JP2003030041A - Circuit and method of memory initialization and memory initialization circuit - Google Patents

Circuit and method of memory initialization and memory initialization circuit

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JP2003030041A
JP2003030041A JP2001218532A JP2001218532A JP2003030041A JP 2003030041 A JP2003030041 A JP 2003030041A JP 2001218532 A JP2001218532 A JP 2001218532A JP 2001218532 A JP2001218532 A JP 2001218532A JP 2003030041 A JP2003030041 A JP 2003030041A
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JP
Japan
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memory
power
sequence
initialization
circuit
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JP2001218532A
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Japanese (ja)
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Kazuhiro Sugano
一博 菅野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress increase of power consumption in a memory to be caused when the power of the memory is applied earlier. SOLUTION: By providing a memory initialization circuit 6, a power up sequence to set a state that a control command from the outside of the memory is acceptable is executed to the memory by a power up sequence part 63 according to the buildup of the power source VCC2 of the memory detected by a power detecting circuit part 61. Then, the memory is set in a power saving operation mode by a power saving mode setting part 63.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ初期化回路
および方法に関し、特にメモリとこのメモリを制御する
メモリコントローラとが異なる電源で動作するメモリ制
御で用いられるメモリ初期化回路および方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory initialization circuit and method, and more particularly to a memory initialization circuit and method used in memory control in which a memory and a memory controller for controlling the memory operate with different power supplies. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報処理の大容量化や高速化に伴
って、コンピュータなどの情報処理装置で用いられるメ
モリも大容量化や高速化が図られている。このため、メ
モリに対する制御も複雑化しており、CPUなどのマイ
クロプロセッサとは独立したメモリ制御用のメモリコン
トローラが用いられている。図4に従来のメモリ制御シ
ステムを示す。メモリコントローラ2は、CPU1から
のメモリアクセス要求に応じて、コントロールバス4を
介してメモリ3を制御して、データ読み出し/書き込み
指示を行う。そのとき、データバス5を介してメモリ3
から読み出されたデータを取得し、あるいはメモリ3に
対して書き込むデータを提供する。
2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in capacity and speed of information processing, a memory used in an information processing apparatus such as a computer has been increased in capacity and speed. Therefore, the control of the memory is also complicated, and a memory controller for memory control independent of a microprocessor such as a CPU is used. FIG. 4 shows a conventional memory control system. The memory controller 2 controls the memory 3 via the control bus 4 in response to a memory access request from the CPU 1 to issue a data read / write instruction. At that time, the memory 3 is connected via the data bus 5.
The data read from the memory 3 is obtained, or the data to be written to the memory 3 is provided.

【0003】このようなメモリ制御システムにおいて、
SRAMやDRAMなどの揮発性メモリでは、停電等に
よる急激な電源低下が発生した場合、メモリ内のデータ
をハードディスクのような不揮発性の記憶媒体に書き戻
すことができずデータが失われるという問題がある。そ
こで、従来、図4に示すように、消費電流の大きいメモ
リコントローラ2やCPU1などの電源VCC1と、メ
モリ3の電源VCC2とを別系統にしておき、停電中は
VCC2にバッテリから電流を供給することによってメ
モリ内のデータを保持する構成が用いられている(例え
ば、特開平5−226159号公報など参照)。
In such a memory control system,
In a volatile memory such as SRAM or DRAM, when a sudden power drop occurs due to a power failure or the like, the data in the memory cannot be written back to a non-volatile storage medium such as a hard disk, resulting in data loss. is there. Therefore, conventionally, as shown in FIG. 4, the power supply VCC1 such as the memory controller 2 or the CPU 1 which consumes a large amount of current and the power supply VCC2 of the memory 3 are separated from each other, and the current is supplied from the battery to the VCC2 during the power failure. As a result, a configuration for holding the data in the memory is used (see, for example, JP-A-5-226159).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のメモリ制御システムでは、メモリコントロー
ラ2やCPU1などの電源VCC1と、メモリ3の電源
VCC2とが別系統となっているため、例えば通常の電
源立ち上げ時に、VCC2がVCC1より先に投入され
てメモリ3の動作可能電位まで上昇した場合は、メモリ
3が無制御状態となってその消費電流が増大するという
問題点があった。本発明はこのような課題を解決するた
めのものであり、メモリの電源が先に投入された場合に
生じるメモリでの消費電流の増大を抑制できるメモリ初
期化回路および方法を提供することを目的としている。
However, in such a conventional memory control system, the power supply VCC1 of the memory controller 2 and the CPU 1 and the power supply VCC2 of the memory 3 are separate systems, and therefore, for example, a normal When VCC2 is turned on before VCC1 and rises to the operable potential of the memory 3 when the power is turned on, there is a problem that the memory 3 becomes uncontrolled and its current consumption increases. The present invention is intended to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a memory initialization circuit and method capable of suppressing an increase in current consumption in a memory that occurs when the power of the memory is first turned on. I am trying.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明にかかるメモリ初期化回路は、データ
を記憶するメモリと、このメモリを制御するメモリコン
トローラとを有するメモリ制御システムで用いられ、メ
モリを初期化するメモリ初期化回路であって、メモリの
電源の立ち上がりに応じて、メモリの動作モードを当該
メモリでの消費電力が低減される動作モードへ設定する
初期化手段を備えるものである。
In order to achieve such an object, a memory initialization circuit according to the present invention is a memory control system having a memory for storing data and a memory controller for controlling this memory. A memory initialization circuit used for initializing a memory, comprising an initialization means for setting an operation mode of the memory to an operation mode in which power consumption in the memory is reduced in response to a rise of a power supply of the memory. It is a thing.

【0006】初期化手段の具体的構成として、メモリに
対してメモリ外部からの制御コマンドを受け入れ可能な
状態とするためのパワーアップシーケンスを実行するパ
ワーアップシーケンス部と、このパワーアップシーケン
スの実行後にメモリを省電力動作モードへ設定する省電
力モード設定部とを設けてもよい。
As a concrete structure of the initialization means, a power-up sequence section for executing a power-up sequence for making the memory accept a control command from the outside of the memory, and after executing this power-up sequence. A power saving mode setting unit that sets the memory to the power saving operation mode may be provided.

【0007】また、本発明のメモリ初期化方法は、デー
タを記憶するメモリと、このメモリを制御するメモリコ
ントローラとを有するメモリ制御システムで用いられ、
メモリを初期化するメモリ初期化方法であって、メモリ
の電源の立ち上がりに応じて、メモリの動作モードを当
該メモリでの消費電力が低減される動作モードへ設定す
るようにしたものである。
The memory initialization method of the present invention is used in a memory control system having a memory for storing data and a memory controller for controlling the memory,
A memory initialization method for initializing a memory, wherein the operation mode of the memory is set to an operation mode in which the power consumption of the memory is reduced in response to the rise of the power supply of the memory.

【0008】より具体的には、メモリに対してメモリ外
部からの制御コマンドを受け入れ可能な状態とするため
のパワーアップシーケンスを実行した後、メモリを省電
力動作モードへ設定するようにしてもよい。
More specifically, the memory may be set to the power saving operation mode after executing a power-up sequence for making the memory accept a control command from outside the memory. .

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形
態にかかるメモリ初期化回路が適用されるメモリ制御シ
ステムの構成を示すブロック図である。このメモリ制御
システムには、データを記憶するメモリ3、CPU1か
らのメモリアクセス要求に応じてコントロールバス4や
データバス5を介してメモリ3を制御するメモリコント
ローラ2、およびメモリ3へ供給されている電源VCC
2の立ち上がり時にメモリ3を初期化するメモリ初期化
回路6が設けられている。メモリ3およびメモリ初期化
回路6には、メモリコントローラ2さらにはCPU1の
電源VCC1とは別系統の電源VCC2が供給されてい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a memory control system to which a memory initialization circuit according to an embodiment of the present invention is applied. The memory control system is supplied to the memory 3 for storing data, the memory controller 2 for controlling the memory 3 via the control bus 4 and the data bus 5 in response to a memory access request from the CPU 1, and the memory 3. Power supply VCC
A memory initialization circuit 6 for initializing the memory 3 at the rising edge of 2 is provided. The memory 3 and the memory initialization circuit 6 are supplied with a power supply VCC2 of a system different from the power supply VCC1 of the memory controller 2 and the CPU 1.

【0010】図2にメモリ初期化回路6の構成例を示
す。メモリ初期化回路6には、電源検出部61,パワー
アップシーケンス部62、省電力モード設定部63、お
よびバス制御部64が設けられている。電源検出部61
は、VCC2がメモリ3の動作可能電位まで立ち上がっ
たことを検出する回路部である。パワーアップシーケン
ス部62は、電源検出部61によるVCC2の立ち上が
り検出に応じて、メモリ3に対してパワーアップシーケ
ンスを実行する回路部である。パワーアップシーケンス
とは、メモリ3への電源供給開始時にメモリ3が通常動
作を開始するための動作である。例えば、メモリ3がク
ロック同期方式のSDRAM(Synchoronouse DRAM)の
場合は、メモリ3が制御コマンドを受け入れ可能な状態
となるように設定する。
FIG. 2 shows a configuration example of the memory initialization circuit 6. The memory initialization circuit 6 is provided with a power supply detection unit 61, a power-up sequence unit 62, a power saving mode setting unit 63, and a bus control unit 64. Power detection unit 61
Is a circuit unit that detects that VCC2 has risen to the operable potential of the memory 3. The power-up sequence unit 62 is a circuit unit that executes a power-up sequence for the memory 3 in response to the rise detection of VCC2 by the power supply detection unit 61. The power-up sequence is an operation for the memory 3 to start a normal operation when the power supply to the memory 3 is started. For example, when the memory 3 is a clock synchronous SDRAM (Synchoronouse DRAM), the memory 3 is set so that it can accept control commands.

【0011】省電力モード設定部63は、電源検出部6
1によるVCC2の立ち上がり検出後のパワーアップシ
ーケンス部62によるパワーアップシーケンスの実行が
終了した後、メモリ3の動作モードを省電力モードに設
定する回路部である。例えば、SDRAMなどでは、メ
モリに対する通常の読み出し/書き込みアクセスがない
場合には、コントロールバス4でのアクセス待ち受けを
停止したり、さらには動作クロックを内部で無効とする
ことによりその消費電流を低減する省電力動作モードが
設けられている。一般にこのような動作モードは、コン
トロールバス4を介してメモリ3の外部から制御可能と
なっている。バス制御部64は、パワーアップシーケン
ス部62や省電力モード設定部63からの指示に応じ
て、コントロールバス4さらにはデータバス5を介して
メモリ3を制御する回路部である。
The power-saving mode setting unit 63 includes a power source detecting unit 6
This is a circuit unit that sets the operation mode of the memory 3 to the power saving mode after the execution of the power-up sequence by the power-up sequence unit 62 after the detection of the rise of the VCC2 by 1 is completed. For example, in an SDRAM or the like, when there is no normal read / write access to the memory, the access waiting on the control bus 4 is stopped, and further, the operating clock is internally disabled to reduce the current consumption. A power saving operation mode is provided. Generally, such an operation mode can be controlled from outside the memory 3 via the control bus 4. The bus control unit 64 is a circuit unit that controls the memory 3 via the control bus 4 and the data bus 5 in accordance with an instruction from the power-up sequence unit 62 or the power saving mode setting unit 63.

【0012】次に、図3を参照して、メモリ初期化回路
の動作について説明する。メモリ初期化回路6では、電
源検出部61によりメモリ3の電源VCC2の立ち上が
りが検出された場合は(ステップ100:YES)、パ
ワーアップシーケンス部62で、メモリ3に対してパワ
ーアップシーケンスを実行する(ステップ101)。そ
の後、省電力モード設定部63では、メモリ3を省電力
動作モードへ設定し(ステップ102)、一連のメモリ
初期化処理を終了する。
Next, the operation of the memory initialization circuit will be described with reference to FIG. In the memory initialization circuit 6, when the power supply detection unit 61 detects the rise of the power supply VCC2 of the memory 3 (step 100: YES), the power-up sequence unit 62 executes the power-up sequence for the memory 3. (Step 101). After that, the power saving mode setting unit 63 sets the memory 3 to the power saving operation mode (step 102) and ends the series of memory initialization processing.

【0013】このように、メモリ初期化回路6を設け
て、メモリ3の電源VCC2の立ち上がりに応じて、メ
モリ3を初期化して消費電力を低減できる動作モードへ
設定するようにしたので、メモリの電源が先に投入され
た場合に生じるメモリでの消費電流の増大を抑制でき、
メモリコントローラ2やCPU1などの電源VCC1
と、メモリ3の電源VCC2とが別系統となっているメ
モリ制御システムであっても、電源投入時に安定した動
作が得られる。
As described above, since the memory initialization circuit 6 is provided and the memory 3 is initialized in accordance with the rise of the power supply VCC2 of the memory 3, the operation mode in which the power consumption can be reduced can be set. It is possible to suppress the increase in current consumption in the memory that occurs when the power is turned on first,
Power supply VCC1 for memory controller 2 and CPU 1
Even in a memory control system in which the power supply VCC2 of the memory 3 is a separate system, stable operation can be obtained when the power is turned on.

【0014】また、メモリ3を省電力動作モードへ設定
する場合、最も消費電力の低い動作モードとすることに
より、極めて高い効果が得られる。さらに、メモリ側の
電源の過電流検出回路の検出スレッショルド値を適切な
値に設定することが可能となり、メモリの真の異常によ
る過電流の検出を的確に行うことが可能になるととも
に、メモリ側の電源の許容電流値を必要最小限とするこ
とが可能となり、電源を小型かつ安価なもので構成でき
る。
Further, when the memory 3 is set to the power saving operation mode, the operation mode with the lowest power consumption has a very high effect. Furthermore, it is possible to set the detection threshold value of the overcurrent detection circuit of the power supply on the memory side to an appropriate value, which enables accurate detection of overcurrent due to a true abnormality of the memory, and It is possible to minimize the allowable current value of the power supply of, and the power supply can be configured with a small size and a low cost.

【0015】以上の説明において、メモリ初期化回路6
の動作電源としてVCC2を用いる場合、電源検出部6
1はメモリ初期化回路6内部の電源回路で実現できる。
この場合には、メモリ初期化回路6の起動に応じて上記
のメモリ初期化処理を開始することになる。なお、メモ
リ3としてSDRAMを用いる場合を例に説明したが、
これに限定されるものではなく、他の制御方式のメモリ
に対しても本発明を同様にして適用でき、同様の作用効
果が得られる。
In the above description, the memory initialization circuit 6
When VCC2 is used as the operating power source of the
1 can be realized by a power supply circuit inside the memory initialization circuit 6.
In this case, the above memory initialization process is started in response to the activation of the memory initialization circuit 6. The case where the SDRAM is used as the memory 3 has been described as an example.
The present invention is not limited to this, and the present invention can be similarly applied to a memory of another control method, and similar operational effects can be obtained.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、メモリ
用電源の立ち上がりに応じて、メモリの動作モードを当
該メモリでの消費電力が低減される動作モードへ設定す
るようにしたので、メモリの電源が先に投入された場合
に生じるメモリでの消費電流の増大を抑制でき、メモリ
コントローラやCPUなどの電源と、メモリ用電源とが
別系統となっているメモリ制御システムであっても、電
源投入時に安定した動作が得られる。
As described above, according to the present invention, the operation mode of the memory is set to the operation mode in which the power consumption of the memory is reduced according to the rise of the power supply for the memory. Even if the memory control system can suppress the increase of the current consumption in the memory that occurs when the power supply of is first turned on, and the power supply for the memory and the CPU and the power supply for the memory are separate systems, Stable operation is obtained when the power is turned on.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施の形態にかかるメモリ初期化
回路が適用されるメモリ制御システムのブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram of a memory control system to which a memory initialization circuit according to an embodiment of the present invention is applied.

【図2】 メモリ初期化回路の構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a memory initialization circuit.

【図3】 メモリ初期化動作を示すフローチャートであ
る。
FIG. 3 is a flowchart showing a memory initialization operation.

【図4】 従来のメモリ制御システムを示すブロック図
である。
FIG. 4 is a block diagram showing a conventional memory control system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…CPU、2…メモリコントローラ、3…メモリ、4
…コントロールバス、5…データバス、6…メモリ初期
化回路、61…電源検出部、62…パワーアップシーケ
ンス部、63…省電力モード設定部、64…バス制御
部。
1 ... CPU, 2 ... Memory controller, 3 ... Memory, 4
Control bus, 5 Data bus, 6 Memory initialization circuit, 61 Power supply detection unit, 62 Power up sequence unit, 63 Power saving mode setting unit, 64 Bus control unit.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 データを記憶するメモリと、このメモリ
を制御するメモリコントローラとを有するメモリ制御シ
ステムで用いられ、前記メモリを初期化するメモリ初期
化回路であって、 前記メモリの電源の立ち上がりに応じて、前記メモリの
動作モードを当該メモリでの消費電力が低減される動作
モードへ設定する初期化手段を備えることを特徴とする
メモリ初期化回路。
1. A memory initialization circuit used in a memory control system having a memory for storing data and a memory controller for controlling the memory, the memory initialization circuit initializing the memory, the method comprising: Accordingly, the memory initialization circuit is provided with an initialization unit that sets an operation mode of the memory to an operation mode in which power consumption in the memory is reduced.
【請求項2】 請求項1記載のメモリ初期化回路におい
て、 前記初期化手段は、前記メモリに対してメモリ外部から
の制御コマンドを受け入れ可能な状態とするためのパワ
ーアップシーケンスを実行するパワーアップシーケンス
部と、このパワーアップシーケンスの実行後に前記メモ
リを省電力動作モードへ設定する省電力モード設定部と
を有することを特徴とするメモリ初期化回路。
2. The memory initialization circuit according to claim 1, wherein the initialization unit executes a power-up sequence for bringing the memory into a state in which a control command from the outside of the memory can be accepted. A memory initialization circuit comprising: a sequence unit; and a power saving mode setting unit that sets the memory to a power saving operation mode after executing the power-up sequence.
【請求項3】 データを記憶するメモリと、このメモリ
を制御するメモリコントローラとを有するメモリ制御シ
ステムで用いられ、前記メモリを初期化するメモリ初期
化方法であって、 前記メモリの電源の立ち上がりに応じて、前記メモリの
動作モードを当該メモリでの消費電力が低減される動作
モードへ設定することを特徴とするメモリ初期化方法。
3. A memory initialization method for initializing the memory used in a memory control system having a memory for storing data and a memory controller for controlling the memory, the method comprising: Accordingly, the memory initialization method is characterized in that the operation mode of the memory is set to an operation mode in which power consumption in the memory is reduced.
【請求項4】 請求項3記載のメモリ初期化方法におい
て、 前記メモリに対してメモリ外部からの制御コマンドを受
け入れ可能な状態とするためのパワーアップシーケンス
を実行した後、前記メモリを省電力動作モードへ設定す
ることを特徴とするメモリ初期化方法。
4. The memory initialization method according to claim 3, wherein the memory is subjected to a power saving operation after a power-up sequence for executing a power-up sequence for allowing the memory to accept a control command from outside the memory. A memory initialization method characterized by setting to a mode.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7106112B2 (en) 2003-10-31 2006-09-12 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus for generating power-up signal

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7106112B2 (en) 2003-10-31 2006-09-12 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus for generating power-up signal

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