電気的に分離されて構成
されて、画像表示配列を有する事を特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス照明装置であって、素子内部での
光損失を減少させることができるため、高効率の発光性
能を維持することができ、単純マトリックス方式での良
好な照明を行うことができる。
The invention described in claim 17 is the invention according to claims 1 to 1.
6. An organic electroluminescent lighting device according to 6, wherein the anode is electrically isolated in a stripe shape and the cathode is electrically isolated in a stripe shape to have an image display arrangement. Since the light loss inside the element can be reduced, highly efficient light emission performance can be maintained, and good illumination can be performed by the simple matrix method.

【0041】請求項18に記載の発明は、請求項1〜1
6において、陽極、あるいは、陰極のいずれかが、個々
電気的に画素毎に分離されて構成されて、分離された電
極は、少なくとも1つ以上のスイッチング素子を介して
走査されることで、画像表示配列を有する事を特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス照明装置であって、素
子内部での光損失を減少させることができるため、高効
率の発光性能を維持することができ、アクティブマトリ
ックス方式での良好な照明を行うことができる。
The invention according to claim 18 is the invention according to claims 1 to 1.
6, either an anode or a cathode is electrically separated for each pixel, and the separated electrodes are scanned through at least one or more switching elements, thereby forming an image. An organic electroluminescent lighting device characterized by having a display array, capable of reducing light loss inside the element, maintaining high-efficiency light-emitting performance, and good in an active matrix system. Lighting can be performed.

【0042】請求項19に記載の発明は、請求項1〜1
6において、陽極がストライプ状に個々電気的に分離さ
れ、陰極がストライプ状に個々電気的に分離されて構成
されて、画像表示配列を有する事を特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置であって、素子内部での
光損失を減少させることができるため、高効率の発光性
能を維持することができ、単純マトリックス方式での良
好な表示を行うことができる。
The invention according to claim 19 is the invention according to claims 1 to 1.
6. The organic electroluminescence display device according to 6, wherein the anode is electrically isolated in a stripe shape and the cathode is electrically isolated in a stripe shape, and has an image display arrangement. Since light loss inside the element can be reduced, highly efficient light emitting performance can be maintained, and good display can be performed by the simple matrix method.

【0043】請求項20に記載の発明は、請求項1〜1
6において、陽極、あるいは、陰極のいずれかが、個々
電気的に画素毎に分離されて構成されて、分離された電
極は、少なくとも1つ以上のスイッチング素子を介して
走査されることで、画像表示配列を有する事を特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、素
子内部での光損失を減少させることができるため、高効
率の発光性能を維持することができ、アクティブマトリ
ックス方式での良好な表示を行うことができる。
The invention described in claim 20 is according to claims 1 to 1.
6, either an anode or a cathode is electrically separated for each pixel, and the separated electrodes are scanned through at least one or more switching elements, thereby forming an image. An organic electroluminescence display device characterized by having a display array, capable of reducing light loss inside the element, maintaining high efficiency light emission performance, and good in an active matrix system. Various displays can be performed.

【0044】請求項21に記載の発明は、音声を音声信
号に変換する音声信号変換手段と、電話番号等を入力す
る操作手段と、着信表示や電話番号等を表示する表示手
段と、音声信号を送信信号に変換する通信手段と、受信
信号を音声信号に変換する受信手段と、送信信号及び受
信信号を送受信するアンテナと、各部を制御する制御手
段を備えた携帯端末であって、表示手段が請求項19,
20いずれか1記載の表示装置から構成された事を特徴
とする携帯端末であって、素子内部での光損失を減少さ
せることができるため、高効率の発光性能を維持するこ
とができ、電池容量等の減量化による、軽量化あるいは
長使用時間化を図ることができる。
According to the twenty-first aspect of the present invention, a voice signal converting means for converting a voice into a voice signal, an operating means for inputting a telephone number or the like, a display means for displaying an incoming call display or a telephone number, and a voice signal. A mobile terminal comprising: a communication unit for converting a transmission signal into a transmission signal; a reception unit for converting a reception signal into an audio signal; an antenna for transmitting and receiving a transmission signal and a reception signal; and a control unit for controlling each unit, which is a display unit. Is claim 19,
20. A mobile terminal comprising the display device according to any one of 20. Since a light loss inside the element can be reduced, a highly efficient light emission performance can be maintained, and a battery can be provided. By reducing the capacity and the like, it is possible to reduce the weight or lengthen the usage time.

【0045】以下、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子について、詳細に説明する。
The organic electroluminescent element of the present invention will be described in detail below.

【0046】まず、上述したように、異なる媒質の境界
面における、光の屈折角と、媒質の屈折率の関係はスネ
ルの法則に従い、等方的に光の放射される有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、臨界角よりも大きな角
度で放射される光は、境界面における全反射を繰り返
し、素子内部に閉じ込められ、空気中へ放射されなくな
る。そして、光の経路は、経路を形成する媒質の屈折率
により決定されるため、媒質の屈折率を考慮した光取出
し効率向上施策は重要である。また、透明基板は、有機
物層や透明電極といった層に比べて十分に厚いこと、お
よび、一般に用いられている有機物層と透明電極の屈折
率が全反射を引き起こさない関係にあること、さらに
は、基板の膜厚を変化させても発光効率には影響を与え
ないなどの理由から、この透明基板の屈折率について考
察し、全反射の緩和を考慮することは非常に重要であ
る。
First, as described above, the relationship between the refraction angle of light and the refractive index of the medium at the boundary surface of different media follows Snell's law, and in an organic electroluminescence device that isotropically emits light, Light emitted at an angle larger than the critical angle repeats total reflection at the boundary surface, is confined inside the element, and is not emitted into the air. Since the path of light is determined by the refractive index of the medium forming the path, it is important to take measures for improving the light extraction efficiency in consideration of the refractive index of the medium. In addition, the transparent substrate is sufficiently thick as compared with layers such as an organic material layer and a transparent electrode, and that the refractive index of the commonly used organic material layer and the transparent electrode is in a relationship that does not cause total reflection, further, It is very important to consider the refractive index of this transparent substrate and to consider the relaxation of the total reflection, because the luminous efficiency is not affected even if the thickness of the substrate is changed.

【0047】ここで、図1は本発明の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の層構成を説明する概念図である。図
1に示すように、基板、陽極であるITO、発光層、陰
極が順次積層された構成となっている。また、Aは空気
と基板との界面を示し、Bは基板とITOとの界面を示
してしる。
Here, FIG. 1 is a conceptual view for explaining the layer structure of the organic electroluminescence device of the present invention. As shown in FIG. 1, a substrate, ITO as an anode, a light emitting layer, and a cathode are sequentially laminated. Further, A indicates the interface between air and the substrate, and B indicates the interface between the substrate and ITO.

【0048】そして、図1に示す有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の層構成に基づき、界面Aに光の角度変
換手段を設けた場合、界面Bに光の角度変換手段を設
けた場合、界面A,Bの両界面に光の角度変換手段を
設けた場合、光の角度変換手段を設けない場合におけ
る基板の屈折率を変化させた時の発光層からの光の取り
出し効率に関する光学シミュレーションを行った。
Based on the layer structure of the organic electroluminescence device shown in FIG. 1, when the interface A is provided with the light angle converting means, when the interface B is provided with the light angle converting means, the interfaces A and B are formed. An optical simulation was conducted on the extraction efficiency of light from the light-emitting layer when the refractive index of the substrate was changed in the case where the light angle converting means was provided on both interfaces and when the light angle converting means was not provided.

【0049】この光学シミュレーションの結果を図2,
3に示す。なお、図2,3は光学シミュレーションの結
果を示すグラフであり、図2はITOの屈折率を変化さ
せた場合(nITO=1.5,nITO=2.0,nITO
2.5,このときITOの膜厚dITO=150nm)、
図3はITOの膜厚を変化させた場合の結果(dITO
50nm,dITO=150nm,dITO=400nm,こ
のときITOの屈折率nIT O=2.0)である。
The result of this optical simulation is shown in FIG.
3 shows. 2 and 3 are graphs showing the results of the optical simulation, and FIG. 2 shows the case where the refractive index of ITO is changed (n ITO = 1.5, n ITO = 2.0, n ITO =
2.5, at this time the thickness of ITO d ITO = 150 nm),
FIG. 3 shows the result when the thickness of ITO is changed (d ITO =
50 nm, is d ITO = 150nm, d ITO = 400nm, refractive index n IT O = 2.0 at this time ITO).

【0050】ここで、図2における各曲線−1.5〜
−2.5とその条件について説明する。
Here, each curve in FIG.
-2.5 and its conditions will be described.

【0051】−1.5:界面Aに光の角度変換手段
を設け、ITOの屈折率nITO=1.5である。
-1.5: A light angle converting means is provided on the interface A, and the refractive index of ITO is n ITO = 1.5.

【0052】−2.0:界面Aに光の角度変換手段
を設け、ITOの屈折率nITO=2.0である。
-2.0: The angle A of light is provided on the interface A, and the refractive index of ITO is n ITO = 2.0.

【0053】−2.5:界面Aに光の角度変換手段
を設け、ITOの屈折率nITO=2.5である。
-2.5: A light angle converting means is provided on the interface A, and the refractive index of ITO is n ITO = 2.5.

【0054】−1.5:界面Bに光の角度変換手段
を設け、ITOの屈折率nITO=1.5である。
-1.5: A light angle converting means is provided on the interface B, and the refractive index of ITO is n ITO = 1.5.

【0055】−2.0:界面Bに光の角度変換手段
を設け、ITOの屈折率nITO=2.0である。
-2.0: A light angle converting means is provided on the interface B, and the refractive index of ITO is n ITO = 2.0.

【0056】−2.5:界面Bに光の角度変換手段
を設け、ITOの屈折率nITO=2.5である。
-2.5: A light angle converting means is provided on the interface B, and the refractive index of ITO is n ITO = 2.5.

【0057】−1.5:界面A,Bの両界面に光の
角度変換手段を設け、ITOの屈折率nITO=1.5で
ある。
-1.5: Light angle converting means is provided on both interfaces A and B, and the refractive index of ITO is n ITO = 1.5.

【0058】−2.0:界面A,Bの両界面に光の
角度変換手段を設け、ITOの屈折率nITO=2.0で
ある。
-2.0: A light angle converting means is provided on both interfaces A and B, and the refractive index of ITO is n ITO = 2.0.

【0059】−2.5:界面A,Bの両界面に光の
角度変換手段を設け、ITOの屈折率nITO=2.5で
ある。
-2.5: Light angle converting means is provided on both interfaces A and B, and the refractive index of ITO is n ITO = 2.5.

【0060】−1.5:光の角度変換手段を設け
ず、ITOの屈折率nITO=1.5である。
-1.5: The refractive index of ITO is n ITO = 1.5 without providing a light angle conversion means.

【0061】−2.0:光の角度変換手段を設け
ず、ITOの屈折率nITO=2.0である。
-2.0: The refractive index of ITO is n ITO = 2.0 without providing a light angle converting means.

【0062】−2.5:光の角度変換手段を設け
ず、ITOの屈折率nITO=2.5である。
-2.5: The refractive index of ITO is n ITO = 2.5 without providing a light angle converting means.

【0063】同様に、図3における各曲線−50〜
−400とその条件について説明する。
Similarly, each curve in FIG.
-400 and its conditions will be described.

【0064】−50:界面Aに光の角度変換手段を
設け、ITOの膜厚dITO=50nmである。
-50: A light angle converting means is provided on the interface A, and the film thickness of ITO is d ITO = 50 nm.

【0065】−150:界面Aに光の角度変換手段
を設け、ITOの膜厚dITO=150nmである。
-150: A light angle converting means is provided on the interface A, and the film thickness of ITO is d ITO = 150 nm.

【0066】−400:界面Aに光の角度変換手段
を設け、ITOの膜厚dITO=400nmである。
-400: A light angle converting means is provided on the interface A, and the film thickness of ITO is d ITO = 400 nm.

【0067】−50:界面Bに光の角度変換手段を
設け、ITOの膜厚dITO=50nmである。
-50: A light angle converting means is provided on the interface B, and the film thickness of ITO is d ITO = 50 nm.

【0068】−150:界面Bに光の角度変換手段
を設け、ITOの膜厚dITO=150nmである。
-150: A light angle converting means is provided on the interface B, and the film thickness of ITO is d ITO = 150 nm.

【0069】−400:界面Bに光の角度変換手段
を設け、ITOの膜厚dITO=400nmである。
-400: A light angle converting means is provided on the interface B, and the film thickness of ITO is d ITO = 400 nm.

【0070】−50:界面A,Bの両界面に光の角
度変換手段を設け、ITOの膜厚d ITO=50nmであ
る。
-50: Angle of light on both interfaces A and B
Degree conversion means is provided, and ITO film thickness d ITO= 50 nm
It

【0071】−150:界面A,Bの両界面に光の
角度変換手段を設け、ITOの膜厚dITO=150nm
である。
-150: An angle converting means for light is provided on both interfaces A and B, and the film thickness of ITO d ITO = 150 nm
Is.

【0072】−400:界面A,Bの両界面に光の
角度変換手段を設け、ITOの膜厚dITO=400nm
である。
-400: A light angle converting means is provided on both interfaces A and B, and the film thickness of ITO d ITO = 400 nm
Is.

【0073】−50:光の角度変換手段を設けず、
ITOの膜厚dITO=50nmである。
-50: Without providing a light angle converting means,
The ITO film thickness d ITO = 50 nm.

【0074】−150:光の角度変換手段を設け
ず、ITOの膜厚dITO=150nmである。
-150: The film thickness of ITO is ITO without the angle converting means of light d ITO = 150 nm.

【0075】−400:光の角度変換手段を設け
ず、ITOの膜厚dITO=400nmである。
-400: The film thickness of ITO is d ITO = 400 nm without providing a light angle converting means.

【0076】ここで、光学シミュレーションの条件につ
いて具体的に説明する。
Here, the conditions of the optical simulation will be specifically described.

【0077】各層の屈折率は、発光層=1.7,ITO
=1.5,2.0,2.5,基板=1.0〜3.0であ
り、空気=1.0とした。
The refractive index of each layer is as follows: light emitting layer = 1.7, ITO
= 1.5, 2.0, 2.5, substrate = 1.0 to 3.0, and air = 1.0.

【0078】また、各層の膜厚は、発光層=150n
m,ITO=50nm,150nm,400nm、基板
=1mmである。
The film thickness of each layer is as follows: light emitting layer = 150 n
m, ITO = 50 nm, 150 nm, 400 nm, substrate = 1 mm.

【0079】なお、発光層からの光は、発光層と陰極と
の界面で全て反射されるものとし、発光層,ITOおよ
び基板における吸収のみを考慮した.即ち、陰極は反射
率100%、発光層,ITO,基板の透過率は,それぞ
れ80%,97%,97%である。
The light from the light emitting layer is assumed to be totally reflected at the interface between the light emitting layer and the cathode, and only absorption in the light emitting layer, ITO and the substrate is considered. That is, the cathode has a reflectance of 100%, and the light emitting layer, the ITO, and the substrate have a transmittance of 80%, 97%, and 97%, respectively.

【0080】また、光の角度変換手段は、各界面A,B
において、界面に入射した光の反射および屈折する角度
を、スネルの法則により決定される方向とは異なる方向
へ進行させるための手段である。ここでは簡単のため、
完全拡散方向へランダムに光が進行する面、いわゆるラ
ンバート散乱面を光の角度変換手段として用いている。
Further, the light angle converting means is composed of the respective interfaces A and B.
In (1), it is a means for advancing the angle of reflection and refraction of light incident on the interface in a direction different from the direction determined by Snell's law. Here for simplicity,
A so-called Lambertian scattering surface on which light randomly proceeds in the complete diffusion direction is used as a light angle conversion means.

【0081】そして、図2における、−1.5,2.
0,2.5或いは、図3における−50,150,4
00で示される結果から明らかなように、光の角度変換
手段を形成しない場合、基板の屈折率が変化しても光の
取出し効率は変化しない。これは良く知られた状況であ
り、光の角度変換を施さない場合、光の空気への取出し
効率は有機物の屈折率により一意的に決定される。
Then, in FIG. 2, -1.5, 2.
0,2.5 or -50,150,4 in FIG.
As is clear from the result indicated by 00, when the light angle converting means is not formed, the light extraction efficiency does not change even if the refractive index of the substrate changes. This is a well-known situation, and when the angle conversion of light is not performed, the extraction efficiency of light into air is uniquely determined by the refractive index of the organic substance.

【0082】これに対し、図2における−1.5,
2.0,2.5、或いは、図3における−50,15
0,400で示すように、界面A(空気/基板界面)に
光の角度変換手段を形成した場合では、基板の屈折率が
大きいほど光の取出し効率は大きくなる。これは、基板
の屈折率が大きくなることで、界面B(基板/ITO界
面)における全反射が緩和されるようになり、かつ、光
の角度変換により、界面A(空気/基板界面)における
全反射が緩和されるためと考えられる。この事実から同
様に、基板の空気と接する側の面に、基板より高屈折率
な媒質からなる導光面を形成し、この空気/導光面界面
における光の角度変換手段を形成することでも、効果的
な光の取出し効率向上を図ることも可能である。
On the other hand, -1.5 in FIG.
2.0, 2.5, or -50, 15 in FIG.
As indicated by 0,400, when the light angle conversion means is formed on the interface A (air / substrate interface), the light extraction efficiency increases as the refractive index of the substrate increases. This is because the total refractive index at the interface B (substrate / ITO interface) is reduced by increasing the refractive index of the substrate, and the total angle at the interface A (air / substrate interface) is changed due to the angle conversion of light. It is considered that the reflection is alleviated. From this fact, similarly, it is also possible to form a light guide surface made of a medium having a higher refractive index than the substrate on the surface of the substrate that is in contact with air, and form a light angle conversion means at the air / light guide surface interface. It is also possible to effectively improve the light extraction efficiency.

【0083】また、図2における−1.5,2.0,
2.5或いは、図3における−50,150,400
で示すように、界面B(基板/ITO界面)に光の角度
変換手段を形成した場合では、基板の屈折率が小さいほ
ど光の取出し効率は大きくなる。これは、光の角度変換
により、界面B(基板/ITO界面)における全反射が
緩和されるようになり、かつ、基板の屈折率が小さいこ
とで、界面A(空気/基板界面)における全反射が緩和
されるためと考えられる。
Further, in FIG. 2, -1.5, 2.0,
2.5 or -50, 150, 400 in FIG.
As shown in, when the light angle conversion means is formed at the interface B (substrate / ITO interface), the light extraction efficiency increases as the refractive index of the substrate decreases. This is because the total angle of reflection at the interface B (substrate / ITO interface) is relaxed by the angle conversion of light, and the total refractive index at the interface A (air / substrate interface) is reduced due to the small refractive index of the substrate. Is believed to be alleviated.

【0084】そして、図2における−1.5,2.
0,2.5或いは、図3における−50,150,4
00で示すように、界面A(空気/基板界面)および界
面B(基板/ITO界面)に光の角度変換手段を形成し
た場合、基板の屈折率に関わらず、一様に光の取出し効
率は大きくなる。これは、光の角度変換手段により、両
界面A,Bの全反射が緩和されるためであり、このと
き、光の取出し効率は基板の屈折率に依存しない。ただ
し、光のにじみ等を抑制する必要がある場合は、高屈折
率基板を用いることが好ましい。
Then, -1.5, 2.
0,2.5 or -50,150,4 in FIG.
As shown by 00, when the light angle conversion means is formed at the interface A (air / substrate interface) and the interface B (substrate / ITO interface), the light extraction efficiency is uniform regardless of the refractive index of the substrate. growing. This is because the light angle conversion means alleviates the total reflection at both interfaces A and B. At this time, the light extraction efficiency does not depend on the refractive index of the substrate. However, when it is necessary to suppress light bleeding, it is preferable to use a high refractive index substrate.

【0085】以上のことから、光の角度変換手段を形成
しない場合に比べ、界面A(空気/基板界面)に光の角
度変換手段を形成した場合、界面B(基板/ITO界
面)に光の角度変換手段を形成した場合、界面A(空気
/基板界面)および界面B(基板/ITO界面)に光の
角度変換手段を形成した場合のいずれの場合において
も、光の取出し効率を向上させることが可能である。
From the above, when the light angle converting means is formed on the interface A (air / substrate interface), the light is converted on the interface B (substrate / ITO interface) as compared with the case where the light angle converting means is not formed. In the case of forming the angle converting means, in any case of forming the light angle converting means at the interface A (air / substrate interface) and the interface B (substrate / ITO interface), improving the light extraction efficiency. Is possible.

【0086】また、界面A(空気/基板界面)に光の角
度変換手段を形成した場合、基板の屈折率は、1.2以
上であれば、光の角度変換手段を形成しない場合よりも
光の取出し効率を向上させることが可能であり、更に、
1.4以上であれば、界面A(空気/基板界面)および
界面B(基板/ITO界面)に光の角度変換手段を形成
した場合よりも光の取出し効率を向上させることが可能
となる。ここで、実用上、発光層である有機物の屈折率
は1.7程度、陽極であるITOの屈折率はn ITO
1.8〜2.1程度であるので、界面A(空気/基板界
面)に光の角度変換手段を形成して、基板の屈折率を
1.7以上とすることで、30%を超える光の取出し効
率を達成することができる。
Further, the angle of light is applied to the interface A (air / substrate interface).
When the degree converting means is formed, the refractive index of the substrate is 1.2 or more.
If it is above, compared to the case where the light angle conversion means is not formed
It is possible to improve the light extraction efficiency.
If it is 1.4 or more, the interface A (air / substrate interface) and
Forming light angle conversion means on interface B (substrate / ITO interface)
It is possible to improve the light extraction efficiency more than when
Becomes Here, in practice, the refractive index of the organic substance that is the light emitting layer
Is about 1.7, and the refractive index of ITO as an anode is n. ITO=
Since it is about 1.8 to 2.1, the interface A (air / substrate interface
The angle of light conversion means is formed on the
By setting it to 1.7 or more, the light extraction effect of more than 30%
The rate can be achieved.

【0087】更に、界面B(基板/ITO界面)に光の
角度変換手段を形成した場合、ITOの屈折率によって
差異が生じているが、基板の屈折率を少なくとも1.5
以下とすれば、光の角度変換手段を形成しない場合より
も光の取出し効率を向上させることが可能である。更
に、1.1以下であれば、界面A(空気/基板界面)お
よび界面B(基板/ITO界面)に光の角度変換手段を
形成した場合よりも光の取出し効率を向上させることが
可能となる。しかし、低屈折率材料は限られているの
で、ITOの屈折率を大きくし、光の取出し効率を向上
させるように基板の屈折率を選択することが好ましい。
そして、実用上、発光層である有機物の屈折率は1.7
程度、陽極であるITOの屈折率はnITO=1.8〜
2.1程度であるので、界面B(基板/ITO界面)に
光の角度変換手段を形成して、基板の屈折率を1.7以
下とすることで、20%を超える光の取出し効率を達成
することができる。
Further, when the light angle converting means is formed at the interface B (substrate / ITO interface), there is a difference depending on the refractive index of ITO, but the refractive index of the substrate is at least 1.5.
With the following, it is possible to improve the light extraction efficiency as compared with the case where the light angle conversion means is not formed. Further, if it is 1.1 or less, it is possible to improve the light extraction efficiency as compared with the case where the light angle conversion means is formed at the interface A (air / substrate interface) and the interface B (substrate / ITO interface). Become. However, since the low refractive index material is limited, it is preferable to increase the refractive index of ITO and select the refractive index of the substrate so as to improve the light extraction efficiency.
Further, in practice, the refractive index of the organic material that is the light emitting layer is 1.7.
The refractive index of ITO as an anode is n ITO = 1.8 to
Since it is about 2.1, the angle of light conversion means is formed on the interface B (substrate / ITO interface) so that the refractive index of the substrate is 1.7 or less, so that the light extraction efficiency exceeding 20% is achieved. Can be achieved.

【0088】次に、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を構成する。
Next, the organic electroluminescence device of the present invention is constructed.

【0089】まず、基板について説明する。有機エレク
トロルミネッセンス素子の基板としては、透明あるいは
半透明基板を用いることができる。
First, the substrate will be described. A transparent or semi-transparent substrate can be used as the substrate of the organic electroluminescence element.

【0090】なお、本発明において、透明または半透明
なる定義は、有機エレクトロルミネッセンス素子による
発光の視認を妨げない程度の透明性を示すものである。
In the present invention, the definition of transparent or semi-transparent means the degree of transparency that does not hinder the visual recognition of light emission by the organic electroluminescence element.

【0091】基板材料としては、透明または半透明のソ
ーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラ
ス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の、無機
酸化物ガラス、無機フッ化物ガラス、等の無機ガラス、
あるいは、透明または半透明のポリエチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、
ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリ
オレフィン、フッ素系樹脂等の高分子フィルム等、ある
いは、透明または半透明のAs23、As4010、S40
Ge10等のカルコゲノイドガラス、ZnO、Nb25
Ta25、SiO、Si34、HfO2、TiO2等の金
属酸化物および窒化物等の材料から適宜選択して用いる
ことができ、複数の基板材料を積層した積層基板を用い
ることもできる。また、この基板表面、あるいは、基板
内部には、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動す
るための抵抗・コンダクタ・インダクタ等からなる回路
を形成していても良い。
As the substrate material, transparent or translucent soda lime glass, barium-strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz glass, or other inorganic oxide glass, inorganic Inorganic glass, such as fluoride glass,
Alternatively, transparent or translucent polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethylmethacrylate,
Polymer films such as polyether sulfone, polyvinyl fluoride, polypropylene, polyethylene, polyacrylate, amorphous polyolefin, and fluororesin, or transparent or translucent As 2 S 3 , As 40 S 10 , S 40
Chalcogenoid glass such as Ge 10 , ZnO, Nb 2 O 5 ,
Materials such as metal oxides and nitrides such as Ta 2 O 5 , SiO, Si 3 N 4 , HfO 2 , and TiO 2 can be appropriately selected and used, and a laminated substrate in which a plurality of substrate materials are laminated is used. You can also Further, a circuit composed of a resistor, a conductor, an inductor, etc. for driving the organic electroluminescence element may be formed on the surface of the substrate or inside the substrate.

【0092】また、これら基板材料の中で、高屈折率材
料としては、BaF等のフッ化物ガラス、或いは、高屈
折樹脂等があげられ、例えば、LaSFは屈折率が1.
8、BaSFは屈折率が1.7、BaFは屈折率が1.
6、ポリカーボネートは屈折率が1.6,アクリルは屈
折率が1.5であり、これらの中でもポリカーボネート
やアクリルは加工がしやすく安価であるという点から好
ましい。
Among these substrate materials, examples of the high refractive index material include fluoride glass such as BaF or high refractive index resin. For example, LaSF has a refractive index of 1.
8, BaSF has a refractive index of 1.7, and BaF has a refractive index of 1.
6. Polycarbonate has a refractive index of 1.6, and acrylic has a refractive index of 1.5. Among these, polycarbonate and acrylic are preferable because they are easy to process and are inexpensive.

【0093】低屈折率材料としては、Ti等のフッ化物
ガラス、或いは、波長以下の微小な気泡を含んだ低屈折
基材等があげられ、例えば、TiFは屈折率が1.4
5、TiKは屈折率が1.44、FKは屈折率が1.4
3、微小気泡含有のSiO2は屈折率が1.2であり、
これらの中でもTiFやTiK等が材料が安定している
という点から好ましい。
Examples of the low-refractive index material include fluoride glass such as Ti, or a low-refractive index base material containing minute bubbles of a wavelength or less. For example, TiF has a refractive index of 1.4.
5, TiK has a refractive index of 1.44, FK has a refractive index of 1.4.
3, SiO 2 containing micro bubbles has a refractive index of 1.2,
Among these, TiF, TiK and the like are preferable because the material is stable.

【0094】また、光の角度変換手段とは、2つの異な
る媒質からなる境界面において、入射する光が伝播し、
再び境界面に入射する際に、光の角度変換手段を経由す
ることで異なる入射角度で入射するような施策であり、
基板を形成する各面のいずれに対しても平行でないよう
な面および構造体である。
In addition, with the light angle conversion means, incident light propagates on the boundary surface composed of two different media,
When entering the boundary surface again, it is a measure that the light is incident at different incident angles by way of the light angle conversion means.
A surface and a structure that are not parallel to any of the surfaces forming the substrate.

【0095】具体的には、基板の非平行面があげられ、
これは、例えば、三角柱や円柱、或いはそれらの複合体
等からなる、いわゆる平板とは異なる形状の基板におけ
る、素子形成面と平行・垂直な関係にない面である。
Specifically, the non-parallel surface of the substrate can be mentioned.
This is a surface that is not parallel or perpendicular to the element formation surface in a substrate having a shape different from what is called a flat plate, such as a triangular prism, a cylinder, or a composite body of them, for example.

【0096】更に、光の角度変換手段の具体例として
は、基板の湾曲、基板表面の凹凸、微小レンズ、微小プ
リズム、微小ミラー構造、および、それらの集合体から
なる。
Further, specific examples of the light angle converting means include a curved surface of the substrate, irregularities on the surface of the substrate, a minute lens, a minute prism, a minute mirror structure, and an assembly thereof.

【0097】これら光の角度変換手段は、有機エレクト
ロルミネッセンス素子の積層構造体において、上述し
た、空気/基板界面、及び/又は、基板/陽極(例え
ば、ITO)界面であれば、いずれに形成しても良い
が、素子作成行程を考慮すると、基板自体を加工して形
成することが好ましい。
These light angle converting means are formed on any of the above-mentioned air / substrate interface and / or substrate / anode (for example, ITO) interface in the laminated structure of the organic electroluminescence element. However, it is preferable that the substrate itself is processed and formed in consideration of the element manufacturing process.

【0098】また、光の角度変換手段は、基板の表面、
或いは、基板の内部に形成することができる。
The light angle converting means is the surface of the substrate,
Alternatively, it can be formed inside the substrate.

【0099】基板の表面に光の角度変換手段を形成する
場合、基板の表面を研磨して凹凸を形成する、或いは、
基板の表面に微小レンズ等を接合する。このように基板
の表面に光の角度変換手段を形成する場合において、そ
の形成界面が空気/基板界面であれば、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子形成後に表面を加工すればよく作成
行程が簡単となり、形成界面が基板/陽極界面であれ
ば、光の角度変換手段としての微小レンズ等が剥き出し
になることはない。
When the light angle converting means is formed on the surface of the substrate, the surface of the substrate is polished to form irregularities, or
A minute lens or the like is bonded to the surface of the substrate. In the case of forming the light angle converting means on the surface of the substrate as described above, if the formation interface is the air / substrate interface, the surface may be processed after the organic electroluminescence element is formed, and the preparation process is simplified. If is the substrate / anode interface, the minute lens or the like as the means for converting the angle of light will not be exposed.

【0100】基板の内部に光の角度変換手段を形成する
場合は、基板に凹凸や微小レンズを内包させて光の角度
変換手段を形成することができる。このように基板の内
部に光の角度変換手段を形成する場合において、その形
成界面が空気/基板界面であれば、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子形成後に表面を加工すればよく作成行程
が簡単となる上、基板表面に凹凸等が無くなり、光の角
度変換手段の耐摩擦性が向上する。また、形成界面が基
板/陽極界面であれば、光の角度変換手段としての微小
レンズ等が剥き出しになることはない上、均一な面に対
して陽極等を形成することが可能となる。
When the light angle converting means is formed inside the substrate, the light angle converting means can be formed by incorporating irregularities or minute lenses in the substrate. In the case of forming the light angle conversion means inside the substrate as described above, if the formation interface is the air / substrate interface, the surface may be processed after the organic electroluminescence element is formed, and the production process is simplified. The unevenness and the like on the substrate surface are eliminated, and the abrasion resistance of the light angle conversion means is improved. Further, when the formation interface is the substrate / anode interface, the microlenses or the like as the light angle conversion means are not exposed, and the anode or the like can be formed on a uniform surface.

【0101】光の角度変換手段の材料は、光透過性のも
のとして、前記透明基板材料として挙げた材料、あるい
は、それらを複合させてなる透明光の角度変換手段、あ
るいは、シート状に形成された光の角度変換シートおよ
び接着性透明樹脂等の複合手段等中から適宜選択して用
いることができる。また、光反射性のものとしては、金
属反射を利用した、Al(アルミニウム)、Ag
(銀)、Au(金)、Pt(白金)、Cu(銅)、Li
(リチウム)、Cr(クロム)、Ti(チタン)、Fe
(鉄)、Ge(ゲルマニウム)、In(インジウム)、
Mg(マグネシウム)、Ba(バリウム)、Ni(ニッ
ケル)、Si(シリコン)、Sn(錫)、W(タングス
テン)、Zn(亜鉛)、Mo(モリブデン)、Ta(タ
ンタル)等、1種類以上の金属または合金あるいはこれ
らの膜を積層してなる積層体といった金属反射を利用し
た金属反射材料、あるいは、少なくとも前記金属粉末等
の導電性微粒子を樹脂に分散させてできる導電性樹脂の
光反射を利用した樹脂等、あるいは、前記導電性樹脂に
白色顔料などを分散させてできる白色樹脂の白色反射を
利用した樹脂等などから、適宜選択して用いることがで
きる。
The material of the light angle converting means is a material which is transparent to light, the materials mentioned above as the transparent substrate material, or a transparent light angle converting means formed by combining them, or formed into a sheet shape. The light angle conversion sheet and the adhesive transparent resin may be appropriately selected from the composite means and used. Further, as the light-reflecting material, Al (aluminum), Ag, which utilizes metal reflection,
(Silver), Au (gold), Pt (platinum), Cu (copper), Li
(Lithium), Cr (chrome), Ti (titanium), Fe
(Iron), Ge (germanium), In (indium),
One or more of Mg (magnesium), Ba (barium), Ni (nickel), Si (silicon), Sn (tin), W (tungsten), Zn (zinc), Mo (molybdenum), Ta (tantalum), etc. Metal reflection material that uses metal reflection such as metal or alloy or a laminate formed by laminating these films, or light reflection of conductive resin formed by dispersing conductive fine particles such as at least the metal powder in resin The resin or the like described above, or a resin using white reflection of a white resin formed by dispersing a white pigment or the like in the conductive resin, or the like can be appropriately selected and used.

【0102】また特に、これら光の角度変換手段は、界
面を形成する材料との屈折率差の大きな透明材料で、か
つ、成形が容易な材料からなることが好ましく、透明レ
ジスト、或いは、酸化チタン等を用いて光の角度変換手
段を形成することが好ましい。
Further, it is particularly preferable that the light angle converting means is made of a transparent material having a large difference in refractive index from the material forming the interface and easy to mold, such as a transparent resist or titanium oxide. It is preferable to form the light angle conversion means by using the above.

【0103】透明レジストは、可視光に対する透過率が
高く、熱あるいは紫外線により硬化させることで光の角
度変換手段として用いることが可能なため、非常に成形
が容易であり、微少な光の角度変換手段を形成する場合
特に有効である。
The transparent resist has a high transmittance for visible light and can be used as a light angle conversion means by being cured by heat or ultraviolet rays. Therefore, it is very easy to mold and a slight light angle conversion is possible. It is particularly effective when forming means.

【0104】また、酸化チタンは、可視光に対する透過
率が高く、かつ、屈折率が非常に高いため、光の角度変
換手段として有効であり、高屈折率基板上に形成する場
合は更に好ましい。
Further, since titanium oxide has a high transmittance for visible light and an extremely high refractive index, it is effective as a means for converting the angle of light, and is more preferable when it is formed on a high refractive index substrate.

【0105】そして、基板の表裏の少なくともいずれか
一方、即ち、空気/基板界面、及び/又は、基板/陽極
(例えば、ITO)界面に、光の角度変換手段を設け、
基板に高屈折率材料や低屈折率材料を用いる代わりに、
光の角度変換手段そのものを高屈折率材料や低屈折率材
料で構成することによっても、光の取出し効率を図る事
も可能であり、光の角度変換手段に用いる高屈折率材料
としては、BaF等のフッ化物ガラス、或いは、高屈折
樹脂等があげられ、例えば、LaSFは屈折率が1.
8、BaSFは屈折率が1.7、BaFは屈折率が1.
6、ポリカーボネートは屈折率が1.6、アクリルは屈
折率が1.5である。或いは、光の角度変換手段が微小
である場合、多少可視光領域の透過率が低くても良いた
め、TiO 2等の無機酸化物、或いは、透明レジスト等
があげられ、TiO2は屈折率が2.5、透明レジスト
は屈折率が1.5である。これらの中でも透明レジスト
は加工がしやすく安価であるという点から好ましく、T
iO2は他の材料との屈折率差を大きくすることができ
るという点から好ましい。低屈折率材料としては、Ti
等のフッ化物ガラス、或いは、波長以下の微小な気泡を
含んだ低屈折基材等があげられ、例えば、TiFは屈折
率が1.45、TiKは屈折率が1.44、FKは屈折
率が1.43、微小気泡含有のSiO2は屈折率が1.
2であり、これらの中でも微小気泡含有の低屈折基材
は、他の材料との屈折率差を大きくすることができると
いう点から好ましい。
At least one of the front and back of the substrate
On the other hand, ie air / substrate interface and / or substrate / anode
A light angle converting means is provided at the interface (for example, ITO),
Instead of using high and low refractive index materials for the substrate,
The light angle conversion means itself is made of high-refractive index material or low-refractive index material
Aim to increase the light extraction efficiency by using a fee
It is also possible to use a high-refractive index material for the angle conversion means of light.
Fluoride glass such as BaF or high refraction
Examples thereof include resins, and for example, LaSF has a refractive index of 1.
8, BaSF has a refractive index of 1.7, and BaF has a refractive index of 1.
6. Polycarbonate has a refractive index of 1.6, and acrylic has a refractive index.
The folding rate is 1.5. Alternatively, the light angle conversion means is minute
If it is, the transmittance in the visible light region may be slightly low.
Therefore, TiO 2Inorganic oxide or transparent resist
And TiO2Has a refractive index of 2.5 and is a transparent resist
Has a refractive index of 1.5. Among these, transparent resist
Is preferable because it is easy to process and inexpensive.
iO2Can increase the refractive index difference with other materials
It is preferable from the viewpoint that As a low refractive index material, Ti
Such as fluoride glass or micro bubbles below the wavelength
Examples include low-refractive-index base materials that include TiF.
Index is 1.45, TiK has a refractive index of 1.44, and FK has a refractive index.
Ratio of 1.43, SiO containing micro bubbles2Has a refractive index of 1.
2. Among these, low refractive index base material containing micro bubbles
Can increase the difference in refractive index from other materials.
From the point of view, it is preferable.

【0106】陽極は、正孔を注入する電極であり、正孔
を効率良く発光層或いは正孔輸送層に注入することが必
要である。陽極としては、透明電極を用いることができ
る。透明電極の材料としては、インジウムスズ酸化物
(ITO)、酸化スズ(SnO 2)、酸化亜鉛(Zn
O)等の金属酸化物、あるいは、SnO:Sb(アンチ
モン)、ZnO:Al(アルミニウム)といった混合物
からなる透明導電膜や、あるいは、透明度を損なわない
程度の厚さのAl(アルミニウム)、Cu(銅)、Ti
(チタン)、Ag(銀)といった金属薄膜や、これら金
属の混合薄膜、積層薄膜といった金属薄膜や、あるい
は、ポリピロール等の導電性高分子等を用いる事ができ
る。また、複数の前述透明電極材料を積層することで透
明電極とすることも可能であり、抵抗加熱蒸着、電子ビ
ーム蒸着、スパッタ法または電界重合法等の各種の重合
法等により形成する。また、透明電極は、十分な導電性
を持たせるため、または、基板表面の凹凸による不均一
発光を防ぐために、1nm以上の厚さにすることが望ま
しい。また、十分な透明性を持たせるために500nm
以下の厚さにすることが望ましい。
The anode is an electrode for injecting holes,
Must be efficiently injected into the light emitting layer or the hole transport layer.
It is important. A transparent electrode can be used as the anode.
It Indium tin oxide as the material of the transparent electrode
(ITO), tin oxide (SnO) 2), Zinc oxide (Zn
O) or other metal oxide, or SnO: Sb (anti
Mon), ZnO: Al (aluminum) mixture
A transparent conductive film composed of or does not impair transparency
Al (aluminum), Cu (copper), Ti with a certain thickness
(Titanium), Ag (silver) metal thin film, and these gold
Metal thin films such as mixed thin films of metal, laminated thin films, or
Can use a conductive polymer such as polypyrrole
It In addition, by stacking a plurality of the transparent electrode materials described above,
It can also be used as a bright electrode.
Various types of polymerization such as film deposition, sputtering or electric field polymerization
It is formed by the method. In addition, the transparent electrode has sufficient conductivity.
Or unevenness due to unevenness on the substrate surface
A thickness of 1 nm or more is desirable to prevent light emission
Good In addition, in order to have sufficient transparency, 500 nm
The following thickness is desirable.

【0107】更に、陽極としては、前記透明電極以外に
も、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)、Cu(銅)、
Sn(錫)、W(タングステン)、Au(金)等の仕事
関数の大きな金属、あるいはその合金、酸化物等を用い
ることができ、これら陽極材料を用いた複数の材料によ
る積層構造も用いることができる。ただし、陽極として
透明電極を用いない場合、光の角度変換手段の効果を最
大限に利用するためには、陽極は光を反射する材料で形
成することが好ましい。なお、陽極として透明電極を用
いない場合には、陰極が透明電極であればよい。
Further, as the anode, in addition to the transparent electrode, Cr (chrome), Ni (nickel), Cu (copper),
A metal having a large work function such as Sn (tin), W (tungsten), Au (gold), an alloy thereof, an oxide, or the like can be used, and a laminated structure including a plurality of materials using these anode materials can also be used. You can However, when the transparent electrode is not used as the anode, the anode is preferably formed of a material that reflects light in order to maximize the effect of the light angle conversion means. When the transparent electrode is not used as the anode, the cathode may be a transparent electrode.

【0108】また、陽極に非晶質炭素膜を設けても良
い。この場合には、共に正孔注入電極としての機能を有
する。即ち、陽極から非晶質炭素膜を介して発光層或い
は正孔輸送層に正孔が注入される。また、非晶質炭素膜
は、陽極と発光層或いは正孔輸送層との間にスパッタ法
により形成されてなる。スパッタリングによるカーボン
ターゲットとしては、等方性グラファイト、異方性グラ
ファイト、ガラス状カーボン等があり、特に限定するも
のではないが、純度の高い等方性グラファイトが適して
いる。非晶質炭素膜が優れている点を具体的に示すと、
理研計器製の表面分析装置AC−1を使って、非晶質炭
素膜の仕事関数を測定すると、非晶質炭素膜の仕事関数
は、Wc=5.40eVである。ここで、一般に陽極と
してよく用いられているITOの仕事関数は、WITO
5.05eVであるので、非晶質炭素膜を用いた方が発
光層或いは正孔輸送層に効率よく正孔を注入できる。ま
た、非晶質炭素膜をスパッタリング法にて形成する際、
非晶質炭素膜の電気抵抗値を制御するために、窒素ある
いは水素とアルゴンの混合ガス雰囲気下で反応性スパッ
タリングする。さらに、スパッタリング法などによる薄
膜形成技術では、膜厚を5nm以下にすると膜が島状構
造となり均質な膜が得られない。そのため、非晶質炭素
膜の膜厚が5nm以下では、効率の良い発光が得られ
ず、非晶質炭素膜の効果が期待できない。また、非晶質
炭素膜の膜厚を200nm以上とすると、膜の色が黒味
を帯び、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光が十
分に透過しなくなる。
An amorphous carbon film may be provided on the anode. In this case, both have a function as a hole injecting electrode. That is, holes are injected from the anode into the light emitting layer or the hole transport layer through the amorphous carbon film. The amorphous carbon film is formed between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer by the sputtering method. Carbon targets obtained by sputtering include isotropic graphite, anisotropic graphite, glassy carbon and the like, and is not particularly limited, but isotropic graphite having high purity is suitable. Concretely showing the advantages of the amorphous carbon film,
When the work function of the amorphous carbon film is measured using a surface analyzer AC-1 manufactured by Riken Keiki, the work function of the amorphous carbon film is W c = 5.40 eV. Here, the work function of ITO, which is commonly used as an anode, is W ITO =
Since it is 5.05 eV, holes can be efficiently injected into the light emitting layer or the hole transport layer by using the amorphous carbon film. When forming an amorphous carbon film by a sputtering method,
In order to control the electric resistance value of the amorphous carbon film, reactive sputtering is performed in a mixed gas atmosphere of nitrogen or hydrogen and argon. Further, in the thin film forming technique such as the sputtering method, if the film thickness is 5 nm or less, the film has an island structure and a uniform film cannot be obtained. Therefore, if the thickness of the amorphous carbon film is 5 nm or less, efficient light emission cannot be obtained, and the effect of the amorphous carbon film cannot be expected. Further, when the thickness of the amorphous carbon film is 200 nm or more, the color of the film becomes blackish, and the light emitted from the organic electroluminescence element cannot be sufficiently transmitted.

【0109】また、発光層材料は、可視領域で蛍光特性
を有し、かつ成膜性の良い蛍光体からなるものが好まし
く、Alq3やBe−ベンゾキノリノール(BeBq2
の他に、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2
−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾー
ル、4,4’−ビス(5,7−ベンチル−2−ベンゾオ
キサゾリル)スチルベン、4,4’−ビス〔5,7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル〕スチルベン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ベン
チル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフィン、2,5−
ビス(〔5−α,α−ジメチルベンジル〕−2−ベンゾ
オキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス〔5,7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル〕−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、
4,4’−ビス(2−ベンゾオキサイゾリル)ビフェニ
ル、5−メチル−2−〔2−〔4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサイゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾオキ
サイゾリル、2−〔2−(4−クロロフェニル)ビニ
ル〕ナフト〔1,2−d〕オキサゾール等のベンゾオキ
サゾール系、2,2’−(p−フェニレンジビニレン)
−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、2−
〔2−〔4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビ
ニル〕ベンゾイミダゾール、2−〔2−(4−カルボキ
シフェニル)ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイ
ミダゾール系等の蛍光増白剤や、ビス(8−キノリノー
ル)マグネシウム、ビス(ベンゾ−8−キノリノール)
亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウムオキシド、トリス(8−キノリノール)インジウ
ム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニ
ウム、8−キノリノールリチウム、トリス(5−クロロ
−8−キノリノール)ガリウム、ビス(5−クロロ−8
−キノリノール)カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス(8−
ヒドロキシ−5−キノリノニル)メタン〕等の8−ヒド
ロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオ
ン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、1,4−
ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−(3−
メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチル
スチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビ
ス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3
−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メチ
ルスチリル)2−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン
系化合物や、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラ
ジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、
2,5−ビス〔2−(1−ナフチル)ビニル〕ピラジ
ン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、
2,5−ビス〔2−(4−ビフェニル)ビニル〕ピラジ
ン、2,5−ビス〔2−(1−ピレニル)ビニル〕ピラ
ジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘
導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体
や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体
や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳
香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。さらに、ア
ントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等も用い
られる。あるいは、ファク−トリス(2−フェニルピリ
ジン)イリジウム等の燐光発光材料を用いても良い。
The light emitting layer material is preferably made of a phosphor having a fluorescent property in the visible region and having a good film-forming property, such as Alq 3 or Be-benzoquinolinol (BeBq 2 ).
In addition to 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2
-Benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole, 4,4'-bis (5,7-bentyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di- (2-Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) thiophine, 2,5-
Bis ([5-α, α-dimethylbenzyl] -2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl ] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thiophene,
4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-
Benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazolyl, benzoxazoles such as 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] oxazole, 2,2 ′-(p-phenyl) Range vinylene)
-Benzothiazoles such as bisbenzothiazole, 2-
[2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole, and other fluorescent whitening agents such as benzimidazole compounds, and bis (8- Quinolinol) magnesium, bis (benzo-8-quinolinol)
Zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, lithium 8-quinolinol, tris (5-chloro-8-quinolinol). Gallium, bis (5-chloro-8)
-Quinolinol) calcium, poly [zinc-bis (8-
8-hydroxyquinoline-based metal complex such as hydroxy-5-quinolinonyl) methane], a metal chelated oxinoid compound such as dilithium epinedridione, and 1,4-
Bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4- (3-
Methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3
-Styrylbenzene-based compounds such as -ethylstyryl) benzene and 1,4-bis (2-methylstyryl) 2-methylbenzene, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, and 2,5-bis (4- Ethylstyryl) pyrazine,
2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine,
Distilpyrazine derivatives such as 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine and 2,5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine, naphthalimide derivatives, perylene derivatives, An oxadiazole derivative, an aldazine derivative, a cyclopentadiene derivative, a styrylamine derivative, a coumarin derivative, an aromatic dimethylidin derivative, etc. are used. Further, anthracene, salicylate, pyrene, coronene and the like are also used. Alternatively, a phosphorescent material such as faq-tris (2-phenylpyridine) iridium may be used.

【0110】また、発光層のみの単層構造の他に、正孔
輸送層と発光層又は発光層と電子輸送層の2層構造や、
正孔輸送層と発光層と電子輸送層の3層構造のいずれの
構造でもよい。但し、このような2層構造又は3層構造
の場合には、正孔輸送層と陽極が、又は電子輸送層と陰
極が接するように積層して形成される。
Further, in addition to the single-layer structure of only the light emitting layer, a two-layer structure of a hole transport layer and a light emitting layer or a light emitting layer and an electron transport layer,
Any of a three-layer structure of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer may be used. However, in the case of such a two-layer structure or a three-layer structure, the hole transport layer and the anode or the electron transport layer and the cathode are laminated so as to be in contact with each other.

【0111】そして、正孔輸送層としては、正孔移動度
が高く、透明で成膜性の良いものが好ましい。TPDの
他に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタ
ロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシア
ニンオキサイド等のポリフィリン化合物や、1,1−ビ
ス{4−(ジ−P−トリルアミノ)フェニル}シクロヘ
キサン、4,4’,4’’−トリメチルトリフェニルア
ミン、N,N,N’,N’−テトラキス(P−トリル)
−P−フェニレンジアミン、1−(N,N−ジ−P−ト
リルアミノ)ナフタレン、4,4’−ビス(ジメチルア
ミノ)−2−2’−ジメチルトリフェニルメタン、N,
N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノ
ビフェニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ−m
−トリル−4,N,N−ジフェニル−N,N’−ビス
(3−メチルフェニル)−1,1’−4,4’−ジアミ
ン、4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾ
−ル等の芳香族第三級アミンや、4−ジ−P−トリルア
ミノスチルベン、4−(ジ−P−トリルアミノ)−4’
−〔4−(ジ−P−トリルアミノ)スチリル〕スチルベ
ン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オ
キサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリ
アリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラ
ゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニー
ルアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキ
サゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フ
ルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘
導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オ
リゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリ
ディン系化合物や、ポリ3−メチルチオフェン等の有機
材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子
中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高
分子分散系の正孔輸送層も用いられる。
As the hole transport layer, one having a high hole mobility, being transparent and having a good film forming property is preferable. In addition to TPD, porphine, tetraphenylporphine copper, phthalocyanine, copper phthalocyanine, titanium phthalocyanine oxide, and other porphyrin compounds, 1,1-bis {4- (di-P-tolylamino) phenyl} cyclohexane, 4,4 ′, 4 ″ -trimethyltriphenylamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (P-tolyl)
-P-phenylenediamine, 1- (N, N-di-P-tolylamino) naphthalene, 4,4'-bis (dimethylamino) -2-2'-dimethyltriphenylmethane, N,
N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di-m
-Tolyl-4, N, N-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-4,4'-diamine, 4'-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazol, etc. Aromatic tertiary amines, 4-di-P-tolylaminostilbene, 4- (di-P-tolylamino) -4 '
A stilbene compound such as-[4- (di-P-tolylamino) styryl] stilbene, a triazole derivative, an oxazizazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, , Annealed amine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, silazane derivatives, polysilane-based aniline-based copolymers, polymer oligomers, and styrylamine compounds Alternatively, an organic material such as an aromatic dimethylidene compound or poly-3-methylthiophene is used. Further, a polymer-dispersed hole transport layer in which a low molecular weight organic material for a hole transport layer is dispersed in a polymer such as polycarbonate is also used.

【0112】また、電子輸送層としては、1,3−ビス
(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサ
ジアゾリル)フェニレン(OXD−7)等のオキサジア
ゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体等が用いられる。
As the electron transport layer, oxadiazole derivatives such as 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7) and anthraquinodimethane derivatives are used. , Diphenylquinone derivatives and the like are used.

【0113】陰極は、電子を注入する電極であり、電子
を効率良く発光層或いは電子輸送層に注入することが必
要であり、仕事関数の小さいAl(アルミニウム)、I
n(インジウム)、Mg(マグネシウム)、Ti(チタ
ン)、Ag(銀)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロ
ンチウム)等の金属、あるいは、これらの金属の酸化物
やフッ化物およびその合金、積層体等が一般に用いられ
る。そして、光の角度変換手段の効果を最大限に利用す
るためには、陰極は光を反射する材料で形成することが
好ましい。
The cathode is an electrode for injecting electrons, and it is necessary to efficiently inject the electrons into the light emitting layer or the electron transporting layer, and Al (aluminum), I having a small work function is used.
Metals such as n (indium), Mg (magnesium), Ti (titanium), Ag (silver), Ca (calcium), and Sr (strontium), or oxides or fluorides of these metals and their alloys and laminated bodies. Etc. are generally used. In order to maximize the effect of the light angle conversion means, the cathode is preferably made of a material that reflects light.

【0114】光の角度変換手段を形成した場合、すべて
の光に対して有効な角度変換を行うことは困難であり、
そのため、一度の光の角度変換で取出されなかった光
は、空気との界面で全反射され、再び素子内部へと伝播
し陰極へと到達する。或いは、発光層において、光は等
方的に放射されるため、発光層で放射される光のうち半
分は、光取り出し面に到達する前に陰極へと到達する。
このとき、陰極が光を反射する材料で形成されていた場
合、この陰極へ到達した光は反射され、再び、光取出し
面方向へと伝播することが可能となり、有効な光として
利用される可能性がある。この効果を有効にするために
は,陰極は光を反射する材料で形成することが好まし
く、更に、光の反射率が50%以上であることが好まし
い。これは、光の角度変換による効率向上率が2倍程度
であることから、光の反射率が50%以上、つまり陰極
における光のロスが50%以下であれば有効な光取出し
が可能である。従来の有機エレクトロルミネッセンス素
子では、陰極の反射率は極めて高いことが要求された
が、光取り出し効率が向上することによって、陰極の材
料、膜厚、形成方法等の選択性を拡大することも可能で
ある。なお、以上のことは、陰極を透明電極として用い
た場合には、陽極に適用されるのは言うまでもない。
When the light angle conversion means is formed, it is difficult to perform effective angle conversion for all light.
Therefore, the light that is not extracted by the angle conversion of light once is totally reflected at the interface with air, propagates inside the element again, and reaches the cathode. Alternatively, since light is isotropically emitted in the light emitting layer, half of the light emitted in the light emitting layer reaches the cathode before reaching the light extraction surface.
At this time, if the cathode is made of a material that reflects light, the light that reaches the cathode is reflected and can propagate again in the direction of the light extraction surface, and can be used as effective light. There is a nature. In order to make this effect effective, the cathode is preferably formed of a material that reflects light, and further, the light reflectance is preferably 50% or more. This is because the efficiency improvement rate due to the angle conversion of light is about twice, so that effective light extraction is possible if the light reflectance is 50% or more, that is, the light loss at the cathode is 50% or less. . In conventional organic electroluminescence devices, the reflectance of the cathode was required to be extremely high, but by improving the light extraction efficiency, it is possible to expand the selectivity of the cathode material, film thickness, formation method, etc. Is. Needless to say, the above applies to the anode when the cathode is used as the transparent electrode.

【0115】また、陰極としては、発光層或いは電子輸
送層と接する界面に、仕事関数の小さい金属を用いた光
透過性の高い超薄膜を形成し、その上部に透明電極を積
層することで、透明陰極を形成することも可能である。
特に仕事関数の小さなMg、Mg−Ag合金、特開平5
−121172号公報記載のAl−Li合金やSr−M
g合金あるいはAl−Sr合金、Al−Ba合金等ある
いはLiO2/AlやLiF/Al等の積層構造は陰極
材料として好適である。
Further, as the cathode, an ultrathin film having a high light transmittance using a metal having a small work function is formed at the interface in contact with the light emitting layer or the electron transport layer, and a transparent electrode is laminated on the ultrathin film. It is also possible to form a transparent cathode.
In particular, Mg and Mg-Ag alloys having a small work function are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5
Al-Li alloy and Sr-M described in JP-A-121172.
A g-alloy, an Al-Sr alloy, an Al-Ba alloy, or a laminated structure of LiO 2 / Al, LiF / Al, or the like is suitable as a cathode material.

【0116】更に、これら陰極の成膜方法としては抵抗
加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法が用いられる。
Furthermore, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, and sputtering are used as the film forming method for these cathodes.

【0117】なお、陽極及び陰極は少なくとも一方が透
明電極であればよい。更に、共に透明電極であってもよ
いが、光の取り出し効率を向上させるためには、一方が
透明電極であれば、他方が光を反射する材料で形成する
ことが好ましい。
At least one of the anode and the cathode may be a transparent electrode. Further, both may be transparent electrodes, but in order to improve the light extraction efficiency, it is preferable that one is a transparent electrode and the other is formed of a material that reflects light.

【0118】また、有機エレクトロルミネッセンス素子
を外気から遮断し、長時間安定性を保証するために素子
表面に保護膜を形成することもある。保護膜の材料とし
ては、SiON、SiO、SiN、SiO2、Al
23、LiF等の無機酸化物、無機窒化物、無機フッ化
物からなる薄膜、あるいは、無機酸化物、無機窒化物、
無機フッ化物等、あるいは、それらの混合物等からなる
ガラス膜、あるいは、熱硬化性、光硬化性の樹脂や封止
効果のあるシラン系の高分子材料等が挙げられ蒸着やス
パッタリング等もしくは塗布法により形成される。
In addition, a protective film may be formed on the surface of the organic electroluminescence device in order to shield the organic electroluminescence device from the outside air and ensure long-term stability. As the material of the protective film, SiON, SiO, SiN, SiO 2 , Al
2 O 3 , an inorganic oxide such as LiF, an inorganic nitride, a thin film made of an inorganic fluoride, an inorganic oxide, an inorganic nitride,
Inorganic fluorides or the like, a glass film made of a mixture thereof, or a thermosetting or photocurable resin or a silane-based polymer material having a sealing effect, or the like may be used, for example, vapor deposition, sputtering, or a coating method. Is formed by.

【0119】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子は、画像を表示する表示装置として用いること
ができ、これら表示装置は、携帯電話、PHS、PDA
等の携帯情報端末のディスプレイ、テレビジョン、パー
ソナルコンピュータ、カーナビゲーション等のディスプ
レイ、ステレオ、ラジオ等のAV機器のディスプレイ等
に用いることができる。
Further, the organic electroluminescence element of the present invention can be used as a display device for displaying an image, and these display devices include a mobile phone, PHS, PDA.
It can be used as a display of a portable information terminal such as, a display of a television, a personal computer, a car navigation, etc., a display of an AV device such as a stereo, a radio, etc.

【0120】更に、レーザプリンタ、スキャナ等の光源
としての照明装置に用いることができる。或いは、室内
灯、ライトスタンド等の照明器具のような単なる光源と
しての照明装置として用いることもできる。
Further, it can be used for a lighting device as a light source such as a laser printer or a scanner. Alternatively, it can be used as a lighting device as a simple light source such as a lighting fixture such as an interior light or a light stand.

【0121】これらの中でも、有機エレクトロルミネッ
センス素子の低消費電力、軽量薄型化が容易、応答速度
が速い等の優位性を考慮すれば、様々な電子機器におい
て画像を表示するディスプレイとしての表示装置や、レ
ーザプリンタ、スキャナ等の光源としての照明装置に用
いることが好ましい。
Among these, considering the advantages of the organic electroluminescence element such as low power consumption, easy weight reduction and thinning, and fast response speed, a display device as a display for displaying an image in various electronic devices or It is preferably used for a lighting device as a light source such as a laser printer or a scanner.

【0122】以下に本発明の実施の形態について説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0123】(実施の形態1)本発明の実施の形態にお
ける有機エレクトロルミネッセンス素子について述べ
る。
(Embodiment 1) An organic electroluminescent element according to an embodiment of the present invention will be described.

【0124】図4は、本発明の実施の形態における有機
エレクトロルミネッセンス素子の要部断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an essential part of the organic electroluminescent element according to the embodiment of the present invention.

【0125】図4において、陽極2、正孔輸送層3、発
光層4、陰極5は従来の技術で説明したものと同様のも
のであるので、同一の符号を付して説明を省略する。ま
た、6は微小レンズアレイ、7は高屈折率基板である。
In FIG. 4, the anode 2, the hole transport layer 3, the light emitting layer 4, and the cathode 5 are the same as those described in the prior art, and therefore the same reference numerals are given and the description thereof is omitted. Further, 6 is a minute lens array, and 7 is a high refractive index substrate.

【0126】本実施の形態における有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、高屈折率基板7の陽極と接する面に
対向する側の面に光の角度変換手段として微小レンズア
レイ6を備えている。そして、その微小レンズアレイ
が、発光層から放射される光の角度を、高屈折率基板と
空気との境界面において全反射を引き起こす臨界角より
も小さい角度に変換するようになっていることが好まし
い。光の角度変換手段の構成材料、形成方法は上述した
構成材料、形成方法や従来公知の材料の中から、発光層
からの発光の取出しを妨げないように適宜選択して用い
ることができる。
The organic electroluminescent element of the present embodiment has a microlens array 6 as a light angle converting means on the surface of the high refractive index substrate 7 opposite to the surface in contact with the anode. The microlens array converts the angle of light emitted from the light emitting layer into an angle smaller than a critical angle that causes total reflection at the interface between the high refractive index substrate and air. preferable. The constituent material and forming method of the light angle converting means can be appropriately selected and used from the above-mentioned constituent materials, forming methods and conventionally known materials so as not to prevent extraction of light emission from the light emitting layer.

【0127】なお、基板1、陽極2、正孔輸送層3、発
光層4、陰極5の構成材料、形成方法も上述した構成材
料、形成方法や従来公知のものを用いることができる。
As the constituent material and forming method of the substrate 1, the anode 2, the hole transporting layer 3, the light emitting layer 4, and the cathode 5, the above-described constituent materials and forming methods and those conventionally known can be used.

【0128】更に、本実施の形態においては、正孔輸送
層と発光層からなる二層構造の場合について説明した
が、その構造については前述のように特にこれに限定さ
れるものではない。
Further, in the present embodiment, the case of the two-layer structure composed of the hole transport layer and the light emitting layer has been described, but the structure is not particularly limited to this as described above.

【0129】また、本実施の形態においては、基板上面
に陽極を形成する構造の場合について説明したが、その
構造については前述のように特にこれに限定されるもの
ではなく、基板上面に陰極を形成することも可能であ
る。
Further, in the present embodiment, the case of the structure in which the anode is formed on the upper surface of the substrate has been described, but the structure is not particularly limited as described above, and the cathode is formed on the upper surface of the substrate. It is also possible to form.

【0130】また、封止の形態については、保護膜を形
成して封止する等の適宜手段を採用することができる。
他に保護膜とシールド材等との組み合わせであっても何
等問題ない。
As for the form of sealing, an appropriate means such as forming a protective film for sealing can be adopted.
There is no problem even if the protective film is combined with a shield material.

【0131】以上のように、本実施の形態によれば、従
来構成では無駄になっていた光を取り出すことができる
ため、光取り出し効率が向上し、高効率な発光性能を維
持する事ができる。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to extract wasted light in the conventional configuration, so that the light extraction efficiency is improved and the highly efficient light emission performance can be maintained. .

【0132】そして、本実施の形態における有機エレク
トロルミネッセンス素子は、照明装置や表示装置として
用いることができるのは言うまでもない。
Needless to say, the organic electroluminescent element in this embodiment can be used as a lighting device or a display device.

【0133】(実施の形態2)次に、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を用いた表示装置について説
明する。
(Embodiment 2) Next, a display device using the organic electroluminescence element of the present invention will be described.

【0134】図5は、本発明の実施の形態における有機
エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の概略
斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view of a display device using an organic electroluminescence element according to the embodiment of the present invention.

【0135】図5において、高屈折率基板7、陽極2、
正孔輸送層3、発光層4、陰極5、は実施の形態1と同
一の符号を付してここでは説明を省略する。また、8は
微小プリズムアレイである。
In FIG. 5, the high refractive index substrate 7, the anode 2,
The hole transport layer 3, the light emitting layer 4, and the cathode 5 are denoted by the same reference numerals as those in Embodiment 1 and the description thereof is omitted here. Reference numeral 8 is a micro prism array.

【0136】本実施の形態においては、図5に示すよう
に、陽極2は線状にパターニングされており、これに略
直交する形で陰極5も同様に線状にパターニングされて
いる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the anode 2 is linearly patterned, and the cathode 5 is also linearly patterned so as to be substantially orthogonal thereto.

【0137】そして、この表示装置の陽極2をプラス
側、陰極5をマイナス側とし、図示しない駆動手段とし
ての駆動回路(ドライバ)に接続し、選択した陽極2、
陰極5に直流電圧または直流電流を印加すれば、直交す
る部分の発光層4が発光し、単純マトリックス方式の表
示装置として使用することができる。
Then, with the anode 2 of this display device on the plus side and the cathode 5 on the minus side, it is connected to a drive circuit (driver) as drive means (not shown), and the selected anode 2,
When a DC voltage or a DC current is applied to the cathode 5, the light emitting layer 4 in the orthogonal portion emits light, and it can be used as a simple matrix type display device.

【0138】本実施の形態においては、高屈折率基板7
は、陽極と接する面に光の角度変換手段として微小プリ
ズムアレイ8を備えている。そして、その微小プリズム
アレイが、発光層から放射される光の角度を、高屈折率
基板と空気との境界面において全反射を引き起こす臨界
角よりも小さい角度に変換するようになっていることが
好ましく、また、微小プリズムアレイは各画素毎に周期
的に配置されていることが好ましい。
In this embodiment, the high refractive index substrate 7
Is provided with a micro prism array 8 as a light angle conversion means on the surface in contact with the anode. The micro prism array is adapted to convert the angle of light emitted from the light emitting layer into an angle smaller than a critical angle causing total internal reflection at the interface between the high refractive index substrate and air. It is preferable that the micro prism array is periodically arranged for each pixel.

【0139】なお、陽極2、正孔輸送層3、発光層4、
陰極5の構成材料、形成方法も上述した構成材料、形成
方法や従来公知のものを用いることができる。
The anode 2, the hole transport layer 3, the light emitting layer 4,
As the constituent material and the forming method of the cathode 5, the above-described constituent materials and forming methods and conventionally known materials can be used.

【0140】以上のように、本実施の形態の表示装置に
おいても、従来構成では無駄になっていた光を取り出す
ことができるため、光取り出し効率が向上し、高効率な
発光性能を維持する事ができる。また、本実施の形態の
表示装置においては、光取り出し面における光透過性基
板中における光伝播を抑制することができるため、高効
率な発光性能を維持する事ができるとともに、光にじみ
等のない、視認性のよい表示装置を実現することが可能
である。
As described above, also in the display device of the present embodiment, it is possible to extract wasted light in the conventional structure, so that the light extraction efficiency is improved and the highly efficient light emission performance is maintained. You can Further, in the display device of the present embodiment, it is possible to suppress light propagation in the light transmissive substrate at the light extraction surface, so that it is possible to maintain highly efficient light emission performance and to prevent light bleeding. It is possible to realize a display device with good visibility.

【0141】また、本実施の形態においては、単純マト
リックス方式の表示装置について説明したが、アクティ
ブマトリックス方式の表示装置でもよく、高屈折率基板
の空気と接する面における光の全反射を抑制するような
角度変換手段を形成すればよい。
Further, although the display device of the simple matrix system has been described in the present embodiment, the display device of the active matrix system may be used, and the total reflection of light on the surface of the high refractive index substrate which is in contact with the air is suppressed. The angle conversion means may be formed.

【0142】なお、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子は、画像を表示する表示装置としてだけでな
く、レーザプリンタ、スキャナ等の光源等の照明装置と
しても用いることができる。更に、陽極2及び陰極5を
線状にパターニングさせずに、全面発光させて、単なる
照明装置として用いてもよい。
The organic electroluminescent element of the present invention can be used not only as a display device for displaying an image but also as a lighting device for a light source such as a laser printer or a scanner. Further, the anode 2 and the cathode 5 may be made to emit light over the entire surface without being linearly patterned and used as a simple lighting device.

【0143】(実施の形態3)次に、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子を用いた携帯端末について説
明する。図6は本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子を用いた表示装置を備えた携帯端末を示す斜視図で
あり、図7は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子を用いた表示装置を備えた携帯端末を示すブロック図
である。
(Embodiment 3) Next, a portable terminal using the organic electroluminescent element of the present invention will be described. FIG. 6 is a perspective view showing a mobile terminal provided with a display device using the organic electroluminescence element of the present invention, and FIG. 7 is a block showing a mobile terminal provided with a display device using the organic electroluminescence element of the present invention. It is a figure.

【0144】図6及び図7において、9は音声を音声信
号に変換するマイク、10は音声信号を音声に変換する
スピーカー、11はダイヤルボタン等から構成される操
作部、12は着信等を表示する表示部であり本発明の有
機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置より構成
されている、13はアンテナ、14はマイク9からの音
声信号を送信信号に変換する送信部で、送信部14で作
製された送信信号は、アンテナ13を通して外部に放出
される。15はアンテナ13で受信した受信信号を音声
信号に変換する受信部で、受信部15で作成された音声
信号はスピーカー10にて音声に変換される。16は送
信部14、受信部15、操作部11、表示部12を制御
する制御部である。
6 and 7, 9 is a microphone for converting a voice into a voice signal, 10 is a speaker for converting a voice signal into a voice, 11 is an operation unit including a dial button, and 12 is an incoming call display. Which is a display unit configured by the display device using the organic electroluminescence of the present invention, 13 is an antenna, 14 is a transmission unit that converts a voice signal from the microphone 9 into a transmission signal, and is manufactured by the transmission unit 14. The transmitted signal is emitted to the outside through the antenna 13. Reference numeral 15 is a receiving unit that converts a reception signal received by the antenna 13 into a voice signal, and the voice signal created by the receiving unit 15 is converted into voice by the speaker 10. A control unit 16 controls the transmission unit 14, the reception unit 15, the operation unit 11, and the display unit 12.

【0145】マイク9は、使用者(発信者)の通話時の
音声等が入力され、スピーカー10からは相手側の音声
や告知音が出力されて使用者(受信者)に伝達される。
なお、携帯端末として、ページャーを用いる場合には、
マイクは特に設けなくてもよい。
The microphone 9 receives the voice or the like of the user (caller) during a call, and the speaker 10 outputs the voice or notification sound of the other party and transmits it to the user (receiver).
When using a pager as a mobile terminal,
The microphone need not be provided in particular.

【0146】更に、操作部11には、ダイヤルボタンと
してのテンキーや各種の機能キーを備えている。また、
テンキーや各種の機能キーだけでなく、文字キー等を備
えていてもよい。この操作部11から、電話番号、氏
名、時刻、各種機能の設定、Eメールアドレス、URL
等の所定のデータが入力される。更に操作部11は、こ
のようなキーボードによる操作だけでなく、ペン入力装
置、音声入力装置、磁気又は光学入力装置を用いてもよ
い。
Further, the operation unit 11 is provided with a ten key as a dial button and various function keys. Also,
Not only the numeric keypad and various function keys but also character keys and the like may be provided. From this operation unit 11, phone number, name, time, setting of various functions, e-mail address, URL
Predetermined data such as is input. Furthermore, the operation unit 11 may use a pen input device, a voice input device, a magnetic or optical input device, in addition to the operation using the keyboard.

【0147】表示部12は、操作部11から入力される
所定のデータやメモリに記憶された電話番号、Eメール
アドレス、URL等のデータ或いはキャラクタアイコン
等が表示される。
The display unit 12 displays predetermined data input from the operation unit 11, data such as telephone numbers, e-mail addresses, URLs, etc. stored in the memory, character icons, or the like.

【0148】また、アンテナ13は、電波の送信か受信
の少なくとも一方を行う。なお、本実施の形態では、信
号の送信、受信を電波で行うので、アンテナ(ヘリカル
アンテナ、平面アンテナ等)を設けたが、光通信等を行
う場合には、発光素子や受光素子をアンテナ13の代わ
りに設けてもよい。この場合には、発光素子で信号を他
の通信機器などに送信し、受光素子で外部からの信号を
受信する。
Further, the antenna 13 performs at least one of transmission and reception of radio waves. In this embodiment, an antenna (helical antenna, planar antenna, etc.) is provided because signals are transmitted and received by radio waves. However, when performing optical communication or the like, the light emitting element or the light receiving element is used as the antenna 13. May be provided instead of. In this case, the light emitting element transmits a signal to another communication device or the like, and the light receiving element receives a signal from the outside.

【0149】送信部14、受信部15は、それぞれ、音
声信号を送信信号に変換し、受信した受信信号を音声信
号に変換する。
The transmitting section 14 and the receiving section 15 respectively convert a voice signal into a transmission signal and a received reception signal into a voice signal.

【0150】更に、制御部16は、図示されていないC
PUやメモリ等を用いた従来公知の手法により構成され
ており、送信部14、受信部15、及び、操作部11、
表示部12を制御する。より具体的には、これら各部に
設けられた図示しない各制御回路、駆動回路等に命令を
与える。例えば、制御部16からの表示命令を受けた表
示制御回路は、表示駆動回路を駆動し、表示部12に表
示が行われる。
Further, the control section 16 uses C (not shown).
It is configured by a conventionally known method using a PU, a memory, etc., and includes a transmission unit 14, a reception unit 15, and an operation unit 11,
The display unit 12 is controlled. More specifically, an instruction is given to each control circuit, drive circuit, etc. (not shown) provided in each of these sections. For example, the display control circuit that receives the display command from the control unit 16 drives the display drive circuit, and the display unit 12 displays.

【0151】以下その動作の一例について説明する。An example of the operation will be described below.

【0152】先ず、着信があった場合には、受信部15
から制御部16に着信信号を送出し、制御部16は、そ
の着信信号に基づいて、表示部12に所定のキャラクタ
等を表示させ、更に操作部11から着信を受ける旨のボ
タン等が押されると、信号が制御部16に送出されて、
制御部16は、着信モードに各部を設定する。即ちアン
テナ13で受信した信号は、受信部15で音声信号に変
換され、音声信号はスピーカー10から音声として出力
されると共に、マイク9から入力された音声は、音声信
号に変換され、送信部14を介し、アンテナ13を通し
て外部に送出される。
First, when there is an incoming call, the receiving section 15
Sends an incoming signal to the control unit 16, the control unit 16 causes the display unit 12 to display a predetermined character or the like based on the incoming signal, and a button or the like for receiving an incoming call from the operation unit 11 is pressed. Then, a signal is sent to the control unit 16,
The control unit 16 sets each unit to the incoming call mode. That is, the signal received by the antenna 13 is converted into a voice signal by the receiving unit 15, the voice signal is output as voice from the speaker 10, and the voice input from the microphone 9 is converted into a voice signal, and the transmitting unit 14 is operated. To the outside through the antenna 13.

【0153】次に、発信する場合について説明する。Next, the case of making a call will be described.

【0154】まず、発信する場合には、操作部11から
発信する旨の信号が、制御部16に入力される。続いて
電話番号に相当する信号が操作部11から制御部16に
送られてくると、制御部16は送信部14を介して、電
話番号に対応する信号をアンテナ13から送出する。そ
の送出信号によって、相手方との通信が確立されたら、
その旨の信号がアンテナ13を介し受信部15を通して
制御部16に送られると、制御部16は発信モードに各
部を設定する。即ちアンテナ13で受信した信号は、受
信部15で音声信号に変換され、音声信号はスピーカー
10から音声として出力されると共に、マイク9から入
力された音声は、音声信号に変換され、送信部14を介
し、アンテナ13を通して外部に送出される。
First, when making a call, a signal indicating that the call is to be made is input from the operation unit 11 to the control unit 16. Subsequently, when a signal corresponding to the telephone number is sent from the operation unit 11 to the control unit 16, the control unit 16 sends a signal corresponding to the telephone number from the antenna 13 via the transmission unit 14. When the transmission signal establishes communication with the other party,
When a signal to that effect is sent to the control unit 16 via the receiving unit 15 via the antenna 13, the control unit 16 sets each unit to the transmission mode. That is, the signal received by the antenna 13 is converted into a voice signal by the receiving unit 15, the voice signal is output as voice from the speaker 10, and the voice input from the microphone 9 is converted into a voice signal, and the transmitting unit 14 is operated. To the outside through the antenna 13.

【0155】なお、本実施の形態では、音声を送信受信
した例を示したが、音声に限らず、文字データ等の音声
以外のデータの送信もしくは受信の少なくとも一方を行
う携帯端末についても同様な効果を得ることができる。
In the present embodiment, an example in which voice is transmitted and received is shown, but the same applies to a portable terminal that transmits and / or receives data other than voice such as character data in addition to voice. The effect can be obtained.

【0156】このような本実施の形態による携帯端末に
おいては、高効率な発光性能を維持することができるた
め、バッテリー等の電力使用量を抑制することができ
る。これにより、携帯端末の長時間使用を可能にした
り、あるいは、バッテリーの小型化による軽量化を図る
ことが可能である。
In such a portable terminal according to the present embodiment, it is possible to maintain a highly efficient light emitting performance, and therefore it is possible to suppress the amount of power consumption of the battery or the like. As a result, the portable terminal can be used for a long time, or the battery can be downsized and reduced in weight.

【0157】特に近年、携帯端末に用いる表示素子はよ
り高画質で、かつ低消費電力であることが求められてお
り、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り
出しに比べて、高画質・高効率化は大きなメリットをも
たらす。そして、高効率化によって、電池容量の減量化
が可能となり、軽量化や長使用時間化を図ることができ
る。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の基板と
して、高分子フィルムを用いれば、飛躍的な軽量化をも
たらすことが可能となる。
In particular, in recent years, display elements used in mobile terminals are required to have higher image quality and lower power consumption, and thus higher image quality and higher efficiency than the light extraction of conventional organic electroluminescence elements are required. Brings great benefits. Further, due to the high efficiency, the battery capacity can be reduced, and the weight can be reduced and the operating time can be extended. Further, if a polymer film is used as the substrate of the organic electroluminescence element, it becomes possible to bring about a dramatic weight reduction.

【0158】[0158]

【実施例】(実施例1)高屈折率なLaSFガラス材料
(屈折率=1.8)からなる透明基板上にフィルム状の
散乱シートを、基板との間に空気が入らないように貼り
付けた。この散乱面をもった高屈折率基板の反対側の面
に膜厚160nmのITO膜を形成した後、ITO膜上
にレジスト材(東京応化社製、OFPR−800)をス
ピンコート法により塗布して厚さ10μmのレジスト膜
を形成し、マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の
形状にパターニングした。次に、この基板を60℃で5
0%の塩酸中に浸漬して、レジスト膜が形成されていな
い部分のITO膜をエッチングした後、レジスト膜も除
去し、所定のパターンのITO膜からなる陽極が形成さ
れたパターニング基板を得た。
Example 1 A film-like scattering sheet is attached on a transparent substrate made of a LaSF glass material (refractive index = 1.8) having a high refractive index so that air does not enter between the film and the substrate. It was After forming an ITO film having a film thickness of 160 nm on the opposite surface of the high refractive index substrate having the scattering surface, a resist material (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is applied on the ITO film by spin coating. A resist film having a thickness of 10 μm was formed, and the resist film was patterned into a predetermined shape by masking, exposing and developing. Next, this substrate is heated at 60 ° C. for 5 hours.
After dipping in 0% hydrochloric acid to etch the part of the ITO film where the resist film was not formed, the resist film was also removed to obtain a patterned substrate on which an anode made of the ITO film having a predetermined pattern was formed. .

【0159】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
ーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥
した。
Next, this patterned substrate was ultrasonically cleaned with a detergent (Semicoclean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 5 minutes, ultrasonically cleaned with pure water for 10 minutes, and treated with ammonia water 1 (volume ratio). After performing a cleaning treatment in order of 5 minutes of ultrasonic cleaning with a solution of a mixture of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning with pure water of 70 ° C. for 5 minutes, the water adhering to the substrate was removed with a nitrogen blower, It was further heated and dried.

【0160】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層としてTPDを約50
nmの膜厚で形成した。
Then, on the surface of the patterned substrate on the anode side, TPD was used as a hole transport layer in an amount of about 50 in a resistance heating vapor deposition apparatus depressurized to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less.
It was formed with a film thickness of nm.

【0161】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてAlq3を約60nmの膜厚
で形成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共
に0.2nm/sであった。
Next, similarly, Alq 3 was formed as a light emitting layer on the hole transport layer in a resistance heating vapor deposition apparatus to have a film thickness of about 60 nm. The vapor deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s.

【0162】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に15at%のLiを含むAl−Li合金を蒸着
源として、陰極を150nmの膜厚で成膜した。
Next, similarly, in the resistance heating vapor deposition apparatus, a cathode was formed into a film having a thickness of 150 nm on the light emitting layer using an Al—Li alloy containing 15 at% of Li as a vapor deposition source.

【0163】(実施例2)高屈折率なLaSFガラス材
料(屈折率=1.8)からなる透明基板上に透明樹脂を
アレイ状に塗布し、これをオーブンで加熱することで基
板表面にレンズアレイを形成した。このレンズアレイを
もった高屈折率基板の反対側の面に膜厚160nmのI
TO膜を形成した後、ITO膜上にレジスト材(東京応
化社製、OFPR−800)をスピンコート法により塗
布して厚さ10μmのレジスト膜を形成し、マスク、露
光、現像してレジスト膜を所定の形状にパターニングし
た。次に、この基板を60℃で50%の塩酸中に浸漬し
て、レジスト膜が形成されていない部分のITO膜をエ
ッチングした後、レジスト膜も除去し、所定のパターン
のITO膜からなる陽極が形成されたパターニング基板
を得た。
Example 2 A transparent resin made of a LaSF glass material (refractive index = 1.8) having a high refractive index was coated with transparent resin in an array and heated in an oven to form a lens on the substrate surface. An array was formed. On the surface opposite to the high refractive index substrate having this lens array
After forming the TO film, a resist material (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied on the ITO film by a spin coating method to form a resist film having a thickness of 10 μm, which is masked, exposed and developed to form a resist film. Was patterned into a predetermined shape. Next, this substrate is dipped in 50% hydrochloric acid at 60 ° C. to etch the ITO film in the portion where the resist film is not formed, and then the resist film is also removed to form an anode made of the ITO film having a predetermined pattern. A patterned substrate on which was formed was obtained.

【0164】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
ーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥
した。
Next, the patterned substrate was ultrasonically cleaned with a detergent (Semicoclean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 5 minutes, ultrasonically cleaned with pure water for 10 minutes, and treated with ammonia water 1 (volume ratio). After performing a cleaning treatment in order of 5 minutes of ultrasonic cleaning with a solution of a mixture of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning with pure water of 70 ° C. for 5 minutes, the water adhering to the substrate was removed with a nitrogen blower, It was further heated and dried.

【0165】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層としてTPDを約50
nmの膜厚で形成した。
Next, on the surface of the patterned substrate on the anode side, TPD was used as a hole transport layer in an amount of about 50 as a hole transport layer in a resistance heating evaporation apparatus depressurized to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less.
It was formed with a film thickness of nm.

【0166】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてAlq3を約60nmの膜厚
で形成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共
に0.2nm/sであった。
Then, similarly, Alq 3 was formed as a light emitting layer on the hole transport layer in a resistance heating vapor deposition device to a film thickness of about 60 nm. The vapor deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s.

【0167】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に15at%のLiを含むAl−Li合金を蒸着
源として、陰極を150nmの膜厚で成膜した。
Similarly, in the resistance heating vapor deposition apparatus, a cathode was formed into a film having a thickness of 150 nm on the light emitting layer using an Al—Li alloy containing 15 at% of Li as a vapor deposition source.

【0168】(実施例3)低屈折率なTiKガラス材料
(屈折率=1.44)からなる透明基板の片面だけを濃
塩酸に浸漬してエッチングを施すことで、基板表面に微
小な凹凸を形成した。この低屈折基板の凹凸の形成され
た面に膜厚160nmのITO膜を形成した後、ITO
膜上にレジスト材(東京応化社製、OFPR−800)
をスピンコート法により塗布して厚さ10μmのレジス
ト膜を形成し、マスク、露光、現像してレジスト膜を所
定の形状にパターニングした。次に、この基板を60℃
で50%の塩酸中に浸漬して、レジスト膜が形成されて
いない部分のITO膜をエッチングした後、レジスト膜
も除去し、所定のパターンのITO膜からなる陽極が形
成されたパターニング基板を得た。
(Example 3) [0168] A transparent substrate made of a TiK glass material (refractive index = 1.44) having a low refractive index was immersed in concentrated hydrochloric acid for etching to form fine irregularities on the substrate surface. Formed. An ITO film having a thickness of 160 nm is formed on the surface of the low-refractive-index substrate on which irregularities are formed, and then ITO is formed.
Resist material on the film (Tokyo Ohka Co., Ltd., OFPR-800)
Was applied by a spin coating method to form a resist film having a thickness of 10 μm, and the resist film was patterned into a predetermined shape by masking, exposing and developing. Next, this substrate
After that, the ITO film in a portion where the resist film is not formed is etched by immersing it in 50% hydrochloric acid, and then the resist film is also removed to obtain a patterned substrate on which an anode made of the ITO film having a predetermined pattern is formed. It was

【0169】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
ーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥
した。
Next, the patterned substrate was ultrasonically cleaned with a detergent (Semicoclean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 5 minutes, ultrasonically cleaned with pure water for 10 minutes, and treated with ammonia water 1 (volume ratio). After performing a cleaning treatment in order of 5 minutes of ultrasonic cleaning with a solution of a mixture of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning with pure water of 70 ° C. for 5 minutes, the water adhering to the substrate was removed with a nitrogen blower, It was further heated and dried.

【0170】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層としてTPDを約50
nmの膜厚で形成した。
Next, on the surface of the patterned substrate on the anode side, TPD was used as a hole transport layer in an amount of about 50 as a hole transport layer in a resistance heating vapor deposition apparatus depressurized to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less.
It was formed with a film thickness of nm.

【0171】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてAlq3を約60nmの膜厚
で形成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共
に0.2nm/sであった。
Next, similarly, Alq 3 was formed as a light emitting layer on the hole transport layer in a resistance heating vapor deposition device to a thickness of about 60 nm. The vapor deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s.

【0172】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に15at%のLiを含むAl−Li合金を蒸着
源として、陰極を150nmの膜厚で成膜した。
Similarly, in the resistance heating vapor deposition apparatus, a cathode was formed into a film having a thickness of 150 nm on the light emitting layer using an Al—Li alloy containing 15 at% of Li as a vapor deposition source.

【0173】(実施例4)低屈折率なTiKガラス材料
(屈折率=1.44)からなる透明基板上を濃塩酸に浸
漬してエッチングを施すことで、基板両面に微小な凹凸
を形成した。この低屈折基板の片方の面に膜厚160n
mのITO膜を形成した後、ITO膜上にレジスト材
(東京応化社製、OFPR−800)をスピンコート法
により塗布して厚さ10μmのレジスト膜を形成し、マ
スク、露光、現像してレジスト膜を所定の形状にパター
ニングした。次に、この基板を60℃で50%の塩酸中
に浸漬して、レジスト膜が形成されていない部分のIT
O膜をエッチングした後、レジスト膜も除去し、所定の
パターンのITO膜からなる陽極が形成されたパターニ
ング基板を得た。
Example 4 A transparent substrate made of a TiK glass material having a low refractive index (refractive index = 1.44) was immersed in concentrated hydrochloric acid for etching to form fine irregularities on both sides of the substrate. . A film thickness of 160 n is formed on one surface of this low-refractive-index substrate.
m ITO film is formed, a resist material (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied onto the ITO film by spin coating to form a resist film having a thickness of 10 μm, which is masked, exposed and developed. The resist film was patterned into a predetermined shape. Next, this substrate is immersed in 50% hydrochloric acid at 60 ° C., and the IT of the portion where the resist film is not formed is formed.
After etching the O film, the resist film was also removed to obtain a patterned substrate on which an anode made of an ITO film having a predetermined pattern was formed.

【0174】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
ーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥
した。
Next, the patterned substrate was ultrasonically cleaned with a detergent (Semicoclean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 5 minutes, ultrasonically cleaned with pure water for 10 minutes, and treated with ammonia water 1 (volume ratio). After performing a cleaning treatment in order of 5 minutes of ultrasonic cleaning with a solution of a mixture of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning with pure water of 70 ° C. for 5 minutes, the water adhering to the substrate was removed with a nitrogen blower, It was further heated and dried.

【0175】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層としてTPDを約50
nmの膜厚で形成した。
Next, on the surface of the patterned substrate on the anode side, TPD was used as a hole transport layer in an amount of about 50 as a hole transport layer in a resistance heating vapor deposition apparatus depressurized to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less.
It was formed with a film thickness of nm.

【0176】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてAlq3を約60nmの膜厚
で形成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共
に0.2nm/sであった。
Next, similarly, Alq 3 was formed as a light emitting layer on the hole transport layer in a resistance heating vapor deposition device to a film thickness of about 60 nm. The vapor deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s.

【0177】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に15at%のLiを含むAl−Li合金を蒸着
源として、陰極を150nmの膜厚で成膜した。
Next, similarly, in the resistance heating vapor deposition apparatus, a cathode was formed into a film having a thickness of 150 nm on the light emitting layer using an Al—Li alloy containing 15 at% of Li as a vapor deposition source.

【0178】(実施例5)ガラス基板を2×10-6To
rr以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸着装置内に
て、導光層としてTiO2を約1000nmの膜厚で形
成した。この導光層を形成した基板のTiO2層をフッ
酸に浸漬してエッチングを施すことで、導光層表面に微
小な凹凸を形成した。この基板のTiO2と逆側の面に
膜厚160nmのITO膜を形成した後、ITO膜上に
レジスト材(東京応化社製、OFPR−800)をスピ
ンコート法により塗布して厚さ10μmのレジスト膜を
形成し、マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の形
状にパターニングした。次に、この基板を60℃で50
%の塩酸中に浸漬して、レジスト膜が形成されていない
部分のITO膜をエッチングした後、レジスト膜も除去
し、所定のパターンのITO膜からなる陽極が形成され
たパターニング基板を得た。
(Embodiment 5) A glass substrate is set to 2 × 10 −6 To.
TiO 2 was formed as a light guide layer with a film thickness of about 1000 nm in a resistance heating vapor deposition apparatus depressurized to a vacuum degree of rr or less. The TiO 2 layer of the substrate on which the light guide layer was formed was immersed in hydrofluoric acid and etched to form minute irregularities on the surface of the light guide layer. After forming an ITO film having a film thickness of 160 nm on the surface opposite to TiO 2 of this substrate, a resist material (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is applied on the ITO film by spin coating to form a film having a thickness of 10 μm. A resist film was formed, masked, exposed and developed to pattern the resist film into a predetermined shape. Next, the substrate is heated to 60 ° C. for 50 minutes.
% Of hydrochloric acid to etch the ITO film in a portion where the resist film is not formed, and then the resist film is also removed to obtain a patterned substrate having an anode made of the ITO film having a predetermined pattern.

【0179】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
ーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥
した。
Next, the patterned substrate was ultrasonically cleaned with a detergent (Semicoclean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 5 minutes, ultrasonically cleaned with pure water for 10 minutes, and then overwhelmed with ammonia water 1 (volume ratio). After performing a cleaning treatment in order of 5 minutes of ultrasonic cleaning with a solution of a mixture of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning with pure water of 70 ° C. for 5 minutes, the water adhering to the substrate was removed with a nitrogen blower, It was further heated and dried.

【0180】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層としてTPDを約50
nmの膜厚で形成した。
Next, on the surface of the patterned substrate on the anode side, TPD was used as a hole transport layer in an amount of about 50 as a hole transport layer in a resistance heating evaporation apparatus depressurized to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less.
It was formed with a film thickness of nm.

【0181】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてAlq3を約60nmの膜厚
で形成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共
に0.2nm/sであった。
Next, similarly, Alq 3 was formed as a light emitting layer on the hole transport layer in a resistance heating vapor deposition apparatus to a film thickness of about 60 nm. The vapor deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s.

【0182】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に15at%のLiを含むAl−Li合金を蒸着
源として、陰極を150nmの膜厚で成膜した。
Similarly, in the resistance heating vapor deposition apparatus, a cathode was formed into a film having a thickness of 150 nm on the light emitting layer using an Al-Li alloy containing 15 at% of Li as a vapor deposition source.

【0183】(比較例1)実施例1と同様に、ガラスか
らなる透明基板上に膜厚160nmのITO膜を形成し
た後、ITO膜上にレジスト材(東京応化社製、OFP
R−800)をスピンコート法により塗布して厚さ10
μmのレジスト膜を形成し、マスク、露光、現像してレ
ジスト膜を所定の形状にパターニングした。次に、この
基板を60℃で50%の塩酸中に浸漬して、レジスト膜
が形成されていない部分のITO膜をエッチングした
後、レジスト膜も除去し、所定のパターンのITO膜か
らなる陽極が形成されたパターニング基板を得た。
(Comparative Example 1) As in Example 1, after forming an ITO film having a thickness of 160 nm on a transparent substrate made of glass, a resist material (manufactured by Tokyo Ohka Co., OFP) was formed on the ITO film.
R-800) is applied by spin coating to a thickness of 10
A resist film having a thickness of μm was formed, and the resist film was patterned into a predetermined shape by masking, exposing and developing. Next, this substrate is dipped in 50% hydrochloric acid at 60 ° C. to etch the ITO film in the portion where the resist film is not formed, and then the resist film is also removed to form an anode made of the ITO film having a predetermined pattern. A patterned substrate on which was formed was obtained.

【0184】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
ーで基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥
した。
Next, the patterned substrate was ultrasonically cleaned with a detergent (Furuuchi Chemical Co., Ltd., Semicoclean) for 5 minutes, pure water was ultrasonically cleaned for 10 minutes, and the aqueous ammonia solution 1 (volume ratio) was used. After performing a cleaning treatment in order of 5 minutes of ultrasonic cleaning with a solution of a mixture of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning with pure water of 70 ° C. for 5 minutes, the water adhering to the substrate was removed with a nitrogen blower, It was further heated and dried.

【0185】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層としてTPDを約50
nmの膜厚で形成した。
Next, on the surface of the patterned substrate on the anode side, about 50 TPD was used as a hole transport layer in a resistance heating vapor deposition apparatus depressurized to a vacuum degree of 2 × 10 −6 Torr or less.
It was formed with a film thickness of nm.

【0186】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、正
孔輸送層上に発光層としてAlq3を約60nmの膜厚
で形成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共
に0.2nm/sであった。
Then, similarly, Alq 3 having a film thickness of about 60 nm was formed as a light emitting layer on the hole transport layer in the resistance heating vapor deposition apparatus. The vapor deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s.

【0187】次に、同様に抵抗加熱蒸着装置内にて、発
光層上に15at%のLiを含むAl−Li合金を蒸着
源として、陰極を150nmの膜厚で成膜した。
Next, similarly, in the resistance heating vapor deposition apparatus, a cathode was formed into a film having a thickness of 150 nm on the light emitting layer using an Al—Li alloy containing 15 at% of Li as a vapor deposition source.

【0188】[0188]

【表1】 [Table 1]

【0189】ここで、(表1)の評価項目における評価
方法及びその評価基準について説明する。
Here, the evaluation method and the evaluation criteria for the evaluation items in (Table 1) will be described.

【0190】素子の発光効率は、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子に一定電流を流したときの発光輝度を評価
した。その評価基準は、比較例1の発光輝度に対して、
◎:非常に優れている、○:優れている、△:許容でき
るである。
The luminous efficiency of the device was evaluated by evaluating the luminous brightness when a constant current was applied to the organic electroluminescent device. The evaluation criteria are as follows with respect to the emission luminance of Comparative Example 1.
⊚: Very good, ◯: Excellent, Δ: Acceptable.

【0191】発光面の視認性は、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一辺が300μmの正方形の画素からな
る表示装置としたときの、光のにじみ、ぼけについて、
視認性の程度を目視にて評価した。評価は、◎、○、△
の三段階評価であり、その評価基準は、◎:非常に優れ
ている、○:優れている、△:許容できるである。
The visibility of the light-emitting surface is as follows. The blurring and blurring of light when the organic electroluminescence element is used as a display device composed of square pixels each side of which is 300 μm are as follows.
The degree of visibility was visually evaluated. Evaluation is ◎, ○, △
The evaluation criteria are ⊚: very excellent, ∘: excellent, and Δ: acceptable.

【0192】[0192]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、有機エ
レクトロルミネッセンス素子の基板の媒質を適当に選択
し、その基板の屈折率に適した光の角度変換手段を施す
構成とすることで、高効率の発光輝度特性を有する有機
エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置
及び携帯端末,および照明装置を提供することができ
る。また、基板の屈折率を適宜選択することにより、に
じみや光ぼけの少ない有機エレクトロルミネッセンス素
子、それを用いた照明装置、表示装置及び携帯端末を提
供することができる。
As described above, according to the present invention, the medium of the substrate of the organic electroluminescence element is appropriately selected, and the light angle converting means suitable for the refractive index of the substrate is provided. It is possible to provide an organic electroluminescence element having highly efficient emission luminance characteristics, a display device and a mobile terminal using the same, and a lighting device. Further, by appropriately selecting the refractive index of the substrate, it is possible to provide an organic electroluminescent element with less bleeding or blurring of light, an illuminating device using the same, a display device, and a mobile terminal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
層構成を説明する概念図
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a layer structure of an organic electroluminescence element of the present invention.

【図2】光学シミュレーションの結果を示すグラフFIG. 2 is a graph showing the result of optical simulation.

【図3】光学シミュレーションの結果を示すグラフFIG. 3 is a graph showing the result of optical simulation.

【図4】本発明の実施の形態における有機エレクトロル
ミネッセンス素子の要部断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of an organic electroluminescence element according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態における有機エレクトロル
ミネッセンス素子を用いた表示装置の概略斜視図
FIG. 5 is a schematic perspective view of a display device using an organic electroluminescence element according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を
用いた表示装置を備えた携帯端末を示す斜視図
FIG. 6 is a perspective view showing a mobile terminal equipped with a display device using the organic electroluminescence element of the present invention.

【図7】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を
用いた表示装置を備えた携帯端末を示すブロック図
FIG. 7 is a block diagram showing a mobile terminal equipped with a display device using the organic electroluminescence element of the present invention.

【図8】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の要
部断面図
FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of a conventional organic electroluminescence element.

【図9】従来の有機エレクトロルミネセンス素子の要部
断面における代表的な光線経路を示す模式図
FIG. 9 is a schematic view showing a typical light beam path in a cross section of a main part of a conventional organic electroluminescent element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 陽極 3 正孔輸送層 4 発光層 5 陰極 6 微小レンズアレイ 7 高屈折率基板 8 微小プリズムアレイ 9 マイク 10 スピーカー 11 操作部 12 表示部 13 アンテナ 14 送信部 15 受信部 16 制御部 1 glass substrate 2 anode 3 Hole transport layer 4 Light emitting layer 5 cathode 6 Micro lens array 7 High refractive index substrate 8 Micro prism array 9 microphone 10 speakers 11 Operation part 12 Display 13 antennas 14 Transmitter 15 Receiver 16 Control unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349Z 365 365Z 27/00 27/00 Q Z H04Q 7/38 H05B 33/14 A H05B 33/14 H04B 7/26 109T (72)発明者 小松 隆宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 行徳 明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB17 BA06 BB06 CA00 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 5C094 AA10 BA03 BA27 CA19 EA04 EA05 EB02 ED01 FA01 FA02 FB01 FB20 JA01 JA11 JA13 5G435 AA03 BB05 CC09 EE26 FF06 GG02 GG03 HH01 HH04 HH20 5K067 AA33 BB04 EE02 FF07 FF23─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349Z 365 365Z 27/00 27/00 Q Z H04Q 7/38 H05B 33 / 14 A H05B 33/14 H04B 7/26 109T (72) Inventor Takahiro Komatsu 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Akira Gyotoku, 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial In-house F-term (reference) 3K007 AB02 AB17 BA06 BB06 CA00 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 5C094 AA10 BA03 BA27 CA19 EA04 EA05 EB02 ED01 FA01 FA02 FB01 FB20 JA01 JA11 JA13 5G435 AA03 BB05 CC09 EE26H04 A02H04 A20H04H20A02 FF07 FF23

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極
と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を
備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記基板の素子形成面に対向する面に光の角度変換手段を
備え、前記基板の屈折率を1.2以上としたことを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
1. An organic electroluminescence device comprising at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons on a substrate, which is opposed to an element formation surface of the substrate. An organic electroluminescence device, characterized in that the surface of the substrate is provided with light angle conversion means, and the refractive index of the substrate is 1.2 or more.
【請求項2】基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極
と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を
備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記基板の素子形成面に対向する面に光の角度変換手段を
備え、前記基板の屈折率を1.4以上としたことを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. An organic electroluminescence device having at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons on a substrate, the device being opposed to an element formation surface of the substrate. An organic electroluminescence device, characterized in that the surface of the substrate is provided with a light angle conversion means, and the substrate has a refractive index of 1.4 or more.
【請求項3】基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極
と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を
備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記基板の素子形成面に対向する面に光の角度変換手段を
備え、前記基板の屈折率を1.7以上としたことを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. An organic electroluminescence device having at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons on a substrate, which is opposed to an element formation surface of the substrate. An organic electroluminescence device, characterized in that the surface of the substrate is provided with a light angle conversion means, and the substrate has a refractive index of 1.7 or more.
【請求項4】基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極
と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を
備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記基板の素子形成面に対向する面に光の角度変換手段を
備え、前記光の角度変換手段は前記基板よりも屈折率が
高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。
4. An organic electroluminescence device having at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons on a substrate, which is opposed to an element formation surface of the substrate. An organic electroluminescence device, characterized in that a surface for performing light angle conversion is provided on the surface, and the light angle conversion means has a higher refractive index than the substrate.
【請求項5】基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極
と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を
備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記基板の素子形成面及び素子形成面に対向する面に光の
角度変換手段を備えたことを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
5. An organic electroluminescence device comprising at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons on a substrate, the device forming surface of the substrate and the device. An organic electroluminescence device comprising a light angle conversion means on a surface facing a formation surface.
【請求項6】基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極
と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を
備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記基板の素子形成面に光の角度変換手段を備え、前記基
板の屈折率を1.7以下としたことを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
6. An organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons, wherein light is formed on an element formation surface of the substrate. 2. The organic electroluminescence device comprising the angle conversion means of 1. and the substrate having a refractive index of 1.7 or less.
【請求項7】基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極
と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を
備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前
記基板の素子形成面に光の角度変換手段を備え、前記基
板の屈折率を1.5以下としたことを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
7. An organic electroluminescence device comprising, on a substrate, at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons, wherein light is formed on an element formation surface of the substrate. 2. An organic electroluminescence device comprising the angle conversion means of 1. and the substrate having a refractive index of 1.5 or less.
【請求項8】前記光の角度変換手段は、面上に形成され
た微小な凹凸からなる散乱面であることを特徴とする請
求項1〜7いずれか1記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
8. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the light angle conversion means is a scattering surface formed of fine irregularities formed on the surface.
【請求項9】前記光の角度変換手段は、面上に形成され
た光取出し面とは非平行な関係にある面からなることを
特徴とする請求項1〜7いずれか1記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
9. The organic electro-luminescent device according to claim 1, wherein the light angle converting means comprises a surface that is non-parallel to a light extraction surface formed on the surface. Luminescence element.
【請求項10】前記光の角度変換手段は、面上に形成さ
れた微小レンズアレイからなることを特徴とする請求項
1〜7いずれか1記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
10. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the light angle conversion means comprises a minute lens array formed on a surface.
【請求項11】前記光の角度変換手段は、面上に形成さ
れた微小プリズムアレイからなることを特徴とする請求
項1〜7いずれか1記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
11. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the light angle conversion means comprises a micro prism array formed on a surface.
【請求項12】前記光の角度変換手段は、前記基板の表
面に形成されたことを特徴とする請求項8〜11いずれ
か1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. The organic electroluminescence device according to claim 8, wherein the light angle conversion means is formed on the surface of the substrate.
【請求項13】前記光の角度変換手段は、前記基板の内
部に形成されたことを特徴とする請求項8〜11いずれ
か1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. The organic electroluminescence device according to claim 8, wherein the light angle conversion means is formed inside the substrate.
【請求項14】前記光の角度変換手段は、透明レジスト
からなることを特徴とする請求項8〜11いずれか1記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. The organic electroluminescence device according to claim 8, wherein the light angle conversion means is made of a transparent resist.
【請求項15】前記光の角度変換手段は、酸化チタンか
らなることを特徴とする請求項8〜11いずれか1記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. The organic electroluminescence device according to claim 8, wherein the light angle conversion means is made of titanium oxide.
【請求項16】前記基板と接する側の電極に対向する電
極は、可視光領域における光の反射率が50%以上であ
ることを特徴とする請求項1〜15いずれか1記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
16. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the electrode facing the electrode on the side in contact with the substrate has a light reflectance of 50% or more in a visible light region. element.
【請求項17】前記陽極がストライプ状に個々電気的に
分離され、前記陰極がストライプ状に個々電気的に分離
されて構成されて、画像表示配列を有する事を特徴とす
る請求項1〜16いずれか1記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス照明装置。
17. The display device according to claim 1, wherein the anode is electrically isolated in a stripe shape and the cathode is electrically isolated in a stripe shape to have an image display arrangement. The organic electroluminescent lighting device according to any one of claims 1.
【請求項18】前記陽極、あるいは、前記陰極のいずれ
かが、個々電気的に画素毎に分離されて構成されて、前
記分離された電極は、少なくとも1つ以上のスイッチン
グ素子を介して走査されることで、画像表示配列を有す
る事を特徴とする請求項1〜16いずれか1記載の有機
エレクトロルミネッセンス照明装置。
18. Either the anode or the cathode is electrically separated for each pixel, and the separated electrode is scanned through at least one switching element. The organic electroluminescence lighting device according to claim 1, wherein the organic electroluminescence lighting device has an image display array.
【請求項19】前記陽極がストライプ状に個々電気的に
分離され、前記陰極がストライプ状に個々電気的に分離
されて構成されて、画像表示配列を有する事を特徴とす
る請求項1〜16いずれか1記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス表示装置。
19. The image display array, wherein the anode is electrically isolated in a stripe shape and the cathode is electrically isolated in a stripe shape. The organic electroluminescence display device according to any one of claims 1.
【請求項20】前記陽極、あるいは、前記陰極のいずれ
かが、個々電気的に画素毎に分離されて構成されて、前
記分離された電極は、少なくとも1つ以上のスイッチン
グ素子を介して走査されることで、画像表示配列を有す
る事を特徴とする請求項1〜16いずれか1記載の有機
エレクトロルミネッセンス表示装置。
20. Either the anode or the cathode is electrically isolated for each pixel, and the separated electrode is scanned through at least one switching element. The organic electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 16, wherein the organic electroluminescence display device has an image display array.
【請求項21】音声を音声信号に変換する音声信号変換
手段と、電話番号等を入力する操作手段と、着信表示や
電話番号等を表示する表示手段と、音声信号を送信信号
に変換する通信手段と、受信信号を音声信号に変換する
受信手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送受信す
るアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた携帯端
末であって、前記表示手段が請求項19,20いずれか
1記載の表示装置から構成された事を特徴とする携帯端
末。
21. A voice signal converting means for converting a voice into a voice signal, an operating means for inputting a telephone number and the like, a display means for displaying an incoming call display, a telephone number and the like, and communication for converting a voice signal into a transmission signal. 20. A mobile terminal comprising: means, a receiving means for converting a received signal into an audio signal, an antenna for transmitting / receiving the transmitted signal and the received signal, and a control means for controlling each unit, wherein the display means is provided. 20. A portable terminal comprising the display device according to any one of 1.
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