JP2003006843A - Method for manufacturing substrate for information recording medium and method for manufacturing information recording medium - Google Patents

Method for manufacturing substrate for information recording medium and method for manufacturing information recording medium

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JP2003006843A
JP2003006843A JP2002137847A JP2002137847A JP2003006843A JP 2003006843 A JP2003006843 A JP 2003006843A JP 2002137847 A JP2002137847 A JP 2002137847A JP 2002137847 A JP2002137847 A JP 2002137847A JP 2003006843 A JP2003006843 A JP 2003006843A
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polishing
substrate
recording medium
information recording
manufacturing
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Application number
JP2002137847A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Eda
伸二 江田
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Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a substrate for an information recording medium with a high-flatness and a method for manufacturing the information recording medium using the same. SOLUTION: In the method for manufacturing the substrate for the information recording medium, a polishing liquid in a polishing process consists of the water in which particles of >=1 μm or ultrapure water and a polishing agent.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録媒体用基板
の製造方法及び情報記録媒体の製造方法に係り、特にハ
ードディスク、光ディスク、光磁気ディスクといった情
報記録媒体用基板の製造方法及びこれを用いた情報記録
媒体の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an information recording medium substrate and an information recording medium, and more particularly to a method for manufacturing an information recording medium substrate such as a hard disk, an optical disk, a magneto-optical disk and the like. The present invention relates to a method for manufacturing an information recording medium.

【０００２】[0002]

【従来の技術】現在、ハードディスク、光ディスク等の
記録媒体やこのような記録媒体用の基板としてはディス
クが広く用いられている。このようなディスクは、高記
録密度化に伴い、その表面平滑性を確保することが要請
されている。2. Description of the Related Art Currently, disks are widely used as recording media such as hard disks and optical disks, and substrates for such recording media. Such a disk is required to ensure the surface smoothness as the recording density is increased.

【０００３】ディスクは、一般に、形状加工工程、研削
工程、研磨工程、最終検査工程を経て製造される。ディ
スクの表面の平滑性は、主に研磨工程で使用する研磨パ
ッド、研磨砥粒の種類や粒径を選定することによって所
望な表面に仕上げられている。しかし、いまや研磨条件
だけでは、所望なディスク表面の平滑性を得られない状
況になり、製造工程における環境が問題視されるように
なった。例えば、特開平９−２８８８２０号には、最終
仕上研磨後に実施される成膜工程までの間に基板が大気
中にさらされず、基板に大気中のごみ等が付着すること
のないように、最終仕上研磨を所定クリーン度のクリー
ンルーム内で研磨テープを用いて水溶液で洗い流しなが
ら行う磁気記録媒体用基板の製造方法が記載されてい
る。Discs are generally manufactured through a shaping process, a grinding process, a polishing process, and a final inspection process. The smoothness of the surface of the disk is finished to a desired surface mainly by selecting the type of polishing pad used in the polishing process and the type and particle size of the polishing abrasive grains. However, it has become difficult to obtain the desired smoothness of the disk surface only with the polishing conditions, and the environment in the manufacturing process has become a problem. For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-288820, the substrate is not exposed to the atmosphere until the film-forming step performed after the final finish polishing, and the final dust is prevented from adhering to the substrate. A method for producing a substrate for a magnetic recording medium is described in which finish polishing is carried out in a clean room of a predetermined cleanness while being rinsed with an aqueous solution using a polishing tape.

【０００４】また、特開平１０−１９４７８５には、最
終研磨工程以後の清浄工程、化学強化工程、化学強化処
理液の洗浄工程、乾燥工程、検査工程、収納工程のなか
の少なくとも一工程を、ガラス基板にパーティクルが付
着しないように、クリーンルーム内で行う情報記録媒体
用ガラス基板の製造方法が記載されている。Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-194785, at least one of a cleaning process, a chemical strengthening process, a cleaning process of a chemical strengthening treatment liquid, a drying process, an inspection process and a storing process after the final polishing process is described as glass. A method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium is described which is performed in a clean room so that particles do not adhere to the substrate.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】これらの製造方法はい
ずれも最終研磨工程や最終研磨工程以後の工程における
製造環境を問題としている。しかし、これらの対策を講
じてもなお、ディスク表面に微小な欠陥（凸状の欠陥や
凹状の欠陥）が発生し、高密度記録化に適用できる情報
記録媒体用基板が得られないという問題があった。その
原因を究明した結果、今まで問題視されていなかった最
終研磨工程の前の研磨工程等での製造環境に原因がある
ことが分かった。即ち、今までは研磨工程で使用する両
面研磨装置は、発塵性がある等の理由からクリーンルー
ム外に置かれ、最終研磨工程前の研磨工程は大気中で行
われていた。All of these manufacturing methods have problems with the manufacturing environment in the final polishing step and the steps after the final polishing step. However, even if these measures are taken, there still remains a problem that minute defects (convex defects and concave defects) occur on the disk surface, and an information recording medium substrate applicable to high density recording cannot be obtained. there were. As a result of investigating the cause, it has been found that there is a cause in the manufacturing environment in the polishing step before the final polishing step which has not been regarded as a problem until now. That is, up to now, the double-side polishing apparatus used in the polishing step has been placed outside the clean room due to dust generation and the like, and the polishing step before the final polishing step has been performed in the atmosphere.

【０００６】また、このような研磨工程で使用する研磨
液としては、酸化セリウムやコロイダルシリカの研磨砥
粒と水道水を混合した研磨液を使用していた。しかし、
大気中に浮遊している微小なパーティクル（例えば、ア
ルミ、鉄、鉛、クロム、銅等）や、研磨液で使用されて
いる水道水に含まれる微小なパーティクル（例えば、
銅、鉄、鉛等）が研磨パッドとディスクとの間に介在し
てディスク表面に傷を与えたり、また、ディスクの搬送
時にディスク表面に付着したパーティクルとディスクを
収納、搬送するためのディスクケースが接触してディス
ク表面に傷を与えたりすることがあった。さらに、洗浄
不良によってディスク表面にパーティクルが残存し、こ
のパーティクルが例えば化学強化工程における熱処理に
よってディスクに強固に付着して平滑性を悪化させるこ
とが明らかになった。Further, as a polishing liquid used in such a polishing step, a polishing liquid in which polishing abrasive grains of cerium oxide or colloidal silica and tap water have been used. But,
Minute particles floating in the atmosphere (for example, aluminum, iron, lead, chromium, copper, etc.) or minute particles contained in tap water used in polishing liquids (for example,
(Copper, iron, lead, etc.) intervene between the polishing pad and the disk to scratch the disk surface, and the disk case for storing and carrying the particles and the disk adhered to the disk surface when the disk is transported. May come into contact with and scratch the disk surface. Further, it has been clarified that particles are left on the surface of the disk due to poor cleaning, and the particles are strongly adhered to the disk by the heat treatment in the chemical strengthening step, for example, and the smoothness is deteriorated.

【０００７】また、上記各製造工程間では、ディスクは
複数枚単位に収納するディスクケースで搬送される。し
かし、全ての工程で共通のディスクケースを使用する
と、前工程でディスクケースに付着した異物を後工程に
持ち込むことになり、ディスクの平滑性を悪化させる原
因となる。特に、ディスク表面の平滑性を問題としない
大気中で行われる研削工程からクリーンルーム内で行わ
れる研磨工程へディスクを搬送するのに共通のディスク
ケースを使用すると、たとえ研磨工程前にディスクケー
スを洗浄処理したとしても、異物を持ち込んでしまうお
それがある。本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、平滑性の高い情報記録媒体用基板
の製造方法及びこれを用いた情報記録媒体の製造方法を
提供することを目的とする。Further, between the above-mentioned manufacturing steps, the discs are transported in a disc case accommodating a plurality of discs. However, if a common disk case is used in all the steps, foreign matter attached to the disk case in the previous step will be brought into the subsequent step, which will deteriorate the smoothness of the disk. In particular, if a common disk case is used to transfer the disk from the grinding process performed in the atmosphere where the smoothness of the disk surface does not matter to the polishing process performed in the clean room, even if the disk case is cleaned before the polishing process. Even if it is processed, there is a risk that foreign matter may be brought in. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate for an information recording medium having high smoothness and a method for manufacturing an information recording medium using the same.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は以下の構成を有する。請求項１の発明は、
情報記録媒体用基板を製造する情報記録媒体用基板の製
造方法において、研磨工程における研磨液は１μｍ以上
の粒子を除去した水と研磨剤とを含む情報記録媒体用基
板の製造方法である。本発明によれば、研磨工程で使用
する水として１μｍ以上の粒子を除去したものを用いる
ことにより、研磨工程においてディスク表面に発生する
欠陥、特に凹欠陥の発生率を低下することができる。本
発明における研磨工程は基板表面の平滑性の向上を目的
とするものであり、研磨工程は基板の主表面を研磨する
主表面研磨工程、基板の端面を研磨する端面研磨工程を
含む。In order to achieve the above object, the present invention has the following constitution. The invention of claim 1 is
In the method for manufacturing an information recording medium substrate for manufacturing an information recording medium substrate, the polishing liquid in the polishing step is a method for manufacturing an information recording medium substrate containing water from which particles of 1 μm or more have been removed and an abrasive. According to the present invention, by using water from which particles of 1 μm or more have been removed as the water used in the polishing step, it is possible to reduce the rate of occurrence of defects, particularly concave defects, occurring on the disk surface in the polishing step. The polishing step in the present invention is intended to improve the smoothness of the substrate surface, and the polishing step includes a main surface polishing step of polishing the main surface of the substrate and an end surface polishing step of polishing the end surface of the substrate.

【０００９】請求項２の発明は、情報記録媒体用基板を
製造する情報記録媒体用基板の製造方法において、研磨
工程における研磨液は研磨剤と超純水とを含むことを特
徴とする情報記録媒体用基板の製造方法である。本発明
によれば、研磨工程で使用する研磨液に超純水を用いる
ことにより、研磨工程においてディスク表面に発生する
欠陥、特に凹欠陥の発生率を低下することができる。研
磨液に超純水を用いることにより、一般の水に含まれる
銅、鉄、鉛等の不純物による影響を避けことができる。
超純水の製造方法としては、限外濾過膜・UF（ultra fi
ltration membrane）と逆浸透圧膜・RO（reverse osmot
ic membrane）を用いる方法が挙げられる。この超純水
を用いた研磨液としては、基板に対して化学的腐食性を
有するフッ酸やケイフッ酸を含むものを用いてもよい。According to a second aspect of the invention, in the method of manufacturing the information recording medium substrate for manufacturing the information recording medium substrate, the polishing liquid in the polishing step contains an abrasive and ultrapure water. It is a method for manufacturing a medium substrate. According to the present invention, by using ultrapure water as the polishing liquid used in the polishing step, it is possible to reduce the occurrence rate of defects, particularly concave defects, generated on the disk surface in the polishing step. By using ultrapure water as the polishing liquid, it is possible to avoid the influence of impurities such as copper, iron, and lead contained in general water.
Ultrapure water is manufactured by ultrafiltration membrane / UF (ultra fi
ltration membrane) and RO (reverse osmot)
ic membrane) can be used. As the polishing liquid using the ultrapure water, a polishing liquid containing hydrofluoric acid or silicohydrofluoric acid, which has chemical corrosiveness to the substrate, may be used.

【００１０】請求項３の発明は、前記超純水はＲＯ水で
ある情報記録媒体用基板の製造方法である。本発明によ
れば、イオン・低分子領域まで除去する逆浸透圧膜・RO
を用いた方法によって製造された水（以下、RO水とい
う。）を用いることにより、研磨工程においてディスク
表面に発生する欠陥、特に凹欠陥の発生率をさらに低下
することができる。A third aspect of the present invention is a method of manufacturing an information recording medium substrate, wherein the ultrapure water is RO water. According to the present invention, a reverse osmosis membrane / RO that removes ion / low molecular weight regions
By using water (hereinafter, referred to as RO water) produced by the method using, it is possible to further reduce the occurrence rate of defects, particularly concave defects, generated on the disk surface in the polishing step.

【００１１】請求項４の発明は、前記研磨剤は酸化セリ
ウム又はコロイダルシリカを含む情報記録媒体用基板の
製造方法である。本発明によれば、情報記録媒体用基板
を良好に研磨することができる。A fourth aspect of the present invention is a method of manufacturing a substrate for an information recording medium, wherein the abrasive contains cerium oxide or colloidal silica. According to the present invention, the information recording medium substrate can be satisfactorily polished.

【００１２】請求項５の発明は、前記研磨工程はクリー
ンルーム中で行なう情報記録媒体用基板の製造方法であ
る。本発明によれば、研磨工程で空気中に浮遊している
パーティクルが基板へ付着するのを防止することによ
り、基板表面に発生する欠陥、特に凹欠陥の発生率を低
減することができる。請求項６の発明は、請求項１〜５
の何れか１項記載の情報記録媒体用基板の製造方法によ
って得られた情報記録媒体用基板に記録層を形成する情
報記録媒体の製造方法である。本発明によれば、表面平
滑性の高い基板を用いることにより、記録密度の高い情
報記録媒体を製造することが可能になる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an information recording medium substrate, wherein the polishing step is performed in a clean room. According to the present invention, by preventing particles floating in the air from adhering to the substrate during the polishing process, it is possible to reduce the occurrence rate of defects, particularly concave defects, occurring on the surface of the substrate. The invention of claim 6 relates to claims 1 to 5.
An information recording medium manufacturing method for forming a recording layer on an information recording medium substrate obtained by the method for manufacturing an information recording medium substrate according to any one of the above. According to the present invention, an information recording medium having a high recording density can be manufactured by using a substrate having a high surface smoothness.

【００１３】上記いずれかの発明では、基板材料から研
削工程、形状加工工程、研磨工程、化学強化工程及び検
査工程を含む工程により情報記録媒体用基板を製造する
情報記録媒体用基板の製造方法において、研削工程と形
状加工工程を大気中で行い、研磨工程から検査工程まで
をクリーンルーム中で行なうことができる。この方法に
よれば、研磨工程、化学強化工程、検査工程をクリーン
ルーム中で行なうことにより、研磨工程で発生する凹欠
陥、化学強化工程で基板に異物が付着することにより発
生する凸欠陥、検査工程で発生する凸欠陥の発生率を低
減することができる。In any one of the above inventions, in the method of manufacturing the information recording medium substrate, the information recording medium substrate is manufactured from the substrate material by a process including a grinding process, a shape processing process, a polishing process, a chemical strengthening process and an inspection process. The grinding step and the shape processing step can be performed in the air, and the polishing step to the inspection step can be performed in a clean room. According to this method, by performing the polishing step, the chemical strengthening step, and the inspection step in a clean room, the concave defect generated in the polishing step, the convex defect generated by the foreign matter attached to the substrate in the chemical strengthening step, the inspection step It is possible to reduce the occurrence rate of the convex defect generated in 1.

【００１４】また、基板材料から研削工程及び研磨工程
を含む工程により情報記録媒体用基板を製造する情報記
録媒体用基板の製造方法において、少なくとも研磨工程
をクリーンルーム中で行なうことができる。この方法に
よれば、基板表面に発生する欠陥（凹欠陥や凸欠陥）の
発生率を低減することができる。本発明においては、研
磨工程前に行なわれる研磨工程以外の工程、例えば、研
削工程、形状加工工程をクリーンルームで行なっても良
い。また、前述のように最終研磨工程以後の洗浄工程
や、化学強化工程、検査工程、梱包工程をクリーンルー
ム内で行うこともできる。この場合、信頼性がさらに向
上するので好ましい。Further, in the method for manufacturing an information recording medium substrate, in which a substrate for an information recording medium is manufactured by a process including a grinding process and a polishing process, at least the polishing process can be performed in a clean room. According to this method, it is possible to reduce the occurrence rate of defects (concave defects and convex defects) generated on the substrate surface. In the present invention, steps other than the polishing step performed before the polishing step, for example, the grinding step and the shape processing step may be performed in a clean room. Further, as described above, the cleaning process after the final polishing process, the chemical strengthening process, the inspection process, and the packaging process can be performed in a clean room. In this case, the reliability is further improved, which is preferable.

【００１５】このようなクリーンルーム内の清浄度はク
ラス１０００００以下であることが好ましい。これによ
れば、ディスク表面に発生する欠陥（凸状、凹状）の発
生率をさらに低減させることができる。この清浄度は１
立方フィートの雰囲気中に存在する０．５μｍ以上のパ
ーティクルの数として定義される。本発明では、クリー
ンルームの清浄度はクラス５００００以下であることが
好ましく、１００００以下であることが更に望ましい。The cleanliness in such a clean room is preferably class 100000 or less. According to this, the occurrence rate of defects (convex shape, concave shape) generated on the disk surface can be further reduced. This cleanliness is 1
It is defined as the number of particles greater than 0.5 μm present in a cubic foot atmosphere. In the present invention, the cleanliness of the clean room is preferably class 50,000 or less, and more preferably 10,000 or less.

【００１６】本発明により研磨される情報記録媒体用基
板としてはガラス基板があり、この場合、製造工程には
化学強化工程を含むことができる。化学強化工程として
は、例えば、ガラス転移点の観点から転移温度を越えな
い領域でイオン交換を行なう低温型化学強化を挙げるこ
とができる。この場合、化学強化に用いる硝酸カリウム
や硝酸ナトリウムなどのアルカリ溶融塩を約２８０℃〜
４５０℃程度加熱した溶液にガラス基板を浸漬して行わ
れる。The information recording medium substrate to be polished according to the present invention includes a glass substrate, and in this case, the manufacturing process may include a chemical strengthening process. Examples of the chemical strengthening step include low temperature type chemical strengthening in which ion exchange is performed in a region that does not exceed the transition temperature from the viewpoint of the glass transition point. In this case, the alkali molten salt such as potassium nitrate or sodium nitrate used for chemical strengthening is heated to about 280 ° C or higher.
It is performed by immersing the glass substrate in a solution heated at about 450 ° C.

【００１７】一般に、化学強化処理前には、通常、洗浄
工程が行われるが、洗浄不良等によってガラス基板表面
の研磨工程で研磨液の液体（溶媒）の中に含まれていた
異物が除去できずに基板表面にパーティクルが付着した
まま化学強化を行なうと、化学強化処理液の熱によって
ガラス基板表面にパーティクルが強固に付着し、後の洗
浄工程ではおとし切れずに凸欠陥となる。従って、少な
くとも研磨工程をクリーンルーム中で行なうこと、さら
に望ましくは研磨工程で使用する研磨液を研磨剤と微小
なパーティクルを除去した液体を含むものとすることに
より、欠陥（凹欠陥、凸欠陥）のない化学強化ガラス基
板を製造することができる。Generally, a cleaning process is usually performed before the chemical strengthening treatment, but foreign substances contained in the liquid (solvent) of the polishing liquid can be removed in the polishing process of the glass substrate surface due to poor cleaning or the like. If the chemical strengthening is performed without the particles adhering to the surface of the substrate, the particles strongly adhere to the surface of the glass substrate due to the heat of the chemical strengthening treatment liquid, and the convex defects will not be completely suppressed in the subsequent cleaning step. Therefore, by performing at least the polishing step in a clean room, and more preferably, by using a polishing liquid used in the polishing step that contains a polishing agent and a liquid from which fine particles are removed, chemicals free from defects (concave defects, convex defects) can be obtained. A tempered glass substrate can be manufactured.

【００１８】化学強化工程を行なう場合、少なくとも化
学強化工程のクリーンルーム内の清浄度をクラス１００
００以下とすることが好ましい。化学強化工程におい
て、基板にパーティクルが付着していると加熱によって
このパーティクルが強固に付着し後の洗浄工程では除去
しきれず欠陥になる。従って、化学強化工程をクリーン
ルーム内で行うことにより欠陥の発生を防止することが
できる。When performing the chemical strengthening process, at least the cleanliness in the clean room in the chemical strengthening process should be class 100.
It is preferably 00 or less. In the chemical strengthening step, if particles adhere to the substrate, the particles are strongly adhered by heating and cannot be completely removed in the subsequent cleaning step, resulting in defects. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of defects by performing the chemical strengthening process in a clean room.

【００１９】本発明においては、クリーンルーム内の清
浄度を研削工程、形状加工工程、研磨工程、化学強化工
程及び検査工程のうちの一つ又は複数の工程単位毎に設
定し、工程単位が進むに従ってクリーンルーム内の清浄
度を向上させることが好ましい。この方法によれば、基
板材料の平滑度が上がるに従ってクリーンルームの清浄
度を向上させることができるので、平滑性の高い基板を
製造することができる。In the present invention, the cleanliness in the clean room is set for each one or a plurality of process units of the grinding process, the shape processing process, the polishing process, the chemical strengthening process and the inspection process, and as the process unit progresses It is preferable to improve the cleanliness in the clean room. According to this method, the cleanliness of the clean room can be improved as the smoothness of the substrate material increases, so that a substrate with high smoothness can be manufactured.

【００２０】本発明では、例えば、基板の平坦度と形状
精度を向上と目的とした研削工程及び基板の端部形状の
作り込みを行なう形状加工工程については大気中で行な
い、研磨工程以降の工程をクリーンルームで行ない、さ
らに、研磨工程（端面研磨工程、主表面の研磨工程を含
む）、化学強化工程、検査工程をそれぞれ一つの製造環
境とし、クラス１０００００、クラス１００００、クラ
ス１０００の環境下で行なうことにより実施することが
できる。さらに、研磨工程を端面研磨工程と主表面の研
磨工程と分離し、それぞれクラス５０００００、クラス
１０００００としたり、主表面の研磨工程を複数の研磨
工程で行なう場合は、さらに研磨工程毎に清浄度を設定
することができる。上述と同様、研磨工程、形状加工工
程もクリーンルームで行なっても良い。In the present invention, for example, the grinding step for the purpose of improving the flatness and shape accuracy of the substrate and the shape processing step for forming the edge shape of the substrate are performed in the atmosphere, and the steps after the polishing step are performed. In a clean room, and the polishing process (including the end face polishing process and the main surface polishing process), the chemical strengthening process, and the inspection process are each made into one manufacturing environment, and are performed under the environment of class 100000, class 10000, and class 1000. It can be carried out. Further, when the polishing process is separated into the end face polishing process and the main surface polishing process and each is classified into class 500000 and class 100000, or when the main surface polishing process is performed by a plurality of polishing processes, the cleanliness is further increased for each polishing process. Can be set. Similar to the above, the polishing step and the shape processing step may be performed in a clean room.

【００２１】本発明においては、工程単位毎に基板を収
納するディスクケースを異ならせることが好ましい。本
発明によれば、前工程で使用されれディスクケースに付
着したパーティクルを次工程に持ち込むことがないの
で、欠陥を防止することができる。この場合、ディスク
ケースを使用される環境を表示する色で着色したり、材
質を異ならせたりすることで、前工程からのパーティク
ルの持ち込みを確実に防止することができる。In the present invention, it is preferable that the disk case for accommodating the substrate be different for each process unit. According to the present invention, particles used in the previous step and attached to the disk case are not brought into the next step, so that defects can be prevented. In this case, it is possible to reliably prevent the particles from being brought in from the previous step by coloring the disk case with a color indicating the environment in which it is used or by using different materials.

【００２２】以下、使用される工程又は雰囲気毎に異な
った色が着色されているディスクケースの使用方法につ
いてガラス製のハードディスク基板の製造を例にとって
説明する。ハードディスク用ガラス基板の製造を例にと
って説明する。ハードディスク用ガラス基板の製造は、
研削工程、形状加工工程、研磨工程、化学強化工程、検
査工程に大別できる。これらの製造工程のうち、研削工
程と形状加工工程は大気中で行われ、研磨工程から検査
工程まではクリーンルーム中で行われる。そこで、大気
中で使用するディスクケースは黒色に着色し、クリーン
ルーム内で使用するディスクケースは緑色に着色する。
そして、研削工程と形状加工工程間のディスクの搬送に
は黒色に着色されたディスクケースを使用し、研磨工程
から検査工程における各工程間のディスクの搬送には緑
色に着色されたディスクケースを使用する。これによっ
て、大気中で使用されるディスクケースとクリーンルー
ム中で使用されるディスクケースが識別され、大気中で
行われた研削工程及び形状加工工程で用いられたディス
クケースが研磨工程から検査工程が行われるクリーンル
ームに持ち込まれることが防止される。従って、クリー
ンルーム内を清浄に保つことができるので、平滑性に優
れたディスクの製造が可能になる。Hereinafter, a method of using a disk case in which different colors are colored depending on the process or atmosphere in which it is used will be described with reference to an example of manufacturing a hard disk substrate made of glass. The manufacturing of a glass substrate for a hard disk will be described as an example. Manufacture of glass substrates for hard disks,
It can be roughly divided into a grinding process, a shape processing process, a polishing process, a chemical strengthening process, and an inspection process. Among these manufacturing processes, the grinding process and the shape processing process are performed in the atmosphere, and the polishing process and the inspection process are performed in a clean room. Therefore, the disk case used in the atmosphere is colored black, and the disk case used in the clean room is colored green.
A black colored disc case is used to convey the disc between the grinding process and the shaping process, and a green colored disc case is used to convey the disc between the polishing process and the inspection process. To do. As a result, the disc case used in the atmosphere and the disc case used in the clean room are distinguished, and the disc case used in the grinding process and the shape processing process performed in the air is subjected to the inspection process from the polishing process. It is prevented from being brought into a clean room. Therefore, since the inside of the clean room can be kept clean, it is possible to manufacture a disk having excellent smoothness.

【００２３】以上のような目的に使用されるディスクケ
ースの具体例を図１〜図４を参照して説明する。このデ
ィスクケース１０は、上方及び下方が開放された箱状の
形状を有する。そして、ディスク１２は、ディスクケー
スの上方より出し入れされる。このディスクケース１０
は、相対向する前壁１６及び後壁１８並びに１対の側壁
２０を備えている。また、ディスクケース１０内の中心
には、隔壁２１が設けられている。この隔壁によりディ
スクケース１０内にディスク１２を収納する収納レーン
１０ａが２列形成される。A specific example of the disk case used for the above purpose will be described with reference to FIGS. The disc case 10 has a box-like shape whose upper and lower parts are open. Then, the disc 12 is taken in and out from above the disc case. This disk case 10
Includes a front wall 16 and a rear wall 18 and a pair of side walls 20 that face each other. A partition 21 is provided at the center of the disc case 10. The partition walls form two rows of storage lanes 10a for storing the disks 12 in the disk case 10.

【００２４】この前壁１６及び後壁１８の各々の収納レ
ーン１０ａに対向する位置には、略Ｕ字状の切欠部２２
が形成されている。各々の収納レーン１０ａの前壁１６
又は後壁１８に対向して収納されたディスク１２の中央
部近傍はこの切欠部より露出する。The front wall 16 and the rear wall 18 each have a substantially U-shaped cutout 22 at a position facing the storage lane 10a.
Are formed. Front wall 16 of each storage lane 10a
Alternatively, the vicinity of the central portion of the disk 12 housed so as to face the rear wall 18 is exposed from this cutout portion.

【００２５】側壁２０の上端部には、ロボットハンド等
によりディスクケース１０を保持することを可能にする
ため外側に突出するフランジ部２０ｄが形成されてい
る。また、側壁２０は図２に示されるように、上方の薄
板部２０ａと、この薄板部２０ａから下方に向かって内
側に厚さが増大するテーパ部２０ｂと、テーパー部２０
ｂの最大厚さを有する厚板部２０ｃが連続して形成され
ている。また、側壁２１の両面には、側壁２０に対応し
て、上方の平坦部２１ａと、平坦部から下方に向かって
内側に突出するテーパ部２１ｂと、テーパ部２１ｂに連
続して形成された突出部２１ｃを有している。At the upper end of the side wall 20, there is formed a flange portion 20d protruding outward so that the disc case 10 can be held by a robot hand or the like. As shown in FIG. 2, the side wall 20 has an upper thin plate portion 20a, a tapered portion 20b whose thickness increases inward from the thin plate portion 20a, and a tapered portion 20.
A thick plate portion 20c having a maximum thickness of b is continuously formed. Corresponding to the side wall 20, an upper flat portion 21a, a tapered portion 21b protruding downward inward from the flat portion, and a protrusion formed continuously with the tapered portion 21b are provided on both surfaces of the side wall 21. It has a portion 21c.

【００２６】このような側壁２０及び隔壁２１を対向さ
せることにより、収納レーン１０ａの上方では側壁２０
と隔壁２１の間隔が広くなり、テーパ部２０ｂが形成さ
れている部分では側壁２０と隔壁２１の間隔が下方に向
かって徐々に減少し、厚板部２０ｃと突出部２１ｃが対
向している部分では側壁２０と隔壁２１の間隔が最も小
さくなる。これによって、円盤状のディスク２０を安定
して保持することが可能になる。By making the side wall 20 and the partition wall 21 face each other, the side wall 20 is located above the storage lane 10a.
The distance between the side wall 20 and the partition wall 21 gradually decreases in the portion where the tapered portion 20b is formed, and the thick plate portion 20c and the protruding portion 21c face each other. Then, the distance between the side wall 20 and the partition wall 21 becomes the smallest. This makes it possible to stably hold the disc 20.

【００２７】側壁２０の下端部と隔壁２１の下端部との
間は開放部１４となっている。側壁２０内側及び隔壁２
１の両面には、ディスク１２を直立保持する溝部を形成
するためのリブ２４が対向して設けられている。このリ
ブ２４は、図１及び図２に示されるように、外壁２０及
び隔壁２１の薄板部２０ａ、平坦部２１ａからテーパー
部２０ｂ、２１ｂ下端に渡って形成されており、その下
部は側壁２０及び隔壁２１のテーパ部２０ｂ、２１ｂの
形状に合わせて、収納レーン１０ａの内側に突出する湾
曲形状を有している。An opening 14 is provided between the lower end of the side wall 20 and the lower end of the partition wall 21. Inside the side wall 20 and the partition wall 2
Ribs 24 for forming grooves for holding the disk 12 upright are provided facing each other on both sides of No. 1. As shown in FIGS. 1 and 2, the rib 24 is formed from the thin plate portion 20a and the flat portion 21a of the outer wall 20 and the partition wall 21 to the lower ends of the tapered portions 20b and 21b, and the lower portion thereof is the sidewall 20 and The partition wall 21 has a curved shape protruding inward of the storage lane 10a in accordance with the shapes of the tapered portions 20b and 21b.

【００２８】また、リブ２４は、図３及び図４に示され
るように、収納するディスク１２の厚さよりやや大きな
間隔を介して配列されており、この間隔により、リブ２
４間にディスク１２の周縁部を挟持する溝が形成され
る。また、リブ２４は収納レーン１０ａの上方よりディ
スク１２を容易に挿入することを可能にするため、内側
に向かって幅が減少する横断面台形状の形状を有してい
る。As shown in FIGS. 3 and 4, the ribs 24 are arranged with an interval slightly larger than the thickness of the disk 12 to be housed, and this interval allows the ribs 2 to be arranged.
A groove for sandwiching the peripheral edge of the disk 12 is formed between the four. Further, the rib 24 has a trapezoidal cross-section whose width decreases inward so that the disc 12 can be easily inserted from above the storage lane 10a.

【００２９】各々の収納レーン１０ａの前壁１６、後壁
１８、側壁２０及び隔壁２１の下方には、同一ディスク
ケース１０の収納レーン１０ａの上方に嵌合する形状の
フレーム２６が形成されている。このフレーム２６の底
面は、ディスクケース１０をローラコンベア等で搬送可
能とするため、平坦に形成されている。ディスク１２に
化学的処理を施すためにディスクケース１０ごと処理液
に浸漬する場合や、ディスク１２をディスクケースに収
納された状態で洗浄する場合等には、リブ２４間の溝部
に液体排出用のスリットを形成することができる。これ
によって、化学的処理や洗浄が終了した後、処理液や洗
浄液が溝部に滞留することがなくなる。Below the front wall 16, the rear wall 18, the side wall 20, and the partition wall 21 of each storage lane 10a, there is formed a frame 26 shaped to fit above the storage lane 10a of the same disk case 10. . The bottom surface of the frame 26 is formed flat so that the disk case 10 can be transported by a roller conveyor or the like. When the entire disk case 10 is immersed in the processing liquid for chemical treatment of the disk 12, or when the disk 12 is washed while being housed in the disk case, the grooves between the ribs 24 are used for liquid discharge. Slits can be formed. As a result, the processing liquid and the cleaning liquid do not stay in the groove after the chemical treatment and the cleaning are completed.

【００３０】このようなディスクケース１０は、収納さ
れているディスク１２の処理に用いられる処理液や処理
温度等の使用環境に耐え得る金属、樹脂等の材質により
形成される。特に、製作コストや仕上がり精度の観点か
ら、樹脂により一体成形することが好ましい。このよう
な樹脂としては、各種ポリエチレン、ポリプロピレン等
のポリオレフィン、ポリ塩化ビニール、商標名テフロン
（ＰＴＦＥ）等の一般的な樹脂を用いることができる。
特に、ディスクケースを通常の射出成形法により製造す
る場合、樹脂としては、例えば、ポリカーポネート、ポ
リアミド、サーモトロピック液晶ポリマー（ＬＣＰ）、
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテ
ルケトン（ＰＥＫ）、ＰＥＥＫ系アロイ樹脂〔例えばＰ
ＥＥＫ／サーモトロピック液晶ポリマー、ＰＥＥＫ／ポ
リペンゾイミダゾール（ＰＢＩ）等〕、ポリベンゾイミ
ダゾール（ＰＢＩ）、ポリフェニレンサルファイド（Ｐ
ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテ
ルイミド（ＰＥＩ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）等のフッ素樹脂等を用いることが好ましい。The disc case 10 is formed of a material such as metal or resin that can withstand the use environment such as the treatment liquid used for treating the accommodated disc 12 and the treatment temperature. Particularly, it is preferable to integrally mold the resin from the viewpoint of manufacturing cost and finish accuracy. As such a resin, various resins such as polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polyvinyl chloride, and Teflon (PTFE) under the trade name can be used.
In particular, when the disk case is manufactured by an ordinary injection molding method, examples of the resin include polycarbonate, polyamide, thermotropic liquid crystal polymer (LCP),
Polyetheretherketone (PEEK), polyetherketone (PEK), PEEK-based alloy resin [eg P
EEK / thermotropic liquid crystal polymer, PEEK / polybenzazoimidazole (PBI), etc.], polybenzimidazole (PBI), polyphenylene sulfide (PBI)
PS), polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polytetrafluoroethylene (P
It is preferable to use a fluororesin such as TFE).

【００３１】本発明に係る方法により製造される情報記
録媒体用基板の表面粗さは、Ｒｍａｘ≦３ｎｍ、Ｒａ≦
０．３ｎｍであることが好ましい。これによって、表面
平滑性の高い基板であって欠陥（凹欠陥、凸欠陥）のな
い基板を提供することが可能になる。さらに、情報記録
媒体用基板の表面粗さは、Ｒｍａｘ≦２ｎｍ、Ｒａ≦
０．２ｎｍとすることが望ましい。The surface roughness of the information recording medium substrate manufactured by the method according to the present invention is Rmax ≦ 3 nm, Ra ≦.
It is preferably 0.3 nm. This makes it possible to provide a substrate having high surface smoothness and no defects (concave defects, convex defects). Further, the surface roughness of the information recording medium substrate is Rmax ≦ 2 nm, Ra ≦
It is desirable to set it to 0.2 nm.

【００３２】本発明に係る方法により製造される情報記
録媒体用基板に記録層を形成することにより情報記録媒
体を製造することができる。本発明によれば、表面平滑
性の高い基板を用いることにより、記録密度の高い情報
記録媒体を製造することが可能になる。An information recording medium can be manufactured by forming a recording layer on the substrate for information recording medium manufactured by the method according to the present invention. According to the present invention, an information recording medium having a high recording density can be manufactured by using a substrate having a high surface smoothness.

【００３３】この記録層は、情報記録媒体が磁気ディス
ク（ハードディスク）の場合、磁性層に相当する。磁性
層としては、例えば、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、Ｃ
ｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、Ｃｏ
ＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＣｒ
ＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢなどの磁性薄膜が挙げられ
る。When the information recording medium is a magnetic disk (hard disk), this recording layer corresponds to the magnetic layer. As the magnetic layer, for example, CoPt or C containing Co as a main component is used.
oCr, CoNi, CoNiCr, CoCrTa, Co
CrPt, CoNiPt, CoNiCrPt, CoCr
Examples of the magnetic thin film include PtTa and CoCrPtB.

【００３４】基板と磁性層との間には、通常、シード層
や下地層が形成される。シード層は下地層や磁性層の結
晶粒径のばらつきを抑える働きを有し、ＮｉＡｌ、Ｃｒ
Ｔｉ、ＣｒＮｉなどの材料が用いられる。下地層として
は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ等の非
磁性金属等の材料が用いられる。磁性層としてＣｏを主
成分とするものが用いられる場合、磁気特性の向上の目
的から、下地層としてはＣｒ合金を用いることが好まし
い。A seed layer and an underlayer are usually formed between the substrate and the magnetic layer. The seed layer has a function of suppressing variations in crystal grain size of the underlayer and the magnetic layer, and NiAl, Cr
Materials such as Ti and CrNi are used. As the underlayer, a material such as a non-magnetic metal such as Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, B or Al is used. When a magnetic layer containing Co as a main component is used, it is preferable to use a Cr alloy as the underlayer for the purpose of improving magnetic properties.

【００３５】磁性層上には、通常、保護層や潤滑層が形
成される。保護層としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、
カーボン、ジルコニア、シリカ等が挙げられる。潤滑層
は、パーフルオロポリエーテル潤滑剤等が用いられる。A protective layer and a lubricating layer are usually formed on the magnetic layer. As the protective layer, for example, Cr, Cr alloy,
Examples thereof include carbon, zirconia, silica and the like. For the lubricating layer, a perfluoropolyether lubricant or the like is used.

【００３６】本発明により製造される基板の材料は特に
限定されない。例えば、ガラス基板（例えば、化学強化
ガラス基板やガラスセラミック基板）、セラミック基
板、アルミ基板、カーボン基板、シリコン基板、プラス
チック基板、ポリカーボネート基板などが挙げられる。
本発明は、基板の材料が特にガラス基板（例えば、化学
強化ガラス基板やガラスセラミック基板（結晶化ガラス
基板））において顕著な効果がある。例えば、ガラスセ
ラミック基板は基板に結晶化処理することにより、基板
表面に非晶質相と結晶相とが混在する表面構造となって
いるが、研磨液に使用する溶媒の中に微小なパーティク
ルが含まれている場合、結晶相のみが欠落するピットと
呼ばれる凹欠陥が発生しやすい。従って、微小なパーテ
ィクルを除去した溶媒の研磨液を使用することで、欠陥
の発生を低減することができる。The material of the substrate manufactured by the present invention is not particularly limited. For example, a glass substrate (for example, a chemically strengthened glass substrate or a glass ceramic substrate), a ceramic substrate, an aluminum substrate, a carbon substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, a polycarbonate substrate, or the like can be used.
The present invention has a remarkable effect when the material of the substrate is a glass substrate (for example, a chemically strengthened glass substrate or a glass ceramic substrate (crystallized glass substrate)). For example, a glass-ceramic substrate has a surface structure in which an amorphous phase and a crystalline phase are mixed on the surface of the substrate by crystallizing the substrate, but minute particles are present in the solvent used for the polishing liquid. When it is included, a concave defect called a pit in which only the crystal phase is missing is likely to occur. Therefore, by using a polishing liquid of a solvent from which fine particles are removed, it is possible to reduce the occurrence of defects.

【００３７】[0037]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。 〔実施例１〕本実施例では、磁気ディスク（ハードディ
スク）用ガラス基板を製造し、さらに、このガラス基板
を用いて磁気ディスクを製造した。本実施例の方法は、
（１）粗ラッピング工程（粗研削工程）、（２）形状加
工工程、（３）精ラッピング工程（精研削工程）、
（４）端面鏡面加工工程、（５）第１研磨工程、（６）
第２研磨工程、（７）化学強化工程、（８）検査工程、
（９）磁気ディスク製造工程を含む。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
The present invention is not limited to this. Example 1 In this example, a glass substrate for a magnetic disk (hard disk) was manufactured, and a magnetic disk was manufactured using this glass substrate. The method of this embodiment is
(1) rough lapping step (rough grinding step), (2) shape processing step, (3) fine lapping step (fine grinding step),
(4) End surface mirror finishing step, (5) First polishing step, (6)
Second polishing step, (7) chemical strengthening step, (8) inspection step,
(9) Including a magnetic disk manufacturing process.

【００３８】本実施例では、（１）粗ラッピング工程か
ら（３）精ラッピング工程までを大気中にて行ない、
（４）端面鏡面加工工程から（６）第２研磨工程までを
第１クリーン環境で実施し、（７）化学強化工程を第２
クリーン環境で、（８）検査工程を第３クリーン環境
で、（９）磁気ディスク製造工程を第４クリーン環境に
て実施した。それぞれのクリーン環境は、清浄度を、ク
ラス１０００００（第１クリーン環境）、クラス１００
００（第２クリーン環境）、クラス１０００（第３クリ
ーン環境）、クラス１００（第４クリーン環境）とし、
クリーンルーム内の濾過した空気を循環させていた環境
とした。In this embodiment, (1) rough lapping process to (3) fine lapping process are performed in the atmosphere,
(4) The process of mirror-finishing the end surface to (6) the second polishing process are performed in the first clean environment, and (7) the second chemical strengthening process is performed.
In the clean environment, (8) the inspection process was performed in the third clean environment, and (9) the magnetic disk manufacturing process was performed in the fourth clean environment. The cleanliness of each clean environment is class 100000 (first clean environment), class 100
00 (2nd clean environment), class 1000 (3rd clean environment), class 100 (4th clean environment),
The environment was such that the filtered air in the clean room was circulated.

【００３９】また、上記（４）端面鏡面加工工程から
（６）第２研磨工程までの研磨装置に使用する研磨液の
水は、ＲＯ水を使用した。なお、製造環境毎（第１、
２、３、４クリーン環境）にディスク（基板）を収納す
るディスクケースとしてそれぞれ違った色に着色された
ディスクケースを用いた。RO water was used as the water of the polishing liquid used in the polishing apparatus from the above (4) end face mirror finishing step to (6) second polishing step. In addition, for each manufacturing environment (first,
As the disk cases for storing the disks (substrates) in 2, 3, and 4 clean environments, disk cases colored in different colors were used.

【００４０】（１）粗ラッピング工程 まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレ
クトプレスにより直径９６ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍの円
盤状のアルミノシリケートガラスからなるガラス基板を
得た。なお、この場合、ダイレクトプレス以外に、ダウ
ンドロー法やフロート法で形成したシートガラスから研
削砥石で切り出して円盤状のガラス基板を得てもよい。
このアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５
８〜７５重量％、Ａｌ ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ２
Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１３重量％を含有
する化学強化ガラスを使用した。(1) Rough lapping process First of all, a dire made from molten glass using an upper die, a lower die and a barrel die.
A circle with a diameter of 96 mm and a thickness of 1.5 mm
A glass substrate made of disk-shaped aluminosilicate glass
Obtained. In this case, in addition to direct press, dow
Polished from sheet glass formed by the draw method or float method
A disk-shaped glass substrate may be obtained by cutting with a grinding wheel.
As this aluminosilicate glass, SiOTwo: 5
8-75% by weight, Al TwoOThree: 5 to 23% by weight, LiTwo
O: 3 to 10% by weight, NaTwoO: Containing 4 to 13% by weight
A chemically strengthened glass was used.

【００４１】次いで、ガラス基板に寸法精度及び形状精
度の向上させるためラッピング工程と行った。このラッ
ピング工程は両面ラッピング装置を用い、粒度＃４００
の砥粒を用いて行なった。具体的には、はじめに粒度＃
４００のアルミナ砥粒を用い、荷重を１００ｋｇ程度に
設定して、サンギアとインターナルギアを回転させるこ
とによって、キャリア内に収納したガラス基板の両面を
面精度０〜１μｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度に
ラッピングした。Then, a lapping process was performed on the glass substrate in order to improve dimensional accuracy and shape accuracy. This lapping process uses a double-sided lapping machine and has a grain size of # 400.
It carried out using the abrasive grain of. Specifically, firstly the granularity #
By using 400 alumina abrasive grains, setting the load to about 100 kg and rotating the sun gear and the internal gear, both surfaces of the glass substrate housed in the carrier have a surface accuracy of 0 to 1 μm and a surface roughness (Rmax) of 6 μm. Wrapped to the extent.

【００４２】（２）形状加工工程 次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔
を空けると共に、外周端面の研削をして直径を９５ｍｍ
φとした後、外周端面および内周端面に所定の面取り加
工を施した。このときのガラス基板端面の表面粗さは、
Ｒｍａｘで４μｍ程度であった。(2) Shape processing step Next, a hole is made in the central portion of the glass substrate using a cylindrical grindstone, and the outer peripheral end face is ground to a diameter of 95 mm.
After φ, the outer peripheral end face and the inner peripheral end face were subjected to predetermined chamfering. The surface roughness of the end surface of the glass substrate at this time is
The Rmax was about 4 μm.

【００４３】（３）精ラッピング工程 次に、砥粒の粒度を＃１０００に変え、ガラス基板表面
をラッピングすることにより、表面粗さをＲｍａｘで２
μｍ程度、Ｒａで０．２μｍ程度とした。上記ラッピン
グ工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽
（超音波印加）に順次浸漬して、超音波洗浄を行なっ
た。(3) Fine Lapping Step Next, the grain size of the abrasive grains is changed to # 1000 and the surface of the glass substrate is lapped to give a surface roughness of 2 at Rmax.
μm, and Ra is about 0.2 μm. The glass substrate having undergone the lapping step was sequentially immersed in a cleaning bath of neutral detergent and water (application of ultrasonic waves) to perform ultrasonic cleaning.

【００４４】（４）端面鏡面加工工程 次いで、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させなが
らガラス基板の端面（内周、外周）の表面の粗さを、Ｒ
ｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μｍ程度に研磨した。そ
して、上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の表面を水
洗浄した。(4) Step of mirror-finishing the end surface Next, the surface roughness of the end surfaces (inner circumference, outer circumference) of the glass substrate is R by brush polishing while rotating the glass substrate.
Polishing was performed to a maximum of 1 μm and a Ra of about 0.3 μm. Then, the surface of the glass substrate that had been subjected to the end face mirror surface processing was washed with water.

【００４５】（５）第１研磨工程 次に、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除
去するため第１研磨工程を両面研磨装置を用いて行なっ
た。両面研磨装置においては、研磨パッドが貼り付けら
れた上下上盤の間にキャリアにより保持したガラス基板
を密着させ、このキャリアをサンギアとインターナルギ
アとに噛合させ、上記ガラス基板を上下定番によって挟
圧する。その後、研磨パッドとガラス基板の研磨面との
間に研磨液を供給して回転させることによって、ガラス
基板が定盤上で自転しながら公転して両面を同時に研磨
加工するものである。以下、実施例で使用する両面研磨
装置としては同一装置を用いた。(5) First Polishing Step Next, the first polishing step was carried out using a double-side polishing machine in order to remove the scratches and strains remaining in the lapping step described above. In a double-sided polishing apparatus, a glass substrate held by a carrier is brought into close contact between upper and lower upper plates to which a polishing pad is attached, the carrier is engaged with a sun gear and an internal gear, and the glass substrate is clamped by a standard upper and lower plate. . After that, by supplying and rotating a polishing liquid between the polishing pad and the polishing surface of the glass substrate, the glass substrate revolves while rotating on a surface plate and simultaneously polishing both surfaces. Hereinafter, the same device was used as the double-sided polishing device used in the examples.

【００４６】具体的には、ポリシャとして硬質ポリシャ
（硬質発泡ウレタン）を用い、研磨工程を実施した。研
磨条件は、研磨液として酸化セリウム（平均粒径１．３
μｍ）＋ＲＯ水とし、荷重：１００ｇ／ｃｍ２、研磨時
間：１５分とした。上記第１研磨工程を終えたガラス基
板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾
燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥し
た。Specifically, a hard polisher (hard urethane foam) was used as the polisher, and the polishing process was performed. Polishing conditions are cerium oxide (average particle size 1.3
μm) + RO water, load: 100 g / cm 2 , polishing time: 15 minutes. The glass substrate that had been subjected to the first polishing step was sequentially immersed in each cleaning bath of neutral detergent, pure water, pure water, IPA, and IPA (steam drying), ultrasonically cleaned, and dried.

【００４７】（６）第２研磨工程 次に第１研磨工程で使用したものと同じタイプの両面研
磨装置を用い、ポリシャを軟質ポリシャ（スウェードパ
ット）に変えて、第２研磨工程を実施した。この第２研
磨工程は、上述した第１研磨工程で得られた平坦な表面
を維持しつつ、例えば表面粗さＲａを１．０〜０．３μ
ｍ程度以下まで低減させることを目的とするものであ
る。研磨条件は、研磨液として酸化セリウム（平均粒径
０．８μｍ）＋ＲＯ水とし、荷重：１００ｇ／ｃｍ２、
研磨時間を５分とした。上記第２研磨工程を終えたガラ
ス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸
気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾
燥した。(6) Second Polishing Step Next, using the same type of double-side polishing machine as used in the first polishing step, the polisher was changed to a soft polisher (suede pad) to carry out the second polishing step. In the second polishing step, while maintaining the flat surface obtained in the first polishing step described above, for example, the surface roughness Ra is 1.0 to 0.3 μm.
The purpose is to reduce it to about m or less. The polishing conditions were cerium oxide (average particle size 0.8 μm) + RO water as a polishing liquid, load: 100 g / cm 2 ,
The polishing time was 5 minutes. The glass substrate that had been subjected to the second polishing step was successively immersed in a cleaning bath of neutral detergent, pure water, pure water, IPA, and IPA (vapor drying), ultrasonically cleaned, and dried.

【００４８】（７）化学強化工程 次に、上記洗浄を終えたガラス基板に化学強化を施し
た。化学強化は硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合し
た化学強化液を用意し、この化学強化溶液を３８０℃に
加熱し、上記洗浄・乾燥済みのガラス基板を約４時間浸
漬して化学強化処理を行なった。化学強化を終えたガラ
ス基板を硫酸、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ
（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄
し、乾燥した。(7) Chemical Strengthening Step Next, the glass substrate after the above cleaning was chemically strengthened. For the chemical strengthening, a chemical strengthening solution prepared by mixing potassium nitrate and sodium nitrate was prepared, the chemical strengthening solution was heated to 380 ° C., and the washed and dried glass substrate was immersed for about 4 hours to perform the chemical strengthening treatment. Glass substrate after chemical strengthening is treated with sulfuric acid, neutral detergent, pure water, pure water, IPA, IPA
It was sequentially immersed in each of the (vapor drying) cleaning tanks, ultrasonically cleaned and dried.

【００４９】（８）検査工程 次に、上記洗浄を終えたガラス基板表面の目視検査及び
光の反射・散乱・透過を利用した精密検査を実施した。
その結果、ガラス基板表面に付着物による突起や、傷等
の欠陥は発見されなかった。これは、表面の平滑性悪化
の原因となる雰囲気中に浮遊しているパーティクルが研
磨工程時に基板へ付着するのを防止し、研磨パッドと基
板の間に介在されたパーティクルによる基板表面の傷の
発生を防止できたこと及び研磨液の溶媒（液体）に含ま
れるパーティクルを除去したことにより、研磨パッドと
基板との間に介在されたパーティクルによる基板表面に
発生する欠陥（特に凹欠陥：転がり傷）を防止できたこ
とによると考えられる。また、化学強化工程で発生した
欠陥（凸欠陥：鉄コンタミなど）や検査工程で付着する
欠陥（凸欠陥）についても、クリーンルーム内の清浄な
雰囲気で実施することによって、凸欠陥を防止できたと
考えられる。上述のように、研磨工程以降の工程（具体
的には、研磨工程、化学強化工程、検査工程）をクリー
ンルーム中で行なうことによって基板表面に発生する欠
陥（凹欠陥、凸欠陥）を防止することができる。(8) Inspection Step Next, a visual inspection of the surface of the glass substrate after the above cleaning and a precision inspection utilizing reflection / scattering / transmission of light were carried out.
As a result, no defects such as protrusions due to adhered substances and scratches were found on the surface of the glass substrate. This prevents particles floating in the atmosphere, which causes deterioration of the surface smoothness, from adhering to the substrate during the polishing process, and damages on the substrate surface due to the particles interposed between the polishing pad and the substrate. Due to the fact that the particles contained in the solvent (liquid) of the polishing liquid have been prevented because they have been prevented from being generated, defects (especially concave defects: rolling scratches) generated on the substrate surface due to the particles interposed between the polishing pad and the substrate. ) Is believed to have been prevented. In addition, regarding defects (convex defects: iron contamination, etc.) that occurred in the chemical strengthening process and defects (convex defects) that adhere in the inspection process, it is thought that the convex defects could be prevented by performing them in a clean atmosphere in a clean room. To be As described above, the steps (specifically, the polishing step, the chemical strengthening step, and the inspection step) after the polishing step are performed in a clean room to prevent defects (concave defects, convex defects) generated on the substrate surface. You can

【００５０】また、上記工程を経て得られたガラス基板
の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測
定したところ、Ｒｍａｘ＝２．１３ｎｍ、Ｒａ＝０．２
０ｎｍと超平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板
を得た。The surface roughness of the main surface of the glass substrate obtained through the above steps was measured by an atomic force microscope (AFM). Rmax = 2.13 nm, Ra = 0.2
A glass substrate for a magnetic disk having an ultra-smooth surface of 0 nm was obtained.

【００５１】（９）磁気ディスク製造工程 上記工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板の両
主表面に、インライン型スパッタリング装置を用いて、
ＮｉＡシード層、ＣｒＶ下地層、ＣｏＰｔＣｒＢ磁性
層、水素化カーボン保護層を順次成膜し、さらにディッ
プ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜して
磁気ディスクを得た。得られた磁気ディスクについて、
タッチダウンハイト試験を実施したところ、タッチダウ
ンハイトが５ｎｍと良好な値を示した。また、ロードア
ンロード試験（１０万回）を行なってもヘッドがクラッ
シュすることがなかった。(9) Magnetic Disk Manufacturing Process Using an in-line type sputtering device on both main surfaces of the glass substrate for a magnetic disk obtained through the above steps,
A NiA seed layer, a CrV underlayer, a CoPtCrB magnetic layer, and a hydrogenated carbon protective layer were sequentially formed, and a perfluoropolyether lubricating layer was further formed by a dipping method to obtain a magnetic disk. About the obtained magnetic disk,
When the touchdown height test was carried out, the touchdown height was 5 nm, which was a good value. Further, the head did not crash even after the load / unload test (100,000 times).

【００５２】〔実施例２〕実施例１におけるアルミノシ
リケートガラスの代わりに、ＳｉＯ２：３５〜６５モル
％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２５モル％、ＭｇＯ：１０〜４０
モル％、ＴｉＯ２：５〜１５モル％、Ｙ２Ｏ３：０〜１
０モル％、ＺｒＯ２：０〜６モル％、Ｒ２Ｏ：０〜５モ
ル％（但し、ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋからなる群から選ばれ
る少なくとも１種を表す）、ＲＯ：０〜５モル％（但
し、ＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａからなる群から選ばれる少な
くとも１種を表す）、Ａｓ２Ｏ３＋Ｓｂ２Ｏ３：０〜２
モル％、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋ＭｇＯ＋ＴｉＯ２：９
２モル％以上であるガラスを結晶化処理させ、主結晶が
エンスタタイト及び／又はその固溶体である結晶化ガラ
ス基板を用いた。尚、磁気ディスク用ガラス基板の製造
工程は、（１）円盤状ガラス基板素材製造工程、（２）
結晶化ガラス製造工程、（３）形状加工工程、（４）ラ
ッピング工程（研削工程）、（５）端面鏡面加工工程、
（６）第１研磨工程、（７）第２研磨工程、（８）検査
工程、（９）磁気ディスク製造工程からなる。実施例１
との相違点は、各工程毎に異なるクリーン環境で実施し
たことである。具体的には、上記（１）円盤状ガラス基
板素材製造工程から（４）ラッピング工程までを大気中
にて行ない（５）端面鏡面加工工程を第１クリーン環境
で実施し、（６）第１研磨工程を第２クリーン環境で実
施し、（７）第２研磨工程を第３クリーン環境で実施
し、（８）検査工程を第４クリーン環境で、（９）磁気
ディスク製造工程を第５クリーン環境にて実施した。そ
れぞれのクリーン環境は、清浄度を、クラス５００００
０（第１クリーン環境）、クラス１０００００（第２ク
リーン環境）、クラス５００００（第３クリーン環
境）、クラス１０００（第４クリーン環境）、クラス１
００（第５クリーン環境）とし、クリーンルーム内の濾
過した空気を循環させた。また、上記（４）端面鏡面加
工工程から（６）第２研磨工程までの研磨装置に使用す
る研磨液の水として、ＲＯ水を利用した。Example 2 Instead of the aluminosilicate glass in Example 1, SiO 2 : 35 to 65 mol%, Al 2 O 3 : 5 to 25 mol%, MgO: 10 to 40.
Mol%, TiO 2: 5~15 mol%, Y 2 O 3: 0~1
0 mol%, ZrO 2 : 0 to 6 mol%, R 2 O: 0 to 5 mol% (wherein R represents at least one selected from the group consisting of Li, Na, and K), RO: 0 to 5 mol% (wherein, R represents at least one selected from the group consisting Ca, Sr, from Ba), as 2 O 3 + Sb 2 O 3: 0~2
Mol%, SiO 2 + Al 2 O 3 + MgO + TiO 2 : 9
A glass having a content of 2 mol% or more was crystallized, and a crystallized glass substrate whose main crystal was enstatite and / or its solid solution was used. In addition, the manufacturing process of the glass substrate for magnetic disk includes (1) the manufacturing process of the disk-shaped glass substrate material, and (2)
Crystallized glass manufacturing step, (3) shape processing step, (4) lapping step (grinding step), (5) end surface mirror surface processing step,
(6) First polishing step, (7) Second polishing step, (8) Inspection step, (9) Magnetic disk manufacturing step. Example 1
The difference is that each process was performed in a different clean environment. Specifically, the above (1) disk-shaped glass substrate material manufacturing process to (4) lapping process are performed in the atmosphere, (5) end face mirror finishing process is performed in a first clean environment, and (6) first The polishing process is performed in the second clean environment, (7) The second polishing process is performed in the third clean environment, (8) The inspection process is performed in the fourth clean environment, and (9) The magnetic disk manufacturing process is performed in the fifth clean environment. Conducted in the environment. The cleanliness of each clean environment is class 50000
0 (first clean environment), class 100000 (second clean environment), class 50000 (third clean environment), class 1000 (fourth clean environment), class 1
00 (fifth clean environment), and filtered air in the clean room was circulated. Further, RO water was used as the water of the polishing liquid used in the polishing apparatus from the above-mentioned (4) end surface mirror polishing step to (6) second polishing step.

【００５３】（１）円盤状ガラス基板製造工程 まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレ
クトプレスにより、直径６６ｍｍφ、圧さ１．３ｍｍの
円盤状のガラス基板を得た。このガラスとしては、Ｓｉ
Ｏ２：３５〜６５モル％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２５モル
％、ＭｇＯ：１０〜４０モル％、ＴｉＯ２：５〜１５モ
ル％、Ｙ２Ｏ３：０〜１０モル％、ＺｒＯ ２：０〜６モ
ル％、Ｒ２Ｏ：０〜５モル％（但し、ＲはＬｉ、Ｎａ、
Ｋからなる群から選ばれる少なくとも１種を表す）、Ｒ
Ｏ：０〜５モル％（但し、ＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａからな
る群から選ばれる少なくとも１種を表す）、Ａｓ
２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３：０〜２モル％、ＳｉＯ２＋Ａｌ２
Ｏ３＋ＭｇＯ＋ＴｉＯ２：９２モル％以上のものを使用
した。(1) Disk-shaped glass substrate manufacturing process First of all, a dire made from molten glass using an upper die, a lower die and a barrel die.
The diameter of 66mmφ and the pressure of 1.3mm
A disk-shaped glass substrate was obtained. For this glass, Si
OTwo: 35-65 mol%, AlTwoOThree: 5 to 25 mol
%, MgO: 10-40 mol%, TiOTwo: 5 to 15
Le%, YTwoOThree: 0-10 mol%, ZrO Two: 0-6mo
%, RTwoO: 0 to 5 mol% (however, R is Li, Na,
Represents at least one selected from the group consisting of K), R
O: 0 to 5 mol% (however, R is Ca, Sr, or Ba)
Represents at least one selected from the group
TwoOThree, SbTwoOThree: 0 to 2 mol%, SiOTwo+ AlTwo
OThree+ MgO + TiOTwo: Use at least 92 mol%
did.

【００５４】（２）結晶化ガラス製造工程 上記のガラス基板を、砥粒の粒度が＃４００である両面
ラッピング装置によって基板の厚み及び平坦度を整え
た。その後、このガラス板を７５０℃で約４時間熱処理
して結晶核を形成した後、約１０００℃の結晶化温度で
約４時間保持することにより、主結晶相がエンスタタイ
ト及びその固溶体である結晶化ガラス基板を製造した。
結晶粒子の平均粒子径は電子顕微鏡観察によると、２８
ｎｍであった。(2) Crystallized Glass Manufacturing Step The thickness and flatness of the above glass substrate were adjusted by a double-sided lapping machine having abrasive grain size of # 400. After that, this glass plate was heat-treated at 750 ° C. for about 4 hours to form crystal nuclei, and then held at a crystallization temperature of about 1000 ° C. for about 4 hours, so that the main crystal phase was enstatite and a solid solution thereof. A glass substrate was manufactured.
The average particle size of the crystal particles is 28 according to electron microscope observation.
was nm.

【００５５】（３）形状加工工程 上記の結晶化ガラス基板を、両面ラッピング装置によっ
てラッピングして、ガラス基板の反りを取り除いた後、
比較的粒度の粗いダイヤモンド砥石で、研削加工して直
径６５ｍｍφ、厚さ０．７ｍｍに成形してガラス基板を
得た。このガラス基板の両面を粒度の細かいダイヤモン
ド砥石で研削加工し、さらに円筒状の砥石を用いてガラ
ス基板の中央部分に孔を空けるとともに、外周端面の研
削をした後、内周及び外周面に所定の面取り加工を施し
た。(3) Shape processing step The above-mentioned crystallized glass substrate is lapped by a double-sided lapping device to remove the warp of the glass substrate, and then,
A glass grindstone was obtained by grinding with a diamond grindstone having a relatively coarse grain size to form a diameter of 65 mmφ and a thickness of 0.7 mm. Both sides of this glass substrate are ground with a fine-grained diamond grindstone, and a cylindrical grindstone is used to make a hole in the center of the glass substrate, and after grinding the outer peripheral end face, the inner and outer peripheral surfaces are pre-determined. Chamfered.

【００５６】（４）ラッピング工程 所定の粒度のダイヤモンド砥粒を固定したペレットを貼
り付けた上下定盤に、キャリアでガラス基板を保持し、
潤滑油（クーラント）を供給しながら上下定盤を回転さ
せてガラス基板の両面を研削加工した。上記研削工程を
終えたガラス基板を中性洗剤、純水の各洗浄槽に順次浸
漬し、超音波洗浄した。次いで、ブラシ研磨により、ガ
ラス基板を回転させながらガラス基板の端面（内周、外
周）の表面粗さを、Ｒｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μ
ｍ程度に研磨した。上記端面鏡面加工を終えたガラス基
板の表面を水洗浄した。(4) Lapping Step A glass substrate is held by a carrier on upper and lower stools to which pellets to which diamond abrasive grains of a predetermined grain size are fixed are attached,
Both sides of the glass substrate were ground by rotating the upper and lower surface plates while supplying lubricating oil (coolant). The glass substrate that had been subjected to the above-mentioned grinding step was successively immersed in a cleaning bath of neutral detergent and pure water and ultrasonically cleaned. Then, by brush polishing, while rotating the glass substrate, the surface roughness of the end surface (inner circumference, outer circumference) of the glass substrate is 1 μm in Rmax and 0.3 μm in Ra.
Polished to about m. The surface of the glass substrate that had been subjected to the above-mentioned end face mirror finishing was washed with water.

【００５７】（５）第１研磨工程 次に、第１研磨工程を両面研磨装置を用いて行なった。
詳しくは、ポリシャとして硬質ポリシャ（硬質発砲ウレ
タン）を用い、研磨工程を実施した。研磨条件は、研磨
液として酸化セリウム（平均粒径１．３μｍ）＋ＲＯ水
とし、荷重：１２０ｇ／ｃｍ２、研磨時間：６０分とし
た。上記第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗
剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄
槽に順次浸漬して、超音波洗浄し乾燥した。(5) First Polishing Step Next, the first polishing step was performed using a double-side polishing machine.
Specifically, a hard polisher (hard urethane foam) was used as the polisher, and the polishing process was performed. The polishing conditions were cerium oxide (average particle diameter 1.3 μm) + RO water as a polishing liquid, load: 120 g / cm 2 , and polishing time: 60 minutes. The glass substrate that had been subjected to the first polishing step was sequentially immersed in each cleaning bath of neutral detergent, pure water, pure water, IPA, and IPA (vapor drying), ultrasonically cleaned, and dried.

【００５８】（６）第２研磨工程 次に第１研磨工程で使用したものと同じタイプの両面研
磨装置を用い、ポリシャを軟質ポリシャ（スウェードパ
ット）に変えて、第２研磨工程を実施した。研磨条件
は、研磨液としてコロイダルシリカ（平均粒径０．１μ
ｍ）＋ＲＯ水を用い、荷重：１２０ｇ／ｃｍ２、研磨時
間を２０分とした。上記第２研磨工程を終えたガラス基
板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾
燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥し
た。(6) Second Polishing Step Next, the second polishing step was carried out using the same type of double-side polishing machine as used in the first polishing step, changing the polisher to a soft polisher (suede pad). The polishing conditions are colloidal silica (average particle size 0.1 μm) as the polishing liquid.
m) + RO water was used, the load was 120 g / cm 2 , and the polishing time was 20 minutes. The glass substrate that had been subjected to the second polishing step was successively immersed in a cleaning bath of neutral detergent, pure water, pure water, IPA, and IPA (vapor drying), ultrasonically cleaned, and dried.

【００５９】（７）検査工程 次に、上記洗浄を終えたガラス基板の表面の目視検査及
び顕微鏡による精密検査等を実施した。その結果、ガラ
ス基板表面に付着物による突起や、傷等の欠陥は発見さ
れなかった。(7) Inspection Step Next, a visual inspection of the surface of the glass substrate after the cleaning and a precision inspection with a microscope were carried out. As a result, no defects such as protrusions due to adhered substances and scratches were found on the surface of the glass substrate.

【００６０】これは、表面の平滑性悪化の原因となる雰
囲気中に浮遊しているパーティクルが研磨工程時に基板
へ付着するのを防止し、研磨パッドと基板との間に介在
されたパーティクルによる基板表面の傷の発生を防止で
きたこと及び研磨液の溶媒（液体）に含まれるパーティ
クルを除去したことにより、研磨パッドと基板との間に
介在されたパーティクルによる基板表面に発生する欠陥
（特に凹欠陥：転がり傷や結晶相が抜け落ちたことによ
るピット）を防止できたためと考えられる。また、検査
工程で付着する欠陥（凸欠陥）についても、クリーンル
ーム内の清浄な雰囲気で実施することによって、凸欠陥
を防止できたと考えられる。上述のように、研磨工程以
降の工程（具体的には、研磨工程、検査工程）をクリー
ンルーム中で行なうことによって基板表面に発生する欠
陥（凹欠陥、凸欠陥）を防止することができる。This prevents particles floating in the atmosphere, which causes deterioration of the surface smoothness, from adhering to the substrate during the polishing process, and the substrate interposed by the particles interposed between the polishing pad and the substrate. By preventing the generation of scratches on the surface and by removing the particles contained in the solvent (liquid) of the polishing liquid, defects (especially concaves) generated on the substrate surface due to the particles interposed between the polishing pad and the substrate. Defects: It is considered that rolling defects and pits caused by falling out of the crystal phase could be prevented. Further, regarding defects (convex defects) attached in the inspection process, it is considered that the convex defects can be prevented by performing the defect in a clean atmosphere in a clean room. As described above, by performing the steps after the polishing step (specifically, the polishing step and the inspection step) in a clean room, it is possible to prevent defects (concave defects, convex defects) generated on the substrate surface.

【００６１】また、上記工程を経て得られたガラス基板
の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測
定したところ、Ｒｍａｘ＝３．２３ｎｍ、Ｒａ＝０．３
１ｎｍと超平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板
を得た。The surface roughness of the main surface of the glass substrate obtained through the above steps was measured by an atomic force microscope (AFM). Rmax = 3.23 nm, Ra = 0.3
A glass substrate for a magnetic disk having an ultra-smooth surface of 1 nm was obtained.

【００６２】（８）磁気ディスク製造工程 上記工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板の両
主表面に、インライン型スパッタリング装置を用いて、
ＮｉＡｌシード層、ＣｒＶ下地層、ＣｏＰｔＣｒＢ磁性
層、水素化カーボン保護層を順次成膜し、さらにディッ
プ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜して
磁気ディスクを得た。得られた磁気ディスクについて、
タッチダウンハイト実験をしたところ、タッチダウンハ
イトが７ｎｍと良好な値を示した。また、ロードアンロ
ード試験（１０万回）を行なってもヘッドがクラッシュ
することがなかった。(8) Magnetic Disk Manufacturing Process Using an in-line type sputtering device on both main surfaces of the glass substrate for a magnetic disk obtained through the above steps,
A NiAl seed layer, a CrV underlayer, a CoPtCrB magnetic layer, and a hydrogenated carbon protective layer were sequentially formed, and a perfluoropolyether lubricating layer was further formed by a dipping method to obtain a magnetic disk. About the obtained magnetic disk,
A touchdown height experiment showed that the touchdown height was 7 nm, which was a good value. Further, the head did not crash even after the load / unload test (100,000 times).

【００６３】〔実施例３〕次に、実施例１における第２
研磨工程の後に、以下の第３研磨工程を実施した以外
は、実施例１と同様に磁気ディスク用ガラス基板及び磁
気ディスクを製造した。この第３研磨工程では、第１、
２研磨工程で使用したものと同じタイプの両面研磨装置
を用い、ポリシャを超軟質ポリシャ（スウェードパッ
ド）に変え、研磨条件は、研磨液をコロイダルシリカ
（平均粒径０．１μｍ）＋ＲＯ水とし、荷重：１００ｇ
／ｃｍ２、研磨時間を３分とした。第３研磨工程を終え
たガラス基板を、アルカリ、中性洗剤、中性洗剤、純
水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順
次浸漬して、超音波洗浄し乾燥した。[Embodiment 3] Next, the second embodiment
A glass substrate for a magnetic disk and a magnetic disk were manufactured in the same manner as in Example 1 except that the following third polishing step was performed after the polishing step. In this third polishing step, the first,
Using the same type of double-sided polishing machine used in the 2 polishing process, the polisher was changed to a super soft polisher (suede pad), and the polishing conditions were colloidal silica (average particle size 0.1 μm) + RO water, Load: 100g
/ Cm 2 , and the polishing time was 3 minutes. The glass substrate that has undergone the third polishing step is sequentially immersed in each of the cleaning tanks of alkali, neutral detergent, neutral detergent, pure water, pure water, IPA, and IPA (vapor drying), ultrasonically cleaned, and dried. .

【００６４】上記洗浄を終えたガラス基板表面の目視検
査、及び光の反射・散乱・透過を利用した精密検査等を
実施した。その結果、ガラス基板表面に付着物による突
起や傷等の欠陥は発見されなかった。これは、実施例１
と同様、表面の平滑性悪化の原因となる雰囲気中に浮遊
しているパーティクルが研磨工程時に基板へ付着するの
を防止し、研磨パッドと基板との間に介在されたパーテ
ィクルによる基板表面の傷の発生を防止できたこと、及
び、研磨液の溶媒（液体）に含まれるパーティクルを除
去したことにより、研磨パッドと基板との間に介在され
たパーティクルによる基板表面に発生する欠陥（特に凹
欠陥：転がり傷）を防止できたためと考えられる。ま
た、化学強化工程で発生した欠陥（凸欠陥：鉄コンタミ
など）や検査工程で付着する欠陥（凸欠陥）について
も、クリーンルーム内での清浄な雰囲気で実施すること
によって、凸欠陥を防止できたと考えられる。上述のよ
うに、研磨工程以降の工程（具体的には、研磨工程、化
学強化工程、検査工程）をクリーンルーム中で行なうこ
とによって基板表面に発生する欠陥（凹欠陥、凸欠陥）
を防止することができる。A visual inspection of the surface of the glass substrate after the above cleaning and a precision inspection utilizing reflection, scattering and transmission of light were carried out. As a result, no defects such as protrusions and scratches due to adhered substances were found on the glass substrate surface. This is Example 1
Similar to the above, it prevents particles floating in the atmosphere that cause deterioration of the surface smoothness from adhering to the substrate during the polishing process, and scratches the substrate surface due to the particles interposed between the polishing pad and the substrate. Of particles that are contained in the solvent (liquid) of the polishing liquid by removing the particles from the polishing pad and the defects (especially concave defects) generated on the substrate surface due to the particles interposed between the polishing pad and the substrate. : Rolling scratches could be prevented. Regarding defects (convex defects: iron contamination, etc.) that occurred in the chemical strengthening process and defects (convex defects) that adhere in the inspection process, it was possible to prevent convex defects by performing them in a clean atmosphere in a clean room. Conceivable. As described above, defects (concave defects, convex defects) generated on the substrate surface by performing the processes after the polishing process (specifically, the polishing process, the chemical strengthening process, and the inspection process) in a clean room.
Can be prevented.

【００６５】また、上記工程を経て得られたガラス基板
の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測
定したところ、Ｒｍａｘ＝１．５３ｎｍ、Ｒａ＝０．１
５ｎｍと超平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板
を得た。また、磁気ディスクについて、タッチダウンハ
イト試験を実施したところ、タッチダウンハイトが４ｎ
ｍと良好な値を示した。また、ロードアンロード試験
（１０万回）を行なってもヘッドがクラッシュすること
がなかった。When the surface roughness of the main surface of the glass substrate obtained through the above steps was measured by an atomic force microscope (AFM), Rmax = 1.53 nm and Ra = 0.1.
A glass substrate for a magnetic disk having an ultra smooth surface of 5 nm was obtained. Also, when a touchdown height test was performed on the magnetic disk, the touchdown height was 4n.
m was a good value. Further, the head did not crash even after the load / unload test (100,000 times).

【００６６】〔比較例１〜３〕比較例１として、上記実
施例１において、端面鏡面加工工程、研磨工程（第１、
２研磨工程）及び化学強化工程をクリーンルーム内で行
なわず大気中で行なったこと、研磨工程で使用する溶媒
をＲＯ水から水道水にした以外は実施例１と同様にして
磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを作製し
た。[Comparative Examples 1 to 3] As Comparative Example 1, in the above Example 1, the end face mirror finishing step and the polishing step (first,
2 polishing step) and the chemical strengthening step were performed in the atmosphere without performing in a clean room, and a glass substrate for a magnetic disk and a magnetic disk glass substrate were prepared in the same manner as in Example 1 except that the solvent used in the polishing step was changed from RO water to tap water. A magnetic disk was produced.

【００６７】比較例２として、実施例２において、端面
鏡面加工工程及び研磨工程（第１、２研磨工程）をクリ
ーンルーム内で行なわず大気中で行なったこと、研磨工
程で使用する溶媒をＲＯ水から水道水にした以外は実施
例２と同様にして磁気ディスク用ガラス基板及び磁気デ
ィスクを作製した。As Comparative Example 2, in Example 2, the end surface mirror finishing step and the polishing step (first and second polishing steps) were performed in the atmosphere without performing in a clean room, and the solvent used in the polishing step was RO water. A glass substrate for a magnetic disk and a magnetic disk were produced in the same manner as in Example 2 except that tap water was used instead.

【００６８】比較例３として、実施例３において、端面
鏡面加工工程、研磨工程（第１、２、３研磨工程）及び
化学強化工程をクリーンルーム内で行なわず大気中で行
なったこと、研磨工程で使用する溶媒をＲＯ水から水道
水にした以外は実施例３と同様にして磁気ディスク用ガ
ラス基板及び磁気ディスクを作製した。比較例１〜３に
おいて、検査工程において、ガラス基板の表面の目視検
査及び顕微鏡による精密検査等を実施した。As Comparative Example 3, in Example 3, the end face mirror surface finishing step, the polishing step (first, second and third polishing steps) and the chemical strengthening step were carried out in the atmosphere without being performed in the clean room. A glass substrate for a magnetic disk and a magnetic disk were produced in the same manner as in Example 3 except that the solvent used was changed from RO water to tap water. In Comparative Examples 1 to 3, in the inspection step, visual inspection of the surface of the glass substrate and precision inspection with a microscope were performed.

【００６９】その結果、比較例１、３では、研磨工程時
に水道水や雰囲気中のパーティクルの洗浄不良でできた
突起や、化学強化工程時にガラス基板に強固に付着した
突起による凸欠陥や、研磨工程時にできた転がり傷と思
われる２〜５μｍ程度の傷が発見された。また、比較例
２では、研磨工程時に水道水や雰囲気中のパーティクル
の洗浄不良でできた突起や、研磨工程時にできた２〜５
μｍ程度の転がり傷や、異物によって結晶相が抜け落ち
たことによるピットの凹欠陥が発見された。As a result, in Comparative Examples 1 and 3, protrusions formed by poor cleaning of particles in tap water or the atmosphere during the polishing process, convex defects due to protrusions firmly attached to the glass substrate during the chemical strengthening process, and polishing were performed. Scratches of about 2 to 5 μm, which were considered to be rolling scratches, were found during the process. Further, in Comparative Example 2, protrusions formed by poor cleaning of particles in tap water or the atmosphere during the polishing step, or 2 to 5 formed during the polishing step.
Rolling scratches of about μm and concave defects in the pits due to the crystal phase falling off due to foreign matter were found.

【００７０】また、上記工程を経て得られたガラス基板
の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測
定したところ、比較例１〜３ともに、上記凸欠陥、凹欠
陥によりＲｍａｘが約７〜１０ｎｍ、Ｒａが約０．６〜
０．９ｎｍと粗くなった。得られた磁気ディスクについ
て、タッチダウンハイト試験を実施したところ、タッチ
ダウンハイトが１５ｎｍ以上という結果となり、また、
ロードアンロード試験（１０万回）においてヘッドクラ
ッシュが発生した。Further, the surface roughness of the main surface of the glass substrate obtained through the above steps was measured by an atomic force microscope (AFM). Is about 7 to 10 nm and Ra is about 0.6 to
It became coarse with 0.9 nm. When the touchdown height test was conducted on the obtained magnetic disk, the touchdown height was 15 nm or more.
A head crash occurred in the load / unload test (100,000 times).

【００７１】〔評価〕上記実施例１〜３及び比較例１〜
３の磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク、さら
に上記実施例１〜３において研磨工程で使用する研磨液
の溶媒を水（水道水）に変えた場合に得られた磁気ディ
スク用ガラス基板及び磁気ディスクをそれぞれ１００枚
作製して、欠陥の発生率及びその内訳について調べた。
その結果を表１に示す。表１において、クリーンルー
ム、ＲＯ水における○は実施を、×は未実施を表す。ま
た、凹欠陥は２〜５μｍの異物による転がり傷を表し、
凸欠陥は異物の付着による欠陥を表す。[Evaluation] The above Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 1
No. 3 glass substrate for magnetic disk and magnetic disk, and further, glass substrate for magnetic disk and magnetic disk obtained when the solvent of the polishing liquid used in the polishing step in the above Examples 1 to 3 is changed to water (tap water). Each of 100 sheets was manufactured, and the defect occurrence rate and its breakdown were examined.
The results are shown in Table 1. In Table 1, in a clean room and RO water, ◯ indicates that the test was performed, and x indicates that the test was not performed. In addition, the concave defect represents a rolling scratch due to a foreign substance of 2 to 5 μm,
The convex defect represents a defect due to adhesion of foreign matter.

【００７２】[0072]

【表１】 [Table 1]

【００７３】実施例１〜３は、研磨工程以降をクリーン
ルーム内で実施したこと及び研磨工程での研磨液の溶媒
（液体）をＲＯ水にしたことにより、転がり傷（凹欠
陥）の発生率が０％となっている。凸欠陥の発生率が１
％になっているのは、実施例２では結晶化ガラス基板に
よるもの、実施例３では研磨工程が１工程増えたことに
よる洗浄不良等が発生したものと考えられる。In Examples 1 to 3, since the polishing step and the subsequent steps were carried out in a clean room and the solvent (liquid) of the polishing liquid in the polishing step was RO water, the occurrence rate of rolling scratches (concave defects) was increased. It is 0%. Occurrence rate of convex defects is 1
It is considered that the percentage is due to the crystallized glass substrate in Example 2, and that in Example 3, cleaning failure or the like occurred due to the addition of one polishing step.

【００７４】実施例４〜６では、研磨工程での研磨液の
溶媒を水（水道水）を使用したことにより、水道水に含
まれている銅、鉄、鉛等の異物が研磨液に含まれ、研磨
工程時に異物が基板表面を傷つけたことにより、凹欠陥
の発生率が十数％になったことと思われる。特に、実施
例６では、表面粗さＲｍａｘ≦２ｎｍ、Ｒａ≦２ｎｍと
いう超平滑なガラス基板を必要とする製造工程では、歩
留まりが実施例４と比べて低くなっている。また、実施
例５では、結晶化ガラス基板表面が非結晶質相と結晶相
の構造になっているので、異物による結晶相部分がかけ
落ちやすいことと、ガラス基板の材質により若干凹欠陥
の発生率が高くなったと考えられる。また、凸欠陥は、
研磨液に水道水に含まれる異物が洗浄不良として残った
ものと考えられる。In Examples 4 to 6, since water (tap water) was used as the solvent of the polishing liquid in the polishing step, foreign substances such as copper, iron and lead contained in the tap water were contained in the polishing liquid. Therefore, it is considered that the occurrence rate of the concave defects became 10% or more due to the foreign substances scratching the substrate surface during the polishing process. In particular, in Example 6, the yield is lower than that in Example 4 in the manufacturing process that requires an ultra-smooth glass substrate having a surface roughness Rmax ≦ 2 nm and Ra ≦ 2 nm. In addition, in Example 5, since the surface of the crystallized glass substrate has a structure of an amorphous phase and a crystalline phase, the crystal phase portion due to foreign matter is likely to fall off, and some concave defects occur depending on the material of the glass substrate. It is thought that the rate has increased. Also, the convex defect is
It is considered that foreign substances contained in tap water remained in the polishing liquid as poor cleaning.

【００７５】比較例１〜３では、研磨工程をクリーンル
ーム内で実施しなかったこと及び研磨工程での研磨液の
溶媒を水道水にしたことにより、雰囲気中のパーティク
ル、研磨液中の異物による研磨工程時の転がり傷（凹欠
陥）の発生率が２０数％〜３０数％と非常に高くなって
いることがわかる。特に、超平滑の基板表面を形成する
工程（第３研磨工程）を付加した場合（比較例３）に、
３３％と高くなっている。また、結晶化ガラス基板の材
質によって凹欠陥の発生率が３６％と高くなっている
（比較例２）。また、凸欠陥も、研磨工程、化学強化工
程をクリーンルーム内で実施しなかったこと及び研磨工
程で水道水を使用したことによる洗浄不良などが原因に
より、異物が基板表面に付着し、凸欠陥の発生率が化学
強化ガラス基板（比較例１、３）の場合、１０数％とな
っている。尚、結晶化ガラス基板は、化学強化工程を行
なわない分、基板に付着する異物による凸欠陥の発生が
ない分、化学強化ガラス基板の場合に比べて数％低くな
っている（比較例２）。In Comparative Examples 1 to 3, since the polishing step was not carried out in a clean room and tap water was used as the solvent for the polishing solution in the polishing step, the polishing was performed by particles in the atmosphere and foreign matters in the polishing solution. It can be seen that the occurrence rate of rolling scratches (concave defects) during the process is as high as 20 to 30%. In particular, in the case where the step of forming an ultra-smooth substrate surface (third polishing step) is added (Comparative Example 3),
It is as high as 33%. Further, the occurrence rate of concave defects is as high as 36% depending on the material of the crystallized glass substrate (Comparative Example 2). Further, as for the bump defect, foreign matter adheres to the substrate surface due to defective cleaning such as polishing process, chemical strengthening process not performed in a clean room and tap water used in the polishing process. In the case of the chemically strengthened glass substrates (Comparative Examples 1 and 3), the generation rate is 10% or more. Since the crystallized glass substrate does not undergo the chemical strengthening step and no convex defects due to foreign substances attached to the substrate are generated, the crystallized glass substrate is lower by several% than the case of the chemically strengthened glass substrate (Comparative Example 2). .

【００７６】以上の結果をみても分かるように、研磨工
程以降をクリーンルーム内で実施し、且つ研磨工程で使
用する研磨液の溶媒（液体）をＲＯ水にすることによっ
て、凹欠陥、凸欠陥の発生率をほぼ０％にし、製造歩留
まりも良いことがわかる。また、研磨液の溶媒を水道水
にした場合には、製造歩留まりが７９％〜８８％と、前
述と比べ約１０〜２０％低下する結果となった。従っ
て、研磨工程以降をクリーンルーム内で実施し、且つ、
研磨工程で使用する研磨液の溶媒を微小なパーティクル
を除去した液体（例えばＲＯ水）を使用することが一番
良いことがわかる。特に、本発明は、Ｒｍａｘ≦２ｎ
ｍ、Ｒａ≦０．２ｎｍ超平滑なガラス基板を製造する場
合、ガラス基板の材質が結晶化ガラス基板の場合に、特
に有効であることがいえる。As can be seen from the above results, by performing the polishing process and the subsequent steps in a clean room and using RO water as the solvent (liquid) of the polishing liquid used in the polishing process, it is possible to remove the concave and convex defects. It can be seen that the production rate is almost 0% and the manufacturing yield is good. When tap water was used as the solvent of the polishing liquid, the production yield was 79% to 88%, which was about 10 to 20% lower than the above. Therefore, after the polishing step is performed in a clean room, and
It can be seen that it is best to use a liquid (for example, RO water) from which fine particles are removed as the solvent of the polishing liquid used in the polishing process. In particular, the present invention provides that Rmax ≦ 2n
It can be said that it is particularly effective when a glass substrate made of a crystallized glass substrate is used in the case of producing a glass substrate having a smoothness of m, Ra ≦ 0.2 nm.

【００７７】本発明は上述した実施例に限定されるもの
ではなく、適宜変更して実施することが可能である。例
えば、研磨工程以前のラッピング工程、形状加工工程を
クリーンルーム内で行なってもよい。また、上述の実施
例では、ロードアンロード用磁気ディスク及び磁気ディ
スク用基板について説明したが、本発明は、例えば、Ｃ
ＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）方式の磁気デ
ィスク及び磁気ディスク用基板に適用できる。また、磁
気ディスクや磁気ディスク用基板に限らず、光ピックア
ップレンズを搭載したヘッドスライターで記録再生する
光磁気ディスクや光磁気ディスク用基板等の一般の情報
記録媒体及び情報記録媒体用基板に適用できる。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be implemented with appropriate modifications. For example, the lapping process and the shape processing process before the polishing process may be performed in a clean room. Further, although the magnetic disk for load / unload and the substrate for the magnetic disk have been described in the above-mentioned embodiments, the present invention is, for example,
It can be applied to SS (contact start stop) type magnetic disks and magnetic disk substrates. Further, the invention is not limited to magnetic disks and substrates for magnetic disks, and is applied to general information recording media and substrates for information recording media such as magneto-optical disks and substrates for magneto-optical disks for recording / reproducing with a headswriter equipped with an optical pickup lens. it can.

【００７８】[0078]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、情報記録媒体用基板の製造方法において研磨
液として１μｍ以上の粒子を除去した水又は超純水を用
いることとしたので、研磨工程においてディスク表面に
発生する欠陥、特に凹欠陥の発生率を低下することがで
き、平滑性に優れた情報記録媒体用基板を製造すること
が可能になる。また、このような情報記録媒体用基板を
用いて情報記録媒体を製造することにより記録密度の高
い情報記録媒体を製造することが可能になる。As is clear from the above description, according to the present invention, water or ultrapure water from which particles of 1 μm or more have been removed is used as a polishing liquid in the method for manufacturing a substrate for an information recording medium. In addition, it is possible to reduce the occurrence rate of defects, especially concave defects, which occur on the disk surface in the polishing step, and it is possible to manufacture an information recording medium substrate having excellent smoothness. Further, by manufacturing an information recording medium using such an information recording medium substrate, it becomes possible to manufacture an information recording medium having a high recording density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の情報記録媒体用基板の製造方法で用い
られるディスクケースを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a disk case used in a method for manufacturing an information recording medium substrate of the present invention.

【図２】本発明の情報記録媒体用基板の製造方法で用い
られるディスクケースを示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a disk case used in the method for manufacturing an information recording medium substrate of the present invention.

【図３】本発明の情報記録媒体用基板の製造方法で用い
られるディスクケースを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a disk case used in the method for manufacturing an information recording medium substrate of the present invention.

【図４】本発明の情報記録媒体用基板の製造方法で用い
られるディスクケースのリブをを示す拡大平面図であ
る。FIG. 4 is an enlarged plan view showing ribs of a disc case used in the method for manufacturing the information recording medium substrate of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ ディスクケース １２ ディスク 10 disk case 12 discs

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 Ｇ１１Ｂ 7/26 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (51) Int.Cl. 7 Identification Code FI Theme Coat (Reference) G11B 7/26 G11B 7/26

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 情報記録媒体用基板を製造する情報記録
媒体用基板の製造方法において、 研磨工程における研磨液は１μｍ以上の粒子を除去した
水と研磨剤とを含む情報記録媒体用基板の製造方法。1. A method for manufacturing an information recording medium substrate for manufacturing an information recording medium substrate, wherein the polishing liquid in the polishing step contains water from which particles of 1 μm or more have been removed, and an abrasive. Method. 【請求項２】 情報記録媒体用基板を製造する情報記録
媒体用基板の製造方法において、 研磨工程における研磨液は超純水と研磨剤とを含む情報
記録媒体用基板の製造方法。2. A method for manufacturing an information recording medium substrate for manufacturing an information recording medium substrate, wherein the polishing liquid in the polishing step contains ultrapure water and an abrasive. 【請求項３】 請求項２記載の情報記録媒体用基板の製
造方法であって、 前記超純水は、ＲＯ水であることを特徴とする情報記録
媒体用基板の製造方法。3. The method for manufacturing a substrate for an information recording medium according to claim 2, wherein the ultrapure water is RO water. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項記載の情報
記録媒体用基板の製造方法であって、 前記研磨剤は酸化セリウム又はコロイダルシリカを含む
情報記録媒体用基板の製造方法。4. The method for manufacturing an information recording medium substrate according to claim 1, wherein the abrasive contains cerium oxide or colloidal silica. 【請求項５】 請求項１〜４の何れか１項記載の情報記
録媒体用基板の製造方法であって、 前記研磨工程はクリーンルーム中で行なう情報記録媒体
用基板の製造方法。5. The method for manufacturing an information recording medium substrate according to claim 1, wherein the polishing step is performed in a clean room. 【請求項６】 請求項１〜５の何れか１項記載の情報記
録媒体用基板の製造方法によって得られた情報記録媒体
用基板に記録層を形成する情報記録媒体の製造方法。6. A method for manufacturing an information recording medium, comprising forming a recording layer on the substrate for information recording medium obtained by the method for manufacturing the substrate for information recording medium according to claim 1.
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