【特許請求の範囲】
【請求項１】 入射する放射（ラディエーション）に対して露出可能（エクスポーザブル）であり且つそこから電荷を集めるための複数の電荷収集接点を有するデテクタ基板を含み、各電荷収集接点は読出し基板の読出セル回路の配列（アレイ）のそれぞれの回路の入力部に結合しており、その読出し基板は複数のセル回路と関連し且つ接続されているさらに別の回路構成を含んでいるかまたは搭載しており、前記更に別の回路構成は前記読出し基板の第一領域に配置され、前記セル回路の配列は前記読出し基板の第二領域に配置され、前記第一領域は前記第二領域とは異なる半導体撮像装置であって、
その装置において、少なくとも一つの第一電荷収集接点が、前記読出し基板の前記第二領域と位置合わせ（レジストレーション）にならないよう、および前記読出し基板の第一領域と重なり合うように配置されている半導体撮像装置。
【請求項２】 前記少なくとも一つの接点が前記セル回路の入力部と位置合わせにならないように配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】 入射する放射（ラディエーション）に対して露出可能であり且つそこから電荷を集めるための複数の電荷収集接点を有するデテクタ基板を含み、各電荷収集接点は読出し基板の読出セル回路の配列のそれぞれの回路の入力部に結合しており、前記読出し基板はさらに前記セル回路と関連し且つ接続されているさらに別の回路構成を含んでいるかまたは搭載しており、前記更に別の回路構成は前記読出し基板の第一領域に配置され、前記セル回路の配列は前記読出し基板の第二領域に配置され、前記第一領域は前記第二領域とは異なる半導体撮像装置であって、
その装置において、少なくとも一つの第一電荷収集接点が、その接点のためのセル回路の入力部と位置合わせにならないよう、および前記読出し基板の第一領域に重なり合うように配置されている半導体撮像装置。
【請求項４】 少なくとも一つの第二接点が、それとの接続をはたすため関連するセル回路の入力部と位置合わせされている、請求項１、２または３に記載の装置。
【請求項５】 前記複数の第一接点からなる第一セットと前記複数の第二接点からなる第二セットとを含み、前記第二セットは前記第一セットより大きい、請求項4に記載の装置。
【請求項６】 前記複数の第一接点を含み、その少なくとも幾つかがデテクタ基板の端縁に向け配置されている、請求項３乃至５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】 前記別の回路構成が制御回路構成を含んでいる、請求項１乃至６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】 前記別の回路構成がマルチプレックス出力信号を作成するためのマルチプレックシング回路を含んでいる、請求項１乃至７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】 そのまたは各第一接点を、それぞれのセル回路の入力部と位置合わせになっている各中間端子位置に結ぶ、それぞれの導電路を更に含む、請求項１乃至８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】 そのまたは各導電路が、デテクタ基板の面に搭載されている、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】 そのまたは各導電路が、電荷収集接点の位置においてのみ、デテクタ基板と電気的に接触している、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】 前記電荷収集接点が、直接にまたはマイクロバンプを介して間接に前記読出し基板と結合されている、請求項１乃至１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】 入射する放射に対して露出可能であり且つそこから電荷を集めるための複数の電荷収集接点を有するデテクタ基板と、読出しセル回路構成を搭載するかまたは含んでいる読出し基板と、を含む半導体撮像装置であって、
前記読出し基板は、各電荷収集接点と結合または前記デテクタ基板から信号を受信するように構成したそれぞれのセル回路を有する第一の領域と、複数のセル回路と関連し且つ接続されている更に別の回路構成を有する第二の領域とを含むものであり、且つ前記電荷収集接点が、前記読出し基板の第一および第二の領域にわたって配置されている半導体撮像装置。
【請求項１４】 前記読出し基板の第二の領域の上に置かれた電荷収集接点から第一の領域のそれぞれのセル回路上の位置まで延びる導体を含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】 前記電荷収集接点が、少なくとも一次元において、前記読出し基板と実質的に共存し得る前記デテクタ基板の活性面を定めるものである、請求項１乃至１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】 各記セル回路が、それぞれの電荷収集接点から受けた電荷を蓄積するための回路を含むものである、請求項１乃至１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】 前記セル回路と位置合わせされていない電荷収集接点と関連し、そのまたは各セル回路が、前記電荷収集接点からの予想信号レベルに応じた電荷蓄積容量を有するものである、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】 入射する放射に対して露出可能であり且つそこから電荷を集めるための複数の電荷収集接点を有するデテクタ基板と、前記電荷収集接点から受けた電荷を蓄積するための各電荷収集接点と結合した読出しセル回路を搭載するか含んでいる読出し基板と、関連するセル回路と位置合わせにならないように配置された少なくとも一つの第一電荷収集接点、および関連するセル回路と位置合わせになるように配置された少なくとも一つの第二電荷収集接点と、を含む半導体撮像装置であって、前記第一電荷収集接点のためのセル回路は前記第二電荷収集接点のためのセル回路と異なる電荷蓄積容量を有するものである半導体撮像装置。
【請求項１９】 それぞれのモジュ−ルが、請求項１乃至１８のいずれかに記載の撮像装置を含む複数の撮像装置モジュ−ルを含む、撮像システム。
[Claims]
1. A detector substrate comprising a detector substrate that is exposed to incident radiation and has a plurality of charge collection contacts for collecting charges from the radiation.Each charge collection contactIt is coupled to the input part of each circuit of the array of read cell circuits of the read board, and the read board is used.Is doubleIncludes or mounts yet another circuit configuration associated with and connected to a number of cell circuits, said yet another circuit configuration being said reading board.Placed in the first area ofThe arrangement of the cell circuit is that of the reading board.Arranged in the second region, the first region is different from the second regionIt is a semiconductor imaging device
In the device, at least one first charge collection contact isThe second of the readout boardDo not align with the area (registration), and beforeReadingOf the output boardfirstA semiconductor imaging device arranged so as to overlap an area.
2. The apparatus according to claim 1, wherein the at least one contact is arranged so as not to be aligned with an input portion of the cell circuit.
3. A detector substrate that is exposed to incident radiation and has a plurality of charge collection contacts for collecting charges from the radiation.Each charge collection contactIt is coupled to the input section of each circuit in the array of read cell circuits on the read board.SaidThe readout board further comprises or mounts yet another circuit configuration associated with and connected to the cell circuit, said yet another circuit configuration of the readout board.Placed in the first area, Of the cell circuitThe arrangement is arranged in the second region of the readout substrate, the first region being different from the second region.It is a semiconductor imaging device
In the device, make sure that at least one first charge collection contact is not aligned with the input of the cell circuit for that contact, and before.ReadingOf the output boardfirstA semiconductor imaging device that is arranged so as to overlap the area.
4. The device of claim 1, 2 or 3, wherein at least one second contact is aligned with an input portion of the associated cell circuit to make a connection to it.
5. SaidMultiple first contactsThe first set consisting of the aboveMultiple second contactsWith the second set consisting ofIncludingThe second set is larger than the first set,The device according to claim 4.
Claim6The apparatus according to any one of claims 3 to 5, wherein the apparatus includes the plurality of first contacts, some of which are arranged toward the edge of the detector substrate.
Claim7The apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the other circuit configuration includes a control circuit configuration.
Claim8The apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the other circuit configuration includes a multiplexing circuit for creating a multiplex output signal.
Claim9The apparatus according to any one of claims 1 to 8, further comprising a respective conductive path connecting the first contact to each intermediate terminal position aligned with an input portion of each cell circuit. ..
Claim10The device according to claim 9, wherein the or each conductive path is mounted on a surface of a detector substrate.
Claim1110. The apparatus of claim 10, wherein the or each conductive path is in electrical contact with the detector substrate only at the position of the charge collecting contact.
Claim12The apparatus according to any one of claims 1 to 11, wherein the charge collecting contact is directly or indirectly coupled to the readout substrate via a microbump.
Claim13Semiconductor imaging including a detector substrate that is exposed to incident radiation and has multiple charge collection contacts for collecting charges from it, and a readout substrate that includes or includes a readout cell circuit configuration. It ’s a device,
The readout board is further associated with and connected to a plurality of cell circuits with a first region having a cell circuit coupled to each charge collecting contact or configured to receive a signal from the detector board. A semiconductor imaging device including a second region having the circuit configuration of the above, and the charge collecting contacts are arranged over the first and second regions of the readout substrate.
Claim1413. The apparatus of claim 13, comprising a conductor extending from a charge collecting contact placed on the second region of the readout substrate to a position on each cell circuit of the first region.
Claim15The apparatus according to any one of claims 1 to 14, wherein the charge collecting contact defines an active surface of the detector substrate which can substantially coexist with the readout substrate in at least one dimension.
Claim16The apparatus according to any one of claims 1 to 15, wherein each cell circuit includes a circuit for accumulating a charge received from each charge collecting contact.
Claim1716. The sixteenth aspect, wherein the cell circuit is associated with a charge collecting contact that is not aligned with the cell circuit, or each cell circuit has a charge storage capacity corresponding to an expected signal level from the charge collecting contact. Equipment.
Claim18A detector substrate that is exposed to incident radiation and has a plurality of charge collecting contacts for collecting charges from the detector substrate and each charge collecting contact for accumulating the charges received from the charge collecting contacts are combined. The readout board that mounts or contains the readout cell circuit, at least one first charge collection contact that is placed out of alignment with the associated cell circuit, and is aligned with the associated cell circuit. A semiconductor imaging device including at least one second charge collecting contact, wherein the cell circuit for the first charge collecting contact has a different charge storage capacity than the cell circuit for the second charge collecting contact. A semiconductor imaging device that has.
Claim19An imaging system in which each module comprises a plurality of imaging apparatus modules including the imaging apparatus according to any one of claims 1 to 18.