【発明の詳細な説明】
イメージ増倍管のための単一構造ハウジング 本発明の技術的分野
本発明は、暗視装置において使用される型式のイメージ増倍管のための真空ハ
ウジング構造、特に誘電材料から単一構造で形成されるイメージ増倍管ハウジン
グの構造に関する。背景の技術
イメージ増倍装置は、それらが受容する入射光の量を増倍し、光出力において
増加分を供給し、それはカメラ或いは観察者の目に直接供給することができる。
これらの装置は、暗い領域からイメージを供給するために特に有効であり、工業
および軍事用の両方に応用される。例えば、イメージ増倍管は飛行操縦士の暗視
力を高めたり、天体の写真を撮影したり、色素網膜炎（夜盲症）の患者が暗視で
きるようにするために使用される。そのようなイメージ増倍装置はEarle N．Phi
llips氏によって米国特許第5,084,780号明細書において開示されている（1992年
1月28日出願、ITT Corporation）。
現在の新型のイメージ増倍管は、３つの主要な素子、すなわち光電陰極、蛍光
スクリーン（陽極）、および光電陰極と陽極との間に配置されたマイクロチャン
ネル板（ＭＣＰ）を含む。全ての３つの素子は、真空ハウジング内で構成され、
それによって電子が光電陰極からＭＣＰを通って陽極へ流れることができるよう
にする。イメージ増倍管が動作するためには、光電陰極および陽極は、電源に接
続されて、それによ
って陽極が光電陰極よりも高い正の電位に維持されなければならない。同じよう
に、マイクロチャンネル板は、光電陰極から放出された電子放出密度を増加する
ために電力を供給されなければならない。さらに、光電陰極、ＭＣＰ、および陽
極が全て、異なる電位に維持されるので、３つの素子の全ては、真空ハウジング
内に保持される時、互いに電気的に絶縁されなければならない。
先行技術のイメージ増倍管において、管の真空ハウジングは導体要素および誘
電体要素を並置して構成される。組立てられる時に、光電陰極、ＭＣＰ、および
陽極は真空ハウジング内の導体要素と結合する。すなわち、電位は、真空ハウジ
ング自身の材料を通って真空ハウジング内の光電陰極、ＭＣＰ、および陽極に供
給することができる。導体要素間に並列して配置される誘電体要素は、光電陰極
、ＭＣＰ、および陽極を互いに絶縁し、一方で導体要素および誘電体要素の構成
体はイメージ増倍管の全体的な真空チャンバを形成する。そのような先行技術の
イメージ増倍管の真空ハウジングは導体要素と誘電体要素の両方から形成されて
いるので、先行技術のハウジングは単一の材料から製造することはできない。む
しろ、そのような先行技術の真空ハウジングの誘電体要素および導体要素は、必
要な構造を形成するために、個別に形成され、後で接合されなければならない。
したがってそのような先行技術のイメージ増倍管ハウジングは、種々の導体要素
および誘電体要素を形成し構成するために多数の製造ツールおよび手順を必要と
する。さらに、種々の導体要素および誘
電体要素は、必要な真空度を生成するために、気密で接合されなければならない
。そのような先行技術の真空ハウジングを生成するために必要な複雑な製造過程
および組立て手段は、先行技術のイメージ増倍管を製造する費用を著しく増加さ
せる。さらに、種々の導電性および誘電性のハウジング要素の間に多数の接合部
が存在するので、真空漏洩が発生する可能性のある多くの点が存在する。したが
って、幾つかの並置した部品からイメージ増倍管ハウジングを形成することは、
イメージ増倍管の全体的な信頼性を低下させる。
先行技術を考慮して、製造の簡単なハウジングを有し、信頼できる真空強度を
有し、光電陰極、ＭＣＰ、および陽極を互いに電気的に絶縁し、一方で形成され
たイメージ増倍管の外側の電位源にそれぞれを接続することができるイメージ増
倍管が要求される。本発明の開示
本発明は、誘電材料から単一構造で形成され、真空環境内に光電陰極、マイク
ロチャンネル板（ＭＣＰ）、および陽極を保持するイメージ増倍管の真空ハウジ
ングに関する。真空ハウジングは、単一の固体の成分として製造されており、漏
洩および真空環境と妥協しなければならない可能性のある接合部を有していない
。光電陰極、ＭＣＰ、および陽極の種々の電気的動作要素は、真空ハウジング内
に形成された個々の金属被覆表面と結合している。したがって、真空ハウジング
内の光電陰極、ＭＣＰ、および陽極の種々の電気的動作要素は、種々の金属被覆
領域を電位源に接続することによって電
力を得ることができる。
真空ハウジングの端部付近の金属被覆領域は、真空ハウジングの端部を越えて
真空ハウジングの外側表面へ向って延在している。したがって、金属被覆領域は
、真空ハウジングの外側の電位源に直接に接続できる。真空ハウジングの真空環
境内で絶縁されている金属被覆表面への電気的接続は、真空ハウジングの誘電材
料を貫通して延在している導電ピンを介して生成される。したがって、電位源は
、真空ハウジング内の金属被覆表面に電気バイアスを与えるために真空ハウジン
グの外側のポイントにおいて導電ピンに接続されることができる。
真空ハウジングの外側の種々の導電ピンの位置は、真空ハウジングの表面に沿
ってピンの間の距離を広げるために放射状に、横方向で間隔を広げられている。
したがって、真空表面を横切る電気漏洩は一層容易に制御することができる。図面の簡単な説明
本発明を一層よく理解するために、以下の例示的実施形態の説明を添付の図面
と共に参照されたい。
図１は、先行技術のイメージ増倍管の断面図である。
図２は、本発明のイメージ増倍管の１つの好ましい実施形態の断面図である。
図３は、図２の断面図における円３内の詳細な拡大図である。本発明を実行するための最良の態様
図１を参照すると、ITT Corporation（Electro Optical
Products Divvision of Roanoke，Virginia）によって最近製造された型式の従
来の先行技術のＧｅｎIIIイメージ強化管の断面図が示されている。先行技術の
ＧｅｎIIIイメージ増倍管10は、幾つかの個々の部品の組立てから作られる真空
ハウジング12を含む。ハウジング12内には、光電陰極14、マイクロチャンネル板
（ＭＣＰ）16、および蛍光スクリーン20を支持する反転光ファイバ要素18が配置
されている。真空ハウジング12の構造は、相互に積み重ねられた１８個の個々の
要素を含み、光電陰極14と光ファイバ要素18との間に気密のエンベロープを形成
するように接合される。
光電陰極14は、真空ハウジング12の一方の端部において導電性の支持リング22
の上に載っている。支持リング22に対して光電陰極14を当接させることによって
気密封止部を作り、それによって真空ハウジング12の一方の端部を閉鎖する。支
持リング22は、光電陰極14の表面上で金属被覆表面24と接触する。金属被覆表面
24は、真空ハウジング12の真空環境内に含まれている光電陰極14上の感光層（ph
otoresponsive layer）26に接続される。したがって、電気バイアスは、真空ハ
ウジング12の外側で支持リング22に対して電気バイアスを加えることによって真
空環境内の光電陰極14の感光層26に供給することができる。
第１の環状のセラミックスペーサ28は、支持リング22の下に配置される。第１
のセラミックスペーサ28は、鑞付け作業中に第１のセラミックスペーサ28と支持
リング22の両者に接合される第１の銅の鑞付けリング30によって支持リング22に
接合される。したがって鑞付け作業は、支持リング22と第１のセラミックスペー
サ28との間に気密の封止部を生成する。上方のＭＣＰ端子32は、支持リング22の
反対側で、第１のセラミックスペーサ28に接合される。上方のＭＣＰ端子32は、
鑞付け作業中に第１のセラミックスペーサ28にも接合され、したがって第２の鑞
付けリング34は上方のＭＣＰ端子32と第１のセラミックスペーサ28との間に介在
する。上方のＭＣＰ端子32は、真空ハウジング12内へ延在し、それは抑えリング
36および接触リング38に導電的に結合する。接触リング38は、ＭＣＰ16の導電性
の上部表面42と結合する。したがって、真空ハウジング12の外側で上方のＭＣＰ
端子32に電気バイアスを供給することによって、電気バイアスをＭＣＰ16の上部
表面42に加えることができる。
第２のセラミックスペーサ46は、上方のＭＣＰ端子32の下に配置され、下方の
ＭＣＰ端子48から上方のＭＣＰ端子32を絶縁する。第２のセラミックスペーサ46
は、上方のＭＣＰ端子32と下方のＭＣＰ端子46の両者に鑞付けされ、第２の鑞付
けリング50は上方のＭＣＰ端子32と第２のセラミックスペーサ46との間に挿入さ
れ、第３の鑞付けリング52は第２のセラミックスペーサ46と下方のＭＣＰ端子48
との間に挿入さる。下方のＭＣＰ端子48は、真空ハウジング12内へ延在し、ＭＣ
Ｐ16の下方の導電表面44と結合する。したがって、ＭＣＰ16の下方の導電表面44
は、下方のＭＣＰ端子48を真空ハウジング12の外側の接地電位に連結することに
よって接地に接続することができる。
第３のセラミックスペーサ56は、ゲッタシールド58から下方のＭＣＰ端子48を
分離する。第３のセラミックスペーサは、下方のＭＣＰ端子48とゲッタシールド
58の両者に鑞付けされる。したがって、第５の鑞付けリング60は、下方のＭＣＰ
端子45と第３のセラミックスペーサ56との間に介在する。同じように、第６の鑞
付けリング62は、第３のセラミックスペーサ56とゲッタシールド58とに挿入され
る。
第４のセラミックスペーサ64は、ゲッタシールド58の下に配置され、出力スク
リーンの支持体66からゲッタシールドを分離する。第４のセラミックスペーサは
、ゲッタシールド58と出力スクリーンの支持体66の両者に鑞付けされ、第７およ
び第８の鑞付けリング68および70は、それぞれ第４のセラミックスペーサ64の上
および下に配置される。
真空ハウジング12の下方端部は、出力スクリーンのフランジ72の存在によって
封止される。出力スクリーンのフランジ72は、出力スクリーンの支持体66と光フ
ァイバ要素18の両者に接合される。したがって、気密容器は光電陰極14と光ファ
イバ要素18との間の真空ハウジング12によって形成され、それによって真空ハウ
ジング12は、気密で一緒に接合された数多くの積み重ねられた部品によって構成
される。
図１の先行技術の例において、光電陰極支持リング22と上方のＭＣＰ端子32は
、第１のセラミックスペーサ28によって分離される。第１のセラミックスペーサ
28は、大きくない。したがって、大きな電位差が、支持リング22と上方のＭＣＰ
端子32とに加えられるならば、アーク或いは他の電気的漏洩
が、真空ハウジング12の外側で第１のセラミックスペーサ28を横切って発生する
可能性がある。同じように、大きい変化電位が、上方のＭＣＰ端子32と下方のＭ
ＣＰ端子48との間に供給されるならば、同じようなアーク或いは他の電気漏洩が
、第２のセラミックスペーサ46を横切って発生する可能性がある。真空ハウジン
グ12の外側を横切るそのような漏洩の問題は、湿度の高い環境において特に頻繁
である。
ここで図２を参照すると、本発明の真空ハウジングの１つの好ましい実施形態
を具体化したイメージ増倍管80が示される。好ましい実施形態において、真空ハ
ウジング82は、セラミックのような誘電材料から単一構造で形成されるが、プラ
スチック、ガラス、或いはそれに類似するもののような、その他の同等の誘電体
であってもよい。単一構造の真空ハウジング82は、形成される材料に適した方法
で形成することができるが、酸化アルミニウムセラミックを使用した粉末冶金に
よって形成することが好ましい。
先行技術のイメージ増倍管ハウジングのように、本発明の真空ハウジング82は
、光電陰極14、マイクロチャンネル板16、および光ファイバ要素18上に付着され
る蛍光スクリーン20を保持するために形成される。しかしながら、本発明の真空
ハウジング82において、並置した導電層と誘電層との間に封止はない。したがっ
て、本発明のハウジング82は、図１の先行技術と比較されるような真空漏洩を含
む可能性は低い。真空漏洩を発生する接合部のない本発明の真空ハウジング80の
単一構造の設計は、多数の部品から作られる先行技術のハウジ
ングよりも本質的に信頼性が高められる。加えて、単一の誘電材料から真空ハウ
ジング82を単一構造で構成することによって、先行技術のイメージ増倍管の多数
の部品を組立て接合するための作業は必要ない。したがって、本発明の真空ハウ
ジング82は、一層少ない労働力と、一層高い時間効率で製造することができる。
本発明の真空ハウジング82を、図１の先行技術の真空ハウジング12と比較する
と、両方のハウジングの全体的な幾何学的構造は、本質的に同じであり、両方の
ハウジングは、予め決められた空間的方向において同じ光電陰極14、ＭＣＰ16、
および蛍光スクリーン20を保持するように形成されていることが分かる。本発明
の真空ハウジング82は単一構造の誘電体であるので、光電陰極14、ＭＣＰ16、お
よび蛍光スクリーン20の真空ハウジング82の外側の電位源への接続を真空ハウジ
ング82の材料を通して直接に作ることはできない。むしろ、電気接続手段は、必
要な電気相互接続を行うために、真空ハウジング82の誘電材料を通って形成され
る。
図２に関連して図３を参照すると、光電陰極14が真空ハウジング82に組込まれ
る時、光電陰極14が真空ハウジング82の一部分として形成される棚部86と結合す
ることが分かる。導電材料の層88は、棚部86の領域を横切って誘電体真空ハウジ
ング82上に付加される。導電層88は、真空ハウジング82の内側の棚部86から真空
ハウジング82の外側のポイントＰへの真空ハウジング82の表面の輪郭に沿って延
在している。真空ハウジング82内の導電層88は、光電陰極14の表面を横切って存
在する導電被覆体24と結合する。したがって、真空ハウジング82の外側のポイン
トＰにおいて電位源を導電層88へ接続することによって、光電陰極14は真空ハウ
ジング82内で動作可能にすることができる。導電層88は、既に知られている金属
被覆技術を使用して真空ハウジング82の誘電材料上に形成することができる。
第２の棚部構造90は、真空ハウジング82内に形成される。凹部92は、傾斜した
表面94を有する第２の棚部構造90に隣接して形成される。導電ピン96は、凹部92
の傾斜した表面94上のポイントから真空ハウジング82の外側のポイントへハウジ
ング82の誘電材料を貫通して配置される。導電ピン96は導電性金属から作られ、
既に知られている方法で真空ハウジング82を通って設けることができる。例えば
、導電ピン96は、真空ハウジング82内の機械で加工された孔を通って挿入される
か、或いは導電ピン96はハウジング82が製造される時に真空ハウジング82の一部
分として形成することができる。真空ハウジング82の外側で、導電ピン96は、電
位源との結合を容易にするために、拡大された頭部98で終端している。
第２の導電層100は、第２の棚部構造90上の真空ハウジング82内に形成される
。第２の導電層100は既知の金属被覆技術を使用して真空ハウジング82の誘電材
料上に形成することができることができる。ＭＣＰ16は真空ハウジング82内の第
２の導電層100上に載っている。したがって、第２の導電層100はＭＣＰ16の下方
の導電層44と接触する。金属ばね保持リング104は真空ハウジング82内のＭＣＰ1
6上に配置される。
ばね保持リング104は凹部92の傾斜した表面94に結合する外側の傾斜表面106を有
する。ばね保持リング104によって形成されるばねバイアスは、凹部92の傾斜し
た表面94に対してばね保持リング104の外側傾斜面106を押付ける。ばね保持リン
グ104および凹部92の傾斜部は、ばね保持部104をＭＣＰ16の導電性上部表面42に
対してバイアスする。したがって、ＭＣＰ16の下部導電表面44は、第２の棚部構
造90上に位置する第２の導電層100へ向って駆動される。
凹部92内のばね保持リング104の結合によって、ばね保持リング104は導電ピン
96と接続される。すなわち、凹部92内にばね保持リング104を配置することによ
って、導電ピン96とＭＣＰ16の導電性の上部表面42とは電気的に相互接続する。
したがって、真空ハウジング82の外部のポイントにおいて導電ピン96に電位を加
えることによって、真空ハウジング82内でＭＣＰ16の上部表面42に電位が与えら
れることができる。
図２を参照すると、第２の導電ピン110は真空ハウジング82の誘電材料を貫通
して設けられている。第２の導電ピン110は第２の棚部構造90上に配置されてい
る第２の導電層100と接触する。第２の導電層100はＭＣＰ16の下部導電表面44に
接続されるので、接地電位を第２の導電ピン110に加えることによって、接地電
位をＭＣＰ16の下部導電表面44に与えることができる。
出力スクリーンフランジ112は、真空ハウジング82の底部を光ファイバ要素18
に接合して、光ファイバ要素18と光電陰極14との間に完全な真空環境を生成する
。出力スクリーンフ
ランジ112は、誘電体真空ハウジング82と気密に接合する。出力スクリーンフラ
ンジ112は、先行技術において既に知られており且つ実行されたものと同じ方法
で、光ファイバ要素18上で蛍光スクリーン20に電気的に接続される。すなわち、
真空ハウジング82の外部の出力スクリーンフランジ112へ電位を加えることによ
って、真空ハウジング82内の蛍光スクリーン20へ電位を加えることができる。加
えて、ゲッタワイヤ114も真空ハウジング82内に配置される。ゲッタワイヤ114は
真空ハウジング82の内側に沿って配置され、第１のゲッタ端子ピン116から反対
側に位置する第２のゲッタ端子ピン118へ約１８０°の範囲で延在している。第
１および第２のゲッタ端子ピン116,118は、他の導電ピンに関して先に説明され
たのと同じ方法で、真空ハウジング82の誘電材料を貫通して形成されている。ゲ
ッタワイヤ114は、鑞付け、スポット溶接、或いは類似の方法で第１および第２
のゲッタ端子ピン116,118の両者に接合される。第１および第２のゲッタ端子ピ
ン116,118は、ゲッタワイヤに真空ハウジング82の外側から電気的に接続するこ
とを可能にする。したがって、イメージ増倍管80の組立ての際に、第１および第
２のゲッタ端子ピン116,118の間に適度の電流を流すことによってゲッタワイヤ1
14を加熱することができる。ゲッタワイヤ114は真空ハウジング82により形成さ
れる大きい張出し部120の下に配置される。張出し部120は、ゲッタ114の加熱中
に、蛍光スクリーン20、ＭＣＰ16、および光電陰極14を保護する。したがって、
図１の先行技術において見られるようなゲッタシール
ドの必要はなくなった。
本発明のイメージ増倍管80において、第１の導電ピン96と第２の導電ピン110
との間の距離は、図１の先行技術の例の距離よりも著しく増加する。すなわち、
真空ハウジング82の表面を横切る顕著な漏洩を生じることなく、さらに一層大き
く異なる電位を第１の導電ピン96と第２の導電ピン110との間に加えることがで
きる。同じように、光電陰極14を動作可能にする導電層88と、第１の導電ピン96
との間の距離も増加される。この増加された距離は、真空ハウジング82の形状に
よって生成される第１の導電ピン96の部分的遮蔽に加えて、湿度の高い環境にお
いてでさえ、表面漏洩が導電層88と第１の導電ピン96との間に発生するのを防ぐ
ように作用する。真空ハウジング82上の種々の導電ピンの位置は、図２において
線形で示されているが、この方向は例示的に示されるだけであることを理解され
たい。好ましい実施形態において、種々のピンは真空ハウジング82の外側に沿っ
て異なる位置に配置され、ピンは整列しないであろう。むしろ、ピンを放射状に
分散させることによって、ピンはハジングの外側で意図的に互いに離れて配置さ
れる。種々のピンを互いに放射状に離して配置することによって、種々のピンの
間の真空ハウジング82の表面に沿う距離は最大になる。したがって、表面電気漏
洩は特に湿度の高い環境において減少する。
ここで開示された実施形態は単に例示的に示されており、当業者は、説明され
たものと機能的に等価の素子を使用して、開示された実施形態に対して多くの変
形例および変更例を生
成できることが理解されるであろう。特に、開示された真空ハウジング82はプラ
スチック或いはガラスのような誘電材料から形成することができ、セラミックで
なくてもよい。加えて、本明細書はＧｅｎIIIイメージ増倍管に関して説明され
たが、本発明は、その他の電子管にも応用可能である。全てのそのような変形例
および変更例は、添付の請求の範囲によって規定された本発明の技術的範囲内に
含まれることが意図される。
【手続補正書】特許法第１８４条の７第１項
【提出日】平成６年５月２５日（１９９４．５．２５）
【補正内容】
請求の範囲
１．真空ハウジングの真空環境内に保持される電気的に動作する部品を有するイ
メージ増倍管において、少なくとも１つの誘電材料と、前記電気的に動作する部
品を前記真空ハウジングの外側の端子ポイントに電気的に接続するための接続手
段との単一構造を有し、前記接続手段が前記真空ハウジング内の少なくとも１つ
の金属被覆領域を含み、それによって前記電気的に動作する部品の少なくとも１
つが真空ハウジング内の前記少なくとも１つの金属被覆領域に接触する改良され
た真空ハウジング。
２．前記接続手段が、前記真空ハウジングの前記誘電材料を貫通して延在し、前
記電気的に動作する部品の少なくとも１つを前記端子ポイントの少なくとも１つ
に接続する少なくとも１つの導電ピンをさらに含む請求項１記載の真空ハウジン
グ。
３．前記少なくとも１つの導電ピンが、少なくとも１つの金属被覆領域に接触し
、それによって前記少なくとも１つの金属被覆領域に接触している前記電気的に
動作する部品の少なくとも１つを前記端子ポイントに接続する請求項２記載の真
空ハウジング。
４．前記少なくとも１つの金属被覆領域が、前記真空環境から外部へ延在して、
前記真空ハウジング内の前記電気的に動作する部品の少なくとも１つを前記端子
ポイントの少なくとも１つに接続する請求項２記載の真空ハウジング。
５．前記電気的に動作する部品が、光電子放射層を有する光電陰極、導電性の入
力表面および導電性の出力表面を有するマイクロチャンネル板を含み、前記接続
手段が前記光電子放射層を前記真空ハウジングの外側の第１の端子ポイントへ電
気的に接続し、前記導電性の入力表面と前記導電性の出力表面を前記真空ハウジ
ングの外側の第２および第３の端子ポイントへそれぞれ接続する請求項１記載の
真空ハウジング。
６．前記マイクロチャンネル板の前記出力表面が、前記真空環境内の第１の領域
において前記真空ハウジングと結合し、前記真空ハウジングの前記第１の領域が
金属被覆され導電的に前記出力表面と接触し、前記第１の領域が、前記真空ハウ
ジングの前記誘電材料を貫通して延在している少なくとも１つの導電ピンに電気
的に接続され、前記出力表面を第３の端子ポイントに接続する請求項５記載の真
空ハウジング。
７．導電性保持手段が、前記第１の領域と接触状態に前記マイクロチャンネル板
を保持し、前記マイクロチャンネル板の前記導電性上部表面と導電的に接触し、
前記真空ハウジングの前記誘電材料を貫通して延在している少なくとも１つの導
体要素に電気的に接続され、前記マイクロチャンネル板の前記導電性入力表面を
前記導電性保持手段を介して前記第２の端子ポイントへ接続する請求項６記載の
真空ハウジング。
８．前記導電性保持手段が、前記第１の領域に対して前記マイクロチャンネル板
の前記出力表面をバイアスする請求項７記載の真空ハウジング。
９．前記光電陰極が、前記真空環境内の第２の領域において
前記真空ハウジングと結合し、前記真空ハウジングの第２の領域がその上に導電
性被覆を有し、それによって前記光電子放射層と導電的に接続し、前記導電性被
覆が前記真空環境から外部へ延在し、前記光電子放射層を前記第１の端子ポイン
トへ接続する請求項５記載の真空ハウジング。
１０．前記真空ハウジングが、第III世代イメージ倍増管の一部分である請求項
１記載の真空ハウジング。
１１．前記管のハウジングが、セラミック材料から単一構造で形成される請求項
６記載の真空ハウジング。
１２．前記第２の端子ポイントおよび前記第２の端子ポイントが、前記真空ハウ
ジングの外側に沿って互いに半径方向に間隔を隔てている請求項５記載の真空ハ
ウジング。
１３．入射する電磁放射線に応答して電子を放射する光電陰極と、
前記光電陰極によって放射された前記電子を倍増するマイクロチャンネル板と
、
前記光電陰極によって放射された前記電子を受け、前記電子を可視的イメージ
に変換する蛍光スクリーンと、
真空環境内で予め決められたように配置された前記光電陰極、前記マイクロチ
ャンネル、および前記蛍光スクリーンを保持するための一体構造で形成された誘
電体真空ハウジングと、
前記光電陰極、前記マイクロチャンネル板、および前記蛍光スクリーンを前記
真空環境の外側の端子に接続するための接続手段とを具備し、前記光電陰極が、
前記真空環境内の第
１の領域において前記真空ハウジングと結合し、前記接続手段が前記真空ハウジ
ングの前記第１の領域上に導電性被覆を含み、前記導電性被覆が前記真空環境か
ら外部へ延在して、前記光電子放射層を前記端子の少なくとも１つに接続するイ
メージ倍増管。
１４．前記マイクロチャンネル板が、導電入力表面および導電出力表面を有し、
前記マイクロチャンネル板の前記出力表面が、前記真空環境内の第２の領域にお
いて前記真空ハウジングと結合し、前記結合手段が、前記出力表面と導電的に接
触する前記第２の領域上の金属被覆をさらに含み、前記第２の領域が、前記出力
表面を前記端子の少なくとも１つに接続する前記真空ハウジングを貫通して延在
する少なくとも１つの導体要素に電気的に接続される請求項１３記載のイメージ
倍増管。
１５．前記真空環境内に配置されるゲッタワイヤをさらに具備し、前記真空ハウ
ジングが、前記光電陰極、前記マイクロチャンネル板、および前記蛍光スクリー
ンから前記ゲッタを遮蔽する請求項１３載のイメージ倍増管。
１６．導電性保持手段が、前記第２の領域と接触するように前記マイクロチャン
ネル板を保持し、前記マイクロチャンネル板の前記導電性入力表面と導電的に接
触し、前記真空ハウジングの前記誘電材料を貫通して延在している少なくとも１
つの導体素子に電気的に接続され、前記導電性入力表面を前記端子の少なくとも
１つに接続する請求項１４記載のイメージ倍増管。
１７．前記管が、第III世代イメージ倍増管と物理的および機能的に交換可能で
ある請求項１３記載のイメージ倍増管。
１８．前記真空ハウジングが、セラミック、プラスチック、およびガラスを含む
グループから選択される請求項１３記載のイメージ倍増管。
【手続補正書】特許法第１８４条の８
【提出日】平成７年９月２９日（１９９５．９．２９）
【補正内容】
請求の範囲
１．電子を放出する光電子放射層を有する光電陰極と、
導電入力表面と導電出力表面の両者を有するマイクロチャンネル板と、
前記光電陰極によって放射される電子を受け、前記電子を可視的イメージに変
換するための蛍光スクリーンと、
真空環境内に前記光電子放射層、前記マイクロチャンネル板、および前記蛍光
スクリーンを保持し、少なくとも１つの誘電材料の均質な単一構造を有し、その
内側表面上の少なくとも１つのポイントから、その外側表面上の少なくとも１つ
のポイントへ延在する少なくとも１つの孔を有する真空ハウジングと、
前記真空ハウジングの前記内側表面上に配置され、前記真空環境において、各
前記マイクロチャンネル板の前記入力表面および前記出力表面とそれぞれ接続さ
れている複数の導体素子と、
前記複数の導体素子の各々を前記真空ハウジングの外側表面上の端子ポイント
に電気的に接続するために、前記少なくとも１つの孔を通って延在している接続
手段とを具備しているイメージ倍増管。
２．前記接続手段が、前記真空ハウジング内の前記少なくとも１つの孔を通って
延在している少なくとも１つの導電部材を具備し、それによって前記各導体素子
が端子ポイントへ接続されている請求項１記載のイメージ倍増管。
３．前記導体素子が、前記真空ハウジングの前記内側表面上に配置された金属被
覆領域である請求項１記載のイメージ倍増管。
４．前記真空ハウジングの前記内側表面から前記真空環境の外部の端子ポイント
へ延在し、前記光電陰極の前記光電子放射層と接触して、前記光電子放射層を前
記端子ポイントへ接続する金属被覆領域をさらに具備する請求項１記載のイメー
ジ倍増管。
５．前記蛍光スクリーンが、前記真空ハウジング内の前記導体素子の１つに接続
される請求項１記載のイメージ倍増管。
６．前記真空ハウジング内の前記金属被覆領域の１つに対して前記マイクロチャ
ンネル板の前記出力表面をバイアスするための手段をさらに具備する請求項３記
載のイメージ倍増管。
７．前記イメージ倍増管がＧｅｎIIIイメージ倍増管である請求項１記載のイメ
ージ倍増管。
８．前記少なくとも１つの誘電材料がセラミックである請求項１記載のイメージ
倍増管。
９．入射する電磁放射線に応答して電子を放射する光電陰極と、
前記光電陰極によって放射される前記電子を増倍するマイクロチャンネル板と
、
前記光電陰極によって放射された前記電子を受け、前記電子を可視的イメージ
に変換する蛍光スクリーンと、
真空環境内で予め決められたように配置された前記光電陰極、前記マイクロチ
ャンネル、および前記蛍光スクリーンを
保持するための一体構造で形成された誘電真空管ハウジングと、
前記真空環境内で前記真空ハウジング上に配置されており、その中の少なくと
も１つが前記マイクロチャンネル板に電気的に接続されている複数の金属被覆領
域と、
前記真空ハウジングの外側の端子に前記真空ハウジング内の前記金属被覆領域
のそれぞれを接続するための手段とを具備しているイメージ倍増管。
１０．前記光電陰極が、前記真空環境内の第１の金属被覆領域において前記真空
ハウジングと結合し、前記第１の金属被覆領域が前記真空環境から外部へ延在し
て前記光電子放射層を真空ハウジングの外側上のポイントへ接続する請求項９記
載のイメージ倍増管。
１１．前記マイクロチャンネル板が、導電性の入力表面と導電性の出力表面とを
有し、前記マイクロチャンネル板の前記出力表面が、前記真空環境内の第２の金
属被覆領域において前記真空ハウジングと接続され、前記第２の金属被覆領域が
前記真空ハウジングから外へ延在している少なくとも１つの導体素子に電気的に
接続され、前記出力表面を前記端子の少なくとも１つに接続している請求項９記
載のイメージ倍増管。
１２．前記真空環境内に配置されているゲッタワイヤをさらに具備し、このゲッ
タワイヤは前記光電陰極、前記マイクロチャンネル板、および蛍光スクリーンか
ら前記真空ハウジングによって遮蔽されている請求項９記載のイメージ倍増管。
１３．前記第２の金属被覆領域と接触させて前記マイクロチ
ャンネル板を保持する導電性保持手段をさらに具備し、この導電性保持手段は、
前記マイクロチャンネルの前記導電性入力表面と電気的に接触し、前記真空ハウ
ジングから外へ延在している少なくとも１つの導体素子に電気的に接続され、前
記導電入力表面を前記端子の少なくとも１つに接続している請求項１１記載のイ
メージ倍増管。
１４．前記管が、ＧｅｎIIIイメージ倍増管である請求項９記載のイメージ倍増
管。
１５．前記真空ハウジングが、セラミック、プラスチック、およびガラスを含む
グループから選択される請求項９記載のイメージ倍増管。
【図２】