JP2003059102A - Phase change type optical information recording medium - Google Patents

Phase change type optical information recording medium

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JP2003059102A
JP2003059102A JP2001247201A JP2001247201A JP2003059102A JP 2003059102 A JP2003059102 A JP 2003059102A JP 2001247201 A JP2001247201 A JP 2001247201A JP 2001247201 A JP2001247201 A JP 2001247201A JP 2003059102 A JP2003059102 A JP 2003059102A
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JP
Japan
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recording medium
information recording
optical information
protective film
film
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Pending
Application number
JP2001247201A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Iwasa
博之 岩佐
Nobuaki Onaki
伸晃 小名木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical information recording medium which is a phase transition optical information recording medium using a protective film of Al2 O3 , solves the problem of its overwriting characteristic and permits a high density and high transfer rate. SOLUTION: A rear earth oxide is added to the protective film of the optical information recording medium having a recording film capable of recording information by a phase transition between a crystalline state and an amorphous state by incidence of light and the protective film consisting of the Al2 O3 .

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光などによ
り結晶状態と非晶質状態との相変化により情報の記録あ
るいは再生などを行なう情報記録媒体に関し、更に詳し
くは高密度で、かつ高転送レートが可能な相変化型情報
記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium which records or reproduces information by a phase change between a crystalline state and an amorphous state by a laser beam or the like, and more particularly has a high density and a high transfer rate. The present invention relates to a phase-change type information recording medium capable of recording.

【0002】[0002]

【従来の技術】CD−RやCD−RWなどの光ディスク
は、ポリカーボネートなどプラスチックの円形基板の上
に記録層を設け、さらにその上にアルミニウムや金、銀
などの金属を蒸着またはスパッタリングして反射層を形
成したもので、基板面側からレーザー光を入射して、信
号の記録、再生を行なう。近年、コンピューター等で扱
う情報量が増加したことから、DVD−RAM、DVD
−RWのような光ディスクの信号記録容量の増大および
信号情報の高密度化が進んでいる。
2. Description of the Related Art Optical disks such as CD-R and CD-RW are provided with a recording layer on a circular substrate made of plastic such as polycarbonate, and a metal such as aluminum, gold or silver is vapor-deposited or sputtered on the recording layer to be reflected. A layer is formed and laser light is incident from the substrate surface side to record and reproduce signals. Since the amount of information handled by computers has increased in recent years, DVD-RAM, DVD
-Increasing the signal recording capacity of optical discs such as RW and increasing the density of signal information are progressing.

【0003】CDの記録容量は650MB程度であるの
に対して、DVDは4.7GBほどの大容量であるが、
今後、更なる高記録密度化、高転送レート化が要求され
ている。このような高記録密度媒体を実現するために、
使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化するこ
とが提案されている。また、記録再生を行なうピックア
ップに用いられる対物レンズの開口数を大きくすること
で、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイ
ズを小さくして、高記録密度が可能となる。さらに、高
転送レート可能な光ディスクとして、Al23保護膜を
用いた光ディスクが発表されている(Proc. of
PCOS2000. 65(2000))。比較的熱
伝導率の大きなAl23を用いることによって、高転送
レートが可能であると報告されている。しかしながら、
このAl23を用いた光ディスクはオーバーライト特性
に問題があった。
While the recording capacity of a CD is about 650 MB, the capacity of a DVD is about 4.7 GB,
In the future, higher recording density and higher transfer rate will be required. In order to realize such a high recording density medium,
It has been proposed to shorten the laser wavelength used to the blue light region. Further, by increasing the numerical aperture of the objective lens used in the pickup for recording / reproducing, the spot size of the laser beam irradiated on the optical recording medium can be reduced, and high recording density can be achieved. Further, as an optical disk capable of high transfer rate, an optical disk using an Al 2 O 3 protective film has been announced (Proc. Of
PCOS2000. 65 (2000)). It has been reported that a high transfer rate is possible by using Al 2 O 3 having a relatively high thermal conductivity. However,
The optical disk using this Al 2 O 3 has a problem in overwrite characteristics.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記背景に鑑
みてなされたもので、Al23保護膜を用いた相変化型
光情報記録媒体において、上記オーバーライト特性の問
題を解決し、高密度で、かつ高転送レートが可能な光情
報記録媒体を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above background, and in the phase change type optical information recording medium using the Al 2 O 3 protective film, solves the problem of the above overwrite characteristics, An object of the present invention is to provide an optical information recording medium having a high density and a high transfer rate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
を解決するため鋭意検討を重ねた結果、上記目的に合致
する相変化型情報記録媒体を見出した。すなわち、本発
明によれば、第一に、請求項1では、光の入射によって
結晶状態と非晶質状態との相変化により情報を記録しう
る記録膜とAl23からなる保護膜を有する光情報記録
媒体において、該保護膜に希土類酸化物を添加すること
を特徴とする相変化型光情報記録媒体が提供される。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor has found a phase change type information recording medium which meets the above object. That is, according to the present invention, firstly, in claim 1, a recording film capable of recording information by a phase change between a crystalline state and an amorphous state by incidence of light and a protective film made of Al 2 O 3 are provided. An optical information recording medium having the phase change type optical information recording medium, characterized in that a rare earth oxide is added to the protective film.

【0006】第二に、請求項2では、上記請求項1記載
の相変化型光情報記録媒体において、希土類酸化物が、
La23、Y23、Lu23のいずれか、もしくはそれ
らの混合物であることを特徴とする相変化型光情報記録
媒体が提供される。
Secondly, in the second aspect, in the phase change type optical information recording medium according to the first aspect, the rare earth oxide is
There is provided a phase change type optical information recording medium, which is any one of La 2 O 3 , Y 2 O 3 , and Lu 2 O 3 or a mixture thereof.

【0007】第三に、請求項3では上記請求項1または
2記載の相変化型光情報記録媒体において、希土類酸化
物の添加量が、0.03〜0.2mol%であることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体が提供される。
Thirdly, in the third aspect, in the phase change type optical information recording medium according to the first or second aspect, the amount of the rare earth oxide added is 0.03 to 0.2 mol%. Provided is a phase change type optical information recording medium.

【0008】第四に、請求項4では、上記請求項1乃至
3のいずれか1項記載の相変化型光情報記録媒体におい
て、光入射側から見て、記録膜の手前側に形成される保
護膜の厚さが30〜170nmであることを特徴とする
相変化型光情報記録媒体が提供される。
Fourthly, in the fourth aspect, in the phase change type optical information recording medium according to any one of the first to third aspects, it is formed on the front side of the recording film as seen from the light incident side. Provided is a phase change type optical information recording medium, wherein the protective film has a thickness of 30 to 170 nm.

【0009】第五に、請求項5では、上記請求項1乃至
4のいずれか1項記載の相変化型光情報記録媒体におい
て、光入射側から見て、記録膜の奥側に形成される保護
膜の厚さが5〜50nmであることを特徴とする相変化
型光情報記録媒体が提供される。
Fifth, in the fifth aspect, in the phase change type optical information recording medium according to any one of the first to fourth aspects, it is formed on the inner side of the recording film when viewed from the light incident side. There is provided a phase change type optical information recording medium, wherein the thickness of the protective film is 5 to 50 nm.

【0010】第六に、請求項6では、上記請求項1乃至
5のいずれか1項記載の相変化型光情報記録媒体におい
て、記録膜はSb−Te共晶系合金を主成分とすること
を特徴とする相変化型光情報記録媒体が提供される。
Sixth, in the sixth aspect, in the phase change type optical information recording medium according to any one of the first to fifth aspects, the recording film contains an Sb-Te eutectic alloy as a main component. A phase change type optical information recording medium is provided.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下に本発明の光情報記録媒体を
詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係わる
光情報記録媒体の概略断面図である。基板1上に、下部
保護膜2、記録膜3、上部保護膜4、反射放熱膜5、オ
ーバーコート層6を順次蓄積した構造からなるものであ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The optical information recording medium of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 is a schematic sectional view of an optical information recording medium according to an embodiment of the present invention. The substrate 1 has a structure in which a lower protective film 2, a recording film 3, an upper protective film 4, a reflective heat radiation film 5, and an overcoat layer 6 are sequentially accumulated.

【0012】基板1の材料は、通常、ガラス、セラミッ
クスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの
点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ
素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などがあげられる
が、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボ
ネート樹脂やポリメチルメタクリレート(PMMA)な
どのアクリル系樹脂が好ましい。基板1には案内溝など
の凹凸パターンが形成されており、射出成形またはフォ
トポリマー法によって成形される。基板の厚さは、特に
制限されるものではない。
The material of the substrate 1 is usually glass, ceramics or resin, and a resin substrate is suitable in terms of moldability and cost. Examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene resin,
Acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin, fluorine resin, ABS resin, urethane resin and the like can be mentioned, but polycarbonate resin and polymethylmethacrylate excellent in moldability, optical characteristics and cost. Acrylic resins such as (PMMA) are preferred. An uneven pattern such as a guide groove is formed on the substrate 1, and the substrate 1 is molded by injection molding or a photopolymer method. The thickness of the substrate is not particularly limited.

【0013】記録膜3の材料としては、Ge−Te系、
Ge−Te−Sb系、Ge−Sn−Te系などのカルコ
ゲン系合金薄膜を用いることが多いが、Sb−Te共晶
系薄膜が、記録(アモルファス化)感度・速度、及び消
去比が極めて良好なため、記録膜の材料として適してい
る。これらの記録膜材料にはさらなる性能向上、信頼性
向上などを目的にAg、In、Geなどの他の元素や不
純物を添加することができる。無機材料を用いた記録膜
は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレー
ティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に
優れている。
The material of the recording film 3 is a Ge--Te system,
Although chalcogen alloy thin films such as Ge-Te-Sb system and Ge-Sn-Te system are often used, the Sb-Te eutectic system thin film has very good recording (amorphization) sensitivity / speed and erase ratio. Therefore, it is suitable as a material for the recording film. Other elements or impurities such as Ag, In and Ge can be added to these recording film materials for the purpose of further improving performance and reliability. The recording film using an inorganic material can be formed by various vapor phase growth methods such as vacuum deposition method, sputtering method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plating method and electron beam evaporation method. Among them, the sputtering method is excellent in mass productivity and film quality.

【0014】反射放熱膜5としては、Al、Au、A
g、Cu、Taなどの金属材料、またはそれらの合金な
どを用いることができる。また、添加元素としては、C
r、Ti、Si、Cu、Ag、Pd、Taなどが使用さ
れる。このような反射放熱膜は、各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD
法、光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリ
ング法が、量産性、膜質等に優れている。反射放熱膜5
の厚みは50〜200nm、好適には80〜150nm
とするのがよい。50nmより薄くなると反射率が小さ
くなり、200nmより厚くなると感度の低下を生じ
る。
As the reflection / heat radiation film 5, Al, Au, A
A metal material such as g, Cu, Ta, or an alloy thereof can be used. Further, as an additive element, C
r, Ti, Si, Cu, Ag, Pd, Ta or the like is used. Such a reflective heat dissipation film can be formed by various vapor deposition methods such as vacuum deposition method, sputtering method and plasma CVD method.
Method, photo CVD method, ion plating method, electron beam evaporation method, or the like. Among them, the sputtering method is excellent in mass productivity and film quality. Reflective heat dissipation film 5
Has a thickness of 50 to 200 nm, preferably 80 to 150 nm
It is good to say When the thickness is less than 50 nm, the reflectance is low, and when the thickness is more than 200 nm, the sensitivity is lowered.

【0015】下部保護膜2、上部保護膜4としては、A
23と微量の希土類酸化物からなる材料を用いる。A
23単体だと、オーバーライト時の特性が悪くなると
いった問題が生じる。Al23に微量の希土類酸化物を
添加することによって、希土類イオンがAl23の結晶
粒界に偏析し、耐クリープ特性が向上することが知られ
ている。一般に相変化型光ディスクの記録では、記録膜
をレーザー光照射により溶融させ、急冷することにより
非晶質マークを形成するため、記録膜には多くのエネル
ギーが与えられる。オーバーライト後の特性が、1回書
きこみ後と同程度になるためには、記録膜に隣接する保
護膜がエネルギーを与えられても変形しにくい、すなわ
ち耐クリープ性が優れたものであることが望ましいと考
えられる。このような見解から、本発明者らは、保護膜
として、この材料を用いた光ディスクを作製し評価した
結果、オーバーライト時の特性悪化が抑制されることを
見出した。希土類酸化物として、La23、Y23、L
23がオーバーライトの改善に効果的である。希土類
酸化物の添加量は、0.03〜0.2mol%が好まし
い。0.03mol%より少ないと、本発明の効果が得
られない。0.2mol%より多いと、熱伝導率が変化
し、高密度記録が困難になる。下部保護膜2の厚さは3
0〜170nmとするのがよい。30nmより薄くなる
と、記録した際に、熱が基板に影響を与え、基板が変形
してしまうおそれがある。また、170nmより厚くな
ると、量産性の優れた光ディスクを製造するのが困難に
なる。上部保護膜4の厚さは5〜50nm、好適には7
〜30nmとするのがよい。50nmより厚くなると、
繰り返し記録性能が低下してしまう。5nmより薄くな
ると、保護膜としての機能を果たさなくなる。このよう
な保護膜は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオ
ンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形
成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜
質等に優れている。
As the lower protective film 2 and the upper protective film 4, A
A material consisting of l 2 O 3 and a trace amount of rare earth oxide is used. A
With l 2 O 3 alone, there arises a problem that the characteristics during overwriting deteriorate. It is known that the addition of a trace amount of rare earth oxide to Al 2 O 3 causes the rare earth ions to segregate at the grain boundaries of Al 2 O 3 to improve the creep resistance. Generally, in recording on a phase-change type optical disk, a large amount of energy is applied to the recording film because the recording film is melted by laser light irradiation and is rapidly cooled to form an amorphous mark. In order for the characteristics after overwriting to be about the same as those after one-time writing, the protective film adjacent to the recording film is difficult to deform even if energy is applied, that is, it has excellent creep resistance. Is considered desirable. From such a viewpoint, the present inventors have found that an optical disc using this material as a protective film was manufactured and evaluated, and as a result, deterioration of characteristics during overwriting was suppressed. La 2 O 3 , Y 2 O 3 , L as rare earth oxides
u 2 O 3 is effective in improving overwrite. The amount of the rare earth oxide added is preferably 0.03 to 0.2 mol%. If it is less than 0.03 mol%, the effect of the present invention cannot be obtained. If it is more than 0.2 mol%, the thermal conductivity will change and high density recording will be difficult. The thickness of the lower protective film 2 is 3
The thickness is preferably 0 to 170 nm. When the thickness is less than 30 nm, heat may affect the substrate when recording, and the substrate may be deformed. On the other hand, if the thickness is more than 170 nm, it becomes difficult to manufacture an optical disc having excellent mass productivity. The thickness of the upper protective film 4 is 5 to 50 nm, preferably 7
It is preferable that the thickness is ˜30 nm. When it becomes thicker than 50 nm,
Repeated recording performance deteriorates. When the thickness is less than 5 nm, the function as a protective film cannot be achieved. Such a protective film can be formed by various vapor phase growth methods such as vacuum deposition method, sputtering method, plasma CVD method, photo CVD method, ion plating method and electron beam evaporation method. Among them, the sputtering method is excellent in mass productivity and film quality.

【0016】[0016]

【実施例】次に、実施例によって本発明をさらに詳細に
説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定
されるものではない。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

【0017】実施例1〜3および比較例1〜2 直径12cm、厚さ0.6mmで表面に連続溝によるト
ラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート基板上
に下部保護膜としてZnS−SiO2を100nm、記
録膜としてAg1In7Sb70Te22を6nm、上部保護
膜として、Al 23にY23を0.05mol%添加し
た膜を20nm、反射放熱膜としてAlTiを140n
mに順次製膜した。製膜方法はArガス雰囲気中のスパ
ッタ法である。また、同様な構成で、上部保護膜とし
て、Al23にLa23を0.05mol%添加した膜
および上部保護膜として、Al23にLu23を0.0
5mol%添加した膜を製膜した。その上に、スピンコ
ーターを用いてオーバーコート層を設けて相変化型光デ
ィスクを作製した。ついで、大口径の半導体レーザーを
有する初期化装置によって、ディスクの記録層の初期化
処理を行なった。また、比較例として、上部保護膜にそ
れぞれAl23、ZnS−SiO2を用いたディスクを
作製した。作製された各ディスクについて下記条件で記
録した。レーザー波長:407nm、NA=0.65、
線速:13m/s、トラックピッチ:0.40μm、線
密度0.18μm/bitでの最適記録感度、ジッタ
ー、および10000回記録後のジッターを測定した。
各メディアの結果を表1に示すように、実施例による光
ディスクが1回記録後および10000回記録後のジッ
ターが低く、優れていることが明らかである。
Examples 1-3 and Comparative Examples 1-2 It has a diameter of 12 cm and a thickness of 0.6 mm.
On polycarbonate substrate with unevenness of racking guide
ZnS-SiO as a lower protective film2Is 100 nm
Ag as a recording film1In7Sb70Tetwenty two6 nm, top protection
As the film, Al 2O3To Y2O30.05 mol% was added
20 nm, and AlTi 140 n as a reflection and heat dissipation film.
m was sequentially formed into a film. The film formation method is a spa in Ar gas atmosphere.
This is the Tatta method. Also, with the same structure, as the upper protective film
Al2O3To La2O3Containing 0.05 mol% of
And as an upper protective film, Al2O3To Lu2O3To 0.0
A film added with 5 mol% was formed. On top of that, Spinco
Phase change type optical data
I made a disk. Then, a large-diameter semiconductor laser
Initialization of the recording layer of the disc by the initialization device that has
Processed. As a comparative example, the upper protective film is
Al each2O3, ZnS-SiO2A disc with
It was made. Each of the produced discs is described under the following conditions.
I recorded it. Laser wavelength: 407 nm, NA = 0.65,
Linear velocity: 13 m / s, track pitch: 0.40 μm, line
Optimal recording sensitivity and jitter at a density of 0.18 μm / bit
-, And the jitter after recording 10,000 times was measured.
As shown in Table 1 for each media, the light according to the example
After the disc has been recorded once and 10,000 times,
It is clear that the target is low and excellent.

【0018】[0018]

【表1】 [Table 1]

【0019】実施例4〜6、比較例3 上部保護膜、下部保護膜以外は実施例1と同様にして光
ディスクの作製を行なった。下部保護膜には、実施例4
〜6それぞれ、Al23にY23を0.05mol%添
加した膜を100nm、Al23にLa23を0.05
mol%添加した膜を100nm、Al23にLu23
を0.05mol%添加した膜を100nmのものを作
製した。比較例3として下部保護膜にAl23を100
nmのものを作製した。上部保護膜としては、実施例、
比較例ともに、20nmからなるZnS−SiO2を用
いた。実施例1と同様な方法で評価した結果を表2に示
す。これからわかるように、実施例による光ディスク
は、10000回記録後のジッターも低く、優れている
ことが明らかである。
Examples 4 to 6 and Comparative Example 3 An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except for the upper protective film and the lower protective film. Example 4 was used as the lower protective film.
6, respectively, 100 nm and film doped Y 2 O 3 and 0.05 mol% to Al 2 O 3, the Al 2 O 3 and La 2 O 3 0.05
The film added with mol% is 100 nm, and Al 2 O 3 is added with Lu 2 O 3
A film having a thickness of 100 nm was prepared by adding 0.05 mol% of. As Comparative Example 3, 100% Al 2 O 3 was used for the lower protective film.
nm was produced. Examples of the upper protective film include
In both comparative examples, ZnS—SiO 2 having a thickness of 20 nm was used. Table 2 shows the results of evaluation performed in the same manner as in Example 1. As can be seen from this, it is clear that the optical discs according to the examples are excellent in that the jitter after recording 10,000 times is low.

【0020】[0020]

【表2】 [Table 2]

【0021】実施例7〜9、比較例4〜5 上部保護膜以外は、実施例1と同様にして光ディスクの
作製を行なった。上部保護膜にはAl23に、Y23
それぞれ0.03、0.1、0.2mol%添加したも
のを厚さ20nmに積層した。参考例として、Al23
にY23を0.01、0.3mol%添加したものを積
層したディスクを作製した。このようにして作製した光
ディスクを実施例1と同様な方法で評価を行なった。そ
の結果を表3に示すが、実施例による光ディスクが優れ
ていることが明らかである。この他の試作実験の結果を
含めたY23添加量と1回および10000回記録後の
ジッターの関係をグラフ化したのが図2である。この図
からわかるように、希土類酸化物の添加量は0.03〜
0.2mol%の範囲で良好な結果となった。
Examples 7 to 9 and Comparative Examples 4 to 5 Optical discs were manufactured in the same manner as in Example 1 except for the upper protective film. For the upper protective film, Al 2 O 3 and Y 2 O 3 were added to 0.03, 0.1 and 0.2 mol%, respectively, to have a thickness of 20 nm. As a reference example, Al 2 O 3
A disk was prepared by laminating 0.01 to 0.3 mol% of Y 2 O 3 on the disk. The optical disk thus manufactured was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3, and it is clear that the optical disks according to the examples are excellent. FIG. 2 is a graph showing the relationship between the amount of Y 2 O 3 added and the jitter after recording once and 10,000 times, including the results of other trial experiments. As can be seen from this figure, the amount of rare earth oxide added is 0.03 to
Good results were obtained in the range of 0.2 mol%.

【0022】[0022]

【表3】 [Table 3]

【0023】実施例10〜14、比較例6〜7 上部保護膜以外は実施例1と同様な層構成を有する光デ
ィスクを作製した。上部保護膜には、Al23にY23
を0.05mol%添加したものを用い、その膜厚がそ
れぞれ5、10、30、40、50nmのものを作製し
た。参考例として、膜厚が3、60nmのものも作製し
た。このようにして作製した光ディスクを実施例1と同
様な方法で評価を行なった。その結果を表4に示す。上
部保護膜は、5〜50nmの範囲で良好な結果が得ら
れ、それより薄いと感度が悪く、厚いと10000回記
録後のジッターが悪化することがわかった。
Examples 10 to 14 and Comparative Examples 6 to 7 Optical discs having the same layer structure as in Example 1 except for the upper protective film were prepared. The upper protective film is made of Al 2 O 3 and Y 2 O 3
Was added in an amount of 0.05 mol%, and film thicknesses of 5, 10, 30, 40, and 50 nm were prepared. As a reference example, a film having a film thickness of 3, 60 nm was also manufactured. The optical disk thus manufactured was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4. It was found that good results were obtained in the range of 5 to 50 nm for the upper protective film, and that if the thickness was thinner than that, the sensitivity was poor, and if it was thicker, the jitter after recording 10,000 times deteriorated.

【0024】[0024]

【表4】 [Table 4]

【0025】実施例15〜18、比較例8〜9 下部保護膜以外は実施例4と同様な層構成を有する光デ
ィスクを作製した。下部保護膜には、Al23にY23
を0.05mol%添加したものを用い、その膜厚がそ
れぞれ30、50、100、170nmのものを作製し
た。参考例として、膜厚が25、180nmのものを作
製した。このようにして作製した光ディスクを実施例4
と同様な方法で評価を行なった。その結果を表5に示
す。下部保護膜は30〜170nmの範囲で良好な結果
が得られた。30nmより薄いと、10000回記録後
のジッターが悪化し、170nmより厚いと、光ディス
クとしての特性は良好だが、作製時のタクト、コストの
点で好ましくなかった。
Examples 15 to 18 and Comparative Examples 8 to 9 Optical discs having the same layer structure as in Example 4 except for the lower protective film were prepared. The lower protective film includes Al 2 O 3 and Y 2 O 3
Was added in an amount of 0.05 mol%, and film thicknesses thereof were 30, 50, 100 and 170 nm, respectively. As a reference example, a film having a film thickness of 25 and 180 nm was manufactured. The optical disc manufactured in this manner was used in Example 4.
Evaluation was performed in the same manner as in. The results are shown in Table 5. Good results were obtained for the lower protective film in the range of 30 to 170 nm. If it is thinner than 30 nm, the jitter after recording 10,000 times is deteriorated, and if it is thicker than 170 nm, the characteristics as an optical disk are good, but it is not preferable in terms of tact at the time of production and cost.

【0026】[0026]

【表5】 [Table 5]

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、Al23からなる保護膜に希土類酸化物を添加させ
たことから、オーバーライト時の特性の優れた、高密度
かつ高転送レートが可能な光情報記録媒体を得ることが
できる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the rare earth oxide is added to the protective film made of Al 2 O 3 , the characteristics at the time of overwriting are excellent and the density is high. An optical information recording medium capable of high transfer rate can be obtained.

【0028】請求項2の発明によれば、該希土類酸化物
を上記のように特定したことから、より効果的にオーバ
ーライト時の特性が優れた光情報記録媒体を得ることが
できる。
According to the second aspect of the invention, since the rare earth oxide is specified as described above, it is possible to more effectively obtain the optical information recording medium having excellent overwrite characteristics.

【0029】請求項3の発明によれば、該希土類酸化物
の添加量を上記のように特定したことから、感度がよ
く、オーバーライト時の特性もよい光情報記録媒体を得
ることができる。
According to the third aspect of the present invention, since the amount of the rare earth oxide added is specified as described above, it is possible to obtain an optical information recording medium having good sensitivity and good overwrite characteristics.

【0030】請求項4の発明によれば、希土類酸化物を
添加したAl23からなる下部保護膜の膜厚範囲を上記
のように特定したことから、記録特性がよいと共に量産
性のよい光情報記録媒体を得ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the thickness range of the lower protective film made of Al 2 O 3 to which the rare earth oxide is added is specified as described above, the recording characteristics are good and the mass productivity is good. An optical information recording medium can be obtained.

【0031】請求項5の発明によれば、希土類酸化物を
添加したAl23からなる上部保護膜の膜厚範囲を上記
のように特定したことから、感度がよく、オーバーライ
ト時の特性も優れた光情報記録媒体を得ることができ
る。
According to the invention of claim 5, the upper protective film made of Al 2 O 3 to which a rare earth oxide is added has a film thickness range specified as described above. It is also possible to obtain an excellent optical information recording medium.

【0032】請求項6の発明によれば、記録層構成元素
を上記のように特定したことから、消去比に優れ、オー
バーライト時の特性もよい光情報記録媒体を得ることが
できる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the constituent elements of the recording layer are specified as described above, it is possible to obtain an optical information recording medium having an excellent erasing ratio and good overwriting characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一例を示す光情報記録媒体の概略断面
図。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical information recording medium showing an example of the present invention.

【図2】希土類酸化物の添加量とジッターの関係を示す
グラフ。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the amount of rare earth oxide added and jitter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 保護膜 3 記録膜 4 上部保護膜 5 反射放熱膜 6 オーバーコート層 1 substrate 2 protective film 3 recording film 4 Upper protective film 5 Reflective heat dissipation film 6 Overcoat layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H111 EA04 EA23 EA31 FA14 FA25 FB09 FB12 5D029 JA01 JB18 LA14 LA19 LB07   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H111 EA04 EA23 EA31 FA14 FA25                       FB09 FB12                 5D029 JA01 JB18 LA14 LA19 LB07

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光の入射によって結晶状態と非晶質状態
との相変化により情報を記録しうる記録膜とAl23
らなる保護膜を有する光情報記録媒体において、該保護
膜に希土類酸化物を添加することを特徴とする相変化型
光情報記録媒体。
1. An optical information recording medium having a recording film capable of recording information by a phase change between a crystalline state and an amorphous state upon incidence of light and a protective film made of Al 2 O 3 , wherein the protective film contains a rare earth element. A phase-change type optical information recording medium characterized by adding an oxide.
【請求項2】 請求項1記載の相変化型光情報記録媒体
において、希土類酸化物が、La23、Y23、Lu2
3のいずれか、もしくはそれらの混合物であることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体。
2. The phase change type optical information recording medium according to claim 1, wherein the rare earth oxide is La 2 O 3 , Y 2 O 3 or Lu 2.
A phase-change type optical information recording medium characterized by being any one of O 3 and a mixture thereof.
【請求項3】 請求項1または2記載の相変化型光情報
記録媒体において、希土類酸化物の添加量が、0.03
〜0.2mol%であることを特徴とする相変化型光情
報記録媒体。
3. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, wherein the amount of rare earth oxide added is 0.03.
A phase change type optical information recording medium, characterized in that the content is ˜0.2 mol%.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項記載の相
変化型光情報記録媒体において、光入射側から見て、記
録膜の手前側に形成される保護膜の厚さが30〜170
nmであることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
4. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, wherein the protective film formed on the front side of the recording film has a thickness of 30 to 30 when viewed from the light incident side. 170
A phase-change type optical information recording medium characterized by having a thickness of nm.
【請求項5】 請求項1乃至4のいずれか1項記載の相
変化型光情報記録媒体において、光入射側から見て、記
録膜の奥側に形成される保護膜の厚さが5〜50nmで
あることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
5. The phase change type optical information recording medium according to claim 1, wherein the protective film formed on the inner side of the recording film has a thickness of 5 to 5 when viewed from the light incident side. A phase change type optical information recording medium having a thickness of 50 nm.
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項記載の相
変化型光情報記録媒体において、記録膜はSb−Te共
晶系合金を主成分とすることを特徴とする相変化型光情
報記録媒体。
6. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, wherein the recording film contains an Sb—Te eutectic alloy as a main component. Information recording medium.
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