JP2003019562A - ガスシールド溶接装置及び方法 - Google Patents

ガスシールド溶接装置及び方法

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JP2003019562A
JP2003019562A JP2001204622A JP2001204622A JP2003019562A JP 2003019562 A JP2003019562 A JP 2003019562A JP 2001204622 A JP2001204622 A JP 2001204622A JP 2001204622 A JP2001204622 A JP 2001204622A JP 2003019562 A JP2003019562 A JP 2003019562A
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Takashi Shige
重  隆司
Koji Tsukimoto
晃司 月元
Masahiko Mega
雅彦 妻鹿
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は、溶接部及びその近傍への大気の
巻き込みを防止することができるガスシールド溶接装置
及び方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 ガス供給ボックス12に供給されたシー
ルドガスはポーラス板13を通過することにより層流と
なり、シールド容器4の底部から上方へと流れる。これ
により、シールド容器4内に存在していた大気は水平方
向にスライド可能に載置された蓋部材5の開口部8から
外部へ排出され、シールド容器4内がシールドガスで充
満される。この状態で、高周波誘導加熱コイル11によ
り母材9を予熱する一方、蓋部材5の開口部8を通して
上方から溶接トーチ6及び溶接ワイヤ7をシールド容器
4内に挿入し、母材9をTIG溶接する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガスシールド溶
接装置及び方法に係り、特に大気の巻き込みの防止に関
する。
【0002】
【従来の技術】図6(a)〜(c)にそれぞれ示される
動翼、長大翼及び静翼等のガスタービン翼のようにNi
基耐熱合金からなる母材を溶接する際には、母材の割れ
を防止するために、高温の予熱が必要となる。例えば、
図7に示されるように、被溶接物である母材1を予熱
し、高温状態となった母材1に溶接トーチ2と溶接ワイ
ヤ3を近接させると共に溶接トーチ2から溶接部に不活
性ガスからなるシールドガス流を供給して不活性ガス雰
囲気中で溶接を行う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、母材1
が高温状態にあると、図7に破線で示すように母材1の
近傍で対流が生じ、この対流によってシールドガス流に
大気が混入しやすくなる。このようにしてシールドガス
流に大気が混入し、溶接部に至ると、大気中の酸素が母
材1に含まれている炭素と反応してCOガスを発生する
ためにブローホールを生じたり、母材1の表面酸化によ
り融合不良や割れを生じる怖れがあった。また、活性金
属や高純度鉄の溶接のように、予熱が不要であっても特
に酸素との接触を嫌う溶接にあっては、従来のガスシー
ルド溶接を用いることはできず、例えば、真空中での電
子ビーム溶接が必要となるが、装置が大がかりでコスト
も高くつくという問題があった。
【0004】この発明はこのような問題点を解消するた
めになされたもので、溶接部及びその近傍への大気の巻
き込みを防止することができるガスシールド溶接装置及
び方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係るガスシー
ルド溶接装置は、溶接部にシールドガスを供給しながら
溶接トーチを母材に近接させて溶接を行う装置におい
て、母材を収容すると共に開放端を有するシールド容器
と、シールド容器の開放端を覆うようにスライド可能に
配置されると共に溶接トーチをシールド容器内に挿入す
るための開口部が形成された蓋部材と、シールド容器内
に層流のシールドガスを供給するガス供給手段とを備え
たものである。請求項2に係るガスシールド溶接装置
は、請求項1の装置において、ガス供給手段が、シール
ドガスを通過させることにより層流を形成するポーラス
板を有するものである。請求項3に係るガスシールド溶
接装置は、請求項2の装置において、ガス供給手段が、
シールド容器内に配置されると共にポーラス板が設けら
れたガス供給ボックスを有するものである。請求項4に
係るガスシールド溶接装置は、請求項2の装置におい
て、ガス供給手段が、シールド容器内にポーラス板によ
り画成されたガス供給チャンバを有するものである。請
求項5に係るガスシールド溶接装置は、請求項2の装置
において、ガス供給手段が、シールド容器の少なくとも
一部を形成するポーラス板と、このポーラス板の外側に
取り付けられたガス供給チャンバとを有するものであ
る。請求項6に係るガスシールド溶接装置は、請求項1
〜5のいずれか一項の装置において、シールド容器内の
母材を加熱するための加熱装置をさらに備えたものであ
る。
【0006】請求項7に係るガスシールド溶接方法は、
溶接部にシールドガスを供給しながら溶接トーチを母材
に近接させて溶接を行う方法において、母材を収容する
シールド容器内に層流のシールドガスを供給しつつ溶接
を行う方法である。請求項8に係るガスシールド溶接方
法は、請求項7の方法において、シールド容器の開放端
をスライド可能で且つ溶接トーチを挿入するための開口
部が形成された蓋部材で覆い、この蓋部材の開口部から
吹き出すガス速度を2m/s以上に設定する方法であ
る。請求項9に係るガスシールド溶接方法は、請求項7
または8の方法において、Ni基耐熱合金からなる母材
を高温状態に加熱しながらTIG溶接する方法である。
請求項10に係るガスシールド溶接方法は、請求項7ま
たは8の方法において、活性金属からなる母材をTIG
溶接する方法である。請求項11に係るガスシールド溶
接方法は、請求項7または8の方法において、母材をレ
ーザー溶接する方法である。請求項12に係るガスシー
ルド溶接方法は、請求項7または8の方法において、高
純度鉄からなる母材をTIG溶接する方法である。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。 実施の形態1.図1にこの発明の実施の形態1に係るガ
スシールド溶接装置の構成を示す。シールド容器4は上
部が開放端になっており、この開放端に透明な耐熱ガラ
スから形成された蓋部材5が配置されている。蓋部材5
は、シールド容器4の開放端より大きなサイズに形成さ
れており、開放端に沿って水平方向にスライド可能に載
置されている。蓋部材5の中央部には、溶接トーチ6及
び溶接ワイヤ7を上方からシールド容器4内に挿入する
ための開口部8が形成されている。
【0008】シールド容器4内には被溶接物となる母材
9を保持するための保持部10が設けられると共に母材
9の近傍に母材9を加熱するための高周波誘導加熱コイ
ル11が配置されている。また、シールド容器4内の底
部には、少なくとも一つのガス供給ボックス12が配置
されており、それぞれシールド容器4の外部に設置され
た図示しないシールドガス供給部に接続されている。ガ
ス供給ボックス12の一面は通気性を有するポーラス板
13から形成され、このポーラス板13が母材9の方向
へ向けられている。なお、ポーラス板13としては、例
えば、ステンレス鋼粒を焼結して空間率36〜48%程
度の板状にしたものを用いることができる。
【0009】次に、この実施の形態1に係るガスシール
ド溶接装置の動作について説明する。まず、保持部10
の上に母材9を保持させる。ここで、母材9は、図3
(a)〜(c)に示したようなNi基耐熱合金からなる
動翼、長大翼及び静翼等のガスタービン翼である。次
に、シールド容器4の開放端に蓋部材5を載せると共に
図示しないシールドガス供給部からガス供給ボックス1
2にシールドガスとしてArガスを供給する。ガス供給
ボックス12に供給されたシールドガスはポーラス板1
3を通過することにより層流となり、シールド容器4の
底部から上方へと流れる。このとき、蓋部材5には開口
部8が形成されているので、シールドガスがこの開口部
8から上方へ吹き出すが、その開口部8から吹き出すガ
ス速度を2m/s以上になるようにシールドガス供給部
によりガス圧を調整する。概ね、ガス圧は3〜10kg
f/cm2程度が好ましい。
【0010】ここで、シールドガスによるシールド容器
4内の大気の置換についての測定実験を行った。500
×500×500mmの上部が開放された立方体状のシ
ールド容器4に80×25mmの開口部8を有する蓋部
材5で蓋をすると共にシールド容器4内のガス供給ボッ
クス12にArガスを5kgf/cm2のガス圧で供給
して開口部8から吹き出すガス速度を2m/sとした。
この状態で、蓋部材5の開口部8を通してシールド容器
4内のガスを抽出し、ガスクロマトグラフィで酸素及び
窒素の濃度分析を行ったところ、以下のような結果が得
られた。 置換時間 酸素濃度(vol.ppm) 窒素濃度(vol.ppm) 5分 <30 <40 10分 <30 <40 この測定結果から、シールド容器4内の残留大気の量
は、置換時間5分及び10分のいずれにおいても、0.
01vol%以下と計算することができ、すなわち9
9.99vol%以上のArガス雰囲気を確保し得るこ
とが分かった。また、置換時間は5分で十分であること
も分かった。
【0011】上記の測定結果から示されるように、層流
となったシールドガスによりシールド容器4内に存在し
ていた大気は蓋部材5の開口部8からシールド容器4外
へ排出され、シールド容器4の内部がシールドガスで充
満されることとなる。この状態で、高周波誘導加熱コイ
ル11により母材9を高温に予熱する一方、蓋部材5の
開口部8を通して上方から溶接トーチ6及び溶接ワイヤ
7をシールド容器4内に挿入し、母材9の必要箇所をT
IG溶接する。このとき、蓋部材5はシールド容器4の
開放端に沿って水平方向にスライド可能に載置されてい
るため、溶接トーチ6及び溶接ワイヤ7を蓋部材5と共
に水平方向に自由に移動させることができる。また、溶
接トーチ6及び溶接ワイヤ7を蓋部材5の開口部8を通
して鉛直方向にも自由に移動させることができる。
【0012】このように、層流のシールドガスをシール
ド容器4内に供給することにより、シールド容器4の内
部がシールドガスで充満されているので、母材9を高温
に予熱した状態でも、大気が巻き込まれることはなく、
良好な溶接が可能となる。なお、シールド容器4内がシ
ールドガスで充満されるため、従来のように溶接トーチ
6から溶接部に向けてシールドガスを供給する必要はな
く、溶接トーチ6の構造が簡単になる。また、図1で
は、シールド容器4内に2つのガス供給ボックス12が
配置されているが、ガス供給ボックス12の個数につい
ては、2つに限るものではなく、シールド容器4の大き
さ等により、1個あるいは3個以上配置してもよい。
【0013】実施の形態2.図2に実施の形態2に係る
ガスシールド溶接装置の構成を示す。この装置は、図1
に示した装置において、シールド容器4内にガス供給ボ
ックス12を配置する代わりに、シールド容器4内の底
部をポーラス板13で仕切ることにより画成されたガス
供給チャンバ14を形成し、このガス供給チャンバ14
を通してシールドガスを供給するようにしたものであ
る。図示しないシールドガス供給部からガス供給チャン
バ14にシールドガスとしてArガスを供給すると、シ
ールドガスはポーラス板13を通過することにより層流
となり、シールド容器4の底部から上方へと流れ、シー
ルド容器4内に充満する。実施の形態1と同様に、蓋部
材5の開口部8から吹き出すガス速度を2m/s以上に
なるようにシールドガス供給部によりガス圧を調整する
ことが好ましい。なお、図3に示されるように、シール
ド容器4内の底部ではなく側壁部をポーラス板13で仕
切ってガス供給チャンバ14を形成してもよい。
【0014】実施の形態3.図4に実施の形態3に係る
ガスシールド溶接装置の構成を示す。この装置は、図2
に示した装置において、シールド容器4内にガス供給チ
ャンバ14を形成する代わりに、シールド容器4の底部
の少なくとも一部をポーラス板13で形成し、この底部
の外側にガス供給チャンバ14を取り付けたものであ
る。このようにしても、実施の形態1及び2と同様に、
短い置換時間でシールド容器4内をArガス雰囲気にす
ることができる。なお、図5に示されるように、シール
ド容器4の底部ではなく側壁部の少なくとも一部をポー
ラス板13で形成し、この側壁部の外側にガス供給チャ
ンバ14を取り付けてもよい。
【0015】実施の形態4.実施の形態1、2または3
の装置を用いると共に高周波誘導加熱コイル11により
予熱することなく、Zr等の活性金属からなる母材をT
IG溶接した。シールド容器4内がシールドガスで充満
されるため、活性金属からなる母材、特に複雑形状を有
する母材であっても、溶接部及びその近傍を酸化させる
ことなく良好な溶接が可能となる。
【0016】実施の形態5.実施の形態1、2または3
の装置を用いてレーザー溶接を行った。従来、レーザー
溶接で完全な溶接シールドを得ようとする場合には、母
材をナイロン袋に入れ、袋の中をAr等のシールドガス
で充満した状態で溶接を行うことが多かったが、ナイロ
ン袋はシールドガスを充満すると膨張することから、作
業性が劣るという問題が生じていた。これに対して、実
施の形態1または2の装置を用いてシールド容器4内を
シールドガスで充満し、その状態でレーザー溶接を行え
ば、作業性に優れ且つシールド性も向上させることがで
き、溶接部において不純物のない清浄な溶接金属を得る
ことが可能となる。
【0017】実施の形態6.実施の形態1、2または3
の装置を用いて、高純度鉄からなる母材をTIG溶接し
た。高純度鉄は、鉄以外の不純物の合計が10ppm程
度の高純度を有するもので、従来のガスシールド溶接で
は大気中の酸素を吸収するため、真空中で行う電子ビー
ム溶接を採用せざるを得なかった。実施の形態1、2ま
たは3の装置においては、シールド容器4内がシールド
ガスで充満されるため、ガスシールド溶接でありなが
ら、溶接部の不純物を増加させることなく高純度鉄の溶
接が可能であった。特に、溶接トーチ6から溶接部に向
けてシールドガスを供給する必要がないので、溶接部付
近に乱流を生じる怖れがなく、安定した溶接を行うこと
ができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、母材を収容するシールド容器内に層流のシールドガ
スを供給しつつ溶接を行うので、シールド容器内がシー
ルドガスで充満され、溶接部及びその近傍への大気の巻
き込みを防止することができる。その結果、Ni基耐熱
合金からなる母材を高温状態に予熱しながらのTIG溶
接、活性金属からなる母材のTIG溶接、高純度鉄から
なる母材のTIG溶接、並びにレーザー溶接を良好に行
うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1に係るガスシールド
溶接装置の構成を示す断面図である。
【図2】 実施の形態2に係るガスシールド溶接装置の
構成を示す断面図である。
【図3】 実施の形態2の変形例に係るガスシールド溶
接装置の構成を示す断面図である。
【図4】 実施の形態3に係るガスシールド溶接装置の
構成を示す断面図である。
【図5】 実施の形態3の変形例に係るガスシールド溶
接装置の構成を示す断面図である。
【図6】 被溶接物である母材の例を示し、(a)は動
翼、(b)は長大翼、(c)は静翼をそれぞれ示す斜視
図である。
【図7】 従来の溶接装置において母材を予熱しつつ溶
接する様子を示す側面図である。
【符号の説明】
4 シールド容器、5 蓋部材、6 溶接トーチ、7
溶接ワイヤ、8 開口部、9 母材、10 保持部、1
1 高周波誘導加熱コイル、12 ガス供給ボックス、
13 ポーラス板、14 ガス供給チャンバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B23K 103:08 B23K 103:08 (72)発明者 妻鹿 雅彦 兵庫県高砂市荒井町新浜2丁目1番1号 三菱重工業株式会社高砂製作所内 Fターム(参考) 4E001 AA03 BB07 CA07 CB03 4E068 CJ01 DB01

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 溶接部にシールドガスを供給しながら溶
    接トーチを母材に近接させて溶接を行う装置において、 母材を収容すると共に開放端を有するシールド容器と、 前記シールド容器の開放端を覆うようにスライド可能に
    配置されると共に溶接トーチを前記シールド容器内に挿
    入するための開口部が形成された蓋部材と、 前記シールド容器内に層流のシールドガスを供給するガ
    ス供給手段とを備えたことを特徴とするガスシールド溶
    接装置。
  2. 【請求項2】 前記ガス供給手段は、シールドガスを通
    過させることにより層流を形成するポーラス板を有する
    請求項1に記載のガスシールド溶接装置。
  3. 【請求項3】 前記ガス供給手段は、前記シールド容器
    内に配置されると共に前記ポーラス板が設けられたガス
    供給ボックスを有する請求項2に記載のガスシールド溶
    接装置。
  4. 【請求項4】 前記ガス供給手段は、前記シールド容器
    内に前記ポーラス板により画成されたガス供給チャンバ
    を有する請求項2に記載のガスシールド溶接装置。
  5. 【請求項5】 前記ガス供給手段は、前記シールド容器
    の少なくとも一部を形成するポーラス板と、このポーラ
    ス板の外側に取り付けられたガス供給チャンバとを有す
    る請求項2に記載のガスシールド溶接装置。
  6. 【請求項6】 前記シールド容器内の母材を加熱するた
    めの加熱装置をさらに備えた請求項1〜5のいずれか一
    項に記載のガスシールド溶接装置。
  7. 【請求項7】 溶接部にシールドガスを供給しながら溶
    接トーチを母材に近接させて溶接を行う方法において、 母材を収容するシールド容器内に層流のシールドガスを
    供給しつつ溶接を行うことを特徴とするガスシールド溶
    接方法。
  8. 【請求項8】 シールド容器の開放端をスライド可能で
    且つ溶接トーチを挿入するための開口部が形成された蓋
    部材で覆い、この蓋部材の開口部から吹き出すガス速度
    を2m/s以上に設定する請求項7に記載のガスシール
    ド溶接方法。
  9. 【請求項9】 Ni基耐熱合金からなる母材を高温状態
    に加熱しながらTIG溶接する請求項7または8に記載
    のガスシールド溶接方法。
  10. 【請求項10】 活性金属からなる母材をTIG溶接す
    る請求項7または8に記載のガスシールド溶接方法。
  11. 【請求項11】 母材をレーザー溶接する請求項7また
    は8に記載のガスシールド溶接方法。
  12. 【請求項12】 高純度鉄からなる母材をTIG溶接す
    る請求項7または8に記載のガスシールド溶接方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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