JP2003043759A - Image forming device - Google Patents
Image forming deviceInfo
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- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、像担持体に形成し
た静電潜像を可視像とするための現像装置を備えた、例
えば、電子写真方式を用いた複写機、レーザービームプ
リンタ、ファクシミリ、印刷装置などのような画像形成
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a copying machine, a laser beam printer, etc. using an electrophotographic system, which is equipped with a developing device for converting an electrostatic latent image formed on an image carrier into a visible image. The present invention relates to an image forming apparatus such as a facsimile and a printing device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、現像装置に配置され、現像剤を担
持搬送して像担持体に形成された静電潜像を可視像とす
る現像剤担持体は、現像剤の搬送のためにその表面を凹
凸に粗している。このような現像剤担持体としては、古
くは特開昭５４−７９０４３号公報に示されているよう
な、主に二成分現像剤を使用した現像装置に使用される
ローレット状の溝を入れたものや、特開昭５５−２６５
２６号公報に示されているような、主に一成分現像剤を
使用した現像装置に使用される粗面化処理を施したもの
がある。2. Description of the Related Art Conventionally, a developer carrier, which is disposed in a developing device and carries and carries a developer to make an electrostatic latent image formed on an image carrier a visible image, is used for carrying the developer. The surface is roughened. As such a developer carrying member, a knurled groove used in a developing device mainly using a two-component developer as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 54-79043 is used. Monoya, JP-A-55-265
As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 26-26, there is a developing device which mainly uses a one-component developer and which has been subjected to a roughening treatment.
【０００３】特に、粗面化処理した現像剤担持体の材質
としては、長期使用時にその凹凸が摩耗減少してしまう
のを防ぐために、比較的高硬度な材料の表面被覆層を基
板に形成することが提案されている。例えば、特開昭５
８−１３２７６８号公報には、アルミニウム基板の表面
にＴｉＮ、ＣｒＮ等の窒化物、ＴｉＣ、Ｂ4Ｃ等の炭化
物、又はＮｉ−Ｐメッキ層を設けた現像剤担持体が、ま
た、特開平６−２３０６７６号公報には、アルミニウ
ム、真ちゅう又はステンレス等の基板の表面にＣｒメッ
キ層、アルマイト層、Ｎｉ−Ｐメッキ層、又は窒化処理
層を設けた現像剤担持体が、また、特開平３−４１４８
５号公報には、アルミニウム又はステンレス等の基板の
表面にＣｒ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ又はＮｉ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃａ等のメッキ層を設けた現
像剤担持体が記載されている。In particular, as a material for the surface-roughened developer carrier, a surface coating layer of a relatively high hardness material is formed on the substrate in order to prevent the unevenness from being worn down during long-term use. Is proposed. For example, JP-A-5
The 8-132768 discloses, TiN on the surface of the aluminum substrate, a nitride such as CrN, TiC, carbide B 4 C, etc., or the developer carrying member provided with a Ni-P plating layer, also JP 6 -230676 discloses a developer carrying member having a Cr plating layer, an alumite layer, a Ni-P plating layer, or a nitriding treatment layer provided on the surface of a substrate made of aluminum, brass, stainless steel, or the like. 4148
No. 5, gazette discloses that Cr, Cu-Cr, Ni-Cr, Cu-Ni-C is formed on the surface of a substrate such as aluminum or stainless steel.
There is described a developer carrier provided with a plating layer of r or Ni-Cu-Ni-Ca.
【０００４】これらの耐摩耗性の表面被覆層の中には、
無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層のように、３００〜５００℃の
加熱処理によってビッカース硬度Ｈｖが９００以上にな
る高耐摩耗性のメッキ層もある（特開昭５８−１３２７
６８号公報）。しかし、このような加熱処理を行なう
と、良品率がかなり低下する。それは、基板が長尺方向
と垂直な方向に数１０μｍ以上の熱変形を起こし、像担
持体と現像剤担持体との間隔が場所的にばらつき、トナ
ー画像に画像ムラを生じてしまうことによる。特に、高
品質なトナー画像を形成する上で、このような画像ムラ
は大きな障害になる。Among these wear resistant surface coatings are:
There is also a high wear-resistant plating layer having a Vickers hardness Hv of 900 or more by heat treatment at 300 to 500 ° C., such as an electroless Ni-P plating layer (Japanese Patent Laid-Open No. 58-1327).
No. 68). However, when such heat treatment is performed, the non-defective rate is considerably reduced. This is because the substrate undergoes thermal deformation of several tens of μm or more in the direction perpendicular to the lengthwise direction, the distance between the image carrier and the developer carrier varies locally, and image unevenness occurs in the toner image. Particularly, in forming a high quality toner image, such image unevenness is a great obstacle.
【０００５】電気メッキによる表面被覆層は硬質であ
り、耐摩耗性に優れている。しかも、上述のＮｉ−Ｐメ
ッキのように、高温加熱処理も必要としない点で有利で
ある。しかしながら、電気硬質メッキ層は、設計値通り
の表面形状を持つ表面被覆層とする点では問題がある。
すなわち、現像剤担持体の表面は、現像剤の良好な搬送
性、現像剤との摩擦による現像剤への適正量の電荷の付
与及び現像剤の固着防止の点から、所定の精度に設定さ
れた表面粗さを持つことが要求される。しかし、電気硬
質メッキ層に、このような精度の表面粗さを形成するこ
とは困難である。その理由は次の通りである。The surface coating layer formed by electroplating is hard and has excellent wear resistance. Moreover, unlike the Ni-P plating described above, it is advantageous in that high-temperature heat treatment is not required. However, the electric hard plating layer has a problem in that it is a surface coating layer having a surface shape as designed.
That is, the surface of the developer carrying member is set to a predetermined accuracy in terms of good transportability of the developer, application of an appropriate amount of charge to the developer due to friction with the developer, and prevention of sticking of the developer. It is required to have a good surface roughness. However, it is difficult to form such an accurate surface roughness on the electric hard plating layer. The reason is as follows.
【０００６】電気メッキでは、電気力線の密度に比例し
て、メッキ液中から金属が析出して基板に析出するが、
基板表面には、一般に微小な突起やクラックがある。突
起の場合には、その頂点に向かって、クラックの場合に
は、その縁に向かって電気力線が集中する傾向にある。
それゆえ、それらの部位に金属が異常に析出することと
なって、所定の表面粗さを持つ硬質メッキ層が形成でき
ないからである。In electroplating, metal is deposited from the plating solution in proportion to the density of the lines of electric force, and is deposited on the substrate.
There are generally fine protrusions and cracks on the substrate surface. In the case of a protrusion, the lines of electric force tend to concentrate toward the apex thereof, and in the case of a crack toward the edge thereof.
Therefore, the metal is abnormally deposited on those portions, and the hard plating layer having a predetermined surface roughness cannot be formed.
【０００７】以上のような条件を満足する手段として、
特開２０００−２８４５８６号公報には、無電解メッキ
層及び電気硬質メッキ表面層を有する現像スリーブが記
載されている。異常な金属析出部のない高い精度の表面
粗さを持つ電気硬質メッキを形成することで、均一で高
硬度な表面メッキ層を得ることが可能となっている。As means for satisfying the above conditions,
Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-284586 describes a developing sleeve having an electroless plating layer and an electric hard plating surface layer. It is possible to obtain a uniform and high hardness surface plating layer by forming an electric hard plating having a highly accurate surface roughness without abnormal metal deposits.
【０００８】無電解メッキ層としてはＮｉ−Ｐ層及びＮ
ｉ−Ｂ層が工業的に汎用性が高く、品質安定性が比較的
高い。又、電気硬質メッキ表面層としてはビッカース硬
度Ｈｖが３００以上のＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ及びロジウムな
どが適しており、とりわけＨｖが６００以上のＣｒが望
ましい。As the electroless plating layer, Ni-P layer and N
The i-B layer is industrially highly versatile and has relatively high quality stability. Further, Cr, Ni, Pt, rhodium and the like having a Vickers hardness Hv of 300 or more are suitable for the electrohard plating surface layer, and Cr having a Hv of 600 or more is particularly desirable.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところで、無電解メッ
キ層及び電気硬質メッキ層を有する特開２０００−２８
４５８６号公報記載の現像剤担持体、即ち、現像スリー
ブであっても、よりハイスピードな画像形成装置や、よ
り高い画質レベルを維持しようとすると下記のような問
題が障害となっていた。By the way, JP-A-2000-28 having an electroless plating layer and an electric hard plating layer.
Even with the developer carrier described in Japanese Patent No. 4586, that is, the developing sleeve, the following problems have been an obstacle when trying to maintain a higher speed image forming apparatus or a higher image quality level.
【００１０】即ち、無電解メッキ層として用いるＮｉ−
Ｐ層やＮｉ−Ｂ層は、その組成により強磁性又は僅かな
がら磁性の特性を示す。Ｎｉ−Ｐメッキでリンの含有量
が低い場合や、Ｎｉ−Ｂ材料では、強磁性の特性を示す
ため、現像スリーブに用いる材料としては完全なもので
はない。又、Ｎｉ−Ｐメッキでもリンの含有量を１０％
以上とした高リンタイプの場合、飽和磁束密度が５ガウ
ス前後まで低減することが可能で、一般的には非磁性材
料として扱われる。しかし、この場合でも完全な磁性を
失うわけではない。現像スリーブ内部に磁界発生手段と
してのマグネットローラを有し、現像スリーブ表面には
現像剤として磁性トナーを用いる現像装置では、現像ス
リーブ自身が強磁性であったり、僅かながらでも磁性を
有すると、磁性トナーへの影響があるためである。実際
に、これらの現像スリーブ上の磁性トナーを観察する
と、磁性トナー同士がクラスタとしての挙動を示し易く
なり、像担持体としての電子写真感光体上へのトナーの
飛翔がトナー単独で飛ばず、クラスタ全体で飛翔するこ
とが分かった。クラスタ全体のまま飛翔した場合、細か
な潜像を描画された電子写真感光体上へ正確なトナー付
着が行われず、画像品位の高い顕像化が行われないとい
う問題があった。That is, Ni- used as the electroless plating layer
The P layer and the Ni-B layer exhibit ferromagnetic or slightly magnetic properties depending on the composition. When the phosphorus content is low in Ni-P plating or Ni-B material exhibits ferromagnetic properties, it is not a perfect material for the developing sleeve. Even with Ni-P plating, the phosphorus content is 10%.
In the case of the high phosphorus type described above, the saturation magnetic flux density can be reduced to around 5 Gauss, and it is generally treated as a non-magnetic material. However, even in this case, complete magnetism is not lost. In a developing device that has a magnet roller as a magnetic field generating means inside the developing sleeve and uses magnetic toner as a developer on the surface of the developing sleeve, if the developing sleeve itself is ferromagnetic or has a slight magnetism, This is because the toner is affected. In fact, when observing the magnetic toner on these developing sleeves, the magnetic toners tend to behave as clusters, and the flying of the toner onto the electrophotographic photosensitive member as the image bearing member does not fly by itself, It was found that the entire cluster would fly. If the entire cluster flies, there is a problem in that the toner is not accurately attached to the electrophotographic photosensitive member on which a fine latent image is drawn, and the image cannot be visualized with high image quality.
【００１１】加えて、表面層として用いる硬質メッキ層
と、現像装置で用いる現像剤であるトナーとの相性によ
り、トナーに望ましい帯電電荷を付与できない問題があ
った。トナー自身は、現像特性だけでなく、転写性、ク
リーニング性、定着性、搬送性などのさまざまな機能を
両立させる必要があり、現像特性のみを重視することは
困難で、上記のメッキ表面層では帯電不足になる場合が
あった。トナーが帯電不足になると、画像濃度の低下
や、文字やラインの再現性の低下や、飛び散りなどによ
る解像力の低下や、画像形成装置本体内のトナー飛散拡
大といった問題を引き起こす要因となっていた。とりわ
け、帯電不足のトナーの場合は、前述のクラスタ状トナ
ーを作る現象を助長するため、画像品位をより低下させ
ていた。In addition, due to the compatibility between the hard plating layer used as the surface layer and the toner which is the developer used in the developing device, there is a problem that a desired charge cannot be imparted to the toner. The toner itself is required to have not only the development characteristics but also various functions such as transferability, cleaning ability, fixing ability, and transportability, and it is difficult to emphasize only the development characteristics. There were cases where the charge was insufficient. When the toner becomes insufficiently charged, it causes problems such as a decrease in image density, a decrease in reproducibility of characters and lines, a decrease in resolution due to scattering, and an increase in toner scattering in the main body of the image forming apparatus. In particular, in the case of a toner that is insufficiently charged, the phenomenon of forming the above-mentioned cluster-shaped toner is promoted, so that the image quality is further deteriorated.
【００１２】従って、本発明の目的は、無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキ層又は無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層と電気硬質メッキ
表面層を有する現像剤担持体による高耐久性と、電界強
度及びスリーブ回転数の最適化による画像品位の高品位
化及び安定化を両立することが可能な画像形成装置を提
供することである。Accordingly, it is an object of the present invention to provide electroless Ni-P.
A developer carrier having a plating layer or an electroless Ni-B plating layer and an electric hard plating surface layer achieves both high durability and high image quality and stabilization by optimizing electric field strength and sleeve rotation speed. It is to provide an image forming apparatus capable of performing the above.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
画像形成装置にて達成される。要約すれば、本発明は、
静電潜像が形成される像担持体と、現像剤を担持搬送す
る現像剤担持体に現像バイアスを印加して前記像担持体
上の静電潜像を現像する現像装置と、を有し、前記現像
剤担持体は、非磁性基板と、前記基板に形成された無電
解メッキＮｉ−Ｐ層又は無電解メッキＮｉ−Ｂ層と、表
面層として形成された電気硬質メッキ層と、を有する画
像形成装置において、前記現像剤担持体に印加される現
像バイアスと、前記像担持体に付与される静電潜像電位
間の最大電界強度を少なくとも２段階に切り替える手段
と、前記現像剤担持体の回転速度を少なくとも２段階に
切り替える手段と、を有し、前記最大電界強度を強くし
た場合には、前記現像剤担持体の回転速度を遅くし、前
記最大電界強度を低くした場合には、前記現像剤担持体
の回転速度を速くすることを特徴とする画像形成装置で
ある。The above object can be achieved by an image forming apparatus according to the present invention. In summary, the present invention is
An image bearing member on which an electrostatic latent image is formed, and a developing device for applying a developing bias to the developer bearing member carrying and carrying the developer to develop the electrostatic latent image on the image bearing member. The developer carrier has a non-magnetic substrate, an electroless plating Ni-P layer or an electroless plating Ni-B layer formed on the substrate, and an electric hard plating layer formed as a surface layer. In the image forming apparatus, a developing bias applied to the developer carrying member and a means for switching the maximum electric field intensity between the electrostatic latent image potentials applied to the image carrying member in at least two stages, and the developer carrying member. And a means for switching the rotation speed of at least two steps, and when the maximum electric field strength is increased, the rotation speed of the developer carrying member is decreased, and when the maximum electric field strength is decreased, Increase the rotation speed of the developer carrier The image forming apparatus according to claim Rukoto.
【００１４】本発明によれば、現像剤担持体上で帯電不
足の現像剤の場合や、クラスタ状となった現像剤であっ
ても、電界強度を強くすることで、画像品位が改善する
ことができる。電界強度は、現像剤担持体に印加される
現像バイアスと、像担持体に付与される静電潜像電位で
決定される。強い電界強度を用いると、像担持体上の潜
像電位に飛翔する現像剤は、現像剤担持体上で帯電不足
の場合や、クラスタ状であったとしても、潜像電位に忠
実に引き付けられることになる。又、現像バイアスとし
て、直流電圧に交流電圧を重畳した場合には、交流成分
による振動も加わって、帯電付与量が増加するか、クラ
スタが崩れることも一因ではないかと推測される。According to the present invention, the image quality is improved by increasing the electric field strength even in the case of a developer that is insufficiently charged on the developer carrier or even in the case of a clustered developer. You can The electric field strength is determined by the developing bias applied to the developer carrier and the electrostatic latent image potential applied to the image carrier. When a strong electric field strength is used, the developer flying to the latent image potential on the image carrier is faithfully attracted to the latent image potential even if the developer carrier is insufficiently charged or is in the form of clusters. It will be. Further, when the AC voltage is superimposed on the DC voltage as the developing bias, it is presumed that vibration due to the AC component is also added to increase the charging amount or collapse the clusters.
【００１５】このような条件において、現像剤担持体の
回転速度を切り替える手段を有し、この回転速度を所望
の出力濃度が得られるまで低めの設定とする。無論回転
速度を高くすると、前述の強力な電界強度との条件で
は、濃度が乗り過ぎたり、現像剤消費が高くなるなどの
弊害が発生するため低めの設定をする必要がある。しか
し、現像剤担持体の回転速度も、本発明者らの実験で
は、低ければ低いほど画像品位は良好であることが分か
った。これは、一時的な帯電付加であれば、現像剤担持
体の回転速度が速い方が有利であることは周知であるも
のの、画像形成装置を長時間使用した場合には、むしろ
速い現像剤担持体上の現像剤の方が、現像剤の外添剤で
あるシリカなどが現像剤内に埋め込まれる劣化現象によ
り、結果として帯電不良となることが分かってきたから
である。またクラスタ状態についても、像担持体速度比
が高いほどクラスタが像担持体上で伸びた形で顕像化さ
れ易いため、望ましくは像担持体速度に近づけることが
有効であることが分かった。Under such conditions, there is provided means for switching the rotation speed of the developer carrying member, and this rotation speed is set to a low value until the desired output density is obtained. Of course, if the rotation speed is increased, under the conditions of the above-mentioned strong electric field strength, there are adverse effects such as excessive density and excessive developer consumption, so it is necessary to set a lower setting. However, in the experiments conducted by the inventors of the present invention, it was found that the lower the rotational speed of the developer carrying member, the better the image quality. It is well known that a faster rotation speed of the developer carrying member is advantageous for temporary charge addition, but it is rather fast when the image forming apparatus is used for a long time. It has been found that the developer on the body results in poor charging due to a deterioration phenomenon in which silica, which is an external additive of the developer, is embedded in the developer. Also in the cluster state, the higher the speed ratio of the image bearing member, the more easily the cluster is visualized in a stretched state on the image bearing member, so it has been found that it is effective to bring the cluster closer to the speed of the image bearing member.
【００１６】従って、通常気圧環境下では、現像剤担持
体に印加される現像バイアスと、像担持体に付与される
静電潜像電位間の最大電界強度を４．５Ｖ／μｍ以上と
し、かつ、現像剤担持体の回転速度をできるだけ遅くす
ることにより、ハイスピードな画像形成装置において、
より高い画質レベルを維持することが可能となってい
る。逆に低気圧環境下では、リークによる画像異常の方
が、画像品位をより劣悪なものにさせるため、これを優
先的に解決するように最大電界強度を下げ、かつ画像出
力濃度を上げるために現像剤担持体の回転数を上げるよ
うにしている。Therefore, under the normal atmospheric pressure environment, the maximum electric field strength between the developing bias applied to the developer carrier and the electrostatic latent image potential applied to the image carrier is 4.5 V / μm or more, and In the high-speed image forming apparatus, by making the rotation speed of the developer carrier as slow as possible,
It is possible to maintain a higher image quality level. On the contrary, in a low-pressure environment, an image abnormality due to a leak makes the image quality worse, so in order to solve it preferentially, the maximum electric field strength is lowered and the image output density is increased. The number of rotations of the developer carrier is increased.
【００１７】これらにより、本発明によれば、無電解Ｎ
ｉ−Ｐメッキ層または無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層と、電気
硬質メッキ表面層を有する現像剤担持体による高耐久性
と、電界強度及び現像剤担持体回転数の最適化による画
像品位の高品位化及び安定化を両立することが可能とな
った。As a result, according to the present invention, electroless N
High durability due to a developer carrier having an i-P plated layer or electroless Ni-B plated layer and an electric hard plated surface layer, and high image quality by optimizing electric field strength and developer carrier rotational speed It has become possible to achieve both stabilization and stabilization.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る画像形成装置
を図面に則して更に詳しく説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An image forming apparatus according to the present invention will be described below in more detail with reference to the drawings.
【００１９】実施例１
図２は、本発明の画像形成装置の一実施例である電子写
真式白黒デジタル複写機の概略構成を示す図である。Embodiment 1 FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an electrophotographic black and white digital copying machine which is an embodiment of the image forming apparatus of the present invention.
【００２０】本実施例にて、画像形成装置は像担持体と
して電子写真感光体を有し、本実施例では、直径１０８
ｍｍのａ−Ｓｉドラム感光体１を用いた。プロセススピ
ードは４５０ｍｍ／ｓｅｃで毎分８５枚の白黒画像の画
像形成が可能とされた。ａ−Ｓｉ感光体は、有機感光体
（ＯＰＣ）に比べ比誘電率が１０程度と大きいことや帯
電電位が比較的低く、ＯＰＣに比べ潜像電位が十分に取
れないが、高耐久で寿命が３００万枚以上あり、高速機
に向いているという特徴がある。In this embodiment, the image forming apparatus has an electrophotographic photosensitive member as an image bearing member, and in this embodiment, the diameter is 108.
The a-Si drum photoconductor 1 of mm was used. The process speed was 450 mm / sec, and it was possible to form 85 black and white images per minute. The a-Si photoconductor has a relative permittivity as large as about 10 as compared with the organic photoconductor (OPC) and has a relatively low charging potential. Therefore, the latent image potential cannot be sufficiently obtained as compared with the OPC, but it has high durability and a long life. With more than 3 million sheets, it is suitable for high-speed machines.
【００２１】感光体１は、帯電器２によりその表面電位
がＶＤ（例えば＋４２０Ｖ）となるように一様に帯電さ
れた後、半導体レーザー１１を光源とする露光装置１０
により６００ｄｐｉで画像露光１６がなされる。画像露
光１６により、感光体１の露光部の表面電位はＶＬ（例
えば＋５０Ｖ）に減衰し、静電潜像が形成される。本実
施例にて半導体レーザー１０の波長は６８０ｎｍであっ
た。The photoconductor 1 is uniformly charged by the charger 2 so that its surface potential becomes VD (for example, +420 V), and then the exposure device 10 using the semiconductor laser 11 as a light source.
Thus, image exposure 16 is performed at 600 dpi. By the image exposure 16, the surface potential of the exposed portion of the photoconductor 1 is attenuated to VL (for example, + 50V), and an electrostatic latent image is formed. The wavelength of the semiconductor laser 10 in this example was 680 nm.
【００２２】露光装置１０は、半導体レーザー１１から
のレーザー光を、ポリゴンスキャナー１２、ｆθレンズ
１３、折り返しミラー１４、防塵ガラス１５等を介して
感光体１上に照射する。感光体１上でのスポット径は６
００ｄｐｉの１画素＝４２．３μｍよりも若干大きい程
度のスポットサイズで感光体１上に結像し、画像部を先
に述べたように、＋５０Ｖ程度に除電して、静電潜像を
形成する。The exposure device 10 irradiates the photoconductor 1 with laser light from the semiconductor laser 11 through the polygon scanner 12, the fθ lens 13, the folding mirror 14, the dustproof glass 15, and the like. The spot diameter on the photoconductor 1 is 6
One pixel of 00 dpi = 42.3 μm. A spot size of slightly larger than 42.3 μm is formed on the photoconductor 1, and the image portion is discharged to about +50 V to form an electrostatic latent image as described above. .
【００２３】感光体１上の静電潜像は、現像装置３にて
現像して可視像、即ち、トナー像とされる。本実施例で
現像装置３は、構成が簡易で、しかも、現像剤を担持搬
送する現像剤担持体、即ち、現像スリーブ３０の寿命ま
でメンテナンスが不要とされる高耐久な現像方式である
現像剤として黒の一成分磁性現像剤（磁性トナー）を用
いた現像方法を採用している。使用したトナーはポジト
ナーで重量平均粒径は８．０μｍである。The electrostatic latent image on the photoreceptor 1 is developed by the developing device 3 into a visible image, that is, a toner image. In the present embodiment, the developing device 3 has a simple structure and is a highly durable developing system in which maintenance is not required until the life of the developer carrying body carrying the developer, that is, the developing sleeve 30. As a developing method, a black one-component magnetic developer (magnetic toner) is used. The toner used is a positive toner and has a weight average particle diameter of 8.0 μm.
【００２４】感光体１上のトナー像は、給紙ユニット１
００から送給される転写材１００に転写帯電器４により
転写される。転写材１００は、分離帯電器５により感光
体１から分離され、定着器７にてトナー像が定着され
る。転写後の感光体１は、表面の転写残トナーがクリー
ナー６で除去され、必要により次の画像形成工程を続行
する。The toner image on the photosensitive member 1 is transferred to the paper feeding unit 1
It is transferred by the transfer charger 4 onto the transfer material 100 fed from 00. The transfer material 100 is separated from the photoconductor 1 by the separation charging device 5, and the toner image is fixed by the fixing device 7. The transfer residual toner on the surface of the photoconductor 1 after the transfer is removed by the cleaner 6, and the next image forming process is continued if necessary.
【００２５】高速機の電子写真感光体としてａ−Ｓｉド
ラム感光体１を用いた場合には、朝一番の画像流れやａ
−Ｓｉ感光体が温度特性をもつため、これを防止し、安
定に保つ目的でａ−Ｓｉドラムの中に不図示のドラムヒ
ーターが入っている。この時、現像装置３にて現像スリ
ーブ３０の材質としてＳＵＳを用いると、熱伝導率が小
さいためにドラムヒーターの熱による変形が生じやすく
なる。そのため現像スリーブ材質としては、熱伝導率が
大きくドラムヒーターによる熱変形の小さいアルミニウ
ム又はアルミニウム合金を使用すると良い。When the a-Si drum photosensitive member 1 is used as the electrophotographic photosensitive member of the high speed machine, the image flow and a
Since the -Si photosensitive member has temperature characteristics, a drum heater (not shown) is provided in the a-Si drum for the purpose of preventing this and keeping it stable. At this time, if SUS is used as the material of the developing sleeve 30 in the developing device 3, since the thermal conductivity is small, the drum heater is likely to be deformed by heat. Therefore, as the material of the developing sleeve, it is preferable to use aluminum or an aluminum alloy which has a large thermal conductivity and a small thermal deformation due to the drum heater.
【００２６】図１は、現像装置３の概略構成図である。
現像スリーブ３０は、感光体１に対して、Ｓ−Ｄギャッ
プ２２０μｍで設定され、矢印方向に回転する。現像ス
リーブ内部には、磁界発生手段としてのマグネットロー
ラ３１が回転しない状態で配置され、トナーの取り込
み、トナーの搬送、帯電付与などの機能を担っている。FIG. 1 is a schematic block diagram of the developing device 3.
The developing sleeve 30 is set with an SD gap of 220 μm with respect to the photoconductor 1 and rotates in the arrow direction. Inside the developing sleeve, a magnet roller 31 as a magnetic field generating means is arranged in a non-rotating state, and has a function of taking in toner, carrying toner, imparting charge and the like.
【００２７】又、現像剤層厚規制部材としての規制ブレ
ード３２が現像スリーブ３０に対して、Ｓ−Ｂギャップ
２５０μｍで設定され、現像スリーブ内部のマグネット
３１による磁界とともに、現像スリーブ上へのトナー塗
布量の規制と帯電付与を行っている。A regulating blade 32 as a developer layer thickness regulating member is set with an SB gap of 250 μm with respect to the developing sleeve 30, and the toner is applied onto the developing sleeve together with the magnetic field generated by the magnet 31 inside the developing sleeve. The amount is regulated and the charge is applied.
【００２８】現像スリーブ３０及び規制ブレード３２へ
は、不図示の給電部材により画像形成装置から現像バイ
アスが印加される。現像バイアスは、画像形成装置の制
御部４０から画像出力中に出力信号命令を送信すると、
波形発生装置４１が現像バイアスの元信号を送信し、こ
れをバイアス電源４２にて増幅して作られる。又、現像
装置内にはトナーの攪拌及び搬送のために、攪拌棒３３
及び３４が設けられる。A developing bias is applied to the developing sleeve 30 and the regulating blade 32 from the image forming apparatus by a power feeding member (not shown). When the output signal command is transmitted from the control unit 40 of the image forming apparatus during image output, the developing bias is
The waveform generator 41 transmits the original signal of the developing bias and a bias power source 42 amplifies it. In addition, a stirring rod 33 is provided in the developing device to stir and convey the toner.
And 34 are provided.
【００２９】図３は、現像スリーブ３０の基本的構成を
示す。現像スリーブ３０は、素管をブラスト加工した基
板（スリーブ）Ｓを有し、スリーブＳ上に無電解メッキ
層Ｐ１、中間層Ｐ２及び電気硬質メッキ層Ｐ３が設けら
れる。FIG. 3 shows the basic structure of the developing sleeve 30. The developing sleeve 30 has a substrate (sleeve) S obtained by blasting a raw tube, and an electroless plating layer P1, an intermediate layer P2, and an electric hard plating layer P3 are provided on the sleeve S.
【００３０】つまり、現像スリーブ３０は、スリーブＳ
を構成する非磁性部材である３２ｍｍ径のアルミＡ６０
６３の上に球形粒子ブラスト（ＦＧＢ）＃６００でブラ
スト処理（Ｒｚ３．０μｍ）をした後、このブラスト加
工したスリーブＳの上にメッキ処理を行なったものであ
る。That is, the developing sleeve 30 is the sleeve S.
32mm diameter aluminum A60 which is a non-magnetic member
63 is blasted with spherical particle blast (FGB) # 600 (Rz 3.0 μm), and then the blasted sleeve S is plated.
【００３１】スリーブＳの材質としては、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、又は、銅合金が好ましい。これ
らは、非磁性で磁界を利用する現像用に適している。ま
た、ビッカース硬度Ｈｖが４０〜１８０と比較的や軟ら
かい金属であるため、粗面化処理をしやすく、また、熱
伝導係数が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高いので、蓄熱しに
くく、使用中における熱膨張による寸法精度の低下を生
じにくい。The material of the sleeve S is preferably aluminum, aluminum alloy, or copper alloy. These are non-magnetic and suitable for development utilizing a magnetic field. In addition, since the Vickers hardness Hv is 40 to 180, which is a relatively soft metal, roughening treatment is easy, and since the thermal conductivity coefficient is as high as 150 W / m · K or more, it is difficult to store heat and is in use. The dimensional accuracy is less likely to decrease due to thermal expansion.
【００３２】スリーブＳは、上述した如く、適正な表面
粗さ、通常、Ｒｚが０．３〜７μｍ又はＲａが０．０５
〜１．１μｍの範囲の表面粗さを持つのが好適である。
このために、本発明による現像剤担持体の表面層となる
電気硬質メッキ層を形成後に粗面化処理を行うことも可
能であるが、メッキ層の剥離やブラスト砥粒の付着の危
険性の点で、予め基材表面に粗面化処理を施し、Ｒｚが
１〜８μｍ又はＲａが０．１〜１．２μｍ程度の表面粗
さにしておくことが好適である。この粗面化処理として
は、球形粒子によるブラスト処理が好適である。As described above, the sleeve S has an appropriate surface roughness, usually Rz of 0.3 to 7 μm or Ra of 0.05.
It is preferable to have a surface roughness in the range of ˜1.1 μm.
For this reason, it is also possible to carry out a surface roughening treatment after forming the electric hard plating layer to be the surface layer of the developer carrying member according to the present invention, but there is a risk of peeling of the plating layer or adhesion of blast abrasive grains. In view of this, it is preferable that the surface of the base material is subjected to a surface roughening treatment in advance so as to have a surface roughness of Rz of 1 to 8 μm or Ra of 0.1 to 1.2 μm. As the roughening treatment, blasting treatment with spherical particles is suitable.
【００３３】無電解メッキ層Ｐ１の厚さは、基板表面の
微小突起やクラックを封入させる点から、３μｍ以上が
好ましく、また、均一なメッキ層を形成し、且つ、トナ
ーの搬送性に寄与する基板の所定の凹凸形状がメッキ層
表面に現れるようにするために、３０μｍ以下が好適で
ある。このメッキ層としては、工業的に汎用性が高く、
品質安定性の点からＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂが好ましい。The thickness of the electroless plating layer P1 is preferably 3 μm or more from the viewpoint of enclosing fine protrusions and cracks on the surface of the substrate. Further, it forms a uniform plating layer and contributes to the toner transportability. The thickness is preferably 30 μm or less so that a predetermined uneven shape of the substrate appears on the surface of the plating layer. As this plating layer, it has high industrial versatility,
Ni-P and Ni-B are preferable from the viewpoint of quality stability.
【００３４】電気硬質メッキ層（以下「硬質メッキ層」
ともいう。）Ｐ３は、耐摩耗性の点からビッカース硬度
Ｈｖが３００以上、特に５００以上が好適である。この
硬質メッキ層Ｐ３としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ及びロジ
ウムなどが好適で、特にビッカース硬度Ｈｖが６００以
上のＣｒが好ましい。Electric hard plating layer (hereinafter "hard plating layer")
Also called. ) P3 has a Vickers hardness Hv of 300 or more, particularly 500 or more, from the viewpoint of wear resistance. As the hard plating layer P3, Cr, Ni, Pt, rhodium and the like are preferable, and Cr having a Vickers hardness Hv of 600 or more is particularly preferable.
【００３５】又、硬質メッキ層Ｐ３の厚さは、耐久性の
点から０．２μｍ以上が好ましい。また、良好な表面性
の点で、あまり厚過ぎない方が良く、５μｍ以下が好適
である。The thickness of the hard plated layer P3 is preferably 0.2 μm or more from the viewpoint of durability. Further, from the viewpoint of good surface property, it is better not to be too thick, and 5 μm or less is preferable.
【００３６】無電解メッキ層Ｐ１と硬質メッキ層Ｐ３と
の密着性を高めるために、必要に応じて、中間層Ｐ２を
設けることも有効である。本実施例の中間層Ｐ２は、Ｎ
ｉメッキ層としている。It is also effective to provide an intermediate layer P2, if necessary, in order to enhance the adhesion between the electroless plating layer P1 and the hard plating layer P3. The intermediate layer P2 of this embodiment is N
The i-plated layer is used.
【００３７】次に、現像スリーブの製造方法を説明す
る。Next, a method of manufacturing the developing sleeve will be described.
【００３８】［ブラスト処理］外径３２ｍｍ、肉厚０．
９０ｍｍのＡｌ（アルミニウム）スリーブＳの表面をブ
ラスト処理した。ブラスト砥粒として、６００メッシュ
の球形ガラスビーズを用い、次のようにしてブラスト処
理を行った。[Blasting] Outer diameter 32 mm, wall thickness 0.
The surface of a 90 mm Al (aluminum) sleeve S was blasted. As the blast abrasive grains, spherical glass beads of 600 mesh were used, and the blast treatment was performed as follows.
【００３９】ガラスビーズを３６ｒｐｍで回転している
スリーブＳに対して、スリーブＳから距離１５０ｍｍの
位置の７ｍｍ径のノズル４本より４方向から、ブラスト
圧：各２．５ｋｇ／ｃｍ2で９ｓｅｃ間（Ｔｏｔａｌ３
６ｓｅｃ間）吹き付けた。ブラスト処理後、洗浄工程で
スリーブ表面を洗浄した後乾燥させる。スリーブＳの表
面粗さＲａは０．６μｍ、Ｒｚは４μｍである。With respect to the sleeve S rotating the glass beads at 36 rpm, four nozzles having a diameter of 7 mm and located at a distance of 150 mm from the sleeve S from four directions, and a blast pressure of 2.5 kg / cm 2 each for 9 seconds. (Total3
It sprayed for 6 seconds. After the blast treatment, the sleeve surface is washed in a washing process and then dried. The surface roughness Ra of the sleeve S is 0.6 μm and Rz is 4 μm.
【００４０】［メッキ前処理］ＡｌスリーブＳ表面をジ
ンケート処理をして、表面に亜鉛を付着させる。ジンケ
ート処理は、ＡｌスリーブＳとＮｉ−Ｐメッキとの密着
性を向上させる。ジンケート処理には、市販ジンケート
処理剤（商品名：シューマ Ｋ−１０２、日本カニゼン
株式会社製）を用いた。[Pre-plating treatment] The surface of the Al sleeve S is treated with zincate to deposit zinc on the surface. The zincate treatment improves the adhesion between the Al sleeve S and the Ni-P plating. A commercially available zincate treating agent (trade name: Schuma K-102, manufactured by Nippon Kanigen Co., Ltd.) was used for the zincate treatment.
【００４１】［Ｎｉ−Ｐメッキ］ＡｌスリーブＳをＮｉ
−Ｐメッキ液中に浸して１９μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｐメ
ッキ層Ｐ１を形成する。Ｎｉ−Ｐメッキ層中のＰ濃度は
１０．３ｗｔ％である。なお、一般に、Ｐ濃度は５〜１
５ｗｔ％の範囲で調整することが好ましい。無電解Ｎｉ
−Ｐメッキ液としては、市販のメッキ液（商品名：Ｓ−
７５４，日本カニゼン株式会社製）を用いた。[Ni-P plating] Al sleeve S is Ni
It is dipped in a -P plating solution to form an electroless Ni-P plating layer P1 having a thickness of 19 μm. The P concentration in the Ni-P plated layer is 10.3 wt%. Generally, the P concentration is 5 to 1
It is preferable to adjust in the range of 5 wt%. Electroless Ni
-As the P plating solution, a commercially available plating solution (trade name: S-
754, manufactured by Nippon Kanigen Co., Ltd.) was used.
【００４２】Ｎｉ−Ｐメッキ層Ｐ１が形成されたスリー
ブＳのビッカース硬度Ｈｖは５０１〜５２４、表面粗さ
は、Ｒａは０．５μｍ、Ｒｚが３．５μｍである。Ｎｉ
−Ｐメッキ層Ｐ１が形成されたＡｌスリーブの保磁力は
殆どゼロ（エルステッド）であり、飽和磁束密度は５ガ
ウス程度である。The Vickers hardness Hv of the sleeve S on which the Ni-P plated layer P1 is formed is 501 to 524, and the surface roughness Ra is 0.5 μm and Rz is 3.5 μm. Ni
The coercive force of the Al sleeve on which the -P plating layer P1 is formed is almost zero (Oersted), and the saturation magnetic flux density is about 5 gauss.
【００４３】［Ｎｉメッキ］Ｎｉ−Ｐメッキ処理された
スリーブをＮｉメッキ液に浸して電気メッキを行い、
０．３μｍ厚のＮｉメッキ中間層Ｐ２を形成する。Ｎｉ
メッキ液として、硫酸酸性６水和硫酸ニッケル液を用い
た。[Ni Plating] A Ni-P plated sleeve is dipped in a Ni plating solution for electroplating.
A Ni-plated intermediate layer P2 having a thickness of 0.3 μm is formed. Ni
A sulfuric acid-acidic hexahydrated nickel sulfate liquid was used as the plating liquid.
【００４４】［Ｃｒメッキ］Ｎｉメッキ処理されたスリ
ーブをＣｒメッキ液に浸して電気メッキを行い、１μｍ
厚のＣｒメッキ層Ｐ３を形成する。Ｃｒメッキ液として
は市販品の触媒無水クロル酸液を用いた。[Cr plating] The Ni-plated sleeve is dipped in a Cr plating solution to be electroplated to 1 μm.
A thick Cr plating layer P3 is formed. As the Cr plating solution, a commercially available catalyst anhydrous chloric acid solution was used.
【００４５】Ｃｒメッキされたスリーブ全体の磁気特性
は、保磁力が９４エルステッド、飽和磁束密度が１４５
ガウスであり、強磁性の性質を有する。Regarding the magnetic characteristics of the entire Cr-plated sleeve, the coercive force is 94 oersted and the saturation magnetic flux density is 145.
It is Gaussian and has ferromagnetic properties.
【００４６】また、ＣｒメッキされたスリーブＳの硬度
Ｈｖは６０５〜６４０であり、表面粗さは、Ｒａが０．
５３μｍ、Ｒｚが３．５４μｍ及びΔａが０．０８であ
る。The hardness Hv of the Cr-plated sleeve S is 605 to 640, and the surface roughness Ra is 0.
53 μm, Rz is 3.54 μm, and Δa is 0.08.
【００４７】［磁石の装着］このようにして処理された
スリーブＳ内に、磁石（マグネットローラ）３１を装着
させて、現像剤担持体としての現像スリーブ３０とす
る。[Mounting of Magnet] A magnet (magnet roller) 31 is mounted in the sleeve S thus processed to form a developing sleeve 30 as a developer carrying member.
【００４８】図４は、現像スリーブ３０の回転速度を変
更する駆動部の概略図である。駆動経路は、駆動ユニッ
ト５０と回転数変換ユニット６０により構成され、駆動
ユニット５０には駆動モータＭとギア列５１が配置さ
れ、回転数変換ユニット６０には２つのクラッチＣＬ１
及びＣＬ２とギア列６１、６２、６３が配置されてい
る。回転数変換ユニット６０内のクラッチＣＬ１及びＣ
Ｌ２は同時にクラッチＯＮになることはなく、必ず両方
ＯＦＦ或いは駆動時は片方のみＯＮとなるシーケンス仕
様となっている。FIG. 4 is a schematic view of a drive unit for changing the rotation speed of the developing sleeve 30. The drive path is composed of a drive unit 50 and a rotation speed conversion unit 60, a drive motor M and a gear train 51 are arranged in the drive unit 50, and the rotation speed conversion unit 60 has two clutches CL1.
, CL2 and gear trains 61, 62, 63 are arranged. Clutch CL1 and C in the rotation speed conversion unit 60
L2 has a sequence specification in which the clutch is never turned on at the same time, and both are always turned off or only one is turned on during driving.
【００４９】ところで、図３で示した、表面性と耐久性
に優れた現像スリーブ３０であっても、本実施例で用い
ている正極性の一成分磁性トナーとの相性は完全ではな
かった。By the way, even the developing sleeve 30 shown in FIG. 3 having excellent surface property and durability was not completely compatible with the positive-polarity one-component magnetic toner used in this embodiment.
【００５０】第１の点は、Ｎｉメッキ中間層Ｐ２を持つ
ことによる現像スリーブ３０の磁性特性のためである。
現像スリーブ３０が磁性を有すると、現像スリーブ内部
にマグネット３１による正しい機能が僅かに損なわれる
からである。具体的には規制ブレード部での帯電付与を
阻害することや、規制ブレード３２から感光体１上に現
像スリーブ３０が回転する間で、現像スリーブ３０上の
磁性トナーがクラスタ状に集まり、トナー個々による感
光体１の潜像電位への飛翔ではなく、クラスタ全体での
付着を生ずるからである。The first point is due to the magnetic characteristics of the developing sleeve 30 by having the Ni-plated intermediate layer P2.
This is because if the developing sleeve 30 has magnetism, the correct function of the magnet 31 inside the developing sleeve is slightly impaired. Specifically, the magnetic toner on the developing sleeve 30 gathers in a cluster shape while inhibiting the charging of the regulating blade portion from being charged and during the rotation of the developing sleeve 30 from the regulating blade 32 onto the photoconductor 1. This is because the attachment of the entire cluster occurs instead of the flight to the latent image potential of the photoconductor 1 due to.
【００５１】実際、本発明者らの実験によると、現像ス
リーブ３０上のトナーを顕微鏡などで観察すると、既に
クラスタ状のトナーが形成されていることが確認でき
た。しかもクラスタ状のトナーは現像スリーブ３０上
で、大きさ及び長さも不均一であった。クラスタ状のト
ナーが感光体１の潜像電位に付着すると、感光体１上の
望ましい潜像電位からはみ出し、尾引きや飛び散りとい
った画像不良を引き起こし、画像品位が低下することに
なる。In fact, according to the experiments conducted by the present inventors, when the toner on the developing sleeve 30 is observed with a microscope or the like, it has been confirmed that the cluster-shaped toner has already been formed. Moreover, the cluster-shaped toner was not uniform in size and length on the developing sleeve 30. When the cluster-shaped toner adheres to the latent image potential of the photoconductor 1, the toner sticks out from the desired latent image potential on the photoconductor 1 to cause image defects such as tailing and scattering, and the image quality is degraded.
【００５２】第２の点は、本実施例で用いる正極性の一
成分磁性トナーの帯電不足がある。トナー自身は、現像
特性だけでなく、転写性、クリーニング性、定着性、搬
送性などのさまざまな機能を両立させる必要があり、現
像特性のみを重視することは困難で、上記のメッキ表面
層では帯電不足になる場合があった。トナーが帯電不足
になると、画像濃度の低下や、文字やラインの再現性の
低下や、飛び散りなどによる解像力の低下や、画像形成
装置本体内のトナー飛散拡大といった不良を引き起こす
要因となっていた。トナーの帯電不良は、前述したクラ
スタ状の不均一なトナーをより助長する働きがあり、一
層の画像劣化を誘発することになっていた。The second point is that the positive polarity one-component magnetic toner used in this embodiment is insufficiently charged. The toner itself is required to have not only the development characteristics but also various functions such as transferability, cleaning ability, fixing ability, and transportability, and it is difficult to emphasize only the development characteristics. There were cases where the charge was insufficient. When the toner becomes insufficiently charged, it causes defects such as a decrease in image density, a decrease in reproducibility of characters and lines, a decrease in resolution due to scattering, and an increase in toner scattering within the main body of the image forming apparatus. The poor charging of toner has a function of further promoting the above-mentioned non-uniform toner in a cluster shape, and has been supposed to induce further image deterioration.
【００５３】図５は、本発明の実験で用いた画像品位指
数を説明する図である。図５では横ラインＬの拡大図を
示したもので、ライン下端部のトナーの飛び散り、尾引
き現象により凹凸が激しくなっている様子を示してい
る。図５において、ラインＬ下端のプロファイルを顕微
鏡ＣＣＤ付き画像処理測定装置で検出し、プロファイル
の標準偏差を画像品位指数σと定義している。プロファ
イルの標準偏差のため単位はμｍとなっており画像品位
の数値化が可能になっている。FIG. 5 is a diagram for explaining the image quality index used in the experiment of the present invention. In FIG. 5, an enlarged view of the horizontal line L is shown, showing that the toner is scattered at the lower end of the line and the unevenness is severe due to the trailing phenomenon. In FIG. 5, the profile at the lower end of the line L is detected by an image processing measuring device with a microscope CCD, and the standard deviation of the profile is defined as an image quality index σ. The unit is μm because of the standard deviation of the profile, and it is possible to quantify the image quality.
【００５４】図６は、画像品位指数と目視レベルの相関
図である。予め６種類の画像品位を持つ画像を用意し、
目視レベルで良し悪しを３段階（○、△、×）に判別
し、図５で示した顕微鏡ＣＣＤ付き画像処理測定装置に
て測定を行い、グラフにプロットしたものである。図６
から明らかなように、画像品位がおよそ１２μｍ以下の
ものが目視レベル○（良）であり、画像品位がおよそ１
６μｍ以上で目視レベル×（悪）であることが分かっ
た。又、１２以上１６未満は、中間的な△レベルとなっ
た。このような数値化手段を得て、本発明者らは、画像
の検討を繰り返し、いくつかの特性を得ることが可能に
なった。FIG. 6 is a correlation diagram between the image quality index and the visual level. Prepare images with 6 types of image quality in advance,
It is a graph plotted by deciding the quality on a visual level in three stages (◯, Δ, ×), measuring with the image processing measuring device with a microscope CCD shown in FIG. 5, and plotting it. Figure 6
As is clear from the above, the image quality of about 12 μm or less is the visual level ◯ (good), and the image quality is about 1
It was found that when it was 6 μm or more, the visual level was × (bad). In addition, the values of 12 or more and less than 16 were intermediate Δ levels. By obtaining such a digitizing means, the present inventors have been able to repeatedly study the image and obtain some characteristics.
【００５５】図７は、電界強度と画像品位指数の相関図
である。図７から明らかなように電界強度が高い程、画
像品位指数は低下している。このとき２つの電界強度
（１）、（２）を考えると、当然電界強度の低い（１）
の方が、画像品位指数が低く、画像が良好であった。FIG. 7 is a correlation diagram between the electric field strength and the image quality index. As is clear from FIG. 7, the higher the electric field strength, the lower the image quality index. At this time, considering two electric field strengths (1) and (2), the electric field strength is naturally low (1).
The image quality index was lower and the image was better.
【００５６】図８は、電界強度を決定する潜像電位及び
現像バイアスの電位を説明する図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the latent image potential and the developing bias potential that determine the electric field strength.
【００５７】図２で説明したように、感光体１は、帯電
器２により暗部電位ＶＤに一様帯電され、画像露光１６
により感光体１の明部電位ＶＬに減衰される。本発明で
は、明部電位ＶＬ側にトナーが付着して画像出力される
画像形成装置について説明しており、カブリ取り電位Ｖ
ｂａｃｋ（例えば１００Ｖ）により現像バイアスの直流
成分Ｖｄｃが決定される。Ｖｃｏｎｔは、明部電位ＶＬ
に対する現像バイアスの直流成分Ｖｄｃの現像コントラ
スト電位である。この直流成分Ｖｄｃに対して、図１で
説明した波形発生装置４１及びバイアス電源４２により
交流成分が重畳され、図８の右方で描かれる現像バイア
スとなる。交流成分はＶｐｐ（ピーク・トゥ・ピーク）
で振幅が決定される。ここで時間方向に対してＤｕｔｙ
制御が行われ、Ｔ１／ＴｔｏｔａｌをＤｕｔｙ比と名づ
けている。図のような現像バイアスでは、振幅Ｖｐｐに
対してもＤｕｔｙ比の影響からトナー付着側バイアスＶ
１及びカブリ取り側バイアスＶ２は以下のような関係に
なっている。As described with reference to FIG. 2, the photoconductor 1 is uniformly charged to the dark potential VD by the charger 2, and the image exposure 16 is performed.
Thus, the light potential VL of the photoconductor 1 is attenuated. The present invention describes an image forming apparatus in which toner adheres to the bright portion potential VL side to output an image.
The DC component Vdc of the developing bias is determined by the back (for example, 100V). Vcont is the light portion potential VL
Is the development contrast potential of the DC component Vdc of the development bias with respect to. An alternating current component is superimposed on the direct current component Vdc by the waveform generator 41 and the bias power supply 42 described with reference to FIG. 1 to form a developing bias illustrated on the right side of FIG. AC component is Vpp (peak to peak)
Determines the amplitude. Duty in the time direction
It is controlled, and T1 / Ttotal is named Duty ratio. With the developing bias as shown in the figure, the toner adhesion side bias V is also affected by the duty ratio even for the amplitude Vpp.
1 and the fog removal side bias V2 have the following relationship.
【００５８】
Ｖ１＝Ｖｐｐ×（１００％−Ｄｕｔｙ）／１００％、
Ｖ２＝Ｖｐｐ×Ｄｕｔｙ／１００％
このような潜像電位と現像バイアスの条件下では、電界
強度は以下のようになる。V1 = Vpp × (100% −Duty) / 100%, V2 = Vpp × Duty / 100% Under such latent image potential and developing bias conditions, the electric field strength is as follows.
【００５９】トナー付着側 Ｐｔｏｎａｒ＝（Ｖｃｏｎ
ｔ＋Ｖ１）／ＳＤｇａｐ
カブリ取り側 Ｐｆｏｇ＝（Ｖｂａｃｋ＋Ｖ２）／ Ｓ
Ｄｇａｐ
ここで、ＳＤｇａｐはＳ−Ｄギャップで、感光体・現像
スリーブ間の距離で単位μｍである。一般にトナー付着
側の電界強度Ｐｔｏｎｅｒ方が、カブリ取り側Ｐｆｏｇ
よりも高めであり、ここでは最大の電界強度をＰｍａｘ
≡Ｐｔｏｎａｒ＝（Ｖｃｏｎｔ＋Ｖ１）／ＳＤｇａｐと
している。ただし、画像形成装置や現像装置の条件によ
ってはカブリ取り側になる場合もある。Toner adhering side Ptonar = (Vcon
t + V1) / SDgap Fog removal side Pfog = (Vback + V2) / S
Dgap Here, SDgap is an SD gap, which is the distance between the photoconductor and the developing sleeve and is in the unit of μm. Generally, the electric field strength Ptoner on the toner adhesion side is Pfog on the fog removal side.
The maximum electric field strength is Pmax.
≡Ptonar = (Vcont + V1) / SDgap. However, depending on the conditions of the image forming apparatus and the developing apparatus, it may be the fog removal side.
【００６０】なお、暗部ＶＤ側にトナーが付着する場合
でも電界強度の算出方法及び適用方法に基本的な差はな
く、カブリ取り電位がＶＬから例えば１００Ｖ加算され
た値となり、トナー付着バイアスがＶ２となりカブリ取
りバイアスがＶ１となる程度である。Even when the toner adheres to the dark portion VD side, there is no fundamental difference in the calculation method and the application method of the electric field strength, and the fog removal potential becomes a value obtained by adding 100 V to VL, and the toner adhesion bias becomes V2. The fogging removing bias is about V1.
【００６１】図９は、現像スリーブ３０の回転速度と画
像品位指数の相関図である。図９から明らかなように現
像スリーブ３０の回転速度が低い程、画像品位指数は低
下している。このとき２つの現像スリーブ速度（３）、
（４）を考えると、当然現像スリーブ速度の遅い（３）
の方が、画像品位指数が低く、画像が良好であった。FIG. 9 is a correlation diagram between the rotation speed of the developing sleeve 30 and the image quality index. As is apparent from FIG. 9, the lower the rotation speed of the developing sleeve 30, the lower the image quality index. At this time, two developing sleeve speeds (3),
Considering (4), the developing sleeve speed is slow (3).
The image quality index was lower and the image was better.
【００６２】表１は、本実施例における現像装置につい
てまとめたもので、前述の無電解メッキ層Ｐ１、電気メ
ッキ中間層Ｐ２及び電気硬質メッキ層Ｐ３を施して、現
像スリーブ３０を構成している。また、感光体１との距
離であるＳ−Ｄギャップは２２０μｍとしている。Table 1 is a summary of the developing devices in this embodiment. The developing sleeve 30 is constructed by applying the electroless plating layer P1, the electroplating intermediate layer P2 and the electrohard plating layer P3 described above. . The SD gap, which is the distance from the photoconductor 1, is 220 μm.
【００６３】[0063]
【表１】 [Table 1]
【００６４】表２は、図８で示した電界強度を決定する
潜像電位及び現像バイアスの電位と、図４で示した現像
スリーブ３０の回転速度を切り替える駆動部により選択
される現像スリーブ３０の速度についてまとめたもので
ある。Table 2 shows the latent image potential and the developing bias potential that determine the electric field strength shown in FIG. 8 and the developing sleeve 30 selected by the drive unit that switches the rotation speed of the developing sleeve 30 shown in FIG. It is a summary of speed.
【００６５】表２に示すように、本発明では２つの設定
を持ち、第１の設定では、暗部電位ＶＤを４２０Ｖ、現
像バイアスの直流成分Ｖｄｃを３２０Ｖとし、現像バイ
アスの交流成分のＶｐｐを１３００Ｖ、Ｄｕｔｙ比を３
５％と設定している。すると表１に示したＳ−Ｄギャッ
プとの関係から、第１の設定では、最大電界強度が５．
０７Ｖ／μｍとなる。上記現像条件下で、最適な画像出
力濃度が得られる速度を検討した結果現像スリーブ３０
の速度は、対感光体速度比で１３０％であった。従っ
て、第１の設定での最大電界強度時は、第１の設定での
現像スリーブ３０の速度においてのみ有効な条件となっ
ている。As shown in Table 2, the present invention has two settings. In the first setting, the dark potential VD is 420 V, the DC component Vdc of the developing bias is 320 V, and the Vpp of the AC component of the developing bias is 1300 V. , Duty ratio is 3
It is set to 5%. Then, from the relationship with the SD gap shown in Table 1, in the first setting, the maximum electric field strength is 5.
It becomes 07 V / μm. As a result of studying the speed at which the optimum image output density is obtained under the above developing conditions, the developing sleeve 30
Was 130% in terms of the speed ratio to the photoreceptor. Therefore, when the maximum electric field strength is set in the first setting, the condition is valid only at the speed of the developing sleeve 30 set in the first setting.
【００６６】このような第１の設定は、図７で示した
（１）の状態であり、図９で示した（３）の状態でもあ
るため、画像の品位としては後述する第２の設定よりも
優れた条件となっている。Since such a first setting is in the state (1) shown in FIG. 7 and also in the state (3) shown in FIG. 9, the image quality is the second setting which will be described later. It is a better condition than.
【００６７】第２の設定では、暗部電位ＶＤを２４０
Ｖ、現像バイアスの直流成分Ｖｄｃを１４０Ｖとし、現
像バイアスの交流成分のＶｐｐを１３００Ｖ、Ｄｕｔｙ
比を３５％と設定している。従って、表１に示したＳ−
Ｄギャップとの関係から、第１の設定では、最大電界強
度が４．２５Ｖ／μｍとなる。上記現像条件下で、最適
な画像出力濃度が得られる速度を検討した結果現像スリ
ーブ３０の速度は、対感光体速度比で１７０％であっ
た。第２の設定は、図７で示した（２）の状態であり、
図９で示した（４）の状態でもあるため、画像の品位と
しては、前述の第１の設定よりも劣らざるを得ない。In the second setting, the dark potential VD is set to 240
V, the DC component Vdc of the developing bias is 140V, Vpp of the AC component of the developing bias is 1300V, Duty
The ratio is set to 35%. Therefore, S- shown in Table 1
From the relationship with the D gap, the maximum electric field strength is 4.25 V / μm in the first setting. As a result of examining the speed at which the optimum image output density is obtained under the above-mentioned developing conditions, the speed of the developing sleeve 30 was 170% in terms of the speed ratio to the photoconductor. The second setting is the state (2) shown in FIG.
Since it is also in the state of (4) shown in FIG. 9, the quality of the image is inevitably inferior to the above-mentioned first setting.
【００６８】[0068]
【表２】 [Table 2]
【００６９】ところで、最大電界強度は、現像スリーブ
・感光体間の電気的なリークという弊害を考慮しなけれ
ばならない。理論的にはパッシェン（Ｐａｓｃｈｅｎ）
の法則に従うが、経験的に低気圧環境下では４．５Ｖ／
μｍ程度をオーバーとすると、リークを生じる場合があ
る。第１の設定では、通常気圧環境下においてはリーク
を生じることはないが、低気圧環境下においてはリーク
に対して弱い面をもつ。従って、通常気圧環境下ではリ
ークの懸念のない第１の設定とし、低気圧環境下ではリ
ークに配慮した第２の設定とすることで、気圧に応じた
最適な設定条件を提供することができる。第２の設定で
は、画像の品位よりもリークを生じない条件を選択して
いる。リークを生じると画像上に白抜け画像を生ずるた
め、画像の品位は別の現象で劣悪なものになるからであ
る。By the way, the maximum electric field strength must take into consideration the problem of electrical leakage between the developing sleeve and the photoconductor. Theoretically Paschen
However, empirically, 4.5 V /
If about μm is exceeded, leakage may occur. In the first setting, no leak occurs in a normal atmospheric pressure environment, but it has a weak surface against a leak in a low atmospheric pressure environment. Therefore, the optimum setting condition according to the atmospheric pressure can be provided by setting the first setting where there is no fear of leak under the normal atmospheric pressure environment and the second setting considering the leak under the low atmospheric pressure environment. . In the second setting, a condition that does not cause a leak is selected rather than the quality of an image. This is because if a leak occurs, a blank image is generated on the image, and the quality of the image deteriorates due to another phenomenon.
【００７０】すなわち、多くの地域が属する通常気圧環
境下では、画像の品位を高めることを目的とした設定が
可能で、山岳地帯の属する低気圧環境下では、リークを
防止することを目的とした設定が可能となっている。表
２での記載が明らかなように、画像品位指数は第１の設
定が優れており、低気圧環境下でのリークは第２の設定
が優れている。That is, in a normal atmospheric pressure environment to which many areas belong, it is possible to make a setting for the purpose of enhancing the image quality, and in a low atmospheric pressure environment to which a mountainous area belongs, the purpose is to prevent leakage. It can be set. As is clear from the description in Table 2, the image quality index is excellent in the first setting, and the leak in the low pressure environment is excellent in the second setting.
【００７１】なお、本発明による２段階の設定は、唯一
２段にのみ適用されるものではなく、３段以上の複数段
を持つ設定であっても何ら差し支えない。The two-step setting according to the present invention is not applied to only two steps, and may be a setting having three or more steps.
【００７２】また、設定を切り替える手段として、サー
ビスマンなどによる手動ＳＷによるものであったり、画
像形成装置内の制御部から選択させるものであっても、
リーク検知機構などを用いて自動的に切り替えるもので
あってもよいことは言うまでもない。Further, as means for switching the setting, a manual SW by a service person or the like, or a means for selecting from a control section in the image forming apparatus,
It goes without saying that it may be automatically switched using a leak detection mechanism or the like.
【００７３】実施例２
図１０は、現像装置の概略構成図である。現像スリーブ
３０は、感光体１に対して、Ｓ−Ｄギャップ２２０μｍ
で設定され、矢印方向に回転する。現像スリーブ内部に
は、磁界発生手段としてのマグネットローラ３１が回転
しない状態で配置され、トナーの取り込み、トナーの搬
送、帯電付与などの機能を担っている。また、規制ブレ
ード３２が現像スリーブ３０に対して、Ｓ−Ｂギャップ
２５０μｍで設定され、現像スリーブ内部のマグネット
３１による磁界とともに、現像スリーブ３０上へのトナ
ー塗布量の規制と帯電付与を行っている。現像スリーブ
３０及び規制ブレード３２へは、不図示の給電部材によ
り画像形成装置から現像バイアスが印加される。現像バ
イアスは、画像形成装置本体の制御部４０から画像出力
中に出力信号命令を送信すると、波形発生装置４１が現
像バイアスの元信号を送信し、これをバイアス電源４２
にて増幅して作られる。また、現像装置内にはトナーの
攪拌及び搬送のために、攪拌棒３３及び３４がある。な
お、波形発生装置４１には現像バイアス切り替えスイッ
チ４３が取り付けられ、現像バイアスの交流成分Ｖｐｐ
を変更することが可能になっている。Embodiment 2 FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a developing device. The developing sleeve 30 has an SD gap of 220 μm with respect to the photoconductor 1.
Set with, and rotate in the direction of the arrow. Inside the developing sleeve, a magnet roller 31 as a magnetic field generating means is arranged in a non-rotating state, and has a function of taking in toner, carrying toner, imparting charge and the like. Further, the regulation blade 32 is set to the developing sleeve 30 with an S-B gap of 250 μm, and regulates the toner application amount on the developing sleeve 30 and imparts electric charge together with the magnetic field of the magnet 31 inside the developing sleeve. . A developing bias is applied to the developing sleeve 30 and the regulating blade 32 from the image forming apparatus by a power supply member (not shown). With respect to the developing bias, when an output signal command is transmitted from the control unit 40 of the image forming apparatus main body during image output, the waveform generator 41 transmits the original signal of the developing bias, which is supplied to the bias power source 42.
It is made by amplifying at. Further, stirring bars 33 and 34 are provided in the developing device to stir and convey the toner. A developing bias changeover switch 43 is attached to the waveform generator 41, and the AC component Vpp of the developing bias is added.
It is possible to change.
【００７４】次に、現像スリーブの製造方法を説明す
る。Next, a method of manufacturing the developing sleeve will be described.
【００７５】［ブラスト処理］外径３２ｍｍ、肉厚０．
６５ｍｍのＡｌ（アルミニウム）スリーブＳの表面をブ
ラスト処理した。ブラスト砥粒として、６００メッシュ
の球形ガラスビーズを用い、次のようにしてブラスト処
理を行った。[Blasting] Outer diameter 32 mm, wall thickness 0.
The surface of a 65 mm Al (aluminum) sleeve S was blasted. As the blast abrasive grains, spherical glass beads of 600 mesh were used, and the blast treatment was performed as follows.
【００７６】ガラスビーズを３６ｒｐｍで回転している
スリーブＳに対して、スリーブＳから距離１５０ｍｍの
位置の７ｍｍ径のノズル４本より４方向から、ブラスト
圧：各２．５ｋｇ／ｃｍ2で９ｓｅｃ間（Ｔｏｔａｌ３
６ｓｅｃ間）吹き付けた。ブラスト処理後、洗浄工程で
スリーブ表面を洗浄した後乾燥させる。スリーブＳの表
面粗さＲａは０．６μｍ、Ｒｚは４μｍである。With respect to the sleeve S rotating the glass beads at 36 rpm, four nozzles having a diameter of 7 mm at a position 150 mm from the sleeve S from four directions, and blast pressure: 2.5 kg / cm 2 for 9 seconds each. (Total3
It sprayed for 6 seconds. After the blast treatment, the sleeve surface is washed in a washing process and then dried. The surface roughness Ra of the sleeve S is 0.6 μm and Rz is 4 μm.
【００７７】［メッキ前処理］Ａｌスリーブ表面をジン
ケート処理をして、表面に亜鉛を付着させる。ジンケー
ト処理は、ＡｌスリーブＳとＮｉ−Ｐメッキとの密着性
を向上させる。ジンケート処理には、市販ジンケート処
理剤（商品名：シューマ Ｋ−１０２，日本カニゼン
株式会社製）を用いた。[Plating Pretreatment] The surface of the Al sleeve is treated with zincate to deposit zinc on the surface. The zincate treatment improves the adhesion between the Al sleeve S and the Ni-P plating. A commercially available zincate treating agent (trade name: Schuma K-102, manufactured by Nippon Kanigen Co., Ltd.) was used for the zincate treatment.
【００７８】［Ｎｉ−Ｐメッキ］ＡｌスリーブＳをＮｉ
−Ｐメッキ液中に浸して５μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｐメッ
キ層Ｐ１を形成する。Ｎｉ−Ｐメッキ層中のＰ濃度は１
０．３ｗｔ％である。なお、一般に、Ｐ濃度は５〜１５
ｗｔ％の範囲で調整することが好ましい。無電解Ｎｉ−
Ｐメッキ液としては、市販のメッキ液（商品名：Ｓ−７
５４，日本カニゼン株式会社製）を用いた。[Ni-P plating] The Al sleeve S is Ni
It is immersed in a -P plating solution to form an electroless Ni-P plating layer P1 having a thickness of 5 μm. The P concentration in the Ni-P plating layer is 1
It is 0.3 wt%. Generally, the P concentration is 5 to 15
It is preferable to adjust in the range of wt%. Electroless Ni-
As the P plating solution, a commercially available plating solution (trade name: S-7
54, manufactured by Nippon Kanigen Co., Ltd.) was used.
【００７９】Ｎｉ−Ｐメッキ層Ｐ１が形成されたスリー
ブのビッカース硬度Ｈｖは５０１〜５２４、表面粗さ
は、Ｒａは０．５μｍ、Ｒｚが３．５μｍである。Ｎｉ
−Ｐメッキ層Ｐ１が形成されたＡｌスリーブＳの保磁力
は殆どゼロ（エルステッド）であり、飽和磁束密度は３
ガウス程度である。The Vickers hardness Hv of the sleeve on which the Ni-P plated layer P1 is formed is 501 to 524, and the surface roughness Ra is 0.5 μm and Rz is 3.5 μm. Ni
The coercive force of the Al sleeve S on which the -P plated layer P1 is formed is almost zero (Oersted), and the saturation magnetic flux density is 3
It is about Gauss.
【００８０】［Ｃｕメッキ］Ｎｉ−Ｐメッキ処理された
スリーブＳをＮｉメッキ液に浸して電気メッキを行い、
０．３μｍ厚のＣｕメッキ中間層Ｐ２を形成する。Ｃｕ
メッキ液として、硫酸酸性５水和硫酸銅液を用いた。[Cu plating] The Ni-P plated sleeve S is dipped in a Ni plating solution for electroplating.
A Cu-plated intermediate layer P2 having a thickness of 0.3 μm is formed. Cu
As the plating solution, a sulfuric acid acidic pentahydrated copper sulfate solution was used.
【００８１】［Ｃｒメッキ］Ｃｕメッキ処理されたスリ
ーブＳをＣｒメッキ液に浸して電気メッキを行い、１μ
ｍ厚のＣｒメッキ層Ｐ３を形成する。Ｃｒメッキ液とし
ては市販品の触媒無水クロル酸液を用いた。[Cr Plating] The Cu-plated sleeve S is dipped in a Cr plating solution to be electroplated and 1 μm
A Cr plated layer P3 having a thickness of m is formed. As the Cr plating solution, a commercially available catalyst anhydrous chloric acid solution was used.
【００８２】Ｃｒメッキされたスリーブ全体の磁気特性
は、保磁力が殆どゼロ（エルステッド）、飽和磁束密度
が３ガウス程度である。Regarding the magnetic characteristics of the entire Cr-plated sleeve, the coercive force is almost zero (Oersted) and the saturation magnetic flux density is about 3 gauss.
【００８３】また、Ｃｒメッキされたスリーブのビッカ
ース硬度Ｈｖは６０５〜６４０であり、表面粗さは、Ｒ
ａが０．５３μｍ、Ｒｚが３．５４μｍ及びΔａが０．
０８である。The Cr-plated sleeve has a Vickers hardness Hv of 605 to 640 and a surface roughness of R.
a is 0.53 μm, Rz is 3.54 μm, and Δa is 0.
It is 08.
【００８４】［磁石の装着］このようにして処理された
スリーブＳ内に、磁石（マグネットローラ）３１を装着
させて、現像スリーブ３０とする。[Mounting of Magnet] A developing sleeve 30 is prepared by mounting a magnet (magnet roller) 31 in the sleeve S thus processed.
【００８５】本実施例で用いている現像スリーブ３０
は、実施例１で用いたＮｉメッキ中間層を有していない
ので、磁性がほとんどなく、比較的トナーはクラスタ状
になりにくい。ただし、実施例１と同様に電気硬質Ｃｒ
メッキ層Ｐ３を表面層とするため、トナーとの相性は帯
電性において実施例１と大差がなかった。Developing sleeve 30 used in this embodiment
Does not have the Ni-plated intermediate layer used in Example 1, has almost no magnetism, and the toner is relatively unlikely to form a cluster. However, as in Example 1, electric hard Cr
Since the plating layer P3 was used as the surface layer, the compatibility with the toner was not significantly different from that in Example 1 in the charging property.
【００８６】そのためトナーが帯電不足になりやすく、
画像濃度の低下や、文字やラインの再現性の低下や、飛
び散りなどによる解像力の低下や、画像形成装置本体内
のトナー飛散拡大といった不良を依然として引き起こし
ていた。Therefore, the toner tends to be insufficiently charged,
It still causes defects such as a decrease in image density, a decrease in reproducibility of characters and lines, a decrease in resolution due to scattering, and an increase in toner scattering in the main body of the image forming apparatus.
【００８７】表３は、本実施例における現像装置につい
てまとめたもので、前述の無電解メッキ層Ｐ１、電気メ
ッキ中間層Ｐ２及び電気硬質メッキ層Ｐ３を施して、現
像スリーブ３０を構成している。また感光体１との距離
ではあるＳ−Ｄギャップは２２０μｍとしている。Table 3 is a summary of the developing devices in this embodiment. The developing sleeve 30 is formed by applying the electroless plating layer P1, the electroplating intermediate layer P2 and the electrohard plating layer P3 described above. . The SD gap, which is the distance from the photoconductor 1, is 220 μm.
【００８８】[0088]
【表３】 [Table 3]
【００８９】表４は、図８で示した電界強度を決定する
潜像電位及び現像バイアスの電位と、図４で示した現像
スリーブ３０の回転速度を切り替える駆動部により選択
される現像スリーブ３０の速度にまとめたものである。
表４に示すように、本発明では２つの設定を持ち、第１
の設定では、暗部電位ＶＤを４２０Ｖ、現像バイアスの
直流成分Ｖｄｃを３２０Ｖとし、現像バイアスの交流成
分のＶｐｐを１３００Ｖ、Ｄｕｔｙ比を３５％と設定し
ている。従って、表１に示したＳ−Ｄギャップとの関係
から、第１の設定では、最大電界強度が５．０７Ｖ／μ
ｍとなる。上記現像条件下で、最適な画像出力濃度が得
られる速度を検討した結果現像スリーブ３０の速度は、
対感光体速度比で１３０％であった。従って、第１の設
定での最大電界強度時は、第１の設定での現像スリーブ
３０の速度においてのみ有効な条件となっている。Table 4 shows the latent image potential and the developing bias potential that determine the electric field strength shown in FIG. 8 and the developing sleeve 30 selected by the drive unit that switches the rotation speed of the developing sleeve 30 shown in FIG. It is summarized in speed.
As shown in Table 4, the present invention has two settings, the first
In the above setting, the dark potential VD is set to 420V, the DC component Vdc of the developing bias is set to 320V, the Vpp of the AC component of the developing bias is set to 1300V, and the duty ratio is set to 35%. Therefore, from the relationship with the SD gap shown in Table 1, in the first setting, the maximum electric field strength is 5.07 V / μ.
m. As a result of studying the speed at which the optimum image output density is obtained under the above-mentioned developing conditions, the speed of the developing sleeve 30 is
The speed ratio to the photoconductor was 130%. Therefore, when the maximum electric field strength is set in the first setting, the condition is valid only at the speed of the developing sleeve 30 set in the first setting.
【００９０】このような第１の設定は、図７で示した
（１）の状態であり、図９で示した（３）の状態でもあ
るため、画像の品位としては後述する第２の設定よりも
優れる条件となっている。Since such a first setting is the state (1) shown in FIG. 7 and also the state (3) shown in FIG. 9, the image quality is the second setting which will be described later. It is a better condition than.
【００９１】第２の設定では、暗部電位ＶＤを４２０
Ｖ、現像バイアスの直流成分Ｖｄｃを３２０Ｖとし、現
像バイアスの交流成分のＶｐｐを１０００Ｖ、Ｄｕｔｙ
比を３５％と設定している。ここで、図１０で示した波
形発生装置４１に接続された現像バイアス切り替えスイ
ッチ４３を切り替えることにより、Ｖｐｐが変更される
ようになっている。すると、表３に示したＳ−Ｄギャッ
プとの関係から、第１の設定では、最大電界強度が４．
１８μｍとなる。上記現像条件下で、最適な画像出力濃
度が得られる速度を検討した結果現像スリーブ３０の速
度は、対感光体速度比で１７０％であった。第２の設定
は、図７で示した（２）の状態であり、図９で示した
（４）の状態でもあるため、画像の品位としては、前述
の第１の設定よりも劣らざるを得ない。In the second setting, the dark potential VD is set to 420
V, the DC component Vdc of the developing bias is 320V, Vpp of the AC component of the developing bias is 1000V, Duty
The ratio is set to 35%. Here, Vpp is changed by changing the developing bias changeover switch 43 connected to the waveform generator 41 shown in FIG. Then, from the relationship with the SD gap shown in Table 3, in the first setting, the maximum electric field strength is 4.
It becomes 18 μm. As a result of examining the speed at which the optimum image output density is obtained under the above-mentioned developing conditions, the speed of the developing sleeve 30 was 170% in terms of the speed ratio to the photoconductor. Since the second setting is the state (2) shown in FIG. 7 and the state (4) shown in FIG. 9, the image quality is inferior to the first setting described above. I don't get it.
【００９２】[0092]
【表４】 [Table 4]
【００９３】実施例１と同様、第１の設定では、通常気
圧環境下ではリークを生じることはないが、低気圧環境
下では、リークに対して弱い面をもつ。従って、通常気
圧環境下ではリークの懸念のない第１の設定とし、低気
圧環境下ではリークに配慮した第２の設定とすること
で、気圧に応じた最適な設定条件を提供することができ
る。第２の設定では、画像の品位よりもリークを生じな
い条件を選択している。リークを生じると画像上に白抜
け画像を生ずるため、画像の品位は別の現象で劣悪なも
のになるからである。Similar to the first embodiment, the first setting does not cause a leak under a normal atmospheric pressure environment, but has a weak surface against a leak under a low atmospheric pressure environment. Therefore, the optimum setting condition according to the atmospheric pressure can be provided by setting the first setting where there is no fear of leak under the normal atmospheric pressure environment and the second setting considering the leak under the low atmospheric pressure environment. . In the second setting, a condition that does not cause a leak is selected rather than the quality of an image. This is because if a leak occurs, a blank image is generated on the image, and the quality of the image deteriorates due to another phenomenon.
【００９４】すなわち、多くの地域が属する通常気圧環
境下では、画像の品位を高めることを目的とした設定が
可能で、山岳地帯の属する低気圧環境下では、リークを
防止することを目的とした設定が可能となっている。表
４での記載が明らかなように、画像品位指数は第１の設
定が優れており、低気圧環境下でのリークは第２の設定
が優れている。That is, in a normal atmospheric pressure environment to which many regions belong, it is possible to set for the purpose of enhancing the quality of an image, and in a low atmospheric pressure environment to which a mountainous area belongs, it is intended to prevent leakage. It can be set. As is clear from the description in Table 4, the image quality index is excellent in the first setting, and the leak in the low pressure environment is excellent in the second setting.
【００９５】実施例３
先ず、本実施例で用いる現像スリーブの製造方法を説明
する。Embodiment 3 First, a method of manufacturing the developing sleeve used in this embodiment will be described.
【００９６】［ブラスト処理］４００メッシュの球形ガ
ラスビーズを用いた他は実施例１と同様にして、外径３
２ｍｍ、肉厚０．９０ｍｍのＡｌ（アルミニウム）スリ
ーブＳの表面をブラスト処理を行った。スリーブ表面粗
さは、Ｒａは０．８μｍ、Ｒｚは５μｍである。[Blasting] The outer diameter was 3 in the same manner as in Example 1 except that spherical glass beads of 400 mesh were used.
The surface of an Al (aluminum) sleeve S having a thickness of 2 mm and a thickness of 0.90 mm was blasted. As for the surface roughness of the sleeve, Ra is 0.8 μm and Rz is 5 μm.
【００９７】［メッキ前処理］実施例１と同様にして行
った。[Plating Pretreatment] The same procedure as in Example 1 was performed.
【００９８】［Ｎｉ−Ｂメッキ］ＡｌスリーブＳをＮｉ
−Ｂメッキ液中に浸して１７μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｂメ
ッキ層Ｐ１を形成する。Ｎｉ−Ｂメッキ層中のＢ濃度は
６ｗｔ％である。なお、Ｂ濃度は５〜７ｗｔ％の範囲で
調整されることが好ましい。無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液と
して、硫酸ニッケル、ジメチルアミンボラン及びマロン
酸ナトリウムの弱酸性溶液を用いた。[Ni-B plating] Al sleeve S is Ni
It is immersed in a -B plating solution to form a 17 μm thick electroless Ni-B plating layer P1. The B concentration in the Ni-B plated layer is 6 wt%. The B concentration is preferably adjusted within the range of 5 to 7 wt%. A weakly acidic solution of nickel sulfate, dimethylamine borane, and sodium malonate was used as the electroless Ni-B plating solution.
【００９９】Ｎｉ−Ｂメッキ層Ｐ１が形成されたスリー
ブＳのビッカース硬度Ｈｖは５５０〜７００、表面粗さ
Ｒａは０．６μｍ、Ｒｚは４μｍである。Ｎｉ−Ｂメッ
キ層Ｐ１が形成されたＡｌスリーブの保磁力は９０エル
ステッド、飽和磁束密度は３５０ガウスであり、Ｎｉ−
Ｂメッキ層を含めてスリーブ全体が磁性である。The Vickers hardness Hv of the sleeve S on which the Ni-B plated layer P1 is formed is 550 to 700, the surface roughness Ra is 0.6 μm, and Rz is 4 μm. The coercive force of the Al sleeve on which the Ni-B plated layer P1 is formed is 90 oersted and the saturation magnetic flux density is 350 gauss.
The entire sleeve, including the B-plated layer, is magnetic.
【０１００】［Ｎｉメッキ］Ｎｉ−Ｂメッキ処理された
スリーブＳに、実施例１と同様にしてＮｉメッキ中間層
Ｐ２を施した。[Ni Plating] The Ni-B plated sleeve S was provided with a Ni-plating intermediate layer P2 in the same manner as in Example 1.
【０１０１】［Ｃｒメッキ］Ｎｉメッキ処理されたスリ
ーブＳに、実施例１と同様にして、Ｃｒメッキを施しＣ
ｒメッキ層Ｐ３を形成する。Ｃｒメッキされたスリーブ
全体の磁気特性は、保磁力が８３エルステッド、飽和磁
束密度が５８５０ガウスであり、強磁性の性質を有す
る。[Cr Plating] The Ni-plated sleeve S is Cr-plated C in the same manner as in Example 1.
The r-plated layer P3 is formed. As for the magnetic characteristics of the entire Cr-plated sleeve, the coercive force is 83 oersted, the saturation magnetic flux density is 5850 gauss, and it has a ferromagnetic property.
【０１０２】また、ＣｒメッキされたスリーブＳのビッ
カース硬度Ｈｖは６０５〜６４０であり、表面粗さは、
Ｒａが０．７μｍ、Ｒｚが４．３μｍ及びΔａが０．０
８である。The Cr-plated sleeve S has a Vickers hardness Hv of 605 to 640 and a surface roughness of
Ra of 0.7 μm, Rz of 4.3 μm and Δa of 0.0
8
【０１０３】［磁石の装着］実施例１と同様に、このよ
うにして処理されたスリーブＳ内に、磁石（マグネット
ローラ）３１を装着させて、現像スリーブ３０とする。[Mounting of Magnet] As in the first embodiment, a magnet (magnet roller) 31 is mounted in the sleeve S processed in this way to form a developing sleeve 30.
【０１０４】表５は、本実施例における現像装置につい
てまとめたもので、前述の無電解メッキ層Ｐ１、電気メ
ッキ中間層Ｐ２及び電気硬質メッキ層Ｐ３を施して、現
像スリーブ３０を構成している。また感光体１との距離
ではあるＳ−Ｄギャップは２２０μｍとしている。Table 5 is a summary of the developing devices in this embodiment. The developing sleeve 30 is constructed by applying the electroless plating layer P1, the electroplating intermediate layer P2 and the electric hard plating layer P3 described above. . The SD gap, which is the distance from the photoconductor 1, is 220 μm.
【０１０５】[0105]
【表５】 [Table 5]
【０１０６】表６は、図８で示した電界強度を決定する
潜像電位及び現像バイアスの電位と、図４で示した現像
スリーブ３０の回転速度を切り替える駆動部により選択
される現像スリーブ３０の速度にまとめたものである。
表６に示すように、本発明では２つの設定を持ち、第１
の設定では、暗部電位ＶＤを４２０Ｖ、現像バイアスの
直流成分Ｖｄｃを３２０Ｖとし、現像バイアスの交流成
分のＶｐｐを１３００Ｖ、Ｄｕｔｙ比を３５％と設定し
ている。すると表１に示したＳ−Ｄギャップとの関係か
ら、第１の設定では、最大電界強度が５．０７Ｖ／μｍ
となる。上記現像条件下で、最適な画像出力濃度が得ら
れる速度を検討した結果現像スリーブの速度は、対感光
体速度比で１３０％であった。従って、第１の設定での
最大電界強度時は、第１の設定での現像スリーブの速度
においてのみ有効な条件となっている。Table 6 shows the latent image potential and the developing bias potential that determine the electric field strength shown in FIG. 8 and the developing sleeve 30 selected by the drive unit that switches the rotation speed of the developing sleeve 30 shown in FIG. It is summarized in speed.
As shown in Table 6, the present invention has two settings, the first
In the above setting, the dark potential VD is set to 420V, the DC component Vdc of the developing bias is set to 320V, the Vpp of the AC component of the developing bias is set to 1300V, and the duty ratio is set to 35%. Then, from the relationship with the SD gap shown in Table 1, in the first setting, the maximum electric field strength was 5.07 V / μm.
Becomes As a result of examining the speed at which the optimum image output density is obtained under the above-mentioned developing conditions, the speed of the developing sleeve was 130% in terms of the speed ratio to the photoconductor. Therefore, when the maximum electric field strength is set in the first setting, the condition is valid only at the speed of the developing sleeve in the first setting.
【０１０７】このような第１の設定は、図７で示した
（１）の状態であり、図９で示した（３）の状態でもあ
るため、画像の品位としては後述する第２の設定よりも
優れた条件となっている。Since such a first setting is the state (1) shown in FIG. 7 and the state (3) shown in FIG. 9, the second setting, which will be described later, is used as the image quality. It is a better condition than.
【０１０８】第２の設定では、暗部電位ＶＤを４２０
Ｖ、現像バイアスの直流成分Ｖｄｃを３２０Ｖとし、現
像バイアスの交流成分のＶｐｐを１３００Ｖ、Ｄｕｔｙ
比を５０％と設定している。ここで、図１０で示した波
形発生装置４１に接続された現像バイアス切り替えスイ
ッチ４３を切り替えることにより、Ｄｕｔｙ比が変更さ
れるようになっている。従って、表５に示したＳ−Ｄギ
ャップとの関係から、第１の設定では、最大電界強度が
４．１８μｍとなる。上記現像条件下で、最適な画像出
力濃度が得られる速度を検討した結果現像スリーブ３０
の速度は、対感光体速度比で１７０％であった。第２の
設定は、図７で示した（２）の状態であり、図９で示し
た（４）の状態でもあるため、画像の品位としては、前
述の第１の設定よりも劣らざるを得ない。In the second setting, the dark area potential VD is set to 420
V, the DC component Vdc of the developing bias is 320V, Vpp of the AC component of the developing bias is 1300V, Duty
The ratio is set to 50%. Here, the duty ratio is changed by switching the developing bias changeover switch 43 connected to the waveform generator 41 shown in FIG. Therefore, from the relationship with the SD gap shown in Table 5, the maximum electric field intensity is 4.18 μm in the first setting. As a result of studying the speed at which the optimum image output density is obtained under the above developing conditions, the developing sleeve 30
Was 170% in terms of the speed ratio to the photoreceptor. Since the second setting is the state (2) shown in FIG. 7 and the state (4) shown in FIG. 9, the image quality is inferior to the first setting described above. I don't get it.
【０１０９】[0109]
【表６】 [Table 6]
【０１１０】実施例１と同様、第１の設定では、通常気
圧環境下ではリークを生じることはないが、低気圧環境
下では、リークに対して弱い面をもつ。従って、通常気
圧環境下ではリークの懸念のない第１の設定とし、低気
圧環境下ではリークに配慮した第２の設定とすること
で、気圧に応じた最適な設定条件を提供することができ
る。第２の設定では、画像の品位よりもリークを生じな
い条件を選択している。リークを生じると画像上に白抜
け画像を生ずるため、画像の品位は別の現象で劣悪なも
のになるからである。Similar to the first embodiment, the first setting does not cause a leak under a normal atmospheric pressure environment, but has a weak surface against a leak under a low atmospheric pressure environment. Therefore, the optimum setting condition according to the atmospheric pressure can be provided by setting the first setting where there is no fear of leak under the normal atmospheric pressure environment and the second setting considering the leak under the low atmospheric pressure environment. . In the second setting, a condition that does not cause a leak is selected rather than the quality of an image. This is because if a leak occurs, a blank image is generated on the image, and the quality of the image deteriorates due to another phenomenon.
【０１１１】すなわち、多くの地域が属する通常気圧環
境下では、画像の品位を高めることを目的とした設定が
可能で、山岳地帯の属する低気圧環境下では、リークを
防止することを目的とした設定が可能となっている。表
６での記載から明らかなように、画像品位指数は第１の
設定が優れており、低気圧環境下でのリークは第２の設
定が優れている。That is, in a normal atmospheric pressure environment to which many regions belong, it is possible to make a setting for the purpose of enhancing the image quality, and in a low atmospheric pressure environment to which a mountainous area belongs, the purpose is to prevent leakage. It can be set. As is clear from the description in Table 6, the first setting is excellent in the image quality index, and the second setting is excellent in leak under a low pressure environment.
【０１１２】[0112]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、静電潜
像が形成される像担持体と、現像剤を担持搬送する現像
剤担持体に現像バイアスを印加して像担持体上の静電潜
像を現像する現像装置と、を有し、現像剤担持体は、非
磁性基板と、基板に形成された無電解メッキＮｉ−Ｐ層
又は無電解メッキＮｉ−Ｂ層と、表面層として形成され
た電気硬質メッキ層と、を有する画像形成装置におい
て、現像剤担持体に印加される現像バイアスと、像担持
体に付与される静電潜像電位間の最大電界強度を少なく
とも２段階に切り替える手段と、現像剤担持体の回転速
度を少なくとも２段階に切り替える手段と、を有し、最
大電界強度を強くした場合には、現像剤担持体の回転速
度を遅くし、最大電界強度を低くした場合には、現像剤
担持体の回転速度を速くする構成とされるので、無電解
Ｎｉ−Ｐメッキ層又は無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層と電気硬
質メッキ表面層を有する現像剤担持体による高耐久性
と、電界強度及び現像剤担持体回転数の最適化による画
像品位の高品位化及び安定化を両立することが可能であ
る。As described above, according to the present invention, a developing bias is applied to the image bearing member on which an electrostatic latent image is formed and the developer bearing member carrying and carrying the developer. A developing device for developing an electrostatic latent image, wherein the developer carrying member is a non-magnetic substrate, an electroless plating Ni-P layer or an electroless plating Ni-B layer formed on the substrate, and a surface layer. In an image forming apparatus having an electrohard plating layer formed as described above, the maximum electric field strength between the developing bias applied to the developer carrier and the electrostatic latent image potential applied to the image carrier is at least two steps. And a means for switching the rotation speed of the developer carrier in at least two stages. When the maximum electric field strength is increased, the rotation speed of the developer carrier is reduced to increase the maximum electric field strength. If it is lowered, the rotation speed of the developer carrier As a result, the developer carrier having the electroless Ni-P plating layer or the electroless Ni-B plating layer and the electric hard plating surface layer provides high durability, electric field strength, and developer carrier rotation speed. It is possible to achieve both high quality and stabilization of image quality by optimization of.
【図１】本発明に係る現像装置の一実施例を示す概略構
成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a developing device according to the present invention.
【図２】本発明に係る電子写真式画像形成装置の一実施
例を示す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an electrophotographic image forming apparatus according to the present invention.
【図３】現像スリーブの断面構成を示す図である。FIG. 3 is a view showing a sectional configuration of a developing sleeve.
【図４】現像スリーブの回転速度を変更する駆動部の概
略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a drive unit that changes a rotation speed of a developing sleeve.
【図５】画像品位指数を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an image quality index.
【図６】画像品位指数と目視レベルの相関図である。FIG. 6 is a correlation diagram between an image quality index and a visual level.
【図７】電界強度と画像品位指数の相関図である。FIG. 7 is a correlation diagram of electric field strength and image quality index.
【図８】潜像電位及び現像バイアスの電位を説明する図
である。FIG. 8 is a diagram illustrating a latent image potential and a developing bias potential.
【図９】現像スリーブの速度と画像品位指数の相関図で
ある。FIG. 9 is a correlation diagram between the speed of the developing sleeve and the image quality index.
【図１０】本発明に係る現像装置の他の実施例を示す概
略構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the developing device according to the present invention.
１ 像担持体（感光体ドラム） ２ 一次帯電器 ３ 現像装置 １０ 露光装置 ３０ 現像剤担持体（現像スリーブ） ４０ 制御部 ４１ 波形発生器 ４２ バイアス電源 ４３ 現像バイアス切り替えスイッチ Ｓ 現像スリーブ Ｐ１ 無電解メッキ層 Ｐ２ メッキ中間層 Ｐ３ 電気硬質メッキ層 1 Image carrier (photosensitive drum) 2 Primary charger 3 developing device 10 Exposure equipment 30 developer carrier (developing sleeve) 40 control unit 41 Waveform generator 42 Bias power supply 43 Development bias selector switch S developing sleeve P1 electroless plating layer P2 plating intermediate layer P3 Electric hard plating layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 21/00 ５３０ Ｇ０３Ｇ 15/08 ５０７Ｈ 21/14 21/00 ３７２ Ｆターム(参考） 2H027 DA01 DA32 EA01 EA04 EA05 EC18 ED03 ED08 ED09 EE03 EE04 EE07 EF09 JA20 JC02 JC06 ZA07 2H073 AA02 AA03 AA10 BA04 BA06 BA09 BA22 CA02 CA14 2H077 AB04 AD02 AD06 AD13 AD18 AD24 AD36 AE03 BA08 DA18 DA82 DB08 DB12 DB14 EA13 EA16 FA03 FA14 FA26 GA02 GA17 2H200 FA01 GA13 GA18 GA28 GA29 GA34 GA36 GA46 GA49 GA54 GA57 GA59 GB12 GB22 GB25 HA02 HA12 HA29 HA30 HB03 JA02 NA02 NA05 NA09 NA10 NA11 PA02 PA03 PA05 PA09 PA10 PA11 PA19 PB00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G03G 21/00 530 G03G 15/08 507H 21/14 21/00 372 F term (reference) 2H027 DA01 DA32 EA01 EA04 EA05 EC18 ED03 ED08 ED09 EE03 EE04 EE07 EF09 JA20 JC02 JC06 ZA07 2H073 AA02 AA03 AA10 BA04 BA06 BA09 BA22 CA02 CA14 2H077 AB04 AD02 AD06 AD13 AD18 AD14 GA26 FA18 GA26 FA18 GA26 FA16 FA16 FA16 GA16 FA16 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA18 FA16 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA18 FA16 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA18 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA16 FA18 GA18 FA18 GA18 FA18 GA18 FA18 GA16 FA18 GA18 FA18 GA18 FA12 GA16 FA18 FA18 GA18 FA16 GA26 FA18 GA18 FA than PG GA29 GA34 GA36 GA46 GA49 GA54 GA57 GA59 GB12 GB22 GB25 HA02 HA12 HA29 HA30 HB03 JA02 NA02 NA05 NA09 NA10 NA11 PA02 PA03 PA05 PA09 PA10 PA11 PA19 PB00
Claims (6)
剤を担持搬送する現像剤担持体に現像バイアスを印加し
て前記像担持体上の静電潜像を現像する現像装置と、を
有し、前記現像剤担持体は、非磁性基板と、前記基板に
形成された無電解メッキＮｉ−Ｐ層又は無電解メッキＮ
ｉ−Ｂ層と、表面層として形成された電気硬質メッキ層
と、を有する画像形成装置において、 前記現像剤担持体に印加される現像バイアスと、前記像
担持体に付与される静電潜像電位間の最大電界強度を少
なくとも２段階に切り替える手段と、 前記現像剤担持体の回転速度を少なくとも２段階に切り
替える手段と、を有し、前記最大電界強度を強くした場
合には、前記現像剤担持体の回転速度を遅くし、前記最
大電界強度を低くした場合には、前記現像剤担持体の回
転速度を速くすることを特徴とする画像形成装置。1. A developing device for applying a developing bias to an image bearing member on which an electrostatic latent image is formed and a developer bearing member carrying and carrying a developer to develop the electrostatic latent image on the image bearing member. The developer carrying member has a non-magnetic substrate and an electroless plating Ni-P layer or an electroless plating N formed on the substrate.
In an image forming apparatus having an i-B layer and an electric hard plating layer formed as a surface layer, a developing bias applied to the developer carrier and an electrostatic latent image applied to the image carrier. And a means for switching the maximum electric field strength between the potentials in at least two steps, and a means for switching the rotation speed of the developer carrier in at least two steps. When the maximum electric field strength is increased, the developer is An image forming apparatus characterized in that, when the rotation speed of the carrier is slowed and the maximum electric field strength is lowered, the rotation speed of the developer carrier is increased.
を強くして前記前記現像剤担持体の回転速度を遅くし、
低気圧環境下では、前記最大電界強度を弱くして前記現
像剤担持体の回転速度を早くすることを特徴とする請求
項１の画像形成装置。2. Under normal atmospheric pressure environment, the maximum electric field strength is increased to reduce the rotation speed of the developer carrying member,
The image forming apparatus according to claim 1, wherein, in a low-pressure environment, the maximum electric field strength is weakened to increase the rotation speed of the developer carrying member.
５Ｖ／μｍ以上とし、最も低い段階を４．５Ｖ／μｍ未
満とすることを特徴とする請求項１又は２の画像形成装
置。3. The strongest step of the maximum electric field strength is 4.
3. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the voltage is 5 V / [mu] m or more and the lowest level is less than 4.5 V / [mu] m.
圧を重畳したものであることを特徴とする請求項１、２
又は３の画像形成装置。4. The developing bias is formed by superimposing an AC voltage on a DC voltage.
Alternatively, the image forming apparatus of 3.
アスの直流電圧、前記現像バイアスの交流電圧のＶｐ
ｐ、前記現像バイアスのＤｕｔｙ比のうち少なくとも一
つを変更して前記最大電界強度を変更することを特徴と
する請求項４の画像形成装置。5. A latent image potential of the image carrier, a DC voltage of the developing bias, and an AC voltage Vp of the developing bias.
5. The image forming apparatus according to claim 4, wherein at least one of p and the duty ratio of the developing bias is changed to change the maximum electric field strength.
前記現像剤担持体内には、磁界発生手段が配置されてい
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載
の画像形成装置。6. The developer is a one-component magnetic developer,
The image forming apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein a magnetic field generating unit is arranged in the developer carrying member.
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|---|---|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005234238A (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | Image forming apparatus |
| JP2007240531A (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Liebherr-France Sas | Localization system of hydraulic pressure cylinder |
| JP2008038990A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Jtekt Corp | Ring-shaped spring component, torque limiter and steering device |
| JP2012154991A (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Kyocera Document Solutions Inc | Developing device and image forming apparatus |
| CN103676550A (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 京瓷办公信息系统株式会社 | Developing device and image forming apparatus including same |
| JP2016099541A (en) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | ブラザー工業株式会社 | Image forming apparatus, speed control method, and speed control program |
| JP2018049161A (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | Developing roller and developing device including the same, and image forming apparatus |
-
2001
- 2001-07-27 JP JP2001228629A patent/JP2003043759A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005234238A (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | Image forming apparatus |
| JP4508678B2 (en) * | 2004-02-19 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | Image forming apparatus |
| JP2007240531A (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Liebherr-France Sas | Localization system of hydraulic pressure cylinder |
| JP2008038990A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Jtekt Corp | Ring-shaped spring component, torque limiter and steering device |
| JP2012154991A (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Kyocera Document Solutions Inc | Developing device and image forming apparatus |
| CN103676550A (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 京瓷办公信息系统株式会社 | Developing device and image forming apparatus including same |
| US8879938B2 (en) | 2012-09-21 | 2014-11-04 | Kyocera Document Solutions Inc. | Developing device and image forming apparatus including same |
| JP2016099541A (en) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | ブラザー工業株式会社 | Image forming apparatus, speed control method, and speed control program |
| JP2018049161A (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | Developing roller and developing device including the same, and image forming apparatus |
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