JP2003008394A - Surface acoustic wave device and communication equipment mounting the same - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に弾性表面波
素子が形成された圧電基板をフリップチップ工法によっ
て実装した弾性表面波装置、および、これを搭載した通
信装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device in which a piezoelectric substrate having a surface acoustic wave element formed on its surface is mounted by a flip chip method, and a communication device equipped with the surface acoustic wave device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】複数の一端子対弾性表面波共振子が並列
腕共振子および直列腕共振子として用いられている梯子
型回路構成を有するバンドパスフィルタが知られてい
る。この種のバンドパスフィルタでは、並列腕共振子と
直列腕共振子とが入力側から出力側に向かって交互に配
置されている。このような梯子型回路構成を有する弾性
表面波フィルタは、挿入損失の低減および広帯域化を図
ることができるため、携帯電話機におけるバンドパスフ
ィルタなどに広く用いられている。2. Description of the Related Art A bandpass filter having a ladder-type circuit configuration in which a plurality of one-terminal pair surface acoustic wave resonators are used as a parallel arm resonator and a series arm resonator is known. In this type of bandpass filter, parallel arm resonators and series arm resonators are arranged alternately from the input side toward the output side. The surface acoustic wave filter having such a ladder-type circuit configuration is widely used as a bandpass filter in mobile phones because it can reduce insertion loss and widen the band.
【０００３】従来、弾性表面波素子をパッケージ化する
際には、パッケージの電極と弾性表面波素子の電極とを
ボンディングワイヤによって接続していた。Conventionally, when packaging a surface acoustic wave element, the electrodes of the package and the surface acoustic wave element are connected by bonding wires.
【０００４】これに対して、公開特許公報「特開平４−
６５９０９号公報（公開日：平成４年（１９９２）３月
２日）」には、弾性表面波素子をファイスダウン工法に
よりパッケージに接続した弾性表面波装置が記載されて
いる。On the other hand, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
Japanese Patent No. 65909 (published date: March 2, 1992) describes a surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave element is connected to a package by a face down method.
【０００５】図７は、上記公報に記載された弾性表面波
装置６０１の断面図である。弾性表面波装置６０１で
は、パッケージ６０２内に弾性表面波素子６０３が収納
されている。パッケージ６０２は、ベース基板６０２
ａ，側壁６０２ｂおよびキャップ６０２ｃを有する。FIG. 7 is a sectional view of the surface acoustic wave device 601 described in the above publication. In the surface acoustic wave device 601, a surface acoustic wave element 603 is housed in a package 602. The package 602 is a base substrate 602.
a, a side wall 602b and a cap 602c.
【０００６】べース基板６０２ａ上には、弾性表面波素
子６０３の電極に対応する位置に、該電極に電気的に接
続される複数の電極パッドを有するダイアタッチ部６０
２ｄが形成されている。弾性表面波素子６０３は、圧電
基板６０３ａを有し、圧電基板６０３ａの下面に弾性表
面波共振子を構成するための電極等が形成されている。
そして、圧電基板６０３ａの下面に形成されている電極
がバンプ６０４により、ダイアタッチ部６０２ｄの電極
パッドに電気的に接続されるとともに、該バンプ６０４
により、弾性表面波素子６０３がダイアタッチ部６０２
ｄに機械的に固定されている。A die attach portion 60 having a plurality of electrode pads electrically connected to the electrodes of the surface acoustic wave element 603 is provided on the base substrate 602a at positions corresponding to the electrodes.
2d is formed. The surface acoustic wave element 603 has a piezoelectric substrate 603a, and electrodes and the like for forming a surface acoustic wave resonator are formed on the lower surface of the piezoelectric substrate 603a.
Then, the electrode formed on the lower surface of the piezoelectric substrate 603a is electrically connected to the electrode pad of the die attach portion 602d by the bump 604, and the bump 604 is formed.
As a result, the surface acoustic wave element 603 causes the die attach portion 602
It is mechanically fixed to d.
【０００７】このように、弾性表面波素子の実装にフェ
イスダウン工法、すなわち弾性表面波共振子を構成する
電極等が形成されている圧電基板面側からバンプ６０４
により弾性表面波素子６０３をパッケージ６０２に接合
する方法によれば、ボンディングワイヤを必要としない
ため、弾性表面波装置を小型化できる。As described above, the bumps 604 are mounted on the surface of the piezoelectric substrate on which the surface acoustic wave element is mounted by the face-down method, that is, the electrodes forming the surface acoustic wave resonator are formed.
According to the method of bonding the surface acoustic wave element 603 to the package 602, the bonding wire is not required, so that the surface acoustic wave device can be downsized.
【０００８】ところで、梯子型回路構成を有する弾性表
面波フィルタでは、直列腕共振子または並列腕共振子に
インダクタンスを付加することにより、広帯域化および
通過帯域近傍における減衰量の拡大を図って、フィルタ
特性を向上させることができる。By the way, in a surface acoustic wave filter having a ladder-type circuit structure, an inductance is added to the series arm resonator or the parallel arm resonator to widen the band and increase the amount of attenuation in the vicinity of the pass band. The characteristics can be improved.
【０００９】上記のようなインダクタンス成分は、ボン
ディングワイヤにより弾性表面波素子とパッケージの電
極とを接続する場合には、該ボンディングワイヤを利用
して付加することができる。しかしながら、フェイスダ
ウン工法によりパッケージ化される上記弾性表面波装置
６０１では、ボンディングワイヤを有しないので、ボン
ディングワイヤによりインダクタンス成分を付加するこ
とはできない。When the surface acoustic wave element and the electrode of the package are connected by a bonding wire, the above-mentioned inductance component can be added by using the bonding wire. However, since the surface acoustic wave device 601 packaged by the face-down method does not have a bonding wire, an inductance component cannot be added by the bonding wire.
【００１０】この点、図８に示すように、上記弾性表面
波装置６０１では、ダイアタッチ部６０２ｄに、入力パ
ッド６１１とアースパッド６１３、出力パッド６１２と
アースパッド６１３をそれぞれ接続するインダクタンス
パターン６１５・６１５が形成されている。ここで、上
記のパッド６１１，６１２，６１３は、所定の導電率を
有する導体から形成されている。また、上記の入力パッ
ド６１１とアースパッド６１３、出力パッド６１２とア
ースパッド６１３の間には、導体が被覆せずパッド間を
絶縁区画するギャップ６１４が設けられている。さら
に、上記インダクタンスパターン６１５は、入力インピ
ーダンスまたは出力インピーダンスを外部回路とマッチ
ングさせる値のインダクタンスを有するように、ダイア
タッチ部６０２ｄの表面に被着形成されたパターンであ
る。In this regard, as shown in FIG. 8, in the surface acoustic wave device 601, an inductance pattern 615 connecting the input pad 611 and the ground pad 613 and the output pad 612 and the ground pad 613 to the die attach portion 602d. 615 are formed. Here, the pads 611, 612, and 613 are formed of a conductor having a predetermined conductivity. Further, a gap 614 is provided between the input pad 611 and the ground pad 613 and between the output pad 612 and the ground pad 613 so as not to cover the conductor but to insulate the pads from each other. Further, the inductance pattern 615 is a pattern formed on the surface of the die attach portion 602d so as to have an inductance having a value that matches the input impedance or the output impedance with the external circuit.
【００１１】このように、上記弾性表面波装置６０１で
は、インダクタンスパターン６１５を設けることによっ
て、外部に特別の素子を用いることなく、マッチングを
とることを可能としている。すなわち、入力パッド６１
１とアースパッド６１３、出力パッド６１２とアースパ
ッド６１３をリアクタンスパターンにより所定のインダ
クタンスまたはキャパシタンスで接続することにより、
入力側あるいは出力側のインピーダンスを弾性表面波装
置６０１内部でマッチングできる。As described above, in the surface acoustic wave device 601, by providing the inductance pattern 615, matching can be achieved without using a special element outside. That is, the input pad 61
1 and the ground pad 613, the output pad 612 and the ground pad 613 are connected by a reactance pattern with a predetermined inductance or capacitance,
The impedance on the input side or the output side can be matched inside the surface acoustic wave device 601.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構造では、パッケージに設けられた外部電極とダイ
アタッチ部とを接続するマイクロストリップライン（図
８ではインダクタンスパターン６１５）によってインダ
クタンス成分を付加するため、大きなインダクタンス成
分を得ることができない。したがって、従来の弾性表面
波装置では、インダクタンスを付加して、広帯域化およ
び通過帯域近傍における減衰量の増大を図ることが困難
であった。また、マイクロストリップラインでインダク
タンス成分を付加する場合、インピーダンスを大きくす
る必要があるため、線幅が狭くなりロスが大きくなる。However, in the above conventional structure, the inductance component is added by the microstrip line (inductance pattern 615 in FIG. 8) connecting the external electrode and the die attach portion provided in the package. , A large inductance component cannot be obtained. Therefore, in the conventional surface acoustic wave device, it is difficult to add an inductance to increase the band and increase the attenuation in the vicinity of the pass band. Further, when the inductance component is added by the microstrip line, it is necessary to increase the impedance, so that the line width becomes narrow and the loss becomes large.
【００１３】しかも、マイクロストリップラインの線幅
にパッケージのロット間でバラツキが生じた場合、弾性
表面波素子に付加されるインダクタンスにバラツキが生
じる。そして、パッケージが同一金型で成型されたもの
である場合、このインダクタンスのバラツキを調整する
ことはできない。In addition, when the line width of the microstrip line varies between lots of packages, the inductance added to the surface acoustic wave element also varies. If the packages are molded by the same mold, this variation in inductance cannot be adjusted.
【００１４】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、低ロスで安定してインダ
クタンスを付加することができ、当該インダクタンスを
容易に調整できる弾性表面波装置、および、これを搭載
した通信装置を提供することにある。The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object thereof is to add an inductance stably with a low loss and to easily adjust the inductance. And to provide a communication device equipped with the same.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、上記の課題を解決するために、圧電基板上に少なく
とも一つの櫛形電極が形成された弾性表面波素子と、該
弾性表面波素子がフェイスダウン工法でバンプにより接
合されるベース基板とを備え、上記ベース基板は、上記
弾性表面波素子が載置される載置領域の内に、上記バン
プが形成される電極パッドを有し、かつ、上記載置領域
の外に、上記電極パッドと導通された中継パッドと、外
部と導通された外部電極と、を有するとともに、上記中
継パッドと上記外部電極とが所定の周波数でインダクタ
ンス成分として働くワイヤによって接続されていること
を特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, a surface acoustic wave device of the present invention includes a surface acoustic wave element having at least one comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave. An element is provided with a base substrate bonded by a bump by a face-down method, and the base substrate has an electrode pad on which the bump is formed, in a mounting region where the surface acoustic wave device is mounted. And, in addition to having the relay pad conducted to the electrode pad and the external electrode conducted to the outside, outside the placement area, the relay pad and the external electrode have an inductance component at a predetermined frequency. It is characterized by being connected by wires that act as.
【００１６】上記の構成により、上記弾性表面波装置の
ベース基板では、弾性表面波素子が載置される載置領域
の外において、弾性表面波素子とバンプを介して接合さ
れた電極パッドと導通された中継パッドと、弾性表面波
装置の外部と導通された外部電極との間に、所定の周波
数でインダクタンス成分として働くワイヤが形成されて
いる。With the above structure, in the base substrate of the surface acoustic wave device, the surface acoustic wave element is electrically connected to the electrode pad bonded via the bump outside the mounting area where the surface acoustic wave element is mounted. A wire that functions as an inductance component at a predetermined frequency is formed between the relay pad and the external electrode that is electrically connected to the outside of the surface acoustic wave device.
【００１７】これにより、弾性表面波素子をフェイスダ
ウン工法で実装した弾性表面波装置において、ワイヤで
インダクタンス成分を付加することができる。Thus, in the surface acoustic wave device in which the surface acoustic wave element is mounted by the face-down method, an inductance component can be added by the wire.
【００１８】よって、マイクロストリップラインに比べ
て、ワイヤはロスが小さくインピーダンスも高いため、
通過域近傍の減衰量が大きく、また通過帯域幅の広い良
好なフィルタ特性が得られる。また、ワイヤでインダク
タンス成分を付加することができるので、パッケージの
製造バラツキによらず、低ロスで安定したインダクタン
ス成分を付加することが可能となる。Therefore, compared to the microstrip line, the wire has a smaller loss and a higher impedance,
A good filter characteristic with a large attenuation in the vicinity of the pass band and a wide pass band width can be obtained. Further, since the inductance component can be added by the wire, it is possible to add a stable inductance component with low loss regardless of manufacturing variations of the package.
【００１９】また、中継パッドを載置領域から引き出す
ことにより、中継パッド、外部電極、およびワイヤを、
ベース基板の弾性表面波素子が載置される載置領域の外
に形成できるため、載置領域に形成する電極パッドおよ
びバンプの位置や個数が制限されない。この点、フェイ
スダウン工法では、バンプが弾性表面波素子の電気的接
続および機械的固定の双方の機能を有するため、バンプ
の位置や個数に制限が加わると、電気的接続および機械
的固定が十分に行われず、信頼性が低下することとな
る。Further, by pulling out the relay pad from the mounting area, the relay pad, the external electrode, and the wire are
Since the surface acoustic wave element of the base substrate can be formed outside the mounting area on which the surface acoustic wave element is mounted, the positions and the number of electrode pads and bumps formed in the mounting area are not limited. In this respect, in the face-down method, since the bumps have the functions of both electrical connection and mechanical fixing of the surface acoustic wave element, if the position and number of bumps are limited, the electrical connection and mechanical fixing will be insufficient. The reliability will be reduced.
【００２０】本発明の弾性表面波装置は、上記の課題を
解決するために、さらに、上記の中継パッドおよび外部
電極の少なくとも何れか一方は、上記ワイヤと接続可能
な位置を複数有する形状に形成されていることを特徴と
している。In order to solve the above problems, the surface acoustic wave device of the present invention further has at least one of the relay pad and the external electrode formed in a shape having a plurality of positions connectable to the wire. It is characterized by being.
【００２１】上記の構成により、さらに、中継パッドお
よび外部電極の少なくとも何れか一方が複数の位置でワ
イヤと接続可能であるため、ボンディングする位置を変
更することによって、ワイヤの長さすなわちインダクタ
ンス成分を調整することが可能となる。ワイヤと接続可
能な位置を複数有する形状としては、例えば、電極の面
積を大きくすればよい。With the above structure, since at least one of the relay pad and the external electrode can be connected to the wire at a plurality of positions, the length of the wire, that is, the inductance component can be changed by changing the bonding position. It becomes possible to adjust. As the shape having a plurality of positions connectable to the wire, for example, the area of the electrode may be increased.
【００２２】本発明の弾性表面波装置は、上記の課題を
解決するために、さらに、上記ワイヤが樹脂で封止され
ているとともに、該樹脂が導電膜によって被覆されてい
ることを特徴としている。In order to solve the above problems, the surface acoustic wave device of the present invention is further characterized in that the wire is sealed with a resin and the resin is covered with a conductive film. .
【００２３】上記の構成により、さらに、ベース基板の
弾性表面波素子が載置される載置領域の外に形成され
た、中継パッド、外部電極、およびワイヤは、樹脂で封
止されて、ワイヤが固定される。そして、樹脂の表面に
は導電膜が形成されている。With the above structure, the relay pad, the external electrode, and the wire, which are formed outside the mounting area of the base substrate on which the surface acoustic wave element is mounted, are further sealed with resin to form the wire. Is fixed. Then, a conductive film is formed on the surface of the resin.
【００２４】これにより、導電膜によって電気的にシー
ルド効果が得られるため、ワイヤのインダクタンスを一
定に保つことが可能となる。もちろん、上記樹脂によっ
て、載置領域の外だけでなく、載置領域の弾性表面波素
子も一体として封止してもよい。As a result, the conductive film can electrically provide a shielding effect, so that the inductance of the wire can be kept constant. Of course, not only the outside of the placement area but also the surface acoustic wave element in the placement area may be integrally sealed with the resin.
【００２５】本発明の通信装置は、上記の課題を解決す
るために、上記の弾性表面波装置を搭載したことを特徴
としている。In order to solve the above-mentioned problems, a communication device of the present invention is equipped with the above-mentioned surface acoustic wave device.
【００２６】上記の構成により、フリップチップ工法で
製造された弾性表面波装置を搭載した通信装置におい
て、広帯域化および通過帯域近傍の減衰量を拡大した優
れたフィルタ特性を、低ロスで実現できる。よって、弾
性表面波装置がフリップチップ工法によって製造できる
ため、弾性表面波装置の小型化、低背化を実現できる。
したがって、このような弾性表面波装置を搭載すること
により、通信装置のフィルタ特性の向上と小型化とを両
立することが可能となる。With the above configuration, in a communication device equipped with a surface acoustic wave device manufactured by the flip chip method, it is possible to realize excellent filter characteristics with wide band and increased attenuation near the pass band with low loss. Therefore, since the surface acoustic wave device can be manufactured by the flip chip method, the surface acoustic wave device can be downsized and the height can be reduced.
Therefore, by mounting such a surface acoustic wave device, it is possible to improve the filter characteristics and downsize the communication device at the same time.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
１から図８に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 8.
【００２８】図２は、本実施の形態に係る弾性表面波装
置１０の概略を示す断面図である。図１は、上記弾性表
面波装置１０のパッケージ内の電極パターンの概略を示
す模式図である。図３は、上記弾性表面波装置１０が備
える弾性表面波素子１１の電極パターンの概略を示す模
式図である。FIG. 2 is a sectional view showing an outline of the surface acoustic wave device 10 according to this embodiment. FIG. 1 is a schematic view showing an outline of an electrode pattern in a package of the surface acoustic wave device 10. FIG. 3 is a schematic view showing an outline of an electrode pattern of the surface acoustic wave element 11 included in the surface acoustic wave device 10.
【００２９】図２に示すように、上記弾性表面波装置１
０は、ベース基板１４と封止樹脂（樹脂）１６とからな
る、板状のパッケージ内に弾性表面波素子１１を収納し
ている。なお、図２では、弾性表面波素子１１はその外
形のみが示されている。As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave device 1 described above.
In No. 0, the surface acoustic wave element 11 is housed in a plate-shaped package including a base substrate 14 and a sealing resin (resin) 16. Note that, in FIG. 2, only the outer shape of the surface acoustic wave element 11 is shown.
【００３０】上記弾性表面波装置１０では、平板状のベ
ース基板１４の電極形成面のダイアタッチ部（載置領
域）Ｓａ（図１）上に、弾性表面波素子１１が電極形成
面をベース基板１４に対向させて配置され、両者の対応
する電極同士（電極パッド５１〜５３（図１）と電極ラ
ンド２６〜３０（図２））がバンプ１２…（１２ａ〜１
２ｆ（図１））により接合されて、固定されている。ま
た、ベース基板１４の封止部Ｓｂ（図１）の電極同士
（外部電極６１〜６４と中継パッド７１〜７４（図
１））を接続するワイヤ１５（１５ａ〜１５ｄ（図
１））が形成されている。上記の弾性表面波素子１１お
よびワイヤ１５は、これらを覆うようにベース基板１４
上に供給された封止樹脂１６によって封止固定されてい
る。さらに、封止樹脂１６の表面には、電磁シールド性
を付与して、ワイヤ１５のインダクタンスを一定に保つ
ために、金属等の導電膜１７が形成されている。In the surface acoustic wave device 10, the surface acoustic wave element 11 has the electrode formation surface on the die attach portion (mounting area) Sa (FIG. 1) of the electrode formation surface of the flat base substrate 14. 14, the electrodes (electrode pads 51 to 53 (FIG. 1) and electrode lands 26 to 30 (FIG. 2)) corresponding to each other are bumps 12 ... (12a to 1).
2f (FIG. 1)) and is fixed. In addition, wires 15 (15a to 15d (FIG. 1)) connecting electrodes (external electrodes 61 to 64 and relay pads 71 to 74 (FIG. 1)) of the sealing portion Sb (FIG. 1) of the base substrate 14 are formed. Has been done. The surface acoustic wave element 11 and the wire 15 are covered with the base substrate 14 so as to cover them.
It is sealed and fixed by the sealing resin 16 supplied above. Further, a conductive film 17 made of metal or the like is formed on the surface of the sealing resin 16 in order to impart an electromagnetic shielding property and keep the inductance of the wire 15 constant.
【００３１】図３に示すように、上記弾性表面波素子１
１は、圧電基板２０の電極形成面上に電極パターンが形
成されている。As shown in FIG. 3, the surface acoustic wave device 1 described above is used.
In No. 1, an electrode pattern is formed on the electrode formation surface of the piezoelectric substrate 20.
【００３２】上記圧電基板２０は、本実施の形態では、
３６°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ3基板により構成され
ている。ただし、上記弾性表面波素子１１は、圧電基板
２０の素材に依存せず、圧電基板２０が他の圧電単結晶
（３８．５°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板，３８〜
４６°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板，６４〜７２°
ＬｉＮｂＯ3 基板等）、あるいはチタンジルコン酸鉛系
セラミックスのような圧電セラミックスなどによって構
成されていてもよい。また、圧電基板２０として、圧電
基板や絶縁基板上にＺｎＯ等からなる圧電性薄膜を形成
した圧電性基板を用いてもよい。The piezoelectric substrate 20 in the present embodiment is
It is composed of a 36 ° YcutX propagation LiTaO 3 substrate. However, the surface acoustic wave element 11 does not depend on the material of the piezoelectric substrate 20, and the piezoelectric substrate 20 is made of another piezoelectric single crystal (38.5 ° YcutX propagation LiTaO 3 substrate, 38-
46 ° YcutX propagation LiTaO 3 substrate, 64-72 °
LiNbO 3 substrate) or piezoelectric ceramics such as lead titanium zirconate ceramics. Further, as the piezoelectric substrate 20, a piezoelectric substrate in which a piezoelectric thin film made of ZnO or the like is formed on a piezoelectric substrate or an insulating substrate may be used.
【００３３】また、上記圧電基板２０の電極パターン
は、電極形成面の全面に金属膜を形成した後、フォトリ
ソグラフィ工程およびエッチング工程によって形成され
ている。なお、電極パターンを形成する材料についても
特に限定されないが、本実施の形態ではＡｌを使用して
いる。また、電極形成はフォトリソグラフィー−リフト
オフ法で行ってもよい。The electrode pattern of the piezoelectric substrate 20 is formed by a photolithography process and an etching process after forming a metal film on the entire surface of the electrode formation. The material for forming the electrode pattern is not particularly limited, but Al is used in the present embodiment. The electrodes may be formed by the photolithography-liftoff method.
【００３４】上記圧電基板２０の電極形成面には、梯子
型回路構成が実現されている。具体的には、それぞれが
一端子対弾性表面波素子からなる直列腕共振子（櫛形電
極）２１，２２および並列腕共振子（櫛形電極）２３，
２４，２５が形成されている。直列腕共振子２１，２２
および並列腕共振子２３〜２５は、いずれも、１つのＩ
ＤＴ（interdigital transducer （インターデジタル変
換器））と、ＩＤＴの表面波伝搬方向両側に配置された
反射器とを有する。直列腕共振子２１を代表して説明す
ると、直列腕共振子２１は、ＩＤＴ２１ａと、反射器２
１ｂ，２１ｃとを有する。On the electrode formation surface of the piezoelectric substrate 20, a ladder type circuit structure is realized. Specifically, the series arm resonators (comb-shaped electrodes) 21 and 22 and the parallel arm resonators (comb-shaped electrodes) 23, each of which are composed of a one-terminal pair surface acoustic wave element,
24 and 25 are formed. Series arm resonators 21 and 22
Each of the parallel arm resonators 23 to 25 has one I
It has a DT (interdigital transducer) and reflectors arranged on both sides of the IDT in the surface wave propagation direction. Describing the series arm resonator 21 as a representative, the series arm resonator 21 includes an IDT 21a and a reflector 2.
1b and 21c.
【００３５】また、圧電基板２０の電極形成面には、電
極ランド２６〜３０が形成されている。電極ランド２６
〜３０は、弾性表面波素子１１を外部と電気的に接続す
るための部分であり、ある程度の面積を有する金属膜に
より構成されている。なお、図３中、電極ランド２６〜
３０上に描かれている円形は、バンプ１２ａ〜１２ｆに
よりベース基板１４と接合される部分を示す。Further, electrode lands 26 to 30 are formed on the electrode forming surface of the piezoelectric substrate 20. Electrode land 26
Numerals to 30 are portions for electrically connecting the surface acoustic wave element 11 to the outside, and are composed of a metal film having a certain area. In addition, in FIG.
The circles drawn on 30 indicate the portions joined to the base substrate 14 by the bumps 12a to 12f.
【００３６】さらに、上記電極ランド２６は、弾性表面
波素子１１の入力端子として用いられる。電極ランド２
６は、導電路３１により第１の直列腕共振子２１の一端
に接続されている。導電路３１は、電極ランド２６と、
直列腕共振子２１の一端と、第１の並列腕共振子２３の
一端とを電気的に接続している。並列腕共振子２３の導
電路３１が接続されている側とは反対側の端部は、導電
路３２を介して電極ランド２７に接続されている。電極
ランド２７は、アース電位に接続される端子である。Further, the electrode land 26 is used as an input terminal of the surface acoustic wave element 11. Electrode land 2
6 is connected to one end of the first series arm resonator 21 by a conductive path 31. The conductive path 31 includes the electrode land 26 and
One end of the series arm resonator 21 and one end of the first parallel arm resonator 23 are electrically connected. The end of the parallel arm resonator 23 opposite to the side to which the conductive path 31 is connected is connected to the electrode land 27 via the conductive path 32. The electrode land 27 is a terminal connected to the ground potential.
【００３７】また、直列腕共振子２１の導電路３１が接
続されている側とは反対側の端部は、導電路３３に接続
されている。導電路３３は、第２の直列腕共振子２２の
一端および第２の並列腕共振子２４の一端にも接続され
ている。第２の並列腕共振子２４の導電路３３が接続さ
れている側とは反対側の端部は、電極ランド２８に接続
されている。電極ランド２８はアース電位に接続される
端子である。The end of the series arm resonator 21 opposite to the side to which the conductive path 31 is connected is connected to the conductive path 33. The conductive path 33 is also connected to one end of the second series arm resonator 22 and one end of the second parallel arm resonator 24. The end of the second parallel arm resonator 24 opposite to the side to which the conductive path 33 is connected is connected to the electrode land 28. The electrode land 28 is a terminal connected to the ground potential.
【００３８】また、第２の直列腕共振子２２の導電路３
３が接続されている側とは反対側の端部は、導電路３４
が接続されている。導電路３４は、電極ランド３０およ
び第３の並列腕共振子２５の一端に接続されている。電
極ランド３０は、弾性表面波素子１１の出力端子として
用いられる。並列腕共振子２５の導電路３４に接続され
ている側とは反対側の端部は、導電路３５を介して電極
ランド２９に接続されている。電極ランド２９はアース
電位に接続される端子である。In addition, the conductive path 3 of the second series arm resonator 22.
3 is connected to the end opposite to the side to which the conductive path 34 is connected.
Are connected. The conductive path 34 is connected to the electrode land 30 and one end of the third parallel arm resonator 25. The electrode land 30 is used as an output terminal of the surface acoustic wave element 11. The end of the parallel arm resonator 25 opposite to the side connected to the conductive path 34 is connected to the electrode land 29 via the conductive path 35. The electrode land 29 is a terminal connected to the ground potential.
【００３９】なお、並列腕共振子２３〜２５は、弾性表
面波素子１１上では電気的に分離されているが、ベース
基板１４のダイアタッチ部Ｓａ（図３の電極パッド５
３）において導通がとられるようになっている。Although the parallel arm resonators 23 to 25 are electrically separated on the surface acoustic wave element 11, the die attach portion Sa of the base substrate 14 (the electrode pad 5 in FIG. 3).
In 3), conduction is established.
【００４０】このように、弾性表面波素子１１の電極形
成面には、上記第１，第２の直列腕共振子２１，２２お
よび第１〜第３の並列腕共振子２３〜２５が、図４に示
す梯子型回路を構成するように接続されている。なお、
図４におけるインダクタンスＬ１〜Ｌ４については後述
する。As described above, the first and second series arm resonators 21 and 22 and the first to third parallel arm resonators 23 to 25 are formed on the electrode formation surface of the surface acoustic wave element 11. 4 are connected to form a ladder circuit shown in FIG. In addition,
The inductances L1 to L4 in FIG. 4 will be described later.
【００４１】図１に示すように、図２に示したベース基
板１４の上面（電極形成面）には電極パターンが形成さ
れている。なお、図１中、電極パッド５１〜５３上に描
かれている円形は、バンプ１２ａ〜１２ｆにより弾性表
面波素子１１と接合される部分を示す。As shown in FIG. 1, an electrode pattern is formed on the upper surface (electrode formation surface) of the base substrate 14 shown in FIG. In addition, in FIG. 1, the circles drawn on the electrode pads 51 to 53 indicate the portions joined to the surface acoustic wave element 11 by the bumps 12a to 12f.
【００４２】上記ベース基板１４の電極形成面には、上
記電極パターンが例えば電極ペーストを印刷・焼成する
ことにより形成されている。上記べース基板１４の電極
形成面の図１中破線で示す部分が、弾性表面波素子１１
が搭載されるダイアタッチ部Ｓａである。また、破線の
外側の部分、すなわちベース基板１４の電極形成面のう
ち、ダイアタッチ部Ｓａの外周部が封止部Ｓｂである。
なお、弾性表面波素子１１は、当該弾性表面波素子１１
の電極形成面をベース基板１４のダイアタッチ部Ｓａに
対向させて、対応する電極をバンプ１２ａ〜１２ｆで接
合することにより固定される。The electrode pattern is formed on the electrode formation surface of the base substrate 14 by printing and firing an electrode paste, for example. The portion of the electrode formation surface of the base substrate 14 indicated by the broken line in FIG. 1 is the surface acoustic wave element 11.
Is the die attach portion Sa on which is mounted. Further, a portion outside the broken line, that is, the outer peripheral portion of the die attach portion Sa on the electrode formation surface of the base substrate 14 is the sealing portion Sb.
In addition, the surface acoustic wave element 11 is
The electrode forming surface is opposed to the die attach portion Sa of the base substrate 14, and the corresponding electrodes are fixed by bonding with the bumps 12a to 12f.
【００４３】具体的には、上記ベース基板１４の電極形
成面に形成された電極パターンのうち、電極パッド５
１、５２、５３がダイアタッチ部Ｓａを構成する。電極
パッド５１〜５３は、互いに分離して形成されている。
上記電極パッド５１〜５３のうち、電極パッド５１，５
２は外部の信号ラインに接続される電極パッドであり、
電極パッド５３は外部のアースラインに接続される電極
パッドである。Specifically, the electrode pad 5 of the electrode pattern formed on the electrode formation surface of the base substrate 14 is used.
1, 52 and 53 form the die attach portion Sa. The electrode pads 51 to 53 are formed separately from each other.
Of the electrode pads 51 to 53, the electrode pads 51, 5
2 is an electrode pad connected to an external signal line,
The electrode pad 53 is an electrode pad connected to an external earth line.
【００４４】ここで、上記電極パッド５１は、バンプ１
２ａにより、弾性表面波素子１１の電極ランド２６（図
３）に電気的に接続されるとともに、機械的に接合され
る。また、上記電極パッド５２は、バンプ１２ｂを介し
て、弾性表面波素子１１の電極ランド３０（図３）に電
気的に接続されるとともに、機械的に接合される。Here, the electrode pad 51 is the bump 1
By 2a, it is electrically connected to the electrode land 26 (FIG. 3) of the surface acoustic wave element 11 and mechanically joined thereto. The electrode pad 52 is electrically connected to the electrode land 30 (FIG. 3) of the surface acoustic wave element 11 via the bump 12b, and is mechanically joined.
【００４５】また、上記電極パッド５３は、バンプ１２
ｃ〜１２ｆを介して、弾性表面波素子１１の電極ランド
２７〜２９（図３）に電気的に接続されるとともに、機
械的に接合される。なお、上記電極パッド５３は、電極
ランド２７〜２９に対応して、互いに分離されていても
よい。The electrode pad 53 is formed by the bump 12
It is electrically connected to the electrode lands 27 to 29 (FIG. 3) of the surface acoustic wave element 11 via c to 12f and is mechanically joined. The electrode pads 53 may be separated from each other corresponding to the electrode lands 27 to 29.
【００４６】また、上記ベース基板１４の電極形成面の
封止部Ｓｂには、外部電極６１，６２，６３，６４が形
成されている。外部電極６１〜６４は、べース基板１４
の電極形成面だけでなく、図２では図示されていない部
分において、ベース基板１４の側面および下面に至るよ
うに形成されている。すなわち、外部電極６１〜６４
は、弾性表面波装置１０（図２）をパッケージの外部と
電気的に接続するための電極として機能する。External electrodes 61, 62, 63, 64 are formed on the sealing portion Sb on the electrode formation surface of the base substrate 14. The external electrodes 61 to 64 are the base substrate 14
2 is formed so as to reach the side surface and the lower surface of the base substrate 14 as well as the electrode forming surface of FIG. That is, the external electrodes 61 to 64
Serves as an electrode for electrically connecting the surface acoustic wave device 10 (FIG. 2) to the outside of the package.
【００４７】また、上記ベース基板１４の電極形成面の
封止部Ｓｂには、中継パッド７１，７２，７３，７４が
形成されている。さらに、上記ベース基板１４の電極形
成面には、ダイアタッチ部Ｓａの電極パッド５１と封止
部Ｓｂの中継パッド７１とを電気的に接続する接続配線
８１が形成されている。同様に、電極パッド５２と中継
パッド７２とを電気的に接続する接続配線８２が形成さ
れている。また、電極パッド５３と中継パッド７３，７
４とをそれぞれ電気的に接続する接続配線８３，８４が
形成されている。なお、外部電極６１〜６４および中継
パッド７１〜７４は、互いに分離して形成されている。
また、接続配線８１〜８４は、電極パッド５１〜５４と
中継パッド７１〜７４とを、低ロスで電気的に接続でき
れば良く、上記弾性表面波装置１０においても十分に広
い幅の配線で形成されている。Relay pads 71, 72, 73, 74 are formed on the sealing portion Sb on the electrode formation surface of the base substrate 14. Further, on the electrode formation surface of the base substrate 14, connection wiring 81 is formed to electrically connect the electrode pad 51 of the die attach portion Sa and the relay pad 71 of the sealing portion Sb. Similarly, a connection wiring 82 that electrically connects the electrode pad 52 and the relay pad 72 is formed. In addition, the electrode pad 53 and the relay pads 73, 7
Connection wirings 83 and 84 are formed to electrically connect 4 and 4, respectively. The external electrodes 61 to 64 and the relay pads 71 to 74 are formed separately from each other.
Further, the connection wirings 81 to 84 only need to be capable of electrically connecting the electrode pads 51 to 54 and the relay pads 71 to 74 with low loss, and are formed with sufficiently wide wirings in the surface acoustic wave device 10. ing.
【００４８】そして、外部電極６１と中継パッド７１と
がワイヤボンディングで形成されたワイヤ１５ａによっ
て接続されている。同様に、外部電極６２と中継パッド
７２とがワイヤ１５ｂによって接続されている。外部電
極６３と中継パッド７３とがワイヤ１５ｃによって接続
されている。外部電極６４と中継パッド７４とがワイヤ
１５ｄによって接続されている。The external electrode 61 and the relay pad 71 are connected by the wire 15a formed by wire bonding. Similarly, the external electrode 62 and the relay pad 72 are connected by the wire 15b. The external electrode 63 and the relay pad 73 are connected by the wire 15c. The external electrode 64 and the relay pad 74 are connected by the wire 15d.
【００４９】以上より、ベース基板１４の電極形成面で
は、外部電極６１が、ワイヤ１５ａ，中継パッド７１，
接続配線８１を順に介して電極パッド５１に電気的に接
続されている。同様に、外部電極６２が、ワイヤ１５
ｂ，中継パッド７２，接続配線８２を順に介して電極パ
ッド５２に電気的に接続されている。外部電極６３が、
ワイヤ１５ｃ，中継パッド７３，接続配線８３を順に介
して電極パッド５３に電気的に接続されている。外部電
極６４が、ワイヤ１５ｄ，中継パッド７４，接続配線８
４を順に介して電極パッド５３に電気的に接続されてい
る。As described above, on the electrode formation surface of the base substrate 14, the external electrode 61 is connected to the wire 15a, the relay pad 71,
It is electrically connected to the electrode pad 51 via the connection wiring 81 in order. Similarly, the external electrode 62 is connected to the wire 15
b, the relay pad 72, and the connection wiring 82 are sequentially connected to the electrode pad 52. The external electrode 63 is
It is electrically connected to the electrode pad 53 through the wire 15c, the relay pad 73, and the connection wiring 83 in this order. The external electrode 64 includes the wire 15d, the relay pad 74, and the connection wiring 8
It is electrically connected to the electrode pad 53 via 4 in order.
【００５０】そして、外部電極６１，６２は、弾性表面
波装置１０の外部の信号端子に接続されている。また、
外部電極６３，６４は、弾性表面波装置１０の外部のア
ース端子に接続されている。The external electrodes 61 and 62 are connected to the external signal terminals of the surface acoustic wave device 10. Also,
The external electrodes 63 and 64 are connected to a ground terminal outside the surface acoustic wave device 10.
【００５１】ここで、上記ワイヤ１５ａ〜１５ｄは、高
周波においてインダクタンスとして動作するように形成
されている。よって、弾性表面波装置１０では、図４に
示すように、ワイヤ１５ａによりインダクタンスＬ１
が、ワイヤ１５ｂによりインダクタンスＬ２が、ワイヤ
１５ｃによりインダクタンスＬ３が、ワイヤ１５ｄによ
りインダクタンスＬ４が構成されることになる。Here, the wires 15a to 15d are formed so as to operate as an inductance at high frequencies. Therefore, in the surface acoustic wave device 10, as shown in FIG.
However, the wire 15b constitutes the inductance L2, the wire 15c constitutes the inductance L3, and the wire 15d constitutes the inductance L4.
【００５２】言い換えれば、上記弾性表面波装置１０で
は、梯子型回路構成を有する各並列腕共振子２３〜２５
とアースラインに接続される外部電極６３，６４との間
に、それぞれ、インダクタンス成分として働くワイヤ１
５ｃ，１５ｄが接続されている。同様に、直列腕共振子
２１，２２と、外部の信号ラインに接続される外部電極
６１，６２との間にも、それぞれ、インダクタンス成分
として働くワイヤ１５ａ，１５ｂが接続されている。In other words, in the surface acoustic wave device 10, each of the parallel arm resonators 23 to 25 having the ladder type circuit configuration is used.
And the external electrodes 63, 64 connected to the ground line, respectively, the wire 1 acting as an inductance component.
5c and 15d are connected. Similarly, wires 15a and 15b that act as inductance components are connected between the series arm resonators 21 and 22 and the external electrodes 61 and 62 connected to the external signal line, respectively.
【００５３】ここで、図１および図２に示したように、
上記ベース基板１４では、外部電極６１〜６４および中
継パッド７１〜７４が封止部Ｓｂに形成されている。す
なわち、上記弾性表面波装置１０では、パッケージの封
止面とパッドの形成領域とが共通化されている。したが
って、上記弾性表面波装置１０の構造によれば、パッケ
ージの小型化が可能である。この点、従来のパッケージ
では、封止面とパッドとがそれぞれ独立していたため、
パッケージの小型化が困難であった。Here, as shown in FIG. 1 and FIG.
In the base substrate 14, the external electrodes 61 to 64 and the relay pads 71 to 74 are formed in the sealing portion Sb. That is, in the surface acoustic wave device 10, the sealing surface of the package and the pad formation region are made common. Therefore, according to the structure of the surface acoustic wave device 10, the package can be downsized. In this regard, in the conventional package, the sealing surface and the pad are independent,
It was difficult to miniaturize the package.
【００５４】つづいて、上記弾性表面波装置１０の具体
的な実施例について説明する。Next, a concrete example of the surface acoustic wave device 10 will be described.
【００５５】本実施例として、弾性表面波装置１０と同
一の構成を備えた、中心周波数が１８４２．５ＭＨｚ帯
の梯子型フィルタである弾性表面波フィルタ装置を考え
る。具体的には、本実施例は、２個の直列腕共振子２
１，２２および３個の並列腕共振子２３〜２５からなる
梯子型のフィルタ回路（弾性表面波素子１１）を含み、
並列腕共振子２３〜２５を３素子ともダイアタッチ部Ｓ
ａで導通を取り、パッケージの封止部Ｓｂに形成された
中継パッド７１〜７４と、パッケージの外部とつながる
外部電極６１〜６４とをワイヤ１５ａ〜１５ｄで電気的
に接続している。なお、圧電基板２０は３８．５°Ｙｃ
ｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板である。As the present embodiment, let us consider a surface acoustic wave filter device which is a ladder type filter having a center frequency of 1842.5 MHz band and having the same structure as the surface acoustic wave device 10. Specifically, in this embodiment, two series arm resonators 2 are provided.
1, 22 and a ladder type filter circuit (surface acoustic wave element 11) including three parallel arm resonators 23 to 25,
The parallel arm resonators 23 to 25 are used for the die attach portion S for all three elements.
The relay pads 71 to 74 formed in the sealing portion Sb of the package and the external electrodes 61 to 64 connected to the outside of the package are electrically connected by the wires 15a to 15d. The piezoelectric substrate 20 is 38.5 ° Yc.
utX propagation LiTaO 3 substrate.
【００５６】また、本実施例と比較するための比較例と
して、中継パッド７１〜７４およびワイヤ１５ａ〜１５
ｄの代わりに、マイクロストリップラインを使用した弾
性表面波フィルタ装置を考える。As a comparative example for comparison with this embodiment, relay pads 71-74 and wires 15a-15 are provided.
Consider a surface acoustic wave filter device using a microstrip line instead of d.
【００５７】なお、上記実施例および比較例において用
いた弾性表面波素子１１の仕様は以下のとおりである。The specifications of the surface acoustic wave element 11 used in the above-mentioned examples and comparative examples are as follows.
【００５８】直列腕共振子２１，２２………電極指交差
幅＝３９μｍ、ＩＤＴにおける電極指の対数＝１００、
反射器の電極指の本数＝１００、電極指ピッチ１．０５
μｍ（弾性表面波の波長λ＝２．１１μｍ）。Series arm resonators 21, 22, ... Electrode finger crossing width = 39 μm, number of pairs of electrode fingers in IDT = 100,
Number of electrode fingers of reflector = 100, electrode finger pitch 1.05
μm (wavelength of surface acoustic wave λ = 2.11 μm).
【００５９】並列腕共振子２３，２５………電極指交差
幅＝４７．５μｍ、ＩＤＴの電極指の対数＝５０、反射
器の電極指の本数＝１００、電極指ピッチ１．１０μｍ
（弾性表面波の波長λ＝２．２０μｍ）。Parallel arm resonators 23, 25 ... Width of intersecting electrode fingers = 47.5 μm, number of pairs of electrode fingers of IDT = 50, number of electrode fingers of reflector = 100, electrode finger pitch of 1.10 μm.
(Wavelength of surface acoustic wave λ = 2.20 μm).
【００６０】並列腕共振子２４………電極指交差幅＝８
５μｍ、ＩＤＴの電極指の対数＝５０、反射器の電極指
の本数＝１００、電極指ピッチ＝１．１０μｍ（弾性表
面波の波長λ＝２．２０μｍ）。Parallel arm resonator 24: electrode electrode crossing width = 8
5 μm, number of electrode fingers of IDT = 50, number of electrode fingers of reflector = 100, electrode finger pitch = 1.10 μm (surface acoustic wave wavelength λ = 2.20 μm).
【００６１】また、実施例において、信号端子に接続さ
れるワイヤ１５ａ，１５ｂによるインダクタンスは１．
０ｎＨであり、アース端子に接続されるワイヤ１５ｃ，
１５ｄによるインダクタンスは０．５ｎＨ程度である。
なお、アース端子に接続されるワイヤ１５ｃ，１５ｄ
は、外部のアース端子に対して並列に接続されているた
め、実際には０．１５ｎＨ程度の共通インダクタンスが
入る計算になる。In the embodiment, the wires 15a and 15b connected to the signal terminals have an inductance of 1.
0nH, wire 15c connected to the ground terminal,
The inductance due to 15d is about 0.5 nH.
The wires 15c and 15d connected to the ground terminal
Is connected in parallel to the external ground terminal, so that a common inductance of about 0.15 nH is actually calculated.
【００６２】図５は、本実施例（実線）および比較例
（破線）の弾性表面波フィルタ装置の減衰量−周波数特
性である。FIG. 5 shows the attenuation-frequency characteristics of the surface acoustic wave filter device of this embodiment (solid line) and comparative example (broken line).
【００６３】図５から明らかなように、減衰量が４ｄＢ
である通過帯域の幅は、比較例では９２ＭＨｚであるの
に対し、本実施例では９７ＭＨｚと広がっている。ま
た、通過帯域近傍の減衰量も、本実施例では低周波側で
大きくなっている。As is clear from FIG. 5, the attenuation is 4 dB.
The width of the pass band is 92 MHz in the comparative example, while it is 97 MHz in the present embodiment. Further, the amount of attenuation near the pass band is also large on the low frequency side in this embodiment.
【００６４】以上のように、上記弾性表面波装置１０
は、弾性表面波素子１１をフェイスダウン工法でパッケ
ージに収納した弾性表面波フィルタであって、弾性表面
波素子１１の端子と、パッケージの外部とつながる端子
との間に、インダクタンスとして動作するワイヤ１５
（１５ａ〜１５ｄ）を挿入したものである。これによ
り、上記弾性表面波装置１０は、通過域近傍の減衰量が
大きく、かつ、通過帯域幅が広い良好なフィルタ特性を
実現している。As described above, the surface acoustic wave device 10 described above is used.
Is a surface acoustic wave filter in which the surface acoustic wave element 11 is housed in a package by a face-down method, and a wire 15 that operates as an inductance is provided between a terminal of the surface acoustic wave element 11 and a terminal connected to the outside of the package.
(15a to 15d) are inserted. As a result, the surface acoustic wave device 10 realizes good filter characteristics with a large amount of attenuation in the vicinity of the pass band and a wide pass band width.
【００６５】ここで、ワイヤ１５のインダクタンス成分
は、ワイヤ１５の長さを変更することで調整することが
できる。そこで、上記弾性表面波装置１０では、ワイヤ
１５の長さの変更可能な範囲を広げるために、中継パッ
ド７１〜７４のように、封止部Ｓｂに設ける電極の面積
を大きくすることにより、ボンディングする位置を変更
可能にしている。Here, the inductance component of the wire 15 can be adjusted by changing the length of the wire 15. Therefore, in the above-described surface acoustic wave device 10, in order to widen the range in which the length of the wire 15 can be changed, the area of the electrode provided in the sealing portion Sb, such as the relay pads 71 to 74, is increased to perform bonding. You can change the position.
【００６６】例えば、図１では、中継パッド７１は、電
極パッド５１の近傍である接続配線８１との接続位置か
ら、ベース基板１４の角部に配設された外部電極６１の
近傍まで延設されている。これにより、ワイヤ１５ａの
中継パッド７１上でのボンディング位置を、中継パッド
７１の延設された長さの範囲で変更することができる。
もちろん、中継パッド７１を延設せずに接続配線８１と
の接続位置のみに設け、外部電極６１をベース基板１４
の角部から中継パッド７１の近傍まで延設しても同様で
ある。また、大面積の中継パッド７１を１つ形成する代
わりに、複数箇所に、外部電極６１との間に形成される
ワイヤ１５ａの長さが互いに異るように、それぞれ電極
パッド５１に接続して形成してもよい。For example, in FIG. 1, the relay pad 71 is extended from the connection position with the connection wiring 81 near the electrode pad 51 to the vicinity of the external electrode 61 arranged at the corner of the base substrate 14. ing. Thereby, the bonding position of the wire 15a on the relay pad 71 can be changed within the range of the extended length of the relay pad 71.
Of course, the relay pad 71 is not provided and provided only at the connection position with the connection wiring 81, and the external electrode 61 is provided.
The same is true even if it is extended from the corner portion to the vicinity of the relay pad 71. Instead of forming one large-area relay pad 71, the wires 15a formed between the external electrode 61 and the external electrode 61 are connected to the electrode pads 51 at different positions so that the lengths of the wires 15a are different from each other. You may form.
【００６７】このように、パッケージの封止部Ｓｂに複
数もしくは広い面積の中継パッド７１〜７４を形成する
ことにより、ワイヤ１５ａ〜１５ｄの長さを調整するこ
とができる。なお、図２に示したワイヤ１５のように、
弾性表面波素子１１をまたぐように形成してもよい。例
えば、矩形状の弾性表面波素子１１を対角方向にまたぐ
ようにワイヤ１５を形成すれば、インダクタンス成分を
最大にできる。その際、弾性表面波素子１１の厚みを薄
くすることにより、ワイヤ１５のループを低くすること
ができるので、パッケージの低背化が可能となる。As described above, the length of the wires 15a to 15d can be adjusted by forming the relay pads 71 to 74 having a large number or a large area in the sealing portion Sb of the package. In addition, like the wire 15 shown in FIG.
It may be formed so as to straddle the surface acoustic wave element 11. For example, if the wire 15 is formed so as to straddle the rectangular surface acoustic wave element 11 in the diagonal direction, the inductance component can be maximized. At this time, the loop of the wire 15 can be lowered by reducing the thickness of the surface acoustic wave element 11, so that the height of the package can be reduced.
【００６８】さらに、弾性表面波素子１１のパッケージ
を板状のパッケージすることにより、中継パッド７１〜
７４および外部電極６１〜６４をパッケージの封止領域
に設けることができ、弾性表面波素子１１のパッケージ
すなわち弾性表面波装置１０の小型化が可能となる。Furthermore, by packaging the package of the surface acoustic wave element 11 into a plate-like package, the relay pads 71 to 71
74 and the external electrodes 61 to 64 can be provided in the sealing region of the package, and the package of the surface acoustic wave element 11, that is, the surface acoustic wave device 10 can be downsized.
【００６９】また、ワイヤ１５は、ダイアタッチ部Ｓａ
の外側である封止部Ｓｂに、空中に形成されているた
め、弾性表面波素子１１との電磁界的な結合がなく、マ
イクロストリップラインに比べ理想的なインダクタンス
成分を得ることができる。よって、良好なフィルタ特性
が得られる。The wire 15 has a die attach portion Sa.
Since it is formed in the air in the sealing portion Sb on the outer side of, the electromagnetic coupling with the surface acoustic wave element 11 does not occur, and an ideal inductance component can be obtained as compared with the microstrip line. Therefore, good filter characteristics can be obtained.
【００７０】なお、従来（図８）のように、弾性表面波
素子の載置領域内にインダクタンス成分を構成した構造
では、弾性表面波素子の圧電基板上の配線等とベース基
板の電極とに電磁界的な結合が生じ、フィルタ特性が低
下していた。Incidentally, as in the conventional structure (FIG. 8), in the structure in which the inductance component is formed in the mounting area of the surface acoustic wave element, the wiring on the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave element and the electrode of the base substrate are formed. Electromagnetic coupling occurred, and the filter characteristics deteriorated.
【００７１】また、ワイヤ１５は、封止部Ｓｂにダイア
タッチ部Ｓａから外側に引き出されて形成されたワイヤ
ボンディングパッド（中継パッド７１〜７４）上に形成
されるため、ダイアタッチ部Ｓａのバンプ１２…の位置
や個数に全く制限を与えない。よって、十分なバンプ接
合強度を得ることができる。Further, since the wire 15 is formed on the wire bonding pad (relay pad 71 to 74) formed on the sealing portion Sb by being pulled out from the die attach portion Sa to the outside, the bump of the die attach portion Sa is formed. No restrictions are placed on the positions and the number of 12 ... Therefore, sufficient bump bonding strength can be obtained.
【００７２】また、封止樹脂１６で封止することによ
り、ワイヤ１５を固定することができる。さらに、ワイ
ヤ１５を封止・固定する封止樹脂１６の表面に導電膜１
７が形成することにより、電気的にシールド効果が得ら
れ、ワイヤ１５のインダクタンスを一定に保つことがで
きる。Further, the wire 15 can be fixed by sealing with the sealing resin 16. Further, the conductive film 1 is formed on the surface of the sealing resin 16 that seals and fixes the wire 15.
The formation of 7 makes it possible to electrically obtain a shielding effect and keep the inductance of the wire 15 constant.
【００７３】また、本発明の弾性表面波装置は、少なく
とも一つの櫛形電極を有する圧電基板をフリップチップ
実装してなる弾性表面波装置において、ワイヤボンディ
ングを行うことにより、インダクタンス成分を付加して
構成されていてもよい。Further, the surface acoustic wave device of the present invention is a surface acoustic wave device in which a piezoelectric substrate having at least one comb-shaped electrode is flip-chip mounted, and an inductance component is added by wire bonding. It may have been done.
【００７４】また、本発明の弾性表面波装置は、パッケ
ージが板状パッケージであってもよい。In the surface acoustic wave device of the present invention, the package may be a plate package.
【００７５】また、本発明の弾性表面波装置は、ワイヤ
ボンディングのワイヤが圧電基板の上部をまたいで形成
されていてもよい。Further, in the surface acoustic wave device of the present invention, the wire for wire bonding may be formed over the upper portion of the piezoelectric substrate.
【００７６】また、本発明の弾性表面波装置は、複数の
一端子対弾性表面波素子を交互に並列腕共振子、直列腕
共振子となるように梯子型に構成されたラダー型フィル
タであってもよい。Further, the surface acoustic wave device of the present invention is a ladder type filter constituted by a ladder type so that a plurality of one-terminal-pair surface acoustic wave elements are alternately arranged as a parallel arm resonator and a series arm resonator. May be.
【００７７】また、本発明の弾性表面波装置は、インダ
クタンス成分として働くワイヤが、圧電基板上の少なく
とも一つの直列腕共振子の信号端子にバンプボンドによ
って接続されるパッケージ側の電極パッドから電気的に
引き出された電極パッド（中継パッド）と、パッケージ
外部の信号端子につながる電極パッド（外部電極）との
間に設けられていてもよい。Further, in the surface acoustic wave device of the present invention, the wire acting as the inductance component is electrically connected to the signal terminal of at least one series arm resonator on the piezoelectric substrate by the bump-bonded electrode pad on the package side. It may be provided between the electrode pad (relay pad) led out to the electrode and the electrode pad (external electrode) connected to the signal terminal outside the package.
【００７８】また、本発明の弾性表面波装置は、インダ
クタンス成分として働くワイヤが、圧電基板上の少なく
とも一つの並列腕共振子のアース端子にバンプボンドに
よって接続されるパッケージ側の電極パッドから電気的
に引き出された電極パッド（中継パッド）と、パッケー
ジ外部のアースにつながる電極パッド（外部電極）との
間に設けられていてもよい。Further, in the surface acoustic wave device of the present invention, the wire acting as the inductance component is electrically connected to the ground terminal of at least one parallel arm resonator on the piezoelectric substrate by the bump-bonded electrode pad on the package side. It may be provided between the electrode pad (relay pad) drawn out to the ground and the electrode pad (external electrode) connected to the ground outside the package.
【００７９】ここで、特にラダー型フィルタは、他のフ
ィルタと異なり、直列共振子（信号ライン）や並列共振
子（アースライン）に理想的なインダクタンス成分を入
れることにより、帯域幅が改善されるという特徴を有す
る。Here, in particular, the ladder type filter is different from other filters in that the bandwidth is improved by putting an ideal inductance component in the series resonator (signal line) or the parallel resonator (earth line). It has the feature.
【００８０】最後に、図６を参照しながら、上記弾性表
面波装置１０を搭載した通信装置１００について説明す
る。Finally, a communication device 100 equipped with the surface acoustic wave device 10 will be described with reference to FIG.
【００８１】上記通信装置１００は、受信を行うレシー
バとして、アンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏ
ｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１
０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキ
サ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄ
ローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature
compensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振
器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１
４を備えて構成されている。また、上記通信装置１００
は、送信を行うトランシーバとして、上記アンテナ１０
１および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０
２を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキ
サ１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カ
プラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic
power control （自動出力制御））１２７を備えて構成
されている。The communication device 100 serves as a receiver for receiving the antenna 101, the antenna common part / RFTo.
p filter 102, amplifier 103, Rx interstage filter 1
04, mixer 105, 1stIF filter 106, mixer 107, 2ndIF filter 108, 1st + 2nd
Local synthesizer 111, TCXO (temperature
compensated crystal oscillator 112, divider 113, local filter 11
4 is provided. In addition, the communication device 100
Is the above-mentioned antenna 10 as a transceiver for transmitting.
1 and the antenna common part / RFTop filter 10
2 are shared, and a TxIF filter 121, a mixer 122, a Tx interstage filter 123, an amplifier 124, a coupler 125, an isolator 126, an APC (automatic).
A power control (automatic output control) 127 is provided.
【００８２】そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、
１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、
Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した弾性表面波装置
１０が好適に利用できる。ここで、上記弾性表面波装置
１０は、フリップチップ工法で製造された弾性表面波装
置であって、インダクタンス成分をワイヤ１５で付加す
ることにより、広帯域化および通過帯域近傍の減衰量を
拡大した優れたフィルタ特性を低ロスで実現している。
よって、このような弾性表面波装置１０を搭載すること
により、上記通信装置１００のフィルタ特性の向上と小
型化、低背化とを両立することが可能となる。したがっ
て、上記弾性表面波装置１０は、特に移動体通信に最適
である。Then, the above Rx interstage filter 104,
1stIF filter 106, TxIF filter 121,
The surface acoustic wave device 10 described above can be preferably used for the Tx interstage filter 123. Here, the surface acoustic wave device 10 is a surface acoustic wave device manufactured by the flip chip method, and by adding an inductance component with the wire 15, a wide band and an excellent attenuation amount in the vicinity of the pass band are enhanced. The filter characteristics are realized with low loss.
Therefore, by mounting the surface acoustic wave device 10 as described above, it is possible to improve the filter characteristics of the communication device 100, and reduce the size and height of the communication device 100 at the same time. Therefore, the surface acoustic wave device 10 is particularly suitable for mobile communication.
【００８３】[0083]
【発明の効果】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、圧電基板上に少なくとも一つの櫛形電極が形成され
た弾性表面波素子と、該弾性表面波素子がフェイスダウ
ン工法でバンプにより接合されるベース基板とを備え、
上記ベース基板は、上記弾性表面波素子が載置される載
置領域の内に、上記バンプが形成される電極パッドを有
し、かつ、上記載置領域の外に、上記電極パッドと導通
された中継パッドと、外部と導通された外部電極と、を
有するとともに、上記中継パッドと上記外部電極とが所
定の周波数でインダクタンス成分として働くワイヤによ
って接続されている構成である。As described above, the surface acoustic wave device of the present invention has a surface acoustic wave element in which at least one comb-shaped electrode is formed on the piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave element is formed by bumps by a face-down method. A base substrate to be joined,
The base substrate has an electrode pad on which the bump is formed, in a mounting area in which the surface acoustic wave element is mounted, and is electrically connected to the electrode pad outside the mounting area. The relay pad and the external electrode electrically connected to the outside are provided, and the relay pad and the external electrode are connected by a wire acting as an inductance component at a predetermined frequency.
【００８４】それゆえ、弾性表面波素子をフェイスダウ
ン工法で実装した弾性表面波装置において、ワイヤでイ
ンダクタンス成分を付加することができる。したがっ
て、通過域近傍の減衰量が大きく、通過帯域幅の広い良
好なフィルタ特性が得られるという効果を奏する。ま
た、パッケージの製造バラツキによらず、低ロスで安定
したインダクタンス成分を付加することが可能となると
いう効果を奏する。Therefore, in the surface acoustic wave device in which the surface acoustic wave element is mounted by the face-down method, the inductance component can be added by the wire. Therefore, there is an effect that a large amount of attenuation in the vicinity of the pass band and a good filter characteristic with a wide pass band can be obtained. Further, there is an effect that it is possible to add a stable inductance component with a low loss regardless of manufacturing variations of the package.
【００８５】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、さらに、上記の中継パッドおよび外部電極の少なく
とも何れか一方は、上記ワイヤと接続可能な位置を複数
有する形状に形成されている構成である。As described above, in the surface acoustic wave device of the present invention, at least one of the relay pad and the external electrode is formed in a shape having a plurality of positions connectable to the wire. Is.
【００８６】それゆえ、さらに、中継パッドおよび外部
電極の少なくとも何れか一方が複数の位置でワイヤと接
続可能であるため、ボンディングする位置を変更するこ
とによって、ワイヤの長さすなわちインダクタンス成分
を調整できるという効果を奏する。Therefore, since at least one of the relay pad and the external electrode can be connected to the wire at a plurality of positions, the length of the wire, that is, the inductance component can be adjusted by changing the bonding position. Has the effect.
【００８７】本発明の弾性表面波装置は、以上のよう
に、さらに、上記ワイヤが樹脂で封止されているととも
に、該樹脂が導電膜によって被覆されている構成であ
る。As described above, the surface acoustic wave device of the present invention has a structure in which the wire is further sealed with a resin and the resin is covered with a conductive film.
【００８８】それゆえ、さらに、導電膜によって電気的
にシールド効果が得られるため、ワイヤのインダクタン
スを一定に保つことができるという効果を奏する。Therefore, since the conductive film can electrically provide a shielding effect, the inductance of the wire can be kept constant.
【００８９】本発明の通信装置は、以上のように、上記
弾性表面波装置を搭載した構成である。As described above, the communication device of the present invention has the surface acoustic wave device mounted therein.
【００９０】それゆえ、フリップチップ工法で製造され
た弾性表面波装置を搭載した通信装置において、広帯域
化および通過帯域近傍の減衰量を拡大した優れたフィル
タ特性を、低ロスで実現できる。よって、弾性表面波装
置がフリップチップ工法によって製造できるため、弾性
表面波装置の小型化、低背化を実現できる。したがっ
て、このような弾性表面波装置を搭載することにより、
通信装置のフィルタ特性の向上と小型化とを両立するこ
とが可能となるという効果を奏する。Therefore, in a communication device equipped with a surface acoustic wave device manufactured by the flip chip method, it is possible to realize excellent filter characteristics with wide band and increased attenuation near the pass band with low loss. Therefore, since the surface acoustic wave device can be manufactured by the flip chip method, the surface acoustic wave device can be downsized and the height can be reduced. Therefore, by mounting such a surface acoustic wave device,
It is possible to achieve both improvement of filter characteristics and downsizing of the communication device.
【図１】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
ベース基板に形成される電極パターンの概略を示す模式
図である。FIG. 1 is a schematic view showing an outline of an electrode pattern formed on a base substrate of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
弾性表面波素子に形成される電極パターンの概略を示す
模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing an outline of an electrode pattern formed on a surface acoustic wave element of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の
回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図５】実施例および比較例の電気的特性を示す説明図
である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing electrical characteristics of examples and comparative examples.
【図６】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置を
搭載した通信装置の概略を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram schematically showing a communication device equipped with a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
【図７】従来の弾性表面波装置の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional surface acoustic wave device.
【図８】従来の弾性表面波装置のベース基板に形成され
る電極パターンの概略を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing an outline of an electrode pattern formed on a base substrate of a conventional surface acoustic wave device.
１０ 弾性表面波装置 １１ 弾性表面波素子 １２（１２ａ〜１２ｆ） バンプ １４ ベース基板 １５（１５ａ〜１５ｄ） ワイヤ １６ 封止樹脂（樹脂） １７ 導電膜 ２０ 圧電基板 ２１，２２ 直列腕共振子（櫛形電極） ２３，２４，２５ 並列腕共振子（櫛形電極） ５１，５２，５３ 電極パッド ６１，６２，６３，６４ 外部電極 ７１，７２，７３，７４ 中継パッド １００ 通信装置 Ｓａ ダイアタッチ部（載置領域） 10 Surface acoustic wave device 11 Surface acoustic wave device 12 (12a-12f) bumps 14 Base substrate 15 (15a-15d) wire 16 Sealing resin (resin) 17 Conductive film 20 Piezoelectric substrate 21,22 Series arm resonator (comb-shaped electrode) 23, 24, 25 Parallel arm resonators (comb-shaped electrodes) 51, 52, 53 Electrode pad 61, 62, 63, 64 External electrodes 71, 72, 73, 74 Relay pad 100 communication device Sa die attach part (placement area)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J097 AA16 AA19 AA29 AA33 CC05 DD25 FF02 GG03 GG04 JJ03 JJ08 JJ09 KK04 KK10 LL01 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F term (reference) 5J097 AA16 AA19 AA29 AA33 CC05 DD25 FF02 GG03 GG04 JJ03 JJ08 JJ09 KK04 KK10 LL01
Claims (4)
形成された弾性表面波素子と、 該弾性表面波素子がフェイスダウン工法でバンプにより
接合されるベース基板とを備え、 上記ベース基板は、 上記弾性表面波素子が載置される載置領域の内に、上記
バンプが形成される電極パッドを有し、 かつ、上記載置領域の外に、上記電極パッドと導通され
た中継パッドと、外部と導通された外部電極と、を有す
るとともに、 上記中継パッドと上記外部電極とが所定の周波数でイン
ダクタンス成分として働くワイヤによって接続されてい
ることを特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave device having at least one comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate, and a base substrate to which the surface acoustic wave device is joined by bumps by a face-down method. Inside the mounting area where the surface acoustic wave element is mounted, there is an electrode pad on which the bump is formed, and outside the mounting area, a relay pad electrically connected to the electrode pad, A surface acoustic wave device having an external electrode electrically connected to the outside, wherein the relay pad and the external electrode are connected by a wire acting as an inductance component at a predetermined frequency.
とも何れか一方は、上記ワイヤと接続可能な位置を複数
有する形状に形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の弾性表面波装置。2. At least one of the relay pad and the external electrode is formed in a shape having a plurality of positions connectable to the wire.
The surface acoustic wave device according to.
に、該樹脂が導電膜によって被覆されていることを特徴
とする請求項１または２に記載の弾性表面波装置。3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the wire is sealed with a resin and the resin is covered with a conductive film.
表面波装置を搭載したことを特徴とする通信装置。4. A communication device comprising the surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 3.
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