JP2003006952A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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JP2003006952A
JP2003006952A JP2001182348A JP2001182348A JP2003006952A JP 2003006952 A JP2003006952 A JP 2003006952A JP 2001182348 A JP2001182348 A JP 2001182348A JP 2001182348 A JP2001182348 A JP 2001182348A JP 2003006952 A JP2003006952 A JP 2003006952A
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JP
Japan
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layer
domain wall
magnetic
magneto
recording
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JP2001182348A
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Japanese (ja)
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Tomoyuki Hiroki
知之 廣木
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic domain wall transfer type magneto-optical recording medium capable of compensating an edge shift in recording caused by a demagnetizing field of magnetic domains most recently used for recording in reproduction. SOLUTION: The magneto-optical recording medium has a magnetic domain wall transfer layer/an interrupting layer/a memory layer as a basic composition and a floating magnetic field generated from the memory layer at least at the Curie temperature of the interrupting layer acts in such a way that the transfer of magnetic domain walls in the magnetic domain wall transfer layer is hindered.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を利
用してレーザ光により情報の記録再生を行う光磁気記録
媒体に関する。特に、磁壁の移動を利用して磁区を拡大
再生する磁壁移動型光磁気記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium for recording / reproducing information with a laser beam by utilizing a magneto-optical effect. In particular, the present invention relates to a domain wall motion type magneto-optical recording medium that enlarges and reproduces magnetic domains by utilizing the movement of domain walls.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録方式と
して、半導体レーザの熱エネルギーを利用して磁性薄膜
に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を使っ
て記録情報を読み出す光磁気記録媒体及び記録再生装置
が注目されている。また最近では、扱うデータが音声、
画像、動画といったさまざまな情報に多様化し、それら
の要求するデータサイズが増え続けていることから、こ
の光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に大容量の記録
媒体とする要求が高まっている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a rewritable high-density recording method, magneto-optical recording is used in which magnetic domains are written in a magnetic thin film by using thermal energy of a semiconductor laser to record information and the recorded information is read out by using a magneto-optical effect. A medium and a recording / reproducing apparatus are receiving attention. Recently, the data to be handled is voice,
Since various information such as images and moving images has been diversified and the data size required for them has been increasing, there is an increasing demand for increasing the recording density of this magneto-optical recording medium to obtain a recording medium having a larger capacity.

【0003】一般に、光磁気ディスクなどの光磁気記録
媒体の記録密度は、再生光学系のレーザ波長及び対物レ
ンズの開口数NAに大きく依存する。すなわち、再生光学
系のレーザ波長λと対物レンズの開口数NAが決まるとビ
ームウェストの径が決まるため、信号再生可能な記録ピ
ットの空間周波数は2NA/λ程度が限界となってしまう。
Generally, the recording density of a magneto-optical recording medium such as a magneto-optical disk greatly depends on the laser wavelength of the reproducing optical system and the numerical aperture NA of the objective lens. That is, since the diameter of the beam waist is determined when the laser wavelength λ of the reproducing optical system and the numerical aperture NA of the objective lens are determined, the spatial frequency of the signal-reproducible recording pit is limited to about 2NA / λ.

【0004】したがって、従来の光ディスクで高密度化
を実現するためには、再生光学系のレーザ波長を短くす
るか対物レンズの開口数を大きくする必要がある。しか
しながら、レーザ波長を短くするのは素子の効率、発熱
などの問題で容易ではなく、また対物レンズの開口数を
大きくするとレンズとディスクとの距離が近づきすぎて
衝突などの機械的な問題が生じる。
Therefore, in order to realize high density in the conventional optical disc, it is necessary to shorten the laser wavelength of the reproducing optical system or increase the numerical aperture of the objective lens. However, it is not easy to shorten the laser wavelength due to problems such as element efficiency and heat generation, and when the numerical aperture of the objective lens is increased, the distance between the lens and the disk becomes too close, causing mechanical problems such as collision. .

【0005】これに対し、記録媒体の構成や再生方法を
工夫して記録密度を改善する、いわゆる磁気超解像技術
が開発されている。例えば、特開平7―334877号
には、記録情報を保持しておくメモリ層と、再生スポッ
ト内の一部をマスクする再生層、それらの交換結合力を
制御する遮断層を積層し、再生スポットを照射すること
によって生じる媒体上の温度分布を利用して、実質的に
スポット内の一部分のみで記録情報を再生層に転写して
微小磁区の再生を行う超解像方式が提案されている。
On the other hand, a so-called magnetic super-resolution technique has been developed in which the structure of the recording medium and the reproducing method are devised to improve the recording density. For example, in JP-A-7-334877, a memory layer for holding recorded information, a reproducing layer for masking a part of the reproducing spot, and a blocking layer for controlling their exchange coupling force are laminated to form a reproducing spot. A super-resolution method has been proposed in which the recorded information is transferred to the reproducing layer substantially only in a part of the spot by utilizing the temperature distribution on the medium generated by irradiating the magnetic field to reproduce the minute magnetic domain.

【0006】しかしながら従来の超解像方式は、温度分
布を利用して再生光スポットの一部をマスクし、すなわ
ち実質的にピットを読み取るアパーチャを小さな領域に
制限する事により解像能力を上げるという方法を取って
いたため、マスクした部分の光は無駄になり再生信号振
幅が小さくなるという問題があった。つまり、マスクし
た部分の光は再生信号に寄与しないため、分解能を上げ
ようとしてアパーチャを狭めるほど有効に使われる光が
減少し、信号レベルが減少していた。
However, in the conventional super-resolution method, a part of the reproduction light spot is masked by utilizing the temperature distribution, that is, the resolution is substantially increased by limiting the aperture for reading the pit to a small area. Since the method is adopted, there is a problem that the light of the masked portion is wasted and the reproduction signal amplitude becomes small. That is, since the light in the masked portion does not contribute to the reproduction signal, the light used effectively decreases as the aperture is narrowed in order to increase the resolution, and the signal level decreases.

【0007】また、特開平6−290496号によれ
ば、再生光の入射側に磁壁抗磁力の小さい磁壁移動層を
設け、再生スポット内の温度勾配を利用して磁壁移動層
の磁壁を高温側に移動させ、スポット内で磁区を拡大再
生する方法が開示されている。これによれば、記録マー
クサイズが小さくなったとしても、磁区を拡大しながら
信号再生するので再生光を有効に使うことができ、信号
振幅を落とさずに解像力があげることができる。
According to Japanese Patent Laid-Open No. 6-290496, a domain wall moving layer having a small domain wall coercive force is provided on the reproducing light incident side, and the magnetic wall of the domain wall moving layer is placed on the high temperature side by utilizing the temperature gradient in the reproducing spot. Is disclosed, in which the magnetic domain is enlarged and reproduced in the spot. According to this, even if the recording mark size becomes small, the signal is reproduced while enlarging the magnetic domain, so that the reproduction light can be effectively used, and the resolution can be improved without reducing the signal amplitude.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般的な光
磁気記録媒体においては、情報を記録する際、記録膜自
身から発生する反磁界の影響により、本来記録すべき場
所とは異なった位置に磁壁が形成されてしまうという問
題があった。このことについて、図6を用いて説明す
る。
By the way, in a general magneto-optical recording medium, at the time of recording information, due to the influence of the demagnetizing field generated from the recording film itself, the information is recorded at a position different from the original recording position. There was a problem that a domain wall was formed. This will be described with reference to FIG.

【0009】図6(a)は、説明を簡略化するために従
来のメモリ層単層の記録媒体の場合を示している。垂直
磁化膜であるメモリ層3は、図示しない円盤状の基板上
に形成され、高速回転している。外部磁界Hwによっ
て、この媒体に情報を記録したい向きに磁界を印加しな
がら高出力レーザを照射してメモリ層をキュリー温度ま
で昇温させると、レーザスポット後方で媒体温度がキュ
リー温度以下に下がってきたときに外部磁界の向きにし
たがった向きの記録磁区が形成される。ところが、磁区
形成される位置よりもさらに後方では、すでに磁区が形
成されて十分温度が下がった部分が存在し、この部分は
飽和磁化に応じた反磁界を発生する。例えば図6(a)
に示すように下向き磁区を形成した後では上向きの反磁
界が発生する。このような反磁界は外部磁界Hwによっ
てメモリ層に印加される実効磁界強度を変動させてしま
い、正確な磁区の形成に支障を与える。つまり、図6
(a)の場合、反磁界が上向きで、次の磁区を形成する
ときの外部磁界も上向きなので両者が同じ向きになって
おり、実質的に外部磁界を大きくしたのと同様の効果が
あり、本来磁区形成すべきAの位置よりも若干後方のB
1の位置に磁区が形成されることになる。これを以後記
録時エッジシフトと呼ぶ。
FIG. 6A shows a case of a conventional recording medium having a single memory layer for simplifying the description. The memory layer 3, which is a perpendicularly magnetized film, is formed on a disk-shaped substrate (not shown) and rotates at high speed. When a high-power laser is irradiated while the magnetic field is applied to the medium in the direction to record information by the external magnetic field Hw to raise the temperature of the memory layer to the Curie temperature, the medium temperature falls below the Curie temperature behind the laser spot. At this time, the recording magnetic domain is formed in the direction according to the direction of the external magnetic field. However, there is a portion where the magnetic domain has already been formed and the temperature has dropped sufficiently, further behind the position where the magnetic domain is formed, and this portion generates a demagnetizing field according to the saturation magnetization. For example, FIG. 6 (a)
After forming the downward magnetic domain, an upward demagnetizing field is generated as shown in FIG. Such a demagnetizing field fluctuates the effective magnetic field strength applied to the memory layer by the external magnetic field Hw, which hinders accurate formation of magnetic domains. That is, FIG.
In the case of (a), since the demagnetizing field is upward and the external magnetic field when forming the next magnetic domain is also upward, they are in the same direction, and there is substantially the same effect as increasing the external magnetic field. B slightly behind the position of A where the magnetic domain should be originally formed
A magnetic domain will be formed at the position 1. Hereinafter, this is referred to as recording edge shift.

【0010】また、直前に記録した磁区が図6(b)の
ように長い場合には、反磁界も大きくなるので記録時エ
ッジシフトの量も大きくなり、B2の位置まで磁区形成
位置がずれてしまう。
Further, when the magnetic domain recorded immediately before is long as shown in FIG. 6B, the demagnetizing field also becomes large, so that the amount of edge shift during recording also becomes large, and the magnetic domain forming position shifts to the position B2. I will end up.

【0011】すなわち、図6(c)に示すようなランダ
ムパターンを記録した場合には、直前のパターンに応じ
て記録時エッジシフトが異なるために、実際に磁区が記
録される位置は図6(d)のようになってしまう。
That is, when a random pattern as shown in FIG. 6C is recorded, since the edge shift during recording differs depending on the immediately preceding pattern, the position where the magnetic domain is actually recorded is shown in FIG. It becomes like d).

【0012】この問題は、特開平6−290496号な
どに記載されている微小磁区記録の場合には特に大きな
問題となり、正確な情報記録再生が行えない場合があっ
た。また、記録時に電気的に変調パターンを補正するこ
とによって、この記録時エッジシフトを補償する方法も
考案されているが、装置が複雑化するという問題点があ
った。
This problem becomes a particularly serious problem in the case of minute magnetic domain recording described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-290496, etc., and accurate information recording / reproducing cannot be performed in some cases. Further, a method of compensating for the edge shift at the time of recording by electrically correcting the modulation pattern at the time of recording has been devised, but there is a problem that the apparatus becomes complicated.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するためになされたものであり、再生装置を複雑化
することなく、また、記録媒体構成を複雑化することな
く、光学系の分解能を超えた記録密度の信号を正確に再
生することが可能な光磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an optical system without complicating a reproducing apparatus or a recording medium structure. It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium capable of accurately reproducing a signal having a recording density exceeding the resolution of 1.

【0014】そして、上記目的を達成する一形態は以下
の通りである。情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁
壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層
と、前記移動層とメモリ層の間に配置され、前記両層よ
りキュリー温度が低い遮断層を備え、前記遮断層のキュ
リー温度以上の領域において前記メモリ層から移動層に
転写された記録磁区の磁壁を移動させて前記記録磁区を
拡大させることにより前記情報の再生を行う光磁気記録
媒体において、前記遮断層の少なくともキュリー温度
で、前記メモリ層から発生した浮遊磁界が前記磁壁移動
層における磁壁の移動を阻害する方向に作用する。
Then, one mode for achieving the above object is as follows. A domain wall moving layer that contributes to the reproduction of information and in which a domain wall moves, a memory layer that holds a recording magnetic domain according to information, and a cutoff that is arranged between the moving layer and the memory layer and has a Curie temperature lower than both layers. A magneto-optical recording medium having a layer and reproducing the information by moving a domain wall of a recording magnetic domain transferred from the memory layer to the moving layer in a region having a Curie temperature of the blocking layer or higher to expand the recording magnetic domain. In the above, at least at the Curie temperature of the blocking layer, the stray magnetic field generated from the memory layer acts in the direction of hindering the movement of the domain wall in the domain wall moving layer.

【0015】詳しくは後述の実施例で説明する。The details will be described in the following embodiments.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
図面を用いて詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0017】図1(a)は本実施例における光ディスク
の断面図を示す。図1に示すように、本実施例に用いる
光ディスクでは、基板101上に干渉層102、磁壁移
動層1、遮断層2、メモリ層3、保護層103の順に積
層している。ここで各磁性体中の矢印11は、膜中に保
持された記録磁区の遷移金属副格子磁化の向きを表し、
隣同士の磁化が平行でない部分には、ブロッホ磁壁12
が存在する。基板101は通常ガラスあるいはポリカー
ボネートの様な透明な材料が使われる。これらの各層
は、マグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリン
グ、あるいは連続蒸着などによって被着形成できる。干
渉層102は磁気光学効果を高めるために設けられ、例
えばSi3N4、AlN、SiO2、SiO、ZnS、MgF2などの透明な誘
電材料が用いられる。保護層103は磁性層の保護のた
めに用いられるもので、干渉層102と同様の材料が用
いられる。また、媒体全体の熱構造を最適化するため
に、保護層103の上にさらにAl、AlTa、AlTi、AlCr、
Cuなどからなる金属層を設ける場合もある。干渉層10
2、保護層103および必要に応じて設ける金属層に関
しては、本発明の本質とは無関係であるのでここでは詳
細な説明は省略する。
FIG. 1A shows a sectional view of the optical disk in this embodiment. As shown in FIG. 1, in the optical disc used in this embodiment, an interference layer 102, a domain wall displacement layer 1, a blocking layer 2, a memory layer 3, and a protective layer 103 are laminated in this order on a substrate 101. Here, the arrow 11 in each magnetic material represents the direction of the transition metal sublattice magnetization of the recording magnetic domain held in the film,
Bloch domain wall 12
Exists. The substrate 101 is usually made of glass or a transparent material such as polycarbonate. Each of these layers can be deposited by continuous sputtering using a magnetron sputtering device, continuous vapor deposition, or the like. The interference layer 102 is provided to enhance the magneto-optical effect, and a transparent dielectric material such as Si 3 N 4 , AlN, SiO 2 , SiO, ZnS, and MgF 2 is used. The protective layer 103 is used for protecting the magnetic layer, and the same material as the interference layer 102 is used. In addition, in order to optimize the thermal structure of the entire medium, Al, AlTa, AlTi, AlCr, and
In some cases, a metal layer made of Cu or the like is provided. Interference layer 10
2, the protective layer 103 and the metal layer provided as necessary are not related to the essence of the present invention, and therefore detailed description thereof is omitted here.

【0018】メモリ層3は希土類ー鉄族元素非晶質合
金、例えばTbFeCo,DyFeCo,TbDyFeCoなどの、微小な記録
ピットが安定に保存できるような垂直磁気異方性の大き
い材料が用いられ、記録情報はこの層の磁区が上向きか
下向きかで保持される。また、ガーネット類、Pt/Co,Pd
/Coなどの垂直磁化膜を用いて、他の層に磁気的に情報
転写出来る構成としてもよい。
The memory layer 3 is made of a rare earth-iron group element amorphous alloy, such as TbFeCo, DyFeCo, TbDyFeCo, which has a large perpendicular magnetic anisotropy so that minute recording pits can be stably stored. Information is retained whether the magnetic domains in this layer are facing up or down. Also, garnets, Pt / Co, Pd
A perpendicular magnetization film such as / Co may be used so that information can be magnetically transferred to another layer.

【0019】遮断層2は、例えばGdCo、GdFeCo、GdFe、
GdFeCoAl、DyFeCoAl、TbFe、TbFeCo、TbFeCoAl、TbDyFe
CoAl、TbFeAlなどの希土類ー鉄族非晶質合金で、他の層
よりもキュリー温度を低く設定しておく。
The blocking layer 2 is made of, for example, GdCo, GdFeCo, GdFe,
GdFeCoAl, DyFeCoAl, TbFe, TbFeCo, TbFeCoAl, TbDyFe
The rare earth-iron group amorphous alloy such as CoAl and TbFeAl is used, and the Curie temperature is set lower than that of the other layers.

【0020】磁壁移動層1は例えばGdCo、GdFeCo、GdF
e、NdGdFeCoなどのメモリ層に比べ垂直磁気異方性及び
磁壁抗磁力が小さな希土類ー鉄族非晶質合金や、ガーネ
ットなどのバブルメモリ用材料が望ましい。
The domain wall displacement layer 1 is, for example, GdCo, GdFeCo, GdF.
Materials for bubble memories such as rare earth-iron group amorphous alloys and garnets, which have smaller perpendicular magnetic anisotropy and domain wall coercive force than memory layers such as e and NdGdFeCo, are desirable.

【0021】これら各層のキュリー温度の関係は、 Tc1,Tc3>Tc2 なる関係を満たし、室温では交換結合によりメモリ層3
に記録された磁区が磁壁移動層1まで転写されている。
The Curie temperatures of the respective layers satisfy the relationship of Tc1, Tc3> Tc2, and the memory layer 3 is exchange-coupled at room temperature.
The magnetic domain recorded in 1 is transferred to the domain wall motion layer 1.

【0022】各層の膜厚は、干渉層102が20〜10
0nm、磁壁移動層1が20〜40nm、遮断層2が7
〜20nm、メモリ層3が40〜100nm、保護層1
03が40〜80nmである。
The thickness of each layer is 20 to 10 for the interference layer 102.
0 nm, domain wall displacement layer 1 is 20 to 40 nm, blocking layer 2 is 7
˜20 nm, memory layer 3 is 40 to 100 nm, protective layer 1
03 is 40 to 80 nm.

【0023】また、この構成に更に高分子樹脂からなる
保護コートを付与してもよい。あるいは、成膜後の基板
101を貼り合わせてもよい。また、積層の順番を逆に
して記録再生時の光入射方向を基板と反対側としても良
い。
A protective coat made of a polymer resin may be further added to this structure. Alternatively, the substrate 101 after the film formation may be attached. Also, the light incident direction at the time of recording / reproducing may be opposite to the substrate by reversing the stacking order.

【0024】本発明の光ディスクへのデータ信号の記録
は、媒体を移動させながら、メモリ層3がキュリー温度
Tc3前後になるようなパワーのレーザ光を照射しなが
ら外部磁界を変調して行う。この場合、外部磁界の変調
周波数を高くすれば、光スポット径より小さい記録磁区
が形成でき、その結果光の回折限界以下の周期で信号を
記録することができる。
The recording of the data signal on the optical disk of the present invention is performed by moving the medium and irradiating with a laser beam having a power such that the memory layer 3 is around the Curie temperature Tc3 while modulating the external magnetic field. In this case, if the modulation frequency of the external magnetic field is increased, a recording magnetic domain smaller than the light spot diameter can be formed, and as a result, a signal can be recorded in a cycle below the diffraction limit of light.

【0025】図1(b)は光ディスクにレーザ光を照射
しながら、向かって右にディスクが移動したときのトラ
ック中心における温度分布を示している。この温度プロ
ファイルにおいて膜温度が最大となる位置は、ディスク
の線速にもよるがレーザスポットの中心よりも若干後ろ
側になる。図1(c)は磁壁移動層1における磁壁エネ
ルギー密度σの分布を示す図である。このように、磁
壁エネルギー密度σは温度の上昇と共に減少するの
で、光ディスクの移動方向に温度勾配があると、磁壁エ
ネルギー密度σは最高温度位置に向かって減少してい
く。すると位置xに存在する磁壁移動層の磁壁に対して
次式のような力Fが作用する。
FIG. 1B shows the temperature distribution at the track center when the disc moves to the right while irradiating the disc with laser light. The position where the film temperature is maximum in this temperature profile is slightly behind the center of the laser spot, depending on the linear velocity of the disk. FIG. 1C is a diagram showing the distribution of the domain wall energy density σ 1 in the domain wall displacement layer 1. In this way, the domain wall energy density σ 1 decreases as the temperature rises, so if there is a temperature gradient in the moving direction of the optical disk, the domain wall energy density σ 1 decreases toward the maximum temperature position. Then, the force F 1 given by the following formula acts on the domain wall of the domain wall displacement layer existing at the position x.

【0026】F=dσ/dx この力Fは、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動さ
せるように作用し、磁壁移動層1は磁壁抗磁力が小さく
磁壁移動度が大きいので、単独ではこの力Fによって
容易に磁壁が移動する。
F 1 = dσ 1 / dx This force F 1 acts to move the domain wall toward the lower domain wall energy, and the domain wall displacement layer 1 has a small domain wall coercive force and a large domain wall mobility. This force F 1 easily moves the domain wall.

【0027】図1(a)において、ディスクにまだ再生
レーザ光が照射される前、すなわち室温の部分で各磁性
層は垂直磁化膜であり、メモリ層3に記録された磁区は
遮断層2を介して磁壁移動層1と交換結合し、磁区が転
写されている。この時、各層の中に矢印で示した互いに
逆向きの磁区11の間には磁壁12が存在することにな
る。膜温度が上昇して遮断層2のキュリー温度Tc2に
なると、メモリ層3から遮断層2への交換結合は切れ、
磁壁抗磁力が小さい磁壁移動層1は磁区を保持できず、
温度勾配によって加わる力Fにしたがって磁壁が高温
側に移動する。この時磁壁が移動する速度は、ディスク
の移動速度に比べて充分に速いので、メモリ層3に記録
された磁区よりも大きな磁区がレーザスポット内に得ら
れることになる。
In FIG. 1A, each magnetic layer is a perpendicular magnetization film and the magnetic domain recorded in the memory layer 3 is the blocking layer 2 before the disc is irradiated with the reproducing laser beam, that is, at the room temperature. Exchange-coupled with the domain wall motion layer 1 via the magnetic domain, and the magnetic domain is transferred. At this time, the domain walls 12 are present between the magnetic domains 11 in directions opposite to each other in each layer. When the film temperature rises to the Curie temperature Tc2 of the blocking layer 2, the exchange coupling from the memory layer 3 to the blocking layer 2 is broken,
The domain wall moving layer 1 having a small domain wall coercive force cannot hold the magnetic domain,
The domain wall moves to the high temperature side according to the force F 1 applied by the temperature gradient. At this time, the moving speed of the domain wall is sufficiently higher than the moving speed of the disk, so that a magnetic domain larger than the magnetic domain recorded in the memory layer 3 is obtained in the laser spot.

【0028】図2は、上で述べた磁壁移動動作を各層の
正味の磁化を考慮して説明した図である。各層の膜中に
矢印であらわしているのは、図1と同様に遷移金属副格
子磁化の向きであり、網がけの部分は正味の磁化が下向
き、白い部分は正味の磁化が上向きであることを示して
いる。なお、図2では、本発明の本質とは関係ない誘電
体層などは省略して記載している。
FIG. 2 is a diagram for explaining the domain wall moving operation described above in consideration of the net magnetization of each layer. The arrows in the films of each layer indicate the direction of the transition metal sublattice magnetization, as in FIG. 1, in which the net magnetization is downward in the shaded area and the net magnetization is upward in the white area. Is shown. It should be noted that in FIG. 2, dielectric layers and the like which are not related to the essence of the present invention are omitted.

【0029】磁壁移動層1は、その層自身からの浮遊磁
界を小さくし磁壁を速やかに動かすために、室温で希土
類元素副格子磁化優勢で、補償温度を遮断層のキュリー
温度から磁壁移動層のキュリー温度の間に設定してい
る。
In order to reduce the stray magnetic field from the layer itself and move the domain wall quickly, the domain wall displacement layer 1 has a rare earth element sublattice magnetization predominance at room temperature, and the compensation temperature from the Curie temperature of the blocking layer to that of the domain wall displacement layer. Set between Curie temperatures.

【0030】一方メモリ層は、遮断層の少なくともキュ
リー温度Tc2含むTc2近傍の温度領域で希土類元素
副格子磁化優勢となるように構成されている。こうする
ことによって、図2を見ると明らかなように、光スポッ
ト内の磁壁が移動する領域(アパーチャ領域)において
磁壁移動層とメモリ層の正味の磁化が逆向きとなり、磁
壁移動層の磁壁移動開始位置でメモリ層からの浮遊磁界
が磁壁の移動を妨げる向きに作用することとなる。
On the other hand, the memory layer is constituted so that the rare earth element sublattice magnetization is dominant in at least the temperature region near Tc2 including the Curie temperature Tc2 of the blocking layer. By doing so, as is apparent from FIG. 2, the net magnetizations of the domain wall displacement layer and the memory layer are opposite to each other in the region (aperture region) in which the domain wall displacement in the light spot moves, and the domain wall displacement of the domain wall displacement layer is moved. At the start position, the stray magnetic field from the memory layer acts in the direction that hinders the movement of the domain wall.

【0031】磁壁の磁壁がメモリ層の浮遊磁界から受け
る力は、アパーチャ領域内での記録マークが長いほど大
きくなるので、メモリ層に実際に記録されている磁壁の
位置(図2(b))に対して、実際の磁壁移動開始タイ
ミングを図2(c)のようにシフトさせることができ
る。つまり、記録マーク長に応じた再生時エッジシフト
を生じさせることができる。これを、先述の記録時エッ
ジシフトと合わせて考えると、図3(a)で示される所
望の記録信号に対して記録時エッジシフトした図3
(b)のような位置にある磁区を、再生時エッジシフト
によってキャンセルして図3(d)のような正確な情報
再生が行える。
The force that the domain wall receives from the stray magnetic field of the memory layer becomes larger as the recording mark in the aperture area becomes longer. Therefore, the position of the domain wall actually recorded in the memory layer (FIG. 2B). On the other hand, the actual domain wall movement start timing can be shifted as shown in FIG. That is, it is possible to cause an edge shift during reproduction according to the recording mark length. Considering this together with the above-mentioned edge shift during recording, the edge shift during recording with respect to the desired recording signal shown in FIG.
The magnetic domain at the position as shown in (b) is canceled by the edge shift at the time of reproduction, and accurate information reproduction as shown in FIG. 3 (d) can be performed.

【0032】尚、記録時エッジシフトを生じさせる状況
と再生時エッジシフトを生じさせる状況は厳密には異な
るため、記録時エッジシフト量を再生時に正確にキャン
セルできるわけではないが、記録時エッジシフトの及ぼ
す悪影響は緩和されるため、より正確な情報の再生を行
うことができる。
Since the situation in which the recording edge shift is generated and the situation in which the reproducing edge shift is generated are strictly different, the recording edge shift amount cannot be exactly canceled during the reproduction, but the recording edge shift is not possible. Since the adverse effect of is mitigated, more accurate information can be reproduced.

【0033】また、キュリー温度Tc2においてメモリ
層から磁壁移動層へ作用する浮遊磁界の大きさは記録マ
ークの長さにも依存するが、メモリ層の飽和磁化Msの
大きさ或は膜厚を調整することによっても調整可能であ
る。また、遮断層の膜厚を調整することによりメモリ層
と磁壁移動層の距離を変えることによっても調整可能で
ある。なお、磁壁移動層に作用する浮遊磁界の大きさ、
方向を設計する際には、メモリ層以外の層からの浮遊磁
界の影響も考慮すべきである。
Although the magnitude of the stray magnetic field acting on the domain wall displacement layer from the memory layer at the Curie temperature Tc2 also depends on the length of the recording mark, the magnitude of the saturation magnetization Ms or the film thickness of the memory layer is adjusted. It can also be adjusted by doing. It can also be adjusted by changing the distance between the memory layer and the domain wall motion layer by adjusting the film thickness of the blocking layer. The magnitude of the stray magnetic field acting on the domain wall displacement layer,
The influence of stray magnetic fields from layers other than the memory layer should also be taken into consideration when designing the direction.

【0034】また、キュリー温度Tc2において、磁壁
移動層及びメモリ層の組成を遷移金属元素副格子磁化優
勢としても同じ効果を得ることができる。しかし、遷移
金属元素副格子磁化優勢な組成は温度変化に対して飽和
磁化が急激に変化する傾向にあるため、実用的な組成範
囲を見つけることが難しい。そのため、実用的な観点か
らキュリー温度Tc2における磁壁移動層及びメモリ層
の組成は希土類元素副格子磁化優勢であることが好まし
い。
Further, at the Curie temperature Tc2, the same effect can be obtained even if the composition of the domain wall displacement layer and the memory layer is made to have a dominant transition metal element sublattice magnetization. However, it is difficult to find a practical composition range because the saturation magnetization of a composition in which the transition metal element sublattice magnetization is dominant tends to change rapidly with temperature. Therefore, from the practical point of view, it is preferable that the composition of the domain wall motion layer and the memory layer at the Curie temperature Tc2 is dominant in the rare earth element sublattice magnetization.

【0035】また、メモリ層の補償温度(Tcomp
3)を遮断層のキュリー温度(Tc2)以上、メモリ層
のキュリー温度(Tc3)以下に設定した場合、アパー
チャ領域でメモリ層が希土類元素副格子磁化優勢となっ
ているのはTcomp3以下の領域である。もし、この
領域の磁壁移動方向の長さが最大記録マーク長よりも長
いならば、アパーチャ領域においてメモリ層は全てのマ
ーク長に応じて大きさが異なる浮遊磁界を発生すること
が可能となる。一方、記録時において、記録マークが受
ける浮遊磁界の影響は前に記録したマークが長いほど大
きくなるが、マーク長が長くなるほど記録磁区の中心か
らの距離が大きくなるのでマーク長の違いによる浮遊磁
界の大きさの変化は鈍くなる。つまり、0.5μmと
0.6μmの違いは0.1μmと0.2μmの差ほどで
はない。従って、最短マーク付近でマーク長に応じた浮
遊磁界が発生していればマーク長が長いときは一定でも
構わない。よって、Tc2以上Tcomp3以下の領域
の長さは最短マーク長より長い必要があるが、最大マー
ク長より長い必要は必ずしもない。
Further, the compensation temperature (Tcomp) of the memory layer is
When 3) is set to the Curie temperature (Tc2) of the blocking layer or more and the Curie temperature of the memory layer (Tc3) or less, the memory layer in the aperture region is dominated by the rare earth element sublattice magnetization in the region below Tcomp3. is there. If the length of this region in the domain wall movement direction is longer than the maximum recording mark length, the memory layer in the aperture region can generate a stray magnetic field whose magnitude varies depending on all the mark lengths. On the other hand, at the time of recording, the influence of the stray magnetic field on the recording mark increases as the previously recorded mark increases, but the longer the mark length, the greater the distance from the center of the recording magnetic domain. The change in size becomes slower. That is, the difference between 0.5 μm and 0.6 μm is not as great as the difference between 0.1 μm and 0.2 μm. Therefore, if a stray magnetic field corresponding to the mark length is generated near the shortest mark, it may be constant when the mark length is long. Therefore, the length of the region from Tc2 to Tcomp3 is required to be longer than the shortest mark length, but not necessarily longer than the maximum mark length.

【0036】以上の点を踏まえ、補償温度Tcomp3
はディスクの線速度、再生パワー強度から媒体上に形成
される温度分布を想定し、必要十分なTc2以上Tco
mp3以下の領域の長さを確保できる温度領域に設定す
ればよい。
Based on the above points, the compensation temperature Tcomp3
Is a temperature distribution formed on the medium from the linear velocity of the disc and the reproducing power intensity, and the required Tc2 or more and Tco
It may be set to a temperature region where the length of the region of mp3 or less can be secured.

【0037】また、実際に磁壁移動再生を利用した情報
記録を行う際、スポット後方での磁区の再転写(ゴース
ト信号)の問題があるが、これは例えば特開2000−
187898号に示すような磁壁エネルギー密度調整用
の磁性層を付加することによって解決できる。
When actually recording information using domain wall motion reproduction, there is a problem of retransfer of magnetic domains (ghost signal) behind the spot.
This can be solved by adding a magnetic layer for adjusting the domain wall energy density as shown in No. 187898.

【0038】以上説明したように、本発明の光ディスク
を用いた場合、再生レーザ光のほぼ前縁に位置する温度
Tc2付近の磁区をレーザスポット内に拡大して再生す
る際、記録時に発生したエッジシフトをキャンセルさせ
ることができ、線記録密度を上げた場合にもエッジシフ
トによるエラーを取り除いて高いエラーレートで情報記
録再生することができる。
As described above, when the optical disk of the present invention is used, when the magnetic domain near the temperature Tc2, which is located substantially at the front edge of the reproducing laser beam, is expanded into the laser spot and is reproduced, the edge generated at the time of recording The shift can be canceled, and even when the linear recording density is increased, the error due to the edge shift can be removed and the information recording / reproducing can be performed at a high error rate.

【0039】[0039]

【実施例】以下に本発明の具体的な実施例について詳述
する。 <実験例1>直流マグネトロンスパッタリング装置に、
BドープしたSi、及びGd、Tb、Fe、Co、Al
の各ターゲットを取り付け、トラッキング用の案内溝の
形成されたポリカーボネート基板を基板ホルダーに固定
した後、1×10-5Pa以下の高真空になるまでチャン
バー内をクライオポンプで真空排気した。真空排気した
まま、Arガスを0.5Paとなるまでチャンバー内に
導入し、基板を回転させながら、以下の通り、ターゲッ
トをスパッタリングして各層を成膜した。なお、SiN
層成膜時にはArガスに加えてNガスを導入し、直流
反応性スパッタにより成膜した。
EXAMPLES Specific examples of the present invention will be described in detail below. <Experimental Example 1> For a DC magnetron sputtering device,
B-doped Si, and Gd, Tb, Fe, Co, Al
Each target was attached and the polycarbonate substrate having the guide groove for tracking was fixed to the substrate holder, and then the chamber was evacuated by a cryopump until a high vacuum of 1 × 10 −5 Pa or less was obtained. While evacuating, Ar gas was introduced into the chamber until the pressure reached 0.5 Pa, and while rotating the substrate, the target was sputtered to form each layer as follows. In addition, SiN
At the time of forming the layer, N 2 gas was introduced in addition to Ar gas, and the film was formed by DC reactive sputtering.

【0040】最初に、下地層としてSiN層を90nm
成膜した。引き続き、磁壁移動層としてGdFeCoA
l層を膜厚30nm、磁壁エネルギー調整層としてTb
Feを5nm、遮断層としてTbFeAl層を膜厚10
nm、メモリ層としてTbFeCo層を膜厚60nmに
順次成膜した。最後に、保護層としてSiN層を50n
m成膜した。
First, a SiN layer having a thickness of 90 nm is formed as an underlayer.
A film was formed. Subsequently, GdFeCoA was used as the domain wall displacement layer.
The L layer has a thickness of 30 nm, and Tb is used as a domain wall energy adjustment layer.
Fe 5 nm, TbFeAl layer as a blocking layer 10
nm, and a TbFeCo layer as a memory layer was sequentially formed to have a film thickness of 60 nm. Finally, a SiN layer of 50n is used as a protective layer.
m was formed into a film.

【0041】各磁性層は、Gd、Tb、Fe、Co、A
lの各ターゲットに投入するパワーの比によって組成比
を制御した。磁壁移動層のキュリー温度(Tc1)が3
00℃、補償温度が270℃程度となるように調整し、
遮断層のキュリー温度(Tc2)は155℃、メモリ層
のキュリー温度(Tc3)は320℃、補償温度(Tc
omp3)が180℃程度となるように調整した。
Each magnetic layer is composed of Gd, Tb, Fe, Co, A
The composition ratio was controlled by the ratio of the power applied to each of the targets. The Curie temperature (Tc1) of the domain wall displacement layer is 3
Adjust so that the temperature is 00 ℃ and the compensation temperature is about 270 ℃.
The Curie temperature (Tc2) of the blocking layer is 155 ° C., the Curie temperature (Tc3) of the memory layer is 320 ° C., and the compensation temperature (Tc
It was adjusted so that omp3) was about 180 ° C.

【0042】なお、補償温度を境界にして補償温度より
小さい温度では希土類元素副格子磁化優勢となり、補償
温度より大きな温度では遷移金属元素副格子磁化優勢と
なる。このため、上記組成では遮断層のキュリー温度に
おいて磁壁移動層及びメモリ層は希土類元素副格子磁化
優勢となっている。このディスクを線速3m/sで回転
させながら、波長680nmのレーザ光および250O
eの外部磁界を用いて情報記録再生を行ったところ、
(1−7)変調の最短ビット長0.09μmでbER5
E−5が得られた。
At a temperature lower than the compensation temperature with the compensation temperature as a boundary, the rare earth element sublattice magnetization becomes dominant, and at a temperature higher than the compensation temperature, the transition metal element sublattice magnetization becomes dominant. Therefore, in the above composition, the domain wall displacement layer and the memory layer are predominant in the rare earth element sublattice magnetization at the Curie temperature of the blocking layer. While rotating this disk at a linear velocity of 3 m / s, a laser beam having a wavelength of 680 nm and 250 O
When information recording / reproduction was performed using the external magnetic field of e,
(1-7) bER5 with the shortest bit length of modulation of 0.09 μm
E-5 was obtained.

【0043】なお、本実験例では磁壁移動をなめらかに
行うため、情報記録再生に先立ってグルーブ部を高出力
レーザでアニール処理し、トラック側部で磁壁が生じな
いような処理を施した。
In this experimental example, in order to smoothly move the magnetic domain wall, the groove portion was annealed with a high-power laser prior to the information recording / reproducing, and a treatment was performed so that the magnetic domain wall did not occur on the track side portion.

【0044】<実験例2>実験例1と同じ基板上に、図
4で示すように記録時における磁界感度を高めるための
アシスト層としてGdFeCoCr層(Tc4=340
℃、補償温度220℃)をメモリ層の遮断層と隣接する
面と逆側の面上に膜厚20nm付加した以外はすべて実
験例1と同様の積層膜を作成した。
<Experimental Example 2> On the same substrate as in Experimental Example 1, as shown in FIG. 4, a GdFeCoCr layer (Tc4 = 340) was formed as an assist layer for increasing the magnetic field sensitivity during recording.
C., compensation temperature 220.degree. C.) A laminated film was prepared in the same manner as in Experimental Example 1 except that a film thickness of 20 nm was added on the surface of the memory layer opposite to the surface adjacent to the blocking layer.

【0045】このアシスト層の特性は、メモリ層に比
べ、キュリー温度が高く、室温における保磁力が小さい
ことである。また、この媒体の記録は、メモリ層のキュ
リー温度よりも高温で外部磁界の方向に向いたアシスト
層が、交換結合を利用してメモリ層に磁区転写すること
により行なわれる。
The characteristics of this assist layer are that the Curie temperature is higher and the coercive force at room temperature is smaller than that of the memory layer. Recording on this medium is performed by transferring a magnetic domain to the memory layer by means of exchange coupling by an assist layer oriented in the direction of the external magnetic field at a temperature higher than the Curie temperature of the memory layer.

【0046】なお、アシスト層を設けた場合、磁壁移動
層に印加される浮遊磁界の大きさおよび方向は、アシス
ト層の浮遊磁界とメモリ層の浮遊磁界を合わせた浮遊磁
界の大きさ及び向きとなる。そのため、アシスト層の発
生する浮遊磁界がメモリ層の発生する浮遊磁界の方向を
変えたり、極端に磁界強度を弱めないようにアシスト層
の飽和磁化、膜厚を決定する必要がある。
When the assist layer is provided, the magnitude and direction of the stray magnetic field applied to the domain wall displacement layer is the magnitude and direction of the stray magnetic field of the assist layer and the memory layer. Become. Therefore, it is necessary to determine the saturation magnetization and the film thickness of the assist layer so that the stray magnetic field generated by the assist layer does not change the direction of the stray magnetic field generated by the memory layer or extremely weakens the magnetic field strength.

【0047】本実施例においては、アシスト層とメモリ
層の合わせた浮遊磁界はTc2付近で実験例1における
メモリ層の浮遊磁界の向きと同方向になっているので、
この媒体においても実験例1と同様の効果が得られ、線
速3m/sで回転させながら、波長680nmのレーザ
光および150Oeの外部磁界を用いて情報記録再生を
行ったところ、(1−7)変調の最短ビット長0.09
μmでbER3E−5が得られた。
In this embodiment, the combined stray magnetic field of the assist layer and the memory layer is in the same direction as the stray magnetic field of the memory layer in Experimental Example 1 in the vicinity of Tc2.
With this medium, the same effect as in Experimental Example 1 was obtained. When information was recorded / reproduced using a laser beam having a wavelength of 680 nm and an external magnetic field of 150 Oe while rotating at a linear velocity of 3 m / s, (1-7 ) Minimum bit length of modulation 0.09
bER3E-5 was obtained at μm.

【0048】<実験例3>実験例2と同様の積層膜を、
ランド/グルーブの段差が深い基板上に形成した。これ
により、成膜と同時にトラック側部を磁気的に分断し、
実験例1で行った高出力レーザによるアニール処理を省
略した。
<Experimental Example 3> The same laminated film as in Experimental Example 2 was used.
It was formed on a substrate having a deep land / groove step. As a result, the side of the track is magnetically divided at the same time as the film formation,
The annealing treatment with the high-power laser performed in Experimental Example 1 was omitted.

【0049】図5は本実験例の光ディスクの断面図を示
しており、基板101上に深さ160nmの矩形の案内
溝を形成してある。この基板上に実験例2と同様の膜処
方で成膜を行った。正確にはテーパ部分にも多少膜が堆
積してしまうが、ランド/グルーブ部と比較して膜厚が
非常に薄くなるので段差部における磁気的な結合は無視
できる。
FIG. 5 is a sectional view of the optical disk of this experimental example, in which a rectangular guide groove having a depth of 160 nm is formed on the substrate 101. A film was formed on this substrate with the same film formulation as in Experimental Example 2. To be precise, a film is slightly deposited on the taper portion, but the film thickness is much smaller than that on the land / groove portion, so magnetic coupling at the step portion can be ignored.

【0050】このディスクに、実験例2と同じ光ヘッド
で情報記録再生を行ったところ、実験例2と同等の再生
信号が得られ、またランド/グルーブ記録を行うことに
よってトラックピッチ方向の記録密度を向上させること
もできた。
When information recording / reproducing was performed on this disk with the same optical head as in Experimental Example 2, a reproduction signal equivalent to that in Experimental Example 2 was obtained, and by performing land / groove recording, recording density in the track pitch direction was obtained. Could also be improved.

【0051】<比較実験例>実験例1とほぼ同じ構成
で、メモリ層だけをキュリー温度(Tc3)を320
℃、補償温度が130℃程度となるように調整した。こ
のディスクを線速3m/sで回転させながら、波長68
0nmのレーザ光および250Oeの外部磁界を用いて
情報記録再生を行った。ディスクの基本特性として、
0.15μmの単一マーク長記録を行った場合のジッタ
ー値は、実験1とほぼ同程度の3.0nsが得られた
が、最短ビット長0.09μmの(1−7)変調でラン
ダムパターンを記録した場合には、符号間干渉によりジ
ッター値が悪化し、bER3E−4しか得られなかっ
た。
<Comparative Experimental Example> With substantially the same structure as in Experimental Example 1, only the memory layer has a Curie temperature (Tc3) of 320.
C., and the compensation temperature was adjusted to about 130.degree. While rotating this disc at a linear velocity of 3 m / s,
Information recording / reproduction was performed using a laser beam of 0 nm and an external magnetic field of 250 Oe. As the basic characteristics of the disc,
The jitter value when recording a single mark length of 0.15 μm was 3.0 ns, which was almost the same as in Experiment 1, but a random pattern was obtained by (1-7) modulation with the shortest bit length of 0.09 μm. In the case of recording, the jitter value was deteriorated due to intersymbol interference, and only bER3E-4 was obtained.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る光磁気記録媒体を用いることにより、媒体上の情報記
録密度を大きく向上することが可能で、しかも記録時に
発生するエッジシフトと再生時に発生するエッジシフト
がキャンセルしあう方向としたので、微小な記録磁区に
対しても正確な再生信号が得られ、従来と同じ構成の記
録再生装置のまま、装置の複雑化、コストアップを伴わ
ずに媒体の大容量化が可能になった。
As described above in detail, by using the magneto-optical recording medium according to the present invention, it is possible to greatly improve the information recording density on the medium, and further, the edge shift occurring during recording and the reproducing time during recording. Since the generated edge shifts cancel each other out, an accurate reproduction signal can be obtained even for minute recording magnetic domains, and the recording / reproducing device with the same configuration as the conventional one can be used without complicating the device and increasing the cost. In addition, it has become possible to increase the capacity of the medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を表す図FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例の動作を説明する図FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例の動作波形FIG. 3 is an operation waveform of the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施例の動作を説明する図FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例で用いる基板の断面図FIG. 5 is a sectional view of a substrate used in a third embodiment of the present invention.

【図6】反磁界と記録時エッジシフトとの関係を説明す
る図
FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between a demagnetizing field and an edge shift during recording.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 磁壁移動層 2 遮断層 3 メモリ層 4 アシスト層 101 基板 102 干渉層 103 保護層 1 Domain wall moving layer 2 barrier layer 3 memory layers 4 Assist layer 101 substrate 102 interference layer 103 protective layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 情報の再生に寄与し、磁壁が移動する磁
壁移動層と、情報に応じた記録磁区を保持するメモリ層
と、前記移動層とメモリ層の間に配置され、前記両層よ
りキュリー温度が低い遮断層を備え、前記遮断層のキュ
リー温度以上の領域において前記メモリ層から移動層に
転写された記録磁区の磁壁を移動させて前記記録磁区を
拡大させることにより前記情報の再生を行う光磁気記録
媒体において、 前記遮断層の少なくともキュリー温度で、前記メモリ層
から発生した浮遊磁界が前記磁壁移動層における磁壁の
移動を阻害する方向に作用することを特徴とする光磁気
記録媒体。
1. A magnetic domain wall moving layer that contributes to reproduction of information and in which a magnetic domain wall moves, a memory layer that holds a recording magnetic domain according to information, and a magnetic domain wall moving layer disposed between the moving layer and the memory layer. A cutoff layer having a low Curie temperature is provided, and by reproducing the information by moving the domain wall of the recording magnetic domain transferred from the memory layer to the moving layer in the region of the Curie temperature of the blocking layer or higher, the recording domain is expanded. The magneto-optical recording medium to be performed is characterized in that the stray magnetic field generated from the memory layer acts in a direction of impeding the movement of the domain wall in the domain wall moving layer at least at the Curie temperature of the blocking layer.
【請求項2】 各層は希土類−鉄族非晶質合金からな
り、前記磁壁移動層と前記メモリ層は前記遮断層のキュ
リー温度で希土類元素副格子磁化優勢となるよう構成さ
れていることを特徴とする請求項1に記載の光磁気記録
媒体。
2. Each layer is made of a rare earth-iron group amorphous alloy, and the domain wall motion layer and the memory layer are configured to have a dominant rare earth element sublattice magnetization at the Curie temperature of the blocking layer. The magneto-optical recording medium according to claim 1.
【請求項3】 前記磁壁移動層は、室温においても希土
類元素副格子磁化優勢であることを特徴とする請求項2
に記載の光磁気記録媒体。
3. The domain wall displacement layer has a rare-earth element sublattice magnetization dominant even at room temperature.
The magneto-optical recording medium described in.
【請求項4】 前記メモリ層の前記遮断層と接する側と
反対側に隣接して記録時の磁界感度を高めるためのアシ
スト層が設けられており、前記浮遊磁界は前記メモリ層
とアシスト層の浮遊磁界の和であることを特徴とする請
求項1に記載の光磁気記録媒体。
4. An assist layer is provided adjacent to the side of the memory layer opposite to the side in contact with the blocking layer for increasing the magnetic field sensitivity at the time of recording, and the stray magnetic field is provided between the memory layer and the assist layer. The magneto-optical recording medium according to claim 1, which is a sum of stray magnetic fields.
【請求項5】 前記磁壁移動層は、各情報トラック間で
磁気的結合が分断されていることを特徴とする請求項1
に記載の光磁気記録媒体。
5. The magnetic domain wall displacement layer is characterized in that magnetic coupling is separated between each information track.
The magneto-optical recording medium described in.
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