JP2003029663A - Transparent insulating substrate and active matrix and liquid crystal display device using the same - Google Patents

Transparent insulating substrate and active matrix and liquid crystal display device using the same

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JP2003029663A
JP2003029663A JP2001216248A JP2001216248A JP2003029663A JP 2003029663 A JP2003029663 A JP 2003029663A JP 2001216248 A JP2001216248 A JP 2001216248A JP 2001216248 A JP2001216248 A JP 2001216248A JP 2003029663 A JP2003029663 A JP 2003029663A
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JP
Japan
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transparent insulating
insulating substrate
substrate
active matrix
cyclic olefin
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Application number
JP2001216248A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Ueno
哲生 上野
Hideki Naruse
秀樹 成瀬
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Asahi Kasei Corp
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Asahi Kasei Corp
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/1703Introducing an auxiliary fluid into the mould
    • B29C45/174Applying a pressurised fluid to the outer surface of the injected material inside the mould cavity, e.g. for preventing shrinkage marks

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plastic transparent insulating substrate having excellent heat resistance which can be used for an active matrix substrate as the structural member of a display device. SOLUTION: The transparent insulating substrate is produced by using a resin of a random copolymer consisting of 2-4C α-olefins and cyclic olefins expressed by a specified general formula with a higher content of the cyclic olefins and having >=230 deg.C glass transition temperature and by the molding method by dissolving carbon dioxide in the above resin and then carrying out injection molding of the resin in dies.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は環状オレフィン樹脂
からなる耐熱性に優れた透明絶縁基板と、該基板を用い
てなるアクティブマトリクス基板、さらには該アクティ
ブマトリクス基板を用いて構成した液晶表示素子に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent insulating substrate made of a cyclic olefin resin and having excellent heat resistance, an active matrix substrate using the substrate, and a liquid crystal display device constructed by using the active matrix substrate. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子や有機エレクトロルミネッ
センス(EL)素子、フィールドエミッションディスプ
レイ(FED)表示素子といった表示素子の構成部材で
ある透明絶縁基板としては、従来からガラス基板が用い
られているが、該ガラス基板よりも軽量で耐衝撃性及び
加工性に優れることから、プラスチック基板への変更が
望まれている。例えば特開昭59−204545号公報
には、ガラス基板に代わる透明プラスチック基板の使用
が検討されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a glass substrate has been used as a transparent insulating substrate which is a constituent member of a display element such as a liquid crystal display element, an organic electroluminescence (EL) element and a field emission display (FED) display element. Since it is lighter than the glass substrate and has excellent impact resistance and workability, it is desired to change to a plastic substrate. For example, JP-A-59-204545 discusses the use of a transparent plastic substrate instead of a glass substrate.

【0003】一方、液晶表示素子としては、各画素に薄
膜トランジスタ(TFT)を設け、走査信号とデータ信
号により各画素を駆動するアクティブマトリクス型の液
晶表示素子が、表示品位が高いことから今後の主流にな
ることが期待されている。この型の液晶表示素子は、透
明絶縁基板上に薄膜トランジスタアレイを形成したアク
ティブマトリクス基板と、透明絶縁基板上に透明電極等
を形成した対向基板とを対向配置し、その間隙に液晶材
料を封止してなる。そのため、アクティブマトリクス基
板を構成する透明絶縁基板においては、絶縁膜形成等の
ため高い耐熱性が要求され、ガラスに比べ耐熱性に劣る
プラスチック基板では、加工中に変形等が起き、その使
用が困難である。そこで特開平4−238322号公報
には、対向基板にはプラスチックフィルムを用い、アク
ティブマトリクス基板にはガラス基板を用いる組み合わ
せが開示されている。
On the other hand, as a liquid crystal display element, an active matrix type liquid crystal display element in which a thin film transistor (TFT) is provided in each pixel and each pixel is driven by a scanning signal and a data signal has a high display quality, and thus is the mainstream in the future. Is expected to become. In this type of liquid crystal display element, an active matrix substrate having a thin film transistor array formed on a transparent insulating substrate and an opposite substrate having transparent electrodes formed on the transparent insulating substrate are arranged to face each other, and a liquid crystal material is sealed in the gap. I will do it. Therefore, the transparent insulating substrate that constitutes the active matrix substrate is required to have high heat resistance due to the formation of an insulating film, and the plastic substrate, which is inferior in heat resistance to glass, is deformed during processing and is difficult to use. Is. Therefore, Japanese Patent Laid-Open No. 4-238322 discloses a combination in which a plastic film is used for the counter substrate and a glass substrate is used for the active matrix substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、耐熱性、透
明性、加工性に優れた軽量のプラスチック製透明絶縁基
板を提供し、該基板を用いて変形を生じることなくアク
ティブマトリクス基板を形成し、軽量で、耐衝撃性に優
れた液晶表示素子を構成することにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a lightweight plastic transparent insulating substrate having excellent heat resistance, transparency and workability, and using the substrate to form an active matrix substrate without causing deformation. However, it is to construct a liquid crystal display element that is lightweight and has excellent impact resistance.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、耐熱性、
透明性に優れた透明絶縁基板材料について鋭意検討した
結果、エチレン等のα−オレフィンと、ノルボルネン等
の環状オレフィンをモノマー成分とするランダム共重合
体において、環状オレフィンの含有量が多く、ガラス転
移温度が高い組成の共重合体が、アクティブマトリクス
基板の透明絶縁基板材料として適していること、及び、
上記α−オレフィンと環状オレフィンからなるランダム
共重合体のような耐熱性樹脂は本来射出成形が困難であ
るが、二酸化炭素を溶融樹脂に溶解させることにより、
アクティブマトリクス基板に適した形状が容易に成形可
能になることを見出し、本発明を達成した。
Means for Solving the Problems The present inventors have found that heat resistance,
As a result of intensive studies on transparent insulating substrate materials having excellent transparency, a random copolymer containing α-olefin such as ethylene and cyclic olefin such as norbornene as a monomer component has a large content of cyclic olefin and a glass transition temperature. A copolymer having a high composition is suitable as a transparent insulating substrate material for an active matrix substrate, and
A heat resistant resin such as a random copolymer composed of the α-olefin and the cyclic olefin is originally difficult to injection-mold, but by dissolving carbon dioxide in the molten resin,
The present invention has been achieved by finding that a shape suitable for an active matrix substrate can be easily formed.

【0006】即ち、本発明の第一は、少なくとも炭素数
が2〜4の直鎖状または分岐状のα−オレフィンと下記
一般式(1)で表わされる環状オレフィンとをモノマー
成分として含有するランダム共重合体であって、ガラス
転位温度が230℃以上である環状オレフィン樹脂を成
形してなることを特徴とする透明絶縁基板である。
That is, the first aspect of the present invention is to randomly contain a linear or branched α-olefin having at least 2 to 4 carbon atoms and a cyclic olefin represented by the following general formula (1) as monomer components. A transparent insulating substrate which is a copolymer and is formed by molding a cyclic olefin resin having a glass transition temperature of 230 ° C. or higher.

【0007】[0007]

【化2】 [Chemical 2]

【0008】上記式中、nは0、1、2のいずれかであ
り、R1〜R8は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、
炭化水素基であり、R9〜R12はそれぞれ独立に水素、
ハロゲン原子、炭化水素基、或いは、R9或いはR10
み、R11或いはR12のみが二重結合で置換した炭化水素
基であり、また、R9〜R12は互いに結合して単環また
は多環を形成していてもよく、その単環または多環が二
重結合を有していてもよい。また、上記炭化水素基はハ
ロゲン原子で置換されていても良い。
In the above formula, n is 0, 1, or 2, and R 1 to R 8 are each independently hydrogen, a halogen atom,
Is a hydrocarbon group, R 9 to R 12 are each independently hydrogen,
A halogen atom, a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group in which only R 9 or R 10 and only R 11 or R 12 are substituted with a double bond, and R 9 to R 12 are bonded to each other to form a monocycle or It may form a polycycle, and the monocycle or polycycle may have a double bond. Further, the above hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom.

【0009】上記本発明の透明絶縁基板は、表面平滑性
Raが20nm以下であることが好ましく、また、好ま
しくは上記環状オレフィン樹脂に二酸化炭素を溶解させ
て金型内に樹脂を射出することにより射出成形された成
形体である。
The transparent insulating substrate of the present invention preferably has a surface smoothness Ra of 20 nm or less, and preferably by dissolving carbon dioxide in the cyclic olefin resin and injecting the resin into a mold. It is a molded body that is injection molded.

【0010】本発明の第二は、上記本発明の透明絶縁基
板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体
層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジ
スタと、該ドレイン電極に電気的に接続された画素電極
とを設けたことを特徴とするアクティブマトリクス基板
であり、第三は、該本発明のアクティブマトリクス基板
と、プラスチック透明絶縁基板上に少なくとも透明電極
を設けた対向電極基板とを対向配置し、その間隙に液晶
材料を封入したことを特徴とする液晶表示素子である。
A second aspect of the present invention is a thin film transistor having at least a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on the transparent insulating substrate of the present invention, and electrically connected to the drain electrode. And an active matrix substrate according to the present invention, and a counter electrode substrate in which at least a transparent electrode is provided on a plastic transparent insulating substrate. Then, a liquid crystal display element is characterized in that a liquid crystal material is sealed in the gap.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の透明絶縁基板を構成する
環状オレフィン樹脂は、少なくとも炭素数が2〜4の直
鎖状または分岐状のα−オレフィンと下記一般式(1)
で表わされる環状オレフィンとをモノマー成分として含
有するランダム共重合体である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The cyclic olefin resin constituting the transparent insulating substrate of the present invention comprises at least a linear or branched α-olefin having 2 to 4 carbon atoms and the following general formula (1).
It is a random copolymer containing a cyclic olefin represented by

【0012】[0012]

【化3】 [Chemical 3]

【0013】上記式中、nは0、1、2のいずれかであ
り、R1〜R8は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、
炭化水素基であり、R9〜R12はそれぞれ独立に水素、
ハロゲン原子、炭化水素基、或いは、R9或いはR10
み、R11或いはR12のみが二重結合で置換した炭化水素
基であり、また、R9〜R12は互いに結合して単環また
は多環を形成していてもよく、その単環または多環が二
重結合を有していてもよい。また、上記炭化水素基はハ
ロゲン原子で置換されていても良い。
In the above formula, n is 0, 1, or 2, and R 1 to R 8 are each independently hydrogen, a halogen atom,
Is a hydrocarbon group, R 9 to R 12 are each independently hydrogen,
A halogen atom, a hydrocarbon group, or a hydrocarbon group in which only R 9 or R 10 and only R 11 or R 12 are substituted with a double bond, and R 9 to R 12 are bonded to each other to form a monocycle or It may form a polycycle, and the monocycle or polycycle may have a double bond. Further, the above hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom.

【0014】上記炭素数が2〜4の直鎖状または分岐状
のα−オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、1
−ブテンなどが挙げられる。これらの直鎖状または分岐
状のα−オレフィンは、1種単独または2種以上組み合
わせて用いることができる。この中でもエチレン単独、
またはエチレンを主成分として用いるのが好ましい。
Examples of the linear or branched α-olefin having 2 to 4 carbon atoms include ethylene, propylene and 1
-Butene and the like. These linear or branched α-olefins may be used alone or in combination of two or more. Among these, ethylene alone,
Alternatively, it is preferable to use ethylene as a main component.

【0015】上記一般式(1)において、ハロゲン原子
は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子のいずれかであ
る。また、R1〜R12の炭化水素基としては、炭素数1
〜20のアルキル基、炭素原子数3〜15のシクロアル
キル基、芳香族基が挙げられる。具体的に、アルキル基
としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基等が挙げら
れ、シクロアルキル基としてはシクロヘキシル基、芳香
族基としてはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、こ
れらの炭化水素基はハロゲン原子で置換されていてもよ
い。
In the above general formula (1), the halogen atom is any one of fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms. The hydrocarbon group represented by R 1 to R 12 has 1 carbon atom.
-20 alkyl groups, C3-15 cycloalkyl groups, and aromatic groups. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an amyl group, a hexyl group, and an octyl group. A cycloalkyl group is a cyclohexyl group, an aromatic group is a phenyl group, and a naphthyl group. And the like. These hydrocarbon groups may be substituted with a halogen atom.

【0016】以上のような一般式(1)で表わされる環
状オレフィンの具体的な例としては、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン(以下ノルボルネンと呼
ぶ)、5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−
エン、5、6−ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト
−2−エン、5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト
−2−エン、5−n−ブチルビシクロ[2.2.1]ヘ
プト−2−エン、5−イソブチルビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン、トリシクロ[4.3.0.12,
5]−3−デセン、トリシクロ[4.4.0.12,5]−
3−ウンデセン、テトラシクロ[4.4.0.12,5
7,10]−3−ドデセン(以下テトラシクロドデセンと
呼ぶ)、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.
2,5.17,10]−3−ドデセン、8−エチルテトラシ
クロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、
8−プロピルテトラシクロ[4.4.0.12,5.1
7,10]−3−ドデセン、8−ブチルテトラシクロ[4.
4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−イソブ
チルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3
−ドデセン、8−エチリデンテトラシクロ[4.4.
0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−クロルテト
ラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセ
ン、ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7
9,13]−4−ペンタデセン、ペンタシクロ[6.6.
1.13,6.02,7.09,14]−4−ヘキサデセン、ヘキ
サシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.0
9,14]−4−ヘプタデセン等が例示される。これらの環
状オレフィンは1種単独または2種以上組み合わせて用
いることができる。これらの環状オレフィンの中で、ノ
ルボルネン、テトラシクロデセンが好ましく、特にノル
ボルネンが好ましい。
Specific examples of the cyclic olefin represented by the above general formula (1) include bicyclo [2.
2.1] hept-2-ene (hereinafter referred to as norbornene), 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-
Ene, 5,6-dimethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-n-butylbicyclo [2.2.1]. ] Hept-2-ene, 5-isobutylbicyclo [2.2.
1] hept-2-ene, tricyclo [4.3.0.1 2,
5 ] -3-decene, tricyclo [4.4.0.1 2,5 ]-
3-undecene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
1 7,10 ] -3-dodecene (hereinafter referred to as tetracyclododecene), 8-methyltetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene,
8-propyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] -3-Dodecene, 8-butyltetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-Dodecene, 8-isobutyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3
-Dodecene, 8-ethylidene tetracyclo [4.4.
0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-Dodecene, 8-chlorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 .
0 9,13 ] -4-pentadecene, pentacyclo [6.6.
1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,14] -4-hexadecene, hexacyclo [6.6.1.1 3,6. 1 10,13 . 0 2,7 . 0
9,14] -4-heptadecene, and the like. These cyclic olefins may be used alone or in combination of two or more. Among these cyclic olefins, norbornene and tetracyclodecene are preferable, and norbornene is particularly preferable.

【0017】また、本発明にかかるランダム共重合体に
は、本発明の目的を損なわない範囲で、上記したα−オ
レフィン、環状オレフィン以外にも、必要に応じてシク
ロヘキセンのような環状オレフィン、スチレンのような
芳香族ビニル化合物を共重合することも可能である。但
し、上記したα−オレフィン及び一般式(1)で表わさ
れる環状オレフィンがモノマー成分中に80mol%以
上含まれていることが望ましい。
In addition to the above α-olefin and cyclic olefin, cyclic copolymers such as cyclohexene and styrene may be added to the random copolymer according to the present invention, as long as the object of the present invention is not impaired. It is also possible to copolymerize an aromatic vinyl compound such as However, it is desirable that the above-mentioned α-olefin and the cyclic olefin represented by the general formula (1) are contained in the monomer component in an amount of 80 mol% or more.

【0018】本発明の透明絶縁基板は、上記した特定の
ランダム共重合体である環状オレフィン樹脂を用いて成
形され、そのガラス転移温度は230℃以上であり、好
ましくは250℃以上である。ガラス転移温度が230
℃未満では耐熱性が不十分で、該基板を用いてアクティ
ブマトリクス基板を形成する際のTFTアレイ形成工程
における熱処理に耐えられない。またガラス転移温度の
上限は350℃が好ましく、当該温度を超えると、射出
成形、押し出し成形等の成形が困難になる。本発明にか
かる樹脂のガラス転移温度は示差走査型熱量計(DS
C)法で測定する。よって、上記したランダム共重合体
における共重合組成は、最終的な環状オレフィン樹脂の
ガラス転移温度が230℃以上、好ましくは350℃以
下になるように、設定する必要がある。当該組成は、用
いるα−オレフィン、環状オレフィンの種類にもよる
が、好ましくは、α−オレフィンが1〜40mol%、
環状オレフィンが60〜99mol%である。また該共
重合体の重量平均分子量(Mw)は5000〜5000
00の範囲にあるのが好ましい。
The transparent insulating substrate of the present invention is molded by using the above-mentioned specific random copolymer cyclic olefin resin, and its glass transition temperature is 230 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or higher. Glass transition temperature is 230
If the temperature is lower than ° C, the heat resistance is insufficient, and the substrate cannot withstand the heat treatment in the TFT array forming step when forming an active matrix substrate using the substrate. The upper limit of the glass transition temperature is preferably 350 ° C, and if it exceeds the temperature, molding such as injection molding and extrusion molding becomes difficult. The glass transition temperature of the resin according to the present invention is determined by the differential scanning calorimeter (DS
C) It measures. Therefore, it is necessary to set the copolymerization composition of the random copolymer so that the final glass transition temperature of the cyclic olefin resin is 230 ° C. or higher, preferably 350 ° C. or lower. The composition depends on the type of α-olefin and cyclic olefin used, but preferably 1 to 40 mol% of α-olefin,
Cyclic olefin is 60 to 99 mol%. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is 5000 to 5000.
It is preferably in the range of 00.

【0019】本発明にかかるランダム共重合体は、先述
の炭素数が2〜4の直鎖状または分岐状のα−オレフィ
ンと上記一般式(1)で表わされる環状オレフィンと、
必要に応じて他の共重合モノマーを付加重合することに
よって得られ、該付加重合のための重合触媒としては例
えばメタロセン触媒を用いることができる。
The random copolymer according to the present invention comprises the aforementioned linear or branched α-olefin having 2 to 4 carbon atoms and the cyclic olefin represented by the above general formula (1).
It is obtained by addition-polymerizing another copolymerizable monomer as required, and a metallocene catalyst, for example, can be used as a polymerization catalyst for the addition-polymerization.

【0020】メタロセン触媒としては、シングルサイト
触媒として従来より公知の遷移金属のメタロセン化合物
(a)と、有機アルミニウムオキシ化合物(b)及び/
または有機ホウ素化合物(c)とからなる触媒が好まし
く用いられる。メタロセン化合物(a)としては、具体
的には下記一般式(2)または(3)で表わされる遷移
金属化合物が挙げられる。
As the metallocene catalyst, a metallocene compound (a) of a transition metal, which is conventionally known as a single-site catalyst, an organoaluminum oxy compound (b) and / or
Alternatively, a catalyst composed of the organic boron compound (c) is preferably used. Specific examples of the metallocene compound (a) include transition metal compounds represented by the following general formula (2) or (3).

【0021】[0021]

【化4】 [Chemical 4]

【0022】上記一般式(2)中、M1はチタン、ジル
コニウムまたはハフニウムを示し、好ましくはジルコニ
ウムである。X1及びX2は水素、ハロゲン、炭素数1〜
20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素
数7〜40のアリールアルキル基、炭素数7〜40のア
ルキルアリール基で、互いに同一でも異なっていてもよ
い。
In the above general formula (2), M 1 represents titanium, zirconium or hafnium, and preferably zirconium. X 1 and X 2 are hydrogen, halogen, and a carbon number of 1 to
The alkyl group having 20 carbon atoms, the aryl group having 6 to 20 carbon atoms, the arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms, and the alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms may be the same or different from each other.

【0023】また、R13及びR14は炭素数が1〜10の
アルキル基で、特に炭素数が1〜3のアルキル基が好ま
しく、互いに同一でも異なっていてもよい。
R 13 and R 14 are each an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and particularly preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, which may be the same or different.

【0024】R15及びR16は中心金属M1とサンドイッ
チ構造を形成しうるシクロペンタジエニル構造を有する
炭化水素基を示し、互いに同一でも異なっていてもよ
い。具体的にはインデニル基またはその置換体、フルオ
レニル基またはその置換体が好ましい。
R 15 and R 16 represent a hydrocarbon group having a cyclopentadienyl structure capable of forming a sandwich structure with the central metal M 1 and may be the same or different. Specifically, an indenyl group or a substituted product thereof and a fluorenyl group or a substituted product thereof are preferable.

【0025】上記一般式(2)で表わされる化合物の具
体例としてはジフェニルメチレン−ビス(1−インデニ
ル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデン−ビス
(1−インデニル)ジルコニウムジクロリド、シクロヘ
キシリデン−ビス(1−インデニル)ジルコニウムジク
ロリド、ジフェニルメチレン−ビス(9−フルオレニ
ル)ジルコニウムジクロリド、イソプロピリデン−ビス
(9−フルオレニル)ジルコニウムジクロリド、シクロ
ヘキシリデン−ビス(9−フルオレニル)ジルコニウム
ジクロリドなどが挙げられる。
Specific examples of the compound represented by the general formula (2) include diphenylmethylene-bis (1-indenyl) zirconium dichloride, isopropylidene-bis (1-indenyl) zirconium dichloride, cyclohexylidene-bis (1-). Indenyl) zirconium dichloride, diphenylmethylene-bis (9-fluorenyl) zirconium dichloride, isopropylidene-bis (9-fluorenyl) zirconium dichloride, cyclohexylidene-bis (9-fluorenyl) zirconium dichloride and the like can be mentioned.

【0026】上記一般式(3)中、M2はチタン、ジル
コニウムまたはハフニウムを示し、好ましくはジルコニ
ウムである。
In the above general formula (3), M 2 represents titanium, zirconium or hafnium, and preferably zirconium.

【0027】Rは各々独立に水素、炭素数1〜20のア
ルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜4
0のアリールアルキル基、炭素数7〜40のアルキルア
リール基または炭素数1〜20のアルキルシリル基を表
す。
Each R independently represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and 7 to 4 carbon atoms.
It represents an arylalkyl group having 0, an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms or an alkylsilyl group having 1 to 20 carbon atoms.

【0028】Lは下記一般式(4)、(5)または
(6)で表わされる化合物から生成する、酸素が配位原
子となる、1価の2座キレートアニオン性配位子を表
す。
L represents a monovalent bidentate chelate anionic ligand having oxygen as a coordinating atom, which is produced from a compound represented by the following general formula (4), (5) or (6).

【0029】[0029]

【化5】 [Chemical 5]

【0030】上記式中、R17、R19は同一であっても良
いし異なっていても良く、炭素数1〜20のアルキル
基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜40のア
リールアルキル基、炭素数7〜40のアルキルアリール
基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜20の
アリールオキシ基等から選ばれる置換基であり、R
18は、水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜
20のアリール基、炭素数7〜40のアリールアルキル
基、炭素数7〜40のアルキルアリール基から選ばれる
置換基である。また、R17とR18が互いに結合して環を
形成しても良い。
In the above formula, R 17 and R 19 may be the same or different, and are an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and an alkyl group having 7 to 40 carbon atoms. A substituent selected from an arylalkyl group, an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, and R
18 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 6 to 6 carbon atoms
It is a substituent selected from an aryl group having 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms, and an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms. In addition, R 17 and R 18 may combine with each other to form a ring.

【0031】R20、R22は、炭素数1〜20のアルキル
基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜40のア
リールアルキル基、炭素数7〜40のアルキルアリール
基から選ばれる置換基であり、R21は、水素、炭素数1
〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭
素数7〜40のアリールアルキル基、炭素数7〜40の
アルキルアリール基から選ばれる置換基である。また、
20とR21が互いに結合して環を形成しても良い。
R 20 and R 22 are selected from an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms, and an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms. Is a substituent, R 21 is hydrogen, carbon number 1
Is a substituent selected from an alkyl group having 20 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms, and an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms. Also,
R 20 and R 21 may combine with each other to form a ring.

【0032】R23、R24、R26、R27は同一であっても
良いし異なっていても良く、炭素数1〜20のアルキル
基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜40のア
リールアルキル基、炭素数7〜40のアルキルアリール
基から選ばれる置換基であり、R25は、水素、炭素数1
〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭
素数7〜40のアリールアルキル基、炭素数7〜40の
アルキルアリール基から選ばれる置換基である。また、
23とR25が互いに結合して環を形成しても良い。
R 23 , R 24 , R 26 and R 27 may be the same or different, and are an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms and 7 to 7 carbon atoms. A substituent selected from an arylalkyl group having 40 carbon atoms and an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms, R 25 is hydrogen or 1 carbon atom
Is a substituent selected from an alkyl group having 20 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms, and an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms. Also,
R 23 and R 25 may combine with each other to form a ring.

【0033】Xは水素、炭素数1〜20のアルキル基、
炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜40のアリー
ルアルキル基、炭素数7〜40のアルキルアリール基ま
たはハロゲンからなる。mは1〜3の整数を表わす。L
またはXが複数有る場合は、それぞれ独立に、同一であ
っても良いし異なっていても良い。
X is hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
It is composed of an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms, an alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms, or halogen. m represents an integer of 1 to 3. L
Alternatively, when there are a plurality of Xs, they may be the same or different, independently of each other.

【0034】上記一般式(3)で表わされる化合物の具
体例を下記に示す。 Cp*Zr(MeOCOCHCOOMe)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(MeOCOCHCO
OMe)Cl2 Cp*Zr(EtOCOCHCOOEt)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(EtOCOCHCO
OEt)Cl2 Cp*Zr(PhOCOCHCOOPh)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(PhOCOCHCO
OPh)Cl2 Cp*Zr(Me2NCOCHCONMe2)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(Me2NCOCHCO
NMe2)Cl2 Cp*Zr(Et2NCOCHCONEt2)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(Et2NCOCHCO
NEt2)Cl2 Cp*Zr(Ph2NCOCHCONPh2)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(Ph2NCOCHCO
NPh2)Cl2 Cp*Zr(PhCOCHCOPh)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(PhCOCHCOP
h)Cl2 Cp*Zr(PhCOCHCOMe)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(PhCOCHCOM
e)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(MeOCOCHCO
Me)Cl2 Cp*Zr(EtOCOCHCOMe)Cl2 1,2,3,4−Me4CpZr(EtOCOCHCO
Me)Cl2、 Cp*Zr((O=)C69COMe)Cl2
Specific examples of the compound represented by the above general formula (3) are shown below. Cp * Zr (MeOCOCHCOOMe) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (MeOCOCHCO
OMe) Cl 2 Cp * Zr (EtOCOCHCOOEt) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (EtOCOCHCO
OEt) Cl 2 Cp * Zr (PhOCOCHCOOPh) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (PhOCOCHCO
OPh) Cl 2 Cp * Zr (Me 2 NCOCHCONMe 2 ) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (Me 2 NCOCHCO
NMe 2 ) Cl 2 Cp * Zr (Et 2 NCOCHCONEt 2 ) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (Et 2 NCOCHCO
NEt 2 ) Cl 2 Cp * Zr (Ph 2 NCOCHCONPh 2 ) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (Ph 2 NCOCHCO
NPh 2 ) Cl 2 Cp * Zr (PhCOCHCOPh) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (PhCOCHCOP
h) Cl 2 Cp * Zr (PhCOCHCOMe) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (PhCOCHCOM
e) Cl 2, 1,2,3,4-Me 4 CpZr (MeOCOCHCO
Me) Cl 2 Cp * Zr (EtOCOCHCOMe) Cl 2 1,2,3,4-Me 4 CpZr (EtOCOCHCO
Me) Cl 2 , Cp * Zr ((O =) C 6 H 9 COMe) Cl 2

【0035】1,2,3,4−Me4CpZr((O
=)C69COMe)Cl2 CpZr(MeOCOCHCOOMe)Cl2 MeCpZr(MeOCOCHCOOMe)Cl2 1,3−Me2CpZr(MeOCOCHCOOMe)
Cl2 1,2,3−Me3CpZr(MeOCOCHCOOM
e)Cl2 Cp*Zr(MeOCOCHCOOMe)Cl2 CpZr(EtOCOCHCOOEt)Cl2 MeCpZr(EtOCOCHCOOEt)Cl2 1,3−Me2CpZr(EtOCOCHCOOEt)
Cl2 1,2,3−Me3CpZr(EtOCOCHCOOE
t)Cl2 Cp*Zr(EtOCOCHCOOEt)Cl2 CpZr(PhOCOCHCOOPh)Cl2 MeCpZr(PhOCOCHCOOPh)Cl2 1,3−Me2CpZr(PhOCOCHCOOPh)
Cl2 1,2,3−Me3CpZr(PhOCOCHCOOP
h)Cl2 Cp*Zr(PhOCOCHCOOPh)Cl2 CpZr(Me2NCOCHCONMe2)Cl2 MeCpZr(Me2NCOCHCONMe2)Cl2 1,3−Me2CpZr(Me2NCOCHCONM
2)Cl2 1,2,3−Me3CpZr(Me2NCOCHCONM
2)Cl2
1,2,3,4-Me 4 CpZr ((O
=) C 6 H 9 COMe) Cl 2 CpZr (MeOCOCHCOOMe) Cl 2 MeCpZr (MeOCOCHCOOMe) Cl 2 1,3-Me 2 CpZr (MeOCOCHCOOMe)
Cl 2, 1,2,3-Me 3 CpZr (MeOCOCHCOOM
e) Cl 2 Cp * Zr (MeOCOCHCOOMe) Cl 2 CpZr (EtOCOCHCOOEt) Cl 2 MeCpZr (EtOCOCHCOOEt) Cl 2 1,3-Me 2 CpZr (EtOCOCHCOOEt)
Cl 2, 1,2,3-Me 3 CpZr (EtOCOCHCOOE
t) Cl 2 Cp * Zr (EtOCOCHCOOEt) Cl 2 CpZr (PhOCOCHCOOPh) Cl 2 MeCpZr (PhOCOCHCOOPh) Cl 2 1,3-Me 2 CpZr (PhOCOCHCOOPh)
Cl 2, 1,2,3-Me 3 CpZr (PhOCOCHCOOP
h) Cl 2 Cp * Zr (PhOCOCHCOOPh) Cl 2 CpZr (Me 2 NCOCHCONMe 2 ) Cl 2 MeCpZr (Me 2 NCOCHCONMe 2 ) Cl 2 1,3-Me 2 CpZr (Me 2 NCOCHCONM
e 2) Cl 2 1,2,3-Me 3 CpZr (Me 2 NCOCHCONM
e 2 ) Cl 2

【0036】Cp*Zr(Me2NCOCHCONM
2)Cl2 CpZr(Et2NCOCHCONEt2)Cl2 MeCpZr(Et2NCOCHCONEt2)Cl2 1,3−Me2CpZr(Et2NCOCHCONE
2)Cl2 1,2,3−Me3CpZr(Et2NCOCHCONE
2)Cl2 Cp*Zr(Et2NCOCHCONEt2)Cl2 CpZr(Ph2NCOCHCONPh2)Cl2 MeCpZr(Ph2NCOCHCONPh2)Cl2 1,3−Me2CpZr(Ph2NCOCHCONP
2)Cl2 1,2,3−Me3CpZr(Ph2NCOCHCONP
2)Cl2 Cp*Zr(Ph2NCOCHCONPh2)Cl2 CpZr(MeOCOCHCOOMe)Cl2 CpZr(EtOCOCHCOOEt)Cl2 CpZr(PhOCOCHCOOPh)Cl2 CpZr(Me2NCOCHCONMe2)Cl2 CpZr(Et2NCOCHCONEt2)Cl2 CpZr(Ph2NCOCHCONPh2)Cl2 CpZr(PhCOCHCOPh)Cl2 CpZr(PhCOCHCOMe)Cl2 CpZr(MeOCOCHCOMe)Cl2 CpZr(EtOCOCHCOMe)Cl2 CpZr((O=)C68COMe)Cl2
Cp * Zr (Me 2 NCOCHCONM
e 2 ) Cl 2 CpZr (Et 2 NCOCHCONEt 2 ) Cl 2 MeCpZr (Et 2 NCOCHCONEt 2 ) Cl 2 1,3-Me 2 CpZr (Et 2 NCOCHCONE
t 2) Cl 2 1,2,3-Me 3 CpZr (Et 2 NCOCHCONE
t 2 ) Cl 2 Cp * Zr (Et 2 NCOCHCONEt 2 ) Cl 2 CpZr (Ph 2 NCOCHCONPh 2 ) Cl 2 MeCpZr (Ph 2 NCOCHCONPh 2 ) Cl 2 1,3-Me 2 CpZr (Ph 2 NCOCHCONP
h 2) Cl 2 1,2,3-Me 3 CpZr (Ph 2 NCOCHCONP
h 2) Cl 2 Cp * Zr (Ph 2 NCOCHCONPh 2) Cl 2 CpZr (MeOCOCHCOOMe) Cl 2 CpZr (EtOCOCHCOOEt) Cl 2 CpZr (PhOCOCHCOOPh) Cl 2 CpZr (Me 2 NCOCHCONMe 2) Cl 2 CpZr (Et 2 NCOCHCONEt 2) Cl 2 CpZr (Ph 2 NCOCHCONPh 2 ) Cl 2 CpZr (PhCOCHCOPh) Cl 2 CpZr (PhCOCHCOMe) Cl 2 CpZr (MeOCOCHCOMe) Cl 2 CpZr (EtOCOCHCOMe) Cl 2 CpZr ((O =) C 6 H 8 COMe) Cl 2

【0037】上記具体例の構造式中、Cpはシクロペン
タジエニル基を、Cp*はペンタメチルシクロペンタジ
エニル基を、Phはフェニル基を、Meはメチル基を、
Etはエチル基を表す。
In the structural formulas of the above specific examples, Cp is a cyclopentadienyl group, Cp * is a pentamethylcyclopentadienyl group, Ph is a phenyl group, Me is a methyl group,
Et represents an ethyl group.

【0038】有機アルミニウムオキシ化合物(b)とし
ては下記一般式(7)、(8)、(9)及び(10)で
示される有機アルミニウムオキシ化合物のうち少なくと
も1つの化合物が挙げられる。
Examples of the organoaluminum oxy compound (b) include at least one of the organoaluminum oxy compounds represented by the following general formulas (7), (8), (9) and (10).

【0039】[0039]

【化6】 [Chemical 6]

【0040】上記一般式(7)〜(10)中、R28〜R
38はそれぞれ同じでも異なっていても良く、炭素数1〜
8の炭化水素基、qは1〜50までの整数を表す。
In the above general formulas (7) to (10), R 28 to R
38 may be the same or different, each having 1 to 1 carbon atoms.
The hydrocarbon group of 8 and q represent the integer of 1-50.

【0041】これらの有機アルミニウムオキシ化合物の
具体例としてはメチルアルミノキサン、エチルアルミノ
キサン、プロピルアルミノキサン、ブチルアルミノキサ
ン、イソブチルアルミノキサン、メチルエチルアルミノ
キサン、メチルブチルアルミノキサン、メチルイソブチ
ルアルミノキサン等が挙げられる。特に、メチルアルミ
ノキサン、イソブチルアルミノキサン、メチルイソブチ
ルアルミノキサンが好適に使用できる。
Specific examples of these organoaluminum oxy compounds include methylaluminoxane, ethylaluminoxane, propylaluminoxane, butylaluminoxane, isobutylaluminoxane, methylethylaluminoxane, methylbutylaluminoxane and methylisobutylaluminoxane. In particular, methylaluminoxane, isobutylaluminoxane and methylisobutylaluminoxane can be preferably used.

【0042】また、これらアルキルアルミニウムオキシ
化合物には、トリメチルアルミニウム、トリエチルアル
ミニウム、トリイソブチルアルミニウム等のアルキルア
ルミニウム化合物を含んでいても良い。
The alkyl aluminum oxy compound may contain an alkyl aluminum compound such as trimethyl aluminum, triethyl aluminum and triisobutyl aluminum.

【0043】有機ホウ素化合物(c)としては下記一般
式(11)または(12)で示される有機ホウ素化合物
のうち少なくとも1つの化合物が挙げられる。
Examples of the organic boron compound (c) include at least one compound selected from the organic boron compounds represented by the following general formulas (11) or (12).

【0044】 (BR394041k (11) A(BR42434445k (12) 上記一般式(11)、(12)中、R39〜R45はそれぞ
れ同じでも異なっていても良く、炭素数1〜14のハロ
ゲン化アリール基またはハロゲン化アリロキシ基、炭化
水素基であり、Aは4級アミンまたは4級アンモニウム
塩またはカルボカチオンまたは価数+1〜+4の金属カ
チオンであり、kは1〜4までの整数を表す。
(BR 39 R 40 R 41 ) k (11) A (BR 42 R 43 R 44 R 45 ) k (12) In the general formulas (11) and (12), R 39 to R 45 are the same. Or may be different, and is a halogenated aryl group having 1 to 14 carbon atoms, a halogenated aryloxy group, or a hydrocarbon group, and A is a quaternary amine, a quaternary ammonium salt, a carbocation, or a metal having a valence of +1 to +4. It is a cation, and k represents an integer of 1 to 4.

【0045】有機ホウ素化合物(c)の具体例として
は、トリメチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)ボレート、トリエチルアンモニウムテトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニ
ルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)
ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス(ペン
タフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。最も好
ましくはトリフェニルカルベニウムテトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)ボレートである。
Specific examples of the organic boron compound (c) include trimethylammonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, triethylammonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, triphenylphosphonium tetrakis (pentafluorophenyl).
Examples thereof include borate and triphenylcarbenium tetrakis (pentafluorophenyl) borate. Most preferred is triphenylcarbenium tetrakis (pentafluorophenyl) borate.

【0046】遷移金属のメタロセン化合物(a)と有機
アルミニウムオキシ化合物(b)及び/または有機ホウ
素化合物(c)の好ましい触媒組成比は(a):(b)
または/及び(c)=1:0.01〜1:10000で
ある。触媒調製はあらかじめ、窒素、アルゴン等の不活
性ガス雰囲気下、好適な溶媒中で混合することにより行
っても良いし、(a)、(b)または/及び(c)それ
ぞれの成分を別々にモノマーが共存するリアクター内に
打ち込んで、リアクター内において調製しても良い。触
媒調製に好適な溶媒はヘキサン、シクロヘキサン等のア
ルカンをはじめとする炭化水素系溶媒とトルエン、ベン
ゼン、エチルベンゼン等の芳香族系の溶媒が挙げられ
る。またこれらの溶媒は前処理において水分等を除去し
ておくことが好ましい。触媒の調製温度としては、−2
0℃〜150℃が最適である。
The preferred catalyst composition ratio of the transition metal metallocene compound (a) to the organoaluminum oxy compound (b) and / or the organoboron compound (c) is (a) :( b).
Or / and (c) = 1: 0.01 to 1: 10000. The catalyst may be prepared in advance by mixing in a suitable solvent under an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon, or the components of (a), (b) or / and (c) may be separately prepared. It may be prepared in the reactor by implanting it in the reactor in which the monomer coexists. Suitable solvents for catalyst preparation include hydrocarbon solvents such as alkanes such as hexane and cyclohexane, and aromatic solvents such as toluene, benzene and ethylbenzene. Further, it is preferable to remove water and the like from these solvents in a pretreatment. The catalyst preparation temperature is -2.
The optimum temperature is 0 ° C to 150 ° C.

【0047】本発明の透明絶縁基板を構成する環状オレ
フィン樹脂の共重合方法は、モノマー類と触媒の存在
下、減圧、大気圧、加圧のいずれかの条件のもと、バル
ク、溶液、スラリーのいずれの方法でも行うことができ
る。
The method for copolymerizing the cyclic olefin resin constituting the transparent insulating substrate of the present invention is carried out in the presence of a monomer and a catalyst under reduced pressure, atmospheric pressure, or pressure under conditions of bulk, solution and slurry. It can be performed by any of the methods.

【0048】共重合を行うのに好適な温度範囲としては
−30℃〜260℃であり、好ましくは0℃〜200℃
である。また、共重合においては、窒素、アルゴン等の
不活性ガス雰囲気下で行っても良いし、エチレン雰囲気
下で行っても良い、またエチレン、及び/またはα−オ
レフィン類と上記の不活性ガスの混合雰囲気下でもかま
わない。さらに、分子量調節のために上記のガスに加え
て、水素を共存させてもかまわない。また、触媒成分を
アルミナ、塩化マグネシウム、シリカのような好適な担
体に担持させて用いてもかまわない。また所望ならば、
共重合に際して溶媒を用いることもできる。共重合に用
いるのに好適な溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサ
ン等、アルカンをはじめとする炭化水素系溶媒とトルエ
ン、ベンゼン、エチルベンゼン等の芳香族系の溶媒が挙
げられる。
The temperature range suitable for copolymerization is -30 ° C to 260 ° C, preferably 0 ° C to 200 ° C.
Is. In addition, the copolymerization may be carried out in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon, or may be carried out in an atmosphere of ethylene, and ethylene and / or α-olefins and the above inert gas may be used. It does not matter even in a mixed atmosphere. Further, hydrogen may be allowed to coexist in addition to the above gas for controlling the molecular weight. Further, the catalyst component may be supported on a suitable carrier such as alumina, magnesium chloride or silica. Also, if desired,
A solvent may be used in the copolymerization. Suitable solvents for use in the copolymerization include hexane, cyclohexane, and other hydrocarbon solvents such as alkanes, and aromatic solvents such as toluene, benzene, and ethylbenzene.

【0049】かかる共重合における好適な触媒量は[生
成ポリマー重量kg]/[触媒(a)成分1mol]=
10kg/1mol〜1000000kg/1mol程
度のポリマーを与える量である。
A suitable catalyst amount in such copolymerization is [weight of polymer produced (kg)] / [catalyst (a) component 1 mol] =
It is an amount that gives a polymer of about 10 kg / 1 mol to 1,000,000 kg / 1 mol.

【0050】本発明に用いられる環状オレフィン樹脂の
共重合後のポリマーの分離方法としては、例えば共重合
液にアセトンまたは酸もしくはアルカリを混合したアル
コール等の貧溶媒となる極性溶媒を加えて共重合体を沈
澱させて回収する方法、反応液を撹拌下、熱湯中に投入
後、溶媒と共に蒸留回収する方法、または直接反応液を
加熱して溶媒を留去する方法等を挙げることができる。
As a method for separating the polymer after the copolymerization of the cyclic olefin resin used in the present invention, for example, a polar solvent which is a poor solvent such as acetone or an alcohol mixed with an acid or an alkali is added to the copolymerization solution to carry out the copolymerization. Examples thereof include a method of precipitating and collecting the coalescence, a method of charging the reaction solution in hot water with stirring, and a method of distilling and collecting with the solvent, a method of directly heating the reaction solution and distilling the solvent.

【0051】本発明において、環状オレフィン樹脂には
必要に応じて熱安定剤、酸化防止剤、紫外線防止剤、滑
剤等を混合添加して用いることができる。例えば、酸化
防止剤としてはフェノール系酸化防止剤、リン酸系酸化
防止剤、イオウ系酸化防止剤を挙げることができるが、
これらの中でフェノール系酸化防止剤が好ましく用いら
れる。酸化防止剤は単独で用いても、2種以上を組み合
わせて用いてもよい。配合量は本発明の目的を損なわ
ず、また添加剤の効果の発現する範囲で選択されるが、
環状オレフィン樹脂100重量部に対し、好ましくは
0.001〜5重量部、さらに好ましくは0.01〜1
重量部である。
In the present invention, a heat stabilizer, an antioxidant, a UV inhibitor, a lubricant and the like can be mixed and added to the cyclic olefin resin, if necessary. For example, examples of the antioxidant include a phenolic antioxidant, a phosphoric acid antioxidant, and a sulfur antioxidant,
Of these, phenolic antioxidants are preferably used. The antioxidants may be used alone or in combination of two or more. The blending amount is selected within the range that does not impair the object of the present invention and that the effect of the additive is expressed,
With respect to 100 parts by weight of the cyclic olefin resin, preferably 0.001 to 5 parts by weight, more preferably 0.01 to 1
Parts by weight.

【0052】また本発明にかかる環状オレフィン樹脂に
は、その目的を損なわない範囲で、他の高分子材料、無
機強化材などを混合添加することができる。例えば、無
機材料としてはガラスファイバー、ガラスウール、フラ
ーレン、カーボンナノチューブ、タルク、マイカ、カオ
リン、シリカ、アルミナなどが挙げられる。
Further, to the cyclic olefin resin according to the present invention, other polymer materials, inorganic reinforcing materials and the like can be mixed and added within a range not impairing the purpose. Examples of the inorganic material include glass fiber, glass wool, fullerene, carbon nanotube, talc, mica, kaolin, silica and alumina.

【0053】本発明の透明絶縁基板の成形方法に関して
は特に制限がなく、公知の方法が用いられ、射出成形
法、押出成形法、圧縮成形法、キャスト成形法などが挙
げられる。
The method for molding the transparent insulating substrate of the present invention is not particularly limited, and known methods may be used, such as injection molding method, extrusion molding method, compression molding method, cast molding method and the like.

【0054】射出成形する場合には、溶融樹脂に二酸化
炭素を溶解し、溶融粘度を下げて金型中に射出すること
が好ましい。この時、金型中にも二酸化炭素、窒素等の
ガスを圧入し、発泡を抑えることが好ましい。
In the case of injection molding, it is preferable to dissolve carbon dioxide in a molten resin, reduce the melt viscosity, and inject it into a mold. At this time, it is preferable to suppress the foaming by injecting a gas such as carbon dioxide or nitrogen into the mold.

【0055】本発明の透明絶縁基板の表面平滑性(R
a)は20nm以下であることが好ましく、さらに好ま
しくは15nm以下である。
The surface smoothness (R
a) is preferably 20 nm or less, more preferably 15 nm or less.

【0056】また本発明の透明絶縁基板の表面には、該
表面に設ける他の薄膜材料との密着性を向上するために
放電処理、火炎処理、オゾン処理、電離活性線処理、プ
ラズマ処理、酸化剤処理の少なくとも1つまたは複数処
理を併用して施すことができる。
The surface of the transparent insulating substrate of the present invention is subjected to discharge treatment, flame treatment, ozone treatment, ionizing actinic ray treatment, plasma treatment, oxidation in order to improve adhesion with other thin film materials provided on the surface. At least one or a plurality of treatments can be used in combination.

【0057】本発明の透明絶縁基板の厚さは0.05m
m以上1.0mm以下が好ましく、さらに好ましくは
0.1mm以上0.7mm以下であり、特に好ましくは
0.1mm以上0.4mm以下である。
The thickness of the transparent insulating substrate of the present invention is 0.05 m.
It is preferably m or more and 1.0 mm or less, more preferably 0.1 mm or more and 0.7 mm or less, and particularly preferably 0.1 mm or more and 0.4 mm or less.

【0058】本発明の透明絶縁基板は、ガラス転移温度
が230℃以上で耐熱性に優れることから、絶縁膜形成
等の熱処理工程にも十分に耐え得る。よって、本発明の
透明絶縁基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁
膜、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有するT
FTと、該ドレイン電極に電気的に接続された画素電極
とを基板の変形を生じることなく設けて、軽量のアクテ
ィブマトリクス基板を構成することができる。
Since the transparent insulating substrate of the present invention has a glass transition temperature of 230 ° C. or higher and is excellent in heat resistance, it can sufficiently withstand a heat treatment process such as formation of an insulating film. Therefore, a T having at least a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on the transparent insulating substrate of the present invention.
By providing the FT and the pixel electrode electrically connected to the drain electrode without deforming the substrate, a lightweight active matrix substrate can be formed.

【0059】尚、アクティブマトリクス基板の各部材の
形成工程において、基板温度が環状オレフィン樹脂のガ
ラス転移温度以上にならないように制御する必要があ
る。この他に必要に応じてアンダーコート層等を設ける
ことができる。このようなアクティブマトリクス基板
は、液晶表示素子、有機EL表示素子、FED表示素子
等の表示素子におけるアクティブ駆動基板として有用で
ある。例えば、液晶表示素子として用いる場合には、さ
らにこの基板上にトップコート層を形成後、液晶の配向
膜を形成することができる。さらに本基板には偏光板を
設けることができる。また、本発明の透明絶縁基板は、
液晶表示素子等を構成する単純マトリクス基板にも用い
ることができる。
In the process of forming each member of the active matrix substrate, it is necessary to control the substrate temperature so that it does not exceed the glass transition temperature of the cyclic olefin resin. In addition to this, an undercoat layer or the like can be provided if necessary. Such an active matrix substrate is useful as an active driving substrate in a display element such as a liquid crystal display element, an organic EL display element, an FED display element. For example, when used as a liquid crystal display element, a liquid crystal alignment film can be formed after further forming a top coat layer on this substrate. Further, a polarizing plate can be provided on this substrate. Further, the transparent insulating substrate of the present invention,
It can also be used for a simple matrix substrate that constitutes a liquid crystal display element or the like.

【0060】本発明の液晶表示素子は、本発明のアクテ
ィブマトリクス基板と、別途形成した、プラスチック透
明絶縁基板上に少なくとも透明電極を設けた対向電極基
板とを対向配置し、その間隙に液晶材料を封入すること
で構成される。以下、当該液晶表示素子の構成について
説明する。
In the liquid crystal display device of the present invention, the active matrix substrate of the present invention and a counter electrode substrate, which is separately formed and at least a transparent electrode is provided on a plastic transparent insulating substrate, are arranged to face each other, and a liquid crystal material is placed in the gap. It is composed by enclosing. The configuration of the liquid crystal display element will be described below.

【0061】本発明の液晶表示素子において、アクティ
ブマトリクス基板を構成する透明絶縁基板と対向電極基
板を構成する透明絶縁基板とは、同一材料で形成されて
も、異なる材料で形成されても、同じプロセスで製造さ
れても、異なるプロセスで製造されてもよく、またその
厚さも同一でも異なっていてもどちらでもよい。
In the liquid crystal display device of the present invention, the transparent insulating substrate forming the active matrix substrate and the transparent insulating substrate forming the counter electrode substrate are the same whether they are formed of the same material or different materials. It may be manufactured by a process or a different process, and its thickness may be the same or different.

【0062】よって、本発明にかかる対向電極基板を構
成する透明絶縁基板の樹脂材料としては、特に制限はな
く、従来より用いられているポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレート、ポリエーテルスルホン、いわゆる
環状オレフィン樹脂として従来より知られるノルボルネ
ン類とα−オレフィンの付加共重合によるものや、ノル
ボルネン類の開環メタセシス重合体を水素添加したもの
を用いることができる。
Therefore, the resin material of the transparent insulating substrate constituting the counter electrode substrate according to the present invention is not particularly limited, and conventionally used polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyethersulfone, so-called cyclic olefin resin. A conventionally known addition-copolymerization of norbornenes and α-olefins or a hydrogenated norbornene ring-opening metathesis polymer can be used.

【0063】また、本発明のアクティブマトリクス基板
と同様の、炭素数が2〜4の直鎖状または分岐状のα−
オレフィンと一般式(1)で表される環状オレフィン樹
脂とのランダム共重合体を用いる場合、そのガラス転移
温度は130℃以上が好ましい。さらに好ましくは15
0℃以上である。ガラス転移温度が130℃未満では後
述する透明電極の形成置が困難になる。またガラス転移
温度の上限は350℃である。ガラス転移温度が350
℃を超えると、射出成形、押出成形等の成形が困難にな
る。よって、対向電極基板を構成するプラスチック透明
絶縁基板に上記環状オレフィン樹脂を用いる場合、用い
るα−オレフィン、環状オレフィンの共重合組成は、そ
の種類に応じて決められるが、好ましくは、α−オレフ
ィンが1〜55mol%、環状オレフィンが45〜99
mol%である。また当該共重合体の重量平均分子量M
wは5000〜500000の範囲にあるのが好まし
い。尚、本対向電極基板を環状オレフィン樹脂で形成す
る場合には、対向するアクティブマトリクス基板を構成
する環状オレフィン樹脂と同一であっても異なっていて
もいずれでもよい。
Further, as in the case of the active matrix substrate of the present invention, a linear or branched α- having 2 to 4 carbon atoms is used.
When a random copolymer of an olefin and a cyclic olefin resin represented by the general formula (1) is used, its glass transition temperature is preferably 130 ° C or higher. More preferably 15
It is 0 ° C or higher. If the glass transition temperature is less than 130 ° C., it will be difficult to form and place a transparent electrode described later. The upper limit of the glass transition temperature is 350 ° C. Glass transition temperature is 350
When the temperature exceeds ℃, molding such as injection molding and extrusion molding becomes difficult. Therefore, when the above-mentioned cyclic olefin resin is used for the plastic transparent insulating substrate that constitutes the counter electrode substrate, the α-olefin used and the copolymerization composition of the cyclic olefin are determined according to the type thereof, but the α-olefin is preferably 1-55 mol%, cyclic olefin 45-99
It is mol%. Further, the weight average molecular weight M of the copolymer
It is preferable that w is in the range of 5,000 to 500,000. When the counter electrode substrate is formed of a cyclic olefin resin, it may be the same as or different from the cyclic olefin resin forming the opposing active matrix substrate.

【0064】対向電極基板用の透明絶縁基板には、必要
に応じて、ハードコート層、水分等の浸入を防ぐバリア
層を設けることができる。ハードコート層としては、公
知の有機シリケート化合物のゾル−ゲル反応によるシロ
キサン層や、SiOx層が例示される。バリア層として
は、ポリビニルアルコール、EVOH(ポリエチレンビ
ニルアルコール)のような有機ポリマーからなるもの、
SiOxのような無機薄膜によるものいずれでも構わな
い。バリア性のあるハードコート層を用いることによ
り、ハードコート層とバリア層を1層で兼ねることも可
能である。
If necessary, the transparent insulating substrate for the counter electrode substrate may be provided with a hard coat layer and a barrier layer for preventing infiltration of water and the like. Examples of the hard coat layer include a siloxane layer formed by a sol-gel reaction of a known organic silicate compound and a SiO x layer. The barrier layer is made of an organic polymer such as polyvinyl alcohol or EVOH (polyethylene vinyl alcohol),
Any of inorganic thin films such as SiO x may be used. By using a hard coat layer having a barrier property, it is possible to combine the hard coat layer and the barrier layer into one layer.

【0065】また、対向電極基板に形成される透明電極
の材料としては、特に限定されないが、例えばITO、
酸化スズ、酸化インジウムなどが用いられ、スパッタリ
ング、パターニングなどにより設けられる。この基板に
は配向膜や、ブラックマトリクス、カラーフィルタなど
を設けることができる。
The material of the transparent electrode formed on the counter electrode substrate is not particularly limited, but for example, ITO,
Tin oxide, indium oxide, or the like is used and is provided by sputtering, patterning, or the like. An alignment film, a black matrix, a color filter, or the like can be provided on this substrate.

【0066】上記アクティブマトリクス基板と対向電極
基板とはスペーサーを介して貼り合わせられ、その間隙
に液晶を注入して、封止し、液晶表示素子が形成され
る。
The active matrix substrate and the counter electrode substrate are bonded together via a spacer, and liquid crystal is injected into the gap and sealed to form a liquid crystal display element.

【0067】本発明の液晶表示素子は基板がプラスチッ
ク化されたことにより、軽量化、且つ高耐衝撃性が実現
され、携帯用途の液晶表示素子等として非常に有用であ
る。
Since the substrate of the liquid crystal display device of the present invention is made of plastic, weight reduction and high impact resistance are realized, and it is very useful as a liquid crystal display device for portable use.

【0068】[0068]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明がこれらに限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
The present invention is not limited to these.

【0069】本実施例における環状オレフィン樹脂の諸
特性、基板の特性に関しては以下のように測定した。
The various properties of the cyclic olefin resin and the properties of the substrate in this example were measured as follows.

【0070】(a)共重合組成 Macromolecules,31,4674(19
98)に従い、13C−NMRスペクトルを用いて行っ
た。NMR測定はd6−ベンゼン/1,2,4−トリク
ロロベンゼン(1/1vol比)溶液中で行った。
(A) Copolymer composition Macromolecules, 31, 4674 (19)
98) and using a 13 C-NMR spectrum. The NMR measurement was performed in a d 6 -benzene / 1,2,4-trichlorobenzene (1/1 vol ratio) solution.

【0071】(b)分子量 GPC法により140℃において、o−ジクロルベンゼ
ンを測定溶媒として、UV/RIにより検出し、ポリス
チレン換算により求めた。
(B) Molecular weight At 140 ° C. by GPC method, o-dichlorobenzene was used as a measuring solvent, UV / RI was used for detection, and polystyrene conversion was used.

【0072】(c)ガラス転移温度(Tg) 示差走査熱量計(DSC)を用い、窒素雰囲気下、20
℃/分の昇温速度で求めた。
(C) Glass transition temperature (Tg) Using a differential scanning calorimeter (DSC), under a nitrogen atmosphere, 20
It was determined at a temperature rising rate of ° C / min.

【0073】(d)表面平滑性(Ra) JIS B 0601に従って算術平均粗さRaを求め
た。
(D) Surface smoothness (Ra) The arithmetic mean roughness Ra was determined according to JIS B 0601.

【0074】(メタロセン化合物製造例1)予め、−2
0℃に冷却したNaH(2.25mmol)を分散させ
た脱水ジエチルエーテル(20ml)中に、マロン酸ジ
メチル(2.25mmol)をゆっくり滴下し、攪拌し
つつ、0℃に昇温させた。得られた上記分散液に、メチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムトリクロライド
(2.25mmol)を含む脱水トルエン溶液(20m
l)を滴下し、2時間攪拌した。溶媒を留去し、脱水ト
ルエンで抽出後、ろ過し、ろ液を濃縮後、再結晶し、錯
体−1を得た。
(Metallocene Compound Production Example 1) In advance, -2
Dimethyl malonate (2.25 mmol) was slowly added dropwise to dehydrated diethyl ether (20 ml) in which NaH (2.25 mmol) cooled to 0 ° C was dispersed, and the temperature was raised to 0 ° C with stirring. A dehydrated toluene solution (20 m) containing methylcyclopentadienyl zirconium trichloride (2.25 mmol) was added to the obtained dispersion.
1) was added dropwise and stirred for 2 hours. The solvent was evaporated, the mixture was extracted with dehydrated toluene, filtered, and the filtrate was concentrated and recrystallized to obtain complex-1.

【0075】(メタロセン化合物製造例2)予め、−2
0℃に冷却したNaH(2.25mmol)を分散させ
た脱水ジエチルエーテル(20ml)中に、2−アセチ
ルシクロヘキサノン(2.25mmol)をゆっくり滴
下し、攪拌しつつ、0℃に昇温させた。得られた上記分
散液に、シクロペンタジエニルジルコニウムトリクロラ
イド(2.25mmol)を含む脱水トルエン溶液(2
0ml)を滴下し、2時間攪拌した。溶媒を留去し、脱
水トルエンで抽出後ろ過し、ろ液を濃縮後、再結晶し、
錯体−2を得た。
(Metallocene Compound Production Example 2) In advance, -2
2-Acetylcyclohexanone (2.25 mmol) was slowly added dropwise to dehydrated diethyl ether (20 ml) in which NaH (2.25 mmol) cooled to 0 ° C was dispersed, and the temperature was raised to 0 ° C with stirring. A dehydrated toluene solution (2 containing cyclopentadienyl zirconium trichloride (2.25 mmol) was added to the obtained dispersion liquid.
0 ml) was added dropwise and the mixture was stirred for 2 hours. The solvent was distilled off, the mixture was extracted with dehydrated toluene, filtered, and the filtrate was concentrated and recrystallized.
Complex-2 was obtained.

【0076】(樹脂製造例1)内部を真空脱気し窒素置
換した2000mlのオートクレーブに、精製したノル
ボルネンのトルエン溶液250ml(ノルボルネンとし
て100g)を導入した。次いで、MMAO(東ソーア
クゾ社製メチルアルミノキサン)5mmolを含む精製
トルエン溶液100mlをオートクレーブに導入した
後、0.37MPaのエチレンガスを導入した。オート
クレーブの内温を80℃に保ち、金属錯体として錯体−
1を5μmol含む精製トルエン溶液100mlをオー
トクレーブに加え重合反応を開始させた。オートクレー
ブの内温及びエチレン圧を保ちつつ、攪拌しながら60
分間重合し、環状オレフィン樹脂−1を得た。
(Resin Production Example 1) 250 ml of a purified norbornene toluene solution (100 g of norbornene) was introduced into a 2000 ml autoclave whose interior was degassed in vacuum and purged with nitrogen. Then, 100 ml of a purified toluene solution containing 5 mmol of MMAO (methylaluminoxane manufactured by Tosoh Akzo) was introduced into the autoclave, and then 0.37 MPa of ethylene gas was introduced. Keeping the internal temperature of the autoclave at 80 ° C, the metal complex is
100 ml of a purified toluene solution containing 5 μmol of 1 was added to the autoclave to start the polymerization reaction. While maintaining the internal temperature and ethylene pressure of the autoclave, stirring 60
Polymerization was carried out for a minute to obtain cyclic olefin resin-1.

【0077】得られた環状オレフィン樹脂−1のノルボ
ルネン含量は85mol%、ガラス転移温度は253
℃、重量平均分子量Mwは38000であった。
The cyclic olefin resin-1 thus obtained had a norbornene content of 85 mol% and a glass transition temperature of 253.
C., the weight average molecular weight Mw was 38,000.

【0078】(樹脂製造例2)エチレン圧を0.29M
Paとした以外は樹脂製造例1と同様にして重合し、環
状オレフィン樹脂−2を得た。
(Resin Production Example 2) Ethylene pressure was 0.29 M
Polymerization was performed in the same manner as in Resin Production Example 1 except that Pa was used to obtain cyclic olefin resin-2.

【0079】得られた環状オレフィン樹脂−2のノルボ
ルネン含量は91mol%、ガラス転移温度は275
℃、重量平均分子量Mwは34000であった。
The cyclic olefin resin-2 thus obtained had a norbornene content of 91 mol% and a glass transition temperature of 275.
C., the weight average molecular weight Mw was 34,000.

【0080】(樹脂製造例3)金属錯体として錯体−2
を用い、エチレン圧を0.52MPaとした以外は樹脂
製造例1と同様にして重合し、環状オレフィン樹脂−3
を得た。
(Resin Production Example 3) Complex-2 as a metal complex
Was used, and polymerization was carried out in the same manner as in Resin Production Example 1 except that the ethylene pressure was changed to 0.52 MPa, to give a cyclic olefin resin-3.
Got

【0081】得られた環状オレフィン樹脂−3のノルボ
ルネン含量は55mol%、ガラス転移温度は154
℃、重量平均分子量Mwは72000であった。
The cyclic olefin resin-3 thus obtained had a norbornene content of 55 mol% and a glass transition temperature of 154.
C., the weight average molecular weight Mw was 72,000.

【0082】(実施例1)樹脂製造例1で得られた環状
オレフィン樹脂−1を原料に、図1に示す金型を用いて
射出成形した。図1中、1は金型、1aは固定型、1b
は可動型、2は金型キャビティ、3はパーティング面、
4は二酸化炭素の供給・排出ライン、5はスプルー、6
はランナー、7はエジェクターピン、8はシール材、9
は供給用電磁弁、10は開放用電磁弁、11は金型キャ
ビティ2内の二酸化炭素を逃がすためのスペース、12
はスリットである。以下、本実施例の射出成形工程につ
いて説明する。
(Example 1) Resin The cyclic olefin resin-1 obtained in Production Example 1 was used as a raw material and injection-molded using the mold shown in FIG. In FIG. 1, 1 is a mold, 1a is a fixed mold, 1b
Is a movable mold, 2 is a mold cavity, 3 is a parting surface,
4 is a carbon dioxide supply / discharge line, 5 is a sprue, 6
Is a runner, 7 is an ejector pin, 8 is a sealing material, 9
Is a solenoid valve for supply, 10 is a solenoid valve for opening, 11 is a space for releasing carbon dioxide in the mold cavity 2, 12
Is a slit. Hereinafter, the injection molding process of this embodiment will be described.

【0083】先ず、図1の金型1を閉じた状態で、二酸
化炭素の供給・排出ライン4上の供給用電磁弁9を開に
し、金型キャビティ2内に二酸化炭素を供給する。射出
成形機のシリンダー内に二酸化炭素を供給して、溶融樹
脂に二酸化炭素を吸収、溶解させ、該樹脂を金型キャビ
ティ2内に射出する際、二酸化炭素供給・排出ライン4
に接続されている開放用電磁弁10を樹脂充填と同時に
開とすることにより、金型キャビティ2内の二酸化炭素
は、供給時と逆の流れになり、スリット12を通過して
二酸化炭素供給・排出ライン4に戻り、金型外部に排出
される。
First, with the mold 1 shown in FIG. 1 closed, the supply solenoid valve 9 on the carbon dioxide supply / discharge line 4 is opened to supply carbon dioxide into the mold cavity 2. When carbon dioxide is supplied into the cylinder of the injection molding machine to absorb and dissolve the carbon dioxide in the molten resin and the resin is injected into the mold cavity 2, the carbon dioxide supply / discharge line 4
By opening the solenoid valve 10 for opening which is connected to at the same time as the resin filling, the carbon dioxide in the mold cavity 2 has a flow reverse to that at the time of supply and passes through the slit 12 to supply carbon dioxide. It returns to the discharge line 4 and is discharged to the outside of the mold.

【0084】尚、本実施例で用いた金型のキャビティ部
は長方形の平板形状であり、その寸法は長辺部分が40
mm、短辺部分が30mm、厚みが200μmである。
The cavity of the mold used in this example has a rectangular flat plate shape, and its dimension is 40 on the long side.
mm, the short side portion is 30 mm, and the thickness is 200 μm.

【0085】以下に、具体的な成形条件を記載する。 成形機:住友重機械工業(株)SG125M−HP 成形機シリンダー温度:400℃ 射出速度:500mm/sec 樹脂保圧:7.8MPa(作動油圧力) 樹脂保圧時間:3sec 冷却時間:10sec 金型温度:110℃ 金型キャビティへの二酸化炭素注入圧力:0.5MPa 成形機シリンダーへの二酸化炭素注入圧力:8MPaSpecific molding conditions will be described below. Molding machine: Sumitomo Heavy Industries, Ltd. SG125M-HP Molding machine cylinder temperature: 400 ℃ Injection speed: 500 mm / sec Resin holding pressure: 7.8 MPa (hydraulic oil pressure) Resin holding time: 3 sec Cooling time: 10 sec Mold temperature: 110 ℃ Carbon dioxide injection pressure into the mold cavity: 0.5 MPa Carbon dioxide injection pressure into the molding machine cylinder: 8 MPa

【0086】上記射出条件で得られた透明絶縁基板のR
aは3nmであった。
R of the transparent insulating substrate obtained under the above injection conditions
a was 3 nm.

【0087】(実施例2)樹脂製造例2で得られた環状
オレフィン樹脂−2を原料に、成形機シリンダーへの二
酸化炭素注入圧力を12.6MPaに変更する以外は実
施例1と同様にして射出成形を実施し、透明絶縁基板を
得た。
Example 2 The same procedure as in Example 1 was carried out except that the cyclic olefin resin-2 obtained in Resin Production Example 2 was used as the raw material and the carbon dioxide injection pressure into the molding machine cylinder was changed to 12.6 MPa. Injection molding was carried out to obtain a transparent insulating substrate.

【0088】得られた透明絶縁性基板のRaは、5nm
であった。
Ra of the obtained transparent insulating substrate was 5 nm.
Met.

【0089】(実施例3)実施例1で得られた透明絶縁
基板の一方の表面にスパッタ法により、SiOxからな
る無機ガスバリア層を形成した。続いて、メチルトリメ
トキシシリケートを主とするシロキサン系ハードコート
をディップ法で塗布し、150℃で1時間で硬化させ
た。
Example 3 An inorganic gas barrier layer made of SiO x was formed on one surface of the transparent insulating substrate obtained in Example 1 by a sputtering method. Subsequently, a siloxane-based hard coat containing methyltrimethoxysilicate as a main component was applied by a dip method and cured at 150 ° C. for 1 hour.

【0090】続いて図2に模式的に示した断面構造のT
FTアレイを基板上に形成した。図2中、21はゲート
電極、22はゲート絶縁膜、23は半導体層、24は画
素電極、25はドレイン電極、26はソース電極、27
は保護膜、28は透明絶縁基板である。
Subsequently, T of the sectional structure schematically shown in FIG.
An FT array was formed on the substrate. In FIG. 2, 21 is a gate electrode, 22 is a gate insulating film, 23 is a semiconductor layer, 24 is a pixel electrode, 25 is a drain electrode, 26 is a source electrode, 27
Is a protective film and 28 is a transparent insulating substrate.

【0091】先ずTa金属膜をスパッタリングにより成
膜した後、フォトリソグラフィー技術により該金属膜の
エッチングを実施し、ゲート電極21を形成した。次い
でCVD法により、SiOxからなるゲート絶縁膜22
を形成した。さらにCVD法でアモルファスシリコン
(a−Si)膜を成膜し、リンをドープした。フォトリ
ソグラフィー技術を用いて、該a−Si膜をエッチング
し、半導体層23を形成した。引き続きITOをスパッ
タし、フォトリソグラフィー工程で画素電極24を形成
した。次いで、アルミニウムをスパッタ成膜した後、フ
ォトリソグラフィー技術を用いてソース電極26、ドレ
イン電極25を形成した。最後にSiNx膜をCVDで
形成し、フォトリソグラフィー技術でパターニングし、
保護膜27を形成し、アクティブマトリクス基板を得
た。
First, a Ta metal film was formed by sputtering, and then the metal film was etched by a photolithography technique to form a gate electrode 21. Then, the gate insulating film 22 made of SiO x is formed by the CVD method.
Was formed. Further, an amorphous silicon (a-Si) film was formed by the CVD method and phosphorus was doped. The a-Si film was etched by using a photolithography technique to form the semiconductor layer 23. Subsequently, ITO was sputtered and a pixel electrode 24 was formed by a photolithography process. Then, after forming aluminum by sputtering, a source electrode 26 and a drain electrode 25 were formed by using a photolithography technique. Finally, a SiN x film is formed by CVD and patterned by photolithography technology,
A protective film 27 was formed to obtain an active matrix substrate.

【0092】以上のようにして得られたアクティブマト
リクス基板はTFT形成工程における透明絶縁基板28
の変形や、薄膜のクラック等の発生もなく良好な基板が
得られた。
The active matrix substrate obtained as described above is the transparent insulating substrate 28 in the TFT forming process.
A good substrate was obtained without any deformation or cracking of the thin film.

【0093】(実施例4)実施例2で得られた透明絶縁
基板の一方の表面にスパッタ法により、SiOxからな
る無機ガスバリア層を形成した。続いて、メチルトリメ
トキシシリケートを主とするシロキサン系ハードコート
をディップ法で塗布し、150℃で1時間で硬化させ
た。次いで、実施例3と同様の手順でTFTアレイを形
成し、アクティブマトリクス基板を得た。
Example 4 An inorganic gas barrier layer made of SiO x was formed on one surface of the transparent insulating substrate obtained in Example 2 by the sputtering method. Subsequently, a siloxane-based hard coat containing methyltrimethoxysilicate as a main component was applied by a dip method and cured at 150 ° C. for 1 hour. Then, a TFT array was formed in the same procedure as in Example 3 to obtain an active matrix substrate.

【0094】得られたアクティブマトリクス基板はTF
T形成工程における透明絶縁基板の変形や、薄膜のクラ
ック等の発生もなく良好な基板が得られた。
The obtained active matrix substrate is TF
A good substrate was obtained without deformation of the transparent insulating substrate or generation of cracks in the thin film in the T formation step.

【0095】(比較例1)厚さが200μmのポリカー
ボネート製シートを透明絶縁基板として用いた以外は実
施例3と同様にしてTFTアレイの形成を試みた。しか
しながら、基板の耐熱性が不足していることから、TF
Tアレイを形成することは困難であった。
Comparative Example 1 An attempt was made to form a TFT array in the same manner as in Example 3 except that a polycarbonate sheet having a thickness of 200 μm was used as a transparent insulating substrate. However, since the heat resistance of the substrate is insufficient, TF
Forming a T-array has been difficult.

【0096】(実施例5)樹脂製造例3で得られた環状
オレフィン樹脂−3からなる厚さ200μmのシート状
基板の一方の表面にスパッタ法により、SiOxからな
る無機ガスバリア層を形成した。続いて、メチルトリメ
トキシシリケートを主とするシロキサン系ハードコート
をディップ法で塗布し、120℃で2時間で硬化させ
た。この基板上にカラーフィルターを形成し、さらにス
パッタリングによりITOからなる透明電極を形成し、
対向電極基板を形成した。
Example 5 An inorganic gas barrier layer made of SiO x was formed on one surface of a 200 μm thick sheet-like substrate made of the cyclic olefin resin-3 obtained in Resin Production Example 3 by a sputtering method. Subsequently, a siloxane-based hard coat containing methyltrimethoxysilicate as a main component was applied by a dip method and cured at 120 ° C. for 2 hours. A color filter is formed on this substrate, and a transparent electrode made of ITO is formed by sputtering,
A counter electrode substrate was formed.

【0097】実施例3で得られたアクティブマトリクス
基板と、本実施例で作製した対向電極基板に、それぞれ
ポリイミド溶液を塗布後、乾燥、焼成し、さらにラビン
グ処理を施して配向膜を形成した。
The active matrix substrate obtained in Example 3 and the counter electrode substrate prepared in this example were each coated with a polyimide solution, dried and baked, and then rubbed to form an alignment film.

【0098】引き続きアクティブマトリクス基板外周に
紫外線硬化樹脂からなるシール材を印刷し、ポリマービ
ーズを分散させたギャップ剤を塗布して上記アクティブ
マトリクス基板と対向電極基板とを貼り合わせ、紫外線
を照射して上記シール材を硬化させ、セルを形成した。
最後に真空方式により液晶材料をセル内に注入し、注入
口を封止してプラスチック液晶表示素子を作製した。
Subsequently, a sealing material made of an ultraviolet curable resin is printed on the outer periphery of the active matrix substrate, a gap agent in which polymer beads are dispersed is applied, the active matrix substrate and the counter electrode substrate are bonded together, and ultraviolet rays are irradiated. The sealing material was cured to form a cell.
Finally, a liquid crystal material was injected into the cell by a vacuum method and the injection port was sealed to produce a plastic liquid crystal display element.

【0099】以上のようにして得られた液晶表示素子
は、外見上も問題なく、良好なパネルであった。
The liquid crystal display device obtained as described above was a good panel with no problem in appearance.

【0100】[0100]

【発明の効果】本発明の透明絶縁基板は透明で、耐熱性
に優れていることから、TFTアレイの形成工程におい
ても変形することがなく、従来のガラス基板に代えてア
クティブマトリクス基板を容易に形成することができ
る。よって、該アクティブマトリクス基板を用いて、よ
り軽量で耐衝撃性に優れた液晶表示素子等表示素子の提
供が可能となる。
Since the transparent insulating substrate of the present invention is transparent and has excellent heat resistance, it does not deform even in the process of forming a TFT array, and an active matrix substrate can be easily used in place of a conventional glass substrate. Can be formed. Therefore, it becomes possible to provide a display element such as a liquid crystal display element which is lighter in weight and excellent in impact resistance by using the active matrix substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例で樹脂の射出成形に使用した金
型構造の断面模式図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a mold structure used for resin injection molding in an example of the present invention.

【図2】本発明の実施例で作製したアクティブマトリク
ス基板のTFTアレイの構成を示す断面模式図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a TFT array of an active matrix substrate manufactured in an example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 金型 1a 固定型 1b 可動型 2 金型キャビティ 3 金型パーティング面 4 二酸化炭素供給・排出ライン 5 スプルー 6 ランナー 7 エジェクターピン 8 シール材 9 供給用電磁弁 10 開放用電磁弁 11 金型キャビティ内の二酸化炭素を逃がすためのス
ペース 12 スリット 21 ゲート電極 22 ゲート絶縁膜 23 半導体層 24 画素電極 25 ドレイン電極 26 ソース電極 27 保護膜 28 透明絶縁基板
1 Mold 1a Fixed Mold 1b Movable Mold 2 Mold Cavity 3 Mold Parting Surface 4 Carbon Dioxide Supply / Discharge Line 5 Sprue 6 Runner 7 Ejector Pin 8 Sealant 9 Supply Solenoid Valve 10 Open Solenoid Valve 11 Mold Cavity Space for letting out carbon dioxide inside 12 Slit 21 Gate electrode 22 Gate insulating film 23 Semiconductor layer 24 Pixel electrode 25 Drain electrode 26 Source electrode 27 Protective film 28 Transparent insulating substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1333 500 G02F 1/1333 500 5F110 G09F 9/35 G09F 9/35 H01L 29/786 C08F 210:00 //(C08F 232/00 B29K 23:00 210:00) C08L 45:00 B29K 23:00 H01L 29/78 626C C08L 45:00 Fターム(参考) 2H090 JA06 JB03 JC07 JC08 JC09 JD17 4F071 AA15X AA20X AA39X AA76 AF30 AH13 BB05 BC03 4F206 AA03E JA07 JF06 4J100 AA01Q AA02Q AA03Q AR05P AR11P DA25 DA62 JA46 5C094 AA15 AA36 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB01 5F110 AA30 BB01 CC05 CC07 DD01 DD06 DD12 DD13 DD17 EE04 EE44 FF02 FF29 GG02 GG15 GG32 GG44 HK03 HK33 NN02 NN24 NN35 NN72 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02F 1/1333 500 G02F 1/1333 500 5F110 G09F 9/35 G09F 9/35 H01L 29/786 C08F 210: 00 // (C08F 232/00 B29K 23:00 210: 00) C08L 45:00 B29K 23:00 H01L 29/78 626C C08L 45:00 F Term (reference) 2H090 JA06 JB03 JC07 JC08 JC09 JD17 4F071 AA15X AA20X AA39X AA76 AF30 AH13 BB05 BC03 4F206 AA03E JA07 JF06 4J100 AA01Q AA02Q AA03Q AR05P AR11P DA25 DA62 JA46 5C094 AA15 AA36 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB01 5F110 AA30 BB01 CC05 CC07 DD01 DD06 DD12 DD13 DD17 EE04 EE44 FF02 FF29 GG02 GG15 GG32 GG44 HK03 HK33 NN02 NN24 NN35 NN72

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも炭素数が2〜4の直鎖状また
は分岐状のα−オレフィンと下記一般式(1)で表わさ
れる環状オレフィンとをモノマー成分として含有するラ
ンダム共重合体であって、ガラス転位温度が230℃以
上である環状オレフィン樹脂を成形してなることを特徴
とする透明絶縁基板。 【化1】 (式中、nは0、1、2のいずれかであり、R1〜R
8は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、炭化水素基
であり、R9〜R12はそれぞれ独立に水素、ハロゲン原
子、炭化水素基、或いは、R9或いはR10のみ、R11
いはR12のみが二重結合で置換した炭化水素基であり、
また、R9〜R12は互いに結合して単環または多環を形
成していてもよく、その単環または多環が二重結合を有
していてもよい。また、上記炭化水素基はハロゲン原子
で置換されていても良い。)
1. A random copolymer containing, as a monomer component, a linear or branched α-olefin having at least 2 to 4 carbon atoms and a cyclic olefin represented by the following general formula (1): A transparent insulating substrate formed by molding a cyclic olefin resin having a glass transition temperature of 230 ° C. or higher. [Chemical 1] (In the formula, n is 0, 1, or 2, and R 1 to R 1
8 independently represents hydrogen, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and R 9 to R 12 each independently represents hydrogen, a halogen atom, a hydrocarbon group, or only R 9 or R 10, and only R 11 or R 12. Is a hydrocarbon group substituted with a double bond,
R 9 to R 12 may be bonded to each other to form a monocycle or polycycle, and the monocycle or polycycle may have a double bond. Further, the above hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom. )
【請求項2】 表面平滑性Raが20nm以下である請
求項1に記載の透明絶縁基板。
2. The transparent insulating substrate according to claim 1, wherein the surface smoothness Ra is 20 nm or less.
【請求項3】 上記環状オレフィン樹脂に二酸化炭素を
溶解させて金型内に樹脂を射出することにより射出成形
された請求項1または2に記載の透明絶縁基板。
3. The transparent insulating substrate according to claim 1, which is injection-molded by dissolving carbon dioxide in the cyclic olefin resin and injecting the resin into a mold.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の透明絶
縁基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、半
導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トラ
ンジスタと、該ドレイン電極に電気的に接続された画素
電極とを設けたことを特徴とするアクティブマトリクス
基板。
4. A thin film transistor having at least a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on the transparent insulating substrate according to claim 1, and an electrically connected drain electrode. An active matrix substrate provided with connected pixel electrodes.
【請求項5】 請求項4に記載のアクティブマトリクス
基板と、プラスチック透明絶縁基板上に少なくとも透明
電極を設けた対向電極基板とを対向配置し、その間隙に
液晶材料を封入したことを特徴とする液晶表示素子。
5. The active matrix substrate according to claim 4 and a counter electrode substrate provided with at least a transparent electrode on a plastic transparent insulating substrate are arranged so as to face each other, and a liquid crystal material is sealed in a gap therebetween. Liquid crystal display device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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