JP2002514252A

JP2002514252A - 第８〜１０族遷移金属を含むオレフィン重合触媒、二座配位子、このような触媒の使用方法及びそれから得られるポリマー

Info

Publication number: JP2002514252A
Application number: JP53958698A
Authority: JP
Inventors: ボーデンマッケンジー，ピーター; シェインムーディ，レスリー; ムーアキリアン，クリストファー; アレン，ジュニアポナシック，ジェイムス; パトリックマクデビット，ジェイソン
Original assignee: Eastman Chemical Co
Current assignee: Eastman Chemical Co
Priority date: 1997-03-10
Filing date: 1998-02-24
Publication date: 2002-05-14
Also published as: WO1998040374A2; WO1998040374A3

Abstract

(57)【要約】オレフィンポリマーの製造方法、オレフィンポリマーを製造するためのオリゴマー触媒、ならびにこれらの触媒を製造するために使用される二座配位子が開示される。ポリマーは、モノマーを第８〜10族遷移金属触媒と接触させることによって製造できる。ポリマーは常用の押出方法における加工に適しており、ハイバリヤーシートもしくはフィルム、またはワックス被覆または乳剤中の合成ワックスに使用するための低分子量樹脂の形態にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】第８〜10族遷移金属を含むオレフィン重合触媒、二座配位子、このような触媒の使用方法及びそれから得られるポリマー関連出願に関するクロス・リファレンスこの出願は、1997年３月10日に出願された仮出願第60／039945号；1997年３月 25日に出願された仮出願第60／041542号；1997年４月４日に出願された仮出願第 60／042925号；1997年４月４日に出願された仮出願第60／043406号；1997年４月 18日に出願された仮出願第60／044691号；及び1997年９月18日に出願された仮出願第60／059372号について35 U.S.C．第119条(e)の利益を請求する。発明の分野本発明は、第８〜10族遷移金属含有錯体、オレフィン重合におけるそれらの使用及びそれによって製造される新規オレフィンポリマーに関する。発明の背景オレフィンポリマーは、電線及びケーブルの外装からフィルムに至る種々の製品に使用されている。オレフィンポリマーは、例えば、射出成形または圧縮成形用に、押出フィルムまたはシート材料に、紙、例えば、写真印画紙及びデジタル記録紙上の押出被膜として使用されたりする。触媒の改良によって、重合プロセスをよりよく制御できるようになり、そして塊状材料の性質に影響させることができる。明度、強度、耐腐蝕性、透過性、光学的性質などに関するプラスチックの物理的性質を個々の用途に向けて合わせるための取り組みがますます増えてきている。鎖長、ポリマーの分岐及び官能価は、ポリマーの物理的性質に重要な影響を与える。従って、より効率が良く、より制御されたオレフィン重合を可能にするオレフィンの触媒重合方法を得ようとして、新しい触媒が絶えず探し求められている。常用のポリオレフィンは、均質液相、気相及びスラリー重合を含む種々の重合技術によって製造される。いくつかの遷移金属触媒、例えば、チタン化合物(例えば、TiCl₃またはTiCl₄)と有機アルミニウム助触媒との組み合わせに基づく触媒を用いて、線状及び線状低密度ポリエチレンならびにポリ−α−オレフィン、例えば、ポリプロピレンが製造される。これらのいわゆる「チーグラー・ナッタ」触媒は、酸素に対してかなり感受性が高く、無極性モノマーと極性モノマーとの共重合には有効でない。非チーグラー・ナッタオレフィン重合触媒反応の最近の進歩としては、以下のものが挙げられる。 L.K.Johnsonら(WO Patent Applocation 96／23010)は、ジイミン及びビスオキサゾリン配位子を含む陽イオンニッケル、パラジウム、鉄及びコバルト錯体を用いたオレフィンの重合を開示している。この文献はまた、エチレン、非環式オレフィンならびに／または選ばれた環状オレフィン及び場合によっては選ばれた不飽和酸もしくはエステル、例えば、アクリル酸もしくはアクリル酸アルキルを重合して、オレフィンホモポリマーまたはコポリマーを提供することを記載している。ヨーロッパ特許出願第381,495号は、選ばれた二座リン含有配位子を含むパラジウム及びニッケル触媒を用いたオレフィンの重合を記載している。 L.K.Johnsonら（J.Am.Chem.Soc.,1995,117,6414）は、陽イオン α−ジイミン基材ニッケル及びパラジウム錯体を用いたエチレン、プロピレン及び１−ヘキセンのようなオレフィンの重合を記載している。これらの触媒は、エチレンを重合して高分子量分岐鎖ポリエチレンを形成することが記載されている。エチレンの他に、Pd錯体はオレフィン及びアクリル酸メチルの重合及び共重合のための触媒として作用する。 G.F.Schmidtら(J.Am.Chem.Soc.1985,107,1443)は、エチレンの「リビング」重合のための、構造[C₅Me₅(L)CoCH₂CH₂-μ-H]⁺を有するコバルト(III)シクロペンタジエニル触媒系を記載している。 M.Brookhartら(Macromolecules 1995,28,5378)は、末端官能化ポリエチレンホモポリマーの合成におけるこのような「リビング」触媒の使用を開示している。 U.Klabunde（米国特許第4,906,754号、同第4,716,205号、同第5,030,606号及び同第5,175,326号）は、Ni(II)に配位した陰イオンリン(phosphorous)、酸素供与体を用いた、ポリエチレンへのエチレンの転化を記載している。重合反応は25 〜100℃で行われ、あまり高くない収率で、８Ｋ〜350Ｋの重量平均分子量を有する線状ポリエチレンを生成した。さらに、Klabundeは、エチレンと官能基含有モノマーとのコポリマーの製造を記載している。 M.Peuckertら(Organomet.1983,2(5),594)は、それほど触媒活性の高くない（0 .14〜1.83 TO／s）Ni(II)に結合したホスフィン、カルボキシレート供与体を用いたエチレンのオリゴマー化を開示している。オリゴマー化を、60〜95℃及びエチレン10〜80バールにおいてトルエン中で行って、線状α−オレフィンを製造した。 R.E.Murray（米国特許第4,689,437号及び同第4,716,138号）は、Ni(II)に結合したホスフィン、スルホネート供与体を用いたエチレンのオリゴマー化を記載している。これらの錯体は、ホスフィン、カルボキシレート類似体に関して報告されたものより約15倍高い触媒活性を示す。 W.Keimら(Angew.Chem.Int.Ed.Eng.1981,20,116)及びV.M.Mohringら（Angew.Ch em.Int.Ed.Eng.1985,24,1001）は、エチレンの重合及びアミノビス（イミノ）ホスホランニッケル触媒によるα−オレフィンのオリゴマー化を開示している。G. Wilke（Angew.Chem.Int.Ed.Eng.1988,27,185）は、エチレン重合のためのニッケルアリルホスフィン錯体を記載している。 K.A.O.Starzewskiら(Angew.Chem.Int.Ed.Engl.1987,26,63及び米国特許第4,69 1,036号)は、エチレンを重合して高分子量線状ポリエチレンを製造するのに使用する、一連のビス（イリド）ニッケル錯体を記載している。 WO特許出願97／02298は、種々の中性Ｎ，Ｏ，ＰまたはＳ供与体配位子をニッケル（０）化合物及び酸と組み合わせて使用するオレフィン重合を開示している。 Brownら(WO97／17380)は、空気及び水分の存在下におけるエチレンを含むオレフィンの重合にPdα−ジイミン触媒を使用することを記載している。 Finkら（米国特許第4,724,273号）は、アミノビス（イミノ）ホスホランニッケル触媒を用いたα−オレフィンの重合及び得られたポリ（α−オレフィン）の組成物を記載している。さらに最近の進歩については、SugimuraらがJP96-84344，JP96-84343及びWO 9 738024にならびにYorisueらがJP96-70332に記載している。非チーグラー・ナッタ触媒におけるこれらの進歩にも拘わらず、オレフィン重合を行うための効率がよく且つ有効な第８〜10族遷移金属触媒へのニーズが依然としてある。さらに、このような有効な第８〜10族遷移金属触媒を使用する新規なオレフィン重合方法へのニーズがある。特に、改良された温度安定性及び官能基適合性を共に有する第８〜10族遷移金属オレフィン重合触媒が依然として必要とされている。さらに、より活性で且つより選択的な触媒を得るために有効な第８〜10族遷移金属触媒をルイス酸と組み合わせて使用す、る、オレフィンの重合方法が依然として必要である。発明の要約本発明は、第８〜10族遷移金属触媒、これらの触媒を用いた回分または連続オレフィン重合、及びそれによって製造されるポリマーに関する。本発明の方法は、式LI： RCH＝CHR⁸ LI （式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成することもできる）の１種またはそれ以上のオレフィンモノマーを式Ｘ：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくは立体障害アリールであり；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から、好ましくはＮ，Ｏ，Ｓから選ばれた、ヘテロ原子が結合したモノラジカルであり、Ａ及びＢは架橋基（bridging group）によって結合することもできる）を有する二座配位子が配位した第８〜10族遷移金属及び場合によってはブレンステッドまたはルイス酸と接触させることを含んでなり、重合を行って前記オレフィンモノマーの単位を含むポリマーが得られる。さらに、本発明の方法は、前記式LIの１種またはそれ以上のモノマーを下記式 XI：（式中、Ｒ¹，Ｒ⁶，Ａ及びＢは前記式（Ｘ）の場合と同様の意味を有し；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；Ｍは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の本発明の触媒と接触させることを含んでなり、重合を行うことにより、前記オレフィンモノマーの単位を含むポリマーが得られる。さらに、本発明の方法は、式LIのオレフィンモノマーを、式(XII)：（式中、Ｒ¹，Ｒ⁶，Ａ及びＢは前記式Ｘの場合と同様であり；Ｑはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｍは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表わす）の化合物を、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、または共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸からなる群から選ばれた化合物Ｙと合することによって形成された本発明の触媒と接触させることを含んでなり、重合を行うことによって、前記オレフィンモノマーの単位を含むポリマーが得られる。本発明の方法において使用される触媒は、エチレンとα−オレフィンを容易に高分子量ポリマーに転化し、周囲温度及び圧力を含む種々の条件及び溶液中におけるオレフィン重合を可能にする。本発明のポリマーとしては、オレフィンのホモポリマー、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど、及びオレフィンコポリマー、例えば、官能基含有コポリマーが挙げられる。例えば、触媒の構造、助触媒の組成ならびに反応条件、例えば、圧力及び温度を変えることによって、厳密な線状から高分岐鎖構造までのエチレンホモポリマーが得られる。これらのパラメーターがポリマー構造に与える影響を、ここに記載する。これらのポリマー及びコポリマーは様々な用途を有し、例えば、包装材料として、また、接着剤中に使用される。従って、本発明の目的は、官能基含有オレフィンを含むオレフィンを重合できる新規な触媒を提供することにある。本発明の別の目的は、オレフィン重合のための触媒系を示すことにある。本発明のさらに別の目的は、緩和な条件下におけるオレフィン重合を記載することにある。本発明のさらに別の目的は、均質オレフィン触媒反応のための新規触媒及び方法を提供することにある。本発明のさらに別の目的は、新規ポリオレフィンを提供することにある。本発明のさらに別の目的は、触媒の構造及び重合反応条件を変えることによって、得られるポリオレフィンの構造を変える方法を記載することにある。本発明のこれら及び他の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び好ましい態様に言及するにつれて、明らかになるであろう。発明の詳細な説明この開示において、いくつかの化学基または化合物は、いくつかの用語及び記号で記載する。これらの用語は以下のように定義する：周期表の元素を表すのに通常使用される記号は、特に断らない限り、通常の意味を有する。例えば、Ｎ，Ｏ，Ｓ，Ｐ及びSiは各々、窒素、酸素、イオウ、リン及び珪素を表す。中性ルイス酸の例としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されない：メチルアルモキサン(以下、MAO)及び他のアルミニウムセスキオキシド、R⁷ ₃Al ，R⁷ ₂AlCl，R⁷AlCl₂(式中、Ｒ⁷はアルキルである)、有機硼素化合物、ハロゲン化硼素、B(C₆F₅)₃，BPh₃及びB(3,5-(CF₃ )C₆H₃)₃。陽イオンルイス酸を含むイオン化合物の例としては、R⁹ ₃Sn[BF₄]（式中、Ｒはヒドロカルビルである）、MgCl₂及びH⁺X^-（式中、Ｘ^-は弱配位陰イオンである）が挙げられる。中性ルイス塩基の例としては以下のものが挙げられるが、これらに限定されない：（ｉ）エーテル、例えば、ジエチルエーテルもしくはテトラヒドロフラン、（ii）有機ニトリル、例えば、アセトニトリル、(iii)有機スルフィド、例えば、ジメチルスルフィド、または（iv）モノオレフィン、例えば、エチレン、ヘキセンもしくはシクロペンテン。「ヒドロカルビル」基は、炭素及び水素原子のみを含む一価または二価の線状、分岐鎖または環状基を意味する。一価ヒドロカルビルの例としては以下のものが挙げられる：Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル；Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₈シクロアルキルまたはアリールから選ばれた１個またはそれ以上の基で置換されたＣ₁〜Ｃ₂₀ アルキル；Ｃ₃〜Ｃ₈シクロアルキル；Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₈シクロアルキルまたはアリールから選ばれた１個またはそれ以上の基で置換されたＣ₃〜Ｃ₈ シクロアルキル；Ｃ₆〜Ｃ₁₄アリール；ならびにＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₈シクロアルキルまたはアリールから選ばれた１個またはそれ以上の基で置換されたＣ₆〜Ｃ₁₄アリール。用語「アリール」は好ましくは、フェニル、ナフチルまたはアントラセニル基を表す。二価（架橋）ヒドロカルビルの例としては、-CH₂- ，-CH₂CH₂-，-CH₂CH₂CH₂-及び１，２−フェニレンが挙げられる。「シリル」基は、Si(SiR₃)₃の場合のようなSiR₃基（式中、Siは珪素であり、Ｒはヒドロカルビルもしくは置換ヒドロカルビルまたはシリルである）を意味する。「ヘテロ原子」は、炭素または水素以外の原子を意味する。好ましいヘテロ原子としては、酸素、窒素、リン、イオウ、セレン、砒素、塩素、臭素、珪素及びフッ素が挙げられる。「置換ヒドロカルビル」は、１個またはそれ以上のヘテロ原子で置換された一価または二価のヒドロカルビルを意味する。一価置換ヒドロカルビルの例としては以下のものが挙げられる：２，６−ジメチル−４−メトキシフェニル、２，６ −ジイソプロピル−４−メトキシフェニル、４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル、２，６−ジメチル−４−ニトロフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、２，６−ジブロモフェニル、２，６−ジクロロフェニル、４−メトキシカルボニル−２，６−ジメチルフェニル、２−tert−ブチル−６−クロロフェニル、２，６−ジメチル−４−フェニルスルホニルフェニル、２，６−ジメチル−４−トリフルオロメチルフェニル、２，６−ジメチル−４−トリメチルアンモニウムフェニル（弱配位陰イオンと会合）、２，６ジメチル−４−ヒドロキシフェニル、９ −ヒドロキシアントル−10−イル、２−クロロナフト−１−イル、４−メトキシフェニル、４−ニトロフェニル、９−ニトロアントル−10−イル、CH₂OCH₃、シアノ、トリフルオロメチル、またはフルオロアルキル。二価（架橋）置換ヒドロカルビルの例としては以下のものが挙げられる：４−メトキシ−１，２−フェニレン、１−メトキシメチル−１，２−エタンジイル、１，２−ビス（ベンジルオキシメチル）−１，２−エタンジイル、または１−（４−メトキシフェニル）− １，２−エタンジイル。「立体障害アリール」は、次のものを意味する：（ｉ）ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、Ｆ，Cl，Brまたはシリル置換基を２位及び６位の両方に有し、場合によってはその他の位置でヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、Ｆ，Cl，Br、シリル、ヒドロキシ、メトキシ、ニトロ、シアノ、フェニルスルホニル、CO₂Me，CO₂H，C(O)CH₃，CF₃またはフルオロアルキル置換基で置換されたフェニル環、（ii）場合によっては他の位置でヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、Ｆ，Cl，Br、シリル、ヒドロキシ、メトキシ、ニトロ、シアノ、フェニルスルホニル、CO₂Me，CO₂H，C(O)CH₃，CF₃またはフルオロアルキル置換基で置換された２−置換ナフト−１−イル環、(iii)場合によっては他の位置でヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、Ｆ，Cl，Br、シリル、ヒドロキシ、メトキシ、ニトロ、シアノ、フェニルスルホニル、CO₂Me，CO₂ H，C(O)CH₃，CF₃またはフルオロアルキル置換基で置換された９−アントラセニル環、あるいは（iv）１種またはそれ以上の次の立体障害アリール：２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２，６−ジイソプロピルフェニル、２，６−ジメチル−４−ニトロフェニル、２，６−ジメチル−４−フェニルスルホニルフェニル、２−イソプロピル−６−メチルフェニル、２，６−ビス（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジメチル−４−メトキシフェニル、２−メチルナフト−１−イル、９−アントラセニル、２，６−ジクロロフェニル、２，６−ジブロモフェニル、２−tert−ブチル−６−メチルフェニル、２− トリメチルシリルナフト−１−イル、２−クロロ−６−メチルフェニル、４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル、２，６−ジイソプロピル−４−メトキシフェニル、２，４，６−トリ−tert−ブチルフェニル及び２−クロロ−６−tert−ブチルフェニルに機能的に等価な（本発明に関連して）立体特性を有する芳香族置換ヒドロカルビル。「ヘテロ原子が接続したモノラジカル」は、ヘテロ原子が結合点として働くモノラジカル基を意味する。例としては、NH（２，６− ジメチルフェニル）及びSPh(Phはフェニルである)が挙げられる。多数の他の例をここに示す。「置換珪素原子」は、-SiR⁹ ₂-基（式中、Ｒ⁹はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである）を意味する。「置換リン原子」は、-P(O)(OR⁹)-基（式中、Ｒ⁹はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである）を意味する。「置換イオウ原子」は、-S(O)-，-SO₂-または-S(NR⁹)₂-基（式中、Ｒ⁹はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである）を意味する。「架橋基」は、二価ヒドロカルビル、二価置換ヒドロカルビル、-C(O)-，-C(S )-、置換珪素原子、置換イオウ原子、置換リン原子、-CH₂C(O)-，-C(O)C(O)-または３，４，５，６−テトラフルオロ−１，２−フェニレンを意味する。場合によっては、架橋基は、基Ａ及びＢと一緒になって二価ヘテロ原子置換複素環を形成できる。その例としては以下のものが挙げられる：「モノオレフィン」は、炭素−炭素二重結合を１つ含む炭化水素を意味する。「適当な金属前駆体」は、化合物Ｘ(好ましくは、下記の化合物 III，VI，IX，XVIIまたはXVIII)及び場合によってはルイス酸またはブレンステッド酸と化合して活性オレフィン重合触媒を形成できる第８〜10族金属化合物、好ましくはNi，Co，Pd及びFe化合物を意味する。例としては次のものが挙げられる：（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル(II)ジブロミド、ビス［(μ−クロロ)(１，２，３−η³−２−プロペニル)ニッケル(II)］、ビス［(μ−クロロ)( １，２，３−η³−２−プロペニル)パラジウム(II)］、ビス［(μ−クロロ)(１，２，３−η³−１−トリメチルシリルオキシ−２−プロペニル)ニッケル(II)］、CoBr₂，FeBr₂、ビス（アセチルアセトネート）Ni(II)及び［テトラキス（アセトニトリル）Pd(II)］[BF₄]。「適当なニッケル前駆体」は、金属がニッケルである適当な金属前駆体を意味する。「適当なニッケル（０）前駆体」は、ゼロ価ニッケル化合物である適当な金属前駆体を意味する。本明細書中で使用する用語「フルオロアルキル」は、１個またはそれ以上のフッ素原子で置換されたＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基を意味する。本明細書中で使用する用語「ポリマー」は、モノマー単位からなり且つ重合度（DP）が10またはそれ以上であるものを意味する。本明細書中で使用する用語「α−オレフィン」は、炭素数３〜40の１−アルケンである。「π−アリル」基は、３個のsp²炭素原子が金属中心にη³型で結合したモノ陰イオン基を意味する。３個のsp²炭素原子はいずれも、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子接続ヒドロカルビル、ヘテロ原子接続置換ヒドロカルビルまたはＯ−シリル基で置換されることができる。π−アリル基の例としては以下のものが挙げられる：（図示した構造はモノ陰イオンフラグメントであることを理解されたい）。用語「π−ベンジル基」は、sp²炭素原子のうち２つが芳香環の一部分である π−アリル基を表す。π−ベンジル基の例としては以下のものが挙げられる：（図示した構造はモノ陰イオンフラグメントであることを理解されたい）。用語「弱配位陰イオン」は、それ自体当業界でよく知られており、一般に、陰イオンの負電荷を非局在化させることができる大きいかさばる陰イオンを意味する。適当な弱配位陰イオンとしては、PF₆ ^-,BF₄ ^-，SbF₆ ^-，(Ph)₄B^-（式中、Ph＝フェニル）、^-BAr₄（式中、-BAr₄＝テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート）が挙げられるが、これらに限定されない。このような陰イオンの配位能力は公知であり、文献に記載されている（Strauss,S.ら，Ch em.Rev.1993,93,927）。本明細書に記載した用語「モノマー」または「オレフィンモノマー」は、重合前のオレフィンまたは他のモノマー化合物を表し；用語「モノマー単位」は、重合後のモノマーに対応するポリマーの部分を表す。場合によっては、化合物Ｙは補助触媒として必要である。適当な化合物Ｙとしては、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、または共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸が挙げられる。好ましい化合物Ｙとしては次のものが挙げられる：メチルアルモキサン(以下MAO)及び他のアルミニウムセスキオキシド、R⁷ ₃Al，R⁷ ₂AlCl，R⁷AlCl₂(式中、Ｒ⁷はアルキルである)、有機硼素化合物、ハロゲン化硼素、B(C₆F₅)₃，R⁹ ₃Sn[BF₄]（式中、Ｒ⁹はヒドロカルビルである）、MgCl₂及びH⁺X^-（式中、Ｘ^-は弱配位陰イオンである）。「固体担体」の例としては以下のもののような無機酸化担体が挙げられる：タルク、シリカ、チタニア、シリカ／クロミア、シリカ／クロミア／チタニア、シリカ／アルミナ、ジルコニア、アルミニウムホスフェートゲル、シラン化シリカ、シリカヒドロゲル、シリカキセロゲル、シリカエーロゲル、シリカコゲル。一態様において、本発明は、式RCH＝CHR⁸の化合物から選ばれた１種またはそれ以上のモノマーを、（ａ）適当な金属前駆体及び（ｂ）式Ｘ：の配位子、及び場合によっては（ｃ）ブレンステッド酸またはルイス酸を含む触媒と接触させることを含んでなる、オレフィン重合のための回分法及び連続法を提供する。前記式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成することができ；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくは立体障害アリールであり；Ｎは窒素を表し；そしてＡ及びＢは各々独立して、ヘテロ原子結合モノラジカル（結合ヘテロ原子は、第15族または第16族から選ばれる）であり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合させることができる。本発明の別の側面において、（ａ）第８〜10族遷移金属Ｍ、（ｂ）１種またはそれ以上のルイス酸（１種またはそれ以上のルイス酸は、遷移金属Ｍに結合した１個またはそれ以上の供与体原子とπ−共役している１個またはそれ以上のヘテロ原子に結合している）、ならびに（ｃ）式Ｘ：の複核形成または多核形成化合物を含んでなる組成物が提供される。前記式において、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくは立体障害アリールであり；Ｎは窒素であり；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれた、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合されることもできる。好ましい第８〜10族遷移金属は、Ni，Pd，Fe及びCo、より好ましくはNi及びPd である。好ましい配位子Ｘは以下のものである：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は前に定義した通りであり；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³,Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、配位子が式VIまたはIXを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもない）。式Ｘの配位子の合成は一般に前記方法の変形に基づき、以下の実施例に詳述される。前記Ｘの二座配位子が配位された第８〜10族遷移金属錯体にはまた、例えば、錯体が活性触媒であるか、その前駆体であるか、または錯体が触媒の静止状態(r esting state)であるかによって、さらに１種またはそれ以上の追加の配位子を配位させることができる。本発明の方法の好ましい態様においては、前記式LIの１種またはそれ以上のオレフィンモノマーは、（ｉ）適当なニッケル（０）前駆体、好ましくはビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）化合物；（ii）共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸；及び (iii)前記式Ｘの化合物、好ましくは前記の式III，IX，XVIIまたはXVIIIの化合物と接触させ、重合を行って、前記オレフィンモノマーの単位を含むポリマーが得られる。本発明の方法の別の好ましい態様においては、式RCH＝CHR⁸の１種またはそれ以上のモノマーを式XI：の触媒と接触させることを含んでなる、オレフィンの回分または連続重合方法が提供される。前記式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して、水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成でき；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくは立体障害アリールを表し；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれた、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合されることもでき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、好ましくはNl(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。好ましい態様において、化合物XIは以下の式を有する化合物から選ばれる：（式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｔ，Ｌ及びＭは前に定義した通りである）。前記式において、Ｔが生長しているポリマー鎖を表し且つＬがモノオレフィンである場合には、式は連鎖生長化合物を表すことを理解されたい。Ｔ及びＬは共同して、Ｍに配位した、下記式において記号Ｇで表される、π−アリルまたはπ−ベンジル錯体を表すことができる。従って、本発明の方法のさらに別の好ましい態様においては、少なくとも１種のオレフィンモノマーLIを下記式：（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶及びＸ^-は前に定義したとおりであり；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；Ｍは第８〜10族遷移金属、好ましくは、Pd(II)，Ni(II)，Fe(II)またはCo(II) 、更に好ましくはNi(II)またはPd(II)である）から選ばれた触媒と接触させ、重合を行って、前記オレフィンモノマーの単位を含むポリマーを得る。本発明のさらに別の態様として、式RCH＝CHR⁸の１種またはそれ以上のモノマーを、式XII：の化合物を化合物Ｙと化合させることによって形成された触媒と接触させることを含んでなる、オレフィンの回分または連続重合方法が提供される。前記式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して、水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成でき；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくは立体障害アリールを表し；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれた、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合されることもでき；Ｑはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素であり；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、好ましくはNi(II)またはPd(II)を表し；そしてＹは、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、及び共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸からなる群から選ばれる。より好ましい態様において、式XIIの化合物は下記式から選ばれるものである：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくは立体障害アリールを表し；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³,Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは架橋基によって結合できるが、但し、化合物が式ＶまたはVIIIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｑはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し，Ｏは酸素を表し，Ｓはイオウを表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）。前述の通り、本発明の触媒は、得られるポリマー内に官能基含有オレフィン単位を組み込む重合方法に使用できる。種々の官能化オレフィンポリマー及びコポリマー、ならびにその製造方法が係属中の仮特許出願第60-062609に記載されており、これを参照することによって本明細書中に取り入れる。本発明はまた、エチレンを、（ａ）適当なニッケル前駆体、（ｂ）式：の化合物及び、場合によっては、（ｃ）ブレンステッド酸またはルイス酸と接触させることを含んでなる線状α−オレフィンの製造方法を提供する。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニルまたは４−メトキシフェニルを表し；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｎは窒素を表し；Ｏは酸素を表し；Ｓはイオウを表す。さらに好ましい側面として、エチレンを式：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニルまたは４−メトキシフェニルを表し；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³,Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、化合物が式IVまたはVIIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素またはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)を表し；Ｎは窒素を表し；Ｏは酸素を表し；Ｓはイオウを表し、そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物と接触させることを含んでなる、線状α−オレフィンの製造方法が提供される。さらに好ましい側面として、エチレンを、式：錯体を化合物Ｙと化合させることによって形成された触媒と接触させることを含んでなるα−オレフィンの製造方法が提供される。前記式において、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニルまたは４−メトキシフェニルを表し；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、錯体が式ＶまたはVIIIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｑはヒトロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；ＭはNi(II)を表し；Ｎは窒素を表し；Ｏは酸素を表し；Ｓはイオウを表し；そしてＹは、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、及び共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸からなる群から選ばれる。本発明のさらに別の態様は、エチレンと式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーとの共重合方法であって、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、及び共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸から選ばれる第１の化合物Ｙと、式XX IV：（式中、Ｒ¹は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、フルオロアルキルまたはシリルであり；ｎは３より大きく、好ましくは５より大きく且つ25未満の整数であり；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルであるか、または共同して架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルもしくは置換珪素原子を形成でき；Ｑはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物であり；Ｗはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物であり；Ｎは窒素であり；Ｚはイオウまたは酸素であり；そしてＭはNi(II)である）の第２の化合物と化合させることによって形成された錯体とエチレンと式CH₂＝C H(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーを接触させることを含んでなる方法である。本発明の別の側面として、エチレン及び式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーを、（ａ）式XLII：の化合物；（ｂ）適当なニッケル（０）前駆体及び（ｃ）共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸の反応生成物によって形成された錯体と接触させることを含んでなる、エチレンと式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーの重合方法が提供される。前記式中において、Ｒ¹は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、フルオロアルキルまたはシリルであり；ｎは３より大きく、好ましくは５より大きく且つ25未満の整数であり；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルであるか、または共同して架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビル、-C(O)-もしくは置換珪素原子を形成でき；Ｎは窒素であり；そしてＺはイオウまたは酸素である。本発明のさらに別の態様として、式RCH＝CHR⁸の１種またはそれ以上のモノマーを、第８〜10族遷移金属Ｍに配位した複核形成または多核形成配位子及び１種またはそれ以上のルイス酸と接触させることを含んでなる、オレフィン重合方法が提供される（１種またはそれ以上のルイス酸は、遷移金属Ｍに結合した１個またはそれ以上の供与体原子とπ−共役している１個またはそれ以上のヘテロ原子に結合しており；Ｒ及びＲ⁸は各々独立して水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成できる）。本発明の触媒は、二座配位子Ｘが配位した第８〜10族遷移金属を含んでなり；これらとしては、好ましい化合物Ｉ，II，IV，Ｖ，VII，VIII，XI〜XVI，XIX〜X XVIII及びXXX-XLII（本明細書中に詳述）が挙げられるがこれらに限定されない。本発明の触媒のより好ましい態様は、式Ｉ：の化合物である。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³,Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；Ｍは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。さらに、式II：の化合物を含んでなる触媒が開示される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³,Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表す。さらに、式IV：の化合物を含んでなる触媒が記載される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(I I)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。さらに、式Ｖ：の化合物を含む触媒が開示される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｑはヒトロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表す。さらに、本発明は、式VI：の化合物を含んでなる触媒の使用を教示する。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；そしてＲ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成できる。式VII：の化合物を含んでなる触媒も記載される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(I I)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式VIII：の化合物を含んでなる触媒も記載される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表す。さらに、式IX：の化合物を含んでなる触媒も記載される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；そしてＲ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成できる。また、式XIII：の化合物を含んでなる触媒も記載される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し、さらに一緒になって架橋基を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(I I)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XIV：の化合物を含んでなる触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；Ｍは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XV：の化合物を含んでなる触媒も提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し、さらに一緒になって架橋基を形成でき；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表す。また、式XVII：の化合物を含んでなる触媒も記載される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；そしてＲ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し、さらにＲ²，Ｒ³及びＲ⁴のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できる。また、式XVI の化合物を含んでなる触媒も提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくは立体障害アリールを表し；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭは第８〜10族遷移金属、好ましくはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)、より好ましくはNi(II)またはPd(II)を表す。また、式XVIII：の化合物を含んでなる触媒も提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表す。また、式XIX：の化合物を含んでなる触媒も提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³,Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XX：の化合物を含んでなる触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXI：の化合物を含んでなる触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXII：の化合物を含んでなる触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXIII：の化合物を含んでなる触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ｒ³及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジルであり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXIV：の化合物が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれた、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合されることもでき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXV：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジメチルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXVI：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXVII：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルである。また、式XXVIII：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジイソプロピルフェニルである。また、式XXIX：の化合物を含んでなる触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリル、好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル、または立体障害アリールを表し；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれた、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合されることもでき；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；そしてＮは窒素を表す。また、式XXX：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジメチルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXXI：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXXII：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジメチルフェニルである。また、式XXXIII：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジイソプロピルフェニルである。また、式XXXIV：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXXV：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXXVI；の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジメチルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXXVII：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである。また、式XXXVIII：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジメチルフェニルである。また、式XXXIX：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹及びＲ⁶ は２，６−ジイソプロピルフェニルである。また、式XL：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ⁵及びＲ⁶は２，６−ジメチル−４−メトキシフェニルであり；Ｘ^-は弱配位陰イオンである。また、式XLI：の化合物を含んでなるオレフィン重合触媒が提供される。前記式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ⁵及びＲ⁶は２，６−ジメチル−４−メトキシフェニルであり；Ｘ^-は弱配位陰イオンである。本発明はまた、いくつかの新規ポリマー組成物を提供する。例えば、本発明の別の側面として、エチレンと0.1〜50重量％の式CH₂ ＝CH(CH₂)_nCO₂R¹（式中、Ｒ¹は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、フルオロアルキルまたはシリルであり、ｎは３〜18の整数である）のコモノマーから誘導されるモノマー単位からなるポリマー組成物が提供される。前記コモノマーの組み込みによる分岐の他に、ポリマー組成物中にはアルキル分岐が存在し、存在するアルキル分岐は炭素原子1000個当たり５〜50個であり、アルキル分岐の大部分はメチル分岐である。好ましい態様において、アルキル分岐５〜30個／炭素原子1000個を有する半結晶質コポリエチレンを含むエステルを含んでなる組成物が提供される。このアルキル分岐の大部分はメチル分岐であり、鎖当たり平均約１〜50個のエステル末端分岐がエステルコモノマーの取り込みによって得られる。さらに好ましい態様において、アルキル分岐５〜30個／炭素原子1000個を有する半結晶質コポリエチレンを含むオレフィンを含んでなる組成物が提供される。このアルキル分岐の大部分はメチル分岐であり、鎖当たり平均約１〜50個のオレフィン末端分岐が線状ジエンコモノマーの取り込みによって得られる。本発明のさらに別の側面として、接着剤または粘着付与剤として有用な、炭素原子1000個当たり125個より多くのアルキル分岐を有するエチレンホモポリマーを含んでなるポリマー組成物もまた提供される。本発明の方法の実施において有用な好ましいオレフィンとしては、エチレン及びα−オレフィン、例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン、エチルウンデセノエート及び環状オレフィン、例えば、シクロペンテンが挙げられる。液相において重合を行う場合には、該液相は溶媒または純粋なモノマーを含むことができる。中性ルイス酸と遷移金属錯体とのモル比は１〜10000、好ましくは10〜1000であることができる。エチレン重合及び共重合が起こる圧力は１〜1000気圧、好ましくは１〜100気圧であることができる。理論によって拘束するつもりはないが、本発明者らは、ルイス酸は、遷移金属Ｍに直接結合せずに、遷移金属Ｍに結合する窒素とπ−共役している１個またはそれ以上のヘテロ原子への配位によって、本発明によって提供される触媒をさらに活性化させるように作用できると考えている。このようなπ−共役ヘテロ原子におけるルイス酸の結合をさらに促進するように配置された、追加のルイス塩基基を含む置換基、例えば、メトキシ基（これに限定されない）もまた、本発明に含まれる。第２のルイス酸結合の非限定的例としては以下のものが挙げられるであろう：（式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ⁵及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルであり；そしてＸ^- は弱配位陰イオンである）。重合は、溶液重合として、非溶媒スラリー型重合として、重合媒体として１種またはそれ以上のオレフィンもしくは他の溶媒を用いるスラリー重合として、または気相中で行うことができる。当業者ならば、この開示があれば、公知の適当な触媒担体及び方法を用いて触媒を担持させることができることがわかるであろう。実質的に不活性な溶媒、例えば、トルエン、炭化水素、塩化メチレンなどを使用できる。プロピレン及び１−ブテンはスラリー型共重合に使用するための優れたモノマーであり、使い残されたモノマーを蒸発分離して、再生することもできる。温度及びオレフィン圧力は、コポリマーの構造、組成及び分子量に大きな影響を及ぼす。適当な重合温度は好ましくは約−100〜約200℃、好ましくは20〜150 ℃の範囲である。目的ポリマーを製造するのに充分な時間、反応が進行した後、反応混合物から通常の単離及び／または精製方法によってポリマーを回収できる。一般に、本発明のポリマーは、熱硬化性材料の成分として、エラストマーとして、包装材料、フィルム、ポリエステル及びポリオレフィン用相溶化剤として、粘着付与組成物の成分として、及び接着材料の成分として有用である。高分子量樹脂は、公知の通常の押出、射出成形、圧縮成形及び真空成形技術を用いて容易に加工される。それらから製造される有用な製品としては、フィルム、繊維、ボトル及び他の容器、シート材料、成形品等が挙げられる。低分子量樹脂は、例えば、合成ワックスとして有用であり、種々のワックス塗料中にまたは乳剤の形態で使用できる。それらはまた、紙用塗料または接着剤への使用において、エチレン／酢酸ビニルまたはエチレン／アクリル酸メチル型コポリマーとのブレンドに特に有用である。必要ではないが、オレフィンまたはビニルポリマーに使用される一般的添加剤を本発明の新規ホモポリマー及びコポリマー中に使用することもできる。一般的な添加剤としては、顔料、着色剤、二酸化チタン、カーボンブラック、酸化防止剤、安定剤、スリップ剤、難燃剤などが挙げられる。これらの添加剤及びポリマー系におけるそれらの使用は当業界でそれ自体公知である。以下の実施例に示した分子量のデータは、135℃において１，２，４−トリクロロベンゼン中で、狭分子量分布のポリ（スチレン）標準を用いて較正された屈折率検出を用いて測定される。実施例本発明の他の特徴は、代表的な態様についての以下の説明の間に明らかになるであろう。これらの態様は、本発明の説明のために示すのであって、本発明を限定するものではない。実施例１：Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミドの製造２，６−ジメチルアニリン、トリエチルアミン及びジクロロメタン、塩基性アルミナを通過させることによって乾燥した。電磁撹拌棒及び窒素入り口アダプターで蓋された125mL均圧滴下漏斗を装着した１リットルの丸底フラスコに、２，６−ジメチルアニリン53.38ｇ、ジクロロメタン250mL及びトリエチルアミン44.7 6ｇを装填した。塩化オキサリル25.34ｇのジクロロメタン80mL中溶液を窒素下で撹拌及び氷浴冷却しながら1.2時間にわたって滴加して、粘稠なペーストを得た。これは、混合するために手で時々かき混ぜなければならなかった。混合物を室温で14時間撹拌し、次いで分離漏斗に移し、３回水洗し、分離し、そして減圧（ 10mmHg）濃縮して、粗製固体63ｇを得た。粗生成物をトルエン1.30リットルと無水エタノール2.85リットルとの沸騰混合物に溶解し、室温（約23℃）に冷却し、水260mLで希釈し、次いで、16時間結晶させた。得られた沈澱物を真空濾過によって単離し、メタノールで洗浄し(３×100mL)、そして乾燥させて、白色結晶として39.1ｇ（66％）を得た。水約5 00mLでさらに希釈することによって、濾液からさらに9.5ｇ（16.1％）が回収された。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、296ｍ／ｚに親イオンピークを示した。 0MHz，CDCI。，0ppm（))TMSに関する化学シフト(ppm)）：2.29(12 p,s)，7.15(6 p,m)，8.86(2 p,br s)。実施例２：Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）オキサルアミドの製造２，６−ジイソプロピルアニリン、トリエチルアミン及びジクロロメタンを、塩基性アルミナを通過させることによって乾燥した。電磁撹拌棒及び窒素入り口アダプターで蓋された125mL均圧滴下漏斗を装着した１リットルの丸底フラスコに、２，６−ジイソプロピルアニリン（前もって蒸留）34.73ｇ、ジクロロメタン180mL及びトリエチルアミン18.30ｇを装填した。塩化オキサリル10.57ｇのジクロロメタン43mL中溶液を窒素下で撹拌及び氷浴冷却しながら38分間にわたって滴加して、粘稠なペーストを得た。これは、混合するために手で時々かき混ぜなければならなかった。混合物を室温（約23℃）で60時間撹拌し、次いで水700mL で希釈して生成物を沈澱させ、それを濾過によって単離し、水洗し、沸騰イソプロパノール（４リットル）から再結晶させて、白色針状結晶22.38ｇ（66％）を得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、408ｍ／ｚに親イオンピークを示した。 12，0ppmのTMSに関する化学シフト(ppm)）：1.22(24 p,d,6.8Hz),3.08(4 p、七重線、6.8Hz)，7.25(4p,d,7.5Hz)，7.37(2 p,t,7.5Hz)，8.86(2 p,br s)。実施例３：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミドの製造トリエチルアミン及びジクロロメタンを、塩基性アルミナを通すことによって乾燥させた。電磁撹拌棒及び窒素入り口アダプターで蓋された小型均圧滴下漏斗を装着した50mL丸底フラスコに、４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルアミン1.5ｇ、ジクロロメタン８mL及びトリエチルアミン1.38ｇを装填した。塩化オキサリル0.39ｇのジクロロメタン２mL中溶液を窒素雰囲気下で撹拌及び氷浴冷却しながら35分間にわたって滴加した。混合物を室温で14時間撹拌し、次いで分液漏斗に移し、水洗し、分離し、そして減圧（10mmHg）濃縮して、固体1.75ｇを得た。粗生成物を沸騰無水エタノール150mLに溶解させ、室温（約23 ℃）に冷却すると結晶化した。得られた沈澱を真空濾過によって単離し、乾燥させて、白色結晶として1.39ｇ（86％)を得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、356ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例４：Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリドの製造１リットル丸底フラスコに、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミド30.0ｇ、五塩化リン58.8ｇ及び乾燥トルエン150mLを装填し、電磁撹拌棒及びバブラーに接続された窒素入り口アダプターで蓋された還流冷却器を装着した。混合物を30分間にわたって還流するまで加熱し、次いでさらに95分間窒素下で還流を続けて、黄色溶液を得た。加熱を止め、混合物を室温（約23℃）に冷却した。冷却器に代えて短路（short path）蒸留アダプター及び受けフラスコを取り付け、揮発分を減圧下（１mmHg）において最初は室温で、次いで、100 ℃で除去して、黄色粒状固体20.1ｇ（60％）を得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、332ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例５：Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリドの製造電磁撹拌棒及びバブラーに接続された窒素入り口アダプターで蓋された還流冷却器を装着した500mL丸底フラスコに、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）オキサルアミド2.50ｇ、五塩化リン3.58ｇ及び乾燥トルエン36mLを装填した。混合物を30分間にわたって還流するまで加熱し、次いでさらに210分間窒素下で還流を続けて、黄色透明溶液を得た。加熱を止め、混合物を室温（約 23℃）に冷却した。冷却器に代えて短路蒸留アダプター及び受けフラスコを取り付け、揮発分を減圧下（１mmHg）において最初は室温で、次いで100℃で除去して、黄色油を得た。これは冷却完了時に徐々に結晶化した。生成物をカラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中３ｖ％酢酸エチル）によって精製して、黄色結晶1.49ｇ（55％）を得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、444ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例６：Ｎ¹，Ｎ²−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリドの製造 50mL丸底フラスコに、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチル−２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミド1.37ｇ、五塩化リン1.88ｇ及び乾燥トルエン15mLを装填し、電磁撹拌棒及びバブラーに接続された窒素入り口アダプターで蓋された還流冷却器を装着した。HClが発生しなくなるまで、混合物を撹拌しながら約100℃において加熱した。次いで、PCl₅をさらに0.22ｇ添加し、混合物を80℃においてさらに 30分間加熱した。室温に冷却後、混合物を分液漏斗に移した。移す時に若干結晶化が起こった。生成物を完全に移し且つ再溶解するために、ジクロロメタンを添加した。有機層を炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、次いで、減圧濃縮して、黄色結晶固体1.44ｇを得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、392ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例７：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−１，４−ジチアンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋された還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド504mg、水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)136mg、乾燥テトラヒドロフラン4.0mL及び１，２−エタンジチオール0.140mLを装填した。混合物を２時間還流させながら加熱し、次いで、さらに66mgの水素化ナトリウム分散液を添加し、混合物をさらに１時間還流させた。冷却後、混合物を水及びジエチルエーテルで希釈し、エーテル層を分離し、再び水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥して、黄橙色油を得た。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230-4 00メッシュ、60Å；ヘキサン中15ｖ％酢酸エチル）によって黄色油296mgが得られ、これをヘキサンの添加によって結晶化させ、真空濾過によって採取して、黄色粒状結晶219mgを得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、354ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例８：２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンの製造電磁撹拌棒及びアルゴン入り口で蓋された還流冷却器を装着した250mL丸底フラスコに、水素化ナトリウムのミネラルオイル中60％分散液0.69ｇ、Ｎ¹，Ｎ²− ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド3.34 ｇ、乾燥テトラヒドロフラン20mL、及び１，２−エタンジチオール0.70mLを順次装填した。混合物をアルゴン下で３時間還流させながら加熱し、次いで、さらに0.25ｇの水素化ナトリウム分散液を添加し、混合物をさらに2.5時間還流させた。冷却後、混合物を水及びジエチルエーテルで希釈し、エーテル層を分離し、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させて、黄橙色油を得た。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grad e 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中10ｖ％酢酸エチル）によって黄橙色ガラス3.14ｇが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、466ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例９：２，３−ビス（フェニルイミノ）−［１，４］ジチアンの製造電磁撹拌棒及びアルゴン入り口で蓋された還流冷却器を装着した250mL丸底フラスコに、水素化ナトリウムのミネラルオイル中60％分散液0.69ｇ、新しく調製した、Ｎ¹，Ｎ²−ジフェニルオキサロジイミドイルジクロリド2.08ｇの乾燥テトラヒドロフラン20mL中溶液及び１，２−エタンジチオール0.70mLを順次装填した。混合物をアルゴン下で２時間還流させながら加熱し、次いで、さらに0.30ｇの水素化ナトリウム分散液を添加し、混合物をさらに３時間還流させた。冷却後、混合物を水及びジエチルエーテルで希釈し、エーテル層を分離し、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させて、黄橙色粘着性固体を得た。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中10ｖ％酢酸エチル）によって黄色油296mgが得られた。これをヘキサンの添加によって結晶化して、黄橙色粒状結晶0.161ｇが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、298ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例10：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロベンゾ［１，４］ジチインの製造電磁撹拌棒及びアルゴン入り口で蓋された還流冷却器を装着した100mL丸底フラスコに、水素化ナトリウムのミネラルオイル中60％分散液0.294ｇ、乾燥テトラヒドロフラン４mL及び１，２−ベンゼンジチオール0.253ｇを順次装填した。気泡の発生が止んだ後、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド0.600ｇを添加した。混合物を25℃において45分間撹拌し、次いで15分間にわたって還流するまで加熱し、１時間還流を続けた。冷却後、混合物を水及びジエチルエーテルで希釈し、エーテル層を分離し、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、真空濃縮して、黄橙色油を得た。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中２ｖ％酢酸エチル）によって黄橙色ガラス0.412ｇが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、402ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例11：２，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）− ［１，４］ジチアンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋された還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド420mgを装填した。50mL洋ナシ形フラスコに、水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)171m g、乾燥テトラヒドロフラン1.75mLそして注意深くエタンジチオール0.11mLを添加した。得られた混合物を、完全に移動させるために乾燥THF ５mLを用いてＮ¹ ，Ｎ²−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド溶液に注入した。反応フラスコを３時間還流させながら加熱し、次いで、さらに45mgの水素化ナトリウム分散液とさらに20μＬのエタンジチオールを添加し、混合物をさらに１時間還流させた。冷却後、混合物を水及びジエチルエーテルで希釈し、エーテル層を分離し、再び水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮して、黄橙色固体を得た。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Gr ade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中15ｖ％酢酸エチル）によって黄色粉末147mgが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、414ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例12：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋された還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド504mg、水素化ナトリウム（60％ミネラルオイル分散液）66mg、乾燥テトラヒドロフラン5.0mL、トリエチルアミン（アルミナを通して乾燥）0.230mL、及び乾燥エチレングリコール0.093mLを装填した。混合物を105分間還流させながら加熱し、次いで、さらに66mgの水素化ナトリウム分散液を添加し、混合物をさらに１時間還流させた。冷却後、混合物を水及びジエチルエーテルで希釈し、エーテル層を分離し、再び水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮して、黄色油を得た。ヘプタンからの結晶化によって、オフホワイトの結晶のロゼット（rosett）が得られた（225mg、１回目の収量）。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、332ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例13：５−メトキシメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンの製造電磁撹拌棒及びアルゴン入り口で蓋をした還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド504mg、水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)155mg、乾燥テトラヒドロフラン3.5mL、及び３−メトキシ−１，２−プロパンジオール188mgを装填した。混合物を10分間にわたって還流するまで加熱し、２時間還流を続けた。冷却後混合物をジエチルエーテルで希釈し、水洗し（２×100mL)、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧濃縮して、黄色油329mgを得た。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中20ｖ％酢酸エチル）によってガラス状黄色固体216mgが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、366ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例14：２，３−ビス（ベンジルオキシメチル）−５，６−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンの製造電磁撹拌棒及びアルゴン入り口で蓋をした還流冷却器を装着した100mL丸底フラスコに、水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)265mg、乾燥テトラヒドロフラン7.5mL、３−メトキシ−１，２−プロパンジオール1.0ｇ及びＮ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド1.0ｇを装填した。黄色混合物を15分間にわたって還流するまで加熱すると非常に粘稠になった。さらにテトラヒドロフラン（５mL）を添加し、混合物をガラス棒で撹拌し次いでさらに30分間加熱した。次に、さらに220mgの水素化ナトリウム（60％ミネラルオイル分散液）及びさらに10m Lのテトラヒドロフランを添加した。水素化ナトリウムの２回目の添加によって黄色のほとんどがなくなり、非常に粘稠な反応混合物が薄茶色になった。さらに約15分間加熱を続け、冷却後混合物をジエチルエーテルで希釈し、水洗して、塩化ナトリウムを除去した。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中２ｖ％酢酸エチル）によってベージュ色のガム状粘着性固体が得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、562ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例15：２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋された還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコにＮ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド1.0ｇ）水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)268mg、乾燥テトラヒドロフラン4.0mL及び乾燥エチレングリコール212mgを装填した。アルゴン雰囲気下、混合物を65℃に加熱し同温度に90分間保持した。次いで混合物を素早く還流するまで加熱し30分間還流を続けた。冷却後混合物をジエチルエーテル50mL で希釈し、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥し減圧濃縮して薄い麦わら色の油を得た(903mg)。カラムクロマトグラフィー（SiO₂ ，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中８ｖ％酢酸エチル）によって淡緑色のガラス257mgが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは434ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例16：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−４−メチルモルホリンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口アダプターで蓋された還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド503mg、トリエチルアミン346mg、乾燥脱酸素化トルエン４mL、及び２−（メチルアミノ）エタノール0.135mLを装填した。混合物を30分間にわたって窒素下で還流するまで加熱し、さらに4.25時間還流を続けた。冷却後、混合物をジエチルエーテル45mLで希釈し、３回水洗した（合計110mL）。エーテル抽出物を、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、そして減圧濃縮して（10mmHg）、薄い色の固体を得た(512mg)。ヘプタン／ジクロロメタンからの再結晶によって、薄いオフホワイトの結晶138mgが得られた（１回目の収量）。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、335ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例17：２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−４−メチルモルホリンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口アダプターで蓋された還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド725mg、水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)143mg、乾燥テトラヒドロフラン４mL及び２−（メチルアミノ）エタノール0.144mLを装填した。混合物を４時間室温で撹拌し、さらに５日間室温に放置した。混合物をジエチルエーテルで希釈し、水洗した。エーテル抽出物を減圧濃縮して（10mmHg）、黄色油を得た。これは数時間にわたって一部結晶化した。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中12ｖ％酢酸エチル）によって淡黄色結晶156mgが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、447ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例18：１，３−ビス−（２，６−ジメチル−フェニル）−４，５−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−イミダゾリジン−２−オンの製造 250mL丸底フラスコ中において、Ｎ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス−（２，６ −ジメチルフェニル）オキサルアミジン1.0ｇをアルゴン雰囲気下において撹拌しながら、乾燥脱酸素化ジクロロメタン35mL中に溶解した。乾燥トリエチルアミン0.67mL、次いで、トリホスゲン240mgを添加した。トリホスゲンの添加によって、色は薄黄色からクロムイエローに変化した。混合物を室温において16時間撹拌し、次いで、トリホスゲンをさらに460mg添加した。約15分後、ジメチルアミノピリジン10mg及びトリホスゲンをさらに240mg 添加した。さらに約15分後、トリホスゲンをさらに220mg及びジメチルアミノピリジン約0.5ｇを添加した。混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで水で洗浄し、次に減圧濃縮して、黄色粉末を得た。カラムクロマトグラフィー（Si O₂，Merck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中４ｖ％酢酸エチル）によってクロムイエロー粉末763mgが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、528ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例19：１，３−ビス−（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）−４，５−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）−イミダゾリジン −２−オンの製造 100mL丸底フラスコに電磁撹拌機を装着し、乾燥トリエチルアミン0.75mL、乾燥脱酸素化ジクロロメタン６mL及びＮ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス−（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジン0.335ｇを装填した。撹拌しながらトリホスゲン178mgを添加し、フラスコを素早く隔膜で蓋した。沈澱が形成され、色が黄色から橙色に変化した。2.5日後、トリホスゲンをさらに78m g添加し、反応混合物をさらに２時間撹拌した。トリホスゲンをさらに150mg添加し、反応混合物をさらに16時間撹拌した。反応混合物をジエチルエーテル50mLで希釈し、水洗した（２×50mL）。水性洗液をジクロロメタンで逆抽出した。有機層を合し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、減圧濃縮して、橙色油を得た。この油にジエチルエーテルを添加すると、小さい橙色結晶が形成された。化合物を真空フィルター上で単離し、ジエチルエーテルで洗浄して、黄橙色微晶質粉末216mg を得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、648ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例20：Ｎ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋された還流冷却器を装着した１リットル丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド5.6ｇ、乾燥トルエン43mL及び２，６−ジメチルアニリン（アルミナに通すことによって乾燥）32.7ｇを装填した。混合物を窒素下で30分にわたって還流するまで加熱し、さらに３時間還流を続けた。冷却後、混合物は無水エタノール206ｇ及び水45ｇで希釈して、多量の沈澱を生成した。真空濾過により単離し、エタノール(600mL)及びヘプタン(600mL)で洗浄し、それに続く乾燥によって、薄黄色結晶として6.1ｇ（72％）を得た。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、502ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例21：Ｎ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋された還流冷却器を装着した500mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド1.0ｇ、乾燥トルエン24mL及び４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルアミン854mg、ならびにトリエチルアミン（アルミナに通して乾燥）0.90mLを装填した。混合物を窒素下で30分にわたって還流するまで加熱し、さらに14時間還流を続けた。冷却後、混合物をジクロロメタンで希釈し、水洗した。不純な化合物をSiO₂に吸着させた。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Me rck Grade 9385 230-400メッシュ、60Å；ヘキサン中12.５ｖ％酢酸エチル）によって、黄色粉末340mgが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、622ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例22：１，４−ジメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）ピペリジンの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口アダプターで蓋された還流冷却器を装着した125mL 丸底フラスコにＮ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド0.50ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン1.1mL及び乾燥トルエン4.0mLを装填した。混合物を窒素下で15分間にわたって還流するまで加熱しさらに30分間還流を続けた。冷却後混合物をジエチルエーテルで希釈し、３回水洗した。エーテル抽出物を硫酸マグネシウムで乾燥、濾過し、そして減圧濃縮して（10mmHg）黄色固体（0.50ｇ）を得た。ヘプタンからの再結晶によって薄黄色結晶が得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、348ｍ／ｚに親イオンピークを示した。実施例23：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンク（Schlenk)フラスコに不活性雰囲気下で２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアン100mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド79mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（５mL）を添加し混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると約５分以内で赤茶色になり、ゆっくりと赤茶色の結晶沈澱が生成した。１時間後ジクロロメタンをさらに５mL添加した。混合物を21℃でさらに21時間撹拌し、乾燥脱酸素化ヘキサン10mLで希釈しさらに８時間撹拌した。先端に濾紙が付いたカニューレによって上澄み液を除去し、残渣を１mmHgにおいて減圧乾燥させて赤茶色結晶116mgを生成した。実施例24：２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着したシュレンクフラスコに、アルゴン雰囲気下で２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアン79mg（0.17 ミリモル）及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド49mg(0 .16ミリモル）を装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（15mL）を添加し混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると約10分以内で赤茶色になった。２時間後CH₂C l₂を減圧下で除去した。得られた赤茶色固体をヘキサン２×10mLで洗浄し、固体を数時間減圧乾燥させて、茶色固体76mgを生成した。実施例25：２，３−ビス（フェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに不活性雰囲気下で２，３−ビス（フェニルイミノ）−［１，４］ジチアン151mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド123mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（10mL）を添加し、混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると約５分以内で暗茶色になり、ゆっくりと赤茶色の結晶沈澱が生成した。80分後混合物をアルゴン流下で見掛け上乾燥するまで濃縮し、次いでさらに50ｍトルにおいて１時間減圧乾燥させて赤茶色粉末を生成した。実施例26：２，３−ビス（ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロベンゾ［１，４］ジチインのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに不活性雰囲気下で２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロベンゾ［１，４］ジチイン110mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（I I）ジブロミド71mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（８mL）を添加し、混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると急速に赤茶色になった。混合物を１時間撹拌し、アルゴン流下で乾燥するまで濃縮し、次いでさらに50ｍトルにおいて１時間減圧乾燥させて赤茶色の結晶粉末を生成した。実施例27：２，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）− ［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに不活性雰囲気下で２，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアン147mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド93mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（10mL）を添加し混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると、ほとんどすぐに暗茶色になり茶色沈澱が生成した。２時間後乾燥脱酸素化ヘキサン10mLを添加して沈澱を完了させた。先端に濾紙が付いたカニューレによって上澄み液を除去し残渣を14時間減圧(0.5mmHg)下で乾燥して茶色微晶質固体を生成した。実施例28：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに、不活性雰囲気下で２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサン100mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド87mg を装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（５mL）を添加し、混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると、ゆっくりと茶色結晶沈澱が生成した。１時間後、ジクロロメタン５mLを添加した。混合物を21℃においてさらに21時間撹拌し、乾燥脱酸素化ヘキサン10mLで希釈し、さらに８時間撹拌した。先端に濾紙が付いたカニューレによって上澄み液を除去し、残渣を１mmHgにおいて減圧乾燥させて、茶色結晶117mgを生成した。実施例29：２，３−ビス（ベンジルオキシメチル）−５，６−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに不活性雰囲気下で２，３−ビス（ベンジルオキシメチル）−５，６−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサン172mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド85mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（12mL）を添加し、混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると、ほとんどすぐに赤茶色になった。1.75時間後、混合物を16時間アルゴン流下で乾燥するまで濃縮し、次いでさらに減圧乾燥させて、赤茶色結晶粉末１82mgを生成した。実施例30：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−４−メチルモルホリンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした25mLのシュレンクフラスコに不活性雰囲気下で２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）メチルモルホリン10 0mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド84mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（５mL）を添加し、混合物を１時間アルゴン雰囲気下で撹拌し次いでジクロロメタンを更に５mL添加した。16時間後、混合物をヘキサン10mLで希釈し先端に濾紙が付いたカニューレによって上澄み液を除去し、残渣を減圧乾燥させて緑色結晶139mgを生成した。実施例31：１，３−ビス（２，６−ジメチルフェニル）−４，５−ビス（２，６ −ジメチルフェニルイミノ）−イミダゾリジン−２−オン、（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド及び銀テトラフルオロボレートの反応アルゴン充填グローブボックス内において、電磁撹拌棒を装着した火炎乾燥シュレンクフラスコに１，３−ビス−（２，６−ジメチルフェニル）−４，５−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−イミダゾリジン−２−オン159.6mg、（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド92.7mg及び銀テトラフルオロボレート59.4mgを装填した。フラスコをアルミ箔で包み、シュレンクライン上でアルゴン雰囲気下において乾燥テトラヒドロフラン10mLを添加した。白色沈澱が直ちに分離した。混合物を25分間撹拌し、次いで、濾紙を先端に付けたカニューレによって、隔膜で蓋された乾燥バイアルに上澄み液を移した。上澄み液を乾燥アルゴン流下で16時間乾燥するまで濃縮して、黄色結晶粉末256mgを生成した。実施例32：１，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）−４，５ −ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）イミダゾリジン−２ −オンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに、不活性雰囲気下で１，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）−４，５ −ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）イミダゾリジン−２ −オン101mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド40mg を装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（10mL）を添加し、混合物を窒素雰囲気下で撹拌すると、３時間にわたってゆっくりと暗い赤茶色になった。さらに２時間後、先端に濾紙が付いたカニューレによって、火炎乾燥シュレンクフラスコに上澄み液を除去し、乾燥脱酸素化ヘキサン10mLで希釈し、窒素流下で乾燥するまで濃縮して、黄褐色微晶質粉末と大きい明瞭な暗茶色の結晶との混合物を得た。後者を分離し、さらに精製することなく使用した。実施例33：１，４−ジメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）ピペラジンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに、不活性雰囲気下で１，４−ジメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）ピペラジン48mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド 35mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（５mL）を添加し、混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると、約５分以内に緑色になり、ゆっくり緑色沈澱が生成した。合計７時間後に、揮発分を減圧下で除去し（１mmHg）、残渣を乾燥脱酸素化ジエチルエーテル２×５mLで洗浄した。得られた緑色固体を減圧下で乾燥した（１mmHg）。実施例34：下記式の化合物の合成：グローブボックス内において、シュレンクフラスコに２，３−ビス−（２，６ −ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアン500mg及び（１，５− シクロオクタジエン）パラジウムメチルクロリド250mgを装着した。ボックスからフラスコを取り出し、アルゴン雰囲気下に置いた。固体混合物に塩化メチレン 20mLを添加すると、橙色の溶液を生じた。混合物を４時間撹拌した。４時間後、ヘキサン20mL を添加すると、橙色固体が沈澱した。溶媒をフィルターカニューレによって除去すると、赤／橙色固体が残った。次いで、固体をヘキサン３×10mLで洗浄し、減圧乾燥して、錯体490mg（収率83％）を生成した。¹H NMRは、予定の構造と一致している。実施例35：下記式の化合物の合成：グローブボックス内において、シュレンクフラスコに２，３−ビス（２，６− ジイソプロピルフェニルイミノ）［１，４］ジチアンパラジウムメチルクロリド 490mg及びNaBAr₄(Ar＝３，５−ビス−トリフルオロメチルフェニル)738mgを装填した。ボックスからフラスコを取り出し、アルゴン雰囲気下に置いた。固体混合物に塩化メチレン25mL及びアセトニトリル0.2mLを添加すると、橙色の溶液を生じた。混合物を３時間撹拌した。３時間後、溶媒をフィルターカニューレによって移すと、灰色固体（NaCl）が残留した。次いで、固体を減圧下で除去して、橙色ガラス（錯体1.1ｇ、収率90％）が得られた。¹H NMRは、予定の構造と一致している。実施例36：MAO存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLのナシ形状のシュレンクフラスコに、２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体5.3mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン75mLを装填した。得られた懸濁液を０℃に冷却し、15分間１気圧のエチレンと平衡させ、次いでMAOのトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。白色ポリエチレン沈澱（かすかな赤茶色の色合いを帯びている）が数分以内に観察された。10分後に、アセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液(100mL)の添加によって混合物を急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを、真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンによって洗浄し、次いで48時間、減圧下(0.05〜0.1mm Hg)で乾燥して、白色ポリエチレン2.5ｇを生成した。ニッケル錯体0.104mg(ｏ− ジフルオロベンゼン中1.04mg／mLの原液100μＬ)を用いた21.5℃における同様な反応によって、14分の反応後にポリエチレン426mgが得られた（359,000TO／ｈ) 。¹H NMR：分岐24個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝810,000；Mw／Mn＝2.3。実施例37：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアン、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）及びHB(Ar)₄(Ar＝３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）からその場で生成された触媒を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした250mLのナシ形状のシュレンクフラスコにビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）20mg、２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアン33mg及びエーテル溶媒和物HB(Ar)₄ 83mgを装填した。フラスコを排気しエチレンを再充填し次いで乾燥脱酸素化トルエン75mLを装填した。得られた濃紫色の溶液をエチレン下で25℃において30分撹拌し次いでアセトン（50mL）及びメタノール（50mL）の添加によって急冷した。分離したポリエチレンを真空濾過によって単離し、アセトンで洗浄し次いで減圧下(0.5mmHg)で18時間乾燥させて白色ポリエチレン339mgを生成した（332TO／ｈ）。¹H NMR：分岐47個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝180,000；Mw／Mn＝2.4。実施例38：MAO存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着した200mLのナシ形状のシュレンクフラスコに、２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.5mLを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充愼し、次いで乾燥脱酸素化トルエン75mLを装填した。反応フラスコを水浴（23℃）中に入れ、トルエン中MAOの10重量％溶液1.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。数秒以内に白色ポリエチレン沈澱が観察された。５分後、混合物をアセトン、メタノール及び6N HCl水溶液の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを真空濾過によって単離し、アセトンで洗浄した。得られたポリマーを真空オーブン中で80℃において数時間乾燥させた。白色ゴム状固体580mgが単離された（285,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）87℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMR：分岐37個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝186,0 00；Mw／Mn＝2.06。実施例39：MAO存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着した200mLのナシ形状のシュレンクフラスコに、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.5mLを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン75mLを装填した。反応フラスコを水浴中に入れ、トルエン中MAOの10重量％溶液1.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。10分後、混合物をアセトン、メタノール及び6N HCl水溶液の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを真空濾過によって単離し、アセトンで洗浄した。得られたポリマーを真空オーブン中で80℃において数時間乾燥させた。白色ゴム状非晶質ポリマー210mgが単離した(63,000TO／ｈ)。DSC ：（２回目の加熱）６℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMR：分岐92個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝146,000；Mw／Mn＝1.85。実施例40：MMAO（改質メチルアルモキサン；23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合レーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.3mLを装填した。オートクレーブを40℃に加熱し、ヘプタン中MMAO２mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した。反応器をエチレンで100psigまで急速に加圧すると、温度が50℃まで上昇した。5 0℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを単離し、真空オーブン中で80℃において数時間乾燥させた。白色ゴム状固体4.8ｇが単離した（2,000,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）97℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMR：分岐28個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝155,000；Mw／Mn＝2.10 。実施例41：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.3mLを装填した。オートクレーブを15℃に冷却し、ヘプタン中MMAO２mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した O反応器をエチレンで100psigまで急速に加圧すると、温度が25℃まで上昇した。 25℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを単離し、真空オーブン中で80℃において数時間乾燥させた。白色ゴム状ポリエチレン4.4ｇが単離した（1,800,000TO／ｈ）。DSC：( ２回目の加熱)125℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：分岐６個／炭素原子10 00個。GPC：Mn＝598,000；Mw／Mn＝2.12。実施例42：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）− ［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)1.0mL を装填した。オートクレーブを55℃に加熱し、ヘプタン中MMAO２mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した。反応器をエチレンで100psigまで急速に加圧すると、温度が65℃まで上昇した。65℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを単離し、真空オーブン中で80℃において数時間乾燥させた。白色ゴム状固体5.3ｇが単離した（640,000 TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）78℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：分岐47個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝86,000；Mw／Mn＝1.95。実施例43：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)1.0mLを装填した。オートクレーブを70℃に加熱し、ヘプタン中MMAO２mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した。反応器をエチレンで100psigまで急速に加圧すると、温度が800Cまで上昇した。80℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを単離し、真空オーブン中で80℃において数時間乾燥させた。白色ゴム状固体3.5ｇが単離した（440,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）67℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：分岐53個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝87,000；Mw／Mn＝1.66。実施例44：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合レーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.5mLを装填した。オートクレーブを40℃に加熱し、ヘプタン中MMAO２mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した。反応器をエチレンで100psigまで急速に加圧すると、温度が50℃まで上昇した。50℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを単離し、真空オーブン中で80℃において数時間乾燥させた。白色ゴム状固体2.4ｇが単離した（700,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）46℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：分岐75個／炭素原子1000 個。GPC：Mn＝966,000；Mw／Mn＝1.70。実施例45：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を80℃で行う以外は、実施例44に記載した操作に従った。白色ゴム状固体 1.4ｇが単離した（400,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）０℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：分岐95個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝406,000；Mw／Mn ＝2.05。実施例46：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を65℃で行う以外は、実施例44に記載した操作に従った。白色ゴム状固体 2.15ｇが単離した（630,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）15℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：分岐89個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝502,000；Mw／Mn ＝1.78。実施例47：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を25℃で行う以外は、実施例44に記載した操作に従った。白色ゴム状固体 1.9ｇが単離した（560,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）90℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：分岐33個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝839,000；Mw／Mn ＝1.37。実施例48：MAOの存在下における２，３−ビス（フェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いた、エチレンのα−オレフィンへのオリゴマー化機械的撹拌機ならびに気体及び液体供給口を装着した圧力ヘッドに１リットルのフィッシャーポーター（Fischer-Porter）ボトルを取り付け、次いでエチレン 75psigまで加圧し且つ周囲圧力に開放する操作を７回行った。ボトルを21.5℃の水浴に浸漬し、次いでシリンジによって乾燥脱酸素化トルエンを50mL、次に２，３−ビス（フェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体15 .3mgのジクロロメタン15.0mL中原液を100μＬ、次にトルエンを更に50mL添加した。混合物を75psigエチレン下で300rpmにおいて５分間撹拌して、溶液をエチレンで飽和させ、次いで圧力を開放し、MAOトルエン中10重量％溶液4.0mLを素早く添加した。直ちに、フラスコをエチレン75psigまで再加圧し、300rpmにおいて撹拌した。30分後、圧力を開放し、反応をメタノール10mLの添加によって急冷した。装置を分解した後、メタノールを更に40mL，6N HCl水溶液を50mL及びアセトンを10mL添加し、MAOの加水分解を完了させるために混合物を撹拌した。得られた有機層を分離し、6N HCl水溶液（１×25mL）及び水（２×50mL）で洗浄し、次いで減圧下（15トル）で40℃において濃縮して、オイルを得た。これをトルエン（50mL）で処理し且つ再濃縮する操作を２回行い、次いでアセトン（50mL）で処理し、そして再濃縮して、ワックス状白色ポリエチレン固体を得た。100℃、2 50mmHgにおいて14時間減圧乾燥して、ポリマー0.180ｇを得た。Mn近似値＝517。概算でα−オレフィン85％及び内部オレフィン15％を含む。実施例49：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロベンゾ［１，４］ジチインのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLのナシ形状のシュレンクフラスコに乾燥脱酸素化トルエン100mLを装着した。フラスコを水浴中に入れ、１気圧のエチレンと10分間平衡させ、次いで乾燥脱酸素化ジクロロメタン13.11ｇ中２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロベンゾ［１，４］ジチインのニッケルジブロミド錯体10.2mgから調整した原液0.25mLを添加した。次いで、反応混合物をMAOのトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。エチレン吸収量及びポリエチレン沈澱の形成を観察した。6.5分後、混合物をアセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液(100mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを真空濾過によって単離し、次いで80℃において数時間減圧乾燥した。白色粉末状ポリエチレン287mgが単離した（236,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）88℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMRは、この物質が炭素原子1000個当たり分岐を約36個含むことを示した。GPC：Mn＝145,000；Mw／Mn ＝2.35。実施例50：２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−１，４− ジチアン及び［Pd(NCCH₃)₄][BF₄]₂からその場で形成された触媒を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLのナシ形状のシュレンクフラスコに、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−１，４−ジチアン0.022ｇ及び[Pd(NCCH₃)₄][BF₄]₂0.019ｇを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化ジクロロメタン100mLをシリンジによって添加し、得られた混合物を１気圧のエチレン下、25℃において撹拌した。エチレン吸収はほとんど観察されなかった。10分後B(C₆F₅)₃0.412ｇを添加すると、エチレン吸収率が増加した。合計84分後、窒素流下でジクロロメタンを蒸発させ、残渣をメタノールで繰り返し洗浄してB(C₆F₅)₃を抽出し、残渣を減圧乾燥することによって反応を処理して、非晶質ポリエチレン0.57ｇを得た。Mn近似値＝17 ,000；Mw／Mn＝1.3。¹H NMRは炭素原子1000個当たり約105個の分岐を示した。実施例51：MAOの存在下における２，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合シュレンクアダプター及び電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした500mL丸底フラスコを排気し、火炎乾燥し、次いでエチレンを再充填した。フラスコを室温（約23℃）の水浴に入れ、次いで乾燥脱酸素化トルエン100mLを装填して、１気圧のエチレンと30分間平衡させた。次いで、反応混合物をMAOのトルエン中10重量％の溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌し、次に原液（２，３− ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体6.3mg及びジクロロメタン6.5mLから調製）0.10mLを添加した。10分後、反応混合物を、アセトン、メタノール6N HCl水溶液の添加によって急冷した。分離したポリエチレンを真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンで洗浄し、フィルター上で２時間乾燥させ、次いでさらに80℃の真空オーブン中で13日間乾燥させた。白色ポリエチレン182mgを単離した（254,0 00TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）124℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐13個。GPC：Mn＝145,600；Mw／Mn＝2.6。実施例52：(CH₃CH₂)₂AlClの存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.5mLを装填した。オートクレーブを45℃に加熱し、トルエン中(CH₃CH₂)₂AlCl２mL（5000当量）を添加した。反応器を100psigに素早く加圧すると、温度が50℃に上昇した。50℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを濾過によって単離し、80℃の真空オーブン中で数時間乾燥して、白色ゴム状固体(560,000TO／ｈ)1.9ｇを生成した。DSC：（２回目の加熱）30 ℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐87個。 GPC：Mn＝557,000；Mw／Mn＝1.82。実施例53：(CH₃CH₂)₂AlClの存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.5mLを装填した。オートクレーブを45℃に加熱し、トルエン中(CH₃CH₂)₂AlCl 0.2mL（500当量）を添加した。反応器を100psigに素早く加圧すると、温度が50℃に上昇した。50℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを濾過によって単離し、80℃の真空オーブン中で数時間乾燥して、白色ゴム状固体（590,000TO／ｈ）２ｇを生成した。DSC：（２回目の加熱）30 ℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐85個。 GPC：Mn＝515,000；Mw／Mn＝1.81。実施例54:(CH₃CH₂)₂AlClの存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.5mLを装填した。オートクレーブを45℃に加熱し、トルエン中(CH₃CH₂)₂AlCl 0.04mL（100当量）を添加した。反応器を100psigに素早く加圧すると、温度が50℃に上昇した。50℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを濾過によって単離し、80℃の真空オーブン中で数時間乾燥して、白色ゴム状固体(440,000TO／ｈ)1.5ｇを生成した。DSC：（２回目の加熱）2 9℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐80個。GPC：Mn＝422,000；Mw／Mn＝1.97。実施例55：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンとエチルウンデセノエートとの共重合撹拌棒及びゴム隔膜を装着した火炎乾燥シュレンクフラスコにトルエン50mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体５mgを装填した。フラスコを氷水浴で０℃に冷却しエチレン（１気圧）を充填した。このフラスコにヘプタン中MMAO 2.0mL（アルミニウム 6.42重量％）を添加した。５秒以内にエチルウンデセノエート５mLを添加して紫色の溶液を生成した。混合物を16時間撹拌した。アセトン、メタノール及び6M H Clを添加して反応を急冷し、ポリマーを沈澱させた。ポリマーを吸引濾過によって採取し、エチルウンデセノエートコモノマーが全て確実に除去されるように、多量のアセトンで洗浄して白色粉末ポリマー100mgを生成した。NMR分光分析はエステル結合含有コポリマーの製造と一致していた。さらに、エチルウンデセノエートの添加の前の短い反応時間から生じたエチレンホモポリマーが存在していた。¹H NMR：エチルウンデセノエート7.5重量％が取り込まれた。GPC：Mn＝9500； Mw／Mn＝16.6。DSC：Tm＝128℃。実施例56：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンと１，13−テトラデカジエンとの共重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLのナシ形状のシュレンクフラスコを真空下で火炎乾燥し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン50 mL、脱酸素化１，13−テトラデカジエン6.0mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体11.8mgの乾燥脱酸素化ジクロロメタン10.0mL中原液1.0mLを順次装填した。フラスコを23 ℃の水浴中に入れ、１気圧のエチレンと５分間平衡させ、次いでMAOのトルエン中１０重量％溶液4.0mLを添加し、混合物を１気圧のエチレン下で撹拌した。エチレン吸収量を観察した。混合物は急速により粘稠になった。７分後、反応をアセトン（50mL）、メタノール(50mL)及び6N HCl水溶液(100mL)の添加によって急冷した。分離したコポリマーを真空濾過によって単離し、100℃で24時間減圧乾燥させて、ゴム状白色ポリマー0.72ｇを得た。これは、熱ｏ−ジクロロベンゼンに再溶解をしようとした時にゲルを形成した。実施例57：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLのナシ形状のシュレンクフラスコに２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体3.4mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン75mLを装填した。得られた懸濁液を０℃に冷却し、１気圧のエチレンと15分間平衡させ、次いでMAOのトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。白色ポリエチレン沈澱（かすかな黄橙色の色合いを帯びている）が数分以内に観察された。38分後に、混合物をアセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液(100mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを、真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンによって洗浄し、次いで減圧下(0.05〜0.1mmHg)で18時間乾燥して、白色ポリエチレン(54,000TO／ｈ)6.0ｇを生成した。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐19個。GPC：Mn＝504,000；Mw／ Mn＝2.3。実施例58：MAOの存在下における２，３−ビス（ベンジルオキシメチル）−５，６−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合シュレンクアダプター及び電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした500mL丸底フラスコに乾燥脱酸素化トルエン100mLを装填した。フラスコを水浴に入れ、１気圧のエチレンと19分間平衡させ、次いで、２，３−ビス（ベンジルオキシメチル）−５，６−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体10.0mg及びジクロロメタン10.0mLから調製した原液 0.25mLを添加した。次いで、反応混合物をMAOのトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、Ｉ気圧のエチレン下で撹拌した。エチレンの吸収量及びポリエチレン沈澱の形成を観察した。6.5分後、混合物をアセトン、メタノール6N HCl水溶液の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを、真空濾過によって単離し、次いで80℃において数時間減圧乾燥した。白色ポリエチレン(404,000TO／ｈ)3 92mgを単離した。DSC：（２回目の加熱）120℃に吸熱極大を有するメルト。¹H N MR：炭素原子1000個当たり分岐16個。GPC：Mn＝125,000；Mw／Mn＝2.8。実施例59：MAOの存在下における５−メトキシメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLナシ形状のシュレンクフラスコに５−メトキシメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体3.8mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン75mLを装着した。得られた懸濁液を０℃に冷却し、１気圧のエチレンと15分間平衡させ、次いでMAOのトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。10分後に、混合物をアセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液(100mL )の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを、真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンによって洗浄し、次いで減圧下(0.05〜0.1mm Hg)で48時間乾燥して、白色ポリエチレン1.04ｇを生成した。また０℃における同様な反応を、５−メトキシメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体11.6mgのジクロロメタン13.238ｇ中原液0.655ｇ（ニッケル錯体0.57mgに相当）を用いて行って、15 分間の反応後に白色粉末ポリエチレン291mgを得た。実施例60：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合トクレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.3mLを装填した。オートクレーブを60℃に加熱し、ヘプタン中MMAO２mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した。反応器を100psigに素早く加圧すると、温度が65℃に上昇した。65℃において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを濾過によって単離し、80℃の真空オーブン中で数時間乾燥した。白色ゴム状固体1.3ｇを単離した（480,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）76℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐33個。GPC：Mn＝42,000；Mw／Mn＝1 .82。実施例61：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を25℃において行う以外は実施例60に記載した操作に従って、ポリエチレン0.59ｇを生成した（226,000TO／ｈ）。DSC：(２回目の加熱)125℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐９個。GPC：Mn＝237,000； Mw／Mn＝2.15。実施例62：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を80℃において行う以外は実施例60に記載した操作に従って、ポリエチレン0.29ｇを生成した（110,000TO／ｈ）。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐69 個。GPC：Mn＝23,000；Mw／Mn＝1.65。実施例63：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を50℃において行う以外は実施例60に記載した操作に従って、ポリエチレン3.1ｇを生成した（1,200,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）95℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐48個。GPC：Mn＝63,000；Mw／Mn＝1.92。実施例64：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンをパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 10mL中10mg)0.5mLを装填した。オートクレーブを60℃に加熱し、ヘプタン中MMAO２mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した。反応器を素早く100psigに加圧すると、温度が65℃に上昇した。65℃ において10分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを濾過によって単離し、80℃の真空オーブン中で数時間乾燥した。白色ゴム状固体2.5ｇを単離した（660,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）30℃に吸熱極大を有する幅広いメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐82個。GPC：Mn＝147,000；Mw／Mn＝1.91。実施例65：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を50℃において行う以外は実施例64に記載した操作に従って、ポリエチレン3.4ｇを生成した（900,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）50℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：炭素原子10 00個当たり分岐65個。GPC：Mn＝219,000；Mw／Mn＝1.85。実施例66：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を25℃において行う以外は実施例64に記載した操作に従って、ポリエチレン1.22ｇを生成した（320,000TO／ｈ）。DSC：(２回目の加熱)112℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐17個。GPC：Mn＝476,000； Mw／Mn＝2.02。実施例67：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合重合を80℃において行う以外は実施例64に記載した操作に従って、ポリエチレン0.9ｇを生成した（240,000TO／ｈ）。DSC：（２回目の加熱）−10℃に吸熱極大を有するメルト。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐99個。GPC：Mn＝98,800 ；Mw／Mn＝1.81。実施例68：MMAO（23％イソブチルアルミノキサン）の存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンとエチルウンデセノエートとの共重合撹拌棒及びゴム隔膜を装着した火炎乾燥シュレンクフラスコにトルエン50mL及び2，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体６mgを装填した。フラスコを氷水浴で０℃に冷却し、エチレン（１気圧）を充填した。フラスコにヘプタン中MMAO 2.0mL（アルミニウム 6.42重量％）を添加した。15秒以内に、エチルウンデセノエート2.5mLを添加して、紫色の溶液を生成した。混合物を16時間撹拌した。アセトン、メタノール及び6M HClを添加して、反応を急冷し、ポリマーを沈澱させた。ポリマーを吸引濾過によって採取し、エチルウンデセノエートコモノマーを全て確実に除去するために多量のアセトンで洗浄して、白色粉末ポリマー510mgを生成した。NMR分光分析は、エステル基含有コポリマーの製造と一致している。さらに、エチルウンデセノエートの添加の前の短い反応時間から生じたエチレンホモポリマーが存在していた。IR：1742cm^-1にCO伸縮。¹H NMR：エチルウンデセノエート1.0重量％が取り込まれた。GPC：Mn＝61,000；Mw／Mn＝6.4.DSC：Tm＝125℃。実施例69：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−４−メチルモルホリンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合機械的撹拌機ならびに気体及び液体供給口を装着した圧力ヘッドに１リットルのフィッシャーポーター（Fischer-Porter）ボトルを取り付け、次いでエチレン 75psigまで加圧し且つ周囲圧力に開放する操作を７回行った。ボトルを54℃の水浴に浸漬し、次いでシリンジによって乾燥脱酸素化トルエン100mLを添加した。混合物をエチレンで75psigに再加圧し、300rpmにおいて５分間撹拌して、溶液をエチレンで飽和させ、次いで圧力を開放し、MAOのトルエン中10重量％溶液4.0mL を素早く添加した。再び、装置をエチレン75psigまで再加圧し、エチレンによる飽和を確実にするために、300rpmでさらに５分間撹拌した。もう一度、周囲圧力まで圧力を開放し、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）− ４−メチルモルホリンのニッケルジブロミド錯体10.0mg及びジクロロメタン10mL から調製した原液0.5mLを素早く添加し、系をエチレンでもう一度75psigまで素早く加熱した。７分後、圧力を大気圧まで開放し、反応をメタノール５mLの添加によって急冷した。装置を分解した後、メタノールを更に50mL、6N HCl水溶液50mL及びアセトン20mLを添加した。得られた有機層を分離し、6N HCl水溶液（１×25mL）及び水（２×50mL）で洗浄し、次いで、減圧下（10トル）で40℃において回転蒸発によって濃縮した。次いで、残渣をトルエン（50mL）で処理し、再濃縮して、非常にゴム状の透明なポリエチレン134mgを生成した。（55,000TO／ｈ）。¹H NMR：分岐134個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝ 169,000；Mw／Mn＝1.4。実施例70：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−４−メチルモルホリンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合クレーブを最初に高真空下で約100℃に加熱した。反応器を冷却し、アルゴンでパージした。アルゴン雰囲気下において、オートクレーブにトルエン150mL及び２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−４−メチルモルホリンのニッケルジブロミド錯体の原液(CH₂Cl₂ 20mL中10mg)１mLを装填した。オートクレーブを45℃に加熱し、ヘプタン中MMAO３mL（アルミニウム6.42重量％）を添加した。反応を素早く100psigに加圧すると、温度が50℃に上昇した。50℃において1 0分後、反応をアセトン及びメタノールの添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを濾過によって単離し、80℃の真空オーブン中で数時間乾燥させて、白色ゴム状固体0.87ｇが得られた（138,000TO／ｈ）。¹H NMR：炭素原子1000 個当たり分岐97個。実施例71：MAOの存在下における１，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）−４，５−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）イミダゾリジン−２−オンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合シュレンクアダプター及び電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした500mL丸底フラスコを排気し、火炎乾燥し、次いで、エチレンを再充填した。フラスコを室温（約23℃）の水浴に入れ、次いで乾燥脱酸素化トルエン100mLを装填し、1000r pmで撹拌しながら、１気圧のエチレンと30分間平衡させた。次いで、反応混合物をMAOのトルエン中10重量％の溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌し、次に１，３−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニル）−４，５−ビス（４−メトキシ−２，６−ジメチルフェニルイミノ）イミダゾリジン−２−オンのニッケルジブロミド錯体6.0mg及びジクロロメタン6.0mLから調製した原液0. 10mLを添加した。約７分20秒後、原液を更に0.25mL添加した。さらに15分後、反応混合物をアセトン、メタノール及び6N HCl水溶液の添加によって急冷した。分離したポリエチレンを、真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンで洗浄し、フィルター上で２時間乾燥し、次に80℃の真空オーブン中でさらに13 日間乾燥させて、白色ポリエチレン172mgを得た。DSC：（２回目の加熱）124℃ に吸熱極大を有するメルト。¹H NMRは、この材料が分岐約18個／炭素原子1000個を含むことを示した。GPC：Mn＝56,500；Mw／Mn＝3.55。実施例72：MAOの存在下における１，３−ビス（２，６−ジメチルフェニル）− ４，５−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）イミダゾリジン−２−オン、（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ブロミド及び銀テトラフルオロボレートの反応生成物を用いたエチレンの重合シュレンクアダプターを装着し、隔膜で蓋をし且つ電磁撹拌棒を装着した500m L丸底フラスコに乾燥脱酸素化トルエン100mLを装填した。フラスコを水浴に入れ、１気圧のエチレンと10分間平衡させ、次いで原液１，３−ビス（２，６−ジメチルフェニル）−４，５−ビス（２，６−ジメチルフエニルイミノ）イミダゾリジン−２−オン、（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ブロミド及び銀テトラフルオロボレートの乾燥脱酸素化ジクロロメタン10mL中反応生成物240mgから新しく調製）0.10mLを添加した。次いで、反応混合物をMAOのトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。エチレン吸収量及びポリエチレン沈澱の形成を観察した。 6.33分後、反応混合物をアセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液(100mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを、真空濾過によって単離し、次に80℃において数時間真空乾燥した。白色粉末ポリエチレン86 0mgが単離された(87,000TO／ｈ)。¹H NMR：分岐15個／炭素原子1000個。GPC：Mn ＝76,000；Mw／Mn＝2.6。実施例73：テトラキス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジン、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）及びHB(Ar)₄（Ar＝３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）からその場で生成した触媒を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした250mLナシ形状のシュレンクフラスコにビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル(０)8.0mg、Ｎ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴ −テトラキス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジン19mg及びHB(Ar)₄ のエーテル溶媒和物33mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで、乾燥脱酸素化トルエン75mLを装填した。得られた黄色溶液をエチレン下で０℃において30分間撹拌し、次いで25℃に加温し、エチレン下でさらに30分間撹拌した後、アセトン（50mL）及びメタノール（50mL）の添加によって急冷した。分離したポリエチレンを、真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンによって洗浄し、次いで減圧下(0.5mmHg)で14時間乾燥させて、白色弾性ポリエチレン0.70ｇを生成した（平均860TO／ｈ）。¹H NMR：炭素原子1000個当たり分岐83個。GPC：Mn ＝173,000；Mw／Mn＝2.8。実施例74：MAOの存在下における１，４−ジメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）ピペラジンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をされた250mLナシ形状のシュレンクフラスコに１，４−ジメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）ピペラジンのニッケルジブロミド錯体10.4mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで、乾燥脱酸素化トルエン75mLを装填した。得られた懸濁液を０℃に冷却し、１気圧のエチレンと15分間平衡させ、次いでMAOのトルエン中1 0重量％溶液4.0mLで処理した。得られた黄色溶液をエチレン下で０℃において１時間撹拌し、次いでアセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液(1 00mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを、真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンによって洗浄し、次いで減圧下(0.5mmHg )で14時間乾燥させて、透明な弾性ポリエチレン1.3ｇを生成した(2531TO／ｈ)。¹ H NMR：炭素原子1000個当たり分岐91個。GPC：Mn＝127,000；Mw／Mn＝1.3。実施例75：錯体XXXVを用いたエチレン重合撹拌棒及びゴム隔膜を装着した火炎乾燥シュレンクフラスコに、塩化メチレン 50mL及びパラジウム錯体XXXV 50mgを装填した。フラスコをエチレン雰囲気下（１気圧）に置いた。混合物を20時間撹拌した。アセトン及びメタノールを添加して、反応を急冷し、ポリマーを沈澱させた。ポリマーを採取し、減圧乾燥して、粘着性ポリマー2.6ｇを生成した。NMR分光分析は、エチレンホモポリマーの製造と一致している。¹H NMR：高分岐ポリエチレン。GPC：Mn＝34,000；Mw／Mn＝2 .5。DSC：Tm＝−39℃、Tg＝−69℃。実施例76：錯体XXXVを用いたプロピレン重合撹拌棒及びゴム隔膜を装着した火炎乾燥シュレンクフラスコに、塩化メチレン 50mL及びパラジウム錯体XXXV 50mgを装填した。フラスコをプロピレン雰囲気下（１気圧）に置いた。混合物を20時間撹拌した。アセトン及びメタノールを添加して、反応を急冷し、ポリマーを沈澱させた。ポリマーを採取し、減圧乾燥して、粘着性ポリマー580mgを生成した。¹H NMR：分岐192個／炭素原子1000個。GPC ：Mn＝17,000；Mw／Mn＝2.08。DSC：Tg＝−53℃。実施例77：錯体XXXVを用いたエチレン／ビニルエチレンカーボネート共重合アルゴン充填グローブボックス内で、電磁撹拌棒を装着し且つゴム隔膜で蓋をされた200mLの火炎乾燥ナシ形状のシュレンクフラスコに、（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンPd(II)触媒XXXV(100mg)を装填した。グローブボックスから取り出して、フラスコと排気し、エチレンを充填し戻した。触媒をCH₂Cl₂（25mL）に溶解し、直ちにビニルエチレンカーボネート（５ mL）で処理した。得られた橙色溶液をエチレン雰囲気下（１気圧）で23℃において20時間撹拌した。少量のポリマーが溶液から沈澱した。重合をMeOH及びアセトンで冷却すると、灰色の油がフラスコの壁に付着したままであった。ポリマーをアセトン及びMeOHで数回洗浄して、残りのモノマーを全て除去した。ポリマーを CH₂Cl₂に溶解させ、貯蔵ジャーに移した。溶媒を蒸発させ、得られた油状ポリマーを約80℃において３日間減圧乾燥して、粘着性固体(2.15ｇ、1100TO)を生成した。¹H NMRは概算でエチレンモノマー単位96.5重量％及びビニルエチレンカーボネートモノマー単位4.5重量％を含むコポリマーと一致していた；Mn＝40,200ｇ／モル；Mw＝92,100ｇ／モル；DSC：T g＝−68℃；Tm＝−38℃。実施例78：錯体XXXVを用いたエチレン／ビニルエチレンカーボネート共重合アルゴン充填グローブボックス内で、電磁撹拌棒を装着し且つゴム隔膜で蓋をされた200mLの火炎乾燥ナシ形状のシュレンクフラスコに、（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンPd(II)触媒XXXV(100mg)を装填した。グローブボックスから取り出して、フラスコと排気し、エチレンを充填し戻した。触媒をCH₂Cl₂（20mL）に溶解させ、直ちにビニルエチレンカーボネート（ 10mL）で処理した。得られた橙色溶液をエチレン雰囲気下（１気圧）で23℃において28時間撹拌した。少量のポリマーが溶液から沈澱した。重合をMeOH及びアセトンで冷却すると、灰色の油がフラスコの壁に付着したままであった。ポリエチレンをCH₂Cl₂に溶解し、貯蔵ジャーに移した。溶媒を蒸発させ、得られた油状ポリマーをアセトン及びMeOHで数回洗浄して、残りのモノマーを全て除去し、約80 ℃において１日減圧乾燥させて、粘着性固体（1.15ｇ、613TO）を生成した。¹H NMRは概算でエチレンモノマー単位95.5重量％及びビニルエチレンカーボネートモノマー単位4.5重量％を含むコポリマーと一致していた；Mn＝15,400ｇ／モル；Mw＝96,000ｇ／モル；DSC：Tg＝−64℃；Tm＝−31℃。実施例79：２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着したシュレンクフラスコに、アルゴン雰囲気下において２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）−［１，４］ジオキサン(0 .25ミリモル)100mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド（0.23ミリモル）71mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（15mL）を添加し、混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌すると、約10分以内に赤茶色になった。２時間後、トレース量の未反応（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミドを除去するために、赤／橙色の溶液をフィルターカニューレによって新しい火炎乾燥シュレンクに移した。CH₂Cl₂を減圧下で除去した。得られた赤茶色固体をヘキサン２×10mLで洗浄し、固体を数時間減圧乾燥させて、茶色固体80mgを生成した。実施例80：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロイミダゾ［２，１−ｂ］チアゾールの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋をされた還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド752mg、水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)200mg、乾燥テトラヒドロフラン5.0mL及び２−メルカプトイミダゾール250mgを装填した。混合物を還流させながら120分加熱した。冷却後、混合物を水及びジクロロメタンで希釈し、有機層を分離し、濃縮して、黄橙色油を生成した。カラムクロマトグラフィー（SiO₂，Merck Grade 9385 230〜400メッシュ、60Å；ヘキサン中12ｖ％酢酸エチル）によって、黄橙色固体487mgが得られた。ヘプタンからの再結晶によって、黄橙色角柱366mgが得られた。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、360m／ｚに親イオンピークを示した。実施例81：Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）エタンジイミドセレン酸ジフェニルエステルの製造電磁撹拌棒及び窒素入り口で蓋をされた還流冷却器を装着した50mL丸底フラスコに、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）オキサロジイミドイルジクロリド961mg、水素化ナトリウム(60％ミネラルオイル分散液)287mg、乾燥テトラヒドロフラン8.2mL及びベンゼンセレノール0.068mgを装填した。混合物を還流させながら45分間加熱した。冷却後、混合物を水及びジエチルエーテルで希釈した。エーテル層を分離し、再び水で洗浄し、次いで減圧濃縮して、黄橙色結晶固体を生成した。固体を熱ヘキサンに溶解させ、次いで濾過し、次に再濃縮した。ヘプタンからの再結晶によって、橙色角柱745mgが得られた。（１回目の収量）。フィールド・ディソープション・マススペクトロメトリーは、570〜578ｍ／ｚに親イオンクラスターを示した。する化学シフト(ppm)）：1.95(12p,s)，6.75(6p,app s)，7.02〜7.20(6p,m)，7. 39〜7.48(4p,m)。実施例82：Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）エタンジイミドセレン酸ジフェニルエステル、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）及びHB(Ar)₄（Ar＝３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）からその場で生成した触媒を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした250mLナシ形状のシュレンクフラスコに、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）５mg、Ｎ¹，Ｎ²−ビス（２，６−ジメチルフェニル）エタンジイミドセレン酸ジフェニルエステル10mg 及びHB(Ar)₄のエーテル溶媒和物25mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン45mLを装填した。生成された黄色溶液をエチレン下で21℃において10分間撹拌し、次いでメタノール（50mL）の添加によって急冷した。分離したポリエチレンを真空濾過によって単離し、メタノールで洗浄し、次いで、減圧下で(0.5mmHg)14時間乾燥して、青緑色弾性ポリエチレン0.060ｇを生成した。¹H NMR：分岐24個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝181,000 ；Mw／Mn＝3.5。実施例83：２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロイミダゾ［２，１−ｂ］チアゾールのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに、不活性雰囲気下において２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３− ジヒドロイミダゾ［２，１−ｂ］チアゾール141mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド110mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタンをさらに５mL添加した。混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌した。１時間後、ジクロロメタンをさらに５mL添加した。混合物を21℃においてさらに16時間撹拌し、次いで乾燥脱酸素化ヘキサン10mLで希釈し、さらに３時間撹拌した。先端に濾紙を付けたカニューレによって上澄み液を除去し、残渣を１mmHgにおいて減圧乾燥させて、茶色の微晶質固体66mgを生成した。実施例84：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロイミダゾ［２，１−ｂ］チアゾールのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLナシ形状のシュレンクフラスコに、２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロイミダゾ［２，１−ｂ］チアゾールのニッケルジブロミド錯体2.5mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで、乾燥脱酸素化トルエン75mLを装着した。得られた懸濁液を21℃において15分間１気圧のエチレンと平衡させ、次いでMAOのトルエン中10重量％溶液200μＬで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。21分後、反応をアセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液 (100mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンで洗浄し、次いで減圧下で(0.05〜0.1mmHg)24時間乾燥させて、白色ポリエチレン198mgを生成した。¹H NMR：分岐13個／炭素原子1000個。GPC：双峰性、Mn＝23,000；Mp＝366,000；Mw／Mn＝13.5。実施例85：Ｎ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジンのニッケルジブロミド錯体の製造電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした50mLのシュレンクフラスコに、不活性雰囲気下においてＮ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジン100mg及び（１，２−ジメトキシエタン）ニッケル（II）ジブロミド55mgを装填した。乾燥脱酸素化ジクロロメタン（５mL）を添加し、混合物をアルゴン雰囲気下で撹拌した。１時間後に、ジクロロメタンをさらに５mL添加した。混合物を21℃においてさらに16時間撹拌し、次いで乾燥脱酸素化ヘキサン10mLで希釈し、さらに３時間撹拌した。濾紙を先端に付けたカニューレによって上澄み液を除去し、残渣を１mmHgにおいて減圧乾燥させて、薄茶色結晶95mgを生成した。実施例86：MAOの存在下におけるＮ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLナシ形状のシュレンクフラスコに、Ｎ¹，Ｎ²，Ｎ³，Ｎ⁴−テトラキス（２，６−ジメチルフェニル）オキサルアミジンのニッケルジブロミド錯体2.4mgを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで、乾燥脱酸素化トルエン75mLを装着した。得られた懸濁液を21℃において15分間１気圧のエチレンと平衡させ、次いでMAOのトルエン中10 重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。30分後、反応をアセトン（50mL）、メタノール（50mL）及び6N HCl 水溶液(100mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤ポリエチレンを真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンで洗浄し、次いで減圧下で(0.05 〜0.1mmHg)24時間乾燥させて、白色ポリエチレン743mgを生成した。¹H NMR：分岐112個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝330,000；Mw／Mn＝1.4。実施例87：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンと１−ペンテンとの共重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLナシ形状のシュレンクフラスコに、ジクロロメタン10.0mL中２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ） −［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体12.4mgの原液0.5mLを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン100mL 及び１−ペンテン5.0mLを装着した。得られた懸濁液を０℃に冷却し、１気圧のエチレンと平衡させ、次いでMA0のトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。45分後、反応をアセトン（50mL）、メタノール（50 mL）及び6N HCl水溶液(100mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤コポリマーを真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンで洗浄し、次いで減圧下(255mmHg)で100℃において24時間乾燥させて、白色コポリマー2.0ｇを得た。¹H NMR：分岐24個／炭素原子1000個。¹³C NMR：メチル分岐7.6個／炭素1000個、エチル分岐1.2個／炭素1000個、プロピル分岐9.1個／炭素1000個、ブチル分岐 2.1個／炭素1000個、ペンチル分岐及びそれより高級のアルキル分岐3.4個／炭素 1000個。GPC：Mn＝274,000；Mw／Mn＝2.3。実施例88：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンと１−ヘプテンとの共重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした200mLナシ形状のシュレンクフラスコに、ジクロロメタン10.0mL中２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ） −［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体12.4mgの原液0.5mLを装填した。フラスコを排気し、エチレンを再充填し、次いで乾燥脱酸素化トルエン100mL 及び１−ヘプテン5.0mLを装着した。得られた懸濁液を０℃に冷却し、１気圧のエチレンと15分間平衡させ、次いでMAOのトルエン中10重量％溶液4.0mLで処理し、１気圧のエチレン下で撹拌した。33分後、混合物をアセトン（50mL)、メタノール（50mL）及び6N HCl水溶液(100mL)の添加によって急冷した。分離した膨潤コポリマーを真空濾過によって単離し、水、メタノール及びアセトンで洗浄し、次いで減圧下(255mmHg)で100℃において24時間乾燥させて、白色コポリマー1.25 ｇを得た。¹H NMR：分岐19個／炭素原子1000個。¹³C NMR：メチル分岐5.9個／炭素1000個、エチル分岐１個未満／炭素1000個、プロピル分岐１個未満／炭素1000 個、ブチル分岐1.8個／炭素1000個、ペンチル分岐及びそれより高級のアルキル分岐11.5個／炭素1000個。GPC：Mn＝223,000；Mw／Mn＝2.3。実施例89：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体を用いたエチレンと１−ヘキセンとの共重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした22mLバイアルに、アルゴン下で２，３ −ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−［１，４］ジチアンのニッケルジブロミド錯体1.8mg、１−ヘキセン4.0mL及びMAOのトルエン中10重量％溶液2.0mL を逐次装填した。得られた紫色混合物は数分以内に著しく粘度を増した。34分後、反応をアセトン、メタノール及び6N HCl水溶液で急冷し、分離したポリヘキセンを濾別し、減圧下で(0.4mmHg)乾燥して、弾性ポリヘキセン428mgを得た。¹ H NMR：分岐173個／炭素原子1000個。GPC：Mn＝92,000；Mw／Mn＝2.0。実施例90：MAOの存在下における２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロイミダゾ［２，１−ｂ］チアゾールのニッケルジブロミド錯体を用いた１−ヘキセンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした22mLバイアルに、アルゴン下で２，３ −ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）−２，３−ジヒドロイミダゾ［２，１−ｂ］チアゾールのニッケルジブロミド錯体2.1mg、１−ヘキセン4.0mL及びMA Oのトルエン中10重量％溶液2.0mLを逐次装填した。得られた暗紫−茶色混合物は 10〜20分以内に著しく粘度を増した。53分後、反応をアセトン、メタノール及び 6N HCl水溶液で急冷し、分離したポリヘキセンを濾別し、減圧下で(0.4mmHg)乾燥して、弾性ポリヘキセン283mgを得た。¹H NMR：分岐110個／炭素原子1000個。 GPC：Mn＝91,000；Mw／Mn＝1.9。実施例91：MAOの存在下における１，４−ジメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）ピペラジンのニッケルジブロミド錯体を用いた１−ヘキセンの重合電磁撹拌棒を装着し且つ隔膜で蓋をした22mLバイアルに、アルゴン下で１，４ −ジメチル−２，３−ビス（２，６−ジメチルフェニルイミノ）ピペラジンのニッケルジブロミド錯体2.1mg、１−ヘキセン4.0mL及びMAOのトルエン中10重量％溶液2.0mLを逐次装填した。得られた透明な黄色溶液を23℃において400分間撹拌し、次いで反応をアセトン、メタノール及び6N HCl水溶液で急冷し、分離したポリヘキセンを濾別し、減圧下で(0.4mmHg)乾燥して、弾性ポリヘキセン408mgを得た。¹H NMR：分岐90個／炭素原子1000個。GPC ：Mn＝47,000；Mw／Mn＝1.7。前記教示に鑑みて本発明の多くの変更及び変形が可能なことは明らかである。従って、添付した「請求の範囲」の範囲内において、本明細書中に記載したのと異なる方法で本発明を実施できることを理解されたい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ 15/04 15/04 Ｃ０８Ｆ 4/80 Ｃ０８Ｆ 4/80 10/00 10/00 (31)優先権主張番号６０／０４２，９２５ (32)優先日平成９年４月４日(1997．4．4) (33)優先権主張国米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号６０／０４３，４０６ (32)優先日平成９年４月４日(1997．4．4) (33)優先権主張国米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号６０／０４４，６９１ (32)優先日平成９年４月18日(1997．4．18) (33)優先権主張国米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号６０／０５９，３７２ (32)優先日平成９年９月18日(1997．9．18) (33)優先権主張国米国（ＵＳ） (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＡ，ＣＮ，ＪＰ，ＭＸ (72)発明者キリアン，クリストファームーアアメリカ合衆国，テネシー 37615，グレイ，ヒレンデールロード 1201 (72)発明者ポナシック，ジェイムスアレン，ジュニアアメリカ合衆国，テネシー 37660，キングスポート，ジョンビー．デニスハイウェイ 2601 ＃ 1410 (72)発明者マクデビット，ジェイソンパトリックアメリカ合衆国，ノースカロライナ 27587，ウェイクフォレスト，スリーピーホロウロード 3651

Claims

【特許請求の範囲】１．式RCH＝CHR⁸の化合物から選ばれた１種またはそれ以上のモノマーを、（ａ）適当な金属前駆体及び（ｂ）式Ｘ：（式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成することができ；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルであり；Ｎは窒素を表し；そしてＡ及びＢは各々独立して、ヘテロ原子結合モノラジカル（結合ヘテロ原子は、第15族または第16族から選ばれる）であり、さらに、Ａ及びＢは架橋原子団によって結合させることができる）の配位子、及び場合によっては（ｃ）ブレンステッド酸またはルイス酸を含む触媒と接触させることを含んでなる、オレフィンの回分又は連続重合方法。２．前記の適当な金属前駆体がNi化合物である請求の範囲第１項に記載の方法。３．前記の適当な金属前駆体がCo化合物である請求の範囲第１項に記載の方法。４．前記の適当な金属前駆体がPd化合物である請求の範囲第１項に記載の方法。５．前記の適当な金属前駆体がFe化合物である請求の範囲第１項に記載の方法。６．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第１項に記載の方法。７．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第２項に記載の方法。８．前記モノマーがアクリル酸メチルをさらに含んでなる請求の範囲第４項に記載の方法。９．前記モノマーが酢酸ビニルをさらに含んでなる請求の範囲第４項に記載の方法。 10．ルイス酸を使用し、該ルイス酸がジエチルアルミニウムクロリドである請求の範囲第２項に記載の方法。 11．ルイス酸を使用し、該ルイス酸がメチルアルモキサンである請求の範囲第２項に記載の方法。 12．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジメチルフェニルである請求の範囲第２項に記載の方法。 13．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジイソプロピルフェニルである請求の範囲第２項に記載の方法。 14．重合を不活性溶媒中で行う請求の範囲第２項に記載の方法。 15．前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第14項に記載の方法。 16．前記触媒を固体担体に結合させる請求の範囲第２項に記載の方法。 17．前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第２項に記載の方法。 18．式RCH＝CHR⁸の１種またはそれ以上のモノマーを式XI：（式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して、水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成でき；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれる、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合されることもでき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素またはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の触媒と接触させることを含んでなる、オレフィンの回分または連続重合方法。 19．ＭがNi(II)である請求の範囲第18項に記載の方法。 20．ＭがCo(II)である請求の範囲第18項に記載の方法。 21．ＭがPd(II)である請求の範囲第18項に記載の方法。 22．ＭがFe(II)である請求の範囲第18項に記載の方法。 23．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第18項に記載の方法。 24．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第19項に記載の方法。 25．前記モノマーがアクリル酸メチルをさらに含んでなる請求の範囲第21項に記載の方法。 26．前記モノマーが酢酸ビニルをさらに含んでなる請求の範囲第21項に記載の方法。 27．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジメチルフェニルである請求の範囲第19項に記載の方法。 28．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジイソプロピルフェニルである請求の範囲第19項に記載の方法。 29．重合を不活性溶媒中で行う請求の範囲第19項に記載の方法。 30．前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第29項に記載の方法。 31．前記触媒が固体担体に付着されている請求の範囲第19項に記載の方法。 32．前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第19項に記載の方法。 33．式RCH＝CHR⁸の１種またはそれ以上のモノマーを、式XII：（前記式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して、水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成でき；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれる、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合されることもでき；Ｑはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素であり；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；そしてＹは、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、及び共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸からなる群から選はれる）の化合物を化合物Ｙと化合させることによって形成された触媒と接触させることを含んでなる、オレフィンの回分または連続重合方法。 34．ＭがNi(II)である請求の範囲第33項に記載の方法。 35．ＭがCo(II)である請求の範囲第33項に記載の方法。 36．ＭがPd(II)である請求の範囲第33項に記載の方法。 37．ＭがFe(II)である請求の範囲第33項に記載の方法。 38．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第33項に記載の方法。 39．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第34 項に記載の方法。 40．Ｙがルイス酸であり、該ルイス酸がジエチルアルミニウムクロリドである請求の範囲第34項に記載の方法。 41．Ｙがルイス酸であり、該ルイス酸がメチルアルモキサンである請求の範囲第34項に記載の方法。 42．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジメチルフェニルである請求の範囲第34項に記載の方法。 43．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジイソプロピルフェニルである請求の範囲第34項に記載の方法。 44．重合を不活性溶媒中で行う請求の範囲第34項に記載の方法。 45．前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第44項に記載の方法。 46．前記触媒が固体担体に付着されている請求の範囲第34項に記載の方法。 47．前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第34項に記載の方法。 48．式XIの触媒が以下のもの：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、触媒が式IVまたはVIIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素またはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し；０は酸素を表し；Ｓはイオウを表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）から選ばれる請求の範囲第18項に記載の方法。 49．前記触媒が式Ｉを有する請求の範囲第48項に記載の方法。 50．前記触媒が式IVを有する請求の範囲第48項に記載の方法。 51．前記触媒が式VIIを有する請求の範囲第48項に記載の方法。 52．前記触媒が式XIIIを有する請求の範囲第48項に記載の方法。 53．前記触媒が式XIVを有する請求の範囲第48項に記載の方法。 54．ＭがNi(II)である請求の範囲第49項に記載の方法。 55．ＭがNi(II)である請求の範囲第50項に記載の方法。 56．ＭがNi(II)である請求の範囲第51項に記載の方法。 57．ＭがNi(II)である請求の範囲第52項に記載の方法。 58．ＭがNi(II)である請求の範囲第53項に記載の方法。 59．ＭがNi(II)である請求の範囲第48項に記載の方法。 60．ＭがCo(II)である請求の範囲第48項に記載の方法。 61．ＭがPd(II)である請求の範囲第48項に記載の方法。 62．ＭがFe(II)である請求の範囲第48項に記載の方法。 63．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第59項に記載の方法。 64．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジメチルフェニルである請求の範囲第59項に記載の方法。 65．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジイソプロピルフェニルである請求の範囲第59項に記載の方法。 66．重合を不活性溶媒中で行う請求の範囲第59項に記載の方法。 67．前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第66項に記載の方法。 68．前記触媒が固体担体に付着されている請求の範囲第59項に記載の方法。 69．前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第59項に記載の方法。 70．式XIIの触媒が以下のもの：（式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して、水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成でき；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、触媒が式ＶまたはVIIIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素である）。から選ばれる請求の範囲第33項に記載の方法。 71．前記触媒が式IIを有する請求の範囲第70項に記載の方法。 72．前記触媒が式Ｖを有する請求の範囲第70項に記載の方法。 73．前記触媒が式VIIIを有する請求の範囲第70項に記載の方法。 74．前記触媒が式XVを有する請求の範囲第70項に記載の方法。 75．前記触媒が式XVIを有する請求の範囲第70項に記載の方法。 76．ＭがNi(II)である請求の範囲第71項に記載の方法。 77．ＭがNi(II)である請求の範囲第72項に記載の方法。 78．ＭがNi(II)である請求の範囲第73項に記載の方法。 79．ＭがNi(II)である請求の範囲第74項に記載の方法。 80．ＭがNi(II)である請求の範囲第75項に記載の方法。 81．ＭがNi(II)である請求の範囲第70項に記載の方法。 82．ＭがCo(II)である請求の範囲第70項に記載の方法。 83．ＭがPd(II)である請求の範囲第70項に記載の方法。 84．ＭがFe(II)である請求の範囲第70項に記載の方法。 85．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第81項に記載の方法。 86．前記モノマーがアクリル酸メチルをさらに含んでなる請求の範囲第83項に記載の方法。 87．前記モノマーが酢酸ビニルをさらに含んでなる請求の範囲第83項に記載の方法。 88．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジメチルフェニルである請求の範囲第81項に記載の方法。 89．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジイソプロピルフェニルである請求の範囲第81項に記載の方法。 90．重合を不活性溶媒中で行う請求の範囲第81項に記載の方法。 91．前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第90項に記載の方法。 92．前記触媒が固体担体に付着されている請求の範囲第81項に記載の方法。 93．前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第81項に記載の方法。 94．前記の適当な金属前駆体がニッケル（０）化合物であり、且つ式Ｘの配位子が以下：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、触媒が式VIまたはIXを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもない）から選ばれ且つ共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸と結合する請求の範囲第１項に記載の方法。 95．式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第94項に記載の方法。 96．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジメチルフェニルである請求の範囲第94項に記載の方法。 97．Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジイソプロピルフェニルである請求の範囲第94項に記載の方法。 98．重合を不活性溶媒中で行う請求の範囲第94項に記載の方法。 99．前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第98項に記載の方法。 100. 前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第94項に記載の方法。 101. 式RCH＝CHR⁸の１種またはそれ以上のモノマーを、式：（式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して、水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成でき；Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、触媒が式XXまたはXXIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素をあり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の触媒と接触させることを含んでなるオレフィンの回分または連続重合方法。 102. 前記触媒が式XIXを有する請求の範囲第101項に記載の方法。 103. 前記触媒が式XXを有する請求の範囲第101項に記載の方法。 104. 前記触媒が式XXIを有する請求の範囲第101項に記載の方法。 105. 前記触媒が式XXIIを有する請求の範囲第101項に記載の方法。 106. 前記触媒が式XXIIIを有する請求の範囲第101項に記載の方法。 107. ＭがNi(II)である請求の範囲第101項に記載の方法。 108. ＭがNi(II)である請求の範囲第102項に記載の方法。 109. ＭがNi(II)である請求の範囲第103項に記載の方法。 110. ＭがNi(II)である請求の範囲第104項に記載の方法。 111. ＭがNi(II)である請求の範囲第105項に記載の方法。 112. ＭがNi(II)である請求の範囲第106項に記載の方法。 113. Ｘ^-がBF₄ ^-である請求の範囲第101項に記載の方法。 114. ＭがPd(II)である請求の範囲第101項に記載の方法。 115. Ｘ^-がPF₆ ^-である請求の範囲第101項に記載の方法。 116. 式RCH＝CHR⁸のモノマーが、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１− ヘキセン及び１−オクテンから選ばれる請求の範囲第107項に記載の方法。 117. 前記モノマーがアクリル酸メチルをさらに含んでなる請求の範囲第114 項に記載の方法。 118. 前記モノマーが酢酸ビニルをさらに含んでなる請求の範囲第114項に記載の方法。 119. Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジメチルフェニルである請求の範囲第107項に記載の方法。 120. Ｒ¹及びＲ⁶が２，６−ジイソプロピルフェニルである請求の範囲第107 項に記載の方法。 121. 重合を不活性溶媒中で行う請求の範囲第107項に記載の方法。 122. 前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第121項に記載の方法。 123. 前記触媒を固体担体に結合させる請求の範囲第107項に記載の方法。 124. 前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第107項に記載の方法。 125. エチレンと、（ａ）適当なニッケル前駆体、（ｂ）式：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴ 及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、化合物が式VIまたはIXを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｎは窒素を表し、Ｏは酸素を表し、Ｓはイオウを表す）の化合物及び場合によっては（ｃ）ブレンステッド酸またはルイス酸と接触させることを含んでなる、線状α−オレフィンの製造方法。 126. 前記化合物が式IIIを有する請求の範囲第125項に記載の方法。 127. 前記化合物が式VIを有する請求の範囲第125項に記載の方法。 128. 前記化合物が式IXを有する請求の範囲第125項に記載の方法。 129. 前記化合物が式XVIIを有する請求の範囲第125項に記載の方法。 130. 前記化合物が式XVIIIを有する請求の範囲第125項に記載の方法。 131. Ｒ¹及びＲ⁶がフェニルである請求の範囲第125項に記載の方法。 132. 方法を不活性溶媒中で行う請求の範囲第125項に記載の方法。 133. 前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第132項に記載の方法。 134. 前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第125項に記載の方法。 135. エチレンを、式：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、化合物が式IVまたはVIIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素またはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)を表し；Ｎは窒素を表し；Ｏは酸素を表し；Ｓはイオウを表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）。の化合物とを接触させることを含んでなる、線状α−オレフィンの製造方法。 136. 前記化合物が式Ｉを有する請求の範囲第135項に記載の方法。 137. 前記化合物が式IVを有する請求の範囲第135項に記載の方法。 138. 前記化合物が式VIIを有する請求の範囲第135項に記載の方法。 139. 前記化合物が式XIIIを有する請求の範囲第135項に記載の方法。 140. 前記化合物が式XIVを有する請求の範囲第135項に記載の方法。 141. Ｒ¹及びＲ⁶がフェニルである請求の範囲第135項に記載の方法。 142. 方法を不活性溶媒中で行う請求の範囲第135項に記載の方法。 143. 前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第142項に記載の方法。 144. 前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第135項に記載の方法。 145. エチレンを、式：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、錯体が式ＶまたはVIIIを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；ＭはNi(II)を表し；Ｎは窒素を表し；Ｏは酸素を表し；Ｓはイオウを表し；そしてＹは、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、及び共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸からなる群から選ばれる）の錯体と化合物Ｙとを化合させることによって形成した触媒と接触させることを含んでなる、α−オレフィンの製造方法。 146. 前記錯体が式IIを有する請求の範囲第145項に記載の方法。 147. 前記錯体が式Ｖを有する請求の範囲第145項に記載の方法。 148. 前記錯体が式VIIIを有する請求の範囲第145項に記載の方法。 149. 前記錯体が式XVを有する請求の範囲第145項に記載の方法。 150. 前記錯体が式XVIを有する請求の範囲第145項に記載の方法。 151. Ｒ¹及びＲ⁶がフェニルである請求の範囲第145項に記載の方法。 152. 方法を不活性溶媒中で行う請求の範囲第145項に記載の方法。 153. 前記不活性溶媒が、線状または分岐鎖炭化水素、トルエンまたはそれらの混合物から選ばれる請求の範囲第152項に記載の方法。 154. 前記温度が約25〜約150℃であり、且つ前記圧力が約１〜約1000atmである請求の範囲第145項に記載の方法。 155. エチレンと式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーとの共重合方法であって、エチレン及び式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーを、Ｑ^-またはＷ^-を除去して弱配位陰イオンを形成できる中性ルイス酸、対イオンが弱配位陰イオンである陽イオンルイス酸、または共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸から選ばれる第１の化合物Ｙと、式XXIV：（式中、Ｒ¹は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、フルオロアルキルまたはシリルであり；ｎは３より大きい整数であり；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリルであるか、または一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルもしくは置換珪素原子を形成でき；Ｑはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物であり；Ｗはアルキル、塩化物、ヨウ化物または臭化物であり；Ｎは窒素であり；Ｚはイオウまたは酸素であり；そしてＭはNi(II)である）の第２の化合物とを化合させることによって形成された錯体とを接触させることを含んでなる方法。 156. エチレンと式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーとの共重合方法であって、エチレン及び式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹のコモノマーを、（ａ）式XLII：（式中、Ｒ¹は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、フルオロアルキルまたはシリルであり；ｎは３より大きい整数であり；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリルであるか、または一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルもしくは置換珪素原子を形成でき；Ｎは窒素であり；そしてＺはイオウまたは酸素である）の化合物；（ｂ）適当なニッケル（０）前駆体及び（ｃ）共役塩基が弱配位陰イオンであるブレンステッド酸の反応生成物によって形成された錯体と接触させることを含んでなる方法。 157．式RCH＝CHR⁸（式中、Ｒ及びＲ⁸は各々独立して水素、ヒドロカルビルまたはフルオロアルキルを表し、結合して環状オレフィンを形成できる）の１種またはそれ以上のモノマーを、第８〜10族遷移金属Ｍに配位した複核形成または多核形成配位子及び１種またはそれ以上の、遷移金属Ｍに結合した１個またはそれ以上の供与体原子とπ−共役している１個またはそれ以上のヘテロ原子に結合しているルイス酸と接触させることを含んでなるオレフィン重合方法。 158. 前記複各形成または多核形成配位子が以下：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、配位子が式VIまたはIXを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；そしてＮは窒素を表し；Ｏは酸素を表し；Ｓはイオウを表す）から選ばれ、且つＭがNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)である請求の範囲第 157項に記載の方法。 159. 前記ルイス酸が硼素またはアルミニウム含有ルイス酸である請求の範囲第157項に記載の方法。 160. 前記ルイス酸が硼素またはアルミニウム含有ルイス酸である請求の範囲第158項に記載の方法。 161. （ａ）第８〜10族遷移金属Ｍ、（ｂ）１種またはそれ以上のルイス酸（遷移金属Ｍに結合した１個またはそれ以上の供与体原子とπ−共役している１個またはそれ以上のヘテロ原子に結合している、及び（ｃ）式Ｘ：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｎは窒素を表し；そしてＡ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれるヘテロ原子結合モノラジカル）であり、さらに、Ａ及びＢは架橋基によって結合させることができる）。の複核形成または多核形成化合物を含んでなる組成物。 162. 遷移金属がNi(II)であり、ルイス酸が硼素もしくはアルミニウム含有ルイス酸であり、且つ式Ｘの複核形成または多核形成化合物が以下のもの：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成できるが、但し、化合物が式VIまたはIXを有する場合には、架橋基は置換イオウ原子でも置換リン原子でもなく；そしてＮは窒素を表し；Ｏは酸素を表し；Ｓはイオウを表す）。から選ばれる請求の範囲第161項に記載の組成物。 163. 式Ｉ：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素またはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 164. 式II：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵のいずれか２つは共同で架橋基を形成でき；Ｑはヒトロカルヒル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表す）の化合物。 165. 式IV：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 166. 式Ｖ：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表す）の化合物。 167. 式VI：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成できる）の化合物。 168. 式VII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 169. 式VIII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表す）の化合物。 170. 式IX：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；そしてＲ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成できる）の化合物。 171. 式XIII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³及びＲ⁴のいずれか２つは一緒になって架橋原子団を形成でき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 172. 式XV：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³及びＲ⁴のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｑはヒドロカルヒル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表す）の化合物。 173. 式XVII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；そしてＲ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³及びＲ⁴のいずれか２つは共同して架橋基を形成できる）の化合物。 174. 式XIV：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素もしくはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 175. 式XVI：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＭはNi(II)，Pd(II)，Co(II)またはFe(II)を表す）の化合物。 176. 式XVIII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ｒ²及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表す）の化合物。 177. 式XIX：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらにＲ²，Ｒ³，Ｒ⁴またはＲ⁵のいずれか２つは一緒になって架橋基を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 178. 式XX：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリルを表し；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 179. 式XXI：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリルを表し；Ｒ²及びＲ³は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋ヒドロカルビル、架橋置換ヒドロカルビルまたは置換珪素原子を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 180. 式XXII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリルを表し；Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；さらに、一緒になって架橋基を形成でき；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 181. 式XXIII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリルを表し；Ｒ²及びＲ⁵は各々独立して水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたはシリルを表し；Ｇはπ−アリルまたはπ−ベンジル基であり；ＭはNi(II)，Pd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 182. 式XXIV：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立してヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルもしくはシリルを表し；Ａ及びＢは各々独立して、第15族または第16族から選ばれた、ヘテロ原子結合モノラジカルであり、さらに、Ａ及びＢは架橋原子団によって結合されることもでき；Ｔは水素またはヒドロカルビルを表し；Ｌはモノオレフィンまたは配位原子が窒素、酸素またはイオウである中性ルイス塩基を表し；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；Ｎは窒素を表し；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）の化合物。 183. 式XXIX：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は各々独立して立体障害アリールを表し；Ａ及びＢは各々独立して、ヘテロ原子接続モノラジカルであり、接続ヘテロ原子は第15族または第16族から選ばれ、さらに、Ａ及びＢは架橋原子団によって結合されることもでき；Ｑはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；Ｗはヒドロカルビル、塩化物、ヨウ化物または臭化物を表し；ＭはNi(II)またはPd(II)を表し；そしてＮは窒素を表す）の化合物。 184. 式XXV：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第165項に記載の化合物。 185. 式XXVI：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第165項に記載の化合物。 186. 式XXVII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルである）を有する請求の範囲第165項に記載の化合物。 187. 式XXVIII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルである）を有する請求の範囲第166項に記載の化合物。 188. 式XXX：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第168項に記載の化合物。 189. 式XXXI：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第168項に記載の化合物。 190．式XXXII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルである）を有する請求の範囲第169項に記載の化合物。 191. 式XXXIII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルである）を有する請求の範囲第169項に記載の化合物。 192. 式XXXIV：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第168項に記載の化合物。 193. 式XXXV：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第165項に記載の化合物。 194. 式XXXVI：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第171項に記載の化合物。 195. 式XXXVII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルであり；そしてＸ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第171項に記載の化合物。 196. 式XXXVIII：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジメチルフェニルである）を有する請求の範囲第172項に記載の化合物。 197. 式XXXIX：（式中、Ｒ¹及びＲ⁶は２，６−ジイソプロピルフェニルである）を有する請求の範囲第172項に記載の化合物。 198. 式XL：（式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ⁵及びＲ⁶は２，６−ジメチル−４−メトキシフェニルであり；Ｘ^-は弱配位陰イオンである）を有する請求の範囲第174項に記載の化合物。 199. 式XLI：（式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ⁵及びＲ⁶は２，６−ジメチル−４−メトキシフェニルである）を有する請求の範囲第175項に記載の化合物。 200. エチレンと0.1〜50重量％の式CH₂＝CH(CH₂)_nCO₂R¹（式中、Ｒ¹は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、フルオロアルキルまたはシリルであり、ｎは３〜18の整数である）のコモノマーから誘導されるモノマー単位からなるポリマー組成物であって、該コモノマーの組み込みによる分岐の他に、該ポリマー組成物中にはアルキル分岐が存在し、存在するアルキル分岐が炭素原子1000個当たり５〜50個であり、且つアルキル分岐の多数部分がメチル分岐である組成物。 201. アルキル分岐５〜30個／炭素原子1000個を有する半結晶質コポリエチレンを含むエステルを含んでなる組成物であって、該アルキル分岐の多数部分がメチル分岐であり、且つ鎖当たり平均約１〜50個のエステル末端分岐がエステルコモノマーの組み込みによって得られる組成物。 202. アルキル分岐５〜30個／炭素原子1000個を有する半結晶質コポリエチレンを含むオレフィンを含んでなる組成物であって、このアルキル分岐の多数部分がメチル分岐であり、且つ鎖当たり平均約１〜50個のオレフィン末端分岐がジエンコモノマーの組み込みによって得られる組成物。 203. ＭがNi(II)である請求の範囲第164項に記載の化合物。 204. 炭素原子1000個当たり125個より多くのアルキル分岐を有するエチレンホモポリマーを含んでなる組成物。