JP2003007229A - Cathode-ray tube - Google Patents

Cathode-ray tube

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JP2003007229A
JP2003007229A JP2001185083A JP2001185083A JP2003007229A JP 2003007229 A JP2003007229 A JP 2003007229A JP 2001185083 A JP2001185083 A JP 2001185083A JP 2001185083 A JP2001185083 A JP 2001185083A JP 2003007229 A JP2003007229 A JP 2003007229A
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JP
Japan
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electron beam
incident angle
ray tube
cathode ray
phosphor screen
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Application number
JP2001185083A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomonari Ishihara
智成 石原
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cathode-ray tube that can suppress generation of moires and which can improve image quality. SOLUTION: The cathode-ray tube comprises an envelope, including a funnel 2 joined to a panel 1, a phosphor screen 4 formed on an inner surface of the panel 1 and provided with a phosphor layer, a shadow mask 3 opposed to the phosphor screen 4 and provided with a plurality of apertures, an electron gun structure 6 arranged in a neck 5 of the funnel 2 to emit electron beams 7 (R, G, B) toward the phosphor screen 4 via the shadow mask 3, and an incident angle varying mechanism 9 and 10 for varying an incident angle to vertical direction Y of the electron beams emitted from the electron gun structure 6, without having to change the incident position thereof on the phosphor layer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、陰極線管装置に
係り、特に、シャドウマスク方式のカラー陰極線管装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube device, and more particularly to a shadow mask type color cathode ray tube device.

【0002】[0002]

【従来の技術】シャドウマスク方式のカラー陰極線管装
置では、電子銃構体から放出された電子ビームをシャド
ウマスクに形成された多数のアパーチャを介して蛍光体
スクリーンにおける蛍光体層上にフォーカスすることに
よってカラー画像を表示している。このようなカラー陰
極線管装置では、シャドウマスクの垂直方向のブリッジ
による蛍光体層上の影と走査線との干渉により、モアレ
を生じるおそれがある。このモアレは、低電流領域にて
顕著となるが、高電流領域においても、電子銃構体から
出射された電子ビームによるビームスポットの垂直方向
径が十分に小さいときにはモアレが発生することがあ
る。
2. Description of the Related Art In a shadow mask type color cathode ray tube device, an electron beam emitted from an electron gun assembly is focused on a phosphor layer in a phosphor screen through a large number of apertures formed in the shadow mask. A color image is displayed. In such a color cathode ray tube device, moire may occur due to interference between the scan lines and the shadow on the phosphor layer due to the bridge in the vertical direction of the shadow mask. This moiré is noticeable in the low current region, but even in the high current region, moiré may occur when the vertical diameter of the beam spot by the electron beam emitted from the electron gun assembly is sufficiently small.

【0003】ところで、カラー陰極線管を用いた表示装
置は、主にコンピュータ用のディスプレイとテレビ用の
表示装置として利用される。前者のコンピュータ用ディ
スプレイにおいては、走査線間隔を微小変更させる方法
や、フォーカス電圧をビーム電流にあわせて変更させる
ことにより、モアレを軽減している。また、後者のテレ
ビ用表示装置においては、シャドウマスクの垂直方向ピ
ッチを各管種ごとにモアレが発生しにくいように設定し
たり、電子銃構体のフォーカス特性(ビームプロファイ
ル)を最適設計することにより、モアレを軽減してい
る。
A display device using a color cathode ray tube is mainly used as a display device for a computer and a display device for a television. In the former computer display, moire is reduced by minutely changing the scanning line interval or by changing the focus voltage according to the beam current. In the latter TV display device, the vertical pitch of the shadow mask is set so that moire is unlikely to occur for each tube type, and the focus characteristics (beam profile) of the electron gun assembly are optimally designed. , Moire is reduced.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述した、シャドウマ
スク方式のカラー陰極線管装置におけるモアレ軽減方法
をまとめると、以下のような方法がある。
SUMMARY OF THE INVENTION The moire reducing methods in the shadow mask type color cathode ray tube apparatus described above can be summarized as follows.

【0005】(1)走査線間隔を微小変更させる方法
(特開平6−326898号公報など) (2)フォーカス電圧をビーム電流(輝度)の変化に合
わせて変更する方法 (3)シャドウマスクに形成されたアパーチャのピッチ
を管種ごとに設定する方法 (4)電子銃構体のフォーカス特性の最適設計による方
法 しかしながら、上述した方法では、それぞれ以下に示す
ような欠点がある。
(1) A method of minutely changing the scanning line interval (Japanese Patent Laid-Open No. 6-326898, etc.) (2) A method of changing the focus voltage according to a change in beam current (luminance) (3) Forming on a shadow mask (4) Method of Optimizing Design of Focus Characteristics of Electron Gun Structure However, each of the above methods has the following drawbacks.

【0006】まず、(1)では、視覚者の気にならない
程度に走査線間隔を微小変更することによりモアレを軽
減している。しかしながら、この走査線間隔の変調量
は、画面サイズ、解像度、及びシャドウマスクに形成さ
れたアパーチャのピッチサイズ等により左右されるもの
であり、また気にならない程度も個人差があり、必ずし
もすべての視覚者が画面のちらつき及び画質の劣化等を
全く感じないわけではない。
First, in (1), the moiré is reduced by minutely changing the scanning line interval to the extent that the viewer does not care. However, the modulation amount of the scanning line interval depends on the screen size, the resolution, the pitch size of the apertures formed in the shadow mask, and the like, and there are individual differences to the extent that they do not bother. The viewer is not completely flicker-free and the image quality is not degraded.

【0007】(2)については、ビームスポット径の大
きくなる高輝度(高電流)時には、最良フォーカスとな
るフォーカス電圧に設定し、ビームスポット径が小さく
なる低輝度(低電流)時には、最良フォーカスとなるフ
ォーカス電圧からずれた電圧とする。このことにより、
低輝度(低電流)時に顕著となるモアレを軽減してい
る。通常、低輝度時のフォーカス性能(スポット径)は
劣化するが、高輝度時でのビームスポット径との差が少
なくなる傾向にあり、解像度の劣化とはみなされにく
い。しかしながら、高輝度、高解像度を指向する場合に
は、中〜高電流時においてもモアレが発生する場合があ
る。この場合には、フォーカス電圧によりモアレを軽減
させようとすると、解像度の劣化につながる。
Regarding (2), the focus voltage is set to the best focus when the beam spot diameter is large and the brightness is high (high current), and the focus voltage is the best focus when the beam spot diameter is small and the brightness is low (low current). The voltage is deviated from the focus voltage. By this,
The moire that is noticeable at low brightness (low current) is reduced. Normally, the focus performance (spot diameter) at low brightness is deteriorated, but the difference from the beam spot diameter at high brightness tends to be small, and this is not considered to be deterioration of resolution. However, when aiming at high brightness and high resolution, moire may occur even at medium to high currents. In this case, if it is attempted to reduce moire with the focus voltage, the resolution will deteriorate.

【0008】(3)については、シャドウマスクに形成
されたアパーチャの垂直方向のピッチを変えることによ
り走査線との干渉を防止している。しかしながら、アパ
ーチャの垂直方向のピッチは、シャドウマスクの強度や
開口率に関わるために制限があり、必ずしもモアレを有
効に軽減することはできない。
With respect to (3), the interference with the scanning lines is prevented by changing the vertical pitch of the apertures formed in the shadow mask. However, the vertical pitch of the aperture is limited because it relates to the strength and aperture ratio of the shadow mask, and it is not always possible to effectively reduce moire.

【0009】(4)については、フォーカス電圧を中〜
高輝度時に最適となるようにした時に、低輝度(低電
流)時がそのビーム電流における最適電圧からはずれる
ことになる。この低輝度時では、ビームスポット径は、
拡大するが、この拡大したビームスポット径がモアレを
発生しないような大きさとなるよう、電子銃構体の最適
設計を行う。このように最適設計を行った場合、中〜高
輝度時のフォーカス性能も劣化する。また、(2)の方
法と同様に、高輝度、高解像度を指向する場合、モアレ
抑制と解像度の向上を両立することはできない。また、
管種ごとにモアレを発生させないために必要なスポット
径が異なるため、電子銃構体は、管種ごとに最適設計す
ることになり、生産性の劣化を招く。
As for (4), the focus voltage is set to medium to high.
When optimized for high brightness, low brightness (low current) will deviate from the optimum voltage for the beam current. At this low brightness, the beam spot diameter is
Although it is enlarged, the electron gun assembly is optimally designed so that the enlarged beam spot diameter is a size that does not cause moire. When the optimum design is performed in this way, the focus performance in the middle to high brightness is also deteriorated. Further, similarly to the method (2), when directing high brightness and high resolution, it is not possible to achieve both moire suppression and resolution improvement. Also,
Since the spot diameter required to prevent the generation of moire differs depending on the tube type, the electron gun assembly is optimally designed for each tube type, resulting in deterioration of productivity.

【0010】上述したように、従来の方法では、モアレ
の抑制と画質の向上(高輝度・高解像度及びちらつきの
ない画像)とをすべての管種において実現するすること
は困難である。
As described above, it is difficult for the conventional methods to realize the suppression of moire and the improvement of image quality (high brightness / high resolution and flicker-free images) in all tube types.

【0011】そこで、この発明は、上述した問題点に鑑
みなされたものであって、その目的は、モアレの発生を
抑制し、画質を向上することが可能な陰極線管装置を提
供することにある。
Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a cathode ray tube device capable of suppressing the generation of moire and improving the image quality. .

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項1は、パネルと、このパネルに
接合されたファンネルと、を有する外囲器と、前記パネ
ルの内面に形成されているとともに、蛍光体層を有する
蛍光体スクリーンと、前記蛍光体スクリーンに対向して
配設されているとともに、複数のアパーチャを有するシ
ャドウマスクと、前記ファンネルのネック内に配設され
ているとともに、前記シャドウマスクを介して前記蛍光
体スクリーンに向けて電子ビームを放出する電子銃構体
と、前記電子銃構体から放出された電子ビームを水平方
向及び垂直方向に偏向する偏向磁界を発生する偏向ヨー
クと、を備えた陰極線管装置において、前記電子銃構体
から放出された電子ビームの前記蛍光体層へ入射する入
射位置を変えることなく、垂直方向の入射角度を変更す
る入射角度変更機構を備えたことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems and to achieve the object, a first aspect of the present invention provides an envelope having a panel and a funnel joined to the panel, and an inner surface of the panel. A phosphor screen formed and having a phosphor layer, a shadow mask having a plurality of apertures, which is arranged so as to face the phosphor screen, and arranged in the neck of the funnel. At the same time, an electron gun assembly that emits an electron beam toward the phosphor screen through the shadow mask and a deflection magnetic field that deflects the electron beam emitted from the electron gun assembly in horizontal and vertical directions are generated. In a cathode ray tube device including a deflection yoke, an incident position of an electron beam emitted from the electron gun assembly to enter the phosphor layer can be changed. Without it characterized by comprising an incident angle changing mechanism for changing the incident angle in the vertical direction.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、この発明の陰極線管装置の
一実施の形態について図面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the cathode ray tube device of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1に示すように、この発明に係る陰極線
管装置、すなわちセルフコンバージェンス方式のインラ
イン型カラー陰極線管装置は、パネル1、及びパネル1
に一体に接合されたファンネル2からなる外囲器を有し
ている。このパネル1は、その内面に、青、緑、赤に発
光するストライプ状またはドット状の3色蛍光体層を含
む蛍光体スクリーン4を備えている。シャドウマスク3
は、その内側に多数のアパーチャを有し、蛍光体スクリ
ーン4に対向して配置されている。
As shown in FIG. 1, a cathode ray tube apparatus according to the present invention, that is, a self-convergence type in-line type color cathode ray tube apparatus, includes a panel 1 and a panel 1.
It has an envelope made up of the funnel 2 integrally joined to. This panel 1 is provided with a phosphor screen 4 on its inner surface, which includes a stripe-shaped or dot-shaped three-color phosphor layer that emits blue, green, and red light. Shadow mask 3
Has a large number of apertures inside and is arranged so as to face the phosphor screen 4.

【0015】インライン型電子銃構体6は、ファンネル
2の径小部に相当するネック5内に備えられている。こ
の電子銃構体6は、同一水平面上を通るセンタービーム
7Gおよび一対のサイドビーム7B、7Rからなる一列
配置の3電子ビーム7B、7G、7Rを放出する。
The in-line type electron gun assembly 6 is provided in the neck 5 corresponding to the small diameter portion of the funnel 2. The electron gun assembly 6 emits three electron beams 7B, 7G, 7R arranged in a row, which includes a center beam 7G passing through the same horizontal plane and a pair of side beams 7B, 7R.

【0016】偏向ヨーク8は,ファンネル2の径大部か
らネック5にかけて装着されている。この偏向ヨーク8
は、電子銃構体6から放出された3電子ビーム7B、7
G、7Rを水平方向(X)及び垂直方向(Y)に偏向す
る非斉一な偏向磁界を発生する。この非斉一磁界は、ピ
ンクッション型の水平偏向磁界及びバレル型の垂直偏向
磁界によって形成される。
The deflection yoke 8 is mounted from the large diameter portion of the funnel 2 to the neck 5. This deflection yoke 8
Are three electron beams 7B, 7 emitted from the electron gun assembly 6.
An inhomogeneous deflection magnetic field for deflecting G and 7R in the horizontal direction (X) and the vertical direction (Y) is generated. This non-uniform magnetic field is formed by a pincushion type horizontal deflection magnetic field and a barrel type vertical deflection magnetic field.

【0017】電子銃構体6から放出された3電子ビーム
7B、7G、7Rは、偏向ヨーク8の発生する非斉一磁
界によって偏向され、シャドウマスク3を介して蛍光体
スクリーン4を水平方向及び垂直方向に走査する。これ
により、カラー画像が表示される。
The three electron beams 7B, 7G and 7R emitted from the electron gun assembly 6 are deflected by the non-uniform magnetic field generated by the deflection yoke 8, and the phosphor screen 4 is passed through the shadow mask 3 in the horizontal and vertical directions. To scan. As a result, a color image is displayed.

【0018】この陰極線管装置は、さらに、図1及び図
2に示すように、補助コイルユニット(入射角度変更機
構)9、10を備えている。これらの補助コイルユニッ
ト9及び10は、それぞれ水平方向Xに対向して配置さ
れた一対の磁界発生コイル9a及び9b、10a及び1
0bによって構成されている。これら補助コイルユニッ
ト9及び10は、電子ビームが進行する管軸方向に沿っ
て配置されている。これらの補助コイルユニット9及び
10の取り付け位置は、管種によって異なり、電子銃構
体6のカソード位置に対応するネック5外面から蛍光体
スクリーン4に向かって偏向ヨーク8の配置位置に対応
するファンネル2外面までにあることが好ましい。な
お、ここでは、補助コイルユニットを2個配置した例に
ついて説明するが、2個以上配置しても良い。
The cathode ray tube device further includes auxiliary coil units (incident angle changing mechanism) 9 and 10, as shown in FIGS. These auxiliary coil units 9 and 10 are a pair of magnetic field generating coils 9a and 9b, 10a and 1 arranged to face each other in the horizontal direction X.
It is composed of 0b. These auxiliary coil units 9 and 10 are arranged along the tube axis direction in which the electron beam travels. The attachment positions of these auxiliary coil units 9 and 10 differ depending on the tube type, and the funnel 2 corresponding to the arrangement position of the deflection yoke 8 from the outer surface of the neck 5 corresponding to the cathode position of the electron gun assembly 6 toward the phosphor screen 4. It is preferable to be on the outer surface. Note that, here, an example in which two auxiliary coil units are arranged will be described, but two or more auxiliary coil units may be arranged.

【0019】これら2つの補助コイルユニット9及び1
0は、電子銃構体から放出された電子ビームを垂直方向
Yに沿って互いに逆向きに微小に偏向する。例えば、補
助コイルユニット9が電子ビームを垂直方向Yに沿って
上向きに微小偏向した場合には、補助コイルユニット1
0が微小偏向された電子ビームを垂直方向Yに沿って下
向きに微小偏向する。
These two auxiliary coil units 9 and 1
0 slightly deflects the electron beam emitted from the electron gun assembly in the opposite directions along the vertical direction Y. For example, when the auxiliary coil unit 9 slightly deflects the electron beam upward along the vertical direction Y, the auxiliary coil unit 1
0 slightly deflects the electron beam slightly deflected downward in the vertical direction Y.

【0020】すなわち、これら補助コイルユニット9及
び10は、それぞれが行う電子ビームに対する上下の微
小偏向を蛍光体スクリーン4上でキャンセルするよう
に、常に逆磁界を発生する。これにより、通常状態すな
わち補助コイルユニット9及び10が動作しない状態と
比較して、電子銃構体7から放出された電子ビームの蛍
光体スクリーン4の蛍光体層上への入射位置を変えるこ
となく、垂直方向Yの入射角度を変更することが可能と
なる。
That is, these auxiliary coil units 9 and 10 always generate a reverse magnetic field so as to cancel the upper and lower minute deflections of the electron beams performed by the auxiliary coil units 9 and 10 on the phosphor screen 4. Accordingly, as compared with the normal state, that is, the state in which the auxiliary coil units 9 and 10 are not operated, the incident position of the electron beam emitted from the electron gun assembly 7 on the phosphor layer of the phosphor screen 4 is not changed, It is possible to change the incident angle in the vertical direction Y.

【0021】通常状態では、図3に示すように、電子銃
構体から放出された電子ビーム7aの軌道の軸11が管
軸Zに対して垂直方向Yにθvだけ傾いている場合、電
子ビーム7aは、シャドウマスク3を介して垂直方向に
偏向角θvで蛍光体スクリーン4に入射する。この場
合、蛍光体スクリーン4に到達した電子ビームのビーム
スポットにより、蛍光体層の一部4aが発光するととも
に、シャドウマスク3におけるブリッジ3bの影によ
り、蛍光体層の一部4bに発光しない影部分が形成され
る。
In the normal state, as shown in FIG. 3, when the axis 11 of the trajectory of the electron beam 7a emitted from the electron gun assembly is tilted by θv in the vertical direction Y with respect to the tube axis Z, the electron beam 7a. Enters the phosphor screen 4 at a deflection angle θv in the vertical direction through the shadow mask 3. In this case, the beam spot of the electron beam reaching the phosphor screen 4 causes the part 4a of the phosphor layer to emit light, and the shadow of the bridge 3b in the shadow mask 3 prevents the part 4b of the phosphor layer from emitting light. A part is formed.

【0022】高電流時(すなわち高輝度時)には、図4
に示すように、比較的大きなビームスポット12aによ
って蛍光体スクリーン4の蛍光体層4aが発光される。
このとき、蛍光体スクリーン4に投影されたブリッジ3
bの影が非発光部分4bを形成してしまう。
At the time of high current (that is, at high brightness), as shown in FIG.
As shown in, the phosphor layer 4a of the phosphor screen 4 emits light by the relatively large beam spot 12a.
At this time, the bridge 3 projected on the phosphor screen 4
The shadow of b forms the non-light emitting portion 4b.

【0023】また、低電流時(すなわち低輝度時)に
は、図5に示すように、比較的小さなビームスポット1
2bによって蛍光体スクリーン4の蛍光体層4aが発光
される。また、このとき、蛍光体スクリーン4に投影さ
れたブリッジ3bの影が非発光部分4bを形成してしま
う。
Further, when the current is low (that is, when the brightness is low), as shown in FIG.
2b causes the phosphor layer 4a of the phosphor screen 4 to emit light. Further, at this time, the shadow of the bridge 3b projected on the phosphor screen 4 forms the non-light emitting portion 4b.

【0024】このブリッジの影が周期的に形成された場
合には、走査線と干渉してモアレを発生するおそれがあ
る。このため、ブリッジの影を目立たなくするか、もし
くは、ブリッジの影の規則性を変えることにより、走査
線との干渉によるモアレの発生を軽減することが可能と
なる。
When the shadows of the bridge are formed periodically, there is a risk of interfering with the scanning lines and causing moire. Therefore, by making the shadow of the bridge inconspicuous or changing the regularity of the shadow of the bridge, it is possible to reduce the occurrence of moire due to interference with the scanning line.

【0025】まず、ブリッジの影を目立たなくしてモア
レの発生を抑制する方法について説明する。
First, a method of suppressing the generation of moire by making the shadow of the bridge inconspicuous will be described.

【0026】すなわち、この方法では、図6に示すよう
に、蛍光体スクリーン4上のビームスポットが1蛍光体
層を水平方向Xに走査する間に、異なる軌道の少なくと
も2本の電子ビーム7a1及び7a2を同一蛍光体層に
入射させる。
That is, in this method, as shown in FIG. 6, while the beam spot on the phosphor screen 4 scans one phosphor layer in the horizontal direction X, at least two electron beams 7a1 and 7a2 is made incident on the same phosphor layer.

【0027】例えば、1蛍光体層を走査する第1のタイ
ミングで、電子銃構体6から放出された電子ビームは、
前段の補助コイルユニット9により垂直方向Yに沿った
下向きに微小偏向され、さらに、通常状態での蛍光体層
への入射位置を維持するように後段の補助コイルユニッ
ト10により垂直方向Yに沿った上向きに微小偏向され
る。
For example, at the first timing of scanning one phosphor layer, the electron beam emitted from the electron gun assembly 6 is
It is slightly deflected downward along the vertical direction Y by the auxiliary coil unit 9 in the front stage, and further along the vertical direction Y by the auxiliary coil unit 10 in the rear stage so as to maintain the incident position on the phosphor layer in the normal state. It is slightly deflected upward.

【0028】これにより、電子ビーム7a1は、通常状
態の電子ビームの垂直方向Yにおける偏向角θvに対し
て(−θ)だけ垂直方向Yに傾いて蛍光体スクリーン
4に入射する。この場合、蛍光体スクリーン4に到達し
た電子ビーム7a1のビームスポットにより、蛍光体層
の一部4aが発光するとともに、シャドウマスク3にお
けるブリッジ3bの影により、蛍光体層の一部4b1に
発光しない影部分が形成される。
As a result, the electron beam 7a1 is incident on the phosphor screen 4 with an inclination of (-θ 1 ) in the vertical direction Y with respect to the deflection angle θv of the electron beam in the normal state in the vertical direction Y. In this case, the beam spot of the electron beam 7a1 reaching the phosphor screen 4 causes the part 4a of the phosphor layer to emit light, and due to the shadow of the bridge 3b in the shadow mask 3, the part 4b1 of the phosphor layer does not emit light. A shadow part is formed.

【0029】続いて、同一蛍光体層を走査する第2のタ
イミングで、電子銃構体6から放出された電子ビーム
は、前段の補助コイルユニット9により垂直方向Yに沿
った上向きに微小偏向され、さらに、通常状態での蛍光
体層への入射位置を維持するように後段の補助コイルユ
ニット10により垂直方向Yに沿った下向きに微小偏向
される。
Next, at the second timing of scanning the same phosphor layer, the electron beam emitted from the electron gun assembly 6 is slightly deflected upward in the vertical direction Y by the auxiliary coil unit 9 in the preceding stage, Further, the auxiliary coil unit 10 in the latter stage is slightly deflected downward along the vertical direction Y so as to maintain the incident position on the phosphor layer in the normal state.

【0030】これにより、電子ビーム7a2は、通常状
態の電子ビームの垂直方向Yにおける偏向角θvに対し
て(+θ)だけ垂直方向Yに傾いて蛍光体スクリーン
4に入射する。この場合、蛍光体スクリーン4に到達し
た電子ビーム7a1のビームスポットにより、蛍光体層
の一部4aが発光するとともに、シャドウマスク3にお
けるブリッジ3bの影により、蛍光体層の一部4b2に
発光しない影部分が形成される。この第2のタイミング
で蛍光体層に到達するビームスポットの位置は、第1の
タイミングでの位置と変わらず、一定である。また、第
1のタイミングでの影部分4b1は、第2のタイミング
で発光されるとともに、第2のタイミングでの影部分4
b2は、第1のタイミングで発光されている。
As a result, the electron beam 7a2 is incident on the phosphor screen 4 with a tilt of (+ θ 2 ) in the vertical direction Y with respect to the deflection angle θv of the electron beam in the normal state in the vertical direction Y. In this case, the beam spot of the electron beam 7a1 reaching the phosphor screen 4 causes the part 4a of the phosphor layer to emit light, and due to the shadow of the bridge 3b in the shadow mask 3, the part 4b2 of the phosphor layer does not emit light. A shadow part is formed. The position of the beam spot that reaches the phosphor layer at the second timing is the same as the position at the first timing and is constant. The shadow portion 4b1 at the first timing is emitted at the second timing, and the shadow portion 4b1 at the second timing is emitted.
b2 is emitted at the first timing.

【0031】したがって、見かけ上、ビームスポットが
到達した蛍光体スクリーン4の蛍光体層は、略全体的に
発光し、シャドウマスク3のブリッジの影を目立たなく
することが可能となる。
Therefore, apparently, the phosphor layer of the phosphor screen 4 to which the beam spot has reached almost entirely emits light, and the shadow of the bridge of the shadow mask 3 can be made inconspicuous.

【0032】高電流時(すなわち高輝度時)には、例え
ば、図7に示すように、比較的大きなビームスポット1
2aにより、ブリッジ3bの影を形成することなく、蛍
光体スクリーン4の蛍光体層4aが発光される。
At high current (that is, at high brightness), for example, as shown in FIG. 7, a relatively large beam spot 1
2a allows the phosphor layer 4a of the phosphor screen 4 to emit light without forming the shadow of the bridge 3b.

【0033】また、低電流時(すなわち低輝度時)に
は、例えば、図8に示すように、比較的小さなビームス
ポット12bにより、ブリッジ3bの影を形成すること
なく、蛍光体スクリーン4の蛍光体層4aが発光され
る。
When the current is low (that is, when the brightness is low), for example, as shown in FIG. 8, a relatively small beam spot 12b does not form a shadow of the bridge 3b, and the fluorescence of the phosphor screen 4 is reduced. The body layer 4a emits light.

【0034】上述したような方法を実現するためには、
補助コイルユニット9及び10に以下に示すような電流
を供給する。
In order to realize the above method,
The following currents are supplied to the auxiliary coil units 9 and 10.

【0035】すなわち、補助コイルユニット9及び10
に供給される電流の周期、すなわち、入射角度変更周波
数をfa(Hz)とするとき、例えば、この入射角度変
更周波数faを、以下のように設定する。
That is, the auxiliary coil units 9 and 10
When the cycle of the electric current supplied to the device, that is, the incident angle changing frequency is fa (Hz), the incident angle changing frequency fa is set as follows, for example.

【0036】fa>(L/SS)×fh ここで、L(mm)は蛍光体スクリーン4の水平方向に
おける画面有効サイズであり、SS(mm)は蛍光体ス
クリーン4上にフォーカスされた電子ビームの水平方向
スポットサイズであり、fh(Hz)は偏向ヨーク8に
よる電子ビームの水平偏向周波数である。
Fa> (L / SS) × fh where L (mm) is the effective screen size in the horizontal direction of the phosphor screen 4, and SS (mm) is the electron beam focused on the phosphor screen 4. Is the horizontal spot size, and fh (Hz) is the horizontal deflection frequency of the electron beam by the deflection yoke 8.

【0037】例えば、図9の(e)に示すような水平偏
向周波数fhに対して、補助コイルユニット9に図9の
(a)に示すような入射角度変更周波数の電流を供給し
た場合、補助コイルユニット10に図9の(b)に示す
ような入射角度変更周波数の電流を供給する。それぞれ
の補助コイルユニットに供給される電流の大きさ及び入
射角度変更周波数は、一方の補助コイルユニット(補助
コイルユニット9)が電子銃構体から放出された電子ビ
ームを垂直方向に沿った一方の向きに偏向した場合に、
この一方の補助コイルユニットによる電子ビームの偏向
をキャンセルするように他方の補助コイルユニット(補
助コイルユニット10)が電子ビームを垂直方向に沿っ
た他方の向き(一方の向きとは逆向き)に偏向するよう
に設定される。
For example, when a current having an incident angle changing frequency as shown in FIG. 9A is supplied to the auxiliary coil unit 9 for a horizontal deflection frequency fh as shown in FIG. A current having an incident angle changing frequency as shown in FIG. 9B is supplied to the coil unit 10. The magnitude of the current supplied to each auxiliary coil unit and the incident angle changing frequency are set so that one auxiliary coil unit (auxiliary coil unit 9) makes the electron beam emitted from the electron gun assembly in one direction along the vertical direction. When it is biased to
The other auxiliary coil unit (auxiliary coil unit 10) deflects the electron beam in the other direction along the vertical direction (opposite to the one direction) so as to cancel the deflection of the electron beam by the one auxiliary coil unit. Is set to do.

【0038】さらに、通常状態の電子ビームの垂直方向
Yにおける偏向角θvに対して下向きにθだけ傾いた
電子ビーム7a1及び偏向角θvに対して上向きにθ
だけ傾いた電子ビーム7a2を蛍光体スクリーン4に入
射させる場合、例えば以下のような関係に設定する。
Further, the electron beam 7a1 tilted downward by θ 1 with respect to the deflection angle θv in the vertical direction Y of the electron beam in the normal state, and θ 2 upward with respect to the deflection angle θv.
When the electron beam 7a2 tilted only by the angle is made incident on the phosphor screen 4, the following relationship is set, for example.

【0039】 tan(θv−θ)=(l−d1)/q tan(θv+θ)=(l+d2)/q d1+d2=d l=q+tan(θv) ここで、θv(°)は垂直方向Yの偏向角であり、d1
(mm)はθ時と通常状態とのブリッジ影の位置の差
であり、d2(mm)はθ時と通常状態とのブリッジ
影の位置の差であり、d(mm)はシャドウマスクの垂
直方向Yのブリッジ幅であり、q(mm)はシャドウマ
スクと蛍光面との距離である。
Tan (θv−θ 1 ) = (l−d1) / q tan (θv + θ 2 ) = (l + d2) / q d1 + d2 = d l = q + tan (θv) where θv (°) is in the vertical direction Y. Deflection angle, d1
(Mm) is the difference in the position of the bridge shadow between θ 1 o'clock and the normal state, d 2 (mm) is the difference in the position of the bridge shadow between θ 2 o'clock and the normal state, and d (mm) is the shadow mask Is the bridge width in the vertical direction Y, and q (mm) is the distance between the shadow mask and the phosphor screen.

【0040】ここで、d1=d2=d/2とすることに
より、図7及び図8に示すように、同一蛍光体層に少な
くとも2本の異なる軌道の同一の入射位置に電子ビーム
を入射させることが可能となり、シャドウマスクのブリ
ッジの影を最も目立たなくすることができる。また、同
じビームスポットサイズであっても、通常状態と比較し
てブリッジの影の発生を抑えた分だけ発光面積を広げる
ことができる。このため、同じ電流値であっても通常状
態より輝度を向上することが可能となる。
Here, by setting d1 = d2 = d / 2, as shown in FIGS. 7 and 8, an electron beam is made to enter the same phosphor layer at the same incident position of at least two different trajectories. It is possible to make the shadow of the bridge of the shadow mask the most inconspicuous. Further, even if the beam spot size is the same, it is possible to expand the light emitting area as compared with the normal state by suppressing the generation of the shadow of the bridge. Therefore, it is possible to improve the brightness as compared with the normal state even with the same current value.

【0041】次に、ブリッジの影の規則性を変える方法
について説明する。
Next, a method of changing the regularity of the shadow of the bridge will be described.

【0042】すなわち、この方法では、補助コイルユニ
ット9及び10に供給される電流の入射角度変更周波数
fa(Hz)は、以下のように設定する。
That is, in this method, the incident angle changing frequency fa (Hz) of the current supplied to the auxiliary coil units 9 and 10 is set as follows.

【0043】(L/SS)×fh>fa>fh 入射角度変更周波数faを上述した範囲で設定すること
により、シャドウマスク3のブリッジ3bによる蛍光体
スクリーン4上に投影される影の位置をずらすことがで
きる。
(L / SS) × fh>fa> fh By setting the incident angle changing frequency fa within the above range, the position of the shadow projected on the phosphor screen 4 by the bridge 3b of the shadow mask 3 is shifted. be able to.

【0044】このとき、例えば、図9の(e)に示すよ
うな水平偏向周波数fhに対して、補助コイルユニット
9に図9の(c)に示すような入射角度変更周波数の電
流を供給した場合、補助コイルユニット10に図9の
(d)に示すような入射角度変更周波数の電流を供給す
る。
At this time, for example, with respect to the horizontal deflection frequency fh as shown in FIG. 9E, the auxiliary coil unit 9 is supplied with a current having an incident angle changing frequency as shown in FIG. 9C. In this case, the auxiliary coil unit 10 is supplied with a current having an incident angle changing frequency as shown in FIG.

【0045】この方法では、少なくとも隣り合う走査線
における入射角度変更の位相をずらす、または、入射角
度変更を走査線1本分以上の間隔をあけて行う。これに
より、蛍光体スクリーン4に投影されるシャドウマスク
3におけるブリッジ3bの影の規則性(周期性)を変え
ることができ、走査線との干渉によるモアレの発生を抑
制することができる。
In this method, at least the scanning angle of adjacent scanning lines is changed in phase, or the incident angle is changed at intervals of one scanning line or more. Thereby, the regularity (periodicity) of the shadow of the bridge 3b in the shadow mask 3 projected on the phosphor screen 4 can be changed, and the occurrence of moire due to the interference with the scanning line can be suppressed.

【0046】この方法によれば、同一蛍光体層に異なる
入射角度で複数の電子ビームを入射させる必要がなく、
補助コイルユニットに供給される電流は、先に述べた方
法と比較してもそれほど高い入射角度変更周波数を要求
されることはない。したがって、比較的低い周波数の電
流を補助コイルユニットに供給すればよいため、回路に
大きな負荷をかけることがなく、また、コストアップを
招くこともない。
According to this method, it is not necessary to make a plurality of electron beams incident on the same phosphor layer at different incident angles,
The current supplied to the auxiliary coil unit does not require a very high incident angle changing frequency as compared with the method described above. Therefore, since it is only necessary to supply a current having a relatively low frequency to the auxiliary coil unit, a large load is not applied to the circuit and the cost is not increased.

【0047】以上説明したように、この発明の陰極線管
装置によれば、電子銃構体から出射された電子ビームを
走査し、シャドウマスクを介して蛍光体スクリーンの蛍
光体層に入射させる際、蛍光体層上に入射する電子ビー
ムの入射位置を変えることなく、入射する電子ビーム軌
道の垂直方向の入射角度を変更する。
As described above, according to the cathode ray tube device of the present invention, when the electron beam emitted from the electron gun assembly is scanned and is made incident on the phosphor layer of the phosphor screen through the shadow mask, the fluorescent light is emitted. The incident angle in the vertical direction of the incident electron beam trajectory is changed without changing the incident position of the electron beam incident on the body layer.

【0048】これにより、シャドウマスクのブリッジに
よる蛍光体スクリーン上の影を目立たなくする、また
は、ブリッジの影の規則性を崩すことにより、走査線と
の干渉現象を抑え、モアレの発生を抑制することができ
る。
As a result, the shadow on the phosphor screen due to the bridge of the shadow mask is made inconspicuous, or the regularity of the shadow of the bridge is broken to suppress the phenomenon of interference with the scanning line and suppress the occurrence of moire. be able to.

【0049】したがって、電子ビームのフォーカス性能
を劣化させずに、画面表示位置やビームスポットサイズ
等を変更することなく、モアレの発生の抑制し、画質を
向上することが可能となる。
Therefore, it is possible to suppress the occurrence of moire and improve the image quality without deteriorating the focusing performance of the electron beam and without changing the screen display position or the beam spot size.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、モアレの発生を抑制し、画質を向上することが可能
な陰極線管装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a cathode ray tube device capable of suppressing the occurrence of moire and improving the image quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、この発明の陰極線管装置に係るインラ
イン型カラー陰極線管装置の構造を概略的に示す水平断
面図である。
FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing the structure of an in-line type color cathode ray tube device according to the cathode ray tube device of the present invention.

【図2】図2は、図1に示したカラー陰極線管装置の構
造を概略的に示す垂直断面図である。
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view schematically showing the structure of the color cathode ray tube device shown in FIG.

【図3】図3は、通常状態での電子ビーム軌道とこのと
きの蛍光体スクリーン上における蛍光体層の発光状態を
示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an electron beam trajectory in a normal state and a light emitting state of a phosphor layer on a phosphor screen at this time.

【図4】図4は、通常状態での高電流時のビームスポッ
トサイズとシャドウマスクのブリッジによる影の形成を
説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a beam spot size at a high current in a normal state and a shadow formation due to a bridge of a shadow mask.

【図5】図5は、通常状態での低電流時のビームスポッ
トサイズとシャドウマスクのブリッジによる影の形成を
説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a beam spot size at a low current in a normal state and a shadow formation due to a bridge of a shadow mask.

【図6】図6は、シャドウマスクのブリッジによる影を
目立たなくする方法を説明するための図であり、電子ビ
ーム軌道とこのときの蛍光体スクリーン上における蛍光
体層の発光状態を示す図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of making a shadow due to a bridge of a shadow mask inconspicuous, showing an electron beam trajectory and a light emitting state of a phosphor layer on a phosphor screen at this time. is there.

【図7】図7は、図6に示した状態での高電流時のビー
ムスポットサイズと傾向体層の発光状態を説明するため
の図である。
7 is a diagram for explaining a beam spot size and a light emitting state of a trend layer when a high current is applied in the state shown in FIG. 6;

【図8】図8は、図6に示した状態での低電流時のビー
ムスポットサイズと傾向体層の発光状態を説明するため
の図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a beam spot size and a light emitting state of the trend layer when the current is low in the state shown in FIG. 6;

【図9】図9の(a)は、ブリッジの影を目立たなくす
るために一方の補助コイルユニットに供給される電流の
入射角度変更周波数を示し、図9の(b)は、このとき
に他方の補助コイルユニットに供給される電流の入射角
度変更周波数を示し、図9の(c)は、ブリッジの影の
規則性を変えるために一方の補助コイルユニットに供給
される電流の入射角度変更周波数を示し、図9の(d)
は、このときに他方の補助コイルユニットに供給される
電流の入射角度変更周波数を示し、図9の(e)は、電
子ビームの水平偏向周波数を示す。
9 (a) shows the incident angle changing frequency of the current supplied to one auxiliary coil unit in order to make the shadow of the bridge inconspicuous, and FIG. 9 (b) shows at this time. 9C shows the incident angle changing frequency of the current supplied to the other auxiliary coil unit, and FIG. 9C shows the incident angle changing frequency of the current supplied to one auxiliary coil unit in order to change the regularity of the shadow of the bridge. The frequency is shown in FIG. 9 (d).
Indicates the incident angle changing frequency of the current supplied to the other auxiliary coil unit at this time, and FIG. 9E shows the horizontal deflection frequency of the electron beam.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…パネル 2…ファンネル 3…シャドウマスク 4…蛍光体スクリーン 5…ネック 6…電子銃構体 7(R、G、B)…電子ビーム 8…偏向ヨーク 9…補助コイルユニット 10…補助コイルユニット 1 ... panel 2 ... Funnel 3 ... Shadow mask 4 ... Phosphor screen 5 ... neck 6 ... Electron gun structure 7 (R, G, B) ... Electron beam 8 ... Deflection yoke 9 ... Auxiliary coil unit 10 ... Auxiliary coil unit

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パネルと、このパネルに接合されたファン
ネルと、を有する外囲器と、 前記パネルの内面に形成されているとともに、蛍光体層
を有する蛍光体スクリーンと、 前記蛍光体スクリーンに対向して配設されているととも
に、複数のアパーチャを有するシャドウマスクと、 前記ファンネルのネック内に配設されているとともに、
前記シャドウマスクを介して前記蛍光体スクリーンに向
けて電子ビームを放出する電子銃構体と、 前記電子銃構体から放出された電子ビームを水平方向及
び垂直方向に偏向する偏向磁界を発生する偏向ヨーク
と、を備えた陰極線管装置において、 前記電子銃構体から放出された電子ビームの前記蛍光体
層へ入射する入射位置を変えることなく、垂直方向の入
射角度を変更する入射角度変更機構を備えたことを特徴
とする陰極線管装置。
1. An envelope having a panel and a funnel joined to the panel, a phosphor screen formed on an inner surface of the panel and having a phosphor layer, and the phosphor screen. A shadow mask having a plurality of apertures, which are arranged to face each other, and arranged in the neck of the funnel,
An electron gun assembly that emits an electron beam toward the phosphor screen through the shadow mask, and a deflection yoke that generates a deflection magnetic field that deflects the electron beam emitted from the electron gun assembly in horizontal and vertical directions. In the cathode ray tube device including, an incident angle changing mechanism that changes an incident angle in a vertical direction without changing an incident position of an electron beam emitted from the electron gun assembly into the phosphor layer. And a cathode ray tube device.
【請求項2】上記入射角度変更機構は、水平方向に対向
して配置された一対の磁界発生コイルからなるコイルユ
ニットであることを特徴とする請求項1に記載の陰極線
管装置。
2. The cathode ray tube apparatus according to claim 1, wherein the incident angle changing mechanism is a coil unit composed of a pair of magnetic field generating coils arranged to face each other in the horizontal direction.
【請求項3】上記入射角度変更機構は、管軸方向に沿っ
て2つ以上配置されたことを特徴とする請求項1に記載
の陰極線管装置。
3. The cathode ray tube apparatus according to claim 1, wherein two or more of the incident angle changing mechanisms are arranged along the tube axis direction.
【請求項4】第1の前記入射角度変更機構が前記電子銃
構体から放出された電子ビームを垂直方向に沿った一方
の向きに偏向した場合、前記第1の入射角度変更機構に
よる電子ビームの偏向をキャンセルするように第2の前
記入射角度変更機構が前記電子銃構体から放出された電
子ビームを垂直方向に沿った他方の向きに偏向すること
を特徴とする請求項3に記載の陰極線管装置。
4. When the first incident angle changing mechanism deflects the electron beam emitted from the electron gun assembly in one direction along the vertical direction, the electron beam emitted by the first incident angle changing mechanism is changed. The cathode ray tube according to claim 3, wherein the second incident angle changing mechanism deflects the electron beam emitted from the electron gun assembly in the other direction along the vertical direction so as to cancel the deflection. apparatus.
【請求項5】前記蛍光体スクリーンの水平方向における
画面有効サイズをL(mm)、前記蛍光体スクリーン上
に集束された電子ビームの水平方向スポットサイズをS
S(mm)、前記偏向ヨークによる電子ビームの水平偏
向周波数をfh(Hz)としたとき、 前記入射角度変更機構による電子ビームの入射角度変更
周波数fa(Hz)は、 fa>(L/SS)×fh を満たすように設定されることを特徴とする請求項1に
記載の陰極線管装置。
5. The effective screen size in the horizontal direction of the phosphor screen is L (mm), and the horizontal spot size of the electron beam focused on the phosphor screen is S.
S (mm), where fh (Hz) is the horizontal deflection frequency of the electron beam by the deflection yoke, the incident angle changing frequency fa (Hz) of the electron beam by the incident angle changing mechanism is fa> (L / SS) The cathode ray tube device according to claim 1, wherein the cathode ray tube device is set so as to satisfy xfh.
【請求項6】前記蛍光体スクリーンの水平方向における
画面有効サイズをL(mm)、前記蛍光体スクリーン上
に集束された電子ビームの水平方向スポットサイズをS
S(mm)、前記偏向ヨークによる電子ビームの水平偏
向周波数をfh(Hz)としたとき、 前記入射角度変更機構による電子ビームの入射角度変更
周波数をfa(Hz)は、 (L/SS)×fh>fa>fh を満たすように設定されることを特徴とする請求項1に
記載の陰極線管装置。
6. The effective screen size in the horizontal direction of the phosphor screen is L (mm), and the horizontal spot size of the electron beam focused on the phosphor screen is S.
S (mm), where fh (Hz) is the horizontal deflection frequency of the electron beam by the deflection yoke, fa (Hz) is the incident angle changing frequency of the electron beam by the incident angle changing mechanism, which is (L / SS) × The cathode ray tube device according to claim 1, wherein the cathode ray tube device is set so as to satisfy fh>fa> fh.
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